PLACAS SOLARES

Jose María Conesa Alonso Alicia García Moreno Lorena Lim Arriola Miguel Marín Sánchez José Manuel Sancho Gómez

Conceptos básicos

Efecto fotovoltaico: conversión de luz en electricidad. Materia: constituida por átomos
Núcleo: carga eléctrica positiva y neutrones.  Electrones: carga eléctrica negativa. Los electrones de la última capa son electrones de valencia que al unirse con otro forman redes cristalinas.

Tipos de materiales

Conductores: electrones de valencia poco ligados al núcleo. Semiconductores: electrones de valencia más ligados al núcleo. Aislantes: configuración muy estable.

Los materiales usados en las celdas solares son los semiconductores.

Celdas solares   Transforman directamente la energía solar en energía eléctrica. Energía resultante de reacciones nucleares de fusión. .

P. Estructura del Si:    segundo elemento del planeta más abundante. 14 electrones y 14 protones. una amorfa y otra cristalizada . As.Estructura semiconductores   Materiales: Si. se presenta en la naturaleza de dos formas distintas. Ge. 4e.de valencia.

por lo cual se denomina conductor intrínseco o “tipo I”. enlace covalente. no hay electrones libres. .Semiconductor “tipo I”  Celda elemental de Si:   se unen 5 átomos del material.

P (5 electrones de valencia) habrá un electrón libre.Semiconductor “tipo N”   Si incorporamos una impureza. El material tendrá exceso de cargas negativas. .

No se produce enlace covalente y hay exceso de cargas positivas.Semiconductor “tipo P”   Si incorporamos B (3 electrones de valencia) aparecerá un hueco. .

Los electrones sobrantes del material N pasan hacia el material P y los “huecos” del material P pasan al material N. Se genera un campo eléctrico que al conectar una carga externa entre ambas zonas. Cuando la luz incide sobre el semiconductor.Unión “NP”      Unión de material “tipo N” y “tipo P”. se pueden obtener potenciales de aproximadamente 550mV. genera la corriente eléctrica. Para el Si. se liberan electrones del átomo de Si. . se rompe el equilibrio de la unión NP y se producen los denominados par “electrón-hueco”.

rendimiento entre el 12% y el 15% .Tipos de celdas de Si  Monocristalinas:    estructura atómica muy ordenada. fabricación sencilla. difícil construcción. alto precio. rendimiento es inferior al 10%. más barato. estructura atómica bastante desordenada. rendimiento entre el 15% y el 18%. estructura atómica no tan ordenada como en el monocristalino.  Policristalinas:    Amorfas:    .

Un contacto inferior en la zona del material “tipo P”. Dos semiconductores “tipo N” y “tipo P”.Elementos de una celda solar de Si    Un contacto superior en la zona del material “tipo N”. .

Esta medida nos da una idea de la calidad de la celda .Características de las celdas solares   Características I-V  Voltaje de circuito abierto VOC  Corriente de cortocircuito ISC  Potencia Máxima (rectángulo) Factor de llenado (fill factor) : cociente entre el rectángulo de máxima potencia y el rectángulo inscrito entre el voltaje de circuito abierto y la corriente de corto circuito.

Eficiencia celdas solares   Definición :Relación entre la potencia eléctrica generada por unidad de área (W/m2) y la irradiación solar incidente (W/m2) para obtenerla Máximas eficiencias teóricas para las celdas solares para diversos materiales (J.J. Loferski 1963) .

Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio    Silicio monocristalino:estructura cristalina uniforme Silicio policristalino:estructuras ubicadas arbitrariamente. Estos “granos” hacen que la estructura no sea uniforme y se obtenga una eficiencia menor Silicio amorfo:presenta todavía bajos niveles de eficiencias .

por este motivo es necesario procesarlos Obtenemos un Silicio con propiedades de semiconductor y así lograr celdas de alta eficiencia el Silicio es el segundo elemento más abundante en la superficie terrestre.Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio     El Silicio se obtiene a partir de elementos como arena o cuarzo Se presentan en la naturaleza con altos grados de impurezas. . luego del oxígeno.

Para llegar a purezas de 99.Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio Producción de Silicio Policristalino  Proceso   Consiste en llevar los granos de cuarzita a temperaturas sumamente elevadas.9999%. la sustancia obtenida es depurada mediante un proceso similar al utilizado en las refinerías de petróleo. llamado destilación fraccionada . agregando carbón para eliminar el oxigeno presente en la cuarzita y producir una sustancia gris metálica brillante de una pureza de aproximadamente 99%.

Se retira lentamente (10cm/hora) haciendo crecer un lingote cilíndrico de material Monocristalino .Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio Producción de Silicio Monocristalino  Proceso  Método de crecimiento de Czochralski (CZ)    El Silicio Policristalino se funde en un crisol a temperaturas cercanas a 1. Se intriduce una “semilla” de Silicio Monocristalino.410ºC.

la barra se calienta y se funde con la semilla Al desplazarse completamente por la bobina permite la obtención del lingote de Silicio Monocristalino Este lingote es más puro que el producido con el método CZ .Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio  Método Flotante (FZ)     Se coloca una “semilla” Monocristalina sobre una barra de Silicio Policristalino Luego gracias a una bobina que induce un campo eléctrico.

se procede a cortar las obleas o wafers con espesor aproximado de 300um Para realizar esta operación se utiliza una sierra con multifilamentos.Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio    Producción de obleas Una vez obtenido el cilindro de Silicio Monocristalino. la cual al cortar las obleas produce partículas de Silicio Se pierde casi un 20% de material .

para luego cortar las obleas que serán utilizadas como material tipo P en las celdas .Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio   Producción de obleas Las obleas son dopadas con átomos de Fósforo en un horno a temperaturas entre 800ºC y 900ºC para obtener la capa N El substrato tipo P se logra. antes de obtener los lingotes. dopando el Silicio con átomos de Boro.

gracias a reflexión múltiple de ésta . que aumenta la absorción de la luz incidente.Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio   Película antirreflectante Consiste en una tratamiento o texturizado que se le da al Silicio para disminuir el índice de reflexión Estructura piramidal.

para no obstaculizar el paso de la luz solar Inferior : material conductor simple (aluminio) .Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio   Contactos Superior : Debe construirse con unidades lo bastante gruesas. para transportar la corriente eléctrica y lo bastante finas.

superponiendo junturas específicas para un determinado espectro de la luz solar y así aprovechar totalmente el espectro . como Spectrolab.  Algunos fabricantes. han construido celdas con multijunturas.Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio  Celdas de Arseniuro de Galio (GaAs)  Eficiencias mayores a las de Silicio.

. Este voltaje se alcanza conectado 36 celdas en serie.Fabricación de módulos    o o o Fragilidad Condiciones atmosféricas Deben ser empaquetadas en un módulo Los módulos se utilizan para cargar baterías Son fabricados para entregar un voltaje nominal de 12Vdc.

.Fabricación de módulos 1) 2) 3) 4) 5) La celda es colocada en un encapsulante (EVA) Parte superior: vidrio templado Parte inferior: substrato a base de resina El modulo se trata a temperaturas de 175ºC y presión uniforme. Se sella y se ajusta a un marco de aluminio ionizado.

Caracterización    N celdas en serie o en paralelo.5 14 0.6 . la potencia total de salida es WP = N · (IP · VP) IP = corriente peak de la celda VP = voltaje peak de la celda Característica Ip [mA/cm ] VP [V] WP [mW/cm ] VOC [V] Silicio 28 0.Fabricación de módulos.

Solución : diodos “bypass” . Temperatura de operación : Un aumento de esta hace que la corriente aumente pero el voltaje disminuya Sombra : Disipa la energía   Una celda sombreada afecta al módulo completo. Factores que afectan al rendimiento     Radiación solar : bajos niveles / altos niveles de voltaje de salida Concentrador estático : Encapsulado que aumenta el rendimiento.Fabricación de módulos.

Concentradores estáticos  Prismático simple SPC (Simple Prism Concentrador)  Ganancia = 1.75.8  Célula solar bifacial vertical    Célula solar bifacial horizontal   Concentrador Estático de Material Transparente Reflexivo  Ganancia = 15% . Ganancia = 3.5 Poca utilidad práctica Ganancia = 3.Fabricación de módulos.

Silicio negro    Entre 100 y 500 veces más sensible a la luz del sol. . Paneles solares de gran eficiencia. Obtención: haciendo brillar brevemente un láser sobre una lámina de silicio a la que han agregado hexafluoruro de azufre.

Óxido de Titanio     Técnica que no emplea el silicio purificado sino que esta basada en nanoestructuras de óxido de titanio. . Al ser nanoestructuras son introducidas en sprays. Transforma amplias superficies de acero en superficies captadoras de energía solar. Buena respuesta ante intensidades lumínicas variables y una tasa de conversión de energía lumínica en electricidad estimada en el 11%. lo que abaratara en gran medida el coste por KW.

FIN .

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