Transistor lưỡng cực Bipolar Junction Transistor

Nguyễn Quốc Cường Bộ môn 3I – ĐHBK HN

1 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

Giới thiệu
• •

BJT được phát minh vào năm 1948 tại Bell Telephone Lab MOSFET được biết đến trước BJT tuy nhiên chỉ được sử dụng nhiều trong công nghệ chế tạo IC từ năm 1980s BJT ngày nay được sử dụng
– –

chế tại linh kiện rời công suất lớn chế tạo IC hoạt động ở tần số cao các thiết bị điện tử trong automotive các thiết bị truyền tin không dây

Các ứng dụng
– –

2 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

Cấu trúc đơn giản của BJT kiểu npn

3 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

Cấu trúc đơn giản của BJT kiểu pnp

4 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

BJT là thiết bị 3 cực
– – –

Emitter (E) Base (B) Collector (C) Tiếp giáp emitter-base (EBJ) Tiếp giáp collector-base (CBJ)

BJT có 2 tiếp giáp pn
– –

Tùy thuộc vào các chế độ phân cực khác nhau cho 2 tiếp giáp này BJT có các chế độ hoạt động khác nhau

5 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

Chế độ hoạt động của BJT

6 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

Chế độ tích cực

7 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

dòng điện

EBJ phân cực thuận:
– – –

điện tử khuếch tán từ E lỗ trống khuếch tán từ B

B E

tại B, một số ít e sẽ tái hợp với một số lỗ trống, còn phần lớn sẽ di chuyển đến gần tiếp giáp CBJ các e trong vùng B sẽ được đẩy qua CBJ do tác dụng của điện trường một số ít lỗ trống từ C sẽ được đẩy qua CBJ vào vùng B

CBJ phân cực ngược

8 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

Nếu nhìn từ các cực E,B,C ta có 3 dòng điện tương ứng là iE, iB và iC

iC = β iB iE = iB + iC = (1 + β )iB

β +1 iC = α iE
– – –

α =

β

β: hệ số khuếch đại dòng emitter chung α: hế số khuếch đại dòng base chung Thường các hệ số β được chế tạo lớn (~ α gần 1)

9 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

Mô hình Ebers-Moll (EM)
Mô hình EM cho phép xác định tất cả các chế độ hoạt động của BJT. Biểu thức Ebers-Moll

iE = iDE − α RiDC iC = −iDC + α F iDE iDE ⎡ ⎛ VBE ⎞ ⎤ = iSE ⎢ exp ⎜ ⎟ − 1⎥ ⎝ VT ⎠ ⎦ ⎣

⎡ ⎛ VBC ⎞ ⎤ iDC = iSC ⎢exp ⎜ ⎟ − 1⎥ ⎝ VT ⎠ ⎦ ⎣ α F iSE = α RiSC
Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

Mô hình EM của npn
10

Transistor pnp

Hoạt động của pnp tương tự như npn, chỉ có điểm khác biệt là dòng điện chủ yếu được tạo lên bởi các lỗ trống từ E đến B

11 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

Ký hiệu

12 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

Đặc tính dòng điện – điện áp

Họ đường cong đặc tính I-V
– –

iC-vCB với iE = const iC-vCE với iB = const

13 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

Đặc tính iC-vCB

14 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

Để đo đặc tính iC-vCB: Với mỗi giá trị iE thay đổi vCB để đo được dòng iC Trong vùng tích cực thuận

Dòng iC tăng ít khi vCB tăng, mặc dù iE giữ cố định Early Ứng với vCB lớn, dòng iC tăng rất nhanh breakdown

hiệu ứng

hiện tượng

Hệ số alpha : có 2 kiểu định nghĩa (thực tế 2 hệ số này sai khác không nhiều)

iC α ≡ iE ∆i α ≡ C ∆iE
Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

được gọi là hệ số α tổng hay hệ số α tín hiệu lớn được gọi là hệ số tín hiệu nhỏ
vCB = const
15

Trong vùng bão hòa
– –

Điện áp vCB < -0.4 V Thường chênh áp vBE = 0.7V vCE bão hòa = 0.1V đến 0.3V

16 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

Hiệu ứng Early

Trong vùng tích cực thuận
– –

Lý tưởng: iC = αiE Thực tế: khi vCB tăng

đặc tính iC-vCB là đường nằm ngang iC tăng hiệu ứng Early

Mắc mạch emitter chung (như hình vẽ), ứng với mỗi vBE thay đổi vCE ta thu được các giá trị iC khác nhau

Theo mô hinhf Ebers-Moll khi vBE = const thì iC phụ thuộc rất ít vào vCE (do vBC < 0) Thực tế iC có thể phụ thuộc nhiều vào vCE (hay vBC) Nếu kéo dài các đương iC-vCE trong vùng tích cực thuận sẽ gặp nhau tại điểm VA gọi là điện áp Early (cỡ 50V đến 100V)

– –

17 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

18 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

Đặc tính iC-vCE

19 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

Miền tích cực
iC β F ≡ β dc ≡ iB
β ac =
∆iC ∆iB
vCE = const

Hệ số khuếch đại dòng dc

Hệ số khuếch đại dòng ac

• Hệ số khuếch đại dòng dc và ac trong thực tế thường sai khác từ 10% đến 20% • Hệ số βdc phụ thuộc vào điểm làm việc • Trong phân tích gần đúng thường giả thiết hệ số βdc là không đổi

20 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

Miền bão hòa

Xem xét điểm X trong miền bão hòa
iCsat < βFiB iCsat β forced ≡ iB

β forced < βF

21 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful