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ELECTRONICA BASICA

Módulo 3: Introducción a los semiconductores
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Documento preparado por el Ing. Mario Chavarría, docente de la Institución Universitaria Tecnológico Pascual Bravo, Medellín
3. INTRODUCCION A LOS SEMICONDUCTORES
Los objetivos de este módulo son:
Entender el concepto de materiales conductores y materiales semiconductores
Comprender el funcionamiento del diodo y sus modos de polarización
Aplicar el puente de diodos para rectificar una onda senoidal completa
Hacer mediciones de algunos semiconductores
3.1 MATERIALES CONDUCTORES
Un conductor es un material que, en mayor o menor medida, conduce el calor y la electricidad. Son
buenos conductores los metales y malos, el vidrio, la madera, la lana y el aire.
El conductor más utilizado y el que ahora analizaremos es el Cobre (valencia 1), que es un buen
conductor. Su estructura atómica la vemos en la siguiente figura.

Su número atómico es 29. Esto significa que en el núcleo hay 29 protones (cargas positivas) y
girando alrededor de él hay 29 electrones girando en diferentes órbitas.
En cada órbita caben 2(n
2
) siendo n un número entero n = 1, 2, 3, ... Así en la primera órbita (n =
1) caben 2(1
2
)= 2 electrones. En la segunda órbita 2(2
2
)= 8 electrones. En la tercera órbita 2(3
2

)=18 electrones. Y la cuarta órbita solo tiene 1 electrón aunque en ella caben 2(4
2
) = 32
electrones.
Lo que interesa en electrónica es la órbita exterior, que es la que determina las propiedades del
átomo. Como hay + 29 y - 28, queda con + 1.
Por ello vamos a agrupar el núcleo y las órbitas internas, y le llamaremos parte interna. En el
átomo de cobre la parte interna es el núcleo (+ 29) y las tres primeras órbitas (- 28), con lo que
nos queda la parte interna con una carga neta de +1.
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Como el electrón de valencia es atraído muy débilmente por la parte interna, una fuerza externa
puede liberarlo fácilmente, por eso es un buen Conductor. Nos referiremos a ese electrón de
valencia, como electrón libre.
Lo que define a un buen conductor es el hecho de tener un solo electrón en la órbita de valencia
(valencia 1).
Así, tenemos que:
• A 0 ºK (-273 ºC) un metal no conduce.
• A Temperatura ambiente (27 ºC) ya hay electrones libres debidos a la energía térmica.

Si tenemos un campo eléctrico aplicado los electrones libres se mueven en una dirección concreta y
por lo tanto ya hay carga (en culombios) que cruza la sección del metal en un segundo, o sea ya
existe una corriente.

Como ya conocemos, el electrón tiene una carga negativa y por tanto el convenio tomado para
definir la corriente (contrario al movimiento de las cargas negativas) nos indica que la corriente
toma el sentido indicado en la figura.
3.2 MATERIALES SEMICONDUCTORES
Son elementos, como el germanio y el silicio, que a bajas temperaturas son aislantes. Pero a
medida que se eleva la temperatura o bien por la adicción de determinadas impurezas resulta
posible su conducción. Su importancia en electrónica es inmensa en la fabricación de transistores,
circuitos integrados, etc.
Los semiconductores tienen valencia 4, esto es 4 electrones en órbita exterior ó de valencia. Los
conductores tienen 1 electrón de valencia, los semiconductores 4 y los aislantes 8 electrones de
valencia.
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A continuación se presenta la configuración electrónica de dos semiconductores: el Germanio y el
Silicio.

3.3 EL DIODO
El dispositivo semiconductor más sencillo es el diodo y se puede encontrar prácticamente en
cualquier circuito electrónico. En forma simplificada, un diodo consta de dos materiales
semiconductores (tipo N y tipo P), cuando se le aplica una determinada diferencia de potencial, se
comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un corto circuito con
muy pequeña resistencia eléctrica (si conduce). Debido a este comportamiento, se les suele
denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en
corriente continua. Los diodos se fabrican en materiales de germanio o de silicio. Este último es el
más utilizado.

Los primeros diodos eran válvulas grandes en chips o tubos de vacío, también llamadas válvulas
termoiónicas constituidas por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal, con un
aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue realizado en 1904 por John
Ambrose Fleming, de la empresa Marconi, basándose en observaciones realizadas por Thomas Alva
Edison.
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Principio de operación
Dado que el semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor
tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones), al momento de fabricar el diodo se unen
estos materiales y entonces se produce una difusión de electrones

del cristal N al P. Al
establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona
que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de deplexión,
de vaciado, etc.

La acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea una
diferencia de potencial entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V
0
) es de 0,6 V en el caso
del diodo de silicio y 0,3 V si el diodo es de germanio.
Polarización directa
Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha indicada por el diagrama
del diodo, o sea del ánodo al cátodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha
facilidad comportándose prácticamente como un corto circuito.

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Para polarizar el diodo en forma directa aplicamos un voltaje que sea mayor a la diferencia de
potencial de la zona de carga espacial, el terminal positivo (+) se conecta al lado P y el negativo (-)
al lado N, (recordemos que está zona tiene 0,6 [V] en el caso del diodo de silicio y 0,3 [V] si el
diodo es de germanio). Este procedimiento permite el paso de la corriente de electrones a través de
la unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad dado que los electrones
en el lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a través del material P mas allá de los
límites del semiconductor. De igual manera los huecos en el material P son empujados con una
tensión negativa al lado del material N y los huecos fluyen a través del material N.

Se observa que:
El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unión p-n (o zona de carga espacial).
El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia
de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la
energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han
desplazado hacia la unión p-n.
Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de
valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se
desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en
el hilo conductor y llega hasta la batería.
De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de
valencia de la zona p, aparece a través del diodo se crea una corriente eléctrica, y el diodo se
comporta como conductor.
Polarización inversa
El caso opuesto se presenta cuando aplicamos una tensión positiva al lado N y una negativa al lado
P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al
lado P, finalmente los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no hay
corriente. En este caso el diodo se comporta prácticamente como un circuito abierto.
En esta situación, se dice que el diodo no conduce corriente; sin embargo, debido al efecto de la
temperatura se formarán pares electrón-hueco (dada la característica del materia semiconductor) a
ambos lados de la unión produciendo una muy pequeña corriente (del orden de 1 µA) denominada
corriente inversa de saturación. Además, existe también una denominada corriente superficial de
fugas la cual conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los
átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces
covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los átomos de la superficie del diodo,
tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones
circulan sin dificultad a través de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturación,
la corriente superficial de fuga es despreciable.
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Para el caso de polarización inversa se observa lo siguiente:
El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del
cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la
batería. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes
que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrón en el orbital de conducción,
adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, por ser material semiconductor)
y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p,
estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los
enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia,
siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones
libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los
átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo
potencial eléctrico que la batería, el diodo entonces no conduce, se comporta como circuito
abierto.
En resumen:
Diodo conectado en polarización directa (conduce)
(+) (-)

Diodo conectado en polarización inversa (no conduce)
(+) (-)


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Otros tipos de diodos
El diodo emisor de luz, muy conocido como LED (Light Emitting Diode) presenta un comportamiento
análogo al diodo de silicio, sin embargo, su tensión de unión tiene un valor mayor, normalmente
entre 1.2 y 1.5 V.

Símbolo del diodo LED
El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo común, pero que al ser atravesado
por la corriente eléctrica, emite luz.
Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual fueron construidos.
Hay de color rojo, verde, amarillo, ámbar, infrarrojo, entre otros.
Si se pasa una corriente a través del diodo semiconductor, se inyectan electrones y huecos en las
regiones P y N, respectivamente. Dependiendo de la magnitud de la corriente, hay recombinación
de los portadores de carga (electrones y huecos).
Hay un tipo de recombinaciones que se llaman recombinaciones radiantes (aquí la emisión de luz).
La relación entre las recombinaciones radiantes y el total de recombinaciones depende del
material semiconductor utilizado (GaAs, GaAsP,y GaP).
Dependiendo del material de que está hecho el LED, será la emisión de la longitud de onda y por
ende el color.

Debe de escogerse bien la corriente que atraviesa el LED para obtener una buena intensidad
luminosa y evitar que este se pueda dañar.
El LED tiene un voltaje de operación que va de 1.5 V a 2.2 voltios aproximadamente y la gama de
corrientes que debe circular por él está entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en los diodos de color
rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros LEDs.
Los diodos LED tiene enormes ventajas sobre las lámparas indicadoras comunes, como su bajo
consumo de energía, su mantenimiento casi nulo y con una vida aproximada de 100,000 horas.
El diodo LED debe ser protegido. Una pequeña cantidad de corriente en sentido inverso no lo
dañará, pero si hay picos inesperados puede dañarse. Una forma de protegerlo es colocar en
paralelo con el diodo LED pero apuntando en sentido opuesto un diodo de silicio común.
El LED se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como indicadoras de cierta situación
específica de funcionamiento, por ejemplo: para desplegar contadores (displays), para indicar la
polaridad de una fuente de alimentación de corriente continua, para indicar la actividad de una
fuente de alimentación de corriente alterna, en dispositivos de alarma, etc.

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3.4 APLICACIONES DEL DIODO
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de
una señal de corriente alterna de entrada (Vi) convirtiéndola en corriente directa de salida (Vo). Es
el circuito más sencillo que puede construirse con un diodo.

Los diodos ideales, permiten el paso de toda la corriente en una única dirección, la correspondiente
a la polarización directa, y no conducen cuando se polarizan inversamente.
Cuando el diodo se polariza directamente permite el paso de la corriente sin restricción, provocando
una caída de potencial en el diodo suele ser de 0.7 V.
V
o
÷ V
i
- V
D
÷ V
o
÷ V
i
- 0.7 V
La intensidad de la corriente puede fácilmente calcularse mediante la ley de Ohm:

Cuando el diodo se polariza inversamente el diodo no conduce, quedando el circuito abierto. La
tensión de salida es nula, al igual que la intensidad de la corriente, V
o
÷ 0, I ÷ 0

Tensión rectificada
Como acabamos de ver, la curva de transferencia, que relaciona las tensiones de entrada y salida,
tiene dos tramos: para tensiones de entrada negativas la tensión de salida es nula, mientras que
para entradas positivas, la tensión se reduce en 0.7V (diodo de silicio). El resultado es que la carga
recibe entonces un voltaje V
0
=V
i
- 0.7 [V] y además se ha eliminado la parte negativa de la señal
de entrada.


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RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
El circuito rectificador de onda completa se utiliza cuando se desea rectificar las ondas de voltaje
del secundario del transformador el cual es alimentado por una tensión en corriente alterna.

Cuando la señal es positiva (semiciclo positivo) los diodos D1 y D3 se polarizan
directamente, por lo tanto conducen la corriente que se dirige a la carga RL, es
importante observar que los diodos D2 y D4 se polarizan inversamente y no conducen
corriente.

Cuando la señal es negativa (semiciclo negativo) los diodos D2 y D4 se polarizan
directamente, por lo tanto conducen la corriente que se dirige a la carga RL, en el
mismo sentido que el caso anterior. Observamos además que los diodos D1 y D3 se
polarizan inversamente y no conducen corriente.

La salida tiene la forma de una onda rectificada completa.

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En un circuito real el propósito de la conversión es alimentar algún dispositivo de
corriente continua, por lo que se hace necesario aplanar el rizado que presenta la onda
rectificada por el puente de diodos, por lo que se hace necesario utilizar un capacitor en
paralelo a la carga RL que realice este trabajo de filtrado.

En este caso el condensador puede, a partir del máximo de la tensión de entrada y con el
diodo en inversa, descargarse a través de la carga. Es decir el capacitor se carga a la
tensión máxima y se descargará por RL mientras que la tensión de salida del secundario
del transformador disminuye a "cero¨ voltios, y el ciclo se repite.
A medida que el condensador se va descargando la tensión de entrada va disminuyendo
hasta alcanzar el mínimo para posteriormente aumentar; evidentemente siendo la
entrada creciente y la tensión en el condensador decreciente llega un punto en el que
ambos valores coinciden, momento en el que el diodo se polariza en directa y el
condensador comienza a recargarse hasta el siguiente máximo de la tensión de entrada.

