You are on page 1of 12

19

2. Jonciunea p-n 2.2. Procese fizice n jonciunea p-n Dac n acelai cristal semiconductor se realizeaz prin dopare dou regiuni p i n, n vecintatea contactului celor dou regiuni, pe o distan foarte mic (sub 10-5 mm) denumit jonciune, rezult o comportare diferit a semiconductorului fa de cea dintr-un semiconductor de tip p sau n considerat separat. Pentru explicarea fenomenelor care au loc ntr-o jonciune p-n se consider o jonciune asimetric impurificat ( N a > N d ) , al crei model unidimensional este dat n fig. 2.1.a. Planul x = 0 separ semiconductorul de tip p, cu concentraia de impuriti acceptoare Na, de semiconductorul de tip n cu concentraia de impuriti donoare Nd. p impuriti acceptoare goluri ioni negativi de impuriti acceptoare lp ln p Na Nd n
n n0

x=0 zon de trecere

n impuriti donoare a electroni

p p0 n p0

pn0

ioni pozitivi de impuriti donoare c x x d

U U0 Fig. 2.1 x e

20

Pentru nelegerea fenomenelor care au loc ntr-o jonciune p-n se fac urmtoarele precizri : se consider c tehnologic regiunea de tip p este mai puternic impurificat i deci are o rezisten ohmic mai sczut; datorit impurificrii asimetrice regiunea de trecere se ntinde mai mult n semiconductorul mai slab impurificat (se poate aproxima c 1 1n ); difuzia purttorilor majoritari are loc pe distane foarte mici numite lungimi de difuzie. Se numete lungime de difuzie a electronilor n semiconductorul p i se noteaz cu Ln, valoarea medie a spaiului parcurs de electroni pn la recombinare. n mod similar se definete lungimea de difuzie a golurilor n semiconductorul de tip n i se noteaz cu Lp; lungimile de difuzie a golurilor i electronilor fiind foarte mici 106 mm n comparaie cu lungimea

obinuit a unui monocristal 103 mm , n regiunile laterale ale monocristalului concentraiile de electroni i goluri rmn practic neschimbate i deci nu vor aprea cmpuri electrice. Deoarece concentraia de goluri este mai mare n regiunea de tip p dect n regiunea de tip n ele vor difuza din regiunea p n regiunea n. Pe msur ce difuzeaz n regiunea n golurile se vor recombina cu electronii majoritari (nu se vor acumula ca sarcin). n mod similar electronii din regiunea n vor difuza n regiunea p, unde se vor recombina cu golurile de aici. Ca urmare, n vecintatea jonciunii se obine o zon n care concentraia de purttori majoritari nu mai este cea teoretic. Aceast zon se numete zon de trecere. n zona de trecere concentraia de purttori majoritari p p0 (goluri n regiunea de tip p la echilibrul termic) i n n 0 (electroni n regiunea de tip n la echilibrul termic) scade, fig. 2.1.b. i fig. 2.1.c.

21

n urma recombinrii rezult ioni negativi de impuriti acceptoare n regiunea de tip p i ioni pozitivi de impuriti donoare n regiunea de tip n, fig. 2.1.b i fig. 2.1.c. Ca rezultat, n zona p a semiconductorului sarcina pozitiv a golurilor este egal cu sarcina negativ a ionilor de impuriti acceptoare, asigurnd neutralitatea semiconductorului. Din aceleai considerente este asigurat i neutralitatea semiconductorului n zona n. n partea de contact a regiunii p cu regiunea n, scznd concentraia de goluri, i deci sarcina pozitiv, rmne ca sarcin net, sarcina negativ a ionilor imobili de impuriti acceptoare. n mod analog, n partea de contact a regiunii n cu regiunea p scznd concentraia de electroni, deci sarcina negativ, rmne ca sarcin net sarcina pozitiv a ionilor imobili de impuriti de tip donor. Aceste sarcini stabilesc un cmp electric E, fig. 2.1.d. orientat de la sarcina pozitiv din zona n ctre sarcina negativ din zona p. Acestui cmp i corespunde variaia de potenial U reprezentat n fig. 2.1.e. Deci, n vecintatea jonciunii pe o distan de ordinul micronilor sau zecimilor de microni, numit zon de trecere, apare o regiune de sarcin spaial n care exist un cmp electric E, relativ mare, E = 106 V / m i n care se stabilete o barier de

potenial U0 (de ordinul zecimilor de volt). Acest potenial se opune difuziei purttorilor majoritari i face ca la echilibrul termic s nu mai existe curent prin jonciune. Deoarece este lipsit de purttori mobili zona de trecere are o rezistivitate mare. 2.2. Polarizarea jonciunii p-n. Caracteristica static a jonciunii p-n La echilibru termic i n absena oricrei tensiuni UA aplicate din exterior curentul printr-o jonciune p-n este nul. Aceast situaie nu mai este valabil dac se aplic jonciunii o tensiune UA din exterior. Aceast tensiune va modifica bariera de potenial pe zona de trecere n funcie de modul cum se aplic jonciunii.

22

Astfel, dac tensiunea UA se aplic cu polaritatea pozitiv pe regiunea de tip p i cu cea negativ pe regiunea de tip n, fig.2.2.a, (caz n care tensiunea UA se consider pozitiv) bariera de potenial pe jonciune scade de la valoarea U0 la valoarea U 0 U A , fig. 2.2.b. U p IA n UA = 0 U0 IpM UA > 0 InM U0 UA UA > 0 a x b

Fig. 2.2 n acest caz prin jonciune va circula un curent IA, cu sensul din spre regiunea de tip p spre regiunea de tip n, de valoare mare i care crete exponenial cu tensiunea UA. Acesta este un curent de difuzie format din dou componente IpM i InM determinate de purttorii de sarcin majoritari din cele dou regiuni i reprezint curentul direct al jonciunii. n aceast situaie se spune c jonciunea este polarizat direct, adic i s-a aplicat o tensiune n sensul conduciei. Dac tensiunea UA se aplic cu polaritatea pozitiv pe regiunea de tip n i cu cea negativ pe regiunea de tip p, fig. 2.3.a (caz n care tensiunea UA se consider negativ) bariera de potenial pe jonciune se mrete de la valoarea U0 la valoarea U 0 ( U A ) = U 0 + U A , fig. 2.3.b p IS ipm inm UA < 0 a n U0 + UA U0 U UA < 0 UA = 0 x Fig. 2.3 b

23

n acest caz prin jonciune va circula un curent, IS, de la regiunea de tip n spre regiunea de tip p, foarte mic ca valoare, format din dou componente ipm i inm determinate de purttorii de sarcin minoritari. El reprezint curentul invers al jonciunii p-n. Se spune n acest caz c jonciunea este polarizat invers. Deoarece IS este foarte mic (de ordinul nA la jonciunile din Si) n comparaie cu IA, n foarte multe aplicaii el se poate neglija, jonciunea considerndu-se blocat. Altfel spus, ea este polarizat n sensul blocrii. Caracteristica static a jonciunii p-n exprim dependena curentului prin jonciune, IA, de tensiunea de polarizare aplicat acesteia, UA i este dat n fig. 2.4 Expresia matematic simplificat care modeleaz caracteristica static a unei jonciuni p-n i care este utilizat pentru calcule n schemele electronice este: eU A I A = IS exp (2.1) 1 mKT unde: IS curent de saturaie i reprezint valoarea constant ctre care tinde IA la tensiuni negative mari; e sarcina electronului; K constanta lui Boltzman; T temperatura [K]; kT = U T = 25mV se numete potenial termic; e m coeficient dependent de tehnologie, cu valori cuprinse ntre 1 i 2. IA [mA] 100 80

60 40 IS 20 0 0,5 Fig. 2.4 1 UA [V]

24

n polarizare direct predomin termenul exponenial i curentul direct prin jonciune se poate determina cu relaia eU (2.2) I A IS exp A KT
2.3. Dependena de temperatur a caracteristicii jonciunii p-n

Caracteristica IA = f(UA) a jonciunii p-n este extrem de sensibil la modificarea temperaturii. La o funcionare normal a jonciunii att n polarizare direct ct, mai ales n polarizare invers curentul crete foarte puternic cu temperatura, aproximativ exponenial. Influena temperaturii asupra caracteristicii unei jonciuni p-n este prezentat n fig. 2.5, unde s-au reprezentat caracteristicile unei jonciuni p-n pentru dou temperaturi T1 i T2, T2 > T1. IA [mA] IA [mA] T2 > T1 T2 > T1
IA2 IA1 a UA [V] UA = ct. IA = ct. UA [V] UA2 UA1

b Fig. 2.5 Se observ cum creterea temperaturii este nsoit de o deplasare spre stnga a caracteristicii i o cretere a curentului de saturaie. Experimental se constat c la fiecare variaie cu 10oC a temperaturii curentul de saturaie I0 se dubleaz. Uneori, influena temperaturii asupra caracteristicii directe a jonciunii se apreciaz prin gradientul de temperatur al tensiunii dU A la curent constant . Pentru calculul su se utilizeaz dT IA =ct. expresia tensiunii:

25

KT I A ln (2.3) e IS n practic se consider pentru gradientul de temperatur al o tensiunii valoarea tipic 2 mV / C . UA =

Din fig. 2.5.a se observ c dac la tensiune constant curentul crete aproximativ exponenial cu temperatura, n schimb la curent constant, fig. 2.5.b, se poate considera c tensiunea scade liniar cu temperatura. Acesta este cel mai important dezavantaj al unei jonciuni p-n.
2.4. Strpungerea jonciunii p-n

Dac se aplic unei jonciuni p-n o tensiune invers mare se constat o cretere foarte pronunat a curentului invers prin jonciune, fig. 2.6 IA

Ustr strpungere prin multiplicare prin avalane

UA strpungere prin efect Zener

Fig. 2.6 La o tensiune invers U A = Ustr , denumit tensiune de strpungere, curentul crete abrupt tinznd spre infinit i trebuie s fie limitat prin rezistene n circuitul electric extern pentru a nu depi o valoare la care jonciunea s-ar putea distruge. Strpungerea jonciunii poate fi explicat prin dou efecte: efectul de multiplicare prin avalane a purttorilor de sarcin; efect Zener.

26

Ambele efecte se datoresc creterii intensitii cmpului electric (aproximativ 2 107 [ V / m ] ) n regiunea de trecere, odat cu cretere tensiunii invers aplicate. n cazul efectului de multiplicare prin avalane creterea cmpului electric din zona de trecere imprim o energie crescut purttorilor de sarcin care trec pe acolo. Aceti purttori de sarcin n urma ciocnirii cu atomii reelei cristaline conduc (prin ruperea unor legturi covalente) la apariia unor purttori de sarcin suplimentari. Aceti purttori de sarcin suplimentari sunt antrenai la rndul lor de cmpul electric i pot determina apariia unor noi purttori de sarcin, .a.m.d., ducnd la creterea nelimitat a curentului. Efectul Zener const n apariia unui numr crescut de purttori de sarcin prin ruperea unor legturi covalente sub aciunea direct a cmpului electric. El apare la un numr redus de tipuri de jonciuni i anume la acelea cu tensiuni mici de strpungere (<5V). Regiunea de strpungere a caracteristicii inverse, unde tensiunea este practic independent de valoarea curentului se numete i regiune de stabilizare.
2.5. Regimul variabil de semnal mic al jonciunii p-n. Circuitul echivalent de semnal mic al jonciunii.

Regimul variabil (dinamic) presupune funcionarea jonciunii p-n n cazul aplicrii unor semnale variabile n timp. Condiia de semnal mic impune ca valoarea amplitudinii tensiunii variabile aplicate s nu scoat punctul de funcionare din zona liniar a caracteristicii jonciunii. Aceast condiie este ndeplinit dac: U a U T , unde UT = 25mV n practic se consider c semnalul este mic dac: U a 10mV Regimul variabil al jonciunii p-n se obine dac peste tensiunea continu UA se aplic i o tensiune variabil n timp ua(t), ce variaz n jurul valorii fixe UA, fig. 2.7.

