ELEKTRONIČKI SKLOPOVI

pitanja i odgovori za 2. kontrolnu zadaću prof. predmeta Mario Lamešić; odgovorili Ivan Marinković i Adrian Bijelić 1. Što je bipolarni tranzistor, kakve razlikujemo i shematski prikaz? - aktivna troslojna poluvodička nelinearna komponenta u kojoj su dva sloja istog tipa poluvodiča odvojena slojem suprotnog tipa - razlikujemo NPN tranzistor i PNP tranzistor

2. Nacrtaj i objasni spoj zajedničke baze.

IE

E

C

IC

+
ulaz U EB B IB

+
UC B izlaz

-

-

- α – istosmjerni faktor struje pojačanja - obično ima vrijednost 0,98 – 0,995 3. Nacrtaj i objasni spoj zajedničkog emitera.
IC

+
C IB B E u la z UB E IE UC E izlaz

- tipične vrijednosti faktora β su od 50 do 400 - β – istosmjerni faktor struje pojačanja

+

-

-

4. Nacrtaj i objasni spoj zajedničkog kolektora.
IE

+
IB E B C u la z UB C IC UE C izlaz

+

-

-

5. Objasni područje rada bipolarnih tranzistora. 1. NORMALNO-AKTIVNO PODRUČJE (NAP) - emiterski PN spoj je propusno polariziran, a kolektorski PN spoj je zaporno polariziran - tranzistor vodi struju u tom se području koristi kad radi kao pojačalo 2. INVERZNO AKTIVNO PODRUČJE (IAP) - emiterski PN spoj je zaporno polariziran, a kolektorski PN spoj je propusno polariziran - tranzistor u tom području može raditi kao pojačalo, ali ima manje pojačanje nego u NAP 3. PODRUČJE ZASIČENJA - oba PN spoja su propusno polarizirana, tranzistor vodi struju 4. PODRUČJE ZAPIRANJA - oba PN spoja su zaporno polarizirana i tranzistor ne vodi struju 6. Ulazne karakteristike tranzistora u spoju zajedničkog emitera. - ulazna kka tranzistora daje ovisnost ulazne struje baze po ulaznom naponu baza emitera Uk stalnu vrijednost izlaznog napona kolektora – emitera

7. Računanje statičkog i dinamičkog ulaznog otpora iz ulaznih karakteristika. Što je ulazni dinamički otpor? - dinamični ulazni otpor rBE određuje se iz ulaznih karakteristika kao omjer ulaznog napona i odgovarajuće promjene ulazne struje baze IB uz stalan izlazni napon UCE

8. Izlazne karakteristike tranzistora u spoju zajedničkog emitera. Nacrtaj za NPN tranzistor. - izlazne karakteristike tranzistora daju ovisnost izlazne struje kolektora o izlaznom naponu kolektor-emiter uz stalnu vrijednost ulazne struje baze

9. Izlazne karakteristike tranzistora u spoju zajedničkog emitera za PNP tranzistor. Što je izlazni dinamički otpor?

10. Što je dinamički faktor strujnog pojačanja, a što strmina? (i formule) dinamički faktor strujnog pojačanja

strmina [ ]

11. Što je unipolarni tranzistor i kakav može biti? (tipovi) - naponom upravljivi tranzistor, aktivna poluvodička komponenta obično s tri priključka TIPOVI: - spojni tranzistor s učinkom polja (JFET) - grade se kao N-kanalni i P-kanalni - s učinkom polja i izoliran upravljačkom elektrodom (IGFET) - ako je izolator silicijev dioksid koristi se naziv MOSFET - grade se kao N-kanalni i P-kanalni osiromašenog ili obogačenog tipa 12. Kakav je N kanalni JFET? Koji su veći nosioci naboja?

13. Kakav je P kanalni JFET? Koji su veći nosioci naboja? (simbol, struktura)

14. Spoj zajedničkog uvoda za N kanalni JFET.

15. Spoj zajedničkog uvoda za P kanalni JFET.

16. Izlazne karakteristike N-kanalnog JFET-a.

17. Izlazne karakteristike P-kanalnog JFET-a.

18. Što je MOSFET? Kakav može biti? - kod tranzistora s učinkom polja i izoliranom upravljačkom elektrodom (MOSFET), širinom kanala upravlja napon upravljačke elektrode koja je od kanala odvedena izolatorom - gradi se kao N-kanalni i P-kanalni, a ovisno o načinu izvedbe i djelovanju kanala razlikuje se osiromašeni i obogačeni MOSFET 19. Struktura N kanalnog MOSFET-a.

20. Struktura P kanalnog MOSFET-a.

21. Koja je razlika između obogačenog i osiromašenog tipa? - razlikuju se dva tipa: obogaćeni (enhancement) i osiromašeni (depeletion) - u obogaćenom tipu MOSFET-a vodljivi kanal između izvora i odvoda nastaje tek primjenom napona na vratima G. primjerice, kod N-kanalnog obogaćenog tipa MOSFET-a vodljivi kanal između jako dopiranih N-područja izvora S i odvoda D nastaje tek kad dostatno pozitivni napon na vratima VGS influencijskim djelovanjem potisne većinskim nositeljima ("obogaćivanje kanala") - napon VGS = VT pri kojem se formira kanal naziva se okidni (engl. threshold) - u osiromašenom tipu MOSFET-a postoji vodljivi kanal između izvora i odvoda i pri nultom naponu na vratima (VGS=0), a okidni je napon negativan - u oba slučaja promjenom napona na vratima kapacitivnim (influencijskim) djelovanjem utječe se na vodljivost kanala, a time i na iznos struje između odvoda i izvora

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful