‫‪www.ir-micro.

com‬‬
‫______________‬

‫اﻟﮑﺘﺮوﻧﯿﮏ ‪3‬‬

‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣﺪل ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ‪FET‬‬
‫درس‪ :‬دﮐﺘﺮ رﺣﻤﺘﯽ‬

‫‪http://ee.iust.ac.ir/rahmati/‬‬

‫آدرس ‪ Email‬و ‪ Website‬ﺑﺮاي ﺗﮑﺎﻟﯿﻒ و‪:...‬‬

‫‪1‬‬

‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬

‫‪1/2/2006‬‬

‫‪ FET‬ﻫﺎ در ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻ‬

‫‪2‬‬

‫‪١‬‬

‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬

‫‪1/2/2006‬‬

‬‬ ‫‪D‬‬ ‫‪C ds‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪S‬‬ ‫‪C gd‬‬ ‫‪G‬‬ ‫‪C gs‬‬ ‫‪1/2/2006‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪C gd‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪v ds‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪ro‬‬ ‫‪C ds‬‬ ‫‪C gs‬‬ ‫‪g m v gs‬‬ ‫_‬ ‫‪v gs‬‬ ‫_‬ ‫‪Cgd‬‬ ‫‪D‬‬ ‫‪G‬‬ ‫‪Cds‬‬ ‫ﺧﺎزن ﭘﺮاﮐﻨﺪﮔﯽ‬ ‫‪D‬‬ ‫‪G‬‬ ‫‪S‬‬ ‫‪Cgs‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪٢‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪S‬‬ ‫‪1/2/2006‬‬ .com‬‬ ‫______________‬ ‫ﻣﺪﺍﺭﻣﻌﺎﺩﻝ ‪ FET‬ﻫﺎ ﺩﺭ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﭘﺎﻳﻴﻦ‬ ‫‪D‬‬ ‫‪G‬‬ ‫‪ro‬‬ ‫‪v ds‬‬ ‫‪v gs‬‬ ‫‪g m v gs‬‬ ‫‪S‬‬ ‫• ﺩﺭ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻓﻌﺎﻝ ﭘﻴﻮﻧﺪ ﮔﻴﺖ ﻭ ﻛﺎﻧﺎﻝ ﺩﺭ ﺑﺎﻳﺎﺱ ﻣﺨﺎﻟﻒ ﺍﺳﺖ ﻭ ﻳﻚ‬ ‫ﺧﺎﺯﻥ ﺑﻴﻦ ‪ G‬ﻭ ‪ ، D‬ﻭ ﻳﻚ ﺧﺎﺯﻥ ﺑﻴﻦ ‪ S‬ﻭ‪ G‬ﺧﻮﺍﻫﻴﻢ ﺩﺍﺷﺖ‪.ir-micro.‫‪www.

‬‬ ‫‪= C ds + C gd‬‬ ‫‪Coss :‬‬ ‫‪C OSS‬‬ ‫‪ ‬ﻭﻗﺘﻲ ﻭﺭﻭﺩﻱ ﺍﺗﺼﺎﻝ ﻛﻮﺗﺎﻩ ‪ig‬‬ ‫‪‬‬ ‫ﺑﺎﺷﺪ‬ ‫‪vds v =0‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪gs‬‬ ‫‪ ⇒ C gd = Crss‬‬ ‫‪ig‬‬ ‫⇒ ‪ig = − jω C gd vds‬‬ ‫‪= ω Cgd ‬‬ ‫‪vds‬‬ ‫‪‬‬ ‫= ‪ω Crss‬‬ ‫ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﻣﺪار ﺑﺎز در ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﭘﺎﯾﯿﻦ‪:‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪٣‬‬ ‫‪vds‬‬ ‫‪= − g m rd = − µ‬‬ ‫‪vgs‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪1/2/2006‬‬ .‬‬ ‫• در‪ MOSFET‬ﻫﺎ ﻧﯿﺰﺧﺎزن آن ﻫﺎ را ﻣﻌﻤﻮﻻ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺗﻘﺮﯾﺒﯽ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﯽ ﮐﻨﻨﺪ‪.ir-micro.‬‬ ‫‪C iss :‬‬ ‫‪C iss = C gd + C gs‬‬ ‫• ﺧﺎزن ﺧﺮوﺟﻲ در ﺣﺎﻟﺖ ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك‬ ‫در ﺣﺎﻟﻲ ﻛﮫ ورودي اﺗﺼﺎل ﻛﻮﺗﺎه ﺑﺎﺷﺪ‪.‫‪www.‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪1/2/2006‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫• ﺧﺎزن ورودي در ﺣﺎﻟﺖ ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك‬ ‫ﺑﮫ ﺷﺮﻃﻲ ﻛﮫ ﺧﺮوﺟﻲ اﺗﺼﺎل ﻛﻮﺗﺎه ﺑﺎﺷﺪ‪.com‬‬ ‫______________‬ ‫‪IDS‬‬ ‫‪IDSQ‬‬ ‫‪VGSQ‬‬ ‫‪v gs‬‬ ‫‪VP‬‬ ‫• در ‪ JFET‬ﻫﺎ ﺧﺎزن ﻫﺎ را ﻣﻌﻤﻮﻻ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺗﻘﺮﯾﺒﯽ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﯽ ﮐﻨﻨﺪ ‪ ،‬اﻣﺎ در ﺑﻌﻀﯽ‬ ‫ﻣﻮارد ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺗﺎﺑﻌﯽ از وﻟﺘﺎژ دو ﺳﺮآن ﻫﺎ داده ﻣﯽ ﺷﻮد‪.

com ______________ ‫ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮک‬ ‫ﺑﺪون ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻣﻨﺒﻊ‬ 1/2/2006 7 ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ vi + v gs C gd D G g m v gs C gs C ds rd RD _ s Av = vo ( vo vi 1 1 + + jω Cds ) + (vO − vS ) jω C gd + g m v gs = 0 RD rd jω C gd − g m v Avs ( jω ) = o = vs GD + g d + jω (C ds + C gd ) Av (0) = 1/2/2006 − gm = − g m rD GD + g d Av ( jω ) = Av (0) ⇒ ωH ⇒ f H 2‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ v gs = vs = vi rD = RD || rd 8 ٤ .ir-micro.www.

‬‬ ‫‪rD = R D || rd = 2kΩ‬‬ ‫‪:JFET‬‬ ‫‪C gs = C gd = 10 pF‬‬ ‫‪VP = −4V‬‬ ‫‪9‬‬ ‫‪I DQ = 5mA‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪C ds = 2 pF‬‬ ‫‪I DSS = 10mA‬‬ ‫‪1/2/2006‬‬ ‫• اﮔﺮ ﻣﻨﺒﻊ داراي ﻣﻘﺎوﻣﺖ ‪ RS‬ﺑﺎﺷﺪ ‪ ،‬دو ﻣﻌﺎدﻟﮫ ﮔﺮه ‪ ،‬در ﮔﺮه‬ ‫ھﺎي ‪ vi‬و ‪ vO‬ﺧﻮاھﯿﻢ ﻧﻮﺷﺖ‪.‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪٥‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪1/2/2006‬‬ .‬‬ ‫– اﮔﺮ ﺑﺘﻮان در ﯾﻚ ﺣﻠﻘﮫ ﺷﺎﻣﻞ ﻓﻘﻂ ﺧﺎزن ھﺎ ‪ KVL ،‬ﻧﻮﺷﺖ ‪ ،‬ﺗﻌﺪاد‬ ‫ﺧﺎزن ھﺎ ﺑﯿﺶ از ﺗﻌﺪاد ﺛﺎﺑﺖ زﻣﺎﻧﻲ ھﺎي ﻣﺴﺘﻘﻞ ﺧﻮاھﺪ ﺑﻮد‪.‬‬ ‫• اﮔﺮ ‪ RS = 0‬ﯾﻚ ﻗﻄﺐ ﺧﻮاھﯿﻢ داﺷﺖ‪.ir-micro.‫‪www.com‬‬ ‫______________‬ ‫ﺗﻤﺮﯾﻦ‪:‬‬ ‫• ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻗﻄﻊ ﻣﺪار ﻣﻮرد ﺑﺤﺚ را ﺑﺎ ﭘﺎراﻣﺘﺮ ھﺎي زﯾﺮ‬ ‫ﻣﺤﺎﺳﺒﮫ ﻛﻨﯿﺪ‪.‬‬ ‫ﯾﮏ ﺛﺎﺑﺖ زﻣﺎﻧﯽ از ﺑﯿﻦ ﻣﯽ رود‬ ‫•‬ ‫• ﻧﻜﺘﮫ‪:‬‬ ‫اﮔﺮ ‪≠ 0‬‬ ‫⇒ ﻣﻘﺎوﻣﺖ دو ﺳﺮ ‪ C gs‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺻﻔﺮ اﺳﺖ ⇒ ‪RS = 0‬‬ ‫‪ RS‬ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﯾﻞ ﯾﻚ ﺻﻔﺮ و دو ﻗﻄﺐ ﺧﻮاھﺪ داﺷﺖ‪.

com‬‬ ‫______________‬ ‫ﺗﺤﻠﯿﻞ ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮک ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از‬ ‫ﻗﻀﯿﮫ ﻣﯿﻠﺮو ﺗﻘﺮﯾﺐ ھﺎي ﻗﺎﺑﻞ ﻗﺒﻮل‬ ‫‪11‬‬ ‫‪1/2/2006‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫ﺧﻮاھﯿﻢ داﺷﺖ‪:‬‬ ‫ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻗﻀﯿﮫ ﻣﯿﻠﺮ ﺑﺮاي ‪C gd‬‬ ‫ﺧﺎزن‬ ‫‪K ≅ − g m rD‬‬ ‫) ‪C gd1 = C gd (1 + g m rD‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪) ≅ C gd = C rss‬‬ ‫‪g m rD‬‬ ‫‪CO = C ds + C gd = Coss‬‬ ‫‪vO‬‬ ‫‪C gd 2 = C gd (1 +‬‬ ‫) ‪C i = C gs + C gd (1 + g m rD‬‬ ‫‪D‬‬ ‫‪G‬‬ ‫‪g m v gs‬‬ ‫‪RD‬‬ ‫‪12‬‬ ‫‪٦‬‬ ‫‪rd‬‬ ‫‪CO‬‬ ‫‪Ci‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪S‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪v gs‬‬ ‫‪vs‬‬ ‫‪1/2/2006‬‬ .ir-micro.‫‪www.

