Diseinu eta Simulazio Elektronikoa

PRÁCTICA DE AULA (2009/02/16) Examen EA Junio 2007
Ondorengo zirkuituko transistore bakoitzaren lan puntua kalkulatu ezazu.

SOLUCIÓN

T1 es un BJT de tipo NPN

1

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa

Suponemos que T1 en ACTIVA

T2 es un JFET de canal n Suponemos T2 en saturación

2

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa Volvemos al transistor T1 para calcular su VCE1

Volvemos al transistor T2 para calcular su VDS2

Comprobamos que T2 está en saturación

T3 es un MOSFET de enriquicimiento de canal n Suponemos T3 en SATURACIÓN

3

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa

T4 es un MOSFET de empobrecimiento de canal n y está saturado en modo acumulación

Volvemos al transistor T3 para calcular su VGS3

4

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa

Comprobamos que T3 está en saturación

Volvemos al transistor T4 para calcular su VDS4

Comprobamos que T4 está en saturación

5

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