Thành viên

:
1. Trần Khánh Hòa
2. Phạm Thanh Tùng
3. Phạm Văn Quyết
4. Đặng Hòa Sơn
5. Mai Ngọc Cường
6. Bùi Thế Quỳnh
7. Hoàng Trọng Tùng
8. Nguyễn An Ninh



Chương 6. Surfaces Plasmon trên các cách tử
- Ta đã nghiên cứu surfaces plasmon trên bề mặt nhẵn
trong Chương 2, surfaces plasmon trên bề mặt nhám
nhỏ trong Chương 3.
- Trong chương 6 này, ta sẽ tiếp tục nghiên cứu về
surfaces plasmon trên một bề mặt khác, đó là trên các
cách tử.

Chương 6. Surfaces Plasmon trên các cách tử
Nội dung
6.1 Sự phát xạ ánh sáng từ các cách tử dạng sin
6.2 Quan hệ tán sắc của các SPs trên bề mặt hình sin
6.3. Phản xạ ánh sáng tại cách tử với bề mặt Plasmon ở trạng
thái kích thích.
6.4 Ảnh hưởng của biên độ sóng hài bậc hai với dạng cách tử.
6.5 Sự cải thiện cộng hưởng của trường điện từ
6.6 Sự tạo ra hài bậc 2 trên cách tử

Chương 6. Surfaces Plasmon trên các cách tử
- Như ta đã biết, một bề mặt nhám có thể phân tích thành các
hài có một loạt các giá trị k
r
=2π/a liên tục.
-> Để tìm hiểu surface plasmon trên các cách tử, ta xem xét bề
mặt chỉ bao gồm các cách tử được biểu diễn dưới dạng
S(x)=hsin(2π/a)x.
- Việc giới hạn ở dạng hình sin tạo thuận lợi:
+ Thực nghiệm đơn giản.
+ Nghiên cứu lý thuyết cũng dễ dàng.
6.1 Phát xạ ánh sáng từ các cách tử dạng Sin

- Có hai hướng thực nghiệm để nghiên cứu đặc
tính của SPs trên bề mặt hình sin:
+ Phương pháp ATR (Attenuated total
reflectance)
+ Phương pháp phản xạ
- Xét phương pháp ATR:
6.1 Phát xạ ánh sáng từ các cách tử dạng Sin





Ở đây, thiết bị ATR có cấu tạo gần giống khi nghiên cứu
surface plasmon trên bề mặt nhám (chương 3), chỉ khác là
bề mặt nhám đã được thay bằng tấm kim loại bạc có bề
mặt như hình Sin.
Thí nghiệm với 2 giá trị biên độ hình sin là h = 3.3Å và h =
160Å ta xây dựng được đồ thị thể hiên độ phản xạ Ro và
cường độ nhiễu xạ T
1+
theo góc tới θ
0
như sau:
6.1 Phát xạ ánh sáng từ các cách tử dạng Sin





Hình (a) : h=3.3Å và Hình (b) : h =160Å (b)
Nhận xét:
- Cách tử có h=3.3Å có thể tạo ra một tin hiệu rõ ràng, dù
độ nhám chỉ là δ ≈ 5Å.
- Cường độ tán xạ tương đối xấp xỉ dT
1+
/dΩ = 4×10
-
4
/5×10
-4
= 0.8. Ngược lại cường độ gây ra bởi độ nhám
δ ≈ 5Å chỉ khoảng 0.6×10
-3
, rất nhỏ nên có thể bỏ qua.
6.1 Phát xạ ánh sáng từ các cách tử dạng Sin
- Mối liên hệ về cường độ ánh sáng, phát ra từ cách tử vào trong
không khí, được suy ra nếu các SPs truyền dọc theo bề mặt cách tử
(như 3.1).
- Ví dụ, cường độ tương đối của phân cực – p phát xạ thành cực đại
nhiễu xạ, chẳng hạn n = -1, nó được cho bởi cường độ truyền dẫn
tương đối như sau:


