You are on page 1of 14

TRANSISTOR BIPOLAR

A. Jenis Transistor Transistor  transfer (perubahan) dan resistor (tahanan), artinya perubahan nilai tahanan. Operasinya tergantung dua muatan minoritas (elektron) dan aliran mayoritas (hole) maka disebut transistor bipolar, bi (dua), polar (polaritas/muatan). Transistor mempunyai 3 elektroda/ kaki yaitu : - Basis (B)  pengendali elektron - Collector (C)  penguras elektron - Emitor (E)  sumber elektron Transistor pada dasarnya terbentuk dari pertemuan dua buah dioda anti seri, maka transistor bipolar disebut juga junction transistor. Sesuai susunan diodanya terdapat dua jenis transistor, yaitu : - NPN ( Negatif Posistif Negatif ) - PNP ( Positif Negatif Positif ) Kegunaan transistor dalam peralatan elektronik berfungsi sebagai rangkaian : 1. Rectifier 4. Modulator 2. Amplifier 5. Mixer 3. Osilator 6. Saklar, dll Susunan lapisan, susunan dioda, dan simbol transistor sesuai jenisnya sbb : JENIS NPN PNP

Susunan Lapisan

E

N

P B

N

C

E

P B

N

P

C

Susunan Dioda

E B C

C

E B E B

C

Simbol

B E

C

Gbr.1. Susunan Lapisan, Dioda, dan Simbol Dioda

66

kelompok TUP .BC 157 .BC 261 .BC 262 . VBE. yaitu : TUN (Transistor Universal NPN) TUP (Transistor Universal PNP) Spesifikasi minimum untuk TUN dan PNP.BC 253 . TUN TUP UCE max IC max fT Ptot hfe Type NPN PNP = = = = = UCEmax 20 V 20 V ICmax 100 mA 100 mA hfe min 100 100 Ptot max 100 mW 100 mW fT 100 MHz 100 MHz tegangan maksimum diperbolehkan antara kaki kolektor dengan emitor arus maksimum yang diperbolehkan melewati kaki kolektor.BC 107 . Data Tr Data Tr menunjukkan batas kemampuan transistor yang biasanya menunjukkan harga : VCE. IC.B.BC 415 .dll.BC 158 .BC 352 . kemampuan menanggapi frekuensi daya total faktor penguatan arus IC hfe = IB Contoh kelompok TUN : . Beberapa transistor dikelompokkan menurut batas kemampuannya.BC 209 .BC 407 .dll.BC 177 .BC 208 . Tipe dan Kontruksi 1. dan β (hfe). 67 .BC 237 .BC 109 .BC 108 .BC 384 . Vcc.

AC 188. BC 107.Huruf I (O). yaitu : 1. Posisi kaki : . tanpa pemanasan Huruf A = dioda C = transistor umum D = power transistor (arus besar) Y = untuk rectifier OA 70  komponen dioda OC 74  transistor Contoh : Transistor Philip . b. AD 338.Posisi kaki BCE dari bawah kiri searah jarum membentuk segitiga sama kaki. A 103.Huruf II. Arti Kode Tr. BC 109. Bentuk dan Posisi Kaki Pada umumnya transistor dengan susunan elektrodanya dikelompokkan dalam beberapa bentuk. Buatan Jepang Angka I : 1 = dioda 2 = transistor 3 = tetrode (transistor khusus) S = standar Jepang untuk bahan semikonduktor A = PNP untuk frekuensi tinggi B = PNP untuk frekuensi rendah C = NPN untuk frekuensi tinggi D = NPN untuk frekuensi rendah - Huruf I : Huruf II : Contoh : 2 SA 101. AC 187. Contoh : BA 171. a.Huruf I. . BF 325.2. 68 . D 200 c.FCS 9014 : produk Fairchild 2. A = dioda C = untuk frekuensi rendah – menengah D = transistor daya frekuensi rendah – menengah. Buatan Amerika Diberi kode buatan pabrik. contoh : .GE 2 N : produk General Elctric . Buatan Eropa . BD 303. BC 108. Bentuk Tabung/silinder. A = dari germanium B = dari silikon Huruf II. F = untuk frekuensi tinggi L = transistor daya frekuensi tinggi.

