Transistores de efecto campo

TTTTTRANSISTORES DE EFECTO CAMPO

Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Simbolos grficos para un FET de canal N

Simbolos grficos para un FET de canal N

Disposicin de las polarizaciones para un FET de canal N. La Figura muestra un esquema que ayudar a comprender el funcionamiento de un FET. En este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N. La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unin P-N entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta. Si el material de la puerta est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estar formada por el canal. Si al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unin. Si Vds se hace positiva ( y Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre sumidero y fuente, que har que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en toda su longitud y, en consecuencia, en la parte ms prxima al sumidero, que es la ms polarizada, la capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal. Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi

lineal de la tensin, ya que la penetracin de la capa desierta hacia el interior del canal no vara substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que aumenta la tensin aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la conductancia de ste disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y llega un momento en que el canal se ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero que un incremento de Vds apenas tiene efecto sobre la corriente de sumidero. Entonces se dice que el transistor est trabajando en la zona de estriccin (pinch-off), nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior, llamndose tensin de estriccin Vp a la del punto de transicin entre el comportamiento casi lineal y el casi saturado.

Si a la puerta se le aplica una polarizacin negativa estacionaria, la capa desierta penetra ms en el interior que con la polarizacin nula; por tanto, para pasar a la zona de estriccin se necesita menos tensin de sumidero. El aumentar la polarizacin negativa permite tener la transicin a la zona de estriccin a corrientes de sumidero an inferiores.

El funcionamiento del FET se basa en la capacidad de control de la conductancia del canal por parte de la tensin de puerta y, como la unin puerta-canal se encuentra siempre polarizada inversamente, el FET es por esencia un elemento de alta impedancia de entrada.

PARAMETROS DEL FET La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds como de la puerta Vgs. Como la unin est polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir: Ig = 0 e Id = (Vds, Vgs)

En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeos incrementos de Vds y Vgs en esta forma

El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la pendiente de la curva. Que como en el grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande). El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la separacin vertical entre las caractersticas que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.