Trong đó:
h
2
là bình phương biên độ của cách tử hay biến đổi Fourier của hàm S(x) = h
sin(2π/a)x
|t
p
|
2
là phần tăng cường của cường độ trường tại bề mặt kim loại – không khí.
2
2
( 1) ( 1) (0) 2
0 12
1
/ . ( )
4
p
R
T I I const t h
c
e
u
÷ ÷
| |
= =
|
\ .
6.2 Quan hệ tán sắc của các SPs trên bề mặt hình
Sin
- Khi biên độ h của cách tử được tăng lên
-> quan hệ tán sắc thay đổi do nhiễu dạng sin của bề mặt
đủ lớn. Các kết quả này suy ra từ cơ chế thay đổi của cực
tiểu phản xạ theo hàm của h, từ đó cực tiểu này có thể
được quan sát bằng thiết bị ATR hoặc trực tiếp qua sự
phản xạ.
- Hình sau biểu diễn các kết quả của 2 trường hợp vật liệu
Vàng và Bạc:

6.3. Phản xạ ánh sáng tại cách tử với bề mặt
Plasmon ở trạng thái kích thích.

 Ta xem xét sự phản xạ ánh sáng tại 3 vị trí:
+ Phản xạ của ánh sáng tại bề mặt hình sin
+ Phản xạ ánh sáng tại mối nối đường hầm trên
cách tử.
+ Phát xạ ánh sáng từ sóng SPs kích thích trên
cách tử bằng điện tử electron.

6.3.1 Phản xạ của ánh sáng tại bề mặt hình sin
- Xét 1 cách tử là 1 thanh kim loại, điều kiện để tia phản xạ ở góc
cộng hưởng có cường độ nhỏ nhất là:
ε’ <0 , |ε’|<1, ε’’ << ε’
cường độ nhiễu xạ bằng 0 (n = 0)
- Chú ý: Điều kiện trên chỉ áp dụng cho ánh sáng phân cực p, còn đối
với ánh sáng phân cực s thì không có giá trị cường độ nhỏ nhất.
- Còn điều kiện xuất hiện cộng hưởng là:
k
x
= (ω/c) √(


1


1+1
) = (ω/c) sin ϴ ± ʋg,
với Δ k
x
= g, bỏ qua sự ảnh hưởng của biên độ h.

 Hình sau mô tả sự phản xạ của ánh
sáng phân cực p
 LL : vị trí của dòng ánh sáng
 26.1
0
là vị trí tính toán
 29
0
là vị trí quan sát
 Tại ϴ
0
≈ 24
0
ta có thể thấy sự gián đoạn
của cường độ nhiễu xạ. Lý do là là do sự
biến mất của các nhiễu xạ với n=1.
 Giá trị cực tiểu cho biết sự hấp thụ
năng lượng do SP ở trạng thái kích thích.

6.3.1 Phản xạ của ánh sáng tại bề mặt hình sin
 Đây là hình biểu thị sự phản xạ tại 1
lưới vàng hình sin.
 Các đường 1, 2, 3, 4 lần lượt tương
ứng với biên độ h = 89Å, 174Å, 308Å, 514Å.
 Đường nét liền là đường do tính toán
 Đường các điểm là đường cong phản xạ
quan sát được

Nhận xét: đường tính toán gần giống với
đường quan sát được trên thực tế.
6.3.1 Phản xạ của ánh sáng tại bề mặt hình sin
6.3.2 Phản xạ ánh sáng tại mối nối đường hầm trên
cách tử.

 Trong phần này ta sẽ nghiên cứu sự giao thoa của sóng Plasmon tại
1 bề mặt điểm nối trong đường hầm cách tử. Xét mối nối có cấu trúc
Al-Si0
2
-p-Si






 Khi cho độ dày lớp Al thay đổi, ta sẽ vẽ được sự phụ thuộc của
cường độ bức xạ theo bước sóng như sau:
6.3.2 Phản xạ ánh sáng tại mối nối đường hầm
trên cách tử.










 Hình a : mối nối phẳng; hình b là mối nối Al(310Å)-Si0
2
-p-Si ; hình c
là mối nối Al(90Å)-Si0
2
-p-Si
 NX: cường độ phản xạ đạt min với bước sóng λ = 6328Å, đây chính
là sự cộng hưởng sóng SP.
6.3.3 Phát xạ ánh sáng từ sóng SPs kích thích trên cách
tử bằng điện tử electron.

 Các thí nghiệm về điện tử electron gặp nhiều khó khăn
và hạn chế nên phương pháp này không thể đạt được độ
chính xác như trong các thí nghiệm quang học.

6.4 Ảnh hưởng của biên độ sóng hài bậc hai với
dạng cách tử.
 Hình bên biểu diễn dạng của
độ phản xạ (n=-1) theo sự thay
đổi của θ
0
với tham số h
(2)
/h
(1)
 Đường 1,2,3,4 tương ứng với
h
(2)
/h
(1)
= 0.05 ; - 0.11 ; - 0.16 ; - 0.26
 Đường nét liền là đường quan sát
 Đường nét đứt là đường tính toán

6.5 Sự cải thiện cộng hưởng của trường điện từ
 Lý thuyết:
Tương tự như trên bề mặt nhẵn và bề mặt nhám nhỏ, cường độ
trường điện từ ở bề mặt hình sin cũng sẽ đạt giá trị cực đại khi
có cộng hưởng.
Kết hợp với chương 2, ta đưa ra được công thức:

=
2
2

0
(1 −)

1
′′
(
1

−1)
1/2

Với
0
được tính:

0
=

1

1

+1
1/2

λ

6.5 Sự cải thiện cộng hưởng của trường điện từ
 Khi phản xạ R=0, thì T
el
đạt giá trị max với cách tử
có a=8000Å, λ=6200Å bằng 250 với Ag, 60 với vàng
và 35 với đồng, giá trị này có khi còn lớn hơn ở bề
mặt nhẵn.
 Công thức trên đối với cách tử dạng sine là tương
đối chính xác.
6.5 Sự cải thiện cộng hưởng của trường điện từ
 Kết quả thí nghiệm.
a, Cường độ ánh sáng phát xạ tính toán(1/I
o
) là hàm của h
2
(h là biên độ cách
tử)
b, Một kết quả khác nhận được từ sự cải thiện của phát xạ Raman, để đo lường
trường tăng, cách tử(vàng, a=4507Å,2h=326Å) được phủ vào tấm polystyrene
dày 100Å.
Bề mặt được chiếu xạ với ánh sáng 6328Å, và cường độ của trường của đường
Raman được so sánh với cường độ ra của cộng hưởng Plasmon bề mặt. Giá trị so
sánh là 30.
c, Phương pháp tương tự được sử dụng với cách tử vàng pha tạp vơi axit
nitrobenzoic, thương số của cường độ của đường Raman và đường cộng hưởng
được xác định từ 25-30.


6.6 Sự tạo ra hài bậc 2 trên cách tử
 Kích thích SPs tạo ra sự cải thiện đáng kể điện
trường trên bề mặt. Giống như trên bề mặt nhẵn, sự
tạo ra hài bậc 2 ở điện trường này cũng được dự
đoán.
 Các thí nghiệm được làm với cách tử vàng,
(a=5500Å) với các biên độ h khác nhau, với ánh
sáng laser(λ=10.6μ) được phản xạ ở đó.
6.6 Sự tạo ra hài bậc 2 trên cách tử
 Ở điều kiện cộng hưởng, tồn tại hài bậc 2 giữa hướng
nhiễu xạ cực đại thứ 0 và hướng ánh sáng tần số ω+-1.
 Nếu môi trường trên bề mặt cách tử bạc phân tán, thì
các tia với tần số ω và 2ω sẽ đi tới thiết bị ATR với các
hướng khác nhau.
 Trong hình trên, vì đặt trong không khí nên có sự bảo
toàn momen và năng lượng nên 2 tia này gần trùng
nhau.
6.6 Sự tạo ra hài bậc 2 trên cách tử
 Để loại tần số ω, dùng bộ lọc (CuSO
4
solution) kết
hợp với bộ đơn sắc monochromator, được đặt trước
bộ nhân quang.

6.6 Sự tạo ra hài bậc 2 trên cách tử
 Quan sát tính cộng hưởng như là hàm của gới tới θ
0

chỉ biên độ cực đại của cường độ tần số 2ω ở biên
độ tới hạn hc.
 khi đó kích thích phân cực SP mạnh nhất tương
đương với giá trị nhỏ nhất của nó thu được tại thiết
bị ATR.

Thank you!

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful