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UJT – TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO. O UJT.,é um dispositivo semicondutor que possui uma região de “resistência negativa” em sua característica e é pertencente à família dos tiristores. 1 – Construção Como o próprio nome indica, o UJT possui apenas uma junção PN. Sua construção é simples e consiste de uma barra de material semicondutor do tipo N (levemente dopada), onde foi incrustado um grão de material semicondutor do tipo P (altamente dopado). As bases B1 e B2 são ligadas na barra N e o emissor E, ao material tipo P, conforme a figura 1a,. A figura 1b mostra o circuito equivalente e a figura 1c o seu símbolo.

Figura 1

2 – Funcionamento O UJT é polarizado aplicando-se a tensão VBB entre o B2 (+) e B1 (-). A entrada de sinal é aplicada entre emissor (E) e a base 1 (B1). Quando VBB é aplicado entre B2 e B1, uma corrente flui através de RBB e com IE = 0, o UJT apresenta um comportamento resistivo entre as bases (RBB é normalmente um valor entre 4k7 e 9k1). A tensão aplicada entre as bases varia gradualmente de B1 até B2, apresentando o valor Vj na junção dos resistores. Portanto, sem tensão aplicada no emissor a junção PN está polarizada inversamente. A tensão de polarização reversa ou tensão da junção nesse caso dada por Vj, onde:

Vj VBB

RB1 RB1 ouVj VBB RB1 RB2 RBB
1

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as lacunas (ou buracos) do material do tipo P são injetadas na barra de silício. Contudo. IE aumenta com a tensão de emissor e a resistência torna-se novamente positiva. VV). deve ser aplicada ao emissor. Ver figura 2. Este acréscimo de portadores entre emissor e base B1 causa redução efetiva na resistência de RB1. Esse fenômeno dá ao UJT a característica de resistência negativa. devido à polarização de VBB através da barra de silício (canal N) os portadores positivos injetados migram em direção ao terminal negativo B1. Neste ponto temos: VE Vp Vj VD A junção PN torna-se diretamente polarizada e o UJT “dispara”. quase curto-circuitando os terminais E e B1. Isso se deve ao decréscimo da tensão através de RB1 durante essa fase. Este processo é regenerativo e RB1 decresce até um valor muito baixo. em relação à B1. Nessa região. De acordo com a teoria dos semicondutores. uma tensão positiva. a corrente IE aumenta pouco até que a tensão de pico (Vp) seja atingida. enquanto IE aumenta. que podemos observar na figura 2b entre a corrente de pico (Ip) e a corrente de vale (IV). À medida que RB1 diminui a polarização reversa Vj diminui e com isso aumenta efetivamente a polarização direta sobre o diodo D1. VE diminui contrariando a lei Ohm. a polarização reversa criada por Vj na junção PN e também a tensão de disparo do diodo (VD) devem ser sobrepujadas. para que haja corrente de emissor. Isso permite que mais buracos sejam injetados pelo emissor. 3 – Aplicações 2 Eletrônica Industrial – José Leonardo Filho . e aumentando-a gradualmente. Após o ponto de vale (IV. Figura 2 Aplicando-se uma tensão positiva no emissor.Instituto Educacional São João da Escócia Colégio Pelicano Curso Técnico de Eletrônica Para que o UJT funcione como um tansistor. no canal provocando decréscimo em RB1.

Instituto Educacional São João da Escócia Colégio Pelicano Curso Técnico de Eletrônica Os transistores unijunção não são usados como amplificadores. 3a – Osciladores de relaxação a unijunção Considere. o capacitor C1 inicialmente descarregado. enquanto o transistor Q1 permanecer sem disparo cortado. na figura 3. como mostra a figura 4a. transição de ondas dente de serra e quadradas. Figura 3 3 Eletrônica Industrial – José Leonardo Filho . C1 começa a se carregar como indicado na figura 4a. quando VE atinge a tensão de vale o UJT entra em corte e C1 começa novamente a ser carregado através de R1. Quando C1 atingir a tensão de pico (Vp) do UJT. Eles são usados principalmente em circuitos de tempo. Quando o circuito é ligado. Eles podem controlar retardos de tempo. pulsos temporizadores. O processo é repetitivo e temos a forma de onda dente de serra em VE. este dispara descarregando C1. Na descarga. como elementos sensores ou de disparo e em circuitos geradores de formas de ondas.

PUT – UJT PROGRAMÁVEL Vimos que o UJT é disparado quando VE atinge o valor Vp = VD + ηV BB. Assim. 4 Eletrônica Industrial – José Leonardo Filho . para disparar um SCR ou um TRIAC. O PUT permite ajustar essa tensão de disparo sem alterar o valor de VBB. Os níveis contínuos que aparecem nessas formas de onda são devido à corrente quiescentes entre B1 e B2. através de um divisor de tensão. graças à variação da relação intrínseca de equilíbrio (η). realizada externamente ao transistor.Instituto Educacional São João da Escócia Colégio Pelicano Curso Técnico de Eletrônica Figura 4 As formas de onda na base 1 e 2 estão mostradas nas figuras 4b e 4c e como vemos são picos de tensão que podem ser usados. fixando VBB o UJT dispara a uma tensão fixa de Vp. por exemplo.

Instituto Educacional São João da Escócia Colégio Pelicano Curso Técnico de Eletrônica 1 – Construção O PUT é formado por quatro camadas conforme figura 5a. R1 e R2. teremos Vj = ηVBB e então: Vp ηVBB VD A equação acima é igual aquela encontrada para o UJT. a tensão de pico provocara o disparo do transistor será VA = Vp = Vj + VD e chamando η = R1/(R1 + R2). Figura 5 2 – Funcionamento Como vemos na figura 5a os terminais G e K estão polarizados. Na mesma figura incluímos os resistores responsáveis pela programação. Portanto. Esses resistores equivalem aos resistores RB1 e RB2 do PUT. de acordo com a teoria de semicondutores os buracos do material P (ligado a A) são 5 Eletrônica Industrial – José Leonardo Filho . Assim. Contudo. O terminal K está ligado à massa e o terminal G na junção dos dois resistores. Na figura 5b mostramos a curva característica de emissor do PUT. VD. Vj VBB R1 R1 R2 Para que haja corrente pela junção PN superior é necessário que a tensão aplicada ao anodo supere Vj acrescido da tensão de disparo da junção PN. Dissemos acima que o PUT dispara quando VA = Vp. η nesse caso depende de parâmetros externos ao transistor. Isso ocorre porque.

Instituto Educacional São João da Escócia Colégio Pelicano Curso Técnico de Eletrônica injetados no material N. Devido às propriedades inerente á estrutura PNPN e a polaridade de VBB através de R1 e R2. 3 – Aplicações O PUT tem a mesma aplicação do UJT com a vantagem de possuir programação da tensão de disparo. Isto acarreta um aumento de portadores livres entre anodo e catodo e esse processo é regenerativo pois esses elétrons livres diminuem a resistência entre a porta e catodo e em consequência diminuem Vj aumentando a polarização direta entre A e G e provocando aumento de corrente. A resistência entre porta e catodo ao final do processo chega a aproximadamente 10 Ω. C1 começa a se carregar através de R4 até atingir Vp. Figura 6 Supondo C1 descarregado. levando-se em conta o paralelismo com R1. 6 Eletrônica Industrial – José Leonardo Filho . 3a – Oscilador de relaxação usando PUT O funcionamento do circuito da figura 6 é semelhante ao da figura 3. Esse fenômeno da ao anodo uma característica de “resistência negativa” conforme ilustrado na figura 5b. Se IA tornar-se menor que IV (corrente de vale) o PUT será cortado. As formas de onda podem ser vistas na figura 7. disparando o PUT que descarrega C1 e assim repetindo-se o ciclo enquanto o circuito estiver ligado. quando se aplica a tensão ao circuito. os portadores positivos migram em direção ao catodo (mais negativo).

aumentado a constante de tempo de carga. se R1 for aumentado.Instituto Educacional São João da Escócia Colégio Pelicano Curso Técnico de Eletrônica Figura 7 No caso do PUT. Portanto. Por exemplo. diminuindo a frequência de oscilação do circuito. O tempo T necessário para atingir o potencial de disparo Vp é dado aproximadamente por: T RC 7 Eletrônica Industrial – José Leonardo Filho . A frequência de oscilação pode ser ajustada através de R4. alterando-se R1 ou R2 estaremos alterando a tensão de disparo do transistor. onde η = R1/(R1+R2). com R2 constante. Alterando R1 e R2 podemos alterar a tensão de disparo do put. Vp = ηVBB + VD. Vp será maior.

Quando o PUT. por exemplo. 8 Eletrônica Industrial – José Leonardo Filho .Instituto Educacional São João da Escócia Colégio Pelicano Curso Técnico de Eletrônica CONCLUSÃO O PUT. dispara. A diferença é que o PUT é mais rápido e possui um ponto de disparo mais estável. um grande pulso de corrente é produzido no circuito devido ao decréscimo rápido da resistência entre o anodo e catodo. Os picos de tensão que se desenvolvem no resistor de catodo podem ser usados como disparos para outros circuitos. além de ser programável. como o UJT são dispositivos de chaveamento. Um PUT pode ser usado em qualquer aplicação onde se possa usar o UJT.

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