Dengan menggunakan multimeter Cara ini dilakukan dengan pemahaman bahwa transistor pada dasarnya tebentuk dari dua buah dioda seri. 2. 2N2219 2. Dioda dikerjakan hanya dua kondisi forward dan reverse. D 718. BC 548 3. BD 139. D 1885. C 2314 : Dilihat dari depan secara urut  B C E : C 1226. C 1126. Kotak Kecil Posisi kaki Contoh 5. Setengah Bulatan Kecil Posisi kaki : a.Kabel Hitam adalah positif baterai dari multimeter 69 . C 945 Dilihat dari depan secara urut  E B C BC 558. kaki kiri adalah B.B E C Posisi kaki yang dekat dengan tanda noktah/titik adalah kaki kolektor atau posisi kaki yang dekat dengan tanda paruh adalah kaki emitor. B 566. 2N 3055 C. Menentukan Kaki Transistor Dengan Multimeter Menentukan kaki transistor dapat dilakukan dengan dua cara. Melihat bentuk fisik Cara ini dilakukan berdasarkan ciri khusus pada bentuk fisik seperti keterangan di atas. Contoh : 2 SB 178. dan bodynya adalah C. A 683. Posisi Multimeter Pada Rx10Ώ . C 818 posisikan jarak kaki transistor tegak lurus dengan posisi lubang sekrup. a. TIP 31. BC 107. . Produk Jepang : Contoh : b. B 562 4. Kotak Besar Posisi kaki Contoh 6.Kabel Merah adalah negatif baterai dari multimeter. BD 140. Setengah Bulat Besar Posisi kaki : Dilihat dari depan secara urut  E C B Contoh : D 400. Produk Eropa : Contoh : Dilihat dari depan secara urut  E C B C 829. yang kanan E. Topi/Jengkol Posisi kaki : Contoh : : Dilihat dari depan secara urut  E C B : C 1162. yaitu : 1. jarak yang pendek di atas.

.2 Cara Kerja Transistor 70 .Untuk NPN * kedua kabel hubungkan pada masing-masing kaki Tr selain basis. Dioda On jika forward dan akan Off jika reverse. .REVERSE ( VCB >>> VBE ) Prinsip kerja transistor (contoh untuk NPN) perhatikan gambar di bawah : N P N IE E A elektron (minoritas) Aliran C IC B IB + ICBO VBE + VCB + - - Gbr. . 1. Menentukan Kaki Basis dan Jenis Transistor. Basis Colector jauh lebih besar dari Basis Emitor) VEB .bila meter tidak bergerak. kabel hitam adalah emitor Prinsip Kerja Transistor. * salah satu kabel tetap. balik posisi kabel. .bila meter bergerak maka : posisi kabel yang tetap adalah kaki basis. * sentuh basis dengan ujung jari : # jika tidak menyimpang.Hubungkan masing-masing kabel pada ketiga kaki Tr secara bergantian : * saat meter menyimpang. BASIS-EMITOR diberi tegangan FORWARD BASIS-COLECTOR diberi tegangan REVERSE (Teg. # saat menyimpang cukup jauh. maka kabel merah adalah emitor Untuk PNP * langkahnya sama dengan jenis NPN. kembalikan kabel tersebut pada posisi semula. Cara kerja transistor tidak lepas dari cara kerja dioda pada kondisi forward dan reverse.Bila yang tetap : * kabel merah ((-) baterai). kabel yang lain ke kaki yang lain. Cara Memberi Tegangan Kerja. jenis Tr  PNP * kabel hitam ((+) baterai). yang lain pindah ke kedua kaki bergantian. Menentukan Kaki CE (Meter posisi Rx10K) Kaki Basis dan jenis transistor telah diketahui terlebih dahulu. .FORWARD VCB .b. dipastikan salah satu kaki adalah Basis. jenis Tr  NPN d.

- - - - 2. Artinya perubahan VBE yang sangat kecil mengakibatkan perubahan IC yang sangat besar. yaitu arus bocor (ICBO) yang nilainya berbanding lurus dengan kenaikan suhu transistor. Dari kedua persitiwa di atas terlihat bahwa besar kecilnya elektron yang menuju ke lapisan kolektor tergantung aliran elektron dari lapisan emitor. maka dianggap IC ≈ IE Idealnya antara kaki CB tidak terjadi aliran arus (karena reverse). IC hFE = IB * Karena IB relatif kecil. Kita ketahui bahwa aliran elektron adalah kebalikan aliran arus listrik sehingga pengamatan arah aliran arus listrik (aliran mayoritas) adalah kebalikan dari aliran minoritas yang dapat disimpulkan sebagai berikut : * Arus Emitor (IE) merupakan gabungan dari arus kolektor (IC) dan sebagian kecil arus basis (IB). Pada loop CB. Sekalipun VCB tinggi. 71 . saat VBE forward aliran elektron dari lapisan N Emitor menuju lapisan P Basis. Untuk transistor jenis PNP cara kerjanya adalah kebalikan dari cara kerja di atas. Transistor yang bekerja seperti ini difungsikan sebagai saklar. sehingga : IE = IC + IB * Perubahan arus IB mengakibatkan perubahan arus IC. Peristiwa inilah yang digunakan sebagai dasar kerja amplifier (penguat). hanya sebagian kecil saja yang menuju ke kaki basis. tetapi pada kenyataannya terjadi kebocoran arus. akibatnya sebagian besar aliran elektron yang menuju basis justru tertarik ke lapisan N Kolektor. tetapi tidak akan pernah terjadi aliran arus listrik tanpa adanya tegangan VBE (sekalipun relatif sangat kecil). VCB terpasang reverse tetapi karena VCB jauh lebih tinggi dari VBE. Perbandingan antara IC dengan IB disebut Faktor Penguatan Arus (hFE) atau βdc. Kondisi Dasar Transistor Kondisi dasar transistor adalah transistor yang dikerjakan hanya pada kondisi cut off (IC = 0 atau OFF) atau saturasi (IC = maks atau ON).- Pada loop VBE. sehingga dapat disimpulkan : * lapisan Emitor berfungsi sebagai sumber elektron * lapisan Colector berfungsi sebagai penguras elektron * lapisan Basis sebagai pengemudi elektron.

Input Gbr. Input A A Output A = Penguatan Output A= …. kali. Mic Amplifier Speaker Gbr. oleh sebab itu diperkuat dahulu oleh rangkaian penguat (amplifier) agar sinyalnya cukup besar sehingga mampu menggerakkan membran speaker untuk diubah menjadi suara yang lebih keras. Penguatan Dinamis Yaitu analisa penguatan yang memperhitungkan sinyal inputnya (sinyal ac). Penguatan Penguat (amplifier) adalah peralatan elektronika yang berfungsi menguatkan sinyal input yang amplitudonya relatif kecil menjadi sinyal output yang amplitudonya lebih besar dengan frekuensi yang sama. Penguatan Tegangan ( AV ) b. Penguatan Arus ( AI ) c. Rangkaian semacam ini disebut juga rangkaian linier. ………. Penguatan Statis Yaitu analisa penguatan yang hanya memperhitungkan tegangan DC saja. Transistor Sebagai Penguat (Amplifier) 1.. tanpa sinyal input. yaitu : a. Simbol Penguat Berdasarkan input dan outputnya ada 3 jenis penguatan (A).4.E. yaitu : a. Penguatan Daya ( AP ) Vo AV = Vi AI = Ii Io AP = Pi Po Bila satuan penguatannya adalah dB (deci Bell) maka : Vo AV = 20 log Vi Dalam analisa penguatan terdapat 2 jenis penguatan. b. 3 Blok Diagram Audio Sistem Sederhana Sinyal dari microphone masih terlalu lemah. dB 72 .

Pada gambar di bawah menunjukkan grafik karakteristik kolektor dengan 3 posisi I B0. 2. Jika pada dioda terdapat 2 karakteristik forward dan reverse. Transistor yang dikerjakan sebagai penguat bekerja pada daerah garis beban DC antara cut off dan saturasi dan titik perpotongannya dengan garis IB disebut titik Q (quiescent point). Karakteristik Transistor Garis Beban DC adalah garis yang menghubungkan antara kondisi cut off (VCE = 0. IB1 IB0 daerah aktif titik cut off . Karakteristik Transistor.2. Rangkaian Dasar Penguat. dan IB2 yang digabung dengan garis beban DC. a. IB2 titik saturasi garis beban DC titik Q daerah breakdown IC daerah saturasi . Berdasarkan analisa penguatan statis kita bisa mengamati karakteristik Tr agar dapat menerapkannya dalam rangkaian sesuai kebutuhan. bukan sebagai penguat. IC = maks. IB1. daerah aktif adalah daerah yang paling ideal bila transistor akan digunakan sebagai penguat. atau titik tengah. Penguat Tunggal Emitor b. saat ini transistor berfungsi sebagai saklar ON. daerah breakdown daerah ini harus dihindari karena akan merusak transistor. antara lain karakteristik kolektor yang menghubungkan antara perubahan VCE terhadap IC. oleh sebab itu dusahakan agar VCE atau Vcc tidak melebihi batas VCE maks transistor tsb.5. atau titik stasioner. Ayunan amplitudo sinyal ac tidak boleh mendorong transistor pada titik cut off atau saturasinya. IB dijaga konstan atau IC = f (VCE). Rangkaian Dasar Penguat c. Penguat Tunggal Basis c. Common Colector 73 .6. IC = 0). VCE Gbr. atau titik kerja. Common Base b.) dan saturasi (VCE = VCC. Tiap IB terbagi 3 daerah yaitu : daerah saturasi pada nilai IB tertentu transistor akan jenuh. Common Emitor Gbr. IB konstan. pada transistor terdapat beberapa karakteristik yang menghubungkan antara arus (I) dan tegangan (V) transistor. Penguat Tunggal Kolektor (Common Emitor Amplifier) (Common Base Amplifier) (Common Colector Amplifier) a.

Fixed Bias Cara menggambar Garis Beban DC dan Titik Q o Tentukan titk cut off o Tentukan titik saturasi o Tentukan titk Q  VCE = VCC IC = 0  VCE ≈ 0. IC = VCC/RC. RB 74 . Berdasarkan rangkaiannya pada Common Emitor terdapat beberapa cara pemberian tegangan bias.input  Basis-Emitor .3V) Gbr. IB  IC = ½ IC max Vcc = VRB + VBE  VCE = ½ Vcc RB = VRB/IB = Vcc – VBE / IB (VBE = 0.RC. Contoh Common Emitor. Tr sebagai penguat dikerjakan pada daerah aktif (tidak boleh cut off atau saturasi) dengan cara diberi tegangan bias sbb : BE dibias maju (forward) CB dibias mundur (reverse) CE di beri tegangan di bawah tegangan patah (breakdown) Pemberian tegangan bias ini pada prinsipnya untuk menentukan titik Q di tengah garis beban DC.7. Common Emitor Amplifier.  VCE = VCC – I.7V atau 0. berarti kaki emitor dipakai bersama-sama baik untuk input maupun output. IC = VCC – VBE / RB IB = IC/hFE Untuk meniadakan efek ICBO  VBB >> ICBO . Base Bias (Fixed Bias / Bias Tetap) Sifat : peka terhadap perubahan βdc (hFE) untuk rangkaian saklar Vcc = VRC + VCE RC = VRC / IC = (Vcc – VCE ) / IC IC VBE VCE +Vcc VRB VRC = hFE .Common artinya dipakai bersama-sama. Penguat Common Emitor disebut juga penguat universal karena paling banyak digunakan untuk rangkaian penguat.Emitor dipakai bersama-sama baik untuk input maupun output. yaitu : a. F.output  Collector-Emitor . Pada penguat emitor bersama : .

Transistor Sebagai Saklar Transistor yang dikerjakan sebagai saklar hanya bekerja pada titik cutoff (kondisi OFF) atau titik saturasi (kondisi ON).2-Ge)) maka tidak cukup untuk membangkitkan arus kolektor (IC atau IRL = 0 A). Jika RL diganti sebuah lampu. Jika RL diganti sebuah lampu. Bila RB sangat besar maka IB kecil akibatnya VBE rendah. maka RL dialiri arus listrik (VRL = Vcc. Kondisi Cut Off /menyumbat (Saklar Off/terbuka). VCE = Vcc). dapat dipastikan lampu padam. maka RL tidak dialiri arus listrik (VRL = 0V.8. maka : o VCE = Vcc (tinggi) o VRL = 0V. IC = maks. Kesimpulan : jika VBE = (tinggi) atau VBE > tegangan kerja : o VCE = 0 V (rendah) o VRL = Vcc. dapat dipastikan lampu menyala. Arus IB akan menentukan apakah pada RC atau RL (R beban) terjadi arus atau tidak. 1. Perubahan dari cut off ke saturasi cukup dengan memberi tegangan rendah antara kaki BE sehingga dapat menghasilkan arus listrik yang cukup besar pada kaki kolektor. Transistor Sebagai Saklar RB berfungsi membatasi arus IB sehingga tidak merusak transistor. VCE = 0V). ( IC = Vcc / RC) o Lampu menyala 75 . Karena IC = 0A. Beban RL bisa diganti dengan lampu atau relay. Karena IC = maks. Kondisi Saturasi/Jenuh (Saklar ON/tertutup). hal ini seolah-olah kaki CE tertutup. jika kurang dari tegangan kerja transistor (0.6-Si atau 0. Hal ini seolah-olah kaki CE terputus/membuka. Bila RB relatif kecil maka IB cukup besar untuk membuat VBE menjadi lebih besar dari tegangan kerja transistor sehingga mengalirlah arus kolektor (I C atau IRL = maks). Kesimpulan : jika VBE = 0V (rendah). IC = 0A o Lampu padam 2. +Vcc IC VRB IB VBE VCE (Tr) VRC (RL) IRL Gbr.

hFE = 100.9.VBE = 12 V – 0. Mencari nilai RB.4 KΏ ≈ 12 KΏ Rangkaian dapat dikembangkan seperti gambar di bawah menjadi sebuah rangkaian untuk menyalakan lampu yang dikontrol oleh cahaya. beban lam-pu diganti dengan relay sebagai saklar untuk daya yang lebih besar. Berdasarkan data tsb. Untuk mencari nilai RB. + 12V + 12V AC 220V Gbr. carilah nilai IB dengan persamaan : IC IB = hFE VRB RB = IB  VRB = Vcc . Icmaks = 100mA.4 V / 1.4 V IB = 100mA/100 IB = 1mA - = 11. Yang perlu diperhatikan arus beban (IRL) tidak boleh mele-bihi batas maksimum arus transistor (ICmaks). RL atau beban tidak boleh menyebabkan arus mengalir melebihi IC maks (100mA) dan beban yang dikontrol bertegangan kerja di bawah 20V. Pengembangan Tr Sebagai Saklar 76 . Contoh : Tr BC 108. Sifat LDR jika terkena cahaya tahanannya mengecil.Pengembangan transistor sebagai saklar.6 V = 11. VR1 berfungsi mengatur kepekaan LDR. Desain Rangkaiannya : Perhatikan batas kemampuan Tr dengan melihat data book. UCE = 20V. Bila ingin dikembangkan untuk daya yang lebih besar. Transistor sebagai saklar menjadi dasar dari rangkaian digital yang hanya mengena kondisi 1 atau On dan 0 atau Off. Tahanan LDR akan mempengaruhi tegangan VBE.10-3 A = 11.

Self Bias c.Saturasi  IC = VCC / ( RC + RE ) x Vcc RTH = R1 // R2 Gbr.10. IR1≈IR2. shg sinyal output tidak cacat atau berubah bentuk.IB R1 = (Vcc – VB)/IR1. Voltage Devider Bias Sifat : kondisi kerjanya stabil untuk penguat-penguat keperluan umum (general purpose amplifier) output berlawanan fase dengan input + Vcc VR2 menjadi sumber tegangan thevenin bagi B Tr (VR2 = VTH) R2 VTH = R1 + R2 VE ≤ 10% Vcc.Cut off  VCE = VCC . IC=hFE. RC = (Vcc – Vc)/IC . Output . IR1≥10IB. VCE Input 77 .VBE RB =  RB = hFE.11. R2 = VB/IR2. Voltage Devider Bias Ayunan sinyal input diharapkan tidak melebihi batas cut off atau saturasi. IB titik Q . Vcc – VCE + Vcc VC RC = IC VCE . Self Bias (Bias Sendiri) Sifat : tanggapan frekuensi rendah agak peka terhadap perubahan βdc (hFE) untuk penguat sinyal lemah.b. IC .RC VCE IB Gbr.

pada loop kaki CB terjadi arus bocor ICBO yang berbanding lurus dengan kenaikan suhu Tr. dan ICBO naik. Persamaan-persamaan untuk analisa Penguatan Dinamis yaitu penguatan untuk sinyal ac tanpa komponen C paralel dengan RE: a. Karena VBE = VB-VRE.12. VBE turun. Karena pengaruh ICBO maka IB naik lagi. maka jika VRE naik. suhu ikut naik lagi. Dengan RE Jika IB naik karena pengaruh ICBO. kenaikan IC menyebabkan suhu Tr naik. a.Gbr. Jika I B naik karena terdapat ICBO.Av = RE tanda (-) artinya Vo berbeda fase 180o terhadap Vi Rc b. IC pun tidak jadi naik (stabil). IB naik. Hubungan Sinyal Input (ib) dengan Sinyal Output (ic) Stabilisasi RE Komponen RE berfungsi sebagai stabilisasi untuk memantapkan kerja transistor. b. penurunan VBE menyebabkan IB turun (tidak jadi naik). akibatnya ICBO naik. maka IC naik. IC pun naik lagi. maka IC juga naik. Penguatan Tegangan (-Av). dst secara berantai akibatnya Tr sangat panas dan pada akhirnya rusak. Penguatan Arus (hfe) iout Ai = iin b. Tanpa RE Seperti sudah disebutkan pada prinsip kerja Tr. Untuk common emitor Vo berlawanan fase trhadap Vi Vo -Av = Vi Jika dalam satuan dB : .Vo Av = 20 log Vi ……. Impedansi Output (Zo) Zo = Rc atau Ai = RE R2 78 . Impedansi Input (Zin) Vi Zi = iin c.dB atau . Kenaikan IC menyebabkan kenaikan pada tegangan RE (VRE).

tetapi di bawah ini adalah perbandingan antara ke tiga jenis penguat tersebut. sekitar 20 K Sedang. sekitar 2 K Besar. Tinggi Voltage Regulator Input Output Penguatan Arus (A I) Penguatan Tegangan (A V) Hubungan Vo dengan Vi Impedansi Input (Zi) Ώ Impedansi Output (Zo)Ώ Penerapan 79 . sekitar 10 K Kecil. sekitar 100 Besar. sekitar 100 Penguat Frek.Untuk common collector maupun common base tidak dibahas secara khusus. sekitar 1M Osilator Frek. Audio Buffer/Penyangga Penguat Frek. Tinggi EMITOR COLLECTOR Basis Basis Kolektor Emitor >1 >1 >1 ?1 Berlawanan Phasa Sephasa Sedang. BASIS Emitor Kolektor ?1 >1 Sephasa Kecil.