Mosfet Intensificação

Construção Basica: Uma camada grosa do material tipo “p” e formada a partir de uma base de silício e é chamado de substrato. Como no MOSFET tipo depleção, as vezes o substrato esta conectado internamente ao terminal de fonte e, em outras, temos um quarto terminal disponível para o controle do potencial do substrato. Os terminais de fonte de dreno estão conectados novamente as regiões dopadas tipo “n” por meio de contatos metálicos. No entanto, não existe um canal entre as duas regiões dopadas tipo “n”. Essa diferença principal e que existe entre a construção do MOSFET tipo depleção e a do MOSFET tipo intensificação: a ausência de um canal como componente do dispositivo. A camada de (SIO2) esta presente para isolar a plataforma metálica da porta da região entre o dreno e a fonte, mas, nesse caso, e o substrato tipo “n”. Em suma, portanto, a construção de um MOSFET tipo intensificação e bem similar ao MOSFET tipo depleção, exceto pela ausência de um canal entre os terminas de dreno e a fonte do tipo intensificação.

não consegui achar na net . Dispositivos eletrônicos. ´pag 195 *obs.DATASHEET : ele ta no livro do boylestad.

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