‫ﺑﺴﻤﻪ ﺗﻌﺎﻟﻲ‬

‫‪This file created by Microsoft Office Visio 2003 Professional‬‬
‫ﻣﺴﺎﺋﻞ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻚ ‪ 1‬ﻓﺼﻞ ‪ 1‬ﻣﻴﺮﻋﺸﻘﻲ‬
‫‪ .1‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻳﻚ ﺳﻴﻢ ﻣﺴﻲ ﺑﻪ ﻗﻄﺮ ‪ 1.03mm‬ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 2.14 × 10−4 Ω / cm‬اﺳﺖ‪ .‬در ﺻﻮرﺗﻴﻜﻪ‬
‫ﺑﺪاﻧﻴﻢ ﭼﮕﺎﻟﻲ اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد در ﻣﺲ ‪ 8.4 × 10 28 m −3‬اﺳﺖ و ﺑﺎ ﻓﺮض اﻳﻨﻜﻪ ﭼﮕﺎﻟﻲ‬
‫ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 2 × 106 A / m 2‬ﺑﺎﺷﺪ ﻣﻄﻠﻮب اﺳﺖ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ‪:‬‬
‫ ﻣﻘﺪار ﺟﺮﻳﺎن‬‫ رﺳﺎﻧﺎﻳﻲ وﻳﮋه ﺳﻴﻢ‬‫ ﺳﺮﻋﺖ ﺣﺮﻛﺖ اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد‬‫ ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ ﺗﺤﺮك اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد‬‫‪ .2‬ﺛﺎﺑﺖ ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ ﺗﻌﺪاد اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد در ﻳﻚ ﻣﺘﺮ ﻣﻜﻌﺐ ﻳﻚ ﻓﻠﺰ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ ‪:‬‬
‫‪A ×103 dv‬‬
‫‪dv‬‬
‫‪= 0‬‬
‫‪AM‬‬
‫‪A‬‬

‫=‪n‬‬

‫ﻛﻪ در آن ‪ d‬ﺟﺮم ﺣﺠﻤﻲ ‪ kg / m 3‬و ‪ v‬ﻇﺮﻓﻴﺖ )ﺗﻌﺪاد اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد در ﻫﺮ اﺗﻢ( و ‪A‬‬
‫وزن اﺗﻤﻲ )‪ (g‬و ‪ M‬ﺑﺎ وزن اﺗﻤﻲ واﺣﺪ )‪ (kg‬و ‪ A 0‬ﻋﺪد آووﮔﺎدرو اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪ .3‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻳﻚ ﻣﻴﻠﻪ از ﺟﻨﺲ ﺳﻴﻠﺴﻜﻦ ﺑﻪ ﻃﻮل ‪ 5cm‬و ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ‪ 8mm 2‬را ﺑﻪ دﺳﺖ‬
‫آورﻳﺪ‬
‫‪ .4‬ﺑﻪ ﻳﻚ ﻗﻄﻌﻪ ﻧﻴﻤﻪ ﻫﺎدي ﻫﻢ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻧﻮع ‪ N‬و ﻫﻢ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻧﻮع ‪ P‬ﺗﺰرﻳﻖ ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬
‫اﮔﺮ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻫﺎ ﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ N D = 2 × 1012 cm −3 , N A = 5 × 1011cm −3‬ﺑﺎﺷﻨﺪ‬
‫ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ )‪ (p‬و ﭼﮕﺎﻟﻲ اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد )‪ (n‬را ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‪ .‬ﺑﺮاي ﻧﻴﻤﻪ ﻫﺎدي‬
‫ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺧﺎﻟﺺ ‪ n i = 3 ×1011cm −3‬ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‬
‫‪ .5‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ و اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد را در دﻣﺎي ‪ 300ºK‬ﺑﺮاي ﺑﻠﻮرﻫﺎي زﻳﺮﻣﺤﺎﺳﺒﻪ‬
‫ﻛﻨﻴﺪ‪:‬‬
‫ ژرﻣﺎﻧﻴﻢ ﻧﻮع ‪ p‬ﺑﺎ ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﻳﮋه ‪0.02Ω-cm‬‬‫ ﺳﻴﻠﻴﻜﻦ ﻧﻮع ‪ N‬ﺑﺎ ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﻳﮋه ‪20Ω-cm‬‬‫‪ .6‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ و اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد را ﺑﺮاي ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺳﻴﻠﻴﻜﻦ ﺑﺎ‬
