Net

11.1.2013.
NAIN POLAGANJA ISPITA

NOVE TEHNOLOGIJE ELEKTROTEHNIKIH MATERIJALA
Pripremio: Igor Vujovi
- 2 kolokvija i seminar - Vjebanje timskog rada: podjela u timove, odreivanje voe tima, podjela zadataka, rad na projektu, izvjee. - Svaki tim e napisati izvjee o nainu rada te tko je tono to radio (tko je odgovoran za to). Takoer e napisati i rad od min. 6-8 stranica (12 Times, jednostruki prorijed, dvostupasti format, A4) - Kolokviji po 30 bodova, izvjetaj i rad s projekta 5+25, zalaganje i dolasci na nastavu 5+5 bodova. Kolokviji po 40% za prolaz uvjet, a onda se zbroje bodovi i dobije se ocjena: [60-70] bodova dovoljan, 70-80] dobar, 80-90] vrlo dobar, 90-100] odlian.
Glavna: Ovi materijali i Internet. Dopunska:
LITERATURA

SADRAJ
Mikrosvemir materijali na atomskoj razini Toplinska svojstva u elektronici Pakiranje elektronikih komponenti Nanotehnologija Femtotehnologija Supravodljivost Kompozitni i drugi moderni materijali Termografija Korozija
1. W. D. Callister, Materials Science and Engineering An Introduction, sedmo izdanje, John Wiley & Soms, New York, 2007. 2. S. O. Kasap, Principles of Electronic Materials and Devices, tree izdanje, McGraw Hill, New York, 2006. 3. N. Spaldin, Magnetic Materials Fundamentals and Device Applications, Cambidge University Press, Cambridge, 2006. 4. R. E. Hummel, Electrical Properties of Materials, tree izdanje, Springer, New York, 2005. 5. L. Solymar, D. Walsh, Electrical Properties of Materials, sedmo izdanje, Oxford University Press, Oxford, 2004. 6. I. Kuzmani, R. Vlai, I. Vujovi: Elektrotehniki materijali, Visoka pomorska kola u Splitu, 2003. 7. A. J. Moulson, J. M. Herbert (ur.), Electroceramics: Materials, Properties, Applications. 2nd Edition. John Wiley &Sons, Ltd, New York, 2003. 8. R. Remsburg: Thermal Design of Electronic Equipement, CRC Press, London, 2001. 9. N.C. Lee, Reflow Soldering Processes and Throubleshooting: SMT, BGA, CSP and Flip Chip Technologies, Newnes, Oxford, 2002. 10. R. Remsburg, Thermal Design of Electronic Equipement, CRC Press, Boca Raton, 2001. 11. G. R. Blackwell: The Electronic Packaging Handbook, CRC Press, IEEE Press, New York, 2000. 12. T. H. Courtney, Mechanical Behaviour of Materials, drugo izdanje, Waveland Press, Long Grove, 2000. 13. L. Tsakalakas, Nanotechnology for Photovoltaics,CRC Press, New York, 2010. 14. G.L. Hornyak, H.F. Tibbals, J. Dutta, J. J. Moore, Introduction to Nanoscience & Nanotechnology, CRC Press, New York, 2009.
11.1.2013.
Pitanja za kolokvije
1. KOLOKVIJ 1. Opiite standardni model te njegove mane. 2. Kvantno-fiziki model atoma. 3. Kronig-Penneyjev model pojaseva u krutinama. 4. Maxwellove jednadbe i njihova interpretacija. 5. Feynmanov model pojeseva u krutinama. 6. Termoinonska emisija. 7. Schottkyjev uinak. 8. Izvod formule za elektrinu provodnost u klasinoj teoriji elektrona. 9. Kemijske veze izmeu atoma, energije i sile privalenja i odbijanja. 10. Objasnite 3 naina voenja topline i zato su bitni u elektronici. 11. Temeljne jednadbe za CFD. 12. Flip ip.
2. KOLOKVIJ 1. Alati nanotehnologije. 2. Ugljikove nanocjevice. 3. to je femtotehnologija i ABmaterija? 4. Objasnite temeljnu ideju BCS teorije. 5. Ginzburg-Landau-ova teorija supravodljivosti. 6. Meissnerov uinak. 7. Josephsonov uinak. 8. Vrste kompozita. 9. to je termografija, kako se izvodi i emu slui? 10. Anodni i katodni procesi kod elektrokemijske korozije. 11. Lokalna korozija. 12. Zatita od korozije.
UVOD
Elektrina svojstva te zakoni elektrine i toplinske vodljivosti bili su krajem 19. stoljea dobro poznati, ali na pitanje zato se ta svojstva razlikuju od materijala do materijala odgovora nije bilo. Nije bilo modela s pomou kojih bi se mogla objasniti mjerena/opaana fizikalna svojstva. Potrebno je bilo doi do jednog velikog otkria: otkria elektrona 1897. godine (J. J. Thompson), to je odmah imalo utjecaj na teorije o strukturi materijala, odnosno konkretnije, na mehanizam vodljivosti elektrine struje u metalima. Tri godine poslije Thompsonovog otkria Paul Drude je objavio teoriju elektrine i toplinske vodljivosti, primijenivi vrlo uspjenu kinetiku teoriju plinova na metale, pretpostavivi da se elektroni u metalu ponaaju kao plin slobodnih elektrona.
UVOD
Drudeov model je ustvari prvi teoretski model koji je objanjavao ili opisivao makroskopsko ponaanje (rezultate dobivene mjerenjima) s pomou mikroskopskih parametara (gibanje elektrona u metalu). S pomou prouavanja minerala pronaenih u prirodi zakljuivalo se i prije 18. stoljea da kristali imaju pravilne vanjske geometrijske oblike zahvaljujui malim pravilnim strukturama (tono odreenih geometrijskih oblika), koje slaganjem daju makroskopski izgled. Za metale i slitine se to krajem 19. stoljea samo nasluivalo. Kako se svojstva materijala ne mogu objasniti bez poznavanja unutarnje strukture/grae materijala, treba krenuti od samog poetka, odnosno od grae atoma da se bolje upoznaju elektrina i toplinska svojstva materijala i modeli koji govore o istima.
GRAA ATOMA
Da bi se razumjela fizika i kemijska svojstava materijala pa tako i metala, potrebno je poznavati veze meu atomima. Naini vezivanja atoma mogu se u pojednostavljenom obliku tumaiti na temelju grae atoma. Prema modelu koji je postavio Ernest Rutherford atom se sastoji od elektriki pozitivne nabijene jezgre i elektrona, koji su nositelji elementarnog negativnog naboja. Elektroni krue oko jezgre. Izmeu pozitivno nabijene jezgre i negativno nabijenih elektrona prisutne su privlane elektrine sile. U samoj jezgri koncentrirana je uglavnom cijela masa atoma. Dvije su osnovne estice koje tvore jezgru, a koje su s elektrotehnikog gledita najzanimljivije. To su proton, nositelj elementarnog pozitivnog naboja i neutron, estica bez elektrikog naboja.
11.1.2013.
GRAA ATOMA
Niels Bohr je dao jednostavan "planetarni model" atoma. Prema ovom modelu elektroni mogu postojati samo u odreenim energetskim stanjima (ljuskama) koja karakteriziraju slijedea etiri parametra, tzv. kvantni brojevi: - glavni kvantni broj, n (n= 1, 2, 3, 4, 5 ... tj. K, L, M , N, O) - sporedni kvantni broj,l (l =0, 1, 2, 3, 4...n-1; tj. s, p, d, f, h) - magnetski kvantni broj, m ( m = 0, 1, 2, ... 1 ) - spinski kvantni broj, ms (ms = 1/2). Maksimalan broj elektrona koji se moe nalaziti u ljusci s glavnim kvantnim brojem n jednak je 2n2. Prema Paulijevom naelu iskljuenja u nekom atomu moe se nalaziti samo jedan elektron u odreenom kvantnom ili energijskom stanju. Elektronska konfiguracija ili struktura atoma predstavlja nain popunjavanja energijskih stanja.
MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

Njemaki fiziar A. Sommerfeld je 1916. proirio Bohrov model ukljuivi gibanje po elipsama, analogno Sunevom sustavu. Staze elektrona mogu biti kvantizirane elipse. Velika poluos elipse, an, odgovara h 2 0 Bohrovom polumjeru krunice, an = n 2 Zme e 2 l a mala poluos, bn, elipse je: bn = a n n gdje je n glavni kvantni broj, a l sporedni kvantni broj. Ako je l = n rije je o krunici. Energija elektrona je:
En =
1 me Z 2 e 4 2 2 n 2 8 0 h

Korekcija Bohrovog modela je:
L = me v r = n

Stoga je uveden pojam kvantnog elektronskog oblaka, a to je raspodjela vjerojatnosti nalaenja elektrona unutar atoma. Taj oblak je najgui tamo gdje je najvea vjerojatnost. Tim je objanjena samo jedna od 4 temeljne sile u prirodi elektromagnetska. Ostale tri (slaba i jaka nuklearna i gravitacijska sila) trebalo je, takoer, nekako ukljuiti u objanjenje materije. Daljnjim napretkom fizike dolo se do uvoenja pojma YangMillsovog[1] polja, koje je danas temelj sveobuhvatne teorije materije. Ispravnost teorije je toliko velika da je nazvana standardnim modelom. S pomou standardnog modela moe se objasniti svaki eksperimentalni podatak u svezi sa subatomskim esticama. Po njemu protoni, neutroni i druge teke estice nisu elementarne estice, nego se sastoje od kvarkova, koji mogu imati 3 boje (engl. color) i 6 okusa (engl. taste). Postoje i antimaterijski parnjaci, antikvarkovi. To ukupno daje 36 kvarkova. Kvarkove na okupu dri Yang-Millsovo polje. Prema nekim tumaenjima, ono se kondenzira u ljepljivu itku masu koja gluone[2] trajno povezuje. U jakim interakcijama uestvuju i estice zvane mezoni[3].
gdje je L impuls vrtnje elektrona. Bohrovim modelom atoma ne moe se objasniti cijeli niz problema. Uz to, vrijedi samo za vodikov atom, jer se model temelji na krivoj pretpostavci da se elektron u atomu giba po odreenoj putanji. Gibanje elektrona u atomu nije usporedivo s orbitama planeta, nego se opisuje valnom funkcijom, , koja se dobiva rjeavanjem Schrdingerove jednadbe. Takav model atoma naziva se kvantno-fizikim modelom. Taj model nije zoran, ali tono tumai rezultate pokusa pa se stoga danas primjenjuje. Veliina ||V predstavlja vjerojatnost nalaenja elektrona u dijelu atoma volumena V. Vjerojatnost nalaenja elektrona je najvea na onim udaljenostima od jezgre koje su jednake Bohrovim polumjerima.
h = k h 2
11.1.2013.

Ta nezgrapnost se moe izraziti popisom estica i sila koje su nune za objanjavanje svega ostalog: 36 kvarkova, 8 Yang-Millsovih polja za opisivanje gluona, 4 Yang-Millsova polja za slabe i elektromagnetske sile, 6 vrsta leptona za slabe interakcije (elektron, muon, tau lepton i odgovarajui neutrini), Higgsove estice potrebne za raunanje mase i konstanti drugih estica i najmanje 19 proizvoljnih konstanti za opisivanje masa estica i jaine interakcija, a koje ne slijede iz teorije, niti su po njoj odreene. Teorija kakvu fiziari prieljkuju treba imati jedinstvenu simetriju i sposobnost objanjavanja brojnih eksperimentalnih podataka sa to manje matematikih izraza. Eliptiki model atoma, a kasnije i kvantno-fiziki model nastali su iz prouavanja zraenja (izvora svjetlosti).
U standardnom modelu slaba nuklearna sila upravlja skupinom estica leptonima. Ova sila se stvara razmjenom estica zvanih W i Z bozoni[1]. Dio standardnog modela koji se bavi interakcijom elektrona i svjetlosti naziva se kvantna elektrodinamika. To je tehniki najtonija teorija u povijesti i provjerena je do granice mjerljivosti. Meutim, sam standardni model nijedan fiziar ne smatra tonom teorijom, jer je preobiman i previe nezgrapan.

Da bi neko tijelo bilo izvor svjetlosti, mora se uariti. Tijelo zrai i bez zagrijavanja, ali u dijelu elektromagnetskog spektra koji nije vidljiv. Proputanjem svjetlosti kroz prizmu nastaje emisijski spektar. Plinovi emitiraju spektre koji se sastoje od razliitih linija. Svaki kemijski element ima svoj jedinstveni emisijski spektar. Promatrajui vodikov spektar, Stark[2] je 1913. godine uoio da se spektralne linije cijepaju kada se atomi nalaze u jakom elektrinom polju. To je nazvano Starkovim uinkom. Naime, osim osnovnih linija spektra, primjeuju se spektroskopijom i jo neke linije, koje se objanjavaju cijepanjem energijskih razina zbog vanjskog polja. Naime, elektroni u elipsama istog kvantnog broja n nee imati istu energiju u elektrinom polju. r e L Orbitalni magnetski moment elektrona je: p ml = 2m

Spinski moment elektrona je:
p mS = 2
2
gdje je vlastiti impuls vrtnje S = 1 h
e r S 2m za elektron.
Ukupni magnetski moment je vektorski zboj ova dva momenta. Orbitalni i spinski moment imaju vanu ulogu u objanjavanju magnetizma materijala, ali i moguu primjenu u tzv. spinskoj elektronici, gdje bi spin u jednom smjeru noznaavao logiku jedinicu, a u drugom logiku nulu. Postoji i Sommerfeld-Wilsonov kvantni uvjet iz kojeg se sve moe izvesti umjesto iz Bohrovog modela te se tako dobiti i eliptiki model atoma.
11.1.2013.

Osim problema Starkovog uinka, odstupanje od Bohrovog modela primjeuje se i kod Zeemanovog[1] uinka. Naime, do cijepanja linija vodikova spektra dolazi i pod utjecajem magnetskog polja, to je Zeeman pokazao jo 1896. godine. Za objanjenje Zeemanova uinka pretpostavljeno je da vektor magnetskog momenta ne moe u magnetskom polju imati bilo koji smjer, nego samo odreene smjerove. Njemaki fiziari O. Stern[2] i W. Gerlack su 1924. su u vakuumsku cijev stavili kuglicu od srebra i ugrijali je. Iz ugrijane kuglice izlijetali su atomi srebra na sve strane. S pomou dvaju uzastopnih paralelnih proreza u zastorima izdvojili su uski snop atoma koji su dalje usmjeravani kroz nehomogeno magnetsko polje te su ostavljali tragove na fotografskoj ploi. Prije uspostave magnetskog polja, tragovi atoma srebra na fotografskoj ploi ine ravnu prugu.

Nakon uspustave magnetskog polja, dobivene su dvije pruge tragova, tj. atomi su padali ili na gornju ili na donju prugu. Ovakav rezultat objanjen je uvoenjem spina elektrona, a pridruen je magnetski spinski kvantni broj, koji moe imati samo dvije vrijednosti, koje odgovaraju vrtnji elektrona u smjeru polja ili u suprotnom smjeru. Prema klasinoj fizici, ako se uzme u obzir da elektroni imaju spin, brzina povrine elektrona bila bi 51010 m s-1, to je vie od brzine svjetlosti i, prema teoriji relativnosti, nemogue. S time je dovedena u sukob fizika makrosvemira i mikrosvemira. Naime, moment koliine gibanja elektrona oko osi po definiciji je jednak umnoku momenta tromosti i kutne brzine te slijedi:
1 h = I 2
Uz I = 5 me R brzina perifernih dijelova v = R. Iz ovih triju jednadbi slijedi: 5 h v= 8 me R Oito je da Bohrov model atoma, pa prema tome i modifikacija u obliku eleiptinog modela atoma, ima dosta problema. Jedan od vanih problema je i to vrijedi samo za vodikov atom. Razlog tome je to se taj model temelji na krivoj pretpostavci da se elektron u atomu giba po odreemnoj putanji. Gibanje elektrona u atomu nije usporedivo s orbitama planeta, nego se opisuje valnom , koja se dobija rjeavanjem funkcijom, Schrdingerove jednadbe[1]. Takav model atoma naziva se kvantno-fizikim modelom.
MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE 2

2

Geometrija koja je omoguila razvoj suvremene misli o svemiru i biti materije roena je 10. lipnja 1854. Tvorac je bio Georg Friedrich Bernhard Riemann, koji je teoriju viih dimenzija objavio na poznatom predavanju odranom pred fakultetskim zborom Sveuilita u Gttingenu, Njemaka. Rieman je bio Gaussov student i on ga je pustio da razvije alternativnu geometriju euklidskoj. Njegov fundamentalni esej O temeljnim postavkama geometrije sruio je stupove klasine grke geometrije i Euklidskog pojimanja trodimenzionalnog svijeta. ezdeset godina kasnije, Einstein e njegovom etverodimenzinalnom geometrijom objasniti nastanak i razvoj svemira. Riemann je stvorio novu predodbu sile. Dok se od Newtona smatralo da je sila trenutano djelovanje dvaju udaljenih tijela, Riemann je smatrao da je sila posljedica geometrije (to je kasnije iskoristio Einstein).
11.1.2013.

On je zakljuio da su elektricitet, magnetizam i gravitacija posljedica zakrivljenja naeg trodimenzionalnog svemira u nevidljivoj etvrtoj dimenziji. Zato sila ne postoji sama za sebe, nego je rije o privodnoj pojavi uzrokovanoj izoblienjem geometrije. Riemann je postavio jednu od najvanijih tema suvremene fizike prirodni zakoni izgledaju vrlo jednostavno kad ih se izrazi u viedimenzionalnom prostoru. Uveo je i metriki tenzor koji sadrava sve informacije potrebne za matematiki opis zakrivljenog prostora s N dimenzija. Svaku toku 4D prostora opisuje metriki tenzor od 16 brojeva:
g11 g 21 g 31 g 41 g12 g 22 g 32 g 42 g13 g 23 g 33 g 43 g14 g 24 g 34 g 44

Kako je g12 = g21 i dr, ostaje svega 10 parametara koje je potrebno znati. Sa svojom matematikom, Riemann je pokazao da zbroj kutova u pravokutnom trokutu nije uvijek 180, nego ovisi o zakrivljenosti prostora. Drugi problem koji se stavljao pred fiziku bio je problem irenja svjetlosti kroz vakuum. Naime, za vodeni val medij titranja je voda, za zvuni zrak i sl. to je, analogno tome, medij titranja svjetlosti? U poetku su znanstvenici vjerovali da je rije o eteru tajanstvenom plinu koji ispunjava vakuum. Eter nije eksperimentalno otkriven. Einstein je kasnije pokazao da eter nije niti potreban i o njemu se prestalo spekulirati. Meutim, dio znanstvenika koji je raunao s vie dimenzija svemira tvdrio je da se svjetlost kroz vakuum iri titranjem u petoj dimenziji.
Prvi koji je valjano primjenio vie dimenzija bio je Einstein. Uz 3 prostorne, koje su tada smatrane jedinima, dodao je etvrtu vrijeme. Ako je vrijeme etvrta dimenzija, tada se rotacijom prostor moe pretvoriti u vrijeme i obrnuto. Bit Einsteinovog vienja svemira je u naelu ekvivalencije, shvaanju da je materija koncentracija energije i relacijom da novi pojmovi (uveo je energomateriju, jer su povezani s E = mc2 i prostor-vrijeme, jer su to samo dimenzije svemira) odreuju zakrivljenost prostorvremena. Drugim rijeima, masa, a to je energija ili energomaterija, zakrivljuje prostorvrijeme. To znai da je sila samo nae vienje geometrije vie dimenzija. Zakrivljenost prostor-vremene znai i da postoje prostorni nabori koji oteavaju ili olakavaju kretanje. Kada se svjetlost giba kroz prazan prostor, njeno irenje je pravocrtno, po naelu najkraeg vremena. Meutim, kad se nae u blizini izoblienja (gravitacija), giba se po zakrivljenoj putanji (jer je to najkraa udaljenost izmeu toaka).

Theodr Kaluza sa Sveuilita u Knisbergu (Kalingrad), nepoznati matematiar, predloio je Einsteinu da uvede petu dimenziju u teoriju gravitacije i tako je povee s Maxwellovom teorijom svjetlosti. Kaluza je smatrao da je svjetlost smetnja uzrokovana nabiranjem vie dimenzije. Dok je Riemannov pogled bio striktno matematiki, Kaluza je predloio izvornu teoriju polja. Kaluza je postavio Riemannovu metriku u pet dimenzija te je postigao ujedninjenje elektromagnetske i gravitacijske sile:
11.1.2013.

Prema Kaluzu, peta dimenzija se uruila u tako mali krug da u njega ne stanu atomi. Klein je usavrio Kaluzu izraunavi a je veliina pete dimenzije 10-35 metara. Teorija nazvana Kaluza-Kleinovom nije se dugo odrala: nije ujedinjavala nuklearne sile, a fiziari su preli na kvantnu teoriju. Kaluza-Klein, Riemann i Einstein zacrtali su jedan smjer suvremene fizike koji je teio tumaiti prirodu geometrijom. Da li je taj put bio pogrean? S druge strane, kvantna teorija privukla je novu generaciju fiziara koji su krenuli potpuno drugim smjerom. Nova teorija nazvana je kvantna mehanika, a omoguila je otkrivanje tajni atoma. Kvantna teorija je okrenula Einsteinovu naglavake: Einstein je razmiljao o svemiru, protoku vremena i prostora koji dri galaksije i zvijezde na okupu. Kvantna teorija se bavi mikrosvemirom u kojem se subatomske estice okupljaju silama u praznom prostoru.

Kljune razlike su te to kvantna teorija tvrdi da: sile nastaju razmjenom zasebnih paketa energije (kvantima), razliite sile su posljedica razmjene razliitih kvanata, ne moe se istodobno znati brzinu i poloaj subatomske estice (Heisenbergovo naelo neodreenosti) i postoji konana vjerojatnost da se estice mogu probiti kroz zapreku, tonije nainiti kvantni skok (to se primjenjuje u npr. tunel-diodama). Standardni model, koji se danas koristi, je previe sloen. U odnosu na Einsteinove jednostavne i uinkovite jednadbe, ovo je katastrofalno! Teorija kakvu fiziari prieljkuju treba imati jedinstvanu simetriju i sposobnost objanjavanja golemih koliina eksperimentalnih podataka sa to manje matematikih izraza.

Nakon ovakvog fijaska kvantne teorije, fiziari su se vratili Kaluza-Kleinovoj teoriji, ali ovaj put s N dimenzija. Jednadbe dobijene tako razdvajaju se na dva dijela: Einsteinove jednadbe i Yang-Millsovu teoriju polja. Prijee li se u N dimenzija, metriki tenzor izgleda:
Rasporeivanje bozona i fermiona unutar istog multipleta dobijaju se supersimetrine jednadbe. Supergravitacijska teorija bio je pokuaj vraanja Einsteinovim tragovima i ima supersimetriju. Predvidila je tzv. s-estice i samo 2 polja: gravitona (bozona) sa spinom dva i polja njegova parnjaka sa spinom 3/2, tzv. gravitina. Budui da se s tim ne mogu stvoriti sve sloenije estice, najjednostavnije je ukljuivanje materije u 11-dimenzionalnom prostoru. Da bi se takva super Kaluza-Kleinova teorija napisala u 11 dimenzija potreban je odgovarajui Riemannov tenzor:
Ujedinjenje gravitacije tumai se supergravitacijom i kvantnom gravitacijom. Po kvantnoj teoriji trebali bi postojati gravitoni, koji su paketii gravitacijske energije, ali nisu otkriveni. Kvantna teorija je nastavljena s uvoenjem multipleta, koji se sastoje od jednakog broja bozona i fermiona.
11.1.2013.

No jo uvijek nije jasno to je to estica? Einstein je drao da je to kondenzirana energija. Na ovo pitanje odgovara teorija superstruna, koja objedinjuje Einsteinovu teoriju gravitacije s kvantnom teorijom. Bit teroije struna je objanjavanje naravi i materije i prostorvremena. Struna je stotinu trilijuna puta manja od protona i titra. Svaki nain titranja jest posebna rezonancija ili estica. Titranjem strune u prostorvremenu ona izvodi sloeno gibanje. Struna moe puknuti ili se sudariti s drugim strunama i povezati ih. U povijesti fizike ovo je prva kvantna teorija gravitacije s konanim i smislenim kvantnim ispravcima. Kad su fiziari izraunali ogranienja koja se postavljaju u prostorvremenu na njih, dobili su Einsteinove jednadbe vie nisu bile fundamentalne, nego su izvedene iz teorije struna. Takoer je izraunato da ne moe biti proizvoljan broj dimenzija prostor-vremena, nego samo 10 ili 26.

Iz ovoga se moe rei da su simetrije subatomskog svijeta ostaci simetrije prostora viih dimenzija. Stoga je opa relativnost doivjela logian razvitak iz geometrije, preko teorije polja u kvantnu teoriju. Teorija superstruna sluajno je otkrivena 1968. (Gabriel Veneziano i Mahiko Suzuki) i napredovala je unazad te se jo traga za njezinim temeljnim naelom. Teorija struna postoji, ali se ne moe rijeiti matematiki model. Dananje mogunosti naeg tehnologije ne omoguuju eksperimente koji su potrebni za dokazivanje ove teorije. Zna se da se na bilijardu kelvina stapaju elektromagnetska i slaba nuklearna sila, na 1028 K elektroslaba i jaka nuklearna, a na 1032 K ujedinjuje se i sa gravitacijom pa se pojavljuje ujedinjenje svih simetrija desetdimenzionalnih superstruna i nastaje plin superstruna.

U tom trenutku se poeo izobliavat prostor-vrijeme pa se moe promijeniti i njegova dimenzionalnost. Tako nastaje i pukotina u prostor-vremenu, koja se naziva crvotoinom. Sa superstrunama mogue je znati povijest svemira od 10-43 sekundu od poetka vremena kod temperature 1032 K. U tom trenutku se raspada 10dimenzionalni svemir u 4-dimenzionalni i 6dimenzionalni. Ovaj drugi se uruava na veliinu 10-34 metara, dok se prvi brzo iri. U 10-35 sekundi raspada se sila velike jedinstvene teorije, tj. odvaja se jaka nuklearna sila. Mali djeli 4-D svemira napuhuje se i postaje na vidljivi svemir. Na kraju prve nanosekunde, temperatura svemira je 1015 K, a elektroslaba sila se raspada. Na kraju prve milisekunde kvarkovi se kondenziraju u neutrone i protone. Nakon 3 minute nastaju jezgre atoma. Nakon 300000 godina oko jezgre se skupljaju elektroni i nastaju atomi.

Svjetlost se vie ne raspruje i ne apsorbira i svemir postaje proziran i crn. Nakon 3 milijarde godina pojavljuju se kvazari, nakon 5 galaksije, a nakon 10 do 15 milijardi nastaje Sunev sustav. Danas sve vie prevladava miljenje razliito od materijalistikog shvaanja svemira, a to spada u teoriju holografskog svemira. Kako elementarne estice imaju pridruen val, a nastaju titranjem struna (iz energije titranja!), znai da su one samo privid koji ostavlja val, tj. hologrami stvarne prirode valova. Valovi interferiraju stvarajui privid materijalnog svijeta kojeg percepira na mozak. Ali stvaran svijet je uma valova (energije). Kako se valovi gibaju brzinom svjetlosti, vrijeme stoji (Einstein), tj. ne postoji.
11.1.2013.
Naini povezivanja atoma

Stvaranje meuatomske veze moe se najbolje predoiti promatranjem interakcije dva izolirana atoma. Ako su udaljenosti meu atomima velike interakcije su zanemarive. Meutim, kako se atomi pribliavaju poinju jedan na drugog djelovati silama privlaenja i odbijanja, iji iznosi ovise o meuatomskoj udaljenosti. Ishodite sile privlaenja Fp ovisi o tipu veze meu atomima. Njezin iznos mijenja se s razmakom meu atomima, kao to pokazuje slika. Kada se vanjske elektronske ljuske dva atoma poinju preklapati, javljaju se i jake sile odbijanja Fo. Ukupna sila F meu atomima jednaka je zbroju komponenata privlaenja i odbijanja: a takoer je i funkcija razmaka meu atomima.

Kada se Fp i Fo izjednae nema djelovanja sile, jer je: Fp + Fo = 0, odnosno uspostavljeno je stanje ravnotee. Sredita dvaju atoma ostaju na ravnotenom razmaku r0, koji za veinu atoma iznosi priblino 0,3 nm. Kada atomi jednom zauzmu te poloaje oni e se odupirati djelovanju sila koje ih nastoje pribliiti ili udaljiti. Ponekad je pogodnije uvesti pojam potencijalne energije umjesto sile meu atomima. Energija E i sila F matematiki su povezane na slijedei nain:
r r r
F = Fp + Fo
E = Fdr
Ovisnost meuatomskog razmaka za dva izolirana atoma
E = Fp dr + Fu dr = E P + E0


Zbrajanjem energija privlaenja i odbijanja dobiva se krivulja ukupne potencijalne energije, koja ima izraen minimum. Ovdje ravnoteni razmak r0 odgovara udaljenosti minimuma krivulje potencijalne energije od osi y. Energija veze Eo izmeu ova dva atoma jednaka je energiji u toki minimuma i predstavlja energiju potrebnu da bi se ta dva atoma razdvojila na beskonanu udaljenost. Premda se ovaj pristup odnosi na jednu idealnu situaciju koja ukljuuje samo dva atoma, slini, ali i mnogo sloeniji uvjeti postoje kod metala u vrstom stanju, jer se moraju uzeti u obzir interakcije sila i energija izmeu mnogih atoma. Usprkos tome, energija veze Eo moe se pripisati svakom atomu. Iznos energije veze i oblik krivulje ovisnosti energije o meuatomskom razmaku mijenjaju se u ovisnosti o vrsti atoma i tipu veze meu atomima.

Kod velikih energija veze nastaje vrsto stanje, kod malih energija plinovito stanje, a kod srednjih vrijednosti energija veze tekue stanje. Kod vrstog agregatnog stanja naena su tri razliita tipa primarne ili kemijske veze: - ionska, - kovalentna i - metalna. Svaki tip veze ukljuuje valentne elektrone, a priroda veze ovisi o elektronskoj strukturi sastavnih atoma. Openito, svaki od navedenih tipova veze javlja se u nastojanju atoma da ostvare stabilnu elektronsku konfiguraciju plemenitih plinova, kod kojih je potpuno ispunjena vanjska elektronska ljuska.
11.1.2013.

Ionsku vezu najlake je predoiti. Ionska veza se nalazi uvijek kod spojeva koji su sastavljeni od metala i nemetala. Naime, atomi metala mogu jednostavno predati svoje valentne elektrone atomima nemetala, ime postiu stabilnu elektronsku konfiguraciju plemenitih plinova. Klasian primjer ionske veze je NaCl, gdje atom natrija poprima elektronsku konfiguraciju neona i dobiva pozitivan naboj dajui jedan valentni 3s elektron atomu klora, dok atomi klora dobivaju negativan naboj i elektronsku konfiguraciju argona. Izmeu suprotno nabijenih iona vlada Coulombova sila privlaenja: z z e2

Energija privlaenja Ep izmeu iona Na + i ostalih iona u kristalu jednaka je: 2
Ep = N A z1 z 2 e r
gdje je A Madelungova konstanta (1/40). Energija ovisi o geometrijskom rasporedu naboja, a N je Avogadrov broj. Energija odbijanja Eo jednaka je:
E0 = N B rn
F=
1 2
gdje su B i n konstante ije vrijednosti ovise o pojedinanom ionskom sustavu, a n iznosi ~ 8. Ukupna energija za ionski kristal tada je jednaka zbroju energije privlaenja i odbijanja.
gdje su z1 i z2 valencije iona, a e je naboj elektrona.

Ionska veza je neusmjerena, jer je njezin iznos isti u svim smjerovima oko nekog iona. Da bi spoj s ionskom vezom bio stabilan, svi pozitivni ioni moraju imati za najblie susjede negativne ione u trodimenzionalnom prostornom rasporedu. Vrijednosti energija ionske veze kreu se uglavnom izmeu 600 i 1500 kJ/mol i relativno su visoke, to se oituje i u visokim temperaturama taljenja ionskih spojeva.

Kod kovalentne veze atomi postiu stabilnu elektronsku konfiguraciju stvaranjem zajednikog elektronskog para. Karakteristika kovalentne veze je usmjerenost, jer se ona uspostavlja samo u smjeru gdje postoje zajedniki elektroni meu atomima. Primjeri za kovalentnu vezu su molekule nemetala (npr. H2, Cl2, F2); spojevi nemetala (npr. CH4, H2O, HF); elementi u vrstom stanju, kao to su ugljik (dijamant), silicij i germanij te spojevi izmeu elemenata smjetenih na desnoj strani periodnog sustava, kao to su GaAs, InSb i SiC.
Shematski prikaz ionske veze kod NaCl
Prikaz kovalentne veze u molekuli metana, CH4
10
11.1.2013.

Kovalentna veza moe biti vrlo jaka, kao kod dijamanta, koji je vrlo tvrd i ima visoku temperaturu taljenja (> 3550 C), ili vrlo slaba, kao kod bizmuta, koji se tali kod 270 C. Meu atomima mogue su i veze koje su djelomino ionske, a djelomino kovalentne. U stvari veoma mali broj spojeva ima istu ionsku ili kovalentnu vezu. Postotak drugog tipa veze kod spojeva ovisi o relativnom poloaju sastavnih atoma u periodikom sustavu. to je vei razmak izmeu atoma s obzirom na dijagonalu, gore desno - dolje lijevo, u periodikom sustavu elemenata veza je vie ionska, a to su atomi blie jedan drugom vei je postotak kovalentnosti veze.

Metalna veza pojavljuje se kod metala i njihovih legura. Za shematski prikaz metalne veze predloen je relativno jednostavan model prema kojemu valentni elektroni metala u vrstom stanju nisu vezani za odreeni atom, ve vie ili manje slobodno struje unutar metala stvarajui "elektronski oblak". Preostali nevalentni elektroni i atomske jezgre ine tzv. "jezgre iona", koje imaju pozitivan naboj jednak po iznosu ukupnom naboju valentnih elektrona po atomu. Slobodno strujanje tzv. "delokaliziranih" elektrona "titi" pozitivno nabijene jezgre iona od djelovanja meusobnih odbojnih elektrostatikih sila, a metalna veza nema karakter usmjerenosti. Pored toga, slobodni elektroni dre poput "ljepila" Coulombovim silama na okupu jezgre iona ispunjavajui prostor unutar reetke metalnih iona.

Metali su dobri vodii elektriciteta i topline. Naime, kod djelovanja malog vanjskog elektrinog polja delokalizirani elektroni imaju translacijski vektor paralelan polju pa se kreu i provode struju, a ujedno su i dobri prenositelji kinetike energije (topline). Karakteristian sjaj metala posljedica je interakcije delokaliziranih elektrona s upadajuim svjetlom. Kovnost metala proizlazi iz neusmjerenosti metalne veze, to znai da se ona moe lako raskidati na jednom i stvarati na drugom mjestu. Metali tvore gusto pakirane kristalne strukture zbog simetrinosti pozitivnih jezgri iona i tenji za to stabilnijim energijskm stanjem.

Pored navedenih primarnih veza postoje i sekundarne veze meu kojima je poznatija Van der Waalsova. Relativno su slabe u usporedbi s primarnim vezama, jer njihove energije iznose svega oko 10 kJ/mol. Ova sekundarna veza je posljedica dipolnog karaktera molekula. Elektrini dipol nastaje prilikom odvajanja pozitivnog i negativnog naboja nekog atoma ili molekule pa se tada suprotno nabijeni krajevi pojedinih dipola privlae Coulombovim silama. Energija privlaenja para dipola je: 2
E=
gdje je mogunost polarizacije, dipolni moment, a r razmak teita dipola. Sekundarne veze, meu koje se ubraja i vodikova veza, javljaju se kod plemenitih plinova te izmeu molekula i molekularnih struktura s kovalentnom vezom.
r6
11
11.1.2013.
Energije veze i temperature taljenja za razliite tvari
Elektrina svojstva materijala

Prva istraivanja koja ukljuuju ''elektrini fenomen'' vjerojatno su poela studijom statikog elektriciteta. Grki filozof Tales iz Mileta ve je u 6. stoljeu prije Krista otkrio da jantar, nakon trljanja s komadom tkanine, na sebe privlai perje, papir i ostale lagane estice. Na grkom jeziku elektron znai jantar te je tako nastala rije elektricitet ili elektrika za pojave ije porijeklo je isto kao i privlaenje kod jantara. U suvremenu znanost taj je naziv u 16. stoljeu uveo Gilbert. Poetkom 18. stoljea Stephen Grey otkrio je da neke tvari provode elektricitet, a neke ne. 1733. godine DuFay je postavio naelo o postojanju dva tipa elektriciteta. Jedan je nazvao elektricitet stakla, a drugi elektricitet jantara. Nakon DuFay-a javlja se niz poznatih znanstvenika koji su doprinijeli dananjem znanju o elektrinom fenomenu (Galvani, Volta, Ampre, Ohm, Faraday, Maxwell, Thomson,...).

Poetkom 20. stoljeu Paul Drude je postigao zadovoljavajue razumijevanje elektrinog fenomena, a nekoliko desetljea kasnije kvantna je mehanika to razumijevanje oplemenila. Jedna od osnovnih karakteristika materijala je njihova sposobnost da provode ili ne provode elektrinu struju pa se materijali, ovisno o ovoj sposobnosti, dijele u tri grupe: vodii, poluvodii i izolatori. Elektrina provodnost, , razliitih materijala na sobnoj temperaturi ima raspon vie od reda veliine 25 kao to se vidi na slici 4.1. tovie, provodnost supervodia na niim temperaturama moe dosei raspon od reda veliine 40.

Temeljni zakon koji govori o odnosu jakosti struje, napona i otpora u strujnom krugu je Ohm-ov zakon. ponoviti OE1, Ohm, R=iz svojstva materijala, gustoa struje... Elektron se moe promatrati s dva motrita: elektron kao estica i elektron kao val. Ako se elektron promatra kao estica, otpornost se moe definirati na osnovi sudara elektrona s odreenim atomima reetke. to je vie sudara, to je otpor vei. Ovaj koncept opisuje da se poveanjem nedostataka reetke atoma, poveava i otpornost. Ako se uzme da elektron ima prirodu vala, moe se rei da atomi plohe reetke raspruju valove. Rasprivanje (scattering) je rasipanje zraenja na male estice u raznim smjerovima. Atomi apsorbiraju energiju nadolazeeg vala i tako postaju oscilatori, a oscilatori tada zauzvrat reemitiraju energiju u obliku sferinih valova.
12
11.1.2013.

Ako su dva ili vie atoma ukljuena u ovaj proces tada se veza izmeu pojedinanih reemitiranih valova mora uzeti u razmatranje. Za periodinu kristalnu strukturu individualni valovi koji idu u smjeru naprijed su u fazi i interferiraju konstruktivno. Rezultat toga je val koji se propagira kroz idealni kristal (koji ima periodino posloene atome i koji ne trpi nikakve promjene u intenzitetu ili smjeru vala). Drugim rijeima, val elektrona prolazi bez smetnji kroz idealni kristal (jedino to se mijenja jest brzina). Ovaj mehanizam se zove koherentno rasprivanje. Ukoliko centri rasprenja nisu periodiki posloeni (atomi neistoa, praznine, granice zrna, termalne vibracije atoma, itd.) raspreni valovi nemaju fazni odnos/vezu te su valovi onda nekoherentno raspreni. Energija tako rasprenih valova je manja u smjeru naprijed, tj. val materije gubi energiju. Ovaj gubitak energije kvalitativno objanjava otpornost. Poimanje vala daje dublje razumijevanje elektrinog otpora u metalima i slitinama.
Klasina teorija elektrona

Drude je postavio naelo slobodnog plina elektrona ili plazme koji se sastoji od valentnih elektrona pojedinih atoma u kristalu. Uz pretpostavku da u jednovalentnom metalu, kao to je natrij, svaki atom doprinosi jedan elektron plazmi. Broj atoma, Na, po kubinom centimetru, a time i broj slobodnih elektrona u jednovalentnom atomu moe se dobiti formulom: N Na = 0 M -23 -1 gdje je N0 Avogadrova konstanta (6,02204510 mol ), gustoa elektrona i M atomska masa elementa. Elektroni se gibaju nasumino u svim moguim smjerovima te se individualne brzine bez prisustva elektrinog polja ponitavaju. Ako se narine elektrino polje, elektroni ubrzavaju sa silom eE prema anodi i rezultat se moe prikazati primjenom Newtonovog zakona (F = ma):
dv = eE dt

Naime, na gibanje elektrona utjee i sila trenja, , koja je suprotna elektrostatikoj sili eE. Otpor u metalima i slitinama nastaje zbog sudara elektrona s atomima reetke, tj. zbog nesavrenosti kristalne reetke - neistoa, upljina, itd. Upravo zbog toga formula se modificira na sljedei nain:
dv + v = eE dt gdje je konstanta trenja, a v brzina zanoenja (driftna brzina). Elektroni ubrzavaju sve dok ne dosegnu krajnju driftnu brzinu. Za stabilno stanje u kojemu je v = vf , dv/dt mora biti jednako nuli pa se tada dobiva izraz: eE = v f = eE vf m

m dv eE + v = eE dt v f
Izraz mvf/eE sadri komponentu vremena i naziva se vrijeme relaksacije, a izraava se kao: = mv f
eE
eE t mv v = v f 1 e f
Slijedi: v f = e E
m
Ako se iskoristi gornje izraze dobije se:
J = N fvfe = E
Kombinirajui izraze dobije se traeni izraz za elektrinu provodnost: N f e 2

=
m
13
11.1.2013.

Izraz govori da je provodnost vea za vei broj slobodnih elektrona i vee vrijeme relaksacije, a vrijeme relaksacije razmjerno je srednjem slobodnom putu izmeu dva sudara koje se definira kao: l = v
=

Drugim rijeima, elektroni se raspruju na fononima. Utjecaj fonona na otpor metala smanjuje se snienjem temperature. Pri dovoljno niskim temperaturama lan postaje dominantan. On je jednak otporu pri apsolutnoj nuli. Naziva se rezidualnim otporom metala.
O temperaturi ovisi samo prvi pribrojnik u gornjoj desnoj relaciji. Otpornost metala jednaka je zbroju temperaturno ovisnog lana i lana koji ne ovisi o temperaturi. Time je dano pravilo koje je na temelju opaanja postavio Matthiessen 1862. godine. U metalima, koje zbog njihove jednostavne strukture nazivamo normalnim metalima, pri sobnim temperaturama elektrini otpor uglavnom nastaje zbog termikog pobuenja kristalne reetke.
ZNe 2 m
= f + r
Eksperimenti pokazuju da se rezidualni otpor metala poveava dodavanjem primjesa. To je u suprotnosti s klasinom teorijom, prema kojoj se elektroni podjednako raspruju na svim ionima pa unoenje primjesa u metal ne bi smjelo bitnije utjecati na njegova elektrina svojstva.

Ispravnost kvantnog tumaenja porijekla elektrinog otpora osobito se jasno iskazuje ponaanjem metalnih legura. Eksperimenti pokazuju da ak i pri visokim temperaturama, pri kojima elektrini otpor metala uglavnom nastaje zbog termikog pobuenja reetke, otpornost metalne legure moe postati desetak puta vea nego to bi bila otpornost sastavnih metala. Veliku elektrinu otpornost legura tumai se nepravilnim rasporedom atoma u kristalnoj reetki. Pri niskim temperaturama elektrini otpor dvojne legure s neureenim razmjetajem atoma u kristalnoj reetki razmjeran je s umnokom koncentracija sastavnica: ~ n1 n2 To je Nordheimovo pravilo postavljeno 1931. godine. Ukupna koncentracija jednaka je zbroju koncentracije sastavnica:
n = n1 + n2
Sommerfeldov model metala

A. Sommerfeld je 1928. primjenom kvantne mehanike dao teoriju slobodnog elektrona u metalu. U svom modelu primijenio je i Fermi-Diracovu raspodjelu te time otkrio nove karakteristike elektronskog sustava koje su bile nepoznate klasinoj teoriji. Energijski spektar elektrona u vodikovu atomu odreden je Bohrovom formulom: me 4 En = 2 2 2 8 0 h n Znatno je tee odrediti energijski spektar vieelektronskih atoma. Energiju elektrona moe se izraunati tek onda kada se uvai meuelektronsko odbijanje. Meutim, kvalitativne rezultate moe se dobiti relativno jednostavnim razmatranjem. To se ilustrira na primjeru atoma natrija. Elektronska konfiguracija u osnovnom stanju jest (1s2 2s2 2p6 3s1). Teei pojednostavljenju, pretpostavit e se da se svaki elektron giba u Coulombovu potencijalu: Z e (r ) = ef 4 0 r Zefe - efektivan pozitivni naboj koji djeluje na elektron. Smanjuje se s porastom glavnog kvantnog broja n jer elektroni iz unutranjih energijskih ljuski zasjenjuju djelovanje jezgre.
14
11.1.2013.

Prosjena udaljenost valentnog elektrona od jezgre u izoliranom atomu postaje usporediva s udaljenou izmeu susjednih atoma u metalu. Valne funkcije valentnih elektrona iz susjednih atoma u metalu se znatno prekrivaju. Gustoa vjerojatnosti valentnog elektrona nije vie lokalizirana na odreeni atom. Valentni elektroni u metalu prelaze od jednog atoma do drugoga. U metalu se valentni elektroni grupiraju. Nasuprot valentnim elektronima, koji se gibaju cijelim metalom, prekrivanje valnih funkcija elektrona iz unutranjih energijskih ljuski je slabo. Unutranji elektroni uglavnom ostaju vezani za matine atome. Elektroni iz unutranjih energijskih ljuski prerasporeuju se u metalu mnogo manje od valentnih elektrona. Ovdje se za ilustraciju moe uzeti atom natrija. Naboji u metalu natrija mogu se podijeliti na valentne elektrone i pozitivne ione. Svaki ion natrija sastavljen je od jezgre i elektrona iz popunjenih energijskih ljuski K i L. Takav pristup problemu kretanja naboja u metalu natrija osnovan je na predodbi da su u izoliranom atomu elektroni iz unutranjih energijskih ljuski separirani od valentnog elektrona.

Metal se zamilja kao nakupina elektrona i pozitivnih iona. Za razliku od elektrona, koji su delokalizirani, svaki ion ostaje vezan na podruje oko ravnotenog poloaja u metalu. Razumije se da tako jednostavan model nee podjednako dobro opisivati sve metale.

Da bi se ovaj model mogao primijeniti, mora prekrivanje valnih funkcija valentnih i unutranjih elektrona u atomu biti slabo. Taj je kriterij ispunjen u alkalijskim metalima, a takoer u aluminiju i magneziju. Zbog njihove strukturne jednostavnosti esto ih se naziva normalnim metalima. U irem smislu rijei, u normalne metale ubrajaju se i plemeniti metali. Isto kao i alkalijski metali, atom plemenitog metala sadri jedan valentan elektron, no prekrivanje njegove valne funkcije s valnim funkcijama unutranjih elektrona nije zanemarivo. Zato je model normalnog metala samo djelomino uspjean pri objanjenju svojstava plemenitih metala.

Sommerfeldov model temelji se na dvjema pretpostavkama: a) pozitivni ioni su u metalu jednoliko rasporeeni, b) na tom pozitivnom jednoliko rasporeenom naboju elektroni se gibaju meusobno nezavisno. U Sommerfeldovu modelu zanemaruje se bilo koji oblik interakcije i razmatra se kretanje nezavisnog elektrona u pravokutnoj potencijalnoj jami. Tu se elektrone shvaa jednako kao i molekule idealnog plina, pa se govori o plinu slobodnih elektrona. Ideja slobodnog plina elektrona nastala je mnogo prije. Uskoro nakon otkria elektrona, Drude je 1900. god. modelom slobodnih elektrona pokuao objasniti osnovne osobine metala.
15
11.1.2013.

Pretpostavljajui da se svi elektroni kreu istom termikom brzinom, Drude je izveo Ohmov i Wiedemann-Franzov zakon te protumaio optika svojstva metala. Meutim, uskoro je uoen niz nedostataka Drudeove teorije. Ona nije objasnila elektronski doprinos toplinskom kapacitetu metala, paramagnetsku susceptibilnost elektrona, iznos elektronskog srednjeg slobodnog puta i ovisnost elektrinog otpora metala o temperaturi. Bitna je razlika izmeu Sommerfeldove i Drudeove teorije metala u statistikom opisu elektronskog plina. Sommerfeld je na elektrone u metalu primijenio FermiDiracovu raspodjelu. Time je otkrio nove karakteristike elektronskog sustava koje su bile nepoznate u klasinoj teoriji.
NEMETALNI VODII
Do sedamdesetih godina dvadesetog stoljea podrazumijevalo se da su polimeri izolatori. Meutim, tada su otkriveni i polimerni vodii, a kasnije i supravodii. U poetku su se otkrivali samo nestabilni polimerni vodii. Smetali su im ak i zrak ili sobna temperatura. Neke su primjese bile ak i toksine. Jedan od prvih polimernih vodia bio je PEDT. Uporaba ovog materijala slui kao prevencija od statikog elektriciteta, u katodnim cijevima, za elektrode kondenzatora, za senzore, za baterije i pakiranje elektronikih komponenti. S vremenom su otkriveni razni polimerni materijali koji imaju vodljivost poput vodia. Prouavanjem nanotehnologije, dolo je do otkria da razne primjese koje se dodaju grafitu takoer dovode do visoke vodljivosti. Svi ti materijali vezuju se kovalentnim, a ne metalnim vezama, zbog ega bi bilo logino da su izolatori. Kako onda ti polimeri iskazuju visoku vodljivost? Kada se atomi vezuju u molekule, iz atomskih elektronskih orbitala nastaju molekulske orbitale.
NEMETALNI VODII
One mogu smanjivati ili poveavati elektrostatsko odbijanje jezgri. Pri tome, kada se smanjuje odbijanje poveava se elektronska gustoa. Elektroni u molekulskim orbitalama udaljeniji su od jezgri atoma, nego elektroni u atomskim orbitalama. To znai da su povezane manjom privlanom silom. Kada je rije o velikim molekulama, kao to su polimerne, udaljenosti su jo vee. Ako se pri tome kombiniraju dvostruke i jednostruke kovalentne veze, a atomi ugljika s takvim vezama relativno su blizu, podie se gustoa elektrona na pojedinim mjestima. Takvi polimeri lako otputaju elektrone. Pritom se javlja pojava kao i u metalnim vodiima: kada se narine napon, nastaje usmjereno gibanje loe vezanih molekulskih elektrona (slika 3.1-2). Ovdje makromolekule imaju ulogu kristalne reetke kod metala.
NEMETALNI VODII
Kod materijala vezanih ionskom vezom, vodljivost se ostvaruje ako postoje neistoe koje unose viak pozitivnog ili negativnog naboja. Taj viak unosi dodatne energijske razine, koje olakavaju prijelaz elektrona iz valentnog u vodljivo podruje energija. Metalni oksidi mogu biti vodii, poluvodii i izolatori. Kod amorfnih materijala (metalnih stakala), vodljivost moe biti uzrokovana novim energijskim razinama koje nastaju zbog defekata i neistoa. Takoer, uzrok moe biti u nepravilnosti grae materijala.
slika 3.1-2
16
11.1.2013.
Matematike napomene
TEORIJA SLOBODNIH ELEKTRONA U METALIMA - Maxwellove jednadbe

Teorija slobodnih elektrona razmatra se s obzirom na Maxwellove jednadbe, dualnu prirodu elektrona i koncentraciju elektrona u krutinama. Posljedica je emisija elektrona, koja omoguuje tok elektrine struje. Stoga e se ovdje poeti od temeljnih injenica.
Izraz (1.17) je etvrta Maxwellova jednadba u integralnom obliku. Razumijevanje tih jednadbi klju je razumijevanja utjecaja elektrinog i magnetskog polja. Iz njih se npr. moe dobiti Ohmov zakon. Daljnjom primjenom za normalne vodie dobivaju se dvije suvisle jednadbe:
17
11.1.2013.
TEORIJA SLOBODNIH ELEKTRONA U METALIMA - Slobodni elektroni

Elektrina i magnetska svojstva krutina su uglavnom odreena njihovim elektronima. Kako se odreuje energijska razina elektrona? Potrebno je uzeti valnu funkciju 1025 elektrona, zapisati elektrini potencijal izmeu svakog para elektrona i izmeu elektrona i protona te rijeiti tzv. Schrdingerovu jednadbu. Naravno, ovakav nain bi bio vrlo sloen pa je poeljno nai neki drugi nain. Ako bi se zapitali to dri elektrone unutar metala, doli bi do Sommerfeldovog modela metala koji pretpostavlja da su elektroni slobodni, a to je drugi nain pisanja potencijalne energije u obliku:
TEORIJA SLOBODNIH ELEKTRONA U METALIMA Termoionska emisija
18
11.1.2013.
TEORIJA SLOBODNIH ELEKTRONA U METALIMA - Termoionska emisija
TEORIJA SLOBODNIH ELEKTRONA U METALIMA - Schottkyjev uinak
TEORIJA SLOBODNIH ELEKTRONA U METALIMA - Schottkyjev uinak
TEORIJA SLOBODNIH ELEKTRONA U METALIMA - Emisija poljem
19
11.1.2013.
TEORIJA POJASEVA U KRUTINAMA

Veina svojstava metala moe se dobro objasniti s pomou modela slobodnih elektrona. Meutim, taj model ne funkcionira kad je rije o poluvodiima i izolatorima. Naime, slobodni elektron je prema definiciji nesputan u kretnji i voenju struje. Zadatak izolatora je suprotan ne voditi struju. Najjednostavnije je rei da su kod izolatora valentni elektroni jako vezani uz ione kristalne reetke te se zbog toga ne kreu. Meutim, da bi se u teoriju ukljuili pluvodii, postoje problemi. Razraeno je vie teorija koje objanjavaju ponaanje sva tri tipa materijala. Najveu popularnost doivjela je teorija pojaseva. Da bi se moglo dobiti matematiki model bilo koje teorije koja objanjava vodljivost, potrebno je obratiti pozornost na to da je elektron dualne prirode te da se elektronska valna svojstva mogu razumijeti iz valne jednadbe.

Svjetlost je dualne prirode, tj. ponekad se ponaa kao val (npr. gibanje kroz svemirska prostranstva bez gubitka energije), a ponekad kao estica (najmanja estica je kvant svjetlosti i zove se foton). Eksperimenti kojima se dokazuje valna priroda svjetlosti su interferencija, polarizacija, ogib i sl., a estina s fotoelektrinim uinkom i luminescencijom. O tim pojavama se govori u poglavlju o poluvodiima. Isto takvu prirodu ima i elektron. Eksperimenti kojima se dokazuje da se elektronu pridruuju valna svojstva su interferencija i ogib. Po Bohrovom modelu atoma elektroni se u ljuskama gibaju kao valovi pa ne troe energiju. S toga za njih vrijedi valna jednadba. Da se elektron u atomu giba kao estica, potroio bi energiju i pao u jezgru. Pridruivanje valnih svojstava esticama materije teko je shvatljiv koncept u klasinom nainu razmiljanja. Dolazi iz kvantne fizike i valne mehanike. Opa formulacija naela valne mehanike govori da se u irenju kroz prostor elementarna estica (elektron) ponaa kao val, a u interakciji s tvari kao estica. Materijalnoj estici pridrueni val iskazuje se Schrdingerovom jednadbom.

Za elektromagnetske valove vrijedi da je:

Radi jednostavnosti, razmotrit e se slobodna estica, koja se giba pravocrtno du osi x i kojoj je pripadni val materije ravni val. Kako je ukupna energija estice: gdje je m0 masa u mirovanju, a kinetika energija gdje je p koliina gibanja. Relativistika energija i koliina gibanja povezani su relacijom: Dualnost estica uvodi se s pomou E = h i p = h / te se relativistika energija i koliina gibanja stoga izraavaju kao:
20
11.1.2013.
TEORIJA POJASEVA U KRUTINAMA - Kronig-Penneyjev model

Ovaj model je najstariji i nastao je 1930. godine. Polazi od rjeavanja Schrderove jednadbe, uz pretpostavku o raspodjeli potencijala unutar krutina. Ovaj model uzima u obzir varijacije potencijala zbog prisustva nepominih iona kristalne reetke. Ako se, radi jednostavnosti, pretpostavi jednodimenzijski sluaj, najvei potencijal je na pola puta izmeu iona. Potencijal tei minus beskonano kad se pribliava mjestima iona kristalne reetke. Polazei od (1.55) i uzimajui da postoje odvojena podruja s U(x) = U0/2 i U(x) = - U0/2, moe se pretpostaviti da je rijeenje jednadbe periodino oblika uk(x)eikx. Rjeenje postoji ako je k povezano s E izrazom:

Energija se dobiva iz puno sloenijeg izraza (1.56), za razliku od energije slobodnog elektrona prema izrazu (1.27). Kako lijeva strana izraza (1.56) mora biti izmeu +1 i -1, rjeenje postoji samo za one vrijednosti E za koje je i desna strana u tim granicama. To znai da elektron moe posjedovati energije u odreenim intervalima vrijednosti, a izvan njih nemoe, jer nema rjeenja za desnu stranu izraza (1.56). Ti intervali vrijednosti nazivaju se pojasevima. Proraunom se moe ustanoviti da je kad P 0 izraz za energiju elektrona jednak izrazu za slobodni elektron. Kad je P veliko ili , tada desna strana (1.56) izlazi izvan intervala +1 do -1, tj. rije je o zabranjenom pojasu.
21
11.1.2013.
TEORIJA POJASEVA U KRUTINAMA - Zimanov model

Izvod ovog modela vie se oslanja na fizikalnu intuiciju, nego na matematiki aparat. Razmatranje poinje od slobodnog elektrona koji se giba kao ravninski val. Njegova valna funkcija je:
TEORIJA POJASEVA U KRUTINAMA - Zimanov model
i nijednu vrijednost izmeu, to predstavlja energijski procjep (ustvari zabranjeni pojas).
TEORIJA POJASEVA U KRUTINAMA - Feynmanov model

Energijske razine dva meudjelujua atoma se razdvajaju (slika 1.6). Jedna je malo via, a druga malo nia od energijske razine samostalnog atoma. Ako se u blizini n atoma, razumno je oekivati da e nastati n energijskih razina. Promotrimo jedan elektron atoma j koji ima energijsku razinu E1. Definiran je svojim stanjem (j). Postoji vjerojatnost da e elektron skoiti iz atoma j u j+1 ili j-1, tj. iz stanja (j) u stanje (j+1) ili (j-1). Postoji vjerojatnost da e elektron preskoiti do drugog ili treeg atoma prema udaljenosti, ali je to daleko manja vjerojatnost, nego kad je sluaj od neposrednim meudjelujuim susjedima. Stoga emo zanemariti skokove prema daljim atomima.
TEORIJA POJASEVA U KRUTINAMA Feynmanov model
22
11.1.2013.
TEORIJA POJASEVA U KRUTINAMA - Feynmanov model
TOPLINSKA SVOJSTVA MATERIJALA

Elektroniki ureaji svojim radom proizvode toplinu. Protokom elektrine struje kroz poluvodi ili pasivnu komponentu, dio se snage gubi u obliku topline. Osim toga, teta nastala toplinom moe djelovati na poveanje kretanja slobodnih elektrona u poluvodiu, to moe prouzroiti porast uma signala. Ako sprijeimo rasipanje topline, spojna temperatura ureaja e dostii najveu nekodljivu radnu temperaturu koju je odredio proizvoda. Kad ureaj dostigne odreenu temperaturu, izvedba poluvodia, vijek trajanja i pouzdanost znaajno opadaju. Glavni naglasak je na zadravanju spojne temperature ispod najvee temperature koju je odredio proizvoa. U prirodi se toplina prenosi na tri naina: - konvekcijom (predajom), - kondukcijom (provoenjem) i - radijacijom (zraenjem).
kompenziralo
KONVEKCIJA (PREDAJA)
Konvekcija je kombinacija prijenosa te mijeanja makroskopskih toplih i hladnih elemenata fluida, toplinskog voenja unutar rashladnog sredstva i pohrane energije. Do konvekcije moe doi zbog irenja rashladnog sredstva, u dodiru s ureajem. Ova pojava se naziva slobodna ili prirodna konvekcija. Konvekciju, moe takoer prouzroiti djelovanje drugih sila, kao na primjer kada tjera rashladni medij u gibanje. Osnovna relacija pri predaji s vrueg tijela na rashladnu tekuinu predstavlja linearnu ovisnost temperaturnog porasta uzdu povrine krutog tijela poznatog kao ''Newtonovo hlaenje''. Zato je: qc = hc As (Ts - Tm), gdje su: qc = iznos konvekcijskog protoka topline s povrine (W), As = povrina prijenosa topline (m2), Ts = temperatura povrine (oC), Tm = temperatura rashladnog sredstva (oC), hc = koeficijent konvekcijskog prijenosa topline (W/m2). Ova jednakost se obino preoblikuje da bi se saznalo T, s pomou jednadbe:
Broj otkaza s temperaturama za PAL (Programable Array Logic), DRAM i mikroprocesore (podaci iz MIL-HDBK-217)
23
11.1.2013.
KONDUKCIJA (provoenje)
Kondukcija je prijenos topline s podruja visoke energije (temperature) na podruje nie relativne energije. Kondukcija se pojavljuje s energijom gibanja susjednih molekula i u razliitim stupnjevima, gibanjem slobodnih elektrona i vibracijama kristalne reetke atoma. Prilikom kondukcijskog prijenosa topline ne postoji zamjetljiv pomak molekula. U mnogim primjenama kondukcija se koristi za dovoenje topline s ureaja tako da se konvekcijom moe ohladiti povrina, kao kod zranih rashladnika. Kod jednodimenzionalnih sustava sljedea relacija opisuje kondukcijski prijelaz topline:
RADIJACIJA (ZRAENJE)
Radijacija je jedini oblik prijelaza topline koji se moe odvijati u zrakopraznom prostoru, a ovisi o temperaturi povrine koja zrai. Iako istraivanja jo nisu objasnila sve fizikalne mehanizme radijacijskog toplinskog prijelaza, ini se da je on rezultat elektromagnetskih valova i gibanja fotona. Koliina topline prenesene radijacijom izmedu dva tijela temperatura T1 i T2 definirana je: qr = F1,2 A(T14 T24 ) gdje su: qr = koliina topline prenesene zraenjem (W), = emisivnost s radijacijske povrine (visokoodbijajua = 0, visokoupijajua = 1), = Stefan Boltzmannova konstanta (5,67 X 10-8 W/m2 K4) F1,2 = korekcijski faktor izmeu podruja povrine tijela 1 i tijela 2 ( 1), A = radijacijska povrina (m2), T1 = povrinska temperatura tijela 1 (K), T2 = povrinska temperatura tijela 2 (K)
Budui da je kondukcijski toplinski prijelaz izravno razmjeran toplinskoj kondukciji materijala, gradijentu temperature, i poprenom presjeku, moe se zakljuiti da temperatura raste:
Da bi se odluilo o vanosti radijacije, u odnosu na ukupni prijelaz topline moe se definirati radijacijski prijelaz topline kao radijacijski koeficijent prijenosa topline, hr:
RADIJACIJA (ZRAENJE)
Praktine primjene termike otpornosti

Poluvodika spojna temperatura ovisi o zbroju toplinskih otpornosti izmedu spojita ureaja i atmosfere okruja. Glavne toplinske otpornosti su: tot = jc + cs + sa gdje su: tot =konana termika otpornost (K/W) jc = toplinska otpornost spojita s kuitem (K/W) cs = toplinska otpornost kuita s odvodnikom topline (K/W) sa = toplinska otpornost odvodnika topline s okrujem (K/W) Termika otpornost izmeu poluvodikog spoja i spojnog poluvodikog vanjskog kuita Ova je otpornost oznaena sa jc i obicno se predstavlja u oC ili u K/W. Ona predstavlja unutarnju funkciju dizajna i proizvodnih postupaka koje koriste proizvoai. Ova se otpornost pojavljuje unutar ureaja, a zato koritenje odvodnika topline ili drugih disipacijsko toplinskih uredaja ne djeluje tetno na nju. Proizvoai poluvodia, prema ovoj otpornosti odluuju, odmjeravanjem faktora kao to je najvea dopustiva spojna temperatura, o cijeni i snazi ureaja.
Toplinska otpornost u spoju ipa i odvodnika topline. jc je otpornost od mrtvog spoja do kucita. cs je otpornost od kuita do odvodnika topline. sa je otpornost od odvodnika topline do okolnog zraka.
24
11.1.2013.

Na primjer, plastino poluvodiko kuite se obino koristi za jeftine ureaje male snage. Tipini jc za takav ureaj bi mogao iznositi 50 K/W. Ako ureaj radi u okruju temperature od 35 oC, a pri tome troi 0,5 W snage, tada za spojnu temperaturu, tj. vrijedi: Tj = Ta + jcq = 35 oC + (50 K/W)(0,5 W) = 60 oC Za ureaje veih snaga, proizvoai moraju koristiti skuplji pristup pri potronji snage. Tipini jc za ovakvu vrstu komponente iznosi 2 K/W. Posebni ugradbeni ipovi koji koriste skupe olovne oblike, toplinski vodljivu keramiku i dijamantne ureaje za irenje topline, mogu jo i vie smanjiti ovu vrijednost.

Termika otpornost od kuita do interfejs povrine odvodnika topline Ova je otpornost obiljeena kao cs, a mjeri se u oC ili u K/W. Od kuita do odvodnika topline termika energija se prenosi najee kondukcijom preko kontaktnog interfejsa. Polje kontaktne interfejs toplinske otpornosti je kompleksno i nedovoljno razumljivo. Ne postoje modeli koji bi mogli predvidjeti ovu vrijednost za razliite sluajeve. ak i vrijednosti dobivene stvarnim testiranjem mogu odstupati do 20%. Za mnoge je sluajeve ovu vrijednost mogue reducirati upotrebom toplotnih maziva, jastuia i epoksida te poveavanjem pritiska na toplinski interfejs. Za neke primjene, proizvoai postavljaju poluvodiku spojnicu na bakrenu kovinu koja se protee do povrine kuita. Ovakva konstrukcija omoguava jako mali jc. Za sluaj kad je bakrena kovina projektirana tako da se lemi na tiskanu plocicu, kontaktna otpornost je jako niska.

Termika otpornost od toplinski odvodnog dodirnog interface-a do okruenja u kojem je nastao sa Kao i ostale otpornosti, takoer je izraena u oC ili K/W. Ovo je uglavnom najvanija otpornost, od tri, prema osjetljivosti promjene. to je manja njena vrijednost pa tako i rezultantna konana otpornosti tot, veu e snagu naprava moi izdrati bez da dostigne svoju maksimalnu spojnu temperaturu. Jednostavnije, ova vrijednost ovisi o vodljivim svojstvima odvodnika topline, uinkovitosti, povrini i toplinskom konvekcijskom koeficijentu: Toplinski prijelazni koeficijent hc je sloena funkcija koju nije mogue lako generalizirati za uporabu. Kako bilo, mnoge jednakosti daju prihvatljiv stupanj tonosti. Kao to ova relacija to i pokazuje, sa predstavlja recipronu vrijednost umnoka toplinskog prijelaznog koeficijenta i povrine odvodnika topline. To znai da poveavanjem povrine, A, vrijednost sa opada. Takoer, poveanje toplinskog prijelaznog koeficijenta, hc, dovodi do smanjenja termike otpornosti. Kad se poluvodi postavi na odvodnik topline, ovisnost izmeu vanjske temperature raste iznad vrijednosti okolne temperature, a utroak snage je pritom dan kao: T = q (jc + cs + sa)
TEORIJSKI GUBITAK SNAGE

Elektronike naprave se zagrijavaju u radu. Protokom elektrine struje poluvodiem ili kroz pasivnu komponentu dio snage se rasipa u obliku topline. Koliina tako izgubljene snage iznosi: Pd = UI gdje su: Pd = gubici snage (W), U = istosmjerni pad napona na ureaju (V), I = istosmjerna struja koja tee kroz ureaj (A). U sluaju da se napon ili struja mijenja u vremenu gubitke snage izraava se jedinicama srednje vrijednosti snage Pdm: gdje vrijedi sa su: Pdm = srednja vrijednost gubitaka snage (W) t = period vala (s) i (t) = trenutna struja kroz ureaj (A) u(t) = trenutni napon kroz ureaj (V) t1 = donja granica vodljivosti za struju t2 = gornja granica vodljivosti za struju
25
11.1.2013.
STVARANJE TOPLINE U AKTIVNIM KOMPONENTAMA

Gubici snage dvopolnih komponenti su stalni u odnosu na frekvenciju. Rasipanje snage CMOS naprava se odreduje pomocu frekvencije i izvedbe naprava. Na prekidanje snage otpada oko 70 do 90% gubitka snage izgubljene CMOSom. Preklopna snaga CMOS naprave iznosi: gdje su: C = ulazna kapacitivnost (F), U = vrni napon (V), f = preklopna frekvencija (Hz). Na kratkospojnu snagu tranzistorskih vrata uzrokovanu promjenama stanja otpada od 10 do 30% gubitaka snage. Da bi se definirali ovako nastali gubitci snage broj vrata mora biti poznat. Ova je vrijednost obicno zadana u W/MHz po vratima. Izgubljena snaga je tako: Pd = NtotNon qf gdje vrijedi da su: Ntot = konani broj vrata, Non = postotak ukljuenih vrata (%), q = gubici snage (W/Hz po vratima) i f = preklopna frekvencija.
STVARANJE TOPLINE U AKTIVNIM KOMPONENTAMA

Junction FET ima tri mogua naina rada: ukljueno, iskljueno i linearno prijelazno stanje rada. Kada je junction FET ukljuen, rasipanje snage je definirano kao: PdON = ID2 RDS(ON) gdje su: ID = struja kroz ''drain'' (odvod), RDS(ON) = otpornost od ''draina'' ka ''sourceu'. Kod linearnog i iskljuenog stanja, za rasipanje snage vrijedi: P = UI
STVARANJE TOPLINE U PASIVNIM KOMPONENTAMA

Meuspojevi Ustaljeno stanje rasipanja snage u ianim meuspojevima je definirano Jouleovim zakonom, a snaga iznosi PD = I2 R, gdje su: I = struja pri ustaljenom stanju (A), R = otpornost pri ustaljenom stanju (). Otpornost meuspoja iznosi: Isto vrijedi i za otpornike. Razlika je kod izmjenine struje, gdje se gubitak snage definira preko maksimalne vrijednosti sinusoide: PD =0,5IM2R Iako kondenzatori rasipaju zanemarivo malo snage, dio snage se gubi zbog otpornosti unutar samog kondenzatora. Pri sinusnoj pobudi gubici snage kondenzatora iznose: PD (t) = 0,5 CUM2 sin2 gdje su: C = kapacitivnost (F), UM = vrni izmjenini napon (V), = kutna frekvencija u radijanima =2f, f = frekvencija (Hz).
STVARANJE TOPLINE U PASIVNIM KOMPONENTAMA
26
11.1.2013.
PROGRAM TERMIKOG INENJERINGA ZA OSOBNA RAUNALA

Posljednje je desetljee doivjelo bitne promjene u nainu procjene prijelaza topline. Uzevi u obzir da je najvea veina raunala neko koritena u svrhu izrauna velikih toplinskih otpornosti mrea s problemima vodljivosti, danas se preporuuje FEA (zavrna analiza elemenata) pomou osobnih raunala. Prije desetak godina, CFD (izraunavanje dinamike fluida) se istraivalo i koristilo gotovo uspjeno, ali samo za laboratorijska istraivanja. Danas se takoer koristi, ali samo da osigura brzi odgovor raunala. Prijenosni koeficijent toplinskog prijelaza, najkompliciranija vrijednost naslijeena iz podruja toplinskog prijenosa se redovito procjenjuje unutar 10%, uzevi da je 30% neko bio standard. Kad se jednom izgradi provjereni kompjuterski model, mogue je odrediti vrijednosti stotina promjena u kratkom vremenu, da bi se na taj nain sagledao model. U budunosti, s razvojem zastupljenosti CFD koda, zastarjeli provjereni koraci moi e se eliminirati. Kao i fizikalni nacrti, tako i raunalni modeli mogu biti kombinacije provoenja (kondukcije), prijenosa (konvekcije) i vrsta zraenja (radijacije) toplinskih prijelaza. Problemi prijenosa se sastoje od niza permutacija to CFD inenjerima stvara dodatne probleme: od laminarnih promjena protoka do nemirnog protoka, veliina rasipanja energije se mijenja s brzinom, pri malim brzinama prirodni prijenos moe prekoraiti oekivane prijenosne uinke, itd.

Kada se dodani imbenici, kao to su meufazni protok, sposobnost zgunjavanja i drugi detalji kao poluvodiki spojevi, pridodaju, lako je uoiti zato je prijenosni raunalni model tako kompliciran. Jezgru laboratorijskih raunalnih kodova ine jednadbe mase, momenta i pohranjene energije. Prikazane su ovdje u Kartezijevom koordinatnom sustavu radi njihovog boljeg upoznavanja.

Ove se jednadbe pojavljuju u mnogim oblicima i razliitim koordinatnim sustavima te u razliitim uvjetima protoka. U raunalni CFD program se unosi strukturni oblik modela za kojega je uobiajenije da se unosi u standardnom formatu iz CAD (computer aided drafting) programa. Unutar CFD programa izabrane su traene prostorne koordinate da bi izuili prostornost modela, kao na primjer , r, z u polarnom koordinatnom sustavu. Opreznim i postupnim prosuivanjem problema, prividno sloen trodimenzionalni problem mogue je ponekad prikazati u dvije dimenzije. Kao primjer neka nam poslui osno-simetrina protona cijev. Potreban je dvodimenzionalni model da bi se izraunala radijalna, r, i aksijalna, z, promjena u porastu brzina n i w. Dodavanje obodne brzine moe dopustiti protoni vrtlog unutar cijevi, u, kao funkciju r i z. Iako se tri momentne jednakosti koriste za tri komponente brzine, protok je i dalje dvodimenzionalan, jer protone varijable ovise o samo dvije razliite koordinate. Kad se prostornost, koordinatni sustav i osobine materijala jednom obrade u raunalu, protono podruje se diskretizira na manje cjeline. Sitna ili nejednolika reetka se obino koristi u zanimljivijim podrujima ili u podrujima gdje su protoni uzorci toliko komplicirani da bi prosto rjeenje nakodilo tonosti cjelokupnog modela. Mogue je podijeliti manja podruja na tri osnovna naina rjeenja problema: 1. konana temeljna analiza (FEA), 2. analiza konanog odstupanja i 3. analiza konane koliine.

Konani osnovni postupak koristi se vaganjem zaostatka pri odabiranju zasebnih jednakosti. Neki postupci se koriste nejasnim, dok se drugi koriste razgovijetnim sustavnim izlaganjima s raznolikim nizom istovrsnih shema. Kao posljedica jasnog sustavnog izlaganja, odabir se vri prema vremenski podijeljenom nainu. Vremenski koraci su uzeti da bi unaprijedili krajnji odabir. Obino su krajnje elementarne metode jednostavnije za uporabu od ostalih metoda prilikom prilagodbe nestandardno oblikovanim elementima sloene prostornosti. Postupak konanog odstupanja je strukturiran u okolini Taylor-ovog reda irenja, za svaku varijablu susjednu mjestu reetke. Veina kodova se pridrava samo prvih nekoliko uvjeta te odbacuju vanija sustavna izlaganja. Rezultati su prvo odredena, drugoodredena, treeodreena itd. tonost. Obino postiemo potpuni odabir jednog stanovita prije nego se ostvari odabir sljedeeg. Postupci konanih odstupanja su se koristili mnogo godina te su imali itavu povijest dobrih odluka.
27
11.1.2013.

Postupak analize konane koliine je interesantan jer pokuava zanemariti zasebno podruje odluivanja izravnom primjenom ouvanja mase, momenta i ravnotee energije. Temelj postupka analize konane koliine je potpuno nejasna ravnotea (jednadba). Odabir se donosi uestalim ponavljanjem postupaka s odreenom fleksibilnou prema odreenim nestalnostima. Zanimljivo, razliite vrijednosti su zanemarene od stanovita do stanovita, dok je mogue zanemariti i ostale vrijednosti prilikom analize cijelog podruja. Poznato je da e postupak analize konane koliine biti stabilan i uspjean u primjeni s raunalnim izvorima.
KOMERCIJALNI CFD KOD

Postupak analize turbulencije Tipini problem koji se javlja pri protoku kod hlaenja jest turbulencija ili vrtlonost. Turbulentni protok se moe eliminirati analizom karakteristika glavnog protoka. Najuobiajeniji modeli turbulencije su bazirani na Boussinesqovom naelu vrtlone viskoznosti. Upotreba turbulencijskih ili vrtlono viskoznih prorauna kod poveanog mijeanja (difuzije) djeluje na turbulenciju. Vrtlona viskoznost je vie vana nego pojava molekularne viskoznosti te je to protocna osobina, a ne osobina tekuina. Najee koriten turbulencijski protoni model je dvije jednadbe k ~ model. Ovaj model koristi dvije prijenosne jednakosti jednu za turbulentnu kinetiku energiju, k, a drugi kao mjeru vrtlonog rasipanja, . Pri tom se upotrebljavaju izraunate vrijednosti k i kao turbulentne viskozne vrijednosti. Nakon usporeivanja s jednostavnijim Prandtl-ovim mijeanim jednadbama, k ~ model ne zahtijeva propisanu skalu duljine turbulencije. Iako je to teorijski sloena jednadba, duljom analizom, usporedbom s fizikalnim modelima, k ~ postupak je ogranien na 5 iskustvenih konstanti. k ~ e model je prihvacen i proiren na mnoge vee primjene koje se odnose na tekuine.
KOMERCIJALNI CFD KOD

Izravna brojana simulacija (DNS) jest klasa CFD koja puno obeava. DNS se temelji na saznanju da turbulencija, sa svim svojim problemima nije nita drugo nego viskozni protok koji se pokorava Navier Stokesovoj jednadbi. Koritenjem fine reetke mogue je izraunati sve potankosti turbulentnog protoka izravno iz Navier Stokesove jednadbe bez koritenja umjetnih modela utjecaja turbulencije. Strujno ogranienje ove tehnike predstavlja ogromna koliina potrebnog raunalnog vremena. Koritenje DNS metode se izravno odnosi na Navier Stokesovu jednadbu za jednostavni problem protoka preko vodoravne ploe. Rai i Moin su morali upotrijebiti 16,975,196 trodimenzionalnu reetku i preko 400 sati na CRAY Y-MP superraunalu.
NavierStokes-ove jednadbe
Ove jednadbe nastale su primjenom drugog Newtonovog zakona na kretanje fluida. Izvod jednadbi poinje s primjenom Newtonovog drugog zakona ouvanja momenta, koji se pie za proizvoljni dio fluida:
gdje je v brzina, gustoa, p tlak, T tenzor naprezanja, f sile po jedinici volumena.
28
11.1.2013.
Softveri za CFD
Softveri za CFD su dostupni kao pojedinane komponente koje slue za obradu dijela problema (proraun ili vizualizacija) ili kao programski paketi. U naelu se mogu podijeliti na one koji: - rjeavaju problem dinamike fluida (npr. sredstva za hlaenje kompjutera; fluidi su i plinovi i tekuine), - generiraju mree za numeriku analizu (mesh generation), - predoavaju slikom ili animacijom (visualization) rezultate numerike analize i - komercijalne programske pakete koji obuhvaaju sve komponente.
Softveri za CFD: rjeavanje problema dinamike fluida

OpenFOAM je open-source CFD kod openite namjene. Pisan je u C++ i koristi objektno-orijentirani pristup koji simulacije ini jednostavnim. Jedan je od vrhunskih programa za CFD. SU2 (The Stanford University Unstructured suite) je open source kolekcija alata pisana u C++ koja rjeava parcijalne diferencijalne jednadbe optimizacijom. Free CFD je isto open source pisan u C++ a radi u 3D. Jednostavniji je od OpenFOAM. FEniCS je program za matmatiko modeliranje. Ima funkcije za rjeavanje Navier-Stokes jednadbi. Gerris Flow Solver je besplatan program koji je fokusiran na primjene kod toka oceana i mora.
Softveri za CFD: rjeavanje problema dinamike fluida

Palabos je open source biblioteka za Boltzmannove CFD simulacije. Overture slui za rjeavanje PDE-ova. Phoenics V 1.4 je shareware kada se nabavlja starija verzija. Nova nije. Clawpack je program koji simulira zakone ouvanja. Poznatiji su jo: OpenFVM, FEATFLOW, ISAAC, Channelflow, NaSt3DGP, MOUSE, TYCHO-Tyrolian Computational HydrOdynamics, VH-1 (Virginia Hydrodynamics - 1) pisan u Fortranu je open source, QUICKn SIMPLE dostupan samo za Macintosh te OpenFlower.
Softveri za CFD: generiranje mrea za numeriku analizu

Gmsh je automatski generator 3D reetke za FEA s ugraenim CAD postprocesorom, enGrid je open-source program, Netgen je takoer open source, ali nije izravno namjenjen za CFD, Discretizer je interaktivna alatka koja stvara heksaedarske reetke, snappyHexMesh je alatka koja je ukljuena u OpenFOAM.
29
11.1.2013.
Softveri za CFD: predoavanje rezultata

Poznatiji softverski paketi i biblioteke su: ParaView, koji je moderni programski paket za naknadnu obradu (post processing) velikih koliina podataka. Dijeli se kao open-source. OpenDX je takoer open-source za znanstveno predoavanje (sienftific visualization). Radi na UNIX-u. MayaVi Data Visualizer je besplatan predonik znanstvenih podataka. Radi na veini platformi, ukljuujui Unix, Linux i Windows operativne sustave. Dostupan je i izvorni kod. Visualization Codes at MIT je razvijen za CFD. Neke verziju su besplatne. VIGIE je paket razvijen na INRIA za predoavanje. Moe se dobiti besplatno, ukljuujui i sam kod. Se.La.Vi ima i alat za animaciju. Radi na MS-windows platformi. Besplatan je za neprofitne i akademske namjene.
Softveri za CFD: komercijalni programski paketi koji obuhvaaju sve komponente

CFD-Wiki Codes je prilino kvalitetan popis komercijalnih CFD kodova. COSMIC NASA-in softver za prijenos tehnologije je javno dostupan. Za kodove treba platiti. FlowTERM je najpopularniji komercijalni programski paket (osobtio primjenjivan u elektronici) koji se plaa. Instalacija ima oko 600 MB i najee je koriten u elektronici za termiko projektiranje elektronikih sklopova i ureaja. CoolitPCB omoguuje previanje termalnog ponaanja elektronikih sklopova. Sam vri optimizaciju i zamjenu loe projektirane komponente. Netreba znati CDF, jer ima inteligentno suelje. ANSYS Icepak kombinira naprednu tehnologiju rjeavanja s robustnim generiranjem mrea za numeriku analizu. Prua brzu i preciznu termalnu analizu za hlaenje u elektronici.
FLOTHERM
Nekoliko je CFD kodova openite svrhe dostupno na tritu. Ovi kodovi sadre mnogobrojne dobronamjerne savjete kroz podruje problema hlaenja u elektronici te su openito gledano jako korisni. 80% CFD trita termike analize elektronikog pakiranja otpada na program Flomerics. FLOTHERMTM sadri potpuni 3D rjeava za Navier Stokes jednadbe, projektiran u ogranienim uvjetima za uobiajene objekte poput ventilatora, fenova, filtera te turbulentni viskozni rjeava koji uraunava trenje i toplinski prijelaz za vrijeme turbulentnosti. Ovaj je paket konstruiran posebno za potrebe hlaenja u elektronici. Programski dio je napravljen da upravlja osobnim raunalom te UNIX platformama. FLOTHERMTM je dostupan od strane Flomerics Inc., Southborough, MA. Danas postoje i windows verzije.
TEMPERATURNO PROJEKTIRANJE
30
11.1.2013.
PAKIRANJE
PAKETI ZA POVRINSKO POSTAVLJANJE OTVORENI IZREZAK SASTAVLJANJE MODULA PAKIRANJA VELIINE IPA PAKETI ZA POSTAVLJANJE U OTVORE
Paketi za povrinsko postavljanje

Plastini paketi za povrinsko postavljanje stvaraju napravu koja je lagana, mala, otporna na fizika oteenja i pritisak, a ipak jeftina zahvaljujui proizvodnom procesu koji se sastoji iz jednog koraka (engl. one step). Plastika se lijeva oko okvira naprave. Na razvijanju presvlake za izrezak jo se uvijek radi, pri emu se najvie panje pridaje primjeni poliamidne presvlake koja bi mogla rijeiti problem hermetike izolacije i nesrazmjera izmeu koeficijenta toplinskog irenja plastinog paketa i izreska. Plastini dijelovi pripremljeni za transport spremljeni u zatvorene vreice s dodatkom tvari za isuivanje i tako pakirani da se mogu upotrijebiti godinu dana, a pakiranje se otvara samo u sluaju upotrebe. Dijelove pohranjene na dui vremenski period, osobito tanki plastini etvrtasti paket, potrebno je "ispei" kako bi se isuila vlaga koja je prodrla u paket. Plastini paketi upijaju vlagu ovisno o uvjetima koji vladaju u prostoru za pohranu. Vlaga moe ispariti uslijed brzog zagrijavanja, npr. pri procesu lemljenja, to moe izazvati napuknua paketa (tzv. popcorn uinak).

Kasnija izlaganja visokoj temperaturi i vlanosti moe omoguiti neistoama prodor u integrirani krug to kasnije rezultira kvarom uslijed djelovanja korozije. Metalni paketi, sa staklenim zatvorima, osiguravaju najvii stupanj hermetike izolacije, a slijede ih kombinacije stakla i keramike. Ovi dijelovi imaju veu toleranciju na temperature od plastikom obloenih dijelova (obino od -55 do +125C prema 0 do 70C ili 85C za plastikom obloene naprave). Iako aluminijev oksid kao najee koriten keramiki material ima manju toplinsku vodljivost od plastine pakirane naprave, u keramiki zatvorenoj napravi izrezak kruga ne dolazi u kontakt s keramikim materijalom za pakiranje. Paketi za povrinsko postavljanje su: - mrea niza kugli (engl. ball grid array, BGA), - keramiki paketi s mreom niza kuglica (engl. ceramic ball grid array, CBGA), - keramiki paketi s mreom niza stupaca (engl. ceramic column ball array, CCBA), kod kojeg stupci lema zamjenjuju kuglice lema,

- keramiki paket (tanki paket sastavljen od keramike baze i poklopca okvira izvoda zatvorenog rastaljenom staklenom masom), - etvrtasti keramiki paket, keramiki ekvivalent plastinog nosioca ipa s izvodima sastoji se od staklom zapeaenih keramikih paketa s izvodima u obliku slova J i sa sposobnou proputanja ultraljubiastih zraka, - nosilac ipa, pravokutan paket s izlazno/ulaznim spojevima na sve etiri strane, - keramiki nosilac ipa s izvodima, - keramiki nosilac ipa bez izvoda, - keramiki paket s mreom niza pinova, - keramiki etvrtasti plosnati paket s izvodima u obliku slova J, - keramiki etvrtasti plosnati paket, aluminijsko-keramiki paket s etiri skupine izvoda koji se pruaju sa strana i paralelno s bazom integriranog kruga, - keramiki paket malih dimenzija s izvodima u obliku slova J,
31
11.1.2013.

- paket veliine ipa s kontaktima rasporedenim u obliku mree slian BGA paketu, ali s manjim razmakom izmeu kuglica lema, a koristi se za naprave s 200 ili vie izvoda, - paket malih dimenzija s paralelno postavljenim izvodima na samo dvije strane (DSOP), - plosnati paket (ili etvrtasti plosnati paket), jedan od najstarijih povrinskih paketa (engl.surface mount), koristi se uglavnom u vojnim programima, a obino su tanki paketi koji imaju 14 -15 izvoda s obje strane naprave, - plosnati paket s jednostrukim nizom izvoda (engl. single in-line package, SIP), s izvodima zakrivljenim za 90 , - plosnati paket (engl. flat pack, FP), - nosilac ipa s izvodima u obliku galebovih krila (engl. gullwing leadless, GCC), - galebovo krilo (engl. gull wing) izvod koji izlazi iz tijela i savija se prema dolje, nalikujui na galeba u letu. Galebova krila se obino koriste na paketima malih dimenzija (engl. small outline, SO), ali su lako lomljivi, i lako se iskrive i teko se prikljuuju na ulaze,

- hermetiki zatvoren nosilac ipa (engl. hermetic Chip carrier, HCC), - HD PQFP (engl. high density quality flatpack), paket visoke gustoe s vie od 196 izvoda u razmaku od 0,4 mm, - QFP paket s rasprivaem topline (engl. high quality flatpack, HQFP) sadri bakreni raspriva topline i toplinski odvod, - hermetika naprava malog formata s pakiranim tranzistorima (HSOT), - I izvodi, kod kojih se izvodi integriranih krugova postavljeni okomito na tiskanu ploicu, inei zalemljeni spoj bavastog oblika, - J izvodi su zavijeni ispod bijela paketa u obliku slova J, - J savijeni izvodi, nosilac ipa s izvodima (engl. J chip carrier, JCC), - keramiki nosilac ipa s J izvodima (engl. J-leaded ceramic chip carrier, JLCC), - nosilac ipa bez izvoda (engl. leadless chip carrier, LCC), paket ipa s izlazno/ulaznim povrinama smjetenim u zoni paketa.

Utor (poklopac) unutar paketa, sa stranje, b, i strane izreska okrenutom podlozi doputa toplini prolaz kroz podlogu. Ovi JEDEC (engl. joint electronic device engineering council) B i C keramiki paketi nisu pogodni za sustave hladene zrakom ili za spajanje toplinskih odvoda. Nakoeni dijelovi utora (JEDEC A i D) s prednjom stranom izreska okrenutom obrnuto od podloge pogodni su za zrakom hladene sustave. Pravokutan, keramiki nosilac ipa E i F bez izvoda namijenjeni su memorijskim napravama s izravnim spojem u poziciji otvorenog poklopca. Computing Devices International odvojili su patentirane C i S izvode koji se mogu spajati na: - keramike nosioce ipa bez izvoda (engl. leadless ceramic chip garrier, LCCC). Tip A registriran po JEDEC-u mora biti prikljuen kada se nalazi na tiskanoj ploici ili na temeljnoj keramikoj ploici, a B tip mora biti zalemljen. LCC minipaket mora biti zalemljen na tiskanu ploicu;

- keramike ip nosioce s izvodima (engl. leaded ceramic chip garrier, LDCC) ukljuuju JEDEC tipove A, B, C, i D. Dijelovi B tipa nosioca s izvodima direktno su zalemljeni na podlogu. Dijelovi A tipa s izvodima mogu biti zalemljeni ili prikljueni u utinicu, a ukljuuju podkategorije: keramiki s izvodima, od lijevane plastike; - pakete s mreom u niz postavljenih prikljunih povrina (engl. land grid array, LGA), Intelov paket koji se za dijelove kao to je 80386 L mikroprocesor. Slian je PGA paketu, samo to umjesto pinova ima pozlaene prikljune povrine; - leadless inverted device (LID) - obrnuta naprava bez izvoda je oblikovana metalizirana keramika forma koja se koristi kao nosioc posrednik za poluvodiki ip (izrezak). Posebno je prilagoen za spajanje na prikljune povrine napravljene od mree gustog ili tankog filma koje se izvodi lemljenjem; - little foot (malo stopalo) koji je zatitni znak Siliconix-a je paket integriranih krugova malog formata (engl. small outline integrated circuit, SOIC);
32
11.1.2013.

