You are on page 1of 0

1

4. BIPOLARNI TRANZISTORI
(Fiziki princip rada, strujno-naponske karakteristike)


POJAANJE


Pojaavaki
sklop
Izlazna
elektroda
Ulazna
elektroda
Referentna
elektroda
s
i
, p
si
[W] s
u
, p
su
[W]
p
su
< p
si


Bipolarni tranzistor je komponenta sa tri elektrode, koja poseduje pojaavako svojstvo u
smislu da male promene signala izmedju ulazne i referentne elektrode, dovode do velikih promena
signala imedju izlazne i referentne elektrode. Konstrukcija tranzistora je izvedena tako to su dva
komada poluprovodnika istog tipa, koji se zovu emitor i kolektor, spojena poluprovodnikom
suprotnog tipa, koji se naziva baza. Kristalna reetka je jedinstvena. Postoje dve vrste tranzistora:
- PNP (P emitor, N baza, P kolektor) i
- NPN (N emitor, P baza, N kolektor),
kao to pokazuje slika 4.1. Veza tranzistora sa okolinom se ostvaruje preko omskih kontakata metal-
poluprovodnik za svaku elektrodu.

P N N
E C
B
C
E
B
(a)
N P P
E C
B
C
E
B
(b)
TR TR
Slika 4.1. Konstrukcija i simbol tranzistora (a) NPN tipa, (b) PNP tipa

Ulazna Izlazna
: .
2
4.1. Aktivni reim rada tranzistora

Pojaavaka svojstva tranzistora se izrazito ispoljavaju pri radu u aktivnom reimu, koji se
postie direktnom polarizacijom emitorskog i inverznom polarizacijom kolektorskog spoja.

4.1.1. Raspodela struja u tranzistoru

Rad tranzistora je odredjen njegovom konstrukcijom preko izbora geometrije i koncentracije
neistoa sa jedne strane i polarizacijom kroz polaritet i intenzitet primenjenih napona, sa druge
strane. S tim u vezi za tranzistor koji radi u aktivnom reimu izvrie se analiza raspodele struja pod
sledeim pretpostavkama:

A. emitor je najjae dopiran, baza najslabije, a kolektor jae od baze ali slabije od emitora;
B. duina baze definisana kao najblie rastojanje izmedju emitorskog i kolektorskog spoja, je
dovoljno mala.

Smisao i opravdanost ovih pretpostavki e biti obrazloeni kroz dalja izlaganja.
Na slici 4.2. su pokazani struktura i tok slobodnih mosilaca naelektrisanja u tranzistoru. Spoj
emitor-baza je direktno polarisan, pa stoga proputa glavne nosioce. To su elektroni iz emitora
koncentracije
E
n , koji ine struju
NE
I i upljine iz baze koncentracije
B
p , koje ine struju
PE
I .

EMITOR N BAZA P KOLEKTOR N
n
E
p
B
n
B
p
C
p
B
I
PE
I
NE
I
NEC
I
RB
I
CB0
i
B
i
E
i
C
V
CB
V
BE
Slika 4.2. Tok nosilaca i struje u bipolarnom
tranzistoru polarizovanom za aktivni reim rada


Zbir struja, koje ulaze i izlaze iz emitora, mora biti nula. Stoga, prema usvojenom pozitivnom smeru
na slicci 4.2. ukupna emitorska struja ima vrednost:


E NE PE
i I I = + . (4.1)

Zbog inverzne polarizacije spoja kolektor-baza kroz njega prolaze sporedni nosioci
naelektrisanja. Elektroni koncentracije
B
n , koji potiu iz baze i prelaze u kolektor, dok upljine
koncentracije
C
p idu iz kolektora u bazu. Ove dve vrste nosilaca teku kroz kolektorski spoj i kada je
emitorsko kolo otvoreno inei tako inverznu struju zasienja kolektorskog spoja
0 CB
I . Treba
uoitii da su, pored ove dve vrste nosilaca, sporedni nosioci za inverzno polarisani kolektorski spoj
i
E

i
B
i
C
.
3
takodje i elektroni koji su doli iz emitora, a koji se nisu rekombinovali u bazi. Ti elektroni ine
komponentu kolektorske struje
NEC
I . Deo tih emitorovih elektrona se rekombinuje u bazi sa
upljinama, koje se u njoj nalaze. Time se formira nova komponenta bazne struje
RB
I , takozvana
struja rekombinacije, o emu e biti govora kasnije. Prema tome, ukupna struja kolektora iznosi:


0 C NEC CB
i I I = + . (4.2)

U svim razmatranjima za smer struje je usvojen smer kretanja pozitivnog naelektrisanja. Takodje se
napominje da se naelektrisanje koje napusti neku zonu, na primer, emitor, nadoknadjuje iz baterija za
polarizaciju.
Bazna struja tranzistora sadri tri komponente: struju upljina
PE
I , struju rekombinacije
RB
I
i inverznu struju zasienja kolektorskog spoja
0 CB
I .


0 B PE RB CB
i I I I = + . (4.3)

Sa druge strane, prema prvom Kirhofovom zakonu, izmedju struja tranzistora na spoljnjim
prikljucima vredi relacija:


E C B
i i i = + . (4.4)

Pojaavako svojstvo bipolarnog tranzistora je zasnovano na principu da se malim
promenama struje baze izazivaju velike promene struje kolektora. Da bi se to postiglo, treba prvo
inverznu struju zasienja kolektorskog spoja uiniti to manjom, jer se ona javlja kao konstantan lan
u izrazima (4.2) i (4.3). Sa slike 4.2 se vidi da struju kolektora ine praktino elektroni koji polaze iz
emitora, preive prolazak kroz bazu i stignu u kolektor. Ako je emitorska struja blia po vrednosti
kolektorskoj, onda je bazna struja manja, kao njihova razlika prema jednaini (4.4), a to znai da je
odnos kolektorske i bazne struje vei, odnosno da je pojaavako svojstvo tranzistora izraenije. Da
bi se emitorska struja pribliila kolektorskoj, potrebno je da struja upljina
PE
I bude mnogo manja
od struje elektrona
NE
I na emitorskom spoju, kao i da struja rekombinacije u bazi
RB
I bude to
manja da bi struje
NE
I i
NEC
I bile priblino iste (slika 4.2). Prvi uslov se kvantitativno izraava
preko efikasnosti emitora definisane odnosom elektronske i ukupne struje na emitorskom spoju:

.
NE
NE PE
I
I I
=
+
(4.5)

Da bi efikasnost emitora bila to blia jedinici, potrebno je znatno jae dopirati emitor u odnosu na
bazu (prethodno usvojena pretpostavka pod takom A). Drugi uslov to manja rekombinaciona
struja baze ostvaruje se pravljenjem baze male duine tako, da se vreme boravka emitorovih
elektrona u bazi, a time i verovatnoa rekombinacije, smanji. Ovaj efekat se kvantitativno izraava
transportnim faktorom
*
definisanim odnosom struje elektrona iz emitora koja izlazi i ulazi u bazu:


*
.
NEC
NE
I
I
= (4.6)

Vidi se da je transportni faktor blii jedinici ako je rekombinacija u bazi manja.
Koristei prethodne jednaine, odnos izmedju struja tranzistora se izraunava u obliku:

( )
* * *
0 0 0 0 0 C NEC CB NE CB NE PE CB E CB E CB
i I I I I I I I i I i I = + = + = + + = + = +
4
( )
0 0 C E CB C B CB
i i I i i I = + = + +

0 0
1
1 1
C B CB B CB
i i I i I


= + = +

(4.7)

0 C E CB
i i I = + (4.8)

gde je:
*
, = a ( ) / 1 = . Koeficijent se naziva faktor strujnog pojaanja od emitora do
kolektora. On ima vrednost manju od jedan i pokazuje odnos kolektorske i emitorske struje kada se
zanemari inverzna struja zasienja kolektorskog spoja. Na slian nain se definie faktor strujnog
pojalanja od baze do kolektora kao odnos kolektorske i bazne struje. Njegova vrednost je utoliko
vea od jedan, ukoliko je blie jedinici.
Znai, da bi tranzistor imao izraena pojaavaka svojstva, odnosno veliko strujno pojaanje,
potrebno je:
- obezbediti aktivni radni reim direktnom polarizacijom emitorskog i inverznom polarizacijom
kolektorskog spoja;
- dopirati jako emitor u odnosu na bazu radi to vee efikasnosti emitora;
- napraviti kratku (usku) bazu radi to veeg transportnog faktora;
- dopirati dovoljno jako bazu i kolektor radi smanjenja inverzne struje zasienja kolektorskog spoja.


4.1.2. Strujno-naponska karakteristika tranzistora

Struje tranzistora su odredjene njegovom konstrukcijom i polaritetom i intenzitetom
primenjenih napona. Ovi faktori diktiraju raspodelu koncentracija slobodnih nosilaca u tranzistoru,
koja definie njegove strujno-naponske karakteristike. U tom smislu, na slici 4.3 je isprekidanom
linijom nacrtana raspodela koncentracija slobodnih nosilaca naelektrisanja u tranzistoru bez
prikljuenih baterija za polarizaciju pod pretpostavkom da je emitor dopiran najjae, a baza
najslabije. Nivoi sporednih nosilaca su odredjeni prema zakonu termodinamike ravnotee, jednaina
(1.2). Ako se tranzistor polarie, glavni nosioci prolaze kroz direktno polarisan emitorski spoj.
upljine prelaze u emitor, a elektroni u bazu. Time se u bazi na ivici oblasti prostornog tovara na
emitorskom spoju, stvara koncentracija sporednih nosilaca:


0
(0) ,
BE
T
v
V
p p
n n e = (4.9)