‫‪ N D = 1.874 × 1013 cm −3 , N A = 3.748 × 1013 cm −3‬ﺑﻪ دﺳﺖ آورﻳﺪ‪.‬‬

‫‪ .6Ω-cm‬ﻛﺎﻫﺶ ﻳﺎﺑﺪ ﻧﺴﺒﺖ‬ ‫ﭼﮕﺎﻟﻲ اﺗﻢ ﻫﺎي ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﺑﻪ اﺗﻢ ﻫﺎي ‪ Si‬را در واﺣﺪ ﺣﺠﻢ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬ ‫‪ .‬ﭼﮕﺎﻟﻲ اﺗﻢ ﻫﺎي ﻓﺴﻔﺮ را ﺑﺮاي ﻫﺮ ﻳﻚ از ﺣﺎﻻت‬ ‫زﻳﺮ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻛﻨﻴﺪ‪:‬‬ ‫ ﭼﮕﺎﻟﻲ اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد را در ﺑﻠﻮر ﺣﺎﺻﻞ ‪ 106‬ﺑﺮاﺑﺮ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ ﺷﻮد‬‫‪( n i = 2.8‬در ﻳﻚ ﺑﻠﻮر ﺣﺎوي ﻧﻮع ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻫﺎي ﻧﻮع ‪ N‬و ‪ P‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ ‪ 100‬ﺑﺮاﺑﺮ ﭼﮕﺎﻟﻲ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد اﺳﺖ‪ .9‬ﺑﻪ ﻳﻚ ﺑﻠﻮر ﻧﻮع ‪ P‬آﻧﻘﺪر ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻧﻮع ‪ N‬اﺿﺎﻓﻪ ﻛﺮده اﻳﻢ ﻛﻪ ﺑﻪ ﺑﻠﻮر ﺧﺎﻟﺺ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺷﺪه‬ ‫اﺳﺖ‪ .5 × 1011cm −3‬‬ ‫‪-‬‬ ‫‪µn‬‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﻳﮋه ﺑﻠﻮر ﺣﺎﺻﻞ ‪ K‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﻠﻮر اوﻟﻴﻪ ﺷﻮد‪ .‬اﻛﻨﻮن اﻛﺮ ﺑﺨﻮاﻫﻴﻢ ﭼﮕﺎﻟﻲ اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد را ﺑﻪ ‪ 100‬ﺑﺮاﺑﺮ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ‬ ‫ﺑﺮﺳﺎﻧﻴﻢ ﭼﻪ ﻣﻘﺪار ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻧﻮع ‪ N‬در واﺣﺪ ﺣﺠﻢ ﺑﺎﻳﺪ ﺑﻪ آن اﺿﺎﻓﻪ ﻛﻨﻴﻢ‬ ‫‪n i = 1012 cm −3‬‬ ‫‪ .7‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﻳﮋه ) ‪ ( ρ = σ −1‬ﺳﻴﻠﻴﻜﻦ ﺧﺎﻟﺺ در در دﻣﺎي ‪ 300ºK‬ﺑﻪ دﺳﺖ آورﻳﺪ‪ .‬اﮔﺮ ﺑﺎ ﺗﺰرﻳﻖ‬ ‫ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺑﻪ اﻳﻦ ﺑﻠﻮر ﭼﮕﺎﻟﻲ اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد را ﺗﺎ ‪ 3‬ﺑﺮاﺑﺮ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ‬ ‫اﻓﺰاﻳﺶ دﻫﻴﻢ ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﻳﮋه ﺑﻠﻮر ﺑﺎ ﭼﻪ ﻧﺴﺒﺘﻲ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲ ﻛﻨﺪ؟ ﻓﺮض ﻛﻨﻴﺪ ‪µ n = 3µ p‬‬ ‫‪ .‬در‬ ‫ﺻﻮرﺗﻴﻜﻪ ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻧﻮع ‪ N‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﻳﮋه ﺗﺎ ﺣﺪ ‪ 9.13‬ﺑﻪ ﻳﻚ ﻗﻄﻌﻪ ﻧﻴﻤﻪ ﻫﺎدي از ﺟﻨﺲ ژرﻣﺎﻧﻴﻮم در دﻣﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ اﺗﻢ ﻫﺎي ﺧﺎﻟﺺ ﭘﺬﻳﺮﻧﺪه‬ ‫اﺿﺎﻓﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪.3mA / cm 2‬ﺑﺎﺷﺪ‪ .11‬در ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ژرﻣﺎﻧﻴﻢ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻧﻮع ‪ N‬ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 1014 cm −3‬و ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻧﻮع ‪P‬‬ ‫ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 7 × 1013 cm −3‬اﺳﺖ‪ .