Dioda redresoare

:
După cum am precizat şi în secţiunea precedentă, dioda este realizată prin introducerea de impurităţi de tip N şi P în acelaşi cristal semiconductor. Simbolul schematic al diodei este prezentat în figura alăturată (b), şi corespunde semiconductorului dopat de la (a). Dioda este un dispozitiv unidirecţional (vezi joncţiunea PN). Deplasarea electronilor se poate realiza doar într-o singură direcţie, invers faţă de direcţia săgeţii, atunci când dioda (joncţiunea PN) este polarizată direct. Catodul, din reprezentarea diodei, reprezintă semiconductorului de tip N, iar anodul corespunde materialului dopat de tip P.

Polarizarea directă a diodei

Dacă dioda este polarizată direct, curentul creşte foarte puţin pe măsură ce tensiune creşte de la 0 V. În cazul în care materialul semiconductor din care este confecţionată dioda este siliciu, curentul începe să crească doar după ce tensiunea atinge valoarea de 0,6 V. Dacă tensiunea creşte peste valoarea de 0,6 V, valoarea curentului creşte foarte rapid. O tensiune peste 0,7 V poate foarte uşor să ducă la distrugerea diodei. Această tensiune de „deschidere” a diodei în jurul valorii de 0,6 V, poartă numele de tensiune de polarizare directă a diodei. Sub această valoare, dioda este „închisă”, şi nu există curent pe la bornele acesteia. Deşi pentru siliciu tensiunea de

200. De exemplu se ştie că procesoarele de generaţie nouă de la Intel au zeci de milioane de tranzistoare cu efect de câmp. Diodele Schottky de mai mare putere se utilizează în circuite de comutație. şi care conţine două sau mai multe joncţiuni p-n. curentul prin diodă creşte la o valoare atât de mare. conducția fiind asigurată exclusiv de purtătorii majoritari: electroni în cazul semiconductorului de tip N și goluri pentru P. În funcţie de ordinea de amplasare a straturilor semiconductoare se disting două tipuri de TB: . care în condiţiile cele mai extreme poate ajunge la un maxim de 1 µA (figura de mai sus. Curentul ce străbate dioda la polarizarea directă poartă numele de curent direct. 100. 800 V sau chiar mai mare. Polarizarea inversă a diodei Dacă dioda este polarizată invers. încât poate duce la distrugerea diodei dacă nu există un rezistor serie pentru limitarea curentului prin diodă. Dioda Schottky Capacitatea acestei joncțiuni este foarte mică. Când punctul de străpungere este atins.polarizare directă este de 0. pentru germaniu aceasta este de 0. Diodele din siliciu au de obicei tensiuni de străpungere de la 50. O aplicație tipică pentru diodele Schottky de mică putere sunt circuitele de detecție și mixare de radiofrecvență. iar acesta poate lua valori cuprinse între câţiva mA. numai 0. iar pentru LED-uri de câţiva volţi. până la sute sau mii de amperi pentru diodele de putere.3 V. decât la atingerea punctului de străpungere. De obicei se alege o diodă a cărei tensiune de străpungere este mai mare decât valoarea tensiunilor aplicate la bornele sale. 400.3 V față de 0.6 V cât este în cazul unei diode din siliciu. Un alt avantaj al joncțiunii metal-semiconductor față de joncțiunea semiconductorsemiconductor folosită la diodele convenționale este căderea mică de tensiune. în care aceste diode funcționează până la 5 GHz. Diodele Schottky își datorează proprietățile faptului că purtătorii minoritari și recombinarea purtătorilor sunt neglijabile. stânga). curentul invers va avea o valoarea foarte mică. Cele trei straturi semiconductoare formează două joncţiuni p-n. Tranzistorul bipolar este un dispozitiv format din trei straturi de material semiconductor la care se conectează trei electrozi. Tranzistorul este dispozitivul esenţial al oricărui circuit electronic. putând lucra la frecvențe de până la 1 MHz.7 V.6-0. Tranzistorul bipolar: Tranzistorul este un dispozitiv semiconductor activ cu trei terminale. Valoarea acestui curent nu creşte semnificativ odată cu creşterea tensiunii de polarizare inversă. ceea ce înseamnă că dioda poate lucra la frecvențe înalte.

n-p-n care conţine două straturi semiconductoare de tip n. iar electrodul corespunzător se numeşte Bază şi se notează cu B. stratul din mijloc este foarte subţire. Numărul de tranzistori MOSFET dintr-un circuit integrat poate ajunge la câteva sute de milioane. Pentru ambele tipuri de tranzistoare. B b) Tranzistor n-p-n. Structura şi simbolul tranzistorului. Tranzistorul MOSFET Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă izolată (IGFET). cunoscut şi sub numele de „tranzistor cu efect de câmp cu metal oxid” (MOSFET).4. iar electrodul corespunzător se numeşte Emitor şi se notează cu E. majoritatea tranzistorilor folosiţi în circuitele integrate sunt de acest tip. În prezent. Un strat este mai subţire şi este mai puternic impurificat. între care se găseşte un strat semiconductor de tip n (Fig.1. cu toate că tranzistorii bipolari cu joncţiune (BJT) discreţi sunt mult mai numeroşi decât dispozitivele discrete de tip MOSFET.a). JE E p B E C E n p JC C E n B C p n JE JC C B a) Tranzistor p-n-p.- p-n-p care conţine două straturi semiconductoare de tip p. Ultimul strat este cel mai gros. iar electrodul corespunzător se numeşte Colector şi se notează cu C. Nici straturile exterioare nu sunt identice. Fig.4.1.4.b). între care se găseşte un strat semiconductor de tip p (Fig.1. Dimensiunea unui MOSFET individual este sub un micron Structura şi modul de funcţionare . este un dispozitiv derivat al tranzistorului cu efect de câmp (FET).

În acest moment. Modul de funcţionare poate fi explicat cu ajutorul conexiunii echivalente realizate din tranzistoare bipolare cu joncţiune din figura (b). deşi vom menţiona şi GTO-ul. TRIAC-uri. acesta se comportă precum o diodă. tranzistorul NPN va conduce curent chiar şi în absenţa semnalului pe poartă. tiristoare tip GTO. În categoria tiristoarelor intră: redresoare controlate pe bază de siliciu (SCR). Tiristorul: Tiristoarele reprezintă o plajă largă de dispozitive semiconductoare bipolare folosind patru (sau mai multe) straturi alternante N-P-N-P. pentru o singură polaritate a curentului.La polarizare. Puterile suportate de SCR ajung până la ordinul MW. Armătura inferioară.Sursa. DIAC-uri. Un semnal de pornire pozitiv este aplicat între poartă şi catod. de tip P formează un canal inversat datorită excesului de electroni din apropierea oxidului format prin respingerea electronilor terminalului negativ al bateriei înspre oxid şi atragerea acestora spre armătura pozitivă. contactul porţii nu realizează o conexiune directă cu materialul semiconductor. Tiristorul cu patru straturi a fost propus de Shockley în 1950. Acest canal duce şi la formare unei zone de golire ce izolează canalul de restul substratului de siliciu. tranzistoare uni-joncţiune programabile (PUT). Dacă nu este „pornit”. poarta şi drena sunt asemănătoare cu cele de la FET-uri. Poarta unui MOSFET reprezintă un strat metalic sau de poli-siliciu aşezat peste un strat de dioxid de siliciu (SiO2) izolator. Structura şi modul de funcţionare Redresorul controlat pe bază de siliciu este o diodă cu patru straturi şi o poartă. Tranzistorul NPN echivalent va începe să conducă curent ceea ce va duce şi la declanşarea conducţiei tranzistorului PNP. Poarta seamănă foarte mult cu un condensator de tip MOS. Odată ce un . acesta a fost construit mulţi ani mai târziu de către General Electric. asemenea figurii alăturate (a): Dacă este „pornit”. polaritatea armăturilor condensatorului va deveni cea a terminalilor bateriei. cum era cazul FET-urilor. deşi practic. Vom analiza aici doar SCR-ul. Totuşi. tranzistoare uni-joncţiune (UJT). nu conduce curent.

în cazul circuitului cu baterie de mai sus). formându-se astfel un dispozitiv denumit triac. Atunci când triacul este închis (blocat). Triacul. suportă între terminalele 1 (A) şi 2 (K) curenţi mari cu intensităţi de ordinul amperilor sau zecilor de amperi.dispozitiv SCR începe să conducă. atunci când este deschis. dar care să prezinte conducţie bilaterală comandată. Un triac. pentru a se putea utiliza ambele alternanţe ale tensiunii alternative. În multe aplicaţii este nevoie de un dispozitiv similar. . Rezistenţa electrică între terminalele de putere A şi K este foarte mică atunci când triacul este deschis. Aceasta se realizează punând două tiristoare în paralel inversate (antiparalel). rezistenţa electrică între terminalele de putere A şi K este foarte mare. Triacul: TRIAC-ul nu este altceva decât două tiristoare în paralel aşezate spate în spate. atunci când este închis. o va face atâta timp cât este prezentă o tensiune pe anod (infinit. Intrarea în conducţie a unui triac se obţine prin aplicarea unor impulsuri de tensiune între grila de comandă G şi unul dintre terminalele A sau K. suportă între terminalele 1 (A) şi 2 (K) tensiuni de ordinul sutelor de volţi. Tiristorul este un dispozitiv electronic cu conducţie comandată unilaterală (de la anod la catod).

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful