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CONTENIDOS:


CARACTERSTICAS DECREMENTAL INCREMENTAL CURVA CARACTERSTICA DEL MOSFET FORMULARIO INCREMENTAL Y DECREMENTAL RECTA CARGA MOSFET DE TIPO DECREMENTAL MOSFET TIPO INCREMENTAL RECTA DE CARGA PARA MOSFET DE TIPO INCREMENTO

CARACTERSTICAS FORMULARIOS MESFET DE ENRIQUECIMIENTO MESFET DE EMPOBRECIMIENTO

En el caso de los MOSFET el control


no se realiza por medio de la juntura, sino por medio de una capa aislante. Esta capa aislante consiste por lo general de un oxido de metal, del cual se deriva el nombre transistor de efecto de campo MOS (MetalOxide semiconductor) semiconductor de xido de metal). Tambin se utiliza la designacin FET de capa aislante, para la cual se indica entonces la abreviacin IFET o IGFET (del ingls: Insulated Gate = gate aislado).

Caractersticas del MOSFET

El nombre hace mencin a la estructura interna:


Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Es un dispositivo unipolar: la conduccin slo es


debida a un tipo de portador

Los ms usados son los MOSFET de canal N

La conduccin es debida a los electrones y, por


tanto, con mayor movilidad menores resistencias de canal en conduccin

MOSFET DE TIPO DECREMENTAL


Las similitudes que hay en la apariencia entre las curvas de transferencia de los JFET y de los MOSFET de tipo decremento permiten un anlisis similar de cada uno en el dominio de Dc. La diferencia ms importante entre los dos es el hecho de que el MOSFET de tipo decremento permite puntos de operacin con valores positivos de VGS y niveles de ID que excedan lDSS.

Para todas las configuraciones realizadas hasta ahora, el anlisis es el mismo si el JFET se reemplaza por un MOSFET de tipo decremento. La nica parte sin definir en el anlisis consiste en la forma de graficar la ecuacin de Shockley para los valores positivos de VGS. Para la mayora de las situaciones este rango necesario estar bien definido por los parmetros del MOSFET y por la recta de polarizacin que se obtuvo de la red.

MOSFET DE TIPO INCREMENTAL


Las caractersticas de transferencia del MOSFET
de tipo incremental son muy diferentes de las encontradas para el JFET y los MOSFET de tipo decremental, pero se obtiene una solucin grafica muy diferente a las encontradas en secciones precedentes. Lo primero y quiz ms importante es recordar que para el MOSFET de tipo incremental de canal-n, la corriente de drenaje es cero para aquellos niveles de voltaje compuerta-fuente, menores que el nivel del umbral VGS (Th), la corriente se define como

Ya que las hojas de especificaciones por lo general proporcionan el voltaje del umbral y un nivel de corriente de drenaje as como su nivel correspondiente de VGS (encendido) pueden definirse dos puntos de inmediato. Para completar la curva, primero tiene que determinar la constante k de la ecuacin a partir de los datos de las hojas de especificaciones mediante la sustitucin en la ecuacin y resolviendo para k de la siguiente manera:

Curva caracterstica del MOSFET

FORMULARIO

TRANSISTOR MOSFET INCREMENTAL Y DECREMENTAL

En el caso del anlisis de los transistores mosfet


decremento el anlisis es muy parecido al realizado con los transistores fet a continuacin un ejemplo

EJEMPLO

Para el anlisis de este circuito primero


encontramos la corriente y el valor de Vgs en el punto de trabajo; para ello realizamos la grfica del punto de trabajo del circuito y encontramos la respuesta grficamente

MOSFET DE TIPO DECREMENTO


EJEMPLO

RECTA DE CARGA DEL MOSFET TIPO DECREMENTO

MOSFET DE TIPO INCREMENTAL

Ahora analizaremos el caso de un transistor


mosfet incremental como se realiza sus clculos. Para comenzar su frmula de Id es.

De esta frmula despejamos el valor de K


con los datos del fabricante de este transistor; luego graficamos esta frmula y obtenemos la recta de carga en el cuadrante positivo por lo tanto el voltaje de Vgs ser positivo. Con los datos de Id calculamos el voltaje a travs de Rd y el voltaje entre Drain y Source.

RECTA DE CARGA PARA MOSFET DE TIPO INCREMENTO

El transistor de efecto campo basado en materiales compuestos


ms importante es el transistor de efecto campo metal semiconductor (MESFET). El MESFET de GaAs consta de un sustrato semiaislante o ligeramente dopado tipo P. Encima de este semiconductor hay otra capa conductora tipo N (canal) en la que se conectan tres terminales: los contactos hmicos de fuente y drenador y un contacto Schottky que acta como puerta. Se pueden encontrar tambin canales tipo P, sin embargo, son menos frecuentes puesto que la movilidad de los huecos es inferior a la de los electrones

Entre fuente y drenador se har circular una corriente mediante una tensin aplicada entre estos terminales. Esta corriente se puede controlar a su vez mediante una tensin aplicada al terminal de puerta. El control de esta corriente se realiza gracias a la variacin de la zona de carga espacial que aparece en el canal debajo de la puerta. Esta regin de vaciamiento aumenta con el incremento de la tensin aplicada entre puerta y fuente, VGS .

CARACTERISTICAS

Electrones con alta movilidad Dispositivos de alta velocidad Funcionamiento similar a


JFET Conduce con vGS=0 VT entre 3V y 0,3V

Puede ocurrir que al ir aumentando esta tensin se agote por


completo el canal, anulndose la corriente entre drenador y fuente para tensiones superiores. A la tensin VGS que agota el canal se le conoce con el nombre de tensin umbral Vt , al igual que se defini en el MOSFET. Para calcularla basta con igualar el espesor de la zona de carga espacial h, que viene dado por Despejando de esa igualdad la tensin umbral se obtiene

tambin la tensin de agotamiento o pinch-off, Vp, como

El espesor de la zona de carga espacial se


puede rescribir

La corriente de saturacin vendr dada por

En el caso lmite R__INF (dispositivo largo con pequea


tensin de estrangulamiento) la corriente de saturacin se reduce a la obtenida con el modelo de canal gradual. En el otro extremo, g<<1, se puede aproximar la corriente de saturacin por:

MESFET DE ENRIQUESIMIENTO

MESFET DE EMPOBRESIMIENTO