You are on page 1of 3

IMPURITY BAND CONDUCTION

Ionis ketidakmurnian terurai Mendekati temperatur nol

Kecilnya zat sisa daya konduksi Suhu terendah Fungsi gelombang elektron (atau lubang) yang terikat pada lokasi ketidakmurnian dapat disesuaikan

PITA KONDUKSI PENGOTOR

Ketika konsentrasi rendah

Terjadi ketumpangtindihan fungsi gelombang pada ketidakmurnian yang berbeda

Ketumpangtindihan yang tidak dapat diabaikan Menghasilkan antaran (angkutan) muatan memungkinkan satu elektron berpindah ke terowongan dari satu tempat ke tempat yang lain

THE THEORY OF TRANSPORT IN NON DEGENERATE SEMICONDUCTOR

F(v) =

exp {

Dengan, n adalah jumlah total kerapan distribusi elektrondistribusi electron

Keseimbangan termal dalam percepatan distribusi untuk elektron dekat pita penghantar minimum

TEORI PERPINDAHAN BUKAN TURUNANSEMIKONDUKTOR

Dua pengecualian keseimbangan termal kecepatan distribusi molekul dalam gas klasik

Dalam gas klasikal, pengkhususan kerapatan molekul n Dalam semikonduktor, n adalah suatu fungsi temperature yang sensitif

Dalam gas klasikal, tensor massa M adalah diagonal

THERMAL EQUILIBRIUM CARRIER DENSITIES OF IMPURE SEMICONDUCTORS

d di bawah pita hantaran minimum e dan a di atas pita maximum v sehingga diperoleh: d > a

Di dalam satuan semikonduktor Na dari electron Nd disediakan oleh ketakmurnian donor yang dapat menyebabkan pihak donor ke pihak penerima

Untuk menentukan rapat pembawa ketakmurnian intrinsic, adalah nc = pv, dimana nc (T) = pv (T) = ni (T)

KESEIMBANGAN TERMAL KERAPATAN SEMI PENGHANTAR TAK MURNI

Untuk menentukan rapat pembawa ketakmurnian instrinsic adalah nc = pv dimana nc (T) = Pv (T) = ni (T)

Dalam keseimbangan termal saat suhu T, electron akan didistribusikan lagi pada tiap tingkatannya

Sebagai hasil, pembawa kerapatan yang dominan dengan penurunan suhu adalah:

Ketika jumlah total electron sama, banyaknya electron dalam pita penghantar nc + nd, harus melebihi nilai saat T=0