Lucrarea 2 Protecţia dispozitivelor electronice de putere Noţiuni teoretice Alegerea schemei de protecţie a unui convertor static este o problemă

complexă deoarece ea presupune mai întâi efectuarea unei analize a modului de defectare şi apoi stabilirea condiţiilor critice care pot apărea. Schema de protecţie trebuie să fie construită ţinând cont de un optim economic global, ce rezultă din evaluarea costurilor componentelor deteriorate, valoarea costului reparaţiei şi a indisponibilităţii pe o perioadă determinată a echipamentului din care face parte convertorul. Protecţia convertoarelor se face în general, în curent şi în tensiune; se evită cu o probabilitate precisă depăşirea curenţilor şi tensiunilor maxime admise de componentele prezentate în schema convertorului. Protecţia în curent În convertoarele statice de putere defectele care determină apariţia unor curenţi foarte mari sunt, de obicei, scurtcircuitele interne sau externe. Scurtcircuitele sunt cele care apar în circuitul de sarcină, cel mai defavorabil fiind cel la bornele maşinii. Componentele supuse celor mai severe solicitări sunt cele care se află în stare de conducţie în momentul defectării. Distrugerea uneia din aceste componente determină de obicei un scurtcircuit. Protecţia minimală de curent indispensabilă pentru un convertor, constă în mijloace de deconectare care îl izolează de sursa de energie cât mai rapid posibil după apariţia curentului de defect. Este uzual să se prevadă o plajă de curenţi pentru care sistemele de protecţie simulate sunt simultan eficace după cum se arată în schema următoare, unde valorile curentului sunt date în coordonate logaritmice.
Funcţionare normală Funcţionare la suprasarcină

Protecţia contra amplitudinilor foarte mari

Protecţia contra amplitudinilor de valoare scăzută 0,1In In 10In 100In 1000In

Protecţia globală care permite izolarea convertorului de sursele de energie exterioară, nu este suficientă, fiind prea lentă pentru a proteja componentele semiconductoare de putere a convertorului. Pentru componentele cu inerţie termică scăzută şi cu comportare cvazistatică, visavis de încălzirea la scurtcircuit, este indispensabilă o protecţie suplimentară. a. Diodele şi tiristoare se protejează prin legarea în serie a unei siguranţe ultrarapide SUR SUR SUR

Siguranţa ultrarapidă este construită pentru a îndeplini următoarele condiţii: - întrerupere sigură şi foarte rapidă a curenţilor de scurtcircuit; - limitarea amplitudinii şi duratei curentului de defect; 1

. Principalii parametrii care se supraveghează în cazul unui tranzistor de putere care funcţionează în comutaţie sunt: 1. . Alegerea siguranţei se face după valoarea efectivă a curentului care o străbate şi după valoarea efectivă a tensiunii care apare la bornele sale după funcţionarea sa. Pentru tranzistoarele de putere. I2t.tensiunea de arc de siguranţă. tensiunea de polarizare inversă a joncţiunii emitor-bază. pornind de la o informaţie de defect care pune tranzistorul într-o situaţie de securitate maximă deoarece curentul de colector de defect este limitat prin reducerea imediată a comenzii de grilă de la 15V la 10V. 2 . supravegherea şi protecţia tranzistorului. 4. 3. (I2t)siguranţa/150 C . Ic . Ua .starea de saturaţie.aplicarea principiului selectivităţii protecţiei.factor de corecţie dat de constructor. IFSM (pentru diode). dacă sunt îndeplinite următoarele condiţii: K(I2t)siguranţa/150 C < (I2t)componenta/150 C 0 0 Ic < IFSM/150 C sau ITSM/150 C 0 0 Ua < VRRM Unde: K . în afara funcţiei de comandă.respectarea ariei de comutaţie sigură la polarizarea inversă. (I2t)componenta/150 C . În timpul comutaţiei la închidere: respectarea ariei de comutaţie sigură la polarizarea directă. ITSM (pentru tiristoare). 2. . Circuitul de comandă convenţional este înlocuit printr-un circuit integrat inteligent capabil să asigure. Siguranţa asigură protecţia dispozitivului.tensiune supra scăzută în momentul întreruperii curentului. . Tranzistoarele bipolare..Dacă este un defect permanent se ia decizia de blocare a IGBT. În starea de conducţie: .integrala de curent a componentei la 1500 C .întreţinere simplă cu costuri reduse. adică în starea blocată. protecţia activă descentralizată este cel mai des utilizată deoarece asigură o protecţie totală. MOS sau IGBT şi tiristoarele GTO se protejează prin intermediul propriei comenzi. .integrala de curent a siguranţei la 1500 C . În starea blocată: tensiunea maximă aplicată între colector şi emitor. Al doilea timp: se analizează informaţia.dacă este un defect trecător sau o perturbaţie se impune comanda de grilă la 15V şi convertorul continuă să funcţioneze fără a fi fost perturbat. Tranzistorul participă activ la propria sa protecţie. Această metodă constă în supravegherea unui anumit număr de parametrii vitali şi în caz de defect să se plaseze unul sau mai multe componente în starea în care acestea sunt cel mai puţin vulnerabile. Pentru IGBT-uri cel mai des utilizată este o metodă de protecţie numită „în doi timpi”.amplitudinea curentului de colector.curentul limitat tăiat de siguranţă. În timpul comutaţiei la deschidere (blocaj): . 0 0 b. VRRM sunt caracteristici ale componentei semiconductoare. Primul timp: se intervine foarte rapid.

Tipul de protecţie utilizat şi legarea sa în schema convertorului sunt funcţie de originea supratensiunii. Acest fenomen generează supratensiuni. prin eclatoare sau descărcătoare cu rezistenţă neliniară. Posibilităţi de protecţie la supratensiuni Protecţia împotriva supratensiunilor externe se poate face în general la intrarea convertorului. a. varistoarele etc. admisibile prin componentele convertorului. În momentul proiectării convertorului. Supratensiunile repetitive În general. de comutaţia sarcinilor paralele legate în paralel pe acelaşi sistem de distribuţie sau. Ele joacă un rol de limitare. cu avalanşă controlată. alegerea componentelor cu tensiuni de străpungere foarte ridicate. Grupuri RC c. dar trebuie ţinut cont că soluţia trebuie să fie şi economică. eliminarea sau reducerea cauzelor ce provoacă supratensiuni. Variaţia curentului di di în inductanţa L dă o tensiune -L . a. b. dintre care enumerăm: a. deci mai uşor de limitat. b. diodele Zener. legarea în schema convertorului a elementelor de protecţie la supratensiuni. superioare nivelului supratensiunilor. Primele sunt previzibile. cele aleatoare apar la momente imprevizibile. Se impune să se decupleze întâi secundarul transformatorului convertorului ce funcţionează în gol. Diodă cu avalanşă controlată 3 . c. în cazul în care multe componente semiconductoare protejate individual prin câte o siguranţă sunt conectate în paralel. cu seleniu. după estimarea nivelului supratensiunilor. cum ar fi grupurile RC.Protecţia de tensiune Componentele semiconductoare ale convertoarelor statice au un cristal semiconductor de grosime redusă care determină un raport relativ scăzut între tensiunea normală de funcţionare şi tensiunea de străpungere prin masa cristalului. Protecţia împotriva supratensiunilor de intrare se face prin componente sau scheme de limitare care limitează supratensiunile la nivelele stabilite. supratensiunile de comutaţie sunt generate de energia stocată în inductanţa circuitului. Supratensiuni aleatoare Sunt produse de trăznete. care are o polaritate de o dt dt asemenea manieră încât măreşte solicitările. Sursele de supratensiune Supratensiunile pot fi repetitive sau aleatorii. de nivelul său şi de nivelul de limitare impus. există multiple posibilităţi de acţiune pentru a evita defectările datorate supratensiunilor. Acest fapt impune limitarea la valori admisibile a supratensiunilor care apar pe durata de viaţă a convertorului. datorită eliminării curentului de defect în una dintre componente prin funcţionarea siguranţei sale.

c) Dioda Zener d) varistor Elementul de protecţie este dimensionat astfel încât să acumuleze şi să disipe energia supratensiunii asigurând nivelul de supratensiune admisibil la bornele componentei semiconductoare. 4 . Valoarea rezistenţei este determinată astfel încât să se evite oscilaţiile circuitului şi să limiteze amplitudinea integrală a curentului de descărcare al condensatorului la valori admisibile pentru componenta semiconductoare.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful