ELECTRÓNICA: TEORÍA DE CIRCUITOS

6 Polarización de FET Polarización fija: Vas = -Vaa . Vos = Voo - IJio: autopolarización: Vas = -IJis' Vos = Voo Io(Rs + Ro)' Vs = IsRs: divisor de voltaje: Va = R, Vool(R, + R,), Vas = Va - IJis' Vos = Voo - lo(Ro + R): MOSFET incremental: ID == k(VGS - VGS(Th» 2 , k == 1D(encendido)/(VGS(encendido) - VGS(Th»2; polarización por retroalimentación: VDS =VGS' Vas = Vr¡o- loRD: divisor de voltaje: Va =R,Vool(R, + R,). VGS = VG-1oRs: curva universal: m = 1V p 1IlossRs' M = m x vall Vp 1, Va =R, Vool(R, + R,) ModeJaje de transistores bipolares Z,= Y,Jl,,l, = (V, - V,)/R""",,,lo = (V, - V) IR""",,,ZO = V)Io,A,= V)V,.A" = + Rs)' A¡ == -AvZJRL' re == 26 mV/lé base común: Z¡ == re,Zo ::::: 00 n,Av ::::: R¿fre' A¡ :::: -1; emisor común: Z¡ = fjre• Zo ro' Av = -R{Jre' A¡ :::: f3, h ie = f3r e, hft! == f3ac ' h ib == Te' hfb = -a. 7
Z¡Av~L /(Z¡

=

8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar Emisor común: A, = -Reir,. Z, = RBIIf3r,. Zo = Re. A, = f3: divisor de voltaje: R' = R,I\R,. A, = -Re Ir,. Z, = R'1If3r,. Zo = Re: polarización en emisor: Zb = f3(r, + RE) = f3R"A,. = -f3Re IZb = -RJ (r, + RE) = -ReiRé emisor seguidor: Zb = f3(r, + RE)' A, = l. Zo = r,: base común: A, = Reir,. Z, = REllr,. Zo = Re: retroali-' mentación en colector: A, =-Reir,. Z, = f3r,IIR F/I A,I. Zo = ReIIRe: retroalimentación de de en colector: A, =-(RF.IIRe)/r" Z, = RF, lIf3r,. Zo = RclIRF,: parámetros híbridos: A, = h¡(l + hoRL). A, = -h¡RJ[h, + (h,h o - h¡h,)RLl. Z, = h, - h¡h/?LI(l +

hoRL)' Zo = l/[h o - (h¡h/(h, + R,»]

.

9 Análisis a pequeña señal del FET gm = gmo(l - VGSIVp). 8 mo =2loss lJVpl: configuración básica: A, =-gmRO: resistencia de fuente sin desvío: A, -gmROI(1 + gmRS): seguidor de fuente: A, = gmRs/(l + gmRS): compuerta común: A, =

=

gm(Rollr)
10 Aproximacíónalossistemas:efectodeR,yRL BJT:A v =RLA VNL I(RL+R o).A.=-A 7./RL• V=RVj(R.+R): I v<-'¡ I l i S polarización fija: A, = -(RcIlRL)/r,. A" = Z,A)(Z, + R,). Z, = f3r,. Zo = Re: divisor de voltaje: A,. = -(RcIlRL)/r,. A" = Z¡A) (Z, + R,). Z, = R,IIRzllf3r,.Z, = Re: polarización en emisor: A, = -(RclIRL)/R" A" = Z,A)(Z, + R,). Z, = RBIlf3RE'Zo = Re: retroalimentación en colector: A, = -(RcIlRL)lr,. A" = Z,A,/(Z, + R,). Z, f3r,lIRF/IA). Z, RclIRF: emisor seguidor: R~ = REIIRL' A,. = R~(R~ + r,), A" = R~/(R~ + R/f3 + r,l. Z, = RB Ilf3(r, + R~). Zo = REIICR/f3 + r,): base común: A, = (RelIRL)lr,. A, = -l. Z, = r,.Zo = Re: FET: con desvío R,: A, = -gm(RoIIRL). Z, = RG'Zo = Ro: sin desvío Rs: A, = -gm(RoIIRL)/(l + gmRS)' Z, = RG,Zo =RD : seguidor de fuente: A, = gm(RsIIRL)/[1 + gm(RsIIRL)], Z, =RG'Zo = Rsllrdll1lgm; compuerta común: A.. = gm(RDIIRL). ZI = Rslll/gm • Zo = Ro: en cascada: A lir = A VI . A \12 . A \13 .. ' A11. ,AIr = ±A\Ir Z11 IR L '
w

=

=

ECUACIONES IMPORTANTES

1 Diodos semiconductores W = QV, I eV = 1.6 x 10-'9 J,lD ID' r" =I!.V/Md , PD =VdD , Te =I!.V/[V,(T,- To )] x 100% 2 Aplicaciones de diodos
VBE = VD

=1,(e kV ff,
D

-

1), RDC = VDIID, r d = I!.V/Md = 26 mVl

=0.7 V; media onda: Vdo =0.318Vm; onda completa: Vdo =0.636Vm

4 Polarización en dc-BJT En general: VBE = 0.7 V, Ic = lE' Ic =f31B; polarización fija: lB =(Vcc- VBE)/RB, VCE = Vcc-lcRc- Ic~ = Vcc'Ró estabilizada en emisor: lB = (Vcc- VBE)/(RB + (13+ I)R E), R¡= (13+ I)RE' VCE = Vcc-I¿"Rc+ RE),ICw =V cc/(R e + RE); divisor de voltaje: exacto: RTh =R, 11 R2, ETh =R2Veel(R, + R2), lB =(ETh - VBE)I(R Th + (13 + l)R E), VeE = Vcc-I¿"Rc + RE)' aproximado: VB =R2Vee /(R, + R2), f3RE ? IOR2, VE =VB- VBE' Ic = lE V¡;IRé por retroalimentación de voltaje: lB = (Vee- VBE)/[R B + f3(R e + RE)]; base común: lB = (VEE - VBE)/Ré conmutación de transistores: le,,,,,"do =t, + Id' I,p, ,do =1, + 1 1; estabilidad: S(leo) =Me/Meo; polarización fija: S(leo) =13 + 1; polarización en emisor: S(leo) = (~+ 1)(1 + RIRE)/(l + 13 + RIRE); divisor de voltaje: S(lco) = (13 + 1)(1 + RnfRE)/(l + 13 + RnfRE); polarización por retroalimentación: S(lco) = (13 + 1)(1 + R/Rc)/(l + 13 + RB/Re), S(VBE) = M¿I!.VBé polarización fija: S(VBE) = -/3IRB; polarización en emisor: S(VBE) = -/3I[RB + (13 + l )RE]; divisor de voltaje: S(VBE) = -/3I[RTh + (13 + I)R E]; polarización por retroalimentación: S(VBE) =-/3I(R B+ (13+ I)R e), S(f3J =M e/l!..f3; polarización fija: S(f3J =le,lf3,; polarización en emisor: S(f3J = Ic,o + RBIR E)/[I3,(I + 13 2 + RBIRE)]; divisor de voltaje: S(f3J = le,o + RTh IR E)/[f3¡(l + 132 + _ RTh/RE)]; polarización por retroalimentación: S(f3J = Ic,(RB + Rc )/[f3,(RB + R¿"I + 132 ))], Me = S(lco) Meo + S(VBE) I!.VBE + S(f3J I!.f3

=

5 Transistores de efecto de campo I G =OA, ID =IDSS(l- VGS /Vp)2, ID =Is' VGs = Vp(l- V/D/IDSS )' ID = I DSS /4 (si VGS = Vp /2), ID =I DSs'2 (si VGS = O.3Vp), PD =VDSI D' ID =k(VGS - VT)2

ELECTRÓNICA: TEORÍA DE CIRCUITOS
Sexta edición

Robert L. Boylestad Louis Nashelsky

TRADUCCIÓN:

Juan Purón Mier y Terán
Profesor de asignatura en el Depto. de Matemáticas, Universidad Iberoamericana, Profesionista en Sistemas CAD, GIS

Sergio Luis María Ruiz Faudón
Analista de Sistemas Traductor Profesional REVISIÓN TÉCNICA:

M. en e.Agustín Suárez Fernández
Departamento de Ingeniería Eléctrica Universidad Autónoma Metrópolitana-Iztapalapa

Pearson Educación

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MÉXICO· ARGENTINA· BRASIL· COLOMBIA' COSTA RICA' CHILE ESPAÑA· GUATEMALA' PERÚ' PUERTO RICO· VENEZUELA

EDICIÓN EN INGLÉS
Editor: Dave Garza Developmental Editor: Carol Hinklin Robison Production Editor: Rex Davidson Cover Designer: Brian Deep Production Manager: Laura Messerly Marketing Manager: Debbie Yarnell 1l1ustrations: Network Graphics

BOYLESTAD I ELECTRÓNICA: TEORÍA DE CIRCUITOS, 6a. Ed.
Traducido del inglés de la obra: ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT THEORY, SIXTH EDlTlON. Al! rights reserved. Authorized translation from English language edition published by Prentice-Hall, Ine. A Simon & Sehuster Company. Todos los derechos reservados. Traducción autorizada de la edición en inglés publicada por Prentince-Hall, Inc. A Simon & Sehuster Company. Al! rights reserved. No part of this book may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical, including photocopying, recording or by any information storage and retrieval system, without permission in writing from the publisher. Prohibida la reproducción total o parcial de esta obra, por cualquier medio o método sin autorización por escrito del editor.
D~rechos reservados © 1997 respecto a la cuarta edición en español publicada por

Prentice Hall Hispanoamericana, S.A. Calle 4 Nl 2S·2º piso Fracc. Ind. Alce Blanco, Naucalpan de Juárez, Edo. de México, c.P. 53370

ISBN 968-880-805-9
[J

Miembro de la Cámara Nacional de la Industria Editorial, Reg. Núm. 1524. Original English Language Edition Published by Prentice-Hall, Inc. A Simon & Schuster Company. Copyright © MCMXCVl AH rights reserved ISBN 0-13-375734-X IMPRESO EN MÉXICO/PRINTED IN MEXICO
F'ROGRAMo\S EDUCATIVOS. S.A. DE e,v CAl.Z. CHABACANO No, 1;6. LOCAl. A

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eMPRESA CeRTIFICADA POR EL INSTlTUTO MEXICANO DE NORMAliZACIÓN

'iC~~II_C_, SAJOL/I NCI\Wo.

150-S002: 19941NMX.cc-004: 1995
CON El No. DE REGISTRO RSc-G'6

[J

Dedicado a

ElSE MARIE, ERlC, ALISON, MARK y KELCY; STACEY y DOUGLAS; JOHANNA

ya
KATRIN, KIRA, LARREN, TOMMY, JUSTIN Y PATIT

Contenido
PREFACIO AGRADECIMIENTOS
xvii
xxi

1
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6
1.7

DIODOS SEMICONDUCTORES
Introducción 1 El diodo ideal 1 Materiales semiconductores 3 Niveles de energía 6 Materiales extrínsecos: tipo n y tipo P 7 Diodo semiconductor 10 Niveles de resistencia 17 Circuitos equivalentes para diodos 24 Hojas de especificaciones de diodos 27 Capacitancia de transición y difusión 31 Tiempo de recuperación inverso 32 Notación de diodos semiconductores 32 Prueba de diodos 33 Diodos Zener 35 Diodos emisores de luz 38 Arreglos de diodos: circuitos integrados 42 Análisis por computadora 44

1

1.8 1.9 1.10 1.11 1.12 1.13 1.14
1.15 1.16 1.17

ix

2
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 2.10 2.11 2.12 2.13

APUCACIONFS DE DIODOS
Introducción 53 Análisis mediante la recta de carga 54 Aproximaciones de diodos 59 Configuraciones de diodos en serie con entradas dc 61 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 66 Compuertas ANDtOR 69 Entradas senoidales; rectificación de media onda 71 Rectificación de onda completa 74 Recortadores 78 Cambiadores de nivel 85 Diodos Zener 89 Circuitos multiplicadores de voltaje 96 Análisis por computadora 99

53

3
3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.8 3.9 3.10 3.11 3.12

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN
Introducción 114 Construcción de transistores 115 Operación del transistor 115 Configuración de base común 117 Acción amplificadora del transistor 121 Configuración de emisor común 122 Configuración de colector común 129 Límites de operación 130 Hoja de especificaciones de transistores 132 Prueba de transistores 136 Encapsulado de transistores e identificación de terminales 138 Análisis por computadora 140

114

4
4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 4.10 4.11 4.12 4.13

POLARIZACIÓN DE DC-BJT
Introducción 144 Punto de operación 145 Circuito de polarización fija 147 Circuito de polarización estabilizado en emisor 154 Polarización por divisor de voltaje 158 Polarización de dc por retroalimentación de voltaje 166 Diversas configuraciones de polarización 169 Operaciones de diseño 175 Redes de conmutación con transistores 181 Técnicas para la localización de fallas 186 Transistores pnp 189 Estabilización de la polarización 191 Análisis por computadora 200

144

x

Contenido

5
5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 5.10 5.11 5.12 S.13

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Introducción 215 Construcción y características de los JFET 216 Características de transferencia 223 Hojas de especificaciones (JFET) 227 Instrumentación 230 Relaciones importantes 231 MOSFET de tipo decremental 238 MOSFET de tipo incremental 238 Manejo del MOSFET 246 VMOS 247 CMOS 248 Tabla resumen 250 Análisis por computadora 251

215

6
6.1 6.2 6.3 6.4 6.5 6.6 6.7 6.8 6.9 6.10 6.11 6.12 6.13

POLARIZACIÓN DEL FET
Introducción 256 Configuración de polarización fija 257 Configuración de autopolarización 261 Polarización mediante divisor de voltaje 267 MOSFET de lipa decremental 273 MOSFET de tipo incremental 277 Tabla resumen 283 Redes combinadas 285 Diseño 288 Localización de fallas 290 FET de canal-p 291 Curva universal de polarización para JFET 294 Análisis por computadora 297

256

7
7.1 7.2 7.3 7.4 7.5 7.6 7.7 7.8 7.9

MODELAJE DE TRANSISTORES BIPOLARES
Introducción 311 Amplificación en el dominio de ac 311 Modelaje de transistores EJT 312 Los parámetros importantes: Z;, Zo' A~, A; 314 El modelo de transistor r, 320 El modelo híbrido equivalente 327 Determinación gráfica de los parámetros h 333 Variaciones de los parámetros de transistores 337 Análisis por computadora 339

311

Contenido

xi

11 lU2 APROXIMACIÓN A LOS SISTEMAS: EFECTOS DE Rs y RL Introducción 468 Sistemas de dos puertos 468 Efecto de la impedancia de carga (RJ 470 Efecto de la impedancia de la fuente (R.9 8.3 lOA 10.6 9.8 10.7 9.15 ANÁLISIS A PEQUEÑA SEÑAL DEL FET Introducción 415 Modelo de pequeña señal del FET 416 Configuración de polarización fija para el IFET 424 Configuración de autopolarización para el JFET 426 Configuración de divisor de voltaje para el JFET 432 Configuración fuente-seguidor (drenaje común) para el JFET 433 Configuración de compuerta común para el JFET 436 MOSFET de tipo decremental 440 MOSFET de tipo incremental 442 Configuración de retroalimentación en drenaje para el EMOSFET 443 Configuración de divisor de voltaje para el EMOSFET 446 Cómo diseñar redes de amplificador FET 447 Tabla resumen 450 Solución de problemas 453 Análisis por computadora 453 415 10 10.14 9.11 9.9 9.4 8.) 475 Efecto combinado de R.2 8.2 9.8 8.13 9.2 10.3 8.10 9.7 8.10 10.1 9.6 10.7 10.5 9.6 8.3 ·9A 9.1 10.5 8.13 ANÁLISIS A PEQUEÑA SEÑAL DEL TRANSISTOR BIPOLAR Introducción 346 Configuración de emisor común con polarización fija 346 Polarización mediante divisor de voltaje 350 Configuración de E-C con polarización en emisor· 353 Configuración emisor-seguidor 360 Configuración de base común 366 Configuración con retroalimentación en colector 368 Configuración con retroalimentación de dc en colector 374 Circuito equivalente híbrido aproximado 377 Modelo equivalente híbrido completo 383 Tabla resumen 390 Solución de problemas 390 Análisis por computadora 393 346 9 9.8 8. YRL 477 Redes BIT de CE 479 Redes emisor-seguidor 484 Redes CB 487 Redes FET 489 Tabla resumen 492 Sistemas en cascada 496 Análisis por computadora 497 468 xii Contenido .10 8.11 8.5 10.9 10.12 8.8 9.1 8.12 9.

9 TÉCNICAS DE FABRICACIÓN DE CIRCUITOS DISCRETOS E INTEGRADOS Introducción 607 Materiales semiconductores.7 Espejo de corriente 579 12.11 11.13 RESPUESTA EN FRECUENCIA DE TRANSISTORES BJT Y JFET Introducción 509 Logaritmos 509 Decibeles 513 Consideraciones generales sobre la frecuencia 516 Análisis a baja frecuencia.1 11. amplificador FET 533 Capacitancia de efecto MiIler 536 Respuesta a alta frecuencia.2 11.6 Circuitos de fuente de corriente 577 12.3 Conexión cascade 565 Conexión Darlington 566 12. amplificador a BIT 524 Respuesta a baja frecuencia.9 12.5 11.7 13.6 11.12 11.5 13.3 13A 13. amplificador FET 546 Efectos de frecuencia en multietapas 550 Prueba de onda cuadrada 552 Análisis por computadora 554 509 12 CONFlGURACIONES COMPUESTAS 12. gráfica de Bode 519 Respuesta a baja frecuencia.4 Par retroalimentado 571 12.9 11.1 13.10 11.7 11.11 Análisis por computadora 591 560 13 13.8 11.2 12.1 Introducción 560 Conexión en cascada 560 12.3 11.2 13. BiMOS y CMOS 590 12.4 11.11 11. Ge y GaAs 607 Diodos discretos 609 Fabricación de transistores 611 Circuitos integrados 612 Circuitos integrados monolíticos 614 El ciclo de producción 617 Circuitos integrados de película delgada y película gruesa 626 Circuitos integrados híbridos 627 607 Contenido xiii . Si.10 Circuitos de amplificador diferencial BiFET. amplificador BJT 539 Respuesta a alta frecuencia.8 Circuito de amplificador diferencial 582 12.5 Circuito CMOS 575 12.6 13.8 13.

4 14.2 15.7 17.5 17_6 17.1 16.6 15.6 16.5 14.9 AMPUFlCADORES DE POTENCIA Introducción: definiciones y tipos de amplificadores 701 Amplificador clase A alimentado en serie 703 Amplificador acoplado con transfonnador élase A 708 Operación del amplificador clase B 715 Circuitos de amplificador clase B 719 Distorsión del amplificador 726 Disipación de calor del transistor de potencia 730 Amplificadores clase C y clase D 734 Análisis por computadora 736 701 17 17.2 17.7 14.3 16.14 14.4 16.3 14.6 14.1 14.8 CI UNEALES/DIGITALES Introducción 741 Operación del comparador 741 Convertidores analógicos-digitales 748 Operación del el temporizador 752 Oscilador controlado por voltaje 755 Lazo de seguimiento de fase 758 Circuitos de interfaz 762 Análisis por computadora 765 741 18 xiv 18.5 16.5 15.1 18. parámetros de desvío de dc 644 Especificaciones de parámetros de frecuencia 647 Especificaciones para una unidad de amplificador operacional 651 Análisis por computadora 657 628 15 15.3 17A 17.2 CIRCUITOS CON RETROAUMENTACIÓN y OSCILADORES Conceptos de retroalimentación 773 Tipos de conexión de retroalimentación 774 773 .1 15.3 ISA 15.2 16.8 16.1 17.7 16.7 APUCACIONES DEL AMPUFlCADOR OPERACIONAL Multiplicador de ganancia constante 669 Suma de voltajes 673 Acoplador de voltaje 676 Fuentes controladas 677 Circuitos de instrumentación 679 Filtros activos 683 Análisis por computadora 687 669 16 16.2 14.8 AMPUFlCADORES OPERACIONALES Introducción 628 Operación en modo diferencial y en modo común 630 Amplificador operacional básico 634 Circuitos prácticos con amplificadores operacionales 638 Especificaciones.

4 19.2 21.3 Introducción 832 Diodos de barrera Schottky ("portadores calientes") 832 Diodos varactores (varicap) 836 20A Diodos de potencia 840 20.7 21.3 19.8 Emisores de IR 851 20.8 18.3 DISPOSITIVOS pnpn Introducción 864 Rectificador controlado de silicio 864 Operación básica del rectificador controlado de silicio 864 Características y valores nominales del SCR 867 Construcción e identificación de terminales del SCR 869 Aplicaciones del SCR 870 Interruptor controlado de silicio 874 Interruptor controlado en compuerta 876 SCR activado por luz 877 Diodo Shockley 880 DIAC 880 TRIAC 882 Transistor monounión 883 Fototransistores 893 Optoaisladores 895 Transistor monounión programable 897 864 21A 21.6 18.1 20.7 18.11 21.4 18.2 19.5 19.6 19.5 21.16 xv .5 Diodos túnel 841 20.3 18.11 Termistores 859 21 21.8 21.9 21.2 20.7 FUENTES DE ALIMENTACIÓN (REGULADORES DE VOLTAJE) Introducción 805 Consideraciones generales de filtros 805 Filtro capacitor 808 Filtro Re 811 Regulación de voltaje con transistores discretos 814 Reguladores de voltaje de CI 821 Análisis por computadora 826 805 20 OTROS DISPOSITIVOS DE DOS TERMINALES 832 20.10 Celdas solares 855 20.14 21.1 21.7 Celdas fotoconductoras 849 20.5 18.9 18.6 21.13 21.1 19.9 Pantallas de cristal líquido 853 20.12 21.18.10 21.15 21.10 Circuitos prácticos con retroalimentación 780 Amplificador retroalimentado: consideraciones de fase y frecuencia 787 Operación del oscilador 789 Oscilador de corrimiento de fase 791 Oscilador de puente Wien 794 Circuito de oscilador sintonizado 795 Oscilador a cristal 798 Oscilador monounión 802 19 19.6 Fotodiodos 846 20.

9 OSCILOSCOPIO Y OTROS INSTRUMENTOS DE MEDICIÓN Introducción 906 Tubo de rayos catódicos: teoría y construcción 906 Operación del osciloscopio de rayos catódicos 907 Operación del barrido de voltaje 908 Sincronización y disparo 911 Operación en multitrazo 915 Medición utilizando las escalas calibradas 915 Características especiales 920 Generadores de señales 921 906 APÉNDICE A: PARÁMETROS HÍBRIDOS: ECUACIONES PARA CONVERSIÓN (EXACTAS Y APROXIMADAS) 924 926 933 935 APÉNDICE B: FACTOR DE RIZO Y CÁLCULOS DE VOLTAJE APÉNDICE C: GRÁFICAS y TABLAS APÉNDICE D: PSPICE APÉNDICE E: SOLUCIONES A LOS PROBLEMAS SELECCIONADOS CON NÚMERO NON ÍNDICE 937 943 xvi Contenido .4 22.22 22.1 22.2 22.6 22.7 22.8 22.3 22.5 22.

El título en cada sección también se reproduce en la sección de problemas para identificar con claridad los ejercicios de interés para un tema de esmdio en particular. PEDAGOGÍA Sin duda. Los problemas. la exactimd y en un aruplio rango de materiales auxiliares que apoyan el proceso educativo. Se han utilizado pantallas para definir características importantes o para aislar cantidades específicas en una red o en una característica. continuamos empeñados en el fuerte sentido pedagógico del texto. Se ha conservado la cantidad de ejemplos. Las declaraciones aisladas en negritas ("balas") identifican aseveraciones y conclusiones importantes. los circuitos integrados y el expandido rango de cobertura necesaria en los cursos básicos que contribuyeron al refinamiento de la pasada edición continúan siendo los factores principales que afectan el contenido ele una nueva versión. un asterisco identifica los ejercicios más difíciles. hemos aprendido que el mejoramiento de la lectura se puede obtener a través de la apariencia general del texto. La nueva secuencia de la presentación de los conceptos que afectó la última edición se ha conservado en la presente. los cuales han sido desarrollados para cada sección del texto. se hizo verdaderamente claro que esta sexta edición debía continuar con el importante trabajo de revisión que tuvo la edición. De la misma manera que en el pasado. Nuestra experiencia docente con esta presentación ha reforzado la creencia de que el material tiene ahora una pedagogía mejorada para apoyar la presentación del instructor y ayudar al estudiante a construir los fundamentos necesarios para sus futuros estudios. facilitan la referencia de un área en particular tan rápidamente como sea posible. xvii . de tal fortna que nos hemos comprometido al fortnato que encontrará en la sexta edición de tal manera que el material del texto parezca más "'amistoso" para un amplio sector de estudiantes. Los iconos.Prefacio Segón nos acercábamos al XXV aniversario del texto. los cuales fueron incrementados de modo considerable desde la quinta edición. una de las mejoras más importantes que se han retenido de la quinta edición es la manera en la cual el texto se presta para el compendio ordinario del curso. A través de los años. Asimismo. El formato ha sido diseñado para establecer una apariencia amistosa para el estudiante y para asegurar que el trabajo artístico se encuentre tan cercano a la referencia como sea posible. La creciente utilización de la computadora. van en progreso a partir de lo más simple a lo más complejo. desarrollados para cada capítulo del texto.

Se ha dedicado un capítulo completo (capítulo 7) . De hecho. xviii . Ciertamente. Los últimos capítulos referentes a amplifIcadores operacionales y circuitos integrados desarrollan aún más los conceptos presentados en los capítulos iniciales. La sexta edición destacará el modelo r. La :obertura de PSpice ofrece suficiente capacidad para permitir la escritura del archivo de captura para la mayoría de las redes analizadas en este texto. PSpice en el ambiente WINDOWS permite entrar al circuito en forma esquemática. institutos técnicos. Algunas instituciones utilizan exclusivamente el modelo re mientras que otras se apoyan en el enfoque híbrido o en una combinación de estos dos.9 Y 10 están específicamente organizados para desarrollar los cimientos del análisis de sistemas en el grado posible en este nivel introductorio. ahora nos sentimos seguros que este texto gozará del nivel más alto de exactitud que se puede obtener para una publicación de este tipo. No se supone un conocimiento anterior acerca de paquetes para computadora. los efectos de Rs y RL también ofrecen una oportunidad para aplicar algunos de los conceptos fundamentales del análisis de sistemas. el cual puede ser analizado después con resultados de salida similares a PSpice. la intención no es de retar al instructor o al estudiante con inconsistencias planeadas. Se eligió PSpice como el paquete que aparecerá a través de este texto debido a que recientes encuestas sugieren que es el que se emplea con mayor frecuencia. Aunque puede resultar más fácil considerar los efectos de Rs y RL con cada configuración cuando ésta se presenta por primera vez. MODELAJE DE TRANSISTORES El modelaje del transistor bipolar de unión (BJT) es un área que se ha enfocado de varias maneras. EXACTITUD No hay duda que una de las metas primarias de cualquier publicación es que ésta se encuentre libre de errores en lo posible. PSpice y BASIC Los recientes años han visto un crecimiento continuo del contenido de computación en los curSOs introductorios. se mencionaba que debería desarrollarse un mayor "enfoque de sistemas" para apoyar la necesidad de un estudiante de convertirse en adepto de la aplicación de paquetes de sistemas. Los capítulos 8. Otros paquetes posibles incluyen Micro-Cap III y Breadboard. Aún se incluyen en el texto algunos programas en BASIC para demostrar las ventajas de conocer un lenguaje de computación y de los beneficios adicionales que surgen de su utilización.la introducción de los modelos para asegurar un entendimiento claro y correcto de cada uno y de las relaciones que existen entre los dos. con la suficiente cobertura del modelo híbrido como para permitir una comparación entre los modelos y la aplicación de ambos.ENFOQUE DE SISTEMAS Durante varias visitas a otros colegios. y juntas de varias sociedades. no existe algo más tenso para un autor que el escuchar sobre errores en su libro. Después de una verificación extensiva acerca de la exactitud en la quinta edición. No solamente aparece la utilización de procesadores de texto en el primer semestre. sino que también se presentan las hojas de cálculo y el empleo de un paquete de análisis tal como PSpice en numerosas instituciones educativas.

SOLUCIÓN DE PROBLEMAS La solución de los problemas es indudablemente una de las habilidades más difíciles para presentar. ROBERT BOYLESTAD LOUIS NASHELSKY . El contenido es en forma esencial una revisión de situaciones que ocurren con frecuencia dentro del ambiente de laboratorio. Mediante la elección de ejemplos y aplicaciones específicos es posible reducir el contenido de un curso sin perder las caraetelÍsticas de construcción progresivas del texto. pero al menoS el lector tendrá algún entendimiento de lo que está relacionado con el proceso de la solución. desarrollar y demostrar en un texto. Por tanto. mientras que para otros el texto completo puede ser cubierto en un semestre mediante la elección de temas específicos. Se presentan algunas ideas sobre cómO aislar un área problemática así como una lista de las causas posibles. el presente es un texto que "construye" a partir de los capítulos iniciales. pero la experiencia y la exposición son obviamente los elementos clave en el desarrollo de estas habilidades. el fin de tener una revisión más extensiva. Se trata de un arte que debe ser introducido utilizando una variedad de técnicas. el texto está dividido en dos componentes principales: el análisis en de y en ac o respuesta en frecuencia. Esto no pretende sugerir que un estudiante se convertirá en un experto en la solución de las redes presentadas en este texto. UTILIZACIÓN DEL TEXTO En general. Para algunos colegios la sección de es suficiente para un semestre. Para cada dispositivo el texto cubre una mayoría de las configuraciones y aplicaciones importantes. se ofrece el detalle con. El material superfluo se relega a los últimos capítulos para evitar el contenido excesivo acerca de un tema particular al principio en el nivel de desarrollo. En cualquier caso. si un instructor siente que un área específica es particulannente importante.

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editor senior de desarrollo. Bocksch Jeffrey Bowe Alfred D. MD ITI Technical Institute Humber College. CANADÁ Metropolitan State College. Bellingham. Nuestro más sincero agradecimiento a Dave Garza. F1int. Calgary. CANADÁ University of Southern California. Irving. Alberta. Duane Bailey Joe Baker Jerrold Barrosse Ambrose Barry Arthur Birch Scott Bisland Edward Bloch Gary C. Grady WiUiam HiII Napa College.Agradecimientos Nuestros más sinceros agradecimientos se deben extender a los profesores que han utilizado el texto y han enviado algunos comentarios. editor de Prentice-Hall. También deseamos agradecer a Rex Davidson. Buerosse Lila Caggíano Rohert Casíano Alan H. y a Carol Robison. CANADÁ DeVry Institute ofTechnology. Day MikeDurren Dr. Hartford. IN Bradford University. MA Waukesha County Technical College. de Prentice-Hall. TX The Perkin-Elmer Corporation Charles S. correcciones y sugerencias. Ontatio. Stephen Evanson George Fredericks F. Fuller Phil Golden Joseph Grabinski Thomas K. Southern Alberta Institute ofTechnology. Pewaukee. Ontatio. por su apoyo editorial en la sexta edición de este texto. UK Northeast State Technica! Community College Rumber College. MI Bunker HilI Community College. Denver. South Bend. CT Western Washington University. Czarapata Mohammad Dabbas John Darlington Lucius B. Hartford. Los Ángeles. Napa. WI MicroSim Corporation Internationa! Rectifier Corporation Montgomery College. CA Muskegon Community College. WA ITI Technica! Institute xxi . CA Penn State-Ogontz University of North Carolina-Charlolte Hartford State Technical College. Anderson AJAnthony A. por mantener unidos los tantos aspectos detallados de producción. editor senior. CT SEMATECH. Deseamos agradecer a aquellas personas que han compartido sus sugerencias y evaluaciones del presente texto a través de sus muchas ediciones. Austin. TX Hartford State Technical College. Muskegon. Rockville. CO Indiana Vocational Technical College. Los comentarios de estas personas nos han permitido presentar Electrónica: Teoría de Circuitos en esta nueva edición: Ernest Lee Abbott Phillip D. D. Molt Community College. Charlestown. MI EG&G VACTEC Inc.

Ickstadt Jeng-Nan Juang Karen Karger Kenneth E. MN L. Calgary. CA Mercer University. Hampton. IN Nashville State Technical Institute . Newman Dr. MeMillan Thomas E. WA Sal! Lake Cornmunity College. Noel Shammas Erie Sung Donald P. Bates Vocational-Technical Institute. VA DeVry Technical Institute. Szymanski Parker M. Zeisler San Diego Mesa College. Tabor Peter Tampas Chuek Tinney Katherine L. Usik DomingoUy Richard J. Beaconside. F. Miami. UK Computronics Technology Inc. Texas Instruments Ine. Walters Julian Wilson Syd R. Alberta. Macon. London. FL School of Engineering. CANADÁ Miami-Dade Cornmunity College. Ontario. Ontario. Hamilton. Hudson Valley Community College University ofWestem Ontario. Rockafellow Saeed A. Marietta. Wales. Kent Donald E. WA University of Glamorgan.Albert L. UT xxii . Clarkston. Bellingham. Youngstown. GA ITI Technical Institute. Yunghans U1rieh E. NI Southern College of Technology. Marshall. South Bend. OH APPLIED MATERIALS. H. MI Western Washington University. Tacoma. Toledo. CANADÁ Southwest State University. !TI Technical Institute. Indiana Vocational Technical College. SC Michigan Technological University. Sal! Lake City. Shaikh Dr. Houghton. GA Motorola Inc. UK Southern-Alberta Institute of Technology. King Charles Lewis Donna Liverman George T. Robert Payne E. MI University of Utah Mohawk College of Applied Art & Technology. San Diego. Mason William Maxwell Abraham Michelen John MaeDougall Donald E. Inc. Owens Technical College. Greenville. Woodbridge. Wilson Jean Younes Charles E. Troy. CANADÁ Hampton University. OH Greenville Technical College. GA Tektronix lne. DeKalb Technical Institute.

ELECTRÓNICA: TEORÍA DE CIRCUITOS .

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1 INTRODUCCIÓN Unas cuantas décadas que han seguido a la introducción del transistor. hacia finales de los años. b) características. que van desde las más sencillas a las más complejas. Sistemas completos aparecen ahora sobre una oblea de silicio. Con sus características. Antes de analizar la construcción y las características de un dispositivo real. resultan. miles de veces más pequeña que un solo elemento de las redes iniciales. Vo lo + VD . que son muy similares a las de un interruptor sencillo.la y b. Las ventaja~ asociadas con los sistemas actuales. En esencia: VD ~ o ID Ca) + ID + ~ O .CAPÍTULO Diodos semiconductores ---------------------------~--1. en su mayor parte.. 1. el más sencillo de los dispositivos semiconductores. 1 . no tienen requerimientos de calentamiento o disipación de calor (como en el caso de los bulbos). ~I lo Vo ( + (b) Las caractensticas de un diodo ideal son aquellas de un interruptor que puede conducir comente en una sola dirección. un diodo conducirá corriente en la dirección que define la flecha en el símbolo. De manera ideal. pero que desempeña un papel muy importante en los sistemas electrónicos... que tiene el símbolo y características que se muestran en la figura l. Flgura 1. Además de los detalles de su construcción y características. y actuará como un circuito abierto en cualquier intento por establecer corriente en dirección opuesta.. aparte de demostrar la riqueza de la información que los fabricantes suelen proporcionar. La miniaturización que se ha logrado nos deja sorprendidos de sus alcances. son más eficientes y no requieren de un periodo de calentamiento. cuarenta. Los límites de la miniaturización dependen de tres factores: la calidad del material semiconductor.1 Diodo ideal: a) símbolo. obvias de inmediato: son más pequeños y ligeros. los datos y gráficas importantes se encontrarán en las hojas de especificaciones y también se estudiarán con objeto de asegurar una comprensión de la terminología que se utiliza. comparados con las redes de bulbos de los años anteriores. tienen una construcción más robusta. han sido testigo de un cambio asombroso en la industria de la electrónica. La miniaturización desarrollada en los años recientes ha dado por resultado sistemas tan pequeños que ahora el propósito básico del encapsulado sólo es obtener algunos medios para manipular el dispositivo y asegurar que las conexiones permanezcan fijas en fonna adecuada en la base del semiconductor. primero se considerará el dispositivo ideal para ofrecer una base de comparación. aparece en una amplia variedad de aplicaciones.1 . la técnica del diseño de redes y los límites de la manufactura y el equipo de procesamiento. El diodo ideal es un dispositivo con dos terminales.2 EL DIODO IDEAL + o El primer dispositivo electrónico que se presenta es el que se denomina diodo. respectivamente.

~imitado por el circuito) C') o~ lo o o>----I~II---~o + __ / 0-0--. Rp según lo define la ley de Ohm. el circuito abierto equivalente es el apropiado.2 a) Estados de conducción y b) no conducción del diodo ideal según está detenninado por la polarización aplicada. son pertinentes las características hacia la izquierda del eje. Para la mayona de las caractensticas de los dispositivos que aparecen en este libro. . como se muestra en la figura l.. Corto circuito .la..la. En resumen. en tanto la abscisa (o eje "x") será el eje del voltaje. es RF =. son aplicables las condiciones que se descnben en la figura 1. mA. resulta sencillo hasta cierto punto determinar si un diodo se encuentra en la región de conducción o de no conducción. polaridades de voltajes y direcciones de la corriente. mientras que una inver· sión en la dirección requerirla del empleo de las caractensticas abajo del eje.F = IF V OV 2. 2 Capitulo l Diodos semiconductores .lb están hacia la derecha del eje vertical. las caractensticas que deben ser consideradas en la figura l.3b. éste está operando en la región de conducción.1a (el cuadrante superior derecho de la figura l. Por tanto. la ordenada (o eje "y") será el eje de la corriente. -20.. IR = -5. ID =0 -- ei"uito abierto o ~ I Cb) FIgUra 1. Si la polaridad del voltaje aplicado es consistente con el que se muestra en la figura l. . En caso de que se aplique un voltaje inverso.2.3a. Si la corriente a través del diodo tiene la dirección que se indica en la figura l.lb). la porción de las características que deben considerarse es arriba del eje horizontal.. Si la corriente resultante tiene la dirección opuesta. Uno de los parámetros importantes para el diodo es la resisteuciaenel punto o la región de operación. sólo un valor positivo OQ (corto circuito) donde VF es el voltaje de polarización directa a través del diodo e 1F es la corriente a través del diodo. según se descnbe en la figura 1. Por tanto. Si ahora se considera la región de potencial negativo aplicado (tercer cuadrante) de la figura 1. Por lo general. el diodo ideal es un circuito abierto en la región de no conducción. RR =- V. el diodo ideal es un circuito cerrado para la región de conducción.1 b.En la descripción de los elementos que se presentan a continuación es importante que se definan los diferentes símbolos de letras.3. al observar la dirección de la corriente ID que se establece mediante un voltaje aplicado. o cualquier potencial de polarización inversa =Q (circuito abierto) OmA donde VR es el voltaje inverso a través del diodo e IR es la corriente inversa en el diodo./.. Para el flujo convencional (opuesto al flujo de electrones). se deduce que el valor de la resistencia directa. si la corriente resultante del diodo tiene la misma dirección que la punta de la flecha del símbolo del diodo. Si se considera la región de conducción definida por la dirección de ID y polaridad de VD en la figura 1.

(al FIgura 1. se deben considerar las siguientes preguntas: ¿Qué tan cercana será la resistencia directa o de "encendido" de un diodo práctico comparado con el nivel O-. Iplohms Este hecho será de utilidad cuando se comparen los niveles de resistividad en los análisis que se presentan enseguida.Q deseado? ¿ Es la resistencia inversa parcial lo suficientemente grande como para permitir una aproximación de circuito abierto? 1. cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a través de sus terminales. Las unidades de n-cm se derivan de la sustitución de las unidades para cada cantidad de la figura 1. Como se indicó antes. el ténnino resistividad (p. El prefijo semi suele aplicarse a un rango de niveles situado a la mitad entre dos límites. Aunque se pueda estar familiarizado con las propiedades eléctricas del cobre y la mica. germanio (Ge) y silicio (Si). la magnitud de la resistencia del cubo de la figura lA es igual a la magnitud de la resistividad del material según se demuestra a continuación: (1 cm) 1 P -= P A (1 cm') A=lcm 2 l=lcm Figura 1. Un semiconductor. es un material que posee un nivel de conductividad sobre algún punto entre los extremos de un aislante y un conductor. mientras más alto es el nivel de conductividad. la resistividad de un material se mide en n-cm o n-m. se encuentra su resistencia al flujo de la carga o corriente. las características de los materiales semiconductores.3 MATERIALES SEMICONDUCTORES El término semiconductor revela por si mismo una idea de sus características.4 en la siguiente ecuación (derivada de la ecuación básica de resistencia R = pi! A): p=--= 1 RA (n)(cm') =>n-cm cm (l. si el área de la figura lA es de 1 cm' y la longitud de 1 cm.l) cm p~- De hecho. De manera inversa. y relacionada con la conductividad de un material.1 se muestran los valores típicos de resistividad para tres categorías amplias de materiales. según está determinado por la dirección de la corriente convencional establecida por la red. En unidades métricas. la letra griega rho) se utiliza a menudo para comparar los niveles de resistencia de los materiales. pue1. Esto es.4 Definicipn de las unidades métricas de resistividad. por tanto. En la tabla 1.3 o al Estados de conducción y b) no conducción del (bl diodo ideal.3 Materiales semiconductores 3 . menor es el nivel de resistencia. Un aislante es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la presión de una fuente de voltaje aplicada. En las tablas. el propósito inicial de esta sección es presentar las características de un dispositivo ideal para poder compararlas con las características de la variedad comercial. El término conductor se aplica a cualquier material que soporte un flujo generoso de carga. Según se avance a través de las próximas secciones.

Ahora. red cristalina. es otra razón más por la cual el Ge y el Si han recibido tanta atención. es menor que el requerido por cualquier otro electrón dentro de la estructura. En años recientes el cambio ha sido estable con el silicio. el átomo de germanio tiene 32 electrones en órbita. los neutrones y los protones forman el núcleo.1 Valores tipicos de resistividad Conductor p == 10-6 O-cm (cobre) Semiconductor p == 50 O-cm (germanio) p == 50 X 103 O-cm (silicio) Aislante p= 10 12 n-cm (mica) / / / / / . los avances recientes han reducido los niveles de impureza en el material puro a una parte por cada 10 mil millones (1 : 10 000 000 000). pero no así con el germanio. Como se encontrará en los capítulos que siguen.6a. Los átomos de ambos materiales forman un patrón muy definido que es periódico en naturaleza (esto es que continuamente se repite el mismo).1 el rango tan grande entre los materiales conductores y aislantes para la longitud de 1 cm (un área de l·cm') de material. mientras que el silicio tiene 14 electrones en varias órbitas. que se conoce como "dopado". y al arreglo periódico de los átomos. son los que más interesan en el desarrollo de dispositivos semiconductores. La capacidad de cambiar las características del material en forma significativa a través de este proceso.6. En la red atómica. Cualquier material compuesto sólo de estructuras repetidas de cristal del mismo tipo se deno· mina estructura de cristal único. Dieciocho lugares separan la colocación del punto decimal de un número a otro. cuya producción aún es escasa.1 Figura 1. se examinará la estructura del átomo en sí y se observará cómo se pueden afectar las características eléctricas del material. el átomo se compone de tres partículas básicas: el electrón. A un patrón completo se le llama cristal. cuando se trata con el medio de los semiconductores. Como se indica en la figura 1. Como se tiene entendido. En un cristal puro de germanio o de silicio estos cuatro electrones de valencia se encuentran unidos a cuatro átomos adjuntos. sin embargo. En realidad lo son si se considera que la adición de una parte de impureza (del tipo adecuado) por millón. la periodicidad de la estructura no cambia en forma significativa con la adición de impurezas en el proceso de dopado.5. Para el Ge y el Si el cristal tiene la estructura de diamante de tres dimensiones que se muestra en la figura 1. mientras que los electrones se mueven alrededor del núcleo sobre una órbita fija.7 para el silicio.TABLA 1. de electricidad. en una oblea de silicio. esta característica de cristal único existe y. porque cada uno tiene cuatro electrones de valencia. Como es obvio. Para los materiales semiconductores de aplicación práctica en el campo de la electrónica. Una consideración muy importante es el hecho de que pueden ser fabricados con un muy alto nivel de pureza. En cada caso. Otras razones incluyen el hecho de que sus características pueden alterarse en forma significativa a través de la aplicación de calor o luz. El potencial (potencial de ionización) que se requiere para movilizar cualquiera de estos cuatro electrones de valencia. ciertamente no son los únicos dos materiales semiconductores. el germanio y el silicio. Tanto el Ge como el Si son referidos como átomos tetravalentes. De hecho. Ge y Si han recibido la atención que tienen por varias razones. 4 Capitulo 1 Diodos semiconductores . se está manejando un espectro completamente nuevo de niveles de comparación. existen cuatro electrones en la órbita exterior (valencia). den ser relativamente nuevas. Algunas de las cualidades únicas del Ge y el Si que se observaron antes se deben a su estructura atómica. una consideración importante en el desarrollo de dispositivos sensibles al calor o a la luz. el protón y el neutrón. se muestran en la fignra 1. Es posible que alguien se pregunte si estos niveles de impureza son realmente necesarios. Los modelos de Bohr de los semiconductores que se usan con mayor frecuencia. U na unión de átomos fortalecida por el compartimiento de electrones se denomina unión covalente. además. puede cambiar dicho material de un conductor relativamente pobre a un buen co~ductor . como se muestra en la figura 1.5 Estructura de un solo cristal de Ge y Si. Observe en la tabla 1.

7 silicio. Este mayor número de portadores aumentará el índice de conductividad y generará un menor nivel de resistencia.6 Estructura atómica: a) germanio. Se dice que los materiales semiconductores como el Ge y el Si. Los materiales intlÍnsecos son aquellos semiconductores que han sido cuidadosamente refinados para reducir /as impurezas a un nivel muy bajo. se les conoce como portadores intrínsecos. que muestran una reducción en resistencia con el incremento en la temperatura. La relación del número de portadores en el germanio respecto al silicio es mayor de 103 e indica que el germanio es un mejor conductor a temperatura ambiente. Estas causas naturales incluyen efectos como la energía lumínica en la forma de fotones y la energía térmica del medio que lo rodea.. un mayor valor.5 x 10 10 portadores libres en un centímetro cúbico de material intrínseco de silicio.~ de valencia (4 para cada uno) lb) Figura 1.5 x 10 13 transmisores libres por centímetro cúbico. según se describió antes. Quizá el lector recuerde que la resistencia de casi todos los conductores se incrementará con la temperatura. un número mayor de electrones de valencia absorben suficiente energía térmica como para romper la unión covalente y contribuir así al número de portadores libres. Un incremento en la temperatura de un semiconductor puede generar un incremento sustancial en el número de electrones libres en el material. Por supuesto. A la misma temperatura. Figura 1. A los electrones libres localizados en el material que se deben sólo a causas naturales. El término "libre" revela que su movimiento es muy sensible a los campos eléctricos aplicados. como los establecidos por las fuentes de voltaje o cualquier diferencia de potencial. teniendo.Electrones en órbita EI. Observe en la tabla 1. aunque en el estado intrínseco ambos aún son considerados conductores pobres. Según aumenta la temperatura desde el cero absoluto (O K). esencialmente tan puro como se puede obtener a través de /a tecnología moderna. b) silicio.1 cómo la resistividad también difiere por una relación de aproximadamente 1000 : 1 con el silicio.3 Materiales semiconductores 5 .. tienen un coeficiente de temperatura negativo. Esto se debe al hecho de que el número de portadores en un conductor no 1. aún es posible para los electrones de valencia absorber suficiente energía cinética por causas naturales. el material intrínseco de germanio tendrá aproximadamente 2. debido a que la resistividad y la conductividad son inversamente proporcionales.. para romper la unión covalente y asumir el estado "libre". Esto puede ser cierto. Unión covalente del átomo de Si bien la unión covalente generará una unión más fuerte entre los electrones de valencia y su átomo.mn. por tanto. A temperatura ambiente existen aproximadamente 1. éste debe ser el caso.

. estructura atómica • • • Banda de valencia Figura 1. . ~ Aislante E = 1. 1.8b.1 eV (Si) = 0. y una región prohibida entre la banda de valencia y el nivel de ionización. Cada material tendrá.8a.. b) bandas de conducción y valencia de un aislador. Un incremento en la temperatura.~ = Entre los niveles de energía discretos existen bandas vacías.. tiene un estado de energía mayor que cualquier electrón en la estructura atómica. pero su patrón de vibración con respecto a una localización relativamente fija aumentará la dificultad para que los electrones pasen a través de ella.Banda de y. • • Banda de conducción Las bandas se traslapan --I.alencia . su propio conjunto de niveles de energía pennisibles para los electrones en su estructura atómica..) (a) Energía Banda de conducción ElectroneS Energía Energía f-.8 Niveles de energía: a) niveles discretos en estructuras atómicas aisladas. Recuerde que la ionización es el mecanismo mediante el cual un electrón puede absorber suficiente 6 Capitulo 1 Diodos semiconductores .se incrementará significativamente con la temperatura. respecto a los electrones en la misma órbita de un átomo adjunto. ..._ -. en las cuales no pueden aparecer electrones dentro de la estructura atómica aislada. Cuando los átomos de un material se unen para formar la estructura de la red cristalina.¡ / Electrones ~ .67 eV (Ge) 1. Mientras más distante se encuentre el electrón del núcleo. El resultado neto es una expansión de la banda de los niveles discretos de estados de energía posibles para los electrones de valencia. como se muestra en la figura 1.:.¡ de valencia • e.41 eV (GaAs) Conductor Semiconductor (b) ¡. mayor e:s el estado de energía.' unidos a la Banda de valencia :. Observe que existen niveles y estados de energía máximos en los cuales se puede encontrar cualquier electrón.• f-'-------.¡. y cualquier electrón que haya dejado a su átomo. semiconductor y conductor. Energía Nivel de valencia (capa más externa) Banda de energía vacía! Banda de energía vacía etc.. existe una interacción entre los átomos que ocasiona que los electrones dentro de una órbita en particular de un átomo tengan ligeras diferencias en sus niveles de energía..-------'"" t I "libres" para establecer la Banda de conducción conducción --_¡. por tanto.. genera un aumento del nivel de resistencia y un coeficiente positivo de temperatura. de hecho.4 NIVELES DE ENERGÍA En la estructura atómica aislada existen niveles de energía discretos (individuales) asociados con cada electrón en una órbita. Núcleo t Segundo nivel (siguiente capa interna) Tercer nivel (etc. • . según se muestra en la figura 1.

es bastante obvio que a temperatura ambiente existan portadores libres más que suficientes para soportar un gran flujo de carga o corriente. por consecuencia. a temperatura ambiente (300 K. Sustituyendo la carga de un electrón y una diferencia de potencial de 1 volt en la ecuación (1. Sin embargo. Eg obviamente es menor. Debido a que la energía también se mide en joules y que la carga de un electrón = 1. Material tipo n Tanto el material tipo n como el tipo p se forman mediante la adición de un número predeterminado de átomos de impureza al gennanio o al silicio. ocurrirán estados de energía en las bandas prohibidas. y han atravesado la banda de energía vacía definida por Eg en la figura 1.5 MATERIALES EXTRÍNSECOS: TIPO n Y TIPO p Las características de los materiales semiconductores pueden ser alteradas significativamente por la adición de ciertos átomos de impureza a un material semiconductor relativamente puro. como el antimonio.6 X 10. Para el silicio Eg es de 1.2) se tiene un nivel de energía referido como un electrón volt. también una mayor densidad de portadores en la banda de conducción a temperatura ambiente.energía para separarse de su estructura atómica y entrar en la banda de conducción.67 eV y para el arseniuro de galio 1.3) A O K o cero absoluto (-273. Q es la carga asociada con un único electrón. aunque sólo haya sido añadida 1 pane en \O millones.19 C)(I V) y 1 eV= 1. porque I W=QV I eV (1.6XIO-19 J (1.15 OC). Estas impurezas.2) según se derivó de la ecuación definida para el voltaje V = W /Q.8b y entrado a la banda de conducción.5 encontrará que si ciertas impurezas se añaden a los materiales semiconductores intrínsecos. El tipo n se crea a través de la introducción de elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes). todos los electrones de valencia de los materiales semiconductores se encuentran en la capa exterior del átomo con niveles de energía asociados con la banda de valencia de la figura 1. Existen dos materiales extrínsecos de gran importancia para la fabricación de dispositivos senticonductores: el tipo n y el tipo p. La unidad de medida es adecuada. El conductor tiene electrones en la banda de conducción aun a O K. El efecto de estos elementos impuros se indica en la figura 1. pueden alterar en forma suficiente la estructura de la banda y cambiar totalmente las propiedades eléctricas del material. Un material semiconductor que haya sido sujeto al proceso de dopado se denomina un material exmnseco. y se debe al gran número de portadores en dicho material. W = QV = (1. Por tanto. Observe que para el aislante la banda de energía es con frecuencia de 5 eV o más. lo que causará una reducción neta en Eg para ambos materiales semiconductores y. lo cual limita drásticamente el número de electrones que pueden entrar a la banda de conducción a temperatura ambiente.9 1.6 x 1j}-19 coulomb. Para el germanio. 1.5 Materiales extrínsecos: tipo n y tipo p 7 .1 eV.41 e V. Se observará que la energía asociada con cada electrón se mide en electrón volts (eV). para el germanio 0.8b. Cada uno se describirá con detalle más adelante. comparado al silicio expuesto a temperatura ambiente. 25 oC) un gran número de electrones de valencia han adquirido suficiente energía para dejar la banda de valencia. arsénico y fbsforo. En la sección 1.

Energía :. Debido a que el átomo de impureza insertado ha donado un electrón relativamente "libre" a la estructura: A 1m. Es importante comprender que. aunque un número importante de portadores "'libres" se han creado en el material tipo n. mismo que se encuentra desasociado de cualquier unión covalente en particular.Ol eV CGe) Nivel de energía del donor Figura 1. El efecto de este proceso de dopado sobre la conductividad relativa se describe mejor a través del diagrama de bandas de energía de la figura 1.O. Observe que las cuatro uniones covalentes aún se encuentran presentes. la proporción (10 12110 7 = 105 ) indicaria que la concentración de portadores se ha incrementado en una proporción de 100. sin embargo. 8 Capitulo l Diodos semiconductores . Este electrón restante.da~de~~~~~ Es como antes Eg = 0. A temperatura ambiente en un material de Si intrínseco existe aproximadamente un electrón libre por cada 10 12 átomos (uno por cada 109 para Ge).'B~~.10 Efecto de las impurezas del donor sobre la estructura de la banda de energía. El resultado es que a temperatura ambiente existe un gran número de portadores (electrones) en el nivel de conducción. Observe que un nivel de energía discreto (llamado el nivel del donor) aparece en la banda prohibida con un Eg significativamente menor que aquel del material intrínseco.Figura 1. impureZ/lS tlifundüJos con cinco electrones de valencÍll se les l/mnll átomos donares. unido débilmente a su átomo (antimonio). Existe.05 eV (Si). debido a que de manera ideal el número de protones cargados positivamente en los núcleos es todavía igual al número de electrones '·libres" cargados negativamente y en órbita en la estructura. Aquellos electrones "libres" que se deben a la impureza añadida se sitúan en este nivel de energía. y la conductividad del material aumenta en forma significativa. se encuentra relativamente libre para moverse dentro del recién formado material tipo n.000 : l. Si el nivel de "dosificación" fuera de 1 en 10 millones (lO'). y tienen menor dificultad para absorber la energía térmica suficiente para moverse a la banda de conducción a temperatura ambiente.10. éste aún es eléctricamente neutral. (utilizando el antimonio como impureza en el silicio). un quinto electrón adicional debido al átomo de impureza.9 Impureza de antimonio en el material tipo n.

Sin embargo. galio e indio.12. Figura 1. la vacante resultante aceptará con facilidad un electrón "libre"': A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les conoce como átomos aceptores. Los elementos que se utilizan con mayor frecuencia para este propósito son el boro.12 Flujo de huecos Flujo de electrones • 1.11 Impureza de boro en el material tipo p. se indica en la figura 1.12.11. Observe que ahora existe un número de electrones insuficiente para completar las uniones covalentes de la red cristalina recién fonnada. El material resultante tipo p es eléctricamente neutro. entonces se creará un hueco en la unión covalente que liberó el electrón. • FIgUra 1. según se muestra en la figura 1. el cual se indica por la dirección del flujo de huecos . y está representado por un pequeño círculo o signo positivo debido a la ausencia de una carga negativa. Si un electrón de valencia adquiere suficiente energía cinética para romper su unión covalente y llena un hueco. Flujo de electrones comparado con flujo de huecos El efecto del hueco sobre la conducción se muestra en la figura 1. 9 . existe una transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha. como el boro sobre el silicio. La dirección que se utilizará en el texto es la del flujo convencional. Por tanto. A la vacante que resulte se le llama hueco. por las mismas razones descritas para el material tipo n.Material tipo p El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio con átomos de impureza que poseen tres electrones de valencia. El efecto de alguno de estos elementos.5 Materiales extrínsecos: tipo R y tipo p Flujo de electrones en función de flujo de huecos.

la aplicación de un voltaje a través de sus terminales permite tres posibilidades: sin polarización (VD = O V). el átomo restante adquiere una carga positiva neta: de ahí el signo positivo en la representación del ion donar. utilizando técnicas que se describirán en el capítulo 20.13a) al electrón se le llama portador mayoritario y el hueco es el portador minoritario. según se muestra en la figura 1. El diodo semiconductor se fonna con sólo juntar estos materiales (construidos en la misma base: Ge o Si). Los materiales tipo n y p representan los bloques de construcción básicos de los dispositivos semiconductores. Por razones análogas. En un material tipo n. A esta región de iones positivos y negativos descubiertos se le llama región de agotamiento. es que el número de electrones supera por mucho el número de huecos.13b. En el momento en que son "unidos" los dos materiales. Cuando el quinto electrón de un átomo donor deja a su átomo. Por esta razón: En un material tipo n (figura 1.5 se presentaron tanto los materiales tipo n como tipo p. Como el diodo es un dispositivo de dos tenninales.14. debido al agotamiento de portadores en esta región. los electrones y los huecos en la región de la unión se combinan. por tanto. b) material tipo p. En la siguiente sección se encontrará que la "unión" de un solo material tipo n con un material tipo p tendrá por resultado un elemento semiconductor de importancia considerable en los sistemas electrónicos. como se muestra en la figura 1. el número de huecos no ha cambiado de manera significativa de su nivel intrínseco. el número de electrones libres en Ge o en Si se debe sólo a aquellos electrones en la banda de valencia que han adquirido suficiente energía de las fuentes térmicas o lumínicas para romper la unión covalente o a las pocas impurezas que no pudieron eliminarse. Iones donores Ponadores mayoritarios Iones aceptores Portadores minoritarios Portadores mayoritarios Tipo n Figura 1. 10 Capítulo l Diodos semiconductores . el signo negativo aparece en el ion aceptor.13 a) material tipo n. Cada una es una condición que dará un resultado que el usuario deberá comprender con claridad para que el dispositivo se aplique en forma efectiva. Tipop Portadores minoritarios 1. Las "vacantes" dejadas atrás en la estructura de uniones covalentes representan una cantidad muy limitada de huecos. dando por resultado una falta de portadores en la región cercana a la unión.Portadores mayoritarios y minoritarios En el estado intrínseco. polarización directa (VD> O V) Ypolarización inversa (VD < OV). Por tanto: En un material tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electrón es el portador minoritario.6 DIODO SEMICONDUCTOR En la sección 1. El resultado neto. Para el material tipo p el número de huecos supera por mucho el número de electrones.

FluJo de ponadores mayoritarios p n "------0+ tzD ~ DmA VD ~ DV (sin polarización) Figura 1.14. Esta cancelación de los vectores se indica por medio de las líneas cruzadas. Se puede considerar que algo similar pasa con los portadores minoritarios (electrones) del material tipo p.14 Unión p-n sin polarización externa. Una vez más. Sin polarización aplicada (VD = O V) Bajo condiciones -sin polarización.6 Diodo semiconductor JI . 1. pasarán directamente al material tipo p. la misma consideración se puede aplicar a los portadores mayoritarios (huecos) del material tipo p.~ Flujo de portadores minoritarios 1" ':~-~:I" ~~I. El flujo resultante debido a los portadores mayoritarios también se describe en la figura 1. y a la capa de iones negativos en el material tipo p. en el material tipo n el número de portadores mayoritarios es tan grande que invariablemente habrá un pequeño número de portadores mayoritarios con suficiente energía cinética para pasar a través de ~a región de agotamiento hacia el material tipo p. con el fin de migrar hacia el área localizada más allá del área de agotamiento del material tipo p. cualquiera de los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo n que se encuentren dentro de la región de agotamiento. Este flujo de portadores se indica en la figura 1. se observará que las magnitudes relativas de los vectores de flujo son tales que el flujo neto en cualquier dirección es igual a cero.14 para los portadores minoritarios de cada materiaL Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo n deben sobreponerse a las fuerzas de atracción de la capa de iones positivos del material tipo n. Mientras más cercano se encuentre el portador minoritario a la unión.Si se examina con cuidado la figura 1. Con la idea de que surjan análisis futuros. Sin embargo.14. mayor será la atraccíón de la capa de iones negativos y menor la oposición de los iones positivos en la región de agotamiento del material tipo n. . La longitud del vector que representa el flujo de huecos se dibujó en una escala mayor que el flujo de los electrones con objetO de demostrar que la magnitud de cada uno no necesariamente debe ser la misma para la cancelación del flujo. se supone que todos los portadores minoritarios del material tipo n que se localizan en la región de agotamiento debido a su movimiento aleatorio pasarán directamente al material tipo p. y que los niveles de dopado para cada material pueden dar como resultado un flujo de portadores desigual de electrones y huecos. el flujo neto de la carga en cualquier dirección para un diodo semiconductor es cero. En resumen: En ausencia de un voltaje de polarización aplicado.

15 Condiciones para un diodo semiconductor sin polarización. Capítulo 1 Diodos semiconductores 12 . A su vez. además de una reducción efectiva del flujo de los portadores mayoritarios a cero. Las condiciones de polarización inversa se describen en la figura 1.15 con las regiones tipo n y tipo p asociadas. Como se indicó.. la corriente en cualquier dirección es O roA. por tanto.19 para VD < O V. y en el rango de microamperes para el germanio._:::0 p '---------. y dan como resultado vectores de flujo de portadores minoritarios de la misma magnitud que sin voltaje aplicado.---Región de agotamiento n + Figura 1. Condición de polarización directa (VD> O V) (Opuestos) Figura 1. para VD = O V.. Por tanto. A la corriente que existe bajo las condiciones de polariUlción inversa se le llama corriente de saturación inversa. Condición de polarización inversa (VD < O V) Figura 1. es contra la flecha del símbolo. Observe. que el potencialaegativo está conectado al materia! tipo p y el potencial positivo a! material tipo n. La corriente de saturación inversa rara vez es mayor que unos cuantos microamperes.16 inversa. Unión p-n con polarización Sin embargo. el número de portadores minoritarios que están entrando a la región de agotamiento no cambiarán.. que la dirección de 1.: unión p-n de tal forma que la terminal positiva se encuentre conectada con el material tipo n y la terminal negativa esté conectada con e1 materia1 tipo p como se muestra en la figura 1. como lo muestra la figura 1. Observe que la flecha está asociada con el componente tipo p y la barra con la región de tipo n. en años recientes se encontró que su nivel está casi siempre en el rango de nanoamperes para dispositivos de silicio. como lo indica la figura 1. para mayor referencia: Un diodo semiconductor tiene po/arizacibn directa cuando se ha establecido la asociación tipo p y positivo y tipo n y negativo. El término saturación proviene del hecho de que alcanza su máximo nivel con rapidez y no cambia de manera significativa con el incremento del potencial de polarización inversa. el número de iones negativos se incrementará en el material tipo p.17 para el símbolo de diodo y la unión p-n. es una ampliación de la región de agotamiento. y se representa mediante Is' + o---I~M-----<o _t. Una condición de polarización directa O "encendido" se establece al aplicar el potencial positivo al materia! tipo p y el potencia! negativo al materia! tipo n.-.17 Condiciones de polarización inversa para un diodo semiconductor. Por razones similares.El símbolo para el diodo se repite en la figura 1.l. Si un potencial externo de V volts se aplica a través de 1.16 . en particular.. De hecho. . con excepción de los dispositivos de alta potencia. El efecto neto.14. Flujo de portadores minoritarios 1mayoruarlO . y que la diferencia en las literales subrayadas para cada región revela una condición de polarización inversa. como se muestra en las caractensticas de los diodos de la figura 1.. Dicha ampliación establecerá una barrera de potencial demasiado grande para ser superada por los portadores mayoritarios.. el número de iones positivos en la región de agotamiento del material tipo n se incrementará debido al gran número de electrones "libres" atraídos por el potencial positivo del voltaje aplicado.. como se muestra en la figura 1 .18.16..

lD=-Is>T .21J./ -40 -30 -20 -\0 f ° r->::0. )' Imavoril:mo } ID = lmayom:mo . La aplicación de un potencial de polarización directa VD "presionará" los electrones en el material tipo n y los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los iones cercanos a la unión y reducirá el ancho de la región de agotamiento como se indica en la figura 1. ¡-._1.+~ 8~8+ + 8 + (-'"~ C<r. del material tipo p al material tipo n (y de los huecos del material tipo n al material tipo p) no ha cambiado en magnitud (debido a que el nivel de conducción se encuentra controlado básicamente por el número limitado de impurezas en el material).18 Unión p-n con polarización directa. un electrón de material tipo n "observa" una barrera muy reducida en la unión. lo que da como resultado un incremento exponencial en la corriente.3 -0.-0. .LA I I 1 11 I I Figura 1.1 ~A 05 1 VD (V) Región de polarización inversa (VD<OV.7 I 2 1.' +8+8 p n Región de agotamiento + VD Figura 1. Mientras se incremente en magnitud la polarización aplicada.18.3 ¡.4) I Unidad real disponible·en el mercado I I I I I . 1 . - 7 6 Región de polarización directa (VD>OV. 1. .A Ji Si~ polariz~ciÓ~ (VD=OV. (1. debido a la pequeña región de agotamiento y a una fuerte atracción del potencial positivo aplicado al material tipo p.6 Diodo semiconductor 13 .1. la región de agotamiemo continuará disminuyendo su anchura hasta que un flujo de electrones pueda pasar a través de la unión. portadores minoritarios.ID>OmA) I I I I 5 4 3 1/ / 0. pero la reducción en el ancho de la región de agotamiento ha generado un gran flujo de portadores mayoritarios a través de la unión. como se muestra en la región de polarización directa de las caracte J ID(mA) 20 19 I I lB 17 Ec.LA --O.ID=OmA) 1 I -?4 ¡.- - 16 15 14 l3 12 II 10 Polarización definida y dirección para la gráfica - 9 8 I + -ID VD ~ -. El flujo de electrones.19 Características del diodo semiconductor de silicio. Ahora.

mientras se mejoran los métodos de producción. las condiciones para la conducción (el estado "encendido") se repiten en la fIgura 1. Por tanto.19 se encuentra en múltiplos de diez volts en la región negativa. la cual aparece en la figura 1. se puede describir con facilidad el componente de contribución para cada región de la figura 1. (Similares) Región Zener Aunque la escala de la figura 1. Antes de dejar el tema del estado de polarización directa. En Vv =0 V. Esto se debe a la resistencia interna del "cuerpo" y a la resistencia externa de "contacto" de un diodo. como lo muestra la figura 1.4) parece algo compleja y es susceptible de generar un temor injustificado de que ésta se someterá a todas las aplicaciones subsecuentes de diodos. la ecuación (1. en general.4).1) = O mA.19. la ecuación (l. El resultado será positivo para los valores positivos de Vv e [v' y crecerá de la misma manera que la función y = ex.19 que la unidad comercial disponible tiene características que se encuentran desplazadas a la derecha por unas cuantas décimas de un volt. Para valores positivos de VD' el primer término de la ecuación anterior crecerá con mayor rapidez. y superará el efecto del segundo término. Con el tiempo.4) donde Is = corriente de saturación inversa K = 11 . afortunadamente en una sección posterior se hará un número de aproximaciones que eliminará la necesidad de aplicar la ecuación (1. Observe en particular cómo la dirección de la conducción concuerda con la flecha en el símbolo (según se reveló para el diodo ideal).20.21 Condiciones de polarización directa para un diodo semiconductor. Observe que la escala vertical de la figura 1.4) Yofrecerá una solución con un mínimo de dificultad matemática. Es importante observar el cambio en la escala para los ejes vertical y horizontal. Cada una contribuye a un voltaje adicional sobre el mismo nivel de corriente.21 con los requerimientos de polaridad y la dirección resultante del flujo de portadores mayoritarios.22. como aparece en la fIgura 1. Observe en la figura 1. A través del empleo de la física del estado sólido se puede demostrar que las características generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la ecuación siguiente para las regiones de polarización directa e inversa: (1. existe un punto en el cual la aplicación de un voltaje demasiado negativo dará por resultado un agudo cambio en las características. esta diferencia disminuirá y las características reales se aproximarán a aquellas de la sección (1.19. como lo determina la ley de Ohm (V = IR). Sin embargo.20 Gráfica de ex.19. y la escala horizontal en la región de polarización directa tiene un máximo de 1 V.19 se ofrece una gráfIca de la ecuación (1. el voltaje a través de un diodo de polarización directa será de menos de 1 V.19 está en miliamperes (aunque algunos diodos semiconductores tendrán una escala vertical en amperes).4) en la forma siguiente.(e0 .4). En un principio. 14 Capítulo 1 Diodos semiconductores .4) se convierte en Iv = [.1) =IP .19: } I o 2 x Figura ]. Para Vv' la escala para los valores positivos está en décimas de volts y para los valores negativos la escala es en decenas de volts.600 / 1) con 1) = 1 para Ge y 1) = 2 para Si en niveles relativamente bajos de corriente del diodo (en o abajo del punto de inflexión de la curva) y 1) = 1 para Ge y Si en mayores niveles de corriente del diodo (en la sección de crecimiento rápido de la curva) TK = Tc +273° En la fIgura 1. Para valores negativos de Vv' el primer término disminuirá rápidamente debajo de 1" dando como resultado Iv =-1" que es la línea horizontal de la figura 1. La ruptura de las características en Vv = OV se debe sólo al cambio drástico en la escala de mA a !LA. Observe también la rapidez con que se incrementa la corriente después del punto de inflexión de la curva de respuesta. La corriente se incrementa figura 1. Para los valores positivos de ID' la escala se encuentra en miliamperes y la escala de la corriente abajo del eje se calcula en microamperes (o posiblemente nanoamperes).rísticas de la figura 1. Si se expande la ecuación (1.

Silicio en función de germanio Los diodos de silicio tienen. Los valores PIV para el silicio pueden encontrarse en la vecindad de 1000 V. es el mayor voltaje de polarización directa que se requiere 1. Si una aplicación requiere de un valor PIV mayor que el de una sola unidad. 1-. Esto es. mientras que el germanio tiene un valor máximo mucho menor (lOO OC). Eventualmente. por las iniciales en inglés de: Peak Inverse Voltage) o PRV. se generará un proceso de ionización por medio del cual los electrones de valencia absorben suficiente energía para dejar su átomo. según se indica en la figura 1.. Sin embargo. El máximo potencial de polarización inversa que puede ser aplicado antes de entrar a la región Zener se conoce como voltaje pico inverso (referido simplemente como el valor PIV. Esto ocurre debido a que existe un fuerte campo eléctrico en la región de la unión que puede superar las fuerzas de unión dentro del átomo y "generar" portadores.Región Zener o figura 1. El silicio puede utilizarse para aplicaciones en las cuales la temperatura puede aumentar a cerca de 200 oC (400°F). su velocidad y energía cinética asociada (WK := : mv 1 ) será suficiente para liberar portadores adicionales por medio de colisiones con otras estructuras atómicas estables.V / . El potencial de polarización inversa que da como resultado este cambio muy drástico de las características se le llama potencial Zener y se le da el símbolo Vz . Dichos portadores adicionales pueden luego ayudar al proceso de ionización. Los diodos también se conectan de manera paralela para aumentar la capacidad de transporte de corriente.6 Diodo semiconductor 15 .14. y rangos más amplios de temperatura que los diodos de germanio. la desventaja del silicio. La región Zener del diodo semiconductor descrito se debe evitar si la respuesta de un sistema no debe ser alterada completamente por el severo cambio en las características de esta región de voltaje inverso. a una velocidad muy rápida en una dirección opuesta a aquella de la región de voltaje positivo.23. mientras Vz disminuye a niveles muy bajos. hasta el punto en el cual se establece una gran corriente de avalancha que determina la región de ruptura de avalancha. un PIV y un valor de corriente más altos. otro mecanismo llamado ruptura Zener contribuirá con un cambio agudo en la característica. comparado con el gennanio. se deben conectar en serie un número de diodos de la misma característica.22 Región Zener. \ t . Mientras el voltaje a través del diodo se incrementa en la región de polarización inversa. por las iniciales en inglés de: Peak Reverse Voltage). Aunque el mecanismo de ruptura Zener es un contribuyente significativo sólo en los niveles más bajos de Vz• este cambio rápido en la característica a cualquier nivel se denomina región Zener. Estos diodos se describen en la sección 1. la velocidad de los portadores minoritarios responsables de la corriente de saturación inversa ( también se incrementarán. como -5 V. y los diodos que utilizan esta porción única de la característica de una unión p-n son los diodos Zener. Sin embargo. La región de avalancha (Vz ) se puede acercar al eje vertical al incrementar los niveles de: dopado en los materiales tipo p y tipo n. mientras que el valor máximo para el germanio está más cel:ca de los 400 V. en general.

lo (roA) 30 25 G. para asegurar un mínimo de confusión con otros términos. Éste suele ser del orden de 0. las otras características del silicio comparadas con el germanio lo hacen ser el elegido en la mayor parte de las unidades disponibles en el mercado. Sin embargo.8 VD (V) t J.4 0. la primera letra de un término que describe una cantidad en particular se usa en la notación para dicha cantidad.24. Efectos de la temperatura La temperatura puede tener un marcado efecto sobre las características de un diodo semíconductor de silicio. para alcanzar la región de conducción. 20 Si lS lO 1.7 0. Este factor toma parte en la determinación de la forma de la curva sólo en niveles de corriente muy bajos.3 V para diodos de germanio cuando se redondea a la siguiente décima. La mayor variación para el silicio se debe. (Ge) 1 ~A 2 }. El potencial por el cual ocurre este crecimiento se conoce como potencial de conducción de umbralo de encendido. el factor r¡ cae a 1 (el valor continuo del germanio). la notación Vrha sido adaptada para este libro por la palabra "umbral" (por la inicial en inglés de: threshold). mientras más cercana al eje vertical es la excursión. Una vez que la curva empieza su crecimiento vertical.7 V de magnitud para los diodos de silicio disponibles en el mercado. (Si)=O. como el voltaje de salida (VD' por las iniciales en inglés de: output) y el voltaje de polarización directa (Vp por la inicial en inglés de:forward).lA 3~ VT(Ge) VT(Si) Si Ge FIgUra 1. más cerca de lo "ideal" está el dispositivo.7 (Si) VT = 0. básicamente.6 0.3 (Ge) Obviamente.2 0.OI pA= lOnA Vz(Si) 5 ¡ t Vz(Ge) ~ D. En resumen: VT = 0. Esto es evidente por las similitudes en las curvas una vez que el potencial de conducción se ha alcanzado.3 0. Con frecuencia. 16 Capitulo 1 Diodos semiconductores . y 0.23 Comparación de diodos semiconductores de Si y Ge. al factor r¡ en la sección (lA).5 0.l 0. A partir de múltiples experimentos se encontró que: La corriente de saturación inversa ls será casi igual al doble en magnitud por cada 10°C de incremento en la temperatura. Sin embargo. según se comprobó mediante un diodo de silicio típico en la figura 1.

.%:: . aumentan a mayortemperatura con niveles menores del voltaje de umbral.....lA = 0..... Simplemente.ua) .---1--------1--1 ~.2 3 I I 1: ¡ (!lA) Figura 1. Por tanto.7 1 . Los valores típicos de lo para el silicio son mucho menores que para el germanio para unos niveles similares de potencia y corriente. 1.--If---f'--+----1 /1 (V) 2 lO I .."" (temper~tura ambiente) . 7 NIVELES DE RESISTENCIA Cuando el punto de operación de un diodo se mueve desde una región a otra..7 Niveles de resistencia 17 ..-.5 2 - - _/f. Los niveles de 1.. en la ecuación (lA) observe el rápido incremento en la corriente del diodo.. Se presentarán tres niveles diferentes en esta sección. ~ . una razón muy importante para que los dispositivos de silicio tengan un nivel significativamente mayor de desarrollo y utilización en el diseño.... Desde luego. pero aparecerán de nuevo cuando se analicen otros dispositivos. al incrementar el nivel de 1. I • I ...LA a 25 oC tenga una corriente de fuga de 100). I--¡+-l'-h//I-. pero cuando se revisan las hojas de especificación se encuentra que las temperaturas más allá del rango de operación normal pueden tener un efecto muy perjudicial en los niveles de potencia y corriente máximas del diodo..ID (mA) (392°F) 200°C 100°C 25°C I I I 12 lO I 8 6 • I I I f---H---i--I::::=p-1F _=... pero el mayor valor de Is sobrepasará el menor cambio en porcentaje en TK' Mientras la temperatura mejora las características en polarización directa.. I T J-----'. I .... el nivel de TK también se incrementará en la misma ecuación. En la región de polarización inversa. No es poco frecuente que un diodo de germanio con un 1../ 4 f-----fl-.1 roA a una temperatura de 100 Los niveles de corriente de esta magnitud en la región de polarización inversa con seguridad cuestionarían la condición deseada de circuito abierto en la región de polarización inversa.. (punto de ebullición I I I del ag... El resultado es que aún a mayor temperatura.... del orden de 1 o 2 ¡.. la resistencia del diodo también cambiará debido a la forma no lineal de la curva característica... el voltaje de ruptura se incrementa con la temperatura. para los diodos de silicio no alcanzan los mismos altos niveles que para el germanio. En los siguientes párrafos se demostrará cómo el tipo de voltaje o señal aplicado definirá el nivel de la resistencia de interés..rl:". es muy importante que su detenninación se comprenda con claridad..24..23.: /.. pero observe también el incremento no deseado en la corriente de saturación inversa... en realidad se convierten en características más "ideales".(' 0. Fundamentalmente. según se mostró en la figura 1.los niveles de 1...24 Variación en las características de los diodos con el cambio de temperatura. 1.'---+-----1 /1 'fl (1 _1. oc.. como se muestra en la figura 1. el equivalente de circuito abierto en la región de polarización inversa es mejor a cualquier temperatura con silicio en lugar de gennanio.. 1.

25 Determinación de la resistencia en dc de un diodo en un punto de operación en parti<:utar.. La resistencia del diodo en el punto de operación puede encontrarse con sólo localizar los niveles correspondientes de VD e ID como se muestra en la figura 1.26 Ejemplo L L Solución a) EnID =2rnA.+ 0 lIlA 0. los niveles de resistencia en la región de polarización inversa serán muy altos. Debido a que.. los óhmetros utilizan una fuente de comente relativamente constante.26 en a) ID = 2rnA b) ID=20rnA e) VD = -10 V 30 _ 20 ------------ Silicio 10 _ ..8 VD (V) FIgura 1.25 y aplicando la siguiente ecuación: ( 1.5 0.5) Los niveles de resistencia en de en el punto de inflexión y hacia abajo serán mayores que los niveles de resistencia que se obtienen para la sección de crecimient·o vertical de las características. Como es natural.5 V 2rnA = 2500 18 Capítulo 1 Diodos semiconductores . por lo regular.. la resistencia determinada será en el nivel de corriente predeterminado (casi siempre unos cuantos miliamperes). EJEMPLOl. VD =0.l Determine los niveles de resistencia en de para el diodo de la figura 1..5 V (de la curva) y 0. ID (mA) Figura 1...Resistencia en dc o estática La aplicación de un voltaje de a UD circuito que contiene un diodo semiconductor tendrá por resultado un punto de operación sobre la curva característica que no cambiará con el tiempo.

Característica del diodo "--. como lo muestra la figura 1.27.7 Niveles de resistencia 19 . Resistencia en ac o dinámica A partir de la ecuación 1.l resulta obvio que la resistencia en dc de un diodo es independiente de la forma de la característica en la región que rodea el punto de interés. 1.27.dI d I donde ~ significa un cambio finito en la cantidad. la situación cambiará por completo. Si se aplica una entrada senoidal en lugar de una entrada de de._ _ _ .ID=-I. (1. La resistencia ac en la región de crecimiento vertical de la característica es. Una línea recta dibujada tangencialmente a la curva a través del punto Q.27 Definición de la resistencia dinámica o en ac.6) Mientras mayor sea la pendiente. ' : ___ o -----. definirá un cambio en particular en el voltaje. fCfJ' '" ---------M Línea tangente : L _ _ .8 V RD = = = 400 ID 20 rnA c) En VD=-lOV. Sin tener una señal con variación aplicada. así como en la corriente que pueden ser utilizados para detenninar la resistencia en ac o dinámica para esta región en las características del diodo. determinado por los niveles de dc aplicados..b) En ID = 20 rnA. el punto de operación sería el punto Q que aparece en la figura 1.28. La designación del punto Q se deriva de la palabra estable (por la inicial en inglés de: quiescent).28 Determinación de la resistencia en ac en un punto Q.5 y en el ejemplo l. VD = 0. FIgura 1.= 10 MO ID 1 pA Es obvio que se sustentan algunos de los comentarios anteriores con respecto a los niveles de resistencia de de un diodo. Se debe hacer un esfuerzo para mantener tan pequeño y equidistante como sea posible el cambio en ei voltaje y en la corriente a cualquier lado del punto Q.=-lpA(delacurva)y VD 10V RD = = .8 V (de la curva) y VD 0. I = ~Vd rd . La entrada variante desplazará de manera instantánea el punto de operación hacia arriba y abajo en una región de las características y. mientras que la resistencia ac es mucho más alta en los niveles de corriente bajos. muy pequeña. por tanto. como se muestra en la figura 1.. PuntoQ (ope"dón de) Figura 1. por tanto. En forma de ecuación. que significa "estable o sin variación~'. menor será el valor de ~Vd para el mismo cambio en Md y menor será la resistencia. define un cambio específico en corriente y voltaje.

2 Para las características de la figura 1.8 0. raI" 25 20 J \"v u" 15 10 5 4 . b) Detenninar la resistencia en ac en [ D .20mA = lOmA y !J.78 Y = 0.78 V...4 0. e) Comparar los resultados de los incisos a y b con las resistencias en de a cada nivel.} F.. VD = 0.Vd = 0.5 O 4 mA 0.[d.3 0.1 0. Y en[D = O mA.: 2 mA. 0. Los cambios que resultan en la corriente y el voItaje son !J.20 !J. VD 0.. 30 1 I . la línea tangente en [D = 25 mA se dibujó como se muestra en la figura y se eligió una excursión de 5 mA arriba y abajo de la corriente del diodo especificada.. Los cambios que resultan en la corriente y el voltaje son = !J.76 Y . 2 mA se dibujó como se muestra en la figura y se eligió una excursión de 2 mA arriba y abajo de la corriente del diodo especificada.9 ~ o I VI> (V) aY.EJEMPLO 1..gura 1.[d !J. 4mA . Y en [D =20 mA.6 0.[d 10 mA 20 Capitulo 1 Diodos semiconductores .8 Y ..[d = 30mA .Vd = 0. la línea tangente en [D .7 0.•..2.O mA = 4mA y y la resistencia en ac: !J.65 V. VD =0.11 Y b) Para [D = 25 mA.29: a) Determinar la resistencia en ac en ID::.76 Y.0. Solución a) Para [D = 2 mA.29 Ejemplo 1.02 Y y la resistencia ac: !J.. 2 -----------------..Vd = .= 27.65 Y = 0. En [D =30 mA..V 0.5 0. En [D = 4 mA....02 Y rd = -d -=--.2 0.11 Y r = -d !J.8 Y.0. 25 mA. VD =0.

JGe..e) Para/v =2roA.62 Q la cual excede por mucho la r d de 2 n.:.28.) TK siguiendo algunas maniobras básicas de cálculo diferencial..'" --Iv dVo TK dl D k Sustituyendo 11..7Vy Rv = Vv = -2mA 0..7 Niveles de resistencia 21 .026 dIo Iv o rd = 26mV I (1.600 TK = Te + 273" = 25 0 + 273 0 = 298 0 de tal ionna que k TK dIo dVD = 1l..7V Iv = 350 Q la cual excede por mucho la r d de 27. se obtiene dVo '" 0.5 n.600 =11.. Si se encuentra la derivada de la ecuación general (104) para el diodo semiconductor con respecto a la polarización directa aplicada y luego se invierte el resultado. pero existe una definición básica en el cálculo diferencial que establece: La derivada de una función en un punto es igual a la pendiente de la únea tangente dibujada en dicho punto. Para Iv = 25 roA.s. Vv = 0.Is en la sección de pendiente venical de las caractensticas y .7) L -_ _ _ I_o_. Es decir. Se ha encontrado la resistencia dinámica en forma gráfica. tomando la derivada de la ecuación (104) con respecto a la polarización aplicada. 1 para Ge y Si en la sección de crecimiento vertical de las características. se obtiene k= y a temperatura ambiente II . consiste.93 y = 38. En general. ID >. Por tanto. según se definió en la figura 1.1)] =-(lv+ / . la ecuación (l. Vv =0.79 V 25 roA = 31.931v Invirtiendo el resultado para definir una proporción de resistencia (R =VIl). se tendrá una ecuación para la resistencia dinámica o ac en esa región.38. se tendrá d dVv y (lo) dIo dVo = dV k d [IsCekVDITK . 1.600 TI = II . encontrar la derivada de la función en el punto Q de operación.79 V Y Rv = Vv Iv = 0. en esencia.6OO 298 .6).

Este implica que la resistencia dinámica se puede encontrar mediante la sustitución del valor de la corriente en el punto de operación del diodo en la ecuación. es nulo desde OV hasta la región Zener. y en el mejor de los casos los resultados deben manejarse con cuidado.. No hay necesidad de tener las caractensticas disponibles o de preocuparse per trazar líneas tangenciales como se defmió en la ecuación (1.5 Q. Resistencia en ac promedio Si la señal de entrada es lo suficientemente grande para producir una gran excursión tal como lo indica la figura 1. Sin embargo. El análisis anterior se centró sólo en la región de polarización directa. y la resistencia que presentan la conexión entre el material del semiconductor y el co~ductor metálico exterior (llamada resistencia del contacto).la resistencia incluye la resistencia dinámica definida por la ecuación 1.7) se obtiene 26mV D 26mV rd = .7 y la resistencia r B que recién se presentó. Para los valores pequeños de ID por abajo del punto de inflexión de la curva.8) D El factor r B puede tener un rango típico desde 0. = r. pero debido a que con frecuencia habrá otros elementos de resistencia de mucho mayor magnitud en serie con el diodo.= 25mA = 1.30.6).2 la resistencia ac en 25 mA se calculó como 2 O.5 Q se debe tomar como una contribución debida a r B' En realidad. Para el ejemplo 1. Todos los niveles de resistencia que se han detenninado hasta ahora han sido definidos para la unión p-n y no incluyen la resistencia del material semiconductor en sí (llamada resistencia del cuerpo).1 O para los dispositivos de alta potencia a 2 O para algunos diodos de baja potencia y propósitos generales. a la resistencia asociada con el dispositivo para esta región se le llama resistencia en ac promedio.= 2(130) = 260 2mA La diferencia de 1. el nivel de rB puede acercarse al de rd .El significado de la ecuación (1.la ecuación (1.04D La diferencia de aproximadamente 1 n se debe tomar como una contribución de r B' Para el ejemplo 1.7).6) es suficientemente alta como para permitir la aproximación del circuito abierto. Para valores menores de ID' 1] 2 (silicio) y el valor obtenido de rd se debe multiplicar por un factor de 2. es importante considerar que la ecuación (l. y en algún momento se convertirá en un factor que con seguridad no se tomará en cuenta al compararse con rd . Utilizando la ecuación (l. y que la resistencia ac resultante al utilizar la ecuación (1. Estos niveles de resistencia adicionales pueden incluirse en la ecuación (1.2 la resistencia ac en 2 mA se calculó como de 27. rd = 2( ---r 26m'V\ ID (26mj 2 .7) debe comprenderse con claridad. Las mejoras tecnológicas de los años recientes sugieren que el nivel de rB continuará disminuyendo en magnitud. En los niveles bajos de corriente del diodo. Por tanto.7) al añadir la resistencia denotada por rB como aparece en la ecuación (1.7) resulta inadecuada. r' d 26mV =: . En los niveles altos de corriente. Utilizando la ecuación (1. por definición.. el factor rB es lo suficientemente bajo comparado con rd como para pennitir que se omita su impacto sobre la resistencia ac del diodo. pero multiplicando por un factor de 2 para esta región (en el punto de inflexión de la curva 1] = 2). la resistencia deter- 22 Capítulo 1 Diodos semiconductores .la determinación de rd con un alto grado de exactitud de una curva caractenstica utilizando la ecuación (1.- 1 + rB ohms (1. En la región de polarización inversa se supondrá que el cambio en la corriente a lo largo de la línea 1. a lo largo del libro se supone que la resistencia ac se encuentra determinada sólo per r d y que el impacto de rB se ignorará a menos que se observe lo contrario.7) es exacta sólo para valores de ID en la sección de crecimiento vertical de la curva.6) es un proceso difícil.8).1 . La resistencia ac promedio es.

Id = 17 mA .7 Niveles de resistencia 23 . 1. la resistencia ac haría la transición desde un valor alto en 2 mA al valor bajo en 17 mA. L\.6 Figura 1.8 0. el contenido de esta sección es el fundamento para gran cantidad de cálculos de resistencia que se efectuarán en secciones y capítulos posteriores. En forma de ecuación (obsérvese la figura 1.0. su valor no sería mayor a 5 a.2 se desarrolló con objeto de reforzar las importantes conclusiones de las últimas páginas y de hacer énfasis en las diferencias entre los diversos niveles de resistencia..ID (mA) 20 15 tJ d 10 5 o 0.9) Para la situación indicada por la figura 1.9 minada por una línea recta dibujada entre dos intersecciones establecidas por unos valores máximos y mínimos del voltaje de entrada. Tabla resumen La tabla 1. 0.30 Determinación de la resistencia en ac promedio entre los límites indicados.30). 0.V.1 0.Vd 0. La ecuación (1. Como se indicó antes. Vd r av:::: ó.5 0. En medio.30. El hecho de que pueda utilizarse un nivel de resistencia para tan amplio rango de las características probará ser bastante útil en la definición de circuitos equivalentes para un diodo en una sección posterior. sería menor.7 " . y si fuera determinada a 17 mA.=--=----=5Q Md 15 mA Si la resistencia ac (rd ) estuviera determinada por ID = 2 mA.Vd =0.ld 1 punto por punto (1.075 V con L\..2 0.9) definió un valor que se considera el promedio de los valores ac de 2 a 17 mA.725 V .65 v = 0.2 mA = 15 mA y L\.3 DA 0. L\.075 V r.

: .8 CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS Un circuito equivalente es una combinación de elementos que se eligen en/arma adecuado.2 Niveles de resistencia Características Tipo Ecuación especiales Determinación gráfica DC o estática Definida como un punto en las características AC o dinámica b. que ofrecerá una excelente primera aproximación al comportamiento real del dispositivo. a continuación del dispositivo real. El diodo ideal se incluye con el fin de establecer que existe una única dirección de conducción a 24 Capítulo 1 Diodos semiconductores ./d punto a punto Definida por una línea recta entre los límites de operación 1. una vez que se define el circuito equivalente. al circuito equivalente que resulta se le llama circuito equivalente de segmentos lineales. El resultado es a menudo una red que puede resolverse mediante el empleo de técnicas tradicionales de análisis de circuitos. como se muestra en la figura 1. sistema o similar en una región de operación en particular. lo mejor posible. A partir de la figura 1. Como es natural.6. define el nivel de resistencia cuando se encuentra en el estado "encendido". las características terminales reales de un dispositivo.7 es la resistencia que aparece en el circuito equivalente de la figura 1. Para la sección con pendiente del equivalente. los segmentos resultantes son lo suficientemente cercanos a la curva real como para establecer un circuito equivalente. En otras palabras.Vd 26mV rd = .id ID Definida por una línea tangencial en el punto Q 26mV/IDQ ac promedio . sobre todo en la región de inflexión de la curva de respuesta.31. e insertar el circuito equivalente en su lugar sin afectar de forma severa el comportamiento real del sistema. el símbolo del dispositivo puede eliminarse de un esquema.31 debe resultar obvio que los segmentos lineales no resultan ser una duplicación exacta de las características reales.TABLA 1. Circuito equivalente de segmentos lineales Una técnica para obtener un circuito equivalente para un diodo consiste en aproximar las características del dispositivo mediante segmentos lineales. En esencia. Sin embargo. el nivel de resistencia ac promedio que se presentó en la sección 1.32.. para representar.!!.

no se obtendrá una lectura de 0.8 Circuitos equi-valentes para diodos 25 .7 V antes que haya conducción y = = 0.8 V . si IF 10 mA (una comente de conducción directa en el diodo) a VD 0. través del dispositivo.32 Componentes del circuito equivalente de segmentos lineales. tenga en cuenta que V T en el circuito equivalente no es una fuente de voltaje independiente. para un diodo semiconductor de silicio. el nivel aproximado de ray puede determinarse a partir de un punto de operación en la hoja de especificaciones (la cual se analizará en la sección 1. Sin embargo. + o FIgura 1.DmA según se obtuvo para la figura 1.7 V. debe aparecer una batería Vr que se opone a la conducción en el circuito equivalente según se muestra en la figura 1. La batería sólo especifica que el voltaje a través del dispositivo debe ser mayor que el umbral del voltaje de la batería antes que pueda establecerse la conducción a través del dispositivo en la dirección que dicta el diodo ideal.32.7 V con una polarización directa (según se muestra en la figura 1. la resistencia del diodo será el valor especificado de '".7\1 O.30. 1. Por lo regular.8 V. Por ejemplo. la resistencia rav es lo suficientemente pequeña como para omitirse en comparación con otros elementos en la red. La batería sólo representa el defasamiento horizontal de las características que deben excederse para establecer la conducción.0.31 Definición del circuito equivalente de segmentos lineales mediante el empleo de segmentos de linea recta para aproximar la curva característica. y se generará una condición de polarización inversa en el estado de circuito abierto para el dispositivo. Cuando se establezca la conducción. Debido a que un diodo semiconductor de silicio no alcanza el estado de conducción hasta que VD alcanza 0.ID (mA) lü () 0.1 V = lOmA =lOQ Circuito equivalente simplificado Para la mayor parte de las aplicaciones.9). La eliminación de rav del circuito .7V lOmA . Si se coloca un voltímetro a través de un diodo aislado encima de una mesa de laboratorio. 0.31). se sabe que para el silicio se requiere un cambio de 0.sV (Vj) VD (V) F1gura 1.

en el estado de conducción a cualquier nivel de corriente del diodo (desde luego. pero es muy cierto que el modelo equivalente simplificado se utilizará con mucha frecuencia en el análisis de sistemas electrónicos. omitirse.. una sustitución popular para la frase "circuito equivalente de diodo" es modelo de diodo. y así sucesivamente. Éste establece que un diodo de silicio con polarización directa en un sistema electrónico bajo condiciones de de tiene una caída de 0. En la industria.. r~.34 con sus características.. Cada uno se investigará con mayor detalle en el capítulo 2. con todas sus características en segmentos lineales. mientras que el diodo ideal es aplicado con mayor regularidad en el análisis de los sistemas de fuente de alimentación donde se localizan los mayores voltajes.. los modelos de diodos que se utilizan para el rango de parámetros y aplicaciones de circuito se presentan en la tabla 1. En este caso.7-V puede.33 Circuito equivalente simplificado para el diodo semiconductor de silicio. Tabla resumen Por claridad. De hecho. Circuito equivalente ideal Ahora que rav se eliminó del circuito equivalente se tomará un paso más. en comparación con el nivel de voltaje aplicado. 26 Capítulo 1 Diodos semiconductores . esta terminología de sustitución se empleará casi de manera exclusiva en los capítulos subsecuentes.34 Diodo ideal y sus características. tal como lo muestra la figura 1. tal como se muestra en la figura 1. por definición..3. el circuito equivalente se reducirá al de un diodo ideal. esta aproximación se emplea con frecuencia en el análisis de circuitos semiconductores según se demuestra en el capítulo 2. Desde luego. Siempre existen excepciones a la regla general. El circuito equivalente reducido aparece en la misma figura. es la representación de un dispositivo.. dentro de los valores nominales). a menudo.33.7 V a través de él. figura 1.=OQ Figura 1. y se establece que un nivel de 0. En el capítulo 2 se verá que esta aproximación suele hacerse sin perjuicio considerable en cuanto a exactitud. objeto y sistema existente. un modelo que. equivalente es la misma que aparece en las características del diodo.

1. El rango de temperatura de operación Dependiendo del tipo de diodo que se considere. los niveles de resistencia térmica y los valores pico repetitivos. como el rango de frecuencia. El valor de voltaje inverso [PIVo PRV o V(BR). a veces de una página. es un extenso examen de las características con sus gráficas. Es común que consistan sólo de una breve descripción limitada. Para la aplicación considerada. el tiempo de conmutación. La corriente de saturación inversa IR (a una corriente y temperatura especificadas) 4. trabajo artístico. Modelo simplificado o v. el significado de los datos. donde BR proviene del término "ruptura" (por la inicial en inglés de: breakdown) (a una temperatura especificada)] 5. etc.TABLA 1. existen piezas específicas de datos que deben incluirse para una correcta utilización del dispositivo. De otra forma. Éstos incluyen: l. El voltaje directo VF (a una corriente y temperatura especificadas) 2. en cualquier caso.10) donde ID Y VD son la corriente y el voltaje del diodo en un punto de operación en particular. Si se proporciona la máxima potencia o el valor nominal de disipación. Los niveles de capacitancia (según se definirá en la sección 1.9 HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS Los datos acerca de los dispositivos semiconductores específicos suele presentarlos el fabricante de dos maneras. también se presentan datos adicionales. en general.3 Circuitos equivalentes para diodos (modelos) Tipo Condiciones Modelo Características Modelo de segmentos lineales o v.10) 7. el nivel de ruido. El nivel máximo de disipación de potencia a una temperatura en particular 6. se entiende que éste es igual al producto siguiente: (1. El tiempo de recuperación inverso t" (como se definirá en la sección 1. Sin embargo. será claro por sí mismo. Dispositi vo ideal Rred »r~v Ered »VT o 1.11) 8. tablas. La corriente directa máxima IF (a una temperatura especificada) 3.9 Hojas de especificaciones de diodo" 27 .

81 MÍN MÁX UNIDADES V V V V V V V nA nA ~A CONDICIONES DE PRUEBA IF 200 mA IF 100 mA IF SOmA IF=lOmA If =5.68 500 5.) 28 Capitulo 1 Diodos semiconductores . Figura 1.35 Características eléctricas de los diodos de alto voltaje y baja fuga Fairchild BAY73 .51 1.I .60 = = = F G IR Corriente inversa 0.. .67 0.78 0.0 1.V R 35V RL 1. se puede sustituir VD = VT = 0.0 200 6.10).7 V para un diodo de silicio en la ecuación (1. Pdi'ip'd' - (0.12S"C VR = lOOV VR = lOOV.Si se aplica el modelo simplificado para una aplicación en particular (un caso frecuente). La fábrica debe ser consultada sobre aplIcaciones que involucran pulsos u operación con ciclo ele trabajo bajo.00 0.85 0. 2 Estos son límit~~ de estado estables..TA 100°C 0.IOmA.60 0.69 0.Temperatura máxima de operación de la unión Temperatura de la .7 V)/D (Ul) DIFUSIÓN PLANAR DE SILICIO A--<f---' BV '" 125 V (MIN)@loo!lA(BAY73) 'BV .1 mA V R -20V.0mA IF = 0.80 0.1 mA IF = 0.f = = 1. Cone~iones d~ l.88 0.T A .94 CARACTERÍSTICA Voltaje dir~cto MÍN 0.0 = 10 nA ~A 5. y determinar la disipación de potencia resultante para compararla contra el valor de máxima potencia. BA 129.IAN256 = NOTAS: t Estos son valores límites sobre 10$ cuales el funcionamiento del diodo puede ser dañado.0 a lOOkO CL lOpF.14 gramo.0 V pF ~.0MHz IF .T A 125°C VR = 180V VR = 180V.0 3.71 0.75 0..78 0.83 0.0 Bv H Voltaje de ruptura Capacitancia Tiempo de: recuperación i versa- = 125 8..33 mW¡OC Voltaje y corriente máximas WIV Voltaje inverso de trabajo Corriente rectificada promedio BAY73 BA129 100 V 180V 200mA 0-1----- Corriente directa continua Pico de corriente directa repetitivo Pico de corriente de onda directa Ancho de pulso = 1 s Ancho de pulso = 1 J1s 500mA 600mA NOTAS acero cubierto de cobre ConexIones doradas dIsponibles Encapsulado de vIdrio ~ellado henn¿hCameme Peso del paquete de 0.00 0. IR - lOO~A e t rr vR = O.:anexión -65°C a +200 oC +17SoC +260°C Disipación de potenda (Nota 2) c-l---- Disipación máxima de potencia total a 25 OC de ambiente Factor de pérdida de disipación de potencia lineal (desde 25 OC) SOOmW 3.. Es decir.69 0.OA 4.0A CARACTERÍSTICAS EUtCTRICAS (25 SÍMBOLO E VF Oc temperatura ambiente a menos que se observe lo contrario) BAY73 BA 129 MÁX 1. 200 V (MIN) @ 100 !lA (BA 129) VALORES NOMINALES MÁXIMOS ABSOLUTOS (Nota 1) Temperaturas Rango de temperao1ra de almacenamiento ENCAPSULADO 00·35 B .60 0. (Cortesía de Fairchild Camera and Instrument Corporation.

I I -. o 1.35 y 1.36.0 1.5 í .0 1 0. 1~<. ~ " O 40 30 2-D 1.0 1.-. E toO . = 100 -< . I . I I i I ! om : O 25 50 7S 100 125 0. I .\1 ~ 5 '" f--+-I--+C". I \. I 0. '" ..0 10 100 IK JQK V R . (Cortesía de Fairchild Camera and lnstrument Corporation. I I .6 0.02 • í I I 1. .Temperatura ambiente . I E 300 200 100 ¿~~' .Temperatura ambiente _ oC Figura 1.0 o o I i i 8. 11 I I I .4 VF - .. -::.0 I U E e 5 o. I i v § E 0.S ~ o :7 I ' . .05 I 1 I I i 10 I~~ ~+.0 r. a 25 VOLTAJE DIRECTO CO:-iTRA CORRIENTE DIRECTA 1000 CURVAS CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS TÍPICAS Oc temperatura ambiente a menos que se observe lo contr. . I i I r\T . mismo que se describirá en el capitulo 2..5 1.0 .5 3.1 O TA - 25 50 75 100 125 ISO o 1. .~ ~ 10 .0 (MPEDANCIA DINÁMICA CONTRA CORRIE~TE DIRECTA 100 I T" = 2~oC I . =I . ¡"'-.lrio CORRIENTE DIRECTA CONTRA COEFICIENTE DE TEMPERATURA 500 I CAPACITANCIA CONTRA VOLTAJE INVERSO 6.0 ~ '§ (. \. El término rectificador se aplica a un diodo cuando se emplea con frecuencia en un proceso de rectificación. 1 001 0.~- '2.) 1.\-'oh!'> Te . Tip~W .5 2. 0.0 16 Voltaje directo .¡. II I I I I folkH.0 I i I I .Coeficiente de temperatura _ mVolC CORRIENTE INVERSA CONTRA COEFICIENTE DE TEMPERATURA VR .0 .volt~ VOLTAJE INVERSO CONTRA CORRIENTE INVERSA 1." .oC O OL-~ O 25 50 75 100 125 ISO 175 200 TA . .Q CURVA DE PÉRDIDA DE DISIPACiÓN DE POTENCIA 500 400 300 200 CORRIENTE RECTIFICADA PROMEDIO Y CORRIENTE DIRECTA CONTRA TEMPERATURA AMBIENTE 500 1'\ '\ i f'\: i ! I I I 400 i I . vl I 5K IK ~ v. I .Voltaje inverso . BA 129. -X e u g \' T '--'. 0.dc . 2 "'1. I .'~.2 \" 2.¡. ! 50 " .0 O. .volts Temperatura ambiente _ oC RD -Impedancia dinámica . Este ejemplo representaría la lista extensa de datos y características.=?I. I i .9 Hojas de especificaciones de diodos 29 .36 Características térmicas de los diodos de alto voltaje Fairchild BAY73 .0 o 4. I ! lO I 2 . 125 V I . -:'i = ~ 0.:' __-L·~~~~~ O 25 50 75 100 125150 175 200 TA . I I I .2 . .. -' 0.8 1. i .I I .Una copia exacta de los datos proporcionados por Fairchild Camera and Instrument Corporatíon para sus diodos de alto voltaje y baja fuga BAY73 y BA 129 aparece en las figuras 1. I '.p 0.0 12 0. J . ! .". I l I 100 i I 1'\ T .2 0. 1 i i I I I lOO 1. . . ~-' ' + 1.Voltaje inverso .1 0. I ~".

Este valor nominal define el valor máximo y el intervalo de tiempo para tales sobrecargas del nivel de corriente. el mal funcionamiento y otros factores similares. la corriente directa pico repetitiva y la corriente de sobrecarga pico. Éste es el valor máximO instantáneo de la corriente directa repetitiva.36). Nivel de disipación de potencia máximaPo= Volo = 500 mW. En este caso..Las áreas específicas de las hojas de datos se resaltaron en gris con una letra de identificación correspondiente a la descripción siguiente: A: B: Los voltajes mínimos de polarización inversa (PIV) para cada diodo a una corriente de saturación inversa especificada. Observe.A. En V R " 20 Vy una temperatura de operación típica IR" 500 nA= 0. Observe que debido a que se encuentra en este nivel durante un breve periodo.A a más de lOO mA. . Observe que excede VT = bos dispositivos. 30 capítulo l Diodos semiconductores . El tiempo de recuperación inverso es 3 Ils para la lista de condiciones de operación.0 mA. la manera en que VF se incrementó desde cerca de 0. mientras I F aumentó de lO ¡. El rango de valores de VFen I F = 1. COmo aparecen en la hoja de especificaciones. Una breve investigación de la sección 11.¡. C: D: E: F: G: H: 1: En algunas de las curvas de la figura 1.5 V a más de 1 V. 0. Características de temperatura según se indican.cendido.36 se utiliza una escala logarítmica.36. Sin embargo.8) tiene un valor promedio definido por 1" = 0.O) y 212°F = 100 oC = ebullición (HzÜ)]. El valor de potencia máxima disminuye a una proporción de 3. La corriente rectificada promedio.33 mW por grado de incremento en la temperatura arriba de la temperatura ambiente (25 oC). existirán corrientes muy altas a través del dispositivo durante breves intervalos de tiempo (que no Son repetitivos).2 debe ayudar a la lectura de las gráficas. como se aprecia en la figura adjunta. y en la figura inferior se puede ver que la resistencia ac (rd ) es sólo cercana al Q en lOO mA y aumenta a lOO Q en corrientes menores de 1 mA (según se esperaba a partir del análisis en secciones anteriores).005 ¡. 2. pero permanece en menos de 1 nA a temperatura ambiente hasta VR = 125 V. en la figura superior izquierda.7 V para amEl rango de valores de VF en IF =200 mA. Una señal rectificada de media onda (descrita en la sección 2. El nivel de capacitancia entre las terminales es aproximadamente de 8 pF para el diodo BAY73 en VR = VD = O V (sin polarización) y con una frecuencia aplicada de 1 MHz.¡. Eu ocasiones. mientras que a un voltaje inverso mayor IR cae a S nA = 0.7 V. Corriente directa pico repetitivo. Corriente rectificada promedio. observe cómo los límites superiores se encuentran alrededor de 0. según se indica con claridad en la curva de pérdida de disipación de potencia en la figura 1. porque una forma de onda de corriente de media onda tendrá valores instantáneos mucho más altos que el valor promedio. duraute el en.318 Ip"o' El valor de la corriente promedio es menor que las comentes directas continuas o pico repetitivo. Corriente directa continua máxima I F = 500 mA (observe I F en función de la m" temperatura en la figura 1. Observe el empleo de la escala Celsius y un amplio rango de utilización [recuerde que 32°F = O oC = congelamiento (H. su nivel puede ser superior al nivel continuo. Corriente de sobrecarga pico. se definen de la manera siguiente: 1. En la figura inferior se encuentra que la corriente de saturación inversa cambia un poco con los cambios crecientes de VR.5 ¡LA. En la figura superior derecha se observa cómo disminuye la capacitancia con el incremento en el voltaje de polarización inversa. la comente de saturación inversa se incrementa con rapidez con el aumento en la temperatura (tal como se pronosticó antes).

la capacitancia de transición que resulta disminuirá. los niveles crecientes de corriente resultan en niveJes reducidos de resistencia asociada (lo cual se demostrará más adelante).37 Capacitancia de transición y de difusión en función de la polarización aplicada para un diodo de silicio. esto no se puede ignorar a frecuencias muy altas. donde E es la pertnitividad del dieléctrico (aislante) entre las placas de área A separada por una distancia d. como lo muestra la figura 1. tiene aplicación en numerosos sistemas electrónicos. misma que es muy importante en las aplicaciones de alta velocidad. en el capítulo 20 se presentará un diodo cuya operación depende totalmente de este fenómeno. éste es mucho menor que un efecto de capacitancia directamente dependiente de la velocidad a la que la carga es inyectada hacia las regiones justo afuera de la región de agotamiento. éstas se volverán más "amistosas" . debido a que su reactancia Xc = \l2rtfe es muy grande (equivalente a circuito abierto).10 CAPACITANCIA DE TRANSICIÓN Y DIFUSIÓN Los dispositivos electrónicos son inherentemente sensibles a las frecuencias muy altas.. En la región de polarización inversa se tiene la capacitancia de la región de transición o de agotamiento (e T). pero una sobrepasa a la otra de tal manera que en cada región sólo se consideran los efectos de una sola capacitancia. Casi todos los efectos relativos a la capacitancia pueden omitirse a bajas frecuencias. I 10 Polarización inversa (C r ) 7 5 7 POlarización.Mientras más se está en contacto con las hojas de especificaciones. En la región de polarización inversa existe una región de agotamiento (libre de portadores) que.25 0.directa (CD ) - (V) • -25 -20 -15 -lO o 0. C(pF) 15 . En el diodo semiconductor p-n existen dos efectos de capacitancia que deben considerarse. Sin embargo.10 Capacitancia de transición y difusión 31 .5 Figura 1. De hecho. Aunque el efecto descrito también se encontrará presente en la región de polarización directa. Debido a que el ancho de esta región (el) se incrementará mediante el aumento del potencial de polarización inversa. en esencia. en particular cuando el impacto de cada parámetro se comprende con mayor claridad para la aplicación que se esté investigando. Recuerde que la ecuación básica para la capacitancia de un capacitar de placa'S paralelas está definida por e = EA/d. El resultado es que niveles crecientes de corriente resultarán en niveles crecientes de la capacitancia de difusión. 1. El hecho de que la capacitancia es dependiente del potencial de polarización inverso aplicado. Sin embargo. X" será lo suficientemente pequeño debido al alto valor def para presentar una trayectoria de "corto" de baja reactancia.37. Ambos tipos de capacitancia se encuentran presentes en las regiones de polarización directa y polarización inversa. y la constante de tiempo resultante (r = RC¡. se comporta como un aislante entre las capas de carga opuesta. porque no se hace excesiva. 1. mientras que en la región de polarización directa se tiene la capacitancia de difusión (e J o de almacenamiento.

En algún momento.39 Definición del tiempo de recuperación inverso.. Para la mayor parte de los diodos cualquier marca. . Los electrones en el tipo p y los huecos que se difunden hacia el material tipo n establecen un gran número de portadores minoritarios en cada material. como un punto o banda. lo cual es un requisito para la conducción. En el estado de polarización directa. por lo general.. la corriente se reducirá en nivel hasta llegar a aquel asociado con el estado de no conducción. del estado de conducción al de nO conducción.40. En esencia~ el diodo pennanecerá en el estado de circuito cerrado con una corriente linversa determinada por los parámetros de la red. Algunos detalles de la construcción real de dispositivos. y se denota mediante t rr . En la figura 1.41. figura 1. según lo muestra la figura 1. Una de estas cantidades que todavía no se ha considerado es el tiempo de recuperación inverso. una vez que ha pasado esta fase de almacenamiento.'~ 1 FIgura 1.41 aparecen varios diodos semiconductores disponibles en el mercado.. Casi todos los diodos de conmutación disponibles en el mercado tienen un t rr en el rango de unos cuantos nanosegundos hasta 1 J.40.12 ). se explican en los capítulos 12 y 20. y un gran número de huecos en el tipo n. Si el voltaje aplicado se invierte para establecer una nueva situación de polarización inversa..38. aparece en el extremo del cátodo.12 NOTACIÓN DE DIODOS SEMICONDUCTORES La notación que más se suele utilizar para los diodos semiconductores se presenta en la figura 1. por lo regular. Este segundo periodo se denota mediante t. 1.- . 32 Capítulo 1 Diodos semiconductores . presentan los fabricantes en las hojas de especificaciones de diodos.Los efectos de la capacitancia que se describieron antes se encuentran representados por un capacitor en paralelo con el diodo ideal. El ánodo se refiere a un potencial mayor O positivo y el cátodo se refIere a una terminal a un potencial más bajo o negativo. El tiempo de recuperación inversa es la suma de estos dos intervalos: t rr := t s + t{ • Naturalmente.¡ Cambio de estado (encendido·apagado) requerido en t = ti' / ' Respuesta deseada [in\lersa '-_-'-! .39. idealmente se desearía ver que el diodo cambia de fonna instantánea. (tiempo de almacenamiento) que requieren los portadores minoritarios para retornar a su estado de portadores mayoritarios dentro del material opuesto... 1. según se muestra en la figura 1.1. como los que aparecen en la figura 1. Sin embargo. hay unidades disponibles con un t rr de sólo unos cuantos cientos de picosegundos (10. Sin embargo. La terminología ánodo y cátodo es una herencia de la notación de bulbos. -'='"""+--i/ [dircc¡.11 TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSO Existen ciertas partes de datos que. la corriente del diodo se invertirá como se muestra en la figura 1. Esta combinación de niveles de polarización dará por resultado una condición de polarización directa o "encendido" para el diodo. Y permanecerá en este nivel susceptible de ser medido durante un tiempo t. Sin embargo. (intervalo de transición).. para las aplicaciones de baja O mediana frecuencia (excepto en el área de potencia). . debido a que un gran número de portadores minoritarios se localizan en cada material. " . el capacitor no está incluido en el símbolo del diodo. se mostró antes que existe un gran número de electrones del material tipo n que pasan a través del material tipo p.38 Se incluye el efecto de la capacitancia de transición o de difusión en el diodo semiconductor. 1-.s.. es una consideración importante en las aplicaciones de conmutación de alta velocidad.-t.

en general.43b. (.43a revela un diodo abierto (defectuoso). el diodo debe estar en encendido".13 Prueba de diodos 33 .) (b) (e) FlgUra 1.42 se ilustra un multímetro digital con capacidad de verificación de diodos. TCárod~ Figura 1. K. Si las conexiones se encuentran invertidas. [a) Cortesía de Motorola lnc.13 PRUEBA DE DIODOS La condición de un diodo semiconductor se puede detenninar con rapidez utilizando: 1) un multímetro digital (DDM. una indicación OL en ambas direcciones es indicativa de un diodo abierto o defectuoso. y la pantalla indicará el voltaje de polarización directa tal como 0. por las iniciales en inglés de: digital display meter) con una función de verificación de diodos.67 V (para Si).43a. Una indicación OL al conectar como en la figura 1. como se muestra en la figura 1. 2) la sección de medición de ohms de un multímetro.. El medidor tiene una fuente interna de corriente constante (cercana a 2 mA) que definirá el nivel de volta- je. y b) y e) Cortesía de International Rectifier Corporation.41 Varios tipos de diodos de unión. etc.40 Notación de los diodos semiconductores. Función de verificación de diodos En la figura 1.] 1. Observe el pequeño símbolo de diodo en la parte inferior del selector. Cuando se coloca en esta posición y se conecta coma se muestra en la figura 1.cb Ánooo O'. 1. o 3) un trazador de curvas. Por tanto. debe resultar una indicación OL debido a la equivalencia de circuito abierto que se espera para el diodo.

Al conectar el diodo en forma adecuada al tablero de pruebas en la parte central e inferior de la unidad y ajustando los controles..- R relativamente alta Terminal negra (COM) 1 lTerminal roja (Víl) En la sección 1.--+. mientras que una lectura muy baja de la resistencia en ambas direcciones quizá indique un dispositivo en corto.. El trazador de curvas de la figura 1. Por tanto.67 V (b) Figura 1.. Prueba con un óhmetro (Óhmetro) R relativamente baja Terminal roja (VQ) 1 1 (a) Terminal negra (COM) +-----'.44b. Mientras más alta sea la corriente.44 Verificación de un diodo mediante un óhmetro.43 Verificación de un diodo en el estado de polarización directa. Trazador de curvas (b) Figura 1. de una mayor escala de resistencia en el medidor.7 se encontró que la resistencia en polarización directa para un diodo semiconductor es bastante baja comparada con el nivel de polarización inversa. ~. se puede esperar un nivel relativamente bajo.Figura 1. La indicación resultante en el óhmetro será una función de la corriente establecida por la batería interna a través del diodo (a menudo 1.t----I A o (a) 0.) {D (mA) Terminal roja (Víl) I t I t Terminal negra (COM) ---I~M--- . incluyendo el diodo semiconductor. (Cortesía de Computronics Technology. requiriendo..45 puede desplegar las características de una gran cantidad de dispositivos.5 V) por el circuito del óhmetro. menor será el nivel de resistencia. Para la situación de polarización inversa la lectura debe ser bastante alta.42 Multímetro digital con capacidad de verificación de diodos. Inc. según se indica en la figura 1. -'--I . si se mide la resistencia de un diodo utilizando las conexiones que se señalan en la figura 1. se puede 34 Capítulo l Diodos semiconductores .44a. tal vez. Una lectura alta en la resistencia en ambas direcciones indica con claridad una condición abierta (dispositivo defectuoso).

El mismo instrumento aparecerá en más de una ocasión en los capítulos subsecuentes. o 1. (Cortesía de Tektronix.14 Diodos Zener Figura 1.0V . por diVj. El hecho de que la curva caiga abajo y lejos del eje horizontal. obtener una imagen en la pantalla como la de la figura 1.6.625 y.. revela que la corriente en la región Zener tiene una dirección opuesta a aquella de un diodo con polarización directa.9V lmA DmA r> o g". en vez de arriba y lejos para la región positiva VD.) Por divi~ión lOmA VenIC. lne.6V 0.2\1 03V 0.sión de la región Zener.figura 1.14 DIODOS ZENER La región Zener de la figura 1.¡\ I 9mA SmA mA Pordjvi~ión 7mA &mA horilOntal 100 m' 'mA 'mA 3mA 2mA U V ov O. el instrumento parece ser muy complejo. en principio. la escala es de 100 m V/div.- Figura 1. el manual de instrucciones y algunos momentos de contacto revelarán que los resultados deseados por lo general se pueden obtener sin mucho esfuerzo y tiempo. Observe que la escala vertical es de I mA/div. 35 . 1. Para un nivel de 2-mA. Para el eje horizontal. como se definió para un DDM.IV 0.ión 1.46 Respuesta del trazador de curvas para el diodo de silicio IN4007.47 Revi.el voltaje resultante sería de 625 mV = 0.4\1 O.46. La característica cae de manera casi vertical en un potencial de polarización inversa denotado como Vz.45 Trazador de curvas.SV 0..SV 0. lo que da por resultado los niveles indicados. a medida que se investigan las características de diversos dispositivos. Aunque.47 se analizó con cierto nivel de detalle en la sección 1. lo que da por resultado los niveles de voltaje que se indican.7\1 O.

con rangos de potencia desde 1hasta 50 W.r= 12. a su vez.. para todas las aplicaciones siguientes se deberá suponer como primera aproximación que las resistencias son de magnitudes mucho mayores que la resistencia Zener equivalente. Para el diodo Zener la dirección de la conducción es opuesta a la de la flecha sobre el símbolo. Sin embargo. que la polarización de VD y de Vz son iguales. 1 T (b\ Figura 1. soportará una corrienle en la dirección de la flecha en el símbolo.25 mA = I ZK "'.r 1 d l¡.50 Características de prueba de Zener (FairchUd lN96l). TABLA 1.49b.5 mA =8. Tipo Jedec IN961 Vz dinámica Impedancia maxima de punto de inflexión Corriente Corriente Voltaje de prueba inversa máxima reguladora máxima IZM Coeficiente máxima ZZT O IZT ZZJ( o IZK en) 700 IR o VR (¡¡A) lO (V) lO emA) 12. por lo general en la manufactura de los diodos Zener se prefiere silicio.10 . Esta región de características únicas se utiliza en el diseño de los diodos Zener.5 emA) 0.50 se muestra un dibujo más grande de la región Zener con objeto de'pennitir una descripción de los datos con el nombre Zener que aparecen en la tabla lA para un diodo Fairchild IN961 de 500-mW y 20%. La localización de la región Zener puede controlarse mediante la variación de los niveles de dopado. Observe.4 Caractelisticas elécmcas (25°C de temperatura ambiente. + VD ~ID fa) lb) Figura 1.Q=Zn lz. disminuirá el potencial Zener. Los diodos Zener se encuentran disponibles con potenciales Zener desde 1.~--ffi-o + v¿ ~ 1. de acuerdo con el comentario en la introducción de esta sección.5 en) 8. se puede esperar que el 'z v" /' ( v. . en el estado "encendido". como se muestra en la figura 1. Debido a que se trata de un diodo de 20%. incluye una pequeña resistencia dinámica y una bateria igual al potencial Zener. El término "nominal" asociado con Vz indica que se trata de un valor típico promedio. f .48a. como si se hubieran obtenido en caso de que cada uno hubiera sido un elemento resistivo.uA 1" Vz 0.48 Dirección de la conducción: a) diodo Zener: b) diodo semiconductor.49 Circuito equivalente de Zener: a) completo: b) aproximado. En la figura 1. a menos que se observe lo contrario) Voltaje Impedancia Corriente de prueba."'f (a) r v-L - v. El circuito equivalente completo del diodo Zener en la región Zener. Un incremento en el dopado.49.5. y que el circuito equivalente es el que se indica en la figura 1. los cuales tienen el símbolo gráfico que aparece en la figura 1.2 emA) 32 de temperatura típico e%rc) +0. que produzca un aumento en el número de impurezas agregadas.48 con objeto de asegurar que la dirección de la conducción se comprenda con todo detalle junto con la polarización requerida del voltaje aplicado. Debido a su capacidad para soportar mayor temperatura y comente. IZT Zener nominal.8 hasta 200 V.25 VR (V) 7.w= 32 mA Figura 1. El diodo semiconductor. Tanto el diodo semiconductor como el diodo Zener se presentan uno alIado de otro en la figura 1.072 36 Capítulo 1 Diodos semiconductores .

potencial Zener varíe cerca de 10 V ± 20% o entre 8 y 12 V en su rango de aplicación. También se encuentran disponibles diodos de 10% y 5% con las mismas especificaciones. La corriente de prueba 1ZT es la definida por el nivel ~ de potencia y ZZT es la impedancia dinámica en este nivel de corriente. La máxima impedancia del punto de inflexión ocurre en la corriente del punto de inflexión de JZK' La corriente de saturación inversa se alcanza en un nivel particular de potencia. e 1l.'VI representa la corriente máxima para la unidad de 20%. El coeficiente de temperatura refleja el cambio porcentual en Vz con respecto a la temperatunl. Ésta se define por la ecuación .

%/OC

(1.12)

donde ~ Vz es el cambio que resulta en el potencia! Zener debido a la variación de la temperatura. Observe en la figura 1.51 que el coeficiente de temperatura puede ser positivo, negativo, o incluso hasta cero para diferentes niveles Zener. Un valor positivo reflejaría un incremento en Vz con un aumento en la temperatura. mientras que un valor negativo daría corno resultado la disminución en el valor con un incremento en la temperatura. Los niveles de 24 V, 6.8 V. y 3.6 V se refieren a tres diodos Zener que tienen estos valores nominales dentro de la misma familia Zener como el lN96l. Naturalmente. la curva para el lN96l de 10 V caería entre las curvas de los dispositivos de 6.8 V Y 24 V. Regresando a la ecuación (1.12), Tu es la temperatura a la cual se ofrece Vz (por lo regular la temperatura ambiente. 25 OC), Y TI es el nuevo nivel. El ejetuplo l.3 demostrará el empleo de la ecuación (1.12).
Impedancia dinámica contra corriente Zener
1 kQ

Coeficiente de temperatura contra corriente Zener

E
:::

+0.12

,T"'"T lil~;T l. -,"'-rT1L"Tl l;-rr--c· 1 "1-'
I

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0.01 0.050.1

0.5

J

5 10

50 100

5

10 20

" "50

100

CorrÍente Zener.

Iz - (mA)

Corriente Zener. Iz - (mA)
(b)

Figura 1.51 Características eléctricas para un diodo Zener Faírchild de 500 mW. (Cortesía de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)

Detenninar el voltaje nominal para un diodo Zener Fairchild 1N96l de la tabla 1.4 a una temperatura de lOO oc.

EJEMPLO 1.3

Solución
A partir de la ecuación (1.12).

1.14 Diodos Zener

37

Los valores sustituidos a partir de la tabla 1.4 generan (0.072)(10 V) (lOO oC _ 25 OC) lOO = (0.0072)(75)

= 0.54 V
y debido al coeficiente de temperatura positivo, un nuevo potencial Zener, definido por
V~ = Vz

V;, es

+ 0.54 V

= 10.54 V La variación en la impedancia dinámica (fundamentalmente, su resistencia en serie) con la corriente aparece en la figura 1.51b. Una vez más, el Zener de 10 V surge entre los Zeners de 6.8 V Yde 24 V. Observe que mientras más grande es la comente (o mientras más arriba se esté en el eje vertical de la figura 1.47), menor será el valor de la resistencia. Observe igualmente que cuando se cae abajo del punt? de inflexión de la curva, la resistencia se incrementa a niveles significativos. La identificación de la terminales y el encapsulado pata una variedad de diodos Zener aparece en la figura 1.52. La figura 1.53 es una fotografía de diversos dispositivos Zener. Observe que su aspecto es muy similar al diodo semiconductor. Algunas áreas de aplicación del diodo Zener se examinarán en el capítulo 2.

Figura 1.52 Identificación y símbolos de las terminales Zener.

figura 1.53 Diodos Zener.
(Cortesía de Siemens Corporation.)

1.15 DIODOS EMISORES DE LUZ
El aumento en el uso de pantallas digitales en las calculadoras, relojes y todo tipo de instrumentos ha contribuido a generar el muy considerable interés que hoy en día existe respecto a las estructuras que emiten luz cuando se polarizan en forma apropiada. En la actualidad, los dos tipos que se utilizan con más frecuencia para llevar a cabo esta función son el diodo emisor de luz (LED, por las iniciales en inglés de: light emitting diode) y la pantalla de cristal líquido (LCD, por las iniciales en inglés de: liquid crystal display). Debido a que el LED entra

38

Capítulo 1 Diodos semiconductores

en la familia de los dispositivos de unión p-n, se estudiará en este capítulo y algunas de sus redes se estudiarán en los capítulos siguientes. La pantalla LCD se describe en el capítulo 20. Como su nombre lo indica, el diodo emisor de luz (LED) es un diodo que emite luz visible cuando se energiza. En cualquier unión p-n con polarización directa existe, dentro de la estructura y en forma primaria cerca de la unión. una recombinación de huecos y electrones. Esta recombinación requiere que la energía que posee un electrón libre se transfiera a otro estado. En todas las uniones p-n de semiconductor, parte de esta energía se emite como calor y otra parte en forma de fotones. En el silicio y el germanio el mayor porcentaje se genera en forma de calor y la luz emitida es insignificante. En otros materiales, como el fosfuro arseniuro de galio (GaAsP) o fosfuro de galio (GaP), el número de fotones de energía de luz emitida es suficiente para crear una fuente de luz muy visible.
Al proceso de emisión de luz mediante la aplicación de una fuente de energía eléctrica se le llama electroluminiscencia.

Como se muestra en la figura 1.54 con su símbolo gráfico, la superficie conductora conectada al material p es mucho más pequeña, con objeto de permitir la emisión de un número máximo de fotones de energía lumínica. Observe en la figura que la recombinación de los portadores inyectados debido a la unión con polarización directa genera luz, que se emite en el lugar en que se da la recombinación. Puede haber, desde luego, alguna absorción de los paquetes de energía de los fotones en la superficie misma, pero un gran porcentaje se encuentra disponible para salir, según se muestra en la figura.

/ ' Luz visible /" emitida

+ e
(-)

----..
ID

-::--I"--~e ~
VD

el-

(b)

Contacto/ metálico

"" Contacto metálico

Figura 1.54 a) Proceso de electroluminiscencia en el LED; b) símbolo gráfico.

La apariencia y características de una lámpara subminiatura de estado sólido de gran eficiencia que fabrica Hewlett-Packard aparece en la figura 1.55, Observe, en la figura 1.55(b), que la corriente pico directa es de 60 rnA con 20 mA de corriente directa promedio típica, Sin embargo, las condiciones de prueba que se enumeran en la figura 1.55(c) corresponden a una corriente directa de 10 rnA, El nivel de VD bajo condiciones de polarización directa se indica como VF y se extiende de 2.2 a 3 V. En otras palabras, se puede esperar una corriente de operación típica de aproximadamente 10 rnA a 2.5 V para una buena emisión de luz, Aparecen dos cantidades que aún no se han identificado bajo el encabezado de características eléctricas / ópticas a TA = 25 oC, Estas son la intensidad lumínica axial (Iv) y la eficiencia lumínica (1), La intensidad de la luz se mide en candelas, Una candela emite un flujo de luz de 4n lúmenes y establece una iluminación de 1 candela pie en un área de 1 pie cuadrado a 1 pie de la fuente de luz, Aunque esta descripción quizá no ofrezca una comprensión clara de la candela como unidad de medida, su nivel bien puede compararse entre dispositivos similares. El término eficacia es, por definición, una medida de la capacidad de un dispositivo para generar un efecto deseado. Para el LED, este es el cociente del nÚmero de lúmenes generados por watt aplicado de energía eléctrica. Esta eficiencia relativa está definida por la intensidad
1,15 Diodos emisores de luz

39

---------

lumínica por unidad de corriente, según se muestra en la figura 1.55g. La intensidad relativa de cada color contra la longitud de onda se muestra en la figura 1.55d, Debido a que el LED es un dispositivo de unión p-n, tendrá una característica en polarización directa (figura 1.5Se) similar a las curvas de respuesta del diodo. Observe el incremento casi lineal en la intensidad lumínica relativa con corriente directa (figura 1.55f). La figura 1.55h revela que mientras más larga es la duración del pulso a una frecuencia en particular, menor será la corriente pico permitida (después de pasar el valor de ruptura de tp )' La figura 1.55i muestra que la intensidad es mayor a 0° (de cabeza) y la menor a 90° (cuando el dispositivo se observa desde un lada).

Valores máximos absolutos aTA

= 25 Oc
Rojo de afra eficiencia
~160

Parámetros
Disipación de potencia Corriente directa promedio Corriente directa pico Rango de temperatura de operación y almacenamiento Temperatura de soldadura de la cone;<..ión [1.6 mm (0.063 pulg) del cuerpo [1] Pérdida desde 50 oC a 0.2 mA/oC.

Unidades

120 20,11

mv,:

60 _55°C a 100 C
Q

mA mA

230°C durante 3 segundos

(a)

(b)

Características eléctricas/ópticas aTA = 25

Oc
Rojo de alta eficiencia

4160
Símbolo Descripción
Intensidad lumínica axial Incluyendo el ángulo entre los Pl..mtos de la mitad de intensidad lumínica Longitud de onda de pico Longitud de onda dominante Velocidad de respuesta Capacitancia Resistencia ténnica

Mínimo

npico
3.0 80

Máximo

Unidades
med

Condiciones de prueba

LO

deg.

Nota 1

635 628

om om

Medida en el pico Nota 2
VF = 0:1= 1 Mhz ünión a la conexión cátodo a 079 mm (.031 pulg) desde el cuerpo

90
II

pF

"'

120

°crw

Voltaje directo Voltaje de ruptura inverso Eficacia lumínica

2.2 5.0
147

3.0

v
V

lF=lOmA
IR=lOO~A

lmJW

)¡ota 3

NOTAS,
l. el.'~ es el ángulo fuera dd eje al cual la intensidad lumínica es la mitad de la intensidad lumínica axial. 2. La longitud de onda dominante, P.d , se deriva del diagrama de cromaticidad elE y representa la longitud de onda única que define el color del dispositivo. 3. La intensidad radiante. le' en watts/estereorradianes. se puede encontrar a partir de la ecuación 1,. = /,.ITf l • donde/l' es la intensidad lumínica en candelas y Tf,. es la eficacia luminica en lúmenes/waU.

(e)

FIgUra 1.55 Lámpara subminiatura roja de estado sólido de alta eficiencia de Hewlett-Packard; a) apariencia; b) valores nominales máximos absolutos; e) características eléctricas/ópticas; d) intensidad relativa contra longitud de onda; e) corriente directa contra voltaje directo; f) intensidad lumínica relativa contra corriente directa; g) eficiencia relativa contra corriente pico; h) corriente pico máxima contra duración del pulso; i) intensidad lumínica relativa contra desplazamiento angular. (Cortesía de Hewlett-packard Corporation.)

40

Capítulo 1 Diodos semicondnctores

1.or-----------r-~--~~--_r------~

__~~--------~------·----_,
. /' Rojo GaAsP

Verde

ii 0.5 f-------,II------\---+--¡'----+'r--=="+--~--__j

:g

-=
500
550 600

O~~~~~----~~~~~~~·---=~-----~==·_·~~~~-~=----~
650 700

;

750

Longitud de onda - nm
(d)

2O

<
o ü

T,

=
~

~ 25°~

3.0

,
r1'.4 = 25°C

1.6

15 2.0 10

.g
6 u
~-

"-O 2

/
V ../'
O
5

" , "

1.5

1.4
1.3

i:g
·1 ~s

,
/ /
l

--

-

5

1.0

/
10
15

ª

1.2
l.l

1.0 0.9

OR
07

o
O

/
05
1.0 1.5

o
2.0
2.5
3.0

20

0"

Vr - Voltaje directo - V

°

10
I p""
-

20

40

50

"o

I r - Corriente directa - mA
(f)

Comente pico - roA
(gl

(,¡

--->-

T

I~

,

....:ió, ... ¡ ....:~

~J~

El

10

100

(000

10.000

20°

rp - Duración del pulso - )..ls
(h)
(i)

Flgura L55 Continuación.

1.15 Diodos emisores de luz

41

Hoy en día, las pantallas de visualización LEO se encuentran disponibles en muchos tamaños y formas diferentes. La región de emisión de luz está disponible en longitudes desde 0.1 a 1 pulgada. Los números pueden crearse por segmentos como los que se ejemplifican en la figura 1.56. Al aplicar una polarización directa al segmento apropiado de material tipo p, se puede desplegar cualquier número del O al 9 .

.LtJ
I~0803,,-I

.t:C.-. oto" .i
~

'r"

O.IOO"Tip

smIDJ
--..11--

Flgura 1.56 Pantalla visual de segmentos Litronix.

La pantalla de visualización de la figura 1.57 ofrece ocho dígitos y se utiliza en calculadoras. Existen también lámparas LED con dos conexiones que contienen dos LED, de tal forma que una inversión en la polarización cambiará el color de rojo a verde o viceversa. Actualmente, los LED se encuentran disponibles en rojo, verde, amarillo, naranja y blanco; el blanco con azul estará disponible pronto. En general, los LEO operan a niveles de voltaje desde 1.7 hasta 3.3 V, lo cual los hace por completo compatibles con los circuitos de estado sólido. Tienen un tiempo de respuesta rápido (nanosegundos) y ofrecen buenas relaciones de contraste para la visibilidad. El . requerimiento de potencia suelen ser de 10 hasta 150 mW con un tiempo de vida de 100.000 horas o más. Su construcción de semiconductor le añade un significativo factor de fortaleza.

Figura 1.57 Pantalla visual para calculadora con ocho dígitos y signo. (Cortesía de Hewlett-Packard Corporation.)

1.16 ARREGLOS DE DIODOS: CIRCUITOS INTEGRADOS
Las características únicas de los circuitos integrados se presentarán en el capítulo 12. Sin embargo, se ha alcanzado una plataforma en la introducción de circuitos electrónicos que permite por lo menos hacer un examen superficial a los arreglos de diodos en circuitos integrados. Se encontrará que el circuito integrado no es un dispositivo único con características totalmente diferentes a aquellas que se analizarán en estos capítulos introductorios. Simplemente es una técnica que permite una reducción significativa en el tamaño de los sistemas electrónicos. En otras palabras, dentro del circuito integrado se encuentran sistemas y dispositivos discretos que estuvieron disponibles mucho tiempo antes que el circuito integrado como se le conoce actualmente, se convirtiera en una realidad.

42

Capítulo l

Diodos semiconductores

Un arreglo posible aparece en la figura 1.58. Observe que los ocho diodos son internos en el arreglo de diodos Fairchild FSAI4IOM. Esto es, en el encapsulado mostrado en la figura 1.59 existe un arreglo de diodos en una placa única de silicio que tiene todos los ánodos conectados a la terminal 1 y los cátodos de cada una a las terminales 2 al 9. Observe. en la misma figura, que la tenninal 1 puede detenninarse como la que está del lado izquierdo de la pequeña proyección o ceja del encapsulado si se mira desde abajo hacia el encapsulado. Los otros números siguen después en secuencia. Si sólo se utiliza un diodo, solamente se utilizarian las tenninales 1 y 2 (o cualquier otro número del 3 al 9).

FSA1410M
ARREGLO MONOLÍTICO PLANAR DE DIODOS AISLADOS DEL AIRE
. c ... 5.0 pF CMÁX)
. dV F
•••

15 mv (~ÁX) @ lOmA DIAGRA:vtA DE COl\"EXIÓl\" FSA]4 ]OM _55°C a +200 oC +150°C +260 oC 400mW 600mW 3.2 mW¡OC 4.8 mW¡OC

VALORES NOMINALES MÁXIMOS ABSOLUTOS (Nota 1) Temperaturas Rango de temperatura de almacenamiento :vtáxima temperatura de operación de la unión Temperatura en la conexión Disipación de potencia (Nota 2) Máxima disipación en la unión a 25 nc de ambiente Por encapsulado a 25 oC de ambiente Factor de pérdida de disipación lineal (desde 25 OC) en la unión Encapsulado Corriente y voltaje máximos WIV Voltaje inverso de trabajo Corriente directa continua Corriente de onda de pico directo Ancho de puLso = t.o s Ancho de pulso = l.o!ls

rfHtHH
2

J

4

5

6

7

8

9

Ver diagrama de base del encapsulado TO·96

55 V 350 mV

1.0 A
2.0A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (25 SÍMBOLO
I

Oc de temperatura ambiente a menos que se especifique lo contrarío)
MÍNIMO
I

CARACTERÍSTICA

MÁXIMO

UNIDADES

CONDICIONES DE PRUEBA
I

L 27. Voltaje de ruptura

60

!

v
1.5
11

V,

Voltaje directQ (Nota 3)

I
1

1.0 100 100 5.0 4.0
I

V V V

lF = 500 mA lF = 200 mA IF = 100 mA
V R =40V V R = 40 V

1,

Corriente inversa Corriente inversa (TA = 150°C) Capacitancia Voltaje pico directo
I
¡

nA
~A

I
i

e
V",
tú t rr

pF V

VR = O. f = 1 MHz
11 = 500 mA. Ir < 10 ns 11
_

I
I , I

Tiempo de recuperación directo Tiempo de recuperación inverso

40 10 50

n, n, n,
mV

500 mA.l, < 10 ns

I

I

l I = 1, =10- 200mA R L = IOOn. Rec. a 0.1 Ir II = 5ODmA.I, = 50mA R L = !DOn. Ret. a 5 mA

Igualdad de voltaje directo
NOTAS:

15

I

IF = lOmA

-----_._-

I Estos valore, son nlores limItes sobre Jo, cuales la vida O el de'empeño satIsfactorios pueden ser dañado, 2 Estos son límites estable~ de los estados. La fábrica debe ser con,ultada para aplicaciones que mvolucn:n operacIón con pulso o un Ctclo de tra1::>;¡Jo 1::>;¡jo. :; V F se mide utill2lmdo un pulso de & ms

Figura 1.58 Arreglo monolítico de diodos. (Cortesía de Fairchild Camera and lnstrument Corporation.)

1.16 Arreglos de diodos: circuitos integrados

43

.... 0.230" +-

3

FIgura 1.59 Descripción del encapsulado TO-96 para el arreglo de diodos FSA1410M. Todas las dimensiones se encuentran en pulgadas. (Cortesía de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)

~ Plano de montaje
0.500"

2
6

La forma del aislador de separación puede variar
Notas: Conex.iones de Kovar, banadas en oro Encapsulado sellado hennéticamente Peso del encapsulado: 1.32 gramos