‬در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ ﺑﺮاي اﻳﻦ ﺑﻠﻮر ‪ n i = 1011cm −3‬ﺑﺎﺷﺪ ﭼﻪ ﻣﻘﺪار‬ ‫ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻧﻮع ‪ N‬در ﻳﻚ واﺣﺪ ﺣﺠﻢ ﺑﺎﻳﺪ ﺑﻪ آن اﺿﺎﻓﻪ ﻧﻤﻮد ﺗﺎ ﺑﻪ ﺑﻠﻮر ﺧﺎﻟﺺ ﺗﺒﺪﻳﻞ‬ ‫ﺷﻮد؟‬ ‫‪ .‬ﺑﻪ اﻳﻦ ﺑﻠﻮر ﺑﻪ ﻃﻮر‬ ‫ﻳﻜﻨﻮاﺧﺖ ﻣﻘﺪاري ﻓﺴﻔﺮ اﺿﺎﻓﻪ ﻣﻲ ﻛﻨﻴﻢ‪ .‬اﮔﺮ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻛﻞ ﻗﻄﻌﻪ داراي ﻃﻮل ﻳﻚ ﺳﺎﻧﺘﻲ ﻣﺘﺮ و ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ‪20‬‬ ‫ﻣﻴﻠﻲ ﻣﺘﺮ ﻣﺮﺑﻊ اﺳﺖ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 40‬اﻫﻢ ﺑﺎﺷﺪ‬ ‫‪ -‬ﻣﻴﺰان ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ‪ N A‬اﺿﺎﻓﻪ ﺷﺪه ﺑﻪ ﻗﻄﻌﻪ را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬ .‬در ﺻﻮرﺗﻴﻜﻪ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺟﺮﻳﺎن ﻫﺪاﻳﺘﻲ ﻛﻞ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 52.‬در دﻣﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﻳﮋه زرﻣﺎﻧﻴﻢ ﺧﺎﻟﺺ ﺑﺮاﺑﺮ ‪60Ω-‬‬ ‫‪ cm‬اﺳﺖ‪ .‬ﺷﺪت‬ ‫ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ اﻋﻤﺎل ﺷﺪه ﭼﻘﺪر اﺳﺖ؟‬ ‫‪ .10‬در ﻳﻚ ﻗﻄﻌﻪ ﺑﻠﻮر ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ ‪ 5‬ﺑﺮاﺑﺮ ﭼﮕﺎﻟﻲ اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد اﺳﺖ‪ .12‬ﻳﻚ ﻗﻄﻌﻪ ﺑﻠﻮر ﻧﻮع ‪ P‬ﺑﺎ ‪ N A = 6 × 1014 cm −3‬در اﺧﺘﻴﺎر دارﻳﻢ‪ .‬ﻓﺮض ﻛﻨﻴﺪ ‪= b‬‬ ‫‪µp‬‬ ‫ﺟﻮاب را ﺑﻪ‬ ‫ﺻﻮرت ﭘﺎراﻣﺘﺮي ﺑﻴﺎن ﻛﻨﻴﺪ و در ﺻﻮرت اﻣﻜﺎن در ﻣﻮرد ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻣﻨﺎﺳﺐ ‪ K‬ﺑﺤﺚ ﻛﻨﻴﺪ‬ ‫‪ .

18‬ﺗﻐﻴﻴﺮات ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ در ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻧﻴﻤﻪ ﻫﺎدي ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺷﻜﻞ زﻳﺮ اﺳﺖ‪.‬‬ ‫ در ﺻﻮرﺗﻴﻜﻪ ﻫﻴﭻ ﮔﻮﻧﻪ ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺧﺎرﺟﻲ اﻋﻤﺎل ﻧﺸﻮد ﻋﺒﺎرت ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺟﺮﻳﺎن‬‫) ‪ J p (x‬را ﺑﺪﺳﺖ آورده و آن را رﺳﻢ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬ ‫ ﺷﺪت ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ داﺧﻠﻲ )‪ E(x‬ﻛﻪ ﺑﺎﻳﺪ وﺟﻮد داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ ﺗﺎ ﺗﻮزﻳﻊ ﺣﻔﺮه ﻧﺸﺎن داده‬‫ﺷﺪه در ﺷﻜﻞ ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ ﻫﻴﭽﮕﻮﻧﻪ ﺟﺮﻳﺎن اﻧﺘﺸﺎري ﺣﻔﺮه ﻧﺸﻮد را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬ ‫‪ -‬ﺑﺎ ﻓﺮض ‪ P (0) / P0 = 103‬اﺧﺘﻼف ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﺑﻴﻦ ﻧﻘﺎط ‪ x = 0‬و ‪ x = W‬را ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻛﻨﻴﺪ‬ .14‬رواﺑﻂ ‪ 1-27‬و ‪ 1-28‬ﻣﺘﻦ ﻛﺘﺎب را اﺛﺒﺎت ﻛﻨﻴﺪ‬ ‫‪ .5 × 1013 cm −3‬‬ ‫ ﭘﻴﺸﺮﻓﺘﮕﻲ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ را در ﻫﺮ ﻗﺴﻤﺖ ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬‫ ﻋﺮض ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ)‪ (W‬ﭼﻘﺪر ﻣﻲ ﺷﻮد؟‬‫‪ .