odredjena prema relaciji (2.9). Poslednja formula je izvedena pod pretpostavkom da je nivo vika
ubaenih sporednih nosilaca nizak, odnosno da je koncentracija sporednih nosilaca u bazi uvek mnogo
manja od koncentracije glavnih nosilaca. Zbog inverzne polarizacije kolektorskog spoja, koncentracije
sporednih nosilaca sa obe strane njegove oblasti prostornog tovara su ravne nuli (jednaine (2.8) i
(2.9)). To znai da se u bazi tranzistora, koji radi u aktivnom reimu, uspostavlja razlika koncentracija
sporednih nosilaca ( (0) 0
p
n ) na duini w raunatoj izmedju ivica oblasti prostornog tovara.
Veliina w se zove efektivna irina baze i manja je od fizike irine baze raunate od emitorskog do
kolektorskog spoja. Na osnovu prethodnog razmatranja i rezultata iz poglavlja 2.3. i 2.4, nacrtana je
raspodela koncentracija sporednih nosilaca u tranzistoru na slici 4.3 sa zadebljanom punom linijom. Na
istoj slici su ucrtane i koncentracije glavnih nosilaca punom linijom, koje su odredjene na osnovu
zakona elektrine neutralnosti u dobro provodnoj sredini. Naime, raspodela glavnih nosilaca du x ose
se postavlja tako, da vlada elektrina neutralnost u svakoj taki x ose jer u poluprovodniku postoje
slobodni, lako pokretni, veinski nosioci naelektrisanja.
5
Izraunata raspodela koncentracija slobodnih nosilaca u tranzistoru doputa izraunavanje
zavisnosti kolektorske struje tranzistora od napona direktne polarizacije spoja baza-emitor.
Zanemarivanjem inverzne struje zasienja, kolektorska struja se svodi na struju elektrona koji dolaze
iz emitora i prolaze kroz bazu. Njihov gradijent koncentracije je priblino konstantan:


(0) 0
p
n
const
w

. (4.10)

Precizno gledano, ovaj gradijent nije konstantan jer je koncentracija sporednih nosilaca u bazi
eksponencijalna zbog smanjenja njihovog broja usled rekombinacije.
E
B
C
N
P
N
VBC VBE
i
B
i
C
i
E
PROFIL
NEISTOA
n
n0E
n
n0C
pp0
a
b
a
b
x
NA
np0
n
p
(0)
pn0E
p
n0C
p
nE
(0)
w
x=0
NULTA
KONCENTRACIJA
Slika 4.3. Raspodela koncentracijaslobodnih nosilaca u tranzistoru koji radi u aktivnom
reimu (puna linija) I sluaj bez polarizacije (isprekidana linija)

U daljem izlaganju ovaj efekat e biti zanemaren. Poto je baza dobro provodna sredina, njeno
elektrino polje je malog intenziteta, pa je struja elektrona kroz podruje baze, koja predstavlja struju
kolektora, odredjena samo sa difuznom komponentom:


( ) (0)
.
p p
ndif n n C
dn x n
J qD qD J
dx w
= = = (4.11)

V
CB


x=0
Slika 4.3. Raspodela koncentracija slobodnih nosilaca u tranzistoru koji radi u aktivnom
reimu (puna linija) i sluaj bez polarizacije (isprekidana linija) a).
6
Smenom formule (4.9) u poslednju jednainu, izraunava se zavisnost kolektorske struje od napona
baza-emitor u tranzistoru:

2
0
,
BE BE
T T
v v
n p
V V n i
C C
A
qD n
qD n
i AJ A e A e
w N w
= = =
,
BE
T
v
V
C S
i I e = (4.12)

gde su: A povrina poprenog preseka emitorskog spoja,
A
N koncentracija neistoa u bazi, a
S
I
parametar tranzistora zavisan od njegove konstrukcije.
Na prvi pogled struja kolektora zavisi samo od napona baza-emitor. Takva situacija je
poeljna u smislu da se promenama napona direktne polarizacije spoja baza-emitor upravlja sa
strujom kolektora nezavisno od napona baza-kolektor, odnosno nezavisno od napona na potroau.
Precizno gledajui, napon baza-kolektor odredjuje irinu oblasti prostornog tovara na kolektorskom
spoju, a to znai da odredjuje efektivnu irinu baze w. Vei napon suava bazu i poveava struju
kolektora. Ta pojava se naziva Erlijev (Early) efekat (reakcija kolektora) i karakterie se Erlijevim
naponom
A
V prema izrazu:

0
1 ,
BE
T
v
V CB
C S
A
v
i I e
V

= +


(4.13)

gde
0 S
I predstavlja vrednost struje
S
I pri nultoj polarizaciji kolektorskog spoja. Erlijev efekat nije
dominantan, tako da se strujno-naponska karakteristika tranzistora opisuje izrazom (4.12), to znai
da se strujom kolektora upravlja iz konture baza-emitor sa zanemarljivim uticajem napona u
kolektorskom kolu, odnosno da se kolektorski prikljuak ponaa kao strujni izvor. Prethodna analiza
je sprovedena za NPN tranzistor i vai u svemu i za PNP tip.
Rezultati pokazani formulama (4.12) i (4.13) predstavljaju prenosnu karakteristiku
tranzistora, jer pokazuju zavisnost izlazne struje od ulaznog napona. Za praksu je interesantna i
ulazna karakteristika tranzistora, odredjena zavisnou bazne struje od napona polarizacije
emitorskog spoja
BE
v . Kao to je pokazano jednainom (4.3), bazna struja tranzistora ima tri
komponente. Ako se inverzna struja zasienja kolektorskog spoja zanemari, imajui u vidu da se
tehnoloki njena veliina moe dovoljno smanjiti, preostaju struja rekombinacije
RB
I i struja upljina
PE
I , koje odlaze iz baze kroz direktno polarisani emitorski spoj (razmatra se NPN tranzistor).
Veliina struje rekombinacije elektrona koji su doli iz emitora u bazu, moe da se izrauna ako je
poznato srednje vreme ivota slobodnog nosioca u bazi
B
. Na osnovu slike 4.3, vidi se da je
ukupna koliina naelektrisanja formiranog od sporednih nosilaca u bazi:

1
(0) .
2
nB p
Q n qAw = (4.14)

Ako je proseno vreme ivota jednog nosioca
B
, onda spolja u bazu mora dotei struja za
nadoknadu rekombinovanog naelektrisanja u iznosu:

0 1
,
2
BE
T
v
p
V nB
RB
B B
n wqA
Q
I e

= = (4.15)

7
prema relaciji (4.9). Struja upljina, koje iz baze odlaze u emitor
PE
I , je difuzionog karaktera.
Driftna komponenta ove struje je zanemarljiva jer je koncentracija upljina, kao sporednih nosilaca u
emitoru, mala. Koristei izraz za raspodelu koncentracije upljina kao manjinskih nosilaca i formulu
za difuzionu komponentu struje, izraunava se komponenta struje upljina baze:

[ ]
0 0
( ) (0) , 0
p
x
L
n n E nE n E
p x p p p e x = + <

0
0
( ) (0)
( 0) | ; ,
n nE n E
p p x p p p
p
dp x p p
J x qD qD I AJ
dx L
=

= = =

gde je (0)
nE
p koncentracija sporednih nosilaca u emitoru na ivici oblasti prostornog tovara. Ta taka
se ujedno uzima i kao nula za koordinatu x . Radi lakeg rauna usvaja se aproksimacija da viak
koncentracije manjinskih nosilaca u emitoru opada priblino linearno od poetne vrednosti (0)
nE
p
do nule na rastojanju jednakom difuznoj duini
p
L . Time se prethodna jednaina svodi na oblik:
(0).
p
PE nE
p
qD A
I p
L
(4.16)

Koristei formulu analognu sa (4.9) za izraunavanje koncentracije (0)
nE
p , dobija se izraz za struju
upljina baze:

2
,
BE
T
v
p i
V
PE
p D
qD An
I e
L N
(4.17)

gde je
D
N koncentracija donora u emitoru. Sabiranjem izraza (4.15) i (4.17), nastaje formula koja
opisuje ulaznu karakteristiku bipolarnog tranzistora:

2
2
1
,
2
BE
T
v
p i
V i
B PE RB
A B D p
qD An
n wqA
i I I e
N N L


= + = +


(4.18)

pri emu je sa
A
N obeleena koncentracija akceptora u bazi, a sa
D
N koncentracija donora u
emitoru.
Poznavanje prenosne i ulazne karakteristike tranzistora doputa izraunavanje strujnog
pojaanja u funkciji njegovih fizikih parametara. Iz formula (4.12) i (4.18), dobija se:

2
1
.
1
1
2
2
n
C A
p
p B
A
A B D p
n B n D p
D
i N w
D
D i w
N w w
N N L
D D N L


= = =
+
+
(4.19)

Vidi se da je strujno pojaanje vee ako je irina baze w mnogo manja od difuzionih duina i ako je
emitor mnogo jae dopiran od baze. Takodje sledi da pod istim uslovima (dimenzije, dopiranost,
temperatura, podloga), PNP tranzistor ima manje strujno pojaanje od NPN tranzistora zbog vee
difuzione konstante
n
D u odnosu na
p
D . Naime, izraz (4.19) je napisan na osnovu razmatranja na
NPN tranzistor, ali vai i za PNP tip, s tim da se u njemu zamene indeksi za difuzione konstante i
duine, kao i za koncentracije neistoa.

8
4.1.3 Elektrini model tranzistora

Na osnovu izlaganja u prethodnom odeljku sledi da se, posmatrano izmedju kolektora i
emitora, tranzistor moe opisati strujnim izvorom koji je zavisan od vrednosti napona
BE
v izmedju
baze i emitora. Time se elektrino modelira formula (4.13).

C
B
E
vBE
+
TR
i
B
i
E
i
C
C
B
E
v
EB
TR
i
B
i
E
i
C
+
C
v
BE
v
CE BE
T
v
V
S0
I e
r
i
E
B
i
B
=i
C
/
i
C
(4.12) i
C
(4.13)
+ +
C
v
EB EB
T
v
V
S0
I e
r
i
E
B
i
B
=i
C
/
i
C
+
v
EC
+

Slika 4.4. Elektrini model NPN i PNP tranzistora za rad u aktivnom reimu.

Pri radu tranzistora u aktivnom reimu izmedju baze i emitora se nalazi direktno polarisan
PN spoj. U odeljku 4.1. je pokazano da je zbir bazne i kolektorske struje jednak emitorskoj struji i
uvedeno je strujno pojaanje kao kolinik kolektorske i bazne struje. Koristei ove rezultate,
tranzistor se izmedju baze i emitora moe opisati eksponencijalnom strujno-naponskom
karakteristikom dobijenom deljenjem izraza (4.12) sa . to se tie direktnog prenosa izmedju baze
i kolektora, ako se zanemari inverzna struja zasienja kolektorskog spoja, on ne postoji jer je
kolektorski spoj inverzno polarisan. Na osnovu prethodnih zakljuaka nacrtan je model tranzistora na
slici 4.4. Isprekidanom linijom je ucrtana izlazna otpornost
i
r koja modelira Erlijev efekat, odnosno
pokazuje kako se menja struja kolektora sa promenom napona na kolektoru kada je napon izmedju
baze i emitora konstantan. Da bi elektrini model bio korektan, potrebno je napon
BE
v , struju baze i
strujnog izvora orijentisati kao na slici 4.4. jer to odgovara nainu rada tranzistora, poto porast
napona
BE
v , dovodi do porasta struje kolektora. To znai da su smerovi napona
BE
v i struje strujnog
izvora vezani smerovi. Uoiti da je strujni izvor zavisan od struje baze.
Izvedeni model tranzistora vredi za ukupne trenutne vrednosti napona i struja. Za njegovu
primenu je bitno poznavati zavisnosti strujnog pojaanja od radnih uslova tranzistora. Obino se
uzima da je strujno pojaanje priblino konstantno, ali se ima u vidu da na njega utiu veliina
kolektorskog napona i struje, kao i temperature.
Pri porastu napona inverzne polarizacije kolektorskog spoja i konstantnom naponu baza-emitor,
poveava se irina oblasti prostornog tovara to dovodi do smanjenja efektivne irine baze. Kao
rezultat, raste gradijent koncentracije sporednih nosilaca u bazi, pa prema formuli (4.12), raste
kolektorska struja. Isti uzrok neznatno menja intenzitet rekombinacije u bazi. Stoga je promena bazne
struje neznatna. Sledi da porast kolektorskog napona dovodi do porasta . Slika 4.5 pokazuje da
9
strujno pojaanje raste sa poveanjem temperature. To se deava zbog poveanja sopstvene energije
slobodnih nosilaca, to smanjuje rekombinaciju u bazi i dovodi do poveanja transportnog faktora,
odnosno poveanja . Na istoj slici se uoava da pri malim i pri velikim strujama kolektora opada.


I
C
[A] [mA] [A]
T
2
>T
1
T
1

Vidi se rekombinacija
u oblasti prostornog
tovara
Raste energija
nosilaca manja
rekombinacija u bazi
Raste bazna struja i
pada
Slika 4.5. Zavisnost strujnog pojaanja od
intenziteta kolektorske struje i temperature

Pri velikim strujama nivo sporednih nosilaca u bazi raste i dovodi do po rasta nivoa glavnih
nosilaca u bazi neposredno uz emitorski spoj. Poto je, zbog elektrine neutralnosti, najmanji nivo
glavnih nosilaca baze konstantan i odredjen koncentacijon akceprorskih neistoa (slika 4.3), sledi da
poveanje kolektorske struje dovodi do poveanja srednje vrednosti glavnih nosilaca u bazi na isti
nain kao da je baza jae dopirana. To poveava upljinsku struju emitora I
PE
i time smanjuje
njegovu efikasnost, to direktno smanjuje . Pri malim nivoima kolektorskih struja dolaze do
izraaja procesi rekombinacije slobodnih nosilaca u oblasti prostornog tovara emitorskog spoja. Ti
procesi postoje u priblino istoj meri kod raznih vrednosti kolektorske struje, ali postaju uoljivi tek
kada se kolektorska struja dovoljno smanji. Stoga efikasnost emitora, a samim tim i strujno pojaanje,
opada za male vrednosti struje kolektora.


4.4. Tranzistor u inverznom aktivnom reimu

Ovaj reim rada se ostvaruje ako se emitorski spoj polarie inverzno, a kolektorski direktno.
Praktino, nastaje situacija polarizacije tranzistora za rad u aktivnom reimu s tim da su kolektor i
emitor zamenili uloge. U osnovi ovkav radni reim je slian aktivnom radnom reimu sa bitnom
razlikom da je koeficijent strujnog pojaanja od baze do emitora, koji je sada izlazna elektroda, jako
smanjen. To smanjenje nastaje zbog niske efikasnosti spoja baza-kolektor usled njegove slabe
dopiranosti.

.
10
E
B
C
N
P
N
VBC VBE
i
BR
iCR iER
n
n0E
n
n0C
pp0
x
np0
n
p
(w)
p
n0E
pn0C
N
A
NULTA
KONCENTRACIJA

Slika 4.3.R Raspodela koncentracija slobodnih nosilaca u NPN tranzistoru polarisanom za rad u inverznom reimu.

Bilans struja je isti kao za aktivan reim:

ER BR CR
i i i + = .

Ako se ima u vidu da su kolektor i emitor zamenili mesta. Vai modifikovan izraz (4.8):

0 ER R CR EB R CR
i i I i = + (4.8R)

sa time da je
R
znatno manje od jedan jer je:

*
R R
= ,

a efikasnost kolektora
R
je manja od efikasnosti emitora jer je kolektor slabije dopiran od
emitora. Procesi u bazi su slini i kod polarizacije za aktivni reim i kod polarizacije za inverzni
aktivni reim, pa je transportni faktor
*
isti. Inverzna struja emitorskog spoja je zanemarljivo mala
zbog jakog dopiranja,
0
0
EB
I .
Strujno-naponska karakteristika tranzistora u inverznom aktivnom reimu se odredjuje istom
analizom kao za aktivni reim prema raspodeli koncentracija sa slike 4.3.a.
Dobija se:

2
BC BC
T T
v v
V V n i
ER S
A
qD n
i A e I e
N w
= =
(4.12R)

2
2
1
2
BC
T
v
p i
V i
BR
A B D p
qD An
n wqA
i e
N N L


= +


(4.18R)
11

U izrazu (4.18),
D
N je koncentracija donora u emitoru; a u (4.18R) to je koncentracija donora u
kolektoru koja je manja nego u emitoru, to poveava struju baze kod inverznog aktivnog reima i
smanjuje
R
:

2
1
1
2
R
p
A
n B n D p
D
N w w
D D N L

=
+
. (4.19R)

Tipina vrednost
R
je oko 0.5!
Zapaziti da struja baze ne menja smer u inverznom aktivnom reimu u odnosu na aktivan reim, jer
se u oba sluaja upljine rekombinuju u bazi ili odlaze u emitujuu zonu (emitor ili kolektor, levo ili
desno, ali uvek odlaze iz baze).

