1.

CUPRINS
INTRODUCERE........................................................................................................................4
PARTEA I - NOŢIUNI TEORETICE FUNDAMENTALE...............................................7
1.UNDE ELECTROMAGNETICE................................................................................................8
1.1.Ecuaţiile lui Maxwell. Câmp electromagnetic..........................................................8
1.1.1.Ecuaţiile lui Maxwell......................................................................................................8
1.1.2.Câmp electromagnetic; energia câmpului electromagnetic.............................................9

1.2.Unda electromagnetică. Ecuaţia de propagare. Proprietăţi...................................10
1.2.1.Ecuaţia de propagare a undelor electromagnetice.........................................................10
1.2.2.Proprietăţile undelor electromagnetice..........................................................................11
1.2.3.Spectrul undelor electromagnetice................................................................................14
1.2.4.Starea de polarizare a undelor electromagnetice...........................................................21

1.3.Reflexia şi refracţia undelor electromagnetice.......................................................26
1.4.Formulele lui Fresnel..............................................................................................28
1.4.1.Consecinţe ale formulelor lui Fresnel............................................................................31

1.5.Absorbţia, difuzia şi dispersia luminii.....................................................................41
1.5.1.Absorbţia luminii..........................................................................................................41
1.5.2.Difuzia (împrăştierea) luminii.......................................................................................43
1.5.3.Dispersia luminii...........................................................................................................44

1.6.Birefringenţa............................................................................................................52
1.7.Fenomene optice neliniare......................................................................................55
1.7.1.Consideraţii generale....................................................................................................55
1.7.2.Generarea armonicii a doua..........................................................................................59
1.7.3.Armonici superioare......................................................................................................62
1.7.4.Oscilaţii optice parametrice...........................................................................................62

2.EMISIA STIMULATĂ A RADIAŢIEI ELECTROMAGNETICE. EFECTUL LASER........................65
2.1.Emisia stimulată a radiaţiei electromagnetice........................................................65
2.2.Proprietăţile radiaţiei laser.....................................................................................70
2.2.1.Monocromaticitatea......................................................................................................70
2.2.2.Coerenţa........................................................................................................................70
2.2.3.Directivitatea.................................................................................................................71
2.2.4.Intensitatea....................................................................................................................71

2.3.Laseri cu mai multe niveluri energetice..................................................................72
2.3.1.Laserul cu trei niveluri..................................................................................................72
2.3.2.Laserul cu patru niveluri...............................................................................................72

2.4.Sistemul laser...........................................................................................................73
2.4.1.Mediul activ laser..........................................................................................................74
2.4.2.Mecanismul de excitaţie................................................................................................75
2.4.3.Mecanismul de reacţie..................................................................................................77
2.4.4.Cuplajul de ieşire..........................................................................................................77

2.5.Cavităţi optice şi moduri laser................................................................................78
2.5.1.Unde staţionare.............................................................................................................78
2.5.2.Moduri longitudinale în laser........................................................................................80
2.5.3.Moduri transversale în laser..........................................................................................84
2.5.4.Cavităţi optice specifice laserilor..................................................................................85
2.5.5.Criteriul stabilităţii cavităţii..........................................................................................90

2.6.Tipuri de laseri........................................................................................................91
3.GHIDUL DE UNDĂ DIELECTRIC CIRCULAR........................................................................93
3.1.Concepte şi terminologie.........................................................................................93
3.2.Moduri în fibra optică.............................................................................................95
3.3.Fibra monomod.......................................................................................................98
3.4.Metoda WKB şi câmpuri în înveliş........................................................................101
3.5.Dispersia intramodală şi dispersia intermodală...................................................105
3.6.Perturbaţii în ghidul de undă................................................................................110
4.FENOMENE OPTICE ÎN SEMICONDUCTORI.......................................................................113
4.1.Efectul fotoelectric intern......................................................................................113
4.2.Gropi de potenţial cuantice semiconductoare.......................................................116
PARTEA A II-A – DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE..........................................121
5.FIBRE OPTICE..................................................................................................................122
5.1.Proprietăţi; propagarea luminii în fibra optică....................................................122
5.1.1.Noţiuni de bază...........................................................................................................122
5.1.2.Propagarea luminii în fibra optică cu profilul indicelui în treaptă...............................129
5.1.3.Propagarea luminii în fibra optică cu profilul indicelui în gradient.............................130
5.1.4.Tipuri de undă (moduri) în conductorul optic.............................................................130

5.2.Parametrii de bază ai conductoarelor optice........................................................134
5.2.1.Frecvenţa şi lungimea de undă critice.........................................................................135
5.2.2.Atenuarea în conductoarele optice..............................................................................136
5.2.3.Dispersia semnalului în conductoarele optice.............................................................138

5.3.Fabricarea şi proprietăţile fibrelor optice............................................................142
5.3.1.Tehnici de topire.........................................................................................................143
5.3.2.Prepararea fibrelor bogate în oxid de siliciu................................................................145
5.3.3.Absorbţia şi difuzia.....................................................................................................149
5.3.4.Caracteristici ale indicelui de refracţie........................................................................155
5.3.5.Rezistenţa la rupere a fibrei.........................................................................................158

6.DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE SEMICONDUCTOARE...................................................163
6.1.Dispozitive receptoare de radiaţie electromagnetică............................................163
6.1.1.Noţiuni generale..........................................................................................................163
6.1.2.Fotorezistori................................................................................................................164
6.1.3.Fotodiode. Fotoelemente.............................................................................................165
6.1.4.Celule solare...............................................................................................................168
6.1.5.Fotodiode p-i-n...........................................................................................................176
6.1.6.Fotodiode cu avalanşă.................................................................................................180
6.1.7.Fotodiode cu avalanşă cu heterojoncţiune...................................................................182
6.1.8.Dispozitive cu cuplare (transfer) de sarcină (CCD).....................................................183
6.1.9.Fototranzistori.............................................................................................................184
6.1.10. Optocuploare............................................................................................................184
6.1.11. Mărimi caracteristice fotodetectorilor......................................................................184
6.1.12. Limitarea performanţelor detectorilor. Zgomotul.....................................................186

6.2.Dispozitive emiţătoare de radiaţie electromagnetică............................................188
6.2.1.Diode luminescente.....................................................................................................188
6.2.2.Laseri cu semiconductori............................................................................................193
6.2.3.Diode laser..................................................................................................................195
6.2.4.Lungimea de undă a radiaţiei diodelor laser................................................................201
6.2.5.Caracteristici ale fasciculului laser..............................................................................202
6.2.6.Diode laser cu dublă heterostructură...........................................................................206
6.2.7.Laseri cu gropi de potenţial cuantice şi laseri cu centri cuantici..................................215
6.2.8.Laseri cu reacţie distribuită.........................................................................................218
6.2.9.Laseri cu emisie prin suprafaţa unei cavităţi verticale.................................................219

6.3.Modulatoare optice................................................................................................227

2

6.3.1.Modulatoare electro-optice.........................................................................................230
6.3.2.Modulatoare acousto-optice........................................................................................234

6.4.Multiplexoare şi demultiplexoare..........................................................................235
6.4.1.Filtre în straturi subţiri................................................................................................236
6.4.2.Reţele Bragg gravate în fibră......................................................................................236
6.4.3.AWG..........................................................................................................................236

6.5.Amplificatoare optice............................................................................................236
6.5.1.Amplificatoare cu fibră dopată cu erbiu .....................................................................237
6.5.2.Amplificatoare Raman ...............................................................................................239
6.5.3.Laseri de pompaj.........................................................................................................239

6.6.Divizoare şi multiplicatoare de frecvenţă.............................................................239
PARTEA A III-A – SISTEME OPTOELECTRONICE.................................................240
7.SISTEME DE COMUNICAŢIE OPTICĂ................................................................................241
7.1.Canalul de comunicaţie optică..............................................................................241
7.1.1.Emiţătorul...................................................................................................................242
7.1.2.Receptorul...................................................................................................................245
7.1.3.Dispozitive de cuplare şi îmbinare..............................................................................247
7.1.4.Parametri ai sistemului de comunicaţie.......................................................................248
7.1.5.Consideraţii asupra sistemului de comunicaţie............................................................248

7.2.Utilizarea benzii fibrei optice de către mai mulţi utilizatori.................................252
7.2.1.Utilizarea în comun a mediului de transmisie. Multiplexarea......................................252
7.2.2.Multiplexarea prin divizare în timp (TDM) pe cabluri de fibră optică........................253
7.2.3.Multiplexarea prin divizarea în lungime de undă (WDM) pe cabluri de fibră optică...254

8.ELEMENTE DE OPTICĂ INTEGRATĂ.................................................................................256
9.SENZORI CU FIBRĂ OPTICĂ.............................................................................................257
10.STOCAREA OPTICĂ A INFORMAŢIEI..............................................................................266
10.1.Construcţia compact-discurilor; codificarea datelor..........................................266
10.2.Tipuri de compact-discuri...................................................................................270
10.3.Standarde pentru CD...........................................................................................281
BIBLIOGRAFIE...............................................................................................................284

3

Introducere
Optoelectronica este o disciplină aflată în plină evoluţie, care descrie
fenomene şi aplicaţii ce implică atât electronica, dar şi optica, adică electroni
şi fotoni. În ultimii 30-40 de ani au avut loc progrese uriaşe în
optoelectronică, datorită în primul rând dezvoltării rapide a reţelelor de
comunicaţii optice. Deşi acestea reprezintă o aplicaţie importantă a
optoelectronicii, ea nu este singura. Există numeroase altele, dintre care
majoritatea sunt deja la dispoziţia publicului larg: aparatură de redare şi
înregistrare CD şi DVD, monitoare şi dispozitive de afişare, camere digitale,
dispozitive în infraroşu etc. Nu există o distincţie clară între termenii
„optoelectronică” şi „fotonică”, deşi cel din urmă priveşte fenomenele şi
aplicaţiile care implică fotoni, fără o legătură obligatorie cu electronica.
În prezent, optoelectronica priveşte mai multe categorii funcţionale,
dintre care cele mai importante sunt:
- generarea luminii,
- modularea luminii,
- transmisia luminii şi conectarea între diverse dispozitive,
- amplificarea luminii,
- comutarea luminii,
- izolarea luminii,
- filtrarea luminii,
- multiplexarea şi demultiplexarea în lungime de undă a luminii,
- detecţia luminii
Dispozitivele corespunzătoare care implementează aceste funcţii sunt
emiţătoare (surse) de lumină, modulatoare (modulează lumina conform
informaţiei codate aplicate la terminalul de intrare electrică), ghiduri de undă,
conectoare (permit cuplarea între diferite medii de propagare a luminii sau
alte dispozitive şi componente în mod eficient şi sigur), amplificatoare optice
(amplifică semnalul optic ce a fost atenuat ca urmare a propagării prin mediul
de transmisie), comutatoare optice (permit liniei optice să fie comutată la
diferite locaţii, de exemplu când apare o întrerupere pe calea normală şi este
nevoie de comutarea pe o legătură de rezervă), izolatoare optice (permit
semnalului optic să se propage numai într-un singur sens, prevenind
întoarcerea semnalului amplificat spre emiţător), filtre optice (permit trecerea
unei radiaţii luminoase de o anumită lungime de undă sau, dimpotrivă,
blocarea trecerii alteia), multiplexoare şi demultiplexoare, detectoare şi altele.

O segmentare în trei funcţii optoelectronice permite studiul celei mai
mari părţi a componentelor optoelectronice:
4

Funcţii optice

Emisie optică
(IR, vizibil, UV)

Prelucrarea
informaţiei optice

Detecţie şi
imagistică

Diode laser, LED,
VCSEL, ecrane plate
(OLED, LCD,
plasmă, micropuncte)

Matrice de comutaţie,
comutatoare optice,
MUX/DEMUX,
amplificatoare optice

CCD, CMOS, matrice
de detecţie IR,
microbolometre

Dintre aplicaţiile cele mai importante ale optoelectronicii, se pot
sublinia câteva, aşa cum se poate vedea în schema de mai jos:

Telecomunicaţii
optice

Domeniul militar
şi spaţial

OPTOELECTRONICA
Telecomunicaţii
optice

Tehnologia şi
tratarea
informaţiei

Una dintre aplicaţiile cele mai importante ale optoelectronicii este
reprezentată de telecomunicaţiile optice. Nevoia de noi servicii face ca acest
domeniu să avanseze permanent, în scopul dezvoltării unor reţele
metropolitane şi locale eficiente.
Reţelele sunt astăzi clasificate în funcţie de distanţa geografică pe
care acestea o acoperă:
5

Sursele la 1550 nm sunt rezervate pentru reţelele WAN. Spaţieirea tipică a canalelor CWDM est de 20 nm pentru un număr de canale sub 16. rezervate pentru reţelele de distanţă scurtă de tip MAN sau LAN. cum ar fi: emisia la 1550 nm. În prezent. acestea emit la 850 şi 1300 nm şi sunt. Rămân totuşi unele probleme de rezolvat. 2. puterea mică. Principalele dezvoltări în curs pentru a răspunde nevoilor reţelelor metropolitane sunt : 1. Optica integrată pe sticlă 6 . polarizarea rotatorie. Dezvoltarea dispozitivelor VCSEL. 3. Dezvoltarea sistemelor CWDM. din acest motiv.• reţele de distanţă foarte lungă (≥ 600 km) • reţele de distanţă lungă (500 ÷ 600 km între regeneratoarele de semnal) • reţele metropolitane DWDM (până la 150 km) • reţele intermediare (40 ÷ 80 km) • reţele de distanţă foarte scurtă (2 ÷ 40 km) • reţele de distanţă foarte scurtă (< 2 km) Construcţia reţelelor metropolitane este considerat în prezent sectorul cel mai activ în domeniul telecomunicaţiilor optice. Costul scăzut al acestei tehnologii este o alternativă interesantă la DWDM pentru aplicaţiile metropolitane. Diferenţa de cost faţă de DWDM est de ordinul 4 ÷ 5.

Noţiuni teoretice fundamentale 7 .Partea I .

Ecuaţiile lui Maxwell. de forma:      D = ε 0 E + P = ε 0 (1 + χ e ) ⋅ E = ε 0 ε r E = ε E (1.intensităţile   câmpului electric. respectiv magnetică ale mediului. E. χe . Ecuaţiile lui Maxwell Ecuaţiile lui Maxwell descriu fenomenele electrice şi magnetice şi au următoarele forme locale şi integrale: 1) Ecuaţia Maxwell-Faraday (legea inducţiei electromagnetice)    ∂B rot E = ∇× E = − . B ) câmpul electric şi magnetic în funcţie de condiţiile 8 . 0) Acestor ecuaţii li se asociază relaţiile de material în medii liniare. D ) ( H . 0) 4) Legea lui Gauss a fluxuluimagnetic    divB = ∇⋅ B = 0 . µ permeabilitatea magnetică. Unde electromagnetice 1. 0)       B = µ 0 H + M = µ 0 (1 + χ m ) ⋅ H = µ 0 µ r H = µ H (1. M = χ m ⋅ H este magnetizarea locală.1. ρ Relaţiile anterioare permit determinarea mărimilor care caracterizează    ( E .1.1.inducţia electrică. ∫ B ⋅ dS = 0 S (1.1. ∫ D ⋅ dS = ∫ ρ⋅ dV S V (1. omogene şi izotrope. respectiv magnetic şi D. B . De asemenea. Câmp electromagnetic 1. H . SΓ Γ 0) 3) Legea lui Gauss a fluxuluielectric    divD = ∇⋅ D = ρ . ∂t    d  ∫ E ⋅ d l = − dt ∫ B ⋅ dS Γ (1. 0) Prima relaţie reprezintă forma locală a legii lui Ohm în absenţa surselor de tensiune iar cea de-a doua – forma locală a legii Joule-Lenz. ε   permitivitatea electrică. în care σ= 1 este conductivitatea electrică a mediului şi j – densitatea de curent. trebuie adăugate şi relaţiile:   j = σ⋅ E (1. ∂t   H ∫ ⋅dl = Γ   d   ∫ j ⋅ dS + dt S∫ D ⋅ dS (1. 0) dW = σ E 2 = ρ j2 dv ⋅ dt (1. respectiv magnetică. χm susceptibilităţile electrică. 0) ( )     unde P = ε 0 ⋅ χe ⋅ E este polarizarea electrică. 0) SΓ 2) Ecuaţia Maxwell-Ampère (legea inducţiei magnetoelectrice)     ∂D rot H = ∇× H = j + .

ρj2 reprezintă densitatea volumică a puterii disipate σ    prin efect Joule iar S = E × H este vectorul Poynting.2. ∂t r r r r r r r r ∂H µ = −∇ × E şi E ⋅ ∇ × H − H ⋅ ∇ × E = −∇ ⋅ E × H . respectiv magnetic. este. mărginit de suprafaţa fixă Σ. în unitatea de timp). se obţine: ∂t ( ( ) ) ( )         ∂W = −∫ E ⋅ ∇× H − j E − H ⋅ ∇×E ⋅ dV = ∫ j E ⋅ dV + ∫ ∇⋅ E ×H = ∂t V V V (    2 2 = ∫ ρ j ⋅ dV + ∫ ∇⋅ S ⋅ dV = ∫ ρ j ⋅ dV + ∫ S ⋅ dS = PJ + Prad − ( V 1. 9 .iniţiale. aceste câmpuri se generează reciproc (câmp electromagnetic). 0) Energia câmpului electromagnetic dintr-un volum V. care reprezintă  unde E = densitatea fluxului de energie radiată (energia transportată pe direcţia normală prin unitatea de suprafaţă a suprafeţei Σ.1. în regim variabil: W= ( ) 1 ε E 2 + µH 2 ⋅ dV ∫ 2V (1. Acest ansamblu de câmpuri variabile în timp se propagă din aproape în aproape printr-un mediu de propagare (sau prin vid) sub forma unui fenomen periodic în spaţiu şi în timp. 1. numit undă electromagnetică. 0) Densitatea volumică de energie a câmpului electromagnetic este dată de relaţia: w= ( dW 1 = w e + w m = ε E2 + µ H2 dV 2 ) (1. 0) Viteza de variaţie în timp a energiei câmpului electromagnetic din volumul V este: ∂W ∂ − =− ∂t ∂t    ∂H  1    ∂E 2 2   ∫ ε E + µH ⋅ dV  = −∫  ε E ⋅ ∂t + µH ⋅ ∂t  ⋅ dV V  2 V  ( ) Înlocuind în relaţia de mai sus expresiile: r r r ∂E ε = ∇×H − j . rot E = − = −µ ∂t ∂t ∂t ∂t (1. energia câmpului electromagnetic Dacă un sistem de sarcini electrice generează un câmp electric. condiţiile la limită (de frontieră) şi de caracteristicile electrice şi magnetice ale mediului considerat.0) V ) Σ V  1 j = ρ j . variabile în timp. Câmp electromagnetic. Să scriem ecuaţiile  lui Maxwell  sub forma:     ∂D   ∂E ∂B ∂H rot H = j + = j +ε .

14). rezultă:    ∂2 H ∂H ∆H − εµ 2 = µσ ∂t ∂t (1. ∆Ψ − ( 10 ) . 0) Dacă mediul este dielectric (σ = 0). relaţiile (1. cu soluţii de forma: v 2 ∂t 2      Ψ( r . Proprietăţi 1. Unda electromagnetică. ∇×H = σ E + ε ∂t ∂t (1.14). ∇× E = −µ .17) sunt formal identice cu 1 ∂2Ψ ⋅ = 0 . 1. ecuaţia undei armonice plane. 0) Relaţia de mai sus reprezintă forma diferenţială (locală) a legii conservării energiei câmpului electromagnetic. 0) Aplicând operatorul rotor (∇×) celei de-a treia ecuaţii din cele de mai    sus şi folosind identitatea ∇×(∇×a ) = ∇(∇⋅ a ) −∆a . rezultă:   ∂2 E ∂E ∆E − εµ 2 = µσ ∂t ∂t ( În ) ( )   ∇⋅ E şi ∇×H din (1. din ecuaţiile lui Maxwell (1. t ) = Ψ0 ⋅ e i ( ωt −k ⋅r ) sau Ψ( r .   ∂2H ∆H − εµ 2 = 0 ∂t (1.2.∂w 2 Cum W = ∫ w ⋅ dV . Ecuaţia de propagare a undelor electromagnetice Fie sistemul ecuaţiilor lui Maxwell pentru medii neutre (ρ = 0):        ∂H ∂E ∇⋅ E = 0 .2.15). respectiv (1. Ecuaţia de propagare. 0) mod ) ( )      ∂ ∇× ∇×H =∇∇⋅ H −∆H = −σ⋅∇×E +ε ∇×E ∂t   şi înlocuind în relaţia de mai sus expresiile lui ∇⋅H şi ∇×E similar.1. 0) Se constată cu uşurinţă că relaţiile (1.16) devin:   ∂2E ∆E − εµ 2 = 0 ∂t . ∇⋅ H = 0 .  V adică: V V V  ∂w + ∇⋅ S = ρ j 2 ∂t (1. t ) = Ψ0 cos ωt − k ⋅ r . rezultă:       ∂H  ∂  ∇× ∇×E = ∇ ∇⋅ E −∆E = −µ∇×  ∂t  = −µ ∂t ∇×H   ( ) ( ) ( Înlocuind în relaţia de mai sus expresiile lui ecuaţiile lui Maxwell  (1. rezultă: − ∫ ∂t dV = ∫ ρ j ⋅ dV + ∫ (∇⋅ S) ⋅ dV .

v. t ) = E 0 cos ωt − k ⋅ r (1. u versorul direcţiei de propagare a undei şi λ = v⋅T = v = lungimea de undă a undei. dacă: 11 . Să enumerăm câteva din proprietăţile acesteia:        ∂Ψ ∂2Ψ 2 2 ( ) = iω ⋅ Ψ0 ( r ) ⋅ e iωt = iω ⋅ Ψ .2. 0) εµ Expresia vitezei de propagare poate fi scrisă şi sub forma: v= c= 1 ε0µ0 1 εµ = 1 ε r µ r ε0 µ0 = c εrµr . Proprietăţile undelor electromagnetice       Fie o funcţie de forma: Ψ( r . t ) = Ψ0 ⋅ e i ( ωt −k ⋅ r ) = Ψ0 ( r ) ⋅ e iωt . t ) = H ⋅ e sau H( r . Rezultă deci că aceste ecuaţii descriu propagarea câmpului electromagnetic (ansamblul de câmpuri electrice şi magnetice) în mediul caracterizat de ε şi µ sub forma unei unde electromagnetice. 0)  este vectorul de undă. t ) = E 0 ⋅ e i ( ωt −k ⋅r ) sau E( r . Viteza de propagare a undei electromagnetice. unde ≈ 3 ⋅10 8 m/s (1.2. se determină din condiţia: εµ = 1 v2 ⇒ v= 1 (1. Se defineşte indicele de refracţie al unui mediu oarecare sub forma: n= c = εrµr v (1. expresia indicelui de refracţie este: n = εr (1. 0)   Soluţiile ecuaţiei undelor pentru câmpurile E şi H sunt:         E( r . t ) = H cos ωt − k ⋅ r (1. = i ω ⋅ Ψ = − ω ⋅ Ψ ∂t ∂2t  2) aplicarea operatorului ∇⋅ asupra funcţiei Ψ înseamnă multiplicarea  acesteia cu factorul − i ⋅ k 1) Astfel. ν 1. 0)          i ( ωt −k ⋅ r ) H( r .descriind propagarea spaţio-temporală a mărimii asupra căreia acţionează   E sau H operatorul ( ). 0) este viteza de propagare a undei electromagnetice în vid. 0) În cazul când mediul este diamagnetic (µr = 1). 0) ( 0 0 unde ( ) )  2π  ω  k= u= u λ v (1.

devin:    ∇⋅ E = 0 ⇒ i k ⋅ E = 0 (1. din relaţia (1. formând un triedru ortogonal.    Analizând relaţiile de mai sus. k ). se obţine:  µ   E =− ⋅ u ×H ε (1.    ⇒ k × H = −ωε E (1. Oy. se poate arăta că Deci. aceste ecuaţii. rezultă că vectorii k . 0) Analog. 0)    ∇⋅ H = 0 ⇒ i k ⋅ H = 0 (1. De exemplu. atunci: r r r ∂Ψ x ∂Ψ y ∂Ψ z ∇⋅Ψ = + + = − ik x ⋅ Ψ x − ik y ⋅ Ψ y − i k z ⋅ Ψ z = −i k ⋅ Ψ ∂x ∂y ∂z    ⋅ Ψ = −i k ⋅ Ψ.28). care este cea a vectorului de undă. respectiv Oz. ∇    ∇×Ψ= −i k ×Ψ    3) Soluţiile ecuaţiilor lui Maxwell. ε0 .27) rezultă: ω    vu  k H= ×E = ×E = ωµ ωµ  H=  εµ ⋅ u  . u y . E şi H sunt perpendiculari unul pe celălalt. u z sunt versorii axelor Ox. 0) Mărimea: Z= E = H µ ε (1. În mod asemănător. în cazul mediilor neutre şi dielectrice. 12 µ0 = 120π Ω . 0) se numeşte impedanţa mediului şi are în vid valoarea Z 0 =    Vectorii E şi H oscilează în fază. deci ×E µ ε   ⋅ u ×E µ (1.     i ( ω t − x ⋅k x − y⋅k y − z ⋅ k z ) Ψ = Ψ x ⋅ u x + Ψ y ⋅ u y + Ψz ⋅ u z = u x ⋅ Ψ0x ⋅ e +   i ( ω t − x ⋅ k x − y⋅ k y − z ⋅ k z ) i ( ω t − x ⋅ k x − y⋅ k y − z ⋅ k z ) + u y ⋅ Ψ0y ⋅ e + u z ⋅ Ψ 0z ⋅ e    unde u x . 0) 0) 0)   ∂H ∇× E = −µ ∂t   ∂E ∇× H = ε ∂t ⇒    k × E = ωµ H (1. E şi H fiind de forma funcţiei Ψ. ceea ce conferă următoarele proprietăţi undelor electromagnetice:  Undele electromagnetice sunt unde transversale (direcţia de   oscilaţie a vectorilor E şi H este perpendiculară pe direcţia de  propagare. din relaţia (1.

1. are direcţia versorului u al direcţiei de propagare. 0) . 1 – Reprezentare grafică a unei unde electromagnetice    r Vectorul Poynting.33). relaţia (1.27) se scrie: kE = ωµH ⇔ ω E = ωµH ⇔ v εµ ⋅ E ⇔ ε ⋅E = µ ⋅H De aici. rezultă că densitatea volumică de energie a câmpului electric. 0) (1. se obţine: I= 1 εµ ⋅ε E 2 =    ε H ⋅ E 2 = ⋅ E 2 = H ⋅ E = E ×H = S µ E 13 (1. 0) Proprietăţile undelor electromagnetice sunt reprezentate în figura 1. Energia undei este distribuită în mod egal între componentele electrică şi magnetică.29) Se defineşte intensitatea undei electromagnetice ca fiind numeric egală cu energia electromagnetică ce străbate în unitatea de timp unitatea de suprafaţă perpendiculară pe direcţia de propagare: I= dW v ⋅ dW v ⋅ dW = = = v⋅w dS n dt dS n ⋅ v ⋅ dt dV (1. 0) Ţinând cont şi de relaţia (1. respectiv a câmpului magnetic se află în relaţia: εE2 µH2 = wm = 2 2 1 = we + w m = ε E2 +µH2 = ε E2 = µH2 2 we = w em ( ) (1. fapt ce rezultă din relaţia (1. S = E ×H . În modul. Figura 1.

modului acestuia fiind egal cu intensitatea undei electromagnetice. existând suprapuneri. se poate rezolva ecuaţia de propagare şi se poate găsi forma specifică a funcţiei de undă. scurte şi ultrascurte.). deosebim: 1. în general. care sunt limitate. intensitatea undei are expresia: ( I= ( )   ε ⋅ E 02 ⋅ cos 2 ωt − k ⋅ r µ ) (1.3. 1. Având în vedere modul de producere al lor. aşa cum se poate vedea în figura 1.2. cu lungimi de undă între câţiva km până la 1 m (după unele clasificări. ε. În cele mai multe cazuri. E( r . spectrul undelor electromagnetice este reprezentat într-o scară logaritmică în funcţie de frecvenţă şi. Unde radio.     În cazul unei unde armonice plane. Astfel. ne referim numai la domeniile accesibile în prezent. limitele dintre diferite categorii de unde nu sunt precise. Spectrul undelor electromagnetice Într-o clasificare foarte des utilizată. σ.3⋅109 Hz (respectiv 109 Hz) sunt produse în instalaţii electronice. medii. µ. 14 . Se subîmpart în unde lungi. până la 30 cm) şi frecvenţe între 104 Hz şi 0. când se face o clasificare a acestora. 0) Pentru diferite cazuri particulare. fiind necesară utilizarea unor metode aproximative sau numerice.2. în funcţie de lungimea de undă. 0) Aceasta reprezintă valoarea instantanee. pentru mediul respectiv. pe calculator. Spectrul undelor electromagnetice nu are limite superioare sau inferioare dar. fiind utilizate în special în radio şi televiziune. valoarea medie fiind: I = 1 ε ⋅ ⋅ E 02 2 µ (1.Relaţia de mai sus ne arată semnificaţia fizică a vectorului Poynting. ca urmare a faptului că anumite unde electromagnetice sunt produse de surse diferite. anizotrope etc. în paralel. pentru medii cu structură mai complexă (neomogene. cunoscând caracteristicile mediului. t ) = E 0 cos ωt − k ⋅ r . din punct de vedere practic soluţiile sunt mai dificil de calculat.

industrial -14 -13 -12 -11 -10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 Figura 1. 15 . 2 – Spectrul undelor electromagnetice 2. În funcţie de lungimea de undă se subîmpart în unde decimetrice.a. care ocupă în spectrul electromagnetic domeniul de frecvenţe cuprinse între 300 MHz (1 GHz.lg ν (ν[Hz]) 23 22 radiaţii γ 21 1 0 radiaţii ultraviolete radiaţii vizibile domeniul optic microunde radiaţii infraroşii unde milimetrice unde centimetrice unde decimetrice unde ultrascurte unde radio 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 radiaţii X unde hertziene 20 19 18 17 16 15 14 lg λ (λ[m]) unde scurte unde medii unde lungi frecvenţe acustice c. după alte clasificări) şi 300 GHz. Microunde. centimetrice şi milimetrice. lungimea de undă corespunzătoare acestui interval de frecvenţe variind între 1 m şi 1 mm.

acestea tind să se orienteze pe direcţia câmpului. apoi în comunicaţiile telefonice. Cele două caracteristici au dus la folosirea microundelor în primul rând în sistemele de radiolocaţie şi. energia undei poate fi concentrată uşor într-un fascicul îngust. capacitatea canalului de transmisie prin microunde creşte şi ea. în funcţie de natura moleculelor şi starea lor de legătură la un substrat. aceasta fiind datorată interacţiunilor dintre molecule sau elemente moleculare polare. în special când distanţele intermoleculare sunt mici. deci disipată în căldură. Interacţiunea microundelor cu substanţa este practic determinată de mecanismul de absorbţie dielectrică. Densitatea volumică de putere absorbită. este proporţională cu frecvenţa undei electromagnetice şi cu pătratul valorii efective a intensităţii componentei electrice a acesteia şi depinde de substanţa absorbantă prin intermediul coeficientului de absorbţie. dacă regiunea vizibilă şi UV din spectrul undelor electromagnetice se caracterizează prin faptul că tranziţiile dintre stările energetice electronice din substanţă sunt măsurabile direct iar energiile de vibraţie şi rotaţie ale moleculelor sunt observate numai ca efecte perturbatoare. cu antene de dimensiuni mici. aceste unde pot fi foarte bine direcţionate. în regiunea infraroşie spectrele de vibraţie se observă direct.Originea termenului de “microunde” s-a pierdut. Cazul 16 . Pe de altă parte. Astfel. Acesta este domeniul de relaxare dielectrică. foarte direcţionat. În general. iar în regiunea microundelor tranziţiile dintre nivelurile energetice de rotaţie ale moleculelor sunt observate direct. pentru a descrie undele de lungimi de undă mai mici de 30 cm. în care mecanismul de dezordine se traduce printr-o absorbţie dielectrică intensă. În acest fel. a energiei vehiculate de câmpul electromagnetic. adică de valori mult mai mici decât cele folosite (la acea dată) pentru telecomunicaţii. de către substanţa dipolară. tendinţă uşor de împlinit pentru câmpuri constante sau lent variabile dar practic imposibil de realizat în cazul câmpurilor de frecvenţă foarte mare (infraroşu …) Între aceste două situaţii extreme. există un domeniu de frecvenţe la care cuplajul dipolar între moleculele polare dă naştere unei dezordini intermoleculare crescute. Sub acţiunea unui câmp electric. Regiunea microundelor poate fi definită pe baza tipului de spectre la care se adaptează cel mai bine. cu efecte nucleare apărând ca perturbaţii de ordinul I. el fiind probabil folosit prima dată în timpul celui de-al doilea război mondial. pe măsura valorii mai mari a frecvenţei. cu energiile de rotaţie observate de obicei ca perturbaţii ale spectrelor de vibraţie. frecvenţele undelor electromagnetice corespunzând relaxării dielectrice au valori cuprinse între câţiva MHz şi 100 GHz. Interesul pentru acest tip de unde electromagnetice s-a dezvoltat în momentul când s-a constatat că ele sunt mai uşor de controlat decât cele de lungimi de undă mai mari deoarece.

pe de altă parte. în acest fel.-microunde şi invers. cum ar fi aplicaţiile medicale. 94 GHz şi 140 GHz) pentru a obţine maximul de eficacitate al unor astfel de sisteme. Randamentul total al procesului. pot fi folosite ca dezinfectant. Microundele sunt reflectate de suprafeţele metalice dar materialele plastice. ţinând cont de pierderile la conversia c. Pe de o parte. 17 . ele trec prin ionosferă (care reflectă undele radio). de altfel utilizarea lor în telecomunicaţii. acestea sunt generate de o sursă (magnetron) şi emise sub forma unui fascicul dirijat spre palele unui ventilator. permitivitatea şi coeficientul său de absorbţie au valori ridicate şi. utilizate imagistica radiometrică pentru observarea suprafeţei terestre din spaţiul cosmic Studii teoretice şi experimentale precum şi simulări pe calculator au arătat că există anumite ferestre optime (35 GHz. pentru diagnosticare sau ca alternativă la unele metode chirurgicale. fiind. pot ameliora calităţile solvenţilor şi pot fi folosite pentru curăţarea unor soluri contaminate. Microundele au fost utilizate prima dată în radiolocaţie în timpul celui de-al doilea război mondial. pentru tratamente termice. scăzând din nou pentru apa în stare gazoasă. hârtia sunt transparente faţă de acestea. Primul este cel referitor la utilizarea microundelor în sistemele de radiolocaţie iar cel de-al doilea la utilizarea acestora la construcţia aşa-numitelor “cuptoare cu microunde”. în primul rând prin folosirea microundelor în telecomunicaţii (telefonie celulară.apei este în mod particular remarcabil. stare în care molecula de apă este “blocată”.a. În ultimul timp domeniul de aplicaţii s-a lărgit foarte mult. este de 20 %. utile în comunicaţiile prin sateliţi sau în sisteme speciale. O aplicaţie de viitor este în transportul energiei electrice fără linie de transport.5 GHz şi emiterea unui fascicul de undă spre o antenă receptoare. Experienţele efectuate de o echipă franceză de la Universitatea din Réunion au permis transmiterea la o distanţă de 100 m a unei densităţi de putere de 5 mW/cm2. Microundele pot determina scăderea poluanţilor din aer. De asemenea. fum etc. În domeniul ştiinţei materialelor. ploaie. banda sa de frecvenţe de absorbţie prin relaxare este foarte întinsă. televiziune. comunicaţii prin sateliţi). Aplicaţiile microundelor s-au limitat până de curând la două aspecte. în varianta electrocasnică sau cea industrială. care reflectă şi împrăştie aceşte radiaţii în incintă. sticla. prin convertirea curentului electric alternativ 50 Hz în hiperfrecvenţe (microunde) la 2. ceea ce însemnă un randament de 60%. sau pentru extragerea unor probe de materiale pentru analize. folosind fascicule maser. dar şi în alte direcţii. microundele sunt utilizate la fabricarea calcopiritei (semiconductor pe bază de cupru). până la câţiva GHz pentru apa în stare lichidă. ceea ce permite. Microundele trec practic fără pierderi prin atmosfera umedă. În cuptoarele cu microunde. în funcţie de starea de agregare: de la câţiva kHz pentru gheaţă.

Din această cauză acest tip de radiaţie mai este numit şi radiaţie termică dar trebuie să subliniem faptul că. Drept 18 . T). respectiv frecvenţa în domeniul (3⋅1011 ÷ 4⋅1014) Hz. pe baza unor studii anterioare ale francezilor Armand Hipolyte.8⋅10-7) m. Radiaţia infraroşie are lungimi de undă cuprinse în domeniul (10 -3 ÷ 7. Radiaţia infraroşie este emisă de substanţe ca urmare a vibraţiilor şi rotaţiilor moleculare produse de agitaţia termică. 0) λ e λkT − 1 care descrie dependenţa de temperatură a densităţii fluxului de radiaţie a corpului negru. ceea ce face ca această radiaţie să poată fi folosită în obţinerea imaginilor în infraroşu. ca urmare a numărului mare de oscilatori din ansamblul emiţător. O regiune spectrală în domeniul infraroşu.8⋅10-7) m. infraroşul mijlociu (3⋅10-5 ÷ 3⋅10-6) m şi infraroşul apropiat (3⋅10-6 ÷ 7. nori sau fum. radiaţia termică nu este limitată la o regiune de lungimi de undă particulară sau la un anumit tip particular de spectru. maximul se găseşte în domeniul infraroşu. La temperaturi obişnuite. w(λ. Luis Fizeau şi Jean B. Domeniul se subîmparte în: infraroşul îndepărtat (10-3 ÷ 3⋅10-5) m. Pe de altă parte. În acest domeniu. Nu vom intra aici în detalii referitoare la radiaţia corpului negru şi ne vom limita la aminti legea radiaţiei a lui Planck: 2πc 2 h 1 w ( λ. radiaţia respectivă nu este absorbită de ceaţă. foarte importantă prin prisma aplicaţiilor. William Herschel. de către Isaac Newton dar punerea în evidenţă pentru prima dată îi aparţine descoperitorului planetei Uranus. Existenţa radiaţiilor infraroşii a fost prezisă încă din 1660. care oscilează cu energii distribuite conform legii de distribuţie Boltzmann. este cea între 8 şi 12 µm.3. Ceea ce este de subliniat în privinţa radiaţiei termice este faptul că ea prezintă un spectru continuu. T ) = ⋅ ch 5 (1. în 1800. Aceste radiaţii sunt generate ca urmare a vibraţiilor şi rotaţiilor moleculare de corpurile calde (radiaţie termică) dar domeniul infraroşu îndepărtat este în prezent accesibil şi instalaţiilor electronice care generează unde submilimetrice. Foucault. Această dependenţă prezintă un maxim cu atât mai pronunţat cu cât temperatura este mai mare. iar primele aplicaţii în domeniul imaginilor în infraroşu au fost experimentate prin anii 1910 de către englezul Wood.. în realitate. acest maxim respectă legea deplasării. a lui Wien: λmax⋅T = constant unde λmax este lungimea de undă la care densitatea fluxului de radiaţie este maximă. Utilizarea termenului de radiaţie termică este datorată faptului că el defineşte energia emisă sau absorbită numai ca urmare a echilibrului termic al sistemului.

O alternativă o reprezintă structurile mixte de GaAs şi AlGaAs2. radiaţia infraroşie este utilizată în tratarea unor afecţiuni dermatologice. folosind heliu lichid. pentru că energia emisă şi distribuţia ei spectrală depinde atât de temperatura corpului. O aplicaţie importantă este cea care utilizează radiaţia infraroşie pentru comanda la distanţă sau la senzorii termici. Astfel. substanţe care au aceeaşi structură cristalină dar structură electronică diferită. În sfârşit. cum este cazul rocilor şi mineralelor. o imagine în infraroşu poate avea o gamă largă de contraste. Structura energetică electronică a acestor materiale (numite structuri cu barieră de potenţial multicuantică). Costul unor astfel de dispozitive este însă foarte ridicat. putându-se determina mult mai uşor anumite proprietăţi ale acestora analizând radiaţia infraroşie emisă. reumatologice sau în recuperare. astfel că au fost căutate şi alte posibilităţi. să amintim aici utilitatea radiaţiilor infraroşii în astronomie şi astrofizică. pe baza efectului termic produs în ţesutul iradiat. mult mai ieftin. Aceasta poate fi utilă şi în alte situaţii. Singurul inconvenient este faptul că funcţionarea unor astfel de dispozitive de captare în infraroşu trebuie să aibă loc la temperaturi joase (~ 60 K) ceea ce impune răcirea lor prin sisteme criogenice costisitoare. poate fi controlată prin structura straturilor respective. când ea aduce 19 . plantele reflectă mult mai multă energie în domeniul infraroşu decât în cel vizibil. radiaţia infraroşie este utilizată la cuptoarele destinate în special pentru uscări rapide. Domeniul infraroşu este unul dintre cele mai utile domenii spectrale în identificarea compoziţiei unui corp. cât şi emisă (în cantităţi egale dacă acesta se află în echilibru termic). bazaţi în funcţionarea lor pe faptul că orice corp emite o radiaţie termică ce îl deosebeşte de altul. cu ajutorul căruia sunt realizate aşa-numitele detectoare MCT. astfel de structuri de straturi succesive foarte subţiri din cele două substanţe prezintă proprietăţi de absorbţie foarte bune în infraroşu. în medicină. Senzorii termici detectează diferenţele în radiaţia primită de la diferite corpuri. deoarece în acest caz este vorba atât de energie absorbită. cât şi de natura materialului din care este făcut. cum acestea sunt adesea considerabile. ceea ce permite utilizarea azotului lichid. Din această cauză. Materialele bune reflectătoare ale radiaţiei infraroşii. În industrie. sunt utilizate la fabricarea geamurilor sau a altor materiale de construcţie folosite la clădiri în zone calde. O realizare recentă permite ridicarea temperaturii până la 77 K. cum ar fi straturile subţiri de metale (aur). Astfel. În afara aplicaţiilor în domeniul imaginilor în infraroşu. cadmiu şi telur. acest tip de radiaţie electromagnetică are şi alte aplicaţii.material fotosensibil în acest domeniu. este folosit de mai mult timp un aliaj de mercur.

3 ÷ 8. 5. Radiaţia γ este emisă de nucleele substanţelor radioactive sau în anumite reacţii nucleare şi are lungimi de undă în domeniul (10–10 ÷ 10–14) m Este de remarcat faptul că nu există un standard unic de clasificare şi împărţire a benzilor de unde electromagnetice. mai ales în spectrul utilizat în telecomunicaţii. cu spectru discret) sau cu nucleele acestora (radiaţie X de frânare. Radiaţia vizibilă (lumina) este un domeniu foarte îngust al spectrului electromagnetic. Radiaţia X (Roentgen) are un domeniu al lungimilor de undă în limitele (10–9 ÷ 6⋅10–12) m şi poate fi produsă la interacţiunea particulelor electrizate de energii mari (electroni acceleraţi la tensiuni de ordinul 104 ÷ 105 V) cu învelişul electronic al atomilor (radiaţie X caracteristică. 6.informaţii utile în clasificarea anumitor roci. prezentat în tabelul 1.8⋅10–7) m.4 ÷ 18 S 2.5 H 5.9 ÷ 7. Radiaţia ultravioletă este un domeniu cu λ în limitele (3.8⋅10–7÷6⋅10–10) m.2 – Clasificarea undelor electromagnetice la limita dintre microunde şi radiaţia infraroşie Banda Frecvenţa (Hz) λ (m) 12 Infraroşu îndepărtat > 6⋅10 < 5⋅10-5 20 . 4.95 N 15 ÷ 22 G 3.8⋅10–7 ÷ 3. Astfel.2: Tabel 1.05 K 18 ÷ 26.5 ÷ 40 X 7. firma Hewlwtt-Packard foloseşte propriul sistem de clasificare.3 ÷ 18 J 4.6 ÷ 3. fiind produsă în general de acelaşi tip de surse ca şi radiaţia vizibilă. cu spectru continuu) 7. De exemplu.95 ÷ 5.1 – Clasificarea undelor electromagnetice în sistemul HewlwttPackard Banda Frecvenţa (GHz) Banda Frecvenţa GHz) L 1 ÷ 2.85 Ku 15.1: Tabel 1. destul de utilizată.05 ÷ 10 milimetrice 30 ÷ 300 M 10 ÷ 15 submilimetrice > 300 O împărţire a domeniului de la graniţa dintre microunde şi radiaţia infraroşie.2 R 25. având λ în limitele (7. este cea din tabelul 1.6 P 12. se poate detecta prezenţa materialelor argiloase printre alte minerale (fapt important în exploatarea minereurilor de aur şi argint). Aceste radiaţii sunt produse de dezexcitările atomice şi moleculare.

domeniul undelor radio şi microundelor (tipul ondulatoriu). situat la frecvenţe mari. 3. 1.4. vizibile şi ultraviolete). 0) 21 .2. provenite din procese nucleare. Ey = E0y⋅cos(ωt + ϕ) (1. generate în instalaţii electronice. Starea de polarizare a undelor electromagnetice r Dacă în timpul propagării undei planele de oscilaţie ale vectorilor E r şi H ai undei electromagnetice rămân aceleaşi (nu se modifică în timp).Unde submilimetrice Unde milimetrice 3⋅1011 ÷ 6⋅1012 3⋅1010 ÷ 3⋅1011 5⋅10-5 ÷ 10-3 10-3 ÷ 10-2 Analizând cele de mai sus. este evident faptul că spectrul electromagnetic se poate împărţi în trei părţi principale: 1. domeniul optic (radiaţii infraroşii. unda r este o undă liniar (plan) polarizată. iar oscilaţiile pe aceste direcţii sunt în general defazate între ele cu un unghi oarecare. ϕ. gruparea acestor tipuri de radiaţii electromagnetice în domeniul optic are ca bază atât modul comun de generare (procese atomice şi moleculare) cât şi tehnicile experimentale comune. Figura 1. Vectorul E (vectorul luminos) oscilează perpendicular pe direcţia de propagare. Ex = E0x⋅cosωt . 2. iar planul de oscilaţie al vectorului H se numeşte plan de polarizare. Atunci. 3 – Descompunerea intensităţii câmpului electric în planul transversal Proiecţia acestui vector în planul xOy se poate descompune pe direcţiile Ox şi Oy (figura 1. situat între celelalte două domenii mai sus amintite şi prezentând ambele caractere (corpuscular şi ondulatoriu).3). domeniul radiaţiilor de energii mari (tipul corpuscular). Planul de oscilaţie al vectorului E se r numeşte plan de vibraţie. situat la lungimi de undă mari. r Fie Oz direcţia de propagare a undei electromagnetice.

respectiv Oy. 4 . respectiv 2⋅E0y.Proiecţia în planul (xOy) a curbei descrise de vârful vectorului E în timpul propagării  Unda pentru care proiecţia vârfului vectorului E descrie o elipsă într-un plan perpendicular pe direcţia de propagare se numeşte undă polarizată eliptic. Forma şi orientarea elipsei depind de amplitudinile E0x şi E0y şi de defazajul ϕ dintre oscilaţiile pe cele două axe. Ox şi Oy. Din relaţiile (1. = cos ωt ⋅ cos ϕ − sin ωt ⋅ sin ϕ = x cos ϕ − 1 − 2x ⋅ sin ϕ E0x E0y E0x E0x Regrupând termenii şi ridicând relaţia la pătrat.4). 22 . axele elipsei fiind rotite cu unghiul θ faţă de axele de coordonate. Elipsa este înscrisă într-un dreptunghi E cu laturile paralele cu axele şi având lungimea egală cu 2⋅E0x .  Figura 1.39) rezultă: Ey E E E2 cos ωt = x . se obţine: 2  Ey   E E  − x cos ϕ = 1 − x E   E 0x  0y E 0x    ⋅ sin 2 ϕ  Rezultă: E 2y E 2 0y + E 2x E 2 0x −2 ExEy E 0x E 0y ⋅ cos ϕ = sin 2 ϕ (1. 0) Relaţia de mai sus este din punct de vedere formal ecuaţia unei elipse care reprezintă proiecţia în planul (xOy) a curbei descrise de vârful vectorului  în timpul propagării (figura 1.r unde E0x şi E0y reprezintă amplitudinile componentelor vectorului E pe direcţiile Ox.

…). y E E0y α −α E0x E Figura 1. În acest caz. ± 3 . 5 – Undă polarizată liniar 23 x . sinϕ = 0. ± 2 . ± 1 . cosϕ = 1 şi rezultă:  Ey E  − x E  0y E 0y 2   =0 ⇔   Ey = E 0y E 0x ⋅ Ex aceasta reprezentând ecuaţia unei drepte din cadranele 1 şi 3. de pantă tgα = E 0y E 0x . ϕ = 2mπ (m = 0.5).Cazuri particulare 1. unda este o undă liniar polarizată (figura 1.

± 1 . În acest caz. dacă ϕ = unda este o undă polarizată eliptic drept iar dacă ϕ = π . care este ecuaţia unui cerc. 6 – Undă polarizată eliptic 4. ϕ = (2m + 1)⋅π (m = 0. π (m = 0.6). În acest caz. …).2. …). ± 3 . ± ± 3 . unda fiind o undăcircular polarizată. y E0y E x E0x Figura 1. Dacă vectorul E al undei oscilează în mod egal pe toate direcţiile situate într-un plan perpendicular pe direcţia de propagare. ± 1 . cosϕ = – 1 şi rezultă:  Ey E  + x E  0y E 0y 2   =0 ⇔   Ey = − E 0y E 0x ⋅ Ex . unda este tot o undă liniar polarizată (figura E 0x 1. 24 . Dacă E0x = E0y = E0 . sinϕ = 1. de pantă tg( −α) = − E 0y . aceasta reprezentând ecuaţia unei drepte din cadranele 2 şi 4. ± 2 . aceasta reprezentând ecuaţia unei elipse cu axele E 0x 3. 2 3π . unda este o 2 undă polarizată eliptic stâng. sinϕ = 0.7). ϕ = ( 2m +1) ⋅ rezultă: E 2y E 02 y pe direcţia axelor de coordonate (figura 1. cosϕ = 0 şi 2 E 2x + 2 = 1 . se obţine Ex2 + Ey2 = = E02 .5. segmentul punctat). ± 2 . unda electromagnetică este o undă nepolarizată (figura 1.

este evident că lumina naturală este o suprapunere de unde elementare emise de dipolii sursei şi este deci nepolarizată. 8 – Undă parţial polarizată 25 . Ca urmare. respectiv (2 – 2’). Fiecare tren de undă (undă elementară) emis de un atom este o undă polarizată liniar. 7 – Undă nepolarizată Din interacţiunea luminii cu diferite sisteme optice se poate obţine o undă parţial polarizată (figura 1.8). la momente întâmplătoare. tuburi de descărcare în gaze – este nepolarizată. în care vectorul E este paralel cu axa dipolului. 2 1 1’ 2’ Figura 1. se defineşte gradul de polarizare: I −I2 P= 1 (1. faţă de direcţia perpendiculară (2 – 2’). Sursele naturale conţin un număr foarte mare de dipoli care emit trenuri de undă în mod haotic şi ale căror axe sunt orientate izotrop în spaţiu. Atomii emit lumină un timp foarte scurt (10–8 s).Figura 1. la care există o direcţie de oscilaţie privilegiată (1 – 1’). Dacă I 1 şi I2 sunt intensităţile componentelor undei care oscilează pe direcţia (1 – 1’). Ei pot fi consideraţi drept dipoli  oscilanţi care emit o undă de durată finită (tren de undă). surse incandescente. 0) I1 + I 2 Lumina naturală – emisă de Soare.

I 2 = 0. 0) Planul determinat de direcţia undei incidente şi normala la suprafaţa   de separare. µ2. lumina este nepolarizată. ce separă două medii omogene. H′′ = u′′ × E′′ µ1 µ1 µ1 ( ) ( ) ( ) (1. E′ = E′s + E′p . Reflexia şi refracţia undelor electromagnetice Să considerăm suprafaţa Σ.43) pot fi scrise sub forma: H ~ n1E. iar dacă P = 1. liniare şi semi-infinite. axa Ox tangentă la suprafaţa Σ. reflectată şi transmisă formează unghiurile α. la frecvenţe optice. µ1 . componentele tangenţiale (paralele cu suprafaţa de separare) ale vectorilor se conservă. E′′ = E′s′ + E′p′          H = H s + H p . respectiv transmisă. Σ. izotrope.3. Fie undele incidentă. 26 .9). În modul.Dacă P = 0. axa Oz orientată pe direcţia normalei la suprafaţa Σ. H’ ~ n1E’. H′′ = H′s′ + H′p′ Fie componentele Es ale undei luminoase în cazul când undele incidentă. H” ~ n1E” (1. se numeşte plan de incidenţă. ale căror ecuaţii sunt:    i ( ωt −k ⋅ r ) ecuaţia undei incidente: E = E 0 ⋅ e     ecuaţia undei reflectate: E ′ = E ′ ⋅ e i ( ω′t −k ′⋅r ) (1. relaţiile (1. u ′′ sunt versorii direcţiilor de propagare ai undelor incidentă. H′ = u′ × E′ . Folosim un sistem de coordonate având originea în punctul de incidenţă. α’ şi α’’ cu normala la suprafaţa Σ în punctul de incidenţă (figura 1. reflectată. lumina este total (liniar) polarizată. reflectată şi transmisă. 0)    unde u . respectiv ε2. 0 0 - )     ecuaţia undei transmise: E ′′ = E ′0′ ⋅ e i ( ω′′t −k ′′⋅r ) Vectorii intensitate a câmpului magnetic ai celor trei unde sunt:    ε1   ε1   ε1   H= u × E . axa şi conţinută în planul de incidenţă şi axa Oy normală la planul de incidenţă (planul xOz este deci planul de incidenţă). u ′ . µ1 ≈ 1 şi n ≈ ε r . I1 = I2. H ):     s s    E = E s + E p . cu constantele de mediu ε1. H′ = H′s + H′p . Hp) şi perpendiculare pe planul de incidenţă (E . pentru 0 < P < 1 lumina este parţial polarizată. 1. Vectorii E şi H pot fi descompuşi în componente paralele cu planul de incidenţă (E p. Dacă pe suprafaţa de separare nu există curenţi şi sarcini electrice..

Altfel spus: Undele incidentă. numai dacă exponenţii sunt egali. r Din relaţia (1. 27 . ceea ce se mai poate scrie sub forma: ω   ω   ω   u⋅r = u′⋅ r = u ′′ ⋅ r v1 v1 v2 (1. 0)      E 0 s ⋅ e i ( ωt −k ⋅ r ) + E ′0s ⋅ e i ( ω′t −k ′⋅ r ) = E ′0′s ⋅ e i ( ω′′t −k ′′⋅ r ) (1. 0) sau     v   u ⋅ r = u ′ ⋅ r = 1 u ′′ ⋅ r v2 (1. 0) ωt − k ⋅ r = ω′t − k′ ⋅ r = ω′′t − k ′′ ⋅ r ceea ce implică: • ω = ω' = ω'' (frecvenţa undei nu se modifică la reflexie şi refracţie)       • k ⋅ r = k ′ ⋅ r = k ′ ′ ⋅ r . ceea ce înseamnă că r = y ⋅ u y . impune ca: (Es + E’s)Σ = (E”s)Σ (1.     u ′′ ⊥ Oy . 9 – Componentele normală şi paralelă cu planul de incidenţă ale undelor luminoase incidentă. 0)    Fie P( r ) ∈ Σ un punct de pe axa Oy. 0) Amplitudinile Eos. reflectată şi transmisă r Conservarea componentei tangenţiale a vectorului luminos.49). ţinând cont de expresia lui r .Figura 1. E . E'os şi E''os fiind constante. rezultă: v       u ⋅ u y = u ′ ⋅ u y = 1 u ′′ ⋅ u y v2     Dar u ⋅ u y = 0 pentru că u ⊥Oy ceea ce înseamnă că şi u ′ ⊥Oy .46) poate fi  adevărată la orice moment t şi în orice punct de pe suprafaţa Σ (orice r ). relaţia (1. adică atât u cât şi u′ şi u ′′ sunt în planul xOz. adică:       (1. reflectată şi transmisă sunt coplanare.

v1     Pe de altă parte. Considerăm unda incidentă nepolarizată ca fiind rezultanta a două unde plane care se propagă cu aceeaşi viteză. pentru două medii omogene şi izotrope. respectiv Es perpendiculară pe planul de incidenţă. atunci   r = x ⋅ u x şi din (1.44). H’0. H”0. deci: v2 sin α sin i v n = = 1 = 2 = n = ct. respectiv H0.49) rezultă:     u ⋅ u x = u ′ ⋅ u x ⇒ cos(90 – α) =cos(90 – α’) ⇒ α = α’. reflectată şi transmisă la suprafaţa de separare dintre două medii. H’0s ~ n1⋅E’0p. Ecuaţiile undelor sunt date de (1.43) şi (1. polarizate în plane perpendiculare (E p – paralelă. în aceeaşi direcţie. sin α′′ sin r v 2 n1 Raportul dintre sinusul unghiului de incidenţă şi sinusul unghiului de refracţie este constant. Vectorul E este conţinut în planul de incidenţă (Ep şi Hs) Fie amplitudinile undelor Ep şi Hs: E0. aceasta reprezentând a doua lege a reflexiei: Unghiul de incidenţă este egal cu unghiul de reflexie.4. Formulele lui Fresnel Formulele lui Fresnel stabilesc relaţii între amplitudinile şi energiile undelor incidentă. conservarea componentelor tangenţiale (din planul xOy) se scrie astfel: 28 .  1. u ⋅ u x = u ′ ′ ⋅ u x ⇒ cos(90 – α) =cos(90 – α’’). Figura 1. 1.10. E”0. H”0s ~ n2⋅E”0p. E’0. – a doua lege a refracţiei. 10 Conform figurii 1.Dacă punctul din planul de incidenţă se alege pe axa Ox. cu H0s ~ n1⋅ E0p.

0) Rezultate analoage se obţin şi pentru componentele vectorului Hs. 0) Prin adunarea celor două relaţii din sistemul (1. 0) Prin împărţirea celor două relaţii de mai sus.50) devin: cos r  ′ ′ ′ E − E = E ⋅  0 0 0 cos i  n  E 0 + E ′0 = E ′0′ ⋅ 2 = E ′0′ ⋅ sin i  n1 sin r (1. 0) Folosind legea refracţiei. H’0p ~ n1⋅E’0s . relaţiile (1.  2. se obţine: E 0 − E ′0 cos r ⋅ sin r sin 2r = = E 0 + E ′0 cos i ⋅ sin i sin 2i E ′0 = E 0 ⋅ 2 sin ( i − r ) ⋅ cos( i + r ) sin 2i − sin 2r = −E 0 ⋅ sin 2i + sin 2r 2 sin ( i + r ) ⋅ cos( i − r ) de unde se poate exprima amplitudinea undei transmise: E ′0 p = − tg ( i − r ) ⋅ E 0p tg ( i + r ) (1. Vectorul E este perpendicular pe planul de incidenţă (Ep şi Hs) Conform figurii 1. H”0p ~ n1⋅E”0s a doua din relaţiile de mai sus se poate scrie sub forma: 29 . n1⋅sini = n2⋅sinr .E0⋅cos i – E’0⋅cos i = E”0⋅cos r H0 + H’0 = H”0 ⇔ n1⋅E0 + n1⋅E’0 = n2⋅E”0 E0⋅cos i – E’0⋅cos i = E”0⋅cos r n1⋅E0 + n1⋅E’0 = n2⋅E”0 (1.51) rezultă: sin ( i + r ) ⋅ cos( i − r )  cos r sin i  E ′0′ sin 2r + sin 2i 2E 0 = E ′0′ ⋅  + ⋅ = E ′0′ ⋅ = sin r ⋅ cos i sin r ⋅ cos i  cos i sin r  2 De aici rezultă: E ′0′p = 2 sin r ⋅ cos i ⋅ E 0p sin ( i + r ) ⋅ cos( i − r ) (1.. conservarea componentelor tangenţiale ale   vectorilor E şi H se scrie: E0 + E’0 = E”0 H0⋅cos i – H’0⋅cos i = H”0⋅cos r Ţinând cont de relaţiile dintre componenta magnetică şi cea electrică: H0p ~ n1⋅E0s .11.

(n1⋅E0 – n1⋅E’0)cos i = n2⋅E”0 ⇔ E0 – E’0 = E ′′0 ⋅ cos r sin i ⋅ cos i sin r Figura 1. 0) Înlocuind relaţia (1. Ţinând cont de legea a doua a refracţiei. Incidenţa normală În acest caz. 0) Adunăm cele două ecuaţii ale sistemului (1. nu se poate defini planul de incidenţă. 0) Rezultate analoage se obţin şi pentru componentele vectorului Hp.  2 sin r ⋅ cos i  sin r ⋅ cos i − sin i ⋅ cos r E ′0 = E 0  − 1 = E 0 sin ( i + r )  sin ( i + r )  E ′0s = − sin ( i − r ) ⋅ E 0s sin ( i + r ) (1.54) se obţine: De aici. cos i = cos r = 1 . 3. putem scrie: 30 . 11 Formăm sistemul:  E 0 + E ′0 = E ′0′   cos r sin i ′ ′ ′ E − E = E ⋅  0 0 0 cos i ⋅ sin r (1.54): sin ( i + r )  sin i ⋅ cos r  2E 0 = E ′0′ ⋅ 1 +  = E ′0′ ⋅ sin r ⋅ cos i  sin r ⋅ cos i  sin r ⋅ cos i E ′0′s = 2 ⋅ E 0s sin ( i + r ) (1.55) în prima ecuaţie a sistemului (1. rezultând aceleaşi relaţii pentru E p şi Es. i = r = 90°.

rs = 0s = − (1. Dacă n2 < n1 sensul de oscilaţie se păstrează şi nu are loc o schimbare de fază la reflexie. • Coeficienţii lui Fresnel Aceşti coeficienţi se exprimă prin rapoarte de amplitudini ale undelor reflectată.1.n2 sin i cos r 1 − n1 sin r ⋅ cos i − sin i ⋅ cos r sin r E ′0 = E 0 = E0 = E sin i n2 0 sin ( i + r ) cos r + cos i 1 + sin r n1 cos i − Deci: n 2 − n1 ⋅E0 (1. (1. În cazul undei transmise.4. adică suferă un salt de fază egal cu π. din expresia lui E”0 (relaţiile 1.56) (1. Consecinţe ale formulelor lui Fresnel Saltul de fază al undei la reflexie Dacă n2 > n1 (i > r). echivalând cu o parcurgere de către undă a unei distanţe suplimentare egală cu λ/2 (pierdere de λ/2). 0) E 0p tg( i + r ) E 0s sin ( i + r ) iar pentru incidenţa normală: E′ n − n 2 r= 0 = 1 (1.52. din expresia lui E'0 al undei reflectate (relaţiile 1.57) se observă că acesta are semn contrar faţă de E0 al undei incidente. (1. ceea ce înseamnă că unda reflectată îşi schimbă sensul de oscilaţie.55). Astfel.56.57) şi (1. 1. 1. coeficienţii de reflexie au expresiile: E ′0 p E′ tg( i − r ) sin ( i − r ) rp = =− .58) poartă numele de formulele lui Fresnel.53). 0) n 2 + n1 2 sin r ⋅ cos i 2 cos i 2 E ′0′ = E 0 = E0 = E0 sin i n2 sin i ⋅ cos r + sin r ⋅ cos i cos r + cos i +1 sin r n1 2n 1 E ′0′ = ⋅ E0 (1. 0) E 0 n1 + n 2 Coeficienţii de transmisie au expresiile: 31 .55.53.52). transmisă şi incidentă. 1. E ′0 = − • 1. 1.58) se observă că întotdeauna amplitudinea undei transmise are acelaşi semn cu cea a undei incidente. deci la refracţie nu se produce un salt de fază sau o schimbare a sensului de oscilaţie. (1. 0) n 2 + n1 Relaţiile (1.

deci pentru i = iB unda reflectată este total polarizată întrun plan perpendicular pe planul de incidenţă. Calculând în acest caz gradul de polarizare. E′′ 2n 1 t= 0 = E 0 n1 + n 2 • (1. 0) Polarizarea luminii prin reflexie şi refracţie Să considerăm că o undă luminoasă suferă fenomenul de reflexie în condiţia în care i + r = 90°. • 0 < i < 90° . Astfel. 0) (1. 32 . notat cu iB se numeşte unghi Brewster şi este dat de: n tg i B = 2 (1. la incidenţă brewsteriană. se pot deosebi mai multe situaţii: • i = r = 0 (incidenţă normală) E ′0 p  tg ( i − r ) sin ( i − r )  cos( i + r ) cos 0 = − − = = =1 . Atunci: n 2 sin i sin i sin i = = = = tg i n 1 sin r  π  cos i sin  − i  2  În acest caz. i ≠ iB . care exprimă valoarea unghiului de incidenţă al unei unde. pentru care unda reflectată este total polarizată. valoarea lui este: E ′0 s − E ′0 p P= =1 E ′0s + E ′0 p ceea ce arată polarizarea totală a undei. t s = 0s = sin ( i + r ) ⋅ cos( i − r ) E 0s sin ( i + r ) La incidenţă normală. unghiul de incidenţă. componenta paralelă cu planul de incidenţă a undei reflectate se anulează: E ′0 p = − tg( i − r ) tg ( i − r ) ⋅ E 0p = − →0 π tg( i + r ) tg 2 în timp ce E’0s ≠ 0. P = 0 E ′0s  tg( i + r ) sin ( i + r )  cos( i − r ) cos 0 În acest caz unda reflectată este nepolarizată. 0) n1 Relaţia de mai sus reprezintă legea lui Brewster. Să considerăm o undă incidentă nepolarizată (E0s = E0p).tp = E ′0′p E 0p = E ′′ 2 sin r ⋅ cos i 2 sin r ⋅ cos i .

P = 0 E ′0′s cos 0 La incidenţă normală unda transmisă este nepolarizată. unda reflectată este nepolarizată. • i = 90° (incidenţă razantă) E ′0 p cos( 90 + r ) sin r = =− = −1 . P = 0 E ′0s cos( 90 − r ) sin r Ca şi în cazul incidenţei normale. după n refracţii identice: E ′0′p 1 = E ′0′s [ cos( i − r ) ] n E ′0 p = Pentru n suficient de mare. este evident că. P = <1 E ′0s cos( i − r ) cos( i − r ) + cos( i + r ) În acest caz unda reflectată este parţial polarizată într-un plan perpendicular pe planul de incidenţă. Se poate totuşi creşte gradul de polarizare prin refracţii multiple. 0 < P < 1 E ′0′s cos( i − r ) Unda refractată este parţial polarizată în planul de incidenţă Se poate constata din cele de mai sus că prin refracţie nu se poate obţine lumină total polarizată. Astfel.cos( i + r ) cos( i − r ) − cos( i + r ) <1 . • 0 < i < 90° E ′0′p 1 = >1 . Pentru unda refractată putem scrie: E ′0′p  2 sin r ⋅ cos i 2 sin r ⋅ cos i  1 = − =  E ′0′s  sin ( i + r ) ⋅ cos( i − r ) sin ( i + r )  cos( i − r ) • i = r = 0 (incidenţă normală) E ′0′p 1 = =1 . 33 . • i = iB – unda reflectată este total polarizată într-un plan perpendicular pe planul de incidenţă.

34) şi (1.E ′0′p E ′0′p E ′0′s • = 1 [ cos( i − r ) ] n E ′0′p − E ′0′s E ′′ >> 1 . putem scrie: Φ=   dW = I ⋅S n = E × H ⋅S n = dt ε ⋅ E 2 ⋅ S n ~ n ⋅ E 02 ⋅ S n µ Definim reflectanţa sau factorul de reflexie prin relaţia: Φ′ R= (1. 0) Φ unde Φ. orientată normal la direcţia de propagare. 34 . Ţinând cont de această definiţie precum şi de relaţiile (1. respectiv refractate (transmise).35). P = = 0s E ′0′p + E ′0′s E ′0′p E ′0′s −1 →1 +1 Distribuţia energiei undei la suprafaţa de separare dintre două medii diferite Definim fluxul energetic al unei unde ca fiind numeric egal cu energia ce străbate în unitatea de timp o suprafaţă oarecare. 0) Φ şi transmitanţa sau factorul de transmisie prin relaţia: Φ ′′ T= (1. Φ’ şi Φ’’ reprezintă fluxul undei incidente. reflectate.

Suprafeţele normale ale undelor incidentă. 0) 2 Tp = n 2 ⋅ cos r 2 sin i cos r   2 sin r ⋅ cos i sin 2i ⋅ sin 2r ⋅tp = ⋅ ⋅ =  2 n 1 ⋅ cos i sin r cos i  sin ( i + r ) ⋅ cos( i − r )  sin ( i + r ) ⋅ cos 2 ( i − r ) 2 n ⋅ cos r 2 sin i cos r  2 sin r ⋅ cos i  sin 2i ⋅ sin 2r Ts = 2 ⋅ts = ⋅ ⋅ =  n 1 ⋅ cos i sin r cos i  sin ( i + r )  sin 2 ( i + r ) (1. se definesc reflectanţa şi transmitanţa pentru componentele s şi p ale undelor: E′ 2  sin( i − r )   tg( i − r )  R p = 2 = r =   . 0) La incidenţă normală: E ′02 n −n  R = = 2 = r 2 =  2 1  E0  n 2 + n1  2 (1.Figura 1. La incidenţă oarecare. 0) 2 n 2 ⋅ cos 0 ⋅ E ′0′ 2 n 2 2 n 2  2n 1  4n 1 ⋅ n 2   T= = ⋅ t = ⋅ = n 1  n 1 + n 2  ( n 1 + n 2 ) 2 n 1 ⋅ cos 0 ⋅ E 02 n 1 (1. reflectată şi transmisă. 0) 35 . S’’ = S0⋅cos r de unde rezultă: 2 2 2 0 reflectat 1 0 0 (1.12 se pot exprima relaţiile între suprafeţele normale ale undelor incidentă. corespunzătoare unei suprafeţe S0 de pe suprafaţa de separare dintre cele două medii: S = S’ = S0⋅cos i . R s = = rs =   ( ) sin i + r E 0p  tg( i + r)  E   E ′02p 2 2 p 2 0s 2 0s 2 (1. reflectată şi transmisă Din figura 1. 0) 2 2 2 1 0 0 0 incident n ⋅ E′ ⋅ S′ E ′ E R= = = n ⋅E ⋅S E E 2 n 2 ⋅ E ′0′ 2 ⋅ S′ ′ n 2 ⋅ cos r ⋅ E ′0′ 2 n 2 ⋅ cos r ⋅ E 0 reflectat T= = = 2 2 n 1 ⋅ E 0 ⋅ S n 1 ⋅ cos i ⋅ E 0 n 1 ⋅ cos i ⋅ E 02 incident (1. 0) Se poate constata cu uşurinţă că R + T = 1. 12 .

13). n2 sin ℓ = (1.Dacă n2 < n1.15 (cazul n1 > n2). atunci i < r. Pentru r = 90° .14 (cazul n 2 > n1) şi 1. 36 . Figura 1. Acest unghi. din punct de vedere energetic este preferabilă polarizarea prin refracţie multiplă sau prin birefringenţă. se numeşte unghi limită. i = ℓ (figura 1. ℓ. 13 – Reflexia totală Reprezentarea grafică a variaţiei reflectanţei şi transmitanţei în funcţie de unghiul de incidenţă este dată în figurile 1. dar Φrefl > Φtransmis (T > R). 14 – Variaţia reflectanţei şi transmitanţei în funcţie de unghiul de incidenţă (cazul n2 > n1) Se observă că la i = iB lumina este total polarizată (Rp = 0) prin reflexie. 0) n1 Figura 1.

E orientat pe axa Ox şi vectorul câmp magnetic. H =  H y = H0 ⋅ e     Hz = 0  (1. orientat pe axa Oy. adică un fenomen de absorbţie. 0) 37 . H . 15 – Variaţia reflectanţei şi transmitanţei în funcţie de unghiul de incidenţă (cazul n2 < n1) • Reflexia pe metale (medii absorbante) La interacţiunea undelor electromagnetice cu osuprafaţă metalică. este evident că atenţie merită să fie acordată undei reflectate de o suprafaţă metalică. ceea ce produce amortizarea (micşorarea energiei) undei electromagnetice.Figura 1. curenţii formaţi conduc la degajarea de căldură prin efect Joule. Cum unda transmisă în metal este puternic absorbită. la a cărei expresie putem ajunge astfel: fie o undă electromagnetică având vectorul câmp   electric. direcţia de propagare fiind cea a axei Oz. Considerând o undă incidentă provenind din vid.   E x = E0 ⋅ e  E =  Ey = 0   Ez = 0   ~n  iω  t − z ⋅   c  Hx = 0   ~n   iω  t − z ⋅ c  . r electronilor liberi din metal sub acţiunea câmpului electric E al undei. indicele de refracţie al metalelor se exprimă printr-un număr complex. în  j = σ⋅ E ) datorită deplasării metal apar curenţi de conducţie (σ ≠ 0.

n. se poate scrie: ∂ 2E x ∂z 2 = εµ ∂2E x ∂t 2 + σµ ∂E x .  Dacă σ este diferit de zero. κ. c = εo ⋅ µo – viteza de propagare a undei electromagnetice în vid.74).pulsaţia oscilaţiei. de unde: 38 nκ = σµ c2 2ω . c σµc σ  ~ n 2 = εµc 2 − i = µc 2  ε − i  ω ω  2 (1.unde ω = 2πc/λ . Prin ridicare la pătrat se obţine: ñ2 = n2 – κ2 – 2iκn Comparând expresia de mai sus cu relaţia (2. ecuaţia de propagare a vectorului E are forma:    ∂2E ∂2 E ∂E = εµ 2 + σµ ∂z 2 ∂t ∂t şi. iar partea imaginară. din (1. ∂t Având în vedere expresia lui Ex . = −ω 2 ⋅ Ex .73). în cazul considerat. de unde. este indicele de refracţie al mediului. = iω ⋅ E x 2 2 ∂t ∂z c ∂t ~ n2 şi rezultă: − ω 2 ⋅ 2 = −εµω 2 + iωσµ . caracterizând capacitatea de absorbţie a acestuia. ñ – indicele de refracţie complex al mediului. reprezintă indicele de atenuare al mediului. se constată că: n 2 − κ 2 = εµc 2 . 0) În forma sa complexă indicele de refracţie are expresia: ñ = n – i⋅κ Partea reală. derivatele sale sunt: ~2 ∂ 2E x ∂ 2E x ∂E x 2 n = −ω ⋅ 2 ⋅ Ex .

factorul de reflexie la incidenţă normală este dat de: 1 − ( n + iκ) 1 − ( n − iκ) (1 − n ) + κ 2 ⋅ = 1 + ( n + iκ) 1 + ( n − iκ) (1 + n ) 2 + κ 2 2 R = r ⋅ r* = (1. De asemenea. se poate determina astfel: 39 . este mică. de unde: ω σµc 2 σ n 2 ≅ κ2 = = 2ω 2ωε 0 (1. ñ. care reprezintă oscilaţia optică. conductivitatea electrică. 0) Se poate constata că factorul de reflexie al suprafeţei metalice este mai mare decât cel al unei suprafeţe dielectrice. a indicelui de refracţie.n2 = µc 2 2  2 σ2   ε + 2 + ε ω   . adică atunci când conductivitatea electrică. 0) astfel încât coeficientul de reflexie pentru metale în domeniul optic este: R ≈1− 2 2ω 4π =1− 2 ⋅ =1− 2 ⋅ 2 n σµcλ σµc (1. pentru care κ = 0. ρ = 1/σ. 0) Astfel. ceea ce înseamnă că rezistivitatea. intensitatea radiaţiei reflectate de metale creşte odată cu creşterea indicelui de refracţie n. σ este mare şi atunci ε << σ . (1. Figura 1. σ este mare (de exemplu metale alcaline şi metale nobile). pierderile prin efect Joule fiind şi ele mici şi R → 1. κ2 = µc 2 2  2 σ2   ε + 2 − ε . coeficientul de reflexie creşte cu lungimea de undă λ. argintul nu este un material slab reflectător în domeniul ultraviolet şi violet. 16 – Variaţia coeficientului de reflexie în funcţie de lungimea de undă pentru argint În general. devenind un bun reflectător în domeniul roşu şi infraroşu (figura 1. amplitudinea oscilaţiei vectorului intensităţii câmpului electric.16). În cazul metalelor. de exemplu. 0) ω   Folosim relaţiile lui Fresnel în care introducem valoarea complexă.

Pe această proprietate se bazează elipsometria. 0) Mediul este cu atât mai transparent cu cât este mai mică valoarea lui kλ. n  iω t − ⋅z   c  ωκ − ⋅z (1. foarte precisă de studiu al proprietăţilor suprafeţelor unor materiale. Figura 1. 17 – Adâncimea de pătrundere Prin reflexia pe suprafeţe metalice nu se obţine lumină liniar polarizată. indicele complex de refracţie. 0) λ 4πκ (1.17). factorul de reflexie Rp este diferit de zero pentru orice unghi de incidenţă i. Ea constă în determinarea stării de polarizare a undelor reflectate de suprafeţe. 0) Ex = E0 ⋅ e ⋅e c Indicele de refracţie n determină faza undei care se propagă cu viteza v = c/n.18). În acest fel. Prin studiul straturilor subţiri metalice depuse 40 . în timp ce indicele de atenuare. dar nenul (figura 1. ñ = n – i⋅κ caracterizează total proprietăţile optice ale mediului de propagare. Reflexia pe o suprafaţă metalică produce un defazaj între componentele s şi p ale undei. deci cu cât este mai mic indicele de atenuare κ. metodă nedistructivă. Intensitatea undei este: I = Ex ⋅ E = E ⋅ e * x 2 0 − 2 ωκ ⋅z c = E 02 ⋅ e − k λ ⋅z (1. astfel încât lumina incidentă liniar polarizată devine prin reflexie polarizată eliptic. Amplitudinea undei electromagnetice este atenuată de e ori în mediul de propagare după ce unda parcurge prin acesta o distanţă: z0 = Această mărime se numeşte adâncime de pătrundere (figura 1.este coeficientul de absorbţie al mediului. există un unghi de incidenţă. determină amplitudinea acesteia. i p (unghi principal) pentru care Rp este minim. kλ = 2ωκ 4π = ⋅κ c λ (1. 0) unde kλ . κ.

Scăderea dI a intensităţii luminii la străbaterea unui strat absorbant elementar de grosime dℓ (figura 1. astfel. în timp ce corpurile opace absorb toate lungimile de undă cu excepţia celor reflectate şi care determină culoarea corpului. Figura 1. 18 – Variaţia coeficientului de reflexie în funcţie de unghiul de incidenţă pentru suprafeţe metalice 1. dar absoarbe radiaţiile infraroşii şi ultraviolete. Absorbţia are un caracter selectiv. corpurile transparente (filtre) absorb radiaţiile de toate lungimile de undă cu excepţia celor care determină culoarea filtrului.1.19) este proporţională cu grosimea stratului absorbant.5. cu intensitatea iniţială a fasciculului şi depinde de natura mediului şi de lungimea de undă a luminii. în sensul că unda luminoasă pierde energie la parcurgerea mediului respectiv. domeniul radio şi o parte a domeniului infraroşu . difuzia şi dispersia luminii 1. ea depinzând de natura mediului absorbant şi de lungimea de undă a undei luminoase..5. pentru observaţii astronomice în domeniile de absorbţie receptorii trebuind să fie situaţi în spaţiul extraatmosferic. atmosfera prezintă câteva ferestre de transparenţă – în vizibil. Absorbţia explică culoarea corpurilor: astfel. Absorbţia luminii Lumina este absorbită la trecerea prin medii optice. sticla nu absoarbe radiaţiile vizibile. Absorbţia. 41 .pe o suprafaţă se pot determina indici de refracţie cu o precizie de 10 -5 şi grosimea straturilor cu o precizie de fracţiuni de Ǻ.

Relaţia (1. care se aplică la absorbţia luminii de către soluţii. 0) Relaţia (1. I0 0) se numeşte coeficient de transmisie. unde Il şi I0 sunt intensităţile fasciculului incident. 19 – Absorbţia luminii dI ~ I . ∫ = − k λ ⋅ ∫ d l . Isolutie I0 ⋅ e − k ⋅l ⋅ e −εcl I = = e −ε⋅c⋅l = l − k ⋅l Isolvent I0 I0 ⋅ e Raportul: I τ= l (1. 0) unde ελ este coeficientul de extincţie natural iar c concentraţia soluţiei. 0) τ I0 se numeşte extincţie. dedusă pe cale teoretică. trebuie să se ţină seama şi de concentraţia acestora.80). având în vedere faptul că absorbţia depinde şi de acest factor. respectiv emergent din mediul absorbant de grosime ℓ şi kλ coeficientul de absorbţie care depinde de lungimea de undă şi de natura mediului absorbant. dI ~ dℓ ⇒ dI = – kλ⋅I⋅dℓ Il l dI dI = − k λ ⋅ dl . În cazul soluţiilor. Aceste două mărimi sunt folosite la studiul experimental al absorbţiei.dl I0 Il I l Figura 1. 42 .85) reprezintă legea lui Beer. este: Il = I0 ⋅ e −ελ ⋅c⋅l (1. Dacă se neglijează efectul solventului. I I I0 0 (1. este echivalentă cu relaţia (1. dedusă aici din considerente experimentale.84) reprezintă legea Bouguer-Lambert. 0) ln Il = −k λ ⋅ l I0 I l = I 0 ⋅ e − k λ ⋅l (1. iar mărimea: I 1 E = lg = lg l (1. intensitatea luminii după parcurgerea unui strat de grosime l dintr-o soluţie de concentraţie c. Această relaţie.

21. difuzia se numeşte difuzie elastică (difuzie Rayleigh).2. legea de atenuare a undei luminoase se scrie: − k + k ′ ⋅l Il = I0 ⋅ e ( λ ) (1. Difuzia (împrăştierea) luminii Difuzia este fenomenul datorită căruia razele de lumină care sunt invizibile într-un mediu transparent. lumina difuzată este de asemenea liniar polarizată 900 Figura 1. Notând cu k’ coeficientul de extincţie datorat difuziei şi considerând şi absorbţia undei. Când frecvenţa undelor secundare este aceeaşi cu a undei primare. devin vizibile dacă în mediu se află impurităţi microscopice (praf.20) intensitatea luminii difuzate depinde de unghiul de difuzie. ea este maximă pe direcţia razei 43 . se constată următoarele: • când lumina incidentă este liniar polarizată.1. pentru unghiuri de difuzie între 0 şi 90°. praf. 0) Difuzia în medii tulburi Mediile tulburi conţin particule fine în suspensie (fum. fum. iar când frecvenţa undelor secundare este diferită de a undelor primare. lumina difuzată pe direcţia luminii incidente este nepolarizată. Dacă dimensiunile particulelor în suspensie sunt de dimensiuni sub λ/10. 20 – Difuzia luminii • • când lumina incidentă este nepolarizată. lumina difuzată la 90° este liniar polarizată cu vectorul luminos într-un plan perpendicular pe planul determinat de direcţia undei incidente şi cea a undei difuzate. a căror direcţie este diferită de a undei primare. suspensii). difuzia se numeşte difuzie inelastică. Difuzia este produsă de neomogenităţi sau fluctuaţii de densitate care apar în medii. intensitatea undei primare scade. având întinderi de ordinul 0.5. lumina difuzată este parţial polarizată în acelaşi plan (figura 1. ceaţă. emulsii). aşa cum se poate vedea în figura 1.1 ÷ 10 λ. Fenomenul se explică prin producerea undelor secundare în mediul difuzant. Datorită transferului de energie către undele secundare.

Fenomenul a fost pus în evidenţă de către Newton.5. cauzată de fluctuaţiile de densitate ale aerului atmosferic. predomină difuzia Mie. explicaţia fiind următoarea: cum intensitatea luminii difuzate este invers proporţională cu puterea a patra a lungimii de undă (difuzie Rayleigh) şi cum lungimea de undă a radiaţiei albastre este mai mică decât cea a radiaţiei roşii.3. prin descompunerea luminii albe la trecerea printr-o prismă optică.incidente şi minimă pe direcţia perpendiculară pe aceasta. în acest caz. în special în lichide şi gaze. 0) Figura 1. 1. Difuzia moleculară Acest tip de difuzie se produce în medii omogene (fără particule în suspensie). conform relaţiei: Idif = I0(1 + cos2θ) (1. I ~ a2 ~ ω2 ~ • 1 ). intensitatea luminii difuzate este invers proporţională cu puterea a doua a lungimii de undă (difuzie Mie) şi scade cu dimensiunea particulelor difuzante. Culoarea albastră a cerului este datorată difuziei luminii solare. Dacă în atmosferă există particule în suspensie (praf. Acestea difuzează lumina mult mai puţin decât mediile tulburi (este difuzată 10-6 ÷ 10-7 din intensitatea luminii incidente) Cauza acestui tip de difuzie o reprezintă fluctuaţiile de densitate care determină variaţii ale permitivităţii şi neregularităţi în orientarea moleculelor. a ~ ω2 . λ4 când diametrul particulelor difuzante este mai mare sau egal cu lungimea de undă. Dispersia luminii Dispersia este fenomenul de dependenţă a vitezei de propagare (şi deci a indicelui de refracţie) a luminii de lungimea de undă (frecvenţa) acesteia. rezultă că intensitatea radiaţiei difuzate în domeniul albastru este mai mare decât cea radiaţiei difuzate în domeniul roşu. 44 . picături de apă). 21 – Dependenţa luminii difuzate de unghiul de difuzie • intensitatea luminii difuzate la 90° este invers proporţională cu puterea a patra a lungimii de undă (intensitatea undelor secundare este proporţională cu acceleraţia sarcinilor puse în mişcare de oscilaţie de unda incidentă.

Figura 1. deci. Conform unei relaţii a lui Cauchy. nF este indicele de refracţie al mediului pentru radiaţia albastră a H (4860 Å) şi nC este indicele de refracţie al mediului pentru radiaţia roşie a H (6560 Å). 0) . B. 22 – Dependenţa indicelui de refracţie de lungimea de undă: dispersie normală (a) şi anormală (b) În domeniul vizibil. în acest caz avem de-a 45 . Se defineşte dispersia mediului ca fiind: D= dn dλ (1. dispersia se exprimă prin: n2 = A + B C + + λ2 λ 4 (1.dispersia medie: ∆n = nF – nC (1. 0) nF − nC . 0) ν n D −1 unde nD este indicele de refracţie al mediului pentru radiaţia galbenă a sodiului (5890 Å). C.dispersia relativă (puterea de dispersie): 1 n −nC Dr = = F (1. … sunt constante care depind de natura mediului. majoritatea substanţelor prezintă o scădere continuă a indicelui de refracţie odată cu creşterea lungimii de undă (creştere a indicelui de refracţie odată cu creşterea frecvenţei). de lungimea de undă a radiaţiei luminoase.unghiul de emergenţă al razei de lumină şi unghiul de deviere a acesteia faţă de direcţia iniţială sunt dependente de indicele de refracţie al materialului din care este confecţionată prisma şi. 0) Se mai folosesc mărimile: . 0) unde A.coeficientul de dispersie numărul lui Abbé: n −1 ν= D (1.

0)  unde P este momentul dipolar al unităţii de volum sau polarizarea dielectricului.b). dλ dn < 0 . fenomenul fiind cunoscut sub numele de dispersie dν anormală (figura 1. indicele de refracţie este un număr complex. 0)   Fie N oscilatori în unitatea de volum. în timp ce un strat de 1 µm de metal absoarbe 90 % din fasciculul incident). într-o regiune în care respectiv dn >0.face cu aşa-numita dispersie normală (figura 1. În figura 1. proporţională cu viteza ( Fr = −g  r) 46 . Este interesant să stabilim relaţia care exprimă dependenţa indicelui de refracţie de frecvenţă. cianină) prezintă însă o discontinuitate în variaţia indicelui de refracţie cu lungimea de undă (sau cu frecvenţa). absorbţia este mult mai redusă decât în metale (un strat de cărbune de 10 µm este transparent.22 este reprezentată variaţia cu lungimea de undă a indicelui de refracţie. Într-un mediu omogen. n şi a indicelui de atenuare. κ. substanţele prezintă o absorbţie intensă de energie de la unda luminoasă. albastru pentru cianină etc. la care dn >0.22a). apărând un salt brusc al lui n. În domeniul de dispersie anormală. Ţinând cont şi de absorbţie. deci ε r = n = sau: ε0E ε0E n 2 −1 = P ε0 E (1.22. ε0E + P P 2 = 1+ La frecvenţe optice. datorată unui proces de rezonanţă  între oscilaţiile vectorului E al undei şi oscilaţiile proprii ale sistemelor de sarcini electrice din atomi şi molecule. fuxină. Fiecare oscilator este reprezentat de un electron asupra căruia acţionează:  o forţă de tip elastic ( Fe = −k r ) -  • o forţă de amortizare. Regiunea de dispersie anormală este situată în domeniul roşu pentru fuxină. În dielectrici. polarizarea fiind P = N ⋅ e ⋅ r . pentru materiale cu dispersie normală (a) şi dispersie anormală (b). n = ε r . ñ = n + i⋅κ în care cei doi termeni depind de frecvenţă. izotrop şi liniar. dν dn <0 dλ sau Unele substanţe (soluţie de iod. inducţia câmpului electric este:     D = ε0 ⋅ E + P = ε0 ⋅ ε r ⋅ E (1.

0)      iωt iωt P şi E sunt de forma: P = P0 ⋅ e . E = E 0 ⋅ e . atunci: •  iω t  •• 2  iω t 2  P = P0 ⋅ e = iω P . 0) Împărţind la m. electronii efectuează oscilaţii forţate (       Fef = e ⋅ E ef ). 0) Sub acţiunea câmpului efectiv. format de câmpul undei luminoase şi câmpul electric produs de dipolii din substanţă:    P E ef = E + 3ε 0 (1. = ω2 m m (1. rezultă: m  3ε 0  •• electronilor. cu notaţiile: g k =γ . înmulţind cu N⋅e. P = ( iω ) ⋅ P0 ⋅ e = − ω P unde ω este pulsaţia undei luminoase.- o forţă electrică din partea câmpului electric efectiv. sau:   •    P  m r = − g r − kr + e E +   3ε 0  •• (1. Se obţine: 47 . relaţia devine:   • 2  Ne 2   P  P+ γ P+ ω P = ⋅  E +  m  3ε 0   •• (1. Ecuaţia de mişcare a acestora este: ma = Fe + Fr + Fef . 0) unde γ este factorul de amortizare şi ω pulsaţia oscilaţiilor libere ale   • 2  e   P  r + γ r + ω r = ⋅  E +  .

0) unde ωe reprezintă pulsaţia efectivă de rezonanţă a electronilor. n creşte la creşterea lui ω deci avem de-a face cu o dispersie normală.105). la frecvenţe mult diferite de cele la care substanţa prezintă absorbţie. 0) n 2 = 1+ 2 0 2 ωe − ω După cum se constată din relaţia (1. Cum N ~ ρ (ρ .103) este cunoscută sub numele de formula LorentzLorentz. Relaţia (1. ci numai de lungimea de undă a radiaţiei luminoase). termenul de absorbţie iγω este neglijabil şi. În domeniul vizibil.  Ne 2  Ne 2 P ω02 − ω2 + iωγ = E ⋅ +P⋅ . este constantă (are aceeaşi valoare la o frecvenţă dată. 0) n2 +2 N nu depinde de numărul de atomi din unitatea de volum. rezultă că mărimea R= n 2 −1 1 ⋅ n2 +2 ρ (1.23 (dispersia normală). 0) de unde: n 2 −1 = P = ε0 E Ne 2 ε0 m (1. (1. nedepinzând de densitatea şi de starea de agregare a substanţei.densitatea mediului). sau: m 3ε 0 m    Ne 2 Ne 2 P ω 02 − − ω 2 + iωγ  = E ⋅ 3ε 0 m m   ( ) (1. ω << ωe şi se consideră numai ramura din stânga a reprezentării grafice din figura 1. cu notaţia: ωe2 = ω02 − Ne 2 3ε 0 m (1. 48 . 0) Ne 2 ω − − ω2 + iγω 3ε 0 m 2 0 Se observă că mărimea: n 2 −1 1 ⋅ = const. 0) numită refracţie molară. În regiunea de transparenţă a substanţei. rezultă: Ne 2 ε m (1.

adică formula Cauchy pentru λ2 dispersia normală. numită tăria oscilatorului. are o interpretare cuantică. în domeniul îndepărtat de absorbţie. relaţie confirmată experimental. n 2 −1 1 Rezultă refracţia molară. Dacă în unitatea de volum a mediului există N molecule. 23 – Variaţia indicelui de refracţie în funcţie de frecvenţă Se poate scrie: n 2 = 1+ a = 1+ ωe − ω2   λ 2  = 1 + b 1 −  e     λ   −1 a  ω ω 1 − 2  ωe 2 2 e      λ2 ≈ 1 + b1 + 2e λ  2 deci se obţine o relaţie de forma n = A + = 1+ b λ  1−  e   λ  2 =   pentru λe << λ   B . 2 ⋅ = const. 0) 2 unde ωej2 = ω2j − Ne f j 3ε 0 m este pulsaţia efectivă de rezonanţă a oscilatorului j. n +2 N În cazul dispersiei în gaze. fj. fiecare conţinând fj oscilatori cu frecvenţa ωj şi coeficientul de absorbţie γj. ∑ 2ε 0 m j ωej2 − ω 2 49 .Figura 1. cum pentru gaze n are valori foarte apropiate de 1. n2 – 1 = (n + 1)(n – 1) ≈ 2(n – 1) şi n − 1 = fj Ne 2 ~ N ~ ρ . în care n scade la creşterea lungimii de undă iar A şi B sunt constante ce depind de natura mediului dispersiv.  P j = ∑N ⋅ f j ⋅ e ⋅ rj şi atunci: polarizarea mediului este P = ∑ j j n 2 −1 = Ne 2 ∑ ε0m j fj ω 2j − Ne 2 f j 3ε 0 m = − ω 2 + iγ j ω fj Ne 2 ∑ ε 0 m j ω ej2 − ω 2 + iγ j ω (1. avem ωej >> γj⋅ω.

50 . se poate face aproximaţia: ωe2 – ω2 = (ωe + ω)(ωe– ω) ≈ 2ωe⋅(ωe – ω) şi termenul iγω se aproximează cu iγωe. n şi κ sunt funcţii de ω: • Indicele de refracţie: ωe − ω Ne 2 Ne 2 ∆ω n ( ω) = 1 + ⋅ ≈ 1 + ⋅ 2 2 2 (1.0) ε 0 mω e 4( ω e − ω) + γ 4ε 0 mω 0 ( ∆ω ) 2 + γ 4 • Indicele de atenuare: γ Ne 2 γ Ne 2 2 κ( ω) = ⋅ = ⋅ (1. în apropierea frecvenţei de rezonanţă a electronilor din substanţă.24.iκ.0) ε 0 m ω e − ω 2 + iγω Dacă pulsaţia undei este apropiată de ωe.0) ( ωe − ω) Ne 2 Ne 2 γ = 1+ ⋅ −i⋅ ⋅ ε0 mωe 4 ( ωe − ω) 2 + γ 2 2ε0 mωe 4 ( ωe − ω) 2 + γ 2 ñ fiind un număr complex de forma ñ = n . Rezultă: Ne 2 1 n 2 −1 = ⋅ (1. n nu este mult diferit de 1 şi: n2 – 1 = (n + 1)(n – 1) ≈ 2(n – 1) Rezultă: 2 ( ωe − ω) − iγ Ne 2 1 Ne 2 % n = 1+ ⋅ = 1+ ⋅ = 2ε0 mωe 2 ( ωe − ω) + iγ 2ε 0 mωe 4 ( ωe − ω) 2 + γ 2 (1.Domeniul de absorbţie Considerăm cazul oscilatorilor (electroni) cu aceeaşi frecvenţă proprie de rezonanţă ωe. Pulsaţia de rezonanţă.0) ε 0 mω e 2( ω e − ω) + iγ Pentru dielectrici. care exprimă o absorbţie pronunţată a undei la această frecvenţă. În jurul frecvenţei de rezonanţă ωe există o regiune (un interval) pentru care dn < 0 (dispersie anormală) şi un maxim pronunţat al indicelui dω de atenuare κ(ω). Ne 2 1 n 2 −1 = ⋅ 2 (1.0) ε 0 mω e 4( ω e − ω) 2 + γ 2 4ε 0 mω 0 γ2 2 ( ∆ω ) + 4 Dependenţele n(ω) şi κ(ω) în apropierea rezonanţei sunt reprezentate în figura 1. ωe este caracteristică a substanţei.

Figura 1. pentru care acestea prezintă şi o dispersie anormală. frecvenţele corespunzătoare semi-lărgimii ∆ω definesc o bandă de 2 absorbţie. 25 – Dependenţele n(ω) şi κ(ω) în apropierea rezonanţei în cazul mai multor oscilatori cu diferite frecvenţe de rezonanţă În cazul mai multor oscilatori cu diferite frecvenţe de rezonanţă. 51 .Figura 1.25. având semi-lărgimea ∆ω = γ . 24 – Dependenţele n(ω) şi κ(ω) în apropierea rezonanţei Forma curbei κ(ω) se numeşte lorentziană. caracteristică substanţelor absorbante. care arată că există mai multe benzi de absorbţie şi de dispersie anormală. Absorbţia undei electromagnetice conduce la o amortizare a amplitudinii sale. dependenţa indicelui de refracţie şi a indicelui de atenuare de frecvenţă de ω) este reprezentată în figura 1.

266 – Celula elementară a cristalului de calcit Există o axă de simetrie a cristalului. Birefringenţa Acest fenomen constă în dedublarea unei raze de lumină la trecerea printr-un mediu anizotrop (cum este cazul calcitului – CaCl3 – numit şi spat de Islanda). kλ fiind coeficientul de absorbţie. cu unghiul dintre muchii de aproximativ 102° (figura 1. cu proprietatea că. cum sunt cele care cristalizează în sistemele monoclinic.0) E 0 ⋅ e − k ⋅ κ⋅ z = E 0 ⋅ e λ şi ea scade exponenţial cu distanţa z (amortizare).115) este legea absorbţiei. Birefringenţa se manifestă prin scindarea unei raze de lumină incidente în două raze refractate. rezultă: Ie = I0 ⋅ e − 4 πκ ⋅z λ (1. ñ⋅z este drumul optic iar ecuaţia undei este : ~ E ( z. la propagarea luminii pe direcţia acestei axe.6. Calcitul cristalizează în sistemul romboedric.0) Amplitudinea undei este: 2π − ⋅ κ ⋅z (1. 1. numită axă optică. t ) = E 0 ⋅ e i ( ωt −kn ⋅z ) = E 0 ⋅ e i ( ωt −kn ⋅z +ikκz ) = E 0 ⋅ e − k ⋅κ⋅z ⋅ e i ( ωt − knz ) (1.Pentru o undă ce se propagă în direcţia z.26). hexagonal sau romboedric.0) = I 0 ⋅ e − k λ ⋅z Relaţia (1. OO’. fenomenul de birefringenţă nu se observă. O’ 102° O Figura 1. Cristalele care au o singură axă optică se numesc cristale uniaxe şi din această categorie fac parte cristalele care cristalizează în sistemele pătratic. Intensitatea undei fiind proporţională cu pătratul amplitudinii. respectiv rază 52 . Există şi cristale care prezintă două axe optice. triclinic şi ortorombic şi care se numesc cristale biaxe. numite rază ordinară.

(figura 1. Pentru fiecare cristal anizotrop există o lungime de undă critică. 53 . ve. raza ordinară îşi păstrează direcţia de propagare. La rotaţia cristalului în jurul razei incidente.27). la care birefringenţa nu se mai produce şi care separă domeniul pozitiv de cel negativ. ci depinde de lungimea de undă a radiaţiei. O E O O’ Figura 1. depinde de direcţia de propagare a acestei raze. turmalina. apatitul etc. Într-un cristal. Cristalele pentru care ve ≤ vo (ne ≥ no) se numesc cristale pozitive şi. viteza de propagare a razei ordinare este constantă (vo = constant) iar viteza razei extraordinare.extraordinară. 277 – Scindarea unei raze de lumină incidente în raza ordinară (O) şi. în domeniul vizibil al radiaţiilor electromagnetice din grupul lor fac parte cuarţul. iar cristalele pentru care ve ≥ vo (ne ≤ no) se numesc cristale negative. Planul determinat de axa optică şi raza incidentă se numeşte planul secţiunii principale (figura 1. Planele de vibraţie ale razelor ordinară şi extraordinară se numesc plane neutre ale cristalului. zirconiul etc. iar raza extraordinară se roteşte odată cu planul secţiunii principale în jurul razei ordinare..27). Împărţirea în cristale pozitive şi negative nu are un caracter absolut. din al căror grup (în vizibil) fac parte: calcitul. calomelul. raza extraordinară (E) la trecerea printr-un cristal birefringent Raza ordinară (O) şi extraordinară (E) sunt polarizate liniar în plane perpendiculare: raza extraordinară în planul secţiunii principale şi raza ordinară într-un plan perpendicular pe planul secţiunii principale. λcritic.

care afirmă că: orice punct din mediu.cristale pozitive vo O’ O’ no ve ne O b) .29. ne şi no determină elipsoizii indicilor de refracţie (figura 1. care fac 54 .a). se poate aplica principiul lui Huygens-Fresnel (figura 1. vârfurile vectorilor ve şi vo sunt situate pe suprafaţa unor elipsoizi (elipsoizii vitezelor) şi. unda incidentă străbate distanţa AB = v1⋅∆t în primul mediu.29. Pentru explicarea calitativă a fenomenului de birefringenţă.cristale negative O Figura 1. atins de o undă este o sursă secundară de unde sferice. iar unda refractată distanţa IC = v2⋅∆t în al doilea mediu. valorile indicilor de refracţie .O’ no vo ve O’ ne O O a) . Direcţiile normale la IA şi BC reprezintă direcţiile de propagare ale undelor incidentă. 288 – Elipsoizii vitezelor şi ai indicilor de refracţie pentru cristale pozitive (a) şi cristale negative (b) În funcţie de direcţia de propagare prin cristal.0) se numeşte birefringenţă. respectiv refractată. frontul de undă la un moment dat poate fi considerat ca reprezentând înfăşurătoarea (tangenta comună) suprafeţelor de undă ale undelor secundare provenite din toate punctele de pe suprafaţa de undă dintr-un moment anterior.b). cât durează refracţia (figura 1.28). Diferenţa: ∆n = ne – no (1. analog. În timpul ∆t.

Procese cu un foton. Aceste procese presupun existenţa unei stări energetice intermediare între cea iniţială şi cea finală. deci se produce dedublarea razei transmise: n n sin ro = 1 ×sin i ≠ sin re = 1 ×sin i n 2o n 2e 1.1.7. emisia succesivă a doi fotoni. este procesul invers celui anterior. Astfel de procese sunt absorbţia unui foton. v2o ≠ v2e şi unghiurile de refracţie ale razelor ordinară şi extraordinară sunt diferite. emisia spontană sau emisia stimulată a unui foton. Aceste procese se pot deosebi (clasifica) în funcţie de numărul de fotoni care intervin: 1. se respectă relaţia: 2hν = Ef – Ei 55 . constatăm că ele constau din emisia sau absorbţia fotonilor. Consideraţii generale Dacă examinăm diferitele procese elementare de interacţie dintre radiaţia electromagnetică şi mediul de propagare. în ambele cazuri. 2. Se deosebesc: absorbţia succesivă a doi fotoni. Fenomene optice neliniare 1. explicarea fenomenului de birefringenţă (b) Dacă al doilea mediu este birefringent. i (n) I A B r Σ(t) Σ (t + ∆t) C a) b) Figura 1. respectiv r cu direcţia normală la suprafaţa de separare dintre cele două medii.7. 299 – Reprezentare grafică a principiului lui Huygens (a). Diferenţa energiilor celor două niveluri energetice între care are loc tranziţia este egală cu energia fotonului (hν = Ef – Ei).unghiurile I. însoţite de tranziţii cuantice ale electronilor din substanţă. Procese cu doi fotoni.

la rândul lor pot fi de două feluri: a) generare parametrică: proces de transformare a unei radiaţii de frecvenţă ν în două (sau mai multe) radiaţii de frecvenţe ν1. a unui foton de energie mai mică (hν1) şi emisia unuia de energie mai mare (hν2 > hν1). în mediu are loc o excitare. energia fasciculului se concentrează în limitele unui canal suficient de îngust. în care acesta se lărgeşte. Difuzia stimulată a luminii. 4. prin contrast cu propagarea unui fascicul într-un mediu ordinar. 5. În locul disipării. În mediu apare un câmp electric static cu o intensitate proporţională cu cea a undei luminoase. fie a - 56 . constă în absorbţia unui foton de energie mai mare (hν1) şi emisia unuia de energie mai mică (hν2 < hν1) sau. Dacă intensitatea undei luminoase atinge o valoare de prag. Pe baza unei fracţiuni din energia undei luminoase de pulsaţie ω. 3ω (armonica a II-a) etc. Generarea armonicilor optice. 3. Ele pot fi: difuzii Raman cu mai mulţi fotoni. procese coerente (în care nu are loc o tranziţie energetică). în mediul străbătut sunt excitate noi unde luminoase de pulsaţie ω1 şi ω − ω1. dimpotrivă. 3. În mediul străbătut de o radiaţie de pulsaţie ω apar unde luminoase de pulsaţii 2ω (armonica I). în acest caz nu se produce o tranziţie energetică.difuzia Raman. se constată contracţia fasciculului luminos. Autofocalizarea fasciculului de lumină. ν2 … (ν = ν1 + ν2 + …) b) generarea armonicilor: proces de absorbţie a n fotoni de energii egale şi emisia unuia cu energia (şi frecvenţa) egală cu de n ori energia unuia din fotonii absorbiţi ν = n⋅ν1 Când un fascicul de lumină suficient de puternic străbate un mediu. ω). Redresarea optică. Acest fenomen se manifestă în diferite moduri: difuzia Raman-Mandelstam-Landsberg stimulată (RMLS). fie a vibraţiilor intramoleculare intense (RMLS). Se poate obţine un acord continuu al pulsaţiei ω1 în limitele (0. cum sunt: 1. este valabilă relaţia: hν1 – hν2 = Ef – Ei difuzia Rayleigh (difuzia coerentă). acestea. difuzia Mandelstam-Brillouin stimulată (MBS). se pot produce în plus unele efecte optice neliniare. Aceste procese presupun existenţa mai multor stări energetice intermediare între cea iniţială şi cea finală. 2. Când intensitatea undei luminoase de pulsaţie ω atinge o anumită valoare de prag. Procese multifotonice. constă în absorbţia unui foton şi emisia altuia. Generarea parametrică. de energie egală cu a celui absorbit (hν1 = hν2).

Termenul de gradul I reprezintă polarizarea liniară. efectul fotoelectric extern se produce şi la frecvenţe care sunt de mai multe ori mai mici decât pragul roşu. cu o lungime de undă de 340 nm. a căror intensitate este comparabilă cu cea a undei iniţiale. 8. Creşterea frecvenţei radiaţiei electromagnetice prin dublarea de frecvenţă are numeroase aplicaţii în domeniul telecomunicaţiilor şi al stocării şi prelucrării informaţiei.. Un mediu optic transparent la o radiaţie relativ puţin intensă devine opac la aceeaşi radiaţie dar de intensitate mult mai mare. ea poate fi amplificată dacă procesul de emisie stimulată este preponderent faţă de cel de absorbţie. 7. acesta re-emite o radiaţie ultravioletă. de pulsaţie ω0.0) Primul termen. deci o frecvenţă dublă faţă de cea a radiaţiei excitatoare. Interacţiunea dintre unda luminoasă şi astfel de tipuri de mişcare are drept efect apariţia undelor luminoase suplimentare (unde-satelit). 9. Când o radiaţie luminoasă se propagă într-un mediu conţinând centri de inversie de populaţie. de pulsaţie ω ± n⋅ω1. Dacă intensitatea undei luminoase are o valoare suficient de mare. Opacizarea mediului. apar mai multe unde-satelit. roşu) un cristal de cuarţ. 3. 2. Dispariţia pragului roşu al efectului fotoelectric. Un mediu optic opac la o radiaţie relativ puţin intensă devine transparent la aceeaşi radiaţie dar de intensitate mult mai mare. Pe măsură ce intensitatea radiaţiei creşte. Interacţia radiaţiei electromagnetice cu un mediu are loc în principal prin intermediul momentului electric dipolar al acestuia. α fiind o constantă de material numită polarizabilitate liniară. care depinde de intensitatea câmpului electric exterior aplicat printr-o relaţie de forma: P = P0 + α⋅E + β⋅E2 + γ⋅E3 + … (1. corespunde polarizării intrinseci a mediului.modurilor acustice intense (MBS). populaţiile nivelurilor energetice între care au loc tranziţiile se egalează şi se observă un efect de saturaţie: creşterea intensităţii radiaţiei se încetineşte şi în final încetează. La intensităţi relativ mici ale radiaţiei. Transparentizarea mediului. În general. Primul efect optic neliniar a fost observat în 1961: iradiind cu o radiaţie provenind de la un laser cu rubin (λ = 680 nm. P0. Efectul de saturare. unde n = 1. Acesta este efectul de dublare de frecvenţă (generarea armonicii a doua). 6. ceilalţi termeni corespund polarizării induse. … şi ω1 este frecvenţa caracteristică a vibraţiilor intramoleculare sau a vibraţiilor normale ale reţelei cristaline. numai termenul liniar determină comportarea optică a materialului (indicele de refracţie al 57 . β şi γ (nu se utilizează alţi termeni de ordin superior) fiind numiţi hiperpolarizabilitate pătratică. respectiv cubică.

Pe de altă parte. ca şi cum ei ar fi cuplaţi cu nodurile reţelei cristaline prin intermediul unor resorturi. de exemplu. Dacă E are expresia E = E0⋅cosωt. Dacă o forţă exterioară îi scoate din poziţia de echilibru. ei sunt atraşi de aceste resorturi cu o forţă proporţională cu deplasarea. Analog se petrec lucrurile şi pentru termenul cubic. 58 . Radiaţia de culoarea respectivă era deja prezentă în lumina albă înainte ca aceasta să străbată bucata de sticlă. În funcţie de ∆r (parametrul structurii. referitor la dublarea de frecvenţă. Deşi ele sunt larg utilizate în dispozitive optoelectronice. cu proprietăţi neliniare mai bune (hiperpolarizabilităţi mai mari). Aceştia se găsesc în „gropi de potenţial”. Evident. cu perspective promiţătoare este cea a compuşilor organici conjugaţi. Pentru a da o explicaţie intuitivă. lumina albă când trece printr-o bucată de sticlă colorată şi la ieşire apare lumină de acea culoare. care îi captează în anumite poziţii în cristal. cu frecvenţă dublă faţă de cea a radiaţiei incidente. Faţă de poziţia de echilibru. cu un maxim pentru o valoare ∆r = 3 ÷ 5 pm. Dacă o structură de tip polienă conjugată posedă la un capăt o grupare electrono-donoare şi la celălalt o grupare electrono-acceptoare.acestuia). prezintă un răspuns extrem de rapid (sub de 10–12 s). Domeniul opticii neliniare priveşte situaţiile când termenii de ordin superior nu mai pot fi neglijaţi (intensităţi mari ale radiaţiei). este vorba de un efect neliniar pătratic. Cele mai cunoscute substanţe anorganice cu proprietăţi neliniare sunt fosfatul de potasiu (KH2PO4) şi niobatul de litiu (LiNbO 3). deşi mai puţin riguroasă a fenomenelor neliniare să considerăm electronii din cristalele dielectrice. după cum s-a arătat mai sus. Ele au o mare flexibilitate chimică. Aceasta doar „filtrează” radiaţiile componente şi nu generează o radiaţie cu o nouă lungime de undă. P ~ E2 ~ cos2ωt = (1 + cos2ωt)/2. va fi mai mare. egal cu media diferenţelor lungimilor legăturilor consecutive) β poate avea diferite valori. ale căror molecule prezintă o structură de forma unei succesiuni de legături carbon-carbon. în procesul descris. Dintre acestea. Cu cât β este mai mare. alternativ simple şi duble. cu atât intensitatea radiaţiei re-emise. ea prezintă o valoare foarte mare a lui β. în prezent tind să fie înlocuite cu materiale organice. Aplicaţia principală a acestor materiale. cu atât efectul neliniar este mai puternic. cunoscute sub numele de poliene push-pull este în modulaţia electrooptică şi în schimbarea de frecvenţă a radiaţiei electromagnetice. şi au coeficienţii β şi γ mult mai mari decât substanţele optic neliniare anorganice. o clasă importantă. cu cât lanţul polienic este mai lung. Efectele neliniare sunt. fenomene complet diferite de cele ale opticii clasice: este vorba de transformarea unei radiaţii de o anumită lungime de undă într-o radiaţie cu altă lungime de undă. Această transformare este complet diferită de cea pe care o suferă.

Dar o sarcină electrică aflată în oscilaţie emite la rândul ei radiaţie electromagnetică de frecvenţă egală cu frecvenţa de oscilaţie. În acest caz.7. se combină într-un singur foton de lungime de undă mai mică.06 μm. λ1 şi λ2. sau dublarea de frecvenţă este cel mai comun şi. radiaţia re-emisă având deci şi ea alte frecvenţe. o parte din radiaţia de 1. ci la alte frecvenţe. 1. O parte din energia undei este convertită în energie de oscilaţie a electronilor şi această energie este apoi reconvertită în energie a undei emise. Un exemplu de proces neliniar este mixarea optică. Într-un material optic obişnuit (adică liniar). electronii oscilează în jurul poziţiilor lor de echilibru cu frecvenţa acestui câmp electric. noua lungime de undă este: λλ λ3 = 1 2 (1. astfel că aceşti electroni din cristal generează radiaţie electromagnetică de frecvenţa radiaţiei electromagnetice iniţiale. provenită de la un laser cu Nd:YAG.06 µm. hc hc hc + = (1. de lungime de undă de 532 nm este generată de un fascicul de radiaţie infraroşie de 1. astfel că oscilaţiile acestora sub acţiunea radiaţiei electromagnetice incidente nu mai au loc la frecvenţa acesteia. Un material neliniar diferă faţă de unul liniar prin faptul că forţa de revenire la scoaterea electronilor din poziţia de echilibru nu este proporţională cu deplasarea. Efectul total este o întârziere a propagării energiei în cristal. în care doi fotoni de lungimi de undă diferite. Conform legii conservării energiei. probabil. este convertită în radiaţie de lungime de undă egală cu jumătate din cea a radiaţiei iniţiale. λ3. 59 . Generarea armonicii a doua Un exemplu clasic de astfel de proces este cel în care radiaţia verde. scoţându-i din poziţiile lor de echilibru.2. Generarea armonicii a doua. A treia este conservarea impulsului.0) λ1 λ 2 λ 3 Astfel.0) λ1 + λ 2 Până acum s-au menţionat două dintre cele trei cerinţe de producere a efectelor optice neliniare: radiaţia electromagnetică incidentă de intensitate mare şi conservarea energiei. Aceasta este o explicaţie intuitivă a faptului că lumina se propagă cu viteză mai mică într-un cristal – sau orice mediu dielectric – decât în vid. Valoarea acestor frecvenţe (şi lungimi de undă) este determinată de legea conservării energiei: energia noilor fotoni generaţi de interacţia neliniară trebuie să fie egală cu energia fotonilor iniţiali.Câmpul electric al unei radiaţii electromagnetice care trece prin cristal exercită o forţă asupra electronilor. la trecerea printr-un cristal neliniar. cel mai important exemplu de fenomen optic neliniar.

Puterea radiaţiei incidente.120). A este aria secţiunii transversale a fasciculului în cristalul neliniar şi expresia din paranteza dreaptă este factorul de fază. în cristal. Evident. ca şi focalizarea acesteia nu pot creşte excesiv. să fie 60 . conform relaţiei de proporţionalitate: PA 2 P  sin 2 ∆ϕ  ∼l2 i   (1. Dar un fascicul divergent este mai puţin eficient pentru generarea armonicii a doua. Pi este puterea radiaţiei incidente (fundamentala). defazarea dintre unda incidentă şi cea generată este un factor esenţial şi nu numai în procesul generării armonicii a doua. lungimea de undă nu este. Pi. dar în orice alt proces optic neliniar.Definind randamentul de conversie ca raport dintre puterea radiaţiei generate. pentru că ea produce o interferenţă distructivă. astfel că interferenţa dintre undele generate în diferite puncte din cristal să fie una distructivă. acesta depinde de mai mulţi factori. defazarea să fie diferită. Astfel. dacă există o defazare dintre unda incidentă şi cea generată într-un anumit punct din cristal. pentru că astfel se poate distruge cristalul neliniar. Pg şi puterea radiaţiei incidente. ce poate avea valori între 0 şi 1 (∆ϕ este defazarea dintre unda incidentă şi cea generată în efectul optic neliniar). întrucât factorul de fază scade. în funcţie de condiţiile de realizare a procesului: un parcurs mai lung în cristalul neliniar. care se produce în cristal. exact jumătate. ajungând ca la un moment dat unda generată într-un punct B. aceasta face ca într-un alt punct. ℓ este lungimea cristalului neliniar. Astfel. ceea ce are drept rezultat anularea radiaţiei generate. Pe de altă parte. decât unul colimat. Aşa cum se poate constata din relaţia (1. Relaţia de mai sus permite găsirea condiţiilor în care randamentul de conversie poate fi maxim la generarea armonicii a doua. în cazul dublării de frecvenţă. o putere a radiaţiei incidente mai mare şi o focalizare a fasciculului. P η= g (1. un fascicul îngust (puternic focalizat) are o divergenţă mai mare decât unul nefocalizat.0) Pi se poate constata că. deşi frecvenţa radiaţiei generate este exact dublul frecvenţei radiaţiei incidente. există anumite limitări.0) Pi A  ( ∆ϕ ) 2  unde PA2 este puterea armonicii a doua. diferenţa de fază dintre radiaţia incidentă şi cea generată creşte pe măsură ce acestea se propagă împreună în cristalul neliniar. datorită variaţiei indicelui de refracţie cu lungimea de undă a radiaţiei. Ca urmare. Undele generate nu sunt în fază unele cu altele datorită fenomenului de dispersie.

Astfel. Cristalul este plasat într-un cuptor (sau criostat) şi încălzit (sau răcit) la o temperatură la care birefringenţa sa compensează exact efectul dispersiei. se poate obţine ca diferenţa de indici de refracţie datorată dispersiei să fie compensată exact de diferenţa de indici de refracţie datorată birefringenţei. deci cristalul prezintă indici de refracţie diferiţi pentru ele. astfel încât unda generată va fi în fază cu cea incidentă în orice punct din cristal şi.defazată cu 180° faţă de unda incidentă şi. nu va exista o diferenţă de fază între undele generate în diferite puncte. în punctul A (figura 1. Aranjând în aşa fel ca aceste două efecte să se compenseze exact. deci faţă de unda generată iniţial. Unda incidentă este polarizată vertical Soluţia pentru obţinerea unei defazări nule (sinfazare) între unda incidentă şi cea generată este alegerea unui cristal birefringent. astfel că birefringenţa cristalului determină indici de refracţie diferiţi. În acest caz. În practică se alege un cristal cu proprietăţile neliniare corespunzătoare şi apoi se „acordă” birefringenţa sa printr-una din cele două metode descrise în continuare. astfel că interferenţa acestora va fi una constructivă. Prima este „acordul” prin variaţia de temperatură. unda incidentă şi cea generată au lungimi de undă diferite. dispersia este compensată de birefringenţă. 61 .30). în funcţie de direcţie. este esenţial faptul că planul de polarizare al undei generate este perpendicular pe planul de polarizare al undei incidente. al cărui indice de refracţie este diferit. Astfel. Figura 1. Pe de altă parte. care se bazează pe dependenţa de temperatură a indicelui de refracţie al unor cristale. 30 – Unda (polarizată orizontal) generată în punctul A este în opoziţie de fază cu cea generată în punctul B (reprezentată punctat). cele două unde sunt polarizate în plane perpendiculare. deci. Rezultatul este că pentru ambele unde indicele de refracţie rezultat este acelaşi.

mai întâi este generată a doua armonică într-un cristal şi apoi aceasta este mixată cu fundamentala într-un al doilea cristal. 62 . „acordul” prin variaţia unghiului. 31 .31.A doua metodă.a) – Generarea directă a armonicii a treia. astfel încât să se obţină birefringenţa necesară compensării efectului dispersiei.7. b) – Generarea în două etape a armonicii a treia Pot fi generate şi armonicile a patra. Este cazul procesului care are loc într-un oscilator optic parametric (figura 1. Aşa cum se vede în figura 1. Armonici superioare Armonica a treia poate fi generată cu un dispozitiv identic cu cel pentru generarea armonicii a doua (figura 1. Dar procesul se poate desfăşura şi altfel: energia unui foton se poate diviza şi distribui pentru doi noi fotoni.32).7. de energie mai mare (lungime de undă mai mică). a cincea şi de ordin superior. Figura 1.b.4. Valoarea birefringenţei depinde de unghiul făcut de direcţia de propagare a radiaţiei în cristal cu axa optică principală a acestuia. 1. astfel că este comun procesul în două etape. Oscilaţii optice parametrice Până acum. 1. toate procesele neliniare discutate au implicat combinarea energiei mai multor fotoni într-un singur foton. dar cerinţele privitoare la sinfazarea undei generate cu cea incidentă face imposibil acest proces într-o singură etapă într-un cristal.31.a). dar randamentul acestor procese este în general mic. astfel că se poate roti cristalul. se foloseşte pentru cristalele al căror indice de refracţie nu depinde de temperatură.3. pentru a produce armonica a treia.

Figura 1. 32 – Generarea optică parametrică a două radiaţii Conservarea energiei impune ca: hc hc hc = + (1. deoarece λ3 poate avea orice valoare.Figura 1. de lungime de undă λ3 sunt reflectate şi numai semnalul de lungime de undă λ2 este transmisă. Acest lucru este posibil însă cu o restricţie: o singură radiaţie.33 prezintă un oscilator optic parametric rezonant. ceea ce înseamnă că oscilatorul optic parametric poate genera radiaţie de mai multe lungimi de undă. deoarece numai o singură undă poate fi în fază cu cea incidentă. de lungime de undă λ1. λ2 nu este unic determinat de relaţia (1. de o anumită lungime de undă. în care doar o undă (numită undă ghidată).123). Într-un oscilator optic parametric dublu rezonant. Această capacitate a oscilatorului optic parametric de a genera unde de mai multe lungimi de undă îl face foarte important: el poate fi acordat pentru a genera radiaţia de lungime de undă dorită. un oscilator optic parametric trebuie să dispună de oglinzi care. 33 – Oscilator optic parametric rezonant Lungimea de undă λ2 este determinată de relaţia: λλ λ2 = 1 3 (1. atât unda de pompaj. Figura 1.0) λ1 λ 2 λ 3 Spre deosebire de alte exemple de efecte optice neliniare discutate. ca la un laser. cât şi unda ghidată.0) λ 3 − λ1 Totuşi. 63 . să formeze un rezonator optic. este reflectată de oglinzi. de o anumită lungime de undă poate fi generată la un moment dat.

sau a unghiului dintre direcţia radiaţiei incidente şi axa optică a cristalului. 64 .Lungimea de undă la care se obţine sinfazarea poate fi modificată prin ajustarea temperaturii cristalului neliniar.

vom face o descriere sumară a fenomenelor. pe baza procesului de emisie stimulată. Să considerăm un sistem alcătuit din atomi identici. Emisia stimulată a radiaţiei electromagnetice Una dintre descoperirile de o deosebită importanţă. Termenul de LASER este acronimul cuvintelor în limba engleză: Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation 1. Fig. în echilibru termodinamic la temperatura T. atomii sunt consideraţi independenţi (nu interacţionează reciproc). excitată. este laserul. aflat într-o incintă. şi ne arată că aceste dispozitive permit fie amplificarea.A. respectiv stările cuantice caracterizate prin numerele cuantice n şi m. la Institutul de Fizică Atomică. pe care le vom numi starea n. fie generarea şi amplificarea radiaţiei luminoase.1. de un colectiv condus de profesorul Agârbiceanu. care a fost realizat în anul 1960 de către Maiman (laserul cu rubin). Efectul laser 2. Emisia stimulată a radiaţiei electromagnetice. cărora le corespund energiile Wn şi Wm (Wn < Wm). Primele dispozitive de generare şi amplificare a radiaţiei au fost realizate în anul 1954 de către Gordon. fundamentală şi starea m. Acestea au fost dispozitive de tip MASER (Microwave Amplification by Stimulated Emission of Radiation).U. Pentru simplificare. Zeiger şi Townes în S.2. cu care este în echilibru. considerăm două niveluri energetice atomice nedegenerate (figura 2. cu aplicaţii în multe domenii de activitate. 1 – Schema tranziţiilor într-un sistem cu două niveluri energetice 1 Amplificarea luminii prin emisie stimulată a radiaţiei 65 . şi de către Basov şi Prohorov în Rusia. apoi în 1961 de către Javan (laserul cu He-Ne). Pentru a explica modul de emisie a radiaţiei laser. dar sistemul interacţionează cu radiaţia termică de echilibru din interiorul incintei. 2. bazându-ne pe ideile dezvoltate încă din 1916 de către Einstein. cu privire la emisia şi absorbţia radiaţiei electromagnetice în sisteme cuantice.7). în anul 1962 fiind pus la punct şi în ţara noastră.

care. radiaţia emisă şi cea absorbită de sistemul de atomi sunt identice. ceea ce se poate obţine prin dezexcitarea stimulată. 0) N = N0 ⋅ e Pentru majoritatea stărilor excitate.Un atom aflat în starea n poate absorbi radiaţie cu frecvenţa νmn (un foton de energie h⋅νmn) trecând în starea m. Pentru a obţine o intensitate mare. energia şi frecvenţa fotonului emis sau absorbit fiind şi ele identice: h⋅νmn = Wm – Wn (2. în prezenta unei radiaţii exterioare 66 . 0) Deci tranziţiile din starea n în starea m au loc prin absorbţia radiaţiei electromagnetice. este necesar ca acest număr să fie mare. Timpul de viaţă mediu în starea excitată este dat de: ∞ 1 1 τ= ⋅ ∫ tpN ⋅ dt = (2. 0) Acest lucru înseamnă că numărul atomilor aflaţi în stare excitată scade exponenţial în timp ca urmare a dezexcitărilor spontane. Probabilitatea de dezexcitare a unui atom în unitatea de timp este dată de expresia: 1 dN p=− ⋅ (2. timpul de viaţă mediu este de ordinul a 10–8 ÷ 10–10 s. de ordinul a 10–4 ÷ 10–5 s. pentru care timpul de viaţă mediu este mult mai mare (comparativ cu cel al stărilor normale). O primă cale este aceea a tranziţiilor spontane. La echilibru. 0) N dt unde N este numărul atomilor aflaţi în stare excitată la momentul de timp t. dar există anumite stări. deoarece doar o mică fracţiune din numărul total de atomi aflaţi în stare excitată se dezexcită la un moment dat. Din relaţia de mai sus. ne dă: N = N 0 ⋅ e − p⋅t (2. la trecerea în starea n. Radiaţia emisă prin dezexcitări spontane nu poate avea intensităţi mari. caracterizată de energie minimă. relaţia (2. Tranziţiile în sens invers au loc pe două căi. 0) N0 0 p Atunci. Orice sistem cuantic rămâne într-o stare excitată un timp limitat. Acest fenomen se întâmplă şi cu atomii excitaţi. Importanţa acestor stări metastabile se va vedea în mai departe. în timp ce un atom aflat în starea m. proces prin care. rezultă: dN = N⋅p⋅dt. va emite radiaţie cu frecvenţa νmn. prin integrare de la momentul iniţial (t0 = 0) până la momentul t.3) se mai scrie: − t τ (2. numite stări metastabile. ca urmare a tendinţei generale de trecere într-o stare de echilibru. după care el se dezexcită trecând în starea fundamentală.

deci. Probabilitatea acestui proces depinde de adaptarea dintre energia fotonului incident şi diferenţa de energie dintre cele două niveluri între care are loc tranziţia (acest proces este similar celui de absorbţie. fotonii acesteia stimulând atomii excitaţi să revină pe un nivel energetic inferior. atomii sistemului se vor dezexcita toţi. Aceasta poate fi reprezentată de o radiaţie electromagnetică incidentă. proveniţi din fotonul incident şi starea excitată. după cum se va vedea. 2. În general.de frecvenţă νmn. Apare astfel posibilă o amplificare în sensul că numărul de fotoni creşte. frecvenţe) identice → monocromaticitate − direcţii în spaţiu identice → direcţionalitate − faze identice → coerenţă Acestea sunt. fotonul care este emis în procesul de emisie stimulată este identic cu fotonul incident. Fotonul incident nu suferă nici o transformare ca rezultat al procesului de emisie stimulată. Amândoi au: − lungimi de undă (şi. Acesta este procesul care dă numele de LASER: amplificarea luminii prin emisie stimulată a radiaţiei. b) – emisie spontană. se obţin doi fotoni identici. induse) printr-o intervenţie din exterior. 2 – Procese posibile la interacţiunea fotonilor cu atomii: a) – absorbţie. proprietăţile radiaţiei laser. ca rezultat al acestui proces. practic în acelaşi moment de timp. Într-un ansamblu de atomi excitaţi. putând fi privit ca o absorbţie negativă). procesele de dezexcitare a acestora pot fi provocate (stimulate. c) – emisie stimulată 67 . Fig. De fapt. prin emisia unui alt foton.

Amn.a) − emisia spontană a unui foton (figura 2. este: 8πν 2 hν ρν = 3 ⋅ hν (2. La echilibru termodinamic. densitatea de energie a radiaţiei pe unitatea de interval de frecvenţă corespunzătoare frecvenţei de tranziţie. numărul mediu de atomi aflaţi în stările n respectiv m este dat de distribuţia Boltzmann: − Wn N n = C ⋅ e kT . procesele posibile la interacţiunea dintre fotoni şi atomi sunt (aşa cum este ilustrat în figura 2.O explicaţie simplă a emisiei stimulate este aceea că fotonul incident reprezintă un câmp electromagnetic care oscilează în timp şi spaţiu. 0) iar probabilitatea de tranziţie din starea m în starea n în unitatea de timp (probabilitatea de emisie) este: pmn = Amn + Bmn⋅ρν (2. Din relaţiile (2. corespunde emisiei spontane iar al doilea emisiei stimulate.2): − absorbţia fotonilor (figura 2.2.24). νmn. rezultă: 68 . Bmn şi Bnm poartă numele de coeficienţii lui Einstein pentru emisia spontană. Condiţia de echilibru termodinamic se exprimă prin faptul că numărul de tranziţii în unitatea de timp din starea n în starea m este egal cu numărul de tranziţii în unitatea de timp din starea m în starea n: pnm⋅Nn = pmn⋅Nm ⇔ Bnm⋅Nn = (Amn + Bmn⋅ρν)⋅Nm (2. ceea ce înseamnă că atomul nu poate oscila liber.23) şi (2. 0) Coeficienţii Amn.2. Sintetizând.2. 0) Nm = Nn ⋅ e = Nn ⋅ e unde k este constanta lui Boltzmann. ci este forţat să oscileze coerent cu fotonul incident. respectiv pentru emisia sau absorbţia indusă (stimulată) . 0) c kT e −1 Conform teoriei lui Einstein.b) − emisia stimulată a unui foton (figura 2. Acest câmp forţează atomul excitat să oscileze cu aceeaşi frecvenţă şi fază. N m = C ⋅ e Prin împărţirea celor două relaţii. se obţine: − Wm − Wn kT − h ⋅ν mn kT − Wm kT (2. probabilitatea de tranziţie din starea n în starea m în unitatea de timp (probabilitatea de absorbţie) este: pnm = Bnm⋅ρν (2. 0) unde primul termen.c) Pentru un sistem aflat în echilibru termodinamic la temperatura T.

definită termodinamic numai pentru stări de echilibru. rezultă că T < 0. implică următorul aspect: exprimând temperatura absolută din relaţia (2. adică dacă Nm > Nn. 0) adică numărul de atomi aflaţi în starea de energie superioară trebuie să-l depăşească pe cel al atomilor aflaţi în starea de energie inferioară. adică îndeplinirea condiţiei (2. Din punct de vedere termodinamic. Interpretarea poate fi făcută însă în cadrul fizicii statistice. la echilibru termic. care poartă numele de inversie de populaţie între nivelurile energetice considerate.ρν = A mn ⋅ e − hν kT − (2. în cadrul căreia această situaţie. Condiţia (2. numărul atomilor aflaţi într-o stare de energie superioară este mai mic decât cel al atomilor aflaţi într-o stare de energie mai mică.25) ale lui ρν coincid numai dacă Bmn = Bnm (2.20) şi (2. nu poate avea valori negative. dacă se realizează inversia de populaţie. Este evident atunci că A mn = 69 . 0) hν kT Bnm − Bmn ⋅ e Expresiile (2. obţinem relaţia: W − Wn T=− m N (2. adică: dW = (Nm – Nn)⋅Bmn⋅ρ(νmn)⋅hνmn⋅dt + Nm⋅Αmn⋅hνmn⋅dt > 0 (2. acest rezultat nu are sens. 0) Energia radiaţiei emise spontan în acelaşi interval de timp este: dWs = Nm⋅Αmn⋅hνmn⋅dt (2.32). 0) iar energia radiaţiei emise stimulat (indus) este: dWi = Nm⋅Bmn⋅ρ(νmn)⋅hνmn⋅dt (2.23). 0) ⋅ Bmn c3 În conformitate cu teoria lui Einstein. de temperatură absolută negativă. Realizarea amplificării. corespunde unei stări de neechilibru. pentru că temperatura. 0) k ⋅ ln m Nn Cum Wm > Wn. 0) şi 8πhν 3 (2.23). este necesar ca energia radiaţiei emise să depăşească pe cea a radiaţiei absorbite.32) nu poate fi satisfăcută în mod natural. 0) Satisfacerea relaţiei de mai sus impune condiţia: Nm – Nn > 0 (2. energia radiaţiei absorbite în intervalul de timp dt de către sistemul de atomi în mediul utilizat este: dWa = Nn⋅Bnm⋅ρ(νnm)⋅hνnm⋅dt (2. 0) Pentru a obţine amplificarea radiaţiei. În conformitate cu relaţia (2.

de numărul de moduri pe care lucrează rezonatorul şi de inversia de populaţie realizată. Se observă aşadar monocromaticitatea extrem de pronunţată a radiaţiei laser faţă de radiaţia Doppler emisă de sursele obişnuite (~ 10–17 faţă de ~ 10–6). ∆νc .puterea emisă în modul dat. timpul de coerenţă nu mai 70 . ∆t. având lungimea L = 1 m.inversia populaţiilor nu poate fi obţinută decât prin factori exteriori sistemului. trebuie realizată emisia stimulată a radiaţiei într-un mediu în care s-a realizat inversia de populaţie (mediu activ).lărgimea unui mod de cavitate iar P . s-a realizat inversia populaţiilor între două niveluri energetice. rezultă ∆νr ≈ 150 MHz. Laserii reprezintă însă surse de lumină deosebite din acest punct de vedere. deoarece două puncte diferite ale unei asemenea surse emit unde ale căror faze nu prezintă nici o corelaţie. în care. pentru a obţine o amplificare a radiaţiei electromagnetice. monocromaticitatea va fi mai slabă. Efectul laser constă în amplificarea sau generarea radiaţiei electromagnetice pe baza procesului de emisie stimulată într-un mediu în care s-a realizat inversia populaţiilor. Procesul de amplificare prin emisie stimulată face ca toţi atomii excitaţi să emită în corelaţie de fază (de fapt.2. Am văzut deci că. Un astfel de mediu. Pentru laserul cu He-Ne. În cazul surselor de lumină obişnuite. De aceea. în cazul oscilaţiei cavităţii pe un singur mod. deoarece această undă nu mai este emisă spontan ci stimulat. se numeşte mediu activ laser. în fază).2. aşa încât lumina emisă prezintă un grad de coerenţă foarte ridicat. dacă P ≈ 1 mW se obţine ∆νlaser ≈ 10–2 Hz. ∆ν laser = ⋅ 2.1. 0) P Nm − Nn în care ν0 este frecvenţa centrală a liniei Doppler. Timpul în care este emisă unda laser nu mai este echivalentul timpului de emisie spontană. lărgimea liniei laser emise. ∆ν0 ≈ 1 GHz şi. Monocromaticitatea Această proprietate este determinată de însuşi procesul de amplificare din mediul activ. totuşi mult mai bună decât pentru sursele obişnuite. ∆νlaser. Se calculează că.2. În cazul când laserul lucrează pe mai multe moduri. 2. este dată de relaţia: 2π ( ∆ν c ) 2 N m ⋅ hν 0 (2. undele emise sunt în general necoerente. în cazul laserului.2. Coerenţa Conceptul de coerenţă este strâns legat de cel de monocromaticitate. prin intermediul unor factori exteriori. Proprietăţile radiaţiei laser 2.

71 . ţinând seama că puterea undei emise de un laser cu o suprafaţă de 0. Compararea intensităţii undei laser cu cea emisă de Soare (ce poate fi asimilat cu un corp negru având temperatura de 6000° C).4. stimularea lor aproape simultană precum şi propagarea unidirecţională a undei amplificate sunt factori care condiţionează o undă laser foarte intensă. defectele acestora etc. Caracterul emisiei radiaţiei laser (lumina emisă stimulat se propagă de-a lungul axei cavităţii) face ca aceasta să prezinte o divergenţă extrem de scăzută. coerenţă şi directivitate ale radiaţiei laser fac ca acest dispozitiv să fie echivalent cu o sursă de lumină punctuală. prin relaţia: 1 ∆τ ≈ (2. ca difracţia la marginile oglinzilor. rezultă un raport de 5⋅109 între intensitatea radiaţiei laser şi cea a radiaţiei emise de Soare. 2.2. Proprietăţile de monocromaticitate.2. datorată doar unor fenomene parazite. timpul de coerenţă. deci cu o divergenţă foarte mare. deşi suprafaţa emisivă a unui laser are o întindere apreciabilă. 2. 0) ∆ν laser iar lungimea de coerenţă. Directivitatea Sursele obişnuite emit lumină într-un unghi solid de 4π. Intensitatea Este evident că şi această proprietate este determinată de procesul de generare. respectiv lungimea de coerenţă pentru radiaţia laser sunt foarte mari. a cărei undă este colimată. Astfel. Acumularea atomilor pe nivelul energetic superior. conform relaţiei de nedeterminare: ∆W⋅∆t ≥ ћ (2. prin relaţia: c ∆L = c ⋅ ∆τ = (2. 0) ∆ν laser Deoarece ∆νlaser este foarte mic faţă de ∆νspontan. specific laserului.poate fi definit faţă de ∆t sau ∆νspontan adică.2 cm2 într-un timp de 10–3 s într-un unghi solid de 10–2 srd într-un interval spectral de 7 pm este de 1 kW iar puterea radiaţiei solare în aceleaşi condiţii este de numai 2⋅10–7 W.3. Acest raport devine cu atât mai remarcabil cu cât monocromaticitatea şi directivitatea radiaţiei laser sunt mai pronunţate. 0) El trebuie definit în raport cu lărgimea ∆νindus . ne poate da o imagine asupra acesteia.

deci producerea efectul laser. 2. prin care atomii sunt excitaţi pe nivelul E3. Laserul cu patru niveluri Diagrama nivelurilor energetice pentru un laser cu patru niveluri este dată în figura 2.2. Laseri cu mai multe niveluri energetice 2. după care se dezexcită printr-o tranziţie neradiativă pe nivelul energetic metastabil E2. Laserul cu trei niveluri Diagrama nivelurilor energetice pentru laserul cu trei niveluri energetice este prezentat în figura 2.3. Comparativ cu diagrama echivalentă a laserului cu trei niveluri. În acest moment.3. Emisia Radiaţiei are loc în pulsuri.1. şi nivelul metastabil (E2). Cum timpul de viaţă mediu al nivelului metastabil este relativ lung (de ordinul a 10 –3 ÷ 10–4 s. primii fotoni proveniţi din dezexcitarea spontană a atomilor de pe nivelul E 2 vor induce dezexcitarea în masă a tuturor celorlalţi atomi.4.2.3. la intervale de timp necesare pentru refacerea populaţiei majoritare pe nivelul metastabil. cu radiaţie cu frecvenţa νe = (E3 – E1)/h. atomii se vor acumula într-un număr mare (peste 50% din numărul total) pe acest nivel. Fig. Inversia populaţiilor se realizează prin pompaj optic.3 – Diagrama nivelurilor energetice pentru laserul cu trei niveluri 2. unde nu a mai fost reprezentat procesul de emisie spontană. în acest caz 72 . Cele două niveluri energetice între care are loc tranziţia laser sunt nivelul fundamental (E1). având astfel loc emisia stimulată.3. realizându-se astfel inversia populaţiilor. în scurt timp de la începerea pompajului. Aceştia rămân în această stare un timp mediu de ordinul 10–8 s.

4. Fig. Orice oscilator are patru părţi principale (figura 2. Amplificator. 73 . Sursă de energie. 2. astfel că. nu este necesară pomparea a mai mult de 50% din totalul atomilor din sistem pe nivelul superior. chiar şi când 99% din atomi rămân în starea fundamentală. Sistemul laser Laserul este un sistem similar unui oscilator electronic. 4.apare un nivel energetic suplimentar. E3. Buclă de reacţie pozitivă. E2. 3. Astfel. Operaţia de pompaj a laserului cu patru niveluri este similară celei de la laserul cu trei niveluri. N2(t). prin utilizarea unui nivel metastabil.5): 1. 2. Pentru a crea inversia populaţiilor. Cuplaj de ieşire. scade prin dezexcitarea rapidă în starea fundamentală. 2. Acest nivel are un timp de viaţă mediu foarte scurt.4 – Diagrama nivelurilor energetice pentru laserul cu patru niveluri Avantajul laserului cu patru niveluri este populaţia scăzută a nivelului energetic E2. practic. este posibilă o operare continuă a laserului cu patru niveluri. Acesta este a sistem care produce oscilaţii pe baza principiului reacţiei pozitive (feedback). deasupra nivelului fundamental. Populaţia de pe nivelul E2. cest nivel este gol.

5 – Sistemul laser 2. conform cu tipul laserului. Cuplajul de ieşire. laserul poate fi descris ca fiind compus din patru unităţi structurale (figura 2.6): 1.1. 2. lichidă. în realitate acesta poate fi compus fie din atomi. 2. care reprezintă un amplificator optic. Deşi. Mediul activ determină lungimile de undă posibile ale radiaţiei electromagnetice care poate fi emisă de laser. Bucla de reacţie pozitivă optică 4. gazoasă sau plasmă.5 – Schema bloc a unui oscilator electronic Prin analogie cu oscilatorul electronic.4. Fig.. pentru simplificare. Mediul activ laser Mediul activ este un ansamblu de atomi sau molecule. Mediul activ. se consideră că mediul activ este alcătuit din atomi. 74 . care permite radiaţiei electromagnetice să iasă din dispozitivul laser. fie din molecule. care poate fi excitat într-o situaţie de inversie a populaţiilor şi din care radiaţia electromagnetică poate fi extrasă prin emisie stimulată. ioni etc.Fig. El se poate afla în orice stare de agregare: solidă. Aceste lungimi de undă sunt determinate de tranziţiile laser specifice între nivelurile energetice din acest material. 2. Mecanismul de excitare 3. Numărul materialelor folosite ca mediu activ laser este de câteva sute şi el continuă să crească mereu.

dar şi alţii cu randament foarte apropiat de 100 %. de obicei. cum este lumina solară. radiaţia electromagnetică de ieşire a laserului are o energie întotdeauna mai mică decât energia de intrare.6). care sunt construite dintr-un tub de cuarţ umplut cu gaz la presiune scăzută. se utilizează xenonul. Sursa de radiaţie electromagnetică poate fi de diferite feluri: lămpi flash. caracteristică tipului de gaz şi numită tensiune de aprindere).2. se obişnuieşte ca energia de excitare să fie furnizată sub formă de radiaţie electromagnetică (fotoni) care sunt absorbiţi în mediul activ. majoritatea moleculelor sale sunt în starea fundamentală. Când pe electrozii din tub este aplicată o tensiune electrică înaltă (cel puţin egală cu o valoare constantă. Există laseri cu randament chiar mai mic de 1 %. Principalele tipuri de mecanism de excitare sunt: a) Pompaj optic .6 – Excitarea electrică a laserului cu gaz Gazul din tub este neutru din punct de vedere electric şi atât timp cât nu îi este furnizată energie din exterior. alt laser orice altă sursă de lumină. b) Excitarea electrică a gazului Când mediul activ este în stare gazoasă. cum sunt kriptonul sau heliul.4. care sunt acceleraţi 75 .2. cel mai bun tip de excitare este prin descărcare electrică în gaz (figura 2. Mecanismul de excitaţie Mecanismul de excitare este sursa de energie care duce atomii din mediul activ în starea excitată. Conform legii conservării energiei. furnizată de mecanismul de excitare. cu mase atomice mai mici. din catod sunt emişi electroni. dar uneori. 2. Fig. când este necesară energie în cantitate mai mare.excitare prin fotoni În laserii cu mediu activ solid sau lichid. sunt utilizate alte gaze inerte. creându-se astfel inversia populaţiilor.

Masa atomului de heliu este aproximativ o cincime din masa atomului de neon.3). c) Ciocniri între atomi sau molecule Acesta este mecanismul de excitare standard în laserii cu gaz. aşa cum este descrisă în continuare. Pentru iniţierea descărcării. în tubul laserului se găsesc cel puţin două gaze. Cantitatea de heliu din tub este de aproximativ 6 ori mai mare decât cantitatea de neon. Din această cauză. iar al doilea gaz primeşte energie din ciocniri ale moleculelor sau atomilor săi cu moleculele sau atomii excitaţi ai primului gaz.spre anod. 2. Astfel. 76 . cu tranziţiile posibile. Fig. În drumul lor. Un gaz primeşte energie din ciocnirile electronii liberi acceleraţi cu moleculele sau atomii săi. în figura 4. sau laserul cu CO2. se utilizează o variantă a acestei metode.7 – Diagrama nivelurilor energetice ale laserului cu He-Ne Figura 2. Deoarece condiţiile corecte pentru excitarea directă a gazului din laserul cu gaz sunt dificil de găsit. Rezistorul de balast R este utilizat pentru limitarea curentului în tub în timpul descărcării. cum sunt laserul cu He-Ne. Astfel. care sunt foarte apropiate de nivelurile energetice excitate ale atomilor de heliu. cărora le transferă energie. Atomii de neon au două niveluri energetice excitate (E3 şi E5). În metoda de faţă. după care tensiunea este scăzută la valoarea de ardere (comutatorul K în poziţia 1).7 prezintă diagrama nivelurilor energetice ale laserului cu He-Ne. pentru iniţierea descărcării. atomii de heliu au o probabilitate mai mare de a primi energie de la electronii acceleraţi şi de a trece pe nivelurile energetice excitate E3 şi E5. moleculele gazului trec în stare excitată. este necesară o tensiune mai mare (tensiunea de aprindere) decât cea necesară pentru menţinerea descărcării (tensiunea de ardere). este aplicat un puls de înaltă tensiune preliminar (comutatorul K în poziţia 2. aceşti electroni ciocnesc moleculele gazului.

Datorită mecanismului de reacţie.152 µm d) Excitare chimică În acest tip de excitare. Cuplajul de ieşire standard utilizează o oglindă parţial reflectătoare.1. Partea din radiaţie care nu este reflectată în cavitatea optică este transmisă în exterior. 2. Se creează astfel o cavitate optică.4.Atomii de heliu excitaţi transferă energia lor de excitare către atomii de neon prin ciocniri (o astfel de excitare se numeşte excitare la rezonanţă). Acestea sunt aliniate astfel încât radiaţia se reflectă între ele de mai multe ori.4. Mecanismul de reacţie Mecanismul de reacţie este sistemul prin care o parte din radiaţia laser produsă este întoarsă înapoi. este transmisă în exterior.3. Energia radiaţiei laserului cu He-Ne este emisă la lungimi de undă care corespund diferenţei de energie între niveluri:  E5 – E4 ⇒ λ1 = 3. 2. sub forma unui puls.391 µm  E5 – E2 ⇒ λ2 = 0. o oglindă are o reflectanţă de 100%. La un laser cu undă continuă (in care radiaţia este emisă continuu). astfel încât să se obţină o amplificare suficientă. ceea ce asigură direcţionalitatea foarte bună a fasciculului laser de ieşire. astfel încât întreaga radiaţie ce cade pe ea este reflectată în mediul activ. Reacţia permite fiecărui foton să treacă de mai multe ori prin mediul activ. 77 .632 µm  E3 – E2 ⇒ λ3 = 1. Cealaltă oglindă este parţial reflectantă (10% ÷ 99%). cea mai mare parte a radiaţiei este reflectată înapoi în cavitate şi numai un mic procent din ea este transmis în exterior. în funcţie de tipul laserului. Cuplajul de ieşire Cuplajul de ieşire este calea prin care se transmite radiaţia electromagnetică laser în exterior. reacţia pozitivă este obţinută utilizând oglinzi la ambele extremităţi ale mediului activ. La anumiţi laseri în pulsuri.9). e) Excitare prin curent electric (în diode laser). în mediul activ. reprezentând radiaţia laser emisă de dispozitiv. cea mai mare parte a radiaţiei din cavitate este transmisă în exterior la un anumit moment. De obicei. energia de excitare este furnizată de o reacţie chimică între doi atomi sau molecule (aşa cum se va arăta în paragraful 7.4. Partea din fascicul care nu este reflectată înapoi în mediul activ. De obicei. numai fotoni care se propagă între oglinzi şi se reflectă pe acestea rămân în mediul activ.

prin reflexiile multiple ale fasciculului laser între ele. astfel că. cavitatea optică este creată între cele două oglinzi de la extremităţile mediului activ. din interferenţa lor rezultă o undă care apare ca şi cum ar fi imobilă în spaţiu – o undă staţionară (figura 2. 2. unda electromagnetică. în cavitate nu se găsesc doar două unde.5. perpendiculară pe ele. Fasciculul laser este emis în exterior pe direcţia axei optice. la un moment dat. Cavităţi optice şi moduri laser 2.8.8 – Formarea unei unde staţionare din interferenţa a două unde ce se propagă în sensuri opuse În figura 2. Axa ce uneşte centrele acestor oglinzi. punctele care oscilează cu amplitudine minimă (nulă) se numesc noduri. două unde de aceeaşi frecvenţă şi amplitudine se propagă în sensuri opuse. În cavitatea laser. se numeşte axa optică a laserului. determină condiţiile la limită pentru câmpul electromagnetic în cavitatea laser . astfel.1.8). ceea ce constituie condiţia pentru producerea unei unde staţionare.2. în orice moment. este reflectată între oglinzi. iar cele care oscilează cu amplitudine maximă se numesc ventre Distanţa dintre două noduri consecutive sau cea dintre două ventre consecutive este jumătate din lungimea de undă a undelor care interferă. în sensuri opuse. pentru formarea unei unde staţionare prin reflexii multiple. O cavitate cu două oglinzi se numeşte rezonator Fabry-Perot.5. Aceste oglinzi au două roluri: măresc lungimea mediului activ. când două unde cu amplitudini egale şi aceeaşi frecvenţă se propagă pe aceeaşi direcţie în sensuri opuse. atunci când acestea au aceeaşi frecvenţă şi aceeaşi amplitudine şi se propagă pe aceeaşi direcţie. Unde staţionare Unda staţionară este rezultatul unui proces particular de interferenţă a două unde. Fig. curbele reprezintă limita de oscilaţie a punctelor de pe traiectoria undelor. Într-un laser. trebuie ca diferenţa de fază dintre undele reflectate consecutiv să fie 78 . Aşa cum este cunoscut din teoria undelor. Întrucât prin reflexii multiple.

0) 2nL Pentru înţelegerea mai uşoară a aspectelor legate de modurile cavităţii laser. m numărul (ordinul) modului. Cum distanţa dintre oglinzi (L) este constantă. care sunt moduri de-a lungul axei optice a laserului. numită şi distanţă intermodală. Acest mod se numeşte mod longitudinal fundamental şi lui îi corespunde frecvenţa fundamentală a cavităţii optice. 0) 2nL reprezintă primul mod de oscilaţie posibil pentru cavitatea optică respectivă. Lungimea de undă a modului laser (λm) este măsurată în mediul activ. Primul mod conţine o semilungime de undă. 0) m unde L este lungimea cavităţii optice. Condiţia necesară 79 . se poate apela la o analogie cu modurile de oscilaţie ale unei coarde vibrante (figura 2. 0) frecvenţa modului longitudinal este: c νm = (2.24) în (2. lungimile de undă posibile. Acest lucru este asigurat dacă drumul optic de la o oglindă la cealaltă este un multiplu întreg al lungimii de undă. rezultă: c νm = m (2. În substanţă. Cum viteza luminii în vid. 0) nλ m Înlocuind relaţia (2. care creează unde staţionare.9). Frecvenţa fiecărui mod laser este egală cu un multiplu întreg (ordinul modului. Acestea sunt echivalente cu modurile longitudinale laser. al doilea mod două semilungimi de undă şi aşa mai departe. trebuie să îndeplinească condiţia: 2L λm = (2. lungimea de undă (λm) a unei unde este egală cu: λ λm = 0 (2. 0) n unde λ0 este lungimea de undă a luminii în vid şi n indicele de refracţie al mediului activ. 0) 2nL Valoarea: c ν1 = (2. care este egal cu numărul semilungimilor de undă cuprinse în interiorul cavităţii optice şi λm lungimea de undă a modului m. m) al frecvenţei fundamentale a modului longitudinal fundamental.constantă. este egală cu frecvenţa fundamentală a cavităţii: c ∆ν = (2. Diferenţa dintre frecvenţele modurilor consecutive.27). c are expresia: c = λ0ν = nλmνm (2.

pentru formarea acestor unde staţionare este existenţa unui nod la fiecare extremitate (oglindă) a cavităţii.9 – Primele trei moduri longitudinale într-o cavitate optică de lungime L 2. L. Moduri longitudinale în laser Din totalitatea radiaţiilor de frecvenţe posibile.2. s-a considerat că indicele de refracţie n este constant în cavitatea optică. fiecare secţiune a cavităţii este calculată separat. Există laseri în care oglinzile nu sunt plasate la extremităţile mediului activ.5. astfel că L1 nu este egal cu lungimea cavităţii. În toate discuţiile de până acum. 0) 2n1L1 + 2n 2 L 2 Fig. În astfel de cazuri. numai acelea care îndeplinesc o altă condiţie vor putea fi emise de laser şi anume acele 80 . 2. cu indicele de refracţie corespunzător: c ∆νM = (2. Această presupunere înseamnă că lungimea mediului activ este egală cu lungimea cavităţii optice.

numai 5 frecvenţe dintre cele permise în cavitate. Înălţimea fiecărei linii laser depinde de pierderile în buclă închisă în cavitate. În figura 2.10.  Numărul modurilor longitudinale optice În figura 2. În figura 2.10 – Curba amplificării unui laser Condiţia de formare a undelor staţionare pentru moduri longitudinale este determinată de lungimea cavităţii şi indicele său de refracţie. Forma şi proprietăţile curbei amplificării sunt explicate în capitolul următor. Modurile longitudinale posibil ale laserului sunt marcate ca linii perpendiculare echidistante. astfel că numai aceste 5 frecvenţe pot exista în radiaţia de la ieşirea laserului. curba amplificării în mediul activ în funcţie de frecvenţă este reprezentată împreună cu pragul efectului laser şi modurile longitudinale posibile ale laserului. Această amplificare minimă este definită ca prag al efectului laser. descrise în figura 2. inclusiv radiaţia emisă prin cuplajul de ieşire. Condiţia de amplificare minimă înseamnă că amplificarea este egală cu pierderile.frecvenţe (moduri) sunt amplificate peste o valoare minimă. astfel încât amplificarea totală în buclă închisă (câştigul) în cavitate este A = 1. Amplitudinea curbei amplificării depinde de lungimea mediului activ şi de excitarea acestuia.10. pentru depăşirea absorbţiei. Fig. 2.10. 81 . sunt deasupra pragului efectului laser. Regiunea haşurată de sub curbă şi deasupra pragului efectului laser include domeniul în care se poate produce efectul laser.11 este prezentată distribuţia spectrală a liniilor spectrale ale radiaţiei emise de laser.

distanţa exactă dintre oglinzi este critică. va rămâne un singur mod longitudinal. Este evident că un singur mod laser poate fi obţinut prin reducerea lungimii cavităţii. dacă nu sunt moduri care să îndeplinească condiţiile. cu c valoarea numită distanţă intermodală: ∆νM = . δνL a unui laser este lărgimea curbei amplificării la jumătate din amplitudine. echidistanţate.În acest exemplu. N este dat de raportul dintre lărgimea liniei de fluorescenţă şi distanţa dintre două moduri consecutive: δν L N= (2. efectul laser nu are loc. deci numărul modurilor laser posibil sub curba de fluorescenţă se dublează.11 – Distribuţia spectrală a liniilor spectrale laser Curba amplificării (a câştigului) este o reprezentare grafică a amplificării în funcţie de frecvenţă şi ea descrie lărgimea liniei de fluorescenţă. 82 . astfel încât sub curba de fluorescenţă. ceea ce reduce la jumătate distanţa între modurile longitudinale consecutive. 2nL Fig. 2. deoarece. La o astfel de operare a laserului. la ieşire sunt permise 5 frecvenţe. Acesta poate fi făcut în două feluri: prin variaţia lungimii cavităţii deplasând fizic oglinzile în altă poziţie prin dublarea lungimii cavităţii. în condiţia monomod. cu condiţia A > 1. Numărul aproximativ al modurilor laser posibile. 0) ∆ν M Modul în care se poate controla numărul modurilor longitudinale întrun laser este prin controlul lungimii cavităţii laser . Lărgimea liniei de fluorescenţă. Ea determină lărgimea maximă a tuturor liniilor spectrale laser emise.

numărul modurilor longitudinale laser nu are nici o importanţă. Lungimea L1 este aleasă astfel încât un singur mod longitudinal se va găsi sub curba de fluorescenţă a laserului. 2. de exemplu în holografie. Laserul ca sistem. laserul este utilizat ca un mijloc pentru transferul energiei spre ţintă. lungimea de coerenţă a radiaţiei este o proprietate importantă şi ea este determinată de lărgimea liniei spectrale a radiaţiei laser (invers proporţională cu ea). sau măsurări interferometrice. Acest aranjament necesită poziţii strict stabile pentru oglinzi şi este utilizat ori de câte ori este necesară obţinerea unei puteri mari la operarea monomod. În majoritatea aplicaţiilor de putere. trebuie să îndeplinească condiţiile de funcţionare pentru ambele cavităţi. Fig. În aplicaţii spectroscopice şi fotochimice. Din această cauză. În aplicaţiile unde interferenţa radiaţiei electromagnetice este importantă.Dezavantajul acestei metode este că o lungime scurtă a cavităţii limitează puterea de ieşire a laserului. Adăugarea unei oglinzi suplimentare în cavitatea laser (figura 2.12) este o metodă care determină obţinerea concomitentă a două lungimi ale cavităţii: L1. astfel încât acest mod să opereze exact la  83 . este necesară o lungime de undă foarte bine definită. şi L2. În aceste aplicaţii. crescând astfel lungimea de coerenţă. În aceste aplicaţii. în special în laserii cu corp solid. modurile longitudinale sunt foarte importante. este utilizat un laser monomod şi se folosesc tehnici speciale de reducere a lărgimii liniei. pentru prelucrarea materialelor sau chirurgie medicală. Aceasta se poate obţine prin operarea laserului în regim monomod şi controlul lungimii cavităţii.12 – Funcţionarea unui laser monomod cu 3 oglinzi Diferenţa dintre modurile longitudinale consecutive Importanţa modurilor optice longitudinale ale laserului este determinată de aplicaţia specifică în care este utilizat acesta.

Moduri transversale în laser În discuţiile anterioare a fost examinată distribuţia intensităţii radiaţiei de-a lungul axei optice a laserului. O astfel de diferenţă foarte mică permite aproximaţia care se face practic prin considerarea radiaţiei laser ca radiaţie monocromatică. De exemplu. lungimea de undă modului m + 1 este λm+1 = 632. Pentru aceste aplicaţii. Structura modurilor longitudinale laser este critică pentru aceste aplicaţii. deoarece diferenţa între lungimile de undă ale modurilor longitudinale consecutive este foarte mică. Când sunt necesare pulsuri scurte de mare putere. Acest proces determină interferenţa constructivă între toate modurile din cavitatea laser .lungimea de undă necesară. este utilizată operarea în „mode locking” (blocare a modului). 2. Modurile longitudinale au fost descrise ca unde staţionare între oglinzile laserului. structura modurilor longitudinale laser este importantă. dacă lungimea de undă a modului m este exact λm = 632.3.8 nm.7996 nm şi diferenţa dintre lungimile de undă ale modurilor longitudinale consecutive este deci 4⋅10–13 m.5. 84 . Deşi majoritatea laserilor lucrează în regimul multimod. pentru un laser cu of He-Ne cu lungimea cavităţii de 50 cm. ei sunt consideraţi ca surse monocromatice.

Regiunea dintre oglinzile de la capătul laserului.i).6. L. cu diferite distanţe între ele. El este compus din modurile TEM01 şi TEM10 oscilând împreună (figura 5. unde m şi n sunt numere întregi.13 – Moduri electromagnetice transversale în laser Este importantă însă şi analiza distribuţiei transversale a intensităţii radiaţiei. Câteva importante definiţii pentru cavitatea optică sunt prezentate în continuare. apertura este determinată de diametrul mediului activ. m reprezintă numărul punctelor de iluminare nulă (între regiunile luminoase) de-a lungul axei Ox şi n este numărul punctelor de iluminare nulă (între regiunile luminoase) de-a lungul axei Oy. Astfel.5. De regulă. Zonele întunecate marchează locurile unde radiaţia laser are intensitate maximă. Cavităţi optice specifice laserilor În orice cavitate laser sunt cel puţin două oglinzi la capetele acesteia.  Apertură – Factor ce limitează diametrul fasciculului în cavitatea laser .13 prezintă distribuţia de energie a primelor câteva moduri electromagnetice transversale. Sunt diferite forme de oglinzi.  Axă optică . 2. distribuţia intensităţii nu este o distribuţie gaussiană perfectă.Cavitate laser . În secţiune transversală. perpendicular pe axa optică a laserului.Linia imaginară ce trece prin centrul oglinzilor şi perpendiculară pe ele. 85 . 2. într-o secţiune transversală a fasciculului.  Cavitate optică . Forma distribuţiei energiei în secţiunea transversală a fasciculului reprezintă modurile transversale electromagnetice (TEM). Considerând că fasciculul se propagă de-a lungul axei Oz. Aceste oglinzi sunt plasate faţă în faţă şi centrele lor se află pe axa optică a laserului. O cavitate optică specifică este determinată de mediul activ utilizat. Distanţa între oglinzi determină lungimea cavităţii optice a laserului. care permite formarea câtorva moduri transversale în cavitatea laser. Este un mod transversal care nu se potriveşte acestei clasificări şi el are un nume special (conform formei sale) datorită importanţei sale: „bagel”.4. Fiecare mod transversal (TEM) este marcat cu doi indici: TEMmn. O uşoară nealiniere a oglinzilor laserului determină lungimi diferite ale drumului pentru diferite „raze” în cavitate. Aceste moduri transversale sunt determinate de lărgimea cavităţii. de puterea optică în el şi de aplicaţia specifică. în regiuni de intensitate mare şi regiuni cu intensitate nulă.Fig. Figura 2. radiaţia laser are o distribuţie specific.

În laserii de mare putere. ca urmare foarte dificil de lucrat cu astfel de laseri. fiecare interacţie cu un element optic în cavitate determină anumite pierderi. Avantaje:  Utilizarea optimă a întregului volum al mediului activ.când oglinzile cavităţii nu sunt aliniate exact perpendicular pe axa laserului şi paralel una cu cealaltă.  Pierderi în cavitatea optică . R2 = ∞ ).  Nefocalizarea radiaţiei laser în cavitatea optică. În continuare sunt descrise principalele tipuri de cavităţi optice: 1. Fig. difracţia – la fiecare trecere a fasciculului laser printr-o apertură limitatoare. Dezavantaje:  Pierderi mari prin difracţie. Cavitate optică plan-paralelă Figura 2. paralele una cu alta şi perpendiculare pe axa optică a laserului. .dar în unii laseri este introdusă o fantă circulară mică (pinhole) în cavitatea laser pentru a limita diametrul fasciculului. acesta se difractă. Cavitate circulară concentrică (sferică) 86 .stabilitatea cavităţii optice. Orice cavitate optică are două oglinzi cu razele de curbură R1 şi R2. dispersia şi pierderile în elementele optice .14 – Cavitate optică plan-paralelă La ambele capete sunt oglinzi plane (R1 = ∞ . 2.cum elementele optice nu sunt ideale.volumul modului laser în interiorul mediului activ.Includ toate radiaţiile ce lipsesc la ieşirea laserului Pierderile în cavitatea optică pot fi determinate de: nealinierea oglinzilor laserului .  Foarte mare sensibilitate la nealiniere şi. Doi parametri determină structura cavităţii optice: . este utilizată în laseri în pulsuri. 2. care necesită energie maximă. radiaţia în cavitate nu va fi confinată la reflexiile între oglinzi. o astfel de focalizare poate determina străpungerea electrică sau deteriorarea elementelor optice. Ca urmare. absorbţia.14 descrie cavitatea optică plan-paralelă.

2.15 descrie cavitatea optică circulară concentrică. Dezavantaje:  Utilizarea limitată a volumului mediului activ. La ambele capete se află oglinzi sferice cu aceeaşi rază. Acest aranjament determină focalizarea fasciculului în centrul cavităţii. Proprietăţile acestei cavităţi sunt opuse acelora ale cavităţii planparalele. Distanţa între vârfurile oglinzilor este egală cu dublul razei de curbură a fiecăreia (R 1 = R2 = L/2). pentru pompaj este utilizată o foarte mare densitate de putere. 3. Cavitate confocală Această cavitate este un compromis între cavităţile optice plan-paralel şi cele circulare. colorantul lichid curge în regiunea de focalizare a fasciculului (direcţia de curgere este perpendiculară pe axa optică a laserului).  Focalizare maximă a radiaţiei laser în cavitatea optică. Astfel. Se utilizează în pompajul optic al laserilor cu regim continuu cu coloranţi.Figura 2. Acest aranjament determină o mult mai slabă focalizare a fasciculului în centrul cavităţii. Fig. O astfel de focalizare poate determina străpungerea electrică sau deteriorarea elementelor optice. 2.  Fig. Distanţa între vârful oglinzilor este egală cu raza of curbură a fiecăreia dintre ele (R1 = R2 = L).15 – Cavitate circulară concentrică Avantaje: Foarte mică sensibilitate la nealiniere.  Pierderi mici prin difracţie. În aceşti laseri. La capetele mediului activ sunt oglinzi sferice cu aceeaşi rază. Astfel.16 – Cavitate optică confocală Avantaje: 87 . alinierea este foarte uşor de făcut.

 Pierderi prin difracţie medii. 88 . Pierderi prin difracţie mici. Utilizare medie a volumului mediului activ. Cavitate cu raza de curbură a oglinzilor mai mare decât lungimea cavităţii Această cavitate este un compromis mai bun decât cavitata confocală între cavităţile optice plan-paralelă şi circulară. centrul de curbură al oglinzilor este în centrul cavităţii. 2. deci simplu de aliniat.  Bună utilizare a volumului mediului activ 5. R2 >> L). 4. Focalizare nu prea mare în cavitate. în timp ce în cavitatea sferică.Slabă sensibilitate la nealiniere. Acest aranjament determină o focalizare mult mai mică a fasciculului în centrul cavităţii.17 – Cavitate cu raza de curbură a oglinzilor mai mare decât lungimea cavităţii Avantaje:  Sensibilitate medie la nealiniere. Fig. focarul fiecărei oglinzi este în centrul cavităţii.     Fig.18 – Cavitate emisferică Această cavitate este similară ca proprietăţi cavităţii optice circulare. Oglinzile sferice au razele de curbură mari (nu neapărat egale). Principala diferenţă între cavitatea confocală şi cavitatea sferică este aceea că în cavitatea confocală.  Focalizarea fasciculului medie în cavitate. 2. cu avantajul preţului scăzut al oglinzii plane. Distanţa între vârfurile oglinzilor este mult mai mică decât raza de curbură a fiecăreia (R 1 . Cavitate emisferică Cavitatea este creată de o oglindă plană şi o oglindă sferică cu raza de curbură egală cu lungimea cavităţii.

19 – Cavitate emisferică cu lungime mai mare decât raza de curbură Cavitatea este creată de o oglindă plană şi o oglindă sferică cu raza de curbură mulz mai mare decât lungimea cavităţii.  Pierderi prin difracţie mici. Oglinda convexă este mică şi raza sa de curbură este mică. 7. 2.20 – Exemplu de cavitate instabilă Oglindă concavă este mare şi raza sa de curbură este mai mare decât lungimea cavităţii. cu avantajul preţului scăzut al oglinzii plane. 2. Avantaje:  Slabă sensibilitate la nealiniere. Într-o astfel de cavitate nu este creată nici o structură de unde staţionare. Această cavitate este similară în proprietăţi cu cavitatea confocală.Majoritatea laserilor cu He-Ne utilizează această cavitate care are pierderi prin difracţie mici şi este relativ uşor de aliniat. Fig.20. Cavitate emisferică cu lungime mai mare decât raza de curbură Fig. 6. 89 . Rezonator instabil Un exemplu pentru o astfel de cavitate este aranjamentul convexconcav de oglinzi sferice din figura 2.

trebuie definit un criteriu de stabilitate.5.  Toată puterea din interiorul cavităţii este emisă în afara laserului. este definit un parametru geometric pentru fiecare oglindă: L L g1 = 1 − . 2. creând unde staţionare în timpul propagării fasciculului între oglinzi. Mai întâi. Avantaje:  Volum mare al modurilor în mediul activ. Fig. Este posibilă utilizarea unui rezonator instabil numai dacă mediul activ are o amplificare mare. Dezavantaje:  Forma fasciculului are o „gaură” în mijloc.  Radiaţia laser este emisă în exteriorul laserului în jurul marginilor oglinzii mici. 2. g 2 = 1 − (2.Radiaţia nu se propagă pe acelaşi drum între oglinzi. Geometria cavităţii determină dacă cavitatea este stabilă sau nu. 0) R1 R2 O reprezentare grafică a parametrilor geometrici este descrisă în figura 2. care nu pot utiliza cuplajul de ieşire standard. 0) 90 .21 – Reprezentare grafică a parametrilor geometrici O cavitate este stabilă dacă: 0 < g1⋅g2 < 1 (2. Această cavitate este utilizată în laseri de mare putere. Criteriul stabilităţii cavităţii O cavitate stabilă este o cavitate în care radiaţia este captată în interiorul cavităţii.21. deoarece fasciculul trece prin mediul activ de mai puţine ori decât în cavitatea stabilă. Pentru determinarea stabilităţii unei cavităţi.5. Centrul de curbură al ambelor oglinzi este comun.

Se poate da şi o reprezentare grafică a acestui criteriu. Tipuri de laseri Laserii pot fi clasificaţi în trei categorii principale: laseri cu emisie continuă (continuous wave – CW). parametrii geometrici ai oglinzilor sunt the axele Ox şi Oy.22). În diagrama de stabilitate (figura 2. XeCl) susţin acţiunea laser pentru doar o scurtă perioadă. produsul g1⋅g2 este egal cu 0 sau 1. sau poziţia oglinzii însăşi.34). În diagrama de stabilitate.6. sunt între a doua oglindă şi centrul său de curbură. definite de criteriul de stabilitate. dar nu amândouă.22 – Diagrama de stabilitate a cavităţilor laser Criteriul de stabilitate pentru cavitatea laser este deci relaţia (2. Dacă durata pulsului este suficient de mare (~ µs).Fig. regiunea haşurată marchează aria de stabilitate. 2. Pentru cavităţi aflate la marginea regiunii de stabilitate. 2. O cavitate este stabilă dacă centrul de curbură al uneia dintre oglinzi. construcţia 91 . Unele materiale. laseri cu emisie în pulsuri şi laseri ultrarapizi. cum sunt rubinul şi excimerii cu gaze rare şi halogeni (ArF. Aceasta este delimitată de două arce de hiperbolă. Pe diagramă sunt marcate câteva cavităţi mai des întâlnite.

92 . mulţi laseri în pulsuri sunt proiectaţi pentru o durată a pulsului de câteva ns. numit Q-switch. Puterea de vârf a laserului în pulsuri este proporţională cu energia pulsului raportată la durata acestuia. bine controlat. Aceasta este invers proporţională cu banda amplificării mediului activ laser. Cavităţile rezonante utilizate în laserii CW nu pot controla astfel de laseri. care produc pulsurile mode-locked cele mai scurte sunt de tipul safir dopat cu titan. cu frecvenţa pulsurilor de 100 MHz şi puteri de vârf până la 1 MW. cum este laserul cu Nd:YAG (neodymium yttrium aluminum garnet). care utilizează ca mediu activ ioni de neodim (Nd). Totuşi. lumina nu poate face multe cicluri de propagare între oglinzile cavităţii în decursul unui puls. Dacă cavitatea este pulsatorie sau oscilantă. Laserii CW pot produce mai multe moduri longitudinale. Pentru rezolvarea acestei probleme. plasaţi într-un mediu gazdă. obturatorul este închis. Frecvenţa de repetiţie a pulsurilor este determinată de timpul necesar pulsului pentru a parcurge o dată cavitatea. Pulsul se stinge înainte de obţinerea condiţiilor de echilibru. În acest caz. deşi în laserii în pulsuri se utilizează în continuare două oglinzi. metoda uzuală de control şi acord al lungimii de undă este o reţea de difracţie. alcătuit dintr-un granat de ytriu şi aluminiu.laserului este similară cu cea a unui laser CW. Puritatea lungimii de undă a laserilor Q-switched este dificil de controlat. modul de operare Q-switching poate determina creşterea puterii de vârf cu câteva ordine de mărime. Iniţial. pentru definirea direcţiei de amplificare maximă. cu atât este mai scurdă durata pulsului. Astfel. Se pot obţine astfel pulsuri cu durata de ordinul a 20 fs. Materialele utilizate de obicei pentru laserii acordabili. poate fi operat cu un dispozitiv intracavitar. Cu cât interferă mai multe moduri. datorită combinaţiei de putere de vârf foarte mare şi durata foarte scurtă a pulsului. adesea este pus în serie cu unul. Unii laseri în pulsuri. de obicei printr-un puls de înaltă tensiune. este posibilă blocarea acestor moduri împreună (mode-lock). sau mai multe amplificatoare. el este deschis şi energia înmagazinată în mediul activ este emisă sub forma unui puls foarte scurt. acestea nu acţionează ca o cavitate rezonantă. Lumina nu poate trece prin el decât dacă este activat. Interferenţa rezultată face ca undele luminoase ce se propagă în cavitate să se comaseze într-un puls foarte scurt (un pachet de unde). Acest mod de operare poate scurta durata unui puls normal de câteva ordine de mărime. La momentul oportun. În acest scop. laserul emite o parte din acest puls. un oscilator de mică putere. care acţionează ca un obturator optic rapid. De fiecare dată când acest puls ajunge la cuplajul de ieşire. Din această cauză.

Indicele de refracţie.01. se poate scrie: NA ≈ n1⋅ 2∆ (3. O valoare de 4 % este considerată tehnologic dificilă. aşa cum se arată în figura 3. conul de raze trapate de o fibră cu NA = 0. Din relaţiile (3. Profilul variaţiei indicelui de refracţie este convenţional definit de: 2 n2(r) = n1 ⋅[1 – 2⋅∆f(r)] (3. 0) unde funcţia f(r) creşte de la f(0) = 0 la f(a) = 1 şi este constantă pentru r > a.1) şi (3. Structura şi caracteristicile sale nu variază de-a lungul axei z. Fig.46) are o apertură unghiulară de numai 93 .3. până la o valoare constantă. 1 . simetric şi are un înveliş de grosime infinită.1. dincolo de raza a a miezului.3). cilindric. conceptul aperturii numerice este valabil pentru orice profil. în centru. 1% este valoarea tipică. care formează baza tuturor problemelor practice ale propagării în fibra optică merită o discuţie mai detaliată. n0. 3. Mai precis. scade de-a lungul razei r de la o valoare maximă.2 (∆ = 0. Variaţia relativă de indice dintre miez şi înveliş este: n12 − n 20 n1 − n 0 ≈ ∆= (3. Ghidul de undă dielectric circular 3.Indicele de refracţie n2(r) şi nivelurile de mod (β/k)2. n1. Concepte şi terminologie Teoria ghidului de undă ideal neperturbat. ghidul este confecţionat dint-un material fără atenuări şi fără dispersii.1. 0) –1 Deci NA este de ordinul 10 . 0) 2n12 n1 şi este cu mult mai mică decât unitatea (de ordinul a câteva procente) pentru fibre de comunicaţii. n1 = 1. n(r). În cel mai simplu caz. Ghidul de undă ideal este drept. pentru o fibră multimod cu profil cu gradient de indice Deşi definit pentru ghidul cu profilul indicelui în treaptă.

se consideră o undă plană monocromatică propagându-se în direcţia 2π razei. Pe distanţe mari. Legile reflexiei ale lui Fresnel arată că. Constanta de propagare a undei la r este n(r)⋅k. Pentru o trecere conceptuală de la noţiunea de rază la cea de unde optice.4) defineşte grupul sau congruenţa razelor care reprezintă un anumit mod. perechile HE-EH există şi sunt aproape degenerate (adică au aproape aceeaşi constantă de propagare). cu excepţia celui fundamental sau a celor de ordin foarte mic. 0) Modelul câmpului nodal rezultat este invariant. Modurile exacte sunt notate HE sau EH. În acord cu descrierea procesului de propagare. acolo unde intensitatea (densitatea de putere) este mai importantă decât vectorii de câmp. cu aplicaţii speciale în fibrele de comunicaţii. Unghiuri θ mici (de ordinul ∆ pentru structuri de ghidare slabă) implică faptul că toţi vectorii de propagare sunt orientaţi cu precădere înainte. care au condus la teoria „ghidării slabe” a ghidului de undă dielectric. Condiţia TEM este îndeplinită doar aproximativ în fibre cu ghidare slabă. Interferenţa constructivă apare între undele care au o viteză de fază comună în direcţia z sau. de forma exp(– iβz). În orice caz. Să lăsăm constanta propagării în vid la k = . Pentru moduri de acest fel. β = nk⋅cos θ (3. modurile polarizate liniar (LP) nu sunt moduri ale acestor fibre în sens riguros. cu excepţia unei dependenţe periodice de z. teoria modurilor de propagare arată că propagarea predominant înainte implică componente predominant transversale ale câmpului şi că modurile electromagnetice transversale rezultante (TEM) pot fi separate în două componente polarizate liniar.5°. Discuţia următoare este limitată la această teorie simplificată. Această capacitate de ghidare limitată este adecvată pentru aplicaţiile în comunicaţii. O suprapunere a câmpului fiecărei perechi produce moduri LP. La fel. în aceste condiţii. echivalent. Ecuaţia (3. care îl identifică pe β ca fiind constanta de propagare a modului. În fibrele cu ghidare slabă. în funcţie de natura micii componente a câmpului longitudinal. ca în cazul detectoarelor (contoarelor) de fotoni aplicate exclusiv în sistemele 94 . toate componentele câmpului pot fi obţinute ca derivând dintr-o componentă dominant transversală a vectorului câmp electric. binecunoscutele moduri laser TEM sunt exemple tipice. Astfel.11. o componentă z. diferenţe neînsemnate între constantele de propagare HE şi EH modifică suprapunerea câmpurilor. sunt permise un număr de simplificări semnificative. unde λ este lungimea λ de undă în vid. Fie θ unghiul dintre rază şi axa fibrei la o distanţă r faţă de aceasta. care la rândul ei rezultă dintr-o soluţie a ecuaţiei de undă scalare. reflecţiile sunt independente de polarizare.

ϕ. În mod obişnuit. rezultă ecuaţia diferenţială de forma: 1 d  d  2 (3.µ LPν. 3. în condiţiile de ghidare slabă discutate anterior (∆ << 1). Următorul tabel de corespondenţă oferă o lămurire a notaţiilor utilizate. definiţiile folosite în literatură diferă de la caz la caz. dacă ψ este componenta dominantă transversală a câmpului electric: cos νϕ  ψ = E(r)  (3. µ+1 Singurul caz în care controlul modului polarizării este important priveşte structurile de straturi subţiri. cazul monomodului este singurul caz în care soluţiile scalare (LP) descriu un mod natural şi nu o suprapunere de moduri. 0) unde ∇ este operatorul laplaceian şi ψ pot fi oricare din componentele carteziene ale vectorilor electric sau magnetic. Tabel 3.6) în (3. respectiv µ.µ+1 HEν+1. 0)  exp(– iβz) sin νϕ  Dependenţa periodică de ϕ conform cu cos νϕ sau sin νϕ conduce la un mod de ordin radial ν. z. care pot fi folosite la procesarea semnalelor optice. Moduri în fibra optică Considerând distribuţia indicelui de refracţie de forma (3. De exemplu. ecuaţia vectorială a undei ce descrie riguros condiţiile câmpului poate fi separată în trei ecuaţii de undă scalare de forma: [∇2 + n2(r)⋅k2]ψ = 0 (3.1 – corespondenţa notării modurilor de propagare în ghiduri de undă TEM00 LP01 HE11 TEMν. modurile LP conţin toate informaţiile relevante.2. 0)  r dr  r dr ÷+ κ r  E = 0     unde 95 .µ+1 ± EHν–1.optice de comunicare în prezent. transmiterea stabilă a unui mod polarizat devine o necesitate. Când astfel de procese devin posibile. Cu toate acestea.1) într-un cilindru dielectric omogen circular şi folosind coordonatele cilindrice r. descrierea ordinelor unghiulare şi radiale ale modurilor circulare simetrice se face utilizând indicii ν. Din fericire.5). Aceste structuri sunt sensibile la tipul de mod şi la polarizare. Introducând soluţia particulară (3.

în timp ce profilul parabolic corespunde cazului oscilatorului armonic. Parametrul V îmbină cei trei parametri semnificativi: lungimea de undă λ. Profilurile aproximând variaţia parabolică a indicelui de refracţie reduc distorsionarea semnalului în fibre multimodale cu mai multe ordine de mărime în comparaţie cu fibrele cu profil în treaptă şi de aceea joacă un rol important în comunicaţiile optice la distanţe mari.1. a şi apertura numerică a fibrei. Astfel.9) realizează o descriere completă pentru componenta câmpului dominant transversală a modului LPν. o soluţie a câmpului de formă închisă pentru profil parabolic este disponibilă doar 2 r pentru f =  ÷ extinzându-se dincolo de r = a. Din nefericire. Ecuaţia (3.ν2 (3. ƒ(r). 0) este un parametru de structură. Majoritatea modurilor la limita de separare dintre miez şi înveliş în astfel de structuri practice pot fi bine aproximate de modurile corespunzătoare pentru un profil cu f(r) cu extindere nelimitată. Ea este asociată cu o constantă de propagare: 96 . 0) ν unde Lµ reprezintă polinoamele generalizate Laguerre de ordin ν şi grad µ şi: V = ak n12 − n 02 (3. 2 r Ecuaţia (3. cazul profilului indicelui în treaptă conduce la un formalism identic cu acela (bidimensional) al unei bariere de potenţial. în domeniul a câteva lungimi de undă dincolo de r = a. numit de obicei parametrul V al fibrei sau frecvenţa normalizată.5) este formal identică cu ecuaţia Klein-Gordon.7) cu n(r) din (2.6) şi (3. după cum arată linia punctată a din figura 2. ca în majoritatea structurilor practice. raza miezului.µ+1. 0) r2 corespunde componentei radiale a vectorului de undă local pe direcţia razei. şi nu trunchiată la o valoare constantă dincolo de r = a. care descrie funcţia de undă cuantică a unei particule de masă de repaus nulă şi cu spinul nul sub acţiunea unui câmp cu un potenţial cu o dependenţă radială.1) şi f =  ÷ are soluţiile: a κ 2r = n2k2 – β2 – ν 2 ν 2  r2  r ν  r  E = V × ÷ ×Lµ  V × 2 ÷×exp  − V 2 ÷ 2a  a  a   (3. Combinaţia dintre (3. ν/r corespunde coordonatei ϕ. Cum β este în acelaşi timp componenta z a vectorului de undă şi constanta de propagare a modului.

se poate ajunge la aproximativ M = V 2/4 moduri independente ghidate de fibra parabolică.1. După cum se va arăta. Pentru profilul parabolic. starea cea mai joasă (β cel mai mare) fiind ocupat de modurile fundamentale. În fibrele utilizate în practică.2.4 şi M = 247. 0) este numit parametrul de descreştere al învelişului. 0) V Urmând descrierile obişnuite din mecanica cuantică. care trebuie să suporte un număr de moduri suficient de mare. pentru r > a. Învelişul este necesar mai mult pentru a izola modurile de interferenţe exterioare (contaminarea de suprafaţă). unde: β = n1k 1 − ξ= β2 − n 22 k 2 (3. se pot folosi funcţiile Hankel modificate Kν(ξr). rezultă V = 31. profilul de gradient al miezului se continuă cu profilul de indice constant al învelişului într-un mod determinat obişnuit de difuzia care are loc între miez şi înveliş. funcţiile Hankel modificate descresc după o lege exponenţială: exp(–ξr). s-a introdus β2 raportul 2 pentru diferite valori (ν. în înveliş. La λ = 1 µm. O fibră tipică pentru aplicaţii în comunicaţii poate avea r = 25 µm şi NA = 0. Populaţia de moduri în stări superioare creşte aproximativ proporţional cu ordinul. cea mai mare parte din variaţia de indice realizabilă este rezervată miezului. cu stoparea bruscă a variaţiei indicelui de refracţie la suprafaţa de separare dintre miez şi înveliş trebuie deci să fie înţeleasă ca o aproximaţie (idealizare) a condiţiilor reale.4∆ ( 2µ + ν + 1) (3.1. de indice uniform. trebuie ca soluţiile la limită să coincidă: componentele câmpului tangenţial al 97 . Din numeroase motive.1. cu temperaturi variabile. µ) ca stări posibile în reprezentarea k profilului din figura 3. Numărând toate stările distincte de polarizare şi variaţie unghiulară (sin νϕ sau cos νϕ). Din această cauză. Pentru a determina soluţiile complete ale câmpului şi constantele de propagare pentru profilul din figura 3. Această descreştere este oarecum mai redusă decât cea indicată de (3. Motivul principal pentru care indicele învelişului este păstrat constant în fibrele utilizate în practică este dificultatea tehnologică de obţinere a diferenţelor mari de indice de refracţie într-o structură din sticlă fără a introduce tensiuni interne sau alte probleme.11) determină 2 2 V/2 stări posibile între n1 şi n 0 .1. Descrierea din figura 3. Pentru descrierea soluţiilor câmpului în cazul profilului de variaţia a indicelui de refracţie de forma din figura 3. relaţia (3. aceasta se poate face cu un strat de sticlă suficient de subţire (şi transparent). cea mai înaltă stare fiind ocupată de V/4 moduri. în timpul procesului de fabricaţie.9).

soluţia coincide cu zeroul lui Jν şi este independentă de distribuţia indicelui învelişului.13) determină constantele de propagare ale modurilor de ordin ν. care par să câştige importanţă ca medii de propagare de bandă largă. departe de cele mai înalte suportate de structură). Sunt două cazuri de importanţă practică. 0) este componenta transversală a vectorului de undă introdus anterior. este clar că acest lucru poate 98 . Un exemplu de astfel de formalism este dat de profilul cu indice în treaptă. Transformarea modală cauzată de neadaptarea de intrare sau de imperfecţiuni ale fibrei este greu de evitat. condiţiile de coincidenţă la limită a soluţiilor impun continuitatea componentelor transversale şi a derivatelor lor la interfaţă. apoi se rezolvă acest sistem de ecuaţii cu β. Pentru a fi absolut siguri că semnalul se propagă printr-un singur mod. unde: κ= n12 k 2 − β2 (3. În aproximaţia ghidării slabe. În acest caz. Din cauza naturii oscilatorii a funcţiilor Bessel J ν.12) şi (3.3. asociată cu un µ diferit. Folosind relaţiile cunoscute ale funcţiilor Bessel. se poate obţine o ecuaţie cu valori proprii de forma: J ( κa ) K ( ξa ) κ ν±1 = ±ξ ν±1 (3. 0) J ν ( κa ) K ν ( ξa ) care. iar celălalt priveşte cazul structurilor monomod şi oligomod. Din păcate. Pentru ξ mare (stări inferioare. împreună cu (3.1 şi din discuţia din paragraful anterior.miezului trebuie să fie egale cu cele ale învelişului la r = a. Din păcate. multe profiluri gradient de interes practic nu au soluţii analitice cunoscute. Pentru a determina caracteristicile modurilor cu ordine apropiate de maximul suportat de această structură nu se poate evita rezolvarea unei ecuaţii cu valori proprii de forma (3. Din figura 3. Unul priveşte distorsionarea semnalului datorată modurilor de ordinele cele mai înalte în fibrele multimod. 3. se dovedeşte a fi greu din punct de vedere tehnologic să se excite şi să se transmită numai un singur mod într-o fibră multimod.13). Fibra monomod Distorsionarea semnalului provocată de diferenţe de întârziere dintre moduri diferite poate fi evitată doar dacă în fibră se propagă un singur mod. ghidul de undă trebuie proiectat astfel încât să transmită doar un mod şi să atenueze toate celelalte moduri prin absorbţie sau radiaţie. câmpurile în miez au forma Jν(κr). astfel metoda descrisă nefiind aplicabilă. fiecare interval dintre zerourile succesive ale acestor funcţii Bessel determină o soluţie de moduri independentă.

Când b este de 6÷8 ori mai mare decât raza miezului. funcţia Bessel K se comportă ca exp(–ξr) şi puterea scade cu un ordin de mărime pentru fiecare 1. se consideră profilul de indice în treaptă şi relaţia (3.7/a pentru V = 2. ceea ce provoacă unele dificultăţi în procesul fabricării fibrelor.14). modul fundamental a fibrelor monomod pătrunde în înveliş mai adânc decât majoritatea modurilor într-o fibră multimod. atenuare a cărei valoare este de 1 dB/km pentru b = 6a = 36 µm. parametrul V poate creşte peste 2.405 (3. 0) pentru parametrul V critic al unei fibre cu indice în treaptă care este limitată la modul fundamental. Se găseşte:  8. Excitaţii sau conversii nedorite în acest mod vor fi astfel atenuate rapid. astfel încât numai o stare să fie suportată. starea a doua este definită de ν = 1 şi are ξ = 0. deoarece modul imediat superior suferă atenuări de ordinul câtorva dB/m în stratul cu pierderi exterior. dacă un strat cu atenuări înconjoară învelişul la o rază b. Se pune β = n0k în (3. ca rezultat al valorii mici a parametrului ξ. într-o structură ideală dreaptă. Câmpul în înveliş este dat de K0(ξr). când a = 6 µm şi V = 2.14) şi se obţine: Vc = 2. Raza miezului este de aproximativ patru ori mai mică decât cea a unei fibre multimod tipice. Este necesară o marjă suplimentară pentru a evita creşterea pierderilor în secţiunile curbate ale fibrelor. Estimările de mai sus arată că pentru fibrele monomod este esenţială existenţa unui înveliş gros cu pierderi reduse. Pentru o argumentare mai clară. Ca o consecinţă. Cel mai mic zero al lui J0 este κa = 2.14).15/ξ = 4 µm. au mărimi comparabile în fibre monomod şi multimod. Se foloseşte apoi semnul minus pentru valoarea µ cea mai scăzută posibil şi se află J0(κa) = 0 ca soluţie a ecuaţiei (3. Pentru a afla valoarea exactă la care starea a doua va deveni posibilă. În aceste condiţii.405. Diferenţa de indice este de aproximativ un ordin de mărime mai mică decât cea al unei fibre multimod. secţiunea transversală totală a fibrei precum şi cea a porţiunii ce necesită o transparenţă maximă.fi făcut prin trunchierea profilului indicelui de refracţie la o variaţie de indice suficient de mică. Este instructiv să se calculeze cazul atenuărilor maxime suferite de modul fundamental.404. exprimată în dB. 0) 2 ÷  n1kV  unde α este atenuarea. cu ξ = 1.001şi deci o rază a miezului de 6 µm la λ = 1 µm. fapt important atunci când astfel de fibre trebuie să fie îmbinate în teren. O fibră tipică de acest fel poate avea ∆ = 0.405.405. Pragul de atenuare dintre modurile dorite şi cele nedorite 99 . Din cauza diferenţelor mici de indice. 7 κ 2 ξa  ×exp  2ξ ( a − b )  α = (3.

S-a găsit că o   r 2  expresie gaussiană de forma exp  −  ÷  .65 + 1. w are valoarea w = 1. chiar dacă această descriere nu este riguroasă. starea a doua permite pierderi prin radiaţie în stratul de barieră dintre a 1 şi a2 şi radiaţia liberă în mediul înconjurător.62V − 2 (3. 0) a descrie cu o bună acurateţe câmpul modului fundamental al unei fibre monomod tipice cu indice în treaptă. Deseori este utilă o descriere simplă aproximativă a modului unei fibre monomod. Pentru V = 2.poate fi crescut substanţial cu ajutorul unui înveliş cu două trepte (aşanumitul profil W. Acest mod de proiectare a fibrei poate fi folosit pentru reducerea grosimii totale a învelişului. 3. Fig. S-a găsit: 100 .08⋅a. Raza modală w determină mai exact atenuările în îmbinări decât raza miezului.405. În timp ce starea fundamentală este complet suportată şi poate avea pierderi oricât de mici în înveliş (pentru b mare). cu:   w   3 w = 0.2). nu este nici un motiv evident pentru proiectarea fibrelor monomod cu un profil gradient. necesară transmiterii cu atenuări mici. 2 . astfel că profilul este în gradient prin forţa împrejurărilor. dar un astfel de profil nu prezintă dezavantaje evidente. figura 3.Nivelurile indicelui de refracţie şi ale modurilor pentru o fibră monomod cu profil W Contrar operării multimod. Difuzia de-a lungul interfeţei miez-înveliş provoacă deseori un schimb de constituenţi într-o regiune groasă de câţiva µm de o parte şi de alta a interfeţei.

8). cu bune rezultate atunci când indicele de refacţie variază foarte puţin pe distanţe de ordinul lungimii de undă. 3.13 ori mai a mare decât în cazul profilului în treaptă pentru aceeaşi diferenţă de indice de refracţie ∆.2 (3. Pentru a găsi funcţia câmpului radial.4. pentru o înclinare cu unghiul α (radiani) între axele părţilor îmbinate. = 0. Kramers şi Brillouin. definit de (3. S-a găsit că atenuarea la îmbinări. 23 (3.8. Distribuţia câmpului poate fi acum aproximată prin: w 1 1 = 1. denumită astfel după Wenzel. dar w însuşi este de 1.405 1 + 2 d aliniată este aproximativ egală cu  ÷ pentru o deplasare axială d a părţilor w 2 îmbinate şi cu (kwα) . E(r). Metoda WKB şi câmpuri în înveliş O metodă analitică foarte utilă pentru obţinerea soluţiilor aproximative ale modurilor pentru fibre multimod cu profiluri gradient arbitrare este metoda WKB. 0) g valoarea critică a parametrului V ce determină operarea monomod într-o fibră g r având funcţiile de profil f =  ÷ trunchiate la r = a. 41 + 0. pentru un mod de ordin ν în profilul gradient (figura 3. S-a arătat de asemenea că această relaţie rămâne valabilă cu o bună acurateţe pentru multe forme de profil. a Din acest motiv. ci şi pierderile la curburi. Abordarea ar mări toleranţele restricţiilor de îmbinare şi de curbură. inclusiv acelea cu un înveliş din două straturi şi că proiectarea profilului optic trebuie să ia în considerare nu doar problema îmbinării. 0) a V V3 w La valoarea critică Vc. Aceasta este o aproximare a soluţiilor exacte ale câmpului de acelaşi ordin cu optica geometrică. 101 .3). provocată de fibra imperfect Vc = 2. se consideră componenta radială a vectorului de undă local. O altă abordare cu posibile beneficii este fibra dublu-modală proiectată să egalizeze vitezele de grup ale celor două moduri de propagare la lungimea de undă de lucru. gradientul parabolic determină creşterea valorii critice a lui V cu 2 .

Punctele de întoarcere. sau caustice. aşa cum este reprezentat cu linie întreruptă în figura 3.1. Ecuaţia (3. r2. 0) ∫r1 κr dr =  µ + 2 ÷π unde µ este acelaşi număr de mod radial ce determină numărul maximelor câmpului oscilator în direcţie radială. S-a găsit: r2 1  (3. Pentru o funcţie cu profil infinit f(r).Reprezentarea grafică a lui κ r (r) şi soluţia WKB corespunzătoare. După întoarcerea în interior. se repetă acelaşi comportament la r = r 1. la r = r1 şi r = r2 separă regiuni de comportare evanescentă şi oscilatorie a câmpului.2 Fig. se elimină cerinţa de continuitate la r = a şi condiţiile la r = 0 şi r = ∞ (anularea câmpului pentru r → ∞) determină faza funcţiei oscilatorii (cos) între r1 şi r2. r1 şi r2 indică localizarea causticelor În termenii opticii geometrice. o componentă reală pozitivă κr este asociată cu o rază propagându-se spre exterior şi atingând un punct de maximă depărtare r = r2.3. Soluţiile ecuaţiei (3. 3 . în care κr se anulează.8) şi (3. r1. a şi ∞.7) sunt de forma:   C   C1 ×exp  i ∫ κ r dr ÷+ 2 ×exp  −i ∫ κ r dr ÷ (3.1) cu f =  ÷ a 102 . aşa cum se poate vedea în partea de jos a figurii 3. 0) κr κr  r   r  şi ele trebuie să fie continue la r =0. 3.21) poate fi rezolvată 2 r analitic pentru profilul parabolic infinit introducând (3.

0) ξ + 2 r în înveliş poate avea o valoare pozitivă semnificativă. deşi doar pentru raze mai mici decât: 103 . relaţia (3. O aproximare a distribuţiei modurilor în stările de diferite valori ale lui β decurge din: 2 +1  β2  g 1 −  ÷ m  n12 k 2 ÷ (3. După cum s-a menţionat anterior. V2 Condiţia parabolică g = 2 conduce la M = . Considerând profilul trunchiat din figura 3. Aceasta înseamnă o scădere rapidă a câmpului în înveliş şi deci ghidarea eficientă pentru moduri care fuseseră considerate ca fiind ghidate limitat în paragrafele anterioare. după cum este evident din (3.11).21) trebuie modificată. ceea ce indică faptul că metoda WKB este surprinzător de exactă. chiar când β = n2k.3. Ca rezultat. efectul este semnificativ doar pentru numere µ apropiate de valoarea maximă. S-a arătat că. după cum s-a discutat 4 V2 mai înainte. Parametrul 2 V 2 pare a avea o natură invariantă pentru toate profilurile g. chiar pentru 1+ g moduri de ordin mai scăzut.18). că soluţia evanescentă între r2 şi a se modifică uşor şi influenţează la rândul ei variaţia totală a fazei între r1 ţi r2.în (3. se găseşte că parametrul de descreştere ν2 2 (3. Profilul în treaptă are g = ∞ şi suportă moduri. cel puţin pentru profilurile aproximativ parabolice. parametrul de descreştere poate fi pozitiv. Chiar atunci când β < n2k. Rezultatul este identic cu (3. 0) = M  2∆ ÷  ÷   2 V 2 unde M = 2 este numărul total de moduri ghidate şi m este numărul de 1+ g moduri având constante de propagare mai mari decât β.21) şi integrând după r. dacă funcţia f(r) este trunchiată astfel încât să capete o valoare constantă la r ≥ a.

01 şi o lungime de undă de 1 µm. 0) n 22 k 2 − β2 Raza defineşte o a treia caustică dincolo de care există condiţii de existenţă a câmpului oscilant.4.r2 =ν ν (3. bariera învelişului este provocată de componenta unghiulară a vectorului de undă. ν) este reprezentată printr-un punct. S-au calculat aceiaşi coeficienţi pentru un profil parabolic şi s-a arătat că ei sunt de forma (3.16) având ca argument al exponenţialei o integrală a parametrului de descreştere pe domeniul barierei învelişului. Rezultatele sunt ilustrate în figura 3. care are două regiuni de propagare separate de bariera învelişului. Linia continuă arată limita de ghidare pentru profiluri parabolice cum a fost calculată din condiţia ca β în (3. numite moduri cu atenuare şi s-a dedus atenuarea lor în fibre cu indice în treaptă. tehnicile de măsurare folosind fibre de câţiva metri lungime trebuie să ia în considerare influenţa modurilor cu atenuare. o variaţie relativă a indicelui de refracţie de 0. triunghiul de sub linia continuă corespunde numărului de moduri ghidate riguros. Această figură reprezintă aşanumitul plan al numărului modal. Această atenuare a fost calculată pentru o fibră de comunicaţii cu raza miezului de 25 µm. Totuşi. Suprafaţa dintre linia cu puncte negre şi linia continuă reprezintă numărul de moduri cu atenuare care trebuie luat în considerare la transmisia la distanţe mari. 104 . După cum se vede. În acest caz. Situaţia este asemănătoare cu ceea a stării 2 din figura 3. Modurile cu atenuări cu atenuări de 1 dB/km sunt reprezentate de-a lungul liniei continue cu puncte negre. în care orice pereche (µ. S-a identificat existenţa acestor moduri. Prin comparaţie.11) să fie egal cu n2k. procentul de moduri cu atenuare este foarte mic.2.

dar această atenuare este. Din cauza dependenţei lungimii de undă de constantele de propagare.Planul numărului modal pentru o fibră multimod de profil parabolic. adică cu nouă ordine de mărime mai mare decât coeficientul de atenuare din fibră. având raza miezului a = 25 µm. Pentru b/a = 2.23) în regiunea dintre a şi b. Atenuarea în teacă este tipic de ordinul a câţiva dB/µm.5. raza exterioară b = 50 µm.01 şi atenuare în înveliş de 1 dB/km (λ = 1 µm) Chiar şi modurile ghidate suferă o atenuare în înveliş când există un strat de atenuare la o rază b finită. două fenomene. 4 . deşi cu o mică diferenţă de mărime şi. acceptabilă în schimbul economiei de material. Al doilea fenomen este limitat la fibrele multimod şi rezultă din diferenţele de întârziere dintre moduri diferite. Rezultatul este indicat de linia întreruptă din figura 3. în principal. diferitele componente ale purtătorului optic multicromatic suferă diferite întârzieri. Acest efect este numit dispersie cromatică.4 pentru o fibră tipică de comunicaţii. 3.16). Dacă a = 25 µm. cu scopul de a preveni interferenţa dintre diferitele fibre din cablu. este eliminat un mic procent de din procesul de transmisie. Dispersia intramodală şi dispersia intermodală Distorsionarea semnalului este provocată. 3. de aceea. mai este numită dispersie intramodală. În 105 . provocând lărgirea impulsului iniţial de lumină pe parcursul transmisiei. Analog cu (3. o variaţie relativă de indice de refracţie ∆ = 0. coeficientul de atenuare este dependent exponenţial de integrala parametrului de descreştere (3. Ea se produce asupra fiecărui mod individual. fiind numit dispersie intermodală sau dispersie de mod. Astfel de fibre au o teacă (jachetă) de plastic colorat ce înconjoară învelişul. de obicei. diametrul total al fibrei este de 100 µm.Fig.

11). 0) dλ este numit de obicei indicele de grup al materialului. 1 Bτ = (3. ambele fenomene implică un concept de suprapunere liniară de puteri. unde: dn N 1 = n1 – λ 1 (3. În cazul când caracteristicile de dispersie ale indicelui de refracţie ar fi aceleaşi pentru toate valorile lui r. 0) dω ω dλ unde ω este frecvenţa optică. Dispersia cromatică poate fi calculată astfel: dacă densitatea de putere a sursei este p(λ). Lărgimea τ a impulsului de răspuns. S1/S0 timpul mediu de sosire şi:  S2 S12  τc =  − 2 ÷ (3. momentul de ordinul i al pulsului de ieşire produs de un mod este: Si = ∫ +∞ −∞ T i p(λ )dλ (3. 0) c dλ V d λ  pentru primii doi termeni. Lărgimea de bandă a benzii de bază. Ca un exemplu.acest context. 106 . d∆/dλ s-ar anula şi toate modurile ar avea aceeaşi întârziere de grup. prin definiţie. LN1/c. caracterizând dispersia canalului optic. dar reprezintă de obicei o bună aproximare a lărgimii de bandă posibil de obţinut. 0)  S0 S0  lărgirea pulsului provocată de dispersia cromatică. Diferenţierea în funcţie de λ conform cu (3. Timpul necesar sosirii unui puls de lumină transmis printr-un mod cu constanta de propagare β la o distanţă L este: dβ λ dβ = −L T= L (3. unde c este viteza luminii în vid. cu τ. h(T) al fibrei (răspuns pentru un puls de intrare de tip funcţie δ) este în general acceptat ca prim parametru de calitate. să considerăm profilul în treaptă fără trunchiere (linia întreruptă din figura 3.1) ce are constanta de propagare (3.25) şi dezvoltarea în serie în funcţie de ∆ duce la: L dn n d∆ ( 2µ + ν + 1)  T =  n1 − λ × 1 + 1 (3. 0) Aici. S0 reprezintă energia totală de ieşire. 0) 8τ este legată.

aceste moduri sunt de obicei pierdute în fibre multimod. de obicei se consideră că contribuţia cromatică determinată de (3.µ prin diferenţierea lui (3. să se multiplice rezultatul cu Wνµ şi să se realizeze o dublă însumare după µ şi ν.29). deoarece dispersia cromatică este determinată în primul rând de dependenţa lungimii de undă de indicele de refracţie.21) în funcţie de β şi k şi evaluarea expresiei: L ∂µ ∂β Tν. 0) pentru care întârzierea de grup. Wνµ. mai este nevoie doar de cunoaşterea timpului mediu de sosire.29) pot schimba lărgimea pulsului τc în fibra monomod cu până la 5 ps/km pe nm. cu β luând toate valorile posibile. Dacă exactitatea soluţiei WKB este suficientă.µ = (3. care este aproape acelaşi pentru toate modurile. Folosind această ecuaţie. Trunchierea profilului modifică relaţia (3. În fibre monomod este necesar un calcul mai exact al lui β(λ). Termenii adiţionali care nu apar în (3. pentru diferitele moduri. dar complicată. h(T) al unei fibre multimod necesită cunoaşterea lui Tµν(λ) pentru toate valorile µ şi ν şi a distribuţiei energiei la ieşire. Calcularea momentelor Si ale răspunsului la impuls. 0) . Tν. λ0. trebuie să se calculeze (3.26) pentru fiecare mod.27) este independentă de ν şi µ. dλ  a  dλ d∆ Renunţând la condiţia = 0. Cu această presupunere. s-au extins rezultatele pentru o clasă dλ mai generală de profiluri: 2 n2(r) = n 1 [1 – F(r)] (3. astfel încât modurile cu niveluri în apropierea învelişului au termeni adiţionali importanţi.Cu alte cuvinte. profilul în treaptă va egaliza toate întârzierile modale.µ poate fi scrisă sub forma: LN1  1  n1k 1 β  + T=  1 − ÷  c  D  β D n1k  unde F şi ∆ satisfac ecuaţia diferenţială: 107 (3. Din fericire. Aceasta este o presupunere rezonabilă. care se poate calcula aproximativ din (3. Pentru a ajunge la momentele lui h(T). se poate calcula T gn. S1/S0 pentru fiecare mod. = 0. 0) c ∂k ∂µ unde c viteza luminii în vid. Această abordare este directă. direct g d∆  r  dg pentru profiluri cu f =  ÷ . s-a calculat răspunsul la impuls h(T).25) la lungimea de undă centrală. = 0. Pentru simplificarea problemei.

profilul optic devine parabolic.30). Pentru a calcula răspunsul impulsului h(T). 0) N1 ∆ dλ În acest caz. a metodei WKB şi a funcţiei profilului infinit. 0) ∂r N1 ∂λ cu N1 din (3. Deci. profilul ar trebui să fie proiectat pentru a avea un exponent: n1 λ d∆ g0 = 2 – 2 (3. Folosirea soluţiei particulare Fλ(λ)⋅Fr(r) conduce la un profil de forma r g r F = 2∆(λ)  ÷ . Considerând o distribuţie de energie uniformă pentru toate modurile (Wµ. W µ. se obţine: dm 2+g 2 g g c g + 2 g + 2 Tc h(T) = dT = (3.∂F n ∂F +D 1 λ – 2(D – 1)F = 0 (3. datorită aproximaţiilor implicate în utilizarea ecuaţiei de undă scalare. dar pentru majoritatea fibrelor termenul de corecţie din (3. în intervalul de timp dT şi fracţiunea de energie. 0) N1 ∆ dλ Dacă ∆ este independent de λ. Egalizarea întârzierii se produce pentru D = 2 şi astfel T este independent de ordinul modului. m. LN1 ( g + 2) 108 . dm. pentru a afla: g   LN1   1 1   m  2+ g  1 + − ∆ T= (3.ν. se poate introduce (3. Aceşti termeni sunt mai puţin siguri decât rezultatele de ordinul I. asociată acestor moduri. T(m). trebuie cunoscut numărul de moduri. cu: a n1 λ d∆ (3.ν = 1). Termenii de ordinul ∆2 determină diferenţe între diferitele întârzieri.22) în (3. 0)  ÷  ÷ c  2 D M    pentru primii doi termeni ai dezvoltării. 0) × × × −1 M LN1 g∆ g − g 0 LN1 g = 2(D – 1) – D pentru g − g0 Tc −1 < ∆ şi h(T) = 0.33) şi dezvolta T în serie de puteri ale lui ∆.37) nu poate fi neglijat.

3. 5 . de schimbul de energie dintre moduri. în multe cazuri. teoria neglijează modurile cu atenuare. ele sosesc mai devreme. În al doilea rând.ν pe care aceste moduri o transportă la capătul fibrei.5 reprezintă h(T) pentru un număr de profiluri. s-au verificat majoritatea prevederilor făcute de această descriere a întârzierii modale şi au arătat cât este de critic şi exact este o proiectare a profilului cu g = g0. Întârzierea modurilor cu atenuare şi a modurilor cu constante de propagare aproximativ egale cu n0k nu poate fi calculată din relaţiile simplificate de mai sus. Fig. astfel încât una şi aceeaşi fibră poate avea moduri de ordin superior precedând sau urmând modului fundamental.Figura 3. modurile de ordin superior sosesc mai târziu decât modul fundamental şi dacă g < g0. Această energie depinde la rândul ei de excitaţia modului la intrare.37) necesită o 109 .Răspunsul la impuls al fibrelor ideale multimod cu profil de forma f= r   a g În practică. dar şi de energia Wµ. chiar mici abateri de la forma profilului duc la diferenţe de întârziere pentru diferitele moduri ale aceluiaşi grup m. de variaţia pierderilor în funcţie de ordinul modului şi. În primul. multe dintre presupunerile făcute aici nu sunt pe deplin justificate. necesitând o descriere de profil trunchiat. O evaluare exactă a (3. Dacă g > g 0. În al treilea rând. Pe de altă parte. rând răspunsul la impuls nu depinde numai de densitatea modurilor.

O fibră care se curbează cu o rază de curbură constantă R0 suportă propriul său grup de moduri. fenomenul pierderilor este cel discutat mai sus. dµ = 0.16). dν = ± 1.6. Atenuarea este din de forma (3. descrisă cel mai bine de densitatea spectrală medie. 3. Se găsesc astfel soluţii de câmp aproximative într-un sistem de coordonate toroidal şi se constată că pentru ghidări slab curbate parabolic. Nu este nevoie ca el să fie drept. ar putea avea loc un schimb de energie între aceste moduri. Acest lucru R este echivalent cu un nivel de înclinare β (în figura 3. Γ(Ω).3) descrescând ca β 0 R cu distanţa R de la axa de curbură. În practică. rezultă cu o diferenţă minimă: 110 . variind în mărime şi direcţie. ghidul de undă trebuie să fie uniform în direcţia z. – dν. coordonatele cilindrice pot fi folosite pentru a separa ecuaţiile de forma (3. tranziţiile permise pentru profilul parabolic sunt cele asociate cu o schimbare de o unitate în momentul cinetic. Ca rezultat.5). Deci. Perturbaţii în ghidul de undă Pentru moduri care se propagă independent. vectorul undă radial devine 2 2  βR  ν real şi condiţiile de propagare există dincolo de punctul unde  0 ÷ + 2  R  r 2 2 intersectează profilul n 0 k (figura 3. raza de curbură de-a lungul ghidului este foarte rar constantă. R0 Curbura γ(z) este de obicei o funcţie aleatoare. Pentru variaţii slabe. Ω fiind frecvenţa spaţială a unei componente de curbură date de-a lungul lui z. Pierderile depind exponenţial de curbura 1 locală. Aceste moduri au caracteristici de moduri cu atenuare dar modurile sunt independente în sensul că ele se propagă fără schimb de energie odată ce au fost excitate corespunzător. Dacă Ω este egal cu diferenţa dintre constantele de propagare a două moduri ale ghidului.cunoaştere exactă a indicelui de refracţie al diferitelor materiale ale fibrelor folosite pentru formarea miezului şi a învelişului în întreg domeniul spectral de lungimi de undă al posibilelor utilizări ale fibrei. cu argumentul exponenţialei rezultând dintr-o integrare a parametrului de descreştere pe domeniul barierei.3). Rata schimbului de energie este proporţională cu Γ(Ω) şi cu coeficienţii de cuplare derivaţi de la distribuţiile câmpului celor două moduri. Tranziţiile energetice permise au coeficienţi de cuplare nenuli. Pierderile rezultă din faptul că viteza de fază locală a unui mod dat trebuie să crească spre exteriorul curburii pentru a menţine un front de undă de fază constantă pe planele radiale. = γ(z) şi trebuie integrate pe lungimea ghidului. Ca şi pentru oscilatorul armonic în mecanica cuantică. Cum pentru celălalt număr modal.

Pentru o fibră parabolică cu ∆ = 1. Drept rezultat. 0) b Aici Ep şi Eg sunt modulele elastice ale materialului plastic şi respectiv sticlei din care este confecţionată fibra. Ep Pentru o fibră bine învelită în teacă.2∆ (3. Aplicând conceptul de continuu discutat anterior. Relaţiile corespunzătoare pentru profilurile de indice neparabolice sunt mai complicate. puterea P într-un grup de moduri caracterizate de parametrul de ordine u = 2V ×4 m . dar rezultatele sunt foarte asemănătoare. În termenii opticii geometrice. perechile de moduri cu lungimi de undă de bătăi Ωc mai mici de 1 mm suferă cuplaje slabe. Trebuie subliniat faptul că procesul de cuplare rezultant are loc doar pentru moduri vecine. Combinaţiile modurilor cu alte diferenţe dµ au lungimi de undă de bătăi mai mici decât Λmax. se găseşte lungimea de undă de bătăi maximă Λmax = 2πa 2∆ = 1 mm. Acest fenomen filtrează componentele Γ(Ω) peste frecvenţele: Ep 4 Ω = Eg (3. 0) a dedusă din (3. Λ = .11). este deseori folosită în literatură lungimea 2π de undă de bătăi. Fibrele îmbrăcate într-un material moale de plastic rezistă la deformări de periodicităţi mici. Λ coincide cu perioada drumului optic asociat cu ν şi µ. Ecuaţiile undelor cuplate care determină amplitudini modale la capătul unui ghid perturbat pot fi convertite într-un sistem de ecuaţii de cuplare dacă procesul cuplajului este slab şi poate fi descris ca un proces staţionar aleator. iar b este raza exterioară a fibrei. Componentele de curbură din vecinătatea lui Λmax sunt numite micro-îndoituri (micro-curburi). În locul acestei diferenţe. din cauza rigidităţi inerente. se ajunge la o singură ecuaţie diferenţială ce descrie procesul scurgerii energetice. Pentru profilul parabolic. Pentru un cuplaj dominant între modurile vecine. rezultă din ecuaţia: 111 . se obţine Eg 2π = 1 mm. cu = 100 şi b = 100 µm. scurgerea de energie între moduri poate fi descrisă ca un fenomen de difuzie.2 % şi a = 25 dβ dβ = µm.

stabilesc un echilibru dinamic. Chiar şi coeficienţii care determină funcţiile de atenuare finale sunt comparabili în ciuda diferenţelor dintre procesele de atenuare în stratul de protecţie. îmbunătăţirea lărgimii impulsului. ambele structuri de fibră au sensibilităţi la parametrii cablului. diametrul exterior şi rigiditatea ambelor tipuri de fibre sunt foarte asemănătoare. 112 . O relaţie care diferă de (3. Cum fibrele monomod necesită o teacă mai groasă decât fibrele multimod.C 1 ∂  ∂P  ∂P ∂P +  u ÷ = α(u)P + T(u) u ∂u  ∂u  ∂t ∂z (3. 0) cu: ( ka ) 2  2∆  ×Γ  (3. Ca rezultat. În acest caz. Mai exact.1 % şi a = 8 µm şi astfel Λ este tot de ordinul 1 mm. Soluţia ecuaţiei (3.41) dependente de timp produce în aceste limite un răspuns la impuls a cărei lărgime σ∞ creşte cu rădăcina pătrată a lungimii fibrei. 0)  σ  Constanta depinde de forma profilului. caracterizat de ordinul cel mai scăzut al valorilor proprii ale ecuaţiei (3. oricum procesele de cuplare şi de pierderi implicate eventual. de parametrul de cuplare şi de funcţia de atenuare α(u). valorile tipice sunt ∆ = 0. σ∞/σ datorată schimbului de energie pe lungimea L în condiţii de echilibru este determinată de pierderile suplimentare α0L rezultate din acelaşi proces.41) independente de timp. Această comportare diferă favorabil faţă de dependenţa liniară de lungime a lui σ în absenţa cuplajului.39) printr-un factor apropiat de unitate poate fi derivată pentru lungimea de undă de bătăi asociată cu schimbul de energie dintre modul fundamental şi modul cu atenuare de ordinul cel mai mic al fibrei monomod. conform ecuaţiei: C= 2 σ  α0L  ∞ ÷ = constant (3. 0) ÷ ÷ 32 a   Indiferent de distribuţia la intrare. care au aceleaşi ordine de mărime şi depind foarte mult de proiectarea specifică.

ceea ce impune pentru lungimea de undă a radiaţiei electromagnetice. care constă în crearea în semiconductor a unor purtători de sarcină electrică liberi în exces. fapt ce duce. restul fiind reflectată sau transmisă. Acest fenomen se poate produce indiferent de tipul semiconductorului cu condiţia ca energia fotonului să fie cel puţin egală cu lărgimea benzii interzise. 1 – Schema energetică şi procesele optice care au loc într-un semiconductor Unul din mecanismele de producere a efectului fotoelectric intern este generarea optică intrinsecă a perechilor electron liber-gol. numită lungime de undă de prag: 113 . evident. fenomen cunoscut sub numele de efect fotoelectric extern. se poate produce. o valoare maximă. prin mai multe mecanisme.1. ca urmare a excitării.1). concomitent cu apariţia unor goluri în banda de valenţă. Fig. Interacţia radiaţiei electromagnetice cu semiconductorul poate consta în absorbţia energiei fotonilor de către electroni. efectul fotoelectric intern.4. Fenomene optice în semiconductori 4. adică: h⋅ν1 ≥ Eg. prin absorbţia fotonilor. o parte din aceasta este absorbită. emisia în exterior a unui flux de electroni. Efectul fotoelectric intern Dacă asupra unui material semiconductor cade o radiaţie electromagnetică. care poate avea drept consecinţă. Dacă energia fotonilor absorbiţi este mai mică decât energia de extracţie. 4. a unora din electronii din banda de valenţă şi trecerea lor în banda de conducţie. la creşterea conductivităţii electrice a acestuia (figura 4. atunci când energia fotonilor absorbiţi este cel puţin egală cu energia de extracţie.

Evident.8 Se vede că lungimea de undă de prag este mai mică pentru semiconductorii puri.1. care să exprime lungimea de undă maximă necesară producerii fenomenului.1 . acesta fiind cu atât mai intens. lucru de altfel simplu de explicat. la temperaturi medii impurităţile fiind deja ionizate prin fenomenul de generare termică.1 sunt date valorile lungimii de undă de prag pentru siliciu sau germaniu dopat cu diferite impurităţi.1 30 38 1. B Si 28 Ge 10 8 A l 1 8 Ga In Bi As P Sb 17 8 1 8 23 2 8 29 10 4 Cu Sn 1. adică: h⋅ν2 ≥ WC – WD pentru generarea optică extrinsecă a electronilor de conducţie. Procesul de generare optică nu se produce în mod uniform în tot volumul semiconductorului.λm = hc Eg (4. În schimb. prin excitarea electronilor din banda de valenţă pe nivelul acceptor. În tabelul 4.Valoarea lungimii de undă de prag pentru diferiţi semiconductori λm (µm) semiconductor impurit.1). Şi în aceste cazuri se poate scrie o relaţie asemănătoare relaţiei 4. care nu este inclusă în schema simplificată din figura 4.1. Tabel 4. respectiv: h⋅ν3 ≥ WA – WV pentru generarea optică extrinsecă a golurilor. O caracteristică importantă a structurii de benzi a energiei. la aceştia fenomenul de generare optică nu se poate petrece decât la temperaturi scăzute (~ 10 K). WV. Fenomenele descrise mai sus sunt reprezentate schematic în figura 4. cu apariţia corespunzătoare a unor goluri în banda de valenţă sau prin excitarea electronilor de pe nivelul donor în banda de conducţie (figura 4. cât şi limita inferioară a benzii de 114 . 0) Un alt mecanism de producere a efectului fotoelectric intern este cel de generare optică extrinsecă. la care există nivelurile energetice discrete donor şi/sau acceptor. este aceea că atât limita inferioară a benzii de valenţă.1. Condiţia necesară producerii fenomenului este ca energia fotonului absorbit să fie cel puţin egală cu energia de activare. cu cât el se produce mai aproape de suprafaţă. acest mecanism se poate produce numai în semiconductorii dopaţi. decât pentru aceiaşi semiconductori dopaţi.

La un flux constant al radiaţiei incidente se stabileşte un echilibru dinamic între cele două fenomene. este posibil ca un singur foton să genereze mai mulţi purtători.r conducţie. ceea ce înseamnă că procesul de generare optică este semnificativ doar într-un strat subţire de la suprafaţa semiconductorului. la care R = G. r Dacă WV are maximul la acelaşi k la care WC este minim. G(x) = η⋅α⋅I(x) = ηαI0⋅e–α⋅x = G0⋅ e–α⋅x (4. Ge şi SiC sunt semiconductori cu bandă interzisă indirectă. După cum s-a arătat anterior. Atunci. definit ca numărul mediu de purtători de un anumit tip. se spune că semiconductorul este un semiconductor cu bandă interzisă directă. Viteza de absorbţie a fotonilor la o adâncime x în semiconductor (numărul de fotoni absorbiţi în unitatea de timp şi în unitatea de volum) este dată de relaţia: A = α⋅I(x) = α⋅I0⋅e–α⋅x (4. întrucât materialele cu bandă interzisă directă prezintă o absorbţie şi emisie a luminii mai eficiente. ce depinde de energia de activare sau de lărgimea benzii interzise (în funcţie de mecanismul de absorbţie). 115 . GaP. k . Acest lucru duce la creşterea conductivităţii semiconductorului: σ = e[µn⋅(n + ∆n) + µp⋅(p + ∆p)] = = e(µn⋅n + µp⋅p) + e(µn⋅∆n + µp⋅∆p) = σ0 + σf (4. I(x) este intensitatea radiaţiei la adâncimea x în semiconductor iar I 0 este intensitatea radiaţiei la suprafaţa acestuia. 0) unde σ0 este conductivitatea la întuneric şi σf este fotoconductivitatea semiconductorului. semiconductorul este cu bandă interzisă indirectă. în timp ce Si. de recombinare. generaţi prin absorbţia unui singur foton. Din această cauză. Dacă nu. GaN. 0) unde α este coeficientul de absorbţie. Exemple de semiconductori cu bandă interzisă directă sunt GaAs. Această diferenţă este importantă pentru dispozitivele optoelectronice. WC. astfel încât concentraţia purtătorilor de sarcină în exces rămâne constantă (∆n = R⋅τn şi ∆p = R⋅τp). Nu toţi fotonii absorbiţi produc generarea optică a unor purtători. 0) Din relaţia de mai sus. fenomenul de generare este compensat de fenomenul invers. adăugându-se celei de echilibru. unde η este randamentul de generare (randament cuantic). se vede că viteza de generare optică a purtătorilor scade exponenţial cu adâncimea în semiconductor. pe de altă parte. nu sunt constante. viteza de generare a purtătorilor sub acţiunea radiaţiei electromagnetice absorbite este doar proporţională cu viteza de absorbţie: G = η⋅A. InP. ci depind de direcţia vectorului de undă.

care. adică trecerea unui electron de conducţie direct în banda de valenţă şi emisia unui foton. Gropi de potenţial cuantice semiconductoare Printre structurile cele mai promiţătoare ale tehnologiilor moderne sunt gropile de potenţial cuantice.2. Prin bogăţia comportamentului lor la solicitările la care sunt supuse. este vorba de tranziţia electronică de pe un nivel energetic superior. având ca urmare emisia unui foton de energie h⋅ν = Wi – Wf. Stările energetice din aceeaşi bandă energetică. În fapt. O groapă de potenţial cuantică constă fizic dintr-un strat cu grosimea de ordinul a 10 nm dintr-un semiconductor. Comportamentele coerente ce au loc în ele fac din acestea amplificatoare optice ideale. când trecerea electronului de conducţie în banda de valenţă nu se face direct ci prin intermediul unui nivel energetic discret existent în banda interzisă. plasat între două straturi groase dintr-un alt semiconductor. sau alta. numite „fire. sau puncte cuantice”. emisia optică se numeşte fluorescenţă.În anumite situaţii. sau zero-dimensionale. 4. ceea ce determină emisia a doi fotoni. Printr-o alegere judicioasă a materialelor. magnetice sau electromagnetice. care devine zona activă a probei. Wi. de valenţă. spre deosebire de celelalte două tipuri de recombinare radiativă. Acest 116 . acest caz are însă o probabilitate de producere mult mai mică decât recombinarea radiativă directă. Wf. „centre. de conducţie. se poate produce recombinarea radiativă a purtătorilor. dar şi în alte domenii. • recombinarea radiativă prin alipire. Sub efectul câmpurilor electrice. se produce numai în semiconductorii extrinseci şi constă în captarea de către un ion de impuritate a unui purtător de semn contrar şi emisia unui foton. • recombinarea radiativă indirectă. se disting între ele prin vectorul de undă al stării. Se pot capta electroni şi în structuri unidimensionale. fenomenul de emisie optică se numeşte fosforescenţă iar dacă el are loc rapid (10–5 ÷ 10–8 s). care este un fenomen invers celui de absorbţie a radiaţiei electromagnetice. care face din acestea elemente de primă alegere în tehnicile de comunicaţie. semiconductoarele sunt materialele-cheie ale tehnicilor actuale. adică laseri sau detectori extrem de eficienţi în reţelele de comunicaţii. Dacă procesul de recombinare radiativă are loc lent (durata de 1÷104 s). Mecanismele prin care poate avea loc emisia optică sunt: • recombinarea radiativă directă. pe un nivel energetic inferior. semiconductoarele produc o reacţie simptomatică precisă. sau linii cuantice”. corespunzător unei stări locale. evident cu respectarea conservării energiei. se pot capta electroni în interiorul stratului subţire.

stările energetice din bandă se dispun în primă aproximaţie pe parabole (figura 1). Când un foton traversează stratul activ ce constituie groapa cuantică. Polarizarea este o variabilăcheie .deşi puţin intuitivă . Se injectează electroni excitaţi în zona activă (groapă). în primă instanţă. el poate fi absorbit de un electron din banda de valenţă care. se urmăreşte evoluţia numărului mediu de electroni în banda de conducţie şi de goluri în banda de valenţă. de exemplu) a cărui bandă interzisă este mai îngustă decât cea a materialului înconjurător (Al0. Pentru fiecare valoare a vectorului de undă.6As). 117 . Într-o diagramă în care energia este reprezentată în funcţie de vectorul de undă. „golul”.4Ga0. este necesară o cunoaştere profundă a dinamicii electronilor. deoarece prin intermediul său. mărimea benzii interzise care separă banda de valenţă de banda de conducţie depinde de compoziţia materialului.a sistemului. Excitarea printr-un impuls laser a unui electron din banda de valenţă în banda de conducţie este ilustrată în figura 1. ca şi evoluţia polarizării eşantionului. Locul vacant lăsat în banda de valenţă de electronul excitat poate fi considerat ca o cvasi-particulă. Este vorba de aceeaşi proprietate care este utilizată în straturile polarizante ale ochelarilor de soare şi ale obiectivelor fotografice pentru eliminarea reflexiilor. particulele interacţionează cu pulsul laser. Dacă se doreşte confinarea electronilor. În semiconductoare. pur şi simplu prin aducerea lor la o energie intermediară între energiile benzilor interzise ale celor două materiale prezente (figura 2). cu această energie.parametru poate fi asociat unui impuls sau unei viteze. Pentru a crea componente optoelectronice extrem de rapide şi performante. ajunge în banda de conducţie. este suficient deci să se aleagă un semiconductor (GaAs.

Fig. Există două niveluri de acţiune a interacţiei coulombiene. 4. în timp ce un foton a cărui energie este superioară acesteia este absorbit. La al doilea nivel de interacţie.2. Este vorba de o stare favorabilă energetic pentru particulele sistemului. Experimental. formarea excitonilor de energie favorabilă va fi responsabilă de apariţia unui pic al coeficientului de absorbţie sub energia lărgimii benzii interzise. Fig. pulsul laser este parţial absorbit prin generarea perechilor electroni-goluri. particulele suferă ciocniri între ele. electroni şi golurile se atrag deoarece sunt de sarcini opuse şi se asociază în cupluri cum o fac protonul şi electronul formând atomul de hidrogen. 4. electronii se recombină cu golurile. se măsoară coeficientul de absorbţie. Pe termen lung. Spectrul de absorbţie se prezintă deci în treaptă. Aceste particule interacţionează electrostatic. Asociaţia dintre electron şi gol este numită exciton. La primul nivel. Este de notat că atunci când nici o interacţie coulombiană nu are loc. Electronii se găsesc confinaţi în zona mai adâncită din mijloc. a cărei energie este mai scăzută. populaţiile de electroni şi goluri se măresc în benzile respective (partea dreaptă a figurii). având valoarea zero sub valoarea lărgimii benzii interzise şi o constantă peste această valoare. Prin absorbţia fotonilor unui puls laser. care se reprezintă în funcţie de energie. 2 – Energia marginilor benzilor de conducţie şi de valenţă ale unei gropi cuantice în funcţie de vectorul de undă Impulsul laser generează o populaţie de electroni şi goluri. S-a arătat că interacţia cu 118 . conform figurii 4. emiţând fotoni. 3 – Energia la marginea benzii de conducţie a unei gropi cuantice Particulele excitate pot de asemenea să piardă energia lor prin disiparea ei sub formă de vibraţii ale reţelei cristaline a semiconductorului. El descrie în ce proporţie numărul fotonilor de energie dată este utilizat la trecerea sa prin groapa cuantică. nici un foton de energie inferioară lărgimii benzii interzise nu este absorbit. Când se produce interacţia coulombiană. La trecerea prin groapă.

al doilea puls distruge în bună parte polarizarea creată de primul. Una dintre ele implică creşterea punctelor cuantice într-un „recipient”. Sunt trei metode principale de fabricare a punctelor cuantice. astfel că este posibilă utilizarea unei singure substanţe chimice şi obţinerea unor structuri cu o largă varietate de culori. S-a arătat de asemenea că atunci când două pulsuri laser în opoziţie de fază se succed în probă. Metalele cu puncte cuantice au un domeniu larg de proprietăţi electrice. ea este de fapt cu totul reală. astfel de puncte cuantice erau obţinute prin creşterea unei heterostructuri semiconductoare (un strat dintr-un semiconductor plasat între două alte straturi dintr-un alt semiconductor). Semiconductorii cu puncte cuantice îşi găsesc utilizări în aplicaţiile de imagistică biologice. formate prin acoperirea unui material cu altul. Semiconductorii cu puncte cuantice au o proprietate interesantă: culoarea lor depinde de dimensiunea punctelor. iar metalele magnetice cu puncte cuantice promit aplicaţii interesante ca medii de înregistrare. Iniţial. magnetice şi catalitice interesante.fononii optici creează o uşoară scădere a nivelului platoului de absorbţie. făcându-l să imite diferite elemente. cu structuri în straturi (onion-like). sau câţiva şi în care electronii ocupă stări energetice discrete. punctele cuantice erau crescute în semiconductori ca selenura de cadmiu (CdSe) sau telura de cadmium (CdTe). pur şi simplu prin modificarea dimensiunii punctelor. dar în care polarizarea este deja aproape suprimată. dar în prezent se fabrică puncte cuantice din aproape toţi semiconductorii ca şi din multe metale (Au. Aceste structuri pot fi utilizate pentru a ecrana un punct sensibil chimic sau electric faţă de un mediu înconjurător nefavorabil. se găsesc într-o stare încă „fierbinte”. Ni. Arhitectura acestor puncte crescute chimic este foarte sofisticată. electronii nu se mai pot deplasa vertical în modul clasic şi sunt efectiv trapaţi (captaţi) în această 119 . Punctele cuantice au mai fost numite şi atomi artificiali. Oricât de fantezistă pare ideea. Dacă stratul din mijloc este suficient de subţire. Starea finală a probei este cea a unui sistem în care populaţiile de electroni şi de goluri. aşa cum se întâmplă într-un atom. La început. Celelalte două tehnici de fabricare a punctelor cuantice creează puncte cuantice la sau în apropierea suprafeţei unui cristal semiconductor. Co etc. iar capacitatea de a controla stările energetice ale electronilor prin aplicarea unei tensiuni a dus la ideea exotică a unui material a cărui natură chimică ar putea fi modificată după dorinţă. departe de situaţia staţionară. deşi precizia necesară pentru a face astfel de materiale este în prezent dincolo de posibilităţile noastre. adică efectiv o substanţă programabilă. de aproximativ 10 nm sau mai puţin. care prezintă puternice oscilaţii în funcţie de energie. Un punct cuantic este un sistem cuantic capabil să confineze un singur electron. Ag.) şi dielectrici.

Sisteme tipice sunt germaniul (Ge) pe siliciu (Si) şi arsenura de indiu (InAs) pe arsenura de galiu (GaAs). conferindu-le acestora viteze de comutare foarte mari. A rezultat un dispozitiv capabil să genereze fotoni individuali. Totuşi. ei se comportă aşa cum o fac într-un atom. s-a trecut la creşterea unor puncte „autoasamblate” prin depunerea unui material semiconductor cu o constantă de reţea mai mare pe un semiconductor cu o constantă de reţea mai mică (acest procedeu este numit creştere epitaxială tensionată). De curând s-au crescut puncte cuantice în fosfură de indiu pe un strat semiconductor p după care s-a aplicat deasupra un strat semiconductor n. astfel încât ei absorb radiaţie la o anumită frecvenţă. dictată de dimensiunea punctelor. aşa cum s-a văzut. aceste puncte cuantice aveau dimensiuni de ordinul nanometrilor numai într-o dimensiune – grosimea stratului semiconductor utilizat pentru traparea electronilor în punct. groapă cuantică (quantum well). O astfel de structură este numită. pentru a „îngheţa” efectele termice. Continuând cu procesul de tăiere a unei „felii” subţiri şi pe a treia dimensiune. (a treia metodă). obţinându-se astfel un punct cuantic. 120 . Firele cuantice se folosesc în construcţia laserilor. Mai târziu. unde suferă constrângeri asemănătoare. Aceasta duce la faptul că studiile electrice efectuate asupra acestor puncte trebuiau să aibă loc la temperaturi extrem de scăzute (miimi de Kelvin peste zero absolut). Celelalte două dimensiuni erau limitate de rezoluţia litografiei şi puteau ajunge la valori de ordinul a 1 µm. fie cu radiaţii cu o foarte largă gamă de lungimi de undă. Neavând unde să se deplaseze.dimensiune. Această structură este un fir cuantic (quantum wire). Semiconductorii cu puncte cuantice prezintă fenomenul de fluorescenţă la frecvenţe foarte precise. constituind o bandă foarte subţire din acest sandviş. stimulaţi fie electric. Un dispozitiv similar a fost utilizat pentru realizarea unui detector de fotoni individuali. Aceste puncte auto-asamblate au fost utilizate la fabricarea laserilor cu puncte cuantice. s-a utilizat un proces litografic pentru a crea o structură bidimensională care să poată fi apoi gravată pentru a izola un punct cuantic. dar continuă să emită la o frecvenţă specifică. La început. Să ne imaginăm acum o „felie” subţire din această structură. sau pot fi folosite ca ghiduri de undă. Electronii sunt trapaţi acum într-o a doua dimensiune. electronii sunt acum confinaţi în trei dimensiuni.

Partea a II-a – Dispozitive optoelectronice 121 .

Realizarea în 1959-1961 a surselor coerente de lumină (laser) a reprezentat un puternic impuls în cercetările pentru punerea la punct a unor sisteme optice de comunicaţii la care purtătoarea de informaţie este unda luminoasă. a devenit posibilă utilizarea fibrelor optice drept mediu practic de transmisie. Cablurile de fibre optice sunt mult mai uşoare şi mai subţiri decât cele de cupru. În acelaşi timp. ele permit transmiterea unor semnale cu pierderi energetice mult mai mici decât cablurile de cupru şi cu o bandă de frecvenţe mult mai largă.5. Iniţial. Continua scădere a atenuării în anii 70 a permis realizarea unor comunicaţii optice practice utilizând fibra optică de sticlă. Ele sunt imune la 122 . a dificultăţilor de direcţionare a fasciculului şi de modulare a acestuia.1. Între 1968 şi 1970 atenuarea fibrei optice din sticlă s-a redus de la peste 1000 dB/km la mai puţin de 20 dB/km. dar sursele optice de lumină necoerentă sunt de cele mai multe ori nefolositoare pentru comunicaţii. În plus.. Proprietăţi.1. Totuşi. utilizarea sistemelor de comunicaţii optice având ca mediu de propagare atmosfera este practic imposibilă datorită atenuării rapide a undelor luminoase. ceea ce face mai uşoară şi instalarea acestora. În anii 1980 şi 1990. Astfel. propagarea luminii în fibra optică 5. la acel timp. Fibrele optice oferă numeroase avantaje în comparaţie cu cablurile electrice. dezvoltarea dispozitivelor semiconductoare ca surse de lumină şi detectori a permis ca în jurul anului 1980 să se pună la punct sisteme pe bază de fibră optică de întindere mare. practic nu existau materiale pentru a fabrica o fibră optică din sticlă (sau alt tip de material transparent) cu o atenuare suficient de mică pentru a realiza practic comunicaţii ghidate optic.1. Primul patent pentru comunicaţii optice ghidate prin sticlă a fost obţinut de firma AT&T în 1934. pentru aceeaşi lărgime de bandă. dar pe măsură ce tehnicile de fabricare a sticlei foarte pure s-au perfecţionat în deceniul 7 al secolului trecut. Un alt avantaj foarte important este acela că fibrele optice sunt mult mai sigure din punctul de vedere al protecţiei informaţiei. Fibre optice 5. distanţele de transmisie erau foarte scurte. Aceasta înseamnă că fibrele optice pot transmite mai multe canale de informaţie la distanţe mai mari şi cu mai puţine dispozitive de amplificare şi regenerare a semnalului. datorită benzii spectrale largi. Noţiuni de bază Interesul pentru utilizarea luminii ca purtător de informaţie datează din timpuri străvechi. s-a obţinut fibra optică din plastic cu cost redus şi fibra optică din cuarţ îmbrăcat cu plastic (Plastic Clad Silica – PCS).

concentraţiile de gaze sau de alte substanţe chimice. Fibrele optice nu pot fi cuplate una cu alta la fel de uşor precum cablul de cupru şi necesită o pregătire mai înaltă a personalului şi echipament de cuplare şi măsurare mai scump.fibra multimod este de obicei utilizată drept „coloana vertebrală” a reţelei pentru transportul semnalelor între hub-urile reţelei. Fibra optică are totuşi şi unele dezavantaje. deoarece un sistem bazat pe cupru consumă cu mult mai multă energie electrică. dintre care cele mai importante sunt:  Telecomunicaţii – fibrele optice reprezintă în prezent legătura standard între substaţiile telefonice. Deşi cablul coaxial de cupru poate asigura necesarul de lărgime de bandă pentru multe aplicaţii. Ea este formată în principiu dintr-un cilindru de 123 . chiar şi aceste legături sunt realizate uneori prin cabluri optice  Televiziunea prin cablu (CATV) – aşa cum s-a menţionat anterior.  Reţele locale (LAN) . fibrele optice rămân mai scumpe pe unitatea de lungime decât cablurile de cupru. de unde acestea sunt transmise prin cabluri de cupru până la terminale. bazându-se în funcţionarea sa pe principiul reflexiei totale interne. fără risc de aprindere. reţelele de TV domestice utilizează fibre optice datorită consumului energetic foarte scăzut  Sisteme de televiziune în circuit închis (CCTV) – acesta utilizează fibrele optice datorită inerentei securităţi a acestora. chiar şi numai pentru transportul semnalelor. deşi materia primă pentru fabricarea fibrelor optice. nisipul. sistemele de aprindere electronică auto. ca şi a celorlalte avantaje menţionate  Senzori cu fibră optică – în ultimii ani au fost realizate progrese considerabile în utilizarea fibrelor optice în acest scop. Fibrele optice au numeroase domenii de utilizare. sistemele de iluminare etc. iar distanţele mari de transmisie înseamnă că sunt necesare mai puţine dispozitive repetoare şi amplificatoare. presiunea. semnalele radio.interferenţa electromagnetică de la liniile de transport electric. este abundentă şi ieftină. Şi pot fi plasate în siguranţă în medii explozive sau inflamabile. chiar şi în acest caz este de preferat folosirea cablului optic. Astfel. Trebuie însă spus că o fibră optică poate transmite mult mai multe semnale decât un cablu de cupru. temperatura sau viteza de rotaţie pot fi toate determinate prin folosirea unor senzori cu fibră optică  Medicină Fibra optică reprezintă un ghid de undă care permite propagarea luminii în condiţii optime.

5. optice sau mecanice. Secţiunea transversală a fibrei şi repartiţia valorilor indicelui de refracţie n este reprezentată în figura 5.2 dB/km în prezent) şi dezvoltarea altor dispozitive optoelectronice (în special laserul şi dioda electroluminescentă cu semiconductori emiţând în domeniul spectral la care fibra prezintă o absorbţie minimă) au permis dezvoltarea foarte rapidă a aplicaţiilor fibrelor optice.1. 1 .material dielectric transparent. sticlă pură. cu indicele de refracţie mai mare decât cel al mediului exterior. Reducerea atenuării în fibra optică (de la 1000 dB/km în 1960 la sub 0. în special în telecomunicaţii. unde ε1 şi ε2 sunt permitivităţile electrice relative ale materialelor utilizate pentru confecţionarea miezului şi respectiv învelişului. există două tipuri de fibre optice: cu profilul indicelui de 124 . cu indicele de refracţie n2 = ε 2 < n1. tehnica de calcul şi medicină. materiale plastice). Prin miez se transmite energia electromagnetică sub forma undei luminoase. din care motiv el este realizat din material cu pierderi optice mici (cuarţ. În înveliş se acceptă pierderi mari. peste învelişul conductorului optic se depune un strat de acoperire pe bază de polimer (jachetă). Conductorul optic cel mai simplu este constituit dintr-un fir subţire de secţiune circulară. Învelişul este destinat creării condiţiilor optime de reflexie pe suprafaţa de separare miez-înveliş şi pentru reducerea radiaţiei energiei în mediul ambiant. Pentru protecţia împotriva influenţelor exterioare.Secţiuni transversale şi repartiţia indicilor de refracţie în fibra optică: a – fibră optică cu profilul indicelui de refracţie în treaptă: b –fibră optică cu profilul indicelui de refracţie în gradient În funcţie de modul de variaţie a indicelui n de refracţie pe o direcţie radială a fibrei. cu o structură transversală compusă dintr-un miez cu indicele de refracţie n1 = ε1 şi un strat de acoperire (cladding). Fig. motiv pentru care acesta este realizat din sticlă sau masă plastică.

indicele de refracţie se modifică (scade) continuu de la centru spre marginea miezului. Fibrele cu profilul indicelui în treaptă (figura 5.2 prezintă dimensiunile secţiunilor transversale (diametrul) miezului şi învelişului pentru patru tipuri de fibre optice utilizate în mod obişnuit.b).1. La fibra cu profilul indicelui în gradient (figura 5. treapta de variaţie fiind la suprafaţa de separare dintre miez şi înveliş. 125 .a) au valoarea indicelui de refracţie constantă de-a lungul direcţiei radiale.refracţie în treaptă şi cu profilul indicelui de refracţie în gradient.1. Fibra optică are un diametru foarte mic. Pentru comparaţie. Figura 5. diametrul firului de păr uman este de 100 µm. Propagarea razelor în aceste două tipuri de conductoare optice este diferită. Dimensiunile din această figură sunt date în microni (1µm = 10–6 m).

126 .

Deşi. În procesul de fabricaţie. pentru a obţine indicii de refracţie doriţi. 735/750 şi 980/1000.5 2) 140 100 3) 4) Fig. în principiu. dar şi costul cel mai mare. De 127 . dar şi cel mai scăzut cost.5/125 şi al patrulea 100/140. cu dimensiuni tipice de 480/500. Fibra de tip 8/125 este folosită de obicei când conexiunea prin fibră optică operează cu propagare monomod. al doilea 50/125. 2 – Dimensiuni tipice ale fibrelor optice De obicei. unde a este diametrul miezului (în µm) şi b diametrul învelişului. Fibra optică din sticlă are atenuarea cea mai mică. Astfel. cu atât energia radiaţiei luminoase care poate fi cuplată în fibră din unghiul de acceptanţă (trapare) este mai mare. Din punct de vedere al compoziţiei. plastic şi sticlă acoperită cu plastic (PCS). celelalte tipuri fiind folosite la operarea multimod. acest lucru este un aspect pozitiv. primul tip de fibră din figura 5. dimensiunile fibrelor optice sunt exprimate sub forma a/b. Ele diferă din punct de vedere al atenuării şi costului. Ea are atât miezul. Germaniul sau fosforul sunt folosiţi pentru a creşte indicele de refracţie. cât şi învelişul din material plastic şi este foarte groasă. 5. Sticla utilizată este din dioxid de siliciu (cuarţ topit) foarte pur şi foarte transparent. în practică un diametru prea mare al miezului poate face ca lumina pătrunsă în fibră să determine probleme de saturare a receptorului. în timp ce borul sau fluorul sunt folosiţi pentru scăderea acestuia. Cu cât miezul are un diametru mai mare. al treilea 62.125 125 8 50 1) 125 62. în sticlă sunt adăugate impurităţi. sau a materialului din care sunt confecţionate fibrele optice. acestea sunt de trei tipuri: fibre din sticlă.2 este o fibră 8/125. Fibra optică din plastic are cea mai mare atenuare.

6). Fibrele optice trebuie confecţionate din materiale care. necesitând conectică şi racorduri simple. transparenţa şi indicele de refracţie cu o anumită valoare impusă.5 ÷ 1.). dezavantajele principale sunt transparenţa doar în domeniul vizibil şi atenuarea mai mare (0. la lungimi de undă între 0. cum sunt: ductilitatea. din diferite materiale polimerice (polimetil-metacrilat. polistiren etc.01 dB/km la 2. Standardul acceptat are dimensiunile: miez – 200 µm. 128 . doar un număr redus de materiale pot fi folosite în acest scop: sticlele. un elastomer siliconic).6 µm şi atenuare minimă între 0. care prezintă avantajul de a putea fi confecţionate cu diametre mari ale miezului (0. în practică. rezistenţă mecanică mare.). sunt utilizate numai în sisteme de comunicaţii la distanţă mică (< 50 m) precum şi în transmiterea şi vizualizarea imaginilor (endoscopie. materialele plastice şi unele lichide. jachetă – 600 µm.4 ÷ 0.8 ÷ 1.5 mm).6 µm). fibre de sticle fluorate (amestecuri sticloase de diverse fluoruri: de zirconiu. care au o fereastră de transmisie în infraroşul mijlociu (2 ÷ 5 µm) şi un minim de atenuare foarte pronunţat (teoretic < 0.65 µm.2 ÷ 2 dB/km. au apertură numerică mare (0. Din această cauză. astfel că. lichidele prezintă dificultăţi tehnice mari în utilizare. cu un minim la 1. fibre optice din materiale plastice.obicei. aluminiu. cu transparenţă în infraroşul îndepărtat (atenuare de 1 dB/km la 10. se folosesc: fibre din SiO2 cu miez dopat cu oxid de germaniu. masă redusă. Dintre acestea. maleabilitate.2 dB/m). bariu.5 µm). utilizate ca fibre multimod în treaptă sau gradient al indicelui de refracţie sau fibre monomod. miezul este din polimetilmetacrilat (PMMA) şi învelişul dintr-un fluoropolimer. prezintă o slabă rezistenţă mecanică şi un cost ridicat. înveliş – 380 µm. trebuie să prezinte şi alte proprietăţi importante. Fibra optică din sticlă acoperită cu plastic are atenuarea şi costul la valori intermediare între cele ale tipurilor anterioare şi este alcătuită dintr-un miez de sticlă.). practic.55 µm. microscopie etc. telur. în prezent utilizarea acestui tip de fibră optică este foarte limitată. ele au o rezistenţă mecanică bună şi sunt utilizate pentru transmisii la distanţe medii şi lungi. seleniu. pe lângă dispersie şi atenuare minime la lungimea de undă de lucru. lantan etc. costul unor astfel de sisteme fiind scăzut. limitat de posibilităţile tehnologice actuale la 1 dB/km la 2. acoperit cu un înveliş din plastic (de obicei.1 ÷ 0. fibre de sticlă cu compuşi de sulf.

3 – unda în stratul de acoperire Pentru propagarea efectivă şi eliminarea (reducerea) transferului energiei în stratul de acoperire şi deci în spaţiul înconjurător. în înveliş (2) şi în stratul de acoperire (3). Raza refractată. corespunzătoare reflexiei totale interne (unghi limită). în conductorul optic există trei tipuri de raze (unde) şi anume: în miez (1).1. la rândul ei va suferi o reflexie în punctul B pe suprafaţa de separare dintre înveliş şi stratul de acoperire. Pe baza legilor opticii geometrice. 3 – Traiectoriile razelor în conductorul optic în trepte: 1 – unda în miez.2. care se determină din relaţia: sin θ = n2 n1 (5. 0) 129 . raza reflectată sub unghiul ϕ0 = ϕi şi raza refractată sub unghiul ϕr. adică n1 > n2.3) cade fasciculul Φ1 sub unghiul ϕi faţă de axul conductorului. 5. 2) unghiul de incidenţă ϕi este mai mare decât o anumită valoare. Acest lucru se obţine dacă se îndeplineşte condiţia de reflexie totală pe suprafaţa de separare dintre două medii şi anume: 1) transferul fasciculelor se face dintr-un mediu cu densitate optică mai mare într-un mediu cu densitate optică mai mică . Fig.5. În acest fel. care face unghiul ϕi cu normala la suprafaţa de separare. 2 – unda în înveliş. Propagarea luminii în fibra optică cu profilul indicelui în treaptă Să considerăm că în centrul secţiunii transversale de la unul din capetele conductorului optic (figura 5. într-un punct oarecare A de pe suprafaţa de separare dintre miez şi înveliş coexistă raza incidentă. este necesar ca undele 2 şi 3 să fie eliminate.

0) De această valoare depind eficienţa de trapare a radiaţiei în conductor. Când ϕ1 este mai mare decât unghiul de apertură vor apărea raze atât în înveliş (2) cât şi de radiaţie (3). energia care ajunge în miez se reflectă total şi se propagă în zig-zag prin conductorul optic. razele aflate în interiorul unghiului de apertură se propagă în interiorul miezului pe traiectorii de tip undă. Tipuri de undă (moduri) în conductorul optic Considerând conductorul optic ca un ghid de undă dielectric şi având în vedere proprietăţile de undă ale luminii. 3-unda de emisie Datorită acestui lucru.3). 5. ci se curbează pe direcţia gradientului indicelui de refracţie (figura 5. Particularitatea caracteristică a conductorului de tip gradient constă în faptul că distorsiunile semnalelor transmise sunt mai mici. Din punct de vedere fizic. numai un număr limitat de raze. 4 – Traiectoria razelor în conductorul optic de tip gradient: 1-unda în miez. sub forma: AN = sin θa = n12 − n 22 (5. Fig. care se numesc moduri de undă. cu valori discrete de unghiuri.4.3.Când i ≥ θ (raza Φ2 din figura 5. de un tip determinat. s-a stabilit că. 2-unda în înveliş.4). pentru conductorul optic considerat. 5. Modurile 130 . Acest unghi se numeşte apertură. 5. Regimul de reflexie internă totală se respectă dacă la intrarea în conductorul optic fasciculul de lumină cade în limitele unghiului solid θa. Pentru caracterizarea conductorului optic se foloseşte de obicei apertura numerică. acest fenomen se poate explica prin interferenţa unor unde cu traiectorii de propagare diferite. pierderile la micro-îndoituri precum şi alţi parametri ai conductorului optic. Propagarea luminii în fibra optică cu profilul indicelui în gradient În conductorul de tip gradient razele nu se reflectă sub forma unor linii frânte. pot forma unde direcţionate.1. din multitudinea de raze luminoase existente în limitele unghiului de apertură.1.

existente în conductorul optic se caracterizează prin faptul că, după două
reflexii succesive pe suprafaţa de separare dintre miez şi înveliş, razele ajung
în fază şi se însumează aritmetic. Pentru alte unghiuri, condiţiile de fază nu se
îndeplinesc, motiv pentru care undele interferă astfel încât ele se atenuează
reciproc.
În conductorul optic de secţiune circulară, ca şi în ghidul de undă
circular dielectric, pot exista unde mixte de tipul HE sau EH. Dintre acestea,
unda de bază este HE11. Fiecare mod are o structură a câmpului
electromagnetic caracteristică pentru acesta precum şi viteze de fază şi de
grup specifice.
În funcţie de numărul undelor (modurilor) care se propagă la
frecvenţa de lucru, conductoarele optice se împart în conductoare monomod
şi multimod. Numărul de moduri depinde de raportul dintre diametrul
miezului, d şi lungimea de undă de lucru, λ. Când d ≈ λ, în secţiunea
transversală a miezului „încape” numai o singură undă, adică se constată
numai regimul de funcţionare monomod; în cazul când d > λ, apare regimul
de funcţionare multimod.
Conductoarele optice monomod au caracteristici electrice superioare
conductoarelor multimod însă, datorită diametrului mic al miezului
conductorului, acestea sunt mai puţin fiabile şi au pierderi mai mari la
traparea fasciculului în conductor. Numărul de moduri la conductoarele
optice de gradient este aproape de 2 ori mai mic în comparaţie cu conductorul
cu două straturi în treaptă pentru aceleaşi dimensiuni geometrice şi valori ale
lui n1 şi n2. Caracteristicile electrice ale conductoarelor de gradient sunt
superioare celor în treaptă.
Pentru o fibră optică dată, numărul de moduri de propagare posibile
depinde de dimensiunile fibrei şi de modul de variaţie a indicelui de refracţie
în miez pe direcţie radială. În principal, sunt trei posibilităţi (figura 5.5).
Prima situaţie corespunde propagării monomod, cu un profil al
indicelui de refracţie în treaptă. Diametrul miezului este mult mai mic faţă de
cel al învelişului. Tipic, învelişul este de zece ori mai gros decât miezul.
Astfel, când lumina intră în fibra optică, ea se propagă sub forma unei
singure raze, modul de ordinal cel mai mic. Modurile de ordin superior sunt
absente, ceea ce face ca pierderile de energie sub formă de căldură să fie
neglijabile şi atenuarea este nesemnificativă. Dispersia temporală este, de
asemenea, foarte redusă.

131

Fig. 5. 5 – Tipuri de propagare în fibra optică

Propagarea monomod este posibilă numai la lungimi de undă peste o
valoare specifică, numită lungime de undă de tăiere. Dispersia temporală
scăzută înseamnă o bandă mai largă, aceasta fiind tipic de ordinul 50 ÷ 100
GHz/km. Totuşi, fibra optică monomod este cea mai costisitoare, motiv
pentru care se utilizează în special în reţele de arie largă, pe distanţe de până
la 100 km. Diametrul miezului pentru acest tip de fibră optică este în
domeniul 5 ÷ 10 µm. Fibra optică monomod se fabrică din sticlă, deoarece,
datorită grosimii mici a miezului, plasticul nu poate fi utilizat.
A doua situaţie, corespunde propagării multimod cu un profil de
indice de refracţie în treaptă. Diametrul miezului este relative mare, ca şi
discontinuitatea în indicele de refracţie. Ca urmare, când lumina întră în fibra
optică, ea se propagă sub forma unor raze (moduri) multiple. Modul de
ordinul cel mai mic se propagă rectiliniu, pe direcţia axei fibrei. Modurile de
ordin superior se propagă prin reflexii succesive, cu atât mai multe pe
unitatea de lungime, cu cât ordinul este mai mare.

132

Tabel 5.1 – Caracteristicile de atenuare şi bandă pentru diferite fibre optice
Mod

Material

λ (µm)

Multimod
Multimod
Multimod
Multimod
Multimod
Multimod
Multimod
Multimod
Multimod
Multimod
Multimod
Multimod
Multimod
Multimod
Multimod
Multimod
Monomod

Sticlă
Sticlă
Sticlă
Sticlă
Sticlă
Sticlă
Sticlă
Sticlă
Sticlă
Sticlă
Sticlă
Sticlă
Plastic
Plastic
Plastic
PCS
Sticlă

Profil al
indicelui
de refracţie
Treaptă
Treaptă
Gradient
Gradient
Gradient
Gradient
Gradient
Gradient
Gradient
Gradient
Gradient
Gradient
Treaptă
Treaptă
Treaptă
Treaptă
Treaptă

Monomod

Sticlă

Treaptă

850

Monomod
Monomod

Sticlă
Sticlă

Treaptă
Treaptă

1300
1550

800
850
850
850
1300
1300
850
1300
1550
850
1300
1550
650
650
650
790
650

Dimens.
(µm)
62,5/125
62,5/125
62,5/125
50/125
62,5/125
50/125
85/125
85/125
85/125
100/140
100/140
100/140
485/500
735/750
980/1000
200/350
3,7/80 sau
125
5/80 sau
125
9,3/125
8,1/125

Aten.
dB/km

Bandă
(MHz/km)

5,0
4,0
3,3
2,7
0,9
0,7
2,8
0,7
0,4
3,5
1,5
0,9
240
230
220
10
10

6
6
200
600
800
1500
200
400
500
300
500
500
5 ÷ 680
5 ÷ 680
5 ÷ 680
20
600

2,3

1000

0,5
0,2


Pulsul de ieşire este semnificativ atenuat faţă de pulsul de intrare. El
suferă, de asemenea, o semnificativă dispersie temporală, datorită faptului că
traiectoriile diferitelor moduri care se propagă prin fibră sunt diferite ca
lungime şi, deci, radiaţiile corespunzătoare ajung la capătul fibrei la momente
diferite.
Fibra optică multimod cu profil al indicelui în treaptă este deci
caracterizată de atenuare şi dispersie temporală mari. Datorită costului redus,
este totuşi atractivă în special pentru legături la distanţe de până la 5 km. De
obicei, are un diametru al miezului de 100 ÷ 970 µm.
O formulă experimentală care dă numărul de moduri într-o fibră cu
profil al indicelui în treaptă este următoarea:
2
 2π
2
2 
N ≈ N ≈  d n1 − n 2 ÷
(5. 0)
 λ

A treia situaţie corespunde propagării multimod cu un profil al
indicelui de refracţie în gradient. Aici, variaţia indicelui de refracţie este

133

graduală în direcţie radială, scăzând treptat de la miez la înveliş, fără
discontinuitate bruscă în valoarea indicilor de refracţie din miez şi înveliş.
Dimensiunea miezului este mult mai mare decât la fibra monomod cu indice
în treaptă. Totuşi, traiectoriile modurilor sunt oarecum confinate, motiv
pentru care atenuarea este mai limitată faţă de cea a fibrei cu indice în
treaptă. Dispersia este, de asemenea, mai mică.
Fibră optică multimod cu profil al indicelui în gradient este
caracterizată ca având proprietăţi de atenuare şi dispersie între cele ale
celorlalte două tipuri. Diametrul miezului este tipic de 50, 62,5 şi 85 µm.
Acest tip de fibră optică este extrem de popular în aplicaţii privind
comunicaţiile de date ; în particular, fibra optică 62,5/125 este cea mai
populară şi cea mai utilizată în aceste aplicaţii. Sticla este în general utilizată
pentru fabricarea fibrei optice multimod cu indice în gradient.
Tabelul 5.1 prezintă caracteristicile de atenuare şi bandă pentru
diferite fibre optice.

5.2. Parametrii de bază ai conductoarelor optice
Spre deosebire de sistemele de ghidare cu două conductoare, la
conductoarele optice, ca şi la ghidurile de undă, nu se pot determina univoc
majoritatea parametrilor electrici precum şi împărţirea lor în parametri
primari şi secundari. Această situaţie este cauzată de faptul că parametrii
conductorului optic depind de frecvenţa de lucru (de lungimea de undă), de
metoda de excitare, de numărul de moduri. Cu toate acestea, se pot considera
ca parametri primari: dimensiunile geometrice ale miezului şi învelişului,
indicii de refracţie ai acestora n1 şi n2, diferenţa relativă a indicilor de
n1 − n 2
refracţie, ∆ =
, tipul de undă (modul) care se propagă în conductorul
n1
optic.
Pentru conductoarele multimod, diametrul miezului este de obicei de
cel puţin 50 µm, iar diametrul învelişului de 125 µm. Diametrul miezului la
conductorul monomod se alege astfel încât să se asigure propagarea unui
singur mod de bază. Această condiţie se asigură dacă frecvenţa normată de
lucru, care are expresia:
π ⋅ d ⋅ AN
V=
(5. 0)
λ
unde d este diametrul miezului, AN apertura numerică, λ lungimea de undă
de lucru, satisface următoarele condiţii:
V < 2,405 pentru conductorul cu două straturi în treaptă;
V < 3,53 pentru conductorul de gradient cu variaţie parabolică a
indicelui de refracţie.
134

Diferenţa relativă a indicilor de refracţie, ∆, are de obicei valori
cuprinse între 0,01 şi 0,003.
Parametrii electrici ce caracterizează transmisia semnalelor în
conductoare optice sunt: frecvenţa şi lungimea de undă critice, atenuarea,
dispersia semnalului.

5.2.1. Frecvenţa şi lungimea de undă critice
Ca oricare ghid de undă, conductorul optic este caracterizat de
lungimea de undă critică şi frecvenţa critică. Acestea pot fi determinate prin
n2
utilizarea expresiei sin θ =
pentru unghiul de reflexie totală internă şi de
n1
λ
relaţia dintre lungimea de undă λ şi diametrul conductorului, d: cos θ = .
d
Din aceste două relaţii, rezultă:
2

n 
cos θ = 1 −  2 
(5. 0)
n
 1
În acest fel, se obţine valoarea lungimii de undă critice a undei de
bază în conductorul optic sub forma:
2

n 
λcr = d⋅ 1 −  2 
 n1 
Frecvenţa critică este egală cu:
vg
c
fcr = λ =
d ⋅ n12 − n 22
cr

(5. 0)

(5. 0)

c
este viteza de grup de propagare a undei în miez, iar c este
n1
viteza luminii în vid.
Dacă în aceste formule se introduce parametrul Pmn/π, ce
caracterizează tipul de undă (modul) care este dirijat în conductorul optic,
atunci în final se obţine:
unde: vg =

λcr =
fcr =

π ⋅ d ⋅ n12 − n 22
Pmn ⋅ n1
Pmn ⋅ c

(5. 0)

(5. 0)
π ⋅ d ⋅ n12 − n 22
Pentru unele tipuri de undă (moduri) parametrul Pmn este prezentat în
tabelul 5.2, unde n caracterizează numărul de schimbări ale câmpului pe
diametrul conductorului optic, iar m pe perimetru.

135

405 0 3.690 Tipul undei EH HE EH HE EH 5. fie prin absorbţia datorată existenţei în miez a unor impurităţi.016 10. Atenuarea în conductoarele optice Atenuarea undei care se propagă este determinată de pierderile de energie electromagnetică.7 µm. ca urmare a acestor procese.665 11. această valoare limită fiind însă mai ridicată pentru fibrele din materiale cum sunt halogenurile. este situat la 1. care prezintă un spectru complex în IR (numeroase picuri de absorbţie între 2 şi 25 µm).Existenţa frecvenţei critice în conductorul optic arată că acesta.832 7. Atenuarea datorată absorbţiei proprii în miez. datorat ionilor OH.39 µm.2.832 2. Pierderile de absorbţie se produc deci fie prin absorbţia proprie în materialul miezului.2.173 8.538 8.520 3. αap [dB/km] este legată de pierderile dielectrice din materialul conductorului optic şi poate fi calculată cu formula: 136 . ca oricare alt ghid de undă.405 5. Tabel 5.417 n=3 8. picul de absorbţie cel mai important. ceea ce impune o concentraţie reziduală maximă în apă de ordinul a 10–7 . Absorbţia radiaţiei electromagnetice se produce ca urmare a interacţiunii dintre fotonii componenţi ai fasciculului de radiaţie cu electronii din mediul de propagare.2 – Valoarea parametrului Pmn pentru conductorul optic circular m 0 1 1 2 2 n=1 2. cum sunt ionii oxizilor metalici sau grupări hidroxilice. absorbţii fotonice excitând vibraţii moleculare în siliciu. fibrele optice sunt opace în acest domeniu spectral). se comportă similar unui filtru de frecvenţe înalte: prin conductorul optic este posibilă transmisia undelor a căror lungime de undă este mai mică decât λcr. Există două cauze principale de pierderi în conductoarele optice: absorbţia şi difuzia energiei. atenuarea în fibra optică din sticlă creşte rapid pentru lungimi de undă mai mari decât 1. absorbţii pe impurităţi: ioni ai metalelor de tranziţie şi ioni OH. provenind din urme de apă.136 Pmn n=2 5.654 7. În fibra optică se întâlnesc trei tipuri de absorbţie: absorbţii fotonice urmate de tranziţii electronice între benzile de energie situate în domeniul ultraviolet (ca urmare a acestora.016 5.

fosfor sau bor cu pierderi mai mici de 0. datorat ionilor grupărilor hidroxilice.5 ÷ 1.7 µm.24 µm. s-au obţinut conductori optici din sticlă de cuarţ. aliată cu germaniu. În cuarţ.6. 6 – Caracteristica de atenuare în conductorul optic monomod În prezent. alte picuri fiind la lungimile de undă (care determină benzile de absorbţie respective) de 1. De exemplu. 1. care. αap = 8.39 µm. 0) λ unde λ este lungimea de undă de lucru în µm şi tg δ1 – tangenta unghiului pierderilor dielectrice. Experimental. 1300 nm (a doua fereastră) şi 1550 nm (a treia fereastră). lungimea de undă a picului fundamental de atenuare (absorbţia maximă). Pierderile de energie datorate impurităţilor (caracterizate de coeficientul de atenuare αai) depind substanţial de puritatea materialului şi pot depăşi de câteva ori pierderile proprii. se observă un maxim de absorbţie la lungimea de undă de 0. 950 nm şi 720 nm. se constată existenţa unor maxime de absorbţie caracteristice fiecărui tip de impurităţi. Între aceste benzi se găsesc „ferestre” de atenuare minimă.95 µm.69⋅109⋅ Fig. datorat ionilor (OH)– este la 2. pentru materialele utilizate în prezent.0)⋅10–10. aşa cum se poate vedea în figura 5. Regiunile respective sunt utilizate pentru transmisia informaţiilor (tehnologia comunicaţiilor). datorate materialului. 5. are valori de (0.1dB/km. 137 .n1 ⋅ tgδ1 [dB/km] (5. Aceste regiuni spectrale sunt la 850 nm (prima fereastră).

0028.3 şi 1. cum se procedează la linia formată din doi conductori. 2+ 5. precum Cr 3+. Dispersia semnalului în conductoarele optice Întrucât conductoarele optice sunt sisteme liniare în raport cu intensitatea semnalelor la intrare şi ieşire. realizat din sticlă de silicat dopat cu germaniu. ele pot fi reprezentate sub forma cuadripolului echivalent. determinate de obicei la nivelul jumătăţii 2 Conform teoriei Rayleigh a difuziei. îndoiturilor şi microîndoiturilor3. În majoritatea cazurilor este însă suficientă cunoaşterea benzii de trecere. mai există şi pierderile de cablu (caracterizate de coeficientul de atenuare αk). Dintre mecanismele de difuzie. ∆f . 0) În scopul aprecierii calitative a pierderilor. cea mai importantă este difuzia Rayleigh. intensitatea luminii împrăştiate (difuzate) este C proporţională cu puterea a patra a frecvenţei: I = C⋅f4 = 4 . de separaţii de fază ale acestuia etc.5⋅αap (5.Alte substanţe folosite ca impurităţi pot fi ioni metalici. unde suferă atenuări).6 µm. λ 3 Este vorba în primul rând de pierderile prin radiaţia de curbură a fibrei şi prin radiaţia externă (datorată faptului că o parte a radiaţiei nu se propagă prin miez ci este captată în înveliş sau exteriorul fibrei. fiind cauzată de variaţii ale compoziţiei sau densităţii mediului optic.55 µm pentru liniile de comunicaţii din fibră optică. Ca rezultat. Difuzia energiei optice este cauzată de neomogenităţile conductorului optic. Pierderile datorate difuziei Rayleigh sunt caracterizate de un coeficient de atenuare αd [dB/km]. Din analiza acestui grafic. Fe şi Cu2+. 138 . datorate diferitelor variaţii ale geometriei conductorului.2. se obţine coeficientul total de atenuare sub forma: α = α ap + αai + αd + αk ≈ 2. ale căror dimensiuni sunt mai mici decât lungimea de undă.6 se prezintă dependenţa experimentală de frecvenţă a coeficientului de atenuare pentru conductorul monomod cu parametrii d = 9. precum şi de fluctuaţiile termice ale indicelui de refracţie. H(iω) şi a caracteristicii de impuls g(t). Benzile de absorbţie asociate acestora sunt între 500 nm şi 1000 nm. prezentă în toate tipurile de fibre optice şi care nu depinde de intensitatea câmpului de radiaţie incident. iar proprietăţile lor pot fi descrise cu ajutorul funcţiei complexe de transfer. ∆ = 0. dependent de materialul conductorului şi de lungimea de undă (proporţional2 cu λ–4).3. În afara acestor pierderi. existentei mufelor de cuplare. rezultă că este posibilă utilizarea domeniilor lungimilor de undă de 1. în figura 5. Pe baza acestor caracteristici se pot calcula semnalele primare posibile şi cu ce calitate pot fi transmise acestea prin conductorul optic.

0) unde valoarea duratelor impulsurilor se determină la nivelul de jumătate din amplitudine. întâlnită la fibrele optice multimod. 5. mai exact caracteristicilor geometrice ale acestuia (dispersia de ghid). ca urmare a diferenţei dintre viteza de fază şi cea de grup a undei. aşa cum se vede din figura 5. se măreşte durata impulsurilor recepţionate. σ. se micşorează banda de trecere ∆f şi se măreşte durata pătratică medie a caracteristicii de impuls. Dispersia se poate produce pe două căi: 1. Astfel. pe de altă parte. σ. se observă că două impulsuri transmise distinct sunt recepţionate ca unul singur.din valoarea maximă a lui H(ω) precum şi a duratei pătratice medii a caracteristicii de impuls. Dispersia intramodală (cromatică) se produce pentru fiecare mod în parte. calculate prin metoda dreptunghiului echivalent. ghidului. Dispersia limitează banda frecvenţelor transmise prin conductor şi. este datorată faptului că diferitele moduri de propagare nu au aceeaşi traiectorie şi nici 139 . Această valoare poate fi de asemenea determinată ca diferenţa pătratică medie a duratelor semnalelor în impuls la intrarea şi ieşirea conductorului optic astfel: σ= t i2ies − t i2int (5. este datorat lărgirii pulsului odată cu creşterea distanţei parcurse. σ.7. ∆f şi σ depind nu numai de parametrii conductorului optic dar şi de lungimea acestuia. Dispersia intermodală. în mod corespunzător. fenomen datorat dispersiei semnalului în conductorul optic. Acest fapt. la transmiterea semnalelor în impuls. spre deosebire de linia cu doi conductori. Ea este datorată pe de o parte mediului optic al fibrei (dispersie de material) şi. astfel că. care se lărgesc. prin creşterea lungimii. Peste o anumită lungime a conductorului optic. Fig. 2. La conductoarele optice. 7 – Trecerea semnalelor în impuls prin conductorul optic Valoarea numerică a dispersiei este egală cu durata pătratică medie a caracteristicii de impuls. Acest lucru face să crească distorsiunile liniare ale semnalelor transmise. a duratei minime a semnalelor în impuls.

în conductoarele multimod cu profil în treaptă este dominantă dispersia intermodală. Utilizând profiluri de variaţie radială a indicelui de refracţie corespunzătoare. Dispersia totală a unei fibre optice este dată de suprapunerea celor două tipuri de dispersie. motiv pentru care ele sunt utilizate în transmisiile la mare distanţă. pentru anumite lungimi de undă. un impuls luminos injectat în fibră se va lărgi pe măsură ce se propagă la distanţe din ce în ce mai mari. În fibrele monomod.3 – Proprietăţile de dispersie la unele conductoare optice Tipul dispersiei Cauza fizică a dispersiei σmod dispersie de mod sau de undă viteza de fază a modului de propagare depinde de Profil în treaptă fibră fibră monomod multimod valoare există mică posibilitatea compensării reciproce cu cea 140 Profil gradient valoare mică . dispersia totală este nulă sau foarte mică. pentru că distorsiunile de fază care provoacă aceste dispersii sunt aproximativ egale ca mărime. Astfel. astfel că. Proprietăţile de dispersie mediate sunt prezentate în tabelul 5. ceea ce înseamnă că semnalele de intensitate mai mică se propagă cu viteză diferite de cea a semnalelor de intensităţi mari. peste acest nivel. unde se arată şi cauzele fizice pentru fiecare tip de dispersie. Fibrele optice monomod nu prezintă acest tip de dispersie. variază în funcţie de intensitate. între care dispersia are o valoare foarte mică (aşa-numitele fibre în W). două astfel de impulsuri succesive vor ajunge să se suprapună. Tabel 5. la un moment dat. în conductoarele de gradient se produce egalizarea timpului de propagare al diferitelor moduri şi determinantă este dispersia de material. Din datele prezentate rezultă următoarele: în conductoarele monomod nu există dispersie intermodală şi este posibilă compensarea reciprocă a dispersiilor de undă şi de material. Un alt tip de dispersie este dispersia neliniară. Tipurile de dispersie a semnalului (dispersie de ghid.3. dispersia de material şi dispersia intermodală) se evidenţiază diferit în tipuri diverse de conductoare optice. Astfel. se pot obţine fibre cu dispersie nulă la două valori ale lungimii de undă. dispersia devine nulă la λ = 1.aceeaşi viteză de propagare. pentru fibrele din sticlă (SiO2). care depăşeşte cu un ordin de mărime alte tipuri de dispersie şi care are valori mari (20 ÷ 50) ns/km. ceea ce înseamnă că. se poate obţine o compensare între dispersia de material şi dispersia de ghid. dar de semn contrar. care se manifestă peste un anumit nivel de intensitate şi este datorat faptului că indicele de refracţie al mediului.37 µm. fapt care duce la o pierdere de informaţie.

5 ÷ 1.pentru frecvenţe radio: ∆fradio ≈ 2/σ (5. 0) Ca şi dispersia.5 ÷ 1. Banda de trecere a conductorului este legată de dispersie prin formula: . Practic. Pentru calculul dispersiei semnalului. cât şi de sursa de radiaţie optică. iar în practică este 0.[ns/km] frecvenţă σmat dispersie de material [ns/km] indicele de refracţie al materialului conductorului optic depinde de frecvenţă diferitele σinter moduri au dispersie intermodală viteze diferite de grup [ns/km] Banda de trecere ∆fr. MHz (video) 2…5 de material.1 … 2 Dispersia însumată a semnalului în conductorul optic este: σ = σ2int er mod + ( σmod + σmat )2 (5.5. pentru determinarea dispersiei se poate folosi tabelul şi datele tehnice ale conductorului concret. proprietăţile de omogenitate şi de profil nu pot fi menţinute constante pe toată lungimea conductorului. iar pentru conductorul monomod cu gradient γ = 0. din motive tehnologice. 0) Datorită faptului că.3 (laser) 2 … 4 (diode luminescente) 40 … 100 20 … 50 600 … 2000 300 … 1000 50 … 1000 250 … 500 0.pentru frecvenţe video: ∆fvideo ≈ 1/σ (5. 0) . 141 . La calcularea dispersiei în conductorul multimod se recomandă folosirea valorii γ = 0. MHz (radio) ∆fv. prin însumare 1…3 20 … 50 - 0.1 … 0. dispersiile calculate conform tabelului sunt diferite de cele experimentale.5. 0) l0  unde σ0 este dispersia semnalului în conductorul cu lungimea ℓ0 şi γ indicele dependenţei dispersiei de lungimea conductorului. Valoarea teoretică a lui γ este 0. de la 20 MHz⋅km până la 1 ÷ 2 GHz⋅km şi este determinată atât de tipul conductorului optic. σℓ în conductorul cu lungimea ℓ. banda de frecvenţă variază în limite mari. se poate folosi relaţia următoare: γ  l  σℓ = σ0⋅   (5.

85 km. sunt făcute prin două tehnici diferite. Pentru conductorul multimod. pentru care tehnologia este cel mai bine pusă la punct. Astfel. la conductoarele multimod. Fabricarea şi proprietăţile fibrelor optice Pe baza discuţiilor anterioare. iar pentru conductorul de gradient (γ = 1 şi ℓ0 = 1 km). factorul de limitare a lungimii este dispersia semnalului iar la conductoarele monomod – atenuarea. λ = 1.5  σ0  şi ℓ0 = 1 km. legate de fenomenele de dispersie şi atenuare în fibra optică.3.O asemenea valoare pentru dispersie se obţine pentru lungimea 1 γ conductorului de: ℓ = ℓ0⋅  σl  . În acest fel se obţine lungimea sectorului regenerativ: pentru conductorul multimod această lungime este limitată de dispersia semnalului şi este egală cu 8. 3. pentru γ = 0. Din considerentele prezentate mai sus. s-au conturat trei domenii (ferestre) de transmisie utilizate în comunicaţiile optice: 1.15 ÷ 0. 5. rezultă ℓr = 8.16 km. rezultă că distanţa de transmisie pe conductorul optic este limitată nu numai de atenuare. Majoritatea fibrelor confecţionate în totalitate din sticlă.5 dB/km) şi la un minim de dispersie cromatică. 0. λ = 1. pentru conductorul de gradient este limitată de atenuarea semnalului şi este egală cu 14. Prima se referă la sticle rafinate şi prelucrate în 142 .3 µ Această fereastră este situată la un minim relativ de atenuare (0. Acesta este un adevăr general. dar şi în funcţie de performanţele dispozitivelor optoelectronice. dar şi de dispersia semnalului.2 dB/km) însă dispersia cromatică se poate reduce numai folosind tehnologii costisitoare şi foarte moderne.16 km. rezultă că o variaţie a indicelui de refracţie în fibră şi de aici disponibilitatea a cel puţin două materiale de sticlă diferite pare o necesitate fundamentală în fabricarea fibrei de sticlă pentru transmisia luminoasă. 2.3 km.8 µm < λ < 0. Acest domeniu nu prezintă un minim de atenuare sau dispersie (atenuarea fiind de 2 ÷ 3 dB/km) ci un optim de utilizare a materialelor cele mai des folosite (SiO2 şi GaAs).9 µm.4 ÷ 0.55 µm În această fereastră se obţine minimul absolut al atenuării (0. De obicei. ℓr = 33.

folosite în tragerea fibrelor sunt făcute din platină. Din această cauză. purificarea reprezentând o mare parte a costurilor de materiale. Totuşi. obţinerea unei contaminări foarte scăzute şi deci obţinerea unor pierderi reduse s-a dovedit dificilă.1. 143 . Introducerea contaminanţilor adiţionali trebuie să fie evitată în timpul topirii pudrei iniţiale. sunt silicaţii sodo-calcici. rafinată şi în final trasă în fibre. pentru înlăturarea ionilor reziduali de OH–. Pe de altă parte. Creuzetele de platină şi de siliciu topit au fost utilizate cu succes. precipitare. coprecipitare. obţinerea fibrei din starea de topitură prin orificiile din partea inferioară a celor două creuzete concentrice este un proces de producţie continuu. O sursă importantă de contaminare sunt creuzetele în care sticla este topită. extracţie ulterioară a solventului. Tehnici de topire Sistemele tipice. creuzetele de cuarţ sunt preferate de obicei pentru procesul iniţial de topire în timp ce creuzetele mai complicate. fie componente care se descompun în oxizi în timpul topirii sticlei.stare topită. cu au temperatura de topire prea mare pentru a permite prelucrarea convenţională a topiturii. s-a observat o creştere graduală în conţinutul de impurităţi când topitura este menţinută în creuzete de platină la temperaturi înalte pentru mai mult timp. mecanice şi chimice.3. Materialele iniţiale sunt fie oxizi. concentrice. Sunt recomandate tehnici combinate de filtrare fină. Este esenţială o puritate iniţială foarte ridicată. care poate fi adus la un grad înalt de automatizare. dar deoarece sunt topite în creuzete în stare de pudră. Variaţia indicelui de refracţie este obţinută printr-o schimbare în compoziţia diferiţilor componenţi sau prin schimbul ionic în faza de topitură. germano-silicaţii şi diferiţii boro-silicaţi. 5. din sticle cu punct de topire scăzut. recristalizare şi uscare finală în vid. Aceste sticle oferă o mare flexibilitate în alegerea proprietăţilor optice. a doua la sticle bogate în silicaţi.

5. Difuzia ionică dintre cele două tipuri de sticle produce un gradient de indice între miez şi înveliş. topitura trebuie să fie apărată de pulberi în suspensie. alimentate din cele două creuzete concentrice (figura 5. 5. provenite din procesul de topire.Fig. 8 – Dispozitiv cu două creuzete pentru obţinerea fibrelor cu indice de refracţie în gradient prin difuzie Sticla este omogenizată şi uscată prin barbotare cu gaze în timpul topirii. capabil de încălzirea creuzetelor la o temperatură între 800÷1200 °C. Fig. sau prezente ca o contaminare atmosferică.9). 9 – Schema unui aparat de tras fibre cu monitor de grosime şi dispozitiv de aplicare a jachetei Dispozitivul a fost perfecţionat pentru obţinerea fibrelor cu indice de refracţie în gradient. Profilul indicelui 144 . prin prelungirea creuzetului exterior cu un tub prin care miezul topit şi învelişul curg împreună la temperatură ridicată înainte de răcirea în dispozitivul de tragere. Sticla este. apoi trasă în tije lungi. unde fibra de sticlă ce se răceşte rapid este înfăşurată pe un tambur în rotaţie (figura 5. În timpul acestui proces. Aceasta are loc de obicei într-un cuptor vertical. Această temperatură şi viscozităţile sticlei determină curgerea gravitaţională a miezului şi a învelişului din sticlă prin orificiile concentrice din partea inferioară a creuzetelor.8).

O tehnică de separare a impurităţilor metalelor de tranziţie din sticla folosită ca materie primă iniţială foloseşte tije de sticlă boro-silicat alcalin care se separă într-o fază bogată în dioxid de siliciu. între miez şi înveliş are loc un proces de difuzie de ioni de Na şi K pe parcursul procesului de tragere. se poate obţine o creştere de indice de refracţie de la 1. Această fază se dizolvă într-un acid diluat.2. se adaugă compuşi conţinând B sau F. în special Fe. ca SiCl4 şi GeCl4 sunt disponibili într-o stare de puritate înaltă. de viteza de tragere.3. Presiunea vaporilor saturanţi ai acestor cloruri depăşeşte pe aceea a vaporilor saturanţi 145 . Principalele avantaje ale tehnicilor bazate pe materiale cu punct de topire scăzut sunt oportunităţile de rafinare ieftină şi tragerea continuă în fire. Pentru creşterea indicelui de refracţie. Ti sau P.55 în boro-silicat. aşa cum s-a arătat anterior. Adăugând taliu în topitura miezului. În aceste fibre.poate fi influenţat de lungimea tubului de tragere. Pierderile minime apar în domeniul lungimilor de undă în jurul a 800 nm şi sunt determinate în principal de impurităţile metalelor de tranziţie. Unii dintre aceşti compuşi volatili. atenuări de 5÷6 dB/km şi o lărgime de bandă de 1 GHz/km. produce profilul de indice de refracţie dorit. conţinând Ge. cum sunt SiCl4 sau silanii. fibrele din sticlă compozită au o apertură numerică mai mare şi pierderi mai mari decât fibrele bogate în silicaţi. tija poroasă rămasă este introdusă într-o soluţie dopantă. se adaugă reactivi similari din fază de vapori. Cele mai bune fibre obţinute în acest fel au un diametru de 60 µm. Rezultate asemănătoare se obţin şi în cazul fibrelor pe baza germano-silicaţilor sodocalcici. Difuzia de taliu şi sodiu care are loc între miez şi înveliş.2. de temperatură. Prepararea fibrelor bogate în oxid de siliciu Cuarţ de cea mai mare transparenţă poate fi preparat din compuşi volatili de siliciu. s-au obţinut fibre cu calităţi foarte bune. de înaltă puritate. apertura numerică de 0. după un tratament termic. şi de alegerea constituenţilor de difuzie. Aceştia produc o creştere bruscă a atenuărilor până la 10 dB/km la 950 nm în toate sticlele cu punct de topire scăzut. Pentru scăderea indicelui de refracţie. care are o temperatură de topire scăzută şi la care impurităţile metalelor de tranziţie provoacă pierderi mai reduse decât în alte tipuri de sticlă. în virtutea utilizării lor largi în procesele de fabricare a dispozitivelor semiconductoare. Ni. Cu şi Cr.51 la 1. însuşiri care le fac să fie mai potrivite pentru sisteme de transmitere scurte. La atenuare contribuie şi difuzia Rayleigh (1 ÷ 2 dB/km) şi contaminarea cu radicali OH. În general. Folosind sticlă pe bază de boro-silicat. 5. rezistentă la acid şi o a doua fază solubilă în acid. după care este uscată şi încălzită în vid. Cea de-a doua fază conţine majoritatea impurităţilor metalelor de tranziţie.

Fig. 0) Se obţine o „funingine” albă de particule de SiO 2. aşa cum rezultă chiar din (5. hidroliza în flacără şi depunerea chimică din stare de vapori produc materiale de cea mai mare puritate. Schema unui dispozitiv de tragere a fibrelor prin acest procedeu este reprezentat în figura 5. pentru a produce reacţia: H2O + SOCl2 → 2⋅HCl↑ + SO2↓ (5. ceea ce permite separarea impurităţilor acestor metale. (de unde numele acestei tehnici de „proces funingine”).17). Se folosesc mai multe tehnici de depoziţie din fază de vapori care produc sticle bogate în silicaţi. 0) 146 . astfel ca să formeze sticlă.10. se „spală” tija poroasă cu oxigen şi vapori de SOCl2 la 800 °C. chiar cantităţi mici de ioni OH– determină absorbţii intolerabile la diferite lungimi de undă. care este colectată şi vitrificată. conform reacţiei: SiCl4 + 2⋅H2O → SiO2 + 4⋅HCl (5.ai clorurilor metalelor de tranziţie de mai multe ordine de mărime. 10 – Proces de depunere axială din fază de vapori Un dezavantaj al procesului este expunerea SiO2 la vaporii de apă în flacără. Procesul de hidroliză în flacără constă în introducerea de SiCl 4 în flacăra unui arzător pentru a produce sticlă de puritate mare. 5. Dintre ele. Pentru a reduce conţinutul de OH –. După cum s-a discutat anterior.

la temperaturi suficient de înalte pentru a induce o reacţie omogenă în volumul gazului. unde formează o peliculă sticloasă transparentă de silica. (figura 5. de câţiva µm grosime.11).Acest tratament reduce concentraţia OH– de la 30 părţi pe milion (ppm) la 0. Reacţia este eterogenă (necesită o suprafaţă pentru a avea loc) şi produce pelicule bune doar atunci când rata de depunere este mică. Contaminarea substanţial scăzută cu OH– poate fi obţinută prin tehnici legate de depunerea chimică din fază de vapori.11 – Schema procesului modificat de depunere chimică din fază de vapori Deplasând zona fierbinte (creată de o flacără de H 2 şi O2) înainte şi înapoi de-a lungul tubului. Un proces substanţial mai rapid este cel cunoscut sub numele de depunere chimică modificată din fază de vapori. 5. Concentraţiile crescute ale 147 . Oxigenul şi SiH4 diluate cu gaze inerte sunt aduse în contact cu suprafaţa de siliciu încălzită. Fig. unde este creată o zonă fierbinte.5 ppm şi permite obţinerea unor fibre având atenuări de maxim 1 dB/km (la 1200 nm). Un jet de reactanţi în fază de vapori este trecut printr-un tub de cuarţ în rotaţie. particulele depuse se topesc strat cu strat şi se transformă în pelicule transparente de sticlă. Acest procedeu este folosit de obicei pentru producerea peliculelor protectoare de SiO2 în dispozitive semiconductoare cu siliciu. Particulele formate în timpul acestei reacţii trec sunt antrenate de curentul de gaz şi sunt depozitate pe pereţii tubului prin termoforeză.

Contaminarea sticlei cu praf sau cu evaporarea din elementele de încălzire poate fi evitată asigurând o curgere laminară a unui gaz inert pur în zona fierbinte. Creşterea temperaturii peste cea posibilă la depunerea chimică din fază de vapori permite folosirea halogenurilor în loc de hidruri şi conduce la reacţia: SiCl4 + O2 → SiO2 + 2⋅Cl2 ↑ (5. dar nu atât de pur ca halogenurile folosite la depunerea din fază de vapori. Dacă se foloseşte măsurarea în timp real a diametrului o reacţie de control. este 148 . variaţia diametrului poate fi redusă la 0. După ce este depus suficient material în tubul ce se roteşte. aranjate în exterior în jurul tubului. cu diametrul de 60 µm. Totuşi.9. de dioxid de siliciu cu indice de refracţie scăzut pe peretele tubului.reactanţilor. Viteza de tragere ce se poate obţine atinge 10 m/s.5 %. Ele conţin de obicei peste 200 ppm OH–. de 6 µm.11. el însuşi nu este încălzit de plasmă. Astfel de tuburi sunt fabricate de obicei prin topirea cuarţului natural pulverizat. se obţine o tijă solidă prin creşterea temperaturii zonei fierbinţi. O altă metodă foloseşte o plasmă de presiune scăzută cu microunde. de temperatură între 1400 şi 1700 °C. sunt mai potrivite viteze de ordinul 2 m/s. Aparatul de tragere pentru fibrele bogate în dioxid de siliciu este identic cu cel din figura 5. Folosirea laserilor cu CO2 disponibili comercial în locul cuptoarelor de tragere convenţionale are avantajul unei linii curate şi al unui control instantaneu. esenţială în procesul de fabricaţie. Se utilizează cuptoare de temperaturi înalte cu elemente rezistive de grafit. Pentru a preveni această contaminare a învelişului de la difuzia în miez în timpul depunerii şi tragerii. Totuşi. Aşa cum se vede în figura 5. Este nevoie de aproximativ 10 g de dioxid de siliciu pentru a produce 1 km de miez de fibră. care este mai ieftin. mai întâi este depozitat un strat barieră. înainte ca straturile ce constituie miezul să fie depuse. este produsă în general de unul sau mai multe arzătoare cu oxigen şi hidrogen. temperatura crescută şi timpul de reacţie determină o creştere de sute de ori a ratei de depunere faţă de depunerea din fază de vapori obişnuită. Rata posibilă de depunere este comparabilă cu cea obţinută cu arzătoare. 0) Absenţa hidrogenului din această reacţie face posibil un control strict al contaminării cu OH–. tungsten şi zirconiu. Aceste caracteristici determină o rezistenţă şi o uniformitate mai mari pentru fibra trasă. Fibra trasă din această tijă are un miez format din material depus din fază de vapori şi un înveliş format din materialul tubului iniţial. pentru un mai bun control al diametrului. zona fierbinte. utilizând un cuptor de inducţie cu zirconiu. viteza de tragere. Sunt depozitate în succesiune rapidă peste 3000 de straturi de grosime sub 1 µm prin deplasarea rapidă a zonei calde înainte şi înapoi de-a lungul tubului care.

apar doar fluctuaţii de densitate. cu o perioadă egală cu grosimea stratului (5÷10 µm). atenuarea intrinsecă este cauzată de difuzia Rayleigh pe fluctuaţiile de densitate şi concentraţie „îngheţate” în reţeaua sticlei. O fibră astfel fabricată are un diametru de 60 µm. nu numai că reduce împrăştierea compoziţiei. Cum toate fluctuaţiile se extind pe distanţe mici. care ia forma: 8π3 2 8 αS = 4 CF n BCkBθF (5. viscozităţii şi conducţiei termice.55 µm şi o bandă maximă de 1. GeO2. o atenuare minimă de 0. Cum limita absorbţiei în infraroşu a B2O3 se extinde la lungimi de undă mai mici decât cea a P 2O3. 0) 3l 149 . Într-o sticlă cu un singur component.limitată de puterea totală disponibilă de încălzire a laserului. sunt folosiţi împreună cu SiO2. o limită pe care elementele de încălzire convenţionale nu o au. S-a găsit că adiţia a 0. comparabile cu lungimea de undă. În interiorul acestei ferestre. absorbţia intrinsecă este mică dacă impurităţile metalice şi ionii OH– au fost eliminate. dar reduce şi temperatura de depunere cu 200 °C.3. fluctuaţia pătratică medie a densităţii este proporţională cu BCkBθF. astfel că difuzia exterioară a GeO2 între etapele de depunere a fost redusă substanţial.5 mol % de P 2O3 în dioxid de siliciu cu 6 % GeO2. BC la acea temperatură. ca de exemplu SiO 2. ca materiale pentru înveliş. acesta din urmă este preferat la fabricarea fibrelor pentru domenii de lungimi de undă mai mari. În principal. unde kB este constanta lui Boltzmann. atenuarea suferită de propagarea unei unde plane în acest mediu respectă formula de difuzie a lui Rayleigh. cu adausuri mici de B2O3 sau P2O5. de aceea.83 µm. Mai exact. Boro-silicaţii şi fluorosilicaţii au un indice de refracţie mai scăzut decât dioxidul de siliciu şi. 5. Acum sunt folosiţi ca material de bază pentru miez.21. proporţională cu ε2 şi cu coeficientul fotoelastic CF. Germanosilicaţii sunt sticle stabile cu indici de refracţie substanţial mai mari decât cel al SiO2. P2O5. Modificatorii dioxidului de siliciu folosiţi cu succes în fabricarea fibrelor cu pierderi scăzute sunt B2O3. o apertură numerică de 0. ce depind de temperatura fictivă. θF şi de compresibilitatea izotermă. εr.7 GHz/km la 0.3. Acest ultim efect provoacă o structură în valuri suprapusă peste profilul indicelui de refracţie. de la aproximativ 600 nm la 1600 nm. de obicei întâlnită la germano-silicaţi. care au o influenţă importantă în atenuarea variaţiilor de temperatură. O modificare a densităţii provoacă o schimbare în permitivitatea electrică relativă. Absorbţia şi difuzia Transmisia optică are avantajul unei ferestre între limita dinspre ultraviolet a marginii benzii electronice şi limita dinspre infraroşu a benzilor de vibraţie.34 dB/km la 1.

19). componentul adăugat modifică unul sau mai mulţi parametri care determină relaţia (5. rezultă αS = 0.Pentru SiO2. în timp ce compoziţia de GeO 2-P2O5 care creşte indicele de refracţie cu aceeaşi valoare. În multe cazuri. chiar dacă doparea cu P2O5 introduce o fluctuaţie adiţională de compoziţie. de exemplu. Ca o regulă. 150 . Un procent de 1 % de GeO2. trebuie să fie adăugat un termen de atenuare suplimentar. Astfel.8 dB/km la 1000 nm (figura 5.12). proporţional cu fluctuaţia medie pătratică a densităţii dopantului. Dacă există un al doilea constituent în sticlă. adăugat la SiO2 creşte coeficientul de atenuare Rayleigh αS cu peste 10 %. determină o creştere a atenuării Rayleigh în silicat cu numai 50 %. adăugarea de P 2O5 la germano-silicat reduce atenuarea Rayleigh totală deoarece se reduce temperatura fictivă. compoziţia de GeO2 sau GeO2-B2O3 adăugată la SiO2 în concentraţii care măresc indicele de refracţie cu 1 % dublează atenuarea Rayleigh a silicatului.

151 .

152 .

împrăştierea Raman este efectul limitator. Acest prag creşte liniar cu creşterea lărgimii spectrale a sursei până la în jur de 1 W la o lărgime de bandă de 0. Benzile de absorbţie sunt provocate de modurile vibraţionale ale legăturilor de oxigen în reţeaua de sticlă şi diferite combinaţii şi benzi armonice asociate cu ele. măsurată pentru: A – germanosilicaţi dopaţi cu B2O3. lungimea de undă de rezonanţă vibraţională creşte cu creşterea masei perechilor cation-oxigen aflate în 153 . Cele mai importante sunt difuzia Raman stimulată şi retro-împrăştierea Brillouin. 5.Fig. de ordinul a 10 mW. Pentru o fibră monomod tipică şi o radiaţie luminoasă coerentă. Curbele întrerupte din figura 5. În general.1 nm. difuzia stimulată Brillouin apare la niveluri de putere mici. Densităţile de putere de prag peste care aceste efecte devin semnificative prezintă o limită a puterii semnalului care poate fi folosit în sistemele de comunicaţie. care depind esenţialmente de densitatea de putere.12 reprezintă marginea benzilor de absorbţie în infraroşu a fosfo-silicaţilor şi germano-silicaţilor cu sau fără B2O5. pentru care pragurile Raman şi Brillouin apar la aproximativ aceeaşi densitate de putere. cu pragul de aproximativ 1 W putere pentru fibra monomod tipică. Chiar şi pentru spectre mai largi. B – silicaţi dopaţi cu P2O5. C – germano-silicaţi dopaţi cu P2O5 Alte efecte de împrăştiere implică interacţii neliniare ale fotonilor cu materialul sticlos. 12 – Spectrul de atenuare intrinsecă.

7 Atenuarea în fibre preparate prin tehnici convenţionale de topire este determinată de impurităţile metalelor tranziţionale.6 Co2+ 685 0. Tabel 5.12 arată că atenuarea minimă în fibre fără impurităţi este determinată de intersecţia atenuării prin difuzie cu atenuarea prin absorbţia în infraroşu şi. Ca rezultat. Astfel. Figura 5.4 prezintă atenuarea de absorbţie cauzată de câţiva dintre ionii metalici comuni găsiţi în sticlă.68 Fe3+ < 400 0.4. Aceste fibre au fost preparate prin procesul de depunere din fază de vapori modificat. Prezenţa hidrogenului în SiO2 provoacă vibraţii de încovoiere (ν1) şi alungire (ν’3) ale grupărilor OH care sunt strâns legate în reţeaua SiO2. Pierderile cele mai mici. scade în domeniul lungimilor de undă de 1000 ÷ 1600 nm.4 – Rata de absorbţie a sticlelor impurificate cu ioni metalici şi lungimea de undă la care absorbţia este maximă Impuritate λ (nm) α (dB/km) 3+ Cr 625 1. Nivelul de impurificare al halogenurilor folosite în tehnicile de depunere din fază de vapori este de obicei de 1 sau 2 ordine de mărime mai scăzut.1 Mn2+ 460 0. ele afectează un domeniu de lungimi de undă larg în vecinătatea lungimii de undă centrale din în tabelul 5. Tabelul 5. Ge sau P. în funcţie de compoziţie. cât şi din tranziţiile cu transfer sarcină la alţi ioni (Fe3+.2 4+ V 725 2. cauzând pierderi între 1 şi 10 dB/km.12. care sunt mai grele decât Si. s-au obţinut cu germano-silicaţi dopaţi cu fosfor. Aceste pierderi de absorbţie rezultă atât din tranziţiile electronice în interiorul stratului d al acestor ioni (Co2+). Impurităţile metalelor tranziţionale din materialele iniţiale folosite pentru fibrele trase din topitură sunt în concentraţii tipice de ordinul a 1 ÷ 10 ppb. Aceste tendinţe sunt evidente în reprezentările datelor experimentale din figura 5.1 2+ Cu 850 1. Cr6+). de 0. (la o concentraţie de o parte la un miliard).vibraţie.15 2+ Ni 650 0. În general.34 dB/km în jurul a 1600 nm.1 2+ Fe 1100 0. Limita benzii de absorbţie urmează o dependenţă aproximativ exponenţială de energia fotonilor. determină deplasarea benzii de absorbţie mai departe în infraroşu. în timp ce B are efect opus. pierderile de absorbţie la aceste rezonanţe ca şi la combinaţii şi armonici sunt mari. Figura 12 arată spectrul pierderilor în fibre ce conţin între 154 .

0) c dλ λ 0 dλ 2 λ ÷ 0   relaţia (3. În timp ce majoritatea rezonanţelor sunt foarte ascuţite.3. există ferestre înguste neafectate de absorbţia grupărilor OH. S-a constatat că această doză dublează şi chiar mai mult atenuarea unora dintre fibrele din germano-silicaţi cu pierderi mici la 820 nm. conform relaţiei (3.10 şi 1000 ppm de apă. Cum variaţia pantei este cea mai mică în jurul punctului de inflexiune. Să considerăm cazul simplificat al unei fibre cu profil în treaptă. S-a constatat de asemenea că. λ0 în acelaşi sens. după expunerea fibrelor din B2O3 dopat cu germano-silicat la radiaţie în pulsuri. lucrul la λ0 minimizează dispersia cromatică. poate fi aflată din (3. Caracteristici ale indicelui de refracţie Benzile de absorbţie electronice şi vibraţionale la ambele capete ale ferestrei de transmisie ale ghidurilor de undă din sticlă determină indicele de refracţie în interiorul ferestrei. Dispersia cromatică apare pentru variaţii ale acestei pante în banda de lungimi de undă a sursei. la 1300 şi 1500 nm. Se consideră o sursă cu un spectru gaussian la λ1 cu abaterea standard δ1. În silicaţi. 0) 2 2c dλ λ 0 Efectului are un minim la λ1 = λ0. sau panta funcţiei n(λ). Instalaţiile de comunicaţii pot astfel acumula 20 ÷ 40 rad în timpul vieţii lor. Transparenţa fibrelor de sticlă poate fi afectată de radiaţiile γ. dar = 0. punctul de inflexiune este în vecinătatea punctului de absorbţie minimă. în condiţia ca impurităţile de OH sunt reduse sub 100 ppb. implică prima derivată. Radiaţia cosmică generează o expunere tipică de aproximativ 1 rad pe an. d∆ având întârzierea de grup (3. care însă scad substanţial după câteva secunde. acestea suferă creşteri catastrofale ale pierderilor. Se dezvoltă în serie Taylor: dλ L dn d 2 n1  ÷ T =  n1 − λ 0 1 − λ ( λ − λ 0 ) (5.4. cu doza de 3700 rad.29). Pentru a înţelege semnificaţia punctului de inflexiune. 155 . trebuie amintit faptul că întârzierea de grup T.25).26). Efectul scade cu creşterea lungimii de undă. dintre absorbţie şi permitivitate. Lărgimea pulsului după transmitere la o distanţă L.29) la λ = λ0 pentru a evalua (3.27) şi este: L d 2 n1 2 δλ 2δλ2 + 4 ( λ1 − λ 0 ) τc = (5. datorită radiaţiilor Kramers-Kroning. 5. Modificatorii silicatului care deplasează marginea benzii infraroşii deplasează de asemenea şi lungimea de undă de inflexiune. Suprapunerea ambelor contribuţii conduce la un punct de inflexiune a funcţiei n(λ) la lungimea de undă λ0 în infraroşu.

măsurătorile de indici de refracţie obţinute direct de la probe de fibre trebuie considerate a 156 .Dezvoltarea Taylor (5. În acest caz. boro-silicaţii prezintă efecte mai reduse. Există unele incertitudini cu privire la variaţia de indice exactă permisă de modificatorii importanţi din silicat. Spectrul unei diode luminescente 2 2c dλ care lucrează la λ0 este aproape gaussian şi în mod tipic. Fig. Sursele cu GaAlAs funcţionează la o lungime de undă în jur de 850 nm. Cum s-a menţionat anterior. are o lărgime a spectrului de δA = 40 nm.21) este exactă în vecinătatea lui λ0. Aceste efecte deplasează punctul de dispersie cromatică minimă spre lungimi de undă mai mari. pentru care trunchierea profilului indicelui de refracţie trebuie luată în seamă. În mod deosebit. Astfel. λ1 deviază de la λ0 cu mai mult de 50 nm. GeO2 şi P2O5. definit de relaţia (3.5 GHz⋅km dacă lungimea de undă a sursei. relaţia (5. 13 – Indicele de refracţie n al silicatului dopat cu diferiţi oxizi Lărgimea spectrală a radiaţiei emise de laserii cu semiconductori este de unul sau două ordine de mărime mai mic decât cea a diodelor luminescente ceea ce determină creşterea corespunzătoare a lărgimii benzii canalului optic.22) nu este aplicabilă pentru fibre monomod. unde 2 1 dn = 100 s/m3 pentru germano-silicat.28) este în jurul a 1 GHz⋅km descrescând sub 0. Din acest motiv. produsul lungime–bandă maxim. B 2O3. astfel încât indicele de refracţie depinde de „istoria” termică a probei. unde produsul lungime–bandă ce poate fi obţinut cu diode luminescente este sunt peste 100 MHz⋅km. 5. este de presupus că performanţa fibrelor multimod este limitată de diferenţele de întârziere modală care limitează produsul lungime–bandă la 3 GHz⋅km.

Aceasta impune date asemănătoare cu cele din figura 5. Pentru a proiecta cel mai bun profil de indice pentru o lungime de undă de lucru dată. Dacă relaţia (3. ca urmare şi de r.fi cele mai pertinente în contextul acestui subiect. ei au găsit două valori R c posibile.37). pentru sisteme binare de dioxid de siliciu Descrierea prin relaţia (3. Fig.13 pentru lungimi de undă de până la 1600 nm. g0. Se constată o variaţie liniară a indicelui în funcţie de concentraţia de moduri. De exemplu. conform cu (3. o fibră de germano-silicat proiectată pentru ceea mai bună performanţă la 800 nm.35) nu este aplicabilă strict la sistemele de silicaţi de mai sus.14 arată rezultatele obţinute pentru cele trei importante sisteme binare de dioxid de siliciu. S-au studiat profiluri ale miezului proiectate pentru compoziţii ternare. Pentru o compoziţie ternară dată.14. Lărgimea benzii la această lungime de undă este de aceea cu aproximativ un ordin de mărime mai mică decât la lungimea de undă pentru care fibra a fost proiectată. această separare nu este îndeplinită în totalitate. deoarece ea impune ca F să fie separabil în forma Fλ(λ)⋅Fr(r). 5. trebuie determinat exponentul profilului. 14 – Exponentul optim al profilului. Figura 5. are un exponent de profil care are o abatere de 10 % la 1600 nm.37) depinde de compoziţie şi. fiecare asociată 157 . Figura 5. încercându-se alegerea unui raport de concentraţie Rc a oxizilor (de exemplu. GeO2 cu P2O5) astfel încât g0(λ) să aibă o dependenţă minimă de lungimea de undă în domeniul lungimilor de undă de interes.13 prezintă rezultatele obţinute din măsurătorile de indici de refracţie ai fibrelor la sau în jurul lungimii de undă a liniei D a sodiului. ceea ce este evident în figura 5. O problemă importantă în proiectarea cablurilor de fibre cu largi aplicaţii este variaţia lui g0 în domeniul lungimilor de undă de interes.

majoritatea fibrelor nu prezintă rezistenţe la rupere în apropierea acestei valori. Cum şi câmpul modurilor în fibră prezintă de asemenea o periodicitate radială proprie (figura 3.34). în fibrele de sticlă se produce o rupere secvenţială a legăturilor atomice locale la marginea unei fracturi de la suprafaţă când tensiunea locală 158 . teoria prevede reducerea benzii la 100 MHz/km la variaţii de indice de numai 0. Chiar cu depunerea radială din fază de vapori. în general. s-a sugerat combinarea celor două soluţii pentru a câştiga un grad adiţional de libertate util. în jurul acestui defect apar concentrări locale ale tensiunilor. Având în vedere că suma a două soluţii de forma (3. protejate cu grijă. perturbaţia critică a răspunsului la impulsul transmis apare când există multe moduri cu periodicitatea apropiată de periodicitatea indicelui de refracţie. dependentă de numărul şi grosimea straturilor depuse. Performanţa fabricării fibrelor în ceea ce priveşte lărgimea de bandă rămâne însă cu un ordin de mărime mai mică faţă de cei 50 GHz⋅km prevăzuţi teoretic ca fiind posibil de realizat.2⋅E. În acest caz.cu un exponent g0 diferit. în realizarea unei variaţii mari de indice. Într-un metal.35) este o şi ea o soluţie a lui (3. de exemplu.5. Celelalte perturbaţii sunt de tipul unor „striaţii” concentrice de indice. care sunt produse în procesul de fabricaţie. 5. în probe de lungimi mici. S-a estimat această rezistenţă ca fiind o treime din modulul de elasticitate la întindere. Deşi experimental s-au determinat valori ale rezistenţei la rupere de până la 0. Dacă există o fisură în material. Destul de des. prin deformarea plastică are loc modificarea formei fisurii pentru a reduce concentraţia de tensiuni. În schimb. Rezistenţa la rupere a fibrei Rezistenţa teoretică la rupere a sticlei este determinată de forţele de legătură dintre atomii constituenţi.3).01⋅∆ într-un profil altfel perfect. Striaţiile tind să aibă o periodicitate radială. Acest cel mai λ rău caz se întâmplă atunci când striaţiile indicelui sunt spaţiate la în NA miezul fibrei. care. permite cel mai bun control. această proiectare poate permite o egalitate foarte bună pe un domeniu larg de lungimi de undă sau la două lungimi de undă specifice. Una este scăderea indicelui miezului. apar două perturbări de interes. E = 72 GN/m 2 pentru sticlă topită (o astfel de solicitare rezultă atunci când de o fibră de diametru 110 µm este atârnată o masă de 1 kg). cauzate de volatilizarea dopantului între depunerile radiale succesive.3. În funcţie de scop. la care are loc funcţionarea sistemelor. scăderea se extinde la 1/10 din raza miezului şi atinge valoarea indicelui învelişului în centru. provocată de volatilizarea dopantului în procesul de formare a fibrei în tubul iniţial la procesul de depunere chimică modificată din fază de vapori.

15 prezintă un grafic ℓ⋅H = – ln(1 – F) în funcţie de σ şi ρ pentru fibre fabricate în condiţii controlate. pentru σ mic (legături slabe) este relevantă. Figura 5. mărimea şi forma fisurii sunt valori statistice. de exemplu probabilitatea de rupere de 1 % pentru probe de 1 km se obţine la un efort unitar de 3. Cum numai distribuţia la margini. Desigur.15 au fost folosite cuptoare cu inducţie cu senzori de zirconiu şi laseri cu CO 2. de rază ρ. graficul este o linie dreaptă (figura 5. printr-un înveliş din plastic (teacă.23) indică numai faptul că fisura cea mai mare sau critică avea o dimensiune în jurul a 30 nm. Reprezentând H în funcţie de σ într-un grafic logaritmic. σc este: σc = 0. unele probabil apărute după fabricaţie. 159 . efortul unitar critic. Pentru o fisură semicirculară normală pe axa fibrei. 0) unde H(σ) reprezintă distribuţia tensiunilor în legături.5 GN/m 2. Acest fapt sugerează prezenţa mai multor distribuţii de fracturi rezultate din diferite fenomene. pentru a înlătura fisurile superficiale. Acest proces determină o lărgire accelerată a fisurii.5 GN/m2. În particular pentru această fibră. Datele au fost obţinute pentru fibre standard. Suprafaţa fibrei trebuie să fie protejată imediat după tragere. de laborator. de 20 m lungime. astfel încât să determine probabilitatea de rupere la lungimi mai mari. De exemplu. ℓ) = 1 – e − l H( σ ) (5. jachetă).8 MN/m pentru dioxid de siliciu. este de aşteptat o dependenţă pentru marginile lui H(σ) de forma unei funcţii putere. tija preformată trebuie să aibă o bună calitate a suprafeţei şi trebuie să fie bine lustruită.15).atinge valoarea teoretică a tensiunii de rupere. Atmosfera din cuptor trebuie să fie curată şi bine controlată.9). se poate găsi probabilitatea ca o probă de lungime ℓ să se rupă la aplicarea unui efort unitar mai mic sau egal cu σ: F(σ. 0) 3/2 unde kc = 0. Pentru a obţine o astfel de rezistenţă la rupere.89⋅kc⋅ ρ (5. care este aplicat pe loc (on-line) (figura 5. Pentru producerea fibrelor cu caracteristicile arătate în figura 5. relaţia (5. dacă o mostră de fibră se rupe la 3. de rezistenţe la rupere inegale. Panta abruptă indică o distribuţie aproximativ constantă a tensiunilor (şi a mărimii fisurilor) care este caracteristica unei fibre de rezistenţă mare. dar pot fi modificate. Considerând un model de legături în lanţ. Dispozitivul de aplicare a tecii şi în special marginea inferioară a tubului prin care trece fibra trebuie proiectate în aşa fel încât să nu deterioreze fibra.

Fig. σF. dacă aceste tensiuni acţionează un timp suficient de lung. σS. o estimare a rezistenţei fibrelor de lungime mare din testări de probe scurte nu este sigură. care controlează rata creşterii fisurilor existente iniţial. Fibrele care nu trec acest test sunt respinse. dar care este mult sub tensiunea critică. Acest fenomen este cunoscut sub numele de oboseală statică şi este accelerat de prezenţa ionilor OH – pe suprafaţa fibrei. sub acţiunea unor tensiuni statice mai mici decât tensiunea de siguranţă. fibrele pot suferi fisuri ulterior. Conform teoriei acestui mecanism. la testarea dinamică se va rupe la σ < σc după un timp: σ T = T0⋅ e −η σC (5. Majoritatea fibrelor pentru comunicaţii sunt de aceea supuse unui test la o tensiune de siguranţă. 15 – Probabilitatea cumulată de rupere a fibrelor optice de rezistenţă mare pentru lungimi standard de 20 m (linia continuă) şi 100 m (linia întreruptă) Multe fibre fabricate pe scară largă sunt lipsite de caracteristicile de rezistenţă definite în figura 5.15. Ca rezultat. o probă care este de presupus să se rupă la σc. Din nefericire. Fenomenul se poate explica printr-un mecanism de coroziune prin tensiune. 0) 160 . 5. care depăşeşte orice tensiune presupusă în fabricarea şi instalarea ulterioară a cablului.

trebuie să fie neted şi flexibil. Aceste materiale.12 GN/m2 timp de cel puţin un an.12 GN/m2. prin înlocuirea lui σc cu σs în relaţia (5. ceea ce ar creşte atenuarea luminii. Ca rezultat. silanul adăugat poli-epoxi-acrilatului poate modifica interfaţa plastic-dioxid de siliciu şi inhiba reacţia apei cu suprafaţa sticlei.unde T0 şi η sunt constante de material care în primă instanţă numai de temperatura şi umiditatea ambientale. la mânuirea imediată şi depozitare. Totuşi. se găseşte timpul de viaţă minim estimat al unei fibre supuse unei tensiuni statice σ. oferind numai o protecţie mecanică limitată. În acelaşi timp. 161 . În prezent. de asemenea. copolimer polietilenă-poliacetat de vinil sau epoxi-acrilat. În prezent. ca orice alt polimer plastic. asigură o protecţie redusă contra umidităţii. ar trebui să reziste la o tensiune statică de 0. jachetele aplicate în procesul de fabricaţie sunt de obicei netede şi moi. Pentru dioxid de siliciu la umiditate 97 % şi 20 °C. pentru a preveni formarea microîndoiturilor de-a lungul fibrei.24).35 GN/m2. Ele sunt făcute din silicon. polimerizat într-un strat subţire sub acţiunea fasciculelor de electroni sau radiaţie ultravioletă. cablurile de fibre sunt proiectate în general cu componente de tensiune pentru protecţia fibrelor de comunicaţie la orice suprasarcină de întindere. pe cale empirică s-a găsit că T0 este de ordinul 1010 ani şi η = 66. valorile tensiunii statice pot fi păstrate mult sub 0. de exemplu. proiectate pentru a păstra la o valoare minimă tensiunea la care sunt supuse în secţiuni curbate ale cablurilor. Fibrele sunt. oboseala statică poate fi întârziată. σS < σc pentru probe testate la rezistenţă. O fibră testată la valoarea σs = 0. În acest fel. Folosind valoarea limită inferioară. Stratul de protecţie aplicat trebuie să fie tare şi fără pori.

suprafaţa fisurii. la aproximativ de 3 ori valoarea critică a tensiunii. fisura iniţială trebuie să măsoare 1/9 din diametrul fibrei. dimensiunile fisurii au crescut de 9 ori faţă de dimensiunile iniţiale. Când începe formarea acesteia. capătă o formă neregulată. În acest fel. aşa cum rezultă din relaţia 5. Astfel. 162 . Pentru a reduce mărimea necesară a fisurii. este necesară o tensiune de întindere neuniformă. în materialul normal se propagă un front de fisurare. Fisura este creată prin zgâriere cu un vârf de diamant sau de grafit. până acum plată.Fragilitatea ducând la fisurarea sticlei poate deveni însă un avantaj pentru producerea capetelor de fibră plate pentru îmbinări. Când la o fisură superficială este atinsă tensiunea critică. pentru a rupe o fibră cu fisuri fără suprafeţe neregulate sub acţiunea unei tensiuni de întindere uniforme. fibrele cu diametre de până la 157 µm pot fi rupte fără a căpăta suprafeţe neuniforme folosind o fisură iniţială de 6 µm.23. astfel încât tensiunea de întindere să scadă dincolo de locul fisurii. Raza mosorului în acest caz trebuie să fie de 100 nm. Acest lucru poate fi realizat prin îndoirea fibrei întinse pe un mosor corespunzător. Dincolo de acest punct. Tensiunea din imediata apropiere a frontului de fisurare continuă să crească în timpul acestui proces până când efectele elastice neliniare încep să predomine.

Dispozitive receptoare de radiaţie electromagnetică 6. în care radiaţia produce încălzirea materialului detectorului. informaţia asupra fazei şi frecvenţei radiaţiei detectate se păstrează. când aceştia sunt emişi în exterior. conform căruia detectorii se clasifică în: • detectori fotonici. funcţionând pe principiul heterodinării converteşte unda incidentă într-o alta. Efectele fotonice interne. detectorul piroelectric. la rândul lor. ele putând fi interne. Astfel. Detectorii de radiaţii electromagnetice se pot clasifica după mai multe criterii. din această categorie fac parte termistorul. Primele două categorii sunt detectori cu răspuns incoerent. pentru un anumit domeniu. care. după modul în care este procesată informaţia primită prin intermediul radiaţiei. În ceea ce priveşte efectele fotonice. care pot avea loc în semiconductori. în procesul de detecţie. la care.1. ele constau în interacţiuni directe ale radiaţiei (fotonilor) cu electronii materialului. cu frecvenţă mai joasă. bolometrul. Un alt criteriu de clasificare este cel al mecanismului de interacţie a radiaţiei cu substanţa.1. ca urmare a caracteristicilor specifice de interacţiune dintre un anumit tip de radiaţie electromagnetică şi substanţă. Dispozitive optoelectronice semiconductoare 6. în domeniul radio sau microunde şi amplificatorul parametric în care sunt mixate două radiaţii coerente. • detectori pe bază de interacţie de undă. în care fotonii interacţionează direct cu electronii din material. în timp ce a treia categorie reprezintă detectori cu răspuns coerent. producându-se diferite efecte fotonice. • detectori cu răspuns coerent. detectorul piromagnetic şi altele. detectorii sunt de două feluri: • detectori cu răspuns incoerent. rezultând o radiaţie cu frecvenţa egală cu suma sau diferenţa frecvenţelor celor două radiaţii iniţiale. funcţionarea acestora fiind însă foarte specializată. • detectori termici.6. se pot clasifica. din această categorie fac parte detectorul heterodină.1. la care. detectorul termoelectric. în prezent s-au pus la punct detectori pentru toate domeniile spectrale. când electronii excitaţi rămân in interiorul materialului sau externe. în procesul de detecţie se pierde informaţia asupra fazei şi frecvenţei radiaţiei detectate. pe baza cărora funcţionează prima categorie de detectori. Noţiuni generale În ciuda spectrului foarte larg al radiaţiei electromagnetice. în trei categorii: 163 .

0) tT l 164 . se produc două efecte care sunt: fotoconductivitatea intrinsecă sau extrinsecă (creşterea conductivităţii sub acţiunea radiaţiilor) şi efectul fotovoltaic (apariţia unei tensiuni fotoelectrice datorită unui câmp electric intern care separă perechile de electron-gol generate de radiaţie) interacţiunea fotonilor incidenţi cu purtătorii liberi interacţii localizate (sub acţiunea radiaţiei incidente. 6. 1 – Structura unui fotorezistor În scurtcircuit. se defineşte ca raportul dintre numărul purtătorilor de sarcină electrică liberi din circuitul exterior şi cel al purtătorilor generaţi de radiaţie sau ca raportul dintre timpul de viaţă. aşa cum s-a văzut. de nechilibru. Structura unui astfel de dispozitiv este prezentată în figura 2. electronii sunt excitaţi pe stări energetice localizate).2. Acesta din urmă. Fotorezistori Fotorezistorul este un dispozitiv semiconductor a cărui rezistenţă electrică se modifică sub acţiunea radiaţiei electromagnetice incidente. Φ V Elect rod transparent Semiconductor Elect rod opac Fig.• • • generare de purtători de neechilibru. tT al acestora între electrozii fotorezistorului: τ τµV = 2 a= (6. prin procese asemănătoare cu cele de generare termică. la modificarea conductivităţii materialului şi deci a rezistenţei sale. 0) unde A este aria suprafeţei fotorezistorului. Φ fluxul de radiaţie incidentă. filme fotografice şi detectori cuantici în infraroşu. El poate fi construit din semiconductor intrinsec sau extrinsec şi funcţionează pe baza fenomenului de generare optică ce duce. fotorezistorul este străbătut de un curent: Isc = e⋅A⋅η⋅a⋅Φ (6. aşa cum este cazul proceselor care au loc în luminofori.1. τ.2. 6. iluminat cu o radiaţie incidentă având fluxul Φ. η randamentul cuantic. caz în care pot fi generaţi purtători de sarcină electrică liberi. Ca urmare a acestor procese. al purtătorilor (majoritari) şi timpul de tranzit. şi a coeficientul de amplificare al fotorezistorului.

Aplicaţia de bază a fotorezistorilor este cea de convertor optoelectric. astfel. CdSe. Pentru cazul când radiaţia incidentă este modulată. ceea ce înseamnă că.unde ℓ este distanţa dintre electrozi şi V este diferenţa de potenţial dintre aceştia. Frecvenţa ν0 = 1/2πτ . la creşterea coeficientului de amplificare. Un astfel de 165 . scade frecvenţa de tăiere şi invers. mai mare sau cel puţin egală cu frecvenţa de prag. pentru vizibil şi ultravioletul apropiat. . Φ − fluxul radiaţiei incidente şi ν − frecvenţa acesteia. numit fotocurent. O caracteristică foarte importantă a unui fotorezistor este curba spectrală de răspuns.3. în scurtcircuit (fără polarizare exterioară. raportul σ/σ0 este o mărime caracteristică ce ne arată sensibilitatea dispozitivului la acţiunea radiaţiei incidente. I = − IL. curentul electric total prin diodă are expresia:  eV  kT − I =Is ⋅ 1 e −I L   (6. 0) hν unde e este sarcina electrică elementară. 0) Se poate constata că. la care curentul de scurtcircuit scade de 2 ori din valoarea Isc(0) reprezintă frecvenţa de tăiere a fotorezistorului. V = 0). selenurile şi telurile unor elemente. h − constanta Planck. Fotoelemente Sub acţiunea radiaţiei electromagnetice incidente. în funcţie de care se stabileşte domeniul de utilizare a dispozitivului respectiv. 6. Fotodiode. În aceste condiţii. de intensitate IL. R = R(λ). 0) 1 + 4 π2 ν 2 τ 2 unde ν este frecvenţa de modulare. Tl2S iar pentru infraroşu: PbS. dată de o expresie de forma: eηΦ IL = (6. curentul de scurtcircuit este dat de relaţia: Isc ( 0 ) Isc ( ν ) = (6. cele mai utilizate materiale sunt: CdS. PbTe. ca şi compuşi de tipul A 3B5. PbSe. η − eficienţa cuantică (numărul de purtători generaţi de un foton absorbit). Cele mai utilizate materiale pentru construirea de fotorezistori sunt sulfurile.1. Se poate constata că produsul α⋅ν0 este o constantă a dispozitivului pentru o tensiune de polarizare dată. într-o joncţiune p-n determină apariţia unui curent suplimentar faţă de curentul de polarizare. InSb. De asemenea. în semiconductor are loc generarea unor purtători de neechilibru care. prin diodă circulă un curent egal cu fotocurentul.

VL. 2 – Scheme de utilizare a fotodiodei: traductor optic (a). caracteristica este cea a unei diode semiconductoare obişnuite.a.3. posedând o joncţiune p . Fig. 0) e  Is  În acest caz. De obicei. reprezentând o sursă de tensiune electromotoare ce converteşte direct energia luminoasă în energie electrică. aşa cum se poate vedea în figura 2. luxmetre.n sensibilă la radiaţia electromagnetică. Pentru o eficienţă cât mai mare. Cum sensul fotocurentului IL este invers curentului de difuzie caracteristic unei diode polarizate direct. 6. Puterea debitată de o fotodiodă este mică. sub acţiunea radiaţiei electromagnetice.dispozitiv. permiţând comanda curentului electric din circuit prin intermediul unui flux luminos. deci cu iluminarea.2. fotoelementele trebuie să aibă o suprafaţă de recepţie a luminii cât mai mare (mult mai mare decât cea a unei fotodiode). fotodioda se foloseşte în circuite electronice ca traductor optic. dispozitivul se numeşte fotoelement. La valoarea Φ = 0. detector pentru măsurarea unor mărimi fotometrice (b) Dacă joncţiunea fotosensibilă este în circuit deschis (I = 0). la bornele acesteia apare o tensiune electromotoare. caz în care la bornele fotodiodei se leagă un galvanometru (figura 6. Puterea debitată în mod obişnuit de un fotoelement este de ordinul a 10-2 W iar randamentul de conversie (raportul dintre puterea electrică disipată şi fluxul energetic incident) atinge 21% utilizând GaAs. Ea se mai poate folosi şi în circuite de măsurare a mărimilor fotometrice (fotometre.3. la diferite valori ale fluxului radiaţiei incidente. atunci se constată că. se numeşte fotodiodă. exponometre).b) ce măsoară direct fotocurentul proporţional cu fluxul incident şi. curentul invers prin fotodiodă creşte VL = 166 . 18% utilizând Si şi 10 % pentru CdS. Caracteristica curent-tensiune a unei joncţiuni p – n fotosensibile este reprezentată în figura 6. având expresia: kT  I L  ⋅ 1 +  (6. celulă fotovoltaică sau celulă solară.

atât fotodiodele cât şi fotoelementele trebuie construite în capsule transparente în domeniul spectral al radiaţiei electromagnetice la care ele funcţionează. curentul la întuneric şi banda de trecere. Răspunsul este dat de raportul dintre fotocurentul IL şi puterea optică incidentă. Cadranul III corespunde regimului de fotodiodă. 6. 3 – Caracteristica curent-tensiune a unei joncţiuni p-n fotosensibile Evident. în timp ce cadranul IV corespunde regimului de fotoelement. 167 . generat de curentul prin diodă (relaţia 6. 0) hν Fotocurentul este redus şi mai mult dacă perechile electron-gol fotogenerate se recombină în fotodiodă în loc să ajungă în regiunile unde aceşti purtători sunt majoritari. Construcţia trebuie să asigure ca marea majoritate a fotonilor radiaţiei incidente să ajungă în regiunea joncţiunii p – n. adevărata limitare este dată de zgomotul de alice. Curentul la întuneric este curentul prin diodă în absenţa luminii. deoarece un fotocurent mult mai mic decât curentul de întuneric este dificil de măsurat. I V Φ=0 Φ1 Φ 2 > Φ1 Fig.odată cu creşterea fluxului radiaţiei incidente. Fotocurentul în prezenţa unei reflecţii R la suprafaţa fotodiodei şi a unei absorbţii pe grosimea d în materialul cu un coeficient de absorbţie α este dat de: −αd eP IL = ( 1 − R ) ( 1 − e ) in (6. Totuşi. Fotocurentul maxim într-o fotodiodă este date de: e P0 IL max = (6. Acest fotocurent maxim se obţine când fiecare foton incident creează o pereche electron-gol. Caracteristicile primare ale unei fotodiode sunt răspunsul. P0. el limitează puterea minimă detectată de fotodiodă. În mod evident. reprezentând funcţionarea dispozitivului la polarizare inversă. care contribuie la fotocurent. 0) hν unde P0 este puterea optică incidentă.17).

doar fotonii cu energie mai mare decât lărgimea benzii interzise a semiconductorului generează perechi electron-gol.4. Fig.8 eV. 4 – Caracteristicile (I-V) şi (P-V) ale unei celule solare cu un fotocurent de 1 mA Curentul şi puterea în funcţie de tensiunea de polarizare a diodei sunt reprezentate în figura 6.4. Eficienţa totală a conversiei de energie a celulelor solare mono-cristaline are valori între 10 şi 30 %. Celule solare Celulele solare sunt. De aceea.3). Puterea generată depinde de celula solară însăşi şi de sarcina conectată la ea.1. O parte semnificativă a energiei emise este în domeniul vizibil (400 . de anotimp şi de latitudinea locaţiei. densitatea de putere disponibilă depinde de momentul zilei. Determinarea puterii maxime a unei celule solare este ilustrată de figura 6. determinând o densitate de putere electrică de 10 ÷ 30 mW/cm2. Fenomenele de împrăştiere şi absorbţie în atmosferă şi unghiul de incidenţă afectează densitatea de putere incidentă.6. 168 . Din lumina solară care ajunge la suprafaţa celulei solare. 6.700 nm). având un maxim la 0. de obicei. cu un fotocurent de 1 mA (în fapt. regiunea din cadranul IV al graficului din figura 6. Doar o parte din spectrul luminii solare ajunge la suprafaţa Pământului. Spectrul Soarelui este de tipul celui emis de un corp negru la o temperatură de 5800 K. mai exact de tipul radiaţiei corpului negru. Densitatea de putere este aproximativ 100 mW/cm2. Energia solară este sub forma radiaţiei electromagnetice. iluminate cu lumină solară şi sunt folosite pentru conversia energiei solare în energie electrică.4 pentru o celulă obişnuită.

VL şi curentul de scurtcircuit (fotocurentul). dar scade rapid la zero în jurul tensiunii de deschidere. O celulă fotovoltaică poate fi definită ca un dispozitiv care generează perechi de purtători de sarcini negative şi pozitive prin absorbţia luminii. I şi. Unele dintre aceste componente au nevoie de dezvoltări viitoare şi de reduceri ale costului înainte ca sistemul fotovoltaic să devină practic pentru utilizarea pe scară largă. Pm. al celulei solare este definit ca raportul dintre puterea maximă a celulei şi produsul dintre tensiunea în circuit deschis.5 ilustrează părţile esenţiale ale unei celule fotovoltaice. Puterea maximă este obţinută la tensiunea Vm şi curentul Im. De obicei. Există foarte multă literatură care tratează despre efectul fotovoltaic şi despre principiile funcţionării celulelor fotovoltaice. Punctele marcate pe grafic indică tensiunea V m şi curentul Im. Factorul de umplere. celula fotovoltaică este elementul cheie al unui sistem energetic solar şi este cea mai importantă problemă. concentratori de radiaţie solară. permite transportul acestor purtători (în general prin difuzie) într-o zonă de discontinuitate din vecinătate într-o structură sau regiune unde există o barieră de potenţial şi unde sarcinile negative şi cele pozitive sunt separate prin acţiunea unui câmp electric. 0) I L VL Conversia fotovoltaică pe scară largă necesită componente ce vor opera cu celule fotovoltaice care formează un sistem. la început. V şi curentul prin ea. necesară pentru a ajunge. Într-un semiconductor puternic absorbant. pentru materialele absorbante de lumină este folosit un cristal semiconductor cu o structură perfectă şi chimic relativ pur. furnizând astfel un mijloc de colectare a sarcinilor şi conducerea lor printr-un circuit extern. convertoare de curent continuu în curent alternativ şi transformatoare de tensiune. Dintre aceste componente. lumina va fi absorbită generându-se (generare optică intrinsecă) purtători de sarcină 169 . echipamente de condiţionare a puterii pentru adaptarea încărcării. Suprafaţa haşurată este numeric egală cu puterea generată de celula solară. IL: I V m= m m (6. ea creşte liniar cu tensiunea. Un semiconductor pur permite sarcinilor pozitive şi negative generate să migreze la o distanţă finită. Reduceri de cost de 2-3 ori ale celulelor fotovoltaice sunt necesare înainte ca acestea să devină practice.Puterea electrică furnizată de celulă este dată de produsul dintre tensiunea la bornele acesteia. m. Figura 6. în apropierea zonei de discontinuitate (stratul de baraj al joncţiunii p-n) fără a se recombina. sub influenţa câmpului electric. pentru care este generată puterea maximă. În plus. sunt necesare şi alte componente ce vor fi incluse în acest sistem de conversie a energiei: dispozitive de orientare a suprafeţei. mijloace de stocare a energiei.

O celulă solară cu un monocristal de siliciu este un exemplu clasic de celulă solară cu joncţiune p-n. Pentru o sursă de lumină dată. este formată prin difuzia unor impurităţi dopante convenabile în masa cristalului semiconductor de siliciu. Regiunea de tranziţie de la tipul p la tipul n de conducţie este o homojoncţiune p-n. energia în exces peste energia E g transformându-se în căldură. de aceea.electrică într-o regiune limitată în adâncime. Astfel de semiconductori cu absorbanţă înaltă pot fi mai puţin puri şi. O caracteristică importantă a semiconductorului absorbant de lumină este banda interzisă. cum este Soarele este mai mic. Celula solară CdS este o celulă cu o heterojoncţiune cu Cu2S/CdS. Cu cât este mai mică E g. în consecinţă. Heterojoncţiunea p-n este o structură similară homojoncţiunii p-n. nu pot contribui la generarea de purtători de sarcină electrică. 170 . Fotonii care au energie mai mică nu vor fi absorbiţi prin astfel de procese şi. 6. Catod Flux de fotoni Circuit electric exterior Anod Strat de baraj Fig. cu atât numărul perechilor de purtători generaţi este mai mare şi cu atât este mai mică energia asociată fiecăruia. 5 – Structura unei celule fotovoltaice Cel mai comun mecanism de separare a sarcinilor este bariera potenţială asociată cu o joncţiune p-n. Fotonii care au o energie mai mare decât E g vor fi absorbiţi şi vor genera purtători de sarcină electrică. în timp ce zona de discontinuitate poate fi localizată mai aproape de regiunea unde sunt generate sarcinile. Cu cât este mai mare Eg. În general. cu excepţia faptului că regiunile n şi p sunt două materiale semiconductoare diferite. Aceasta are o lărgime Eg. egală cu energia minimă pe care un foton trebuie să o aibă pentru a genera o pereche electron-gol. pentru a obţine joncţiunea p-n. cu atât numărul perechilor de purtători generaţi de o sursă de lumină cu spectru larg. există o valoare optimă lărgimii benzii interzise care va determina răspunsul maxim posibil al unei celule fotovoltaice. o lungime de difuzie mai scăzută. dar cu atât este mai mare energia asociată fiecăruia.

S-a calculat eficienţa maximă posibilă a conversiei.3 InP 1. precum şi lărgimea benzii interzise a acestora. Primul termen din membrul drept al ecuaţiei (6. de temperatura celulei şi impedanţa sarcinii conectate la terminalele celulei. iar V este căderea de tensiune la bornele sarcinii. Răspunsul electric al unei celule solare variază în funcţie de intensitatea şi conţinutul spectral al luminii incidente.45 26.23 ~ 13 CdS 2.05 19. permiţând purtătorilor majoritari să traverseze joncţiunea şi să difuzeze ca purtători minoritari. celulele proiectate pentru uzul terestru sunt în general testate în lumină echivalentă luminii solare normale la nivelul mării într-o zi senină cu Soarele la amiază şi cu temperatura normală a celulei ( în jur de 25 oC). reprezentând curentul de difuzie care trece prin diodă când o tensiune de polarizare directă reduce înălţimea barierei de potenţial în joncţiune.5):  eV  kT − I =Is ⋅ 1 e −I L   unde Is este curentul invers de saturaţie. Densitatea de energie incidentă în aceste condiţii este de aproximativ de 100 mW/cm2.4 GaAs 1. ca rezultat al recombinării şi captării lor în reţea.12 20. Id2.42 ~ 10 Celula solară clasică este o joncţiune p-n de arie mare. Procesul de conversie a unei celule solare poate fi descris de o joncţiune p-n polarizată invers.7 CdTe 1.35 23. dat de: 171 . care poate converti energia radiaţiei solare direct în energie electrică. Tabel 6.1 prezintă aceste rezultate pentru unele materiale semiconductoare de interes. care poate fi obţinută la celulele fotovoltaice cu materiale semiconductoare din lumină solară. Pentru comparaţie. ceea ce determină o corecţie a curentului total direct.25 22.5) este curentul ideal al unei diode semiconductoare (Id1). legată în paralel cu o sursă de curent constant generat de lumină (I L). la suprafaţa Pământului) Material Eg (eV) Eficienţă maximă Cu2S 1. Într-o diodă reală unii purtători se pierd în regiunea de difuzie.7 Si 1.1 – Lărgimea benzii interzise şi eficienţa maximă pentru celule semiconductoare fotovoltaice (în lumina solară. Curentul total I a unui astfel de dispozitiv ideal poate fi exprimat de relaţia (6. Tabelul 6.5 GaP 2.

eV
 nkT

Id = I s  e − 1 ÷
(6. 0)


unde n este factorul de diodă, caracteristic joncţiunii respective (≥ 2).
Rezultatul recombinării este reducerea eficienţei celulei. În plus, întro celulă solară este întotdeauna prezentă o rezistenţă intrinsecă serie, RS,
datorată în principal rezistenţei regiunii de difuzie. Rezistenţa de bază a
regiunii şi contactele sunt alte cauze ale rezistenţei serie. De aceea, tensiunea
de ieşire diferă de tensiunea joncţiunii cu valoarea IRS.
Curentul de şunt (sau de pierderi) rezultă din imperfecţiuni care
şuntează joncţiunea, în special la margini, unde se formează cu uşurinţă căi
de conducţie superficiale. Acest efect este reprezentat printr-o rezistenţă şunt,
RSH, de-a lungul joncţiunii. De aceea, curentul final al unei celule solare este
dat de:
 e( V − IR S )   V − IR S 
I = Is e nkT − 1 + 
(6. 0)
÷ – IL

  R SH 

Prin alegerea adecvată a sarcinii, se poate obţine o putere maximă în
jur de 80 % din produsul IL⋅VL.
Prezenţa centrilor de recombinare în cristal şi rezistenţa şunt reduc
bineînţeles mărimea lui VL.
În plus faţă de VL şi IL, din caracteristicile I–V ale unei celule solare
pot fi obţinute puterea maximă, Pm, randamentul de conversie, η şi factorul
de umplere, m.
Randamentul celulei este dat de raportul dintre puterea maximă de
ieşire şi puterea radiaţiei incidente (Pin ∼ 100 mW/cm2 în condiţiile amintite
mai sus) şi e dată de:
Pm mVL I L
=
η=
(6. 0)
Pin
Pin
După cum se vede din discuţia de mai sus, pentru un randament
superior, rezistenţa serie, rezistenţa şunt şi centrii de recombinare trebuie să
fie reduşi la minim. De aceea, defectele punctiforme, impurităţile active
electric, incluziunile şi precipitatele afectează performanţele celulei.
Proiectarea unei celule solare optimizate implică luarea în
considerare, pe de o parte a caracteristicilor sistemului şi performanţelor
celulei, iar pe de alta a costurilor materialelor şi procesului de fabricare. În
timp ce cerinţele de proiectare variază în funcţie de diferitele scopuri de
aplicare, detaliile specifice de proiectare a celulelor sunt strâns legate de
procesele tehnologice de fabricaţie.

172

Contact frontal
Vedere de sus


n+
Vedere laterală

Contact frontal
joncţiune p-n

p

p+
Contact posterior
Câmp superficial posterior

Fig. 6. 6 – Construcţia unei celule solare din siliciu monocristalin

Cea mai simplă celulă de siliciu constă într-o joncţiune superficială, în
contact direct cu o regiune de bază, în care perechile de purtători se formează
la absorbţia luminii. Sunt necesare contacte electrice externe la aceste
regiuni. Pentru îmbunătăţirea performantelor celulei, se folosesc elemente de
proiectare adiţionale, cum sunt:
un strat de material antireflectorizant, depus pe suprafaţa
frontală, pentru creşterea procentului intensităţii luminii incidente care
intră în celulă;
contact metalizat pe suprafaţa posterioară, cu rol suplimentar
de reflexie optică, în scopul creşterii grosimii efective a celulei;
o joncţiune de câmp superficial posterior, pentru creşterea
tensiunii şi curentului de ieşire;
structură cu impurificare gradată, pentru îmbunătăţirea
eficienţei de colectare a purtătorilor.
Construcţia unei celule solare cu CdS cu expunere posterioară este
reprezentată în figura 6.7.
În principiu, ea este asemănătoare cu cea a celulei cu expunere
frontală, cu excepţia faptului că substratul este transparent iar electrodul
pozitiv nu este transparent şi, de aceea, lumina intră în celulă prin substrat şi
apoi ajunge la pelicula de CdS, în loc să fie direct incidentă pe stratul de
Cu2S. În mod obişnuit, celulele cu expunere posterioară sunt făcute pe

173

substraturi de sticlă conductoare cu peliculă de CdS formată prin proces de
pulverizare pirolitică.
Pb (2,0 µm)

Cu colector

+

Cu2S
Cu (0,7 µm)

+

CdS nedopat

electrod negativ din SOx
CdS puternic dopat
sticlă

Fig.6. 7 – Construcţia unei celule solare cu CdS cu expunere posterioară

Celulele cu expunere posterioară cu cost redus, realizate în producţia
de masă, sunt fabricate conform unui proces în care învelişul conductor din
SnO2, pelicula subţire de CdS şi stratul de Cu2S sunt toate formate prin
depunere pirolitică pe un strat lung şi continuu de sticlă. Acesta este tăiat apoi
în unităţi modulare de lungime fixă, pentru delimitarea celulelor individuale
şi pentru depunerea electrozilor şi încapsularea finală.
Ca substrat pentru celulele cu expunere posterioară este folosită sticla
sodică, fără conţinut de fier, pentru a reduce absorbţia de lumină în sticlă.
Cum substratul de sticlă este partea structurală principală a dispozitivelor cu
celule cu expunere posterioară, acesta trebuie să fie destul de gros pentru a
susţine fizic dispozitivul pentru perioade lungi de expunere în mediul
exterior. Valoarea uzuală a grosimii sticlei este de aproximativ 0,3 mm.
Grosimea este foarte importantă pentru că substratul de sticlă în sine
reprezintă mai mult de o jumătate din costul final estimat al panoului solar.
Cele mai bune celule cu peliculă de CdS cu expunere posterioară
implică straturi fine de SnO2, cu o textură netedă având o mărime a
granulelor de aproximativ 0,1 µm. La temperaturile relativ înalte cerute de
depunerea pirolitică, este de aşteptat ca urme de impurităţi din sticlă să difuze
în stratul de SnO2 şi Sn şi urme de impurităţi din stratul de SnO 2 să difuze în
stratul de CdS şi chiar dincolo de limitele regiunii de joncţiune. De aceea,
compoziţia şi puritatea substratului şi ale variatelor soluţii pulverizate au un
efect asupra proprietăţilor optice şi electrice ale celulelor şi trebuie controlate
cu atenţie.

174

Celulele cu peliculă de CdS cu expunere posterioară mai moderne
folosesc un strat dublu de CdS, format prin descompunerea pirolitică a
soluţiilor pulverizate de săruri de cadmiu. Primul strat din apropierea stratului
de SnO2 este puternic dopat cu aluminiu. Acest strat este foarte bun
conductor electric şi are structura cristalină necesară. Al doilea strat nu este
dopat şi de aceea are o rezistenţă electrică mai mare. Ambele straturi nu
prezintă structura de granule piramidale, care este caracteristică celulelor cu
expunere frontală şi granulele sunt mai fine ca mărime decât cele ale acestora
din urmă. Granulele superficiale au aproximativ 0,4 µm în diametru.
Peliculele sunt mult mai subţiri, de ordinul 1÷3 µm, pentru fiecare din cele
două straturi CdS. O altă diferenţă e aceea că suprafaţa peliculei de CdS
folosite pentru celulele cu expunere posterioară nu este texturată.
Stratul de Cu2S poate fi format în mai multe feluri. Celulele cu
tensiunea de ieşire cea mai înaltă sunt fabricate folosind procese de schimb
de ioni în soluţii, deşi producţia de masă presupune un proces de pulverizare
pirolitică. Stratul de Cu2S al celulei cu expunere posterioară este de două-trei
ori mai gros decât la celula cu expunere frontală, dar, cum se constată doar o
uşoară pătrundere a Cu2S în pelicula de CdS, grosimea efectivă este
aproximativ aceeaşi.
Cuprul evaporat în vid este folosit drept contact pozitiv al celulei.
Acesta este o arie de contact care acoperă toată suprafaţa stratului de Cu2S,
ceea ce este posibil pentru celula cu expunere posterioară, întrucât iluminarea
se face prin faţa opusă. Cuprul are o grosime mai mică de un micron şi este
precedat de strat şi mai subţire de plumb, de asemenea depus în vid. Rolul
plumbului este în primul rând acela de a proteja cuprul de factorii
atmosferici.
Celulele solare cu peliculă din CdS cu expunere posterioară au o
eficienţă medie de aproximativ 4,9 % în lumina solară, ajungând până la 5,7
%. Curentul de scurtcircuit ajunge la 18÷20 mA/cm2, iar tensiunea de circuit
deschis este de 0,36 ÷ 0,41 V. Răspunsul celulei este în principal la lungimi
de undă între 0,53 ÷ 1,05 µm. Datorită modului de operare a celulelor cu
expunere posterioară, lungimile de undă sub 0,53 µm sunt absorbite în CdS.
Durata de viaţă a purtătorilor minoritari din CdS este prea mică pentru a se
colecta o cantitate apreciabilă din zona n a joncţiunii.

175

Celula cu expunere posterioară din CdS depozitat pirolitic se află în
centrul unor studii intensive şi eforturi de dezvoltare şi de îmbunătăţire a
performanţelor de ieşire. Îmbunătăţirile ar putea rezulta din tensiuni mai mari
de circuit deschis (0,4 V), din scăderea pierderilor optice (în substratul de
sticlă, stratul de SnO2 şi pelicula de CdS) şi prin îmbunătăţirea absorbţiei în
stratul de Cu2S. Este posibilă dublarea eficienţei de conversie.

6.1.5. Fotodiode p-i-n
Dezavantajul principal al fotodiodelor p-n constă în faptul că
absorbţia are loc numai în stratul de baraj, care este foarte subţire.
Figura 6.8.a prezintă schematic structura unei fotodiode p-i-n, care are
o regiune puternic dopată de semiconductor de tip p, o regiune largă
intrinsecă (i) şi o regiune puternic dopată de tip n. Stratul intrinsec este mult
mai gros decât regiunile p şi n, de obicei grosimea sa fiind de 5 ÷ 50 µm.
Figurile 6.8.b şi 6.8.c prezintă densitatea de sarcină spaţială netă şi
câmpul electric intern de-a lungul dispozitivului. În stratul i-Si apare un câmp
electric intern uniform, E0, orientat de la ionii donori pozitivi în regiunea n la
ionii negativi acceptori din regiunea p (figura 6.8.c). În mod obişnuit,
detectorul p-i-n este polarizat invers (figura 6.8.d). Tensiunea aplicată cade
pe regiunea rezistivă intrinsecă şi determină creşterea câmpului electric intern
la valoarea E = E0 + V/w, unde w este lărgimea regiunii intrinseci.
Când un foton cu energia mai mare decât lărgimea benzii interzise,
Eg, cade pe joncţiune, el este absorbit în regiunea intrinsecă (regiunea p este
foarte subţire) şi generează o pereche electron liber-gol. De obicei, energia
fotonului este astfel încât fotogenerarea are loc în stratul intrinsec. Câmpul
electric separă electronii şi golurile şi îi conduce în sensuri opuse până când
ajung în regiunile neutre (figura 6.8.d). Această deplasare generează un
fotocurent If în circuitul exterior, acesta reprezentând semnalul electric.
Structura fotodiodei p-i-n prezentată în figura 6.8.a este, desigur, idealizată.
În realitate, stratul i-Si are o oarecare dopare. De exemplu, dacă acest strat
are o slabă dopare de tip n, el este notat ca fiind stratul ν, iar structura este de
tip p+νn+. Stratul ν devine astfel un strat de sărăcire cu o mică concentraţie de
donori pozitivi. În acest caz, câmpul intern nu este uniform de-a lungul
structurii fotodiodei. El este maxim la joncţiunea p +ν şi scade lent în stratul
ν-Si, pentru a atinge un minim la stratul n+. Cu o bună aproximaţie, se poate
totuşi considera stratul ν-Si ca un strat i-Si.
Fotodiodele p-i-n au un număr de avantaje clare faţă de fotodiodele pn obişnuite. Având o regiune de sărăcire mai largă, ele au o eficienţă cuantică
mai bună. Capacitatea regiunii de sărăcire este mult mai mică decât cea a
joncţiunii p-n şi relativ independentă de tensiunea de polarizare inversă. În
consecinţă constanta de timp RC asociată cu capacitatea regiunii de sărăcire
C este mică dacă rezistenţa externă R în figura 6.8.d este mică. În plus, pe
176

Ea creşte cu tensiunea de polarizare inversă până când viteza de drift a purtătorilor se saturează. 177 . Fotodioda p-i-n este probabil unul dintre cei mai populari fotodetectori utilizaţi în aplicaţiile optoelectronice. Viteza unei fotodiode p-i-n este în mod normal limitată de timpul de tranzit al celor mai lenţi purtători de sarcină fotogeneraţi. datorită vitezei de lucru mari şi a răspunsului bun.dioda p-i-n pot fi aplicate tensiuni de polarizare inversă mai mari decât pe joncţiunea p-n fără a se produce străpungerea.

178 .

Fig. 6. 8 – a) - schema structurii unei fotodiode p-i-n ideale; b) - densitatea de
sarcină spaţială netă în fotodiodă; c) - câmpul electric intern în fotodiodă; d) fotodioda p-i-n polarizată invers pentru fotodetecţie

179

6.1.6. Fotodiode cu avalanşă
O limitare a fotodiodei p-i-n este lipsa amplificării interne – un foton
incident produce o singură pereche electron-gol. Aplicaţiile legate de fluxuri
slabe de lumină necesită detectori cu amplificare internă, pentru ridicarea
nivelului semnalului peste nivelul de zgomot al dispozitivelor electronice
care urmează. Mulţi ani, totuşi, singurul dispozitiv care putea asigura această
amplificare a fost fotomultiplicatorul, funcţionând pe baza efectului electric
extern. Deşi acesta oferă o amplificare mare, el are un anumit număr de
limitări practice: este un tub vidat voluminos, generează căldură şi, comparat
cu o fotodiodă, prezintă o liniaritate limitată, un domeniu îngust al
răspunsului spectral şi un randament electric scăzut (< 25%).
Fotodiodele cu avalanşă (Avalanche Fotodiode – APD) oferă o
alternativă pentru majoritatea aplicaţiilor fotomultiplicatorului, fiind larg
utilizate în diferite aplicaţii optoelectronice, în special în comunicaţiile
optice, datorită vitezei de lucru mari şi amplificării interne. O schemă
simplificată a structurii unei diode cu avalanşă este prezentată în figura 6.9.a.
Zona n este subţire şi este partea care este iluminată printr-o fereastră. În
continuarea stratului n sunt trei straturi de tip p, cu diferite niveluri de dopare,
astfel încât distribuţia câmpului de-a lungul structurii să fie cea dorită. Primul
este un strat subţire de tip p, al doilea este un strat gros de tip p slab dopat
(aproape intrinsec), stratul π. Iar al treilea este un strat p puternic dopat.
Dioda este polarizată invers pentru a creşte câmpul în regiunile de sărăcire.
Distribuţia de sarcină spaţială netă în diodă, datorată ionilor de impurităţi
dopante este prezentată în figura 6.9.b. La polarizare nulă, în regiunea p (între
n+p), în mod normal regiunea de sărăcire nu se extinde în acest strat. Când
însă este aplicată o tensiune de polarizare inversă suficient de mare, regiunea
de sărăcire în stratul p se lărgeşte şi pătrunde în stratul π. Câmpul se extinde
de la impurităţile donoare cu sarcină pozitivă din stratul subţire de sărăcire
din zona n+, până la impurităţile acceptoare cu sarcină negativă din strat
subţire de sărăcire din zona p+.
Variaţia câmpului în diodă este reprezentată în figura 6.9.c. Liniile de
câmp pornesc de la ionii pozitivi şi ajung la ionii negativi care există în
straturile p, π şi p+. Aceasta înseamnă că E este maxim la joncţiunea n+p, apoi
descreşte lent în stratul p. În stratul π, el descreşte doar foarte puţin, întrucât
densitatea de sarcină spaţială este mică. Câmpul se anulează la capătul zonei
de sărăcire în zona p+.
Absorbţia fotonilor şi în consecinţă fotogenerarea au loc în principal
în stratul π. Câmpul aproximativ uniform de aici separă perechile de purtători
şi îi orientează la viteze aproape de valoarea de saturaţie spre zonele n +,
respectiv p+. Când electronii de conducţie ajung la stratul p, ei întâlnesc aici
un câmp şi mai mare şi în consecinţă acumulează suficientă energie cinetică

180

(mai mare decât Eg) pentru a produce ionizări prin ciocnirea nodurilor reţelei
semiconductoare de Si şi a forma perechi de purtători.

Fig. 6. 9 – a) - ilustrare schematică a structurii unei fotodiode cu avalanşă
polarizată pentru amplificarea în avalanşă; b) – densitatea de sarcină spaţială
în fotodiodă; c) – distribuţia câmpului electric în diodă

181

Aceştia, la rândul lor, pot fi de asemenea acceleraţi de câmpul înalt în
această regiune la suficient de mari energii cinetice pentru a produce în
continuare aceleaşi procese de ionizare prin ciocnire şi generare de perechi
electron-gol, ceea ce conduce la o avalanşă de astfel de procese. Astfel, de la
un singur electron care intră în stratul p, se poate genera un mare număr de
perechi electron-gol, toţi aceştia contribuind la fotocurentul total. Fotodioda
posedă mecanism de amplificare intern, în care o singură absorbţie de foton
conduce la un mare număr de perechi electron-gol generate. De aceea,
fotocurentul în prezenţa multiplicării în avalanşă corespunde unui randament
cuantic efectiv mai mare decât unitatea.
Motivul pentru care procesul de fotogenerare este păstrat în interiorul
regiunii π şi este separat de regiunea p, în care are loc multiplicarea în
avalanşă a purtătorilor este faptul că multiplicarea în avalanşă este un proces
statistic, ceea ce duce la fluctuaţii ale generării de purtători, care la rândul lor
duc la un zgomot în exces în fotocurent. Acesta este minimizat dacă ionizarea
prin ciocnire este limitată la purtătorii cu cel mai mare randament de ionizare
prin ciocnire, care în Si sunt electronii.

6.1.7. Fotodiode cu avalanşă cu heterojoncţiune
Fotodiodele cu avalanşă cu heterojoncţiune bazată pe compuşi III-V
s-au dezvoltat pentru utilizarea în comunicaţii optice la lungimile de undă de
1,3 µm şi 1,55 µm. Ca şi la dispozitivele descrise în paragraful anterior,
regiunea de absorbţie şi fotogenerare este separată de regiunea de
multiplicare în avalanşă. Absorbţia şi multiplicarea separate sunt tipice unei
heterostructuri, aşa cum se poate vedea în figura 6.10, unde este considerat
cazul structurii InGaAs-InP, cu lărgimi ale benzii interzise diferite. InP are o
bandă interzisă mai largă decât InGaAs. Tipul de impurificare p sau n a InP
este indicat prin majuscule, P şi N. Stratul principal de sărăcire este între
straturile P+-InP şi N-InP, adică acolo unde câmpul este cel mai intens. La o
polarizare inversă suficient de mare stratul de sărăcire din stratul n-InGaAs
ajunge până în stratul N-InP. Câmpul în stratul de sărăcire din n-InGaAs nu
este atât de intens ca în stratul N-InP. Deşi fotonii cu lungime de undă mare
sunt incidenţi pe faţa InP, ei nu sunt absorbiţi în InP, întrucât energia
fotonilor este mai mică decât lărgimea benzii interzise a InP (E g = 1,35 eV).
Fotonii trec prin stratul de InP şi sunt absorbiţi în straturile n-InGaAs.
Câmpul în stratul n-InGaAs conduce golurile spre regiunea de multiplicare,
unde ionizarea prin ciocniri multiplică purtătorii. Golurile fotogenerate care
se deplasează de la stratul n-InGaAs spre stratul N-InP sunt captate la
interfaţă deoarece aici este creştere abruptă în lărgimea benzii interzise şi o
variaţie bruscă ∆Ev în valoarea lui Ev (limita superioară a benzii de valenţă)
între cei doi semiconductori şi golurile nu pot depăşi uşor bariera de potenţial
∆Ev. Această problemă este depăşită prin utilizarea unor straturi subţiri de

182

InGaAsP de tip n cu lărgimi ale benzii interzise medii pentru a asigura o
tranziţie gradată de la InGaAs la InP. Practic ∆E v este defalcat în mai multe
trepte. Ambele straturi InP sunt crescute epitaxial pe un substrat InP.
Substratul însuşi nu este utilizat direct pentru formarea joncţiunii P-N pentru
evitarea defectelor (dislocaţii, de exemplu) din substrat care se pot propaga în
regiunea de multiplicare, scăzând performanţele dispozitivului.

Fig. 6. 10 – Schemă simplificată a unei fotodiode cu avalanşă cu heterojoncţiune
InGaAs-InP

6.1.8. Dispozitive cu cuplare (transfer) de sarcină (CCD)
O categorie importantă de detectori de radiaţie electromagnetică este
cea a dispozitivelor cu cuplare (transfer) de sarcină (CCD – din expresia în
engleză: charge-coupled device). Acestea sunt structuri MOS distribuite sub
forma unei matriţe, utilizate ca senzori de imagine.

183

care este definit pe un foton incident.1. 184 .caracteristica fototranzistorului Aceste dispozitive au o sensibilitate mai mare. 6. 6. ambele elemente fiind montate în aceeaşi capsulă. Fig.1. având principalul avantaj de a separa electric circuitul de intrare de cel de ieşire. realizat din Si.6. b) .11. Fototranzistorul funcţionează (de regulă) cu baza în gol şi este încapsulat într-o capsulă prevăzută cu o fereastră care permite iluminarea bazei de către radiaţia incidentă. Curentul prin fototranzistor creşte cu iluminarea.9. Caracteristicile IC – VCE ale fototranzistorului sunt date în fig.11. alcătuite dintr-un fotoemiţător. a cărui comandă se realizează pe cale optică. Optocuploare În optoelectronică sunt utilizate şi dispozitive numite optocuploare. cuplat cu un fotoreceptor prin intermediul unui mediu optic. 6. • Randamentul cuantic intern al fotodetectorului este numărul perechilor de electron liber-gol fotogenerate de un foton absorbit (şi nu de un foton incident pe dispozitiv). 6. Fototranzistori Fototranzistorul este un dispozitiv asemănător cu tranzistorul bipolar. având însă un curent de întuneric mult mai mare decât al unei fotodiode. de către un flux luminos ce cade pe regiunea bazei. datorită amplificării. Deoarece randamentul cuantic intern este definit pe un foton absorbit. ca urmare a energiei primite din exterior.a. 11 – a) .simbolul fototranzistorului. funcţionând în domeniul λ ~ 900 nm. el este mai mare decât randamentul cuantic extern.11. nu toţi fotonii incidenţi sunt absorbiţi. Mărimi caracteristice fotodetectorilor Sunt mai multe mărimi caracteristice importante care caracterizează performanţa unui fotodetector. Ge sau GaAs.b. Fototranzistorul are simbolul specificat în fig.10.1. ca rezultat al generării de perechi electron-gol. Cele mai utilizate variante de optocuploare sunt cele realizate dintr-o diodă electroluminescentă pe bază de GaAs şi o fotodiodă sau un fototranzistor cu Si. 6.