En la práctica interesa que la tensión sea lo más uniforme posible para lo cual se hace
necesario utilizar un capacitor de alta capacidad, situación en la que los tramos
ascendente y descendente de la tensión de salida pueden, con suficiente aproximación,
sustituirse por líneas rectas.
Este circuito puede usarse, en fuentes de alimentación para lograr transformar la tensión
alterna de la entrada en continua a la salida.







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Fuente de voltaje variable
Una fuente de voltaje variable es ideal cuando se necesita una salida de voltaje variable
(1.5 V a 15.0 Voltios) con capacidad de entrega de corriente continua de hasta de 1.5
Amperios.

Si se utiliza el LM317 solo se obtienen 500 mA a la salida, suficiente para muchas
aplicaciones, pero en este caso utilizamos el LM317T porque puede entregar más
corriente.

Este dispositivo tiene protección contra sobrecorrientes que evita que el integrado se
queme accidentalmente debido a un corto circuito.
El potenciómetro se debe conectar a la terminal "AJUSTE¨ del integrado (COM) esto
permite variar el voltaje de salida
El transformador debe de tener un secundario con un voltaje lo suficientemente alto
como para que la entrada al regulador IN se mantenga 3 voltios por encima de su salida
OUT a plena carga, esto debido a requisitos de diseño del circuito integrado.
En este caso se espera obtener, a la salida, un máximo de 15 voltios lo que significa que
a la entrada del integrado debe de haber por lo menos 18 voltios, para garantizar este
voltaje en la entrada In, el transformador debe entregar por el secundario un voltaje
cercano a 13 voltios, dado que 18÷1.41 = 12.77 VAC rms
Normalmente se encuentran transformadores con un voltaje en el secundario de 12.6
voltios, lo que significa que el voltaje final máximo que se puede obtener con este
regulador es el esperado.
Se puede poner un diodo entre los terminales de salida y entrada para proteger al
regulador de posibles voltajes en sentido opuesto. Esto se hace debido a que cuando la
fuente de voltaje se apaga, algunas veces el voltaje de salida se mantiene alto por más
tiempo que el voltaje de entrada. Se pone el cátodo hacia la terminal IN y el ánodo
hacia la terminal OUT
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Un capacitor electrolítico de 100 uF se coloca a la salida para mejorar la respuesta
transitoria, y un capacitor de 0.1 uF se recomienda colocar en la entrada del regulador
si éste no se encuentra cerca del capacitor electrolítico de 4,700 uF.
Lista de componentes
1 Regulador de voltaje LM317T
4 diodos rectificadores 1N4001
1 resistor de 220D
1 potenciómetro de 5KD
1 capacitor de 4,700 uF a 25 Voltios, electrolítico
1 capacitor de 100 uF de 16 Voltios, electrolítico
1 capacitor de 0.1 uF
1 Transformador 120/12.6 VAC de 1.5 amp. en el secundario
1 Fusible de 1.5 amperios.
















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3.5 MEDICION DE ALGUNOS COMPONENTES SEMICONDUCTORES
Determinar si un diodo está en buen estado es muy importante, pues esto le permitirá
poner a funcionar correctamente un circuito electrónico.
Los multímetros digitales permiten probar con mucha facilidad un diodo, pues ya vienen
con esta opción listos de fábrica. La siguiente figura muestra las Puntas de Prueba
midiendo la polarización directa de un Diodo de Silicio, en donde vemos que la Punta de
Prueba POSITIVA está en el Ánodo y la Punta de Prueba NEGATIVA en el Cátodo

