Lucrare de laborator Nr.

1 Tema: „Cercetarea etajelor aperiodice de amplificare în tensiune cu rezistenţa de legătură de tip pasivă şi activă (dinamică) Indicaţia metodică conţine: - partea teoretică în ce priveşte etajele aperiodice de amplificare în tensiune în care rezistenţa de legătură, numită rezistenţă colector în etajele cu tranzistori bipolari sau rezistenţă drenă Rdîn etajele echipate cu tranzistori cu efect de cîmp se înlocuieşte cu o rezistenţă activă (dinamică); - sarcina pentru acasă - exemplu de calcul pentru sarcină de acasă; - sarcina pentru cercetarea etajului în laborator; - întrebările pentru auto-control. În lucrare se studiază parametrii şi caracteristicele etajului de amplificare (EC), cum ar fi amplificarea în tensiune, impendanţa de intrare şi impedanţa de ieşire, semnalul de intrare maximal admisibil, caracteristica de amplitudine şi caracteristicile de amplitudine şi fază-frecvenţă, caracteristica tranzitorie. Studiul se petrece pentru două cazuri la condiţii egale: a) rezistenţa de legătură a etajului în curent alternativ ( Rc, Rd) este de caracter pasiv, adică prezintă o rezistenţă obişnuită ohmică pasivă; b) rezistenţa de legătură ( Rcd, Rdd) este ohmica activă, fiindcă prezintă de sine rezistenţa de ieşire în curent alternativ a unui tranzistor cercetat ce înlocuieşte rezistenţa Rc (sau Rd în etajele echipate cu tranzistori cu efect de cîmp) caracteristică etajelor obişnuite. Cu alte cuvinte cînd ca element amplificator se foloseşte tranzistorul bipolar, rezistenţa Rc se înlocuieşte cu un tranzistor de asemenea bipolar, iar cînd ca element amplificator se foloseşte tranzistorul cu efect de cîmp respectiv rezistenţa Rd se înlocuieşte cu un tranzistor de asemenea cu efect de cîmp. Locul de lucru pentru partea experimentală de laborator Fiecare loc de lucru în laborator este asigurat cu un calculator (sau stand în care este montat etajul studiat), în care este instalat programul MULTISIM. Numărul de studenţi în echipă poate fi nu mai mare de 2...3. ATENŢIE! În toate etajele amplificatoare studiate polarizarea tranzistorului se asigură prin fixarea tensiunii bază, adică prin intermediul divizorului de tensiune compus din rezistenţele R1 şi R2 calculate în sarcina pentru acasă. Regimul de funcţionare al tranzistorului – regimul clasa A. ATENŢIE! Măsurările în curent continuu se efectuează cu ajutorul voltmetrului de curent continuu, iar în curent alternativ cu ajutorul voltmetrului de curent alternativ. Valoarea rezistenţei de legătură RC (pentru schema colector comun respectiv rezistenţa RE ) şi rezistenţa sarcinii etajului RS se alege din tabelul 1 conform numărului locului de lucru, adică a numărului echipei.
Tabelul 1 Numărul echipei Valoa-

1

rea rezistenţei şi tipul tranzistorului Rc , кΩ

1 0.75 2.0 0.75

2 1.1 3.9 1.1

3 2.2 1.2 2.2

4 1.3 2.7 1.3

5 1.8 2.2 1.8

6 2.0 3.3 2.0

7 1.6 2.5 1.5

8 0.82 1.8 0.82

RS 1 , кΩ

RS 2 , кΩ

Scopul lucrării: studierea parametrilor şi a caracteristicelor etajului aperiodic rezistiv pentru două cazuri: 1) rezistenţa de legătură a etajului cu sarcina lui externă este de tip rezistivă-pasivă; 2) rezistenţa de legătură a etajului cu sarcina lui externă este de tip rezistivă-activă la aceleaşi condiţii de funcţionare a etajului. 1.1 Sarcina pentru acasă (se execută în procesul de pregătire către lucrarea de laborator) 1.1.1 De studiat profund teoria etajelor amplificatoare aperiodice de curent alternativ, folosind indicaţia metodică, literatura corespunzătoare şi conspectul de prelegeri. 1.1.2 De compus schemele electrice principale pentru cazurile: - cînd rezistenţa de legătură a etajului cu sarcina lui externă este de caracter rezistiv-pasivă; - cînd rezistenţa de legătură a etajului cu sarcina lui externă este de caracter rezistiv-activă, iar tranzistorul se polarizează prin fixarea tensiunii bază în conectarea EC. 1.1.3 Pentru tranzistorul amplificator indicat în sarcina de laborator se alege tranzistorul sarcină activă. Pentru ambii tranzistori (cel amplificator şi cel de sarcină activă) se alege punctul lor stativ de funcţionare şi prin calculul divizoarelor de polarizare a lor se asigură regimul de funcţionare ales. 1.1.4 Se calculă căderea de tensiune de curent continuu pe tranzistorul = amplificator pentru cazul cînd rezistenţa de legătură este pasivă RCp şi cînd rezistenţa de legătură este activă RCa (rezistenţa în curent continuu a tranzistorului ca element de legătură a etajului cu sarcina lui). 1.1.5 Se calculă frecvenţele limita (la nivelul de –3dB) a benzei de frecvenţe lucrătoare a etajului pentru ambele cazuri, folosind formulele de calcul date în actuala indicaţia metodică. Se calculă durata frontului anterior pentru cazul cînd la intrarea etajului acţionează o treaptă de tensiune. Valorile mărimilor necesare pentru calculul punctului 1.1.5 se aleg din tabelul 2.
Tabelul 2

2

Ω СS.0 0. anexate la sfîrşitul actualei indicaţii metodice. folosind elementele arătate în fig.0 50. Figura 1 Componentele electrice necesare pentru montarea etajului amplificator rezistiv în conectarea tranzistorului EC 3 .2 Partea experimentală a lucrării de laborator se efectuează în sala de calculatoare (sau în laborator la machete) 1.0 1. 1.0 1.0 1.1 1. 1.1.un semifabricat al dării de seamă cu conţinutul: partea teoretică al lucrării (calculele parametrilor etajului). Arătaţi schemele montate profesorului.0 50.7 În scris răspundeţi la întrebările de control.1 1.0 0. La etajul montat conectaţi aparatele de măsură şi generatorul de semnal măsurător.0 0 1. metoda de executare a părţii experimentale de lucrare (schema bloc şi schema electrică principială a etajului cu comutarea aparatelor măsurătoare şi a generatorului necesare pentru executarea fiecărui punct de sarcină). Măsurările se petrec numai pentru o singură sarcină externă RS 1 (sau Rs 2 ). iar fiecare student .1. nF Cb. µF КЕ fS tcreşt.1 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 1.Parametrii → Schema de conectare ↓ RS Rg.6 Fiecare echipă de studenţi obligatoriu pregăteşte un semifabricat al dării de seamă pentru lucrarea de laborator. tabelele în care se vor introduce datele obţinute experimental (măsurate).2.1 Cu ajutorul programului MULTISIM montaţi schemele electrice a etajelor amplificatoare pregătite acasă.0 0 1. În schemele montate nominalizaţi valorile electrocomponentelor în conformitate cu datele obţinute în calculele efectuate acasă pentru tranzistorul dat de sarcină.1 0.1 0.0 0.0 1000 1000 1000 50.1. fi RS1 EC RS2 50.

Lent se majorează semnalul de intrare. Valoarea maximală admisibilă de intrare Uin. corespunzătoare tranzistorului dat. 1.2 Alimentaţi etajele montate de la sursa de alimentare cu tensiunea nominală. iar la intrarea lui – un voltmetru de curent alternativ cu impedanţa internă mare. la care se respectă proporţionalitatea între semnalul de ieşire şi semnalul de intrare. care se ia din foaia lui de catalog. max Figura 2 Schema electrică principială de culegere a caracteristicii de amplitudine Tabelul 3 Eg 4 .1 V.max ce acţionează nemijlocit la intrarea tranzistorului pentru ce (figura 2): la intrarea etajului amplificator de la generator se aplică un semnal sinusoidal de frecvenţa 1 kHz. Uieş=φ(Uint). Caracteristica de amplitudine se culege pentru ambele tipuri de rezistenţă de legătură a etajului (pasivă şi activă).3 Determinaţi valoarea maximal admisibilă a semnalului cules nemijlocit de la ieşirea generatorului armonic E g şi a semnalului U in .max şi corespunzător a generatorului se consideră valoarea la care în semnalul de ieşire apar mici distorsiuni de amplitudine (din ambele părţi ale sinusoidei concomitent).4 Culegeţi caracteristica de amplitudine a etajului. la ieşirea etajului amplificator se conectează un oscilograf. Uieş = φ(Uin). Se construieşte caracteristica de amplitudine a etajului. Semnalul de intrare se măreşte până la valoarea. măsurând concomitent şi semnalul de ieşire şi semnalul de intrare a etajului.2. În procesul de culegere a caracteristicii de amplitudine a etajului amplificator semnalul de intrare se măreşte de la zero până la valoarea maximal admisibilă cu pasul 0.2. începînd cu Uin=0.2. Datele obţinute se introduc în tabelul 3. urmărind concomitent forma semnalului ce se elimenă pe sarcină externă Rs a etajului (semnalul) de ieşire. 1.1.

2. ϕ 0=ϕ (ω ) şi 5 .2. după ce se calculă impedanţa de intrare conform conform relaţiei: U2 Rint = ⋅ R3 (1) U1 − U 2 unde R3 = 1kΩ .forţa electromotoare a sursei de semnal (la ieşirea generatorului). Factorii de amplificare numiţi se calculă pentru frecvenţa de semnal 1 kHz şi valoarea semnalului de 0.5Uin. iar E g . iar factorul U in in ~ lui de transfer K EC ( RCp ) = U ies / E g şi K EC ( RCa ) = U ies / E g pentru RS = RRS 1 .5 După datele obţinute în punctul precedent se calculă amplificarea în ~ tensiune a etajului K 0 EC ( RCp ) = ~ U U ies ~ ies şi de asemenea K 0 EC ( RCa ) = U .7 Se montează schema arătată în figura 4.2. se măsoară valorile de semnal U1 şi U2. Se culeg caracteristicile de amplitudine – frecvenţă şi fază – frecvenţă şi [K0EC(ω ) şi KEC(ω ).max. Mărimea Uin este semnalul aplicat nemijlocit la jonţiunea bază – emiter a tranzistorului studiat. Figura 3 Schema electrică principială de măsurare a impedanţei de intrare a etajului amplificator 1.~ RCp ~ RCa Uint Uieş Eg Uint Uieş 1. 1.6 Se măsoară impedanţa de intrare a etajului. pentru ce se montează schema arătată în figura 3.

C1=100µ F 2) RS=RS1. la nivelul de -3dB.10 Culegeţi caracteristica tranzitorie şi măsuraţi durata frontului anterior şi scăderea polierului impulsului condiţionat de etaj.2. Rg=50Ω .2. Rg=50Ω . Pentru efectuarea acestui punct de asemenea se utilizează figura 4.. Rg=50Ω . Cb=20µ F. Datele obţinute le introduceţi în tabelul 4. nominalele elementelor căreia sunt: RS=RS1.. j .1V. nF fL.J 2 5 10 1. CS=5nF 6 .∞ ] pentru rezistenţele de legătură RCp şi RCa .S fL. şi de jos f l . CS=0. CS=5nF RS=RS2.2.8 Din caracteristicele pentru ambele cazuri se determină frecvenţele limită de sus f l . pentru ce în etajul cercetat generatorul de semnal armonic se înlocuieşte cu un generator de impuls cu durata impulsului de X ms şi amplitudinea 0. C1=100µ F. Cb=2µ F.s . rezistenţa de sarcină externă aleasă şi elementele schemei pentru două valori de Cb: 1) RS=RS1.9 Culegeţi dependenţa frecvenţei limită superioară în funcţie de capacitatea CS arătată în tabelul 4 pentru RS=RS1. Cb=2µ F. Cb=20µ F. CS=0. C1=100µ F. ω =0. Tabelul 4 CS. 1. CE=100µ F. CE=100µ F.ϕ E=ϕ (ω ). C1=100µ F Figura 4 Schema electrică principială de culegere a CAF şi CFF şi a caracteristicii de tranziţie 1.

V e Еg. 1.1 Datele obţinute prin calcul şi experimental se introduc în tabelul 5.3 Se analizează corectitudinea rezultatelor obţinute.max V e fS fi tcreşt c RS1 50 50 UC1 50 1000 1000 1000 UC2 UC3 RS2 UC1 UC2 UC3 50 50 50 50 50 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0.1 1 0.1 0. folosind imajinea impulsului culeasă de pe ecranul oscilografului.3.Forma impulsului se vizualizează pe ecranul oscilografului.1 0.1 0.2 Se compară datele obţinute teoretic şi experimental.1 0. V Rg. 1. care elemente influenţează caracteristicele de frecvenţă şi de ce.3. Durata frontului de impuls şi căderea polierului se calculă conform relaţiilor arătate în exemplu. Ω СS.3. Ω c Uin. Ω UC. Tabelul 5 c – valoarea calculată.max. nF C2.1 e c c e c e c e ce priveşte diferenţa lor şi se explică cauza.3 Prelucrarea rezultatelor obţinute în lucrare 1.1 1 0. 7 .4 Se explică în scris.1 0. folosind aparatul matematic. µF K0 KE Rint.1 0. 1. Ω e c e Rie. 1. e – valoarea experimentală. Se fac concluzii în ceea Parametrii → Schema de conectare ↓ EC RS.3.

explicaţii în ce priveşte dependenţa factorilor de amplificare K0EC(ω ). Schemele principale ale etajelor cercetate cu indicarea valorilor elemente calculate. Formularea scopului lucrării de laborator.s ca funcţie de capacitatea parazită a sarcinii CS şi impedanţa internă a sursei de semnal. relaţiile principale de calcul şi exemplu de calcul 3. Datele iniţiale. flim. +Eal RE3 RE3 +Eal R1 RCp Rb1 VT3 VT2 Cb Rb2 Uin C1 VT C1 VT1 RS CS RS R1 R2 a) b) Figura 5 Schemele electrice a etajelor amplificatoare EC echipate cu rezistenţa 8 .max. valorile K0EC(ω ).Conţinutul referatului 1 2 3 4 5 6 7 Foaia de titlu. oscilogramele cu forma impulsului de la intrarea şi ieşirea etajelor. Analiza rezultatelor obţinute: comentarii în ceea ce priveşte rezultatele obţinute experimental şi teoretic. KEC(ω ). Recomandaţii metodice. flim. Din partea experimentală a lucrării: schemele-bloc a machetelor de măsurare. formularea ipotezei în ceea ce priveşte cauza de necoincidenţă a rezultatelor obţinute experimental şi a celor obţinute teoretic. Rint. Sarcina de calcul (formulele de calcul. calculele teoretice şi executarea lucrării de laborator la frecvenţe medii În figura 5 sunt arătate schemele electrice ale etajelor amplificatoare EC echipate cu rezistenţa de legătură de tip rezistiv pasiv (a) şi de tip rezistiv activ (b). substituirea în ele a valorilor numerice şi rezultatele de calcul în formă de tabelă). tcreştere măsurate şi indicate în tabelul 4. Uin. valorile duratei de front anterior şi a distorsiunii de polier măsurate. KEC(ω ) şi a frecvenţei flim.1 Recomandaţii metodice în ceea ce priveşte pregătirea.s. caracteristicile de amplitudine de frecvenţă şi caracteristicile de tranziţie obţinute.j. Egmax.

