31

3.

Diode semiconductoare

Diodele semiconductoare sunt dispozitive electronice formate dintr-o joncţiune pn, două contacte metal-semiconductor închise ermetic într-o capsulă de protecţie prevăzută cu două terminale. Terminalul corespunzător regiunii de tip p se numeşte anod (A) iar cel corespunzător regiunii de tip n se numeşte catod (K). Ele se utilizează în circuitele electronice unde îndeplinesc diverse funcţii. Principalele tipuri de diode semiconductoare frecvent întâlnite în circuitele electronice sunt diodele redresoare, diodele stabilizatoare (Zener), diodele varicap, diodele tunel, diodele Schottky. Există de asemenea fotodiode, diode emiţătoare de lumină (LED) sau diode laser dar aceste tipuri se vor prezenta în cadrul dispozitivelor optoelectronice. 3.1. Diode redresoare 3.1.1. Caracteristici, punct static de funcţionare, parametrii Diodele redresoare (DR) se bazează pe proprietatea de conducţie unilaterală a joncţiunii p-n la frecvenţe joase ( max .15 ÷ 20kHz ) . Ele sunt utilizate în special pentru conversia curentului alternativ de valoare medie zero într-un curent a cărui valoare medie este diferită de zero (curent continuu). Caracteristica ideală a unei diode redresoare este dată în fig. 3.1.a, şi exprimă dependenţa între curentul care circulă prin diodă şi tensiunea aplicată la borne. IA = f ( U A )
IA IA A K

a Fig. 3.1

b

4 0. 3.1.2. Caracteristica curent-tensiune pentru o diodă redresoare din Si este dată în fig. ceea ce determină un curent nul prin ea.8 1 UA [V] 20 30 40 [µA] Fig.4 0. se constată că în conducţie directă căderea de tensiune pe diodă este de (0. În mod uzual diodele semiconductoare redresoare se realizează din Si. IA [A] 0. În conducţie inversă dioda prezintă o rezistenţă foarte mare.2 Din fig. 3. 3.5 0.2 –UA [V] Ustr 300 200 1000.2 0. 3. Caracteristica reală şi simbolul unei diode redresoare sunt date în fig.6 0.b.6 . Se constată că în conducţie directă dioda prezintă o rezistenţă diferită de zero..1 10 0.32 În polarizare directă o diodă redresoare ideală are o rezistenţă egală cu zero. care determină o cădere de tensiune pe ea.3 0.8)V iar curentul invers este de ordinul nA. Pentru determinarea punctului static de funcţionare al unei diode redresoare se consideră un circuit electric format dintr-o diodă înseriată cu o rezistenţă R şi cu o sursă de tensiune E. un curent rezidual mic iar pentru o anumită valoare a tensiunii inverse există pericolul străpungerii.2.3 .. funcţionarea sa corespunzând regimului de scurtcircuit iar în polarizare inversă are o rezistenţă infinită . 3.3 UA A K E D IA R Fig. ca în fig. 3. 0.

IA0 şi UA0 reprezintă soluţia problemei.4 Intersecţia dreptei de sarcină ( ∆ ) cu caracteristica statică a diodei determină punctul static de funcţionare (PSF) al diodei. Coordonatele punctului P. 3. notată cu Rr.3.1) Se reprezintă ecuaţia 3. I A = f ( U A ) şi relaţia obţinută prin scrierea teoremei a doua a lui Kirchhoff pe circuitul din fig. Pentru rezolvarea problemei se utilizează caracteristica statică a diodei.a. 3.4. pe caracteristica E statică rezultând punctele de coordonate I A = (pentru UA = 0) R şi UA = E (pentru IA = 0). 3. fig.33 Dându-se valorile lui E şi R se cere curentul prin diodă şi tensiunea la bornele acesteia. de pe abscisă şi ordonată.3 E = R ⋅ IA + U A (3. Dacă pe caracteristica statică se pun în evidenţă rezistenţa în conducţie directă.6 ÷ 0. numită şi rezistenţă internă notată cu Ri şi rezistenţa în conducţie inversă. se numeşte dreaptă de sarcină statică şi este notată cu (∆). fig. Dreapta care uneşte cele două puncte. atunci se obţine modelul liniar pe porţiuni al caracteristicii diodei redresoare. Pe această caracteristică UD0 reprezintă tensiunea de deschidere şi are valoarea tipică cuprinsă între 0. . la tăieturi. IA IA=E/R α (∆) ∆IA P tgα = I A0 ∆I A 1 = ∆U A R i ∆UA U A0 UA=E UA Fig.8 V pentru diode din Si de putere mică.5.1. notat cu P.

rezistenţa internă (dinamică) în conducţie directă.curentul invers maxim admis. URM . calculată pe o perioadă completă pentru redresare monofazată monoalternanţă. 3. 3.2) ∆I A PSF K b . în regim permanent.curentul mediu redresat este valoarea medie a I0 curentului diodei în conducţie directă. utilizate în calculul circuitelor în care intervin aceste diode.tensiunea inversă maxim admisă.5. De obicei U RM = 0. este tensiunea inversă pentru care curentul invers devine mai mare decât o valoare specificată. 3.b şi în conducţie inversă.curentul de vârf maxim admis.tensiunea de străpungere. fig. este amplitudinea unui curent sinusoidal în sens direct. . IRM . este amplitudinea curentului invers pentru o tensiune inversă specificată.34 IA Ri A U D0 Ri UA A Rr K Rr a U D0 c Fig. Parametrii principali ai diodelor redresoare indicaţi în cataloage şi prospecte sunt următorii: . fig. în absenţa oricărei tensiuni continue.5 ÷ 0.c. Ri Ea reprezintă o aproximare de semnal mare a pantei de creştere a tensiunii la bornele diodei odată cu creşterea curentului şi este definită prin relaţia: ∆U A Ri ≅ (3. UBR . IFM .5.8 U BR .5 Plecând de la această caracteristică se poate determina modelul diodei în conducţie directă.

3. precum şi scheme diferite se obţin redresoare dublă alternanţă cu performanţe superioare redresorului monoalternanţă. 3.6. Utilizând mai multe diode redresoare. Schema unui circuit redresor monoalternanţă este dată în fig.6. este reprezentat un exemplu de protecţie la supratensiune a unui amplificator operaţional integrat cu ajutorul diodelor din siliciu D1 şi D2.35 unde: i A ( t ) = I A0 + ∆I A ( t ) este curentul prin diodă determinat de tensiunea u A ( t ) = U A0 + ∆U A ( t ) . 65V care este tensiunea de deschidere a diodelor din siliciu.b. b) element de protecţie la polaritate şi supratensiune În fig.7. Această rezistenţă este un parametru de semnal mare şi nu trebuie să fie confundată cu rezistenţa internă de semnal mic a diodei. Aplicaţii simple cu diode redresoare a) circuite de redresare Datorită proprietăţii de conducţie unilaterală dioda redresoare se poate utiliza ca redresor de tensiune alternativă.2.6 ur Rs ur t t b Tensiunea obţinută la ieşire (ur). 3.a ui(t) D ~ ui(t) a Fig.a. 3. fig. este o tensiune pulsatorie dar prin utilizarea unor filtre adecvate se obţine o tensiune cât mai aproape de forma de c.c. Cu ajutorul diodelor se poate realiza şi protecţia la polaritate şi supratensiuni . 3. Tensiunea la intrarea amplificatorului operaţional nu poate depăşi valoarea de aproximativ ±0.1.

8.7.36 de comutaţie. Dacă se conectează antiparalel cu D1 o altă diodă D2. 3. 3. 3.9. limitarea făcându-se până la 0. fig. 3.b.7.7 b AO R D3 T D4 R2 c) circuite de limitare Un circuit de limitare unilaterală este compus dintr-o diodă D1 şi un rezistor R conectate ca în fig.8 Acest circuit limitează semialternanţa pozitivă. Dioda D3 evită pătrunderea semnalelor negative pe baza tranzistorului T.65V valoare care reprezintă tensiunea de deschidere a diodei D1. D1 .65 V t a b Fig. R ui(t) ui D2 u0(t) t u0 0.a.b. reprezentată punctat în fig. se obţine un circuit de limitare bilateral simetric. fig. + Vcc R3 R1 Intrare D 1 L D2 AO Ieşire u1 u2 a Fig. O altă variantă de circuit de limitare este dată în fig. 3. la blocarea tranzistorului pot apare supratensiuni periculoase care pot deteriora tranzistorul.a. 3. În cazul în care sarcina este de natură inductivă (cazul inductivităţii L din colectorul tranzistorului T).8. Protejarea tranzistorului împotriva acestor supratensiuni se realizează prin conectarea diodei D4 în modul indicat în figură. fig.b. 3.8.a. 3.

Caracteristica unei diode Zener prezintă trei regiuni distincte. de aceiaşi valoare cu E ref1 . care se obţine polarizând în mod direct dioda. la valoarea E ref1 a sursei de tensiune înseriată cu dioda D1. la variaţii în limite largi ale curentului invers.1.b. sunt realizate dintr-o joncţiune p-n cu proprietatea de control a tensiunii de prăbuşire. numite şi diode Zener. 3. Dacă se conectează antiparalel cu dioda D1 şi sursa E ref1 o altă diodă D2.37 unde în serie cu dioda D1 a fost conectată o sursă de tensiune continuă E ref1 ui E ref1 R ui(t) D1 E ref1 a t u0(t) u0 E ref1 b t Fig. În acest caz dioda Zener se comportă ca o diodă obişnuită. proprietatea principală a ei fiind aceea de a menţine căderea de tensiune între bornele ei la o valoare constantă. Caracteristica şi simbolul unei diode Zener sunt date în fig.9 Circuitul realizează limitarea semialternanţei pozitive a tensiunii de intrare ui. 3.9.2. 3. fig. Caracteristici. În majoritatea aplicaţiilor dioda Zener este utilizată în polarizare inversă. punct static de funcţionare. parametrii Diodele stabilizatoare.2. se obţine un limitator bilateral simetric.10. caracteristica diodei în conducţie directă fiind descrisă de ecuaţia: . 3. Diode stabilizatoare (Zener) 3. înseriată cu o sursă de tensiune E ref 2 . şi anume: – regiunea de conducţie directă.

sat ⋅ exp ⎜ d ⎟ (3. În această regiune comportarea diodei Zener este identică cu cea a unei diode redresoare polarizată invers.38 ⎛ eU ⎞ Id = Iinv. sat. În acest caz curentul invers prin diodă creşte brusc şi el trebuie limitat prin rezistenţe exterioare pentru a evita deteriorarea diodei.10 DZ K Iinv. – regiunea curenţilor inverşi. care se obţine aplicând diodei Zener o tensiune inversă peste o anumită valoare.sat . 025V e Iinv. 3. Idir [mA] Uz nom Uz max Uz min Uinv [V] Iz min Iz nom A Pz max III Iz max Iinv [mA] II Fig.3) KT ⎝ ⎠ KT unde: = 0. numită tensiune Zener şi notată cu Uz. I Udir [V] . În această zonă dioda este folosită în mod uzual. care se obţine aplicând unei diode Zener o tensiune inversă mai mică decât tensiunea de prăbuşire. – regiunea de prăbuşire.curentul invers de saturaţie. Această zonă în care tensiunea la bornele diodei rămâne constantă la variaţii ale curentului invers se mai numeşte şi zonă Zener.

ale cărui coordonate sunt Uz0 şi Iz0.13 . Iz Uz=E Uz0 Uz Q (∆) Iz=E/R Iz0 β Fig. Dreapta care uneşte cele două puncte.12.11. 3. de pe abscisă şi ordonată. rezultând punctele I z = E / R (pentru U z = 0 ) şi U z = E (pentru I z = 0 ). Caracteristica liniarizată a diodei Zener şi modelul în polarizare inversă şi directă folosit în calcule sunt date în fig. rezultă: E = R ⋅ Iz + U z (3. se numeşte dreaptă de sarcină statică şi este notată cu (∆). 3. Iz R E Uz DZ Fig.12 La intersecţia dreptei de sarcină (∆) cu caracteristica diodei Zener se obţine punctul static de funcţionare Q.4) Această ecuaţie conţine două necunoscute (Iz şi Uz) pentru a căror determinare se face apel la caracteristica diodei.3. Folosind teorema a doua a lui Kirchhoff pentru acest circuit.11 Dându-se valorile lui E şi R se cere curentul Iz şi tensiunea Uz. pe care se reprezintă această ecuaţie. 3. fig.39 Pentru stabilirea punctului static de funcţionare al diodei Zener se consideră circuitul din fig. în care sursa E polarizează invers dioda DZ. 3.

rezistenţa dinamică (diferenţială) definită prin relaţia: ⎛ ∂U ⎞ ⎛ ∆U z ⎞ rz = ⎜ z ⎟ ≅⎜ = tgβ (3. Iz max .puterea Pz.max ad. αz . Iz min .40 ID U z0 Uz U D0 UD rz U z0 U D0 Ri rz = ∆U z ∆Iz Iz Fig.valoarea curentului pentru care se specifică în Iz catalog Uz.6) ⎣ ⎦ ∆T Iz =ct.).valoarea maximă a curentului prin diodă pentru care nu se depăşeşte puterea disipată maxim admisibilă (Pd. .13 Principalii parametrii ai unei diode Zener sunt următorii: Uz .5) ⎟ ∂ I ∆ I ⎝ z ⎠ PSF ⎝ z ⎠ PSF Valoarea medie a rezistenţei dinamice se situează între câţiva ohmi şi zeci (sute) de ohmi în funcţie de puterea diodei şi de mărimea tensiunii Zener. . definit prin relaţia: ∆U z ⎡ mV / o C ⎤ αz = (3.valoarea minimă a curentului la care dioda începe să stabilizeze.tensiunea stabilizată nominală.max . rz .max = I z. maximă disipată de diodă: Pz max . 3.max ⋅ U z.coeficient de variaţie cu temperatura a tensiunii stabilizate Uz.

2.16. 3. Rezistenţa RB asigură Iz min pentru dioda DZ. realizat cu o diodă Zener este dat în fig. 3.a. 3.2. 3. b) sursă de curent constant Schema unei astfel de surse.14 Rezistenţa R1 asigură curentul minim. la care dioda DZ lucrează în regim de stabilizator de tensiune.14 R1 Ui DZ Fig. Iz min. este dată în fig. 3.15. realizată cu dioda Zener DZ şi tranzistorul T. Aplicaţii simple cu diode Zener.41 3. Schema unui stabilizator de tensiune simplu. .15 Indiferent de variaţia tensiuni de intrare Ui curentul Ic se menţine constant deoarece dioda DZ asigură o valoare constantă pentru tensiunea UBE. RE IE T I c Ust RS DZ Ui UBE RS RB Fig. c) circuit de limitare Schema unui circuit de limitare nesimetric realizat cu diodă Zener este dată în fig. a) stabilizator de tensiune Un astfel de circuit asigură la ieşire o tensiune constantă la variaţii ale tensiunii de intrare.

coeficient.42 R ui (t) DZ a Uz ui (t).7) 1/ n ( UR − U0 ) unde: .b.bariera de potenţial pe joncţiune. Dacă se montează două diode în contratimp se obţine un circuit de limitare bilateral simetric. În serie cu capacitatea Cb apare o rezistenţă parazită rs. U0 .tensiunea inversă aplicată joncţiunii. având valori de ordinul 0.3. UR. fig. pentru o joncţiune gradată liniar. numită şi diodă cu capacitate variabilă. n = 2.16. Ea este astfel realizată încât capacitatea de barieră să aibă o dependenţă dorită de tensiunea invers aplicată. 3.5 . fig.17. iar rezistenţa inversă . 3. 3. pentru o joncţiune abruptă şi n = 3.17. Q.1. Efectul parazit al rezistenţei rs este apreciat prin intermediul factorului de calitate al diodei varicap. n . conform relaţiei: k Ct ≅ C b = (3.b.3.. 3.constantă ce depinde de caracteristicile constructive ale diodei. la care este exploatată proprietatea joncţiunii de a-şi modifica capacitatea de barieră Cb cu tensiunea inversă aplicată pe joncţiune.16 b t Tensiunea la ieşirea circuitului este limitată la valoarea tensiunii Uz. 1 Ω. Dioda varicap 3. UR .a. parametrii Dioda varicap.. 3. fig. la o k . u0 (t) Uz u0 (t) Fig. Rr să aibă valori foarte mari astfel încât efectul acesteia în schema echivalentă a diodei să fie neglijabil. Caracteristici. este o joncţiune p-n realizată din siliciu.

8) Fig.1020 atomi/cm3 faţă de 1015 . al cărui simbol este dat în fig.9) f0 = 2 π LS ⋅ C b Datele de catalog ale diodei varicap. a unor modulatoare din amplificatoarele de c. cu modulare-demodulare.4. f. Frecvenţa de rezonanţă a diodei varicap este: 1 (3. Y = Ctot (3V) / Ctot (25V) .17. f0 . Ctot (25V) . parametrii Dioda tunel este formată dintr-o joncţiune p-n.17 Inductanţa LS apare datorită terminalelor diodei şi are valori de ordinul nH.capacitatea totală a diodei la UR = 3V.1016 atomi/cm3 la diodele obişnuite).capacitatea totală a diodei la UR = 25V.tensiunea de străpungere rs .c. UBR .rezistenţa serie LS .4. 3.43 frecvenţă de referinţă.c. la care cele două regiuni sunt foarte puternic dopate cu impurităţi (1019 .raportul de capacitate. 3. Dioda tunel 3.inductivitatea serie. sunt: Ctot (3V) . .frecvenţa de rezonanţă. el având expresia: 1 Q= 2πf ⋅ rs ⋅ Cb Cb [pF] Cb 15 10 5 UR [V] 10 a rs LS b c Rr (3.1. caracteristici. Funcţionare. la realizarea unor filtre. Diodele varicap se utilizează pentru acordarea automată a circuitelor radioelectronice. 3.

Caracteristica curent . la 0o K .curentul de vârf (pisc). itunel.18 Up Uv b uA Bariera de potenţial care apare în zona de trecere are o lăţime redusă şi apare posibilitatea trecerii electronilor din banda de conducţie a regiunii n.tensiune şi simbolul diodei tunel sunt prezentate în fig. diodele tunel au o viteză de comutaţie foarte mare. Din acest motiv.18. 3. Acest curent de tunel există numai la tensiuni directe mici.b. datorită curentului itunel care se adună caracteristicii obişnuite a joncţiunii p-n (porţiunea întreruptă OV). 3.a. au energia mai mică decât cea necesară escaladării barierei de potenţial U0. Electronul ajuns prin efectul tunel în regiunea p. evidenţiaţi pe caracteristica din fig.18. sunt următorii: IP .44 Datorită concentraţiei ridicate.b. care generează un curent de tunel. regiunea de trecere este foarte îngustă. fig. iA p n iA itunel BC P W Ip uA BV V Iv 0 a Fig. se află de la început în banda de valenţă şi nu mai este supus proceselor de recombinare.18. pentru care se realizează suprapunerea celor două benzi energetice. care poate avea valori de la câţiva µA la câţiva A. Aceşti electroni. Parametrii principali ai unei diode tunel. fiind folosite la frecvenţe foarte înalte. nivelul Fermi ( WF ) . de nivelele energetice neocupate cu electroni. prin efect tunel direct în banda de valenţă a regiunii p ( la energie constantă). Caracteristica diodei prezintă o porţiune de rezistenţă dinamică negativă. situându-se în interiorul benzii de conducţie la semiconductoarele de tip n şi în banda de valenţă la semiconductoarele de tip p. 3. PV. care separă nivelele energetice ocupate. 3. .