‬‬ ‫• ﭘﮭﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ‪ FET‬در ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ھﺎي ﺑﺎﻻ ﺗﻮﺳﻂ ﺛﺎﺑﺖ زﻣﺎﻧﻲ‬ ‫ورودي ﻣﺤﺪود ﻣﻲ ﺷﻮد‪.‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪vO‬‬ ‫‪٧‬‬ ‫‪S‬‬ ‫‪G‬‬ ‫‪RS‬‬ ‫‪Vs‬‬ ‫‪RL‬‬ ‫‪14‬‬ ‫‪D‬‬ ‫‪vi‬‬ ‫‪vs‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪CL‬‬ ‫‪0‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪0‬‬ ‫‪1/2/2006‬‬ .‫‪www.‬‬ ‫‪S‬‬ ‫ادﻣﯿﺘﺎﻧﺲ ﺧﺮوﺟﯽ‬ ‫‪Y O= g d + jω CO‬‬ ‫‪13‬‬ ‫‪1/2/2006‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫ﺗﻘﻮﯾﺖ ﻛﻨﻨﺪه درﯾﻦ ﻣﺸﺘﺮك‬ ‫• ﺗﻘﻮﯾﺖ ﻛﻨﻨﺪه درﯾﻦ ﻣﺸﺘﺮك ﻧﯿﺰ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﺗﻘﻮﯾﺖ ﻛﻨﻨﺪه ﻛﻠﻜﺘﻮر‬ ‫ﻣﺸﺘﺮك در ﻣﻮاردي اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲ ﺷﻮد ﻛﮫ ﺑﺎر داراي ﺧﺎﺻﯿﺖ‬ ‫ﺧﺎزﻧﻲ ﺑﺎﺷﺪ‪.com‬‬ ‫______________‬ ‫ﭼﻨﺪ ﻧﻜﺘﮫ‪:‬‬ ‫• در ﻣﺪار ھﺎﯾﻲ ﻛﮫ ‪ R‬وﺟﻮد دارد ﺛﺎﺑﺖ زﻣﺎﻧﻲ ورودي ﻗﻄﺐ‬ ‫ﻏﺎﻟﺐ را ﺗﻌﯿﯿﻦ ﻣﻲ ﻛﻨﺪ‪.ir-micro.‬‬ ‫• در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ھﺎي ﺑﺎﻻ‪ ،‬اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي ﺗﻘﻮﯾﺖ ﻛﻨﻨﺪه ﻛﺎھﺶ‬ ‫ﻣﻲ ﯾﺎﺑﺪ‪.

ir-micro.D‬را ﻣﺤﺎﺳﺒﮫ ﻛﻨﯿﺪ‪.‬‬ ‫‪15‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪1/2/2006‬‬ ‫ﻣﺤﺎﺳﺒﮫ ‪f H‬‬ ‫‪⇒ f = fH‬‬ ‫‪Av0‬‬ ‫‪2‬‬ ‫= ‪AvS‬‬ ‫• ﺗﻤﺮﯾﻦ‪:‬‬ ‫– ﺑﺎ ھﻤﺎن ﭘﺎراﻣﺘﺮھﺎي ﻋﺪدي ﺑﺮاي ‪ ، C.com‬‬ ‫______________‬ ‫‪C gs‬‬ ‫‪vO‬‬ ‫‪S‬‬ ‫‪G‬‬ ‫‪vi‬‬ ‫‪RS‬‬ ‫‪vs‬‬ ‫‪g m v gs‬‬ ‫‪CL‬‬ ‫‪RL‬‬ ‫‪C gd‬‬ ‫‪C ds‬‬ ‫‪Vs‬‬ ‫‪D‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪v gs = vi − vo‬‬ ‫‪RS ≅ 0 ⇒ vO = v i‬‬ ‫) ‪vo (GL + jω CL + jω Cds ) + (vo − vi ) jω C gs = g m (vi − vo‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪vi = vs‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪g m RL‬‬ ‫‪1 + g m RL‬‬ ‫= )‪Avs (0‬‬ ‫ﺑﺎ ﺻﺮف ﻧﻈﺮ از ‪ RS‬ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﯾﻞ ﯾﮏ ﻗﻄﺐ و ﯾﮏ ﺻﻔﺮ دارد و ﻣﺪار داراي ﯾﮏ ﺛﺎﺑﺖ‬ ‫زﻣﺎﻧﯽ اﺳﺖ‪.‫‪www.S‬ﭘﮭﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ را ﺑﺮاي‬ ‫‪ C.‬‬ ‫‪rD = R D || rd = 2kΩ‬‬ ‫‪:JFET‬‬ ‫‪16‬‬ ‫‪٨‬‬ ‫‪C gs = C ds = 10 pF‬‬ ‫‪VP = −4v‬‬ ‫‪I DQ = 5mA‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪C gd = 2 pF‬‬ ‫‪I DSS = 10mA‬‬ ‫‪1/2/2006‬‬ .

‫‪www.‬‬ ‫در اﯾﻦ ﻣﺪار ﺗﻌﺪاد ﺛﺎﺑﺖ زﻣﺎﻧﯽ ﻫﺎ ﺑﺎ ﺗﻌﺪاد ﺛﺎﺑﺖ زﻣﺎﻧﯽ ﻫﺎي ﻣﺴﺘﻘﻞ ﯾﮑﯽ ﻧﯿﺴﺖ‬ ‫‪18‬‬ ‫‪٩‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪1/2/2006‬‬ .‬‬ ‫‪17‬‬ ‫‪1/2/2006‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫اﮔﺮ‪RS ≠ 0‬‬ ‫ﺑﺎﺷﺪ‪:‬‬ ‫‪vi ( jω C gd ) + (vi − vS )Gs + jω C gs (vi − vo ) = 0‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫) ‪vo (GL + jω C L + jω Cds ) + (vo − vi ) jω C gs = g m (vi − vo‬‬ ‫‪g m RL‬‬ ‫‪1 + g m RL‬‬ ‫= )‪Av (0‬‬ ‫‪vO‬‬ ‫‪vS‬‬ ‫= ‪AvS‬‬ ‫ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﯾﻞ ﯾﮏ ﻗﻄﺐ و دو ﺻﻔﺮ دارد‪.S‬و‪C. D > f H C .ir-micro.S‬‬ ‫• از آﻧﺠﺎ ﻛﮫ در ﺗﻘﻮﯾﺖ ﻛﻨﻨﺪه درﯾﻦ ﻣﺸﺘﺮك ﺑﮭﺮه ﻧﺴﺒﺖ ﺑﮫ ﺗﻘﻮﯾﺖ‬ ‫ﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك ﻛﺎھﺶ ﯾﺎﻓﺘﮫ اﺳﺖ ‪ ،‬اﻓﺰاﯾﺶ ﭘﮭﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ‬ ‫ﻗﺎﺑﻞ ﭘﯿﺶ ﺑﯿﻨﻲ ﺑﻮد‪.D‬‬ ‫‪f H C .com‬‬ ‫______________‬ ‫ﻣﻘﺎﯾﺴﮫ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻗﻄﻊ ﺑﺎﻻي ﺗﻘﻮﯾﺖ ﻛﻨﻨﺪه ھﺎي‬ ‫‪C.

‬‬ ‫‪ C gs1 = 0‬‬ ‫‪ gs 2 = 0‬‬ ‫‪K =1‬‬ ‫‪⇒ C‬‬ ‫) ‪ C gs 1 = C gs (1 − K‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪‬‬ ‫) ‪ C gs 2 = C gs (1 − K‬‬ ‫ﺧﺎزن در ورودي ‪Common Source‬‬ ‫) ‪C is = C gs + C gd (1 + g m RL‬‬ ‫‪S‬‬ ‫‪G‬‬ ‫‪g m v gs‬‬ ‫‪CL‬‬ ‫‪C ds‬‬ ‫‪RL‬‬ ‫‪١٠‬‬ ‫‪RS‬‬ ‫‪C gd‬‬ ‫‪Vs‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪gm‬‬ ‫‪20‬‬ ‫=‪K‬‬ ‫‪D‬‬ ‫‪0‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪1/2/2006‬‬ .‫‪www.com‬‬ ‫______________‬ ‫ﺗﺤﻠﯿﻞ ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه درﯾﻦ ﻣﺸﺘﺮک ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از‬ ‫ﻗﻀﯿﮫ ﻣﯿﻠﺮو ﺗﻘﺮﯾﺐ ھﺎي ﻗﺎﺑﻞ ﻗﺒﻮل‬ ‫‪19‬‬ ‫‪1/2/2006‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪vO‬‬ ‫‪g m RL‬‬ ‫=‬ ‫⇒ ‪≅1‬‬ ‫‪vi 1 + g m R L‬‬ ‫ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺧﺎزن ‪ C gs‬ﺻﻔﺮ ﻣﯽ ﺷﻮد‪.ir-micro.

‬‬ ‫•ﻣﻘﺎوﻣﺖ ورودي ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه ﻫﺎي ﮔﯿﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺴﯿﺎر ﮐﻢ اﺳﺖ و ﻋﻤﻼزﯾﺎد ﮐﺎرﺑﺮد ﻧﺪارد‬ ‫‪22‬‬ ‫‪١١‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪1/2/2006‬‬ .‬‬ ‫‪m‬‬ ‫• اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي ‪ C.S‬ﺑﺰرﮔﺘﺮ اﺳﺖ‪.‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫|| ‪|| rd‬‬ ‫‪gm‬‬ ‫‪jω C ds‬‬ ‫= ‪Zo‬‬ ‫• اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ ھﻢ در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﭘﺎﯾﯿﻦ و ھﻢ در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻ‬ ‫ﻛﻢ اﺳﺖ‪ .ir-micro.‬‬ ‫‪21‬‬ ‫‪1/2/2006‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫ﺗﻘﻮﯾﺖ ﻛﻨﻨﺪه ﮔﯿﺖ ﻣﺸﺘﺮك‬ ‫‪S‬‬ ‫‪RD‬‬ ‫‪RS′‬‬ ‫‪D‬‬ ‫‪G‬‬ ‫‪RS‬‬ ‫‪Vs‬‬ ‫‪0‬‬ ‫•اﮔﺮ ‪ FET‬ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده در ﻣﺪار ﻓﻮق ﻣﺘﻘﺎرن ﺑﺎﺷﺪ ﺑﺎﯾﺴﯿﻨﮓ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﯽ ﮐﻨﺪ ﮐﻪ‬ ‫‪Source‬و ‪ Drain‬ﮐﺪام ﻫﺴﺘﻨﺪ‪.com‬‬ ‫______________‬ ‫) ‪RL (C L + C ds‬‬ ‫‪1 + g m RL‬‬ ‫= ‪τO‬‬ ‫‪1‬‬ ‫• ﺑﺎ ﺗﻮﺟﮫ ﺑﮫ ﻛﻮﭼﻚ ﺑﻮدن ﻣﻘﺪار ‪، g‬ﺛﺎﺑﺖ زﻣﺎﻧﻲ ﺧﺮوﺟﻲ‬ ‫ﻛﻮﭼﻚ ﺧﻮاھﺪ ﺑﻮد‪ ،‬ھﻤﭽﻨﯿﻦ ﻣﻘﺪار ﺛﺎﺑﺖ زﻣﺎﻧﻲ ورودي ﻧﯿﺰ‬ ‫‪C i = C gd‬‬ ‫ﻛﻮﭼﻚ اﺳﺖ‪.‬ﻣﻌﻤﻮﻻ ﺑﮭﺮه ﺟﺮﯾﺎن ﺑﺰرگ اﺳﺖ‪.D‬در ﻣﻘﺎﯾﺴﮫ ﺑﺎ ‪ C.‫‪www.

‬‬ ‫• ﻣﻲ ﺗﻮان ﭘﮭﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﺗﻘﻮﯾﺖ ﻛﻨﻨﺪه ھﺎي ‪ Cascade‬را ﺑﺎ‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ھﺎي ﻣﻮازي ﺷﺒﯿﮫ داﻧﺴﺖ‪.‬‬ ‫‪fCascade‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺧﻮاھﺪ ﺑﻮد‬ ‫• اﻣﺎ در ﻋﻤﻞ ﭘﮭﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﺣﺘﻲ ‪f H‬از ﻧﯿﺰ ﻛﻤﺘﺮ ﺧﻮاھﺪ ﺑﻮد‪.‫‪www.ir-micro.com‬‬ ‫______________‬ ‫ﺗﻘﻮﯾﺖ ﻛﻨﻨﺪه ھﺎي ﭼﻨﺪ ﻃﺒﻘﮫ‬ ‫‪A0 2‬‬ ‫‪A01‬‬ ‫‪f H2‬‬ ‫‪f H1‬‬ ‫اﮔﺮ ﺑﺎر ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه ‪ A1‬ﺑﺮاﺑﺮ ‪ Rin‬ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه ﻫﺎ اﺛﺮ ﻣﺘﻘﺎﺑﻞ ﺑﺮ روي ﻫﻢ ﻧﺪارﻧﺪ‪.‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪24‬‬ ‫‪١٢‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪1/2/2006‬‬ .‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪A02‬‬ ‫‪A01‬‬ ‫‪f‬‬ ‫‪23‬‬ ‫‪f H1‬‬ ‫‪f H2‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪1/2/2006‬‬ ‫دو ﻧﻜﺘﮫ‪:‬‬ ‫• اﮔﺮ از اﺛﺮ ﺑﺎر ﮔﺬاري ﺗﻘﻮﯾﺖ ﻛﻨﻨﺪه ھﺎي ‪ Cascade‬ﺑﺮ‬ ‫روي ﯾﻜﺪﯾﮕﺮ ﺻﺮف ﻧﻈﺮ ﻛﻨﯿﻢ ﭘﮭﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﺗﻘﻮﯾﺖ ﻛﻨﻨﺪه‬ ‫‪H‬‬ ‫‪.

