Tema3 (01 02)

TEMA 3 : Fsica de la unin P-N.
I .T.T.(S.E.) - Universitat de Valncia - Curso 00/01 -79-

TEMA 3: F SI CA DE LA UNI N P-N
I ntroduccin.
3.1. La unin p-n en equilibrio trmico.
Formacin de la regin espacial de carga.
Barrera de potencial y bandas de energa.
Corrientes de arrastre y de difusin.
3.1.1. Relaciones analticas en equilibrio trmico.
3.1.1.1. Electrosttica de la regin espacial de carga.
3.1.1.2. Constancia del nivel de Fermi.
3.1.1.3. Potencial de contacto.
3.2. Resolucin de la ecuacin de Poisson en la regin espacial de carga.
3.2.1. La unin abrupta.
3.2.2. La unin gradual.
3.3. La unin P-N polarizada: diodo de unin.
Polarizacin directa.
Polarizacin inversa.
3.3.1. Capacidad de transicin de la unin polarizada.
3.4. Modelo matemtico de la unin P-N: ecuacin de Shockley.
3.4.1. Caractersticas ideales.
- Concentracin de portadores en los lmites de la regin
espacial de carga.
- Distribucin de portadores minoritarios en las zonas
neutras.
3.5. Fenmenos de ruptura.
a) Ruptura por inestabilidad trmica.
b) Ruptura por efecto tnel.
c) Ruptura de multiplicacin por avalancha.
3.5.1. Clculo de la tensin de ruptura por avalancha.
3.5.2. Efecto de la curvatura de la unin.
SOLUCIONES:
1. Disminucin de la concentracin ligera de impurezas.
2. Tcnicas de biselado y de anillos de campo.
3. Implantacin inica.
3.6. Almacenamiento de carga y capacidad de difusin.
Circuito equivalente en rgimen de pequea seal.
3.7. Comportamiento transitorio: tiempo de paso a corte.
3.8. Unin metal-semiconductor.
3.8.1. Diodos Schottky.
3.8.2. Contacto hmico metal-semiconductor.
3.9. Estructura p
+
-n-n
+
.
3.10. Construccin del diodo.
TEMA 3: F SI CA DE LA UNI N P-N.
I ntroduccin.
En los temas anteriores se han estudiado las propiedades de los semiconductores en
equilibrio trmico y fuera del equilibrio. Los semiconductores intrnsecos tienen un uso
muy limitado, sin embargo los semiconductores dopados con impurezas son la base de
los dispositivos que a partir de ahora vamos a estudiar.
Si sobre la superficie de un semiconductor previamente dopado con impurezas
aceptoras se difunden tomos dadores se forma una unin de propiedades muy
interesantes llamada unin p-n. La unin p-n desempea un importante papel en las
aplicaciones de la electrnica moderna, as como en la construccin y aplicacin de
otros dispositivos semiconductores. Se utiliza por ejemplo en aplicaciones de
rectificacin, conmutacin, ... Adems es un dispositivo fundamental en la construccin
de otros dispositivos semiconductores tales como los transistores bipolares, tiristores,
transistores de efecto de campo o dispositivos para aplicacin en microondas o
fotnicos.
En esta leccin se van a presentar las caractersticas ideales estticas y dinmicas de
la unin p-n en base a las ecuaciones obtenidas en la leccin anterior.
3.1. La unin p-n en equilibrio trmico.
Fig. 1.a muestra dos materiales semiconductores, uno de tipo P y otro de tipo N
separados entre s. En ellos el nivel de Fermi E
F
est cerca de la banda de valencia para
la muestra de tipo P y cerca de la banda de conduccin para el material de tipo N. Por
otra parte, el material de tipo P tiene una concentracin de huecos mucho mayor que de
electrones y al revs ocurre en el material de tipo N.
Fig. 1: (a) Semiconductores de tipo N y tipo P uniformemente dopados antes
de la unin. (b) Campo elctrico en la regin espacial de carga y diagrama de
bandas de energa en la unin p-n en equilibrio trmico.
Formacin de la regin espacial de carga.
Una unin p-n se forma cuando se unen estas dos regiones. En la prctica, los
procesos de fabricacin de uniones p-n son los de epitaxia, difusin e implantacin de
iones.
Para simplificar vamos a suponer el caso en que el lmite entre las regiones P y N
represente una unin escaln o unin abrupta. En este tipo de unin la transicin entre
las regiones P y N tiene lugar en una distancia extremadamente pequea. Por lo tanto,
hay un cambio brusco en el dopaje yendo desde P hasta N.
Aunque la unin abrupta no es una estructura tpica de los dispositivos modernos, s
es, en cambio, una buena aproximacin de la unin p-n, que pone de manifiesto sus
caractersticas de funcionamiento y de tensin-corriente. Otro argumento a favor de
utilizar dicha aproximacin es que el comportamiento fsico interno y las propiedades
elctricas de la unin varan muy poco con el mtodo que se emplee en su obtencin.
El hecho de unir ambos tipos de material provoca un elevado gradiente de
concentracin de portadores en las proximidades de la unin. De hecho, lo que se
observa es por un lado, una corriente de difusin de huecos de la regin P hacia la
regin N y por otro, una corriente de difusin de electrones de la regin N hacia la P.
Pero adems, la marcha o difusin de estos portadores de su regin inicial a la otra deja
al descubierto algunos iones fijos en la red cristalina, iones aceptores negativos
A
N en
la regin P e iones dadores positivos en la regin N,
+
D
N . Dicha zona es llamada zona
de agotamiento o regin espacial de carga y es una regin en que no existen ni
electrones ni huecos pero contiene tomos dadores ionizados positivamente a un lado y
tomos aceptores ionizados negativamente al otro lado. En consecuencia, se forma una
zona de con cargas negativas fijas en la cara P de la unin y una zona con cargas
positivas fijas en la cara N. La presencia de estas cargas fijas da lugar a la aparicin de
un fuerte campo elctrico cuyas lneas de campo se dirigen desde la zona N hacia la
zona P, es decir, desde la zona de carga positiva a la zona de carga negativa (Fig. 1b).
La orientacin, por tanto, de este campo elctrico es siempre en contra de la corriente de
difusin del portador de carga considerado.
Las condiciones despus del contacto se muestran en Fig. 2:
Fig. 2: Regin espacial de carga, sentido del campo elctrico y potencial de contacto
en equilibrio trmico.
Se ha supuesto que la regin espacial de carga contiene nicamente tomos de
impurezas ionizados (en realidad existen unas pequeas concentraciones de portadores
mviles -electrones y huecos- despreciables frente a las concentraciones de impurezas)
y que ms all de esta regin los materiales (P y N) son neutros.
Si consideramos, por ejemplo, el semiconductor de tipo N, en todo este
semiconductor existen N
D
impurezas por unidad de volumen pero en la zona neutra la
carga de los iones es compensada con la de los portadores mviles mayoritarios
(electrones) mientras que en la zona prxima a la unin la carga de los iones dadores
cargados positivamente no es compensada.
Observamos como la zona N de la regin espacial de carga se extiende desde x =0
hasta x =x
n
, mientras que la zona P se extiende desde x =0 hasta x =-x
p
. La lnea que
separa las dos regiones est en x =0 y corresponde a la unin metalrgica de las
regiones P y N.
Barrera de potencial y bandas de energa.
La presencia de cargas en la regin espacial de carga da lugar a un campo elctrico,
el cual causa una diferencia de potencial en dicha regin que recibe el nombre de
potencial de contacto, V
bi
y es mostrado en Fig. 2.
Este potencial de contacto viene acompaado por un desnivel de las bandas de
energa como se muestra en Fig. 3. Este desnivel se explica como sigue: la cada de
tensin entre dos puntos a y b se define como la energa empleada o adquirida para
mover una carga positiva unidad desde a hasta b. Si la carga positiva (hueco) est en a
(zona P) y b (zona N) est a una mayor tensin V
bi
, se realiza un trabajo para mover la
carga. Al llegar a b, la carga positiva ha ganado una energa potencial igual a la energa
empleada que viene dada por (qV
bi
), donde q es la carga del electrn.
Fig. 3: Diagrama de bandas de energa en la zona de la unin.
Si un electrn es llevado desde a hasta b, con b a una tensin superior V
bi
, el electrn
(carga negativa) pierde una energa potencial - qV
bi
.
En consecuencia, un electrn en x x
n
tiene menos energa potencial que un electrn
en x x
p
(zonas neutras). Los niveles energticos de la zona N son menores que los de
la zona P en una cantidad qV
bi
.
Recordemos que los electrones residen en la banda de conduccin y los huecos en la
de valencia y que la energa del electrn aumenta al moverse hacia arriba en la banda de
conduccin siendo E
c
la mnima energa de un electrn libre (corresponde a la energa
de un electrn en reposo y toda ella es energa potencial energa cintica cero-
aumentando la energa cintica al desplazarse hacia arriba en la banda de conduccin) ,
mientras que la del hueco aumenta al moverse hacia abajo en la banda de valencia
siendo E
v
la energa de un hueco en reposo (toda ella es energa potencial energa
cintica cero- aumentando la energa cintica al desplazarse hacia arriba en la banda de
conduccin)
Al potencial de contacto tambin se le conoce como barrera de potencial.
Corrientes de arrastre y de difusin.
La presencia del campo elctrico en la zona de la unin debido a la presencia de
cargas fijas, orientado en sentido contrario al movimiento de cada uno de los portadores
por difusin, crea a su vez una corriente de arrastre. Por un lado hay una corriente de
difusin de huecos de la zona P a la N debida al gradiente de concentracin y una
corriente de arrastre tambin de huecos (debida al campo elctrico) de la zona N a la P.
Con respecto a los electrones, la corriente de difusin debida al gradiente de
concentracin va de la zona N a la P y la de arrastre debida al campo elctrico de la
zona P a la N.
En condiciones de equilibrio trmico, sin ninguna excitacin externa, la corriente
total, suma de las dos corrientes de arrastre (de electrones y de huecos) y de las dos
corrientes de difusin ha de ser cero. Una corriente total que no fuese cero causara una
disipacin energtica, lo cual no es posible ya que no hay ninguna fuente en el diodo
que proporcione dicha energa.
Por otra parte la corriente total de electrones y la corriente total de huecos son ambas
cero. La corriente neta correspondiente a cada tipo de portador (electrones o huecos) ha
de ser cero debido al siguiente razonamiento: como la unin p-n est en equilibrio
trmico, el producto np debe ser igual a
2
i
n . Supongamos que la corriente neta de
electrones (diferencia entre las corrientes de difusin y arrastre) no fuese cero, entonces
la corriente neta de huecos debera ser igual en magnitud pero sentido contrario a la de
los electrones (pues la corriente total es cero). Esto implicara que habra una
transferencia neta de electrones y huecos en el mismo sentido provocando un
incremento de las concentraciones de ambos en una de las regiones y violando por tanto
la condicin de equilibrio trmico.
3.1.1. Relaciones analticas en equilibrio trmico.
A partir de ahora se van a establecer las relaciones analticas para la unin p-n en
equilibrio trmico. Determinaremos primeramente la electrosttica de la regin espacial
de carga y con posterioridad la localizacin del nivel de Fermi y una expresin para el
potencial de contacto en la unin.
3.1.1.1. Electrosttica de la regin espacial de carga.
Si recordamos la definicin de campo elctrico, este se define como la fuerza
ejercida sobre la unidad de carga positiva. Cuando un campo elctrico se aplica al
semiconductor, dicho campo realiza una fuerza -q sobre cada electrn, donde q es el
valor de la carga del electrn. Tambin sabemos que dicha fuerza ejercida es igual al
valor negativo del gradiente de la energa potencial:
F =-q =- (gradiente de la energa potencial del electrn)
Sabemos que el valor inferior de la banda de conduccin E
c
corresponde a la energa
potencial de un electrn. Como estamos interesados en el gradiente de la energa
potencial, podemos utilizar cualquier parte del diagrama de bandas que sea paralelo a E
c
(es decir, E
F
, E
i
o E
v
). Es conveniente utilizar E
i
pues dicha magnitud es ampliamente
utilizada en el caso de uniones P-N . Por tanto y para el caso unidimensional:
dx
dE
q
i

dx
dE
q
i

1
Ya se calcul el valor de dicho campo elctrico para el caso de un semiconductor de

tipo N sujeto a una diferencia de potencial constante.
El potencial electrosttico, , se define como aquella magnitud cuyo gradiente
negativo iguala al campo elctrico. Por tanto, para el caso unidimensional:
dx
d
(O sea
dx )
Con lo que:
q
E
i

La ecuacin de Poisson para el caso unidimensional:
s
s
dx
d
'

s
s i
s
s
q
dx
E d
dx
d

2
2
2
2
nos permite relacionar el potencial electrosttico, la energa potencial y el campo
elctrico para una unin p-n.
Movindonos desde cualquiera de las dos regiones neutras hacia la unin p-n
aparecen distintas zonas. En una primera zona, la carga aportada por los iones de las
impurezas es parcialmente compensada con la carga de los portadores mviles, es una
regin estrecha de poco espesor y recibe el nombre de regin de transicin (Fig. 4c).
Fig. 4 : (a) Unin p-n con cambios bruscos de dopado en la unin metalrgica. (b)
Diagrama de bandas de energa de la unin abrupta en equilibrio trmico. (c)
Distribucin espacial de carga. (d) Aproximacin rectangular de la distribucin
espacial de carga.
Ms all de esta regin aparece la regin espacial de carga. Para uniones p-n tpicas,
la anchura de la regin de transicin es pequea comparada con la de la regin espacial
de carga, de forma que puede despreciarse dicha regin de transicin y aproximar la
regin espacial de carga por una distribucin espacial (Fig. 4d) donde x
p
y x
n
representan las anchuras de esta regin en las zonas P y N respectivamente.
En las regiones de transicin, la distribucin espacial de carga vendr dada a partir de
la contribucin de todas las cargas que intervienen:
) (
2
2
n p N N
q
dx
d
dx
d
A D
s s
s
+

En el caso general de una unin abrupta, en el semiconductor de tipo N pueden
coexistir ambos tipos de impurezas cumplindose la relacin N
D
>>N
A
e igualmente en
el semiconductor de tipo P se cumplir N
A
>>N
D
. En la prctica vamos a suponer que
la concentracin de impurezas aceptoras N
A
en el semiconductor de tipo N es nula al
igual que la concentracin de impurezas dadoras N
D
en el de tipo P:
A
s s
s
N
q
dx
d

2
2
0 x x
p
D
s s
s
N
q
dx
d

2
2
n
x x 0
En las expresiones anteriores se ha tenido en cuenta que en la regin espacial de
carga no existen portadores mviles (n =p =0). Como ya se ha dicho con anterioridad,
en realidad existen unas pequeas concentraciones de portadores mviles -electrones y
huecos- despreciables frente a las concentraciones de impurezas.
En regiones alejadas de la unin metalrgica (zonas neutras de tipo N y P), se
mantiene la neutralidad de carga y la densidad espacial de carga total
s
es cero. En
estas regiones:
0
2
2
dx
d
y 0 + n p N N
A D
As en la zona neutra de tipo P, suponiendo N
D
=0 y teniendo en cuenta que p >>n
se tiene que p N
A
. Para la zona neutra de tipo N, , suponiendo N
A
=0 y teniendo en
cuenta que n >>p se tiene que n N
D
.
3.1.1.2. Constancia del nivel de Fermi.
Anteriormente se ha visto que, en equilibrio trmico, la corriente neta tanto de
electrones como de huecos a travs de la unin es cero. En consecuencia, para cada tipo
de portador, la corriente de arrastre debida al campo elctrico debe igualarse a la de
difusin causada por el gradiente de concentracin. Para la densidad de corriente de
huecos en el caso unidimensional se cumplir que:
J
p
=J
p
(arrastre) +J
p
(difusin)
dx
dp
D q p q
p p

0
1

1
]
1

dx
dp
T K
dx
dE
q
p q
p
i
p

donde se ha hecho uso de la ecuacin del campo elctrico y de la relacin de Einstein:
p p
q
T K
D
Sustituyendo la expresin para la concentracin de huecos:

T K E E
i
F i
e n p

/ ) (
y de su derivada:
1
]
1
dx
dE
dx
dE
T K
p
dx
dp
F i
en la ecuacin anterior, se obtiene para la densidad de corriente de huecos la expresin:
0
dx
dE
p J
F
p p
0
dx
dE
F
De forma anloga, para la densidad de corriente de electrones:
J
n
=J
n
(arrastre) +J
n
(difusin)
dx
dn
D q n q
n n
+
0
dx
dE
n
F
n
La conclusin primera que se obtiene es que, derivado de la condicin de flujo neto

nulo de portadores (huecos y electrones) en la unin, el nivel de Fermi deber ser
constante (es decir, independiente de x), a lo largo de la muestra semiconductora p-n
(Fig. 1b y Fig. 4b).
3.1.1.3. Potencial de contacto.
Tal y como se ha comentado, a travs de la unin se establece un campo elctrico y
una diferencia de potencial, y las bandas de energa tanto en la regin N como en la P se
presentan un desnivel de valor qV
bi
. Tambin se ha visto como, auque E
c
, E
v
y E
i
presentan dicho desnivel, el nivel de Fermi E
F
permanece constante. En este apartado se
va a responder a la pregunta de cual es la magnitud de dicha desnivel o, dicho de otra
forma, cual es la diferencia de potencial a travs de la unin.
Dicha diferencia de potencial aparece a travs de la regin espacial de carga, la cual
se ha supuesto que est enteramente constituida por tomos dadores o aceptores
ionizados. En realidad, hay una pequea cantidad de portadores de carga (electrones y
huecos) que estn continuamente atravesando dicha regin, pero su concentracin es
despreciable comparada con las concentraciones de impurezas ionizadas.
Como los valores del nivel de Fermi intrnseco (E
i
) son diferentes en la zona P y en
la zona N mientras que el nivel de Fermi (E
F
) es constante en la regin espacial de carga
se definen los potenciales electrostticos de las regiones P y N con respecto al nivel de
Fermi de la siguiente manera (Fig. 4b):
p
x x
F i p
E E
q
<<
) (
1
(zona P)
n
x x
F i n
E E
q
>>
) (
1
(zona N)
En la regin P, E
i
es mayor que E
F
por lo que
p
es negativo, mientras que, en la
regin N, E
F
est por encima de E
i
por lo que
n
es positivo.
Para la regin neutra de tipo P:
T K E E
i
F i
e n p

/ ) (
T K E E
i
F i
e
n
p

/ ) (
i
A
i
F i
n
N
T K
n
p
T K E E ln ln
donde se ha hecho uso de que p =N
A
>>n
i
. Y por tanto:
) ( ln ) (
1
i
A
x x
F i p
n
N
q
T K
E E
q
p

<<
De forma similar podemos obtener el potencial electrosttico de la regin de tipo N

con respecto al nivel de Fermi teniendo en cuenta que, para dicha regin, n =N
D
>>n
i
:
) ( ln ) (
1
i
D
x x
F i n
n
N
q
T K
E E
q
n

>>
Como E
F
es constante la separacin total existente entre los niveles de Fermi
intrnsecos en las zonas neutras de tipo P y de tipo N vendr dado por
p n
+ y
corresponde al valor del potencial de contacto o altura de la barrera de potencial. Las
lneas de E
c
, E
i
y E
v
estn curvadas en una cantidad qV
bi
.
) ( ln
2
i
D A
p n bi
n
N N
q
T K
V

+
Fig. 5 muestra las magnitudes de
n
y
p
en funcin de la concentracin de
impurezas (N
A
o N
D
) para el Si y el GaAs. La representacin corresponde a una curva
que es idntica para
n
y
p
para un mismo tipo de material semiconductor y a
temperatura fija (300K), teniendo en cuenta que para la obtencin de
n
la
concentracin de impurezas ser la correspondiente a N
D
mientras que para la obtencin
de
p
la concentracin de impurezas ser N
A
. Como se puede observar el potencial
electrosttico para el GaAs es mayor debido a que la concentracin intrnseca (n
i
) es
ms pequea.
Fig. 5: Potenciales de contacto en la zona P y en la zona N para uniones abruptas de Si
y GaAs en funcin de la concentracin de impurezas.
3.2. Resolucin de la ecuacin de Poisson en la regin espacial de carga.
Hasta este momento slo se ha resuelto el problema electrosttico en las regiones
neutras alejadas de la unin. Considerando despreciable la regin de transicin, debe
resolverse ahora el problema electrosttico (ecuacin de Poisson) en las regiones
situadas a ambos lados de la unin en las cuales s que hay una distribucin espacial de
carga. La ecuacin a considerar es la anteriormente escrita:
) ( ) (
2
2
D A
s
A D
s
N N
q
N N
q
dx
d

lo cual obliga a conocer cual es la distribucin neta de impurezas N

D
-N
A
. As,
suponiendo N
D
=0 en la zona P (-x
p
x 0) y N
A
=0 en la zona N (0 x x
n
):
A
s
N
q
dx
d
+
2
2
para -x
p
x 0
D
s
N
q
dx
d

2
2
para 0 x x
n
Se van a resolver dos casos importantes, correspondientes al caso de tener una unin
abrupta o una unin gradual.
Fig. 6: Perfiles aproximados de dopado. (a) Unin abrupta. (b) Unin gradual.
Fig 6a representa una unin escaln o unin abrupta, es decir, una unin p-n
formada por difusin poco profunda o por implantacin de iones de baja energa. La
distribucin de impurezas puede aproximarse por transiciones abruptas de
concentracin de impurezas entre las regiones P y N y con valor constante a ambos
lados de la unin.
Fig. 6b muestra la aproximacin efectuada cuando se trata de uniones p-n que
presentan una concentracin de impurezas en la regin espacial de carga que vara de
forma lineal a lo largo de la unin. Este tipo de uniones se obtienen mediante difusiones
profundas o tcnicas de implantacin de iones de alta energa.
Hasta el momento habamos supuesto siempre, para simplificar que estbamos
trabajando con una unin abrupta. En este apartado se analizar tambin el caso de
unin gradual obteniendo las expresiones del campo elctrico en la unin y el potencial
de contacto para este tipo de unin aunque, como se podr comprobar, el
comportamiento fsico interno y las propiedades elctricas de la unin variarn muy
poco.
3.2.1. La unin abrupta.
En la unin abrupta se pasa de una densidad constante de impurezas aceptoras N
A
en
la zona P a otra de valor constante tambin N
D
de impurezas dadoras en la zona N. La
unin abrupta se dice que es simtrica si se cumple la igualdad
D A
N N y asimtrica o
si
D A
N N , en cuyo caso, si
D A
N N << se dice que la unin es p-n
+
y si
D A
N N >> la
unin es p
+
-n. Cuando la concentracin de impurezas en una zona de la unin es mucho
mayor que en la otra (uniones p-n
+
o p
+
-n) se dice que la unin es abrupta a un lado,
siendo el caso ms frecuente el de una unin p
+
-n.
La unin p-n se caracterizar finalmente especificando su potencial de contacto V
bi
,
la anchura de la regin espacial de carga W, el valor mximo del campo elctrico
interno
max
y la densidad de carga elctrica Q.
Fig. 7: (a) Distribucin espacial de carga en la zona de la unin en equilibrio trmico.
(b) Distribucin de campo elctrico.
Fig. 7a muestra la distribucin espacial de carga en una unin abrupta. En la zona
espacial de carga no hay portadores mviles y la ecuacin de Poisson tiene la forma:
A
s
N
q
dx
d
+
2
2
para -x
p
x 0 (zona P)
D
s
N
q
dx
d

2
2
para 0 x x
n
(zona N)
La condicin de neutralidad de carga en el conjunto del semiconductor requiere que
el rea positiva y el rea negativa encerradas por la distribucin espacial de carga sea la
misma (Fig. 7a).
n D p A
x N x N
La anchura W de la regin espacial de carga es:
n p
x x W +
El campo elctrico mostrado en Fig. 7b se obtiene a partir de la definicin del
potencial electrosttico de la siguiente forma:
Para -x
p
x 0 (zona P):
cte
x x N q
dx N
q
dx
d
s
p A
x
x
A
s
p
+
) (
) (
Sabiendo que 0 0 ) ( cte x

p
, por lo que:
s
p A
x x N q
x
+

) (
) ( ) ( ; -x
p
x 0 (zona P)
Para 0 x x
n
(zona N):
cte
x x N q
dx
N q
dx
d
x
s
n D
x
x
s
D
n
+
) (
) ( ) (

Sabiendo que 0 0 ) ( cte x

n
, por lo que:
s
n D
x x N q
x
) (
) ( ; 0 x x
n
(zona N):
El campo elctrico tiene un valor mximo
m
que est localizado en x =0 que viene
dado por la expresin:
s
p A
s
n D
m
x N q
x N q

En funcin de este valor mximo el campo elctrico en la zona N de la regin
espacial de carga puede reescribirse de la siguiente manera:
s
D
m
x N q
x

+ ) ( ) ( ; para 0 x x
n
(zona N)
Este campo elctrico es negativo pues tal y como dicta la expresin
dx
d
, tiene
sentido contrario al de aumento del potencial electrosttico (Fig. 2).
Para obtener el potencial de contacto V
bi
entre las dos regiones de distribucin
espacial de carga, se ha de integrar el campo elctrico entre los valores x
p
y x
n
:

n
p
n
p
x
x
n cara
x
p cara
x
bi
dx x dx x dx x V
0
0
) ( ) ( ) ( ) ( ) (

n
p
x
n
s
D
x
p
s
A
dx x x
N q
dx x x
N q
0
0
) ( ) ( ) (
W
x N q
x N q
m
s
n D
s
p A

+

2
1
2 2
2
2
Es decir, el potencial de contacto corresponde al rea encerrada del campo elctrico
(rea del tringulo).
W V
m bi

2
1
Combinando las expresiones correspondientes a la neutralidad de carga y del potencial
de contacto se obtiene la anchura de la regin espacial de carga W.
( )
A D
D A
S
D
A
S
A
p
n
S
A
n p
p
n p
S
A
n p
n p
n p
p A
S
n p p A
S
n n D p p A
S
n
S
D
p
S
A
bi
N N
N N
W
q
N
N
W
N q
x
x
W
N q
x x
x
x x
N q
x x
x x
x x
x N
q
x x x N
q
x x N x x N
q
x
N q
x
N q
V
+
+
+

+
+
+

+

+

2 2
2 2
2 2
2
1
1
2
1
1
2 ) (
) (
2
) (
) (
) (
2
) (
2 2 2 2
y despejando W:
bi
D A
s
bi
D A
D A s
V
N N q
V
N N
N N
q
W
1
]
1
+

1
]
1
1 1 2 2
Fijarse que la anchura de la regin espacial de carga (W) disminuye al aumentar la
concentracin de sustancias dopantes (N
A
y N
D
).
Fig. 8b representa la distribucin de carga para una unin abrupta a un lado p
+
-n en
la que se cumple que
D A
N N >> .
Fig. 8: (a) Unin abrupta a un lado (con N
A
>>N
D
) en equilibrio trmico. (b)
Distribucin espacial de carga. (c) Distribucin de campo elctrico. (d) Potencial
electrosttico en funcin de la distancia, donde V
bi
es el potencial de contacto.
En este caso para que se mantenga la neutralidad de la carga, la anchura de la
regin espacial de carga en la zona P debe ser mucho menor que la de la zona N
(
n D p A
x N x N con N
A
>>N
D

n p
x x << ), y en consecuencia, la anchura total W
de la regin espacial de carga puede simplificarse como:
D
bi s
n
N q
V
x W

2
donde se ha hecho uso de que:
D D A
D A
N N N
N N 1
+
La expresin del campo elctrico en funcin de x es la misma que para el caso
anterior en la regin N:
s
B
m
x N q
x

+ ) ( ) ( 0 x W
donde la cantidad N
B
se denomina concentracin ligera de impurezas (concentracin de
impurezas que est en menor cantidad), la cual en el caso de una unin p
+
-n es N
D
. El
valor mximo del campo:
s
B
m
W N q

Y en consecuencia:
1
]
1

W
x
x
m
1 ) ( ) ( 0 x W
El cual est representado en Fig. 8c. Integrando el campo elctrico se obtiene la
distribucin de potencial electrosttico (x).
cte
W
x
x dx x x
m
x
+
1
]
1
2
) ( ) ( ) (
2
0
0 x W
Tomando como origen de potenciales el potencial nulo existente en la regin neutra
de tipo P, (0) =0 cte =0; y empleando la relacin para el potencial de contacto V
bi
W V
m bi

2
1

W
V
bi
m

se puede obtener que:

1
]
1
1
]
1
W
x
W
x V
W
x
x
W
V
x
bi bi
2
2
2
) (
2
que es la distribucin de potencial representada en Fig. 8b. Fijarse que en x =W,

(W)=V
bi
.
3.2.2. La unin gradual.
En este caso, la distribucin de impurezas en la regin espacial de carga aparece en
Fig. 9a.
Fig. 9: Unin gradual en equilibrio trmico. (a) Distribucin espacial de carga. (b)
Distribucin de campo elctrico. (c) Potencial electrosttico en funcin de la distancia.
(d) Diagrama de bandas de energa.
La variacin espacial que experimenta la concentracin neta de impurezas es de
forma lineal:
x a N N
A D

donde a Gradiente de impurezas =
dx
N N d
A D
) (
[cm
-4
]
Multiplicando la concentracin neta de impurezas en la regin espacial de carga por la
carga del electrn obtenemos la distribucin espacial de carga:
x a q N N q
A D s
) ( para
2 2
W
x
W

x <0 0 <
s
x >0 0 >
s
La condicin de neutralidad de carga en el conjunto del semiconductor requiere que

el rea positiva y el rea negativa encerradas por la distribucin espacial de carga sea la
misma por lo que si W es la anchura de la regin espacial de carga, sta estar
igualmente repartida en la zona N y en la zona P (x
n
=W/2 y -x
p
=-W/2).
Para este tipo de distribucin de impurezas, la ecuacin de Poisson es:
x a
q
dx
d
dx
d
s s
s

) ( ) ( ) (
2
2

para
2 2
W
x
W

siendo a el gradiente de impurezas (en cm
-4
) y W la anchura de la regin espacial de
carga.
Integrando una vez para obtener el campo elctrico, se obtiene la distribucin (x)
para este campo, representada en Fig. 9b:
2 2 2
2
2
2
2
) ( ) (
2
2
2
2
2
2
2
W
x
W
para cte
x
W
a q
cte
W
x
a q
cte
x a q
dx x a
q
dx
d
x
s
s
x
W
s s
x
W
+
1
1
1
1
]
1
,
_

+
1
1
1
1
]
1
,
_
+
1
]
1
Con las condiciones de contorno de que el campo en

2
W
y
2
W
ha de ser cero:
0 )
2
( )
2
(
W W
cte =0
Con lo que:
2 2 2
2
) (
2
2
W
x
W
para
x
W
a q
x
s

1
1
1
1
]
1
,
_

cuyo valor mximo est localizado en x =0 y tiene un valor (haciendo x =0 en la
anterior expresin):
S
m
W a q

8
2
Integrando nuevamente se pueden obtener por un lado la distribucin de potencial

electrosttico y, por otro lado, la disposicin de bandas de energa (Fig. 9c y 9d
respectivamente).
2 2
) ( ) (
2
W
x
W
para dx x x
x
W

con la condicin de contorno (-
2
W
) =0.
El potencial de contacto viene dado por la siguiente expresin:

2
2
) (
W
W bi
dx x V
s
bi
W a q
V

12
3
Y la anchura de la regin espacial de carga (despejando de la anterior ecuacin):
3
1
12
,
_
a q
V
W
bi s
Utilizando la expresin definitoria del potencial de contacto V
bi
(diferencia de
potencial electrosttico entre las zonas neutras) y para el valor de N
A
y N
D
en los
extremos de la regin espacial de carga (
2
W
y
2
W
), que es
2
W
a en ambos casos, se
obtiene la expresin:
1
]
1
1
1
1
]
1
i i i
D A
bi
n
W a
q
T K
n
W a W a
q
T K
n
N N
q
T K
V
2
ln
2
2 2
ln ln
2 2
Si se elimina W en esta ltima expresin empleando la anterior para W se obtiene
una ecuacin trascendente que permite resolver el potencial de contacto V
bi
en funcin
de a. Los resultados para el Si y el GaAs estn reflejados en Fig. 10.
Fig. 10: Potencial de contacto para uniones graduales de Si y GaAs en funcin del
gradiente de impurezas.
Como se ha podido comprobar, el comportamiento fsico interno y las propiedades
elctricas de la unin variarn muy poco de considerar una unin abrupta a considerar
una unin gradual.
3.3. La unin P-N polarizada: diodo de unin.
Hasta ahora slo se ha considerado la unin p-n sin ningn tipo de polarizacin (Fig.
11a). Sin embargo, cuando la unin es sometida a una diferencia de potencial externa
supuesta constante aparece un nuevo comportamiento. Se tienen dos casos a considerar,
segn la tensin externa aplicada sea en sentido directo o inverso.
Polarizacin directa: En este caso, la parte P se somete a un potencial positivo
respecto de la parte N, V
F
.>0. El efecto es que el potencial electrosttico de contacto en
la unin decrece en dicha cantidad V
F
, es decir, V
bi
- V
F
, reducindose adems la regin
espacial de carga, cuya anchura depende de la diferencia de potencial a la que est
sometida la unin (Fig. 11b). Los niveles energticos en el semiconductor de tipo N se
desplazan hacia arriba en una cantidad qV
F
, que es la misma diferencia que existe entre
los niveles de Fermi de los semiconductores de tipo N y P al existir una diferencia de
potencial entre ellos de V
F
.
La reduccin de la barrera de potencial cuando la polarizacin es directa hace que la
corriente de difusin predomine sobre la de arrastre. Esto permite que los portadores
mayoritarios atraviesen la unin, convirtindose entonces en minoritarios y dando lugar
a una corriente mensurable. Se tiene, por tanto, una inyeccin de portadores
minoritarios, es decir, de electrones en la zona P y de huecos en la N.
Polarizacin inversa: En este caso, la parte N tiene una tensin positiva aplicada V
R
>0
con respecto de la P. A diferencia del anterior caso, el potencial electrosttico se ve
aumentado en la cantidad V
R
, es decir, V
bi
+V
R
, aumentando la anchura de la regin
espacial de carga (Fig. 11c). El consiguiente aumento del campo elctrico en la regin
espacial de carga hace que las corrientes de difusin se vean muy reducidas, resultando
nicamente una pequea corriente inversa de arrastre.
Sustituyendo dichos valores de tensin en la unin V V V
bi j
donde V es positivo
para el caso de polarizacin directa (V
F
) y negativo para el caso de polarizacin inversa
(-V
R
), en lugar de V
bi
en la expresin que nos da la anchura de la regin espacial de
carga en el equilibrio podemos obtener una nueva expresin para W, ahora ya fuera del
equilibrio, en el caso de una unin abrupta:
( ) V V
N N
N N
q
W
bi
D A
D A s

,
_
2
Darse cuenta de que la anchura de la regin espacial de carga W vara con la raz
cuadrada de la diferencia de potencial electrosttico total a travs de la unin,
V V V
bi j
.
Otra relacin importante es con el dopado de ambas zonas. Cuanto mayor sea el
dopado de ambas zonas (N
A
y N
D
), ms estrecha ser la regin espacial de carga (esto es
cierto tambin en ausencia de polarizacin externa).
Si se trata de una unin p
+
n (N
A
>>N
B
=N
D
):
B
bi s
n
N q
V V
x W

) ( 2
En este caso es la concentracin ligera de impurezas la que determina la anchura de
la regin espacial de carga, disminuyendo dicha anchura al aumentar N
D
.
Para una unin gradual:
3
1
) ( 12
,
_
a q
V V
W
bi s
En cuanto a la relacin entre el valor mximo del campo elctrico en la zona de la
unin, en el caso de una unin abrupta, y la anchura de la regin espacial de carga se
ver modificada a:
W V V V
m bi j

2
1
Fig. 11: Representacin esquemtica de la anchura de la regin espacial de carga y de
los diagramas de bandas de la unin p-n bajo distintas condiciones de polarizacin. (a)
En equilibrio trmico. (b) En polarizacin directa. (c) En polarizacin inversa.
3.3.1. Capacidad de transicin de la unin polarizada.
Hay un parmetro de tipo capacitivo que se puede obtener considerando cual es la
variacin de la carga en la regin espacial de carga por unidad de superficie cuando se
realiza un incremento de potencial en la unin p-n.
Este parmetro recibe el nombre de capacidad de la regin espacial de carga
capacidad de transicin, C
j
bajo polarizacin inversa.
Fig. 12 muestra dicha capacidad para una unin p-n con una distribucin arbitraria de
impurezas. La lnea continua corresponde a las distribuciones de carga y campo
elctrico cuando una tensin V es aplicada en la zona N. Si esta tensin se incrementa
en una cantidad dV, las distribuciones de carga y campo elctrico se expanden hasta las
regiones delimitadas por la lnea discontinua. En Fig. 12b la carga incremental dQ
corresponde al rea marcada entre las dos curvas de distribucin de carga a cada lado de
la regin espacial de carga. Las cargas incrementales en las zonas N y P de la regin
espacial de carga son de igual magnitud pero con polaridad de la carga opuesta, pues se
ha de mantener la neutralidad de carga.
Fig. 12: (a) Unin p-n con un perfil de impurezas arbitrario bajo polarizacin inversa.
(b) Cambio en la distribucin espacial de carga debida al cambio en la tensin de
polarizacin. (c) Cambio correspondiente en la distribucin de campo elctrico.
El cambio en la distribucin de carga dQ provoca un incremento en el campo
elctrico de d=dQ/
s
(obtenido a partir de la ecuacin de Poisson). El correspondiente
cambio en la tensin aplicada dV, representado por el rea rayada en Fig. 12.c, es
aproximadamente Wd, el cual es igual a WdQ/
s
. Por lo tanto, la capacidad de
transicin por unidad de rea viene dada por la expresin:
) / (
2
cm F
W
dQ
W
dQ
d W
dQ
dV
dQ
C
s
s
j

Esta expresin para la capacidad de la zona de carga espacial tiene la misma

expresin que la de la capacidad de un sistema de placas plano-paralelas, donde la
distancia entre las dos placas es la anchura de la regin espacial de carga. Esta expresin
es vlida cualquier arbitraria distribucin de impurezas.
Ha de tenerse en cuenta adems que se ha considerado que slo interviene en el
conjunto de la capacidad, la distribucin espacial de carga en la regin de carga
espacial. Ello slo ocurre si la polarizacin es inversa.
En el caso de que se tenga una polarizacin directa, la variacin de la distribucin de
carga en la zona espacial de carga tendr una contribucin adicional procedente de los
portadores mayoritarios de carga en cada una de las regiones P y N pues este tipo de
polarizacin disminuye la barrera de potencial para los portadores mayoritarios
contribuyendo a un incremento adicional en la corriente de difusin. Dicho fenmeno
contribuye a la llamada capacidad de difusin que ser tratada con posterioridad.
Utilizando la expresin anterior y la dada para la anchura W en trminos de la
tensin externa V, se pueden obtener las siguientes expresiones para la capacidad de
transicin:
Si la unin es abrupta:
) ( ) ( 2
D A
D A
bi
s
j
N N
N N
V V
q
C
+
Aqu se ha empleado la relacin:

( ) V V
N N
N N
q
W
bi
D A
D A s

,
_
2
para la anchura de la regin espacial de carga fuera del equilibrio.
Si la unin es gradual:
3
1
2
) ( 12
1
]
1
V V
a q
C
bi
s
j
donde se ha empleado la relacin:
3
1
) ( 12
1
]
1
a q
V V
W
bi s
para la anchura de la regin espacial de carga fuera del equilibrio.
Dado que la capacidad de transicin obtenida con estas ecuaciones lo es por unidad
de rea, para obtener la capacidad de transicin total habra que multiplicar por la
seccin transversal del diodo (A):
) (
_
F
W
A C
s
total j

Muchos circuitos emplean esta propiedad de cambio de la capacidad de transicin de
una unin p-n polarizada inversamente con la tensin. La unin p-n utilizada con este
propsito recibe el nombre de varactor, el cual es una palabra procedente del trmino
reactancia variable. El varactor es un dispositivo particularmente til en la sintonizacin
de receptores de FM.
3.4. Modelo matemtico de la unin P-N: ecuacin de Shockley.
Cuando una tensin es aplicada a la unin p-n, las corrientes de difusin y de arrastre
se ven alteradas rompindose la situacin existente en el equilibrio (Fig. 13).
Fig. 13: Movimiento de los portadores en equilibrio.
Cuando una tensin de polarizacin directa V
a
se aplica a la unin, la cada de tensin a
travs de la unin y el campo elctrico en sta se reducen. Si suponemos que los niveles
energticos en la zona P permanecen fijos, entonces los niveles energticos en la zona N
aumentan en qV
a
, como se muestra en Fig. 14.
Fig. 14: Movimiento de los portadores con polarizacin directa (V
a
> 0).
El nmero de electrones, portadores minoritarios en la zona P, por encima de E
c
es el
mismo que en la situacin de equilibrio. Estos constituyen la corriente de arrastre de
electrones. El nmero de electrones en la zona N que tiene energas por encima de E
c
de
la zona P es considerablemente mayor que en equilibrio. Estos electrones se difundirn
hasta P. Por tanto, se tiene una corriente de difusin de electrones a travs de la unin
que es mayor que la corriente de arrastre causada por los electrones que se desplazan
desde P hasta N. De forma anloga, los huecos (con energa superior a E
v
de la zona N)
se difundirn desde P hasta N y esta corriente de difusin ser mucho mayor que la de
arrastre debida al movimiento de los huecos desde N hasta P.
Cuando se aplica una tensin de polarizacin inversa a la unin (V
a
<0), las
corrientes de arrastre no cambian ya que la concentracin de portadores minoritarios no
ha cambiado. Pero las corrientes debidas a la difusin son pequeas debido a que hay un
menor nmero de portadores mayoritarios, electrones en la zona N y huecos en la zona
P, con energas superiores a E
c
de la zona P y E
v
de la zona N respectivamente. Esto se
muestra en Fig. 15:
Fig. 15: Movimiento de los portadores con polarizacin inversa (V
a
< 0).
Dicho de otra manera, los electrones en la zona N y los huecos en la P tienen una
barrera energtica mayor que superar, comparada con la existente en la condicin de
equilibrio, de manera que la corriente neta es negativa. Esta corriente es negativa porque
est compuesta por un nmero mayor de electrones cruzando desde P hasta N (arrastre)
que cruzando desde N hasta P (difusin) y, de forma similar, un nmero mayor de
huecos cruzando desde N a P que desde P a N, comparando con la situacin de
equilibrio.
Por tanto, la corriente est limitada a la posibilidad de generar portadores
minoritarios trmicamente y es, de hecho, independiente de la tensin de polarizacin
inversa para decenas de voltios o superior.
3.4.1. Caractersticas ideales.
A continuacin se va a desarrollar un modelo matemtico de la unin p-n en ausencia
de equilibrio y que explica el comportamiento interno del dispositivo. Finalmente, el
modelo matemtico dar lugar a las caractersticas macroscpicas elctricas corriente-
tensin.
Para la obtencin del modelo matemtico se realizarn las siguientes hiptesis:
1. La regin espacial de carga tiene lmites abruptos (modelo de unin abrupta).
2. No existen portadores en la regin espacial de carga, estos slo la atraviesan (en
la prctica las concentraciones de portadores mviles -electrones y huecos- que
atraviesan la unin son despreciables frente a las concentraciones de impurezas).
Por tanto, se supondr que esta regin consta nicamente de impurezas
ionizadas.
3. Fuera de los lmites de la regin espacial de carga, el semiconductor es neutro.
4. El funcionamiento es a una temperatura tal que todos los tomos de impurezas
estn ionizados.
5. Las concentraciones de portadores en los lmites de la regin espacial de carga
vienen dados en funcin del potencial electrosttico de contacto V
bi
.
6. Los contactos al final de las regiones P y N son contactos perfectamente
hmicos. Un contacto perfectamente hmico es aquel que tiene una resistencia
cero de manera que la cada de tensin entre sus extremos es cero.
7. Cuando el diodo est polarizado directamente, se supone condicin de baja
inyeccin. Esto significa que cuando los electrones desde N o los huecos desde P
son inyectados en las regiones opuestas, la concentracin de dichos portadores
en el lmite con la regin espacial de carga de la nueva regin, donde estos ahora
son portadores minoritarios, es mucho menor que la concentracin de portadores
mayoritarios en el equilibrio en dicha regin.
En otras palabras, la concentracin de portadores mayoritarios en los contactos
con las zonas neutras no sufre cambio apreciable por el hecho de aplicar una
polarizacin.
8. Se considerarn inexistentes los procesos de recombinacin y de generacin de
portadores en la regin espacial de carga. En consecuencia, las corrientes de
huecos y de electrones sern constantes a lo largo de la regin espacial de carga.
Concentraciones de portadores en los lmites de la regin espacial de carga.
Se pretende calcular, en primer lugar, las concentraciones de portadores en los
lmites de la regin espacial de carga (es decir en x
n
y -x
p
). El clculo de estas
concentraciones nos permitir obtener condiciones de contorno para la resolucin de la
ecuacin de continuidad en las regiones neutras y, por tanto, obtener la variacin
espacial que experimentan las concentraciones de portadores minoritarios en las
regiones neutras.
As por ejemplo, en condiciones de polarizacin directa se produce una inyeccin de
portadores minoritarios, de electrones en la zona P y de huecos en la zona N. La
obtencin de la concentracin de electrones en -x
p
(n
p
(-x
p
)) y de huecos en x
n
(p
n
(x
n
))
nos proporciona la cantidad de electrones inyectados en la zona P y de huecos
inyectados en la zona N. Estos valores sern condiciones de contorno para resolver la
ecuacin de continuidad en cada una de las regiones neutras, en las cuales tendr lugar
un proceso de difusin-recombinacin de los portadores minoritarios inyectados, tal y
como suceda en el caso de inyeccin de portadores desde una cara (visto en Tema 2).
En condiciones de equilibrio trmico (ausencia de polarizacin externa), las
concentraciones de portadores mayoritarios se iguala a las de sustancias dopantes.
Llamaremos por un lado n
no
y n
po
a la concentracin de electrones en las regiones N y P
respectivamente en equilibrio trmico, y por otro lado p
no
y p
po
a las de huecos en las
regiones N y P respectivamente, tambin bajo la misma situacin de equilibrio trmico.
Haciendo uso de la condicin de ionizacin total en el semiconductor de tipo N se
tendr n
no
=N
D
, mientras que en el semiconductor de tipo P p
po
=N
A
.
Bajo esta situacin, recordando la expresin obtenida para el potencial electrosttico
de contacto V
bi
:
1
1
]
1
1
]
1
1
]
1
po
no
i
no po
i
D A
bi
n
n
q
T K
n
n p
q
T K
n
N N
q
T K
V ln ln ln
2 2
donde se ha hecho uso de la ley de accin de masas en el equilibrio trmico:
2
i no no po po
n n p n p
La ecuacin anterior de V
bi
tambin se puede escribir de la forma:
T K V q
po no
bi
e n n

/
expresin que nos da la concentracin de electrones a ambos lados de la unin en
trminos del potencial electrosttico de contacto en equilibrio trmico.
De forma anloga, tambin se obtiene para la concentracin de huecos a ambos lados
de la unin en trminos del potencial electrosttico de contacto en equilibrio trmico:
1
]
1
1
]
1
1
]
1
no
po
i
no po
i
D A
bi
p
p
q
T K
n
n p
q
T K
n
N N
q
T K
V ln ln ln
2 2
T K V q
no po
bi
e p p

/
A partir de la suposicin nmero cinco realizada, se puede esperar que, bajo
condiciones de polarizacin, la expresin que nos relaciona las concentraciones de
electrones a ambos lados de la regin espacial de carga (x
n
y -x
p
) sea similar a la
obtenida en equilibrio trmico, considerando ahora V
j
=V
bi
V, en lugar de V
bi
. Es
decir:
T K V V q
p n
bi
e n n

/ ) (
donde ahora n
n
es la concentracin de electrones en x =x
n
y n
p
la concentracin de
electrones en x = -x
p
ya fuera del equilibrio, con V representando la tensin de
polarizacin (directa o inversa, es decir V
bi
-V
F
V
bi
+V
R
), fuera del equilibrio.
Suponiendo ahora que se cumple la condicin de baja inyeccin de portadores
minoritarios y, en consecuencia, que la concentracin de portadores minoritarios
inyectados es mucho ms pequea que la de portadores mayoritarios, se cumplir que:
no n
n n
Utilizando esta nueva condicin, junto con la expresin obtenida anteriormente para
n
no
se obtiene la concentracin de electrones en los lmites de la regin de distribucin
de carga espacial con la zona P (x =-x
p
):
T K V q
po p
e n n

/
para x =-x
p
O bien:
) 1 (
/

T K V q
po po p
e n n n para x =-x
p
De forma similar se puede actuar para obtener la concentracin de huecos en la zona N
en el lmite de la regin de carga espacial con la zona N (x =x
n
). A partir de la
suposicin nmero cinco realizada, se puede esperar que, bajo condiciones de
polarizacin, la expresin que nos relaciona las concentraciones de huecos a ambos
lados de la regin espacial de carga (x
n
y -x
p
) sea similar a la obtenida en equilibrio
trmico, considerando ahora V
j
=V
bi
V, en lugar de V
bi
. Es decir:
T K V V q
n p
bi
e p p

/ ) (
donde ahora p
p
es la concentracin de huecos en x =-x
p
y p
n
la concentracin de huecos
en x =x
n
ya fuera del equilibrio, con V representando la tensin de polarizacin (directa
o inversa, es decir V
bi
-V
F
V
bi
+V
R
), fuera del equilibrio.
Suponiendo ahora que se cumple la condicin de baja inyeccin de portadores
minoritarios y, en consecuencia, que la concentracin de portadores minoritarios
inyectados es mucho ms pequea que la de portadores mayoritarios, se cumplir que:
po p
p p
Utilizando esta nueva condicin, junto con la expresin obtenida anteriormente para
p
po
se obtiene la concentracin de huecos en los lmites de la regin de distribucin de
carga espacial con la zona N (x =x
n
):
T K V q
no n
e p p

/
) 1 (
/

T K V q
no no n
e p p p para x =x
n
Fig. 16a y 16b muestran los cambios producidos en la disposicin de las bandas de
energa y en las concentraciones de portadores con respecto a la situacin de equilibrio
y para los casos de polarizacin directa e inversa respectivamente.
Fig. 16: Regin espacial de carga, diagrama de bandas de energa y distribucin de
portadores. (a) En polarizacin directa. (b) En polarizacin inversa.
El hecho a resaltar es que, bajo polarizacin directa, la concentracin de portadores
minoritarios en los lmites de la regin espacial de carga (-x
p
o x
n
) ha aumentado con
respecto a la del equilibrio, y bajo polarizacin inversa ha disminuido con respecto de
dicho nivel.
Las ecuaciones anteriores, que expresan las concentraciones de portadores
minoritarios en los lmites de la regin espacial de carga, son adems importantes
condiciones de contorno que sern empleadas para obtener la caracterstica ideal
corriente - tensin. Son conocidas bajo el nombre de leyes de la unin, aunque no
deben olvidarse las restricciones bajo las cuales han sido obtenidas.
Distribucin de portadores en las zonas neutras.
A continuacin se va a calcular la distribucin de portadores en las zonas neutras, en
concreto se va a calcular la distribucin de portadores minoritarios pues, como se ha
visto, en condiciones de baja inyeccin de portadores las concentraciones de portadores
mayoritarios en las zonas neutras apenas varan frente al caso de ausencia de
polarizacin (equilibrio trmico). Debido a las hiptesis anteriores, no existe generacin
de corriente dentro de la regin espacial de carga, todas las corrientes generadas
proceden de las regiones neutras.
Para la regin neutra de tipo N, no hay campo elctrico en ella (=0) y la ecuacin de
continuidad para los huecos (portadores minoritarios) en el caso unidimensional y en el
estado estacionario:
0 ) (
2
2
p
no n
p
n
p
n
p p n
n
p p
G
x
p
D
x
p
x
p
t
p
La cual se reduce a:
0
2
2
p p
no n n
D
p p
dx
p d
Se trata de una ecuacin diferencial de segundo orden y necesita para su resolucin

de dos condiciones de contorno. La primera de ellas ha sido obtenida anteriormente en
las leyes de la unin, y la segunda se obtiene de considerar que el lmite de la regin N
est lo suficientemente alejado de la zona espacial de carga como para que la
concentracin de portadores minoritarios en este punto sea igual a la del equilibrio, es
decir, las condiciones de contorno son:
T K V q
no n
e p p

/
para x =x
n
(ley de la unin)
no n
p p para x (lmite alejado)
Con estas dos condiciones, la ecuacin diferencial anterior ofrece la solucin:
p n
L x x
T K V q
no no n
e e p p p
/ ) (
/
) 1 (

para x >x
n
donde
p p p
D L es la longitud de difusin de los huecos (portadores minoritarios
en la zona N). Como puede observarse, esta expresin es muy similar a la que se obtuvo
en el Tema 2 en el ejemplo de resolucin de la ecuacin de continuidad correspondiente
a la inyeccin de portadores minoritarios desde una cara en un semiconductor de tipo N,
salvo que en este caso los portadores minoritarios (huecos) inyectados provienen del
semiconductor de tipo P en el cual son mayoritarios.
Por otro lado, la densidad de corriente de huecos ser:
p n
L x x
T K V q
p
no p
n
p p
e e
L
p D q
dx
dp
D q x J
/ ) (
/
) 1 ( ) ( ) (

para x >x
n
en x =x
n
ser:
) 1 ( ) ( ) (
/

T K V q
p
no p
x x
n
p n p
e
L
p D q
dx
dp
D q x J
n
para x =x
n
nicamente se ha considerado de las dos aportaciones posibles (arrastre y difusin)
la correspondiente a la corriente de difusin pues en las zonas neutras no existe campo
elctrico siendo nula la corriente de arrastre.
De forma anloga, la ecuacin de continuidad para los electrones en la zona P en el
caso unidimensional y en el estado estacionario:
0
2
2
n
po p
n
p
n
p
n n p
p
n n
G
x
n
D
x
n
x
n
t
n
La cual se reduce a:
0
2
2
n n
po p p
D
n n
x
n
Se trata de una ecuacin diferencial de segundo orden, la cual se puede resolver

utilizando las condiciones de contorno:
T K V q
po p
e n n

/
para x =-x
p
(ley de la unin)
po p
n n para x - (lmite alejado)
Obteniendo:
n p
L x x
T K V q
po po p
e e n n n
/ ) (
/
) 1 (
+

para x <-x
p
donde
n n n
D L es la longitud de difusin de los electrones (portadores
minoritarios en la zona P). Por otro lado, la densidad de corriente de electrones:
n p
L x x
T K V q
n
po n p
n n
e e
L
n D q
dx
dn
D q x J
/ ) (
/
) 1 ( ) (
+

para x <-x
p
En x =-x
p
ser:
) 1 ( ) (
/

T K V q
n
po n
x x
p
n p n
e
L
n D q
dx
dn
D q x J
p
para x =-x
p
Fig.17 muestra por un lado la distribucin de portadores minoritarios en las zonas
neutras y por otro la densidad de corriente en estas regiones bajo condiciones de
polarizacin directa e inversa (casos a y b respectivamente).
Fig. 17: Concentracin de portadores minoritarios y corrientes de electrones y de
huecos. (a) En polarizacin directa. (b) En polarizacin inversa.
Se observa que, por un lado, la corriente de difusin de huecos en la regin N decae
de forma exponencial con una longitud de difusin L
p
y por otro como la corriente de
difusin de electrones decae exponencialmente en la regin P con longitud de difusin
L
n
.
Debido a la hiptesis 8, el nmero de portadores que entran en un borde de la zona
de transicin por unidad de tiempo es el mismo que la abandonan en el borde opuesto.
Es decir:
) ( ) (
p n n n
x J x J
) ( ) (
p p n p
x J x J
Luego la densidad de corriente neta suma de las densidades de corrientes de
electrones y huecos- ser uniforme y constante en rgimen estacionario:
) 1 ( ) ( ) (
/
+
T K V q
s p n n p
e J x J x J J
siendo:
n
po n
p
no p
s
L
n D q
L
p D q
J

+

el trmino J
s
recibe el nombre de la densidad de corriente de saturacin. La ecuacin
anterior recibe el nombre de Ecuacin del Diodo Ideal o de Shockley.
Se ha supuesto en el tratamiento seguido hasta el momento el caso denominado de
diodo largo, en que la anchura de la zona neutra de tipo P W
p
- es mucho mayor que L
n
(longitud de difusin de los electrones en la zona P) y que la anchura de la zona neutra
de tipo N -W
n
- es mucho mayor que L
p
(longitud de difusin de los huecos en la zona
N). En dicho caso, la recombinacin hace que se anule el exceso de portadores
minoritarios inyectados en las regiones neutras, antes de llegar a los contactos
metlicos. Un caso diferente se presenta cuando W
n
<<L
p
y W
p
<<L
n
. Este es el caso
del denominado diodo corto. En dicho caso la recombinacin en las regiones neutras se
considera nula y se puede demostrar que:
p
po n
n
no p
s
W
n D q
W
p D q
J

+

La caracterstica ideal corriente-tensin se muestra en Fig. 18a y b, en escala lineal y

semilogartmica, respectivamente.
Fig. 18: Caracterstica corriente-tensin ideal. (a) En escala lineal. (b) En escala
semilogartmica.
En el caso de polarizacin directa, para V (3KT/q), la velocidad de incremento de la
corriente es constante como se muestra en Fig. 17b. A 300K por cada dcada de cambio
de la corriente, el cambio en la tensin es de 60mV (=2.3KT/q). En el caso de
polarizacin inversa, la densidad de corriente satura en un valor -J
s
.
Teniendo en cuenta que J =I/A, siendo A el rea de la seccin recta del dispositivo,
tambin puede obtenerse otra expresin en trminos de corriente y de tensin para la
unin p-n.
) 1 (
/

T K V q
s
e I I
siendo:
1
1
]
1

+

n
po n
p
no p
s
L
n D q
L
p D q
A I
La ecuacin anterior de I puede ser considerada como la ley ideal del diodo. La
relacin I-V ideal es la caracterstica representada en Fig. 19.
Fig. 19: Caracterstica corriente-tensin de un diodo ideal y representacin simblica
del diodo de unin.
Se observa que para el caso de polarizacin directa (V >0), pequeas variaciones en
la tensin aplicada V provocan grandes variaciones en la corriente I, ya que en este
caso, se puede aproximar la corriente por el trmino exponencial:
T K V q
s
e I I

/
pues
q
T K
es muy pequeo ( mV
q
T K
26
a 300K). Si, por el contrario, V <0 y si

q
T K
V

>> , entonces I-I
s
, valor muy pequeo como es el que se requiere en muchas
aplicaciones de los diodos. En particular I
s
puede hacerse tan pequeo como se quiera
consiguiendo que la concentracin intrnseca n
i
sea pequea, es decir, con un material
semiconductor que posea una ancha banda de energa prohibida y evitando altas
temperaturas.
A efectos de aplicacin, el diodo de unin presenta un marcado carcter de
dispositivo rectificador pues slo deja pasar la corriente en un nico sentido. La
corriente directa segn el tipo de unin toma valores comprendidos entre 10
-4
y 10
2
A.
En polarizacin inversa, la I
s
puede llegar a valer, a temperatura ambiente entre algunos
A para uniones de Ge, y la milsima parte de esos A para uniones de Si.
La expresin para la corriente en el diodo ideal:
) 1 (
/

T K V q
s
e I I
configura el modelo analtico del diodo de unin. Hay que recordar que ha sido obtenida
efectuando una serie de hiptesis previas. El modelo describe con precisin el
comportamiento interno del dispositivo para corrientes directas y polarizaciones
inversas moderadas. La anterior ecuacin describe correctamente la caracterstica
corriente-tensin en las uniones p-n de Ge en rgimen de baja densidad de corriente.
Para uniones p-n de Si o GaAs, la ecuacin slo describe el comportamiento de
forma cualitativa y hay que considerar adicionalmente los efectos de generacin y
recombinacin de portadores en la regin espacial de carga. Para estos casos,
considerando bajo nivel de corriente predominan los efectos de recombinacin y, en
rgimen de alto nivel de corriente, es el fenmeno de la difusin el que predomina.
3.5. Fenmenos de ruptura.
El fenmeno de ruptura aparece en las uniones p-n cuando se las somete a una
tensin inversa de elevado valor. En principio, para pequeos valores de la tensin
inversa aplicada, la corriente que circula por la unin es aproximadamente constante e
igual a I
s
(Fig. 20). Sin embargo, cuando la tensin inversa aplicada toma valores
relativamente elevados se llega a un momento en el cual la corriente crece bruscamente
alcanzando valores muy grandes, es el fenmeno de la ruptura. Al valor de la tensin
inversa aplicada para el cual ocurre este aumento brusco de la corriente recibe el
nombre de tensin de ruptura V
r
.
Fig. 20: Caracterstica I-V de un diodo de unin real, con la tensin de ruptura V
r
.
El proceso de ruptura por si solo es destructivo y el aumento de corriente debe ser
limitado por un circuito externo a la unin p-n para evitar el aumento excesivo de calor
en la unin. Fundamentalmente se dan dos tipos de fenmenos de ruptura: a) ruptura por
efecto tnel o zner y b) ruptura por avalancha. Consideraremos brevemente el primero
de ellos y se entrar en ms detalles para el caso de multiplicacin por avalancha, ya
que la ruptura por avalancha impone un lmite mximo para la tensin inversa en la
mayor parte de diodos. La ruptura por avalancha tambin limita la tensin de colector
en un transistor bipolar y la de drenador de un MOSFET. Adems los mecanismos de
multiplicacin por avalancha pueden generar potencia a nivel de microondas (diodo
IMPATT) y pueden ser utilizados para detectar seales pticas (fotodetector por
avalancha).
a) Ruptura de multiplicacin por avalancha: Fenmeno de ruptura provocado por la
creacin en cadena de pares e
h
+
en condiciones de campo elctrico intenso.
Desde un punto de vista cualitativo, el proceso de multiplicacin por
avalancha ocurre cuando en presencia de un campo elctrico suficientemente
elevado se genera un electrn de procedencia trmica (denotado por 1). Dicho
electrn adquiere energa cintica a expensas de la del campo elctrico. Si este
campo es suficientemente elevado, la energa cintica puede ser la suficiente
como para producir, mediante colisin con un tomo de la red cristalina, un par
electrn-hueco (denotado por 2 y 2). Este hecho se denomina ionizacin por
impacto. El par electrn-hueco tambin puede aumentar su energa cintica a
expensas del campo aplicado y generar otro par electrn-hueco (3 y 3). Este
proceso en presencia del campo elctrico puede ser multiplicativo aumentando
la conductividad de las regiones P y N y, en consecuencia, la corriente que pasa
a su travs. Este es el llamado fenmeno de ruptura a travs de la
multiplicacin por avalancha (Fig. 21b).
Existe un factor M llamado factor multiplicativo que gobierna la corriente
inversa I
i
una vez iniciado el proceso de avalancha. Este factor viene dado por:
,
_
r
V
V
M
1
1
donde V
r
=tensin de ruptura
V =tensin inversa aplicada anterior a la ruptura
=factor experimental que depende del dopado de las regiones P
y N.
Con este factor multiplicativo, la corriente inversa en las regiones de la
caracterstica corriente-tensin cercanas a la ruptura viene dada por:
,
_
r
s
R
V
V
I
I
1
Como se ve, para V =V
r
, la corriente se hace infinita debido al fenmeno de
avalancha, aunque en la prctica se limita con una resistencia de un circuito
externo.
Condiciones usuales son las siguientes: unin p-n con dopado moderado (por
ejemplo uniones p
+
n de tipo abrupto con concentracin N
D
10
17
cm
-3
o inferior),
y bajo polarizacin inversa.
Por otra parte, la tensin de ruptura V
r
por avalancha tiene un coeficiente de
temperatura positivo, es decir, aumenta con la temperatura.
b) Ruptura por efecto tnel. El efecto tnel o zner se produce cuando un campo
elctrico intenso se aplica a la unin p-n. Tiene su explicacin en las
propiedades mecnico-cunticas de los electrones. En concreto bajo estas
condiciones de campo elctrico un electrn situado en la banda de valencia
puede efectuar una transicin a la banda de conduccin penetrando o saltndose
la barrera de potencial (Fig. 21a).
Fig. 21: Diagrama de bandas de energa en condiciones de ruptura. (a) Efecto tnel.
(b) Multiplicacin por avalancha.
Desde un punto de vista cuantitativo y atendiendo a la mecnica cuntica existe
cierta probabilidad de que un electrn con energa E atraviese una barrera de
potencial de altura E
0
y anchura W con E <E
0
, esta probabilidad viene dada por
la expresin:
1
0
2 2
0
) ( 4
) (
1 Pr