- keramike nosioce ipova bez izvoda (engl. leadless ceramic chip carrier, LLCC); - mini-BGA (mBGA), razvila je Sandia National Laboratories. Slojevi poliamida i metala su naneseni na izrezak u svrhu preraspodjele originalnih staza poluvodikog ipa periferno organiziranih u stupnu konfiguraciju; - mini plosnati paket (MFP) visok otprilike 0,102 - 1,113 in ili 2,6 - 2,8 [mm], moe imati izvode na dvije ili etiri strane paketa; - vieslojni lijevani paket (engl. multilayer molded, MM). Intelov PQFP paket s unaprijeenom velikom brzinom rada kako bi se razdvojile nabijene i uzemljene povrine u napravi to smanjuje kapacitivnost naprave; - MM-PQFP, nabijene i uzemljene povrine su inkorporirane unutar lijevanog tijela PQFP-a;

- metalni etvrtasti plosnati paket (MQFP), je naziv kojim se ponekad opisuje plastini metriki etvrtasti tanki paket; - MQuad, kojeg je osmislila Olin Corporation je aluminijski paket s visokom toplinskom disipacijom koji je dostupan u plastinom nosiocu ipa s izvodima (PLCC) i QFP paketima (s 28 do 300 izvoda i brzinom generatora takta od 150 MHz); - OMPAC, pogledati BGA; - nosilac s nizom prikljunih povrina (PAD) je u surface-mount tehnologiji ekvivalent PGA paketu. Ovaj paket proiruje uinkovitost surface mount silicija za 15 do 40%. Nedostatak ovog paketa je to se lemovi ne mogu vizualno ispitati, iako je mogue koristiti rendgensko snimanje kako bi se provjerila cjelovitost lemnih spojeva (te pronale kuglice lema i prespajanja). Pojedinani lemovi se ne mogu popraviti;

- plastini nosilac ipa s izvodima (PLCC), poznat i kao PLDCC ili etvrtasti paket, koji neki proizvoai izrauju i sa 100 pinova po paketu obino postavljenih na razmaku od 0,127 cm. Ovisno o broju pinova, pin broj 1 je na drukijim poloajima, ali je oznaen tokom na kalupu pa daljnje brojenje pinova ide u smjeru obrnutom od kazaljke na satu. Izvodi su u obliku slova J i stre iz paketa. Ovi dijelovi mogu biti montirani na povrinu ili uvueni (ovaj paket se izvorno naziva postmolded type A leaded device - naknadno lijevana naprava A tipa s izvodima).
Otvoreni izrezak
Otvoreni ili nepakirani dijelovi najmanji su po veliini i zbog nedostatka paketa eliminira se kanjenje signala koje je povezano s paketom. Tekui problemi vezani uz nepakirane naprave su pakiranje, rukovanje i testiranje. Uobiajeni nepakirani poluvodiki ipovi i paketi na traci (otvoreni poluvodiki ip na traci) ukljuuju sljedee: - C4PBGA, IC paket kojeg je razvila Motorola povezuje IC poluvodiki ip s plastinom podlogom koristeci C4 proces. Koristi vieslojnu podlogu; - chip-sale paket (CSP), Mitsubishiev paket gdje je IC okruen zatitnim pokrovom kroz koji vanjske izboine elektroda na dnu osiguravaju kontakte. Paket, samo neto manji od ipa kojem predstavlja kuite, visok je 0,4mm; - ip na ploici (COB), poluvodiki ip je montiran direktno na krug otisnut u podlogu (ploica). Vidi takoder TAB (engl. tape automatic bonding) i paketi nosioca trake (TCP);
LCC paket s C izvodima za kompenzaciju nepodudaranja koeficijenata toplinskog irenja pojedinog elementa i tiskane ploice, ime se umanjuju naprezanja lema
33
11.1.2013.
Otvoreni izrezak
- ip na fleksibilnoj podlozi (COF) je varijacija COB-a, ali umjesto spajanja nepakiranog poluvodikog ipa na podlogu, ip se spaja na poliamidni film velicine 0,381 cm (slino kao FR4) kojem je gornji sloj od pozlaenog bakra. Niti osiguravaju vezana podruja za ice koje povezuju poluvodiki ip i papuicu izvoda slinu onim u QFP paketima. Otprilike je iste teine i visine kao i COB, ali se pokvareni dijelovi mogu zamijeniti. COF koristi iste ploice kao i QFP paketi i skuplji je od COB zbog poliamidne podloge; - rastavljivo automatizirano spajanje trake (engl. demountable tape automated bonding, DTAB) razvio je Hewlett-Packard. Mehaniki vijak i ploe su poravnati i privruju IC uz ploicu (pritisak izmeu trake i ploice osigurava kontakt). IC se moe zamijeniti skidanjem vijaka (za razliku od standardnog TAB paketa koji je zalemljen); - zabrtvljeni ipovi na traci (SCOT), ipovi montirani na izvode oslonjene na traku i zapeaene (obino kapljicom plastike); - tape automated bonding (TAB);
Otvoreni izrezak
- paketi nosioci trake (TCP) - paketi nosioci trake nekad su se nazivali TAB paketi. ip je montiran na dielektrini film, koji ima spojni uzorak na bakrene folije na sebi. ip je zapeaen smolastom smjesom. Sastavljanje naprave se izvodi montiranjem direktno na krug bez plastinog ili keramikog paketa. Neki TCP paketi slie TSOP paketima (s izvodima u obliku galebovog krila), ali su tanji, jer je dno IC ipa otvoreno. TCP zauzima oko polovicu prostora i treinu teine pin count TSOP ekvivalenta; - prstenasti nosilac trake ili paket s zatitnim prstenom, slian TCP paketu, ali ukljuuje plastini prsten koji ima ulogu potpore vanjskih prstena za vrijeme testiranja i transporta; - zapremina ultra visoke gustoe (UHVD) je proces koji je razvio General Electric da bi povezao nepakirane IC-e na prethodno izradene laminatne poliamidne filmove.
Sastavljanje modula
Ovaj termin se odnosi na sheme pakiranja na kojima su ili pakirani dijelovi ili otvoreni poluvodiki ipovi, a koriste se za sastavljanje. Sastavljanje moe sainjavati ili montiranje dijelova na podlogu (ili tiskanu ploicu) ili slaganje dijelova ili poluvodikog ipa na nain da tvore zbijene module memorije. Ove sheme pakiranja mogu biti povrinsko postavljanje u otvore (s pinovima) ili izradene za postavljanje na podnoje (s vidljivim nitima). Varijacije ukljuuju sljedee: - dvostruki poravnati memorijski modul (DIMM), prvi je proizveo Hitachi, ima memorijske ipove montirane s obje strane ploice (sa 168 pinova, po 84 na svakoj strani). DIMM ima 5 [V], 3,3 [V] i 2,5 [V]-tne ulaze, kao pokazatelj da li je napravljen s asinkronim DRAM-om, statikim RAM-om (SRAM) ili DRAM IC-om; - memorijski modul za kruto fleksibilno sastavljanje (FRAMM), pakiranje memorije koje je osmislio Memory X. FRAMM moduli koriste kombinaciju krutih i fleksibilnih sastavnih dijelova PC ploica s fleksibilnom ploicom koja se povezuje s krutom PC ploicom. Moduli imaju standardne JEDEC 30- i 72- pinske SIMM izlaze. TSOP DRAMS se montiraju na obje strane PC ploice;
Sastavljanje modula
- full stock tehnologija pakira 20 100 izrezaka vodoravno u obliku "truce kruha". Ovu proizvodnu metodu razvila je Irvine Sensors Corporations; - HDIP modul, hermetiki DIP modul kojem su komponente hermetiki zatvorene montirane na vrh i dno keramike podloge. Ovaj stil pakiranja se obino koristi u isekivanju monolitnih dijelova (kao to je memorijska naprava) koji e biti dostupni kasnije, a zauzimaju isti prostor kao i modul; - hermetiki vertikalni DIP (HVDIP) modul, okomito montiran keramiki modul s pinovima uzdu oba ruba (through-hole montaa). Komponente koritene u ovom modulu hermetiki su zatvorene. Pinovi na suprotnim stranama modula su u ravnini i na razmaku su od 0,254 [cm]; - multiip modul s izvodima (LMM). LLMC je konektor LLM-a;
34
11.1.2013.
Sastavljanje modula
- multiip modul (MCM), paket sa STM (surface mount) IC ipovima montiranim i meusobno povezanim podlogom slinoj vieslojnoj PC ploici. MCM-L ima podlogu koja moe biti FR-4 dielektrik, ali je esto slojevita na bazi poliamida (standardizirano JEDEC JC-11 odbor). Ostale dielektrine podloge su keramike (MCM-C) koje mogu sadravati pasivne naprave (otpornici, kondenzatori, zavojnice) ugraene u podlogu; tanki film (tj. silicijske i keramike konstrukcije) s nataloenim vodiima (koji mogu imati kondenzatore ugraene u podlogu) MCM-D; laminatni film (MCM-LF) izraen od slojeva modificiranog poliamidnog filma; ili multiip na fleksibilnom krugu (MCM-F). 1994. neki proizvoai su zapoeli proizvodnju podloga taloenjem MCM-D tankog filma na MCM-L laminatne podloge tehnikom koju je uveo IBM. MCM naprave po svojoj prirodi omoguuju veu brzinu i radne kvalitete za manju cijenu od konvencionalnih naprava. Proizvodna oprema vezana za izvedbu MCM-a ukljuuje dostupnost otvorenog izreska, kako testirati/ispitati izrezak i test/ponovni rad MCM modula. MCM moduli za vojne potrebe spadaju u MILPRF-38534. Tu je jo i MCM-V, gdje V znai vertikalno, to je trodimenzionalan modul. Ova izvedba poznata je kao Trimrod, proizvodaca Thomson-CSF i European Commission (vidi memorijsku kocku);
Sastavljanje modula
- memorijska kocka, trodimenzionalni modul sastavljen od memorijskih naprava kao to su DRAM i SRAMM (vidi rebrasti kavez i stakpak modul sa zajednikim okvirom). RTB Tehnology je razvio ovaj dizajn, a po toj licenci izraivale su ga druge poluvodike kompanije. Koncept je slian stacked chip dizajnu iji je autor Irvine Sensors, s tim to su kocke izraene od standardnih dijelova za razliku od IC izreska, kojoj su svi izlazi i ulazi na rubu (sloeni su i medusobno elektriki povezani); - rebrasti kavez je zatitni znak Staktek Corporation-a za trodimenzionalni dizajn memorijskih modula. Takoer pogledati Stakpak modul sa zajednikim okvirom; - short stack, metoda slaganja poluvodikih kockica okomito, gdje se memorijski IC-i (kao to su 4-SRAM-ovi) sastavljaju u trodimenzionalni monolitski paket takvog filma istog otiska kao jedan SRAM. Varijacija na full stack tehnologiju, takoer razvijenu u Irvine Short Corporation je short stack koji sadri i do 10 IC-a. Stogovi mogu biti nepakirani za upotrebu u hibridnim, ip na ploici i multiip aplikacijama. Tehnike meusobnog povezivanja ukljuuju wire-bond, tab i flip-chip metode. Druga stacked memory metoda, koja koristi segmente u specijalnoj silikonskoj oblati i
Sastavljanje modula
okomite meupoveznice oblata u unutranjosti silikonskih segmenata patentirana je u Water Drive Corporation. Ova metoda je razvijena za PCMCIA kartine aplikacije; - single in-line memory modul (SIMM), sastavljeni sklop koji sadri memorijske ipove. Donji rub SIMM-a, koji predstavlja dio materijala podloge djeluje kao kritini konektor. SIMM moduli su dizajnirani za upotrebu s utinicama koje imaju ulogu postavljanja SIMMa uspravno ili pod kutom, to smanjuje visinu modula na ploici kruga. Tipini SIMM dijelovi su 4x9 (4 meg memorije s 9), 1x9, 1x8, 256x9, 256x8. Uz to SIMM moduli irine podataka 9-b se izrauju po licenci Wang Laboratories koji su razvili SIMM modul i utinicu ranih 1980-ih kao jeftini memorijski dodatak za malu radnu stanicu; - stackable leadless chip carrier (SLCC), razvio je Dense Pac Microsystems. Taj se multidimenzionalni modul sastoji od naslaganih ip nosilaca. Slaganje se postie postavljanjem paketa u ravninu jednih s drugima i umakanjem u kositar sve etiri strane. SLCC postie gustocu 40:1 u odnosu na konvencionalne pakete; - VDIP modul, okomito montiran modul sa komponentama u plastinoj ahuri i ipovima u ahuri od epoksidne smole na njima. VDIP moduli imaju razmak meu pinovima od 0,254 [cm] uzdu obje strane podloge i poravnatim pinovima na suprotnim stranama;
Sastavljanje modula
- uniforme Stakpak Modul, prodajni naziv za trodimenzionalni stog TSOP memorijskih IC-akoje je proizveo Staktek Corporation.
35
11.1.2013.
Pakiranja veliine ipa

Ova vrsta tehnike pakiranja je osmiljena da zadri veliinu i uinkovitost dijelova poluvodikog ipa uz dodatak upravljivosti i mogunosti ispitivanja pakiranih naprava. Veliina paketa nije vie od 1,2 puta vea od originalnog ipa, a posjeduje razne metode spajanja djelova na krug. Flip ipovi imaju poveane lemljene spojeve (grbe ili kugle). Flipchip paketi ukljuuju spoj na ipu za kontrolirani kolaps, kojeg je razvio IBM i spoj za direktno vezivanje na ip DCA (engl. Direct Chip Attachment) kojeg je razvila Motorola. 1964. godine IBM je osmislio tehnologiju unutarnjeg povezivanja flip-chipa kako bi spajanje diskretnih tranzistora doveli do stadija proizvodnje. Ope odrednice su: - flip chip, poluvodiki paket kojim izlazno/ulazni zavreci imaju oblik grbe na jednoj strani paketa (zove se jo i bumped chip). Nakon to se povrina ipa pasivizira, okree se na drugu stranu i vezuje za odgovarajuu podlogu; - mini BGA, koristi unaprijed odreeni raspored toaka na koje dolazi lem i slian je flipipu;

- paketi za montiranje na mikropovrinu (MSMT) umjestospojenih ica koristi vodoravnu metalizaciju koja prekriva dionicu od podruja za spajanje do toke spajanja. 1994. godine Micro MST, Inc patentirao je ovu tehnologiju koja poluvodie masovno pakira u izoliranom stanju pa se mogu kontrolirati kao pojedinane naprave. Paket je otprilike iste veliine kao i poluvodiki ip i koristi se za naprave s manje od 200 izvoda. Openito ima viu parazitnu induktivnost od BGA ili QFP paketa; - paket neto vei od nosioca IC-a (SLICC); - micro BGA (BGA), poznat i kao chip-scale pakiranja (Mitsubishi), neto vee od IC ili SLICC pakiranja (Motorola, Inc). Paket kojeg je dizajnirala Tessera, MBGA sastoji se od fleksibilnog kruga vezanog za prikljune povrine izreska zlatnim stazama. Papuice poluvodikog tipa rasprostiru se u niz metalnih ispupenja koja se koriste za sastavljanje drugog stanja. Za povezivanje fleksibilnog kruga s ipom koristi se elastomehaniko sredstvo za prianjanje. Ovaj paket kompenzira toplinske nepodudarnosti izmeu poluvodikog ipa i podloge, BGA se moe utisnuti u utinice za testiranje prije konanog sastavljanja.
Paketi za postavljanje u otvore

Ovi se paketi, kao to im ime govori, ugrauju u rupe (obino obloene iznutra nataloenim metalom) koje se nalaze na otisnutoj ploici kruga. Ove pakirne naprave ukljuuju sljedee: - batwing (imievo krilo), paket (ponekad DIP tipa, ali moe biti povrinsko postavljanje) s dva krila sa strana za odvoenje topline; - keramiki paket s dvostrukim nizom izvoda (CERDIP). DIP paket je razvio Fairchild Semiconductor, a na temelju toga Texas Instruments je osmislio keramiki paket s metalnim pokrovom koji je rijeio probleme ranijih keramiki pakiranih dijelova; - dvostruki niz izvoda (DIL); - paket s dvostrukim nizom izvoda (DIP) je komponenta, a dva paralelna reda pinova ili ianih izvoda. Broj izvoda se kree od 8 do 68 pinova (iako vie od 75% DIP naprava ima 14 do 16 pinova), s 0,254 [cm] razmaka izmeu pinova irine izmedu 7,62 [m] i 22,86 [m]. Mravi (ili sueni) DIP (SDIP) ima7,62 [m] (razmak izmeu redova) prema 15,24 [m]. SDIP obino ima izmeu 24 i 28 pinova. Dijelovi DIP-a mogu biti keramiki (pinovi prolaze kroz staklom zapeaene otvore), zavareni (pinovi su zavareni na metalnu povrinu sa strane paketa) ili plastini (gdje se poluvodiki ip nalazi unutar plastinog odljeva). Takoer postoji i tanki DIP, jo jedan mali dio through-hole paketa;
36
11.1.2013.

- mrea niza pinova (PGA), plastini ili keramiki etvrtasti paket s pinovima koji pokrivaju itavu donju povrinu paketa. Poloaj izvoda je 0,254 ili 0,127 [cm] okomito na ravninu paketa. Paketi sadre razliiti broj pinova (68 ili vie). Izrezak moe biti smjeten nasuprot pinova (rupa prema gore) ili ugnjedena u mrei nizova ( niz upljina); - nevezani memorijski niz pinova (PUMA III), ASIC (engl. application specific integrated circuit) memorijski niz PGA paketa sa etiri LCC mjesta s po 32 prikljune povrine povrh 66 PGA. Svakom od 4 mjesta moe se pojedinano pristupiti putem signala za odabir ipa to omoguuje korisniku jasnu konfiguraciju (tj. x8, x16, x24, x32). Podloga je vieslojna aluminijska s 3 reda po 11 pinova. Izmeu pinova je kanal tako da se dio moe koristiti s tranicama odvoda topline (ljestve). Nespareni kondenzatori se montiraju u udubinu kanala. Ovaj tip naprave izrauju brojne kompanije ukljuujui Mosaic Semiconductor (2,852,85 [cm]), Cypress Semiconductor (njihov 66 pinski PGA modul, HGO1 veliine je 2,772,77 [cm] maks.) i Dense-Pac Microsystems (Veraspac or VPAC family, (2,772,77 [cm] max.);

- plastini paket s mreom niza pinova (PPGA); - etvrtasti paket s dvostrukim nizom pinova (QIP ili QUIP); - QUIP paket (engl. quad inline package) - slian je DIP-u, samo to QUIP ima dvostruki red pinova uzdu ruba paketa. Razmak izmedu redova je 0,100 ina, s tim to su susjedni redovi poravnati direktno nasuprot jedan drugoga; - sueni ili(mravi) DIP (SDIP); - sueni DIP, paket s dvostrukim nizom pinova, moe imati 24-64 pina meusobno razmaknuta 0,178 [cm]; - jednostruki niz pinova (SIL); - modul s jednostrukim nizom pinova (SIM), elektrini spojevi su izvedeni kao red vodia postavljeni uzdu jedne strane;

- paket s jednostrukim nizom pinova (SID), okomito montirani modul s redom pinova uzdu jednog ruba za montau za postavljanje u otvore. Pinovi su razmaknuti 0,254 [cm]. SIP-ovi mogu takoer ukljuivati i toplinski odvod; - mravi DIP (SK-DIP); - vertikalni paket s poravnatim pinovima (VIL); - cik-cak (engl. zig-zag) paket s poravnatim pinovima (engl. zig.zag inline package, ZIP). Ovo moe biti DIP paket sa svim izvodima na jednom rubu postavljenim po razlomljenom cik-cak uzorku ili SIP paket. Razmak izmeu izvoda je 0,127 [cm] od pina do pina. U modulima, izvodi su s obje strane u cik-cak uzorku. Razmak izmeu izvoda je 0,254 [cm] na istoj strani (ili 0,127 [cm] od pina do pina).
IZRAVNO SPAJANJE IPA

Nepakirani IC izrezak se upotrebljava kod hibridnog sastavljanja jo od 1970-tih. Standardna tehnika sastavljanja poluvodikog izreska, bilo u standardnom paketu ili hibridnom, kao to je multiip modul (MCM), sastoji se od ljepljenja izreska na okvir izvoda ili podlogu tako da su prikljune povrine okrenute prema gore. Prikljune povrine se pritom spajaju na okvir izvoda ili podlogu tehnikom iane veze. Kada se ova tehnika upotrebljava na standardnim materijalima za tiskane ploice, naziva se CHIP ON BOARD (COB). Kae se da je izrezak prednjom stranom okrenut prema gore ili "licem" prema gore kada su njegove prikljune povrine okrenute prema gore s obzirom na podlogu. 80-tih i 90-tih razvijeno je vie tehnika sastavljanja da bi se iskoristili nepakirani izresci ili vrlo mali paketi po prilici iste veliine kao i nepakirani izrezak. Flip chip koristi isti nepakirani izrezak kao i COB, samo to su prikljune povrine smjetene prema ploici ili licem prema dolje.
37
11.1.2013.

Takoer su licem prema dolje postavljeni chip-scale paketi (CSP), kod kojih je izrezak zatvoren u paket koji nije vei od 120% X-Y dimenzija nepakiranog izreska. Sve ove komponente veliine izreska su odgovor na poveanje zahtjeva za veom gustoom, veom brzinom rada i poveanom funkcionalnou. Tradicionalni IC paket osigurava zatitu od jako vlanih i korozivnih/oneienih okruenja. Paket takoer titi izrezak od strojeva i ljudi i omoguuje ublaavanje oka nastalog zbog temperaturnih promjena. Takoer olakava montau komponente za probno privrivanje uz mali rizik oteenja.
Pregled sastavljanja izreska

Nepakiranim (otvorenim) izreskom, bilo u COB ili flip-chip tehnici, ili koristei CSP-ove ne osigurava se ista razina zatite izreska niti olakava rukovanje komponentom, za razliku od pakirane komponente koja to omoguava. Namjera je CSP-ova pribliiti tim karakteristikama. COB je opisan ranije kao tehnika koja upotrebljava iste metode sastavljanja kao i standardna tehnika izreska, s razlikom to je izrezak postavljen na materijal tiskane ploice umjesto na okvir izvoda IC-a ili hibridnu/keramiku podlogu. Prikljune povrine izreska su izboene da se stvore zavreci pogodni za lemljenje. CSP-ovi koriste razliite tehnike nanoenja obloge oko izreska materijalom koji titi od okruenja, a da pritom ne poveavaju veliinu paketa vie od 120% X-Y-Z dimenzija samog izreska. Kao kod flip-chipa, CSP-ovi koriste neke tipove ispupenih prikljunih povrina. Glavni problem koji se pojavljuje kod sve tri tehnologije je nepodudaranje koeficijenta toplinskog irenja komponente, svake druge podloge, osim keramike.
Izrezak poznat po kvaliteti

Svaki radni postupak u kojem se koristi otvoreni IC izrezak suoen je s problemom izbora kvalitetnog izreska (KGD). Proizvoai IC-a testiraju otvoreni izrezak zbog odreivanja nekih radnih parametara, ali ne rade potpune testove sve dok izrezak nije pakiran u konanoj formi. Uzimajui u obzir bilo koju od opcija sastavljanja, sastavljai e morati samo odredit "dobrotu" otvorenog izreska koji koriste. Neki proizvoai su uvrstili KGD testiranje uz ostala, ali svi ipak nisu. Jedan od pristupa koritenja otvorenog izreska pri sastavljanju je da korisnik stavi na mjesto svu potrebnu novu opremu, ne samo za montiranje izreska i iano povezivanje, ve i za kompletni test i uhodavanje otvorenog izreska. Za ove potrebe dostupne su sonde za izrezak i test nosioci te oprema za uhodavanje i prikljuni sastavljivi elementi koji su razvijeni upravo za iste potrebe. Ovi omoguuju povremeno povezivanje s izreskom bez oteenja podruja prikljune povrine izreska potrebnog za kasnije operacije sastavljanja. Drutvo elektronike industrije (SEI) preko Vijea za izgradnju elektronikih naprava (JEDEC) sastavilo je standard o nabavi, EIA/JEDEC Standard #49 "Nabavni standard za kvalitetne izreske (KGD)".
38
11.1.2013.

Svrha ovog standarda je podii svijest opskrbljivaa izrescima o "visokom nivou izvedbe, kvalitete i dugorone pouzdanosti oekivane od proizvoda ovog tipa nakon isporuke". Nabavljeni izrezak se moe koristiti u multiip modulima (MCM-ovi) ili hibridnim sklopovima ili u sklopovima na razini ploice kao to su chip on board ili flip chip komponente. Standard se odnosi jednako na vojne i komercijalne upotrebe KGD-a. Standard napominje da korisnici KGD-a moraju prihvatiti da razina kvalitete i pouzdanosti kakav oekuju od pakiranih naprava nuno nije jednak onom otvorenog izreska, iako takoer istie kako je namjena KGD-a da se izjednai ili pobolja izvedba s obzirom na ekvivalentne pakirane dijelove. Takoer napominje da je nuna bliska suradnja izmedu opskrbljivaa i korisnika KGD-a. Standard kae da korisnik prihvaa odgovornost za konano hermetiko zatvaranje i/ili stavljanje u plastinu ahuru. Logino je za korisnika otvorenog izreska da s opskrblivaem nae zajedniki dogovor o sljedeem:

- ureivanje podataka, npr. spice modeli, disipacija snage i toplinski otpor, dimenzije izreska, poloaj prikljune povrine, fini povrine odlaganje i toplinska ogranienja i konana upotreba izreska ukljuujui nabavu i ostale naponske potencijale; - oekivana kvaliteta, npr. ISO kvalifikacije, vojni certifikati, postotak pogreke na konanom testiranju, oekivanja rane smrtnosti, stres testovi, postotak dugoronog preivljavanja i opskrbljivake tehnike kontrole kvalitete; - podaci dobiveni testiranjem, npr. potencijal dna izreska, bilo kakvi ugraeni dodaci koriteni pri testiranju (npr. IEEE 1149.1, kompatibilnost) i elektroniki test specifikacije i ogranienja; - propisi o rukovanju, npr. rukovanje opskrbljivaa, pakiranje i tehnike transporta, korisnika pohrana, rukovanje i tehnike ianog spajanja i postavljanja, ESD zatita koju provode opskrbljivai i korisnik i tehnike oznaavanja i traenja; - zapisi, npr. rezultati testova pouzdanosti, rezultati testova uhodavanja i promjene opskrbljivaevih metoda rada.
Flip chip
Prva toka o flip chipovima je pregled. S obzirom na vanost privrenost izreska u izradi flip chipa, druga toka govori o toj temi. Upotreba flip chipa u procesu sastavljanja naziva se flip chip assembly (FCA). Flip chipovi su otvoreni IC-izresci smjeteni na ploici s prikljunim povrinama prema dolje. Zbog smanjenja veliine "paketa" (nema ga) i kasnijeg smanjenja duine elektrinih staza, te parazitne kapacitivnosti i induktiviteta vezanog uz njih, posebno je pogodan za jako zgusnute aplikacije visokih performansi. Naprave visokih performansi i velike brzine ovise o smanjenju parazitnog induktiviteta i kapacitivnosti u njihovim krugovima. Ove parazitne pojave se pojavljuju u izlaznim i transmisijskim krugovima i umanjuju jednako ope frekvencijske sposobnosti i rubnu brzinu u digitalnim krugovima.
Pregled flip chipa

Pri modeliranju kruga treba izabrati izmeu upotrebe modela sa zbijenim elementima kruga ili modela prijenosne linije. Glavna nit vodilja je vrijeme porasta tr, kruga izlaznog signala i relativna dielektrina konstanta r i duina l staze kruga. Ako je vrijeme porasta manje od dvostruke vrijednosti kanjenja u stazi i koritenom dielektriku, model mora koristiti karakteristike prijenosne linije.
t propagacij e =
l c
gdje je l duljina prijenosne linije, c brzina svijetlosti, r je relativna dielektrina konstanta.
39
11.1.2013.
Pregled flip chipa

Bre vrijeme porasta od ovog zahtijeva uporabu modela prijenosne linije. Uz pretpostavku da moe upotrijebiti zbijeni model, ekvivalentni krug prikazan je na slici. Kao to je prethodno prikazano, vrijeme propagacije za ovaj krug zavisi izravno o parazitnim pojavama.
Pregled flip chipa
Sljedea tablica prikazuje primjere parazitnih pojava koji se pojavljuju kod raznih paketa. Prednosti flip chipa su oite.
Pregled flip chipa

EIA i IPC su zajedniki izdali J-STD-026, "Standard dizajna poluvodia za flip-chip aplikacije" i J-STD-028, "Standard performansi Flip-chip Scale Bumps". Standard-26 definira problematiku poluvodike ploice/izreska i tehnologije ispupenja, koncentrirajui se na specifinosti razvoja isparavajuih ispupenja i ispupenja nanesenih lemnom pastom. Standard-028 klasificira ispupenja na sljedei nain: - topljiva lemljena ispupenja, pune kugle lemne otopine koje se djelomino raspadaju usljed uzastopnog lemljenja; - djelomino topljiva ispupenja, bakreni avli s vrkom od topljivog lema; - netopljiva ispupenja, kao to su bakrena ili zlatna ispupenja ili direktni spoj na ip bez ispupenja, svi dizajnirani s namjerom stvaranja netopljivog sloja koji moe biti zalemljen ili adhezijom spojen na sljedei nivo pakiranja; - polimerna/vodljiva adhezivna ispupenja.
Pregled flip chipa

Kontakti na podlozi moraju odgovarati geometriji prikljunih povrina ipa. Kao kod COB-a, razmak prikljunih povrina izreska je obino 0,25 [mm], s odgovarajuim zahtjevom za velikom tonou smjetaja. Izrezak upotrebljavan za sklapanje flip-chipa su ipovi spojeni prednjom stranom (licem). Za razliku od "otvorenih" pasiviziranih prikljunih povrina koritenih za ipove spojene stranjom stranom (leima) (sa ianim spojevima), licem spojeni ipovi moraju imati pripremljene prikljune povrine pogodne za izravni smjetaj i lemljenje na povrinu podloge. Tehnika pripreme prikljunih povrina poznata je kao "sudaranje", jer je krajnji rezultat to to pojedina prikljuna povrina ima ispupenje na sebi koje je mogue zalemiti.
40
11.1.2013.
Pregled flip chipa

Ispupivanje prikljunih povrina se tipino radi lemom na svakoj prikljunoj povrini dok su izresci jo uvijek u formi poluvodike ploice to zahtijeva poseban postupak proizvoaa izrezaka. Nakon to su pojedini izresci odrezani na poluvodike ploice, ip e biti smjeten na kontakte na ploici i ponovo taljen u konvencionalnoj pei za taljenje. Ispupivanje kontakata se izvodi na podlozi, a ne na prikljunim povrinama, pa se najdostupniji izrezak moe sastaviti koritenjem ove tehnike. Za ispupeni izrezak, flip chip proces poinje s ispupivanjem kontaktnih povrina izreska.
Pregled flip chipa

Ovaj tip ispupenja rezultirat e tehnikom controled colapse chip connect (C4). Sastavljanje flip ipa s podlogom vri se postavljanjem ipa licem prema dolje u lemnu pastu ili talinu koja se potom lemi rastapanjem kao ostale naprave za povrinsko postavljanje. Alternativni nain je spajanjem ispupenog flip ipa sa zlatnim avlima termokompresijom na podlogu. Ovakvo izravno spajanje na podlogu znai da flip ip ima smanjeni prostor u usporedbi sa standardnim hibridnim iano spojenim izreskom, slino kao to mrea niza kuglica (BGA) ima smanjeni prostor u usporedbi s plastinim nosiocem ipa s izvodima (PLCC) ili etvrtastim plosnatim paketima (QFP). Smanjenje prostora je faktor koji daje prednost flip ipu u krugovima visoke gustoe. Razlike meu flip ipovima su obino u zavretku povrine i metalurgije ispupenja i podispupenja. Primarni tip pasivizacije su nitrati i poliamidi, dok se metalurgije ispupenja sastoje od lema, polimera ili zlatnih avla.
Pregled flip chipa

Uz prednosti, flip ip ima i svoje mane. Nezatieni flip ipovi su skloni toplinskim izazvanim napuknuima kojima je uzrok nepodudaranje koeficijenata toplinskog irenja. Ovo nepodudaranje moe izazvati napuknue lemova, pa ak i oteenje same naprave. Efekti ovog nepodudaranja mogu se bitno smanjiti upotrebom podstave, adheziva sa svrhom da se uvue u prostor izmeu dna izreska i vrha ploice. Podstava tei spajanju izreska i ploice u cijelinu, izjednaavanju koeficijenta toplinskog irenja i prevencije razdvajanja dviju povrina. National Electronics Manufacturing Initiative (NEMI) u svom izdanju iz 1996. g. nazvanom Roadmap prepoznalo je nedostatak tehnologije robusne podstave kao prepreku implementaciji flip ipa. NEMI je izbacio projekt razvoja podstave koji je bio pomo u razvoju jo robusnijih procedura. Postoje dva procesa podstavljanja. Jedan sainjava kombinaciju topljivo/adhezivnog materijala koja prethodi smjetaju ipa. ip se potom podstavi i sui tokom lemnog koraka procesa. Primjer ovakve obloge je Kester Solder's SECURETM.
Pregled flip chipa

Drugi proces podstavljanja javlja se nakon reflow procesa i raspruje tekui materijal obloge na povienim temperaturama uzdu jednog ili vie rubova izreska. Efekt kapilare e povui tekuinu u prazninu izmeu izreska i podloge, okruujui ispupenja za meusobno povezivanje komponenata. Ovo kapilarno djelovanje traje 10 - 120 sekundi. Brojni proizvodai mogu nabaviti punilo ispod ipa, ukljuujui Dexter Electronics Materials, Thermoset Plastics i Alpha Metals. Dvije bitne znaajke punila ispod ipa su vrijeme potrebno da se podstava uvue ispod komponente i vrijeme potrebno za suenje. Za bilo koji tip podstave, jedan od najkritinijih prorauna je koliina podstave koju treba raspriti. Previe punila rezultira izljevanjem na ploicu u podruje oko ipa, dok nedovoljna koliina rezultira nepotpunim prekrivanjem lemnih ispupenja, to moe izazvati napuknue izreska ili kolaps.
41
11.1.2013.
Pregled flip chipa

Proraun koliine punila ukljuuje sljedee: - obujam ukupnog podruja izmeu izreska i ploice, VA = LD WD CD, gdje je: LD duina izreska, WD irina izreska, CD razmak izmeu izreska i ploice. - obujam koji zauzimaju lemna ispupenja [VB], - obujam prostora za viak punila oko izreska [VF]. Ukupni obujam, VD, je tada: VD = VA - VB +VF.
Pregled flip chipa

Dodatak slui kao faktor nepouzdanosti u rasprenom obujmu. Kako obujam pojedinog ispupenja varira i kako se toan obujam koji zauzimaju prikljune povrine na ploici i njihove nesavrene lemne maske ne moe izraunati za svaku pojedinu ploicu, nemogue je preraunati tonu koliinu potrebnu za punilo. Dodatak se ponaa kao spremnik za veu koliinu punila kada je obujam koji zauzimaju ispupenja manji od proraunatog. Takoer e na sebe preuzeti viak rasprnog obujma punila u sluaju kada su ispupenja vea od proraunatih. Ovo znai da dodatak za viak punila nee uvijek biti na istoj razini na stranama svakog ipa, ali dok god ima ostataka dodataka i dok se viak ne protee iznad vrha izreska, takav dodatak je prihvatljiv.
Pregled flip chipa
Pregled flip chipa

Jedan proraun obujma treba napraviti s pretpostavkom najnieg prihvatljivog obujma ispupenja, a drugi s najviim prihvatljivim obujmom. Ova dva prorauna slue kao donja i gornja granica volumena koji moe biti ispunjen. Zadnji faktor koji nabavlja mora odrediti je mogunost da se punilo suzi ili rairi pri suenju. Svako oekivano suenje ili proirenje mora se ukljuiti u konani proraun. Hale-Shaw model, po opisu koji su dali Han i Wong, razvijen je da bi vjerno prikazao gibanje zagrijane mase materijala obloge. Rasprena obloga se gibanjem hladi. Gordon, Schmidt i Selvam usporeuju rezultate aplikacije jednostrane obloge s dvostranom aplikacijom. Njihovi rezultati pokazuju, ne iznenadujue, da aplikacija s nanoenjem obloge na dvije strane izreska rezultiraju veom pokrivenou podruja izmedu izreska i ploice od aplikacije samo na jednoj strani. Aplikacija obloge se moe izvesti na vie od dvije strane, pa ipak, ovo sa sobom povlai rizik zarobljavanja zranog mjehuria pod ipom koji sobom povlai opasnost pucanja izreska.
42
11.1.2013.
Pregled flip chipa

Flip ip tehnologija doivljava novi period eksplozivnog rasta. Na takav rast utjee potreba za malim profilima i visokim performancama za veliki obujam, netradicionalnim potroackim aplikacijama. Infrastruktura koja omoguuje tehnologiju flip ip pakiranja formira se i ukljuuje usluge izrade ispupenja na poluvodikoj ploici, proizvoae opreme i nabavljae materijala i podloga. Uz to, kue za pakiranje izrezaka velikog volumena i sastavljanje po ugovoru postaju sve bolje izuene za rukovanje flip ip napravom. Nunost globalne infrastrukture e ubrzati adaptaciju flip ipa u vodeu tehnologiju pakiranja. Cilj modernog projektiranja poluvodia je postii krae putanje elektrona za poveanu brzinu, snagu i ukupnu funkcionalnost naprave. Tekui razvoj na podruju silicijske i galij arsenid tehnologije na razini ploice upravo tei tim ciljevima, dok se veliina naprave zadrava ili smanjuje. Kao to je napredak u tehnologiji meupovezivanja naglaen na razini poluvodike ploice, postalo je oito da se isto takvo razmiljanje mora proiriti izvan te razine projektiranja i primjeniti na razinu povezivanja itavog sustava.
Pregled flip chipa

Povijesno gledano, tehnologije pakiranja bile su zapostavljene u odnosu na tehnologiju dizajna IC-a iz jednostavnog razloga to performanse naprave nisu bile bitno ugroene tehnikama pakiranja ili privrivanja na ploicu. Uz to, visoko brzinski automatski spajai ica odgovarali su cijeni sastavljanja IC-paketa. Danas, mnoge sofisticirane elektronike naprave ne mogu se pakirati na zadovoljavajui nain tehnologijom iane veze. Pokretne aplikacije ne mogu priutiti veliinu ili teinu standardnog IC-paketa sa ianom vezom, a aplikacije visokih perfomansi ne mogu priutiti propuste kao to su kanjenje produljenja signala i ogranienja u distribuciji struje.
Pregled flip chipa

Elektrine performanse (karakteristike, znaajke)
Pregled flip chipa
Za zahtjeve visokih performansi, elektrine karakteristike lemnih ispupenja prema pristupu pakiranja ianom vezom su kritine. Induktivitet lemnih ispupenja je manji od 10% induktiviteta iane veze. Ovo ima posebnu vanost kod aplikacija velike brzine i frekvencije gdje netoan izbor pakiranja moe ozbiljno umanjiti integritet signala. Npr. sljedea tablica ilustrira najbolji i najgori sluaj karakteristika izduivanja signala za IC-e pakirane u pakete s mreom niza pinova (PGA) icom spojenih kroz upljine usporedene s flip ip paketima s mreom niza kuglica (BGA).
43
11.1.2013.
Pregled flip chipa

Flip ip se dokazuje kao tehnika sastavljanja s niskom cijenom i velikog obujma. Tipine cijene ispupenja punila u konanici su od 0,1 do 0,3 centa po U/I prikljuku. Kako gustoa U/I prikljuka i veliina poluvodikih ploica nastavljaju rasti, flip ip e dokazati i vee prednosti po pitanju cijene. Lemna ispupenja daju sastavljaima mogunost montae IC-a na ploicu kruga koristei iste tehnike koje su u upotrebi za ostale komponente za montiranje na povrinu ploice. Koristei 63Sn/Pb lemni materijal najnieg talita na samom IC-u, cijena sastavljanja se moe jo spustiti eliminacijom lema najnieg talita finog razmaka koji bi se inae nanosio na ploicu kruga. Nanoenje lemnih uzoraka finog razmaka na podlogu moe poveati cijenu ploice od 15 do 20%. Lemni spoj Nuno je shvatiti karakteristike koje ine strukturu lemnog ispupenja, budui da je ova struktura kljuna za dugotrajnu pouzdanost i kratkotrajne probleme vezane za sastavljanje. Nisu sva ispupenja slina, pa tako i izbor materijala za ispupenja i njihove konstrukcije mogu utjecati na sveukupnu pouzdanost kao i na problematiku sastavljanja.
Pregled flip chipa

Pet je osnovnih tehnologija izrade lemnih ispupenja. Prije opisa pojedinog procesa nanoenja lema, predstavljene su u kratkim crtama eljene karakteristike lemnih ispupenja. eljene karakteristike ispupenja UBM. Visoko pouzdanu meuvezu lemnih ispupenja ine dvije znaajke: Metalizacija ispod ispupenja (UBM) i sama kuglica lema. UBM bi trebao imati sljedee sposobnosti: - dobru adheziju prema pasivizirajuem sloju poluvodike ploice, - dobru adheziju prema zavrnoj metalnoj prikljunoj povrini IC-a, - zatita zavrnog metala IC-a od utjecaja okoline, - mali otpor izmeu zavrnog metala IC-a i lemnog spoja, - uinkovitu barijeru protiv infuzije lema, - metal pogodan za prevlaenje lemom odgovarajue gustoe, - sposobnost koritenja na sondiranim poluvodikim ploicama.
Pregled flip chipa

Kuglica lema
Pregled flip chipa

Razmotrit e se 5 procesa nanoenja lemnih ispupenja s obzirom na proces njihove proizvodnje. Tehnike nanoenja su: 1. stvaranje lemnih ispupenja hlapljenjem, 2. stvaranje lemnih ispupenja galvanizacijom, 3. stvaranje lemnih ispupenja tiskanjem, 4. izrada ispupenih lemnih kuglica (spajanje zakoviastim ispupenjima), 5. under-bump (UBM) metalurgija bez elektrolitikog taloenja nikla u paru s otisnutim lemnim ispupenjima ili vodljivim adhezivima. Prednosti i nedostaci svakog od moguih pristupa predstavljeni su: - cijenom ugradnje, - strukturom ispupenja under-bump tehnologija, - strukturom ispupenja kuglica lema, - alternativnim lemnim slitinama, - faktorima utjecaja okoline, - sastavljanje sa lako taljivim kositrenim lemom(63Sn/Pb; 63% kositra, ostalo olovo; talite 183 C; tinol ica), - kompatibilnocu sa sondiranim poluvodikim ploicama, - povijeu proizvodnje.
Idealni lemni spoj e osigurati kontrolirani kolaps ispupenja pri sastavljanju. Uruavanje ispupenja poveava okvir procesa sastavljanja prilagoavanjem ne ba ravnih ploica i sposobnou samonalijeganja na prikljunu povrinu ploice kruga ak i ako nije potpuno centrirana. Predvidljivost kolapsa lemnog ispupenja je vana za odreivanje ogranienja razmaka i pogodnu visinu ispupenja za najbolju pouzdanost.
44
11.1.2013.
Pregled flip chipa

Tehnologija hlapljenja lemnih ispupenja Stvaranje UBM-a i lemnog ispupenja hlapljenjem obino ukljuuje proces koji je izvodio IBM i drugi proizvodai s licencom njihovog C4 procesa. Shematski prikaz hlapljenog UBMa i lemnog ispupenja dan je na slici na slijedeem slide-u. a) ienje rasprivanjem sitnih estica ienje oblate se izvodi zbog odstranjivanja oksida ili fotootpora prije nanoenja metala. ienje takoder slui pogrubljivanju pasiviziranog sloja poluvodike ploice i povrinskog dijela prikljune povrine da bi se poboljala adhezija UBM-a.
Pregled flip chipa
Pregled flip chipa

b) Metalna maska Metalna maska (obino od molibdena) se koristi kao kalup za UBM i lemno ispupenje. Sastavljena metalna maska se obino sastoji od ploice za oslonac, zavojnice, metalne maske i prstena za stezanje. Poluvodika ploica je pritegnuta izmeu ploice za oslonac i molibdenske maske. Sastavljenu masku je potrebno runo namijetati. Ovakvom izvedbom centriranja mogue je postii toleranciju unutar 25 [mm]. Ova konfiguracija ograniava utjecaj trenutnog kapaciteta veliinama do 50 [mm] za promjer ispupenja od 10 do 125 [mm]. c) Hlapljenje UBM-a Da se formira tanki film UBM-a, vri se slijed isparavanja sloja kroma te nanoenje krom/bakar sloja, sloja bakra, te potom sloja zlata. Ilustracija ovog postupka je na slici na sljedeem slide-u.
Pregled flip chipa
45
11.1.2013.
Pregled flip chipa

d) Isparavanje lema Lem s visokim postotkom olova koji se nalazi iznad UBM-a, isparava se da bi se stvorio gusti nanos sadraja 97 ili 95 Pb/Sn. Naneseni lem obino formira ispupenje visoko od 100 do 125 [mm]. Visinu ispupenja odreuje obujam nanesenog materijala za isparavanje. Obujam ovisi o udaljenosti izmeu metalne maske i poluvodike ploice kao i veliini otvora maske. Naneseni lem ima oblik konusa, to je posljedica naina na koji se lem formira u otvoru maske. Dodatni sloj kositra je na vrhu olovnog ispupenja. Ovaj proces je uvela Motorola, a naziva se isparavani, produeni proces koji ima najnie talite, skraeno E3. Ova kositrena kapica doputa napravi pripajanje na organsku ploicu bez potrebe za meuslojnim nanoenjem Pb/Sn na ploicu. Ovo se radi iz razloga to se visoka olovna ispupenja preoblikuju na temperaturi iznad 300 C, a i nije pogodno za podloge organskog podrijetla koje ne podnose tako visoke temperature.
Pregled flip chipa

Sloj kositra omoguava sastavljau zagrijati strukturu na temperaturu mnogo niu od toke talita lema 95Pb/Sn. Cilj ovog procesa je formiranje Pb/Sn najnieg talita na vrhu kuglice lema, omoguavajui postavljanje naprave na ploicu, izbjegavajui time dodatni troak koji bi zahtijevalo nanoenje lema najnieg talita na samu ploicu. e) Izrada kuglica lema U C4 procesu, lem se moe preoblikovati u kuglu. Prednosti i nedostaci isparavajuih ispupenja: Cijena: Na skupou procesa utjeu pristojbe za licencu, veliki izdaci za opremu i materijale. Oprema se ne moe ekonomino raspodijeliti iznad 20,32 [cm]. Proces ograniava protonost, pa je mogue prosjeno odraditi 25 [cm] 325 [cm] poluvodikih ploica na sat. Struktura ispupenja: metalurgija pod ispupenjem. UBM dobro prijanja uz IC metalizaciju i pasivizaciju pritom titei prikljunu povrinu koja lei ispod nje. Fazni Cr-Cu sloj ini izvanredno pouzdanu difuzijsku barijeru lema za lemove sa velikim postotkom olova (95Pb/Sn ili 97Pb/Sn), ali nije pogodan za 63Sn/Pb (tinolne) lemove (koje je mogue formirati galvanizacijom lema koji se nalazi UBM-a za isparavanje).
Pregled flip chipa

Visoki sadraj kositra u Pb/Sn niskog talita ubrzano nagriza bakar iz Cr-Cu (krombakrenog) faznog sloja, stvarajui preduvjete za slabu ili nikakvu adheziju. K tome, strukturu Cu/Cr-Cu/Cu ini jae stlaen tanki film nego kod UBM-a koritenih u drugim procesima. Kod standardnih poluvodikih ploica ne preporuuje se upotreba ovog procesa. Struktura ispupenja: lem. Proces isparavanja omoguava izvanrednu metalurku kontrolu. Materijal lema s visokim postotkom olova je podatan i omoguava predvidljivost kolapsa ispupenja pri sastavljanju keramikih paketa. Ovaj proces je striktno ogranien na upotrebu lemnih slitina s visokim postotkom olova. Pb/Sn ne moe hlapiti zbog malog pritiska pare na kositru. Alternativne slitine. Proces isparavanja je ogranien iskljuivo na materijale s visokim tlakom pare, jer bi vrijeme potrebno za nanoenje materijala kao to je kositar (materijal sa malim pritiskom pare) bilo predugo za proizvodne standarde, to bi poskupilo itav proces. Iako proces isparavanja dokazuje odlinu kontrolu slitine, obino se istovremeno nanese maksimalno dva materijala. Koritenje trokomponentnih ili etverokomponentnih slitina nije ekonomino.
Pregled flip chipa

Nanoenje Pb/Sn lema s malom koliinom alfa estica je jedna od mogunosti. Ipak bi proces bio pretjerano skup zbog velikih koliina olovne pare. Pretpostavka je da bi se cijena kretala izmeu nekoliko stotina dolara po poluvodikoj ploici. Utjecaj na okoli. Kada lem isparava na poluvodikoj ploici, istovremeno i olovo isparava izvan prostorije predviene za taj proces i to u znatnim koliinama. Ove prekomjerne koliine olova treba oistiti na osnovi. Sastavljanje s lemom sastava 63Sn/Pb. Poeljno je koristiti lako topiv 63Sn/Pb lem na napravama, jer se time iskljuuje dodatni troak koritenja lema finog razmaka na ploici kruga. Kako bilo, lako topiv 63Sn/Pb lem nije kompatibilan s procesom nanoenja lema isparavanjem iz prethodno iznesenih razloga: - bitno se ne mijenja cijena procesa isparavanja, - kako vei dio olovnog ispupenja nije preoblikovan, ne iskoritava se poseban oblik ispupenja kao rezultat kontroliranog kolapsa. Stoga e struktura biti vie osjetljiva na uinke planarizacije. Slino tome, ispupenje se nee samocentrirati to zahtijeva preciznije tolerancije smjetanja,
46
11.1.2013.
Pregled flip chipa

- potreban je visoki kontaktni tlak (9-15 g/ispupenju) za vrijeme sastavljanja ovakvih naprava, - kositrena kapica se mora vezati za ploicu prije nego to se kositar stopi s olovom. Ovo predstavlja mali okvir procesa potreban za uspjean rad. Kompatibilnost sondiranim poluvodikim ploicama. Isparavanje lemnih ispupenja se ne preporua za upotrebu kod sondiranih poluvodikih ploica. Mogunost prethodnog postavljanja UBM-a bez lema. Nije mogue izvui metalnu masku izmeu UBM-a i nanesenog lema. Stoga se lem nanosi preko svih nepokrivenih dijelova UBM-a. Proizvodnja. Isparavanje lemnih ispupenja koriste u proizvodnji kompanije kao to su IBM i Motorola. Tehnologija izrade ispupenja izraenih tiskanjem lemne paste. Ovakav nain formiranja ispupenja koriste u raznim formama kompanije kao Delco Electronics (DE), Flip Chip Tehnologics (FCT) i kompanije potpisnice ugovora o dozvoli za proizvodnju istih, kao i Lucent Tehnologics i PacTech.
Pregled flip chipa

Glavni nedostatak koritenih procesa nanoenja lema tiskanjem bilo je postizanje tono odreenih razmaka meu ispupenjima. Raznim formama tiskanja lema koje se trenutno koriste mogue je postii razmake od 0,025 [cm]. Opis procesa iznesen u ovom dijelu temelji se na DE/FCT pristupu izrade ispupenja na poluvodikoj ploici. FCT pristup omoguuje postizanje razmaka meu ispupenjima od 0,022 [cm] i 0,015 [cm], a bit e u primjeni sredinom 1997. DE/FCT pristup izradi ispupenja na poluvodikoj ploici naziva se flexon-cap (FOC), a odnosi se na poveani otpor prema zamoru ove strukture u odnosu na strukturu mini ispupenja koju je prethodno koristio Delco. Tijek procesa je sljedei: a) Metoda ienja poluvodike ploice na mjestu. ienjem poluvodike ploice rasprivanjem estica s povrine uklanjaju se oksidi i organski ostaci prije metalizacije.
Pregled flip chipa

ienjem se takoer pogrubljuje pasivizacija poluvodike ploice i povrina spojnih otoia to pridonosi boljem prijanjanju UBM-a. b) Nanoenje UBM-a. Tri sloja ine UBM sustav. Prvi sloj ini raspreni sloj aluminija, kojeg slijede istom metodom naneseni slojevi nikla i bakra. Aluminij vrsto prijanja uz pasivaciju poluvodike ploice kao i uz aluminijske spojne otoie. Bakar titi nikal od oksidacije i za razliku od procesa metalizacije mini ispupenja nije nuan za prijanjanje lemnog ispupenja uz UBM. c) Formiranje uzroka UBM-a. Postavlja se uoblien i razraen sloj fotootpora. Slojevi sastava Al/Ni/Cu se potom nagrizu, osim iznad pasivizacije spojnog otoia i test struktura. Potom se otpor uklanja, tako da iznad spojnog otoia ostaje UBM od tri sloja razliitih metala.
Pregled flip chipa

d) Nanoenje lemne paste. Lemna pasta se utiskuje na UBM koritenjem patent-pending procesa Delco Electronicsa, a ispupenje se preoblikuje u kuglu. Prednosti i nedostaci tiskanih lemnih ispupenja Cijena. Proces izrade ispupenja lemnom pastom je jeftiniji od procesa izrade ispupenja isparavanjem poluvodike ploice, a cijenom je ravnopravan procesu metalizacije ispupenja. Struktura ispupenja. Metalurgija pod ispupenjem. Sloj aluminija nanesen rasprivanjem estica omoguava izvanredno prijanjanje uz IC metalizaciju i titi spojni otoi koji se nalazi ispod sloja. UBM takoer pokazuje odlinu sposobnost prijanjanja uz mnoge tipove pasivizacija ukljuujui silicijev nitrat, silicijev oksid i nekoliko vrsta poliamida. Uz to, trometalni UBM nudi elektrinu stazu malog otpora.
47
11.1.2013.
Pregled flip chipa

Sloj nikla slui za dvije funkcije: cini izvanrednu difuzijsku barijeru lema (pogotovo za lemove sastava 63Sn/Pb) i osigurava povrinu pogodnu za nanoenje lema nakon to je bakar nagrien. Izbor materijala i fizikalna struktura UBM ine kombinaciju koja sainjava strukturu ispupenja visoke pouzdanosti i otpornosti na velika naprezanja. Struktura ispupenja. Lem. Lemno ispupenje je izuzetno pouzdano. Struktura lemnog ispupenja sastavljena od 63Sn/Pb dovoljno je robustna da izdri 10 ciklusa preoblikovanja (zahtjevi klijenata nisu traili testiranje iznad ovog broja). Struktura ispupenja i tip slitine koji se koristi osigurava predvidljivu koliinu lemnog ispupenja za uruavanje. Zavisno o lemnoj slitini, veliini ispupenja i geometriji spajanja na podlogu, naneseno lemno ispupenje moe doivjeti 10 30% uruenje pri sastavljanju. Ovo svojstvo pretpostavlja robustan proces sastavljanja uz visok omjer ispravnih sklopova na poluvodikoj ploici.
Pregled flip chipa

Koritenje lemne paste u procesu omoguuje izvanrednu metalurku kontrolu. Izravni rezultat ovakve kontrole je to to su temperature preoblikovanja pri sastavljanju uvijek predvidljive i stalne. Alternativne slitine. Nanoenje lemne paste doputa upotrebu raznih lemnih slitina. Polimerne slitine su znaajna prednost ovog tipa procesa nanoenja ispupenja na poluvodiku ploicu. Trojne i etvorne slitine mogu udovoljiti nekim zahtjevima kojima dvojne slitine ne mogu. FCT trenutno nudi sljedee slitine. a) Bezolovne slitine CASTIN je etvorna slitina koju ine Cu/Sb/Ag/Sn, a preoblikovanje se vri na temperaturi od 250 C do 260C (temperatura taljenja je 211C). To je bezolovni lem koji se moe upotrebljavati za potrebe ultra niskih alfa estica ili da se iskoristi via temperatura preoblikovanja koja je potrebna kod hijerarhije BGA procesa sastavljanja.
Pregled flip chipa

b) Lem s malom koliinom alfa estica Alfa estica je jezgra atoma helija (He4+). Raspadom radioaktivnih neistoa ili izotopa unutar lema dolazi do emitiranja alfa estica (8 [MeV]) to moe proizvesti do 2,5106 parova elektron upljina i izazvati male greke u osjetljivim poluvodikim napravama kao to su memorijski ipovi. Kako je glavni izvor proizvodnje alfa estica u flip ip pakiranju lemna slitina koja sadri olovo, prednost je koristiti olovo ili bezolovnu slitinu niske emisije alfa estica. Nanoenje lemne paste predvia isplativu aplikaciju Pb/Sn lem s malom emisijom alfa estica. c) Primjeri ostalih polimernih slitina Pb/In/Ag i Sn/Pb/Cd/In slitine se takoer koriste u flip ip aplikacijama. Utjecaj na okoli. Procesi nanoenja lema su obino dobro kontrolirani i imaju malo otpadnog materijala. Utjecaji na okoli ove vrste procesa izrade lemnih ispupenja su manji od onog kod procesa izrade ispupenja metalizacijom ili isparavanjem.
Pregled flip chipa

Sastavljanje sa 63Sn/Pb lemom. FCT proces je posebno osmiljen za prilagoenje razliitim lemovima ukljuujuci i 63Sn/Pb lem. Budui da se itav lako topiv 63Sn/Pb lem potreban za formiranje spoja nalazi na ipu, nema dodatnih trokova kojima se proizvoa mora izloiti to se tie ploice i zahtjeva vezanih za taj element sklopa. Kompatibilnost sa sondiranim poluvodikim ploicama. UBM izraen od Al/Ni/Cl slojeva moe se upotrebljavati na sondiranim ploicama bez straha da e to utjecati na pouzdanost. To je tako zbog sastava materijala kao i zbog procesa nanoenja. Nikad nije zabiljeen kvar vezan uz tragove sonde ostavljene na spojnim otoiima. Ovo je posebno vano kompanijama koje ele povratnu informaciju prenijeti to bre u svoje tvornice. Slino tome, na testiranje unutar prostora tvornice utjee injenica da su odreene poluvodike ploice iskljuivo namijenjene flip ipovima, a druge za sklopove sa ianim spojevima. Mogunost prethodnog postavljanja UBM-a bez lema. FOC proces omoguava ovakav nain nanoenja materijala UBM-a ili lemnog ispupenja na napravu. Ova mogunost ne postoji kod tehnologija nanoenja lemnih ispupcenja elektrolitickim taloenjem ili isparavanjem. Proizvodnja. Flex-on-Cap proces se upotrebljava u proizvodnji velikog volumena dugi niz godina. Delco Electronics izradi ispupenja na 300 000 naprava dnevno. Proces je robustan i niske cijene.
48
11.1.2013.
Pregled flip chipa
Sklapanje
Iako je flip ip tehnologija u upotrebi ve preko 30 godina, tek nekih desetak kompanija irom svijeta koristi ovaj proces u proizvodnji. Preko 90% ovakvih aplikacija su naprave s malim brojem prikljunih vodia koritene u satovima, za displeje, automobilske i komunikacijske modele. Proizvodnja flip ipova velikog volumena je bila onemoguena zbog kompanija koje su imale kontrolu nad projektiranjem naprave, izradom poluvodikih ploica, izradom ispupenja, kao i kontrolu testiranja i sklapanja. Kao posljedica toga, pomone tehnologije (kao to su underfill materijali, oprema za razdjeljivanje, uinkovite metode testiranja i oprema za odabir i smjetaj dijelova visoke uinkovitosti) nisu dobro poznate novim korisnicima za novonastale aplikacije. Nedavne pokrenute aktivnosti konzorcija usmjerene su ka razvijanju i opisivanju sposobnosti flip ip sklapanja. arite ovih aktivnosti ukljuuje sljedee: - rukovanje napravama za sklapanje, - oprema za smjetanje potrebne tonosti i mogunosti izrade velikog broja proizvoda, - primjena i ienje tinol paste, - primjena i karakterizacija punila ispod cipa, - pouzdane metode rada, - jeftina tehnologija izrade ploica sa finim razmakom kontaktnih otoia.
Sklapanje
Tinol paste i punila ispod ipa Tinol paste koje se koriste tijekom sklapanja treba procijeniti na nekoliko razina. One ukljuuju: - sposobnost djelovanja kao pomonog sredstva pri lemljenju meuspoja, - mogunost laganog uklanjanja ienja (ili nemogunost, ako se radi o tipu paste koja se ne isti), - interakciju s bilo kojom kasnijom opcijom punila. Ako se pasta dovoljno dobro oisti sa sklopa, tada nema utjecaja na operacije nanoenja punila. Ako se pak koristi sustav s pastom koju nije mogue oistiti, tada bilo kakvi zaostaci materijala ne smiju utjecati na prijanjanje punila na napravu i povrinu podloge. Zbog toga to postoje mnogi sustavi nanoenja paste koji su kompatibilni s tehnologijom flip ipa, potrebno je svaku aplikaciju procijeniti s obzirom na posebne zahtjeve sklapanja.
Sklapanje
Punila Materijali od kojih je nainjeno punilo tite unutranju stranu naprave od utjecaja okoline i smanjuju naprezanja na lemnom spoju. Proces nanoenja punila predstavlja kritian korak pri sastavljanju large area flip ip naprava ili kod sklapanja flip ip naprava s laminalnim podlogama. Punilo poveava pouzdanost naprave poveanjem otpornosti na zamor i smanjivanjem temperature spojem IC-a. Otpornost na zamor se poveava smanjivanjem naprezanja koje nastaje uslijed toplinskog nesrazmjera kojem je izloen lemni sloj. Slino tome, odabrani tip lemne slitine moe takoer utjecati na toplinski zamor ispupenja. Tablica na sljedeem slide-u prikazuje toplinsko vrijeme do zamora materijala nekoliko lemnih slitina normaliziranih prema slitini 63 Sn/Pb. Na testu je podloga bila aluminijska, a tempreatura se kretala izmeu 50C i +50 C. Vidljivo je da lemne slitine poput 37 In/Pb (indij-olovo) imaju dvostruko toplinsko vrijeme do zamora materijala u odnosu na 63 Sn/Pb. Slino tome, ispupcenje s visokim postotkom olova koje se koristi kod procesa s isparavanjem pokazuje 20%-tno poveanje vremena do zamora materijala u usporedbi sa slitinom 63 Sn/Pb.
49
11.1.2013.
Sklapanje
Sklapanje
Ipak, vrijeme do zamora materijala se poveava i do 10 puta za sve lemove kada se upotrebljava punilo. Dokazano je da naprava veliine 1,27 [cm] x 1,27 [cm] sastavljena na leminatnoj ploici kruga s odgovarajuim punilom moe lako izdrati vie od 1000 toplinskih ciklusa s temperaturnim oscilacijama izmeu 40C i 125C. Slika na sljedeem slide-u pokazuje postotak kvarova kod napora za lemna ispupenja od 63 Sn/Pb sa i bez punila. Slika 2 slide-a dalje prikazuje SEM mikrograf presjeka lemnog spoja na kojem su vidljivi uinci zamora lema. Naprava je sastavljena bez punila. Nain pojave kvara se prema oekivanju dogaa napuknuem lema smjetenog blizu izreska, na mjestu gdje je spojno podruje lema najmanje. Slika prikazuje presjek lemnog spoja sastavljanog koritenjem punila. Zamor lema se pojavljuje uz tanku frakturu, koja se nalazi blizu UBM-a. Razliku teine oteenja u ova dva sluaja ini iskljuivo upotreba punila. Svojstva materijala punila nisu izuzetno vana samo za pouzdanost naprave, ve su i vaan faktor izvedivosti naprave. Punilo se mora raspriti, oblikovati i osuiti u optimalnom vremenskom periodu. Obino se nanosi na dvije strane sastavljenog izreska igliastim rasprivaem, doputajui na taj nain silama napetosti povrine da izvuku materijal ispod naprave na preostale strane. Da bi se uinkovito ispunila praznina izmeu naprave i podloge potrebno je vie od jednog prijelaza.
Sklapanje
Sklapanje
50
11.1.2013.
Sklapanje
Prednost materijala za nanoenje u rastaljenom obliku razmjerna je s temperaturom, pa tako itkost materijala raste s porastom temperature. Potrebno je ipak obratiti panju da temperatura ne bude pretjerano visoka, jer bi u tom sluaju materijal kojeg se oblikuje poeo curiti. Viskoznost materijala mora dopustiti sili povrinske napetosti da brzo ponese materijal kroz dodirno podruje naprave i podloge, bez stvaranja zranih depova. Tome treba dodati kako tendencija smanjenja visine ispupenja uz istovremeno njihovo zaguavanje zahtjeva stvaranje novih materijala punila koji e odgovarati na probleme proizvodnog kapaciteta i kvalitete prekrivanja povrine punilom. Punilo spore pokretljivosti rezultirat e produenim vremenom sklapanja, to ini proces nanoenja punila najzahtjevnijom fazom proizvodnje. Naalost, svojstva punila materijala nemaju jednaku korist za pouzdanost i proizvodnost. Razlog tome je to se veina punila koriste za postizanje eljenih karakteristika. Punila kojima se ostvaruje zadani koeficijent toplinskog irenja omoguit e podudaranje koeficijenta toplinskog irenja IC-a i podloge, ali e isto tako usporavati brzinu irenja rastaljenog materijala.
Sklapanje
Sustav punila unutar punila mora odrati jednoliko rasprivanje za vrijeme nanoenja i trajanja operacije, jer e podruja s nedostatkom materijala punila, poglavito ona uz dodirne povrine, biti sklonija pojavi kvara. Materijal mora podjednako dobro prijanjati uz povrine podloge i naprave da bi se dostigla traena pouzdanost. Stoga, zavrni povrinski sloj i pasivizacija naprave kao i tip upotrebljene podloge moraju biti provjereni i povoljno ocijenjeni da bi odabrano punilo prijanjalo jednako dobro na povrine svih materijala. To je vrlo vano, jer se zna da mnoge lemne maske loe prijanjaju uz neke materijale punila. Iako se prva adhezija doima dobra, punila se mogu tijekom toplinskih ciklusa odvajati. Pravi izbor tinol paste i materijala punila nuan da bi se osigurao pouzdan spoj naprave, a da se istodobno udovolji zahtjevima u koliini proizvodnje. Proizvoda mora birati materijale ovisno o tipu naprave, njenoj veliini, visini i gustoi ispupenja, pasivizaciji naprave, tipu i konfiguraciji podloge, materijala lemne maske i zahtjeva za pouzdanocu. Ne postoji kombinacija tinol paste lemnog otpora i punila jednako dobra za sve kombinacije tipova naprava i materijala ploica.
Paketi veliine ipa

Paketi veliine ipa (CSP) su opisani u Implementation of Flip Chip and Chip Scale Tehnology koju izdaju IPC i EIA kao IC izrezak koji je zatvoren u paketu ne vecem od 1,2 puta dimenzije samog nepakiranog izreska. Dimenzije razmaka na paketu su manje od 0,25 [mm], to ih ini znaajnijima za aplikacije s ogranienim prostorom, kao to su dijelovi memorije, PC kartice i MCM-ovi. Treba vidjeti da li e se poboljati naprava za testiranje i uhodavanje, poboljavanje standarda i dovoljno ravnih podloga pokazati uspjenim. Mnogi od ovih istih problema se javljaju kod COB-a i flip chip sastavljanja. Kao to je to sluaj kod COB-a i flip chipa, jedan od glavnih problema kod CSP-a je nepodudaranje koeficijenata toplinskog irenja komponente i bilo koje druge podloge osim keramike. Ikemizu i ostali izvjetava da je pouzdanost lemnog spoja CSP-a s tiskanom ploicom kruga loija nego kod QFP-a upravo zbog nepodudaranja koeficijenata toplinskog rastezanja. Punilo e ublaiti tu razliku, ali zahtijeva dodatne korake u procesu.
Paketi veliine ipa

Razvoj paketa kojeg e biti mogue sastaviti i uspjeno koristiti bez punila e uiniti veliki korak poveanju prisutnosti ove tehnologije na tritu. Pretpostavlja se da je CSP upravo takav paket. Ostale prednosti CSP-a nad COB-om i flip chip paketima su: - vei razmak prikljuka koji omoguava upotrebu standardne opreme za postavljanje komponenata, - nee biti presudno poznavanje kvalitetnog izreska, - izrezak je zatien od atmosferskih utjecaja. Druga znaajka koja se tie CSP-a i flip chipa su ispupenja na poluvodikoj ploici. EIA - JEDEC i EIA - J grupe zajedno rade na utvrivanju standarda za glavne karakteristike paketa i dimenzija razmaka za potrebe industrije. Primjeri ovog uvodnog dijela posla za CSP i ostale male pakete dokumentirani su u nekoliko sljedeih tipova proizvoda registriranih po JEDEC-u: - MO-207: obitelj okomitih paketa veliine ipa s finim razmakom izmeu niza reetkasto postavljenih kuglica (sijeanj 1999), - MO-209: tanki plastini paket malih dimenzija bez prikljunih izvoda (listopad 1998.),
51
11.1.2013.
Paketi veliine ipa

- MO-210: obitelj tankih paketa s finim razmakom izmeu niza reetkasto postavljenih kuglica, razmak od 0,80mm (sijeanj 1999), - MO-211: paket veliine izreska s nizom reetkasto postavljenih kuglica (listopad 1998). Ove razliite proizvodne linije takoder sugeriraju razliite razmake reetke koja je upotrebljena i njenu namjenu. Jedna od namjera definiranja paketa je mogunost postavljanja komponenti na mjesto standardnom opremom. To je vano za ekonomsku isplativost implementacije CSP-a. Newman i Yuan su proveli procjenu na razini tiskanih ploica na 8 tipova CSP-a. Karakterizacijom po materijalima paketa i meuvezama u unutranjosti izreska, njihova studija je procjenjivala defekte i pouzdanost lemnog spoja nakon toplinske obrade. Zakljuili su da je optimizacija parametara zatite lemnom pastom rezultirala nezamjetnim otvorima u lemnom spoju, a rezultati pogreaka za toplinski obradeni CSP nisu udovoljavali usporedbi s rezultatima BGA paketa.
Paketi veliine ipa

Tiskanje lemne paste na CSP ploice je slino postupku na BGA paketima. ablonu u koju se stavlja pasta treba oblikovati laserom ili elektroformiranjem da se dobiju isti otvori koji e zaprimiti tonu koliinu paste. Burrovi rezultati studije pokazuju da elektroformirane i ablone laserski rezane/presvuene niklom omoguuju konzistentnije otiske od otisaka iz kemijski nagrienih, bimetalnih ili laserom rezanih (bez presvlake) ablona. Takoer navodi da pravokutni otvori sa zaobljenim kutovima polumjera 0,0254 [cm] omoguuju bolje oslobaanje lemne paste nego okrugli otvori s metalnim strugalima. Uz CSP pakete definirane JEDEC proizvodnirn linijama, mnogi proizvoai uvode CSP pakete koji najbolje odgovaraju njihovim potrebama. Primjer tome je Dallas Semiconductor Inc, koji su u listopadu 1998.g. uveli jednoiani mini ip paket, koji u biti omata male izreske u trajni film ili ih pakira u metalni paket. Koritenjem tehnike serijske komunikacije, paketi imaju samo dva spoja s podlogom na koju su montirani. Sa samo dva ispupena spojna otoia, smjetanje naprave se moe obaviti istom tonou i potrebnom opremom kao i smjetaj 0603 i 0805 otpornika ipa i kondenzatora.
Chip on board
Chip on board (COB) se odnosi na smjetaj otvorenog IC izreska na podlozi, s prikljunim povrinama okrenutim prema gore. Kako je veina IC izrezaka dostupna u konfiguraciji otvorenog izreska, ovaj nain sastavljanja koristi svaki proizvoa koji je voljan uloiti sredstva u opremu za spajanje i testiranje. U COB-u, izrezak je smjeten u epoksidnu smolu na podlozi, a prikljune povrine su onda povezane s podlogom standardnom tehnikom IC ianog povezivanja. Jednom kada je otvoreni izrezak spojen, izrezak s pripadajuim icama prekriva se epoksidnom smolom radi zatite od mehanikih oteenja i utjecaja okoline. Razmak prikljunih povrina na izresku je obino 0,25 mm, s odgovarajuim zahtjevom za velikom tonou smjetanja. COB je poeljan u sluajevima kada je prostor izuzetno ogranien, npr. na PCMCIA karticama, i kada je potrebna najvea mogua gustoa povezivanja. Takoer je poeljan za velike proizvode iroke potronje, a niske cijene. Tu se koristi neprestano, npr. u digitalnim satovima i kalkulatorima. Za izreske koji se koriste za COB uvrijeen je naziv ledno spojeni poluvodiki ipovi, jer je stranja strana ipa spojena na podlogu. To takoer pridonosi vrlo dobrom prijenosu topline na podlogu.
Chip on board
Osim zahtjeva za tonou smjetaja, glavni problem vezan za COB je stroj za iano spajanje na tekuoj vrpci koji radi s jako krhkim paketima i to se radi o paketu kojeg se ne moe testirati prije sastavljanja bez specijaliziranog sustava testiranja izrezaka. Spajanje icom zahtijeva posebnu panju sastavljaa. U obzir treba uzeti: - zahtjev za uskim visinskim tolerancijama izmeu prikljunih povrina i kontakata na podlozi, - zahtjev za razinom podloge, - svaki kontakt na podlozi bi trebao biti udaljen od prikljunih povrina bar 0,5 [mm], - podruje kontakta na podlozi treba biti barem 0,25 [mm] s 0,75 [mm], - razmak kontakata na podlozi treba biti bar 0,25 [mm], tako da odgovara veliini razmaka prikljunih povrina, - lemna zatita treba biti barem 1,25 [mm] udaljena od ruba povrine podloge.
52
11.1.2013.
Chip on board
Nakon sklapanja i spajanja icom, ip i pripadajue zlatne ice se pokrivaju epoksidnom smolom zbog zatite. Ovo je uobiajena tehnika sklapanja za male proizvode posebne namjene koji koriste jedan obini IC, kao to su kalkulatori i digitalni runi/zidni satovi. Ovaj pokrov od epoksidne smole ili glob-top je najee dvokomponentna tekua epoksidna smola s temperaturom prelaska u staklo od 1650-1800 C. Rukovanje i pohrana otvorenog IC izreska mora udovoljiti istim standardima ESD-a i zatite od vlanosti kao i pakirani IC-i.
NANOTEHNOLOGIJA
S obzirom na budui razvoj i oekivane dosege, najznaajnije podruje danas je nanotehnologija. S obzirom na obuhvatnost, teko ju je definirati, tako da se iz razliitih definicija isitava koja struka je pisala definiciju. Tako je nanotehnologija skup aktivnosti gradnje i drugih djelovanja na strukturama kojima se dimenzije izraavaju u nanometrima. Prema NSET-u, nanotehnologija je istraivanje i razvoj tehnologije na atomskoj, molekularnoj ili makromolekularnoj razini zbog temeljnog razumijevanja fenomena i materijala na toj skali i zbog kreiranja i koritenja struktura, ureaja i sustava koji imaju nova svojstva i funkcije upravo zbog svoje male veliine. Uobiajeno se pod nanotehnologijom podrazumijevaju djelatnosti na dimenzijama ispod 100 nm. Atom vodika je dimenzija 0,1 nm, a DNA 25 nm.
NANOTEHNOLOGIJA
Nova svojstva i funkcije primjeuju se pri tipinom redu veliina ispod 100 nanometara pa je stoga ona izabrana za gornju granicu nanotehnologije. Istraivanje i razvoj nanotehnologije ukljuuje kontroliranu manipulaciju nanoskopskim strukturama i njihovu integraciju u vee komponente materijala, sustave i konstrukcije. Nanotehnologija se razvijala u dva glavna pravca ugljikova i molekularna. Ugljikova nanotehnologija se bavi raznim modifikacijama ugljika, kao to su ugljikove nanocjevice, dok se molekularna bavi raznim organskim molekulama na nano-razini. Izraz nanotehnologija ponekad se mijea s pojmom molekularne nanotehnologije, svoje napredne teorijske grane, koja se bavi proizvodnjom nanosustava. Molekularna nanotehnologija slui za izradu preciznih struktura koristei mehanosintezu (sintezu mehanikih sustava na molekularnoj razini). Svojstva nekog materijala u nanotehnologiji ne ovise samo o molekulama, nego i o tome kakav je njihov raspored i tonost rasporeda, a to se odnosi i na atome. To znai da neki materijal moe biti vodi na makroskopskoj razini, a izolator na nano-razini, to je problem pri prouavanju mogue tetnosti materijala proizvedenih u nanotehnologiji.
NANOTEHNOLOGIJA
Slika C.1: a) Grafen, b) nanocjevica, c) fuleren, d) molekularni prekida
53
11.1.2013.
NANOTEHNOLOGIJA
Kae se da nanoznanost prouava stvari veliine nanometra. Pa koja je razika izmeu mikrotehnologije i nanotehnologije? Je li samo u veliini? Mikro je za ljudske pojmove isto jako malo. Mikrotehnologija se toliko razvila postupnim saimanjem da je ionako danas ve blizu nanodimenzija. Nanotehnologija e biti izgraena na mikrotehnologiji, bilo mikrofabrikacijskim tehnikama bilo na mikrostrukturama. Meutim, postoji jasna granica izmeu mikroznanosti i nanoznanosti. A to je otkrie da su elektroni valovi, to vodi na kvantnu mehaniku. Valna duljina elektrona je:
NANOTEHNOLOGIJA
Kako je valna duljina ula u tehnologiju? Mikrotehnologija koristi svjetlost za fotograviranje ili fotolitografski postupak. Pri tome se svjetlost projicira u male snopove. Meutim, oni ne mogu biti manji od valne duljine. To znai da je valna duljina prirodna granica mikroproizvodnje. Ispod te granice ne moe se vie koristiti mikrotehnologija. Govori se o nanoproizvodnji i nanotehnologiji. Jedna od potencijalnih mogunosti nanoproizvodnje je da nano-stvari sastavljaju same sebe. Postoji i fundamentalna promjena u znanosti ispod 10 nm: nastupa kvantna mehanika. Tvrdi objekti koji se mogu osjetiti zamjenjeni su mutnim elektronskim valovima (oblacima). Postoji i fundametnalna promjena u tehnologiji ispod 100 nm: svjetlost se ne moe fokusirati tako usko.
e = h / p
(C.1)
gdje je e valna duljina elektrona, h Planckova konstanta, p moment elektrona, a naziva se De Brogliejeva relacija. Gornja granica valne duljine elektrona je 10 nm, veliina atoma je 0,1 nm, a dijametar spiralne molekule DNA 2 nm. Stvari veliine iznad 10 nm se mjere u nm. Ispod te granice nastupa kvantna mehanika, koja kae da su elektroni mutni oblaci veliine ~ e. Iznad te granice elektroni se mogu smatrati vrstim materijalnim tokama slinim kuglama, dok su ispod mutni oblaci. Oni upravljaju elektrinim, optikim, mehanikim i drugim svojstvima. Takoer su odgovorni za veze i nanostrukture. Iznad te granice nalazi se opipljivi svijet Isaaca Newtona i njegovi poznati zakoni koji odgovaraju uobiajenim iskustvima. Ispod te granice vladaju pravila kvantne mehanike pri kojima se iskustva iz Newtonove mehanike esto pokazuju krivima. Valovi svjetlosti razlikuju nano i mikrotehnologiju. Tehnologija se bavi stvarima koje izraujemo i na koji ih nain izraujemo. Znanost objanjava kako te stvari djeluju.
NANOTEHNOLOGIJA
Postoji i sukob istraivaa, koji moraju biti optimisti, s onima koji proizvode, koji moraju biti cinici. Prvi ele napraviti ono to nitko prije nije napravio. Drugi tee prema poznatom i dokazanom (starom), starim i provjerenim postupcima i tehnikama. Ali razlika postaje nejasna ve kad se primjeni pretrani elektronski mikroskopa kod litografije elektronima. Prvo se zagrijava metal. Elektrone privlai pozitivna elektroda. Elektroni prolaze kroz bor cilindrine magnetske lee. Elektroni se zakreu za pola kruga i fokusiraju. Male elektromagnetske zavojnice cirkuliraju struju gore-dolje. Izmjenino magnetsko polje ara s elektronskim snopom preko uzorka.
NANOTEHNOLOGIJA
Sekundarni elektroni se emitiraju iz uzorka. Elektronsko pojaalo pojaava signal. Razliiti materijali emitiraju razliiti broj sekundarnih elektrona. Elektroni iz razliitih oblika imaju manju ili veu vjerojatnost da dosegnu pojaalo. Razlika izmeu mikrotehnoloke litografije je to je ona odjednom tampala cijeli integrirani krug, a elektronska toku po toku, kako snop prelazi toku po toku preko maske. Ovom tehnologijom se ista maska moe upotrebljavati tisuu puta, to je jo uvijek ekonomski isplativo, a dimenzijama se blii nanometarskoj skali.
54
11.1.2013.
NANOTEHNOLOGIJA
NANOTEHNOLOGIJA
Elektronska litografija s rezolucijom 1 nm esto se osim u nanotehnologiji koristi i u nanoznanosti. Rattner & Aviram su 1974. rekli da se nanoelektrini prekida moe napraviti na jednoj molekuli. Mark Reed je to dokazao 1997. Substrat se iri, npr. toplinom, dok se zlato ne razdvoji. Proces se nastavlja dok samo jedna molekula ne ostane u procjepu. Ovo je nevjerojatna znanost ali ne i tehnologija.
Slika C.2: a) Ilustracija, b) slika spoja SEM-om, c) stvarni izgled mehanizma
NANOTEHNOLOGIJA
ivot je najsloeniji oblik samosatavljajue tehnologije. To je organska kemija, stanina i molekularna biologija i genetika. To su nanoznanosti, a u mnogim podrujima danas i nanotehnologija. Ugljik ima puno prednosti u samosastavljanju, a najznaajnija je etverovalentnost. To je savren broj za trodimenzionalno (volumno) samosastavljanje. Od elemenata IV stupca periodnog sustava veza ugljik-ugljik ima najveu energiju vezanja.
Tablica C.1: Energija vezanja izmeu razliitih kemijeskih elemenata s obzirom na ugljik
NANOTEHNOLOGIJA
Zato je i najvea vjerojatnost formiranja dugih lanaca od istog kemijskog poela ugljika. Pri svemu tome treba voditi rauna das u elektroni oko jezgre kao stojni valovi u kutiji. Energije moguih valova imaju ponavljajuu shematiku kao na slici C.3.
Slika C.3: Energijske razine u atomu Slika C.4: Modifikacija dijela periodnog sustava elemenata s obzirom na nanotehnologiju
55
11.1.2013.
NANOTEHNOLOGIJA
Slika C.5: Primjer samovezanja u molekulu kisika Kisik tei "krai" elektrona. Oksidacija je gubitak elektrona. Za ogranske spojeve gubitak elektrona je gubitak jedne veze.
NANOTEHNOLOGIJA
Slobodni radikali spojevima. uzimaju atome vodika organskim
Mogui izvor slobodnih radikala u nanotehnologiji je povrina nanocjevica. Ako je enerija vezanja vodika prema slobodnom radikalu vea, atomi vodika naputaju organske molekule. Antioksidansi su spojevi koji dovode elektrone, kao npr. vitamin C. Znai da samosastavljanje nije rijetko u prirodi te da moe biti korisno, ali i tetno.
Gubitak elektrona kod ugljikovodika
Slika C.6: Primjer oksidacije u sluaju slobodnih radikala
ALATI NANOTEHNOLOGIJE
Da bi se mogla prouavati nanostruktura materijala, potrebno je dobiti podatke o njoj. S obzirom na dimenzije koje se promatraju, a rije je ak i o pojedinanim atomima i elektronima, "gledanje" znai i mijenjanje strukture. Ako se npr. eli "vidjeti" elektron, treba poslati svjetlosni kvant prema njemu. Ako je kvant tono odreene energije, promijenit e se njegova energijska razina. Elektron e se vratiti u svoj poetni poloaj emitirajui kvant energije koji se moe vidjeti. Ako energija upadnog kvanta nije odgovarajua, kvant e proi kroz materiju ne reagirajui s njom. Tada se nita nee "vidjeti". Ako je kvant energije bio iznad neke granine energije, tada e se elektron "izbiti" iz atoma i promijenit e se struktura materije. Naravno, ako se ne poznaje struktura i energijsko stanje elektrona koji se eli promatrati, mala je vjerojatnost pogaanja potrebne energije kvanta.
Ako se, umjesto kvanta energije, eli upotrijebiti elektron, kao kod elektronskog mikroskopa, stvar postaje kompliciranija, jer se elektroni odbijaju (elektrostatska Coulombova sila), a elektroni posjeduju i valna svojstva (diskretne energijske razine). Iz ovoga je jasno kakav je problem samo "promatranje" nanostruktura, a kamo li njihova gradnja na eljeni nain. Tijekom vremena razvijeni se razliiti postupci kojima se pokuavaju prevladati ovi problemi. Veina dananjih instrumenata daje nam podatke o nano-vezama i nano-sastavu. Ti dijelovi informacija se skupljaju i zakljuuje se o nanostrukturi, tj. grai materije na nanorazini. Stoga se moe zakljuiti da se na nanorazini ne mjeri i ne gleda, nego zakljuuje. Dva su pristupa ovom problemu: putem sonde ili signala koji se koristi (npr. svjetlost, elektroni, Xzrake) ili putem cilja mjerenja (struktura ili sastav).
56
11.1.2013.
Sonde imaju prednosti i nedostatke, ali stoga to se pojedinana sonda (npr. elektron) koristi na vie naina, prikaz mjernih ciljeva (na veim dimenzijama od sonde) postaje problematian. Ako se prouavanju nanostrukture pristupa preko cilja mjerenja (tj. njegovih dimenzija) logino je pitanje "Kako mjeriti X?". To vodi diskusiji o prednostima i nedostacima sonde. Stoga je prirodno izabrati hibridni pristup. Fizike sonde na nanorazini su toke, igle i dr. Ako ioni ulaze i izlaze, govori se o spektroskopiji sekundarnih iona, a ako elektroni ulaze i izlaze, kao kod SEM-a i TEM-a, govori se o Auglerovoj elektronskoj spektroskopiji. Kad fotoni ulaze i izlaze govori se o infracrvenoj spektroskopiji, elipsometriji i sl. Kad fotoni ulaze i elektroni izlaze, govori se o spektroskopiji Xzrakama ili ultraljubiastim fotoelektronima. Kad elektroni ulaze, a fotoni izlaze, govori se o EDAX-u. SEM Scanning Electron Microscopy, pretraujua elektronska mikroskopija. TEM Transmission Electron Microscopy, transmisijska elektronska mikroskopija. EDAX - Energy Dispersive Analysis of X-rays, analiza (ralamba) rasipanja energije rendgenskih zraka.
Atomi i ioni su veliki i teki pa se ne koriste kao sonde na nanorazini. Ako ih se gaa, promijenit e se njihova struktura (unititi). Ako izlaze, ve se razruila nanostruktura. Elektroni su, pak, maleni, lagani i imaju naboj. Maleni i lagani je za ovu namjenu dobro, jer znai da e prouzroiti najmanja oteenja. Naboj je dobar zbog mogunosti upravljanja i fokusiranja, jer je dovoljno samo elektrino polje. Meutim, lo im je uinak kod uzoraka koji su izolatori. Ako ih se ispaljuje na izolator, on postaje negativno nabijen. Ako elektroni imaju energiju ~10 eV ili veu, nastaje emisija sekundarnih elektrona. Stoga dodatni naboji kompliciraju brojenje korisnih elektrona te i posljedino mjerenje energije. Kada se elektron koristi kao sonda, njegova valna duljina je relevantna veliina, a u kvantnoj mehanici dana je s izrazom:
=
2 mE
2mE
moment elektrona
Mali snop od vie elektrona moda nee ostati takav, jer se elektroni odbijaju. Brzi visokoenergijski elektroni ili elektronski snopovi mogu opstati. No problem je to visokoenergijski elektroni prodiru duboko u uzorak. Ako elektroni ulaze, stimulira se odziv iz ireg volumena i dubina, a ne samo eljenog dijela, npr. povrine. To je samo jedan dio problema kod zakljuivanja o grai na nanorazini.
Tablica Energije, prodiranje i valna duljina za elektrone koji naputaju vrstu materiju
Najvanija skupina instrumenata u nanotehnologiji su skenirajui (pretrani) mikroskopi, u koje spadaju skenirajui sondni i tunelirajui mikroskop te mikroskop atomske sile. Pojam SPM (engl. scanning probe microscopy SPM, pretrana sondna mikroskopija) tehnika je koja obuhvaa grupu srodnih ureaja: pretrani elektronski mikroskop s tuneliranjem (engl. scanning tunneling microscope -STM), mikroskop atomske sile (engl. atomic force microscope - AFM), mikroskop lateralne sile (engl. lateral force microscope - LFM), mikroskop magnetske sile (engl. magnetic force microscope - MFM), pretrani toplinski mikroskop (engl. scanning thermal microscope SThM), mikroskop elektrostatske sile (engl. electrical force microscope EFM) i optiki pretrani mikroskop bliskog polja (engl. near-field scanning optical microscope - NSOM).
Energija elektrona 1- 5 keV 10 50 keV 100 1000 keV
Prodiranje/dubina desetinke nm nm desetinke mikrona
Minimalna valna elektrona 1 10 mikrona 1 10 nm desetinke - stotine nm
duljina
57
11.1.2013.
Tehnika pretranog sondnog mikroskopa vana je za karakterizaciju i sastavljanje nanomaterijala. Mikroskop atomske sile i pretrani elektronski mikroskop s tuneliranjem rabe se za prouavanje povrina i pomicanje atoma. Pomicanje atoma mogue je s pomou tehnika pretranog sondnog mikroskopa, ali je to vrlo skupo i dugotrajno. 1981. godine pronaen je STM koji detektira slabane struje koje teku izmeu iljaka mikroskopa i uzorka koji se prouava. Tako se mogu vidjeti estice koje se prouavaju do veliine pojedinanog atoma. Slijedilo je otkrie mikroskopa atomske sile 1986. godine. Osim promatranja, skenirajue naprave mogu se koristiti za izgradnju nanostruktura. iljak AFM-a moe se upotrijebiti za fiziko pomicanje nanoestica po povrini i njihovo slaganje u cjeline te za pravljenje nanoureza u povrinama. STM moe biti izvor elektronskog mlaza kad se povea struja iljka. Tada se mogu pisati tragovi nanometarske veliine. Uz elektronski mikroskop, SPM, AFM i STM su glavne naprave za istraivanje i izgradnju nanostruktura.
Pretrani elektronski mikroskop s tuneliranjem

STM je jedna od mlaih eksperimentalnih tehnika, gotovo nezaobilazna u eksperimentima u kojima je bitno odrediti strukturu povrine na dimenzijama atoma. STM je tehnika koja daje sliku rasporeda atoma na kristalnoj povrini, u realnom prostoru. Slika 10.5 pokazuje povrinu vanadija dobivenu STM-om. Izboine su atomi. STM je ureaj projektiran za gledanje povrina vodljivih materijala s preciznou reda veliina atoma i razluivanjem od 0,2 nanometra. Osnovna komponenta STM-a je otri vrh od volframa, platine, iridija ili nekog drugog vodljivog materijala. Vrh je (najee) posebno pripremljena ica koja je "naotrena" posebnim kemijskim i/ili mehanikim postupcima, tako da u idealnom sluaju sam vrh ice sainjava samo jedan ili nekoliko atoma (Slika 10.6). Ugljikove nanocijevi takoer se koriste kao vrhovi. Vrh je kontroliran raunalom to omoguava njegovo precizno namjetanje s obzirom na povrinu koja se STM-om promatra. Vrh je namjeten unutar manipulatora koji je vezan na raunalo. Izumili su ga Gerd Binnig i Heinrich Rohrer 1981. godine u IBM-ovom laboratoriju u Zurich-u, vicarska. Za to otkrie nagraeni su Nobelovom nagradom za fiziku 1986. godine.

Elektrini se napon narine izmeu vrha i materijala, to rezultira malom strujom kad je vrh vrlo blizu povrine (nanometar i manje), ali samo u sluaju kad je materijal koji se istrauje vodljiv. Materijal koji se istrauje i vrh STM-a nalaze se u vakuumskim uvjetima. Kako se vrh pomie du povrine (u x-y ravnini), struja izmeu vrha i materijala se mijenja.
Slika 10.5: Pogled na atome primjer povrine vanadija
Slika 10.6: Idealizirana slika vrha STM-a iznad povrine
58
11.1.2013.

U jednom nainu djelovanja (nain konstantne visine), udaljenost izmeu vrha i povrine odrava se konstantnom (konstantna z-koordinata vrha), a biljee se promjene u struji ovisne o x i y koordinatama vrha. Promjena struje kao funkcija poloaja vrha (x, y) moe se interpretirati kao slika povrine. U drugom nainu djelovanja (nain konstantne struje) struja se dri konstantnom, a biljee se promjene z-koordinate vrha. Dobiveni podaci ponovno se mogu prikazati kao slika povrine. Struja se mijenja u (x, y) ravnini zbog nehomogenosti povrine na skali atoma, tj. elektronska gustoa povrine nije svugdje ista. Da bi se struja izmeu vrha i materijala uspostavila, elektroni iz povrine moraju putovati prema vrhu ili oni iz vrha moraju putovati prema povrini. S obzirom da je prostor izmeu vrha i povrine praktiki vakuum, elektroni jedino mogu tunelirati kroz taj prostor. Takvo ponaanje moe se objasniti kvantnom teorijom. Kako struja tuneliranja opada priblino eksponencijalno kako se razmak izmeu vrha i povrine poveava, vrh mora biti vrlo blizu povrine da bi se struja, tipino u nanoamperima (pa ak i u pikoamperima), mogla zabiljeiti. Iako su iznosi struja vrlo mali, detektiraju se velike promjene struje zbog varijacija u razmaku.
Rezultat manipuliranja atomima vrhom STM mikroskopa
Shema STM-a
Mikroskop atomske sile

Mikroskop atomske sile, AFM, je ureaj namijenjen promatranju povrina, koje ne moraju biti vodljive. Ovo je glavna prednost AFM-a u odnosu na STM koji se moe primijeniti za promatranje iskljuivo vodljivih materijala i njihovih povrina. AFM ne mjeri struju izmeu vrha mikroskopa i uzorka, nego silu koja djeluje meu njima. Sile vane u ovom sluaju su jaka odbojna sila na malim udaljenostima, koja se pojavljuje kao rezultat preklapanja elektronskih gustoa vrha mikroskopa i uzorka i privlana van der Waalsova sila. Otri vrh AFM-a postavljen je okomito na gredu (vidjeti Sliku 10.8.) mikroskopskih dimenzija, a mali pomaci "grede" mjere se ili optiki (koristei laser, interferometrija) ili elektriki (piezoelektrini postupci kad je greda nainjena od piezoelektrika, kao to je na primjer kvarc). Pomak grede razmjeran je sili koja djeluje izmeu vrha i uzorka. AFM, engl. atomic force microscope. Otkrili su ga Binnig, Quate i Gerber. Calvin F. Quate (1923.), profesor je primjenjene fizike i elektrotehnike na Sveuilitu u Stanfordu. Gerd Binnig (1947.), fiziar. Dobio je Nobelovu nagradu za fiziku 1986. godine. Chistoph Gerber (1942.), istraiva u podruje nanotehnologije.
Slika 10.8: Idealizirana slika AFM-a kao grede i vrha iznad povrine s laserskim snopom
59
11.1.2013.

Promjene mjerene sile snimaju se kako se vrh pomie po povrini. Takva informacija koristi se za rekonstrukciju slike povrine. AFM omoguava trodimenzionalni prikaz povrine. AFM funkcionira i izvan visokovakuumskih uvjeta i moe se rabiti za promatranje biolokih uzoraka. Njime se takoer mogu pomicati atomi ili molekule po povrini materijala. AFM moe prikazati maksimalnu visinu reda mikrometra i maksimalnu povrinu 100x100 mikrometara. Postoje dva naina rada: kontaktni ili beskontaktni. Kod kontaktnog naina rada vrh AFM-a je u laganom dodiru s povrinom. Kako se vrh pribliava uzorku, jaaju odbojne sile, a s obzirom da ticalo ima malu konstantu opruge, dolazi do savijanja ticala i praenja povrine. Dobiva se topografija uzorka. Problem je to dodir troi vrh pa se on nakon nekoliko sati rada treba zamijeniti. Kod beskontaktnog naina ticalo vibrira blizu povrine uzorka. Razmak izmeu ticala i uzorka je desetak nanometara, a koristi se za elastine materijale.
NANOTEHNOLOGIJA: NAELA RADA INSTRUMENATA ZA PROUAVANJE NANOMATERIJALA

Svojstvo da svoju koherenciju elektronski snop moe ouvati samo kad je rije o brzim, visokoenergijskim elektronima, paljivo se koristi kod transmisijskog elektronskog mikroskopa (engl. Transmission Electron Microscopy, TEM).
a) Slika C.7: a) TEM vanjski izgled, b) shematski prikaz TEM-a
b)

Ali nedostatak TEM-a je da daje pseudoatomske rezolucije, tj. "vide" se samo stupci atoma. Koristan je za poluvodike kristale, uope nije koristan za 3D nanostrukture. to se radi s viim energijama, finiji je fokus, tj. dublji je prodor u uzorak. Stoga se moe prikazati stupac pojedinanih atoma. Ako je energija manja od keV, slabiji je fokus, ali se dobija slabo prodiranje u uzorak. Tada se mogu dobiti informacije iz jednog ili dva atomska sloja. Mogu se koristiti prihvatljivi trikovi da se dobije finija skala podataka ili poboljati osjetljivost ako se kombinira s drugim sondama.

Prva mogua alternativa je da fotoni ulaze, a elektroni izlaze iz uzorka. Pri tome se elektroni iz materijala izbijaju fotonima. Ovi elektroni mogu pobjei samo iz prvih nekoliko slojeva atoma. Druga alternativa je da elektroni ulaze u ispitivan materija, a da fotoni izlaze. Tada je limit energija elektrona od nekoliko keV. Tada duboke elektronske razine nisu pod utjecajem susjednih atoma. Elektroni srednjih energija lagano se mijenjaju pod utjecajem susjednih atoma. Elektroni gornjih ljuski znaajno se mijenjaju pod utjecajem susjeda. To znai da se na ovaj nain moe dobiti dobra informacija o povezanosti atoma. Kad se hoe izbaciti elektrone svih razina, treba koristiti keV-ne elektrone kao ulazni signal (sondu, probu), deseci eV dobijaju se upotrebom elektrona ili Xzraka, a za energije nekoliko eV ultraljubiasta ili vidljiva svjetlost. C.1.1. Alati za isticanje (highlighting) strukture Pretrana elektronska mikroskopija (engl. Scanning Electron Microscopy, SEM) izvodi se s elektronima energija reda veliina 10-ak keV. Elektroni ulaze u uzorak, a elektroni i meke X-zrake izlaze. Tok izbijenih elektrona u ovisnosti o ulaznom snopu daje sliku. Razluivost je jednaka veliini snopa, obino desetke nanometara. I X-zrake takoer se mogu iskoristiti, jer i njihovo zraenje daje informacije o sastavu uzorka koji se ispituje. Tada je potreban dodatni senzor, koji se naziva EDAX (Ralamba raspianja energije rendgenskih zraka, engl. Energy dispersive analysis of X-rays).
Slika C.8: Elektroni prolaze kroz pojedinane stupce atoma
60
11.1.2013.

Vaniji alati za ovu namjenu su SPM, STM, AFM, AES, i dr. SPM su otkrili Benning, Rohrer i Quate. Temelji se na elektronima koji tuneliraju izmeu sonde izotrene na atomskoj razini i vodljivog uzorka. Ako je rije o atomskoj sili tada sonda izotrena nanometarski prelazi ili strue povrinu uzorka bilo da je vodljiv ili nije. Kod STM-a se izvlae elektroni iz uzorka iz punih elektronskih orbitala. Uguruju se elektroni u uzorka da bi se ispraznile elektronske orbitale. Zajedno se moe zakljuiti o energijskoj razini povrinskih slojeva atoma i molekula. Struja iz STM-a ili AFM-a je osjetljiva na lokalni povrinski elektrini otpor. Moe se koristiti za mapiranje koncentracije elektrino aktivnih neistoa u poluvodiima. U nainu rada s izmjeninim strujama, STM i AFM su osjetljivi na kapacitet. Mnogi drugi naini rada mogu dati informacije veih razmjera od oblika povrine. Najjednostavnija alatka kao instrument, ali i za objanjenja je Augerova elektronska spektroskopija (AES). Kod nje elektroni ulaze i izlaze iz uzorka. Prednost AES-a je to moe koristiti starije tipovi elektronskih izvora, jer nema potrebe za preciznim nadzorom nad njihovom energijom. Jednostavno mjeri energije nadolazeih elektrone po otklonu u polju. Ureaj se sastoji od tri koncentrina uzemljena cilindra unutar dugog negativno nabijenog cilindra. Jeftini elektronski top unutar drugog cilindra odailje elektrone. Elektroni iz uzorka prolaze kroz rascjep izmeu dva cilindra (kao na slici). Narinuti napon odreuje koji pojas energija elektrona e prolaziti kroz procjep izmeu cilindara. Elektroni se broje, to omoguuje odreivanje njihova spektra. Ako se AES koristi za nanodimenzije, tada ulazni elektroni mogu otetiti nano-uzorke.
Auglerova elektronska spektroskopija na razini energijskih razina

Ako se AES koristi za izbijanje vanjskih elektrona, dobivaju se informacije o kemijskim svojstvima i vezama. Izlazna energija je funkcija ulazne. Ako se koriste dolazei fotoni i odlazei elektroni, mora se koristiti precizno definirane energije (Eul). Potrebna su dva spektrometra: jedan za filtriranje energije sondinih fotona (onih koji ulaze u uzorak) i drugi za filtriranje energije izlaznih elektrona. Ultraljubiasta fotoelektronska spektroskopija (engl. ultraviolet photoelectron spectroscopy, UPS) je takva kod koje ultraljubiasti fotoni ulaze u uzorka, a vanjski elektroni izlaze. X-fotoelektronska spektroskopija (engl X-ray photoelectron spectroscopy, XPS) koristi X-zrake kao analizirajue (ralambene), a srednjeenergijski vanjski elektroni izlaze iz uzorka. S pomou XPS-a mogue je dobiti elektrone iz gornjih ljuski srednje energije s pomou kojih se moe dobiti informacija o povezanosti atoma i identificirati atomski izvor. Naime, periodina atomska struktura kvarcnog kristala odbija samo X-zrake. Njihova valna duljina je 0,83386 nm, to odgovara energiji 1,5867 keV.
Shema AES-a
61
11.1.2013.

Elektronski snop strue po aluminijskoj anodi i tako stvara X-zrake. Xzrake se odbijaju od kvarcnog kristala promjenjivim kutem, koji proizvodi energiju X-zraka koje prelaze preko uzorka. Iz uzorka se emitiraju elektroni ija se energija analizira. Ostali alati temelje se na fotonima koji ulaze i izlaze. Svaki koristi trikove kako bi se dobila lokalizirana informacija. Elipsometrija se koristi za potvrdu depozicije molekularnih slojeva. Infracrvena spektroskopija je alat koji se koristi kad smo sigurni da imamo taj sloj koji nas zanima. NSOM je alat koji se razvija. Kod elipsometrija fotoni su raspreni po velikom volumenu, ali ipak meudjeluju s mali dijelom tog volumena.
Slika C.10: XPS (izvor UL Vac-PHI): a) naelo rada, b) vanjski izgled
Naelo elipsometrije

Ako je svjetlosni snop valne duljine koja odgovara debljini atomskog sloja, onda sloj utjee na odbijanje svjetlosti. Upotreba linearno polariziranog ulaznog snopa i praenje promjena u polarizaciji reflektirane zrake zaobilazi taj problem. Indeks refrakcije oktriva kakav je sloj od kojeg su se odbile zrake. Debljina slojeva koji se mogu "promatrati" je ispod nanometra. Infracrvena spektroskopija omoguuje da molekularne vibracije i reljefi apsorbiraju odreene valne duljine infracrvenog svjetla. Pretrana optika mikroskopija bliskog polja (engl. Near-Field Scanning Optical Microscopy, NSOM) koristi svjetlost za ralambu. Svojstvo svjetlosti je da nee ostati fokusirana u snopovima manjim od svoje valne duljine.

Zato se treba koristiti vrlo brzo prije nego se stigne ponovo rairiti. Prema tome, treba poslati svjetlost kroz stakleno vlakno, suziti vlakno i postaviti sueni kraj na uzorak koji se ispituje. Analizira se svjetlo koje prolazi kroz uzorak. Ako se eli minimizirati teta na uzorku i izravno detektirati prisustvo pojedinanih atoma, granica detekcije daje osjetljivost od 0,1% u idealnim uvjetima. Ako se eli dobiti nii postotak, potrebno je razoriti dijelove uzorka i stime izgubiti prostornu razluivost. Ovom se tehnikom mogu prostorno razluivati signali kojima su izvor toke smjetene blie jedna drugoj nego to je iznos valne duljine svjetla. Kljuna komponenta NSOM-a je kabel optikih vlakana koji je zailjen na vrhu s polumjerom manjim od valne duljine. Ovaj je vrh prevuen aluminijem. Optiki signali prenose se kroz otvor promjera manjeg od veliine valne duljine svjetla dok vrh istovremeno skenira povrinu uzorka upotrebljavajui pri tome tehniku s ticalom slinu beskontaktnoj AFM tehnici. Odziv uzorka na odaslano svjetlo koje izlazi iz vrha biljei se kao funkcija pozicije vrha nad uzorkom. NSOM fluorescencija, potoluminiscencija, magnetooptika spektrometrija ili fotovodljivost nailaze na sve vee zanimanje znanstvenika. Najvea prednost NSOM sustava lei u njegovoj sposobnosti pruanja optikih i spektroskopskih podataka visoke razluivosti, u kombinaciji s istovremenom topografskom informacijom.
Slika C.12: a) NSOM naelo, b) shematski prikaz ureaja
62
11.1.2013.

to se tie kvantne mehanike, bitna je faza, , u sustavu funkcija energije elektrona, a povezanost te energije, Er, i faze je: cos (Er) = 0 (Erk) = 2 k (C.2) cos se moe razviti kao

Kako razliiti materijali imaju razliitu hrapavost povrine, a time i razliiti koeficijent trenja, mogue je zakljuiti kakav je kemijski sustav strukture povrine uzorka. Boni otkloni ticala obino su posljedica dva izvora: promjena u trenju povrine i promjene u nagibu povrine. U prvom sluaju, vrh moe biti podvrgnut veem trenju kako prelazi preko pojedinih podruja to uzrokuje jae zakretanje. U drugom sluaju, ticalo se moe savijati kada naie na strmi nagib povrine. Da bi se jedan uinak razdvojio od drugoga, LFM i AFM slike moraju biti prikupljene istovremeno. Kada se analizira rezultat LFM mjerenja, vano je razlikovati informaciju zbog razlike u koeficijentu trenja od informacije uslijed promjene u topografiji povrine uzorke dobivene s AFM-om [101]. Mikroskop magnetske sile (MFM) alat je za magnetska istraivanja na podnanometarskoj razini. Slika dobivena pomou MFM-a predstavlja prostornu raspodjelu interakcije ticalo-uzorak, koja se oituje kao interakcija sile, amplitude vibracije magnetskog ticala i sl. Magnetsko ticalo je napravljeno od silicija, koji je prevuen tankim magnetnim filmom. S pomou MFM-a moe se prouavati magnetske domene. Nije mu potrebna priprema uzoraka, a lateralna razluivost iznosi do 50 nm. Metode odvajanja topografije i magnetskih znaajki omoguavaju stvaranje istih magnetskih slika.
1 r 1 EE 2 E
Ako je sav fazni pomak uzrokovan balistikim kretanjem elektrona izmeu barijera, onda je: 2a
hv
(C.3)
gdje je v brzina elektrona. U okviru tehnologije, nije potrebno zalaziti dublje u matematike modele nanoznanosti.
Kod mikroskopa lateralne sile (LFM) tijekom pretraivanja u kontaktnom reimu rada ticalo se ne savija samo u smjeru kretanja ticala, ve se pojavljuju i torzijske (lateralne) deformacije, koje mjeri LFM. Otklon ticala registrira se optikim sustavom mikroskopa. Mjerenje torzije ticala provodi se pod uvjetima konstantne sile. Bone deformacije ovise o silama trenja koje djeluju na vrh. Stoga je mogue razlikovati podruja razliitog trenja.

Pretrani toplinski mikroskop (SThM) biljei toplinska svojstva povrine uzorka uz pomo toplinskog nanoticala s otpornikom komponentom. Postoje dva reima rada: mikroskopija s temperaturnim kontrastom i mikroskopija s kontrastom toplinske vodljivosti Prvi reim omoguava mjerenje promjena temperature povrine uzorka, a drugi mjerenje promjena u toplinskoj vodljivosti povrine uzorka. Mikroskop elektrostatske sile (EFM) prikuplja podatke o elektrinim svojstvima povrine uzorka mjerenjem elektrostatike sile izmeu povrine i AFM ticala. EFM se temelji na naelu dovoenja napona izmeu vrha i uzorka dok vrh "lebdi" iznad povrine (bez da ju dodiruje). Ticalo ima otklon pri skeniranju statikih naboja. EFM slika sadrava informacije o elektrinim svojstvima kao to su povrinski potencijal i raspodjela naboja na povrini uzorka. EFM se dakle moe upotrijebiti za prouavanje prostornih promjena povrinskih nositelja naboja ili za biljeenje elektrostatskih polja elektronskih krugova tijekom paljenja i gaenja ureaja [101].
NANOTEHNOLOGIJA: primjeri problema

FET se u nanotehnologiji moe izraditi od nanoica, a esto se, preoptimistiki, spominje kao temelj za nanoraunala. Moe ga se dobiti ako se ice naslone jedna preko druge pod pravim kutem. Ali kako postaviti ice u takav poloaj na nanometarskoj razini?
Slika C.13: Nanoice kao FET (C. Lieber, Scientific American Reports, 2007.)
63
11.1.2013.

Moe se sluajno dobiti jednom. Moda i desetke puta uz pomo AFMa. Sloenost korisnih krugova zahtjeva milijune ili milijarde takvih spojeva. Oito je da e se u procesu proizvodnje trebati koristiti neki naini rasta, tj. samosastavljanja ica. Pri prouavanju nanostruktura, javlja se elektronsko tuneliranje, koje je ponekad korisno, a ponekad predstavlja problem. Dogaa se kad elektronski val pokuava prodrjeti kroz barijeru. Unutar barijere val iezava: i

Vjerojatnost = (Lbarijere)2 = e -2 k L (C.5) smanjuje se s: viom barijerom i debljom barijerom. U nanonapravama, elektroni prolaze barijere. Barijera izolatora je 2 eV, a poluvodia svega 0,2 eV. Tablica C.2: Vjerojatnost tuneliranja u ovisnosti o debljini i visini barijere 0.1 nm 0,2 eV 2 eV 4 eV 0,63 0,36 0,13 0.3 nm 0,25 0,046 0,002 1 nm 0,01 3 10-5 3 10-9 3 nm 3 10-6 3 10-14 < 10-15 10 nm < 10-15 < 10-15 < 10-15
(x) = C e - k x
gdje je
(C.4)
k=
2m(U barijere E )
2 hbarijere
Ako je k vei, val bre iezava. Kljuni indbenik je (Ubarijere E), koji izraava koliko je visoka barijera u odnosu na elektron u energiji. Koja je vjerojatnost da se elektron probije kroz barijeru?

Primjer je kvantni celuralni automat. Da bi se prebacilo logiko stanje automata, potrebno je naboje pomaknuti izmeu toaka. Prva mogunost je skok kroz vakuum, pri emu je potrebno priblino 4 eV. Potrebno razdvajanje je reda veliina atoma. Druga mogunost je skok kroz substrat, za to je potrebno 0,2 eV. Kako e tuneliranje naboja promjeniti napon spoja?

Dakle, kako elektron tunelira kroz barijeru, ona se smanjuje. Taj se proces nastavlja, jer elektroni sve lake tuneliraju, a to znai da je barijera sve manje uinkovita. Stoga struja eksponencijalno raste s narinutim naponom. Ali ovo nije cijela pria za nanotehnologiju, jer je veliina vana kod kondenzatora. Naime, postoji kapacitet izmeu bilo koja dva vodia u blizini. Ako je rije o nanodimanzijama, govori se o nanokondenzatorima. Naboj koji je pohranjen na njegovim ploicama je umnoak naboja elektrona i njihovog broja, a elektrostatska energija je stoga:
E=
n 2e2 2C
Napon skae svaki put kad se doda jedan elektron. Slika C.14: Smanjenje barijere zbog tuneliranja elektorona
64
11.1.2013.
Slika C.16: Prolazak struje kroz kvantnu toku Slika C.15: a) Odnos napona i naboja na nanokondenzatoru, b) odnos napona i struje to ako je vie takvih kondenzatora spojeno u redu (paralelni spoj)? Ukupni kapacitet se zbraja ako je rije o kondenzatorima normalne veliine. Meutim, kad je rije o samim elektronima na nanorazini, na elektrone na poetku ne utjeu elektroni na kraju, jer su predaleko. Ako spakiramo naprave, npr. kondenzatore u jako malo podruje, bit e znaajan utjecaj Coulombove odbojen sile, koja e blokirati tuneliranje. To je drugi problem u nanotehnologiji. To je izraeno kod tehnologije tzv. kvantnih toaka[1] (engl. quantum dot). Kod tehnologije kvantne toke, svake toka ima jednako razmaknute energijske razine. Kad se narine napon, struja tee samo kad elektron struje ima istu energijsku razinu kao to ga ima kvantna toka.
Ima mnogo naina kako stvoriti takav enerijski dijagram. Jedan je otkriven prije nego to se uope dolo do ovakvih razmatranja, a razvijen je 1980-ih godina. Tada se radilo na vrlo tankom kristalnom sloju. Upotrebom epitaksije s molekularnim snopom, dobiven je sklop zvan rezonantna tunelska dioda (RTD). Ako je U-I karakteristika nelinearnog karaktera i u jednom dijelu postoji negativan dinamiki otpor, govori se o NDR-u (engl. Negative Differential Resistance, negativan dinamiki otpor). to ako je vanjskom krugu dozvoljena samo jedna fiksna struja kroz NDR napravu? Tada NDR mora biti na jednom od tri napona na U-I karakteristici (kada je krivulja uzlazna prvi i drugi put i kada je krivulja opadajua). Mogu se prepoznati dva stabilna napona (kod uzlaznih krivulja). Oni odgovaraju logikoj "0" i "1". Da bi se koristila NDR naprava potrebno je samo jedan kratki impuls (npr. elektron), to je lako dobiti. Ali nedostatak je to je potrebno imati vanjski strujni krug konstantne struje. Za to je potrebno imati komplicirane vanjske krugove, to je vrlo nepraktino. Meutim, ako se u seriju spoje dvije NDR naprave.
a) b) Slika C.17: a) Dva NDR-a serijski spojena, b) zajedniko djelovanje dva NDR-a Kako su oba NDR-a u serijskom spoju, znai da moraju imati istu struju. Stoga je potrebno gornju sliku ispraviti tako da se preklapanja krivulja dogaaju na srednjem naponu. Stoga se NDR-ovi mogu kombinirati u kaskadne spojeve, koji mogu stvarati nanoekvivalente logikim sklopovima iz mikroelektronike. Moe se dobiti shematski prikaz takvih logikih vrata:
Slika C.18: Kaskadni spoj NDR-ova kao logika vrata Postoji li neki problem ovo realizirati na nanorazini? Ne, zapravo ve postoje takvi eksperimentalni modeli. Izraeni su u molekularnoj nanotehnologiji. Kad je molekula zakrenuta koplananrno, vodljiva je, a kad je okomito, onda ne vodi. Ovo se moe objasniti (ne)poravnanjem tzv. elektrona. Oni se javljaju okomito na glavne veze unutar molekula. Ako oni u nekoj molekuli postoje, prespajaju postojee molekularne veze stvarajui most. Meutim, kad se molekula zakrene, elektroni ne dodiruju veze te se most prekida ili veza slabi. To je NDR. Naizgled, nanoelektronika ima irom otvoren put razvoja. Nedostatak molekularnih naprava je to su jako osjetljive na kratki spoj. Npr. prilikom proizvodnje metal kontakta proklizi kroz nesavrenosti u 1 nm debelom molekularnom sloju stvarajui kratki spoj.
65
11.1.2013.
SASTAVNICE NANOTEHNOLOGIJE
S obzirom na sporost AFM-a i ostale probleme, jasno je da nema mnogo tehnologijskih naina proizvodnje nanonaprava. Osim litografije prilagoene za nanoproizvodnju, jedina alternativa je prilagoditi strukturu da se sama sastavlja. Samosastavljanje je stvaranje materijala iz njegovih sastavnih dijelova na spontan, prirodan nain, tj. posredstvom interakcija koje djeluju meu sastavnim dijelovima i preureenjem sastavnih dijelova koje se odvija bez nekog posebnog vanjskog poticaja. Jedan od predmeta prouavanja nanotehnologije je sastavljanje atoma i molekula u tzv. pametne materijale. Na sveuilitu Stanford, SAD, 2004. godine napravljen je tranzistor od jednoslojnih ugljikovih nanocijevi i organskih molekula veliine 2 nm. Svojstva nekog materijala u nanotehnologiji ne ovise samo o molekulama, nego i o tome kakav je njihov raspored i tonost rasporeda. To se odnosi i na atome. Zato je oteano prouavanje i testiranje takvih proizvoda. Nanotehnologija se dijeli na tehnologiju ugljikovih nanocjevica i fulerena te na molekularnu nanotehnologiju, kojoj je temelj polifenilenski lanac.
Ugljikove nanocjevice
Najvanije svojstvo ugljika, u nanotehnologijskim primjenama, je kemijska osobina ugljikovog atoma da se vee s drugim ugljikovim atomima na raznolike naine. Ovo omoguuje postojanje stabilnih, strukturno razliitih, objekata sainjenih iskljuivo od ugljika. Ugljikova nanocjevica (engl. carbon nanotube, buckytube) materijal je zasluan za veliki interes koji vlada za nanotehnologiju. Promjer nanocijevi je nekoliko nanometara, dok duljina moe iznositi i nekoliko centimetara. Ugljikove nanocijevi (Slika 10.15.) otkrio je Sumio Iijima 1991. godine prouavajui elektronskim mikroskopom au koja je nastala prilikom izboja istosmjernom strujom izmeu elektroda ugljika. Nanocijevi su izgraene samo od atoma ugljika koji su rasporeeni u vorovima esterokutne ravne mree. Mrea je savijena u siunu cijev. Cijevi mogu imati jednu ili vie stijenki, mogu biti usukane ili ravne, mogu biti odlini vodii ili poluvodii. Ugljikove nanocijevi su cilindrine molekule ugljika, novih svojstava, koje mogu biti korisne u raznim primjenama.
Struktura jednoslojnih ugljikovih nanocjevica

Kao to se ve moglo vidjeti, nanotehnologija ujedinjuje fiziku, kemiju, biologiju i tehniku, te prouava svojstva struktura nanometarskih dimenzija. Danas nitko nije kolovan za ininjera nanotehnologije niti postoji predodba kakva bi sve znanja netko takvog zvanja morao imati. Potrebna znanja ovise i o podruju primjene nanotehnologije. Za njen razvoj potrebni su multidisciplinarni timovi strunjaka. Tako se na primjer u razvoju neuronskih mrea i umjetne inteligencije u timovima znaju nalaziti i filozofi, a ne samo oni koji imaju prirodoslovno-matematika i tehnika znanja. Kako na atomskim veliinama osobine struktura ovise i o veliini i o obliku, nanoznanost moe dati nove naine dizajniranja i razvoja materijala i ureaja. Za to je potrebno razvijati kreativnost. Ugljikove nanocjevice mogu biti jednoslojne i vieslojne. Vieslojne se sastoje od nekoliko koncentrinih jednoslojnih nanocjevica.
Slika 10.15: Jednoslojne ugljikove nanocjevice snimljene STM-om. Kut izmeu vektora T (os cijevi) i H (os sloja atoma) je kiralni kut
66
11.1.2013.
Jednoslojne nanocjevice razliitih tipova dobijaju se tako da se izabere jedan sloj grafita i savije na razliite naine. U grafitu su ugljikovi atomi sloeni tako da tvore esterokutnu reetku. Ta reetka se zove grafen. Neka je vektor: gdje su
esterokutne reetke. Neka su m i n cjelobrojne vrijednosti. Kao to se vidi na slici: pomicanjem du vektora Ch dolazi se iz toke A u toku B. Reetku emo analizirati kao koordinatni sustav u kojem je svaki atom odreen parom (m, n). Da bi simetrija bila zadovoljena, analizira se samo sluaj 0 m n. Kut izmeu Ch i
r r a1 i a2
r r Ch = ma1 + na2
jedinini vektori
Ako se krajevima cilindra dodaju kapice od polovica kuglastih fulerena dobivaju se ugljikove nanocjevice. Razliitim (m, n) odgovaraju cjevice razliitih promjera. Osjenani dio na slici predstavlja podruje esterokuta koje se, kad se zamota sloj grafita u cjevicu, obavija oko nje poput helikoidalne spirale. Nanocjevice se meusobno razlikuju prema promjeru i kutu kiralnosti. Stoga je znaajna ovisnost tih veliina o m i n. Udaljenost susjednih atoma je aC-C, jedinini vektori su jednakog iznosa. Kut izmeu veza je 120, pa po kosinusovom pouku vrijedi:
r a1
se zove kut kiralnosti.
r2 2 o 2 2 a1 = aC 120 C + aCC 2aCC cos r r a1 = a2 = 3aCC r r Ch = 3aCC m2 + n2 + 2mna1 a2 = = 3aCC m2 + n2 + 2mncos60o = 3aCC m2 + n2 + mn
U kemiji kiralne strukture je ona molekula koja se ne moe poklopiti sa svojom slikom u zrcalu. Vektor Ch je vektor kiralnosti. Ako se sloj grafita zamota na nain da se vrh vektora Ch spoji s krajem, tj. toka A s tokom B, te toka C s tokom D, dobije se valjkasti dio nanocjevice iji je opseg jednak duljini vektora Ch.
Ako iznos vektora Ch, koji pretstavlja opseg nanocjevice, podijelimo s , dobijamo promjer nanocjevice:
d=
3a C C
Kut kiralnosti se moe dobiti preko kosinusa ili tangensa:
m 2 + mn + n 2
Prema kutu kiralnosti, odnosno vrijednostima (m,n) razlikuju se tri tipa nanocjevica: - fotelje (eng. armchair), - cik-cak, - kiralne. Dobile su imena prema obliku poprenog prstena ugljikovih atoma.
r C h a1 = C h cos cos = n 2 m 2 + mn + n 2 m+
3n 2m + n 3 = arctg 2m + n tg =
Zbog simetrije esterokutne reetke, kut kiralnosti ima vrijednost izmeu 0 i 30 .
67
11.1.2013.
izgled tip nanocjevice kut kiralnosti kiralni vektor presjeka nanocjevice fotelje cik-cak 30 0 izmeu 0 i 30 (m,n) (m,0) mjeavina presjeka fotelja i cikcak
ZADACI
1. Izraunajte promjere i kut kiralnosti nanocjevica (9,3), (5,5) i (7,0) ako je udaljenost izmeu susjednih ugljikovih atoma 0,142 nm. 2. Koji su tipovi zadanih nanocjevica? 1.a)
d=
3aC C
m 2 + mn + n 2 3n 2 m +n 351
Za (9,3):
= arctg
d= 3aC C
81 + 27 + 9 =
0,142 = 0,85nm
2. a) kiralni tip
kiralne
(m,n)
= arctg
3 3 = 13o54' 2 9 + 3
2. b) foteljni tip. 2. c) cik-cak tip.
1. b) Za (5,5): d = 0,68 nm, = 30. 1. c) Za (7,0): d = 0,55 nm, = 0.
Promjer nanocijevi je od 0,6 do 1,8 nm, duljina 1 do 10 m, gustoa od 1,33 do 1,40 g/cm3, vrstoa na istezanje 10 puta vea od vrstoe legiranog elika, vrstoa na pritisak dva reda veliine vea nego kod dosad najvrih vlakana kevlara, tvrdoa prosjeno oko 2000 GPa, to je dva puta vie od dijamanta, elastinost mnogo vea nego kod metala ili ugljinih vlakana, toplinska vodljivost vea od 6000 W/mK (dijamant 3320 W/m K), temperaturna stabilnost u vakuumu do 2800 C, a u zraku do 750 C (metalni vodovi u ipovima tale se izmeu 600 i 1000 C), vodljivost struje procjenjuje se na 1 GA/cm2 (bakrena ica izgori pri 1 MA/cm2), emisija elektrona aktivira se pri 1 do 3 V uz razmak elektroda 1 m (za molibdenove iljke potrebno polje je 50-100 V/m), a cijena je svakim danom sve nia. Razraena su tri naina dobivanja ae, koja sadri zamjetan dio nanocijevi. Svi ti postupci proizvode smjesu nanocijevi s velikim rasponom duljina, s vie ili manje defekata i s varijantama usukanosti, to predstavlja ogranienja.
Fulereni (buckyball)
Fulereni se takoer ubrajaju u nanostrukture, ali su manje interesantni. To su uplje kavezne kuglaste molekule, a sastoje se od najmanje 60 atoma ugljika. Izolirani su i vei fulereni kao C76, C78, C82, C84... Fulereni ine novu modifikaciju elementa ugljika, a gustoa im je 1,678 g/cm3. Proizvode se naparivanjem grafitne elektrode u elektrinom luku uz helij kao zatitni plin. Nakon toga se iz ae na stijenki reaktora izoliraju nastali fulereni. Fulereni su razgradivi u organskim otapalima kao to su halogen-benzin, derivati naftalina, benzin, ugljik-disulfid i dr. Za termiko razaranje molekule potrebna je temperatura via od 1000 C. Ovi materijali su interesantni zbog osobina sasvim neoekivanih za ugljik, kao to je supravodljivost. Postoje mnoge mogunosti unapreenja svojstava fulerena. Neki od naina su ubacivanje atoma plemenitih plinova i metala u molekule fulerena. Impregniranjem grafita metalom dobivaju se metalofulereni, dok se plemeniti plinovi ugrauju bombardiranjem grafita laserskim zrakama u atmosferi odgovarajueg plina.
68
11.1.2013.
Znaajan nedostatak nanocijevi je kemijska inertnost, tj. slaba sposobnost spajanja s drugim atomima i molekulama. To nije sluaj s molekulama temeljeni na polifenilenskim lancima. Danas se eksperimentira sa sloenijim logikim strukturama zasnovanim upravo na tim lancima. Temelj im je modifikacija ugljikovodika benzena, C6H6. Ugljikovodici s jednom ili vie dvostrukih ili viestrukih veza, lako se spajaju u polimolekule. Ako se jedan vodikov atom zamijeni s drugim prstenom ugljikovodika, takva grupa, C6H5, se naziva fenilnom grupom. Meutim, to nije i vodi, jer za voenje struje treba imati i slobodne elektroni. To omoguuje fenilen, C6H4. Polifenilen je, u biti, niz takvih grupa spojenih u jednu makromolekulu. Uz to, ta dodatna veza omoguuje spajanje drugih komponenti, kao kod dopiranja akceptorskim ili donorskim primjesama. Meusobnim spajanjem fenilen grupa nastaju lanaste strukture polifenilenske molekule. U lanac polifenilena mogu se umetati i druge vrste molekula. Molekule koje sadre benzenove prstenaste strukture nazivaju se aromatskim. Otkriveno je da polifenilne molekule provode elektricitet ako su spojene s acetilenskim razmaknicama (vezama). Iako polifenilenski vodii ne mogu prenijeti tolike struje kao ugljine nanocijevi, oni i njihovi derivati su mnogo manje molekule. Zbog manjeg poprjenog presjeka, imaju veu gustou struje.
Polifenilenski lanci
Slika 10.17: a) Molekula benzena (tlocrt i bokocrt), b) dva naina oznaavanja fenilena, c) fenil, d) fenilen
Polifenilenske molekule imaju znaajnu prednost zbog vrlo dobrog kemijskog sastava i velike fleksibilnosti u sintezi. Tako je Tour razvio umjetne tehnike za sintezu vodljivih polifenilenskih lanaca (kako je temeljni blok iz alifatske skupine ugljikovodika, nazivaju se i alifatskim lancima) tono istih duljina i struktura. Nazivaju se Tour vodiima.
Alifatski lanci se sastoje od metilena (CH2) i di-metilena (2CH2). Alifatske organske molekule slue kao izolatori. Ako se mala alifatska grupa postavi u sredinu vodljivog polifenilenskog lanca, ona prekida vodljivi kanal i stvara barijeru elektronima u prolazu. Te se barijere ponaaju slino otpornicima. Aviram i Ratner su dali teorijski okvir za molekularne ispravljae 1974. godine. 1997. je eksperimentalno ostvaren molekularni ispravlja. Ovi molekularni ispravljai se ne mogu odmah integrirati s Tourovim vodiima u molekularni krug. Razni proizvodi molekularne nanotehnologije nisu spojivi, odnosno, kompatibilni. Na bazi acetat-bifenilnih molekula (alifatskih skupina) mogu se napraviti nanodiode. Rezonantne tunel diode (RTD) je sintetizirao Tour i prikazao Reed. Mark A. Ratner (1942.), Northwestern Sveuilite, Evanstone, SAD. Ari Aviram, istraiva IBM-a. To su eksperimentalno ostvarila dva neovisna tima: Metzgerov, sa Sveuilita Alabama, i Reedov, sa Sveuilita Yale.
Slika 10.18: Molekularni vodi
69
11.1.2013.
Usporedba razliitih vodljivih struktura
Fizika veliina gustoa struje procijenjena povrina poprjenog presjeka po molekuli struja po molekuli 1,4 polifenile polifenilenska ugljina ditol -nski rezonantna bakrena nanocibenze vodi s 3 tunel dioda ica jev n prstena (5 prstena) 21012 41012 2106 21011 2106 3,1 1012 (r = 1 mm) Jedinica e/(s nm2)*
nm2
0,05
0,05
0,05
3,1 (r = 1 nm)
Ispravljaka dioda (X je neka od donorskih skupina, kao NH2, OH, OCH3, CH3, Y jedna od akceptorskih skupina, kao CHO, CN, NO2, a R i S su veze koje mogu biti npr. dvostruke CH=CH) Molekularna je dioda analogija veih poluvodikih dioda. Zbog izolatorskih svojstava, alifatske se skupine ponaaju kao potencijalne energijske barijere protoku elektrona.
Amper
210-8
3,210-8
1,410-14
10-7
* elektron po sekundi i nanometru kvadratnom
Slika 10.21: a) FET prekida, b) FET u radnom stanju, c) molekula kao prekida, d) prekidaka molekula u radnom stanju Molekularna rezonantna tunel dioda Alifatske skupine stvaraju aromatski prsten, a izmeu nastaje uski otok (0,5 nm) niske potencijalne energije kroz koju elektroni moraju proi da bi preli duljinu vodia. Molekularne diode su na krajevima privrene na zlatne elektrode. U konvencionalnim mikroelektronikim tranzistorima vodljivost se postie prikljuivanjem napona na upravljaku elektrodu. Slino je i kod molekularnih tranzistorskih prekidaa. Kad se molekule zakrenu (Slika 10.21.d) pod utjecajem narinutog vanjskog elektrinog polja, molekula provede elektrinu struju. Kad nema takvog vanjskog utjecaja, molekula ne provodi elektrinu struju.
70
11.1.2013.
Postupkom izrade nanopora i ubacivanjem duine grupe u samosastavljajue slojeve na sobnoj temperaturi se moe konfigurirati memorijska elija RAM-a. To su dvije spojene naprave zbijene izmeu dva vodljiva stanja. U napravu se upisuje u stanju niske vodljivosti ili 1 primjenom pozitivnog napona (+1,5 V), a brie se u visokovodljivom stanju ili 0 primjenom negativnog napona (-1,5 V). S naprave se ita primjenom pozitivnog napona i mjerenjem rezultirajue struje.
Nanolitografija
Nanolitografija je proces proizvodnje uzoraka slian fotolitografiji kod planarne tehnologije. Kada se atomi ili molekule ele tono pozicionirati na povrinama pojavljuju se mnogi problemi od kojih su neki vezani uz kvantnu prirodu atoma. Postoji vie inaica ovog postupka: tehnologija umoenog pera (engl. dip-pen), tehnologija utiskivanja (izvodi se visokoenergijskim ULJ-zraenjem, elektronskim snopom, laserom ili rendgenskim zrakama). Kod tehnologije umoenog pera vrh AFM-a se obloi tankim filmom (monosloj). Molekule prelaze s vrha na povrinu zbog kretanja vrha. Tako se stvaraju nanouzorci na povrini. Slino tehnologiji debelog filma, koristi se litografija s utiskivanjem. Ultraljubiasto zraenje se koristi za stabiliziranje otiska nanosloja na materijalu. Litografija elektronskim snopom koristi pretrani elektronski mikroskop (SEM) za "pisanje" po povrinama. Zbog zraenja elektrona materijal mijenja svojstva to se moe koristiti za selektivno jetkanje. Litografija X-zrakama (ili rendgenskim zrakama) funkcionira slino, a X-zrake se koriste umjesto elektrona. Kod laserom fokusirane litografije pomou lasera se iznad povrine stvara stojni svjetlosni val koji ima ulogu fotolitografske maske. Atomi isparavaju iz nekog izvora iznad povrine i na svom putu prema povrini meudjeluju sa svjetlosnim stojnim valom koji ih navodi na odreena mjesta. Prema tome, svjetlosni val funkcionira poput maske za atome, vodei ih na odreene poloaje i time stvarajui uzorke na povrini.
Primjer molekule za RAM
Super-osjetljiva medicinska dijagnostika

Medicinska dijagnostika ini 1% trokova zdravstvene skrbi, ali je temelj za 60% svih odluka u zdravstvu. Standardne medicinske tehnologije imaju znaajne nedostatke. Oni koji pruaju kvantitativne rezultate visoke vrijednosti su optiki sustavi i oni zahtjevaju da se pacijentov uzorak premjesti u laboratorij i podvrgne sloenim testovima jako u istreniranog osoblja. U mnogim sluajevima, vrijedna dijagnostika informacija nije praktina za rutinsku upotrebu zbog cijene i vremena potrebnog za dobiti rezultat. Prouavanje biomarkera vodi u promjenu iz empirijske, pokuaj-i-pogreka, medicine u onu temeljenu na dokazima s personaliziranim rjeenjima. Biomarkerima je potrebna tehnologija detekcije koja omoguava jednostavno i jeftino s obzirom na rezultate, donoenje kritinih odluka. Znaajna postignua u medicinskoj dijagnostici ostvarena su s unikatnim svojstvima nanomaterijala te rjeenja dolaze na trite. Primjer je Sensation platforma za detekciju iz Nanomix, koja izvrava izravno elektroniko otkrivanje plinova i biomarkera. Ne koriste se pri tome emisije svjetlosti tako da je kemija i naprava za oitanje znaajno pojednostavljena. To omoguuje dijagnostiku koja se odvija u ruci (handheld) s kratkim vremenom do rezultata s manjim trokom nego kod tradicionalnih metoda.
Super-osjetljiva medicinska dijagnostika

Primarna primjena je u otkrivanju biomarkera na mjestu (bez odlaska u laboratorij), a karakteristika je niska potronja energije, mala veliina i ultra-osjetljivost, to omoguuje prednosti u izvoenju i izravan pristup kritinim informacijama. Sensation se temelji na sluajnim mreama (random networks) ugljikovih nanocjevica uparenih s elektronikom u ipu ili u plastinoj napravi za detekciju. Promjene u elektronikim karakteristikama naprava odgovaraju koliini analita koji je prisutan. Naprave su postavljene na silicijskom ili plastinom substratu te upotrebljavaju jeftinu tehniku proizvodnje. Nanomix asthma monitor, koji je u razvoju, je malen, jeftin i mjeri razinu duikovog monksida (NO) u dahu. S ovim bi se znaajno unaprijedila dijagnostika i tretman 300 milijuna ljudi diljem svijeta koji imaju ovu bolest. Astma je br.1 kronina djeja bolest i br.1 razlog zato djeca posjeuju bolniku hitnu slubu. Redoviti nadzor NO omoguuje smanjenje potrebnih lijekova, kao inhaliranih kortikosteroida, traumatinih i skupih napadaja astme i dr. Analiza razliitih biomarkera u ljudskom dahu je ogromna mogunost za Sensation technology. Virusi, bolesti plua ili rak dojki, bolesti jetre, gastrointeroloki problemi te mnogi drugi problemi mogu se dijagnosticirati kroz trag u analitu izdahnutog zraka. Dobiveni su impresivni podaci, kao npr. - glukoza: razvoj nano-ink za test trake za glukozu koje e smanjiti trokove testa i poboljati karakteristike. - proteini: dijagnoza stanja kao modani ili srani udar preko detekcije biomarkera, praenje neplodnosti ili trudnoe kroz hormonsku detekciju, i - DNA: elektroniko otkrivanje genetski modificiranih organizama u uzorcima sjemena i otkrivanje struktura ljudskog genoma koje omoguuju dijagnozu npr. nasljednih bolesti ili metabolizam lijekova.
71
11.1.2013.
Super-osjetljiva medicinska dijagnostika i lijekovi

Striktna pravila i skupi zapleti usporavaju napore da se nano i MEMS medicinska primjena komercijalizira. Ali snovi da e se uobiajeni lijekovi protiv raka i samo-regulirajui lijekovi brzo pojaviti nisu ostvareni, ve dolazi do postupne pojave na tritu zbog strogih medicinskih pravilnika o sigurnosti lijekova. Materijali za implantate i naprave kao kukovi, zglobovi ili pacemakeri mogu se znaajno usavriti omotaima temeljenim na nanotehnologiji koji mogu dramatino smanjiti infekcije i odbacivanja.
Primjena MEMS-a u medicini

Za primjene temeljene na MEMS-ovima, vjeruje se da najvei potnecijal u skoro vrijeme imaju naprave koje su izvorno projektirane za neku industriju, poput automobilske ili elektronike te njihovo modificiranje. Perspektivna je primjena senzora za nadzor i prijenos informacija u on-line zdravstvu. Prednost dananjih MEMs-ova je pouzdanost i robustnost te silicijske komponenete ne uzrokuje odbacivanje od strane pacijentovog organizma. Tvrtka MicroChips koristi ih kao alat za uinkovito informiranje o zdravstevno statusu u stvarnom vremenu i za dostavu lijeka s obzirom na trenutnu potrebu pacijenta. Osim pravnih prereka brem dolasku na trite ovakvih rjeenja (FDA procedure), postoje i razne prepreke koje poskupljuju cijeli proces od ideje do izlaska na trite. Cijena bilo koje komponente pada kada je se puno proizvodi, ali dok se cijena ne supsti na razumnu, oprezni lijenici i osiguravajue kompanije nee prihvatiti novu medicinsku tehnologiju. Stoga je potrebno imati partnere.
Implantat mikroip naprava koja ima pretince za 100 lijekova. Oni se mogu isputati ako se pojavi odgovarajui bezini signal.
Primjena MEMS-a u medicini

Takav primjer partnerstva, gdje je jedan partner proizvoa komponenti, a drugi cjelovitog proizvoda, je STMicroelectronics (proizvoa elektronikih komponenti) i Debiotech (proizvoa medicinske opreme). One su stvorile partnerstvo oko minijaturnog sustava dostave inzulina, zvanog Nanopump. Naprava se oslanja na mikrofludnu MEMS tehnologiju i doputa malenoj pumpi da se postavi na kou slino flasteru i isputa inzulin po potrebi pacijenta. Novi MEMS je etiri puta manji od postojeih slinih sustava. Takoer slui za bolji nadzor izdanih doza inzulina. U ovom partenrstvu Debiotech razvija izvorni koncept, a ST ima strunost i kapacitet razvoja silicijskih MEMS-ova u velikim koliinama. Debiotech nanopumpa je zapravo mikrofluidna naprava postavljena na koi i daje infuziju inzulina.
Nano sljedee generacije

Ako se moe izluiti kljuni marker na nanorazini, moe se razviti metoda predvianja koja mijenja pristup raku. Umjesto odgovora na krizu, moe se vriti prevencija. Neki timovi u istraivanjima nadaju se stvoriti lijek s vie faza nanoveliine sa specifinim zadatkom djelovanja na samo stanice raka. Prva generacija nanotehnologije za medicinske primjene poluila je dobre rezultate, ali pravi utjecaj e nastati ako se razvije nanoestice koje raspoznaju metu bez obzira na sve prepreke u organizmu.
72
11.1.2013.
Novi pogled na materijale: Novi AFM mod omoguuje poboljanu karakterizaciju na nanorazini
Istraivai trebaju razumjeti karakteristike polimernih materijala i kompozitnih polimera na nanorazini sve bre. Karakterizacijom dogaanja u meufaznim granicama (osobito kod mjeavine 2 ili vie polimera), mogue je preciznije predvidjeti ponaanje materijala i njegovih svojstava kao tekstura, otpor na ok i dr. 2 su naina rada AFM-a: Tapping mode (poznat i kao intermittentcontact ili dynamic-force mode) phase imaging i nanoindentation. Prvi nain, koji ukljuuje nie normalne sile, nema lateralne sile, vrlo je visoke rezolucije i relativno velike brzine, obino se koristi za mapiranje varijacija na uzorku. Meutim, fazni kontrast je teko interpretirati, jer proistie iz kombinacije svojstava materijala koji uzrokuju disipaciju konetike energije. Drugi nain rada AFM-a, pak, je mnogo jednostavniji za interpretaciju, jer krivulje sile govore o deformaciji uzorka kao funkciji primjenjene sile, kao i o adheziji i histerezi. Nedostatak je slaba rezolucija i bia brzina rada. Veco Instruments u suradnji s Rowland Institute (Harvard University) izumili su HarmoniX mapiranje materijala, a to je novi nain rada AFM-a. Pri tome se kombiniraju prednosti prethodno spomenutih naina.
Novi pogled na materijale: Novi AFM mod omoguuje poboljanu karakterizaciju na nanorazini
Nain ukljuuje mjerenje torzionih amplituda pri tono definiranim cjelobrojnim vrijednostima torzijske amplitude prvog naina rada (tapping mode). Pri tome je mogue odrediti varijaciju u sili izmeu vrha AFM-a i uzorka kada vrh prolazi kroz period oscilacija (tapping oscillation). Tono izabran pojedinani haromnik moe ostvariti mapiranje sloenih kompozitnih materijala imajui istovremeno i zadovoljavajuu rezoluciju (kao u tapping nainu rada, ~ 5 nm). Viestruci haromici mogu se takoer zamijetiti i pretvoriti u prebaciti nazad u vremensku domenu (prisjetiti se OAS domene analize signala, frekvencijska, vremenska i dr.). Pri tome se dobivaju podaci o sili na razdaljini analogni krivulji usrednjene sile. HarmoniX mapiranje materijala ima prostornu rezoluciju i relativno visoku brzinu rada te moe detektirati veliki opseg elasticiteta.
Napomena: objanjenje modova rada AFM-a

Tapping mode U ambijentalnim uvjetima, veina uzoraka razvija tekui sloj. U tim uvjetima dranje vrha AFM-a blizu povrine uzorka, a da se moe oitavati sila, postaje problem. Ovaj mod je smiljen da bi se zaobiao ovaj problem. Greda AFM-a (koja nosi vrh) oscilira gore-dolje blizu rezonantne frekvencije s malim piezoelektrinim elementom postavljenim na dra vrha AFM-a. Amplituda ovog osciliranja je vea od 10 nm, a tipino od 100 do 200 nm. Oscilacije se smanjuju kada se vrh pribliava uzorku zbog meudjelovanja Van der waalsove sile, dipol-dipol meudjelovanja, elektrostatike sile i dr. Elektrini servo motor koristi piezoelektrini aktuator da bi se drao odreene visine. Ovaj mod prikazuje sliku dobivenu oslikavanjem kontaktne sile izmeu vrha i uzorka. S time se smanjuje teta na povrini uzorka u odnosu na kontaktni nain rada. Ovaj mod je dovoljno njean da moe oslikavati vie slojeva uzorka. Nanoindentation je kontaktni nain rada.
Izluivanje skrivenih informacija

U AFM-u, kad se senzorski vrh pribliava, odguruje i privlai o povrinu uzorka, vrh biljei silu koja varira s poloajem. Ova informacija o sili moe se koristiti za karakterizaciju tvrdoe, adhezije, viskoelastinosti i dr. svojstava materijala. U tapping nainu rada, povratna petlja se koristi za odravanje vrha na konstantnoj udaljenosti. Varijacije u amplitudi i fazi otkrivaju topologiju povrine, a slike dobivene faznim signalom imaju dobar kontrast za razliite materijale. Moe biti teko interpretirati fazni signal i povezati ga sa svojstvima materijala zbog viestrukih disipacija od razliitih izvora poput elektronske disipacije, kapliarne sile i sl. Mnotvo informacija postoji u harmonicima zabiljeenim u AFM tapping modu. Prethodno je ova informacija bila skrivena ispod praga uma, jer amplituda harmonika brzo pada. HarmoniX mapiranje materijala moe obuhvatiti do sada skrivene informacije koje su bile ispod praga uma. Kljuna stavka je novoprojektirani T-shaped torzioni harmonik s offsetom od centralne osi. Ovaj offset poboljava omjer signala i uma (SNR) harmonika spregom rotacijskog gibanja i torzionog harmonika grede s normalnim gibanjem grede (gore-dolje). Tako harmonijsko gibanje grede poboljava harmonike podatke, jer je torzijska rezonancija 10x do 20x vea od temeljne rezonancijske frekvencijske.
73
11.1.2013.
Izluivanje skrivenih informacija

Stoga je mjerni opseg povean za 10 do 20 puta. Ovaj dodatni opseg doputa gotvov kompletnu rekonstrukciju stvarne interakcije vrhuzorak u tapping modu. Kada torzijski harmonik grede pogodi povrinu materijala, sila na vrh je priblino sinusni val s periodom jednakim jednakim pogonskom periodu. Krai pulsevi odgovaraju kraem kontaktnom vremenu i krutost materijala. Veeco Instruments je razvio nekoliko softverskih alata za promatranje harmonika grede. To ukljuuje sposobnost odabira specifinog harmonika za oslikavanje, kao i istovremeno brzo prikupljanje podataka (high-speed data capture) cijelog rezonantnog spektra na pojedinanoj toki povrine uzorka. Kada su prikupljeni, podaci se mogu transformirati s pomou Fourierove transformacije (POGLEDATI OAS) kako bi se nala aplituda svakog harmonika. Ovo je korisno za izbor harmonika kako bi se kasnije oslikali (imaging) podaci.
NEE BIT U PREZENTACIJI Application example

In an experiment to demonstrate HarmoniXs ability to map material properties in polymer blends, a 50nm-thick film was imaged as it was heated. The film is a blend of acrylic glass (PMMA) and polystyrene. As with traditional force curves, stiffer samples result in a steeper increase in tip-sample force. Both polymers are stiff and brittle below their glass transition temperatures (about 100C). At higher temperatures, polystyrene gets softer, while the PMMA has a constant stiffness. HarmoniX was able to measure the change in the Youngs moduli of the two components of the polymer film near their respective glass transition points, while also imaging the samples topography. Combined with standard AFM topography measurements, this made it possible to clearly distinguish elastic and dissipative effects due to adhesion. As newer, more-complex polymer blends are developed, and smaller filler particles are adopted, quantitative material mapping will become more valuable for polymer R&D.
Stanje standarda u nanotehnologiji

Organizacije za standardizaciju cijelog svijeta rade zajedno na definiranju kritinih komponenti nanotehnologije: od nalaenja zajednikog jezika do definiranja dimenzija materijala i njegove kvalitete te stvaranja putokaza za budui razvoj. To e dati temelje za komercijalizaciju. American National Standards Institute (ANSIwww.ansi.org), Institute for Electrical and Electronics Engineers (IEEEwww.ieee.org), British Standards Institute (BSIwww.bsi-global.com) i International Organization for Standardization (ISOwww.iso.org) su samo neke od grupa koje rade na razvoju standarda, a neki dokumenti su ve objavljeni. Dok ostaje nejasno koji e se standardi odrati, ovo pretstavlja vaan trenutak za industriju. Kako e se definirati standardi i tko e ih oblikovati, odredit e budunost industrije povezane s nanotehnologijom. Naravno da postoji puno lobiranja razliitih kompanija.
IEEE i CNT
Jedan od prvih i najbolje poznatih dokumenata o standardima za nanotehnologiju razvila je grupa profesionalaca iz IEEE. Standard je IEEE 1650-2005 (http://grouper.ieee.org/groups/1650/) te definira testne metode za mjerenje elektrinih svojstava CNT-ova. Odobrio ga je IEEE 8. 12. 2005. nakon mjeseci razvoja, pisanja, recenziranja, ureivanja i bio je jedan od prvih formalnih dokumenata s minimalnom koliinom infromacija potrebnom za izvjetavanje o laboratorijskom rezultatima za nanomaterijale. IEEE je izabrao CNT za poetak uvoenja standarda u nanotehnologiji, jer se to podruje u industriji najbre razvijalo, od CNT zaslona, integriranih krugova, senzora, itd. Standardi mjerenja CNT su kljuna briga, jer se greke mjerenja unose u elektrinu karakterizaciju i stvara se problem ako opis eksperimenta nije dobar. IEEE 1650 obrauje uobiajene izvore mjernih pogreki i preporuuje praksu kako bi se minimiziralo ili karakteriziralo mjerne artefakte i druge izvore pogreke. U travnju 2007, IEEE je objavio Nanoelectronics Standards Roadmap (NESR), koji uspostavlja okvir za stvaranje standarda koji e pomoi industriji u prijelazu iz laboratorija u industrijsku proizvodnju. Cilj NESR-a je definirati kuda industrija mora dalje ii. Ucrtani put ukazuje na 5 nanoelektronikih standarda: 3 za nanomaterijale ukljuujui vodljive spojeve, strukture organskih senzora, a 2 su za nanonaprave. Takoer cilja na definiranje 7 standarda za nanomaterijale i 5 za nanonaprave. IEEE grupe trenutno rade na standardima za temeljna svojstva sloenih materijala IEEE 1690.
74
11.1.2013.
Suradnja ANSI, ISO i IEC

ANSI sponzorira Nanotechnology Standards Panel kako bi bio koordinacijsko tijelo za standarde u 3 podruja nanotehnologije: - nomeklaturi i terminologiji, - materijalima i svojstvima te - testovima, mjerenjima i postupcima karakterizacije. ANSI je akreditirao ISO-ov Technical Committee (TC) 229. U prosincu 2006, vie od 100 delegata iz 17 drava okupilo se u Seulu (Korea) da bi razmatralo razvoj i strategije razvoja kojima e se voditi tehnike komisije kod standardizacije nanotehnologije. Amarika grupa fokusirala se na standardizaciju medicinskih primjena nanotehnologije. ANSI je ohrabrio nacionalna tijela Japana, South Korea i USA da predloe nove prijedloge za karakterizaciju CNT. U SAD-u se oekuje i tehniko izvjee o toksinim osobinama nanomaterijala.
ASTMov standard za terminologiju

2005, American Society for Testing and Materials (ASTM) oformilo je svoje tijelo poznato kao Committee E56 za Nanotechnology kako bi razvili svoje standarde vezene uz nanomaterijale i nanotehnologiju. 6 podkomiteta je oformljeno: - terminologija, - karkaterizacija, - okoli, - zdravstvo i sigurnost , - meunarodni zakoni i intelektualno vlasnitvo - meunarodna suranja. U prosincu 2006 komitet je odobrio prvi standard E 2456: Terminologija za nanotehnologiju. Terminology E 2456 je besplatna na: www.astm.org/cgibin/SoftCart.exe/DATABASE.CART/REDLINE_PAGES/E2456.htm ?L+mystore+ylyc6366.
Nanofotonika
Da bi se potpuno iskoristile prednosti kvantnih svojstava svjetlosti, mora se razumjeti kvantna fizika. Razmjetaj elektrona materijala postavlja pravila kako e materijal meudjelovati s fotonima. Dok klasini fizikalni zakoni mogu objasniti interakciju fotona metala, kod poluvodia je potrebna kvantna mehanika. (Prijelaz elektrona iz valentnog u vodljivi pojas izuavan je u OE1) Kada se materijal reducira na mali broj atoma (vrlo tanke estice), energijski pojas iri se i razbija u diskretne razine, tj. pojasevi nestaju. Poluvodike estice ove veliine nazivaju se kavntnim tokama (quantum dots). to je manja toka, vei je odgovarajui procjep u energijskom pojasu. To znai da se granice procjepa mogu jednostavno prilagoavati dodavanjem ili oduzimanjem materijala. To znai da se ovako moe mijenjati energija fotona koji se emitira ili apsorbira. Veza izmeu energije fotona (E) i valne duljine (), moe se izraziti s: =hc/E, Gdje je c brzina svjetlosti, h Planckova konstanta. Ova relacija objanjava pomak optike apsorpcije/emisije kod kvantnih toaka prema kraim valnim duljinama (blue shift) kako toke postaju manje.
Nanofotonika
Variranjem veliine i sastava kvantnih toaka moe se odrediti boja emitirane svjetlosti. Tako npr. toke od cadmium sulfide (CdS) ili zinc selenide (ZnSe) mogu zraiti od plave do UV svjetlosti; cadmium selenide (CdSe) mogu zraiti kroz cijeli vidljivi spektar; a indium phosphide (InP) i indium arsenide (InAs) mogu zraiti u infracrvenom podruju. Kvantne toke s podesivim kvalitetama apsorpcije/emisije mogu biti korisne za razliite namjene, kao npr. praenje biolokih vrsta, mjerama protiv krivotvorenja, u bojama, u zaslonima, kemijskim senzorima i dr. CdSe toke mogu se ubaciti u karcinogene stanice u tijelu. Kada se izloe svjetlu, te estice svijetle pomaui kirurzima da ne sijeu zdravo, nego bolesno tkivo. estice titanium dioxide (TiO2) i zinc oxide (ZnO) koje su metalni oksidi i poluvodii, se koriste u kremama za sunanje, jer apsorbiraju UV zraenje. Kako su ove estice tanke, kreme su prozirnije, a upijaju vie radijacije. Kvantne toke koriste se takoer i za izradu malih lasera.
75
11.1.2013.
TRENUTNO STANJE NANOTEHNOLOGIJE I MOGUI RAZVOJ

Eksploatacija svojstava na nano-razini, kao to su iznimna vrstoa, katalizatorska svojstva, reakcija na svjetlo, elektrina vodljivost i dr., mogue je u svim podrujima ivota, od medicine do vojnih namjena. Ve danas na tritu postoje proizvodi koji koriste nano komponente. To znai da se nanotehnologija u irokom smislu pojma, primjenjuje u ljudskim djelatnostima. Proizvodnja nanomaterijala i povezanih alata izrasla je u znaajnu industriju. Ve 2002. godine proizvodnja vezana uz nanotehnologiju dosegla je 54 milijardi USD. Stoga se nameu zahtjevi za izbjegavanje zlouporabe te tehnologije i nalaenje razumnog omjera izmeu opeg dobra i zatite patentnih i autorskih prava. Nadzor nad toksinou nanomaterijala je znaajan, jer ako se mogu koristiti za napad na bakterije ili elije tumora, njihova toksinost je korisna, meutim neistraena je toksinost za ljude i okoli. Stoga se mora stvoriti mehanizam da se toksinost iskljui.
Britansko Kraljevsko drutvo i Kraljevska akademija za inenjerstvo naveli su listu proizvoda koji ukljuuju neku vrsti nanomaterijala koja je ve dostupna u bogatijim dravama: Podruje informacijske tehnologije je podruje gdje se oekuje najjai utjecaj nanotehnologije. 2003. godine IBM je uveo novu generaciju PC tvrdih diskova koji koriste sendvi strukturu od materijala debelih svega nekoliko atoma. 2004. godine ipovi se ve sastoje od 130 nm irokih struktura (nanorazina se definira ispod 100 nm). Novi litografski postupci reduciraju dimenzije na 90 nm (Advanced Micro Devices). ipovi tajvanske tvrtke UMC u 2006. godini postigli su dimenzije od 65 nm. Nanokristali od tantal ili titan karbida ve su pronali primjenu u izradi matrinih ploa. U General Electric-u se proizvodi svjetlei materijal debljine papira, U General Motors-u se uvode kompoziti od nanomaterijala (nanomaterijal pomijean s plastikom, nanokompozit) za proizvodnju automobila Impale. Tako se smanjuje teina vozila i s tim potronja goriva.

U Bayer-u prouavaju primjenu nanotehnologije za iroko podruje od poboljanje pakiranja hrane pa do dijagnostikih svrha u medicini. Kreme za sunanje i kozmetika sve se vie temelje na titanovom dioksidi ili cink oksidu, koji su na nanorazini prozirni za vidljivu svjetlost, a odbijaju ili apsorbiraju ultraljubiaste zrake. Stoga Johnson & Johnson i L'Oreal proizvode bezbojne suneve kreme. eljezni oksid na nanorazini slui za ru kao pigment. Vlakna za odjeu, madrace, meke igrake sve se vie izrauju na nanorazini. To omoguuje upravljanje poroznou, a proizvodi mogu biti vodonepropusni, prozrani ili promijenjeni na nain koji je potreban. Nike, Dockers, Savane, DKNY, Benetton, Levi's, Woolmark ukljuuju neke nove nanomaterijale u svoje proizvode. Mogu se oekivati uskoro proizvodi koji ne upijaju cigaretni dim ili znoj pri vjebanju. Bayer koristi sprej za nanoenje mikroskopskog sloja na cipele, koji ulazi u materijal i isputa miris. Samoistee zahodske koljke omogueni su jer titan dioksid na nanorazini odbija vodu i bakterije. Prvi je takve proizvode predstavila na tritu britanska kompanija Pilkington.

U EU je 2004. godine dozvoljena pokusna primjena boje koja apsorbira ultraljubiasto zraenje kako bi tu energiju iskoristila za pretvaranje duikovog oksida iz atmosfere u duinu kiselinu, koja se jednostavno ispere. Tako se smanjuje zagaenje zraka. Isto tako postoje anti-grafitne boje. Te proizvode je ponudila tvrtka Millennium Chemicals. Katalizatorska svojstva nanomaterijala vrlo su vano podruje. Primjena zeolita u proiavanju nafte donijela je utedu od 8 milijardi dolara SAD-u u 2003. godini. Nanoestice sastavljene od kalcijevog fosfata i proteina koriste se kao blokatori u tankim kanalima zubi kako se ne bi osjeala bol od hladne hrane. Mercedes je uveo za svoje automobile srednje klase, nanolak koji je viestruko otporniji na grebanje od klasinog. Nanolak sadri anorganske estice povezane organskim polimerom. Gusto rasporeenim esticama stvara se kompaktan sloj iznimno dobrih mehanikih svojstava. Zbog znatno manje hrapavosti oteava se prljanje i olakava odravanje.
76
11.1.2013.

Primjena nanotehnologije u energetici ne oituje se samo u tednji energije, nego i u proizvodnji aditiva koji poveavaju uinkovitost motora, vrim builicama moe se dosei do dubljih zaliha, nanotehnologijskim primjesama moe se iskoristiti i neista sirovina puna blata i mulja i sl. Fotoelije temeljene na nanomaterijalu ve se koriste. Otkriven je i nain kako poboljati uinkovitost vodika utjerivanjem u nanopore, gdje se moe skladititi pod manjim tlakom. Takvi rezervoari mogu posluiti da automobil pree do 8000 km. Najznaajniji doprinos se oekuje u vodikovim elijama. Jedini ekonomski isplativ nain dobivanja vodika danas je iz ugljikovodika, tj. fosilnih goriva, jer je elektroliza iz vode jako skupa. Ako bi se nanotehnologijom poboljala uinkovitost na zadovoljavajuu mjeru, to bi bio najznaajniji doprinos energetici.

U medicini postoji vie moguih primjena. U medicinskoj dijagnostici se ve osjea proboj nanotehnologije. Slijede unapreenja na podruju tretmana rana i bolesti, od raka pa sve do onih infekcija i slomljenih udova. Lijenici ve neko vrijeme koriste oznake (markere, engl. dyes) za oznaavanje virusa i bakterija koje treba identificirati ili nadzirati. Ideja je jednostavna. Antitijela koja se vezuju na ciljanu stanicu oznaavaju se tako da fluoroscentno zrae pod svjetlou odreene valne duljine. Mjerenjem fluorescencije mjeri se razina infekcije. Problem je ako su markeri toksini. NASA nanofosfate eli koristiti za mjerenje ozraenosti astronauta. Quantum Dot Corporation razvija tehnologiju spektralnog bar koda koji bi se utiskivao na gene koji su aktivni u nekoj eliji. Nadzor na razini stanica omoguio bi vrlo ranu dijagnozu. Posebno je vana primjena nanoznanosti u donoenju lijekova na bolesno mjesto u tijelu. Kod vrlo agresivnih lijekova, poput kemoterapije, unitavaju se i zdrave i bolesne stanice. Nanoestice bi omoguile dopremu lijeka samo na bolesne stanice, neoteujui zdrave.

U informacijskoj tehnologiji stalno smanjenje dimenzija ipova i poveanje gustoe pakiranja dolo je ve do nanotehnologijskih granica. Hewlett Packard je 2002. godine stvorio krug sa 64-bitnom memorijom sastavljenom od molekularnih prekidaa. Kad tranzistor postane premalen, kvantni uinci curenja (engl. leaking) elektrona nee se moi zanemariti, nego e predstavljati problem. Nee se moi odrediti da li je tranzistor u ukljuenom ili iskljuenom stanju. Eksploatacija spina elektrona omoguila bi da se raunala mogu samo ukljuiti i iskljuiti bez potrebe za boot up-om. Osim prvog Moorovog zakona, koji se zasada odrava tonim (u 2007 milijarda tranzistora po ipu), postoji i drugi zakon, koji je manje poznat. On kae da se cijena izgradnje postrojenja za izradu ipova udvostruuje svake 3 godine. Mnogi eksperti predviaju da e se postii ravnotea izmeu prvog i drugog Moorovog zakona prije 2015. godine.

Zabrinjava primjena nanotehnologije u vojnim primjenama. Tu se istrauje i testira u vie smjerova: prevencija napada, kao npr. kod sustava za rano uzbunjivanje u sluaju radioloke, kemijske ili bioloke opasnosti, nadogradnja ljudskih sposobnosti, kao npr. u obliku suelja ovjekraunalo, poboljanja izdrljivosti, odijela koja su otpornija na napade (slino neprobojnim prslucima, prototip je razvila tvrtka DuPont), izrada neovisnih senzora koji, zbog svoje veliine, mogu prodrijeti u neprijateljsku pozadinu i zatiene objekte (2000. godine tvrtka DynCorp obavila je testiranja takvih pokretnih senzora, koji su minijaturni roboti) i inteligentna napadna oruja (mali roboti koji su programirani za unitavanje odreenih materijala ili vrsti ivih organizama). Uzlet nanotehnologije predvia se nakon 2010. godine. Tada e rane aplikacije ui u opu primjenu.
77
11.1.2013.

Opasnosti civilne primjene nanotehnologije nisu jo istrane. Postoje etiri problema: estice mogu utjecati na rad plua zbog iritacije, sastojci nanoestica mogu biti poznati toksini koji mogu proi kroz konvencionalnu zatitu zbog svoje veliine, neke nanoestice imaju katalizatorske sposobnosti koje ubrzavaju stvaranje slobodnih radikala povezanih s razvojem tumora i materijal moe biti bezopasan na makroskopskoj razini, a na nanorazini opasan. Problem je i nepostojanje regulative za podruje nanotehnologije. Mogunosti nadzora i pijuniranja upotrebom nanotehnologije jo su vee. To dovodi do niza pitanja vezanih uz naruavanje privatnosti i ljudskih prava.
FEMTOTEHNOLOGIJA
Aeronautika treba najjae i temperaturno najstabilnije materijale koji su dostupni, esto po bilo kojoj cijeni. The Space Elevator, svemirski brodovi (osobito prilikom povratka iz orbite), komore za izgaranje raketnih motora, povrina motora pod toplinskim naprezanjem, hipersonini zrakoplovni materijali su cilj koji je potrebno ostvariti. Predloeni novi materijali koji e se spomenuti u ovoj cjelini omoguuju unapreenje svih znaajki svemirskih brodova, raketa, strojeva, zrakoplova, propulzije i sl. Nanotehnologija u idealnom obliku potpuno upravlja u oblikovanju molekula ili atoma. Takv vlast nad prirodnim svijetom prua rutinska postignua u ostvarenju nevjerojatnih svojstava. Kod stvaranja metamaterijala struktura, a ne sastav, omoguuje nove moi starom materijalu. No to nije kraj. Nove ideje znae sputanje na subatomske estice. Stoga je predloena ideja projektiranja novih oblika nuklearne materije iz nukleona, elektrona i drugih jezgrovnih estica. Takva materija je nazvana AB (AB-Matter) i ima neobina svojstva (npr., vrstou, tvrdou, kritinu temperaturu, supravodljivost, nema trenja ili sl.), koja su milijunima puta bolja od odgovarajuih svojstava konvencionalne molekularne materije.
FEMTOTEHNOLOGIJA
Mogue je nai u znanstvenoj literaturi koncepte izrade svemirskih brodova, morskih brodova, termonuklearnih reaktora, konstrukcija i dr. iz nuklearne materije. Takvi materijali (npr. vozila) imaju nevjerojatne svojstva poput nevidljivosti, prolaska kroz zidove i oklope, zatitu od bili koje jakosti radijacije i dr. Dok nanotehnologija operira s objektima (moleuklama i atomima) reda veliine nanometra (10-9 m), femtotehnologija se bavi redom veliina femtometra (10-15 m), to je milijun puta manje od nanotehnoloke razine. Atomi su najmanje (10-8 m) neutralne estice u koje se materija moe razdvajati kemijskim reakcijama. Atom se sastoji od male, teke jezgre, okruene s relativno velikim, lakim oblakom elektrona. Do danas su otkriveni 117 elemenata (atomski brojevi 1-116 i 118), a prvih 111 imaju slubena imena. Molekule su najmanje estice u kojima ne-elementarne substance mogu zadrati svoja svojstva.
FEMTOTEHNOLOGIJA
Atomi sadre malu (10-15 m) jezgru i elektrone koji orbitiraju. Dok su neutroni u jezgri stabilni, oni slobodni to nisu. Oni prolaze kroz beta raspad s vremenom ivota ispod 15 minuta. Slobodni neutroni se stvaraju nuklearnim reakcijama fisije i fuzije: n0 p+ + e + e (antineutrino) Ovaj raspad se moe dogaati i u nestabilnoj jezgri. Protoni takoer mogu biti transfromirani kroz inverzni beta raspad u neutrone: p+ n0 + e+ + e (neutrino). Transformacija protona u neutron unutar jezgre takoer je mogua pri hvatanju elektrona: p+ + e n0 + e . Mogue je da neutron u jezgri hvata pozitrone, ali je to znatno oteana zbog odbojne sile jezgre i pozitrona (istoimeni naboji). Oni se inae brzo anihiliraju s elektronima. Kada se nalazi vezan u jezgri, nestabilnost pojedinanog neutrona je uravnoteena s tim to bi stvaranje novog protona dovelo do odbojnih sila s drugim protonima.
78
11.1.2013.
FEMTOTEHNOLOGIJA
Denegerirana materija je materija koja ima tako veliku gustou da dominantni doprinos njezinom tlaku dolazi iz Paulijevog zakona iskljuenja. Tlak koji odrava degenerirana materija zove se tlak degeneracije. On raste jer Paulijevo naelo zabranjuje da estice budu u identinim kvantnim stanjima. Bilo koji pokuaj zbliavanja estica tako blizu da se ne mogu jasno odvojiti mora ih postaviti u razliite energije. Stoga smanjenje volumena zahtjeva prisiljavanje estica da preu u visoko-energijsko kvantno stanje. To zahtjeva dodatnu kompresijsku silu. Zamislimo da se plazma hladi i komprimira vieputno. Prije ili kasnije dolazi se do toke kada se plazma vie ne moe komprimirati zbog naela iskljuenja (ovaj put 2 estice ne mogu biti na tono istom mjestu u tono isto vrijeme). Poto nema mjesta izmeu bilo koje estice, moe se rei da je poloaj estica ekstremno tono definiran. p je nesigurnost momenta estice i x nesigurnost poloaja, molekule su locirane u vrlo ogranienom prostoru. Stoga, ak i dok se plazma hladi, molekule se moraju gibati vrlo brzo u prosjeku.
FEMTOTEHNOLOGIJA
To vodi na zakljuak da ako elimo komprimirati objekt u vrlo mali prostor, mora imati iznimnu silu da bi upravljao momentom estica. Za razliku od klasinog idealnog plina iji je tlak razmjeran temperaturi (PV = NkT, gdje je P tlak, V volumen, N broj estica, k Boltzmannova konstanta i T temperatura), tlak potreban za degeeneriranu materiju ovisi samo slabo o temperaturi. Tlak ostaje razliit od nule ak i kod apsolutne nule. Na relativno niskim gustoama, tlak potpuno degeneriranog plina dat je s P = Kn5/3, gdje K ovisi o svojstvima estica koje sainjavaju plin. Na vrlo visokim gustoama, gdje je veina estica prisiljena u kvantna stanja s relativnim energijama, tlak je dan s P = K'n4 / 3, gdje K' ovisi o svojstvima estica od kojih je sainjen plin. Degenerirana materija jo uvijek ima i normalna tlak, ali na visokim gustoama tlak degeneracije dominira. Stoga poveanje temperature degenerirane materije ima neznatan uinak na ukupni tlak dok temperatura ne naraste tako visoko da termiki tlak ponovo dominira u ukupno tlaku.
FEMTOTEHNOLOGIJA
Egzotini primjeri degenerirane materije ukljuuju neutronium, stranu tvar (strange matter), metalne hidrogene i bijelu patuljastu (dwarf) materiju. Tlak degeneracije doprinosi tlaku konvencionalnih krutih tvari, ali se obino ne uraunava, jer je znaajan doprinos tlaku normalne materije dobiven meuigrom elektrinog odbijanja atomskih jezgri i odbijanja jezgri jednih od drugih zbog odbijanja elektrona alociranih meu kvantnim stanjima odreenim nuklearnim elektrinim potencijalima. U metalima je korisno odnositi se prema vodljivim elektronima kao samostalnima, kao degeneriranom, slobodnom elektronskom plinu. Stoga se u npr. bijelom patuljku elektroni smatraju kao da zauzimaju stanja slobodnih momenata.
FEMTOTEHNOLOGIJA
Prisjetite se 4 temeljne sile u prirodi. Jaka nuklearna sila dominira udaljenostima do 2 fm (femto, 1 fm = 10-15 m). Stotine puta su jae od Coulombove sile i milijun-milijuna puta jae od gravitacijske sile. Ona je toliko nadmona da prisiljava poztivne protone (koji bi se trebali odbijati) da lete u meusobnoj blizini. Jaka sila je klju odnosa izmeu protona, neutrona i elektrona. Moe drati elektrone u ili blizu jezgre. Jaka nuklearna sila je anizotropna (ne sferna, distribucija sile nije ista u svim smjerovima), to znai da ovisi o relativnoj orijentaciji jezgre. Tipina nuklearna sila data je na sljedeem slide-u. Kada je pozitivna, nuklearna sila odbija ostale atomske estice. Kada je negativna privlai ih (do 2 fm udaljenosti). Vrijednost r0 uzeta je kao radijus jezgre. Proraun jake nuklearne sile meudjelovanje energije jednog nuleusa preko specifine gustoe dan je na drugoj slici na sljedeem slide-u.
79
11.1.2013.
FEMTOTEHNOLOGIJA
FEMTOTEHNOLOGIJA
Prosjena energija interakcije u jezgri je oko 8 MeV, a udaljenost aktiviranja jake nuklearne sile 1 1,2 fm. AB-materija. U konevencionalnoj materiji sainjenoj od atoma i molekula, nukeloni (p, n) su locirani u jezgri, a elektroni rotiraju u orbitama oko jezgre na udaljenostima milijun puta veim od dijametra jezgre. Unato tolikoj praznini, kada se komprimira ova normalna materija, elektroni odbijaju druge atome i opiru se velikom poveanju gustoe. Stoga se na dodir osjea kruta materija. Vrsta materije koja sadri i nadodaje sve stomske estice u jezgru naziva se degenerirana materija. Degenerirana materija se nalazi u bijelom patuljku, neutronskoj zvijezdi ili crnoj rupi. Konvencionalno gledajui, ova materija u tako velikim astronomskim objektima ima vrlo visoku temperaturu i veliku gravitaciju koja pridonosi odranju tlaka. U prirodi, koliko se danas zna, degenerirana materija postoji u stabilnom stanju samo u tim velikim astronomskim masama.
Sl.1. Tipina nuklearna sila jezgre. Kada je nukleon na udaljenosti manjoj od 1,8 fm, privlai se u jezgru. Kada je nukleon vrlo blizu, odbija se od jezgre.
Sl.2. Veza (meudjelovanje) energije jednog nukleona preko specifine gustoe u danoj toki. Puna linija je izraunata Berknerovom metodom s 2 korelacije, isprekidana linija je kompjutorski proraun s 3 korelacije, a kvadrat je eksperiment.
FEMTOTEHNOLOGIJA
Oznake: 1 nuklearna vrpca; 2 - nukleoni (neutrons, protons, etc.). 3 protoni; 4 orbita elektrona; 5 elektron; 6 oblak elektrona oko cjevice.
FEMTOTEHNOLOGIJA
Cilj femtotehnologije je projektirati umjetnu malu masu od sintetike degenerirane materije u obliku ekstremno tanke i jake niti (vlakna, ispune, lanca), okrugle vrpce, cjevice i mree koje mogu postojati na normalnim temperaturama i tlakovima na Zemlji. Primjetite da tako stabilizirana degenerirana materija u malim koliinama ne postoji u prirodi prema dananjim spoznajama. Ovu materiju su prozvali AB-Materija. Pretpostavlja se da e se u budunosti stvoriti AB materija isto kao to danas stvaramo razne umjetne materijale (plastike ili kompozite) iz obine materije ili kao to su stvoreni nanotehnologijom nanocjevice SWNT (amchair, zigzag, ahiral), MWNT (fullorite, torus, nanobut), nanoriboni (tacne), buckyballs ili fulereni. Neke mogue tehnologije za proizvodnju AB-Materije. Jedan postupak moe koristiti tehnologiju izrade ipova. Na jednu stranu zatvorene kutije postavlja se maksa. Na drugoj strani su locirani izvori neutrona, nabijenih nuklearnih estica (protona, nabijenih jezgara) i elektrona. Izvori (pitolji) nabijenih estica imaju akceleratore estica i upravljaju njihovom energijom i smjerom. Oni fokusiraju estice, odailju ih u obliku snopa u traene toke s potrebnom energijom da nadvladaju Coulombovu barijeru. Potrebni neutroni su dobiveni iz nuklearnih reakcija i odbijeni od zidova za zadravanje.
Sl.3. Struktura AB-materije iz jezgre (n, p, itd.) i electrona (a) linearna (monofilament) (fiber, whisker, filament, thread); (b) ingot od 4 linearna elementa; (c) multi-ingot od nuklearnog monofilament elementa; (d) lanac od p i n s rotirajuim elektornima; (e) femto cijevica s jednom stijenkom (engl. single wall femto tube, SWFT) s rotirajuim elektronima; (f) viestjenna femto cjevica (multi wall femto tube, MWFT); (g) presjek ipke; (h) - SWFT s elektronima ubaenim u AB-materiju
80
11.1.2013.
FEMTOTEHNOLOGIJA
Razliiti naini se razmatraju za generiranje AB-materije. Najtee je dobiti poetnu malu koliinu, a kasnije je lake generirati sve vee i vee komade. Razvoj femtotehnologije je laki od razvoja potpuno upravljive nanotehnologije, jer imamo samo 3 glavne estice i njihove ve spremne kombinacije u jezgrama 2D, 3T, 4He, itd. kao konstrukcijske materijale te razvijene metode upravljanja njihovom energijom, fokusiranjem i smjerom. Uporaba AB-Materije. Najjednostavniji nain upotrebe je ojaavanje konvencionalnih materijala vlaknima od AB-materije. Drugi nain koritenja je konstruiranje AB-materije kao kontinuiranog filma ili mree (sl. 5b,d). Ovi oblici AB-materije imaju udnovata svojstva kao nevidljivost, dupravodljivost, nemaju trenje ili sl. Odlini su za kamuflau, instalacije koje su nevidljive ili neprobojne, te oblik koji doslovno prolazi kroz drugu materiju poput duha.
FEMTOTEHNOLOGIJA
Sl.4. Konceptualni dijagram za instalaciju AB-materije. Notacija: 1 instalacija; 2 AB-Materija (ekstremno tanka vrpca, okrugli tapi, cjevica, mrea ili dr.) i maska za formiranje; 3 izvor neutrona; 4 izvor nabijenih estica (protoni i nabijene jezgre), akcelerator nabijenih estica, upravljanje snopom nabijenih estica; 5 izvor elektrona, akcelerator elektrona i upravljanje snopom; 6 estice oblaka; 7 zidovi koji reflektiraju neutrone i koriste nuklearnu energiju.
FEMTOTEHNOLOGIJA
FEMTOTEHNOLOGIJA
Sl.5. Nuklearna materija od tankog filma. (a) film materije iz jednog komada (bokocrt); (b) kontinuirani film od nuklearne materije; (c) AB film pod udarom konvencionalne molekularne materije; (d) mrea iz jednog komada. Notacija: 1 nukleoni; 2 elektroni uneseni u ABmateriju; 3 normalni atom.
Sl.6. Strukture iz nuklearnih sastavnica. (a) nuklearna mrea; (b) primarna kocka iz komada materije; (c) primarni stupac od nuklearnog materijala; (d) veliki komad raen od primarnih stupaca; (e) cjevice materije.
81
11.1.2013.
FEMTOTEHNOLOGIJA
Film od AB-materijske mree mogao bi pohraniti ogromnu energiju, koristiti se u raketnim motorima s divovskim impulsima ili oruje ili kao apsolutni oklop. U sluaju takvog oklopa, moraju se postaviti sigurnosni sustavi kako bi se sprijeile nagle akceleracije, jer bi one mogle ubiti ak i kad nita ne propre kroz oklop. AB-materija u obliku mree (moe biti takva da ne prolaze niti plinovi kroz nju, te da je nezapaljiva konstrukcija takve snage i lakoe da bi mogla ponititi teinu grada koji bi se irio iznad mora. Estimacija i proraun svojstava AB-Materije vrstoa AB-Materije. Vuna vrstoa jedininog elementa AB materije. Prosjena energija veze 2 nukleona je: 1 eV = 1,610-19 J, E = 8 MeV = 12,810-13 J. (1) Prosjena efektivna udaljenost jake sile je oko l = 2 fm = 210-15 m (1 fm = 10-15 m). Prosjena sila veze F je oko: F1 = E/l = 6.4102 N . (2)
FEMTOTEHNOLOGIJA
Stoga lanac dijametra 100 000 puta manjeg od dijametra atoma moe suspendirati teinu mase ljudskog tijela. ovjek moe ovo iskoristit da bi letio, a da nitko ne razumije kako to postie. Vuno naprezanje pojedinanog elementa AB materije je za povrinu = 22= 4 fm2=410-30 m2: = F/s = 1,61032 N/m2. (3) Kompresivno naprezanje za E = 30 MeV i l = 0,4 fm je: (4) = E/sl = 31033 N/m2. Youngov modul vunog naprezanja za elongaciju = 1 je: I = / = 1.61032 N/m2. (5) Youngov modul kompresivnog naprezanja za = 0,4 je (6) I = / = 7.51033 N/m2. Usporedba: Nehrajui elik ima vrijednost = (0,65 - 1)109 N/m2, I = 21011 N/m2. Nanocjevice imaju = (1.4 5)1010 N/m2, I = 81011 N/m2 . To znai da je AB-materija snanija za 1023 puta od elika i 1022 puta od nanocjevica. Youngov modul i moduli elastinosti takoer su milijardama puta vei nego to je sluaj kod elika. Elongacija je desetke puta bolja nego kod elika. vrstoa (prosjena sila vue) na 1 m tankog (jedan sloj od 1 fm) filma (1 m kompaktne mree) od jedne sastavne elije s korakom mree l = 2 fm =210-15 m je: F = F1 /l = 3,21017 N/m = 3,21013 tona/m (7).
FEMTOTEHNOLOGIJA
vrstoa (prosjena vuna sila) mree od jednog elementa s korakom l = 10-10 m (manje od veliine molekule konvencionalne materije) koja ne proputa obine plinove, tekuine ili kruta tijela (neprobojna mrea): F = F1 /l = 6,41012 N/m = 6,4108 tona/m. (8) To znai da jedan metar vrlo tanke (1 fm) mree moe ponititi masu od 100 milijuna tona. Tensilno naprezanje mree s l = 10-7 m je F = F1 /l = 6,4109 N/m = 6,4105 tona/m. (9) Specifina gustoa i vrstoa AB-materije. Masa 1 m AB-materije je: M1 = m/l =1,6710-27/(210-15) = 8,3510-13 kg. (10) gdje je m = 1,6710-27 kg masa jednog nukleona; l = 210-15 m udaljenost izmeu nukleona, volumen 1 m v = 10-30 m3. To znai specifinu gustou od: d = = M1/v = 8.351017 kg/m3. (11)
FEMTOTEHNOLOGIJA
Iako je gustoa vrlo visoka, masa materijala od AB-materije je vrlo mala. a) masa 1 m lanca M1 = 8,3510-13 kg, (12) b) masa 1 m2 vrstog filma Mf = M1/l = 4,17102 kg, l = 210-15.(13) c) masa 1 m2 neprobojne mree Mi=M1/l=8,3510-3kg, l=10-10 m, (14) d) Masa 1 m2 permeabilne mree Mp=M1/l=8,3510-6kg, l=10-7 m .(15) Apsolutni toplinski tit za svemirski atl koji moe podnjeti silaske iz orbite u atomsferu desetcima puta teio bi svega100 kilograma. Koeficijent specifine vrstoe AB-materije (to je vrlo vano u aerosvemirskim istraivanjima je: k = /d = 1,61032 /8,351017 =1,91014 (m/s)2 < c2 = (3108 )2 = 91016 (m/s)2. (16) Ovaj koeficijent kod konvencionalne materije iznosi oko k = (1 - 6) 109. AB-materija je stoga 10 milijuna puta vra. Specifina masa i volumna gustoa energije s AB-materijom su Ev = E/v =1,61032 J/m3, Em = E/mp =7,661014 J/kg . (17)
82
11.1.2013.
FEMTOTEHNOLOGIJA
Ovdje je E=12,810-13 J (1), mp = 1,6710-27 kg masa nukleona, v = 81045 m3 volumen jednog nukleona. Prosjean specifini tlak moe postii: p=F1/s=12,810-13/410-30 = 3,21027 N/m2. Temperatura otkaza (failure temperature) AB-materije i odrivost kod termonuklearnih reaktora Jaka nuklearna sila je vrlo snana, to znai da vanjska temperatura koja se mora postii da bi se unitila vlako, film ili mreu od AB-materije nora imati ekvivalent energije Te = 6 MeV. Ako se to prerauna u temperaturu dobija se: Tk = 1,16104 Te = 71010K. (18) To je oko 50 - 100 puta vie od temperature u fuzijskom nuklearnom reaktoru. Stoga bi se mogao ostvariti fuzijski reaktor malih veliina, koji je jednostavan (nema magnetske boce za plazmu, supravodljivih magneta, sustava hlaenja, i dr.). Uz to, AB materija ima toplinsku vodljivost ravnu nuli, te ne moe hladiti nuklearnu plazmu.
FEMTOTEHNOLOGIJA
Ove temperature su dovoljne za nuklearnu reakciju u reaktoru na jeftino nuklearno gorivo, npr. D + D. AB materija moe se koristiti u raketnim i zrakoplovnim motorima s visokom uinkovitou. ak ni u teoriji ne moe konvencionalni materijal imati tako fantastinu termiku otpornost. Energija generirana proizvodnjom AB-materije Dobivanje AB-materije stvara veliku koliinu nuklearne energije. Ta energija je via nego to se moe dobiti iz najbolje fuzijske reakcije. Zdruivanje svakog nukleona stvara 8 MeV energije, dok se kod spajanja deuterija, D, i tricija, T, (2+3=5 nucleolus) dobija samo 17,5 MeV (3,6 MeV za svaki nukleon). Ako koristimo pripremljene blokove nukleona kao D=2H, T=3H, 4He, itd., proizvedena se energija smanjuje. Uporabom spremnih nukleonskih blokova moda bi trebalo biti potrebno, jer te reakcije stvaraju neutrone (n): 2H + 2H 3He + n + 3,27 MeV, 3H + 2H 4He + n + 17,59 MeV , (19) koji mogu biti potrebni za proizvodnju AB-materije.
FEMTOTEHNOLOGIJA
Uporaba spremnih blokova nukleona smanjuje energiju dobivenu iz proizvodnje AB-materije, ali takoer i smanjuje trokove potrebnog materijala i strahovito pojednostavljuje tehnologiju. Mail dio (0,7 MeV) te potrebne energije bit e potroen na savladavanje Coulombove barijere kada se spajaju 2 protona. Spajanje neutrona ili neutrona i protona ne zahtjeva nita energije, jer nema odbijanja naboja). Ne bi trebalo biti problema za trenutnu tehnologiju da akcelerira protone energije 0,7 MeV. Npr. Za proizvodnju m = 1 g = 0,001 kg AB-materije, energija: E1g = E1m/mp = 7,661011 J/g . (20) Ovdje E1= 8 MeV= 12,810-13 J energija proizvedena kod spajanja 1 -27 nukleona mase mp =1,6710 kg. 1 kg benzina (gasoline, benzene) daje 44 MJ/kg energije. To znai da 1 g AB-materije zahtjeva ekvivalent energije 17,4 tona benzena. Super-dielektrika vrstoa AB-filma Dielektrika vrstoa je: Ed = E/l =8 MV/10-15 m= 81015 MV/m. (21) Najbolja konvencionalan materija ima dielektrinu vrstou od samo 680 MV/m.
FEMTOTEHNOLOGIJA
AB-materija s orbitirajuim elektronima ili elektronskom oblaku Prethodno je razmatrana AB-materija, koja sadri elektrone unutar lanca, filma ili mree. Jaka nuklearna sila dri elektrone na okupu u zoni svog utjecaja. Druga metoda interakcije i kompenzacije elektrinih naboja je mogua ako se elektroni rotiraju oko lanca (mree ili sl.) od AB-materije tj. ako ima more elektrona ili negativnih atoma. Kod normalne materije, elektroni orbitiraju oko jezgre kao toke. U ovom sluaju, orbitiraju oko baijenog nuklearnog materijala (AB-materije) kao linije (neki oblik linearnog lana). To daje vrlo znaajnu razliku u elektrostatikoj sili koja djeluje na elektorne. Kod konvencionalne materije, elektrostatika sila smanjuje se s 1/r2, a u ovom sluaju sa 1/r. Rezultat je da elektron ne slijedi uobiajenu relaciju za brzinu s obzirom na radijus udaljenosti. 2 Dokaz: mV = eE, E = k 2 , mV2 = 2ke , V = 2ke = N e 2k = 22,4 N ,
gdje je m = me = kg; V brzina elektrona; r radijus elektronske orbite; gustoa naboja u 1 m lanca (C/m); E elektrostatski intenzitet, 9 A/m or N/C; k = 910 Nm2/C2 elektrostatska konstanta, Np broj protona u 1 m lanca u jedinicama 1/m.
9,1110-31
83
11.1.2013.
FEMTOTEHNOLOGIJA
Kao to se vidi iz jednadbe (22) elektronske brzine nisu u odnosu s radijusom. Stvarna brzina bit e znaajno manja nego u (22), jer drugi elektroni blokiraju naboj ostatka lanca. Ukupni naboj sustava je 0. Stoga se moe staviti Np =1 (svaki elektorn u orbiti biva zadran s jednim protonom u lancu). Iz (22) se moe nai da je V = 22,4 m/s. To znai da elektornska brzina nosi samo vrlo mali dio energije. U drugom sluaju AB-materija pliva u oblaku elektrona. To se dogaa kod konvencionalnih metala. Razlika je to kristalna reetka metalnih iona popunjava volumen konvencionalnog metala tako da uzrokuje elektroni otpor. Lanane i ravninske mree AB-materije mogu se postaviti uz smjer toka elektrona. Pri tome stvaraju samo relativno tanki volumen i jako mali elektrini otpor. Stoga ova materije moe iskazivati kvazi-supravodljiva svojstva. Elektroni rotiraju oko AB-materijskog lanca odbijajui se meusobno. Sila na vlak je:
FEMTOTEHNOLOGIJA
Neka svojstva AB-materije Govori se o fantastinoj vlanoj i tlanoj vrstoi, rigidnosti, tvrdoi, specifinoj vrstoi, otpornosti na toplinu ili toplinski ok, velikoj elongaciji itd kada se govori o AB-materiji. Uz to mogu se primjetiti i druga svostva: 1. Nulti toplinski kapacitet 2. Nulta toplinska vodljivost 3. Apsolutna kemijska stabilnost 4. Super-prozirnost, nevidljivost, 5. Neprobojnost za plin, tekuinu i kruta tijela, 6. Neprobojnost za radijaciju. 7. Super-reflektivnost 8. Sposobnost prolaska kroz konvencionalnu materiju 9. Nema trenja 10. Super ili kvazi-super elektrina vodljivost na bilo kojoj temperaturi 11. Visoka dielektrina vrstoa
F =k
Za udaljenost d = 210 stabilnom obliku.
2 2 e2 1 1 1 e2 k e 1 + 2 + 2 + ... + 2 + ... = = 1,476 1010 2 2 2 d 2 3 n 6 d d -15
m sila je F = 94,5 N. Ova sila dri lance i mree
SUPRAVODLJIVOST
Pojava iezavanja elektrine otpornosti koja nastaje kao rezultat ohlaivanja vodia do kritine temperature Tc naziva se supravodljivou. Pojavu je 1911. godine otkrio Heike KamerlinghOnnes. Problem pri praktinim primjenama supravodljivosti su vrlo niske temperature pri kojima se materijal dovodi u supravodljivo stanje. Kod ive, s kojom je eksperimentirao H. Kamerlingh-Onnes, to je 4,2 K! Za tako niske temperature kao sredstvo za hlaenje potreban je tekui helij. Tehnologija tekueg helija je vrlo sloena i skupa. Meutim, od sredine devedesetih godina (1986. i kasnije) otkriveni su neki keramiki materijali kod kojih je pojava supravodljivosti izrazita pri temperaturama i iznad 100 K (tzv. visokotemperaturni supravodii). Te temperature omoguuju hlaenje tekuim duikom. Cijena tekueg duika je u odnosu na tekui helij manja za vie od 100 puta. To omoguuje intenzivniji razvoj primjene supravodia. Mogua podruja primjene su: prijenos energije, izgradnja jakih magneta, transport, elektrini strojevi, raunalska tehnika, i sl.
SUPRAVODLJIVOST
Velikom broju potpuno istih metala elektrina otpornost (), pri smanjivanju temperature ka apsolutnoj nuli, postupno tei nuli. Poznatiji supravodii i njihove kritine temperature dani su u Tablici. Meutim, postoje metali i neke legure, kod kojih elektrina otpornost pri nekoj temperaturi Tc naglo pada od neke konane vrijednosti na nulu. Pri daljnjem smanjenju temperature do apsolutne nule elektrina otpornost tih materijala jednaka je nuli. Temperatura kod koje elektrina otpornost postaje praktiki jednaka nuli Materijal Tc [K] naziva se kritinom temperaturom. Niobij 9,5 Elektrina otpornost, kao to se vidi na Olovo 7,2 slici 3.5 i slici 3.6, umjesto da se iva 4,2 postupno smanjuje pada manje Indij 3,4 (supravodi tipa S2; ima donju Tcd i Kositar 3,2 gornju Tcg kritinu temperaturu; Talij 2,4 karakterizira se ipak samo jednom: Galij 1,07 srednjom) ili vie (supravodi tipa S1) naglo na nulu.
84
11.1.2013.
SUPRAVODLJIVOST
Temperatura kod koje elektrina otpornost postaje praktiki jednaka nuli naziva se kritinom temperaturom. Elektrina otpornost, kao to se vidi na slici 3.5 i slici 3.6, umjesto da se postupno smanjuje pada manje (supravodi tipa S2; ima donju Tcd i gornju Tcg kritinu temperaturu; karakterizira se ipak samo jednom: srednjom) ili vie (supravodi tipa S1) naglo na nulu.
SUPRAVODLJIVOST
Supravodi tipa S1 ima dva potpuno stabilna i jasno odijeljena stanja. To su supravodljivo stanje i stanje normalne vodljivosti. Kod supravodia tipa S2, a u odsutnosti magnetskog polja, razlikuju se tri stabilna stanja. To su: supravodljivo (ispod Tcd), mijeano (izmeu Tcd i Tcg) te normalno vodljivo stanje (iznad Tcg). Magnetsko polje utjee na supravodie: sniava kritinu temperaturu. to je vea jakost magnetskog polja to je izraenije snienje kritine temperature. Supravodii tipa S1 mogu, ako se izloe magnetskom polju i zatim ohlade, potpuno istisnuti magnetsko polje iz sebe, osim u neznatnom pripovrinskom sloju (tzv. Meissnerov uinak). Supravodii tipa S2 zadravaju odreene lokalizirane niti magnetskog toka unutar supravodljivog materijala (uz pomake tih niti magnetskog toka definiraju se i supravodii tipa S3: kod njih se moe tehnologijskim postupcima zaustaviti pomicanje niti magnetskog toka i poveati gustou struje). Kritina temperatura supravodljivih legura redovito je iznad 10 K. Poznata je trostruka legura niobij-aluminij-germanij s kritinom temperaturom 20,7 K.
SUPRAVODLJIVOST
Visokotemperaturni supravodii imaju kritinu temperaturu i iznad 100 K. Pojavu supravodljivosti su, s pomou kvantne mehanike, objasnili Bardeen, Cooper i Schriefer (ali ne i visokotemperaturnu supravodljivost) te se teorija supravodljivosti, po njima, naziva BCS teorija. Mogu se istaknuti etiri injenice vezane uz supravodie: skokovita promjena elektrine otpornosti pri kritinoj temperaturi; dugotrajno postojanje elektrine struje u konturi od supravodljivog materijala kada je ohlaen na temperaturu ispod kritine; nepostojanje magnetskog polja, osim u pripovrinskom sloju Meissnerov uinak, unutar materijala koji se nalazi u supravodljivom stanju; mogunost razaranja supravodljivosti jaim vanjskim magnetskim poljem. Slika 3.7. prikazuje ovisnost kritine temperature o gustoi stuje i magnetskom polju. Supravodljivo stanje je osjenano.
SUPRAVODLJIVOST
Slika 3.7: Kritina temperatura, gustoa struje i magnetsko polje koje odvaja supravodljivo i normalno vodljivo stanje
85
11.1.2013.
SUPRAVODLJIVOST
Da bi se u potpunosti razumjela BCS teorija, potrebno je upoznati se s temeljnim injenicama o strukturi materije. Osobito je vano poznavati etiri bitne znaajke: - dualnu prirodu elektrona, - valnu jednadbu, - Paulijevo naelo iskljuenja i - Maxwellove jednadbe.
SUPRAVODLJIVOST U BCS TEORIJI

Temeljna ideja BCS teorije je da je supravodljivost kvantno-mehanika pojava na makroskopskoj skali. Nastaje kad se koreliraju kretnje pojedinih elektrona. Korelacija nastaje kad se dva elektrona spare i formiraju Cooperov par. Stoga se, kad je rije o supravodljivosti, za elektrine naboje uzima Cooperove parove (tzv. superelektrone) s masom m* dvostruko veom od mase elektrona (2me) i elektrinim nabojem q* dvostruko veim od naboja elektrona (2e). Prosjena udaljenost izmeu elektrona koji ine par naziva se duljinom koherencije, . Duljina koherencije i energija vezanja u Cooperov par ovise o materijalu. Obino je duljina koherencije puno vea od unutaratomskih udaljenosti u kristalima. Stoga Cooperove parove ne valja zamiljati kao vrsto vezane elektronske molekule. U stvari, izmeu elektrona koji ine Cooperov par mogu se nalaziti mnogi drugi elektroni. To omoguuje da elektroni izmjenjuju svoje parnjake u vremenskom intervalu od h/2E, gdje je E energija vezanja u par.

Kritina temperatura je razliita za svaki materijal, a ovisi o vie imbenika. Pojava supravodljivosti moe se sprijeiti ako se elektronima da vea energija od energije vezanja u Cooperov par, npr. toplinom. Veza izmeu kritine temperature i energije vezanja izraava se s: 2E

Stoga se moe zakljuiti da se supravodi moe odrati samo uz odgovarajuu temperaturu, gustou struje i magnetsko polje. Kod supravodia vrlo je znaajna pojava uskog zabranjenog pojasa unutar vodljive vrpce metala. Prema BCS teoriji je to podruje iroko ~ 3,5 kTc pri 0 K i suava se s pribliavanjem kritinoj temperaturi, gdje iezava. Postojanje tog zabranjenog pojasa tumai se postojanjem Cooperovih parova. Cooperovi parovi u supravodiima nastaju zbog postojanja lokalnih deformacija u kristalnoj reetki. Lokalna deformacija kristalne reetke nastaje zbog gibanja elektrona (prilvana Coulombova sila izmeu pozitivnih i negativnih naboja). Deformacija je, u stvari, poveana koncentracija pozitivnih iona te rezultira privlanim meudjelovanjem na elektrone u okolini. Da se vezanje elektrona u supravodiu doista i zbiva posredstvom kristalne reetke, pokazuje izotropni uinak, jer je titranje kristalne reetke ovisno o masi jezgara.
kTC
3,5
2E je reda veliine meV. Drugi nain ponitavanja supravodljivosti je kinetika energija, zbog koje nastaje kritina gustoa struje. Trei od imbenika je magnetsko polje u kojem se nalazi materijal. Kritino magnetsko polje, Hc, je ono pri kojem se supravodljivost ponitava. Ovisnost kritinog polja o temperaturi izraava se relacijom:
T2 Hc = H0 1 T 2 c
gdje je H0 kritino polje pri temperaturi 0 K, a Tc kritina temperatura pri polju H = 0 A/m.
86
11.1.2013.

Elektron koji je izazvao deformaciju kristalne reetke djeluje posredstvom te iste reetke na elektrone koji se nalaze unutar tzv. duljine koherencije, , koja je za metale oko 10-4 cm. Iako se unutar duljine koherencije nalazi puno elektrona, do vezivanja u par moe doi samo s onim elektronima koji su s najveim vrijednostima FermiDiracove raspodjele. To znai da e se to moi ostvariti samo s elektronima oko Fermijeve razine. irina vrpce oko Fermijeve razine odreena je energijom koju prima ili daje elektron od kristalne reetke. Nia energijska stanja ve su popunjena i stoga zabranjena po Paulijevom naelu iskljuenja. Drugi uvjet koji se mora ispuniti da bi se sparila dva elektrona je da u toj supravodikoj interakciji mora biti ouvana ukupna koliina gibanja elektrona u interakciji. Kombinacija r r suprotno usmjerenih elektrona za koje je p1 = p 2 ima istaknutu ulogu, jer je najvei broj moguih parova iji zbroj koliina gibanja (p1 i p2) daje nulu. Cooperov par nije trajna veza izmeu dva elektrona. Sastoji se od niza kratkotrajnih meudjelovanja, iji je rezultat poveana vjerojatnost nalaenja elektrona sa suprotnim koliinama gibanja unutar razdaljine .

Toplinska vodljivost supravodia je slaba, jer postoje supravodljivi elektroni (Cooperovi parovi) koji se ne raspruju na kristalnoj reetki. To znai da se u supravodljivom stanju elektroni mogu gibati kroz kristalnu reetku bez izmjene energije s okolinom. To se ne odnosi na elektrone koji nisu u Cooperovom paru. Ako se uzme u obzir valna priroda elektrona, onda se moe rei da je Cooperov par stojni val. Kad se na supravodi narine elektrino polje, pokree se teite para (par je u mirovanju, jer je zbroj koliina gibanja jednak 0, dok se ne narine polje). Za razliku od elektrona, koji su fermioni, Cooperovi parovi su bozoni (spin im je jednak nuli) pa za njih ne vrijedi Paulijevo naelo iskljuenja. Stoga ih neogranieni broj moe biti u istom stanju koje opisuje jedna valna funkcija. Zato nastaju velike supravodike struje. Naime, veliki broj parova se giba u istom smjeru. Ako je poznata npr. faza vala na jednom mjestu, odreena je i faza vala u makroskopskoj udaljenoj toki supravodia. To se naziva koherencijom vala. S time se dobiva veza mikroskopskog i makroskopskog svijeta, a ta veza se oituje u pojavi kvantne interferencije, a najpoznatiji je Josephsonov uinak.
Neke karakteristike tipinih supravodia

Tip supravodia 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2* 2* 2* 2* 2* Materijal Al In Sn Pb Nb Pb-In Pb-Bi Nb-Ti Nb-N PbMo6S8 V3Ga V3Si Nb3Sn Nb3Ge LuNi2B2C Rb3C60 YBa2Cu3O7 Bi2Sr2Ca2Cu2O8 HgBaCaCu2O6 Kritina Duljina temperatura koherencije [K] [nm] 1,18 3,41 3,72 7,20 9,25 7,0 8,3 9,5 16 15 15 16 18 23 17 33 95 85 115 1600 360 230 90 40 30 20 4 5 2 2-3 3 3 3 6 3 3 4,5 2,5 Energijski procjep [meV] 0,18 0,54 0,59 1,35 1,5 1,2 1,7 1,5 2,4 2,4 2,3 2,3 3,4 3,7 ** ** ** ** ** Kritina magnetska indukcija 0HC [mT] 110,5 123 130,5 180 198 0,2 0,5 13 15 60 23 20 23 38 ** ** ** ** **

Iz svega gore navedenog moe se rei da supravodljivost predstavlja makroskopsku demonstraciju kvantnih zakonitosti. S tim se prvi put uspjelo dokazati da kvantna fizika ima veze sa svijetom svakodnevnih dimenzija u ljudskom ivotu. Supravodie se moe klasificirati na vie naina: prema fizikim svojstvima mogu biti tipa 1 ili 2, u ovisnosti o tome kakav im je fazni prijelaz, prema teoriji koja ih objanjava na konvencionalne (ako se mogu objasniti BCS teorijom) i nekonvencionalne (ako ih se BCS teorijom ne moe objasniti), prema kritinoj temperaturi mogu biti visokotemperaturni (hlaenje tekuim duikom) i niskotemperaturni (hlaenje tekuim helijem), prema materijalu mogu biti kemijski elementi (olovo, iva), legure (niobij-titanid, germanij-niobat), keramike (YBCO ili magnezij diborid) ili organski spojevi.
* tzv. visokotemperaturni supravodii ** podatak nije karakteristina veliina za ovu vrstu materijala
87
11.1.2013.

Supravodii tipa 1 su materijali s pravilnom strukturom. To omoguava elektronima sparivanje na velike udaljenosti s obzirom na veliinu atoma. Do sparivanja dolazi na vrlo niskim temperaturama, jer je energija sparivanja niska te joj tada ne smetaju vibracije unutar kristalne reetke (skoro da ih nema). Vibracije jaaju pri viim temperaturama i prekidaju veze meu elektronima. Ovaj tip supravodljivosti obino iskazuju isti metali, kao npr. aluminij, olovo ili iva. Supravodi tipa 2 karakterizira postupan prijelaz u supravodljivo stanje. Obino je rije o legurama ili keramikama, kao i svim visokotemperaturnim supravodiima.

Imena: barij-bakreni-itrijev-oksid (engl. barium copper yttrium oxide), itrij-barij-bakarit (engl. yttrium barium cuprate). Oznake: YBCO, Y123. Molekularna formula: YBa2Cu3O7. Izgled: crna kruta tvar. Tetragonalna geometrija. Zdravstvene indikacije: iritantan. Relativno isti YBCO moe se sintetizirati zagrijavajui smjesu metalnih karbonata na temperaturama izmeu 1000 i 1300 K reakcijom: 4BaCO3 + Y2(CO3)3 + 6 CuCO3 2 YBa2Cu3O{7-x} + 13 CO2 + (3+x)O2. Molarna masa: 666.19. Gustoa: 4.4 - 5.3 g/cm3. Talite: 600 C. Tetragonalna geometrija. Moderni procesi sinteze koriste odgovarajue okside i nitrate. Duljina koherencije u smjeru druge osi je 2 nm, a u smjeru tree 0,4 nm. Duljina je puno manja nego u klasinih supravodia, kao to je npr. niobij, kojemu je duljina koherencije 40 nm. Duljina koherencije znai da je supravodljivo stanje osjetljivije na lokalne poremeaje u strukturi koji nastaju u procesu sinteze. Ovaj materijal je stoga i osjetljiv na degradaciju zbog vlage.
Ginzburg-Landau teorija supravodljivosti

Osim BCS teorije, postoje i druge teorije supravodljivosti. Najuspjenija je Ginzburg-Landau teorija. Umjesto objanjavanja mikroskopskih mehanizama, bavi se makroskopskim svojstvima supravodia s pomou termodinamike. Stoga je to fenomenoloka teorija. Teorija tvrdi da se energija supravodia u prijelazu moe izraziti preko kompleksnog parametra , koji opisuje koliko je duboko sustav u supravodljivoj fazi:

+ +
j=
2
1 2 ( i h 2 e ) = 0 m
(3.4) (3.5)
2e Re{ * ( i h 2 e ) } m
E = En +
1 ( i h 2 e ) 2m
2 0
gdje je Wn energija normalne faze, i fenomenoloki parametri, m efektivna masa, vektor elektrinog potencijala, B magnetska indukcija. Minimizacijom ovog izraza dobijaju se GinzburgLandauove jednadbe:
gdje je j gustoa elektrine struje. Jednadba (3.4) pokazuje slinosti s vremenski neovisnom Schrdingerovom jednadbom. Jednadba (3.5) opisuje supravodljivu struju. Ako se uzme u obzir homogeni supravodi u kojem nema nikakvih vanjskih magnetskih polja jednadba (3.4) se pojednostavljuje na:
+ = 0
(3.6)
88
11.1.2013.

Trivijalno rjeenje je = 0. To odgovara stanju supravodia iznad kritine temperature. Ispod kritine temperature treba pronai netrivijalno rjeenje. Pod tim uvjetima (3.6) se moe pisati:
2

Ovakvo ponaanje je tipino za prijelaze faza drugog reda. Ginzburg-Landauove jednadbe daju mnoge interesantne i potvrene rezultate, kao npr. izraz za duljinu koherencije:
Kad je desna strana pozitivna i uz pretpostavku da vrijedi (T) = 0 (T Tc) za 0 / > 0, moe se zakljuiti: Za T > Tc, izraz (T) / je pozitivan, a desna strana jednadbe je negativna. Stoga je rjeenje samo = 0. Za T < Tc, desna strana jednadbe je pozitivna te se moe pisati:
h2 2m
0 (T TC )
Pojave u supravodiima: Meissnerov uinak

U supravodikom materijalu struje u potpunosti ponitavaju djelovanje vanjskog magnetskog polja. Kod vodia magnetsko polje e pokrenuti vrtlone struje, ali se one zbog otpora brzo gase. Nakon gaenja vrtlonih struja, magnetsko polje prodire u vodi. Kod supravodia jednom pokrenute vrtlone struje teku trajno pa magnetsko polje ne prodire u supravodi te u unutranjosti nema indukcije B = 0 [T]. Stoga je B = 0(H+M), gdje je magnetizacija M jednaka po iznosu vanjskom polju H, ali je suprotnog predznaka. Supravodii nekada iskazuju uinke koji nisu u suglasnosti s Lenzovim pravilom. Npr. ako je vodi ve u magnetskom polju te se hladi dok ne postane supravodljiv, nakon to je postao supravodljiv protivio bi se promjeni magnetskog polja i u njegovoj bi unutranjosti ostala nepromijenjena vrijednost magnetske indukcije. Meutim, to se ne dogaa. Supravodi istiskuje magnetsko polje. Stoga unutar supravodia nema magnetskog polja.

Ova pojava, koju su otkrili Meissner i Ochsenfeld 1933. godine, naziva se Meissnerov uinak. Taj uinak se moe ilustrirati tako da se stavi magnet iznad konkavnog supravodia. Magnet tada ostaje lebdjeti. Druga ilustracija se moe izvesti ako se poloi magnet na konkavni vodi prije nego je postao supravodi. Nakon to se ohladi i dovede u supravodljivo stanje, magnet se digne i lebdi. Meissnerov uinak teorijski je objasnio F. London uvodei u Maxwellove jednadbe tzv. Londonovu dubinu prodiranja, koja govori o priguenju magnetske indukcije na granici vodisupravodi. Londonova duljina prodiranja je:
L =
0 ns e 2
89
11.1.2013.

Stavi li se da ns odgovara priblino jednom supravodljivom elektronu po atomu, to je 41028 m-3, za elektron se dobiva L 10-8 m. Stoga se Maxwellove jednadbe za supravodi (3.4) i (3.5) mogu pisati kao:
Izotopni uinak
Uzorci od razliitih izotopa istog elementa imaju neto razliite kritine temperature. Ovisnost kritine temperature o izotopnoj masi naziva se izotopni uinak. Taj uinak pokazuje da titranje kristalne reetke ima ulogu u pojavi supravodljivosti. Iako ima izuzetaka, uglavnom se moe raunati da je kritina temperatura ovisna o masenom broju M:
r & j=
r rot j =
2 0 L
r E
r B
0 2 L
Tc
1 M
Josephsonov uinak
B. Josephson je 1962. teorijski predskazao to se dogaa pri kontaktu dva supravodia, za to je i dobio Nobelovu nagradu 1967. godine. Cooperovi parovi su bozoni te stoga svi mogu biti u istom kvantnom stanju, koji opisuje jedna valna funkcija. Kad bi valna fukncija opisivala samo jednu esticu ili malo njih, kvadrat amplitude valne funkcije ne bi se mogao dovesti u svezu s gustoom naboja. Ma koliko udno zvualo, ovako ispada da estica detektirana na bilo kojem mjestu nosi cijeli naboj pa ga drugdje vie ne moe biti. Stoga se i gustoa vjerojatnosti moe izravno, kod supravodljivosti, povezati s gustoom naboja: = N e** gdje je N gustoa estica, e* njihov efektivni naboj (naboj kod Cooperovih parova e* = 2e). Vana posljedica je da je faza valne funkcije fizikalno mjerljiva veliina. Ako se u jednadbu kontinuiteta za elektrinu struju i elektrini naboj uvrsti da je = A(r)ei, onda se iz: dobiva:
Josephsonov uinak
r j= t
r h j = m
Ovom relacijom je faza valne funkcije odreena veliinama koje su mjerljive i imaju neposredno fizikalno znaenje. Kada se dva supravodia spoje, valne funkcije supravodia na rubu se postupno gue te je mogue ostvariti zbrajanje valnih funkcija 1 i 2, koje mogu biti razliitih faza. Uspostavi li se razlika potencijala izmeu supravodia, dolazi do promjene gustoe naboja koja rezultira oscilacijama struje s frekvencijom:
=
gdje je U narinuti napon.
2eU 2 h
90
11.1.2013.
Josephsonov uinak
Brzina promjene gustoe naboja moe se izraziti preko gustoe elektrine struje na dodiru dva supravodia:
KOMPOZITI
Vrlo znaajan dio dananjih istraivanja je prouavanje i primjena novih materijala. Novi materijali su neophodni kako bi se udovoljilo zahtjevima trita. Razvijaju se legure i kompoziti, keramike i materijali dobiveni obradom praha te razni materijali kombiniranog sastava, kao i tzv. pametni i nanomaterijali. Umjetni spojevi dobiveni spajanjem dva ili vie materijala u jednu cjelinu nazivaju se kompozitnim ili sloenim materijalima. Spajanjem materijala s razliitim svojstvima dobiva se novi materijal koji ima svojstva kakva nemaju pojedinane komponente.
2eU j = j0 sin 0 + t h
gdje je j0 maksimalna gustoa elektrine struje. Pojava izmjenine struje na spoju supravodia pri njihovoj energijskoj razlici naziva se izmjeninim Josephsonovim uinkom. Ovaj uinak se koristi kod etalona (standarda) napona i frekvencije. Naime, oscilirajua struja proizvodi elektromagnetsko zraenje ija se frekvencija moe mjeriti. Izmjenina Josephsonova struja je:
I = I 0 sin ( 2 1 + 2 t ) = I 0 sin ( + 2 t )
Kod istosmjerne elektrine struje javlja se i istosmjerni Josephsonov uinak. Kroz Josphsnonov spoj tee struja tuneliranja. Ako je ona ispod iznosa kritine struje, otpor je jedank nuli. Ukoliko se dovede vanjsko magnetsko polje, kritina struja se smanjuje te se na spoju javlja elektrini otpor. Stoga se ovakav spoj ponaa kao jako brza sklopka.
KOMPOZITI
Kompozitni materijali se sastoje od osnove ili matrice kojoj se pridodaju najrazliitiji dodaci u obliku uvrivaa sa ciljem postizanja materijala posebnih svojstava. Temeljna je podjela na: - metalne, - polimerne i - keramike kompozite. Osnovnoj matrici se dodaju razni sastojci. Kompozitni materijali mogu biti kombinacije osnovnih sastojaka i dodataka: keramiko-polimerne, metalno-metalne, keramiko-keramike, metalno-keramike, polimerno-polimerne i metalno-polimerne, polimerno-metalne.
KOMPOZITI
Tijekom proizvodnje mijeaju se matrica i uvriva. Uvriva obino zauzima od 10 do 60% obujma kompozita. S obzirom na dodatke, kompozitni materijali mogu biti: - kompoziti sa esticama, - kompoziti sa vlaknima i - strukturni (slojeviti) kompoziti. Kao primjer kompozita sa esticama moe se navesti beton: smjesa cementa i ljunka.
Usporedba osnovnih vrsti kompozita: a) sa esticama, b) s vlaknima, c) slojeviti
91
11.1.2013.
KOMPOZITI
Prednosti kompozitnih materijala su: - visoka vrstoa, - visoka krutost, - mala masa i - relativno dobra postojanost prema raznim vanjskim utjecajima. Nedostaci kompozitnih materijala su: - anizotropnost, - visoki proizvodni trokovi i - problemi u spajanju i konstrukcijskom oblikovanju.
KOMPOZITI
Polimerni kompoziti su materijali koji se sastoje od polimerne matrice i punila i/ili ojaala (npr. staklena, ugljikova ili aramidna vlakna). Polimerne matrice mogu se napraviti na temelju duromernih smola, prvenstveno epoksidnih i nezasienih poliesterskih smola. S obzirom na prevladavajuu ulogu vlakana kao ojaala polimerni kompoziti se mogu podijeliti na: - polimerne kompozite ojaane staklenim vlaknima (kabine vozila, trupovi plovila, cijevi, spremnici te industrijski podovi), - polimerne kompozite ojaane ugljinim vlaknima (primjenjuju se za sportsku i rekreacijsku opremu, namotavana kuita raketnih motora, spremnike pod tlakom, konstrukcijske dijelove vojnih i komercijalnih letjelica),
KOMPOZITI
- polimerne kompozite ojaane aramidnim vlaknima (neprobojni prsluci, sportski artikli, gume, projektili, tlane posude, brtve te zamjena azbesta kod automobilskih konica i spojki), - polimerni kompoziti ojaani ostalim vlaknastim materijalima npr. borna vlakna, vlakna na osnovi silicijkarbida i aluminij-oksida. Osim vrste uvrivaa za svojstvo je bitna i njegova raspodjela te usmjerenost u matrici. Polimerni kompoziti ojaani vlaknima bora rabe se za izradu komponenti vojnih letjelica, krila helikopterskih rotora, teniskih reketa, tampanih ploa i dr.
KOMPOZITI
Metalni kompoziti izvedeni su kao kompoziti s metalnom matricom. Metalni kompoziti mogu se primjenjivati pri viim radnim temperaturama nego metali od kojih se sastoje. To svojstvo im daje prednost u uporabi pred polimernim kompozitima, meutim cijena im je znatno via od polimernih kompozitnih materijala. Najei su metalni kompoziti izvedeni od aluminijeve matrice zbog prednosti koje aluminij ima ispred drugih metalnih materijala (teina, toplinska svojstva, vodljivost, koeficijent toplinskog rastezanja, talite i dr.).
92
11.1.2013.
KOMPOZITI
MATERIJALI MATRICE Aluminij Magnezij Olovo Bakar Aluminij Magnezij Titan Aluminij Titan Aluminij Olovo Magnezij Aluminij Titan Superlegure od kobalta Superlegure Superlegure MATERIJALI VLAKNA Ugljik PODRUJA PRIMJENE Aero i astro nautika Astronautika Akumulatorske ploe Elektrini kontakti i klizni leaji Lopatice kompresora i potpore konstrukcija Antenske konstrukcije Lopatice mlaznih motora Lopatice mlaznih pogona Konstrukcije za visoke temperature Supervodii fuzijskih reaktora Akumulatorske ploe Dijelovi helikopterskih transmisija Konstrukcije za visoke temperature Dijelovi ureaja koji rade pri visokim temperaturama
KOMPOZITI
Superlegura je metalni materijal, legura, koja ima izvrsnu mehaniku vrstou na visokim temperaturama (za djelove koji moraju raditi na visokim temperaturama), dobru povrinsku stabilnost, otpornost na koroziju i oksidaciju. Obino su centrirane kubine kristalne strukture (BCC, body-centered cubic). Izrauju od nikla, kobalta ili nikaleljeza. Razvijene su zbog primjena u energetici (npr. za djelove turbine, vojnih elektrinih motora) i aero-industriji (npr. za djelove mlaznih motora). Kao uvrivai metalnih kompozita dodaju se silicijev karbid, aluminijev oksid, silicijev nitrid, bor, ugljik, volfram, tantal, molibden. Prednosti metalnih kompozita su i nezapaljivost, minimalna osjetljivost prema gorivima i otapalima. Nedostaci su relativno visoka gustoa i sloenost proizvodnje. Najnoviji trend metalnih kompozita su kompoziti s titanovom matricom zbog svoje specifine vrstoe i izvanredne otpornosti na koroziju.
Bor Bor-silicij Aluminij-oksid
Silicijev karbid Molidben Volfram
KOMPOZITI
Razvoj keramikih kompozita je u ranoj fazi istraivanja pa se njihova ira primjena tek oekuje. Koriste se za izradu mehaniki optereenih dijelova strojeva i ureaja pri vrlo visokim temperaturama. Keramika matrica ima razliita svojstva od polimernih i metalnih matrica. Zbog tih se osobina keramika matrica ojaava ojaalom u obliku kratkih vlakana silicijevog karbida. Ta vlakna daju keramikom kompozitu potrebnu ilavost. Bolje umreenosti imaju bolja mehanika svojstva jer se energija za stvaranje pukotina troi na lomljenje i izvlaenje vlakana iz matrice. Keramiki kompoziti su tei za izradu od drugih zbog potrebne visoke temperature i visokih tlakova, dok je prilagodba keramike matrice ojaalu mnogo tea nego kod ostalih matrica. Proizvode se postupcima vrueg preanja i sinteriranjem tekue faze.
KOMPOZITI
Uz poznate prirodne kompozite, poput drva, razvijaju se i umjetni. Poznati su asfalt, cement, beton. U izradi se manipulira znaajkama matrice. Napredni kompozitni materijali sainjavaju kategoriju kod koje su ugljina vlakna potpora, a epoksi ili poliamid materijali matrice. To su materijali za zranu industriju. Imaju puno veu vrstou i izdrljivost od one koja bi se oekivala iz njihove mase. Jedna komponenta je uvijek jako vlakno, kao kvarc, kevlar ili ugljino, to pojaava otpor na naprezanja. Takvi materijali se nazivaju plastikama s ugljinim vlaknima kao potporom (engl. Carbon-fiber Reinforced Plastic, CFRP) ili plastike sa staklenim vlaknima (engl. Glass-fiber Reinforced Plastic, GFRP, drugi naziv - fiberglass). Prema matrici mogu biti termoplasti i termoseti (engl Thermoset Composites, oni kojima se podesi oblik na temperaturi). Postoje i kompoziti s grafitnom matricom i ugljinim vlaknima kao ojaivaem (engl. Reinforced Carbon-Carbon), kompoziti s metalnom matricom (MMC) i dr. CFRP je vrst, lagan i vrlo skup kompozitni materijal.
93
11.1.2013.
METALNE PJENE
Metalne pjene predstavljaju novu vrstu metalnih materijala, jo uvijek relativno nepoznatih. Imaju visoku poroznost, od 40 do 90%, to uz oblik i veliinu elija te vrstu osnovnog materijala bitno odreuje njihova svojstva. Osnovna svojstva su im: - niska gustoa, - visoka krutost, - dobra izolacijska svojstva, - negorivost i - odlina apsorbcija energije udara. Budui da su metalne pjene novi materijal njihova uporaba jo nije poprimila vee razmjere. Negativna im je strana to imaju izrazito visoku cijenu.
PROGRAMABILNA MATERIJA
Programabilna materija moe reverzibilno mijenjati svojstva prema nekom zahtjevu. Do 2005. godine postojalo je nekoliko ovakvih materijala (npr. tekuih kristala). Koncept programabilne materije ukljuuje sposobnost materije da se promijeni, npr. klikom mia iz fluorescentne u reflektivnu ili nevidljivu, iz mekanu u tvrdu i sl.
PAMETNI MATERIJALI
Pametni materijali su materijali koji prepoznaju uvjete iz okoline i mijenjaju svoju mikrostrukturu i svojstva s obzirom na te uvjete. Mogu reagirati npr. na temperaturu, mehaniko naprezanje, kemijsko djelovanje, elektrino ili magnetsko polje, svjetlost i dr. Od prirodnih materijala kao primjer se moe navesti drvo koje pod utjecajem mehanikog optereenja ojaa ili se npr. regenerira ako doe do oteenja. Kao primjeri se mogu navesti i pametna stakla: proputaju odreeni dio suneva svijetla sukladno s godinjim dobom, reguliraju koliinu suneva svijetla i ultraljubiastih zraka, koje su patogene te tede energiju koja se troi na rasvjetu, transparentna toplinska izolacija (ima zadau zrake Sunca koje su pod bilo kojim kutom okomito usmjeravati na zid ili propustiti svjetlo okomito u prostor), aerogelovi,...
PAMETNI MATERIJALI
Slian fenomen je poznat kod polipropilena gdje na vrhu mikropukotine dolazi do plastinog preustroja molekula i zaustavljanja rasta pukotine. Suvremeni materijali za senzore mogu transformirati neku veliinu u drugu, lake mjerljivu. Neki od najstarijih su npr. termoelementi koji pretvaraju temperaturu u elektrini napon ili mjerne trake koje pretvaraju deformaciju u elektrini otpor. Aktuatori mogu izvesti pomake i izazvati (podnijeti) optereenje. Mogu se aktivirati promjenom magnetskog i elektrinog polja ili temperature. Istraivani su i umreeni polimeri kod kojih uinak pamenja oblika ostvaruje preko formiranja dvostruke mree molekularnih lanaca i inteligentnih struktura.
94
11.1.2013.
BIOMIMETIKI MATERIJALI
Biomimetiki materijali su materijali koji imitiraju bioloke sustave, kao to su virusi, stanice, organizmi, biomolekularni motori i sl. Razvoj ovih materijala bio je oekivan, jer priroda nudi mnogo rjeenja za razne probleme. Svrha je biomimetike i biomimetikog istraivanja izgradnja nanostrojeva iji je dizajn inspiriran prirodnim strojevima i strukturama. Budui da su prirodni sustavi jedini za koje se zna da traju i obavljaju svoje zadatke tijekom milijuna godina evolucije, cilj je bio iskoristiti i prenijeti ta saznanja u izgradnju sintetikih nanostruktura. Temeljno naelo konstruiranja esto je vrlo jednostavno, dok je funkcionalnost rjeenja odreena nainom na koji su posloeni konstrukcijski elementi i materijali.
BIOMIMETIKI MATERIJALI
Primjer biomimetikog rjeenja je samoljepljiva vrpca za odjeu, tzv. iak, oblikovana prema obliku kukica u svijetu pravog ika ili materijal za izradu kupaih kostima izgraen prema svojstvima koe morskog psa. Na osnovi prouavanja i oponaanja sastava i strukture biolokih sustava razvijaju se razni procesi umjetne sinteze oksida, sulfida i drugih spojeva u raznim vodenim ili polimernim otopinama s ciljem dobivanja umjetnih kostiju, koe, tkiva, razgradljivih vlakana za ivanje rana, razliitih kompozita, membrana za dijalizu, funkcionalnih materijala, itd.
TERMOGRAFIJA U PREVENCIJI I DIJAGNOSTICI DEGRADACIJE MATERIJALA

Termografija je analiza materijala i/ili opreme ili ureaja s pomou infracrvene kamera. Ta kamera otkriva i snima valne duljine elektromagnetskog zraenja infracrvenih valnih duljine. Termografija se primjenjuje kod nadzora i prevencije ispravnosti elektromehanike opreme (motori, pumpe, leajevi i koloture), procesne instrumentacije (procesna kontrolna oprema, cijevi, ventili, odjeljivai vode kod parovoda, tlane posude), odravanja pogona (HVAC sustavi, zgrade i krovovi), elektrini distribucijski sustavi (trofazni sustavi, razvodne ploe, osigurai, oienje i spojevi), otkrivanju poara, zgradarstvu, razvoju novih proizvoda, kod procjene stanja objekata kulturne batine, medicini, razliitim postupcima kontrole bez razaranja, problemima prijelaza topline, detekciji mina i ocjeni kvalitete toplinske izolacije. S pomou termografije moe se ustanoviti zamor elektrinih kontakata, mogua mjesta otkaza opreme, mjesta s jakim mehanikim ili elektrinim optereenjima, curenje plinova, prolaz vlage kroz zidove i sl. Infracrvene kamere danas su tako sloene da se s njima moe precizno mjeriti temperature i njena raspodjela na povrini tijela te vriti analiza dobivenih termograma. Proizvode iz razliiti proizvoai, a postoji iroka razina mogunosti koja ovisi o cijeni. Tako se neke povezuju s raunalom uivo (engl. on-line) preko USB kabela, neke imaju svoju memoriju s ogranienim brojem snimaka, neke mogu sluiti za nadzor nou, itd. Uobiajeno su termografske kamere profesionale, skuplje i nisu predviene za nadzorne primjene, nego dijagnostiku i preventive. S druge strane, postoje infracrvene kamere iji infracrveni senzori slue samo za poboljanje nonog vida, bilo za primjenu u oruanoj tehnici ili nazdornim (sigurnosnim) sustavima. Takve kamere mogu biti malene te se mogu sakriti, mogu biti tzv. web kamere i sl. Niske su cijene, povezuju se uivo s raunalom i mogu neprekidno raditi u dugim vremenskim periodima. Meutim, ograniene su u valnom podruju koje promatraju. Neke kamere imaju ugraene infracrvene reflektore kako bi mogle pouzdanije raditi.
95
11.1.2013.

Tipina termovizijska kamera s mogunou povezivanja s raunalom obino je integrirana s digitalnom video kamerom, ima PC karticu, vanjski prijenosni monitor i obnovljive baterije. Danas u Hrvatskoj postoji svega nekoliko termografskih sustava u razliitim primjenama, dakle i mali broj rukovatelja IC termografskom opremom. Vrua mjesta kod elektromotora i pumpe mogu biti rani pokazatelji problema na namotima motora. Poviena temperatura moe otetiti izolaciju, to rezultira u neuinkovitost u radu i preuranjenom otkazivanju motora. Pregrijavanje motora moe biti pokazatelj premale snage motora, nedovoljnog hlaenja ili problema s naponom. Temperaturne razlike izmeu faza kod sabirnica i razvodnih ormara mogu ukazati na nesimetrine terete, vie harmonike, probleme s komponentama, loe oienje ili loe spojeve. Ovakva stanja mogu uzrokovati poveani utroak energije te mogu otetiti kabele ili strojeve pa ak i uzrokovati poar. ak i male temperaturne razlike izmeu faza bi trebalo istraiti kako bi se otkrili uzroci. Poviena temperatura kuglinih leajeva rotacijskih strojeva ukazuje na degradiranu kvalitetu sredstva za podmazivanje ili loe nalijeganje izmeu motora i osovine. Ovi problemi mogu uzrokovati kvar leajeva, ili pregrijavanje motora ili pumpe. Iz svega navedenog, termografska dijagnostika degradacije svojstava materijala sve je popularniji postupak u praksi.
KOROZIJA
Korozijski procesi se mogu podijeliti prema mehanizmu procesa korozije i s obzirom na pojavni oblik korozije. Korozija se javlja kod metalnih i nemetalnih konstrukcijskih materijala, pa se koristi i podjela na koroziju metala i koroziju nemetala. Prva podjela je na imbenike koji je uvjetuju: kemijski imbenici, fizikalni imbenici, bioloki imbenici i elektrini imbenici.
Kemijski imbenici korozije

U skupinu kemijskih imbenika spadaju: otopljeni plinovi (O2, SO2, H2S, CO2), ravnotea karbonata, sadraj soli, topljivosti karbonata i pH vrijednosti. Atmosfera se sastoji od zraka koji je jednolika smjesa plinova oko 20% kisika i 80% duika uz dodatne komponente u vrlo malim postotcima. Upravo prema tim dodatnim komponentama vrimo podjelu atmosfere na: ruralnu, morsku, urbanu i industrijsku. Manjinske komponente atmosfere odgovorne su za razliito korozijsko ponaanje materijala u razliitim sredinama.
Kemijski imbenici korozije

Atmosferska korozija jako ovisi o sadraju vlage. Vlaga se moe iskazati preko relativne vlanosti (RH), koja je posebno vaan imbenik kod korozije u atmosferi. Iskustvo pokazuje da se kod RH 60% npr. u nekim interijerima, korozijski proces odvija zanemarivom brzinom, tj. moemo rei da nema korozije. Vlanost atmosfere nekog podruja izraava se preko veliine T.O.W (engl. time of wetness). To je vrijeme tokom godine u kojem je relativna vlanost vea od 85%. Koliina vlage u atmosferi ovisi o vrsti klime koja prevladava pa je tako na podrujima gdje prevladava ekstremno hladna i ekstremno topla i suha klima T.O.W i najnii. Dok je na podrujima sa umjereno toplom, umjereno hladnom te toplom i vlanom klimom T.O.W i najvii. Na brzinu korozije utjee i lokacija, tj. da li je konstrukcija na otvorenom ili zatvorenom prostoru. U zatvorenim prostorima je u pravilu utjecaj atmosfere bitno smanjen, no ako je rije o slabo ventiliranim prostorima sa visokom vlanou i kondenzacijom do korozije e vjerojatno doi.
96
11.1.2013.
Fizikalni imbenici
U skupinu fizikalnih imbenika spadaju: brzina strujanja, zrani mjehurii, temperatura i tlak.
Bioloki imbenici
U skupinu biolokih imbenika spadaju: obrastanje, potronja kisika, potronja ugljinog dioksida i njihovo oslobaanje.
Porastom temperature ubrzava se i korozijski proces. U otvorenom sustavu, ako je prevladavajua katodna reakcija redukcija kisika, topivost kisika se smanjuje porastom temperature i uzrokuje smanjenje korozije. U zatvorenom sustavu korozija se i dalje intenzivira jer kisik ostaje otopljen u elektrolitu.
Podjela korozijskih procesa

Korozijski procesi mogu se svrstati prema: mehanizmu procesa, razdiobi na povrini materijala, vremenskom tijeku, materijalu koji korodira i korozivnom mediju. Najvanija je podjela prema mehanizmu procesa: - kemijska (neelektrokemijska) korozija metala koja se odvija u elektriki nevodljivim fluidima (neelektrolitima), - elektrokemijska korozija metala koja se odvija u elektriki vodljivim kapljevinama (elektrolitima) i - korozija nemetala u fluidima.

Osim ovih, posebnim se vrstama korozije smatraju procesi koji se odvijaju uz istodobno ili uzastopno djelovanje nekemijskih utjecaja: - napetosna korozija (tenzokorozija) uz statiko vanjsko ili unutarnje (zaostalo) vlano naprezanje, s posljedicom pojave pukotina i loma, - korozijski umor koji se javlja uz dinamiko optereenje kod kojeg se naprezanje uestalo mijenja po veliini ili ak po predznaku, s posljedicom pojave pukotina i loma, - erozijska korozija i udarni napad u brzim strujama kapljevina, a osobito u suspenzijama tvrdih estica, - kavitacijska korozija u turbulentnim strujama kapljevina, - tarna korozija u uvjetima habanja dosjednih ploha koje vibriraju, - bioloka korozija (biokorozija) potaknuta djelovanjem ivih bia, posebice mikroba (mikrobna korozija) i - korozija uslijed lutajuih struja kojoj je uzrok elektrino polje narinuto iz vanjskog izvora struje na metal u elektrolitu (npr. u moru i tlu).
97
11.1.2013.

Prema razdiobi na povrini materijala, razlikujemo slijedee oblike korozije: - opa, koja zahvaa itavu izloenu povrinu materijala, a moe biti ravnomjerna ili neravnomjerna, - lokalna (mjestimina), koja zahvaa dio povrine materijala, a koja moe biti pjegasta (koljkasta), tj. ograniena na pojedine dijelove kojima je povrina relativno velika u odnosu na dubinu, - jamiasta (rupiasta, tokasta, odnosno pitting (engl. pit, jama)), koja je usko lokalizirana na priblino krunim aritima na povrini, pri emu je dubina oteenja relativno velika, - interkristalna (intergranularna), koja napreduje uzdu granica zrna (kristalita), a na povrini je esto nevidljiva i - selektivna korozija, koja razliitom brzinom napada pojedine komponente, odnosno faze, viekomponentnih ili viefaznih materijala, a moe biti opa ili lokalna.

Pjegasta, a pogotovo tokasta korozija, mnogo su opasnije od ope korozije, jer se mnogo tee prate njihovi procesi pa su mogue havarije, osobito u mehaniki optereenim konstrukcijama. Interkristalna korozija iri se uzdu granica metalnog zrna u dubinu. Ova vrsta korozije moe dugo ostati nezamijeena, to je ini najopasnijom, najvie zbog naglog smanjenja vrstoe elemenata. Posljedica interkristalne korozije je lom ili ak raspad metala u zrna. U praksi se esto javljaju kombinacije vie oblika korozija, pa npr. tokasta korozija moe biti prekrivena opom. Po vremenskom tijeku procesa razlikuju se linearna, usporena, ubrzana, mijeana i diskontinuirana korozija.
Kemijska korozija
Kemijska korozija metala zbiva se u neelektrolitima, tj. u medijima koji ne provode elektrinu struju, pri emu nastaju spojevi metala s nemetalnim elementima (najee oksidi i sulfidi). Najvaniji neelektroliti koji u praksi izazivaju kemijsku koroziju metala svakako su vrui plinovi i organske tekuine. Kemijska korozija metala sastoji se u reakciji atoma metala iz kristalne reetke s molekulama nekog elementa ili spoja iz okoline, pri emu izravno nastaju molekule spoja koji je korozijski produkt. Brzina i tok kemijske korozije ovise o: - metalu koji korodira (sastav, tekstura, struktura) - agresivnoj okolini koja ga okruuje (sastav i koncentracija okoline) - korozijskim produktima (fizikalna i kemijska svojstva produkta korozije) - fizikalnim uvjetima (temperatura, hrapavost povrine, naprezanje i napetost povrine) - brzini gibanja okoline.
Kemijska korozija
Glatke metalne povrine manje korodiraju od hrapavih jer je njihova stvarna veliina mnogo vea od geometrijske, pa je tako korozija kao povrinska reakcija ubrzana. Oneienja na povrini metala (npr. aa) takoer onemoguuju nastajanje kvalitetnog zatitnog sloja. Tako legirajue komponente, koje lako oksidiraju, znatno smanjuju brzinu korozije u oksidacijskoj sredini. Naprezanja i napetosti u metalu ubrzavaju kemijsku koroziju u poetnoj fazi zbog vie energijske razine povrine i zbog nepovoljnog utjecaja tih pojava na kvaletu Kemijska korozija se prema djelovanju okoline moe podijeliti: - kemijska korozija metala, - kemijska korozija u vruim plinovima i - kemijska korozija u organskim tekuinama bez vode. Kemijska korozija u vruim plinovima nastaje u vruem zraku i u plinovima pri vruoj obradi metala. Uvjet da su ti plinovi suhi tj. da zbog visoke temperature ne mogu nastati ni tekua voda ni vodena otopina. U protivnom se javlja elektrolitska korozija (zavarivanjem, lijevanjem, kovanjem, provlaenjem, istiskivanjem, valjanjem, kaljenjem, arenjem) u metalurkim i toplinskim pogonima, u industrijskim loitima i peima, u motorima sa unutarnjim izgaranjem.
98
11.1.2013.
Kemijska korozija
Kemijska korozija u organskim tekuinama bez vode uzrokuje nastanak spojeva metala s nemetalnim elementima(najee sulfidi i oksidi). Takoer moe nastati u nevidljivim otopinama u kojima su neki oksidi ili tvari koje mogu atomima metala oduzimati elektrone i prevoditi ga u ionsko stanje, npr. sumpor mijenja valentni elektron oduzimajui metalu elektron. Organski spojevi veu sumpor na sebe stvarajui metalnoorganske spojeve. Ti su spojevi veinom topivi, a i ako su netopivi stvaraju rahli korozijski proizvod tako da je korozijski proces prisutan. U nekim vrstama nafte ima mnogo sumpora koji tako napada sve obojene metale i njihove legure s kojima dolazi u dodir. Najvanije bezvodne tekuine su: - nafta i njezini derivati (tekua goriva i maziva), - otapala za odmaivanje (npr. klorirani ugljikovodici), - otapala za razrjeivanje lakova i boja (smjese ugljikovodika, alkohola, ketona, estera) i - otopina neioniziranih tvari u takvim tekuinama.
Kemijska korozija
Kemijska korozija uvijek napada povrinu metala koji mijenja boju. Zbog meusobnog djelovanja s tvarima iz okolia na povrinama metala nastaju korozijski produkti. To su najee oksidi. Oksidacija opisuje gubitak elektrona kod molekula atoma i iona. Spojevi nastalog oksida bitno odreuju tok korozijskog procesa. Na goloj povrini metala (nema zatitnog sloja korozijskih produkata) brzina nastajanja prvog sloja korozijskog produkta jednaka je brzini kemijske reakcije korozije.
Wagnerova teorija kemijske korozije

Mehanizam kemijske korozije metala ima, prema Wagneru elekrtrokemijski karakter ako se taj proces odvija difuzijom iona metala, iona reaktanata iz okoline i elektrona tj. upljina kroz sloj korozijskih produkata poluvodikih svojstava.Povrina metala djeluje kao anoda po kojoj se kree oksidacija, a cijela povrina produkta korozije kao katoda na kokoj se depolarizira reaktant iz okoline. Tako nastaje posebni korozijski lanak u kojem je produkt korozije istodobno metalni i elektrolitiki vodi.
Elektrokemijska korozija
Elektrokemijska korozija metala zbiva se u elektrolitima, tj. u medijima s ionskom vodljivou. To je redoks proces pri kojemu dolazi do oksidacije atoma metala kao reducensa (donora elektrona) u slobodni kation uz istodobnu redukciju nekog oksidansa, tzv. depolarizatora. Elektrokemijska korozija se odvija u prirodnoj i tehnikoj vodi, u vodenim otopinama kiselina, luina, soli i drugih tvari, u vlanom tlu, u sokovima biolokog porijekla, u talinama soli, oksida i hidroksida te u atmosferi. Atmosferska se korozija zbiva uz oborine, odnosno u vodenom adsorbatu ili kondenzatu koji zbog vlanosti zraka nastaju na povrini metala i imaju karakter elektrolita. Elektrokemijska je korozija vrlo rairena jer je velik broj metalnih konstrukcija i postrojenja izloen vodi ili otopinama, vlanom tlu ili vlanoj atmosferi. Procesi koji prate elektrokemijsku koroziju su: anodni proces i katodni proces.
99
11.1.2013.
Podruje gubitka elektrona (oksidacije) naziva se anoda, a podruje dobitka elektrona (redukcije) naziva se katoda. Anodni proces (oksidacija ili ionizacija metala) je proces pri kojem element otputa elektrone i postaje pozitivno nabijeni ion - kation. Kod anodnog procesa jednostavno se stvaraju metalni kationi, katodnih procesa ima vie. Katodni proces (redukcija) je proces pri kojem element prima otputene elektrone iz anodne reakcije i postajte negativno nabijen ion: anion ili neutralan element (vodikova ili kisikova depolarizacija).
Elektrokemijski sustav sastavljen je od tri dijela. Dva dijela: katoda i anoda, predstavljaju vodie elektriciteta u kojima voenje ima metalni ili poluvodiki karakter tj. elektrina struja predstavlja tok slobodnih elektrona ili upljina (slika s prethodnog slide-a) Ova dva vodia-elektrode odvojene su vodiem R, u kojem se elektricitet prenosi vezivanjem za vee materijalne estice-ione, tj. voenje ima tzv. ionski karakter. Takav sklop zove se elektrokemijski lanak. Ionski karakter voenja nalazi se u otopinama ili otopinama elektrolita, kao to je npr. vodena otopina AgNO3 u kojoj se ioni spontano stvaraju procesom disocijacije. Iako podrazumijevamo da su to kompleksne estice ionskog karaktera hidratizirani srebrni i nitratni ioni. Ako se u ovakvim sustavima elektrode spoje jednim vanjskim elektrinim krugom s izvorom elektrine struje, koji je u stanju s jedne elektrode odvlaiti elektrone i potiskivati ih u drugu elektrodu, u sustavu e se odigravati proces elektrolize. Na elektrodi na kojoj je dolo do nestaice elektrona (pozitivnoj elektrodi) odigravati e se proces oksidacije. Ako su u elektrolit uronjene elektrode od srebra, tako da se dobije sustav Ag/AgNO3, H2O/Ag, atom srebra otputajui elektron, prelaziti e u srebrni ion.
Elektroda na kojoj se odvija oksidacija materije zove se anoda, a ona na kojoj se odvija redukcija je katoda. Dio elektrolita oko katode naziva se katolit, a dio elektrolita oko anode naziva se anolit. Shvaanje anodnog procesa kao procesa oksidacije, a katodnog procesa kao procesa redukcije, odgovara kemijskim definicijama oksidacije i redukcije kao procesa u kojima se smanjuje, odnosno poveava broj elektrona u molekuli. Bitna razlika izmeu kemijskih i elektrokemijskih procesa nalazi se u injenici da se kod kemijskih, elektroni izmjenjuju izmeu dvije estice u istoj fazi, pri emu se jedna oksidira, a druga reducira, dok se kod elektrokemijskih procesa elektroni doziraju iz druge faze, u kojoj se nalaze u relativno slobodnom stanju.
Geometrijska klasifikacija korozije

Vrste korozije prema korozije geometrijskom obliku korozijskog razaranja mogu biti: 1. Opa korozija 2. Lokalna korozija a. pjegasta korozija, b. rupiasta korozija (pitting), c. povrinska korozija, d. kontaktna korozija: galvanska korozija i korozija u procjepu. 3. Selektivna korozija 4. Interkristalna korozija
100
11.1.2013.
Opa korozija
Opa korozija zahvaa itavu povrinu materijala, a moe biti ravnomjerna ili neravnomjerna. Ravnomjerna opa korozija tehniki je najmanje opasna jer se proces moe lako pratiti i predvidjeti kada treba odreeni dio popraviti ili ga zamijeniti s novim. Neravnomjerna opa korozija je puno opasnija. Do ope korozije dolazi kada je itava povrina materijala izloena agresivnoj sredini pod priblino jednakim uvjetima s obzirom na unutranje i vanjske faktore korozije. Pri odabiru materijala otpornih na opu koroziju, treba uzeti u obzir okolinu u kojoj e se pojedini metal nalaziti te njegovu podlonost opoj koroziji u predvienim uvjetima.
Lokalna korozija
Lokalna korozija napada samo neke dijelove izloene povrine, te je ujedno i najraireniji pojavni oblik korozije. Lokalna korozija se moe podijeliti na: pjegastu, rupiastu, potpovrinsku i kontaktnu.
Pjegasta korozija
Pjegasta korozija je najrairenija vrsta lokalne korozije i napada samo neke dijelove izloene povrine materijala. Pjegasta korozija ograniena je na pojedine vee dijelove povrine.
Rupiasta korozija
Rupiasta korozija je usko lokalizirani oblik korozije koji se dogaa kada medij koji uzrokuje koroziju napada materijal i uzrokuje nastajanje malih rupa. To se obino dogaa na mjestima gdje je zatitna prevlaka probijena uslijed mehanikog oteenja ili kemijske degradacije. Rupiasta korozija je jedan od najopasnijih oblika korozije jer ju je vrlo teko predvidjeti i sprijeiti, te relativno teko otkriti, dogaa se vrlo brzo te prodire u metal bez da uzrokuje vidljivi gubitak mase. esto moe doi do iznenadnih havarija mada je gubitak materijala neznatan. To se obino dogaa na konstrukcijama koje su mehaniki optereene. Rupiastu koroziju je teko mjeriti i predvidjeti jer se pojavljuje u obliku mnogih rupica s razliitim dubinama i promjerima, koje se ne pojavljuju pod odreenim specifinim uvjetima. Nehrajui elici su najpodloniji rupiastoj koroziji meu metalima i legurama. Rupice se na nehrajuem eliku pojavljuju u morskoj vodi, te u okoliu koji sadri visoke koncentracije otopina klora i broma.
101
11.1.2013.
Potpovrinska korozija
Potpovrinska korozija se pojavljuje kada se arita rupiaste korozije ire u dubini materijala te ga raslojavaju. Najrairenija je u valjanim metalima u dodiru s morskom vodom i s kiselinama. Na povrini materijala pri tome esto nastaju mjehuri jer se u njegovoj unutranjosti gomilaju vrsti korozijski produkti kojima je volumen vei od volumena unitenoga materijala.
Kontaktna korozija
Kontaktnu koroziju dijelimo na: galvansku koroziju koja se javlja pri dodiru dva razliita metala; pukotinska kontaktna korozija nastaje dodirom dva ista metala ili metala i nemetala. Galvanska korozija se javlja kada su dva metala sa razliitim elektrinim potencijalima elektrino povezani, bilo fizikim kontaktom ili kroz medij koji provodi elektricitet. Sustav koji zadovoljava navedene uvjete formirat e elektrokemijsku eliju koja e provoditi elektricitet. Inducirana elektrina energija tada odvlai elektrone od jednog metala, koji se ponaa kao anoda i korodira brzinom veom od one kojom bi korodirao da nije spojen u galvanski lanak, a drugi postaje preteno (ili u cijelosti) katoda i korodira manjom brzinom nego da nije spojen u galvanski lanak. Galvanska korozija je najvea u blizini povrine gdje su dva metala u kontaktu.
Kontaktna korozija
Kontaktna korozija
Desno: : Primjeri galvanske korozije
Ako je polarizacija dovoljno velika, onda se praktino, sve oksidacijske reakcije i sva korozija odvijaju na jednom lanu u spoju, a sve redukcijske reakcije na drugom lanu. Manje aktivan metal slui kao katodna zona na kojoj je katodna reakcija pranjenje vodika ili redukcija kisika. U ovom sluaju manje aktivan metal ne sudjeluje u reakciji oksidacije. Brzina napada aktivnog metala zavisi od sposobnosti manje aktivnog metala da djeluje kao dobra katoda dozvoljava razvijanje reakcije.
Korozija u procjepu je srodna rupiastoj koroziji, samo to umjesto rupica ima procjepe. Izmeu dva konstrukcijska elementa (procjepa) nastaje razlika u koncentraciji elektrolita (najee kisika u elektrolitu).
102
11.1.2013.
Kontaktna korozija
Primjer korozije u procjepu:
Napetosna korozija
Napetosna korozija je korozijski mehanizam u kojem kombinacija sumnjivog materijala, prisutnih vlanih naprezanja i znaajke medija dovode do pojave pukotina na materijalu tj. kada je dio istovremeno izloen djelovanju agresivnog medija i vlanog naprezanja. Napetosna korozija je vrlo sloena pojava podlona utjecajima brojnih imbenika, a napreduje transkristalno ili interkristalno. Ovaj tip korozije nastupit ce najee na hladno deformiranim lokalitetima, jer tamo zaostaju naprezanja, ili u okolini zavarenih spojeva gdje su vea zaostala naprezanja i strukturne promjene. Ovaj tip korozije se javlja ako su ispunjena sljedea tri uvjeta: - prisutnost vlane napetosti uzrokovane zaostalim ili radnim naprezanjima, - prisutnost klorida ili kisika u mediju, - minimalna temperatura od 60 C ispod koje se openito ne pojavljuje napetosna korozija (osim u izrazito kiseloj otopini).
Napetosna korozija
Napetosna korozija problematina je za predvianje jer prije pojave pukotina na konstrukciji nema nikakvih naznaka po kojima bi mogli naslutiti njeno iniciranje, pa su otkazi koji nastaju zbog ove vrste korozije neoekivani i nerijetko uzrokuju visoke trokove.
Interkristalna korozija
Interkristalna korozija razara materijal na granicama zrna irei se na taj nain u dubinu. Ta vrsta korozije uglavnom se pojavljuje na legurama i nehrajuim elicima. Interkristalna korozija je najopasniji oblik korozije jer moe dugo ostati neprimijeena, a naglo smanjuje vrstou i ilavost materijala. Konana je posljedica interkristalne korozije lom ili ak raspad materijala u zrna. Najee zahvaa nehrajue elike, legure na bazi nikla i aluminija.
103
11.1.2013.
Selektivna korozija
Selektivna korozija je rijedak oblik korozije pri kojoj je napadnut jedan element metalne legure, te nastaje promijenjena struktura. Najei oblik selektivne korozije je decinkacija, kada je cink izvuen iz mjedenih legura ili bilo koje druge legure koja sadri znaajan sadraj cinka. Komponentna selektivna korozija obino se pojavljuje na jednofaznim, viekomponentnim legurama. Moe biti opa i lokalna, a ea je u elektrolitima nego u neelektrolitima. Neke komponente legure su elektrokemijski aktivnije i anodno se otapaju u galvanskom kontaktu s plemenitijim komponentama. Na primjer, kod mesinga (mjedi) dolazi do tzv. decinkacije. Mesing (mjed) je legura bakra i cinka. Kako je cink anodan prema bakru u morskoj vodi, on korodira ostavljajui upljikavu masu bakra nalik spuvi. Mogue je da prilikom decinkacije dolazi do rastvaranja Zn, ili istovremenog rastvaranja Cu i Zn, uz naknadno taloenje Cu.
Selektivna korozija
Kod mesinga sa veim sadrajem Zn decinkacija je izraenija, a posebno kod dvofaznih legura. Prisutstvo kloridnih iona i poveanje temperature jo vie ubrzava decinkaciju. Kod tako novonastalih struktura nije dolo do znaajne promjene dimenzija ali je legura oslabljena, porozna i krhka. Selektivna korozija je opasan oblik korozije jer pretvara vrst i duktilan metal u slab i krhak te podloan lomu. Kako nema velikih promjena u dimenzijama, selektivna korozija moe proi neopaeno te izazvati iznenadnu havariju.
Ekonomski pogled na koroziju

Korozija tetno utjee na sirovine, proizvode ili poluproizvode. tete na opremi koje izaziva korozija mogu se svrstati u dvije glavne skupine: izravne i neizravne tete. Izravni trokovi se vide u pogledu ranije zamijene korodiranih dijelova ili zastoja zbog provedbe antikorozivne zatite. Neizravni trokovi su trokovi koji se mogu vidjeti u pogledu smanjenih kapaciteta ili smanjenom kvalitetom proizvoda pa tako i manjom profitabilnou opreme koja je oteena korozijom. Ako pogledamo zadnjih nekoliko godina moemo primijetiti da se cijene konstrukcijskih materijala, pogotovo onih postojanih (Pb, Cu, Zn, Sn) kreu prema gore zbog sve vee cijene energenata koji su potrebni za preradu sirovina , ali i zbog sve manjih zaliha sirovina za proizvodnju. Istodobno se poveava potranja za konstrukcijskim materijalima. Zbog svega toga zatita od korozije postaje vrlo vana zbog produljenja eksploatacije opreme i zatite materijala, koji postaju skupi, od propadanja.

Brojnim studijama je dokazano da se s jednim dolarom uloenim u antikorozivnu zatitu dobije od tri do est dolara u pogledu dulje trajnosti i vee pouzdanosti opreme. Procjene gubitka uzrokovanih utjecajem korozije pokazuju da se u industrijskim zemljama trokovi kreu u rasponu od 3 do 5 posto bruto domaeg proizvoda godinje. Rezultati studije koju je napravila Federalna uprava za autoceste u Sjedinjenim Amerikim Dravama 1998. godine pokazala je da su godinji trokovi nastali zbog utjecaja korozije na federalnoj razini otprilike 276 milijardi dolara ili 3,1% BDP-a. Kada govorimo o trokovima zbog korozije podrazumijevamo zamjenu oteene opreme, nanoenje prevlaka i provedbu drugih zatitnih mjera, te za primjenu antikorozivnih legura umjesto ugljinog elika. Veina provedenih studija dijeli ukupne trokove zbog korozije na dva dijela: trokovi koji su se mogli izbjei da su se bolje provodile mjere kontrole trokovi ije sniavanje zahtjeva uvoenje nove i naprednije tehnologije.
104
11.1.2013.

Predloene smjernice i naini za smanjenje trokova zbog korozije sastavni su dio izvjea veine ovih istraivanja. Meu njima se izdvajaju kao najvanije ove preporuke: - bolje irenje i razmjena postojeih informacija kroz razne treninge i edukacije, tehniki nadzor, te istraivanje i unaprjeivanje metoda u ovoj problematici. - koristiti se ekonominijim dostupnim sredstvima za sprjeavanje korozije. Svrha procjena nije da bi se dobilo znanje o potrebnim sredstvima koja se moraju rezervirati za obnovu opreme i primjenu antikorozivnih metoda, ve da bi se pokazalo koliki je utjecaj korozije na BDP, te tako pokazalo da se s pravilnim koritenjem antikorozivnih metoda moe utedjeti znaajna sredstva. Zanimljiv je i podatak da se trokovi zbog utjecaja korozije ne mogu potpuno smanjiti, ali se pravilnom upotrebom antikorozivnih mjera moe postii uteda od 30%. Ako taj podatak iznesemo u egzaktnim podacima dobivamo da su Sjedinjene Amerike Drave mogle utedjeti 82,5 milijardi dolara u jednoj godini.
Zatita od korozije
Strojarske konstrukcije od procesa korozije se mogu zatititi razliitim metodama od kojih su najee: - elektrokemijske - zatita od korozije obradom korozivne sredine - oblikovanjem i konstrukcijskim mjerama - zatita odabirom korozijski postojanih materijala - zatita prevlakama
Elektrokemijske metode zatite

Elektrokemijska korozija je vrlo rairena jer je veliki broj metalnih predmeta i strojeva u direktnom dodiru s vodom i vodenim otopinama ili vlanim zrakom. Elektrokemijske metode zatite se kao takve upotrebljavaju kao antikorozivna zatita elinih konstrukcija prvenstveno u konstrukcijama koje su ukopane i uronjene. Procesi koji prate elektrokemijsku koroziju ovisno o nainu polarizacije mogu biti katodni i anodni. Anodna dovodi do oksidacije metala, a katodna dovodi do redukcije.
Katodna zatita
Katodna zatita je jedna od najznaajnijih metoda zatite od korozije u elektrolitima. Pomakom elektrokemijskog potencijala metala u negativnom smjeru usporava se korozija. Katodna zatita primjenjuje se za zatitu mnogih kako pokretnih tako i nepokretnih brodova. Osim upotrebe rtvovanih anoda poput cinka i magnezija koriste se i nertvovane anode poput platine i njene legure. Ovisno o tome da li je objekt u pokretu, kada se koristi metoda s vanjskim izvorom struje, ili je objekt stacioniran, kada se koristi metoda s rtvovanom anodom (protektorom). Katodna zatita se koristi u brodogradnji, kod zatite cjevovoda i tankova.
Kz narinutom strujom
Kz rtvovanom anodom
105
11.1.2013.
Katodna zatita
Izmeu ova dva primjera katodne zatite nema bitne teorijske razlike. Oba se temelje na istim elektrokemijskim temeljima. Uspostavljanjem sustava katodne zatite sa vanjskim izvorom, metal se spaja na negativni pol izvora istosmjerne struje, tako da se na granici faza konstrukcije i elektrolita, uspostavlja razlika potencijala (elektrodni potencijal), pri kojoj se na cijeloj povrini konstrukcije odvija katodna reakcija, dok se anodna reakcija odvija na protuelektrodi - anodi. Anode za ovaj sustav zatite mogu biti topljive i netopljive. Topljive su najee od konstrukcijskog ugljinog elika, a netopljive se izrauju od ferosilicija, grafita, ugljena magnetita, nikla, olova, platiniranog titana itd. Potpuno su netopljive samo platinirane, dok se ostale, ipak, polako troe. Prednost elinih anoda je jeftinoa, a nedostatak topljivost, dok su grafitne i ugljene anode trajnije, ali lako lomljive.
Katodna zatita podvodnog dijela broda narinutom strujom

Kod katodne zatite narinutom strujom, brodski trup je spojen preko regulatora na minus pol izvora struje (20V) dok su na plus pol spojene anode koje se zbog moguih oteenja ugrauju u oplatu broda. Anode se izrauju od plemenitih postojanih materijala.

Kada se konstrukcija spaja sa elektrodom od materijala koji je elektronegativniji nego to je materijal konstrukcije govorimo o sustavu katodne zatite rtvovanom anodom (protektorom). rtvovana se anoda nakon spajanja poinje otapati, a na konstrukciji se uspostavlja elektrodni potencijal pri kojem se odvija katodna reakcija pri emu povrina konstrukcije postaje katoda. Prilikom rada ovakvog sustava, anode se troe te ih je potrebno povremeno mijenjati. Za zatitu elinih konstrukcija rabe se protektori od cinka, magnezija, aluminija i njihovih legura. Protektori se postavljaju pojedinano ili u grupama i to zbog smanjenja otpora to blie objektu koji tite. U vodenom mediju postavljaju se direktno na konstrukciju koju tite (zavarivanjem, lemljenjem ili pomou zavrtnja).

Prednosti ove metode su: - neovisnost o izvoru struje - jednostavnost ugradnje - ne preesto kontroliranje - neznatni utjecaj na susjedne konstrukcije Nedostaci ove metode su: - nepovratni gubitak materijala anode i potreba za povremenim mijenjanjem - zagaivanje okolia od strane produkata korozije anoda - neprimjenjivost u sredinama sa veim otporom - relativno male zatitne struje Protektorima se uspjeno tite cjevovodi (vanjske strane), ukopani rezervoari, i cisterne za gorivo, rashladni ureaji, tankovi za naftu s morskom vodom kao balastom, buotinske cijevi na naftnim poljima, podvodni dijelovi broda, podvodni stupovi, luki ureaji itd.
106
11.1.2013.
Anodna zatita
Anodna zatita temelji se na usporavanju korozije anodnom polarizacijom metala tj. pomakom elektrokemijskog potencijala metala u pozitivnom smjeru. U praksi se upotrebljavaju dva naina anodne zatite: - izvorom istosmjerne struje (spajanjem sa pozitivnim polom istosmjerne struje), - protektorom (spajanjem sa elektropozitivnijim metalom)
Anodna zatita
Kod anodne zatite izvorom istosmjerne struje korozija elika se smanjuje odravanjem u podruju pasiviranja. Anodna zatita djeluje upravo u tom ogranienom podruju potencijala. Zatita metala protektorom postie se spajanjem s metalom iji je potencijal pozitivniji od potencijala metala koji se zatiuje. Elektropozitivniji metal naziva se katodnim protektorom. Zatita metala primjenom katodnog protektora moe se ostvariti ukoliko je korozijski potencijal protektora pozitivniji od potencijala pasiviranja metala. Za elik se mogu kao katodni protektori koristiti plemeniti metali (platina, paladij, srebro, bakar) ili grafit. Za anodnu zatitu nije dovoljno spajanjem s katodnim protektorom uiniti korozijski potencijal pozitivnijim, nego je neophodno pomaknuti korozijski potencijal metala u podruje pasivnog stanja. Prije izvoenja anodne zatite potrebno je laboratorijski odrediti gustou struje pasiviranja i podruje pasiviranja u ovisnosti o uvjetima korozijske sredine (pH, temperatura, sastav i koncentracija, brzina strujanja elektrolita itd.). Dobre karakteristike anodne zatite su potrebna mala gustoa struje (15-100 mA/m2) i smanjenje brzine korozije ak i do 100 000 puta, no zbog svojih ogranienja s obzirom na sklonost metala pasivaciji i skupe instalacije (potenciostat) ne upotrebljava se esto.
Zn-protektor
Zatita od korozije obradom korozivne sredine

Zatita metalnih proizvoda od korozije pri transportu, skaditenju i eksploataciji moe se postii obradom korozivne sredine. Ove metode primjenjuju se najvie za zatitu parnih kotlova, kondenzatora, cisterni namijenjenih za transport raznih agresivnih otopina. Smanjenje korozivnosti moe se provesti na dva naina: - uklanjanjem uzronika korozije - upotrebom inhibitora korozije - promjenom korozivne sredine Sastojci koji poveavaju agresivnost korozivne sredine mogu se ukloniti na vie naina: - neutralizacijom kiselina, - uklanjanjem kisika iz vode, - uklanjanjem soli iz vode, - snienjem relativne vlanosti zraka, - uklanjanjem vrstih estica.

Neutralizacija kiselina u vodenim otopinama se obavlja pomou vapna ili natrijeva hidroksida. Za zatitu eljeza dovoljna je neutralizacija kisele otopine do vrijednosti pH = 5, pri emu se naglo smanjuje agresivnost korozijske sredine. Iznad vrijednosti pH = 5 neznatan je utjecaj vodikovih iona na brzinu korozije. Korozija prestaje ako je pH vrijednost vea od 12. Uklanjanje kisika iz vode moe se izvriti na dva naina: fiziki odnosno deaeracija vode ili kemijski dodavanjem redukcijskih sredstava u vodu. Soli prisutne u vodi uklanjaju se ionskim izmjenjivaima. Vlanost zraka se moe smanjiti hlaenjem, grijanjem i pomou ovlaivaa zraka. Silikagel je najpoznatiji ovlaiva zraka koji se koristi za zatitu skladitene metalne opreme. Uklanjanje vrstih estica iz vode, zraka ili dima provodi se filtriranjem.
107
11.1.2013.

Za teko pristupane ili ak potpuno nepristupane dijelove na konstrukciji esto se koriste inhibitori kao sredstvo zatite protiv korozije. Inhibitori korozije su tvari koje u malim koliinama i pod odreenim uvjetima smanjuju ili potpuno zaustavljaju koroziju metala. U posebnu skupinu spadaju hlapivi inhibitori korozije (VCI). Inhibitori se esto koriste u zatiti petrokemijskih, termoenergetskih i slinih postrojenja dok se u brodogradnji njihova zatita manje primjenjuje. Prema nainu djelovanja, inhibitori mogu biti anodni, katodni ili mjeoviti. Anodni inhibitori spreavaju ionizaciju metala tako to na anodnim mjestima stvaraju filmove oksida ili slabo topljivih soli. Tako ine barijeru koja izolira temeljni metal. Smanjuju brzinu korozije zbog smanjenja brzine prijelaza metalnih iona u otopinu ili zbog smanjenja anodne povrine stvaranjem netopljivih zatitnih filmova. Anodni inhibitori se takoer i nazivaju ''opasni'' inhibitori jer je potrebno voditi rauna o njihovoj koncetraciji. Pri odreenoj nioj koncentraciji izazivaju npr. rupiastu koroziju.

Najvaniji su anodni inhibitori pasivatori, tj. topljive soli oksidativnih aniona, kakvi su kromati,nitriti, molibdati, volframati i vanadati. Zbog otrovnosti nastoje se kromati i nitriti zamijenit imolibdatima. Osim pasivatora, meu anodne inhibitore se ubrajaju i tzv. taloni ihibitori. Meu tim se inhibitorima istie vodeno staklo (Na-silikat) koje na anodama tvori sloj silikagela i metalnog silikata. Katodni inhibitori izravno koe katodnu reakciju (redukciju vodika ili kisika) ili djeluju kao taloni inhibitori, tvorei na lokalnim katodama netopljivee produkte. To su supstance koje reduciraju kisik, vodik, smanjuju katodnu povrinu metala i poveavaju prenapetost izdvajanja vodika ili redukcije kisika. Efikasnost katodnih inhibitora ocjenjuje se prema njihovoj sposobnosti da polariziraju katodu, odnosno da uine potencijal katode to negativnijim. U slabo kiselim, neutralnim i lunatim otopinama u kojima je katodna reakcija korozijskog procesa redukcija kisika apsorbiranog iz zraka (redukcija kisika), rabe se katodni taloni inhibitori. Takvo djelovanje imaju cinkove i kalcijeve soli.

Za razliku od anodnih, katodni inhibitori dodani u bilo kojoj koliini smanjuju brzinu korozije i nisu opasni. Smanjenje brzine korozije pomou katodnih inhibitora postie se na jedan od dva naina: usporenje katodne reakcije i smanjenje katodne povrine. Meutim, postoji opasnost u primjeni ove metode zatite od korozije jer adsorbirani vodikov atom koji je sprijeen da se oslobodi kao plin, moe difundirati u metalnu reetku to poveava osjetljivost na pucanje (po granicama kristalita) tzv. vodikovu bolest ili vodikovu krhkost. Mjeoviti inhibitori imaju dvostruko djelovanje, i anodno i katodno (usporavaju anodnu i katodnu reakciju). To su najee organski spojevi koji se adsorbiraju na metalnu povrinu, tvorei spojeve u obliku zatitnih monomolekulskih filmova, pa se esto nazivaju i adsorpcijski inhibitori. Najpoznatiji su elatina, agar-agar, krob, tanin, K-glukonat. U ovu skupinu inhibitora spadaju i derivati acetilena, soli organskih kiselina, spojevi s duikom (amini) i njihove soli (nitrati), spojevi sa sumporom, tioalkoholi (merkaptani), sulfidi.

Hlapivi inhibitori korozije (VCI, engl. volatile corrosion inhibitor) ine posebnu skupinu inhibitora koji tite metale od atmosferske korozije. To su tvari organskog ili neorganskog porijekla koje na sobnoj temperaturi isparavaju u atmosferu koja ih okruuje. Djelovanje inhibitora se ostvaruje u uvjetima niske, srednje i visoke vlanosti zraka, tj. U uvjetima dok ne doe do formiranja vidljivog sloja vlage ili kapljica vode na povrini metala. Isparljivi inhibitori korozije se mogu upotrijebiti u obliku praha ili se njihovom alkoholnom otopinom natapaju papiri, odnosno spuvaste tvari. Postupak nanoenja inhibitora u prahu se primjenjuje za zatitu nepristupanih povrina opreme konstrukcije kao tu su upljine, unutranje povrine itd. prah se raspruje toplim kompriminarim zrakom, a estice inhibitora se kondenziraju pri dodiru sa hladnom povrinom metala u tanki monomolekularni film koji putem ionskog djelovanja titi metal.
108
11.1.2013.

Svojstva VCI-ja: Visoka otpornost adsorbiranoga zatitnog sloja na koroziju. Da bi se stvorio zatitni sloj koji titi metal od uzronika korozije potrebni su organski spojevi velike molekularne teine, koji snano prianjaju uz metalne povrine. Upijajui zatitni sloj fiziki titi metalnu povrinu i sprjeava dodir fluida i metala. Zatitni sloj se zadrava i titi kod niskih pH-vrijednosti. Dobra otpornost na temperaturu. Inhibitori korozije pokazuju dobru toplinsku stabilnost pri temperaturama do 300 C. Neki organski spojevi pri tim temperaturama nee imati dobra svojstva inhibicije, ali ih je potrebno staviti u podruje visokih temperatura da bi inhibitor dospio do mjesta hlaenja i kondenziranja tijekom tehnolokog procesa i tada djelovao zatitno.
Zatita oblikovanjem i konstrukcijskim mjerama

Vanost tehnikih rjeenja u sprjeavanju korozije zahtijeva poznavanje prirode korozije i njenih procesa. Projektiranje i izgradnja konstrukcija mora biti takva da se iskljue mogunosti razvoja korozije. Pravilnim oblikovanjem elinih konstrukcija, raznim projektnim rjeenjima i tehnologijom izrade se moe znatno utjecati prvenstveno na koroziju u procjepu, galvansku koroziju, erozijsku i napetosnu koroziju. Uslijed nepravilnog konstruiranja dolazi do nejednakog isparavanja vlage sa pojedinih elemenata konstrukcije, stvaranje mjesta za zadravanje vlage, dijelovi konstrukcije sa naglim promjenama temperature. Lemljeni ili zavareni spojevi, ako su dobro izvedeni, imaju prvenstvo pred vijanim spojevima ili zakovinim kod kojih je esta pojava korozije u procjepu. Da bi se predmeti zatitili od korozije vrlo esto se koriste galvanski premazi. Zbog to ravnomjernijeg nanosa galvanskog premaza predmeti ne smiju biti otrih kuteva, odnosno prije premazivanja se otri rubovi na predmetima zaobljuju. Konstrukcije na koje se nanose galvanske prevlake takoer trebaju biti bez otrih rubova i naglih prijelaza.

Treba osigurati da rezervni dijelovi budu blizu mjesta gdje e eventualno biti primjenjeni da se mogu lako ijednostavno zamijeniti. Galvanski premaz se moe izbjei upotrebom elektrine izolacije izmeu razliitih metala. Kao i u sluaju normalne korozije, galvanska korozija moe se sprijeiti katodnom zatitom. Konstrukciju treba oblikovati tako da se na njoj ne zadrava voda, odnosno treba osigurati otjecanje vode. Kod konstrukcije treba birati materijale koji su korozijski to otporniji u predvienim uvjetima. Materijali za brtvila, pakiranje, toplinsku, elektrinu i zvunu izolaciju ne smiju sadravati agresivne sastojke i ne smiju apsorbirati vodu. Rezervoari, spremnici i dr. trebaju se tako konstruirati da se lako prazne i iste. Dno rezervoara bi trebalo biti nagnuto. Temeljna ventilacija je esto poeljna, da bi omoguila najbre suenje metalne povrine pomou cirkulacije zraka. Ovakvo povremeno suenje takoer dozvoljava da predmeti korozije razviju zatitna svojstva koja se ne bi nikada pojavila da su predmeti ostali mokri. Zbog toga je dobro i da se rezervoari povieni, a ne da lee na zemlji ili mokrom tlu.

Projektnim rjeenjima treba osigurati jednostavno, uinkovito i jeftino odravanje. Izbjegavati mehanika naprezanja zbog smanjenja opasnosti od napetosne korozije. Takoer je poeljno izbjegavati otre zavoje u cjevovodnim sustavima radi smanjenja opasnosti od erozijske korozije. Izbjegavati dodir razliitih metala udaljenih u galvanskom nizu radi spreavanja galvanske korozije. Izbjegavati lokalna intenzivna zagrijavanja jer se korozija jako ubrzava porastom temperature. Umjesto autogenog zavarivanja prelo se na elektrino ili ak tokasto da se zagrije to manja povrina materijala. Hlaenjem se smanjuje otpor elektrolita i prenapon pa su samim tim smanjeni opi uvjeti za koroziju. Poeljno je izbjegavati kontakt s agresivnim esticama kad god je to mogue. Izbjegavati svaku heterogenost odnosno konstrukcijska rjeenja moraju biti takva da lokalna naprezanja budu to manja, paziti na temperaturne razlike, mjesta gdje se skuplja vlaga i sl. Sve navedene konstrukcijske mjere treba koristiti to je mogue vie u cilju usporavanja korozijskih procesa i produavanja vijeka trajanja konstrukcija.
109
11.1.2013.

Kretanje fluida ne smije biti pretjerano tako da oteuje materijal. Svakako se u obzir trebaju uzeti sastav medija koji tee i materijal od kojeg je napravljena stjenka cijevi ili tanka. Podeavanjem brzine protoka spreava se turbulencija i kavitacija, doprema depolarizatora, stagniranje medija itd. Geometrijski oblici mogu dovesti do oteanog protoka to pogoduje pojavi korozije i erozije. Na slici su prikazani tipini primjeri gdje geometrijske znaajke utjeu na protok fluida pa time i na pojavu korozije i erozije. Erozijska korozija ukljuuje istovremeno djelovanje erozije i korozije pri visokim brzinama strujanja fluida. Do erozijskog troenja dolazi kod trenja vrstog tijela i pokretnog fluida. to je vea brzina strujanja fluida, to su i vea korozijska oteenja. Ovaj oblik korozije moemo sprijeiti na vie naina. Kod cjevovoda treba izbjegavati nagla zakrivljenja i promjenu smjera strujanja fluida. Filtriranjem treba maksimalno ukloniti prisutnost tvrdih estica.
Primjeri utjecaja oblikovanja i postavljanja konstrukcije na pojavu korozije
Kada se oekuje taloenje naslaga potrebno je projektirati kod cjevovoda otvore kroz koje se tijekom odravanja mogu te neistoe ukloniti. Cijevni ogranci se ne smiju granati pod kutom od 90, nego pod kutom od 30 do 60, takoer ni rubovi ne smiju striti u struji medija i ometati protok. Skretanje cijevi treba izvoditi s blagim zaobljenjem, a promjena presjeka ne smije biti nagla i skokovita. Kod procesa gdje je visoka brzina strujanja medija potrebno je koristiti zatitne ploe za ublaavanje udara medija jer bi intenzivni udar fluida na nezatienom podruju izazvao korozijska oteenja. Korozija u procjepu je pojavni korozijski oblik na koji jako moemo utjecati konstrukcijskim mjerama. Javlja se u blizini pukotina, procjepa, razmaka izmeu povrina, ispod naslaga neistoa, na mjestima gdje se dugo zadrava agresivni medij itd. Moe biti inicirana korozijskim medijem u pukotini iako je okolna povrina suha. Uslijed toga unutarnji dio procjepa postaje anoda, a na vanjskom dijelu se odvija katodna reakcija. Da bismo smanjili mogunost pojave korozije u procjepu potrebno je izvoditi kontinuirane i pravilno protaljene zavare te dati prednost sueljenim spojevima nad preklopnim.
110
11.1.2013.

Galvanska korozija se javlja kada kod izrade konstrukcija nije mogue koristiti sve dijelove izraene iz istog materijala. Tada uslijed kontakta materijala koji imaju razliiti korozijski potencijal dolazi do pojave galvanske korozije. Vie otporan materijal je katoda, a manje otporan materijal koji se bre troi je anoda. Upravo zbog toga potrebno je sprijeiti meusobni kontakt dva metala razliitih potencijala, a to se provodi koritenjem raznih izolacijskih materijala i prevlaka koje spreavaju neposredni dodir. U sluaju kada je medij izuzetno agresivan ili su prisutne visoke temperature koritenje takve izolacije esto nije mogue jer bi bila unitena. Kod takvih sluajeva treba koristiti plemenitiji metal za spajanje dijelova manje plemenitog metala. Za nastajanje napetosne korozije potrebni uvjeti koji trebaju biti ispunjeni su: - prisutnost vlane napetosti - prisutnost klorida ili kisika u mediju - minimalna temperatura od 60C

Kod projektiranja konstrukcija potrebno je obratiti panju na eliminiranje mjesta lokalnih naprezanja zbog krutosti i oblika konstrukcije. Zaostala naprezanja se javljaju i prilikom zavarivanja, pa je i na to potrebno obratiti posebnu panju.
Metode zatite od korozije odabirom materijala otpornih na koroziju

Razliiti metalni materijali imaju razliitu sklonost koroziji u razliitim medijima. Moemo rei da je neki materijal otporan na koroziju ako je brzina prodiranja korozije u nekom mediju manja od 0,1 mm god-1. Ako materijal ima brzinu prodiranja korozije od 10 mm god-1 ili vie, smatra se da materijal nije primjenjiv za dani medij. Izmeu 0,1 mm god-1 i 10 mm god-1 kaemo da je materijal uvjetno primjenjiv.
111
11.1.2013.
Nehrajui elici
Nehrajui elici pripadaju u kategoriju visokolegiranih elika, iji je sadraj ugljika manji od 0,2%. Otpornost prema koroziji i mehanikom naprezanju postie se legiranjem eljeza sa niklom, manganom, kromom, molibdenom, titanom i drugim manje zastupljenim elementima. Glavna legura za ostvarivanje antikorozivne zatite je kromo kojeg mora biti najmanje 11,5%. Legure u omjerima: krom sa vie od 11,5% i eljezo sa 50% i vie obino su poznati kao nehrajui elici. Krom na povrini metala tvori kromov oksid koji je otporan na koroziju i kompaktan tako da ne doputa prolaz mediju i daljnju koroziju jer se na povrini stvara pasivni sloj. elici otporni na koroziju su znatno skuplji od obinih elika ali primjenom takvih materijala moemo utedjeti znatna sredstva u pogledu manjih zahtjeva za antikorozivnom zatitom. Vea pouzdanost takovih konstrukcija je jo jedan bitan faktor kod odabira ovih materijala.
Aluminij i njegove legure

Prema zastupljenosti u proizvodnji aluminij dri drugo mjesto iza elika. Kisik i vlani zrak u atmosferi trenutno razvijaju zatitni film. Aluminij na svojoj povrini tvori tanki sloj debljine 0,01-0,05 m koji je nevodljiv za elektrone, te tako koi elektrokemijske reakcije. Na povrini nastaje oksidni sloj. Aluminij se dosta primjenjuje i zbog njegove male gustoe. Njegova mehanika svojstva nisu dobra kao kod eljeza i elika, te se zbog toga legira s bakrom, magnezijom i manganom. Kod aluminija vrijedi pravilo to je ii to su mu bolja antikorozivna svojstva. Aluminij i njegove legure se masovno upotrebljavaju u graevinarstvu, avionskoj, automobilskoj i elektrotehnikoj industriji.
Bakar
Bakar pokazuje vrlo dobra svojstva kada su u pitanju dobra elektrina vodljivost, toplinska vodljivost i ilavost. Pokazuje i odlina antikorozivna svojstva slina aluminiju. Odlina korozivna otpornost bakra se djelomino pripisuje injenici da je on relativno plemenit metal. U tijeku korozijskog procesa na bakru se javlja dobro prianjajui zatitni sloj. U vlanoj atmosferi bakar se presvlai prevlakom koja vrlo dobro koi koroziju. Ovaj oksidni sloj na bakru se vrlo esto naziva patina. Velika uloga bakra u metalurgiji je za dobivanje legura s drugim materijalima. Najpoznatije su mjedi i bronce. Vana je njegova primjena u graevinarstvu, elektrinim sistemima i elektranama, morskoj opremi itd.
Titan i njegove legure

Titan je metal koji ima odlinu korozivnu otpornost i zbog svojih dobrih svojstava sve se vie koristi u proizvodnji. Njegove osobine su: velika otpornost na koroziju, otpornost na poviene temperature, mala elastinost, visoka vrstoa. Mala gustoa i visoka vrstoa razlozi su velike upotrebe titana u zrakoplovnoj i raketnoj industriji. Jedan od nedostataka metala titana je sloeni postupak proizvodnje i veliki utroak energije koji je potreban za preradu. Zbog velike potrebe za energijom pri preradi titan je vrlo skup i koristi se samo na mjestima koja opravdavaju visoku cijenu. esto se legira s aluminijem, kromom, kositrom. Titan je otporan na koroziju u raznim uvjetima. Razlog tomu je nastajanje povrinskog oksidnog sloja, koji je kompaktan i tvori barijeru za daljnji napredak korozije. Sporo oksidira na temperaturama manjim od 249 C. Shodno tome brzina oksidacije se poveava s porastom temperature. Titan je otporan na vlani klorni plin, klorne otopine, oksidne kiseline i na veinu organskih kiselina na sobnoj temperaturi.
112
11.1.2013.
Metode zatite od korozije odabirom materijala otpornih na koroziju

Ocjena otpornosti na koroziju nekih nezatienih materijala
Zatita metala prevlakama

Zatita metala prevlakama je danas najraireniji oblik zatite metala od korozije. Prevlaenje metala predstavlja dugotrajnu zatitu neovisno o tome da li se radi o atmosferskim utjecajima, ili o utjecajima najagresivnijih kemijskih spojeva. Glavna funkcija prevlaka je da izolira osnovni materijal koji je korozivan od medija koji ga okruuje i koji dovodi do korozije. Prevlaka zato mora biti postojana na svim dijelovima materijala koji se titi. Kakva e biti kvaliteta presvlake ovisi o mnogo faktora. Neki od bitnijih faktora su pripremljenost povrine, kvaliteta prevlake, debljina prevlake, tvrdoa na mehanika oteenja, kemijska postojanost. Prevlake se mogu koristiti ne samo kao korozijska zatita nego i kao povrine koje pridonose veoj kvaliteti proizvoda. Prevlake dijelimo u tri glavne skupine: metalne anorganske organske
Metalne prevlake
Metalne prevlake se nanose fizikalnim, kemijskim i elektrokemijskim postupcima. Mogu imati galvansko djelovanje ili metal s kojim se prevlai moe imati bolja antikorozivna svojstva tako da slui za odvajanje osnovnog materijala od okoline. Prevlake metalom koji ima galvansko djelovanje su danas u irokoj upotrebi. Kadmijeve prevlake se danas izbjegavaju zbog svoje toksinosti. Prevlake s anodnim djelovanjem imaju zadatak ne samo zatititi osnovni materijal izoliranjem okolnog medija, ve i elektrokemijski zatititi osnovni materijal. Elektrokemijska zatita je mogua zbog toga to metal kojim se prevlai osnovni materijal ima negativniji elektrodni potencijal od osnovnog materijala (najee elik). Galvanske metalne prevlake tite materijal na tri naina. Primarno barijerno djelovanje. Proces stvaranja povrinskih oksidnih slojeva koji imaju dobru otpornost na koroziju odvija se gotovo trenutno. Primjeri: stvaranje Al2O3 na aluminijskim prevlakama ili stvaranje ZnO na cinkovim prevlakama. Sekundarno barijerno djelovanje. Pod utjecajem atmosfera stvaraju se korozijski produkti na povrini metalne prevlake koji predstavljaju zatitni sloj.
Metalne prevlake
Ta barijera ima svojstvo samoobnovljivosti, tako da vrijeme zatite osnovnog materijala uvelike ovisi sekundarnom barijernom djelovanju korozijskih produkata. Galvansko djelovanje. Galvansko djelovanje nastaje na mjestima na kojima je zbog razliitih razloga nastalo oteivanje metalne prevlake te je osnovni metal izloen atmosferskim utjecajima. Na mjestu oteenja javlja se galvanski lanak, a kako je prevlaka elektronegativnija od osnovnog materijala ona se otapa i djeluje kao anoda. Taloenje korozijskih produkata na mjestu oteenja predstavlja sekundarno barijerno djelovanje opisano u prethodnom odjeljku. Prevlake sa boljim antikorozivnim svojstvima, ili katodne presvlake, zatiuju osnovni materijal mehaniki. Neki od metala koji se nanose na elik su zlato, srebro, krom, nikal i olovo. Zatita materijala je dobra samo ako je pokrivenost osnovnog materijala potpuna i kompaktna. Porozne prevlake ne predstavljaju dobru zatitu. Ove prevlake imaju sposobnost da svojim korozijskim produktima popunjavaju rupe u kojima dolazi do korozije i time usporavaju daljnje irenje korozije.
113
11.1.2013.
Anorganske prevlake
Anorganske nemetalne prevlake nanose se kemijskim ili mehanikim postupkom sa ili bez prisustva elektrine struje. Tretiranje povrine, kod kemijskih nemetalnih prevlaka, mijenja povrinski sloj metala u sloj jednog ili vie oksida. Taj novonastali sloj oksida ima bolja antikorozivna svojstva. Nerijetko taj sloj predstavlja dobru podlogu za daljnje nanoenje ostalih vrsta prevlaka. Anorganske prevlake dobivene mehanikim putem slabije prianjaju za podlogu. Mehanike anorganske prevlake se dobivaju emajliranjem ili nanoenjem sloja betona. Emajliranje je nanoenje sloja na bazi alkalijsko-borosilikatnog stakla na povrinu metala, najee to su elini limovi i proizvodi od elinih lijevova. Emajliranje se provodi tako da se stakleni prah nanese na metal te se peenjem dobiva kompaktni sloj na povrini. Modificiranjem stakla mogu se dobiti slojevi koji predstavljaju dobru zatitu metala u jako agresivnim atmosferama. Nedostatak emajla je to ima malu ilavost te je jako podloan pucanju ak i pri manjim udarcima. Kemijskim putem najee se nanose oksidni, kromatni i fosfatni slojevi. Prevlaka ima bar djelomino, karakter korozijskog produkta.
Anorganske prevlake
Oksidne presvlake najee se nanose na elik, aluminij i bakar, te neke njihove legure. Kod elika to je najee proces bruniranja kojim se dobiva sloj oksida koji je plemenitiji od samog elika, ali nije pogodan za zatitu od korozije zbog svoje poroznosti tako da se brunirani sloj impregnira strojnim uljem. Kod aluminija oksidiranje se provodi uranjanjem aluminijskih predmeta u vrelu vodu ili struju vodene pare. Tim postupkom dobiva se bemit (Al2O3H2O), a postupak se naziva bemitiranje. Fosfatne prevlake najee se koriste na eliku. Karakteristike fosfatnih presvlaka je da su prilino krte, dobar su izolator i dobro prianjaju za povrinu osnovnog materijala. Deblje fosfatne prevlake slue za antikorozivnu zatitu. Nedostaci prevlake su poroznost, te se esto mora naknadno impregnirati strojnim uljem ili se kromatiraju. Deblje prevlake mogu imati i pogodna svojstva za obradu metala deformiranjem tako da smanjuju trenje izmeu okova i alata za kovanje. Kromatirane prevlake nanose se najee na prevlake cinka i kadmija. Funkcija kromatiranih povrina je da djeluju pasivizirajue na osnovni metal zbog postojanja kromat iona CrO4-. Postupak kromatiranja je brz i jeftin i prua dobru zatitu od atmosferilija, no slojevi nisu otporni prema abraziji, vrlo dobro prianjaju za podlogu.
Organske prevlake
Danas najrairenija metoda zatite od korozije je nanoenje organskih prevlaka na povrinu metala. Organski se slojevi dobiju nanoenjem organskih premaznih sredstava, uobiajenim premazivanjem, plastifikacijom, gumiranjem i bitumenizacijom. Organski premazi se mogu razvrstati: prema sastavu ; prema osnovnoj namjeni prema izgledu Prema podlogama na koje se nanose Prema broju sastojaka koje se mijeaju prije nanoenja Prema nainu skruivanja sloja Organske prevlake najee se nanose na metalne povrine u dva ili vie slojeva. Temeljni sloj je jedan od najvanijih slojeva svih antikorozivnih premaza.Kvalitetan temeljni sloj mora imati sposobnost da zaustavi ili uspori lokalnu koroziju.
Organske prevlake
Temeljne funkcije su: dobra prionjivost i adhezija za povrinu metala dobra kohezija inertnost prema okolini dobra prionjivost prema meusloju prikladna fleksibilnost Meusloj se najee koristi u sustavima premaza kod kojih je vano dobiti odreenu debljinu premaza. Glavne funkcije meusloja su: pruiti sustavu odreenu debljinu visoka kemijska otpornost otpornost na prolazak vlage poveati elektrinu otpornost sustava osigurati snanu koheziju sustava premaza osigurati dobru prionjivost na primarni i vanjski sloj
114
11.1.2013.
Organske prevlake
Za zavrni sloj obino se koriste boje koje se sue na zraku ili lakove na bazi ulja koje otvrdnjavaju pri oksidaciji s kisikom; zatim akrilne i ostale lakove koji se sue isparavanjem razrjeivaa i premazi koji se stvrdnjavaju na povienim temperaturama. Zadatci zavrnog sloja su: predstavljaju barijeru za ostale slojeve antikorozivnog premaza predstavljaju barijeru za okoli otpornost prema kemikalijama, vodi i atmosferskim utjecajima otpornost na mehanika oteenja dekorativna svojstva Tendencija razvoja premaza kree se prema razvoju ekoloki prihvatljivih proizvoda s malo ili bez hlapivih tvari koje najvie oneiuju zrak, te mogu biti tetne za zdravlje ljudi pri duoj izloenosti.
Sastav organskih premaza

Kao veziva za boje i lakove esto slue neisparljive organske tvari u obliku smola ili viskoznih kapljevina. Vrlo esto se kombiniraju vie vrsta veziva u jednom premaznom sredstvu da bi se postiglo eljeno antikorozivno djelovanje. Veziva se rade na osnov masnih ulja, poliplasta, derivata celuloze, prirodnih smola, prirodnog i umjetnog kauuka. Punila se mijeaju u organske premaze kako bi snizila cijenu premaza, ali i kako bi poboljala neka svojstva. Kao punila se rabe prirodne i umjetne anorganske tvari kao to su BaSO4, CaCO3, tinjac, talk, i azbest koji se danas izbjegava zbog svojeg kancerogenog djelovanja. Pigmenti mogu biti dekorativna, antikorozijska i dekorativnoantikorozijska. Funkcija antikorozijskih pigmenata je da tite od korozije kada korozijski medij prodre kroz premaz do metalne povrine i da tite od tog prodora tj. da su otporni na utjecaj medija kojim su podvrgnuti. Antikorozivni uinak pigmenata zasniva se na inhibiciji korozije, katodnoj zatiti, neutralizaciji kiselih tvari iz otopine i na taloenju aniona iz okoline.
Sastav organskih premaza

Otapala u premazima slue ponajprije za sniavanje viskoznosti premaza kako bi se mogli dobro aplicirati na povrinu. Najee se rade od raznih vrsta ugljikovodika, alkohola, ketona, estera itd. Otapala i razrjeivai dodaju se premazima u tvornicama, ali postoje i koncentrati premaza kojima se otapalo dodaje neposredno prije nanoenja. Pri hlapljenju otapala u zrak se otputaju pare koje su tetne za zdravlje ljudi i vrlo su zapaljive, tako da postoji opasnost od eksplozije. Dananja tendencija je da se otapala zamjenjuju vodom i vodenim disperzijama. Glavna karakteristika aditiva je da se dodaju premazima u malim udjelima koji ne prelaze 5% mase. Glavni aditivi su katalizatori oksidativne polimerizacije, omekivai veziva i organski inhibitori korozije. Postoje i aditivi koji slue za neke sporedne funkcije premaza poput bojila, fungicida, stabilizatori, antioksidansi, povrinski aktivne tvari.
115

Net

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Net

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

11.1.2013.

NAIN POLAGANJA ISPITA

Glavna: Ovi materijali i Internet. Dopunska:

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

gdje je vlastiti impuls vrtnje S = 1 h

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE 2

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

MODERNI POGLEDI NA MODEL ATOMA I MATERIJE

Naini povezivanja atoma

Naini povezivanja atoma

Naini povezivanja atoma

Naini povezivanja atoma

Naini povezivanja atoma

Naini povezivanja atoma

gdje su z1 i z2 valencije iona, a e je naboj elektrona.

Naini povezivanja atoma

Naini povezivanja atoma

Shematski prikaz ionske veze kod NaCl

Prikaz kovalentne veze u molekuli metana, CH4

Naini povezivanja atoma

Naini povezivanja atoma

Naini povezivanja atoma

Naini povezivanja atoma

Energije veze i temperature taljenja za razliite tvari

Elektrina svojstva materijala

Elektrina svojstva materijala

Elektrina svojstva materijala

Elektrina svojstva materijala

Klasina teorija elektrona

Klasina teorija elektrona

Klasina teorija elektrona

Ako se iskoristi gornje izraze dobije se:

Kombinirajui izraze dobije se traeni izraz za elektrinu provodnost: N f e 2

Klasina teorija elektrona

Klasina teorija elektrona

Klasina teorija elektrona

Sommerfeldov model metala

Sommerfeldov model metala

Sommerfeldov model metala

Sommerfeldov model metala

Sommerfeldov model metala

Sommerfeldov model metala

TEORIJA SLOBODNIH ELEKTRONA U METALIMA - Maxwellove jednadbe

TEORIJA SLOBODNIH ELEKTRONA U METALIMA - Maxwellove jednadbe

TEORIJA SLOBODNIH ELEKTRONA U METALIMA - Maxwellove jednadbe