.‬ﺍﺯ ‪ rµ‬ﻭ ‪ rCE‬ﺻﺮﻑ ﻧﻈﺮ ﻛﻨﻴﺪ‪.com‬‬ ‫______________‬ ‫‪A0 n‬‬ ‫‪A0 2‬‬ ‫‪A01‬‬ ‫‪f Hn‬‬ ‫‪f H2‬‬ ‫‪f H1‬‬ ‫ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪﻩ ﻫﺎ ﻳﻚ ﻗﻄﺒﻲ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪. C‬‬ ‫‪1/2/2006‬‬ .1‬‬ ‫‪A 01‬‬ ‫= ‪A1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪fH n‬‬ ‫‪+ . = f H n = f h‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪25‬‬ ‫‪f‬‬ ‫‪fH‬‬ ‫‪1+ J‬‬ ‫‪A0‬‬ ‫‪647‬‬ ‫‪48‬‬ ‫‪A01 A0 2 ..‬‬ ‫‪vi‬‬ ‫ﺑﺎﻧﺪ‪R‬‬ ‫ﺗﻤﺮﻳﻦ‪:‬‬ ‫‪vo‬‬ ‫ﭘﻬﻨﺎﻱ‬ ‫ﻭ‬ ‫ﻧﺴﺒﺖ‬ ‫ﺷﺪﻩ‬ ‫ﺩﺍﺩﻩ‬ ‫ﻫﺎﻱ‬ ‫ﭘﺎﺭﺍﻣﺘﺮ‬ ‫ﻫﻤﺎﻥ‬ ‫ﺑﺎ‬ ‫‪0‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪v‬‬ ‫‪i‬‬ ‫ﺑﺎﻧﺪ ﺭﺍ ﺑﺪﺳﺖ ﺁﻭﺭﻳﺪ‪ ..‬‬ ‫• ﺍﺯ ﺁﻧﺠﺎ ﻛﻪ ‪ τ in > τ out‬ﺛﺎﺑﺖ ﺯﻣﺎﻧﻲ ﻭﺭﻭﺩﻱ ﺍﻣﻴﺘﺮ ﻣﺸﺘﺮﻙ ﺛﺎﺑﺖ ﺯﻣﺎﻧﻲ ﻏﺎﻟﺐ‬ ‫ﺍﺳﺖ ﻭ ﭘﻬﻨﺎﻱ ﺑﺎﻧﺪ ﺭﺍ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲ ﻛﻨﺪ‪.‫‪www.‬‬ ‫‪26‬‬ ‫‪١٣‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫⇒‬ ‫‪1‬‬ ‫= ‪= re‬‬ ‫‪gm‬‬ ‫‪ROC .‬‬ ‫‪=2‬‬ ‫‪f = fH‬‬ ‫‪f 2‬‬ ‫‪f 2‬‬ ‫‪f 2‬‬ ‫‪) (1 + j‬‬ ‫‪) .. A0 n‬‬ ‫=‪A‬‬ ‫‪f‬‬ ‫‪f‬‬ ‫‪f‬‬ ‫‪(1 + j‬‬ ‫‪)(1 + j‬‬ ‫‪)..‬ﻭ ﺩﺭ ﻧﺘﻴﺠﻪ‬ ‫ﭘﻬﻨﺎﻱ ﺑﺎﻧﺪ ﺭﺍ ﺍﻓﺰﺍﻳﺶ ﻣﻲ ﺩﻫﺪ‪.. +‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪fH 2‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪f H1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪≅K‬‬ ‫‪fH‬‬ ‫‪1/2/2006‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪vO‬‬ ‫•ﭘﻬﻨﺎﻱ ﺑﺎﻧﺪ ﺣﺎﺻﻞ ﺍﺯ ﺍﻳﻦ ﺩﻭ ﻃﺒﻘﻪ ﺍﺯ ﭘﻬﻨﺎﻱ‬ ‫ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪﻩ ﺍﻣﻴﺘﺮ ﻣﺸﺘﺮﻙ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺍﺳﺖ‪.‬‬ ‫ﭼﻨﺪ ﻧﻜﺘﻪ‪:‬‬ ‫• ﺛﺎﺑﺖ ﺯﻣﺎﻧﻲ ﻫﺎﻱ ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪﻩ ﻛﻠﻜﺘﻮﺭ ﻣﺸﺘﺮﻙ ﻛﻮﭼﻜﺘﺮ ﺍﺯ ﺛﺎﺑﺖ ﺯﻣﺎﻧﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖ‬ ‫ﻛﻨﻨﺪﻩ ﺍﻣﻴﺘﺮ ﻣﺸﺘﺮﻙ ﺍﺳﺖ‪.ir-micro...(1 + j‬‬ ‫)‬ ‫‪fH1‬‬ ‫‪fH2‬‬ ‫‪fHn‬‬ ‫‪(1 + j‬‬ ‫)‪⇒ f H = f h ( 2 n − 1‬‬ ‫‪K ≅ 1.‬‬ ‫‪RO‬‬ ‫‪CE‬‬ ‫‪CE‬‬ ‫ﭼﻮن ‪ r‬ﺧﻴﻠﻲ ﻛﻮﭼﻚ ﺍﺳﺖ ‪ ،‬ﺛﺎﺑﺖ ﺯﻣﺎﻧﻲ ﻭﺭﻭﺩﻱ ﻛﻪ‬ ‫‪e‬‬ ‫ﺛﺎﺑﺖ ﺯﻣﺎﻧﻲ ﻏﺎﻟﺐ ﺍﺳﺖ ﺭﺍ ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲ ﺩﻫﺪ‪ ...(1 + j‬‬ ‫)‬ ‫‪f H1‬‬ ‫‪fH 2‬‬ ‫‪fHn‬‬ ‫‪f H 1 = f H 2 = .

‬‬ ‫‪vO‬‬ ‫‪vi‬‬ ‫‪RC‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪RL ≅ re‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪g m2‬‬ ‫≅‬ ‫ﺗﻤﺮﻳﻦ‬ ‫• ‪ f H‬ﺭﺍ ﺍﺯ ﻫﺮ ﺩﻭ ﺭﻭﺵ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻛﻨﻴﺪ‪.com‬‬ ‫______________‬ ‫ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪﻩ ‪Cascode‬‬ ‫• ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪﻩ ‪) Cascode‬ﺣﺎﻟﺖ ﺧﺎﺻﻲ ﺍﺯ‪(Cascade‬‬ ‫ﺍﺳﺖ ﻛﻪ ﺩﺭ ﺁﻥ ﻃﺒﻘﻪ ﺍﻭﻝ ﺍﻣﻴﺘﺮ ﻣﺸﺘﺮﻙ ﻭ ﻃﺒﻘﻪ ﺩﻭﻡ ﺁﻥ‬ ‫ﺑﻴﺲ ﻣﺸﺘﺮﻙ ﺍﺳﺖ‪.ir-micro.‫‪www.‬‬ ‫‪28‬‬ ‫ﺍﮔﺮ‪ R1‬ﻭ ‪R2‬ﺑﺰﺭﮒ ﺑﺎﺷﻨﺪ‬ ‫ﺍﺯ ﺣﺎﺻﻞ ﻣﻮﺍﺯﻳﺸﺎﻥ‬ ‫ﻣﻲ ﺗﻮﺍﻥ ﺻﺮﻑ ﻧﻈﺮ ﻛﺮﺩ‪.‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪+ VCC‬‬ ‫‪RC‬‬ ‫‪vO‬‬ ‫‪+ VBB‬‬ ‫‪R1‬‬ ‫‪R2‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪1/2/2006‬‬ .‬‬ ‫• ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪﻩ ‪ Cascode‬ﻛﺎﺭ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪﻩ‬ ‫ﺍﻣﻴﺘﺮ ﻣﺸﺘﺮﻙ ﺭﺍ ﺍﻧﺠﺎﻡ ﻣﻲ ﺩﻫﺪ‪ .‬‬ ‫‪27‬‬ ‫‪R1 || R2‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪) = 2C µ‬‬ ‫‪g m1‬‬ ‫‪g m2‬‬ ‫‪C e = C µ (1 + g m RL ) = C µ (1 +‬‬ ‫• ﺧﺎﺯﻥ ﻣﻴﻠﺮ ﺷﺪﻩ ﺑﻪ ﻃﻮﺭ ﻗﺎﺑﻞ ﻣﻼﺣﻈﻪ ﺍﻱ ﻛﺎﻫﺶ‬ ‫ﻳﺎﻓﺘﻪ ﺍﺳﺖ‪ ،‬ﻭ ﺩﺭ ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺛﺎﺑﺖ ﺯﻣﺎﻧﻲ ﻭﺭﻭﺩﻱ‬ ‫ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲ ﻳﺎﺑﺪ ﻭ ﺑﺮ ﺍﺛﺮ ﺁﻥ ﭘﻬﻨﺎﻱ ﺑﺎﻧﺪ ﺍﻓﺰﺍﻳﺶ‬ ‫ﻣﻲ ﻳﺎﺑﺪ‪.‬ﺑﺎ ﺍﻳﻦ ﻣﺰﻳﺖ ﻛﻪ‬ ‫ﺩﺍﺭﺍﻱ ﭘﻬﻨﺎﻱ ﺑﺎﻧﺪ ﺑﻴﺸﺘﺮﻱ ﺍﺳﺖ‪.‬‬ ‫‪١٤‬‬ ‫‪1/2/2006‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫• ﭘﻬﻨﺎﻱ ﺑﺎﻧﺪ ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪﻩ ﺑﻴﺲ ﻣﺸﺘﺮﻙ ﺍﺯ ﭘﻬﻨﺎﻱ‬ ‫ﺑﺎﻧﺪ ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪﻩ ﺍﻣﻴﺘﺮ ﻣﺸﺘﺮﻙ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺍﺳﺖ‪.

‬‬ ‫•ﺗﻄﺒﻴﻖ ﺍﻣﭙﺪﺍﻧﺲ ﺑﻪ ﺭﺍﺣﺘﻲ ﺍﻧﺠﺎﻡ ﻣﻲ ﺷﻮﺩ‪.‬‬ ‫•ﭼﻬﺎﺭ ﺛﺎﺑﺖ ﺯﻣﺎﻧﻲ ﺩﺍﺭﺩ ﺍﻣﺎﺳﻪ ﺛﺎﺑﺖ ﺯﻣﺎﻧﻲ ﻣﺴﺘﻘﻞ ﺩﺭ ﻣﺪﺍﺭ ﺍﺳﺖ‪.‬‬ ‫ﭘﻬﻨﺎﻱ ﺑﺎﻧﺪ ﺁﻥ ﺍﺯ ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪﻩ ﻛﻠﻜﺘﻮﺭ ﻣﺸﺘﺮﻙ ﻛﻤﺘﺮ ﺍﺳﺖ‪.‬‬ ‫‪29‬‬ ‫‪1/2/2006‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪VCC‬‬ ‫‪RC‬‬ ‫‪Vi‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪I‬‬ ‫•‬ ‫•‬ ‫•‬ ‫•‬ ‫•‬ ‫‪30‬‬ ‫‪١٥‬‬ ‫ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻭﺭﻭﺩﻱ ﺍﺯ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﺍﻣﻴﺘﺮ ﻣﺸﺘﺮﻙ ﺳﺎﺩﻩ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺍﺳﺖ‪.‬‬ ‫ﺍﻣﭙﺪﺍﻧﺲ ﺧﺮﻭﺟﻲ ﺑﺮﺍﺑﺮ ﺍﻣﭙﺪﺍﻧﺲ ﺧﺮﻭﺟﻲ ﺑﻴﺲ ﻣﺸﺘﺮﻙ ﺍﺳﺖ‪.ir-micro.‬‬ ‫‪vO‬‬ ‫•ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﺧﺮﻭﺟﻲ ‪C.B‬ﻧﻴﺰ ﻛﻮﭼﻚ ﺍﺳﺖ‪RC .‬‬ ‫ﺑﻬﺮﻩ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺑﺮﺍﺑﺮ ﺑﻬﺮﻩ ﺟﺮﻳﺎﻥ ‪ Q1‬ﺍﺳﺖ‪.‫‪www.C‬ﻛﻢ ﺍﺳﺖ‪ ،‬ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ‬ ‫ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻭﺭﻭﺩﻱ ‪C.‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪1/2/2006‬‬ ‫‪vi‬‬ .‬‬ ‫ﺑﻬﺮﻩ ﻭﻟﺘﺎﮊ ﺑﺮﺍﺑﺮ ﺑﻬﺮﻩ ﻭﻟﺘﺎﮊ‪ Q2‬ﺍﺳﺖ‪.com‬‬ ‫______________‬ ‫‪C2‬‬ ‫‪V‬‬ ‫‪E2‬‬ ‫‪C1‬‬ ‫‪g mv‬‬ ‫‪RC‬‬ ‫‪rx‬‬ ‫‪C e + 2C µ‬‬ ‫‪Ce‬‬ ‫‪Cµ‬‬ ‫‪B1‬‬ ‫‪V1′‬‬ ‫‪RS‬‬ ‫‪re‬‬ ‫‪VS‬‬ ‫‪Cµ‬‬ ‫‪rπ‬‬ ‫‪g m v ′1‬‬ ‫‪RO‬‬ ‫‪E1‬‬ ‫‪B2‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪Ri‬‬ ‫‪0‬‬ ‫ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪﻩ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‬ ‫•ﺍﺛﺮ ﻣﺘﻘﺎﺑﻞ ﺗﺮﺍﻧﺰﻳﺴﺘﻮﺭ ﻫﺎ ﻃﻮﺭﻱ ﻧﻴﺴﺖ ﻛﻪ ﺑﺎﻋﺚ ﺍﻓﺰﺍﻳﺶ‬ ‫ﭘﻬﻨﺎﻱ ﺑﺎﻧﺪ ﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬ ‫‪Q2‬‬ ‫‪Q1‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪0‬‬ ‫•ﺍﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪﻩ ﻫﻢ ﺑﻬﺮﻩ ﻭﻟﺘﺎﮊ ﻭ ﻫﻢ ﺑﻬﺮﻩ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﻣﻲ ﺩﻫﺪ ‪ ،‬ﺍﻣﺎ ﭘﻬﻨﺎﻱ ﺑﺎﻧﺪ ﺁﻥ ﺍﺯ‬ ‫ﺍﻣﻴﺘﺮ ﻣﺸﺘﺮﻙ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺍﺳﺖ‪.

ir-micro.com‬‬ ‫______________‬ ‫ﭘﺎﻳﺎﻥ‬ ‫‪31‬‬ ‫‪١٦‬‬ ‫ﻣﺪل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬ ‫‪1/2/2006‬‬ .‫‪www.