APPLICATION NOTE p09AB06

Dimensionnement d’un hacheur survolteur Année 2009 – 2010

Client : Christophe PASQUIER Tuteur technique : Christophe PASQUIER Tuteur industriel : Xavier CLAVAUD Auteur : Kamel EL MELOUANI

Application Note Kamel EL MELOUANI Page 2 GE 3 2009 .2010 .

...... 13 DRIVER .................................................. 2........ CONCLUSION ............................................3...............................2010 ................ 17 3........................... 15 TEST DES SIGNAUX .................................................... 3............................................. 12 2......2...................................................... 2....... 2..................................................................................................................................................... 2.................................................................................................................................................................................................. Erreur ! Signet non défini.............................................................1.......................................................................................................................... TESTS DE LA CARTE HACHEUR SURVOLTEUR ........3.........................3........................ 13 2......... 3..............................1........3....2...........................................................1......................................................................................................................................................................................................................... 2........................................... 2................ 16 TEST DE LA TENSION DIODE................. 11 CALCUL DU NOMBRE DE TOURS......................................................................2......................... 2................2.................................................2................................................................................ 16 TEST DE LA TENSION DRAIN-SOURCE ............................................................. DIMENSIONNEMENT DU CONDENSATEUR DE SORTIE .............. 17 TEST DU COURANT DANS L’INDUCTANCE ................ 10 CHOIX DU TORE ....................................1..............................2.3................................................................................................................................... 12 CHOIX DE LA DIODE.................. 2............................. 12 CHOIX DU CONDENSATEUR .................................................................................... 13 OPTOCOUPLEUR............................................................................ 10 2.................................................SOMMAIRE INTRODUCTION ..................................................................................... TEST DES TENSIONS D’ENTREE ET DE SORTIE ....................... 10 CALCUL DE L’INDUCTANCE. 18 ANNEXES .........................2..2............ DIMENSIONNEMENT DE L’INDUCTANCE.............. 3..............................................2.................................. 3...3........4....... 11 2......2......... 3......................................2.1.... 12 CALCUL DE LA CAPACITE ...................... CHOIX DES SEMI-CONDUCTEURS ...3..............................4.......................2......................................................1...... 5 1...........1............. LE HACHEUR SURVOLTEUR ............................................ 16 TEST DE LA COMMANDE ... 6 DIMENSIONNEMENT DES COMPOSANTS ................................................................. Application Note Kamel EL MELOUANI Page 3 GE 3 2009 .................................................... 2...1.............. 15 3.................................... 12 CHOIX DU MOSFET ....3............................1.

...... Figure 7 : Extrait de la norme UTE C93-703 (2) ....................................... 15 Figure 4 : Copie écran visualisation des tensions à l’oscilloscope .....TABLE DES MATIERES Figure 1 : Schéma du hacheur survolteur.................... 16 Figure 6 : Extrait de la norme UTE C93-703 (1) .................................................................................................................................................................................................. Erreur ! Signet non défini.................................................................. 16 Figure 5 : Copie écran visualisation des tensions à l’oscilloscope ........................................................ Erreur ! Signet non défini......................................... Figure 8 : Schéma de routage .................................................................... Application Note Kamel EL MELOUANI Page 4 GE 3 2009 ............................................ 6 Figure 2 : Phases de fonctionnement du hacheur survolteur ................................................ Erreur ! Signet non défini..................................... 7 Figure 3 : Prototype réalisé ...................................2010 .....................................................................

LAboratoire des Sciences et Matériaux pour l’Electronique et l’Automatique. Pour cela nous devons réaliser une étude de faisabilité en quatrième année (48 heures). Notre client est M.E.T). Laffont et Mr. en proposant une solution au client lors d'une revue d'appel d'offre. Application Note Kamel EL MELOUANI Page 5 GE 3 2009 .) au département GE de Polytech’Clermont-Ferrand qui est rattaché au LASMEA.2010 . Elle décrit la méthode à suivre pour dimensionner et mettre en œuvre un hacheur survolteur. Mr.U. Nous avons pour nous aider et nous encadrer Mr. Pasquier. Ce projet s’étale sur nos deux dernières années de formation. Afin de bien nous rendre compte des résultats et pour une raison démonstrative. Pasquier. ingénieur chargé de projet.S. Cette « application note » décrite dans ce rapport. James. afin de piloter des interrupteurs de puissance et de valider les recherches menées par le LASMEA. qui s’intitule « Générateur de commande PWM pseudo-aléatoire d’un hacheur survolteur ». les études seront réalisées avec une carte de puissance utilisant un hacheur survolteur. maître de conférence en compatibilité électromagnétique (C. Il est donc nécessaire pour concevoir cette carte de puissance de la dimensionner. et la conception du produit en cinquième année (250 heures).INTRODUCTION Dans le cadre de notre formation d’ingénieur au département Génie Electrique de Polytech’Clermont-Ferrand (anciennement C. enseignants au département GE de Polytech’Clermont-Ferrand et un tuteur industriel Mr Clavaud. nous devons réaliser un projet de type industriel. L’objectif de ce projet est de mettre en place une commande particulière (signal MLI à fréquence variable et rapport cyclique constant) sur microcontrôleur. Ce projet est proposé par le LASMEA. sera à appliquer et à suivre pour réaliser ce genre de carte.M.

Pour aider à la commutation. les véhicules hybrides ainsi que les systèmes d'éclairage sont deux exemples typiques d'utilisation de ces hacheurs. Ce dispositif de l’électronique de puissance est un convertisseur continu . d’un interrupteur de puissance. LE HACHEUR SURVOLTEUR SURVOLTEU 1.continu mettant en œuvre un ou plusieurs interrupteurs commandés et qui permet de modifier la valeur de la tension d'une source de tension continue avec un rendement élevé. De même. GENERALITES Lorsque l’on désire augmenter la tension d’une source continue. Le hacheur survolteur est composé d’une inductance. d’un condensateur de sortie.2.1. on peut utiliser le hacheur parallèle de type BOOST.2010 . Application Note Kamel EL MELOUANI Page 6 GE 3 2009 . Le découpage se fait à une fréquence très élevée ce qui a pour conséquence de créer une tension moyenne. Les hacheurs de puissance sont utilisés pour la variation de vitesse des moteurs à courant continu. appelé également hacheur survolteur. et bien sûr. SYNOPTIQUE DU HACHEUR SURVOLTEUR Figure 1 : Schéma du hacheur survolteur Dans notre cas. la partie puissance uissance aura pour rôle d'élever la tension d'entrée. d’une diode. et de transmettre fidèlement le signal de commande jusqu’à la gâchette de l’interrupteur. On peut également prévoir un circuit d’aide à la commutation (CALC). une isolation galvanique sera réalisée à l’aide d’un optocoupleur afin d’isoler galvaniquement la partie commande ommande de la partie puissance. De plus. 1.1. on ajoute un driver en amont de l’interrupteur de puissance. qui sera du 12V. Le schéma utilisé pour réaliser notre carte est en annexe.

La diode D est alors bloquée et la charge est alors déconnectée de l'alimentation. l'inductance se trouve alors en série avec le générateur.2010 . PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT Nous allons diviser en deux phases distinctes le fonctionnement du hacheur survolteur selon l'état de l'interrupteur Tp : • De 0 à αT : phase d'accumulation d'énergie L’interrupteur Tp est fermé (état passant). Il en résulte un transfert de l'énergie accumulée dans l'inductance vers la capacité. • De αT à T : phase de roue libre L'interrupteur est ouvert.3.m. Figure 2 : Phases de fonctionnement du hacheur survolteur Application Note Kamel EL MELOUANI Page 7 GE 3 2009 . Sa f. s'additionne à celle du générateur (effet survolteur). qui va fixer la tension de sortie. le condensateur C et la charge R. Le courant traversant l'inductance traverse ensuite la diode D. cela entraîne l'augmentation du courant dans l'inductance donc le stockage d'une quantité d'énergie sous forme d'énergie magnétique.1.e.

α est compris entre 0 (S ne conduit jamais) et 1 (S conduit tout le temps).2010 .Etude réalisée avec les hypothèses suivantes : (circuit idéal) Le condensateur de sortie a une capacité suffisante pour fournir une tension constante. Il représente la durée de la période T pendant laquelle l'interrupteur S conduit. l'évolution de IL est : Par conséquent. le courant traversant l'inductance l circule à travers la charge. Mode conduction continue : le courant IL traversant l'inductance ne s'annule jamais De 0 à αT : L’interrupteur Tp est fermé pendant l’état passant : le courant iL augment de la manière suivante : ܸe ൌ ‫ܮ‬ ݀‫ܫ‬L ݀‫ݐ‬ À la fin de l'état passant. les imperfections des composants réels peuvent avoir des effets importants sur le fonctionnement du convertisseur. le courant IL a augmenté de : α étant le rapport cyclique. Si on considère une chute de tension nulle aux bornes de la diode et un condensateur suffisamment grand pour garder sa tension constante. De αT à T : L'interrupteur Tp est ouvert pendant l'état bloqué. la variation de IL durant l'état bloqué est : Application Note Kamel EL MELOUANI Page 8 GE 3 2009 . à la charge (Résistance) La chute de tension aux bornes de la diode est nulle Pas de pertes dans les composants d'une manière générale Dans la réalité. au cours d'un cycle de fonctionnement.

C'est pour cela que l'on parle de survolteur.5 et une tension d’entrée d’entr de 12V.2010 . le courant traversant l'inductance est le même au début et à la fin de chaque cycle de commutation. Il advient donc : Soit : Après simplifications. on peut voir que la tension de sortie est toujours supérieure à celle d'entrée (le rapport cyclique variant entre 0 et 1). si on a un rapport cyclique α = 0. et que théoriquement théoriquement elle peut être infinie lorsque α se rapproche de 1. qu'elle augmente avec α.En considérant que le régime permanent est atteint. Application Note Kamel EL MELOUANI Page 9 GE 3 2009 . on obtiendra en sortie une tension tens de 24V. nous pouvons réécrire cette équation de la façon suivante : Grâce à cette dernière expression. Par exemple. l'énergie l'énergie stockée dans l'inductance est donnée par : En conséquence.

Pe = Puissance d’entrée = 100W Ps = Puissance de sortie = 100W Ve = Tension d’entrée = 12V Vs = entre 13. DIMENSIONNEMENT DES COMPOSANTS Dans cette partie. 2.2010 .୤ Application Note Kamel EL MELOUANI Page 10 GE 3 2009 .3V et 120V Ie = Courant d’entrée = 10A Is = Courant de sortie = 1A Ie ൌ ୚ୣ × cosρ ൌ ୚ୣ ൌ ୔ୣ ୔ୣ ଵ଴଴ ଵଶ ൌ 8. CALCUL DE L’INDUCTANCE On dimensionne L ainsi : dIe max ൌ ୚ୣ ୚ୣ ௅ × α × T ൌ ୐. dI = 15% afin de diminuer les pertes par hystérésis. le courant d’entrée et le courant de sortie.1. Après calculs. nous l’avons conçu et nous vous présenterons comment nous y sommes parvenus. DIMENSIONNEMENT DE L’INDUCTANCE Le calcul de l’inductance débute par le calcul du courant d’entrée maximal.7 A.1. αmax ୚ୣ L ൌ ୢ୍ୣ ୫ୟ୶. nous allons voir comment choisir les éléments qui permettent de constituer et d’assurer le fonctionnement du système.7 A. Pour notre cas. l’inductance peut se trouver dans le marché ou bien être fabriquée. il faut connaître la puissance d’entrée et la puissance de sortie souhaitée. dI ൌ 0.2. 2.1. Pour dimensionner les composants d’un convertisseur. dVs = Vs – Ve = 120 – 13.୤ .3 A soit Ie max ൌ √2 × Ie = 11.7 V. On impose la fréquence de découpage en haute fréquence et on vérifie si l’ondulation de courant est correcte en basse fréquence. ainsi que la tension d’entrée.15 × Ie max ൌ 1.3 = 106.

3. Une valeur plus importante permettrait de diminuer l’ondulation. Son AL = 3820.10-6/382.Après calcul. Application Note Kamel EL MELOUANI Page 11 GE 3 2009 .2010 . 2. Sa valeur peut être testée à laide d’un analyseur de spectre. la self utilisée doit faire au minimum 877 µH dans notre cas. qui permet entre autre de bien vérifier si elle tient en fréquence (abaque de Smith). Il faut également prévoir un tore avec un diamètre suffisamment grand pour faire passer le nombre souhaité de tours de fil (sachant que ce dernier est un fil de cuivre de diamètre 1 dans notre cas). 2. CALCUL DU NOMBRE DE TOURS On a : Avec L ൌ N² × AL L = inductance en mH N = nombre de tours AL = inductance du tore par tours carrés en nH/tr² On a alors : N ൌ √(L⁄AL) = √(877. CHOIX DU TORE Le tore choisi est un tore de chez Ferroxcube.2. Il permet de réduire les pertes à température élevée et sa fréquence d’utilisation est comprise entre 10kHz et 100kHz ce qui correspond à notre application.10-9) = 15 tours La self comptera donc 15 tours par enroulement.1. La référence de ce tore est 4330 030 3716.1. Le matériau est le 3E25.

2. T On admet une ondulation de tension dVs : dVs ൌ ୢ୕ େ Cൌ ୢ୕ ୢ୚ୱ ൌ Is. CHOIX DES SEMI-CONDUCTEURS Comme nous l’avons étudié précédemment.୤ 2.1.2. CALCUL DE LA CAPACITE On dimensionne C : La charge fournie est donnée par : dQ ൌ Is.2010 .3.α ୢ୚ୱ.1. Application Note Kamel EL MELOUANI Page 12 GE 3 2009 . 2. Ce sont des diodes peu coûteuses.2. moins il y aura de pertes. nous avons du choisir un MOSFET et une diode rapide.2. Les pertes par recouvrements inverses sont générées par ses diodes. DIMENSIONNEMENT DU CONDENSATEUR DE SORTIE On impose la fréquence de découpage en haute fréquence et on vérifie si l’ondulation de courant est correcte. CHOIX DE LA DIODE La diode utilisée doit être extrêmement rapide.3. ୘ ୢ୚ୱ ൌ ୍ୱ. en conséquence.2. α. très rapides (quelques ns). CHOIX DU CONDENSATEUR Un condensateur de sortie de 47µF 400V suffit pour obtenir une tension de sortie continue acceptable. plus elles seront bonne. Notre choix s’est porté sur des diodes de chez IXYS. α.2. 2.

il s’agit du TC1314N de chez MicroChip. Application Note Kamel EL MELOUANI Page 13 GE 3 2009 . Le MOSFET choisi est le STW40NF20 de chez ST Microelectronics. OPTOCOUPLEUR Afin d’assurer l’isolation galvanique entre la commande et la puissance. nous pouvons choisir de les alimenter en 12V. Ils se connectent aux bases des transistors et envoie un courant suffisamment important pour assurer la commutation d’un état ouvert/fermé à un état fermé/ouvert. et doit également fonctionner à la fréquence désirée.3. Dans notre cas.3. on choisira donc un modèle qui supportera une tension supérieure. Pour aider à la commutation du transistor étant donnée de l’énergie importante à transférer.2010 .3. 2.2. Il s’agit d’un composant d’aide à la commutation. Le courant de drain maximal est de 40A. Il s’agit du HCPL2212 de chez Hewlett Packard.3.4. Il s’agit de drivers. L’alimentation des circuits intégrés : Le driver et l’optocoupleur sont alimentés par une tension continue. des circuits intégrés existent. Le transistor choisi doit pouvoir supporter à ses bornes la tension qui va lui être imposée. il est nécessaire d’alimenter l’électronique qui compose le hacheur. sa tension maximale est de 200V et enfin sa résistance à l’état passant (Rdson) est de 0. Une des raisons d’avoir choisi un MOSFET est sa fréquence de fonctionnement qui dépasse les 100kHz. généralement en +15 V pour qu’elles délivrent le courant souhaité (voir les documentations respectives). DRIVER Un driver a été rajouté. En effet. 2. Il faut penser à dimensionner ses alimentations.2. tension d’entrée du hacheur. CHOIX DU MOSFET Tension drain source = 120V. nous avons ajouté un optocoupleur en amont du transistor.038 Ohms typique.

Protection par fusible : Afin de protéger les composants et la carte. Voici quelques règles à respecter : Prendre en compte les contraintes CEM (éviter les boucles. il s’agit d’un fusible 20A. en sortie de l’optocoupleur. voir primordial. nous avons placé un fusible. Les schémas de routage sont en annexe de ce rapport. Application Note Kamel EL MELOUANI Page 14 GE 3 2009 . il est souvent nécessaire de placer un radiateur de dissipation au dos de ceux-ci en y interposant de la pâte thermique.2010 . Points de tests : Dans le but de faciliter la mise en œuvre et les tests sur la carte. dimensionné selon le courant circulant à l’entrée et le courant à ne pas dépasser dans les composants. Par exemple.Radiateur de dissipation : Afin de dissiper et d’évacuer la chaleur émises par les semiconducteurs. Pour notre carte. Circuit d’aide à la commutation : Afin d’aider le transistor à la commutation et de protéger contre les surtensions à l’ouverture. de prévoir des points de tests. nous avons créé un point de test à l’entrée de la commande. placer les connecteurs en bord de carte également. composé d’une diode en série avec une capacité et d’une résistance en parallèle. les angles à 90°. Routage : Le routage est une partie très importante. pour tester le signal de commande. il est possible d’ajouter un circuit d’aide à la commutation. placés judicieusement. puis à la sortie du driver. il est intéressant. le placement des composants est important) Prendre en compte le courant qui traverse les pistes pour en déterminer la largeur de pistes (voir extrait de la norme UTE C 93-703 en annexe) Aligner les semi-conducteurs sur le bord de carte pour placer le radiateur de dissipation.

1. si la tension de sortie est celle attendue.2010 . TESTS DE LA CARTE HACHEUR SURVOLTEUR Tension de sortie Tension d’entrée Signal de commande MOSFET Figure 3 : Prototype réalisé 3. Application Note Kamel EL MELOUANI Page 15 GE 3 2009 . on vérifie si la tension d’entrée est correcte. TEST DES TENSIONS D’ENTREE ET DE SORTIE A l’aide d’un oscilloscope.3. et bien sûr.

2. il s’agit d’un signal carré. 3. ici à fréquence constante et rapport cyclique fixe. TEST DES SIGNAUX On visualise les différents signaux suivants afin de vérifier le bon fonctionnement du système : Commande (1) Courant inductance (4) Tension VDS (3) Tension diode (2) Figure 5 : Copie écran visualisation des signaux à l’oscilloscope 3.2010 .1.2. TEST DE LA TENSION DRAIN-SOURCE La tension drain source est complémentaire au signal de commande. Elle est nulle quand la diode conduit et négative quand la diode est bloquée.Figure 4 : Copie écran visualisation des tensions à l’oscilloscope 3.2. TEST DE LA COMMANDE Nous avons bien le signal de commande désirée. Application Note Kamel EL MELOUANI Page 16 GE 3 2009 .2.

l’inductance se décharge. la diode est passante.3. lorsque le transistor n’est pas commandé. TEST DU COURANT DANS L’INDUCTANCE Lorsque le transistor est commandé.4. et l’énergie est transférée au condensateur de sortie. malgré le retard engendré.3. Application Note Kamel EL MELOUANI Page 17 GE 3 2009 . la tension aux bornes de la diode est nulle. elle est complémentaire au signal de commande également : lorsque le transistor est commandé. TEST DE LA TENSION DIODE Nous pouvons remarquer que la tension diode est correcte. elle est bloquée . Nous voyons dans cette phase que le courant chute.2. c’est-à-dire que le courant dans l’inductance augmente. 3.2010 . C’est ce que nous pouvons voir sur la figure ci-dessus. Lorsque c’est la diode qui conduit. on a une tension à ses bornes. nous sommes dans une phase d’accumulation d’énergie.2.

négatif. Application Note Kamel EL MELOUANI Page 18 GE 3 2009 . Ce protocole se veut un exemple pour les étudiants qui seront susceptibles de reprendre le projet ou une personne souhaitant travailler sur ce genre de carte de puissance.2010 .CONCLUSION Ce document a présenté la méthode à suivre pour dimensionner un hacheur survolteur ainsi que le protocole de test que nous avons appliqué en le commentant de ce qui est positif. de ce qui aurait pu être amélioré et de résultats.

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