valabilă pentru ambele tipuri de rezistenţă de legătura (pasivă şi activă).conductibilitatea (rezistenţa RC sau RCa) a rezistenţei de legătură a etajului cu sarcina lui externă (RS). .panta caracteristicii statice a tranzistorului în punctul static de funcţionare. g C = 1 R C . Figura 6 Schema-bloc de cercetare a etajelor amplificatoare În figura 7 este arătată schema echivalentă deplină (circuitele de intrare şi ieşire) a etajului (EC) cercetate pentru frecvenţe medii de semnal.2 Coeficientul de transfer în tensiune a etajului (figura 7): 9 g 0 = g ies + g C + g S = 1 R 0 .2.conductibilitatea (rezistenţa RS) sarcinii externe. g ies = 1 R ies .1 Coeficientul de amplificare în tensiune (figura 7): unde: S = h 21 e h 11 e K 0 EC =U ieş U int = −S g 0 = −S ⋅ R0 (2) . g S = 1 R S .2. gg U U ВЫХ g Г ieş Eg ЕГ ↑ gb б int U ВХ U SU SUint ВХ gg ВХ int g g ii gcК g gsН g Figura 7 Schema echivalentă deplină a etajului rezistiv aperiodic 3. 3. R0=Ries||RC||RS – rezistenţa echivalentă a circuitului de ieşire de etaj.conductibilitatea echivalentă a circuitului de ieşire a etajului.conductibilitatea de ieşire a tranzistorului (se deter-mină din caracteristica statică de ieşire a tranzistorului în punctul static de funcţionare).de legătură de tip rezistiv pasiv (a) şi de tip rezistiv activ (b) Schema-bloc a instalaţiei de cercetare a etajelor amplifica-toare numite este arătată în figura 6.

I d = 5.et = Ries RC ≈RC (6) fiindcă Ries >> RC. g int .ies (7) unde τ i . I d = 5.3 Rezistenţele R1 şi R2 se calculă în modul următor: R1 = ( Eal − U 0 B ) ( I 0 B + I d ) .int = K 0 EC Rint R0. VT g int = g b + g int . R2 = (U 0 B + U RE ) I d . VT = 1 R int 3. inf   f  2 (8) 10 .coeficientul de transfer al circuitului de intrare.conductibilitatea (rezistenţa Rint.VT) de intrare a tranzistorului. int ... VT = 1 R int .ies = Сb ⋅ ( R S + R C ) . VT . h 21e = β . VT R int ..10 I 0 B cînd RE = 0 R1 = [ Eal − (U 0 B + U RE ) ] ( I 0 B + I d ) .int (3) unde: K int = U int Е g = g g =1 R g gg g 0. g b = 1 R b . g 0. Factorul de distorsiuni de amplitudine – frecvenţă la frecvenţa limită de jos: Мj = 1  1 1+  ωτ  i . unde RC = RCp sau RC = RCa.int = 1 R 0..K EEC = U ies Е g = K 0 EC ⋅ K int = K 0 EC gg g 0. .conductibilitatea (rezistenţa Rg) sursei de semnal. int =g g + g b + g int . 2. 3. R 0.amplificarea tranzistorului în curent continuu la conectare lui EC.ies     2 = 1 f  1 +  l . Frecvenţa limită inferioară a etajului limitată de capacitatea Cb a circuitului de ieşire: f l .2.10 I 0 B cînd RE ≠ 0 3.conductibilitatea (rezistenţa Rb=R1‌||Rb) a circuitului de polarizare a bazei.conductibilitatea echivalentă (rezistenţa) a circuitului de intrare. VT = h 11 e = rb + re (1 + β) (4) (5) unde: rb – rezistenţa bază distribuită a tranzistorului.4 Rezistenţa de intrare a etajului amplificator: R int = R b R int . Relaţiile principale de calcul: 1. int = R int .2. R2 = U 0 B I d . re – rezistenţa diferenţială a joncţiunii emitor. VT ≈R int .2.5 Rezistenţa de ieşire a etajului amplificator: Rieş . inf = 1 2 πτi .

inf = 1 2π τi . g 0. int = g g + g int – suma conductibilităţilor a sursei de semnal gg şi a circuitului de intrare a tranzistorului gint. condiţionată de circuitul de intrare: f l . g 0 = g C + g S – g0 conductibilitatea echivalentă a sarcinii de tranzistor. int τ i . τ = СC (1 + S ⋅ rB ) (12) С τsarc . Timpul de creştere a frontului anterior a semnalului de ieşire de formă impuls: t crest. = 2. ies (11) unde τs . int = С1 ⋅ ( R g + R int ) 4. Distorsiunile de frecvenţă a circuitului de ieşire la frecvenţe înalte (caracteristica de frecvenţă normată): М s .ech = τ i . 9.ech (16) Exemple de calcul: a) Rezistenţa de legătură pasivă RC = RCp: 11 .ies = τ + τsarc . inf = 1 2 πτi . Constanta de timp a circuitului de intrare la frecvenţe înalte: (14) unde Cint – capacitatea dinamică de intrare a tranzistorului.ies ) 2 = 1  f 1 + f  l .ech τ s. = 0 – constanta de timp condiţionată de influenţa sarcinii.ech (10) unde τ i .ech = τs . sup     2 (13) 7. ies – constanta de timp echivalentă a etajului. Frecvenţa limită de sus generală a etajului este influenţată şi de circuitul de intrare şi de circuitul de ieşire a etajului amplificator: f l . constanta ce ţine cont de constantele circuitului de intrare şi circuitului de ieşire. 8.ies = 1 1 + ( ωτs . sup = 1 2π τs. 6. Frecvenţa limită de sus a circuitului de ieşire a etajului: f l . sup = 1 2 πτs . Frecvenţa limită de jos a etajului: f l . CC – capacitatea parazită colector. int – constanta de timp echivalentă generală a etajului amplificator. – constanta de timp a etajului în subgama de frecvenţă înaltă. τ – constanta de timp proprie a tranzistorului.3.2 τ s. Frecvenţa limită inferioară. int (9) unde τi . ies + τ i . 5. int + τs .int = С int g 0.int (15) 2 2 unde τ s.ies ⋅ τ i .

3+0.155. atunci se obţine: g i = R = 400 = 0.conductanţa (rezistenţa RC) sarcinii colector.3·10-3 (S). R2=10 kΩ. Astfel determinăm două cazuri: 1) Rb = 10kΩ şi 2) Rb = 300kΩ.5) · 10-3 =4. U int U ieş K 02 = −S ⋅ R 02 = −0. g 02 5. R S 2 = 0.5 ⋅ 10 −3 (S ) R S1 2.300kΩ.33 ⋅ 10 3 (S ) 3 R S 2 0.13 ⋅ 10 −3 S= h 21e 62 = = 0. g02 = g 0 = g i + g C + g S 2 = (2.75 ⋅ 10 g01 = g 0 = g i + g C + g S1 = (2. h21e=62 (h21e=25.5+1. U int 2. g 0 = g i + g C + g S = 1 R 0 .05 . Rezistenţele divizorului de polarizare bază se calculă conform relaţiilor date mai sus reieşind din tipul tranzistorului dat.33) · 10-3 =5. atunci se obţine: g C = g Cp = R = 0.3 ⋅10 (S). Determinăm gi când R i = h 11e = 400Ω .155 ⋅ 194.1.75 kΩ.155 ⋅ 232. R1=100 kΩ. RC = RCp=0. Însă în cazul dat.. admitem că Rb=R1|| R2=10. g b1 = 1 1 = = 10 −4 (S).100) conform formulei: K 0 = U ieş U int = − S g 0 = −S ⋅ R 0 (17) unde: S = h 21e h 11e . RS1=2kΩ..93 (Ω). U ieş K 01 = = −S ⋅ R 01 = −0. R0 = Ri ||RC||RS – rezistenţa circuitului de ieşire.. R 01 = R 02 1 1 = = 232. g i = 1 R ies . −3 gC când RC=0.3+1..75kΩ . RS2=0. g 01 4.conductanţa (rezistenţa RS) sarcinii.2 . g S = 1 R S .93 = −30.conductanţa (rezistenţa Ries) de ieşire a tranzistorului. C gS când R S1 = 2.0 ⋅ 10 3 1 1 = = 1.13·10-3 (S).3 ⋅ 10 −3 1 1 = = = 194.0025 i (S).conductanţa echivalentă a circuitului de ieşire. Calculăm amplificarea etajului în tensiune la frecvenţe medii pentru cazul când Ri=400 Ω. g C = 1 R C .panta tranzistorului în punctul static de funcţionare (conectare EC). R b 1 10 ⋅ 10 3 12 .75kΩ .75 ⋅103 = 1. h 11e 400 h21e = 25 ÷ 100. atunci se obţine: 1 1 1 1 g S1 = gS2 = 1 1 = = 0. de exemplu.5+1.56 = −36.0kΩ.75 kΩ.56 (Ω).

3.75kΩ .889 =26. În tabelul 6 sunt date relaţiile recomandate pentru calculul mărimilor K0. VT ≈ R int . 4.02+0.VT = 10-4 + 0.26 ⋅ 10 −2 = 0. VT = = = 0.885 = 31.885 .25 ⋅ 10 −2 (S).889 .2 · 0.25 · 10-2 =2. R b 2 3 ⋅ 10 5 1 1 g int . gint2 = gb1 + gint.25 · 10-2 = 0.02 = 0. VT . R ieş = R i R C ≈ R C = 0.33 ⋅ 10 −5 (S).02 + 10-4 +0.25 ⋅ 10 −2 KE1 = K01Kint1 = 36.25 · 10-2 = 2. Rint şi Rieş. VT = h 11e = 400Ω . R C << R i (19) Tabelul 6 № Parametrii 1 2 3 4 Conectarea tranzistorului EC R int R ies K 0 = U ieş U int rb + rE (1 + β) RC − S⋅ RC ⋅ RS RC + RS K E = U ieş E g К 0 ⋅ R int ( R int + R g ) 3. VT (18) R S << R i .9. În procesul de simplificare a fost ţinut cont de faptul că în schemele de conectare emitor comun şi bază comună practic oricând au loc relaţiile: R int ≈ R int .25 · 10-2. R int = R b R int .283 · 10-3. KE2 = K02Kint2 = 30. h 11e 400 gb2 = gint1 = gb1 + gint. 2.VT = 0. Rg 50 g0int1 = gg + gb1 + gint. 2.05 · 0. deoarece R b >> R int .VT = 0.8.33·10-5+0.6 · 10-3.3 Teoria problemei 13 . gg = 1 1 = = 0.1 1 = 0.25·10-2=2. K int 1 = K int 2 = gg g 0 int 1 gg g 0 int 2 0. R g = 50Ω .26 ·10-2. g0int2 = gg + gb2 + gint.33 · 10-5 + 0. KE.02 = 0.VT = 0. obţinute din schema echivalentă a tranzistorului bipolar la frecvenţe medii.02 .

Bejan). În figura 7 este arătată o variantă (cea mai simplă) de etaj cu sarcină dinamică. Acest efect nu se poate obţine în etajele obişnuite cu RC de rezistenţă pasivă. sursă).Etajele amplificatoare cu sarcină dinamică (sarcină activă) se obţin din schemele precăutate în partea întîi a cursului (N. deoarece majorarea lui RC conduce la pierderi mari a tensiunii de alimentare pe ea. prin înlocuirea în ele a rezistenţei de legătură RC (RE) cu o sursă de curent cu un tranzistor (BP sau EC) cu funcţionarea lui în regim activ normal. adică atunci cînd în calitate de sarcină a EA se utilizează rezistenţa de ieşire a tranzistorului VT2. Rolul sarcinii de legătură îl îndeplineşte rezistenţa de ieşire a tranzistorului în curent alternativ sau mai bine zis rezistenţa lui dinamică (diferenţială). drenă. EC. În etajul EC aceasta se poate asigura numai cînd VT2 este de structură opusă EA. Această rezistenţă depăşeşte mult rezistenţa de ieşire a tranzistorului în curent continuu (de cîteva ordine). care poate aduce la străpungerea tranzistorului şi de asemenea la micşorarea randamentului de etaj. cu conectarea lui la EA conform figurei 5. conectat în circuitul colector (emitor. Tranzistorul VT2 este de structură opusă (p-n-p) şi îndeplineşte funcţia de sarcină dinamică. Graţie acestei soluţii schemotehnice în etaj se obţine o rezistenţă de legătură în curent alternativ mare la pierderi mici pe ea a tensiunii de curent continuu (a sursei de alimentare). curenţii lor colector de curent continuu sunt egali i0C2=i0C1. Aşa conectare a tranzistoarelor VT1 şi VT2 este binevenită pentru stabilizarea regimului de alimentare în curent continuu pentru fiecare tranzistor. Majorarea RC în curent alternativ cere la rîndul său şi majorarea Eal. Din familia de caracterisitici curent-tensiune de ieşire statice (figura 9) se calculă rezistenţa de ieşire a tranzistorului VT2 în curent alternativ în PSF (punctul static de funcţionare) conform relaţiei: 14 . că sarcina dinamică cerută de valoare mare poate fi obţinută numai din partea de ieşire a tranzistorului VT2. unde VT1 este elementul activ de amplificare de structură n-p-n. Menţionăm. Figura 8 Etaj amplificator cu sarcină dinamică Deoarece ambii tranzistori în raport cu sursa de alimentare sunt conectaţi în serie.

tranzistorul VT2. ce îndeplineşte rolul de sarcină dinamică. Ultima majorează esenţial rezistenţa de ieşire a tranzistorului VT2 în curent alternativ. curentul căruia datorită rezistenţei infinit mari cu schimbarea parametrilor de circuit în care el intră nu se schimbă i=const. adică a unei surse de curent cu rezistenţa de ieşire ce tinde spre infinit. a) rezistorul RE2 introdus în circuitul emiter a tranzistorului VT2 asigură o reacţie negativă atît în curent continuu. În figura 10 sunt prezentate schemele electrice a două etaje cu sarcină dinamică mai perfecte după parametri: Figura 10 Schemele electrice ale etajelor amplificatoare cu sarcină dinamică În figura 10.R~ = R~ Ca iesVT 2 = ∆u ∆i C2 (1) C2 În curent continuu rezistenţa de ieşire a tranzistorului se determină de relaţia: R= iesVT 2 = u i 0C 2 << R ~ iesVT 2 = R~ Ca (2) 0C 2 Figura 9 Caracteristica curent-tensiune de ieşire Valoarea majorată a rezistenţei de ieşire în curent alternativ permite de a considera tranzistorul VT2 ca o sursă de curent stabil. 15 . Aşadar. cît şi în curent alternativ. este o sursă de curent stabil (SCS).

16 . În figura 12. ce reţine creş-terea curentului SCS. Schema din figura 10. adică i0CVT2= i0CVT1. Mecanismul de stabilizare a curentului continuu a SCS cu ajutorul diodei (sau a tranzistorului în conectare diodică) în divizorul de polarizare a SCS cînd temperatura mediului ambiant variază este: admitem că temperatura a crescut de la T 1=25oC pînă la T2=T1+ΔT. însăşi numărul de rezistori în ea este mai mic. la care curentul colector în PSF rămîne neschimbat. tensiunea ce cade pe diodă este tensiunea de polarizare şi se micşorează de la u0dVT1=u0BVT1 pînă la u0dVT2=u0BVT2. iar VT2 este sarcina dinamică de structură opusă. aşa cum este prezentat în figura 11 de mai jos: Figura 11 Acţiunea variaţiei temperaturii asupra caracteristicii curent-tensiune Dacă tensiunea de polarizare a SCS era fixată. ceea ce este mai comod din punct de vedere al confecţionării integrate. VT1 este un element amplificator cu canal de tip-n. Schema din figura 10. Însăşi datorită prezenţei diodei în divizorul de polarizare aceasta nu se întîmplă: datorită diodei.b) este analogică figurei 10.2) ce are drept scop majorarea rezistenţei dinamice şi a stabilităţii de funcţionare a SCS. Reacţia negativă de curent continuu stabilizează curentul continuu colector a tranzistorului VT şi corespunzător curentul continuu i0CVT1 în PSF a tranzistorului VT1. avînd o sarcină dinamică. că la creşterea temperaturii caracteristica curent-tensiune a diodei se deplasează în stînga şi deoarece curentul ce circulă prin diodă (curentul divizorului) depăşeşte mult curentul bază a SCS. cu creşterea temperaturii scade de la valoarea iniţială u0BVT1 pînă la valoarea u0BVT2.Datorită acestui fapt. RE2) este introdus tranzistorul VT3 în conectare diodică. atunci curentul constant a SCS o fi crescut de la valoarea iniţială i0CT1 pînă la valoarea i0CT2.a) se caracterizează printr-o stabilitate de funcţionare înaltă în curent continuu. practic. adică cu canal de tip-p. Plus la aceasta. care suplimentar stabilizează curenţii i0C2 şi i0C1. tensiunea de polarizare culeasă de pe diodă. Ultima conduce la deplasarea în stînga a caracteristicii current tensiune a SCS.a). sarcina dinamică ce prezintă o combinaţie din VT2 şi RE2 este cu mult mai mare decît în schema din figura 7. în divizorul de polarizare a SCS (VT2. deoarece prin ambii tranzistori circulă acelaşi curent. În figura 12 este arătată schema de tip cascad echipată cu tranzistori cu efect de cîmp cu sarcină dinamică pe tranzistorul VT2 cu reacţie negativă (Rsur. Aceasta se explică prin faptul.

Aşadar. cu RE2 în emiter şi cu 17 . îndeplinind funcţia de sarcină dinamică pentru VT1. În figura 13 este arătată schema unui repetor pe emiter cu sarcină dinamică. VT2 este o sursă de curent continuu. în calculul lor pot fi utilizate relaţiile deja cunoscute pentru analiza şi calculul etajelor rezistive EC şi SC.Figura 12 Etaj amplificator echipat cu tranzistori cu efect de cîmp cu sarcină dinamică Deoarece schemele din figurile 8. tranzistorul VT2 trebuie conectat numai la emitorul VT1 cu borna sa colector. că deoarece în figura 13 se cere o sarcină dinamică de rezistenţă mare. ce măreşte stabilitatea regimurilor de alimentare în curent continuu. care poate fi obţinută numai prin utilizarea rezistenţei de ieşire a tranzistorului. Figura 13 Schema repetorului pe emiter cu sarcină dinamică Menţionăm. 10 şi 12 au proprietăţi analogice cu etajele EC (SC). Un repetor cu sarcină dinamică mai perfect este repetorul cu schema din figura 14 în care cu scopul de a mări suplimentar rezistenţa dinamică a etajului şi a stabilităţii în curent continuu se utilizează o SCS mai complicată cu VT2. Ambele tranzistoare sunt unite în serie în raport cu sursa de alimentare. Aceasta este posibil numai folosind tranzistoare de aceeaşi structură. în care rezistenţele RC şi Rsursă se înlocuiesc cu rezistenţa de ieşire a SCS în curent alternativ. care concomitent stabilizează regimul lui de alimentare în curent continuu.