‬اﻳﻦ ﭘﻴﻮﻧﺪ را در دﻣﺎي‬ ‫ﻣﻌﻤﻮﻟﻴﺒﻪ ﻳﻚ وﻟﺘﺎژ ﺧﺎرﺟﻲ ‪ 5‬وﻟﺘﻲ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺑﺎﻳﺎس ﻣﻌﻜﻮس وﺻﻞ ﻣﻲ‬ ‫ﻛﻨﻴﻢ ‪ε = 1.5 × 1010 cm −3‬‬ ‫ ﻋﺮض ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ)‪ (W‬و ﭘﻴﺸﺮﻓﺘﮕﻲ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ را در ﻫﺮ ﻗﺴﻤﺖ ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬‫‪ .1× 10−12 F / m . N A = 1017 cm −3 P-N‬اﺳﺖ‪ .‫ اﮔﺮ ﺑﻪ ﻫﻤﻴﻦ ﻗﻄﻌﻪ ﻋﻼوه ﺑﺮ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﭘﺬﻳﺮﻧﺪه ﺑﻨﺪ اﻟﻒ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﺑﺨﺸﻨﺪه ﻧﻴﺰ ﺑﺎ ﭼﮕﺎﻟﻲ‬‫‪ N D = 3 × 1014 cm −3‬اﺿﺎﻓﻪ ﺷﻮد ﻣﻘﺪار ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺟﺪﻳﺪ ﻗﻄﻌﻪ را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬ ‫‪ .16‬در ﻳﻚ ﭘﻴﻮﻧﺪ ‪ N D = 1013cm −3 .17‬در ﻳﻚ ﭘﻴﻮﻧﺪ ‪ P-N‬از ﺟﻨﺲ ‪ Si‬دارﻳﻢ ‪N D = 3 × 1016 cm −3‬‬ ‫ ‪ N A‬را ﻃﻮري ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ ﻛﻪ اﺧﺘﻼف ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﺗﻤﺎس ‪ V 0‬در دﻣﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﺑﺮاﺑﺮ ‪0. n i = 1.7‬‬‫وﻟﺖ ﺷﻮد ‪n i = 2.15‬دو ﻗﻄﻌﻪ ﺑﻠﻮر ‪ Si‬در دﻣﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﻳﻜﻲ از ﻧﻮع ‪ N‬ﺑﺎ ‪ N D = 1016 cm −3‬ودﻳﮕﺮي از ﻧﻮع‬ ‫‪ P‬ﺑﺎ ‪ N A = 1014 cm −3‬ﻣﻮﺟﻮدﻧﺪ‬ ‫ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻣﻞ ﻫﺎي اﻗﻠﻴﺖ و ﺣﺎﻣﻞ ﻫﺎي اﻛﺜﺮﻳﺖ را در ﻫﺮ ﻳﻚ از ﻗﻄﻌﻪ ﻫﺎ ﺣﺴﺎب ﻛﻨﻴﺪ‬‫ در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ اﻳﻦ دو ﻗﻄﻌﻪ داراي ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﻳﻜﺴﺎن ﺑﺎﺷﻨﺪ اﺧﺘﻼف ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﺗﻤﺎس‬‫ﻧﺎﺷﻲ از ﭘﻴﻮﻧﺪ آن ﻫﺎ ﭼﻘﺪر ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد؟‬ ‫ ﻋﺮض ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ و ﭘﻴﺸﺮﻓﺘﮕﻲ آن را در ﻫﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬‫‪ .

‫)‪P(x‬‬ ‫)‪P(0‬‬ ‫‪P0‬‬ ‫‪X‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪W‬‬ ‫‪ .19‬در ﻳﻚ ﻗﻄﻌﻪ ﺑﻠﻮر ﻧﻴﻢ ﻫﺎدي ﺗﻮزﻳﻊ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺷﻜﻞ م‪ 19-‬اﺳﺖ‬ ‫ در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ ﻫﻴﭻ ﻣﻴﺪان ﺧﺎرﺟﻲ اﻋﻤﺎل ﻧﺸﻮد ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺟﺮﻳﺎن اﻧﺘﺸﺎري ﺣﻔﺮه ﻫﺎ را ﺑﺪﺳﺖ‬‫آورﻳﺪ )ﺑﺼﻮرت ﭘﺎراﻣﺘﺮي( و ﺗﺮﺳﻴﻢ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬ ‫ ﭼﻪ ﻳﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ داﺧﻠﻲ ﺑﻪ وﺟﻮد ﻣﻲ آﻳﺪ؟ﻋﺒﺎرت آن را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ و ﺗﺮﺳﻴﻢ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬‫‪ -‬اﮔﺮ ‪ P (W ) / P (0) = 104‬ﺑﺎﺷﺪ اﺧﺘﻼف ﭘﺘﺎﻧﺴﻞ ﺑﻴﻦ ﻧﻘﺎط ‪ x = 0‬و ‪ x = L‬ﭼﻘﺪر اﺳﺖ؟‬ ‫‪ -20‬ﻣﻨﺤﻨﻲ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺑﺎﻟﺮ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ ﻳﻚ ﭘﻴﻮﻧﺪ ‪ P-N‬در ﺷﻜﻞ م ‪20-‬‬ ‫آﻣﺪه اﺳﺖ‬ .

4‬اﻟﻒ ( در دﻣﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ در ﭼﻪ وﻟﺘﺎژي ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس ﻳﻚ دﻳﻮد ﺳﻴﻠﻴﻜﻮﻧﻲ ﺑﻪ‬ ‫‪ 95‬درﺻﺪ ﻣﻘﺪار اﺷﺒﺎع آن ﻣﻲ رﺳﺪ؟‬ .‬اﮔﺮ اﻳﻦ دﻳﻮد‬ ‫ﺑﺎ ﻳﻚ دﻳﻮد ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺧﻮد ﻣﻮازي ﺷﻮد وﻟﺘﺎژ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ دو ﺳﺮ آن ﭼﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮي ﻣﻲ ﻛﻨﺪ؟‬ ‫‪ .7‬وﻟﺖ ﺟﺮﻳﺎن ‪ 1mA‬و در وﻟﺘﺎژ ‪ 0. x N‬ﭼﻪ راﺑﻄﻪ اي ﺑﺮﻗﺮار اﺳﺖ؟‬ ‫)‪Ρ(x‬‬ ‫‪+ρ1‬‬ ‫‪+‬‬ ‫_‬ ‫‪xN‬‬ ‫‪-xp‬‬ ‫‪-ρ2‬‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻚ ﻓﺼﻞ ‪2‬‬ ‫‪ .1‬‬‫وﻟﺖ ﻣﻘﺪار اوﻟﻴﻪ اش در دﻣﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﻣﻲ ﺷﻮد؟‬ ‫‪ .3‬ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس دﻳﻮدي ﺑﻪ ازاي ﻫﺮ ‪ 10ºC‬اﻓﺰاﻳﺶ دﻣﺎ دو ﺑﺮاﺑﺮ ﻣﻲ ﺷﻮد‬ ‫ ﭼﻪ اﻓﺰاﻳﺶ دﻣﺎﻳﻲ اﻳﻦ ﺟﺮﻳﺎن را ﺗﺎ ‪ 30‬ﺑﺮاﺑﺮ ﻣﻘﺪار اوﻟﻴﻪ اش در دﻣﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﺑﺎﻻ ﻣﻲ‬‫ﺑﺮد؟‬ ‫ ﭼﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮي در دﻣﺎ )ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ‪ (25ºC‬ﺑﺎﻋﺚ ﻛﺎﻫﺶ ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس ﺗﺎ ﺳﻄﺢ ‪0.‫ ﻣﻨﺤﻨﻲ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺷﺪت ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ در ﻃﻮل اﻳﻦ ﻧﺎﺣﻴﻪ را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ و آن را رﺳﻢ‬‫ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬ ‫ ﻣﻨﺤﻨﻲ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ در ﻃﻮل ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ را ﺑﺪﺳﺖ آورده و آن را رﺳﻢ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬‫ﺑﻴﻦ ﻣﻘﺎدﻳﺮ ‪ x p .7‬و ‪ 0.8‬وﻟﺖ ﭼﻘﺪر اﺳﺖ؟‬ ‫‪ .8‬وﻟﺖ ﺟﺮﻳﺎن ‪ 10mA‬از آن ﻋﺒﻮر ﻧﻤﺎﻳﺪ‬ ‫ب( ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﻨﺎﻣﻴﻜﻲ اﻳﻦ دﻳﻮد در وﻟﺘﺎژ ﻫﺎي ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ‪ 0.2‬ﻳﻚ دﻳﻮد ﭘﻴﻮﻧﺪي در ﻳﻚ ﻣﺪار ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن ‪ I‬ﺗﻐﺬﻳﻪ ﻣﻲ ﺷﻮد‪ .1‬اﻟﻒ( ﻣﻄﻠﻮب اﺳﺖ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻘﺎدﻳﺮ ‪ I S .η‬ﺑﺮاي ﻳﻚ دﻳﻮد ﭘﻴﻮﻧﺪي ﻛﻪ در وﻟﺘﺎژ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ‬ ‫‪ 0.