Para medir la polarización inversa de un Diodo de Silicio, la Punta de Prueba POSITIVA se
coloca en Cátodo y la Punta de Prueba NEGATIVA en el Ánodo, el multímetro muestra
[OL] que significa circuito abierto.
NOTA: Cada Diodo sea de Germanio o de Silicio, presenta un valor diferente o similar
pero la idea primordial es la de identificar las polaridades (Ánodo y Cátodo)




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Otro método de prueba que se presenta aquí es el método típico de medición de un diodo
con un multímetro en modo de ohmios [D].
Se realizan las dos pruebas siguientes:
1 - Se coloca el cable de color rojo en el ánodo de diodo (el lado de diodo que no tiene la
franja) y el cable de color negro en el cátodo (este lado tiene la franja).
El propósito es que el multímetro inyecte una corriente continua en el diodo (este es el
proceso que se hace cuando miden resistores).
Si la resistencia que se lee es baja indica que el diodo, cuando está
polarizado en directo funciona bien y circula corriente a través de él (como
debe de ser).
Si esta resistencia es muy alta, puede ser una indicación de que el diodo
esté "abierto" y deba que ser reemplazado.
2 - Se coloca el cable de color rojo en el cátodo y el cable negro en el ánodo del diodo.
En este caso como en anterior el propósito es hacer circular corriente a través del diodo,
pero ahora en sentido opuesto a la flecha de éste.
Si la resistencia leída es muy alta, esto nos indica que el diodo se comporta como
se esperaba, pues un diodo polarizado en inverso casi no conduce corriente.
Si esta resistencia es muy baja puede se una indicación de que el diodo está en
"corto" y deba ser reemplazado.
Como probar un transistor
Para probar transistores bipolares hay que analizar un circuito equivalente de éste, en el
que se puede utilizar lo aprendido al probar diodos. Ver la figura.

Se ve que los circuitos equivalentes de los transistores bipolares NPN y PNP están
compuestos por diodos y se sigue la misma técnica que probar diodos comunes.
La prueba se realiza entre el terminal de la base (B) y el terminal emisor [E] y colector
[C]. Los métodos de medición a seguir en el transistor NPN es opuesto a la medida que
se le hace al transistor PNP.
Al igual que con el diodo, si uno de estos "diodos del equivalente del transistor" no
funcionan como se espera hay que cambiar el transistor.
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El multímetro digital entrega en las puntas de prueba un voltaje suficiente para hacer
trabajar y polarizar directamente las junturas del transistor; el voltaje es entregado por la
batería interna y es un voltaje continuo y no alterno. Como se ve en la siguiente imagen
el multímetro se selecciona en el modo de medida de semiconductores (símbolo del
diodo). Al colocar la punta de prueba (+) en uno de los terminales del transistor y la
punta de prueba (-) en el otro extremo éste nos muestra un valor de 0.546 [V]. (esto nos
indicar que el extremo izquierdo podría ser la base)

Ahora llevamos la punta de prueba (-) al terminal del medio, manteniendo la Punta de
Prueba (+) en el mismo terminal, el instrumento nos muestra un valor distinto y menor
que la medición anterior (0.474[V]). Ahora estamos seguros que el terminal izquierdo es
la base (B) del transitor NPN

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Si invertimos las Puntas de Prueba y realizamos las mismas acciones anteriores, como se
ve en las figuras siguientes, vemos que el medidor muestra circuito abierto [OL], esto nos
confirma que la terminal izquierda del transistor corresponde a la base



Los resultados de éstas pruebas nos están demostrando algo que es primordial en la
medición de un transistor de silicio bipolar (BJT) y es la identificación individual de cada
uno de sus terminales. Las imágenes nos ayudaron a identificar la terminal base [B] del
transistor tipo NPN. Ahora sólo nos resta determinar cual es el colector [C] y cual es el
emisor [E].
El transistor BJT tiene la característica que la medida de voltaje Base-Emisor es mayor
que la medida de voltaje Base-Colector. Revisando el resultado logrado en la primera
medida encontramos que este correspondía a 0.546 [V] mientras que en la segunda
medida fue de 0.474 [V]. Concluímos entonces que el Emisor corresponde a la terminal
de la derecha, mientras que el colector corresponde a la terminal del medio.