Nu toţi fotonii incident sunt absorbiţi pentru a crea perechi electron liber-gol care pot fi colectate pentru a crea un fotocurent. sau sensibilitate radiantă. De aceea. atunci nu toţi fotonii vor fi absorbiţi. 0) hν unde η este randamentul cuantic extern. El depinde de coeficientul de absorbţie al semiconductorului la lungimea de undă de interes şi de structura dispozitivului şi poate fi crescut prin reducerea reflexiilor la suprafaţa semiconductorului.• Randamentul cuantic extern al fotodetectorului este definit ca numărul perechilor electron liber-electron colectate pentru un foton incident. prin creşterea absorbţiei în stratul de baraj şi prin prevenirea recombinărilor sau captărilor de purtători înainte ca ei să fie colectaţi. Nu toţi fotonii absorbiţi pot fotogenera perechi electron liber-gol care pot fi colectaţi. dacă grosimea semiconductorului este comparabilă cu adâncimea de pătrundere 1/α. (unde α este coeficientul de absorbţie al materialului). Unele dintre aceştia pot dispărea prin recombinare fără contribuţie la fotocurent sau să fie imediat captaţi. Dacă P0 este puterea optică incidentă. ηe R= (6. atunci numărul fotonilor incidenţi în unitatea de timp pe dispozitiv este P 0/hν. Randamentul cuantic extern al dispozitivului QE este de aceea întotdeauna mai mic decât unitatea. • Răspunsul R descrie dependenţa semnalului (tensiune sau curent) la ieşirea detectorului de lungimea de undă (sau frecvenţa) radiaţiei incidente. Fotocurentul IL măsurat în circuitul extern este datorat fluxului de electron spre terminalele dispozitivului. În plus. 185 . El se exprimă prin raportarea fotocurentului la unitatea de putere radiantă incidentă pe intervalul unitar de lungime de undă. e este sarcina electrică elementară şi ν este frecvenţa radiaţiei incidente. care depinde de lungimea de undă λ a luminii incidente şi ν este frecvenţa acesteia. R mai este numit şi răspuns spectral. 0) P0 ×e unde h este constanta Planck. răspunsul depinde clar de lungimea de undă. R depinde de randamentul cuantic extern şi de lungimea de undă a radiaţiei incidente. Atunci. randamentul cuantic extern η poate fi definit cu expresia: I L ×hν η= (6. Numărul de electroni colectaţi pe secundă este IL/e.

care poate fi datorat mai multor fenomene: 186 . interni sau externi. este puterea radiaţiei incidente pe detector care determină un semnal la ieşire egal cu semnalul de zgomot. 0) unde A este aria detectorului. peste acest prag detectorul nemaifiind sensibil. P . λ0.1. λ0 reprezintă pragul de producere a efectului fotoelectric în detector. • detectivitatea reprezintă raportul semnal-zgomot pe intervalul unitar de frecvenţă: D= A ⋅ B vs ⋅ P vz (6.lărgimea benzii de frecvenţă. P N este direct proporţional cu rădăcina pătrată a benzii de frecvenţă a detectorului. cu valori de ordinul 10-7 ÷ 10-10 s este o caracteristică importantă a detectorului. 6. respectiv termic ideal.Fig. 6. PN.12. la care scade brusc la zero.42 ori faţă de valoarea de la frecvenţa de modulare nulă. în timp ce răspunsul detectorului termic este practic constant în întreg spectrul de radiaţie. nedepinzând de lungimea de undă a radiaţiei incidente.12 se prezintă răspunsul spectral al detectorului fotonic. depinzând şi de aria detectorului.12 – Răspunsul spectral al unui fotodetector (ideal) comparat cu cel al unui detector termic În figura 6.puterea radiaţiei incidente şi (vs/vz) . Zgomotul Performanţele fotodetectorilor sunt limitate de anumiţi factori. răspunsul spectral al detectorului fotonic creşte liniar cu lungimea de undă până la o lungime de undă de prag. el determinând limitele frecvenţei de modulare a radiaţiei. Cel mai important factor intern este zgomotul intern. Se constată că. B .Noise Equivalent Power). Se poate determina cu formula τ = 1/2πν0 unde ν0 este frecvenţa de modulare a radiaţiei la care semnalul detectorului se reduce de 1. Limitarea performanţelor detectorilor. • puterea echivalentă de zgomot (NEP . • timpul de răspuns.raportul semnal-zgomot global al detectorului.

este datorat stărilor de suprafaţă. în timp ce capacitatea împreună cu impedanţa amplificatorului sau a liniei de transmisie conectate la diodă determină o întârziere parazită. în general se impune condiţia ca puterea minimă a radiaţiei detectate să fie limitată de zgomotul de fond. 0) unde B este banda de frecvenţă. e este sarcina electrică a electronului şi B este banda de trecere a diodei. astfel încât.rezistenţa detectorului. mărime definită anterior. • zgomotul de generare-recombinare este datorat fluctuaţiilor în ratele de generare şi recombinare. Primul dintre acestea este datorat mediului înconjurător. Pentru a se realiza această condiţie. performanţele detectorilor sunt limitate de efectele cumulative ale diferitelor tipuri de zgomote. care apare în mod special la detectorii în infraroşu la frecvenţe joase. în primul rând radiaţiei electromagnetice (alta decât cea care trebuie detectată) provenite din exteriorul detectorului. la detectori mai intervin şi alte tipuri de zgomote. medierea făcându-se în unitatea de timp. vitezei) purtătorilor de sarcină liberi din detector. Ux este acelaşi. ceea ce impune ca puterile echivalente de zgomot datorate celorlalte tipuri de zgomote să fie mult mai mici decât puterea echivalentă a zgomotului de fond. pentru un detector dat. Pentru o fotodiodă. este caracteristică puterea minimă a radiaţiei ce poate fi detectată. în special zgomotul de fond şi zgomotul amplificatorului.• zgomotul Johnson este datorat fluctuaţiilor energiei (şi deci. • zgomotul de scânteiere. Se arată că. considerată a fi puterea echivalentă de zgomot. este necesar ca randamentul cuantic să tindă spre valoarea unitară şi banda de frecvenţă în care se măsoară semnalul să fie cât mai îngustă. indiferent dacă detectorul este polarizat sau nu. Tensiunea de zgomot Johnson este dată de relaţia: Ux = u 2z = 4kTRB (6. R . care este afectată de timpul de tranzit al purtătorilor foto-generaţi prin diodă şi de capacitatea diodei (timpul de tranzit determină banda intrinsecă. • zgomotul de alice este datorat fluctuaţiilor concentraţiei purtătorilor de sarcină electrică liberi şi apare în prezenţa polarizării. Evident. curentul datorat zgomotului de alice este dat de relaţia: IA = i2 = 2eIB A (6. În afara zgomotului intern. T . 0) unde I este curentul prin diodă (inclusiv fotocurentul). pentru ca performanţele fotodetectorului să fie limitate de zgomotul de fond. Practic.constanta Boltzmann. este necesară îndeplinirea condiţiei: 187 .temperatura absolută. RC. ceea ce impune şi funcţionarea sub o temperatură limită. k . ceea ce determină fluctuaţii în concentraţia purtătorilor.

2 – Domeniul spectral de emisie al unor semiconductori Semiconductor Domeniu spectral λ (nm) GaAs 920 infraroşu 660 roşu 0. de tipul SiC şi de tipul III-V.7 eV. Câteva exemple sunt date în tabelul 6. 6.5⋅GaP 4 Diodele luminescente mai sunt cunoscute şi sub numele de LED-uri. întrucât lărgimea benzii interzise depinde de proporţia celor două materiale în soluţie.43 eV. care.1. Tabel 6. Dispozitivul este deci o diodă semiconductoare în care joncţiunea p . η .randamentul cuantic.0. să se producă fenomenul de recombinare radiativă. care constă în emiterea de radiaţie luminoasă sub acţiunea curentului electric. se pot obţine radiaţii de diferite culori. Dispozitive emiţătoare de radiaţie electromagnetică 6. în limba engleză înseamnă „diodă emiţătoare de lumină” 188 . sunt cele compuse. astfel încât radiaţia emisă este în domeniul vizibil.aria acestuia şi Φf fluxul radiaţiei de fond. Cele mai bune materiale semiconductoare. este necesar ca diferenţa dintre nivelurile energetice între care ale loc tranziţia electronilor să fie mai mare decât 1.2. GaP.6⋅GaAs . ceea ce face ca radiaţia emisă în acest caz să fie în domeniul infraroşu (λ = 920 nm). R . în timp ce lărgimea benzii interzise a GaP este de 2. astfel ca apoi. prin tranziţia din banda de conducţie sau de pe nivelurile de impurităţi în banda de valenţă sau pe nivelurile de impurităţi.n este polarizată direct cu o tensiune suficientă pentru a excita electronii din banda de valenţă.5⋅GaAs .2. Lărgimea benzii interzise a GaAs este de 1. Diode luminescente Dioda luminescentă (numită şi LED 4) are la baza funcţionării sale fenomenul de electroluminescenţă. din acest punct de vedere. denumire care vine de la iniţialele cuvintelor „Light Emitting Diode”. Dacă se realizează o soluţie solidă a celor două materiale.1 eV.0. Este necesar ca aceasta să se producă cu o probabilitate suficient de mare (în comparaţie cu recombinările neradiative) pentru a se obţine un randament de conversie a energiei electrice în energie luminoasă suficient de bun.4⋅GaP 610 portocaliu 0.rezistenţa fotodetectorului. 0) 2 e Φf unde α este coeficientul de amplificare al fotodetectorului (la fotodiode el este unitar). verde (λ = 560 nm). cum sunt GaAs.α2ηRA >> kT (6. A .2. Pentru ca radiaţia emisă să fie în domeniul vizibil.

2⋅GaAs .13. lărgimea benzii emise fiind destul de mare.0. O diodă luminescentă este în esenţă o diodă tipică cu joncţiune p-n. Energia fotonului emis. Nivelul Fermi. prin înserierea unui rezistor de limitare a curentului. b) . de exemplu GaAs. 6. EF.0. este aproximativ egală cu energia corespunzătoare lărgimii benzii interzise. eV 0.joncţiune polarizată direct Figura 6.joncţiune nepolarizată. a) .8⋅GaP GaP 590 560 galben verde Deşi domeniul spectral în care emit diodele luminescente este îngust. lumina emisă nu este totuşi monocromatică. în care recombinarea unei perechi electron-gol are drept rezultat emisia unui foton. în care zona n este mai puternic dopată decât zona p. ea trebuie polarizată direct.2 ÷ 3 V) curentul maxim (10 ÷ 50 mA) tensiunea inversă admisă (3 ÷ 10 V) Pentru ca dioda să emită lumină. Apare o barieră de potenţial. este constant în toată joncţiunea.13 – Diagrama structurii benzilor energetice a unei joncţiuni p-n (zona n puternic dopată). realizată dintr-un semiconductor cu bandă interzisă directă. hν. Parametrii electrici mai importanţi ai diodelor luminescente sunt: tensiunea de deschidere a joncţiunii p-n polarizate direct (1. Eg Fig. de la EC în 189 . Regiunea de sărăcire (stratul de baraj) se extinde în majoritate în zona p.a prezintă diagrama benzilor energetice pentru o joncţiune nepolarizată. rezultat al condiţiei de echilibru când joncţiunea nu este polarizată.

51–xP D 590 – 630 1 – 10 roşu GaAs1–yPy (y < 0.IR roşu. Structura unei LED trebuie să fie astfel încât fotonii emişi 190 .6 µm > 10 comunicaţii (y ≈2. 0 < x < 0. Recombinarea electronilor injectaţi în regiunea de sărăcire şi în interiorul unui volum ce se extinde pe o distanţă egală cu lungimea de difuzie a electronilor în zona p are ca rezultat emisia fotonilor. Dacă se aplică o tensiune de polarizare directă. fotonii sunt emişi în direcţii aleatoare. randamente externe tipice. adică aceştia sunt injectaţi în zona p. ηext (%) interzisă GaAs D 870 – 900 10 infraroşu (IR) AlxGa1–xAs D 640 – 870 3 – 20 roşu spre IR (0< x < 0.13. unde V0 este aşa-numitul potenţial de contact.b. determinat de câmpul electric intern al stratului de baraj. Această barieră de potenţial împiedică difuzia electronilor din zona n în zona p. GaAs1–yPy (y > 0. Tabel 6.4) In1–xGaxAsyP1–y LED-uri în D 1 – 1. In0.zona n la EC în zona p.45) I 560 – 700 < 1 portocaliu.3 – Diferite materiale semiconductoare. verde.49AlxGa0. O doping galben GaP (Zn-O) I 700 2–3 roşu GaP (N) I 565 <1 verde Datorită naturii statistice a proceselor de recombinare dintre electroni şi goluri. ceea ce permite mai multor electroni din zona n să difuzeze în zona p. lungimile de undă de emisie. Fenomenul de emisie a luminii din recombinarea perechilor electron-gol ca rezultat al injecţiei purtătorilor minoritari se numeşte electroluminescenţă de injecţie.20⋅x. (N or Zn.02 albastru galben. (D = bandă interzisă directă. I = bandă interzisă indirectă) Semiconductor Bandă λ(nm) Obs.47) 430 – 460 1 – 2 albastru Aliaje InGaN D 500 – 530 3 – 5 verde InGaN/GaN (Quantum albastru D 450 – 530 > 5 Well) verde SiC I 460 – 470 0. V. Componenta injecţiei de goluri din zona p în zona n este mult mai mică decât cea a injecţiei de electroni. aşa cum se poate vedea în figura 6.45) D 630 – 870 < 1 roşu . potenţialul de contact se reduce la V0 – V. ei rezultă din procese de emisie spontană.

4 eV. cu Eg ≈ 1. tipic o fracţiune de micron şi este dopată slab.14. ηext. semiconductorii sunt AlGaAs. al unei LED măsoară eficienţa conversiei energiei electrice în energie luminoasă emisă în exterior. Aceasta permite electronilor din BC a zonei n-AlGaAs să fie injectaţi în BC a zonei p-GaAs (figura 6. evident dată de produsul dintre curentul I prin diodă şi tensiunea de polarizare a acesteia (I⋅V). 191 . atunci randamentul extern este Pout/(I⋅V).c). cu lărgimi ale benzii interzise diferite. Pentru a se obţine o creştere a intensităţii luminii emise. cu Eg ≈ 2 eV şi GaAs. Randamentul extern. cea mai mare parte a acesteia cade între zona n-AlGaAs şi zona p-GaAs şi reduce bariera de potenţial eV0. în timp ce pentru semiconductorii cu bandă interzisă directă. Acest salt este efectiv o barieră de potenţial care împiedică orice electron din BC a zonei p-GaAs să treacă în BC a zonei p-AlGaAs.să poată ieşi din dispozitiv fără a fi reabsorbiţi de materialul semiconductor. În acest caz. El include randamentul intern al proceselor de recombinare radiativă. unele valori tipice sunt date în tabelul 6. Bariera de potenţial eV 0 pentru electronii din BC a zonei n-AlGaAs se opune difuziei acestora în zona pGaAs.3 prezintă domeniile tipice ale lungimilor de undă ale diferitelor tipuri de LED. LED-urile sunt construite în structuri de duble heterojoncţiuni. Aceasta înseamnă că zona p trebuie să fie suficient de îngustă. O diagramă simplificată a structurii energetice a dispozitivului în absenţa unei tensiuni de polarizare este prezentată în figura 6. La joncţiunea dintre zona p-GaAs şi zona p-AlGaAs apare un salt ∆E C în valoarea lui EC. sau trebuie utilizate dispozitive cu heterostructură. Aceşti electroni sunt totuşi confinaţi (captaţi).a prezintă un dispozitiv cu doublă heterostructură.ab. Nivelul Fermi EF este continuu în întreaga structură. între zonele p-GaAs şi p-AlGaAs. Zona pGaAs este un strat subţire. O a doua heterojoncţiune se formează între zona p-GaAs şi zona p-AlGaAs. Dacă Pout este puterea optică emisă de dispozitiv. în BC a zonei p-GaAs. exact ca la joncţiunea p-n normală. Tabelul 6. întrucât aici este o barieră de potenţial. Când este aplicată o tensiune de polarizare directă. alcătuit din două joncţiuni între materiale semiconductoare diferite. ∆E C.14. Figura 6. ηext poate fi considerabil mai mare (> 10%).14. cu o structură corectă. dar este mic şi nu este reprezentat în figură). Puterea electrică de intrare a unei LED este.14.a are o heterojoncţiune între zona n-AlGaAs şi zona p-GaAs. (există. ηint şi eficienţa extracţiei fotonului din dispozitiv. Pentru semiconductorii cu bandă interzisă indirectă ηext este în general mai mic decât 1%. Dubla heterostructură din figura 6. O heterojoncţiune este o joncţiune între două semiconductoare cu lărgimea benzii interzise diferită. de asemenea şi un salt ∆EV.3.

fotonii emişi nu vor fi reabsorbiţi la ieşirea din stratul activ şi astfel pot ajunge la suprafaţa dispozitivului (figura 6.14.diagramă simplificată a 192 .Heterostructură dublă a unei LED. Stratul p-GaAs este numit strat activ.14 – a) . deoarece acesta este stratul în care este generată lumina. o diodă cu heterostructură dublă are două joncţiuni care se formează între doi semiconductori cu lărgime a benzii interzise diferită (GaAs şi AlGaAs).d). Recombinarea electronilor injectaţi cu golurile deja prezente în acest strat pGaAs are drept rezultat emisia spontană de fotoni. 6. Fig.Straturile cu bandă interzisă largă p-AlGaAs acţionează ca straturi de confinare. b) . Cum lărgimea benzii interzise a AlGaAs este mai mare decât a GaAs. care limitează accesul electronilor injectaţi doar în stratul p-GaAs.

2. lărgimea liniei spectrale a emisiei corespunde unui spectru energetic de câţiva kT. ca urmare a controlului eficient al fabricării heterostructurilor 193 . d) . c) . ceea ce înseamnă că ei prezintă avantaje importante.structurii de benzi energetice. ai unui lichid sau ai unui gaz. ∆λ. La creşterea temperaturii. deoarece lărgimea benzii interzise. Trăsăturile specifice ale laserilor cu semiconductori pot fi rezumate simplu astfel: • densitatea atomilor activi este cea a substanţei condensate şi nu cea a atomilor dopanţi.15 – Spectrul de emisie al unei LED cu AlGaAs (valori normalizate faţă de maximul de emisie la 25°C) 6. 6. Cum acesta este în ambele cazuri de ordinul 2kT (unde k este constanta Boltzmann şi T temperatura absolută). Eg scade cu temperatura (figura 6. dar şi limitări care îi împiedică să ocupe totalitatea pieţei.polarizare directă.15) Fig. lărgimea liniei. Laseri cu semiconductori Laserii cu semiconductori ocupă în prezent aproximativ 70% din piaţa totală a laserilor.ilustrare schematică a fotonilor care nu se recombină în stratul AlGaAs şi sunt emişi în exteriorul dispozitivului Spectrul radiaţiei emise este determinat de spectrul energetic al electronilor din BC şi de cel al golurilor din BV în regiunea activă. devine mai mare şi maximul emisiei se deplasează spre lungimi de undă mai mari. Această densitate asigură amplificări gigantice şi construcţia unor dispozitive compacte.2. • mecanismul de conversie electron-foton est foarte eficace.

în IR mediu. cu λ = 840 nm. apăruţi recent. • fabricarea de natură colectivă a dispozitivelor (consecinţă. printr-un timp de viaţă radiativ scurt şi deci o incapacitate de a stoca energie. pe de altă parte. explicată natural prin compactitatea dispozitivelor şi puterea limitată pe care o pot suporta într-un volum atât de mic. fie electric. şi în materialele semiconductoare. un semiconductor omogen InSb. laserii în cascadă cuantică. Această cercetare est dificilă. domeniile de lungime de undă încă puţin acoperite de diodele laseri: în primul rând. între 4 et peste 15 µm. pe de o parte calitatea mediocră a fasciculului (în comparaţie cu cea de la laserii cu solid sau gaz) şi. într-o spirală vertiginoasă odată cu dezvoltarea pe scară largă a pieţei. Pompajul optic este utilizat pentru obţinerea inversiei de populaţie într-un semiconductor cu care este dificil să se realizeze o joncţiune p-n şi el se realizează prin iradierea semiconductorului respectiv (omogen) cu o radiaţie provenită de la un alt laser.semiconductoare. laserii cu semiconductori sunt laseri de energie mică. excitat cu radiaţie provenită de la un laser GaAs cu joncţiune. de asemenea. randementul este foarte mare. sau infraroşul mediu. materialele pe bază de antimoniu prezintă performanţe în creştere rapidă pentru lungimi de undă situate între 2 et 3 µm. în care inversia de populaţie se realizează fie prin pompaj optic. albastru sau UV. fie prin pompaj cu fascicul de electroni. a compactităţii lor) de către industria semiconductorilor duce la costuri de producţie mici. oferă o gamă foarte extinsă de lungimi de undă accessibile. sau de imagistică laser. când are loc în semiconductor generarea optică de perechi electron-gol. în anumite condiţii. Alte puncte slabe ale laserilor cu semiconductori sunt. De cealaltă parte a spectrului. În consecinţă. În ce priveşte limitările lor. • diferitele materiale accesibile şi ingineria structurii benzii interzise permit realizarea laserilor de lungimi de undă corespunzătoare într-o anumită gamă. fără defecte. putând atinge 70%. de o mare puritate. imprimarea laser. pe de altă parte. verde. Astfel. 194 . căci emisia în domeniul albastru presupune utilizarea semiconductorilor cu bandă interzisă mare (cum este GaN). se dispune astfel pe piaţă de laseri cu semiconductori cu lungimi de undă între roşu şi infraroşu până la 2 µm şi chiar în domeniul albastru. Dincolo de acest domeniu. domenii spectrale în care performanţele laserilor cu semiconductori sunt încă slabe. mai puţin stăpânită decât cea a semiconductorilor depuşi pe GaAs sau InP. diodele laser sunt încă departe de a-şi demonstra toate posibilităţile. Cucerirea noilor domenii spectrale face obiectul unei cercetări foarte intense pentru aplicaţii de stocarea informaţiei. Efectul laser poate fi obţinut. În privinţa perspectivelor. pe de o parte şi.

din banda de conducţie. Radiaţia este emisă prin recombinarea coerentă în zona p+ a electronilor generaţi prin multiplicarea în avalanşă în zona p de rezistivitate mare. Polarizând direct joncţiunea. în zona stratului de baraj se produce o inversie de populaţie. aceea de injecţie la zona de contact.8 nm. prin următoarele caracteristici: . provenită de la un laser cu He-Ne. se poate obţine în joncţiuni p-n polarizate direct. Laserul cu semiconductor se deosebeşte esenţial de alte tipuri de laser. în domeniul ultraviolet. evident. Este cunoscut faptul că. în structuri metal-semiconductor.dimensiunile geometrice ale laserului cu semiconductor sunt foarte mici. excitat cu radiaţie cu λ = 632.caracteristicile spectrale şi spaţiale ale fasciculului laser emis de un laser cu semiconductor depind substanţial de proprietăţile materialului semiconductor utilizat. Inversia de populaţie realizată pe cale electrică se poate produce în două moduri: prin ionizare prin ciocniri în câmp electric intens sau prin injecţie la zona de contact. Laserul cu joncţiune p-n sau dioda laser este un dispozitiv realizat dintr-o joncţiune p-n cu dopare puternică în ambele regiuni. vor genera radiaţie laser cu frecvenţă mare. CdS). emite o radiaţie laser cu λ = 690 nm. Utilizând structuri de tip pp+p din GaAs. Diode laser Condiţia necesară pentru ca un semiconductor să devină o sursă de radiaţie stimulată este aceea ca să se realizeze situaţia de inversie de populaţie. Efect laser se poate obţine şi prin bombardarea unui semiconductor cu un fascicul de electroni de energie mare (~ 200 keV). metodă folosită în special pentru semiconductori cu o lărgime a benzii interzise mare (ZnS. purtătorii de sarcină electrică liberi sunt acceleraţi. . 6. monocromaticitatea radiaţiei laser este mai puţin pronunţată. care. astfel având loc o multiplicare în avalanşă a purtătorilor care se recombină radiativ.3.2. sub acţiunea unui câmp electric intens. sau în structuri MOS. se poate obţine o radiaţie laser plasând structura într-o cavitate Fabry-Perot.tranziţiile radiative au loc în laserul cu semiconductor nu între niveluri energetice discrete. ca la ceilalţi laseri. . A doua metodă de realizare a inversiei de populaţie pe cale electrică. în funcţie de structura de benzi a semiconductorului. ci între benzi energetice. coerenţa şi direcţionalitatea fasciculului fiind de asemenea mai slabe faţă de alte tipuri de laseri. să fie mai mare decât numărul 195 . căpătând suficientă energie pentru a genera alte perechi de purtători. adică situaţia în care numărul de electroni aflaţi în stări energetice superioare.emite o radiaţie laser cu λ = 5300 nm iar un semiconductor omogen CdSe.

16 – Schema tranziţiilor într-un semiconductor Se observă că. spre deosebire de semiconductorul aflat în stare de echilibru. situate în banda de valenţă. se utilizează diferite metode. FP şi limita superioară a benzii de valenţă. mult mai probabile sunt tranziţiile electronilor din 196 . care este o stare de cvasi-echilibru la T ≠ 0 K. prin acţiunea unor factori externi banda de valenţă are stări energetice neocupate între nivelul Fermi. InAs etc. Sistemul fiind în cvasi-echilibru. în cazul realizării inversiei de populaţie. au un coeficient de absorbţie mult mai mic.16. fiind procese optice de ordinul doi (în care participă şi cea de-a treia particulă – un fonon sau alt centru de împrăştiere). deci şi coeficientul de amplificare optică este mai mare în comparaţie cu tranziţiile optice indirecte şi care. Fig. astfel încât să predomine tranziţiile optice directe. 6. Fn WV Fp hν stări libere absorbţie Eg stări ocupate emisie WC B. F n. pentru a obţine inversia de populaţie. InP.C. B. mai ales de tipul AIIIBV. în care este reprezentată structura energetică a semiconductorului în care s-a realizat starea de inversie de populaţie. Materialele cele mai folosite în acest scop sunt compuşii semiconductori.. cum sunt: GaAs. GaAsxP1-x. GaP. dintre care cea mai des utilizată este aceea de excitare prin injecţia purtătorilor în joncţiunea p – n. Procesele care au loc sunt ilustrate schematic în figura 6. la care absorbţia optică este puternică. Aşa cum s-a arătat anterior. la care toate stările energetice din banda de valenţă sunt ocupate (la 0 K) iar cele din banda de conducţie sunt libere. Pentru construcţia diodelor laser (laseri cu semiconductori funcţionând prin injecţie) sunt folosite materiale semiconductoare cu benzi aliniate.V.electronilor aflaţi în stări energetice cu energie mai joasă. WV iar banda de conducţie are stările energetice ocupate până la nivelul Fermi. caracterizaţi prin tranziţii optice directe.

intensitatea procesului de emisie este proporţională cu produsul dintre densitatea de stări energetice ocupate din banda de conducţie. 0) Expresiile 6. de aceea. Aşa cum este cunoscut. Fn. adică: 1 f C ( ε ) = ε− Fn (6. Astfel.22. distribuţia după energii a purtătorilor de sarcină în condiţii de neechilibru se poate descrie cu ajutorul funcţiei de distribuţie Fermi-Dirac. Dacă NC(ε) şi NV(ε) reprezintă densităţile de stări energetice din banda de conducţie. cât şi rata de recombinare radiativă sunt cu atât mai mari. legat de probabilităţile de tranziţie bandă – bandă.20. deci cu cât semiconductorul are un grad mai mare de dopare. în care energia nivelului Fermi. din banda de conducţie) în stările de energie inferioare (ε – hν. pentru intensitatea totală a proceselor de absorbţie. respectiv.18 şi 6. se poate scrie probabilitatea: pa ~ ∫ NV(ε – hν)⋅fV(ε – hν)⋅ NC(ε)⋅[1 – fC(ε)]⋅dε (6. respectiv goluri. respectiv din banda de valenţă. din banda de valenţă). este înlocuită cu energia cvasi-nivelurilor Fermi Fn. însoţite de emisia stimulată a radiaţiei (în urma recombinării radiative. 0) e kT + 1 1 f V ( ε ) = ε− Fp (6. respectiv Fp. fC(ε) şi fV(ε) sunt funcţiile de distribuţie pentru electronii din banda de conducţie şi. rezultă: 197 . 0) e kT + 1 În relaţiile 6. Este evident că atât gradul de inversie de populaţie. este determinată de numărul proceselor de tranziţie a electronilor din stări de energie superioare (ε. Pentru a avea loc fenomenul de amplificare a radiaţiei este necesar ca p e > pa şi. adică intensitatea fasciculului laser. 0) Analog.banda de conducţie în banda de valenţă.22 au acelaşi coeficient de proporţionalitate. cu fotoni de energie: hν ≥ Eg. pentru electroni şi. rezultă probabilitatea totală de emisie: pe ~ ∫NC(ε)⋅fC(ε)⋅NV(ε – hν)⋅[1 – fV(ε – hν)]⋅dε (6. din relaţiile 6. din banda de valenţă în condiţii de neechilibru. cu cât concentraţia purtătorilor este mai mare.21 şi 6. F. laserii cu semiconductori cu injecţie se realizează cu joncţiuni p-n puternic dopate (până la nivelul de degenerare). ca urmare. decât absorbţia fotonilor în semiconductor (deoarece fotonii incidenţi nu au la dispoziţie electroni în banda de valenţă pentru a-i determina să treacă în banda de conducţie. pentru intensitatea totală a proceselor de emisie. NC(ε)⋅fC(ε) şi densitatea de stări libere din banda de valenţă.21 şi 6. nivelurile energetice din aceasta din urmă fiind deja ocupate până la nivelul Fermi. Intensitatea procesului de emisie fotonică. NV(ε – hν)⋅[1 – fV(ε – hν)].

0) Relaţia 6. din GaAs. Construcţia se realizează astfel: Se foloseşte un mic monocristal.17). Recombinarea purtătorilor cu emisie spontană sau 198 . ceea ce determină emisia fotonilor cu energia hν. structura de benzi a acesteia fiind reprezentată în figura 6. dopat cu impurităţi donoare (Se. strat metalic (anod) p strat de baraj (mediu activ laser) n hν electrod metalic (catod) Fig. necesară obţinerii unui grad ridicat de inversie de populaţii.18. b). Electronii din zona n trec prin bariera (mai scăzută) de potenţial în zona p. care este cu atât mai intens. adică nivelul Fermi este situat în banda de conducţie în zona n şi în banda de valenţă în zona p. în stările libere din banda de valenţă. în care. de formă cubică sau paralelipipedică (figura 6. iar nivelul energetic al impurităţilor reprezintă fie starea iniţială fie starea finală pe care au loc tranziţiile. atunci în relaţia 6.23 se utilizează cvasi-nivelul Fermi pentru nivelul impurităţilor cu coeficientul corespunzător de degenerare.). Datorită dopării puternice a ambelor regiuni. cu lungimea de câteva zecimi de mm. Dacă semiconductorul conţine impurităţi în banda interzisă (cum este cazul diodelor laser). La aplicarea unei tensiuni de polarizare directă (figura 6.Fn – Fp > hν (6. 6. în concentraţie mai mare. această structură este asemănătoare celei a unei diode tunel. unde V este tensiunea aplicată. Cel mai utilizat semiconductor pentru construcţia laserilor cu injecţie cu homojoncţiuni p-n este arseniura de galiu (GaAs).). Te etc. cu cât V este mai mare şi în mod corespunzător va fi mai intens şi curentul prin joncţiunea p-n. Cd etc.23 reprezintă condiţia ca intensitatea tranziţiilor bandăbandă cu emisie stimulată să fie mai mare decât intensitatea tranziţiilor cu absorbţie de fotoni.a. nivelurile Fermi în cele două regiuni se distanţează cu valoarea eV.18.17 – Structura constructivă a unei diode laser La zona de contact dintre regiunea dopată cu impurităţi donoare şi cea în care s-au difuzat impurităţi acceptoare se formează homojoncţiunea p-n. Bariera de potenţial a stratului de baraj scade şi se produce fenomenul de injecţie. într-o regiune se difuzează apoi impurităţi acceptoare (Zn.

radiaţia devine coerentă. τrn. Prt. în urma acestui proces rezultând un flux de fotoni emişi din stratul de baraj care constituie în acest caz mediul activ laser. recombinarea radiativă are loc chiar în această regiune de sarcină spaţială. Timpul total de viaţă efectiv este dat de: 199 . având un interval spectral mai larg (~ 100 nm) şi o divergenţă mare pe direcţia de emisie. În această regiune. definit ca raportul dintre probabilitatea de recombinare radiativă. Un parametru important al laserilor cu injecţie cu joncţiune p-n este randamentul cuantic intern. foarte intensă.stimulată de radiaţie are loc cu o probabilitate mare dacă în vecinătatea aceluiaşi punct se realizează concentraţii mari de purtători de neechilibru. joncţiunea se comportă ca o diodă luminescentă obişnuită. La curenţi de injecţie mici. P ηi = rr (6. Rata de recombinare radiativă poate fi mărită prin asigurarea condiţiilor ca fotonii generaţi să parcurgă de mai multe ori regiunea activă în planul joncţiunii. electronii care difuzează într-un sens se recombină cu golurile care difuzează în sens invers. ηi. emiţând o radiaţie necoerentă. aşa cum se întâmplă şi în cazul fenomenului de injecţie în regiunea de sarcină spaţială (stratul de baraj). având toate calităţile unei radiaţii laser. 0) Prt Prr şi Prt depind de timpii de viaţă efectivi ai perechilor electron-gol care se recombină radiativ. EFn Eg Eg EF eV EC EC EFp EV EV hν a b Fig. 6. La curenţi de injecţie mai mari. Ca urmare. cu un interval spectral îngust şi cu o divergenţă mică a fasciculului emis. Prr şi probabilitatea totală de recombinare. τrr sau neradiativ. peste valoarea de prag.18 – Structura benzilor energetice în dioda laser în lipsa polarizării (a) şi în prezenţa acesteia (b) Grosimea stratului de baraj este în general de ordinul de mărime al lungimii de difuzie.

structura modală şi timpul de viaţă al laserului sunt toate dependente de temperatură. 0) Prt τrr + τrn Diodele laser produc un fascicul de calitate inferioară celor produse de alte tipuri de laseri. diodele laser moderne comprimă emisia stimulată întro mică regiune. se observă apariţia unei emisii de radiaţie cu spectru larg (~ 100 nm). puterea. De obicei. Când curentul de injecţie depăşeşte o anumită valoare. Pentru reducerea curentului şi căldurii degajate. densitatea de curent rămâne suficient de mare pentru menţinerea inversiei de populaţie. Sunt două moduri prin care se poate realiza acest lucru: creşterea densităţii purtătorilor de sarcină şi creşterea densităţii puterii optice intracavitare. aceasta trebuie polarizată direct şi adusă la un nivel de injecţie suficient de mare. practic moleculă cu moleculă. Astfel. Ele necesitau însă un curent intens pentru menţinerea inversiei de populaţie şi căldura generată de acesta distrugea rapid dispozitivul. cu structura tipică a unei diode semiconductoare obişnuite. datorată proceselor de recombinare radiativă spontană. 0) τ τrr τrn Atunci: P τrn ηi = rr = (6. menţinând totodată inversia de populaţie. Ele permit obţinerea unor structuri complexe. dezvoltate la începutul anilor ’60 din secolul trecut. incoerentă şi cu divergenţă mare pe direcţia de propagare. eliptic şi astigmatic. metode ca epitaxia cu fascicule moleculare şi depunerea din fază de vapori 200 . Ambele metode implică tehnici sofisticate de fabricaţie a semiconductorilor. Crescând curentul de injecţie. care au evoluat în ultimii 40 de ani. Primele diode laser. dar curentul total nu supraîncălzeşte laserul. Pentru a obţine efectul laser într-o joncţiune p-n. reduc zgomotul de fond al fasciculului şi maximizează viaţa dispozitivului. Aceste sisteme stabilizează caracteristicile spectrale.1 1 1 = + = Prt (6. zgomotul de fond al fasciculului. caracteristică diodelor luminescente. Cele mai sofisticate sisteme de control activ al temperaturii conţin un dispozitiv Peltier şi un ventilator încorporat. însoţit de emisia unei radiaţii de tip laser. aceste deficienţe sunt corectate prin utilizarea diferitelor sisteme optice corectoare. au fost construite cu homojoncţiuni. prin creşterea. Lungimea de undă. Astăzi. Temperatura joacă un rol important în diodele laser. apare fenomenul de recombinare radiativă stimulată. Acest fascicul este destul de divergent. numită curent de prag.

lărgimea benzii interzise a 201 . efectele cuantice devin importante şi purtătorii de sarcină sunt captaţi în această regiune subţire.19 – Diodă laser cu un electrod în forma unei fâşii înguste pentru a restricţiona fluxul curentului într-o regiune îngustă şi o dublă heterostructură pentru confinarea fotonilor O metodă mai sofisticată de creştere a densităţii purtătorilor de sarcină implică natura cuantică a acestor purtători în regiuni foarte subţiri.2. în principiu. Electronii şi golurile se recombină într-o regiune îngustă de grosime d şi materialul are acolo un indice de refracţie mai mare decât materialul de deasupra sau de sub el. 6. lărgimea benzii interzise este fixată la o valoare dată. Astfel de structuri se numesc gropi cuantice şi sunt frecvent utilizate în laserii cu semiconductori moderni (a se vedea paragraful 6. 6. rezultând o mult mai mare concentraţie a purtătorilor de sarcină în diodă(figura 6. De exemplu. care este egală. Laserul confinează curentul într-o mică regiune (confinarea curentului în planul joncţiunii) şi de asemenea. În locul injectării curentului pe o arie mare a suprafeţei diodei. Fig. Dacă dimensiunea d este foarte mică. Pentru semiconductorii compuşi din două elemente (binari). datorită proiectării de tip „dublă heterostructură”. aşa cum se poate vedea în figura următoare.4. confinează fotonii generaţi perpendicular pe planul joncţiunii. fiind deci confinaţi în regiunea de grosime d. Aceasta înseamnă că fotonii sunt reflectaţi de interfaţa dintre materiale.metal-organic permit crearea unor structuri semiconductoare care au grosimi de numai câţiva atomi. curentul este injectat numai de-a lungul benzii înguste. de câţiva zeci de nanometri. Lungimea de undă a radiaţiei diodelor laser Lungimea de undă a radiaţiei emise de o diodă laser depinde de energia eliberată sub forma unui foton când se recombină un electron şi un gol.2.7). cu lărgimea benzii interzise.19). Un mod de a creşte densitatea purtătorilor de sarcină este utilizarea unui electrod sub forma unei benzi înguste (fâşii).

65 μm) şi InGaAsSb (1. Caracteristici ale fasciculului laser Anumite aspecte trebuie avute în vedere când se foloseşte acest tip de laser. Teoria optică ondulatorie arată că un fascicul trecând printr-o mică deschidere are într-o anumită direcţie un unghi de divergenţă total. sau chiar ultraviolet. Mai recent. pe bază de aşa-numiţii compuşi cu săruri de plumb. Domeniul lungimilor de undă variază de la 620 la 900 nm în teorie. corespunzând fotonilor din infraroşul mijlociu (câţiva µm) până în ultraviolet. Lungimi de undă mai scurte.GaAs corespunde unei lungimi de undă a fotonului de 870 nm. 6.5. includ PbSnTe (6 ÷ 25 μm) şi PbEuSeTe (2 ÷ 4 μm). Această caracteristică nu dă posibilitatea colimării totale a fasciculului. sau de la aproximativ 750 la aproximativ 850 nm în dispozitivele practice. laserii cu semiconductori pot fi construiţi cu AlGaInP (ale cărui lungimi de undă sunt în domeniul 650 ÷ 680 nm). Nu se pot construi însă laseri cu mulţi dintre aceşti compuşi. Se pot crea semiconductori ternari şi cuaternari cu lărgimi ale benzii interzise într-un domeniu larg. 0) unde λ este lungimea de undă şi d este dimensiunea faţetei de emisie pe direcţia respectivă. în domeniul albastru. Alţi laseri cu semiconductori. astfel că lungimea de undă a radiaţiei unui laser cu GaAlAs poate fi modificată prin modificarea cantităţilor relative de galiu. se pot obţine utilizând compuşi pe bază de azotură de galiu. 202 . dintre care două sunt mai importante: 1) Circularitatea Secţiunea transversală eliptică a fasciculului este o consecinţă a formei rectangulare a faţetei de emisie a diodei laser. aluminiu şi arsen în cristal. compuşii GaN au permis construirea unor diode laser în domeniul albastru.3 μm).1 ÷ 1. deoarece constanta reţelei compusului trebuie să fie foarte apropiată de cea a substratului.7 ÷ 4. În afară de GaAlAs. Arseniura de galiu şi aluminiu (GaAlAs) are o lărgime a benzii interzise corespunzând unor lungimi de undă ale fotonilor de la 900 la 620 nm. în mod special datorită anumitor imperfecţiuni ale fasciculului.2. fiind astfel posibilă doar o cvazicolimare. lărgimea benzii interzise depinde de concentraţia relativă a elementelor. θ. Arseniura de galiu (GaAs) şi fosfura de indiu (InP) sunt două dintre cele mai bune substraturi şi cerinţa de potrivire a constantei reţelei compusului cu cea a unuia dintre aceste cristale limitează lungimile de undă disponibile pentru diodele laser. InGaAsP (1. dat de relaţia: θ= 4λ πd (6. sau chiar în ultraviolet. Pentru semiconductorii compuşi din trei (ternari) sau patru (cuaternari) elemente.

deoarece θx este mai mic decât θy. Cu cât diferenţa 203 .20). 6. θy dy Py dx > dy θ x > θx d xP x θx Fig. având în vedere că dy ~ 1 µm şi dx ~ 3 ÷ 100 µm. O caracterizare generală din acest punct de vedere este imposibilă ca urmare a diferenţelor şi naturii individuale a diodelor laser. raportul dx/dy poate varia între 3 şi 100. 6.21 – Astigmatismul fasciculului laser Aşa cum se poate vedea în figura 6. În general. a cărei poziţie poate fi localizată trasând prelungirile direcţiilor ce limitează fasciculul (şi care fac unghiul θ între ele).Diferenţa dintre θx şi θy determină o secţiune transversală eliptică a fasciculului emis de diodele laser (figura 6.20 – Distribuţia spaţială a fasciculului laser 2) Astigmatismul Astigmatismul este un alt rezultat al formei rectangulare a faţetei emiţătoare a diodei laser. Se poate constata imediat că Px este localizat în spatele lui Py. fasciculul emis de o mică faţetă este echivalent cu un fascicul emis de o sursă punctiformă imaginară.21. dx θx dy θy Fig.

dintre dx şi dy este mai mare, cu atât distanţa dintre Px şi Py este şi ea mai
mare.
Acest fenomen este numit astigmatism, distanţa dintre P x şi Py fiind
exprimarea cantitativă (numerică) a acestuia.
Existenţa astigmatismului înseamnă că atunci când se utilizează o
singură lentilă convergentă, fasciculul poate fi colimat pe o singură direcţie,
fie direcţia x fie direcţia y, din cauză că P x şi Py nu pot fi simultan în focarul
lentilei colimatoare.
Pentru corectarea acestor imperfecţiuni, se folosesc diferite metode.
Cea mai comună metodă pentru circularizarea fasciculului eliptic este
utilizarea unei perechi de prisme de corecţie, aşa cum se poate vedea în figura
6.22. Prismele pot lărgi sau îngusta dimensiunea fasciculului pe o anumită
direcţie, păstrând-o neschimbată pe alte direcţii. Valoarea cu care are loc
lărgirea sau îngustarea fasciculului poate fi ajustată prim modificarea
unghiului dintre cele două prisme. Prin ajustarea corespunzătoare a unghiului
dintre prisme şi utilizarea unei aperturi circulare, este posibilă circularizarea
unui fascicul eliptic.

Fig. 6.22 – Circularizarea fasciculului laser cu prisme de corecţie

Pentru corectarea astigmatismului, cea mai comună metodă este
utilizarea unor lentile cilindrice foarte slabe după lentilele de colimare, aşa
cum se poate vedea în figura 6.23. Când orientarea şi distanţa focală a
lentilelor cilindrice sunt corecte, această metodă permite colimarea
fasciculului în direcţia θy, fără alterarea acestuia pe direcţia θx.
Avantajele acestor metode sunt:
1.
uşurinţa lucrului, nefiind necesare ajustări complicate;
2.
pierderi de putere mici, singurele pierderi fiind prin reflexii la
suprafaţa prismelor şi lentilelor; pierderea totală este de aproximativ 30%
÷ 50%, dacă suprafeţele sunt acoperite cu straturi antireflex;
3.
preţ scăzut.
Dezavantajele sunt:
204

1.

distorsionarea mare a frontului de undă al fasciculului şi dispersia
puternică a luminii; deoarece fasciculul trebuie să treacă prin opt
suprafeţe de sticlă, defectele acestora reduc puternic calitatea
fasciculului;
2.
astigmatismul rezidual; mărimea astigmatismului variază chiar şi de
la o diodă la alta de acelaşi tip şi de obicei ia valori între câţiva µm şi
câteva zeci de µm.

Fig. 6.23 – Corectarea astigmatismului cu lentile cilindrice

O metodă alternativă, care realizează atât circularizarea fasciculului
eliptic, cât şi corectarea astigmatismului, este utilizarea unei bucăţi de fibră
optică monomod aşa cum se prezintă în figura 6.24. Fasciculul laser este
cuplat prin intermediul a două lentile colimatoare la o fibră monomod şi
fasciculul de ieşire din fibră este colimat de o a treia lentilă colimatoare.
Lungimea fibrei trebuie să fie mult mai mare decât lungimea de undă
a radiaţiei emise de dioda laser. În acest fel, calitatea şi caracteristicile
spaţiale ale fasciculului de ieşire din fibră pot fi determinate total de calitatea
suprafeţei şi forma capătului fibrei prin care iese fasciculul. Astfel, secţiunea
transversală eliptică şi astigmatismul fasciculului înainte de intrarea în fibră,
care variază de la o diodă la alta, nu afectează caracteristicile spaţiale ale
fasciculului de ieşire din fibră.

205

Fibra are o secţiune circulară transversală şi un diametru constante.
Ca urmare, fasciculul de ieşire are o secţiune transversală circulară. Cu alte
cuvinte, el este lipsit de astigmatism.
Avantajele utilizării acestei metode sunt:
1.
distorsionare a frontului de undă şi dispersie a luminii reduse;
calitatea frontului de undă şi nivelul de dispersie a fasciculului colimat
sunt afectate numai de calitatea a trei suprafeţe de sticlă;
2.
astigmatism rezidual inexistent.
Dezavantajele sunt:
1.
pierderi de putere mari; cum o fibră monomod are grosimea de numai
câţiva µm, cuplajul optic dintre fascicul şi fibră nu este eficient. Pierderea
de putere rezultată în sistem este de obicei între 50% ÷ 70%;
2.
preţ ridicat; dificultatea cuplării fasciculului la o fibră atât de subţire
duce la creşterea preţului părţilor mecanice; de asemenea, pentru
compensarea pierderii de putere optică, este necesară o putere mai mare a
diodei laser;
3.
dimensiuni mai mari.

Fig. 6.24 – Corectarea astigmatismului şi circularizarea fasciculului laser cu
fibră optică

6.2.6. Diode laser cu dublă heterostructură
Toate diodele laser semiconductoare practice sunt fie bazate pe duble
heterostructuri, fie pe structuri cu gropi de potenţial cuantice (quantum
wells). O structură şi diagrama simplificată a benzilor energetice la polarizare
directă a diodei laser cu dublă heterostructură sunt prezentate în figura 6.25.b
şi 6.25.c, ele fiind similare cu cele ale unei LED.
206

În acest caz, semiconductorii sunt tot AlGaAs, cu Eg ≈ 2 eV şi GaAs,
cu Eg ≈ 1,4 eV. Regiunea p-GaAs este un strat subţire, tipic 0,1 ÷ 0,2 µm şi
constituie stratul activ, în care au loc emisii stimulate şi, ca urmare, se
produce amplificarea optică. Ambele regiuni, p-GaAs şi p-AlGaAs sunt de
tip p cu dopare puternică şi sunt degenerate, cu nivelul Fermi în banda de
valenţă.

Fig. 6.25 – Principiul de funcţionare al unei diode laser cu dublă
heterostructură. a) - densitatea de stări şi distribuţia energetică a electronilor şi
golurilor în BC şi BV ale stratului activ şi recombinarea stimulată de fotoni a
electronilor şi golurilor; b) - structura diodei laser cu dublă heterojoncţiune (cu
GaAs şi AlGaAs); c) - diagrama simplificată a benzilor energetice la polarizare
directă de valoare mare; efectul laser are loc în stratul activ p-GaAs

207

Când este aplicată o tensiune de polarizare suficient de mare, EC a
stratului n-AlGaAs se deplasează deasupra valorii EC a stratului p-GaAs, ceea
ce conduce la o largă injecţie de electroni din BC a stratului n-AlGaAs în BC
a stratului p-GaAs, aşa cum se vede în figura 6.25.c. Aceşti electroni sunt
confinaţi în BC a zonei p-GaAs, deoarece între stratul p-GaAs şi stratul pGaAsAl există o barieră de potenţial ∆EC, datorată modificării lărgimii benzii
interzise. Confinarea într-un mic volum a purtătorilor de sarcină injectaţi
asigură concentraţia necesară a acestora. Stratul în care are loc confinarea
este un strat cu o bandă interzisă mai largă decât a stratului activ şi adiacent
acestuia, în care sunt confinaţi purtătorii minoritari injectaţi.
Stratul p-GaAs este dopat până la nivelul de degenerare. Astfel, BV este
plină de goluri, adică are toate stările electronice goale deasupra nivelului
Fermi EFp în acest strat.
Polarizarea de valoare suficientă injectează o mare concentraţie de
electroni din stratul n-AlGaAs în BC a stratului p-GaAs. În consecinţă, aşa
cum se vede în figura 6.25.a, în BC se găseşte o concentraţie mare de goluri
şi stări complet goale în partea superioară a BV, ceea ce înseamnă că aici se
produce o inversie de populaţie. Un foton incident cu o energie hν0 cu puţin
mai mare decât Eg poate stimula un electron de conducţie din stratul p-GaAs
să treacă din BC în BV, emiţând un foton prin emisie stimulată. O astfel de
tranziţie este o recombinare electron-gol stimulată fotonic. Astfel, o avalanţă
de emisii stimulate în stratul activ asigură o amplificare optică a fotonilor cu
energia hν0 în acest strat. Amplificarea depinde de măsura inversiei de
populaţie şi deci de curentul direct prin diodă. Există un curent de prag, I p,
sub care nu se produce emisie stimulată şi deci nici amplificare optică (figura
6.26).

Fig. 6.26 – Caracteristici de ieşire tipice (puterea radiaţiei emise în funcţie de
curentul de polarizare directă) pentru o LED şi o diodă laser

208

ceea ce înseamnă că AlGaAs are un indice de refracţie mai mic decât GaAs. o variantă de cavitate optică are o oglindă dielectrică la o extremitate a cristalului semiconductor şi cealaltă extremitate a cristalului este lustruită. ca urmare a faptului că una din extremităţile reflectătoare ale cavităţii este parţial transparentă. Figura 6. semiconductorii cu bandă interzisă mai mare au în general indici de refracţie mai mici. 209 . stratul activ trebuie încorporat într-o cavitate optică. reflectă fotonii coerenţi şi favorizează interferenţa constructivă a acestora în cavitate. Această creştere a concentraţiei de fotoni creşte rata emisiilor stimulate şi eficienţa laserului. ceea ce conduce la o amplificare a oscilaţiilor electromagnetice de înaltă energie.26 compară caracteristicile de ieşire ale unei diode laser şi ale unei LED. Acesta.Orice emisie sub Ip este datorată emisiei spontane şi dispozitivul lucrează ca LED. O parte din această energie este extrasă în exterior. Modificarea în valoarea indicelui de refracţie defineşte un ghid de undă optic dielectric care confinează fotonii în regiunea activă a cavităţii optice şi prin aceasta reduce pierderile de fotoni şi creşte concentraţia de fotoni. având extremităţi reflectătoare. În plus. Pentru construirea unui laser semiconductor cu o emisie autoîntreţinută consistentă. De exemplu.

210 .

211 .

212 .

213 .

27). 214 .Fig. Diodele laser bazate pe GaAs şi AlGaAs sunt potrivite pentru emisie la lungimi de undă în jurul a 900 nm. Acesta este cazul diodei laser monomod (single mode laser diode). heterostructurile tipice se bazează pe InP (substrat) şi aliaje cuaternare InGaAsP. Compoziţia aliajului de InGaAsP este ajustată pentru a obţine banda interzisă necesară pentru straturile activ şi de confinare. Astfel de diode sunt numite diode cu ghid de indice (index guided diodes). Pentru lucrul în domeniul lungimilor de undă pentru comunicaţii optice (1.27 – Secţiune printr-o diodă laser cu dublă heterostructură îngropată Dioda laser cu dublă heterostructură îngropată (buried heterostructure laser diode) este un bun exemplu de dispozitiv semiconductor laser cu dublă heterostructură ce are o regiune activă „îngropată” în dispozitiv astfel încât este înconjurată de materiale cu indice de refracţie scăzut. Deoarece stratul activ este înconjurat de AlGaAs de indice de refracţie mai scăzut.55 µm). atunci numai modul fundamental poate exista în structura ghidului de undă. ceea ce creşte rata emisiilor stimulate şi astfel randamentul diodei. Dacă heterostructura îngropată are dimensiunile potrivite comparativ cu lungimea de undă a radiaţiei. făcând din regiunea activă un ghid de undă (figura 6. asigurând ca fotonii să fie confinaţi în regiunea activă.3 şi 1. acestea având o bandă interzisă mai îngustă decât cea a InP şi un indice de refracţie mai mare. el se comportă ca un ghid de undă dielectric. 6.

E’2. Densitatea de stări în BV are o comportare similară. când creşte din nou în salt etc. g(E) este constant la între E1 şi E2. strat care serveşte drept strat activ. încât electronul poate fi considerat ca fiind într-o groapă de potenţial unidimensională pe direcţia z. depind de materialele semiconductoare şi de doparea acestora. majoritatea golurilor în BV are energia în jurul lui E’1. E2. d. … sub valoarea EV. 215 . electronii din BC nu au o dispersare mare în valorile energiei. g(E). E2. Cum lărgimea benzii interzise. Aceasta reprezintă un dispozitiv cu heterostructură. E’2. schematizat în figura 6. … peste valoarea EC şi golurile pot avea energii permise cu valorile E’ 1. dar liber în planul xOy. n. tipic mai subţire de 50 nm.28. electronii de conducţie din stratul subţire de GaAs sunt confinaţi în direcţia z. cum este GaAs. până la E3. E2. …). datorită cuantificării pe direcţia z (energia datorată mişcărilor electronilor pe direcţiile x şi y este mică şi se adaugă la E 1. aici apar discontinuităţi în valoarea lui EC şi EV. ∆EC şi ∆EV. ceea nu este cazul în masa de semiconductor. E2.6. este aşa de mică. Datorită barierei de potenţial ∆EC. ∆EC este mai mare decât ∆EV. densitatea de stări la EC este zero şi creşte lent cu energia (ca şi E’). plasat între două straturi de semiconductori cu bandă interzisă mai largă. O mare concentraţie de electroni poate fi uşor obţinută la E1. În cazul heterostructurii GaAs/AlGaAs. care este prezentată în figura 6. La o polarizare directă. electronii sunt injectaţi în BC a stratului de GaAs. Laseri cu gropi de potenţial cuantice şi laseri cu centri cuantici Un laser cu groapă de potenţial cuantică (Quantum Well Laser – QWL) are de obicei un strat foarte subţire. În masa semiconductorului însă.2. dintr-un semiconductor cu bandă interzisă îngustă. Densitatea stărilor electronice pentru un sistem electronic bidimensional nu este aceeaşi ca cea din masa semiconductorului. Eg.28. Electronii de conducţie în groapa de potenţial GaAs pot avea energii permise cu valorile E1. este constantă şi nu depinde de energie. cu este AlGaAs.b. Acestea. Electronii din BV a stratului de GaAs formează un gaz bi-dimensional.7. densitatea de stări.a. unde creşte în salt şi rămâne iarăşi constant. se modifică la interfaţă. Această lungime de confinare. În mod asemănător. Pentru o concentraţie de electroni dată. Cum la E1 densitatea de stări este finită şi substanţială. ceea ce înseamnă că valorile energiei electronilor sunt mai împrăştiate în BC. adică numărul stărilor cuantice pe unitatea de energie şi pe unitatea de volum.

Densitatea de curent de prag pentru realizarea inversiei de populaţie şi a emisiei laser este redusă în mod evident faţă de cea a diodelor cu dublă 216 . a) . fără nevoia unui curent mare. b) – structura energetică a electronilor de conducţie confinaţi în stratul de GaAs în direcţia z pe o lungime foarte mică. d.28 – Un dispozitiv cu groapă de potenţial cuantică (QW).structura schematică a dispozitivului.Fig. Tranziţiile stimulate ale electronilor între E1 şi E’1 conduc la o emisie laser. c) – densitatea de stări a unui dispozitiv bidimensional QW. ceea ce înseamnă că la E1 concentraţia de electroni creşte rapid cu creşterea curentului şi astfel inversia de populaţie are loc rapid. 6. Electronii injectaţi populează cu uşurinţă numărul mare de stări la E 1.

Energia electronilor în centrul cuantic este cuantificată într-un mod asemănător cu situaţia de la o groapă de potenţial finită tridimensională. x. Laserii cu gropi de potenţial multiple (multiple quantum well laser – MQWL) au mai mult de o groapă de potenţial. În plus. Fig. curentul de prag prezintă o mult mai slabă dependenţă de temperatură decât la QWL. ZnS etc) sunt deja bine cunoscute. Acestea au anumite avantaje în comparaţie cu dispozitivele laser cu gropi de potenţial cuantice. Efectele de cuantificare asociate cu microcristale de semiconductori binari II-VI (cum sunt CdS.29 – O structură de dispozitiv cu gropi de potenţial multiple În prezent. Acestea sunt alcătuite din cristale cu dimensiuni atât de mici. încât electronii de conducţie sunt confinaţi pe toate cele trei direcţii. tipic mai puţin de 10 nm. 217 .heterostructură de aproximativ 10 ori. în timp ce straturile cu benzi interzise mai largi sunt straturi barieră. QDL au densitatea de curent de prag cea mai mică dintre toate dispozitivele descrise până acum şi spectrul de emisie cel mai îngust. Nepotrivirea dintre cele două cristale forţează InAs să se grupeze într-un foarte mic cristal. Prepararea dispozitivelor laser cu centri cuantici utile tehnologic este încă în stadiul de intense cercetări. z. acestea formând o structură periodică (figura 6. Efectele cuantice devin efective atunci când dimensiunea cristalului este de câţiva nm. y. Astfel. 6. Centrii cuantici în InAs de dimensiuni de ordinul a 10 nm pot forma structuri auto-organizate când InAs este crescut pe substraturi de GaAs. CdSe..29). un interes deosebit îl prezintă dezvoltarea dispozitivelor laser cu centri cuantici (quantum dot lasers – QDL). unde au loc confinarea electronilor şi tranziţiile acestora însoţite de emisiile stimulate. Straturile cu benzi interzise de lărgime mai mică sunt straturile active.

într-un laser având la bază o cavitate Fabry-Perrot.30 – a) . Astfel. Modurile DFB permise nu sunt exact la lungimea de undă dată de condiţia Bragg. Dintre acestea. se află un strat striat (canelat). trebuie să fie permisă existenţa unui singur mod şi trebuie reduse pierderile în cavitate ca urmare a reflexiile pe suprafeţele de la extremităţile cavităţii.structură laser cu reacţie distribuită. Laseri cu reacţie distribuită Ideal. unul dintre cele mai importante este laserul cu reacţie distribuită (distributed feedback laser – DFBL). undele ce se propagă sunt reflectate parţial şi periodic. În laserul DFB. b) emisie laser ideală.8.a. încât efectiv doar modul de ordinul cel mai mic suferă efectul laser. Un dispozitiv 218 . Λ. c) spectru de emisie tipic pentru un laser cu reacţie distribuită În structura DFB. Undele care se propagă la stânga sau la dreapta se pot cupla coerent pentru construcţia unui mod numai dacă frecvenţa lor este relaţionată cu perioada striaţiilor. Într-un laser cu cavitate Fabry-Perrot. λB. Fig.2. numit strat de ghidaj. spectrul radiaţiei emise de către un dispozitiv laser trebuie să fie cât mai îngust posibil. feedback-ul optic este distribuit pe toată lungimea cavităţii. ale cărui striaţii acţionează ca o reacţie optică pe lungimea cavităţii prin producerea unor reflexii parţiale (asemănător cu reflexia selectivă pe o reţea de difracţie). aşa cum se vede în figura 6.6.30. dar sunt simetric dispuse faţă de aceasta. feţele cristalului asigură feedback-ul optic necesar în cavitate pentru a asigura concentraţia de fotoni. Pragul amplificării pentru modurile superioare este atât de mare. radiaţia se propagă în spaţiul dintre stratul activ şi stratul de ghidaj. peste stratul activ. 6. Există diferite dispozitive care au un spectru cu puritate modală foarte ridicată. ceea ce înseamnă în general că.

2. deoarece fasciculul laser emerge din muchia (bordura) cristalului tăiat.30. eliptic al acestora.55 µm prezintă lărgimi spectrale ale semnalului emis de ordinul a 0. În prezent. ca la dioda laser convenţională (a) În sfârşit. Dacă lărgimea benzii laserului nu este redusă artificial.1 nm. se produce o instabilitate atât în amplitudinea. inevitabila asimetrie introdusă în procesul de fabricaţie conduce la un singur mod.9. Fig. 219 . suficientă pentru a suporta moduri longitudinale multiple.b).31 – Într-o structură VCSEL (b). nu este posibilă testarea optică a dispozitivelor în timpul fabricării. procesul este extrem de dificil şi nu se întrevede un viitor apropiat la care preţul de fabricare să fie convenabil. iar acesta nu este tăiat până la sfârşitul procesului de fabricare. În plus. În realitate. 6. cât şi în frecvenţa radiaţiei laser. 6. Deşi divergenţa poate fi corectată cu sisteme optice. eliptice nu poate fi niciodată rezolvată complet. cavitatea rezonatoare a lor este totuşi de ordinul a sute de micrometri în lungime. diodele laser DFB pentru canalul de comunicaţie optică la 1. Deşi sunt extrem de mici. rezonatorul este vertical şi lumina emerge din suprafaţa laserului şi nu din muchia acestuia. deşi pot fi fabricate structuri monolitice bidimensionale de diode laser. Laseri cu emisie prin suprafaţa unei cavităţi verticale Una din problemele fundamentale ale diodelor laser este fasciculul puternic divergent. Acest lucru determină creşterea preţului de fabricare a dispozitivelor. inerenta problemă a sursei mici. Diodele laser au şi alte limitări fundamentale.perfect simetric are două moduri egal distanţate plasate de o parte şi de alta a lui λB (figura 6.

determinat de o suprafaţă de emisie mică şi neregulată a unui emiţător pe muchie. Reflectanţa ridicată a acestor oglinzi este necesară deoarece lungimea cavităţii foarte scurtă reduce amplificarea optică a stratului activ. Mai mult de atât.32). Pentru a obţine reflectanţa necesară (~ 99%). încât distanţa dintre modurile longitudinale este prea mare pentru ca mai mult de un mod să poată oscila. Dioda laser convenţională (cu cavitate orizontală) este un emiţător pe muchie. iar oglinzile sunt localizate deasupra şi sub zona de inversie a populaţiei. pronunţat vixel) permite depăşirea acestor probleme. în loc de o parte şi de alta a acesteia. Aria de emisie a emiţătorului de suprafaţă este rotundă şi mult mai mare. instabilitatea laserilor convenţionali este eliminată.VCSEL.b). oglinda dielectrică este în esenţă un reflector Bragg distribuit. Şi structurile bidimensionale de astfel de diode pot fi fabricate mai uşor.31. Se pot obţine densităţi foarte mari. în timp ce dioda laser cu cavitate verticală este un emiţător de suprafaţă. alcătuite multistraturi cu lame sfert de undă la care indicele de refracţie alternează (n1 şi n2). Acestea asigură un grad ridicat de reflectanţă selectivă la o anumită lungime de undă dacă grosimile straturilor alternante. (modurile longitudinale sunt distanţate cu valoarea c/2ℓ). Aşa cum se poate vedea în figura anterioară. dificultăţile de fabricare sunt reduse. La un VCSEL. Este evident că rezonatorul unui VCSEL este mai scurt decât cel al unui laser convenţional. eliptic. cavitatea rezonatoare este în planul orizontal (figura 6. Cum unda este reflectată datorită unei variaţii periodice a indicelui de refracţie. numărul straturilor alternante este de 20 220 . scăzând astfel preţul diodelor individuale. spre deosebire de diodele laser convenţionale.a).Laserul cu cavitate verticală şi emisie de suprafaţă (vertical cavity. 0) 2 ceea ce conduce la o interferenţă constructivă a tuturor undelor parţial reflectate la interfeţe. este atât de scurt. surface-emitting laser . VCSEL au axa cavităţii optice de-a lungul direcţiei fluxului de curent.31. Se pot observa cu uşurinţă avantajele unei astfel de proiectări. Reflectoarele de la capetele cavităţii sunt oglinzi dielectrice. deoarece este posibilă testarea optică a unei plachete cu VCSEL în timpul procesului de fabricaţie. Astfel. La diodele laser convenţionale. d1 şi d2 şi indicii de refracţie n1 şi n2 satisfac condiţia: λ n1d1 + n2d2 = (6. astfel încât radiaţia emerge de la suprafaţa cavităţii şi nu de pe muchia îngustă a acesteia (figura 6. care elimină problema fasciculului divergent. de zeci de milioane de diode pe o astfel de plachetă. la care aceasta este perpendiculară pe fluxul de curent. cavitatea este pe direcţia verticală (figura 6. Lărgimea regiunii active este foarte mică în comparaţie cu dimensiunile laterale. cu un preţ mai mic. De fapt.

Diferitele tipuri de VCSEL fabricate au diferite moduri laterale. Aşadar. un dispozitiv VCSEL care emite la 980 nm are stratul activ din InGaAs şi substratul din GaAs (transparent la 980 nm).÷ 30. Înălţimea cavităţii verticale poate fi de câţiva microni. astfel încât fasciculul emis are o secţiune transversală circulară. De exemplu. dar lărgimea spectrului rămâne numai de 221 . separarea modurilor longitudinale este suficient de bună pentru a permite lucrul unui singur mod longitudinal. Întreaga cavitate optică este verticală dacă se păstrează curentul la fel ca la cavitatea unei diode laser convenţionale. pot apărea unul sau mai multe moduri laterale (transversale). Straturile semiconductoare necesare sunt crescute prin creştere epitaxială pe un substrat convenabil. Totuşi. În practică apare un singur mod lateral în spectrul de ieşire pentru diametre ale cavităţii mai mici de aproximativ 8 µm.1 µm) şi de preferat este o structură cu gropi de potenţial multiple (MQW) pentru a obţine un curent de prag convenabil. Fig. Oglinzile dielectrice sunt straturi alternante de AlGaAs cu compoziţie diferită şi deci cu bandă interzisă de lărgime diferită şi cu indice de refracţie diferit.32 – Schemă simplificată a unei structuri VCSEL Stratul activ este în general foarte subţire (< 0. Cavitatea verticală este de obicei circulară în secţiune transversală. în funcţie de dimensiunea laterală a cavităţii. ceea ce este un avantaj. care este transparent la lungimea de undă de emisie. 6.

2 µm.aproximativ 0. uniform. au fost puse la punct şi 222 . Totuşi. 6.5 nm. Mai târziu. Răcit la 10 K şi supus unui câmp magnetic pentru a confina purtătorii. dispozitivul emitea radiaţie coerentă la o lungime de undă de aproximativ 5. substanţial mai mică decât la o diodă laser convenţională longitudinală multimod. Cu dimensiuni ale cavităţii de ordinul micronilor. Fig. obţinut cu un dispozitiv VCSEL este de dorit pentru cuplarea în fibrele optice. un astfel de laser este cunoscut sub numele de microlaser. apar unele probleme. În industria telecomunicaţiilor. concomitent cu aceste avantaje. În plus. Unul dintre cele mai importante avantaje ale microlaserilor este acela că ei pot fi aranjaţi pentru a forma o matrice emiţătoare care este sursă laser cu o suprafaţă de emisie mare. Proiectarea sa permite chipurilor să fie fabricate şi testate pe un singur soclu. Pot fi obţinute câmpuri largi de dispozitive astfel încât devin posibile aplicaţii cum sunt reţelele neuronale optice. profilul fasciculului monomod. în special la fabricare şi la lucrul la puteri mari. Laserul cu emisie la suprafaţa unei cavităţi verticale are multe avantaje faţă de laserii cu emisie pe muchie. ele pot furniza puteri optice mai mari (de ordinul a câţiva W) decât o singură diodă laser convenţională. Astfel de structuri au importante posibile aplicaţii în interconectarea optică şi în tehnologiile calculatoarelor optice.33 – VCSEL cu reflector metalic Primele dispozitive VCSEL au fost fabricate în 1965 de Melngailis şi constau dintr-o joncţiune n+pp+ de InSb.

Pentru VCSEL. pentru telecomunicaţiii la lungimea de undă de 1. iar dispozitive VCSEL în pulsuri la temperatura camerei un an mai târziu.34 – VCSEL cu groapă gravată La laserii cu cavitate Fabry-Perot.33). Lungimea cavităţii dispozitivelor VCSEL este foarte scurtă. 6. Dispozitivele VCSEL utilizează 223 . O reflectanţă atât de mare nu poate fi obţinută prin utilizarea oglinzilor metalice. tipic de 1 până la 3 ori lungimea de undă a luminii emise.alte dispozitive asemănătoare. dispozitivele VCSEL necesită oglinzi cu reflectanţă foarte mare pentru a fi eficiente. cu emisie în infraroşul apropiat. dispozitivele VCSEL cu GaAs/AlGaAs au curenţi de prag de aproximativ 40 µA. Reducerea densităţii de curent de prag a fost legată de reducerea volumului activ al cavităţii. la o singură parcurgere a cavităţii. Fig. reflectanţa necesară pentru curenţi de prag scăzuţi este mai mare de 99.5 µm. Ca rezultat. De aceea. Aceste prime dispozitive VCSEL aveau oglinzi metalice care aveau ca rezultat densităţi de curent de prag ridicate (44 kA/cm2 ) şi erau răcite utilizând azot lichid (figura 6.9%. un foton are o mică şansă de a declanşa un proces de emisie stimulată la densităţi de purtători scăzute. În prezent. reflectanţa feţelor cavităţii este de aproximativ 30%. dar toate au anumite aspecte comune. Oglinzi epitaxiale pentru dispozitive VCSEL cu GaAs/AlGaAs au fost realizate începând cu 1983. Există mai multe tipuri de structură VCSEL.

în ordinea evoluţiei acestora. mai multe straturi duc la creşterea rezistenţei electrice a acestuia. de aceea sunt necesare un număr mare de straturi. Fig. Cum straturile DBR sunt şi conductoare ale curentului în dispozitiv.35 – VCSEL cu bornă aeriană În prezent. materialele semiconductoare utilizate pentru DBR au o mică diferenţă în indicele de refracţie. Pot fi create multiple gropi de potenţial în cavitate pentru a creşte puterea obţinută.reflectori Bragg distribuiţi (Distributed Bragg Reflectors – DBR). La dispersia minimă pentru fibrele optice. Puterea obţinută de la o singură groapă de potenţial cuantică este mică. de aici. cele mai multe dispozitive VCSEL utilizează cavităţi cu gropi de potenţial cuantice. se poate nu numai defini o regiune pentru a se produce recombinarea. Poziţia gropii de potenţial cuantice este crucială pentru maximizarea amplificării dispozitivului. Unele dintre tipurile de VCSEL sunt prezentate în continuare. creşterea disipării de căldură poate deveni o problemă dacă dispozitivul nu este proiectat corect. Aceştia sunt formaţi aşezarea unor straturi alternante de materiale semiconductoare sau dielectrice cu o diferenţă în indicele de refracţie. Prin depunerea unui strat subţire de semiconductor cu o bandă interzisă mai mică. Lungimea redusă a cavităţii în dispozitivele VCSEL şi adăugarea gropii de potenţial cuantice reduce semnificativ probabilitatea emisiei 224 . 6. dar se pot controla şi proprietăţile optice ale dispozitivului.

95%. fiecare strat având o grosime optică de (λ/4)n. Fig. Se obţine astfel un reflector Bragg distribuit. reflecţiile pe fiecare discontinuitate se vor adiţiona în pentru a produce o reflectanţă mare. Lumina în cavitate trebuie să fie reflectată înapoi în cavitate de mai multe ori decât la un laser cu cavitate Fabry-Perot. Cantitatea de lumină reflectată de astfel de discontinuităţi este mică. lumina va fi reflectată la suprafaţa discontinuităţii. Timpul mediu pe care fotonii îl petrec în cavitate este numit timp mediu de viaţă al fotonului. De asemenea. dacă straturile alternante de semiconductor sau dielectric sunt stratificate periodic. Totuşi. pentru astfel de regiuni active mic sunt inutile.36 – VCSEL îngropat prin recreştere epitaxială Numărul straturilor necesare pentru a produce oglindă cu reflectanţă foarte mare la o lungime de undă particulară este determinat de diferenţa dintre indicii de refracţie ai materialelor straturilor alternante. trebuie avută în vedere şi constanta reţelei materialelor. care trebuie să fie 225 . Reflectanţa oglinzilor trebuie să fie foarte mare pentru a creşte timpul mediu de viaţă al fotonului şi deci timpul de interacţie cu stările electronice excitate. Oglinzile metalice sunt limitate la o reflectanţă de aproximativ 98% şi astfel.stimulate la parcurgerea o singură dată a cavităţii. Calculul dă o valoare minimă a reflectanţei de 99. Dacă două materiale dielectrice cu un indice de refracţie diferit sunt plasate împreună pentru a forma o joncţiune. Materialele dielectrice şi semiconductoare au un coeficient de absorbţie foarte mic pentru fotoni cu energii sub lărgimea benzii interzise a materialului. 6.

acesta poate fi transformat într-un material izolator. dar şi alte specii ionice. n 1 şi n2. Totuşi. Pentru dispozitive care lucrează la lungimi de undă mari.34). Sunt mai multe metode utilizate în mod curent în dispozitivele VCSEL. este necesar un mare număr de straturi alternante pentru a obţine reflectanţele mari cerute la dispozitivele VCSEL. incluzând F +. Cele mai importante consideraţii sunt legate de alegerea materialelor utilizate pentru fabricarea straturilor Bragg. diferenţele la zonele de separare trebuind să fie sub 1%. N+ şi H+ au fost încercate. Prin implantarea selectivă a ionilor într-un semiconductor. pentru a evita fisurile datorate tensiunilor mecanice din reţea. pentru un număr dat de perioade. În plus. Cel mai adesea sunt utilizaţi protoni. De aceea. cele mai obişnuite fiind ZnSe/MgF şi Si/SiO2. contrastul dintre aceste două materiale este foarte mic. O altă tehnică pentru confinarea curentului este implantarea ionică. O+. Fiind dat indicele de refracţie al substratului. Bombardarea semiconductorului cu ioni tinde însă să distrugă structura cristalină a materialului implantat şi ca atare tehnica trebuie utilizată cu precauţie în apropierea stratului activ. pot fi depuşi utilizând tehnici de temperatură scăzută şi nu conduc curentul electric. se poate reduce şi curentul de prag al dispozitivului VCSEL prin limitarea suprafeţei secţiunii transversale a cavităţii în care are loc amplificarea. Acestea trebuie să fie crescute utilizând materiale cu reţea care se potriveşte cu cea a materialului cavităţii dispozitivului. Problemele cu acest tip de structură sunt pierderile de purtători datorate recombinărilor superficiale la pereţii gropii şi disiparea slabă a căldurii din cavitatea laser.asemănătoare. n0. Dielectricii au un contrast de indice de refracţie ridicat. astfel că este importantă minimizarea numărului necesar de straturi. ei nu sunt conductori buni de căldură. Oglinzi cu reflectanţă mare pot fi fabricate şi din materiale dielectrice. ns şi cel al materialului înconjurător (de obicei aer). Puterea optică de ieşire este: 226 . O metodă simplă este aceea de a grava o groapă sub stratul activ (figura 6. Fiecare strat de semiconductor creşte rezistenţa dispozitivului şi curentul de prag. reflectanţa este dată de: 2  n  n  2m  1 − s  1 ÷   n0  n2   R=  (6. în general. m. 0) 2m    n n 1 + s 1   n 0  n 2 ÷   Oglinzile pentru dispozitive cu lungimi de undă mari trebuie proiectate cu grijă. ca şi cei ai straturilor semiconductoare alternante. alegerea tradiţională a materialelor este GaAsInP/InP. Odată cu reducerea dimensiunilor cavităţii. Marea diferenţă în indicele de refracţie dintre aer şi materialul dispozitivului acţionează pentru a ghida lumina emisă.

Pentru diodele luminescente şi laserii cu semiconductori. Tensiunea de modulaţie polarizează dispozitivul. Tjonct)] (6. unde purtătorii nu interacţionează cu câmpul optic) şi . Există diferite tipuri de modulatoare. Graficul puterii optice de ieşire în funcţie de curentul de injecţie va avea o pantă negativă. Modulatoare optice Modulaţia luminii este procesul prin care are loc modificarea unuia din parametrii purtătoarei optice: amplitudinea. frecvenţa sau faza. deci modificarea intensităţii. 0) q unde η depinde de doi factori: .hν η[I – Ip(I. Datorită acestui fapt.randamentul optic pentru fracţia de fotoni generaţi care sunt transmişi în exteriorul cavităţii. Modulaţia directă se realizează prin modularea curentului printr-un dispozitiv fotoemisiv. La modulaţia analogică este necesară şi realizarea liniarităţii la retranslatoare.3. Randamentul cuantic diferenţial este deci dependent de curent:  dI  q dPout = η 1 − p ÷ η(I) = (6. Obţinerea caracteristicilor de modulaţie liniare la modulatoarele optice este dificilă. se produce modificarea pătratului acesteia. cum este o LED sau o diodă laser. sau indirect (extern).37). intensitatea luminii generate este controlată de un semnal electric. Se utilizează de asemenea modulaţia intensităţii. 6. la care. Modulaţia 227 . la care impulsul de modulaţie capătă valori discrete ale fazei. care permit realizarea tipului de modulaţie dorit. motiv pentru care se utilizează în principal tipurile discrete de modulaţie: manipulaţia de amplitudine şi manipulaţia polarizare. curentul de prag depinde de curentul de injecţie ca şi de temperatura joncţiunii. în cazul modulaţiei intensităţii nu sunt necesare modulatoare externe speciale. Tjonct. în locul modificării amplitudinii.randamentul injecţiei de curent pentru fracţia de purtători injectaţi care contribuie la procesul de emisie (unii purtători se pot recombina în regiunile de confinare nedopate. Este de notat faptul că Ip. Modulaţia luminii se poate realiza direct (intern). La modulaţia directă. 0) hν dI dI   Pout = Se vede că η(I) poate fi negativ dacă dIp/dI > 1. semnalele primare analogice se transmit în sistemele optice în formă numerică sau de impuls. comandând injecţia electronilor în joncţiunea p-n şi variaţia în limite mari a intensităţii radiaţiei (figura 6.

nu este posibilă obţinerea unei modulaţii de viteză mare.directă este larg utilizată în comunicaţiile optic. 228 . modulaţia introduce fenomenul de chirping. Pe de altă parte. Astfel. prin care frecvenţa pulsurilor de lumină variază pe durata semnalului. Ea sunt anumite caracteristici. tipic mai mult de 10 GHz. Motivul este acela că modulaţia este limitată de timpul de relaxare asociat cu purtătorii de sarcină şi cu fotonii.

229 .

câmpul induce axe optice principale în cristal.m.laser cu semiconductor. Prezenţa unui astfel de câmp distorsionează mişcările electronilor din atomi sau a moleculelor în substanţă. care deci „modulează” proprietăţile optice. astfel încât câmpul să apară ca fiind static pe intervalul de timp 230 .1. efectul acousto-optic. cum este GaAs.37 – Caracteristicile tipice de modulaţie (putere de emisie – curent) ale surselor de radiaţie: 1 . 6. 2 . cele mai importante fiind efectul electro-optic. De exemplu. bazaţi pe un anumit efect fizic. frecvenţa sau polarizarea. În acest caz.diodă luminescentă Modulaţia externă implică modularea unei caracteristici a luminii: intensitatea.Fig. Modulatoare electro-optice Efectele electrooptice constau în modificări ale indicelui de refracţie al unui material induse de aplicarea unui câmp electric extern. un câmp extern aplicat poate determina ca un cristal optic izotrop. rezultând modificări în proprietăţile optice. sau distorsionează structura cristalină. modificările indicelui de refracţie sunt mici. efectul magneto-optic şi efectul de electro-absorbţie bazat pe gropi cuantice multiple. 6. atunci când lumina trece prin modulator. De obicei. Frecvenţa câmpului aplicat trebuie să fie de o astfel de valoare.3. să devină birefringent. câmpul aplicat nu este câmpul electric al unei unde luminoase ci un câmp extern separat. Un astfel de câmp extern se poate aplica prin plasarea unor electrozi pe feţele opuse ale unui cristal şi conectarea acestora la o sursă de t. Există diferite tipuri de modulatori. faza.e.

0) unde coeficienţii a1 şi a2 a1 şi sunt numiţi coeficientul efectului electro-optic liniar. în schimb numai unele materiale cristaline prezintă efectul Pockels. De asemenea. atunci a1 este tot zero. cele două efecte sunt exprimate prin ∆n = a1E (6. ceea ce corespunde timpului necesar ca lumina să traverseze substanţa. Astfel. adică n = n(E). Numai cristalele care nu au centre de simetrie prezintă efectul Pockels. 0) Toate materialele prezintă efectul Kerr. obţinut prin implantarea unui substrat de LiNbO3 cu atomi de Ti care cresc indicele de refracţie al materialului.necesar ca mediul să-şi modifice proprietăţile. a1 = 0 pentru toate materialele necristaline (cum sunt sticlele şi lichidele). Noul indice de refracţie n’ este atunci: n’ = n + a1E + a2E2 + … (6. Efectele electro-optice sunt clasificate în două categorii: efecte de ordinul I şi efecte de ordinul al doilea. E. această expresie se poate dezvolta în serie Taylor. 231 . 0) respectiv ∆n = a2E2 = (λK)E2 (6. un cristal de NaCl nu prezintă efectul Pockels. dacă structura cristalină are un centru of simetrie. Astfel. perpendicular pe direcţia de propagare a luminii. de o parte şi de alta a acestuia. Ca un exemplu. dar un cristal de GaAs prezintă acest efect. Doi electrozi coplanari sub formă de bandă sunt depuşi de-a lungul ghidului de undă. prezentat în figura 6. Unul dintre cele mai simple exemple de aplicaţie în optoelectronică a efectului Pockels este modulatorul de polarizare. Modificarea lui n datorată primului termen este numită efect Pockels. Modificarea lui n datorată termenului de ordinul al doilea este numită efect Kerr şi coeficientul a2 este în general scris sub forma λK. unde K este numit coeficient Kerr. respectiv coeficientul efectului electro-optic pătratic. Dacă se consideră indicele de refracţie n ca fiind funcţie de câmpul electric aplicat. z. permiţând aplicarea unui câmp Ea.38 şi care este realizat dintr-un ghid de undă încastrat. Termenii de ordin superior în dezvoltarea în serie Taylor sunt în general foarte mici şi efectele lor neglijabile pentru majoritatea câmpurilor de interes practic.

Tensiunea necesară pentru a produce o defazare ∆φ = π este numită tensiune seminundă. cele două componente suferă modificări de fază simetrice.38. cu d ≈ 10 µm. Prin comparare. un modulator cu L = 2 cm are o tensiune semiundă V λ/2 = 17. La λ = 1. b) secţiune transversală a aceluiaşi dispozitiv Tensiunea externă de modulaţie. Defazarea ∆φ între componentele Ex şi Ey este proporţională cu variaţia indicelui de refracţie.38 – a) Modulator cu celulă Pockels. câmpul aplicat nu este uniform între electrozi şi. dacă tensiunea induce o defazare de π/2. Efectul electro-optic se produce în toată regiunea de suprapunere spaţială dintre câmpul aplicat şi câmpurile optic. în virtutea efectului Pockels. ∆φ este modulat de V(t). în consecinţă. V λ/2⋅L ≈ 35 V⋅cm. Totuşi. nu toate liniile câmpului aplicat sunt în interiorul ghidului de undă. De exemplu. şi cu lungimea L a canalului (figura 6. induce o variaţie ∆n a indicelui de refracţie şi deci o variaţie de fază dependentă de tensiune. V λ/2. atunci o radiaţie liniar polarizată la un unghi de 45° faţă de axa x poate fi transformată într-o radiaţie circular polarizată. ∆φ este proporţional cu V/d (câmpul aparent aplicat). Reprezentând propagarea luminii de-a lungul ghidului sub forma a două componente ortogonale. De exemplu.5 V. pentru un modulator ca în figura 6. Rezultă deci că dispozitivul este un modulator de fază. pentru un modulator de LiNbO3 la care propagarea 232 . Ex pe direcţia x şi Ey pe direcţia y. Totuşi.Figura 6. V(t) este aplicată între electrozii coplanari şi. deci cu câmpul aplicat. a luminii.38).5 µm.

Vλ/2⋅L ≈ 5 V⋅cm. Figura 6.39 – Modulator de intensitate optică integrat Mach-Zender 233 .luminii se face pe direcţia y iar câmpul este aplicat pe direcţia z. Dispozitivul utilizează efectul Pockels în LiNbO3 şi interferenţa dintre unde care au o diferenţă de fază relativă. Modulatorul Mach-Zender este un dispozitiv electro-optic pe bază de LiNbO3 în care transmitanţa luminii este controlată printr-o tensiune externă. indusă de o tensiune externă aplicată. Dispozitivul converteşte defazarea indusă într-o variaţie de amplitudine prin utilizarea unui interferometru în care interferă două unde de aceeaşi frecvenţă dar de faze diferite.

Aşa cum se poate vedea în figura 6. Modulatoare acousto-optice Modulatoarele acousto-optice se bazează pe efectul fotoeleastic. Cum tensiunea exterioară aplicată controlează diferenţa de fază dintre cele două unde. în care o solicitare mecanică exercitată asupra unui cristal induce modificări ale indicelui de refracţie n al acestuia. dacă un câmp electric extern aplicat induce o variaţie a fazei de π/2 în ramura A. intensitatea la ieşire fiind zero. S. Ghidul de undă de la intrare. puterea optică a undei luminoase de la intrare este egal divizată pe ramurile A şi B. care constituie ramura de ieşire. variaţia ∆n indusă fiind proporţională cu mărimea solicitării mecanice. dispozitivul are implantat un ghid de undă monomod într-un substrat de LiNbO 3 (sau alt material electrooptic). câmpul extern aplicat în ramura A este de sens opus cu cel aplicat în ramura B.2. Structura acţionează ca un interferometru deoarece cele două unde care se propagă prin ramurile A şi B interferă la ieşirea D şi amplitudinea undei la ieşire depinde de diferenţa de fază (diferenţa de drum optic) dintre undele din cele două ramuri. în ramura B ea va fi de – π/2. 234 . Relaţia dintre solicitarea mecanică şi indicele de refracţie este destul de complicată. aceasta controlează deci şi intensitatea luminii la ieşire. Variaţiile indicelui de refracţie sunt în consecinţă opuse. C.3. Aşa cum se vede în figura 24. A şi B. Într-o primă aproximaţie.39. astfel încât undele din ramurile A şi B vor fi defazate cu π. care ulterior se unesc într-o singură ramură. astfel încât câmpul electric al undei este divizat cu un factor 2 pe fiecare ramură. În practică. undele din ramurile A şi B nu se anulează complet când ∆φ = π. deşi relaţia nu este liniară. D. deoarece trebuie considerat efectul unei solicitări S pe o direcţie în cristal asupra variaţiei induse în n pentru o direcţie particulară de propagare a luminii şi o polarizare specifică. ceea ce înseamnă că şi modificările fazelor în ramurile A şi B sunt opuse. pierderile în joncţiuni şi scindarea inegală au ca rezultat scăderea performanţelor modulatorului. în geometria arătată. se bifurcă în două ramuri. De exemplu. 6. În cazul ideal. efectul fotoeleastic poate fi considerat liniar. A şi B la ieşire. Aceste două unde interferă apoi distructiv şi se anulează reciproc.

Aceste semnale sunt transmise printr-o fibră optică.Se pot genera unde acustice sau ultrasonice la suprafaţa unui cristal piezoelectric (cum este LiNbO3) prin plasarea unor electrozi întrepătrunşi pe suprafaţa sa. Aceasta produce difracţia fasciculului optic şi permite modularea unghiului şi intensităţii undei difractate prin amplitudinea şi frecvenţa semnalului RF aplicat. Tensiunea variabilă aplicată pe electrozi va genera astfel o undă acustică superficială prin intermediul efectului piezoelectric. Apare o modificare în frecvenţa fasciculului difractat. sincronizată cu amplitudinea undei acustice.40 şi prin aplicarea pe aceştia a unei tensiuni sinusoidale de frecvenţe radio. Figura 6. 6.4.40 – Modulator acusto-optic Aceste unde acustice se propagă prin dilatări şi comprimări regiunilor superficiale ale cristalului. provenite de la mai multe surse laser. Efectul piezoelectric este fenomenul de generare a unei tensiuni mecanice într-un cristal prin aplicarea unui câmp electric extern. Rezultatul constă într-un fel de „reţea de difracţie” care se creează la suprafaţa cristalului datorită undei acustice. Multiplexoare şi demultiplexoare Multiplexoarele combină mai multe semnale de diferite lungimi de undă. cu o valoare ce corespunde frecvenţei acustice. Demultiplexoarele separă acest fascicul luminos incident în semnale de lungimi de undă 235 . aşa cum se poate vedea în figura 6. într-un singur fascicul luminos. care duc la o variaţie periodică a densităţii şi de aici la o variaţie periodică a indicelui de refracţie.

SOA etc. AWG AWG sunt ghiduri de undă în siliciu sau în dioxid de siliciu. Semnalul luminos incident este divizat de mai multe ori de un cuplor şi fiecare semnal individual trece prin ghiduri de undă curbate. Fiecare ghid de undă are o lungime cu puţin diferită de a celuilalt. realizarea lor devine cvasi-imposibilă. Se folosesc în principal trei tehnologii: filtre în straturi subţiri. numit fotoinscriptor. Filtre în straturi subţiri Aceste filtre sunt cel mai răspândite în sistemele MUX/DEMUX DWDM cu un număr mic de canale şi se bazează pe principiul interferenţei create datorită unei acoperiri în strat subţire. laseri de pompaj. În prezent. Modificarea periodică a indicelui de refracţie permite funcţia de filtraj prin eliminarea anumitor lungimi de undă.1.2. aceste filtre necesită modalităţi de fabricaţie complexe. 6.4. ceea ce determină un timp de parcurs diferit în AWG. care sunt apoi trimise spre detectori. Totuşi. fabricate pe un substrat semiconductor standard.individuale.5. Această întârziere a luminii în fiecare ghid de undă provoacă interferenţe şi structuri de difracţie în cuplorul de ieşire. reţele Bragg gravate în fibră (FBG) şi Arrayed Waveguide Gratings (AWG). Realizarea lor se bazează pe utilizarea filtrelor şi reţelelor de difracţie.4. Reţeaua de difracţie este fabricată prin expunerea fibrei la acţiunea unui puternic fascicul ultraviolet. Amplificatoare optice Există mai multe tipuri de amplificatoare: EDFA. 6. La mai mult de 32 canale.4. Reţele Bragg gravate în fibră Această tehnologie est rezultatul unei fibre monomod de-a lungul miezului căreia este gravată o reţea de difracţie.3. În final. această tehnologie este complet matură şi oferă o stabilitate perfectă în temperatură. când numărul de canale devine important. EDWA. 236 . pe un substrat de sticlă. altele traversând reţeaua cu un minim de atenuare. amplificatoare Raman (amplificare activă pe toată lungimea fibrei). 6. AWG prezintă avantajul de a fi capabile să separe eficient un foarte mare număr de semnale de lungimi de undă diferite şi sunt utilizate în sisteme DWDM care integrează o foarte mare densitate de canale. 6. ca şi o bună izolaţie între canale. semnalele de fiecare lungime de undă emerg separat din cuplorul de ieşire.

utilizat pentru creşterea intensităţii semnalelor optice transportate prin fibră optică în sistemele de comunicaţii. de asemenea. Amplificatoare cu fibră dopată cu erbiu Modulele amplificatoare cu fibră dopată cu erbiu (Erbium-Doped Fiber Amplifier – EDFA) sunt utilizate pentru amplificarea semnalelor luminoase prezente într-o fibră optică. Este folosit erbiul.41 – Schema benzilor energetice ale erbiului şi tranziţiile care pot avea loc între acestea Deci. care este banda cu pierderile de putere cele mai mici în majoritatea fibrelor pe bază de oxid de siliciu.5. Figura 6. de atenuare variabilă şi de egalizare a amplificării. Modulele EDFA utilizează laseri de pompaj pentru excitarea unui material dopat cu erbiu. ca acesta să fie excitat cu un semnal optic atât la 980 nm. Sistemele EDFA sunt constituite din mai multe platforme de tratare a semnalelor. Lucrează în banda C (1530-1560 nm) şi L (1570-1610 nm). cât şi la 237 . incluzând sisteme de compensare în dispersie. deoarece acesta are câteva proprietăţi importante. Acestea primesc la intrare un semnal luminos de amplitudine mică şi îl amplifică respectând domeniul optic al acestuia. Nivelurile cuantice ale erbiului permit. care îl fac să constituie o alegere excelentă pentru un amplificator optic. care restituie această energie de pompaj amplificând semnalul luminos prezent în aceasta. El este alcătuit dintr-o fibră al cărui miez este puternic dopat cu ioni de erbiu şi funcţionează pe baza fenomenului de emisie stimulată.6. EDFA este un tip de amplificator optic.1. Ionii de erbiu (Er3+) au niveluri cuantice care permit stimularea pentru emisia în banda de 1540 nm. aflat chiar în fibră.

principalele caracteristici ale EDFA. nu necesită electronică de viteză mare. lipsa distorsiunilor la fluxuri de date mari. pe baza analizei schemei din figura 6. insensibilitate la starea de polarizare a luminii. Figura 6. 238 .41. imunitate la interferenţe între canalele de multiplexare.5 ÷ 6 dB).42 este prezentată diagrama-bloc a unui EDFA.43 – Caracteristicile a unui EDFA Avantajele EDFA sunt: disponibilitate comercială în banda C şi banda L. amplificarea şi zgomotul. zgomot redus (4. iar în figura 6. independenţa vitezei de transmisie (bit rate transparency). în banda de lucru a amplificatorului. Figura 6. amândouă putând fi transmise prin fibra optică pe bază de oxid de siliciu fără pierderi mari.42 – Diagrama-bloc a unui EDFA În figura 6. amplificare mare.43.1480 nm. amplificarea simultană a semnalelor multiplexate prin divizarea lungimii de undă. Pentru înţelegerea funcţionării unui EDFA Înţelegerea funcţionării amplificatorului optic cu fibră dopată cu erbiu poate fi înţeleasă foarte uşor.

Laseri de pompaj Laserii de pompaj sunt laseri cu semiconductori. În schimb.5. Modulele de amplificare sunt utilizate în cea mai mare parte pentru reţele optice de mare distanţă. Randamentul laserilor la 980 nm nu este încă suficient pentru a se putea obţine puteri mari.6. Divizoare şi multiplicatoare de frecvenţă 239 . utilizaţi pentru amplificarea semnalelor optice.5. care nu este activă decât pe câţiva metri în jurul dispozitivului. Modulele amplificatoare Raman necesită utilizarea de componente de tip FBG.6.3. fapt ce o deosebeşte de amplificarea de tip EDFA. izolatoare.2. 6. Ei sunt caracterizaţi de puteri mari (300 ÷ 400 mW). cuploare sau alte componente pasive. 6. în scopul regenerării semnalelor. Amplificatoare Raman Amplificarea Raman est activă pe toată lungimea fibrei optice. laserii de pompaj la 1480 nm sunt produşi şi folosiţi pe scară largă. pe distanţe putând atinge 10 km. Laserii de pompaj funcţionează la 980 nm sau 1480 nm.

Partea a III-a – Sisteme optoelectronice 240 .

1. eventual un modulator şi receptorul (fotodetectorul). care. Această definiţie este convenabilă deoarece permite descrierea căii de transmisie dispersive atât în domeniul de timp. 7. Canalul de comunicaţie optică O descriere completă a canalului de comunicaţie optică include nu numai mediul de transmisie ci şi sursa optică. de exemplu prin variaţia curentului injectat în joncţiunea p-n a unei diode semiconductoare. în timp ce toate caracteristicile transmisiei sunt independente de amplitudinea semnalului (densitatea de fotoni) deşi curenţii de intrare şi ieşire pot fi legaţi printr-o relaţie neliniară din cauza pragului efectelor de saturaţie în sursă. de exemplu. la rândul lor. În cel mai simplu caz. produc un fotocurent proporţional cu densitatea de fotoni. care reproduce concentraţia purtătorilor. fotonii incidenţi în fotodetector generează perechi de electroni-goluri. această definire riguroasă exclude câteva fenomene specifice sursei. canalul optic este considerat liniar. Recombinarea purtătorilor în joncţiune conduce la emisia de fotoni.7. Sisteme de comunicaţie optică 7. 1 – Canalul de comunicaţie optică Adesea. Curentul injectat la sursă şi fotocurentul la detector sunt cele două variabile măsurabile direct care definesc canalul optic. Astfel. semnalul de ieşire al sursei este modulat direct de semnal. Fig. în 241 . La celălalt capăt al canalului. cât şi în cel al frecvenţelor.

Sunt câteva caracteristici generale care trebuie asigurate de un bun dispozitiv emiţător de lumină. Pe lângă zgomotul indus în canal discutat mai sus. un astfel de dispozitiv este un traductor electro-optic. poate rezulta un fading sau zgomot depinzând de scala de timp implicată. în primul rând un dispozitiv emiţător de lumină. Ambele efecte variază odată cu temperatura şi mişcările fibrelor. rezultat din natura discretă a fotonilor transmişi. Dacă pierderile în canal variază în timp. Presupunerea de liniaritate este satisfăcută cu suficientă exactitate sub pragul proceselor de împrăştiere stimulată. Efectul a fost atribuit surselor de pierderi localizate în punctele de îmbinare. Efectele de interferenţă pot de aceea să apară în fibre multimod cu o lungime de peste 1 km sau mai mult. Laserii cu semiconductori tind să oscileze într-un număr de rezonanţe distribuite la intervale egale sub acţiunea radiaţiei stimulatoare dar rămân numai una sau câteva. Un efect care influenţează indirect liniaritatea este schimbarea în distribuţia spectrală a semnalului luminos în funcţie de amplitudinea semnalului. există şi alte surse de zgomot. Timpul de coerenţă al unei singure rezonanţe într-un laser cu semiconductor este determinat de stabilitatea cavităţii şi este de ordinul 10 ps. Interferenţa poate apărea atunci când diferenţele de întârziere dintre moduri sunt mai mici decât timpul de coerenţă în semnalul optic de intrare. dimensiunile fizic trebuie să fie compatibile cu dimensiunea fibrei optice utilizate. Această limitare spectrală afectează dispersia cromatică.1. Experienţa sugerează fie efectele de interferenţă în fibră. trebuie să permită modularea luminii. Influenţa acestor discontinuităţi scade odată cu creşterea distanţei faţă de sursă. determinate de reflexia sporadică din canal.1. odată ce emisia stimulată se desfăşoară la niveluri înalte. Generic. cel mai evident fiind zgomotul de cuantificare. ceea ce înseamnă că el 242 . astfel încât caracteristicile de transmisie devin dependente indirect de amplitudinea semnalului. Problema poate fi soluţionată prin proiectarea unei fibre birefringente. Astfel. În al doilea rând. În general acest efect este mic. trebuie să se poată cupla la fibra optică. cele două moduri de polarizare ortogonală care se propagă într-o fibră monomod interferă întrun fel care depinde critic de drumul fibrei şi de temperatura sa şi conduce la un fading într-un receptor sensibil la polarizare. fie efectele de auto-blocare în sursă. 7.care ce două sunt legate prin transformări Fourier simple. care trebuie să îndeplinească două condiţii. S-a observat un fading similar cu zgomotul în fibre multimod folosite pentru transmisia radiaţiilor laser. În primul rând. De exemplu. Emiţătorul Emiţătorul unui sistem de comunicaţii optice are în componenţa sa.

2 – Lărgimile spectrale la LED şi dioda laser Dispozitivele emiţătoare de lumină trebuie să aibă o fereastră transparentă pentru a transmite lumina în fibra optică. pentru a preveni generarea armonicilor şi distorsiunea de intermodulaţie şi să asigure o viteză de modulaţie suficientă pentru scopul propus. Figura 7. Toate aceste cerinţe pot fi satisfăcute de diode semiconductoare cu joncţiune. O diodă laser are întotdeauna un domeniu spectral mai îngust decât cel al LED-urilor. O diferenţă esenţială privind semnalul de ieşire. diodele laser au avantaje faţă de LED-uri în următoarele privinţe: . Fig. Ele sunt echipate fie cu un dispozitiv special de cuplare la fibra optică (pigtail).au o eficienţă de cuplare la fibra optică mai mare Şi LED-urile prezintă unele avantaje faţă de diodele laser: fiabilitate mai mare. o liniaritate suficient de bună.pot produce o putere optică mai mare . De asemenea.2 ilustrează lărgimea spectrală a semnalului emis de cele două dispozitive. Puterea optică generată de fiecare dispozitiv este proporţională cu aria de sub curbă. 7. emiţătoare de lumină. Cu mici excepţii. valoarea propriu-zisă depinzând de detaliile structurii diodei respective şi de materialul semiconductor. care sunt de două tipuri: diode emiţătoare de lumină (light emitting diode – LED) şi diode laser (lase diode – LD). valorile tipice ale lărgimii domeniului spectral de emisie pentru un LED sunt în jurul a 40 nm pentru lucrul la 850 nm şi 80 nm pentru lucrul la 1310 nm. liniaritate mai bună. preţ de cost mai scăzut. între LED şi LD este domeniul lungimilor de undă în care este distribuită puterea optică. pentru a asigura o rată de erori (bit error rate – BER) corespunzătoare. Valorile tipice pentru o diodă laser sunt de 1 nm pentru lucrul la 850 nm şi 3 nm pentru lucrul la 1310 nm. În plus. Totuşi. el trebuie să genereze suficientă putere optică. adică domeniul spectral de emisie. fie cu o fereastră 243 . dispozitivul trebuie să asigure o eficienţă bună în cuplarea luminii generate în fibra optică.pot fi modulate la viteze mai mari .trebuie să emită lumina într-un con cu diametrul secţiunii transversale de 8100 µm.

în locul termenului modulaţie se utilizează termenul manipulaţie (shift keying). manipulaţie „da-nu” (On-Off Keying – OOK). pentru semnalele discrete. cât şi al diodelor laser. Purtătoarea pe care acestea o generează este uşor de modulat cu această tehnică.transparentă din plastic sau sticlă. În cazul semnalelor discrete. Dacă acesta este de forma m(t).3 – Două metode pentru modulaţia cu LED sau diode laser Modulaţia în intensitate este utilizată practic universal în legăturile prin fibră optică. Fig. deoarece se potriveşte foarte bine cu modul de lucru atât al LED-urilor. 7. Situaţia este ilustrată în figura 7. Astfel. semnalul optic rezultat va fi un semnal intermitent. de obicei. în cazul semnalelor digitale. modulaţia de fază (Phase Modulation – ϕM) şi modulaţia de polarizare (Polarization Modulation – PM). modulaţia de frecvenţă (Frecvenţă Modulation – FM). care conţine informaţia şi f s este frecvenţa semnalului purtător. Semnalul optic modulat este dat de: Es(t) = E0⋅m(t)⋅cos (2πfst) (7. Funcţia de modulaţie poate fi asigurată prin diferite metode: modulaţia în intensitate (Intensity Modulation – IM).2 şi figura 7. Prima dintre aceste figuri prezintă circuitele de bază pentru modulaţia în intensitate ale dispozitivelor emiţătoare de lumină (LED sau diodă laser – 244 . Puterea radiaţiei emise (uneori numită radianţă) este proporţională cu intensitatea curentului ce trece prin dispozitivul emiţător şi astfel puterea optică ia forma curentului. care poate avea şi o microlentilă care să ajute la focalizarea luminii în fibra optică.3. modulaţia în intensitate este numită manipulaţie de amplitudine (Amplitude Shift Keying – ASK) sau. 0) unde m(t) este semnalul modulator. reprezentând informaţia binară.

sau o fotodiodă cu avalanşă (APD). A doua este demodularea semnalului pentru a extrage informaţia.4 – Exemplu de diagramă bloc . circuitele fotodiodei trebuie să fie urmate de unul sau mai multe etaje de amplificare.3 – Curentul de intrare. 7. care poate fi de mai multe sute de microni în diametru. m(t) 7.LD). o diodă p-i-n. În general.1. A doua ilustrează curentul de intrare. m(t). m(t) 0 1 1 0 0 0 1 0 t Fig. Receptorul Receptorul sistemului de comunicaţii optice îndeplineşte două funcţii. Ca urmare. 7. ceea ce face ca să nu fie necesare precauţii speciale la centrarea fibrei în conectorul receptorului şi face preocupările de aliniament mult mai puţin critice decât cele de la emiţătorul optic.primul etaj – a unui receptor Detectarea luminii este realizată de o fotodiodă. Fig. De asemenea. De obicei. Prima este detectarea luminii şi conversia acesteia într-un semnal electric. semnalul optic şi curentul electric rezultat din conversie au amplitudini mici. se mai pot folosi filtre şi egalizatoare pentru a forma şi corecta semnalul electric purtător de 245 . reprezentând informaţia. reprezentând forma semnalului modulat. generat şi furnizat în fibra optică.2. şi semnalul optic rezultat. fotodiodele au o suprafaţă mare fotosensibilă.

respectiv digital. de obicei de ordinul a câţiva milivolţi. iar figura 7. Următorul etaj este un simplu amplificator operaţional de tensiune.4 prezintă circuitul simplificat al unui receptor.b prezintă schema simplificată a unui receptor digital. respectiv digital (figura 7.5. Acest etaj primeşte curentul slab provenit de la fotodiodă şi îl converteşte în tensiune. la care primul etaj este un amplificator operaţional. Toate aceste circuite active din receptor reprezintă o sursă de zgomot. Figura 7. Ca şi în cazul receptorului analog.a). 246 . Figura 7. Fig. respectiv digital (b) Ca şi în cazul emiţătoarelor.5. urmat de un etaj de ieşire analog.5. receptoarele optice sunt disponibile şi în versiunea analogică şi în cea digitală. conectat ca un convertor curent-tensiune. care poate afecta procesul de demodulaţie. primul etaj este un convertor curent-tensiune. 7.b).a este prezentată schema simplificată a unui receptor analog.5 – Schema unui receptor analog (a). Ambele tipuri folosesc de obicei un etaj preamplificator analog. În figura 7. în care semnalul este amplificat la nivelul dorit. în funcţie de tipul receptorului.informaţie.5.5 schema detaliată a unui receptor analog (figura 7.

De asemenea. Fibrele optice trebuie îmbinate unele cu altele din mai multe motive.3. ca ecranarea şi legarea la pământ. este utilizat pentru reglarea punctului pe semnalul analog în care comparatorul comută. alinierea fiind asigurată prin controlul computerizat. Aceasta permite simetria semnalului digital refăcut signal. Totuşi. necesar demodulării datelor digitale la viteză mare) şi zgomot redus. bandă largă sau timp de creştere scurt (pentru un răspuns suficient de rapid. Cel de-al doilea tip de îmbinare utilizează un arc electric pentru a suda două fibre optice. În majoritatea aplicaţiilor. Conectarea a două fibre optice necesită o aliniere precisă. pentru ca acesta să poată fi rectificat cu precizia dorită. sau receptor. Ajustarea nivelului de declanşare. 247 . în timp ce cablul de fibră optică este imun la toate formele de interferenţă. al unei surse de lumină. Receptorul poate încorpora un număr de alte funcţii: generarea unui semnal de tact (în cazul comunicaţiilor sincrone) decodarea informaţiei. Îmbinarea mecanică este comod de aplicat. pentru o rată de erori (bit error rate – BER) cât mai scăzută. pierderile sunt de 0. ceea ce creşte mult costul sistemelor care utilizează APD. când este prezent. Un receptor complet trebuie să aibă o detectabilitate ridicată (pentru a detecta semnalele optice de nivel scăzut provenite din fibra optică).05 dB. cu un timp de creştere scurt al pulsurilor. ele necesită o sursă de alimentare foarte bine stabilizată. tipic între 5 şi 15 V. care produce un semnal de ieşire curat. adică este deconectabil. El permite adaptarea la un dispozitiv similar. necesitând puţine instrumente. legăturile mai lungi impun în mod evident îmbinarea fibrelor optice. 7. ele nu pot fi utilizate cu o sursă de 5V. Unul este acela al necesităţii de a realiza o legătură de o anumită lungime. motiv pentru care sunt necesare precauţii normale.1. Dispozitive de cuplare şi îmbinare Conectorul este un dispozitiv mecanic montat la capătul unei fibre optice. Caracteristica esenţială ce îl deosebeşte de dispozitivele de îmbinare (splicing).Ieşirea acestui etaj este cuplată la un comparator de tensiune. elementul preferat este dioda PIN. datorită faptului că poate fi alimentată de la o sursă standard. Este important de subliniat faptul că. Cum fabricanţii oferă cabluri optice cu lungimi de 1 ÷ 6 km. receptorul electronic nu este.2 dB. dar implicând şi pierderi de aproximativ 0. Dispozitivele APD au o mult mai bună sensibilitate şi o bandă de două ori mai largă. este faptul că poate fi ataşat şi detaşat cu uşurinţă. detectarea erorilor şi regenerarea. Sunt mai multe tipuri diferite de conectoare. Sunt două tipuri principale de îmbinări: mecanică şi prin topire.

între canalul i şi canalul j. Dij. trebuie să aibă pierderi minime. Consideraţii asupra sistemului de comunicaţie Banda finită. la fel ca multiplexorul. se poate obţine o medie a celor mai rapide fluctuaţii de amplitudine. prin relaţia: Φi Pi = 10⋅ lg (7. 0) Φ jj unde Φij este puterea optică reziduală a canalului i la lungimea de undă λi în canalul j şi Φjj puterea optică de ieşire în canalul j la lungimea de undă λj.1. O metodă de transmitere mai directă decât codificarea optică ar putea consta dintr-o modulaţie a anvelopei de forma: Q(t) = Q [1 + s(t)] (7. semnalele la diferite lungimi de undă sunt separate de un demultiplexor care. Bc. 248 . 7. Bm. Diafonia optică. Diafonia optică totală în canalul j este:  ∑ Φ ij   i≠ j ÷ Dj = 10⋅ lg  (7.1. 0) unde s(t) este un mesaj având amplitudinea pulsului unitară media nulă şi banda BR. Principiul acestui proces de detecţie a fost discutat anterior. Când se produc fluctuaţii de amplitudine a 1 purtătorilor cu constante de timp mai mici de . Parametri ai sistemului de comunicaţie  Pierderi Pierderile Pi sunt exprimate în decibeli (dB) la fiecare lungime de undă λi. 0) Φ0 unde Φi este puterea optică injectată în linia de transmisie şi Φ0 este puterea incidentă la λi.7. a purtătorilor optici impune anumite constrângeri asupra tehnicilor de transmisie posibile.4. banda mesajului.  Diafonie La celălalt capăt al fibrei. Folosind un receptor cu o bandă BR = Bm. este: Φ ij Dij = 10⋅ lg (7. Variabila Q(t) mediată pe intervale de timp de lungime 1/2B R a fost folosită ca descrierea măsurabilă a anvelopei optice.5. 0) ÷  Φ jj ÷   Acest defect este datorat numai demultiplexorului când sunt folosite surse cu lărgimi spectrale mult mai mici decât banda de trecere spectrală a multiplexorului. care Bc poate fi transmis trebuie să fie mai mică decât B c.

Transmisiunea digitală a semnalelor audio sau video necesită o bandă de aproximativ 8 ori mai mare decât pentru transmisia analogică. Figura 7. este de acelaşi ordin de mărime ca abaterea zgomotului Johnson. sau printr-un canal LED analogic cu pierderi de 15 dB. zgomotul trebuie să fie foarte mic pentru a asigura recepţia adecvată în prezenţa semnalelor slabe. este necesară o putere optică de 1 µW pentru producerea a aproximativ 106 perechi necesare. s(t) ar putea fi un semnal vocal (o convorbire telefonică) sau un mesaj video (de televiziune). în timp ce abaterea zgomotului cuantic. Pentru amplificatoare tipice cu tranzistori bipolari j = 100 şi.De exemplu. pierderile în cablul coaxial variază în general foarte mult în funcţie de banda mesajului. Semnalele tipice 24 audio sunt codificate în formatul dat 249 . care admit de asemenea o pierdere de semnal 30 dB sau mai mult pe canalul de transmisie. Sistemele optice analogice cu bandă îngustă trebuie desigur să fie comparate cu sistemele de transmisie prin cablu coaxial. Cele mai critice pot fi evitate cu forme de modulaţie mai sofisticate. astfel încât în receptor este necesară o egalizare corectă. 2 puterea semnalului în puls este Q 〈ξ2〉. în timp ce zgomotul pentru un semnal 2 s(t) foarte slab poate fi aproximat de abaterea Q 〈ξ2〉 + j2 a distribuţiei Gauss. Pentru video. un semnal video de 5 MHz sau 1000 semnale audio trebuie comparate cu un mesaj digital de 80 Mbit/s. În cazul unor semnale video de 5 MHz.5 arată că această informaţie poate fi transmisă printr-un canal laser digital având pierderi de 50 dB. j2. În termeni relativi la fotoperechi primare. În orice semnal de acest fel. atât timp cât chiar neliniarităţi foarte mici produc armonici intolerabile ale semnalului. În contrast pierderile în fibre. Figura 7. cu pierderi de 30 dB. forma modulaţiei impune condiţii stricte asupra liniarităţii canalului şi asupra particularităţilor sursei. de exemplu. puterea maximă a semnalului în puls trebuie să fie cu 4÷6 ordine de mărime mai mare decât zgomotul la semnale de amplitudine mică.1. deci. printr-un un canal laser analogic sau LED digital. Un semnal video este aproximativ echivalent cu 1000 de semnale audio. Deci. cel puţin Q = 105 ÷ 106 perechi trebuie să fie produse. calculată în paragraful 4. Este de asemenea. Transmisia digitală audio prin perechi de fibre este folosită în reţelele telefonice deoarece ea permite refacerea repetată a semnalelor cu o scădere a calităţii neglijabilă. Multiplicarea în avalanşă este de mică valoare în aceste condiţii de raport semnal-zgomot mare. reprezentată şi puterea necesară pentru recepţia digitală. Q .5 reprezintă nivelurile puterii optice disponibile de la surse tipice şi nivelurile de putere necesare în cazul transmiterii video analogice cu raport semnal-zgomot între 104 ÷ 106. Pe lângă acest lucru.

canalul din fibră are un avantaj evident faţă de cablul coaxial datorită benzii de transmisie largi şi caracteristicilor de pierderi uniforme.5 – Puterea optică medie disponibilă de la surse de lumină tipice şi cea necesară fotoreceptorilor la transmisia analogică şi digitală 250 . Pentru o capacitate informaţională de peste 500 de circuite audio.de modulaţia în puls codificat. multiplexate şi transmise pe aceeaşi pereche de fire. audio şi de date pot fi combinate pe acelaşi cablu de fibre optice. 7. Semnalele video. sau pentru unul sau mai multe circuite digitale video. Fig.

unde pierderile fibrei sunt de 3÷6 dB/km. comunicaţii digitale. 140 Mbit/s pot fi transmişi la o distanţă de 14 km fără regenerare. mai multe canale optice de lungimi de undă diferite pot fi amplificate simultan. dezvoltarea iniţială a sistemelor de transmisie prin fibre optice s-a concentrat în banda de lungimi de undă dintre 800 şi 900 nm. Amplificarea este datorată dezexcitării stimulate a ionilor de erbiu.Datorită disponibilităţii surselor de GaAs. Semnalele generate de laser transmise prin fibre monomod permit transmiterea fără refacerea semnalului pe distanţe depăşind 50 km. pragul de 500 fotoni pe bit este atins după o distanţă de ordinul a 200 km.48 µm.98 µm sau 1. unde pierderea scade sub 1 dB/km şi banda canalului depăşeşte 1 GHz/km.5. cu astfel de dispozitive. Din această cauză. limitare impusă de electronica folosită în construcţia acestora. Considerând puterea optică medie a unei diode laser de ordinul a 1 mW (însemnând 1016 fotoni pe secundă). Avantajul acestor sisteme este că se elimină conversia optic-electric şi invers. cum standardul obişnuit impune o rată de erori de 1/109 biţi. care funcţionează pe un principiu analog cu cel al laserului (amplificare stimulată a radiaţiei).5 µm). la o transparenţă de 95 %. de amplificatoare optice cu fibră de sticlă dopată cu erbiu. În cazul comunicaţiilor prin fibre optice. începând cu sfârşitul anilor ’80. 251 . Deci. pentru a transmite informaţii este nevoie ca raportul semnal/zgomot să nu scadă sub un anumit prag. inversia de populaţie fiind realizată prin pompajul optic cu ajutorul unei diode laser cu lungimea de undă de 0. Aceste repetoare determină însă o limitare a debitului maxim transmis. Trecerea la domeniul 1300 nm. Acestea sunt alcătuite dintr-o fotodiodă care converteşte semnalul optic într-unul electric. care impune limitări severe. Pe baza datelor din figura 7. În general. chiar şi pentru surse LED. repetitoarele optoelectronice au început să fie înlocuite. distanţa posibilă de transmisie pentru sisteme digitale cu LED între 30 ÷ 300 Mbit/s este limitată de banda de transmisie (aproximativ 1 GHz/km) la aproximativ (Bm)–1 GHz/km dacă pierderea în fibra instalată este de maxim 1. un circuit basculant şi o diodă laser pentru conversia semnalului electric în semnal optic. este necesar ca semnalul util să nu scadă sub nivelul de 500 fotoni/bit (pentru o radiaţie infraroşie cu lungimea de undă 1. Pentru extinderea distanţei peste aceste valori. a extins foarte mult domeniul şi potenţialul sistemului de comunicaţie prin fibre optice. Pe de altă parte. un amplificator (amplificarea este însoţită şi de refacerea formei semnalului şi filtrajul zgomotului). la un debit de informaţie de 1 Gbit/s corespunde un număr de 107 fotoni pe bit. Se pot obţine amplificări în putere de ordinul a 10 2 ÷ 104. Distanţele de transmisie erau limitate de această pierdere la valori de până la 8÷16 km pentru canalele digitale cu laser lucrând în domeniul 50 Mbit/s. se folosesc repetoare optoelectronice.5 dB/km. ceea ce duce la faptul că.

viteza de propagare a undei) să depindă de intensitate. efectul dispersiei liniare duce la creşterea acestei rate.2. având limitări tehnologice sau economice. Multiplexarea Imensa lărgime de bandă pe care o asigură comunicaţia prin fibră optică ar fi utilizată cu totul neeconomic dacă ea ar fi folosită pentru o 252 . deci.). care sunt limitate la maxim 10 Gbit/s. impulsul se propagă fără deformare. la care realizarea practică este efectuată de componente optice pasive. absenţa distorsiunilor la amplificare. Dispersia neliniară nu permite creşterea arbitrară a energiei semnalului pentru a diminua rata erorilor. La intensităţi suficient de mari. Ca urmare a dispersiei cromatice. Impulsul luminos (pachetul de unde) este constituit din mai multe unde sinusoidale (moduri). peste un anumit prag al intensităţii. insensibilitate la variaţii de temperatură într-un domeniu larg (– 40 °C ÷ + 60 °C). în timp pachetul de unde tinde să se destrame (are loc lărgirea temporală a lui). bandă de frecvenţe largă (100 ÷ 3000 GHz). Soluţia depăşirii acestor limitări vine din partea transmisiei solitonice. Comunicaţiile solitonice au atins debite de 20 ÷ 100 Gbit/s.1. Utilizarea în comun a mediului de transmisie. ducând până la suprapunerea acestora şi la imposibilitatea decelării lor individuale. compatibilitatea cu fibrele optice standard (lipsa reflexiilor parazite). care face ca indicele de refracţie al materialului (şi. care determină un zgomot de fond parazit. în mod asemănător cu descompunerea culorilor la trecerea printr-o prismă optică. cu multiplexarea în lungime de undă (Wavelength-Division Multiplexing – WDM). Un alt aspect al modernizării transmisiilor prin fibre optice este cel referitor la înlocuirea multiplexării temporale. zgomot redus. 7. cu cât acesta este mai ridicat. faţă de cele clasice.2. se produce efectul electrooptic pătratic (efectul Kerr). conservându-şi integritatea: aceasta este “unda solitară” sau “solitonul”. fiecare caracterizată de o anumită amplitudine şi o anumită frecvenţă. Aceste tehnici au totuşi şi ele limitări (10 Gbit/s la distanţe de cel mult 10000 km) datorită fenomenelor de dispersie (cromatică. Dispersia cromatică duce la limitarea debitului prin faptul că. pierderi energetice minime la conexiuni. cu atât impulsurile sunt mai scurte şi mai apropiate unele de altele. Dacă acest efect este exploatat de aşa natură încât el să compenseze exact efectul de dispersie cromatică.Amplificatoarele optice au câteva calităţi esenţiale: insensibilitatea la tipul de polarizare a undei electromagnetice. realizate electronic. Utilizarea benzii fibrei optice de către mai mulţi utilizatori 7. Alte limitări în funcţionarea sistemelor de comunicaţii prin fibre optice sunt cele legate de fluctuaţiile statistice în intensitatea semnalului. neliniară etc.

împart acelaşi cablu de fibră optică în timp. Multiplexarea prin divizare în timp (TDM) pe cabluri de fibră optică În TDM. ci se poate folosi pentru orice mediu de transmisie (cablu. R2.2. fiecare pentru o pereche sursă-utilizator dată. …. Mult mai eficientă este utilizarea în comun a sistemului de comunicaţie. mixtă (composite link).6. Sunt două tehnici pentru realizarea multiplexării în sistemele de comunicaţii prin fibră optică.) unde banda disponibilă depăşeşte cu mult nevoile unei comunicaţii individuale. microunde etc. pentru mai multe scopuri.singură necesitate particulară de comunicaţie. Tehnica utilizată pentru a obţine acest lucru este numită multiplexare. în acest caz). S2. Ele pot fi tipuri total diferite de echipamente de date. pe care îl trimite prin fibra optică la cei n utilizatori (R 1. Conexiunile de la surse la multiplexor şi de la demultiplexor la utilizatori se numesc circuite de capăt (tail circuit). este numită legătură compusă. Acestea sunt multiplexarea prin divizare în timp (Time Division Multiplexing – TDM) şi multiplexarea prin divizare în lungime de undă (Wavelength Division Multiplexing – WDM). a multitudine de legături de comunicaţie. multiplexarea este ilustrată în Figura 7.2. S1 R1 S2 R2 Sn MUX DEMUX fibră optică Rn Fig. demultiplexorul (DEMUX) preia fluxul de informaţii din fibră. La celălalt capăt al sistemului de comunicaţie. Perechile sursă-utilizator nu trebuie să fie obligatoriu de acelaşi tip. 7. 253 . Sn) şi le combină într-un flux comun. O singură fibră optică este folosită în comun de mai multe canale de comunicaţie optică 7.6 – Schemă conceptuală a procesului de multiplexare. … Rn). Ea nu este specifică sistemelor de comunicaţie prin fibră optică. Aceasta prezintă n perechi sursă-utilizator. Există un multiplexor (MUX). servind unor aplicaţii diferite şi cu caracteristici de viteză diferit. iar cea dinte multiplexor şi demultiplexor (fibra optică. care preia datele provenind de la cele n surse (S1. separă diferitele date şi le transmite spre utilizatorul corespunzător. Conceptual.

cel mai important fiind viteza de transmisie necesară pentru diferitele legături. nici unei alte legături nu îi este permisă transmisia de date. împart acelaşi cablu de fibră optică pe baza divizării în lungime de undă. utilizând un ceas. Fiecare legătură de comunicaţie este alocată unui interval de timp specific. în majoritatea cazurilor. Multiplexorul conţine circuite de modulaţie şi transmisie şi modulează fiecare canal de date de la fiecare sursă.5 μm). În acest timp. iar la celălalt capăt al cablului.Multiplexorul stabileşte o secvenţă continuă de intervale de timp. pe parcursul căruia este permisă trimiterea de date de la sursă la utilizator. Multiplexorul preia datele de la sursele conectate la el. demultiplexorul descarcă datele din fiecare canal şi le trimite la utilizatorul corespunzător. fiecare pentru o pereche sursă-utilizator dată. În WDM (figura 7. În fapt. le încarcă în canalul TDM corespunzător. tipic 186 – 196 THz. viteza de transmisie a datelor poate fi crescută mai mult. o multitudine de legături de comunicaţie. Multiplexarea prin divizarea densă a lungimii de undă (Dense Wavelength Division Multiplexing – DWDM) este rezervată pentru o spaţiere foarte strânsă a frecvenţei (tipic. 7. Cel de-al doilea termen este preferat de obicei.8 nm la lungimi de undă în jurul valorii de 1.3. Durata acestora depinde de un număr de diferiţi factori de proiectare. Este evident că fiecare frecvenţă corespunde unei lungimi de undă diferite.2. Datele de la fiecare sursă sunt atribuite unei lungimi de undă optice. λ1 λ1 λ2 λ2 λn MUX DMX fibră optică 254 λn . folosind mai multe unde purtătoare care se propagă fără vreo interacţiune semnificativă în aceeaşi fibră. Multiplexarea prin divizarea în lungime de undă (WDM) pe cabluri de fibră optică Telecomunicaţiile optice permit transmisia unor semnale analoage sau digitale de până la câţiva GHz sau Gb/s pe o undă purtătoare de foarte înaltă frecvenţă. mai puţin de 100 GHz. corespunzător la 0.7). un canal TDM. Această tehnică se numeşte multiplexare prin divizarea frecvenţei (Frequency Division Multiplexing – FDM) sau multiplexare prin divizarea lungimii de undă (Wavelength Division Multiplexing – WDM).

Apoi. sunt unele limitări care apar. 255 . cu multipli şi submultipli. Conceptul de multiplexare optică datează din anii 50 ai secolului XX şi ea reprezintă o transpunere a tehnicilor folosite în telecomunicaţiile clasice cu semnale electronice. SBS. multiplexorul cuplează totalitatea semnalelor optice generate. 7. cum este conversia lungimii de undă de-a lungul fibrei prin FWM. corespunzător diferitelor canale de date sursă-utilizator. SRS. datorată defectelor tehnice în demultiplexor. În prezent. pentru toate canalele de date de la surse.Fig. spre deosebire de TDM.7 – Schemă conceptuală a procesului de multiplexare prin divizarea lungimii de undă După procesul de modulaţie. Primele componente practice pentru multiplexare au fost propuse prima dată în anii 70. majoritatea reţelelor instalate utilizează o separare între canale de 0. generat pentru fiecare canal de date de la fiecare sursă.8 nm). Aceste semnale optice de lungime de undă diferită se propagă simultan. dar şi problemelor fizice. Această creştere a dus la termenul multiplexare prin divizarea densă în lungime de undă (DWDM). este plasat pe o purtătoare de lungime de undă atribuită.8 nm. cât şi cele de telecomunicaţie utilizează din ce în ce mai mult WDM pentru a mări capacitatea reţelelor de fibră optică instalate. Principala problemă este diafonia (crosstalk). Standardul Uniunii Internaţionale de Telecomunicaţii (International Telecommunication Union – ITU) propune o grilă de frecvenţe cu separare de 100 GHz (aproximativ 0. În mediul WAN. o fibră fără OH ar permite 1. Atât sistemele de televiziune prin cablu (CATV). La o primă privire. sau alte efecte neliniare. multiplicitatea canalelor printr-o singură fibră a crescut imens prin utilizarea WDM. Desigur. Acestea sunt în continuare demodulate şi furnizate utilizatorilor respectivi. în cablul de fibră optică. La utilizator.000 de canale la spaţiere de 50 GHz. pentru a descrie noile tehnici WDM utilizate. semnalul optic rezultat. demultiplexorul primeşte aceste semnale optice simultan şi le separă conform diferitelor lungimi de undă (operaţia de demultiplexare). WDM a primit o imensă atenţie în contextul problemelor legate de reţelele de arie largă (Wide Area Networks – WAN).

Elemente de optică integrată 256 .8.

în care fasciculul de lumină ce se propagă prin fibra optică este modulat de fenomenul din mediul înconjurător Fiecare dintre aceste clase au. care „imprimă” informaţia în fasciculul de lumină transmis prin fibră. frecvenţă. sau hibrizi şi senzori cu fibră optică intrinseci. utilizează o fibră optică pentru a transmite fasciculul de lumină şi fenomenul din mediul înconjurător imprimă informaţia în acesta în timp ce este în fibră. fibra optică de intrare acţionează şi ca fibră de ieşire. sau integral.2. conţinut spectral sau alte metode. O fibră optică transmite apoi lumina cu informaţia imprimată spre un procesor optic şi/sau electronic. polarizare. mai multe subclase.1 ilustrează cazul unui senzor cu fibră optică extrinsec sau hibrid. 9. cel mai simplu tip de senzor cu fibră optică este tipul hibrid. o fibră optică duce spre o „cutie neagră”. Informaţia poate fi imprimată ca intensitate. În unele cazuri. sau integrali. Senzori cu fibră optică Senzorii cu fibră optică sunt adesea grupaţi în două clase: senzori cu fibră optică extrinseci. 2 – Senzor cu fibră optică intrinsec. În unele cazuri. 9. Fig. Senzorul cu fibră optică intrinsec.9. Figura 9. la rândul lor. Figura 9. Fig. fază.3 prezintă un 257 . prezentat în figura 9. 2 – Senzor cu fibră optică extrinsec În acest caz. ca răspuns la un fenomen din mediul înconjurător. care se bazează pe modulaţia de intensitate.

Cantitatea de lumină captată de cea de-a doua fibră optică depinde de unghiul său de acceptanţă şi de distanţa d dintre fibre. Lumina este injectată în una dintre fibrele optice şi când iese. Aici este utilizată o oglindă care este montată flexibil. Fig. ca în figura 9. 3 – Senzor de vibraţie şi închidere O variantă a acestui tip de senzor este prezentată în figura 9. având drept rezultat modulaţia de intensitate. separarea dintre fibrele optice se modifică. Când poziţia oglinzii se modifică.senzor de vibraţie sau închidere. Când distanţa d este modificată. poate fi configurat un senzor simplu de translaţie. care constă din două fibre optice care sunt ţinute una în apropierea celeilalte. este expandată într-un con de lumină al cărui unghi depinde de diferenţa dintre indicele de refracţie al miezului şi învelişului fibrei optice. Ieşirea de la cei doi detectori poate fi proporţionată pentru a determina poziţia de translaţie a fibrei de intrare. Fig. 258 . rezultă o modulaţie de intensitate a luminii captate.5. 9. 4 – Senzor cu oglindă flexibilă Prin aranjarea a două fibre optice în paralel.4. Aceste tipuri de senzori sunt utili pentru aplicaţii cum sunt închiderea uşilor şi ferestrelor. 9. cum ar fi presiunea. pentru a răspunde unui efect extern.

Fig. Semnalele reflectate sunt apoi recombinate şi separate printr-un al doilea element de multiplexare prin divizarea lungimii de undă. care sunt utilizate pentru a interoga o cartelă de codare şi determina poziţia liniară. gabaritul.6 prezintă un senzor de poziţie de rotaţie care constă dintr-o placă codată.7. deci. o sursă de lumină de bandă largă. Dreptunghiurile de pe cartelă reprezintă zone de mare reflectanţă. astfel încât fiecare semnal este citit de un detector separat. 9. O singură fibră optică este utilizată pentru a transmite fasciculul de lumină până la elementul de multiplexare prin divizarea lungimii de undă (WDM) care împarte lumina în fibre separate. care au ca scop eliminarea interferenţelor electromagnetice pentru a perfecţiona protecţia a reduce nevoia de ecranare şi. 3 – Senzor de poziţie de rotaţie bazat pe măsurarea reflectanţei unor zone întunecate şi luminoase Un exemplu de senzor de poziţie liniară utilizând multiplexarea prin divizarea lungimii de undă este ilustrat în figura 9. 5 – Senzor de translaţie cu fibră optică S-au dezvoltat senzori cu fibră optică de poziţie de rotaţie şi liniară.Fig. 259 . Figura 9. 9. cu zone de reflectanţă variabilă. plasate astfel ca fiecare poziţie are un cod unic. care poate fi o diodă emiţătoare de lumină (LED) este utilizată pentru a cupla lumina în sistem. Aici. O serie de fibre optice sunt utilizate pentru a determina prezenţa sau absenţa unei anumite zone. iar restul suprafeţei are o reflectanţă scăzută.

Pulsurile de lumină se propagă prin fibra optică şi se împart prin multiple fibre de interogare. Fig. În figura 9.8. O altă clasă de senzori cu fibră optică bazaţi pe măsurarea intensităţii este cea care foloseşte principiul reflexiei totale. 7 – Senzor de poziţie liniară utilizând multiplexarea prin divizarea lungimii de undă O a doua metodă de interogare la un senzor de poziţie utilizând o singură fibră optică este metoda multiplexare prin divizarea timpului (TDM). 8– Senzor de poziţie liniară utilizând multiplexarea prin divizarea timpului Principalele avantaje ale senzorilor de poziţie cu fibră sunt imunitatea la interferenţele electromagnetice şi gabaritul redus. sursa de lumină este pulsantă. Când semnalele de întoarcere sunt recombinate pe detector.Fig. lumina se propagă prin miezul fibrei şi ajunge la capătul înclinat al 260 . Fiecare dintre aceste fibre este aranjată astfel ca ele să aibă linii de întârziere care separă semnalul de întoarcere de la cartela de codare printr-un interval de timp care este mai lung decât durata pulsului.8. rezultatul este un semnal codat corespunzând poziţiei cartelei de codare. În cazul senzorului din figura 9. 9. 9.

261 . o parte din lumină se propagă în afara fibrei optice şi este pierdută. 10 – Senzor cu fibră pentru măsurări de nivel al lichidului Confinarea propagării fasciculului de lumină în regiunea miezului fibrelor şi transferul de putere între două miezuri de fibră plasate foarte apropiat pot fi utilizate pentru obţinerea unor senzori cu fibră bazaţi pe evanescenţă.10. 9. Dacă indicele de refracţie al mediului se apropie de cel al sticlei. atunci practic toată lumina este reflectată şi se întoarce în fibră.acesteia. distanţa dintre miezurile fibrelor este de ordinul a 10 ÷ 20 µm. Fig. Fig. Pentru o fibră optică monomod. rezultând o modulaţie de intensitate. Figura 9. 9 – Senzor cu fibră pentru măsurări de presiune/indice de refracţie Acest tip de senzor poate fi utilizat pentru măsurarea presiunii sau a modificării indicelui de refracţie într-un lichid sau gel cu o acurateţe de 10%. 9. Această metodă poate fi folosită şi pentru măsurarea nivelului unui lichid aşa cum se prezintă situaţia din figura 9. Dacă mediul în care este plasat capătul fibrei are un indice de refracţie suficient de mic.11 ilustrează un astfel de senzor.

Fig. printre care lungimea de undă a luminii. apare o tendinţă de cuplare a miezurilor adiacente. 11 – Senzor cu fibră optică bazat pe evanescenţă Când este utilizată o fibră monomod. Microîndoiturile locale ale fibrei pot determina astfel o modulaţie de intensitate a 262 . indicele de refracţie relativ al mediului în care sunt plasate miezurile de fibră. Dacă un al doilea miez de fibră este plasat în regiunea de evanescenţă a primului. distanţa dintre miezuri şi lungimea de interacţie. Cuplajul depinde de un număr de parametri. în înveliş sau în mediul din jur. este optimizarea proiectării. Dificultatea la acest tip de senzor. care este comună mai multor senzori cu fibră. a indicelui de refracţie şi observarea unor fenomene din mediul înconjurător acţionând asupra mediului din jurul miezului (temperatură. astfel încât să fie detectaţi numai parametrii doriţi. 9. Acest tip de senzor cu fibră poate fi utilizat pentru măsurarea lungimii de undă. presiune şi tensiuni mecanice). 12 – Senzor cu fibră optică bazat pe evanescenţă Un alt mod în care lumina se poate pierde din fibra optică este atunci când raza de curbură a fibrei depăşeşte unghiul critic necesar pentru confinarea luminii în zona miezului şi apare o scurgere în înveliş. apare o scurgere considerabilă de energie din fasciculul de lumină în jurul regiunii miezului. Fig. 9.

luminii ce se propagă prin fibra optică. o secţiune de fibră optică poziţionată într-un traductor cu micro-îndoituri. cu reţea. fluorescenţă. etaloane şi reţele dispersive. proiectat să moduleze intensitatea luminii ca răspuns la un fenomen din mediul înconjurător şi un detector. Figura 9. prezentat în figura 9. Când temperatura cavităţii creşte. ea începe să radieze şi acţionează ca o sursă de lumină. care se bazează pe modularea în lungime de undă a unui fascicul de lumină. O categorie distinctă de senzori este cea a senzorilor spectrali cu fibră optică. Una din reţele este fixă. 9.13. de către un fenomen din mediul înconjurător. pentru detecţia vibraţiilor. pentru măsurarea vibraţiilor sau acceleraţiei O limitare a acestui tip de dispozitiv este datorată modificărilor în sensibilitatea senzorului când reţelele se deplasează din poziţia de transparenţă totală în cea de opacitate totală. Aici. Unul dintre cei mai simpli senzori de acest tip este cel descris în figura 9. un fascicul de lumină este colimat de o lentilă şi trece printr-un sistem cu dublă reţea. Fig. iar cealaltă este mobilă. O cavitate cu rol de corp negru este plasată la capătul unei fibre optice. presiunii şi a altor mărimi caracteristice fenomenelor din mediul înconjurător. 263 . Un ultim exemplu de senzor bazat pe intensitate este dispozitivul cu reţea. Rezultă modificări în intensitatea semnalului modulat la ieşirea din fibra optică. 13 – Senzor de intensitate cu fibră.14. care sunt în funcţie de acceleraţia cu care se modifică poziţia relativă a reţelelor. Au fost construiţi senzori cu fibră bazaţi pe micro-îndoituri. Exemple de astfel de tipuri de senzori includ pe cei bazaţi pe radiaţia corpului negru.12 prezintă un dispozitiv tipic. constând dintr-o sursă de lumină. absorbţie.

Sursele de lumină pot fi în pulsuri şi sunt disponibile probe al căror răspuns depinde de viteza de scădere a intensităţii pulsului de lumină. 264 . 9. dintre care una este cea a senzorului în care lumina se propagă prin fibră spre o probă de material fluorescent plasat la capătul acesteia.Fig. Semnalul fluorescent rezultat este captat de aceeaşi fibră şi direcţionat înapoi. Un alt tip de senzor spectral de temperatură este prezentat în figura 9. în combinaţie cu sursă de lumină de bandă largă şi fibre optice. Profilul de absorbţie al probei este dependent de temperatură şi poate fi utilizat pentru a determina temperatura. 14 – Senzor spectral ce permite măsurarea temperaturii Senzorul utilizează detectori în combinaţie cu filtre de bandă îngustă pentru determinarea profilului radiaţiei.15 şi este bazat pe absorbţie. care permite măsurarea temperaturii şi presiunii Senzorii cu fibră bazaţi pe fluorescenţă sunt larg utilizaţi pentru aplicaţii medicale. datorită raportului semnal-zgomot mic. Fig. viscozitatea şi umiditatea. este utilizată o probă din GaAs. Sunt diferite configuraţii pentru aceşti senzori. din care se obţine temperatura (la peste 300 °C). Performanţa şi precizia acestui tip de senzor sunt mai bune temperaturi mai mari şi scade drastic la temperaturi în jurul a 200 °C. 9. spre un demodulator de ieşire. în chimie şi pentru măsurarea unor parametri fizici. ca temperatura. În acest caz. 15 – Senzor cu fibră optică bazat pe absorbanţa variabilă a unui material (GaAs).

ei tind să înlocuiască rapid alte tipuri de senzori în acest domeniu. senzorii cu fibră s-au dezvoltat în special pentru procesul de control. Sunt în uz. O altă arie în care senzorii cu fibră optică sunt utilizaţi pe scară largă este domeniul medicinii. conţinutul de vapori de apă. în principal datorită costurilor. reduceri semnificative în gabarit şi siguranţă în funcţionare crescută. siguranţă şi/sau cost. senzori cu fibră optică interferometerici. A doua direcţie de dezvoltare a senzorilor cu fibră optică este în domeniile de aplicaţie noi. Senzori cu fibră optică s-au dezvoltat şi utilizat în două direcţii majore. O variantă este cea care utilizează proprietăţile de evanescenţă ale fibrei prin gravarea regiunilor din învelişul fibrei şi umplerea golurilor cu material fluorescent. ce oferă senzori cu imunitate relativă la interferenţe electromagnetice. Industria de automobile.În modul continuu. se urmăreşte înlocuirea tehnologiei convenţionale cu senzori electronici prin tehnologii cu senzori cu fibră optică. În industrie. unde aceştia sunt utilizaţi pentru măsurarea unor parametri şi a nivelului de dozare a unor medicamente. unde senzorul cu fibră oferă avantajul de performanţă semnificativ îmbunătăţită. pot fi monitorizaţi parametri ca viscozitatea. Prima este ca înlocuitor direct pentru senzorii existenţi. dar o schimbare a situaţiei este de aşteptat ca urmare a perfecţionărilor în optoelectronică. procentul de conţinut de fibră de carbon în materialele compozite epoxy şi termoplastice. 265 . fiabilitate. de asemenea. Deoarece aceşti senzori sunt complet pasivi. Astfel. ce continuă să aibă loc. cea de construcţii şi alte domenii tradiţionale de utilizare a senzorilor rămân încă dependente de tehnicile clasice.

care este scris pe o bandă magnetică. în locul adânciturilor.2 mm. Pentru evitarea prejudicierii stratului metalic. Ea este plasată într-o maşină de injectat mase plastice. Pentru toată informaţia ce urmeză a fi stocată pe compact disc este creat un fişier imagine. Diferitele fişiere şi date sunt aranjate în structuri logice. trebuie realizat iniţial un exemplar master. care este apoi separat de masterul de sticlă şi reprezintă o imagine oglindă a acestuia. Stratul de nichel formează „discul-tată” (father part).72 inci) sau 80 mm (~ 3. fotorezistul cu modelul de adâncituri şi stratul de argint. Construcţia compact-discurilor. într-o baie de acoperire. informaţia este transferată de către un dispozitiv de înregistrare laser (Laser Burn Recorder . pe suprafaţa ei se toarnă un strat de policarbonat. În final. În procesul de mastering. din care se obţin mai multe „discuri-fii”. Discul este confecţionat din policarbonat (un material plastic transparent) şi datele sunt înscrise pe una din suprafeţe. astfel încât în stratul fotosensibil este gravat modelul adânciturilor. Masterul de sticlă este pregătit pentru etapa următoare de producţie prin depunerea unui strat de argint pe suprafaţa fotosensibilă. care sunt copii (imagini) ale discului-tată. discul de sticlă master este developat prin aplicarea pe suprafaţa masterului a unei substanţe de developare. Imediat după expunerea laser. conform standardelor industriale. peste acesta este aplicat un lac protector. masterul este acoperit cu un strat de nichel. masterul de sticlă are trei straturi: sticla. Stocarea optică a informaţiei 10. Matriţa pentru producerea CD-urilor este discul-tată sau un disc-fiu. este generată apoi o imagine a CD-ROMului. care reflectă lumina şi permite citirea informaţiei inscripţionate cu ajutorul unui laser în unitatea CD. sunt adăugate informaţii de sincronizare. Apoi.LBR) pe stratul fotosensibil depus pe un disc de sticlă numit „glass master”. care poate reprezenta baza producţiei CD-ului. Acest proces special este numit „imaging”. prin aşa-numitul proces de „mastering” Se începe cu pregătirea datelor. Cea mai convenabilă cale pentru a testa un CD înainte ca el să fie produs într-un mare număr de exemplare este producerea unui CD-R. unde. pe suprafaţă apar mici ridicături.1. codificarea datelor Un compact disc (disc optic) are un diametru de 120 mm (~ 4. Informaţia este stocată sub forma unei structuri de adâncituri microscopice inscripţionate pe spirală care pleacă din centrul discului şi ajunge la marginea acestuia.15 inci) şi o grosime de 1. Înainte de fabricarea în serie a discului.10. un header şi coduri pentru detectarea şi corectarea erorilor. Din acest disc-tată este produs „discul-mamă”. discul de policarbonat obţinut este acoperit cu 266 . În acest moment. Gaura centrală are un diametru de 15 mm. Aceasta este acoperită cu un strat subţire de aluminiu.

acesta se roteşte cu viteză mai mare. diferitele stadii ale producerii unui CD sunt: dezvoltarea aplicaţiei. densitatea pistelor este de aproximativ 16000 urme/inci (tracks per inch .6 µm şi adâncimea de 0. raza laser trebuie să fie focalizată într-un spot circular de dimensiuni foarte mici. Lungimea pistei unui disc de 120 mm este de aproximativ 6. CLV permite înregistrarea a aproximativ 60 minute de informaţie video pe o faţă a video-discului. de 1800 rotaţii/min (rpm) pentru standardul NTSC. mastering.5 km. Apoi este aplicat un lac protector. Pentru citirea informaţiei. când fasciculul laser este localizat spre centrul discului. lungimea adânciturilor sau a zonelor plane dintre ele putând fi de 0. Adânciturile au o lăţime de 0. Videodiscul CAV este utilizat pentru aplicaţii interactive. ambalare. Viteza de rotaţie a unui disc CLV variază între 500 şi 1800 rpm (spectrul de la cea mai mică la cea mai mare viteză depinde de sistemul video. astfel încât pe suprafaţa de policarbonat este creat modelul de adâncituri. Pentru a citi informaţia de pe disc. sau 1500 rpm pentru PAL şi SECAM. CAV (Constant Angular Velocity) este tehnica în care discul se roteşte cu o viteză de rotaţie constantă.56 µm. CLV (Constant Liniar Velocity) este tehnica în care discul nu se roteşte cu o viteză constantă. acesta se roteşte cu o viteză mai mică.tpi). multiplicare. Pentru comparaţie. Astfel.12 µm. fiind utilizate iniţial pentru diferite tipuri de video-disc. Există două tehnici de scriere şi citire a informaţiei stocate optic. corespunzând masterului. Lumina este reflectată în moduri diferite de adâncituri şi de zona plană dintre acestea. Aceste tehnici sunt numite CLV şi CAV. un floppy-disc are 96 tpi şi un hard-disc câteva sute. Acest fascicul este generat de un mic laser cu GaAs. în timp ce atunci câd fasciculul laser citeşte o zonă aflată spre exteriorul discului. PAL sau SECAM). Astfel. etichetare. pregătirea datelor. Pista CAV nu este continuă de la centru spre exterior într-o singură linie. în timp ce lumina ce cade pe zona plană dintre adâncituri este reflectată şi poate fi detectată de un fotodetector. nu se pot reda imagini cu 267 .un strat metalic. Fiecare pistă stochează o imagine video. NTSC. sunt mai multe piste. Astfel. pe fiecare faţă a unui video-disc pot fi stocate 36 de minute de informaţie video. Există însă şi dezavantaje ale acestei tehnici: nu se poate avea acces aleatoriu la o imagine oarecare. Toate dispozitivele de stocare optică utilizează pentru citirea informaţiei de pe disc un fascicul laser. ci variabilă. aranjate sub formă de inele concentrice crescătoare în diametru de la centru spre exterior. lumina este difractată.833 ÷ 3. La întâlnirea unei adâncituri. pre-mastering. fasciculul laser este focalizat pe spirala cu adâncituri de pe disc. Deci. în aşa fel încât fasciculul laser parcurge pista şi citeşte informaţia cu viteză liniară constantă.

