CAPITULO II

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2.1.- Diodos.

POLARIZACION DIRECTA: Flujo de corriente en el sentido de la flecha, se reduce la región de agotamiento, dando como resultado una circulación de corriente; que dependerá de la capacidad del diodo y de R.

POLARIZACION INVERSA: El voltaje aplicado aumenta la región de agotamiento dando como resultado un corte de corriente, es un circuito abierto.

3V 100 grados C 400V .REGION ZENER: Si se incrementa el voltaje de polarización inversa esto genera un proceso de ionización. adquiriendo suficiente energía hasta el punto en el cual se establece una gran corriente de avalancha destruyendo al diodo.V .V ó V (BR) Comparación VT Temperatura PIV Silicio 0.7V 200 grados C 1000V Germanio 0.R.I. Antes de llegar a la región ZENER existe un voltaje que no compromete su integridad denominado P.P.

Donde la temperatura puede aumentar hasta 200 C. Por lo tanto su estabilidad es mejor (Si) RESISTENCIA ESTATICA O DC: .2. mientras que el de Ge hasta 100 C La temperatura tiene un mar. - Silicio utilizado para app.2.. cada efecto sobre la característica del Si y en menor grado al Ge.Efectos de la temperatura. Aún a mayores temperaturas los diodos a Si no alcanzan los altos niveles Is de los de Ge.

(Calculado para 25 grados C) RESISTENCIA PROMEDIO Utilizado para grandes desplazamientos de señales en ingresos. RESISTENCIA DINAMICA Cuando se aplica una señal senoidal el punto de operación se desplazará hacia arriba y hacia abajo y Q será el punto referencial. resistencia en un punto cualquiera de la característica.. . que no cambia con el tiempo.

5...I.Tiempo de recuperación inversa tvr. .Corriente inversa IR (para VR y temperatura especificada) 4.Corriente directa If (Aumenta temperatura específica) 3..R ó V(BR) ruptura.Máxima disipación de potencia a una temperatura particular.Valor de P.V.V ó P... 6.CIRCUITO EQUIVALENTE PARA DIODOS Simplificado R red >> r av Comportamiento como un interruptor cerrado.Voltaje directo Vf (Aumenta corriente y temperatura específica) 2. Comportamiento como un interruptor abierto ESPECIFICACIONES DE LOS DIODOS 1..

71 V 0.83 V V 0.68 500 5 1 BA129 MIN MAX UNIDADES 0.00 V 0.88 0.1mA If = 0.69 0.. VR = 35V RL = 1 a 100 K CL = 10pF .60 V nA nA uA 10 nA 5 uA V 6 pF us CONDICIONES DE PRUEBA If = 200mA If = 100mA If = 50mA If = 10mA If = 5mA If = 0.0 MHz If = 10uA . ID = E/R Para ID = 0 . T = 125C VR = 180V VR = 180V .78 0.00 0.51 IR corriente inversa Bv C trr voltaje de ruptura Capacitancia tiempo de recuperacion inversa 125 8 3 200 V V 1.94 0.60 0.1mA VR = 20V .75 0.67 0.85 1.78 0.81 0. f = 1.60 0. potencia.Rango de temperatura de operación: Los valores se obtienen de: a) Valores máximos nominales (temperatura.80 0. T = 125C VR = 100V VR = 100V . T = 100C IR = 100uA VR = 0V . JAN 256 RECTA DE CARGA: define el punto de trabajo del dispositivo E = ID x R + VD Para VD = 0 . E = VD . voltaje y corriente) b) Características eléctricas: Características eléctricas (25C temperatura ambiente a menos que se observe lo contrario) simbolo Vf caracteristica voltaje directo BAY73 MIN MAX 0.7.69 0.

91mA D2 1 2 1N4500 82.Ejemplos: -82.734mA 7.547V R1 15.734mA .00V -82.91mA 8.47mA 0 -7.47mA 100 7.734mA D1 1 10.734mA 10Vdc V1 D2 1 R4 2 R3 2 1k 9.146V 10.291V D1 1 2 V11N4500 82.734mA 15.00V 7.281V 1K 1.91mA 0V 10Vdc R1 100 82.91mA 82.734mA -7.91mA 9.91mA 0 7.

2mA D1 1 12.00V D3 1 D4 1 -41.2mA 111.12V 111.762nA 12Vdc 5Vdc V1 1 2 V3 3.2mA 100 2 11.189V 83.67mA 10.35mA 854.35mA 1N4500 .35mA 2 R4 100 1 83.35mA 1 9.-111.67mA D5 2 83.67mA 2 1N4500 2 -41.67mA 1N4500 0 -83.00V -3.762nA 41.762nA R1 111.2mA 0 3.8mV 10Vdc V2 41.

51mA -82.98mA R5 100 82.51mA 1N4500 82.146V D6 D7 1 2 1 2 R6 74.98mA V3 8.98mA 0 .00V 10Vdc 8.98mA 9.472mA 100 10.-74.298V 82.

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