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SAN MARTÍN

TEXMELUCAN

“TIRISTORES Y ALGUNOS DISPOSITIVOS DE DISPARO”

Temas enviados para apoyo a los segundos semestres de electronica

Realizado por: PSP Norma Leaños Ubaldo

SEMESTRE: 2 08 09 PERIODO: FEBRERO-JULIO 2009

JUNIO 2009

INDICE
Coordinación y Gestión de los servicios administrativos y educativos para la formación de profesionales técnicos, conforme a los requisitos de la norma ISO 9001:2000

C ALLE FRANC I SCO VI LLA ESQ. CO N NI C OLÁS BRA VO , STA . M AR ÍA M O YOTZ INGO , SN. M A RTÍ N TEX. PUEB LA , TEL: (248 )4 8.5.02.80 tex1 49vi nculaci on@ hotmai l.com
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1 Rectificador controlado de silicio


1.1 Curva característica
1.2 Funcionamiento básico
1.3 Los parámetros del SCR son

2 DIAC
2.1 DIAC de tres capas
2.2 DIAC de cuatro capas

3 TRIAC
3.1 Control de potencia en corriente alterna (AC)

4 PU T
5 TRANSISTOR UNIUNIÓN
6 SBS
7 COMPROBACIONES DE DIODOS,
TRANSISTORES Y TIRISTORES.

Rectificador controlado de silicio

Símbolo del tiristor

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El rectificador controlado de silicio (en inglés SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado por
cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unión de
Tiratrón (tyratron) y Transistor.

Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y puerta. La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente
entre el ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la
corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensión en la puerta del SCR no se inicia la conducción y
en el instante en que se aplique dicha tensión, el tiristor comienza a conducir. El pulso de disparo ha de ser de una
duración considerable, o bien, repetitivo. Según se atrase o adelante éste, se controla la corriente que pasa a la carga.
Una vez arrancado, podemos anular la tensión de puerta y el tiristor continuará conduciendo hasta que la corriente de
carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en
cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado.
Cuando se produce una variación brusca de tensión entre ánodo y cátodo de un tiristor, éste puede dispararse y entrar
en conducción aún sin corriente de puerta. Por ello se da como característica la tasa máxima de subida de tensión que
permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador parásito existente entre la puerta
y el ánodo.
Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrónica de potencia, en el campo del control, debido a que puede ser
usado como interruptor de tipo electrónico.

Tiristor SCR (Rectificador controlado de silicio)


Símbolo, funcionamiento básico, parámetros, curva característica
El Tiristor es un dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal.
El símbolo y estructura son:

Analizando los diagramas: A = ánodo, G = compuerta o Gate, C = K = cátodo


Funcionamiento básico

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El siguiente gráfico muestra un circuito equivalente del SCR
para comprender su funcionamiento.
Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector
de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la corriente
base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de
colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del
transistor Q2 (IB2) , este a su vez causa más corriente en IC2,
que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y......
Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2
causando el encendido del tiristor.

Los parámetros del SCR son:


- VRDM: Máxima tensión inversa de cebado (VG = 0)
- VFOM: Máxima tensión directa sin cebado (VG = 0)
- IF: Máxima corriente directa permitida.
- PG: Máxima disipación de potencia entre compuerta y cátodo.
- VGT-IGT: Máxima tensión o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
- IH: Mínima corriente de ánodo requerida para mantener cebado el tiristor
- dv/dt: Máxima variación de tensión sin producir cebado.
- di/dt: Máxima variación de corriente aceptada antes de destruir el tiristor.
Nota: dv/dt, di/dt: Ver parámetros del SCR en Tiristor en corriente continua

Curva característica
La siguiente figura muestra la dependencia entre la tensión de
conmutación y la corriente de compuerta.
Cuando el tiristor está polarizado en inversa se comporta como
un diodo común (ver la corriente de fuga característica).
En la región de polarización en directo el tiristor se comporta
también como un diodo común, siempre que el tiristor ya haya
sido activado (On). Ver los puntos D y E.
Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C),
la tensión de ánodo a cátodo es menor (VC).
Si la IG disminuye, la tensión ánodo-cátodo aumenta. (ver el punto B y A, y la tensión ánodo-cátodo
VB y VA).
Concluyendo, al disminuir la corriente de compuerta IG, la tensión ánodo-cátodo tenderá a aumentar
antes de que el SCR conduzca (se ponga en On)

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Diac

DIAC
El DIAC (DIodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo bidireccional
disparable que conduce la corriente sólo tras haberse superado su tensión de disparo, y mientras la corriente
circulante no sea inferior al valor característico para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el
mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo de alrededor de
30 V. En este sentido, su comportamineto es similar a una lámpara de neón.
Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra clase de tiristor.
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados ánodo y cátodo. Actúa como un interruptor bidireccional
el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20
y 36 volts según la referencia.

DIAC de tres capas


Existen dos tipos de DIAC:
• DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base y con las regiones de colector y
emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensión de
avalancha en la unión del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor,
produciéndose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simétrico, funciona igual en ambas polaridades,
intercambiando el emisor y colector sus funciones.

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• DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo, lo que le da la
característica bidireccional.

Triac

Símbolo.
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia de los transistores. La diferencia con
un tiristor convencional es que éste es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría decirse que el
TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían dos SCR en antiparalelo.
Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominación de ánodo y cátodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza
aplicando una corriente al electrodo puerta.

Construcción del TRIAC.

Aplicaciones más comunes


Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas. Una de ellas es su utilización como interruptor
estático ofreciendo muchas ventajas sobre los interruptores mecánicos convencionales y los relés. Funciona como
switch electrónico y también a pila. Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de
luz, controles de velocidad para motores eléctricos, y en los sistemas de control computarizado de muchos elementos
caseros. No obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas como motores eléctricos, se deben tomar las
precauciones necesarias para asegurarse que el TRIAC se apaga correctamente al final de cada semiciclo de la onda
de Corriente alterna.
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El TRIAC
Control de potencia en corriente alterna (AC)
El Triac es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los dispositivos de control por
tiristores. El triac es en esencia la conexión de dos tiristores en paralelo pero conectados en sentido
opuesto y compartiendo la misma compuerta. (ver imagen).

El triac sólo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor, se dispara por la compuerta. Como
el triac funciona en corriente alterna, habrá una parte de la onda que será positiva y otra negativa.
La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasará por el triac siempre y cuando haya habido una
señal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circulará de arriba hacia abajo (pasará
por el tiristor que apunta hacia abajo), de igual manera:
La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasará por el triac siempre y cuando haya habido
una señal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circulará de abajo hacia arriba
(pasará por el tiristor que apunta hacia arriba)
Para ambos semiciclos la señal de disparo se obtiene de la misma patilla (la puerta o compuerta).
Lo interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla y así, controlar el
tiempo que cada tiristor estará en conducción. (recordar que un tiristor sólo conduce cuando ha sido
disparada (activada) la compuerta y entre sus terminales hay un voltaje positivo de un valor mínimo
para cada tiristor)
Entonces, si se controla el tiempo que cada tiristor está en conducción, se puede controlar la corriente
que se entrega a una carga y por consiguiente la potencia que consume.
Ejemplo: Una aplicación muy común es el
atenuador luminoso de lámparas
incandescentes (circuito de control de fase).
Donde:
- Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.C.)
- L: lámpara
- P: potenciómetro
- C: condensador (capacitor)
- R: Resistencia
- T: Triac
- A2: Anodo 2 del Triac
- A3: Anodo 3 del Triac
- G: Gate, puerta o compuerta del Triac

El triac controla el paso de la corriente alterna a la


lámpara (carga), pasando continuamente entre los

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estados de conducción (cuando la corriente circula por el triac) y el de corte (cuando la corriente no
circula)
Si se varía el potenciómetro, se varía el tiempo de carga del condensador causando que se
incremente o reduzca la diferencia de fase de la tensión de alimentación y la que se aplica a la
compuerta

Nota: la diferencia de fase o la fase entre dos señales u ondas se define como el ángulo (diferencia de
tiempo) que existe entre los dos orígenes de las mismas.
Enlaces relacionados
- Tiristor en corriente alterna
- Dimmer / control de velocidad de un motor A.C. en circuitos
- Diodo semiconductor
- Circuito RC
- DIAC

PUT
Se llama PUT (Programmmable Uniunion Transistor) a un dispositivo semiconductor de cuatro capas (pnpn)
cuyo funcionamiento es similar al del UJT. Es un tipo de tiristor y, a veces, se le llama "tiristor disparado por
ánodo" debido a su configuración.

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Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es más flexible, ya que la puerta se
conecta a un divisor de tensión que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la constante de
tiempo RC.

Transistor uniunión

Símbolo del UJT


El transistor uniunión (en inglés UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de tiristor que contiene dos zonas
semiconductoras.
Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Está formado por una barra
semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto
a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o
factor intrinseco.
Cuando el voltaje Veb1 sobrepasa un valor vp de ruptura, el ujt presenta un fenómeno de modulación de resistencia
que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje
en el dispositivo, esta region se llama region de resistencia negativa, este es un proceso reiterativo, por lo que esta
region no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores
de relajación.

SBS

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Circuito equivalente de un SBS.

Catacterística V-I de un SBS. La puerta está desconectada.


Se llama SBS (Silicon Bilateral Switch) a una clase de tiristor bidireccional. Está formado por dos SUS conectados en
antiparalelo. A diferencia de otros tiristores, el SBS, desde un punto de vista tecnológico, no es una versión mejorada
del diodo npnp, sino que es un circuito integrado que incorpora diodos Zener conectados a la puerta, transistores y
resistencias. Esto le da la ventaja de poder aparear estrechamente los componentes, consiguiendo una asimetría en
la tensión de disparo inferior a medio voltio. Aunque funciona como un dispositivo de dos puertas, se ha incorporado
un electrodo de puerta para una mayor flexibilidad en el uso del dispositivo.

Símbolo del SBS.

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Tristor SCR Silicon controlled rectifier Tiristor SCS Silicon controlled switch

Diac Diac

Triac Tiristor Schottky PNPN de 4 capas

Tiristor Schottky PNPN de 4 capas Tiristor Schottky PNPN de 4 capas

Tiristor de conducción inversa, puerta Tiristor de conducción inversa, puerta


canal N controlado por ánodo canal P controlado por cátodo

Tiristor de desconexión puerta canal Tiristor de desconexión puerta control


N controlado por ánodo P controlado por cátodo

SBS Silicon bilateral switch SUS Silicon unilateral switch

Trigger Diac

COMPROBACIÓN DE DIODOS, TRANSISTORES Y


TIRISTORES.
En este capítulo vamos a dedicarnos a verificar si el estado de un semiconductor es malo o, por el contrario tiene
muchas probabilidades de estar en buenas condiciones. Es muy importante tener en cuenta que el resultado de las
verificaciones que aquí se van a proponer no podrá ser nunca “¡O.K.!”, sino a lo sumo “¡todo parece indicar que es
bueno!”.

EL ÓHMETRO.
Las medidas en vacío, esto es, sin alimentación, consisten en comprobar continuidad, lo que significa que deberemos
emplear el Óhmetro. Merece la pena entretenernos un poco en sus entresijos para tener claros algunos detalles que
no por simples dejan de ser importantes.

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El Óhmetro básicamente consiste en una fuente de tensión en serie con una resistencia y un miliamperímetro.

El componente que conectemos entre las puntas de prueba deja pasar más o menos cantidad de corriente
dependiendo de su impedancia, lo que ya nos hace pensar de entrada que aunque la indicación de la pantalla sea
interpretada como Ómnios, en realidad con el Óhmetro medimos Amperios (mA o uA).

Si la tensión de la fuente que contiene el Óhmetro que empleamos para comprobar el estado de un
semiconductor fuera inferior al valor de la tensión de barrera del material con el que está construido éste, no se
establecería corriente apreciable en ninguna circunstancia, lo que daría lugar a una interpretación errónea de la
medida. Es importante tener en cuenta esta condición.

POSICIÓN PARA SEMICONDUCTORES.


Todos los polímetros actuales ofrecen una posición para comprobar el estado de semiconductores. Suele
estar rotulada con el símbolo de un diodo y muy a menudo también con una pareja de corcheas porque en esa misma
posición, si se conecta una resistencia de muy bajo valor en las bananas de prueba, suena un pitido. El circuito que se
configura para esa posición del selector lo tenemos en la figura.

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Es evidente que la pantalla muestra el valor de la tensión que existe entre las puntas de prueba. Si suponemos
que en ellas se conecta un diodo, y que éste queda polarizado directamente (banana roja en el ánodo), veremos el
valor de la tensión que se genera en la unión cuando la corriente a su través es de apenas algún uA, que es lo que
permite la resistencia limitadora. Este valor es cercano al del potencial de barrera, aunque siempre menor porque con
esa corriente nos encontramos aún en una zona curvada de la característica.
Si lo que conectamos a las puntas es un cortocircuito la corriente que se produce es capaz de hacer que
suene el zumbador.
COMPROBACIÓN DE DIODOS.
Cuando vayamos a comprobar el estado de un diodo tendremos en cuenta su modelo idealizado porque es al
fin y al cabo para lo que se ha ideado: En un sentido ha de conducir, y en el contrario no.

PRUEBA SIN TENSIÓN.


Podemos emplear el polímetro en la selección Óhmetro o en la de semiconductores. Si elegimos una escala
de Óhmios deberemos asegurarnos de que la tensión que va a sufrir la unión alcance el valor de la de barrera. En
principio haremos la comprobación sin tocar nada, y cuando veamos que no obtenemos resultados claros
desconectaremos al menos uno de los terminales (de manera más o menos chapucera, según las circunstancias).

Conectaremos los extremos del diodo a las bananas teniendo en cuenta que sus colores suelen
ser coherentes con su polaridad, esto es, rojo para el positivo y negro para el negativo. La pantalla
evoluciona de manera que se aprecia de forma inequívoca si hay o no corriente.

En la posición para comprobar semiconductores el display indica la tensión que existe entre las bananas en
mV. Si no hay conducción porque el diodo objeto de la prueba está interrumpido, la pantalla muestra un símbolo que lo
indica claramente. Con las pinzas colocadas de forma que el diodo quede polarizado directamente se debe leer en la
pantalla un valor de algo más de 500mV, tensión a partir de la cual el silicio empieza a conducir de una manera, sino
franca, sí apreciable.

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Si el diodo fuera de Germanio el valor mostrado resultaría ser unos 200 mV. Cuando la posición de
las bananas se invierte, en la pantalla aparece un distintivo que explicita la ausencia de corriente.
Como el diodo está aún conectado al resto del circuito, es muy probable que con polarización inversa no se
observe ausencia total de corriente, ya que el circuito puede quedar cerrado a través de otros componentes. De todas
maneras, normalmente se aprecia una diferencia acusada entre una y otra posición de las puntas de prueba. En caso
de duda deberemos desconectar, igual que hacíamos con las resistencias, al menos uno de los terminales y volver a
medir. Ahora sí que se han de obtener los resultados apuntados.
Esta prueba es determinante si:

No se produce conducción en ninguno de los sentidos. Aún sin haber desconectado el diodo, este
resultado indica con certeza que el diodo está abierto.

El diodo conduce en ambos sentidos. Aunque en uno de ellos lo haga en mucha menor medida, si lo
hace el componente se encuentra cortocircuitado. Para que esta prueba sea válida habremos tenido que
desconectar al menos uno de los extremos.

Si los resultados son diferentes es muy probable que el componente esté bien, y salvo que persistan otras
sospechas, merece la pena seguir buscando por otros derroteros.

PRUEBA BAJO TENSIÓN.


No se puede decir mucho al respecto, pero si el diodo está montado en un circuito de rectificación similar al
mostrado en la figura existe una prueba que proporciona un resultado determinante.

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Si con el voltímetro en posición de CC medimos la tensión en extremos del diodo, como éste conduce mientras su
ánodo es positivo, la componente de la tensión durante este semiperíodo se anulará, pero no así cuando su ánodo
sea negativo, circunstancia durante la cual se mantiene la tensión en extremos. Esto significa que si el diodo, y no solo
éste sino también el resto del circuito, funcionan correctamente mediremos una tensión de polaridad negativa.

PUENTES RECTIFICADORES.
En las fuentes de alimentación es muy frecuente encontrarse con un rectificador integrado en un bloque
configurado en Puente de Graetz. La figura es una fuente muy típica, y un porcentaje elevadísimo de averías se deben
a que sencillamente el puente se ha estropeado.

¿Cuántas veces nos han dicho: “Se ha fundido el fusible, y cuando lo cambio se vuelve a quemar por la cara”?.
Cuando me lo plantean así me invade la esperanza de que la avería se podrá solucionar sin necesidad de recurrir a
medidas más aparatosas. En efecto, es muy frecuente que alguno de los diodos del puente rectificador se haya
cortocircuitado. La comprobación más sencilla consiste en, con el fusible quitado, porque así desconectamos una
buena sección de circuito que nos podría falsear la medida, aplicar el polímetro en el alcance Óhmios entre los puntos del
puente que reciben la alterna (normalmente rotulados con el símbolo [ ]). No ha de apreciarse continuidad en ninguna
de las posiciones, y si hubiera conducción en alguno de los sentidos sería señal de que uno de los diodos se
encuentra cortocircuitado.

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Si aún después de superada esta comprobación continúa la sospecha podemos desconectar el puente y
comprobar los diodos uno a uno teniendo en cuenta que para imaginarnos su orientación tan solo debemos pensar
que a partir de cualquiera de los puntos rotulados [ ] se alcanza el terminal positivo siguiendo la flecha y el negativo
yendo contra la flecha (evidentemente me refiero a la flecha con la que simbolizamos el diodo objeto de atención).

TRANSISTORES BIPOLARES.
No debemos olvidar que un transistor bipolar está construido con dos uniones, y por tanto la secuencia de
cristales que encontramos empezando por cualquiera de los extremos, Colector o Emisor, es PNP ó NPN. De esta
guisa siempre podremos mirarlos como un par de diodos que comparten el electrodo BASE.

Pero además, el transistor se ha construido para que la corriente entre Colector y Emisor, con la polaridad del
Colector siempre inversa (Si el Colector es P, polaridad de éste Negativa, y si es N, Positiva) sea alrededor de un
centenar de veces mayor que la que circula entre Base y Emisor, y si podemos llevar a cabo una comprobación que
ponga a prueba esta condición, el resultado obtenido será evidentemente muy fiable.

PRUEBA EN VACÍO.
Para comprobar los transistores con el Óhmetro es muy conveniente desconectarlos del circuito, aunque antes
puede intentarse una comprobación rápida. Vamos a considerar que el transistor está libre de conexiones que puedan
alterar los resultados de las medidas.

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La primera prueba la haremos considerando que el transistor está compuesto de dos uniones y , por tanto, hay
dos diodos en él.

Una vez seleccionada la base como electrodo de partida, comprobamos si hay conducción entre ella y los
terminales restantes, que deberá ser apreciable en un sentido, y totalmente nula en el contrario. La prueba es
eliminatoria si el resultado de alguna de las medidas no es satisfactorio, pero no definitiva en el otro caso.

Si se desea realizar una prueba más fehaciente podemos conectar el transistor de manera que trabaje como
tal, poniendo al polímetro de testigo. Una verificación muy útil porque no necesita de más aditamentos que el
polímetro, y las manos del técnico, es la del “dedo”. Se pone el polímetro en modo Óhmetro, en un alcance del orden
del M . A continuación conectamos las pinzas entre colector y emisor de manera que la pareja quede polarizada
adecuadamente (no olvidemos, cristal de colector de polaridad inversa a su tipo).

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Ahora, con el dedo que sujeta el terminal de colector, se toca a la vez la base. La débil corriente que discurre
entre ésta y el emisor ha de repercutir con un aumento palpable de la corriente entre colector y emisor, que ha de
reflejar el polímetro. Es aconsejable humedecerse ligeramente el dedo con el que tocamos a la vez base y colector,
porque así facilitamos la corriente a su través. Esta prueba me ha servido valiosísima en muchas ocasiones.

Muchos modelos de polímetro incorporan un zócalo para la comprobación de transistores. Si el aparato es de


uso personal, uno cuida el estado de conservación de las conexiones, y puede fiarse, pero si no es así es posible que
perdamos mucho tiempo averiguando si la media es fiable.
A PROPÓSITO DEL ÓHMETRO.
Con algunos polímetros la prueba del dedo no funciona. Suele ocurrir sobretodo con los baratos (esas ofertas
de 6 Euros). La razón es que la tensión que ofrecen sus bananas es demasiado baja, menor que la necesaria para
vencer la barrera de la unión de Silicio. Para cerciorarse conviene medir en la modalidad Óhmios un diodo en
polarización directa (banana roja en el ánodo) y ver si indica conducción; en caso negativo, el polímetro no vale. Esta
carencia nos deja sin juego para otras muchas triquiñuelas, por lo que aconsejo adquirir, por una par de Euros más,
uno que no la padezca.

PRUEBA BAJO TENSIÓN.


Lo primero que haremos será buscar el emisor, y tomar el valor de su tensión como el de referencia.
La tensión de colector ha de ser de valor apreciable, rondando el 50% de la máxima que podríamos encontrar
(Vcc), sin embargo este valor puede variar muchísimo dependiendo del tipo de circuito, e incluso dentro del mismo, de
las condiciones en las que en el momento de la medida está trabajando. Como regla orientativa general, una tensión
muy baja en colector hace pensar en un cortocircuito Colector-Emisor, y un valor demasiado alto, en la rotura de la
estructura de colector.
La tensión entre Base y Emisor (conviene tomar la tensión de Emisor como referencia) debe ser sensiblemente
igual a la de barrera, cercana a 0,7V si es Silicio, y mantenerse bastante estable. Un valor más alejado que éste de la
de Emisor es síntoma de unión abierta, y menor, de cortocircuito.

TRANSISTORES MOS-FET.
Este tipo de transistor es muy posible encontrarlo en etapas de potencia y como tal, serán componentes
robustos y caros, que merece la pena comprobar con cuidado para no malgastar tiempo y dinero en balde, pues
además de su elevado precio, cada vez cambiemos uno tendremos que desmontar el viejo del radiador y ubicar el
nuevo cuidadosamente.
En primer lugar deberemos contar con que la comprobación de los diodos que hacíamos con el transistor
bipolar solo es posible si el componente es de cuatro terminales, ó sea, de compuerta aislada. Lo más normal es que
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no sea así, y por lo tanto debemos tener en cuenta que el Surtidor cortocircuita el diodo que en el antiguo transistor
Bipolar constituía la unión Base-Emisor.

Este es un detalle importante a tener en cuenta porque a un servidor ya le ha ocurrido haber tomado un
transistor Mos-Fet como bipolar, y al aplicar el polímetro para ver qué pasa entre los supuestos Colector y Emisor,
determinar alegremente que se el componente se encontraba deteriorado porque había conducción entre ambos en
uno de los sentidos... ¡Y en un Mos-Fet eso es normal!.

Aquí la prueba del dedo es muy significativa porque la impedancia de la compuerta es muy elevada y al tocar
con el dedo entre Drenador y Compuerta ésta queda sometida a un elevado potencial, a resultas de lo cual la
resistencia D-S decrece ostensiblemente.

TIRISTORES Y TRIACS.
La prueba de tiristores también es aconsejable realizarla desconectándolos del circuito.
Primero puede comprobarse la compuerta, pero la barrera de su unión es tan especial que su comprobación
como si fuera un diodo puede dar resultados que inducen a error.

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Es muy efectiva una prueba similar a la del dedo, en el sentido de que al componente se le hace trabajar
como lo que es. Para ello polarizamos directamente con el Óhmetro la unión ánodo cátodo (T1 T2 en el caso de un
triac, sin distinguir polaridad). Vamos a llamarle a ésta la CONEXIÓN PINCIPAL. Los resultados han de ser los
siguientes:

1.- No ha de observarse conducción (imagen izquierda).

A continuación conectamos la pinza positiva con la puerta.

2.- Debe observarse una conducción casi plena (centro).

Cuidando de no interrumpir en ningún momento la conexión principal (esto es vital para el buen resultado de la
prueba), deshacemos la unión con la puerta.
3.- El tiristor debe seguir conduciendo (derecha).
La prueba que acabo de sugerir no es ni más ni menos que la de poner al tiristor a funcionar. Es muy importante tener
en cuenta que, si bien su entrada en conducción, en el paso 2, siempre se produce, si el tiristor es muy robusto puede
necesitar una corriente hipostática de valor mayor que la que es capaz de generar el polímetro, y por lo tanto al ir del
paso 2 al 3 se interrumpiría la conducción. Si sospechamos que estamos en ese caso deberemos probar otra manera,
por ejemplo, acondicionando un circuito de prueba.

Referencias documentales:

www.unicrom.mx

www.wikipedia.mx

SZE, S. M. "Physics of Semiconductor Devices". John Wiley & sons, Inc., 1981.
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• Motorola: Thyristor Device Data.

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