În schimb. avantajul capacităţii mai mari a CLV poate fi combinat cu accesul aleatoriu la orice informaţie de pe disc.încetinitorul sau cu derulare rapidă şi nu se poate obţine o imagine statică (stop-cadru). De aceea. Pe de altă parte. la citire este nevoie de un tabel pentru convertirea modelului de 14 biţi-canal în 8 biţi-utilizator pentru 1 byte. lucrurile nu stau chiar aşa: adânciturile. informaţia pe un compact disc este stocată complet digital. 1 byte de informaţie poate reprezenta 28 = 256 valori diferite. sunt necesari 14 + 3 biţi-canal pentru a reprezenta 1 byte pe un CD. s-ar putea crede că este foarte simplu de codificat informaţia pe un compact disc: 1 pentru adâncituri şi 0 pentru zona plană. Reprezentarea biţilor printr-un model de adâncituri şi zone plane necesită utilizarea aşa-numiţilor biţi-canal (channel-bits). Lungimea adânciturilor şi a zonelor plane indică numărul de zerouri. vor fi mereu doi 0 între doi 1. sunt utilizaţi 3 biţi de legătură (merge-bits). În realitate. care ar putea începe tot cu 1. când se produce un CD. Toate compact-discurile operează cu tehnica CLV. trebuie să fie plasaţi câţiva biţi între simbolurile a doi biţicanal succesivi. acesta ar putea fi situat prea aproape de succesiunea de biţi următoare. Întotdeauna sunt „împachetaţi” câte 24 baiţi-utilizator într-un pachet numit cadru (frame). El mai 268 . Pentru a obţine 256 de combinaţii diferite de biţi pentru reprezentarea a 256 valori este nevoie de 14 biţi-canal. Chiar şi prin utilizarea celor mai scurte adâncituri şi zone plane posibile. cei 8 biţi ai fiecărui byte trebuie să fie transformaţi în 14 biţi-canal. Timpul mediu de acces la informaţia de pe un compact disc este mare (în comparaţie cu un harddisk) deoarece este necesar un anumit timp pentru ajustarea vitezei de rotaţie corespunzătoare locaţiei citite. În total. totuşi. Pe un video-disc sunt înregistrate semnale analoage. Astfel. Din acest motiv. Prin codificarea unei succesiuni de biţi utilizând adâncituri şi zone plane este imposibil să se reprezinte succesiuni de 1. Astfel. Pentru rezolvarea acestei probleme. Un cadru nu constă însă numai din aceşti 24 baiţi-utilizator. Dacă tranziţiile ar fi mai apropiate. Dacă se reprezintă un byte cu 14 biţicanal şi la sfârşitul acestuia este un 1. 1 byte de informaţie nu poate fi reprezentat doar de 8 biţi. Această transformare este numită „modulaţie 8-14” (Eight to Fourteen Modulation .EFM). a celor 14 biţi-canal. ca şi zonele plane reprezintă 0 logic. Viteza de rotaţie variază între 200 şi 500 rpm. Aparent. o problemă. iar 1 logic reprezintă tranziţia de la o adâncitură la o zonă plană sau invers. Cadrele sunt unităţile de bază de stocare a datelor pe disc. ele nu ar putea fi citite de fasciculul laser sau ar conduce la erori mari. Rămâne. ceea ce înseamnă minimul necesar pentru reprezentarea a 8 biţi-utilizator pe un CD. sau invers. Unităţile CD-ROM de calitate au un timp mediu de acces de sub 300 ms.

Orice CD player sau CD-ROM au un dispozitiv special pentru detecţia şi corecţia erorilor. Majoritatea formatelor de CD diferă prin subdivizarea sectoarelor. sau pete. Erorile sunt eliminate printr-un sistem special de corectare a erorilor. Decodorul este integrat în hardware.conţine şi o structură de sincronizare pentru aliniere. Standardul admite 250 erori/s.blocul de date utilizator 24×(14+3) channel-bits .. Alte erori pot fi determinate de amprente. care utilizează aceşti 8 baiţi. CDI etc. numită Cross Interleaved Reed Solomon Code (CIRC). Într-un cadru se mai află 1 bait de informaţie pentru aşa-numitele subcanale. iar 8 baiţi sunt utilizaţi pentru detecţia şi corecţia erorilor. Toate formatele de CD. Astfel. erorile se pot produce în timpul procesului de fabricaţie: mici bule de aer sau impurităţi microscopice în policarbonat pot afecta propagarea fasciculului laser. constând din 24 biţicanal plus 3 biţi de legătură. ca şi unităţile CD-ROM. utilizează 9 baiţi din cei 33 ai unui cadru astfel: un bait de cotrol al sub-canalului şi 8 pentru detecţia şi corecţia erorilor. Toate metodele de corectare a erorilor sunt bazate pe informaţia redundantă. şi încă 8 baiţi pentru detectarea şi corectarea erorilor. CD-ROM/XA. Pentru stocarea datelor pe un CD-ROM este necesară o corecţie adiţională a erorilor.blocul de detecţie şi corecţie a erorilor 8×(14+3) channel-bits Pentru un cadru sunt utilizaţi în total 588 biţi-canal. baitul de sub-cod. Playerele CD audio. Sectoarele se succed câte 75 pe secundă. CD-ROM. adică CD-DA. În primul rând.blocul de sincronizare (sync pattern) 24+3 channel-bits . este trimis la un decodificator special. secunde şi sectoare (mm:ss:ss). în combinaţie cu algoritmi matematici specifici pentru detectarea erorilor şi pentru reconstrucţia valorilor datelor originale. Unul dintre aceştia. Cei 561 biţi-canal rămaşi sunt convertiţi printr-o modulaţie 8-14 inversă în 33 baiţi [561/(14+3)=33]. Codul de detecţie a erorilor (EDC) pentru CD este bazat pe un binecunoscut cod de corectare a erorilor. Când se citeşte informaţia de pe un compact disc. baiţii pentru aceasta sunt 269 . un cadru este alcătuit din: . zgârieturi. utilizează o schemă de corecţie internă. Informaţia pe disc este adresată în minute. Pe un CD se întâlnesc două tipuri diferite de erori. Dacă nu sunt erori. unitatea elimină mai întâi cei 27 biţi de sincronizare. Astfel. Această corecţie a erorilor este foarte eficientă: maxim o eroare necorectată la 109 baiţi pe un CD audio. Schemele pentru detecţia şi corecţia erorilor se numesc EDC (error detection code). numită Layered ECC (cod de corecţie a erorilor stratificat). de date într-un cadru. ECC (error correction code). cu 2352 baiţi (98 cadre × 24 baiţi). rămân 24 baiţi utili. 98 de cadre formează un sector (bloc).blocul de cod sub-canal 1×(14+3) channel-bits . sau după corectarea datelor. aceşti 8 baiţi sunt descărcaţi. şi EDAC (error detection şi correction code). numit Reed Solomon Code.

Un sector CD-DA are 2352 baiţi de date de utilizator. rezultând din cei 98 baiţi de control. O pistă este o secvenţă continuă de date. CD-Digital Audio (CD-DA) CD Digital Audio (CD-DA) a fost definit în 1982 în Cartea Roşie de către Philips şi Sony. T. Track Relative Time. S. iar succesiunea tuturor biţilor din poziţia a doua.2. adică timpul relativ al pistei. control şi corectarea erorilor. Pe un CD-DA. întrucât o secundă este divizată în 75 sectoare). Acest lucru este permis numai de specificaţiile din Cartea Roşie (pentru CD-DA). Sub-canalul P are un marcaj (flag) ce indică începutul datelor audio în pistă. Fiecare pistă trebuie să conţină cel puţin 4 secunde (adică 300 sectoare. control şi corectarea erorilor (pentru sub-canale). care este măsurat de la începutul pistei. 72 dintre cei 98 biţi ai sub-canalului Q sunt utilizaţi pentru informaţii. toţi cei 2352 baiţi ai unui sector sunt date de utilizator. T. Succesiunea de date rezultând din primul bit al tuturor celor 98 de baiţi de control este numit „sub-canalul P”. Informaţia de adresă este stocată în subcanalul Q. Codul Layered ECC este decodat prin mijloace hardware sau software. Sub-canalul Q dă codul de timp. respectiv 21 minute pentru un CD de 8 cm. acest sub-canal conţine „Cuprinsul” (Table of Contents . Pentru fiecare sector şi 2352 baiţi de date de utilizator. astfel încât 2353 baiţi multiplicaţi cu 75 sectoare (176400 baiţi) sunt transferaţi într-o secundă. ceea ce înseamnă aproximativ 1. O singură melodie sau secvenţă muzicală este atribuită unei piste pe CD-DA. V şi W într-un cuvânt de 6 biţi şi succesiunea acestora. „sub-canalul Q”. ceilalţi pentru sincronizare. care este măsurat de la pornirea discului. ATime şi Pistă Relative Time. sunt stocaţi 882 de baiţi adiţionali: 784 pentru codul de detecţie şi corecţie a erorilor (CIRC) şi 98 baiţi de control. Pentru adresarea unui CD audio sunt două moduri de măsurare a timpului de adresare: ATime. secunde şi sectoare. 10. V. Pe lângă biţii de sincronizare. Q. Tipuri de compact-discuri 1.TOC). U. adică timp absolut (absolute time). S. Pentru o pistă poate fi utilizat la maxim întregul CD. Timpul maxim de rulare a unui CD de 12 cm este de 74 minute. este numit „sub-canalul R-W. sub-canalul R-W poate include date de utilizator (64 cuvinte de 6 biţi pe sector) pentru informaţie adiţională. R. Primul bit este bitul P.transmişi împreună cu datele din sectorul de utilizator. şi W. U. Pistele sunt adresate în minute. Cele 99 piste de pe un disc pot fi accesate direct de către un CD-DA player. al doilea Q şi aşa mai departe. În blocul de început (lead-in) de pe disc. în timp ce Cartea Galbenă impune ca aceşti 270 .41 Mb/s. Al treilea sub-canal combină biţii R. Fiecare bit al unui bait de control este desemnat printr-o literă: P.

18000 blocuri fac un minut. în 1984. Cartea Galbenă a firmelor Philips şi Sony a definit standardul CD-ROM pentru stocarea datelor de computer. în timp ce pe un CD-ROM pot fi mii de fişiere de date care trebuie să fie accesate. ambele formate. Astfel. 1024 sau 2048 baiţi. Primii 12 baiţi sunt baiţi de sincronizare pentru separarea sectoarelor. Dacă sunt blocuri de 512 baiţi. Totuşi. Mărimea unui bloc logic nu poate fi mai mare decât mărimea sectorului. Totuşi. Trei dintre ei sunt utilizaţi pentru adresare. pentru datele audio sau video/grafică comprimate. pentru stocarea datelor de computer şi Mode 2. datele de computer necesită un acces mai precis decât acela al pistelor unui CD audio. Totuşi.LBN). Următorii patru baiţi sunt baiţi de header. s-a înţeles că acest mediu de stocare pentru cantităţi imense de date audio ar putea fi utilizat şi pentru stocarea datelor de computer. deoarece adresa primului sector este 00:02:00 (2 secunde înseamnă 600 blocuri). În primul rând. S-au introdus două noi tipuri de sectoare: Mode 1. reprezintă un protocol standard pentru comunicarea între instrumente muzicale electronice şi computere). care marchează modul utilizat de sectoarele pistei. 300 fac o secundă şi 4 fac un sector. utilizează anumiţi baiţi la începutul sectorului pentru o adresare precisă. trebuie scăzute 600 blocuri. Prin această informaţie poate fi identificat numărul blocului logic (Logical Block Number . Pot fi utilizate diferite blocuri logice: blocuri de 512. CD-ROM Mode conţine codul de detecţie şi corecţie a erorilor (CIRC) al unui CD audio. Totuşi. Aceste discuri sunt numite CD+G (Compact disc plus graphics) or CD+MIDI. şi pot fi redate de un player special împreună cu un aparat TV şi o combină hi-fi. Sectoarele sunt cele mai mici părţi adresabile ale unui CD-ROM care pot fi accesate independent de alte părţi adresabile ale ariei înregistrate. se poate obţine adresa blocului logic printr-un algoritm simplu. Acest sector conţine LBN 0. Astfel.biţi să fie 0. iar al patrulea este baitul de mod. Astfel. Acesta necesită câţiva baiţi din sector după datele de utilizator: 4 baiţi pentru detecţia 271 . (MIDI = Musical Instrument Digital Interface. Primul sector fizic ce poate fi accesat este sectorul 00:02:00. pot fi accesate şi blocuri logice mai mici. Pe un CD audio. CD-ROM Imediat după definirea standardului CD audio. el a trebuit să fie adaptat pentru aceasta. secunde şi informaţie adiţională pentru blocuri. în acest caz. Pe un CD audio sunt accesate 99 de piste. sub-canalul R-W este uneori utilizat pentru date grafice sau MIDI. 2. prin intermediul unui sector. Mode 1 şi Mode 2. Sectorul poate fi divizat în blocuri logice. Sectoarele de Mode 1 au 2048 baiţi de date de utilizator. numit Layered EDC/ECC. Baiţii de adresă a header-ului indică minute. deoarece datele de computer necesită un nivel mai ridicat al integrităţii datelor este implementat în CIRC un cod adiţional de detecţie şi corecţie a erorilor.

Chiar dacă pistele audio pot fi redate cu un player CD audio. pistele CD-ROM şi CD audio pot fi mixate pe un compact disc. calculatorul trebuie să dispună de memorie suficientă şi spaţiu liber pe harddisk. Pentru a face acest lucru. cu excepţia tipurilor CDROM/XA şi CD-I (care sunt întotdeauna Mode 2). Sectoarele Mode 1 şi Mode 2 ale unui of CD-DA sau CD-ROM au aceeaşi mărime. CD mixt Dacă sunt necesare secvenţe audio de înalt nivel. Alternativa este citirea informaţiei program din memoria calculatorului înainte de accesarea datelor audio. sectoare şi piste. dar această metodă atrage după sine întreruperea semnalului audio când următoarea porţiune de date trebuie să fie citită. una după alta. blocurile unui CD-ROM Mode 1 au 2048. Pistele audio de pe un CD mixt pot fi adresate în două moduri diferite: utilizând ATime. De obicei. fiecare accesare audio necesită re-sincronizarea dacă volumul datelor pistelor CD-ROM Mode 1 s-a schimbat în timpul procesului de producţie. 3. Un CD are cadre. iar când este citită o pistă audio. Între baiţii pentru detecţia erorilor şi cei pentru corecţia acestora sunt 8 baiţi neutilizaţi. Mode 2 poate fi citit şi de unităţi CD-ROM normale. CD mixte nu trebuie să fie utilizate pe astfel 272 . CD audio utilizează toţi baiţii unui sector (2352) pentru date de utilizator. CD-ROM Mode 2 nu conţine o schemă adiţională pentru detecţia şi corecţia erorilor. dar cantitatea de date utilizator care poate fi stocată diferă considerabil. ratele de transfer al datelor sunt diferite (aproximativ 1. prima pistă a unui CD mixt (Mixed Mode CD) este o pistă CD-ROM Mode 1 şi următoarele sunt piste CD-DA. sau Pistă Relative Time. Prima este utilizarea unităţii CD-ROM ca un player CD audio şi transferarea dinainte a programului de aplicaţie şi a datelor pe harddisk.erorilor şi 276 baiţi pentru corecţia acestora. el nu este utilizat foarte des. există o limitare importantă pentru CD mixt. header. iar Mode 2 au 2336 de date de utilizator. Pistele nu pot conţine tipuri diferite de sectoare. datorită utilizării baiţilor de sincronizare. alte tipuri de date nu pot fi transmise de la unitatea CDROM. Calculatorul poate astfel să citească informaţia program din memorie şi să acceseze continuu datele audio. Aceştia sunt redefiniţi în specificaţiile CD-ROM/XA şi CD-I. dar este necesară utilizarea unui software special. De aceea. În cele mai multe cazuri de utilizează Pistă Relative Time. deoarece la adresarea ATime. Sunt două metode obişnuite pentru a rezolva această problemă. detecţia şi corecţia erorilor. În general. astfel încât toţi cei 2336 baiţi de după baiţii de sincronizare şi header sunt baiţi de utilizator. Deşi Mode 2 are o rată de transfer mai ridicată şi mai mult spaţiu pentru date de utilizator.4 Mb/s pentru Mode 2). dar CD-ul poate avea diferite de piste. O unitate CD-ROM poate să citească pistele doar pe rând.22 Mb/s pentru Mode 1 şi aproximativ 1.

Datorită acestor relaţii şi faptului că CD-ROM/XA poate constitui o punte între sistemele de computer bazate pe XA şi player-ele bazate pe CD-I. pentru pieţele industriale şi de consum. Astfel. spre deosebire de CD-ROM Mode 1. CD-ROM/XA Prima formă a specificaţiilor pentru CD-ROM/XA (Compact DiscRead Only Memory/eXtended Architecture) a fost introdusă de Philips. caz în care se utilizează acelaşi algoritm EDC ca şi pentru sectoarele format 1. Atât sectoarele de format 1. Sectoarele format 2 sunt aranjate în acelaşi mod ca sectoarele format 1. ceea ce ar putea duce la distrugerea dispozitivului de redare. La sfârşitul datelor de utilizator din sector este rezervat un câmp de 4 baiţi. Ca şi CD-ROM Mode 1. care poate fi utilizat pentru controlul calităţii în timpul procesului de fabricare a discului. Sectoarele CD-ROM/XA format 1 conţin date de computer.de dispozitive. la sectoarele format 1 este adăugat un subheader după baiţii de header şi nu mai există baiţi neutilizaţi între codul de detecţie a erorilor codul de corecţie a erorilor. de tip diferit. Utilizarea unuia sau a celuilalt depinde de conţinut. Pistele XA pot conţine date codificate binar. ele pot avea un Layered EDC adiţional. Sony şi Microsoft în septembrie 1989. deoarece în acest fel pot fi accesate şi pistele CD-ROM. cât şi de format 2 utilizează 8 baiţi pentru un subheader care specifică datele de utilizator care urmează. specificaţiile sunt numite uneori şi Cartea Galbenă Extinsă (Extended YellowBook). Cele două formate de sector XA sunt numite format 1 şi 2 (Form 1 şi Form 2). XA poate utiliza două formate de sector diferite într-o pistă. Sectoarele de format 1 sunt utilizate pentru date de calculator. Totuşi. utilizând primii 12 baiţi pentru un modul de sincronizare şi următorii 4 baiţi pentru date de header (adresare şi descrierea modului). un sector poate fi urmat de altul. întrucât CD-ROM/XA de nivelul 3 trebuie să integreze formatul MPEG şi alte specificaţii viitoare pentru identificarea sistemului de operare gazdă (GOE. Ca şi sectoarele CD-ROM Mode 1. iar descrierea finală a sistemului (Final System Description) a urmat în martie 1991. Extensiile sunt legate de specificaţiile CD-I din Cartea Verde. aceşti baiţi sunt setaţi la zero. Generic Operation Environments). date în format text şi date audio comprimate. acest standard este adesea privit ca veriga lipsă pentru producerea de discuri care să poată fi rulate pe platforme diferite. Deoarece 273 . dar şi date video şi grafice. Cum CD-ROM/XA nu este în realitate un nou standard. ci o extensie a Cărţii Galbene şi a definiţiilor pentru CD-ROM. fiecare sector format 1 conţine 2048 baiţi de utilizator. Alte formate de CD utilizează numai un singur format de sector. într-o singură pistă. 4. cu excepţia faptului că lipseşte ECC. EDC şi ECC sunt plasate împreună şi astfel cei 8 baiţi neutilizaţi în formatul anterior pot fi utilizaţi pentru subheader. probabil nu aceasta va fi adevărata descriere finală. În caz contrar. Totuşi.

diferite sectoare. cum sunt fluxurile de date audio. a cărui transmitere ar rămâne totuşi probabil neobservată. cu conţinut diferit pot fi stocate într-o manieră întreţesută. Pentru evitarea pierderilor de date. Ar fi de-a dreptul enervant pentru ascultător dacă fluxul de date ar fi întrerupt la detectarea fiecărui bit eronat. audio). în acelaşi timp. informaţia din primii patru baiţi din subheader este repetată în baiţii 5 . Un fişier întreţesut poate conţine diferite părţi de informaţie. La utilizarea unui CD-ROM/XA. unele fişiere de pe pistele Mode 1 sunt citite şi stocate în memoria computerului sau trecute pe harddisk înainte ca aplicaţia să poată fi lansată. care poate dura câteva secunde şi uneori chiar minute. Datele audio pot fi separate de un controler la citirea discului.EOF) sau ultimul sector al înregistrării (End Of Record . Următorul bait defineşte atributele globale ale sectorului şi este numit baitul de submod. Al doilea bait din subheader este un număr pentru selecţia în timp real a informaţiei. Astfel. Baitul de submod este urmat de un bait pentru codificarea informaţiei. primul bait din subheader este un număr pentru identificarea sectoarelor întreţesute din cadrul unui anumit fişier. Utilizarea sectoarelor în mod timp real înseamnă că sincronizarea citirii datelor este mult mai importantă decât integritatea acestora. CD Mode 1 şi CD audio. iar pentru sectoare video sau de date de calculator sunt utilizate numerele de la 0 la 31. Este posibilă mixarea pe un CD a pistelor CD-ROM/XA. deoarece datele de calculator şi datele audio comprimate pot fi citite astfel de pe aceeaşi pistă. care pot fi redate combinat sau separat.8. care defineşte detaliile tipului de date localizate în zona de utilizator a sectorului: tipul datelor audio (stereo sau mono).EOR) şi pentru a fixa modul în timp real. de exemplu pentru a indica tipul informaţiei (video. care devin importante când se utilizează date dependente de timp în aplicaţiile multimedia. pentru a marca ultimul sector al fişierului (End Of File . Utilizatorul obţine informaţia în timp util şi nu sunt necesare intervale lungi de timp de aşteptare. Sunt citite doar acele părţi care sunt necesare în momentul respectiv. decomprimate şi redate cu sisteme adecvate. astfel încât corecţia erorilor este efectuată numai dacă sincronizarea datelor nu este afectată. Pentru sectoare audio sunt utilizate numerele de la 0 la 15. 274 . Aceasta este o caracteristică importantă când se utilizează date bazate pe timp. urmată de o pistă CD-ROM/XA şi una CD audio. caz în care pista CD Mode 1 pistă trebuie să fie prima pe disc. este necesar un timp. fişierele întreţesute pot fi citite în paralel. Pe un CD-ROM normal. înainte ca utilizatorul să primească primele informaţii. Doar datele necesare sunt transmise prin magistrala de date a calculatorului. CD-ROM/XA oferă un număr de avantaje în comparaţie cu CD-ROM Mode 1. rezoluţia şi tipul codificării video etc. Fiecare bit poate fi setat ca un marker (flag).

În plus. De obicei sunt utilizaţi numai doi indici: index 0 şi index 1. Playerele CDI folosesc un microprocesor 68070 Motorola. Acesta este derivat din OS-9. iar în rezoluţia înaltă ambele rezoluţii. ceea ce înseamnă transmiterea a 20 KB de date de utilizator pe secundă în plus. De aceea. numit CDRTOS. în care. un sector fiind citit în 1/75 s şi având în plus 276 baiţi de date de utilizator. Dacă acest mod este suportat de dispozitiv. Index 0 este localizat înaintea zonei de tăcere audio la începutul unei piste. pe care se bazează CD-I. Tăcerea audio durează 2 ÷ 3 secunde. Rezoluţia normală pentru TV NTSC 525 linii este 384 orizontal × 240 vertical. audio. rata creşte la aproximativ 1. este necesar un controler special pentru citirea informaţiei întreţesute de pe disc. Standardul CD-I specifică formate audio şi video. Playerele CD-I pot identifica disc prin adresa de start. video. la sectoarele format 2. fiind de obicei montate într-un lanţ hi-fi şi putând citi şi CD audio. nivelurile B şi C sunt suportate şi de CD-ROM/XA. în format 1 şi 2. animaţii. CD-I Ready utilizează o zonă de tăcere mai largă între index 0 şi index 1. 5. iar index 1 marchează începutul unei piste audio. CD+G. iar pentru sistemele PAL 625 linii 384 × 280. cu anumite caracteristici suplimentare. 6. Sectoarele unui CD-I sunt identice cu cele ale unui CD-ROM/XA şi sunt la fel. Pentru producerea unui CD-ROM/XA este necesar un software special. Cartea Roşie permite producătorului să stabilească anumiţi indici pe un CD-DA. Dacă adresa primei piste este 275 . dublu şi înalt. Pe prima pistă la începutul fiecărui disc şi Index 1 este întotdeauna sărit. grafică. orizontală şi verticală sunt duble. Ele sunt de trei niveluri diferite pentru audio. care pot fi redate numai cu player-e CDI. CD-I Standardul CD-I a fost descris în 1987 de Philips şi Sony în Cartea Verde. utilizând structuri interactive şi medii diferite: text.2 Mb/s. CD-I Ready Un disc numit CD-I Ready este (virtual) un CD audio normal. dar şi sistemul de operare. Index 0 pentru prima pistă nu este niciodată utilizat de player-ele CD audio. înaintea pistei 1 este plasată o pistă CD-I care poate fi recunoscută doar de un player CD-I. sectoarele format 1 admit o rată de transfer al datelor de 1. specificaţiile nu descriu doar formatul sectoarelor. discul fiind citit ca un CD audio normal. s-ar putea spune că CD-I este un tip special de CD-ROM/XA pentru utilizarea în dispozitive ale industriei electronice casnice. Din multe puncte de vedere. Dubla rezoluţie are o rezoluţie orizontală dublă şi rezoluţie verticală normală.Ca şi CD-ROM Mode 1. player-ul poate sări anumite zone marcate pe pistă. Pentru rezoluţia video pe CD-I sunt definite trei niveluri: normal. care suportă întreţeserea fişierelor în diferite sectoare. CD foto. CD-I permit întreţeserea sectoarelor şi fişierelor în acelaşi mod ca la CD-ROM/XA.4 Mb/s. Player-ele CD audio normale ignoră această zonă.

rezultând un produs nou. dacă mai rămâne spaţiu. Alte moduri de transfer de date pe un CD-R sunt scrierea pistă cu pistă (track by track) sau scrierea sector cu sector. astfel încât. Tehnic. Acest mod de scriere a unui CD permite scrierea de noi date la momente diferite de timp. CD multisesiune Termenul de CD multisesiune a fost utilizat pentru prima dată pentru CD Foto Kodak. Prin adăugarea în momentul finalizării a structurilor ISO 9660. 8. Astfel. devine mai avantajoasă scrierea discului o singură dată. Prima pistă este o pistă de date. Aceeaşi problemă apare şi la utilizarea unui CD mixt. dacă sunt prea multe sesiuni. este posibil însă ca discurile scrise pistă cu pistă să poată fi citite de unităţi CD normale. Adăugând sesiuni închise permite utilizatorului să citească discul ca un CD-ROM în unităţi CD obişnuite. a doua pentru date CD-I. spaţiu de date şi bloc lead-out. Deoarece player-ele audio nu pot citi sesiuni multiple. numit CD-Extra. mod suportat numai de unităţile CD mai noi. s-a utilizat o altă metodă. dar aceasta nu reprezintă o risipă a capacităţii. acesta poate fi folosit pentru o nouă sesiune. Scrierea sector cu sector este numită scriere incrementală a pachetelor (incremental packet writing). Acest mod de scriere poate fi însă utilizat şi pentru scrierea sesiunilor pe un CD multisesiune. 7. de la blocul lead-in la blocul lead-aut. Metoda descrisă mai sus a fost doar un mod de producere a CD-I ready. Informaţia este încărcată în memoria RAM a player-ului înaintea începerii redării audio şi apoi redată. În acest fel. CD-I Ready poate fi privit ca un CD mixt utilizând CD-I şi CD-DA. este vorba de un CD audio normal. de tip audio. Dezavantajul acestei metode era acela că utilizatorul ar fi putut accesa datele de pe CD-I utilizând funcţia de redare a unui audio player. Pentru a evita aceste probleme. care nu trebuie citită de un player audio. Fiecare sesiune are propriile bloc lead-in. ele pot accesa doar prima sesiune. Astfel.mai mică de 30 secunde. CD-Extra Avantajele discurilor multisesiune au fost utilizate iniţial de CD-I ready. conceptul de CD multisesiune a fost transferat la CD-ul mixt. Dar în acest caz datele înscrise sunt accesibile numai pentru aplicaţia particulară folosită în procesul de fabricare a discului. într-o primă sesiune sunt stocate imaginile unui film şi. Pentru scrierea blocurilor lead-in şi lead-out pentru fiecare sesiune necesită însă o capacitate de stocare (aproximativ 20 MB). cu două sesiuni. ceea ce înseamnă că o sesiune este scrisă continuu. în comparaţie cu scrierea unor mici sesiuni multiple. în caz contrar locul unde pot fi citite fişierele CD-I este scris în sectorul de date 00:02:16. cu avantajul că subcanalele P şi Q sunt disponibile. una pentru pistele audio pistă. ceea ce ar fi putut distruge lanţul audio. Pentru fiecare bloc în modul de scriere pistă cu pistă sunt necesari 14336. care stochează imagini de film. CD-Extra combină pistele 276 .

Pe aşa-numitele discuri 277 . ca şi pe unităţi echipând un PC sau un computer Apple Macintosh sunt numite Rainbow CD (CD curcubeu). dar în general sunt două tipuri de discuri. care rulează pe un player CD-I. ceea ce înseamnă că ele pot fi doar citite uc player-e CD şi unităţi CD-ROM. CD-MO şi CD-RW Toate CD-urile descrise până acum sunt discuri „read only”. Fabricarea acestor CD Read-Only cu maşini de injectat materiale plastice. biografii ale artiştilor. în timp ce unităţile CD-ROM multisesiune pot citi şi informaţia din a doua sesiune. aflate în Cartea Albă. localizat în directorul rădăcină. când se pot realiza un mare număr de copii are anumite avantaje. bineînţeles. S-au dezvoltat diferite metode de scriere pe un mediu de stocare optică. Datorită caracterului identic al sectoarelor şi unor formate audio şi video. pe un player Foto CD). Un bine-cunoscut exemplu de bridge disc este Kodak Foto CD. Dar player-ele audio pot accesa numai prima sesiune. CD-Extra este suportat de Microsoft Windows 9x şi OS Apple Macintosh. dar informaţia nu poare fi scrisă şi stocată pe astfel de discuri. Astfel. fotografii. a doua sesiune poate conţine de asemenea date CD-I. ca şi pe un sistem XA (şi. 10. Cărţii Galbene (CD-ROM) şi Cărţii Verzi (CD-I). dacă numărul copiilor este mic. iar procesul de producţie este complicat şi consumă prea mult timp. Specificaţiile pentru bridge discuri. Acesta conţine informaţie cu privire la diferitele platforme de computer care pot executa aplicaţiile de pe disc şi are rolul de a porni aceste aplicaţii când discul este introdus în unitatea CDROM. CD-Extra care rulează pe un player audio sau CD-I. aplicaţii multimedia complete. 9. animaţie. o singură copie devine foarte scumpă.INF. au fost stabilite în octombrie 1991. deoarece conţin piste conforme cu specificaţiile Cărţii Roşii (CD audio). depinzând de diferitele sisteme de operare). Bridge-Discul Bridge-discurile sunt discuri conţinând informaţie care poate fi citită pe unităţi CD-ROM/XA ce echipează un calculator. Utilizând conceptul de bridge disc. CD-R. În acest caz. Toate pistele de pe bridge-discuri trebuie să fie piste Mode 2. incluzând pistele audio. cu excepţia mijloacelor speciale de fabricaţie. ca şi cu CD-I player-e. Sunt însă şi dezavantaje. în sensul că discurile pot fi produse foarte repede şi la un preţ scăzut. ar fi mai avantajos de a scrie direct pe un disc. O astfel de informaţie poate fi de tipul video clip. bridge-discurile pot stoca date accesibile prin ambele sisteme (deşi sunt necesare programe diferite.normale de CD audio cu pistele de date de CD-ROM/XA pe un disc de 12 cm şi este similar cu CD mixt. pentru un număr mic de copii. Discurile CD-Extra pot conţine un fişier numit AUTORUN. text al melodiilor. aflată în zona exterioară a discului. Pentru producerea bridge discurilor este necesar un software special.

Pe un disc de policarbonat se depune un strat subţire de colorant organic (cianură sau ftalocianură). Citirea unui disc MO se bazează pe efectul Kerr. De asemenea trebuie să fie disponibilă şi o anumită informaţie cu privire la viteza discului CLV. ultimul Lead-In conţine actualizarea întregului disc. Există de asemenea şi o modulaţie în frecvenţă. Pe stratul de policarbonat este creată o spirală de 0. procesul de scriere nefiind reversibil. Metoda MO de scriere modifică şi ea caracteristicile optice ale unor puncte de pe suprafaţa discului. pista are definite mici forme ondulatorii. un CD-R sau CD-WO poate fi citit de o unitate CD-ROM standard sau de un player audio. înainte de blocul Lead-In. deoarece viteza de rotaţie depinde de locul unde scrie fasciculul laser pe disc. se află o zonă numită „zonă de calibrare a puterii” (Power Calibration Area . deoarece un CDR poate fi scris doar o dată. Conform acestui standard. Stratul metalic este acoperit de un lac protector. după stocarea datelor şi terminarea primei sesiuni. Cartea Portocalie permite prezenţa unor sesiuni multiple pe CD. Totuşi.Absolute Time in Pregroove). Discul este preformat.05 kHz în timpul înregistrării. La începutul discului. Începând cu 1992. Discurile magneto-optice (MO) au un strat de aliaj de ferită de terbiu şi cobalt. astfel că informaţia poate fi scrisă.PMA) care conţine numărul pistelor înregistrărilor. care indică poziţia fasciculului laser şi dă o informaţie codificată în timp (ATIP . ştearsă şi înlocuită cu alta.PCA) pentru aliniere şi o zonă numită „zonă de memorie program” (Program Memory Area . Zona PMA este utilizată pentru discurile înregistrate parţial. a căror frecvenţă trebuie să fie menţinută la 22. majoritatea unităţilor CD de pe piaţă sunt capabile să citească sesiuni multiple. informaţia poate fi scrisă o singură dată. Există şi un alt mod de scriere pe un disc. care este focalizat într-un spot foarte mic. astfel că lumina polarizată liniar este influenţată de un câmp magnetic. inclusiv timpul de start şi stop al acestora. care încălzeşte aliajul la o 278 . astfel încât fasciculul laser de citire este reflectat într-o manieră diferită decât celelalte zone. Discurile MO (Magneto-Optical) sunt reinscriptibile. o altă sesiune cu date suplimentare poate fi înregistrată ulterior.7 µm care „arată” drumul de parcurs. Un disc WORM care corespunde standardului CD a fost definit de Philips şi Sony în noiembrie 1990 în Cartea Portocalie. Cea mai cunoscută technologie pentru discurile WORM a fost pusă la punct de compania japoneză Taiyo Yuden. fiecare având propriile blocuri Lead-In.Table of Contents). Peste stratul de colorant se depune un strat reflectător de metal auriu (considerat a avea proprietăţi mai bune decât cele ale aluminiului). Astfel. Astfel. Fasciculul laser determină schimbarea unor proprietăţi ale stratului de colorant în privinţa absorbţiei luminii. În fiecare Lead-In este scris conţinutul (TOC . şi Lead-out. Construcţia unui astfel de disc WORM este similară cu cea a unui CD normal. planul de polarizare fiind rotit.WORM (Write Once-Read Many). Scrierea pe disc are loc cu un fascicul laser de putere. Program area.

nu mai are proprietăţi magnetice. sau compact-discul reinscriptibil. El este utilizat pentru 279 .5 inci. a fost necesară şi modificarea standardelor ISO 9660 şi un nou software pentru compatibilizarea CD-RW cu unităţile CD normale. care nu sunt compatibile. Pentru a standardiza aceste formate s-au stabilit specificaţiile în Cartea Portocalie.temperatură la care proprietăţile feromagnetice ale acestuia se pierd. reflectanţa unui CDRW este de doar 15 ÷ 20 %. Minidiscul Minidiscul. diferită de cea la care a avut loc trecerea în această stare. De asemenea. Rotirea planului de polarizare este detectată cu un fotodetector. Pe cealaltă parte a discului se găseşte un electromagnet. această tehnică are practic o capacitate limitată de reinscripţionare.5 inci şi este acoperit de un înveliş de material plastic. CD-RW. Stratul de aliaj poate reveni la starea amorfă iniţială prin încălzirea cu un fascicul laser până la o anumită temperatură. cu un fascicul laser de putere mare. Citirea datelor pe disc se face cu un fascicul laser de putere mică. Capacitatea unui CD-RW este de aproximativ 680 MB. datorită tipului caracteristic de stocare optică. în timp ce reflectanţa unui CD-R şi a unui CD-ROM este definită a fi cel puţin de 65 ÷ 70 %. Pe piaţă au apărut mai multe formate MO diferite. La citirea acestor medii de stocare. CDMO nu pot fi citite de unităţile CD-ROM normale sau de player-e CD. ce este reflectat de zonele cristaline şi difuzat de cele amorfe. Iniţial unităţile CDROM nu puteau citi CD-RW. Această temperatură este numită temperatură Curie. 11. În faza iniţială. antimoniu şi telur (Ag-In-Sb-Te). Dacă aceasta a fost încălzită până la temperatura Curie. Creşterea performanţelor duce însă la creşterea preţului. care nu se conformează cu standardele CD şi nici măcar cu specificaţiile MO din Cartea Portocalie. Cu toate că Matsushita a demonstrat că transformarea de fază se poate produce de mai mult de 1 milion de ori în ciclurile de rescriere. Totuşi. care magnetizează stratul de aliaj în zona de citire. depinzând de complexitatea aliajului. dar în realitate nu este aşa. El este un disc MO. deoarece. Prin încălzirea unei mici zone. unităţile CD normale trebuie să-şi modifice valorile reflectanţei. precum un floppy-disk de 3. Stratul ce conţine informaţia pe disc este constituit dintr-un aliaj de argint. lansat în 1997. pentru a putea distinge zonele reflectătoare de celel nereflectătoare. Lumina reflectată este detectată de o fotodiodă. se bazează pe o tehnică de transformare de fază a unui material. indiu. acest strat este amorf. lansat pe piaţă de Sony în 1992. aceasta trece într-o fază cristalină. Acest disc are un diametru de 2. astfel că la citirea cu un fascicul laser de putere mică planul de polarizare a luminii nu este rotit în aceste zone. este adesea considerat un CD. astfel că menţinerea acestuia la un nivel rezonabil face ca CD-RW disponibile să aibă o limitare de aproximativ 10000 cicluri de reinscripţionare.

60.45 la 0. 8 biţi sunt reprezentaţi prin 14 biţi canal propriu-zişi şi 3 biţi de legătură. 12.). şi Time Warner. O privire asupra detaliilor tehnice ale unui DVD arată că principalele caracteristici ale unui astfel de disc au fost adoptate din varianta SD. lungimea de undă a fasciculului laser a fost redusă de la 780 nm. structura header-ului a fost modificată. stabilind un bit special pentru creşterea siguranţei. În comparaţie cu un CD obişnuit. Avantajul unui disc dublu este creşterea valorilor mărimilor caracteristice ale birefringenţei. al unui grup de companii condus de Philips şi Sony şi Super Density Disc (SDD). noul DVD a modificat metoda de modulaţie la 8:16. titlurile cântecelor. CD Text CD Text este o variantă a formatului CD Digital Audio convenţional. Matsushita. 13. la care. ca urmare a modului în care este stocată informaţia. dar în viitor i se prevede o largă utilizare în stocarea datelor. Rezultatul tuturor acestor modificări este o capacitate de mai mult de şapte ori mai mare decât cea a CD-ului obişnuit.înregistrări şi redări audio în dispozitive electronice casnice. DVD În septembrie 1995 s-a propus şi s-a acceptat un format unic pentru noua generaţie de discuri optice în format de înaltă densitate.SDD) avea o capacitate de 5 GB. care au fost propuse de Philips şi Toshiba pentru discul de înaltă densitate. Primul disc de înaltă densitate al firmei Toshiba (Super Density Disc . Sunt mai multe moduri efective de codificare a informaţiei. numele artistului. Aşa cum s-a arătat. de la 0. Pentru creşterea densităţii pistelor şi alocarea unei zone de dimensiuni mai mici pentru adânciturile de pe disc. aranjorilor. Aceste modificări au permis creşterea de patru ori a densităţii informaţiei pe disc. care a fost introdus de un consorţiu numit SD Alliance. Discul este format prin alipirea a două discuri de grosime de 0. Din motive de siguranţă mărită. eliminându-se subcodul şi utilizându-se mai puţini biţi de paritate. cu raportul 8:16 şi 8:15. producătorilor etc. condus de Toshiba. 280 . Discul de înaltă densitate are o schemă de corecţie de erori mai eficientă decât CD-ul obişnuit şi utilizează un alt tip de modulaţie. utilizând modulaţia 8:15. CD-ul se bazează pe modulaţia EFM.7 GB pe fiecare strat de stocare a informaţiei. având ca rezultat reducerea aberaţiilor optice în domeniul spectral al luminii fasciculului laser. pentru CD-ul obişnuit. numele compozitorilor. adică 17 biţi canal reprezintă 8 biţi de informaţie. Până atunci existau două propuneri concurente: Multimedia CD (MMCD). care oferă în plus utilizatorului informaţie de tip text (titlul albumului. la maxim 650 nm.6 mm. ceea ce duce însă la scăderea capacităţii de la 5 GB la 4. mai ales de tip multimedia. A fost necesară şi modificarea sistemului optic. Apertura numerică a acestuia a fost mărită substanţial.

Software-ul care permite unui computer cu sistem de operare MSDOS să citească discuri în standard ISO 9660 este numit MSCDEX. Discurile conforme cu standardul Rock Ridge sunt complet compatibile cu standardul ISO 9660. este 281 . cum ar fi MS-DOS sau Macintosh HFS (Hierarchical File System). la începutul anilor ’90 s-a format Rock Ridge Group (grupul reprezentanţilor industriei). De aceea. pentru familia Macintosh există şi diferite discuri utilizând HFS. permiţând organizarea fişierelor în directoare şi subdirectoare. care a renunţat la RRIP (Rock Ridge Interchange Protocol) şi a adoptat un standard corespunzător.Sistemul DVD este compatibil cu formatele existente de CD.Volume şi file structure of CD-ROM for information interchange).SYS. Au apărut şi soluţiile tehnice pentru discuri inscriptibile şi reinscriptibile bazate pe straturi de colorant organic tehnologia transformării de fază. când s-a făcut şi prima propunere de standardizare. Acest program este desemnat din fişierul AUTOEXEC. Avantajul standardului ISO 9660 este că acesta permite accesarea datelor de pe un CD de către diferite sisteme de operare. Totuşi. 10. după numele hotelului din Nevada unde acesta s-a reunit prima dată în noiembrie 1985. În acest caz. Pentru a permite un suport complet al standardului ISO 9660 de către sistemele UNIX. Prima aplicaţie este distribuirea filmelor pe astfel de discuri. discurile pot fi citite doar de sistemul de operare respectiv. utilizând tehnologia de comprimare MPEG-2. există şi un alt driver hardware specific pentru unitatea CD-ROM în fişierul CONFIG.3. Un driver special este necesar de asemenea pentru Apple Macintosh. producătorii şi-au creat propriile sisteme. Un driver CD-ROM pentru un PC multimedia necesită un fişier MSCDEX în varianta minim 2. La începutul folosirii tehnologiei CD-ROM nu exista un standard de sistem de fişiere care să permită accesul sub sisteme de operare diferite. este necesar un sistem pentru accesul fişierelor şi datelor. În 1986 s-a renunţat la propunerea HSG şi s-a trecut la conceperea unui standard ISO (International Organization for Standardization). În 1988 s-a adoptat standardul internaţional ISO 9660.2.EXE (Microsoft CD-ROM Extensions). privind procesarea informaţiei – volumul şi structura de fişiere ale unui CD-Rom pentru schimbul de informaţie (Information processing . Bineînţeles. utilizând un sistem special de focalizare dublă pentru citirea discului. Curând s-a dovedit că este necesar un sistem de fişiere multi-platformă. Între ISO 9660 şi propunerea HSG există unele diferenţe minore. Reprezentanţii industriei electronice casnice şi de computere au format un grup numit „High Sierra Group” (HSG). prin adaptarea sau directă a celor existente. Standarde pentru CD Când este utilizat un CD ca mediu de stocare a datelor.BAT.

Lungimea numelui complet al unui fişier. Ramificarea ierarhiei directoarelor nu poate fi mai mare de 8 niveluri. fişierele de date care pot fi citite şi interpretate sub sisteme de operare diferite pot fi stocate o singură dată (de exemplu fişierele de tip TIFF. În ultimii ani. De asemenea. Joliet File System. este limitată la 120 caractere. extensiile şi dezvoltările ulterioare ale CD-ROM descrise anterior se bazează pe sistemul de fişiere definit de ISO 9660. multe aplicaţii multimedia au apărut ca CD-uri hibrid. de exemplu Apple HFS şi ISO 9660. UDF este suficient de flexibil pentru a asigura cerinţele sistemelor de operare 282 . îmbunătăţeşte specificaţiile ISO-9660 şi permite nume de fişiere de până la 64 de caractere. altul pentru Apple şi un al treilea pentru MS-DOS). dar rulând aceste programe. Majoritatea discurilor sunt în prezent conforme cu standardul ISO 9660.nevoie de programe executabile diferite pentru sisteme de operare diferite (de exemplu. În timp ce standardul actual pentru unităţile CD-ROM care lucrează pe platforme Windows. s-au dezvoltat noi specificaţii pentru sisteme de fişiere. Sunt permise. caractere ale oricărei limbi. pentru utilizarea pe mai mult de un singur sistem de operare. Sistemele de operare moderne au sisteme de fişiere care permit nume lungi ale fişierelor. JPEG sau MPEG) şi utilizate în comun de aplicaţiile pentru sisteme de operare diferite. propus de CD/OS Association în 1995 este numit "El Torito". Sistemul de specificaţii ale formatului „bootable CD-ROM”. un program pentru UNIX. cifre de la 0 la 9 şi semnul „_”. În acest caz. permiţând producătorilor de CD-ROM să împacheteze aplicaţia şi mediul sistemului de operare pe disc. cum este ISO 13490. Pentru suportul unor noi caracteristici de scriere a unui CD. s-au propus noi standarde pentru suportul aşa-numitelor „bootable CD”. astfel ca acesta să ruleze utilizând toate informaţiile necesare direct de pe CD. deşi au fost necesare unele modificări şi adaptări. Există şi nivelurile de transfer 2 şi 3. De asemenea. fără aceste restricţii pentru numele fişierelor. Aceste restricţii sunt stabilite pentru nivelul 1 de transfer (Interchange Level 1). Pentru identificatorii de fişiere şi directoare (File şi Directory Identifiers) se utilizează litere majuscule de la A la Z. incluzând structura de directoare. de exemplu pentru CD-R multisesiune. cel mai utilizat de discurile ISO 9660. ISO 9660. cu extensia de 3 caractere. Sistemul de fişiere al lui Microsoft. ISO 9660 este un sistem de fişiere ierarhic ca MS-DOS şi defineşte directoare. de asemenea. Lungimea maximă a unui nume este de 8 caractere. a fost conceput sub o formă suficient de simplă pentru ca orice sistem de operare să poată citi CD-ul. aceleaşi fişiere de date pot fi accesate de sisteme diferite. subdirectoare şi căi. Formatul de disc universal UDF (Universal Disk Format) este un format logic pentru toate tipurile de disc optic.

care defineşte de fapt acele domenii din standardul ECMA care sunt lăsate la înţelegerea dintre sistemele de origine şi cele de recepţie a informaţiei. în principal datorită nevoilor utilizatorului pentru un suport crescut al setului de caractere şi caracteristici superioare ale sistemului de fişiere. În primul rând. atribute de securitate şi multe altele. ECMA 167 a fost adoptat mai târziu de International Standards Organization ca strandardul ISO 13346.moderne. structura de volum şi cea de fişiere. OSTA este un grup cu mai mult de 30 de membri. UDF este bazat pe standardul ECMA 167. Într-un anumit sens. În loc de a lega aceste funcţii diferite împreună. OSTA UDF defineşte domeniul „OSTA UDF Compliant“. oferă o mult mai mare funcţionalitate. dar diferă de acesta în două moduri importante. stabilit de European Computer Manufacturers Association (ECMA). nume lungi. ECMA 167 separă cu grijă aceste funcţii în părţi distincte şi descrie în detaliu cum lucrează împreună. În al doilea rând. „Volume şi File Structure for Write-Once şi Rewritable Media using Non-Sequential Recording for Information Interchange“ (structura de volume şi fişiere pentru medii de stocare şi reinscripţionare utilizând înregistrarea ne-secvenţială pentru transferul informaţiei). printre care Hewlett-Packard şi Toshiba. incluzând unităţi şi fişiere foarte mari. Pentru a realiza acest lucru. 283 . Specificaţiile UDF ale Optical Storage Association (OSTA)sunt o implementare a standardului ECMA 167/ISO 13346. acest standard este echivalentul standardului ISO 9660. Un domeniu defineşte reguli şi restricţii în utilizarea standardului ISO 13346. recunoaşte nevoile separate privind bootarea. Scopul primordial al OSTA UDF este maximizarea schimbului de date şi minimizarea costului şi complexităţii implementării standardului ISO 13346. seturi de caractere străine. sunt definite anumite Domenii.

No.G. Polyprov. Upper Saddle River. pp... 4.. Matter.. QED – The Strange Theory of Light şi Matter. CFE.. 2002 14. Krostensson. 1063-1076. France... Cambridge University Press. I. Optica electromagnetică a mediilor anizotrope. R. J. p.. Kidlington. Fiumara. J. 1996.. „Semiconducting Polymers LEDs” în Materials Today. 453. 804. Becker R. Braun D. Bell System Tech. Handbook of Nonlinear Optical Crystals. Ed. G. Yariv A.. Cours. 1991 15. 10... 2637. 1996 8. Bhattacharya P. Ledentsov N.167-178 3. Physics Today. Journal of Electromagnetic Waves şi Applications. 2003 11. June. ian. J.BIBLIOGRAFIE 1.20. Eitel S. p. 1988 7.... Springer-Verlag.” SPIE. Appl.. Highly uniform vertical-cavity surface-emitting lasers integrated with microlens arrays. QE-14. 1993 9. 57.... Vol.. 1978 17. Karlsson.P. Cambridge.A. vol. Lett. 1281. 1978 6.. 1978 5.A. Feynman. Dmitriev V.R. M. Quantum Electron. WTEC Panel on the The Future of Data Storage Technologies. 1998 28. Tekh. 2000 24. “Commercially available integrated optics products and services. Quantum Electron.G. 15. QE-14. 459-461. vol. IEEE Press 1995 19. No. Boyd R. Second Edition. V. april 2002 25. 347. p.C.. Ünlü M. Fox A. 2796.. 12. IEEE Microwave şi Guided Wave Letters. Princetown Press University. et al. C.: Condens. John Wiley şi Sons.. Semiconductor Optoelectronic Devices.9. et al. 1981 2. pp. Phys. Opt. Li T. Fiz. Quantum Electron. S.. Micro-ondes et hautes fréquences. 1994 21. UK. Vol. et al. 1995 16. 1826.. 5. June 1999 26. 14. IEEE Photonics Technology Letters... 246.. Chartrain. „Quantum dots: lasers and amplifiers”. Vol. Lasers şi Electro-Optics: Fundamentals şi Engineering... Desurvire.. et al.al. E. Sov. Elsevier Ltd... 32-39. p. 1975 12. Ando H. Physics of Optoelectronic Devices. Understanding Optical Communications. et al. 1996 20.J. et. Auyeung I. S. 1653. 1990 18. 1961 284 . Nonlinear optics. NY. Bucureşti. 12. INTERNATIONAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Chew W. Bell System Tech. High-Speed Resonant-Cavity-Enhanced Silicon Photodetectors on Reflecting Silicon-On-Insulator Substrates. Chuang. p. 1992 13.P.. John Wiley... 32. et al.. J. et al. NJ: Prentice Hall. Bernini U. L. Waves şi Fields în Inhomogeneous Media. Akimov D.Y. 1998 23.9. J. Cone G. W. Emsley M. Elementary classical analysis of optical harmonic generation şi four-wave mixing în strong light fields. Princetown. UK. 1985 27. Phot. 1997 10. Alferov Zh. Bimberg D. Tehnică. New York. Dutton H. Adams M. K. SPIE Proceedings Vol. IEEE J.1229. Esener S. No. IEEE J. 4. Piscataway N.. New Jersey.. Bogatov A. G. et al. Cohen L.. Tech. 4.1263. Academic Press. Dosunmu O.. NJ: Prentice Hall. pp. Upper Saddle River.C. Davis C. 1991 22. no. An Introduction to Optical Waveguides. 40.. Bernekorn P. 1970 4. 993. et al. A.

Boca Raton.. Stoican O. Gavrilă H. Understanding Fiber Optics. Ed.. Introduction to Laser Technology. Optical Semiconductor Devices. 2000 59. Editura Academiei...163-178.. Phys. Fourth Edition. 1993 47. 1993. 26. Low Threshold. NJ: Prentice Hall. 106. 2001 285 . Hauss. Elements.. 2001 31.. alloys and diffusion”. al. Newton. NJ: IEEE Press. 38 (May). Ghatak A. Prentice Hall. Lett. Cambridge. 2. FL. J. Phys. Lourtioz J. „Fotonics: Practically There?” în Materials Today. H. Opt.. „Mitigating neliniar effects este essential to long-haul transmission systems”. Optical Networking & WDM. Piscataway. Phys. Prentice Hall. Third Edition. MTT-23.. 1973 40.... 1993 52.. Laser Focus. Englewood Cliffs. 109. Solitons optiques et télécommunications transocéaniques. 48-53. Centea O. p. Hall et. 1999 33. French P. .K.L.. R. 366. Inc. 2002 58. J. Fiber Optic Communications. 111125.A. Physics Today. Phys.48 may. Fox M.P. New York: McGraw-Hill. Henini M. 37. UK: Elsevier Ltd. Hartman R. IEEE Photonics Technology Letters. Gloge D. Fox M. 52.. Optical Electronics. Kidlington. Lasers: theory şi practice. 2nd ed.. Kidlington. Optical Properties of Solids. New York.A. 37. P. 1995 53. 2001 45. 2002 57..-P.J.. Berkeley. Lett. Oxford: Oxford University Press. 31. 1991 55. and 50-μ Matching”. 2004 44. T. 37. Gloge D. 245-62 1975 42. London: Taylor & Francis. Phys. Rev. CRC Press.. 1994 37.. 283301. 1962 49..55-_m Bipolar Cascade Laser With Record Differential Efficiency. Hamaide.. N. 1993 38. 1563. „Ultrafast Solid State Lasers” în Contemporary Physics. 1989 36. Green.. 17.. Lynne D. J.. Images de la physique. 35. Gloge D. 2002 56. Fukuda M. 15. Bell System Tech. 1996 43. 1977 51.. p. Fiber optic reference guide. Bucureşti. Bucureşti 1998 34. oct. Getty J. S... Goff D. november 2003. Lett. „CW Operation of 1. 1996 32. 10..W. Hecht J. Hecht J. Vol. pp. et al. Goldman R. Fiber Optics Networks.. IEEE Trans. Osborne/McGraw-Hill. D: Appl. 1971 39. Vol. „Optoelectronics în Quantum Wells” în Contemporary Physics. 155-162.29.. 1975 41. Hermier J. Systems şi Applications. UK: Cambridge University Press.. 1970 54. 1993 48. P. „Nanoprobing of semiconductor heterointerfaces: quantum dots. Micro-Optics.M. 1996 30. New Journal of Physics. Microwave Theory Techniques. Appl. Butterworth-Heinemann. Fiber optics. Hawkes J.. Appl. Gould P. 11. 54. Englewood Cliffs. Latimer I.S..1-26.. UK: Elsevier Ltd.. June. Green. „Quantum Dot Nanostructures” în Materials Today. 756. pp.. Hecht J.Teoria modernă a câmpului electromagnetic şi aplicaţii – Ed. Marcatili E.. Glass A.. no.... NY: Wiley şi Sons. Gloge D. IEEE Spectrum. supplément au Courrier du CNRS 50.. Herzig H. Ewing J. „Quantum noise in VCSELs”. Bell System Tech. Goralski W. 32-37. 2002 46. Electronica fizică şi aplicaţii. 9.. Hitz B. 2252. Hecht J. et al.. ALL...J. 1997 60. Gherbanovschi N. Appl.. p.M. Thyagarajan K. Hayashi I et al.. J.. Chesnoy J. September.J. The Laser Guidebook.-M.

Princetown University Press. Editura Universităţii din Oradea. Opt.. 1977 89. Phys. 1968 69.. Norwood..E. Phys.J. 1969 88. 2001 87. Marcuse D. J. of Glass. 2000 67. SPIE’s OE magayine.. Quantum Electron. Appl. J. 2001 68.. 1970 90. J. 2003 80. Sub-40mA continuous-wave lasing în an oxidized vertical cavity surface-emitting laser with dielectric mirrors. Soc.. Optical Physics. K. Piscataway. 1695. 1976 92.A. and Applications. 10th Int.. NJ. Electronică industrială. Academic Press. Science. Lipson H. Maghiar T.. Lemonick M. Kartalopoulos S. 879. Theory of Dielectric Optical Waveguides.. 5247... Stănescu C. 48. Vol..B. Lewin L... Koren B. Optoelectronic-VLSI: Fotonics Integrated with VLSI Circuits.. Appl. Proceedings of SPIE. 8 . Introduction to DWDM Technology (Data în a rainbow). pp. Phys. Kompfner R. IEEE J. et al. Editura Universităţii din Oradea. 3rd edition. 56.. Marcuse D. 149.. Proc. 28. Lipson S. Koizumi K. 150. L..A. 14. Marcuse D. IEEE Trans.J. 1995 81. 777.. Keiser G.....C.A. MTT-16. Lett. pp 97476. Transmisia semnalelor. Leijtens X. 19-25. 49. Tech. D: Appl. Călugăreanu M. 1974 74. Optoelectronics şi Fotonics: Principles şi Practices. Lett.. Tannhauser D. 52.. 1976 Huffaker D. Goossen Keith W. DWDM Fundamentals.S. 3.. QE-10. Marcuse D. Vol. 1977 286 .. Conf. 2161. 703. Lindstrom A. J.... 1974 85. et al. august 2001 76. Marcatili E. J.D.. Bell System Tech.. Nishida S. 13. 1966 65. 265. No.. 1998 77. Călugăreanu M. „Overview of high performance fibre-optic sensing”. pp 6-40.O. Kao K. AM. March 2002 72. Appl. 225. 62. Topical Meeting of Optical Fiber Communication (New York: Opt. 197-216.. Lett. 718. 1151.. 1974 70.61.. 68-72. p. IEEE Photonics Techmology Letters. Miller S.. Microwave Theory Techniques. NJ: Prentice Hall..J. Bell System Tech. Lazay D. Bell System Tech. French W. IEEE Foton. Marcatili E. 423. 37.G. MTT-22. Cambridge University Press. 49. J.. et al. Dandridge A. 4(6).. 2004 73. 1974 82. 2002 83. Hockham G. Bell System Tech. 133. MacChsney J. „Developments in Photonic Integrated Circuits for WDM Applications”. Kawakami S. IEEE JSTQE. Kirkendall C. 2001 86.... 2002 78. Inc. IEEE. IEEE Trans. Upper Saddle River. Microwave Theory Techniques. Vol. 1973 64. Kawakami S. Hsieh J.. Wiley-IEEE Press. Components. et al.G. New York.. April.. 1996 63. Artech House. p. Kaiser P. Optical Fiber Communications.. J. 283.. Krishnamoorthy Ashok V. Bell System Tech. 55. Proc. Maghiar T... 36. The light at the edge of the universe. 1974 91... 1965 75. Kasap S. Kimukin I. 1979 79. 2000 71. Nishizawa I. Kapron et al.. Photodiodes. 1970 66.) WC3. Stănescu C.P. Bondor K. Prentice-Hall. Bondor K. 1995 84. Bell System Tech. Phys.. „InGaAs-Based High-Performance p-i-n Photodiodes”... 17. 814. Laude J-P. 56. „Optical Fiber: Where este It headed?” Fotonics Spectra.

E. 1965 97. Matter.N. 6.. Quantum Process in Semiconductors. 1966 102. 1996 121. 1988 287 . Third Edition. Olshansky R.. Fiber Optic Communications Technology. 315-326..R. extended Abstracts. K. MTT-24.B. Opt.. Optical Properties of Semiconductors. N. 1996. Longitudinal injection-plasma laser of InSb . Science. 1994 105. Ramaswami R.. Morkoç H. London. Olshansky R. Bell System Tech.C.K. 416. IL: McGraw-Hill.. „Quantum Well Optoelectronic Switching Devices” în International J.L. Appl. Webster) Vol. 32. Optics şi Fotonics News.. J. 19-46.. „Si/SiGe heterostructures: from material and physics to devices and circuits”.S. Mollenauer L. 1978 115. 2003 98. Hiroshi. Bucureşti. 584. 267. 170. Friedman E. Okoshi T... 51-55. apr. pp. Butterworth Publications. Opt. Semicond. 1976 112. 1976 111. p.93.. 16. 146-150. Moss T.: Condens.. 1999 104.. 685.. Microwave Theory Techniques. 1995 107. N.B. 2171. NY: Wiley şi Sons Inc. Joseph C. 11. Mohammad S. Teoria electromagnetică macroscopică a luminii. 19. IEEE. 483. 1923. Ed.. 2004 117.. 1. pp 59-60. Fotonics Spectra. 2002 122. Prior K. 2001 103. „Fiber Amplifiers Make Steady Gains”.E. 58. no. 37. 15. Bucureşti. 1992 116. 1995 110. L. Maurer S... Handbook of Optical Fibers şi Cables..A Practical Perspective.J. Phys. IEEE Trans. Mateescu A. Miller S.. Introduction to Optoelectronics. p.. McGraw-Hill. Ştiinţifică şi Enciclopedică. 5. 1998 106. Academic Press. J.M.15. Prentice Hall. Opt. Optical Communications Rules of Thumb. I. 1977 114. Mohammad S. Englewood Cliffs. IEEE Trans.E. 1997 94. Melngailis I. 15.75-108.. Popescu.. Murata. Olshanshy R.. Mynbaev D. 782. „The Development of II-VI Semiconductors for Blue Diode lasers” în Contemporary Physics. 11. J.. 1995 108. Technol. Keck D. „Will silicon be the photonic material of the third millenium?”. Miller J. 1976 113. 1466. Marcel Dekker Inc. PrenticeHall. 1990 99. Nakamura S. 1970 101. Oxford Science Publications. London. Pollock C. Electronique. Scheiner L. Second Edition. Osanai H.. physique et signal pour les télécommunications. 44. Vol. NJ.A. pp.F. 1970 96.. Morin V. Fiber Optic Communications. 1538. Paul D.. 1169-1196.. Applied Physics Letters... Optical Networks .. Miller S. Tillotson L. Sivarajan K. Proc. High Speed Electronics (Singapore: World Scientific). Morkoç H. Miller D. Sci. Okamoto K. Miller S. Burr Ridge. Appl...3.. MTT-18. Appl. New York. 2003 118... 109. 1986 120. „Light Emitting Diodes” în Wiley Encyclopedia of Electrical Engineering şi Electronics Engineering (Ed. Melchior H. 1970 95.. 2017-64. „A bright future for blue/green LEDs” în IEEE Circuits şi Devices. J. 1965 100.. Pavesi L. Opt. 15. May.B.. Microwave Theory Techniques. Ridley B. Second Edition. Palais.. „High Luminosity Gallium Nitride Blue şi BlueGreen Light Emitting Diodes” în Science Magazine.. 367. 1995 119. Editura Tehnică. et al. Appl. Electrochemical Society Meeting.. 345-358. Felsen L. p.

. on Optical Communication. Bucureşti. Optical Materials. Ceram.L. 169. Vol.. et al. Moore D. 31. 13. Rieke G.. Cambridge University Press.. 491. Strite S. Rogers A. Takahashi Y. pp.. Schwab A. et al.J. Dispozitive semiconductoare şi circuite integrate analogice. Prentice-Hall. Digest Int. 1998 143... JulyAugust.M. Journal of Electromagnetic Waves şi Applications. J. Spânulescu I.. Thompson G. Quantum Electron.. No. Opt.F. Steinmeyer G. 5. Inc. 64. Electron Lett. QE-14. on Integrated Optics şi Optical Telecommunication.123. 1996 130.S. p. 1974 142. Snyder A. IEEE J. Townes C. Smith R. „Optical MEMS for Telecoms” în Materials Today.. 2000 135. 2000 138. „Lighting the way to a low energia future”.. Smith F... Physics World. No. Soc. 1978 137. IEEE Trans. 1. A: Pure Appl. V.. L. Russell St.. Snitzer E.. Reekie L. Cozens J. Second Edition. Tanaka S. San Diego. 1994 134. Unlu M.. S... 11.. 48.H. 13th april 1995. 1969 141.. John Wiley şi Sons.9. Sladen F. J.. 2489-94. 1994 124. 21-25 126. 11..995-1033. Opt.H. Optics şi Fotonics. MTT-17. 1997 125.. 1972 139.H. 1940.A. Am. Compatibilitatea electromagnetică. 1978 128. London: Chapman şi Hall. Archambault P. Senior J.. J. „A review of ultrafast optics and optoelectronics”. 1961 140. 2003 144. Kimura T. J. 56. Shimada S. New York. Geneva.. October 1993 127. et al. Syms R. 1993 145.. Am. Albany. 621. Sircar. Phys.: Condens. Potter K.... 1958 131. J. Takahashi S. p.R. Am. Appl..E. Detection of light: from the ultraviolet to the submillimeter. „Silicon single-electron devices”. 1977 149.. Sakai J. Phys.. Snyder A. 1975 151. Rev. Chichester.. Opt. 1973 129. M. Seekamp J.. Essentials of Optoelectronics.R. 510. Routledge G.. Opt. 26-35. „Tunable photodetectors and light-emitting diodes for wavelength division multiplexing”.. P. et al. Vol. Donald J. Mitchell D. p.. 4th Europ. J.. „Nanoimprinted passive optical devices”. London: McGraw-Hill Book Company... Kawashima T.W. Opt. pp. Osaka (Tokyo: IEEE Japan). 1130. Soc. 1978 288 . 1997 136. Proc.G. Optical Fibre Communications: Principle şi Practice. Electronics Letters.. King T. 2002 150. (UK). Physics of Semiconductor Laser Devices. 1980 152. Opt. p1-15. Matter 14. Schroeder J.2nd Edition. September 2002. "Fiber Gratings".. H.. NY. Arvind. Optical Guided Waves şi Devices. Sysms R. 800. Tomasetta L. UK: Elsevier Ltd. p. Conf. John Wiley şi Sons. Sterling. Ishio H. Microwave Theory Techniques. Soc. 112. An Introduction. 1992 148. p.. et al. 672-574 146..1213.G. Delmar Publishers.. UK: Wiley şi Sons Ltd.W... Simmons J. 599. Lett... 581–586.. Editura Victor. 153. B. 51.. 2002 147. Nanotechnology. 1992 133. Schwalow A. Kidlington. Conf. 8. în IEE Review. 11.. Editura Tehnică. Bucureşti. 2002 132.. et al. Technician's Guide to Fiber Optics. Optical Amplifiers şi their Applications. CA: Academic Press. J.

Editor. editor. Câmpul electromagnetic. Fibre Optics—Theory and Applications.org/online/tutorials/dwdm_test 182. John Wiley & Sons... A 22. Lett..html 289 . De Boeck Université. Yeh C. Sydney. Technique et documentation – Lavoisier. Third Edition. Proceedings of SPIE. Boca Raton. Khoo I. CA: Academic Press. Optical Electronics în Modern Communications.. John Wiley. 2002 167. NY: Oxford University Press. Fiber Optic Smart Structures.ru/SVA/NSM/Semicond/GaAs/bandstr. S. Gao. Yariv A.rssi. Udd E. 1996 164. Simmons M. Wood D. CR-44. Laboratoire de fibres optiques: http://opt-fibres. „Vertical-external-cavity semiconductor lasers”.pdf 185. 1994 159. et al. şi Raguse B. IEEE J. New York. New York. 1993 168. Phys. Sci. Ţugulea. D: Appl.. Transmission. pp.unige. 608. Yoshida K. Australia: UNSW Press.” Opt.com/univercd/cc/td/doc/product/mels/dwdm/dwdm_fns.. http://www. X. Wiley. I. J. John Wiley and Sons.. Wolfbeis O.. Optoelectronic semiconductor devices. chapters 57–60. Pochi Yeh. 1995 163. „High-speed Si resonant cavity enhanced photodetectors and arrays”. Holt-Saunders. 1997 175. 1991 157. 800. Biochemical and Medical Sensors... Quantum Electron..C. Kannagara K. vol.iec.. FL: CRC Press. No.. QE-21. propagation et rayonnement.. Tout sur la fibre optique: http://www. An Introduction. Vol. 1998 166. Proceedings of SPIE. 1990 161. http://cqd. Xu.... Optical Electronics. Paris. Udd E. Fundamentals of DWDM Technology: http://www.html 183. QE-5. Dense Wavelength Division Multiplexing (DWDM) Testing: http://www. Wiley. Ungar S. New York.. Proceedings of SPIE. 1984 173.. Principles of optical engineering..nwu. Wilson J. Dense Wavelength Division Multiplexing (DWDM): http://www. Fly-by-Light. Tehnică. Ed. 1994 169. 2004 154.. 1996 165.3.cisco. B.. 1992 158.S. 3rd Edition. Yariv A.htm 180. 1989 172. 1990 171. Lasers et industries de transformation.edu/annualreport/alfree. Unlu M.cisco..153.ioffe. K. p.C. New York. Tropper A. Electron. Smith G.. New York.. 1994 170.. Vander Vorst A. Emsley M. Vannes A. Wilson M. 30-32. 37.. 1985 174.T. Udd E. 1994 176. Bucureşti 1994 155. Technol. * * * Laser Diode Systems şi Components – Product selection catalog – Power Technology Incorporated. Optical Waves in Crystals..ca/ 184. S1–S14. Optoelectronics. 2085. Dosunmu O. 1996 178. Vol. Yamamoto Y. Quantum Electronics. Whitaker J.. Introducing DWDM: http://www. p75-85. 1995 160. Uchida et al. et al. Yariv A. C. Phys. Prentice Hall.ch/seinf/jfl/fibre/welcome.. .. 72.org/online/tutorials/dwdm 181. J. editor. Nanotechnology..polymtl. Vol. Vac. S. A. Canadian Journal of Physics. May-Jun 2004 162.phys. Fiber Optic Sensors.iec. Applied Fotonics San Diego. 13. “Fundamental of optical amplifiers. editors..htm 179.. Prentice Hall International Series în Optoelectronics.com/univercd/cc/td/doc/product/mels/dwdm/dwdm_ovr. Udd E. 2295. The Electronics Handbook.ece.. Hawkes J. Mukai T. 1 & 2.. 1969 156.. London: Prentice Hall Europe. Greguss P. Fiber Optic Sensors: An Introduction for Engineers and Scientists. 1977 177. editor. J.. et al. Zu F.

ch http://www.pdf http://www.ceg. 191.ucl.ee.com http://www.com/univercd/cc/td/doc/product/mel s/dwdm/dwdmfns. 187. 195.htm www.186. 194.ac.cisco.uk/lcs/papers99/dbojic. 188. 192.ac/fplasers.photon-x. 193.webopedia.com www. 189.uiuc.edu/tutorials/crystal_structures/gaas.edu http://www.htm www.vt.ecma.CeQuadrat. 190. http://www-ncce.soton.mse.html http://britneyspears.net/tech/edfa.ac.uk www.pdf 290 .