4.5. Reim zasienja tranzistora

Bipolarni tranzistor radi u reimu zasienja kada se oba PN spoja direktno polariu. Takva
polarizacija menja raspodelu slobodnih nosilaca naelektrisanja u tranzistoru u odnosu na aktivni
reim rada prikazan na slici 4.3. Samim tim menja se i strujno-naponska karakteristika tranzistora. Na
slici 4.6 je pokazana raspodela koncentracija slobodnih nosilaca u zasienom tranzistoru. Da bi se
izvrilo poredjenje rada u aktivnom reimu i zasienju, slike 4.3 i 4.6 su nacrtane za isti tranzistor sa
istim naponom baza-emitor i razliitim naponima na kolektorskom spoju.

E
B
C
N
P
N
VBC VBE
i
B
i
C
i
E
n
n0E
nn0C
pp0
x
np0
n
p
(w)
pn0E
p
n0C
np(0)
NULTA
KONCENTRACIJA

Slika 4.6. Raspodela koncentracija slobodnih nosilaca u tranzistoru koji radi u zasienju.

12
I ovom prilikom je koriena relacija (4.9) za odredjivanje koncentracije nosilaca na spoju u funkciji
napona polarizacije. Kontaktni potencijal i irine oblasti prostornog tovara na emitorskom i
kolektorskom spoju su odredjeni preko formula (2.6) i (2.7).
Iz dosadanje analize je pokazano da je mehanizam rada tranzistora takav da struju kolektora
odredjuje raspodela koncntracije manjinskih mosilaca u bazi. Napravimo model u kome se raspodela
koncentracije elektrona u bazi zasienog tranzistora, slika 4.6., deli na dva sabirka obeleena
isprekidanom linijom tako da jedan sabirak ini trougao sa hipotenuzom ( (0), 0
p
n ), a drugi sabirak
ini trougao sa hipotenuzom ( ( ), 0
p
n w ). Povrine ta dva trougla su u zbiru jednake povrini trapeza
( 0, (0), ( ), 0
p p
n n w ) koji grafiki predstavlja ukupan broj sporednih nosilaca u bazi. Imajui u vidu
sliku 4.3 za koncentracije nosilaca za aktivni reim i sliku 4.3R za koncentracije nosilaca za inverzni
aktivni reim, sledi da se zasienje moe modelirati superpozicijom aktivnog i inverznog aktivnog
reima kod odredjivanja strujno-naponske karakteristike jer se ona izvodi iz raspodele koncentracija
slobodnih nosilaca, slika 4.6. To znai da se struja kolektora, emitora i baze u zasienju moe napisati
kao zbir izraza (4.8), (4.12) i (4.18) za aktivan reim, i izraza (4.8R), (4.12R) i (4.18R) za inverzni
aktivni reim, prema referentnom smeru za struje i napone na slici 4.6. Veliinama iz izraza (4.8.) i
(4.12.) i (4.18.) je dodat indeks F (FORWARD).

BC BC BE BE
T T T T
v v v v
V V V V S S
B BF BR SBF SBR
F R
I I
i I I I e I e e e

= + = + = +

1
BC BE
T T
v v
V V S
E EF ER CF R CR S
F F
I
i i i i i e I e

= = =





gde je I
S
odredjeno formulom (4.12), a
F
i
R
su odredjeni formulama (4.19) i (4.19R),
respektivno.
Poslednje tri jednaine se zovu EBERS-MOLOVE i koriste se u raunarskoj analizi
tranzistora za sve reime rada tranzistora. Na primer, aktivni reim ( 0, 0
BE BC
v v > ) pretvara
EBERS-MOLOVE jednaine u (4.8), (4.12), (4.18).
Poredei koncentracije slobodnih nosilaca tranzistora u aktivnom reimu, slika 4.3. i
zasienju, slika 4.6. uoava se da je gradijent koncentracije sporednih nosilaca u bazi
( ) ( ) ( )
0 /
p p
n n w w manji u reimu zasienja, pri jednakim naponima
BE
v . To znai da se struja
kolektora u zasienju smanjuje u odnosu na vrednost u aktivnom reimu, videti formule (4.10) i
(4.12). Sem toga struja baze zasienog tranzistora raste, jer direktna polarizacija kolektorskog spoja
potpomae prolazak glavih nosilaca to ima za posledicu poveanje struje upljina. Naime, pored
upljina koje iz baze odlaze u emitor u zasienju se pojavljuje i komponenta bazne struje sainjena od
upljina koje prelaze u kolektor (imati u vidu da se analizira NPN tranzistor). Iz prethodnog
razmatranja sledi da je strujno pojaanje tranzistora u zasienju manje nego u aktivnom reimu i da
izrazito opada sa poveanjem kolektorske struje, odnosno sa intenzivnijom propusnom polarizacijom
kolektorskog spoja. Stoga se rad tranzistora u reimu zasienja moe ustanoviti ili odredjivanjem
polariteta napona na spojevima, ili dokazivanjem smanjenja strujnog pojaanja.
,
BC BE BE
T T T
v v v
V V V S ER
C CF CR S S
R R
I i
i i i I e I e e

= = =
C
B
E
v
BE
+
i
B
v
BC
+
i
E
i
C
i
C

i
E

V
BC

V
BE

i
B

13
Ekvivalentni elektrini model tranzistora za rad u reimu zasienja je prikazan na slici 4.7a.
Poto je struja direktno polarisanih spojeva velika, napon na njima je priblino konstantan. Zbog jaeg
dopiranja kontaktni potencijal emitorskog spoja odredjen jednainom (2.7) je vei nego na
kolektorskom spoju pri istoj struji. Tipine vrednosti padova napona na direktno polarisanom
emitorskom i kolektorskom spoju tranzistora su 0, 7 V i 0, 5 V
BES CBS
V V = = . Kao praktiniji, ee
se koristi model zasienog tranzistora sa zajednikim emitorom, pokazan na slikama 4.7b i 4.7d.

B
E
C
V
BES
VBCS
B C
E
IBS ICS<IBS
B
E
C
VBES
V
CES
B C
E
I
BS
I
CS
<I
BS
B
E
C
V
EBS
V
CBS
B C
E
IBS ICS<IBS
B
E
C
VEBS
VECS
B C
E
I
BS
I
CS
<I
BS
(a)
(b)
(c)
(d)
Slika 4.7. Ekvivalentni model zasienog tranzistora sa zajednikim emitorom:
(a) principska ema, (b) praktino kolo za NPN tranzistor
(c) principska ema, (d) praktino kolo za PNP tranzistor


:
,
.
14
Primer 4.3. U kolu na slici ispitati da li tranzistor radi u zasienju ako je poznato: R
C
= 2 k,
R
B
= 91 k, V
CC
= 12 V, = 100. Kolika je najmanja vrednost otpornosti R
C
za rad tranzistora u
zasienju? Da li tranzistor moe biti zasien ako je R
C
= 0?
Reenje: Kod ispitivanja radnog reima tranzistora moe da se
podje od naponskog kriterijuma, odnosno od odredjivanja
polariteta napona na kolektorskom spoju:
( ) ( )
CB CE BE CC C C CC B B B B C C
v v v V R I V R I R I R I = = =

Za rad u zasienju treba ispuniti uslov:
0
CB B B C C
v R I R I = < odnosno .
C C B B
R I R I >

Poslednji uslov se najjednostavnije testira ako se prvo pretpostavi da je tranzistor u aktivnom reimu,
pa se iz izraunate bazne struje
BA
I odredi kolektorska struja
CA BA
I I = . Zatim se uporede
vrednosti
C BA
R I i
B BA
R I . Ako je
B
R vee od
C
R onda je tranzistor stvarno aktivan. Ako je
B C
R R < , onda je tranzistor zasien. U zadatom sluaju, tranzistor je zasien.
Ispitivanje radnog reima moe da se obavi i preko strujnog kriterijuma, odnosno ispitivanjem
vrednosti strujnog pojaanja. To je najjednostavnije uraditi polazei od pretpostavke da je tranzistor
zasien. Tada se izraunaju struje: I
BS
= (V
CC
- V
BS
)/R
B
i I
CS
= (V
CC
- V
CES
)/R
C
i odredi njihov kolinik,
koji predstavlja strujno pojaanje tranzistora u zasienju
S
. Ako je
S
< , pretpostavka je dobra,
tranzistor je zasien. Ako je
S
> , , a mi smo tano razmatrali, sledi da ne valja pretpostavka da je
tranzistor aktivan. U zadatom sluaju je: / 46
S CS BS
I I = < , pa je tranzistor zasien.
Smanjenjem R
C
poveava se kolektorska struja pri konstantnoj pobudnoj baznoj struji. To dovodi do
ponitavanja poslednjeg uslova pri R
C
= 910 .
Ako je R
C
= 0, kolektor je na konstantnom potencijalu V
CC
, a baza na niem naponu od V
CC

za R
B
I
B
. Stoga je V
CB
> 0, i tranzistor je po naponskom kriterijumu uvek aktivan.
Aktivni reim se primenjuje za pojaanje, zasienje se primenjuje kada se tranzistor koristi
kao prekida, to znai da izmedju kolektora i emitora postoji velika otpornost kada je tranzistor
zakoen (otvoren prekida) i mala otpornost kada je tranzistor zasien (zatvoren prekida).

4.6. Neprovodni reim tranzistora

Ovaj radni reim nastaje kada su oba spoja inverzno polarisana. Tada se izmedju bilo koje dve
elektrode tranzistora dobija otvorena veza, ako se zanemare struje curenja i ako su inverzni naponi
izmedju elektroda manji od probojnih napona. U realnim uslovima struje curenja postoje i od
praktinog je interesa postii da kolektorska struja curenja, kao struja u izlaznom kolu, bude to
manja. Pri istim uslovima u izlaznom kolu, struja curenja e biti manja kada je polarizacija baza-
emitor negativna. Razlog je ometanje mehanizma pojaavanja struje curenja, koji je razmatran kod
naponskog proboja tranzistora.

4.7. Statike karakteristike tranzistora

Tranzistor je komponenta sa tri elektrode izmedju kojih se mogu definisati tri napona i tri struje.
Samo etiri od pobrojanih est veliina su nezavisne. Ako se jedan od krajeva tranzistora usvoji kao
zajedniki, tranzistor se moe predstaviti kao etvoropol sa dva ulazna i dva izlazna kraja. Takav
etvoropol se egzaktno opisuje pomou ulaznih i izlaznih struja i napona. Ako se emitor tranzistora
usvoji kao zajednika elektroda za ulaz i izlaz, onda se dobija model tranzistora sa zajednikim
emitorom. Na slian nain, definiu se i konfiguracije sa zajednikom bazom i kolektorom.
+V
CC
R
C
R
B
15
Statike karakteristike tranzistora su krive koje pokazuju zavisnost izmedju ulaznih i izlaznih
struja i napona tranzistora kao, na primer, prenosna karakteristika odredjena jednainom (4.13).
Obzirom da postoje etiri nezavisne promenljive, statike karakteristike se snimaju (mere) i prikazuju
dvodimenzionalno izmedju dve odabrane promenljive pri emu se ostale dve promenljive uzimaju
kao konstante, ili kao parametri. Na taj nain za jednu unapred odabranu konfiguraciju tranzistora,
moe da se izmeri vie razliitih statikih karakteristika. U tehnikom smislu od svih mogunosti su
interesantne: ulazna statika karakteristika (zavisnost ulazne struje i napona), i prenosna statika
karakteristika (zavisnost jedne izlazne od jedne ulazne veliine). Na slici 4.8 su pokazane ulazna,
prenosna i izlazna statika karakteristika tranzistora u konfiguraciji sa zajednikim emitorom. Ulazna
karakteristika je snimana pri konstantnom izlaznom naponu
CE
v . Pri poveanju izlaznog napona, iri
se oblast prostornog tovara kolektorskog spoja, to dovodi do smanjenja rekombinacije i pada bazne
struje pri konstantnom naponu
BE
v . To je prikazano tankom linijom na slici 4.8a. Karakteristine
veliine na statikoj karakteristici su, kao i kod direktno polarisane diode, napon ukljuivanja
BET
v ,
koji se ponekad obeleava sa V

i napon provodnog tranzistora


BE
V .
0
i
B
[A]
v
BE
[V] V
BE
V
BET
v
CE1
v
CE2
v
CE
2<v
CE
1
(a)
0
i
C
[mA]
v
BE
[V] V
BE
V
BET
v
CE2
v
CE1
v
CE2 <v
CE1
(b)
i
B
i
C
C
B
E
v
BE
v
CE
+
+
Q
V
BE
V
CEQ
v
CE
[V]
i
C
I
CQ
-V
A
0
i
B4
>i
B3
iB3>iB2
i
B2
>i
B1
i
B1
Z
A
S
I
C
E
N
J
E
A
K
T
I
V
N
I

R
E

I
M
(c)

CE
V

C
I

C
i


Slika 4.8. Statike karakteristike tranzistora sa zajednikim emitorom:
(a) ulazna, (b) prenosna, (c) izlazna.
16

3 2
C
B B
i
i i

,
CQ
C
CE A CEQ
I
I
V V V

=
+
iz slinosti trouglova (vidi sliku 4.8.(c).

Pri porastu temperature ova statika karakteristika se pomera navie i prema koordinatnom poetku,
to znai da struja baze raste sa porastom temperature pri konstantnom pobudnom naponu
BE
v . Ova
pojava je kumulativna. Naime, porast bazne struje vodi ka veoj disipaciji na tranzistoru i poveanju
njegove temperature. To opet dovodi do porasta bazne struje, a samim tim i kolektorske. Opisani
proces se zove termiko beanje (thermal runaway) i predstavlja bitno ogranienje za rad tranzistora
u uslovima velikih temperatura i disipacija.
Prenosna statika karakteristika se takodje meri pri konstantnom naponu kolektor-emitor. Sa
slike 4.8b se vidi da pri veim naponima
CE
v , ista pobuda u bazi daje veu kolektorsku struju. To je
posledica smanjenja rekombinacije u bazi koje daje vei transportni faktor i veu kolektorsku struju.
(Earlijev efekat)
Izlazne statike karakteristike pokazuju kako se menja struja kolektora u funkciji napona
kolektor-emitor kada je struja baze konstantna. Na slici 4.8c je pokazan i uticaj Erlijevog efekta.
Kada tranzistor radi u aktivnom reimu, onda su izlazne statike karakteristike priblino horizontalne
i ekvidistantne (jednakom rastojanju na slici odgovaraju jednake promene struje). Ako tranzistor vodi
i ne radi u aktivnom reimu, to je ispunjeno za
CE BE
v v < kada su i emitorski i kolektorski spoj
direktno polarisani (zasienje), dolazi do velikih promena kolektorske struje pri malim promenama
napona v
CE
.


Slino prethodnom razmatranju, mogu se nacrtati statike karakteristike i drugih konfiguracija
tranzistora, na primer sa zajednikom bazom. Bitno je istai da su statike karakteristike tranzistora
njegove spoljne karakteristike, koje celovito odraavaju osobine tranzistora proistekle iz njegove
konstrukcije (geometrija, dopiranje, izrada). Sa njih se mogu oitati parametri elektrinog modela
tranzistora opisanog u odeljku 4.3. Na primer, Erlijev napon
A
V ili strujno pojaanje , slika 4.8c.




Uzeto iz:

1. Tei S., Vasiljevi D. : Osnovi elektronike