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ELECTRNICOS

DONALD A. NEAMEN

ANLISIS Y DISEO DE CIRCUITOS ELECTRNICOS

ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS ELECTRNICOS

Volum en 1

D O N A LD A. N EA M EN
Traduccin: Gabriel Nagore Czares
Estudios de Fsica, Facultad de Ciencias, Universidad Nacional Autnoma de Mxico Jefe del Departamento de Difusin Instituto de Investigaciones Elctricas Revisin tcnica: Dr. Sergio Alejandro H orta M eja
Departamento de Electrnica Instituto Tecnolgico y de Estudios Superiores de Monterrey Campus Ciudad de Mxico

M . en C . M artn Rogelio Bustam ante Bello


Departamento de Electrnica Instituto Tecnolgico y de Estudios Superiores de Monterrey Campus Ciudad de Mxico

McGRAW-HILL
MXICO BUENOS AIRES CARACAS GUATEMALA LISBOA MADRID NUEVA YORK SAN JUAN SANTAF DE BOGOT SANTIAGO SAO PAULO AUCKLAND LONDRES MILN MONTREAL NUEVA DELHI SAN FRANCISCO SINGAPUR ST. LOUIS SIDNEY TORONTO

Gerente de marca: Carlos Granados Islas Supervisor de edicin: Felipe Hernndez Carrasco Supervisor de produccin: Zeferino Garca Garca

ANLISIS Y DISEO DE CIRCUITOS ELECTRNICOS Prohibida la reproduccin total o parcial de esta obra, por cualquier medio, sin autorizacin escrita del editor. DERECHOS RESERVADOS 1999, respecto a la primera edicin en espaol por McGRAW -HILL/INTERAM ERICANA EDITORES, S.A. DE C.V. Una Divisin de The M cGraw-Hill Companies, Inc. Cedro Nm. 512, Col. Atlampa Delegacin Cuauhtmoc 06450 Mxico, D.F. Miembro de la Cmara Nacional de la Industria Editorial Mexicana, Reg. Nm. 736

ISBN 970-10-1948-2 Obra completa ISBN 970-10-1949-0 Tomo I

Translated from the frst edition in English of ELECTRONIC CIRCUIT ANALYSIS AND DESIGN Copyright CMXVI, by The McGraw-Hill Companies, Inc. U. S. A. ISBN 0-256-11919-8

1234567890 Impreso en Mxico


Esta obra se termin de imprimir en Febrero de 1999 en Programas Educativos S.A. de C.V. Calz. Chabacano No. 65-A Coi. Asturias Delg. Cuauhtmoc C.P 06850 Mxico, D.F. Empresa certificada por el Instituto Mexicano de Normalizacin y Certificacin A.C. bajo la Norma ISO-9002 1994/NMX-CC-004 1995 con El nm. de registro RSC-048

0876543219 Printed in Mxico

tiraron

6000 ejemplares

A C E R C A

D E L

A U T O R

Donald Neamen es profesor asociado en el Departamento de Ingeniera Elctrica y Computacin en la Universidad de Nuevo Mxico. Obtuvo su doctorado por la Univer sidad de Nuevo Mxico y despus fue ingeniero en electrnica en el Laboratorio de Ciencias de Estado Slido en Hanscom Air Forc Base. En 1976, fue profesor asistente en el Departamento EECE en la Universidad de Nuevo Mxico, donde imparti los cursos de fsica de los semiconductores y dispositivos, asi como cursos de electrnica. En 1980 el profesor Neamen recibi el premio al profesor ms sobresaliente de la Universidad de Nuevo Mxico. En 1983 y 1985, la Asociacin Tau B etaP i lo reconoci como el mejor profesor en el Colegio de Ingeniera. En 1990 y 1994, recibi el premio de reconocimiento de la facultad, propuesto por estudiantes graduados del EECE. Asi mismo, fue galardonado en 1994 con el premio a la excelencia acadmica en el Colegio de Ingeniera. Adems de la enseanza, el profesor Neamen ha trabajado en la industria en Martin Marietta, los Sandia National Laboratories y Raytheon Company. Ha publicado muchos artculos y es el autor de Semiconductor Physics and Devices: Basic Principies.

Prefacio

cubierto las propiedades fundamentales de los circuitos. La computadora es una herra mienta que puede ayudar en el anlisis y diseo de circuitos electrnicos, pero no es un sustituto para una interpretacin minuciosa de los conceptos bsicos del anlisis de los mismos. N F A S IS EN EL D IS E O El diseo es el corazn de la ingeniera. El buen diseo se desarrolla a partir de una amplia experiencia en el anlisis. En este libro sealaremos diversas caractersticas y propiedades de circuitos a medida que avancemos en el anlisis. El objetivo es desarro llar una intuicin que puede aplicarse en el proceso de diseo. Se incorporan muchos ejemplos de diseo, problemas de ejercicios de diseo al final de la seccin y problemas de diseo al final de cada captulo, designados con la letra D . Varios de estos problemas de diseo pueden tener soluciones nicas. En estos problemas, debe cumplirse un conjunto especfico de criterios. Los objetivos de diseo especficos son un primer paso en el proceso de diseo. Otros ejercicios y problemas son abiertos en el sentido de que por lo general no tienen soluciones nicas. Una seccin independiente en los problemas al final de cada captulo contiene problemas de diseo abiertos. PR ER R EQ U I S ITO S El prerrequisito para este libro es un curso bsico de anlisis de circuitos. Lo anterior incluye anlisis en CD, anlisis senoidal en estado estable y anlisis transitorio de circui tos RC. Se utilizan de manera muy amplia diversos conceptos de redes, tales como los teoremas de Thevenin y Norton. Pueden ser de utilidad algunos fundamentos de las tcnicas de la transformada de Laplace. No se requiere conocimiento previo de la fsica de dispositivos semiconductores. O R G A N IZ A C I N Esta obra de dos volmenes se divide en tres partes. La parte I, compuesta por los prime ros ocho captulos (volumen 1) cubre aplicaciones de dispositivos semiconductores y de circuitos bsicos. El captulo 1 introduce los materiales y diodos semiconductores, los cuales llevan a la aplicacin de diodos en circuitos, presentada en el captulo 2. El cap tulo 3 abarca el transistor de unin bipolar, con aplicaciones de circuitos bsicos presen tadas en el captulo 4. En el captulo 5 se analiza el transistor de efecto de campo (FET), con un fuerte nfasis en el semiconductor de xido metlico FET (MOSFET), y el cap tulo 6 cubre circuitos FET bsicos. Si bien el transistor bipolar se estudia antes del FET, estos captulos estn escritos para que se estudien por separado, por lo que los FET y sus circuitos pueden cubrirse antes del transistor bipolar. La respuesta en frecuencia de los transistores y los circuitos transistorizados se cubren en el captulo 7. Por ltimo, el captulo 8 aborda aplicaciones especiales, que incluyen los amplificadores de potencia. A pesar de que las configuraciones de circuito para transistores bipolares y FET son muy similares, creo que el nfasis en la parte 1 debe ser en las tcnicas del anlisis y diseo. Por lo tanto, considero que la mezcla de los dos tipos de transistores en el mismo captulo implicara una confusin innecesaria. En la parte II (volumen 2) sin embargo, se evalan en los mismos captulos tanto los circuitos bipolares como los del FET. La parte I presenta en esencia los componentes bsicos de la electrnica. La parte II cubre temas ms avanzados de electrnica analgica y la parte III (volumen 2) considera circuitos electrnicos digitales. Tambin en este caso, estas dos partes se escribieron para que se estudien por separado, por lo que el orden de estudio de electrnica avanza

Prefacio

da analgica y digital puede intercambiarse, a pesar de que, saltar del captulo 6 al 16, puede ser un poco desconcertante tanto para los estudiantes como para los profesores. Los captulos del 9 al 15 se incluyen en la parte II, la cual se enfoca en mayor m edida en la electrnica analgica avanzada. En esta parte se destaca el amplificador operacional. El amplificador operacional ideal y los circuitos de amp-op ideales se cu bren en el captulo 9. El captulo 10 analiza los circuitos de polarizacin de fuente de corriente constante y presenta la carga activa, ya que ambos se emplean ampliamente en circuitos integrados (CI). El amplificador diferencial, corazn del amp-op, se estudia en el captulo 11, y la retroalimentacin se considera en el captulo 12. El captulo 13 pre senta el anlisis y diseo de diversos circuitos que forman los amplificadores operacionales. Los efectos no ideales en los CI analgicos se consideran en el captulo 14, y las aplicaciones, como los filtros activos y los osciladores, se cubren en el captulo 15. La parte III, compuesta por los captulos 16 y 17, cubre las bases de la electrnica digital, incluyendo las compuertas lgicas bipolares y FET. En el captulo 16 se analizan los circuitos electr n ico s digitales M OS. Puesto que los M OSFET se em plean extensivamente en electrnica digital, se presentan antes que los circuitos bipolares. El captulo 17 incluye los circuitos digitales bipolares, entre los que se cuentan los circuitos lgicos de emisor acoplado (SL) y de transistor-transistor (TTL). Se incluyen seis apndices al final del libro. El apndice A contiene constantes fsicas y factores de conversin. El apndice B es un estudio completo de PSpice, que incluye parmetros de modelos de dispositivos y tipos de anlisis. Se brindan varios ejemplos en los que se lista el programa PSpice, as como la respuesta de salida. Esto permitir al lector correr PSpice. Diversos textos disponibles proporcionan un estudio completo de SPICE y PSpice. En el apndice C se incluyen hojas de datos de fabricantes para diversos dispositi vos y circuitos. En el apndice E se listan las referencias, y las respuestas a los proble mas escogidos de fin de captulo se presentan en el apndice F.

C A R A C T E R S T IC A S D IS T IN T IV A S Una seccin previa introduce cada captulo, empezando por lo general con una explicacin de cmo el material del captulo anterior se emplear en el captulo en estudio. La seccin de avance brinda de ese modo los temas que se van a cubrir, incluso la importancia de los mismos, y explica cmo encajan en el cua dro completo de la electrnica. Un nmero considerable de ejemplos se emplea a lo largo de todo el libro para reforzar los conceptos tericos que se estn desarrollando. Se presentan ejercicios o problemas al final de cada seccin principal de un cap tulo. Estos ejercicios tambin refuerzan los conceptos bsicos considerados en la seccin. Asimismo, se proporcionan las respuestas a los problemas, para ayudar a su resolucin.

Un resumen y una seccin de repaso siguen el texto de cada captulo. Esta sec cin resume los resultados obtenidos en el captulo y repasa los conceptos bsi cos desarrollados. La seccin termina discutiendo la importancia del material para los captulos restantes. Al final de cada captulo se proporciona un gran nmero de problemas organi zados de acuerdo con el tem a de cada seccin. Se incluyen problemas orientados al diseo, as como problemas con diversos grados de dificultad. Tambin se brindan problemas independientes de simulacin por computadora y de diseo abiertos.

Prefacio

Se proporcionan respuestas a los problemas seleccionados en un apndice; ya que conocer la respuesta de un problema puede ayudar a su resolucin.

En otro apndice se incluyen hojas de datos de fabricantes, correspondientes a dispositivos y circuitos seleccionados. Estas hojas de datos deben perm itir al lector relacionar los conceptos bsicos y las caractersticas de los circuitos estu diados con las caractersticas y limitaciones de los circuitos reales.

R E C O N O C IM IE N T O S Estoy en deuda con los muchos estudiantes que he tenido a lo largo de los afos y que me han ayudado en el mejoramiento de este libro. En especial agradezco a aquellos que han empleado las notas del manuscrito en clase. Su entusiasmo y su crtica constructiva han sido invaluables. Quiero tambin agradecer a los profesores Hawkins, McNeil y Williams de la Universidad de Nuevo Mxico, quienes han impartido sus ctedras a partir de las notas del manuscrito y han hecho sugerencias excelentes para manejarlo. La Universidad de Nuevo Mxico tiene todo mi reconocimiento por brindarme una atmsfera que me condujo a escribir este libro. Quiero dar las gracias a la gente de Richard D. Irwin Inc., editorial filial de McGrawHill, por su gran apoyo, en especial a Tom Casson y a Scott Isenberg, editores prom oto res, por su estmulo. Un agradecimiento especial a Kelley Butcher, editora en jefe de produccin en Irwin, as como por su atencin a un cmulo de detalles, su apoyo incon dicional y su enorme entusiasmo a lo largo de todo el proyecto. Agradezco tambin los esfuerzos de Ethel Shiell y Paula Buschman, editores de proyecto, quienes dirigieron el trabajo en la fase final hasta su publicacin. Este esfuerzo incluy el llevarme gentil, pero firmemente, a la lectura final del texto. Tres grupos especiales merecen mi reconocimiento. Estos son los revisores que leyeron el manuscrito en sus diversas fases, un grupo objetivo que dedic un apreciado fin de semana completo a la discusin y evaluacin del proyecto y los correctores que cotejaron los ejemplos, ejercicios y problemas para minimizar cualesquiera errores en los que hubiera incurrido. Sus esfuerzos y sugerencias hicieron de ste un mejor libro. A todas estas personas les agadezco sus valiosas contribuciones.

Revisores Timothy F. Darling University o f California Santa Barbara Daniel J. Moore Rose Hulmn Institute o f Technology R. G. Deshmukh Florida Institute o f Technology Khalil Najafi University o f Michigan Ann Arbor Godi Fischer University o f Rhode Island Bruce Johnson University o f Nevada Reno Peter E. Engler New Jersey Institute o f Technology Mahmood Navi California Polytechnic State University San Luis Obispo Stuart M. Wentworth Auburn University Farid Tranjan University o f North Carolina Charlotte Arthur F. Witulski University o f Arizona Michael Hassul California State University Long Beach

Prefacio

Dennis Polla University o f Minnesota Donnie K. Reinhard Michigan State University Raymond S. Winton M ississippi State University W esley G. Lawson University o f M aryland Eugene D. Fabricius California Polytechnic State University San Luis Obispo Glen C. Gerhard University o f Arizona David J. Dumin Clemson University James C. Gottling Ohio State University Daniel W. Hart Valparaso University William Wilson Rice University Anura P. Jayasumana Colorado State University Charles E. Smith University o f Mississippi Robert J. Krueger University o f Wisconsin Milwaukee Philip C. Munro Youngstown State University Thomas Wong Illinois Institute o f Technology Grupo de trabajo Donnie K. Reinhard M ichigan State University Richard Hester Texas Instruments

Glen C. Gerhard University o f Arizona Daniel J. Moore Rose Hulmn Institute o f Technology Ronald S. Gyurcsik North Carolina State University Correctores Daniel J. Moore Rose Hulmn Institute o f Technology William Davis Virginia Polytechnic Institute and State University Paul Weston University o f Illinois Urbana Flongyan Diao University o f Houston Calvin L. Finn University o f Idaho Tony King University o f Houston George Aliftiras Virginia Polytechnic Institute and State University Howard Flao Wu University o f Houston Montanez Wade Tennessee State University William Schneider University o f Houston Cari Erickson Messiah College William Kuhn Virginia Polytechnic Institute and State University Maritza Kozicki Sam Stone

U S O DEL LIBRO Este texto est orientado para utilizarse en un curso de dos semestres en los primeros aos de la carrera universitaria. Al igual que con la mayor parte de los libros de texto, hay ms material que puede cubrirse convenientemente en dos semestres. Esto brinda a cada profesor la flexibilidad para disear el curso de acuerdo con sus necesidades espe cficas. Al mismo tiempo, este libro no se considera como una enciclopedia. Muchos de los temas ms avanzados se dejaron para otros textos. Donald A . Neamen

CONTENIDO

BREVE

PRLOGO I: Prlogo a la electrnica PARTE I

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y APLICACIONES BSICAS C aptulo 1 Materiales semiconductores y diodos Captulo 2 Circuitos con diodos

49

Captulo 3 El transistor bipolar de unin Captulo 4 Amplificadores BJT bsicos

93

153

Captulo 5 El transistor de efecto de campo Captulo 6 Amplificadores FET bsicos Captulo 7 Respuesta en frecuencia

225

287

351

Captulo 8 Circuitos electrnicos bsicos: aplicaciones y diseo Apndices ndice 529 481

429

CONTENIDO

PRLOGO I: Prlogo a la electrnica Avance 1 1 2 2 3 2

Breve historia

Dispositivos pasivos y activos Circuitos electrnicos Circuitos discretos e integrados Seales analgicas y digitales Notacin Resumen 3 4

PARTE I_________________________________________________________ D ISPO SIT IV O S SE M IC O N D U C T O R E S Y A PLIC A C IO N ES BSICAS Captulo 1 M ateriales sem iconductores y diodos 1.1 7

9 9

Materiales semiconductores y sus propiedades 1.1.1 Semiconductores intrnsecos 9 1.1.2 Semiconductores extrnsecos 12 1.1.3 Corrientes de arrastre y de difusin 14 1.1.4 Exceso de portadores 15 La unin pn 17 1.2.1 La unin pn en equilibrio 17 1.2.2 Unin pn polarizada inversamente 18 1.2.3 Unin pn polarizada directamente 20 1.2.4 Relacin ideal corriente-voltaje 21 1.2.5 Diodo de unin pn 22

1.2

1.3

Circuitos con diodo: anlisis y modelos en CD 25 1.3.1 Tcnicas de iteracin y de anlisis grfico 27 1.3.2 M odelo lineal por secciones 29 1.3.3 Simulacin y anlisis por computadora 31 1.3.4 Resumen 32 Circuitos con diodo: anlisis en CA y circuito equivalente 1.4.1 Anlisis senoidal 33 1.4.2 Circuito equivalente de pequea seal 36 Otros 1.5.1 1.5.2 1.5.3 1.5.4 tipos de diodo 37 Diodo de barrera Schottky 37 Diodo Zener 38 El diodo emisor de luz 40 Fotodiodo 40 41 33

1.4

1.5

1.6

Resumen y repaso P roblem as 42

xiv

Contenido

Captulo 2 C ircuitos con diodos 2.1

49

Circuitos rectificadores 49 2.1.1 Rectificacin de media onda 49 2.1.2 Rectificacin de onda completa 53 2.1.3 Voltaje de rizo y corriente de diodo 2.1.4 Circuito doblador de voltaje 61 Circuitos limitadores y sujetadores 2.2.1 Limitadores 63 2.2.2 Sujetadores 66 63

56

2.2

2.3

Circuitos con diodo Zener 69 2.3.1 Circuito de referencia de voltaje ideal 69 2.3.2 Resistencia Zener y porcentaje de regulacin Circuitos con diodos mltiples 73 2.4.1 Ejemplos de circuitos con diodos 2.4.2 Circuitos lgicos con diodos 77 Circuitos con fotodiodo y con LED 2.5.1 Circuito con fotodiodo 81 2.5.2 Circuito con LED 81 Resumen y repaso Problemas 83 83 81 73

71

2.4

2.5

2.6

Captulo 3 El tra n sisto r b ip o lar de unin 3.1

93

Transistor de unin bipolar bsico 93 3.1.1 Estructuras del transistor 94 3.1.2 Transistor npn: operacin en modo activo directo 95 3.1.3 Transistor pnp: operacin en modo activo directo 99 3.1.4 Smbolos y convenciones de circuito 100 3.1.5 Caractersticas corriente-voltaje 101 3.1.6 Corrientes de fuga y voltaje de ruptura del transistor no ideal Anlisis en CD de circuitos transistorizados 109 3.2.1 Circuito de emisor comn 109 3.2.2 Lnea de carga y modos de operacin 112 3.2.3 Circuitos bipolares comunes: anlisis en CD Aplicaciones bsicas del transistor 3.3.1 Interruptor 125 3.3.2 Lgica digital 126 3.3.3 Amplificador 127 125

104

3.2

116

3.3

3.4

Polarizacin de transistor bipolar 130 3.4.1 Polarizacin con resistencia de base 130 3.4.2 Polarizacin con divisor de voltaje y estabilidad de polarizacin 3.4.3 Polarizacin con fuente de corriente constante 136 Circuitos de etapas mltiples Resumen y repaso Problemas 143 142 139

132 '

3.5 3.6

Contenido

xv

Captulo 4 A m plificadores B JT bsicos 4.1

153

El amplificador bipolar 153 4.1.1 Anlisis grfico y lneas de carga 153 4.1.2 Circuito equivalente hbrido v de pequea seal 157 4.1.3 Circuito equivalente hbrido nt, incluyendo el efecto Early 162 4.1.4 Circuito equivalente hbrido tr expandido 166 4.1.5 Otros parmetros de pequea seal y circuitos equivalentes 166 Amplificador de emisor comn 171 4.2.1 Circuito con capacitor de acoplamiento 171 4.2.2 Circuito con resistencia de emisor 173 4.2.3 Circuito con capacitor de desacoplo del emisor 176 4.2.4 Im pedancia de entrada y salida 177 4.2.5 Conceptos avanzados del amplificador de emisor comn Anlisis de lnea de carga en CA 183 4.3.1 Lnea de carga en CA 183 4.3.2 M xim a excursin simtrica 186 Amplificador emisor seguidor 188 4.4.1 Ganancia de voltaje en pequea seal 4.4.2 Impedancia de entrada y salida 192 188

4.2

179

4.3

4.4

4.5

Amplificador de base comn 198 4.5.1 Ganancias de voltaje y corriente de pequea seal 4.5.2 Impedancia de entrada y salida 200 Los tres amplificadores bsicos: resumen y comparacin Amplificadores multietapa 202 4.7.1 Anlisis de etapa mltiple: configuracin en cascada 4.7.2 Configuracin cascode 206 Consideraciones de potencia Resumen y repaso Problemas 213 212 209

198 201 202

4.6 4.7

4.8 4.9

Captulo 5 El tra n sisto r de efecto de cam po 5.1

225

Transistor de efecto de campo MOS 225 5.1.1 Estructura MOS de dos terminales 225 5.1.2 M OSFET de canal n en el modo de enriquecimiento 228 5.1.3 Caractersticas corriente-voltaje del MOSFET ideal 229 5.1.4 Smbolos del circuito y convenciones 233 5.1.5 Estructuras y smbolos de circuito adicionales del MOSFET 5.1.6 Caractersticas de corriente-voltaje no ideales 238 Anlisis en CD del circuito con MOSFET 242 5.2.1 Circuito de fuente comn 242 5.2.2 Lnea de carga y modos de operacin 246 5.2.3 Configuraciones comunes con MOSFET: anlisis en CD 5.2.4 Polarizacin con fuente de corriente constante 256

234

5.2

247

xvi

Contenido

5.3

Aplicaciones bsicas del MOSFET: interruptor, compuerta lgica digital y amplificador 259 5.3.1 Inversor NMOS 260 5.3.2 Compuerta lgica digital 261 5.3.3 Amplificador MOSFET de pequea seal 262 Transistor de efecto de campo de unin 264 5.4.1 Operacin del JFET pn y del MESFET 264 5.4.2 Caractersticas corriente-voltaje 268 5.4.3 Configuraciones JFET comunes: anlisis en CD Resumen y repaso Problemas 278 277

5.4

270

5.5

Captulo 6 A m plificadores FE T bsicos 6.1

287

El amplificador MOSFET 287 6.1.1 Anlisis grfico y lneas de carga 287 6.1.2 Circuito equivalente de pequea seal 291 El amplificador de fuente comn 295 6.2.1 Configuracin bsica de fuente comn 295 6.2.2 Amplificador de fuente comn con resistencia de fuente 299 6.2.3 Circuito de fuente comn con capacitor de desacoplo de fuente El amplificador fuente-seguidor 306 6.3.1 Ganancia de voltaje de pequea seal 306 6.3.2 Resistencia de salida fuente-seguidor 310 La configuracin de compuerta-comn 312 315

6.2

301

6.3

6.4 6.5 6.6

Las tres configuraciones bsicas del amplificador: comparacin Amplificadores con dispositivos de carga MOSFET 315 6.6.1 Amplificador NMOS con carga de incremento 3 16 6.6.2 Amplificador NMOS con carga de agotamiento 320 Amplificadores multietapa 326 6.7.1 Anlisis en CD 326 6.7.2 Anlisis de pequea seal

6.7

330 332

6.8

Amplificadores JFET bsicos 332 6.8.1 Circuito equivalente de pequea seal 6.8.2 Anlisis de pequea seal 334 Resumen y repaso Problemas 339 338

6.9

Captulo 7 R espuesta en frecuencia 7.1

351

Anlisis en frecuencia y funciones de transferencia 351 7.1.1 Anlisis en el dominio s 352 7.1.2 Funciones de primer orden 353 7.1.3 Diagramas de Bode 353 7.1.4 Constantes de tiempo en corto circuito y en circuito abierto

357

Contenido

xvii

7.2

Respuesta en frecuencia: amplificadores transistorizados con capacitores 361 7.2.1 Efectos de los capacitores de acoplamiento 361 7.2.2 Efectos del capacitor de carga 368 7.2.3 Efectos del capacitor de desacoplo 373 7.2.4 Efectos combinados: capacitores de acomplamiento y de desacoplamiento 377 Respuesta en frecuencia: transistor bipolar 380 7.3.1 Circuito equivalente hbrido 7T expandido 380 7.3.2 Ganancia de corriente en cortocircuito 381 7.3.3 Frecuencia de corte 383 7.3.4 Efecto M iller y capacitancia Miller 385 Respuesta en frecuencia: el FET 390 7.4.1 Circuito equivalente en alta frecuencia 390 7.4.2 Ancho de banda de ganancia unitaria 392 7.4.3 Efecto y capacitancia M iller 393 Respuesta en alta frecuencia de los circuitos transistorizados 396 7.5.1 Circuitos de emisor comn y de fuente comn 396 7.5.2 Circuitos de base comn, compuerta comn y cascode 399 7.5.3 Circuitos de emisor-seguidor y fuente-seguidor 407 7.5.4 Diseo de amplificadores de alta frecuencia 411 Resumen y repaso Problemas 414 413

7.3

7.4

7.5

7.6

Captulo 8 C ircuitos electrnicos bsicos: aplicaciones y diseo 8.1 Transistores de potencia 429 8.1.1 BJT de potencia 430 8.1.2 M OSFET de potencia 434 8.1.3 Disipadores de calor 436 Clases 8.2.1 8.2.2 8.2.3 8.2.4 de amplificadores 440 Operacin clase A 440 Operacin clase B 443 Operacin clase AB 447 Operacin clase C 451

429

8.2

8.3

Amplificadores de potencia clase A 452 8.3.1 Am plificador acoplado inductivamente 452 8.3.2 Amplificador de emisor comn acoplado a transformador 454 8.3.3 Amplificador de emisor-seguidor acoplado a transformador 455 Etapas 8.4.1 8.4.2 8.4.3 8.4.4 de salida complementarias push-pull clase AB 458 Etapa de salida clase AB con polarizacin de diodo 458 Polarizacin clase AB empleando el multiplicador VBE 460 Etapa de salida clase AB con transistores reforzadores de entrada Etapa de salida clase AB utilizando pares de Darlington 465 466

8.4

462

8.5 8.6

Fuentes de alimentacin empleando componentes discretos Resumen y repaso P roblem as 471 471

Contenido

Apndice A C onstantes fsicas y factores de conversin

481

Apndice B Introduccin a PSpice B.l B.2

483 483

Descripcin del circuito

Formato 484 B.2.1 Factores de escala 484 B.2.2 Descripcin de un elemento 484 B.2.3 Descripcin del dispositivo activo 486 B.2.4 Modelos de dispositivos activos 487 B.2.5 Descripciones de fuentes 488 Tipos B.3.1 B.3.2 B.3.3 B.3.4 de anlisis 492 Anlisis en CD 492 Respuesta en frecuencia senoidal en estado estable Anlisis transitorio 493 Anlisis de temperatura 493 493

B.3

492

B.4 B.5

Generacin de resultados Ejemplos 495

Apndice C Seleccin de hojas de especificaciones del fabricante C .l C.2 C.3 C.4 2N2222 Transistor bipolar npn 2N2907 Transistor bipolar npn 504 506

503

ND59410 MOSFET de canal-n en modo de enriquecimiento LM741 Amplificador operacional 511

508

Apndice D V alores com erciales de capacitores y resistencias D .l D.2 D.3 Resistencias de carbn 515

515

Resistencias de precisin (tolerancia del 1%) Capacitores 517

516

Apndice E Lista de libros de consulta

519

Apndice F Respuestas a problem as seleccionados

523

ndice

529

PROLOGO A LA ELECTRONICA

Avance Cuando la m ayora de nosotros escucha un comentario relacionado con el mundo de la electrnica, pensamos en computadoras, televisores o sistemas estereofnicos. En reali dad, estos elementos son sistemas electrnicos compuestos de subsistemas o circuitos electrnicos, que incluyen amplificadores, fuentes de seales, fuentes de alimentacin y circuitos lgicos digitales. La electrnica se define como la ciencia del movimiento de cargas en un gas, vaco o semiconductor. (Advierta que se excluye de esta definicin el movimiento de carga en un metal.) Esta definicin se emple en los inicios del siglo XX para separar el campo de la ingeniera elctrica, el cual tiene que ver con motores, generadores y comunicaciones almbricas, del nuevo campo de la ingeniera electrnica, que en ese entonces trataba con tubos de vaco. Hoy da, la electrnica comprende por lo general transistores y circuitos transistorizados. La microelectrnica se refiere a la tecnologa de circuitos integrados, la cual puede producir un circuito con ms de un milln de componentes en una sola pieza del material semiconductor. Un ingeniero elctrico tpico desempear muchas funciones diversas, y es proba ble que utilice, disee o construya sistemas que incorporen de alguna forma la electrni ca. En consecuencia, la divisin entre las ingenieras elctrica y electrnica ya no es tan clara como originalmente lo era.

Breve historia El desarrollo del transistor y del circuito integrado (CI) ha conducido a importantes ventajas de la electrnica. El CI se utiliza actualmente en casi cualquier aspecto de nues tra vida diaria, desde la televisin hasta el automvil y la computadora personal. Un ejemplo claro de la tecnologa de CI es la pequea computadora digital de escritorio, la cual ahora tiene ms capacidad que el equipo que hace unos cuantos aos habra llenado por completo una habitacin. Un avance fundamental en la electrnica ocurri en diciembre de 1947, cuando William Shockley, John Bardeen y Walter Brattain presentaron el primer transistor en los Laboratorios Bell. Desde entonces hasta cerca de 1959, el transistor estaba disponi ble slo como un dispositivo discreto, por lo que la fabricacin de circuitos requiri que las terminales de los transistores se soldaran directamente a las terminales de otros com ponentes. En septiembre de 1958, Jack Kilby de Texas Instruments, present el primer circui to integrado, el cual se fabric en germanio. Aproximadamente al mismo tiempo, Robert Noyce de Fairchild Semiconductor, introdujo el circuito integrado de silicio. El desarro llo del CI continu a una gran velocidad a lo largo de la dcada de los sesenta, basndose fundamentalmente en la tecnologa del transistor bipolar. A partir de ah, el transistor de metal-xido-semiconductor (MOS) y la tecnologa del circuito integrado MOS han sur gido como la fuerza dominante, especialmente en los circuitos integrados digitales. Desde el primer CI, el diseo de circuitos se ha vuelto ms sofisticado y el circuito integrado ms complejo. En la actualidad, un CI puede contener funciones aritmticas,

Prlogo I

Prlogo a la electrnica

lgicas y de memoria en un solo chip semiconductor. El principal ejemplo de este tipo de circuito integrado es el microprocesador.

Dispositivos pasivos y activos En un dispositivo elctrico pasivo, la potencia promedio en el tiempo entregada a estos dispositivos a lo largo de un periodo infinito, siempre es mayor o igual a cero. Las resistencias, los capacitores y los inductores son ejemplos de dispositivos pasivos. Los inductores y los capacitores pueden almacenar energa, pero no pueden entregar una potencia promedio mayor que cero en un intervalo de tiempo infinito. Los dispositivos activos, tales como las fuentes de alimentacin de CD, las bateras y los generadores de seales de CA, son capaces de suministrar potencia. Los transisto res tambin se consideran dispositivos activos puesto que son capaces de proveer ms potencia de seal a una carga de la que reciben. Este fenmeno se denomina amplifica cin. La potencia adicional en la seal de salida la brinda la fuente.de alimentacin de CD.

Circuitos electrnicos En la m ayor parte de los circuitos electrnicos, hay dos entradas (figura PR1.1). Una entrada proviene de una fuente de alimentacin, la cual suministra voltajes y corrientes de CD para establecer la polarizacin apropiada para los transistores. La segunda entra da es una seal que puede ser amplificada por el circuito. Aunque es posible que la seal de salida sea mayor que la seal de entrada, la potencia de salida nunca puede exceder la potencia de entrada de CD. Por consiguiente, la magnitud de la fuente de alimentacin de CD limita la respuesta de la seal de salida. Ven
Entrada de la fuente de alimentacin de CD Entrada de la seal v, Circuito electrnico Salida de vG la seal

X
Tierra o referencia'
D iagram a e s q u e m tico de un c irc u ito e le c tr n ic o con do s seales de en tra d a : la en trad a de la fu e n te de a lim e n ta c i n de CD y la entrada de la seal.

El anlisis de los circuitos electrnicos, entonces, se divide en dos partes: una trata la entrada de CD y su respuesta, y la otra tiene que ver con la seal de entrada y la respuesta resultante. Las fuentes de voltaje y corriente dependientes se emplean para modelar los dispositivos activos y para representar la amplificacin o ganancia de la seal. Por lo general, se usan diferentes modelos de circuito equivalente para los anlisis de CD y CA.

Circuitos discretos e integrados En este libro, trataremos principalmente con circuitos electrnicos discretos; esto es, circuitos que contienen componentes discretos, tales como resistores, capacitores y tran

Prlogo I

Prlogo a la electrnica

sistores. Nos centraremos en los tipos de circuitos que son los bloques constitutivos del CI. Por ejemplo, veremos los diversos circuitos que componen el amplificador operacio nal, un CI importante en la electrnica analgica. Estudiaremos tambin diferentes cir cuitos lgicos utilizados en CI digitales.

Seales analgicas y digitales La seal de voltaje mostrada grficamente en la figura PR1 2 a recibe el nombre de seal analgica. La magnitud de una seal analgica puede tener cualquier valor; esto es, la amplitud puede variar continuamente con respecto al tiempo. Los circuitos electrnicos que procesan tales seales se denominan circuitos analgicos.

v
v'

I logico

, 0 lgico

JL
Tiempo

b)
F igu ra PR1

b)

G r ficas de seales a n a l g ic a s y d ig ita le s: a) seal an a l g ica con tra el tie m p o y seal d ig ita l c o n tra el tie m p o .

Una seal alterna que est en uno de dos niveles distintos se llama seal digital (figura PR1.26). Debido a que la seal digital tiene valores discretos, se dice que est cuantizada. Los circuitos electrnicos que procesan seales digitales se conocen como circuitos digitales. La gran mayora de seales en el mundo real son analgicas. Las comunicaciones de voz y la msica son slo dos ejemplos. La amplificacin de tales seales es una gran parte de la electrnica, y llevar a cabo este proceso con poca o ninguna distorsin es de gran inters. Por tanto, en amplificadores de seales, la salida debe ser una funcin lineal de la entrada. Un ejem plo es el circuito am plificador de potencia en un sistem a estereofnico. Este circuito brinda suficiente potencia para accionar el sistema de bo cinas. Sin embargo, debe permanecer lineal para reproducir el sonido sin distorsin. Los sistemas digitales y el procesamiento de seales estn ahora en una gran parte de la electrnica debido a los enormes avances en el diseo y la fabricacin de circuitos digitales. El procesamiento digital permite que se lleven a cabo una amplia variedad de funciones que resultaran imprcticas utilizando medios analgicos. En muchos casos, sin embargo, la seal digital debe ser convertida en una seal analgica y viceversa. Una parte importante de la electrnica trata de estas conversiones.

Notacin La siguiente notacin, resumida en la tabla PR1.1, se emplea en todo este texto. Una letra m inscula con un subndice en mayscula, tal como i y vBE, indica valores instan tneos totales. Una letra mayscula con un subndice en mayscula, tal como In y VBE indica cantidades en CD. Una letra minscula con un subndice en minscula, tal como

Prlogo 1

Prlogo a la electrnica

T a b la P R 1.1

R esum en de no ta ci n

Variable lB >VBE yH E b, Vbe h , Vbe

Significado Valores totales instantneos Valores de CD Valores totales instantneos de CA Valores fasoriales

h y v/> indica valores instantneos de seales de CA. Finalmente, una letra mayscula con un subndice en minscula, tal como Ih y Vhe, indica cantidades fasoriales. Como un ejemplo, la figura PRl.3 muestra un voltaje senoidal superpuesto a un voltaje de CD. Utilizando nuestra notacin, escribiramos
PftE = y BE + V he = y BE +

Vm COS (<Dt +

< t>,)

F ig u ra P R 1 .3

V oltaje senoidal sup erpu esto sobre un vo lta je de CD, d o n d e se in d ica la n o ta c i n

em p le a d a a lo larg o de este te x to .

El concepto de fasor surge de la identidad de Euler y relaciona a la funcin exponencial con la funcin trigonomtrica. Podemos escribir el voltaje senoidal como vhe = Vm eos (<ot + 4>J = Fm Re{e'(a + = Re{ Vm e* d ul}

donde Re representa la parte real de . El coeficiente de ejM es un nmero complejo que representa la amplitud y el ngulo de fase del voltaje senoidal. Este nmero complejo, entonces, es el fasor de ese voltaje, o Vhe = En algunos casos a lo largo del libro, las seales de entrada y de salida sern canti dades cuasiestticas. Para estas situaciones, podemos usar la notacin instantnea total, tal como iB y vBE, o la notacin de CD, ln y VliE.

Resumen Los dispositivos semiconductores son los componentes bsicos de ios circuitos electr nicos. Las caractersticas elctricas de estos dispositivos brindan la conmutacin contro lada que se requiere para el procesamiento de seales, entre otras cosas. La mayor parte de los ingenieros elctricos son usuarios de la electrnica en vez de ser diseadores de circuitos electrnicos y CI. Como con cualquier disciplina, sin embargo, deben domi narse las bases antes de que puedan comprenderse las caractersticas y limitaciones del sistema. En electrnica, el circuito discreto debe estudiarse y analizarse completamente antes de que pueda apreciarse de manera amplia la operacin, las propiedades y las limitaciones de un CI.

R IC H A R D J . V A L E N T IN E P rin c ip a l S t a f f E n g in e e r M o to r o la , In c. Los d is p o s itiv o s s e m ic o n d u c to re s discre to s fo rm a n la base de la m ayora de los c irc u ito s e le c tr n ic o s . Incluso co m p le jo s d isp o sitivo s in te g ra d o s co m o los ch ip s de m ic ro c o m p u ta d o ra se disean a p a rtir de d io d o s y tra n sisto re s in d iv id u a le s . C o m p re n de r c m o fu n c io n a n estos d isp o sitivo s in d ivid u a le s es esencial an tes de que un in g e n ie ro pueda in ic ia r un dise o de un c irc u ito , tr te s e de una m o desta fu e n te de a lim e n ta c i n de una c o m p u ta d o ra o de un c irc u ito in te g ra d o de un m icro p ro ce sa d o r con c in c o m illo n e s de tra n sisto re s. Los dise os e le c tr n ic o s fu tu ro s in c o rp o ra r n m s d is p o s itiv o s s e m ic o n d u c to re s para alcanzar nivele s de e ficie n cia su p e rio re s. Los d is p o sitiv o s s e m ic o n d u c to re s d iscre to s de p o te n cia y los m ic ro c o n tro la d o re s p e rm ite n a los m o to re s un m e jo r d e sem pe o con m e nos co n su m o de p o te n cia , lo cual es im p o rta n te si se ob serva que la m ita d del su m in istro de energa e l c tric a a nivel m u n d ia l se co n s u m e a tra v s de m o to re s e l c tric o s . Cada tip o de d is p o s itiv o s e m ic o n d u c to r tie n e p ropied ade s n ica s que son o p tim iz a d a s para d ife re n te s re q u e rim ie n to s del c irc u ito . El ap rend izaje de estas p ro p ie d a d e s p e rm i te al d ise a d o r del c irc u ito se le ccio n a r r p id a m e n te los e le m e n to s c o rre c to s . El tie m p o que se de dica para ap re n d e r c m o cada tip o de d is p o s itiv o s e m ic o n d u c to r d is c re to op era e in te ra c t a con otro s co m p o n e n te s siem p re se re co m p e n sa . Por e je m p lo , a n u estro g ru p o de in ge niera se le asign la tarea de d ise ar una u n id a d de c o n tro l de m o to r para ve h cu lo s e l c tric o s . D e te rm in a m o s de in m e d ia to los m e jo res tip o s de tra n s is to re s de po te n cia y re c tific a d o re s , con base en nu estro c o n o c im ie n to en la te c n o lo g a de s e m ic o n d u c to re s . D espus de c o n s tru ir y p ro b a r el c o n tro la d o r del m o to r del veh culo e l c tric o , nos ce n tra m o s en reas de m e jo ra del dise o del d is p o s itiv o s e m ic o n d u c to r, con base de nuevo en nu estro co n o c im ie n to de la te o ra de s e m ic o n d u c to re s . C u a lq u ie r carrera en e le c tr n ic a in clu ir el uso, y p ro b a b le m e n te el dise o, de d is p o sitiv o s s e m ic o n d u c to re s . El d o m in io del m a te ria l que se presenta en los sig u ie n te s c a p tu lo s es im p o rta n te ta n to para el t c n ic o , qu ie n probar d io d o s , tra n sisto re s y m ic ro c h ip s , c o m o para el in g e n ie ro , q u ie n disear estos d isp o sitivo s s e m ic o n d u c to re s en e q u ip o e le c tr n ic o .

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y APLICACIONES BSICAS


En esta p rim e ra p a rte del lib ro , presentam os las ca ra c te rs tic a s fsicas y o p e ra c i n de los p rin c ip a le s d is p o s itiv o s s e m ic o n d u c to re s , as c o m o los c irc u ito s b sico s en los cua le s se usan, para ilu s tra r c m o las c a ra cte rstica s del d is p o s itiv o se e m p le a n en a p lic a c io n e s de c o n m u ta c i n , d ig ita le s y de a m p lific a c i n . En el c a p tu lo 1 se e xp lica n brevem ente las caractersticas de los m a teriale s s em ico ndu c tores y despus se presenta el diodo sem iconduc to r. En el ca p tu lo 2 se es tu d ia n v a rio s c irc u ito s de d io d o que d e m u e s tra n c m o sus cara c te rs tic a s no lin e a le s se usan po r s m ism a s en las a p lic a c io n e s de c o n m u ta c i n y de fo rm a de onda. El c ap tulo 3 introduce el tra nsistor bipolar, presenta el an lisis en CD de c irc u ito s con tra n s is to r b ip o la r y e stu d ia las a p lic a c io n e s bsicas del tra n sisto r. En el ca p tu lo 4 , d ise a m o s y a n a liza m o s los c irc u ito s de tra n s is to r bipolar fundam entales, incluso los am plificadores. El ca p tu lo 5 aborda el tra n s is to r de e fe c to de ca m p o (FET, field-effect transistor ) y se analizan y dise an c irc u ito s FET en el ca p tu lo 6 . El ca p tu lo 7 con sid era la re spuesta en fre cue ncia de los c irc u ito s con tra n sisto re s ta n to bipo lare s co m o de e fe cto de cam po. Por lti m o, el ca p tu lo 8 explica los dise os y a p lic a cione s de estos c irc u ito s e le c tr n ic o s bsicos, inclu ye n d o los a m p lific a d o re s de po te n cia con varia s eta pas de salida.

Materiales semiconductores y diodos


Este lib ro tra ta el a n lisis y el dise o de c irc u ito s que co n tie n e n d isp o sitivo s s e m ico n d u cto re s, ta le s c o m o d io d o s y tra n s is to re s . En c o n secuen cia, em pezam os el ca p tu lo 1 con una exp lica ci n ge nera l de las p ro p ie d a d e s y ca ra c te rs tic a s de los m a te ria le s s e m ic o n d u c to re s . Luego, puesto que la u n i n pn es la base para la m ayor p a rte de los d isp o sitivo s s e m ico n d u cto re s, en el ca p tu lo se analiza la o p e ra c i n de esta u n i n . El ca p tu lo s ig u ie n te p ro s ig u e con las bases del d io d o de u n i n pn. Los d io d o s son p a rtic u la rm e n te tile s en c irc u ito s e le c tr n ic o s de b id o a que tie n e n ca ractersticas de co rrie n te -vo lta je (IV) no linea les; esto es, la c o rrie n te es una fu n c i n e xp onen cial del vo lta je en una d ire c c i n y es e s e n c ia lm e n te cero en la d ire c c i n op uesta . D espus d e s a rro lla m o s u n m o d e lo m a te m tic o del d io d o , de m anera que p o d e m o s an alizar c irc u ito s qu e c o n tie n e n d io d o s . Sin e m b a rg o , re sulta p ro b le m tic o usar en clcu lo s m a n u a le s la re la c i n te ric a en tre la c o rrie n te y el v o lta je . Por co n sig u ie n te , de sa rro lla m o s una a p ro xim a ci n , el m o d e lo linea l po r se ccio n e s, el cual hace c o n sid e ra b le m e n te m s se n cillo s los c lcu lo s en CD. F in a lm e n te , el ca p tu lo aborda o tro s c u a tro tip o s de dio d o s: el dio d o de ba rrera S ch o ttky, el d io d o Zener, el d io d o e m is o r de luz y el fo to d io d o . Cada tip o de dio d o tie n e ca ra cte rstica s esp e cfica s que lo d ife re n c ia n del d io d o de u n i n bsico y lo hacen til en a p lica cio n e s de c irc u ito s p a rtic u la re s . Las p ro p ie d a d e s g e nera les del d io d o se con sid era n en este ca p tu lo . C ircu ito s sim p le s de d io d o s se an alizan co n la In te n c i n de d e s a rro lla r un e n te n d im ie n to bsico de las t c n ic a s de an lisis y de las c a ra c te rs tic a s de c irc u ito s de d io d o . El ca p tu lo 2 con sid era lueg o a p lica cio n e s de los d io d o s en c irc u ito s que e je c u ta n diversas fu n c io n e s e le c tr n ic a s .

1.1

M A T E R IA L E S S E M IC O N D U C T O R E S Y S U S P R O P IE D A D E S

El flujo controlado de partculas cargadas es fundamental para la operacin de todos los dispositivos electrnicos. En esta seccin, examinaremos las propiedades fsicas de los semiconductores, especialmente con respecto a diodos y transistores. El silicio es por mucho el material semiconductor ms comn que se utiliza en dispositivos semicon ductores y circuitos integrados. Otros materiales semiconductores se emplean para apli caciones especializadas. Por ejemplo, el arseniuro de galio y compuestos relacionados se usan en dispositivos de muy alta velocidad y dispositivos pticos.

1.1.1

Sem iconductores intrnsecos

Un tomo est compuesto por un ncleo, el cual contiene protones cargados positiva mente y neutrones sin carga, y por electrones cargados negativamente que, en el sentido clsico, estn en rbitas alrededor del ncleo. Los electrones se distribuyen en varias capas a diferentes distancias del ncleo, y la energa del electrn aumenta a medida que crece el radio de la capa. Los electrones en la capa ms externa reciben el nombre de electrones de valencia, y la actividad qumica de un material est determinada princi palmente por este nmero de electrones.

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

Los elementos en la tabla peridica pueden agruparse segn el nmero de electro nes de valencia. La tabla 1.1 muestra una parte de la tabla peridica en la cual se encuen tran los semiconductores ms comunes. El silicio (Si) y el germanio (Ge) estn en el grupo IV y son semiconductores elementales. En contraste, el arseniuro de galio es un semiconductor compuesto de los grupos III-V. Mostraremos que los elementos en el grupo III y en el grupo V son tambin importantes en semiconductores.

T a b la 1.1 pe ri d ica III B Al Ga

Una p a rte de la ta b la

IV B Si Ge

P As

La figura 1.1a muestra cinco tomos de silicio que no estn interactuando, con los cuatro electrones de valencia de cada tomo indicados mediante lneas punteadas que emanan del tomo. A medida que los tomos de silicio se acercan entre s, los electrones de valencia interactan para formar un cristal. La estructura cristalina final es una confi guracin tetradrica en la cual cada tomo de silicio tiene cuatro vecinos prximos, como se muestra en la figura 1.1 b. Los electrones de valencia se comparten entre los tomos, formando lo que se llama enlaces covalentes. El germanio, el arseniuro de galio y muchos otros materiales semiconductores tienen la misma configuracin tetradrica.

Si

Si -----

I
Si =

II
Si =

I
S i -----

Si -----

a)

b)

c)

F ig u ra 1.1 A to m o s de s ilic io en una m a triz de crista l: a) cin co to m o s de s ilic io no in te ra c tiv o s , cada uno con c u a tro e le ctro n e s de va len cia, b ) la co n fig u ra c i n te tra d ric a , c) un a re p re se n ta ci n en d o s d im e n s io n e s qu e m u estra el enlace covalente Si ----- Si Si

Si =

Si =

Si

Si =

Si =

Si

1 -2

R epresentacin K

3 -te n s io n e s del t e s fc o o a T = 0

La figura 1.1 c es una representacin bidimensional de la estructura formada por los cinco tomos de silicio en la figura 1.1a. Una propiedad importante de tal estructura es que los electrones de valencia siempre estn disponibles en la capa ms externa del cristal de silicio de modo que pueden agregarse tomos adicionales para formar estruc turas de un solo cristal muy grandes. U na representacin bidimensional de un solo cristal de silicio se muestra en la figu ra 1.2, para T= 0 K donde T = temperatura. Cada una de las lneas entre los tomos

Captulo 1

Materiales semiconductores y diodos

11

representa un electrn de valencia. A T = 0 K, cada electrn est en su estado de energa ms bajo posible, de modo que est llena cada posicin de enlace covalente. Si se aplica un pequeo campo elctrico a este material, los electrones no se movern debido a que ellos perm anecen ligados a sus tomos individuales. En consecuencia, a T 0 K, el silicio es un aislante; esto es, no fluye carga a travs de l. Si la temperatura aumenta, los electrones de valencia ganarn energa trmica. Cual quiera de estos electrones puede ganar suficiente energa trmica para romper el enlace covalente y alejarse de su posicin original (figura 1.3). El electrn tendr entonces libertad para moverse dentro del cristal. Puesto que la carga neta del m aterial es neutra, si un electrn cargado negativa m ente rom pe su enlace covalente y se aleja de su posicin original, un estado vaco cargado positivam ente se crea en esa posicin (figura 1.3). Conform e aum en ta la tem peratura, se rom pen ms enlaces covalentes y se crean ms electrones y estados vacos positivos. Con el fin de rom per el enlace covalente, un electrn de valencia debe ganar una energa mnima, E , llamada el espacio de energa entre bandas. Los materiales que tienen grandes niveles de energas entre bandas, en el intervalo de 3 a 6 electrn-volts1 (eV), son aislantes debido a que, a temperatura ambiente, no hay en esencia electrones libres en estos materiales. En contraste, los materiales que contienen nmeros muy gran des de electrones libres a temperatura ambiente son conductores. En un semiconductor , el nivel de energa entre bandas es del orden de 1 eV. El flujo neto de electrones libres en un semiconductor ocasiona una corriente. Adems, un elec trn de valencia que tiene una cierta energa trmica y es adyacente a un estado vaco puede moverse hacia esa posicin, como se muestra en la figura 1.4, haciendo que apa rezca como si una carga positiva se moviera a travs del semiconductor. Esta partcula cargada positivamente se llama un hueco. En los semiconductores, entonces, dos tipos de partculas cargadas contribuyen a la corriente: el electrn libre cargado negativamen te y el hueco cargado positivamente. (Esta descripcin de un hueco est en gran medida sobresimplifcada, y se entiende nicamente para trasmitir el concepto de la carga posi tiva en movimiento.) Las concentraciones (#/cm3) de electrones y huecos son parmetros importantes en las caractersticas de un material semiconductor, debido a que afectan directamente la magnitud de la corriente.jUn semiconductor intrnseco es un material semiconductor de un cristal sin ningn otro tipo de tomos dentro del cristal. En un semiconductor in trnseco, las densidades de electrones y los huecos son iguales, puesto que los electrones y los huecos generados trmicamente son las nicas fuentes de tales partculas. Por tan to, utilizamos la notacin n como la concentracin de portadores intrnsecos para la concentracin de estos electrones libres, as como la correspondiente a los huecos. La ecuacin para n es como sigue:

Si =

Si =

Si =

Si

Si ----- Si

Si

Si

F ig u ra 1 .3 La ru p tu ra de un en la ce cova le nte para

T > 0 K

Si =

Si =

Si

Si

II

II

Si i- i- - 1Si i = - i Si i - i - i Si

Si =

Si =

Si =

Si

F ig u ra 1 .4

Una

re p re se n ta ci n en dos d im e n s io n e s del crista l de s ilicio que m u e stra el m o v im ie n to del hueco cargado p o s itiv a m e n te

n - B T

( 1. 1)

donde B es una constante relacionada con el material semiconductor especfico, E es el nivel de energa entre bandas (eV), T es la temperatura (K) y k es la constante de Boltzm ann (86 X 106 eV/K). Los valores para B y Eg para diversos materiales semiconductores se proporcionan en la tabla 1.2. El nivel de energa entre banda no es una funcin que dependa mucho de la temperatura.

1 Un electrn-volt es la energa de un electrn acelerado bajo una diferencia de potencial de 1 volt y 1 eV = 1.6 X 10-19 joules.

12

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

T a b la 1 .2

C onstantes del se m ic o n d u c to r

Material Silicio (Si) Arseniuro de galio (GaAs) Germanio (Ge)

,(eV) 1.1 1.4 0.66

B(cm3 K'3 '2 ) 5.23 X 101 5 2.10 x 101 4 1.66 x 101 5

E je m p lo 1.1 300 K.

O b je tiv o : Calcule la concentracin de portadores intrnsecos en el silicio a T =

S o lu c i n : U tilizando la ecuacin (1.1) y los datos de la tabla 1.2, podemos escribir

n = B T 3,2e ' 2kT' = (5.23 x 1015)(300)3/2e ^ 86xl > < 300^

o
n = 1.5 X 1010 cm "3 C o m e n ta rio : Una concentracin de electrones intrnsecos de 1.5 X 10 1 0 cm-3 tal vez pueda parecer grande, pero es relativamente pequea comparada con la concentracin de tomos de silicio, la cual es 5 X 102 2 c m '3.

La concentracin intrnseca n, es un parmetro importante que aparece a menudo en las ecuaciones corriente-voltaje de los dispositivos semiconductores.

1.1.2

Sem iconductores extrnsecos

Si

Si =

Si =

Si

II

II II

JJ0 II
Si =

II
Si

Si = ( P ) i S = Si =

II
Si

5 ------ Si =

R epresentacin

m t a p t-n e n so n e s de una b m 'jc is i ae s o dopada a w j - u n e ae Visfaro

Debido a que las concentraciones de electrones y huecos en un semiconductor intrnseco son relativamente pequeas, slo son posibles com ernesm uypequeas. Sin embargo, estas concentraciones pueden aumentarse de manera considerable al aadir cantidades controladas de ciertas impurezas. Una impureza deseable es aquella que entra a la es tructura cristalina y reemplaza (esto es, sustituye) uno de los tomos del semiconductor, aun cuando el tomo de la impureza no tiene la misma estructura de electrones de valencia. Para el silicio, las impurezas sustitutivas deseables son las de los elementos del grupo III y V (vase la tabla 1.1). Los elem entos del grupo V ms com unes que se utilizan para este fin son el fsforo y el arsnico. Por ejem plo, cuando un tomo de fsforo sustituye un tomo de silicio, como se m uestra en la figura 1.5, se emplean cuatro de sus electrones de valencia para satisfacer los requerim ientos del enlace covalente. El quinto electrn de valencia est ligado ms dbilm ente al tomo de fsforo. A tem peratura am bien te, este electrn tiene suficiente energa trm ica para rom per el enlace, y queda de tal m odo libre para m overse a travs del cristal y contribuir a la corriente de electro nes en el sem iconductor. El tomo de fsforo es llamado un donador de impurezas, puesto que dona un electrn que tiene libertad para moverse. A pesar de que el tomo de fsforo que queda r ene una carga positiva neta, se encuentra inmvil en el cristal y no contribuye a la

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Materiales semiconductores y diodos

13

corriente. Por tanto, cuando se agrega una impureza donadora a un semiconductor, se crean electrones libres sin generar huecos. Este proceso recibe el nombre de dopado, y nos permite controlar la concentracin de electrones libres en un semiconductor. Un sem ico n d u cto r que contiene tom os de im purezas donadoras se llam a sem iconductor tipo n (por los electrones cargados negativamente). El elem ento ms comn del grupo III que se emplea para el dopado del silicio es el boro. Cuando un tomo de boro reemplaza a uno de silicio, sus tres electrones de valencia se emplean para satisfacer los requerimientos del enlace covalente de tres de los cuatro tomos de silicio ms cercanos (figura 1.6). Esto deja una posicin de enlace abierta. A temperatura ambiente los electrones de valencia del silicio adyacente tienen suficiente energa trmica para moverse hacia esta posicin, creando de ese modo un hueco. El tomo de boro tiene entonces una carga negativa neta, pero no puede moverse, y se crea un hueco que puede contribuir a la corriente de huecos. Debido a que el tomo de boro ha aceptado un electrn de valencia, este elemento es en consecuencia llamado receptor de impurezas. Los tomos del receptor llevan a la creacin de huecos sin que se generen electrones. Este proceso, tambin llamado dopado, puede utilizarse para controlar la concentracin de huecos en un semiconductor. Un sem iconductor que contiene tomos receptores de impurezas se denomina sem iconductor tipo p (por los huecos cargados positivamente que se crean). Los m ateriales que co n tien en tom os de im purezas reciben el nom bre de semiconductores extrnsecos, o semiconductores dopados. El proceso de dopado, el cual nos permite controlar las concentraciones de electrones libres y huecos, determina la conductividad y las corrientes en el material. Una relacin fundamental entre las concentraciones de electrones y de huecos en un semiconductor en equilibrio trmico est dada por np = nj
( 1. 2 )

Si =

Si =

Si =

Si

Si =

Si

Si =

Si =

Si =

Si

F ig u ra 1 .6

R epresen tacin

en dos d im e n s io n e s de una e stru ctu ra de s ilic io d o pada con un to m o de boro

6 xlVpo Y donde n es la concentracin de electrones libres en equilibrio trmico, p es la concen tracin de huecos en equilibrio trmico y n es la concentracin de portadores intrnse cos. A tem peratura ambiente (T = 300 K), cada tomo donador dona un electrn libre.al semiconductor. Si la concentracin de donadores Nd es mucho mayor que la concentra cin intrnseca, podemos aproximar
=

N,i

(1.3)

Entonces, de la ecuacin (1.2), la concentracin de huecos es Po = n_ Nh (1.4)

De manera similar, a temperatura ambiente, cada tomo receptor acepta un electrn de valencia, creando un hueco. Si la concentracin de receptores Na es mucho mayor que la concentracin intrnseca, podemos aproximar Pn = Na / Por tanto, de la ecuacin (1.2), la concentracin de electrones es ( 1 . 6) (1.5)

14

Parte 1

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

E je m p lo 1 .2 O b je tiv o : Calcule las concentraciones de electrones y huecos en equilibrio trmico. Considere silicio a T = 300 K dopado con fsforo a una concentracin de Nd = I0 l6 cm"3. Recuerde del ejemplo 1.1 q u e f = 1.5 X 10locm~3. S o lu c i n : Puesto que Nd n, la concentracin de electrones es

n = Nd = 1016 cm 3
y la concentracin de huecos es

n (1.5 X I O 10)2 Po = ~d = Jq16 = 2 2 5 X 10 cm


C o m e n ta r io : En un sem iconductor extrnseco, las concentraciones de electrones y huecos difie ren normalmente por muchos rdenes de magnitud.

En un semiconductor tipo n, los electrones se llaman el portador mayoritario de bido a que ellos superan en mucho a los huecos, los cuales reciben el nombre de porta dor minoritario. Los resultados obtenidos en el ejemplo 1.2 aclaran esta definicin. En contraste, en un semiconductor tipo p, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones los portadores minoritarios.

1.1.3

Corrientes de arrastre y de difusin

Tipo n

a)

Tipo p

b)
: :.-a 1 .7 C am po e l c tric o ra d o , v e lo c id a d de a ~ * s r e del p o rta d o r y - - 5 p a d de c o rrie n te de - jssre en a) un o n d u c to r tip o n y b) en - r n c o n d u c to r tip o p

Los dos procesos bsicos que ocasionan que los electrones y los huecos se muevan en un semiconductor son: a ) arrastre, el cual es el movimiento causado por campos elctri cos; y t) difusin, que es el flujo ocasionado por las variaciones en la concentracin, esto es, gradientes de concentracin. Tales gradientes pueden ser causados por una dis tribucin no homognea del dopado, o por la inyeccin de una cantidad de electrones o huecos dentro de una regin, empleando mtodos que se explicarn despus en este captulo. Para entender el arrastre, suponga que un campo elctrico se aplica a un semicon ductor. El campo produce una fuerza que acta sobre los electrones libres y los huecos, los cuales experimentan entonces una velocidad de arrastre neta y un movimiento neto. Considere un semiconductor tipo n con un gran nmero de electrones libres (figura 1.la). Un campo elctrico E aplicado en una direccin produce una fuerza sobre los electrones en la direccin opuesta, debido a la carga negativa de los electrones. Los elec trones adquieren una velocidad de arrastre vd, la cual a su vez produce una densidad de corriente de arrastre J. La corriente de arrastre convencional est en la direccin opues ta de la del flujo de carga negativa, lo cual significa que la corriente de arrastre en un semiconductor tipo n est en la misma direccin que el campo elctrico aplicado. Considere a continuacin un semiconductor tipo p con un gran nmero de huecos (figura 1,1b). Un campo elctrico E aplicado en una direccin produce una fuerza sobre los huecos en la misma direccin, en virtud de la carga positiva de los huecos. stos adquieren una velocidad de arrastre vd, la cual produce una densidad de corriente de arrastre Jp. La corriente de arrastre convencional est en la misma direccin que la del flujo de carga positiva, lo que quiere decir que la corriente de arrastre en un material tipo p est tambin en la misma direccin que la del campo elctrico aplicado.

Captulo 1

Materiales semiconductores y diodos

La densidad de la corriente de arrastre en un semiconductor puede escribirse como


J = E ^

(1.7)

donde cr es la conductividad del semiconductor en (ohm-cm)-1. La conductividad se relaciona con la concentracin de electrones y huecos. Si el campo elctrico es el resul tado de la aplicacin de un voltaje al semiconductor, entonces la ecuacin (1.7) se vuel ve una relacin lineal entre la corriente y el voltaje y es una forma de la ley de Ohm. Con la difusin, las partculas fluyen de una regin de alta concentracin a una de ms baja concentracin. ste es un fenmeno estadstico relacionado con la teora cintica. Como explicacin, los electrones y huecos en un semiconductor estn en continuo m o vimiento, con una velocidad promedio determinada por la temperatura, y con las direc ciones aleatorias por las interacciones con los tomos de la estructura. Estadsticamente, podemos suponer que, en cualquier instante particular, aproximadamente la mitad de las partculas en la regin de alta concentracin se est alejando de ella hacia la de baja concentracin. Podemos suponer tambin que, al mismo tiempo, aproximadamente la mitad de las partculas en la regin de baja concentracin se mueve hacia la regin de alta concentracin. Sin embargo, por definicin, hay menor nmero de partculas en la regin de ms baja concentracin que en la de alta concentracin. Por tanto, el resultado neto es un flujo de partculas que se aleja de la regin de alta a la de baja concentracin. ste es el proceso de difusin bsico. Por ejemplo, considere una concentracin de electrones que vara como una fun cin de la distancia*, como se muestra en la figura 1.8a. La difusin de electrones de una regin de alta concentracin a una de baja produce un flujo de electrones en la direccin x negativa. Puesto que los electrones estn cargados negativamente, la direc cin convencional de la corriente apunta en la direccin de las x positivas.

* a)
F ig u ra 1 .8 e le c tr n y de n s id a d de c o rrie n te co rre s p o n d ie n te y c o rre s p o n d ie n te

X b) b)
d ifu s i n del hueco y d e nsidad de c o rrie n te

D ensidad de c o rrie n te causada po r gra d ie n te s de co n ce n tra ci n : a) d ifu s i n del

En la figura 1.86, la concentracin de huecos es una funcin de la distancia. La difusin de huecos de una regin de alta concentracin a una de menor concentracin produce un flujo de huecos en la direccin de las x negativas. La densidad de corriente total es la suma de las componentes de arrastre y de difu sin . Por fortuna, en la mayor parte de los casos slo una componente domina la corrien te en cualquier momento en una regin dada de un semiconductor.

1.1.4

Exceso de portadores

Hasta este punto, hemos supuesto que el semiconductor est en equilibrio trmico. En la discusin de las corrientes de arrastre y de difusin, suponemos implcitamente que el

16

Parte 1

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

equilibrio no era afectado de manera significativa. Sin embargo, cuando se aplica un voltaje, o hay una corriente, en un dispositivo semiconductor, ste en realidad no est en equilibrio. En esta seccin, analizaremos el comportamiento de concentraciones de electro nes y de huecos fuera de equilibrio. Los electrones de valencia pueden adquirir suficiente energa para romper el enlace covalente y convertirse en electrones libres si interactan con fotones de alta energa que inciden sobre el semiconductor. Cuando esto ocurre, se producen tanto electrones como huecos, generndose por ello un par electrn-hueco. Estos electrones y huecos adiciona les se denominan exceso de electrones y exceso de huecos. Cuando se crean estos excesos de electrones y huecos, las concentraciones de elec trones libres y de huecos aumentan por arriba de los valores del equilibrio trmico. Esto puede representarse por medio de n = n + Sn
y

(1.8a)

p=p+8p

(1.8 b)

donde n y p son las concentraciones de equilibrio trmico de electrones y de huecos, y 8n y 8p son las concentraciones en exceso de electrones y huecos. Si el semiconductor est en la condicin de estado estable, la creacin de electrones y de huecos en exceso no ocasionar que la concentracin de portadores aumente inde finidamente, ya que un electrn libre puede recombinarse con un hueco, en un proceso denominado recombinacin electrn-hueco. Tanto el electrn libre como el hueco des aparecen ocasionando que la concentracin en exceso alcance un valor de estado esta ble. El tiempo medio sobre el cual un electrn y un hueco en exceso pueden existir antes de la recombinacin se llama tiempo de vida del portador en exceso.

Ejercicios 1.1 Calcule la concentracin de portadores intrnsecos en arseniuro de galio y germ anio a T = 300 K. (Res. GaAs, n,,= 1.80 X 106 cm"3; Ge, n, = 2.40 X 10l3cm"3) I.i) 1 0 ,lM
1 .2 Determine la concentracin de portadores intrnsecos en silicio, arseniuro de galio y germanio a T = 400 K. (Res. Si, n = 4.76 X I0 l2 cm"3; GaAs, n = 2.44 X 109 cm"3; Ge, = 9.06 X 101 4 cm"3)

,H L 'O
> ,0

A .3 Calcule las concentraciones de portadores mayoritarios y minoritarios en silicio a T = 300 K si a) N = 1017 cm"3 y b) Nd = 5 X 1015 cm-3. (Res. a)pC ) = 1017 cm"3, nn = 2.25 X 103 cm"3; b) n0 = 5 X 101 5 cm"3, p 0 = 4.5 X 104 cm"3) 1.4 Calcule las concentraciones de portadores mayoritarios y minoritarios en germanio a T = 300 K si )N li= 10l6cm"3 y b )N a = 10l7cm"3. (Res. ) nn = 101 6 cm3, p 0 = 5.76 X 10locm"3; b) p = 101 7 cm"3, na = 5.76 X 109 cm"3) A .5
U na muestra de silicio a T= 300 K es dopada hasta Nd = 8 X 101 5 cm"3. a) Calcule n y p. b) Si los excesos de huecos y electrones se generan de manera tal que sus respectivas concentra ciones son 8p= 8n = 101 4 cm"3, determine las concentraciones totales de huecos y electrones. (Res. a) n0 = 8 X 101 3 cm"3, p 0 = 2.81 X 104 cm"3; b) nG= 8.1 X 10l5cm"3, p o = 10l4 cm3) 1 .6 La conductividad del silicio es < j = 10 (ohm -cm )"1 . Determine la densidad de la corriente de arrastre si se aplica un campo elctrico E = 15 V/cm. (Res. J = 150 A/cm2)

Captulo 1

Materiales semiconductores y diodos

1 .2

LA U N I N pn

En las secciones precedentes, nos centram os en las caractersticas de los m ateriales sem iconductores. La p otencia real de la electrnica de los sem iconductores ocurre cuando las regiones p y n estn directam ente adyacentes una de la otra, form ando una unin pn. Un concepto im portante que se debe recordar es que todo el m aterial sem iconductor es un solo cristal, con una regin dopada de tipo p y la regin adya cente dopada de tipo n.

1.2.1

La unin pn en equilibrio

La figura 1.9 a es un diagrama de bloques simplificado de una unin pn. La figura 1.9b muestra las concentraciones respectivas del dopado tipo p y tipo n, suponiendo que son uniformes en cada regin, as como las concentraciones de portadores minoritarios en ambas, considerando equilibrio trmico.
Concentracin de impurezas

+
Pno =

x=0
a) F ig u ra 1 .9

*=0 b)

La u n i n pn: a) g e o m e tra s im p lific a d a de una u n i n pn y b) p e rfil de d o p a d o de una

u n i n pn ideal d o p a d a u n ifo rm e m e n te

La interfaz en x = 0 recibe el nombre de unin metalrgica. Se presenta un gradiente de densidad grande tanto en las concentraciones de huecos como de electrones a travs de esta unin. Al principio, entonces, hay una difusin de huecos de la regin p a la n, y una difusin de electrones de la regin n a la p (figura 1.10). El flujo de huecos desde la regin p genera iones receptores cargados negativamente y el flujo de electrones desde la regin n genera iones donadores cargados positivamente. Esta accin crea una separa cin de carga (figura 1.1 la ), la cual establece un campo elctrico orientado en la direc cin que va de la carga positiva a la negativa.

Regin p Na -------------------de huecos

Regin n

Difusin de electrones

jc= 0
F ig u ra 1 .1 0 D ifu s i n in ic ia l de F ig u ra 1.11 La u n i n pn en e q u ilib rio t rm ic o : a) la re gin de esp acio-carga y el cam po e l c tric o y b) el p o te n cia l a tra vs de la u n i n

e le c tro n e s y h u e co s en la u n i n m e ta l rg ic a , e s ta b le c ie n d o e q u ilib rio t rm ic o

18

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

Si no se aplica voltaje a la unin pn, la difusin de huecos y electrones a la larga debe cesar. La direccin del campo elctrico inducido causar que la fuerza resultante rechace la difusin de huecos desde la regin p y la difusin de electrones desde la regin n. El equilibrio trmico ocurre cuando la fuerza producida por el campo elctrico y la fuerza producida por el gradiente de densidad alcanzan el balance exacto. La regin cargada positivamente y la cargada negativamente conforman la regin espacio-carga, o regin de agotamiento, de la unin pn, en la cual en esencia no hay electrones o huecos mviles. Debido al campo elctrico en la regin espacio-carga, hay una diferencia de potencial a travs de esa regin (figura 1.116). Esta diferencia de potencial se conoce como la barrera de potencial integrada y est dada por

Vb. = * I i n ( M ) . V T ln ( ^ e

(1.9)

donde Vr = kT/e,k = constante de Boltzmann, T= temperatura absoluta, e = la magnitud de la carga electrnica, y N a y Nd son las concentraciones netas de receptores y de donadores en las regiones p y n , respectivamente. El parmetro VT recibe el nombre de voltaje trmico y es aproximadamente V, ~ 0.026 Va temperatura ambiente, 7 = 3 0 0 K.

E je m p lo 1 .3 O b je tiv o : Calcule la barrera de potencial integrada de una unin pn. Considere una unin pn de silicio a T = 300 K, dopada hasta N = 101 6 cm 3 en la regin p y N d = 101 7 cm3 en la regin n. S o lu c i n : A partir de los resultados del ejemplo 1.1, tenem os n, = 1.5 X 10' cm 3 para el silicio a tem peratura ambiente. Entonces, de la ecuacin (1.9), tenemos

Vhi= V T\n

NN

= (0.026) ln

(1016)(1017)
(1.5 x 1010)2

= 0.757 V

C o m e n ta rio : Debido a la funcin logartmica, la magnitud de Vh no es una funcin que dependa mucho de las concentraciones de dopado. En consecuencia, el valor de Vh para uniones pn de silicio suele estar de 0.1 a 0.2 V de este valor calculado.

La diferencia de potencial, o barrera de potencial integrada, a travs de la regin espacio-carga no puede medirse mediante un vltmetro debido a que se forman nuevas barreras de potencial entre las sondas del vltmetro y el semiconductor, cancelando los efectos de Vh. En esencia, Vh mantiene el equilibrio, de modo que ninguna corriente se produce por medio de este voltaje. Sin embargo, la magnitud de Vh se vuelve importante cuando aplicamos un voltaje de polarizacin directa, como se explicar despus en este captulo.

1.2.2

Unin pn polarizada inversam ente

Suponga que un voltaje positivo se aplica a la regin n de una unin pn, como se indica en la figura 1.12. El voltaje aplicado VR induce un campo elctrico aplicado, E, en el semiconductor. La direccin de este campo aplicado es la misma que la del campo E en

Captulo 1

Materiales semiconductores y diodos

19

H |lf
F ig u ra 1 .1 2 U na u n i n pn con un v o lta je de p o la riza ci n inversa a p lica d o , m o stra n d o la

d ire c c i n del c a m p o e l c tric o in d u c id o por V y el ca m p o e l c tric o del espacio-carga

la regin espacio-carga. Puesto que los campos elctricos en las reas fuera de la regin del espacio-carga son esencialmente cero, la magnitud del campo elctrico en la regin es pacio-carga aumenta por arriba del valor de equilibrio trmico. Este campo elctrico incrementado mantiene atrs los huecos en la regin p y a los electrones en la regin n, de manera que prcticamente no hay corriente a travs de la unin pn. Por definicin, esta polaridad de voltaje aplicado recibe el nombre de polarizacin inversa. Cuando aumenta el campo elctrico en la regin espacio-carga, el nmero de cargas positivas y negativas tambin aumenta. Si no cambian las concentraciones de dopado, los aumentos en las cargas slo pueden ocurrir si crece el ancho W en la regin espaciocarga. Por tanto, con un voltaje de polarizacin inversa creciente V , tambin se incrementa el ancho W del espacio-carga. Por causa de las cargas adicionales positivas y negativas en la regin espacio-carga, se asocia una capacitancia a la unin pn cuando se aplica un voltaje de polarizacin inversa. Esta capacitancia de unin, o capacitancia de capa de agotamiento, puede escribirse en la forma
( 1 . 10 )

donde CJ(, es la capacitancia de unin a voltaje cero aplicado. Las caractersticas capacitancia-voltaje hacen que la unin pn sea til en circuitos resonantes sintonizables elctricamente. Las uniones fabricadas especficamente para este propsito se conocen como diodos varactores. Estos elementos pueden emplearse en osciladores sintonizables elctricamente, tales como un oscilador Hartley, analizado en el captulo 15 o en amplificadores sintonizables, que se contemplan en el captulo 8.

E je m p lo 1.4 O b je tiv o : Calcule la capacitancia de unin de una unin pn. Considere una unin pn de silicio a T = 300 K, con concentraciones de dopado de Na = 10'6 crcT3 y Nd = 10 '5 c m '3. Suponga que n = 1.5 X 101 0 cm-3 y considere C = 0.5 pF. Calcule la capacitancia de unin a VR = 1 V y V, = 5 V. S o lu c i n : El potencial integrado se determina por medio de

La capacitancia de unin para VR = 1 V se encuentra que es igual a

20

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

Para VR = 5 V

= 0.168 p F C o m e n ta rio : La magnitud de la capacitancia de unin suele estar en o por debajo del rango de picofarads y disminuye cuando aumenta el voltaje de polarizacin inversa.

Como se menciona en la seccin anterior, la magnitud del campo elctrico en la regin espacio-carga aumenta cuando crece el voltaje de polarizacin inversa, y el cam po elctrico mximo ocurre en la unin metalrgica. Sin embargo, ni el campo elctrico en la regin espacio-carga ni el voltaje de polarizacin inversa aplicado pueden aumen tar indefinidamente debido a que en algn punto, ocurrir la ruptura y se generar una gran corriente de polarizacin inversa. Este concepto se describir en detalle despus en este captulo.

1.2.3

Unin pn polarizada directam ente

Repasando brevemente, la regin n contiene ms electrones libres que la regin p; de manera similar, la regin p contiene mucho ms huecos que la regin n. Sin voltaje aplicado, la barrera de potencial integrada evita que estos portadores mayoritarios se difundan a travs de la regin espacio-carga; de tal modo, la barrera mantiene el equili brio entre las distribuciones de portadores en cualquiera de los lados de la unin pn. Si se aplica un voltaje positivo vD en la regin p, la barrera de potencial disminuye (figura 1.13). Los campos elctricos en la regin espacio-carga son muy grandes compa rados con los correspondientes al resto de las regiones p y n , por lo que la totalidad del voltaje aplicado se manifiesta a travs de la regin de la unin pn. El campo elctrico aplicado, E, inducido por el voltaje aplicado est en la direccin opuesta de la del cam po E del espacio-carga en equilibrio trmico. El resultado neto es que el campo elctrico en la regin espacio-carga es inferior al valor de equilibrio. Esto trastorna el delicado balance entre la difusin y la fuerza del campo E. Electrones portadores mayoritarios de la regin n se difunden hacia la regin p, y huecos portadores mayoritarios de la regin p se difunden hacia la regin n. El proceso contina mientras se aplique el voltaje vD, creando as una corriente en la unin pn. Esta polaridad del voltaje aplicado (esto es, polarizacin) se conoce como polarizacin directa. El voltaje de polarizacin directa vD siempre es menor que la barrera de potencial integrado Vhi.

F ig u ra 1 .1 3

U na u n i n pn con un vo lta je de po la riza ci n d ire c ta ap lica d a , en la cual se

m u e stra la d ire c c i n del ca m p o e l c tric o EA in d u c id o po r vD y el ca m p o e l c tric o ne to del e sp acio-carga E

Captulo 1

Materiales semiconductores y diodos

21

Cuando los portadores mayoritarios atraviesan las regiones opuestas, se vuelven portadores minoritarios en esas regiones, ocasionando que aumenten las concentracio nes de portadores minoritarios. La figura 1.14 muestra el exceso de concentracin de portadores minoritarios que resultan a las orillas de la regin espacio-carga. Este exceso de portadores minoritarios se difunden dentro de las regiones neutras n y p, donde se recombinan con portadores mayoritarios, establecindose de esta manera una condicin de estado estable, como se muestra en la figura 1.14.

Concentracin del exceso de electrones

Concentracin del exceso de huecos

x' = 0
F ig u ra 1 .1 4

x = 0

C o n c e n tra c i n de p o rta d o re s m in o rita rio s de estado estable en una u n i n pn bajo

p o la riz a c i n d ire c ta

1.2.4

Relacin ideal corriente-voltaje

Como se ilustra en la figura 1.14, un voltaje aplicado resulta en un gradiente en las concentraciones de portadores minoritarios, el cual produce a su vez corrientes de difu sin. La relacin terica entre el voltaje y la corriente en la unin pn est dada por

d Is

,( _ j

( 1. 11)

El parmetro Is es la corriente de saturacin de polarizacin inversa. Para uniones pn de silicio, los valores tpicos de Is estn en el rango de 10;'5 a 10Jjj A. El valor real depende de las concentraciones de dopado y del rea de la seccin transversal de la unin. El parmetro Vr es el voltaje trmico, segn se define en la ecuacin (1.9), y es aproximadamente VT = 0.026 V a tem pera tppaam bien te. El parmetrcynjs el factor de idealidad y su valor est en el rango'J^sLn 2.j Para una unin pn ideal, n = 1. Si la corriente de la unin es muy pequea, n puede estar ms cercana a 2. A menos que se indique de otra manera, supondremos una unin pn ideal y dejaremos n = L

E je m p lo 1.5 O b je tiv o : Calcule la corriente de polarizacin directa en una unin pn. Considere una unin pn a T = 300 K en la cual Is = 5 X 1(L1 4 A y VD = 0.65 V. S o lu c i n : Empleando la ecuacin (1.11) y suponiendo n = 1, tenemos

(M I
I n Is

= (5 X 10 14)

\.026/ _

3.60 m A

C o m e n ta rio : A pesar de que Is puede ser extremadamente pequea, incluso un valor relativa mente bajo de VD puede inducir una corriente de unin moderada.

22

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

1.2.5

Diodo de unin pn

La figura 1.15 es una grfica de las caractersticas tericas, o ideales, corriente-voltaje de una unin pn. Para un voltaje de polarizacin directa, la corriente es una funcin exponencial del voltaje. La figura 1.16 describe la corriente de polarizacin directa graficada sobre una escala logartmica. Con slo un pequeo cambio en el voltaje de polarizacin directa, la corriente de polarizacin directa correspondiente aumenta en rdenes de magnitud. En la direccin de la polarizacin inversa, la corriente es casi cero.

d (A )

lO "-1
10"4

io-5
10 6 10"7 10 8 1 0 -9

10-' 10" 1(T1 2

14

Is H o
F ig u ra 1 .1 5 C ara ctersticas l-V idea les de un d io d o de u n i n pn

_L

0.1

_L
0.3

_L
0.4 0.5
0.6
0-7 Vn (V )

0.2

F ig u ra 1 .1 6

C ara ctersticas l-V de p o la riz a c i n d ire cta

ideales de un d io d o de u n i n pn , co n la co rrie n te g ra fica d a sobre una escala lo g a rtm ic a

lD

VD

a)
-cx-

El dispositivo semiconductor que muestra estas caractersticas l-V recibe el nombre de diodo de unin pn. La figura 1.17 muestra el smbolo del diodo y la direccin con vencional de la corriente y la polaridad del voltaje. El diodo puede considerarse y utili zarse como un interruptor controlado por voltaje que est apagado para un voltaje de polarizacin inversa y encendido para un voltaje de polarizacin directa. En la polari zacin directa o estado encendido, una corriente relativamente grande se produce por causa de un voltaje aplicado bastante pequeo; en el estado de polarizacin inversa, o estado apagado, slo se crea una corriente muy pequea.

b)
F ig u ra 1.1 7 El d io d o de

E fecto s de te m p e ra tu ra

_nn pn bsico: ? ge o m e tra s im p lific a d a y : s. m b olo del e le m e n to y de = ; - e c a n co n v e n c io n a l de

....

ee

y g |a p0|ardad

Puesto que tanto Is y VT son funciones de la temperatura, las caractersticas del diodo varan tambin con la misma. Las variaciones relacionadas con la temperatura en carac tersticas de polarizacin directa se ilustran en la figura 1.18. Para una corriente determi nada, el voltaje de polarizacin directa requerido disminuye cuando se incrementa la temperatura. En el caso de diodos de silicio el cambio es aproximadamente de 2 mV/C. El parmetro Is es una funcin de la concentracin de portadores intrnsecos n, la cual depende a su vez fuertemente de la temperatura. En consecuencia, el valor de Is se

Captulo 1

Materiales semiconductores y diodos

F ig u ra

1 .1 8

C ara ctersticas de po la riza ci n d ire c ta con tra te m p e ra tu ra

duplica aproximadamente por cada 5 C de aumento en la temperatura. Como un ejem plo de la importancia de este efecto, en el germanio, el valor relativo de n es grande, resultando una gran corriente de saturacin inversa en diodos de germanio. Los aumen tos en esta corriente inversa con incrementos en la temperatura hacen que el diodo de germanio sea altamente imprctico en la mayor parte de las aplicaciones en circuitos.

Transitorio d e c o n m u ta c i n

Puesto que el diodo de unin pn puede emplearse como un interruptor elctrico, un parmetro importante es su respuesta transitoria, esto es, su velocidad y sus caractersti cas, cuando se conmuta de un estado al otro. Suponga, por ejemplo, que el diodo se conmuta del estado encendido al estado apagado. La figura 1.19 muestra un circuito simple que conmutar el voltaje aplicado en el tiempo t = 0. Para t < 0, la corriente de polarizacin directa iD es

^ iD = h = j r

. r

V f - V d

,,

O -12)

pf"

F ig u ra

1 .1 9

C irc u ito sim p le para c o n m u ta r un d io d o de p o la riza ci n d ire c ta a inversa

Las concentraciones de portadores minoritarios para un voltaje de polarizacin di recta aplicado y un voltaje de polarizacin inversa se muestran en la figura 1.20. Aqu, ignoramos el cambio en el ancho de la regin espacio-carga. Cuando se aplica un voltaje

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

Exces portadc

eos itarios

Polarizacin inversa
F ig u ra 1 .2 0 Carga alm a cena da del exceso de p o rta d o re s m in o rita rio s ba jo p o la riz a c i n d ire c ta com p a ra d a con la po la riza ci n inversa

de polarizacin directa, se almacena un exceso de carga de portadores minoritarios tanto en la regin p como en la n. El exceso de carga es la diferencia entre las concentraciones de portadores minoritarios para un voltaje de polarizacin directa y las correspondientes a un voltaje de polarizacin inversa como se indica en la figura. Esta carga debe elimi narse cuando el diodo se conmuta de la polarizacin directa a la inversa. Cuando se elimina el voltaje de polarizacin directa, se crean corrientes de difusin relativamente grandes en la direccin de polarizacin inversa. Esto sucede debido a que el exceso de electrones de portadores minoritarios fluye de regreso a travs de la unin hacia la regin n, y el exceso de huecos de portadores minoritarios fluye de regreso a travs de la unin hacia la regin p. La gran corriente de polarizacin inversa est limitada inicialmente por la resisten cia R k de aproximadamente

(1.13) La capacitancia de la unin no permite al voltaje de la misma cambiar instantneamente. La corriente inversa IR es aproximadamente constante para 0+ < t < t donde t, es el tiempo de almacenamiento, el cual es el requerido para que las concentraciones de portadores minoritarios en los lmites de la regin espacio-carga alcance los valores del equilibrio trmico. Despus de este tiempo, el voltaje a travs de la unin empieza a cambiar. El tiempo de cada se define tpicamente como el tiempo requerido para que la corriente se reduzca hasta 10% de su valor inicial. El tiempo total de apagado es la suma del tiempo de almacenamiento y el tiempo de cada. La figura 1.21 muestra las caractersticas de corriente cuando se lleva a cabo todo este proceso.

F ig u ra

1.21

C a ra ctersticas de c o rrie n te con tra tie m p o d u ra n te la c o n m u ta c i n de un d io d o

Captulo 1

Materiales semiconductores y diodos

25

Para conmutar un diodo rpidamente, ste debe tener un pequeo tiempo de vida de los portadores minoritarios en exceso, y debemos ser capaces de producir un gran pulso de corriente inversa. En consecuencia, en el diseo de circuitos de diodo, debemos pro porcionar una trayectoria al pulso de corriente de polarizacin inversa transitorio. Estos mismos efectos transitorios afectan la conmutacin de los transistores. Por ejemplo, la velocidad de conmutacin de los transistores en circuitos digitales afectar la velocidad de las computadoras. El transitorio de encendido ocurre cuando el diodo se conmuta del estado apaga do al estado encendido, el cual puede iniciarse aplicando un pulso de corriente de polarizacin directa. El tiempo de encendido transitorio es el requerido para estable cer las distribuciones de portadores minoritarios de polarizacin directa. Durante este tiempo, el voltaje a travs de la unin aumenta gradualmente hacia su valor de estado estable. Aunque el tiempo de encendido para el diodo de unin pn no es cero, suele ser menor que el tiempo de apagado.

Ejercicios
1.7 D eterm ine Vh, para una unin pn de silicio a T = 300 K para a) Na = 101 5 cm '3, N d = 101 7 cm '3, y para b) N = Nd = 10,7c n r 3. (Res. ) Vb = 0.697 V, b) Vbl = 0.817 V) 1.8 Calcule Vhl para una unin pn de GaAs a T = 300 K para Na = 10'6cm"3y Nd = 10 1 7 cm-3. (Res. Vh = 1.23 V) 1.9 U na unin pn de silicio a T = 300 K es dopada a Nd = 101 6 cm-3 y Na = 101 7 m"3. La capacitancia de la unin ser C = 0.8 pF cuando se aplica un voltaje de polarizacin inversa de VR = 5 V. Encuentre la capacitancia de la unin de polarizacin cero C]0. (Res. CJ( = 2.21 pF) 1.10 Un diodo de unin pn de silicio a T = 300 K tiene una corriente de saturacin inversa de Is = 10"1 4 A. a) Determ ine la corriente de polarizacin directa del diodo para i) vD= 0.5 V y ii) vD = 0.6 V y iii) vD = 0.7 V b ) Encuentre la corriente de polarizacin inversa del diodo para i) vD = -0 .5 V y ii) vD = - 2 V. (Res. a) i) 2.25 /uA, ii) 105 fiA , iii) 4.93 mA; b) i) 101 4 A, ii) 1014 A)
V

A '

1.11 Un diodo de unin pn de silicio a T = 300 K tiene una corriente de saturacin inversa de Is = 101 3 A. El diodo est polarizado directamente con una corriente resultante de 1 mA. Determ i ne vD. (Res. vD = 0.599 V) 1.12 Recuerde que el voltaje de diodo de polarizacin directa disminuye aproximadamente en 2 mV/C para diodos de silicio con una corriente dada. Si VD = 0.650 V a ID = 1 mA para una tem peratura de 25 C, determine el voltaje del diodo a ID = 1 mA para 7= 125 C. (Res. VD = 0.450 V)

ry

1 .3

C IR C U IT O S C O N D IO D O : A N L IS IS Y M O D E L O S EN CD

Las relaciones matemticas, o modelos, que describen las caractersticas de corrientevoltaje de los elementos elctricos nos permiten analizar y disear circuitos sin tener que fabricarlos y probarlos en el laboratorio. Un ejemplo es la ley de Ohm, la cual describe las propiedades de una resistencia. En esta seccin desarrollaremos el anlisis en CD y las tcnicas de modelacin de circuitos con diodo. Los diodos, como explicamos en las secciones previas, son disposi tivos no lineales de dos terminales en los cuales existe una corriente relativamente gran de con una polaridad de voltaje y prcticamente no hay corriente con la polaridad de

26

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

voltaje opuesta. Estas caractersticas no lineales hacen tiles a los diodos en las aplica ciones electrnicas. Sin embargo, la propia no linealidad complica el anlisis y diseo de los circuitos que contienen estos dispositivos. Para entender la importancia de los circuitos con diodo, considere una aplicacin simple del diodo. Las caractersticas corriente-voltaje ideales del diodo de unin pn se mostraron en la figura 1.15. Un diodo ideal (contrario a un diodo con caractersticas IV ideales) tiene las caractersticas mostradas en la figura 122a. Cuando se aplica un voltaje de polarizacin inversa, la corriente a travs del diodo es cero (figura 122b); cuando la corriente a travs del diodo es mayor que cero, el voltaje a travs del diodo es cero (figura 1.22c). Un circuito externo conectado al diodo debe estar diseado para controlar la corriente en sentido directo a travs del mismo.

Polarizacin inversa ^ ___

Estado de conduccin

iD- 0
+ vfl
_

'd

+ v0

( vD < 0 , i u = 0)

(i[j > 0, vD = 0)

b)
F ig u ra 1 .2 2 y c) c irc u ito eq u iva le n te en el estado de co n d u cci n

c)

El d io d o ideal: a) ca ra cte rstica s l-V, b) c irc u ito e q u iva le n te ba jo p o la riza ci n inversa

Un circuito con diodo es el circuito rectificador que se ilustra en la figura 1.23a. Suponga que el voltaje de entrada v, es una seal senoidal como se indica en la figura 1.236, y el diodo es un diodo ideal (vase la figura 1.22a). Durante el medio ciclo posi tivo de una entrada senoidal existe una corriente de polarizacin directa en el diodo y el voltaje a travs de l es cero. El circuito equivalente para esta condicin se muestra en la figura 1.23c. El voltaje de salida v0 es entonces igual al voltaje de entrada. Durante el medio ciclo negativo de la entrada senoidal, el diodo est polarizado inversamente. El circuito equivalente para esta condicin se muestra en la figura 1.23d. En esta parte del ciclo, el diodo acta como un circuito abierto, la corriente es cero y el voltaje de salida es cero. El voltaje de salida del circuito se muestra en la figura 1.23e.

a)
o -----o--- T -------- I i.
lD
I------o

o---- ~T-------- o + S R
1 v< 0

o II

> > R

vQ

v0 = 0
o

vo

-4 -------- o
v > 0

2K
e)

3k

c) F ig u ra 1 .2 3

d)

El re c tific a d o r con dio d o s: a) c irc u ito , b) seal de en trad a sen o id a l, c ) c irc u ito

e q uivalen te para v, > 0 , d) c irc u ito eq u iva le n te para v, < O y e ) seal de sa lid a re c tific a d a

,'9

Captulo 1

Materiales semiconductores y diodos

27

A lo largo del ciclo completo, la seal de entrada es senoidal y tiene un valor prome dio cero; sin embargo, la seal de salida contiene slo valores positivos y en consecuen cia tiene un valor promedio positivo. Por consiguiente, se afirma que este circuito recti fica la seal de entrada, lo cual es el primer paso al generar un voltaje de CD a partir de un voltaje senoidal (CA) Esta es una de las necesidades ms bsicas en la electrnica. En esta seccin consideraremos cuatro enfoques al anlisis de CD de circuitos con diodo: a) iteracin; b) tcnicas grficas, c) un mtodo de modelacin lineal por seccio nes, y d) un anlisis por computadora. Los mtodos ) y b ) se relacionan estrechamente y, por tanto, se presentan juntos.

1.3.1

Tcnicas de iteracin y de anlisis grfico

Iteracin significa emplear el ensayo y error para encontrar la solucin a un problema. La tcnica de anlisis grfico implica graficar dos ecuaciones simultneas y localizar su punto de interseccin, el cual es la solucin a las dos ecuaciones. Usaremos ambas tc nicas para resolver las ecuaciones del diodo, mismas que son difciles de resolver ma nualmente debido a que contienen trminos tanto lineales como exponenciales. Considere, por ejemplo, el circuito que se muestra en la figura 1.24, con un voltaje de CD VPS aplicado a travs de una resistencia y un diodo. La ley de voltaje de Kirchhoff se aplica tanto a circuitos no lineales como lineales, por lo que podemos escribir V PS = I d R V d la cual puede reescribirse como
Vp s_ V d

Fig u ra 1 .2 4

Un c irc u ito

se n cillo con un dio d o

(1.14a)

(1.1 4b)

El voltaje de diodo VDy la corriente IDse relacionan por medio de la ecuacin del diodo i r v\ : K (1 1 5 ) 4- I d - Is ~ ~ r~ : donde Is se supone conocida para un diodo particular. Combinando las ecuaciones (1.14a) y (1.15), obtenemos + VpS Is R
Vr) _ l

+ VD

(1.16)

la cual contiene slo una incgnita, VD. Sin embargo, la ecuacin (1.16) es trascendental y no puede resolverse directamente. El uso de iteracin para encontrar una solucin a esta ecuacin se expone en el siguiente ejemplo.

E je m p lo 1 .6 O b je tiv o : Determine el voltaje y la corriente de diodo para el circuito que se muestra en la figura 1.24. Considere un diodo con una corriente de saturacin inversa de Is = 1(T1 3 A. S o lu c i n : Podemos escribir la ecuacin (1.16) como
[f
r / vD
0 . 026 ,

5 = (1013)(2 X 103)

1 + Vn

(1.17)

28

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

Si intentamos primero VD= 0.60 V, el lado derecho de la ecuacin (1.17) es 2.7 V, de manera que la ecuacin no est balanceada y debemos hacer otro ensayo. Si a continuacin probamos VD = 0.70 V, el lado derecho de la ecuacin (1.17) es 99.3 V. En este caso, la ecuacin tampoco est balanceada, pero podemos ver que la solucin para VD est entre 0.6 y 0.7 V. Si continuamos retinando nuestras predicciones, seremos capaces de demostrar que, cuando VD= 0.619 V, el lado derecho de la ecuacin 1.17 es 4.99 V, el cual es esencialmente igual al valor del lado izquierdo de la ecuacin. La corriente en el circuito puede determinarse entonces dividiendo la diferencia de voltaje a travs del resistor entre la resistencia, o r
I d =

VPS- V D
---------- ^ ---------- =

5 -0 .6 1 9
------------

_
2 X 9 m

A
A

------------ =

C o m entario: Una vez que se conoce el voltaje del diodo, puede determinarse la corriente a partir de la ecuacin de diodo ideal. Sin embargo, suele ser ms fcil dividir la diferencia de voltaje a travs de un resistor entre la resistencia, y este enfoque se utiliza de manera extensiva en el anlisis de diodo y los circuitos transistorizados.

Con el fin de emplear un enfoque grfico para analizar el circuito, volvemos a la ley de voltaje de Kirchoff, en la forma expresada por la ecuacin (1.146), la cual produce una relacin de lnea recta entre la corriente ID y el voltaje VD para valores dados de Vps y R. Esta ecuacin se conoce como la lnea de carga del circuito, la cual puede dibujarse sobre una grfica con IDy VDcomo los ejes. De la ecuacin (1.146), vemos que si ID= 0, entonces VD = VPS. A partir tambin de esta ecuacin, si VD = 0, entonces ID = VPS/R. La lnea de carga puede dibujarse entre estos dos puntos. Empleando los valores de! ejem plo (1.6), podemos graficar la lnea recta mostrada en la figura 1.25. La segunda grfica en la figura es la de la ecuacin (1.15), que es la ecuacin de diodo ideal que relaciona la corriente y el voltaje del diodo. La interseccin de la lnea de carga y la curva caracters ticas del dispositivo proporciona la corriente de CD ID 2.2 mA a travs del diodo y el voltaje de CD VD 0.62 V en el diodo. Este punto se conoce como punto de reposo, o el punto Q. El mtodo del anlisis grfico puede producir resultados precisos, pero es un poco complicado. Sin embargo, el concepto de lnea de carga y el planteamiento grfico son

F ig u ra 1 .2 5 fig u ra 1.24

El d io d o y las ca ra cte rstica s de la lnea de carga en el c irc u ito m o stra d o en la

Captulo 1

Materiales semiconductores y diodos

29

tiles para visualizar la respuesta de un circuito, y la lnea de carga se utiliza amplia mente en la evaluacin de circuitos electrnicos.

1.3.2

M odelo lineal por secciones

Otra manera ms simple de analizar los circuitos de diodo es aproximar las caractersti cas corriente-voltaje del diodo, utilizando relaciones lineales o lneas rectas. La figura 1.26, por ejemplo, muestra las caractersticas corriente-voltaje ideales y dos aproxima ciones lineales.

0 .7

-H>h
Pendiente = r - Lf !

0,7 70 ji U

r
S- 0.7 .

1
yr
( 0*7 }

vD
-

i* . 0.- (3) 4

ri

*
F ig u ra 1 .2 6 Las c a ra c te rs tic a s l-V del d io d o ideal y dos a p ro xim a cio n e s lineales

i
'i

Para VD < Vy, suponemos una aproximacin de lnea recta cuya pendiente es \lrf, donde Vy es el voltaje de encendido o conexin del diodo, y ryes la resistencia directa del diodo. El circuito equivalente para esta aproximacin lineal es una fuente de voltaje constante en serie con una resistencia (figura 121 a ) Para VD< Vy, suponemos una aproxi macin de lnea recta paralela al eje VD en el nivel de corriente cero. En este caso, el circuito equivalente es un circuito abierto (figura 1.27Z>).

rf
JD VD -H r v w v ------+

, __^
JD yD -

V /

a)

b)

c)

F ig u ra 1 .2 7 El c irc u ito e q u iv a le n te del dio d o a) en la c o n d ici n "e n c e n d id o " cua ndo VD > Vy, b) en la c o n d ic i n "a p a g a d o " c u a n d o VD < Vy y c) a p ro xim a ci n lineal p o r se ccio n e s cua ndo r, = 0

Este mtodo modela el diodo con segmentos de lneas rectas; de ah el nombre de modelo lineal por secciones. Si suponemos que rf = O, las caractersticas de diodo lineal por secciones se muestran en la figura l .27c.

30

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

E je m p lo 1 .7 Objetivo: Determine el voltaje y la corriente del diodo en el circuito que se muestra en la figura 1.24, utilizando el modelo lineal por secciones. Suponga parmetros de diodo lineal por secciones de Vy = 0.6 V y rf = 10 fl.

Solucin: Con la polaridad de voltaje de entrada dada, el diodo est polarizado en sentido direc to o encendido, de modo que ID> 0. El circuito equivalente se muestra en la figura 1,27a. La corriente del diodo est determinada por , VPS~ V y 5 - 0 .6 D= ~r + 7 ^ = 2 x I tp T io ^

y el voltaje del diodo es VD = Vy + I Drf = 0.6 + (2.19


X

103)(10) = 0.622 V

Comentario: Esta solucin, obtenida empleando el modelo lineal por secciones, es casi igual a la solucin obtenida en el ejemplo 1.6, en el cual se emple la ecuacin de diodo ideal.

En virtud de que la resistencia directa /y del diodo en el ejemplo 1.7 es mucho ms pequea que la resistencia del circuito R, la corriente del diodo ID es en esencia indepen diente del valor de rf . Adems, si el voltaje de conexin es 0.7 V en vez de 0.6 V, la corriente del diodo calculada ser de 2.15 mA, valor que no es significativamente dife rente de los resultados previos. Por tanto, la corriente del diodo calculada no es una funcin que dependa mucho del voltaje de encendido. En consecuencia, a menudo su pondremos un voltaje de conexin de 0.7 V para los diodos de unin pn de silicio. El concepto de la lnea de carga y el modelo lineal por secciones pueden combinar se en los anlisis de circuitos con diodo. Empleando la ley de voltajes de Kirchhoff, ex presada por la ecuacin 1.14b, y el circuito de la figura 1.24, suponemos que Vy = 0.7 V, r ~ 0, Vps = +5 V y R = 2 kfl. La figura 1.28a muestra la lnea de carga resultante y las curvas caractersticas lineales por secciones del diodo. Las dos curvas se intersectan en el punto Q, o corriente del diodo, ID0 = 2.15 mA, la cual slo es funcin de VPS y R. La figura 1.28A muestra las mismas caractersticas lineales por secciones del diodo pero con cuatro diferentes lneas de carga, correspondientes a: VPS = 5 V, R = 4 k fl; VPS = 5 V, R = 2 k fl; VPS - 2.5 V, R = 4 k i y VPS = 2.5 V, R = 2 kfl. El punto Q cambia para cada lnea de carga.

a)
F ig u ra 1 .2 8

b)

A p ro x im a c i n linea l p o r se ccion es a) lnea de carga para VP S = 5 V y R = 2 k fl y

b)

varias lneas de carga

El concepto de la lnea de carga tambin es til cuando el diodo est polarizado inversamente. La figura 12 9 a muestra el mismo circuito de diodo que antes, pero con la

Captulo 1

Materiales semiconductores y diodos

V = 5 v ;

a)
F ig u ra 1 .2 9 lnea de carga D io d o p o la riza d o inversam e nte

b) a)
c irc u ito y

b)

a p ro xim a ci n linea l p o r seccion es y

polaridad del voltaje de entrada invertida. Utilizando la ley de voltajes de Kirchhoff, podemos escribir Vps + I d R + V d 0
(1.18a)

V d Vps ~ I

R =

~ 5 21 d

(1.186)

y la ecuacin (1.186) es otra forma de la ecuacin de la lnea de carga. Las caractersti cas del diodo y la lnea de carga se grafican en la figura 1.196. Vemos que la lnea de carga est ahora en el tercer cuadrante, donde intersecta la curva caracterstica del diodo en VD = -5 V e ID = 0, lo que demuestra que el diodo est polarizado inversamente. A pesar de que el modelo lineal por secciones puede brindar soluciones que son menos precisas que las obtenidas con la ecuacin del diodo ideal, el anlisis es mucho ms sencillo.

1.3.3

Sim ulacin y anlisis por computadora

Las computadoras de hoy da son capaces de usar modelos de simulacin detallados de diversos componentes y de efectuar anlisis de circuitos complejos en forma rpida y relativamente fcil. Tales modelos pueden descomponerse bajo muy diversas condicio nes, tales como la dependencia de temperatura de varios parmetros. Uno de los prime ros, y ahora el ms ampliamente usado, programas de anlisis de circuito es el Programa de Simulacin con nfasis en Circuitos Integrados (SPICE, por sus siglas en ingls). Este programa, desarrollado en la Universidad de California en Berkeley, fue liberado por prim era vez por 1973 y se ha ido refmando continuamente desde entonces. Un subproducto de SPICE es PSpice de M icroSim Corporation, el cual est diseado para usarse en computadoras personales.

E je m p lo 1.8 O b je tiv o : Determine la corriente y el voltaje de diodo, empleando el anlisis de PSpice. Considere el circuito con diodo que se mostr previamente en la figura 1.24, con los nmeros de nodos indicados. Suponga las corrientes de saturacin inversa de diodo de Is - 10'1 4 , 10-'3 y 1(T1 2 A, y suponga valores por omisin de los otros parmetros del diodo. El archivo de entrada y los resultados de salida para 4 = 10"1 4 = 10 fA se presentan en la siguiente tabla.

32

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

* CIRCUITO DE DIODO VPS 1 0 DC 5V R 1 2 2K DI 2 0 DA

SIMPLE

NODO VOLTAJE ( 1 ) 5.0000

NODO ( 2)

VOLTAJE 0.6750

CORRIENTE 2. 162D-03

.MODEL DA D (IS = 10FA) OP .END

S olucin: El anlisis con PSpice produjo los siguientes resultados:


As________ P (V ) _/D(m A )

10-1 4A 10-1 3A 101 2A

0.675 0.616 0.557

2.16 2.19 2.22

Comentario: Estos resultados concuerdan casi exactamente con los obtenidos en el ejemplo 1.6, los cuales supusieron Is = 10~1 3 A en la ecuacin de diodo ideal y emplearon la iteracin para producir VD= 0.169 (V) e ID= 2.19 mA. De modo similar, el ejemplo 1.7 utiliz un modelo de diodo lineal por secciones para producir VD= 0.622 V e ID= 2.19 mA. Estos resultados validan el uso del modelo lineal por secciones para analizar circuitos con diodo.

Debido a que los modelos computarizados son ms detallados, los resultados de stos pueden variar de los obtenidos por otros mtodos. En circuitos con diodo, por ejemplo, podemos emplear el modelo lineal por secciones para un diseo inicial y luego utilizar PSpice para una mayor exactitud. A lo largo del texto, destacamos las tcnicas de anlisis y diseo manuales, pues nos brindan resultados suficientemente precisos para demostrar los procesos que se estn describiendo. Desde luego, el lector puede usar un anlisis de SPICE o PSpice para verificar o correlacionar soluciones en cualquier punto del texto.

1.3.4

Resumen

Los dos modelos de diodo en CD usados en el anlisis manual de circuitos con diodo son: la ecuacin del diodo ideal y la aproximacin lineal por secciones. En la ecuacin del diodo ideal, debe especificarse la corriente de saturacin inversa Is. En el caso del modelo lineal por secciones, deben especificarse el voltaje de corte Vy y la resistencia de diodo directa rf. En la mayor parte de los casos, sin embargo, rf se supone igual a cero a menos que se indique lo contrario.

Ejercicios Considere el circuito de la figura 1.24. Sea VPS= 4 V, R = 4 kfl e Is = 10"1 2A. Determine empleando la ecuacin del diodo ideal y el mtodo de iteracin. (Res. VD= 0.535 V, ID= 0.864 mA) 1.14 Considere el diodo y el circuito del ejercicio 1.13. Determine VDs grfica. (Res. Vp a 0.54 V, IDa 0.87 mA) empleando la tcnica *1.13

1.15 a) Considere el circuito en la figura 1.24. Sea VPS= 5 V, R = 4 kfl y Vy = 0.7 V. Suponga rf = 0. Determine ID . b) Si VP S se incrementa hasta 8 V, cul debe ser el nuevo valor de R tal que

Captulo 1

Materiales semiconductores y diodos

33

IDsea el mismo valor que en el inciso al c) Dibuje las caractersticas del diodo y las lneas de carga para los incisos a) y t). (Res. a) ID= 1.08 mA, ti) R = 6.79 kl) 1.16 El voltaje de lafuente de alimentacin (entrada) en el circuito de la figura 1.24 es VPS= 10 V y el voltaje de encendido del diodo es Vy = 0.7 V (suponga rf = 0). La potencia disipada en el diodo no va a ser mayor que 1.05 mW. Determine la mxima corriente de diodo y el mnimo valor de R para cumplir la especificacin de potencia. (Res. ID 1.5 mA, R = 6.2 kl)

1 .4

C IR C U IT O S CO N D IO D O : A N L IS IS EN CA Y C IR C U IT O E Q U IV A L E N T E

Hasta este punto, nos hemos concentrado slo en las caractersticas en CD del diodo de unin pn. Cuando se emplean dispositivos semiconductores con uniones pn en circuitos de amplificacin lineal, las caractersticas variables en el tiempo, o de CA, de la unin pn se vuelven importantes, pues las seales senoidales pueden superponerse a las co rrientes y a los voltajes CD. Las caracteristicas de CA se examinan en las secciones siguientes.

1.4.1

Anlisis senoidal

En el circuito que se muestra en la figura 1,30a, la fuente de voltaje v, se supone que ser una seal senoidal, o variable en el tiempo. El voltaje de entrada total v, est compuesto por una componente de CD VPS y una componente de CA v, sobrepuesta al valor de CD. Para estudiar este circuito, nos centraremos en dos tipos de anlisis: un anlisis de CD que implica nicamente los voltajes y las corrientes de CD, y un anlisis de CA que implica slo los voltajes y las corrientes de CA. (Debemos sealar que el circuito en la figura no es prctico, ya que no es deseable tener una corriente de CD que fluye a travs de una fuente de seales de CA. Sin embargo, el circuito es til para una discusin de anlisis en CD y en CA.)

R elacio n es c o rrie n te -v o lta je

Puesto que el voltaje de entrada contiene una componente de CD con una seal de CA superpuesta, la corriente de diodo contiene tambin una componente de CD con una seal de CA superpuesta, como se ilustra en la figura 1.306. Aqu, lD Qes la corriente de diodo de punto de reposo de CD. Adems, el voltaje de diodo contendr un valor de CD con una seal de CA superpuesta, como se muestra en la figura 1,30c. Para este anlisis, suponga que la seal de CA es pequea comparada con la componente de CD, de modo que un modelo de CA lineal puede desarrollarse a partir del diodo no lineal. La relacin entre la corriente y el voltaje del diodo puede escribirse como (1.19) donde VD0 es el voltaje de punto de reposo de CD y vd es la componente de CA. Estamos despreciando el trmino -1 en la ecuacin del diodo. La ecuacin (1.19) puede reescribirse como

( 1.20 )

34

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

V D~

a)

'd
DQ
N

Tiempo b)

VD

vd
v DQ
N

Tiempo c)
F ig u ra 1 .3 0 A n lisis del c irc u ito en CA: a) c irc u ito con vo lta je s de entrad a de CD y sen oidale s c o m b in a d o s , b ) co rrie n te sen oidal del d io d o su p erpu esta a la co rrie n te del pu nto de reposo, c) vo lta je senoidal del d io d o su p erpu esto al va lo r del pu nto de re poso y

d)

c a ra cte rstica s l-V del d io d o po la rizad o d ire c ta m e n te con una c o rrie n te sen o id a l y vo lta je sup erpu esto a los valores del pu nto de reposo

/ \ / Si la seal de CA es pequea, entonces Jvd <* VT , y podemos desarrollar la funcin exponencial en una serie lineal, como sigue: et e L 1 + x j. vT y ( 1 .2 1 )

Tambin podemos escribir la corriente de diodo del punto de reposo como ps\
+ I DQ I s e v

(1-22)

La relacin corriente-voltaje del diodo de la ecuacin (1.20) puede escribirse entonces como /D Q VT (1.23)

n ~ I D Q

D Q

V d I D Q+ d

donde id es la componente de CA de la corriente del diodo. La relacin entre las compo nentes de CA del voltaje y de la corriente del diodo es entonces

id =

D Q
Vr

Prf = g d ' Vd

(1.24 a)

Captulo 1

Materiales semiconductores y diodos

35

O (1.24 b)

vd =

Los parmetros gd y rd, respectivamente, son la conductancia y la resistencia corres pondientes a un incremento de seal pequea, llamadas tambin la conductancia de difusin y la resistencia de difusin. De acuerdo con estas dos ecuaciones vemos que

Esta ecuacin nos dice que el incremento de la resistencia es una funcin de la corriente de polarizacin en CD ID Qy que es inversamente proporcional a la pendiente de la curva caracterstica l-V, como se muestra en la figura 1.30 d. A n lis is d e l c ir c u ito Para analizar el circuito que se muestra en la figura 1.30a, podemos emplear el modelo lineal por secciones para los clculos de CD y la ecuacin (1.25) para el clculo en CA.

E je m p lo 1.9

Objetivo: Analice el circuito mostrado en la figura 1.30a. Suponga parmetros del circuito y del diodo de VPSy 5 V, R = 5 kCl, Vy = 0.6 V y ^ = 0.1 sen < t (V). Solucin: Divida el anlisis en dos partes: el anlisis en CD y el anlisis en CA. Para el anlisis en CD, hacemos v, = 0 y despus determine la corriente del punto de reposo de CD como

El valor de CD del voltaje de salida es V0 = I dqR = (0.88)(5) = 4.4 V


C

Para el anlisis en CA, considere slo las seales y los parmetros de CA del circuito. En otras palabras, efectivamente hacemos VP S= 0. La ecuacin LVK de CA se convierte en Vf = if d + idR = id(rd + R) donde rd es otra vez la resistencia de difusin del diodo de seal pequea. De la ecuacin (1.25), tenemos

La corriente de diodo de CA es ld V , rd + R AC O.lsenwt => 19.9senwt(juA) 0.0295 + 5

La componente de CA del voltaje de salida es v0 = idR = 0.0995 senmt(V) Comentario: A lo largo del libro, dividiremos el anlisis de circuito en el anlisis en CD y el anlisis en CA. Para hacerlo, emplearemos modelos de circuito equivalente en cada anlisis.

36

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

R esp u esta en fre c u e n c ia

En el anlisis previo, supusimos implcitamente que la frecuencia de la seal de CA fue lo suficientemente pequea de manera que los efectos de capacitancia en el circuito seran despreciables. Si la frecuencia de la seal de entrada de CA aum enta, la capacitancia de difusin asociada con una unin pn polarizada en sentido directo se vuelve importante. La fuente de la capacitancia de difusin se muestra en la figura 1.31, la cual muestra los valores de CD de las concentraciones de portadores minoritarios y los cambios ocasionados por una componente de CA que se est superponiendo. La carga AQ se est cargando y descargando de manera alternativa a travs de la unin cuando cambia el voltaje a travs de ella. La capacitancia de difusin es el cambio en la carga de portadores minoritarios almacenada que es causada por un cambio en el voltaje, o

,r

cd=S * av D

< L 26>

La capacitancia de difusin Cd es normalmente mucho mayor que la capacitancia de la unin C, debido a la magnitud de las cargas implicadas.

rd WW

F ig u ra 1.31 C am bio en la carga alm a cena da de p o rta d o re s m in o rita rio s , lo que lleva a la ca p a c ita n c ia de difu si n

1.4.2 cd 1 (-------a)

Circuito equivalente de seal pequea

El circuito equivalente de seal pequea de la unin pn polarizada en sentido directo se m uestra en la figura 1.32 y se desarrolla parcialmente a partir de la ecuacin de la admitancia, la cual est dada por Y = gd + ju C d (1.27)

rd
V W l --------

--------1 (-------- -vw v 1 ( b)


F ig u ra 1 .3 2 C ircu ito

e q u iv a le n te de seal peque a del d io d o : a) versi n s im p lific a d a y b ) c irc u ito c o m p le to

donde gd y Cd son la conductancia y la capacitancia de difusin, respectivamente. Tam bin debemos sumar la capacitancia de la unin, la cual est en paralelo con la resisten cia y la capacitancia de difusin, y una resistencia en serie, la cual se requiere debido a las resistencias finitas en las regiones n y p neutras. El circuito equivalente de seal pequea de la unin pn se emplea para obtener la respuesta en CA de un circuito de diodo sujeto a seales de CA superpuestas sobre los valores del punto Q. Los circuitos equivalentes de seal pequea de las uniones pn se emplean tambin para desarrollar modelos de seal pequea de transistores, y estos modelos se emplean en el anlisis y diseo de amplificadores transistorizados.

Captulo 1

Materiales semiconductores y diodos

37

Ejercicios
1 .1 7 Determine la conductancia de difusin de un diodo de unin pn a T= 300 K y polarizado a una corriente de 0.8 mA. (Res. gd= 30.8 mS) 1 .1 8 Se determina que la resistencia de difusin de un diodo de unin pn a T = 300 K es rd = 50 fi. Cul es la corriente de diodo del punto de reposo? (Res. ID Q= 0.52 mA)

1 .5

O TR O S T IP O S DE D IO D O

Otros tipos de diodos con caractersticas especializadas incluyen el diodo de barrera Schottky, el diodo Zener, el diodo emisor de luz y el fotodiodo. El diodo Zener, el diodo emisor de luz y los fotodiodos son tipos de los diodos de unin pn, con caractersticas especficas que los hacen tiles en aplicaciones de circuito particulares.

____
Tipo n

1.5.1

Diodo de barrera Schottky

lD

w -------Un diodo de barrera Schottky, o simplemente diodo Schottky, se forma cuando un metal, tal como el aluminio, se pone en contacto con un semiconductor tipo n dopado moderadamente. La figura 1.33a muestra el contacto metal-semiconductor, y la figura 1.336 muestra el smbolo del circuito con la direccin de corriente y la polaridad de voltaje. Las caractersticas corriente-voltaje de un diodo Schottky son muy similares a las de un diodo de unin pn. Puede emplearse la misma ecuacin del diodo ideal para ambos dispositivos. Sin embargo, hay dos importantes diferencias entre los dos diodos que afectan directamente la respuesta del diodo Schottky. Primero, el mecanismo de la corriente en los dos dispositivos es diferente. La co rriente en un diodo de unin pn est controlada por la difusin de portadores m inorita rios. La corriente en un diodo Schottky resulta del flujo de portadores minoritarios sobre la barrera de potencial en la unin metalrgica. Esto significa que no hay almacena+ VD -

b)
F ig u ra 1 .3 3 D io d o de

ba rrera S c h o ttk y : a) g e o m e tra s im p lific a d a y b ) sm b o lo del e le m e n to

Diodo de f barrera ij Schottky I

Diodo de unin p n

Vy (SB)

Vy (pn)

F ig u ra

1 .3 4

C o m p a ra c i n de las ca ra c te rs tic a s

l-V

de p o la riza ci n d ire cta de un d io d o de

u n i n pn y de u n d io d o de barrera S c h o ttk y

38

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

miento de portadores minoritarios en el diodo Schottky, por lo que el tiempo de conmu tacin de una polarizacin directa a una polarizacin inversa es muy corto comparado con el de un diodo de unin pn. El tiempo de almacenamiento, ts, para un diodo Schottky es esencialmente cero. Segundo, la corriente de saturacin inversa Is para un diodo Schottky es mayor que la del diodo pn en reas del dispositivo comparable. Esta propiedad significa que la corriente en un diodo Schottky es mayor que un diodo de unin pn para el mismo voltaje de polarizacin en sentido directo. La figura 1.34 compara las caractersticas de los dos diodos. Al aplicar el modelo lineal por secciones, podemos determinar que el diodo Schottky tiene un voltaje de en cendido ms pequeo que el de unin pn. En los ltimos captulos, veremos cmo este voltaje de encendido de bajo valor y el tiempo de conmutacin ms corto hacen til al diodo Schottky en las aplicaciones de circuitos integrados.

Ejemplo 1.10 Objetivo: Calcule las corrientes en un circuito que contiene tanto un diodo de unin pn como un diodo Schottky. Considere el circuito que se muestra en la figura 1.35. Suponga que los voltajes de conduc cin para el diodo de unin pn y el diodo Schottky son Vy = 0.7 V y Vy = 0.3 V, respectivamente. Sea rf = 0 en ambos diodos. Solucin: La corriente /, es la diferencia de voltaje a travs de R dividida por la resistencia i?,, o
F ig u ra 1 .3 5 C irc u ito s e n c illo ta n to co n un d io d o de u n i n pn c o m o c o n un d io d o de ba rrera S c h o ttk y

h =

4-07 t = 0.825 mA 4

Similarmente, la corriente I2es la diferencia de voltaje a travs de R2dividida por la resistencia R2, o 4 - 0LZ 3 = o.925 mA / =1 4 Comentario: Los clculos de CD para un circuito que contiene un diodo Schottky son los mis mos que aquellos para un circuito que contiene un diodo de unin pn.

Otro tipo de unin metal-semiconductor es tambin posible. Un metal aplicado a un semiconductor altamente dopado forma, en la mayor parte de los casos, un contacto hmico: esto es, un contacto que conduce corriente igualmente en ambas direcciones, con muy poca cada de voltaje en la unin. Los contactos hmicos se emplean para conectar un dispositivo semiconductor a otro en un CI, o para conectar un CI a sus terminales externas.

1.5.2

Diodo Zener

Para entender el diodo Zener, debemos comprender primero el concepto de ruptura del diodo. Mencionamos antes en este captulo que el voltaje de polarizacin inversa aplica do no puede aumentar sin lmite. En algn punto, la corriente de polarizacin inversa empezar a crecer muy rpidamente. La situacin recibe el nombre de ruptura, y el voltaje aplicado en ese punto se llama voltaje de ruptura. Las caractersticas I-V del diodo, incluyendo la ruptura, se muestran en la figura 1.36. (Aunque el voltaje de ruptu-

Captulo 1

Materiales semiconductores y diodos

39

F ig u ra 1 .3 6

C a ra cte rstica s l-V del d io d o en las que se m u estra n los e fe cto s de la ru p tu ra

ra est en el eje de voltaje negativo [polarizacin inversa], su valor suele darse como una cantidad positiva.) Dos mecanismos fsicos contribuyen a la ruptura de polarizacin inversa: el efecto Zener y el efecto avalancha. La ruptura Zener ocurre en uniones pn altamente dopadas en las cuales los electrones forman un tnel directamente a travs de la barrera de potencial. El fenmeno tnel puede describirse mediante la mecnica cuntica pero no se discutir aqu. La ruptura por avalancha ocurre cuando electrones y huecos, movindose a travs de la regin del espacio-carga, adquieren suficiente energa del campo elctrico para chocar con electrones de valencia en la regin de agotamiento, generando pares elec trn-hueco. Los electrones y huecos nuevamente creados se mueven en direcciones opues tas como consecuencia del campo elctrico, sumndose por ello a la corriente de polari zacin inversa existente. Adems, los electrones y huecos recin generados pueden ad quirir suficiente energa para ionizar otros tomos, en un proceso de avalancha. En la mayor parte de las uniones pn, el efecto de avalancha es el mecanismo de ruptura predo minante. La gran corriente que puede existir en la ruptura puede ocasionar efectos de calen tamiento y la falla catastrfica del diodo debido a la considerable disipacin de potencia en el dispositivo. Sin embargo, los diodos pueden operarse en la regin de ruptura limi tando la corriente hasta un valor dentro de las capacidades del dispositivo. Tal diodo puede utilizarse como una referencia de voltaje constante en un circuito. El voltaje de ruptura del diodo es constante en una amplia gama de corrientes y temperaturas. La pendiente de la curva de caractersticas 7-Fen la ruptura es bastante grande, por lo que la resistencia incremental rz es pequea. Por lo comn, r, est en el intervalo de unos cuantos ohms o de decenas de ohms. Aunque el mecanismo fsico de ruptura suele ser el efecto avalancha, los diodos que operan en la regin de interrupcin reciben el nombre de diodos Zener. El smbolo de este diodo se muestra en la figura 1.37. (Note la diferencia entre este smbolo y el smbo-

/z,

Figura ' 3 dlodo Ze"e'

3 -bolo del

40

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

lo del diodo Schottky.) El voltaje Vz es el voltaje de ruptura Zener, y la corriente I es la corriente de polarizacin inversa cuando el diodo est operando en la regin de ruptura.

Ejemplo de diseo 1.11 O bjetivo: Considere un circuito con voltaje de referencia cons tante simple y determine el valor de resistencia requerido para limitar la corriente en este circuito. Considere el circuito que se muestra en la figura 1.38. Suponga queel voltaje de ruptura del diodo Zener es Vz = 5.6 V y que la resistencia Zener es r2= 0. Determine el valor de r necesario para limitar la corriente a / = 3 mA. S o lu ci n : Como antes, podemos determinar la corriente a partir de la diferencia de voltaje en R dividida por la resistencia. Esto es, / =

F ig u ra 1 .3 8 Zener

C irc u ito

s e n cillo que in clu ye un dio d o

La resistencia es entonces

i\ ----

Ep5 V'J_ 10 5.6

: 1.47 kl

Comentario: La resistencia externa al diodo Zener limita la corriente cuando el diodo est ope rando en la regin de ruptura. En el circuito que se muestra en la figura, el voltaje de salida permanecer constante en 5.6 V, aun cuando el voltaje de la batera y la resistencia pueden cam biar en un intervalo limitado. En consecuencia, este circuito proporciona un voltaje de salida constante.

1.5.3

El diodo emisor de luz

El diodo emisor de luz (LED) convierte corriente en luz. Como se explic antes, cuan do se aplica un voltaje de polarizacin directa a travs de una unin pn, electrones y huecos fluyen a travs de la regin de espacio-carga y se vuelven un exceso de portado res minoritarios. Este exceso de portadores minoritarios se difunden dentro de las regio nes neutras del semiconductor, donde se recombinan con portadores mayoritarios. Si el semiconductor es un material de espacio entre bandas directo, tal como el GaAs, los electrones y huecos pueden recombinarse sin cambio en el momntum, y un fotn u onda luminosa puede emitirse. Inversamente, en un material de espacio entre bandas indirecto tal como el silicio, cuando un electrn y un hueco se recombinan, tanto la energa como el momntum deben conservarse, por lo que la emisin de un fotn es muy poco probable. Por consiguiente, los LED se fabrican empleando GaAs u otros materiales semiconductores compuestos. En un LED, la corriente del diodo es directa mente proporcional a la tasa de recombinacin, lo cual quiere decir que la intensidad de la luz de salida tambin es proporcional a la corriente del diodo. Los arreglos m onolticos de LED se fabrican para exhibidores num ricos y alfanumricos, tales como el indicador de un vltmetro digital. Un LED puede integrarse en una cavidad ptica para producir una salida de fotones con un ancho de banda muy estrecho. Tal dispositivo es un diodo lser, el cual se emplea en aplicaciones de comunicaciones pticas.

1.5.4

Fotodiodo

Los fotodetectores son dispositivos que convierten las seales pticas en seales elc tricas. Un ejemplo es el fotodiodo, el cual es una unin pn que opera con un voltaje de

Captulo 1

Materiales semiconductores y diodos

41

polarizacin inversa. Los fotones incidentes o las ondas luminosas crean excesos de electrones y huecos en la regin de espacio-carga. Este exceso de portadores son separa dos rpidamente y desplazados de la regin de espacio-carga por el campo elctrico, creando as una fotocorriente. Esta fotocorriente generada es directamente proporcio nal al flujo de fotones incidentes. El fotodiodo puede emplearse en conjunto con otros dispositivos. Por ejemplo, pue de combinarse con un LED para crear un sistema ptico tal como el que se muestra en la figura 1.39. La seal luminosa creada puede viajar a lo largo de distancias relativamente grandes a travs de la fibra ptica, debido a la baja absorcin ptica en fibras pticas de alta calidad.

Fibra ptica

Seal de salida

F ig u ra

1 .3 9

E lem en tos b sico s en u n sistem a de tra n s m is i n p tic o

Ejercicios Las corrientes de saturacin inversa de un diodo de unin pn y un diodo Schottky son Is = 101 2 A y 108 A, respectivamente. Determine los voltajes de polarizacin directa requeridos para producir 1 mA en cada diodo. (Res. diodo pn, VD= 0.539 V; diodo Schottky, VD= 0.299 V) 1.20 Un diodo de unin pn y un diodo Schottky tienen ambos corrientes de polarizacin directa de 1.2 mA. La corriente de saturacin inversa del diodo de unin pn es Is = 4 X 10"1 5 A. La diferencia en los voltajes de polarizacin directa es de 0.265 V. Determine la corriente de satura cin inversa del diodo Schottky. (Res. Is = 1.07 X 10_l A) 1.21 Considere el circuito que se muestra en la figura 1.38. Determine el valor de la resistencia R requerida para limitar la potencia disipada en el diodo Zener a 10 mW. (Res. R = 2.46 kfl) 1.22 Un diodo Zener tiene una resistencia en serie equivalente de 20 l. Si el voltaje en el diodo Zener es de 5.20 V a Iz = l mA, determine el voltaje en el diodo a lz = 10 mA. (Res. Vz = 5.38 V)
1.19

1 .6

R E S U M E N Y REPASO

En este captulo, presentamos algunas de las caractersticas bsicas y propiedades de los materiales semiconductores, incluyendo el concepto de electrones (carga negativa) y huecos (carga positiva) como dos portadores de carga distintos. El dopado de cristales semiconductores puros con tipos especficos de tomos de impurezas produce materia les ya sea de tipo n, los cuales tienen una preponderancia de electrones, o materiales tipo p, que tienen preponderancia de huecos.

Parte 1

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

Luego consideramos el diodo de unin pn, el cual se forma cuando una regin dopada de tipo n y una regin dopada de tipo p estn directamente adyacentes una de la otra. Las caractersticas corriente-voltaje del diodo no son lineales: la corriente es una funcin exponencial del voltaje en la condicin de polarizacin directa, y es aproxima damente cero en la condicin de polarizacin inversa. En esta discusin se incluyeron los conceptos de capacitancia de la unin y de transitorios de conmutacin cuando el diodo se conmuta de un estado de conduccin a uno de apagado o viceversa. Consideramos varios mtodos para analizar circuitos con diodo. Debido a la no linealidad en las caractersticas corriente-voltaje del diodo, el anlisis de los circuitos con diodo es ms difcil que el de los circuitos lineales. Se presentaron varios mtodos de anlisis, que incluyeron el uso de tcnicas de iteracin y grficas; el empleo del mo delo lineal por secciones, el cual es probablemente el enfoque de anlisis manual ms til; y el empleo de la simulacin y del mpdelado por computadora. Incluidos en estas discusiones estn los importantes conceptos de linea de carga y del punto de reposo o punto Q. Despus, discutimos el modelo en CA del diodo. Las seales de CA o variables en el tiempo pueden superponerse a la corriente y voltaje del diodo en CD. El circuito equivalente de seal pequea se emplea para determinar la relacin entre la corriente de CA y el voltaje de CA. Este mismo circuito equivalente se aplicar ampliamente cuando se considere la respuesta en frecuencia de transistores. Por ltimo, se consideraron otros cuatro tipos de diodos, cada uno de los cuales presenta caractersticas de operacin particulares que son tiles en aplicaciones electr nicas especficas. El diodo de barrera Schottky (o diodo Schottky) tiene un voltaje de encendido y un tiempo de conmutacin menores que el diodo de unin pn bsico. El diodo Zener es una unin pn operando con polarizacin inversa en la regin de ruptura. El diodo emisor de luz convierte la corriente en luz y el fotodiodo convierte la energa luminosa en corriente. Las propiedades bsicas del diodo y las tcnicas de anlisis fundamental de los circuitos con diodo se consideraron en este captulo. El captulo 2 considerar aplicacio nes de los diodos. Se analizarn y disearn varios circuitos con diodo que aprovechan las caractersticas corriente-voltaje no lineales para, por ejemplo, convertir una forma de onda de la seal de entrada en otro tipo de forma de onda de salida.

P R O B LE M A S [Nota: A menos que otra temperatura se especifique, suponga que T = 300 K en los siguientes problemas.]

Seccin 1.1

M ateriales sem iconductores y propiedades

1.1 a) Calcule la proporcin de portadores intrnsecos en silicio a T= 350 K respecto a la de T= 300 K. b) Repita la parte a) para el arseniuro de galio. 1.2 a) La concentracin de portadores intrnsecos en silicio no ser ms grande que n = 101 2 cm-3. Determine la temperatura mxima permisible, b) Repita la parte a) para n,= 109 cm-3 1.3 Determine la temperatura de GaAs si la concentracin de portadores intrnsecos es n, = 10* cm'3. 1.4 a) Encuentre las concentraciones de electrones y huecos en una muestra de silicio que tiene una concentracin de tomos donadores igual a 5 X 10'5cm'3. El semiconductor es de tipo n o de tipo p? b) Repita la parte a) para arseniuro de galio. 1.5 a) Calcule las concentraciones de electrones y huecos en una muestra de semiconductor de silicio que tiene una concentracin de tomos receptores igual a 101 6 cm'3. El semiconductor es tipo n o tipo p? b) Repita la parte a) para el germanio.

Captulo 1

Materiales semiconductores y diodos

D 1.6 a) Un material semiconductor de silicio se va a disear de tal modo que la concentracin de electrones portadores mayoritarios es na= 7 X 101 5 cm'3. Los tomos de impurezas del dona dor o del receptor se debe aadir al silicio intrnseco para alcanzar esta concentracin de electro nes? Qu concentracin de tomos de impurezas dopantes se requieren? b) En este material de silicio, la concentracin de huecos de portadores minoritarios no va ser mayor a p0 = 106 cm'3. Determine la mxima temperatura permisible. 1.7 Una densidad de corriente de arrastre de Jdrf= 60 A/cm2 se requiere en arseniuro de galio tipo n que tiene una conductividad de cr = 0.15 (ohm-cm)'1 . Determine el campo elctrico reque rido. 1.8 Se establece una densidad de corriente de arrastre de 85 A/cm2 en silicio tipo n con un campo elctrico aplicado de E - 12 V/cm. Determine la conductividad del semiconductor. 1.9 Se dopa GaAs hasta Na = 101 7cm'3. a) Calcule n y p a. b) Se genera un exceso de electrones y huecos de manera que Sn = Sp = 101 5 cm'3. Determine la concentracin total de electrones y huecos.
1.10

Repita el problema 1.9 para el germanio.

Seccin 1.2

La unin pn

1.11 Calcule Vh en una unin pn de silicio para: a)Nd = Na = 10l5 cm'3; b) Nd = 101 5 cm"3, Na = 101 8 cm"3; y c) Nd = Na= 10l8cm"3. 1.12 1.13 Repita el problema 1.11 para arseniuro de galio. Repita el problema 1.11 para el germanio.

1.14 Considere una unin pn de GaAs dopada uniformemente con concentraciones de impure zas de/V = 5 X 101 8cm"3y Nd= 5 X 101 6cm'3. Dibuje la barrera de potencial integrada Vh contra la temperatura para 200 K < T < 500 K. 1.15 Una unin pn de silicio tiene una capacitancia de unin sin polarizacin aplicada de Cjo = 1 pF y concentraciones de impurezas de Na = 2 X 101 6 cm'3 y Nd = 2 X 101 5 cm"3. Calcule la capacitancia de unin a: a) VR= 1 V y b) VR= 5 V. 1.16 Una unin pn de silicio tiene un voltaje de polarizacin inversa aplicado de VR = 8 V y concentraciones de impurezas de N = 5 X 101 5 cm"3 y Nd 1 X 101 5 cm"3. La capacitancia de la unin va a ser C = 0.30 pF. Determine la capacitancia de unin sin polarizacin cero aplicada. 1.17 Una unin pn de silicio est dopada a Na = 101 8 cm"3 yA(/ = 101 5 cm"3. La capacitancia de la unin sin polarizacin aplicada es Cjo = 0.25 pF. Una inductancia de 2.2 mH se coloca en paralelo con la unin pn. Calcule la frecuencia resonantedel circuito para voltajes de polariza cin inversa de: a) VR = 1 V y b) VR= 10 V. 1.18 a) A qu voltaje de polarizacin inversa la corriente de polarizacin inversa en una unin pn de silicio ideal alcanza 90 por ciento de su valor de saturacin? b) Cul es la proporcin entre l a corriente para un voltaje de polarizacin directa de 0.2 V y la corriente para un voltaje de polarizacin inversa de 0.2 V? 1.19 a) Determine la corriente en un diodo de unin pn de silicio ideal para voltajes de polari zacin directa de 0.5, 0.6 y 0.7 V si la corriente de saturacin inversa es Is = 10"1 1 A. b) Repita la rarte a) para Is = 10'13A. 1.20 S i/,= 5 X 10"1 0A para un diodo de unin pn ideal cul debe ser el voltaje de polarizacin ; .recta para producir una corriente de 2/xA? 1.21 Un diodo de unin pn de silicio tiene un factor de idealidad de n = 2. La corriente del diodo ;s 1 mA cuando VD = 0.7 V. a) Encuentre la corriente de saturacin inversa, ti) Determine la ; :rriente del diodo cuando el voltaje se incrementa hasta 0.8 V. c) Repita las partes a) y b) cuando ;. factor de idealidad es n = 1. 1.22 a) La temperatura aumenta hasta el punto donde la corriente de saturacin inversa de un z.zdo de unin pn de silicio aumenta en un factor de 50 comparado con el valor a temperatura ambiente. Cul es la temperatura? b) La temperatura disminuye de modo tal qu la corriente de -:ituracin inversa es la mitad de su valor a temperatura ambiente. Cul es la temperatura?

44

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

1.23 Un diodo de unin pn de silicio tiene un voltaje de polarizacin directa aplicado de 0.6 V. Determine la razn de corriente a 100 C con respecto a la de -55 C. 1.24 a) Considere un diodo de unin pn de silicio que opera en la regin de polarizacin direc ta. Determine el aumento en el voltaje de polarizacin directa que producir un factor de incre mento de 10 en la corriente, b) Repita la parte a) para un factor de incremento de 100 en la corriente.

Seccin 1.3

Anlisis del diodo en CD

1.25 Un diodo de unin pn est en serie con una resistencia de 10 M il y una fuente de voltaje de 1.5 V. La corriente de saturacin inversa del diodo es Is = 30 nA. a) Determine la corriente y el voltaje del diodo si ste est polarizado directamente, b) Repita la parte a) si el diodo est polari zado inversamente. *1.26 El diodo en el circuito mostrado en la figura P1.26 tiene una corriente de saturacin inversa de Is = 5 X 101 3 A. Determine el voltaje y la corriente del diodo. /?, = 50 k 2
- m -

r 2= :
1.2 V -r 30 kn

> d\

+ 1.2 V

T
F ig u ra P 1 .2 6 F ig u ra P 1 .2 7

1.27 Determine la corriente / en el circuito mostrado en la figura P 1.27 si cada diodo tiene una corriente de saturacin inversa de Is = 10"1 4A. O 1.28

La corriente de saturacin inversa de cada diodo en el circuito mostrado en la figura P1.28 es Is = 2 X 10-13 A. Determine el voltaje de entrada V, requerido para producir un voltaje de salida V0 = 0.60 V.

oVn 5V ^

R = 4.7 k2 VW\------ C X ^ VD I

T
Fig u ra P 1 .2 8 F ig u ra P 1 .2 9

1.29 En el circuito que se muestra en la figura P1.29, encuentre el voltaje del diodo VD y el voltaje V de la fuente tal que la corriente sea 7=0.50 mA. Suponga que la corriente de saturacin inversa es 7S= 5 X 10~12A. 1.30 El diodo de unin pn de silicio en el circuito que se muestra en la figura P1.30 tiene una corriente de saturacin inversa de Is = HL7 A. a) Determine la corriente y el voltaje del diodo, b) Si el voltaje de la fuente disminuye hasta VPS= 3 V, calcule un nuevo valor de R tal que la corriente del diodo permanezca igual a la de la parte a), c) Calcule la potencia disipada en el diodo en las partes a) y b). 1.31 Suponga que el diodo en el circuito mostrado en la figura P1.26 tiene un voltaje de encendido de Vy 0.7 V. Si el voltaje de la fuente aumenta hasta VP S3 V calcule la corriente del diodo ID .

Figura P1.30

Captulo 1

Materiales semiconductores y diodos

45

1.32 Suponga que cada diodo en el circuito que se muestra en la figura P1.32 tiene un voltaje de encendido de Vy = 0.65 V. El voltaje de entrada es V, = 5 V. Determine el valor de /?, requerido de modo tal que ID es la mitad del valor de IDl. Cules son los valores de Im e Iml

VvVv [X O-

-oVn

Figura P1.32

1.33 El voltaje V en la figura P 1.29 es V 1.7 V. Si el voltaje de encendido del diodo es Vy 0.65 V, determine el nuevo valor de R requerido para limitar la disipacin de potencia en el diodo hasta no ms de 0.20 mW. 1.34 Repita el problema 1.30 si el voltaje de encendido del diodo es V 0.7 V.

v+

Seccin 1.4

Anlisis de diodo de pequea seal

1.35 a) Considere un diodo de unin pn polarizado a 1D Q= 1 mA. Un voltaje senoidal se super pone sobre Voq tal que la corriente senoidal de pico a pico es 0.05 7oe. Encuentre el valor del voltaje senoidal de pico a pico aplicado, b) Repita la parte a) si lD Q= 0.1 mA. *1.36 El diodo en el circuito que se muestra en la figura P l.36 se polariza con una fuente de corriente constante I. Una seal senoidal vs se acopla a travs de Rs y C. Suponga que C es ms grande de modo que acta como un cortocircuito para la seal, a) Demuestre que la componente senoidal del voltaje del diodo est dada por
Figura P1.36

kV t

+ IR sJ

b) Si Rs = 260 l, encuentre vjv, para I = 1 mA, / = 0.1 mA e /= 0.01 mA.

Seccin 1.5

Otros tipos de diodos

1.37 Las corrientes de saturacin inversa de un diodo de unin pn y un diodo Schottky son s = 10'4 A y 10-9 A, respectivamente. Determine los voltajes de polarizacin directa requeridos para producir una corriente de 100 p,A en cada diodo. 1.38 Un diodo de unin pn y un diodo Schottky tienen reas de seccin transversal iguales y corrientes de polarizacin directa de 0.5 mA. La corriente de saturacin inversa del diodo Schottky es Is = 5 X 10-7 A. La diferencia en los voltajes de polarizacin directa entre los dos diodos es de 0.30 V. Determine la corriente de saturacin inversa del diodo de unin pn. 1.39 Las corrientes de saturacin inversa de un diodo Schottky y de un diodo de unin pn son Is = 5 X 108A y 10' 2A, respectivamente. Los diodos estn conectados en paralelo y la combina cin en paralelo se activa mediante una corriente constante de 0.5 mA. a) Determine la corriente en cada diodo, b) Determine el voltaje a travs de cada diodo. *1.40 Repita el problema 1.39 para los diodos conectados en serie, con un voltaje de 0.90 V conectado a travs de la combinacin en serie.

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

1.41 Considere el circuito del diodo Zener que se muestra en la figura P1.41. El voltaje de ruptura Zener es Vz = 5.6 V a Iz = 0.1 mA y la resistencia Zener incremental es rz = 10 l. ) Determine V0 sin carga (RL= oo). b) Encuentre el cambio en el voltaje de salida si VPScambia su valor nominal en 1 V. c) Encuentre Va si VP S = 10 V y RL = 2 kl.

R = 0 .5 k2

Fig u ra P1.41

1.42 Un regulador de voltaje consiste en un diodo Zener de 6.8 V en serie con una resistencia de 200 l y una fuente de alimentacin de 9 V. a) Ignorando r calcule la corriente y la disipacin de potencia del diodo, ) Si la fuente de alimentacin se incrementa hasta 12 V, calcule el aumento porcentual en la corriente y la disipacin de potencia del diodo. *1.43 Considere el circuito del diodo Zener que se presenta en la figura P1.41. El voltaje del diodo Zener es Vz = 6.8 V a Iz = 0.1 mA y la resistencia Zener incremental es rz = 20 L a) Calcule V0 sin carga (RL = ). b) Encuentre el cambio en el voltaje de salida cuando se conecta una resistencia de carga de R, = 1 kl.

PROBLEMAS DE SIMULACIN POR COMPUTADORA


1.44 Use PSpice para obtener la caracterstica corriente-voltaje ideal de un diodo a partir de un voltaje de polarizacin inversa de 5 V correspondiente a una corriente de polarizacin directa de 10 mA, para un valor del parmetro Is de: a) 101 4A y b) 10~1 0A. Utilice ios valores por omisin en todos los dems parmetros. 1.45 Utilice PSpice para obtener la caracterstica I-V de un diodo con Is = 10 !2 A a temperatu ras de: a) T= 0 C, b) T= 25 C, c) T 75 C y d) T= 125 C. Grafique las caractersticas de un voltaje de polarizacin inversa de 5 V para una corriente de polarizacin directa de 10 mA. 1.46 Considere el circuito que se muestra en la figura 1.30a con VPS= 5 V. Sea Is = 10~1 4A y suponga que v, es una fuente senoidal con un valor pico de 0.25 V. Elija valores de R para generar corrientes del diodo de punto de reposo de aproximadamente 0.1, 1.0 y 10 mA. A partir de un anlisis en PSpice, determine los valores pico de la corriente senoidal del diodo y el voltaje senoidal del diodo para cada corriente del diodo de CD. Compare la relacin entre la corriente del diodo de CA y el voltaje para la ecuacin (1.24b), donde rd est dada por la ecuacin (1.25). Los resultados de PSpice se comparan favorablemente con los determinados en forma terica?

PROBLEMAS DE DISEO
[Nota: Cada diseo debe verificarse por medio de una simulacin PSpice.] *D1.47 Disee un circuito para obtener las caractersticas mostradas en la figura P1.47, donde iD es la corriente del diodo y v, es el voltaje de entrada. Suponga que el diodo tiene parmetros lineales por secciones de Vy = 0.1 \ y rf = 0. *D 1.48 Disee un circuito para obtener las caractersticas mostradas en la figura P 1.48, donde v, es el voltaje de entrada e i, es la corriente proporcionada por v,. Suponga que cualquiera de los diodos en el circuito tiene parmetros lineales por secciones de Vy = 0.7 V y rf = 0.

Captulo 1

Materiales semiconductores y diodos

47

*D 1.49 Disee un circuito para producir las caractersticas mostradas en la figura P1.49, donde v0 es el voltaje de salida y v es el voltaje de entrada.

vO(V)

2
Circuitos con diodos
En el ca p tu lo a n te rio r, e s tu d ia m o s alg u n a s de las pro p ie d a d e s de los m a te ria le s s e m ico n d u cto re s e in tro d u jim o s el d io d o de u n i n pn. P resentam os la re la ci n corrie n te -vo lta je ideal y co n sid e ra m os el m o d e lo linea l por s e ccion es, el cual s im p lific a el a n lisis en CD de los c irc u ito s co n d io d o . En este c a p tu lo , a b o rd a re m o s v a ria s a p lic a c io n e s y c irc u ito s con dio d o , que se e m p le a n para e fe c tu a r fu n c io n e s p a rtic u la re s . C o n tin u a re m o s co n el uso del m o d e lo linea l p o r seccion es en nu estro s an lis is m a n u a le s . U na a p lic a c i n im p o rta n te de los d io d o s en los c irc u ito s e le c tr n ic o s es la con versin de un \x>ltaje de C A a un v o lta je de CD, ta l c o m o el co rre sp o n d ie n te al de una fu e n te de a lim e n ta c i n en CD, el cual se usa para p o la riz a r c irc u ito s y sistem as e le c tr n ic o s . Los c irc u ito s re c tific a d o re s que co n tie n e n d io d o s e fe c t a n esta conversin. A lg u n o s c irc u ito s co n d io d o s se usan para lim ita r o re c o rta r p o rcio n e s de una seal que estn a rriba o ab a jo de a lg n nivel de re fe re n cia . Estos c irc u ito s se lla m a n lim ita d o re s . O tros c irc u ito s co n d io d o , lla m a d o s s u je ta d o re s , desplazan la seal en tera en cie rto va lo r de CD. Los c irc u ito s lim ita d o re s y s u je ta d o re s son c irc u ito s de fo rm a c i n de on da en el sen tido de que tra n s fo rm a n la fo rm a de on da de la seal de en trad a en una fo rm a de on da de salida d ife re n te . Los d io d o s Zener, los cua le s operan en la re g i n de ru p tu ra en p o la riza ci n inversa, tie n e n a ventaja de qu e el vo lta je a tra v s del d io d o en esta re g i n es casi co n sta n te sobre una am p lia gam a de c o rrie n te s . Estos d io d o s se usan en c irc u ito s de re fe re n cia de vo lta je o en c irc u ito s 'e g u la d o re s de v o lta je . En este ca p tu lo e x a m in a m o s p rim e ro un c irc u ito re g u la d o r de vo lta je ideal y co n s id e ra m o s d e spus u n e fe c to no ideal en este tip o de c irc u ito . C ie rto s c irc u ito s de d io d o p u eden re alizar fu n c io n e s l g ica s d ig ita le s , ta le s co m o A N D y OR. Estos d o s c irc u ito s e sp e cfico s se de s c rib e n y analizan ta m b i n . Por ltim o , tra ta m o s los c irc u ito s de do s d io d o s esp eciales: el dio d o e m iso r de luz (LED) y el fo to d io d o . U n c irc u ito LED se e m p le a en e x h lb id o re s, ta le s co m o el in d ic a d o r n u m rico de siete s eg m entos. El c irc u ito de fo to d io d o se u tiliza para d e te c ta r la presencia o ausencia de luz y c o n v e rtir esta in fo rm a c i n en una seal e l c tric a .

2.1

C IR C U IT O S R E C T IF IC A D O R E S

La rectificacin es el proceso de convertir un voltaje alterno (CA) en uno que est limi tado a una polaridad. El diodo es til para esta funcin debido a sus caractersticas no :neales, esto es, la corriente existe para una polaridad de voltaje, pero es esencialmente cero para la polaridad opuesta. La rectificacin se clasifica como de media onda u onda completa, siendo la de media onda la ms simple. Los circuitos rectificadores se emplean en fuentes de alimen tacin (figura 2.1) utilizados para polarizar circuitos y sistemas electrnicos.

2.1.1

Rectificacin de m edia onda

La figura 2.2a muestra a un diodo individual en serie con una fuente de voltaje de CA y una resistencia. ste es el mismo circuito considerado en el ltimo captulo para una

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

Transformador

F ig u ra 2.1

D iagram a de blo q u e s de una fu e n te de a lim e n ta c i n

fuente de voltaje constante de CD. Emplearemos el enfoque lineal por secciones, para analizar este circuito, suponiendo que la resistencia directa del diodo rf = 0 cuando el diodo est encendido. La figura 2.2 b muestra las caractersticas de transferencia de voltaje, v0 contra v/; para el circuito. Para v, < 0, el diodo est polarizado inversamente, lo cual significa que la corriente es cero y el voltaje de salida es cero. Mientras v, < Vy, el diodo no estar conduciendo, por lo que el voltaje de salida seguir siendo cero. Cuando v,> Vy, el diodo se polariza directamente y se induce corriente en el circuito. En este caso podemos escri bir
V
id

(2.1a)

Vo = d R = Vi - V y *

(2.1 b)

Para v, > Vy, la pendiente de la curva de transferencia es l .

a)

b)

F ig u ra 2 .2 D iodo en serie con una fu e n te de p o te n c ia de CA: a) c irc u ito y b) ca ra cte rstica s de tra n s fe re n c ia de vo lta je

Si v, es una seal senoidal, como se muestra en la figura 2.3a, el voltaje de salida puede encontrarse utilizando la curva de transferencia de voltaje de la figura 2.2 b. Para v,< Vy, el voltaje de salida es cero; para V/> Vy, la salida est dada por la ecuacin (2.1 >), o v0 = v, Vy

y se muestra en la figura 2.3 b. Podemos observar que mientras la seal de entrada v, alterna la polaridad y tiene un valor promedio en el tiempo de cero, el voltaje de salida vn es unidireccional y tiene un valor promedio que no es cero. La seal de entrada es en consecuencia rectificada. Adems, puesto que el voltaje de salida aparece slo durante el ciclo positivo de la seal de entrada, el circuito recibe el nombre de rectificador de media onda.

i
Captulo 2 Circuitos con diodos 51

F ig u ra

2 .3

C irc u ito re c tific a d o r de m e dia o n d a :

a)

vo lta je de entrada sen o id a l, b ) vo lta je de

salida y c) v o lta je del dio d o

Cuando el diodo se apaga y no conduce, no ocurre cada de voltaje en la resistencia R; en consecuencia, el voltaje de la seal de entrada completa aparece en el diodo (figura 2.3c). Por lo tanto, el diodo debe ser capaz de manejar la corriente pico en el sentido directo y soportar el voltaje de polarizacin inversa ms grande sin llegar a la ruptura.

O b je tiv o : Calcule el voltaje de salida promedio a travs de una carga resistiva en un circuito rectificador de media onda. Suponga que la seal de entrada para el circuito de la figura 2.2 es v; = 160 sen [2tt60t] V. Suponga tambin un diodo ideal cuyo voltaje de encendido es Vy = 0. Puesto que los voltajes de la seal son mucho mayores que 0.6 V, dejando Vy = 0 es una buena aproximacin. E jem p lo 2.1 S o lu c i n : En este caso, cuando v,> 0, entonces v0 = v;, y cuando v,<0, entonces vo = 0, como se

indica en la figura 23b. El voltaje de salida promedio es ^ i v0 (p ro m ): TI2 H ^ sen 2tt dt = = 50.9 V 160 Jo T 1 7

donde T es el periodo de la seal de entrada de 60 Hz.


C o m e n ta rio : Slo la mitad positiva del voltaje de entrada senoidal aparece a la salida; por tanto,

el promedio de la seal de salida no es cero. Esto significa que se genera una componente de CD de voltaje a la salida del circuito rectificador.

El concepto de lnea de carga puede ayudar a visualizar la operacin del circuito rectificador de media onda. La figura 2.4a muestra la entrada de la onda senoidal. La figura 2 A b muestra las caractersticas lineales por secciones del diodo, junto con las lneas de carga a diferentes tiempos. Debido a que la resistencia R es una constante, la pendiente de las lneas de carga permanece constante. Sin embargo, puesto que la mag nitud del voltaje de la fuente de alimentacin vara con el tiempo, la magnitud de la lnea

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

F ig u ra 2 .4 tie m p o s

O pe racin del c irc u ito re c tific a d o r de m e dia on da: a) vo lta je de en trad a sen o id a l y

b ) c a ra cte rstica s lin e a le s p o r seccion es del d io d o y lnea de carga del c irc u ito en d istin to s

de carga tambin cambia con el tiempo. Cuando la lnea de carga cubre la caracterstica I - V del diodo, el voltaje de salida, el voltaje del diodo y la corriente del diodo pueden determinarse como una funcin del tiempo. ^ Si un capacitor se agrega en paralelo con la resistencia, para formar un circuito de filtrado sencillo (figura 2.5a), podemos empezar a transformar la salida senoidal de media onda en un voltaje de CD. La figura 2.5 b muestra la mitad positiva de la onda senoidal de salida, y la parte inicial del voltaje en el capacitor, suponiendo que ste se encuentra inicialmente descargado. Si suponemos que la resistencia directa del diodo es rf = 0, lo cual significa que la constante de tiempo rf C es cero, el voltaje en el capacitor sigue esta porcin inicial del voltaje de la sefial. Cuando el voltaje de la seal alcanza su pico y empieza a disminuir, el voltaje en el capacitor tambin empieza a decrecer, lo cual signi fica que el capacitor empieza a descargarse. La nica trayectoria de corriente dUscarga es a travs de la resistencia. Si la constante de tiempo RC es grande, el voltaje en el capacitor se descarga exponencialmente con el tiempo (figura 2.5c). Durante este inter valo de tiempo, el diodo est apagado. Un anlisis ms detallado de la respuesta del circuito cuando el voltaje de entrada est cerca de su valor pico, indica una diferencia entre la operacin real del circuito y la descripcin cualitativa. Si suponemos que el diodo se apaga inmediatamente cuando el voltaje de entrada empieza a disminuir a partir de su valor pico, entonces el voltaje de salida disminuir exponencialmente con el tiempo, como se indic previamente. Un dibujo exagerado de estos dos voltajes se muestra en la figura 2.5 d. El voltaje de salida disminuye a una tasa ms rpida que el voltaje de entrada, lo que quiere decir que en el tiempo /[, la diferencia entre v, y v0, esto es, el voltaje a travs del diodo, es mayor que Vy. Sin embargo, esta condicin no puede existir. En consecuencia, el diodo no se apaga de inmediato. Si la constante de tiempo RC es grande, hay una pequea diferencia entre el tiempo del voltaje pico de entrada y el tiempo en el que el diodo se apaga. En esta situacin, un anlisis por computadora puede brindar resultados ms precisos que un anlisis manual aproximado.

Captulo 2

Circuitos con diodos

/ \ / \ _________ \_________ /_________i Z T 3T 2 2


e)

Tiem po

F ig u ra 2 .5 C irc u ito co n filtro s im p le : a) re c tific a d o r de m e dia onda con un filtro RC, b) vo lta je de en trad a p o s itiv o y p o rc i n in ic ia l del vo lta je de salida, c) vo lta je de salida que resulta de la descarga del ca p a c ito r, d) vista am p lia d a de los vo lta je s de entrada y salida s u p o n ie n d o qu e la descarga del c a p a c ito r in icia en w f = ir l 2 y e) vo lta je s de en trad a y de salida de esta do e sta ble.

Durante el siguiente ciclo positivo del voltaje de entrada, hay un punto en el cual el voltaje de entrada es m ayor que el voltaje del capacitor y el diodo vuelve a conducir. Permanece as hasta que la entrada alcanza su valor mximo y el voltaje del capacitor recobra su valor por completo. Puesto que el capacitor elimina una gran parte de la seal senoidal filtrndola, reci be el nombre de capacitor de filtrado. El voltaje de salida de estado estable del filtro RC se muestra en la figura 2.5e.

2.1.2

Rectificacin de onda com pleta

El voltaje de salida final de un circuito rectificador de media onda, tal como el que acabamos de describir, puede contener un rizo inaceptable. Una gran parte de ese rizo puede eliminarse empleando un rectificador de onda completa. Un rectificador de onda completa transfiere energa a la seal de salida durante ambas mitades de la seal de entrada de la onda senoidal. Un circuito rectificador de onda completo se muestra en la figura 2.6a. La entrada al rectificador consta de un transformador de potencia, en el cual la entrada es normalmen te una seal de CA de 120 V (rms), 60 Hz, y las dos salidas provienen del devanado secundario con derivacin central que proporciona voltajes iguales vs, con las polarida des mostradas. Cuando el voltaje de lnea de entrada es positivo, ambos voltajes de la seal de salida vs son tam bin positivos.

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

a)

b)

V,

v| / vyt / / " \ //r \ f/Dt cn%j/D1 ene%J/Di encA,/'D2 e n e enc \ / j

vr vs _ |

/ t
2

y j N
c)

/37N.
2

ylT ^

f ^

F ig u ra 2 .6 R e ctifica d o r de on da co m p le ta : a) c irc u ito con tra n s fo rm a d o r co n d e riv a c i n cen tral, b) ca ra cte rstica s de tra n sfe re n cia de vo lta je y c) fo rm a s de on da de entrad a y de salida

El devanado primario conectado a la fuente de CA de 120 V tiene N t espiras y cada mitad del devanado secundario tiene N2 espiras. El valor del voltaje de salida vs es 120 (/Vj/A'i) volts (rms). La relacin de vueltas del transformador, designada comnmente por (N ]/N2), puede disearse para reducir el voltaje de lnea de entrada hasta un valor que producir un voltaje de salida de CD particular del rectificador. El transformador de potencia de entrada brinda tambin aislamiento elctrico entre el circuito de la lnea de alimentacin y los circuitos electrnicos que van a ser polariza dos por el circuito rectificador. Este aislamiento reduce el riesgo de choque elctrico. Durante el semiciclo positivo del voltaje de entrada, ambos voltajes de salida vvson positivos; por consiguiente, el diodo D, est polarizado directamente y conduciendo y D2 est polarizado inversamente y apagado. La corriente a travs de D, y la resistencia de salida producen un voltaje de salida positivo. Durante el semiciclo negativo, D, est apagado y D2 est polarizado directamente, o encendido, y la corriente a travs de la resistencia de salida produce tambin en este caso un voltaje de salida positivo. Si supo nemos que la resistencia directa del diodo rj de cada diodo es pequea y despreciable, obtenemos las caractersticas de transferencia de voltaje, v0 contra yv, ilustradas en la figura 2.6b. Para un voltaje de entrada senoidal podemos determinar el voltaje de salida contra el tiempo por medio de la curva de transferencia de voltaje que se muestra en la figura 2.6 b. Cuando yv> Vy, D, est encendido y el voltaje de salida es v0 = yv- Vy. Cuando vs es negativo, entonces para vs < - V y o - v s > Vy, D2 est encendido y el voltaje de salida es v0 = vs Vy. Las seales de voltaje de entrada y salida correspondientes se muestran en la figura 2.6c. Puesto que un voltaje de salida rectificado ocurre tanto durante el ciclo positivo como en el transcurso del negativo de la seal de entrada, este circuito es llama do rectificador de onda completa. Otro ejemplo de un circuito rectificador de onda completa se muestra en a figura 2.1a. Este circuito es un puente rectificador, el cual contina brindando aislamiento elctrico entre la lnea de alimentacin de CA de y la salida del rectificador, pero no requiere un devanado secundario con derivacin central. Sin embargo, utiliza cuatro diodos, en comparacin con slo dos en el circuito anterior. Durante la mitad positiva del ciclo del voltaje de entrada, vs es positivo, D } y D 2 estn polarizados directamente, D3 y D4 estn polarizados inversamente, y el voltaje de

Captulo 2

Circuitos con diodos

55

c)
F ig u ra 2 .7 Un re c tific a d o r p u e n te de on da co m p le ta : a) c irc u ito que m u estra la d ire c c i n de

la c o rrie n te en un c ic lo de entrad a po s itiv o , b) d ire c c i n de la co rrie n te en un ciclo de entrada ne g a tivo y c) fo rm a s de on da del vo lta je de entrad a y de salida

salida v0 se m uestra en la figura 2.1a. Durante el semiciclo negativo del voltaje de entra da, viSes negativo, y D . y DAestn polarizados directamente. La direccin de la corriente, mostrada en la figura 2.1b, produce la misma polaridad del voltaje de salida que antes. La figura 2.7c m uestra el voltaje senoidal vs y el voltaje de salida rectificado v0. Debido a que los dos diodos estn en serie en la trayectoria de conduccin, el voltaje va es igual a la magnitud de menos dos cadas de diodo.

I
a a a
L

Ejemplo 2.2 O bjetivo: Compare los voltajes y la relacin de vueltas del transformador en dos circuitos rectificadores de onda completa. Considere los circuitos rectificadores que se muestran en las figuras 2.6a y 2.1a. Suponga que el voltaje de entrada es de una fuente de CA de 120 V (rms), 60 Hz. El voltaje de salida pico deseado v es 9 V, y el voltaje de encendido del diodo se supone que ser Vy = 0.7 V. S o lu c i n : Para el circuito del transformador con derivacin central que se presenta en la figura 2.6a, un voltaje pico de v0(mx) = 9 V significa que el valor pico de vs es v5(mx) = * v0 (mx) + Vy = 9 + 0.7 = 9.7 V Para una seal senoidal, esto produce un valor rms de

s n 0 i-

Ps i-m s=

Je V2

6-86 V

La relacin de vueltas del primario con respecto a cada devanado secundario debe ser entonces

1
o o

^ - = ^ 1 7 .5 N 2 6.86 Para el circuito puente mostrado en la figura 2.1a, un voltaje pico de v0(mx) = 9 V significa que el valor pico de y* es_ v5(mx) = vo(mx) + 2Vy = 9 + 2(0.7) = 10.4 V 7 5 J tfo r ?

56

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

En el caso de una seal senoidal, esto produce un valor rms de V s.rm s _ 10.4 _ ~ , , / 7.35 V V2

La relacin de vueltas en este caso debe ser Ni 120.,. TT N2 = 7.35 = 16-3 Para el rectificador con derivacin central, el mximo voltaje de polarizacin inversa en un diodo es M m x) = 2vs(mx) - V, = 2(9.7) - 0.7 = 18.7 V En el caso del puente rectificador, el voltaje mximo de polarizacin inversa en el diodo es vR(mx) = vs(mx) - Vy = 10.4 - 0.7 = 9.7 V Comentario: Estos clculos demuestran las ventajas del puente rectificador con respecto al cir cuito que utiliza transformador con derivacin central. Primero, slo cerca de la mitad de vueltas se requieren para el devanado secundario en el puente rectificador. Esto es cierto debido a que slo la mitad del devanado secundario del transformador con derivacin central se utiliza en todo momento. Segundo, en el circuito puente, el voltaje pico de polarizacin inversa que cualquier diodo debe soportar sin ruptura es slo la mitad del correspondiente al circuito del transformador con derivacin central.

Debido a estas ventajas, el circuito puente rectificador se usa con mayor frecuencia que el circuito del transformador con derivacin central. Como con el rectificador de media onda, un capacitor puede conectarse en paralelo con R para brindar filtrado. La figura 2.8 muestra la respuesta de salida de un rectificador de onda completa con un filtro RC.

Figura 2.8 Respuesta de salida en estado estable de un rectificador de onda completa con un filtro RC

2.1.3

Voltaje de rizo y corriente de diodo

El efecto de rizo a la salida de un circuito rectificador con filtrado puede verse en la forma de onda de salida de la figura 2.8. El capacitor se carga hasta su valor de voltaje pico cuando la seal de entrada est en su valor pico. Cuando disminuye la entrada, el diodo se polariza inversamente y el capacitor se descarga a travs de la resistencia de salida R. La figura 2.9 muestra tambin el voltaje de salida filtrado de un rectificador de onda completa. La determinacin del voltaje de rizo es necesaria para el diseo de un circuito con una cantidad de rizo aceptable. En una buena aproximacin, el voltaje de salida, esto es, el voltaje a travs del capacitor o del circuito RC, puede escribirse como v0 (f) = = V Me - " RC (2.2)

donde t' es el tiempo que transcurre despus de que la salida ha alcanzado su valor pico y RC es la constante de tiempo del circuito.

Captulo 2

Circuitos con diodos

F ig u ra 2 .9

V o ltaje de salida de un re c tific a d o r de on da co m p le ta con un filtro RC

El voltaje de salida ms pequeo es

- f L = VMe - T,RC

(2.3)

donde T es el tiempo de descarga, como se indica en la figura. El voltaje de rizo Vr se define como la diferencia entre VMy V, y se determina por medio de

Vr = VM - V L = VM(l - e~r,RC)

(2.4)

Normalmente, deseamos que el tiempo de descarga T sea pequeo comparado con la constante de tiempo, o T < RC. Al desarrollar la exponencial en serie y conservar slo los trminos lineales de esa expansin, tenemos la aproximacin
e T"RCm - I -

(2.5)

El voltaje de rizo puede escribirse ahora como

(2 .6)
Puesto que el tiempo de descarga T depende de la constante de tiempo RC, la ecuacin (2.6) es difcil de resolver. Sin embargo, si el efecto de rizo es pequeo, enton ces como una aproximacin, podemos dejar T = Tp, de manera que (2.7) donde Tp es el tiempo entre valores pico del voltaje de salida. En un rectificador de onda completa, Tp es una de las mitades del periodo de la seal, por tanto, podemos relacionar Tp con la frecuencia de la seal, /= J 2 Tp El voltaje de rizo es entonces

Vr = 2 fR C

(2' 8)

En un rectificador de m edia onda, el tiempo Tp corresponde a un periodo completo (no a medio periodo) de la seal, de manera que el factor 2 no aparece en la ecuacin ( 2 .8 ). La ecuacin (2.8) puede emplearse para determinar el valor del capacitor requerido para un voltaje de rizo particular.

58

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

Ejemplo 2.3 O b je tiv o : Determine la capacitancia requerida para producir un voltaje de rizo particular. Considere un circuito rectificador de onda completa con una seal de entrada de 60 Hz y un voltaje pico de salida de VM= 10 V. Suponga que la resistencia de carga de salida es R = 10 kl y el voltaje de rizo va a estar limitado &Vr- 0.2 V.
S o lu c i n : De la ecuacin (2.8), es posible escribir

Vm 2fR V r

10 2(60)(10 x 103)(0.2)

? F M

C o m e n ta rio : Si el voltaje de rizo se quiere limitar aun valor ms pequeo, es necesario emplear un capacitor de filtrado ms grande.

El diodo en un circuito rectificador con filtrado conduce durante un breve intervalo At cerca del pico de la seal de entrada senoidal (figura 2.10a). La corriente del diodo suministra parte de la carga perdida por el capacitor durante el tiempo de descarga. Si ignoramos el voltaje de encendido del diodo, entonces
V M cos(coA)
=

VM Vr

(2.9)

a)

b)

F ig u ra 2 .1 0 S alida de un re c tific a d o r de on da c o m p le ta con un filtro RC a) tie m p o de c o n d u c c i n del d io d o y b ) c o rrie n te del dio d o

Si el voltaje de rizo es pequeo, entonces <w A t es pequeo. Por tanto, cos(o)Af) = 1 | (wAf)2 Combinando las ecuaciones (2.9) y (2.10), encontramos que coAt = 2Vr
(2 . 11 )

( 2 . 10 )

La carga suministrada al capacitor a travs del diodo es


Qsup
t 'c .p r o m A

(2.12a)

La carga perdida por el capacitor durante el tiempo de descarga es


e,os, =

cvr

(2.126)

Captulo 2

Circuitos con diodos

Para encontrar la corriente promedio del diodo /A prom durante la conduccin, iguala mos estas dos ecuaciones y se obtiene i = ^^ (2.13) '

,prom

donde tCprom es la corriente promedio a travs del capacitor durante el ciclo de carga. Por medio de la ecuacin (2.11), podemos escribir la ecuacin (2.13) como

CV
'c.prom - m |4 )

VV
tc.prom = 7 r ( ^ )

2Vr
m
" lD VS j ^ ( 2 ,1 5 ) C ~ \ lr \ C f >

Por ltimo, mediante la frecuencia obtenida de la ecuacin (2.8), se tiene

----1 1 R

La figura 2.11 m uestra el circuito equivalente de un rectificador de onda completa durante un semiciclo de la seal senoidal de entrada. Para este circuito, podemos escribir
iD = c + R
(2 -16)

F ig u ra 2.11

C ircu ito

eq u iva le n te de un re c tific a d o r de on da c o m p le ta d u ra n te el ciclo de carga del c a p a c ito r

En el caso de un voltaje de rizo pequeo, la corriente de carga iR es aproximadamente una constante e igual a r = V m / R Las corrientes promedio en el diodo y el capacitor durante el ciclo de carga estn rela cionadas por A ; -i. Yj ^ {-> i n\ 1-^*1 ')

f/t.p ro m

.prom

Al combinar las ecuaciones (2.17) y (2.15), la corriente promedio del diodo durante su tiempo de conduccin en un circuito rectificador de onda completa es

W o m = ^ ( l +

(2-18)

La forma de esta ecuacin puede ser un poco confusa. De la ecuacin (2.14), vemos que i promes cero si el voltaje de rizo es cero. Segn la ecuacin (2.17), la corriente promedio del diodo en este caso ideal es entonces VM/R y no se vuelve infinita como podra sugerir la ecuacin (2.18). Para determinar la corriente pico o mxima del diodo, utilizamos la ecuacin (2.16) y hacemos ic = C (d v 0 /d t) donde la derivada se evala en el punto donde el diodo se enciende primero. Encontra mos que

(2-19)
Durante el tiempo de conduccin del diodo, para voltajes de rizo pequeos, la co rriente a travs del capacitor es mucho ms grande que la corriente de carga. Cuando

60

Parte I

Dispositivos semiconductores y aplicaciones bsicas

comparamos las ecuaciones (2.18) y (2.19), vemos que


^D,mx ^D .p ro m

La corriente resultante del diodo se aproxima a una onda triangular, como se muestra en la figura 2.106. En el rectificador de onda completa, la corriente promedio del diodo sobre un perio do completo de la seal de entrada es el porcentaje del tiempo que el diodo conduce multiplicado por /Dprom , segn indica la ecuacin (2.18). El porcentaje del tiempo que un diodo conduce es
(2 .20 )

con base en la ecuacin (2.11). La corriente promedio del diodo sobre el periodo com pleto de la seal de entrada es entonces
(2 .21 )

/D(prom)

Ejemplo de diseo 2.4 Objetivo: Disee un rectificador de onda completa para cumplir especificaciones particulares. Un rectificador de onda completa se va a disear para producir un voltaje de salida pico de 12 V, entregar 120 mA a la carga y producir una salida con un rizo de no ms de 5 por ciento. Se dispone un voltaje de lnea de entrada de 120 V (rms) y 60 Hz. Solucin: Se utilizar un puente rectificador de onda completa, debido a las ventajas sealadas previamente. La resistencia de carga efectiva es

Suponiendo un voltaje de conduccin del diodo de 0.7 V, el valor pico de vs es vs(mx) = v0 (mx) + 2Vy = 12 + 2(0.7) = 13.4 V Para una seal senoidal, esto produce un valor de voltaje rms de 13 4 V5. = ^ ! = 9.48V La relacin de vueltas del transformador es entonces ^ =^ = 12.7 N 2 9.48 Para un rizo del 5 por ciento, el voltaje de rizo es Vr = (0.05) = (0.05)(12) = 0.6 V

De acuerdo con la ecuacin (2.8), vemos que el capacitor de filtrado requerido es ^ _ Vm 2fR Vr _____ 12 2(60)(100)(0.6) ., F M

La corriente pico del diodo, segn la ecuacin (2.19), es


*z>,mx [ 1 + 2 -V 2 (0 .6 )

io o

= 2.50 A

Captulo 2

Circuitos con diodos

61

y la corriente promedio del diodo sobre el periodo completo de la seal, segn la ecuacin (2.21), es 12 ' 2(0.6)/ _ >66 mA

Por ltimo, el voltaje de polarizacin inversa mximo que cada diodo debe soportar es v/(mx) = vs(mx) Vy = 13.4 - 0.7 = 12.7 V
C om entario: Las especificaciones mnimas para los diodos en este circuito rectificador de onda completa son: una corriente pico de 2.50 A, una corriente promedio de 66 mA y un voltaje de ruptura de polarizacin inversa de 12.7 V. Con el fin de alcanzar la especificacin de rizo deseada, el capacitor de filtrado requerido debe ser grande, ya que la resistencia de carga efectiva es pequea. Correlacin P S p ice : Los resultados de un anlisis con PSpice del diseo del circuito dado, con un parmetro del diodo de Is = 10-14 A, est dado en la figura 2.12, junto con el listado del archivo de entrada.
EJEMPLO 2.4 CIRCUITO RECTIFICADOR DE PUENTE VI 5 0 S I N (0 169.7V 60HZ) R 2 0 100 C 2 0 1667UF R1 1 550M DI 3 2DA D2 0 4DA D3 0 3DA D4 4 2DA RELACIN DE VUELTAS, N l / N 2 = S Q .RT .L1/L2 * N 1 /N2=12.7 SO L l / L 2 = 1 6 1 L1 1 0 10H L2 3 4 62.1MH K12 L1 L2 0.999 MODEL DA D (IS 10FA) .TRAN 0.2MS 100MS 66.7MS 0 .2MS .OPTION LIMPTS = 600 .PRINT TRAN V(3.4) V (2) .END
F ig u ra 2 .1 2

1 a 1 3

-10.0

_2

S alida PSpice para el e je m p lo 2 .4 . La curva p u ntea da es vs(f) y la curva co n tin u a es

v0(t)

Para este caso, se emplea un anlisis de transitorios. La curva punteada es el voltaje del secundario vx(), el cual tiene un valor pico de 13.4 V. La curva con trazo continuo es el voltaje de salida, para la cual el pico es 11.84 V, el cual es muy cercano al valor de diseo de 12 V. El voltaje de rizo es aproximadamente 0.55 V, el cual est dentro de la especificacin de diseo de 0.6 V.

2.1.4 Circuito doblador de voltaje Un circuito doblador de voltaje es muy similar al rectificador de onda completa, ex cepto en que los dos diodos se sustituyen por capacitores, y puede producir un voltaje aproximadamente igual al doble de la salida pico de un transformador (figura 2.13). La figura 2.14a muestra el circuito equivalente cuando la polaridad del voltaje en la parte alta del transformador es negativa; la figura 2.146 ilustra el circuito equivalente para la polaridad opuesta. En el circuito de la figura 2.14a, la resistencia directa del diodo D2 es pequea; por tanto, el capacitor C, se cargar hasta casi el valor pico de vs.