Transistores Bipolares

Electrónica I
Contenido
• Principios físicos
• Modelos de Ebers-Moll
• Estado activo directo
• Estados de corte y saturación
• La recta de carga
• Transistor pnp
• Análisis del punto Q
Contenido (continuación)
• Modelo estático SPICE del transistor
bipolar
• Efectos de segundo orden
• Modelo dinámico del transistor
• La conmutación del transistor
• Modelo dinámico SPICE del transistor
bipolar
• Fabricación de CI
Introducción
Los transistores de unión bipolares o bipolares tienen
aplicaciones en electrónica analógica y digital.
En electrónica analógica sus funciones son: amplificar
señales, generar tensiones de referencia, proporcionar energía,
proteger de sobrecalentamiento, etc.
En electrónica digital sus funciones son: interruptores
controlados por corriente, memorias digitales, etc.
Construcción
El transistor bipolar se construye como un emparedado de tres
regiones, tipo n, p, y n (o p, n, p). La base tipo p(n) se
empareda por el emisor y el colector tipo n(p).
n n p
Emisor Colector Base
E
B
C
E C
B
p p n
Emisor Colector Base
E
B
C
E C
B
Transistor npn Transistor pnp
Polarización en zona activa
La unión de emisor y base se polariza directamente y la
unión base colector se polariza inversamente.
n n p
Emisor Colector Base
E
B
C
E C
B
Potencial de los electrones
Corrientes en el transistor
continuación
i
E
– corriente total de emisor
i
B
– corriente total de base
i
C
– corriente total de colector
¸ i
E
– corriente de electrones inyectados a la base
o
t
(¸ i
E
) = o
F
i
E
– fraccíón de corriente de electrones
inyectados que llegan al colector.
o
t
– factor de transporte

Modelo de Ebers-Moll
DC DE F C
i i i ÷ =o
La corriente en el
colector es:
( ) ( ) 1 1 ÷ ÷ ÷ =
T BC T BE
V v
CS
V v
ES F C
e I e I i o
Sustituyendo
( ) ( ) 1 1 ÷ ÷ ÷ =
T BC T BE
V v
CS R
V v
ES E
e I e I i o
Similarmente para el emisor
o
R
i
DC
o
F
i
DE
i
DE
i
DC
i
E
i
B
i
C
Continuación
La ley de reciprocidad establece que:
Donde o
F
es la alfa directa y o
R
es la
alfa inversa.
Sustituyendo en las ecs. anteriores
S CS R ES F
I I I = =o o
( ) ( ) 1 1 ÷ ÷ ÷ =
T BC T BE
V v
R
S
V v
S C
e
I
e I i
o
( ) ( ) 1 1 ÷ ÷ ÷ =
T BC T BE
V v
S
V v
F
S
E
e I e
I
i
o
Estados del transistor
Polarización de las uniones
Estado Base emisor Base colector
Activo directo Directa (v
BE
> V
¸
) Inversa (v
BC
< V
¸
)
Transistor inversoInversa (v
BE
< V
¸
) Directa (v
BC
> V
¸
)
Cortado Inversa (v
BE
< V
¸
) Inversa (v
BC
< V
¸
)
Saturado Directa (v
BE
> V
¸
) Directa (v
BC
> V
¸
)
Los estados del transistor se pueden resumir en la
siguiente tabla:
continuación
Saturación
Activo inverso
Corte
Activo directo
0.5
0.5
0
0
v
BE
v
BC
Estado activo directo
En el amplificador de emisor común la fuente en el circuito de base
polariza directamente a la unión base-emisor y una fuente de mayor
tensión polariza inversamente la unión base-colector. El voltaje v
BE

deberá ser mayor que la tensión de codo y los términos que llevan v
BE

son mucho mayores que 1. La tensión v
BC
es mucho menor que la
tensión de codo, las exponenciales que incluyen v
BC
son mucho menores
que 1. Las ecuaciones de Ebers-Moll quedan como:
R
S
V v
S C
I
e I i
T BE
o
+ = S
V v
F
S
E
I e
I
i
T BE
+ =
o
El segundo término es mucho más pequeño que el primero, simplificando
llegamos a:
E F C
i i o =
Características de transferencia
De la ley de Kirchhoff de corrientes se llega a:
B
F
F
C
i i
o
o
÷
=
1
Definimos la beta directa del transistor como:
F
F
F
o
o
|
÷
=
1
Entonces:
B F C
i i β =
y
( )
B F E
i i 1 β + =
Es fácil mostrar que la ecuación de entrada en emisor común
es:
( )
T BE
V v
F F
S
B
e
I
i
1 +
=
| o
Configuración de base común
n p n
I
C
I
E
I
B
E

B

C

V
EE
V
CC
+
+
÷
÷
En la configuración de base común la terminal de la base del transistor es
común al circuito de entrada (izquierda) y al de salida (derecha).
Las fuentes se etiquetan repitiendo el nombre de la terminal a la cual están
conectadas.
Características de entrada en Base
común
Las características de entrada en
base común relacionan la corriente
de emisor I
E
, con el voltaje en la
unión de emisor-base V
BE
para
diferentes valores del voltaje de
salida V
CB
.
Para considerar que un transistor
está encendido supondremos V
BE
=
0.7V
Características de salida
Las características de salida en base común relacionan la corriente de colector
I
C
, con el voltaje en la unión de colector-base V
CB
para diferentes valores de la
corriente de entrada I
E
.
Aquí se distinguen las diferentes regiones de operación.
Corriente de saturación inversa I
CBO
Esta es la corriente que circula en la unión base-colector cuando la
corriente de emisor es igual a cero.
o del transistor
La alfa en corriente directa se define como
E
C
dc
I
I
= o
Los valores típicos son de 0.9 a 0.998.
Si el punto de operación se desplaza sobre la curva
característica, se define la alfa de corriente alterna
constante =
A
A
=
CB
V
E
C
ac
I
I
o
Los valores típicos de o
ac
son prácticamente iguales o
dc
.
El transistor como amplificador
Considere la siguiente red donde se ha omitido la polarización.
p n p
I
L
I
i
E

B

C

V
i
= 200 mV
R
i

20 Ohm
R

5k Ohm

V
L
+
÷
I
i
= 200mV/20 = 10 mA
I
L
= I
i
= 10 mA
V
L
= I
L
R
L
= (10mA)(5k Ohm) = 50 V
Ganancia de voltaje = V
L
/V
i
= 50V/200mV = 250
Configuración de emisor común
Configuración de emisor común para transistores npn y pnp.
Características de entrada en Emisor
común
Las características de entrada en
emisor común relacionan la corriente
de emisor I
E
, con el voltaje en la
unión de emisor-base V
BE
para
diferentes valores del voltaje de
salida V
CE
.
Características de salida
Las características de salida en emisor común relacionan la corriente de colector
I
C
, con el voltaje en la unión de colector-base V
CB
para diferentes valores de la
corriente de entrada I
b
.
Aquí se distinguen las diferentes regiones de operación.
Corrientes en emisor común
o o
o
÷
+
÷
=
1 1
CBO B
C
I I
I
De las corrientes del transistor tenemos:
I
C
= oI
E
+ I
CBO
Pero I
E
= I
C
+ I
B
, sustituyendo
,

I
C
= oI
C
+ oI
B
+ I
CBO
Reordenando
Definimos I
CEO
= I
CBO
/(1 – o)
con I
B
= 0
Ejemplo
| del transistor
B
C
dc
I
I
= |
Definimos la b de corriente continua como
Suele tener un valor de entre 50 a 400. En las hojas de datos
se especifica como h
FE
.
La | de ac se define como
constante =
A
A
=
CE
V
B
C
ac
I
I
|
En las hojas de datos se especifica como h
fe
.
Ejemplo
108
25
7 . 2
100
10
1
20 30
2 . 2 2 . 3
1 2
1 2
constante
= = =
= =
÷
÷
=
÷
÷
=
A
A
=
=
A
mA
I
I
A
mA
A A
mA mA
I I
I I
I
I
B
C
dc
B B
C C
V
B
C
ac
CE
µ
|
µ µ µ
|
Relación entre o y |
Dado que o = I
C
/I
E
y |= I
C
/I
B
y además I
E
= I
C
+ I
B
, es fácil
mostrar que
o
o
|
÷
=
1 |
|
o
+
=
1
I
E
= (| + 1)I
C

Además se puede mostrar que
I
CEO
= |I
CBO

I
C
= |I
B

Configuración de colector común
p
n
p
I
C
I
E
I
B
E

B

C

V
EE
V
BB
n
p
n
I
C
I
E
I
B
E

B

C

V
BB
V
EE
La impedancia de entrada de esta configuración es alta y la de
salida es baja.
Las características de salida son las mismas que las de emisor
común reemplazando I
C
por I
E
. Las características de entrada son
las mismas que para emisor común.
Límites de operación
En las hojas de datos de los
transistores se especifica la
corriente máxima del
colector y el voltaje máximo
entre emisor y colector V
CEO

o V
(CEO)
.
La potencia de disipación
máxima se defino por:
P
Cmax
= V
CE
I
C
Se debe cumplir:
I
CEO
< I
C
< I
Cmax
V
CEsat
< V
CE
< V
CEmax
I
CE
I
O
< P
Cmax

Hojas de datos
2N4123
Encapsulados
TO-92 TO-18 TO-39 TO-126 TO-220 TO-3
Construcción
Modelo de emisor común
i
B
v
BE
|
F
i
B
E
B C
Modelo de gran señal para el transistor en emisor común
Almacenamiento de cargas
minoritarias
La concentración de electrones
en la unión base-emisor es:
( )
T BE
V v
a
i
e
N
n
n
2
0 =
La pendiente de esta curva es
proporcional a la corriente de
colector
( )
T BE
V v
a
i
e
WN
n
W
n
pendiente
2
0
= =
Sustituyendo el factor exponencial
( )
C
s a
i
i
I WN
n
W
n
pendiente
2
0
= =
Emisor Base Colector
n(0)
n(x)
x
Estados de corte, saturación y
activo inverso
Zonas de funcionamiento para los cuatro estados del transistor sobre las
curvas características de salida.
V
CE,sat
= 0.2
i
C

v
CE
I
B1

I
B3

I
B2

I
B4

I
B
=0
I
B1

I
B3

I
B2

I
B4

Corte
Corte
Activo
directo
Activo
inverso
Saturación
Saturación
Corte y saturación
En la región de corte las corrientes del
transistor son cero. Si se considera los
efectos de la temperatura, habrá que
incluir la corriente inversa de saturación
entre colector y base.
B
C
E
B
C
E
I
CB0
En saturación el transistor no funciona como
fuente de corriente controlada por corriente.
Cuando está saturado |i
B
> i
C
.
C
E
B
0.7 V
0.2 V
i
B i
C
Funcionamiento activo inverso
En este caso la corriente de emisor es -|
R
i
B
, donde
R
R
R
o
o
|
÷
=
1
Por la ley de Kirchhoff
( )
B R B E C
i i i i 1 + ÷ = ÷ = |
Dado que |
R
+ 1 << |
F
, las curvas en el tercer cuadrante están menos
separadas que en las del primer cuadrante.
C
E B
V
BC
=
0.7 V
i
B
i
C
|
R
i
B
La recta de carga
La recta de carga es una ayuda para obtener las corrientes y tensiones de un
dispositivo cuando está descrito pos sus curvas características. Las variables de
entrada deben cumplir dos restricciones simultáneamente.
La característica de entrada i
B
y v
BE
debe estar en algún punto de la curva no
lineal. La otra condición es la impuesta por el circuito externo.
La recta de carga pasa por los puntos (v
BE
, i
B
)=(V
BB
, 0) y (v
BE
, i
B
)=(0, V
BB
/R
B
).
V
BB
v
BE
i
B
v
CE
i
C
V
CC
R
C
R
B
+
+
+
+
÷
÷
÷
÷
0
10
20
30
40
0.7
v
BE
( ) μA
B
i
50
R
B
V
BB
Punto Q
Recta de carga
de entrada
-1
Recta de carga (continuación)
0
10
20
30
40
0.5 0.7
( ) μA
B
i
50
V
BB
v
BE
V
CC
/R
C
0
1
2
3
4
i
C
(mA)
i
B
=10µA
V
CE
(voltios)
5
6
i
B
=20µA
i
B
=30µA
i
B
=40µA
i
B
=50µA
i
B
=60µA
1 2 3 4 5 6 7 8
Q
V
CC
Caida de
tensión en el
transistor
Caida de
tensión en la
resistencia
Recta de carga de saturación
V
BB
8V

v
BE
i
B
v
CE
i
C
120kO
+
+
+
+
÷
÷
÷
÷
+
÷
v
BC
2kO
Para el circuito de la figura:
k
V
i
BB
B
120
7 . 0 ÷
=
V
¸
0.7
v
BE
i
B
V
BB
1
2 3
Cuando la base alcanza 39µA, el
transistor alcanza la saturación.
k
V
A i
EOS BB
EOS B
120
7 . 0
39
,
,
÷
= = µ
0
1
2
3
4
i
C
(mA)
i
B
=10µA
v
CE

5
6
i
B
=20µA
i
B
=30µA
i
B
=40µA
i
B
=50µA
i
B
=60µA
1 2 3 4 5 6 7 8
Incremento
de V
BB
V
CE,sat
= 0.2
i
C

i
B
=I
B
v
CE

I
C

|I
B

Una medida cuantitativa de saturación es la beta forzada, definida para el
transistor saturado por
saturado transistor
B
C
forzada
i
i
= |
Almacenamiento de cargas en un
transistor saturado
Emisor Base Colector
n
n
Emisor Base Colector
n
Emisor Base Colector
Q
FA
Q
S
Q
T
= Q
FA
+ Q
S
La concentración de carga de minoritarios es
la superposición de concentraciones
individuales creadas por los incrementos
idénticos de v
BE
y v
BC
.
Inyección del colector
Inyección
del emisor
Límite del
valor de
saturación
Transistor pnp
B

C

p p
n
i
E
i
B
i
C
E

i
C
C

B

i
B
i
E
E

o
R
i
DC
o
F
i
DE
i
DE
i
DC
i
E
i
B
i
C
Configuración de emisor común
i
B
v
BE
i
E
i
C
v
CE
+
-
+
-
Entrada
Salida
Características de entrada y salida:
-0.7
v
BE
B
i
-0.2
i
C
(mA)
i
B
v
CE
Análisis del punto Q
|
F
i
B
B
C
E
i
B
v
BE
E
B C
Zona activa
Zona de corte
C
E
B
0.7 V
0.2 V
i
B i
C
Zona de saturación
Análisis del estado activo
Si el transistor trabaja en el modo activo directo, se puede sustituir
el transistor por su modelo activo de gran señal.

El análisis de beta infinita hace las siguientes suposiciones:
1. V
BE
= 0.7 para npn y –0.7 para pnp.
2. I
B
= 0
3. I
C
= I
E

Para niveles de corriente bajos es conveniente utilizar el SPICE.
Análisis cuando el estado es
desconocido
Análisis de circuitos con transistores de tres estados:
1. Hacer una suposición razonada acerca del estado del transistor
2. Hacer un diagrama del circuito, sustituir cada transistor por el modelo para
su supuesto estado.
3. Analizar el circuito resultante para obtener valores de prueba asociadas con
cada modelo.
4. Examinar las variables de prueba, buscando contradicciones al estado
supuesto.
5. Si hay una contradicción, hacer una nueva suposición basada en la
información calculada y volver al paso 2.
6. Cuando no haya contradicciones, las tensiones y corrientes calculadas a
partir del circuito equivalente se aproximan a las del circuito real.
Prueba de validez para los estados del transistor supuestos. Como el estado
activo inverso ocurre raramente, las pautas suponen primero funcionamiento en
el primer cuadrante donde el funcionamiento activo inverso no puede ocurrir.
Suponiendo funcionamiento activo directo:
1. Sustituir por el modelo activo directo
2. Si i
B
s 0, suponemos corte.
3. Si V
CE
s 0.2, suponemos saturación.
Suponiendo corte
1. Sustituir el modelo de corte
2. Si V
BE
> 0.5, suponer transistor activo
Suponiendo saturación
1. Sustituimos por el modelo de saturación
2. Si i
B
< 0, suponemos corte
3. Si i
C
> |
F
i
B
, suponemos funcionamiento activo directo
Modelo estático SPICE del
transistor bipolar
7
17
14
9
4
5
3
2
12
Q1 3 2 5 SAM
Q2 9 4 7 SAM
QOUT 12 17 14 JANE
.MODEL SAM NPN
.MODEL JANE PNP
Notación
Texto SPICE valores por defecto
|
F
BF 100
|
R
BR 1
I
S
IS 1.0E-16
Ejemplo 4.9
Q1 4 2 3 SUE
Q0 5 4 0 SUE
VCC 1 0 DC 5
RC 1 5 2K
RB 4 0 5K
RS 1 2 2K
.MODEL SUE NPN BF=20
+ BR=5 IS=2.0E-14
VS 3 0 DC 0
*.DC VS 0.2 3.6 0.17
.DC VS 0.5 0.7 0.01
*.OP
.PLOT DC V(5)
.END
2 kO
5V
2 kO
5 kO
Q
1
Q
0
5
3
2
1
4
V
S
Efectos de segundo orden
0.7
v
BE
i
B
T
1
T
2
> T
1
v
CE
T=T
1
i
C

i
B1
i
B2
i
B3
I
CE0
T= T
2
> T
1
i
C

i
B1
v
CE
i
B2
i
B3
I
CE0
La vida de los portadores minoritarios aumenta con la temperatura, por lo
tanto el valor de | aumenta alrededor de 7,000 ppm. La siguiente expresión
cuantifica esta variación
( ) ( )
XTB
R
R
T
T
T T
|
|
.
|

\
|
= | |
XTB es el exponente de temperatura.
Tensiones de ruptura
i
C

i
E
BV
CB0
v
CB
i
C

i
B
BV
CE0
v
CE
Modulación del ancho de base
w
1
V
CE1
C
B
E
w
2
V
CE2
>

V
CE1
C
B
E
Efecto Early
i
C
v
CE
i
B
-V
A
r
0
1

Una consecuencia de la variación en el ancho de la base es el cambio en
las características de salida de emisor común. V
A
es llamada tensión Early.
La corriente de colector pasa a ser
( )
B
A
CE
B CE C
i
V
v
i v f i
(
¸
(

¸

|
|
.
|

\
|
+ = = | 1 ,
El efecto Early aumenta la resistencia de salida del transistor r
0
definida por:
Q punto
0
1
CE
C
v
i
r c
c
=
Evaluando:
B
A
I
V r
β
1 1
0
=
Cuando V
CE
<< V
A
: B B
βI βI 1 ~
|
|
.
|

\
|
+ =
A
CE
C
V
V
I
De aquí:
C
A
I
V
r =
Realimentación interna
Una consecuencia de la modulación del ancho de base es la realimentación interna. Parte de
la tensión de salida se realimenta a través del transistor al circuito de entrada. Si
mantenemos la polarización base-emisor mientras aumentamos v
CE
de V
CE1
a V
CE2
. La
corriente de base se hace más pequeña porque la recombinación en la base se reduce y es
necesario sustituir menos huecos en la base, como se muestra en la figura.
Incremento de
v
CE
v
BE
i
B
0.7
v
CE
v
BE
i
B
0.7
Circuito equivalente, ¸
F
es el parámetro de
ganancia de tensión inversa. El efecto de
realimentación inversa de minimiza al dopar la
región de colector más pobremente que la de base.
B
¸
F
v
CE
0.7
i
B
v
CE
|
F
i
B
C
E
Resistencia de base y colector
Existen tres resistencias parásitas en el transistor:
r
b
– resistencia de difusión de base. De unos 100 Ohms.
r
c
– resistencia óhmica del colector. De 10 a 100 Ohms.
r
e
- resistencia óhmica del emisor. De 1 Ohms.
n p n p
r
e
r
b
r
c
Sustrato
C B E
S
Modelo estático SPICE con efectos
secundarios
i
DE
i
DC
i
B
i
C
i
E
r
b
r
e
r
c
o
F
i
DC
o
R
i
DC
r
oe
r
oc
Notación Valores
Texto SPICE por defecto
I
S
IS 1E-16 A
|
F
BF 100
|
R
BR 1
r
c
RC 0
r
b
RB 0
r
e
RE 0
V
A
VAF ·
- VAR ·
XTB XTB 0
Ejemplo de SPICE con efectos
secundarios
EJEMPLO 4.11
VCC 2 0 DC 3
RB 2 3 690K
RC 2 1 1.5K
Q1 1 3 0 NTRAN
.MODEL NTRAN NPN BF=300 VA=90 XTB=1.7
.TEMP -40 -20 0 27 50 70 100 125
.OP
.END
690kO
1.5kO
3V
1
2
3
VALORES OBTENIDOS CON SPICE

TEMPERATURA IC VBE VCE BETADC
-40.000 6.15E-04 8.54E-01 2.08E+00 1.98E+02
-20.000 7.15E-04 8.30E-01 1.93E+00 2.27E+02
0.000 8.21E-04 8.06E-01 1.77E+00 2.58E+02
27.000 9.76E-04 7.73E-01 1.54E+00 3.03E+02
50.000 1.12E-03 7.45E-01 1.32E+00 3.42E+02
70.000 1.25E-03 7.21E-01 1.13E+00 3.78E+02
100.000 1.46E-03 6.84E-01 8.10E-01 4.35E+02
125.000 1.65E-03 6.53E-01 5.29E-01 4.84E+02
Capacitancias parásitas
Las capacidades de deplexión y difusión están asociadas a la unión y limitan el funcionamiento a
alta frecuencia. En transistores en estado activo directo, la capacidad de deplexión es dominante
en la unión colector-base inversamente polarizada. En la unión base-emisor directamente
polarizada, son importantes tanto la capacidad de difusión como la de deplexión.
La capacidad de difusución de un transistor difiere de la de un diodo aislado debido a la estrecha
base. La distribución de minoritarios en la base es triangular. La carga almacenada es
( )
T BE
V v
a
i
FA
e
N
n nAW
W n qA Q
2
2
0
2
1
= =
Los electrones tardan un tiempo tT en atravezar la base (tiempo de tránsito ~ 1ns para npn y
~ 30ns para pnp). Como este flujo constituye la corriente de colector
s culombios
Q
I
T
FA
C
/
τ
=
Modelo dinámico del transistor
i
DE
i
DC
i
B
i
C
i
E
r
b
r
e
r
c
o
F
i
DC
o
R
i
DC
C
dif,C
C
dep,C
C
dif,E
C
dep,E
C
dif,S
S
Interruptor estático
R
L
R
B
v
CE
V
CC
i
B
i
C
v
C
+

÷

R
L
i
sw
V
CC
v
sw
+

÷

V
CC
v
sw
i
sw
L
CC
R
V
Interruptor cerrado =
cortocircuito
Interruptor abierto =
circuito abierto
V
CC
v
CE
i
C
V
CE,sat
L
CC
R
V
Cerrado
Abierto
i
B
=0
i
B
= I
B
Simulación del interruptor con
SPICE
EJEMPLO 4.12
VCC 4 0 DC 9
RL 4 1 800
RB 2 3 1K
QSW 1 3 0 SWITCH
.MODEL SWITCH NPN
+ BF=25
VC 2 0 PULSE(0 5 0.5E-6
+0 0 0.5E-6 2E-6)
.TRAN 0.02E-6 2E-6
.PLOT TRAN V(1)
.PROBE
.END
Conmutación dinámica
8.3 kO

V
CC
=9 V
i
B
i
C
v
C
2 kO

v
o
v
C
(t)
t
v
o
(t)
t
i
B
(t)
t
t
f
t
r
+9
+0.2
t
D
t
S
1mA
-i
R

T
+9
-5
8.3 kO

V
CC
=9 V
5V

2 kO

v
o
14V

+

÷

+

÷

5V

8.3 kO

V
CC
=9 V
2 kO

v
o
+

÷

+

÷

9V

i
B
V
CC
=9 V
2 kO

v
o
+

÷

9V

÷

+

8.3 kO

0.7

|i
B
1mA

Estado inicial
Estado de corte
transitorio
Estado transitorio
activo
V
CC
=9 V
v
o
+

÷

9V

÷

+

0.7

0.2

0.5 V

V
CC
=9 V
v
o
+

÷

5V

÷

+

0.7

0.2

V
CC
=9 V
0.5V

v
o
+

÷

+

÷

5V

Estado de saturación en
equilibrio
Estado de saturación
antes de que el
transistorse corte
Transistor cortado con
condensadores
preparados para
alcanzar el equilibrio
de corte.
Parámetros SPICE para el
modelo dinámico del transistor
Parámetros SPICE
Estáticos Dinámicos
Valor Valor
por defecto por defecto
IS 1E-16 A CJE 0
BF 100 VJE 0.785 V
BR 1 MJE 0.33
RC 0 CJC 0
RB 0 VJC 0.75 V
RE 0 MJC 0.33
VAF · CJS 0
VAR · VJS 0.75
XTB 0 MJS 0
TF 0
TR 0
Valores típicos en integrados

IS 1E-16 A CJE 1.0 pF
BF 200 VJE 0.7 V
BR 2 MJE 0.33
RC 200 O CJC 0.3 pF
RB 200 O VJC 0.55 V
RE 2 O MJC 0.5
VAF 130 V CJS 3 pF
VAR 50 V VJS 0.52
XTB 1.7 MJS 0.5 V
TF 0.35 ns
TR 10 ns
Ejemplo de compuerta lógica
1
2
3
4
5 6
7
8
v
I
2 kO
4 kO
4 kO
V
CC
=+4V
V
BB

V
M
=
0V
v
o

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