‬ﭼﻨﺎﻧﭽﻪ وﻟﺘﺎژ را ﺗﺎ ﺣﺪ ‪ 0.5µ A‬ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ؟‬ ‫ب( ﭼﻨﺎﻧﭽﻪ وﻟﺘﺎژ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﺷﺪه در ﺑﻨﺪ اﻟﻒ را ﺑﻪ ﻳﻚ دﻳﻮد ژرﻣﺎﻧﻴﻮم در ﺟﻬﺖ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ اﻋﻤﺎل‬ ‫ﻛﻨﻴﻢ ﭼﻪ ﺟﺮﻳﺎﻧﻲ از آن ﻋﺒﻮر ﺧﻮاﻫﺪ ﻛﺮد؟ )ﻓﺮض ‪( I s = 20µ A :‬‬ ‫‪ .8‬ﺛﺎﺑﺖ ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ در ﻳﻚ ﭘﻴﻮﻧﺪ ‪ P-N‬آﻟﻴﺎژي )ﺑﺎ ‪ ( N A << N D‬ﻋﺮض ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ از راﺑﻄﻪ‬ ‫زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲ آﻳﺪ‪:‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪)2‬‬ ‫‪2εµ pV j‬‬ ‫‪σp‬‬ ‫(= ‪W‬‬ ‫ﻛﻪ در آن ‪ V j‬اﺧﺘﻼف ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﭘﻴﻮﻧﺪ ﺑﺎ وﺟﻮد وﻟﺘﺎژ ﺧﺎرﺟﻲ ‪ V d‬اﺳﺖ‬ ‫‪ .1‬وﻟﺖ را ﺑﻪ ﺟﺮﻳﺎن دﻳﻮد ﺑﺎ ﻫﻤﺎن ﻣﻘﺪار وﻟﺘﺎژ‬ ‫ﻣﻌﻜﻮس ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ؟‬ ‫ج( ﺑﺎ ﻓﺮض ‪ I S = 10nA‬ﺟﺮﻳﺎن دﻳﻮد را ﺑﺮاي وﻟﺘﺎژﻫﺎي ‪ 0.8‬وﻟﺖ اﻓﺰاﻳﺶ دﻫﻴﻢ ﺟﺮﻳﺎن دﻳﻮد ﭼﻘﺪر ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ؟ ﺑﺮاي‬ ‫اﻳﻦ دﻳﻮد ‪ I S‬ﭼﻘﺪر اﺳﺖ؟‬ ‫‪ .8‬وﻟﺖ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬‫‪ .11‬ﺑﺮاي ﻳﻚ دﻳﻮد ﺳﻴﻠﻴﻜﻨﻲ ‪ N D = 1015 cm −3 .5‬و ‪ 0.V 0 = 0.6‬و ‪ 0.‬در ﺻﻮرﺗﻴﻜﻪ‬ ‫ﺑﻪ اﻳﻦ دﻳﻮد وﻟﺘﺎژ ﻣﻌﻜﻮس ‪ 10‬وﻟﺘﻲ اﻋﻤﺎل ﺷﻮد ﻣﻄﻠﻮب اﺳﺖ ‪:‬‬ ‫ ﻋﺮض ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ )‪(W‬‬‫ ﻣﻘﺪار ﺷﺪت ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ در ﻣﺤﻞ ﭘﻴﻮﻧﺪ‬‫‪ -‬ﻣﻘﺪار ﻇﺮﻓﻴﺖ ﺧﺎزﻧﻲ در ﺳﺎﻧﺘﻲ ﻣﺘﻨﺮ ﻣﺮﺑﻊ‬ .1µ A‬اﺳﺖ‬ ‫ در دﻣﺎي ‪ 105ºC‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﻨﺎﻣﻴﻜﻲ را در وﻟﺘﺎژ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ‪0.6‬از ﻳﻚ دﻳﻮد ﺳﻴﻠﻴﻜﻨﻲ در دﻣﺎي ‪ 300ºK‬و در وﻟﺘﺎژ ‪ 0.8‬وﻟﺖ ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬‫ در ﻫﻤﺎن دﻣﺎ ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﻨﺎﻣﻴﻜﻲ را در وﻟﺘﺎژ ﻣﻌﻜﻮس ‪ 0.5‬اﻟﻒ( در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس ﻳﻚ دﻳﻮد ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 1nA‬ﺑﺎﺷﺪ ﺑﻪ ازاي ﭼﻪ‬ ‫وﻟﺘﺎژ ﻣﺴﺘﻘﻴﻤﻲ ﺟﺮﻳﺎن دﻳﻮد ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 0.7‬وﻟﺖ در ﺣﺎل ﻛﺎر اﺳﺖ‪ .5v‬اﺳﺖ‪ .7‬وﻟﺖ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ‬ ‫ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬ ‫‪ . N A >> N D .7‬ﻳﻚ دﻳﻮد ﺳﻴﻠﻴﻜﻨﻲ در وﻟﺘﺎژ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ‪ 0.9‬ﺑﺮاي ﻳﻚ دﻳﻮد در دﻣﺎي ‪ 125ºC‬ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 0.‬ﭼﻨﺎﻧﭽﻪ دﻣﺎ از ‪25ºC‬‬ ‫) ‪ ( V T = 26m V‬ﺑﻪ ‪ -55ºC‬ﻛﺎﻫﺶ ﻳﺎﺑﺪ ﺟﺮﻳﺎن دﻳﻮد ﺑﻪ ﭼﻪ ﻣﻴﺰاﻧﻲ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﻛﺮد؟‬ ‫) ‪(η = 1‬‬ ‫‪ .‫ب( ﻧﺴﺒﺖ ﺟﺮﻳﺎن دﻳﻮد ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ‪ 0.10‬راﺑﻄﻪ ‪ 11-2‬را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬ ‫‪ .7‬وﻟﺖ ﺟﺮﻳﺎن ‪ 5mA‬ﻋﺒﻮر ﻣﻲ‬ ‫ﻛﻨﺪ‪ .

‬وﻟﺘﺎژ ﺷﻜﺴﺖ دو‬ ‫دﻳﻮد ﻣﺴﺎوي و ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 100‬وﻟﺖ اﺳﺖ‪.15‬در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ م‪ 15-‬دﻳﻮد زرﻣﺎﻧﻴﻢ در دﻣﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ داراي ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس‬ ‫‪ 10 µ A‬وﻟﺘﺎژ ﺷﻜﺴﺖ ‪ 100V‬و ﻣﻘﺎوﻣﺖ اﻫﻤﻲ ﻧﺎﭼﻴﺰ اﺳﺖ‪ .14‬ﻇﺮﻓﻴﺖ ﺧﺎزﻧﻲ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ ﻳﻚ ﭘﻴﻮﻧﺪ ‪ P-N‬زرﻣﺎﻧﻴﻢ ﺑﺎ ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ‪ 0.3‬‬ ‫وﻟﺖ وﻟﺘﺎژ ﺧﺎرﺟﻲ اﻋﻤﺎل ﺷﺪه ‪ 4‬وﻟﺖ و ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ داﻳﺮه اي ﺑﻪ ﻗﻄﺮ ‪ 1.913 × 10−4‬‬ ‫ب( در ﺻﻮرﺗﻴﻜﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﻳﮋه ‪ ρ‬ﺑﻠﻮر ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 4Ω-cm‬اﺧﺘﻼف ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﺗﻤﺎس ‪ V 0‬ﺑﺮاﺑﺮ ‪0.‬‬ ‫ ﺟﺮﻳﺎن و وﻟﺘﺎژ ﻫﺮ دﻳﻮد را ﺑﺮااي وﻟﺘﺎژﻫﺎي ورودي ‪ 80‬و ‪ 120‬وﻟﺖ ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬‫‪ -‬ﺑﺮاي ﺣﺎﻟﺘﻲ ﻛﻪ ﻫﺮ دو دﻳﻮد ﺑﺎ ﻳﻚ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ‪ 8MΩ‬ﻣﻮازي ﺷﻮﻧﺪ ﺑﻨﺪ اﻟﻒ را ﺣﻞ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬ ‫‪ .‬ﺟﺮﻳﺎن ﻣﺪار را در ﺣﺎﻟﺖ‬ ‫ﻫﺎي زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‪:‬‬ ‫ دﻳﻮد ﺑﻄﻮر ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺑﺎﻳﺎس ﺷﺪه ﺑﺎﺷﺪ‬‫‪ -‬دﻳﻮد ﺑﻄﻮر ﻣﻌﻜﻮس ﺑﺎﻳﺎس ﺷﺪه ﺑﺎﺷﺪ‬ .25 mm‬ﺑﺎﺷﺪ‬ ‫ﻣﻘﺪار ‪ C T‬را ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬ ‫‪ .12‬اﻟﻒ( ﺛﺎﺑﺖ ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﻳﻚ ﭘﻴﻮﻧﺪ آﻟﻴﺎژي ‪ P-N‬از ﺟﻨﺲ ﺳﻴﻠﻴﻜﻦ ﺑﺎ ‪N A << N D‬‬ ‫ﻇﺮﻓﻴﺖ ﺧﺎزﻧﻲ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ ‪ C T‬ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﭘﻴﻜﻮ ﻓﺎراد ﺑﺮ ﺳﺎﻧﺘﻲ ﻣﺘﺮ ﻣﺮﺑﻊ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ‬ ‫ﺣﺎﺻﻞ ﻣﻲ ﺷﻮد‪:‬‬ ‫‪N A 12‬‬ ‫)‬ ‫‪Vj‬‬ ‫( ‪C T = 2.‫‪ .13‬در ﺷﻜﻞ م‪ 13-‬ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس دو دﻳﻮد ‪ 1‬و ‪ 2‬ﻣﻴﻜﺮوآﻣﭙﺮ اﺳﺖ‪ .25mm 2‬و ﻋﺮض‬ ‫ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ ‪ 3 × 10−4 cm‬را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬ ‫‪ .

8‬وﻟﺖ ﺑﺮﺳﺪ ﺟﺮﻳﺎن ﭼﻘﺪر ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ؟‬‫ ﭼﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮي در وﻟﺘﺎژ در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻫﺪاﻳﺖ ﺑﺎﻋﺚ ‪ 10‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺷﺪن ﺟﺮﻳﺎن ﻣﻲ ﺷﻮد؟ )در‬‫دﻣﺎي‪(300ºK‬‬ ‫‪ .18‬در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ م‪ 18-‬دﻳﻮد ﻫﺎ ﻣﺸﺎﺑﻪ از ﻧﻮع ﺳﻴﻠﻴﻜﻦ و داراي ‪ I S = 10nA‬ﻣﻲ ﺑﺎﺷﻨﺪ‬ ‫ در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ وﻟﺘﺎژ ﺷﻜﺴﺖ دﻳﻮد ﻫﺎ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 10‬وﻟﺖ ﺑﺎﺷﺪ ﺟﺮﻳﺎن ‪ I‬ﻣﺪار و وﻟﺘﺎژ دو ﺳﺮ‬‫ﻫﺮ دﻳﻮد را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬ ‫ ﺑﺎ ﻓﺮض اﻳﻨﻜﻪ وﻟﺘﺎژ ﺷﻜﺴﺖ دﻳﻮد ﻫﺎ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 5‬وﻟﺖ ﺑﺎﺷﺪ ﺟﺮﻳﺎن ‪ I‬ﻣﺪار و وﻟﺘﺎژ دو ﺳﺮ ﻫﺮ‬‫دﻳﻮد ﭼﻘﺪر ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد؟‬ .16‬ﻳﻚ دﻳﻮد ﺳﻴﻠﻴﻜﻨﻲ ﺑﺎ ﻳﻚ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ‪ 10MΩ‬ﺳﺮي ﺷﺪه اﺳﺖ و ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ ‪1‬‬ ‫وﻟﺘﻲ ﺑﺼﻮرت ﻣﻌﻜﻮس ﺑﺎﻳﺎس ﺷﺪه اﺳﺖ‬ ‫ وﻟﺘﺎژ دو ﺳﺮ دﻳﻮد را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬‫ در ﺻﻮرﺗﻴﻜﻪ ﺟﺎي ﻗﻄﺐ ﻫﺎي ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ را ﻋﻮض ﻛﻨﻴﻢ وﻟﺘﺎژ دو ﺳﺮ دﻳﻮد ﭼﻘﺪر ﺧﻮاﻫﺪ‬‫ﺷﺪ؟‬ ‫‪ .‫‪ .7‬وﻟﺖ داراي ﺟﺮﻳﺎن ‪ 5mA‬اﺳﺖ‪.17‬ﻳﻚ دﻳﻮد ﺳﻴﻠﻴﻜﻨﻲ در دﻣﺎي ‪ 300ºK‬و در وﻟﺘﺎژ ‪ 0.‬‬ ‫ ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس را ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬‫ اﮔﺮ وﻟﺘﺎژ ﺑﻪ ‪ 0.

I S 4 = 2I S 3 = 40nA‬‬ ‫وﻟﺘﺎژ ﻫﺎ و ﺟﺮﻳﺎن ﻫﺎي دﻳﻮد ﻫﺎ را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬ ‫‪+‬‬ ‫‪D2‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪D1‬‬ ‫‪-‬‬ ‫‬‫‪20V‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪D3‬‬ ‫‪D4‬‬ ‫‬‫‪-‬‬ ‫‪ .19‬ﻣﺪار ﺷﻜﻞ م‪ 19-‬را در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪ .‬‬ ‫ﻧﺸﺎن دﻫﻴﺪ ‪ V z = 50.93ρ p‬اﺳﺖ ﻛﻪ در آن ‪ ρ p‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﻳﮋه ﺑﻠﻮر ژﻣﺎﻧﻴﻢ ﻧﻮع ‪ P‬ﻣﻲ‬ ‫ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﻓﺮض ‪I S 1 = I S 2 = 15nA .20‬در دﻳﻮد ژرﻣﺎﻧﻴﻢ ﭘﺪﻳﺪه ﺷﻜﺴﺖ زﻧﺮي در ‪ E Z = 2 × 107‬وﻟﺖ ﺑﺮ ﻧﺘﺮ اﺗﻔﺎق ﻣﻲ اﻓﺘﺪ‪.‫‪I‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪V1‬‬ ‫‪-‬‬ ‫‪6V‬‬ ‫‬‫‪V2‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪ .9‬وﻟﺖ و ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس ﺑﺮاﺑﺮ ‪5‬‬‫ﻣﻴﻜﺮوآﻣﭙﺮ ﺑﺎﺷﺪ ﺟﺮﻳﺎن ﻣﺪار را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬ ‫ ﺑﺎ ﻓﺮض وﻟﺘﺎژ ﺷﻜﺴﺖ ‪ 2‬وﻟﺖ ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس ‪ 5‬ﻣﻴﻜﺮوآﻣﭙﺮ و اﺿﺎﻓﻪ ﻛﺮدن‬‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ‪ 100‬اﻫﻢ ﺑﺼﻮرت ﺳﺮي در ﻧﺪار ﺟﺮﻳﺎن ﻣﺪار را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬ .21‬در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ م‪ 21-‬دﻳﻮد ﻫﺎ ﻣﺸﺎﺑﻪ و از ﺟﻨﺲ ژرﻣﺎﻧﻴﻮم ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ﺷﻜﺴﺖ ﺑﻴﺸﺘﺮ از ‪5‬‬ ‫وﻟﺖ ﻫﺴﺘﻨﺪ‬ ‫ وﻟﺘﺎژ دو ﺳﺮ ﻫﺮ دﻳﻮد را در دﻣﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬‫ ﭼﻨﺎﻧﭽﻪ وﻟﺘﺎژ ﺷﻜﺴﺖ دﻳﻮد ﻫﺎ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 4.‬ﻓﺮض ﻛﻨﻴﺪ ‪N A << N D‬‬ ‫‪ .

‬‬ ‫‪http://ml.‫‪ – 22‬ﺛﺎﺑﺖ ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ در ﻳﻚ دﻳﻮد زﻧﺮ ﻛﻪ در آن ‪ N A >> N D‬اﺳﺖ وﻟﺘﺎژ زﻧﺮ ‪ V Z‬از راﺑﻄﻪ‬ ‫زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲ آﻳﺪ‪:‬‬ ‫‪εEZ 2‬‬ ‫‪2qN D‬‬ ‫= ‪VZ‬‬ ‫ﻛﻪ در آن ‪ E Z‬ﻣﻴﺪان ﻻزم ﺑﺮاي ﺷﻜﺴﺖ زﻧﺮ اﺳﺖ‪.com‬‬ .blogfa.‬‬ ‫راﻫﻨﻤﺎﻳﻲ ‪ :‬از راﺑﻄﻪ ‪ V 0‬ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ‪ W‬و ﻧﻴﺰ رواﺑﻂ ‪ E 0‬اﺳﺘﻔﺎده ﻛﻨﻴﺪ‪.