Datorită rezistenţei dinamice negative. 0. oscilatoare şi amplificatoare.5 GHz.curentul de vale.10) IV − IP Rin are valori în jur de 50 Ω şi este o consecinţă a efectului de tunel.rezistenţa dinamică negativă a diodei. frecvenţa de lucru fiind de ordinul 0. 3.15V. curentul net prin joncţiune va fi determinat de curentul de electroni care trece din metal în semiconductor şi are o valoare mică. dioda tunel poate fi utilizată în circuite de comutaţie.45 UP . delimitată de punctele P şi V.1. Dioda Schottky 3. aplicaţii Dioda Schottky este un dispozitiv electronic la care funcţionarea este diferită faţă de cea a diodelor prezentate anterior. Această structură determină absenţa injecţiei purtătorilor minoritari din regiunea p în regiunea n ceea ce determină micşorarea capacităţii totale a joncţiunii (datorită absenţei .6 V pentru diodele cu Si.35V pentru diodele cu Ge şi 0. UV . care va prelua rolul regiunii p şi un semiconductor de tip n. cu valori curente cuprinse între 0.5. În polarizare directă ( + pe metal şi – pe semiconductor) creşte componenta de electroni care trece din semiconductor în metal. Rin . definită prin relaţia: U − UP − R in = V (3. Aşadar la dioda Schottky joncţiunea p-n se formează la contactul dintre un metal. Particularităţi constructive..5 .tensiunea de vârf (pisc)... 0.. care trebuie să aibă valori cât mai reduse.tensiunea de vale. care sunt purtători de sarcină majoritari.06 . În regiunea de trecere metal .5. Deci conducţia curentului este asigurată numai de electroni. iar în polarizare inversă.semiconductor apare un câmp electric însoţit de o barieră de potenţial care poate fi modificată prin aplicarea unei tensiuni de polarizare din exterior.5 . Ea se bazează pe fenomenele ce apar în anumite condiţii la contactul dintre un metal şi un semiconductor. care are valori de 0. IV .

decât seria rapidă TTL. Această particularitate este deosebit de utilă.6 ÷ 0. 3. Datorită timpului de propagare foarte mic (aproximativ 3ns) poarta TTL cu diode Schottky se foloseşte în aplicaţii cu comutaţii foarte rapide. Poarta fundamentală a seriei TTL cu diode şi tranzistoare Schottky este dată în fig. fig.5 R 3 R4 Ui T6 1 2 3 4 Ui[V] a b Fig.46 capacităţii de difuzie. T2. diode Schottky care comută mai rapid. asigurând o frecvenţă de lucru ridicată. În consecinţă timpul de comutare al diodei este foarte redus.19 Structura porţii NAND este similară cu a unei porţi TTL din seria rapidă cu deosebirea că T1.5 ) V faţă de ( 0. La intrările porţii se folosesc în locul diodelor obişnuite.19. 3. Pe această proprietate se bazează utilizarea ei în circuitele logice integrate din familia TTL . Pe baza acestei proprietăţi se utilizează în circuitele de comutaţie de înaltă şi foarte înaltă frecvenţă.b. la curenţi egali. Cd = 0). 3.8 ) V la joncţiunile din Si. de ordinul zecilor de GHz.S (Schottky) şi TTL LS (Low Schottky).a +5V U0[V] R1 R2 R6 5 T5 4 T3 3 T1 T2 R5 A⋅B 2 A T4 U0 1 B 0. Căderea de tensiune directă pe o diodă Schottky este de numai ( 0. Datorită tranzistorului Schottky T6 poarta prezintă o caracteristică de transfer U 0 = f ( Ui ) cu o pantă mult mai abruptă. Tranzistorul T3 nu este de tip Schottky deoarece intră în componenţa unui etaj Darlington şi din această cauză nu se poate satura. T4. de ordinul ns. T5 şi T6 sunt tranzistoare Schottky. pe baza ei realizându-se tranzistoare prevăzute cu diode Schottky pentru evitarea saturaţiei numite tranzistoare Schottky. .3 ÷ 0.19.