27

UA ua Fig. 2.7 Componenta variabil determin modificarea tensiunii de polarizare la valoarea u A ( t ) = U A + u a ( t ) = U A + U a sin t (2.4) n acest caz prin jonciune va circula un curent de forma: i A ( t ) = I A + ia ( t ) = I A + Ia sin t (2.5) unde: IA reprezint componenta continu a curentului corespunztoare tensiunii UA (i se mai numete component de regim static); ia(t) reprezint rspunsul jonciunii la aplicarea semnalului variabil ua, i este reprezentat n fig. 2.8.a. iA M0 IA uA uA (t) UA t Fig. 2.8 Se observ c n cazul n care condiia de semnal mic este ndeplinit, rspunsul jonciunii (componenta alternativ a curentului ia(t)) este proporional cu semnalul (tensiunea) ua(t). a b uA ia (t) t iA M0 uA iA

28

Altfel spus, pentru semnalul aplicat la intrare jonciunea are o comportare liniar, exprimat prin relaia: 1 (2.6) ia ( t ) = u a ( t ) ri unde ri - se numete rezisten intern sau rezisten dinamic a jonciunii i se definete prin relaia: D 1 (2.7) ri = di A du A M
0

Aplicnd aceast definiie ecuaiei unei jonciuni ideale u I A = IS exp A 1 UT se obine pentru rezistena intern relaia: UT (2.8) ri = I A + IS Rezistena intern ri are semnificaia grafic a pantei tangentei n punctul static M0 , fig. 2.8.b. u (2.9) ri = A i A M
0

n polarizare direct valoarea lui ri este mic i depinde numai de curentul care o strbate. De exemplu la T = 300o K i I A = 1mA se obine, pentru toate jonciunile care ascult de ecuaia unei jonciunii p-n ideale, valoarea ri 26 . La polarizri inverse ri este foarte mare, sute de K sau M, dar scade n apropierea tensiunii de strpungere i cu temperatura. Din cele prezentate anterior rezult c o jonciune p-n se comport liniar pentru componenta variabil a tensiunii ua, dar comportarea n ansamblu este neliniar datorit dependenei, I A = f ( U A ) , care este de tip neliniar. Atunci cnd viteza de variaie a componentei variabile ( du a / dt ) este mare, n jonciune apar efecte dinamice legate de

29

variaia sarcinii electrice din regiunea de trecere i din regiunile neutre perturbate. Aceste procese se modeleaz prin capacitile jonciunii p-n. Capacitatea de barier ( Cb ) caracterizeaz modificarea sarcinii electrice n regiunea de trecere, la variaia tensiunii de polarizare. La o anumit variaie U A a tensiunii de polarizare are loc o variaie a sarcinii electrice din regiunea de trecere Q b . n cazul unor variaii suficient de mici se poate defini capacitatea de barier: Q b dQ b Cb = lim = (2.10) U A 0 U A dU A Pentru U A = 0 , Cb = Cb0 i la frecvene nalte are, la majoritatea jonciunilor, valoarea de (1...10)pF. Capacitatea de difuzie caracterizeaz modificarea sarcinii electrice n regiunile neutre perturbate. La o variaie U A a tensiunii de polarizare rezult o variaie Qd a sarcinii purttorilor minoritari n regiunile neutre perturbate. Ca urmare, se definete capacitatea de difuzie cu relaia: Qd dQd Cd = lim = (2.11) U A 0 U A dU A Valoarea capacitii de difuzie depinde de punctul static de funcionare i variaz ntre civa pF i sutimi de F. n consecin, admitana dinamic a jonciunii, yd, are expresia: 1 yd = + jCd + jCb (2.12) ri La aplicarea tensiunii ua fiecare element al admitanei determin cte un curent, iar prin aplicarea teoremei superpoziiei se obine curentul total prin jonciune. n baza relaiei (2.12) se poate ntocmi schema echivalent de semnal mic a jonciunii p-n, fig. 2.9

30

ir ia

ri

id Cd ib Cb ua Fig. 2.9

Variaia parametrilor de semnal mic cu tensiunea din punctul static de funcionare uA, este dat n fig. 2.10. ri Cd Cb ri Cd Cb

Fig. 2.10

uA

La polarizri directe jonciunea p-n se comport ca un scurtcircuit din cauza valorilor foarte mici ale lui ri. n acest caz valorile capacitilor Cd i Cb nu joac nici un rol, ele fiind practic scurtcircuitate de ri. La polarizri inverse (n conducie invers) circuitul se comport ca o capacitate de barier deoarece Cd Cb iar ri este att de mare nct efectul su de untare asupra capacitii de barier Cb este neglijabil. Acest regim este specific diodei varicap la care jonciunea p-n este utilizat n calitate de capacitate variabil comandat prin intermediul tensiunii inverse.

You might also like