1
]
1

+
E E E
W sinh E
obabilidad

; con
2
1
2
0
) ( 2
1
]
1
h
E E m
El efecto tnel se da cuando hay presente en la unin p-n altos valores de campo
elctrico, para el caso del Si y el GaAs, el valor del campo para manifestarse el
efecto tnel es de 10
6
V/cm o mayor. Esto slo es posible cuando las regiones P y
N estn fuertemente dopadas (>510
17
cm
-3
), de forma que la anchura W de la
regin espacial de carga es muy pequea.
Hablando de trminos macroscpicos, el fenmeno de ruptura por efecto tnel
se da para valores de la tensin de ruptura del orden de 4E
g
/q o menores donde
E
g
es la anchura de la banda prohibida de energa. Para valores de la tensin de
ruptura V
R
superiores a 6E
g
/q, el fenmeno de ruptura es una consecuencia
directa de la multiplicacin por avalancha. Si la tensin de ruptura V
R
est
comprendida entre los valores 4E
g
/q y 6E
g
/q el fenmeno de ruptura es debido
a la presencia de ambos efectos, el de multiplicacin por avalancha y el efecto
tnel.
Finalmente, para el Si y el GaAs, debido a que el valor de E
g
decrece con la
temperatura T, la tensin de ruptura debida al efecto tnel decrece cuando la
temperatura aumenta (coeficiente de temperatura negativo).
En los casos en que ambos mecanismos influyen por igual (ruptura por
avalancha y zner), la tensin de ruptura V
r
es casi independiente de la
temperatura y muy estable. Esta ltima propiedad es aplicada por determinados
diodos (llamados diodos zner) para conseguir referencias de tensin muy
estables.
3.5.1. Clculo de la tensin de ruptura por avalancha.
Al aumentar la tensin de polarizacin inversa, esta provoca un incremento de la
corriente provocando la ruptura. La tensin inversa aplicada genera un elevado campo
elctrico que provoca el efecto de avalancha acelerando a los portadores que, de hecho,
producen nuevos portadores.
Existe un determinado valor crtico del campo elctrico,
cr
, el cual causa la ruptura.
El valor de dicho campo elctrico se supone constante para un determinado
semiconductor, aunque en realidad vara ligeramente con el dopado. Suponiendo
constante el valor del campo elctrico crtico vamos a obtener un valor para la tensin
de ruptura por avalancha.
Para una unin abrupta p-n el se cumple la siguiente relacin:
W V V V
m bi j

2
1
con
( ) V V
N N
N N
q
W
bi
D A
D A s

,
_
2
En consecuencia, el valor mximo del campo elctrico en la zona de la unin (el cual
ocurre en x =0),
m
, ser:
( ) V V
N N
N N q
bi
D A
D A
s
m

,
_
Cuando el valor de dicho campo elctrico mximo alcance el valor crtico ocurrir la
ruptura de la unin. Esto ocurrir para V =-V
r
.
( )
r bi
D A
D A
s
cr
V V
N N
N N q
+
,
_
Esta expresin nos permite, conocido el valor de

cr
, obtener la tensin de ruptura por
avalancha para el caso de una unin abrupta.
Para una unin abrupta a un lado p
+
-n (N
A
>>N
D
) :
( ) V V
N q
bi
s
D
m

El campo elctrico mximo en la zona de la unin queda determinado en funcin de

la concentracin ligera de impurezas N
D
. La ruptura ocurre cuando, para V =-V
r
, el
campo elctrico mximo iguala su valor crtico
m
=
cr
. Suponiendo V
bi
<<V
r
, se
obtiene:
r
s
D
cr
V
N q

Y, por tanto:
D
cr s
r
N q
V

2
2
Suponiendo constante el campo elctrico crtico, el valor de la tensin de ruptura

disminuye al aumentar la concentracin ligera de impurezas.
3.5.2. Efecto de la curvatura de la unin.
Un efecto interesante relacionado con la tensin de ruptura en la unin p-n es el
llamado efecto de la curvatura de la unin. Cuando se forma una unin p-n por difusin
a travs de una ventana en una capa de SiO
2
, las impurezas se difunden no slo de
forma vertical y hacia abajo sino tambin hacia los lados (Fig. 22).
Fig. 22: Formacin de la curvatura de la unin mediante el proceso de difusin planar.
Por ello, la unin p-n presenta una zona plana con laterales de tipo cilndrico y las
esquinas conformadas de tipo esfrico (Fig. 23).
Fig. 23: Regiones cilndricas y esfricas formadas.
Estas dos ltimas regiones acusan una mayor intensidad de campo elctrico que la
regin plana de la unin, siendo, para un mismo radio de curvatura r
j
, mayor en una
regin de tipo esfrico que cilndrico. Si recordamos, la tensin de ruptura apareca
cuando la tensin inversa aplicada era suficiente para que el campo elctrico mximo en
la zona de la unin igualase su valor crtico. Como en las zonas esfricas, el campo
elctrico creado por la tensin de polarizacin inversa ser mayor que en las dems
zonas, se llegar antes (con la misma tensin de polarizacin) a igualar el valor crtico y
son, por tanto, las que fijarn el fenmeno de ruptura.
SOLUCI ONES:
1) Disminucin de la concentracin ligera de impurezas.
La concentracin de impurezas en cada zona de la unin influye en la tensin de
ruptura por avalancha. A partir de Fig. 24 observamos como, para el caso de una unin
p
+
-n, una solucin para aumentar la tensin de ruptura es disminuir la concentracin
ligera de impurezas (N
B
=N
D
). En esta observamos la variacin que experimenta la
tensin de ruptura por avalancha en funcin de la concentracin ligera de impurezas
para distintos tipos de semiconductores:
Fig. 24: Variacin de la tensin de ruptura por avalancha en una unin abrupta p
+
-n,
en funcin de la concentracin ligera de impurezas para varios semiconductores.
Este resultado est de acuerdo con la expresin obtenida anteriormente para V
r
en el
caso de una unin p
+
n:
D
cr s
r
N q
V

2
2
Considerando la geometra de la unin, para el caso de una unin p

+
n de Si (Fig. 25):
Fig. 25: Variacin de la tensin de ruptura por avalancha en una unin abrupta p
+
-n
de Si, en funcin de la concentracin ligera de impurezas considerando la geometra de
la unin, donde r
j
es el radio de curvatura.
La lnea continua es para el caso considerado previamente de unin plana (r
j
).
Cuando el radio de curvatura disminuye, la tensin de ruptura disminuye, especialmente
para el caso de las zonas esfricas para alto nivel de dopado.
Sin embargo, una disminucin de N
B
=N
D
hara aumentar la resistividad de la regin
ligeramente dopada:
n D
n
N q
1
lo cual tendera a incrementar la resistencia directa del diodo y, por tanto, podra
producir efectos trmicos de calentamiento I
2
R. Para reducir la resistencia de la regin
ligeramente dopada, es necesario hacer su rea grande y reducir su longitud (
A
L
R

).
Por tanto, la geometra fsica del diodo es otra variable importante de diseo.
Pero la regin ligeramente dopada no puede ser arbitrariamente corta. Uno de los
principales problemas que se presentan cuando se tiene una unin ligeramente dopada
corta es el llamado efecto punch-through. Dado que la anchura de la regin espacial
de carga (W) se incrementa con la tensin inversa aplicada y se extiende dentro de la
regin ligeramente dopada (recordar que en una unin p
+
-n, W x
n
) es posible que W
se incremente de tal forma que complete toda la longitud de esta regin. Si la regin
ligeramente dopada (tipo N) es corta, esto es fcil que se produzca en condiciones de
polarizacin inversa.
Este fenmeno es lo que se llama punch-through y tiene como consecuencia la
ruptura de la unin por debajo del valor esperado de V
r
.
2) Tcnicas de biselado y de anillos de campo.
En dispositivos diseados para ser utilizados con altas tensiones inversas se debe
tener mucho cuidado para evitar una ruptura prematura. A fin de aumentar dicha tensin
de ruptura se tienen dos posibles soluciones: biselado y anillos de campo.
La tcnica de biselado consiste en el corte perpendicular (con una sierra con diente
de diamante) de aquellas regiones en que la unin presenta una geometra cilndrica o
esfrica. El campo elctrico mximo disminuye de esa forma y por tanto aumenta la
tensin de ruptura.
Fig. 26a muestra el diodo biselado y 26b muestra la zona lateral vista desde arriba.
Fig. 26: Tcnicas de biselado y anillos de campo para aumentar la tensin de
ruptura inversa. (a) Diodo biselado. (b) Zona lateral vista desde arriba. (c) Tcnica de
anillos de campo.
En la solucin conocida como de anillos de campo, el proceso de difusin o
implantacin de impurezas se hace de forma selectiva utilizando una unin p
+
-n en la
zona central y una unin p-n en las laterales (Fig. 26c). Dado que la anchura de la
regin espacial de carga es mayor en el anillo p que en la regin p
+
, el campo elctrico
es menor en el anillo para una tensin inversa aplicada dada. Por tanto, la ruptura de la
unin p-n se produce a una tensin mayor que la de la unin p
+
-n y, por tanto, ser la
zona central y no la lateral la que determinar la tensin de ruptura.
3) I mplantacin inica:
La utilizacin de la tcnica conocida como implantacin inica (bombardeo de iones)
en lugar de difusin evita la formacin de las zonas de tipo cilndrico y esfrico en la
unin p-n evitando los efectos no deseados sobre la tensin de ruptura debidos a estas
zonas.
3.6. Almacenamiento de carga y capacidad de difusin.
Los fenmenos anteriormente descritos ocurren en casos de polarizacin inversa. Sin
embargo, hay dos efectos que estn relacionados con la unin p-n cuando sta est
sometida a polarizacin directa. Bajo estas condiciones ocurre una inyeccin de
portadores minoritarios en las dos regiones de la unin, concretamente de huecos en la
zona N y de electrones en la zona P.
La distribucin de portadores minoritarios en cada una de las regiones decae
exponencialmente a medida que nos alejamos de la unin (Fig. 27).
Fig. 27: Concentracin de portadores minoritarios y corrientes de electrones y de
huecos. (a) En polarizacin directa. (b) En polarizacin inversa.
Esta distribucin de portadores minoritarios inyectados tiene asociada una
determinada carga almacenada. Esta carga se puede obtener para el caso de la regin N
mediante integracin del exceso de portadores minoritarios (huecos) en la zona neutra
(zona sombreada de Fig. 27). Es decir, empleando la relacin anteriormente obtenida
para la zona neutra de tipo N:
p n
L x x
T K V q
no no n
e e p p p
/ ) (
/
) 1 (

para x >x
n
se tiene que:

dx e e p q dx p p q Q
n
p n
n
x
L x x
T K V q
no
x
no n n
/ ) (
/
) 1 ( ) (
) ( ) 1 (
/
n n p
T K V q
no p
x p L q e p L q

donde se ha utilizado la Ley de la Unin que nos dice que:
) 1 ( ) (
/

T K V q
no n n
e p x p
Una expresin similar puede ser obtenida para la carga almacenada en la regin P
debida a la inyeccin de portadores minoritarios (electrones).
) ( ) 1 (
/
p p n
T K V q
po n p
x n L q e n L q Q

Se observa que la carga almacenada depende por un lado de la longitud de difusin y
por otro de la densidad de carga presente en los lmites de la regin espacial de carga.
Tambin puede expresarse la carga almacenada en trminos de la corriente
inyectada. Empleando la ecuacin de la densidad de corriente debida a los portadores
minoritarios anteriormente obtenida para los huecos en la zona N, es decir:
) 1 ( ) ( ) (
/

T K V q
p
no p
x x
n
p n p
e
L
p D q
dx
dp
D q x J
n
y la anterior expresin para Q
n
puede obtenerse:
) ( ) (
2
n p p n p
p
p
n
x J x J
D
L
Q
donde se ha hecho uso de que
p p p
D L .
Esta expresin nos dice que la cantidad de carga almacenada debido a la inyeccin
de portadores minoritarios depende de la corriente de estos portadores en el lmite de la
regin espacial de carga y de su tiempo de vida media. Los procesos de almacenamiento
de carga son importantes cuando el tiempo de vida media de los portadores minoritarios
es alto, es decir, predomina la difusin frente a la recombinacin. (transcurre mucho
tiempo entre la inyeccin y la recombinacin completa de todos los portadores
minoritarios inyectados).
Es importante darse cuenta de que la carga almacenada a la cual nos estamos
refiriendo es debida al exceso de portadores minoritarios. La presencia de un exceso de
portadores mayoritarios provenientes de los contactos metlicos garantiza la neutralidad
de las zonas P y N. No hay, por tanto, una carga espacial neta en las regiones neutras,
cosa que s sucede en la regin espacial de carga.
Recurdese que apareca una capacidad asociada a la regin espacial de carga C
j
en
condiciones de polarizacin inversa. Cuando la unin p-n est sometida a polarizacin
directa, el fenmeno de almacenamiento de carga elctrica en las regiones neutras
asociado a la inyeccin de portadores minoritarios tambin lleva asociado una
capacidad, es la llamada capacidad de difusin, C
d
. Este trmino se obtiene a partir de
considerar una unin p-n ideal cuando los portadores minoritarios se almacenan en las
regiones neutras por difusin.
La expresin que permite obtener la capacidad de difusin C
d
es:
dV
dQ
A C
d
con Q =Q
n
+Q
p
donde Q
n
es la carga almacenada debida a los huecos almacenados en la zona neutra de
tipo N y Q
p
es la carga almacenada debida a los electrones almacenados en la zona
neutra de tipo P.
En el caso de una unin abrupta a un lado p
+
-n:
Ley de accin de masas: p
no
n
no
=n
po
p
po
=
2
i
n
Semiconductor tipo N: n
no
N
D
Semiconductor tipo P: p
po
N
A
por lo que la capacidad de difusin es aproximadamente igual a la debida a los huecos
almacenados en la zona neutra de tipo N -Q
n
-, es decir:
( )
T K V q no p T K V q
po n no p d
e
T K
p L q A
e n L p L
T K
q A
C

/
2
/
2
En condiciones de polarizacin inversa C
d
no tiene sentido debido a que la carga
de portadores minoritarios almacenada es despreciable.
En muchas aplicaciones se representa la unin p-n por medio de un circuito
equivalente, el cual adems de recoger las capacidades de difusin y de transicin C
d
y
C
j
incluye un nuevo elemento llamado conductancia del diodo que nos proporciona la
variacin que experimenta la corriente a travs del diodo al variar la tensin de
polarizacin. En el diodo ideal esta conductancia se obtiene a partir de la ecuacin del
diodo ideal o de Shockley:
) 1 (

T K
V q
s
e J J
T
s
T K V q
s
V
I
T K
I q
J J
T K
A q
e J
T K
A q
dV
dJ A
dV
dI
G

) (
/
(A/V)
con:
q
T K
V
T

El circuito equivalente total que representa a la unin p-n queda reflejado en Fig. 28,
en el cual C
j
representa la capacidad de transicin total (es decir, multiplicada por la
seccin transversal de diodo, A). Este circuito, que contiene las capacidades y la
conductancia puede ser utilizado para reemplazar al diodo en variaciones incrementales
de poca amplitud en la tensin o la corriente. Cuando, por ejemplo, se realiza un
incremento de la tensin de polarizacin aplicada, analizando el circuito se pueden
}
P
po
(=N
A
) >>n
no
(=N
D
)
p
no
>>n
po
Q
n
>>Q
p
T K
V q
s
e J
T K
q
dV
dJ

T K
V q
s s
e J J J

+ y
A
I
J J J
s
+
{
determinar tanto el correspondiente cambio que experimenta la corriente como el
tiempo de respuesta del diodo ante dicho cambio, a travs de por ejemplo la medida de
cuanto tiempo tarda la corriente a travs del diodo en alcanzar una determinada fraccin
de su valor final. Analizando el circuito es posible obtener tambin la respuesta ante
tensiones o corrientes sinusoidales de baja amplitud. Dicho circuito es conocido como
circuito equivalente del diodo en rgimen de pequea seal y satisface con exactitud el
comportamiento elctrico del circuito teniendo en cuenta que para polarizacin directa
C
j
<<C
d
y para polarizacin inversa C
j
>>C
d
.
Fig. 28: Circuito equivalente en pequea seal de la unin p-n.
En la bibliografa al trmino V
T
/I tambin se le suele llamar resistencia incremental o
dinmica del diodo:
I
V
dV
dI
dI
dV
r
T
d

,
_

1
()
donde V
T
26mV (a 300K).
Dicha resistencia es la que aparece en Fig. 28.
3.7. Comportamiento transitorio: tiempo de paso a corte.
Los diodos son utilizados como conmutadores en gran cantidad de aplicaciones.
Cuando se utiliza como conmutador, el diodo se dice que est a ON cuando est
directamente polarizado y a OFF cuando est inversamente polarizado en la regin de la
curva caracterstica que precede a la ruptura. Cuando la tensin de polarizacin del
diodo cambia bruscamente de polaridad se dice que el diodo trabaja en conmutacin.
En esta explicacin vamos a suponer que trabajamos con un diodo de unin p
+
-n de
forma que la concentracin en exceso de huecos en la zona N es la que determina el
almacenamiento de carga. Vamos a centrarnos en el paso a corte (OFF).
Para cortar el diodo es necesario eliminar las cargas almacenadas en exceso. El diodo
estar cortado cuando la corriente a su travs sea I
s
.
Fig. 29: Circuito de conmutacin del diodo.
En t=0, el conmutador de Fig. 29 es llevado de forma casi instantnea desde la
posicin A a la posicin B, de forma que se aplica al diodo una polarizacin inversa. En
el instante antes de mover el conmutador, en t=0
-
, el diodo est conduciendo una
corriente I
F
y la tensin entre extremos del diodo es muy pequea, V
D
, y, por tanto
mucho menor que V
R
. Como puede observarse en Fig. 30a, para t=0
-
al tratarse de una
unin p
+
-n la concentracin en exceso de huecos en la zona N es mucho mayor que la
concentracin en exceso de electrones en la zona P y por lo tanto Q
n
>>Q
p
(recordar que
estas magnitudes estaban relacionadas con las reas sombreadas en Fig. 27).
En t=0, el conmutador es llevado de forma casi instantnea desde la posicin A a la
posicin B aplicando al diodo una polarizacin inversa. La corriente cambia de forma
instantnea desde su valor en polarizacin directa I
F
hasta un valor constante de
corriente inversa I
R
que viene dado por:
R
R
R
D R
R
R
V
R
V V
I
+
pues V
D
<<V
R
Mientras haya un gran nmero de huecos cerca del lmite de la regin espacial de
carga con la zona N, la corriente inversa ser grande y los huecos se difundirn en el
sentido desde N hasta P, con una concentracin de huecos en x
n
que tiene una pendiente
positiva:
R
x x
n
p n p p n n p D
I
dx
dp
A D q x J A x J x J A I
n
+
) ( ) ( )) ( ) ( ( con 0 >
n
x x
n
dx
dp
En esta expresin se ha hecho uso de que, al tratarse de una unin p
+
-n, la
concentracin en exceso de huecos es la que determina el almacenamiento de carga y,
por tanto, tambin la densidad de corriente (J
p
(x
n
) >>J
n
(-x
p
)).
Este proceso contina hasta que la concentracin de huecos en exceso en la unin se
reduce a cero, de forma que la concentracin de huecos se iguala a su valor en equilibrio
trmico, hacindose V
D
igual a cero. El tiempo que tarda la concentracin de huecos en
exceso en llegar a ser cero (p
n
=p
no
) es conocido como tiempo de almacenamiento.
Durante todo este tiempo la corriente inversa se mantiene en un valor constante I
R
.
Una expresin aproximada del tiempo de almacenamiento, t
s
, para un diodo largo
p
+
-n es:
1
]
1
+
R
F
p s
I
I
t 1 ln
Conforme la concentracin de huecos en x=x
n
va hacindose mucho ms pequea
que su valor en el equilibrio trmico, V
D
se hace negativa y grande, y la corriente se
aproxima a I
s
. El tiempo en que la corriente cae desde I
R
hasta 0.1I
R
es llamado
tiempo de recuperacin, t
r
. El tiempo de recuperacin t
r
es el tiempo que se tarda en
cargar la capacidad de transicin C
j
a la tensin inversa, V
R
. Una estimacin de t
r
viene
dada por la constante de tiempo 2.3R
R
C
j
.
El tiempo total de paso a OFF, t
rr
=t
r
+t
s
, es el llamado tiempo de recuperacin inversa
del diodo.
(c)
Fig. 30: (a) Cada de la concentracin de portadores minoritarios. (b) Variacin que
experimenta la corriente debido a la cada de la concentracin de los huecos. (c)
Evolucin de la tensin en el transitorio de corte del diodo.
3.8. Unin metal-semiconductor.
3.8.1. Diodos Schottky.
Los diodos llamados Schottky son dispositivos formados mediante la unin de un
metal y un semiconductor. En esta unin se crea una barrera de potencial (barrera
Schottky) debido a la diferente concentracin de electrones libres entre ambos
elementos. La conduccin se efecta, por tanto, mediante portadores mayoritarios
(electrones), al contrario que en los diodos de unin, lo cual permite una inmediata
respuesta, muy til en aplicaciones de conmutacin rpida (lgicas digitales de alta
velocidad). Por otra parte, tambin poseen una menor altura de la barrera de potencial
con respecto al diodo de unin (aproximadamente 0.3V para los diodos Schottky frente
a los 0.6V de los de unin).
Fig. 31 muestra el proceso de formacin de la barrera de acuerdo con la teora de
Schottky-Mott. Vamos a suponer que el semiconductor es de tipo N y est
uniformemente dopado. Fig. 31a muestra los dos componentes (metal y semiconductor
tipo N) aislados el uno del otro. Se ha tomado como nivel de referencia de las energas
el nivel superior que es el llamado nivel de vaco, el cual representa la energa de un
electrn en reposo fuera de los materiales La funcin de trabajo q
m
(del metal) y q
sc
(del semiconductor), son la diferencia de energa entre el nivel de vaco y el nivel de
-V
R
V
D
p
no
n
po
Fermi del material y, por tanto, representan la energa necesaria para llevar un electrn
que est en el nivel de Fermi del material al nivel de vaco fuera de este. La afinidad
electrnica del semiconductor q denota la diferencia energtica entre el nivel inferior
de la banda de conduccin E
c
y el nivel de vaco. En un semiconductor determinado, q
es independiente del nivel de dopado (magnitud constante), pero sin embrago q
sc
no
lo es.
Para que la unin metal-semiconductor tipo N se comporte como una unin
rectificadora se ha de cumplir la relacin q
m
>q
sc
. En caso contrario, los electrones
pueden ser transferidos de un lado a otro con facilidad y el contacto es hmico.
Cuando el metal es puesto en contacto con el semiconductor, los electrones de la
banda de conduccin del semiconductor (como
m
>
sc
, los electrones de la banda de
conduccin del semiconductor tienen una energa superior a la de los del metal) fluyen
hacia el metal hasta que los niveles de Fermi en los dos materiales se alinean. Este paso
se debe por tanto a una diferente densidad de electrones libres en los dos materiales. El
diagrama de bandas resultante puede observarse en Fig. 31b.
Fig. 31: Diagrama de bandas de energa de un contacto metal-semiconductor de tipo N
con
m
>
sc
. (a) De los dos materiales aislados el uno del otro. (b) Situacin de
equilibrio trmico despus del contacto.
Esta transferencia de electrones deja en el semiconductor una carga positiva fija,
debida a los iones sin compensar
+
D
N , crendose una carga negativa en el metal (debida
a los electrones transferidos) que iguala a la positiva.
Se forma, por tanto, una regin de carga espacial de anchura W
0
en el semiconductor
de tipo N. Sin embargo, la carga producida por los electrones en el metal es una carga
cuyo espesor es despreciable y es, esencialmente, una carga superficial. La presencia de
estas cargas establece un campo elctrico en el sentido desde el semiconductor al metal.
Una vez alcanzada la situacin de equilibrio trmico, el flujo de electrones del
semiconductor al metal es igualado por otro flujo de electrones del metal al
semiconductor.
En el diagrama de bandas de la Fig. 31b , se ha supuesto que
m
, y la anchura de la
banda prohibida E
g
del semiconductor permanecen invariables despus de producirse el
contacto entre los dos materiales. Por tanto, lejos de la zona de transicin y en el
semiconductor podemos dibujar este diagrama colocando el nivel de Fermi en el
equilibrio E
F
y despus dibujando las posiciones relativas de E
c
, E
v
y el nivel de vaco
con respecto a E
F
(y que por tanto, disminuye en una cantidad ) (
sc m
q ).
Finalmente, en la zona de transicin, el nivel de vaco del semiconductor se ha de
aproximar de forma gradual al del metal para mantener la continuidad. E
c
y E
v
han de
seguir la misma variacin que el nivel de vaco porque q permanece invariable. Este
procedimiento es bastante general y puede ser utilizado para dibujar el diagrama de
bandas cualesquiera que sean los dos materiales en contacto. La diferencia entre las dos
funciones de trabajo (del metal y del semiconductor) es el potencial de contacto
) (
sc m i
V . La altura de la barrera para los electrones que fluyen desde el
semiconductor al metal es qV
i
mientras que la altura de la barrera vista desde el metal
hasta el semiconductor viene dada por:
) ( ) (
F c i m B
E E V q q q +
ya que ) (
F c sc
E E q q + . La ecuacin ) (
m B
q q se conoce como
aproximacin de Schottky. En la mayor parte de los casos, el potencial
B
es varios
ordenes de magnitud mayor que q T K / , y la regin espacial de carga en el
semiconductor se asemeja bastante a la de una unin p-n.
En equilibrio trmico a una temperatura T, slo una pequea fraccin de electrones
de la banda de conduccin del semiconductor tendr energa suficiente para sobrepasar
la barrera. Estos electrones que fluyen desde el semiconductor hacia el metal dan lugar a
una corriente I
ms
(recordar que la corriente tiene sentido contrario al movimiento de los
electrones). Esta corriente es equilibrada exactamente por una igual y de sentido
contrario I
sm
causada por el flujo de electrones del metal al semiconductor (Fig. 32a).
Fig. 32: Diagrama de bandas de energa de una unin rectificadora metal-
semiconductor de tipo N en (a) equilibrio trmico, (b) polarizacin directa y (c)
polarizacin inversa.
Cuando se aplica una tensin negativa al semiconductor con respecto al metal (Fig.
32b), V
F
, la altura de la barrera para los electrones del semiconductor disminuye desde
qV
i
hasta q(V
i
-V
F
). Ms electrones podrn por tanto fluir desde el semiconductor hasta
el metal, y I
ms
se incrementa por encima de su valor en equilibrio trmico. Sin embargo,
I
sm
permanece invariable ya que no hay cada de tensin a travs del metal y q
B
permanece casi invariable. Por tanto, hay un flujo neto de corriente del metal al
semiconductor.
La aplicacin de una tensin de polarizacin inversa V
R
(Fig. 32c) reduce el flujo de
electrones desde el semiconductor hasta el metal, y I
ms
se reduce por debajo de su valor
en equilibrio trmico mientras I
sm
permanece casi inalterada. Por tanto, hay un flujo de
una pequea corriente inversa.
3.8.2. Contacto hmico metal-semiconductor.
La anterior discusin se ha aplicado a un semiconductor de tipo N con
m
>
sc
. En
el caso de un semiconductor de tipo N con
m
<
sc
, el diagrama de bandas de energa
de metal y semiconductor con los dos materiales aislados el uno del otro se muestra en
Fig. 33a. Despus del contacto, los electrones fluyen desde el metal hasta la banda de
conduccin del semiconductor hasta que se alcanza la situacin de equilibrio trmico.
Esto provoca una cada de potencial (
sc
-
m
) a travs del semiconductor (Fig. 33b). La
carga negativa de electrones que se acumulan en el semiconductor se confina en una
zona de muy poco espesor y es, en esencia, una carga superficial. Idntico resultado se
obtiene para la carga positiva en el metal. Como no hay una regin espacial de carga en
el semiconductor, no existe ninguna barrera para la circulacin de electrones bien del
semiconductor al metal, bien del metal al semiconductor. Cuando se aplica una
polarizacin, toda la tensin aparece aplicada al semiconductor (neutro) como se
observa en Fig. 33c y d. Este tipo de contacto no rectificador es llamado a menudo
contacto hmico.
Fig. 33: Diagrama de bandas de energa de una unin metal-semiconductor de tipo N
con
m
<
sc
(a) Materiales aislados el uno del otro (b) contacto en equilibrio trmico,
(c) tensin negativa aplicada al semiconductor y (d) tensin positiva aplicada al
semiconductor.
Para un contacto metal-semiconductor de tipo P se tiene por el contrario que:
m
<
sc
: Unin rectificadora
sc
<
m
: Contacto hmico
3.9. Estructura p
+
-n-n
+
.
Una vez implementado el diodo de unin p
+
-n p-n
+
se han de colocar los contactos
metlicos a cada una de estas regiones semiconductoras a fin de poder polarizar el
diodo. Tal y como se ha comentado con anterioridad, la unin metal-semiconductor
puede comportarse como una unin rectificadora lo cual en nuestro caso no nos
interesara pues lo que pretendemos obtener es un diodo de unin. Es por ello que en
fabricacin de uniones p
+
-n p-n
+
es habitual, a fin de facilitar el contacto hmico (no
rectificador), terminar la regin ligeramente dopada (n p) con una capa muy dopada
del mismo tipo. El hecho de tener un contacto metal-semiconductor altamente dopado
facilita el contacto hmico frente a una unin metal-semiconductor dbilmente dopado.
De esta forma, a pesar de existir una barrera de potencial en la unin metal-
semiconductor, la anchura de la regin espacial de carga es lo suficientemente estrecha
como para permitir a los portadores atravesar dicha barrera por efecto tnel. La
utilizacin de una regin altamente dopada no es estrictamente necesaria en todos los
casos, as por ejemplo, el aluminio (Al) presenta un buen contacto hmico con un
semiconductor de tipo p de Si, pero no con uno de tipo n por lo cual se requiere una
zona de tipo n
+
antes de contactar con el aluminio.
En la fabricacin de las uniones p
+
-n p-n
+
si utilizamos una capa muy dopada para
terminar la regin ligeramente dopada (n p) el resultado es una estructura p
+
-n-n
+
con
una unin activa p
+
-n una estructura p
+
-p-n
+
con una unin activa p-n
+
. Fig. 34a
muestra el caso de la estructura p
+
-n-n
+
.
Para dicho caso, la resistencia serie completa del diodo es la suma de las resistencias
correspondientes de las zonas p
+
, n y n
+
. Las zonas p
+
y n
+
al ser altamente dopadas
presentan una baja resistencia. Para la resistencia de la zona dbilmente dopada:
Resistividad:
n D
n
N q
1
y resistencia
A
L
R
n n

A fin de disminuir la resistencia serie del diodo y, por tanto, las prdidas en
conduccin, se puede disminuir la longitud de esta zona dbilmente dopada, lo cual
puede ser de gran utilidad en dispositivos que manejen altas corrientes. Fig. 34b muestra
la estructura p
+
-n-n
+
en ausencia de polarizacin. En esta puede observarse como la
regin espacial de carga se extiende fundamentalmente sobre la regin dbilmente
dopada (zona n). Tambin se muestra el diagrama de bandas de energa en ausencia de
polarizacin donde podemos ver como el nivel de Fermi es constante a lo largo de la
muestra semiconductora y como E
F
est ms prximo a E
c
en la zona n
+
(altamente
dopada) que en la zona n.
Pero una regin ligeramente dopada corta tambin puede conducirnos al punch-
through bajo condiciones de polarizacin inversa, como puede observarse en Fig. 34c
en que la anchura de la regin espacial de carga sobrepasa la zona n, producindose la
ruptura de la unin p
+
-n antes de lo esperado.
Fig. 34: Unin p
+
-n-n
+
. (a) Configuracin del dispositivo. (b) En ausencia de
polarizacin. (c) Punch-through en condicin de polarizacin inversa.
La longitud de la zona n debe ser escogida como una solucin de compromiso. Por
una parte debe ser corta para disminuir la resistencia serie. Por otra parte, su longitud
mnima est limitada por las especificaciones mximas de tensin inversa que deba ser
capaz de soportar el dispositivo.
En la prctica (Fig. 35), suele utilizarse una zona n
+
de mucha mayor longitud que la
zona n (alrededor de 500m frente a los de 2 a 10m de la zona n). De esa forma la
zona n
+
puede ser utilizada como soporte fsico (para dar consistencia al dispositivo) y,
por otra parte, se disminuye la resistencia serie del dispositivo. En el diseo y
construccin se ha de prever cual va a ser la anchura mxima de la regin espacial de
carga para que sta no sobrepase la longitud de la zona n producindose el efecto
Punch-through.
Fig. 35: Unin p
+
-n-n
+
vertical.
3.10. Construccin del diodo
A continuacin se muestran las distintas etapas de fabricacin de unaa unin p
+
-n-n
+
vertical.
(a) Se obtiene un substrato n
+
de aproximadamente 500m de espesor (para dar
consistencia fsica al diodo).
Por crecimiento epitaxial se crea sobre el substrato una capa de silicio de entre 2
y 10m de espesor.
+
(b) Se deposita por oxidacin trmica una capa de dixido de silicio (SiO
2
).
(c) La superficie es cubierta con una capa de material fotosensible (fotoresistencia).
(d) Se sita una mscara sobre la fotoresistencia, alineada y expuesta a radiacin
ultravioleta (la mscara es un cristal que tiene zonas transparentes y zonas
opacas en una secuencia predefinida).
- La fotoresistencia es polimerizada en las regiones en que se expone a la luz pero
no en las regiones opacas.
- En las zonas en que la resistencia es polimerizada queda una fina pelcula de
resistencia (zonas transparentes).
(e) La mscara es eliminada. La capa de xido en las zonas no cubiertas por la
resistencia son eliminadas y despus esta resistencia es eliminada.

| || | (2-10) m

| || |
| || | 500 m
| || |

(f) Se difunde boro (o cualquier otro tipo de sustancia trivalente) para formar la
zona de tipo p
+
a travs de la ventana abierta en la capa aislante de SiO
2
. El boro
se difunde fcilmente en el silicio pero no en el SiO
2
.
(g) Una fina pelcula de aluminio se deposita sobre la superficie.
(h) El rea metalizada es cubierta con material fotosensible (fotoresistencia), y se
utiliza otra mscara para identificar las reas donde el metal tiene que ser
preservado.
Se elimina la zona metlica no deseada y disuelve la resistencia.
En la parte inferior se coloca un contacto metlico.
+
+
+

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TEMA 3 : Fsica de la unin P-N.

I .T.T.(S.E.) - Universitat de Valncia - Curso 00/01 -79-

Ya se calcul el valor de dicho campo elctrico para el caso de un semiconductor de

Sustituyendo la expresin para la concentracin de huecos:

La conclusin primera que se obtiene es que, derivado de la condicin de flujo neto

De forma similar podemos obtener el potencial electrosttico de la regin de tipo N

lo cual obliga a conocer cual es la distribucin neta de impurezas N

Sabiendo que 0 0 ) ( cte x

Sabiendo que 0 0 ) ( cte x

se puede obtener que:

que es la distribucin de potencial representada en Fig. 8b. Fijarse que en x =W,

La condicin de neutralidad de carga en el conjunto del semiconductor requiere que

Con las condiciones de contorno de que el campo en

Integrando nuevamente se pueden obtener por un lado la distribucin de potencial

Esta expresin para la capacidad de la zona de carga espacial tiene la misma

Aqu se ha empleado la relacin:

Se trata de una ecuacin diferencial de segundo orden y necesita para su resolucin

Se trata de una ecuacin diferencial de segundo orden, la cual se puede resolver

La caracterstica ideal corriente-tensin se muestra en Fig. 18a y b, en escala lineal y

a 300K). Si, por el contrario, V <0 y si

Esta expresin nos permite, conocido el valor de

El campo elctrico mximo en la zona de la unin queda determinado en funcin de

TEMA 3 : Fsica de la unin P-N.

Suponiendo constante el campo elctrico crtico, el valor de la tensin de ruptura

Considerando la geometra de la unin, para el caso de una unin p

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