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Arseniuro de galio - como un material fotovoltaico Temas tratados Fondo Inconvenientes y Oportunidades Eficiencia alta Conceptos y Concentradores El desarrollo

de la tecnologa multiunin Fondo Arseniuro de galio (GaAs) es un semiconductor compuesto de: una mezcla de dos elementos, galio (Ga) y arsnico (As). El galio es un subproducto de la fundicin de otros metales, en particular aluminio y zinc, y es raro que el oro. El arsnico no es raro, pero es venenoso. Uso de arseniuro de galio en clulas solares ha estado desarrollando sinrgicamente con su uso en diodos emisores de luz, lseres y otros dispositivos optoelectrnicos. GaAs es especialmente adecuado para su uso en clulas de multiunin y solares de alta eficiencia por varias razones: La brecha de banda GaAs es de 1,43 eV, casi ideales para las clulas solares de una sola unin. GaAs tiene una capacidad de absorcin tan elevada que requiere una clula slo unas pocas micras de espesor para absorber la luz solar. (Silicio cristalino necesita una capa de 100 micrmetros o ms de espesor.) A diferencia de las clulas de silicio, clulas de GaAs son relativamente insensibles al calor. (Temperaturas de la clula a menudo puede ser bastante alta, especialmente en aplicaciones de concentrador.) Aleaciones a base de GaAs utilizando aluminio, fsforo, antimonio, o de indio tienen caractersticas complementarias a las de arseniuro de galio, lo que permite una gran flexibilidad en el diseo de la clula. GaAs es muy resistente al dao por radiacin. Esto, junto con su alta eficiencia, hace GaAs muy deseable para aplicaciones espaciales. Una de las mayores ventajas de arseniuro de galio y sus aleaciones como materiales de las celdas fotovoltaicas es la amplia gama de opciones de diseo posibles. Una clula con una base de GaAs puede tener varias capas de composiciones ligeramente diferentes que permiten a un diseador de clulas para controlar con precisin la generacin y recoleccin de electrones y agujeros. (Para lograr la misma cosa, las clulas de silicio se han limitado a las variaciones en el nivel de dopaje.) Este grado de control permite a los diseadores de clulas para empujar eficiencias ms y ms a los niveles tericos. Por ejemplo, una de las estructuras ms comunes de clulas de GaAs utiliza una capa muy delgada ventana de arseniuro de galio aluminio. Esta capa fina permite a los electrones y los huecos que se crean cerca del campo elctrico en la

unin. Inconvenientes y Oportunidades El mayor obstculo para el xito de clulas de GaAs ha sido el alto costo de un sustrato de cristal nico de GaAs. Por esta razn, las clulas de GaAs se utilizan principalmente en los sistemas de concentracin, donde la clula de concentrador tpico es de aproximadamente 0,25 cm 2 de la superficie y puede producir una gran potencia bajo altas concentraciones. En esta configuracin, el costo es lo suficientemente bajo como para hacer que las clulas de GaAs competitivo, en el supuesto de que las eficiencias de mdulo pueden alcanzar entre el 25% y el 30% y que el coste del resto del sistema se puede reducir. Los investigadores tambin estn explorando enfoques para la reduccin del costo de los dispositivos de GaAs, tales como la fabricacin de clulas de GaAs sobre sustratos ms baratos; crecimiento de clulas de GaAs sobre un substrato desprendible, reutilizable GaAs, e incluso hacer pelculas delgadas GaAs similares a las de cobre diseleniuro de indio y teluro de cadmio. Eficiencia alta Conceptos y Concentradores Alta eficiencia de clulas solares basadas en arseniuro de galio (GaAs) y relacionados con "III-V" materiales han sido histricamente utilizados en aplicaciones espaciales. Los objetivos actuales son aprovechar esta tecnologa un paso ms all, desarrollando como una tecnologa de concentracin y ampliarlo para incluir dispositivos de triple unin. Dispositivos tambin estn siendo investigadas usando sustratos de bajo costo (por ejemplo, vidrio). El objetivo a largo plazo para los investigadores es crear materiales III-V como una tecnologa competitiva terrestre PV mediante el desarrollo de la ciencia de los materiales, avance de la ciencia y de ingeniera, la coordinacin de las relaciones con la industria y socios universitarios y facilitar su comercializacin. El desarrollo de la tecnologa multiunin Aunque el fosfuro de indio y galio (GaInP) / clula de GaAs tndem ha logrado una eficiencia del 30% y est disponible comercialmente para aplicaciones espaciales, las clulas todava no se han integrado en un sistema concentrador.

Fuente: Departamento de Energa de EE.UU. Programa fotovoltaica. Para obtener ms informacin sobre esta fuente, por favor visite Laboratorio Nacional de Energa Renovable