7

~~~~~~~~~n

Vidrio

Los diodos restantes se quedarían "colgando" y no afectarían la red a la cual sólo estarían conectadas las terminales 1 y 2. Otro arreglo de diodos aparece en la figura 1.60. En este caso el encapsulado es diferente, pero la secuencia de numeración aparece en el diagrama de base. La terminall es la que está directamente arriba de la pequeña muesca cuando el dispositivo se observa con las terminales hacia abajo.

1

Diagramas de base FSA2500M

l'

TO-116-2 Descripción

0.785"

,

I

+" C:::::J
....L,..,...._~--:-..,.....---,
Plano de montaje

Ver descripción de! encapsulado TO-II6-2

-- -

o~r:"~:;::;;
t
.".';

~

Notas: Aleación 42. terminales estañadas Terminales bañadas en oro disponibles Encapsulado de cerámica sellado herméticamente

Figura 1.60 Arreglo monolítico de diodos. Todas las dimensiones se encuentran en pulgadas. (Cortesía de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)

1.17 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
La computadora se ha convertido en una parte integral de la industria electrónica, de tal manera que las capacidades de esta "herramienta" de trabajo se deben presentar en la primera oportunidad posible. Para aquellos estudiantes sin experiencia previa en computación, existe al principio un temor muy común hacia este poderoso sistema que parece complicado. Tomando esto en cuenta, el análisis por computadora de este libro fue diseñado para hacer que el sistema por computadora resulte más "amistoso", mediante la revelación de la relativa facilidad con que se puede aplicar para llevar a cabo algunas tareas muy útiles y especiales con una cantidad mínima de tiempo y un alto grado de exactitud. El contenido se escribió suponiendo que el lector no tiene experiencia previa en computación ni tampoco contacto con la terminología que se utilizará. Tampoco existe sugerencia alguna en cuanto a que el contenido de este libro sea suficiente para permitir una comprensión completa de los "cómos" y los "porqués" que surgirán. El propósito aquí es meramente presentar algo de la terminología, analizar algunas de sus capacidades, revelar las posibilidades disponibles, tocar algunas de las limitaciones y demostrar su versatilidad con un número de ejemplos cuidadosamente seleccionados. En general, el análisis por computadora de los sistemas electrónicos puede tomar uno de dos métodos: utilizando un lenguaje tal como el BASIC, Fortran, Pascal, o C, o utilizando un paquete de programación como PSpice, MicroCap 11, Breadboard, o Circuit Master, por nombrar unos cuantos. Un lenguaje, a través de su notación simbólica, construye un puente entre el

44

Capitulo 1

Diodos semiconductores

usuario y la computadora, el cual permite un diálogo entre los dos con el fin de establecer las operaciones que deben llevarse a cabo, El lenguaje que se usa en este libro es el BASIC, y se eligió debido a que emplea una cantidad de palabras y frases familiares de la lengua inglesa que revelan, por sí mismas, la operación que se desarrollará. Cuando se utiliza un lenguaje para analizar un sistema, se desarrolla un programa que define, en fanna secuencial, las operaciones que se llevarán a cabo, en su mayor parte, siguiendo el mismo orden con que se realiza el mismo análisis efectuando los cálculos a mano. Al igual que ocurre con el método de calcular a mano, un paso incorrecto y el resultado que se obtiene carecerá por completa de significado. Obviamente, los programas que se desarrollan con tiempo y aplicación son medios más eficaces para obtener una solución. Una vez que se establecen en su e"mejor" forma, se pueden catalogar y utilizar posterionnente. La ventaja más importante del método de los lenguajes radica en que el programa puede adaptarse con objeto de satisfacer todas las necesidades especiales del usuario. Permite que este último haga "movimientos" especiales que darán por resultado la obtención de datos en forma impresa, de manera informativa e interesante. El método alterno que se describió antes utiliza un paquete de computadora para llevar a cabo la investigación deseada. Un paquete de programación es un programa escrito y probado durante cierto tiempo, que se diseña para realizar un tipo de análisis o síntesis en particular de manera eficiente y con un alto nivel de exactitud. El paquete en sí no puede ser alterado por el usuario y su aplicación está limitada a las operaciones que se integran al sistema. Un usuario debe ajustar su deseo de información de salida al rango de posibilidades que ofrece el paquete. Además, el usuario debe capturar información, tal y como lo exige el paquete, o de lo contrario los datos pueden ser malinterpretados, El paquete de programación que se eligió para este libro es PSpice.* En la actualidad, PSpice se encuentra disponible en dos formas: DOS y Wmdows, El formato DOS fue el primero que se introdujo y es el más popular hoy en día. Sin embargo, la versión Windows cobra cada vez más aceptación confonne los usuarios conocen sus capacidades. Es como todo: una vez que se logra dominar un método que hará el trabajo por nosotros, se genera menos entusiasmo por tomar el tiempo para aprender otro método del que se obtendrán resultados similares, Sin embargo, los autores confIrman que confonne se conoce más la versión Wmdows, ésta ofrece algunas características interesantes que bien vale la pena investigar. La versión de DOS que se usa en este texto es la 6.0 y la de Windows es la 6.1. En MicroSim, ubicada en Irvine, California, se encuentran disponibles copias para evaluación, En la fIgura 1.61 aparece una fotografía de un paquete de Centro de Diseño completo con la versión CDROM 6.2, También se encuentra disponible en discos flexibles de 35", Una versión más compleja, que se denomina SPICE, está encontrando una amplia gama de aplicaciones en la industria, Por tanto, en general, un paquete de programación está "empacado" para realizar una serie de cálculos y operaciones, y para ofrecer los resultados en un formato definido. Un lenguaje

F¡gura 1.61 Paquete de diseño PSpice. (Cortesía de MicroSim Corporatíon.)
*PSpice es una marca registrada de MicroSim Corparation.

1,17

Análisis por computadora

45

permite un mayor nivel de flexibilidad, pero también omite los beneficios que brindan las numerosas pruebas y la investigación exhaustiva que se suelen realizar para desarrollar un paquete ~'confiable". El usuario debe definir cuál método satisface mejor sus necesidades del momento. Obviamente, si existe un paquete para el análisis o síntesis que se desea realizar, debe considerarse antes de optar por las muchas horas de trabajo que se requieren para desarrollar un programa confiable y eficiente. Además, es posible adquirir los datos que se necesitan para un análisis en particular de un paquete de programación y luego buscar un lenguaje para definir el formato de salida. En muchos aspectos, los dos métodos van de la mano. Si alguien continuamente tiene que depender del análisis por computadora, es necesario que conozca el uso y las limitaciones tanto de los lenguajes como de los paquetes. La decisión en cuanto a con qué lenguaje o paquete conviene familiarizarse es, básicamente, una función del área de investigación. Sin embargo, por fortuna, el conocimiento fluido de un lenguaje o un paquete específico ayudará al usuario a familiarizarse con otros lenguajes y paquetes. Existen similitudes en propósitos y procedimientos que facilitan la transición de un método a otro. En cada capítulo se harán algunos comentarios respecto al análisis por computadora. En algunos casos aparecerá un programa BASIC y una aplicación PSpice, mientras que en otras situaciones sólo se aplicará uno de los dos. Conforme surja la necesidad de entrar en detalles, se proporcionará la información necesaria para permitir cuando menos una comprensión superficial del análisis.

PSpice (versión DOS)
Este capítulo aborda las características del diodo semiconductor en particular. En el capítulo 2 el diodo se investiga utilizando el paquete PSpice. Como un primer paso dirigido hacia tal análisis, se presenta ahora el "modelo" para el diodo semiconductor. La descripción en el manual PSpice incluye un total de 14 parámetros para definir sus características tenninales. Éstos incluyen la corriente de saturación, la resistencia en serie, la capacitancia de la conexión, el voltaje de ruptura inverso, la corriente de ruptura inversa, y muchos otros factores que en caso necesario pueden especificarse para el diseño o análisis que vaya a realizarse. La especificación de un diodo en una red tiene dos componentes. El primero especifica la ubicación y nombre del modelo, el otro incluye los parámetros que se mencionan antes. El fonnato para definir la ubicación y el nombre del modelo del diodo es el siguiente para el diodo de la figura 1.62:
'-v-'

Dl

(+)

o--I~II--~o

2

3

(-)

Figura 1.62 Etiquetas de PSpice para la captura de diodos en la descripción de una red.

2

'-v-'

3

'-v-'

DI

+
nombre nodo nodo nombre del modelo

Observe que el diodo se especifica mediante la literal D al principio del renglón seguida por la identificación que se asigna al diodo en el esquema. La secuencia de los nodos (puntos de conexión para los diodos) define el potencial en cada nodo y la dirección de la conducción para el diodo de la figura 1.62. En otras palabras, la conducción se especifica a partir del nodo positivo y hacia el nodo negativo. El nombre del modelo es el nombre que se asigna a la descripción del parámetro que sigue. El mismo nombre de modelo puede aplicarse a cualquier número de diodos en la red, como D2, D3, Y así sucesivamente. Los parámetros se especifican cuando se usa una instrucción MODEL que tiene el fonnato siguiente para un diodo:
MODEL
'-v-'

DI

nombre del modelo

D(IS = 2E - 15) '---" especificaciones de parámetro

La especificación se inicia con los datos .MODEL seguido por el nombre del modelo según se especificó en la descripción de la ubicación y la literal D para especificar un diodo.

46

Capítulo 1 Diodos semiconductores

Las especificaciones del parámetro aparecen en paréntesis y deben utilizar la notación que se especifica en el manual PSpice. La corriente de saturación inversa se encuentra listada como IS y se le asigna un valor de 2 x 10- t5 A. Se eligió este valor debido a que, por lo general, resulta en un voltaje de diodo de cerca de 0.7 V para niveles de corriente de diodo que con frecuencia se encuentran en las aplicaciones que se analizan en el capítulo 2. De esta manera, del análisis manual y por computadora se obtendrán resultados relativamente cercanos en cuanto a magnitud. Si bien en el listado anterior se especificó un parámetro, la lista puede incluir los 10 parámetros que aparecen en el manual. Para los dos enunciados anteriores, es en particular importante seguir el fonnato según se definió. La ausencia de un punto antes de MODEL o la omísión de la letra D en el mismo renglón invalidarán por completo el registro.

Análisis del centro de diseño PSpice en Windows
Cuando se utiliza el PSpice para Windows, el usuario dibuja la red en un esquema en lugar de capturar renglón por renglón empleando los nodos de referencia. Por tanto, una fuente para cada elemento debe encontrarse disponible para colocarlos en la pantalla. Primero, se debe establecer una pantalla de esquemas (siguiendo un procedimiento de instalación que se deja a criterio del usuario), y luego se selecciona la opción Draw (Dibuja) desde la barra de menúes. Una vez seleccionado, aparecerá una lista de opciones de las cuales se elige Gel New.Part (Seleccionar una nueva parte). Aparecerá una caja de diálogo; se selecciona Browse (Hojear), lo cual lleva a la caja de diálogo de Get Part (Traer parte). Se escoge la biblioteca eval.slb del listado de librerías y se recorre la lista de Partes (part) hasta que se encuentra DIN414S. Cuando se hace "click", la Descripción (Description) superior revelará que se trata de un diodo. Se hace "click" en OK y aparecerá un símbolo de diodo en la pantalla de esquemas. Después que se mueve el diodo a la posición deseada. un "click" adicional dejará el diodo y añadirá las etiquetas DI y DIN414S. Cuando se haga "click" con el botón derecho pel apuntador (motise), se completa la secuencia de colocación del diodo. Si se deben cambiar los parámetros del diodo, simplemente de hace "c1ick" una vez (y sólo una vez) al símbolo del diodo en el esquema y luego se hace "c1ick" otra vez en la opción de Edición (Edit) en la barra de menú. Se elige el Modelo (Model) y luego Editar Modelo Ejemplificado (Edit Instance Model) (debido a que se desea establecer parámetros para una sola aplicación) y una caja de diálogo del Editor de Modelos (Model Editor) aparecerá con los parámetros del diodo. Los cambios en el modelo del diodo se pueden llevar a cabo en la caja de diálogo para ser utilizados en la aplicación real. Si no se observa la pantalla, lo anterior puede resultar algo difícil de seguir y comprender. Lo mejor sería obtener el modelo para su evaluación, inicializar la pantalla y realizar las operaciones en el orden indicado. En el siguiente capítulo se presentará una red real que ayudará en el proceso de revisión.

§

},2 Diodo ideal

PROBLEMAS

1. Describa, con sus propias palabras, el significado de la palabra ideal cuando se aplica a un dispositivo o a un sistema.

2. Describa. con sus propias palabras, las características del diodo ideal y cómo se determinan los estados "encendido" y "apagado" del dispositivo. Es decir, describa por qué son adecuados los equi~ valentes de circuito cerrado y circuito abierto.

3. ¿Cuál es la diferencia más importante entre las características de un simple intenuptor y aquellas de un diodo ideal?

§

1.3 Materiales semiconductores

4. Con sus propias palabras, defina semiconductor, resistividad, resistencia de volumen y resistencia
de contactos óhmicos.

S. a) Utilizando la tabla 1.1, determine la resistencia de una muestra de silicio que tiene un área de 1 cm2 y una longitud de 3 cm. b) Repita el inciso a si la longitud es de 1 cm y el área de 4 cm2 . c) Repita el inciso a si la longitud es de 8 cm y el área de 0.5 cm2 • d) Repita el inciso a para el cobre y compare los resultados.

Problemas

47

6. Dibuje la estructura atómica del cobre y analice por qué es un buen conductor y cómo su estructura es diferente del gennanio y del silicio.
7. Defina, con sus propias palabras. un material intrínseco, un coeficiente de temperatura negativo y una unión covalente. 8. Consulte su biblioteca de referencia y mencione tres materiales que tengan un coeficiente de temperatura negativo y tres que tengan un coeficiente de temperatura positivo.

§

1.4 Niveles de energía

9. ¿Cuánta energía en joules se necesita para mover una carga de 6 C a través de una diferencia en potencial de 3 V? 10. Si se requieren 48 eV de energía para mover uoacarga a través de una diferencia de potencial de 12 Y, determine la carga involucrada.

11. Consulte su biblioteca de referencia y precise el nivel de E" para GaP y ZnS, dos materiales semiconductores de valor práctico. Además. determine el non~bre escrito para cada material.

§

1.5 Materiales extrinsecos: tipo n y tipo p
11

12. Especifique la diferencia entre los materiales semiconductores tipo

y tipo p.

13. Explique la diferencia entre las impurezas donoras y aceptaras. 14. Describa la diferencia entre los portadores mayoritarios y minoritarios.

15. Dibuje la estructura atómica del silicio e inserte una impureza de arsénico como se mostró para el silicio en la figura 1.9.
16. Repita el problema 15, pero inserte una impureza de indio.

17. Consulte su biblioteca de referencia y localice otra explicación para el flujo de huecos contra el de electrones. Utilizando ambas descripciones, señale con sus propias palabras, el proceso de la conducción de huecos.

§

1.6 Diodo semiconductor

18. Explique, con sus propias palabras, las condiciones establecidas por las condiciones de polarización directa e inversa en un diodo de unión P-ll, y la manera en que se afecta la corriente resultante. 19. Describa, cómo recordará los estados de polarización directa e inversa en el diodo de unión p-n. Es decir, ¿cómo recordará cuál potencial (positivo o negativo) se aplica a cuál terminal?
20. Utilizando la ecuación (1 .4), precise la corriente del diodo a 20 oC para un diodo de silicio con l ~ = 50 nA y una polarización directa aplicada de 0.6 V. 21. Repita el problema 20 para T = 100 oC (punto de ebullición del agua). Suponga que Is se incrementó a 5.0 ¡LA. 22. a) Utilizando la ecuación (lA), detennine la corriente del diodo a 20 oC para un diodo de silicio con Is = 0.1 J1A a un potencial de polarización inversa de -10 V. b) ¿El resultado es el esperado? ¿Por qué? 23. a) Grafique la función y::;; eX para x desde O hasta 5. b) ¿Cuál es el valor de y = eX para x = O? c) Basándose en los resultados del inciso b, ¿por qué es importante el factor -1 en la ecuación (lA)? 24. En la región de polarización inversa la corriente de saturación de un diodo de silicio es de aproximadamente 0.1 Ji.A (T = 20 OC). Determine su valor aproximado si la temperatura se incrementa 40 oC. 25. Compare las características de un diodo de silicio y uno de gennanio y detennine cuál preferiría utilizar para la mayor parte de las aplicaciones prácticas. Proporcione algunos detalles. Refiérase a características de fabricante y compare las características de un diodo de germanio y uno de silicio de valores máximos similares. 26. Detennine la caída de voltaje directo a través del diodo cuyas características aparecen en la figura 1.24 a temperaturas de -75 oC, 2S oC, 100 oC y 200 oC y una corriente de 10 mA. Para cada temperatura precise el nivel de la corriente de saturación. Compare los extremos de cada una y haga un comentario sobre la relación de ambos.

48

Capitulo I

Diodos semiconductores

§

1.7 Niveles de resistencia

27. Determine la resistencia estática o de del diodo disponible en el mercaao ae la figura 1.19 con una corriente directa de 2 mA. 28. Repita el problema 26 con una corriente directa de 15 mA Y compare los resultados. 29. Determine la resistencia estática o de del diodo disponible en el mercado de la figura 1.19 con un voltaje inverso de -10 V. ¿Cómo se compara con el valor determinado para un voltaje inverso de -30 V? 30. a) Determine la resistencia dinámica (ac) del diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de 10 mA utilizando la ecuación (1.6). b) Precise la resistencia dinámica (ae) del diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de 10 mA utilizando la ecuación (1.7). e) Compare las soluciones de los incisos a y b.

31. Calcule las resistencias dc y ac para el diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de lOmA y compare sus magnitudes. 32. Utilizando la ecuación (1.6), determine la resistencia ac con una corriente de 1 mA y 15 mA para el diodo de la figura 1.29. Compare las soluciones y d~sarrol1e una conclusión general respecto a la resistencia ac y a los crecientes niveles de corriente del diodo. 33. Utilizando la ecuación (1.7), determine la resistencia lC con una corriente de 1 mA y 15 mA para el diodo de la figura 1.19. Modifique la ecuación cuando sea necesario para los niveles bajos de corriente de diodo. Compare con las soluciones que obtuvo en el problema 32. 34. Determine la resistencia ac promedio para el diodo de la figura 1.19 para la región entre 0.6 y 0.9 V. 35. Determine la resistencia ac para el diodo de la figura 1 19 a 0.75 Vy compare con la resistencia ac promedio obtenida en el problema 34.

§

1.8 Circnitos equivalentes para diodos

36. Encuentre el circuito equivalente de segmentos lineales para el diodo de la figura 1.19. Utilice un segmento de línea recta que interseque el eje horizontal en 0.7 V Y que mejor se aproxima a la curva para la región mayor a 0.7 V. 37, Repita el problema 36 para el diodo de la figura 1.29.

§

1.9 Hojas de especificaciones de diodos

* 38.

Grafique 1F contra VF utilizando escalas lineales para el diodo Fairchild de la figura 1.36. Observe que la gráfica que se presenta utiliza una escala logarítmica para el eje vertical (las escalas logarítmicas se cubren en las secciones 11.2 y 11.3). inversa para el diodo BAY73.

39. Comente el cambio en el nivel de capacitancia con el aumento en el potencial de polarización 40. ¿Cambia significativamente en magnitud la corriente de saturación inversa del diodo BAY73 para
potenciales de polarización inversa en el rango de -25 Va-lOO V?

* 41.

Detennine para el diodo de la figura 1.36 el nivel de IR a temperatura ambiente (25 OC) Y en el punto de ebullición del agua (100 OC). ¿Es significativo el cambio? ¿Casi se duplica el nivel por cada incremento de 10 oC en la temperatura?

42. Para el diodo de la figura 1.36 detenrune la resistencia en ac máxima (dinámica) con una corriente directa de 0.1 mA, 1.5 mA Y20 mA. Compare los niveles y comente si los resultados respaldan las
conclusiones derivadas en las primeras secciones de este capítulo. 43. Utilizando las características de la figura 1.36, determine los niveles máximos de disipación de potencia para el diodo a temperatura ambiente (25 OC) Y 100 oC. Suponiendo que VF permanece fijo a 0.7 V, ¿cómo ha cambiado el nivel máximo de IF entre los dos niveles de temperatura?

44. Haciendo uso de las características de la figura 1.36, detennine la temperatura en la cual la corriente del diodo será del 50% de su valor a temperatura ambiente (25 OC).

Problemas

49

Dibuje la curva característica de la manera que tiene en la figura 1. ¿Cuál es la proporción del cambio en la capacitancia al cambio en el voltaje? b) Repita el inciso a para potenciales de polarización inversa de -10 V Y -1 V. a) ¿Cuál es el porcentaje de incremento en la eficiencia relativa de la figura 1. Observe que se trata de una escala logarítmica. cómo difieren las capacitancias de difusión y de transición. * 58.5.5 1b. !O ti = 5 ns 10 k!l o .11 Tiempo de recnperación inverso 49. determine la capacitancia de transición con potenciales de polarización inversa de -25 V Y-10 V. Izr:: 10 mA. Determine el coeficiente de temperatura de un diodo Zener de 5 V (caracterizado a 25 OC) si el voltaje nominal cae a4.63 Problema 49. Detennine la impedancia dinámica para el diodo de 24 Valz = lOmA para la figura 1.55.5 1b a los niveles de corriente de 0.51 a.5 Figura 1. determine el voltaje directo a través del diodo si la intensidad lumínica relativa es de 1. * SS. V R = 16. ¿qué nivel de coeficiente de temperatura esperaría para un diodo de 20 V? Repita para un diodo de S V. § 1.15 Diodos emisores de lnz 56. IR:. 54.25 V.14 Diodos Zener SO. ¿Cómo se relacionan los resultados a la forma de las características en esta región? § 1.50.63 si tI = 2ts Y el tiempo total de recuperación inverso es de 9 ns. Compare los niveles de impedancia dinámica para el diodo de 24 V de la figura 1.8 V.4). Y 10 mA. 52. Describa. con sus propias palabras.37.37.55e. Dibuje la fonna de la onda para i en la red de la figura 1. Las siguientes características están especificadas para un diodo Zener en particular: V z = 29 V. Detenmne la reactancia ofrecida por un diodo descrito con las características de la figura 1. Suponga una escala lineal entre los niveles de voltaje nominal y un nivel de corriente de 0. Refiriéndose a la figura 1.37. 48.8 V a una temperatura de 100 oC. Utilizando las curvas de la figura 1. ¿En qué punto de la curva diría usted que se gana poco al seguir aumentando la corriente pico? 50 Capitulo I Diodos semiconductores . 1 roA.75 V? (Sugerencia: Observe los datos de la tabla 1.1 mA. § 1.2 V Y a un potencial inverso de -20 V si la frecuencia que se aplica es de 6 MHz. a 47.10 Capacitancia de transición y difusión Con referencia a la figura 1. detennine la capacitancia de difusión a O V Y a 0.55 si la corriente pico crece de 5 a 10 mA? b) Repita el inciso a para 30 a 35 mA (el mismo incremento en corriente). 53. a) 1. * 51 ¿A qué temperatura tendrá el diodo Zener IN961 10 V Fairchild un voltaje nominal de 10. RefIriéndose a la fIgura 1. e) ¿Cómo se comparan las proporciones detenninadas en los y b? ¿Qué le indica a usted acerca de cuál rango tendrá más áreas de aplicación práctica? 46. c) Compare el porcentaje de incremento de los incisos a y b.2 mA. ¿cuál parecería ser un valor apropiado de VT para este dispositivo? ¿Cómo se compara con el valor de Vr para el silicio y el germanio? 57. Determine la proporción del cambio en capacitancia al cambio en el voltaje. a un potencial directo de 0. Utilizando la infonnación que se proporciona en la figura 1. 20}lA Y 12M :: 40 mA.§ * 45.

55h. a) Refiriéndose a l~ figura 1. detenrune la corriente pico tolerable máxima. Dibuje la curva de pérdida de corriente para la corriente directa promedio del LED rojo de alta eficiencia de la figura 1. 60.75 mcd? b) ¿A qué ángulo cae la pérdida de intensidad lumínica debajo del nivel de 50%? * 61. b) Repita el inciso a para una frecuencia de 100 Hz. a) Si la intensidad lumínica en un desplazamiento angular de 0° es de 3.) *Los asteriscos indican problemas más difíciles. ¿a qué ángulo será de 0. Problemas 51 . (Observe los valores máximos promedio.0 mcd para el dispositivo de la figura 1.55. si el periodo de la duración del pulso es de 1 ms.* 59.55a como se determinó para la temperatura.la frecuencia es de 300 Hz y la máxima corriente dc tolerable es de 20 mA.

.

Los conceptos que aprenda en este capítulo aparecerán de ·rnanera recurrente en los subsiguientes. También se deben considerar los otros elementos de la red. El objetivo principal del presente capítulo es desarrollar un amplio conocimiento práctico sobre el diodo en una variedad de configuraciones utilizando los modelos adecuados para el área de aplicación. tenga en cuenta que también las características obtenidas de la hoja de especificaciones pueden ser un poco distintas a las que se obtengan del uso real del dispositivo. pero a menudo será suficiente para validar las aproximaciones utilizadas en el análisis. En este libro el énfasis se centra en el desarrollo de un conocimiento práctico de un dispositivo.1 INTRODUCCIÓN La construcción. En otras palabras. Es importante que la función y respuesta de varios elementos dentro de un sistema electrónico se comprendan sin tener que repasar de forma continua procedimientos matemáticos prolongados y tediosos. Por ejemplo. también se proporcionan detalles suficientes con objeto de permitir que quien lo desee. Por lo general. las características de un diodo semiconductor lN4001 pueden variar de un elemento a otro dentro de un mismo lote. sin embargo. mediante la utilización de las aproximaciones adecuadas. se pueden determinar su función y respuesta en una variedad infinita de configuraciones. ¿Es la resistencia nominal de 100 ü exactamente igual a 100 ü? ¿El voltaje aplicado es exactamente igual a 10 V o quizá 10. Una vez que concluya este capítulo. La variación puede ser ligera. el cual por sí mismo se puede considerar un arte. El rango de aplicaciones no tiene fin. se comprenderá con claridad el patrón básico de componamiento de los diodos en las redes de de yac. los diodos se utilizan a menudo en la descripción de la construcción básica de los transistores y en el análisis de las redes de transistores en de yac.CAPÍTULO Aplicaciones de diodos 2. evitando así un nivel innecesario de complejidad matemática. El contenido de este capítulo revela una faceta interesante y muy positiva del estudio de un campo tal como el de los dispositivos electrónicos y los sistemas.08 V? Todas estas tolerancias contribuyen a la creencia general en cuanto a que una respuesta determinada mediante un conjunto adecuado de aproximaciones~ quizá resulte tan "exacta" como una en la que se utilizan las características en su totalidad. Sin embargo. 53 . esté en condiciones de realizar un análisis matemático minucioso. casi exclusivamente. esto se lleva a cabo a través del proceso de aproximación. Si bien los resultados que se obtienen al utilizar las características reales pueden diferir un poco de aquellos en los que se requiere una serie de aproximaciones. las características y los modelos no sufren cambio alguno. características y modelos de los diodos semiconductores se analizaron en el capítulo l. una vez que se comprende con claridad el componamiento básico de un dispositivo. El análisis abarcará desde el que emplea las características reales del diodo hasta el que utiliza. modelos aproximados.

3) como lo señala la figura 2.1a dará por resultado E . carga y las características del dispositivo. La polaridad resultante a través del diodo será como se señala. Por razones obvias. y esta introducción ofrece la aplicación más simplificada del método. la carga aplicada tendrá un impacto importante en el punto o región de operación del dispositivo.1b será la región de interés. Las intersecciones de la recta de carga sobre las características pueden detenninarse con facilidad si se considera que en cualquier lugar del eje horizontal ID = O A Y que en cualquier lugar del eje vertical VD'" O V.1) se convierte en E = VD + Irft = VD + (OA)R y VD '" EIID = oA I (2. Una línea recta dibujada entre los dos puntos definirá una recta de carga como la descrita en la figura 2.1) se convierte en o (b) y ID = R El VD = OY (2.2 ANÁLISIS MEDIANTE LA RECTA DE CARGA Normalmente.2. Por tanto.VR (a) -"+ ID + + VD -l E_ ( + R VR =O o I E = VD + Irft I (2.1) (VD e ID) son las mismas que las variables de los ejes del diodo de la figura 2.1) y se resuelve para ID' se tiene una magnitud de ID sobre el eje vertical. La intersección de la recta de carga con las características determinará el punto de operación del sistema. El resultado será un cambio en la pendiente de la recta de carga. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito en serie de la figura 2.1a que la "presión" que proporciona la batería tiene como objetivo establecer una corriente a través del circuito en serie. Considere la red de la figura 2. Si el análisis se debe llevar a cabo de manera gráfica.2.• 2. es decir. El hecho de que esta corriente y la dirección de conducción definida del diodo sean "semejantes". se puede dibujar una línea recta sobre las características del dispositivo que represente la carga aplicada. Si se establece VD = O V en la ecuación (2. con ID = O A la ecuación (2. Si se cambia el nivel de R (la carga).1) sobre las mismas características de la figura 2. la técnica se usa de manera frecuente en los capítulos siguientes.1) y se resuelve para VD' se tiene la magnitud de VD sobre el eje vertical. la región de polarización directa. cambiará la intersección sobre el eje vertical. b) características. Ahora se tiene una recta de carga definida por la red y una curva de características definida por el dispositivo.2.1) ID (mA) Las dos variables en la ecuación (2. Si se establece ID = OAen la ecuación (2.lb. el cual tiene las características de la figura 2. Esta similitud permite una graficación de la ecuación (2.1 b. y el primer cuadrante (VD e ID positivos) de la figura 2. Aunque la mayor parte de las redes de diodos que se analizan en este capítulo no utilizan el sistema de la recta de carga.1 que utiliza un diodo. indica que el diodo está en estado "encendido" y que se establece la conducción. con VD = O V la ecuación (2. de acuerdo con el sentido de las manecillas del reloj.1 b. y en un punto de intersección diferente entre la recta de.VD . Pennite de igual fonna una validación de la aproximación de la técnica descrita a lo largo del resto del capítulo. como lo indica la figura 2. El punto de intersección entre las dos es el punto de operación para este 54 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos .1 Configuración de diodo en serie: a) circuito. Por tanto. Obsérvese en la figura 2.2) Figura 2. a este análisis se le llama análisis mediante la recta de carga.

circuito.2) y (2.la.8 (b) • Figura 2./ Caracteósticas (dispositivo) Punto Q '.2 Dibujo de la recta de carga y la selección del punto de operación. 2.3 a) Circuito.4 ) [ID = IsCeKvD/TK . Puesto que la curva para un diodo tiene características no lineales.1)].2 Análisis mediante la recta de carga 55 . al punto de operación se le llama punto estable (abreviado "Q-pt".Q VR + 6 5 4 3 2 o 0. b) características. La solución que se obtiene por la intersección de las dos curvas es la misma que podría conseguirse mediante la solución matemática de las ecuaciones simultáneas (2. las matemáticas involucradas requerirían del uso de técnicas no lineales que están fuera de las necesidades y objetivo de este libro. por las palabras en inglés de: Quiescent PoinT) y refleja sus cualidades de "estable y sin movimiento" según se definió para una red de de...5 0. En general. Mediante el sencillo dibujo de una línea recta hacia abajo hasta el eje horizontal puede determinarse el voltaje del diodo VD' mientras que una línea horizontal a partir del punto de intersección y hasta el eje vertical dará el ~ivel de ID .3b: a) VDQ e IDQ • b) VR • EJEMPLO 2. El análisis de la recta de carga descrito antes ofrece una solución con un mínimo de esfuerzo. La corriente ID es en realidad la corriente a través de toda 1a conflgúración en serie de la figura t. o E Figu!'a 2. Si R 9 8 7 > 1 k.3). y una descripción "pictórica" de la razón por la cual se obtuvieron los niveles de solución para VDQ e 1DQ' Los siguientes dos ejemplos demostrarán las técnicas que se presentaron. Determinar para la configuración de diodos en serie de la figura 2..1) Y (1..1 10 + .3a usando las características de diodo de la figura 2. las cuales ofrecen una facilidad relativa con la que puede dibujarse la recta de carga utilizando las ecuaciones (2.

2): ID = !. a la exactitud con la cual se pueda leer la gráfica.25 mA ¡n (mA) '" lO 9 8 7 6 5 4 3 2 o 0.7V Q b) = IRR = IDQR = (4. Es ideal cuando los resultados que se obtienen de una ti otra manera son los mismos.9. una vez más.1.4.4 Solución al ejemplo 2. Solución a) La ecuación (2.Solución a) La ecuación (2.3): VD = EIID = DA = lO V La recta de carga resultante aparece en la figura 2.7 V = 9.6mA La diferencia en los niveles se debe.1 con R = 2 kQ.O. Obsérvese la pendiente reducida y los niveles de corriente del diodo para las cargas crecientes.2 V con VR = E .25mA El nivel de VD es una estimación y la exactitud de ID está limitada por la escala elegida.5 \ J 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (E) VD (V) Figura 2.6 mA)(2 kQ) = 9.I R VD = ov =~=5 2 kQ mA La ecuación (2..25 mA)(1 kQ) = 9.VD = 10 V .3): VD = EI1D=DA = IOV La recta de carga resultante aparece en la figura 2. .0. El punto Q resultante está definido por VD ". 56 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos ..3 V VR I DQ '" 4.22V La diferencia en los resultados se debe a la exactitud con la cual se pueda leer la gráfica. Un grado más alto de exactitud requeriría de una gráfica mucho más grande.= 10 mA IkQ La ecuación (2.5.O. EJEMPLO 2.78V=9. Es cierto que los resultados ofrecen una magnitud esperada para el voltaje VR.2): ID = -E I R VD=OV 10V =.25 V o VR =E-VD =IOV-0. La intersección entre la recta de carga y la curva característica define el punto Q COffi<? VD ". I DQ == 9.2 Repetir el análisis del ejemplo 2.78V Q Q ID ". b) VR = I.R = ID R Q = (9.

6. los siguientes dos ejemplos repiten el análisis de los ejemplos 2.2.3 = 0. mientras las características están definidas para el dispositivo elegido. la recta de carga será exactamente la misma que se obtuvo en los ejemplos anteriores.7 V ID Q = 9.1 usando el modelo aproximado del diodo. El punto Q resultante: VD Q EJEMPLO 2.1 y 2. Repetir el ejemplo 2.1) o 05 \ I 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (E) VDQ == O. Si se recurre al modelo aproximado para el diodo y no se cambia la red.6 mA 4 ''1 3 (del ejemplo 2. 2. Solucióu Se dibuja de nuevo la recta de carga según se muestra en la figura 2.6 Solución al ejemplo 2.5 Solución al ejemplo 2. Las características del circuito equivalente aproximado para el diodo también se han trazado en la misma gráfica. De hecho. con la misma intersección como se definió en el ejemplo 2.2 Análisis mediante la recta de carga 57 .1 usando el modelo equivalente aproximado para el diodo semiconductor' de silicio.7V Figura 2.1.10 9 8 f 7 Punto Q 11\! == 4. la recta de carga está determinada sólo por la red aplicada.2 mediante el empleo del modelo aproximado para permitir una comparación de los resultados.25 mA IDQ =9.25 mA 10 9 8 7 6 5 4 3 2 O 05 \1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VD (V) Figura 2. Como se observa en los ejemplos anteriores.

5 \1 V DQ ~ =>-.3 son muy interesantes. pero es cierto que están en la misma vecindad. si se comparan sus magnitudes con las de los otros voltajes en la red. porque el nivel de ID es exactamente el mismo que el del ejemplo 2.4 Repetir el ejemplo 2.7 Solución al ejemplo 2. EJEMPLO 2.4 los resultados que se obtienen tanto para VD como para IDo son los mismos que los que resultaron empleando las características compfetas en el ejemplo 2.6 mA lo Q 1/)(mA) 10 9 8 7 6 I DQ =: 4. El punto Q resultante: VDQ ~ ~ 0.2 usando el modelo equivalente aproximado para el diodo semiconductor de silicio.7V figura 2. con la misma intersección definida en el ejemplo 2.7 V 3 2 O 2 =:O.8 se mostró cómo la recta de carga continúa siendo la misma.4.7. que el uso de las aproximaciones adecuadas puede dar como resultado la obtención de soluciones que son muy cercanas a la respuesta real con un nivel reducido de incertidumbre acerca de la reproducción adecuada de las características.1 tiene una diferencia en magnitud del orden de las centésimas. son muy cercanos a los que resultaron al utilizar las características completas.7 V 4. eligiendo a su vez una escala lo suficiente grande. En el ejemplo 2. Solución En la figura 2. pero ahora las características ideales se intersecan con la recta de carga en el eje vertical. Por tanto.1 empleando una curva de características qu~ resulta mucho más fácil dibujar que la que aparece en la figura 2. Los ejemplos anteriores demuestran que los niveles de corriente y voltaje que se obtuvieron al utilizar el modelo aproximado.2.7 V contra 0. Esto sugiere.1 usando el modelo del diodo ideal. Solución La recta de carga se dibuja de nuevo como lo indica la figura 2. El nivel de VD ~ 0. EJEMPLO 25 Repetir el ejemplo 2. Los resultados indicarán las condiciones que deben ser satisfechas para poder aplicar el equivalente ideal de forma adecuada. Las características del circuito equivalente aproximado para el diodo también se dibujaron en la misma gráfica.2 3 4 6 7 8 9 10 VD (V) utilizando el modelo aproximado del diodo.2.78 V del ejemplo 2.cIf-o- 5 0. el punto Q está definido por VDQ = O V IDo = lOmA 58 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . como se verá al aplicarlo en las próximas secciones.Los resultados que se obtienen en el ejemplo 2.6 mA 5 4 -0.

muestra que el método del ejemplo 2. el modelo equivalente completo podría aplicarse de la misma forma como se describió en la sección 2. el uso del modelo del diodo ideal debe reservarse para aquellas ocasiones cuando la función de un diodo sea más importante.3 APROXIMACIONES DE DIODOS En la sección 2.2 se indicó que los resultados que se obtuvieron al emplear el modelo equivalente de segmentos lineales fueron muy cercanos. Aunque el diodo de silicio se usa en forma casi 2. que los niveles de voltaje que pueden variar en décimas de un volt. Con la finalidad de preparar el análisis que se presentará. se podría considerar una solución "tan exacta" como la otra.:::---3 4 o" ¡ 2 5 6 7 8 9 Figura 2. De hecho. los modelos y las cond~ciones de aplicación de los modelos aproximados e ideales de los diodos.1 como para causar una incertidumbre acerca de su exactitud. Yno se utilizó en el análisis de la recta de carga debido a que r av suele ser mucho menor que los otros elementos en serie de la red. si no iguales.7 V.1 para repasar las características más importantes.3 es más apropiado. Por tanto. se desarrolló la tabla 2.1 usando el modelo del diodo ideal. de manera que minimice la necesidad de extensos desarrollos matemáticos. y en las situaciones donde los voltajes aplicados son de manera considerable más grandes que el voltaje de umbral VT" En las siguientes secciones se usará en forma casi exclusiva el modelo aproximado.8 Solución al ejemplo 2. ya que los niveles de voltaje que resulten serán sensibles a las variaciones que se aproximan a VT" También en secciones posteriores se usará el modelo ideal con mayor frecuencia debido a que los voltajes aplicados serán un poco más altos que VT. Debido a que el uso del modelo aproximado genera los resultados que se desean después de un tiempo y esfuerzo reducidos. a menos que se especifique 10 contrario. y así sucesivamente. temperaturas.Punto Q I DQ =10mA 10 9 8 7 ~ \ VD=OV ~ 2 ~~ . pero el esfuerzo adicional de incluir el equivalente de 0. Es cierto que ofrecen alguna indicación acerca del nivel de voltaje y corriente que deben esperarse para otros niveles de voltaje de la red. Ylos autores desean asegurarse que la función del diodo quede comprendida en fonna correcta y clara. Los resultados son lo suficientemente diferentes para las soluciones del ejemplo 2. a la respuesta obtenida al utilizar las características de manera completa. El modelo equivalente de segmentos lineales completo se presentó en el capítulo 1.2. si se consideran todas las posibles variaciones debidas a las tolerancias.3 Aproximaciones de diodos 59 . Recuerde lo siguiente: El propósito básico de este libro es desa"ollor un conocimiento general acerca del comportamiento. Si r" fuera cercano en magnitud a los otros elementos en serie de la red. 2. capacidades y áreas posibles de aplicación de un dispositivo. será entonces el sistema empleado en este libro.

1 Modelos de diodo semiconductor aproximado e ideal + Siliciu 0. y por tanto se incluye en la figura 2. De la misma manera que el diodo de silicio.3 V en los circuitos equivalentes no son fuentes independientes de energía.R»r".3 V VD Modelo ideal (Si o Ge) + OV -~ -l~-E (E»VT.) => o + Germanio 0. Un diodo aislado en la mesa de laboratorio no indicará 0.7~ lo (E> V-¡.TABLA 2.1. un diodo de germanio se aproxima mediante un equivalente de circuito abierto para los voltajes menores que Vr. todavía se utiliza el diodo de germanio. Tenga en cuenta que el 0.7 V Y el 0. 60 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos .R»r". y detallan que el voltaje del diodo debe ser por lo menos del nivel que se indica antes que la conducción pueda establecerse.3 V si se coloca un voltímetro en sus terminales.) => ------4--------+ + + V T - ~'_ ________V_D_ exclusiva debido a sus características de temperatura.3 V. Los fabricantes especifican la caída de voltaje a través de cada uno cuando el dispositivo se encuentra en "encendido'·.7 V o 0.' = VT = 0.7\1 ~ if-o ~O.Entrará al estado "encendido·· cuando VD..3 V -~ o 0. pero están ahí sólo para que recuerde que existe un "precio que debe pagarse" por encender un diodo.

En esta sección se usará el modelo aproximado para investigar una variedad de configuraciones de diodos en serie con entradas de de.Cuáles diodos se encuentran en "encendido" y cuáles en "apagado"? Una vez que esto se hace.1 sobre el análisis de las configuraciones'de los diodos.12 con el modelo equivalente apropiado para el diodo de silicio con polarización directa. un diodo está en estado "encendido" si la corriente establecida por las fuentes aplicadas es tal que su dirección concuerda con la flecha del símbolo del diodo.5) (2. el estado del diodo se determina de forma mental al reemplazar el diodo con un elemento resistivo.9b. + v{) - lL + R vR (2. Para cada configuración. ¿.11.10.4) Si + Figura 2. El voltaje resultante y los niveles de corriente son .4 CONFlGURACIONES DE DIODOS EN SERIE CON ENTRADAS DE DC Figura 2. Ge (a) --(b) 2. Si las condiciones son las que podrían usarse en el modelo del diodo ideal. que la polaridad de VD es la misma 'l.12 Sustitución del modelo equivalente para el diodo en estado "encendido" de la. Si la dirección resultante es "similar" a la flecha del símbolo del diodo.ue la que resultaría si de hecho el diodo fuera un elemento resistivo. el símbolo del diodo aparecerá como lo señala la figura 2.11 Determinación del estado del diodo de la figura. 2. Figura 2.6) Figura 2. .4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de dc 61 .7 V para el silicio y V D ~ 03 V para el germanio.7-V a través del elemento. para ca. descrito brevemente en la sección 2. + v.. Primero.2.1. fígura 2. se necesitará para demostrar la aproximación descrita en los párrafos anteriores. Se dibuja de nuevo la red como lo señala la figura 2. 2. y V D ~ 0.93 para los diodos de silicio y de germanio. o dibujar de nuevo la red con el circuito equivalente VT como se definió en la tabla 2.da configuración debe detenninarse el estado de cada diodo. Primero.En las siguientes secciones se demostrará el impacto de los modelos de la tabla 2.9 a) Notación del modelo aproximado: b) notación del modelo ideal. Dicho contenido establece los fundamentos en el análisis de diodos que se aplicarán en las secciones y capítulos siguientes. como lo indica la figura 2. El procedimiento descrito podrá aplicarse a redes con cualquier número de diodos y en una variedad de configuraciones. el símbolo del diodo aparecerá como lo indica la figura 2.. Inicialmente el método de sustitución se utilizará con el fin de asegurar que se detenninen el voltaje y los niveles de corriente adecuados. En general. + E F'· o. Para las situaciones en que se emplee el circuito equivalente aproximado.los siguientes: (2. el diodo se encuentra en estado "encendido". y dado que E> VT.3 y determinar los parámetros restantes de la red detenninada.7· Va través de cada diodo en "encendido" y dibujar una línea a través de cada diodo en estado "apagado" o abierto. se puede colocar una caída de 0. Obsérvese para una futura referencia. ocurrirá la conducción a través del diodo y el dispositivo estará en estado ·'encendido". se reemplazarán mentalmente los diodos por elementos resistivos y se observará la dirección resultante de la corriente... Con el tiempo.~v . Si un diodo está en estado "encendido". de acuerdo como se establece debido a los voltajes aplicados ("presión"). La dirección resultante de 1 coincide con la flecha en el símbolo del diodo.10. La descripción anterior depende de que la fuente suministre un voltaje mayor que el voltaje de "encendido" (VT) de cada diodo. El circuito en serie de la figura 2.10.10 Configuración con diodo en serie. se puede sustituir el equivalente adecuado como se definió en la sección 2. probablemente se preferirá incluir la caída de 0.

+ VD=E +F E l"t.14 indicará que la dirección resultante de la corriente no coincide con la flecha del símbolo del diodo.VR y =O VD=E-VR=E-O=E =8V 62 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . lo que genera el circuito equivalente de la figura 2. como se definió por la ley de voltaje de Kirchhoff. determinar VD' VRe ID' Solución +F E + Vo Si l'L.15 Sustitución del modelo equivalente para el diodo en estado "apagado" de la figura 2. VD = 0. Esto es porque VR = VR = (O)R=O V.6 con el diodo invertido..17 . Debido l~.16 Circuito para el ejemplo 2..+ E ~=- + R V..13 el diodo de la figura 2. resulta que la dirección de 1 es opuesta a la flecha en el símbolo del diodo. R 2. valores instantáneos de de.VD . Debido al circuito abierto.. +~ E if"'"'''' .16. El diodo está en estado "apagado"..15. pulsos. En la figura 2.7 Repetir el ejemplo 2. Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo cerrado genera E . 2. Figura 2. el resultado es la red de la figura 2. y que el equivalente del diodo es el circuito abierto sin importar qué modelo se utilice. El reemplazo mental del diodo por un elemento resistivo según la figura 2. Siempre se tomará en cuenta que bajo cualesquiera circunstancias. Figura 2.14 Determinación del estado del diodo de la figura 2.2kn EJEMPLO 2. al circuito abierto. ac. + ~ . Figura 2.7V=73V ID=IR= . EJEMPLO 2.13. = R 2.6 Para la configuración de diodos en serie de la figura 2. + Debido a que el voltaje establece una corriente en la dirección de las manecillas del reloj para coincidir con la flecha del símbolo y que el diodo está en estado "encendido".2kQ 8 V V. deberá satisfacerse la ley de voltaje de Kirchhoff. R V. Flgura 2.de la resistencia R es la siguiente: El hecho de que VR = O V establecerá E volts a través del circuito abierto. donde ID = O A.7.7 V VR 7. E L 8V ID = OA o---l1 VD R Solución 'R = O: V R Al eliminar el diodo.13 Invirtiendo el diodo de la figura 2.17 Determinación de las cantidades desconocidas para el ejemplo 2.10 se invirtió.6.10. --1+ R V.13.3 V _332mA VR=E-VD =8V-O. etc.2 ka . la corriente del diodo es de O A Y el voltaje a través . Figura 2.

7 V VD == 0.20 Punto de operación con E '" 0.5 V 2. / 0.5V o Figura 2. Solución A pesar de que la "presión" establece una comente con la misma dirección que el símbolo de la flecha. La corriente es cero. Dicha notación y otros niveles definidos de voltaje se tratarán con mayor profundidad en el capítulo 4. pero la corriente siempre será igual a OA.5 v R < 1. Con el fin de repasar. Para la c.18 Notación de la fuente. E =+lOVo Figura 2. Un circuito cerrado tiene una caída de O V a través de sus terminales. Se trata de una notación común en la industria. determinar VD' VR e ID" EJEMPLOZ. el nivel del voltaje aplicado resulta insuficiente para "encender" el diodo de silicio.7 el alto voltaje a través del diodo a pesar de que se encuentra en estado "'apagado". El punto de operación sobre las características se señal~.onfiguración de diodo en serie de la figura 2.5 V. 2.Obsérvese en el ejemplo 2.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de de 63 . pero la corriente estará limitada por la red que la rodea.18 para el voltaje aplicado. debe recordarse el análisis siguiente: l. En el siguiente ejemplo es importante la notación de la figura 2. y establece el equivalente del circuito abierto como la aproximación adecuada. Un circuito abierto puede tener cualquier voltaje a través de sus terminales.R = Id? = (OA)1. con la que el lector debe familiarizarse.19.0.2 kQ V R Figura 2. en la figura 2.19 Circuito del diodo en serie para el ejemplo 2. El voltaje resultante y los niveles de corriente son por tanto los siguientes: ID = OA VR = I.2kn = OV y VD =E=O. pero el voltaje es significativo.20.8 ~ Si + E -=:=.8.

6 revelará que la corriente resultante tiene la misma dirección que las flechas de los símbolos de ambos diodos.22 Determinación de las cantidades desconocidas para el ejemplo 2. Solución Un enfoque similar que se aplicó en la figura 2.VT . pero no así para el diodo de g~l?Danio.0.24. 64 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . porque E = 12 V > (0.6 kn Figura 2.9 Determinar V. IR V.7 V + 0. Nótese la fuente redibujada de 12 V Y la polaridad de Vo a través de la resistencia de 5.10.23 Circuito para el ejemplo 2. .96mA R R Figura 2.9. 5.3 V = 11 V e [D=[R=-=-= VR Vo 11 V 5. +12V ID Si G. como lo señala la figura 2.24 Determinación del estado de los diodos de la figura 2. V D2 Si + 12 v o---~---f4I--ri-:-<' V.VT . EJEMPLO 2. Existe una similitud en la dirección de la corriente para el diodo de silicio.25 Sustitución del estado equivalente para el diodo abierto. = 12 V .7 V .22 es el resultado. ? 1= o FIgura 2.EJEMPLO 2. e ID para el circuito en serie de la figura 2. La combinación de un corto circuito en serie con un circuito abierto siempre genera como resultado un circuito abierto e ID = O A.6 kO Figura 2. y que la red de la figura 2.21 Circuito para el ejemplo 2.10 Determinar ID' VD. Figura 2.25.9. El voltaje resultante Vo = E . Si IR + 5.3 V) =1 V.23. Solución Al eliminar los diodos y al determinar la dirección de la corriente resultante 1 generará el circuito de la figura 2.0.21.23.6kQ 0'1. Y Vo para el circuito de la figura 2.6 kQ.

11.O = 12V Determinar 1. + J.10.7V- .7 V + VI - + O.29 Determinación de las cantidades desconocidas para la red de la figura 2.27. Vo y = I¡? = lrfi = (OA)R = OY VD2 = Vcitcuito abierto =E = 12 V E .Vo = l2V .O . + 5V¡ A V. Figura 2.27. 65 Figura 2. y la dirección de la corriente se indica en la figura 2. sólo debe recordarse que para el diodo práctico real ID =OA.27 Circuito para el ejemplo 2. (T 4. = O Y se indican en la figura 2. R2 E. Obsérvese que el estado "encendido" se anota sólo mediante VD = 0.29 está incluida para indicar este estado.. 2. El diodo está en estado "encendido" y la notación que aparece en la figura 2. 4.7 ka + FIgUra 2.7 kn 2.La pregunta que permanece es: ¿qué sustituir en lugar del diodo de silicio? Para el análisis que seguirá y para los capítulos subsecuentes.28.. como se describió para la situación sin polarización en el capítulo l.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de de .26 Determinación de las cantidades desconocidas para el circuito del ejemplo 2.Vo = O La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj da y VD.27. VI' V2 y Vo para la configuración de de en serie de la figura 2.11 + v. Vo con =E = OV VD. Las condiciones descritas por ID = OA Y VD. 110V .VD. Solución Las fuentes se dibujan de nueve. E.28 Determinación del estado del diodo para la red de la figura 2. R.VD. . . .2 ka: + v. Figura 2.26. EJEMPLO 2. VD =O Y (y viceversa).

7 V 66 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos . e ID.30 Red para el ejemplo 2.7 V 4.E.2 kQ = 14.VD = 10 V + 5 V .55 V .5V = ~. una vez que se establece un nivel de confiabilidad en el análisis de las configuraciones de los diodos.07 mAl (4. sólo se igualan las series secuenciales de pasos aplicados a las configuraciones de diodos en serie. . Y los voltajes son V¡ V. Recuerde que puede indicarse un diodo con polarización inversa. 2.5 CONFIGURACIONES EN PARALELO Y EN SERIE-PARALELO Los métodos aplicados en la sección 2. Como se señaló en la introducción de esta sección.7 kQ) = 9.45 V El signo de menos indica que Vo tiene una polaridad opuesta a la que aparece en la figura 2.. sólo con una línea a través del dispositivo. Con el tiempo. la "presión" de la fuente es para establecer una corriente a través de cada diodo en la misma dirección que se muestra en la figura 2.07 mAl (2.27.7 V. ambos diodos están en estado "encendido".adicional en la figura.73 V = IR.30. ..12.. = 4. EJEMPLO 2. = (2.0. Solución FIgura 2..9 kQ _2. . Para el voltaje aplicado.7 kQ + 2.07mA R¡ + R.3 V 6. 1= E¡ + E.31. Para cada área de aplicación. La corriente resultante a través del circuito es. el análisis completo se desarrollará sólo refiriéndose a la red original.55 V La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff a la sección de salida en la dirección de las manecillas del reloj generará un resultado y Vo = V. . = IR¡ = (2.2 kQ) = 4. Debido a que la dirección de la corriente resultante es igual a la de la flecha en cada símbolo de diodo. El voltaje a través de los elementos en paralelo es siempre el mismo y Vo = 0. es probable que esta sea la ruta y notación que se tomará.12 Determinar Vo'!¡'!D. y que el voltaje aplicado es mayor que 0.4 se pueden extender al análisis de las configuraciones en paralelo y en serie-paralelo. para la configuración de diodos en paralelo de la figura 2. Esto elimina la necesidad de dibujar de nuevo la red y evita cualquier confusión que pueda generarse por la aparición de otra fuente.

4 V .2kQ . Al colocar dos en paralelo. 28.7 V 4V Figura 2.R = VR = IOV .32.. se señala que la dirección de la corriente resultante es como para encender el diodo DI y apagar el diodo D 2 " La corriente resultante 1 es entonces 1= 20 V .0.33 kn R E 110 . EJEMPLO 2.33 kQ = 2S. = 1 D. Si ..33.09 mA con el mismo voltaje terminal.32 Red para el ejemplo 2.09mA El ejemplo 2.12..30 es sólo de 20 mA.7 V 0.1SmA Suponiendo diodos de características similares. 2.31 Determinación de las cantidades desconocidas para la red del ejemplo 2... la corriente está limitada a un valor seguro de 14. v 0_ Figura 2.. Determinar la corriente 1 para la red de la figura 2. =. D.. se tiene 1D.30.13. .5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 67 . La corriente 1. '-' Si D_ Figura 2..7 V 2.. Solución Al dibujar de nuevo la red como lo indica la fIgura 2.13.18 mA dañaría el dispositivo si apareciera sólo en la figura 2.0.18 mA 1.13 1 -+ E¡=20V R 2.11 + 1 V ' - ~ 0.2kQ _ 6.".95mA 1 R = 2.33 Determinación de las cantidades desconocidas para la red del ejemplo 2.12 demostró una razón para colocar diodos en paralelo.2 kQ + :1]' :' T + 0. Si la corriente nominal de los diodos de la figura 2.= 2 2 14. = . una corriente de 28.

~ 3.0.7 V Figura 2.. Solución El voltaje aplicado (presión) es como para encender ambos diodos.. como se observó por las direcciones de corriente resultante en la red.37 Determinación de las cantidades desconocidas para el ejemplo 2..34 Red para el ejemplo 2. aunque quizá se podría medir en milisegundos.36 Red para el ejemplo 2. e / D.3 kQ = 0. 68 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . _.15. para la red de la figura 2. Durante el incremento en que se establece 0.3 V. y por tanto pennanecerá en su estado de circuito abierto como lo indica la figura 2. éste '''prenderá'' y mantendrá un nivel de 0. • Si R. la caída de 0.14.35 Determinación de Vo para la red de la figura 2.15 Determinar las corrientes /" /. 33 kQ D. de la figura 2.7-Va través del diodo de silicio no será igual a los 0. 2.3 V = 11. EJEMPLO 2.3kQ 5.6 kQ .2 kSl Inicialmente.36. sin embargo. I vo . El diodo de silicio nunca tendrá la oportunidad de capturar su 0.3 V a través del diodo de gennanio. por el hecho de que el voltaje a través de elementos paralelos debe ser el mismo.20 v v = 0.15. 03V rS ~ F a vTTo3V o O7 V I . Solución s.¡.34. Nótese que el uso de la notación abreviada para los diodos '''encendido'' y que la solución se obtienen a través de una aplicación de técnicas aplicadas a las redes de en serie-paralelo. E -.6 kQ 3.3 V a través del diodo de germanio como se requiere. si ambos están en "encendido".35.V1 + figura 2.14 12 v Determinar el voltaje Va para la red de la figura 2.EJEMPLO 2. La acción resultante se puede explicar sólo con notar que cuando la fuente se enciende incrementará de O Va 12 V en un periodo.7 V requerido.7V 5. 2. El resultado: Vo = 12 V .37. R. parecería que el voltaje aplicado "encenderá" ambos diodos.212mA Figura 2. I----~v.2 kD Figura 2.34.

(O( Oy 1 av. Las suposiciones se confinuan por los voltajes y la corriente resultante. pero el 9. debido a que puede estipularse que el voltaje a través del diodo debe ser 0.6 V V. Rt .108 mA 2. del reloj produce: -V2 + E . r..39 "sugiere" que DI está probablemente en estado "encendido'· debido a los 10 V aplicados.32 mA 5.32 mA '-. . = E .3 V.7 V =9. Por tanto. en tanto que una entrada de O-V tiene asignado un "O··. = 3.16 + . Una compuerta OR es tal.16 es una compuerta OR para lógica positiva.. el nivel de 10-V de la figura 2. Esto es. = V o R. ye ( ~ D.38 tiene asignado un "1" para el álgebra booleana. la salida es un nivel 1 con sólo una entrada.38.La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en la dirección de las manecilla. El análisis verificará o negará las suposiciones iniciales. (1) E=10 Ahora. para la red de la figura 2. con su lado "positivo" en O V está quizá en "apagado" . que demostrará el rango de aplicaciones de este dispositivo relativamente sencillo. y se puede asumir que el análisis inicial es correcto.0. el mejor método es el de establecer un sentido "intuitivo·' para el estado de los diodos mediante la observación de la dirección y la "presión" que establecen los potenciales aplicados.3 en el lado del cátodo (-) de D 2 y O Ven el lado del ánodo (+).0. = O 18. lo cual sugiere que se trata de una EJEMPLO 2.V T .40.VT .. D. La red que se analizará en el ejemplo 2. En general. 2. El nivel de voltaje de salida no es de JO V como se definió para una entrada de 1. las herramientas de análisis están a la disposición.6kQ ID: + JI = 1:. En el nodo a de la parte inferior 18. 10 V en la terminal l. Para D I el estado "encendido" establece Vo en Vo = E .VD = 10 V -0. D. La salida es de O si ambas entradas están en el nivelO.39 Red dibujada de nuevo de la figura 2.38 Compuerta lógica OR positiva. = 1. y - VT .38. La dirección de la corriente y la trayectoria contin~a resultante para la conducción reafirman la suposición de que DI está conduciendo. Solución Obsérvese que en principio sólo existe un potencial aplicado. - Vr. D? está definitivamente en estado "apagado". s. kQ Figura 2.. = 20V .7V con 1. La figura 2... y no se incluirá un análisis detallado de álgebra booleana o de lógica positiva y negativa. La terminal 2 con una entrada de O V es esencialmente un potencial de tierra. observar que la polaridad a través de DI es tal como para encenderlo y que la polaridad a través de D 2 es tal como para apagarlo.39.7 V positivos para el diodo de silicio (0. Figura 2. como se indica en lo que se dibujó de nuevo de la red de la figura 2.3 V para el de germanio) para cambiar al estado "encendido'·.1.3 V es lo suficientemente grande para ser considerado un nivel l. mientras que D. y lo.. y la oportunidad de investigar una configuración de computadora. El análisis de las compuertas AND/OR se realiza con fáciles mediciones al utilizar el equivalente aproximado para un diodo. Con 9. que el nivel de voltaje de salida será de 1 si alguna o ambas entradas son l.0. El siguiente paso es sólo para verificar que no existen contradicciones en las suposiciones. Esto es. Determinar V.6 Compuertas ANDjOR 69 ..6 V = . en lugar del ideal.212 mA = 3. La suposición de estos estados dará por resultado la configuración de la figura 2.6 COMPUERTAS ANDjOR s. El análisis estará limitado a la determinación de los niveles de voltaje.= 3.7V .

lO\' Figura 2. (01 Si Ez =ov 2 D. Con 0. se elige el mismo nivel que el nivel lógico de la OVo E.. se encuentra en estado "encendido" debido al bajo voltaje del lado del cátodo y la disponibilidad de la fuente de !O-Ya través de la resistencia de l-kQ .R 1 I kQ.7 Y en el ánodo de DI y 10 Y en el cátodo.3 Y.38. aunque exista una fuente de lO-y conectada al ánodo de DI a través de la resistencia.7 Y. = ¡OY D.42 con las suposiciones iniciales respecto a los estados de los diodos.41.42 el voltaje en Vo es de 0.3 mA FIgura 2..40 el nivel de corriente se encuentra determinado por I = = . debido a que el diodo D. Para la red de la figura 2. 70 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos ..40 "=" Estados del diodo asumidos para la figura 2. si los voltajes de entrada y fuente se encuentran en el mismo nivel y creando "presiones" opuestas? Se supone que D.7Y lkQ = 9. DI está defi- E 1 .17 (1) Determinar el nivel de salida para la compuerta lógica ANO positiva de la figura 2. nitivamente en estado "apagado". La corriente 1 tendrá la dirección que se indica en la figura 2 . recuerde que se mencionó en la introducción de esta sección que el empleo del modelo aproximado servirá de ayuda para el análisis. Si Solución Obsérvese en este caso que la fuente independiente aparece en la terminal conectada a tierra de la red.42 Sustitución de los estados asumidos para los diodos de la figura 2.41 Compuerta lógica AND positiva. Una entrada de O-Yen ambas entradas.. Para DI ¿de dónde vendrá el 0.. no proporcionará el 0.3mA lkQ 10 Y . Con 10 Y del lado del cátodo de DI se asume que DI se encuentra en estado "apagado".= 9..7 Y EJEMPLO 2. R I k!l entrada.7 Y requerido para encender los diodos y la salida será de O debido al nivel de salida de O-v. Debido a razones que pronto serán obvias. Sin embargo.42 Yuna magnitud igual a I = = lOY.41. Figura 2.0. compuerta ORo Un análisis de la misma red con dos entradas de lO-y dará por resultado que ambos diodos estén en estado "encendido" y con una salida de 9. Para la red de la figura 2.0.7 Y. está polarizado directamente. La red está dibujada en la figura 2.

. = Vmsen oor . rectificación de media onda 71 . Cuando un diodo se usa en el proceso de rectificación. Al sustituir la equivalencia de circuito cerrado por el diodo dará por resultado el circuito equivalente de la figura 2. Figura 2. Los estados restantes de los diodos para las posibilidades de dos entradas y ninguna entrada se examinarán en los problemas que aparecen al final del capítulo.. tales como la fonna de onda senoidal y la onda cuadrada.. Sus valores nominales de potencia y corriente son nonnalmente mucho más altos que los de los diodos que se usan en otras aplicaciones. y encender el diodo con la polaridad indicada arriba del diodo...43. el análisis será bastante directo y seguirá un procedimiento común. el análisis de los diodos se ampliará para incluir las funciones variables en el tiempo. generará una forma de onda vo' la cual tendrá un valor promedio de uso particular en el proceso de conversión de ac a dc. A pesar de que no hay O V como se especificó antes para el nivelO. pero una vez que se comprendan varios movimientos.... El circuito de la figura 2.43.. + + R ~ leido v. ~ . como en computadoras o sistemas de comunicación.43. es común que se le llame rectificador.. una única entrada dará por resultado un nivelO de salida. el valor promedio (la suma algebraica de las áreas arriba y abajo del eje) es cero.43 Rectificador de media onda. llamado rectificador de media onda. A través de un ciclo completo.. Por el momento se utilizará el modelo ideal (obsérvese la ausencia de la identificación Si o Ge para denotar el diodo ideal). para asegurar que el sistema no se dificulte por la complejidad matemática adicional. por tanto.. Durante el intervalo t = O .. 2. el voltaje de salida es lo suficientemente pequeño para poder considerarlo en un nivelO. ~ + ~-... No existe duda de que el grado de dificultad se complicará. = V¡ . Para la compuerta AND. donde parece muy obvio que la señal de salida es una réplica exacta de la señal aplicada. El estado de los diodos es. Las dos terminales que definen el voltaje de salida están conectadas directamente a la señal aplicada mediante la equivalencia de corto circuito del diodo. Figura 2. ~ + ~ + R Vo R.43. TI2 en la figura 2.. confinnado y el análisis anterior fue correcto.44 Región de conducción (O 2.7 ENTRADAS SENOIDALES.. por tanto.44. la polaridad del voltaje aplicado Vi es como para establecer "presión" en la 'dirección que se indica.. + + + .-~-. definido por el periodo T de la figura 2. La red más simple que se examinará con una señal variable en el tiempo aparece en la figura 2. RECTIF1CACIÓN DE MEDIA ONDA Ahora. T/2). " .7 Entradas senoidales..

.318Vm Imediaonda (2.7) + R v" "0 = OV . 72 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . El efecto neto es una reducción en el área arriba del eje..--~ Vd':: = OV o -r- Figura 2. la cual reduce de manera ¡--o-jt---o~-~+ O.... menores que 0.45. Para los niveles de v.47 Efecto de VT sobre la señal rectificada de media onda. La entrada v. Ahora.L 2 T T) . y la polaridad resultante a través del diodo ideal produce un estado "apagado" con un equivalente de circuito abierto. y la salida va se dibujaron juntas en la figura 2.45 Región de no conducción (T/2 ~ o .. la señal de salida v(J tiene un área neta positiva arriba del eje sobre un periodo completo..7 V YV o = Vi . y un valor promedio detenninado por Vdc = 0.. Figura 2. es como se indica en la figura 2.7 V antes de que el diodo pueda "encender".46 Señal rectificada de media onda.47 para la región de polarización directa..46 con el propósito de establecer una comparación. Al proceso de eliminación de la mitad de la señal de entrada para establecer un nivel de se le llama rectificación de media onda.. El efecto del uso de un diodo de silicio con Vr = 0.. . como lo indica la misma figura.V r según se indica en la figura.7 V el diodo aún está en estado de circuito abierto y V o := O V. Cuando conduce.Para el periodo T/2 ---'> T.. El resultado es la ausencia de una trayectoria para el flujo de carga y V o = iR = (O)R = O V para el periodo T/2 ---'> T.f--¡.7 V se señala en la figura 2..7V 11 + vr - R o I I ~2 Defasamiento debido a VT 11 11 T T t Figura 2..... la diferencia entre voY Vi se encuentra en un nivel fijo de V T= 0. la polaridad de la entrada v. La señal aplicada debe ser abara de por lo menos 0..o+-+--.

e) Ecuación (2. puede ignorarse para la mayor parte de las aplicaciones.318)(199.50 Efecto de VTsobre la salida de la figura 2.8 puede aplicarse para determinar el valor promedio con un alto nivel de exactitud.O. Para el periodo completo. -14+ T ro '. + 20 0 + 2kQ o 'o O T 2 Figura 2.18 + + o TI Figura 2. EJEMPLO 2.49.36 V El signo negativo indica que la polaridad de la salida es opuesta a la polaridad definida de la figura 2.: -0.7V= 19. . en efecto.318Vm = -D.18.5%. el nivel dc es Vd' = -D.3l8Vm = -D.48 Red para el ejemplo 2.8) Si vm es suficientemente más grande que V T' la ecuación 2.8).3 18(200 V .8): Vd' = -D.6 V Ecuación (2.7) y (2.7 es a menudo aplicada como una primera aproximación de VdC • a) b) e) Dibujar la salida voy detenninar el nivel de de la salida de la red de la figura 2. (2.18.: -6.38 V la que es una diferencia que.49 V o resultante para el circuito del ejemplo 2.natural el nivel resultante de voltaje de.3V Figura 2.0.14 V La caída resultante en el nivel de es de 0. Solución a) En esta situación el diodo conducirá durante la parte negativa de la entrada según se muestra en la figura 2. y V o aparecerá como se señala en la misma figura.7 V) = -(0.318(l9. b) Utilizando un diodo de silicio.318(Vm -0.48. Ycomparar las soluciones utilizando las ecuaciones (2.7 Entradas senoidales. Repetir el inciso a si el diodo ideal es reemplazado por un diodo de silicio.3 18(200 V) = -63. o L 2 \ 20V.3V).318(Vm - v" VT ) = -D.50 y Vd'.. rectificación de media onda 73 . Repetir los incisos a y b si Vm se incrementa a 200 V.49. la salida tiene la apariencia de la figura 2. 2.7V) = -D.22 V o cerca del 3.48. Para el inciso e el desvío y la caída en la amplitud debido a VT no sería discernible en un osciloscopio típico si se despliega el patrón completo.3 V) = -63. Para las situaciones donde Vm » Vp la ecuación 2.7): Vd' = -D.318(20 V) = -6.

74 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . Figura 2. por las iniciales en inglés de: Peak Inverse Voltage) (o PRV.53. Debido a que los diodos son ideales. O T 2 t FJgura 2. pues de otra fonna el diodo entrará en la región de avalancha Zener. por las iniciales en inglés de: Peak Reverse Va/tage) del diodo es muy importante en el diseño de sistemas de rectificación. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff.53 para mostrar que D. Durante el periodo t '" O a Tl2 la polaridad de la entrada se muestra en la figura 2.PIV (pRV) El valor del voltaje pico inverso (PIV. 2.52 con sus cuatro diodos en una configuración en forma de puente.51 Determinación del valor de PIV que se requiere para el rectificador de media onda. Recuerde que se trata del valor del voltaje que no debe excederse en la región de polarización inversa. La red más familiar para llevar a cabo tal función aparece en la figura 2. '--------' Valor PIV G Vm recrificador de media onda (2. con su corriente y polaridad indicadas a través de R. Por tanto. se hallan en estado "apagado". Las polaridades resultantes a través de los diodos ideales también se señalan en la figura 2. + T R D4 FJgura 2. y D3 están conduciendo.54.o IR= (O)R=O V Figura 2. El valor PIV requerido para el rectificador d~ media onda puede determinarse a partir de la figura 2.52 Puente rectificador de onda completa.53 Red de la figura 2.8 RECTIFICACIÓN DE ONDA COMPLETA Puente de diodos El nivel de dc que se obtiene a partir de una entrada senoidal puede mejorar al 100% si se utiliza un proceso que se llama rectificación de onda completa. + "encendido" + _ "encendido"_ R + _ "apagado" A 2 + " A v. en tanto que D¡ y D. parece muy obvio que el valor PIV del diodo debe ser igualo mayor al valor del pico del voltaje aplicado.51. la cual muestra el diodo de la figura 2.52 para el periodo O ~ T/2 del voltaje de entrada vi. el voltaje de carga V o = Vi' según se muestra en la misma figura.54 Trayectoria de conducción para la región positiva de Vi.43 con polarización inversa con un voltaje máximo aplicado.9) vo == + 0------------+-----. El resultado neto es la configuración de la figura 2.

636Vm m) o I IOOd"OffiP¡et.. estableciendo un segundo pulso positivo.7V _ 0-+ R o·_\.10) Sí se emplea diodos de silicio en lugar de los ideales como se indica en la figura 2. Si Vm es lo suficiente más grande que 2V" entonces la ecuación (2.::==7 • ¿~ ~=O.2.8 Rectificación de onda completa 75 . el nivel de dc también ha sido duplicado y Vd' = 2(Ec.. R o "2 T T Figura 2.57 Determinación de V para los diodos de silicio en Omh la configuración puente. una aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la trayectoria de conducción resultaría Vi - Vr Vo Vo - Vr = O 2Vr y = Vi - El valor pico para el voltaje de saIida va es. como se indica en la figura 2.. (2. por tanto.v Ftgura 2. puede aplicarse la ecuación (2.11) ¡~::::. Después de un ciclo completo los voltajes de entrada y de salida aparecerán según la figura 2. Debido a que el área arriba deI eje para un ciclo completo es ahora doble. en comparación con la obtenida para un sistema de media onda.55. . .56 Formas de onda de entrada y salida para un rectificador de onda completa.=..53.7) = 2(0.10) a menudo se aplica como una primera aproximación para VdC ' 2. generando la configuración de la figura 2. (2.11) para el valor promedio con un nivel relativamente alto de precisión.:.55.318V Vd' = 0. El resultado importante es que la polaridad a través de la resistencia de carga R es la misma que en la figura 2.55 Trayectoria de conducción para la región negativa de v¡- T Figura 2.56.Para la región negativa de la entrada los diodos conductores son DI y D 4 .57. o . \ o . Para las situaciones donde V m» 2VT . . T \ "2 + T ".

' :~: o I.+.PIV El PIV que se requiere para cada diodo (ideal) puede determinarse a partir de la figura 2. " D. D. 2 T Vm t~'~ + CT .59 con sólo dos diodos..".12) F1gura 2.61.-_~-o_ _. pero manteniendo la misma polaridad para el voltaje a v ~ ...60 Condiciones de la red para la región positiva de Vi' Durante la porción negativa de la entrada.'0/1". I .. " + ". V '. 2 ~II >0-----'1.59 Transformador con derivación central para un rectificador de onda completa. .~ m + . I \ ~~ ~. Durante la porción positiva de Vi aplicada al primario del transformador. por las iniciales en inglés de: Center Tappeá) para establecer la señal de entrada a través de cada sección del secundario del transformador.58 Determinación del P¡V que se requiere para la configuración puente.. Para la malla indicada el voltaje máximo a través de R es Vm y el valor PIV se define por ' -_ _ _V -"'... El voltaje de salida aparece en la figura 2. + " Figura 2. pero requiere de un transformador con derivación central (CT. la red aparece como lo indica la figura 2.60. .. \ O I..60. ~~ R + cr . 2 T + Figura 2.. I.61 ~ ~ Vm Condiciones de la red para la región negativa de v¡O 76 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .g. D) asume el equivalente del corto circuito y Do el equivalente del circuito abierto. l'2~-. V lA \ va'" + O I. ¡Tfii.¡ ~ o : + !Jim . 2 m R + Figura 2..58 que se obtuvo en el pico de la región positiva de la señal de entrada.. invirtiendo los papeles de los diodos.. la red aparece como se muestra en la figura 2. según se determinó por los voltajes secundarios y las direcciones de corriente resultantes. Transformador con derivación central Un segundo rectificador de onda completa muy popular aparece en la figura 2.Jrectificador m puente de onda completa PIV~ I (2.. __ :'.

---_--.. El redibujo de la red generará la configuración de la figura 2.62 Determinación del nivel de PIV para los diodos del transformador con derivación central para un rectificador de onda completa.19 + 2 kO T. El efecto neto es una salida igual a la que aparece en la figura 2.18 V o al disponible de un rectificador de media onda con la misma entrada. = = = = ~ o I 2 + + 2k. PIV La red de la figura 2...56 con los mismos niveles de dc.65. rectificador de onda completa m I (2. Para la parte negativa de la entrada la función de los diodos será intercambiada y V o aparecerá según la figura 2.65 Red redibujada de la figura 2.65. '.través de la resistencia de carga R.. el PIV según se determinó en la figura 2. o I.63 Red puente para el ejemplo 2.62 ayudará a determinar el PIV neto para cada diodo de este rectificador de onda completa. como lo indica la figura 2. El efecto de remover dos diodos de la configuración puente fue.64. EJEMPLO 2.63 y calcular el nivel dc de salida y el PIV que se requiere para cada diodo. oVo•• +V. •• +(10 V) 5 V. 2. Solución La red aparecerá como en la figura 2.:::_--' transformador CT._ 2V ' -_ _ __ .66 Salida resultante para el ejemplo 2. el cual es de 5 V o la mitad de lo que se requiere para un rectificador de media onda con la misma entrada..64 para la región positiva del voltaje de entrada. donde V o +v. por tanto. 2k.19.13) Figura 2. 2 kO 2Hl Figura 2.64 Red de la figura 2.{l + 2 ill > + '. 2ill . Determinar la forma de onda de salida para la red de la figura 2.19. Sin embargo. r----~ PIV ~+-. 2 T tigura 2.8 Rectificación de onda completa 77 .66.{l 2 ill > ~ o 2: T' Figura 2. reducir el nivel de dc disponible al siguiente: Vd' = 0. Vsecundario + R v'" + + VR = Vm + Vm y PIV f.636(5 V) = 3. ! '. La inserción del voltaje máximo del voltaje secundatio y el Vm de acuerdo con lo establecido para la red adjunta dará por resultado PIV .63 para la región positiva de Vi" Figura 2.58 es igual al voltaje máximo a través de R.

no existen limitaciones sobre el tipo de señales que pueden aplicarse a un recortador.68. Aunque se presentó al principio como un rectificador de media onda (para fonnas de onda senoidales).. l. No existe un procedimiento genera! para el análisis de las redes como las del tipo que se presenta en la figura 2.ortador en serie. pero existen ciertas ideas que deberán considerarse mientras se trabaja en la solución. Hacer un dibujo mental de kl respuesta de la red basándose en kl dirección del diodo yen los niveles de voltaje aplicados. + R Yo . Existen dos categorías generales de recortadores: en serie y en paralelo./ 2.68 Recortador en serie con una fuente de. La adición de una fuente de de como la que se muestra en la figura 2. la región positiva O negativa de la señal de entrada es "recortada".67a a una variedad de formas de onda alternas se ilustra en la figura 2.67 Rec. + . El análisis inicial se limitará a los diodos ideales. mientras que en paralelo tiene un diodo en una trayectoria paralela a la carga. v ~I-__f---'---o+ T Y.68 puede tener un efecto pronunciado sobre la salida de un recortador.67b. El rectificador de media onda de la sección 2. una resistencia y un diodo. La configuración en serie es donde el diodo está en serie con la carga. La fuente dc requiere más aún que el voltaje Vi sea mayor que V volts para encender el diodo. R figura 2.68. (a) 'o . Para la red de la figura 2.9 RECORTADORES Existe una variedad de redes de diodos que se llaman recortadores y tienen la capacidad de "recortar" una porción de la señal de entrada sin distorsionar la parte restante de la forma de onda alterna. Dependiendo de la orientación del diodo.7 es un ejemplo de la forma más simple de un recortador de diodo. En serie La respuesta de la configuración en serie de la figura 2.. (b) Figura 2. la dirección del diodo sugiere que la seña! Vi debe ser positiva para encenderlo. y se reservará el efecto de VT a un ejemplo posterior. La región negativa de la señal de entrada está "presionando" a! diodo hacia 78 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .

71.' i ' y v o = v.T 4. 2 T I Q T = = =- = Figura 2.69 Determinación del nivel de transición para el circuito de la figura 2. . se puede estar muy seguro que el diodo está en circuito abierto (estado "apagado") para la región negativa de la señal de entrada. ' IV 1_ Vi • . .V . Para Vi V los diodos cambian de estado y para Vi Vm • Vo av. "'1.72 Determinación de V o cuando Vi = Vm' Figura 2. En general. es posible dibujar los voltajes de salida a partir de los puntos de datos resultantes de vo' como se demostró en la figura 2. .72.70.9 Recortadores 79 . soportado más aún por la fuente dc.73.71 Determinación de los niveles de v O. Estor consciente continuamente de las terminales definidas y la polaridad de vo ' Cuando el diodo se encuentra en estado de corto circuito. se analizará la red que aparece en la figura 2.69.14) R Figura 2. como el que se muestra en la figura 2.V. =V (2. "~ + R 3. donde se reconoce que el nivel de Vi que causará una transición en el estado es = = = = v. como en la figura 2.73 Dibujo de vO' 2. V- V o = a (dirección de las manecillas del reloj) (2. el voltaje de salida V o se puede determinar mediante la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj: Vi - Figura 2. Determinar el voltaje aplicado (voltaje de transición) que causará un cambio en el estado del diodo. '= T . Puede ayudar el dibujar la señal de entrada arriba de la señal de salida y determinar los valores instantáneos de la entrada. para el caso Vi = V m en la figura 2. y la curva completa para V puede dibujarse como se muestra en la figura 2.70 Determinación de VD. o . aqui el nivel de DC se disminuye v. Al aplicar la condición id O Y Vd O a la red de la figura 2.el estado "apagado".15) . Por ejemplo.71.68. == vm 1~~ v + R 'o T -+v. + ~I----ó--<>----r--o v Para un voltaje de entrada mayor que V volts el diodo está en estado de corto circuito.68 se genera la configuración de la figura 2. mientras que para los voltajes de entrada menores que V volts está en estado de circuito abierto o "apagado". Para el diodo ideaL la transición entre los estados ocurrirá en el punto sobre las características donde vd O V e id O A. Tenga en cuenta que a un valor instantáneo de Vi la entrada puede ser tratada como una fuente dc de dicho valor y el valor de dc correspondiente (el valor instantáneo) de la salida determinada. Posteriormente. 2. V (los diodos cambian de estado) Figura 2. Para Vm> V el diodo está en estado de corto circuito y para V o Vm .68.

Solución La experiencia anterior sugiere que el diodo estará en estado "encendido" para la región positiva de Vi' especialmente cuando se observa el efecto de ayuda de V:. I--~-<>----.76 O~-------+---'O Determinación del nivel de transición para el recortador de la figura 2. mientras que para los voltajes más positivos de -5 V el diodo estará en estado de corto circuito. FIgUra 2. se obtiene la red de la figura 2.76 y Vi == -5 V. aquí el nivel de DC se aumenta V=5 v ~l-+-JI~II-~-~ T Or-----_-+--__O t R Figura 2.74.75 y va:. 80 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos .=0 V+5V =5V O f \ T vo=-S V+SV =OV Figura 2.+ + SV R '.77.: Vi + 5 V. Sustituyendo id == O para vd:.• EJEMPLO 220 Determinar la forma de la onda de salida para la red de la figura 2. En otras palabras. debido a que sólo deben considerarse dos niveles. Para los valores de Vi más negativos que -5 V.: 5 V. El análisis de las redes de recortadores con las entradas de onda cuadrada es en realidad más fácil que las redes con entradas senoidales.: O para los niveles de transición.74 Recortador en serie para el ejemplo 220.20. La red aparecerá como lo señala la figura 2.17 Dibujo de V o para el ejemplo 2.-----<> +. 20 --'F"""'''''--''----+ T\ Voltaje de transición 5V "". el diodo entrará en estado de circuito abierto.. Los voltajes de entrada y de salida aparecen en la figura 2.74. o----. Agura 2.. la red puede analizarse como si tuviera dos entradas de nivel de con la salida resultante V o graficada en el marco adecuado de tiempo.75 V o con diodo en estado "encendido".

78 Señal que se aplica para el ejemplo 2. En paralelo La red de la figura 2. El análisis de las configuraciones en paralelo es muy similar a la que se aplica a las configuraciolles en serie.21 20 o T -2 . Figura 2. = = = = = = + ~ 20 ¡=----I+ 5V + R IOV v r+ 1 5V + R v.80 a vi '" -10 V.--=---.79 V o a vi = +20 V.79. Solución Para vi = 20 V (O -7 T/2) generará la red de la figura 2.Repetir el ejemplo 2. EJEMPLO 2. 2. Para Vi -10 V dará como resultado la figura 2.82 es la más sencilla de las configuraciones de diodos. como se demostrará en el siguiente ejemplo.67. en paralelo con la salida para las mismas entradas de la figura 2.78..21. El voltaje resultante de salida aparece en la figura 2.82 Respuesta de un recortadoT en paralelo.20 para la onda cuadrada de entrada de la figura 2.9 Recortadores 81 . Obsérvese en el ejemplo 2. colocando el diodo en estado "apagado" y V o i RR (O)R OV.81 ejemplo 2.21 que el recortador no sólo recortó únicamente 5 V de la excursión total de la señal sino que incrementó el nivel de de la señal por 5 V.--O R + -+- o -v o -v Figura 2.80. + '{---'\fV'.21. El diodo está en estado de corto circuito y V o 20 V + 5 V 25 V.81. Figura 2.gUra 2.----.1 T 10 figura 2..=O V 25 Y + Oy o Vo T T "2 Dibujo de va para el FJ.

87. donde las terminales definidas para V o requieren que V o = V = 4 y.22. donde la condición =OA para vd =O Y se ha impuesto. de id Determinación del nivel de transición para el ejemplo 2.83. Cualquier voltaje de entrada menor que 4 V generará un diodo en corto circuito.22. el siguiente ejemplo especificará un diodo de silicio.84 V o para la región negativa de Vi' + + o_----_____ Figura 2.83 Ejemplo 2.84. Para esta región la red aparecerá como lo señala la figura 2._-----O R + + v o-------------~------~o 1 4V Figura 2. Solución La polaridad de la fuente de y la dirección del diodo sugieren que el diodo está en estado "encendido" para la región negativa de la señal de entrada. O-~"'''''~-. en lugar del equivalente del diodo ideal. Para examinar los efectos de VT sobre el voltaje de salida.85 V_-~j[~4-'-'--_<o + El estado de transición puede determinarse a partir de la figura 2.22. 82 Capítulo 2 Aplícaciones de diodos . el voltaje de entrada debe ser mayor a 4 Y para que el diodo esté en estado "apagado".87 Dibujo de V o para el ejemplo 2. v.85. " " v q Figura 2. El resultado es que v. donde V o = Vi' Completando el dibujo de V o resulta la forma de onda de la figura 2. Determinación de para el estado abierto del diodo. Para el estado de circuito abierto la red aparecerá según se muestra en la figura 2.86 1 1 'o 4v o Vo T T '2 Agora 2. R + o c_--_____v __I~_4_v~o Figura 2. (la transición) = V =4 Y. Debido a que la fuente de se encuentra obviamente "presionando" al diodo para permanecer en estado de circuito cerrado.86. 16 + v.----EJEMPLO 222 Determinar V o para la red de la figura 2.

0. el procedimiento. Para los voltajes de entrada mayores que 3. Solución El voltaje de transición suele detenninarse en primera instancia al aplicar la condición de i d := OA cuando vd VD 0.7 V.83.22 usando un diodo de silicio con V T = 0.90.3 V a 4 V. pero una vez que el análisis se comprende con el diodo ideal. el diodo estará en estado "encendido" y resul· tará la red de la figura 2.91.23.Repetir el ejemplo 2. Resumen Una variedad de recortadores en serie y en paralelo con los resultados de salida para las entradas senoidales se presentan en la figura 2. con su capacidad de recortar Una sección positiva o negativa como se detennÍne por la magnitud de sus fuentes de de. Nótese que el único efecto de VT fue disminuir el nivel de transición desde 3. donde v o = 4V .. =Vi¡/?:::: VT =4V = (O)R = . 2.3 V + e R + ) ] . incluyendo los efectos de V ro no serán tan difíciles. se encuentra que EJEMPLO 2. 07V Figura 2.88 Determinación del nivel de transición para la red de la figura 2.83 en La forma de onda resultante de salida aparece en la figura 2..89 4V Determinación de V o o_ _ _ _ _ _~_ _ _o estado "encendido".3 V J. para el diodo de la figura 2. el diodo estará en circuito abierto y va = v.88.90 Dibujo de V "2 o para el ejemplo 2. Para los voltajes de entrada menores que 3.9 Recortadores 83 .23 = = Vi + VT - V= O y V.3 V \}R :::: if? ov Figura 2. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo de salida en el sentido de las manecillas del reloj.7 V = 3.3 V.7V 3. y obteniendo la red de la figura 2. 16 V 3. 0. o T T Figura 2.7 V. Obsérvese en particular la respuesta de la última configuración.3 V.89. No hay duda de que incluir los efectos de VTccmplicarán el análisis un poco.

. + ... T-.. o I v'I " o Figura 2.91 Circuítos de recorte. R + v.. -o "~ -vm . v + .----o v R + (Vm-V) + 0---1 v ~ + R . + R '" " o -(Vm-V) Recortadores en paralelo simplt!S (diodos ideales) + + R Recortadores en paralelo polarizados (diodos ideales) ~ T v.~I Recortadores en serie simples (diodos ideales) POSITIVO NEGATIVO -o + R . J + ~~\vm v o V o t o _-v o ~ -. + V) + R Recortadores en serie polarizados (diodos ideales) + o---II--I~-. 84 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . V -o o---J + v .(v". . .

" 2. la constante de tiempo determinada por el producto Re es lo suficiente grande para establecer un periodo de descarga 5 r mucho mayor que el periodo Tl2 -> T..10 Cambiadores de nivel o 2" . con el diodo en estado "encendido" efectivamente hace corto circuito el efecto de la resistencia R. un diodo y un elemento resistivo: pero también puede usar una fuente de de independiente para introducir un cambio de nivel de de adicional. -v Durante el intervalo 0-> Tl21a red aparecerá como lo indica la figura 2. el voltaje (debido a que V = QIC) durante este periodo.93. Este hecho es una excelente herramienta para verificar el resultado que se obtiene. con el equivalente de circuito abierto para el diodo determinado por la señal aplicada y el voltaje almacenado a través del capacitar. 2. los siguientes pasos pueden ser útiles cuando se analizan redes cambiadoras de nivel. pero mantiene la misma excursión de voltaje total (2\1) que la entrada. ambos "presionando" la corriente a través del diodo desde el cátodo hacia el ánodo. la red aparecerá como lo indica la figura 2.92. La magnitud de R y e debe elegirse de tal fanna que la constante de tiempo r = Re es lo suficiente grande para asegurar que el voltaje a través del capacitor no se descarga de manera significativa. también puede dibujarse en la posición alterna que se indica en la figura 2. durante el intervalo en que el diodo no está conduciendo. La señal de salida "cambia de nivel" a O V durante el intervalo de O a T12. Cuando la entrada cambia al estado -V. el capacitor se cargará o descargará totalmente en cinco constantes de tiempo.' T. La red de la figura 2.92 Cambiador de niveL Figura 2. Ahora que R se encuentra de regreso en la red. Durante este intervalo el voltaje de salida está directamente a través del "corto circuito" y V o = O V. La resistencia R puede ser una resistencia de carga o una combinación en paralelo de la resistencia de carga y una resistencia diseñada para ofrecer el nivel deseado de R. e " v e ~:r-~----~--~+ T T + < R \J" o . En general.' T -2 v V figura 2. o para la 85 .95 Dibujo de red de la figura 2. Debido a que V o está en paralelo con el diodo y la resistencia. A través de todo el análisis se asumirá que para propósitos prácticos. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo de entrada dará por resultado e + Figura 2. " ~~ >R > Figura 2.92 cambiará el nivel de la señal de entrada a cero volts (para diodos ideales).95 junto con la señal de entrada. La red debe tener un capacitor.94.94 Determinación de va con el diodo en "apagado".93 Diodo en "encendido" y el capacitor cargando a V volts..10 CAMBIADORES DE NIVEL Una red de cambiadora de nivel es la que "cambia" una señal a un nivel de de diferente. v o T vy v V - V o = O T r " = -2V 2: El signo negativo se debe a que la polaridad de 2Ves opuesta a la polaridad definida por vO' La forma de onda de salida que resulta aparece en la figura 2. Iniciar el análisis de las redes cambiadoras de nivel mediante la consideración de la parte de la señal de entrada que dará polarización directa al diodo._ . por tanto. Para una red de cambio de nivel: -v La excursión de voltaje total de la señal de salida es igual a la excursión de voltaje total de la señal de entrada. Y puede asumirse sobre una base aproximada que el capacitar mantiene toda su carga y. l.94. La constante de tiempo Re resultante es tan pequeña (R se detennina por la resistencia inherente de la red) que el capacitar se cargará a V volts rápidamente.

Para el periodo t 2 -? t 3 1a red aparecerá como lo indica la figura 2. + IOY Por tanto. el capacitar se cargará hasta 25 V. el diodo no hace corto circuito en la resistencia R.98. VI f = 1000Hz C=I¡lF ¡~--~II~!--~----r---~+ ¡~ R V-.. La salida es a través de R. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo de entrada dará por resultado -20V+Ve -5V=0 y Determinación de V o y Ve con el diodo en estado "encendido". Durante el pertódo en donde el diodo está en estado "encendido"..-5V Figura 2.¡. El resultado es V o = 5 V para este intervalo. pero un circuito equivalente Thévenin de la porción de la red que incluye la batería y la resistencia generará RTh = O Q con En = V = 5 V..96 para la entrada que se indica. EJEMPLO 224 Determinar V o para la red de la figura 2. 2.96 Señal que se aplica y red para el ejemplo 2. Para este intervalo la red aparecerá como lo señala la figura 2. pero también directamente a través de la batería de 5 V si se sigue la conexión directa entre las terminales definidas para voy las terminales de la batería.. 3. A través de todo el análisis debe mantenerse un continuo cuidado de la posición y la polaridad de referencia para v o ' para asegurar que los niveles correctos de V o se están obteniendo.--~ 25 V""'+------. Solución C ~!~+~--~~--~+ ve 20 V + V-. se asumirá que el capacitor se cargará de manera instantánea al nivel de voltaje que determine la red. El análisis comenzará con el periodo tI -? t 2 de la señal de entrada debido a que el diodo está en estado de corto circuito según recomendaciones del comentario l.- > R 5V >100 kQ Vo + Figura 2.97. pero el análisis no se ampliará con una medida innecesaria de investigación. que resulta en un periodo de I ms y un intervalo de 0.98 Determinación de V o con el diodo en estado "apagado".24. 4. como se estableció en el comentario 2. Se supondrá que durante el periodo en que el diodo está en estado "apagado" el capacitar se mantendrá en el nivel de voltaje que se establece.97 Obsérvese que la frecuencia es de 1000 Hz.La instrucción anterior puede requ'erir de saltar un intervalo de la señal de entrada (como se demostrará en el siguiente ejemplo). En este caso. Ve = 25 V + ~(----'-. Tener en mente la regla general de que la excursión total de voltaje de salida debe ser igual a la excursión de voltaje de la señal de entrada. El equivalente de circuito abierto para el diodo eliminará que la batería de 5 V tenga cualquier efecto sobre vo' y la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo exterior de la red dará por resultado KVL Figura 2.---.5 ms entre niveles. +10 V + 25 V y V V o = O o = 35 V 86 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . 5.

101.01 s = 10 ms El tiempo total de descarga es por tanto de Sr= 5(10 ms) = 50 ms. es cierto que resulta buena la aproximación de afinnar que el capacitar mantendrá su voltaje durante el periodo de descarga entre los pulsos de la señal de entrada.5 ros. 35 10 'o o " .3 V Para la sección de entrada la ley de voltaje de Kirchhoff dará por resultado . y determinarse por la ley de voltaje de Kirchhoff en la sección de salida.. para el periodo 1." '3 " . :<. P. Obsérvese que la excursión de voltaje de salida de 30 V iguala a la excursión del voltaje de entrada como se observa en el paso 5. siendo el único cambio el voltaje a través del capacitar.0.7V-vo =0 y V V EJEMPLO 2. Repetir el ejemplo 2.99 V¡Y V o para el cambiador de nivel de la figura 2. -20 ~ 30Y I 5 -¡ . .100.96.:: I 1 " '2 30 V O '3 " Figura 2.0.20 V + Ve + 0.La constante de tie~po de la red de descarga de la figura 2.. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff genera +10 V + 24.3 V Ahora.3 V IOV .7 V-S V = O y Figura 2. Debido a que el intervalo 12 ---) 13 durará sólo 0.25 o puede o = 5 V . o 2.100 Determinación de V y Ve con el diodo en estado o "encendido".10 Cambiadores de nivel 87 .98 está detenninada por el producto Re y tiene la magnitud de /' " = Re = (lOO kQ)(O.uF) = 0.1 .3 V ~~~+~--~--~+ 24.-. +5V-0..101 Determinación de V con el diodo en estado abierto._ _ _ _ _ _~J Figura 2.-.99 junto con la señal de entrada. Ve = 25 V . La salida resultante aparece en la figura 2. Solución Para el estado de corto circuito la red toma ahora la apariencia de la figura 2.-\ ..7 V = 24. -.7 V = 4..24 usando un diodo de silicio con VT = 0.. 13 la red aparecerá como la figura 2.7 V..3 V V Yo =0 a = 34.

_ 1v.2vr '-- . +-l 2V t C + R v. rl~ o -v.103..103 _1 2V o 2V -t Circuitos cambiadores de nivel con diodos ideales (Sr o::: SRC> T/2). o 1 - .. - --o - . La salida resultante tendrá una forma envolvente para la respuesta senoidal.102 Dibujo de Vo para el cambiador de nivel de la figura 2.La salida resultante aparece en la figura 2. .3 V o t. v. -" ::.103 son ondas cuadradas.-~ J VI t F: " --o v. t 2V v. como lo indica la figura 2. comprobándose el enunciado de que las eXCursiones de voltaje de entrada y salida son iguales. 1 v. el de reemplazar la señal senoidal por una onda cuadrada con los mismos valores pico. 34.. 88 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . I~ C v.102.104 para la red que aparece en la parte inferior derecha de la figura 2.1 03 se muestran varios circuitos de cambio de nivel y su efecto en la señal de entrada. --o ~~ R + v. . las redes de cambio de nivel trabajan de la misma manera para las señales senoidales. --. Un método para el análisis de las redes de cambio de nivel con entradas senoidaJes es.. Figura 2. C - r- ~ . En la figura 2.3 V 30V 4.t v. + R v. t -v. ¡ ".96 con un diodo de silicio. v. Figura 2.-- v" o ". Aunque todas las formas de onda que aparecen en la figura 2.-1 v. Redes de caJ1lbio de nivel v o f-+--i-+ -v T :TI c VJ v" ----¡ v" R o h"''-''''-¡tr+t 2V .

l05b. El análisis puede hacerse fundamentalmente en dos pasos.11 Diodos Zener Figura 2.1 OSa..107.105b.107 Determinación del ~~stado del diúdo Zener.) "apagado" (b) Vi Y R fijas Las redes más simples del diodo Zener aparecen en la figura 2. Para el estado "apagado" de acuerdo con su definición para un voltaje menor que Vz pero mayor que OV con la polaridad que se indica en la figura 2.11 DlODOSZENER El análisis de las redes que utilizan diodos Zener es muy similar al que se aplica al análisis de diodos semiconductores de las secciones anteriores. así como la resistencia de carga.::: Vz . Figura 2. Determinar el estado del diodo Zener mediante su eliminación de la red y calculando el voltaje a través del circuito abierto resultante.104 Red de cambio de nivel con una entrada senoidal. el equivalente Zener es el circuito abierto que aparece en la misma figura.16) + + v Si V. La aplicación del paso 1 a la red de la figura 2. A menos que se especifique 10 contrario. 89 . donde una aplicación de la regla del divisor del voltaje resultará R v.106 básico.105 Equivalentes de diodo Zener para los estados a) "encendido" y b) "apagado".105a. el diodo Zener está en estado "encendido" y se puede sustituir el modelo equivalente de la figura 2.106 generará la red de la figura 2.. (2. y una detenninación de las otras cantidades desconocidas de la red.106. Primero debe determinarse el estado del diodo seguido por una sustitución del modelo adecuado. El voltaje de dc aplicado es fijo. el diodo está en "apagado" y se sustituye la equivalencia de circuito abierto de la figura 2. + vz =:> 1 l- vZ + v=:> 1 1 Ftgura 2. 2. Si V < Vz . V o (V) ~I~:--~--~----~+ e R -T- !O V + Figura 2. 2. Regulador Zener 1. el modelo Zener utilizado para el estado "encendido" será como el que indica la figura 2. R v (Vz >v >0 V) "encendido" (.

Si el diodo Zener se emplea como un voltaje de referencia.17) La comente del diodo Zener debe determinarse por la aplicación de la ley de comente de Kirchhoff.108 + : R. e donde = (2.j. Solución a) Siguiendo el procedimiento sugerido. el voltaje a través del diodo no es de V volts.16) da 1.2kQ V= = = 8. lkil ¡Iz ~~.18) La potencia disipada por el diodo Zener está determinada por (2. "'" 16 V Vz = IOV P zM =30mW FIgura 2.109. < + V.106 el estado "encendido" dará por resultado la red equivalente de la figura 2.lz y Pz. ofrecerá un nivel para compararlo en función de otros voltajes.108.26. Se "atará" en este nivel y nunca alcanzará un nivel más alto de V volts. Esto es Sustitución del equivalente Zener para la situación "encendido" . Sustituir el circuito equivalente adecuado y resolverlo para las incógnitas deseadas . la red se redibuja como lo indica la figura 2.19) el cual debe ser menor que la P2M especificada para el dispositivo. EJEMPLO 2. La figura 2. el diodo Zener se encenderá tan pronto como el voltaje a través de él sea de Vz volts. Puesto que los voltajes a través de los elementos paralelos deben ser los mismos..V z PZM -~ Figura 2. Antes de continuar. 12 kQ + VL v.Iz =¡¡ 2. La aplicación de la ecuación (2.R . Para la red de la figura 2. Si el diodo Zener está en estado "encendido".73 V 90 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . el voltaje a través de la carga se mantendrá en Vz volts.106 es un regulador simple diseñado para mantener un voltaje fijo a través de la carga Re Para los valores de voltaje aplicado mayores que el que se requiere para encender el diodo Zerrer. es muy importante darse cuenta de que el primer paso se utilizó sólo para determinar el estado del diodo Zener. Repetir el inciso a con RL = 3 kD.109 Regulador de diodo Zener para el ejemplo 2. -==.2 kQ(16 V) lkQ+1. 1. Los diodos Zener se utilizan con mayor frecuencia en las redes reguladoras o como un voltaje de referencia.26 a) b) Para la red de diodo Zener de la figura 2. Cuando el sistema se enciende. se encuentra que (2. R.110. determinar Vu VR.

(2.111 Punto de operación resultante para la red de la figura 2. 2. 16 V + V Figura 2. donde se encuentra que VL = V = 8. + vR R IkQ + V.110 Determinación de V para el regulador de la figura 2. el diodo está en estado "apagado".67mA La potencia disipada Pz = V!z = (lOV)(2.67mA) = 26.109.V L = 16V-lOV=6V con 10V VL IL = .= .IL [Ec..33 mA 3kQ RL IR = VR R e de tal forma que 6V = = 6mA 1 kQ IR .8. iz(mA) Dado que V = 8. el diodo está en estado "encendido" y la red de la figura 2..11 Diodos Zener 91 .112 será el resultado.16) ahora resulta 3 kQ(16 V) = 12 V lkQ+3kQ Debido a que V = 12 V es mayor que Vz = 10 V.73V = 727V Iz = OA y Pz = V!z = Vz(OA) = OW Figura 2.112 Red de la figura 2.3.73 V '2 VR = Vi .73 Ves menor que Vz = 10 V.11 0. ~T 16V ~ figura 2. b) Aplicando la ecuación (2.111.73 V \ o 8.= 3.17) genera VL = Vz = 10V y VR = Vi .+ v.109 en estado "encendido".7mW la cual es menor que la especificada PZM = 30 m W. Sustituyendo el equivalente de circuito abierto resultará la misma red que en la figura 2 ..VL = l6V .33 mA = 2.18)] = 6 mA .109. La aplicación de la ecuación (2. como se muestra en las características de la figura 2 .

el voltaje a través de R permanece constante en (2. Para determinar la resistencia de carga mínima de la figura 2. se tiene (2.Vi fijo. simplemente se calcula el valor de RL y dará como resultado un voltaje de carga VL = Vz .26) 92 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . RL variable Debido al voltaje Vz ' existe un rango de valores de resistencias (y por tanto.20) establece el RL mínimo. Una resistencia de carga RL muy pequeña generará un voltaje VL a través de la resistencia de carga menor que Vz y el dispositivo Zener estará en estado "apagado".24) resultando un 1z mínimo cuando JL es un máximo.106 que encenderá el diodo Zener. Dado que I z está limitada a 12M como se especificó en la hoja de datos. afecta el rango de RL y por tanto de le Sustituyendo I ZM por Iz establece el I L mínimo como (2. pero a su vez especifIca ellL máximo como (2.25) y la resistencia de carga máxima como (2. Esto es.21) Una vez que el diodo está en estado "encendido".23) La corriente Zener (2.20) Cualquier valor de resistencia de carga mayor que el RL que se obtiene de la ecuación (2. Resolviendo RL .20) asegurará que el diodo Zener está en estado "encendido" y que el diodo puede ser reemplazado por su fuente equivalente VzLa condición defInida por la ecuación (2.22) e IR permanece fija en (2. y un 1z máximo cuando JL eS un valor mínimo debido a que IR es constante. de corriente de carga) que asegurará que el dispositivo Zener está en estado "'encendido".

2.= I L mL " 10 V 8mA = 1.22): V R = Vi .lO V 40 .Q o 8mA (b) 40mA 1. -:'1 '. o 250 Q ¡V.0 Una gráfica de VL en función de R L aparece en la figura 2.. se mantenga en 10 V.. Determinar el valor de la disipación máxima en watts del diodo.20): R Lmm IOkQ RVz (1 kQ)(lO V) = --=-. se aplica la ecuación (2.113 Regulador de voltaje para el ejemplo 2.= V _ V 50 V .27.:(-.114 VL en función de RL e IL para el regulador de la figura 2.25k..26) se determina el valor máximo de R L : RL .11 Diodos Zener 93 .. Vz = -. F'lgura 2.27 IR -+ + V.25): I Lm .114b. V.'·1 1.1\3.= [ D f . lOV :-'.--------..Vz = 50 V-lO V = 40 V y la ecuación (2.=50V R VZ ~ 1." = IR - IZM = 40 mA . = (lO V)(32 mAl = 320 mW 10+ 1.. m".23) ofrece la magnitud de IR: 1 =--= R R VR 40V 1 kQ =40mA El nivel mínimo de I L se determina después con la ecuación (2. determinar el rango de R L y de 1L que resultará que V R.Q EJEMPLO 2.113..251<. IzM =32mA Solución a) Para determinar el valor de R L que encenderá el diodo Zener.a) b) Para la red de la figura 2.~'j\. Figura 2. = 10 v =l"V' D.32 mA = 8 mA con la ecuación (2. z 150Q El voltaje a través de la resistencia R se determina por medio de la ecuación (2. Ik.114a y para VL en función de I L en la figura 2.

I ZM =60 mA Figura 2.116 una gráfica de VL en función de Vi' 94 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos .29): Vi má. El voltaje de encendido mínimo Vi V está determinado por = 1"..28): I R""... = IZM + lL = 60 mA + 16.67 mA RL RL 1. = ¡min El valor máximo de Vi está limitado por la corriente Zener máxima 12M .28) Debido a que IL está fijo en V:!R L y que l ZM es el valor máximo de lz.67 mA = 76.29) EJEMPLO 2.27): v.67 V IL = -L.87V+20V = 36..116 VL en función de Vi para el regulador de la figura 2..'0 VL = V Z - RV Li RL + R (2.RL fija...67 V 36. -+- + v¡ 220Q Vz = 20 V ~ Iz =lV' R.= 16. Solución Ecuación (2. 1Rmáx R + VZ - = (76...= -z. Se presenta en la figura 2. ¡mm = (R L + R)Vz RL V = (1200 O + 2200)(20 V) 1200 O 20V = 23.87 V Figura 2.115 en estado "encendido".28. el voltaje Vi debe Ser lo suficientemente grande para encender el diodo Zener. 1.2 kO V Ecuación (2. el máximo Vi se define por V =VR +Vz V = IR m:h R + V z 1m:!..115.. R 1.-" 1 Ecuación (2..>: (2..87 V 23.27) y v.106. Debido a que 12M =IR-IL' I IRm~ = IZM + IL I .28 Determinar el rango de valores de Vi que mantendrán el diodo Zener de la figura 2.115 Regulador para el ejemplo 2. Vi variable Para los valores fijos de R L en la figura 2. """ (2.67 mA 20V .22 kO) O + 20 V 10 20 1 40 = 16.2 kQ + V.= .- ==.67 mA)(0.

115 con una RL fija.. el efecto neto es el de establecer un voltaje de de estable (para un rango definido de V) como se señala en la figura 2.117 se obtiene alfillrar una salida de media onda o de onda completa rectificada. v.. ". Figura 2. + 5 kQ z.. Sin embargo. + " . como aparece en la figura 2.. La entrada podría aparecer como lo indica la figura 2.117 Forma de onda o generada mediante una señal rectificada filtrada..67 V 20 10 Figura 2. También pueden utilizarse dos diodos Zener conectados en sus cátodos (espalda con espalda) como un regulador de ac.67 V hasta 36. la que corresponde a la representación de circuito abierto. La región de operación de cada diodo se indica en la figura adjunta. Entonces Z2 se encenderá (como un diodo + ____ ____ 30V ~ ~ -4_________~ .=IOV 20V z. + 20V _ 5 kn + 10 V (Vz ) + Pueden establecerse dos o más niveles de referencia al colocar diodos Zener en serie como lo indica la figura 2. proceso descrito con mayor detalle en un capítulo posterior. mientras que la impedancia de Z2 es muy grande. Obsérvese que Z¡ está en una región de baja impedancia.Los resultados del ejemplo 2.87 V 23. 10 V. ambos diodos se encontrarán en estado "encendido" y estarán disponíbles tres voltajes de referencia. La entrada y salida continuarán duplicándose mutuamente hasta que Vi alcance 20 V.1l9a. como lo indica la figura 2. (b) o V figura 2. Mientras Vi sea mayor que la suma de Vz y V". v. b) operación del circuito a Vi = 10 V.119b en el instante Vi = 10 V.116 de una fuente senoidal con un valor promedio de O. La forma de onda en la figura 2.28 revelan que para la red de la figura 2. Olt I (a) 5kQ + z.118. Olt 20-V< Zener ".IJ6.117 y la salida permanecería constante en 20 V. el voltaje de salida permanecerá fijo en 20 V para un rango de voltaje de entrada que se extiende desde 23. El resultado es V o = Vi cuando Vi. 40 36. Para la señal senoidal Vi' el circuito aparecerá como en la figura 2.87 V.11 Diodos Zener 95 . 2.119 Regulación de ac senoidal: a) regulador ac senoidal de 40-V de pico a pico.118 Establecimiento de tres niveles de voltaje de referencia. z.

120 con la forma de onda de salida SOV + v.. el diodo D. IOV z.121 Doblador de voltaje de media onda. 2. y el voltaje de entrada carga al capacitar C I hasta Vm con la polaridad mostrada en la figura 2. 5 kO + + . - 2V. el diodo del secundario D. La red de la figura 2.122b): -Vc.l19( a).119a puede ampliarse a la de un generador simple de onda cuadrada (debido a la acción de recorte) si la señal de resultante. pero su valor rms es menor que el asociado con una señal pico completa de 22-V. I + + Figura 2. conduce carga al capacitor C 2 .121 es un doblador de voltaje de media onda. La red está limitando en forma efectiva el valor rms del voltaje disponible. como lo señala la figura 2. está en corte y el diodo D.. cargando el capacitar C I hasta el voltaje pico rectificado (Vm )· El diodo D. conduce (y el diodo D. Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . 2 1t rol Zener o IO-V\ + L v. Vi se incrementa a quizá 50-V pico con Zener de lO-V.12 CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE VOLTAJE Los circuitos multiplicadores de voltaje se utilizan para mantener el voltaje pico de un transformador relativamente bajo. + V m + V m = O de la cual ~ + + :( ~I 96 ª 14 r !' D. Doblador de voltaje La red de la figura 2.120 Generador simple de onda cuadrada. Dado que el diodo D 2 actúa como un corto circuito durante el medio ciclo negativo (y el diodo DI abierto). pueden sumarse los voltajes alrededor del lazo externo (véase la figura 2. es idealmente un circuito cerrado durante este medio ciclo. La salida resultante para el rango completo de vise indica en la figura 2 . cuatro o más veces el voltaje pico rectificado.Zener). 2v. D. -lOV FtgUra 2. { c. está en corte).122a. o - v. tres. Obsérvese que la forma de onda no es puramente senoidal. Durante el medio ciclo negativo del voltaje del secundario. v. mientras que 2 1 está en una región de conducción con un nivel de resistencia lo suficiente pequeño comparado con la resistencia de 5-kO en serie para considerarlo como un circuito cerrado. Durante el medio ciclo de voltaje positivo a través del transformador. ya que elevan el voltaje de salida pico a dos.

el diodo Dz no está conduciendo y el capacitar Cz se descargará a través de la carga. existe una carga conectada a la salida del doblador de voltaje.. Durante el medio ciclo positivo del voltaje del secundario del transformador (véase la figura 2. (al (b) 2. 11". ConductOr / No conductor \c+ ~ V .Meu:'os ddos.. figura 2... o ~II o V + ..--' D' 2 "']\io conductor .124.-'-t-D---i.--_. Otro circuito doblador es el doblador de onda completa de la figura 2... .1414---r-~2~ + el / DiodoD... ~ D Conductor 2 figun 2.122 Operación doble._ / Diodo Do no condt7ctor ~II Diodo DI conductor c-:::---1v!-~--. el diodo DI conduce carga al capacitar C l hasta un voltaje pico Vm .+ V".. .123.. ~ r o D. .c.124a)... La forma de onda de la salida a través del capacitor C z es la de una señal de media onda filtrada por un filtro capacitar. -~ "D.-14c . ue operación alternos para el doblador de voltaje de onda completa. ~II vI>! 'l J j + 21/ m 'm ...-. El diodo D 2 no está conduciendo en este momento.iclo positivo: b) medio ciclo negativo.12 Circuitos multiplicadores de voltaje 97 .... '. el capacitor se recarga hasta 2Vm durante el medio ciclo negativo. el a Vm y C? a 2Vm • Si.. El voltaje pico inverso a través de cada diodo eS de 2Vm . condUClo-r o no conductor r" (b) Figura 2.123 Doblador de voltaje de onda completa.. el voltaje a través del capacitor Cz Cae durante el medio ciclo positivo (en la entrada)..D.--... como pudiera esperarse. En el siguiente medio ciclo positivo. indicando cada medio ciclo de operación: a) medio c. Si ninguna carga está conectada a través del capacitar C z' ambos capacitares permanecen cargados.J.

veces el voltaje pico básico (Vm)' e+ '------1 v'" +11l' Triplicador (3Vm ) -----~·I 2V". 1\ ~I I v m ~~ e. mientras que si la medición es desde la parte inferior del transformador el voltaje de salida ofrecerá múltiplos pares del voltaje pico Vm' El valor del voltaje nominal de salida del transformador es únicamente Vm . ya través de e2 y e4 es de 4 V m. se carga al doble del voltaje pico 2 Vm desarrollado por la suma de los voltajes a través del capacitor el y el transformador. La medición desde la parte superior del devanado del transformador (figura 2. y cada diodo en el circuito debe tener un valor nominal de 2Vm para PIV. e.1 'V m Cuadruplicador (4 V. cada capacitar será cargado con 2Vm .125) ofrecerá múltiplos nones de Vm en la salida.cargando e4 a 2Vm • El voltaje a través del capacitor e2es 2Vm . al mismo voltaje pico de 2Vm . Si se utilizan secciones adicionales de diodo y capacitor. En resumen. que es menor a la capacitancia de el y e.. +u- e.los circuitos dobladores de voltaje de media onda y de onda completa ofrecen el doble del voltaje pico del secundario del transformador.l24b) el diodo D. Si no hay consumo de corriente en capacitor la carga del circuito. El voltaje pico inverso a través de cada diodo es 2Vm así como lo es para el circuito de filtro con capacitar. y no se requiere un transformador con derivación central sino únicamente un valor PIV de 2 Vm para los diodos. En el medio ciclo negativo.. a través de el y e3es de 3Vm . y D4 conducen con el capacitar e3 .111 Durante el medio ciclo negativo (véase la figura 2. ~ ~ D. El valor menor del capacitor ofrecerá una acción de filtrado más pobre que el circuito de filtrado con un solo capacitor. El capacitor e. conduce carga al en tanto que el diodo DI no está conduciendo. el voltaje a través de los capacitores el y e z es 2Vm. ~ ~ D. el voltaje en los capacitares C l y C z es el mismo que a través de un capacitor alimentado por un circuito rectificador de onda completa. + " l' " +"2Vm Doblador (2V. en serie. seis. 98 capítulo 2 Aplicaciones de diodos . pueden desarrollarse de de voltajes de muy altos mediante este tipo de circuito.125 muestra una extensión del doblador de voltaje de media onda.J • Figura 2. solos. durante el medio ciclo negativo del voltaje del secundario del transformador. Resultará obvio para el patrón de la conexión del circuito la forma en que los diodos y capacitores adicionales se pueden conectar de tal forma que el voltaje de salida puede ser de cinco. utilizando muchas secciones para aumentar el voltaje de de. Durante el medio ciclo positivo.125 Triplicador y cuadruplicador de voltaje. ~ . Si hay consumo de corriente de carga en el circuito. el que desarrolla tres y cuatro veces el voltaje pico de entrada. Si la carga es pequeña y los capacitores tienen poca fuga. y así sucesivamente. Durante la operación el capacitor el se carga a través del diodo DI a un voltaje pico. Una diferencia es la capacitancia efectiva de el y e. - e. máximo. D. el diodo D3 conduce y el voltaje a través del capacitor e 2 carga al capacitor e. siete.. Vm' durante el medio ciclo positivo del voltaje del secundario del transformador. los diodos D. e" Triplicador y cuadruplicador de voltaje La figura 2.) .

4.OPTIONS NOPAGE .J) . La omisión del punto invalidará completamente el archivo de entrada. de ahí el orden de los nodos en el archivo de entrada. El voltaje V 1 se localiza entre los nodos 1 y 2 Y V2 entre los nodos 3 y 4. El voltaje de salida del ejemplo 2.PRINT De Ve') I(Dl) V(1.126 se presenta en la figura 2. 2.MODEL DI D(IS-2E-1S) . El formato para la entrada del diodo se presentó en el capítulo 1. La última entrada debe ser la instrucción .13 ANÁUSIS POR COMPUTADORA PSpice (versión DOS) El análisis por computadora de este capítulo empezará por determinar las cantidades desconocidas para la red de la figura 2. Recuerde que 2. Oiode circuit for network of Fig. El nombre es sólo una elección de letras y/o números para identificar la fuente en la estructura de la red.28: VE2045V .127 Componentes de un archivo de entrada.126 Dibujar de nuevo la Archivo de entrada figura 2. Renglón de título La infonnación de la red se captura en la computadora en un archivo de entrada como se muestra en bloques en la figura 2. El archivo de entrada para la red de la figura 2. La primera línea de la descripción de la red especifica la fuente de dc de lO-Y.126). La primera entrada debe ser una línea de títulos para identificar el análisis que se desarrollará.OC VEl lOV lOV lV . Se captura la magnitud de la fuente como se indicó.27 (ejemplo 2.126 como el circuito que debe analizarse.127. El diodo de silicio está especificado entre los nodos 2 y 3.7 ka 2 Si 3 + lOV Figura 2. Obsérvese la entrada en el renglón 3 de la descripción de la red y la del modelo del diodo en el renglón 6. identificar los nodos y etiquetarlos en un orden lógico. El primer paso consiste en dibujar de nuevo la red como lo indica la figura 2. Después se captura el nodo con el lado positivo de la fuente seguido por la polaridad negativa.11 está del nodo 3 a tierra.126. La siguiente entrada en el archivo es un elemento resistivo que requiere una literal R para empezar el renglón seguido por el nombre elegido (en este caso sólo el número 1 para referir el subíndice en la red de la figura 2. Para todas las fuentes dc la primera línea debe ser la literal Y.11) utilizando la versión DOS de PSpice. seguida por el nombre de la fuente.END exactamente en el fonnato que se indica. La magnitud de la resistencia se especificó como de 4. La línea del título especifica el circuito de diodo para la red de la figura 2.2) VI3.O) V(2.7 ldl.27 para el análisis PSpice.128.126.EIfD Figura 2. La "presión" de la fuente de lO-y sugiere que la corriente resultante hará al nodo 1 positivo respecto al nodo 2.128 Archivo de entrada para la red de la figura 2.Pi 2.71': Dl R2 2 3 DI 3 4 2.126 VEllO lOV Rl 1 2 4. El siguiente conjunto de entradas es una descripción de la red utilizando los nodos elegidos y el formato que requiere PSpice para cada elemento.13 Análisis por computadora 99 . 1 R. Descripción de la red Instrucciones para análisis Instrucción END Figura 2. La tierra se elige como el nivel de referencia y se le asigna la etiqueta O.

Una vez que se corre el programa y el sistema de cómputo observa una repetición del nivel de 10 V. Figura 2.7-V (o lo más cercana posible a este nivel) a través de los diodos de silicio en estado "encendido" con los niveles de corriente usuales para los sistemas electrónicos. el análisis se desarrollará únicamente al nivel que se indica. Una suposición incorrecta dará por resultado sólo en un signo negativo para el voltaje a través de un elemento en particular.129 Archivo de salida para la red de la figura 2. La instrucción _PRINT (IMPRESIÓN) define las cantidades que deben incluirse en los datos de salida.000000E-15 OC TRANSFER CURVES V(J) 1(01) •••• VE1 TEMPERATURE '" V(l. el que se compara de manera favorable con el -.QPTIONS NOPAGE . el que limita los datos presentados en el archivo de salida a menos que se so1. Aunque el análisis es sólo a un nivel.OOOE + 1 = 10) Y lo controla la computadora para especificar la condición bajo la que se hicieron los cálculos (recordar la instrucción . La corriente del diodo I(DI) = ID = 2.A continuación se encuentra la corriente a través del diodo seguido por los voltajes entre los nodos indicados. Obsérvese en la figura la posición del renglón de título y la repetición de la descripción de toda la red.2) V(3~4) 27. El voltaje V(1.7K 01 2 3 DI :3 4 2~2K VE2045V . Obsérvese en cada caso un intento para definir los nodos positivos y negativos en el orden de las entradas de los nodos.11 y V(3. 455E-Ol 2.. Si el segundo nivel fuera diferente..se especificó IS como 2E-15 para obtener una caída de 0. J) e 1.45 V que se obtuvo en el ejemplo 2. de ahí la repetición del nivel de lO-Ven el renglón de captura.455E-Ol =-0.730E+OO 4.155E-Ol 100 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos .07 mA. 2.73 V para el ejemplo 2.554 V que se compara con 4.De especifica un análisis en dc con una fuente El a 10 V.De especifica el tipo de análisis a un nivel de El = 10 V con todos los otros elementos según se especificó en la descripción de la red. el programa PSpice puede ser "corrido" y la información deseada que se obtiene en el fOffilato del archivo de salida que aparece en la figura 2.11. La entrada .11.4) = V2 =4.- VE! 1 O lOV Rl 1 2 4. Una vez que el archivo de entrada se capturó adecuadamente. La entrada .MODEL DI 0(IS=2E-15) .J) . el análisis se desarrollará desde el primer nivel al segundo nivel y a los niveles definidos por el incremento que se especifica como la siguiente entrada en el renglón. La cantidad V(3) es el voltaje del nodo 3 a tierra..DC VE! lOV lOV IV .4455 V.070E-03 9. La entrada .2} V(J. No es necesario incluir la segunda fuente de de en esta instrucción.129. se requiere una entrada para el incremento como se indica por el 1 V utilizado generalmente para este propósito.icite específicamente._ •••••• _. el voltaje de salida de la figura 2. como es el caso.OPTIONS NOPAGE (OPCIONES NO PÁGINAS) es una instrucción para "ahorrar papel".END. El análisis . es una réplica exacta del ejemplo 2. (l. sólo llevará a cabo el análisis a un nivel único (10 V) e ignora el impacto de la captura del incremento. el cual es para el nivel de corriente IS elegido de 0.73 V que se compara con 9. *••• R2 CIRCUIT OESCRIPTION **************************************************_ ••• _•• _.PRINT oc V(3) I(Dl) V(l.55 V es para el mismo ejemplo. Diode circ'. El último elemento del archivo de salida es el voltaje a través del diodo.De): mientras que V(3) = Ve> =-4.126.715 V. El archivo de entrada termina con la instrucción .2) = VI =9.126. Si el nivel se repite. Oiode MODEL PARAMETERS DI 1$ 2.De puede especificarse para un rango de valores. Se listan los parámetros del modelo que se especificó seguidos por los resultados deseados.000 OEG V{2.000E+Ol -4.554E+OO 7.4) V(2.126 **.END _. Las siguientes dos entradas son la segunda resistencia y la fuente de alimentación. VEl es sólo una repetición del nivel de E.lit tor netW'ork of Fig.

En general. y la resistencia R 1 está en posición. y no necesariamente el detalle que se requiere para desarrollar el análisis por su propia cuenta para una variedad de configuraciones. Puesto que no hay más resistencias en el diagrama. se asegurará de que todas las conexiones sean establecidas entre los elementos. Sin duda se harán algunas referencías a los manuales cuando se intenten otras configuraciones. Sin embargo. Con mayor importancia.7 V amenos que se elimine el uso de todo el modelo. sin embargo. PSpice para Windows se aplicará a la misma red de la figura 2. Como se describió en el capítulo 1.11. y si se recorre la biblioteca hasta que aparece analog.7 V Y utilizado en el ejemplo 2. El primer contacto con cualquier técnica nueva. los resultados son exactos con los que se obtuvieron en el ejemplo 2.126 para permitir una comparación entre los métodos y las soluciones. Lo anterior es el tipo de análisis PSpice que se presentará a lo largo de este libro.126. la secuencia superior permite un primer acercamiento a una lista importante de bibliotecas y opciones. La pantalla al principio puede inicializarse al elegir Options (Opciones) en la barra de menú seguido por Display Options (Desplegar Opciones). En los siguientes párrafos se presentarán las bases para dibujar una red sobre la pantalla. La resistencia aparecerá en forma horizontal. Al presionar etrl y R de manera simultánea. la temperatura. al dar OK se inicializará la pantalla con las especificaciones que se desean. sin embargo. se hace "click" en R y luego OK. sólo se hace "click" al botón derecho del mouse y el proceso se completa. puede girar la resistencia 90 0 . y que cualquier conocimiento acerca de su aplicación será valioso en cualquier sistema de análisís por computadora que se pueda elegir. se debe estar consciente que la intención de este libro es presentar al lector varios métodos de computación.slb y aparecerá un listado de alternativas bajo el encabezado de Part (parte). permitiendo su colocación en la fonna vertical adecuada. La caja de diálogo de Get Part aparecerá. como el análisis PSpice que se presenta en esta sección. Nótese la forma en que se "adhiere" a la estructura de la malla.11. Se podrá hacer referencia a la red terminada de la figura 2.13 Análisis por computadora 101 . Análisis del centro de diseño de PSpice para Windows Ahora. es natural que dejará preguntas y dudas acerca de su aplicación. Debe tenerse presente que PSpice es uno de los paquetes aplicados con mayor frecuencia en la comunidad educacional.1" (Malla activa. La caja de diálogo de Display Options permitirá hacer todas las elecciones necesarias respecto al tipo de pantalla que se desee. la aplicación de la versión para Windows tiene como resultado un dibujo de la red en una pantalla esquemática. Stay on Grid y un Grid Size de 0. el nivel de corriente. La secuencia entera puede reducirse con teclear R en la caja de diálogo de Add Part (añadir parte) y dando "click" en OK.130 mientras se avanza a través de la presentación. como la corriente de saturación inversa. Esto no quiere decir que la descripción anterior no sea suficiente para iDtentar varias configuraciones de diodos. Del capítulo 1 recuerde que el voltaje del diodo es una función de una variedad de parámetros. se tiene que colocar R 2 . Permanecer en la Malla y un Tamaño de Malla de 0. como deben ser si se aplica el cuidado adecuado para ambos métodos. Una vez que se especifique con una pequeña x en las cajas adecuadas. Para estos propósitos se eligirá Grid On. esta descripción lo llevará a través de las bases sin demasiada dificultad.slb. R Primero se coloca la resistenciaR¡ en la posición adecuada al dar "click" a Draw (dibujar) en la barra de menú seguido por Get New Part (seleccionar una parte nueva) y Browse (hojear). Las opciones restantes se dejan para investigar. Las etiquetas Rl y R2 están de manera correcta~ pero los valores son incorrectos. se le da "click" al botón izquierdo del mouse. pero R 2 es vertical en la figura 2. y aparecerá una resistencia en la pantalla. es más fácil dibujar la red si la malla se encuentra sobre la pantalla y se hace el requerimiento de que todos los elementos se hallan sobre dicha malla. Ahora. lo que es perfecto para R l' Se mueve la resistencia a una posición lógica. pero no puede especificarse sólo como 0. Recorriéndolo hasta ver R. se da "click" en la librería analog.comparado con el 0. sino sólo qlle pueden surgir preguntas que requieran un curso sobre el tema o por lo menos la disponibilidad del manual PSpice. 2.1 "). En general. y así sucesivamente.

El Model Editor aparecerá y mediante un "click" puede cambiarse una parte. IPROBE está en la librería special.7k dentro de la caja. sólo se oprime el mouse una vez más y El estará en posición. Donde aparece el símbolo primero. DIODO El diodo está en la biblioteca eval. Se repite lo anterior para el valor de la resistencia R 2 • E Las fuentes de voltaje se encuentran en la biblioteca source.7k a la posición que se desee. se hace doble "click" en el valor sobre la pantalla (primer R 1) Y aparecerá una caja de diálogo Set Attribute Value (establecer valor del atributo). La caja puede moverse de la misma manera que las etiquetas para las resistencias. Se hace "click" en OK y El ha sido fijado con un valor de 10 V aunque no aparezca en la red. Si se desean ver las especificaciones de los diodos. Una vez ahí. Un "click" en el botón derecho del mouse terminará la característica de inserción del IPROBE. Para cambiar la etiqueta a El.126 la etiqueta Si aparece en lugar del Dl' Al dar doble "click" el DI traerá el Edit Reference Designator para cambiarlo a Si. Se libera el botón y la etiqueta de 4.slb y aparece como una carátula de medidor en la pantalla. que puede colocarse como sea necesario. el IPROBE debe ser instalado como se indica en la figura 2. Antes de dejar la caja de diálogo se debe estar seguro de dar Save Attr (guardar atributos). Dando OK da por resultado el símbolo de la fuente en el esquema. Para establecer el valor de El se oprime el símbolo dos veces y aparecerá una caja de diálogo. aparecerá una etiqueta VI. se hace "click" al VI un par de veces y aparecerá una caja de diálogo de Edit Reference Designator (editar el designador de referencia). se selecciona Draw en la barra de menú seguido por Text (texto). Por tanto.7k posteriormente. se da un "click" sobre el valor y las cajas reaparecerán. es necesario oprimir la secuencia Ctrl R dos veces para rotar el símbolo antes de colocarlo en posición. Si la etiqueta DI no desaparece por completo. los 10 V aparecerán en la pantalla. Después de darle "click" para colocarlo donde se requiere. un "c1ick" completará el proceso. El proceso será el mismo para Ez' pero se debe estar seguro de incluir el signo negativo. Para este análisis se cambió Is a 2E-15 en lugar del valor implícito de 1 pA. un "click" adicional en cualquier lugar de la pantalla eliminará las cajas y terminará el proceso.7k permanecerá donde se colocó. que puede moverse sólo haciendo "click" en la pequeña caja y mientras se mantenga oprimido el botón.130. Cuando se tengan en la posición correcta. Se escribe el valor correcto y aparecerá en la pantalla al dar OK. Aparecerá el 4. IPROBE Puede desplegarse la corriente de la red al insertar un IPROBE (ensayo) en serie con los elementos de la red. Cuando se hace "click" para colocarla. Se seleccionaDC= y se establece el valor de 10 V.slb de la caja de diálogo Get Parto Oprimiendo el diodo DIN4l48 y el OK colocará el símbolo del diodo en la pantalla. Las etiquetas DI y D1N4l48 aparecerán cerca del diodo. aparecerá una caja en blanco que puede moverse a la posición deseada. se mueve el 4.EditInslance Model (editar modelo ejemplo). Si se desea mover e14. Una vez en posición. se oprime una vez el símbolo del diodo y se utiliza la secuencia Edit (editar) . Debido a que se está buscando una respuesta positiva en esta investigación. Para añadir la etiqueta de 10 V al diagrama. Se mueve el diodo a la posición correcta. Se oprime el lado derecho del mouse para terminar las series de colocación de los diodos. El IPROBE responderá con una respuesta positiva si la corriente entra al símbolo al final con un arco que representa la escala. 102 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .Para cambiar un valor. En la figura 2. éste está 180' fuera de fase con la corriente deseada. El Part Name:VSRC (nombre de la parte El: VSRC). se utiliza la instrucción Ctrl L para dibujar de nuevo la red y ésta eliminará cualquier línea que persista. Se cambia la etiqueta a El y se la da "click" a OK y aparecerá E 1 sobre la pantalla dentro de una caja.Model (modelo) . Se escribe 10 V Y se hace "click" en OK.slb de Get Part y eligiendo VSRC. Se oprime el lado derecho del mouse para terminar el proceso y luego se oprime el lado izquierdo para eliminar la caja. y se oprime una vez.

Si se desarrolla correctamente.lüV E2 5V Figura 2. Se elige Do Not Auto-Run Probe (no autoejecutar la prueba) debido a que Probe no es apropiada para este análisis.slb de la caja de diálogo Get Parto Sólo se coloca la flecha del símbolo VIEWPOINT en el punto donde se desea el voltaje respecto a la tierra.análisis. una caja de diálogo de PSpice aparecerá indicando que el análisis en de se terminó. Aparecerá entonces un lápiz que puede dibujar las líneas deseadas de la siguiente manera. por las palabras en inglés de: Earth GrouND) es parte de la biblioteca port. Luego se dibuja la línea y se hace "click" una vez más al botón izquierdo al final de la línea.126.7k R2 2. la red está lista para el análisis. Si deben dibujarse líneas adicionales. el proceso puede terminarse al oprimir el botón derecho del mouse. esto puede cambiarse al oprimir el Examine Netlist (examinar la lista neta) bajo el encabezado Analysis (análisis).07 mA concuerda con la solución en DOS. Se sale de la caja y el diagrama tendrá la corriente y el voltaje de los nodos como en la figura 2.126. la probabilidad es que los nodos asociados con cada elemento no concuerden con las referencias de los nodos asignadas de la figura 2. Es una opción que se presentará en un capítulo posterior cuando se manejen las cantidades que cambian con el tiempo. La tierra (EGND. 2.066E-ú3 -'---==1- -TL-____~. Ahora. Si sólo se debe dibujar una línea. Se mue ve el lápiz al principio de la línea y se oprime el botón izquierdo del mouse.130. Para acelerar el proceso. El resultado es un listado de los elementos de la red y el valor numérico asignado a cada nodo. sólo se presiona la barra espaciadora después de terminar una línea y se dibuja la siguiente línea. v EGND El sistema debe tener tierra para actuar como punto de referencia para los voltajes de los nodos. Para este análisis las referencias de los nodos se cambiaron para igualarlas a la figura 2. ASIGNACIÓN DE NODOS Cuando los elementos son capturados como en la parte anterior.46 Ves muy cercano a la solución DOS de -{). la frecuencia o cualquier otra variable importante.126.126 con una simple secuencia de inserciónlborrado para cada referencia de los nodos.LÍNEA Los elementos ahora necesitan ser conectados al elegir Draw y luego Wire (cable).4542 El ~ : 4. RI DI DIN4148 -. Esta lista puede cambiarse para igualar la de la figura 2. la red está completa como lo indica la figura 2.13 Análisis por computadora 103 .130.130 Respuesta de Windows para la red de la figura 2. VIEWPOINT Los voltajes de los nodos pueden desplegarse sobre el diagrama después de la simulación utilizando VIEWPOINTS (puntos de vista) que están en la biblioteca special. y el voltaje de los nodos en -{). ANÁLISIS Ahora.45 V. Sin embargo. se oprime Analysis (análisis) y se elige Probe Setup (irticialización de la prueba).------~~ + -==-.slb y puede colocarse de la misma manera que los otros elementos de la red. Puede colocarse un VIEWPOINT en cada nodo de la red si es necesario. Después se procede con OK-Analysis-Simulate (Ok.2 k 2. La corriente del circuito de 2. simulación) para llevar a cabo el análisis.

.....06SE-03 v_w~ 2.....131 Archivo de salida para el análisis PSpice (Windows) del circuito de la figura 2.................. 104 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .01E-03 7.065E-03 2..131.....49E-Ol REQ CAP 1..............X 2.......•........................ SN:0005 SN:0002 e Diode MODEL pARAMETERS ••••• .... Los parámetros de •••• . Obsérvese que las asignaciones de los nodos del Schematics Netlist (lista esquemática neta) concuerda con las referencias de los nodos de la figura 2......7 V utilizado en la solución manual...... -. una posihle razón para la ligera diferencia en el voltaje de los nodos listado arriba..749 V en lugar del 0.....()()O()C)Ot.....1lc..... IS D1N414J..... a:R2 V_El V El D:DI SN_OOO4 SN_OOO3 2.()9 CJO 2................000000E-12 •••• .........MAnON TEMPBRAnJRE..000 DEG e NODE VOLTAOE VOLTAGE (SN_0001) .... examinar salida)..126.. los diodos se repiten bajo el listado Diode MODEL PARAMETERS (parámetros de modelos de diodOS)......s Ncdist .... ····DIODES NAME O_DI MODEL D1N4I4&-X ID 2..............0000 VOLTAGE SOUIlCE CUIUtENTS NAME CIllUU!NT V_El V_P2 -2... Varias de las partes importantes del archivo de salida aparecen en la figura 2.. Scbemati<:..........000000E-J S BV JOO lBV l00......"' •••••••••••••••••••••••••••••• ! ..........2925 (SN_OO<l3) ..10&<>2 WATTS •••• OPEltA~GPOINTJNFOlJ................... La OPERATING POlNT INFORMATION (información del punto de operación) revela que ID es de 2...126..000DEGC .......06SE-03 TOTALPOWEIlDlSSlPAnON 3..2SE+Ol 9......-SlGNAL BIAS SOLtmON NOnE VOLTAGE NQDE VOLTAGE :NODE (SN-"002) 10..07 mA Y que el voltaje a través del diodo es de 0....000000E~15 RS 16 TI 12............. R RI SN_OOO2 SN_OOOl 4..2k SNJ)OOSODC lOV $N OOG40DC-SV SN-OOOI $N 0003 DIN4148-X v_V6 ........62&10 Figura 2.... -•. La SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION (solución de pequeña señal de polarización) incluye todos los voltajes de los nodos con la corriente listada a continuación como las VOLTAGE SOURCE CURRENTS (corrientes de las fuentes de voltaje). ••••• SMAU....._ .......0000 (SN_OOO4) ·'0000 TEMPERATURE = 27...4561 (SN_oooS) 10....27.El archivo de salida puede observarse con la secuencia Analysis--Examine Output (análisis.. ••••• CIRCUIT DESCRIPTlON .... VD .....

b) Repita el inciso a usando el modelo aproximado para el díodo y compare los resultados. 1 .10 YV R. j ! .132 Problemas 1. 7 V. a) 2. "R ~25 . I 5 6 ! I O. . determine ID' VD Y VR. ! ! ! . desde luego uno se vuelve más adepto a la construcción de la red: y también. I ! ! I 1 . § 1. b) Desarrolle el mismo análisis del inciso lA utilizando el modelo ideal para el diodo. Determine el valor de R para el circuito de la figura 2. I 3 I ! 4 I 7 1 1 . 3. I 1 1 .Al principio.1O I I I . a) Usando las características aproximadas para el diodo de Si. . Problemas 105 .133 Problemas 2. c) Repita el inciso a con R == 0. se completó el análisis utilizando la versión para Windows de PSpice.18 ka. I . i + R O. 1 I .134 Problema 4. I A O ¡ i i i . . 1 1 .133 que resultará para una corriente del diodo de 10 mA si E:. ~20 1_. detennine JD Y VD para el circuito de la figura 2. I . el resultado es una red dibujada con todos los voltajes de los nodos importantes y las corrientes deseadas impresas en el diagrama. i . .133. I 1 I 1 I ¡D(mA) i .33kQ 1-30 I I I .132b.134. se debe dar al sistema de Windows una oportunidad para demostrar su versatilidad mientras se empiezan a examinar sus otras características. I . I : ! . I~ rb) E T + 5v L______-' Figura 2. i \ I 1 1 1 .2. 1 ro) ! Figura 2. V~(V) I . 3.132a. puede parecer que se hace mucho más trabajo antes de llegar a la solución para Windows en comparación con la solución para DOS. . 132b. I ¡ ¡ 1 . para el circuito de la figura 2. b) Repita el inciso a con R == 0.Ahora. \ . I I 1 . • I ¡ I I . R 2. detennine el valor de V0. Utilice las características de la figura 2.2 Análisis mediante la recta de carga PROBLEMAS Utilizando las características de la figura 2. 1 ! i i . e) Repita el inciso a utilizando el modelo ideal para el diodo y compare los resultados. Sin embargo.7V I 1 2 I ! ¡ . i! ¡ I I . . + VD s. ¡ 1 : 1 . 2. 1 i " 9 1 10 . 1 f-. \ 5 I . ! ! . e) ¿Sugieren los resultados que se obtuvieron en los incisos a y b que el modelo ideal puede ofrecer una buena aproximación para la respuesta real bajo algunas condiciones? Figura 2. 1 . 1 1 .2 ka + v'" 4. . i I ! .132b para el diodo. . Con el tiempo.47 kQ. i5 . para el circuito de la figura 2. a) Usando las características de la fIgura 2. _ ¡ i ! 1 1 I i \ .

7 kQ Si s.138.138 Problema 8. SI 2. 51.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de de 5.1 + + '1 *SI 10Q ¡.135 utilizando el modelo equivalente aproximado para el diodo.135 Problema 5. * o 7. 52. 6. SI /t lOmA 2.137 Problema 7.136. SI 12 V L -10Q 1 20 V .2 kQ 1. ~ ~ 2 kQ 'VV'v 1"' 2 kn " .136 Problemas 6. tI ~~ IOV SI "ro- > tI ~ Ion >20n ~~ SI lb) (o) Figura 2. la) (b) Figura 2.137. Determine Vo e ID para las redes de la figura 2. Determine Vo e ID para las redes de la figura 2. Determine la corriente / para cada una de las configuraciones de la figura 2.2 kD: 1 "=' +20 V 5V 6. 106 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . SI 20 v G. Determine el nivel de Vo para cada una de las redes de la figura 2.§ 2.2 kQ 1.. * 8. lb) Figura 2..8 kn lb) ':' "=' SI Figura 2.2 kQ 4.

.7kn 12 V (b) (a) > Figura 2.140 Problemas 10. § 2. 53.·.. Detennine V o e JD para las redes de la figura 2. Detennine V0. ¡~ SI SI~ ~ Vo SI 4.2 kQ -5 V (b) _L (a) Figura 2.141 Problema 11. y V0.5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 10. Ge Si 3.ov ¡ • -+ Vo ID SI ~ ID i --. 15 V +.139. para las redes de la figura 2. * 9. +lOV +16V t---~V.3 kQ (a) (b) F1gura 2. Problemas 107 .7 kQ }> >2.~. >4.139 Problema 9. * 11.140.141. Detennine V o e 1 para las redes de la figura 2.

§ 2.8 kQ como 10 indica la figura 2. i. 10/' 1 kD +10 V ~¡.146. 19. IOV .142 Problema 12.llld~e'i!!I~_ r oVd. Vo".150. Determine Vo para la red de la figura 2. 108 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . 54.38 con O V en ambas entradas. 23.147 .143 Problemas 13.148. dibuje vi' Vd e id para el rectificador de media onda de la figura 2.145 Problema 19. Determine Vo] .144 -5 Problema 18.2 kO + + V.2 kO 6.. 20.. 24. Ideal " V(\c= 2V ~1. Determine el nivel de Vo para configuración de la figura 2. * 13. Suponiendo un diodo ideal. Repita el problema 22 con una carga aplicada de 6. Hgura 2..2 kD.= 110 Y (rros) Ideal + 2. La entrada tiene una forma de onda senoidal con una frecuencia de 60 Hz. Detennine Va para la compuerta lógicaAND de la figura 2.38 con 10 V en ambas entradas.5 V v Si Si 5V av Si 2. Detenmne Va para la red de la figura 2.143.. Figura 2. 2.149. Determine Va para la red de la figura 2...8 k. Determine Vo e ID para la red de la figura 2. R.41 con O V en ambas entradas. Dibuje v L e i L • 1 .146 Problema 20. Si ! kn 17. Para la red de la figura 2. Determine Va para la red de la flgura 2. dibuje Vo y determine V dc ...2 kD + figura 2. Figura 2. . 15.·=2V * 23. 21.145. 20 V 2kD Si Si 2 kQ 2 kQ Figura 2.. 18. ~ T ~ * 24. Figura 2. Determine Va para la compuerta lógica OR de la figura 2. Repita el problema 22 con un diodo de silicio (VT = 0.7 Entradas senoidales.7 V). flgura 2. 16.41 con 10 V en ambas entradas. . Determine el nivel de Vo para la compuerta de la figura 2. e 1 para la red de la figura 2.148 Problemas 22..147 Problema 21. +. rectificación de media onda 22.2 kQ IOV Vo Si Ge Vo 2.150 Problema 25. " ~_-I"'W--. figura 2.Q vL Hgura 2.142.~I 12.6 Compuertas AND{OR 14. 2.149 Problema 24. 25.144. IkD 10V -5 V . § Si 2.

.-imo. Para la red de la figura 2. determine el valor máximo de corriente de cada diodo (utilizando el modelo equivalente aproximado). Determine la comente a través de cada diodo para V. Problemas 109 . dibuje va e iR' + I ka + -10 V Figura 2..151 Problema 26.. a) b) e) d) e) Dado Pm. e) Encuentre la corriente máxima a través de cada diodo durante la conducción.l¡:' == 14 rnW para cada diodo de la figura 2... > ~ 47 kQ + v . * 27.V nns tiene una resistencia de carga de 1 ill. + Diodos ideales + 2.. d) ¿Cuál es el valor de potencia que ser requiere de cada diodo? 29.151. -.2 kQ -100 V Figura 2. Determine 1má:\ para Vi m~.i * 26.: 160 V. § 2. detennine la corriente del diodo y compárela con el valor má.152. ~: o--- 1"" . Un puente rectificador de onda compieta con una entrada senoidal de 120. ¿Es la corriente detenninadaenel inciso e menorque~r~alor máximo determinado enel inciso a? Si sólo estuviera presente un diodo..::. < > 56 kn Figura 2..152 Problema 27.153 Problema 29..8 Rectificación de onda completa 28. ¿cuál es el voltaje dc disponible en la carga? b) Determine el valor PIV que se requiere de cada diodo. utilizando los resultados del inciso b. Determine va y el valorPIV que se requiere para cada diodo de la configuración de la figura 2. a) Si se utilizan diodos de silicio.153.

Dibuje V o para la red de la figura 2.9 Recortadores 32. * 30. + Diodos ideales 2. Dibuje V o para la red de la figura 2.2 kQ -100 V Figura 2. 33. ¡OV " Si 5V ~c--I~M----1II--_____.2 kQ 2.154 y determine el voltaje de de disponible.156 para la entrada que se indica...2 ldl 4. Dibuje V o para cada red de la figura 2.7 kQ (b) Figura 2.155 y determine el voltaje de de disponible.2 kQ 2. " 20V Si 5V Ideal + + 2.--- ~---~ . * 31.< -lOV r (a) 1.156 Problema 32.157 para la entrada que se indica. -20 V 'o " (b) Figura 2.154 Problema 30.2 kn 2. llO Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . + Diodos ideales 2.2 kn ~ " 6~8 + kfl .2 kn -170V Figura 2.157 Problema 33.155 Problema 31.. Dibuje V o para cada red de la figura 2. § 2.

~AA.159 Problema 35.". 2.. (b) (a) Figura 2.160 Problema 36. e 20 V e + o -20 V 0--. ~ j ~ >R " o + " 0--. r 10 kQ o--JVV\. * 35.* 34. 4Y + 2_2 k. 2() V :--JT 2V Ideal Ideal " O---IM----. Id.160 para la entrada que se indica. I kQ v. Dibuje V o para cada red de la figura 2. Problemas III . 2.159 para la entrada que se indica. . Dibuje iR y Vo para la red de la figura 2.Q S( + "0 . 36.2 kQ ~T S( o (a) (b) FIgura 2.1' " "..161 para la entrada que se indica.10 Cambiadores de nivel 37. + " -+ 'R S3Y o i1 ! s ' Figura 2.1 Ideal R " I 5Y . § 2.-~ ro \'.2 kQ o -5 V I ~o-----<j~o (a) +5 y (b) Figura 2.158 Problema 34.158 para la entrada que se indica.161 Problema 37.~vvv---¡ .al . Dibuje V o para cada red de la figura 2. Dibuje V o para cada red de la figura 2.

165._.164.\)lF .3 V Figura 2. Para la red de la figura 2. Diodos de silido IOV + + Diseño 2.162 para la entrada que se indica.162 Problema 38. fR < + + l'.---~-~ + 0. * 41.163: a) Calcular 5 T. * 40.165 Problema 41. ¿Sería una buena mación considerar que se trata de un diodo ideal para ambas configuraciones? ¿Por qué? aproxi~ e 120 v e + o-------j' 1\ o-------j sr • ~ .2 v Figura 2. sr R + E T (b) 20 V " Figura 2. e +\0 o--KI~---. +30 V Diodos ideales 20V + Diseño + o -lOV -20 V Figura 2.. c) Dibujar vo.164 Problema 40. • .¡.7 V o o -10 V -17. ~ sr R ~56kn + L------I _ lO f = 1 kHz -'1=. * 39.163 Problema 39.~ 38. b) Comparar 5rcon la mitad del periodo de la señal aplicada. 112 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . Dibuje V o para cada red de la figura 2. Diseñar un circuito cambiador de nivel para llevar a cabo la función que se señala en la figura 2. Diseñar un circuito cambiador de nivel para llevar a cabo la función que se indica en la figura 2.

12 e 1m de la figura 2.§ 2. Desarrolle un análisis general de la red Zener de la figura 2. + . Para la red de la figura 2..121 en téI1Ilinos del voltaje pico del secundario Vm .22 kQ 47. Il Diodos Zener * 42. 52. Determinar VL. 53. 55. ..168. Dibuje la salida de la red de la figura 2. Repita para una onda cuadrada de S-v. Problemas 113 .168 Problemas 44.. Desarrolle un análisis para la red de la figura 2. para el diodo Zener del inciso a. Diseñar un regulador de voltaje que mantendrá un voltaje de salida de 20 V a través de una carga de 1 kQ con una entrada que tendrá una variacíón entre 30 y 50 V. e) Determine el valor de R L que establecerá las condiciones máximas de potencia para el diodo a) Zener..120 si la entrada es una onda cuadrada de 50 V.168 usando PSpice (Windows).143 utilizando PSpice (Windows).36 (ejemplo 2.IR Vi':::: 220 Q 10 V P2m" = 400 mW V f.Figura 2. Determine el voltaje disponible del doblador de voltaje de la figura 2. Repita el problema 49 utilizando BASIC. Esto es. Escriba el archivo de entrada para PSpice (DOS) para detenninar las corrientes 1). Escriba el archivo de entrada PSpice (DOS). Utilizando PSpice (DOS). 1 . 50. Figura 2. escriba el archivo de entrada para determinar Vo para la red de la figura 2. 57.38.167 Problema 43. b) RepitaelincisoasiRL =4700.140b usando PSpice (Windows).121 si el voltaje del secundario del transfonnador es de 120 V (rrns). figura 2. determine el rango de Vi que mantendrá VL en 8 V Y no excederá el valor máximo de potencia del diodo Zener.13 Análisis por computadora 49. b) Determine P 2m". Esto es. 48. * 43. para determinar Vo para la red de la figura 2.l36b utilizando P$pice (Windows).166 siR L = ISOn. Desarrolle un análisis para la red de la figura 2. Detennine los valores PIV que se requieren por los diodos de la figura 2. 45. determine Rs y Vz. Desarrolle un análisis para la red de la figura 2. . a) Diseñe la red de la figura 2. § 2.IL e IR para la red de la figura 2.15). Repita el problema 50 usando BASIC.167 para mantener V[ en 12 V para una variación en la carga (lL) desde O hasta 200 mA.12 Circuitos multiplicadores de voltaje P Zm " Vz = 8 V =400rn'W' 0.137b. 51. * 44. determine el valor adecuado de Rs y la corriente máxima IZM ' 46. d) Detennine el valor mínimo de RL para asegurar que el diodo Zener está en estado ·'encendido". 56. 91 Q § 2. 55. R. 54.166 Problema 42. Los asteriscos indican problemas más difíciles.

Brattain. no tenía requerimientos de Los inventores del primer transistor en los BeU Laboratories: doctor WiIliam Shockley (sentado). Sin embargo. El diodo de bulbo fue introducido por J. doctor John Bardeen (izquierda). Shockley Nació en: Londres.1 El primer transistor. la industria de la electrónica registró la aparición de un nuevo campo de interés y desarrollo. 1910 PhD Harvard. 1928 Todos compartieron el Premio Nobel en 1956 por esta contribución. A. el 23 de diciembre de 1947. 1936 Dr. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra en la figura 3.1. En los años siguientes la industria se convirtió en una de las más importantes y se lograron rápidos avances en el diseño. Fleming en 1904. Poco tiempo después.1 INTRODUCCIÓN Durante el periodo de 1904 a 1947. Wisconsin. Lee De Forest le añadió un tercer elemento al diodo al vacío. Brattain Nació en: Amoy. aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturización.cien millones aproximadamente en 1937. el dispositivo electrónico más interesante y también el que más se desarrolló. 1936 Dr. Fue esa tarde cuando Walter H. sin duda.) 114 . la radio y la televisión ofrecieron un gran estímulo a la industria de los bulbos. doctor Walter H. Inglaterra. (Cortesía BeU Telephone Laboratories. lo cual dio por resultado el triodo. La producción se incrementó. Las ventajas de este dispositivo de estado sólido de tres terminales respecto al bulbo se manifestaron de inmediato: era más pequeño y ligero. denominado rejilla de control. Brattain y Joseph Bardeen demostraron la acción amplificadora del primer transistor en la compañía Bell Telephone Laboratories. En los años subsecuentes. 1908 PhD Princeton. (Cortesía de los archivos AT&T.) Dr. 1902 PhD Universidad de Minnesota. el bulbo fue.CAPÍTULO Transistores bipolares de unión f3 3. Figura 3. A principio de los años treinta el tubo de vacío de cuatro y cinco elementos cobró gran importancia en la industria de los tubos electrónicos al vaCÍo.de cerca de un millón de bulbos en 1922 a . China. primer amplificador de su género. técnicas de manufactura. en 1906. Bardeen Nació en: Madison.

Nótese que.150I"l n n e (b) Figura 3. la corriente o nivel de potencia) tendrán por lo menos tres terminales. Para los transistores que se muestran en la fIgura 3. E r 0..2. en este capítulo se aborda por primera vez el análisis de dispositívos con tres o más terminales_ El lector encontrará que todos los amplificadores (dispositivos que incrementan el voltaje. Bipolar Junction Transistor). E r p O.150l"l 0.001 in. misma que sí se intercambiaran las funciones que cumplen el electrón y el hueco. Para la polarización que se muestra en la figura 3.150/0.2 las terminales se indican mediante las literales E para el emisor. La abreviatura BJT.3 Operación del transistor 115 . es uno de estos dispositivos. En el capítulo 4 encontrará que la polarización de de es necesaria para establecer la región de operación adecuada para la amplificación de ac. En la figura 3. que se considera en el capítulo 20.. El espesor de la región de agotamiento se redujo debido a la polarización aplicada. ~I r-p B p e 3. Este nivel bajo de dopado disminuye la conductividad (aumenta la resistencia) de este material al limitar el número de portadores "libres". La operación del transistor npn es exactamente la. la base ligeramente dopada y el colector sólo muy poco dopado.3 Unión con polarización d. Obsérvense las similitudes entre esta situación y aquella del diodo con polarización directa del capítulo l. Se desarrollará una apreciación de la elección de esta notación cuando se analice la operación básica del transistor. e para el colector y B para la base. 3. El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material polaIlzado de forma opuesta.irecta de un transistor pnp.+ + +-++ p-+ -:++-+.3 se dibujó de nuevo el transistor pnp sin la polarización base-colector. ~II- 0. o bien..calentamiento o disipación de calor. de dos capas de material tipo p y una tipo n. b) npn. El dopado de la capa central es también mucho menor que el dopado de las capas exteriores (casi siempre 10: 1 o menos).2 CONSTRUCCIÓN DE TRANSISTORES (a) El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p.Ambos se muestran en la figura 3. Si sólo se utiliza un portador (electrón o hueco).2a. +Portadores mayoritarios E +.001 = 150: 1.001 itl. l' FIgura 3. en tanto que al segundo transistor pnp. 3. a partir del análisis anterior. su construcción era resistente y era más eficiente debido a que el mismo dispositivo consumía menos potencia.2 con la polarización de de adecuada. de transistor bipolar de unión (del inglés.3 OPERACIÓN DEL TRANSISTOR Ahora se describirá la operación básica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura 3. Al primero se le llama transistor npn. Las capas exteriores tienen espesores mucho mayores que el material tipo pon al que circundan. suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. la proporción del espesor total respecto al de la capa central es de 0. no requería de un periodo de calentamiento y era posible utilizar voltajes de operación más bajos.2 Tipos de transístores: a) pnp.+ ++/ _B • . entonces se considera un dispositivo unipolar. donde una controla de flujo de las otras dos terminales. Región de agotamiento + 1. La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada. lo que da por resultado un flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n. El diodo Schottky. estaba disponible para utilizarse de inmediato.

hacia el material tipo p conectado a la terminal del colector.2).2a.4 Unión con polarización inversa de un transistor pnp. se obtiene (3. y da por resultado sólo un flujo de portadores minoritarios. Es pertinente considerar las similitudes entre esta situación y la del diodo con polarización inversa de la sección 1.6. Por consiguiente. En la figura 3. según se muestra en la figura 3. Al componente de corriente minoritaria se le denomina corriente de fuga y se le asigna el símbolo leo (corriente le con la tenninal del emisor abierta). +Portadores mayoritarios +Ponadores minoritarios +Portadores minoritarios • Región de agotamiento Región de agotamiento + Figura 3. Como se indica en la figura 3. La razón de esta relativa facilidad con la cual los portadores mayoritarios pueden atravesar la unión con polarización inversa se comprenderá con facilidad si se considera que para el diodo con polarización inversa. Obsérvense. la corriente total del colector se detennina mediante la ecuación (3. tuvo lugar una inyección de portadores minoritarios al material de la región de la base tipo n. La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los microamperes.f3 Ahora se eliminará la polarización base-colector del transistor pnp de la figura 3 . En otras palabras. Sin embargo. comparado con miliamperes para las corrientes del emisor y del colector. la corriente del colector está fonnada por dos componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios. mientras que la otra tiene polarización directa.5. (3. en resumen: Una unión p-n de un transistor tiene polarización inversa. Debido a que el material tipo n del centro es muy delgado y tiene baja conductividad.5. los espesores de las regiones de agotamiento. los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores minoritarios en el material tipo n.1) y se observa que la corriente del emisor es la suma de las corrientes del colector y de la base. como si fuera un solo nodo. habrá una gran difusión de portadores mayoritarios a través de la unión p~n con polarización directa hacia el material tipo n. Figura 3.4. en la figura 3. Así. según se muestra en la figura 3.5.5.2) 116 Capitulo 3 Transistores bipolares de unión . según se indica en la figura 3. Recuerde que el flujo de los portadores mayoritarios es cero. Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 3. la pregunta sería si acaso estos portadores contribuirán de forma directa a la corriente de base lB o si pasarán directamente al material tipo p.A la combinación de esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la región de agotamiento atravesarán la unión con polarización inversa de un diodo puede atribuírsele el flujo que se indica en la figura 3. un número muy pequeño de estos portadores tomará esta trayectoria de alta resistencia hacia la tenninal de la base. La mayor cantidad '"de estos portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión con polarización inversa. Por tanto.5. corno indica la figura 3.5.5 ambos potenciales de polarización se aplicaron a un transistor pnp. que indican con claridad cuál unión tiene polarización directa y cuál polarización inversa.4.5 Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor pnp. con el flujo resultante indicado de portadores mayoritarios y minoritarios.

4 Configuración de base común 117 . 3. Esta elección se basó.. leo' al igual que Is para un diodo con polarización inversa.!. Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.6.8. La notación y los símbolos que se utilizan junto Con el transistor en casi todos los textos y manuales que se publican hoy en dia. y las flechas en todos los simbolos electrónicos tienen una dirección definida por esta convención.7. para la configuración de base común con transistores pnp y npn.6 son las direcciones reales.6.4 CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN Ea 1. B (b) Figur. es sensible a la temperatura y debe analizarse con cuidado cuando se consideren rangos amplios de temperatura. 8 7 6 5 Ir I " =1\' 2 Il O. + 0---"--. Para el transistor: La flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del emisor (flujo convencional) a través del dispositivo.(3 Para los transistores de propósíto general. --. que I E = le + IR' Obsérvese también que las polaridades aplicadas (fuentes de alimentación) son tales que permiten establecer una corriente en la dirección que se indica en cada rama. es susceptible de afectar de manera severa la estabilidad de un sistema a una temperatura alta.~ L E B + .6 0.. definidas por medio de la elección del flujo convencional. en el hecho de que en la gran cantidad de literatura disponible en instituciones educativas e industriales se utiliza el flujo convencional.8 1. Nótese. A su vez. se requiere de dos conjuntos de características. E1 conjunto de características de la salida o colector tiene tres regiones básicas de interés./" vcc 3. Recuerde que la flecha en el simbolo del diodo define la dirección de la conducción para la corriente convencional. Corno se muestra en la figura 3. el potencial de tierra. Es decir. A lo largo de este libro todas las direcciones de corriente harán referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones.6 Notación y símbolos utilizados con la configuración de base común: a) transistor pnp.7 Características del punto de entrada o manejo para un amplíficador a transistor de silicio de base común. se compara la dirección de lE con la polaridad de VEE para cada configuración y la dirección de le con la polaridad de Vce Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres tenninales. uno para el punto de excitación o parámetros de entrada y el otro para el lado de la salida. el conjunto de entrada para el amplificador de base común relacionará la corriente de entrada (lE) con un voltaje de entrada (VBE) para varios nIveles de voltaje de salida (VeB)' El conjunto de salida relacionará la corriente de salida (le) con un voltaje de salida (VeB) para varios niveles de corriente de entrada (lE)' según se muestra en la figura 3.l 3.~ 6 B lo) le . en cada caso. como los amplificadores de base común de la figura 3. mientras que leo se mide en microamperes o nanoamperes. VI. . Sí lo anterior no se considera de manera adecuada. se indican en la figura 3. d I/ cc Vu 1. por lo re~ guIar la base es la terminal más cercana a. b) transistor npn. sobre todo. o que se encuentra en..0 Val-: (V) figura 3. La tenninologia de la base común se deriva del hecho de que la base es común tanto a la entrada como a la salida de la configuración. como se indica r' I. le se mide en miliamperes. Las mejoras en las técnicas de construcción han generado niveles significativamente más bajos de leo' a tal grado que casi siempre es posible omitir sus efectos. OA 0.

La notación que con más frecuencia se utiliza para lco en los datos y las hojas de especificaciones es.8 Características de salida o colector para un amplificador a transistor de base comú:1. recuerde que I CBO ' así como ls' para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura.8: las regiones activa. esa es la verdadera corriente del colector..6.9." 3 2 '" 'o " .f3 Ir (mA) . o L. como se indica en la figura 3. A mayores temperaturas.8.colector para la región activa.8. la corriente del colector aumenta a una magnitud en esencia igual a aquella de la corriente del emisor. según indica la figura 3. mientras que la unión emisor-base se polariza directamente. En el extremo más bajo de la región activa.8 que cuando la corriente del emisor se incrementa por arriba de cero.9 Corriente de saturación inversa. En particular: En la región activa la unión base-colector se polariza inversamente. de corte y de saturación. Así también: En la región de corte. lIS Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . y se debe a la corriente de saturación inversa leo' como lo señala la figura 3. Nótese asimismo el efecto casi nulo de V eB sobre la corriente del. por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. 7 Región activa (área sin sombra) 7mA 1- 6 f- 6mA 5 4 1- 'o Ti ~ " 5mA ~ " " Oi '" .0.L -1 I I I o 5 10 15 20 V es (V) Región de corte en la figura 3. Además. según se detennina por las relaciones básicas de corriente en el transistor. tanto la unión base-colector como la unión emisor-base de un transistor tienen polarización inversa.9. La corriente leo real es tan pequeña (microamperes) en magnitud si se compara con la escala vertical de le (miliamperes) que aparece virtualmente sobre la misma línea horizontal en donde le =O. Las curvas indican con claridad que una primera aproximación a la relación entre lEe Icen la región activa está especificada por (3. la región de corte se define como la región en la que la corriente del colector es OA. Debido a las mejoras en las técnicas de fabricación. La región activa se define mediante los arreglos de polarización de la figura 3. La región activa es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsión). Las condiciones de circuito que existen cuando lE =O para la configuración de base común se muestran en la figura 3. el efecto de leBo puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy rápidamente con la temperatura. la corriente del emisor (IE) es cero. Como se infiere por su propio nombre. para las unidades de mayor potencia/cBo aparecerá todavía en el rango de los microamperes. Obsérvese en la figura 3.3) Figura 3. <>:: 4mA 3mA 2mA 11- IE= 1 mA IE=O mA I Figura 3. el nivel de leBo para los transistores de propósito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana. Sin embargo.lCBO.

Desde la primera vez que se encuentra cualquier configuración de transistor en el modo de dc. .7 V (3. (mAl \ J.2 0. Al avanzar un paso más e ignorando la pendiente de la curva.mAI I I g 8 - Cualquier Vr¡.2 0. . .4 0. el voltaje base-emisor será de 0.(V) O. se supondrá que el voltaje base-emisor es el siguiente: V8E = 0.6 L" 0. t 8 7 6 5 4 ir (mAl 11. se obtendrán las características que denota la figura 3. una vez que el transistor se encuentre en estado "encendido".~ .4 Configuración de base común 119 . el modelo equivalente de la figura 3.8 VIIE(V) O 0.10c.l0b. dará por resultado las características que se presentan en la figura 3. Las características de entrada de la figura 3.8 VSE(V) 1') lb) Figura 3. como una primera aproximación. y.4 06 'e) 0. Obsérvese el incremento exponencial en la corriente del colector cuando el voltaje VeB se incrementa hacia los O V. el efecto de las variaciones debidas a VeB y <:lla pendiente de las características de entrada se omitirán en tanto sea posible analizar las redes de transistores de tal manera que ofrezcan una buena aproximación a la respuesta reaL sin involucrarse demasiado en las variaciones de los parámetros de menor importancia. Éstas especifican que con el transistor en estado "encendido" o activo. De hecho. por tanto.10c. Para los propósitos de análisis de este texto. 3.10a.lOc se utilizará para todos los análisis en dc de redes de transistores.2 0.7 V ! VBf.10 Desarrollo del modelo equivalente para ser utilizado para la región base-emisor de un amplificador en modo de de. La escala horizontal en esta región se expandió para mostrar con claridad el cambio radical que sufren las características en esta región. Es importante apreciar en su totalidad el enunciado que establece las características de la figura 3.4) En otras palabras.8 2 0.4 06 0. es posible especificar de inmediato que el voltaje base-emisor es de 0. Es decir. los niveles crecientes de V eB tienen un efecto tan bajo sobre las características que. una conclusión muy importante para el análisis de dc que se explica a continuación..7 revelan que para valores fijos del voltaje del colector (VeR)' conforme se incrementa el voltaje base-emisoLla corriente del emisor aumenta de tal manera que es muy similar a las características del diodo.7 V a cualquier nivel de corriente del emisor controlada mediante una red extema.f3 La región de saturación se define como la región a la izquierda de las' características de VCE = OV. En la región de saturación. se pueden ignorar los cambios ocasionados por VCB y sus características pueden dibujarse corno se ilustra en la figura 3. la resistencia asociada con la unión con polarización directa.7 V si el dispositivo se encuentra en la región activa. tanto la unión base-colector como la emisor-base están en polarización directa. 6 5 4 ¡ I I I I 7 " 5 4 3 2 3 2 3 O 0. Si se aplica la aproximación de segmentos lineales. 0.

Usando las características de la figuras 3.7 V para cualquier nivel de corriente del emisor.2) se convierte en I le = alE + leBO (3.7 el nivel resultante de V BE es de aproximadamente 0.7) En ténninos fonnales." le= 4 mA. A partir de la figura 3.8.1. Debido a que alfa sólo puede definirse para los portadores mayoritarios.8. Por el momento. En otras palabras.74 V. Solución a) b) c) d) Las características indican con claridad que le'= IE= 3 mA. determine la corriente resultante del colector cuando lE = 3 mAy VeB = 10 V.8 y 3. por el momento. En la mayor parte de las situaciones. en la figura 3. la ecuación (3.1 a) b) e) d) Utilizando las características de la figura 3. alfa de ac se denomina como de base común. Sin embargo. las magnitudes de aac y adc son muy cercanas.8 podrían sugerir que a =1 para los dispositivos prácticos.8. un alfa en ac se define mediante a " = (He .lOc VBE es de 0. como se mencionó antes. que lB 120 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . se debe reconocer que la ecuación (3.998.7) se demostrará en la sección 3. Una vez más. Repita el inciso e utilizando las características de las figuras 3. si se utiliza la aproximación Ic : IE.y suponiendo. El efecto de cambio de VeB puede omitirse e le continúa siendo 3 mA.7 y 3.6. Polarización La polarización correcta de la configuración de base común en la región activa se puede determinar con rapidez. IE'= le = 4 mA.6) Para las características de la figura 3.-I AlE V CB :: constante (3.90 a 0.lOc. le también parece ser de O mA para el rango de valores de VCB' Para las situaciones de ac donde el punto de operación se desplaza sobre la curva de característica. el nivel de alfa suele extenderse de 0.5) donde le elE son los niveles de corriente en el punto de operación. El uso de una ecuación como la (3.8. Alfa (a) En el modo de dc los niveles de le e lE debidos a los portadores mayoritarios se encuentran relacionados por una cantidad llamada alfa y definida por la siguiente ecuación: (3.7) especifica que un cambio relativamente bajo en la corriente del colector se divide entre el cambio correspondiente en lE cuando se mantiene constante el voltaje del colector a la base. Empleando las características de la figura 3. determine la corriente resultante del colector si lE pennanece en 3 mA pero V CS se reduce a 2 V.f3 EJEMPLO 3. no obstante.8 cuando lE::::: O mA. En la figura 3. le es por consiguiente igual a ICBO . Si bien las características de la figura 3. lo cual pennite utilizar la magnitud de una para la otra. donde la mayoría se aproxima al extremo alto del rango. corto circuito o factor de amplificación por razones que resultarán más obvias cuando se analicen los circuitos equivalentes para transistores en el capítulo 7.8.8. en la figura 3. a partir de la figura 3.8. cuando lE=' O mA. determine VBE cuando le = 4 mA y VeB =20V.. el nivel de Icso es con frecuencia tan pequeño que prácticamente no es posible detectarlo en la gráfica de la figura 3.

mayor será la resistencia) y suele varíar entre 50 kQ Y 1 MQ (100 kQ para el transistor de la figura 3.7 es muy pequeña y casi siempre varía entre 10 y 100 Q. La flecha del símbolo define la dirección del flujo convencional para lE == le Luego se insertan las fuentes de con una polaridad tal. La polaridad de no aparece en la figura debido a que nuestro interés se limita a la respuesta en ac. ---+- 200 mV ---'--+ 20Xu R . Utilizando un valor común de 20 Q para la resistencia de entrada. existe una similitud entre las literales npn y las literales itálicas de no apuntando hacia adentro y las literales pnp con apuntando hacia adentro.12 Acción básica de a..4. Para la configuración de base 'común. lOQkQ Figura 3.8. Por ejemplo.5 Acción amplificadora del transistor 121 . le)' IL = li = 10 mA y v..I - + R 5 k!l R. La resistencia de salida.L = ILR = (10 mA)(5 ill) = 50Y + Vi:: I I\¡ 1.. se puede explicar la acción básica de amplificación del transistor sobre un nivel superficial utilizando la red de la figura 3. según se detenninó en las curvas de la figura 3. El resultado es la configuración de la figura 3.11 Establecimiento de la polarización correcta para un transistor pnp en base común en la región activa..mplificación de voltaje de la configuración de base común. 3.5 ACCIÓN AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR Ahora que se ha establecido la relación entre le e lE en la sección 3.12. es muy alta (mientras más horizontales sean las curvas. La diferencia en cuanto a resistencia se debe a la unión con polarización directa en la entrada (base-emisor) y a la unión con polarización inversa en la salida (base-colector).11 para el transistor pnp. se encuentra que V.E e f3 + figura 3.12). V.. 3. 1. Algunos estudiantes sienten que pueden recordar si la flecha del símbolo del dispositivo se encuentra apuntando hacia adentro o hacía afuera. la resistencia ac de entrada determinada por las características de la figura 3. pnp E e B 1. Para el transistor npn se in vertiráo las polaridades. comparando las literales del tipo de tran- sistor con las literales adecuadas de las frases "apuntando hacia adentro" o "no apuntando hacia adentro". que soportarán la dirección resultante de la corriente. '" O IlA. 1 (le. = = 200mY 20Q = lOmA Ri Si se asume por un momento que aac .

colector y base se muestran en su dirección convencional para la corriente. La acción básica de amplificación se produjo mediante la transferencia de una comente 1 desde un circuito de baja resistencia a uno de alta. La combinación de las partes de las dos palabras en itálicas. da como resultado el término transistor. Es decir. las características de salida son una gráfica de la corriente de salida (le) en función del voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de corriente de entrada (lB). v" . en la siguiente fórmula. Esta última característica debe ser obvia debido a que le = alE Y a es siempre menor que 1.6 CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN La configuración de transistor que se encuentra más a menudo aparece en la figura 3.13 Notación y símbolos utilizados con la configuración de emisor común: a) transistor npn.f3 La amplificación de voltaje es --= =200mV 50 V 250 Vi Los valores típicos de la amplificación de voltaje para la configuración de base común varían entre 50 y 300. Se le denomina configuración de emisor común debido a que el emisor es común o hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso. se necesitan dos conjuntos de características para describir por completo el comportamiento de la configuración de emisor común: uno para el circuito de entrada o base-emisor y otro para el circuito de salida o colector-emisor. Una vez más. La amplificación de corriente (le/lE) es siempre menor que 1 para la configuración de la base común. lE = le + IBele=aIE· Para la configuración de emisor común. Las características de entrada son una gráfica de la corriente de entrada (lB) en función del voltaje de entrada (VBE) para un rango de valores de voltaje de salida (VCE)' 122 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . b) transistor pnp.---0 e Bo--'----I -+- lB Figura 3. aún se puede aplicar las relaciones de corriente que se desarrollaron antes para la configuración de base común.) Las corrientes del emisor. es común tanto a la tenninal de base como a la de colector).13 para los transistores pnp y npn. Si bien cambió la configuración del transistor. esto es. E (.l4. transferencia + resistor ---7 transistor 3.~ lB e le n V ee v" e P le lB 1 E (b) V cc . Ambos se muestran en la figura 3.

Recuerde que estas son las mismas condiciones que existieron en la región activa de la configuración de base común.6 0.6).2 0.0 V 8E (V) lao =f3/ C80 (al (Región de corte) (b) Figura 3. mientras que la unión base-emisor se encuentra polarizada directamente.3) y (3. En la figura 3. Obsérvese que en las características de la figura 3 J 4 la magnitud de lB se indica en microamperes. la corriente del colector fue igual sólo a la corriente de saturación inversa leo' de tal forma que en la curva lE = O Y el eje de los voltajes fue uno para todos los propósitos prácticos. comparado con los miliamperes de le... emisor común En la región activa de un amplificador de base común la unión del colector-base se encuentra polarizada inversamente. 10 cual indica que el voltaje del colector al emisor tendrá influencia sobre la magnitud de la corriente del colector. La razón de esta diferencia en las características del colector puede obtenerse a través del manejo adecuado de las ecuaciones (3.lc + + lB) + leBo I CBO (3. cuando la corriente de entrada lE fue igual a cero.l4a.Considere también que las curvas de lB no son tan horizontales como las que se obtuvieron para lEen la configuración de base común.~A _____ 60 2~~=:~::::::::::::::::::::~2~0~~~A~___ 10 ¡.va=JOv (Región de saturación) 5 90 80 70 31!~_"".~--:::--.=!V 6 100 . Para la configuración de base común. La región de corte para la configuración de emisor común no está tan bien definida como para la configuración de base común.Vn. Es decir. Obsérvese en las características del colector de la figura 3.6 Configuración de emisor común . la región en la que las curvas para lB son casi rectas e igualmente espaciadas. La región a la izquierda de VCE.14 Características de un transistor de silicio en la configuración de emisor común: a) características del colector. corriente o potencia.6): le = aló La sustitución da Volviendo a arreglar da: Ecuación (3.8 l.8) I - a 123 3.LA (R¡:glón activa) 50 40 30 20 10 o 5 10 \5 o 0.--~_=--=_30-. La región activa de la configuración de emisor común se puede emplear también para la amplificación de volt~ie. Ecuación (3.f3 /c(mA) .4 0. esta región existe a la derecha de la línea punteada en VCt.. se denomi~a región de saturación. La región activa para la configuración del emisor común es la parte del cuadrante superior derecho que tiene mayor linealidad. b) características de la base.14 que le no es igual a cero cuando lB es cero.3): le = ~leBo m. y por arriba de la curva para lB igual a cero.. es decir.

6 1 0.7 V Figura 3. para los transistores de germanio mediante la polarización inversa de la unión baseemisor.uA) =0.pero sólo para los transistores de silicio. un transistor tc.14. lo cual da por resultado el equivalente aproximado de la figura 3. el voltaje de la base-emisor es de 0.7 V para cualquier nivel de lE mayor que O mA.9) I - a1/. Sin embargo. donde lB. En este caso.15 se demuestran las condiciones para esta corriente recién definida con su dirección asignada de referencia. que dio como resultado V BE = 0.2 0. Como referencia futura. a la corriente del colector definida con la condición lB = O /lA se le asignará la notación que indica la ecuación (3. la corriente resultante del colector es la siguiente: le = a(OA) l-a leBo + le80 .8 0.f3 Si se considera el caso que recién se analizó. la región por abajo de lB = O J1A debe evitarse si se requiere una señal de salida sin distorsión. el corte para la configuración de emisor común se definirá mediante le = ICEO' En otras palabras. según se refleja en las características de la figura 3. con unas cuantas décimas de volt.16 Equivalente de segmentos lineales para las características del diodo de la figura 3. Recuerde que para la configuración de base común se hizo una aproximación al conjunto de características de entrada mediante un equivalente de segmentos lineales. Cuando se utiliza como interruptor en el circuito lógico de una computadora.uA. O 0. Dicha condición se puede obtener. el corte para fines de conmutación se definirá mediante las condiciones que existan cuando lc = ICBO..nd.996. Y se sustituye un valor típico como de 0. /B (pA) 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 Figura 3. el voltaje está fijo para cualquier nivel de corriente de base. La condición ideal de corte debe ser le = O mA para el voltaje elegido VeE . el corte existirá para fines de conmutación cuando lB = O J1A o lc = ICEO. Para la configuración de emisor común se puede recurrir al mismo método.la corriente resultante del colector con lB =OA sería 250(1 .rá dos puntos de operación interesantes: uno en la región de corte y otro en la región de saturación.14b.16.=0"" En la figura 3. = leBo I (3.25 mA.15 Condiciones de cir<:uito relativos a ¡CEO. 124 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión ... por 10 regular.004 = 2501eBo Si leso fuera 1 .9). Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión). para los transistores de germanio. El resultado da sustento a la conclusión anterior respecto a que para un transistor "encendido" o activo. Debido a que lCEO suele ser bajo en magnitud para los materiales de silicio.996 0.7 V.0. O A.4 0.

a) b) Utilizando las características de la figura 3. por lo general. El uso de la ecuación (3. ~ 30 /lA Y VeE ~ EJEMPLO 32 Empleando las características de la figura 3. Usando la figura 3.jorward) en la configuración de emisor común.17.17. Para un dispositivo con una f3 de 200. la corriente del colector equivale a 200 veces ia magnitud de la corriente de base.6 Configuración de emisor común 125 . Como para a. La literal h continúa haciendo referencia al circuito equivalente híbrido que se describirá en el capítulo 7 y lafe a la ganancia de corriente directa (por las siglas en inglés de. como h FE .como se indica en la figura 3. por lo regular.4 mA. donde la h se obtiene de un circuito equivalente híbrido que se presentará en el capítulo 7. Para las situaciones de ac.7 V Y Solución a) b) En la intersección delB = 30 /lA Y V CE = 10 V. el término amplificación se incluye en la nomenclatura anterior.4. y de hecho el resultado se puede utilizar para encontrar aac empleando una ecuación que se obtendrá más adelante. determine le cuando lB ~lOV. los niveles de le e lB se relacionan mediante una cantidad a la que llamaremos beta y se defmen mediante la ecuación siguiente: (3. como las que aparecen en la figura 3. Sin embargo. Beta (JJ) En el modo de de. una constante.11) se describe mejor mediante un ejemplo numérico utilizando un conjunto real de características. determine le cuando V" VeE~ 15 V. En cualquier lugar de esta línea vertical el voltaje VCE es 7. El procedimiento para obtener lXac a partir de las curvas de características no se explicó debido a la dificultad para medir realmente los cambios de le elE sobre las características.11) El nombre formal para f3ac es factor de amplificación de corriente directa de emisor común. específicamente J3dc = hFE .14a. con la mayoría dentro del rango medio. La restricción de VeE constante requiere que se dibuje una línea vertical a través del punto de operación en VCE = 7. Los subíndices FE se derivan de una amplificación de corriente directa (por las siglas en inglés de. Debido a que. Por lo regular. f3 revela ciertamente la magnitud relativa de una corriente respecto a la otra. y la corriente de base es la corriente de entrada. la ecuación (3.lc =3.5 mA.5 V. radica en el tipo de literal que se emplea para cada cantidad señalada como subíndice. A partir de la figura 3. en la intersección de lB = 20 /lA Y VCE = 1S V. se encuentra que I C = 2. el nivel de f3 suele tener un rango entre cerca de 50 y más de 400. f3dc se incluye.5 V.7 V.14. una beta ac.11) es similar en cuanto a formato a la ecuación para a¡¡C en la sección 3. El cambio en lB = = 3.14.14a y se repiten en la 3. se define en los términos siguíentes: (3.5 V. 0. la corriente del colector es la comente de salida para una configuración de emisor común.10) donde le e lB son determinadas en un punto de operación en particular de las características. en las hojas de especificaciones f3ac se indica como h¡e' Obsérvese que la única diferencia entre la notación que se utiliza para la beta de. Para los dispositivos prácticos.14b. respectivamente.11) puede describirse con cierta claridad. En las hojas de especificaciones.jorward) y la configuración de emisor común. Detennine f3ac para una región de las características definidas por un punto de operación de IB = 25 /lA YV eE 7. La ecuación (3.IB ~ 20 /lA cuando VBE ~ 0.

IBc .lA . Si se determina la beta de dc en el punto Q: 126 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . También definen los niveles de lB que se definen con facilidad en lugar de tener que interpolar el nivel de lB entre las curvas.11) se define entonces al elegir dos puntos en cada lado del punto Q a lo largo del eje vertical. . I 70 )lA I I i I I 60 )lA ! I ! I 5 4 ...17 Determinación de f3ac y Pdc a partir de las características del colector. I I I 20 I 25 1 I 1.. ] I 8Ol1A I ! I ¡ ! I i I I i ! ! .2 mA .2.. los dos niveles de le pueden determinarse trazando una línea horizontal sobre el eje vertical y leyendo los valores resultantes de le' El f3ac resultante para la región se puede determinar mediante f3" = Me 1 = le. Es pertinente mencionar que la mejor determinación suele hacerse manteniendo la .-O)lA O 5/ VcE =7.5 V 10 15 VU(V) Figura 3. i 10 pA i i ! I . Para esta situación.. 2 1 1 e. / f{_ -i -. En las dos intersecciones de lB Y el eje vertical.lA cumplen el requisito sin extenderse muy lejos del punto Q.I B) como aparece en la ecuación (3. ! 20)1A ¡ ¡ I I I .iA = 100 La solución anterior revela que para una entrada de ac en la base.le.1e ( mA ) 9 1 8 I I 7 6 ~V vt:-. y a distancias aproximadamente similares a cada lado del punto Q.2 mA 30}.lB I LlIB vCE = constante 3.lA Y de 30 }.1 18 que se seleccionó tan pequeña como sea posible.20}.. -lB I ¡ I 1 I I ! 1 ! i i . V I _ J)lA I ¡ I I I I I ! ) I I I ! . las curvas de lB = 20 }. V VI ~ VI I lB: 1 5+ I ! 1Punto Q 140 pA 1 I 1 1 I 1 ¡ I I 1 I ! j 25 IJA 30 pA i 1 I i I I < 3 . (!J. la corriente del colector será de aproximadamente 100 veces la magnitud de la corriente base.lA = = 1 mA 1O}..

es suficiente validar el sistema aproximado anterior.18 Características en la cual f3 ac es igual en cualquier lado y f3 ac '" f3 dc- Para el análisis subsecuente. Casi siempre.UA 6 5 ¡-4 IB=20. Obsérvese que el paso o incremento en lB se ha fijado en 10 pA. le (mA)" 12 11 10 9 8 IB==60.uA 3 rfI 5 2 1 lB = 10 . es decir.p Aunque no son exactamente iguales. Y el espaciamiento vertical entre las curvas es el mismo en cada punto de las características. Es importante observar que I CEO = O!lA. los niveles de f3ac y de f3dc se encuentran razonablemente cercanos y a menudo se pueden utilizar indistintamente.uA lB = O j1. Aunque un conjunto de características· de un transistor real nunca tendrá la apariencia de la figura 3. si se conoce el nivel de f3ac ' se supone que es de la misma magnitud aproximadamente que f3dc ' y viceversa. Debido a que la tendencia se dirige hacia niveles más y más bajos de lCEO' la validación de la aproxímación anterior se sustenta aún más. por consiguiente. Tome también en cuenta que dentro del mismo lote. Para las situaciones de dc bastará con reconocerla como f3dc ' y para cualquier análisis en ac será {3ac" Si se especifica un valor de {3 para una configuración de transistor en particular.uA r'------------------------1 1 1 1 1 1 1 1 IB=50)JA Punto Q lB == 40)JA 7 JB=)O. Si las características tuvieran la apariencia de aquellas que se encuentran en la figura 3.A (lCEO == O IJA) / 1 O JO I 15 ~ 20 Figura 3. el valor de f3ac variará en alguna medida entre un transistor y el siguíente.18.6 Configuración de emisor común 127 . el subíndice correspondiente a dc o ac no se incluirá con la f3 para evitar la confusión a que dan lugar las expresiones con etiquetas innecesarias. Es probable que la variación no sea significativa para la mayor parte de las aplicaciones. Esto es. 3. aunque cada uno tenga el mismo número de código. el nivel de f3ac sería el mismo en todas las regiones de las características. El cálculo de {3" en el punto Q indicado dará por resultado =----45 !lA 9mA 7mA 2mA = 200 35 !lA 10 !lA Detenninar beta de dc en el mismo punto Q dará por resultado 8mA 40 !lA = 200 lo cual revela que si las características tienen la apariencia de la figura 3.18. 2 mA. la magnitud de f3 ac y de f3dc será la misma en cada punto de las características. mientras más bajo sea el nivel de ICEo' más cercanas serán las magnitudes de las dos betas.18. por 10 regular se utilizará tanto para los cálculos de dc como para10s de ac. ofrecemos un conjunto de características con el objeto de compararlas con las que se obtienen con un trazador de curvas (que se describirá enseguida).

Es decir. Polarización La polarización adecuada de un amplificador de emisor común puede determinarse de una manera similar a la presentada para la configuración de base común.14) y dado que lE = le + lB = f3 IB + lB (3.a (3. Suponga que se le presenta un transistor npn como el que se muestra en la figura 3.13) según se indica en la figura 3. y se pide aplicar la polaridad correcta para colocar al dispositivo en la región activa.14a. recuerde que a (3.a pero al utilizar una equivalencia de --=13+1 1 - a derivado de lo anterior. Después.f3 Es posible establecer una relación entre 13 y a utilizando las relaciones básicas que se han presentado hasta ahora.. Al sustituir en lE = le + lB se tiene le a = le + f3 le y al dividir ambos miembros de la ecuación entre le se obtiene -:. a o bien 1 +f3 a f3 = af3 + = (f3 + l)a en consecuencia I a=f3:1 I f3=-1 .. Beta es un parámetro en particular importante porque ofrece un vinculo directo entre los niveles de corriente de los circuitos de entrada y los de salida para una configuración de emisor común. (3..19a.19b. y a partir de a = lellE se tiene que lE = lela.12a) o bien A su vez. se encuentra que leEO = (f3 + 1)leBo o bien (3.12b) =--- 1. se presentan las otras 128 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . El primer paso consiste en indicar la dirección de lE según lo establece la flecha en el símbolo del transistor como se muestra en la figura 3.15) se tiene Las dos ecuaciones anteriores desempeñan un papel muy importante en el análisis que se realiza en el capítulo 4. Al utilizar 13 = lellB se tiene que lB = lelJ3.

3. Si el transistor de la figura 3.19c. que se ilustra en la figura 3. contrariamente a las de las configuraciones de base común y de un emisor COmún.19 tiene un transistor pnp. corrientes como se indica. se introducen las fuentes con las polaridades que soportarán las direcciones resultantes de lB e le' según se muestra en la figura 3. 80----1 e la) e lb) Figura 3. para completar el concepto.7 Configuración de colector común 129 .20 con las direcciones adecuadas de corriente y notación de voltaje. La configuración de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de impedancia. b) transistor npn.7 CONFIGURACIÓN DE COLECTOR COMÚN La tercera y última configuración de transistor es la configuración de colector común.f3 ? ? r 1') lb) 1 ('1 Figura 3. 3. El mismo sistema puede aplicarse a los transistores pnp. se invertirán todas las corrientes y polaridades de la figura 3.19c.20 Notación y símbolos utilizados con la configuración de colector común: a) transistor pnp. debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida. tomando en cuenta la relación de la ley de corriente de Kirchhoff: le + lB = lE' Por último.19 Determinación del arreglo polarización apropiada para una configuración de transistor npn en emisor común.

Esta región se definió para las características del transistor de la figura 3 . Para el transistor de la figura 3..~. . 130 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . La línea vertical relativa a 50 )lA 40 Región üe saturación . Para todos los propósitos prácticos.80------1 E R Figura 3.~20~)lA~~ lE . 3. En la figura 3. no se requiere de un conjunto de características de colector común para elegir los parámetros del circuito de la figura 3. Por último.8 LÍMITFS DE OPERACIÓN Para cada transistor hay una región de operación sobre las características.solos. las cuales asegurarán que no se rebasen los valores máximos y que la señal de salida exhiba una distorsión mínima. Para el circuito de entrada de la configuración de colector común las características básicas de emisor común son suficientes para obtener la infonnación que se requiere. la corriente de entrada es la misma tanto para las características del emisor común como para las del colector común.22 Definición de la región lineal (sin distorsión) de ~ __ O. ICm'.22. Puede diseñarse utilizando las características de emisor común de la sección 3. se especificó como 50 mA Y VCEO como 20 V... 40 )lA 30 20 _________________________________.22. 1~ . . 101~ ______________________ 5 Región de corte ~~~ 1O)lA - I ~-- Figura 3. las características de salida para la configuración de colector común son las mismas que para la configuración de emisor común. si le se reemplaza por lE para las características de colector común (debido a que a" 1).21. tales como la corriente máxima: del colector (a la que por lo regular se hace mención normalmente en la hoja de especificaciones como corriente continua del colector) y voltaje máximo del colector al emisor (que a menudo se ~brevía como V CEO o V(BRlCEO en la hoja de especificaciones). Obsérvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor esté conectado de manera similar a la configuración del emisor común. El eje horizontal del voltaje para la configuración del colector común se obtiene con sólo cambiar el signo del voltaje del colector al emisor de las características del emisor común. Desde un punto de vista de diseño. Para la configuración de colector común.9.-.21 se muestra una configuración de circuito de colector común con la resistencia de carga conectada del emisor a la tierra.. las características de salida son una gráfica de lEen función de V EC para un rango de valores de lB· Por tanto.6..al 10 t 15 20 operación para un transistor.. Todos los límites de operacíón para un transistor se definen en la hoja de especificaciones que se describirá en la sección 3. Algunos de los límites de operación se explican por sí . existe un cambio casi imperceptible en la escala vertical de lc de las características de emisor común.3V I V CE .21 Configuración de colector común utilizado para propósitos de acoplamiento de impedancia.

Por lo regular. la disipación de potencia del colector se especificó como 300 mW. 3. El nivel de VCE.22.16) Para el dispositivo de la figura 3.las características que se define como VCE... se encuentra que si le = 50 mA. Si se elige que le tenga un valor máximo de 50 mA y se sustituye en la relación anterior. mientras más puntos se tengan.22 asegurará una distorsión mínima de la señal de salida. = 300 mW o bien VCEle = 300 mW En cualquier punto de las características el producto de V eE e le debe ser igual a 300 ID W. especifica el VCE mínimo que puede aplicarse sin caer en la región no lineal denominada como región de saturación. . se debe utilizar la ecuación lCEO = f3/ CBO para darse una idea del nivel de corte si no se dispone de las curvas características. o que éstas no aparezcan en la hoja de especificaciones (cosa que suele ocurrir). casi siempre lo único que se necesita es un estimado general. La región de corte se define como la región por abajo de lc = ICEO' Esta región debe evitarse también si la señal de salida debe tener una distorsión mínima.8 limites de operación 131 .22.17). = VCEle. Si ahora se elige que V eE tenga un valor máximo de 20 V. se obtiene VCEle VCE(50 mA) VeE = 300mW = 300mW = 300mW 50mW = 6V Como resultado.22. Si ahora se elige un nivel de le a la mitad del rango medio tal como 25 mA. suele encontrarse en las proximidades de los 0. entonces VCE == 6 V sobre la curva de disipación de potencia.". Desde luego. y se despeja Con objeto de obtener el nivel resultante de VCE' se obtiene 300mW y 300mW 25mA = 12V Como también se indica en la figura 3 . En algunas hojas de especificaciones sólo se incluye ICBO' Entonces.= 1SmA 20V definiendo un segundo punto sobre la curva de potencia. sólo habrá que asegurar que le' V CE' Y su producto Vc~c caigan dentro del rango que aparece en la ecuación (3.. el nivel de le es el siguiente: (20 V)/c = 300 mW 300mW l e = . Así surge la pregunta respecto a cómo graficar la curva de disipación de potencia del colector especificada por el hecho de que Pe "'. más exacta será la curva: sin embargo. En caso de que no se disponga de las curvas características.. El nivel máximo de disipación se define mediante la ecuación siguiente: (3. se puede dibujar un estimado general de la curva real utilizando los tres puntos que se defmieron antes. La operación en la región resultante de la figura 3.3 V que se especifican para este transistor. y los niveles de corriente y de voltaje que no dañarán al dispositivo. como se indicó en la figura 3.

Entonces. Confonne lc se incrementa por arriba de este nivel. la nonnalización revela que = = = = 132 Capitulo 3 Transistores bipolares de unión .18) 3.23f.9 HOJA DE ESPECIFICACIONES DE TRANSISTORES Debido a que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicación entre el fabricante y el usuario. En las características "apagado" leBo se especifica como 50 nA y en las de "encendido" VCE . se hará men- ción a esta hoja de especificaciones con objeto de repasar la forma como se presenta el parámetro. en tanto que las de pequeña señal incluyen los parámetros importantes para la operación en ac. Cuando [c 50 mA ha disminuido a 50/2 25. El factor de pérdida de disipación bajo el valor máximo especifica que er~alor máximo disminuye en 5 mW por el aumento de cada 1 de temperatura por arriba de los 25 oC. Obsérvese en la lista de valores nominales máximos que VCEm" =V CEO =30 V con lc m" = 200 mA. = 0.17) utilizando h FE = 150 (el límite superior) e ICEO '" {3ICBO = (150)(50 nA) 7.0075 mA puede considerarse como O mA sobre una base aproximada. EI2N4123 es un transistor npn de uso cuya identificación de encapsulado y tenninales aparecen en la esquina superior derecha de la figura 3. Aunque no hemos presentado todos los parámetros. La infonnación que se proporciona como figura 3. "apagado" y en características de pequeña señal. El nivel de hFE tiene un rango entre 50 y 150 en lc =2 mA Y VCE = 1 V.. Como se trata de una curva normalizada. En la figura 3.) junto con una gráfica de la forma en que varía con la corriente del colector en la figura 3. Los parámetros restantes se presentarán en los capítulos siguientes.uA :> le :> 200 mA 0.. la curva de potencia máxima se define mediante el siguiente producto de cantidades de salida: (3.uA 0. Es cierto que para muchas aplicaciones el 7.3 V.23a.f3 lCEO VCE ""1 :> lc :> lc m" :> V CE :> VCE (3.5 .). También puede disminuir a este nivel si lc disminuye al nivel bajo de 0. hFEdisminuye a la mitad del valor cuando Ices igual a 50 mA.' = PD = 625 mW.17) m:1x Para las características de base común. ahora conoceremos casi todos. En otras palabras.5 .uA.3V:>VcE :>30V VcElc :> 650mW En las características de pequeña señal se proporciona el nivel de h¡. Ahora definimos los límites de operación para el dispositivo y se repiten a continuación en el fonnato de la ecuación (3. ({3. el valor máximo a 8 rnA es 50.A temperatura ambiente (25 oC) obsérvese que h FE ({3do) tiene un valor máximo de l en el área cercana a 8 mA aproximadamente.'.23 se tomó directamente de la publicación Small-Signal Transistors.15 mA. Casi todas las hojas de especificaciones se desglosan en valores nominales máximos. Las características de "encendido" y "apagado" se refieren a los límites de de. La disipación máxima del colector Pc. FET y diodos) que preparó la compañía Motorola Inc. si se tiene un transistor con f3dc h FE 50 a temperatura ambiente. es muy importante que la información que incluye se reconozca y se entienda con claridad. FETs..5. Las características eléctricas se desglosan después en "encendido". Q = = Límites de operación 7.ínimo de 25 a la mayor corriente de 50 mA al mismo voltaje. and Diodes (Transistores de pequeña señal. características térmicas y características eléctricas. y un valor .23j se demuestra el efecto de la temperatura y la corriente del colector en el nivel de h FE ({3.

:ba de pulso: ancho del pulso _ 300 ¡.3 0.e . Es probable que el lector. f= 1. V CE"" 10 V.a de entrada ("'BE == 0.ul:J.l c = Q.0 Vdc. VCE"" 5.0 Vdc. nLORES :'IOOMI:'\ALES MÁXIMOS Valor Voltaje coleCIOf-eTmsor Símbolo VCEO VCBU Voj¡Jje emisor-base Corriente del colector continua Di<".V cs =-5.0 200 2. f= 1. f == 100 KHz) CapacitancIa colector-base (Ir".I E -O} Voltaje de ruptura colector-b<lse {l =oIOflAdc.f= 100kHz) Ganan<:ia en corriente en ~quei\a seiíal (le = 2.lr"'O} Voltaje de ruptuw emisor-base {l~=IOflAde. VCE "" 1. f= 1.~.0 mAde.(iÓn tol"l del di~po~ilivo @T.95 VolwJe de satUr.0 MHz pF pF pF 'O 4.:. V = 20 Vdc. Obsérvese asímismo que la escala horizontal de la figura 3.lción base-emisor (le'" 50 mAdc.l e = 5.0 mAdc) Vdc -.ENA SENAL Producto ganancia en corriente-ancho de band3 (le'" 10 mAdc.9 Hoja de especificaciones de transistores 133 .0 <k Figura 3_23 Hoja de especificaciones de transistores. lE =-0.:specifiquc lo contr.0 Vde.¡s.I B = 5.0 mAdc.'~ 3 1 Em"or Símbolo Rme Máximo Lnidad °CW °CW tcrmiea. f== 100 MHz) CE (le 2.'l.J.0 dE Figura de ruido {le = 100 flAdc.. Las escalas logarítmicas se analizan con todo detalle en el capítulo 11. Ciclo de trabaJo'" 2. VCE "" 10 Vde. 250 4.O.0 kHz) GananCia en comente-alta frecuencia (Ic = 10 mAdc.23j es una escala logarítmica.0 k ohm. - 0.0 3 Colc<:tor mW m'W"C de di~lpJC1{m arriba 25 "C TJ.!lO leBo I EBO 30 Vd<: Vdc Vdc 40 5..0 kHz) 50 -.0 mAdc. VCE '" 20 Vde.0 Vdc) Voltaje de saturación (l) colector-emisor (le 50 mAde.0 KHz} (I) Pru.0 mAdc) (! =50mAdc.0 Vdc) = 1. cuando disponga de tiempo para revisar las primeras secciones del capítulo 11. f. quiera hacer un nuevo repaso de las gráficas que se incluyen en esta sección.le"'O} Máximo I Lnidad VIBRICEO V'BRICBO V"'BR1E. lE = O) Corriente de corte del emIsor {V OE =o 3.0 mAde.0 '" 'e Pe d~ 200 625 5. 3.l.\=25°C Pérdjd~ R~ngll 2N4123 Unidad Vd.R. Rs '" 1. 8 mA.1. f= 100 MHz) CapaCItancia de sahdu (V CB = 5.0 Comente de corte del colector (Ves'" 20 Vde.5 = 50 200 6. ESTILO \ TO-92 (TO-226AA) 30 YEBO 5.lrio) Característica CARACTERiSTlCAS DE APAGADO Voltaje de ruptura {1} colector-emisor {le .do 833 TRANSISTOR DE PROPÓSITO GENERAL NPl'i SILICIO ReSistencia t¿rmie<l.T"ó de temperJ!Ur~ de umón en (}per~ción -55~+15() 'c J ~lmaccnam'~n1o "2 e . unión a ambiente R~JA 200 CARACTERisTICAS ELÉCfRICAS (T JI ~ 25 T J m~nos qu.f3 el nivel real de h FE a cualquier nivel de le se dividió entre el valor máximo de h FE a esa temperatura y con le. CARACTERISTICAS DE PEQt..l e '" O} 50 nAde 50 nAde c ARA c TERISTICAS DE ENe ENDIDO Ganancia de corriente OC 1) (le'" 2. Vdc Vdc mAdc 2N4123 ENCAPSULADO 29-04.5 Vdc. unión a enc:¡p.0V.V h~ 50 25 150 Vd' = VCE 'Ul V BE.\CTERisTICAS TÉRMICAS Característica R~~isteneia R. f '" 100 MHz) Capacitanc.

. i .Tiempos de conmutación 10 7.. ~ ·v/ . ...0 10 20 40 100 (.0 _..: . -... . la hoja de especificaciones que se proporciona en la figura 3.5 mA Resistencia de la fuente = 1 kD. casi todas las hojas de especificaciones que presentan la mayoría de los fabricantes omiten proporcionar las características completas.0 2. E. a medida que se presenten los parámetros.sy+-c-I· 3.. temperatura y demás....2 0.. 20 30 40 10.0 1. 134 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión .:: W i\..i ..2 0. De hecho.~ O...0 2. ~ " "º § ".3 0..0 5. ~X . . I .J / I I I ...I..5O I1 A I / -- Resist~ncia de la fuente = 500 n :.4 1.Capacitancia Figura 2 .A .0 Hz Figura 3 .X '\. i l' .Variaciones de frecuencia.... • .5mA 6 4 ~ "- l..JI V/ // 1/ / / / / / / '// 1mAJ"/ le = 0.. v--- Ic= 5O I1 A .0 7...0 10 Voltaje de polarización inversa (V) Ib1 5... Es de esperarse que los datos que se proporcionan sean suficientes para utilizar de manera eficaz el dispositivo en el proceso de diseño. Sin embargo.. • e ..0: 1 ..¡ 2 O 0.. ..LA 0. Figura 1 . iooJ.. ~ Resistencia de la fuente = '200.. obsérvese el hecho de que no se proporcionan las características reales del colector.. ... .. i ! i . ..0 I I I .g ¡. i / .'i I • ~ 5...... pero debe hacerse cualquier esfuerzo que sea necesario para conocer la importancia de cada parámetro.. ./ :/ .0 10 le....7 1..1 'x:" ..) Figura 3. i 1.. . .~. i ¡ I 100 70 ""'. I . 2 6 /V "I'-~! / .Y.:¡ 5.~ ~ 50 30 20 .0 2..Q V l e = 1 mA :s " ~ u 8 ...0 7.. y la forma en que puede variar con los niveles cambiantes de comente. .0 20 30 5. 200 ... Ir ~ ! '...bo T- ~ ! I : . . 4 2 / / !/'J /!/'" ! I I I /~ Ic= .0 3. ¡-------....: "' : . La hoja de especificaciones puede ser una herramienta muy valiosa en el diseño o al utilizarla en el análisis. /~ .1 0...1 0.. ::-~ : . Figura 4 .0 4.COb~ :::::::<. 8= .. ....5 0.. no todos los parámetros que se incluyen en la hoja de especificaciones se definieron en las secciones o capítulos anteriores. .Resistencia de la fuente 14 \ f= 1 kHz 12 10 .:: . T A = 25"C) Ancho de banda = 1..) r Frecuencia (dI 2 10 20 40 100 0.4 O "(kHz... Resistencia de la fuente =' :WO... . le = 100 J. / . 1..0 ¿ " '-' 3.0 2.. :..0 .....23 Continuación. .f3 Antes de concluir esta descripción de las características..... Como se observó en la introducción de esta sección..23 se mencionará con frecuencia en los capítulos que siguen.Corriente de colector (mA) 50 100 200 ('1 CARACTERÍSTICAS DE PEQUEÑA SEJ\.AL PARA AUDIO FIGURA DE RUIDO (V CE = 5 Vdc.0 I 0.2 0. / . :s ~ 2 8 ¡-----le =0..0 V cc = 3 V le/lB-lO VEB (abieno) "y: . 12 10 ..."'<' .

1.0 10 JC' Corriente de colector (mAl le..7 ~ +25OC 5SOC ~ VCE=lV _ i o o o .0 10 0..0 1(".5 0.3 0. Relación de retroalimentación de voltaje .0 1..1 0..2 2..0 7... 30 0..0 10 20 30 50 le Corriente de colector (mA) """ 200 Ftgura 3.2 ' -_ _ _ .0 1. .0 5.. ..~ 0.. Corriente de colector (mAl (i) 5.. ¡TJ .1 I .<:.Corriente de colector (mA! (g) (O Figura 7 .! I 1 --1 ¡'.23 Continuación.0 0.====:=====~=.0 0."'- ~ " ~ e 0.5 2..j= 1 kHz.Ganancia de corriente Figura 6 .9 Hoja de especificaciones de transistores 135 " .~ .Admitancia de entrada 100 I ----I I I I e_ -- ~ o '6 50 '~" ~ 20 o 10 5.3 0..f3 PARÁMETROS h VCE = 10V. 1 i . _ _ _ _ _ _ _ _ _---' - =:_-.0 0.2 5.0 0.0 2. T\=25°C Figura 5 .1 0.0 '\.~ -j ___________ 0.0 I ~ 2 . '.5 1.2 0.5 0.0 10 1.:::.0 '-~_L- ./ 5.-j._-_ . -------------0.2 le' Corriente de colector (mA) (h) 0.0 10 CARACTERÍSTICAS EST ÁTICAS Figura 9 '" Ganancia de corriente en DC 1.0 2. 1. O ..1 0.0 5.5 1.7 2. '\.0 __ ~ I 0..2 - 1. +\25°C " = " -g " .Impedancia de entrada Figura 8 .5 0. ~-.:::.. ~ = 1.2 . I "'70 100 ! .. 3.0 3.0 ~~ " 'g :g .1 0.

(lA 40.7V SV OllA 9V lOV lV 2V 3V 4V 5V 6V lc. determine f3" para un punto Q de le = 7 mAy V CE = 5 V.=6. I i ! OmA" OV I - . i I i 60 flA 50. Ic. Trazador de curvas El trazador de curvas de la figura 1.f3 3.VcE =5V) IB=30~A 136 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . La función de paso indica que las curvas están separadas por una diferencia de 10 pA. Las pantallas más pequeñas a la derecha indican la escala que debe aplicarse a las características.(lA I 2mAI : " !OllA ¡ I /3 o gm por división 200 Figura 3. -~.24 una vez que todos los controles se ajusten de manera adecuada. .2 mA ¡ r.10 PRUEBA DE TRANSISTORES De manera semejante como ocurre con los diodos. la distancia entre las curvas lB es de¡¡' de una división. como se indica en la figura 3. · SO . r- .(lA Venieal por división 2mA .1A para la curva de la parte inferior. Si se usa el factor especificado._.25. 16mA: ! .. Por ejemplo. 30 llA 20 llA Por paso 10.4mA -1 J +/ . La sensibilidad vertical es de 2 mA /div. medidor digital y óhmerro.. = 8.25 Determinación de la f3ac para las características del transistor de la figura 3. La sensibilidad horizontal es de 1 V /div. empezando en Of.45 generará una imagen igual a la pantalla de la figura 3. Sólo multiplique el factor que aparece en pantalla por el número de divisiones entre las curvas lB en la región de interés. 10 que da por resultado la escala que se ilustra a la izquierda del monitor. se encuentra que = ~ 10 div (200) = 180 div 2.24 a le = 7mAyVCE =:SY. . 12mAi ¡r /: e . .=40pA =-ro div Flgura 3.:-: : --:::-:::::2->=::¿=-C=+f=--~-ti========1 -8mA IB.( . .0"". En esta región de la pantalla.24 Respuesta del trazador de curvas al transistor npn 2N3904. Punto Q (lc =7mA.70 !lA . 10 que da por resultado la escala que se muestra abajo de las características. i. El último factor de escala que se proporciona se puede utilizar para detenninar con rapidez la f3ac para cualquier región de las características. 14mAi. existen tres "rutas" que pueden tomarse para verificar un transistor: trazador de curvas. i ! I ¡ 1: I .uA Horizontal por división rí' i I IV i ! I 4mAi i · · .

Una inversión de las tenninales debe dar por resultado una indicación G.1 () Prueba de transistores 137 . con la punta de prueba roja (positivo) conectada a la base y la punta de prueba negra (negativo) conectada al emisor. El nivel de h FE se determina a una corriente del colector de 2 mA para el Testmate l75A. en el modo de verificación de diodo se puede usar para verificar las uniones p-n de un transistor. en el mercado se dispone de medidores digitales avanzados.6.7 V. según sea el encapsulado.2mA .le.f3 Al utilizar la ecuación (3. como el que se muestra en la figura 3.26 Probador de transistores. que son capaces de proporcionar el nivel de h FE . (Cortesía de Computronics Teehnology.4mA lB.30llA Medidores digitales avanzados Hoy en día. Con el colector abierto. Obsérvese la opción de pnp o npn y la disponibilidad de dos bornes para el emisor para manejar la secuencia de contactos. De hecho. . De manera análoga. si se utilizan los conectores que están en la parte inferior a la izquierda del disco selector de función. Puede medir la capacitancia y la frecuencia además de las funciones nonnales de medición de voltaje. Obsérvese que este versátil instrumento también puede verificar un diodo.) 3. corriente y resistencia. lne. Ftgura 3.lB. = B. . para representar la unión con polarización inversa. 1. que también aparece en la pantalla digital.11) se obtiene le.26. la unión base~emisor debe dar por resultado un voltaje bajo de aproximadamente 0.L. = 180 40llA .8mA 10llA lo cual verifica la determinación anterior. con el emisor abierto. es posible verificar los estados de polarización directa e inversá de la unión base-colector.

lnc. Ralta Figura 3. que casi siempre son de oro. Si la punta de prueba positiva (+) se conecta a la base y la negativa (-) al emisor. la unión con polarización directa (palarizada por la fuente interna en el modo de resistencia) base-emisor debe verificarse como se indica en la figura 3. aluminio o níquel. Para un transistor npn. Figura 3. La unión con polarización inversa base-colector (una vez más polarizada inversamente por la fuente interna) debe verificarse según se muestra en la figura 3. Es obvio que una resistencia grande o pequeña en ambas direcciones (invirtiendo los contactos) para cada unión de un transistor npn o pnp indica un dispositivo dañado. colector o base de un transistor.29.. Para un transistor pnp las terminales se invierten para cada unión.11 ENCAPSULADO DE TRANSISTORES E IDENTIFICACIÓN DE TERMINALES Una vez que se ha fabricado el transistor utilizando una de las técnicas que se describen en el capítulo 12. y toda la estructura se encapsula en un "contenedor" como el que se muestra en la figura 3. se supone que esta determinación puede hacerse con sólo observar la orientación de los contactos en el encapsulado. Siempre que sea posible. por lo regular. el encapsulado del transistor tendrá algún tipo de marca para indicar qué terminales se encuentran conectadas al emisor. una lectura de alta resistencia indicaría un transistor pnp. a) Cortesía de General Electric Company. Por tanto. Aunque también puede utilizarse un óhmetro para detenninar las tenninales (base.f3 Óhmetro Un óhmetro o las escalas de resistencia de un DMM pueden utilizarse para verificar el estado de un transistor. (al (b) Co) (d) FlgUra 3. en tanto que otros cuyo encapsulado es pequeño (tipo sombrero) o cuyo cuerpo es de plástico son dispositivos de baja o mediana potencia. en esencia. mientras que la unión con polarización inversa muestra una resistencia mucho mayor. A su vez.27. d) cortesía de International Rectifier Corporation. 3. 138 Capitulo 3 Transistores bipolares de unión . colector y emisor) de un transistor. el tipo de transistor también puede determinarse con sólo observar la polaridad de las puntas de prueba cuando se aplican a la unión base-emisor. caerá en el rango de 100 Q a unos cuantos kilohms. b) y c) cortesía de Motorola.28 con una lectura que suele exceder los 100 kil. la unión base-emisor tiene polarización directa y la unión base-colector polarización inversa.27 Verificación de la unión base-emisor con polarización directa de un transistor npn.28 Verificación de la unión base-colector con polarización inversa de un transistor npn. una lectura de baja resistencia indicaria un transistor npn.30. se unen las tenninales mediante pequeños alambres. Recuerde que para un transistor en la región activa.29 Varios tipos de transistores. Si ambas uniones de un transistor dan por resultado las lecturas esperadas. Los que se construyen para trabajo pesado son dispositivos de alta potencia. y da por resultado una lectura que. la unión con polarización directa debe registrar una resistencia relativamente baja. Algunos de los métodos que se utilizan con mayor frecuencia se indican en la figura 3.

Lenguet3s de cierre (b) (.32a. Existen pequeños alambres de oro para conectar las terminales.31 Construcción interna de un transistor Fairchild en un encapsulado TO-92. En la figura 3. Obsérvese el tamaño en extremo pequeño del dispositivo semiconductor real.) (e) Figura 3. Dado con proceso de pasivación Estructura de cobre lnyección de compuesto de moldeo axial ./" Encapsulado de epóxico Ir I"i\-f.32b. 3. (Cortesía de Fairchild Camera and Instrument Corporation.f3 figura 3.-.11 Encapsulado de transistores e identificación de terminales 139 . es posible encapsular cuatro transistores pnp individuales de silicio. una estructura de cobre y un encapsulado de resina epóxica.30 Identificación de terminales del transistor. que aparece en la figura 3. las conexiones internas de las terminales se ilustran en la figura 3. De igual manera como ocurre con el encapsulado de diodos en le..31 aparece la construcción interna de un encapsulado TO-92 de la línea Fairchild.) En el encapsulado de terminales en doble línea. la identificación en la superficie superior indica el número 1 de las 14 terminales.

. Entre éstos se incluyen el valor de beta. aunque puede incluir hasta siete caracteres (números y letras). Para las necesidades actuales sólo es necesario especificar dos parámetros. PSpice (versión DOS) El enunciado de PSpice para la introducción de los elementos de un transistor tiene el formato siguiente: QI 3 C 4 nombre B E nombre del modelo La Q se requiere para identificar el dispositivo como un transistor.7 V cuando el dispositivo está "encendido". (Cortesía de Texas Instruments Incorporated. El PSpice (versión Windows) utilizará'un transistor que se incluye en la biblioteca interna. como aparece en el manual PSpice. se indica el tipo de transistor y los valores de los parámetros que se especificarán que se incluyen dentro del paréntesis. b) diagrama de base. El número 1 es el nombre elegido para el transistor.. Los dos enunciados que se mencionaron antes aparecerán en la sección de análisis por computadora que se incluye en el capítulo 4. los elementos nuevos pueden 140 Capitnlo 3 Transistores bipolares de unión . es muy extensa y de hecho incluye 40 térntinos. Serán los únicos enunciados diferentes de los que aparecen en el análisis de diodos del capítulo 2. ntientras que en un análisis mediante PSpice (versión DOS) se utilizará un modelo de transistor que se introduce en los párrafos siguientes.15) '------' . El enunciado del modelo tiene el siguiente formato: . Después. En otras palabras.. Si se utiliza BASIC. El último registro es el nombre del modelo..MODEL y seguido por el nombre del modelo del transistor como se especificó en el enunciado anterior.12 ANÁLISIS POR COMPUTADORA En el capítulo 4 se estudiará una red de transistores utilizando BASIC y PSpice (versiones DOS y Windows). La lista de parámetros. el método será análogo a un análisis realizado a mano..f3 (Vista superior) e B E NC E Figura 3. se capturan las terntinales en el orden que aparece arriba. ~ # nombre tipo del modelo parámetros que serán especificados Como se indica. el enunciado debe comenzar con .MODEL ~ QN NPN (BF = 140 IS = 2E .) (a) B E NC E B e NC .32 Transistores pnp de C silicio Q2T2905 de Texas Instruments: a) apariencia. Después. para dirigir al paquete de programación (programa) hacia la localización de los parámetros que definen al transistor. que se señala como BF.Sin conexión inte~a (b) 3. y la corriente de saturación inversa IS a un nivel que dé por resultado un voltaje base-entisor de aproximadamente 0.

f3 presentarSe en la biblioteca PSpice sin modificar los procedimientos ya descritos. ¿Cuál es la fuente de la corriente de fuga en un transistor? 5.SmA Ves = 16 V. e insene la dirección convencional del flujo para cada corriente.5 para el flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor npn. Señale el movimiento resultante del portador. Una vez que se elige la opción del transistor deseado. ¿Es razonable suponer. ¿Cómo se deben polarizar las dos uniones del transistor para una operación de amplificación correcta del transistor? 4. 10 V Y 20 V.2 Construcción de transistores PROBLEMAS 1. y aparecerá en la pantalla para su colocación. Describa el movimiento resultante del ponador. Describa el movimiento resultante del ponador. a) Usando las características de la figura 3. Conforme oprima el botón de un dispositivo al siguiente.4 Configuración de base común 10. De memoria.4 para la unión con polarización inversa de un transistor npn. una caja de Description aparecerá arriba de la entrada describiendo el tipo de dispositivo. Después se elige Get New Par! (busca nuevo componente) seguido por Browse (hojear) para ver la lista disponible.:::: 1 V. ¿Cuál de las comentes del transistor es siempre la mayor? ¿Cuál es siempre la menor? ¿Cuáles de las dos corrientes son relativamente cercanas en magnitud? 9. El capítulo 4 describirá la forma de modificar los parámetros del transistor seleccionado y la forma de llevar a cabo un análisis de la red de transistores. b) Para las redes en las cuales la magnitud de los elementos resistivos se encuentra en kilohms.5 rnA VcB =4 V. con base en una aproximación. ¿Se altera algún elemento de esta información al cambiar de una base de silicio a una de gennanio? 2. dibuje el símbolo del transistor para un transistor pnp y npn. En este sentido. Dibuje una figura similar a la figura 3.3 Operación del transistor 3.slb en la lista de Iibrary (biblioteca) y después de seleccionar la entrada se debe mover a través de la lista de dispositivos disponibles. § 3. Se encuentra eval. ¿cómo se relacionan lE e le basándose en los resultados anteriores? Problemas 141 . Análisis del centro de diseño de PSpice para Windows La elección de transistor bajo PSpice para Windows se encuentra al seleccionar Draw en la barra de menú de la ventana de 5chematics (esquemas). 11.10c (basándose en los resultados del inciso a)? 13. a) Determine la resistencia promedio en ac para las características de la figura 3. detennine la corriente resultante del colector si lE = 4. que VeB tiene sólo un pequeño efecto en la relación entre VBE elE? 12. ¿Cuál es la diferencia más importante entre un dispositivo bipolar y uno unipolar? § 3. b) Repitaelincisoaparal[=4. 6. Si la comente del emisor de un transistor es de 8 mA e lB es de 1/100 de le determine los niveles de le e lB· § 3. Utilizando las características de la flgura 3. e) ¿ Cómo han afectado los cambios de VeB el nivel resultante de le? d) Respecto a una base aproximada.3 para la unión con polarización directa de un transistor npn. el uso del paquete PSpice es una "experiencia de construcción" real con la posibilidad de analizar algunas redes muy complicadas que se encuentran a sólo unos cuantos enunciados de distancia. 7. Dibuje una figura similar a la figura 3.10b. sólo se selecciona en el dispositivo y OK. 8.7. especifique V BE alE = 5 mA para V eB . ¿Qué nombres se asignan a los dos tipos de transistores BJT? Dibuje la construcción básica de cada uno e identifique los diversos portadores minoritarios y mayoritarios en cada uno. Dibuje el símbolo gráfico junto a cada uno. ¿es válida la aproximación de la figura 3.8. Dibuje una figura similar a la figura 3.

determine f3dc en lB = 80 J1.14a. b) Determine f3dc en lB = 10 j. Vuelva a hacer el inciso a en lB =30 Ji. encuentre el valor correspondiente de ICEO' d) Calcule el valor aproximado de lCBO utilizando el valor de beta dc que se obtuvo en el inciso a. e) Vuelva a utilizar el inciso a en lB = 30 f1A Y VCE = 10 V.987.lOc. y d.14.f3 14. Encuentre lE si lB::.10b. Al revisar los resultados de los incisos a a e. Utilizando las características de la figura 3. 18. Repita el inciso b utilizando las características de la figura 3. 40 jiA Y u dc es 0. a) Empleando las características de las figuras 3. b) e) d) e) Determine VSE si le::.8 mA e lB = 20 p. Si se llevara a cabo el problema 23. ¿Se puede ignorar la diferencia si normalmente se encuentran niveles de voltaje mayores a unos cuantos volts? 15. 10 V. ~·21.3 mA e lB = 30 ¡. d) Revisando los resultados de los incisos a a e. Compare las soluciones para V BE para los incisos b. 25. a) Usando las características de la figura 3.) =1 k. 16. DefinalcBo e ICEO' ¿En qué son diferentes? ¿Cómo están relacionados? ¿Por lo regular sus magnitudes son cercanas? 20. e) A VCE = +8 V. Repita el inciso a en lB = 5 J1A y VCE = 15 V.14a. a) Para las características de emisor común de la figura 3. Utilizando las características de la figura 3.lA. ¿cambia el valor de f3dc entre punto y punto en las características? ¿Dónde se encuentran los valores más altos? ¿Puede desarrollar algunas conclusiones generales acerca del valor de /3dc con base en un conjunto de características como las que se presentan en la figura 3. determine 1CEO a V CE = 10 V.Ay VCE ::: 15 V.98. b) Repita el inciso a en lB::: 5 p. Calcule la ganancia de voltaje (A" = V L/V) para la red de la figura 3. a) Dado que ade = 0.A Y VCE = 5 V.14a. Repita el inciso b utilizando las características de la figura 3. b) Encuentre e! valor de a correspondiente a este punto de operación. c) Sif3dc::: 180e I c = 2. encuentre lEe lB' 142 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . a) Utilizando las características de la figura 3. b) Una vez especificado f3dc ::: 120.A.Q.8.14a: * 24. Calcule la ganancia de voltaje (Av = V L/V) para la red de la figura 3. 800 rnV. c. compare los niveles de f3dc y f3ac para cada punto y comente acerca de la tendencia en magnitud para cada cantidad. detennine le si lE::.A Y V CE =10 V. especifique el valor correspondiente de f3de . determine el valor correspondiente de a. 'c * 22.998. Dibuje de memoria la configuración del transistor en base común (para npn y pnp) e indique la polaridad de la polarización aplicada y las direcciones de corriente resultantes. ¿cambia el valor de f3ac entre punto y punto en las características? ¿Dónde se encuentran los valores más altos? ¿Puede determinar algunas conclusiones generales acerca del valor de f3 ac con base en un conjunto de características de colector? e) Los puntos seleccionados en este ejercicio son los mismos que los que se utilizaron en el problema 23.14: a) Encuentre el valor de lc correspondiente a V BE = +750 mV y VCE = +5 V.0 mA. § 3.12 si la fuente tiene una resistencia interna de 100 Q en serie con Vi" § 3. determine la beta en dc en un punto de operación de VCE = +8 Ve = 2 mA.l4a. determine fJ" en lB =80 ¡LA Y V eE =5 V. calcule I CBO ' 23. b) Encuentre el valor de V CE Y V BE correspondiente a le =.5 Acción amplificadora del transistor 17. 4 mA. 5 mA Y Vcs::.12 si Vi =500 mV y R (Los otros valores del circuito permanecen iguaJes. determine f3dc en lB = 25 J1A y VCE = 10 V. Determine cxdc si lE = 2. a) b) e) Dada una a dc de 0. a) b) c) d) Utilizando las características de la figura 3. determine le si Ves = 10 V VSE ::.6 Configuración de emisor común 19. Después calcule a dc y el nivel resultante de lE' (Utilice el nivel de Ic determinado por I c ::: f3 diB') 26. e) Utilizando la f3dc determinada en el inciso b.7 y 3.iA Y V CE = 10 V.

determine cuánto ha cambiado el nivel de h(e desde su valor en 1 mA a su valor en 10 mA. Explique por qué. determine el rango de temperaturas para el dispositivo en grados Farenheit.14 si/c mó.23j. Determine f3ac en lc = 1 mA Y VCE = 8 v. Con base en los datos de la figura 3.:' y VCEm:.' dibuje los límites de operación para el dispositivo. ¿Cómo se comparan los niveles de f3ac y de f3dc en cada región? ¿Es válida la aproximación {3dc == {Jac para este conjunto de características? * Los asteriscos indican problemas más difíciles.. 34.2. 31. Se aplica un voltaje de 2 V nns (medidos de la base a tierra) al circuito de la figura 321. dibuje las características de entrada y de salida de la configuración de colector común.e en le = 1 mA Y VeE =8 V. Detennine (3. 29. Utilizando la información que se proporciona en la figura 3. ¿cuál es el valor esperado de promedio de J3dC ? lCEO utilizando el valor 35. Obsérvese que la escala vertical es una escala logáritrnica que puede referirse a la sección 11.f3 27.yPcmó:<=40mW.10 Prueba de transistores 39. VCEm~x=17V. Utilizando las características de la figura 3. ¿Cómo se compara el rango de h FE (figura 3. Dibuje de memoria la configuracíón de transistor en emisor común (para npn y pnp) e inserte el arreglo correcto de la polarización con las direcciones de corriente resultantes para lB' le elE" § 3.23j. 33. Y PCm:íX =30mW.7 Configuración de colector común 28. detenmne el nivel de fidc en le= 10 mA en los tres niveles de temperatura que aparecen en la figura. Determine la región de operación para un transistor que tenga las características de la figura 3. ¿Es este cambio tal que deba considerarse en una situación de diseño? Utilizando las características de la figura 3. VCBmó:< = 15 V. Problemas 143 . Especifique la región de operación para un transistor que tenga las características de la figura 3. Especifique Jl" en le = 14 mA Y VCE = 3 V. § 3.1 mA a 10 mA? 36. normalizada a partir de h FE := 100) con el rango de hlc (fIgura 3. calcule la amplificación de voltaje del circuito (A" = V o I Vi) Y la corriente del emisor para RE = 1 kG.8 si lcmó:< = 6 mA.23.. Utilizando las características de la fIgura 3. § 3.. a) b) e) d) e) f) Utilizando las características de la figura 3. Suponiendo que el voltaje del emisor siga exactamente el vohaje de base y que Vbe (rms) = 0.ICm:.1 V.. determine f3ac en le == 14 mA y VCE = 3 V.8 limites de operación 30.23b. determine si la capacitancia de entrada en la configuración de base común se incrementa o disminuye con los crecientes niveles de potencial de polarización inversa. ¿Es significativo el cambio para el rango de temperatura especificado? ¿Se trata de un elemento que deba considerarse en el proceso de diseño? * 38.14.23.x=7mA.24. Para un transistor que tenga las caractensticas de la figura 3.23 con respecto a PDmáx' VCEmáx.23f.23f) para el rango de le desde 0.9 Hoja de especificaciones de transistores 32. Refiriéndose a la figura 3. § 3. * 37.

Una vez que lB se conoce. es decir.1 INTRODUCCIÓN El análisis o diseño de un amplificador a transistor requiere de un conocimiento tanto para la respuesta en de como para la respuesta en ac del sistema. El nivel de de de un transistor en operación es controlado por diversos factores. Por tanto. en este capítulo se analizan varias de estas redes.3) pueden aplicarse para encontrar las cantidades de interés restantes. incluyendo el rango de puntos de operación posibles sobre las características del dispositivo. Aunque en este capítulo se analiza cierta cantidad de redes.2) (4. la elección de los parámetros para los niveles requeridos de dc afectarán la respuesta en ac. En la sección 4. Este aspecto también se investigará en una sección posterior del presente capítulo. y viceversa. el nivel de potencia de salida de ac mejorado es el resultado de una transferencia de energía desde las fuentes de dc aplicadas. se debe tener en cuenta que durante el estado de diseño o síntesis. existe una similitud fundamental entre el análisis de cada configuración debido al uso recurrente de las siguientes relaciones básicas. que son importantes para un transistor: VBE = O.CAPÍTULO Polarización en dc-BJT 4.2 se especifica el rango para el amplificador a BIT. Una vez definidos los niveles de voltaje y de corriente de dc.1) (4. Por fortuna.IT . Muy a menudo se asume que un transistor es un dispositivo mágico que puede elevar el nivel de una señal de entrada de ac.1) a (4. el análisis o diseño de cualquier amplificador electrónico tiene dos componentes: la porción de dc y la porción de ac. En la mayoría de los casos la corriente base lB es la primera cantidad que debe determinarse. En realidad. la solución de las siguientes se tornará más clara. Sin embargo. Las ecuaciones para JB son tan familiares para una cantidad de configuraciones que una ecuación puede derivarse de otra sólo 144 Capítulo 4 Polarización en dc-B. Las similitudes en el análisis serán inmediatamente obvias según vaya avanzando en este capítulo. las relaciones de las ecuaciones (4. sin la asistencia de una fuente externa de energía.3) Una vez que estén analizadas las primeras redes. Cada diseño también determinará la estabilidad del sistema. qué tan sensible es el sistema a las variaciones de temperatura. el teorema de la superposición puede aplicarse y la investigación de las condiciones de de puede separarse por completo de la respuesta de ac. se debe construir una red que establecerá el punto de operación deseado.7V (4.

VCEm ' El dispositivo BJT puede estar en polarización para operar fuera de estos límites máximos. que ayudan a establecer un nivel fijo de comente y voltaje..2 PUNTO DE OPERACIÓN El término polarización que aparece en el título de este capítulo es un término que comprende todo lo relacionado para la aplicación de voltajes de de. Los valores máximos están indicados en las características de la figura 4. Y la región de saturación. 20 50 IJ-A 15 Saturación s 10 . lc(mA) 80l1A / Cmáx 25 . La restricción de máxima potencia se m" define por la curva Pe en la misma figura. Cuando se confina la región activa pueden seleccionarse muchas áreas o puntos de operación diferentes.con eliminar o añadir uno o dos términos. OJiA. pero el resultado de tal operación podría ser un recorte considerable de la vida del dispositivo.C 20 pA 5 ¡OpA A 5 10 Corte 15 20 Hgura 4. Para los amplificadores a transistores el voltaje y comente de dc resultantes establecen un punto de operación sobre las características que definen una región que se utilizará para la amplificación de la señal aplicada. definida por ls'. 4. El punto Q que se elige a menudo depende del empleo del circuito. se pueden considerar algunas diferen. definida por VCE '.1 mediante una línea horizontal para la corriente máxima del colector le ' y una línea vertical cuando sea el voltaje máximo del colector-emisor VCE . De cualquier manera. el cual podría permitir un análisis en dc de cualquier sistema que pueda utilizar el amplificador a BJT 4. ~.2 Punlo de operación 145 .1 muestra una característica general de salida de un dispositivo con cuatro puntos de operación indicados. también se le !lama punto de reposo (abreviado punto Q. En el extremo inferior de las escalas se encuentra m" la región de corte. por la sigla en inglés de.. La principal función de este capítulo es desarrollar un nivel de familiaridad con el transistor BJT. quiescent point). o bien la destrucción del dispositivo. El circuito de polarización puede diseñarse para establecer la operación del dispositivo en cualquiera de estos puntos o de otros dentro de la región activa. Debido a que el punto de operación es un punto fijo sobre las características.1 Varios puntos de operación dentro de los límites de operación de un transistor. La figura 4.

Si no se utilizara la polarización. permitiendo al dispositivo reaccionar (y posiblemente amplificar) tanto ante las excursiones positivas como negativas de la señal de entrada. pero el valor pico a pico estaría limitado por la proximidad de VCE =OVIIe =OrnA. comparada con la estabilidad de varios circuitos polarizados. La unión base-entisor debe tener una polarización directa (voltaje de la región p más positivo) con un voltaje de polarización directa resultante de aproximadaruente 0. causando un cambio en la condición de operación establecida por la red de polarización. Para el punto B. los cuales serán considerados en el capítulo 16. La operación en el punto e también acarrea inquietud acerca de las no linealidades presentadas por el hecho de que hay un cambio rápido en las curvas de lB en esta región. el dispositivo estaría al principio completamente apagado. por tanto. Para que el BJT esté polarizado en su región lineal o de operación activa. En este análisis. los siguientes puntos deben resultar exactos: 1.6 a 0. es preferible operar donde la ganancia del dispositivo es muy constante (o lineal) para asegurar que la aruplificación a través de la excursión completa de la señal de entrada es la misma.] La operación en las regiones de corte. como la ganancia en corriente del transistor (/3. Debido a que es necesario polarizar un dispositivo de forma que pueda responder al rango completo de la señal de entrada. es decir. pero no necesariaruente es el caso para los amplificadores de potencia.) y la corriente de fuga del transistor (lew)' Las mayores temperaturas dan como resultado mayores corrientes de fuga en el dispositivo. Ésta es por lo general la condición deseada para los aruplificadores de pequeña señal (capítulo 8). La excursión del voltaje de salida en la dirección positiva se encuentra entonces limitada para no exceder el voltaje máximo.cias entre los diversos puntos mostrados en la figura 4. En general. saturación y lineal de las características del BJT se ofrecen de la siguiente manera: l. Este énfasis sobre la letra inicial debe ofrecer un medio para ayudar a memorizar la polaridad necesaria de voltaje. pero no la suficiente como para llevar al dispositivo hacia el corte o a la saturación.el cual indica el grado de cambio en el punto de operación debido a una variación en la temperatura. Operación en la región lineal: Unión base-emisor con polarización directa Unión base-colector con polarización inversa 146 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT . Existe otro factor para la polarización muy importante que todavía debemos considerar. ntientras que para la polarización inversa es opuesto (inverso) con n-positiva.1 para presentar algunas ideas básicas acerca del punto de operación y. de operación más lineal. La estabilidad del punto de operación puede especificarse mediante un factor de estabilidad S. El punto B es una región de espaciamiento más lineal y. Por tanto. cero corriente a través del dispositivo (y cero voltaje a través de él). según se muestra en la figura 4. Si la señal de entrada se elige correctamente. 2. del circuito de polarización.1. de tal forma que dichos carubios ocasionen la menor cantidad de modificaciones en el punto de operación. El punto e pennitiría cierta variación positiva y negativa de la señal de salida. también debe tomarse en cuenta el efecto de la temperatura..dando por resultado un punto Q enA. El resultado es que el diseño de la red debe ofrecer también un grado de estabilidad en temperatura. La unión base-colector debe tener una polarización inversa (voltaje de la región n más positivo) con un voltaje de polarización inversa resultante de cualquier valor dentro de los límites máximos del dispositivo. si la señal se aplica al circuito.7 V. Una vez que seleccionamos y polarizamos el BJT en un punto de operación. nos concentramos básicamente en la polarización del transistor para la operación de amplificación en pequeña señal. el punto B parece ser el mejor punto de operación en términos de ganancia lineal y la excursión más grande posible de voltaje y corriente. el punto A no sería precisamente el adecuado. por tanto. el voltaje y la corriente del dispositivo tendrán variación. El punto D establece el sitio de operación del dispositivo cerca del nivel de voltaje y potencia máxima. Es mejor un circuito de gran estabilidad. Este factor ocasiona que cambien los parámetros. [Obsérvese que para la polarización directa el voltaje a través de la unión p-n es p-positiva. el dispositivo tendrá una variación en corriente y voltaje desde el punto de operación.

También reduce la unión de las dos corriente que fluyen hacia la base lB' Como se observa.. Cuando escriba la ecuación de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj.VBE (4.2 son las reales.. El voltaje a través de RE es el voltaje Vcc aplicado en un extremo menos la caída a través de la unión base-emisor (VBE). Operación en la región de corte: Unión base-emisor con polarización inversa Operación en la región de saturación: Unión base-emisor con polarización directa Unión base-colector con polarización directa 4. Figura 4.V BE =O + Nótese la polaridad de la caída de voltaje a través de RB establecida por la dirección indicada de lB' Cuando se resuelve la ecuación para la corriente lB da por resultado lo signiente: I lB - - V cc .3.. Vee Re RB sena! de enrrada o en ac C. con el solo hecho de cambiar todas las direcciones de corriente y los voltajes de polarización. 147 Malla base-emisor. como se muestra en la figura 4.. L h señal de v cc Re RB V ee ~salida e + VCE V ¿-B c.4) RB ~" 1 + R.3 Circuito de polarización fija . Aunque la red utilice un transistor npn. reemplazando los capacitares por un equivalente de circuito abierto.lsRB . las ecuaciones y los cálculos se pueden aplicar con facilidad a la configuración con transistor pnp. .2 ofrece una introducción relativamente directa y simple al análisis de la polarización en de de transistores. 3.2 Circuito de polarización fija . en ac 8+ E L h C + V eE B+ VBE E . . y los voltajes están definidos por la notación estándar de doble subíndice. Considere primero la malla del circuito base-emisor de la figura 4.4 '\\ .3. lB ~ V BE Es verdad que la ecuación (4.4. la separación es válida. Más adelante. Para el análisis en dc..3 CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA El circuito de polarización fija de la figura 4. Polarización directa base-emisor Figura 4. para permitir una separación de los circuitos de entrada y de salida.iFlgura 4.4) no es difícil de recordar si se toma en cuenta que la corriente de base es la corriente a través de R B ' Yde acuerdo con la ley de Ohm dicha corriente es el voltaje a través de RB dividido entre la resistenciaRB ..2.2.2. se obtendrá +Vec . como lo muestra la figura 4. Debido a 4.3 Equivalente de de de lla figura 4. la fuente Vee de dc puede separarse en dos fuentes (para propósitos de análisis solamente). la red debe aislarse de los niveles de ac.. donde V ce está conectada directamente a R8 y Re' justo como en la figura 4. Las direcciones de corriente de la figura 4.

recuerde que (4. Pero en este caso.que el voltaje Vee y el voltaje base-emisor son constantes RB . En este caso las dos lecturas son idénticas. Sin embargo.6. lB Q e leQ . entonces (4. Malla colector~misor + La sección colector-emisor de la red aparece en la figura 4.6) la cual establece que el voltaje a través de la región colector-emisor de un transistor en la configuración de polarización fija es el voltaje de alimentación menos la caída a través de Re Como un breve repaso de la notación de subíndice sencillo y doble.. y que VE = O Y. se tiene que = (4... Hgura 4.10) Medición de VCE Y VC' Tenga presente que los niveles de voltaje como VCE son determinados mediante la colocación de la punta de prueba roja (positiva) del voltímetro en la terminal del colector y la punta de prueba negra (negativa).. c) d) VByVe VBC' 148 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT . La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección del sentido de las manecillas del reloj alrededor de la malla cerrada indicada en la figura 45 dará por resultado lo siguiente: y (4.7) donde VCE es el voltaje colector-emisor y Ve y VE son los voltajes del colector y del emisor a tierra. pero en las redes que siguen las dos pueden ser muy diferentes. b) VeEQ ..5 con la dirección de la corriente le indicada y la polaridad resultante a través de Re La magnitud de la corriente del colector está directamente relacionada a lB mediante (45) . como se verá más adelante. Ve es el voltaje del colector a la tierra y se mide según la misma figura. debido a que VE O Y. . Comprender la diferencia entre ambas medidas puede ser muy importante para la localización de fallas en las redes de transistores . . ya que (4. Es interesante observar que debido a que la corriente de base está controlada por el nivel de R B y que le está relacionada a lB por la constante {3. fija el nivel de la corriente de base para el punto de operación.9) . el nivel de Re detenninará la magnitud de VCE ' el cual es un parámetro importante.8) Además.6 E 1.5 Malla colector-emisor.7. la magnitud de le no es una función de la resistencia Re El cambio de Re hacia cualquier nivel no afectará el nivel de lB o de le mientras se permanezca en la región activa del dispositivo. Figura 4. EJEMPLO 4.1 a) Determinar lo siguiente para la configuración de polarización fija de la figura 4.. a la terminal del emisor según se muestra en la figura 4. respectivamente.

1--0------\ 10 .08.7 V = 47. Una esponja saturada es aquella que no puede contener otra gota de líquido. entrada \ en ac --. Desde luego.08 !lA 240kQ le Q = {HB Q = (50)(47.5): 12 V .83 V b) Ecuación (4.VCc =+12V R.83 V = -6.35 mAl (2.7 Circuito de de polarización fija para el ejemplo 4. Las condiciones de saturación se evitan normalmente porque la unión base-colector ya no se encuentra con polarización inversa y la señal de salida amplificada se dístorsionará. 240 ka 1 e. y se proporciona en la hoja de especificaciones.8a a las que aparecen en la figura 4.8a.en ac 10 .' Además.8b la corriente es más o menos alta y el voltaje VCE se asume de O volts. Si se aproximan las curvas de la figura 4.uA) = 2.0. el nivel más alto de saturación está definido por la corriente máxima del colector. Solución a) Ecuación (4.8b..4): Ecuación (4.83 V V BC = VB - d) La utilización de la notación del subíndice doble da por resultado Vc = 0.1. Saturación del transistor El término saturación se aplica a cualquier sistema donde los ni veles han alcanzado sus máximos valores.~--.35 mA = 12 V .uF \ ¡ Va fi= 50 Ftgura 4.7 V = VCE = 6.3 Circuito de polarización fija 149 . Al aplicar la ley de Ohm.7V . Nótese que se trata de una región donde las curvas características se juntan y el voltaje colector-emisor se encuentra en o por debajo de VCE . la corriente del colector es relativamente alta en las características.. Un punto de operación en la región de saturación se describe en la figura 4.uF salida +-:-+--. En la figura 4. como debe Ser para la amplificación lineal.13 V y el signo negativo revela que la unión tiene polarización inversa.(2. el método directo para detenninar el nivel de saturación se toma aparente.del colector y las del emisor de la siguiente manera: 4. puede calcularse la resistencia entre las tenninales. Para un transistor que opera en la región de saturación la corriente es un valor máximo para el diseño en particular.2 kQ) = 6.6. El cambio en el diseño puede ocasionar que el nivel de saturación correspondiente pueda llegar a incrementarse O descender.6): VCE = Vee .¡eRe Q c) VB Ve = V8E = 0.

y para el futuro.2 Determine el nivel de saturación para la red de la figura 4. En resumen.11) + Figura 4. sólo se inserta un equivalente de corto circuito entre el colector y el emisor del transistor y se calcula la corriente resultante del colector. - - Vee Re = 12 V 2.l e = l e '"l) Figura 4.o (al (bl Figura 4. si existiera una necesidad inmediata de conocer la comente máxima del colector (nivel de saturación) para un diseño en particular.. La aplicación de los resultados al esquema de la red resultaría en la configuración de la figura 4.7. EJEMPLO 4..9. Solución l e.9 Determinación de 1C". Para la configuración de polarización fija de la figura 4. Por tanto.. sólo haga VeE = OV.' de poiarización fija es (4. .10 el corto circuito se aplicó.10 Determinación de le para la configuración de polarización fir~. Una vez que le se conoce puede tenerse idea de la corriente máxima posible del colector para el diseño escogid~. y el nivel bajo el cual debe permanecer si se espera una amplificación lineal. causando que el voltaje a través de Re se convierta en el voltaje aplicado Vce La corriente de saturación resultante para la configuración RCE=OQ (Va = OV.45mA 150 Capitulo 4 Polarización en dc-BJT .8 Región de saturación a) real b) aproximada.2 kQ = 5.

se encuentra que y (4.12).11 Análisis de la recta de carga a) la red b) las características el dispositivO. 4. entonces se especifica el eje horizontal como la línea sobre la cual está localizado un punto.12) sobre las características.leRe I (4. En esencia.11a establece una ecuación de salida que relaciona las variables le y VCE de la siguiente manera: I VCE = Vce . Ahora.1 dio por resultado lco = 2. se investigará la forma en que los parámetros de la red definen el rango posible de puntos Q y la manera en que se determina el punto Q real. El método más directo para graficar la ecuación (4. se debe superponer la línea recta definida por la ecuación (4.12) Las características de salida del transistor también relacionan las dos variables le y V CE como se muestra en la figura 4.El diseño del ejemplo 4. La solución común de las dos sucede donde se satisfacen las restricciones establecidas por cada una de manera simultánea. se tiene una ecuación de redes y un conjunto de características que utilizan las mismas variables. Si se elige que le sea O mA.11b. La red de la figura 4.lA o 5 t lceo 10 15 V CE (V) (a) (bl Figura 4. Las características del dispositivo de le en función de VCE se ofrecen en la figura 4.12. Ahora. Al sustituir le = O mA en la ecuación (4. Análisis de recta de carga El análisis hasta el momento se hizo utilizando el nivel de f3 correspondiente con el punto Q resultante.12) sobre las características de salida es mediante el hecho de que una línea recta se encuentra definida por dos puntos.35 mA. le (mA) sf7 6 50 )1A 4Ol1A f/'" 30)1A 5 4 20 )1A 3 !O)1A + 2 1" t I I lB = 0}. el cual se localiza lejos del punto de saturación y aproximadamente a la mitad del valor máximo del diseño.13) definiendo un punto para la línea recta de acuerdo con la figura 4.Jlb.3 Circuito de polarización fija 151 . Esto es similar a encontrar la solución para dos ecuaciones simultáneas: una establecida por la red y la otra por las características del dispositivo.

el punto Q se desplaza como se indica en la misma figura.:Q:..l2).leRe e (4. si se elige que V eE sea O V. le le Vcc Re 1. Si Vcc se conserva fijo y se cambia Re' la recta de carga se moverá de acuerdo con la figura 4.13.. se puede dibujar la línea recta establecida por la ecuación (4. Al unir los dos puntos definidos por las ecuaciones (4. Si Re se mantiene fijo y Vcc varía.15. punto Q Vee R.13) y (4. 152 Capitulo 4 Polarización en dc-BJT ..14 Efecto de los niveles crecientes de Re sobre la Figura 4. se tiene que le está determinado por la siguiente ecuación: O = Vee .-----""'~~:.13 Movimiento del punto Q con niveles crecientes de lB' recta de carga y el punto Q.12..14) según aparece en la figura 4. Si el nivel de lB cambia al variar el valor de R B ' el punto Q se desplaza hacia arriba o hacia abajo sobre la recta de carga como se indica en la figura 4..:--- Reotade oru-g' V ee Figura 4.12...12 se le llama recta de carga debido a que es definida por el resistor de carga Re Mediante la solución para el nivel resultante de lB puede establecerse el punto Q real que se muestra en la figura 4. lo que establece al eje vertical como la línea sobre la cual estará definido el segundo punto.A la línea resultante sobre la gráfica de la figura 4.V eE =~II~_____~ __~._ _ _ I'Q \I. \ Vee RJ 1 " FIgUra 4..12 Recta de carga para polarización fija. Ahora. o p:-u_nt_O.14). Vee R. la recta de carga se mueve igual que en la figura 4.14. Si lB se mantiene fijo.

0.3. calcule los valores requeridos de Vcc ' Re y RB para la configuración de polarización fija..16 Va = Vcc = 20V Re e le = O mA Vcc le = .7 V 25 pA = 772kQ 4.y VeE = OV y Re = -ee -= le V 20 V lOmA = 2kf.15 Efecto de valores pequeños de Vec sobre la recta de carga y el punto Q.3 Circuito de polarización fija 153 . EJEMPLO 43 60pA 12 10 8 6 4 2 Figura 4. Dada la recia de carga de la figura 4.16 y el punto Q definido. o 5 10 15 20 Solución A partir de la figura 4.! y 20V .Figura 4.16 Ejemplo 4.

.17).4. si la ecuación se utiliza para dibujar una red en serie que pudiera resultar en la misma ecuación.V BE con y resolviendo para lB da + (4. El análisis se llevará a cabo cuando examinemos en primer lugar la malla base-emisor. Figura 4.15) Recuerde del capítulo 3 que lE = (f3 + I)IB Sustituyendo por lEen la ecuación (4.17 contiene un resistor en el emisor para mejorar el nivel de estabilidad respecto al de la configuración de polarización fija.17 puede dibujarse de nuevo igual como se indica en la figura 4.18 Malla base-emisor. La mejor estabilidad se demostrará a través de un ejemplo numérico que veremos posterionnente en esta sección.(f3 + I)laRE = O La agrupación de los términos ofrecerá lo siguiente: -IB(RB + ({3 + I)RE) + Vcc .17) .VBE . La ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en el sentido de las manecillas del reloj dará por resultado la siguiente ecuación: (4.18.4 CIRCUITO DE POLARIZACIÓN ESTABILIZADO EN EMISOR La red de polarización de de de la figura 4. que Capitulo 4 Polarización en dc-8JT 154 . Figura 4. ~ - - " o~--1)II---+--'----I L. Nótese que la única diferencia entre esta ecuación para lB Yla que se obtuvo para la configuración de polarización fija es el término (f3 + I)RE.laRB . y posterionnente utilizando los resultados para investigar la malla colector-emisor.Vcc + VBE = O IB(R B + (f3 + I)R E) = Vee . Existe un resultado interesante que puede derivarse a partir de la ecuación (4.15) resultará V cc .17 Circuito de polarización para BlT con resistor de emisor. Malla emisor-base La malla emisor-base de la red de la figura 4.VBE = O (4..16) Multiplicando por (-1) se tiene IB(RB + ({3 + I)R E) . e.

el resistor del emisor. La solución para la corriente lB dará por resultado la misma ecuación obtenida. el resistor RE se refleja de regreso al circuito de entrada de la base por un factor ({3 + 1). es el caso de la red de la figura 4.21. "'aparece figura 4. Para el circuito de la base al emisor. que fanna parte de la malla colector-emisor. (4.21 Malla colector- V CE ' = V ee . el voltaje neto es Vcc .18) La ecuación 4.19) Hgura 4. se sabe que la corriente a través de un sistema es el voltaje dividido entre la resistencia del circuito.VBE " Los niveles de resistencia son RB más RE reflejado por ([3 + 1).23) o (4.22) (4.R.20 Nivel reflejado de impedancia de RE' como" ({3 + I)REen la malla de la base al emisor.19. para la configuración de la figura 4.19 Red derivada de la ecuación (4. Por tanto.17).18 puede ser de utilidad en el análisis que seguirá a continuación. Obsérvese que además del voltaje de la base al emisor VBE . Ofrece una forma relativamente sencilla para recordar la ecuación (4.24) 4.20) emisor. En otras palabras.21) o El voltaje en la base respecto a tierra puede determinarse a partir de (4.17). El resultado es la ecuación (4. h (4. B figura 4. el resistor del emisor aparenta ser mucho mayor en el circuito de la base. mientras que el voltaje del colector a la tierra puede determinarse y (4. Utilizando la ley de Ohm.20. Malla colector-emisor La malla colector-emisor está dibujada de nuevo en la figura 4. La ley de voltaje de Kirchhoff para la maHa indicada en la dirección de las manecillas del reloj dará por resultado Sustituyendo IE= le y agrupando términos da Va . Debido a que {3 es normalmente 50 o más.4 Circuito de poIarlzación estabilizado en emisor 155 .le(Re + RE) El voltaje de un único subíndice VE es el voltaje del emisor a la tierra y se determina por (4.17).Vee + leCRe + RE) = O + y 1.

1)lA b) le = f3IB = (50)(40.leRe = 20 V ..VCE = 15.RB + (f3 + I)R E 430 kO + (51)(1 kQ) = 19.: leRE = (2.98 V = -13.3 V 481 kO = 40.!?OC.uF v.01 V f) VB = VBE + VE =0.01 V = 2.97 V = 2.4.98 V e) VE = Ve ..03 V e) = 13.4 Para la red de polarización en emisor de la figura 4.19): VCE = Vee .98 V .01 mA)(2 kO + 1 kQ) = 20 V .22.17): Vee .01 mA)(2 kO) = 20 V .le(Re + RE) = 20 V . "=" Solución a) Ecuación (4.71 V g) VBC = VB .(2.97 V d) Ve = Vec .01 V o VE = IpRE ..27 V (con polarización inversa como se requiere) 156 Capitulo 4 Polarización en dc-BJT .-_ = .6.VBE 20V .uF ":'" Figura 4.15.01 mA Ecuación (4.7V + 2.02 V = 15.01 mA)(1 kO) = 2.7 V lB = _----="----.71 V .4.(2.Ve = 2.1 !lA) . calcule: lB' a) b) e) le' VCE ' Ve VE' VB' VBC +20 V d) e) f) g) 2 kQ 430 k.22 Circuito de polarización con estabilización en emisor para el ejemplo 4.Q 10..~< '------------------------------------------------------------EJEMPLO 4.0. o~--':)II-_'-- _ _-I P=50 1 ka I4o.13..: 2.

Jo siguiente: EJEMPLO 4. esto es.11 Ahora.7 para el mismo cambio en f3. y ayuda a mantener el valor de le o por lo menos reduce el cambio total en /e debido al cambio en f3.4 Circuito de polarización estabilizado en emisor 157 .ül 3. abajo del que se obtuvo con una configuración de polarización fija utilizando el mismo resistor del colector. Solución Si se utilizan los resultados calculados en el ejemplo 4.08 2.63 1l.83 1. como la temperatura y la beta del transistOfo Mientras que un análisis matemático se ofrece en la sección 4. se genera. La red de la figura 4. Nótese cómo lB disminuye. La adición del resistor de emisor reduce el nivel de saturación del colector. El cambio en VCE ha caído cerca del 35%.12.23. la coniente del colector del BIT se incrementa aproximadamente 81% debido al 100% de incremento en f3.23 Determinación de re para el circuito de polarización co~ estabílidad en ~miSQr.97 9. puede obtenerse una comparación de la mejoría como lo demuestra el ejemplo 4.Estabilidad de la polarización mejorada La adición del resistor del emisor a la polarización en de del BJT ofrece una mejor estabilidad.5 f3 so 100 47.71 6. /B es el mismo y VCE disminuye 76%.5. más estable que la de la figura 4. Prepare una tabla y compare las corrientes y voltajes de polarización de los circuitos de la figura 4.1 36.3 2.08 47.22.1 y se repiten para un valor de f3 = 100. los voltajes y conientes de polarización de de permanecen más cerca de donde los fijó el circuito cuando cambian las condiciones externas. Compare también los cambios en /c y VCE para el mismo incremento en f3.22 es.23: (4. tia lo siguiente: 50 100 40.35 4. por tanto. Utilizando los resultados del ejemplo 4. Nivel de saturación El nivel de saturación del colector o la coniente máxima del colector para un diseño de polarización en emisor puede determinarse si se utiliza el mismo método aplicado para la configuración de polarización fija: se aplica un corto circuito entre las terminales del colectoremisor como se muestra en la figura 4.7 y la figura 4. y luego se calcula la coniente del colector resultante. 4. Para la figura 4.25) Flgura 4. para el valor dado de f3 = 50 Y para un nuevo valor de f3 = 100.64 Se aprecia un cambio del 100% en la coniente del colector de BJT debido al cambio del 100% en el valor de f3.4 y después repitiéndolos para un valor de f3 = 100.

4.4. Sin embargo. Análisis por recta de carga El análisis por recta de carga para la red de polarización en emisor es poco diferente de la que se encontró para la configuración de polarización fija. El nivel de lB como lo determinó la ecuación (4.67mA que es más o menos el doble del nivel de IC para el ejemplo 4. V ee Re Solución 1C'~l = + RE 20V = 2 kQ Q + 1 kQ = 20V 3kQ = 6. lo mejor sería desarrollar un capitulo 4 Polarización en dc-BJT 158 .26) según se obtiene para la configuración de polarización fija.24 Recta de carga para la configuración de polarización en emisor. no está bien definido. y de que el valor real de beta por lo general.5 POLARIZACIÓN POR DMSOR DE VOLTAJE En las configuraciones de polarización previas a la corriente de polarización le y el voltaje VCEQ de polarización eran una función de la ganancia en corriente ({3) del transisto~. Los diferentes niveles de lB desplazarán.24 (denotado lBQ)' o Flgura 4. La elección de VCE = O V da (4. especialmente para los transistores de silicio.6 Determine la comente de saturación para la red del ejemplo 4. Q 4.27) como se muestra en la figura 4.17) define el nivel de lB sobre las características de la figura 4. La ecuación de la malla colector-emisor que define la recta de carga es la siguiente: L~ selección de le = O mA da (4. el punto Q hacia arriba o hacia abajo de la recta de carga. desde luego.--< ---------------------------------------------------EJEMPLO 4. debido a que f3 es sensible a la temperatura.24.

El motivo principal para elegir los nombres en esta configuración será más obvio en el análisis que sigue. o~-~"lt-..5 Polarización por divisor de voltaje 159 .25.sor de voltaje. de hecho.---+------Ik c. existen dos métodos que pueden aplicarse para analizar la configuración del divisor de voltaje.25 puede volver a dibujarse según se muestra en la figura 4. independiente de la beta del transistor.27 para el análisis en de. Al segundo se le llama método aproximado y puede introducirse sólo si son satisfechas las condiciones específicas.25 Configuración de polarización por divisor de voltaje. El método aproximado permite un análisis más directo con un mayor ahorro en tiempo y en energía. Si los parámetros del circuito se eligen adecuadamente. por tanto. el método aproximado puede aplicarse a la mayoría de las siruaciones y.26 Definición del punto Q para la configuración de polarización por divi. o Figura 4. . 4.. En conjunto. Como antes se observó. los niveles resultantes de 1CQ y de V CEQ pueden ser casi totalmente independientes de beta. circuito que fuera menos dependiente o.R. El nivel de ISQ cambiará con el cambio en beta. El primero que vamos a demostrar es el método exacto que puede aplicarse en cualquier configuración de divisor de voltaje. También es más útil en el modo de diseño que será descrito en una sección posterior.27 Redibujo de la malla de entrada de la red de la figura 4. pero el nunto de operación definido sobre las características por leQ y VCEQ puede permanecer fijo si se utilizan los parámetros adecuados del circuito. debe ser examinado con el mismo interés que el método exacto. Figura 4. resulta ser muy pequeña. .25. Si se analiza sobre una base exacta la sensibilidad a los cambios en beta. La red a la que nos referimos es configuración de polarización por divisor de voltaje de la figura 4. Recuerde que en análisis anteriores el punto Q estaba definido por un nivel fijo de leo y de VCEQ ' como se muestra en la figura 4. La red equivalente Thévenin a la izquierda de la terminal de la base puede encontrarse de la siguiente manera: s Thévenin Figura 4. v. Análisis exacto El lado de entrada de la red de la figura 4.26.

ciertamente muy similar a la ecuación (4.28 Determinación de RTh " (4.30) aparece al principio diferente de las que se desarrollaron antes.Q FIgura 4. La fuente de voltaje se .9 k.28.30) RTh + (/3 + I)RE B + Aunque la ecuación (4.30 Inserción del circuíto equivalente de Thévenin.30 e lB Q puede calcularse al aplicar primero la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj para la malla que se indica: Figura 4. 160 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .31. EJEMPLO 4. que es exactamente la misma que la ecuación (4. Las ecuaciones restantes para VE' Ve y VB son las mismas que se obtuvieron para la configuración de polarización en emisor.31 Circuito para beta estabilizada para el ejemplo 4. las cantidades restantes de la red pueden establecerse de la misma manera como fueron desarrolladas para la configuración de polarización en emisor.R.29 se calcula de la siguiente manera: La aplicación de la regla del divisor de voltaje: R Th : Figura 4.7 Determine el voltaje de polarización de de V eE y la corriente le para la siguiente configuración de divisor de voltaje de la figura 4. (4. Sustituyendo lE = (/3 + I)lB Y resolviendo para lB lB = --~~--~--- ETh - VBE (4. una diferencia de dos niveles de voltaje y que el denominador es la resistencia de la base más el resistor de emisor reflejado por (/3 + 1). Una vez que lB se conoce. Esto es. una vez más.29) + + Después se vuelve a dibujar la red Thévenin como se muestra en la figura 4.29 Determinación deETh .17). (4.reemplaza por un corto circuito equivalente como se indica en la figura 4.28) ETh! La fuente de voltaje V ce regresa al circuito y el voltaje de circuito abierto Thévenin de la figura 4.7. +22 V 10 kQ 39 kQ IOpF " ----nI--+-------'--1 3. obsérvese que el numerador es.19).31) Figura 4.

9 Ka ---"'----"=--- = La ecuación (4. e 12 será aproximadamente igual a 1]..30) : lB = ETh .7V 3.'.85 mA)(10 kQ. ~ R....:: 12 YR] YR2 pueden considerarse elementos en serie. como se vio en la sección 4.5 kQ) =------3.29): ETh = (3. R¡ »R2 v..18)]. I I I R.9 ka)(22 V) =2V 39 Ka + 3.22 V Análisis aproximado La sección de entrada de la configuración del divisor de voltaje se representa por la red de la figura 4.32. Si se acepta la aproximación de que lB es esencialmente cero comparada con II o /2' entonces 1] :.31): VCE = Vcc -lc(Rc + RE) = 22 V ..05)lA le = [3lB = (140)(6.55 ka + 211. (11 ~:d2) Figura 4.. La resístenciaR¡ es la resistencia equivalente entre la base y tierra para el transistor con un resistor de emisor RE' Recuerde que.3 V = 6. + 1. El voltaje a través de R" que en realidad es el voltaje 1. Si R¡ es mucho mayor que la resistencia R2 . (39 kQ)(3..55 ka La ecuación (4. 1 . la resistencia reflejada entre la base y el emisor está definida por R¡ = ([3 + I)R E .4 [ecuación (4.. I + R..05 )lA) = O.9 kQ) = 39ka + 3.32 Circuito de polarización parcial para calcular el voltaje de base aproximado VB " 4.5 kQ 1.55 ka + (141)(1.78 V = 12.8SmA La ecuación (4.VBE RTh + ([3 + l)R E = 2V-0.(0. 1. la comente lB será mucho menor que 12 (la comente siempre busca la trayectoria de menor resistencia). - I I ! I .28): RTh = R.5 kQ) = 22 V .9. t ~ : . -1.5 Polarización por divisor de voltaje 161 .IIR.9ka = 3. r .Solución La ecuación (4.

V BE (4. El voltaje del colector-emisor se encuentra determinado por (4. puede calcularse mediante el uso de la regla del divisor de voltaje (de abí el nombre para la configuración).8 Repita el análisis de la figura 4. será la siguiente: (4. Q EJEMPLO 4. {3R E.31 utilizando la técnica aproximada y compare las soluciones para lc y para VCE . si beta a veces es el valor de RE es por lo menos 10 veces el valor de R 2. = ({3 + I)R E".9 ka)(22 V) = 39 ka + 3. Esto es.33) a la ecuación (4.32) Debido a que R. Q o Solución Probando: {3RE . Una vez determinado VB' el nivel de VE puede calcularse a partir de I VE = V B . 39 ka (satisfecha) La ecuación (4. El punto Q (según se determinó mediante lco y V CE ) es por tanto independiente del valor de beta. (140)(1.36) .34) y la corriente del emisor podrá calcularse a partir de I e lE = VE RE I (4.37) que beta no aparece y que lB no fue calculada.33) En otras palabras.:. IOR.:.37) Nótese en la secuencia de cálculos desde la ecuación (4.IT .base. en caso que pueda aplicarse a la aproximación.32): (3. 10(3.5 ka) .9 ka) 210 ka . la aproximación podrá aplicarse con un alto grado de precisión.9 ka = 2V 162 Capitulo 4 Po1arización en dc-B.35) I lc o '" lE I (4. la condición que definirá. (4.:.

0.le(Re + RE) = 22 V . El ejemplo 4.22 V obtenido en el ejemplo 4.55 kQ..33).5 kQ) = 12.867 mA \.81 ¡JA) = 0.3 V = 0.(0.03V contra 12. VeEQ Vee .85 mA con el análisis exacto.. 3. Sin duda. Finalmente. esencialmente la"principal diferencia entre las técnicas aproximada y exacta es el efecto de RTh en el análisis exacto que separa ETh y V B' La ecuación (4. ETh = 2 V lB = --~_-".5 Polarización por divisor de voltaje 163 .46 V 4. RTh y ETh son los mismos: RTh = 3.7.83 mA Ve¡¡.3 V .5kQ comparada con 0.7. Repita el análisis exacto del ejemplo 4."-- ETh - V BE RTh + (f3 + I)R E 2 V . = Vee . más cercana será la solución aproximada sobre la exacta.9.55 kQ + 106.(O . sino de probar cuánto se moverá el punto Q si el nivel de f3 se corta por la mitad..7 V == 1.. y si se toma en cuenta la variación real en los valores de IÓs parámetros.le(Re + RE) = 22 V .81 ¡JA le Q = f3I B 3.5 kQ) = 22 V . Por tanto.5 kQ) = 11.. puede considerarse tanto a unO Como al otro.Obsérvese que el nivel de VB es el mismo que para ETh calculado en el ejemplo 4. los resultados paraJe y para VCEQ se encuentran cercanos.7 si f3 se reduce a 70 y compare las soluciones para leQ y para V CEQ ' EJEMPLO 4. 1. Mientras más grande es el nivel de R¡ comparado con R2 ..7 V .34): VE = VB - V BE = 2 V .9 Solución Este ejemplo no trata de la comparación de los métodos exactos en función de uno aproximado.55 kQ + (71)(1.3 V 1.83 mA)(lO kQ + 1.867 mA)(1O kQ + \.97 V = 12.5 kQ = (70)(11.0.10 hace una comparación sobre las soluciones a un nivel muy por debajo de la condición establecida por la ecuación (4.

2 kn) 78. Solución Análisis exacto: La ecuación (4..54 V 164 Capitulo 4 Polarización en dc-B.= 3.33): f3R E ~ IOR 2 ~ (50)(1. Aunque f3 se corte drásticamente a la mitad.81 V 82 kQ + 22 kQ 22 kQ(l8 V) lB BE = --=--""-=-------.35 kQ = .= ETh .V 3.22 v 12..98 mA)(5..Ic(Rc + RE) = 18 V .(1.0. pero los resultados revelarán la diferencia de la solución si se ignora el criterio de la ecuación (4.10 Determine los niveles de IC Q y de VCE para la configuración del divisor de voltaje de la figura 4. = Vcc .85 mA 0.55 kQ = 39. de 140 a 70. los niveles de ICQ y de V CE son en esencia los mismos.Q >82 k!2 " o~~--Il'l--~-+~~~-I 10 t 1C 10:1¡.7 V 3.11 V RTh + (f3 + I)RE 17.33) no serán satisfechas.10.2 kn) = 4.tF + Q o "o ~F ". 18 V ? 5.Al tabular los resultados se obtiene: f3 140 70 0.83 mA 12.81 V . utilizando las técnicas exacta y ~proximada para comparar las soluciones.33. V CEQ f3 = 50 22kQ 1. 220 kQ (no satisfeciUl) RTh = R.98 mA Vct..IT . Q EJEMPLO 4.33).6 }lA) = 1..6 kQ + 1. En este caso las condiciones de la ecuación (4..6 }lA ICQ = f3IB = (50)(39.2 kQ) 10(22 kQ) 60 kn 'f.35 kQ + (51)(1.2 ka Figura 4. IIR2 = 82 knl122 kn = 17.6 k..33 Configuración de divisor de voltaje para el ejemplo 4.46 V Los resultados muestran claramente la relativa insensibilidad del circuito hacia el cambio en f3.

La ecuación resultante para la corriente de saturación (cuando VCE se hace cero volts) es.11 V 3.24. Esto es.2 kQ) = 3. con (4. (4. Sin embargo.2 ill = 2.(2.7 V = 3. que fue analizado en la sección 4. mientras que VCE es másQo menos 10% menor.88 V Los resultados revelan la diferencia entre las soluciones exacta y aproximada.38) Análisis por recta de carga Las similitudes con el circuito de salida de la configuración de polarización en emisor dan como resultado las mismas intersecciones para la recta de carga de la configuración del divisor de voltaje.VBE =3. 4. le es aproximadamente 30% más grande con la solución aproximada.6 kQ + 1.33) para asegurar una similitud entre las soluciones exacta y aproximada.59 mA)(S. Los resultados son notablemente diferentes en cuanto a magnitu~.11 V 1.88 V Tabulando los resultados.40) El nivel de lB desde luego se determina mediante una ecuación diferente para las configuraciones de polarización por divisor de voltaje y de polarización en emisor. Por tanto.39) y (4.4.59 mA = 18 V . por tanto. pero aunque [3R E es sólo tres veces más grande que R 2 .81 V . la recta de carga tendrá la misma apariencia que la de la figura 4. la misma que se obtuvo para la configuración de polarización en emisor.0. los resultados son todavía cercanos uno del otro.59 mA 4.98mA 2. se tiene: Exacta Aproximada 1.54 V 3. para el futuro el análisis será dictado por la ecuación (4.Análisis aproximado: VE = VB . Saturación del transistor El circuito de salida del colector-emisor para la configuración del divisor de voltaje tiene la misma apariencia que el circuito de polarización en emisor.5 Polarización por divisor de voltaje 165 .

Figura 4. Por tanto. muy similar al reflejo de RE' En general.. ~ RB -tIc ( e.VBE . Sustituyendo l~" le = f3IB e lE" le resultará Vee .34 Circuito de polarización de de con retroalimentación de voltaje.I~Re . el nivel de le e l~ supera por mucho el nivel normal de lB y la aproximación l' e "le por lo general se utiliza..f31S<Re + RE) . Figura 4. la sensibilidad a los cambios en beta o a las variaciones en temperatura son normalmente menores que las encontradas en la configuración de polarización fija o de polarización en emisor. como se muestra en la figura 4. el análisis se hará examinando en primer lugar la malla emisor-base y aplicando los resultados a la malla colector-emisor. o VO Vee + VeE "F ct .VBE .34. lB ~ + V SE _ -t RE lE ) "- + - > .VBE . Aunque el punto Q no es totalmente independiente de beta (aun bajo condiciones aproximadas). El numerador es de nuevo la diferencia entre los niveles disponibles de voltaje. Es importante observar que la corriente a través deR e no es le sino l~ (donde l~ = le + lB)' Sin embargo. ". Malla base-emisor La figura 435 muestra la malla base-emisor para la configuración de retroalimentación de voltaje.IsRB = O y resolviendo para lB dará (4.I~E = O Vee Re J+ - Re -tl~ + - '.f3l sRc .6 POLARIZACIÓN DE DC POR RETROALIMENTACIÓN DE VOLTAJE Un nivel mejorado de estabilidad también se obtiene mediante la introducción de una trayectoria de retroalimentación desde el colector a la base.34.41) El resultado es muy interesante en cuanto a que el formato es muy similar a las ecuaciones para lB obtenidas para configuraciones anteriores.¡.IsRB . se tiene Vee .IsRB . la trayectoria de retroalimentación da por resultado un reflejo de la resistencia Re de regreso al circuito de entrada. De nuevo. mientras que el denominador es la resistencia de la base más los resistores del colector y del emisor reflejados por beta..4.!: ti. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla en el sentido de las manecillas del reloj dará por resultado Vee .f3lsRB = O Si se arreglan los términos. la ecuación para lB ha tenido el siguiente formato: 1 =---- V' B R B + f3R' 166 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .35 Malla bas~misor para la red de la figura 4.o---Ue.

la sensibilidad a las variaciones en beta será menor.3 V \O V .Vee = O Debido a que I~" le y que lE" le' se tiene Ic(Re + RE) + VCE y - VCC = O (4.34.3 V 9.7 ka + 1.7kn = f3IB = (90) (11.07mA ¡J. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff para la malla indicada en la dirección de las manecillas del reloj dará por resultado IERE + VCE + I~Re .36.37.Q 250 ka + 531 ka = 11.7 V IOV 4. R' = RE para la configuración de polarización en emisor (con (13 + 1) " /3).11. Debido a que R' normalmente es mayor para la configuración de retroalimentación de voltaje que para la configuración de polarización en emisor.6. Ya que le = f3IB .A ICQ 9.42) figura 4. y R' = Re + RE para la configuración de retroalimentación del colector. El voltaje V' es la diferencia entre los dos niveles de voltaje. Malla colector-emisor La malla colector-emisor para la red de la figura 4.uF VeEQ = Vcc .(1.7 ka + 1.A) 10 .31 V = 3.0.91 = 1. 4. R' es cero ohms para la configuración de polarización fija y por tanto bastante sensible a las variaciones en beta. entonces Q ------= f3R' f3V' f3V' V' R' e lCQ es independiente al valor de beta.36 Malla colector-emlsor para la red de la figura 4.37 Red para el ejemplo 4. I VCE = Vcc .11 Solución Ecuación (4. En general. mientras más grande sea f3R' comparado con RB .6 Polarización de de por retroalimentación de voltaje 167 . Obviamente. EJEMPLO 4.Q + (90) (4. menor será la sensibilidad de le a las variaciones en beta.2kQ = 10V .34 se presenta en la figura 4.le(Re + RE) = 10V .con la ausencia de R' para la configuración de polarización fija.Ic(Re + RE) la cual es exactamente la obtenida para las configuraciones de polarización en emisor y de polarización por divisor de voltaje.91 p.07 mA)(4. Determinar los niveles de reposo de le Q y de V CE Q para la red de la figura 4.41): = --------250 k. Desde luego.2 ka) 1. si f3R' "" RB Y RB + f3R'" f3R'.69 V Ftgura 4.2 ka) =------= 781 k.

------. R.. Solución Es importante observar en la solución para lB en el ejemplo 4.5 ka 8..92 V 7.. mientras mayor es este segundo término comparado con el primero. 1O¡tF I 1O¡tF' ..2 ka) 9..--------I P=75 51OkO I ":" 50 ¡tF Figura 4.7 = 10 V = 2.08 V ka + 1. mientras que el nivel de VeEQ decayó aproximadamente 20.7 V kí.89 J1. Resolviendo para lB da lB = Vcc .. un incremento del 50% en {3 hubiera causado un aumento del 50% en le • y un cambio drástico en la localización del punto Q.A e leQ = f3IB = (135)(8..! + (135)(4. menor será la sensibilidad a los cambios en beta..38 Red para el ejemplo 4. Recuerde que en uno de los análisis anteriores.. " <>---}II---+.. que el segundo término en el denominador de la ecuación es mayor que el primero. Si la red fuera un diseño de polarización fija..IT .3 kU lO ¡tF r-"-... el nivel de beta se incrementa en 50%.7 kQ + 1.12 Repetir el ejemplo 4.Ic(Rc + RE) = 10 V .1 %.2 mA)(4.. Sin embargo.2 ka) Aunque el nivel de {3 se incrementó 50%.. el nivel de leQ únicamente se elevó al 12..5 kQ 1046.- EJEMPLO 4.13 Determine el nivel de lB y de Ve para la red de la figura 4.9%. es más importante observar en estos ejemplos que una vez que el segundo término es relativamente más grande comparado con el primero... la sensibilidad a los cambios en beta resulta ser significativamente menor.11 utilizando una beta de 135 (50% más que en el ejemplo 4.-4V\I\.2mA con VaQ = Vce .(1... En este ejemplo.. 168 Capítulo 4 Polarización en dc-8.VBE RB + (3(Re + RE) = 250 = 10 V .3 V = 9.89 J1.-+--I{-c---o " R.0. lo cual hará que aumente la magnitud de este segundo término aún más comparado con el primero..A) = 1.13.. Q EJEMPLO 4. 18 V 91 kO llOkO 3.11..11).3V 250 ka + 796....38.

2.8. existen variaciones en el diseño que hubieran requerido más páginas de las que son posibles de ofrecer en un libro de este tipo.3 kQ) .: Vce .75 kQ 18 V .7 DIVERSAS CONFlGURACIONES DE POLARIZACIÓN Existen ciertas configuraciones de polarización para BJT que no se asemejan al molde básico de las analizadas en las secciones previas.75 kQ 17. De hecho. Vcc . Vcc .0.Re + RE) =------------------------(91 kQ + 110 kQ) + (75)(3.I~Re . Para cada configuración que hasta ahora se ha analizado. la corriente del colector y los niveles de voltaje del 4. el principal propósito en esta edición es el de hacer énfasis en las características del dispositivo que permiten un análisis en de de la configuración.66mA !lA) Ve . Esto es (4.leRe = 18 V .5 . para establecer Un procedimiento general hacia la solución deseada.7 Diversas configuraciones de polarización 169 .3 V .22 V Condiciones de saturación Utilice la aproximación de 1~ = le que es una ecuación para la corriente de saturación. y resulta ser la misma que se obtuvo para las configuraciones del divisor de voltaje y de polarización en emisor.66 mA)(3.VBE RB + ¡3(. el primer paso es la derivación de una expresión para la comente de la base.43) Análisis por recta de carga Proseguimos con la aproximación l~.3 kQ + 0.5 !lA le = j3IB = (75)(35. Para el modo de de.7 V =---486.51 kQ) .3 V 201 kQ + 285. Resolviendo para lB se obtiene lB .78 V = 9. El nivel de lB será Q definido por la configuración de polarización elegida. Sin embargo.Solución En este caso la resistencia de la base para el análisis en de está compuesto de dos resistores con un capacitar conectado a partir de la unión con tierra. 4. el capacitar es equivalente a un circuito abierto y RB = R 1 + R2 . Una vez que se conoce la corriente de la base.(2. 35. le y da por resultado la misma recta de carga definida para las configuraciones del divisor de voltaje y de polarización en emisor. 18 V . 17.

V' E RB + f3Rc 20 V . y VcE¡¡ . parece ser algo no ortodoxo y muy diferente a los que se encontraron hasta ahora.7 V 680 kQ + (120)(4.14 Para la red de la figura 4. 170 Capítulo 4 Polarización en dc-BJf .26 V = -10. pero una aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito base dará por resultado la corriente de base deseada. se reduce a lB = = V cc .39: a) Determinar Iq.7 = 11.leRe = 20 V . VE y V. C kQ) = VB - VC = 0.56 V En el siguiente ejemplo el voltaje aplicado está conectado a la terminal del emisor y Rc está directamente conectada a la tierra.51 }lA ICQ = f31.(1. El primer ejemplo explica cómo el resistor de emisor se elimina de la configuración de retroalimentación de voltaje de la figura 4.7 kQ) = 19.244 MQ b) = 15.7 kQ ¡J= 120 e.7 V .26 V VB = VBE = 0. b) Encontrar VB• Vc.39 Retroalimentación en colector con RE'" On. e Re 4. = (120)(15.51}lA) = 1. Solución a) La ausencia de RE reduce la reflexión de los niveles resistivos sólo al de Re y la ecuación para l. Figura 4. El análisis es muy similar.86 mA)(4.11.circuito de salida pueden elegirse prácticamente en forma directa.26 V VE = O V V.3 V 1.0. Pero esto no implica que todas las soluciones tomarán la misma trayectoria.7 V Vc = VCE = 11. pero sí sugiere una ruta a seguir si se encuentra una nueva configuración.34. Al principio. pero requiere de la eliminación de RE de la ecuación aplicada.86 mA VCEQ = Vcc . EJEMPLO 4.

Cuando la misma red se analiza en ac. Solución La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj para la malla base-emisor dará por resultado y La sustitución genera lB = = 9 V .40 Ejemplo 4.Determinar Ve y VE para la red de la figura 4.40. .7 V 100kQ 8.3 V El siguiente ejemplo utiliza una red denominada configuración emisor-seguidor.. EJEMPLO 4.lA le = f31B = (45)(83 ¡.7 Diversas configuraciones de polarización 171 .. Para el análisis en de el colector se conecta a tierra y el voltaje se aplica en la terminal del emisor.. 4.0. se encontrará que tanto las señales de salida como la de entrada están en fase (una siguiendo a la otra) y que el voltaje de salida es ligeramente menor que la señal aplicada..---l{---o '" c.3 V 100 kQ = 83 ¡.2 kQ) = -4A8 V VB = -lsRB = -(83 ¡.lA) = 3.lA)(100 kQ) = -8.15 1..15. 1O¡LF /Jo 45 Figura 4.2 kQ c.735 mA)( 1.735 mA Ve = -leRe = -(3.

Solución La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada dará por resultado -IBRB .41 Configuración de colector común (emisor:"seguidor).(f3 + l)lsRE = 20 V . ~-I\-(.68 V lE = 4. IOpF VEE -20V Figura 4.16 Detenninar VCEQ elE para la red de la figura 4 Al.VBE .3 V = 45. " 0---1)1---..7 V = 19.l¿E + V EE = O pero y lE = (f3 + l)IB VEE .3 V 240 kQ + 182 kQ =---422 kQ 19. C. .V BE .-( ---------------------------------------------------EJEMPLO 4.(91)(45.(f3 + 1)lsRE.0.----1 IOpF C.16 mA 172 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .' o v.73 )lA le = f3l s = (90)(45.lsRB = O con Sustituyendo los valores queda lB = -------240 kQ + (91)(2 kQ) 20 V .12 mA La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida resultará -VEE + I¿E + V CE = O pero y lE V CE Q = (f3 + l)ls = V EE .73 )lA)(2 kQ) = 11.73 )lA) = 4.

Hasta ahora todos los ejemplos usan una configuración de emisor común o de colector común. En el siguiente ejemplo se investiga la configuración de base común. En dicha situación el circuito de entrada se utilizará para deternlÍnar lEen lugar de 1S' Después la corriente del colector queda disponible para realizar un análisis del circuito de salida.

Determine el voltaje V eB y la corriente 'B para la configuración de base común de la figura 4.42.

EJEMPLO 4.17

"~~
"R,
Vu

r~~~
4V

Vec

lOV

...
Figura 4.42 Configuración de base común.

Solución La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada da

y

Sustituyendo los valores, se obtiene
4 V - 0.7 V
= 2.75 mA

1.2 ka
La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida da
-VCB + leRc - V ee Y V CB

=O

= Vec

- lcR-c con le ~ lE

= 10 V - (2.75 mA)(2.4 ka) = 3.4 V lB =

í
f3
2.75 mA 60

= = 45.8

!lA

El ejemplo 4.18 utiliza una fuente doble y requiere de la aplicación del teorema de Thévenin para detenninar las incógnitas deseadas. 4.7 Diversas configuraciones de polarización

173

EJEMPLO 4.18

Especifique Ve y VB para la red de la figura 4.43.
Vcc =+20V

Re R,
8.2kQ

2.7Hl

e
B

e,

,;

,{

o v"

e,
v, o

10 ¡..LF

10 IlF

1:

~
E

.Jl=12ij
1.8kn

R,

2.2kn

RE

VEE =-20V

Figura 4.43

Ejemplo 4.18.

Solución La resistencia y voltaje Thévenin se calculan para la red a la izquierda de la terminal de la base. como se muestra en las figuras 4.44 y 4.45.

8.2kil
>~~~~~~----~--~--QB

JI1
8.2 k.!l

+

Figura 4.44

Determinación de RTh ,

figura 4.45

Determinación de ETh'

RTh = 8.2 kQ

112.2 kQ

= 1.73 kQ

1=

Vec + VEE

=

20 V + 20 V 8.2 ka + 2.2 ka

=--10.4 kQ

40 V

R¡ + Rz
= 3.85 mA

= (3.85 mA)(2.2 ka) - 20 V = -11.53 V
Luego la red puede ser redibujada según se muestra en la figura 4.46, donde la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff da por resultado

-ETh
174 Capítulo 4

-

leRTh -

V BE -

I~E

+

V EE

= O

Polarización en dc-BJT

p= 120
E
11..53 V

VEE =-20V

Figura 4.46 Sustitución del circuito equivalente de Thévenin.

Sustituyendo lE = (¡J + 1)18 da
Va - ETh - VBE -

(¡J + I)IBRE - IBRTh = O
VBE
I)R E

e

VEE RTh +

ETh -

(¡J +

20 V - 11.53 V - 0.7 V 1.73 ka + (121)(1.8 kQ)

=---219.53 ka

7.77 V

= 35.39
le = ¡JIB

j.iA

= (120)(35.39 ¡lA)

= 4.25

mA

Ve = Vcc - ¡eRe = 20 V - (4.25 mA)(2.7 ka)
= 8.53 V

VB = -ETh - IsRTh = -(11.53 V) (35.39 ¡LA)(1.73 ka)
= -11.59 V

4.8 OPERACIONES DE DISEÑO
Hasta ahora los análisis se enfocan al estudio de la~ redes existentes. Todos los elementos están en su lugar, y sólo es cuestión de resolver para determinar los niveles de corriente y de voltaje de la configuración. El proceso de diseño es donde se especifican la corriente y/o e! voltaje, y deben detenninarse los elementos requeridos para fijar los niveles de! diseño. Este proceso de

síntesis requiere de una muy clara comprensión de las características del dispositivo, las ecuaciones básicas para la red y un gran conocimiento de las leyes básicas del análisis de
circuitos, como la ley de Ohm, la ley de voltaje de Kirchhoff, y así sucesivamente. En la mayoría de las situaciones se reta al proceso de pensamiento en un grado alto durante el proceso de diseño, mucho más que durante la secuencia de análisis. La trayectoria hacia la solución está menos definida, y puede requerir de cierta cantidad de suposiciones básicas que no se tienen que hacer cuando simplemente se analiza una red.

4.8 Operaciones de diseño

175

Es obvio que la secuencia de diseño es sensible a los componentes que ya se han especificado ya los elementos que deben determinarse. Si se han especificado tanto el transistor como las fuentes, el proceso de diseño simplemente determinará los resistores que se requieren para un diseño en particular. Una vez que se han decidido los valores teóricos de los resistores, normalmente se escogen los valores estándares comerciales más cercanos, y se aceptan cualesquiera de las variaciones debidas a la no utilización de los resistores de los valores exactos. Es cierto que se trata de una aproximación válida,considerando las tolerancias que con frecuencia se asocian a los elementos resistivos y a los parámetros de los transistores. Si se deben determinar valores resistivos, un~ de las ecuaciones más poderosas es simplemente la ley de Ohm, de la siguiente manera:

I

Ru"" =

R

V

IR

I

(4.44)

En un diseño particular, el voltaje a través de un resistor a menudo puede detenninarse a partir de los niveles que se especificaron. Si existen especificaciones adicionales que definan el nivel de corriente, la ecuación (4.44) puede utilizarse para calcular la resistencia requerida. Los primeros ejemplos demostrarán la forma en que los elementos particulares pueden determinar,e a partir de los nivel"" ""peciflcados. Má, adelante ,e presentará un procedimiento completo de diseño para dos configuraciones comunes.

EJEMPLO 4.19

Dadas las características del dispositivo de la figura 4.47a, determinar Vce RB y Rc para la configuración de polarización fija de la figura 4.47b.

8

lB = 4O).IA

~~~~-

Q

o
(a)

(b)

figura 4.47 Ejemplo 4.19.

Solución De la recta de carga
V cc = 20 V

y

20 V 8 mA

= 2.5 ka

lB
con

=

Vcc - VBE RB Vcc - VBE lB
21l V - 1l.7 V 4O¡JA

RB =

=
176
capítulo 4 Polarización en dc-B.IT

=

19.3 V 40 ¡JA

= 482.5

ka

Los resistores de valores estándar:
Rc = 2.4 kQ

R B = 470 kQ El uso de resistores de valores estándar dan lB = 41.1 !lA

la cual se encuentra dentro del 5% del valor especificado.

Dado ICQ = 2 mA y VCEQ = 10 V, determinar R¡ y Rc para la red de la figura 4.48.
v

EJEMPLO 420

!O¡¡F

',o-----~r----+-------~
¡8 kil

1.2kQ

Figura 4.48 Ejemplo 4.20.

Solución
VE = I~E '" leRE

= (2
VB

mA)(1.2 kQ)

= 2.4
V

V

V B = V BE + VE = 0.7 V + 2.4 V = 3.l V
2 CC = --~.== 3.l

RV

R¡ + R2

y

(18 kQ)(18 V)
R¡ + 18 kQ

= 3.1

V

324 kQ = 3.l R¡ + 55.8 kQ 3.l R¡ = 268.2 kQ
R¡ = - - - - = 86.52 kQ

268.2 kQ 3.l

La ecuación (4.44): con

RC = VR , le

= Vec - Ve
le

Ve = V CE + VE = 10 V + 2.4 V = 12.4 V

y

18 V - 12.4 V

2 mA

= 2.8 kQ
Los valores estándar comerciales más cercanos a R¡ son 82 kQ Y 91 kQ. Sin embargo, el empleo de la combinación en serie de los valores estándar de 82 kQ Y 4.7 kQ. = 86.7 kQ resultaría en un valor muy cercano al nivel de diseño.
4.8 Operaciones de diseño

177

EJEMPLO 4.21

La configuración de polarización en emisor de la figura 4.49 tiene las siguientes especificaciones: leo = Ve"Je",= 8 mA, Ve = 18 V Y f3 =110. Detenninar Re' RE y RB •
r-------~--~28V

FIgUra 4.49

Ejemplo 4.21.

Solución

=

28 V - 18 V

= 2.5 ka

4 mA

y

RE

=

Vee le",

28 V

=

8 mA

=

3.5 ka

RE = 3.5 ka - Re

= 3.5 kQ - 2.5 kQ

= 1 ka
lB
Q

=

le
-Q-

f3

= - - = 36.36 J1A
110

4 mA

y

con

= - - - - - (lll)(l ka)
36.36 J1A

=---36.36 J1A
= 639.8 ka
178
Capitulo 4 Polarización en dc-BJT

27.3 V

111 ka

Para los valores estándar:
Re = 2.4 ka RE = 1 ka

RB = 620 ka

El análisis que sigue presenta una técnica para el diseño de un circuito completo, pensado para operar en un punto de polarización específico. A menudo, las hojas de especificaciones del fabricante ofrecen infonnación sobre un punto de operación sugerido (o región de operación) para un transistor en particular. Además, los otros componentes del sistema conectados a una etapa de amplificación dada pueden definÍr también la excursión de la corriente, la excursión del voltaje, el valor del voltaje de la fuente común, y así sucesivamente para el diseño. En la práctica real, muchos otros factores deben considerarse, porque pueden afectar la selección del punto de operación que se desea obtener. Sin embargo, por el momento nos concentraremos en la determinación de los valores de los componentes para encontrar un punto de operación específico. El análisis estará limitado a las configuraciones de polarización en emisor y a la de polarización por divisor de voltaje. aunque el mismo procedimiento puede aplicarse a una variedad de otros circuitos de transistores.

Diseño de un circuito de polarización con retroalimentación en el resistor de emisor
Considere primero el diseño de los componentes de polarización de de de un circuito amplificador, que posee la estabilización mediante el resistor de emisor, igual que en la figura 4.50. El voltaje de la fuente y el punto de operación se seleccionaron a partir de la información que ofreció el fabricante sobre el transistor utilizado en el amplificador.

R,

c,

C,
entrada \ de ac ----,I----+-----t VB 2N4401 10 ¡iF (p. 150)

'"---tI-salida + deac
T

1O¡tF

Figura 4.50

Circuito de polarización

con estabilización en emisor para consideración de disefio.

La selección de los resistores de colector y emisor 00 pueden proceder directamente de la información recién especificada. La ecuación que relaciona los voltajes alrededor de la malla colector-emisor tiene dos incógnitas, los resistores Re y RE. En este momento se debe hacer un juicio de ingeniería, como comparar el nivel del voltaje del emisor con el voltaje de la fuente. Recuerde la necesidad de incluir un resistor del emisor a tierra para ofrecer un medio de estabilización de la polarización de de, de tal forma que el cambio de la corriente del colector debido a corrientes de fuga del transistor y la beta del transistor no ocasionen un gran cambio en el punto de operación. Por lógica, el resistor de emisor no puede ser demasiado grande, porque su voltaje limita el rango de la excursión de voltaje colector-emisor (que debe observarse cuando la respuesta en ac se analice). Los ejemplos examinados en este capítulo revelan

4.8 Operaciones de diseño

179

que el voltaje del emisor hacia tierra es por lo general de un cuarto a un décimo del voltaje de la fuente. Elegir un caso conservador de un décimo pennitirá calcular el resistor de emisor RE y el resistor Re de una manera parecida a los ejemplos recién completados. En el siguiente ejemplo se desarrolla un diseño completo de la red de la figura 4.49 utilizando el criterio que presentamos antes para el voltaje de emisor.

EJEMPLO 422

Determine los valores de los resistores para la red de la figura 4.50 para el punto de operación y el voltaje de la fuente de alimentación.
Solución
VE =",Vec =",(20 V)= 2 V

RE = lE
Re = V Re

VE

VE 2 V '" - - = - - = 1 kQ lc 2mA
= Vcc - VCE - VE = 20 V-lO V - 2 V = ~

le
= 4 kQ

le

2 mA

2 mA

le 1 = -- =
B

2 mA
150

f3

= 13.33 }lA 20 V - 0.7 V - 2 V

RB = -R' - = lB
",1.3MQ

V

--~--~~---=-

Vec-VBE-VE

=

lB

13.33 }lA

Diseño de un circuito de ganancia de corriente estabilizada (independiente de beta)
El circuito de la figura 4.51 ofrece estabilización tanto para los cambios por la corriente de fuga como por la ganancia de corriente (beta). Los cuatro valores de los resistores que mostramos deben obtenerse para el punto de operación especificado. El criterio de ingeniena para la selección de un valor del voltaje del emisor VE se utiliza de la misma forma que las consideraciones previas de diseño, porque guían hacia una solución directa para todos los valores de los resistores. Estos pasos del diseño se muestran en el siguiente ejemplo.

Vcc = 20 V

le, = !O rnA

I 't

C,

C, entrada ___ \ de ac ~f---1~----I

¡ " - - - J L - - salida + ,deac 1O¡ñ'
V CEQ

1O¡ñ'

=8V

(3(mín) = 80

...
180
Capítulo 4

...

FIgUra 4.51 Circuito con ganancia en corriente estabilizada para consideraciones
de diseño .

Polarización en dc-BJf

------------------------------------------------------------EJEMPLO 423
Determine los niveles de Re' RE' R] YRo para la red de la figura 4.51 para el punto de operación indicado.
RE

-<;

=- - lE

VE

VE le

2 V lO mA

= 200Q =
20 V - 8 V - 2 V

Re

=~ =
le

VCC - VeE - VE le

10 mA

=

lOV

lO mA

= lkQ
VB

= VBE

+ VE

= 0.7

V + 2 V = 2.7 V

Las ecuaciones para el cálculo de los resistores de base R 1 Y R2 necesitarán de ciertos análisis. Usar el valor del voltaje de la base calculado arriba y el valor del voltaje de la fuente proporcionará una ecuación, pero existen dos incógnitas, R¡ y R2 , Se puede obtener una ecuación adicional entendiendo la operación de estos dos resistores, al fijar el voltaje de base necesario. Para que el circuito opere de manera eficiente se asume que la corriente a través de R 1 Y R2 debe ser aproximadamente igual y mucho mayor que la corriente de la base (por lo menos 1O:1). Este hecho y la ecuación del divisor de voltaje para el voltaje de base ofrecen las dos relaciones necesarias para determinar los resistores de la base. Esto es,

y

La sustitución da
Ro $,),(80)(0.2 kQ)

1.6 kQ
Vs = 2.7 V
y

0.6

kQ)(20 V)

R] + 1.6 ka

2.7R] + 4.32 ka

= 32

ka

2.7R] = 27.68 ka

R] = 10.25 kQ (use 10 ka)

4.9 REDES DE CONMUTACIÓN DE TRANSISTORES
Aplicar los transistores no se limita únicamente a la amplificación de señales. A través de un diseño adecuado pueden utilizarse como un interruptor para computadora y para aplicaciones de control. La red de la figura 4.52a puede emplearse como un inversor en los circuitos lógicos de las computadoras. Obsérvese que el voltaje de salida Ve es opuesto al que se aplicó sobre la base o a la terminal de entrada. También obsérvese la ausencia de una fuente de dc conectada al circuito de la base. La única fuente de dc está conectada al colector o lado de la salida, y para las aplicaciones de computadoras normalmente es igual a la magnitud del nivel "alto" de la señal aplicada, en este caso 5 V.
4,9 Redes de conmutación de transistores

181

5V

5V

.....

OV

Ic(mA)

68 k,Q

hFE = 125

1 ...

-

OV

le"" == 6.1

mA,l-__________________ 50 !lA
6~

71-

r----------------------------~~A

4~~--~~~--------3

5~~--~~-----------------------40~

,r--------=::""'::::~:-------- 20~A
__------------------------~~-----

~
1 t

30 I-lA

2

~ I,=O~
5
Vcc = 5 V

lO~A

2

3

4

ICEO=OmA

(b)

Flgura 4.52 Transistor inversor.

El diseño ideal para el proceso de inversión requiere que el punto de operación conmute de corte a la saturación, pero a lo largo de la recta de carga descrita en la figura 4.52b. Para estos propósitos se asumirá que 1C = 1CEO = OmA cuando lB = O pA (una excelente aproximación de acuerdo con las mejoras de las técnicas de fabricación), como se muestra en la figura 4.52b. Además, se asumirá que VCE = VCE,,, OV en lugar del nivel típico de 0.1 a 0.3 V. Cuando Vi;;: 5 V, el transistor se encontrará "encendido" y el diseño debe asegurar que la red está saturada totalmente por un nivel de lB mayor asociado con la curva lB' que aparece cerca del nivel de saturación. La figura 4.52b requiere que lB > 50 pA. El nivel de saturación para la corriente del colector y para el circuito de la figura 4.52a está definido por

=

1

C sa,

CC =----

V

R

(4.45)

C

182

Capitulo 4 Polarización en dc-BJT

Los resultados del nivel de lB en la región activa justo antes de la saturación pueden aproximarse mediante la siguiente ecuación:

Por 10 mismo, para el nivel de saturación se debe asegurar que la siguiente condición se satisfaga:

(4.46) Para la red de la figura 4.52b cuando Vi =5 V, el nivel resultante de lB es el siguiente:
Vi - 0.7 V
lB =

5 V - 0.7 V
= = 63 J.1A

RB
V ee

68 kQ 5 V
'" 6.1 mA

e

1

c,~,

=-~

R

=

e

0.82 kQ

Comprobando la ecuación (4.46) da
- - - - = 48.8 ¡.tA

6.1 mA 125

la cual es satisfecha. Es cierto que cualquier nivel de lB mayor que 60 ¡.tA pasará a través del punto Q sobre la recta de carga, que se encuentra muy cerca del eje vertical. Para Vi = OV'/B = O¡.tA, y dado que se está suponiendo que le = ICEO = OmA,el voltaje cae a través de Rc como 10 determinó VRc = ¡eRe = O V, dando por resultado Ve = +5 V para la
respuesta indicada en la figura 4.52a. Además de su contribución en los circuitos lógicos de las computadoras, el transistor se puede utilizar como un interruptor, si se emplean los extremos de la recta de carga. En la saturación la corriente lc es muy alta y el voltaje VCE muy bajo. El resultado es un nivel de resistencia entre las dos tenninales detenninado por

y descrito en la figura 4.53.

E E

Figura 4.53 Condiciones de saturación y la resistencia resultante de la tenninal.
VCE~

Si se utiliza un típico valor promedio de

como 0.15 V da como resultado

R

'"

=

- - - = 24.60.

0.15 V

6.1 mA

el cual es un valor relativamente bajo y ::: O Q cuando se coloca en serie con resistores en el

rango de los kilohms.
4.9 Redes de conmutación de transistores

183

Figura 4.54 Condiciones de corte y la resistencia resultante de la terminal.

Para Vi = OV como lo vemos en la figura 4.54, la condición de corte ocasionará un nivel de resistencia de la siguiente magnitud:
ee R con, = -= l CEO O mA V

5 V

=~Q

resultando en la equivalencia de circuito abierto. Para un valor típico de leEO = 10 ¡LA, la

magnitud de la resistencia de corte es

que se aproxima a la equivalencia de circuito abierto para muchas situaciones.

EJEMPLO 4.24

Determine R B Y Re para el transistor inversor de la figura 4.55 si le
Vcc=lOV

"'

= 10 mA.

v,
IOV IOV

hFE = 250

v

Flgura 4.55

Inversor para el ejemplo 4.24.

Solución En la saturación:

l

e'al

=

y

10 mA

=

así que En la saturación:
lB '"

Re
l

=

IOV

10 mA

= 1 kQ = 40
¡LA

~

f3""

=

10 mA
250

Elija lB = 60 ¡LA para asegurar la saturación, y utilizando
lB = Vi - 0.7 V

RB
184
Capitulo 4 Polarización en dc-BJT

se obtiene

v, -

0.7 V
;

10 V - 0.7 V

155 kQ

60 !lA
Seleccione R B = 150 kQ. el cual es el valor estándar. Luego

v, -

0.7 V
;

- - - - - - ; 62 !lA
150 kQ

10 V - 0.7 V

RB
e
lB ; 62 )lA >

; 40 )lA

Por tanto. use RB

;

150 kQ YRe; 1 kQ.

Existen transistores que se les denomina transistores de conmutación debido a la velocidad con que cambian de un nivel de voltaje a otro. En la figura 3.23c los periodos de tiempo definidos como t s ' td' tI" Y tI se proporcionan en función de la comente de colector. Su impacto sobre la velocidad de respuesta de la salida del colector se define por la respuesta de la comente de colector de la figura 4.56. El tiempo total necesario para que el transistor cambie del estado "apagado" al "encenciido" está designado como tencendido y definido por

I
Transistor "encendido"

tencendido

= t r + td

I

(4.47)

siendo t d el tiempo de retardo entre el estado de cambio de la entrada y el comienzo de una respuesta en la salida. El elemento de tiempo t, es el tiempo de subida del 10 al 90% del valor final.
Transistor "apagado"

1009,

909',

-

-

-

-

-

-

-

- -

_1- _ _ I

I

lOge

,- I - - - - - - - - - -1- - - -1- , , , ,

I

I

- -' o
1,
,

--+<
,

1,

' ,--+<,
I[

1,

,tencendido

I

,
~,

tapagado

,,_

Figura 4.56 Definición de los intervalos de tiempo de una forma de onda de pulso.

El tiempo total que requiere un tra.'1sistor para cambiar del estado "encendido" al "apagado" se le conoce como tapagado y se define así (4.48) donde t, es el tiempo de almacenamiemo y tr es el tiempo de bajada del 90 al 10% del valor inicial. 4.9 Redes de conmutación de transistores 185

y a menos que se conozca otro diseño para esta respuesta.3VGe Para el amplificador típico a transistor que está en la región activa.3 V que sugieren un dispositivo saturado. y así que I f = 12 ns I. + f = 120 ns + 12 ns 132 nS Al comparar los valores anteriores con los siguientes parámetros de un transistor de conmutaCión BSV52L. Para un transistor pnp pueden usarse las mismas conexiones. Un nivel de voltaje de igual importancia es el voltaje del colector al emisor. V CE está por lo general entre el 25 y el 75% de V cc" Figura 4.l" Id = 120 ns = 25 ns = 13 ns 1. que no puede ser cubierto un rango tan lleno de posibilidades y de técnicas en unas cuantas secciones de un libro. Obsérvese que la punta de prueba roja (positiva) se encuentra conectada a la base para un transistor npn y la negra (negativa) al emisor.?agadQ = + Id I = 13 ns + 25ns=38ns y . deben investigarse tanto e1 diseño como la operación. se observa una de las razones para elegir un transistor de conmutación cuando surge la necesidad de éste. es mejor verificar las conexiones del dispositivo o la red.7 V Si o::O.7 V.Va) ~ ~ ~ O (J) + - 0. pero debe esperarse una lectura negativa. 4 Y O 12 Y.57 Verificación del nivel de de VBE" Para V ce = 20 Y una lectura de V CE entre 1 y 2 Y o entre 18 y 20 Y como se mide en la figura 4. se encuentra que t.con los niveles de VCEen la vecindad de 0.7 Y.10 TÉCNICAS PARA LA LOCAUZACIÓN DE FALLAS El arte de la localización de fallas es un tema tan amplio. un practicante debe estar enterado de unas cuantas maniobras y medidas que pueden aislar el área de problema. Las conexiones adecuadas para medir VaE aparecen en la figura 4. t encendido = 12 ns y t apagado == 18 os 4. como O Y. Cualquier lectura totalmente diferente del nivel esperado de más o menos 0.. Para el transistor que está en la región activa el nivel dc mesurable más importante es el voltaje emisor-base. Sin embargo: .58. y posiblemente encontrar una solución. Es muy obvio que el primer paso para poder resolver un problema en una red es entender el comportamiento de la misma y tener alguna idea de los niveles de voltaje y corriente esperados. I tencendido tl. por lo mismo.3 V = satu"ción O v = estado de corto circuito o de conexión pobre Normalmente unos cuantos volts o más Figura 4. Para un transistor "encendido" el voltaje V BE debe estar en la vecindad de 0..Para el transistor de propósito general de la figura 3. o si es negativo el valor se debe sospechar de él. una condición que no debe existir a menos que se esté usando como interruptor.57. Recuerde las características generales de un BJT.: 10 mA. Si VCE = 20 V (con Vcc = 20 Y) existen por lo menos dos posibilidades: O bien el dispositivo (BJT) está ~ E ~ \ ~ ------.l. es cieno que es un resultado fuera de lo común.58 de de Ver" Verificación del nivel 186 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .23c a le. Sin embargo.:::0.

60 Verificación de los niveles de voltaje respecto a tierra. En la figura 4. Para las redes cubiertas en este capitulo se deben considerar los niveles típicos dentro del sistema. Todos los niveles de los resistores parecen adecuados. ¿qué sigue? Ahora. los niveles de corriente se calculan a partir de los niveles de voltaje a través de los resistores. V C . ¿Podría ser que la conexión interna entre el cable y la conexión final de una punta esté dañada? ¿Cuántas veces el simple hecho de tocar una punta crea una situación "'correcta o incorrecta" entre las conexiones? Quizá la fuente fue encendida y ajustada en el voltaje correcto. que la sección de vólmetro de un VOM o DMM es muy importante en el proceso de localización de fallas. mientras más sofisticado es el sistema. En la figura 4. Habrá momentos en que surgirá la frustración. En Ve la lectura debe ser menor por la caída a través de Re y V E debe ser menor que Ve por el voltaje colector emisor V eE . Uno de los errores más comunes en la experiencia de laboratorio es el uso del valor erróneo de la resistencia para un diseño dado. la corriente .V E (la diferencia entre los dos niveles como se midió arriba). El resultado será tener valores reales más cercanos a los niveles teóricos y cierta seguridad de que el valor correcto de la resistencia se utiliza. más extenso el rango de posibilidades.0.dañado y tiene las carf!1cterísticas de un circuito abierto entre las terminales del colector y del emisor. existe la posibilidad de que el BIT esté dañado y presente un equivalente de corto circuito entre las terminales del colector y del emisor. porque la red tiene una tierra común para la fuente y los componentes de la red.59 Efecto de una conexión pobre o un dispositivo dañado... es una buena inversión de tiempo hacer la medición de un resistor antes de insertarlo en la red.. la persona encargada de resolver el problema debe esforzarse para lograr un mayor nivel de sofisticación.7 V VCc =20V lc=OmA +~ Re conexión ___ ~ abierta ----/ I 20 v = 28.4 pA. Y VR e son valores razonables pero VCE = O V.59.59 la punta de prueba negra del vólmetro está conectada a la tierra común de la fuente y la roja a la terminal inferior del resistor. de base resultante seria 20 V . uno de los métodos más efectivos para verificar la operación de una red es probando varios niveles de voltaje respecto a la tierra y al conectar la punta de prueba negra (negativa) de un vólmetro a tierra y "tocando" las terminales importantes con la punta de prueba roja (positiva). en lugar de "romper" la red para insertar la sección de miliamperímetro de un multímetro.60. la red puede estar saturada con un dispositivo que esté o no defectuoso. haciendo le O mA y VRe = O V.: 20 V Y una configuración de polarización fija. se deben leer V cc volts. Ya que los valores reales de los resistores a menudo son diferentes de los valores de los códigos de color nominales (recuerde que los valores de tolerancia de los resistores). si la punta roja se conecta directamente a Vcc . Obviamente. 187 .4 mA es cierto que colocaría al diseño en una región de saturación y es posible que se dañe el dispositivo. Para V cc. como 10 definió el potencial aplicado y la operación general de la red. En los diagramas grandes se ofrecen los niveles específicos de voltaje respecto a la tierra. evitando el nivel adecuado de corriente según lo demanda el diseño de la red.:. la lectura será de O V. La falla en cualquiera de estos dos puntos sirve para registrar lo que podría parecer un nivel razonable y ser autosuficiente para definir la falla o el elemento defectuoso. porque V ee está bloqueado del dispositivo activo por un circuito abierto. para facilitar la verificación e identificación de las posibles áreas de problemas. 680 Q en lugar del valor deseado de 28. En cualquier caso.10 Técnicas para la localización de fallas Figura 4. Antes dijimos que si VCE registra un nivel de aproximadamente 0.3 V. Se habrá verificado el dispositivo en un trazador de curvas u otro instrumento para probar BJT y parecerá correcto. Parecería obvio. Si el medidor está conectado a la terminal del colector del BJT. a partir del análisis anterior. las conexiones se ven sólidas y se ha aplicado la fuente adecuada de voltaje. o bien una conexión en la mal1a del circuito del colector-emisor o base-emisor está abierta como en la figura 4. Imagine el impacto del uso de un resistor de 680 Q para Ra en lugar del valor de diseño de 680 ka. Si VR . 4. pero el control de limitación de corriente se dejó en cero. Por 10 general.4 mA Figura 4. La ausencia de una corriente del colector y de la caída de voltaje resultante a través de Re darán por resultado una lectura de 20 V. ¡una diferencia significativa! Una corriente base de 28.:. como señala VCE.

la corriente de base debería ser lB = 79. ::!ov 3. encontrar la posible causa.25 .3 V 452 kil (/3 + l)R E 250 kQ + (101)(2 kil) = 42. La experiencia es la clave..V 20 V . el resultado es que el transistor está dañado en una condición de corto circuito entre la base y el emisor.= RB + V .62. Los 20 V en el colector revelan inmediatamente que le = O mA.4 }lA cc BE = ----"''------''''-=--------.3 kQ 211 Y p= lOO 2kQ . debido a un circuito abierto o a un transistor que no está operando. EJEMPLO 425 Es importante basarse en las lecturas ofrecidas en la figura 4. se obtiene la siguiente corriente a través de R B' 20 V 252 kil la cual asemeja a la obtenida de 19. = 19. y ésta vendrá únicamente con la exposición continua a los circuitos prácticos.0. El nivel de VR .85 V 250 kil Si la red se encontrara operando de manera adecuada. determinar si el transistor se encuentra "encendido" y si la red está operando de manera correcta.61 Red para el ejemplo 4.El proceso de localización de fallas es una verdadera prueba para comprender claramente el comportamiento adecuado de una red y su habilidad para aislar las áreas problemáticas -utilizando unas cuantas medidas básicas con los instrumentos apropiados.4 }lA = 79. y si no 10 está.. EJEMPLO 426 188 Basándose en las lecturas que aparecen en la figura 4. Capitulo 4 Polarización en dc-BJT .85 V también revela que el transistor está en "apagado" porque la diferencia de Vec .61 para determinar si la red está operando adecuadamente.7 }lA Por tanto. == 0. Solución Figura 4.7 V 19.15 V es menor que la necesaria para encender el transistor y proporcionar algún voltaje para VE' Si se asume una condición de corto circuito desde la base al emisor.VR ¡.

O mA.. las direcciones de las corrientes se invirtieron para reflejar las direcciones reales de coriducción. 4.63. el análisis se ha limitado totalmente a los transistores npn para asegurar que el análisis inicial de las configuraciones básicas sean 10 más claras posible y simplificadas para no intercambiar entre los tipos de transistores. debe verificarse el transistor usando uno de los métodos descritos en el capítulo 3.63: + + La sustitución de lE = «(3 + 1)1B Y solución para lB da por resultado (4.3 Ven el emisor son el resultado de una caída de 0. Sin embargo. Sin embargo.7 V a través de la unión base-emisor del transistor lo que sugiere un transistor "encendido". Como se observa en la figura 4. Para V CE la ley de voltaje de Kirchhoff se aplica a la malla colector-emisor.63.63 Transistor pnp en una configuración de estabilización en emisor. según la figura 4.49) y la ecuación (4. dando por resultado la siguiente ecuación: Figura 4.7 V Yla sustitución de los valores resultará el mismo signo para cada término de la ecuación (4. el análisis de los transistores pnp sigue el mismo patrón que se estableció para los transistores npn.63. como se pudo observar anteriormente. 20 V 4. el voltaje VCE tendrá un signo negativo.17). aunque la conexión a la fuente debe ser "sólida" o los 20 V no aparecerían en el colector del dispositivo. Por fortuna. la notacíón de doble subíndice continúa de manera normal. o el transistor tiene abierta la unión base-colector. en este caso VBE = -0. Primero se verifica la continuidad en la unión del colector utilizando un óhmetro. Existen dos posibilidades: o bien puede existir una conexión pobre entre Re y la terminal del colector del transistor.11 Transistores pnp 189 . La ecuación resultante es la misma que la ecuación (4.Solución Si nos basamos en los valores de los resistores RI y R 2 Yla magnitud de Vcc ' el voltaje Vs :::.. La única diferencia entre las ecuaciones resultantes para una red en la que se reemplazó un transistor npn por un transistor pnp es la señal asociada con las cantidades en particular.7 kQ 80 kQ 20\" 4v 3. tanto VSE como V CE serán cantidades negativas.62 Red para el ejemplo 4.: 4 V parece adecuado (y de hecho lo es). y si está bien. Primero se calcula el nivel de lB' seguido por la aplicación de las relaciones adecuadas de los transistores para determinar la lista de las cantidades que se ignoran. como ya se mencionó. Sin embargo.49) R. Debido a que Vcc será mayor que la magnitud del término subsiguiente. Los 3.17) excepto por el signo para VBE .19). Considere que la dirección de lB ahora se definíó como opuesta para un transistor npn. Hasta ahora. pero el signo antes de cada término en el miembro de la derecha ha cambiado. En caso de que se utilicen las polaridades definidas de la figura 4. (4.. los 20 Ven el colector revelan que le:.3 y 20 kQ 1 kn 4.26.50) La ecuación resultante tiene el mismo formato que la ecuación (4. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoffa la malla base-emisor dará por resultado la siguiente ecuación para la red de la figura 4.11 TRANSISTORES PNP Figura 4.

r---------~)-18V 2.l) '" 10(10 kQ) 132 kQ '" lOO kQ (satisfecha) Si se resuelve para VE' se tiene VB = R. V ec R.(-D.1 kQ 8 + Figura 4.Q 47 ka 10 ¡iF t-c--~:~I(f-----<o '" 10 IlF ".16 V .VBE . = (10 kf.46 V 1.IT . Para un transistor npn la ecuación VE = V B . V eE p= 120 1"E lOkQ 1.l)(-18 V) 47 kQ + 10 kQ = -3. se obtiene VE = -3. Solución Probando la condición f3R E '" IOR 2 da por resultado (120)(1.EJEMPLO 4. o>- -----1-1".7 V) = -3.16 V + 0.1 kf. + R.VBE Sustituyendo los valores.27 Calcule VCE para la configuración de polarización por divisor de voltaje de la figura 4.111----+--0------1 t-..64 Transistor pnp en una configuración de polarización por divisor de voltaje.VE = O y VE = V B .16 V Obsérvese la similitud en el fonnato de la ecuación con el voltaje resultante negativo para VB " La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla base-emisor genera +VB . La corriente lE = VE RE = 2. la única diferencia aparece cuando se sustituyen los valores. se tiene VeE = -Vee + leCRe + RE) 190 Capitulo 4 Polarización en dc-B.1 kQ = 2.64.7 V = -2.24 mA Para la malla colector-emisor: Sustituyendo lE == le y acomodando los términos.V BE sería exactamente la misma..46 V Nótese cómo en la ecuación anterior se utiliza la notación de subíndice sencillo y doble.4 k.

Como lo muestra la figura.12 Estabilización de la polarización 191 .65 a 0.2 b 20 50 80 120 VSE (V) 0. pero existirá la misma magnitud de la corriente de base a altas temperaturas. Un mejor circuito de polarización es el que estabilizará o mantendrá la polari- 4. la corriente del colector le es sensible a cada uno de los siguientes parámetros: [3: se incrementa con el aumento en la temperatura VBE decrece aproximadamente 7.12 V ESTABILIZACIÓN DE lA POlARIZACIÓN La estabilidad de un sistema es una medida de la sensibilidad de una red hacia las variaciones en sus parámetros.3 x 10-·' 0.65a en lB = 30 ¡lA. La tabla 4.85 0. Se marca un punto de forma arbitraria en la figura 4. el nuevo punto de operación puede no ser satisfactorio y ocasionar una distorsión considerable debido al cambio del punto de polarización.1 nA. ninguno se ve afectado por la temperatura o el cambio en la corriente de fuga o en la beta.1 Variación de los parámetros de un transistor de silicio con la temperatura T ce) -65 25 100 175 leo (nA) 0.65 0.48 0. En cualquier caso. Obsérvese que el incremento significativo en la corriente de fuga no solamente causa que las curvas se eleven sino que también existe un incremento en la beta. La figura 4.48 V.65b.l kQ) = -18 V + 7.3 x 10 3 El efecto de los cambios en la comente de fuga (1col y la ganancia de comente (ff¡ sobre el punto de polarización de dc se demuestra por las características de colector para emisor-común de las figuras 4. según se observa a través del mayor espaciamiento entre las curvas. Debido a que el circuito de polarización fija proporciona una corriente de base cuyo valor depende aproximadamente del voltaje de la fuente de alimentación y el resistor de la base.84 V = -10.65b. En cualquier amplificador que utiliza un transistor.65a y 4. Se puede especificar un punto de operación mediante el dibujo de la recta de carga de dc del circuito sobre la gráfica de las características de colector. (3 se incrementó de 50 a 80 y VBE cayó de 0. Para la misma variación en temperatura.24 mA)(2. según se indica en la gráfica de la figura 4. dará por resultado el cambio del punto de polarización de de a una mayor comente de colector y a un menor voltaje colector-emisor en el punto de operación. mientras que a lOO oC (punto de ebullición del agua) leo es aproximadamente 200 veces mayor a 20 nA.4 kQ + l.5 mV por incremento en grado Celsius (oC) en la temperatura leo (corriente de saturación inversa): duplica su valor por cada 10 oC de incremento en la temperatura Cualquiera o todos estos factores pueden causar que el punto de polarización cambie del punto de operación diseñado. da Ve ~ -18 V + (2. I 1: = TABLA 4.1 describe la forma en que leo y V BE camhiaron con el incremento en la temperatura para un transistor en particular. A temperatura ambiente (cerca de 25 OC) leo 0. el transistor no podría llevarse a saturación.65 muestra la forma como cambian las caractensticas de colector del transistor desde una temperarura de 25 OC a una temperarura de 100 oC.16 4.Sustituyendo los valores. Recuerde que lB es muy sensible al nivel de V8E • especialmente para los niveles más allá del valor del umbral. y notando la intersección de la recta de carga y la corriente de base de dc establecida por el circuito de entrada. En el extremo.1 20 3.

.5 1 a 4_53) como los factores de sensibilidad porque: 192 Capítulo 4 Polarización en dc-BJ'f . si un cambio en leo no puede producir un cambio significativo en le' el factor de estabilidad definido por S(leo) = Me /Meo será muy pequeño_ En otras palabras: Las redes que son muy estables y relativamente insensibles a las variaciones en la temperatura tienen bajos factores de estabilidad..IC (mA) • le (mAl I 670 ¡lA 6O~A I 50 ¡lA 6. Factores de estabilidad. Para una configuración en particular.. S(VB¡) y S(ft) Se definió un factor de estabilidad S para cada uno de los parámetros que afectan la estabilidad de la polaridad.65 Cambio en el punto de polarización de dc (punto Q) debido al cambio en la temperatura: a) 25°C..51) S(VBE ) = Me '" VBE (4_52) SCfJJ = .__. según se estableció mediante el cambio de la cantidad en el denominador..... S(IcO>.- Me (4... según se lista a continuación: S(lco) = Me Meo (4. de forma que el amplificador puede utilizarse en un ambiente de temperatura variable..53) "'/3 En cada caso el símbolo delta ("') significa un cambio en dicha cantidad_ El numerador de cada ecuación es el cambio en la corriente del colector. dad de dc establecida inicialmente. Parecería más apropiado en algunas ocasiones considerar las cantidades definidas por las ecuaciones (4. b) 1O()0C..40 ¡lA 5 5 30 ¡lA i 4 J 50 ¡lA 4 punto Q 40 ¡lA 2 """ ~ 3 pUnloQ 20 ¡lA 30 ¡lA ~ I 20 ~A 1 - ~ 15 10 ¡lA I 01 5 • (a) ~ 20 IB=O¡lA o 5 10 t (b) 15 20 ICEO=f3lcBO Figura 4.

revelando que le siempre se incrementará a un ritmo igualo mayor que lco. el resultado es una situación donde los mejores niveles de estabilidad están asociados con un criterio pobre de diseño. 5(1co).Mientras más alto es el factor de estabilidad.66. Es importante observar en la figura 4. el propósito aquí es revisar los resultados del análisis matemático y realizar una evaluación total de los factores de estabilidad para las configuraciones de polarización más comunes.12 Estabilización de la polarización 193 . Gran cantidad de literatura referente a este tema está disponible. S(IcO>: CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN EN EMISOR Un análisis de la red para la configuración de polarización en emisor dará por resultado (4. 1. Factor de estabilidad ~+l Figura 4. considere que un buen control de la polarización normalmente requiere que RB sea mayor que RE" Por tanto. Sin embargo. el factor de estabilidad se encontrará determinado por (4.= --> 1 (13 + 1) (4. mayor sensibilidad tendrá la red a las variaciones de dicho parámetro.54) Para R si RE'" (13 + 1). El estudio de los factores de estabilidad requiere del conocimiento del cálculo diferencial. la ecuación (4.57) 4.56) revelando que el factor de estabilidad se acercará a su nivel más bajo mientras RE se vuelve lo suficientemente grande.66 Variación del factor de estabílidad S(JcJ con el cociente de resistor Rs/RE para la configuración de polarización en emisor.55) según se indica en la gráfica de SUco) en función de R B / RE en la figura 4. y si el tiempo lo permite se le propone leer más acerca del tema. Sin embargo. la ecuación (4.54) se aproximará al siguiente nivel (según se muestra en la figura 4. debe existir un compromiso que satisfaga tanto a la estabilidad como a las especificaciones de polarización. 2 ~~~ ________~~______________~ RB ~+1 RE Para RB/R E 4.66): S(Ico) = (13 + 1) -------.54) se reducirá a la siguiente: S(/co) = 13 + 1 (4.66 que el valor más bajo de SUco) es 1. Para el rango donde RB IR E fluctúa entre 1 y (13 + 1). Obviamente.

01(19..53 la cual empieza a acercarse al nivel definido por [3 + 1 = 51. lo cual es obviamente lo suficientemente pequeño como para que lo ignoren la mayoría de las aplicaciones. Mc = [S(leo)](Meo) = (42. por ejemplo. a) RB / RE 250 (R B 250R E)· b) RB / RE 10 (R B 10RE)· e) RB / RE = 0.01 ) 51 + 0." . en 2 mA.1 para los siguientes arreglos de polarización en emisor. sería de 2 mA a 2.53.vco) = (9.18}lA e) 1 + Re/RE S(lco) = ([3 + 1) --~'----''----1 + [3 + RB/RE = 51 ( 1 + 0.9 nA) := 0.2 Mc ~ [S(Ico)](. CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA Para la configuración de polarización fija.01 (RE = 100RB)· = = = = Solución a) I + RB/RE S(leo) = ([3 + 1) .54) por RE y se hace a RE ~ O Q.veo) ~ 1.." .-( según se muestra en la figura 4.. Los resultados revelan que la configuración de polarización en emisor es muy estable cuando la relación de RB f RE es tan pequeña como sea posible. Aun cuando el cambio en lees considerablemente diferente en un circuito con una estabilidad ideal (S ~ 1). Algunos transistores de potencia exhiben mayores corrientes de fuga.01 1.." .9 nA) ~ l. de uno con un factor de estabilidad de 42.9 nA) " 0.1 + [3 + RelRE _5/ 1+ 250 1 _ 51(251) \51 + 2501 301 := 42..01 ~ := 1..53)(19.1 + [3 + RB/RE = 51( 51 1++ 10) = 51 (~) 10 61 " 9. y es "--menos estable cuando dicha relación se acerca a (f3 + 1).85 }lA b) 1 + RB/RE SUco) = ([3 + 1) . resultará la siguiente ecuación: I 194 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT S(lco) ~ [3 + I (4.085 mA en el peor caso. si se multiplican el numerador y el denominador de la ecuación (4.66.el cambio en le de una corriente en de que se fijó. pero para la mayor pane de los circuitos amplificadores los niveles más bajos de leo han tenido un impacto muy positivo sobre la cuestión de la estabilidad.28 revela cómo los niveles más bajos de leo para el transistor BIT moderno mejoraron el nivel de estabilidad de las configuraciones de polarización básicas.1 nA El ejemplo 4.58) .2)(19...01 la cual se encuentra muy cercana al nivel de 1 del pronóstico si Re/ RE Me = [S(Ico)](." . 20.01 ) = 5(1 -51. EJEMPLO 428 Calcular el factor de estabilidad y el cambio en le desde 25 oC hasta 100 oC para el transistor definido por la tabla 4.

Configuración de polarización por retroalimentación (RE = O Q) En este caso. RTh puede ser mucho menor que la correspondiente R B en la configuración de polarización en emisor y aun así tener un diseño efectivo. Para la red de la figura 4. Los párrafos siguientes intentan llenar e~te vacio a tIa'Vé~ del uso de algunas de las relaciDnes básicas asociadas con cada conflguración. pero sin estas ecuaciones quizá resulte difícil explicar con palabras por qué una red es más estable que otra.61 debe incrementarse debido a un incremento en 1co' no existe nada en la ecuación para lB que intente compensar este incremento que no se desea en el nivel de corriente (suponiendo que V BE permanezca constante).59). sería una situación muy inestable. para la configuración de polarización en emisor de la figura 4. En otras palabras. por 10 mismo.Obsérvese que la ecuación resultante asemeja el valor máximo para la configuración de polarización en emisor. Ahora se sabe de los niveles relativos de estabilidad y cómo la elección de los parámetros puede afectar la sensibilidad de la red.12 Estabilización de la polarización 195 . también aquí pueden aplicarse las mismas conclusiones respecto a la relación de R B /R e Impacto físico El tipo de ecuaciones que se desarrollaron arriba.5 el desarrollo de la red equivalente de Thévenin que aparece en la figura 4. El resultado sería una caída en el nivel de lB' según se detennina en la siguiente ecuación: 4.68a. la ecuación para la corriente de base es la siguiente: con la corriente del colector determinada por (4. Sin embargo. por el cual las redes se comportan de la forma en que lo hacen. donde se determinó que S(lco) tenía su nivel más bajo y la red tenía su mayor estabilidad cuando RE > R8' Para la ecuación (4. el nivel de le continuaría elevándose con la temperatura con lB' manteniendo un valor prácticamente constante. (4. para la configuración de polarización por divisor de voltaje.67 Circuito equivalente para la configuración de divisor de voltaje. RTh/R E debe ser tan pequeño como sea posible.60. a menudo fallan en cuanto a proporcionar un sentido físico para el motivo.61) Si le como se indica en la ecuación 4. la condición correspondiente es RE > RTh o bien. un aumento en le debido a un incremento en leo causará que el voltaje VE :::lt!<E:sI~E se incremente.) Debido a que la ecuación es similar en formato a la que se obtuvo para las configuraciones de polarización en emisor y de polarización por divisor de voltaje. El resultado es una configuración con un factor de estabilidad pobre y una alta sensibilidad a las variaciones de leo' Configuración de polarización por divisor de voltaje Recuerde de la sección 4.59) Nótense las similitudes con la ecuación (4.67 la ecuación para S(lco) es la siguiente: (4. Figura 4. Para la configuración de polarización por divisor de voltaje.68b.54). Para la configuración de polarización fija de la figura 4.67.

v" + Re Re ~ lB V BE _ + + V. La más estable de las configuraciones es la red de polarización por divisor de voltaje de la figura 4. y para un VB constante el voltaje VBE caerá.. la configuración es tal que existe una reacción hacia un incremento en le' que tenderá a oponerse al cambio en las condiciones de polarización.. En otras palabras.65) 196 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .0:.Vcc Vee + VB. en el mismo instante en que le empiece a incrementarse. R. VE aumentará como se menciona arriba. VBE resultará en la siguiente ecuación para la configuración de polarización en emisor: (4. . dará por (4. y por lo mismo compensa la tendencia de le a incrementarse por un aumento en la temperatura.El voltaje base-emisor de la configuración está deternlinado por V BE ::: VB . El resultado es un efecto estabilizador como el descrito para la configuración de polarización en emisor.e polarización y del factor de estabilidad S(lcOJ. La configuración de retroalimentación de la figura 4.68d.62) RB Una caída en lB tendrá el efecto de reducir el nivel de le a través de la acción del transistor. se trata de una acción simultánea para mantener las condiciones de polarización establecidas. Si se satisface la condición j3R E :l> IOR" el voltaje VB pennanecerá razonablemente constante para los niveles cambiantes de /e. Si le se incrementa debido al aumento en la temperatura. ..- VCC - V Bo - VE t (4. como ocurre con la configuración de polarización fija.VBE - VR e t (4.VE' Si / e se incrementa. En su lugar. el nivel de VRe se elevará en la siguiente ecuación: Vcc ." + + VE V BE _ VB Figura 4." (e) (a) (b) (d) 1B 1. la red captará el cambio y tendrá lugar el efecto de balanceo que se describió antes. Una caída en V BE establecerá un nivel bajo de lB' que tratará a su vez de compensar el nivel de aumento de le El factor de estabilidad definido por ~~ Ll.63) y el nivel de lB se reducirá.68 Revísión de las redes c. 0.. El lector debe estar enterado de que la acción descrita arriba no sucede en una secuencia paso por paso.64) Sustituyendo resultado RE. En total." .68c opera de la misma forma que la configuración de polarización en emisor cuando llega a los niveles de estabIlidad.

3)(-D.7 ka y 13= 100.0. (/3 + 1) = 101 Y RB I RE = 240. a) Polarización fija con RB =240 ka y 13 = 100.17 V) _ SOpA e) En este caso.0.293 x lQ-3)(-D.67) 13 + 1 13 revela que mientras más grande sea la resistencia RE' menor será el factor de estabilidad y más estable el sistema.64): -100 240 ka + (101)1 ka x 10-3 = = ---341 ka 100 = -0.64).La ecuación (4. (/3+1)= 101 RB j¡> . y no pennite el uso de la ecuación (4.17 V) En este caso..3)(0.65): EJEMPLO 429 f3 100 = --'--'-240 ka = .66) Sustituyendo la condición (/3 + 1) S(V ) " BE j¡> RB IR E resultará la siguiente ecuación para S(VBf·): E" _ _ e -f3!R -f3/R = __ RE 1 (4.48 V . b) Polarización en emisor con RB =240 ka. La ecuación (4.1 para les siguientes arreglos de polarización. VBE ) = (-D.65 V) = (-D. RE = 4.VBE) = (-DA17 = 70.- 47 ka = .= 10 (satisfecha) 4. RE = 1 ka y 13= 100.293 la cual es aproximadamente 30% menor que el valor de polarización fija debido al ténnino adicional (13 + I)RE en el denominador de la ecuación S(VBE)' Me = [S(VBE)](Ll. Solución a) La ecuación (4.64) puede escribirse de la siguiente fonna: (4.4l7 x lO. e) Polarización en emisor con Re = 47 ka. La condición (/3 + 1) j¡> RBIR E no está satisfecha. Detennine el factor de estabilidad S(VBE) y el cambio en le desde 25 oC hasta 100 oC para el transistor señalado en la tabla 4.9 pA b) x 10..67) Y requiere del uso de la ecuación (4.12 Estabilización de la polarización 197 .417 y X 10-' Me = [S(VBEl](Ll.7 ka RE 4.

64) con RE reemplaz~da por Re S(f3): El último factor de estabilidad que se investigará es el de S(fJ¡.29 el incremento de 70.64) (según se definió en la figura 4.:: 2 mA. EJEMPLO 4.0709 mA pA un incremento de 3.-e_1_+_R.212 x 10-3 = [S(VBE)](L'< VBE ) = (-0.04 pA V) En el ejemplo 4. Para una situación donde le .::. será RTh para la configuración del divisor de voltaje.29.(1 + /3.(1 + /3. Solución La ecuación (4.-e.5%.(I + RBIRE) /3. puede ser de este nivelo uno menor y todavía mantener buenas características de diseño..68) La notación le. Sin embargo. sin embargo.17 = 36. Utilice el transistor descrito en la tablaº4.212 x 10-3)(-0.le = 8..B_I R--. La ecuación resultante para S(VSE) para la red de retroalimentación será similar a la de la ecuación (4... Para la configuración por divisor de voltaje el nivel de Rs se cambiará aRTh en la ecuación (4. En el ejemplo 4.25 mA 198 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .7 ka / y /!.9 = 2.68): S(fJ¡ = = le. se utiliza para definir sus valores bajo un conjunto de condiciones de red.. la variación de f3 del mismo transistor o un cambio de transistores. + RBIRE) (2 x 10-3 )(1 + 20) (50)(1 + 80 + 20) = 42 X 10-3 5050 y /!.La ecuación (4.0. al utilizar una de R B = 47 ka resulta ser un diseño cuestionable.30 Calcule le a una temperatura de 100 oC e le =2 mA a 25 oc. =50 Y /3.E:.32 x 1~ = [S(fJ¡l[L'<f3J = (8.67).67): S(VBE ) = = RE 4.)__ /3.32 x 1()-<i)(30) . =80 Y un ¿ociente de resistencia RB I RE de 20.1. la corriente resultante del colector aumentará a Q Q le Q = 2 mA + 70. y /3.le = -0. mientras que la notación f32 se usa para describir un nuevo valor de beta como lo establecen causas como un cambio en temperatura. + RBIRE) (4.9 pA tendrá un impacto en el nivel de le . donde /3. El desarrollo matemático es más complejo que el que se encontró para SUco) y para S(VBE)' como lo da a entender la siguiente ecuación para la configuración de polarización en emisor: S(fJ¡ = = __ l.

0. S(fJJ = (4. entonces S(/co) = 2. representando un cambio de 12. que la configuración de polarización fija es la de menor estabilidad.: O n. = 1. si se examina la configuración de polarización fija.89.70) se convierte en la siguiente: (4. Para este rango la tabla revela que Meo = 20 nA .70) Al principio. Además.17 V) + . la Me que debe determinarse simplemente es el cambio en le a partir del nivel a una temperatura ambiente..A 4.89)(19.5%.71) después de sustituir los factores de estabilidad como se derivó en esta sección. con un cociente de RTh/R E : 2 y RE = 4.---(-0. S({3) = 1. + 35. y la RB de la ecuación (4.A.7 n.9 nA l. La corriente de colector aumentó desde 2 mA a 3. S(VBE) = -D.17 V) + 1.9 : 0.69) Resumen Ahora que se presentaron tres factores de estabilidad importantes.42 p.{3 = 80 . Ahora..445 1Q-6(30) = 57. La configuración de polarización fija está definida por S(fJJ = le.236 mA.48 V .A.4 p. pero tome en cuenta que cada componente sólo es un factor de estabilidad para la configuración multiplicado por el cambio resultante en un parámetro entre los límites de interés de temperatura. la ecuación (4. se usará la tabla 4. Para la configuración de retroalimentación en colector con RE:.25 mA a 100 oC.2 X 10-3(-D. la ecuación puede parecer muy compleja. pero esto era esperado.445 X X 10-6 Y Me = (2.(30) 240 ka 50 = 1.51 nA + 34 p.1 nA = 19. el cambio resultante en le debido a un incremento en la temperatura de 7S oC es el siguiente: 50 2 mA Me = (50 + 1)(19.0. en el sentido que se reconoce en el contenido de esta sección. la co~ente del colector cambió de 2 mA a una temperatura ambiente a 2.A + 1200 p. 1{3.17 V y (obsérvese el signo) l.68) puede reemplazarse por RTh para la configuración del divisor de voltaje.1 para encontrar el cambio en la corriente del colector para un cambio de temperatura desde 25 oC (temperatura ambiente) a lOO oC (el punto de ebullición del agua).VBE = 0.65 V = -0.A + 43.0.01 p.En conclusión.12 Estabilización de la polarización 199 .077 mA nA) .236 mA el cual es un cambio significativo debido principalmente al cambio en {3.9 nA) . Por ejemplo. Si se hubiera utilizado la configuración más estable del divisor de voltaje. el efecto total sobre la corriente del colector puede calcularse utilizando la siguiente ecuación: (4.2 X 10-3 .50 = 30 Empezando con una corriente de colector de 2 mA con una RB de 240 ka.

Nótese que todos los parámetros se definieron entre los nodos indicados.. como se señaló en análisis anteriores. Ahora.DC como se indica. comparada con los 2. La red es obviamente mucho más estable que la con~guración de polarización fija. El archivo de entrada aparece en la figura4. se debe estar consciente de cómo puede variar la respuesta en de del diseño con las variaciones de los parámetros de un transistor.69. comparada con la variación en beta.DC.70. el propósito es desarrollar un alto grado de precau~ ción sobre los factores que se involucran en un buen diseño y para estar más cerca de los parámetros de los transistores y el impacto que ejercen sobre el funcionamiento de la red. en este caso 1 V. En este caso SCf3) no paso por encima de los otros dos factores.OPTIONS NOPAGE . incluyendo la respuesta en ac. CE 4 o SOUF Q1314QH . Aunque el análisis anterior puede resultar confuso porque las ecuaciones son muy com~ plejas para algunas de las sensibilidades.1.La corriente de colector resultante es de 2. Además.70 Archivo de entrada para el análisis con PSpice de la red de la figura 4.SK Figura 4.MODEL QN NPN(BF-140 IS-2E-15) .oc VCC 22 22 1 . proporciona una excelente oportunidad para comparar las ventajas relativas de cada uno.9 Hl 1. Si se repiten los 22 V como en este caso. El análisis de las secciones anteriores fue para las situaciones idealizadas con valores invariables de parámetros.9]( Re 2 3 lOR RE 4 o l.Fig. Para temperaturas abajo de los 25 oC le disminuirá con niveles crecientes de temperaturas negativas.69 con los nodos escogidos para el análisis PSpice. debido a que los 22 V se repiten en este enunciado de control . A temperaturas mayores los efectos de S(leo) y de S(VBE) serán mayores que para SCiJ! para el dispositivo de la tabla 4.7 se ha redibujado en la figura 4. Si el segundo nivel es distinto. el análisis únicamente se hará en este nivel.1 mA. =lc YV(3.END 200 Capítulo 4 Polarizacíón en dc-BJT . debe añadirse un enunciado de control .077 mA o esencialmente 2. y los efectos de S(VBE) y de S(lco) fueron por igual muy importantes. F¡gUra 4. Sin embargo.J. El formato del enunciado del transistor es su entrada . En el enunciado . debido a las mejores técnicas de manufactura que continúan disminuyendo el nivel de leo = 1CBO' También debe mencionarse que para un transistor en particular la variación en los niveles de leBo y VBE de un transistor a otro en un lote es casi despreciable.69 Red para ser analizada utilizando PSpice. =39kn ~[l] PSpice (versión DOS) La red del ejemplo 4.4) . 4. OC Biasinq of BJT . Si las cantidades específicas como I(RC) =IR. se requiere el l V para completar el formato [] 3. los resultados del análisis anterior sustentan el hecho de que para un buen diseño estable: El cociente R B I RE o RTh I RE debe ser lo más pequeño posible con las debidas consideraciones en todos los aspectos del diseño.69 VCC 2 o 22V Rl 2 1 39K R2 1 O 3.PRINT OC I(RC) V(3.5 kQ =r: 50 ~F . Además..13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA 22 V ? 10 kQ ~ Esta sección contiene un análisis de la red del divisor de voltaje del ejemplo 4.4) = VCE se requieren en lugar de un simple listado de todos los voltajes nodales.7 y se necesita recurrir tanto a BASIC como a PSpice. El efecto de SUco) en el proceso de diseño se convierte en una preocupación menor.MODEL como lo señalarnos en el capítulo 3.De se especifica la fuente al nivel necesario.0 roA a 25 oC. 4. asumiendo al primer nodo como el de mayor potencial. el paquete desarrollará el análisis a cada nivel en y entre los dos niveles utilizando un incremento definido como la entrada siguiente.

.oc Biasinq of BJT ..72. = L220E+Ol = 12. con el dispositivo apuntador (mouse).slb y el transistor Q2N2222 en la biblioteca eval..0P1'1011S IIORoGE . Tanto para lc() como para VCE los resultados obtenidos.5lt CE 4 O SOUY 01 3 1 4 oN .PRINT puede escribirse después para especificar las c:antidades deseadas en el listado del archivo de salida. '.000000B-15 140 ..7I I(ac) 8...2 V.(Re) Ve3...72 Presentación esq uemática de PSpice (Windows) de la figura 4. " '...911." . El transistor y el capacitar no aparecen en redes anteriores. pero se omite en la secuencia operacional..*It ••••**** . .512E-04 V(l.~~. de la instrucción...69..' VCC 2 O 22V IÚ 2 1 39r: R2 1 O 3..2588 R2 3.... .69 . la red de la figura 4.slb.~:.....*. El archivo de salida aparece en la fIgura 4.22 1 . pero son parte de la biblioteca Get New Par!. El capacitar se encuentra listado en la biblioteca analog. RC 2..DD BJ'l' MODBL PARIIMBTERS QIf 1fPIf .*"". I 4. Análisis con el centro de diseño PSpice para Windows Con la misma técnica descrita en el capítulo 2.*. .~.~ . utilizando PSpice... Obsérvese en eval.7.69 puede crearse sobre la página esquemática como se muestra en la figura 4.*** .{ " ) ..242E-04 Vcc • . sobre el Q2N2222.9k +----<0>----'1/ CE -'.7580 1..50uF Figura 4. 3 lOr: RE 4 O 1.. La instrucción .. aparece una descripción (Description) arriba de la selección en la caja de diálogo Get ParL Recuerde que los VIEWPOINT (puntos de vista) se establecen al elegir la opción 8..9 59 Re 10k 1 3.71 con la lista de parámetros especifIcados del modelo y los niveles que se desean de salida.... Esto es. .. son una réplica exacta con las soluciones del ej¿mplo 4..220E+Ol Archivo de salida para el análisis con PSpice de la red de la figura 4....) 1..8512 mAy Ve"....De TRAIISFER . lec = 8.. 4.200E+Ol FIgUra 4..CURVES YCC 2. R1 39k 1..*: ..69..IIODI!L QIf_IBF>o140 :[11-2"15)' • OC VCC 22.slb que cuando se selecciona una parte.5l2E-D4 = 0.*'** ••***'*.. .Fi9. ClRCUIT DBSClUPTrON **.l'ItUIT De 1.4) .13 Análisis por computadora 201 . IS Bl' 2.'*'~~~~" .:.

slb. En la figura 4. Los niveles dc para los diferentes nodos (respecto a la tierra) son parte de la solución de polarización en pequeña señal (Sman Signal Bias Solution). y las probabilidades serán que no concuerden con el valor numérico asignado a cada nodo en la figura 4. El siguiente listado incluye los distintos niveles de corriente y voltaje de la red y sus parámetros como se definieron mediante el punto de operación resultante.7580 V . Es muy probable que la mayoría de los usuarios de Windows coloquen primero los resistores. Para terminar el proceso oprima el bot'ón derecho del apuntador. Entonces se proporciona una Jista para el transistor Q2N2222 y pueden cambiarse Is(e Ise) a2E-15 y Bra 140. En este caso el nodo adicional (5) fue asignado para asegurar que las referencias de los nodos sean las mismas que la figura 4. y que el transistor se encuentra listado en la secuencia 3-1-4 (colector.Pprimir el botón izquierdo del dispositivo apuntador. Lasimulacióu de la red dará I'orresultado el archivo de salida de la figura 4 . que es casi igual a la solución DOS. Una vez cambiados.73 es una versión cortada y pegada para pennitir una concentración de los elementos más importantes del archivo. El voltaje VeE del transistor es de 13. se oprime OK y los parámetros de la red han sido modificados.slb. Sin embargo.desde la biblioteca special. en la barra de menú. El archivo de la figura 4.5 V. porque los voltajes y las corrientes pueden observarse directamente sobre el esquema después de la simulación.72 como los VIEWPORT e IPROBE reflejan los mismos resultados impresos en el archivo de salida. Las líneas se capturan por lo general al final para completar la red. Los números asignados podrán cambiarse con una secuencia insertldeJete (insertarlborrar) y registrar cuando se abandone la caja de diálogo. emisor) como lo requiere la versión DOS. Lo mejor sería prever que la introducción de un IPROBE requerirá de la introducción de un nodo adicional entre Vce y la terminal del colector del transistor.69 la beta del transistor es 140 y la corriente de saturación se ha inicializado en 2E-15A. = 202 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT . Tome en cuenta que la corriente que debe captarse se sitúe en el círculo más cercano a la curva interna. como se muestra en la rama del colector de la red. Se elige Model y aparecerá una caja de diálogo Edit Model.7 V como se desea. se escoge Edit Instance Model (elegir modelo ejemplo).2588 V 12. La corriente del colector será recogida por la opción IPROBE de la biblioteca special. la cual será utilizada para la respuesta en ac. El uso adecuado de VIEWPORT e IPROBE eliminan la necesidad de estar preocupados acerca de las referencias nodales. Nótese que IS es 26·15 y BF (beta) es 140. Una vez en el esquema. seguidos por el capacitar. El cambio no sucedió en la versión DOS porque se pudo seleccionar un transistor npn sin tener que escoger un modelo en particular. porque ésta significa la escala de medición. base. Cada VIEWPOINT se coloca con sólo .851 mA para el análisis en DOS y que VBEes 0. Se puede encontrar una descripción de todos los parámetros listados en THE DESIGN CENTER Circuit Analysis Reference Manual (manual de referencia del análisis de circuitos del Centro de Diseño) de MicroSim Corporation. aparecerá una lista de opciones donde Model es una de ellas. Antes de simular el programa. En la versión de evaluación de PSpice para Windows uno debe elegir un transistor de la lista proporcionada y simplemente modificar los parámetros de definición lo mejor posible. el resultado de dicha secuencia es que los nodos tengan asignados valores numéricos de acuerdo con la secuencia en que los elementos fueron capturados. Obsérvese que Ices 0. Esto le ahorrará tener que involucrarse con la respuesta de Probe antes de ver el archivo de salida. las referencias de los nodos pueden cambiarse si se elige Analysis y luego Examine Netlist (examinar lista). La respuesta de Probe se examinará eI1 el capítulo 8 cuando se analice un sistema eu ac. debe estar seguro de que Probe Setup (inicialización de la prueba) bajo Analysis no esté inicializada para ejecutar automáticamente Probe después de la simulación. pero el detalle que se requiere va más aná de las necesidades de este texto.1.69 para cada elemento. Como únicamente estamos interesados en cambiar la beta y establecer 15 para esta red. Obsérvese que la lista neta esquemática (Schematics Netlist) tiene las mismas referencias de nodos que la figura 4.69.688 V o aproximadamente 0.824 mA comparado con 0. al oprimir el símbolo del transistor (sólo una vez) y tecleando Edit.73 . transistor y la fuente de voltaje dc. Obsérvese en el esquema de la figura 4. Los parámetros del modelo BIT (BJT MODELPARAMETERS) es un listado de los parámetros más importantes que definen al transistor Q2N2222.69. La beta de es ahora 55 en lugar del 140 capturado y la beta de ac es 65. Los cambios adicionales se pudieron haber hecho para crear una similitud más cercana. que tuviera todos sus parámetros de definición. Sin embargo.

...03 IKF ...........'95-12 O.. ......I8E+Ol L2SE+Ol BETADC 5.JIE...............RS NAME Q_QI MODEL lB Q2N=-X l......OOE"'lO O00E"'lO SETMe FT 6.tOOO1) ($N3JO()S) NODE VOLTAGE NaDE VOLTAGE (SN_OOO2) 22.47E+07 Figura 4....... CURRENT -1....7 ITF ...............7580 ($N _0004) 1........................258$ n 0000 VOLTAGESOURCECURRENTS NA......50E+Ol GM 3..000000E.. CIRcurr DESCRIPTION oSN 0001 3..242E..l1XlOOQE. ..04 TOTALPOWERDlSSlPATION 2.....9k $N 0001 $N ooo239k R-RE C=CE V_Ycc <LQl SN-=... • Schcmatic:s Nctlist • RR2 R-RJ R-Re • • .......338E-OJ 8.5k 0$).....06&11 CBC CBX ClS 2.................................. RB 10 RBM 10 RC 1 eJE n..........306OOOE-\2 MJC ...OOE+OI I......6 TR 46....34ooooE·\5 NE 1301 BR 6...73 Archivo de salida para la red de la figura 4.........94E..12 XTF 3 VTF 1.......000 DEG e NODE VOLTAGE VOLTAGE (St-..\1E.. NPN (S 2...2841 ISE \4...'002 OOC nv ...SQE"'l' 9.......5 ...01OOOOE-12 MJE m CJC 7....0000 NODE 19469 (SN_OOO3) 13................_0004 SOuF SN_OOO3 SN_OOOI SN_OOO4 Q2N2222~X SN _0002 SN_0005 O BJT MODEL PARAMETERS S"-....t 5 BF 140 NF 1 VAF 74.02 va VBC RPl RX RO CBE 2..Z4E-04 68SB-61 -1.04E"'lS 5.. Q2N22Z2~X v_v: .........091 NR .91 0000E-09 XTB 1..... .04E"'l3 I...........SO&OS le VSE 8..3416 TF 411...........72. SMAll SlGNAL BIAS soumON TEMPERATURE" 27.OOO3 SN-:'OOOS 1010: OSN_OOO4 1........ 4_13 Análisis por computadora 203 ....Ql WATrS •••• BIPOLAR JUNCTfON TRANSISTO..

RE) IC = BETA' lB lE = (BETA + 1) .leRe VE = lE ' RE VB = VE + 0. se trata en esencia de un circuito abierto y que da por resultado una configuración de polarización en emisor. (1 (1 204 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT . Luego se determinals en la línea 10030 utilizando un voltaje base-emisor de 0.7 V. en paralelo con R 2 .3. de otra forma. En la tabla 4.O.74. V cc ETh .(Rl * R2)(Rl + R2) R. R. Las líneas 10060 y 10070 calculan le e lE' respectivamente. irá un paso adelante y permitirá cambiar la configuración mediante la especificación de un circuito abierto o un corto circuito para los parámetros. obsérvese la correspondencia que está cerca de los resultados obtenidos antes para lc y para VCE . Una vez más. + R 2 R.7 lB = (VT . La línea 10020 calcula el voltaje equivalente de Thévenin en la base.7 Ve Vcc .7 vC = CC . 18 permanece como se calculó en la línea 10030.IC ' RC CE = VC . R. Un módulo de programa que empieza en la línea 10000 está escrito en BASIC para realizar los cálculos necesarios para el análisis en de de la red de la figura 4. y establece le (e lE) con el valor de saturación. De esta manera.2 Ecuaciones y enunciados del programa para el módulo de cálculos de polarización de dc Ecuación R1R~ RTh TABLA 4. La línea 10040 prueba para una condición de corte.7 V. el rango de aplicaciones se expande y limita la biblioteca de programas necesarios para hacer el análisis en un área en particular.69.BASIC El programa que se desarrollará con BASIC llevará a cabo el mismo análd. la que ocurre si el valor de Vr es menor que V SE .:: 0. De otra manera. dará por resultado una configuración de polarización fija.7)I(RT + (BETA + 1) .VE La línea 10090 prueba la condición de saturación de un circuito.2 aparece un resumen de las ecuaciones utilizadas junto con un resumen de las variables en la tabla 4. los valores de le e lE permanecen como se calcularon previamente. si R2 se hace igual a 1E30 ohms. TABLA 4.:::. Los pasos del programa principal para imprimir los resultados se proporcionan en la figura 4.3 Variables para ecuación y el programa para el módulo de cálculos de polarización de dc Variable en la ecuación Variable en el programa RI R2 RT CC Enunciados para el programa = RT .is que el otro listado. La línea 10010 calcula la resistencia de base equivalente de Théveriin de R. + R. Si RE se queda en cero ohms con R2 en lE30 ohms. Por ejemplo.::: VT = (R2 ' Cel/(R' + R2) 0. ETh - R. Por tanto las líneas 10100 a 10120 calculan VE' VE Y Veo respectivamente. en cuyo caso lB toma el valor de cero.. El programa principal solicita la entrada de todos los datos adecuados del circuito. como el módulo 10000 para hacer los cálculos de polarización de de. La línea 10130 calcula VCE Y luego el módulo de programa regresa al programa principal. lB RTh + (13 + I)R E VT lB BE le = f3l s ~ BETA RE IC lE VE VB VC CE VE = IERE V s = VE + 0.

s:E:3 RC=? lOE3 'open')~? 3.69.R2 160 INPUT "RE=".********11:**** OC B~AS 30 REM 40 REM 60 REM CALCULATIONS OF STANDARD CIRCUIT 50 REM ***************************************'************* 100 PRHI'l' "This pl:'ogram calculates the de bias" 110 PRINT "for a standard cLrcuLt as shown in figure 4..."UA" 290 PRIN'f "Ie=" .846:3327 mA lE: .9E3 VCC=? 22 Transistor beta~? 140 The results of de bias calculations are: Circuit currents: lB= 6.978567 valts VE= 1."mA" 310 PRINT 320 PRIN~ "Circuit voltages:" 330 PRINT "VB=".IC*1000. en ter the following círcuít data:" 140 INPUT "RB1="¡Rl 150 INPUT "RB2(Use lE30 if to pe n'}o::".13 Análisis por computadora 205 .RE 170 InpUT "RC:" ¡Re 190 PRIN'I' 190 INPUT "VCC=".69."'** *.25811 volts Figura 4." *********.53667 volts VCE"" 12."lllA" 300 PRINT "IE="." 120 PRINT 130 PRIN1' "First.7 This program calculates the de bias for a standard circuit as shown in Figure 4.69.VB. BETA 220 PRINT 230 REM Now do circuit calculations 240 GOSU6 10000 250 PRINT uThe results of de bias caleulations are:" 260 PRIN'l 270 PRIN'l' "Circui t curnmts: 11 :zso PRINT "18=II.278567 volts VC= 13.IB"'1000000J ..VE.04~233 uA re=: .7)/(RT+(BETA+l)'RE) 10040 REM Test for cutoff condition 10050 IF VT<=.8523779 roA Circuit qoltaqes! V8= 1.74 Programa BASle para el análisis de la red de la figura 4." *** *** '* **** *.CC 200 PRIN'I' 210 INPUT "Transistor beta=" .7 TnEN lB=O 10060 IC=BETA*IB 10070IE==(BETA+l)*IB 10080 REM Test /for saturation condition 10090 IF IC*(RC+RE)-CC TREN lC=CC/(RE+RC) :IE=lC 10120 VC~CC-IC*RC 10130 CE"'"VC-VE 10140 RE'tURN RUN 10100 VE""IE"'RE 10110 VB""VE+. enter the following circuit data: RBl""? 39:E3 RB2(use lEJO if RE=? l."volts" 360 PRIN~ "VCE=" ¡CE. "vol ts" 370 PRINT :PRINT 380 ERD 10000 REM Module to calculate de bias of BJT circuit 10010 RT-Rl*(R2/(Rl+R2)) 10020 VT==CC*(R2! (Rl'¡'R2») 10030 IB~(VT-."vQlts" 350 PRIN'l' "VC=fl . '" 11 . First.IE*1000. 4.10 REM 20 REH 1t **" **'* '* .VC."vOlts" 340 PRIN'I' "VE=" .

Dadas las características del transistor BJT de la figura 4.7kQ figura4. determine: a) le b) V ee e) d) [3. ¿Cuál es la potencia dc disipada por el dispositivo en el punto de operación? c) d) e) f) g) h) i) ¿Cuál es la potencia proporcionada por Vee ? j) Detennine la potencia que los elementos resistivos disiparon al tomar la diferencia entre los resultados de los incisos h e i. calcule: a) le b) Re e) R . Q e) V CE . Para la configuración de polarización fija de la figura 4.52. d) Ve' e) VE' / 16V D VE' 470 kQ 2. determine: a) lB .61.4.75.77 Problema 3. 4. Escoja un punto de operación a la mitad entre el corte y la saturación. * 5..56. 3.76.75...53.78: a) b) Dibuje una recta de carga sobre las características determinada por E = 21 V Y Re = 3 kQ para una configuración de polarización fija.75 Problemas 1.3 Circuito de polarización fija 1. Encuentre la corriente de saturación (le". ¿Cuáles son los valores resultantes de le () y de VCE Q? ¿Cuál es el valor de f3 en el punto de operación? ¿Cuál es el valor de a definido para el punto de operación? ¿Cuál es la corriente de saturación (le.) para el diseño? Dibuje la configuración resultante de polarización fija. d) V eE . Dada la infornlación que aparece en la figura 4. 206 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT . b) le' . 2. 47.11. Determine el valor de RE para establecer el punto de operación resultante. RB . 2. Dada la información que aparece en la figura 4.2 kQ + Figura 4.PROBLEMAS § 4.51.) para la configuración de polarización fija de la figura 4.77.

determine lo siguiente para una configuración de polarización en emisor si se define un punto Q en le = 4 mA y V CE = 10 V. Problemas 207 .6 V VB + VCl:" p=.~ 510 kQ .W 2.4 Circuito de polarización estabilizado en emisor lB 6. V ee RE' + '* 10. .le (mA) . .2 kQ. • Q Q al Re SI Vcc = 24 Vy RE = 1.4 V § a) 4. determine: b) e) d) 1/. 3 2 20.<J ~ VE 4 Figura 4.48. =i).58.79.7 kn f3.54.. calcule: a) figura 4..10. Usando las características de la figura 4. Re RE' RB' VeE' b) e) VE' 8. el RE' d) La potencia disipada por el transistor.24.51. Con la información que ofrece la figura 4. VCE(J' ~ RE Ve e) VE' f) VE' 7.79. Con la información que proporciona ia figura 4.c :60~A .llA t 2. b) t----o 2.78 5 10 15 25 30 12V Problemas 5. Para el circuito de polarización con emisor estabilizado de la figura 4. i . 9. 1.80 Problema 7.81 Problema 8.19. ~ 1.80. determine: a) b) e) d) e) 20 .36.1 V 0. e) La potencia disipada por el resistor Re Figura 4. Calcule la corriente de saturación para la red de la figura 4.A '=ti: ~ t"l/~=o~A¡ ° Figura 4. 9.:~~tr 20 V f 110¡¡A.2mA Re RB 7.¡:-.35.Q f3 en el punto de operación.62.c:: :50uA ' re-: .--. . i<-Ij-k-Q--..81.leQ 2AkQ 9 " 80~A :70~A: ~+-:---.. ¡](Xl : 90'.<JVc 8 f3= 100 7 6 5 ::::.78. 10.68 k.79 Problemas 6.

/C'p.68 U"l 8.gura 4.I c := / Cr"". e) V•.84.. § 4.49. Con la información que ofrece la figura 4. Con la información proporcionada en la figura 4.6 V ~=80 -+ VB ~A + V eE ~= 100 VE 0.79.gura 4.2 kQ V.5 Polarización por divisor de voltaje 12.63. 20.' I x 100%. Compare el porcentaje de cambio en leY VCE para cada configuración Ycomente sobre cuál parece ser menos sensible a los cambios en /3...neo' I x e. determine: a) b) c) /•. 9.83. Figura 4. 16V a) lV 3.2 kD.7 kQ 62kU R¡ Ve tICQ t 20 le lBe VB + V CEQ R¡ 10.1 kQ ~ . .75. d) R¡. c) Determine la magnitud del porcentaje de cambio en le y VCf. Para la configuración de polarización por divisor de voltaje de la figura 4. la magnitud de f3 se incrementó en un 50%.84 Problema 14. 13. 18. d) e) f) Ve- Q VE' V•."'""" d) Determine le y V CE para la red de la figura 4.J) 100%.. utilizando las siguientes ecuaciones: %tl./ C'p. f) R¡.59.* 11. g) En cada una de las ecuaciones anteriores.~ .82 Problemas 12. f) Determine la magnitud del porcentaje de cambio en le y VCE usando las siguientes ecuaciones: %tl. 15.24. . 14.6kU 1.p". a) DeterminelcY VCEpara la red de la figura 4. 5.55. 208 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .79. /e .82.2kD.51.75. l.-------~~--~18V CC 2. VCE ' ..~ . determine: a) /eb) VE' e) V•.I e = I /e.52.".83 Problema 13. b) Cambie f3 a 135 y calcule el nuevo valor de le y VCE para la red de la figura 4.9 Hl . determine: /e b) VE' e) Vee d) VeE ."'. I c.<. e) Cambie ¡Ja 150 y determine el nuevo valor de leY VeEpara Ja red de la figura 4.p.

si se satisface la condición establecida por la ecuación (4. la figura 4. ¿cuál configuración es menos sensible a las variaciones en f3'? f +16 v 3.82.82) con el método aproximado b) e) Figura 4. e) Calcule f3 en el punto Q.V eE = I veEIP"~'. Para la configuración de retroalimentación de voltaje de la figura 4. ) para la red de la figura 4. " d) Compare la solución del inciso e con las soluciones que se obtuvieron para e y problema 11.33) cuando se determine qué método debe utilizarse.. determine: b) le e) Ve Figura 4. * 17.. o--JI--~----I 1.51 ka 22.2kU Problemas 22.82. a) le b) Ver e) d) e) 3. Problemas 209 . utilizando el método ex.. V CE r . Para la configuración de retroalimentación del colector de la figura 4.2 kQ ¡ka 18.85 Problemas 16. 23. 1 II Repita los incisos a a e del problema 20 para la red de la figura 4.82.33) y obsérvese si la suposición del inciso d es correcta.P.33).. 17.33) no esté satisfecha. Repita el problema 16 empleando el sistema exacto (Thévenin) y compare las soluciones. 8. e lB.' 1 X 1ooo/c. calcule: a) b) d) le Ve VeE .78.I Cr?-l"'.n. +--=--ov. ¿Qué conclusiones generales se pueden hacer respecto a las redes en las cuales se satisface la condición f3RE > IOR2 Y las cantidades le y VCE deben resolverse en respuesta a un cambio en f3? § ~ 4.5 kQ 1 .21. e) Basándose en los resultados del inciso d. 56. - VCE.87 .acto. ¿es el sistema aproximado una técnica válida de análisis si la ecuación (4. a) Determine le y VeE para la red de la figura 4.64. Basándose en los resultados. 5~F Figura 4. Compare las soluciones y' comente sobre si la diferencia es lo suficientemente grande como para requerir el respaldo de la ecuación (4.' . Utilice Vcc = 24 V y Rc = 3R E • o '-0 b) Encuentre Vt. Determine la corriente de saturación (Ie".85. para la red del problema 12 (figura 4. f) Pruebe la ecuación (4.p"". e) Determine V B' d) Encuentre R]. a) Determine lc" ' VCE" e lB .85 utilizando la aproximación. Determine para la siguiente configuración de divisor de voltaje de la figura 4 . CE'p.¡ 1 X 100% c. 50. Determine la magnitud del porcentaje de cambio en le y VCE utilizando las siguientes ecuaciones: %M c ~ I 1 c. a) Con las caractertsticas de la figura 4. 18 v * 16. Si no se llevó a cabo.86.6 Polarización de de por retroaliinentación de voltaje ~.'' . b) Cambie f3 a 120 (50% de incremento) y detennine los nuevoS valores de le y VCE para la red de e) • 20. 6.]W1< . * 19. %t:.33) está satÍsfecha? aunque la condición establecida por la ecuación (4..3 kQ 39 kf2 lB' VE' VB . detennine Rc y RE para la red del divisor de voltaje que tiene un punto Q de le := 5 mAy Ver: = 8 V. Cambie {) a 180 en el inciso b.. 470kn 220 kn el VE' '.86 60. ~v 0. si R¡ = 24 kQ suponiendo que {3R E > ¡ORz.6kQ del 470kO: * 21.15.87 Problema 23. obsérvense las soluciones proporcionadas en el apéndice E. Determine Ic".

VeE .P. .9 kQ 560 k.88 Problema 24. § 4. d) * 28.".". Dado VB ::.1 kQ 470 kQ ISO kQ 4...... - VCE """..7 kQ 2.89 empleando el potenciómetro de l-MQ. Figura 4. 1 x 100o/c. Figura 4. Con Ve = 8 V para la red de la figura 4.91 Problema 27. ¿Cómo se compara la red de retroalimentación del colector en función de las otras configuraciones respecto a la sensibilidad a los cambios en j3? 25.. a) Determine le y VCE para la" red de la figura 4..lkQ fi .92.. FIgura 4. 1 x 100% VeE. 11 f y 20 c. Capítulo 4 Polarización en dc-B.1 kQ 330 kQ Ve + VeE VE 3. b) Cambie f3a 135 (50% de incremento) y calcule los nuevos niveles de le y VCE ' c) Resuelva la magnitud del porcentaje de cambio en le y VeE usando las siguientes ecuaciones: %!::J e == 11c.Q t le + V e1=: r---"oIV". resuelva: a) b) e) d) e) VE' le Vc . calcule: a) lB' b) le e) Vcc ' Ve f6V ve d) 12kQ 3.ll"I<.90.92 Problema 28. " d) Compare los resultados del inciso e con las soluciones de los problemas 11 c.p"rt. %!>V CE = 1 Vcc . Determine el rango de posibles valores para Ve para la red de la figura 4. 18 V Para la red de la figura 4. * 26..90 Problema 26..-N~~""" Ve 1MQ P=180 P=90 9. 210 .-h-. e.". 4 V para la red de la figura 4.2 kQ ~NV\..1 elo""o.o Ve = le 8V + 9..".91.' . VCE ' lB' f) +22V 13 +12Y 18 v 9.* 24..IT 15kQ -12 V Figura 4.88.1 kQ j3 = 120 . determine: a) lB' b) le e) 13.89 Problema 25.7 Diversas configuraciones de polarización 27.3 kQ \.p. Figura 4.

Figura 4. a) Para la red de la figura 4. e le. § 4.93.97 Problema 37.96. Diseñe una red de polarización por divisor de voltaje utilizando una fuente de 24 V. Utílice valores estándar.. * 35.4kQ 180 ka v. cuando Vi = 10 V.2 kD 1. Y un punto Q a la mitad entre el corte y la saturación.78. Para la red de la figura 4. La fuente que está disponible es de 28 V Y VE Y debe ser un quinto de VCC' La condición establecida por la ecuación (433) también debe cumplirse para ofrecer un alto factor de estabilidad.. Utilice un nivel de lB igual a1120% de lB y valores es. IOV 2. Q (1 33. FIgUra 4. y V ccQ lc = 10 mA.* 29.5 roA con V CE = 6 V.96 Problema 36.tándar de resis.8 kD '-----+----0 -18 v Figura 4.95 Problema 31. especifique: a) lB' b) le e) VE' d) Vet.9 Redes de conmutación de transistores * 36. Elija VE = +Vcc Utilice valores estándar. f3 = 80 e le = 2.5 kQ ]. § 4. Diseñe una red con estabilización en emisor a lc~ = flc. Incluya los efectos de V CE".. diseñe una configuración de divisor de voltaje que tenga un nivel de saturación de 10 mA. determine la apariencia de la forma de onda de salida para la red de la figura 4. Calcule Rc y R B para una configuración de polarización fija si Vcc = 12 V. 34. Y determine lB' lB~. Determine el nivel de VE e lE para la red de la figura 4. Utilice los valores estándar..94 -6\/ 10Y Problema 30. Diseñe el inversor a transistor de la figura 4. = 8 V. Figura 4.94. * 37. OY 5Y p= lOO ov F'lgura 4. Detennine la resistencia colector a emisor en saturación y en corte. Problemas 211 . * 31.8 Operaciones de diseño 32. * 30. Con las características de la figura 4. """ 10 V 5Y v.tores. Con las características de la figura 4.93 Problema 29. un transistor con una beta de 110. =4 mAy VCE (. determine: 1é" b) Ve c) V cr +18V 6Y 330 kQ 5JükQ "Ie ~ 9.1 kQ + Ve P=130 ~= 120 + 510 kQ 1. = +VcC' Utilice V cc = 20 V. y un punto de operación de lc(.78. f3= 120 Y Rc = 4RE • Utilice los valores estándar.95.97 para operar con una corriente de saturación de 8 mA empleando un transistor con una beta de 100.

* 40. Sea específico al describir por qué los niveles reflejan un problema en el comportamiento esperado de la red. Todas las mediciones de la figura 4. 41. En otras palabras.2kf! 1.7kn + 20V OV 0.7kn 470kn 470kn 4.) Cb) Figura 4.Se incrementa o disminuye Ve si R B aumentó? b) ¿Se incrementa o disminuye le si f3 se incrementa? c) ¿Qué sucede con la corriente de saturación si f3 aumenta? d) ¿Se incrementa o disminuye la corriente del colector si Vce se disminuye? e) ¿Qué sucede a VCE si el transistor se reemplaza con uno con una {3 más pequeña? Hgura 4. a) ~ § 4. 16V 16V 91 kn VB =9.2kf! C.2kf! 1. Las mediciones que aparecen en la figura 4.2. 20V 20V 20V 4.6 kn fi= 100 2.6 kn 91 kn 3.2 kn Re 3. los niveles obtenidos señalan un problema muy específico en cada caso. Enliste las posibles razones para las mediciones que se obtuvieron. 212 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .98 revelan que la red no está funcionando de manera adecuada. Con las características de la figura 3 .05 V 1.2 kíl ~---_-<O 18 kíl +Vee = 16 V 1. b) Repita el inciso a para una corriente de 10 mA.64 v 9------1 fi=IOO 4V 18kn 1.6kn C.7kn 470kn 20V 4.100: a) (. Obsérvese cómo se utilizan las escalas logarítmicas y la posible necesidad de referirse a la sección 11.10 Técnicas para la localización de fallas * 39.99 Problema 40.99 revelan que las redes no están operando adecuadamente. Para el circuito de la figura 4.100 Problema 41.56 y compare los resultados.23c. determine teTlcendido y tapagado para una corriente de 2 mA.) Cb) Co) Hgura 4.4V 3. '. ¿Cómo han cambiado tencendido y {apagado con el incremento de corriente del colector? e) Dibuje para los incisos a y b la forma de onda del pulso de la figura 4.38.98 Problema 39.

104. FIgura 4. Calcule Vc' VCE e lc para la red de la figura 4.102 Problema 43. Detennine Ve e 1s para la red de la figura 4.101. § 4.2 kQ . Conteste las siguientes preguntas acerca del circuito de la figura 4.2 kQ 510 kQ Ve lB 82kQ ~c /3=2W + VCE 16kQ /3= 100 0. Figura 4. Problemas 213 . -22 V -12 V 2.75 kQ .. ¿qué le pasará a VE? e) ¿ Qué puede motivar que VCE tome el valor de cerca de 18 V? .. . * 43... 45.103 Problema 44. a) ¿Qué le sucede al voltaje Vc si el transistor se reemplaza con uno que tenga un mayor valor de {3? b) ¿Qué le pasa al voltaje VCE si la terminal de tierra del reslstor Rs se abre (no se conecta a la tierra)? ' c) ¿Qué le sucede a le si el voltaje de la fuente es bajo? d) ¿Qué voltaje VCE debe ocurrir si la unión del transistor base-emisor falla al convertirse en abiera? e) ¿Qué voltaje V CE debe resultar si la unión del transistor base-emisor falla al convertirse en corto circuito? +Vcc = 20 V Re IOkQ V CC =+18V /3= 80 Re R. /3=90 Conteste las siguientes preguntas acerca del circuito de la figura 4. a) ¿Qué le sucede al voltaje Vc si el resistor Rs se abre? b) ¿Qué le pasa al voltaje VCE si f3 se incrementa debido a la temperatura? c) ¿Cómo se verá afectado VE cuando se reemplace el resistor de colector con uno cuya resistencia está en el extremo inferior del rango de tolerancia? d) Si la conexión del colector del transistor se abre.101 Problema 42 . 10 kQ 2.103. DetermÍne lEY V C para la red de la figura 4. 46.104 Problema 45..42. FIgura 4.. Figura 4. Figura 4...102.1 05.105 Problema 46.11 Transistores pnp 44.

59. Para la red de la figura 4. 56.7 V a 0.86. 54. detennine: a) S(lco).75.2 ~A a 10 j1A.79. S(VBE).5 V Y un incremento de f3 del 25%.7 V a 0. Lc~. Repita el problema 57 para la red de la figura 4. una caída de VBE de 0. . Repita el problema 61 para la red de la flgura 4.) como el 25% mayor que f3(T. 63. d) Detennine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operación con un incremento de lea de 0.82. resultados para los ejercicios 47 y 49 pueden encontrarse en el apéndice E.1..82. Repita el problema 53 para la red de la figura 4.86.determine IC' VCE e lB. Repita el problema 53 para la red de la figura 4.§ a) 4. d) Determine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operación con un incremento de 'ca de 02 j.75. o no existe un patrón general sobre los resultados? § 4.75.iAa 10 J1. 64. determine: a) S(lco).13 Análisis por computadora 53. 58. * 51. 214 Capitulo 4 Polarización en dc-BJT .12 Estabilización de la polarización 47. e) S({J) utilizando T1 como la temperatura en la que los valores de los parámetros 6stán especificados y f3(T. S(lco). Compare los valores relativos de la estabilidad para los problemas 47 a150. c) ¿Cuáles factores de los inciso a y b parecen tener mayor influencia sobre la estabilidad del sistema.7 Va 0.86.5 V Y un incremento de f3 del 25%. Repita el problema 61 para la red de la figura 4. * 50. Es decir.75 utilizando BASIC. una caída de VBE de 0. 55. * 49. d) Determine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operación con un incremento de 1ca de 0. Desarrolle un análisis de la red de la figura 4.91.82. una caída de V BE de 0. detenrune lC' VCE e lB' 62.l. d) Determine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operación con un incremento de leo de 0.. ~~~. Determine lo siguiente para la red de la figura 4. Repita el problema 57 para la red de la figura 4.7 V a 0.A.A. Repita el problema 53 para la red de la figura 4. b) Compare los niveles de estabilidad para la configuración de divisor de voltaje del problema 49. Repita un análisis PSpice (versión Windows) para la red de la figura 4. b) S(VBE ). una caída de VBE de 0. detennine: a) b) S(lco).82. 60. a) Compare los niveles de estabilidad para la configuración de polarización fija del problema 47 . *Los asteriscos indican problemas más difíciles.· c) S(fJJ utilizando T) como la temperatura en la cual Jos valores de los parámetros están especificados y j3(T. Repita el problema 57 para la red de la figura 4. Para la red de la figura 4.2 ~A a 10 f.79. Para la red de la figura 4.5 V Y un incremento de f3 del 25%. Repita el problema 61 para la red de la figura 4.79. c) S(fJJ utilizando T) como la temperatura en la que los valores de los parámetros están especificados y f3(T.) como el 25% mayor que f3(T]). ¿Se pueden derivar algunas conclusiones generales a partir de los resultados? * 52. b) S(VBE). Lleve a cabo un análisis PSpice (versión OOS) de la red de la figura 4.5 V Y un incremento de j3del25o/c.2 J1A a 10 J1A.79. 57. * 48.) como el 25% mayor que f3(T]). 61. Esto es . e) S({J) utilizando T) como la temperatura en la cual las valores de los parámetros están especifi- cados y {3(T2 ) como e125% mayor que {3(T 1).

Toda la gente conoce la capacidad de un imán permanente para atraer limaduras de metal hacia el imán sin la necesidad de un contacto real. hay transistores de efecto de campo de canal-n y canal-p. la corriente le de la figura 5. mientras que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje como se muestra en la figura 5 . en una gran proporción.CAPÍTULO Transistores de efecto de campo -----------------------IDDivp--5. En otras palabras. El ténnino "efecto de campo" en el nombre seleccionado merece cierta explicación.. a las del transistor BJT descrito en los capítulos 3 y 4. El campo magnético del imán permanente envuelve las limaduras y las atrae al imán por medio de un esfuerzo por parte de las líneas de flujo magnético con objeto de que sean lo más cortas posibles.1 INTRODUCCIÓN El transistor de efecto de campo (FET) (por las siglas en inglés de Field Effect Transistor) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza para aplicaciones diversas que se asemejan.1 a. es importante considerar que el transistor BJT es un dispositivo bipolar. los electrones y los huecos.lb. (Corriente de controi) 18 BJT FET . De la misma manera que existen transistores bipolares npn y pnp. El FET es un dispositivo unipolar que depende únicamente de la conducción o bien.. En cada caso. de electrones (canal-n) o de huecos (canal-p). Para el FET un campo eléctrico se 215 . Aunque existen importantes diferencias entre los dos tipos de dispositivos.1 (a) (b) Amplificadores controlados por a) corriente y b) voltaje. + (Voltaje de control) V GS FIgura 5. La diferencia básica entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente como se describe en la figura 5.. también es cierto que tienen muchas similitudes que se presentarán a continuación.1a es una función directa del nivel de lB' Para el FET la corriente ID será una función del voltaje VGS aplicado al circuito de entrada como se muestra en la figura 5. en un caso se trata de un nivel de corriente y en el otro de un voltaje aplicado. la corriente del circuito de salida está controlado por un parámetro del circuito de entrada.lb. el prefijo bi indica que el nivel de conducción es una función de dos portadores de carga. Sin embargo..

para comparar algunas de las características generales de cada uno. Inglaterra PhD Gonville and Caius College. Uno de los rasgos más importantes del FET es una gran impedancia de entrada. Su estabilidad térmica y otras características generales lo hacen muy popular en el diseño de circuitos para computadoras.Dacey El doctor Dacey nació en Chicago. Recuerde también que la región de agotamiento es aquella que no presenta portadores libres y es. A un nivel desde 1 a varios cientos de megaohms excede por mucho los niveles típicos de resistencia de entrada de las configuraciones con transistor BJT. la variación en la corriente de salida es obviamente mucho mayor para el BJT. lllinois PhD California Institute of Technology Director de Solid State Electronics Research de Bell Labs Vicepresidente de Investigación en Sandia Corporation Miembro de fRE. Eta Kappa Nu establece mediante las cargas presentes que controlarán la trayectoria de conducción del circuito de salida. 216 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . por tanto.) Jan Munro Ross El doctor Ross nació en Southport. como elemento discreto en un encapsulado típico de sombrero alto. Sin embargo. Miembro de la National Science Board Presidente del National Advisory Committee on Semiconductors G. En el análisis del transistor BIT se utilizó el transistor npn a través de la mayor parte de las secciones de análisis y diseño. el drenaje y la fuente se hallan conectadas a los extremos del canal de tipo n y la entrada a las dos capas de material tipo p. Obsérvese que la mayor parte de la estructura es del material de tipo-n que forma el canal entre las capas interiores del material de tipo p.2 CONSTRUCCIÓN Y CARACTERÍSTICAS DE LOS JFET Como se indicó anterionnente. La parte superior del canal de tipo n se encuentra conectada por medio de un contacto óhmico a la terminal referida como el drenaje (D). Existe una tendencia natural cuando se presenta un segundo dispositivo con un rango de aplicaciones similar a uno que se dio a conocer previamente. Por otro lado.s normales de voltaje en ac para los amplificadores a BJT son mucho mayores que para los FET. el dispositivo de canal-n aparecerá como el dispositivo importante y se dedican párrafos y secciones al impacto del uso de un JFET de canal-p. los FET son más estables a la temperatura que los BJT. Source). La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura 5. Por esta razón. mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de un contacto óhmico a una terminal referida como lafuente (S) (por su sigla en inglés. con una tenninal capaz de controlar la corriente de las otras dos. En general. que la que produce en el FET para el mismo cambio de voltaje aplicado. Tau Beta Pi. Sin embargo. 5. lo cual los hace mucho más útiles en los circuitos integrados (le) (por las siglas en inglés de. incapaz de soportar la conducción a través de la región. El análisis que se desarrolló en el capítulo 4 utilizando' transistores BJT será muy útil para derivar las ecuaciones importantes y para el entendimiento de los resultados obtenidos para los circuitos a FET. Dacey desarrollaron juntos en 1955 un procedimiento experimental para medir las características de un transistor de efecto de campo. sin la necesidad de un contacto directo entre las cantidades controladoras y controladas. los mismos que describiremos. C. y los primeros son por lo general más pequeños en construcción que los BJT. La categoría MOSFET se desglosa después en los tipos decremental e incremental. El transistor MOSFET se ha convertido en uno de los dispositivos más importantes en el diseño y construcción de los circuitos integrados para las computadoras digitales. como se muestra en la figura 5. (Cortesía de AT&T Archives.2. C. Integrated Circuits).la cual se asemeja a la región de un diodo sin polarización. un punto muy importante en el diseño de amplificadores lineales de ac. Cambridge University Presidente emérito de AT &T BeU Labs Socio de IEEE. se debe manipular con cuidado (tema que se analizará en una sección posterior)~ Una vez que se hayan presentado la construcción y las características del FET.Los doctores Jan Munro Ross y G. las características de construcción de algunos FET los pueden hacer más sensibles al manejo que los BIT. el transistor BJT tiene una sensibilidad mucho más alta a los cambios en la señal aplicada. el JFET es un dispositivo de treS terminales. Gale). también se dedicó sólo una sección al impacto del uso del transistor pnp.las ganancia. Durante la ausencia de cualesquiera potenciales aplicados el JFET tiene dos uniones pon bajo condiciones sin polarización. es decir. El resultado es una región de agotamiento en cada unión. En este capítulo se presentarán dos tipos de FET: el transistor de efecto de campo de unión (JFET) (por las siglas en inglés de. los arreglos de polarización se cubrirán en el capítulo 6. Para el transistor JFET.2. Por tanto. Junction Field Elfect Transistor) y el transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) (por las siglas en inglés de Metal-OxideSemiconductor Field Elfect Transistor). Los dos materiales de tipo p se encuentran conectados entre sí y también a una terminal de compuerta (G) (por la sigla en inglés de.

figura 5. VDS algún valor positivo En la figura 5 A se ha aplicado un voltaje positivo VDS a través del canal.'otamienlo Hgura 5.3 Analogía hídráulica para el mecanismo de control del ¡FET.Drenaj¡.2 Construcción y caracteristicas de los JFET 217 . VGS Fuente Compuerta ofFr LDrenaje figul1l 5. La "compuerta".2 porque la terminología está definida para el flujo de electrones. sin embargo. En el instante en que se aplica el voltaje V DD (= VDS)' los electrones serán atraídos a ia tenninal del drenaje.: Contactos óhmico~ Canal-11 Cumpuerta(G) 0--'----1--1 Región de agotamiento ruentc. (5) Región de a!. y la entrada se conectó directamente a la fuente con objeto de establecer la condición VGS = O V. estableciéndose la corriente convencional ID con la dirección detlnida de la figura 5A.3 proporciona cierto sentido sobre el control del JFET a tI ~. mediante una señal aplicada (potencial). controla el flujo de agua (carga) hacia el "drenaje". En raras ocasiones son perfectas las analogías y a veces pueden causar confusiones. 5.4. = O V. Las terminales del drenaje y de la fuente se encuentran en los extremos opuestos del canal~n como en la figura 5. La fuente de la presión del agua se parece al voltaje aplicado desde el drenaje a la fuente que establecerá un flujo de agua (electrones). a través de la llave (fuente).4 JFET en Ves'" OV Y VDS>Ov.vés de la terminal de compuerta y acerca de lo adecuado de la terminología aplicada a las terminales del dispositivo. G + SG. Bajo las condiciones que aparecen en la fIgura 5. La trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las corrientes de drenaje y fuente son equivalentes (lD 15).2. el flujo de carga se encuentra relativamente sin ninguna restricción y sólo lo limita la resisten~ cia del canal-n entre el drenaje y la fuente. la analogía del agua de la figura 5.2 Transistor de efecto de campo de unión OFET). El resultado es que la compuerta y la fuente tienen el mismo potencial y una región de agotamiento en el extremo inferior de cada material-p similar a la distribución de la condición de sin polarización de la figura 5. = D Po CanaJ-n + Región de agotamiento 'N---~'-t'----.

Recuerde a partir de la discusión de la operación del diodo. La relativa rectitud de la gráfica indica que para la región de valores pequeños de VDS' la resistencia es en esencia constante.6. aún existe un pequeño canal con una corriente de densidad muy alta. El hecho de que le = O A es una característica importante del JFET. ov Figura 5. Es importante observar que la región de agotamiento es más amplia cerca de la parte superior de ambos materiales de tipo p.5.al-/1 s o Figura 5. 218 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . la corriente aumenta como lo determina la ley de Ohm y la gráfica de ID en función de VDS aparece de acuerdo con la figura 5. En realidad.6. como se muestra en la figura 5.5.6 v. ocasionando una reducción notable en el ancho del canal.5 V. como se muestra en la figura 5.6 se verifica con el siguiente hecho: la ausencia de una corriente de drenaje eliminaría la posibilidad de niveles de potencial diferentes a través del canal del material-n con objeto de establecer los niveles variantes de polarización inversa a lo largo de la unión pon. El resultado es que la región superior del material de tipo p estará polarizada de manera inversa con cerca de 1. Mientras más horizontal es la curva. El resultado sería una pérdida de la distribución de la región de agotamiento que motivó el estrechamiento inicial.4 se harán más amplias.5. como 10 muestra la figura 5. lo que sugiere que la resistencia está alcanzando un número "infinito" de ohms en la región horizontal.6. con la región inferior polarizada en forma inversa únicamente con 0.J. lo que ocasiona la curva en la gráfica 5. que mientras mayor es la polarización inversa aplicada. VDS'" Vp). Cuando VDS se eleva y se acerca al nivel referido como V p en la figura 5. El OOffio de que la unión pon esté polarizada de forma inversa a través de toda la longitud del canal ocasiona una corriente en la entrada de cero amperes como se muestra en la misma figura. de ahí que la distribución de la región de agotamiento es como se muestra en la figura 5. En cuanto el voltaje VDS se incrementa desde O a unos cuantos volts.=OV G -(~ 1 [ Aumento de I~ resistencia debido al del canal + estrechamH~nt\) [ [ [ Re~lst<:ncia dd c. porque ID mantiene un nivel de saturación definido como lDSS en la figura 5. el término ·'estrechamiento·· es un nombre inapropiado que sugiere que la corriente ID se detiene y que cae a O A. Sin embargo. este difícilmente es el caso. La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a través del canal que se indican en la misma figura. La razón por el cambio de tamaño de la región se describe mejor por medio de la ayuda de la figura 5. mayor la resistencia. El hecho de que ID no caiga con el estrechamiento y mantenga el nivel de saturación indicado en la figura 5. las regiones de agotamiento de la figura 5.6.)l'. más ancha es la región de agotamiento.5 V. Suponiendo una resistencia uniforme en el canal-n.6. Al nivel de VDS que establece esta condición se le conoce como voltaje de estrechamiento y se denomina como Vp (por su sigla en inglés. La trayectoria de conducción reducida causa que se incremente la resistencia. resultará una condición referida como estrechamiento.5 Potenciales variables de polarización inversa a través de la unión pon de un JFET de canal·n.7. Figura 5. ID en función VDS para Ves'" O V.6. D + Estrechamiento JI) I 1 xivel de saturación Vc.7 Estrechamiento (Ves" OV. Pinch-off). En realidad. la resistencia del canal se puede desglosar en las divisiones que aparecen en la figura 5. Si VDS se eleva a un nivel donde parece que las dos regiones de agotamiento se "tocan".

cuando VGS= -Vp . Obsérvese en la figura 5. pero a ' niveles menores de VDS' Por tanto. por otro lado. Eventualmente. Es decir.10 para VGS -1 V.IDDIVp Mientras VDS se incremente más allá de V p' la región del encuentro cercano entre las dos regiones de agotamiento incrementa su longitud a 10 largo del canal.8 Fuente de corriente equivalente para VGS = OV. 5.6 que Ves = O V para toda la curva. Para el dispositivo de canal-n el voltaje de control Ves se hace más y más negativo a partir de su nivel Ves::: O V. foss t I I + VDS o ---+Carga O I DSS es la corriente máxima de drenaje para un JFET y está definida mediante las condiciones V GS = O V Y VDS> l. Vas será lo suficientemente negativo como para establecer un nivel de saturación que será en esencia OmA. El efecto del Ves aplicado de polaridad negativa es el de establecer regiones de agotamiento similares a las que se obtuvieron con V GS = O V. pero el nivel de ID pennanece esencialmente constante. Los siguientes párrafos describen la manera en que las características de la figura 5.10 la manera en que el voltaje de estrechamiento continúa cayendo en una trayectoria parabólica confomle VGS se hace más negativo. Como se muestra en la figura 5.6 resultan afectadas por los cambios en el nivel de Ves' Figura 5. para todos los propósitos prácticos el dispositivo ha sido "apagado". Así como se establecieron varias curvas para JC en función de VCE para diferentes niveles de lB Y para el transistor BJT. una vez que VDS> VP' ellFET tiene las características de una fuente de corriente. el resultado de aplicar una polarización negativa en la compuerta es alcanzar un nivel de saturación a un nivel menor de VOS como se muestra en la figura 5.9 Aplicación de un voltaje negativo a la entrada de un JFET. Obsérvese también en la figura 5. Source) con una conexión de corto circuito (por la sigla en inglés de. La elección de la notación IDSS se deriva del hecho de que es la corriente del Drenaje a la fuente (por la sigla en inglés de. tenemos que: f o ::. En resumen: = + G Vos>ÜV + + S~ Agura 5. VDS> V po VGS<OV El voltaje de la compuerta a la fuente denotado por V GS es el voltaje que controla al JFET.2 Construcción y caracteristicas de los JFET 219 . El nivel resultante de saturación para ID se ha reducido y de hecho continuará reduciéndose mientras Ves se hace todavía más negativo.8. V p l. se pueden desarrollar curvas de ID en función de VDS para varios niveles de Ves para el JFET. En la figura 5. la corriente está fija en ID = 1DSS' pero el voltaje VDS (para aquellos niveles> Vpl está determinado por la carga aplicada.9 se aplica un voltaje negativo de -1 V entre las tenninales de la compuerta y la fuente para un nivel bajo de VDS. Mientras continúa la investigación de las caracterÍsticas del dispositivo. Por tanto. Short) de la entnida a la fuente. la terminal de la compuerta se hace a niveles de potencial más y más bajos en comparación con la fuente.

la ecuación (5.' "T • j Lti·· L • 0' :.. '.. I-i-J. igual a 10 kQ (VGs=OV.:: O V Y rd es la resistencia en un nivel particular de VGS' Para un JFET de canal-n con r.. y por tanto la resistencia del dispositivo entre el drenaje y la fuente para VDS < Vp ..11. Vp =-6 V).__ Región .- 11 ~+-.10 es conocida como la región óhmica o de resistencia controlada por voltaje.."I: ~. 5 10 15 '0 15 FIgUra 5.' :.. y se le refiere como la región de corriente constante. 220 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .2 con una inversión de los materiales tipo p y tipo n. . ~ 7 6 5 4 3 .. correspondiendo a un nivel creciente de resistencia.10 que la pendiente para cada curva..'-" . 1. __ " :..-~-. -·_:·:..10 Características del JFET de canal-n con loss '" 8 mAy Vp '" -4 V.: ..t-~~ _' I ! I . La siguiente ecuación ofrecerá una buena y primera aproximación del nivel de resistencia en términos del voltaje aplicado V GS' (5. la pendiente de cada curva se hace más horizontal. =I\' o .l0 es la región empleada normalmente en los amplificadores lineales (amplificadores con una mínima distorsión de la señal aplicada)..-~'. en este capítulo se revisará una hoja de especificaciones cuando hayan sido presentados los elementos básicos más importantes. es una función del voltaje aplicado VGs ' Mientras lIGS se convierte en más negativo. "-t. saturación o región de amplificación lineal. como se muestra en la figura 5. I Región de saturación f-$~~~. Obsérvese en la figura 5. el voltaje de estrechamiento se encuentra especificado como VGS(apagado) en vez de Vp' Más adelante. En la mayor parte de las hojas de especificaciones. La región a la derecha del estrechamiento en la figura 5..I~-:".___-:-_.~..1 ) donde roes la resistencia con Ves.ID (mA) 1 / Ubicación de los valore~ de estrechamiento ~ /..IJ-~.1) dará por resultado 40 kQ en VGS = -3 V Dispositivos de canal-p El JFET de canal-p está construido exactamente de la misma manera que el dispositivo de canal-n de la figura 5. El nivel de V GS que da por resultado ID = O mA se encuentra definido por V GS = V p' siendo Vp un voltaje negativo para los dispositivos de canal-n y un voltaje positivo para los ]FET de canal-p. Resistor controlado por voltaje La región a la izquierda del estrechamiento en la figura 5...... En esta región al JFET se le usa en realidad como un resistor variable (posiblemente para un sistema de control de ganancia automática) cuya resistencia se encuentra controlada por medio del voltaje de la compuerta a la fuente...a.. .. ' .

' Éste simplemente indica que la fuente se encuentra a un potencial mayor que el drenaje. Ves =+2V Región de ruptura o ~5 ~1O ~lS -20 -25 Figura 5. dará como resultado voltajes negativos para VDS sobre las características de la figura 5. éste será estrechado mediante voltajes crecientes positivos de la compuerta a la fuente.12 Características del JFET de canal-p con IDSS '" 6 mAy Vp '" +6 V." • de las hojas de especificaciones. JFET de canal-p. como las polaridades reales para los voltajes Ves y VDS' Para el dispositivo de canal-p. Se observa en los niveles altos de VDS que las curvas suben repentinamente a niveles que parecen ilimitados. Las direcciones de corriente definidas están invertidas. No se debe confundir por el signo de menos para VD. El crecimiento vertical es una indicación de que ha sucedido una ruptura y que la corriente a través del canal (en la misma dirección en que normalmente se encuentra) ahora está limitada únicamente por el circuito externo. Esta región puede evitarse si el nivel de VDS m . que en nivel real de VDS es menor que el valor máximo para todos los valores de V cs' 5.2 Construcción Y características de los JFET 221 .10 para el dispositivo de canal-n.11.12. Aunque no aparece en la figura 5. y el diseño es tal. y la notación de doble subíndice para Vos' por tanto. sucede para el canal-n cuando se aplica suficiente voltaje.la cual tiene una 1DSS de 6 mA y un voltaje de estrechamiento de Ves = +6 V.D ~ I 'n + + ts f Figura 5.

) Símbolos del JFET: a) de canal-n. b) de canal-p.14b. Otros. Se puede desarrollar una lista similar para los jFET de canal-p.13a. Para los voltajes de la compuerta a lafuente Ves menores que (más negativos que) el nivel de estrechamiento. respectivamente. se describen a continuación: La corriente máxima se encuentra dejinida como 1DSS y ocurre c:lando Ves = O V Y V DS ~ IV p I como se muestra en la jigura 5.Símbolos Los símbolos gráficos para los JFET de canal-n y de canal-p se presentan en la figura 5.13 ¡. cuya referencia será frecuente en el análisis de este capítulo.14 a) Vcs " OV.. D ves =. con objeto de representar la dirección en la cual fluiría IG si la unión p-n tuviera polarización directa. b) corte (ID" O A) VGS es + S menor que el nivel de estrechamiento. como se encuentra en la jigura 5.14a .l3b).l4c. D D ·h G + G L + + + vc. 1 S ¡b) I[)=O A VD!) IVGGI~I (a) vpl D G OmA_ln</DSS < Figura 5.13. Ce) 222 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .DSS cuando VGS es menor o igual a O V Y mayor que el nivel de estrechamiento. Resumen Una cantidad importante de parámetros y relaciones se presentaron en esta sección. la corriente ID se encontrará en el rango entre IDSSY OA. e) ¡D se encuentra entre OA ef. Para todos los niveles de Ves entre O V Y el nivel de estrechamiento. La única diferencia en el símbolo es la dirección de la flecha para el dispositivo de canal-p (figura 5. así como en el siguiente para los JFET de canal-n. Obsérvese que la flecha se encuentra apuntando hacia adentro para el dispo~vo de canal-n de la figura 5. S VDS s (b) Figura 5. como aparece en lajigura 5.lD " IDSS .V ee G D + V ee + Vc. la corriente de drenaje es igual a OA (ID = OA).

2) existe una relación lineal entre le e ¡ B" Si se duplica el nivel de 1H e le' se incrementará también por un factor de 2.5. Desafortunadamente. 5. y una gráfica de la ecuación de red que relacione las mismas variables. En fanna de ecuación . 0 I - ¡? es Vp )2 variable de control (5. más directo y fáci1 de aplicarse.3) con objeto de representar el dispositivo.l5 se proporcionan dos gráficas lv(mAl 1010 9 9 //) (mA) -8 IDs~ __ - Ves=OV 11 Ves =-3 v Figura 5.¡r=~. considerada como constante para el análisis que fue desarrollado.3) con stantes T William Bradford Shockley (19101989) coinventó el primer transistor y formuló la teoría de "efecto de campo" que se utilizó en el desarrollo de los transistores y el FET.2) constante En la ecuación (5. en general.variable de control le ~ f( 8 ) ~ /¡PB i I (5..3 Características de transferencia 223 .. La ecuación de la red puede cambiar con la intersección de las dos curvas. (Cortesía de AT&T Archives). Profesor Poniatoff de Enginnering Science en Stanforc University Premio Nobel en física en 1956 junto con los doctores Brattain y Bardeen El ténnino cuadrático de la ecuación dará por resultado una relación no lineal entre ID Y Vcs' produciendo una curva que crece exponencialmente con las magnitudes decrecientes de V cs' Para el análisis en dc que será desarrollado en el capítulo 6. Por tanto: Las características de transferencia definidas por la ecuación de Shockley no resultan afectadas por la red en la cual se utiliza el dispositivo.BeU Laboratories Presidente de Shockley Transistor Corp.lO. 1936 Director del Transistor Physics Department .15 VU _\=---4 V 5 10 15 20 25 Obtención de la curva de transferencia ·para las características de drenaje. la aproximación gráfica requerirá de una gráfica de la ecuación (5. un sistema gráfico más que matemático será. pero la curva de transferencia definida por la ecuación (5.3 CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA Derivación Para el transistor BJT la corriente de salida fe y la corriente de control!B fueron relacionadas por beta. Se puede obtener la curva de transferencia utilizando la ecuación de Shockley o a partir de las características de salida de la figura 5. Inglaterra PhD Harvard. La relación entre ID Y Ves se encuentra definida por la ecuación de Shock/e)': ID ~ IDSS . Es importante considerar al aplicar la aproximación gráfica que las características del dispositivo no serán afectadas por la red en la cual se utilice el dispositivo. Sin embargo. En la figura 5. .. La solución está definida por el punto de intersección de las dos curvas. esta relación Ilneal no existe entre las cantidades de salida y de entrada de un JFET. Shockley nació en Londres.--_ _ _ _ _ _.3) permanece sin resu\tar afectada.

La validación de la ecuación (5. Si se dibuja una línea horizontal desde Ves = -1 V hacia el eje ID Yluego se extiende hacia el otro eje. pero el cambio resultante en ID es bastante diferente.con la escala vertical en miliamperes para cada gráfica. la curva que resulta es parabólica. la corriente de drenaje es de cero miliamperes. ID = loss' Cuando Ves == Vp == -4V.15 decrece notoriamente mientras Ves se hace más y más negativo.Con las características de drenaje a la derecha del eje "'y" es posible dibujar una línea horizontal desde la región de saturación de la curva denotada Ves == O Val eje ID' El nivel resultante de corriente para ambas g!'áficas es lDss' El punto de intersección en la curva ID en función Ves será el que se mostró antes. Nótese que en la definición de ID cuando Ves == O V Y -1 V que se utiliza los niveles de saturación de iD Y la región óhmica se ignora. Las características de transferencia son una gráfica de una corriente de salida (o drenaje) en función una cantidad controladora de entrada. ID = O mA.15 también puede obtenerse directamente a partir de la ecuación de Shockley (5. ya que el eje --vertical está definido como VGS == O V. es importante comprender que las características de drenaje relacionan una cantidad de salida (o drenaje) a otra cantidad de salida (o drenaje). Los siguientes párrafos presentan un método rápido y eficiente para graficar ID en función Ves' usando únicamente los niveles de IDss y V p y la ecuación de Shockley.0)2 e (5. En resumen: Cuando VGS = O V. se puede localizar otro punto sobre la curva de transferencia. simplemente dando los valores de loss y VP' Los niveles de loss y V p definen los límites de la curva sobre ambos ejes y dejan la necesidad de encontrar sólo unos cuantos puntás intennedios. ambos ejes están definidos por variables en la misma región de las características del dispositivo.::: -2 V Y-3 V se puede completar la curva de transferencia. Si la relación fuera lineal.-Vp . Compare el espaciamiento entre Ves == O V Y Ves = -1 V con aquel entt=e Ves = -3 V Yel estrechamiento. Seguimos con VGS. Por tanto. ~ .l5 se demuestra mejor al examinar unos cuantos niveles específicos de una variable y encontrando el nivel resultante del otro de la siguiente manera: Sustituyendo VGS = O V da VGS~' Ecuación (5. Esto es: Cuando VGS = Vp.3) como una fuente de la curva de transferencia de la figura 5.15. Precisamente es la curva de ID en función Ves la que recibirá un amplio uso en el análisis del capítulo 6. Una es una gráfica de ID en funcÍón VDS' mientras que la otra es de ID en función Ves.3). Obsérvese que en VGS = -1 V la curva de transferencia tiene un valor de ID = 4.3): ID = IDss (. la gráfica de ID en función V GS sería una línea recta entre 1DSS y Vp ' Sin embargo. Aplicación de la ecuación de Shockley La curva de transferencia de la figura 5.5 mA.4) 224 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . Antes de continuar. El cambio en Ves es el mismo. y no precisamente las características de drenaje de la figura 5.15. existe una "transferencia" directa de las variables de entrada a las de salida. utilizando la curva a la izquierda de la figura 5. definiendo otro punto sobre la curva de transferencia. porque el espaciamiento vertical entre los pasos de Ves sobre las características del drenaje de la figura 5.

: ~1 V.- 2 Vp =8mAI--= 8 mA(0.:s. con objeto de graficar la curva de la manera más eficiente mientras se mantenga un grado aceptable de precisión.4 Y(l . La derivación es bastante directa y dará como re.0.3) es tal. Obsérvese el cuidado que se necesita tomar con los signos negativos de Ves 'J Vp en los cálculos anteriores.-) 0. Método manual rápido Debido a que la curva de transferencia debe graficarse con mucha frecuencia.25) = -1 V como se sustituyó en el cálculo anterior y siendo verificado por la figura 5. El formato de la ecuación (5.5 mA -l Y)' ( -4Y 8mA(1 - ~)' =8mA(0. podría resultar muy ventajoso tener un método manual rápido.3)] una ecuación para el nivel resultante de Ves para un nivel dado de ID. que los niveles específicos de Ves darán niveles de ID que podrán ser memorizados para proporcionar los puntos necesarios con objeto de graficar la curva de transferencia.6) si se localiza el nivel de Ves que dará por resultado una corriente de drenaje de 4.:t"ad::. utilizando álgebra básica se puede obtener [a partir de la ecuación (5. Ves) ID = loss ( 1 .3 Características de Transferencia 225 .15. Debe resultar obvio a partir de lo anterior que dados Vos s y Vp (como normalmente se proporciona en las hojas de especificaciones) el nivel de ID se puede encontrar para cualquier nivel de Vcs' Recíprocamente.5) Para las características de drenaje de la figura 5.5)2 5. La pérdida de un signo daría un resultado totalmente erróneo.o=--_ _ _ _ ----:===----.5 mA para el dispositivo con las características de la figura 5. = ..5625) = 4.. Si se especifica que Ves sea la mitad del valor de estrechamiento V p' el nivel resultante de ID será el siguiente.6) Puede probarse la ecuación (5.15.15.::ul:. Ves = Vp(l - ~ ID I Dss ) (5.75)2 como se muestra en la figura 5. si se sustituye Ves.15.75) = -4 Y(0.(5.5625) = -4 Y(l . de acuerdo con la determinación de la ecuación de Shockley: _ 12)2 __ 1DSsC0.

Si se elige ID = I DSS /2 y se sustituye en la ecuación (5.3 Vp 0.3 (-6 V) -1. = = = = = 226 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .5Vp ID lDSS 1DSS/2 Ve l/Jss/4 DmA EJEMPLOS. en el análisis del capítulo 6 se utiliza un máximo de cuatro puntos con objeto de trazar las curvas de transferencia.I DSS IDSS IDSsI2) = Vp(l .1 VGS en función ID utilizando la ecuación de Sbockley Ves O O.7) no es para un wel de V p en particular.7) Ahora es importante estar consciente de que la ecuación (5.=IDss /2 Pueden determinarse puntos adicionales.. pero la curva de transferencia puede trazarse con un nivel satisfactorio de precisión utilizando simplemente los cuatro puntos definidos arriba y revisados en la tabla 5 .3vp l¡o.e (5. En la mayoría de las ocasiones. De hecho.{j V/2 =-3 V la corriente de drenaje está dada por ID =IDSs /4 = 12 mA/4= 3 mA. TABLA 5. Solución Los dos puntos de la gráfica están definidos por I DSS = 12 mA y y e ID = OmA En Ves = V p l2 =. se encuentra que Ves =V p = Vp 0 ~) 0. Los cuatro puntos están bien definidos sobre la figura 5.6).3Vp O.8) y VGS == o.1 f. Obsérvese el nivel de ID para Ves = Ve 12 = -4 V/2 = -2 V en la figura 5.293) (5. sino es una ecuación general para cualquier nivel de Vp mientras que Ves = V p12.1.. En ID I Dss /2 12 rnA/2 6 mA el voltaje de la compuerta a la fuente se encuentra determinado por Ves'" 0.::on la curva de transferencia completa.l Trazar la curva definida por I DSS = 12 mA y Vp = .~ .8 V. utilizando sólo el punto de la gráfica definido por Ves == V p /2 y las intersecciones de los ejes en 1DSS y Vp' se obtiene una Curva lo suficientemente precisa para la mayoría de los cálculos.{j v. El resultado especifica que la corriente de drenaje siempre será de una cuarta parte del valor de saturación 1DSS' mientras el voltaje-fuente sea de la mitad del valor de estrechamiento.15.-{65) = Vp(0.

existen unos cuantos parámetros fundamentales que proporcionan todos los fabricantes. Los dos puntos de la gráfica aparecen en la figura 5.9 V. y la curva tendrá la imagen en espejo de la curva de transferencia que se obtuvo para un dispositivo de canal-n y los mismos valores limitantes.ID (mA) 12ID =/DSS=12mA 11 9 S 7 6 5 4 3 2 \lGS = Vp =-6 V "'" Figura 5. Para los dispositivos de canal-p.3 (3 V) = 0.lD= I Dss l4 = 4mA14= l mA. tanto Vp como VGS serán positivos.4 HOJAS DE ESPECIFICACIONES (JFE1) Aunque el contenido general de las hojas de especificaciones puede variar desde el mínimo absoluto hasta una gran cantidad de gráficas y tablas. EJEMPLO 52 Solución En Ves = Vp l2 = 3 VI2 = 1.3) de Shockley puede todavía aplicarse exactamente como aparece. 5.17 Curva de transferencia para el dispositivo de canaI~p del ejemplo 5. Los más importantes se analizan en los siguientes párrafos.3 Vp = 0. En este caso.16 Curva de transferencia O VGS -6 -5 -4 -3 -2 -1 para el ejemplo 5.. La hoja de especificaciones para el JFET de cana1-n 2N5457 proporcionado por Motorola se ofrece en la figura 5. l 8.17 junto con los puntos definidos por medio de loss y Vp ' losS = 4 mA Vp =3 V o 2 3 Vp Figura 5. En ID = IDssl2 = 4 mAI2 = 2 mA.. la ecuación (5. Ves = 0.1. 5. 4 mA y V p = 3 V.. Trazar la curva de transferencia para un dispositivo de canal-p con 1DSS.2.5 V.4 Hojas de especificaciones (JFEl) 227 .

.5 -1.0 -200 Vdc -0. Todo buen 228 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . Valores nominales máximos La lista de valores nominales máximos por 10 general aparece al principio de la hoja de especificaciones..f= 1. Vos = O) 2N5457 CARACTERÍSTICAS ES PEQUEÑA SEÑAL Admitaneia de transferencia directa para fuente común' (Vos'" 15 'Vde. Vd. 2N5457 - - CARACTERíSTICAS "ENCENDIDO" Corriente de drenaje con voltaje de cero en la entrada" (VDS = 15 Vde.0 pF 1 I 1. Vos =0. 25 25 VOSR lo PD -25 Vdc mAdc mW JO JlO 2.: 50 e". VGS =0.82 mW/oC oC oC Refiérase al 21'04220 para ~ráficas.0 I 10% Figura 5.2N5457 VALORES !\'OMINALES MÁXIMOS Clasificación Voltaje drenaje-fuente Voltaje drenaje-compuerta Voltaje inverso ..f= LOkHz) Admitancia dI: salida para fuente común' (VDS = 15 Vde.. VGs=O.5 Ves --6. I Yh i 1000 pmho~ 2N5457 I 10 5000 pmho~ y.V GS =O.. T.: ".oho del pul'oO 5630 m" ciclo dc t.f= 1.~bajo:.~ E?\CAPSULADO 29-04.uAdc) 2N5457 VIBRIGSS I GSS - -25 - - Vd. nAde VGS(~p. 125 -65a+150 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (T" = 25 oC a menos que se especifique lo contrario) Característica CARACTERÍSTICAS "APAGADO" Voltaje de ruptura compuerta-fuente (iG=-IOtlAdc.l~ado) -2. pero el nivel real de voltaje entre estas terminales nunca debe exceder el nivel especificado. los niveles máximos de las corrientes y el nivel máximo de disipación de potencia del dispositivo. Vos =0) (V GS = :"15 Vdc. T A = 100°C) Voltaje de corte: compuerta fuente (VDS = 15Vdc.18 JFET de canal-n 2N5457 de Motorola. de pul". pF - 4. L-. C.0 MHz) Capacitancia ele transferencia inversa (Vos = 15 Vde. ESTILO 5 TO-92 (TO-226AAl Símbolo VD' VDO Valor Lnidad Vd..0 Vd. VDS=O) Corriente inver'ia de la compuerta (Ves = -15 Vdc.lo= lOnAdc) Voltaje compuerta fuente (Vos = 15Vdc.::'.l o = 100.. VGS = O.5 3.junto con los voltajes máximos entre las terminales específicas.0 MHz) ·l'T1Jeb. Los niveles máximos especificados para VDS y VDG no deben excederse en ningún punto del diseño de la operación de] dispositivo..0kHz) Capacitancia de entrada (Vos = 15 Vdc. La fuente aplicada VDD puede exceder estos niveles. f= 1.:ompuerta-fuente Corriente de la I:ompuerta Disipacion total del dispositivo @T A = 25 oC Pérdida de dlsipación arriba de 25 oC Rango de temperatura de la unión Rango de almacenamiento de temperatura del canal T.5 7.

Las características de pequeña señal se discuten en el capítulo 9. pero por el momento reconocemos que el valor de 2.5 a -6. La región óhmica define los valores máximos permisibles de VDS en cada nivel de V CS' y VDS mh especifica el valor máximo para este parámetro.p"'do) tiene un rango entre -0. como se muestra en la figura 5.9) Nótese la similitud en formato con la ecuación de disipación máxima de potencia para el transistor BJT.:S l Fuente Región de operación La hoja de especificaciones y la curva definida por los niveles d$oestrechamientü a cada nivel de Ves definen la región de operación para la amplificación lineal sobre las características de drenaje como Se muestra en la figura 5. 3 Drenaje (encapsulado) com~o. JFET DE USO GENERAL CANAL-P Hgura 5.4 Hojas de especificaciones (JFE1) 229 .82 mW por cada incremento en la temperatura de 1 oC arriba de 25 oC. se debe al proceso de fabricación. (TQ-206AA) Construcción del encapsulado e identificación de terminales Este JFET en particular tiene la misma apariencia que proporciona la hoja de especificaciones de la figura S .19 con su identificación de tenninales.82 m W/oC revela que el valor de disipación decrece en 2. La identificación de las terminales también se proporciona directamente debajo de la figura. ESTILO 1::: To-n. 5. El término inverso en V esR define el voltaje máximo con la fuente positiva respecto a la compuerta (como si estuviera polarizada normalmente para un dispositivo de canal-n) antes de que ocurra la ruptura. Además los JFET se encuentran disponibles en encapsulado de "sombrero alto". 2N2844 CÁPSULA 22-03.19 Encapsulado de ~sombrero alto" e identificación de las terminales para un JFET de canal-p.20. La disipación total del dispositivo a 25 oC (temperatura ambiente) es la máxima potencia que el dispositivo puede disipar bajo condiciones normales de operación y está definida por (5.20 Región de operación normal para el diseño de amplificación líneal. En este caso V p = VCs<.0 e lDSS entre 1 y 5 roA. En algunas hojas de especificaciones es referido BV[)SS' el voltaje de ruptura con el drenaje y la fuente en corto circuito (VDS == O V) se encuentran referidas como BVDSS' Normalmente está diseñado con objeto de operar con le = O A. pero si se fuerza a aceptar una corriente de la entrada podría soportar 10 mA antes de que suceda cualquier daño. Las otras cantidades están definidas bajo las condiciones que aparecen entre paréntesis. El hecho de que ambos tengan -una variación de dispositivo a dispositivo del mismo tipo. El factor de pérdida de disipación se analiza con detalle en el capítulo 3.diseño intentará evitar estos niveles COn un buen margen de seguridad. ID Ubicació~ los nive~es de estrechamiento 1/ 1 \ \ FIgUra 5. Características eléctrícas Las características eléctricas incluyen el nivel de Vp en las CARACTERÍSTICAS DE APAGADO e lDSS en las CARACTERÍSTICAS DE ENCENDIDO.18.

5 INSTRUMENTACiÓN Recuerde que. Y finalmente -2 V. V p es cierto que es más negativo que -2 V Yquizá Vp se encuentre cercano a -2. La escala vertical (en miliamperes) y la escala horizontal (en volts) se han ajustado para mostrar las características completas.. .5 V/paso).. ImA{ di" .5 V. I \ 1 I . \ ! ! ¡f ! -~ Sensibilídad vertical I i . Una instrumentación similar no está disponible con objeto de medir los niveles de I DSS y Vp . 500 rnV- por paso - i I I i I 1---. i ! / Yt i".21.---_.. lo que revela que la curva superior se encuentra definida por VGS == OV. I . y el nivel máximo de disipación de potencia define la curva dibujada de la misma manera que para los transistores BJT. i .-. por lo que quizá Vp == -3 V es una / I i ves= ov IDSS=9mA lI ¡ lDSS = 4. como se muestra en la figura 5.• . Para el JFET de la figura 5 . .L ____ ~--.9 V) 1(. luego -1.~_. El nivel de Vp se puede estimar si se observa el valor de Ves de la última curva hacia abajo.í ~ /7 '1. tenga en cuenta que las curvas VGS se contraen muy rápidamente cuando se acercan a la condición de corte._--_. . ImA por división ! ! ! ! .21. 1 "" : Sensibilidad horizontal IV por división I ¡ j ! .2 (VGS = -0. cada división vertical (en centímetros) refleja un cambio de ¡-mA en le' mientras que cada división horizontal tiene un valor de ¡ V. El paso del voltaje es de 500 mV/paso (0. V '-.21 Características de drenaje para el transistor JFET 2N4416 como se presenta en un trazador de curvas._. como se vio en el capítulo 3.5 V para el dispositivo de canal-no Con el uso del mismo paso de voltaje la siguiente curva es -1 V.--' IV t.-gm 2m por división ~.. Sin embargo. 230 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . el trazador de curvas presentado para el transistor BJT puede también mostrar las características de drenaje del transistor JFET a través del ajuste adecuado de varios controles. Al dibujar una línea a partir de la curva superior sobre el eje ID se puede estimar el nivel de I DSS de cerca de 9 mA. I .1iv _.La corriente de saturación loss es la corriente máxima de drenaje.5 V. \ " iV p =-3 VGS =-2V v Figura 5. pero tomando en cuenta la distancia más pequeña entre las curvas mientras VGS se hace todavía más negativo.. 5..- i i I 1 i .. La región sombreada resultante es la región de operación normal para el diseño de amplificadores. I / . f-I " I I . Yque la siguiente curva hacia abajo -0. Sin embargo.5 mI.. hay instrumentos disponibles para medir el nivel de f3dc para el transistor BJT. 1 1 1 j . En este caso. ¿- i ! ! ! ! \ ! I . \ I I - I i I i .

22b.. Las ecuaciones JFET están definidas para la configuración de la figura 5.9 V. que en VGS:. Con este valor encontramos. -1 V.5 V Y -2 V. el nivel de Vp se puede estimar con un grado razonable de exactitud simplemente aplicando la condición que aparece en la tabla 5. lo cual revela con claridad cuan rápido las curvas se contraen cerca de Vp ' La importancia del parámetro gm y la forma en que se determina a partir de las características de la figura 5.21. -0. ID =I DSS/2 = 9 mA/2 =4. En Ves = -2.25 V. el voltaje por paso se puede reducir a 250 mV = 0.3Vp ' Para las caracterÍsticas de la figura 5. cuando ID == 1 DSS /2.5 V la ecuación de Shockley dará por resultadoI D =0.21.3 -0.21 se describen en el capítulo 8 cuando se examinen las condiciones de ac en pequeña señal.::: O. También es importante revÍsar que el control del paso se ajusta para una pantalla de cinco pasos limitando las curvas mostradas a VGS = O V. -2 y.6 Relaciones importantes 231 . = = = ID = IDSS 1 = 9 mA V)' ~ V - GS p f¡ _ -2 vV ~ -3 V! _ 1 mA como se fundamenta en la figura 5. 1') s lb) E figura 5.5 V. La curva Ves = -2.3 -3 V. Y la curva para Ves = -2.22a.22 a) JFET contra b) BJT. -1. se repiten a continuación en seguida de su ecuación correspondiente para el transistor BJT. Por fortuna. y es tan visible en la figura 5.5 mA.mejor elección.21 que el nivel correspondiente de Ves es de aproximadamente -0. 5. particulannente importantes para el análisis que sigue para las configuraciones de dc yac.6 RELACIONES IMPORTANTES Una cantidad de ecuaciones importantes y de características de operación se presentaron en las últimas secciones.7 V 5.25 V se hubiera podido incluir. Si el control del paso se incrementa a 10. así como una curva adicional entre cada paso de la figura 5. con Vp = -3 V.. luego VGS. el cual será nuestra selección para este dispositivo.25 mA.1. JFET BJT (5. Esto es.25 V hubiera indicado la rapidez con que las curvas se están cerrando una sobre la otra para el mismo paso de voltaje.10) {::} le" lE {::} VSE " 0. Con esta información se encuentra que Vp Ves /O.. mientras que las ecuaciones para el B1T se relacionan a la figura 5. En un esfuerzo por aislar y enfatizar su importancia.21.9 V/O.

23. lB por lo general es el primer parámetro que debe determinarse.7 V a menudo se tomó como clave para inicializar un análisis de una configuración a BIT. mientras que la etiqueta MOSFET significa transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor. Los términos agotamiento e incremental definen su modo básico de operación.23.23 MOSFET de tipo decrementa! de canal-n.P S (Fuente) Regiones dopadas-n Figura 5. En algunos casos el substrato se encuentra conectado interiormente con la teoninal de la fuente. que es la base sobre la que se construye el dispositivo. se han cubierto en secciones por separado. El SiO. Las terminales de fuente y compuerta están conectadas por medio de contactos m~tálicos a las regiones dopadas-n unidas por un canal-n como se muestra en la figura. Una placa de material tipo p está formada a partir de una base de silicio y se le conoce como substrato. De forma parecida. pero permanece aislada del canal-n por medio de una capa muy delgada de dióxido de silicio (Si0 2). En esta sección se examinará el MOSFET de tipo decremental. Debido a que existen diferencias en las características y en la operación de cada tipo de MOSFET. Para el JFET normalmente es V cs' La cantidad de similitudes entre las configuraciones de dc para BIT y JFET se podrá apreciar mejor en el capítulo 6. Para la configuración BJT.Entender bien el impacto de cada una de las ecuaciones anteriores es suficiente antecedente para atacar las configuraciones de de más complejas. Recuerde que VBE = 0. La compuerta se encuentra conectada también a una superficie de contacto metálico. existen dos tipos de FET: los JFET y los MOSFET. 5. dando por resultado un dispositivo de cuatro terminales. el cual tiene las características similares a aquel1as de un JFET entre el corte y la saturación en l DSS' pero luego tiene el rasgo adicional de características que se extienden hacia la región de polaridad opuesta para Ves' Construcción básica La construcción básica del MOSFET de tipo decremental de canal-n se proporciona en la figura 5. es un tipo particular (Drenaje) D Canal-n Substrato Substrato . 232 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . Los MOSFETse desglosan más adelante en tipo decremental y en tipo incremental. como el que aparece en la figura 5. Sin embargo. muchos dispositivos discretos ofrecen una terminal adicional etiquetada SS. la condición le = OA es a menudo el punto de inicio para el análisis de una configuración a JFET.7 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL Como se observó en la introducción del capítulo.

El hecho de que la capa SiO::! es una capa aislante revela el siguiente hecho: No existe conexión eléctrica directa entre la terminal de la compuerta y el canal de un MOSFET.la tenninal de la compuerta y el control que ofrece el área de la superficie de contacto~el óxido por la capa aislante de dióxido de silicio y el semiconductor por la estructura básica sobre la cual las regiones de típo n y p se difunden. 5. la resistencia de entrada de un MOSFET es a menudo igual a la del JFET nonnal. ----- ss + Figura 5. . o . para los electrones libres del canal-no y una corriente similar a aquella establecida a través del canal del JFET.25. Adicionalmente: Se debe a la capa aislante de SiOl del MOSFET explica la alta impedancia. El motivo de la etiqueta FET de metal-óxido-semiconductor es ahora mucho más obvia: metal por las conexiones del drenaje. aun cuando la impedancia de entrada de la mayoría de Jos JFET es lo suficientemente alta para la mayoría de las aplicaciones. El resultado es una atracción. por el potencial positivo del drenaje. Operación básica y características En la figura 5..7 MOSFET de tipo decrementa! 233 . lnsulated Gate). la corriente resultante con Ves =:: O V se le sigue denominando Ioss' como se muestra en la figura 5. La capa aislante entre la compuerta y el canal ha dado por resultado otro nombre para el dispositivo: FET de compuerta aislada o IGFET (por las siglas en inglés de. La muy alta impedancia de entrada continúa soportando totalmente el hecho de que la corriente de la entrada (le) es en esencia de cero amperes para las configuraciones de polarización de dc.de aislante conocido como dieléctrico que ocasiona campos eléctricos opuestos (como se indica por el prefijo di) dentro del dieléctrico cuando se expone a un campo externamente aplicado. aunque este nombre es cada vez menos utilizado en la literatura actual. y se aplica un voltaje Vos a través de las terminales del drenaje y fuente. fuente y compuerta a las superficies adecuadas en particular.24 MOSFET de tipo decremental de canal-n con VG.24 el voltaje compuerta-fuente se hace cero volts mediante la conexión directa de una tenninal a la otra. muy deseable. De hecho. de entrada del dispositivo. De hecho.'l '" OV Y un voltaje aplicado Vnn.

..26. Los niveles resultantes de corriente de drenaje y la gráfica de la curva de transferencia se conduce exactamente igual a la descrita para el JFET.25 indica que la corriente de drenaje se incrementará de manera acelerada debido a las razones listadas arriba.' -6 -5 --4 -3 -1 Vp Vp \1 0. la figura 5..26. -2 V... Mientras más negativa sea la polarización. Capa de SiO~ Canal-n Proceso de recombinaci6n G~---i Substrato de material-p +) Contacto metálico Huecos atraídos a! potencia! negativo en la compuerta + Electrones repelidos por el potencial negativo en la compuerta FIgUra 5_26 Reducción de portadores libres en el canal debido a un potencial negativo en la terminal de la compuerta. Mientras el voltaje compuerta-fuente sigue aumentando en la dirección positiva.3 V p -5 V O o I 2 Ves =Vp =-6V Figura 5. reducida con la polarización negativa creciente de VGS como se muestra en la figura 5.. El potencial negativo en la entrada tenderá a presionar a los electrones hacia el substrato de tipo p (cargas similares se repelen) y atrae huecos del substrato de tipo p (cargas opuestas se atraen) como se muestra en la figura 5. por tanto. Dependiendo de la magnitud de la polarización negativa que aplica V cs' sucederá un nivel de recombinación entre los electrones y los huecos que reducirá el número de electrones libres disponibles para la conducción en el canal-n.. 234 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .25 Características de drenaje y de transferencia para un MOSFET de tipo decrementa! de canal-n.. Para los valores positivos de VGS la entrada positiva atraerá electrones adicionales (portadores libres) desde el substrato de tipo p debido a la corriente de fuga inversa......25 para VGS = -1 V...---agotamIento Modo incremental -----I ms ~_------. y creará nuevos portadores mediante la colisión resultante entre las partículas en aceleración.. más alta será la tasa de recombinación.. Y así sucesivamente. hasta el nivel de estrechamiento de -6 V. =-3 V -4V T VD.Ves =-2-V 2 I'-_____________ \/c.... VGS tiene un voltaje negativo tal como -1 V..Ves = O \' _ .. = -1 \" _ .s= V..-----...Ve. En la figura 5. El nivel resultante de corriente de drenaje es.

El espaciamiento vertical entre las curvas de Ves O V Y Ves + 1 V de la figura 5.s figura 5.7 MOSfET de tipo decrementa! 235 .25. Como se dijo antes.5 mA 17 16 yen ID = O. la cual posiblemente podría exceder el valor máximo (corriente o potencia) para el dispositivo.2 V = 2. con la región entre el nivel de corte y de saturación de 1DSS denominada como la región de agotamiento.3V. +IV\' ~ !O mA~ .5625) 4 3 2 I DSS : 2 1 1 1 1 IDSS : la cual es lo suficientemente alta como para terminar la gráfica.27 Características de transferencia para un MOSFET de tipo decremental de canaJ~n con ~)SS:. la aplicación de un voltaje VGS ~ +4 V podría dar por resultado una corriente de drenaje de 22. Es particularmente interesante y útil que la ecuación de Shockley siga aplicándose para las características del MOSFET de tipo decremental tanto en la región de agotamiento como en la incremental.27. pero todas las polaridades de los voltajes y las direcciones de las comentes están invertidas. Por esta razón la región de voltajes positivos de la entrada sobre el drenaje o las características de transferencia es a menudo conocida como la región incremental.2 mA. como 10 ilustra la misma figura. p IDSS ID = lOmA ~ OmA VGS = Vp ~ -4V 2 IDSS 2 VGS = -2 V. la aplicación de un voltaje positivo de la compuerta a la fuente ha "incrementado" el nivel de portadores libres en el canal comparado con aquel encontrado con Ves = O V. Para ambas regiones simplemente es necesario que se incluya el signo adecuado de Ves en la ecuación.25 es una clara indicación de cuánto ha aumentado la corriente por el cambio en 1 volt en Ves' Debido al rápido incremento.-4 V) = 10 mA(l + 0. el usuario debe estar alerta del valor máximo de corriente de drenaje porque puede excederse con un voltaje positivo en la entrada. O +1 Yc. Las características de drenaje podrian aparecer iguales que en la figura 5. ~ ID = IDSS ~ lOmA 4 4 = -1. ID = = V =-4 V. Las teITfÚnales permanecen como se encuentran identificadas. como lo muestra la figura 5. pero -3 -2 -1 v. para el dispositivo de la figura 5. EJEMPLO 53 Solución En VGS VGS = OV.25)' '" 15. 5. 10 mAy V p = -4 V.23. Antes de graficar la región positiva de V Gs ' se debe tener en cuenta que ID aumenta con mucha rapidez con los valores mayores de V cs' En otras palabras. se tiene que ser conservador con la selección de los valores que deben sustituirse en la ecuación de Shockley. Esto es.3Vp 2 = 0. ~ !O mA(1. y que el signo sea seguido con cuidado en las operaciones matemáticas.3(-4 V) 15 14 todas las cuales aparecen en la figura 5. Esto es. ahora existe un substrato de tipo n y un canal de tipo p.25. -1 4 1 1 1 MOSFET de tipo decremental de canal-p La construcción de un MOSFET de tipo decremental de canal-p es exactamente el inverso del que aparece en la fIgura 5. = = Trace las características de transferencia para un MOSFET de tipo decremental de canal-n con IDss ~ !O mAy Vp = -4 V.63 mA . En este caso se intentará + 1 V de la siguiente manera: (.28a. 11: 2 LO.

28 MOSFET de tipo decreme. 236 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .29. + n ss 3 2 'f~--------------_VGS = +3 V Ves = Vp = +6 y (e) . Para la mayoría de los análisis que siguen en el capítulo 6. hojas de especificaciones y construcción del encapsulado Los símbolos gráficos para un MOSFET de tipo decremental de canal-n y p se proporcionan ~n la figura 5. Obsérvese cómo los símbolos seleccionados intentan reflejar la construcción real del dispositivo. con valores negativos de VDS' ID positiva como se indica (debido a que la dirección definida ahora está invertida) y V GS con las polaridades opuestas como se muestra en la figura 5. La línea vertical que representa el canal está conectada entre el drenaje y la fuente y está "soportada" por el substrato. La inversión en Ves traerá como resultado una imagen de espejo (con respecto al eje ID) para las características de transferencia como lo muestra la figura 5. La ecuación de Shockley todavía se aplica.) Figura 5. canal-n canal-p (a) (b) Figura 5. En otras palabras. . la corriente de drenaje aumenta desde el corte en VGS Vp en la región positiva de Ves a 1DSS' y después c~mt.29 Símbolos gráficos para a) MOSFET de tipo decremental de canal-n. La falta de una conexión directa (debido al aislamiento de la entrada) entre la compuerta y el canal está representado por un espacio entre la compuerta y las otras tenninales del símbolo.Ves. Para cada tipo de canal se ofrecen dos símbolos para reflejar el hecho de que en algunos casos el substrato se encuentra disponible en forma externa.----------------ves __------------------ves =+\ V = +2 V V es =+4 V V es =+5 V -1 O -6 2 3 4 5 6 Vp (b) Ves O S (.::: O V 5 4 G 0--_1. mientras que en otros no 10 está.28c.ntal de canal-p con IDSS := 6 roA Y Vp = +6 v.--.ID (mA) ¡D(mA) 9 D 8 7 6 ____-----------~S=-l V ~----------. y b) MOSFET de tipo decremental de canal-p. = Símbolos. el substrato y la fuente estarán conectados y se utilizarán los símbolos inferiores.inúa su crecimiento para valores negativos mayores de V GS. pero necesita sólo colocar el signo correcto tanto para V GS como para V p en la ecuación.28b. ..

2N3797 60 . = 25 uc a meno~ que se especifique lo contrario) Característica Máximo Unidad CARACTERÍSTICAS "APAGADO" Voltaje de ruptura drenaje-fuente (Vos = -7. Rs = 3 megohms) (1) Es[e valor en I~ corriente incluye tallto Ja COlTiente de fuga del FET como la corriente de fuga a..Z) pF C".Z) 2N3797 (VDS = 10 V. Figura 5.lA) Corriente inversa de la compuerta (1 J (VGs=-lOV. . Ves = O. mejores condIcione..14 mAdc mW mW¡OC .Z) 2~3797 1". \los =0..Vos=O) (VGs-=~lOV..0 pAdc - - I Ioss 2N3797 CARACTERÍSTICAS "ENCENDIDO" Corriente de drenaje con voltaje de cero en la entrada (Vos'" 10 V'V os ""0) Corriente de drenaje en el estado encendido mAdc 2. La hoja de especificaciones para un MOSFET de tipo decremental es similar a la hoja de un JFET. ID = 5.0.0 1.Vos= 10V) Voltaje inverso drenaje compuerta (1) (.ociada con el contacto de prueba y sus conexiones cuando se mide bajo la. alcanzildas. -7.pog¡1<!o) -5...30 tiene tres tenninales identificadas en la misma figura. Ves = +35 V) 2N3797 9. f = 1.) .0 1. VGS => O.Vos=O.0 V. 20 200 1. 2N3797 100O V{BRIOSX 2i'\3797 lGSS Vcc 20 25 - pAdc - V GS(.0 kHz.7 MOSFET de tipo decrementaI 237 .. V GS == O.0 8.5 pF CARACTERISTICAS FUNCIONALES Datos 'del ruido (Vos = 10 V.'0. Los niveles de Vpe 1DSS se dan junto con una lista de los valores máximos y de las caracterís2N3797 ENCAPSCLADO 22-03.El dispositivo de la figura 5. f = 1.0 ID(cllCendido) 2.ls-=.8 0.uA.nidad Vd.umhos Capacitancia de entrada (\'os = 10v. 20 ±JO Vdc /t~~.0 MH. ESTILO 2 TO-18 (TO-206AA) VALORES NOMISALES MÁXIMOS Clasificación Voltaje drenaje·fuente 2N3797 Vahaje comput'rta-fucme Corriente del drenaje Disipación total del dispositivo @ TA = 25 "C Pérdida de disipación arriba de 25 oc Rango de temperatura de la unión V GS Símbolo Vos Valor t. VOS == 0.0 mAdc I I (VDS = 10 V.. f = 1.0 kHz) 2N3797 Admilancia de salida (Los = 10 V. t == 1.0 MH. - 6.9 6.30 MOSFET de tipo decrementa! de canal-n 2N3797 de Motorola.. OG= 11.TA -= 150°C) Voltaje de corte compuerta fuente (ID=2.Z) Capacitancia de transferencia inversa (VDS = 10 V." 2 I 1.0 ¡..0 0. T. f = 1.0 kH."'"OC P. f = 1.t~ MOSFET DE AUDIO DE BAJA POTENCIA.- I ! I +175 -6S a +200 oC oC Rango de almacenamiento de temperatura dd Lanal CANAL-~-AGOTAM~ I I CARACTERíSTICAS ELÉCTRICAS (T.0MH.0 200 Vd.SliNAL CARACTERÍSTICAS EN PEQUENA Admitancia de transferencia directa (VDS = 10 V. 5.0 14 18 .. T.. Vos dB =0.1 1500 1500 2300 3000 - jlmhos 27 1Y" 1 C".

31 MOSFET de tipo incremental de canal-no 238 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . Entonces.31. la construcción de Un MOSFET de tipo incremental es bastante similar a la de un MOSFET de tipo decremental. excepto por la ausencia de un canal entre las terminales del drenaje y la fuente.31 la ausencia de un canal entre las dos regiones dopadas n. La curva de transferencia no está definida por la ecuación de Shockley.30. pero ahora está simplemente separada de una sección de material de tipo p. el control de corriente en un dispositivo de canal-n ahora resulta afectado por un voltaje compuerta-fuente positivo en lugar del rango de voltajes negativos encontrados para los JFET de canal-n y los MOSFET de tipo decremental de canal-no Construcción básica La construcción básica del MOSFET de tipo incremental de canal-n se ofrece en la figura 5. 5. mientras que en otros casos hay disponible una cuarta tenninal para el control externo de su nivel de potencial. Una placa de material tipo p se fonna a partir de una base de silicio y una vez más se le Conoce como substrato.d(do) = 9 mA dc con VDS = 10 V Y VGS = 3. l D está especificado como I D(oo". y la corriente de drenaje ahora está en corte hasta que el voltaje compuerta-fuente alcance Una magnitud específica.8 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL Aunque existen muchas similitudes en la construcción y modo de operación entre los MOSFET de tipo decrementa} y de tipo incremental. La capa de SiO. Por tanto. aún está presente para aislar la plataforma metálica de la compuerta de la región entre el drenaje y la fuente. Para la unidad de la figura 5. Región dopada-n Sin canal Contactos metálicos Substrato G SS S Región dopada-n F¡gura 5. Además.ticas normales de "encendido" y "apagado". ya que l D se puede extender más allá del nivel de 1DSS' normalmente se proporciona otro punto que refleja un valor típico de ID para algún voltaje positivo (para un dispositivo de canal-n). Esta es la diferencia primaria entre la construcción de los MOSFET de tipo decremental y los de tipo incremental: la ausencia de un canal como un componente construido del dispositivo.5 V. las características del MOSFET de tipo incremental son bastante diferentes de cualquier otro que hasta ahora obtuvimos. pero se observa en la figura 5. Las terminales de la fuente y drenaje se conectan una vez más por medio de contactos metálicos a regiones dopadas n. el substrato algunas veces se conecta a la tenninal de la fuente. De la misma forma que con el MOSFET de tipo decremental.

Tanto los MOSFET de tipo decrementa! como incremental tienen regiones de tipo incremental. y se le da el símbolo de VT (parla sigla en inglés de. Threshold).se fanna al "incrementar" la conductÍ. estableciendo al drenaje y la compuerta a un potencial positivo respecto a la fuente. Si VDS es cierto voltaje positivo. los electrones en el substrato p (los portadores minoritarios del material) serán atraídos a la entrada positiva y se acumularán en la región cercana a la superficie de la capa de Si0 2 . una diferencia grande con el MOSFET y JFET de tipo decremental donde ID = IDss' No es suficiente tener acumulados una gran cantidad de portadores (electrones) en el drenaje y la fuente (debido a las regiones dopadas n) si no existe una trayectoria entre las dos. El resultado es una región de agotarrriento cerca de la capa aislante de SiO z sin huecos. pero el nombre se aplicó al último debido a que ese es su único modo" de operación.Operación básica y características Si Ves se hace O V Y se aplica un voltaje entre el drenaje y la fuente del dispositivo de la figura 5. En la figura 5. Sin embargo. la concentración de electrones cerca de la superficie de Si0 2 se incrementará hasta que una región inducida de tipo n pueda eventualmente soportar un flujo mesurable entre el drenaje y la fuente. Mientras Ves aumente en magnitud.8 MOSFET de tipo incremental 239 .31. La capa de Si0 2 y sus cualidades aislantes evita que los portadores negativos sean absorbidos en la teOllinal de la compuerta. Y la tenninaJ SS se conecta directamente a la fuente. la ausencia de un canal-n (con su generoso número de portadores libres) dará por resultado una corriente de cero amperes efectivos. Ves es O V. Electrones atraídos por la compuerta positiva (canal·n inducido) Región agotada de portadores de tipo p (huecos) ss + Capa aislante HueCOS repelidos por la entrada positiva Figura 5.32 Formación del canal en el MOSFET de tipo incremental de canal-no 5. existen de hecho dos uniones p-n con polarización inversa entre las regiones dopadas n y el substrato p para oponer cualquier flujo significativo entre el drenaje y la fuente. El nivel de Ves que resulta en un incremento significativo de la corriente de drenaje se le llama voltaje de umbral.vidad mediante la aplicación de un voltaje compuerta-fuente. como se muestra en la figura. En las hojas de especificaciones se le conoce como VGS(Th)' aunque VT es más corto y será utilizado en el siguiente análisis. este tipo de MOSFET se le llama MOSFET de tipo incremental.32 tanto VDS como Ves están en algún voltaje positivo mayor de cero volts. Debido a que el canal no existe con Ves::: O V y. El potencial positivo en la compuerta presionará los huecos (porque las cargas iguales se repelen) del substrato p a lo largo del filo de la capa de Sial con objeto de dejar esa área y entrar a regiones más profundas del substrato p.

si se mantiene Ves constante y sólo se aumenta el nivel de VDS' la corriente de drenaje eventualmente alcanzará un nivel de saturación así corno ocurrió al JFET y al MOSFET de tipo decrementa\.33 por la localización de los niveles de saturación. causando una reducción en el ancho efectivo del canal. Las características de drenaje de la figura 5. es obvio que para un valor fijo de VT' mientras mayor sea el nivel de V cs' mayor será el nivel de saturación para Vos' como se muestra en la figura 5. la densidad de los portadores libre en el canal inducido se incrementan. Eventualmente. Esta reducción en el voltaje de la compuerta al drenaje reducirá a su vez la fuerza de atracción para los portadores libres (electrones) en esta región del canal inducido. 240 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .otamiento D Substrato tipop Figura 5.11) Estrechamiento (principio) Reg.33.33 Cambio en la región de agotamiento y el canal con aumento en el nivel de Vos para un valor fijo de VGS - Si V GS se mantiene fijo en un valor tal como 8 Y Y VDS se aumenta de 2 Y a 5 y. La saturación de ID se debe a un proceso de estrechamiento descrito por un canal más angosto al final del drenaje del canal inducido. la saturación ocurrió en un nivel de VDS ~ 6 Y.34 revelan que para el dispositivo de la figura 5.ión de ag. como se muestra en la figura 5. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff a los voltajes de las terminales del MOSFET de la figura 5. Sin embargo. el canal se reducirá al punto del estrechamiento y se establecerá una condición de saturación como se describió antes para el JFET y el MOSFET de tipo decremental. se encuentra que (5. cualquier crecilIÚento posterior en VDS y en el valor fijo de V GS no afectará el nivel de saturación de ID hasta que se encuentren las condiciones de ruptura. En otras palabras.Cuando VGS se incrementa más allá del nivel de umbral. el nivel de saturación para VDS está relacionado con el nivel de VGS aplicado por V DG (5.111] caerá de -6 Y a -3 Y Y la entrada será cada vez menos positiva respecto al drenaje. dando por resultado un nivel mayor de corriente de drenaje.33 con VGS = 8 y.12) Por tanto. De hecho. el voltaje [debido a la ecuación (5.33.

13) Una vez más. la corriente de drenaje de un MOSFET de tipo incremental es de O mA.34 indica que cuando el nivel de VGS se incrementa de VT a 8 Y. Por tanto: Para los valores de V GS menores que el nivel de umbral. a su vez. el nivel de V T es de 2 Y.278 X 1()-3 AN2 y una ecuación general para ID para las características de la figura 5.Vos=+6V j. 6V 10 V 15 V ~ov 25V~ Figura 5. por el hecho de que la corriente de drenaje ha caído a O mA.13)] donde ID(encendido) y Ves(f':nccn(itr:U) son los valores de cada uno en un punto en particular sobre las características del dispositivo. Para los niveles de VGs > Vr la corriente de drenaje está relacionada al voltaje compuertafuente aplicado mediante la siguiente relación no lineal: (5.34 da por resultado: 5. Además.33. La figura 5. El valor de k se puede calcular a partir de la siguiente ecuación [derivada de la ecuación (5. 2 Vyk" 0. el nivel de saturación resultante para ID también aumenta desde un nivel de O mA a 10 mA. k = ____~ID~(~'"~C~en~d~id~O~)____ (VGS(encendido) Sustituyendo 1D(encendido) de la figura 5.34 Características del drenaje de un MOSFET de tipo incremental decanal~n con V ".2 Y)' (6 Y)2 lOmA 10 mA 10 mA 36 y.34 da =: (5. es bastante notorio que el espaciamiento entre los niveles de VGS aumentaron cuando subió la magnitud de Vcs' dando por resultado aumentos siempre crecientes en la corriente del drenaje.ID (mA) II 10 9 8 7f6 5 4 3 ~__---------------------------.14) - VT)2 10 mA donde VGS(encendido) =8 V a partir de las características k = ----=--= (8 Y .278 x 10-3 AjV2.8 MOSFET de tipo incremental 241 . = 0.. es una función de la fabricación del dispositivo. T Como se indicó para las características de la figura 5. es el término cuadrático que resulta de la relación no lineal (curva) entre ID y VGs ' El término k es una constante que. ___________________________ VGS:: +5 V 2 o 5 V.

278 x 10. o 20 25\ v es =VT =2V vC._. Sin embargo.\. sólo se utilizan los niveles de saturación.3(2)2 = 0.278 x 10-3 (4 V . En esencia.B mA como se verifica en la figura 5. las características de transferencia otra vez serán las que se utilizarán en la solución gráfica.35 Trazo de las caracterfsticas de transferencia de un MOSFET de tipo incremental de canal-n a partir de las características de drenaje. La curva de transferencia de la figura 5.2 V)' = 0. En Ves == VTel término al cuadrado es O e ID == O mA._- 3 2 Ves =+4V -------- Ves = +3 V 15 o 2 VT 3 4 5 6 7 8 VG. Para el análisis en de del MOSFET de tipo incremental que aparece en el capítulo 6.35 el drenaje y las características de drenaje y de transferencia se han colocado lado a lado para describir el proceso de transferencia tanto de una como de la otra.5 X 10-3(1)2 242 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .278 10. se elige un nivel de VGS mayor que VT' tal como 5 V.5 x 10-3(5 V = O.13).13) para detenninar el nivel resultante de ID de la siguiente manera: 4 V)2 = 0.35 es bastante diferente de aquellas otras obtenidas. Obsérvese que al definir los puntos de la característica de transferencia a partir de las características de drenaje. limitando de tal modo la región de operación a niveles de VDS mayores que los niveles de saturación como se definió en la ecuación (5. Y se sustituye en la ecuación (5.36a.12).Sustituyendo VGS = 4 V.34. Luego. 1[)(mA) ID (mA) '10 9 10 9 8 7 8 --------7 6 6 5 4 3 2 5 4 • 5 10 \les=+7V ---. En la figura 5._--_. en este caso se debe recordar que la corriente de drenaje es de O mA para Ves ~ VT" En este momento una corriente que se puede medir será el resultado para ID Y crecerá como se definió en la ecuación (5.5mA 4 V)' = 0.3 (4) = 1. el dispositivo de canal-n (inducido) está totalmente en la región de VGS positiva y no aumenta hasta que Ves = VT' Surge entonces la pregunta sobre cómo graficar las características de transferencia dados los niveles de k y de Vp así como se incluye abajo para un MOSFET en particular: Primero se dibuja una línea horízontal en ID = O mA desde V GS = O mA a V GS = 4 V como se muestra en la figura 5. procede igual que en el ejemplo que antes presentamos para el JFET y el MOFET de tipo decrementa\. Figura 5. se encuentra que X ID = 0. Ahora.

5 (e) 6 7 8 Ves I-igura 5. Las características de transferencia serán una imagen de espejo (respecto al eje ID) de la curva de transferencia de la figura 5. Por último se eligen niveles adicionales de V GS y se obtienen los niveles resultantes de ID' En particular.31.5 X 10-3 AjV2 Y VT = 4 V. O 2 3 4 5 (b) 6 7 8 Ves V.8 7 6 5 4 8 7 6 5 4 3 3 2 2 O 2 3 4 \/T (a) 5 6 7 8 Ve. pero con ID creciendo con los valores cada vez más negativos de V GS después de Vp como se muestra en la figura 5.36 Gráfica de las características de transferencia de un MOSFET de tipo incremental de canal-n con k = 0. 4.35. 5.37a. para Ves 6 V. ahora existe un substrato de tipo n y regiones dopadas-p bajo las conexiones del drenaje y de la fuente. Pueden aplicarse igual que las ecuaciones (5. MOSFET de tipo incremental de canal-p La constnlcción de un MOSFET de tipo incremental de canal-p es exacto al inverso que aparece en la figura 5.11) a la (5. 7 V Y 8 Vel nivel de ID es 2 mA.5 mA y 8 mA respectivamente.37b.36 c. Las terminales permanecen tal como se indicaron.36b. como se muestra en la figura 5.8 MOSFET de tipo incremental 243 . y se obtiene un punto en el plano. como se muestra en la figura 5 . como se = muestra en el diagrama resultante de la figura 5. pero están invertidas todas las polarizaciones del voltaje y las direcciones de corriente.14) a los dispositivos de canal-p. Esto es. Las características del drenaje aparecerán igual que en la figura 537c. con niveles de corriente crecientes que resultan del incremento negativo de los valores de VGs . l{)=(mAl 8 7 6 3 4 " 2 O 2 3 4 V.

.. y b) MOSFET de tipo incremental de canal-p.tal para el canal-n y p.. los cuales incluyen ahora una corriente de drenaje máxima de 30 mA de.. canal-n canal-p G~1 JD ss G~9s JD s (.Ves = -5 V n -o SS 3 3 2 2 -5 -4 + D (a) -3 -2 -1 VT (b) O Vas O (e) Figura 5.39 se proporciona la hoja de especificaciones para un MOSFET de tipo incremental de canal-n de Motorola_ Se proporcionan la construcción del encapsulado y la identificación de las tenninales junto a los valores nominales máximos.. De hecho.. La hoja de especificaciones ofrece el nivel de 1DSS bajo condiciones de "apagado". esta es la única diferencia entre los símbolos para los MOSFET de tipo decremental y de tipo incremental. hojas de especificaciones y construcción del encapsulado En la figura 5.38 Símbolos para a) MOSFET de tipo incremental de canal-n. el cual es ahora de sólo 10 nA dc (cuando VDS = 10 V Y VGS = OV) comparado con el rango de miliamperes para el JFETy el MOSFET de tipo 244 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .38 se proporcionan los símbolos gráficos para los MOSFET de tipo increl _. Símbolos. Se eligió la línea punteada entre el drenaje y la fuente para reflejar el hecho de que no existe un canal entre los dos bajo condiciones de no polarización.37 MOSFET de tipo incremental de canal-p con VT : 2 Vy k = 0..lD= (mA) I{)=(mA) D 8 7 8 7 6 5 4 6 5 4 ___.. Una vez más podemos ver la manera en que los símbolos intentan reflejar la construcción real del dispositivo. En la figura 5..) G~1 JD G~9s (b) JD s s Figura 5.5 x 10--3 AjV2.

39 MOSFET de tipo incremental de canal-n 2N4351 de Motorola. 1.umho 5. f= 140 kHz) Capacitancia de transferencia inversa (VDs=O.= 150°C Corriente inversa de la compuerta (V Gs =± 15Vdc. CONMUTACIÓN DEL MOSFET CANAL·N.0 300 Resistencia drenaje-fuente (V GS '" 10V'!o=0.uA) Voltaje en encendido drenaje-compuerta (ID = 2. decremental.7 175 -65a+175 T.OkHz) fd.BI = 10 V.13).9 se revisan los requerimientos de manejo de los MOSFET.0 1.V DS = 10 V) " CARACTERISTICAS EN PEQUENA SENAL - 10 10 :t 10 nAdc IlAdc pAdc less - VeS(Thl V OS(cnccnd. cuando Ves = 10 V.INCREMENTAL T'l~ CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (T A = 25 oC a menos que se especifique lo contrario) Característica CARACTERÍSTICAS "APAGADO" Voltaje de ruptura drenaje-fuente (ID = 10 IlA. 3. ESTILO 2 TO-72 (TO-206A¡:.d. (V Gs = lOVdc) " I 1. VGS = IOV) Corriente de drenaje en encendido (V Gs = lOV. 1. En la sección 5. se especifica un nivel normal de 1D(encendido) (3 mA en este caso) en un nivel de VGS1"OOndidO) en particular (lO V para el nivel especificado de lo)..V DS =0) CARACTERISTICAS "ENCENDIDO" Voltaje de umbral de la compuerta (Vos = 10 V. dependiendo de la unidad que se utlice. mAdc .J". En otras palabras.f= 140kHz) Capacitancia drenaje-substrato (V DISl.2N4351 VALORES ~OMINALES MÁXIMOS Clasificación Voltaje drenaje-fu~nte EI\CAPSULADO 20-03. ns ns t d:.VGs=O.0 5 Vdc V mAd. Los niveles que se dieron de VGS(Th).l o = 2.. - Admitancia de transferencia directa (Vos = 10 V.ubl 1. ID PD Valor 25 t:nidad Vdc Voltaje drenaje-compuerta Voltaje compuerta-fuentc' Corriente del drenaje Disipación total del dispositivo @ T.m\\' mW/oC oC oC 300 1. 1. Ves == Ol Símbolo I Mínimo 25 :\11íximo Unidad I V¡BRlDSX loss I - Vdc Corriente de drenaje con voltaje de cero en la compuerta (VDS = ro v. Cdl. = 5.8 MOSFET de tipo incremental 245 . f = 140 kHz) k' C 1000 . = 25°C T". Vd. El voltaje de umbral está especificado ~omo V GS{Th) y tiene un rango de 1 a 5 V de. En lugar de proporcionar un rango de k en la ecuación (5. ID = 1O.3 5. VGS == O) T ..') Símbolo Vos V DG V(.0 mAdc.'1 . VGS =0.0 mA.0 kHz) Capacitancia de entrada (Vos = 10 V. f == 1.0 ID(clICcnd. VDS = 10 Vdc.0 mA.0 '" pF pF pF ohm~ C..ccn«nd¡do' CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN Retardo de encendido (figura 5) Tiempo de subida (figura 6) Retardo de apagado (figura 7) Tiempo de bajada (figura 8) 1" - 45 6S 60 I n = 2. (Ver figura 9: veces que se detenninó el circuito) 100 "' Figura 5.f".14) y escribir la ecuación general para las características de transferencia. 1D(encendido)' y VeS(enccndido) permiten determinar k a partir de la ecuación (5. ID 3 mA.\ = 25 OC Pérdida de disipación arriba de 25 'C Rango dc temperatura de la unión Rango de temperatura de almacenamiento 30 30 30 Vd.

AN2 (7 y)2 49 3X 1{}" = 0.13): lo = k(Ves .244 mA Para Ves = 8 Y. 12 Y Y 14 Y.~"~. que se encuentra situada entre la compuerta y el canal de los MOSFET tiene el efecto positivo de ofrecer una característica de alta impedancia de entrada para el dispositivo. b) Las características de transferencia.4 Determine a partir de los datos proporcionados en la hoja de especificaciones de la figura 5.40 están trazadas las características de transferencia. que no eran necesarias en los transistores BJT o JFET. respectivamente.38 mA.3 Y)' = 0.061 x 10-3 b) La ecuación (5.~"d~id~O~)______ (VGS(encendido) - 3mA = -----= (JO Y . 5.061 X 10-3(Ves . Solución a) La ecuación (5. pero por esta capa extremadamente delgada se deben tener precauciones para su manejo.14): k = ______I~D~(. 10 Y.525 mA. 4.94 mA y 7.EJEMPLO 5..9 MANEJO DEL MOSFET La delgada capa de SiO. En la figura 5.4. 3 mA (como se definió).ID será de 1. de tal forma que puede romper la capa y establecer la 246 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .3 Y)' = . A menudo existe suficiente acumulación de carga estática (la cual se capta de los alrededores) que establece una diferencia de potencial a través de la delgada capa.061 x 10-3(5 Y . ID = 0.39 un voltaje promedio de umbral de VGS(Th) = 3 V: a) El valor de k que resulte para el MOSFET.061 X 10-3(2)2 = 0.40 Solución al ejemplo 5.061 x 10-3(4) = 0.Vr )2 AJV2 = 0. ¡D(mA) 8 7 6 5 4 3 2 o 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 J4 15 Ves Figura 5.3 Y)' Para Ves = 5 Y...

la conexión de la superficie metálica a las terminales del dispositivo.42 deunVMOS. pero aun así es lo suficientemente alta para la mayoría de las aplicaciones. Normalmente se proporciona el voltaje compuerta-fuente máximo en la lista de valores nominales máximos del dispositivo. menos de 1 W) comparado con los transistores BJT.10 VMOS 247 . Por tanto. 5.conducción a través de ella. como se muestra en la figura 5. G -1 1 1 1 1 1 1 J S L. Construcción 5. todavía es mejor manejar con cautela los dispositivos MOSFET discretos. Si ambos diodos Zener son de 30 V Y aparece un transitorio positivo de 40 V. siempre se debe hacer tierra para permitir la descarga de la estática acumulada antes de manejar el dispositivo.23. a una con una estructura vertical como la que se señala en la figura 5. Sin embargo. siempre se debe mantener apagado el sistema cuando se haga cualquier cambio en la red. Un método para asegurar que no se exceda este voltaje (debido quizá a efectos transitorios) para cualquier polarización es mediante la introducción de dos diodos Zener.10 VMOS Una de las desventajas del MOSFET típico consiste en los reducidos niveles de manejo de potencia (por lo general. Se puede superar esta carencia de un disposítivo con tantas características positivas mediante un cambio en la forma de construirlo de una naturaleza planar como la que se muestra en la figura 5. El resultado es una reducción de la resistencia de entrada. Por lo menos. El resultado es un voltaje máximo de 30 V de la compuerta a la fuente. es muy importante que se deje el papel de embarque (o anillo) de corto circuito (o conducción) porque interconecta las terminales hasta que el dispositivo se va a insertar en el sistema. La mayor parte de los dispositivos discretos tienen en la actualidad la protección Zener de tal fonna que los cuidados anteriores no resultan tan problemáticos. por tanto. para la región de "encendido" positiva de un diodo semiconductor) a través del otro diodo.41 MOSFET protegido por un Zener. Los niveles de transitorios con frecuencia pueden ser mayores de los que puede soportar el dispositivo. y siempre levantar el transistor por el encapsulado. ___ Figura 5. U na desventaja que se presenta con la protección Zener consiste en que la resistencia de "apagado" de un diodo Zener es menor que la impedancia de entrada'que se estableció por medio de la capa de Si0 2 . Los diodos Zener están situados uno junto al otro para asegurar protección para cualquier polarización... el Zener inferior se "disparará"" a 30 V Y el D --- superior se encenderá con una caída de cero volts (de fonna ideal. El anillo para corto circuito evita la posibilidad de aplicar un potencial a través de dos terminales cualquiera de) dispositivo.42.41. la capa de Si0 2 entre la compuerta y la región de tipo p que se encuentra entre el drenaje y la fuente con el objeto de crear el canal-n inducido (operación en Terminales de la fuente conectadas de forma externa Longitud efectiva del canal n+(substrato) n+ Canal más ancho D + Figura 5. Todos los elementos del MOSFET planar están presentes en el FET vertical de metal-óxido-silicio (VMOS) (por las ini- ciales en inglés de Vertical Metal~Oxide-Silicon). Con el anillo la diferencia de potencial se mantiene en O V entre dos terminales cualquiera. A menudo existen ciertos transitorios (cambios bruscos en el voltaje o la corriente) en una red cuando los elementos son retirados o insertados cuando se encuentra encendido.

de corriente y de potencia. La aplicación de un voltaje positivo sobre el drenaje y de un voltaje negativo sobre la fuente con la compuerta en O V o en algún nivel positivo de "encendido" típico . causando con esto una reducción de la corriente de drenaje en vez de un incremento. Sobre un plano horizontal.42. los FET VMOS tienen niveles reducidos de resistencia en el canal y mayores valores nominales. También existen dos trayectorias de conducción entre el drenaje y la fuente para contribuir a un mayor valor de corriente. La impedancia de entrada relativamente alta. que se destaca como característica para la memorización mental del nombre del dispositivo.11 CMOS Puede establecerse un circuito lógico muy efectivo al construir un MOSFET de canal-p y de canal-n sobre el mismo substrato. respectivamente. La construcción de la figura 5.42. Otra característica positiva de la configuración VMOS es: Los niveles reducidos de almacenamiento de carga dan por resultado tiempos de conmutación más rápidos en la construcción VMOS comparados con los tiempos de la construcción planar convencional. una característica importante de la construcción vertical es: Los FET VMOS tienen un coeficiente positivo de temperatura que atacará la posibilUlad de avalancha térmica. Se observa a la izquierda el canal-p inducido y a la derecha el canal-n inducido. Por tanto. Por lo general: Comparados con los MOSFET planares disponibles en el mercado.42 también tiene la apariencia de un corte en V en la base del semiconductor. como se muestra en la figura 5. para los dispositivos de canal-p y de canal-n.modo incremental). Sin embargo. Se pueden controlar las capas de difusión (de la misma forma que la región p de la figura 5. 5. pero a su vez permite una descripción de las facetas más importantes de su operación.43. que puede ser mucho menor que el de un canal de construcción plano. Los niveles de resistencia se incrementarán si la temperatura del dispositivo aumenta debido al medio que lo rodea o a sus corrientes. los dispositivos VMOS tienen tiempos de conmutación menores de la mitad de los tiempos que se encuentran en el transistor BJT normal. El término vertical se debe básicamente al hecho de que el canal se encuentra ahora formado en la dirección vertical. El resultado neto es un dispositivo con corrientes de drenaje que pueden alcanzar niveles de amperes con niveles de potencia que exceden los 10 W. el nivel de disipación de potencia del dispositivo (potencia disipada en fonna de calor) se reducirá en los niveles de operación de corriente. y los bajos niveles de potencia de operación de la configuración CMOS dan por resultado una disciplina totalmente nueva que se le llama diseño lógico CMOS.42) en pequeñas fracciones de un micrómetro.42 es muy simple en naturaleza al eliminar algunos de los niveles de transición de dopado. y se abrevia CMOS. . Además. dará por resultado el canal-n inducido en la región angosta de tipo p del dispositivo. tiene extensas aplicaciones en el diseño de lógica de computación. 248 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . las rápidas velocidades de conmutación.como el que se muestra en la figura 5. De hecho. el área de contacto entre la región n+ se incrementa mucho debido a la construcción vertical. como 10 muestra la figura 5. Además. La configuración que se conoce como un arreglo complementario de MOSFET. en vez de la dirección horizontal para el dispositivo planar. el canal de la figura 5. como sucede con un dispositivo convencional. 10 que contribuye a una reducción mayor en el nivel de resistencia y a una área mayor para corriente entre las capas dopadas. se define la longitud del canal mediante la altura vertical de la región p. Los coeficientes negativos de temperatura dan por resultado menores niveles de resistencia con Un incremento en la temperatura que aumenta los niveles de corriente y genera mayor inestabilidad de temperatura y avalancha ténnica. la longitud del canal está limitada de 1 a 2 micrómetros (pm) (1 pm = 10-6 m). Dado que las longitudes decrecientes de canal dan como resultado niveles reducidos de resistencia.

lo cual es menor que el VT necesario para el dispositivo y da por resultado un estado "apagado". S.. El resultado consiste en que Q.s=5V MOSFET de canal-p + Q. -5 V.) está conectada a tierra. "encendido" '----v MOSFET de canal-p Substrato de típo n '-.l! CMOS 249 . estará apagado con Vss .45 Niveles relativos de resistencia para VI'" 5 V (estado 1). encendiendo el MOSFET de canal-p.44. si los niveles lógicos de operación son O V (estado O) y 5 V (estado 1). Figura 5. un nivel de entrada de O V dará por resultado un nivel de 5 V Y viceversa. un inversor es un elemento lógico que "invierte" la señal aplicada...) está conectada directamente al voltaje aplicado Vss ' mientras que la fuente del MOSFET de canal-n (Q. Debido a que la corriente de drenaje que fluye en cada caso está limitada por el transistor "apagado" en el valor de fuga.. oVu=OV (estado O) Q} apagado R]VSS + 5V (estado 1) V" = . un inversor es un arreglo complementario de uso muy efectivo. Para un voltaje aplicado Vi de O V (estado O). encendido" p MOSFET de canal-n Figura 5. V GS. Con 5 Ven Vi (respecto a la tierra).. de cana!-n . = Vi Y Q. presentará un 'pequeño nivel de resistencia y Q¡ una gran resistencia y Vo == Vss = 5 V (el estado 1). como se muestra en la figura 5.44. Ves.. estableciendo el proceso de inversión deseado. - I Q] encendido MOSFET Q. El nivel de resistencia resultante entre el drenaje y la fuente es muy alto para Q2' como se muestra en la figura 5 AS. Ya que Vi y Vss están en 5 Y. Ves. la potencia que disipa el dispositivo en cada caso es muy bajo.44 que ambas entradas están conectadas a la señal de entrada y los dos drenajes a la salida VO ' La fuente del MOSFET de canal-p (Q. = = V GS . Para los niveles lógicos definidos arriba.44 Inversor CMOS. De l~ misma mai. Como muestra la figura 5._t ~ V . Figura 5.1era que se presentó para los transistores de conmutación.v. O V Y Q. En el capítulo 17 se presentan más comentarios sobre la aplicación de lógica eMOS. está "encendido". _-v . Una aplicación simple de la regla del divisor de voltaje indicará que V u se encuentra muy cerca de O V o en el estado O. dando por resultado una resistencia muy baja entre el drenaje y la fuente. Esto es. \.43 CMOS con las conexiones indicadas en la figura 5. Se absenta en la figura 5. = O V. v. la aplicación de 5 V en la entrada deben dar por resultado una salida aproximada de O V.== O V (estado O) R] + R~ L-~"""1 + Ves.45.

.VGS(Th? 250 Capitulo 5 Transistores de efecto de campo . > 10 1O .3 T Ves lo=OA. (1 ._--}: -------I I R.10) pF I ID = k(Ves .Ves / D(cncend.. 0. I I I I I I I Ri> lOlOQ C. Tome un momento para asegurar que se reconoce cada curva y que está clara su derivación.5. I I I --2 loss 4 'oss vp R¡> 100 Mil C.ncendido) .do) : O V GS(Th) V GSlcnccndldo) Ves (VGS(.10) pF -f-- : vp O V 2 lo=IDSS 1-~ eJ vp V./D=Is G u k= 9 S JDVT I VGS(=ndido) D(~~"dido) (n? .12 TABLA RESUMEN La tabla 5. y después establezca una base de comparación para cada dispositivo.: (1 .2 Transistores de efecto de campo Tipo JFET (canal-n) ID 1DSS -SímboloRelaciones básicas I Curoa de transferencia Resistencia y capacitancia de entrada IG=OA.ID=ls ~: ( MOSFET tipo decremental (canal-n) I Dss . de los niveles de los parámetros importantes deR i y ei · TABLA 5.: (1 . / ID .Q C.10) pF O Ves Ves Ic=OA.ID =ls rD ~~: ( MOSFET tipo incremental (canal·n) ) f DSS I DSS Vp ID=IDSsl-Vp eJ V ' V.2 se desarrolló para presentar de manera clara las diferencias entre un dispositivo y otro debido a que las curvas de transferencia y algunas características importantes varían de un tipo de FET a otro. Entender bien todas las curvas y parámetros de la tabla ofrecerá una formación suficiente para los análisis en de y ac que siguen en los capítulos 6 y 8.

junto con las ecuaciones de la red con el objeto de obtener una solución matemática.15) Por ejemplo.13 Análisis por computadora 251 . Esto es.BETA no es la f3 definida para los transistores BJT sino la que se determina en la siguiente ecuación: (5. mientras que PJF explicaría un JFET de canal-p.slb en el listado de Partes (Get New Part). modelo: . Por último. que es un designador para JFET.5.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA El análisis por computadora de un amplificador a FET en el modo dc utilizando BASIC necesita que se utilice la ecuación característica para el dispositivo que se utilizará. para estos propósitos será suficiente especificar VTO y BETA. el BASIC se utiliza para investigar una de las configuraciones del amplificador JFET más comunes. Como se mencionó para la configuración a BJT. NJF especifica que se trata de un JFET de canal-n. En el capítulo 6. Continúan las similitudes para una amplia variedad de dispositivos. se generarán los valores ')ue aparecen en la instrucción anterior del modelo. junto con el número l. se debe introducir el nombre del modelo con objeto de proporcionar una ubicación que definirá los parámetros del JFET. si Vp = -4 V e 1DSS = 8 mA. Ambas instrucciones aparecerán en un análisis de PSpice que se desarrollará en el capítulo 6 en una configuración de divisor de voltaje. el análisis procederá de la misma forma que el sistema manual. VTO es el voltaje de umbral que se especifica normalmente como Vp. El siguiente es el formato para la descripción del. lo cual permite un ajuste relativamente fácil al análisis de las redes que contienen una gran variedad de elementos. Los nodos a los cuales se conectan las terminales están listados en el orden en que aparecen en el ejemplo anterior. En el capítulo 6 se explicará la especificación de VTO y de BETA para el JFET seleccionado.MODEL JN ·NJF(VTO =-4V. VTO =-4 Vy BETA =IDss/1 Vp l' = 8 mAl (4V)' =8 mAl 16 V' = 0.3) especificaciones de parámetros nombre del modelo El .SE . El nombre consiste de la literal J. 5. los JFET están listados en la biblioteca eval.5 X 10-3 AN'. BETA = . Se puede especificar una selección de hasta 14 parámetros. El formato para un dispositivo de canal-p o n es el siguiente: JI 3 D G 4 JN nombre del modelo nombre S El formato es muy similar al que se usa para el transistor BJT. PSpice (versión DOS) Para PSpice se debe utilizar un formato específico para introducir los parámetros JFET de manera adecuada. Análisis del centro de diseño de PSpice para Windows Para la versión de PSpice para Windows. Sin embargo.MODEL requerido es seguido por el nombre del modelo como se listó en la instrucción anterior. Se utiliza el mismo procedimiento para colocar un JFET sobre la pantalla esquemática que el descrito para los transistores en los capítulos 3 y 4. Se debe empezar a reconocer la similitud de las instrucciones utilizadas para tener acceso a los parámetros a la red.

e) VGs =-I. Después de definir el resultado del inciso b como T o ' precise la resistencia para VGS . b) Utilizando la figura 5. Detennine VDS para V GS::.3 Características de transferencia 9. y compare los resultados con el inciso f. trace una distribución probable de las curvas características para el JFET (similar a la figura 5.: -1 V utilizando la ecuación (5. c) Haga otra vez el inciso a entre VGS = -2 V Y-3 V.1) ser una aproximación válida? 4. a) VGs=OV. a) Describa con sus propias palabras por qué. calcule la resistencia del JFET para la región ID = O mA a 6 mApara Ves=Ov. 6. Usando los resultados del inciso e.8 V.46 para establecer los valores de 'DSS y Vp .10: a) Precise la diferencia de comente de drenaje (para VDS> V p ) entre V GS = O V Y V GS = -1 V. Calcule VDS para Ves = O V e ID::.)r de un transistor BJT y las de drenaje de un transistor JFET? Compare las unidades de cada eje y la variable de control. 8.a. 2. ¿Cómo reacciona le ante los niveles crecientes de lB contra los cambios en ID respecto a jos aumentos negativos en los valores de V GS? ¿Cómo se comparan los espaciamientos entre los pasos de lB con los espaciamientos entre los pasos de VGS? Compare Ve . ¿Cuáles son las diferencias principales entre las características del colect.SY. Determine VDS para Ves = -1 Ve ID::. a) Dibuje la construcción básica de un JFET de canal-p. dibuje las características de transferencia utilizando la ecuación de Shockley.10.5 mA. § 5. Basándose en los resultados de los incisos g y h. Repita el inciso g para V GS= -2 V utilizando la misma ecuación. = -4 V. 3. para un transistor JFET.5 mApara VGs =-2 y. con Vp al definir la región no lineal en los niveles bajos del voltaje de salida.PROBLEMAS § 5. Con 'las características de la figura 5. comente acerca de la polarización de los varios voltajes y la dirección de las corrientes para un JFET de canal-n contra un JFET de canal-p.10. b) VGs=-IV. d) e) f) V GS VGS =-1. calcule la resistencia del JFET para la región JD = O mA a 1. b) Repita el inciso a entre V GS = -1 V Y-2 V. calcule la resistencia del JFET para la región ID::.10). l G es efectivamente igual a cero amperes. a) b) e) d) e) D g) h) i) VGs =-6Y.46: a) Trace las características de transferencia directamente a partir de las características de drenaje. Dadas las características de la figura 5. Utilizando las características de la figura 5. e) ¿Existe un cambio marcado en la diferencia en los niveles de corriente cuando VGS se aumenta en fonna negativa? f) ¿Es lineal o no lineal la relación entre el cambio en VGS Yel cambio que resulta en ID? Explique. Con los resultados del inciso a. Dados 1DSS = 12 roA YIVpi = 6 V. 3 mA.1) y compárela con los resultados del inciso d. d) Repita el inciso a entre VGS = -3 V Y -4 V. b) ¿Por qué es tan alta la impedancia de entrada a un JFET? c) ¿Por qué es adecuado el ténnino efecto de campo para este importante dispositivo de tres tenninales? 7.2 Construcción y características de los JFET 1.. ¿Existen algunas diferencias importantes? 252 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . 5. Con los resultados del inciso e. 6 mA utilizando las características de la figura 5. O rnA a 3 mApara Ves =-l V. En general. determine ID para los siguientes niveles de Ves (con VDS> V p ).: -2 Velo = 1. ¿aparenta la ecuación (5. c) Compare las características de los incisos a y b. b) Aplique la polarización correcta entre el drenaje y la fuente y dibuje la región de agotamiento para VGs=OV.

Trace las características de transferencia. ¿se encuentran los valores de estrechamiento definidos por la región VDS < IVpl =3V? 20. dibuje la curva de transferencia definida por elloss y Vp máximos y la curva de transferencia definida por ellDSS y V p mínimos.5 Instrumentación 18. 14. Un JFET de canal-p tiene parámetros del dispositivo de loss = 7..18 utilizando el rango proporcionado de I DSS y Vp. Al referirse a la figura 5. 19. Dados loss = 16 mA y V p =-5 V.Compare el resultado con el valor supuesto de -3 V de las características. Determine V p para las características de la figura 5. Dado un punto Q en IDQ = 3 mA Y Ves = -3 V.6 V.Esto es. sólo sustituya en la ecuación de Shockley y resuelva para Vp. a) Dados 1DSS = 12 mA y V p = -4 V.21 utilizando loss e ID en algún valor de VGS' Esto es. § 5.7 V Y VDS = 10 V.detennine ID cuando: a) VGs=OV b) VGs =-2V el VGs =-3.5V. 15. Señale después el área resultante entre las dos curvas. Problemas 253 .4 Hojas de especificaciones (JFE1) 16. d) VGs=-S V 12.:: 25 V YP Om. dibuje las características de transferencia utilizando los datos de los puntos de la tabla 5 . dibuje las características de transferencia para el transistor JFET. 17. Repita lo anterior para Ves:. 11. 13.ID (mA) VGS=üV IÜ 9 8' 1/ 1 -IV 7 6 5 4 1/ I I 2V f-- 3 2 .5 V: a) Calcule ID cuando Ves =-2 Vy -3.21.5 mA y V p = 4 V.5 V. Con el uso de las características de la figura 5. b) Determine Ves cuando ID = 3 mA y 5. = 120 mW.21. Dados I DSS = 6 mAy Vp = -4.46 Problemas 9.5 mA.1. 10. I _1 -3V . § 5. Precise e1 va10r de 1D a partir de la curva. 4V I SV 5 10 . cuando VGS -= -3 V Y compárelo con el valor determinado al utilizar la ecuación de Shockley. determine ID cuando Ves = --0.i.6 v VDS (V) O 15 20 25 Figura 5.46 si Vos max . determine loss si V p = -6 V. Defina la región de operación del JFET 2N5457 de la figura 5. 17. Dados Ioss=9 mAy Vp =-3.::: -1 V. b) trace las características de drenaje para el dispositivo del inciso Q. Defina la región de operación del JFET de la figura 5.

30.:: 14 mAy Ves = 1 V. expresión general para ID en el formato de la ecuación (5. la corriente máxima de drenaje es de 30 mA.9 mA para el I DSS del MOSFET 2N3797 de la figura 5. Trace las características de transferencia y de drenaje de un MOSFET de tipo decremental de canal-n con I Dss = 12 mAy V p = -8 V para un rango de Ves = -Vp a l/es::: 1 V. a) ¿Cuál es la diferencia principal entre la construcción de un MOSFET de tipo incremental y un b) MOSFET de tipo decremental? Dibuje un MOSFET de tipo incremental de canal-p con la polarización adecuada aplicada (VDS> O V. determine VT y k Y escriba la ecuación general para lo' 36. a) Calcule la resistencia asociada con el JFET de la figura 5. determine k y escriba la b) e) 35. 22. determine V r 37.5 Vy k ~ 0. ¿En qué formas es similar la construcción de un MOSFET de tipo decremental y un JFET? ¿En qué fonnas es diferente? 25. b) Aplique el voltaje adecuado del drenaje a la fuente y trace el flujo de electrones para Ves = O V. la dirección del flujo de electrones y la región de agotamiento que resulte. Dado ID = 4 mAy Ves = -2 V. Dibuje las características de transferencia para el dispositivo del inciso a.21. Si la corriente de drenaje para el MOSFET 2N3797 de la figura 5.5 V desde lo = O mA hasta 3 mA. calcule lo cuando Ves = -1 V usando la ecuación de Shockley y compárela con el nivel que aparece en la figura 5.06 X 10-3 A/V2 Y VTes el valor máximo. Utilizando IDSS = 9 rnAy Vp =-3 V para las características de la figura5.1) para determinar r d y compárelo con el resultado del inciso b. 24.8 x 10. Determine VGS en este nivel de corriente cuando k::: 0. § 5. Para el MOSFET de tipo incremental de canal-n.21a para V GS = O V desde ID = O rnA hasta 4 mA. Explique con sus propias palabras por qué la aplicación de un voltaje positivo a la entrada de un MOSFET de tipo decremental de canal-n dará por resultado que una corriente de drenaje exceda I DSS' 26. Dado un MOSFET de tipo decremental con IDSS =6 mA Y Vp =~3 V. 5 V Y 10 V. a) Dibuje la construcción básica de un MOSFET de tipo decremental de canal-p. e) Con sus propias palabras. 30. 27.7 MOSFET de tipo decremental 23. 34.4 X 10-3 AJV'.30 es de 8 mA.21. OV. utilice la ecuación (5.3 AN2. Dado ID:. 29. describa brevemente la operación básica de un MOSFET de tipo incremental.21. precise la corriente de drenaje en Ves = -1 V.4 X 10-3 A/V 2 e ID(enCendidO) = 3 mA con Ves{enCendido) = 4 V.47. a) Trace las características de transferencia y de drenaje de un MOSFET de tipo incremental de b) Repita el inciso a para la característica de transferencia si se mantiene V T en 3. eanal-n con VT~ 3. detennine 1DSS si Vp = -5 V. b) Repita el inciso a para Ves = -0. Dados k == 0. determine Vpsi I DSS= 9. ¿cuál es el valor máximo permisible de VDS si se utiliza el valor nominal máximo de potencia? § 5.5 mApara un MOSFET de tipo decremental. Dadas las características de transferencia de la figura 5.8 MOSFET de tipo incremental 32.5 pero k se incrementa el 100% a 0. En la región positiva. Utilizando un valor promedio de 2. 28. c) Al asignar el nombre ru al resultado del inciso a y rd al resultado del inciso b. Compare la diferencia con los niveles de corriente entre -1 y OV con la diferencia entre 1 y 2 V. Ves> V r ) e indique el canal. 254 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . 31. Determine ID para el dispositivo del inciso a cuando V GS == 2 V. prec·ise el nivel de VGS que dará por resultado una corriente máxima de drenaje de 20 mA si V p ~-5 V.13). 33. 1 V Y 2 V. ¿se incrementa la corriente de drenaje en una proporción significativamente mayor que para los valores negativos? ¿Se hace la curva lo más y más vertical al aumentar los valores positivos de Ves? ¿Existe una relación lineal o no lineal entre ID Y Ves? Explíquela. a) Dado V GS(Th) = 4 Ve lD(encendido) == 4 mA cuando Ves(encendidO) = 6 V.

Trace las características de transferencia de un MOSFET de tipo incremental de canal-p si Vr = -5 V Y k = 0.imado de resistencia del dispositivo? Si lo::.1 O 5 o Figura 5. 39. 0.1 V. ¿Tiene un impacto significativo VT = 4 V sobre el nivel de ID en esta región? § 5.45 X 10-3 AN2 40.3 (Ves -4)2 para Ves desde O a 10 V. Dibuje la curva de ID = 0. calcule dIDI dVesY compare sus magnitudes. ¿cuál es el nivel aprox. a) Describa con sus propias palabras por qué el FET VMOS resiste unos valores mayores de corriente y potencia que la técnica estándar de constrUcción. y si sus conocimientos en matemáticas abarcan el cálculo diferencial.47 Problema 35. 5 10 38. OV.5 x 10.10 VMOS 41. b) Si el MOSFET "encendido" de la figura 5. a) Describa con sus propias palabras la operación de la red de la figura 5. Investigue en su biblioteca escolar la lógica eMOS y describa el rango de operaciones y de ventajas básicas de esta tecnología. O V) tiene una corriente de drenaje de 4 mA con VDS::.5 pA para el transistor "apagado". Problemas 255 .44 con Vi::. 0. ¿cuál es la resistencia aproximada del dispositivo? ¿Sugieren los niveles de resistencia que sucederá el nivel deseado de voltaje de salida? 43. "'Los asteriscos indican problemas más difíciles.¡D(mA) 25 20 5 .n CMOS * 42.44 (con Vi::. ¿Aumenta la corriente de un MOSFET de tipo incremental en la misma proporción que un MOSFET de tipo decremental en la región de conducción? Revise con cuidado el fonnato general de las ecuaciones. b) ¿Por qué los FET VMOS tienen niveles reducidos de resistencia del canal? c) ¿Por qué se desea un coeficiente positivo de temperatura? § 5.5 X 10-3 (\12 es) elD = 0.

7 V.CAPÍTULO Polarización del FET 6. debido al término cuadrático en la ecuación de Shockley.3) 256 . pero resulta un método más rápido para la mayoría de los amplificadores.2) La ecuación de Shockley se aplica con objeto de relacionar las cantidades de entrada y de salida para los JFET y los MOSFET de tipo decremental: (6. mientras que las relaciones no lineales dan por resultado curvas como las que se obtuvieron para las características de transferencia de un JFET. el análisis de este capítulo tendrá una orientación más gráfica en vez de técnicas matemáticas directas. Las relaciones lineales resultan en líneas rectas cuando se dibujan en una gráfica de una variable en función de la otra. El hecho de que beta sea una constante establece una relación lineal entre le e lB. le = f3'B e le ::= lEo La relación entre las variables de entrada y de salida la proporciona /3.1) e (6. mientras que para el FET la variable de control es un voltaje. El duplicar el valor de lB duplicará el nivel de le y así sucesivamente. Otra diferencia distintiva entre el análisis de los transistores BIT y FET es que la variable de entrada que controla un transistor BJT es el nivel de la corriente. Para el transistor de efecto de campo la relación entre las cantidades de entrada y de salida es no lineal. Sin embargo.1 INTRODUCCIÓN En el capítulo 5 se estudió que para una configuración de transistor de silicio se pueden obtener los niveles de polarización al utilizar las ecuaciones características VBE = 0. La relación no lineal entre ID Y VGS puede complicar el método matemático del análisis de dc de las configuraciones a FET. en ambos casos la variable de salida controlada es un nivel de corriente que también define los niveles importantes de voltaje del circuito de salida. Debido a que el sistema gráfico es por lo general el más común. la cual asumió una magnitud fija para el análisis que se llevó a cabo. Una solución gráfica limita las soluciones a una precisión de décimas. Las relaciones generales que pueden aplicarse al análisis en dc de todos los amplificadores a FET son (6.

como el que aparece en la red de la figura 6. G C.. o------l C.' Éstas no cambian con cada configuración de red.4) Es particularmente importante observar que todas las ecuaciones anteriores son ¡ sólo para el dispositivo. i '=' V ee 1 '=' Figura 6. Finalmente.2 redibujado de manera específica para el análisis en de. V DD RD D I. = leRe = (OA)R e = OV La caída de cero volts a través de Re permite reemplazar VG por un corto circuito equivalente. La configuración de la figura 6. para el análisis en ac (capítulo 9).2 CONFlGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA En la fIgura 6. la solución de las redes de BJT y de FET es la solución de ecuaciones simultáneas establecidas por el dispositivo y la red. En realidad.o OA y VR . La red sólo define el nivel de corriente y el voltaje asociado con el punto de operación por medio de su propio conjunto de ecuaciones.2 Configuración de polarización fija 257 .1 aparece el arreglo de polarización más simple para el JFET de canal-no Conocido como la configuración de polarización fija. se investigarán los problemas de diseño para probar los conceptos y procedimientos presentados en el capítulo.Para los MOSFET de tipo incremental puede aplicarse la siguiente ecuación: (6. Como se mencionó anteriormente. el método gráfico es el más popular para las redes FET y es el que utilizamos en este libro."-----lf----o v.1 Configuración de polarización fija. hecho que se demostrará en las primeras redes a analizar. 6. siempre y cuando el dispositivo se encuentre en la región activa. Ambos métodos están incluidos en esta sección con dos objetivos: para demostrar la diferencia entre ambas filosofías y para establecer el hecho de que puede obtenerse la misma solución utilizando cualquier método. El resistor Re está presente para asegurar que Vi aparezca en la entrada del amplificador a FET. Las primeras secciones de este capitulo están limitadas a los JFET y al sistema gráfico con objeto de analizarlos. La solución puede determinarse con el uso de un método matemático o gráfico. figura 6.1 incluye los niveles de ac Vi y Vo y los capacitores de acoplamiento (C 1 y C2 )· Recuerde que los capacitares de acoplamiento son "circuitos abiertos" para el análisis en dc e impedancias bajas (esencialmente cortos circuitos) para el análisis en ac. El MOSFET de tipo decremental se examinará después con su rango aumentado de puntos de operación seguido por el MOSFET de tipo incremental. Para el análisis en de.2 en de. Red para el análisis 6. le . la cual es una de las pocas configuraciones a FET que pueden resolverse directamente tanto con un método matemático como con uno gráfico. D+ G v.L + V GS - s - --~ ~. l' + cc -.

.3 Gráfica de la ecuación de Shockley.5) y Debido a que VGG es una fuente fija de de.. (solución) Figura 6. Ahora. El punto donde se intersecan ambas curvas Red .. 258 Capítulo 6 Polarización del FET .... el nivel resultante de corriente de drenaje ID lo controla la ecuación de Shockley: Ya que VGS resulta una cantidad fija para esta configuración. el voltaje VGS es de una magnitud fija.2 se tiene . Punto Q -.3 se muestra un análisis gráfico que hubiera requerido una gráfica de la ecuación de Shockley. En la figura 6. o Figura 6.. lo que da por resultado la notación "configuración de polarización fija".VGG - VGS = O (6...4 Búsqueda de la solución para la configuración de polarización fija. el nivel de ID simplemente debe estar detenmnado en esta línea vertical. su magnitud y signo pueden sustituirse con facilidad en la ecuación de Shockley........ -VGG' En la figura 6.El hecho de que la tenninal negativa de la batería esté conectada en fonna directa al potencial positivo definido VGS refleja bien que la polarización de VGS está colocada de manera opuesta y directamente a la de VGG' Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj en la malla indicada en la figura 6. además de calcular el nivel resultante de VD' Este es uno de los pocos casos en que una solución matemática es muy directa para una configuración a FET.... Es importante recordar que la elección de VGS = Vp /2 dará por resultado una corriente de drenaje de 1DSS /4 cuando se grafique la ecuación.. Para el análisis de este capítulo serán suficientes los tres puntos definidos por 1DSS' VP Yla intersección recién descrita con objeto de graficar la curva.4 se ha sobrepuesto el nivel fijo de V GS como una línea vertical en V GS = En cualquier punto de la línea vertical el nivel de V GS es de -VGG ...

4.es la solución común para la configuración. La literal Q será aplicada a la corriente de drenaje. y no podrá incluirse en la siguiente lista de configuI:~ciones FET más comunes. Se observa en la figura 6.7) Con una notación de doble subíndice: VDS = VD VDS Vs + Vs = VDS +OY o VD = Y Además.-" Voltímetm + - ! ~'" S de prueba negm Figura 6.4 que el nivel estable de ID puede determinarse al dibujar una línea horizontal desde el punto Q al eje vertical ID igual que en la figura 6.4.1 esté construida y operando.8) = VGS + Vs Y Ve = Ves (6. y se conoce como el punto de operación estable. los niveles de dc de ID Y de Ves que serán medidos por los instrumentos de la figura 6. Para la configuración de la figura 6.5 Medición de los valores del punto de operación estable ID y Ves El voltaje del drenaje a la fuente de la sección de salida puede calcularse si se aplica la ley de voltaje de Kirchhoff de la siguiente manera: y (6."r~oj". Es necesario mencionar que una vez que la red de la figura 6. pero también se incluyeron las derivaciones anteriores con objeto de enfatizar la relación que existe' entre la notación de doble subíndice y de un solo subíndice.\e dos fuentes de dc.5 son los valores estables que se definen en la figura 6. (6. Miliamperímetro ID Q \'CSQ f~ I Punta de prueb. 6. Ya que la configuración necesit~.2.2 Configuración de polarización fija 259 .a+_ _. su empleo está limitado. o VD Ves = Ve Ve = VDS Vs Ves + O Y (6.. y el voltaje de la compuerta a la fuente con objeto de identificar sus niveles en el punto Q.6) Recuerde que los voltajes de un sOlO subíndice se refieren al voltaje en un punto respecto a la tierra.9) El hecho de que VD = VDS Yque Ve = Ves parece obvio a partir del hecho de que Vs = O Y.~a.

75)' 10 mA(0.625 mA)(2 kQ) ~ 4.5625) e) d) e) VDS ~ VDD .".1.(5.75V VG ~ VGS ~ -2 V Vs ~ OV f) Método gráfico: La curva de Shoekley resultante y la línea vertical en VGS ~ -2 V se proporcionan en la figura 6. Solución Método matemático: a) Vcs Q ~ -VGG ~ -2V -2 10 mA 1 .~--------------------------------------------EJEMPLO 6. 16V 21& Vs' D G + IMn Ves Ios s = lOmA Vp =-8V S + 2V .6 Ejemplo 6..IrJl.11.25 V ~ ~ 10 mA(0. ~ 10 mA(l .7.7 Solución gráfica para la red de la figura 6. Es verdad que es difícil leer más allá del segundo decimal sin aumentar lo(mA) [DSS= lOmA 9 8 7 6 . Vp 2 =-4V 260 Capítulo 6 Polarización del F'ET . a) V GSo ' b) e) d) e) f) ID' Q VDS' VD' Vc.625mA 16 V . FIgura 6.D ~ 16 V .-8 V ~ ~ ~ v).0.1 Calcular lo siguiente para la red de la figura 6.5mA -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 - o Figura 6.6mA ------"2 4 3 lDss=2.6.5 4 ~ ID Q =5.75 V VD ~ VDS ~ 4.25)' 5.6.

. 6.10) vc. Rs o En este caso podemos ver que Ves es una función de la corriente de salida ID' Y no fija en magnitud. =0 y Ves = -VRs n (6. FIgUra 6.significativamente el tamaño de la figura.8.VR .(5. pero a partir de la gráfica de la figura 6. o----}r--~--o---.3 Configuración de autopolarización 261 . Agura 6.7 es bastante aceptable una solución de 5. c. para el inciso a.. El voltaje de control de la compuerta a la fuente ahora lo detennina el voltaje a través del resistor Rs' que se conecta en la tenninal de la fuente de la configuración como se muestra en la figura 6. El resultado es la red de la figura 6.ación.ción de a. v.9 Análisis en de de la configura. 6.utopo\ari2. y el resistor Re puede cambiarse por un corto circuito equivalente dado que le = OA.8 V Ve = Ves = -2 V Vs OV Los resultados confinnan con claridad el hecho de que los sistemas matemático y gráfico generan sol~cjgl}~S_ muy cercanas.9 para el análisis en dc.11.6 mA: Por tanto. La corriente a través de Rs es la corriente de la fuente Is' pero Is = ID Y D e + Para el lazo cerrado que se indicó en la figura 6. Para el análisis en de los capacitares pueden reemplazarse una vez más por "circuitos abiertos".8 Configuración de autopolarización para lFET.6mA Vo~ = VOIJ VD - IdlD 16 V .3 CONFlGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN La configuración de autopolarización elimina la necesidad de dos fuentes de dc. s + v. como ocurrió para la configuración de polarización fija. b) c) d) e) f) ID = 5.9 se tiene que -Ves .6 mA)(2 kQ) = 16 V .8 V VDS = 4.2 V = 4.

10 2 Definición de un punto sobre la recta de autopolarización.10) se define un punto sobre la línea recta mediante ID = OAy VGS= O V. que se selecciona un nivel de ID igual a la mitad del nivel de saturación.10) está definida por la configuración de la red.10) en la ecuación de Shockley como mostramos a continuación: ID = IDss(1 = 1DSS~ _ ~sj 2 • ( - -Irfis)2 ----v. Se supone.10) y se obtiene el punto 262 Capítulo 6 Polarización del FET . Puede conseguirse una solución matemática mediante la simple sustitución de la ecuación (6.10. primero se identifican dos puntos sobre la gráfica que se localizan sobre la línea y simplemente se dibuja una línea recta entre ambos puntos. ID y calcular el valor correspondiente de la otra cantidad con la ayuda de la ecuación (6. El método gráfico requiere que primero se establezcan las características de transferencia del dispositivo como se muestra en la figura 6. por ejemplo.:- o Al desarrollar el ténnino cuadrático que se indica y al reorganizar los términos.ID=OA(VGs=-lrfis) \lGS Vp Vp O f"lgura 6. puede lograrse una ecuación de la siguiente fanna: IJ) + K/ D + K 2 = O Puede resolverse la ecuación cuadrática para la solución adecuada de ID' La secuencia anterior define el método matemático. La condición más obvia de aplicación es ID = O A. Los niveles resultantes de ID y de VGS después definirán otro punto sobre la línea recta y permitirán un dibujo real de dicha línea. Debido a que la ecuación (6. para la ecuación (6. y penniten tanto una solución matemática como una gráfica.10). esto es.10) requiere de la selección de un nivel de VGS o de ID = luego I DSS 2 2 -1 R = _ IDs!?s /Y'S El resultado es un segundo punto con el objeto de dibujar la línea recta como se muestra en la figura 6. Por tanto.11. ya·que da por resultado VGS = -Irfis = (O A)Rs = O V. loss 4 __ / ~~-L~L-~~ _ __ VGS=OV. El segundo punto para la ecuación (6. tal como aparece en la figura 6. Ambas ecuaciones relacionan las mismas dos variables.10) define una línea recta en la misma gráfica.La ecuación (6. y la ecuación de Shockley relaciona las cantidades de entrada y de salida del dispositivo. Luego se dibuja la línea recta por medio de la ecuación (6.10.

estable en la intersección de la línea recta y la curva característica del dispositivo.11) Además: (6. Puede calcularse el valor de VDS si aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida.12) (6.2. lo que da por resultado y pero y (6.11 Trazo de la recta de autopolarización.14) Calcular lo siguiente para la red de la figura 6. a) EJEMPLO 62 b) e) VGs ' Q ID' Q VDS' d) e) f) Vs. VG · VD' 20V 3.loss loss 2 o Figura 6.13) y (6.12 Ejemplo 6.12.3 Configuración de autopolarización 263 . Los valores estables de ID Y de V GS pueden determinarse y utilizarse para encontrar las otras cantidades de interés.3 kD D + 1M!> Figura 6. 6.

debe tenerse en cuenta que puede seleccionarse el valor de V GS' y calcular el valor de ID' para obtener el mismo resultado.14 Trazo de las características del dispositivo para el lFET de la figura 6. el valor de VGS resultante seóa de -8 V.13 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 o Ves(V) Trazo de la recta de auto polarización para la red de la figura 6.15 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6.6V Q ID 8 7 (mA) 5 4 3 2 I DQ = 2. Figura 6.12.12. y encontrando el punto de intersección de ambas como se indica en la figura 6. Si se selecciona VGS = Vp / 2 = -3 V para la ecuación de Shockley. En cualquier caso se obtendrá la misma línea recta.13 como se definió mediante la red. demostrando que puede seleccionarse cualquier valor adecuado de ID' siempre y cuando se utilice el valor determinado por la ecuación (6. la cual representa las características del dispositivo.6 V figura 6. 264 Capítulo 6 Polarización del FET . En caso de elegir ID := 8 roA. ID"" 4 mA. / I D =8 mA.12.Ves :::-4 V Red- / : 4 3 2 Ves=OV'/o=OmA Figura 6. se tiene que ID = 1DSS / 4 = 8 mA / 4 = 2 mA. se obtiene VGS = -(4 mA)(l km = -4 V El resultado es la gráfica de la figura 6. Ves =-8 V ~--"---- ID (mA) 8 7 .14.13 sobre las características del dispositivo de la figura 6. La solución se encuentra al sobreponer las características de la red defmidas mediante la figura 6.10) para VGs' Además.14.6mA -6 -s -4 -3 -2 -1 o VGs(V) -6 -5 -4 VCSQ = -1 O Ves (V) (Vp ) (Vp ) 2 -2. y resultará la gráfica de la figura 6. como se muestra en la misma gráfica.Solución a) El voltaje compuerta-fuente se determina por Si se elige ID = 4 mA.15. El punto de operación resultante está en un valor del voltaje compuerta-fuente estable de VGS = -2.

82V + 2. R s = 10kQ.6 mA)(l kQ) = 2.16 Ejemplo 6.6V e) La ecuación (6.IDR D = 20 V .82 V d) La ecuación (6.3.6 mA)(3. a) En el eje de ID. ID Q =0.3 Configuración de autopolarización 265 . b) En el eje de Ves.b) En el punto estable: ID = 2. VesQ =-4.42 V a) b) Encontrar el punto de operación para la red de la figura 6.3 kQ) o 11.46 mA Podemos observar cómo los niveles más bajos de Rs acercan la recta de carga de la red hacia el eje JD' mientras que los niveles más altos de Rs acercan la recta de carga de la red hacia el eje Ves' 6.(2.12 si: R s = 100 Q.16.11): VDS = VDD .13): La ecuación (6.10).10).4 V (mA) Punto Q 5 4 3 Punto Q -6 -5 -4 -3 -2 -1 Ves(J=-4.6V = 11. EJEMPLO 63 t 'n Rs =100Q J D = 4 mA.6 mA o 111 l' ! e) La ecuación (6.18 V = 8.6 mA)( 1 kQ + 3.3 kQ) 11.12): Vs = Irfls (2.ID(R s + RD) = 20 V 20 V (2.6V De la ecuación (6.4mA De la ecuación (6.42V VD VDD . Solución Obsérvese la figura 6.14): Ve = OV f) VD = VDS + Vs = 8.6 V o Ves (V) Figura 6. IDQ =6. Ves == -0.

a) VGSo" b) 1DQ' e) VD' 12V d) e) f) V G.19. Aunque es diferente en apariencia./ D "3. en relación con la estructura básica de la figura 6.9.---0 v.4.8mA 3 2 Q -6 Vp -5 -4 -3 -2 -1 o Ves.08 V como se muestra en la figura 6. En este caso se determinó el segundo punto para el trazo de la recta de carga seleccionando (en forma arbitraria) ID ~ 6 mA y resolviendo VGS' Esto es.4 Determine lo siguiente para la configuración de entrada común de la figura 6.6 V Figura 6.19 Determinación del punto Q de la red de la figura 6. 4 ID (mA) lDSS 12 II 10 5 4.17.¡:. puede proceder el análisis en de de la misma forma que en los ejemplos recientes.17 Ejemplo 6.¡ " .2.18 Trazo del equivale?te de de de la red de la ligtÍ. la red de de que resultó de la figura 6. ---------------------------------------------------EJEMPLO 6.8.17.5kQ G + V GS La terminal de la compuerta conectada a tierra y la ubicación de la entrada establecen fuertes similitudes con el amplificador a BJT de base común. La curva de transferencia de dispositivo se trazó usando: ID ~ I DSS l2mA ~ S + V Rs 680<1 ~ 3mA 4 figura 6.. Vs. Por tanto. VDS' 1. Figura 6. VGS ~ Irfis ~ -(6 mA)(680 Q) ~ -4.17.19.5 k<1 \>-----1(. 12V t D S<llucióu ID 1.18 posee )~ misma estructura básica que la figura 6. a) Las características de transferencia y la recta de carga aparecen en la figura 6.-. 266 Capítulo 6 Polarización del FET .ra 6.

.3V vGS b) Q '" -2.20 para el análisis en dc. o ) c. + t0+ Ve. R. como lo muestra la figura 6. Redibujo de la red de la figura 6.. pero el análisis en dc de cada una es muy diferente. R.58 V VDS = VD ..20. La construcción básica es exactamente la misma.y el valor asociado de Ves: 6V 2 como se muestra en la figura 6.4 POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE El arreglo de polarización mediante divisor de voltaje que se aplicó a los amplificadores a transistor BIT también puede aplicarse a los amplificadores a FET. Ve ...20 Arreglo de polarización mediante divisor de voltaje. R.72 V 6. mientras que Ves hará lo mismo en la configuración a FET. incluyendo el capacitar de desvío es' han sido reemplazados por un "circuito abierto" equivalente.8 mA)(680 Q) = 2... Para los amplificadores FET le = O A.21 ..21...58 V = 3.6V De la figura 6.5 kQ) = 6. ro ( oVo VDD VDl) RD v. C. Al utilizar el punto de operación de la figura 6.=. C. "" . Para el análisis en dc se redibuja la red de la figura 6.8 mA)(1..19 se obtiene = . tanto en los circuitos de entrada como en los de salida. R...5.Vs = 6. . pero la magnitud de lB para los amplificadores de emisor común puede afectar los niveles de corriente y voltaje de dc. Vemos que todos los capacitares. Recuerde que lB proporcionó la relación entre los circuitos de entrada y de salida para la configuración de divisor de voltaje para el BIT..19. 6.8mA c) VD = VDD . .. Además. lCi. + R. R. Figura 6.. .3 V . ID Q '" 3.2.19.4 Polarización mediante divisor de voltaje 267 . se separó la fuente VDD en dos fuentes equivaVDO Ro R.20 como se muestra en la figura 6.IrJiD = 12 V .7V d) e) f) Ve = OV Vs = Irl's = (3. R. Ve. Figura 6. VR . + t lo I...(3.OA 1 .3V = 12V .

10 en la figura 6.17) El resultado especifica que siempre que se grafique la ecuación (6. Puede calcularse la localización exacta mediante la simple sustitución de ID = OroA en la ecuación (6.21.16).16) es aún la ecuación para una línea recta. = fR. /' -------4~---------+----------__~~---~ vp O vGs = vG vos +vo Figura 6.lentes con objeto de pennitir una separación mayor de las regiones de entrada y salida de la red. se obtiene y Sustituyendo VR .22 Trazo de la ecuación de la red para la configuración mediante divisor de voltaje.16) y encontrando el valor resultante de Ves de la siguiente manera: VGS = VG .22. el valor de VGS para el dibujo será de VG volts. Debido a que cualquier línea recta requiere la definición de dos puntos. La ecuación (6. en esencia se está estableciendo en algún lugar sobre el eje horizontal.(O mA)Rs y (6.f¡}?s = Ve . primero está el hecho de que en cualquier punto a lo largo del eje horizontal de la figura 6. El punto que se acaba de determinar aparece en la figura 6. pero el origen ya no es un punto de la recta. puede encontrarse si se utiliza la regla del divisor de voltaje de la siguiente manera: (6. I DSS ID=OmA. 268 Capitulo 6 Polarización del FET . si se selecciona JD para ser igual a. en caso de haber seleccionado f D = O mA. Debido a que f G = O A.. = fsRs = f¡}?s' se tiene (6. la ley de corriente de Kirchhoffrequiere que fR. O mA. Entonces.15) Si aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff en el sentido de las maneciHas del reloj en el lazo indic. No es difícil el procedimiento para dibujar la ecuación (6. Yque el circuito equivalente en serie que aparece a la izquierda de la figura pueda utilizarse para encontrar el nivel de Ve' El voltaje Ve' igual que el voltaje a través de R2 .16) El resultado es una ecuación que todavía incluye las mismas dos variables que aparecen en la ecuación de Shockley: V GS e f D' Las cantidades V G YRs están fijas por la construcción de la red.16) si se procede como se indica a continuación.22 la corriente ID = O mA.

Esto es.= VDD R¡ + Rz (6.23 que: Cuando aumentan los valores de R s dan por resullado valores menores eswbles de 1D' así como valores más negativos de Vcs' figura 6.[D(R D + Rs) VD = VDD .22. La intersección de la línea recta con la cunra de transferencia en la región a la izquierda del eje vertical definirá el punto de operación y los niveles correspondientes de ID y de Ves' Debido a que la intersección sobre el eje vertical se calcula mediante ID = VG I Rs y VG está fijo debido a la red de entrada.s=ov (6.18).23 Efecto de Rs sobre el punto Q obtenido. Una vez que se han calculado los valores estables de [D.22) 6.Para el otro punto se utiliza el hecho de que en cualquier punto sobre el eje vertical VGS = O V.16). los valores mayores de Rs reducirán el nivel de la intersección ID como se muestra en la figura 6. Esta intersección aparece también en la figura 6. el nivel de [D está determinado por la ecuación (6.19) (6. siempre que VGS = O. Los dos puntos definidos arriba permiten dibujar una línea recta con objeto de representar la ecuación (6. Y se resuelve para el valor calculado de ID: VGS = Ve .[JiD (6.18) El resultado especifica que las veces que se grafique la ecuación (6. VDS = VDD .20) (6.21) "'s : : [Jis IR .16).4 Polarización mediante divisor de voltaje 269 . Parece muy obvio a partir de la figura 6.[Jis OV = Ve . Y de VGS Q ' el análisis restante de la red puede desarrollarse de la manera usual.23.= [R .[Jis e Ve [D = -1 Rs vc.

e )' 5 ~F l270 k.24. entonces VGS = Vp / 2 = -4 V/2 = -2 V. a) ID b) V.82 V .. +16V el dl e) VDS' VDG " 2. 270 Capitulo 6 Polarización del FET .8 V ve =1.5 Determinar lo siguiente para la red de la figura 6. Solución al Para las características de transferencia.[D(1. v.~ ------------------------------------------------------------EJEMPLO 6.4mA Q ~ 10 = 1.24 Ejemplo 6. La curva resultante que representa la ecuación de Shock1ey aparece en la figura 6.82 V lo (mA) 8 (lDSS) 7 5 4 3 2 ID =2.21 mA(VGs = O V) -4 (Vp ) -3 -2 -1 O 12 3 Figura 6..4 kQ >2.5.( o V.25 V GsQ =-1.5 kQ) ID=OmA: VGS = +1.24. si [D = [DSS / 4 = 8 mA / 4 = 2 mA. V S' y vGS Q .82 V (lo=OmA) Cálculo del punto Q para la red de la figura 6. La ecuación de la red está definida por (270 kQ)(l6 V) 2.1 MQ I~~F .1 MQ + 0.Q t- I DSs =8mA\\ Vp =--4V >1.5 kn _L = r: 20 ~F Figura 6.25.82 V y VGS = VG - Irfls = 1.27 MQ 1.

1.5 kQ) d) 6.(2A mA)(2A kQ + 1. 4 kQ) = 10.24 V . las ecuaciones obtenidas requieren de una solución muy similar a la que se describió.24 V . 6.25 con los valores del punto de operación in'J = 2.6V VDS VDD .I¡fiD = 16 V .5 kQ) 3.82 V ID = = 1.82 V = 8.64 V o VDS VD .5 kQ La recta de polarización que se obtuvo aparece en la figura 6.64 V 10.4mA y b) Ves" = -1.6 V e) Aunque raras veces se solicita.1.4 Polarización mediante divisor de voltaje 271 .21 mA 1.6 VD' Vs. Se observa que la red utiliza una fuente en el drenaje y en la fuente.Vs = 6.6.ID(R D + Rs) = 16 V .26. el voIta~e VDC puede determinarse así VDe = VD .8 V VD = VDD .42 V Independientemente de que la constrUcción básica de la red en el siguiente ejemplo es muy diferente del arreglo de polarización mediante divisor de voltaje.26 Ejemplo 6. a) IDQ yVesQ ' b) VDS' e) d) EJEMPLO 6.(2A mA)(2.3. Determinar 10 siguiente para la red de la figura 6. VDD = 20V ~.Ve 10.lD lvss=-lOV figura 6.24 V e) Vs = IDRs = (2A mA)(1.

-Ves . /.27 .35 V Se graficaron las características de transferencia utilizando el punto de la gráfica establecido por Ves = V/2 = -3 V/2 =-1.35V b) Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff aliado de la salida de la figura 6.67mA 1.G + . 1.5 Ve [D = I Ds!4 = 9 mA/4= 2. El punto de operación establece los siguientes niveles de estabilidad: ID = 6.[sRs [s = 11) (6. empleando el mismo procedimiento de la ecuación (6. Para 11) = amA.16) que puede sobreponerse a las características de transferencia.26 se obtiene -Vss + [sRs + Vos + ¡¡}ID .28 Determinación del punto Q para la red de la figura 6..26. ID (mAl 9 (IDSS) 8 3 2 Figura 6.~ o pero y Ves = Vss . Para este ejemplo.26. El resultado es una eCtlación muy similar en su formato a la ecuación (6..5kQ Los puntos que se obtienen para la gráfica están identificados en la figura 6.25 mA.28.16).28.27 + R.9mA Q VesQ =-O.5kQ) lOV = 6.5 kQ Solución al Se obtiene una ecuación para Ves en términos de ID al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff a la sección de entrada de la red como está redibujada en la figura 6.V DD =O 272 Capítulo 6 Polarización del FET . que también aparece en la figura 6. Vos S .ID (1. Para Ves = a v.23) Cálculo de la ecuación de la red para la configuración de la figura 6. a = lav e . -1 I I O 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Ves = -0.[sRs + V ss = a () Figura 6.

5 kQ) = 30 V .81d1 110MO ¡OMU 750 O 6.8 kQ) = 20 V .(6. La diferencia más importante entre los dos es el hecho de que el MOSFET de tipo decremental permite puntos de operación con valores positivos de V GS y niveles de ID que excedan I Dss . De hecho.58 V d) VDS = VD .5 MOSFET de tipo decrementa! 273 .9 mA)(1.loRD = 20 V . para todas las configuraciones realizadas hasta ahora. Para el MOSFET de tipo decremental de canal-n de la figura 6.lD(R D + Rsl (6. La única parte sin definir en el análisis consiste en la fonna de graficar la ecuación de Shockley para los valores positivos de VGS .9 mA)(1.23 V = 035 V 6.42 V = 7.(6.23 V e) VD = VDD .24) el cual para este ejemplo resulta 20 V + 10 V .12. Unos cuantos ejemplos indicarán el impacto del cambio de dispositivo en el análisis obtenido.22.5 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL Las similitudes que hay en la apariencia entre las curvas de transferencia de Jos JFET y de los MOSFET de tipo decremental permiten un análisis similar de cada uno en el dominio de de. VDS' 18 V FIgura 6.7 lDQ y VGS.Vs Vs = VD .58 V .7.29 Ejemplo 6.8 kQ + 1.7.77 V 7. el análisis es el mismo si el JFET se reemplaza por un MOSFET de tipo decrementa!. >1.Sustituyendo 15 = ID Y reorganizando se obtiene I VDS ~ VDS ~ VDD + VSS . ¿Qué tan lejos debe extenderse la curva de transferencia en la región de valores positivos de VGS y valores de ID mayores que 1DSS? Para la mayoría de las situaciones este rango necesario estará bien definido por los parámetros del MOSFET y por la recta de polarización que se obtuvo de la red.. determinar: a) b) EJEMPLO 6.29.VDS o = 7.

Al considerar el nivel de Vp y el hecho de que la ecuación de Shockley define una curva que se eleva con mayor rapidez a medida que VGS se hace más positivo.15): Ecuación (6.1 mA VGS Q = -O.16): 10 MO(l8 VJ = 1.= 2mA Rs 750 O En la figura 6.778) La curva de transferencia que resultó aparece en la figura 6.I D (750 O) lo (mAl -2 -1 : O 2 VGS Figura 6. Si seguimos de acuerdo con la manera que se describió para los JFET.. se tiene: Ecuación (6. vGsQ =-O.30.5 mAy VGs = V/4 =-3 V/2 =-1. se obtiene Haciendo VGS = O V..67 mA ~ +1 V)' 6 mA ~ + ~)' = 6 mA(l.S V 274 Capítulo 6 Polarización del FET .5 V .5 V lOMO + 1l0MO VGS = VG - l"Rs = 1.30 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6.5 V.5 V -G = . se obtiene V 1.30 aparecen tanto los puntos de la gráfica como la recta de polarización obtenida. se detalla un punto de la gráfica en VGS = + I V. 1DSS /4 = 6 mA/4 = 1.29.8 V Haciendo ID = O mA. Sustituyendo la ecuación de Shockley =6mAl---3 V = 10.Solución a) Para las características de transferencia se define un punto de la gráfica de ID:.. El punto de operación resultante: I DQ '" 3.

6 mA)(1. Notamos en este caso que el punto de operación estable da por resultado una comente de drenaje que excede 1DSS con un valor positivo para VGS.6mA Q -3 Vp -2 -1 O .. Para la recta de polarización.31 Ejemplo 6.35 V b) La ecuación (6.6 IDA V GSQ = +0. .8 kQ + 750 Q) _ 10.b) La ecuación (6. Haciendo ID = O mA. El resultado: I DQ = 7.31.8 kQ + 150 Q) 3.(3. EJEMPLO 6.5 V Haciendo VGS = O V.ID(R D + Rs) ~ ~ 18 V .35 Ves v Figura 6..8.5 MOSFET de tipo decrementa! 275 .1 mA)(1.5 V ID = .19): VDS ~ VDD .1 V Repetir el ejemplo 6.ID(R D + Rs) = 18 V . se obtiene VG 1.(7.8 Iv (mA) ---.31.7 con Rs = 150 Q.JD =7.= lOmA 150 Q Rs La recta de polarización está incluida en la figura 6.19): VDS VDD .= .18 V 6. Solución a) Los puntos de la gráfica son los mismos para la curva de transferencia como se muestra en la figura 6. se obtiene VGS 1. V GS 2 =+0.

estableciendo el hecho que VGS debe ser menor que cero volts. 0>---)11-----.32 Ejemplo 6. b) a) IDQ y VGsQ ' VD' 20V 6. para VGS > O Y se seleccionará VGS ~ +2 Y e ID~ IDSS~ _ ~:S)2 = 12. Solución a) La configuración de autopolarización da por resultado como la que se obtuvo para la configuración JFET.~--------------------------------------EJEMPLO 6. Un punto de la gráfica para las características de transferencia de VGS < OV es ID ~-- I DSS 8mA ~ ~ 2mA 4 Y 4 -8 y ~ ~ VGS ~ Vp 2 -4Y 2 y dado Vp ~ -8 Y.9 Determinar lo siguiente para la red de la figura 6.(1.4 kQ -------- Figura 6.5 mA = 8mA ~ 1---8 Y +2 Y)2 En la figura 6.4kU R ~ 2. Por tanto.7 mA VGsQ D ~---= VGS --6 Y 2.33 aparece la curva de transferencia que se obtuvo.7 mA)(6.32. ID ~ O mA. Al elegir V Gs = -6 V se obtiene I El punto Q resultante: I DQ = 1. Para la recta de polarización.9.-------'1---4 1MQ 2.2kQ ( o t~.46 V 276 Capítulo 6 Polarización del FET .2 kU) 9. en VGS ~ O Y. no existe la necesidad de graficar la curva de transferencia para los valores positivos de VGs ' aunque en esta ocasión se hizo para completar las características de transferencia.3 V b) VD = VDD .5 mA s ~ -4.loRD = 20 Y . v.

5 kQ V = OV GS Q e D ID Q = lOmA ~ + Por tanto. El siguiente ejemplo utiliza un diseño que también puede aplicarse a los transistores JFET.6 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL Las características de transferencia del MOSFET de tipo incremental son muy diferentes de las encontradas para el JFET y los MOSFET de tipo decremental. pero se obtiene una solución gráfica muy diferente a las encontradas en secciones precedentes.34 Ejemplo 6. Determinar VDS para la red de la figura 6. la corriente de drenaje es cero para aquellos niveles de voltaje compuerta-fuente.35. no existe la necesidad de dibujar la curva de transferencia y VD V DD .32.6 MOSFET de tipo incremental 277 .10. pero a menudo causa cierta confusión cuando se analiza por primera vez debido al punto de operación especial. Lo primero y quizá más imponante es recordar que para el MOSFET de tipo incremental de canal-n.15 V = 5V figura 6. En otras palabras. Para los niveles de VGS mayores que VGS(Th)' la corriente de drenaje se define mediante 6. menores que el nivel del umbral VGS(Th)' como lo muestra la figura 6.3 V Figura 6.ID (mA) 6 5 4 3 _2_--ID =1.IrIID = 20 V . 6.34.10 20V Debido a que Ves está fija en OV. 1.7mA 1 Q -5 -f4 -3 -2 -1 o 1 2 Ves YasQ = -4.5 kQ) 20 V . la comente de drenaje debe ser I DSS (por definición).33 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6.(10 mA)(1. A primera vista aparece algo simple. Solución La conexión directa entre las terminales de la compuerta y la fuente requiere que EJEMPLO 6.

Características de transferencia de un MOSFET de tipo incremental (6.35 de canal-n. y tenemos y (6.37. "YGS " F'tgura 6.---------. as{ como su nivel correspondiente de VG5(encendido)' pueden definirse dos puntos de inmediato como lo muestra la figura 6. El resistor RG proporciona un voltaje suficientemente grande a la compuerta para "encender" el MOSFET.25) y resolviendo para k de la siguiente manera: ID(encendido) = k(VGS(encendido) - VGS(Th»2 y k = 1D(encendido) ---==='---(VGS(encendido) - (6.26) VGS(Thj)2 Una vez que k está definida."-. Para completar la curva. Existe ahora una conexión directa entre el drenaje y la compuerta.27) 278 Capitulo 6 Polarización del FET .35). I / lD=OmA VGS(~ncendido) V GS.35..25) (obsérvense IDI e IDzen la figura 6. la red equivalente de de aparece como se muestra en la figura 6. Debido a que 1G = OmA y VRe = OV. pueden calcularse otros niveles de ID para los valores seleccionados de V cs.36 se proporciona un arreglo común de polarización para los MOSFET de tipo incremental. un punto entre V GS(Th) y VGS(encendido) y uno un poco mayor que Ves(encendido) ofrecerán una cantidad suficiente de puntos para graficar la ecuación (6.25) Ya que las hojas de especificaciones por lo general proporcionan el voltaje del umbral y un nivel de corriente de drenaje (1 D(enCendido). primero tiene que determinar la constante k de la ecuación (6. Arreglo de polarización por retroalimentación En la figura 6.-t: I~ ___________________________ _ ID(cncendidol ----------. .25) a partir de los datos de las hojas de especificaciones mediante la sustitución en la ecuación (6. Por lo general.

la cual se convierte en la siguiente ecuación después de sustituir la ecuación (6.38 con el punto de operación resultante.25).28) se obtiene (6.30) Las gráficas definidas por las ecuaciones (6. Ves Figura 6. Figura 6. O-----)I---______----o--t~l G -:. para calcular los dos puntos que defínirán el trazo sobre la gráfica.--------<1 D D + '1.37 Equivalente de de de la red de la figura 6.38 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6.28) aparecen en la figura 6.36. .: Figura 6.28) Se obtiene una ecuación que relaciona las mismas dos variables como la ecuación (6.-------<r-------H(-----o~.25) y (6.28) es la de una línea recta. Sustituyendo ID = O mA en la ecuación (6.Ii I .36.36 Arreglo de polarización por retroalimentación.28).29) Sustituyendo Ves = O V en la ecuación (6. 6. I .27): (6. Para el circuito de salida. Debido a que la ecuación (6. permitiendo graficar cada una en el mismo conjunto de ejes. se tiene (6.6 MOSFET de tipo incremental 279 . puede emplearse el mismo procedimiento que se describió con anterioridad.

('<l V .40. 6 V (entre 3 y 8 V): ID . 0.-l_ __ (VGS(encendidO) - VGS(Th))2 . 0.40 Gráfica de la curva de transferencia para el MOSFET de la figura 6.39 Ejemplo 6. O>--U)-- I~F -+----19 1 . 0..26): Se definen de inmediato dos puntos como se muestra k = _ _ _I".Od.OC".D"...."".24 x 10-3 AJV2 Para Ves.d.11 Determinar IDQ Y VDSQ para el MOSFET de tipo incremental de la figura 6. ~F v..24 x 10-3(9) 2.o..39... Solución Gráfica de la curva de transferencia: en la figura 6.-r:. -----------------------------------------------------EJEMPLO 6.. I 10 Mn. Resolviendo para k: Ecuación (6. Figu'ra.24 x 10-3(6 V .16 mA 12 11 10 9 8 7 1D(coccndido) .11.- 6 5 4 3 2 Figura 6.6.óo¡ 280 Capítulo 6 Polarización del FET . -----. 012345678910 I I VGS(Th) VGSlcncend.39. 12V 2ill ~---+---I~(---o ~. "''''.3 V)2 .3 V)2 6mA 6x 10--3 25 Nv 2 .

41 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6.29): La ecuación (6.31) polarización mediante divisor de voltaje para un MOSFET de tipo incremental de canal-no 6.6 MOSFET de tipo incremental 281 .41.40.42 aparece un segundo arreglo de polarización común para el MOSFET de tipo incremental.3 V)' ~ 0.24 x 10-3(49) 11.42 Arreglo de (6.como se muestra en la figura 6.4 V Q con VDS Q ~ Ves = 6. G Arreglo de polarización mediante divisor de voltaje En la figura 6.Id'D = 12 V . El punto de operación: ID = 2. Para VGS ~ 10 V (ligeramente mayor que 10 ~ ~ VeS(Th): 11 0. Para la red de la recta de polarización: Ves ~ V DD .24 X j(J-J(lO V .40.7SmA-3 Q 2 o 2 3 4 5 8 9 10 11 12 (VDD ) D Flgura 6.4 V Q IO=mA 12 1\ \0 9 8 7 Voo 6 RD 5 4 ID =-2. El hecho de que IG ~ OmA da por resultado la siguiente ecuación para Vee como se deriva a partir de una aplicación de la regla del divisor de voltaje: + vGS - S Figura 6.39.30): Ves ~ V DD = 12VI'D=OmA La recta de polarización que resultó aparece en la figura 6. Los cuatro puntos son suficientes para grafiear la curva total para el rango de interés como se muestra en la figura 6.75 mA Q y VGS = 6.1D(2 kQ) La ecuación (6.76mA como aparece también en la figura 6.40.

82 kQ) O = 18 V -ID (O.V GS .ID(O. 282 Capítulo 6 Polarización del FET .32) o Para la sección de salida: VRs + VDS + VRD y - VDD = O - VDS = V DD .ID(O. pueden graficarselas dos curvas en la misma gráfica y hacer el cálculo de la solución en la intersección de ambas. 4QV 3 k!l 22k!l 2N4351 VGs(Th) = 5 V ID (encendido) = 3 mA Y Vos (encendido) = 10 V G + 18 M. = O y VGS = VG - VR .43.32): Cuando ID = O mA.82 kQ) In = .12 Determinar ID" VGsQ ' así como VDS para la red de la figura 6.32) relaciona las mismas dos variables.43 Ejemplo 6. = 18 V VGS = VG - Irfis = 18 V .V R.o.82 kQ) V GS = 18 V .V R s VR D (6.Cuando se aplica la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en la figura 6.44.31): La ecuación (6. Cuando VGS =O V. U~ vez que se conocen 1DQ Y Veso' pueden entonces calcularse todas las cantidades restantes de la'red.82 ill f"lgura 6. VGS = 18 V . 0.(O mA)(O.82kQ 18 V tal como aparece en la figura 6. (6. Solucióu Red: (18 MQ)(40 V) 22MQ + 18MQ La ecuación (6.44.42 resulta +VG .. \ EJEMPLO 6.33) o Debido a que las características son una gráfica de''ID en función VcS' y que la ecuación (6..95 mA O.12. tales como VDS' VD Y VS.82 kQ) = 18 V tal como aparece en la figura 6.= 21.

12 x lQ-3(VGS . El análisis restante sólo consiste en la aplicación de las leyes básicas del análisis de circuitos..: 3 mA con VGS(encendido) = 10 V La ecuación (6..44.7mA Q VGsQ = 12.82 kQ + 3.ID (mA) 30 = 21.6Y = 14.5 Y)' e ID = k(V GS .. Díspositivo: VGS(Th) = 5 Y.4 V 6.(6.33): VDS V DD ..7 Tabla resumen 283 . También indica que el análisis general de las configuraciones de de para los FET no es demasiado complejo.5 V La ecuación (6. y para demostrar la similitud del método para una cierta cantidad de configuraciones.26): k 1D(encendido) 3mA .12 X IQ-3 NV2 (lOY ..ID(R s + RD ) = 40 Y . entonces puede determinarse la recta de autopolarización de la red y el punto Q en la intersección de la característica de transferencia del dispositivo.V GS(Th»2 0. Una vez que se han establecido las características de transferencia.95 Rs 20 VG o Figura 6. y la curva de la red de polarización.7 TABLA RESUMEN Ahora que se han presentado los arreglos de polarización más comunes para los diferentes FET.0 kQ) 40Y-25. ID=6.44 Determinación del punto Q para la red del ejemplo 6. De la figura 6.44). 6.7 mA)(0.1 para revisar los resultados básicos.= 0.5)2 la cual se traza sobre la misma gráfica (figura 6.12. se desarrolló la tabla 6. 1Dlenccndido) :::.

~ lD'\S Vss -Vss V. JFET con polarización mediante divisor de voltaje Compuena común JFET 83:'" .S = -l.. R' ¡ o ID Ve. O lo ¡ f>S~ V5_\ Ves JFET (Ves OV) .= JFET (Ro = O a) d'" d" Ro Re Rs Punto Q """ Yc. MOSFET de tipo decrementa! Polarización mediante divisor de voltaje tf R] R2 RI . 01 V"" Va' ID Ve. V p VGC Ves JFET con autopolarización d"" Re Ves = -lrfis = Voo -I¡ARo . O V O lo loss Ves V(.\..{ RI RD V _ = R~VDD (.RsJ P"UIO~ Vp:v-G. Ves = Ye . RI + R:! 'DSS ve + Rs) R~ R ..¡ Ves = Ve.sQ= O V ID(i == Ivss ) ~ /VesQ ::.1'0 O ID Ve./?\ VD = V DO Vs = loRs I Vos = VOD - IsRs PunIOQ':J) VplV'GS -ro MOSFET de tipo decremental -(Todas las configu.loRs VDS = VOD . .:YDD + R2 ve R.dol VDD Ves V _ G - RT R.\) JFET con polarización fija V CG _i + {'f RIJ RG Ro Rs VDS VCSQ::O -VCiG VDS = Voo . Ve vr. '7 ~OQ O Ve Ve~ MOSFET de tipo incremental Configuración por retroalimentación Ro MOSFET de tipo incremental Polarización mediante divisor de voltaje CC S Ro R Ro R: Rs Ves = VDS VGS = VDD -loRD Ro D(encc O ~ Vesnñl lo V GSfcncend.s In Ro Vos = Y ss .10ft!> O ~ VesiTl'ti ID Ve Ves 284 Capítulo 6 Polarización del FET . rJ.TABLA 6 l Configuraciones polarización de FET Tipo Configuración Ecuaciones pertinentes Solución gráfica In ID.JoRs Punto aj o Iv 1055 .Iv(Ro ~ O v.R 2 Ves = Vo -lsRs Vos = Vuo . positivos donde VGS " + voltaje) POlarizagión fija Voo ~ d'" Ro RD R s Voso = -VCG VOS = VOD -loRs . Punto Q V.raciones arriba de los caso. - lo(Ro + Rs) PuulO R.loRs VDS = V¡:){) + Vs.lo(R D + Rsl VOD Ve =--- R~VDD V.I' pumud .

l > IOR. debido al reto que implica encontrar la entrada. problemas que resultan interesantes.--t.7 V se obtiene VE = 3.7 V = 2. La configuración mediante divisor de voltaje es una donde puede aplicarse la técnica aproximada (/3RE =(180 x 1. lo cual permite un cálculo de VB utilizando la regla del divisor de voltaje en el circuito de entrada.. se presenta por sí misma la oportunidad de analizar las redes con ambos tipos de dispositivos.13.62 V .8 REDES COMBINADAS Ahora que se estableció el análisis en de para una variedad de configuraciones a BJT y FET.6kn Figura 6045 Ejemplo 6. Luego. Las ecuaciones y relaciones que se necesitan sólo son las que hasta ahora se han utilizado en más de una ocasión. =240 kQ). Para VB: 24 kQ(l6 V) 82kQ + 24kQ Con el hecho que VBE = 0. se dará énfasis a la configuración del transistor bipolar. Debido a que Ves es un valor para el cual no es obvia una solución inmediata. Estos son. 6.62 V = VB - V BE = 3. así que no existe la necesidad de desarrollar nuevos métodos de análisis. Es fundamental entender que el análisis sólo requiere que primero se estudie el dispositivo que proporcionará un voltaje o un nivel de corriente en la terminal. la puerta se encuentra abierta para calcular otras cantidades y concentrarse en las incógnitas restantes.92 V 6. por lo general.7 ka 82kn 1Mn p= 180 24kQ 1. y luego utilizar los resultados de las últimas secciones y el capítulo 5 para hallar las cantidades importantes de cada dispositivo.45.]3 2. Determinar los niveles de VD y Ve para la red de la figura 6.6 kQ) =288 H. por lo general. ahora se sabe que VGS es. una cantidad importante para determinar o escribir una ecuación con objeto de analizar las redes con JFET.8 Redes combinadas 285 . Solución A partir de la experiencia pasada.0. r-----------------~r-016V EJEMPLO 6.

VGsQ : 3.07 V La pregunta sobre cómo calcular Ve no es tan obvia.e lE : _R _ E V : VE RE 2. Primero se trazan las caracteósticas de transferencia del JFET como se muestra en la figura 6.(1. se regresa al método gráfIco para trabajar sólo en el orden inverso que se utilizó en las secciones precedentes.825 mA)(2. Luego se determina VGSQ al dibujar una línea desde el punto de operación hacia el eje horizontal.825 mA A continuación. Tanto VCE como VDS son cantidades desconocidas que evitan que se establezca una relación entre VD Y VeO de VE y VD' Un examen más cuidadoso de la figura 6. y calcularse Vea partir de Luego surge la pregunta acerca de cómo encontrar el valor de ~sQ a partir del valor estable de ID' Los dos valores se encuentran relacionados mediante la ec~ción de Shockley: y Vese puede detenninarse bajo un esquema matemático al resolver VesQ y sustituir los valores numéricos.7 V) : 7.62 V .93 V : 11.46 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6. Sin embargo.46.32 V ID (mA) 12 'DSS 10 8 6 2 --~~~~~~~~ -6 -5 O Vp - ID =1.92 V : : 1.(-3.45 indica que Ve está relacionado a Vs mediante Ves (suponiendo que VRc : O V).825 mA Q Figura 6.4.6kQ con le '" lE : 1.825 mA RE 1./D(2.7 kQ) : 16 V . Luego se establece el nivel de 1DQ por medío de una línea horizontal como se muestra en la misma figura.45.7 kQ) 16V . 286 Capítulo 6 Polarización del FET . Si puede encontrarse VGS' se podrá conocer VB . dando por resultado El nivel de Ve: Ve VB . se encuentra que para esta configuración /D:/s:/e y VD : 16 V .

48 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6. .425 V ! VGS Q =-2. 1..5.5 .125 V 3 1.61 mA l--I D =lmA Q y VE ~ VD ~ VB .uA)(470 kQ) = 16 V .5 80 8 lDSS J1A 7 6 5 4 VB = 16 V .Q fi= 80 2.875 V = 10.= 12.14 3.6 V ~ Figura 6. 6. Solución Fq¡ura 6. En este caso no existe una trayectoria obvia para determinar un valor de vohaje o de corriente para la configuración a transistores.125 V .47.14 .47 Ejemplo 6.4 kQ .48 en VGS Q = -2. puede derivarse una ecuación para VGS y así calcular el punto de operación estable resultante con la ayuda de técnicas gráficas.lB(470 kQ) = 16 V .(12. con la cual se logra la recta de autopolarización que aparece en la figura 6.. Esto es. Sin embargo.VBE -4 -31-2 -1 Vp O ~ 10.---------~-o16V EJEMPLO 6.0.6kf1 470 k. al revisar el JFET con autopolarización..7 V 9.47.. ID (mA) e lB = - le f3 1 mA = .8 Redes combinadas 287 .Calcular VD para la red de la figura 6.6 V Para el transistor bipolar.

y que requieran del 'USo del valor comercial más cercano. Los ejemplos que siguen a continuación tienen un diseño u orientación hacia la síntesis.50 Ejemplo 6. es posible que los valores de Rs y de RD no sean valores estándar disponibles en el mercado. para los amplificadores lineales es una buena práctica elegir los puntos de operación que no alcancen los valores de saturación (lDSS)' o las regiones de corte (Vp )' Es verdad que durante el diseño son razonables unos puntos iniciales. rara vez causará un problema real'en el proceso de diseño la pequeña variación debida a la selección de valores estándares. Por ejemplo. En particular. para VGSQ los valores cercanos a Vp /2 o de IDss /2 paralDQ • Desde luego.49. junto con las tolerancias (rangos de valores) que normalmente se especifican para los parámetros de una red. Por lo general. el enfoque es en muchos casos opuesto al descrito en secciones anteriores. primero tiene que concentrarse en el establecimiento de las condiciones de de que se eligieron.50 están especificados los niveles de VDQ Y de 1DQ' Calcular los valores necesarios de RD y de Rs' ¿Cuáles son los valores estándar más cercanos disponibles en el mercado? 20V t IDQ = 2. y así sucesivamente. las condiciones de operación como unas cuantas de las condiciones existentes. se trata sólo de aplicar la ley de Ohm de una forma adecuada.15 Para la red de la figura 6. puede detenninarse el nivel de VGSQ mediante una curva de transferencia y también se puede calcular Rs a partir de V GS . -1nRs' Si está especificado V DD . 288 Capítulo 6 Polarización del FET . Sin embargo. si se solicitan valores de resistencias.15. Sin embargo. si están especificados los niveles de VD e ID para la red de la figura 6. EJEMPLO 6. el nivel de amplificación deseado. el resultado se logra mediante la simple aplicación de la ley de Ohm de la siguiente manera: Rdesconocida = 1R R V (6. (VDD . En el proceso del diseño total entran el área de aplicación. puede calcularse el valor de RD a partir de RD . de tal forma que se proporcionan los valores específicos.5 mA RD F'Igura 6.6. la potencia de la señal y Figura 6. Rs' V DD . En algunos ejemplos. Es posible que sólo se hayan especificado V DD y R D junto con el valor de VDS' Pero debe especificarse el dispositivo que se va a utilizar junto con el nivel de Rs' Parece lógico que el dispositivo deba tener un valor máximo de VDS mayor que el valor de diseño especificado con cierto margen de seguridad. En cualquier caso.9 DISEÑO El proceso de diseño no está limitado sólo a las condiciones de de.VD)IlD' Desde luego.34) donde VR e IR a menudo son parámetros que se localizan en forma directa a partir de los valores de voltaje y corriente especificados.49.49 Configuración de auto polarización que se diseñará. La anterior es sólo una posibilidad durante la fase de diseño que involucra la red"deJa figura 6. y deben calcularse los parámetros de la red como RD . en cualquier proceso de diseño no deben excederse los valores máximos de ID ni de VDS que aparecen en las hojas de especificaciones.

.2ka 8V 2..52 Ejemplo 6.22 mA)Rs y Rs = 7.5 mA ID (mA) 6lDSS -(.39 ka Para la configuración de polarización mediante divisor de voltaje de la figura 6.= 3.5 mA se obtiene VGsQ =-1 V.44 V 2.l2V = = . Solución Ei nivel de VG se determina de la siguiente forma: VG = EJEMPLO 6.. o = -1 V V GSQ Los valores más cercanos disponibles en el mercado son RD = 3. ..= 0. ---ID 3 2 Q =2.(2.22 mA)Rs -7.16.44 V = -(2.. calcular el valor de Rs si VD = 12 V Y VGsQ = -2 V.12V = = 2.1 V) 5 4 .--) .5mA - 1 -3 Vp -2 -1.34).. -2 V = 5.22mA ~ 1.44 V .22mA = 3.VD RD 47kQ + 16V ._------ .16 r-·------------. y 20V .8 kQ Luego se escribe la ecuación para VGS y se sustituyen los valores conocidos: VGS = VG - - -~ Irfis Figura 6.52.4 ka => 0.8kO: 91 ill 47 kQ(l6 V) 47 ka + 91 ka = 5..-~16V 1..3 ka Rs = 0.3 kQ.51 y dibujar la línea horizontal en IDQ = 2.9 Diseño 289 . Y la aplicación de VGS =-/rfis establecerá el nivel de Rs' Rs = _ -_(V-"G""SQ.5mA 2.Solución Por la definición de la ecuación (6.2 ka => 3.5mA Al graficar la curva de transferencia de la figura 6. 6..35 ka El valor más cercano que está disponible en el mercado es de 3.4ka 2.44 V 0------0 12 V ~ _ _ _. t-- con ID = VDD .

= 4mA 6V 1. la respuesta es totalmente inesperada y no cumple con los cálculos teóri- cos? ¿Cuál es el siguíente paso? ¿Se trata de una mala conexión? ¿Se trata de una mala lectura en el código de color de un elemento resistivo o simplemente de un error en el proceso constructivo? Parece muy vasto y a menudo es frustrante el rango de posibilidades. Por tanto. En cualquier caso. Con ID == 1D(encendido) :. se sigue con la verificación de los niveles de voltaje entre las terminales específicas y la tierra.10 LOCAUZACIÓN DE FALLAS ¿ Cuántas veces se ha construido una red con cuidado sólo para encontrar que cuando se aplica la potencia. y = V GS = +VDD 6V = iVDD VDD = 12 V de tal forma que Con la aplicación de la ecuación (6... debe tenerse una idea del nivel esperado del voltaje o la comente para que la medición tenga cierta importancia. Luego. 6 V. 6. Por lo general. El proceso de localización de fallas que se describió al principio del análisis de las configuraciones a BIT debe cerrar la lista de posibilidades y aislar el área del problema siguiendo un plan de ataque preciso.17. 4 mA Y VGS. o entre las terminales de la red.::: VGS(encendido) :.53 están especificados los niveles de 1D{encendido}" Determine los valores de VDD Y de Rv' VDS e ID como VDS = iVDD e ID = 10 M.53 EjeIlll'lo 6.34) se obtiene R D = V RD = V DD - VDS = V DD - iVDD = DD ----'=-- +V ID y 1 D(encendido) 1D(encencido) 1D{encendido) = -. el proceso de localización de fallas puede iniciar con cierta esperanza de éxito si se entiende la operación 290 Capitulo 6 Polarización del FET . pueden calcularse los niveles de la corriente empleando la ley de Ohm..~ ---------------------------------------------EJEMPLO 6.5kQ que es un valor estándar disponible en el mercado. í Solución VDS VGS(eN:rodido) = 6 V JD(enco:lldido) ::: 4 mA VOS(rh) =3v \ Figura 6. para esta configuración... el proceso se inicia mediante una verificación de la construcción de la red y de las conexiones de las terminales.17 Para la red de la figura 6.o. Desde luego. Rara vez se miden los niveles de corriente porque estos manejos obligan a modificar la estructura de la red con objeto de insertar el medidor de corriente. una vez obtenidos los niveles de voltaje.

El nivel de VDS normalmente se encuentra entre el 25 y el 75% de V DD . existen ciertas ocasiones en que parecen desaparecer misteriosamente las razones de las causas de una respuesta extraña cuando se verifica una red.54. s rojo negro Vcs . Sin embargo. Para los FET de canal-p se necesita una imagen de espejo de las curvas de transferencia y se invierten las direcciones definidas de comente. Si el nivel de VDS parece inadecuado. Para el amplificador a JFET de canal-n está entendido con claridad que el valor estable de VGSQ está limitado a O V o a un voltaje negativo. VGSQ está restringido a los valores negativos en el rango desde O V hasta Vp" Si se Conecta un voltímetro como lo muestra la figura 6. Algunos probadores pueden indicar que el dispositivo aún se encuentra básicamente en buen estado. Si se cuestiona la situación del amplificador. Sin embargo. El elemento más sensible en las configuraciones a BJT y JFET es el amplificador en sí mismo. pero existe continuidad entre VD Y VDD' Si Vs = VDD' el dispositivo no está abierto entre el drenaje y la fuente. como se muestra en la figura 6. Para la red de la figura 6.54 Verificación de la operación en de de la configuración del JFET con autopo!arización. lo mejor es no confiarse y continuar Con la construcción. También es posible que la conexión interna entre el cable de la punta de prueba y el conector de la terminal se encuentren separados. o el uso indebido de valores incorrectos de resistores que ocasionan altos niveles de corriente. puede verificarse sin problemas la continuidad de] circuito de salida al conectar a tierra la punta de prueba negativa del voltímetro.55 que cada voltaje de la fuente de alimentación es un voltaje negativo que consume corriente en la dirección indicada. En estos casos. Si VD tiene VDD volts. 6. Debe encontrarse la causa de tal situación "'buena o mala" muy sensible o de lo contrario puede volver a ocurrir en el momento más inoportuno..básica de la red junto con algunos valores esperados del voltaje o la corriente. sino también sus rangos de valores de corriente y voltaje. Cualquier otra respuesta tiene que considerarse como sospechosa y debe investigarse. pero tampoco "encendido". y tomando la medición de los niveles de voltaje desde VDO a tierra con la ayuda de la terminal positiva. También existen otras posibilidades como un dispositivo en corto del drenaje a la fuente.55 para los diversos tipos de FET.11 FET de canal-p 291 . la mejor prueba para el FET es el trazador de curvas. en este caso VGS es positivo (positivo o negativo para el MOSFET de tipo decrementa!) y VDS negati va.: Rs + Figura 6. Desde luego. resulta obvio que no existe una caída a través de RD debido a la falta de corriente a través de RD y deben verificarse las conexiones para revisar su continuidad. La indicación de una de O V revela de inmediato la falta de corriente a través del elemento debido a un circuito abierto en la red. Puede verificarse la continuidad de una red midiendo sólo el voltaje a través de cualquier resistencia de la red (excepto para Re en la configuración JFET).54. 6. El desarrollo de buenas técnicas de localización de fallas proviene en gran medida de la experiencia y el nivel de confianza en cuanto a qué esperar y por qué. La aplicación de un voltaje excesivo durante las fases constructiva o de prueba. se confirma la continuidad de Vs' En este caso es posible que exista una conexión pobre entre Rs y la tierra que puede no Ser muy obvia. se observa que continúa la notación de doble subíndice para los voltajes tal como se definió para el dispositivo de canal-n: V GS' VDS' y así sucesivamente. la lectura debe tener un signo negativo y una magnitud de unos cuantos volts. con la punta de prueba positiva (normalmente roja) a la entrada y la punta de prueba negativa (normalmente negra) a la fuente.11 FET DE CANAL-P Hasta ahora el análisis se ha limitado sólo a los FET de canal-n. Una lectura de OV para VDS indica que o bien el circuito está "abierto" o el JFET tiene un corto circuito interno entre el drenaje y la fuente. pero no indican que su rango de operación se ha reducido de manera severa. Se observa en todas las configuraciones de la figura 6. Si VD ~ VDD' puede que la corriente a través de RD sea cero. ya que no sólo revela si el dispositivo es operable. pero la persona que se encuentre localizando la falla simplemente tendrá que concentrar las causas posibles del funcionamiento erróneo. pueden destruir el dispositivo. En particular.

el siguiente ejemplo demostrará que con la experiencia que se ha logrado a través de los dispositivos de canal-n es bastante directo el análisis de los dispósitivos de canal-p.. tls VG O Vp VGS -VDD RD RG tlD + VDS + VGS 1 VGS Figura 6.l-p.. Sin embargo. Cuando se obtienen los resultados. estará correcta la magnitud de cada cantidad. en realidad puede asumirse como un dispositivo de canal-n con una fuente inversa de voltaje y desarrollar el análisis completo. aunque la dirección de la corriente y la polarización del voltaje tendrán que ¡nvertirse. Rs I~ VGS _ + VDS .55 Configuraciones de cana. 292 Capítulo 6 Polarización del FET .-r:. Debido a las similitudes entre el análisis de los dispositivos de canal-n y de canal-p. . -V DD ID IDSS RD h+ + VGS tls Rs O VDS Vp VGS V DD tlD RD ID lDss =R¡ + R.

56.55 V 20kQ(.4mA..= -4. Cuando se elige V GS = O V.-Q -5 -4 -3 -2 -1 o1I I 2 3 4 Vp Figura 6. Solución . 1. se obtiene ID = .= Rs Ve -4.4 mA Ves.57.57.56 Ejemplo 6.18. 6.20 V) 20 kQ + 68 kQ Con la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff se obtiene Ve . El punto de operación estable que se obtiene a partir de la figura 6.18 y Calcular 1DQ' V esQ VDS para el JFET de canal-p de la figura 6. = 3.57 Cálculo del punto Q para la coníiguración de JFET de la figura 6.56..Ves + Irfis = O y Ves = Ve + Irfis Seleccionando ID = O mA se tiene tal como aparece en la figura 6.57: ID..53mA que también aparece en la ligura 6.~ ------------------------------------------------------------EJEMPLO 6. = 1.55 V 1.8k!l '-_____ +-+t/s ~F Figura 6.11 FET de canaJ-p 293 .4 V /D (mAl 8 ID=3..8 kQ = 2..

58 se proporciona la curva universal de un JFET de canal-n o el MOSFET de tipo decremental (para los valores negativos de VesQ )' Se observa que el eje horizontal no es el de VGS' sino el de un nivel nonnalizado definido por V GS/ IV p 1. Se observa también que la escala para ID/IDSS se encuentra a la izquierda en lugar de la derecha como se encontró para ID en los ejercicios anteriores.8 kQ) = -20 V + 15. mas no su signo.. se desarrolló una curva universal útil para cualquier nivel de I DSS y de Vp. con la indicación IV p 1.2 o 294 Capítulo 6 Polarización del FET . -0.4 mA)(2.-.3 V = -4.C-e~i-+:. lo que significa que sólo debe tomarse en cuenta su magnitud. -h.loRo + Voo = O y Vos = -Voo + lo(Ro + Rs) = -20 V + (3.6 ---~ -! t----.7 V 6. La escala vertical llamada m puede utilizarse por sí misma para encontrar la solución a las configuraciones de polarización fija.7 kQ + 1.L I DSS m=-- IVpl M=m x Rs IDss IVpl vGO -"-'Figura 6.4 -0. llamada M.58 H. En la figura 6.:-. '--+¡-" Curva universal de polarización para el JFET. -0.Para Vos' con la ley de voltaje de Kirchhoff se obtiene -loRs + Vos . +-.12 CURVA UNIVERSAL DE POLARIZACIÓN PARA JFET Debido a que la solución de una configuración a FET necesita que se dibuje la curva de transferencia en cada análisis. Para el eje verticalla escala también es un valor normalizado de loilo~s' El resultado es tal que cuando lo = lossel cociente es 1. Las dos escalas adicionales a la derecha necesitan presentarse. y cuando VGS = Vpel cociente VG / I V p I es de-!.8 -0. La otra escala. se utiliza junto con la escala m !.

. J m=--IDssRs IVpl (6. Las escalas para m y M provienen de un desarrollo matemático que involucra las ecuaciones de la red y la escala normalizada recién presentada.19 .60. Y la escala M desde O a 1 cuando \/GS ~ Vp = 0.= 0. se obtiene m = .36) con VG = R2 VDD R¡ + R 2 Es importante tener en cuenta que la belleza de este método se debe a que ya no es necesario trazar la curva de transferencia para cada análisis.575 6. El uso de los ejes m y M se explica mejor mediante unos ejemplos que utilicen dichas escalas.12 Curva universal de polarización para JFET 295 ..9Hl 0..15).6kO 40 ¡ll' .. Calcular los valores del punto de operación estable tanto de ID como de VGS para la red de la fIgura 6.05 ~F lMO 1. 0. con \/G tal como se definió por medio de la ecuación (6. sino en la fonna de usar las escalas resultantes para obtener una solución para las configuraciones.. es mucho más rápido el análisis y más preciso también.)11----.59.. Las ecuaciones de m y de M son las siguientes.----. Solución Hgura 6.59 Ejemplo 6. 16V EJEMPLO 6. Una vez que ha quedado claro el procedimiento...2.6 kQ) La recta de autopolarización definida por Rs se grafica al dibujar una línea recta desde el origen y a través del punto definido por m = 0.para encontrar la solución para la configuración mediante divisor de voltaje. 0-0 --.19 3.31..= .35) (6. Calculando el valor de m.. así como se muestra en la figura 6. a que la sobreposición de la recta de polarización resulta mucho más sencilla y a que son menos los cálculos.05 ¡ll' I o V..18 y IVpl 1-3VI -0. La siguiente descripción no se concentra sobre el motivo por el cual la escala m se extiende desde O a 5 cuando VGsil Vp I = -0.31 IDssRs (6 mA)(1.. El punto Q obtenido: 0. V.

..2kO 91OkO 1. ~--------~~--~18V 2.3f~'~ o _1.20.18(6 mAl = 1. t· .61.26 IV..20 Calcule los valores en el punto de operación de ID Y VGS para la red de la figura 6. ' PuntOQ:_'J'~~I016~9):_ T ~~t :1:-..181DSS = 0.I Figura 6.6.J __ _ _.61 Ejemplo 6.73 V EJEMPLO 6.2 kO 296 FIgura 6.575(3 V) = -1.-.0 -0.2 m O.uF .4 VGS =-0.8 -0.uF 220kO 1: 1.: + -++ : -0.2 j. Vi 0-0-_~:):~---+---11- 1.I [DssRs GG M=m x IVpl V H--·.20. +--1 2 . .19 y 6.08 mA y VGsQ = -0.ID I Dss m=-5 -1 IV. -0. VGS =-0.575 IV.5751 Vp 1 = -0.---1:'(1------<0 V..60 Curva universal para los ejemplos 6..~ ~ .-~ H0... .-- ~ .I Los valores del punto de operación estable de ID Y de V GS pueden calcularse después de la siguiente manera: l DQ = 0.

365 Ahora que se conocen m y M. Esto es. se dibuja una línea recta para intersecar la curva de transferencia y así definir el punto Q. con nodos definidos para un análísis mediante PSpice. Si se elige BASIe se necesitará de un método matemático que incluirá encontrar la solución de una ecuación cuadrática. se observa que aunque los valores de IDSS y Vp son diferentes para las dos redes.261 V p 1 ~ -0.61 usando los nodos y parámetros del dispositivo que se definieron de acuerdo al capítulo 5.222 x 1O-3AN 2 220kQ m 1.2kQ 9!OkQ VTO_V p __ 6V BETA = IDSS =0. 297 . puede utilizarse la misma curva universal. PSpice (versión DOS) En la figura 6. yen el punto de intersección con el eje se añade entonces la magnitud de m.60. El enfoque de PSpice es muy sinúlar cuando empleamos la configuración a BIT del capítulo 4. Primero se encuentra M sobre el eje M como se indica en la figura 6.60. y IDQ ~ e con 0.531DSS ~ 0.5 6V V) ~ 0. puede dibujarse la recta de polarización sobre la figura 6. Después se dibuja una línea horizontal hacia el eje m.Solución El cálculo de m da m ~ 1Vp 1 -- ~ 1--6 V 1 ----(8 mA)( 1. como lo muestra la figura.625 La determinación de VG (220 kQ)(l8 V) ~ = 3.53(8 mAl ~ 4.2kQ IV p l2 figura 6.62 se redibuja la configuración mediante divisor de voltaje de la figura 6. Con el punto que se obtuvo sobre el eje m y la intersección sobre M.2 kQ) ~ 0. Entonces.26(6 V) ~ -1.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA En esta sección se desarrolla el análisis por computadora de una configuración a JFET mediante un divisor de voltaje usando los programas tanto BASIC como PSpice.56 V 6.5 V 910 kQ + 220 kQ Al encontrar M se tiene M ~ m x VG I vpl ~ 0.61 IIJ.24 mA VGsQ ~ -0. Los W ¡8V 2.625 (3.62 Red de la figura 6.

4} I(RO) . VDD 2 O 18V Rl 2 1 910K R2 1 O 220K RD 2 3 2. Se observa cómo son similares los resultados con los del ejempl6 6.23 mA (PSpice).63.20) e ID = 4.***************************. Excepto por el JFET.61 •••• CIRCUlT DESCRIPTION •• ********. se 298 Capítulo 6 Polarización del FET . según aparecen en la figura 6.800E+Ol Figura 6.62 aparecerá como se muestra en la figura 6.MODEL JK KJF(VTO--6V BETA-. y VGS = -1.64 Representación esquemática de la red de la figura 6.62.61. usando los formatos descritos también en el capítulo 5. I?ar~metros son capturados. se ha descrito en capítulos anteriores el Figura 6. la cual se seleccionó mediante la secuencia Draw .225E-Ol TEMPERATURE.20 con ID = 4.63 Análisis mediante PSpice de la configuración de la figura 6.222E-3) .oc VOD 18 18 1 . Q Q Q Análisis del centro de diseño de PSpice para Windows La red de la figura 6.************************.2" J1 3 143M . Cuando se elige en la biblioteca.4) -1. 27.Browse.64 cuando se aplique la versión para Windows de PSpice. El JFET J2N3819 aparece dentro de la biblioteca eval.56 V (ejemplo 6.PRINT OC V(l.57 V (PSpice).24 rnA (ej¿mplo 6.slb de la caja de diálogo Gel Part. procedimiento para inicializar la red con los enunciados VIEWPOINTS e IPROBE.*******.4) es VGS y la corriente I(RD) es ID .2K RS 4 O 1.20) y VGS Q = -1. 6. El voltaje que se solicita como V(l.Get New Part .565E+OO i(RD) '.OPTIONS NOPAGE • EllO •••• \'TO Junction FET NOOEL PARAMETERS JK NJF -6 BETA 222. de igual fonna que en los capítulos previos con el JFET introducido.oc Bias of JFET confiquration in Fig. la Descripción (Descriplion) que aparece sobre la lista en la caja de diálogo.000 DEG e VDD 1.000000E-06 **** DC TRANSFER CURVES V(l.

se obtiene R¡ Ipss V. La corriente de drenaje igual a 4.39) VG = R2 VDD R¡ + R2 Si se inserta la ecuación para ID [ecuación (6.Simulation proporcionará los resultados que aparecen en la figura 6.37)] en la ecuación (6.65 Configuración mediante divisor de voltaje Que se analizará mediante el empleo de BASIC. se selecciona Analysis seguido por Probe Setup y se elige Do Not Auto-Run Probe. En este ejemplo.23 mA es una réplica exacta de la solución con DOS así como el voltaje VGS = V(l.indica como un JFET de.5044 V -5. Para acelerar la ejecución.222E-3.Analysis .64.57 V. entonces es necesario encontrar una solución común mediante el empleo de técnicas matemáticas para las ecuaciones que se definieron por la red y el dispositivo.65a. se observa que el dispositivo está descrito por la ecuación de Shockley (6. Siguiendo la secuencia Edit . se elige OK para asignar estos valores en la aplicación. Se coloca el JFET sobre la localización deseada y se oprime el botón derecho del apuntador (mouse) para terminar el proceso. Una vez que se termina.Model .37) mientras que la red está definida por (figura 6.Edit Instance Model. VIEWPOINTS e IPROBE tendrán toda la información necesaria.65b) VGS = VG con - Irfis (6.13 Análisis por computadora 299 . BASIC Si se utiliza un lenguaje como BASIC.38). el Editor de Modelo (Model Editor) aparecerá y se podrá inicializar VTO en -{iV y BETA en 0. Una vez inicializados.076 V =-1. Si se selecciona OK. la secuencia OK . Para los valores iniciales de VTO y BETA.38) (6.4) =3. sólo se selecciona el símbolo JFET que está sobre el dibujo una vez (pero sólo una vez) y se opta por la selección Edit en la barra de menús. --)1--+--'" R.65b): (6. 6. tipo decremental de canal-n (n-channel jfet-depletion). v. VGG (a) vGS (b) Ftgura 6. aparecerá el símbolo JFET para su ubicación en la pantalla. Para la red de la figura 6.

SQR(D))/(2' A) VD=DD-ID' RD VS=ID'RS DS=VD-VS VD= VDD-1aRD 300 Capítulo 6 Polarización del FET . el valor de b2 .2 y 6.VG) = O Vp ~ '--. cuando se expande. los voltajes del drenaje y la fuente son (6.42) VDS = VD .3 Ecuaciones y variables del programa para el módulo 11000 Variable de la ecuación Variable del programa VG VS VD GG DD GS DS VP ID SS Rl R2 vG=--VDD R2 R¡ +Rz Vs = l"Rs vGs=vG-VS lD=IDS{ v::] A = IDssRs GSNP) .4ac.2 B= 1-2' SS' RSNP C=SS' RS-GG D=B . Luego. DD VS=ID'RS GS=VG-VS ID = SS' (1 - TABLA 6.3 se proporciona un resumen de las variables y las ecuaciones que se utilizan en el módulo 11000.2 Ecuaciones y enunciados para el módulo 11 000 Ecuación Enunciado para computadora GG = (R2/(Rl + R2)) . TABLA 6. genera la siguiente ecuación cuadrática IDssRs ---V2 + V2 GS p '-~ (1 - 2IDS sRs) Ves + (lDSSRS .41) (6.Vs En las tablas 6.4ac 2a siendo la solución real aquel valor de VGS que caiga dentro del rango entre Oy Vr El programa probará desde luego.40) Vs = IvRs y (6. Una vez más es importante notar la correspondencia tan cercana entre los resultados.la cual. 2 Vi 2lDssRs 8=1---Vp A=SS'RSNP. En la figura 6.-----" a b e Las soluciones a la ecuación cuadrática están determinadas por -b ± -lb' .66 aparece el listado del programa junto Con una ejecución con los mismos valores utilizados en el análisis PSpice.2-4'A'C VI = (-B + SQR(D))/(2' A) RS RD C=IDssRs-VG D = B2 -4AC -B + 'iD 2A Vz= -B-W 2A V2 = (-B . indicando que no existe solución en caso de tener un valor negativo.

617427 volts VD.8.VS¡"volts· PRINT "VDS="¡DS¡"volts" 350 END 11000 REK Module for FET dc bias calculationd 11010 GG-(R2(Rl+R2))*DD 11020 A-SS*RS/VP~2 11030 11040 o-SS*RS-GG l1Q50 D-B~2-4*A*C 11060 IF 0<0 THEN PRINT -No solution!!!" :STOP 11070 Vl=(-S+SQR(D))(2*A) 11080 V2-(-S-SQR(D))(2'A) 11090 IV ABS(Vl»ABS(VP) THEN GS=V-2 11100 IF ABS(V2»ABS(VP) TREN GS=Vl 11110 ID-SS*(1-GS/VP)A2 11120 VS=XD*'RS 11130 VG-GG 11140 VD-OD-IO.R2 INPUT "R2 rHPUT "RS-"'.121852 volts 3. . 301 . VOD="¡DD PRIIIT PRINT "En~er the followin9 device data:" INPUT "Oratn-aouree saturation current. 10S8-? BE-J Gate-souree pinchoff voltage.*************. IDSS~"¡SS INPUT "Gate-aouree pinoho!f voltaqe.RD 11150 OS=VD-vS 11160 RBTURN RUN This program provides the de bias calculations for a JFET or depletion MOSFET yoltage-divider eonfiquration. VP=? -6 aias current i_. REM 10 REM .R1 .**..488087 volts Figura 6..66 Programa en BASIC para el análisis de la red de la figura 6. VDD=? 18 Entar the followinq de~ee data: Drain-souree saturation current. IP-". B-l-Z*SS*RS/VP tnter tha following circuit data: Rl (use lEJO if open)=? 910E3 R2 =? 220E3 RS-? 1..VD.26821 aias voltaqes are: VGS--l.2." PRINT PRINT "Enter the fOllowing cireuit data:~ PRINT 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320 310 340 INPUT "Rl (use lE30 if open)-".GS¡"volts" PRINT ·Vo--.************* 30 REM Module tar FET de Bias Calculations 40 REM 60 REM 50 REM ********************************************* PRINT "This program provides tbe de bias calculations" PRINT "for a JFET or depletion MOSFET" PRINT "voltage-divider confiquratlon.2El supply voltage. VP-"¡VP PRINT :PRINT REH Nov do bias caleulations GOSUB 11000 PRINT "Bia~ current ls.RS INPUT "RO-" ¡RO PRINT INPUT "Supply voltage. IO~ 4."volts" PRINT ·VS·".ID*1000.2E3 RD-? 2..65.~09939 volts ~ vs- VDS= 5."mA" PRINT MBias voltages are=~ PRINT "VGS-".*********.***.

resuelva IDQ y luego localice VDSQ ' Compárela con las soluciones del inciso c. 12 V IMn .67 Problemas 1. 3.6 kíl VD =9 V + VDS IDSs=8mA Vp =-4 V 302 Figura 6.2kíl lvss = 10 rnA + IMíl Vp =-4. .41. ------PROBLEMAS § 6. Figura6. Para la configuración de polarización fija de la figura 6.2 Configuración de polarización fija 1. b) Sobreponer la ecuación de la red en la misma gráfica. b) R¿pita el fnciso a con un método gráfico y compare los resultados. 1. . e) Encuentre VDS' VD' VG Y Vs utilizando los resultados del inciso a.67: a) Trazar las caractensticas de transferencia del dispositivo.69. determine: a) ID Y Ves utilizando un método puramente matemático. 2.38. 14 V VcC.ley. .69 Problema 3. VDS..35.-r. Para la configuración de polarización fija de la figura 6. Dado el valor de VD medido en la figura 6. 16 V 2.5 V 3V figura 6. calcule: a) b) e) [D.68...68 Problema 2.. e) Calcular IDQ y VDSQ ' d) Con la ecuación de Shock..

5 kil I pss = lOmA Vp =-4 V I Mil 750il FIgura 6. 5. Para la red de la figura 6.3 Configuración de autopolarización 6. Determine IOQ para la red de la figura 6. § 6. * 7. Figura 6.72: a) Trace la curva de transferencia para el dispositivo. Compárela con la solución que se obtuvo en el problema 6. 7.4. Determine VD para la configuración de polarización fija de la figura 6.70 Problema 4. c) Calcule IOQ y V GSQ' d) Encuentre VDS' VD' Ve y Vs' 18 V 1.72 Problemas 6. b) Sobreponga la ecuación de la red en la misma gráfica.7 V para la red de la figura 6.71 Problema 5.70. 36.71. 42.2kil 2kil VD 1 Mil 2 Mil 4V-¡ Figura 6.74. Determine VD para la configuración de polarización fija de la figura 6. 39. 20V 18 V 2. Dada la medíción Vs = 1. Esto es. establezca una ecuación cuadrática para ID Y seleccione la solución compatible con las características de la red.72 utilizando un método puramente matemático. 8. Para la configuración de autopolarización de la figura 6. calcule: a) I • DQ V b) VGsQ' c) I Dss' d) VD' e) VDS' Problemas 303 .73. calcule: a) VesQelo ' b) VDS' VD' G y Vs' 9.

* 10. IDSS=6mA vp =-6 v 14 V 2.2kil 0. a) Repita el problema 12 con Rs = 0. Encuentre V s para la red de la figura 6.77? 304 Capitulo 6 Polarización del FET .76.75 Problema lO. § 6.73 Problema 8. FIgura 6. * 11.7 V 1.4 Polarización mediante divisor de voltaje 12. Figura 6.77 Problemas 12. 43. 13.76 Problema 11.39 kil Figura 6.51 ka (aproximadamente e150% del valor de 12).6kil I Mil 0. Encuentre para la red de la figura 6.5 V LIHl FIgura 6.5 roA Vp =-5 V I Mil v.77: a) VD' b) ID Q Y VDS' Q e) VD y Vs' 20 V d) V DS Q ' 910kil IDSS= lOmA Vp =-3. ¿Cuál es el efecto de un Rs menor sobre ID Y VGS ? • . Determine para la red de la figura 6.51 kil 0.2kil 2kil I[)SS = 6 mA Vp =-<:' v IDSS =4. = 1. Q Q b) ¿Cual es el menor valor posible de Rs para la red de la figura 6. 13.75: a) ID' VDS' b) C) VD" d) 12V VS' 18 V 20V 2.68 kn Figura 6.74 Problema 9.

14. c) VGS' 12V § a) 6.2 kQ 1 MQ 0. Problemas 305 . Figura 6.82 Problema 18. VD := 9 V.81: DQ y V GsQ ' b) VDS Y VD' * 18.81 Problema 17.80.78 Problema 14.68 kQ Figura 6. Especifique para la red de la figura 6.5 I MOSFET de tipo decremental 3kQ 17. b) l 18 V 2. Para la red de la figura 6.40. Calcule para la configuración de la figura 6. Figura 6.80 Problema 16. Calcular para la configuración de autopolarización de la figura 6.39 kQ -4V .79 Problemas 15.2 kQ + 4V 2kQ 14 V -3V Figura 6.82: a) ID Q y Ves' Q VDS Y Vs. encuentre: a) ID' b) VDY Vs.t- 1Vs VDS - 91 kQ 0.43 kQ 0. 1. Dado V DS := 4 V para la red de la figura 6.78.. * 16.37. Calcular: a) b) ID' Vs.79: Y V GsQ ' DQ VDSyVS' 18 V f 750 kQ 16 V + Vo + VOS . VDS' VG' VGs' c) d) a) b) VI" I * 15.. Figura 6.

84 Problema 20. .1- ~= 160 VD IDss=6mA Vp =-6V flDQ + VasQ 1~ > 18kQ >I.83 Problema 19.85 Problema 21. Para la configuración de la figura 6.. Calcular para la red de la figura 6..§ 6. b) VGS elD • e) lE' Q Q d) e) lB. § 6.J kQ L:: lB r .75kQ .2 kQ lOMQ 2..84: a) [Da b) y V GSQ ' VDyVs. 24 V 22 V 1.6 MOSFET de tipo incremental 19.2kQ 306 Capítulo 6 Polarización del FET * .51 kQ 0. f) Ve r-------~--------~--~20V $ > 91kQ >330kQ • J. Figura 6.85: a) VG .8 Redes combinadas * 21.83 calcule: a) IDa b) VeSQyVDSQ' e) VD y Vs· d) VDS- 20. FE .2 kQ *lDQ VGS(Th) = 3 V VaS(Th) ID(meendido)== ~IDQ 1MQ + VDSQ =4 V VGS(=udid<l) == 7 V 1f)(cncendidQ) = 5 mA 6.. Calcular para la configuración mediante divisor de voltaje de la figura 6. figura 6.8MQ + 5 mA VG5(cncendido) == 6 V + VGSQ VesQ 0.. VD. figura 6. .

* 24.. D = 3RS Y use los valores estándar.86: a) b) e) VB' Vc' VE' lE' le ID' d) e) f) g) lB' Ve> Vs• VD' VCE' VDS' • : 40 kQ • • 2...2 kQ Figura 6. Problemas Flgura 6..5 mA utilizando una fuente de 24 V.9 Diseño * 23. ¿Qué sugieren las lecturas de cada configuración de la figura 6. Col .2 kQ > v..5R s con R¡ = 22 MQ. Además. Asuma que J. fije Ve = 4 Vy utilice RD = 2..39 empleando un MOSFET de tipo incremental con VGS(Th) = 4 V.. .. § 6.87 Problema 26. § 6. Vc + VCE r ~ 10 kQ . Utilice una fuente de 16 V Y valores estándar. Detennine para la red combinada de la fígura 6.. Utilice los valores estándar. Q = 10 mA y Vp Diseñe una red mediante divisor de voltaje empleando un MOSFET de tipo decremental con 1DSS = -4 V para obtener un punto Q en 1DQ = 2. Diseñe una red como la que aparece en la figura 6. k =0. 25. Diseñe una red de autopolarización empleando un transistor JFET con lvss = 8 rnA Y Vp = -6 V para obtener un punto Q en 1D = 4 mA utilizando una fuente de 14 V. 307 .* 22.86 Problema 22. p= lOO ~ lE 1.5 x 10--3 AJV2 para obtener un punto Q en 1DQ = 6 mA..10 Localización de fallas * 26.87 acerca de la operación de la red? 12 V 12 V 12V 2kQ 2kQ 2kQ 4V 1MQ 1kQ !--oOV 1 Mil + 12 V 1 Mil .

§ 6.89 Problema 28. -IBV -16V 2. deterrnine una causa probable del estado indeseable dé\a red.2kQ 2kQ IMn VGSml) =-3 V 1D(tllCeDdido) = 4 mA IMn VGS(eocendido) = -7 V 0.2kQ 330kQ 2kQ 14... Repita el problema 15 ayudado con la curva universal de polarización para JFET. determine: a) I y VGsQ .. Repita el problema 6 usando la curva universal de polarización para JFET.12 Curva universal de polarización para JFET 31.88 por principio sugieren que la red/éstá comportándose de forma adecuada.91 Problema 30. 32.25 V 75 kQ 1 ill .51 ill Figura 6. DQ b) VDS. F"lgura 6.. Para la red de la figura 6. Aunque las lecturas de la figura 6. 33. Para la red de la figura 6..90 Problema 29. e) VD. § 6.'" 27. F"lgura 6. La red de la figura 6.90. calcule: a) IDQ y VGsQ ' b) VDS. 30.4 V 3.88 Problema 27.. 75kQ l ill 6. F"lgura 6. '" 28. Repita el problema 1 utilizando la curva universal de polarización para JFET..89 no está operando de manera adecuada.91. 34.7V-r---. 308 Capítulo 6 Polarización del FET . ¿Cuál es la causa específica de su falla? 20V 20V 330kQ 2. e) VD.11 FET de canal-p 29. Vuelva a hacer el problema 12 utilizando la curva universal de polarización para JFET.

Calcule Y V GS . Q Q 36. Desarrolle un análisis con PSpice (DOS) de la red del problema 1. Utilizando BASIC.§ 6.. Calcule ID Y VGS 38. ~. Desarrolle un análisis con PSpice (Windows) de la red del problema 1. o Q Q *Los asteriscos indican problemas más difíciles.13 Análisis por computadora ID Q Q 35. Utilizando BASIC. VesQ y VDS Q 41. 39. Utilizando BASIC. 37. calcule IDQ y VGsQ para la red del problema 6. calcu¡e ID • Ves y VDS p"'a ¡>red del problema 12. Desarrolle un análisis con PSpice (Windows) de la red del problema 6. Desarrolle un análisis con PSpice (DOS) de la red del problema 6. Calcule I DQ . . Desarrolle un análisis con PSpice (Windows) de la red del problema 15. Problemas 309 . 40. calcule 1DQ Y V esQ para la red del problema 1. 42. Desarrolle un análisis con PSpice (DOS) de la red del problema 15.

.

que la aplicación de 1 L- 1.. En el capítulo 4 se examinó con detalle la polarización de de. De hecho. Ésta es una contribución a la potencia total de salida. Este capítulo presenta no sólo ambos modelos. La técnica de pequeña señal se presenta en este capítulo y las aplicaciones de gran señal se examinan en el capítulo 16. Esto es.1 Corriente estable fija. 7. Quizá el papel de la fuente de dc pueda describirse mejor si se considera primero la red de de simple de la figura 7. sino que define el papel de cada uno y la relación que hay entre ambos. En este apartado se examinará la respuesta de ac en pequeña señal del amplificador a BJT mediante la revisión de los modelos que se utilizan con más frecuencia para representar al transistor en el dominio senoidal en ac. porque ésta detenninará si deben aplicarse las técnicas de pequeña señalo de gran señal. aunque parte de ella se disipe por medio del dispositivo y los elementos resistivos. la señal senoidal de salida es mayor que la señal de entrada o. Existen dos modelos que se utilizan con frecuencia en el análisis en ac de pequeña señal ~ de redes de transistores: el modelo re y el equivalente hlbrido. Po' de un sistema no puede ser mayor que su potencia de entrada.1 INTRODUCCIÓN En el capítulo 3 se presentaron aspectos como la construcción básica. La conservación de la energía establece que a través del tiempo la potencia total de salida. Uno de los primeros intereses en el análisis senoidal en ac de las redes de transistores es la magnitud de la señal de entrada. La dirección de flujo resultante está indicada en la figura junto con una gráfica de la corriente i en función del tiempo. establecen con claridad cuál método es el adecuado. y Pi(dc) es la potencia de de suministrada. por lo general. la potencia en ac de la salida es mayor que la potencia en ac de entrada. pero la aplicación y la magnitud de las variables de interés relacionadas con las escalas de las características del dispositivo. P.da mediante una fuente de.1 1 (constante) o Figura 7. existe un "intercambio" de potencia de dc al dominio de ac que permite el establecimiento de una mayor potencia de ac de salida.1. El mecanismo de control es tal. se define una eficiencia de conversión por medio de 7J = P o(ac/Pi(dc)' donde po(ac) es la potencia en ac de la carga. Luego surge la pregunta sobre la manera en que la potencia en ac de salida puede ser mayor que la potencia en ac de entrada.CAPÍTULO Modelaje de transistores bipolares 7.2. Ahora se insertará un mecanismo de control como el que se muestra en la figura 7. No existe una línea divisoria entre ambas. En otraS palabras.2 AMPUFlCACIÓN EN EL DOMINIO DE AC En el capítulo 3 se demostró que se puede utilizar el transistor como un dispositivo amplificador. la apariencia y las características del transistor. dicho de otra manera. y que la eficiencia definida como r¡ = PJP. El factor que falta en la presentación anterior que permite que la potencia en ac de salida sea mayor que la potencia en ac de entrada es la potencia aplicada de dc. 311 . no puede ser mayor que 1.

1. 7. todas las fuentes de de se pueden reemplazar por un potencial equivalente de cero (corto circuito) debido a que sólo aproximan el nivel de de (estable) del voltaje de salida y no la magnitud de la excursión de la salida en ac.2 el valor pico de la oscilación está controlado por el nivel de de establecido. Sin embargo. Es importante asumir por el momento que ya está determinado el circuito equivalente de ac en pequeña señal. los dos se examinan con detalle en este texto. para cualquier propósito práctico. fracasa por no considerar el nivel de impedancia de salida del dispositivo. de manera exclusiva. el circuito luarido equivalente se condiciona por estar limitado a un conjunto en particular de condiciones de operación si se debe considerar como preciso.2 Efecto de un elemento de control sobre el flujo de estado estable del sistema eléctrico de la figura 7. Los niveles de dc fueron importantes sólo para determinar el punto de operación Q adecuado. Para el sistema de la figura 7. Por tanto. aplicarse los métodos básicos del análisis de circuitos ac (análisis de mallas. Los parámetros del otro circuito equivalente pueden determinarse para cualquier región de operación dentro de la región activa y no están limitados por el conjunto único de parámetros proporcionados en las hojas de especificaciones. seleccionados de forma adecuada. Una vez que se determina el circuito equivalente en ac. En contraste.4. Los fabricantes continúan especificando los parámetros luaridos para una región de operación en particular en sus hojas de especificaciones. Durante muchos años tanto las instituciones industriales como las educativas se apoyaban mucho sobre los parámetros h¡'bridos (los cuales serán presentados en breve). que mejor se aproximan al comportamiento real de un dispositivo semiconductor que está bajo condiciones especificas de operación. Un modelo es la combinación de elementos del circuito. Por tanto. El circuito equivalente de parámetros híbridos sigue siendo muy popular. esto está claramente expuesto en la figura 7. Los parámetros (o componentes) del modelo r. se puede reemplazar en el esquema el símbolo gráfico del dispositivo por este circuito y pueden. pueden derivarse de manera directa a partir de los parámetros híbridos. Sin embargo.3 o Figura 7. En algunos análisis y ejemplos se requerirá el modelo híbrido. pero es 312 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . mientras que en otros se utilizará el modelo r. Una vez que éstos se fijaron. Sin embargo. el diseño adecuado del amplificador requiere que los componentes de y en ac sean sensitivos a los requerimientos y limitaciones del otro. ni en el efecto de retroalimentación de la salida a la entrada. En un esfuerzo para demostrar el efecto que tendrá el circuito equivalente en ac sobre el siguiente análisis. en realidad es una fortuna que los amplificadores de pequeña señal a transistores puedan considerarse lineales para la mayoría de las aplicaciones. entonces. Cualquier intento de exceder el límite establecido por el nivel de dc dará por resultado un "recorte" (aplanado) de la región pico de la señal de salida. se debe considerar el circuito de la figura 7. se pueden eliminar los niveles de de del análisis en ac de la red. Hoy en día. . análisis por nodos y el teorema de Thévenin) para determinar la respuesta del circuito. y cómo el aprovechamiento de uno conduce al aprovechamiento natural del otro.~ I~ de control M"anismo Itr v:" ~1 . el modelo r. Además. Debido a que ambos modelos se emplean en forma extensiva en la actualidad. i i~JE una señal relativamente pequeña al mecanismo de control puede ocasionar una oscilación mucho mayor en el circuito de salida. y en general.. pueden sustituirse mediante una trayectoria de baja resistencia o por un corto circuito de polarización.3. en el texto se harán todos los esfuerzos para mostrar cuán relacionados están los dos modelos. ~xisten dos importantes corrientes de pensamiento respecto al circuito equivalente que sustituirá al transistor. permitiéndose el uso del teorema de la superposición para aislar el análisis dc del análisis ac. se seleccionaron el par de capacitores de acoplamiento el y e 2 y el capacitar de desvío e 3 para tener una pequeña reactancia a fa frecuencia de la aplicación. Debido a que sólo se está interesado en la respuesta en ac del circuito. MODELAJE DE TRANSISTORES BJT La clave para el análisis en pequeña señal de los transistores es el uso de circuitos equivalentes (modelos} que se presentarán en este capítulo. aunque ahora debe compartir su utilización con un circuito equivalente que se derivó directamente a partir de las condiciones de operación del transistor: el modelo r.

'\¡ r ~ + Vi R.4 La red de la figura 7.¡.5.Vee Re R¡ B Vo e e.3 Circuito de transistor bajo examen en esta discusión introductoria. + V. + V. Re R¡ e B + .4 para el análisis en ac y pequeña señal. lo que permite un aislamiento entre los estados de los niveles de de y las condiciones estables.4. '\¡ -.L le ¡ 3 Figura 7. Si se establece una tierra común y se reorganizan los elementos de la figura 7... + V. 1 ¡ Figura 7. 313 Figura 7. RE -. evidente que esto ocasionará un "corto" del resistor de polarización RE" Recuerde que los capacitores asumen un equivalente de "circuito abierto" bajo condiciones de estado de de estable..I E o + R.. Vi R.IT . Vi li Zi B Circuito equivalente de ac en pequeña señal para el tran~istor e R¡II R. E V.3 después de la eliminación de la fuente de de y la inserción del corto circuito equivalente para los capadtores. R I Y R 2 estarán en paralelo.5 + R.¡. lo + Re VD .5 Redibujo de la figura 7.. + R. Z. Debido a que los componentes del circuito equivalente del transistor que aparecen en la figura 7. E '\¡ -. 7.¡. . y Re aparecerá de colector a emisor como lo muestra la figura 7.3 Modelaje de transistores B.

para la mayoría de los sistemas eléctricos y electrónicos el flujo general nonnalmente es de izquierda a derecha.utilizan componentes familiares como resistores y fuentes controladas independientes.4 LOS PARÁMETROS IMPORTANTES: Z¡. Z¡ Para el lado de la entrada. z¡ Sistema de dos puertos Z. De hecho. Zo' Av' A¡ Antes de investigar los circuitos equivalentes para los amplificadores a BIT con mayor detalle.:: J/Ji" La impedancia de entrada 2¡.5. 1.1) Si la señal de entrada Vi es cambiada. En la figura 7. y así sucesivamente.:: le' las cuales definen la ganancia en corriente A¡. la impedancia de entrada 2¡ está definida por la ley de Ohm de la siguiente forma: (7. para determinar las cantidades deseadas.5 se observa para esta configuración que Ji == lb Y que Jo. Para ambos conjuntos de terminales.5. 1. se podría esperar alguna indicación acerca de cómo se relaciona el voltaje de salida Vo con el voltaje de entrada Vi' la ganancia en voltaje. Si se examina con mayor detalle la figura 7. Impedancia de entrada. En las siguientes secciones se hablará mucho más acerca de estos parámetros. En otras palabras: 314 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . + V. primero se estudiarán aquellos parámetros de un sistema de dos puertos que son de vital importancia desde los puntos de vista de análisis y de diseño.. se puede calcular la corriente Ií utilizando el mismo nivel de impedancia de entrada. 7. el equivalente de ac de una red se obtiene: 1. Redibujando la red de manera más conveniente y más lógica En las siguientes secciones los circuitos re y el híbrido equivalente se presentarán para completar el análisis en ac de la red de la figura 7. el teorema de Thévenin. Para el sistema de dos puertos (dos pares de terminales) de la figura 7. el lado de la entrada (el lado en el cual se aplica normalmente la señal) está situado a la izquierda y el lado de la salida (donde está conectada la carga) se localiza a la derecha.6. se pueden identificar las cantidades importantes que se elegirán para el sistema. Eliminando todos los elementos en paralelo con un elemento de desvío mediante los equivalentes de corlo oírcuito que fueron presentados en los pasos 1 y 2 4. En resumen. Reemplazando todos los capacitores por un corto circuito equivalente 3. y la impedancia de salida 20 son particularmente importantes en el próximo análisis. Haciendo todas las fuentes de dc cero y reemplazándolas por un corlo circuito equivalente 2.. la impedancia entre cada par de terminales bajo condiciones normales de operación es muy importante. F'tgura 7. + V.6 Sistema de dos puertos. se pueden aplicar las técnicas de análisis como la superposición. Debido a que el transistor es un dispositivo amplificador.

y dependiendo de la manera en que se utilice el transistor. Además: No se puede emplear un óhmetro para medir impedancia de entrada en pequeña señal debido a que éste opera en el modo de dc. ovalares nns.7 se añadió un resistor sensor en el lado de la entrada para permitir una determinación de Ji mediante el empleo de la ley de Ohm.8.. Se encontrará en las próximas secciones que la impedancia de entrada de un transistor puede calcularse de forma aproximada mediante las condiciones de polarización de de.7 Determinación de Z." La importancia de la impedancia de entrada de un sistema se puede demostrar mejor por medio de la red de la figura 7.Para el análisis en pequeña señal. pero por la Rfueotc . S I (7. r Zi = 1.2 kQ. se puede emplear el mismo valor numérico para los niveles cambiantes de la señal aplicada.Ambos voltajes pueden ser de pico a pico. La ecuación (7. Si la fuente fuera ideal (R.. Se puede utilizar un osciloscopio o un multímetro digital sensible (DMM) para medir tanto el voltaje V" como el Vi..8 Demostración del impacto de Z¡ en la respuesta del amplificador_ 7. en la figura 7.2) y (7. puede variar desde unos cuantos ohms hasta los megaohms. Luego se determina la impedancia de entrada de la siguiente manera: v-v. De hecho. Por ejemplo.3) -Zi + V¡ Sistema de dos puertos Figura 7.4 Los parámetros importantes: Zi' ZfI' Av' Ai 315 .1) es particularmente útil porque proporciona un método para medir la resistencia de entrada en el dominio de ac. una vez que se ha determinado la impedancia de entrada. Amplificador figura 7. las cuales son condiciones que no cambian sólo porque varía la magnitud de la señal de ac aplicada. + Vs 600 Q .los 10 mV completos serían aplicados al sistema. = OQ). Es muy notable que para las frecuencias dentro del rango bajo a medio-bajo (normalmente $ 100 kHz): La impedancia de entrada para un amplificador a transistor a BiT es puramente resistiva en naturaleza.. siempre y cuando ambos valores utilicen el mismo estándar.2 ka I lOmV - + V. La fuente de la señal tiene una resistencia interna de 600 Q Yel sistema (posiblemente un amplificador a transistor) tiene una resistencia de entrada de 1.

el nivel de la impedancia de . vi = J. R. .5 kQ Z¡= . emisor común.10 la señal aplicada se hace cero volts.2m~ l' Zi t I -1 Solución' Sistema de dos puertos Figura 7.1 Para el sistema de la figu a 7. 6. 8.-~(l0 rnV). 2V I S (1. Por tanto.6 kn De este modo sólo el 66.impedancia de la fuente. v. En las sigulentes secciones y capítulos se demostrará que la resistencia de entrada en ac es dependiente en eH caso de que el transistor esté en la configuración de base común. Desde luego.2 kn.2% de la señal aplicada. Si 2i fuera sólo de 600 n. " entrada puede tener un i~pacto significativo sobre el nivel de la señal que alcance el sistema (o amplificador). . .:: .2 kn + 0.9 Ejemplo 7. EJEMPLO 7. . IkU 2mV '\.1. Por ejemplo. 0.4) Rsensor y 8J o =Vo 1 o (7. calcule el valor de la impedancia de entrada. será del '93.70/0 de toda la señal de entrada está disponible en la entrada. 2 mV .2 mV 0. pero esta definición es un pocp diferente cuando se trata de la impedancia de entrada. Vs' a las:tenninales de salida y se mide el nivel de Vo con un osciloscopio o un DMM sensible. :.8 !lA li Impedancia de salida.8 !lA Ikn Ikn y 1. o de cole4tor común y la colocación de los elementos resistivos.naturalmente se define en el conjunto de terminales de salida. Luego s<t calcula la impedancia de salida de la siguiente manera: 1 = V-V ___ o 0 (7.5) 316 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . .2 mV V. Para determinar 2 0 . se debe calcular el voltaje de entrada utilizando la regla del divisor de voltaje de la siguiente malnera: V.= 0.2 kQ)(lO mV) "ti -J.cmor +1 V. se aplica una señal. entonces 11'. Esto es: La impedancia de s~lida se determina en las terminales de salida viendo hacia atrás al sistema con la seíial aplicada igual a cero. v.9.V.1. 5 mV o el 50% de la señal disponible. si 2.8 mV .67 mV + Rfuente 1. Zo La impedancia de salida. en la tlgura 7. = 1.

Zo puede variar desde unos cuantos ohms a un valor que puede exceder los 2MQ.2. como se detennina mediante I =:.2 + Sistema de dos puertos Vo = 680 mV -z.11 EfectodeZn " Roen la corriente JL de carga o salida.10 Determinación deZo. Para las configuraciones de amplificador donde se desea una ganancia significativa en corriente.5 kQ Ganancia en voltaje. Vo 20kil Figura 7. 100 kHz): La impedancia de salida de un amplificador a transistor BJT es resistiva por naturaleza y.Rfucnlc -"AA + Sistema de dos puertos VD Figura 7. I Av (7.6) 7. dependiendo de la configuración y la colocación de los elementos resistivos.12. Solución 1o = = vVo 1o = 1 V . En las siguientes secciones y capítulos se demostrará que con frecuencia 20 es tan grande respecto a RL que se puede reemplazar por un equivalente de circuito abierto. Av Una de las características más importantes de un amplificador es la ganancia en voltaje en pequeña señal. A¡ 317 . el nivel de 20 debe ser tan grande como sea posible. para las frecuencias en el rango bajo a medio (normalmente::.12 Ejemplo 7.1 L si 20 ~ RL' la mayor parte de la comente de salida pasará a la carga. Calcular el nivel de impedancia de salida para el sistema de la figura 7. R L P:'\r3 Ro» R L IL»IR o Figura 7.680 rnV 20 kQ = 320 mV 20 kQ = 16 )lA Rsensor Y 20 = 680 rnV 16 )lA = 42.":' Z" 'VV I _1 + En particular. EJEMPLO 7.4 los parámetros importantes: Zj' Zo' A". --lo R 'C. Además: No se puede utilizar un óhmetro para medir la impedancia de salida en pequeña señal debido a que el óhmetro trabaja en el modo de de. Como se demostró en la figura 7.

V. ZV .Para el sistema de la figura 7. Z¡ + R . Vo V. Dependiendo de la configuración..3 Para el amplificador a BJT de la figura 7. . la ganancia de voltaje sin carga es mayor que la ganancia de voltaje con carga. no se ha conectado una carga a las terminales de salida y el nivel de ganancia determinado por la ecuación (7. Esto es: Vo ! . EJEMPLO 7. Vo V. . Sin embargo. la ganancia de voltaje Al" o AV:>:L se puede calcular simplemente al medir los niveles de voltaje adecuados por medio de un osciloscopio o un DMM sensible. + Rs Z. v. Para el sistema de la figura 7. A.13. un sistema multietapas (multiunidades) puede tener una ganancia en voltaje de varios miles. Z¡ Z¡ + R. V. con .13 que tiene una resistencia de fuente Rs' el nivel de Vi debería determinarse primero utilizando la regla del divisor de voltaje antes de calcular la ganancia V/Vs.. v. la magnitud de la ganancia en voltaje para un amplificador a transistor de una etapa normalmente está en el rango de menos de 1 a unos cuantos cientos. A". Z. de tal forma que A.8) De manera experimental. detenninar: a) b) e) Vi' li' Z¡. V.13 Determinación del voltaje de no carga.:-"L (7. Esto es..6) se refiere como la ganancia de voltaje de sin carga. y V. \. En el capítulo 9 se demostrará que: Para los amplificadores a transistores. y sustituyendo en la ecuación correspondiente.-1 (7..7) RL '" 00 Vi Q (circuito abierto) -Z¡ + Vi + Figura 7. Vo Al'. d) 318 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .14.

. AV NL 1. Para la situación con carga de la figura 7.=7. l. =40mV '\" BIT AI>¡. d) A " = = Zi Z. + R. = Vi e lo = V.. una cantidad importante que puede tener un impacto significativo en la efIciencia total de un diseño.2 kQ (320) = 192 Ganancia en corriente. En general: Para los amplificadores a BJT. . la ganancia en comente normalmente varía desde un nivel apenas inferior a 1 hasta un nivel que puede exceder los 100.33 j1A R.24 rnV 1.68V o Solución v. .33 ¡LA = 1.9) Aunque por lo general ésta recibe menor atención que la ganancia en voltaje. b) Y Vi = V...3. sin embargo. es. 7. V. = 320 V.2 kQ 24 rnV 13. 319 .4 Los parámetros importantes: Zi' Zo' Av' A.68 V 320 24 rnV 1. Amplificador BIT + Figura 7.. 1. V. A¡ La última característica numérica que será tratada es la ganancia en corriente definida mediante (7.2kU + -Zi Vi ~ ---o Amplificador + V.8 kQ 1. + o li Zi l. Z.15 Determinación Vi .L -IL--_--<>-~ Figura 7..8 kQ + 1. e) Zi = V.14 Ejemplo 7. r----4~ + I 1..Vi 40 rnV .8 kQ = 13.15. A \} t"L 7.R. e>------ de la ganancia de corriente cargada.

10) permite determinar la ganancia en corriente a partir de la ganancia en voltaje de los niveles de impedancia. pero esto se discutirá en el capítulo 11. lo ~ ~ Vo/R L V¡/Z¡ VoZ¡ ~ li V.16a. La razón de la situación anterior se aclarará en los siguientes capítulos.5 EL MODELO DE TRANSISTOR re~ El modelo r l • requiere un diodo y una fuente de corriente controlada para duplicar el comportamiento de un transistor en la región de interés.re con A. Téngase presente que para el lado de la salida las curvas horizontales de la figura 3. Afortunadamente: Para el transistor amplificador tipico a frecuencias que permiten ignorar los efectos de los elementos reactivos. Zi (7.16a se ha insertado un transistor pnp dentro de la estructura de dos puertos. (como se calculó a partir de l.RL y Ai ~ -A . y es necesario para la discusión de las últimas secciones. la equivalencia del diodo de la figura 7. En las siguientes secciones y capítulos.8 revelaron que le == l. Relación de la fase La relación de la fase entre las señales senoidales de entrada y de salida es importante por una variedad de razones prácticas. En el capítulo 3 se estudió que una unión de un transistor en operación está polarizada de manera directa. los resultados obtenidos con el modelo en su lugar deben ser relativamente cercanos a aquellos que se consiguen con el transistor real. La unión en polarización directa se comportará de fonna similar a un diodo (ignorando los efectos de los cambios de valores de VCE) como lo veritlcan las curvas de la figura 3. Para la unión de la base al emisor del transistor de la figura 7. En la figura 7. = al) para el rango de valores de VCE" La fuente de corriente 320 Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares . 7. ÚlS señales de entrada y de salida están o bien lS(f' fuera de fase o en fase. mientras que la otra está polarizada inversamente. Recuerde que una fuente controlada de corriente es aquella donde los parámetros de la fuente de corriente están controlados por medio de una corriente situada en cualquier otro lugar de la red.16b el modelo re para el transistor se ha colocado entre las mismas cuatro tenninales. Otros factores. afectarán algunos de estos parámetros. todos los parámetros se determinarán para una variedad de redes de transistores para pennitir una comparación de las ventajas y de las desventajas de cada configuración.16b entre las mismas dos terminales parece ser muy apropiada. Como se observó en la sección 7. Configuración de base común En la figura 7. el modelo (circuito equivalente) se selecciona de tal forma que se aproxime al comportamiento del dispositivo que está reemplazando en la región de operación de interés.10) RL La ecuación (7. Resumen Hasta aquí se han presentado los parámetros de importancia primaria de un amplificador: la impedancia de entrada 21' la impedancia de salida Zf)' la ganancia de voltaje Av> la ganancia de corriente A i Y la relación de la fase resultante. En otras palabras.3. De hecho: Los amplificadores a transistor BiT son conocidos como dispositivos de corriente controlada. tales como la frecuencia aplicada en los extremos bajo y alto del espectro de frecuencias.7..

una revisión inicial hubiera sugerido que el modelo de la figura 7 .. Debido al aislamiento que existe entre los circuitos de entrada y de salida de la figura 7. proporcionando así un vínculo entre las dos.1.17 Circuito equivalente re de base común. O A e 1.5 E( modelo de transistor r. Esta misma ecuación se puede utilizar para encontrar la resistencia en ac del diodo de la figura 7 .16b. en la figura 7.. Para la impedancia de salida. los valores típicos de Z¡ varían desde unos cuantos ohms hasta un máximo de aproximadamente 50 . 321 . de la figura 7 . a (O Al = O A. Eo--~~----------~ 1.. e 0----":----. Sustituyendo el valor obtenido de r.'-' CH I Para la configuración de base común..16a.----1E~ 26 mV (7.17. es obvio que la impedancia de entrada Z¡ para la configuración de base común de un transistor es simplemente re' Esto es. b~------~----~------------~b Figura 7.. = r L--.13) = = = 7. e le = al~ ~b ____4-__________ Figura 7.17.16b dará por resultado el muy útil modelo de la figura 7.12) z.16b si sólo se sustituye la corriente del emisor de la siguiente manera: r. .0. donde ID es la corriente de dc a través del diodo en el punto Q (estable). t B~------------~--------------~B (b) -1. El resultado es que para el modelo de la figura 7..0 e le = al.11 ) El subíndice e de re se seleccionó para enfatizar que es el nivel dc de la coniente del emisor la que determina el nivel de la resistencia en ac del diodo de la figura 7. (7. obteniéndose una equivalencia de circuito abierto en las terminales de la salida. r-I -----=--.16 a) Transistor BJT en base común: b) modelo re para la c:onfiguración de la figura 7. entonces 1.16b establece el hecho de que le = ale' apareciendo la corriente de control!e del lado de la entrada del circuito equivalente como se detenninó en la figura 7 .16a.l6b es un modelo válido del dispositivo real. En el capítulo 1 se analizó cómo la resistencia en ac de un diodo puede detenninarse por medio de la ecuación r" = 26 mVI1D .17. si se hace cero la señal.-'-'_::. se ha establecido una equivalencia en las tenninales de entrada y de salida con la fuente controlada de corriente.-1------00 t b~----~~ -1. (7. Por tanto.'= . al.

daría por resultado la conclusión de la ecuación (7.14) r.En realidad: Para la configuración de base común.18. para la configuración de base común. y A. = -a '" -1 ICB + Vi o /. = • (7. para la configuración de base común.. así que A. o 322 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .19 Definición deAv =VO IV. . ________________~ lE = 3 mA IE= 2 mA 2b-----------------o VeB figura 7.r.!. vu y = -loRL = .. A. - RL (7.(-l.)R L = al.18 Definición de 20' En general. los valores típicos de Zo están en el rango de los megaohms. La resistencia de salida de la configuración de base común está detenninada por la pendiente de las líneas que fonnan las características de salida como se muestra en la figura 7. 1.19.13).. Si se tuviera cuidado para medir 20 de forma gráfica o experimental. ICB al Para la ganancia en comente. = IeTe Vo aIeRL V. = V. 1o = -1. 1.15) li 1. la impedancia de entrada es relativamente pequeña y la impedancia de salida es muy grande. común FIgUra 7. y A. /e (mA) / r" I¿=4mA 4~ __----------~--------~ 3~ Pendiente :: . aRL r.R L IZ . Suponiendo que las líneas estén perfectamente horizontales (una aproximación excelente). + Amplificador BIT de base Z. Ahora se determina la ganancia en voltaje para la red de la figura 7. se obtendrían niveles ubicados normalmente en el rango de 1 a 2 MQ.

14).I. y el diodo entre las 7.R L ~ (0.5 Q el 2 0 " 00 Q lo A. Para el transistor npn en la configuración de base común la equivalencia podría parecerse a la mostrada en la figura 7. 1... ~ .5 Q Vo ~ ~ ~ 307. Además.~ . Ir---------~~~DC f 8°-------------~ 1 e = al . b) Determinar la ganancia en voltaje si se conecta una carga de 0. la terminal del emisor ahora es común a los puertos de entrada y de salida del amplificador.. ~ vo V.19 (~s decir.20.4 26 mV 26 mV re ~ . ----~ 168.------="--0 e le e 0---_--. (0.56 kQ a las terminales de salida.98.43 r.5 F. -o: ~ -0. ______________OB bo------~ _____ ~ ____________ ~Db Figura 7. . e) Encontrar la impedancia de salida y la ganancia en corriente. el lado negativo está en potencial de tierra) indica que tanto Vo como Vi están en fase para la configuración de base común.20 Modelo aproximado para la configuración de base común para un transistor npn.86 mV 2 mV 84.98 como se definió por medio de la ecuación (7.69 !lA I. Obsérvese que la fuente controlada de corriente aún está conectada entre las terminales del colector y de la base.El hecho de que la polaridad del voltaje Vo como lo detenninó la corriente 1.~ 1. 323 . ~ ~ 84.69 !lA)(0.15) Configuración de emisor común Para la configuración de emisor común de la figura 7.. ex:= 0.43 a partir de la ecuación (7. Para una configuración de base común de la figura 7. y se aplica una señal en ac de 2 m V entre las tenninales de la base y el emisor: a) Calcular la impedancia de entrada.R L ~ o:I. modelo de transistor r. Solución a) EJEMPLO 7..21 a.98)(307.5 Q lE 4 mA 2 mV -6. Sustituyendo el circuito equivalente re para el transistor npn se obtiene la configuración de la figura 7.98)(0.21 b.56 kQ) A..~ 6. pero en este caso la salida se establece entre las terminales del colector y del emisor.56 kQ) 168.86 mV y O A .17 con lE = 4 roA. sea el mismo que el definido por la figura 7. las terminales de entrada son las terminales de la base y el emisor. 6. E 0---'-----_ _-" 1. 1.

..::: Vbe . debido a que la beta en ac por lo general es mucho mayor que 1.. (7. + lh = f3lb + lb e 1.21 figura 7. Oc E 1') Figura 7. las comentes de base y del colector están relacionadas por medio de la siguiente ecuación: (7. E eo-----------~------------------_oe lb) a) Transistor BJT en emisor común. mientras que la comente de salida aún es le' Según lo estudiado en el capítulo 3.::: Iere == /3lb re oc 1¡=l" b + V¡ - ~ + V. la corriente de la base es la corriente de entrada.21a. Al aplicar la ley de Ohm da Vi . = 1. I le = f3Jb V r..17) Sin embargo. .18) La impedancia de entrada está determinada por el siguiente cociente: VI Z¡:. eo-------~~~----------------~e Figura 7. aún está detenninado por la corriente dc lE.22 Determinación de Zi utilizando el modelo aproximado. El nivel de r.22.: Vbe l¡ lb El voltaje Vbe está a través de la resistencia del diodo como se muestra en la figura 7.------oc 1..16) ~or. 324 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . la corriente a través del diodo está determinada por 1. En esta configuración. = (13 + l)lb (7. tanto. se empleará la siguiente aproximación en el análisis: r---------. b) modelo aproximado para la configuración de la terminales de la base y el emisor.

la ecuación (7.-_ _ 0 __ 0_--' Z = r I CE (7. los valores típicos de Za están en el rango de los 40 a los 50 kQ.19) En esencia.5 Q como en el ejemplo 7.19) establece que la impedancia de entrada para una situación como la que se muestra en la figura 7. Para la impedancía de salida. e o---------+---~e tlgura 7._ .25. Se observa que la pendiente de las curvas se incrementa en la corriente del colector. ICE -' .26 utilizando la suposición de Zo::: 00 Q... = (160)(6. (7. Ahora se determinará la ganancia de voltaje para la configuración de emisor común de la figura 7. se puede incluir como lo muestra la figura 7.24. y . Para la configuración de emisor común.. mientras mayor es la pendiente. la corriente le es de O A Y la impedancia de salida es ' ..: : : : : : .La sustitución genera 2 1 ::: Vbe =: {3Ib r e lb lb :----_~o.23 es beta veces el valor de re" En otras palabras..25 Inclusión de ro en el circ. la impedancia de entrada se ha incrementado a un nivel de Z¡ '" {3r. menores el nivel de impedancia de salida (Z). -IO~A ~ 2 . pero si ésta se encuentra disponible de un análisis gráfico o de las hojas de especificaciones. si la señal aplicada se hace cero.23 Impacto de re sobre la impedancia de entrada.1. El efecto de incluir se considerará en el capítulo 8.24 Definición de ro para la configuración de emisor común.gura 7... _v/ Z. = O ~A '-- Pendiente:::: - 1 r'¡2 O !O 20 FI.5 a) = 1. un elemento resistivo en la terminal de emisor se refleja en el circuito de entrada mediante un factor de multiplicación {3.!-.A 4 figura 7. si se ignora la contribución debida a ro como en el modelo re' la impedancia de salida se define mediante Zo := 00 Q.uito equivalente de transistor..21 no incluye una impedancia de salida.. Para el modelo de la figura 7.------.5 El modelo de transistor re 325 . '" (3r.20) Desde luego. 8 _ _ _L-_ _--o e 6 ____ 20IJ.4 y {3 = 160 (muy normal)... Para la dirección definida de lo y la polaridad de Vo' '0 7. las caracteósticas de interés son el conjunto de salida de la figura 7. El modelo re de laflgura 7. los valores típicos de Z¡ definidos mediante j3re están en el rango desde unos cuantos cientos de ohms al rango de los kilohms con valores máximos de aproximadamente 6 a 7 kilohms.. si re = 6.04 kQ b ~-----t Para la configuración de emisor común. t le 10 _ _---. '01"-.--_ _-0 e (mA) ~endiente = .25. Por ejemplo..

b lb e I ~ P'.26 Determinación de la ganancia de voltaje y corriente para el amplificador o~-- de emisor común.27 Modelo re para la e e configuración de emisor común.. para una configuración de emisor común con ro = ~ Q. la configuración de emisor común puede considerarse con un valor moderado de impedancia de entrada.2 mA. 4 4 4 " Figura 7.[31. calcular: a) Z. Para los valores nonnales de los parámetros. si se aplica una carga de 2 kQ. con la carga de 2 kQ. EJEMPLO 7. c) A..- + Amplificador BJT de emisor común Figura 7. una alta ganancia de voltaje y de corriente. Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares = 326 ..R L y de tal fonua que y (7. El signo negativo simplemente refleja el hecho de que la dirección de Iu en la figura 7. y una impedancia de salida capaz de incluirse en el análisis de la red..27 puede ser una herramienta útil en el siguiente análisis.22) Empleando los hechos de que la impedancia de entrada es [3r" la corriente del colector es [3lh' y la impedancia de salida es ro' el modelo equivalente de la figura 7..5 Dados [3 120 e lE = 3.21 ) El signo negativo resultante para la ganancia de voltaje revela que los voltaje de salida y de entrada están fuera de fase por 1800 • La ganancia de corriente para la configuración de la figura 7.+ 0.26: = y (7.R L = . • f31. b) A. Continuando se obtiene VD = -loRL = -1.26 establecería un voltaje Vo con la polaridad opuesta..

6 El modelo híbrido equivalente 327 .21.2 mA = 8. Sin embargo.0 kQ Relación de retroatimentaci6n de voltaje (lc = 1 mA de. fe:: 1 kHz) Ganancia de corriente en pequeña señal = 1 mA de. se da un rango óe valOTes paTa cada parámetro con el objeto de guiar el diseño o análisis inicial de un sistema. mImo Impedancia de entrada (lc = 1 mA de.15 RL 2 kQ La ecuación (7.1 xl()-' (le 20 250 1 ~S {le f e:: 1 kHz) he. Además. Esto se debe a que las hojas de las especificaciones no proporcionan parámetros para un circuito equivalente en cada punto de operación posible. Las cantidades h¡e' h re • hfe y hoe de la figura 7.re Solución al r .. Deberán seleccionarse aquellas condiciones de operación que reflejan las características generales del dispositivo.6 EL MODELO HÍBRIDO EQUIVALENTE En la sección 7. Se proporcionan los valores a una corriente de colector de dc de 1 mA y con un voltaje colector-emisor de 10 V. VCE = lOV de.28 Parámetros híbridos para el transistor 2N4400. = (120)(8. se definieron los parámetros en un punto de operación que puede o no reflejar las condiciones de operación reales del amplificador. los parámetros híbridos se redibujan a partir de la hoja de especificaciones para el transistor 2N4400 descrito en el capítulo 3. en lugar de definir un modelo para la configuración de colector común.=r" 8.. LO 30 F"J. Como se muestran en la figura 7. Para que se describa el modelo híbrido equivalente en esta sección. ¡ e:: 1 kHz) 2N4400 Admitancia de salida = 1 mA de.21): A" = . = b) f3r. ho)' en día se aplica el modelo re con más frecuencia.gUra 7. 0. Va = IOV de. 26 mV = = 26 mV 3. el modelo híbrido junto con todos sus parámetros fue el modelo seleccionado por las comunidades educativas e industriales. es sensible al nivel de operación de dc del amplificador. breve. = ID 1. pero a menudo el parámetro hoe del modelo híbrido equivalente M' . Durante años. En los capítulos subsecuentes se investigarán una cantidad de conftguraciones de colector común y será muy claro el impacto del mismo modelo.28.5 se señaló que el modelo r. Va = lOv de. 7. = f3 = 120 Configuración de colector común Para la configuración de colector común normalmente se aplica el modelo definido para la configuración de emisor común de la figura 7.125 Q) = 975 Q = -246. Máximo f e:: 1 kHz) 2N4400 h" h" liJe 0. 7. Va .= 10 V de. Una ventaja obvia de la hoja de especificaciones consiste en el conocimiento inmediato de los valores típicos de los parámetros del dispositivo comparado contra otros transistores.28 se conocen como los parámetros híbridos y consisten en los componentes de pequeña señal del circuito equivalente que se describirá en .5 75 8.125 Q c) A.125 Q lE Y Z.

Debido a que se trata del cociente del voltaje de entrada entre la corriente de entrada estando en cono circuito las tenninales de salida. es muy importante que el modelo híbrido se cubra con cierto detalle en este libro. Una vez desarrollado.29. serán muy aparentes las similitudes entre los modelos re e híbrido.29. - Q 1. <> .--'----<>0 2 - + Q t'oo---- -. El subíndice 11 en h II indica el hecho de que el parámetro se calculó mediante un cociente de cantidades medido en las terminales de entrada. Debido a que las hojas de especificaciones proporcionan los parámetros híbridos y que el modelo híbrido continúa recibiendo mayor atención. Se puede entender mejor 10 que representan los diversos parámetros h y cómo puede determinarse su magnitud mediante el aislamiento de cada uno examinando la relación resultante.~ se emplea para proporcionar cierta medida de la impedancia de salida. al resolver h ll en la ecuación (7.23) es sólo una de las muchas fannas en que se pueden relacionar las cuatro variables de la figura 7. estarán disponibles de forma inmediata los parámetros del otro. Si se hace Ji igual a cero abriendo las terminales de entrada. una vez que se hayan definido los componentes de uno para un punto de operación en particular.24) Esta relación indica que el parámetro h ll es un parámetro de impedancia con las unidades de ohms. El siguiente conjunto de ecuaciones (7.23a) [o = h2 ¡!i + h22 Vo I (7.23b) Los parámetros que relacionan las cuatro variables son llamados parámetros h. por la palabra "híbrido"..25) Por tanto. De hecho.-------------02' Figura 7.23a).- + 1. Si de forma arbitraria se hace V. El primer dígito del 328 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . . se obtendrá lo siguiente: ~i Ji ivo=O ohms (7. es el que más se utiliza en el análisis de circuitos de transistores. por lo que se tratará en fonna detallada en este capítulo.------. se obtendrá 10 siguiente para h 12 : sin unidad (7. Se eligió este término debido a que la mezcla de variables (Ve l) en cada ecuación ocasionan un conjunto "híbrido" de unidades de medición para los parámetros h.---~--_. 1 00---'-. = O(poniendo en corto circuito las terminales de salida). y se llama parámetro de la relación de voltaje de transferencia inversa a circuito abierto. El subíndice 12 de h 12 revela que el parámetro es una cantidad de transferencia calculada mediante un cociente entre mediciones de entrada y de salida. se llama parámetro de impedancia de entrada a corto circuito. el parámetro h 12 es el cociente entre el voltaje de entrada y el voltaje de salida con la corriente de entrada igual a cero. (7. La descripción del modelo equivalente híbrido dará principio con el sistema general de dos puertos de la figura 7. No tiene unidades.29 Sistema de dos puertos. ya que se trata de un cociente entre los valores de los voltajes. Sin embargo.

Figura 7. + v.31.23b): h 22 1" V. El subíndice 22 indica que se calculó mediante el cociente de cantidades de salida.23b) tiene las unidades de corriente. + h. Obsérvese que ahora se cuenta con el cocient~ de una cantidad de salida a una cantidad de entrada.31 Circuito equivalente híbrido de salida. 329 . J. Debido a que h 22 tiene las unidades de admitancia. se aplicará la iey de corriente de Kirchhoff "hacia atrás" para lograr el circuito de la figura 7. 1.Vo +1 '\. De manera formal se llama parámetro de la relación de transferencia directa de corriente a corto circuito.32 es de una naturaleza más práctica porque relaciona los parámetros h con el cociente resultante que se obtuvo en los últimos párrafos. '\IV'>I h. '" siemens (7. Debido a que el parámetro h ll tiene la unidad ohm.27) o Debido a que se trata de la relación de la corriente de salida al voltaje de salida. Este parámetro.. V() se hace cerO una vez más mediante el corto circuito de las tenninales de salida.30 Circuito equivalente híbrido de entrada. Si en la ecuación (7.32 Circuito equivalente híbrido completo.. así como h 12 • no tiene unidades debido a que se trata del cociente entre valores de comente. El subíndice 21 indica una vez más que se trata de un parámetro de transferencia estando la cantidad de salida en el numerador y la cantidad de entrada en el denominador. -1 7. 1 Figura 7. Debido a que cada término de la ecuación (7 . las cuales representan la conductancia en el modelo del transistor. el parámetro de conductancia de salida se mide en siemens (S).30. Sin embargo. --7 hr o + v. el segundo dígito define la fuente de la cantidad que aparece en el denominador. h 22 .. o Ii h.6 El modelo híbrido equivalente Figura 7.).subíndice indica la cantidad medida que aparece en el numerador. ~ h¡. se aplicará la ley de voltaje de Kirchhoff"hacia atrás" para encontrar un circuito que se "acomode" en la ecuación. se obtendrá lo siguiente para h21 : h 21 = 1 " ' ti" =0 sin unidad (7.. La cantidad h¡2 es adimensional y por tanto aparece simplemente como un factor de multiplicación del término de '"retroalimentación" en el circuito de entrada.. 1. Se incluye el término inverso porque el cociente es un voltaje de entrada sobre un voltaje de salida en vez del cociente inverso que por lo general es interesante.30.32junto con un nuevo conjunto de subíndices para los parámetros h. Se llama parámetro de admitanda de salida a circuito abierto. La notación de la figura 7.. El circuito equivalente en "ac" completo para el dispositivo lineal básico de tres tennin-aIes se indica en la figura 7 .26) 1. Ahora se utilizará el término directo en lugar de inverso como se aplicó para h l '2: El parámetro h 21 es la relación de la corriente de salida a la corriente de entrada con las terminales de salida en corto circuito. Ya que cada término de la ecuación (7.23b). o 1t¡:Vo '\. se representa mediante un símbolo del resistor. El último parámetro. éste se representa mediante un resistor en la figura 7. se puede encontrar una vez más al abrir las terminales de entrada para hacer 11 = O Y resolviendo h22 en la ecuación (7. La elección de las literales es obvia a partir del siguiente listado: h ll ~ resistencia de entrada (input) ~ h¡ h l2 -t relación de voltaje de transferencia inversa (reverse) '.23a) tiene la unidad volt. se debe considerar que la resistencia en ohms de este resistor es igual al recíproco de la conductancia (l/h. Llevando a cabo esta operación se obtiene en circuito de la figura 7 .

1..33 aparece la red híbrida equivalente. l. El hecho de que en la figura 7.~ E V" + V". Vo' Se pueden aplicar las redes de las figuras 7. En la figura 7. debido a que el nivel de potencial es el mismo. aun cuando tiene tres configuraciones básicas. VC~ hf~ lb 1..33 Configuración de emisor común: a) símbolo gráfico... lb hi~ e ~ h".34.32 se puede aplicar en cualquier dispositivo o sistema electrónico lineal de tres tenninales sin fuentes independientes internas. lb + l... el modelo de transistor es un sistema de dos puertos y tres terminales. -1.. b) circuito equivalente híbrido... l... los cuales no serán tratados en este texto.. li = le' lo . e (h) F'tgura 7. Para distinguir cuál parámetro se ha utilizado o cuál está disponible. dos circuitos equivalentes de transistores. sin embargo. relación de corriente de transferencia directa (forward) .34 para los transistores pnp o npn. respectivamente. 330 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .. conductancia de salida (output) . para el transistor.~ h 21 .32.34 Configuración de base común: a) símbolo gráfico. b) circuito equivalente híbrido.b + -lb~ 8 b (a) V'b + V"... V.. Se agregó la literal b para la configuración de base común. así que el circuito equivalente resultante tendrá el mismo formato que el que se muestra en la fIgura 7 . * ~ e (h) h" + ~..32 pueden conectarse como se indica en la figura 7...---~~--_.. ho El circuito de la figura 7. El voltaje de entrada será ahora Vbe con el voltaje de salida Vee . todas son configuraciones de tres terminales. e '\¡ + + V". Por tanto. Además. 1. Obsérvese que li = lb' lo = le' y por medio de una aplicación de la ley de corriente de Kirchhoff. los parámetros h cambiarán en cada configuración. (a) Figura 7. con la notación estándar. Por tanto. para la configuración de emisor común.33. En cada caso. h¡ h22 . mientras que para las configuraciones de emisor común y de colector común se incorporaron las literales e y e.33 y 7.. la parte inferior de las secciones de entrada y de salida de la red de la figura 7.32 aparezcan en el circuito tanto un circuito Thévenin como un Norton dio origen para llamar al circuito resultartte un circuito equivalente h[brido. E 1. Para la configuración de base común de la figura 7. llamados 8 lb -. se añadió un segundo subíndice a la notación de parámetros h.. e + V. Y V. l" con V.

. J ________-4________ j h¡I.. hfb lb 1 -1.7 se encontrarán las magnitudes de varios parámetros a partir de las características de los transistores dentro la región de operación que se obtenga en la red de pequeña señal equivalente deseada para el transistor. ~ ~ Figura 7. Para las configuraciones de emisor común y de base común. .35. Debido a que h r por lo general es una cantidad relativamente pequeña. 1.circuitos equivalentes de parámetros-z y de parámetros-y..-------.37 Común. La resistencia detenninada mediante 1Iho a menudo es lo suficientemente grande para ser ignorada en comparación con una carga paralela que pennita su reemplazo por medio un circuito abierto equivalente para los modelos de CE y CB.3' \. "- 7.35. 1.36 -. En la sección 7. y ho no se incluyen en el modelo.. b>--_ _ _.37 esclarece que = ° ~ lb -1. o- j Figura 7.6 El modelo híhrido equivalente 331 . f e~ ~ hk1b ________ ~e -(a) lb 1.-<>c . __________. los modelos híbrido equivalente y r(' para cada configuración se repitieron en la figura 7.."..35 Efecto de la eliminación de hre y de hoe del circuitc equivalente híbrido.--_--001./ '..J -(b) I~C bo----.37 con fines de comparación. v.. La figura 7. bo-:'---..' . 1.. y Al apenas se ven afectados si h. Modelo híbrido contra re: a) configuración de emisor común... pero nunca ambos en el mismo circuito equivalente.J tal. r--I:~oc -1.~ ¡---¡~ hfl. b) configuración de base ..''':'' Figura 7.-1. utilizan ya sea la fuente de voltaje o la fuente de corriente. bO-':""---. la magnitud de h r y de ho a menudo es tal que los resultados obtenidos para los parámetros importantes como Z¡. eO-----------4-________4-______ ~e e~ -1. i. De hecho. El equivalente que se obtiene en la figura 7..V(}::.=:::P=-------.36 es muy similar a la estructura general de los circuitos equivalentes de base común y de emisor común obtenidos con el modelo r('. .. "\. e e . su eliminación se aproxima mediante h r y h. Modelo equivalente híbrido aproximado. 0. como se muestra en la figura 7. 11-.A~. dando por resultado un equivalente de corto circuito para el elemento de retroalimentación como se muestra en la figura 7. \:. ¡. Zo..

6.39 Modelo re de base común para los parámetros del ejemplo 7.30) (7.1.1.456 Q = [3r. b) El modelo r.mho) y hah =0.38. - r----------r--------------~c • 1. hj .31 ) -ex '" -1 En particular.5 mA.1. = [3" h .28) (7.' • 't I 140/.5 mA = lOA = 1. bo-----. = 140. ho .40 ¡ 1 e /.: 1. y hj . (140)( 1004 Q) kQ ro = = = 50kQ 20J..S (J. Y hjb = I:::-'~ I (7.h ie = [3r.h = r.37b..29) (7. se observa que el signo negativo en la ecuación (7.38 Circuito equivalente híbrido de emisor común para los parámetros del ejemplo 7. e < > .S Obsérvese la figura 7.39. " Figura 7.1. e -/. = 20 J.S. /. A partir de la figura 7. h ie = 26 mV lE = = 26 mV 2.-_ _ _ _ -------+--1 ->0---------0 e b) r.456 ill h.S Obsérvese la figura 7.6.= 2 MQ 0.1.. f ~=50kO • h~ Figura 7. ro = hob = . calcular: a) El circuito híbrido equivalente para de emisor común. EJEMPLO 7. Solución a) r. = lOA Q ex . " 'o=2MO b 332 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .6 Dados lE =2.37b.5 J. para base común.31) se toma en cuenta por el hecho de que la fuente de corriente del circuito híbrido equivalente estándar apunta hacia abajo en lugar de la dirección real como se muestra en el modelo re de la figura 7. b ~ 10.5 J.

de los parámetros híbridos. Los valores constantes de \/CE e lB se refieren en cada caso a la condición que se debe cumplir cuando se calculan varios parámetros a partir de las características del transistor. 7. *La derivada parcial en i.. estos cambios deben hacerse lo más pequeños posibles. los parámetros h están determinados en la región de operación para la señal aplicada.ve _ t. proporciona una medida del cambio instantáneo en Vi debido a un cambio instantáneo 7.34) la condición V CE. porque puede tener un impacto real sobre los niveles de ganancia de un transistor amplificador.e = .40. constante requiere que los cambios en la corriente de la base y en la comente del colector se hagan a lo largo de una línea recta vertical dibujada a través del punto Q que representa un voltaje colector-emisor fijo.32) = llib h. el menos sensible a un cambio en la corriente del colector.v b.v be I \/u·=constante oih (ohms) (7. = (}v.c están determinados a partir de las características de entrada o de base.34) necesita que se divida un cambio pequeño en la comente del colector entre el cambio correspondiente en la comente de la base. la suposición de que hfe = f3 es una constante para el rango de interés resulta ser una muy buena aproximación.En el apéndice A se proporciona una serie de ecuaciones que relacionan los parámetros de cada configuración para el circuito híbrido equivalente. Para lograr la mayor exactitud posible.33) di == (sin unidad) (7.32) a (7. _ avee = di o di. Después la ecuación (7. av b.. mientras que los parámetros h fe y hae se obtienen desde la salida o de las características del colector. de tal forma que el circuito equivalente será el más exacto que esté disponible._O t.34) ai/¡ hoe = (siemens) (7. En la ecuación (7. Para las configuraciones de base común y de colector común se pueden lograr las ecuaciones adecuadas mediante la simple sustitución de los valores adecuados de Vi' vo' i¡ e io' Los parámetros h¡e Y h. av/a. llv ce I ls=constante (sin unidad) (7. se tratarán primero las operaciones acerca de este parámetro involucradas con las ecuaciones (7. Es h¡c = f3r c la que tendrá una variación significativa con 1c y se tiene que calcular a niveles de operación.7 DETERMINACIÓN GRÁFICA DE LOS PARÁMETROS h Mediante el uso de derjvadas parciales (cálculo). En otras palabras. se puede mostrar que la magnitud de los parámetros h para el circuito equivalente de pequeña señal del transistor en la región de operación para la configuración de emisor común puede encontrarse mediante las siguientes ecuaciones: '" h ie = av. Por tanto. di. El primer paso para calcular cualquiera de los cuatro primeros parámetros híbridos consiste en encontrar el punto de operación estable como 10 indica la figura 7. En la sección 7. di o .8 se demuestra que el parámetro híbrido h fc (f3ac ) es.35). Debido a que h fe es por lo general el parámetro de mayor interés.35) En cada caso el símbolo II se refiere a un pequeño cambio en la cantidad alrededor del punto de operación estable.7 Determinación gráfica de los parámetros h 333 . __ .

I vel:" ..1 1 . tú .+15 ¡.. I~ 1 10 15 7V 20 " Figura 7.-J 2 1 O 5 ¡ "1 1 +10 I'A lB "'-. se obtiene ie (mA) 76 5 4 +60 J.34).L7) mA = 111 h =conMante (20 .4 V (constante) +30 ¡lA IJJ~ " ~ ~ '- 1----.. 15 1 (8.10) J.¡. constante respecto al eje vertical..VCE 1 / Punto Q = +20 J.ie (mA) H6 5 4 3 Aie 2 / " ' Recta de carga _+60 ¡lA +50 1'A +40 ¡lA 8.40 se seleccionó el cambio en i/) para extenderse desde I SI hasta lB: a lo largo de la línea recta perpendicular en VCE.-l 5 ~ L lB = O IlA I "'-.....lA lBl = +10 ¡.. Todo lo que resta consiste en la sustitución de los cambios resultantes de i h e i l " en la ecuación (7. esto es.35).. Sustituyendo en la ecuación (7. Se seleccionó un cambio en v CE y se calcula el cambio correspondiente en ic mediante el dibujo de unas líneas horizontales al eje vertical en las intersecciones sobre la línea en que lB =:: constante. constante.7 .4 V) 10 20 U CE(V¡ Figura 7.tA '- I B -+15¡. como lo requiere la ecuación (7 .¡.A (constante) .lA +50 ¡lA +40 ¡lA " ~ ~ Punto +30 IlA Q 3 +20 IJA lB .1A 10-3 = 10x 10-6 = 100 En la figura 7.A 1 O I .40 Determinación de h fe " En la figura 7.41 se traza una línea recta tangente a la curva de lB a través del punto Q para establecer una línea en JB::.35) para h oe. El cambio correspondiente en i{" se encuentra más adelante mediante el dibujo de líneas horizontales a partir de las intersecciones de I BI e I Bl con VCE::.41 Determinación de h Qe • 334 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . (2.

se obtiene (733 .10) )lA !:J. = (2.i b vCE =constante = .43. Sustituyendo en la ecuación (7.43. el circuito híbrido equivalente en pequeña señal es el que se muestra en la figura 7.ó.42.O) V 8 = X 10-3 = 4 X lo-' =constante 20 Para el transistor cuyas características aparecieron en las figuras 7. la selección natural consiste en elegir un cambio en vCE y encontrar el cambio que resulta en vBE como lo muestra la figura 7.7 Determinación gráfica de los parámetros h 335 .VCE == 8.6 Figura 7.1 15 = X 10-3 = 1.42 Determinación de hieo I I El último parámetro. para establecer una línea en VCE = constante como lo requiere la ecuación (7.5 kQ 10x 10-6 jB(~A) VCE=OV V CE =lOY ¡CE=20V 30 :-.40 a la 7.718) mV = /lv b .= 33 0.32)...2. Después.1) mA (ID .7) V I [./li.1 10-3 Ih¡.44. Luego se seleccionó un pequeño cambio en vbe ' dando por resultado un cambio correspondiente en lb' Si se sustituye en la ecuación (7.2 . v ce lB = (733 . se puede encontrar: primero al dibujar una línea horizontal a través del punto Q en lB = 15 )lA.=+15 d v Cl! 1/B =constante X f'A )1A/V = 33 X 10-6 S = 33 )1S 3 Para determinar los parámetros h ie Y h re primero debe encontrarse el punto Q sobre la entrada o las características de base como se indica en la figura 7.32).4 V a través del punto Q.725) mV (20 . I = (20 . Para h ie . se obtiene Ih 1= " /lVb'l .4 V (con stante) 20 PuntoQ __ 1 Ai b = 10 ~ 15 lO - - L / 0. h". I Ih)=-. se dibuja una línea tangente a la curva en VCE = 8.33). 7.

re VCE=ov VCE =lOV VCE =20V 30 20 Punto Q ~ t.5 kQ(h"J 1. 11 0.. colector común y base común Emisor común Colector común Base común Parámetro h... (.u. ~ 1.6 0..43 Determinación de h re . TABLA 7.43...1 lista los valores típicos de los parámetros para cada una de las configuraciones para el amplio rango de transistores disponibles hoy en día. 1 kn 2. La tabla 7.. hj h IIh . pueden hallarse los parámetros híbridos para las configuraciones de base común y de colector común empleando las mismas ecuaciones básicas con ias variables y características adecuadas.5 x IO~ 50 25 I1AN 40 kQ = 1 -50 25 1 kn ~AN 40 kn 20 n 3...". Como se mencionó con anterioridad. El signo negativo indica que en la ecuación (7.IlnYr) e I ~ 0 _ _ _-----'- IL______l______oe 33 pAN (h.40 a 7.5 ~AJV 2 :vIQ 336 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . r-----~-----~·--oc + VI>< '\.J Figura 7...u¡".0 X \0-' -0.8 ~ ...7 .I + 4 X 10-4 V.6.44 Circuito híbrido equivalente completo para un transistor que contiene las características que aparecen en las figuras 7.008 V Figura 7. b + o-----.1 Valores típicos de los parámetros para las configuraciones de emisor común.98 0.---.34) cuando una cantidad creció en magnitud. 'lJBE(V) == 0." == 20 V 15 f--------------'CIH-- 18 = 15 ~ (constante) lO O 0.. dentro del cambio seleccionado.. la otra disminuyó en magnitud.IVV\. h.

Para cualquier transistor. En el capítulo 11 se ex~mínarán las escalas logarítmicas. si hft. 7. Por esta situación en particular. el voltaje y la corriente. hfl: ha cambiado de un valor 20 lc = 1 mA 5V VCE == T=25°C f=tkHz OOO~ ~ h~ 0.2 ! ! ~---hit' ! ! ! 0.45 se indicó el efecto de la corriente del colector sobre los parámetros h.5 2 5 10 20 ! 50 •Ic(mAl Figura 7. la región de operación y las condiciones bajo las cuales se esté empleando tendrán un efecto sobre varios de los parámetros h. También se debe tener en cuenta que la ganancia de corriente a corto circuito es muy cercana a 1. Todos los parámetros se han normalizado a la unidad de tal manera que un cambio relativo en magnitud respecto a la corriente del colector pueda detenninarse con facilidad.8 se tratan los efectos de la temperatura.5: Acción amplificadora del transistor) que la resistencia de entrada de la configuración de base común es baja.t I 0.5 o el50% de su valor a 1. Lo más interesante y útil en esta fase del desarrollo incluye las variaciones de los parámetros h con la temperatura de la unión y el voltaje y la corriente del colector. En 0. mientras que a 3 mA. Debido a que la frecuencia y la temperatura de operación también afectarán los parámetros h. es importante indicar estas cantidades sobre las curvas.: = 50 cuando lc= LO mA.01 O.02 0. siempre se ha indicado el punto de operación en el cual se encuentran los parámetros. la frecuencia. En otras palabras. es de 1. En la sección 7. En la figura 7.5 del 150% de dicho valor.OV e lc= 1.45 Variaciones de los parámetros híbridos respecto a la corriente del colector. En la actualidad hay transistores disponibles con valores de h(1' que vanan desde 20 hasta 600. Debe tenerse cuidado acerca de la escala logarítmica que se utiliza sobre los ejes vertical y horizontal. Para las configuraciones de emisor común y de colector común se nota que la resistencia de entrada es mucho mayor que la de la configuración de base común. También hay que tomar en cuenta que para las configuraciones de emisor común y de base común h r es muy pequeña en magnitud. como las de la figura 7. y que la relación de la resistencia de salida a la de entrada es de aproximadamente 40: l. el punto estable está en la intersección de VCE = S.0 mA.Se observa en retrospectiva (sección 3. mientras que la resistencia de salida es alta. En cada conjunto de curvas.8 Variaciones de los parámetros de transistores 337 . 7.46. h¡e es aproximadamente 0. la corriente y el voltaje del colector sobre los parámetros h.1 mA.0 mA.8 VARIACIONES DE LOS PARÁMETROS DE TRANSISTORES Existe un gran número de curvas que pueden dibujarse para mostrar las variaciones de los parámetros h debido a la temperatura.

mientras que hoe y h re son mucho mayores a la izquierda ya la derecha del punto de operación seleccionado. En la figura 7. porque so::J.47 se graficó la variación en los parámetros h debido a los cambios en la temperatura de la unión.45 Y 7. igual a cuando se definió en el punto Q. El valor de normalización se tomó a temperatura ambiente: T = 25 nc. En la figura 7. = 338 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .46 se)ndica la variación en magnitud de los parámetros h sobre una base normalizada ron los cambios en el voltaje del colector. todos los parámetros aumentan en magnitud con la temperatura..~~~ h.5 2 5 10 20 50 JOO VCE (V) figura 7. de 0. Sin embargo. El hecho de que h¡. En general. sobre una base aproximada y relativa.1 mA hasta 3 mA. puede.46 que el valor de h¡e es el que tiene cambios mínimos.45. Este conjunto de curvas se normalizó en el mismo punto de operación del transistor estudiado en la figura 7. varía de manera importante con la corriente del colector. el parámetro menos afectado es hoe' mientras que la impedancia de entrada hie cambia con mayor rapidez. La escala horizontal es lineal y no una escala logarítmica como la que se utilizó en las figuras 7.2 0. Ahora la magnitud de h re es aproximadamente 11 veces. el valor específico de la ganancia de corriente. debido a la sensibilidad de r. de tal fcnna que / puede establecerse uná comparación entre los dos conjuntos de curvas. como era de El valor de h" esperarse. Se nota que h ie y h fe son relativamente estables en magnitud. debe considerarse el punto de operación cuando le = 50 mA. Para los valores abajo del VCE especificado.46. l hit! 1 kHz 70 50 30L-~~--~--L-~----L-~~~--~--~--__ 0.46 Variaciones de los parámetros híbridos respecto al potencial colector-emisor.5(50) = 75 con un cambio de le desde 0. para la mayoria de las aplicaciones tanto la magnitud de h re como la de hoe pueden a menudo ignorarse. Este incremento en hoe disminuirá la magnitud de la resistencia de salida del transistor a un punto donde puede acercarse a la magnitud del resistor de carga. El parámetro hoe es aproximadamente 35 veces su valor nonnalizado. considerarse constante para el rango de la comente y el voltaje del colector. pero aumenta de manera considerable para valores más altos. no existiría una justificación para eliminar hoe del circuito equivalente sobre una base aproximada. cambiará desde el 50% de su valor normalizado a -50 oC hasta 150% de su valor normalizado a +150 oC. Por fortuna. sea h fe o [3.(% de Va = 5 V valor de cada cantidad) 3000 2000 \000 700 500 300 lE = 1 mA h h" " h" 200 cE V T=250( =5V --\00 t= t-------------¡~~==~~~~~~~. Por tanto. Por tanto. hacia la corriente del emisor (lE '" le)' Es por esto una cantidad que debe determinarse 10 más cercana posible a las condiciones de operación. En otras palabras. sin embargo. de lo que son hie y hfe' Es interesante observar a partir de las figuras 7. hre es casi constante.45 y 7. muy sensibles a la corriente del colector y al voltaje del colector al emisor. indica que la temperatura de operación debe considerarse con cuidado en el diseño de circuitos de transistores. hoe y h re son mucho más sensibles a los cambios en el voltaje del colector. una magnitud que no pennite eliminar 'este parámetro del circuito equivalente.5(50) = 25 hasta 1. f3r.

~-' 3 (+N) 2 (-N) "---'--.5 O. Para la configuración del transistor de emisor común se empleará el modelo de la figura 7. como se muestra a continuación: FBJT nombre .49 Modelo de emisor común para PSpice. Su magnitud es de OV.7 0. Figura 7."-__ h~"~I____~I__+--L____~I______LI____~I______~.4 0.5 L~::::::'--. Current-Controlled Curr.:\1agniwd relativa de los parámetros 3. V sensor --------~------oc 1~lb I r-------~----~c r 0::=- I (' h" .0 f=lkHz 0. la polaridad y la magnirud de la fuente de de.0 le = l mA ~'á = 1.h eo-------------__--------~~--------__------~e Figura 7. . requiere que se introduzca el fonnato de PSpice para tal fuente. una línea por separado debe definir el nombre.48 para la configuración del transistor de base común.9 ANÁLISI5g0R COMPUTADORA Al aparecer de una fuente de comente controlada por comente (CCCS.~ fuente controlada por corriente controladora v~~ no'mbre de la fuente de voltaje controlada magnitud del multiplicador para la fuente controlada "º'~ El nombre (hasta siete caracteres) asignado a la fuente controlada está seguido por los nodos positivo y negativo para la fuente. Se utilizará el modelo de la figura 7. 5V T= 25' C "·-1.ent Source) en el modelo equivalente de un transistor. -100 -50 O 25' 50 100 150 200 T ('C) Temperatura ambiente t Figura 7. en caso de que su único propósito sea el de establecer la dirección de la corriente de control. de tal fonna que se establezca una corriente en la dirección opuesta de la corriente de controL Se requiere la dirección opuesta porque en PSpice la corriente de una fuente independiente de voltaje está definida para tener una dirección opuesta a la "presión" aplicada de la fuente..0 (HP congelada) (HP en ebullición) h" 2.h¡.3.48 Modelo de base común para PSpice. El fonnato se inicializa mediante la literal F. La literal V debe aparecer antes del nombre de la fuente de voltaje de dc estableciendo la dirección de la corriente de control. 7.49. El último factor del formato es el factor de multiplicación para la fuente de corriente controlada. Debido a que la definición de la fuente de volUUe debe ser parte de la red que aparece en el archivo de entrada. por sus siglas en inglés.47 Variaciones de los parámetros híbridos respecto a la temperatura. ~----------~------~------~~----~. La fuente de voltaje debe estar en el mismo circuito en serie que la corriente de control y polarizada.

000 DEG NODE VOLTAGE e VOLTAGE NAIIE SOURCE CURRENTS CURRENT O.6K Re 3 o 4.0000 27.OOOE+OO VSENSE O.50.PRINT AC VM(3.7. 340 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .BIAS SOLUTION VOLTAGE IfODE VOLTAGE 2) 0. debido a que se trata del valor implícito cuando nO se especifica.50. Las primeras dos líneas describen las dos fuentes de lared con un ángulo de 0° que no está incluido en la descripción de la fuente de ac. Se define la impedancia de entrada f3r e en la tercera línea y la fuente de comente controlada en la siguiente línea. 7. Compárese la descripción de la fuente de comente controlada con la hecha anteriormente de las fuentes CCCS.OOE+OO WATTS TEMPERATURE =: *. La frecuencia seleccionada para el análisis en ac (se debe especificar una frecuencia) es de 1 kHz y la siguiente línea solicita la magnitud y el ángulo de fase del voltaje de salida V o ' Recuérdese que el comando .OPTIONS NOPAGE .OPTIONS NOPAGE elimina parte del material superfluo en el archivo de salida.0000 ( 0.*.O) .ENO **** ( NODE 1) SMALL SIGNAL.O) 6. solicitando la magnitud y el ángulo de la fase del voltaje de salida V o ' ~/h Re 4.OOOE+03 27.0000 TEllPERATUR8 NODE VOLTAGE ( 3) 0.OOOE+OO TOTAL POWER DISSIPATION VI O.50.7:K .7 Escriba el archivo de entrada para el amplificador de emisor común de la figura 7. Com=on-emitter amplifier of Fig.51 Análisis por medio de PSpice para la red de emisor común de la figura 7.50 Ejemplo 7.51 aparece el archivo de entrada de la figura 7.800E~02 FREQ 1.O) VP(3.EJEMPLO 7. Solución En la figura 7.O) 1.309E-Ol VP(3.50 **** CIRCUIT DESCRIPTION •• *••••••• **.AC LIN 1 11< lI<: .*** ••••• ***** ••••••••••• ** ••• ** ••••••• *.*** •••• *.000 DEe e Figura 7.7 ka 120l h flgura 7.*** VI 1 o AC 2MV VSENSE 1 2 o RBRE 2 FBETA 3 o VSENSE 120 RO J o 40K o 1.***.** AC ANALYSIS VM(3. el resistor Re es la resistencia de colector del diseño. La impedancia de salida es de 40 kQ entre las terminales 3 y O.

a) Calcular 2¡ si Vs =40 m V. § 7. lo que da por resultado una ganancia sin carga de A. calcular I L para la configuración de la figura 7. c) ¿Cuál es el coeficiente de eficiencia de un amplificador en el cual el valor efectivo de la corriente a través de una carga de 2. ¿es una buena suposición el empleo del corto circuito equivalente para las condiciones recién descritas? ¿Qué tal a 100 kHz' 4.Vi I VI = 1 630.9 mV 2 rnV = 315.4 kQ.3 Modelaje de transistores BJT 3.2 Amplificación en el dominio de ac L ¿Cuál es la amplificación esperada de un amplificador a BJT si la fuente de se hace cero volts? b) ¿Qué sucederá a la señal de salida de ae si el nivel es insuficiente? Trace el efecto sobre la fonna de onda. a) Describa la diferencia entre los modelos re e híbrido para un transistor BIT.. Zo' A.Los resultados indican que la magnitud del voltaje de salida es de 630.UF a una frecuencia de 1 kHz? Para aquellas redes en las cuales los niveles de resistencia están por lo general en el rango de los kilohms.8 mA? a) PROBLEMAS 2. calcular Vi si se cambia la fuente aplicada a 12 mV con una resistencia interna de 0..45 un nivel que caerá cuando se conecte una carga.2 kn es de 5 mA y el consumo de una fuente de de de 18V es de 3.lA. para cada modelo..2 kQ.7. Rsensor = 0. b) Utilizando los resultados del inciso a.or = 10 ka: e 10 = 10 ¡. 7. 6. A. 5. c" ( Re + Figura 7 . e Jamplificador = 6 pA.5 kQ e 1i =20 /lA. ¿Cuál es la reactancia de un capacitor de 1O-. las condiciones bajo las cuales debe aplicarse. a) Calcular 20 si V = 600 mV. Los resultados también indican un cambio de fase de 1800 entre V v y Vi tal como se esperaba para la configuración de emisor común. dibuje el equivalente de ac utilizando la notación para el modelo de transistor que aparece en la fIgura 7. b) Utilizando la 20 obtenida en del inciso a. para la configuración de la figura 7. § 7. para la configuración de la figura 7. Dada la configuración de base común de la figura 7. Rsen. b) Liste.. = _0 " .52 Problema 4.7 si RL = 2. ¿Puede desarrollarse alguna analogía para explicar la importancia del nivel de dc sobre la ganancia en ac resultante? § 7.4 Los parámetros importantes: Z. Problemas 341 .9 mV.52.10.5.

f) A¡ utilizando la ecuación (7. a) re' b) Zi' c) le' d) V" e) f) Av' lb' 12. + l 12rnV IkQ 1 . \ .17.54.27. La corriente del emisor es de 3. ~ RL 0.980. 342 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .6 V 18mV Zi -. 10.54 Problema 9. Figura 7.. c) Av= VJVi" d) Zoconro=ooQ.2 kn. calcular: a) J¡.6kQ + V.8.. 1o Zi + Amplificador a transistor BJT + V..53.5 mA. Amplificador a transistor BJT + ~= 3. b) lb' e) A¡ =IJI¡ =l/lb si R L = 1. - § 7. e) A¡ = IJI¡.5 El modelo de transistor r. dando por resultado una corriente del emisor de 0. f) lb' 11. lidc) = 2 mA y r. d) A". si R L = 1.2 kQ. =40 kn. calcular 10 siguiente para un amplificador de emisor común si f3 =80. Usando el modelo de la figura 7. calcular: a) Vi' b) Z¡ e) A.2 mA y a = 0.10). d) A.2 k.51 kQ V¡ = 4 rnV I Figura 7. calcular: a) Z¡b) V. Calcular lo siguiente si el voltaje aplicado es de 48 m V y la carga es de 2.2 k. a) Z¡.53 Problema 8. si R L = 1. b) Z¡ c) Vo' d) lo' e) A¡ usando los resultados de los incisos a y d. 9. Para el amplificador a BJT de la figura 7.Q. Se aplica una señal de 10 mV a la configuración de base común de la figura 7.17.Q. Dada la configuración BJT de la figura 7.99 en la configuración de base común de la figura 7.A O. li=IO~A + I v. Si a = 0.

. h" = 4 x l<r' y h" = 25 pS.56 para la respuesta en ac insertando el modelo re entre las tenninales adecuadas. (3= 120 Y r. 18. 15.57: a) Determinar Vo en términos de V¡" b) Calcular lb en términos de Vi' c) Calcular lb si se ignora h re Vo. Redibujar la red de la figura 7. b) I b siV¡=30rnY. h¡e ~ 100. Dados los valores típicos de h¡C = 1 kQ. 17. r.7 kD. + V.¡b(con h re ) re x 100% lb(sin h re ) Figura 7. ~ R. d) Modelo re equivalente de base común.56 Problema 18. Incluir ro. Incluir ro' Re V EE -vcc Re R8 C RE + ~e Ce Ce B E v. b) Modelo re equivalente de emisor común.55 para la respuesta en ac insertando el modelo re entre las terminales adecuadas. '\.2 ill con f3 = 140. .4 kQ.57 + e) ¿Es válido el método de ignorar los efectos de h.13.3 para la respuesta en ac con el modelo híbrido equivalente aproximado sustituido entre las terminales adecuadas.21. d) Precisar el porcentaje de diferencia en lb con la ayuda de la siguiente ecuacíón: % en diferencia en lb = lb(sin h ) . Dados h¡e = 2... '\. b) Modelo re equivalente de emísor común. 19. 1 Figura 7. 50 kQ Y R L = A¡ = l/li = ILllb' Av= V/Vi' '-- § 7. Problemas 343 . dibujar los: a) Modelo híbrido equivalente de emisor común. e) Modelo híbrido equivalente de base común.55 Problema 17. 16. c) Modelo híbrido equivalente de base común. 2. Calcular: a) re. Dados [E (de) = 1.2 mA.6 El modelo híbrido equivalente 14.. e) lc' d) e) ro:. d) Modelo re equivalente de base común.. FIgura 7. dibujar los: a) Modelo híbrido equivalente de emisor común. h rc = 2 x 1()-4 y Av = -160 para la configuración de entrada de la figura 7.la red de la figura 7 . La impedancia de un amplificador de emisor común es de 1.e Vo para los valores típicos utilizados en este ejemplo? Problemas 19.. =40 kQ. Redibujar la red de emisor común de la figura 7. Redibujar.

43. ¿cuál es el valor aproximado de hoc cuando Ic=lOrnA? b) Calcular su va\.2 mA almA utilizando la ecuación % de cambio h¡. calcular el modelo híbrido equivalente de emisor común aproximado cuando lB = 25 J1Ay VCE =. 30.S cuando le = 1 mA en la figura 7.(l mAl h¡. Calcular el modelo re de emisor común cuando lB:: 25 J1A Y \leE::: 12.7 Determinación gráfica de los parámetros h 23.2 ka y ho~' = 20 pS. calcular la magnitud del porcentaje de cambio en h¡e cuando existe un cambio en le de 0.42.47. a) Al revisar las características de la figura 7.42. b) Repetir el inciso a cuandofc = 1 mAy \lCE= 15 V.28.40 a 7. Realizar otra vez el problema 20 para R L = 3. b) Repetir el inciso a cuando lB = 30 J1. ¿cuál parámetro cambió lo menos posible para el rango completo de corriente del colector? bl ¿Cuál fue el parámetro que observó más cambios? e) ¿Cuáles son los valores máximo y mínimo para lfhoe? ¿Es una buena aproximación llhoJ\ RL == R L más adecuada con los valores altos o bajos de la corriente del colector? d) ¿En qué región del espectro de corriente es más adecuada la aproximación hreVce == O? 344 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .~-180.40.20.tAy V CE ::: 10 V. a) Empleando la figura 7. ¿Es un buen sistema el ignorar en este caso los efectos de l/h oe? 33.A. a) Determinar h re cuando lB = 20 J. utilizando las características de la figura 7.1 mA? b) Utilizando el valor determinado de h en el inciso a. 827. Utilizando las características de las figuras 7.40 y 7.Q.45.3 ka y el valor promedio de hoe en la figura 7. ¿Es un buen sistema el ignorar en este caso los efectos de 1lhoe? 34. a) b) Determinar hic cuando lB::: 20 ¡.(O. a) Si hre = 2 X lQ-4 cuando le = 1 roA en la figura 7. Con el uso de los resultados de la figura 7. Repetir el inciso a cuando lB::: 5 ¡.44.1S cuando le = 1 mA en la figura 7.2 mAl x 100% b) Repita el inciso a para un cambio en le de 1 mA a 5 mA.28 con A. ¿resulta una buena aproximación ignorar los efectos de 1/hoe sobre la impedancia total de carga'? ¿Cuál es el porcentaje de diferencia en la carga total sobre el transistor utilizando la siguiente ecuación? o/e de diferencia en la carga total 21. ¿puede ignorarse h como una buena aproximación si Av = 21 O? re re * 35. Incluir ro' § 7. ¿cuál es el valor aproximado de hre cuandole =O.5 V.41. Repetir el problema 19 empleando los valores promedio de los parámetros de la figura 7. Vuelva a hacer el problema 30 calculando hie (con los mismos cambios en le)' 32.45 a 7.8 Variaciones de los parámetros de transistores Para los problemas 30 a 34. b) Realizar de nuevo el inciso a cuando le::: 1 mA y V CE::: 15 V 25. a) Si hoe = 20 f.12.tA Y VCE = 20 V.40 Y 7.8 H2. utilizando las caracteósticas de la figura 7.42. 31.5 V utilizando las caractensticas de las figuras 7. 22.45.2 mAl . § 7. se utilizan las figuras 7.2 mA y compararlo con una carga resistiva de 6.45. Dados los valores típicos de R L == 2.2 rnA? b) Calcular su valor resistivo a 0. 24.45. a) Determinar hj " cuando fe = 6 mA y \leE = 5 V.or resistivo a 10 mA Y compararlo con una carga resistiva de 6.43.45. a) Calcular hoe cuando Ic = 6 mA y V CE =: 5 V.lA utilizando las características de la figura 7. 26. '" 28. dibuje el modelo re equivalente para el transistor que tiene las características que aparecen en las figuras 7.(O. a) Si hoe = 20 J1.8 \c.. 29. utilizando las características de la figura 7. ¿cuál es el valor aproximado de hoe cuando le = 0.hf.

9 Análisis por computadora PSpice 37. Escriba el archivo de entrada para la red de base común de la figura 7. 20n t : O.59 BASIC 39..2kQ Vo • Figura 7.3 kn V" I I I Problemas 38. ¿cuál fue el parámetro que tuvo más cambio debido al incremento en la temperatura? ¿Cuál tuvo menos cambio? ¿Cuáles son los valores máximo y mínimo de h¡) ¿Es significativo el cambio en magnitud? ¿Cómo varía re con respeclO al incremento en la temperatura? Simplemente calcule el valor en tres o cuatro puntoS y compare sus magnitudes.47. ti" RL + • h¡l. Repita el problema 38 utilizando BASIC. (y compárela contra 1). d) La magnitud de la comente 1(:. Jo ~ '\. h" f : lOOfb t 1 1 '..59 Y solicite: a) La magnitud y la fase de Vo ' b) La magnitud de lo' e) La magnitud de la comente Ir (y compárela contra 1). '. 50kQ + RL 2. 1 20 ¡¡S Figura 7.58 y solicite: a) La magnitud y la fase de Vi} b) La magnitud de la corriente de salida lo' e) La magnitud de la corriente Ir.* 36 a) b) c) d) e) Al repasar las características de la figura 7.58 Problemas 37. Escriba el archivo de entrada para la red de emisor común de la figura 7. 40. Repita el problema 37 utilizando BASIC. 40. ¿Dentro de qué rango de temperaturas cambian menos los parámetros? § 7. * Los asteriscos indican problemas más difíciles. + ~ =4 mV llL -J. 38.39. h~ 3. d) La magnitud de la comente de entrada lb' + lOrnY I I -lb 2kQ '\.98fc 1 '. Problemas 345 .

para cada configuración...... se dedica una sección al análisis a pequeña señal de las redes BJT que únicamente utilizan el modelo híbrido equivalente.. L 8.2 dará por resultado la red de la figura 8. mediante cortos circuitos equivalentes. los cuales están disponibles en la actualidad y lo relativamente fácil que resulta capturar una red compleja e imprimir los resultados deseados.... se examina el efecto de la impedancia de salida como es proporcionado por el parámetro hoe del modelo equivalente híbrido.] r-.. Nótese además. lo cual origina la red de la figura 8... Además.CAPÍTULO Análisis a pequeña señal del transistor bipolar ...3... la colocación de los parámetros importantes de la red Zi' Zo' Ii e lo en la red que se redibujó....2 CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN CON POLARIZACIÓN FIJA La primera configuración que se analizará con detenimiento es la red de polarización fija de emisor común de la figura 8. Este programa demuestra el rango y profundidad de los sistemas de análisis por computadora. La sustitución del modelo Te para la configuración de emisor común de la figura 8. Debido a que el modelo r. Sin embargo.. 8.. Las redes analizadas representan la mayoría de aquellas actualmente utilizadas en la práctica.. respectivamente... El análisis a pequeña señal comienza por eliminar los efectos de de de Vce y reemplazar los capacitares de acoplamiento C l y C. 346 ... Se incluye un programa en BASIC para permitir una comparación entre el uso de un paquete de programas y un lenguaje de computación.2 se observa que la tierra común de la fuente de y la terminal del emisor del transistor permite la reubicación tanto de Rs como de Re en paralelo con las secciones de entrada y de salida del transistor... Las modificaciones a las configuraciones estándar se examinarán con relativa facilidad una vez que se revise y entienda el contenido de este capítulo. es sensible al punto real de operación.. mientras que la corriente de salida lo proviene del colector. será el modelo primario para el análisis que se desarrollará... Se reserva el efecto de ambos parámetros para un método para sistemas en el capítulo 10.. El análisis por computadora incluye una breve descripción del modelo de transistor empleado en el paquete de programas PSpice... En la figura 8. El análisis de este capítulo no incluye una resistencia de carga RL o la resistencia de la fuente R... L Se observa que la señal de entrada Vi se aplica a la base del transistor mientras que la salida VD está en el colector.. Para demostrar las similitudes que existen entre los modelos.. la corriente de entrada Ii no es la corriente de la base sino la corriente de la fuente....2.1 INTRODUCCIÓN Los modelos de transistores que se presentaron en el capítulo 7 se utilizan ahora para llevar a cabo un análisis en ac a pequeña señal de las configuraciones estándar de redes de transistores.

. . 8. b l /3r.2... -z. más de 10 veces (se debe recordar a partir del análisis de los elementos en paralelo que la resistencia total de dos resistores en paralelo siempre es menor y muy cercana a la más pequeña en caso de que una sea mucho mayor que la otra). Z¡: La figura 8. li ~ lb ~ O..4.3 revela que ohms (8..1 ) Para la mayor parte de las situaciones.1 después de eliminar los efectos de Vco el y e2- Figura 8. Re .3.h 1. e figura 8. de Zo para la red de la figura 8. o-----}t---+-<>---! e..JL RB J. y ro_ se obtendrán las siguientes ecuaciones para las características importantes de dos puertos del sistema.2) Zo: Recuérdese que la impedancia de salida Zo se calculó cuando Vi ~ O.3 Sustitución del modelo re en la red de la figura 8.¡. I 2= lO/3r. Z. r.2 Configuración de emisor común con polarización fija 347 . z.. R B es mayor que f3r. Suponiendo que se hayan determinado f3. re y ro' La magnitud de f3 por lo general se obtiene mediante una hoja de especificaciones o por medición directa utilizando un trazador de curvas o mediante un instrumento para probar transistores.4) Figura 8. ohms (8. 1. El siguiente paso consiste en calcular /3. dando por resultado una equivalencia de circuito abierto para la fuente de corriente. B v. la magnitud de rose obtiene por lo general mediante la hoja de especificaciones o de las características. IZ o "R c I r.. + V.3) lORD' con frecuencia se aplica la aproximación Re \\ ro'. Figura 8. lo cual pennite la siguiente aproximación: Zi .?: Zo ~ Rc11ro ohms (8. .: '------'RB f3r.. Debe determinarse el valor de re a partir de un análisis en de del sisterna~ por su parte..2 Red de la figura 8. 1. .~ !ORe (8.1 Configuración de polarización fija de emisor común. I Si ro .:: Re y 1 . + V. ~ " fllb -.4 Determinación. cuando Vi ~ O.. Para la figura 8. El resultado es la config~ración de la figura 8.3.

6) Se observa la ausencia explícita de ¡3 en las ecuaciones (8. aunque se reconoce que ¡3 debe utilizarse para determinar re' A i : La ganancia de corriente se calcula de la siguiente manera: Al aplicar la regla del divisor de corriente a los circuitos de entrada y de salida...::: lOj3re.5) (8.' - rol pero ¡3r.:: . = -¡3Ih(RcII V lb.JLAv: y . lo cual sucede a menudo.= lo li = B ~ro +ro¡3 ~ ~RB R ) Re + ¡3r. Ai . (8. Los resistores ro y Re están en paralelo. e lo lb o = r. si ro ~ 1ORe y RB . como se muestra en la figura 8.10) la cual emplea Ao y Z. = y lo li - ¡3RBro (r)(R B) • (8.. 348 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . lb li = RB RB + ¡3r. =eO~cb~ 4 ¡. V. Sin embargo.7) Y Ai = (ro + Re)(R B + ¡3r. ¡3RB ro (8.5. = lo 1. de manera que y (8.7) sugiere que puede desearse el retorno a una ecuación como la ecuación (7. A..¡3 1" > IORe La complejidad de la ecuación (8.) la cual ciertamente es una expresión compleja y difícil de manejar. > IOP'..6). (r)(¡3lb) 1.5 y 8.¡3 ro + Re ro + Re con El resultado es (RB)(l) lb = RB + ¡3r. A.. Esto es.8) R.9) Relación de la fase: El signo negativo para Av en la ecuación obtenida indica que ocurre un cambio de fase de 1800 entre las señales de entrada y de salida.

= lE r . ( 10 ~F 10 ~F - o ~.1 b) e) d) e) f) Encontrar Z. Figura 8. Repetir los incisos e a e incluyendo ro = 50 kQ en todos los cálculos y comparar los resultados.6 Ejemplo 8.071 kQ = 1.5 Demostración del cambio de fase de 1800 entre las formas de onda de entrada y salida.71 = 1.428 mA Q) = 10.2 Configuración de emisor común con polarización fija 349 . b) 26 mV 26mV 2. z. . Encontrar A.V --c~-- l2V . = (100)(10.6: a) Detenninar r('> EJEMPLO 8.(470 kQ> 10.J[ Vee Re Re t Yo I ~.04}lA 470kQ lE = (/3+ l)lB = (101)(24.: ~ 10{3r.. t V. = 470 kQ 111.71 kQ) f3 = 100 8.11 kQ e) Zo = Re '" 3 kQ e) Dado que RB A. (cuando re = 00 Q). I figura 8. Calcular Z" (cuando ro = 00 Q).71 Q = -280. . Solución a) Análisis en DC: ee BE ¡B = ---""---""V .428 mA =-.04 ¡.71 Q {3r.LA) = 2.7V = 24.1 . 470 Iill ~ 1. Determinar A. O P-tr. Para la red de la figura 8.0.069 3kQ 10. (cuando ro = 00 Q). Z.071 kQ = RB 11 {3r. r----r--o 12 V 3kQ V.. o-----} 1--+-----1 1. (cuando ro = 00 Q).

RE CE Figura 8. Al sustituir el circuito equivalente r..:.3 POlARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE La siguiente configuracíón que se analizará es la red de polarización mediante divisor de voltaje de la figura 8. .83kQ = .:. -280.7.. Se observa la ausencia de RE debido al efecto de reducción de baja impedancia del capacitar de desvío.= -264.8 Sustitución del circuito equivalente re en la red equivalente de ac de la figura 8. se obtendrá la red de la figura 8. 10. - .. • ~ 'o e h Re ~ Z.13 vs.16 la cual difiere ligeramente debido sólo a la precisión que se lleva a través de los cálculos. e..~-'---''. 8.11 ro 11 Re 2..:~-"---- vs.-. ~ Rc = -(-264.-_-'-.) (50 kQ + 3 kQ)(470 kQ + 1. e. a la frecuencía (o frecuencias) de operación. la reactancia del capacitar es tan pequeña en comparación con RE que se maneja como un corto circuito para la señal a través de RE' Cuando Vcc se + Vi -li Zi b R.7. + V. Re R. E --Z.24 r. e 11 ~ 1b e Pr. CE' Esto es.. R..-_(ro + Rc)(R8 + f3r.=. o-----} li Zi e B {----<o v.071 kQ) f3R ro = 94..:. - R' '*' Figura 8.7 Configuración de polarización mediante divisor de voltaje.:. Considérese que el nombre de la configuración es un resultado de la polarización mediante divisor de voltaje en el lado de la entrada para calcular el nivel en de de VE' Vee V. 350 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . R.8.. = -A Z.069 kQ) 3 kQ = 94. .71 Q B _----. V.][ f) Zo A~ = rJlRe = 50kQII3kQ = 2...-. 3kQ vs. lOO Como verificación: A.83 kQ (100)(470 kQ)(50 kQ) = --..24)( 1. ~I /JI.

: Ya que Re y ro están en paralelo.7).: " j (Re 11 r.8. (8.17) 8. Zo = RJ ro I (8. 11 Rz = RB .14) la cual se nota que es una réplica exacta de la ecuación que se obtuvo para la configuración de polarización fija.l lb = V. Además.3 Polarización mediante divisor de voltaje 351 . f3r.8. de manera que V = .10) Zi: De la fIgura 8.(f31b)(R e 11 e r..8. - f3R'r o ro(R' + f3r. Para ro.f3(.= Vi Va Rellro r. cuando se hace V.11 ) De la figura 8.15) A i : Debido a que la red de la figura 8.J L iguala a cero coloca una terminal de Rl y Re a potencial de tierra.16) Ai = lo 1." lOR e (8. a O V se obtiene lb = O ilAy f3lb = O mA. (8. La combinación de R¡ y R 2 está definida por medio de (8. Zi = Zo: R'II f3r. (8. excepto por el hecho que R' = R. Esto es. la ecuación para la ganancia de corriente tendrá el mismo formato que la ecuación (8. Va = . se observa que R¡ y R2 permanecen como parte del circuito de entrada mientras que Re forma parte del circuito de salida. = .3.13) A.l y A.) f3R' R' + f3r e ro ~ lOR c y lo Ai = .12) (8.8 es tan similar a la de la figura 8. como se muestra en la figura 8.li (8.

z.0.J[ y (8.9 Ejemplo 8. Los parámetros de los incisos b a e si ro.11 V 352 Capítulo 8 Análisis a peqneña señal del transistor bipolar ..81 V VE = VB - VBE = 2. A¡ (cuando ro = = O)..2 kO) 135 kO > 82 kO satisfecha Utilizando el método aproximado. 8.. 11 h01' . Zo (cuando ro = = O). o---}l~-+-----1 /.81 V = 2. = 22 v 56Hl 10 ~F V.9.14) revela un cambio de fase de EJEMPLO 8. Solnción a) De: La prueba de . (cuando ro = O).2 kO)(22 V) 56 kO+ 8.18) Como una opción. Vcc = (8.6RE > lOR 2 (90)(1.2 kO . A. (8.2. encuéntrese: a) rlO. b) e) d) e) f) Z..:: 50 kQ Y compare los resultados.5 kQ) > 10(8.19) Relación de la fase: 1800 entre V(J y Vi· El signo negativo de la ecuación (8.2 Para la red de la figura 8.2 kQ Figura 8.7 V = 2.

15 ka 111. = .. Sin desvío En la figura 8._ _ = _ _ _ (9_0)_O_.11 dará por resultado o 8..10 aparece la configuración más básica de las que no poseen desvío..c.2 ka) = 7. por tanto.= -368..8 kQ 1150 kQ = 5.15 kQ) := .15 kQ + 1. 6..8 kQ)(7.66 kQ = 1.3 VS. -368...44 a) = 7. 10(6.15 ka 11 (90)(18..8kQ A. = 7.44 Q e) La condición R' 2 10[3r. = .:[3_R_'r.15 kQ + 1. en la mayoría de las situaciones se puede ignorar su efecto..41 roA R' = R..11 V = IAlmA 1... (50 kQ + 6.66 kQ) 73.1 S kQ 2 1O( 1.44 Q = -324.35 ka e) Z" = Re = 6.5 ka 26roV r.= .66 kQ f) Z..o. 6.8 kQ) = 68 kQ) No está satisfecha.- d) Re r = .11.._15_k_Q_)(_5_0_kQ_)_ _ (r" + Re)(R' + [3r) 64.. Primero se considerará la situación sin derivación y luego se modificarán las ecuaciones obtenidas para la configuración con desvío..44Q 1. Por tanto.76 La condición: r" 2 lOR e (50 kQ. sin embargo. pero se observa la ausencia de la resistencia ro' Si se considera el efecto de ro' el análisis será mucho más complicado.. A\.66 kQ) = 16.8 kQ A. no se incluirá en el siguiente análisis.76 18.. = - Re 11 ro =- 5.4 CONFIGURACIÓN DE E-C CON POLARIZACIÓN EN EMISOR Las redes que se examinaron en esta sección incluyen un resistor en emisor que puede tener o no un desvío en el dominio de ac.15 ka Z¡ = R' 11 [3r. (7. 11 R.04 Existió una diferencia considerable en los resultados de Z(). A. A¡ [3R' (90)(7. = _ _. = 1.98 kQ 18.8 kQ . y su efecto se discutirá más adelante en esta sección. Por tanto.6 kQ no está satisfecha.= 18.= .::: 1ORe- 8.04 R' +[3r. = (56 ka) 11 (8. y A¡ debido a que no se satisfizo la condición ro.3 VS. 7..4 Configuración de E-C con polarización en emisor 353 . La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alIado de la entrada de la figura 8.J[ V lE = ~ RE 26roV -lE b) 2.98 ka vs.35 ka Zo = Re 11 r" = 6. El modelo re equivalente se sustituyó en la figura 8..= 73.

Figura 8.. = -'i.24) V.-Zb Vi ~r : pr.10. la ecuación aproximada es la siguiente Zb . se tiene (8.12 indica que la impedancia de entrada de un transistor con un resistor RE sin desvío está determinada por Zb = f3re + (f3 + I )RE (8.11. Z.10 Configuración polarizac}ón de emisor común. R. t R/ h . El resultado es = (8. ~ 1. = Vi R f3 e Zb (8.. Fagura 8. lb O Y f3lb puede reemplazarse mediante un equivalente de circuito abierto. + (f3 + I)RE b v.Z. li b .: f3r e y + f3R E (8.21) puede reducirse aún más a (8.11 Sustitución del circuito equivalente re en la red equivalente de de la figura 8.= (fl+ ¡)lb figura 8. lb ~ y Zb Vo = -loRe = -f3l bR e = -f3( .. y la impedancia de entrada viendo hacia la red a la derecha de RB es Zb = -:.23) Zo: Al hacer Vi cero.) Re con A.= f3r. Re V.20) Ya que f3 por lo regular es mucho mayor que 1.25) 354 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .22) Zi: Regresando a la figura 8. • e e I + /5l.+ Z. El resultado como se aprecia en la figura 8.12 Definición de la impedancia de entrada de un transistor con un resistor de emisor sin desvío.21) Debido a que RE a menudo es mucho mayor que re' la ecuación (8.

29) e Relación de la fase: El signo negativo de la ecuación (8. las ecuaciones regresan a la fonna recién derivada.JL La sustitución de Zb = f3(r.27) Obsérvese una vez más la ausencia de f3 en la ecuación para Av' A¡: La magnitud de R B a menudo es muy' cercana a Zb para permitir la aproximación lb = l¡. las conversiones de las fuentes.4 Configuración de E-C con polarización en emisor 355 .26) y para la aproximación Zb.----------.: f3RE' (8. e lo = f3 l b de tal forma que y (8.28) o " ElJ A = -A-' . en cada caso se observa que cuando se cumplen ciertas condiciones.= ---"--R B + Zb li lb R además. (8. 'R (8. el teorema de Thévenin y otros.25) revela una vez más un cambio de fase de 1800 entre Vo y Vi' Efecto de ro: Las ecuaciones que aparecen abajo revelarán con mayor detalle la complejidad adicional que resulta al incluir ro en el análisis. Se incluyeron las ecuaciones para eliminar la molesta pregunta del efecto de ro sobre los parámetros importantes de una configuración de transistores. Z¡: (8. Cada ecuación puede derivarse mediante la aplicación cuidadosa de las leyes básicas del análisis de circuitos como las leyes de voltaje y de corriente de Kirchhoff. Sin embargo. La derivación de cada ecuación está más allá de las necesidades de este texto y se deja como un ejercicio para el lector.30) 8. Al aplicar la regla mediante la división de corriente al circuito de entrada se obtiene e B . + RE) da .

El resultado es un factor de multiplicación para ro mayor que uno.33) la cual se obtuvo con anterioridad. L-. f3re (f3 + l)R E + ---"---'---=-l + (Re + RE)/ro Zb:' f3r. Zb :. si ro ..20)..31 ) Z.32) Sin embargo._ _"'----' Cualquier nivel de r" Zo = Re I (8.34) 356 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del trausistor bipolar . Debido a que f3 + 1 == {3. En otras palabras.02 = 50 1000 n y la cual.:. Para {3 = lOO.= ---'---1O-:-. ro» re y Zo:' Rcl1ro[' + I + f3 r ] f3 e RE la cual puede escribirse como ZO:'Rcl1ro ['+ . r" = lO Q Y RE = l kQ: 1 1 -1--"-.+ ' -] l f3 re RE Normalmente tanto 1/f3 como r/RE son menores que uno y suman un total que por lo general es menor que uno.. + (f3 + I)RE la cual puede compararse de manera directa con la ecuación (8. o' (8.~ = - -+f3 re RE -+ 100 1 H 0.? 1O(R c + RE)' se podrán obtener todas las ecuaciones derivadas con anterioridad. A' v' Av = ~= Vi ~ r ] Re 1+-:... por supuesto es Re Por tanto.][ Debido a que el cociente Relro es siempre mucho menor que ({3 + 1).+-ro o (8. la siguiente ecuación resulta excelente para la mayoría de las aplicaciones: (8.

Para la red de la figura 8.F Vi e __ )1-4----1 el 1.3. A¡: El cálculo de A i será a la ecuación A.9). = (121)(46.56 kU h = (f3 + l)I. (8. = = 20Y-O.13 Ejemplo 8. Zo' A.36) Con desvío Si RE de la figura 8.7Y = 35.-h--1r" 2: JURe así como se obtuvo con antes. sin CE (sin desvío). utilizando las ecuaciones anteriores.. Solución a) F'lgura 8. e --+2.A) = 4.¡. _ _ (3R Re Z"h__-.\) a (8.... Por tanto..10 está en desvío mediante un capacitor CE de emisor. el modelo re equivalente completo puede sustituirse.-Re +ro Para ro '" IOR e (8.34 mA 8.ro.89 ¡. Aj' _ 20 V e) 470kQ 10 ¡. 0.13. De: lB = Vee-VBE RE + ({3 + I)R E 470kfi + (12\)0.3. pueden aplicarse las ecuaciones (8. _ _ _ Z...J[ La relación 1'/1'0 « 1 y Av = Vo V.56kQ 1ICE 10 ~F .35) ' -___ V'-.4 Configuración de E-C con polarización en emisor 357 .A y = 26mY = 5.0 4. calcular: a) b) re' EJEMPLO 8.5 ¡.3 e) d) Z¡.34 mA r.99.. dando por resultado la misma red equivalente que la figura 8.

92k!l RBllzb = l20(5.. {3R B RB + Zb (120)(470 ill) 470 k!l + 7l8.99 Q.4 Repítase el análisis del ejemplo 8. J[ b) La prueba de la condición ro.2k!l = . .2kíl ro.2 k!l + 0. Zb y == f3(r." IO(R e + RE)' 40 k!l 2: 10(2. encontrar (mediante las aproximaciones adecuadas): a) b) e) d) e) re. = _ Re r. Solucióu a) b) El análisis del dominio de es el mismo y r. A.-O_20.82 EJEMPLO 8.5 Para la red de la figura 8.) 67.. 2.".34 k!l) = -(-389) . 358 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .28): A. Z.99!l) == 717. + RE) Z. = = 470 k!lIl718. RE está "en corto" debido a CE para el análisis ac.28 (un incremento significativo) e) A = .5. == __ f3R _c = Zb _-.56 ill) 40 k!l 2: 10(2.92 (59. e) A = -A -Z.-------_.92 k!l = 59.99!l = -367. Z.14. '" f3R B /(R B + Zb)' EJEMPLO 8.76 k!l) = 27.93 cuando se utilizó la ecuación (8. 2. Por tanto.2kíl d) A. Zo' A".34kíl e) Zo = Rc = 2.85 cuando se utilizó la ecuación (8.99!l + 560 O) = 470 k!l1167.8!l 470 kOII(120)(5.89 comparado con -3. = _V V.." d) IOR e está satisfecha.(2_..6 k!l satisfecha Por tanto.:..2k!l comparado con 104.8!l = 119. 'R c = 104.27): Av '" -R¿R E . Portanto. o A.70 íl e) Zo = Rc = 2.92 k!l = -3...2_k:-!l. = = 67.:). = RBllzb = R B IIf3r.3 cuando CE está en su lugar. = 5.

V8E = 1. = 1.47kO 8.9 V VE R2 V - IOk!l (16 V) = 1.15 se proporciona el circuito equivalente. + Figura 8.. Las condiciones de prueba tanto de ro .68k!l • 2.324 mA = b) En la figura 8.: IOR e se satisfacen.14..9 V = 1. = RBIIZb = 9 k!l11142.68 kil) > 10(10 kfi) 142.:. la configuración que se obtiene es diferente a la de la figura 8. IOkíl 0.68k!l 26mV 26 mV = 19. e 1.68 kQ I e.8 k!l Z..8 k!l > 100 k!l satisfecha V8 = R.7 V = 0. VE + R2 ce . z. p =210J.11 sólo por el hecho que RB = R' = RdlR2 = 9k!l " + z.5.2 kO 90kíl o V.6 V le = - 0.64 O r.8 k!l = 8.][ 16V tI.: IO(R e + RE) como de ro .324 mA RE 0..= 50 kQ I .0.6 V .15 El circuito ac equivalente de la figura 8. Ahora.90k!l + 10k!l = V8 .-J '=' T 1.2 kil ~ FIgUra 8. '~ + 10kQ 90kíl 0. Solución (210)(0.4 Configuración de E-C con polarización en emisor 359 .:. • e. El empleo de las aproximaciones adecuadas dan Zb"" {3R E = 142. 2. eE z.14 Ejemplo 8.

47 EjEMPLO 8. = 19.. o-}I---"----I Zi Z.24 e) e) Z¡ (8. se conoce a la red como emisor~seguidor.2 kO = 12. pero la aproximación 360 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . El análisis en de es el mismo y r.12 kO Z¡ = RBllzb = 9 kOIl4. El voltaje de salida siempre es ligeramej'j.---=.te menor que la señal de entrada.2 kil Re 2.5 figura 8.5 con Solución a) b) e E en su lugar. debido a la caída de la base al emisor.17.2 kO = 144. CONFIGURACIÓN EMISOR-SEGUIDOR Cuando se toma la salida a partir de la tenninal del emisor del transistor como se muestra en la figura 8.24) 2.--. = (210)(19.1 En la figura 8.= -. Para el análisis en de la resistencia del emisor es RE + REo' mientras que para el análisis en ac el resistor RE en las ecuaciones anteriores es simplehIente.RE = .02 (un crecimiento significativo) r.68 kO = -3. ..83kil e) Zo = Re = 2.16 Una configuración polarización en emisor con una porción de la resistencia de emisor en desvío en el dominio de ac .][ Zo = Re = 2. 8.83kO) 2.12 kO = 2.6 Repetir el ejemplo 8.0.2kO d) A" = .16 aparece otra variación de una configuración de polarización en emisor.= -112..2kO d) A~ = . Zb = f3r.2kil Re 2.02)(2.64 n.64 kO e) A= '~RL -A~= _(_112. 19.64 O) == 4.47kO) A¡ = -A~ Re = -( -3.RE con RE" en desvío por CE' J --li el V.

En la figura 8. En la parte final de esta sección aparecerán otras variaciones de la figura 8. tanto Vo corno VI mantendrán sus valores pico positivos y negativos al mismo tiempo. Figura 8. Z¡: La impedancia de entrada se encuentra determinada de la misma manera que se describió en la sección anterior: (8. v. e. El hecho de que Vo "siga" la magnitud de Vi con una relación dentro de fase acredita la terminología emisor-seguidor. + (f3 + l)R E (838) 8. ~ RE f t 1. = + -1.18.17 Configuración emisor~seguidor. B 0--)1----+-<>--1 el' Z.17.5 Configuración emisor-seguidor 361 .37) Zb = f3r.18. + \ 1 COn 1 Figura 8. debido a que el colector está conectado a tierra para el análisis en ac.17 se obtiene la red de la figura 8. en realidad es una configuración de colector-común.::: V¡La configuración de emisor-seguidor se utiliza con frecuencia para propósitos de acoplamiento de impedancia.17 que tienen la salida en emisor con Vo . donde se acopla una carga con la impedancia de la fuente para obtener una máxima transferencia de potencia a través del sistema. V. E?--. A diferencia del voltaje del colector. el voltaje está en fase con la señal VI' Esto es.J[ _1.. Al sustituir el circuito equivalente rl! en la red de la figura 8. -:. e -z.---!!----o 'é. El efecto que se obtiene es muy similar al que se logra con un transformador. la cual es directamente opuesta a la configuración de polarización fija estándar.17 aparece la configuración emisor-seguidor más común. El efecto de ro se examinará más adelante en la sección. Ar 1 por lo general es buena. Presenta una alta impedancia en la entrada y una impedancia baja en la salida. Sustitución del circuito equivalente re en la red ac equivalente de ac de la figura 8. De hecho.

. o y (8.44) Y A. Para detenninar Zo' se hace cero V:. se obtiene la configuración de la figura 8. y (8.45) 362 Capitulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .4l) re + RE " + v. RE Si ahora se construye la red definida por la ecuación (8.19./(f3 + 1)] + RE pero y (f3+l)~f3 ---~--=r f3r e f3+1 f3re f3 < de manera que V le == ----'-'-- (8.] [.: Con frecuencia.... + re r¡. ..19 para detenninar la ganancia de voltaje mediante la aplicación de la regla del divisor de voltaje: v= " Vo V.39) (8.41).-i_ f3r. (8. y a menudo se aplica la siguiente aproximación: Figura 8.42) . -:-:--:-::--~ Vi _____~ [f3r. re' REVi RE + re RE (8.--l.(f3_+.43) A~. + (f3 + l )RE o 1 = . :-: RE.40) Zo: La impedancia de salida se describe mejor al escribir la ecuación para la comente lb: lb = - Vi Zb y luego multiplicando por (/3 + 1) para establecer 1". Esto es.z" Por lo general RE es mucho mayor que Te' .19 Definición de la impedancia de salida para la configuración emisor-seguidor. Zo ~ r .::.: Se puede utilizar la figura 8. le = (f3 + I)h = (f3 + Vi 1)- Zb Sustituyendo por Z/) se obtiene le = ~-.-)V-. RE es mucho mayor que RE + RE Y (8. Vo -1 .. 'V +1.

44) y algunas discusiones anteriores de esta sección. Efecto de ro: Z¡: E {3r.::: 1ORE' Z" = {3r.49) Z· o' (8.=.48) Si se satisface la condición ro.51 ) 8.: De la figura 8. z.5 Configuración emisor-seguidor 363 .47) Relación de la fase: Como se indicó por medio de la ecuación (8. tanto Vo como VI se encuentran en fase para la configuración emisor-seguidor.50) Utilizando í3 + I =' [3.J[ A. o e o 1. I Cualquier r" (8..46) o (8.REllr.18. + ([3 + I)R E la cual es similar a las conclusiones anteriores con (8.. (8. = -({3 + l)h -lo = -({3 + lh 1) de tal forma que =-({3+1) y debido a que R R B + Zb B ({3 + 1) "" {3. RB + Zh lo = -í. + -'----"- ({3+ I)R Z" (8..

+ RE) y A. (8.3 k!1 = 20. -'--RnE~~ 1+r" Si se satisface la condición ro ~ 1ORE Y se utiliza la aproximación {3 + 1 E Av=-- (8. EJEMPLO 8. Repetir los incisos b a e cuando ro.7V = 220 k!1 + (101)3. ro =00 Q -Z. A.][ ({3 + I)RElZb A. {3R Zb Pero de tal fonna que Zb == {3(r.52) ={J.062 mA 26mV r. = (101)(20.20.53) ' . 3.7 Para la red emisor-seguidor de la figura 8.. .~I-~--I li -10 ~F {3 = 100.tA) = 2.3 kQ Figura 8.7.-_ _ _ _ _--' ' •. Zo' d) e) 1) A". = = 2.42 ¡. 12 V f 220 ill v. Solución a) lB = R B + ({3 + I)R E l2V-O.42pA h=({3+ 1)/.20 Ejemplo 8. = ---"--RE re + RE I ~IOR. detenninar: a) re' b) e) Z¡.61 n 364 capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . 25 kQ Ycomparar los resultados.062 roA = 12.

R¡ 1\ R2• La red de la figura 8.996 ==1 e) A.61 fl = = 0.43 kfl 295.72 kfl a la cual se llegó de la manera anterior (lOO + 1)(3. ( 132. RE f) Z.= -(0.261 kfl + 333.15 ka A= . = 33 kfl ({3 + I)R E = (100)(12. 10(3.3 kfl) la cual no se satisface.56 kfl 3 A = -A . pero incluye un resistor colector Re En este caso RE se reemplaza una vez más por la combinación en paralelo de R 1 YR2 .3 kfi 1 +--c -=:-3.::: 10R E.67 220 kfi + 334. == contra = (100)(220 kfi) = _ 9. porque Re no se refleja en las redes equivalentes 8. la cual utiliza una sección de entrada divisor de voltaje para establecer las condiciones de polarización.-'-'-----'-::-::--[1 + 3. = RBllzh = 220 kfl11295.996 == 1 lo cual es igual al resultado anterior. .3 kfl lJ Zo = REllre = 12. los resultados para Zo y Av son los mismos y únicamente Z¡ es un poco menor.-=-3. +- 25 kfl con Z.3 kfi1112.22 también proporciona las características de entrada/salida de un emisor-seguidor. = V.3 kfl) = 1. Los resultados sugieren que para la mayoría de las aplicaciones se puede obtener una buena aproximación de los resultados reales sólo con el hecho de ignorar los efectos de ro para esta configuración. se tiene 25 kfl . = 3.J[ b) Zh e) d) {3r.3 kfl + 12. aunque no se satisface la condición ro .72 kfl) = -40.56 a == r.61 fl) RE + (100 + 1)3. = RBI!Zb = 220 kfili334.56 kfl = 132.56 kfl == (3R E Z.3 kfi)/295.5 Configuración emisor-seguidor 365 .7 kfl = 126.61 fl = 12. = RE + r. + ({3 + I)R E = (100)(12.17.::kfl:=- = 1. = 3. La impedancia de entrada Z¡ y la impedancia de salida Z() no se afectan entre sí.3 kfl = 334. Por tanto.7 kfl VS.7 kfl =-'-----.".3 kfl A. La red de la figura 8.06 3.37) a (8.:.3 kfl Al verificar la condición ro 2 lOR E .56 O como se obtuvo anteriormente + I)R E /Z b [1 + RE] r" = 0. 25 kfl Portanto.996) . Vo RE 3. .61 fl) + (101)(3. Las ecuaciones (8.47) se pueden cambiar con sólo reemplazar RB por R'.21 es una variación de la red de la figura 8.261 = ro kfi + 294. ({3 132.72 ka Z" = REllr.

lfación emisor-seguidor con un resis!or ' colector Rc de la base o el emisor.23 Configuración de base común. RE E. o \) 1-+~---1 r \ -z Figura 8. I i Z " Figura 8. Sin embargo. Figura 8. el único efecto de Re será al determinar el punto de operación Q.f.22 Config'.La configuración de base común se caracteriza por tener uria impedancía de entrada relativamente baja y una impedancia de salida alta y además una ganancia de corriente menor a uno. • e + ~:. =Jl" " z. La configuración estándar aparece en la figura '8. Figura 8. -. R. t I -1. al" e ~ tI.l'-1.J[ Va 9 v. + V. -.24.. vi. De hecho.54) (8.6 CONFlGURACIÓN DE BASE COMÚN . 1.23.23 con el modelo equivalente r". La impedancia de salida ro del transistor no está incluida para la configuración de base común debido a que por lo general se encuentra en el rango de los megaohms y puede ignorarse puesto que se encuentra en paralelo con el resistor Re ~. la ganancia de voltaje puede ser considerable.------~--~~.21 Configuración emisorseguidor con un arreglo polarización mediante divisor de voltaje.~RL -.24 Sustitución del circuito equivalente r~ en la red equivalente de ae de la figura 8. 8. 1" ~ + lé B Z. de base común sustituido en la figura 8. (8.55) 366 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .

98 r o = 1 MQ 5Hl 8V h ~ o 1 2v T - \0. Z" o Figura 8.8 re' Z¡. -1 (8. d) e) A..98"" -1 8. = .J[ con I. lO ~F 1.. Efecto de ro: Para la configuración de base común.= 250 . ~ 1 kOl120 O = 19.56) A~.3 mA b) Z¡ ~ REllr. -+Ika 10 ~F \0. calcular: a) b) e) EjEMPLO 8. ro = l/h oh está por lo general en el rango de los megaohms y es más grande que la resistencia en paralelo Re como para permitir la aproximación ro 11 Re == Re Para la red de la figura 8. re 20 O e) A¡ = -0.25 Ejemplo 8. Zo' A r.0..3 V -1 kO ~ 1.3 mA r ~ 26mV ~ 26mV ~ 200 e lE l.7 V 1 kO ~ 1.8.: Al suponer que RE :::p- re se obtiene le = I¡ y lo = -ale = -al¡ A¡ = con 1" 1. .a". ¡--) 1.57) Relación de la fase: El hecho de que Aves un número positivo indica que tanto V(J como Vi se encuentran en fase para la configuración de base común.61 fi == re e) Zo=R e =5kfi Re 5kO d) A '" = . Solución a) lE ~ V EE - V BE RE ~ 2 V . -Z. ~-' V de tal forma que y (8..25. a= 0.6 Configuración de base común 367 .

lugar de la base a la fuente de dc tiene un impacto significativo sobre el nivel de dificultad que se encuentra al momento de analizar la red.J[ 8. la simple maniobra de conectar un resistor de la base al colector en . Re r-'V\RFI\r-t--.. Sin embargo.7 CONFlGURACIÓN CON RETROALIMENTACIÓN EN COLECTOR La red con retroalimentación en colector de la figura 8. 8 . l' Z. Los efectos de una resistencia de salida roen el transistor se analizarán más adelante en esta sección.26.26 utiliza una trayectoria de retroalimentación desde el colector a la base para aumentar la estabilidad del sistema como se discutió en la sección 4. La sustitucíón del circuito equivalente y el redibujo de la red dará por resultado la configuración de la figura 8. tc~v ':' + " Figura 8.26 Configuración de retroalimentación en colector.l2. e. No se espera que un nuevo estudiante del tema seleccione la secuencia de los pasos descritos a continuación sin hacer uno o dos pasos de manera errónea.-t_J"-.~ V e J. J' = Vo .Vi RF con e Debido a que Vv = -loRe lo = f3lb + l' /3Ib es mucho mayor que r. Algunos pasos que serán realizados a continuación son el resultado de la experiencia al trabajar con tales configuraciones.RF + ¡Jlb h .Br.f3I¡}1c y 368 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .27. lo '" f3l& y pero Vv = -(f3l blRc = . + Vi J. o el Vi - 8 o-----J f--~-<>--I z. Zo figura 8.27 ':' Sustitución del circuito equivalente Te en la red equivalente de ac de la figura 8.

: e de la figura 8.7 Configuración con retroalimentación en colector . Iv = f3Ib + r Para los valores nOnTIales.60) . J Re = Re pero Re es por 10 general mucho mayor que re y 1 + de tal fOnTIa que . =O ¡ En el nodo Figura 8.28. y A. I + f3R e RF r o Zi = " Re RF (8.J[ Por tanto. A.28 Definición de Zo para la configuración de retroalimentación en colector.59) v. 369 8. El efecto de f3rl' se elimina y RF aparece en paralelo con Re y (8.._ _-.= Vi = _ _ _-'-f3::- 'li 1+f3r'[I+Rel RF r. = - Vo V. V = -f3-Re o 13r. = Re r (8. y z r-'-. t= El res ultado es =---= Vo Vi RF RF V = If3r .. [ I + RF 'e = lif3r.27.58) -+ 13 Zo: Si se hace Vi cero como se requiere para definir Zo' la red aparecerá como se muestra en la figura 8. z= f3r. se obtiene r e Iv" f3Ib' VD = -IoRe = -(f3Ib )R e V.I [ I + -Re] f3r V 1 1 e RF 'e e 1 o Vi [ I Re] + -f3r. f3I b » Sustituyendo lb = V/f3r.

.F.--.liRF + (3lbRc = Ib(f3r. = ~ li = f3R F RF + f3R e (8. y comparar con RF y f3R e A.Re = O Ih {3r. + RF + f3R c ) = IiRF e I" = -=--~{3"-R-. Re RFr.--I.=- . O Y al aplicar la condición ro '" !ORe pero por lo general RelRF « 1y Zi=--:---- -+-370 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar 1 f3r.JL A i: La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo exterior de la red genera Vi + VRF e Utilizando lo '" f3lh' se tiene ~ Vo = O Ih f3 r . (8. + RF + (3R c ) = liRF O Sustituyendo lb = 1)f3 a partir de lo '" f31" da lo 13({3r. I.63) Al reconocer que l/R F ".61 ) y lo A. RF Rell ro RFre (8. + f3R c Ignorando f3r.--c--{3r.62) Relación de la fase: El signo negativo de la ecuación (8.60) indica un cambio de fase de 180Q entre V o y Vi' Efecto de ro: Z¡: Un análisis completo sin la aplicación de aproximaciones dará por resultado 1+ Rell ro RF Zi = 1 -+-+ f3r. + (lh - l¡)R F + (. . e + IbRF . + R.

JL o z.' r. A¡. r ~ . d) e) f) Repetir los incisos b a e cuando ro = 20 k. detenninar: a) EJEMPLO 8.::: lOR e (8.68) Debido a que RF» re' (8. Para la condición común de RF» Re (8.69) Re 1+RF ' -_ _ _ _ _ _. mucho menor que uno. Para la red de 1a figura 8.28 se obtiene (8.651 Para r" . (8.7 Configuración con retroalimentación en colector 371 .64) - + {3 así.9 re' b) e) Z¡. 8. Zo: Al incluir ro en paralelo con Re er. como se obtuvo anteriormente.Q Y comparar los resultados.o?: ¡ORe y dado que RelRF es por lo general. Zo' A..66) igual como se consiguió antes.67) A: ..29. (8.70) corno se obtuvo con anterioridad. Re RF (8. la figura 8.

9. 560.66 kQ anterionnente 372 Capitulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . Por tanto.7 kUII180 kU = 2. 1+ 2..3 + 0.005 + 0.3 + 1.7 kUII180 kU = 2.:: IORc no está satisfecha. RF + (3Rc 180 kU + (200)(2.32 mA 26mV 26mV = 11.29 Ejemplo 8.7 kU -+(3 RF -+ 200 180 kU 0.5 U anterionnente = rollRcllR F = 20 kU112.7 U vs.02 e) Zo = RcllRF = 2.21 U) (200)(11.= 11.006 X 10..7 kUI120 kU 180kU 2: o 20 1 + 1 + 2.7 kU 0.38 kU 1 + 180kU 1 + 0. 2.][ 9V ? 1.18 X 10 3 = 617.21) 2.64 X 10 3 0. r. = ---'----'---'--= --'-'-'':''::''''=-I Re I 2./=ooQ .21 U 11.7 kQ V..7 kU) = 50 f) = 11.35 kQ VS.7 V (200)2. Figura 8..013 = = 1.0.21 U) = 560.015 lB = Vce .53 ¡LA) = 2.21 U = 50(11. 32 mA re 11..53 ¡LA I E = «(3 + 1)IB = (201)(11. = 2.7 kUI120 kU 180kU (l80kU)(I1.66 kn 27kU Re d) Al' = ...21 U -240. ~ __ IO~F -/. Z" Z. ~V\II""---<f-'--lf-----o V" 10 ~F 180 ill ~/" f3 =200.45 X 10.21 n r.5 n 2¡: La condición ro.21 U b) Z.86 r.VBE = 180 kU + 9V . Solución a) RF + (3R e = 11. (200)(180 kU) e) A = (3R F .

l_.C':"') RE j (8.- ._F_R-.94 vs.7 !1 Para la configuración de la figura 8. o---::-¡ f---"-----I z. C.6 - 1 ] 2. = -A" Re = -(-209. Las derivaciones se dejan como un ejercicio al final del capítulo. z.74) determinarán las variables de interés.92 10. A" = --'---r--'¡c-. ~_'VRVF'V-+t!.)(2.013 = -209.[ 1 + 180k!1 11.180 k!1 2. Re 1.38 k!1 ...J A: I lrI • L. -240. A.21!1 ( ) 1+ X 2 '::"":-'-.74) f3 8.[5..73) 1 A¡"'-----+ (8. 50 anteriores 617.30. C.-If----<> v.30 Configuración de retroalimentación en colector con un resistor de emisor RE: Z¡ '" [-i ------=---+ _(_R=. v.7 Configuración con retroalimentación en colector 373 .71) a (8.72) A' " (8.56 X 10.38 k!1 8.[~I + ~ ] (ro¡¡R~) RF re 1R 1+~ R. las ecuaciones (8.86 anteriores A: .38 kí1) 1 + 0.56)-Z-.7-k-:!1= 47...71) z· " (8. .. Z. Figura 8.E_.56 VS.

3!... + v. 1.31 tiene un resistor para retroalimentación de de con objeto de una mayor estabilidad.. te. Figura 8.76) (8. c. '" Re I I 'é.32 Sustitución del circuito equivalente Te en la red equivalente de ac de la figura 8.75) z· o' (8. A la frecuencia o frecuencias de operación. Figura 8. t"-1 . "F z" v R' (8.I\ Re y V" = -f3I"R' Análisis a pequeña señal del transistor bipolar 374 Capítulo 8 .J[ 8. I + ~ fJJ. el capacitor asumirá un equivalente de corto circuito a tierra debido a su bajo nivel de impedancia respecto a los otrOS elementos de la red. no obstante que el capacitor C~ cambiará porciones de la resistencia de retroalimentación a las secciones de entrada y d~ salida de la red en el dominio ac..77) A' " R' ~ r"ll RF.8 CONRGURACIÓN CON RETROALIMENTACIÓN DE DC EN COLECTOR La red de la figura 8.32. ~'. .31 v. o-:---ll Configuración de retroalimentación de de en colector. z. :::lV' RF . Lu porción de RF que se cambió al lado de entrada o de salida se caiculará mediante los niveles de resistencia de ac deseados de entrada o salida. Z. 1. El circuito equivalente de pequeña señal aparecerá entonces como se muestra en la figura 8.

Debido a que RF.80) 2 L-_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _--' R' == r" .. R' {3lh lo = R + Re 1 o = -::-:'R'{3 -'-.8 Configuración con retroalimentación de dc en colector 375 . + f3r e == RF I y lo i3Rt:(r"IIR... (8.IIR c r. =o. .R' (R F . + Re) de tal fonua que (8. RFr + Re + f3r(' y A = ~ = li f3R F . V. + {3r.--= \ . + {3r. I = lo = Ji lo Jh Ih R/ Ji R' {3 RF .)(R' + Re) I F I'R (8. . + f3r .R' + Re La ganancia de corriente A.li . 8.es por lo general mucho mayor que f3re • RF. (8.][ pero y V = o -{3~ Vi R' {3rl" de tal forma que A..78) A..IIRc r.82) Relación de la fase: El signo negativo en la ecuación revela un cambio claro de fase de 180' entre los voltajes de entrada y de salida. = .l4'.(r"IIR F . Ai: V RF.79) r" ~ JOR( Para el lado de entrada In = Rf/i RF . I RF . o lh = li RF .81) o (8.:::." =Vi V rJRF.. y para el lado de salida utilizando R' = ro 11 R F .) A.

oC: lB = Vcc . + V. Solución a) -1. 1 ~ ~ /JI. . 140 lb 30kíl r" 68 kU lkU . Figura 8.=30kQ Figura 8.39 kf1 '" 1.OlmF /3= 140.33. 120kU -1.6 ¡.0.IIf3re = 120 kf1II1.------l IOmF -z.. r. Z¡ = RF .. 1.. e) Probando la condición ro !ORe' se encuentra 30 kQ ~ 10(3 kQ) = 30 kQ la cual..7 V (120 kf1 =~~~~~~--~ + 68 kf1) + (140)3 kf1 11.. lOmF O.tA lE I)IB = (141)(18. Zo '" RclIRF . lo r-"NV---r-'VV\r---+'-'-l (---<> V" Vi o----}f-<--..34.VBE RF + {3R c 12 V .92 f1) = 1. r ..Q .34 Sustitución del circuito equivalente re en la red equivalente de ac de la figura 8. determinar: a) b) e) d) e) re' Zi' Zu' A..39 kf1 La red equivalente aparece en la figura 8. se satisface mediante el signo de igual en la condición. 1. z. 68 kQ . -z..920 2.87kO 376 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar ..62 mA b) {3re = (140)(9.. = 3 kf1¡¡68 kf1 = 2. =nI.62mA = ({3 + re = 26mV 26mV = 9.33.6 ¡.J[ ---------------------------------------------------EJEMPLO 8.33 Ejemplo 8.10 Para la red de la figura 8. 11 v Ha 120 kO A. Por tanto.395 k. f3r.3 V = 608 kf1 = 18.37kO + V.10.tA) = 2.

El análisis en de asociado con el uso del modelo re 00 es una parte integral del empleo de los parámetros híbridos.8 8.9 CIRCUITO EQUIVALENTE HÍBRIDO APROXIMADO El análisis de la configuración de emisor común de la figura 8. y así sucesivamente.J[ d) ro ~ lOR c por tanto. Aunque el tiempo y las prioridades no permiten realizar un análisis detallado de todas las configuraciones tratadas hasta ahora. hfe • h ib . se especifican.\!R c r.920 '" -289. utilizando el modelo equivalente híbrido aproximado para 8.36 Circuito equivalente híbrido de base común aproximado. Varios de los parámetros del modelo híbrido están especificados en una hoja de datos o mediante el análisis experimental. + -----:c-c--::30kOl168W 3 kO --::----= 1. . debe tenerse en cuenta que los parámetros híbridos y los componentes del modelo re están relacionados mediante las siguientes ecuaciones tal como se discutió a detalle en el capítulo 7: hle = f3r e . los parámetros tales como h ie .35 Circuito equivalente híbrido de emisor común aproximado.j he = 13.- RF.3 e) Debido a que la condición R F .87 kO 9. e >h¡~ t I h"lb • • h~ .35 y de la base común de la figura 8. en esta sección se incluirá un breve repaso de algunas de las más importantes para demostrar las similitudes en los métodos y en las ecuaciones que se obtienen. A¡ '" _---'--f3__ 1 +--- 140 1 Re r"IIR F.» [3r" se satisface.• l. Configuración de polarización fija Para la configuración de polarización fija de la figura 8. r------r----~c ~--4----4---~-~h Figura 8.38. Sin embargo.14 1 + 0.36 mediante el empleo del circuito equivalente híbrido aproximado es muy parecido al realizado en el modelo re. A\. Figura 8. hoe = llro . hfb =-a y h·¡b = re (obsérvese el apéndice A). cuando se presenta el problema. En otras palabras.9 Circuito equivalente híbrido aproximado 377 .920 = 68 k!1113 W 9.37 aparecerá la red equivalente en pequeña señal en la figura 8. 2. h -.==:::.14 140 140 '" 122.

37. Z.:. Z" 1. + v. Z" A.l (8.38. - Figura 8. ~ 1" ( h" hje 0-)1---+----1 C.3 y el análisis del modelo Las semejanzas sugieren que el análisis será muy similar y los resultados de uno pueden relacionarse directamente con el otro.86) 378 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . T.: A partir de la figura 8.85) h ie (8. (8.-' . 1..l Ro: - • h" 1 I -h hOl? + V h¡J. + z. 1.38. Compárense las similitudes aparentes con la figura 8.37 Configuración de polarización fija.84) l/h)1 Re Vo = -loR' = -lcR' = -h¡e1b R' y Ib=~ h ie con Vo = -h. + V" o Figura 8.: Utilizando R' = (8.eh. Re 1. = ~ Vi = _ h¡. e. V.(R c Illlho.38 Sustitución del circuito equivalente híbrido aproximado en la red equivalente de ac de la figura 8. R' v " de tal forma que A.J~ .> : Re - z. emisor común.83) Zo: A partir de la figura 8.

7 W = 2.7:.k.----r-.'=: 20 !lA/V V" z. ) 1.171 kl1 = _ 262. = 1.::2""0)-.56 k!l '" Re ". = hae h¡e(Rclll1hae) 50 kl1112. .. Z¡ De la figura 8...l1..34 Configuración de divisor de voltaje Para la configuración de polarización mediante divisor de voltaje de la figura 8. k:::l1::...40.39. /.171 k!l ! 1 =- 2a = e) -IIRe = hae 1 = 20 JLAN = 50kí} hie d) A¡ '" h¡e = 120 A.87) (8. Al'.38.:.:. = 120 Z" h".(I:. calcule: EJEMPLO 8. R'II h¡e (8.38 reemplazando a R B por R' = R ]11 R2 . ( ' h¡.7kQ ~ 330 k!2 ¿_)f-I_+---_---1 +---11--- 0 1.:. Z¡: 2Q: z" figura 8.40 Configuración de polarización mediante divisor de voltaje.::.(2:.11.---o 8 v d) ~ ~ /" :l.11 a) b) e) Z¡Z". A¡.175 kl1 r " '" h¡e = 1. figura 8. -:F. v.:.39 Ejemplo 8.JL ---------------------------------------------------Para la red de la figura 8. = A partir de la figura 8.88) 8.38 con RB = K'.ii:=-SO:.175k!2 ha. o • i ll--+----i el ~R z.9 Circuito equivalente híbrido aproximado 379 . la red equivalente en pequeña señal obtenida tendrá la misma apariencia que la figura 8.. Solución a) b) Z¡ = RBllh¡. = 330 WII1.

91) (8. (8.94) (8. el modelo de pequeña señal será el mismo que para la figura 8. mediante hit' y {3If¡ por ht//.· El análisis será entonces.11.93) y ~ ~ (8. de la misma manera Con V.41 Configuración de polarización en emisor sin desvío.J[ A' " (8. o • )1-------1 -z.92) Z.95) 380 Capitulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .90) Configuración de polarización en emisor sin derivación Para la configuración de emisor común con polarización en emisor sin derivación de la figura 8. figura 8..: (8.41. y 1.89) hie (8. reemplazando /3r.

][
o

-A ,

(8.96)

Configuración emisor-seguidor
Para el emisor-seguidor de la figura 8.42 el modelo de pequeña señal igualará la figura 8.18 con f3r" ;; h ie y f3;; h f{'· Las ecuaciones obtenidas serán, por tanto. similares. l¡: (8.97) (8.98)

v, e

z,

1,

---.- )

Figura 8.42 Configuración de emisor-seguidor.

lQ: Para Z() la red de salida definida por las ecuaciones obtenidas aparecerá como se muestra en la fígura 8.43. Al revisar el desarrollo de las ecuaciones en la sección 8.5 y

Z"

-

RE

II~ h
1<'

(8.99)

h"
1 .... h¡e VV\¡

+

v,

I
'\,

I

¡'e
+

o

lt;¡

Z"
Figura 8.43 Definición de Zo para la configuración de emisor-seguidor.

l

o

A~: Para la ganancia de voltaje se puede aplicar la regla del divisor de voltaje a la figura 8.43 de la siguiente manera:

8.9 Circuito equivalente híbrido aproximado

381

J[
pero ya que I +

"fe'" h1,.
A, =

Vu V,

-

RE
RE + h¡/hft

(8. I 00)

A, =

hfc R8

(8.101 )

RB + Zb

o

A, = -A r RE

Z,

(8. I 02)

Configuración de base común
La última configuración que se examinará con el circuito equivalente híbrido aproximado será el amplificador de base común de la figura 8.44. Al sustituir el modelo equivalente híbrido aproximado de base común se obtiene la red de la figura 8.45. la cual es muy similar a la figura 8.24. A partir de la figura 8.45,

+
V,

-J,

h i/¡· hfl,

-z,

-f,

RE
-;; ;;-

L
Re

+
Vo

VEE

T

-

Zo

V

cc

Figura 8.44

Configuración de base común.

-z,

+ -J,-

'--1

---"-'-h-:;'
v"

-

z,.

t
Figura 8.45 Sustitución del circuito equivalente híbrido aproximado en la red equivalente de ac de la figura 8.44.

Z,

(8.103)

;8.104)

382

Capitulo 8 Auálisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
con

1 =e h
ib

Vi

y

de tal forma que

(8.105)

A, =

lo

(8.106)

1,

a)

Para la red de la figura 8.46. determine: Zi' b) Zo'
e)

EJEMPLO 8.12

A,.

d)
1,

Ai'

+

o

I

lr--~--~.

-z,

h", = - 0.99
hin
=:

3.3 kQ

14.3.Q

h"b= 0.5 ~N .

-

Z"

IOV

Figura 8.46

Ejemplo 8.12.

Solución

a)
b)

Zi
ro

= REllh ib = 2.2 kili I14.3 il = 14.21 il == hib =hob

=
l.

1
0.5 ¡.LA/V

= 2 Mil
3.3 kO
14.21

Zo =
eA , d) Ai

-IIRe == Re =
hob

)

=-

hjbRe

=

(-0.99)(3.3 k!l)

h

ib

=.

22991

== hfb

= -1

Las configuraciones restantes de las secciones 8.1 a 8.8 que no se analizaron en esta sección se dejan como un ejercicio para la sección de problemas de este capítulo. Se supone que el análisis anterior revela las similitudes en el método utilizando los modelos re O el híbrido equivalente aproximado y eliminando, por tanto, cualquier dificultad real cuando se analicen !as redes restantes de las secciones previas.

8.10

MODELO EQUIVALENTE HÍBRIDO COMPLETO

El análisis de la sección 8.9 se limitó al circuito equivalente híbrido aproximado además de alguna discusión acerca de la impedancia de salida. En esta sección se utiliza el circuito equivalente completo para mostrar el impacto de h r y para definir en términos más específicos el 8.10 Modelo equivalente híbrido completo

383

J[
impacto de h{J' Es importante entender que debido a que el modelo híbrido equivalente tiene la misma apariencia para las configuraciones de base común, de emisor común y de colector común, se pueden aplicar a cada configuración las ecuaciones desarrolladas en esta sección. Sólo es necesario insertar los parámetros defmidos para cada configuración. Esto es, para tu configuración de base común, se utilizan hth' h¡h Yasí sucesivamente, se emplean para una configuración de emisor común h(('. hi('. Y as(sucesivamente. Se debe recordar que el apéndice A permite hacer una conversión de un conjunto de parámetros al otro si se proporciona alguno y se requiere algún otro. Considérese la configuración general de la figura 8.47 con los parámetros de dos puertos de interés particular. El modelo equivalente híbrido completo se sustituye más adelante en la figura 8.48 empleando parámetros que no especifican el tipo de configuración de que se trata. En otras palabras. las soluciones estarán en ténninos de h¡, h r • h¡ Y ho' A diferencia del análisis de las secciones previas de este capítulo. la ganancia de corriente Al se determinará en primer lugar porque las ecuaciones que se desarrollaron para precisar los otros parámetros.

R,

+
V,

I\¡


Figura 8.47

Z,

1,

+
v,
Transistor

+
v"

-Z"

-1"

RL

C>--

Sistema de dos puertos.

R,

+
V,

I\¡
-1

1,
Z

+
V,

=¡tI"
h,

+

~I

+
"
~;,

=;-¡

1"

h,.V"

"v

t

h,l"

l/f¡

I

Z"

RL

Figura 8.48 figura 8.47.

Sustitución del circuito equivalente híbrido completo en el sistema de dos puertos de la

Ganancia de corriente, Aí = la/lí
Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al circuito de salida 'e obtiene

Sustituyendo V(J = -loRL se obtiene

Al escribir la ecuación anterior, se tiene

lo
e

+ hoRLl,

= h¡l;

384

Capítulo 8

Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
de manera que
A, =
1,

=

(8.107)

Se observa que la ganancia de corriente reducirá el resultado deA i ::: hfen caso de que el factor hoRL sea suficientemente pequeño comparado con uno. .

Ganancia de voltaje, A, = Vo/V¡
Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada se consigue

Sustituyendo l¡ = (l + h"RJI)h¡de la ecuación (8.107) e lo = -V,/RL de arriba, se obtiene

Al resolver la relación

~/Vi

se obtiene (8.108)

En este caso se obtendrá la forma familiar de Al'::: -hrRL/h¡ en caso de que el factor (h/l()h¡hr)R L sea 10 suficientemente pequeño comparado con h i.

Impedancia de entrada, Z¡ = V;Il¡
Para el circuito de entrada
Vi

= h¡l¡ + hrVo
=

Sustituyendo se tiene Dado que

V,

-I"R L

VI = h¡l¡ - hrRLlo

A=I

lo li

lo = A¡l¡
de manera que la ecuación anterior se convierte en

Vi = hJi - hrRLA¡l¡
Al resolver la relación Vi/.. , , se obtiene

y sustituyendo

= -:I-+-h"-,-,R=-LV,
1,

se obtiene

(8.109)

La forma familiar de Z¡ = h¡ se obtendrá cuando el segundo factor sea lo suficientemente menor que el primero.
8.10 Modelo equivalente hibrido completo

385

J[
Impedancia de salida, Zo = Vo/lo
La impedancia de salida de un amplificador está definida como el cociente del voltaje de salida a la comente de salida cuando la señal Vs se iguala a cero. Para el circuito de entrada, cuando V., = O,

1= -h,Vo Rs + h¡
I

Sustituyendo esta relación en la siguiente ecuación que se obtuvo a partir del circuito de salida se tiene

y

(8.110)

En este caso la impedancia de salida se reducirá a la fonna familiar de Zo = 1/h o para el transistor cuando el segundo factor del denominador es suficientemente más pequeño que el primero.

EJEMPLO 8.13

Para lared de la figura 8.49, calcule los siguientes parámetros empleando el modelo equivalente híbrido completo y compare los resultados obtenidos por medio del modelo aproximado.
a) b)

e) d)

Z¡ y Z;. A, A I =1// yA'=nr o I I () I Zo (dentro de Re) y Z;, (incluido Re)'

18 v
>470Hl

4.7 kQ

R'~:
v, '\¡

+
v,

+f

1Hl

_

z' ,

-J,

Q ......

-1L-______~--------~~~------~------<
1.6kQ.h" "" 2x 1O-4./1,}(. = 20v

pA

Figura 8.49 Ejemplo 8.13.

Solución Ahora que están derivadas las ecuaciones básicas para cada cantidad, el orden en que se calculan es arbitrario. Sin embargo, a menudo es una cantidad útil la impedancia de entrada y por tanto se celculará de manera inicial. El circuito equivalente híbrido de emisor común completo se sustituyó y se volvió a dibujar la red como se muestra en la figura 8.50. Se obtendrá un circuito Thévenin equivalente para la sección de entrada de la figura 8.50 en el equivalente de entrada de la figura 8.51 debido a que ETh" V, Y RTh" R, = I kQ (un resultado debido a que R B = 470 kQ es mucho mayor que R, = 1 kQ). En este ejemplo RL = Re e 1, está definida como la

386

Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

R,

+
V,

"v -1

-- ~ :l
¡¡
Z,:

J[
=i)l"
L6kn

.!.
Z

+

.

Iko.

+

~l
2xIQ-lV"

V,

470'k12

"v

~

110lb

50kQ

4,7ko.~
I

-Z,;

~

+

-

-1

Théwnin

t:i.gun. S.S(} figura 8.49.

Sus.t\tudón del drc.ui.t0 e<:'¡\i\valente híbúdo c.offi?letQ en la red e<.'¡u\'lalente de ac de la

- 9 RJlkQ
(
1,
h
,

Z/

+

::

"

-.::...
-z,;
I

1

z,

I~ z"

v,

v,

"v

hr~ v"
2x 1()-4 v"

"v
-1

~

hIló

hQi' =50kO:

llorb

4.7 kn

h"" =20pS

-1
Reemplazo de la seccióñ de entrada de la figura 8.50 mediante un circuito equivalente

Figura 8.51

Thévenin,

corriente Re igual que en los ejemplos anteriores de este capítulo, La impedancia de salida 20 que está definida mediante la ecuación (8.110) es sólo para las terminales de salida del transistor. No incluye los efectos de Re Z~ simplemente es la combinación en paralelo de Zo y Re La configuración que se obtiene en la figura 8.51 es una réplica exacta de la red definida en la figura 8.48 y pueden aplicarse las ecuaciones derivadas anteriormente.
a)

La ecuación (8,109): Z, =

tV, = h"

hfehreRL

1 + ho,R L
4

1.6 kí1 _ (110)(2 X 10- )(4,7 kD.) 1 + (20 ¡.LS)(4,7 k!1) = 1.6 k!1 - 94.52 !1 = 1.51 k!l
contra 1.6 kQ utilizando sólo h ic '

z; =
b)

470 k!1IIZ, '"
-h¡,R

z, =

1.51 k!l

La ecuación (8. 108): Ac

= ---"- =

V

L ---.,--.,--""==,.----

V,

h"

+ (h"h", - h¡,h,,)RL

-(lIO)(4.h!1) 1.6 kD. + [(1.6 k!1)(20 ¡.LS) - (110)(2 -517 X 10 3 !1 1.6 k!1 + (0.032 - 0.022)4.7 k!1 -517 )( 103 !1 1.6k!1

X

10 4»)4.7 kD.

=

+ 47!1

= -313.9

contra -323.125 al utilizar A,." -h{,RJh".
8.1\\
~l<> "'luiv"",ut,,

hibrld<> <:<>Ulpleto

387

] L,
110 c) La ecuación (8.107):

1

+ (20 ",S)(4.7 kü)

110 = _.:..:..::= 100.55

J + 0.094

contra 110 mediante el simple empleo de IzV Ya que 470 kQ »Z,.I;= J" y A;= 100.55 también.

d)

La ecuación (8.110): Z

o

Vo =~ = -~--~~-lo
ho ,
-

[h¡,h"J(h"

+

R,)]

1 =~--------~~--------20 ¡J-S - [(110)(2 X 10 4)/( 1.6 ka + 1 k!1) J
= ------'----

J 1.54 ¡J-S

= 86.66 kfi
el cual es mayor que el valor detenninado mediante l/ho,' = 50 kQ.
Z~ =

RcllZo = 4.7 k!11186.66 ka = 4.46 kfi

contra 4.7 kQ utilizando sólo Re

A partir de los resultados anteriores se observa que las soluciones aproximadas para Al
y Z¡ son muy cercanas a las calculadas con el modelo equivalente completo. De hecho, aún

A¡ se diferenció por menos del 10%. El valor alto de Zu sólo contribuyó a la conclusión anterior que Z() a menudo es tan alto que puede ignorarse comparado con la ca.rga aplicada. Sin embargo, se debe considerar que cuando existe la necesidad de determinar el impacto de hrl' y de huI" debe utilizarse el modelo equivalente como se describió arriba. La hoja de especifIcaciones de un transistor en particular proporciona los parámetros de emisor común, tal como se observó en la figura 7.28. El siguiente ejemplo utílizará los mismos parámetros de transistor que aparecen en la figura 8.49 con una configuración pnp de base común para presentar e1 procedimiento de conversión de parámetros y enfatizar el hecho de que el modelo equivalente híbrido mantiene la misma distribución.

EJEMPLO 8.14

Para el amplificador de base común de la figura 8.52, calcúlese los siguientes parámetros empleando el modelo híbrido equivalente completo y compárese con los resultados obtenidos utilizando el modelo aproximado.
a)

Z, y Z;.
A,.

b)

A,yA;' Zo y Z~.

el
d)

V,

--J~ -- -+ 1;
V,

h".= 1.6kQ hr l'=2x 10-:'

h/ r == J 10 h,,,,=20).l.S

lo

1,

3kíl

z;

z,

I\¡

6V

-

Zo

Figura 8.52

Ejemplo 8.14.

-1

e

T

r

t"~~
z;
l2V

Vo

388

Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
Solución
Los parámetros híbridos de base común están derivados de los parámetros de emisor común empleando las ecuaciones aproximadas del apéndice A.
ú, _ = h'b '" _h:c.. 1.6 kn = 14.41 1 + h". 1 + 110

n

Se observa lo cercano que están las magnitudes con los valo::-es detenninados por medio de
-'------ = 14.55

1.6kn
110

n
- 2
X

(1.6 kn)(20 ¡,tS)
1

+ 110

10- 4

hfb ==

-h r,

1 + hf ,
ho ,
1 + h(,

= =

-110 1 + 110
20 ¡,tS

= -0.991 = 0.18 p5

hob

==

1 + 110

Sustituyendo el circuito híbrido equivalente de base común de la figura 8.52, se tendrá la red equivalente de pequeña señal de la figura 8.53. La red Thévenin para el circuito de entrada dará RTh = 3 kQ 111 kQ = 0.75 kQ para R, en la ecuación para Zo'

R,

~ 1 kll
I\¡
i

1

-¡;
1,

,

h;b

o

z;

z,

+ 1,
V,

~ +
hrb Ve

!

+
V,

]kQ

0.883 x 104 VI)

"v

t

-0.991 le
hfb 1,.

.-:h ob =O.18IlS

-1 Zo
b

~

=7)/0

Z· o

+
Vo

o

~ 2.2 kQ

-

Thévenin b

Figura 8.53 Equivalente a pequeña señal para la red de la figura 8.52.

a)

La ecuación (8.109): Z, ~ Vi = hib _

Ii

hfbh'bRL 1 + hobRL

= 14.41 n - -'--'-'-'-'-'-------'-'----'1 + (0.18 I'-S)(2.2 kn)

(-0.991)(0.883 x 10- 4 )(2.2 kn)

n .;- 0.19 n = 14.60 n
= 14.41

contra 14.41 Q al utilizar Z,;: h'b'

Z; = 3 Wllzi
b) La ecuación (8.107): A

~

Zi

~

14.60 n

= lo = __h..L:/b,--_
Ii
1

,

1 + hobRL

-0.991 = ----,,-,-=.:..:......_-

+ (0.18 ¡,tS)(2.2 W)

= -0.991 = hfb
Debido a que 3 ka »Zi' 1(= f¡ y A;;;:: lo / 1;= -1 también.

8.10

Modelo equivalente híbrido completo

389

J[
e)

La ecuación (S. lOS): -0 ~ ""1-:-4.-:-4-1-=0-+--""-[(:-:c-.4c-I :::--)(0c-.-=-'¡S:-¡.t-"S=-)----'-'-(--0::-.9:-9=-'1-:-)(::CO.::C8:-83=--X--=¡::C0::-4<:-)]:-:2--:.2--:k~0 14
~

-( -0.991 )(2.2 kO)

149.25

d)

La ecuación (8.110): Zo = h -[h h /(h
ob fbrb

¡b+

R )]
s

0.18 ¡J.S - [(-0.991)(0.883 x 10 4)/(14.410 + 0.75 kO)] 0.295 ¡.tS 3.39 Mil

=

contra 5.56 MQ utilizando Z(/ == l/hobo Para
Z~ =

Z: como se definió mediante la figura 8.53:
2.199 kil

Rcllzo ~ 2.2 kn113.39 MO =

contra 2.2 kQ utilizando Z; == Re

8.11

TABLA RESUMEN

Una vez expuestas las configuraciones más comunes de los amplificadores de pequeña señal a transistor, se pueden resumir sus características generales en la tabla 8.1. Debe quedar absolutamente claro que los valores que se listan son sólo valores típicos con objeto de establecer una base de comparación. Por lo general. los niveles que se adquieren en un análisis real son diferentes y seguramente no son iguales entre una configuración y otra. Poder repetir la mayoría de la información en la tabla constituye un importante primer paso para familiarizarse con la materia tratada. Por ejemplo, el lector debe ser capaz de establecer con cierta seguridad que la configuración emisor-seguidor casi siempre tiene una impedancia de entrada alta, baja impedancia de salida y una ganancia de voltaje ligeramente menor a uno. No debe existir una gran variedad de cálculos para recordar los hechos sobresalientes como los anteriores. Para el futuro, esto permitirá realizar el estudio de una red o sistema sin involucrarse en la parte matemática. La función de cada componente de un diseño se hará cada vez más familiar cuando los hechos generales tales como los anteriores se conviertan en parte de la experiencia personal. Una ventaja obvia de recordar las propiedades generales como las anteriores consiste en la capacidad de verificar los resultados de un análisis matemático. Si la impedancia de entrada de una configuración de base común se encuentra en el rango de Jos kilohms, existe un buen motivo para volver a verificar el análisis. Por otro lado. un resultado de 22 Q sugiere que el análisis puede estar correcto.

8.12

SOLUCIÓN DE PROBLEMAS

Aunque la tenninología de solución de problemas sugiere que los procedimientos que se describirán están diseñados sólo para aislar una función mal realizada. es importante observar que pueden aplicarse las mismas técnicas para asegurar que un sistema está operando de manera apropiada. En cualquier caso, los procedimientos para probar. verificar o aislar requieren de un entendimiento de 10 que debe esperarse en varios lugares de la red tanto en los dominios de

390

Capítulo 8

Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

-------------------------------------------------------------TABLA 8.1 Niveles relativos para los parámetros importantes de los amplificadores de emisor común, base común
y colector común.
Configuración
Polarización fJja:
\l cc

J[

Z,
Medio (1 kQ)

Zo
Medio (2kQ)

A,.

A
\

Alto (-200)
\

Alto (lOO)

RB

,....

Re f-o

~

hll~"
-

I

~ Re ll ,,,

I

I

[E]

~~
(r,,2: 10 Re)

~ 1_ R; ',-1
11
"

I

¡3R B r"
~

(r" + Rc1(R¡¡ + f3r,.l

(R¡¡"2lO,Br,l

~[}]
V,,;::: \O Re)

~0
(r" 2: 1ORe RH"2 IO/3r)

Polarización m\!diante divisor de voltaje·

\/cc

Medio (1 kQ)

Medio (2 kQ)

A\to (-200)

Alto (50)

R,
t'"

...

Re f-o

~I

R,IIR,II~".

I

= Re ll "

I

I

=

1_ Re ll , 1
"

,
~

~~
(ro "2 lORe )

(', +

{J(R, 11 R,)'" Re)(R, 11 R, + /3,,)
(J(R, 11 R,) R, 11 R, + /3".
(r,,"210R e )

R,

RE nCE

~[}] ,
(r,,;::: 10 Re)

-

,¡..
PolarizaCIón de emisor Sin derivación: Alto (100 kQ) Medio (2 kQ)

Bajo (-5)

RBr-Evee

I
\

Alto (50)

~ RBllz

I

b

I

~

~

Z¡, =. /3(r,.+REl

)"
+
Emisor-seguidor

= IRe ll /3RE I
(RE»

(cualquier nivel de rol

I

~ 1- ,,:eRc-1
(RE»

r)
Bajo (20 Q)

rn
R¡.:

~
RlJ + ZI,

10 r,. 'J

Alto (lOO kQ)

Bajo (=.1)
~

Alto (-50)

Re

....
f-o
RE

)

\/ec

~I RBllzb
Z¡) ==

I I

~~

f3(r,. + RE)

=\3]
(R lc » r)

G@
RE ..¡- r,.

-

= IR B II/3R E
(RE » r)

=[0
Alto (200)

[iB
Ro + Zb

+
Base común

Bajo (20 Q)

Medio (2 k.Q)
~

I

Bajo (-1)

°1
o

RE
Vu

U1

¡

Io

i~ee
Re
~

~

=GJ
(RE

~
»

~

=[iJ
"

=8]
I

r,)

Retroalimentación en colector

Medio (1 kQ)
V ec

Medio (2kQ)

Alto (-200)

Alto (50)
=

RF

,
/3

1 Re -+--

"

=hIIRF\
(ro;::: ¡ORe)

/3RF
RF + f3Re

RE

=t=J "
(r" ~ ¡ORe RF »Re)

(r" ~ tOR e )

=[E
I
391

8.12 Solución de problemas

J[
dc como ac. En la mayoría de los casos, una red que se encuentra operando correctamente en el modo dc también se comportará adecuadamente en el dominio ac. Además, una red que proporciona la respuesta de ac esperada está polarizada como se planeó. En una instalación de laboratorio se aplican tanto las fuentes de como ac y se verifica la respuesta de ac en varios puntos de la red mediante un osciloscopio como se muestra en la figura 8.54. Se observa que la punta negra (tierra) del osciloscopio está conectada directamente a tierra y la punta roja se mueve de un punto a otro dentro de la red. con lo cual se obtienen los patrones que aparecen en la figura 8.54. Los canales verticales están en el modo ac para eliminar cualquier componente de dc asociado con el voltaje en un punto en particular. La pequeña señal de ac aplicada a la base se amplifica al nivel que aparece del colector a la tierra. Se observa la diferencia en las escalas verticales para los dos voltajes. No existe una respuesta en ac en la terminal del emisor debido a las características de corto circuito del capacitar en la frecuencia establecida. El hecho que 'l/o se mida en volts y vi en milivolts sugiere una ganancia grande del amplificador. En general, aparece que la red se encuentra operando de forma adecuada. Si se desea. puede utilizarse el multímetro en el modo dc para verificar VBE y los niveles de Va- VCE Y V E con objeto de revisar si caen en el rango esperado. Desde luego, ei osciloscopio también puede utilizarse para comparar los niveles de de tan sólo con cambiar al modo de dc para cada canal. vcc

C,

!---U(-~'

v,

C,

'\

o

~(mv~
O~t

...

Conexión a tierra

...

(Selector AC-GND-DC en AC)

Figura 8.54 Utilización del osciloscopio para medir y observar varios voltajes de un amplificador BJT.

No es necesario decir que una respuesta pobre en ac puede deberse a una variedad de motivos. De hecho, puede haber más de un área con problema en el mismo sistema. Sin embargo, afortunadamente con el tiempo y la experiencia puede predecirse la probabilidad de problemas en algunas áreas, de modo que una persona experimentada puede aislar las áreas problemáticas con cierta rapidez. Por lo general, no hay nada misterioso acerca del proceso general de solución de problemas. Si se decide seguir la respuesta en ac, resulta ser un buen procedimiento el comenzar con la señal aplicada y avanzar a través del sistema hacia la verificación de cargas en los puntos críticos a lo largo de la trayectoria. Una respuesta inesperada en algún punto supone que la red se encuentra bien hasta dicha área, definiendo entonces la región que debe investigarse más a detalle. La forma de la onda que se obtiene en el osciloscopio ayudará con toda seguridad 1" definición de los posibles problemas con el sistema. Si la respuesta para la red de la figura 8.54 es como aparece en la figure 8.55. la red tiene un problema y probablemente se trata del área del emisor. No se espera respuesta a través del

392

Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[

c,

I(

+
V,

i

0:-0

V!

'\.,

Figura 8.55

Formas de onda obten!das a partir de un problema en el área del emisor.

emisor y la ganancia del sistema que está definida mediante vI) es mucho menor. Se recuerda que para esta configuración la ganancia es mucho mayor en caso de que RE se desvíe. La respuesta que se obtiene sugiere que REno está en desvío por el capacitor y las conexiones tennínales del capacitor y el mismo capacitor deben ser verificados. En este caso una verificación de los niveles de de probablemente no aislarán el área del problema debido a que el capacitor tiene un equivalente de "circuito abierto" para de. En general. un conocimiento previo sobre qué esperar. una familiaridad con la instrumentación y. lo más importante. la experiencia. son los factores que contribuyen al desarrollo de un método efectivo en el arte de la solución de problemas.

8.13

ANÁLISIS POR COMPUTADORA

El análisis a una pequeña señal de un amplificador a BJT puede llevarse a cabo utilizando un paquete de programas tal como PSpice o mediante un lenguaje como el BASIC. Ambos serán necesarios en el análisis de la misma configuración de polarización mediante un divisor de voltaje para permitir una comparación de los métodos. PSpice (versión para DOS y Windows) está bien equipado para analizar las redes de transistores y utiliza un modelo Gummel-Poon mejorado. mismo que se describe con detalle en los manuales de PSpice. La utilización de un lenguaje como el BASIC requiere que las diversas ecuaciones que se desarrollaron en el libro se apliquen en un orden específico para obtener las incógnitas deseadas. En realidad la dirección general de un programa en BASIC utilizaría la misma secuencia de pasos que se necesitan para analizar la red de manera manual (con la ayuda de una calculadora). Desde luego, el empleo de BASIC ofrece al usuario la oportunidad de definir el objetivo y el tipo de salida para un análisis. mientras que PSpice está limitado a una lista específica de cantidades de salida. Sin embargo, en general. la lista de PSpice es lo suficientemente extensa para la mayoría de las investigaciones. El análisis primero se describirá utilizando PSpice seguido después por el lenguaje BASre.

PSpice (versión para DOS)
La lista de los parámetros que pueden especificarse para el modelo PSpice es tan extensa (40 en total) que se limitará la atención a aquellos parámetros requeridos para llevar a cabo el tipo

8.13 Análisis por computadora

393

2). Ahora se está preparado para aplicar PSpice a la red con divisor de voltaje de la figura 8. éstos se definirán con el mismo grado de detalle.J[ de análisis cubierto en este capítulo.MODEL) requerido QMODEI. IS = SE - 15) ~ El último agrupamiento de la línea anterior permite la especificación de los parámetros particulares del modelo (una lista que puede incluir hasta 40 parámetros). capacitares. ya que el nivel resultante de VBE por lo general es muy cercano a 0. PSpice no permite especificar el nivel de VSE para el análisis en dc sino que simplemente necesita la corriente de saturación y una serie de ecuaciones importantes para calcular el nivel resultante de VBE ..7 V.0001 pA. etc. el paquete de programas utilizará un valor de 100. se aplicará una señal de 1 m V y se calculará la ganancia utilizando el nivel de salida. se requiere de un mínimo_ de dos líneas para describir un transistor. están disponibles los manuales de PSpice y una larga lista de publicaciones para mayor detalle para una instrucción adicional.. En el modelo la corriente de saturación inversa tiene un impacto importante sobre las características generales del modelo. No es necesario especificar todos los parámetros. cuya explicación rebasa las necesidades de este libro. debido a que VBE se fija en 0. En general. cambiará el nivel de importantes voltajes y corrientes de diseño como VBE para el análisis de de e le para el análisis en ac. De hecho. (resistcres. Según se necesiten ciertos parámetros adicionales en los capítulos subsecuentes. La siguiente línea que se necesita para definir el transistor es la línea del modelo. se seleccionó un nivel de 5 x 10. pero estará apenas arriba o abajo de este valor.56 con los nodos definidos para el análisis. una vez que los nodos de la red se han definido y se ha capturado la estructura básica. Debe considerarse que 0. Debido a que las características específicas tales como Av Y A¡ no fonnan parte de la lista de opciones de salida en PSpice.7 V sea un promedio de los niveles esperados al emplear PSpice si se especifica 1s como S x JO-15 A. Algunos de los parámetros necesitan especificarse sólo en caso de requerir la profundidad del análisis o del diseño. la cual tiene el siguiente fonnato básico: .7 V para el rango de nive!es de corriente esperado para el análisis a pequeña señal de BJT. fuentes. Según aumente la experiencia. 394 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . La primera es la línea del elemento.7 V para el análisis en de de este libro. BF representa la beta directa máxima ideal (en este caso f3 = 90). La red se ha redibujado en la figura 8. El intento básico de esta sección es ofrecer una introducción lo más clara y sencilla posible para el uso de los modelos. el paquete de programas utilizará un valor implícito que es típico para el dispositivo que se está investigando. En otras palabras. Su valor implícito es de 100. aunque a veces se hace referencia a ellos en el manual PSpice.) en el archivo de entrada. Si se requiere un parámetro en particular para desarrollar un análisis PSpice y no está detallado. la cual tiene el siguiente formato: QXISTOR requerido 1'------' nombre • ~--' 9 -~ nodo de la base ~--' 7 nodo del colector nodo del emisor de transistor '-=--'-"/ QMODEL nombre del modelo que estará definido mediante la siguiente línea Existen otros parámetros en esta línea. Por esta razón VBE rara vez será exactamente igual a 0. Cambiar el nivel de l.9 (ejemplo 8. lo cual indica que si el parámetro no se especifica por arriba.15 A para 105 . Su valor implícito es de 1E-16 o 0. nombre del modelo especificado en la línea de elementos anterior Ji~ tipo de transistor (requerido) parámetros que especifican el modelo ~--------~ (BF = 90.

2 ka -1 [OJ RE Figura 8. Como se requirió para la fuente de ac. 56 k!l 6. y VBE =0. Hasta ahora.57 deben resultar bastante familiares y legibles.6 mW. El único impacto real de la frecuencia aplicada será sobre los elementos capacitivos y su efectividad como corto circuitos equivalentes para el análisis en ac.J[ Vcc ==22V Re R.1 p.15 A en la siguiente corrida. Luego se define el transistor en las dos líneas siguientes y QMODEL es el nombre del modelo del tninsistor.0 A.:= \ mVLO a C C 0 ~=90 r~F R. = Vee = 22 V Luego el archivo de salida ofrece la corriente de la fuente para Vce con el nivel de dc de la fuente de ae. V" de 0. El comando .c) = OV V. Una vez que se ha capturado el archivo de entrada.56 Definición de los nodos para un análisis por medio de PSpice de la configuración mediante divisor de voltaje. NF (el coeficiente de emisión de corriente directa). Por tanto.27 mA(eomparado contra 1A1 mAen el ejemplo 8.13 Análisis por computadora 395 . 0B v" '\.8 kll o + V. BR (la beta inversa máxima ideal) y NR (el coeficiente de emisión de corriente inversa) toman el valor implícito de uno.A. La potencia total disipada por los resistores y el transistor es de 35. f 1 E 0 l. PSpice está diseñado para llevar a cabo un análisis de automático de la red. le 1. se seleccionó una frecuencia de 10kHz para la corrida.7 V utilizado en el ejemplo 8. no se especificó un valor de IS para demostrar el impacto sobre los resultados obtenidos. las primeras ocho líneas del archivo de entrada de la figura 8.354 V V.9285 V V1 = Ve = 2. Se puede ver que f3 (BF) es 90 e l.5 ka C E = 20 ~F 8.2). Los valores de de VBC y VCE = 8. La segunda corrida incluirá el nivel sugerido de IS para propósitos de comparación. en 5 x 10.7089 V V3 = Ve = 13. Después se proporcionan otros niveles de de para las redes tales como lB = 14.2). Los resultados son v.78 V (el cual excede el nivel de 0.PRINT solicita tanto la magnitud como el ángulo de la fase para el voltaje de salida del colector a la tierra. = VE = 1. Debe tenerse en mente el nivel de V BE cuando se repasen los resultados al fijar (. se ejecuta PSpice y se enumera una lista de parámetros del modelo BJI. = V aterrizado tpara o. (IS) tiene el valor implícito de 1 x lO"" pA. Pero. Las últimas tres cantidades definen el comportamiento del modelo de una manera que escapa a las necesidades de este libro y que tendrá un impacto despreciable sobre el análisis actual en pequeña señal. Se observa en el renglón del modelo que beta se especificó como de 90.

* lB IC VBE VlIC OPERATING POINT INFORMATION '!'EMPERATURE "" 27.OOB...56E-02 HATI'S *••• ....9285 22.3540 ( NODE 4) VOLTAGE VOLTAGE SOURC! CI1RRENTS NNIE vcc VS C\JRRE1IT -1. 82E+17 AC AHALYSI S TE>!PERATtlRE 27.0) VPC3..S0E-Ol -1.5K Re 5 3 6.OP 20UF AC 1MV o 1 QMOOEL QHODEL NPN(BF=90) . 396 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . 616E-03 O. OO 1.000 DEe e BIPOLAR JOHCTIOH TRANSISTORS Ql QlIODEL RAllE IIODEL /GM ve! IlETADC RPI RX RO 1.Confiquration of Fig.92E-02 1 ...000 CEG e 0..8K el 4 2 lOUY CE 1 O VS 4 o 01 3 2 .J[ voltage-Divider Bias .OPTIONS NOPAGE .14E+01 9.56{IS •••• CIRCUIT OESCRIPTION default value) VCC 5 O OC 22V RBl 5 2 56K RB2 2 08.MODEL .. 12 O.068:+01 1.340E-01 -1.aooaOOE-la 90 1 BR 1 NR 1 .O) VP(3..AC LIN 1 lOKH lOKH . OOE+ao 9.. 27E-03 7..000 DEG •• *.END •••• BJT MOOEL PARAMETERS QMODEL NPN 15 BF NF lOO.21< llE 1 O 1.7089 ( HODE » VOLTAGE 13.*** NODE SNALL SIGNAL BIAS SOLUTION VOLTAGE 1) $) TIlMPERATURE = 27.0000 NaDE ( 2) VOLTAGE ( ( 1.O) ..4lE-OS 1 .OOE.OOE+OO O.OO O.00E+01 7 .000E+04 Figura 8.00C>O 2.*.O) 1.7771+02 Análisis por medio de PSpice de la configuración mediante divisor de voltaje de la figura 8.PRINT AC \'1'1(3.57 3.OOE+OO O.00E+01 '.56 con IS '" valor implícito. 8.002. FREO e VM(3. 83E+03 eBE cBe CBX CJS BBTAAC P'1' O.OOOE+OO TOTAL POWER DISSIPATIOH 3.

El cambio de fase es de 177.Q) . Sin embargo.82 x 10. 679E-03 O.69E-02 WA'l"TS TOTAL POWER OISSIPATION figura 8. se obtiene una mejora definitiva cuando se comparan los resultados manuales y mediante el PSpice.8K el 4 2 lOUF CE 1 VS 4 o o 20UF AC lMV o Ql 3 2 1 QMODEL .. La seleccÍón de una frecuencia mayor o el Íncremento del nivel de capacitancia acercaría al cambio de fase a 180°.OOOE+OO 3. Por lo general. algunos de los parámetros probablemente no tengan algún significado por el momento.0235 22 .6 V Y 11.OOOOOOE-15 90 NF SR NR 1 1 1 SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION NODE ( ( 1) S) TEMPERATURE- 21.0000 VOLTAGE NaDE ( 2) VOLTAGE NaDE ( 3) VOLTAGE NaDE ( 4) VOLTAGE 2. pero algunos Son muy reconocibles y pueden resultar útiles durante la verificación de un diseño o análisis.83 ka como está especificado mediante RPI. respectivamente.76 calculada en el ejemplo 8. El siguiente análisis en ac revela que la magnitud de Vo es de 334 m V para una ganancia de voltaje de 334 comparado con una ganancia de 368. 8.2.33 mA comparado con 1. El nivel de le es de 1.AC LIN 1 lOxa lOKH .11 V para el ejemplo 8. = (90)(20. 5 x lD-1S A.000 DEG e 0.56 con 15".OP . y la beta de de es igual a la beta en ac de 90.PRI~ AC VM(l. la impedancia de entrada es f3r.Configuration of Fiq.9280 VOLTAGE SOUllCE CURRENTS NAME CtlRRENT VCC VS -1.J[ entonces se especifican como -10..2.58.: 20.MODEL QMODEL NPN(BF=90 15=5E-15) .15 A se demostrará con claridad mediante la corrida de la figura 8.827 ka o 1.41 mA. Entonces. La transconductancia glll = llre y re.. 0000 2. y la ganancia de voltaje de ac ahora es de 350. La resistencia de salida está listada como de 1 x 10 11 a y la beta en ac es de 90 siendo FT (el tiempo ideal de tránsito directo) (por las iniciales en inglés.13 Análisis por computadora 397 .3 a) = 1.O) VP(l. 8.7039 12.7º en lugar de 180º debido a los elementos de capacitancia de la red.4 V.76 del ejemplo 8. es considerablemente mejor si se obtiene la solución exacta en vez de la aproximada en el ejemplo Voltage-Divider Bias .0235 V comparado con 2.2.56(specified 15) •• ** CIRCUIT DESCR1PT10N VCC 5 O OC 22V RBl 5 2 56K RB2 2 O 8. Forward Transit) igual a 7.4 en comparación con 368.ElID **** IS BF BJT MODEL PARAMETBRS QMODEL NPN S. El nivel de VE ahora eS de 1.2K RE 1 O L5K Re 5 3 6.58 Análisis por medio de PSpice de la confíguración mediante divisor de voltaje de la figura 8.3 Q.OPTIONS NOPAGE .17 s. El efecto de cambiar ( a 5 x 10. De nuevo.

J[

.....
* •• *
HAllE

OPERATING POINT INFORMATION

TEMPERATURE

27.000 OEG

e

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
Q1 QMODEL
1. 48E-OS

MOOEL lB

VBE
VBC
GM

le

1.)3E-OJ
6.80'f:-Ol

veE
RPl
RX RO

BETAOC

CSE CSC

CBX
CJS

n

BETAAC

-1.02E"Ol 1. 09E+Ol 9.00E+Ol 5.16E-02 1. 74E+03 O.OOE+OO l.OOE+12 O.OOE+OO O.OOE+OO O.OOE+OO O.OOE+OO 9.00E+Ol
8.21E+17

••• *
FREQ

AC ANALYSIS
111<(3,0) VP(3,O)

TEMPERATURE

'C

27.000 DEG

e

1.000E+04

3.504E-Ol

-1.776E+02

Figura 8.58 Continuación.

8.2. En especial se observa que VBE ahora es de 0.68 Y, el cual se compara de manera muy favorable con el valor fijo aproximado de 0.7 V. Por tanto, para el análisis de pequeña señal que se desarrolló en este libro mediante el uso de PSpice, IS se especificará como 5 x 10- 15 A.

Análisis del centro de diseño de PSpice para Windows
Ahora que se presentaron los movimientos básicos para el desarrollo de la red sobre la malla esquemática, la descripción actual se concentrará en las variaciones presentadas mediante el análisis de ac. En la figura 8.56 se desarrolla la red empleando los esquemas, como se muestra en la figura 8.59. Se observan la fuente de ac de 1 mY y el símbolo de la impresora en la terminal de salida de la red.

+

---l-VCC 22V

I

Rl 56k

Re
6.8<
'3.1090 01 02N2222

AC=ok MAG=ok PHASf=ok

2.6 79'

Figura 8.59 Red de la figura 8.56 después de la aplicación de PSpice para Windows.

VS~~. 'mvy ~r 8.~~ ~

e

RE

• +

15k

t

t""-~i-c-,~p
j'20u F

.9911

La fuente senoidal es una parte (New Part) que aparece en la librería source.slb como VSIN. Al oprimir dos veces la fuente sobre el esquema aparece una lista de atributos que deben seleccionarse. Para el ejemplo,

398

Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

VAMPL = l mV (el valor pico de la señal senoidal) FREQ VOFF AC = 10kHz (la frecuencia de interés) = O (sin desfase o desfasamiento de voltaje de para V)
= 1 mV

PHASE = O (sin ángulo inicial de fase para V)

Después de cada entrada debe asegurarse de guardar los atributos (Save the Attribute) antes de dejar la caja de diálogo. El símbolo de la impresora se obtiene de la librería specíal.slb de la caja de diálogo de Get Part como VPRINTl. Cuando se coloca sobre el esquema, especifica el voltaje en el punto que será impreso en el archivo de salida (.out). Al oprimir dos veces el símbolo sobre el esquema. se produce una caja de diálogo PRINTl en la cual deben hacerse las siguientes selecciones con objeto de obtener la magnitud y el ángulo de la fase del voltaje de salida: AC=ok MAG=ok PHASE=ok
Las selecciones anteriores pueden listarse jumo al símbolo de la impresora sobre el esquema con sólo oprimir la opción cambiar despliegue (Change Display) y seleccionando el nombre del despliegue (Display Value) y el nombre (Name) para cada una. Se insertan los tres puntos de vista (VIEWPOINTS) mediante la siguiente secuencia: Draw - Get New Part - Browse - special.slb - VIEWPOINT. Cada uno se coloca en su lugar y luego se oprime para rntroducirlos al sistema. Cuando se han colocado los tres. el proceso se completa al oprimir el botón derecho del mouse. Antes de ejecutar el programa deben definirse los nodos que sean iguales a los representados en la figura 8.56 de forma que puedan compararse los resultados. En general, cuando se construye una red, se colocan todos los elementos similares tales como el resistor antes de cambiarse a otro elemento como el capacitar. El resultado es que puede no haber un orden lógico para los nodos en la lista neta. Para ajustar los nodos asociados con cada elemento. simplemente se selecciona análisis (Analysis) y luego examinar lista neta (Examine Netlist). El resultado que se obtiene consiste de una lista de los elementos y los nodos asignados a cada uno. Los nodos asignados para cada elemento pueden cambiarse después por medio de una sencilla secuencia de insertarlborrar hasta que concuerden con aquellos de la figura 8.56. Cuando se ha completado, se sale del listado. Surgirá un texto que; pregunta si se desean guardar los cambios, lo cual es áhora el caso. Ahora se está listo para desarrollar el análisis mediante la selección de Analysis seguido por la inicialización (Setup). Dentro de la caja de diálogo de Setup se elige (barrido de ac) (Ae Sweep) aunque la intención sea la de trabajar con una única frecuencia. Después de oprimir dos veces la caja AC Sweep, deben tomarse algunas decisiones acerca de la frecuencia aplicada. Se selecciona tipo de barrido ac lineal (Linear AC Sweep Type) junto con lo siguiente:

Total Pts. End Freq.

=1 = 10 kHz

Start Freq. = 10 kHz

Después de seleccionar OK en las entradas, se elige Probe Setup, seguido de Do not Auto-Run Probe, lo cual ahorrará tiempo en la obtención de los datos deseados al evitar una cantidad de cajas de diálogo de pruebas. Ahora se está listo para simular bajo el encabezado Analysis para obtener los resultados deseados. Si todo se capturó de forma adecuada. aparecerá una caja de diálogo, la cual indicará eventualmente que se ha concluido el análisis ac. Para revisar los resu1tados simplemente se abandona la caja de diálogo, se regresa a Analysis y se selecciona Examine output (examinar salida). El listado es algo extenso y la figura 8.60 incluye solamente aquellas partes que por el momento son de interés.
8.13 Análisis por computadora

399

••••

CIRCV1T DESCRIPTION

............................................................................... .....
R RE e-CE

R:R2 <LQI
V Vs.

oSN_OOO2 8,2k

O $N 0001 LSk OSN:OOOI2Ouf

SN_oooJ SN_OOO2 SN_OOOI Q2N=-X

$N 00040 AC huV +SlN o JmV 10kHz o o o C_C SN_OOO4SN_OOO2 lOuF R_RI SN_OOO2SN_OOOS S6i<

R Re
V=Vc:c

SN 0003 SN OOOS 6.11k
SN)OOSOOC22V

•••• arr MODEL PAIlAMETERS
•..••..••••....•..•....•..••.........••..........•.....•........•........

......

Q2N=-X
NPS IS ,.. OOOOOOE-l S
BF 90 NF 1 VAF 7403 1KF .2141

ISE 14 34OOOOE-1 S
NE 1 307

.BR 6.092 NR I RB 10 R.BM 10 RC I CJE 22.010000E_12 MJE .377 CJC 7.306000E.12 MJC 3416 TF 411.1oooo0E-12
XTF 3

VTF

1.7

!TF .6 TR 46_910000E..()9

XTB

U
SIGNAL BIAS SOLLiIQN
TEMPERATI..;"R.E:- 27.000 DEG

.... s."dAl.L e .......................................................................... .....
NODE VOLTAGE vOLTAGE (SS))OOI)
1.9911

NODE VOLTAGE

:'ItQDE VOLTAGE

NODE

(S"S_0002)
($N -"004)

2.6679

(S" _0003) 13.1090
($N_OOO3) Z2 0000

00000

VOl.. TAGE SO¡;RCE ClJRRE!','TS

NAME

ctJ!UU¡Nf

O.OOOE+OO -1653E"()3

TOTALPOWERDISSlPATION 364E-02 WATTS

Figura 8_60

Respuesta de salida para el análisis en ac de la figura 8.56.

400

Capítulo 8

Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

JL
•••• O'PEllATIN:GPOINTINfOllMATION

'I'EMPfllAnJRE= 27.000DEGC

................................•.....•...•...........••.•.....••••.....• .....
•••• BIPOLAR. JUNCfION TRANSIStQR.S

NAME Q..Ql Q2N2222~X MOPEL I8 \.99E-OS le 1.31E~3 VBE 6.77E-OI VBC ·1.04E+01 VCE 1.l1E+Ol 6.SBE-+o} BETAOC GM 5.03E..02 RPl 1.42E+03

R.X

I.OOE+Ol

RO 6.46E.~ CBE 5.80E~11 CBC 2.9OE~12 CBX O.OOE+OO CJS O.OOE-+OO BETAAC 7.l5E+OI Fr 1.32E+08

....

AC ANALYSlS

TEMPERATUltE '" 27.000 DEG e

.......................................•••••.....................••.••.•.

LOOOE-+-04 3073E-Ol -L719E+Q2

Figura 8.60 Continuación.

Se observa que los nodos listados tienen los mismos valores numéricos que los que aparecen en la figura 8.56. Luego. siguen los parámetros del modelo BJT (BJT MODEL PARAMETERS). los cuales indican el valor seleccionado de 90 para la beta dc y 5 X 10- 15 para IS. Se proporcionan los niveles para los varios nodos: luego se igualan los valores que aparecen con los puntos de observación (VIEWPOINTS) de la figura 8.56. El siguiente listado de transistores bipolar es de unión BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS proporciona una variedad de niveles de de y de parámetros de la red. Se observa que ahora la beta de de es de 65.8 con la beta de ac de 71.5 en lugar del valor capturado de 90. La versión para Windows ajusta la beta según las condiciones de operación. Por tanto. los resultados de ac serán un poco diferentes de los obtenidos con anterioridad al emplear el modelo re' Si se requiriera una similitud exacta. no se seleccionaría el símbolo del transistor sino que se insertaría en la red el transistor del modelo re con una fuente de corriente controlada y los niveles de resistores adecuados. La respuesta en ac indica que la magnitud del voltaje ac de salida es de 3()7.3 mV con un ángulo de la fase de 177.9° comparado contra 334.0 mV y 177.7° de la versión para DOS de PSpice. Los capacitares presentes crearon un cambio de fase menor a 180º. Si se desea una impresión del voltaje de salida. puede utilizarse la opción Probe. El primer paso consiste en regresar a la opcíón de análisis (Analysis) seguido por la selección de inicialización (Setup). Ahora se selecciona la opción (Transient) transitorio y se desactiva el barrido (AC Sweep) recién utilizada. Al oprimir dos veces la caja Transient. pueden hacerse decisiones acerca del análisis que debe desarrollarse. El periodo de la señal aplicada de 10kHz es de 0.1 ms o 100 ps. La opción del intervalo de impresión Print Step se refiere al intervalo de tiempo entre la impresión o graficación de los resultados del análisis transitorio. Para el ejemplo. se selecciona I ps para ofrecer 100 puntos por ciclo. El tiempo final (Final Time) es el último instante en que se calculará la respuesta de la red. La selección es de 500 fls o 0.5 ms para proporcionar cinco ciclos completos. Se eligió no imprimir el retardo (No-Print Delay) 8.13 Análisis por computadora

401

JL
en Odebido a que todos los capacitores se encuentran esencialmente en corto circuito a 10kHz. La última selección es el intervalo máximo Step Ceiling que establece un valor máximo entre los cálculos obtenidos para el sistema, que en este caso se fijaron en 1 ps. El tiempo entre los cálculos será ajustado de manera interna por el paquete de programas para asegurar información suficiente en los momentos en que la respuesta deseada cambie más rápido de 10 usual. Sin embargo, nunca estará separado por un periodo mayor que el establecido en Step Ceiling. Ahora se regresará a Probe Setup y se seleccionará la opción Automatically Run Probe After Simulation (ejecutar prueba después de la simulación de manera automática). Al regresar a análisis (Analysis) debe seleccionarse simulación (Simulate) para establecer los datos solicitados para la respuesta de Probe. No se puede ir de manera directa a Run Probe porque aún no se ha establecido el archivo de datos. Una vez que se ha completado el análisis se activa la opción trazar Trace seguida por la opción Add (añadir) para "añadir" un trazo a la gráfica. Ahora aparecerá una lista de opciones, y ya que se desea observar al voltaje de salida en el colector del transistor, debe seleccionarse V(Ql:c). Debido a que no aparece en la lista que se proporciona, se oprime en Alias Names (nombres ficticios) y aparecerá una lista mayor donde aparece V(Ql:c). Al seleccionarse aparece en el comando de rastreo (Trace Command) el cual se activará mediante OK (figura 8.61).
:3.6V

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...

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·v·

\./
200...,s 40C,,!>

\;

lOOus

TlIr.e

Figura 8.61

Voltajes de salida Vo

=Ve para la red de la figura 8.59.

El rango del eje y se seleccionó automáticamente para mostrar con claridad la forma completa de la onda. Se muestran cinco ciclos completos de la forma de salida de la onda (con 100 puntos de datos para cada ciclo) dentro del periodo de tiempo seleccionado de cinco periodos completos de la señal aplicada. El valor entre los picos de la forma de onda es de aproximadamente 13.42 V 12.81 V =0.61 V, como resultado un valor de pico de cerca de 0.61 V / 2 =0.305 V =305 m V, el cual se encuentra muy cercano al valor impreso con anterioridad. Si debe hacerse una comparación entre los voltajes de entrada y de salida en la misma gráfica, puede utilizarse la opción añadir eje (Add Y-Axis) Y dentro de la selección del menú de graficación (Plot). Después de seleccionarse, debe regresarse al comando Trace para utilizar la opción ADD (añadir) una vez más. Esta vez puede procederse con la lista de Alias Names, la cual incluye V(Vs:+) como una opción. Tomar esta opción dará por resultado las formas de ondas de la figura 8.62, la cual incluye una escala para cada forma de onda a la izquierda de la gráfica. Se añadieron los textos en los diagramas al elegir la opción herramientas (Tools) de la lista del menú seguido por la etiqueta (Label) y texto (Text). Una vez que se selecciona Text, aparece una caja de diálogo que solicita el texto que aparecerá en la gráfica. Después de teclear

402

Capítulo 8

Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

.JL
1 : 3. bV
: . Cm\.'

l',\ .

? \,

/\

i\ ..

,
1).2V
:lV I
Ve (oC)

----~----~----.,_.

.,
I

-,1

lJ

JV·

..
"' 8:11V
.. ¡

..
\/ .Y
100\.1s • V(Vs:+:

.. ,,

-

--.:.---{

,
l.

,

,
,.
V
4001:';

"-~

['

:2

8V

".
~

\~./ ---_.\/
200",0

...

" V.

\
.. ve

\)

\ :

.

3CCus

?OCUS

Q

V(Ol:c)

:::

Figura 8.62

Ve y V s para la red de la figura 8.59.

Vs (contra) y oprimir la opción OK, aparecerá Vs en la pantalla y podrá colocarse donde sea necesario. De la misma manera se colocaron las etiquetas restantes en la gráfica. Las líneas se añadieron al seleccionar otra vez la opción Tools y luego la opción línea (Jine). Aparecerá un lápiz y utilizando la misma técnica que la que se emplea para las líneas en los trabajos de arte, pueden añadirse las líneas que se muestran. Se observa la relación fuera de fase entre las dos fonuas de onda y el hecho de que Ve se encuentra sobre un nivel de de 13.1 V. En caso de desear dos gráficas por separado, puede seleccionarse la opción Plot y seleccionar Add Plot (añadir gráfica). Al seleccionarse aparecerá otra gráfica esperando que se tome la siguiente selección por medio del regreso a la opción Trace y Add de V(V s:+) a partir de la lista de Alias. El resultado que se obtiene es el par de gráficas de la figura 8.63 que
! .OmV· .

,, ,

\.
SSL:>;:-

!

-l.O::V V (Vs:':
l3.W~

..

\\
13 .2V '

/~\

\\ /
\

\\
\
\ . .~
40Cu"

,1

¡

/

12

av·

\j

\

\

/

/

/
.,
~CO\J"

..

"

3CO\J~

Y(Q1:c)

Figura 8.63

voy ve como gráficas por separado.

8.13

Análisis por computadora

403

JLpresenta cada fonna de onda de manera separada. Una vez más se añaden las etiquetas Vs y Ve utilizando la opción de herramientas (Tools). Sin embargo. debe tenerse en cuenta que las etiquetas para la primera gráfica deben ser capturadas antes de seleccionar la¡;; etiquetaS para la segunda gráfica. La última forma de onda que se muestra en la figura 8.64 demuestra el empleo de la opción Cursor bajo el encabezado de herramientas (Tools). Al seleccionar Cursor y luego Display (desplegar). aparecerá una línea en el nivel de de de 13.1 V. Al oprimir el mouse. aparecerán una línea horizontal y una línea vertical que se intersecan sobre la curva. Al oprimir sobre la línea vertical y manteniendo oprimido el botón del mouse. puede moverse la línea vertical sobre la forma de onda. Se observa en la caja Probe Cursor que se registra la ubicación de la intersección llamada Al. Si se mueve al valor pico, su valor es de 13.421 V Y el elemento del tiempo es de 75 J.1S. Al oprimir el botón derecho del mouse, aparece una segunda intersección, Hamada A2, la cual también registra su ubicación en la caja Probe Cursor. La información restante en la tercera línea de la caja consiste en la diferencia entre las dos intersecciones sobre los ejes horizontal y vertical, respectivamente. Si se fija A2 al fondo de ve será de 12.807 V a 125 .us (se debe observar la línea del fondo de la figura 8.64). Por tanto la posición del cursor indica la magnitud y tiempo de la localización de la señaL 10 cual puede ser muy conveniente para una gran cantidad de aplicaciones. Obsérvense las etiquetas sobre la gráfica al emplear la opción Tools~text. Puede obtenerse con facílidad al utilizar dos diferentes intersecciones.

13 .4V '

,

!
13 .<,v·:

A--.
I

?'\

!

:\
13 .ov·.

:\

i

\
-.

!

12.8V+·"_._ ...
O, o V(Ql,c)
lOOu~

\)

\

,/

V"

\
200u,

\

/

.\J.
3COu~

4~Ou~

.v. -- '

Al, (75. OOOu, 13.421)

A2, (125. ooo·~, ~2. sel7)

DlFF (111 , (-50. OOCu, 613.907:1'1

figura 8~64

Utilización de la opción Cursor sobre vcpara la red de la figuraS.59.

La introducción anterior fue relativamente breve debido a las restricciones de espacio y prioridad, pero su propósito se cumplió si ahora parece evidente la relativa simplicidad de la aplicación de PSpice para calcular la respuesta a pequeña señal. Cuando el tiempo así lo permita, deben leerse muy cuidadosamente los manuales para entender por completo el efecto de los varios parámetros y las ecuaciones involucradas con el modelo PSpice. Está disponible una versión comercial de PSpice que tiene un catálogo completo de transistores específicos en memoria listos para ser utilizados por el paquete de programas PSpice. En otras palabras. el archivo de entrada puede incluir la referencia a un transistor en particular y el paquete insertará automáticamente los parámetros que describan mejor al transistor para el análisis que se llevará a cabo. Puede obtenerse información adicional respecto a la versión disponible en el mercado

404

Capítulo 8

Aoálisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
al escribir directamente a Microsim Corp. Ahora se comparará el análisis anterior con el análisis del mismo circuito utilizando ahora el lenguaje BASIC.

BASIC
El programa BASIC de la figura 8.65 analizará la configuración de polarización mediante divisor de voltaje de la figura 8.56 con las características adicionales de que también puede proporcionar una solución en caso que una porción del resistor del emisor no presente desvío y pueda también incluir los efectos de una resistencia fuente y de carga. La resistencia del emisor se ha designado como RE: en caso de no estar en desvío y RE" en caso de tener desvío.

10 REM

*****-**********************************************
PROGRAM 8.1

20 REM

******************** •••• ***.*** •••• *.** •• ***.******* 40 REM 83T AC ANA1YSIS 50 REM USING re ANO BETA PA,AAMETERS 60 REM ••• * •• * •• -*** •••••• * •• * ••••••••• *•••••••••••• *••••••
30 REH

70 REH 100 CLS

110 PRINT ftThis program performs the ac ealeulations" 120 PRINT nfor a 8JT vOltage-divider using the re and beta parameters."
130 140 150 160 170 200 210 220 230 240 250 PRINT PRINT "Enter the following eireuit data:" PRINT INPUT "RB1=";Rl INPUT "RB2:";R2

190 INPUT "Re-"iRe 190 INPUT "Unbypassed emitter resistance, RE1-d¡El

INPUT "Bypassed emitter resista~ce, RE2=";E2 PRINT INPUT "Beta-"¡BETA INPUT "Supply voltage, VCC-";CC INPUT "Load resistance, RL=" ¡RL INPUT "Source reslstance, RS-";~S 260 INPUT "Source voltage, VS-"¡VS 270 PRINT!'PRINT 280 cosue 11200:REM Perfor. ae analysis 290 PRINT "The resulta ol the ae analysis are:" 300 PRIN'I' 310 PRINT "Transistor dynamie resistanee, re-";RE;"ohms" 320 PRtNT 330 IF CC-IE*(RC+El+E2)<=O TREN PRI~ "circuit in saturation." :GOTO 420 340 PRINT "1nput impedance. Ri-~:RI~·ohaa" 350 PRINT "Output impedanee, Ro-"iRO;"ohms"

360 PRINT "Voltage-qain(no-load), Aq.";AV 370 PRINT "CUrrent gain, Ai-"iAl 380 PRINT 390 PRINT ·output voltage(no la.d), Voe"¡VO¡"volts·

400 PRINT 410 PRINT "Output voltage(under load), VL-"~VL;"volts· 42.0 PRINT 430 VM~CC-IE*(BETA/(BETA+1»*(RC+El+E2) :REM KaXimum signa1 swinq 440 IF ABSCVL»VM THEH PRINT "but maximum undistorted output is"¡VM;"volts" 450 END 11200 REM ~odule to perform BJT ac analysis using re .odel 11210 RB-Rl.CR2/CRl+P2» 11220 RP-RC*(RL{(RC+RL)) 11230 BB-R2*CC{(Rl+R2) 11240 IE2(BB-.7)*(BETA+l)/(RB+BETA*(El+E2» 11250 REc.026{IE 11260 R3-BETA*CRB+El) ;;2,0 RI=RB*IR3/(RB+83»
11280 Ro-ltC

112'0 11300 11310 11320 11330

AI-(RC{(RC+RL»*BErA*(RB/(RB+83») AV--RC/(El+RE) VI-VS*(RI/(RI+RSll VO=AV*VI VL-VO*CRL/CRO+RL»

113 4 O RE"l'URN

Figura 8.65

Programa BASIC para el análisis en ac de una configuración BJT.

8.13 Análisis por computadora

405

J[
RON Thls proqram performs the ac calculations tor a BJT voltage-divider using the re and beta parameters.

Enter the followin9 circuit data:
RaI-? 56E3 R82-? 8.2E3
RC-'? 6.8E3

Unbypassed emitter resistance, RElc? O Bypassed emitter resistance, RE2=? l.5E3 Beta=? 90 Supply voltage, VeCe? 22 Load resistance. RL-? IOE3
Source resistance, RS-? 600

Source voltage, VS-? lE-3 The results of the ae analysis are: Transistor dynamic resistance, re- 19.24912 ohas Input impedanee, Ri~ 1394.631 obas output iBpedance, Ro- 6800 ohas voltage-qain(no-load), Av--353.263 CUrrent galn, Ai- 29.32569 output voltage(no load), Vo--.2469988 volts output voltage(Under load), VL=-.1470231 volts

Figura 8.65 Continuación.

El módulo de las líneas 11210 a 11260 calcularán los parámetros importantes para el modelo de transistor de la figura 8.66 y llevaría a cabo el análisis requerido. Los pasos secuenciales del módulo deben revisarse con cuidado y compararse con los cálculos desarrollados de forma manual (calculadora).

-+-

1,

-+-

lb

V,

-1 '\¡
Z,

+

R~

+
Vi

"
R, R,

-- -- -1,
1,

+

~

Z,

Re

V,

RL

RE,

'='

'='

'='

.¡.

'='

FIgura 8.66 Red analizada mediante el módulo que se extiende desde la línea 11210 a la línea 11260 del programa BASIC de la figura 8.65.

Una ejecución del programa con los valores de la figura 8.56 proporcionará los resultados que aparecen al final de la figura 8.65. En particular, debe observarse la forma en que puede escribirse el programa BASIC con objeto de proporcionar infonnación acerca del sistema de una manera clara, concisa, tabulada. El nivel de R¡ ; R' 11 f3r, ; 1,394.63 n, el cual es diferente a RI en la versión para DOS de PSpice debido a que RI incluye sólo la impedancia de entrada de la configuración del transistor (f3re). La ganancia sin carga es de 353.26, la cual se compara favorablemente con los 334 que se obtuvieron al emplear PSpice. La ganancia de corriente d" 4.9 x 10-25 A OA, es debida a la ausencia de una carga para definir la corriente de salida. La . ausencia de una carga también da por resultado que A}, = A, ~ :->L

=

406

Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
§ 8.2 Configuración de emisor común con polarización fija
1. Para la red de la figura 8.67: a) Determinar Z¡ y Z". b) Encontrar Al' y A¡, e) Repetir el inciso a cuando r" = 20 k.o. d) Repetir el inciso b cuando ro = 20 H2.

PROBLEMAS

12 \

220 kQ

v,

0---::-11--------1
1,

--Z,

Figura 8.67

Problemas 1,21,

2. Calcular Vce para la red de la figura 8.68 para una ganancia de voltaje de Al' ::: -200.

4.71d2
I

\m

(----<o v,.

Figura 8.68
o;:

Problema 2.

3. Para la red de la figura 8.69: a) Calcular lB" le y re" b) Detenninar Zj y Zo' e) Calcular A .. y A¡. d) Detenninar el efecto de ro =: 30 ka sobre Al' y A¡.

lOY

+lOV

Ftgura 8.69 Problema 3.

Problemas

407

Ji:::

§ 8.3 Polarización mediante divisor de voltaje
4. Para la red de la figura 8.70: a) Determinar r,,' b) Encontrar Z¡ y Z{). e) Encontrar Al' y A" d) Repetir los incisos b y e cuando r" = 25 kQ.

, - - - - 1 - - - - - - 0 Va

39 k!2

82

~
kQ
I

,., kn

~v,
Ce

V,

--1,

I~F

o----jl--+---I
4.7 kn

ft= 100 r" = 50 k,Q

#= lOO
f,,= "" kQ

Z,

5.6kü
1.2W
1 kn

Figura 8.70

Problema 4.

FIgura 8.71

Problema 5.

5. Calcular Vce para la red de la figura 8.71 si A,. = ~ 160 Y rv == 100 ki2. 6. Para la red de la figura 8.72: a) Determinar re' b) Calcular VB y Ve e) Determinar Z¡ y A\, = V/Vi"
Vcc ==20V

6.8 kn
220kn

Ve

f-----o V
Ce
ft=180 r o =50k,Q

o

Vi

-Zi

o----j
Ce

V.

----~r_-o20V

56k!2

Figura 8.72

Problema 6.

Vi

§ 8.4 Configuración de E-C con polarización en emisor
7. Para la red de la figura 8.73: a) Determinar re' b) Encontrar Z¡ y Zv' e) Calcular A\, y A ¡' d) Repetir los incisos b y e cuando r(,

--li

~~.o.-----I

ft=140 r~= IOOkQ

Z,

1.2 k.Q

-Zo

':=

20 kQ.

Figura 8.73

Problemas 7, 9.

408

Capítulo 8

Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
8. Calcular RE y RB para la red de la figura 8.74 si Av =- -10 Y re =- 3.8 Q. Suponga que Zb = f3R E 9. Repita el problema 7 cuando Rt encuentre desvío. Compare los resultados.

* 10.

Para la red de la figura 8.75: Detenninar re' b) Encontrar Zi y Av' e) Calcular A¡.
a)

r---~--<>22

V

5.61&
20 V

3301&

8.2 ka

Vi

v, o---)I--~--I

~= 120

-Z,

O---:-:¡'I---<-----I
Ce

li

~ f-----o
lo

V o

Ce

/l= 80
r,,=40kG.

1.2 kQ

T,,=OOkQ

0.47 ka

Figura 8.74

Problema 8.

Figura 8.75

Problema 10.

§ 8.5 Configuración emisor-seguidor
11. Para la red de la figura 8.76: a) Determinar re y f3r e" b) Encontrar Z¡ y Zo. e) Calcular A, y A,.

* 12.

Para la red de la figura 8.77: Determinar Z¡ y 20' Encontrar Av' e) Calcular Vo cuando Vi = 1 m V.
a) b)
16 V

12V

270 kQ
V,

-li

o----JI-L---I

/3= 110
ro =50kn

V,

Z,

2.7 ka

t

f-----o Yo

lo

-

-1,

o-------}t-.-----I

/l= 120
T

o =40k.O:

Zi

t
-8 V
FIgura 8.77

(-------<> Yo
lo

5.6kU

_
Zo

Zo

Figura 8.76

Problema 11.

Problema 12.

Problemas

409

J[
* 13.
Para la red de la figura 8,78: a) Calcular lB e le b) Detenninar re' c) Detenninar Z¡ y Zo' d) Encontrar Av y A¡.
Vcc = 2QV

56 k!l

v, 0---1t--+_--I
/,

-

p= 200
T

o

=40kn

8.2 kQ

Figura 8.78

Problema 13.

§

8.6

Configuración de base común

14. Para la red de la figura 8.79: . a) Determinar re' b) Encontrar Z¡ y ZQ' c) Calcular Al' y Al"
+6V
-IOV

6.8kQ

Z;

Figura 8.79

Problema 14,

* 15.

Para la red de la figura 8.80, determinar A .. y A¡.
8V

L

~,

-v

/,

3.9kQ

-5 V

Figura 8.80 Problema 15.

410

Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

.. 39 kn 22 kn V¡ o--}I--~------l Z¡ 1 ~F I¡ ¡ IO~F I ~F -Z. Para la configuración de retroalimentación en colector de la figura 8. !3=200.83 Problema 19.2 kQ.'\N\t--+---l~ v. Z¡ - p= 120 r =40kO Q ..A\.. * 18. ZI y 20 utilizando las ecuaciones de los incisos (l a c. -1.82 Problema 17.81: a) Detenninar re' b) Encontrar ZI y Zo' e) Calcular Av y Al' 3. o-------}'I--~---I Figura 8... R E = 1. Figura 8. Para la red de la figura 8. determinar R c' RrY Vcc V¡ o---JI--~--I P=200 r(J=80kO ..][ § 8..30: Derivar la ecuación aproximada para A.= -160 y Al = 19 para la red de la figura 8.' y Al' 9V .83: a) Detenninar Zi y Zo' b) Encontrar Al. § 8.7 Configuración con retroalimentación en colector 16. Dados re = 10 Q.... R F = 120 kQ.81 Problema 16. calcularlas magnitudes de Av' A¡.-'VV\r-. Problemas 411 .8 Configuración con retroalimentación de dc en colector 19. Para la red de la figura 8.. b) Derivar la ecuación aproximada para Aj' e) Derivar las ecuaciones aproximadas para Z¡ y Zo' d) DadosR c = 2.HU 220kU v. f3~90 y Vcc = lOV. * 17..2 kQ. a) Figura 8.82..

2.2kll 5 ¡1F I oVo hf~ Z. trazar el modelo re· 21. f3. e) Detenninar Z¡ y Zo cuando hoe = 50 pS. = 9.2 kll \.7 kll '1 + o .. g) Comparar las soluciones anteriores con aquellas del problema 1.85: a) Detenninar Z¡ y Zo' b) Calcular A. hit 2.][ § 8. e) Encontrar Z¡ y lo utilizando los parámetros híbridos.2kO 1.9 Circuito equivalente híbrido aproximado 20. figura 8. 1/. a) Dados f3 = 120.) 22. l8Y 68 kll tI. trazar el circuito híbrido equivalente aproximado. > >1. hfe = 90 Y hoe = 20 ps.5 n y ro =40 n. re = 4. (Nota: Las soluciones están disponibles en el apéndice E en caso de no haberse llevado a cabo el problema 1. Para la red del problema 1: a) Detenninar re. 2. *' 23. b) Encontrar hfe y h ie . e) Detenninar re y comparar f3r e con h ie .75 kO h~=25¡15 =180 = IO~F figura 8.84 Problemas 22.45 O h" = 1 p. Z. h re =2 x 10--4. ~4Y -"p- 12 Y - v. d) Calcular Av y A¡ con los parámetros híbridos.85 Problema 23. b) Dados h¡e = 1 k. Para la red de la figura 8. o li IO'~F )' -Z.84: a) Detenninar Zj y Zo' b) Calcular Av y Aj. . re y ro· hJ> =-0. 412 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . l2kO 1. y Ai' e) Determinar ex. Para la red de base común de la figura 8.. 24.992 h. f) Determinar Av y A¡ cuando hoe = 50 J1S. V. o • ) 5~F -Z.AN + V.o.

. r=.86 Problema 25.88: a) Detenninar si el sistema está operando adecuadamente basándose en los niveles de polarización mediante divisor de voltaje y en las fonnas de onda esperadas para Vo y VE' b) Determinar el motivo de los niveles de de obtenidos y la razón por la que se obtuvo la forma de onda para v o ' Problemas 413 .2kU ~lo 1 5 '~F '( Z 2. 26.. Para el amplificador de base común de la figura 8.997 hob = 0. determinar: a) 2i' b) A.5 pA!V k m = 1 x lQ-4 V. -. Dada la red de la figura 8.2 kQ 1 . I. Repetir los incisos a y b del problema 22 cuando h(e = 2 x 1Q-4 Y compare los resultados. § 8. Para la red de la figura 8. ¡'~F+ + "v 0.::= 25 fJS lO IlF figura 8.5 x lQ-4 h. c) A¡ = IJI¡d) 20' 20V 2.6 ld1 11 - '¡ \.4 v ~ ~ 14V - + o Vo Zo figura 8.10 Modelo equivaleute hlbrldo completo * 24.2 kU 470kU ~ lo +-----n(---<>o Vo 5 ~F - Zo Z. detenninar: a) 2j' b) A.J[ § 8. e) d) Ar' 20' hib = 9.2 kU V. hfe := 140 h ie := 0.86.12 Solución de problemas * 27.45 a hJ> =0..87.86 ka h := 1.87 Problema 26. * 25. >i< Vi l.

2. 36. Utilice Probe para desplegar las formas de onda tanto de entrada como de salida. 39kn '\. b) Llevar a cabo el análisis del inciso a y comparar contra los resultados obtenidos en el ejemplo 8. 414 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .2).3.25 (ejemplo 8.6 (ejemplo 8. Mediante la utilización de PSpice para Windows.7V O )"' + V. Utilice Probe para desplegar las formas de onda tanto de entrada como de salida. a) Escribir el archivo de entrada de PSpice para la red de la figura 8.1) Y solicitar el nivel de Vo para Vi = 1 mY. a) Escribir el archivo de entrada de PSpice para la red de la figura 8.13 (ejemplo S. Zo' Al' y A¡ para la red de la figura 8.1. b) Llevar a cabo el análisis del inciso a y comparar contra los resultados obtenidos en el ejemplo 8. 30.25 (ejemplo S. R.13. Zo' Al' y A¡ para la red de la figura S. 150kn 2. Mediante la utilización de PSpice para Windows.2 kQ vo (V) 10 IlF O ( 10 ~F 01'" O VB =6. P=70 C. 33.22 V C.S) y solicitar el nivel de Vo para Vi = 1 m V.5kn 10 ~F Figura 8. Zo' Av y A¡ para la red de la figura 8. a) Análisis por computadora Escribir el archivo de entrada de PSpice para la red de la figura 8. determinar la ganancia para la red de la figura 8. a) Escribir un programa en BASIC para calcular Z¡.6. b) Llevar a cabo el análisis del inciso a y comparar contra los resultados obtenidos en el ejemplo 8. 31. § 8. 29.8. a) Escribir un programa en BASIC para calcular Z¡.3) y solicitar el nivel de Vo para Vi = 1 mV. + VBE =0.9 (ejemplo 8.8). b) Llevar a cabo el análisis por medio de PSpice y comparar el resultado para V o con los resultados obtenidos en el ejemplo 8.25. Utilice Probe para desplegar las formas de onda tanto de entrada como de salida. b) Llevar a cabo el análisis por medio de PSpice y comparar el resultado para Vo con los resultados obtenidos en el ejemplo 8.J[ Vcc = 14 V v¡(rnV) Re R.13 (ejemplo 8.13 28. 32. determinar la ganancia para la red de la figura 8.3). determinar la ganancia para la red de la figura 8. *Nota: Los asteriscos indican problemas más difíciles. 35. 34.3. RE l.8. b) Llevar a cabo el análisis por medio de PSpice y comparar el resultado para V o con los resultados obtenidos en el ejemplo S. a) Escribir un programa en BASIC para calcular Z¡. R.88 Problema 27. Mediante la utilización de PSpice para Windows.

L localizada al final del capítulo. el modelo equivalente de ae es más sencillo que el utilizado por los BIT. Además. Sin embargo. Los dispositivos IFET y el MOSFET de decremento pueden utilizarse para diseñar amplificadores que tengan ganancias similares de voltaje. Debido a la muy alta impedancia de entrada. la impedancia de entrada y la impedancia de salida. muestra un resumen de los circuitos FET a pequeña señal y sus fórmulas asociadas. también existen circuitos de drenaje común (fuente-seguidor) que proporcionan ganancia unitaria sín inversión. De hecho. se trata de configuraciones de bajo consumo de potencia con un buen rango de frecuencia y tamaño y peso mínimos. Aunque la configuración de fuente común es la más popular al proporcionar una señal invertida y amplificada.CAPÍTULO Análisis a pequeña señal del FET 9. el BJT generalmente es un dispositivo controlado por corriente y el FET un dispositivo controlado por voltaje. Así que mientras el BJT tuvo un factor de amplificación f3 (beta). Por tanto. Al igual que con los amplificadores BJT. Al utilizar PSpice puede llevarse a cabo un análisis en de para obtener las condiciones de polarización del circuito y un análisis en ac para calcular la ganancia de voltaje a pequeña señal. el amplificador FET proporciona una impedancia de entrada mucho mayor que la de la configuración de un BIT. especialmente en los circuitos CMOS que requieren un consumo muy bajo de potencia. Mientras que la ganancia de voltaje de un amplificador FET es casi siempre menor que la obtenida al utilizar un amplificador BIT. Al utilizar los modelos de transistores de PSpice se puede analizar el 415 . el FET tiene un factor de transconductancia. el circuito con MOSFET decrementaI tiene una impedancia de entrada mucho mayor que una configuración JFET similar.1 INTRODUCCIÓN Los amplificadores con transistores de efecto de campo proporcionan una excelente ganancia de voltaje aunada a la característica de una alta impedancia de entrada. Los valores de la impedancia de salida son comparables tanto para los circuitos BIT como para los FET. Los dispositivos FET también se utilizan en las aplicaciones de alta frecuencia y en las aplicaciones de acoplamiento (interfases). Las redes de amplificadores FET también pueden analizarse mediante el empleo de programas de computadora. gm' El FET puede utilizarse como un amplificador lineal o como un dispositivo digital en los circuitos lógicos. Mientras que un dispositivo BJT controla una gran comente de salida (colector) por medio de una corriente de entrada (base) relativamente pequeña. Debido a la característica de gran impedancia de entrada de los FET. la corriente de entrada por 10 general se asume de OflA Y la ganancia de corriente es una cantidad indefinida. pero en ambos casos se observa que la corriente de salida es la variable controlada. las características importantes del circuito que se describen en este capítulo íncluyen la ganancia de voltaje. el dispositivo FET controla una corriente de salida (drenaje) mediante un pequeño voltaje de entrada (voltaje en la compuerta). La tabla 9. el MOSFET incremental es muy popular en los circuitos digitales. así como circuitos de compuerta común que proporcionan ganancia sin inversión.

circuito empleando los modelos específicos de transistores. se indicó que un voltaje en dc de la compuerta a la fuente controlaba el nivel de la corriente de drenaje mediante una relación conocida como la ecuación de Shockley: ID = IDSs(1 .1) El prefijo trans (o tras) que se aplica a gm en la terminología indica que se establece una relación entre las cantidades de salida y de entrada. En el capítulo 6.. y por tanto gm' se incrementa cuando se pasa desde Vp a IDSS' O. resulta bastante claro que la pendiente. 9. Se seleccionó la palabra raíz conductancia debido a que gm se determina por la relación del voltaje a la corriente. Esto es. Un componente muy importante del modelo hará evidente que un voltaje de ac aplicado a las terminales de entrada de la compuerta a la fuente controla el nivel de corriente del drenaje a la fuente.y =-= /'.2 MODELO DE PEQUEÑA SEÑAL DEL FET El análisis en ac de una configuración FET requiere que se desarrolle un modelo de pequeña señal. Al despejar gm en la ecuación (9. se incrementa la magnitud de gm' g". es posible desarrollar un programa utilizando un lenguaje como el BASIC que puede realizar tanto el análisis de de como el de ac y proporcionar los resultados en un formato muy especial.1.. cuando VGS se acerca a O V. /'.x (9.:.1) se tiene: (9. dicho en otras palabras. .1 Definición de gm utilizando la característica de transferencia. similar a la relación que define la conductancia de un resistor G = II R = l/V. .3) Al seguir la curvatura de las características de transferencia. se encuentra que gm es en realidad la pendiente de las características en el punto de operación. El voltaje de la compuerta a lafuen/e controla la comen/e del drenaje a lafuen/e (canal) de un FET..VGS IVp )2 El cambio en la corriente del colector que se obtendrá de un cambio en el volt~je de la compuerta a la fuente se puede determinar utilizando el factor de transconductancia gm de la siguiente manera: (9. .2) Determinación gráfica de gm Si ahora se examinan las características de transferencia de la figura 9.(= PeTldiente en el punto Q) óVGS MD o 416 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET Figura 9. Por otro lado.

2 al utilizar el procedimiento definido en el capítulo 6.2) para detenninar gm' a) °m o ~-- !1/D 2.6V 1. Un método alternativo para calcular gm 9_2 Modelo de pequeña señal del FET 417 . a) VGS ~ -0. Definición matemática de gm El procedimiento gráfíco descríto está limitado por la exactitud de la gráfica de transfe~ rencia y el cuidado con que pueden determinarse los cambios en cada cantidad. e) VGS ~ -2. Luego se selecciona un incremento adecuado para VGS para reflejar una variación a cualquier lado de cada punto Q.2) indica que gm puede detenninarse en cualquier punto Q sobre las características de transferencia con sólo seleccionar un incremento finito en Ves (o en ID) cercano al punto Q y luego encontrar el cambio correspondiente en ID (o Ves' respectivamente). o Vos (V) Figura 9.5 V.7V 1. pero entonces puede tornarse un problema engorroso. Cada punto de operación se identifica posterionnente y se dibuja una línea tangente a través de cada punto para reflejar mejor la pendiente de la curva de transferencia en esta región.5 Y. Entonces se aplica la ecuación (9.2 Cálculo de gm en diferentes puntos de polarización.-4V (. Los cambios que se obtienen en cada cantidad se sustituyen después en la ecuación (9. VGS)' ______ 4 3 2 -4 -1 V. b) VGS~-1.5 Y. Solución IDSS = 8 mA y V p ::: -4 V en los siguientes EJEMPL09_J Las características de transferencia se generaron como en la figura 9.1 mA !1VGS ~ - ~ 3_5mS 0.2) para calcular gm' Determinar la magnitud de gm para un JFET con puntos de polarización.La ecuación (9.0 V Puede observarse la disminución en gm cuando Ves se aproxima a V po gm ~-- ~ 8 g".8 mA 0.5 mA bl °m o !1/o !1VGS !1/D =2_57 mS ~ el L5mS !1VGS 1.5 V I D =8mA\. en-O.

VGS PLQ dID 1 dV GS pLQ gm = = d dV GS lDSS (1 VGS )2] Vp = I Dss _d_ dVGS 0 _ VGS ) Vp 2 = 2lDSS ~ - VGsJ_d Vp dVGS 0_ VGs ) Vp y (9. Entonces la ecuación (9. donde se estableció que La derivada de una función en un punto es igual a la pendiente de la línea tangente dibujada en dicho punto. Sustituyendo VGS = O V en la ecuación (9.4) donde I Vp 1 denota la magnitud.4) se convierte en (9.4) se obtiene la siguiente ecuación del valor máximo de gm para un JFET.5 V.6) y comparar con los resultados gráficos. -4 V J l = 3.1 utilizando la ecuación (9. en el cual se han especificado 1DSS y Vp.6) EJEMPLO 9. sólo con objeto de asegurar un valor positivo de gm.VGS ] Vp = 4mS ~ 5V _ -D.5mS (contra 3.1. Solución a) gmO .utiliza un enfoque empleado para encontrar la resistencia ac de un diodo en el capítulo 1. Si se toma la derivada de ID respecto a Ves (cálculo diferencial) utilizando la ecuación de Shockley. es posible derivar una ecuación para gm de la siguiente manera: MD 1 t.5 mS de la solución gráfica) 418 Capitulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . gm = gmo [1 .2 Para el JFET que tiene las características de transferencia del ejemplo 9. a) Encontrar el valor máximo de gmo b) Encontrar el valor de gm en cada punto de operación del ejemplo 9.:: = 2(8mA) 4V = 4mS (máximo valor posible de gm) b) Cuando V GS = -D. gm = 2IDss Ivpl gmo = ~ ~J 2IDss - y IVpl (9.5) donde el subíndice O que se añadió recuerda que se trata del valor de gm cuando VGS = O V. Ya se mencionó que la pendiente de la curva de transferencia es un máximo cuando Ves = O V.

7) Para el JFET de la figura 5.5 mS de la solución gráfica) Los resultados del ejemplo 9. VGS g m mO [1 . la magnitud de gm se reducirá mientras VGS se aproxime a Vp y la relase incrementa en magnitud. (9.) de la ecuación (9. Graficar gm en función de Solución Obsérvese la figura 9.5 V] -4V = 2..Cuando VGS = -1. EJEMPLO 9. La! significa que es un parámetro de transferencia directa (jomará) y la s revela que está conectada con la tenninal de la fuente (source).2 Modelo de pequeña señal del FET 419 . Cuando VGS = Vp ' gm =gmO(J - J) =O.18.6) es menor que 1 para cualquier valor V ción :5 p diferente de O V.3.6) define una línea recta con un valor mínimo de O y un valor máximo de gm como se muestra en la gráfica de la figura 9.5mS (contra 2. La ecuación (9. v. Gráfica de gm en función de VGS Debido a que el factor de V'GS (1 .2.5 mS (contra 1.3 9. En fanna de ecuación.5 V] -4V = 1.5 V.1 y 9. = gm = gmo [1 .3 también indica que cuando VGS es igual a la mitad del valor de estrechamiento. gm tendrá únicamente la mitad del valor máximo.4) a (9.5 V.J V p = 4 mS 1 [ -2..3 Gráfica de gm en función de Vcs.57 mS de la solución gráfica) Cuando = g V GS = -2. Yj' está en el rango desde 1000 a 5000 IlS o de 1 a 5 mS.6). V GS para el JFET de los ejemplos 9.4. gm se proporciona como Yjs donde la y indica que es parte de un circuÍto equivalente de admiranda. o V GS(V) FIgUra 9.2 de hecho son 10 sufIcientemente cercanos como para validar la ecuación (9. La figura 9.:GS] 4 [1 mS p - -1. para usos en el futuro cuando se requiera gm' En las hojas de especificaciones.

3.4 Graficar gm en función de ID para el JFET de los ejemplos 9. Solución Ver figura 9. 420 Capítulo 9 Análisis a pequeña señaJ del FET .1 a 9.707gmO = grnO ~ IDSS c) Si ID = IDS!4.5gmo IDSS 2 EJEMPLO 9.8) en la ecuación (9.6) se obtiene (9.9) Al utilizar la ecuación (9.8) Al sustituir la ecuación (9. Impacto de ID sobre gm Puede derivarse una relación matemática entre gm y la corriente de polarización ID al observar que la ecuación de Shock1ey puede escribirse de la siguiente manera: (9...9) para determinar gm para algunos valores específicos de ID' los resultados son a) Si ID =IDSS' gm = gmiJ ..= O. gm = gmü ~IDS!4 _ grnO ..= O.5.= gmo ~ I DSS b) SilD = IDSP' gm IDS!2 ..4mS ~-----> 2mS -4V -2V o Figura 9.4 Gráfica de gm en función de VGS para un JFET con 1DSS::: 8 mA y VGS(V) Vf =-4 V.

18. Las gráficas de los ejemplos 9. Mientras más horizontal sea la curva. Cuando la curva es perfectamente horizontal. En forma de ecuación. Impedancia de salida Zo del FET La impedancia de salida de los FET es similar en magnitud a la de los BIT convencionales. esta es una aproximación que se utiliza a menudo. En las hojas de especificaciones de los FET la impedancia de salida aparecerá normalmente como Yos con las unidades de J1S. un valor entre 10 12 y 10 15 Q es típico de los MOSFET.y0' tiene un rango entre 10 y 50 /1S o 20 kQ (R = 1/G = l/50 /1S) y 100 kQ (R = 1/G l/lO /1S).6 puede definirse la impedancia de salida como la pendiente de la curva horizontal característica en el punto de operación. Z¡(FET) = ~ Q (9.o 3 9 10 JD (mA) Figura 9.12) 9. mayor será la impedancia de salida.2 Modelo de pequeña señal del FET 421 .3 y 9. En forma de ecuación.10) Así como para un JFET un valor práctico de lO' Q (1000 MQ) es un valor característico. En forma de ecuación. = Zo(FET) = rd =Yo. (9. Para el IFET de la figura 5.4 revelan con claridad que los valores más altos de gm se obtienen cuando Ves se aproxima a O V e ID a su valor máximo de 1DSS' Impedancia de entrada Z¡ del FET La impedancia de entrada de todos los FET disponibles en el mercado es lo suficientemente grande para suponer que las tenninales de entrada son similares a un circuito abierto. El parámetro Yos es un componente de un circuito equivalente de admitanda y el subíndice o significa un parámetro de salida de la red (output) y s la terminal fuente (souree) a la cual está asignada en el modelo. 1 (9.11) Con base en la figura 9. se tendrá la situación ideal pues será la impedancia de salida (un circuito abierto) infinita.5 Gráfica de gm en función de JDpara un JFET con IDSS =8 mAy Ves =-4 V.

6 ~M Definición de rd utilizando las caracterfsticas de drenaje del FET. EjEMPLO 9.12) el voltaje VGS pennanece constante cuando se calcula rd. Solución Para VGS = O V se dibuja una línea tangente y se selecciona d Vos como de 5 V Y así se obtiene un dIo de 0. Sustituyendo en la ecuación (9.2 mA. Luego se selecciona un ~VDS o ~ID y se mide la otra cantidad para utilizarse en la ecuación.2 mA= 2S kQ 5 Para VGS = -2 V se dibuja una línea tangente y se selecciona d Vos como de 8 V Yasí se obtiene un dIo de 0.12).12). Obsérvese que al aplicar la ecuación (9. rd = ~~S Ivc.=ov = 0.1 mA. Esto se logra dibujando una línea recta aproximada a la línea VGS en el punto de operación. 8 7 6 5 4 3 2 Vos=~3 V íI vos=-4V VDS o Figura 9.7 para VGS = O V Y VGS = -2 V cuando Vos = 8 V. Sustituyendo en la ecuación (9. 422 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .Ves'" constante en -1 V Punto Q v / -2V o Figura 9. .7 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 (V) Características del drenaje de uso para calcular rd en el ejemplo 9.5 Determinar la impedancia de salida para el FET de la figura 9.5.

0. Dados YI' = 3. 9. Circuito equivalente en ac del FET Una vez presentados y discutido los parámetros importantes de un circuito equivalente de ac.= .2 Modelo de pequeña señal del FET 423 . puede construirse un modelo para el transistor FET en el dominio de ac.. = 3..1 mA 8V lo cual muestra que rd sí cambia entre una región de operación y la otra. el circuito equivalente es una fuente de corriente cuya magnitud se controla por medio de la señal Vgs y el parámetro gm' el cual claramente representa un dispositivo controlado por voltaje. Además.6.6 gm = y¡.=50kQ 20 )1S lo cual da por resultado el modelo equivalente en ac de la figura 9. Obsérvese que el voltaje fuente se representa ahora mediante V" (subíndices en minúscula) para distinguirlo de los niveles de. la corriente es común tanto para los circuitos de entrada como de salida. Solución EJEMPLO 9.8.. mientras que las tenmnales de la compuerta y el drenaje sólo están en "contacto" mediante la fuente de corriente controlada gm Vgs ' En las situacion-es' donde se ignora r d (se supone que es lo suficientemente grande respecto a los otros elementos de la red como para aproximarla por medio de un circuito abierto).---t-----'O D + v" Figura 9. G 0 _ _ _0 r------~r-----O D + so------=+-------------~s Figura 9.9.9 Modelo para equivalente de ac del FET para el ejemplo 9.= 80 ka. G o>---~o . dibujar el modelo en ac del FET. El control de Id me·diante V¡:.8mS y = .8 Circuito para equivalente de ac del FET. La fuente de comente tiene su flecha apuntando del drenaje hacia la fuente para establecer un cambio de fase de \80 0 entre los voltajes de salida y de entrada como sucederá con la operación real. y que comúnmente se presentan los valores más pequeños en los niveles bajos de Ves (más cercanos a O V).ntra incluído como una fuente de corriente gm Vgs conectada desde el drenaje a la fuente como se muestra en la figura 9. s s La impedancia de entrada está representada por el circuito abierto en las terminales de entrada y la impedancia de salida por medio del resistor r d desde el drenaje hacia la fuente.8 mS e YM = 20 )1S.s se eneue.

o de las características.11 como se muestra en la figura 9. La configuración de polarización fija de la figura 9..3 CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA PARA EL JFET Ahora que se ha definido el circuito equivalente para FET.10 Configuración JFET con polarización fija . la dirección de la fuente de corriente se invierte. Batería VDD reemplazada mediante un corto circuito Batería V GG ~ reemplazada mediante un corto circuito S --- FIgUra 9. .12.. se investigarán una serie de configuraciones de FET básicas a pequeña señal. y las baterías V GG Y V DD se hacen cero volts mediante un corto circuito equivalente. La señal aplicada se representa mediante V. Figura 9. el modelo equivalente en ac puede sustituirse entre las terminales adecuadas como se muestra en la figura 9. RD -+Z. RG S -+- -+ Z¡ z. Zo y Av para cada configuración. Se observa la polaridad definida mediante Vg.: La figura 9... I+VGG .' Cuando Vg. El método será similar al análisis en ac de los amplificadores BJT acompañados de una determinación de los parámetros importantes de Z¡. es negativo.11.10 incluye los capacitores de acoplamiento el y el que tienen por objeto aislar el arreglo de polarización de la señal y carga aplicados.m 9.. Una vez calculados los niveles de gm y rd a partir del arreglo de polarización de la hoja de especificaciones. Z. y la señal de salida a través de RD se representa mediante VD.11 Sustitución del circuito equivalente del JFET en la red de la figura 9.' la cual define la dirección de gm Vg. Ambos capacitares tienen el equivalente de corto circuito porque la reactancia Xc = 1/(21ifC) es pequeña comparada con los otros niveles de impedancia de la red. 424 Capitulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .13) debido a la equivalencia de circuito abierto en las terminales de entrada del JFET.10. Luego se redibuja con cuidado la red de la figura 9.12 revela con claridad que (9. se consideran como cortos circuitos equivalentes para el análisis en ac.. -+ z.

~ -gmRD 1.----. lé. Vo ~ -gm V¡CrJ RD ) de tal forma que Av = Vi (9.. se encuentra v~ = pero y -gm Vgird 11 R D) v. ~ I RD Z." ~ V..17) Relación de la fase: El signo negativo en la ecuación obtenida para Av revela con claridad un cambio de fase de 180' entre los voltajes de entrada y de salida... La impedancia de salida es ~ Si la resistencia r¡j es suficientemente grande (por lo menos 10: 1) comparada contra R D' a menudo puede aplicarse la aproximación rJ 11 R D " R D Y Z. "RD I (9. Z: Al hacer V.12 Redibujo de la red de la figura 9. Figura 9.> JOR D (9.11.+ ....13. se hará O V o también.......----oD ' .¡}?:\OR D .------.12. 9...s + -+- gm~~_' '.+ V o ~ ~R0 1 .. El resultado es gm V~s = O mA y la fuente de corriente puede reemplazarse mediante un circuito abierto equivalente.13 Determinación de Zo' Al': Resolviendo Vo en la figura 9. como se muestra en la figura 9. • + V G D 1 ..3 Configuración de polarización fija para el JFET 425 . ~ f'..I ~ O V como se requiere debido a la definición de ZU V.15) .-.0 5 Figura 9..16) A. ..

El valor de Jos se proporciona como 40 /lS.88 mS)(1. . = -gm(R D 11 rd ) = -(1.1 tuvo un punto de operación definido mediante VGS =-2 V e ID = 5. Calcular Zo' Determinar la ganancia de voltaje Al" Determinar Av ignorando los efectos de r d' 20 V 2kº C.85 kQ A.7. v.76 Como se demostró en el inciso (f). ~ v.14 Configuración JFET para el ejemplo 9..EJEMPLO 9.15 requiere sólo de una fuente para establecer el punto de operación deseado.14 con una señ~l aplicada V¡.85 kQ) = -3. se obtuvo una relación de 25 kQ: 2 kQ = 12. Se redibuja la red según Q la figura 9.88 mS)(2 kQ) = -3.VGsQ\ = 2.5 : 1 entre rd y R D en una diferencia del 8% en la solución.625 mAcon IDss = 10 mAy Vp =-8 V.88 mS (-8 V) b) e) rd Z. S +- 2V Figura 9.48 f) A.uS Yos RG = 1 MQ d) e) Zo = R D11 rd = 2 kQ 1125 kQ = 1.= . 426 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .5mS gmO = .7 La configuración de polarización fija del ejemplo 6.5 mS Vp ) f¡ _ (-2 V») = \ 1.4 CONFlGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN PARA EL JFET Rs con desvío La configuración de polarización fija tiene la desventaja de necesitar dos fuentes de voltaje de.. La configuración de autopolarización de la figura 9. = -gmRD = -(1.= IVpl 8V gm = gmo ~ . 9. a) Detenninar gm' b) Encontrar r d' e) d) e) f) Determinar Z¡.= 25kQ 4O. -T Z. Solución a) 21DSS 2(10 mAl = 2. D I vss = 10 mA vp = -8 V lMn ~ z.

..¡..15 después de la sustitución del circuito equivalente de ac para el JFET. D e V. las ecuaciones resultantes para Zi' 20 y Ar serán las mismas. El capacitor es a través de la resistencia de la fuente es un corto circuito equivalente para de.. G D + Re V " 1 S + 'd g". se reducirá la ganancia según se muestra a continuación. Z¡: (9. ____ R s en desvío s mediante Xc.16.Vg• Figura 9. Figura 9.16 y se redibuja con cuidado en la figura 9. Re Rs . Bajo condiciones de ac el capacitar asume el estado de corto circuito y hace "corto circuito" en los efectos de RS' Si se deja en ac. Z.4 Configuración de aulopolarización para el JFET 427 .+ V DD Ro C. r .17 Redibujo de la red de la figura 9. -Z. lo cual pennite que Rs defina el punto de operación. cs Z.16 Red de la figura 9.18) 9.17..15 Configuración JFET con autopolarización . o-------) ( oVo G S ----.12. Figura 9. El circuito equivalente a JFET se establece en la figura 9. + v.. .. Debido a que la configuración que se obtiene es la misma que aparece en la figura 9 .

= -gmRD I rd ? lORD (9.o . G D + -+ + z. RG ~r RD 1" + Z" v" l F'"!gura 9.18.19.22) Relación de la fase: El signo negativo en las soluciones para A)' de nuevo indica un cambio de fase de 18('" . las polaridades y la dirección definidas.15. V" l s R.z· o' (9.20) " (9. En este caso.. como se aprecia en la figura 9. Rs sin desvío Si se elimina es de la figura 9. establecer el voltaje a través de Re igual a O V es como "cortar" los efectos de Re' 428 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . Al determinar los niveles de Z" Zo y A" es necesario .ser muy cuidadoso con la notación. la resistencia Rs será parte del circuito equivalente de ac.19) Zo A' =R D I rd ?10R D (9.: Debido a la condición de circuito abierto entre la compuerta y la red de salida.23) Zo: La impedancia de salida está definida mediante Z o =_0 v I lo vJ=o Al hacer Vi = OV en la figura 9.no existe una manera obvia de reducir lared con objeto de bajar su nivel de complejidad.21) A. debido a que la terminal de la compuerta y la tierra estarán con el mismo potencial.18 se obtiene el circuito que se muestra en la figura 9. En otras palabras.ntre V.¡ ID ' 'd gm Vg3 ~ v. -. y V.18 Configuración JFET con autopolarización incluyendo los efectos de Rs' Z. la entrada permanece de la siguiente manera: (9.

. o y Z " = " = lo V -lnRO -ID ~ + gmRs + Ro + RsJ rd (9. = rd Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff en el nodo a. la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff sobre el circuito de entrada tendrá como consecuencia: V-V-VR=O 1 gs 5 o Vp . -IDR[/~ El voltaje a través de rd puede encontrarse al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff de la siguiente manera: -vgs o y + V r . = _V"-u_+_"-.18. V. Vgs R..V () = O d l' = V ---..s:. El voltaje V o está definido mediante con ~:.24) de manera que Za = RD 1 + gmRs + Ro + Rs rd Para rd ~ IO(R o + Rs)' pueden ignorarse los efectos de rd .a D + ID S~ t _ _-1 RD le -+ Z.!:l.. por tanto.~~.. J V o = -IDRD figura 9.IDRs 9.: Para la red de la figura 9.-.4 Configuración de aulopolarización para el JFET 429 ..19 Determinación de Zo para la configuración JFET con autopolarización incluyendo los efectos de Rs y rd .::: Vi . l + -'- . (9. ..25) A.

con y sin los efectos de r d . de manera que una aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff dará gm Vgs + v() rd V Rs Al sustituir la Vgo"de arriba y sustituyendo Vo y VR s se tiene de modo que o ID = gm V¡ I + 8mRs + RD + Rs rd Entonces el voltaje de salida es y A.26) indica que existirá un cambio de fase de 180' entre V.o = V. Comparar los resultados..S. La red se redibuja según Q la figura 9.2 tiene un punto de operación definido mediante V GS = -2.6 V e ID = 2.27) Relación de la fase: El signo negativo en la ecuación (9. Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET 430 . =. e) Calcular A. b) Encontrar r d.El voltaje a través de r d empleando la ley de voltaje de Kirchhoff es vo y V R. si rd " \O(Ro + Rs)' (9. V gmRo I + gmRs + (9.d) Calcular 20 con y sin los efectos de rd . está dado como 20 ¡J. El valor de Yo. e) Encontrar 2.26) Ro + Rs rd De nuevo.20 con una señal ~plicada de V.6 mAcon I DSS = 8 mA y V p =-6 V. Comparar los resultados. y V" EJEMPLO 9. al Determinar gm.8 La configuración de autopolarización del ejemplo 6.

3 kQ 3.3 kQ + 1 kQ) Y 50 kQ .3kQ = Ro + Rs rd + (1. En este caso.67 mS 6V = 2. c. el nivel correcto es menor que la mitad del valor definido solamente por RD. 10(3. z. -(1.51 mS)(l kQ) + 3.'.8. -.3 kQ + 1 kQ 50kQ 3. También se observa que Zo no es igual a RD • la cual es una suposición que a menudo se aplica de manera incorrecta.= = 1.3kQ = 1 + gmRs 1 + 1.3 kQ =-----. 50 kQ . o------} 1-----.51 2.67 mS (1 - (-2.20 Red para el ejemplo 9.596 3.20V 3.3 kQ) =----~-~~~--3.4 Configuración de autopolarización para el JFET 431 . 43 kQ se satisface. 1M" 1 k!l -Z" Figura 9.51 + 0.. Los resultados indican que así es. Esto es.51 = 1la1 kQ -:: ... I DSS = lOmA Vp ==-6V V.3 kil c.:"'-- Si se revisa la condición r d .086 2.' IO(RD + Rs) se encontrará que ya está satisfecha.3 kQ + 1 kQ 1 + (1.51 mS)(3.51 mS (-6 V) b) e) rd =-=--=50kQ Ym 20l1S Z¡ = Re = 1 MQ ri Zo Ro 1 + gmRs + d) Con 3. Solución a) g mO = s ¡.6 V)) = 1..27kQ 1 + 1. indicando que rd tendrá el mínimo impacto sobreZo .51 mS)(1 kQ) + 50kQ = -1.. '2.92 9.:-I = 2Jos 2(8 mAl = 2..----+1 ---+- ----If-----o 'é.

Vft" " Z. z..21.22.21 bajo condiciones de ac. T ~ V . VgJ .-(1.. -+ z.51 mS)(3.L -=- Figura 9.- I t R.:..98 Como antes. 432 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . La red equivalente en ac que se obtiene ahora tiene el formato básico de alguna de las redes ya analizadas.:' lÜ(RD + Rs) se cumplió..22. e I ~ + V Z ~. G -z" 0\.' R. : -1. lo cual tendrá un efecto muy positivo sobre la ganancIa total de un sistema. D \ '\. figura 9. 9. Configuración JFET mediante divisor Al susütuir el modele equivalente de ac ?aIa ellFET se ebtendrá la configuración de la figura 9.L . Figura 9.. ¡~ . G D + R. RD también puede conectarse a la tierra.23. RD /1...5 CONF1GURACIÓN DE DIVISOR DE VOLTAJE PARA EL JFET La configuración de divisor de voltaje para los BJT también puede aplicarse a los lFET.3 kQ) = 1 + (1.22 Red de la figura 9. Reemplazando la fuente VDu por UD corto circuito equivalente conectado a tierra una terminal de R 1 Y RD" Debido a que cada red tiene una tierra común. pero en el circuito de salida a través de r d . I z" - -=- . Redibujo de la red de la figura 9. R. R I queda en paralelo con R].f 1 . debe tenerse en cuenta que Z¡ es varias veces mayor que la Z¡ típica de un BJT.51 mS)O kQ) . . como se muestra en la figura 9.. r I e.21 de voltaje.23 ~ -l- t g".. . C. La ganancia típica de un amplificador JFET es menor que la que normalmente se encuentra para los BJT de configuraciones similares. como se demostró en la figura 9.. el efecto de rd fue mínimo debido a que la condición rd .. Sin embargo. fR" o V.

v.".29) Para rd ~ lORD' (9.24 Configuración JFET fuente-seguidor.Z¡! R 1 Y R::!.6 Configuración fuenle-seguidor (drenaje común) para el JFET 433 .. Obsérvese que la salida se toma de la terminal de la fuente y cuando se reemplaza la fuente dc por su corto circuito equivalente el drenaje se conecta a tierra (de ahí la tenninología de drenaje común). figura 9.32) Se ~bser.\ y (9.6 CONFlGURACIÓN FlJENTE-SEGUIDOR (DRENAJE COMÚN) PARA EL JFET El equivalente a JFET de la configuración emisor-seguidor BJT es la configuración fuenteseguidor de la figura 9. e Vi o----}I--~--=G-+I -z¡ z" .. 9.31 ) (9. están en paralelo con e1 cual se obtiene el equivalente de circuito abierto del JFET (9.28) z· o' Al hacer Vi == O V se fijarán ~~S y gn¡ V gs cero y (9. \/gs : : .a que \a's eCUaciones para Zo 'f Al . La única diferencia es la ecuación para 2 1 que ahora es sensible a la combinación en paralelo de R 1 Y R::!.30) A: . y 1 de modo que -o V (rd On¡ gs ~ 11 RD ) V1-':.24. 9.s~n \as mismas que \as obtenlüas para \as configuraciones de polarización fija y autopolarización (con Rs en desvío).

: -Vgj .26 indica con claridad que Zi está definida por (9. pero Vg. D v " S Figura 9. ~ rJ ~ Rs + IL----+----'-----o Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff en el nodo a. .26.24 después de la sustitución del modelo equivalente de ac para el JFET.. encuentren a través de la misma red en paralelo da por resultado Vo ..Al sustituir el circuito equivalente del JFET se tiene la configuración de la figura 9.26 Redibujo de la red de la fígura 9.24.1 como V () se tamente a la tierra como se muestra en la figura .ún está definida entre las terminales de la compuerta y la fuente. El hecho de que tanto Vg. 1 -Zo rd Rs I + Vo Zo -4:Figura 9. Zi: La figura 9.l a. s -1 V¡...27.25. El resultado es Io~V o [_I_+_I_J_gV rd R m g' S 434 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . La fuente controlada y la impedancia interna de salida del JFET se encuentran en tierra en una terminal y a Rs en la otra junto con Vo a través de Rs' Debido a que gm Vgs ' Td y Rs están conectados a la misma terminal y tierra.25. se pueden reemplazar por el circuito en paralelo que se muestra en la figura 9. La fuente de corriente invirtió su dirección.25 Red de la figura 9.'r t > 8 mVx_\ --1" + v" Figura 9..27 Determinadón de Zo para la red de la figura 9.33) Zo: Al hacer Vi ~ O V da por resultado que la terminal de la compuerta se conecte direc9..

' Relación de la fase: Debido a que A. e) Calcular A. Un análisis de de la red fuente-seguidor de la figura 9. . y Vj se encuentran en fase para la configuración JFET emisor-seguidor. EJEMPLO 9.6 Configuración fuente-seguidor (drenaje común) para el JFET 435 . .05 ~F Figura 9.9.56 mA.28 Red para el análisis del ejemplo 9.86 V e ID = 4.Val(r)1 Rs) gm v. V. . ¡Mil --11-(--~ 0.28 dará V GS = -2. Por tanto.tS + V. (9. de la ecuación (9. Q Q a) Determmar gm' b) Encontrar r d' +9 c) Determinar Z. ' \ .36) es una cantidad positiva.9 V I vss = 16mA vp=~v Yos = 25 ¡. V.37) ' -_ _ _ _ _ _ _ _ _ _. L-_ _ _~-----+.d) Calcular Z.vo de manera que o y Vo Vo ~ gm(V. la ganancia nunca puede ser igualo mayor a uno (como se encontró en la red BJT emisorseguidor). = -------''------=-----=-----1 -+-+-rd Rs 11gm la cual tiene el mismo fonnato que la resistencia total de las tres resistencias en paralelo.v. Comparar los resultados.36) es mayor que el numerador por un factor de uno.34) (9..gm Vo(r)1 Rs) ~ Voll + gm(r)1 Rs)] = gm Vir) 1Rs) A = _o de modo que V . con y sin rd' Comparar los resultados.Cr)1 Rs) .-----~o 9. = gm(rd 11 Rs) 1 + gm(rd 11 Rs) . y ~ Vgs ~ Vgs + Vo v . -z. con y sin r d .36) En caso de ausencia de rd o en el caso de rd lOR s' (9.J rJ"2 lOR s Debido a que el denominador de la ecuación (9.35) Av: El voltaje de salida Vo se encuentra determinado mediante y al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del perímetro de la red de la figura 9.26 se obtiene v..::: (9.

el resistor conectado entre las tenninales de entrada ya no es Re sino el resistor Rs conectado de la fuente a la tierra..83 lo cual indica que rd casi siempre tiene poco impacto en la ganancia de la configuración.09 kQ) 4. Sin ri gmRs (2. Obsérvese la necesidad constante de que la fuente controlada gm Vgs esté conectada del drenaje a la fuente con r den paralelo.6 Q = 362. También se puede ver la localización del voltaje controlador ~"'. Al sustituir el circuito equivalente JFET se obtendrá la figura 9.69 Q e) lo cual indica que rd por lo general tiene poco impacto sobre Zo· Con r d : g.2.77 + gmRs 1+ (2.02 =0..30.= .28mS ~ = 40kQ 25 f.28 mS)(2.1S e) Z¡ = Re = 1 MQ d) Con r d : = 40 kQ 112.\ y el hecho de que aparece directamente a través del resistor Rs' 436 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET ... 9.2 kQ 11438. Sin r d : Z" = Rs IllIg m = 2..2 kQ) ..6 Q = 365.28 mS)(2.09 kQ) + 4.2 kQ) = 5.2 kQ) (2.28 mS)(2.52 Q lo cual revela que Zo a menudo es relativamente pequeña y se calcula básicamente mediante IIg m . La aislacíón entre los circuitos de entrada y de salida obviamente se ha perdído debido a que la terminal de la compuerta ahora se encuentra conectada a la tierra común de la red.02 + 5. la cual es paralela a la configuración de base común utilizada con los transistores BJT.28 mS)(40 kQ 112.77 lo cual es menor que 1 como se predijo antes.29.7 CONFlGURACIÓN DE COMPUERTA COMÚN PARA EL JFET La última configuración JFET que se analizará con detalle es la configuración de compuerta común de la figura 9.2 kQ 11438.= 0..28 mS = 40 kQ 112.86 V) ) (-4 V) .28 mS)(2.83 + (2./rd 11 Rs) (2.2 kQ 11112.. Además.Solución 2(16 mAl 4V = 8mS 8 mS l - ~ (-2..

29. ¡--I: Vi z.7 Configuración de compuerta común para el JFET 437 .29 Configuración JFET de compuerta común. (~ + Z.38) o . a S l ~~.::) + r" VrJ + figura 9.. Rs . la cual simplemente estará en paralelo con Rs cuando se defina Zi' La red de interés se redibuja como la figura 9. R.VR = O D y + --r V .= .(' b e. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del perímetro se salida de la red se obtiene =- V' .= .\ . se encuentra la impedancia Z~ de la figura 9.29 después de la sustitución del modelo equivalente de ac para el JFET. ~ I .= . ~':. v. z~ D e. e..29. El voltaje V' Y".31 Determinación de Z'. .- gm l D gmVg. de modo que y 2'. -. Ro e. RD ~------~------~r---------~----~ +G Figura 9. rd V' ..V r RD = V' .30 Red de la figura 9. ~ Figura 9. Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff en el nodo a se obtiene e o I' . V' Z. Z.¡ r z'. V. V' I' (9. 'J -AAA G Z.. I' 9.s ¡--It-----¡--o--. Z'(.: El resistor Rs está directamente a través de las terminales que definen a Z¡O Por tanto..31..I'R D --"'1 gm~~¡ V¡. para la red de la figura 9. ~ v.z.V " ..

38) pennite la siguiente aproximación porque RJrd« I y a que 1Ird« gm: I y (9. " y El voltaje a través de r des y V-V o . Por tanto.42) A. = O Y que rd estará en paralelo con R D . la cual produce (9. El resultado es que gm Vg..40) Zo: Sustituyendo Vi = O V en la figura 9..30 indica que V =-V . (9.30 hará corto circuito en los efectos de Rs y hará Vg.+ gm rd y 438 Capitulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .. a O V..41) (9.Vo + gm V] R D rd V.y Zi=Rsllz. Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al nodo b se obtiene l..Ir.¡ + ID + gmVgs = O y 1 D .: La figura 9.R D VoRD = .39) Si rd ? lORD' la ecuación (9.g V m gs d de manera que Vo = IDRD rd = [Vi .

es un número positivo ocasionará una relación en fase entre Vo y Vi para la configuración de compuerta común.uF f---ov" 1D55 = 10 mA V p . +12 V d) Encontrar 20 con y sin rd\:omparar los resultados.44) Relación de la fase: El hecho de que A •.35 kQ 9.=RsII[rd+RDJ=l. 3.2 V e IDQ = 2.03 mA.25 mS)(20 kQ) 110. Aunque la red de la figura 9.6kQ ] + (2.6 kQ EJEMPLO 9.29. Solución a) 2(10 mAl = 5 mS 4V 5 mS 1 - ~ (-2.lS 1.43) se puede eliminar como una buena aproximación y (9.uS Con rd : z.=-4 V Yos=50j.] Para rd 2': lORD' el factor RO/rd de la ecuación (9.1 kQ Figura 9. e) Determinar Vo con y sin r d " Comparar los resultados. Si VGsQ = -2.32 Red para el ejemplo 9.25mS b) cl rd =-=--=20kí2 Yo. a) Determinar gm' b) Hallar r d' e) Calcular Z¡ con y sin rd" Comparar los resultados.51 kQ = 0.lkQII[ 1 + gmrd 1 1.10. 50.32 puede en principio no parecer de la variedad de compuerta común.7 Configuración de compuerta común para el JFET 439 .con A" = V _0 = ~mRD + ~: ] (9.10 10 .43) V. ~ + :.2 V») (-4 V) = 2.1 kQ 201d1+3. un examen cercano indicará que posee todas las características de la figura 9.

8 rnV A.18 y 7.25 mS)(3.1)(40 mV) = 324 rnV En este caso.44 kQ = 0. = gmRD = (2.6kQ) =>20kQ~36kQ d) no está satisfecha. => Vo = A .10 demuestra que aunque no se satisfizo la condición r d ~ 10RDo los resultados para los parámetros dados no fueron significativamente diferentes utilizando las ecuaciones exactas y aproximadas. En este caso.33.Zi = Rs IllIg m = 1.18 1 + 0. El resultado es que gm puede ser mayor que gmo como se demuestra en el siguiente ejemplo. pero ambos resultados están razonablemente cercanos uno del otro. Con ri Zo = R D 11 rd = 3.6 kQ !120 kQ = 3. = Vo V. Es más.Y. ambas ecuaciones obtienen en esencia el mismo nivel de impedancia.31 kQ Aunque la condición rd~10RD = >20kQ~IO(3.1 + 0.1 kQ 11112.::: lORD no está satisfecha. El rango de rd es muy similar al que se encuentra para los JFET. El ejemplo 9. la diferencia es un poco más notoria pero no de forma drástíca.05 kQ e) Una vez más la condición Yd .25 mS)(3.1 kQ 11 0.25 mS = 1. La única diferencia que proporcionan los DMOSFET reside en que VGSQ puede ser positivo para los dispositivos de canal-n y negativo para las unidades de canal-p.6 kQ) + .8 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL El hecho de que la ecuación de Shockley también sea aplicable a los MOSFET de tipo decremental da por resultado la misma ecuación para gm.6kQ] [ (2. Con r d : 3.20kQ 8. = (7. 9. l/gm fue el factor predominante.6 ka) = 8. el modelo equivalente de ac para los DMOSFET es exactamente el mismo usado en los JFET como se muestra en la figura 9. RD es ciertamente el factor predominante en este ejemplo.1 con Vo = A'Yi = (8.02)(40 mV) = 280. en la mayoría de los casos ·se pueden emplear las ecuaciones aproximadas para tener una idea razonable de los niveles particulares con poco de esfuerzo.02 A. 440 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . De hecho.

a) Determinar gm y compararla con gmO· ~ b) Encontrar r d" e) Dibujar la red equivalente de ae para la figura 9. Solución a) 2(6 mAl gmü = 4mS 3V = 4 ruS 1 - ~ (+1..35. + v..5) = 6 mS y se encuentra que gm es 50% mayor que gmO' b) rd = )'0.5 V)) (-3 V) 4 mSO + 0.23.11 Figura 9.34. se pueden aplicar las ecuaciones (9.34 se analizó en el ejemplb 6.34. Por tanto.3 Vg..8kO Z. 'd S Modelo equivalente de ac para el DMOSFET...33 • Se vF-' f 3 rn Vg. 9.. . e.S 1 e) Obsérvese la figura 9.= 100kQ 10 !.7 y se obtuvo Ves () = 1..10 1500 z.lIS !O ). - z¡ c + : 10 \10 : IIOMD D vgs < -- s J ~ I 6 X 10. f) Encontrar Al'· 1.. d) Encontrar Zj' lB y e) Calcular Zo. v.11. S Figura 9. La red de la figura 9.35 Circuito equivalente de ac para la figura 9. IDSS=6mA Vp =-3V Y"".5 V e ID (! = 7. + V.32).28) a la (9.1' = . < ~ lOOkD 1.6 mA. o-~~--t----' z.34 Red para el ejemplo 9..ce D OG D + ---W S Figura 9. Se observan las similitudes con la red de la figura 9.8kO IIOMO EJEMPLO 9.8 MOSFET de tipo decrementa) 441 . = lO.

= 10 MQ 11110 MQ = 9.9 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL El MOSFET de tipo incremental puede ser o bien un dispositivo de canal-n (nMOS) o de canal-p (PMOS). Yfs' 0---0 G D + v" S ~ gmvK. Esto es.36 y proporciona un circuito abierto entre la compuerta y el canal drenaje· fuente.36 Modelo incremental del MOSFET a pequeña sena!.45) 442 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .8 kQ) = 10. rd = 1- }o.8 kQ = 1.d) e) f) La ecuación (9.8 kQ r d ~ lORD ~ lOO kQ ~ 18 kQ 9.8 .77 kQ A" = -grnRD = -(6 mS)(1..o RD = 1. = r)1 RD = 100 kQ 111. Existe una impedancia de salida del drenaje a la fuente rd . = R 1 11 R. 1.28): La ecuación (9. así como una fuente de corriente del drenaje a la fuente cuya magnitud depende del voltaje de la compuerta a la fuente. El circuito equivalente de pequeña señal de cualquiera de los dos dispositivos se muestra en la figura 9.j. misma que se puede encontrar en las ~ojas de especificaciones como una admitanda Yos' La transconductancia del dispositivo.1 I 1 Figura 9. En el análisis de los JFET se derivó una ecuación paragm a partir de la ecuación de Shockley.32): Z.36.17 MQ Z. como se muestra en la figura 9.' "MOS gm 1 =f. Para los EMOSFET la relación entre la corriente de salida y el voltaje controlador está definido mediante Debido a que gm aún se encuentra definido por puede tomarse la derivada de la ecuación de transferencia para determinar gl1l como un punto de operación. gm' se encuentra en las hojas de especificaciones como la admitancia de transferencia directa.29): La ecuación (9. d = k--(V - dV es es = 2k(lies - y (9.

Obsérvese que RF no se encuentra dentro del área sombreada que define el modelo equivalente del disposltivo.gmV) RF f¡R F = Vi VJl + (r tl l! RD. Figura 9. + r)1 Rol RF + y finalmente.(r)1 Ro)l ~ ¡.vl g". VRG = O V.. con e de modo que 1i .. pero proporciona una conexión directa entre los circuitos de entrada y de salida.37.c"-_ \1" r)iRa Vo == (r)IRD)(l¡ -gnY) Vi .37. para las situaciones de ac se proporciona una impedancia alta muy importante entre Vo y VI. Sin embargo.". Sin embargo. Z¡: Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al circuito de saiida (en el nodo D) se obtiene v" ---r)IRo y V" ~ V.:: _. de manera que o Por tanto.V" RF VI . v z.iR.. = .Recuerde que la constante k se puede determinar a partir de un punto de operación típico sobre la hoja de especificaciones. Al sustituir el modelo equivalente de ac para el dispositivo se obtiene la red de la figura 9. 9.37 Configuración de retroalimentación en drenaje para EMOSFET. = ¡-)I Ro (9. Figura 9. De otra forma. tome precauciones acerca de las característi· cas de un EMOSFET porque los arreglos de polarización son un tanto cuanto limitados.46) J + gm(r)l RD ) 9.. En cualquier otro aspecto.J Z G t - Zo . Se recuerda a partir de los cálculos en dc que Re se puede reemplazar mediante un corto circuito equivalente debido a que IG = O A Y por tanto. las terminales de entrada y de salida estarían conectadas directamente y Vil = Vi' Voo Ro RF C2 (--oVo D .10 CONflGURACIÓN DE RETROALIMENTACIÓN EN DRENAJE PARA EL EMOSFET La configuración de retroalimentación en drenaje para el EMOSFET aparece en la figura 9.38.(r)\RD)(l¡ . el análísis aC es el mismo que el utilizado para los JFET o los DMOSFET.1¡ + (r)1 RD)gn.10 Configuración de retroalimentación en drenaje para el EMOSFET 443 .gil! Vi . 1.38 Equivalente en ac de la red de la figura 9.

39.47) Z: Al sustituir V1 = O V se obtiene Vgs = O V Y g m Vgs = O con una trayectoria de corto o circuito desde la compuerta hacia tierra como se muestra en la figura 9.: Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al nodo D de la figura 9.38 se obtiene Ji = g m Vg..37.¡ f"lgura 9.1 = V. de tal forma que (9.1 el. - Vo y de modo que y 444 Capítulo 9 Análísis a pequeña señal del FET .39 Determinacíón de Zo para la red de la figura 9.48) r. RF» rd 1I RD. Rp r d y RD están entonces en paralelo y (9.I . Con frecuencia RF es mucho mayor que r d 11 R D . = V-V .49) A. de tal fonna que Zo=r)lR D (9. + Va _cc-"C- rdllRD pero v g. o por tanto.Por lo general. v.

Encontrar Av con y sÍn rd .40 Amplificador con retroalimentación en drenaje del ejemplo 6.pero y de manera que (9. 20 f.4 V .40 se analizará en el ejemplo 6.11 con el resultado k ~ 0. Comparar los..lS Figura 9.51 ) Relación de la fase: fuera de fase por 180 0 • El signo negativo de Al' índica que tanto Vo como Vi se localizan El EMOSFET de la figura 9.11.--1 + (1.75mA. EJEMPLO 9.do) = 6 mA V GS(C11Ccndlllo) "" 8 V \/Gs(Th¡ =3 V Yu" :.) ~ 2(0.4 VeI DQ =2.50) (9.42 Mil 1 + 3. Encontrar Z() con y sín rd .12 a) b) e) d) e) Detenninar gm' Encontrar rd ..== 2.10 Configuración de retroalimentación en drenaje para el EMOSFET 445 .24 x 10-3 AN')(6.63 mS)(50 kD 112 kD) 10 MQ + 50 kQI12 kQ 10 MQ + 1. VGSe ~6. Solución a) gm ~ 2k(VCSQ - VCS(Th. 12V 2kfl IOMfl 1D(c~~c~d..24 x 10-3 AN'.63 mS ~ - b) e) rd ~ -- = SOkQ Yo.3 V) = 1. resultados... 20l1S Con r d : RF + rdllRD 1 +gm(r)IRD ) =--------¡.. Calcular Z¡ con y sin rd' Comparar los resultados.13 9. Comparar los resultados.92 kQ = .

.21 A. 9.63 mS)(2 kQ) = -3.:::: 40 kQ está satisfecha y Jos resülwc. Al sustituir la red equivalente de ac para el EMOSFET se obtiene la configuración de la figura 9.32) pueden aplicarse como se lista a continuación para el EMOSFET. R. Con rd : Z" R.. -! .92 kQ) = -3.. 446 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .28) a (9..41.41. • . t.Z " R" -'- . El formato es exactamente igual al usado en una gran cantidad de presentaciones anteriores...63 mS)(lO MQ = 1150 kQ 112 kQ) -(l.63 mS)(2 kQ) 2.53 MQ d) lo cual indica que la condición rJ:?: lORD:::: 50 kQ. El resultado es que las ecuaciones (9.41 Configuración EMOSFET ? Figura 9.. = -g".42 . Red equivalente de ac para la configuración de la figura 9. 1 D + °G • .75 kQ IIEQ = 1.42.26 la cual es muy cercana al resultado anterior.. la cual es exactamente la misma que la figura 9 . Con rd : A. o sin r.92 kQ e) ofreciendo otra vez resultados muy cercanos. ~Rl 1 I R.11 CONFIGURACIÓN DE DIVISOR DE VOLTAJE PARA EL EMOSFET La última configuración EMOSFET que será examinada a detalle es la red mediante divisor de voltaje de la figura 9.il r)! RD = 10 MQ 1150 kQ 1I 2 kQ = 49.RD = -(1.os para Z() cor.lO YIQ I + (1. .63 mS)(l. = -g".!J .." ~ ? . V. con divisor de voltaje.-' ~ óm " Vg' Figura 9.(R F 1I r d 1 R D ) = -(1. VI e -Z. :) \1.¡ serán muy' cercanos.23.

. pueden probarse los resultados y llevarse a cabo los refinamientos mediante las ecuaciones completas. la respuesta en ac. Es necesario determinar los elementos resistivos necesarios para establecer la ganancia o el nivel de impedancia deseados.12 Cómo diseñar re des de amplificador FET 447 .54) rJ?: lORD A. simplemente debe tenerse en cuenta que los parámetros de la red· pueden afectar los niveles de dc y ac de varias maneras.55) Y si rd ? 1OR D' A.gm Z¡: Z. = -'-' = -gm(rD 11 RD) V. Una vez que el diseño inicial se ha completado. pero para el análisis en ac presenta una trayectoria de alta impedancia muy importante entre Vo y Vi' Además.12 CÓMO DISEÑAR REDES DE AMPLIFlCADOR FET Durante esta fase los problemas de diseño se encuentran limitados a la obtención de las condiciones deseadas de polarización o de la ganancia de voltaje. En resumen. recu. recuerde que la resistencia Re podría reemplazarse mediante un corto circuito equivalente en la configuración con retroalimentación porque le == O A para las condiciones de dc. En la mayoría de los casos. En particular. pero para el amplificador fuente-seguidor la ganancia se reduce de su vaJor máximo de l.. Z· " Z = r)lR D (9. a menudo se utilizan las ecuaciones aproximadas porque se presentarán algunas variaciones cuando los resistores calculados sean reemplazados por sus valores estándar. Los siguientes tres ejemplos determinarán los parámetros requeridos para obtener una ganancia específica. aunque la superposición permita un análisis y diseño por separado de la red desde un punto de vista de de y de ac.::.53) Para r d ~ lORD' Z():. A menudo debe hacerse un balance entre un punto de operación en particular y su impacto er.52) " (9. - -gmRD (9. Para evitar complejidades innecesarias durante las fases iniciales del diseño. = Vo V. una Rs pequeña también contribuirá a una mayor ganancia. En la mayoría de los casos se conoce el voltaje de de disponible de la fuente. las diversas ecuaciones desarrolladas se utilizan '''hacia atrás" para definir los parámetros necesarios y para obtener la ganancia.R D A: . = R¡IIR. En la red donde Rs no se encuentra en deSVÍO.56) 9. la impedancia de entrada o la impedancia de salida deseadas. 9. a menudo un parámetro que se seieccione en el ambiente de dc jugará un papel importante en la respuesta en ac. se ha determinado el FET que se empleará y están definidos los capacitares que se requieren para las frecuencias seleccionadas. A lo largo del procedimiento de diseño debe estarse consciente que. V (9. I (9.erde que gm es mayor para los puntos de operación cercanos al eje ID (Ves = O V) donde se requiere que Rs sea relativamente pequeña.

IDQRD = 30 V . 0...= 2kQ S mS A panir de las especificaciones de los dispositivos. Por tanto la ganancia se encuentra determi- A. respectivamente... el nivel nada mediante qe gm es de gmO..---. Figura 9. El nivel obtenido de VDS se determinará más adelante de la siguíente forma: o VDSQ ~ VDD .92 kO '" RD = 2 kQ.08 kO El valor estándar más cercano es de 2 kO (apéndice E)...43 Circuito para la ganancia de voltaje deseada en el ejemplo 9.1 ~F lnss = 10 mA V p =-4 V Yo. 0---11--. Esto es.. v..I resultado es y -10 = -s mS(RD 11 r d ) 10 RDllrd = .13 Diseñe la red de polarización fija de la figura 9..tS Re lOMO.= SOkQ Y".. 448 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .20xlO-6S Sustituyendo..= .. 2¡ = RG = lOMO 20 = R D 11 rd ~ 2 kQ 1150 kQ = 1. el cual se utilizaría para este diseño. t------<> e. v.'" 48 100kQ 2.13. rd = ..: O V. Esto es. = 20 ¡. se encuentra RDh y = RDllSOkQ = 2kQ = 2 kQ RD (50 kO) R D + 50kQ 50RD = 2(RD + 50 kQ) = 2RD + 100 kQ o con y 48RD = 100 kO RD = .(ID mA)(2 kO) ~ 10 V Los niveles de Z¡ y de 20 se fijan mediante los niveles de Re y de RD .. = -gm(RD 11 r) = -gmO(R D 11 rd) con go=--~ 2IDss 1 2(10 mAl 4V m vpl S mS E.43 para tener una ganancia ac de 10.--------- EJEMPLO 9. Solución Debido a que VesQ . calcule el valor de RD ..

. 1 . 9. 5 mS ~ . gm(R D 11 rd ) Al sustituir los valores conocidos se obtiene de manera que El nivel de rd está definido por 8 . "" 20 ilS . V DD gm EJEMPLO 9.1 ~F RL ] .14..-----------------------------------------------------------Seleccione los valores para RD y Rs para la red de la figura 9.13kQ 3. -1 V e 1 f¡ _ Vese\ ' V) p DSS. Solución El punto de operación se encuentra definido mediante 1 Ves .44 Red para la ganancia de voltaje deseada en el ejemplo 9.(-4 V) V)) .14 +20 Y Ro C. . 3.12 Cómo diseñar redes de amplificador FET 449 . 2...44 con objeto de obtener una ganancia de 8 utilizando un nivel relativamente alto de gm para este dispositivo definido cuandoen Ves::: +Vp ... ..625 mA '\ (-4 V) ) La determinación de gm' gm o OmO 0(.. OY o---}I--~----l~ 0. lOMO : Re lOMO -=- 1{)Ss::: 10 mA } gmO= 5 mS \/p=-4V Yv.Vp IJ 4 J 1 . 50kQ 20 )lS y Con el resultado de el cual es un valor estándar. - 4 (-4 V) . v" v.(-IV)\'. esQ V ) Vp (-1 . Figura 9. 5.75 mS .IOmAf¡.1 ~F el 0.75 mS La magnitud de la ganancia de voltaje se calcula mediante 1 A..

44 para establecer una ganancia de 8 en el caso de que se elimine el capacítor de desvío Cs' Solución Tanto VesQ como IDQ aún son -1 V Y 5. Aunque no están presentes todas las configuraciones posi- 450 Capítulo 9 Análisis a pequena senal del FET .78 kQ) y 50 kQ ? 37.75 mS)R D 1 + 0. -IDRs -1 V . En eSle ejemplo Rs no aparece en el diseño en ac debido al efecto de corto circuito de Cs' En el siguiente ejemplo Rs no está en desvío y el diseño se vuelve un poco más complicado. 10(3.625 mA ¡ V El valor estándar más cercano es de 180 Q.6 H2.4 3.13 TABLA RESUMEN Se desarrolló la tabla 9.75 mS)R D ¡.75 mS .8Q 5. Ahora se puede probar la condición: rd ? lO(R D + Rsl SO kQ ? 10(3. 3. Al sustituir (por la magnitud especificada de 8 para la ganancia).625 mA..8 kQ la cual se satisface. (3.6 kQ + 0.177.675 1 + (3. EJEMPLO 9. R s continúa siendo el valor estándar de 180 Q que se obtuvo en el ejemplo 9.18 kQ) . (3. ) Rs.573 kQ de manera que es así el valor estándar más cercano el de 3. -(5. Isi . La ganancia de la configuración de autopolarización sin desvío es Por el momento se asume que rd ? 1O(R D + Rsl. en esta fase del diseño sólo complicaría el proceso de forma innecesaria. El empleo de la ecuación completa paraA. ..75 mS)(lSO Q) I y S(1 + 0.El nivel de Rs se encuentra determinado mediante las condiciones de operación de la siguiente manera: Ves" .1 en un esfuerzo para proporcionar una comparación rápida entre las configuraciones y ofrecer asimismo un listado que pueda ser útil para una variedad de objetos.675) .75 mS)RD 13. y debido a que la ecuación Ves. i -(3.14.625 mA)R. -laRs no ha cambiado..¡la solución persiste ~ 9.15 Detenninar RD YRs para la red de la figura 9. Para cada parámetro importante se proporcionan la ecuación exacta y aproximada con un rango típico de valOies para cada una..

Configuración Z...)1 l =I I RD ) R -8 m O <: lORD) i 1 (r.i~ \ i ~.. Rs I I I i == ~ 1 + g".."... ! Alt::!(IOMQ) f----------o \'" /" 1 I I "5] "@J =~ Ir. . ! .." "~ ..v)i I "1 I RD ) -8..Y.I _ =~ I I + gmRs + Ro + Rs 'J i = gmRD I + g".J ". T. IR ".13 Tabla resumen 451 ...~« ~. ~ lOR) "r -g"/.z.~R{.. ~ IORI. 9. I .TABLA 9 1 Zl' Zo y A v para las diferentes configuraciones FET ! . b' .11- f-----ij:---. Alta (lO "IQ) I I " Media (2 Q) RD ". J . v.Rs + .~ ~v(J(j ..J) - - gmRD I + gmRs Ir..".Rs Ir. I i A.. =@J .¡ R D + Rs Zo . Media (-10) I ! I i =~ =~ I = les ~ Z.r RC f----lj:---.j:----v R\ ~ t ":..'ío en Rs JFET o D"IOSFET +v{){) Media (2 kO:) \ledia (-10) o Alta (10 Mn) • Rr e.. . 7... ~ ." S t ? cs i \ IOR!)! 1 ! I "r -g".Q) I . Zo I .. ! Z..: 101R .' .2:10(R1 ) + R. .R. . ..(.) \1edia (-10) I 1.1 RD) I ¡ =~ I I i 1 AUlOpolarización des\. {~~ Ir".'?:! i I \ I .0-----1..:::: IDR¡¡! r-8". .JJ Poiarización por di\lisOi de voltaje JFET o D"IOSFET +\'OD j \. i ! I \ledi<i (-2) Autopoiarización sin desvío en Rs JFET o D"IOSFET -voo RD c.:" R' .·--i c. . =5] ir. I Alta (lO MQ) Media (2 k..J. Rs -" P .. " - l/o v~ Po]ari!<l\:ión fija JFET u D:\10SFET d'{J/) i I I Media (1 kG...)1 0 lORD) (r.

..'<: = I~gmRD I tORil) 1 + gmRD (rJ. Vo Rslfd +RD] gmRo + - Ro '"d '1 gc ~ ~ Rs e...l~ 1 +- Ro 'd 10RI>I Zo 10R. Q.ll RD) Media (2 kQ) Media (-10) = RFII.11 RD gmv..) J+ gr¡Rs Ud ~ 10R. Z.! Polarización con retroalimentación en drenaje EMOSFET +VDD Media(l MO) = RF RD RF + 1 + . Zo Aa = - VD V. .1 e. Df---4~vo =~ =~ = ~gm(.)1 Ro) I I Z... v¡o---Ji ? =~ = gm(.IIJIK +VDD m 1 e.o---i.I1 'd 11 RDl I I - V" RF ~ Zo =5] iR.. V.. RD =5!SJ = s - = IR.II I gm 1 (rd~ =5] (r. . "Z...) Compuena común JFET o DMOSFET +VDD Baja (1 kQl Media (2 kQ) 1 + gmrd Media (+ 10) = e. Rs =5] (r"...) +mRo (rJ ~ I - T ION.:<: lORo) Polarización por divisor de voltaje EMOSFET +V~D Media (1 ill) Media (2 kQ) Media (-10) R. v.:: 10R.)I R. Fuente-seguidor JFET o DMOSFET Alta (la MQ) Baja (lOO kQ) Baja« 1) =l.:: lORI» (R" r. . e.:: 10RIl ) = I~gmRD I (r".. Zo 10R." r. I~ .l l . d~ S RD e. Ro T I-~I'----ovo Rs =~ (rd~ J+ Smv)1 Rsl gm Rs ~ ¡.1 (continuación) Configuración Z.L T . 452 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .) R.TABLA 9.)IR.)IR o I I = ~gm(R.

prueba y reparación de muchos circuitos diferentes. 1. mida el valor de la resistencia. impedancia de entrada e impedancia de salida para los varios circuitos FET requieren del cálculo de los valores de polarización para utilizarse en la detenninación de los parámetros del dispositivo en el punto Q. 9.14 SOLUCIÓN DE PROBLEMAS Como se mencionó con anterioridad. Aplicar una señal de prueba: medir los voltajes empezando en la entrada y trabajando a lo largo hacia la salida. lo que pueda ser un punto de soldadura pobre o cualquier conexión que aparente estar suelta.15 Análisis por computadora 453 . Verificar que todos los voltajes de de estén presentes en las tenninales de los componentes. se incluyeron la mayoría de las que se encuentran con más frecuencia. En caso de identificar el problema en una fase en particular. la habilidad para "ver" lo que está suce~ diendo. Medir la señal de entrada para asegurar que proporciona al circuito el valor esperado. Verificar si existe cualquier señal ac de entrada en la terminal de la compuerta. su polaridad. un componente que parezca demasiado caliente como para tocarse. Un buen reparador tiene un "olfato" para encontrar el problema en un circuito. así que por lo menos el listado proporcionará alguna idea de los niveles que deben esperarse y la trayectoria que probablemente darán las ecuaciones deseadas. Para un amplificador FET de pequeña señal puede resolverse un circuito mediante el desarrollo de una cantidad de pasos básicos. puede ser muy 9. Debe asegurarse que todas las conexiones a tierra sean comunes. 9. El formato seleccionado fue diseñado para pcnnitir una duplicación de la tabla completa en las dos caras de una hoja tamaño carta. 4. Aún más. así como los "centelleos" inusuales en la forma de onda que puedan presentarse. Observar la tableta del circuito para ver si se pueden detectar algunos problemas obvios: un área quemada debido al exceso de calor de un componente. 3. lo cual se desarrolla en gran medida mediante la construcción. Verificar si existe fuente de voltaje. 2. Utilizar un medidor dc: tomar algunas medidas como lo marca el manual de reparación que contiene el diagrama esquemático del circuito y un listado de los voltajes dc de prueba. Síntomas y posibles acciones Si no existe un voltaje ac de salida: l.15 ANÁLISIS POR COMPUTADORA Debido a que los cálculos para la ganancia de voltaje. Cuando se construye y prueba un amplificador a FET en el laboratorio: 1. se tiene que verificar la señal en varios puntos empleando un osciloscopio para ver la fonua de la onda.bIes. cual~ quier configuración que no esté listada probablemente será alguna variación de aquellas que aparecen en la tabla. Comprobar si el voltaje de saEda en VD se encuentra entre O V Y VDD' 3. 2. porque los componentes que se utilizan con fre~ cuencia pueden sobrecalentarse cuando se utilizan de fonna incorrecta y ocasiona que cambie el valor nominal. De hecho. amplitud y frecuencia. 3. 4. Verificar el voltaje de ac en cada extremo de las terminales de acoplamiento del capacitar. la solución de problemas en un circuito es una combina~ ción del conocimiento de la teoría y de tener la suficiente experiencia con instrumentos de medición y un osciloscopio para verifícar la operación del circuito. Verificar el código de color de los valores resistivos para asegurarse que son los correctos. Es importante que la señal se encuentre presente para el ciclo completo de la señal. 2.

16 Escriba las líneas del circuito en PSpice para describir los siguientes dispositivos JFET. NJF identifica un dispositivo de canal-n y PJF identifica un dispositivo de canal-p. 1\G Y NS son los números de nodo para el drenaje. Unos cuantos ejercicios demostrarán la manera en que se escribe una descripción del programa de un circuito y cómo se pueden obtener los resultados de salida deseados para la operación ac del circuito. respectivamente: y MODNAME es el nombre del modelo utilizado en la línea . fuente compuerta = 2. así como los datos de salida obtenidos.45 se muestra un circuito amplificador JFET. Re Con un valor de 10 Mn. b) Un JFET de canal-n cuyo 1DSS: 8 mA y Vp : -3 V. El PSpice proporciona modelos de dispositivos JFET.la salida es esencialmente un circuito abierto. dos de los más importantes son VTO : V p: voltaje de corte de la compuerta a la fuente BETA: IDSS IV¡: parámetro que combina los dos parámetros importantes del dispositivo JFET EJEMPLO 9. MOSFET decremental y MOSFET incremental. por lo que se especifica una resistencia de carga de muy alta impedancia. 5. El archivo de descripción del circuito se lista en la figura 9.1: Circuito amplificador JFET En la figura 9. Algunos comentarios acerca del programa PSpice son: Forma de la línea del componente JFET: JI 3 2 o JFET 454 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . compuerta y fuente.MODEL JN NJF VTO: -4 BETA 750E-6 JDOWN524JJ .útil un análisis por computadora. La polarización del JFET se proporciona mediante la fuente de voltaje VCG' la fuente de voltaje VIJIJ y la resistencia del drenaje R D' Se aplica un voltaje de ac de entrada a través dei capacitor el' mientras que la salida amplificada se obtiene mediante el capacitar C 2 . PSpice (Versión DOS): DESCRIPCIÓN JFET Línea del elemento del JFET La forma general para una línea del elemento para un transistor de junta de efecto de campo es JXXXX ND NG NS MODNAME donde JXXXX es el nombre del transistor: ND. Línea del modelo JFET La forma general para una línea del modelo para un JFET es .MODEL MODNAME PJF VTO: BETA: BETA: donde MODNAME es el nombre del modelo dado en la línea del elemento. a) Un JFET de canal-n cuyo I DSS : 12 mA y VI': -4 V.46 para el circuito que está analizándose (figura 9. PSpice requiere que la trayectoria de salida esté conectada a tierra.MODEL JJ NJF VTO: -3 BETA: 889E-6 = Programa 9. Solución a) =4 Y b) JUP 5 24 JN . Suponer que cada dispositivo se encuentra conectado en los nodos: drenaje:.45) y que muestra todos los nodos marcados.MODEL MODNAME NJF VTO : .MODEL que se describe a continuación. De los varios parámetros del modelo JFET.

el circuito de la figura 9.***** ••• **********. 3FET Amplifier .' ce ..OPTIOIlS NOPAGE . 907E-03 -1.4998 TEMPERATURE NODE VOLTAGE 27.uF ! 6 el . 521E-ll POWER DISSIPATION AC AHALYS!S 7. 5000 ( 3)' 12.45 JFET amplificador para el análisis PSpice .END **** Junction FET MODEL PARAMETERS JFET NJF VTO -4 BETA 625.." 10 mA IOMn I . Forma de la lineal del MODELO JFET (JFET MODEL): .0000 VOLTAGE Nl\IIE VDD VGG TOTAL SOURCE CURRENTS C\JRRENT -3 . Las unidades megaohms están marcadas como MEOOHM (MEO también es apropiado).**** •• ** vao 6 O OC 20VOLTS VGG O 5 OC 1.5 V 1 O Figura 9.0000 -1.000 DEG e Figura 9. - \.. La polaridad de la batería.02UF e2 3 4 2UF VIlO AC lOMV .46 Salida de PSpice para.000 DEG C ( 0.000E-02 V(J) V(4) 1.81E-02 WATTS TEMPERATURE 27.!----i 1---. el 1 2 O.~ Vp i O.45.2_-----. i 1.15 Análisis por computadora 455 .MODEL JFET NJF VTO También es importante observar: l.000E-02 6.************** •••••••••• **. 2.249E-02 6. -1 I Re IOMn 5 . V CG' se proporciona al identificar una fuente de 1.==!OmV'\.MOOEL JFET NJF VTO=-4V BETA-6.~ \ 0..* CIRCUIT DESCRIPTION •• *********..249E-02 9.. .0000 20..25E-4 *.5 V desde el nodo O (positivo) al nodo S (negativo).02 .5VOLTS J1 3 2 O JFET RG 2 5 10MEGOHM RO 6 3 2KOIIM RL 4 O lOMEGOfIH..PRINT Ae V(l) V(2) V(3) V(4) .25E-4 .OOOE+04 1..000000E~06 SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION **** ( HODE 1) VOLTAGE 5) NODE ( ( 2) 6) VOLTAGE -1.* ••••• *. ::: 1".~' 1 -4 \' ~ + v..AC LIN 1 leRH lOKH ..i..Fixed bias = -4V BETA = 6.V DD (+20V) o ~RD~2kQ ~ C~.1870 NODE ( 4) VOLTAGE 0. **** FREQ V(l) V(2) 1.4 .

000E+04 456 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .354E-02 l.** FREQ AC ANALYSIS V(l) l.2: Amplificador a JFET con autopolarización La figura 9.48 proporciona la descripción del circuito +Voo (+30V) RD 4.EHD **** VTO BETA Junction FET MODEL PARAMETERS JFET HJF -4 625. Rs' está en desvío mediante el capacitar Cs. e. El resistor de polarización.GE ( 4) 1.6945 VOLTAGE SOURCE CURREH'l'S llAME CURRENT VDD -3. Rs 5lOfl ..OOOE-03 V(2) l.* VDD 6 o OC 30V Jl RG RO RS RL 3 2 4 JFET 2 O lOMEe 6 3 4.249.~e LXH 1 10KH 10KH .000000E-06 ••• 1I00E ( ( SMALL SIGHAL BIAS SOLU'IIOH VOL'IAGE HaDE VOL'IAGE 1) 0.000 OEG e }tODE VOLTA. El circuito tiene una ganancia de voltaje. V(4)N(l).0000 HaDE ( TEllPERATURE VOL'IIIGE 3) 14.PRINT se puede utilizar para proporcionar los voltajes en ac de los nodos 1. 3 Y 4.0E-06 5) 0.0000 ( 6) 30.PRXHT ~e V(l) V(2) V(3) V(5) .lUP es C2 3 5 lOUF 4 O 20UF VIlO AC lKV . de tal forma que la iínea .47 es un amplificador que tiene autopolarización.3.OOOE-Ol 1.RS Sel! bias *.0000 ( 2) 161.47.47 JFET amplificador con autopolarización .48 Salida de PSpice para el circuito de la figura 9.7kfl C. El . V p =-4 V I vss = iOmA -1 ? Figura 9.000 OEe e V(3) V(5) 1.AC UN proporciona una frecuencia de 10 kHz.OPTIOHS HOPAGE .2SE-4 . CIRCUIT OESCRIPTION Figura 9. Programa 9. La figura 9.323E-03 ~AL ?QWER DISSIP~TION ~.MODEL JFET NJF VTQ=-4V SET~=6. 2. JFET Amplifier .7K 4 O 510 5 O lOMEe el 1 2 O..~1E-02 WATTS TEMPERA'IURE ~ 27. 6.3840 21.354E-02 *.

.3: JFET amplificador con polarización DC mediante divisor de voltaje La figura 9.41< Cl 1 2 0.49!JiE-03 9.2 kO v. e.. ..alaDa..l'RDT .00"""2 lIAftS V(4) H**. +VOD (+20 V) R. Programa 9. La línea del modelo JFET parece ser la misma que en el circuito anterior en las figuras 9. lOMa R¡.. -4 v IDss"" lO mA V.TItRS l fJI' . _ . Jn:t al R2 RO 118 6 2: 'OIUQ 2 O lC111BG 3 6 2. e.5000 27.. FI'r IIODBL PARAIIE.IIIID ..0008+04 1.0001 CIIIIIUIII'1' ~ -2.49 proporciona un voltaje de polarización mediante divisor de voltaje y una amplificación de Vi a Vo ' La descripción del circuito en la figura 9..5OOB-03 -. I mV Figura 9.384 V..1UF es 4 O 40UF C2 l $--_10Ur u..69 V.000 DBG C V(5) 9....000000"'''' ( ( .".** •••••• *••• ***..49 Amplificador polarizado '\" R. VGS = V (2) .JI(! .15 Análisis por computadora 457 .000 DJIG e BODE VOUl'AGE ( ') 6.******* \IlID 6 O De 20V JI :J 2 . --lIftA 425. 1 es I4O~F ...****** ••••••••••** •••• ***...)" VI 1 AC lIlY . 10 Ma Rs 2..50 Salida de PSpice para el circuito de la figura 9. OtsBnA'rIOK $.V( 4) =.. _***... con la resistencia de polarización Rs en desvío mediante el capaeitor Cs' Se observa la ganancia de voltaje de V(5)N(I) = 5.49..0000 ( 2) 4. =·10 ~F Vp .000&-03 TDIPDA'rURE V(3) 27..2SS-4 •• ** 9'rO JUnct. 5 . mediante divisor de voltaje. AC:AKALYSlS • "(1) 1.499.0008-03 V(2) 1.< .46.947B-07 5.".499B-03 S. JPft JI.Voltaqe divider. JFET AMplifier .~IO\IS LIJI 110m '10111 AC_ V(l) _V(2) 17(4) V(3) V(5) o 1_ o V'l'O--tV BBTA-6..en PSpice y los resultados de salida de la polarización y la operación en ae. La polarización se obtiene en VD = V(3) = 14.50 incluye el mismo modelo del transistor que en los dos circuitos previos. La ganancia de voltaje se observa de V(5)N(I) = 13. 40Ma Rv 2.0001 0..54.1on.'0000 ( 6) 20.0000 IIODE ( TBIIPI!RMtIRII - VOL'l'ME 3) 14..45 y 9.D 4 o 2.IP'l"ION Figura 9.4 ka ... _ - _ 1) 5) _InGllllL· BIAS SOLUTI011 IIODB WVl'AGB 0. mientras que el voltaje de la compuerta a la fuente.1. self-bias •• CIRCUlT DBSat..

SXGIIAL BUS 1IOImI0lI _ votIrAGB 27..000B-03 27..0000 IIIIALL ......'PRl1ft JIC VI:1.*.51 es un amplificador incremental con una entrada ac en Vi y una salida resultante Vo' La descripción del circuito en PSpice la proporciona la figura 9.52.... IIOI>I! _ ".52 Sa..1 ¡ti' RL lOMO FIgUra 9...51 Amplificador MOSFET incremental... MI 3 2 O 4 ~T la cual identifica el elemento como un dispositivo MOSFET (MI).lida de PSpice para el circuito de la figura 9..DI'l'XOIIS JIOPAGB •••• ~IIODBL_ _..) VIS) o l_ . JFJS AC AIopl1fier ....... conectado desde el drenaje (nodo 3)...0000 ( 'JI '."000 DBC: V(5) 3. fuente (nodo O) y sustrato (nodo 4). ( ( -- 1 2 20.. Figura 9. compuerta (nodo 2).52'0 (4) VOI4'IIGB SOORCB c:tJIlRBRTS VDD -5..Programa 9.*.00000011:-0..IIIIP ....2kO lOMO 0.....1111' <:2 3 5 O... ~ 3 10 4 ~ ...5) 'IOLTJIG& 1) 0. _ RnI'I BJIOSC'V'to-2V) VI 1. El listado de salida muestra la polarización en VD = V(3) = 9..529 V Y una ganancia de voltaje de V(5)N(l) = 3...ACLDI 1 1~ 10lQ1 .. 296E-03 e 458 Capítulo 9 Análisís a pequeña señal del FET ....lU1' IIL 5 ..*••••••••**.. 2 0.0 JlC 1JIV ....oooB+04 1..51...21: :1.4: Amplificador MOSFET incremental La figura 9.. AC AHALYSI8 FIIIIQ Vel) 1..296. 669B-04 1.'290 22..I'IIIPBIIM'II - ..IIQ 2 3 1 _ ' 'lIJO 6 O DC22V a RD 3 6 2. ClRCOIT DESCRIP'l'IOII . Se obrerva la linea del dispositivo MOSFET.25B-02 lIAT'l'S '1'BIIPBRAl'UJt - 'l'InAL POIIBR DISSIPM'lOll ..1765 ( 0. con un dispositivo MOSFET Vno (+22 V) RD 2.0000 e 2) 6) 1».000 DIIG IIOOB _ e .

de canal-n (NFET).999 mV (= 1 mV) a 0. Oprimir en Vto y cambiar a -4 V seguido por Beta que debe ser ahora de 6.54. VI lmV lOMeg Figura 9. Nótese que VTO es -4 V Y que BETA es 625E-6 = 6.32 mA.1 uF RG '\. como debe ser en el caso que el capacitar esté desarrollando su papel de forma adecuada. nótese que gm está listado como 2. También. Se observa en este caso que se incluyen los tres símbolos de impresora para imprimir la salida de los voltajes de entrada y de salida así como el voltaje de ac a través del resistor Rs' La inicialización de la fuente de ac a sus niveles prescritos se describe con detalle en la sección correspondiente del capítulo 8. Para incluir el hecho de que lDSS = 10 mA y V p = -4 V debe cambiarse la descripción del modelo proporcionado al oprimir (sólo una vez) primero el dispositivo en el esquema y luego tomar la opción Edit del listado del menú. el cual es en esencia -180".25)1V a -89.94 mS. El archivo de salida resultante se muestra en la figura 9. La línea del modelo del dispositivo .slb dentro de la caja de diálogo Get Par!.53 aparecerán una vez que se haya completado la simulación.88 mS calculados de la siguiente manera: El voltaje de salida (en el nodo 5) tiene una magnitud de 13.9°.. El JFET de canal-n J2N3819 está incluido en la biblioteca eval.25E-4.PHASE=ok 4.36 mA.9° (= 90°).31 mV comparado con los 13.47. El ángulo de la fase es de -179.53 Investigación mediante Windows de la red de la figura 9.47.MODEL NFET NMOS (VTO = 2V) proporciona la especificación de que el MOSFET incremental tiene un voltaje de umbral de VTO = VGS(Th) = 2 V. RO VOO el -r 30V Ae=ok MAG=ok . 9. El voltaje de ac a través de Rs es en esencia de OV. de la cual se obtiene la configuración de la figura 9. Luego se selecciona la edición del modelo únicamente para la utilización momentánea (Model y Edit Instanee Model) y aparecerá el Model Editor. La señal aplicada (en el nodo 1) es de 0.53.54 mV del análisis DOS.. El listado del modelo indica que la corriente de drenaje en de (ID) es de 3.7k e2 AC=ok MAG=ok PHASE=ok Ae=ok MAG=ok PHASE=ok RL 10Meg 0. Análisis del centro de diseño de PSpice para Windows Ahora se aplicará la versión para Windows de PSpice para la red de la figura 9. el cual corresponde muy bien con los 2. el cual corresponde de cerca con el nivel calculado de 3. +r---------. Luego OK y se está listo para el análisis (Analysis-Simulate).15 Análisis por computadora 459 . Los niveles de en los puntos de observación (VIEWPOINTS) de la figura 9.25E-4.001 ° (= 0°) y el voltaje a través de la resistencia Rs es de 2.

27 .4...YSIS ~.0000 1.0000 30.. UIIGIDIL lB XSIt ALPIIA J'Z.. 3622 -2.. """" V -- 27.............._ .15 '322 •• 000001l-15 3U.53.....600000B-12 2.71011 0.2040 ....6 1 1 1...3618-03 •••• JPftS .......... .lF 11ft" -4 625....Zs. 000 1.....-12 .. QID m Dm" •••• AC AllU...414000..000&+04 2..........................7 243.....hU Junct:ion f'ET IIOOEL PIIWG"l'BRS •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••• •••••••••••• .....000• .. """ GIl IIODI!L .... " .'1'CI! Kl' • 33....0000 1...1""0002-18 ..570000....5 9.5000008-03 -.......o... ..0000008-06 ~..~500oaa-ol VI< as ces RI> COI> V'I'O'1'C ...3819-X JI...cZ-OS -8. 460 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET ."1&+01 Figura 9..0045 0..54 Archivo de salida para el análisis Windows de la red de la figura 9..000 0.00 -3.

uS. 10. detennine la impedancia de salida del dispositivo. y la ganancia de voltaje ideal del dispositivo. Para un JFET cuyos parámetros de dispositivo son gmo = 5 roS y V p = -3. e) ¿Cuál es el valor de g". ¿cuál es el valor de gm? ka tiene también una ganancia de voltaje 11.56: a) ¿Cuáles el valor de Tdpara Ves = O V? b) ¿. Zo(FET). V p = -3 V) en un punto de polarización de 5. = 12 mA. Si un JFET que tiene un valor específico de Td :::: 100 ideal de A/FET):= -200. Vp := -5 V) cuando está polarizado en VesQ = V¡l4.Cuál es el valor de gmo cuando V DS := 10 V? Problemas 461 . e) ¿Cuál es el valor de gm cuando V esQ = -1.5 V utilizando la ecuación (9. Vp:= -5 V) está polarizado cuando 1D:= 1DS5 / 4.5 mS e Yos:= 25 .5 V? 6.5 V. § 9. (lDSS = 12 roA. pero las prioridades necesitan que se deje el ejercicio al lector. Utilizando las características de transferencia de la figura 9. 2.5 V. ¿Cuál es el valor de gm para dicho punto polarizado? 7. d) Detennine gm gráficamente cuando Ves := -2. AJFET). Un JFET (lDSS:= 10 mA.2 Modelo de pequeña señal del FET 1. Vp = -5 V. Para un JFET que tieneg m = 6 mS en VesQ =-1 V. Una hoja de especificaciones proporciona los siguientes datos (como una lista de corriente drenaje-fuente) Yj' = 4. Calcule gmo PROBLEMAS IDSS para un JFET que tiene los parámetros de dispositivo IDss:= 15 mA. Para un JFET que posee los valores espedficos dey/s:= 4.Mediante el uso de Probe (como se describió en la sección correspondiente del capítulo 8) las fonnas de onda reales se pueden mostrar. 12. determine: a) gm' b) 'd' 9.6)? Compárela con la solución del inciso d. Y" = 25 ¡iS Para la comente drenaje-fuente listada. Calcule el valor de gm para un JFET Ves =-1.5 V. Utilizando las características de drenaje de la figura 9. Determine el valor de gro para un JFET (IDSS = 8 mA. Determine el voltaje de corte de un JFET con gmo = 10 ruS e 3. cuando VeSQ = -2.5 mS. ¿cuál es el valor de IDSS si Vp ==-2.6)? Compárela con la solución del inciso b. 8. ID (mA) 10 9 8 7 6 5 4 3 2 -5 -4 -3 -2 -1 o VGS (V) Figura 9.5 V utilizando la ecuación (9. ¿cuál es la corriente del dispositivo cuando Ves = O V'! 4.55 Características de transferencia del JFET para el problema 11.55: a) ¿Cuál es el valor de gmO? b) Detennine gráficamente gm cuando Ves == -1.

ZQ y Av para la red de la figura 9. Vp = -4 V Y 'd = 40 ka.(núnimo) = 750 liS.57 si 1DSS = 12 mA.8kn !------If---<> V. 17. y.S.5 Y +T "=' Figura 9. Vp = -4 V. 462 IMn -"=" z.1S. Dibuje el modelo equivalente de ac para un JFET si 1DSS = 10 mA. 13. Vp = --6 V YYos = 40 ¡. Para un JFET de canal·n 2N4220 (y¡. 1.57 Amplificador con polarización fija para los problemas 17 y 18. a) Grafique gm en función de VGS para un JFET de canal-n con 1DSS = 8 mA Y V p = --6 V..56 Características de drenaje del JFET para el problema 12.57 si IDSS = 10 mA.3 Configuración de polarización fija para el JFET y Av para la red de la figura 9. b) Grafique gm en función de ID para el mismo JFET de canal-n del inciso a. 18. 15. 20 +\8V 1.. § 9.gm D (mA) 10 9 8 7 6 5 4 3 2 o 2 3 4 5 6 7 8 9 JO II 12 13 14 15 16 17 18 19 20 Figura 9. Calcule Z¡. z. VGSQ::: -2 V e Yos = 25 liS. Detennine Z¡. Dibuje el modelo equivalente para un JFET si )js = 5.6 mS e Yos = 15 J. Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . 16.(máximo) = 10 liS): a) ¿Cuál es el valor de gm? b) ¿Cuáleselvalorcterd ? 14.

Detenrune 2i' Zo y V o para la red de la figura 9. 20 y Vo para la red de la figura 9. +12V 20V 3.59 si 1DSS = 6 mA. Calcule Z¡.58 Problemas 19.4 Configuración de autopolari2'ación para el JFET 19. 26y48. 22. 24. Elabore nuevamente el problema 24 si r d = 20 U2 y compare los resultados. .Z. Detennine Z¡. Problemas 463 . Repita el problema 19 si Yos = 10 pS. +20 V 2kn 82 Mil I DSS = 12rnA Vp =-3 V Td = lOOk.58 si Yfs = 3000 f1S e Y05 = 50 JiS.58 si se elimina el capacitor de 20 J1F Y los parámetros de la red son los mismos que en el problema 19. JO Mil J. 24. Compare los resultados con el problema 19.IIMil Rs 6JOil F. Detennine Zj' Zo y Av para la red de la figura 9. 1 Mil fIgUra 9. Compare los resultados con el problema 19. Vp == --6 V e Yos = 40 /lS.l kil ¡ 20¡J.Q Vi -Zi o-----}I---+---I.F -Z.§ 9. Calcule Z¡. 25.60 si Vi = 20 rnV y se elimina el capacitor Cs· 25. 21. Zo y Av para la red de la figura 9. Zo y A. § 9. 21 Y 46.60 si Vi = 20 mY. 26.gura 9.5 Configuración de divisor de voltaje para el JfET 23. Repita el problema 23 si r¿ = 20 kQ Y compare los resultados.o para la red de la figura 9.60 Problemas 23. 20. F"lgura 9.3 kn 2kn -Z.59 Configuración con autopolarización para los problemas 20 y 47.

.Z.---~.5 kO I DSS =8mA Vp =-2. Figura 9.8V rd =40kO . 31 Y49.. ra::i Vp :::-6V 30 kQ lOMO 3.3 kO .-Z.§ 9.1 kQ F"lgura 9.2 kO .. - Z.1 rnY. Zo y Av para la red de la figura 9. <>--tt---. Determine Z¡. § 9.Q.63 si Vi = 0.61.7 Configuración de compuerta común para el JFET 30. 20V +20 V 3. +16 \' 1. 1 kíl I DSS = 7.3 kO 91 MO 2. 29. Calcule Vo para la red de la figura 9..6 Configuración fuente-seguidor para el JFET 27.3 kO -Z¡ lvss = 9 mA Vp =-4. 464 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .64 Problema 32. 31.64 si rd = 33 ka. -Z. Figura 9. Determine Z¡. Calcule Zi' Zo y Av para la red de la figura 9.5 mA V p :::-4 V l . 28.63 Problemas 30. liMO Figura 9. z. Repita el problema 27 si rd = 20 kQ.8 MOSFET de tipo decremental 33. 32.. Repita el problema 30 si r d = 25 k.65 cuando Yos = 20 j1S.5V rd =40kQ I DSS =6mA lOMO 2. Figura 9... +22 V +15 V 3.62. § 9. v..2 kO -Z¡ 1. Detennine Z¡.61 Problemas 27 y 28.62 Problema 29.65 Problema 33. ZQ y Vo para la red de la figura 9. 20 y Av para la red de la figura 9..

- Z. lDSS = 12 roA Vp =-35 V lOMO 1000 ¡ - Z. Zo y A" para el amplificador de la figura 9. +16V 2.8 k!2 +---~I---~O v.3 X 10-3 . Figura 9. Problemas 465 . -Z.34. § 9. Calcule V o para la red de la figura 9. 10ss = 12mA Vp =-3 V r d =45kQ f--o V.10 Configuración de retroalimentación en drenaje para el EMOSFET 38. +18 V +20 V 6.67 Problema 36. 36.----+--1(------<> JOMO - V.68 Problema 37.66 Problemas 34. 91 MO v. Determine gm para un MOSFET si VGS(Th) = 3 V Y está polarizado en VGSQ = 8 V. Figura 9. 37. 40 Y51. z. Repita el problema 34 si r d = 25 ka.69 Problemas 39..o----)t--+---' 15MO v.67 cuando Vi = 4 mV.. Detennine Z¡. Calcule Z¡.3 k!2 ¡ -z. 35 Y50.Q.66 si rd = 60 k. 20 y Av para la red de la figura 9. 20 y Av para la red de la figura 9. Figura 9.3 X 10-3 39. JOMO J. o-----)I--+_--' 3.J k!2 .69 si k = 0. Suponga k = 0.2kO .8 k!2 91 Mn t----1I(---oo V. Figura 9. Detennine Z¡. 35. +22 V 1.68.

. 41.3 x 10-3 Yos=30. Determine Vo para la red de la figura 9..70 si Vi = 20 mV. § 9.40.72 Problema 44. VGS(Th) =4 Ve ID(encendido) = 4 mA con IOkQ Vi o----)t---+---" 1 VGS(Th) = 3. Calcule VGS(encendído) =7 V con Yos Vo para la red de la figura 9.70 Problemas 41 y 42. Repita el problema 39 si k cae a 0.72 para tener una ganancia de 8.8 mV y r d = 40 ko.5 v rd = 25 pS IOMQ Figura 9.US Figura 9.S. § 9.2 x 10-3 • Compare los resultados.71 Problema 43. 466 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . Determine el voltaje de salida para la red de la figura 9. Diseñe la red de polarización fija de la figura 9.71 si Vi = 0. +20 V Vi = 4 mV. IDSS=8mA Vp =.11 Configuración de divisor de voltaje para el EMOSFET 43. +VDD (+22V) f------ov.5 V k=O. 42. 30V 3.12 Cómo diseñar redes de amplificador FET 44.3 kQ 40MQ Figura 9.70 si =20 p.-2.

detennine la ganancia de voltaje para la red de la figura 9. 47. 46. I DSS = 12mA Vp =-3 V rd =401dl la \-In ¡ § 9. Utilizando PSpice (DOS o Windows). 50. Por medio de PSpice (DOS o Windows).69.73 para tener una ganancia de 10. detennine la ganancia de voltaje para la red de la figura 9. Utilizando PSpice (DOS o Windows). detennine la ganancia de voltaje para la red de la figura 9. 49. 48. Problemas 467 .73 Problema 45. detennine la ganancia de voltaje para la red de la figura 9.59. Por medio de PSpice (DOS o Windows).45. detennine la ganancia de voltaje para la red de la figura 9. Utilizando PSpice (DOS o Windows). detennine la ganancia de voltaje para la red de la figura 9. Diseñe la red de polarización fija de la figura 9. 51.60. Por medio de PSpice (DOS o Windows). El dispositivo debe estar polarizado en VGsQ = +Vp .63.58.66.15 Análisis por computadora Figura 9.

La tendencia hacia los sistemas en un solo encapsulado es muy comprensible cuando se consideran los enormes avances en el diseño y manufactura de circuitos integrados.1) 468 .). De hecho. según las iniciales en inglés de: integrated circuits). En las siguientes secciones se desarrolla la aproximación a los sistemas de manera deliberadamente lenta.1 Sistema de dos puertos. ci (también le. En la figura 10.CAPÍTULO Aproximación a los sistemas: efectos de Rs y RL _ _ R/RL -------------------- 10. que serían algo voluminosos si se fabricaran con componentes discretos (individuales). pero ampliadas según surja la necesidad. Ahora será muy útil para las siguientes configuraciones el énfasis de los capítulos previos para la determinación de los parámetros de dos puertos para varias configuraciones. se encuentra que si Vi se hace cero 7 '"'Th . En particular se observa la ausencia de una carga y de resistencia de la fuente. Por el momento debe reconocerse que tanto los niveles de impedancia como las ganancias de la figura 10. se logrará una primera parte en el entendimiento del análisis de sistemas. A"m. Los pequeños encapsulados de ic contienen diseños estables. -J.1 INTRODUCCIÓN En años recientes la aparición de una gran variedad de redes y sistemas en un solo encapsulado ha generado un creciente interés en la aproximación a los sistemas para el diseño y el análisis. la cual incluirá gran cantidad de ejemplos para resaltar cada punto. Si se observan las terminales de salida de una "manera Thévenin". Si el contenido de este capítulo es claro y entendido correctamente. 10.2 SISTEMAS DE DOS PUERTOS La siguiente descripción puede aplicarse a cualquier sistema de dos puertos. muchos de los resultados obtenidos en los últimos dos capítulos se utilizan en el siguiente análisis. confiables. z. esta aproximación se concentra en las características de las terminales del encapsulado y trata a cada una como un bloque constructivo en la formación del encapsulado total.1 están determinados para las condiciones sin carga (ausencia de R L ) y sin resistencia de la fuente (R. sofisticados. auto verificados. + v. = Zo = Ro (10. El contenido de este capítulo representa un primer paso en el desarrollo para familiarizarse con esta aproximación. AiNL 1" o -+ z" v" ~ T Thévenin F'lgura 10. En una sección posterior se considera a detalle el impacto de estos importantes elementos. Fundamentalmente. Las técnicas que se tratarán se utilizan en los capítulos restantes.1 se han identificado los parámetros importantes de un sistema de dos puertos. La aproximación a los sistemas no es difícil de aplicar una vez que las definiciones básicas de los diferentes parámetros hayan sido entendidas correctamente y demostrado con claridad la manera en que éstos se utilizan. aunque el énfasis en este capítulo es en estos dispositivos activos. no sólo a aquellos que contengan BIT y FET.

Dibujar el equivalente de dos puertos de la figura 10. V.c.1 r---~r--<> 12 V Vi o------}t--. se hace V.3 (ejemplo 8. Antes de continuar se verificarán los resultados de la figura 10. La ausencia de una carga ocasiona que 10 = O. 10.2 Sistemas de dos puertos 469 . Al sustituir el circuito equivalente Thévenin entre las terminales de salida se obtendrá la configuración de salida de la figura 10.. = 0.2 Sustitución de los elementos internos para el sistema· de dos puertos de la figura 10.+----t lO~F li 470kQ p= 100 r()=SOkO -Zo FIgUra 10.: -Av (Z¡ IR L)' donde R L es la carga defmida para el análisis que se lleva a cabo.ETh es el voltaje del circuito abierto entre las terminales de salida identificadas como Vo ' Sin embargo. No Load).. Esto no significa que la cantidad se calcule rara vez. pueden representarse tanto Z(J como Z¡ mediante elementos resistivos.L = V. Yque la caída de voltaje a través de la impedancia R. Debido a que el interés por el momento se concentra en los amplificadores BJT y FET.2.1. (10. el voltaje de salida del circuito abierto es de Av:>.. Y Vo = A v:-.1. a cero.2 al encontrar Zo y A V"L de la manera usual. obteniéndose A V. + Vi -Ii R. Vi' como debe ser. Para encontrar Z . V. Por tanto. EJEMPLO 10. El res~ltado es una impedanciri'ae'salida igual a Ro tal como se había definido originalmente.2 para la red del transistor con polarización fija de la figura 10. se observa el hecho de queA¡ no aparece en d modelo de dos puertos de la figura 10.!.1).3 Zi Ejemplo lO. sino que se calcula con mayor frecuencia a partir de la expresión A¡ .2 y de hecho rara vez es parte de un análisis de un sistema de dos puertos de dispositivos activos. Para el circuito de entrada los parámetros Vi e Ii se encuentran relacionados mediante Z¡ = R¡. A V¡'. Antes de ver un ejemplo. lo cual permite el empleo de R¡ para representar el circuito de entrada.2) Obsérvese el uso del subíndice adicional NL para identificar una ganancia de voltaje sin carga (del inglés. permitiendo un corto circuito equivalente para la fue~te. sea de OV. VI de manera que ETh =A v~1. _Vo Zo Figura 10.

De manera ideal.069 k:O. El modelo puede aplicarse a cualquier amplificador de corriente o voltaje controlado. . También revela un cambio de fase de 1800 entre los voltajes de entrada y de salida. li 10.1.2.11 Al utilizar la información anterior.Solución Del ejemplo 8.3 EFECTO DE LA IMPEDANCIA DE CARGA Ql. Aunque no necesita ser el caso (Re podtia definirse como el resistor de la carga en el capítulo 8). En la figura 10. la ganancia del sistema sin una carga aplicada.~ '1 Flgura 10.5 Notación del amplificador operacional (op-amp). + VI R¡ {~o 1.1 se incluyó Re = 3 kQ para definir la ganancia de voltaje sin carga.5 aparece un segundo formato para la figura 10. 2i 20 A 'NC = 1.1. el análisis de este capítulo asumirá que todos los resistores de polarización son parte de la ganancia sin carga y que un sistema con carga requiere una carga adicional RL conectada a las terminales de salida. En particular se observa el signo negativo asociado con la fuente de voltaje controlada. A VNL es. de acuerdo con su definición anterior. puede dibujarse el equivalente de dos puertos de la figura 10. .l1V¡ ~ Vo Figura 10.4. Equivalente de dos puertos para los parámetros especificados en el En el ejemplo 10. El único cambio consiste en la apariencia general del modelo. Ri y Ro son las impedancias de entrada y de salida del amplificador como se definió mediante la configuración. OPerational AMPlifiers).J En esta sección se investigará el efecto de una carga aplicada utilizando el modelo de dos puertos de la figura 10.evela una polaridad opuesta para la fuente controlada que la indicada en la figura.2.4 ejemplo 10. la cual es particularmente popular con los amplificadores operacionales op-amps (por las palabras en inglés.'\" -2&O. el cual .069 kQ = 3 kQ = -280. todos los parámetros del modelo perma- 470 Capítulo 10 Aproximación a los sistemas: efectos de Rs y R L .

3) + v. mientras que en otros Ro puede ser sensible a la resistencia de la fuente.6) para la situación sin carga.3) a (10.El siguiente ejemplo demostrará la utilidad y validez de las ecuaciones (10. Al aplicar la regla del divisor de voltaje al circuito de salida se obtiene vo y = (10. -1 Ya que el cociente RL/(RL + Ro) siempre será