unde rezistenţa pasivă Rsur se înlocuieşte cu o SCS în baza tranzistorului cu efect de cîmp. Figura 14 Schema repetorului pe emiter cu sarcină dinamică ce utilitează tranzistorul VT3 în conectare diodică În mod identic se construiesc şi repetoarele pe sursă cu tranzistoare cu efect de cîmp (figura 15) cu sarcină dinamică. SCS îndeplineşte trei funcţii concomitent: − asigură polarizarea tranzistorului VT1. Pentru calculul indicelor lor pot fi utilizate toate relaţiile folosite în calculul RE şi RS cu sarcină ohmică pasivă. tranzistorul VT3 în conectare diodică şi RE3. − asigură stabilizarea regimului lui de lucru în curent continuu. Figura 15 Schema repetorului pe sursă cu sarcină dinamică În schema din figura 15. − asigură sarcina dinamică de rezistenţă mare. înlocuind rezistenţele RE şi RS cu rezistenţa de ieşire a SCS. 18 .un divizor dependent de temperatură compus din Rb3.

Схемотехника аналоговых электронных устройств”. tranzistorul SCS se uneşte la elementul amplificator numai cu colectorul (în cazul utilizării tranzistoarelor bipolare) sau sursa (în cazul utilizării tranzistoarelor cu efect de cîmp).. Bиноградов Павлов В. Dacă SCS este echipată cu tranzistor de tip p-n-p (sau cu canal de tip-p).Москва. Ногин В.1. 3.Н. SCS parcă asigură curent stabil elementului amplificator a etajului. 1. Москва: Радио и связь. Ногин В. subliniem problemele cheie a etajelor cu sarcină dinamică: SCS este o sursă reuşită şi foarte efectivă ce îmbunătăţeşte indicii etajelor amplificatoare. 4. 1997 – 320 стр.Н.Схемотехника аналоговых электронных устройств”.bornă” sau . Павлов В. atunci el trebuie să se unească cu borna pozitivă a sursei de alimentare..Н. 3. atunci el trebuie să se unească cu basul negativ (şina minus) a sursei de alimentare. Aşadar.. ÎNTREBĂRI DE CONTROL 19 . Deoarece SCS trebuie să dispună de o rezistenţă dinamică foarte mare. Din această cauză el se numeşte sursă de curent.. SCS parcă atrage curentul stabil de la elementul amplificator şi de aceea el în literatură se numeşte . Dacă SCS este echipată cu tranzistor de tip n-p-n (sau cu canal de tip-n). 2. 2. Aşadar... . BIBLIOGRAFIE Conspectul de prelegeri. În sfîrşit.priză de curent”.Н. 4. . 2001 – 320 стр.

. 2 Variante de tranzistoare pentru lucrări de laborator Nr.82 1..h21emax Cmax 1 2N2222A 2n npn 100.3 5 1..0 0.6 2.400 100 60 КТ375А 1 2N3904 National2 npn 250.75 2 1.2 4 1.75 2.12 .450 100 50 КТ3102А 4 2N4125 National3 pnp 50…150 50 20 КТ361Б 5 2N4126 National3 pnp 120…160 100 20 КТ3107Ж 6 2N5226 National3 pnp 30…600 200 15 КТ350А 7 2N5354 National3 pnp 67 300 15 КТ351А 8 2N5365 National3 pnp 67 300 15 КТ351А 1 2N5447 National3 pnp 60…300 200 20 КТ345Б 2 BC182BP Zetex npn 400 200 50 КТ3102Б 3 BC183BP Zetex npn 400 200 50 КТ3102Б 4 MPS3702 National3 pnp 60…300 100 30 КТ3107Д 5 MPS3703 National3 pnp 30…150 100 45 КТ3107А 6 MPS6516 National3 pnp 50…150 100 25 КТ3107Е 7 MPS6515 National2 npn 600…900 100 30 КТ3102Д 8 MPS6518 National3 pnp 150…300 100 20 КТ3107Ж 20 .2 1...0 3.5 1.2 1. кΩ RS 2 ...8 6 2.550 50 25 КТ373Б 4 2N3392 National2 npn 150..7502 100 30 КТ3102В 8 2N3903 National2 npn 250. (Nr..180 50 30 КТ373А 6 2N3702 National3 pnp 60... Tip tranzistor Structura 21emin I (mA) UCEmax (V) Analog Subg EWB 5.300 300 50 КТ3117А 2 2N3390 National2 npn 550.8 2..3 2. 1 Variante pentru lucrări de laborator Nr. calculat.300 200 20 КТ345Б 7 2N3711 National2 npn 600..150 50 35 КТ361Г 3 2N4123 National2 npn 250...1 3.500 100 30 КТ375Б 2 2N3905 National3 pnp 50....1 3 2.2 2.ANEXA 1 Tab. кΩ 1 0.. Library h ...300 50 30 КТ373А 5 2N3393 National2 npn 90.800 50 15 КТ373В 3 2N3391 National2 npn 300. echipei) Rc .0 7 1.7 1.3 2..8 0....82 Tab.9 1. кΩ RS 1 ..5 8 0.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful