Professional Documents
Culture Documents
: : :
ARSITEKTUR KOMPUTER VI
VIRTUAL MEMORY (Lanjutan)
3. Teknologi Semikonduktor 2(dua) transistor untuk fabrikasi IC : Bipolar transistor Mosfet a. F.E.T
Silicon Semiconductor technology
MO
Edisi: 01
6/ 1 - 14
: : :
n channel
c. Bipolar Transistor TTL (Transistor Transistor Logic) IIL (Integrated Injection Logic) d. Teknologi Lain PMOS ECL Teknologi Ga As
Edisi: 01
6/ 2 - 14
: : :
PMOS TTL
NMOS
1 1 1 1
Switching Delay
In je c tio nc u rre n td e p e n d e n t C lo c kfre q u e n c yd e p e n d e n t
2. PRINSIP MEMORY a. Sel Memory Statis Elemen dasar dari sel memory statis adalah FLIP FLOP bistabil. Kepadanya ada komponen lain untuk hubungan data dan kontrol. Keuntungan dari sel memory statis terletak pada rangkaian extern yang sederhana.
Edisi: 01 Rev: 0 Copyright Perguruan Tinggi Raharja 6/ 3 - 14
: : :
Kerugian adalah bersarnya jumlah komponen untuk setiap sel memory. Kecuali itu konsumsi daya pada saat sel itu istirahat untuk setiap BITnya saat ini masih kira-kira 10 kali sebesar komponen dinamis ( kecuali CMOS). Pada beberapa produk nilai ini bisa dikurangi dengan menurunkan tegangan catu pada saat sel beristirahat. Sel memory direalisasikan dalam teknologi BIPOLAR maupun MOS. Memory bipolar telah tidak berarti lagi, karena teknik Bipolar yang normal tidak cocok untuk memory LSI (Large Scale Integration). Kecuali itu dewasa ini sudah ada komponen memory MOS statis, yang menggunakan dayanya lebih sedikit tapi sama cepat reaksinya sepertinya Memory
Edisi: 01 Rev: 0 Copyright Perguruan Tinggi Raharja 6/ 4 - 14
: : :
Bipolar. Sel memory MOS statis yang banyak di gunakan terdiri dari 6 transistor standar.
Vc
Vc
n
T T
n
T T
n
T T
n
T T
WOR
WOR
Bit
Bit
Bit
T1 dan T2 keduanya adalah berfungsi sebagai saklar dari Flip Flop Transistor. Realisasi Tahanan Kerja dilakukan oleh Transistor T3 dan T4.
Edisi: 01 Rev: 0 Copyright Perguruan Tinggi Raharja 6/ 5 - 14
: : :
Kedua transistor lainnya (T5 dan T6) yang di kemudian melalui saluran WORD bertugas untuk untuk menghubungkan saluran saluran BIT. Bila sel memory dipilih, maka T5 dan T6 diaktifkan melalui WORD. Untuk menulis data pada memory Flip Flop bisa di set melalui kedua saluran itu. Untuk membaca data maka keadaaan saluran BIT akan di periksa oleh bagian pembacaan. Agar supaya memory cukup kompak, dibuat
kapasitas memory lebih dari pada kapasitas parasit saluran BIT, ini menyebabka pembacaan data yang destruktif. Setelah setiap siklus baca haruslah isi memory ditulis lagi. Ini terjadi internal. Besarnya signal pembacaan hanya 0,3 V sedang pada 3 sel transistor kira kira 3 V.
Edisi: 01 Rev: 0 Copyright Perguruan Tinggi Raharja 6/ 6 - 14
: : :
Word
Cparasi
Bit
Gambar 4, yaitu 3-sel-Transistor, diperlihatkan disitu tugas kapasitas gale dari transistor T1 untuk penyimpanan muatan, sehingga tidak lagi diperlukan tambahan kondensator. Pada awal suatu siklus baca, tagangan satuan data baca diberi 12 V. Untuk pembacaan mak T2 diaktifkan melalui saluran pemilih baca. Jika tegangan pada kondensator memory lebih besar dari
Edisi: 01 Rev: 0 Copyright Perguruan Tinggi Raharja 6/ 7 - 14
: : :
pada tegangan threshold T1, maka T1 konduktif dan mengosongkan saluran data baca. Jika tegangan gate tidak cukup untuk mengkonduksi T1, maka tetaplah saluran data baca pada tegangan level atas. Untuk penulis maka T3 diaktifkan oleh saluran data tulis mengisi atau mengosongkan kondendator memory.
Edisi: 01
6/ 8 - 14
: : :
MOS MEMORY
1. Pengantar Sasaran penggunaan Cara pencapaian data / akses data Prinsip memory Teknologi 2. Prinsip Memory a. Sel memory statis di bangun dari Flip Flop b. Sel memory dinamis Satu sel transistor perlu kapasitor Timbul C parasitis C parasitis harus lebih kecil dari C memory C memory besar banyak tempat
Edisi: 01
6/ 9 - 14
: : :
3. Teknologi
a.
I2L CMOS
b.
Alasan teknologi MOS lebih cocok dari pada teknologi bipolar : Isolasi sendiri Proses sederhana Transistor MOS resistor Transistor impedansi input tinggi
Edisi: 01
6/ 10 - 14
: : :
TEKNIK CMOS 7. a. Definisi : Sifat sifat penting system : Word tidak disimpan pada tempat tertentu. Jumlah descriptor tidak harus sama dengan jumlah keseluruhan word yang di bandingkan. Deskriptor bisa muncul di beberapa word yang di bandingkan. Deskriptor bisa muncul dibeberapa word. Sebarang bagian word yang disimpan dapat dijadikan descriptor pilihan. Contoh aplikasi : Bibliotek = Perpustakaan Teknologi untuk memory asosiatif
Edisi: 01 Rev: 0 Copyright Perguruan Tinggi Raharja 6/ 11 - 14
Addressable Memories
: : :
Magnetic elements : Menggunakan sifat sifat fisika : kurve histrisis Cryotron Nilai S/N ratio besar IC
VCC
: : :
R. 1
R. 1
Edisi: 01
6/ 13 - 14
: : :
Edisi: 01
6/ 14 - 14