Diseno - Electronico. .C.J.savant - Prentice Hall

" ACERCA DE LOS AUTORES C. J. SAVANT, Jr., es un ingeniero dedicado a la educacin, Recibié su Ph.D. cum laude de\ California Institute of Technology y ha impartido cétedra en el sistema de la California State University, en los campus de Long Beach y Los Angeles. El doctor Savant posee el “Premio al Profesor Distinguido” otorgado por la California State University y constantemente es elegido por sus alumnos como el “profesor ‘més querido del Departamento de Ingenierfa Eléctrica” en la misma universidad. MARTIN S. RODEN es Jefe del Departamento de Ingenierfa Eléctrica y de Computacién en la California State University en Los Angeles. El Dr. Roden recibié su BSEE summa cum laude del Polytechnic Institute of Brooklyn, y iuego pas6 cinco.afios haciendo investigacién en los Laboratorios Bel, el'Iugar de na~ cimiento del transistor. Su interés en la educacién lo llev6 a la academia, donde ‘ocupé los cargos de Jefe de Departamento, Decano Asociado, Decano y Vicepre- sidente Asociado varias veces. Sin embargo, el principal amor del profesor Roden sigue siendo la ensefianza, por lo cual se le otorg6 el Premio al Profesor Dist guido de la Universidad. Es un miembro muy activo de la TEEE, obtuvo el Premio ‘al Consejero mas Distinguido, y es miembro del Institute for the Advancement of Engineering. GORDON CARPENTER es un Teniente Coronel retirado de la Fuerza Aérea de Jos Esiados Unidos, donde acumul6 més de veinteafios de experiencia en el diseio - y desarrollo de alta teenologia para el equipo de la USAF. Esta experiencia hizo al profesor Carpenter muy realista en sus métodos de educaci6n de los futuros ingenieros. En su carrera en la Fuerza Aérea como director de R&D, entrené nuevos ingenieros para desarollar especificaciones de hardware a partir de requerimientos de sistemas y asegurar que el hardware pueda constrirse para cumplir esas especificaciones. El Coronel Carpenter es un convencido partidario de la educacién orientada al disefo, y su experiencia prictica ha sido esencial para este texto.VvPREFACIO La presente obra ha sido escrita para utilizarse como texto en los cursos de clectrénica bésicos en programas de pregrado en ingenieria. El libro cubre tres &reas:- dispositivos discretos, circuitos integrados lineales y circuitos integrados Ip lp CA GIL Repién desérica o » © en directo. La regi6n desértica disminuye de tamafio debido a la atraccién de pportadores mayoritarios al lado opuesto. Esto es, el potencial negativo ala derecha atrae huecos a la regién p, y viceversa. Con una regién desértica més pequefia, la corriente puede fluir con mayor rapidez. Cuando.se polariza en directo, Ip—Is =I después-de alcanzar el equilibrio, donde J es la corriente a través de la uniGn. Por otra parte, si la tensi6n se aplica como en la figura 1.11(c), el diodo se polariza en inverso. Los electrones libres se llevan del material n hacia la derecha; ¥¥ del mismo modo, los huecos se llevan hacia la iaquierda. La regiGn desértica se ‘hace més ancha y el diodo acta como un aislante. Cuando se polariza en inverso, Is — Ip =1 luego de alcanzar el equilibrio, donde es 1a corriente a través de la unién. Operacién del diodo En la figura 1.12 se ilustran las earactersticas de operacién de wn diodo practice. Esta curva difiere de la caracterstica ideal de la figura 1.9(0) en los siguientes puntos: conforme la tensién en directo aumenta més allé de cero, la cortiente no fluye de inmediato. Es necesaria una tensién minima, denotada por V3, pare obtener una coriene significtiva. Conforme la tension tiende aexceder V, 8 €0- riente aumenta con rapide. La pendiente de la curva caracerstca es grande Pero ‘no infinita, como en el caso del diodo ideal. La tensién minima necesaria para obtener una corriente significativa, V,, es aproximadamente 0.7 V para semiconductores 39 Ma12 Capitulo 1 Andlisis de ciruitos con diodos semiconductores Figura 12 (Caracteriieas de operacin del dodo, Regi de polasiacion Repisn de potaizacion en desto 02 07 * Conesie |v, SH e pdida reste & Roprra de svalancha 4e silcio (a temperatura ambiente) y 0.2 V para semiconductores de germanio. La Giferencia de tensién para el silico y el germanio radica en la estructura at6mica e los materiales. Para diodos de arseniuro de galio, V, €s més 0 menos 1.2 V. ‘Cuando el diodo esta polarizado en inverso, existe una pequefia cortiente de fuga. Esta corrente se produce siempre que la tensién sea inferior a la requerida para romper la unién. La comiente de fuga es mucho mayor para los diodos de germanio que para los de silicio 0 arseniuro de galio. Si la tensién negativa es lo suficientermente grande como para estar en la regién de raptura, podria destruirse un diodo normal. Esta tensién de ruptura se define como tensién inversa pico (PIV, ‘peak inverse voliage) en-las especificaciones del fabricante (el Ap. D contiene hojas de especificaciones representativas. A menudo se hard referencia a ellas en €l texto, por lo que serfa conveniente tomar unos minutos para localizarlas en este momento). La curva de la figura 1.12 no esté a escala en la regi6n inversa, ya {que la ruptura por avalancha suele tener valores negativos de tensiGn elevados (generalmente 50 V0 més). El dafio al diodo normal en ruptura se debe a la avalancha de electrones, que fluyen a través de la uni6n con poco incremento en la tensién, La corriente muy grande puede destruir el diodo si se genera excesivo calor. Esta ruptura a menudo se conoce como la tensién de ruptura del diodo (Ve.1.2. Diodos semiconductores 13 Figura 1 Modelos de diodes o7v 7 Ry Diode ideat (© Modelo en ed (dteto einvers) ie z (@) Model simple en oa pars el diodo polarizado en inverse (© Modelo en ca para el diodo polaraado en diecto Los diodos se pueden construir para utilizar Ia tensién de ruptura a fin de simular ‘un dispositivo de control de tensidn. El resultado es un diodo Zener, que se analiza en la seccién 1.6. 1.2.3 Modelos de suite equivalentes del diodo cireuito mostrado en la figura 1.13(a) representa un modelo simplificado del diodo de silcio bajo condiciones de operacién en cd tanto en directo como en inverso, Las relaciones para este modelo se aproximan a las curvas de opereciGn del diodo de la figura 1.12. El resistor R representa la resistencia en polarizacion inversa del diodo y, por lo general, es del orden de megaohms (MO). El resistor ‘Ry representa la resistencia de bloque y contacto del diodo, y suele ser menor que ‘50.2. Cuando se encuentra polarizado en directo, el diodo ideal es un cortocireuto, 6 resistencia cero. La resistencia de circuito del diodo préctico modelado en la figura 1.13(@) es BUR) Ry a *14 Capitulo 1 Anélisis de circuitos con diodos semiconductores Bajo condiciones de polarizacién en inverso, el diodo ideal tiene resistencia infinita (Circuito abierto), y la resistencia de circuito del modelo prictico es R,. El diodo {deal que es parte del modelo de la figura 1.13(a) esté polarizado en directo cuando Ja tensiGn entre sus terminales excede de 0.7 V. Los modelos de circuito en ca son més complejos debido a que la operacién del diodo depende de Ia frecuencia. En la figura 1.13(b) se muestra un modelo simple en ca para un diodo polarizado en inverso. El capacitor, Cy, representa Ja capacitancia de unin. En la figura 1.13(€) se muestra el circuito equivalente fen ca para un diodo potarizado en directo. El modelo incluye dos capacitores, el capacitor de difusién, Cp, y el capacitor de unién, Cz. La capacitancia de difusién, Cp, se aproxima a cero para diodos polarizados en inverso. La resistencia dindmica es ra y esté dada por la pendiente de la caracteristica tensiGn-corriente. A baja frecuencias, los efectos capacitivos son pequefios y ra és el tinico elemento significativo. 1.3 FISICA DE LOS DIODOS DE ESTADO SOLIDO Ahora que se ha analizado la construccién del diodo y presentado una breve in- troduccién a los modelos pricticos del diodo, se explorardn algunos aspectos més detallados de las diferencias entre diodos précticos ¢ ideales. En el apéndice B se incluyen detalles adicionales. 1.3.1 Distribucién de carga [Los diodos se pueden visualizar como la combinacién de un semiconductor de tipo n conectado a un semiconductor de tipo p. Sin embargo, en una produccién real, se forma un solo cristal semiconductor con una parte del cristal contaminada por material de tipo n y la otra parte contaminada por material de tipo p. ‘Cuando existen materiales de tipo p y de tipo n juntos en un cristal, se produce ‘una redistribucién de carga. Algunos de los electrones libres del material n migran 2 través de la-unién y se combinan con huecos libres en el material p. De la misma forma, algunos de 10s huecos libres del material p se mueven a través de la uni6n y Se combinan con electrones libres en el material n. Como resultado de esta ‘edistribucién de carga, el material p adquiere una carga negativa neta y el material 1m obtiene una carga positiva neta. Estas cargas crean un campo eléctrico y una diferencia de potencial entre los dos tipos de material que inhiben cualquier otro movirhiento de carga. El resultado es una reduocién en el nmero de portadores de Corriente cerca de la unin, Esto sucede en un érea conocida como region desé El campo eléctrico resultante proporciona una barrera de potencial, 0 colina, en 421.3 Fisica de los diodos de estado sdlido 15 Figura 114 ‘Bueras de potecil. Potéacat Posiiéa tuna diteccién que inhibe la migracién de pontadores a través de la uni6n. Esto se muestra en la figura 1.14. Para producir una corriente a través de la unién, se ‘debe reducir la barrera de potencial o colina aplicando una tensi6n con la polaridad aptopiada a través del diodo. 1.3.2. Relacién entre la corriente y la tensién en un diodo Existe una relacién exponencial entre la corriente del diodo y el potencial aplicado. Es posible escribir una expresi6n dinica para la comiente que se aplique a condiciones de polarizacién tanto en directo como en inverso. La expresin se aplica siempre que la tensién no exceda la tensiGn de ruptura. La relacién se describe por medio de la ecuacién (1.1). [exe (22) - 1] an Los términos de la ecuacién (1.1) se definen como sigue: ip ip = comtiente en el diodo up = diferencia de potencial a través del diodo I, = comriente de fuga q = carga del electrén: 1.6 x 107" coulombs (C) k= constante de Boltzmann: 1.38 x 10-# °K T = temperatura absolvta en grados Kelvin rn = constante empirica entre 1 y 2, que a veces se refiere como el factor exponenciai de idealidad 4316 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores La ecuacién (1.1) se puede simplificar definiendo wr wet a q Esto da inele [= (2) 5 H| a2 Si se opera a temperatura ambiente (25°C) y sélo en la regién de polarizacién en directo (vp > 0), entonces predomina el primer término en el paréntesis y la corriente esté dada aproximadamente por ip = Teexp. (3) as) Estas ecuaciones se ilustran en la figura 1.15, La comrente de ssturacin inversa, Ie, eS funcign de la pureza del material, de la contaminacién y de la geometia del diodo. La constante empirica, n, es un ‘iimero propiedad de la construcciGn del diodo y puede variar de acuerdo con los niveles de tensiGn y de corriente. Sin embargo, algunos diodos operan sobre un ‘ntervalo considerable de tensign con una constante n aceptable. Si m = 1, el valor de nVp es de 26 mV a 25°C. Cuando n = 2, nVp tiene un valor de 52 mV. Para diodos de germanio, por lo comin se considera que n es 1. Para diodos de silcio, 1a teorfa de Sah-Noyce-Shockley (SNS) [47] predice que n deberia ser 2. Aunque se predice el valor de 2, muchos diodos de silicio operan con n en el intervalo 13 a 16. El valor de n puede variar un poco, inclusive en una produccién particular debido a la tolerancia durante Ia fabricacién, la pureza del material y los niveles de contaminacién ((36], Sec. 1.2). ‘Ya se tiene la informacin necesaria para evaluar Ia relacién entre la corriente ¥y Ta tension en un punto de operacién Q. Aunque las curvas para la regién en directo mostradas en la figura 1.15 recuerdan una linea recta, se sabe que la linea ‘no es recta, ya que sigue una relacién exponencial. Esto significa que la penidiente de la linea se modifica conforme cambia ip. Se puede diferenciar Ia expresién de Ja ecuacién (1.3) para encontrar la pendiente en cualquier ip dada: io [oe (38)] wp a as) Para eliminar la funci6n exponencial, se resuelve la ecuaci (1.2) a fin de obtener ee aaFigura 115 Relacin tensiGn-comiene en el dodo 1.3.3 1.3. Fisica de los diodos de estado s6lido 17 ip= le av; (Sato region deca) vy % (Toda ta curva) ip Te +1 vw (3%) ‘Entonces, al susttur esta expresi6n en la ecuacién (1.4) se tiene dip Gv +h) dup Vy La resistencia dinfmica, rg, ¢s el reefproco de esta expresi6n, © Vr . Vr “+ ~ t4 ip ‘Aunque se sabe que ra cambia cuando cambia ip, se puede suponer fija para um intervalo de operaciGn espectfco, Se utiliza el término Ry para denotar 1a resistencia del diodo en directo, la cual se compone de rg y la resistencia de contacto. Efectos de la temperatura ‘La temperatura tiene un papel importante en la determinacién de las caracteristcas coperacionales de los diodos. Los cambios en estas caracteristicas provocados por cambios de temperatura requieren ajustes en el disefio y empaquetado de los Circuitos. 4518 Capitulo 1 Andlisis de cireuitos con diodos semiconductores Figura 1.16 7 Dependencia de Ip hacia la tempera. TT To T>T\>T Vy Conforme aumenta la temperatura, disminuye la tensién de encendido V;. Por otra parte, un descenso en la temperatura provoca un incremento en V,. Esto se ilustra en la figura 1.16. Aqui V, varia linealmente con la temperatura de acuerdo ccon la siguiente ecuacién (se supone que la corriente del diodo, ip, se mantiene constante): Vy(Ty) — Va (To) = RT — To) donde Te = temperatura ambiente, 025° T; = nueva temperatura del diodo en °C Vi(C,) = tens del diodo a temperatura ambiente VAT k = coeficiente de temperatura en V/°C tensién del diodo a la nueva temperatura ‘Aunque de hecho k varia con cambios en los parémetros de operacién, la préctica estindar en ingenier‘a permite suponer que es constante. A continuacién se muestran valores de k para varios tipos de diodos ({50}, Sec. 1.11): ~2.5 mVFC. para diodos de germanio -2.0 mVFC para diodos de silicio 1:5 mVFC para diodos de Schottky 46Ejercicios 1.3. Fisica de los diodos de estado sélido, 19 Vy(Zz) es igual a os valoces mostrados abajo. diodos de silicio: onVv diodos de germanio: o2V diodos Schottky: 03V diodos de arseniuro de galio: 1.2 V La comiente de saturacién en inverso, I,, es otro pardmetro que depende de Ja temperatura. Aumenta aproximadamente 7.296/°C para diodos tanto de silicio ‘como de germanio. En otras palabras, J. se duplica mas o menos por cada 10°C de aumento en la temperatura, La expresiOn para la corriente de saturacién inversa fen funci6n de la temperatura es IAT) = ToT exp [BCT - T)] donde kj =0.072/C y Ty 7; son dos temperaturas diferentes. Esta expresi6n se puede simplificar y reesctibir como: To(Pa) = ToT APO as) Esta simplificacién es posible porque OP a2 1.1 Cuando un diodo esté en conduccién a 25°C, hay una cafda de 0.7 V entre sus terminales. {Cufl es la tensi6n, V>, a uavés del diodo a 100°C? Reps Vj, =0.55.V 1.2 El diodo descrito en el ejercicio D1.1 se enfria a ~100°C. ;Cusl es la tension necesaria para establecer una corriente apreciable a la nueva temperatura? Resp: Vy =0.95.V Lineas de carga del diodo ‘Como el diodo es un dispositivo no lineal, se deben modificar las técnicas estindar de anilisis de circuitos. No se pueden escribir ecuaciones simples y resolver para las variables, ya que las ecuaciones s6lo son vélidas dentro de una regién particular de operacién. a a20 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Figura 117 ‘Gauita con dio. (2) Circuito del diodo Vs % Noo 8s IR + Yoo (©) Linea de carga en ef dodo ‘A menudo un circuito cofitiene fuentes de ed y fuentes variables en el tiempo. Si se hace a las fuentes variables iguales a cero, la tnica energfa suministrada a Jos circuitos proviene de las fuentes de cd. Con las fuentes variables en el tiempo fuera del circuit, la tensi6n y la corriente en el diodo definen lo que se conoce como punto de operacién en reposo (punto Q). En a figura 1.17(a) se ilustra un cicuito con un diodo, un capacitor, una fuente y dos esistores. Si se denomina a la corrientey ala tensiGn del diodo como las dos inobgnitas del circito, se necesitan dos ecuaciones independientes que incluyan estas dos incégnitas para encontrar una soluci dnica para el punto de operacién. Una de las ecvaciones es la restricci6n proporcionada por los elementos conectados al diodo. La segunda es la relacién real entre corviente y tensi6n para el diodo. Esias dos ecuaciones se deben resolver simulténeamente para determinar la tensi6n y la corriente en el diodo. Esta solucién simulténea se puede levar a cabo en forma gréfica. Si-en primer lugar se toma la condicin de cd, la fuente de tensiGn se vuelve simplemente Vs, y el capacitor es un circuito abierto (es decir, la impedancia del 481.3. Fisica de los diodos de estado sélido 21 capacitor es infinita a frecuencia cero). Por tanto, la ecuacién de lazo se puede escribir como Vs = Vp + Vai = Vo $Zii+ Jo? Vp=-Rilp+Vs a6) Esta es Ia primera de dos ecuaciones que incluyen la corriente y la tensién del iodo. Es necesario combinarla con la caracteristica del diodo y resolver para el punto de operacién, La gréfica de esta ecuacién se muestra en la figura 1.17(0) y se etiqueta como “linea de carga en cd”. La grifica de la caracteristica del diodo también se muestra en el mismo conjunto de ejes. La interseccién de las dos ‘grficas da la solucién simultinea de las dos ecuaciones y se etiqueta como “punto Q” en Ia figura. Este es el punto en el cual opera el circuito con las entradas variables iguales a cero. La Q (quiescent) denota condicién de reposo. SSi ahora se aplica una seffal variable en el tiempo ademés de la entrada de cd, cambia una de las dos ecuaciones simultineas. Si se supone que la entrada variable es de una frecuencia suficientemente alta como para permitir la aproximacién del capacitor como un cortocircuito, Ia nueva ecuaci6n est dada por (1.7): vy = va ie(Ry || Re) v= =(Ri || Radia + ¥s an De los mychos parémetros, s6lo se han considerado los componentes variables en el tiempo. (Notese la utilizaci6n de letras minisculas para las variables. Considérese Ja simbologia de etiquetas presentada al principio del texto.) Entonces, el valor total de los parémetros esté dado por y la ecuacién (1.7) se vuelve p= Voq = ~(Rs | Ri Xip ~Ipq)+ % Esta sitima ecuaciGn se etiqueta como “linea de carga en ca” en la figura 1.17(0). La linea de carga en ca debe pasar a través del punto @, ya que en los momentos en que la parte variable se hace cero, las dos condiciones de operaciOn (cd y ca) deben coincidir. Por tanto la linea de carga en ca se determina de manera \inica, ~ 4922 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Ejemplo 1.41 h La fuente de tensién, ug = 1.1 + 0.1 sen 1000t ‘se coloca a través de una combinaciGn en serie de un diodo y un resistor de 100 2, ‘como se muestra en la figura 1.18. Encuéntrese la corriente, ip, si SOLUCION Se utiliza LTK para la ecuacién en ed a fin de obtener Ve=V,+IoRe Ye-¥y He Ibe 100 mA Esto fija el punto de operacin en cd del diodo. Se necesita determinar la resistencia dindmica (se utiliza el simbolo Ry en ver de ra, porque el primero incluye la resistencia de contacto) para poder establecer la resistencia de la uni6n polarizada fen directo para la sefial de ca. ‘Utilizando 1a ecuacién (1.4a) y suponiendo que la resistencia de contacto es despreciable, se tiene ay Ft Ow 100 ‘Ahora se puede reemplazar el diodo por un resistor de 10 9, con la salvedad de que permanezca polarizado en directo durante todo el periodo de la sefial de entrada de ca. Utlizando otra vez LTK, se obtiene vy = Ryigt Rria * Ry Rt TiO fa 0.91 sen 10008 mA Por tanto, la corriente del diodo esté dada por ip =4+0.91 sen 1000t mA ‘Como ip siempre es positiva, el diodo se encuentra potarizado en directo todo el tiempo, y la solucién esté completa. ‘ 50Figura 1 Cito con diodo en 13.5 13.6 1.3. Fisica de los diodos de estado sélido 23 bs 1000 Si la amplitud de la corriente en ca es mayor que él valor de ta corriente en cd, la solucién se debe modificar. En ese caso, cuando la amplitud de corriente en ca en la parte negativa es mayor que el valor en ed, el diodo se polariza en inverso y la coments se nul. Esta situaci we anna ena seceida 18 ¢ Capacidad de manejo de potencia Los diodos se clasifican de acuerdo con su capacidad de manejo de corriente. Las ccaracteristicas se determina por la construccién fisica del diodo (por ejemplo, el tamafo de la unién, el tipo de empaque y el tamafio del diodo). Las especificaciones del fabricante se utilizan para determinar la capacidad de potencia de un diodo para ciertos intervalos de temperatura. Algunos diodos, como los de potencia, se clasifiean por su capacidad de paso de cortiente. La potencia instanténea disipada por un diodo se define por medio de la ex- presién de la ecuaci6n (1.8): po=vpip as) Capacitancia del diodo El cireuto equivalente del diodo incluye un pequefio capacitor. El tamafio de este capacitor depende de la magnitud y polaridad de 1a tensién aplicada al diodo, asf como de las caracteristicas de la uni6n formada durante la fabricacin, En el modelo simple del diodo de unién mostrado en la figura 1.19, la regién alrededor dela unign es deficiente ef electrones y huecos. En el lado p de la unién existe una gran concentracién de huecos, mientras que en el lado 7 18 concen- traci6n de eleetrones es grande. La difusién de estos eletrones y huecos se produce cerca de la uni6n, provocando wna corriente de difusin iniial. Cuando los huecos se difunden hacia la regi6n n a través de la nin, se combinan répidamente con los electrones mayoritarios presentes en el drea y desaparecen. Del mismo modo, Jos eleetrones se difunden a través de Ia uniGn, se recombinan y desaparecen. Esto forma una regiGn desértca (a veces Hamada regién de carga espacial) cerca de la unién debido a la recombinacién de electrones y huecos. Conforme se aplica una tensi6n inversa a través de la unién, esta regi6n se ensancha, provocando que la regiGn desértca aumente de tamaio. st24 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Movimiento de huecos debido 's polaizacin iaversa Movimiento de eleewones dbido \ - ' polaiaci savers 1 Regis TF estrics Hiuxso ——9 +0 SO Electén oe ee oo eee Figura L19 Modelo de dio y circuit equivalence 14 1.4.1 La regién desémtica actia como aislante. Por tanto, un diodo polarizado en inverso actéa como un capacitor cuya capacitancia varia en raz6n inversa a la raiz cuadrada de la tensiGn a través del material semiconductor. La capacitancia equivalente para diodos de alta velocidad es inferior a 5 pF. Esta capacitancia puede legar a ser tan grande como 500 pF en diodos de alta corriente (baja velocidad). Se deben consultar las especificaciones del fabricante para El lado izqujerdo de esta ecuacién es la pendiente, my, del andlisis de la secci6n anterior. El lado derécho es la méxima pendiente de la sefial de audio (es decir, el ‘méximo valor de la derivada de Vm senist). Resolviendo para el valor limite de la capacitancia, se encuentra nell ORpm aan Esta ecuacién se puede utilizar para seleccionar el valor del capacitor cuando se conoce la resistencia de carga. DI.7 Una portadora de radiofrecuencia de 15 Mz se modula con una sefial de ‘5 KHz con un {adice de modulacién de 0.5. Sila resistencia de carga del detector es 5. KM, gqué valor de capacitor se debe afiadir en paralelo a la carga para filtrar Ia sefial de radiofrecuencia? Resp: 0.013 pF DL Si el capacitor detector del ejercicio D1.7 se cambia a 0.01 pF, jhasta qué valor se puede elevar la frecuencia modulante para filtrar la RF al mismo grado que en el ejercicio D1.7? Resp: 6.37 kHz DIODOS ZENER lOTECA El diodo Zener es un dispositive donde la contaminacién se realiza de tal forma i6n caracteristica de ruptura 0 avalancha, Vz, es muy pronunciada. 6 k34 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores 1.6.1 Si la tensi6n en inverso excede la tensiGn de ruptura, el diodo normalmente no se Gestruye. Esto siempre que la corriente no exceda un maximo predeterminado y el dispositivo no se sobrecaliente. ‘Cuando un portador generado en forma térmica (parte de la corriente de satu- zacién inversa)atraviesa la barrera de la unién (véase Fig. 1.14) y adquiere energta el potencial aplicado, el portador choca con iones en el cristal e imparte suficiente energia para romper un enlace covalente. Ademds del portador original, se genera un nuevo par electr6n-hueco que puede tomar suficiente energia del campo aplicado para chocar con jones en ouo cristal y crear nuevos pares elect6n-hueco. Esta acci6n contintay asf se rompen los enlaces covalentes; este proceso se conoce como multiplicacién por avalancha 0 ruptura por avalancia. Existe un segundo mecanismo por el cual se rompen los enlaces covalentes. La utilizacién de un campo eléctrico bastante fuerte en la unién puede provocar Ja ruptura directa del enlace. Si el campo eléctrico ejerce una fuerza intensa en un electrén de enlace, el electén se extrae del enlace covalente provocando Ta rmultiplicacién de pares electr6n-hueco. Eite mecanismo se lama ruprura Zener. El valor de la tensién inversa al cual se produce este fendmeno se controla con la cantidad de contaminante en el diodo. Un diodo fuertemente contaminado tiene baja tensiGn de ruptura Zener, mientras que un diodo poco contaminado tiene una tension de ruptura Zener elevada, ‘Aungue se describen dos mecanismos distintos para que se produzca la ruptura, 1 menudo se intereambian."Con valores de tensiGn por arriba de aproximadamente 10 V, el mecanismo predominante ¢s la nuptura por avalancha ((35], Sec. 2.9). Como el efecto Zener (avalancha) se produce en un punto predecible, el diodo se puede utilizar como referencia de tensiGn. La tensi6n inversa a la cual se produce la avalancha se lama tensién Zener. 1a caraceristica de vin diodo Zener tipico se muestra en la figura 1.28, El sfmbolo de circuito para el diodo Zener es diferente del de un diodo regulary se ilustra cen Ja figura 1.28 La méxima comiente inversa, Izmuy que puede soporar el diodo depende del disefio y ta construccién de éste. La cortiende de pérdida (znia) por debajo del vértice de la curva caracteristica generalmente se supone que es 0.1 Tmax La utilizaciOn de Izqiq asegura que 1a curva de avalancha permanezca paralela al je ip entre Izmix € Tzmie- La cantidad de potencia que el diodo puede soportr 8 Pz = IzmisVz Regulador Zener Se puede utilizar un diodo Zener como regulador de tensién en la configuracion ‘mostrada en Ia figura 1.29. En la figura se ilustra una carga cuya resistencia puede variar sobre un intervalo particular. Este circuito se disefia de tal forma que el diodo opere en la regién de ruptura, aproximindose asf a una fuente ideal de tensi6n. La tensiGn de salida permanece relativamente constante aun cuando la tensi6n de ta fuente de entrada varfe sobre un intervalo més 0 menos amplio ({49], Sec. 4.4). 621.6 Diodos Zener 35 Figura 1.28 ip iodo Zener { Region de Regidn de polarizacisn inversa polazasin direc 1 tea 10% lami \ iodo Diode regular Zener Veni Figura 129 Regulado Zener. Es importante conoter el intervalo de la tensi6n de entrada y de la corriente de carga para disefiar este circuito de manera apropiada. La resistencia, Ry, debe set tal que el diodo permanezca en el modo de tensién constante sobre el intervalo completo de variables. ‘La ecuacién de nodo para el eircuito de la figura 1.29 da ve —Vz _u- Ve az 6336 Capitulo 1 Andlisis de cicuitos con diodos semiconductores ara asegurar que el diodo permanezca en la regi6n de tensién constante (ruptura), se examinan los dos extremos de las condiciones de entrada-salida. 1. Lacomriente a través del diodo iz es minima cuando la corriente de carga iz. es méxima y la fuente de tensi6n vs es minima, 3 2. La comriente a través del diodo iz es méxima cuando la corriente de carga iz es minima y la fuente de tensién vs es méxima. Cuando estas caracteristicas de los dos extremos se insertan en la ecuacién (1.12), se encuentra Condicién 1 Ryo em (1.138) Contcin 2: Ri = Pome V2 3b) Se igualan (1.130) y (1.136) para obtener (Ws min ~ Va Ti, mio + 12 mix) = (V5 mix ~ Ve (Ut mtx + I rain) (1.130), En un problema prictico, es razonable suponer que se conoce el intervalo de tensiones de entrada, el intervalo de corriente de salida en la carga y el valor de tensién Zener deseado. La ecuacién (1.13c) representa por tanto una ecuacién en dos incégnitas, las corrientes Zener méxima y minima. Se encuentra una segunda ecuaciGn examinando la figura 1.28. Para evitar la porcién no constante de la curva caracteristica, se utiliza la regla prictica de que la méxima corriente Zener debe ser al menos 10 veces mayor que la minima ((46], Sec. 5.4); esto es, Tenn = 0.12 wis Este ¢s un criterio de disefio aceptable ‘Ahora se escribe la ecuacién (1.13c) como Ws nia = Vala Tz ess) (Vs mia — Va) Et ts + 0.10 rte) Resolviendo entonces para la méxima cortiente Zener, se obti Tema = Lente — Vs nis) + Tn ma(Vs te ~ V2) 2 mite = Vs win — 0.9Vz — 0.1V 5 max Ahora que se tiene la méxima corriente Zener, el valor de R; se puede calcular de Ia ecuacién (1.13a) 0 de la (1.136). —$$$$$$____«Figora 130 Regulador con dado Zener. 1.6 Diodos Zener 37 Ejemplo 1.2 |, Disefio de un regulador Zener Diséfiese un regulador Zener (Fig. 1.30) para cada una de las siguientes condiciones: a, La comiente en Ia carga varia de 100 mA 2 200 mA y la fuente de tensiGn varia de 14 V a 20 V, >. La comiente en la carga varfa de 20 mA a 200 mA y la fuente de tensién vara de 10.2 a 14 V. Utilicese un diodo Zener de 10 V en ambos casos. SOLUCION a. El disefio consiste en elegir el valor apropiado de la resistencia, Rj, y la esti- smacin de potencia para el Zener. En primer lugar se utilizan las ecuaciones de esta seccién para calcular la méxima corriente en el diodo Zener y luego. encontrar el valor del resistor de entrada. De la ecuacién (1.14), se obtiene Tome = S100 = 14+ 0.2000 ~ 10) 2 mte = 14 —9,9(10) = 0.1000) = 0.533 A 3 Entonces, de la ecuacién (1.136), se obtiene R; como sigue: Vemux—Vz___20-10 1533 +01 5.8.2 Tent * Toate No es suficiente especificar s6lo la resistencia de Rj, también se debe seleccionar el resistor apropiado que maneje la potencia estimada. La maxima potencia esté dada por el producto de la tensién por la corriente, utilizando el méximo de cada valor. Pr = Inmis(V5 mix ~ V2) Tz mis + Tismia)(V5 mtx ~ Vz) 63 x 10= 6.3 W38 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Por siltimo, se debe realizar la estimacién de potencia del diodo Zener. La ‘méxima potencia disipada en el diodo Zener esté dada por el producto de la tensi6n y la cortiente Pz = Vela pi = 10x 053=5.3W b. Repitiendo os pasos para los parémetros de la parte (b), se obtiene 0.02(10 — 10,2) +0.2(14 ~ 10) 10.2 = 0.9(10) = 0.1(14) Ta mis 4A El valor negativo de Iz mie indica que el margen entre Vsnin y Vz no es lo ‘bastante grande para permitir a variacin de la corrente en la carga. Esto es, bajo la condicién del peor caso de 10.2 V de entrada y 200 mA de corriente en la carga, no es posible para el Zener mantener 10 V a uavés de sus terminales. Por tanto, el regulador no opera comectamente para ninguna eleccién de resistencia. El circuito regulador Zener de Ia figura 1.30 se puede combinar con el restif- cador de onda completa de la figura 1.24 para obtener el regulador Zener de onda completa de la figura 1.31 El componente Rr se llama resistor de sangria y se utiliza para proporcionar tun trayecto de descarga para el capacitor cuando se quita la carga. Por lo comin, los resistores de sangria son resistencias altas para que no absorban una potencia significativa cuando el circuito estd en operacién. Como Ry es mucho mayor que AR, se desprecia en el siguiente andliss El valor de Cp se encuentra adaptando la ecuaciGn (1.10) a esta situaciOn, La resistencia en la ecuacién es la resistencia equivalente a través de Cr. El diodo Zener se reemplaza por una fuente de tensién, Vz. La resistencia equivalente es entonces la combinacién en paralelo de Re y Ry. Como Re es mucho mayor que Ry, la resistencia es mis © menos igual a R,. Puesto que la tensi6n a través de Rj no cae a cero, como es el caso del rectificador de onda completa, en la ecuaciGn (1.9) Vass $€ debe reemplazar por Ia excursién total de tensiGn. Por tanto, el capacitor queda especificado como en la ecuaci6n (1.15), donde se supone que @ (ia raz6n del transformador) es 1 Figura 1.31 Regulador Zeer de onda complet R, Dh Ji : no 1 ™ -} ve pt +1.6.2 1.6 Diodos Zener 39 SVs = Va) Or = ER as) La tensién més grande que se coloca sobre el regulador es Vs mux. Como antes, AV 8 el rizo pico a pico y fp la frecuencia fundamental de la forma de onda retificada (es decir, el doble de la frecuencia original para rectiicaci6n de onda completa) Diodos Zener practicos y porcentaje de regulacién En a seccién anterior se supuso que el diodo Zener era ideal. Esto es, en la regién de ruptura por avalancha, el diodo se comporta como fuente de tensién constante. Esta suposicin significa que la curva de Ja figura 1.28 es una linea vertical en la regin de ruptura. En la préctica, esta curva no es vertical, y Ia pendiente es provocada por una resistencia en serie. La tensiGn de ruptura es enfonces una funci6n de la coriente en vez de una constante. El diodo Zener prctico se modela como se muestra en la figura 1.32. Este modelo reemplaza al diodo Zener con un diedo ideal en serie con una resistencia, Rz. Para mostrar los efectos de este resistor en serie, se resuelve nuevamente el ejemplo 1,2. Se supone que se incorpora un diodo Zener préctico en el cicuito, con una resistencia de diodo Rz = 22. En ese ejemplo, se utiliza el cireuito de la figura 1.30 como un regulador donde la méxima coriente Zener es 0.53 A. Se supone que Izu es el 10% de Iznss, 0 0.053 A. Dedido a Rz, Ia tension de salida (a través de la carga) ya no es la constante 10 V. Los valores minimo yy méximo de esta tensin se encuentran a partir de la figura 1.32, uilizando los valores de corriente mfnimo y méximo. La tensién a través del diodo ideal de la figura 1.32 es 10 V, por lo que se puede escribir Vermin = 10+ (0.053 x 2) = 10.1 V Vomis = 10+ (0.53 x 2) = 11.1 V Figura 1:32. Cizeuito Zener equivalent yMe o740 Capitulo 1 Andtisis de circutes con diodos semiconductores Ejercicios El porcentaje de regulacién se define como la excursi6n de tensién dividida entre. cl valor de latensiGn nominal. A menor porcentaje de regulacién, mejor regulador. Por tanto, en este ejemplo, Vo mtx ~ Vo nip _ 1.1~10.1 rcentaje de reg. = = Ls 2 io Vo vomis 10 0.1, 0 10% Este valor d& regulacién es pobre, y la regulacién se incrementa limitando la corriente en el Zener a un valor més pequefio. Esto se consigue wilizando un amplificador en serie con la carga. El efecto de este amplificador es limitar las variaciones de coriente a través del diodo Zener. Estos amplifcadores se estudian en el capitulo 6. _ DL9 Un circuto regulador Zener (véase Fig. 1.30) tiene una entrada cuya tensién varia entre 10 y 15 V y una carga cuya comiente varia entre 100 mA y 500 mA. Encuénrense los valores de Ri ¢ Iz x Suponiendo que se uiliza un Zener de 6 V. Resp: 6.33.9; 132A D1.10 Enel ejercicio D1.9, encuéntrense las estimaciones de potencia para el diodo Zener y para el resistor de entrada. Resp. 7.94 W; 128 W D1.11 En el ejercicio 1.9, encuéntrese el valor del capacitor necesario si la fuente es Ia salida de un rectificador de media onda con una entrada de 60 Hz. Resp. 3800 uF D112 Si no se utilizara el resistor, Re, en el circuito de la figura 1.31, y hubiera un transformador de derivacién central 4:1 con una entrada de 120 V rms a'60 Hz, {qué valor para Rj seria necesario para mantener 10 V a través de una carga cuya Corriente varia entre 50 mA y 200 mA? Sup6ngase que la tensién minima permitida en Ia entrada del regulador es 14 V. Resp: 148.2 D113 {Qué valor de capacitor es necesario en el regulador del ejercicio D1.12 ‘para mantener una tensi6n minima de 14 V? Resp: 697 pF D1.14 En el circuito del ejercicio D1.12, supéngase que Ia tensién de entrada varia de 110 V a 120 V ims a 60 Hz. Selecci6nese un valor de capacitancia que se se eenww LT Disefo de una fuente de poder usando un cireuito integrado 41 ‘acomode tanto a una variaci6n de corriente de carga de 50 mA a 200 mA como a 1a variaci6n de tensiGn de entrada especificada. Resp: C= 922 pF DISENO DE UNA FUENTE DE PODER USANDO UN CIRCUITO INTEGRADO Los reguladores se empaquetan como circuitos integrados (CD; como ejemplo, se enfocari la atencién sobre la serie MC78XX. Las hojas de especificaciones apropiadas aparecen en el apéndice D, y se deben considerar durante la siguiente exposicién, Se pueden obtener varias tensiones diferentes de la serie de CI 7800; éstas on 5, 6, 8, 8.5, 10, 12, 15, 18 y 24 V. Todo lo que se requiere para disefiar un regulador alrededor de tno de estos Cl es seleccionar el transformador, 10s diodos yeel filtro. En la figura 1.33 se muestra un cireuito caracterfsico. Lanhoja de especificaciones para este CT indica que debe existir una terra comin centre Ia entrada y Ia salida, y que la tensi6n mfnima en la entrada del CI debe estar al menos.2 6 4 V por encima de la salida regulada. Para asegurar esta sltima condicién, es necesaro fltrar la salida del rectificador. En la figura 1.33, Cr realiza este fitrado cuando se combina con la resistencia de entrada del CI. La resistencia de entrada equivalente m4s pequefia del CI esté dada por Visnia/ Tints. Entonces 5(Vs mix — Vi) OF Ban fyVsmal lime am donde Vs mix €$ la tensién més grande que sé aplica al CI, AV es la caida de tensin del capacitor (es dei, la tensén pico mis pequefia aplicada al Cl menos Ja tensi6n de salida del CT més 4 V) y fp es el mimero de pulsos por segundo. El capacitor de salida, Cp, se afiade para ayudar a aislar los efectos de la err Feouncia provenines dela cuter de ears. ‘Figura 1.33. Fuente de alimensacion eguada, Sy Dt Earda oe vy [C7008 ——2 ee = cc Y 6942 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Los reguladores de la serie MC7900 son idénticos a los de la serie 7800, con la cexcepcién de que los primeros proporcionan tensiones reguladas de salida negativas en vez de positivas. Ejemplo 1.3 a Ejercicios ‘Sup6ngase que se desea disefiar un circuito regulador con CI para generar 12 V de salida en una carga cuya corriente varia de 5a 800 mA. SOLUCION Se use el circuito de Ia figura 1.33 con un regulador 7812. La salida Gel transformador esta dada por una onda senoidal rectificada completa de amplitud 115V3/6, 0 27.1 V (cero a pico) a 120 Hz. La fensi6n minima que se desea en la entrada del CI es Vomi = 1242= 14 V donde se utilizan 2 V por arriba de Ia salida deseada, La resistencia equivalente de carga mas pequefia es le raz6n entre la minima tensién y la méxima corriente, 0 16 Bere Ry (el peor caso) La diferencia de tensi6n entre el méximo y el minimo es V=21-162111V Entonces, de la ecuacién (1.15), se resuelve para el filtro capacitor: _ S@IA= 12) = TaG@reoy20 c = 451 uF Usilizando un capacitor de al menos 451 4F, se asegura que el regulador proporcione 12 V regulados para cualquier carga que consuma una cortiente de hasta 800 ma. eo DLS Se utiliza un CI MC7812 como regulador con un transformador con deri- vvaciOn central para hacer la rectificacién de onda completa de una sefial de 40 V de amplitud pico a pico. {Cuél es el capacitor mas pequefio que se requiere para roporcionar una salida de 12 V a 400 mA? Resp: 332 uF 7018 18 Recortadores y fijadores 43 D116 En el ejercicio D1.15 se utiliza un MC7808 en lugar del MC7812. ;Cudl es el capacitor de menor valor necesario para filtar la sefial rectificada de onda completa? Resp: 332 uF RECORTADORES Y FIJADORES 1.81 Los diodos tienen otras aplicaciones aparte de la rectificaciGn y la detecci6n. Entre ellas estén las de recortar una sefial de entrada o limitar s6lo partes de la sefal. Los Vat Vy, Gory Wie Los recortes positive y negativo se pueden realizar sirnulténeamente, El resultado es un recortador polarizado en paralelo, que se diseha utilizando dos diodos n44 Capitulo 1 Analisis de circuitos con diodos semiconductores PPL Figura 134 Ciruitosreconadores pcos. 1 dos fuentes de tensién orientadas de forma opuesta. El circuito produce una onda 4e salida como.1a mostrada en la figura 1.36 cuando se suponen diodos ideales. La ‘extensién a diodos précticos es paralela al andlisis que conduce a los resultados de Ja figura 1.35. Otro tipo de recortadar es el polarizado en serie, ue se muestra en la figura 1.37. La baterfa de 1 V en serie con la entrada provoca que la sefial de entrada se superponge en una tensién de cd de —1 V en vez de estar simétrica alrededor el eje cero. Suponiendo que este sistema utiliza un diodo ideal, se encuentra ue el diodo de la figura 1.37(a) conduce s6lo durante la porcién negativa de la sefial de entrada condicionada (es decir, desplazada). Cuando el diodo se encuentra fen conduccién, la satida es cero. Se tiene una salida distinta de cero cuando el iodo no conduce. En la figura 1.37(b), lo contrario es cierto. Cuando Ia sefial condicionada es positiva, el diodo conduce y existe sefial en la salida, pero cuando ¢l diodo esté apagado, no hay sefial de salida. Aungue la operacion de 1os dos nR1.8 Recortadores y fijadores 45 Figura 135 Ferma de onda de slide para el ciruito dela figure 13400. | Did en i i | — directo — | circuitos es diferente, las dos salidas son idénticas. En la figura 1.37(c) y (é) se invierte la polaridad de la baterfa, y en la salida se obtienen las formas de onda mostradas. 1.82 Fijadores Una forma de onda de tensién se puede desplazar afiadiendo en serie con ella una fuente de tensi6n independiente, ya sea constante o dependiente del tiempo. La ‘fiacidn es una operacién de desplazamiento, pero la cantidad de éste depende de la 2B46 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores oh st Van 1V Figura 137 Reconador con poarzacn en serie. Vn ent Enns () Czeito Bjador (@) Salida cuando Vp < Vn Figura 138 Circuito fjador. 741.9. Tipos alternos de diodos 47 eM) nM) iC 4 4 al £ le yk ob ' ' i ae (@) Bouade (®) Fijudor con constane de tempo grande (9. Salida con constante tempo pegueta Figura 1.39 Fijacén en cero. forma de onda real. En la figura 1.38 se muestra un ejemplo de ijacion. La forma de onda de entrada se encuentra desplazada por una cantidad que leva el valor pico de la onda desplazada al valor Vp. Por tanto la cantidad de desplazamiento es la cantidad exacta necesaria para cambiar el méximo original, Vm, al nuevo réximo, Vp. La forma de onda se “fja” al valor Vp. Si la forma de onda en la entrada cambia, a canidad de desplazamiento se modifica de manera que la saida siempre se fijaen Vp. Ast el circuito de fijacién proporciona un componente de cod necesario para lograr el nivel de fijacin deseado. Un circuito de fjacién esté compuesto de una batera ( fuente de cd), un diodo, un capacitor y un resistor. El resistor y el capacitor se eligen de tal forma que Ja constante de tiempo sea grande. Es deseable que el capacitor se cargue a un valor constante y permanezca en ese valor durante el periodo de la onda de entrada. Si se cumple esta condicién y se supone que la resistencia en directo del diodo es cero, la salida es. una reproduceién de la entrada con el desplazamiento adecuado. ‘Cuando la salida uata de exceder Va, el diodo se polariza en directo y la salida se limita a Vp. Durante esos instantes, el capacitor se carga, Cuando se alcanza el ‘estado estacionaro, el capacitor se carga al valor Ve =Vn-Va En la figura 1.39 se ilustra un eircuito de fjacién donde la salida se fija a cero (€s decir, no existe baterfa, por lo que Vz = 0). Como el diodo se encuentra en irecci6n opuesta al del cireuto previo, se fija el minimo en lugar del maximo de la salida. Se muestra el cicuito con una onda cuadrada como entrada. Es impor- ‘ante que la tensin a través del capacitor permanezca aproximadamente constante durante el semiperiodo de la onda de entrada. Una regla practica de disefio es hacer que la constante de tiempo RC tenga al menos cinco veces la duracién del semiperiodo (es decir, cinco veces 1 ~ to 0 fa ~ i). En este caso, el circuito RC tiene menos del 20% de la constante de tiempo para cargarse 0 descargarse durante €l semiperiodo. Esto coloca el valor final en poco menos del 18% del valor inicial (@ sea, exp(~0.2) = 0.82). Si la constante de tiempo es muy pequefa, Ia onda se distorsiona, como se muestra en la figura 1.39(c). ((6], Sec. 1.22.) Para reducir el error a menos del 18%, se puede incrementar la constanté de tiempo (por ejemplo, 10 veces la duracién del semiperiodo), 7 ’48 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores 1.9 TIPOS ALTERNOS DE DIODOS: 1.94 Esta secci6n presenta brevemente los siguientes tipos de diodos: ‘© Schottky ‘© Varactor Tinel Emisor de Juz Fotodiodo PIN Diodos Schottky I diodo Schottky se forma al enlazar un metal, como aluminio o platino, a silicio de tipo n. Se utiliza a menudo en circuitos integrados para aplicaciones de conmutacién de alta velocidad. Su simbolo y su construccién se muestran en la figura 1.40. EI diodo Schottky tiene una caracteristica de tensi6n contra comrente similar ala del diodo de unién pn de silico, excepto porque la tensién en directo, V,, es 0.3 V en ver de 0.7 V. Cuando el diodo Schottky se opera en modo directo, se induce corriente por el movimiento de electrones del silicio de tipo n 1 lo largo de fa unién y a través del metal. Como los electrones se mueven casi sin resistencia’ través de los metals, el tiempo de recombinacién es pequefio, del orden de 10 ps. Esto es més répido que un diodo ordinario de unién pn. Pot tanto, el diodo Schottky es de gran valor en aplicaciones de conmutaci6n de alta velocidad. La capacitancia asociada con el diodo es pequefia. EI material metélico en el contacto 1 y la regién n poco contaminada forman tuna unin rectificadora, mientras que la regiGn n muy contaminada y el contacto 2 forman un contacto Shmico. Los electrones en direccién directa del silicio de tipo m cruzan la unién hacia el metal, donde existen muchos electrones disponibles. Esto produce un dispositive de portadores mayoritarios que contrasta con Jos diodos estindar de unién pn, donde los portadores minoritarios determinan las cearactefsticas del diodo. El diodo Schottky a veces se denomina diodo de barrera, ya que se forma una barrera a través de la unién debido al movimiento de electrones del semiconductor ala interfaz metélica. Los diodos Schottky son tiles en ta tecnologia de CI porque resultan féciles de fabricar y pueden construirse al mismo tiempo que-los otros componentes del Circuito integrado (chip). La fabricacién de un diodo Schottky en un circuito integrado requiere de un paso menos que la fabricacién de un diodo de unién pm, ya ue éste necesita la difusin adicional del tipo p. Las caracteristicas de bajo ruido del diodo Schottky lo hacen ideal para aplicaciones en supervisién de potencia de radiofreeuencias de bajo nivel, en detectores de alta frecuencia y en mezcladores de radar Doppler. 16@ Conduccisa Figura 140__Diodo Schott. 1.9.3 1.9.4 1.9 Tipos alternos de diodos 49 Regién de resistencia negatva Cava pan 1 dodo roma Figura 141" Caractertcas del dio eine Diodos varactor 1Los diodos de unién pn normales exhiben capacitancia cuando se operan en modo Ge polarizacién inversa. El diodo varactor se fabrica espectficamente para operar en este modo, La capacitancia ¢s una funcién de la inversa de tensi6n, Por tanto, €! diodo actia como capacitor variable, donde el valor de Ja capacitancia es una funcién de la tensi6n de entrada, ‘Un uso comin de este diodo es en el ascilador controlado por tensién (VCO, voltage controlled oscillator). El VCO es un generador senoidal-cuya frecuencia de salida depende de la tensiGn de entrada. Diodos tunel (diodo Esaki) El diodo tinel esté més contaminado que e! diodo Zener, provocando que la zona desértica sea pequefia. Esto aumenta la velocidad de operacién, por lo que el diodo tinel es dtil en aplicaciones de alta velocidad. Conforme aumenta la po- Jarizacién directa, la corriente aumenta con mucha rapidez hasta que se produce Ja ruptura. Entonces la corriente cae répidamente. Esta caracteristica se muestra en Ja figura 1.41. La regiGn de pendiente negativa de la caracteristica se puede modelar como resistencia negativa en serie con una fuente de od. El diodo ttine! €$ Util debido a esta regién de resistencia negativa. Como ejemplo, se puede utilizar en conjuncién con un circuito sintonizado para producir un oscilador de alta frecuencia y alta Q. La regiGn de resistencia negativa de un diodo tinel se desarrolla de manera caracteristica en el intervalo de 50 mV a 250 mV. Esta tensiGn relativamente baja limita sus aplicaciones ((36}, Sec. 3.4). Diodos emisores de luz y fotodiodos Ciettos tipos de diodos son capaces de cambiar la fuente de energia eléctrica fuente de energla luminica. El diodo emisor de luz (LED, light emiting diode) 750 Capitulo 1 Andlisis de cireuitos con diodos semiconductores transforma la corriente eléctrica en luz. Es sil para diversas formas de despliegues, ya veces se puede utilizar como fuente de luz para aplicaciones de comunicaciones por fibra 6ptica. Un electrén puede caer de la banda de conduccién a un hueco y liberar energta fen la forma de un fotén de luz. La relacién entre momento y energia en el silicio y el germanio es tal que el electrén libera su energ(a como calor cuando regresa de la banda de conduccién a la de valencia. Sin embargo, en un cristal de arsenfuro de galio el electrén produce un fotén cuando regresa de la banda de condiuccién a la de valencia, Aunque no existen suficientes electrones en un cristal intrinseco para producir luz visible, cuando se aplica polarizacién directa, se inyecta tun gran nimero de electrones del material nal p. Estos electrones se combinan con Inuecos en el material p en el nivel de energfa de la banda de valencia, y se liberan fotones. La intensidad de la luz es proporcional a la velocidad de recombinacién de electrones y, por tanto, proporcional a la cortiente del diodo. El diodo de arseniuro de galio emite ondas de luz en una longitud de onda cercana a la banda infrarroja. Para producir luz en el intevalo visible, se debe mezclar fosfuro de galio con el arseniuro de galio. Un fotodiodo realiza la funcién inversa al LED. Esto es, transforma la fuente de energia luminica en corriente eléctrica. Se aplica polarizacién inversa al fotodiodo y la corriente de saturaci6n inversa se controla por la intensidad de luz que ilumina €l diodo. La luz genera pares electrén-hueco, que inducen corriente. El resultado es una “fotocorrente” en el circuito extemo, que es proporcional a la intensidad de luz efectiva en el dispositivo. Este se comporta como generador de corriente constante mientras la tepsin no exceda la tensi6n de avalancha. Los tiempos de respuesta son inferiores a I 4s. La sensibilidad del diodo se puede aumentar si el frea de la unin se hace mayor, ya que se pueden colectar mAs forones, pero esto también aumenta el tiempo de respuesta pues la capacitancia de unién se vuelve mayor. En la figura 1.42 se muestra un fotodiodo. La coriente inversa, —Iy, aumenta conforme lo hace la intensidad de luz, H. Se puede utilizar la ecuacién (1.18) para estimar la corriente del fotodiodo, Ip: Jp=nqH lg) cficiencia cudntica carga del electr6n: 1.6 x 107 C @ x A= intensidad de luz en fotones/s densidad de flujo de fotones en fotones/s-cm? rea de Ta unién en em? Muchos detectores de luz de silicio consisten en un fotodiodo de unién y un amplificador, casi siempre en un circuito integrado, Se deja el andlisis de este tipo de dispositivo para el capitulo 3, ———_ 8Figura 142 El fotodiodo. 1.10 Especifcaciones de los fabricantes 51 ys én 19.5 1.10 Diodos PIN Un diodo que tiene una regién poco contaminada y casi intrinseca entre las regio nes p y n se llama diodo PIN. El nombre se deriva del material intrinseco entre las capas p y n. Debido a su construcci6n, el diodo PIN tiene baja capacitancia y, por tanto, encuentra aplicacién en frecuencias altas. Cuando se polariza en directo, la inyeccién de portadores minoritarios aumenta la conductividad de la regign intcinseca. Cuando se polariza en inverso, la regién se vacia totaimente de portadores y Ja intensidad del campo a través de la regién es constante. La cstimacién méxima de tensi6n del diodo se determina por la intensidad del campo cerftico para la avalancha y el espesor de la regién i. Los diodos PIN se utilizan en conmutadores de radiofrecuencia, altemadores y esplazadores de fase en radiofrecuencia. Con una corriente de control variable, los diodos PIN se utilizan en modulacién de amplitud ((36), Sec. 3.4). ESPECIFICACIONES DE LOS FABRICANTES La construccién de un diodo determina la cantidad de cortiente que es capaz de ‘manejar, Ja cantidad de potencia que puede disipar y Ia tensién inversa pico que ‘puede soportar sin dafiarse. Cada fabricante desazrolla estos criterios en las ho- Jas de especificaciones del dispositive. Algunos ejemplos de especificaciones del fabricante se dan en el apéndice D. ‘A continuacidn se listan los parémetros principales que se encuentran en la hoja de especificaciones del fabricante de un diodo rectificador: 1, Tipo de dispositive con el niimero genérico de los niimeros del fabricante. 2. Tensién inversa pico (PIV). 3. Maxima corviente inversa en PIV. 4, Maxima comiente de ed en directo. 7952 Capinulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores 5. Corriente promedio de media ondp rectificada en directo. 6. Méxima temperatura de Ta unién. 7. Curvas de degradacién de corriente. 8. Curvas caracteristicas para cambios en temperatura de tal forma que el dispositivo se pueda estimar para altas temperaturas En el caso de los diodos Zener, por lo general aparecen los siguientes parémetros en las hojas de especificaciones: ‘Tipo de dispositive con el niimero genérico o el niimero del fabricante, Tensi6n Zener nominal (tensién de ruptura por avalancha). Tolerancia de tensién. |. Maxima disipacion de potencia (a 25°C). Corriente de prueba, Izr. 5. Impedancia dinémica a Iz7. Corriente de vértice ‘Maxima temperatura en 1a unin, Coeficiente de temperatura. Curvas de degradacién para altas,temperaturas. Se escogerd un ejemplo de especificacién y se verd le informaciGn suministrada por la hoja de especificaciones. Utilizando el diodo rectficador 1N4001 mostrado en el apéndice D, se encuentra la siguiente lista PIV = 50V. 2. Maxima corriente inversa (a la tensiGn en ed estimada) a 25°C = 10 wA. A 100°C la méxima corriente es 5A. ‘Maxima cafda instanténea de tensién en directo a 25°C = 1.1 V. |. Corriente rectificada promedio en directo a 25°C = 1 A. Intervalo de temperatura en la unin para operacién y almacenamiento (T}) = 65° 2 #175°C. 6, Se presenta una figura de temperatura contra montaje en un circuito impreso para varias cargas, 7. Se presenta una figura para efectos de longitud de la terminal para cargas resistivas contra temperatura, En la figura 1.43 se muestra una tipica curva de degradacién de corriente. Esta couva indica el juste requeride en la corriente estimada conforme la temperatura aumenta més allé del ambiente, A menudo se presenta una curva similar para degradacién de potencia. Notese que el fabricante no proporciona las curvas de degradaci6n estindar para el 1N40O1. Sin embargo, la informacién brindada es mas que suficiente para asegurar que el diodo de unién no se sobrecaliente al operar en varios modos circuitales, En la préctica, los di 1 valores de corriente que se encuentren al menos entre el 20% y el 30% por debajo de los valores méximos publicados. En algunas aplicaciones (como las militares 0 ‘espaciales), se requiere un ajuste de hasta 0%. fiadores deben asegurar que el diodo esté sujeto 80Figura 148 Cave de degradacién de coment Problemas 53 Itoi) nut tempera del empague ala ‘ual ooure Ia egratacion PROBLEMAS 1.1 Bosquéjese la salida del cireuito mostrado en la figura P1.1 cuando la entrada, ‘y,, e$ tuna onda cuadrada de 100 V pico a pico con un periodo de 2 s. Supbngase que el diodo es ideal 1.2 Bosquéjese la salida del eieuito mostrado en Ia figura PL? (el diodo es ideal) cuando v, es: ‘a, Una onda cuadrada de 100 V pico a pico con periodo de 2 s. ’b. Una onda senoidal de 100 V pico a pico con un periodo de 2 s. ‘c. Una onda triangular de 40 V pico a pico con un periodo de 2 s. k sooka. +f Ka + 4 1kA SR. » Figura PL Figura P12 1.3 Bosquéjese ia salida del circuito mostrado en la figura P1.3 cuando v, ¢s una ‘onda senoidal de 100 V pico a pico con un periodo de 2 s. Supdngase que €l diodo es ideal. 8154 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores chagwin % Figura PLS 114 Si la carga de salida de un rectificador de media onda es 10 kM, zqué valor de capacitor se requiere para obtener una tensién de salida que no varie més del 5%? La tensiGn de entrada es de 100 V rms a 60 Hz. Remitase a la figura P11. Dibijese la forma de onda de 1a salida. LS Si la carga de salida de un rectificador de onda completa es 10 kM, iqué valor de capacitor se requiere para mantener una tensién de salida que no varfe més del 10%? La entrada es de 100 V rms a 60 Hz. Remitase a la figura P13. Dibijese la forma de onda de la salida 1L6 Una seftal de radiofrecuencia (rf) de 2 MHz se modula con una sefial de 15 KHz, con indice de modulacién de 0.5. ,Qué capacitancia se debe utilizar a través de un detector de 2 KS de carga para filtra la ef sin afectar la sefial modulante? 17 Grafique Ip contra Vp para un diodo de silicio si la corriente de saturacién inversa, Ip = 0.1 4A utilizando n= 1.5 para el silicio. Determinese también la tensién de encendido del diodo. 18 Grafique Ip contra Vp para un diodo de germanio sila coriente de saturacion inversa, I, = 0.01 mA. Determ{nese también la tensién de encendido para el dodo (esta curva se puede trazar en la misma gréfica que la del problema 1.7). Un diodo particular tiene una corriente de saturacién inversa de 0.2 A, n= 1.6 y Vp = 26 mV. Determinese la corriente del diodo cuando la tensi6n a través de éste es 0.4 V. Determinese también la resistencia én directo del iodo en este punto de operacién, 1.10 Para el circuito mostrado en la figura P1.4, determinese la coriente a través del diodo cuando la tensién de cd a través de éste es de 0.6 V para el intervalo de corriente y nVr = 40 mV. 109 20 10.sen1000¢ mV v Figura PLA Figura PLS 82Problemas. 5S 1.11 Para el circuito mostrado en la figura P1.S, determinese J para cada caso. 1. Cuando los diodos se consideran ideales. ’b. Cuando los diodos no se consideran ideales con Ry = 102 y Vp = Ignérese a corrente de saturaci6n inversa TV. 1.12 Un diodo Zener se conecta en un circuito, como se muestra en la figura P16. {Cual es el valor de la resistencia R; que mantiene la tensién en la carga a 12 V (Vz) si la corriente en Ia carga es 1A y la tensin de entrada varia de 14.2 20 V? {Cudl es el margen de potencia necesario para el resistor y el iodo Zener? Figura PLS 1.13 Si un diodo Zener se conecta en un circuito como el mostrado en Ia figura P16, jcudl es el valor del resistor Rj que mantiene la tensién en ta carga a 12 V (Vz) cuando Ja carga varfa de 50 mA a 500 mA y la tensién de entrada varfa de 15 a 20 V? Determinese el margen de potencia requerido para el resistor y el diodo Zener. 1.14 El regulador Zener mostrado en la figura.P1.7 utiliza un diodo Zener de 20 Y para mantener 20 V constantes a través de la resistencia de carga, Ry. Si la tensién de entrada varia de 32 a 43 V y la corriente en la carga varia de 200 mA a 600 mA, selecciénese el valor de R; para mantener la tensién cconstante a través de la carga. Determinese el margen de potencia para el resistor y el diodo Zener. Supéngase que Rz = 0. 4S El regulador Zener mostra en Ia figura P17 utiliza un diodo Zener de 9 V para mantener 9 V constantes a través de la carga, con una entrada que varia centze 16 y 25 V y una salida que varia entre 100 mA y 800 mA. Considerese que Rz =0. ‘a. SelecciGnese el valor de Ry necesario y determ{nese el equerimiento mi- imo de potencia56 Capttulo 1 Andlisis de cireuitos con diodos semiconductores . Determinese el margen de potencia del diodo Zener. . Caleilese la variacién pico a pico en la salida si Rz = 19. 1.46 Considerando que no existen pérdidas en los diodos sectificadores de la f- gura PLB, gcudl es el valor de Rj necesario para mantener Vz a 16 V con tuna corriente en la carga de 1 A utilizando un diodo Zener de 16 V? v; varfa entre 110 y 120 V rms a 60 Hz. Supéngase que Rz = 0. La tensi6n hacia el , ok _ 1 . i r Ro Ve = 7 ; 1.17 Suponiendo que no existe cafda de tensién en el diodo rectificador de la figura P1.8, cudl es el valor necesario de R; para mantener Vz, a 16 V con tuna carga de 1 A? La tensiGn de entrada al transformador es de 110 a 120 V sms a 60 Hz. La salida filtrada del rectificador no debe variar més de +5 V. Determinese el margen de potencia necesario para el resistor y el diodo Zener. 1.18 Utilizando los valores para la tensin de entrada a Rj del problema 1.17 pero con un Zener de 12 V, jcudl debe ser el valor de R; para mantener 12 V en 1a salida si la carga varia de 20 mA a 600 mA? {Qué tamafio debe tener el capacitor? 41.19 Usilizando el circuito de la figura P1.8 y suponiendo que no hay pérdidas en los diodos rectficadores, cudl es el valor de Rj para mantener 12 V a través de la carga utilizando un Zener de 12 V cuando v; es de 110 a 120 V rms a 60 Haz? La salida del rectificador cae 20% debido al tamafio del capacitor, C1, y la carga varia de 20 mA a 500 mA. {Cul es el tamatio del capacitor? 41.20 Repitase el problema 1.19 utilizando un MC7812 para reemplazar el regulador discreto mostrado. Determfnese el minimo tamafio necesario del capacitor. \. 1.21 Con una forma de onda de entrada de 10senwt, jeual es la forma de onda de salida para los circuitos recortadores mostrados en la figura P1.9? Suponga ue todos los diodos son ideales. \".22)Diséiese un fijador que proportione +2 V de nivel fijo a una onda de entrada “cuadrada para el circuto mostrado en la figura P10. La magnitud de la onda cuadrada de entrada es 44 V con un periodo de 100 us. "1.23 En los circuitos recortadores con diodos de la figura P1.11, vj = 20senut, R=2kOy Vq=10 V. La tensiGn de referencia se obtiene de una terminal ‘enn divisor de 10 k9 conectado a una fuente de 100 V. Despréciense todas a meProblemas 57 ° ® Figura PLO —t 4 2Ko w= Figura P10 Figura PLL las capacitancias, La resistencia en directo del diodo es 100.9, Rr = 00, y Vy = 0. Dibéjense las formas de onda de entrada y salida, Apliquese el teorema de Tévenin para la red divisora de la tensi6n de referencia. 4.24ra, La tensin de entrada, vj, al recortador mostrado en la figura P1.12(a) ~~ varia en forma lineal de 0 a 175 V. Bosquéjese la tensién de salida v, en Ja misma gréfica que la entrada. Supéngase diodos ideales. b. Repitase la parte (2) para el circuito'de la figura P1.12(b).. Figura PLZ58 Capttulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Figura PLAS x 11.25 Una fuente ideal de tensién senoidal de 10 k#tz cuyas excursiones pico son de + 10 V con respecto a tierra se aplica al cireuito fijador con diodo de la figura PI.13. Supéngase que R= 00, R, = 0, C = 1yiF, el diodo tiene una R, = 00, Ry =Oy V, =0, y la resistencia de la fuente es cero. Bosquéjese Ja forma de onda en Ia salida, 1.26 La sefial mostrada en la figura P1.13 con una frecuencia de 10 kHz se aplica al cirenito, con valores R, = 0, R= 10k9, C= 1yF, Ry =0, R, = 00 ¥,=0 a. Bosquéjese la forma de onda en la salida, vo. \_, B Repitase i pate (@) si R= LKR y C=O.1 uF, 1.27 ,Qué tipo de recortador se necesita para obtener las formas de onda ilustradas en la figura P1.14 SupOngase que Ia entrada es 10 sent volts. Dibsjense y etiquétense los circitos. ®, vot +s| 2d “\ ° 1 . @ Figura LisProblemas adicionales 59 PROBLEMAS ADICIONALES PALI fie una fuente de energia con un rectificador de media onda que tiene tuna entrada de 120 V rms a 60 Hz, con una salida méxima de 17 V y una minima de 12 V. La fuente debe proporcionar energfa @ un circuito.electrénico que necesita una corriente méxima de 1A. Determine la cconfiguracién del circuito, la razén de vueltas del transformador y el tamafio del capacitor. Suponga que los diodos y el transformador son ideales. PA1.2 Repita el problema anterior con un rectificador de onda completa. PA1.3 Determine el valor del capacitor para el circuito mostrado en la figura 1.24 cuando a = 6 y Ry = 50. La tensiOn minima en la carga no debe caer més de un 20%. PALA Disere una fuente de energia con wn rectificador de onda completa, un transformador con ran de velas de 4:1 con dervacin central y un diodo ener de 8 V y 2 W, qe proporione 8 V constantes a una carga que varia de 200 a 500 0, La tension de entrada al transformador es de 120 V ems, 60 Hz, Ignore las pérdidas en el tansformador y los diodos. Determine: 2 To ¢ Foe b Ry Vsu- ¢. El valor del capacitor necesrio. 4. EI poreentaje de regulacién cuando Rz =2 9. PALS Disefie una fuente de energia regulada con un rectifcador de onda completa, tun transformador con raz6n de vueltas de 5:1 con derivacién central y un diodo Zener de 8 V y 2 W, que proporcione 8 V constantes a una carga ue varia de 100 a $00 9. ‘La tensién de entrada al transformador es de 120 V mms, 60 Hz. Ignore las pérdidas en el transformador y los diodos. Determine: 2 Tem © Toe b. RLY Vow ¢. El valor del capacitor necesario. 4. El porcentaje de regulacién cuando Rz = 2.9. . La potencia de Ra. PAL a.’Dibuje la sefal de salida para el circuito mostrado en la figura PAL.1(@) situ = 9sen 1000¢ V. Muestre los valores maximo y minimo en el dibujo y la ecuacién de las curvas para diferentes intervalos de tiempo. Suponga {que los diodos son ideales. ’. Repita el problema para la figura PAL.1(b). 8760 Capitulo 1. Andlisis de circuitos con diodos semiconductores 2a aka Db AD “ aioe Cu 2a 4K we wy - NT 6v 9 ® Figura PALL PA17 Disefie un cireuito recortador para obtener Ia salida mostrada en Ia figura PA12 a partir de una onda cuadrada simétrica de +10 V. Suponga que V;, =0.7 V. PAL8 Disefie un circuito sujetador para obtener ta salida mostrada en Ia figura PAL.3. Suponga que el capacitor disponible es de 0.1 uF y que la entrada es vy = Ssen25000¢ V. Suponga que V; = 0.7 V. PA19 Seleccione un resistor para limitar la corriente e iluminar en forma adecuada tun LED cuando se aplican 8 V al LED. Figara PAL? Figura PALS 882.0 AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION INTRODUCCION El antlisis bésico de cireuitos es el estudio de la interconexién de dispositivos pasivos y fuentes, Los dispositivos pasivos lineales incluyen resistores, capacitores ¢ inductores. Estos dispositivos realizan las operaciones lineales de multiplicacion proporcional, integracin y diferenciacién. Las fuentes independientes son de corriente o de tensi6n, y los valores de sus salidas no dependen de ningin otro valor en el circuito, Las fuentes dependientes se caracterizan por tenet tna corriente o tensién de salida, funcién de un parimetro en alguna rama del circuito separada de quella de la fuente. Por lo general, las fuentes dependientes surgen del modelado de dispositivos activos como los transstores bipolares de unin, los transistores de efecto de campo y los amplificadores operacionales. El estudio de dispositivos activos en este libro se inicia con el transistor bipolar de unién, En 1948 John Bardeen, Walter H. Brattain y William Shockley de Bell Telephone Laboratories construyeron y probaron el primer transistor, Era un dispositive imperfecto (no refinado) de baja ganancia; en realidad, no tenfa mayores propésitos que los de experimentar en el laboratorio. Por otra part, en Ia industria cl tubo de vacfo reinaba en aplicaciones que iban desde bienes de consumo hasta tusos militares. Sin embargo, existfan algunas funciones que el tubo no podfa desempefar sin un gran gasto. An mas, ciertas aplicaciones eran imposibles de Jograr utilizando tubes de vacio. Poco después de Ia invencién del transistor, los 61 8962 Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién 24 ingenieros vieron sus ventajas en pequefios dispositivos portitiles y empezaron a ‘mejorar su desempefio. EI resultado fue una continua evolucién que condujo al transistor de hoy en dia. Durante los afos sesenta, los procesos y métodos de fabricaci6n se mejoraron de-forma tal que el transistor pado construrse de manera confable. Esto produjo una explosién en la industria clectrénica, pues muchos productos se podfan construr en forma barata. La capacidad de manejar potencia ¥ las frecuencias méximas de operacin se incrementaron de forma constante en este periodo. En la actualidad el transistor ha reemplazado casi completamente al tubo de vacio, excepto en algunas aplicaciones de alta potenciay alta frecuencia, FUENTES DE TENSION Y DE CORRIENTE DEPENDIENTES Las fuentes dependientes producen una tensién 0 corrente cuyo valor est determi- nado por la existencia de una tensién 0 corriente en otro lugar del circuito (ndtese ue los dispositivos pasivos producen una tensi6n 0 corriente cuyo valor se deter- ‘mina por una tensin o corriente en el mismo lugar del circuito). Las fuemtes de tension y corriente dependientes o independientes son elementos activos, esto es, ccapaces de suministrar energfa a algin dispositivo externo. Los elementos pasivos no pueden generar energla, aunque pueden almacenar cantidades finitas de ésta para su disrbucin posterior, como es el caso de los capacitores ¢ inductores. En a figura 2.1 se muestra un circuito que contiene una fuente dependiente. La fuente de tension depende del valor de la tensiGn, Van. El factor de amplificacién es 4, La ley de tensiones de Kirchhoff (LTK) se aplica al lazo para obtener 10 = (S000) + 4Va — Vio = (5000) +3V 2 Entonces, uilizando la ley de Ohm, se obtiene Vea = —(1000)7 Sustituyendo esto en la ecuacién de lazo, se tiene 10 = (5000) + 3V ie = (5000)I — (3000) = (2000) Por tanto, T=SmA Van =-SV y 90¥ a ska. TOR S Ri | rk $Y" Figura 2.1 Circuito con una feene de tension dependiente ‘Figura 22 Circuito con una fuente de comfente dependiente 2.1 Fuentes de tensi6n y de corriente dependientes 63 Node 1 Nodo2 a3 ¥e La tensi6n a través de la fuente dependiente es dos veces mayor que la de la fuente independiente, ‘Sila baterfa de 10 V se reemplaza por una fuente de tensién alterna, Ia tensién a través de la fuente dependiente tendré el doble de amplitud que la entrada y estard 180° fuera de fase. ‘Ahora Se analizaré un cireuito simple que comtiene una fuente de corriente dependiente, como e] mostrado en la figura 2.2. Nétese que este circuito s6lo cuenta, con una fuente dependiente y resistores; no existe una fuente independiente de ‘energfa, Por tanto, sin conexiones externas, el circuito se mantendré con corrientes y tensiones cero para cada rama (verifiquese que haciendo todos-los pardmetros iguales a cero se satisfacen las leyes de corriente y de tensién de Kirchhoff). Este circuito tiene interés s6lo cuando se conectan circuitos adicionales (en este caso, a las terminales A y B). ‘Se encontrard el equivalente de Thévenin del circuito visto a través de estas dos terminales. La tensién de circuito abierto es cero, por lo que todo el circuito es cequivalente a una sola resistencia, La resistencia de Thévenin no se puede encontrar ttilizando combinaciones simples de resistores debido a la presencia de la fuente dependiente. Tampoco se puede encontrar utilizando la téenica de evaluar Ja tensién, de cireuito abjerto y hacer un cortocireuito en la corriente para luego tomar la raz6n, Ambas cantidades son cero, por lo que'este método conduce a una respuesta, indeterminada. El método mds utilizado en este tipo de problemas es suponer que se aplica una fuente de corriente 0 tensién a las terminales, evaluar la tensién 0 corriente resultante, y entonces tomar la raz6n para encontrar 1a resistencia, ‘Supéngase que se aplica una corriente i, como se muestra con Iineas punteadas cen la figura. La ley de corrientes de Kirchhoff (LCK) (andlisis de nodos) en el nodo 1 da ”64 Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién Sustituyendo ir = vp/4000 en la ecuacién anterior, se tiene Ty — 150. =0 =20) + 30. = 4000%5 Se utiliza la regla de Cramer para resolver este sistema de ecuaciones y obtener ° ig x 4000] _ (28000)i. 1s)” 21-30 3 =(-3110ji. V La resistencia equivalente, Rra, se obtiene dividiendo vs por i para obtener Rm 11k El hecho de que la resistencia sea negativa sugiere una ganancia de potencia, o amplificacin. Este circuito no consume energia. Al contrario, la suministra, © produce ganancia de potencia. En Ia figura 2.3 se ilustra una configuraci6n comtin en anélisis de circuitos de estado s6lido. Se encontrard la ganancia de tensiOn y de comiente de este sistema, La ganancia de tensin se define como la raz6n de la tensién de salida a Ja de entrada. Del mismo modo, la ganancia de corriente es la raz6n de cortiente de salida a corriente de entrada. La corriente de entrada es %y _ 2senut mV ee RT a asent HA ‘Se puede utilizar una relacién de divisor de cortiente para encontrar fy 2000(20senwt 1A) *1= "3000+ 2000 = lOsenut yA, La tensién de salida esta dada por 100%; (10 K® |} 10 2) donde || indica una combinacién de resistores en paralelo. ‘v9 = ~(500000)i; = ~$00000(10 x 10~§ senwtt) = ~Ssenut V 92Bigura 23 ‘Gteito de estado sido equivalent. 2.2 Transistores bipolares 65 iF bs 0, l y= senor 2KNY 2A. 1ka Z10kn % mV Entonces, utilizando una relacién de divisor de corriente, se encuentra que la coriente de salida es 10000(—100%;) _ 10000 + 10000 ~ fe 50% La ganancia de tensién es ve _ ~Ssenut 7 Odeenwt -~"5° La ganancia de corriente es =50(10 HA) 25 TRANSISTORES BIPOLARES. El transistor es un dispositivo de tres terminales, a diferencia del diodo, que tiene ‘dos terminales, Este consiste en un material de tipo p y uno de tipo n; el transistor ‘consiste en dos materiales de tipo m separados por un material de tipo p (transistor npn) o en dos materiales p separados por un material m (transistor pnp). En la figura 2.4(a) se incluye la representacin esquemétice de un transistor (22) ‘Las tres capas 0 secciones diferentes se identifican como emisor, base y colecto. El emisor, capa de tamaio medio diseiada para emitir 0 inyectar electrones, esté bastante contaminado, La base, con una contaminacién media, es una capa delgada disefiada para pasar electrones. El colector, capa grande disefiada para colectar electrones, esté poco contaminado. El transistor se puede coneebir como dos uniones pn colocadas “espalda contra espalda”;éstas se denominan transistores bipolares de unién (BIT, bipolar junction transistor).El wansstor bipolar. Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién Figura 24 Base Colector ° fopPy oe? kb ae mise Cokecor el Base Colector » Jel» Base Emir Colestor od (@ Simbolos de ito (Coo —L Trayeciora de electones bres Reign eserica —¥ (©) Diagrama potencial colina Para explicar la operacién del transistor, se desarrolla un modelo matemético simple basado en las caracteristicas operacionales del dispositivo para Ia regién en Ja que se esté trabajando. A fin de mantener la sencillez del modelo, se restringe el andlisis a bajas frecuencias. En el capitulo 3 se modifica este modelo simple para incluir las resistencias de entrada. Luego, en el capitulo 10, se amplia el modelo y se incluyen componentes adicionales para poder analizar la operacién del transistor en alta frecuencia, El presente modelo es suficiente para exponet los conceptos y disefar varias aplicaciones stiles en baja frecuencia, Intencionalmente se presenta poco complicado, de manera que es posible encontrar soluciones de forma cerrada a las ecuaciones resultantes. No obstante, si se requieren resultados més exactos, puede ser necesario el andlisis por computador. Se ha desarrollado un programa de andlisis apoyado por computador, que se conoce como SPICE (simulated program with integrated circuit emphasis, véase el Ap. A y (36]. pg. 254) y utiliza el modelo de Gummel-Poon ((16], pég. 286). Muchas compafias estadounidenses utilizan SPICE para desarvollar circuitos de muchos transistores y también para realizar andlisis de “peor caso” en circuitos y determinar los efectos de la tolerancia de los ‘componentes. En el capitulo 10 se comentan modelos similares al de Gummel-Poon utilizado ‘en SPICE, considerando el andlisisy el disefio en alta frecuencia. ot2.3, Operacién del transistor 67 2.3 OPERACION DEL TRANSISTOR ‘Una explicacién sencilla pero efectiva de la operacién del transistor npn se lleva a cabo utilizando la técnica de diagramas de barrera de potencial de la figura 2.4(b. Este método ilustra de manera simplificada la operacién bésica de un transistor bipolar de tal forma gue se puedan entender ejemplos de circuitos sencillos. Cuando Ja unién base-emisor se polariza en directo y la unién base-colector en inverso, los electrones que dejan el material x del emisor slo ven una barrera de potencial pequeria en la uni6n np. Como la barrera de potencial es pequefta, muchos de los clectrones tienen la suficiente energia para legar al tope de ella. Una vez en el tope, los electrones se mueven fécilmente a través del material p (base) a Ia unién ‘pn (base-colector). Cuando se acercan a esta uni6n, log electrones se encuentran bajo la influencia de la fuente de tensién positiva y se mueven con mucha rapidez conforme descienden en la barrera de potencial. Si se reduce la polarizacién en directo de la unin base-emisor, aumenta la altura de la barrera de potencial. A los eleetrones que dejan el emisor les seré més dificil alcanzar el tope. Los electrones que lo alcanzan son aquellos con mayor cantidad de energia, y los que alcanzarén el colector. Por tanto, una reduecién de la polarizacién en directo provoca que la corriente a través del transistor se reduzca en forma considerable. Por otra parte, al incrementar Ia polarizacin en directo de la unin base-emisor se reduce la barrera de potencial y se permite el flujo de un mayor niimero de electrones a través del transistor._ El flujo de corriente en un transistor de.unién también se puede entender mediante 1 examen del comportamiento de los portadores de carga y las regiones desérticas. Estas regiones se indicaron en la figura 2.4(b). Nétese que como la “nin base-emisor esté polarizada en directo, la regiOn desértica es relativamente elgada, Lo inverso es correcto para la uniGn base-colector. Un gran mimero de portadores mayoritaris (electrones) se difunde a través de la unién base-emisor, puesto que ésta se halla polarizada en directo. Estos electrones entran a Ja regiGn de Ta base y tienen dos opciones. Podrfan dejar esta regiGn a través de Ia conexién con las fuentes de alimentacién o continuar hacia la regién de colector a través de la amplia regién desética de la unin polarizada en inverso. Lo normal serfa esperar que la mayor parte de esta corriente regresara a la fuente, excepto por las siguientes observaciones. Como la region de base es muy delgada, estos electrones necesita viajar una distancia més corta para ser atraidos por la fuente positiva del colector. Ademés, el material de la base posee una conductividad baja, por lo que el trayecto hacia la terminal de la fuente presenta alta impedancia. En realidad, ‘una cantidad muy pequeia de los electrones deja la base a través de la conexién con Ia fuente; la mayor parte de la corriente fluye hacia el colector. EL transistor de uni6n bipolar presenta ganancia de corriente, lo cual se puede utilizar para amplifcar sefiales. En la figura 2.5 se muestra el_circuito equivalente simplificado de un transistor npn. Por lo general, este modelo es adecuado para el disehio y andlisis de muchos circuitos. En la figura 2.6 se muestra un circvito simple para obtener ganancia de coriente. Se aplica una fuente de tensi6n a través de la unién base-emisor, y Se 95,68 Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unin Figura 25 5 Paes cones dee Spends dt esis cornet conte eens base emir Bae caer fein 26 Chuo smple Fuene cant ene Jin te Scam Ear ® © conecta una resistencia entre colector y emisor. En la figura 2.6(6) se muestra el ‘mismo circuito, donde el transistor se reemplaz6 por el modelo de la figura 2.5. Debido a la presencia de la fuente dependiente, una corriente en la terminal de ’base controla Ia corriente del colector al emisor. La fuente de cortiente en el colector depende de la corriente de base, ip. Conforme aumenta ig, la cortiente de colector, ic, aumenta en forma proporcional. La constante de proporcionalidad se Mama beta (B). En la figura 2.7 se muestra una versi6n refinada de este modelo, conocida como ‘modelo de Ebers-Moll (32}. La uni6n base-emisor actéa como un diodo polarizado en directo con una corriente ég + ic. La unin base-colector esté polarizada en inverso y exhibe una corriente de fuga pequefa, Jono, y una corriente grande, Bi. Esta Ghtima es provocada por la interaccién de corvientes en la base. Queda claro que en [Notese que la direccién positiva de las corrientes de base y de colector se define entrando al transistor, y en forma inversa para la cortiente del emisor. Esta es tuna simple convencién, y se podria haber invertido cualquiera de las direeciones. EI modelo de Ebers-Moll incluye una corriente, Togo, que ¢s independiente de la corriente de base. 96Figura 27 Moto de Eners Mol, Figura 28 ‘Comets intras en an 23 Operacién del ransistor 69 ape Tero pit ree D7. ion. ls RE ae F E ei + Hewe Hews (© Visa simptiicada ‘La ganancia de corriente en base comin, a, se define como la raz6n del cambio en la corriente de colector al cambio en la corriente de emisor, suponiendo que la tensién entre el colector y la base es constante. Por tanto, ic! BiElyog = constane, Esto se muestra de manera gréfica en la figura 2.8, donde ogo es la corriente de fuga entre base y colector. Se desea encontrar una relacién entre tas corrientes de base y de colector. La corriente de colector se encuentra al observar la figura 2.8(b): ig = aig +Ica0 22) 9770 Capitulo 2 Amplifcadores con transistores bipolares de unién Combinando las ecuaciones (2.1) y (2.2), se encuentra la corriente de emisor, ig=aig+Icso+is ¥ resolviendo para la corriente de base, ip =ip(l— a) Jono @3) Se puede eliminar ip de la ecuacién (2.3) reescribiendo la ecuscién (2.2) como wic=tczo @ ig Por sltimo, esto se sustitaye en la ecuacién (2.3) para obtener una relacién entre ip, ic e Iezo: & Topo) ~ a) ipe Teso” 24) = (l=adic _ Teno La ganancia de corriente en base comén, a, suele estar entre 0.9 y 0.999. Por tanto, el inverso se puede aproximar a la unidad, dando asf = Gua _ 5 p= Icpo Beta (6) se utiliz6 antes (véase Fig. 2.6) para definir la raz6n entre cambios de ccortiente de colector y cambios de corriente de base. Esto es, Por tanto, se diferencia la ecuacién (2.4) y se reacomodan los términos. Los valores tipicos de f se hallan entre 10 y 600. Haciendo la sustitucién para B, se tiene igs 2 -k n= - leno 9824 24 Cireuitos con transistores 71 Por lo general, se puede despreciar Igo, pues es pequefia en magnitud. Por tanto, @5) ia a selal grande o factor de ampli- ‘ficacién ened, Por tanto, se vuelve al modelo original simplificado. En la préctica, ‘el valor de 2 varia con la cortiente de base. Existen inconvenientes en el disefio debido a las variaciones de f por los cambios de corriente en el transistor. Ademés, durante Ia fabricaciGn del transistor, se producen variaciones en el valor de beta dentro de un mismo lote de produccién. Por tanto, dos transistores fabricados al mismo tiempo tendrén diferentes valores de 8, aun en los mismos niveles de corriente. Esto leva al desarrollo de un procedimiento de disefio que haga al valor de la cortiente de colector relativamente independiente de los cambios en f. Estos métodos se comentan en la seccién 2.5. ‘Otra suposicién que se realiza a menudo como simplificacién es que la comtiente {de colector es aproximadamente igual ala corriente de emisor. Esto es, como Jono resulta pequefia comparada con ic y como a esté entre 0.9 y 0.999, se tiene ickip _ - 2.6) CIRCUITOS CON TRANSISTORES. 244 Configuraciones comunes en circultos Existen tes configuraciones usadas en circuitos de transistores. La més utiizada es la de amplifcador en emisor comin (EC), asi lamada porque el emisor se encuentra tanto en el lazo de entrada como en el de salida. I siguiente circuito ‘mis utizado es la configuraci6n en colector comin (CC), también conocida como ‘enisor seguidor. La tercera configuracion es el circuito en base comin (BC). En Ja figura 29 se muestran ejemplos de estas configuraciones de amplificadores y se ilustran los circitos que utilizan transistores npn. En este capitulo se considera el disefio de la polarizaciGn, o circuito en cd. Est caracterizado por el resistor de base, Rp, el resistor de emisor, Re, el resistor de colector, Rc, y la fuente de tensién, Voc. La técnica de polarizacién para el amplificador EC es la misma que para la configuracién BC, por lo que se consi- eran juntas. La configuraci6n CC se considera por separado. Cuando se utlizan transisores pnp, se invierten las polaridades de las tensiones de Vpp y Voc. pero Jos cireitos equivalentes desarrollados en ca se mantienen igual 9972 Capitulo 2. Amplificadores con transistores bipolares de unién Figura 29 CCcuitos amplicadres. 2.4.2 Vee Vex Vee (@) Emisor comin (6) Cotecor comin (© Base comin (nis seuidor) Curvas caracteristicas Como el transistor es un dispositive no lineal, una forma de definir su operacion cs usar una serie de curvas caracteristcas de manera similar a las utilizadas en el capitulo anterior para los diodos. Existe un conjunto de curvas para cada tipo de transistor. Como no se esté tratando con dispositives de dos terminales, las ecuaciones incluyen al menos tres variables. Por tanto, se utilizan curvas paramétricas para describir el comportamiento del transistor. En la figura 2.10 se muestran dos agréficas caracteristicas. En la figura 2.10(a) se ilustra la corriente del emisor como funcién de la tensi6n entre la base y el emisor cuando vce se mantiene constante, Notese que, como se podria esperar, esta curva es similar a‘la del diodo, ya que constituye la caracteristica de la corriente en una unién simple. Se dibuja luna Ifnea de carga utilizando las dos intersecciones con los ejes. Cuando iz = 0, vpe = Vap. La otra interseccién se encuentra haciendo ve = 0. El punto donde Ja linea de carga cruza la curva de ig contra vgp se llama punto de operacién, © ‘punto Q. La pendiente de la linea de carga es —1/(Re+Rp). Estos, la resistencia cequivalente vista por las terminales de base y de emisor es simplemente Re + Rs. La pendiente de la curva caracteristica es 1/ra, donde ra es la resistencia dindmica de la unin base-emisor del transistor. Esta pendiente se puede calcular a partir de la ecuacién (1.1) y de las simplificaciones que le siguen, Como esta es una unién pn, nVz = 26 mV (suponiendo una unién de silicio a temperatura ambiente). To- ‘mando la derivada de la ecuacién (1.1) y realizando las simplificaciones adecuadas, se encuentra que la resistencia dindmica es aproximadamente- wy 0.026 Teg donde Iq es la corriente del emisor en el punto Q. 1002.4 Circuitos con transistores. 73 Figura 210 (Curvas carmueristcas de () Caraceisicas colctoremisor Como ig = ic/B, 1a unién base-emisor es similar a Ja del diodo. Por tanto, para una unién polarizada en directo, o- (oo) Para un diodo de silicio, n tiene un valor de 1.3 a 1.6. Sin embargo, en transistores de silicio, el valor de n esté cercano a la unidad debido a los efectos de recombinacién provocados por las corrientes de base y de colector combinadas cen Ia regién del emisor. Los transistores de difusién exhiben un ineremento del 10 al 20% en el valor de n para niveles de corriente por arriba del intervalo normal 4e operacién del transistor. En este texto, se utlizardn n= 1 y nV =26 mV para transistores de silicio. ‘Una extensiGn en linea recta de la curva caracteristica intersecarfa €l eje vas en 0.7 V para transistores de silicio, 0.2 V para germanio y 1.2 V para dispositivos de arseniuro de galio. Si ahora ig se mantiene constante, 1a uni6n colector-emisor se define por la curva, de ic contra cs mostrada en la figura 2.10(b). Como puede verse en esta curva tpica; la corrente de colector es casi independiente de la tensiGn entre el colector y el emisor, vce, dentro del “intervalo lineal” de operacién. Cuando fig esté prOxima a cero, ic se acerca a cero de manera no lineal. Esto se conoce ‘como operacién en la regiGn de corte. Para la seccién de las curvas caracterfsticas donde vce se acerca a cero, ic es méxima. Esta regiGn, conocida como regién de saturacién, no es Stil para amplificar debido a la operaci6n no lineal. ‘Las curvas caractersticas son curvas paramétricas de i¢ contra vce, con ip como parmetro. En la figura 2.11 se muestra un ejemplo de una familia de dichas curvas. Cada tipo de transistor tiene su propio conjunto tnico de curvas caractertsticas. 10174 Capltulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién ‘Como ejemplo del uso de las curvas caracteristicas, se analizard el circuito de Ja figura 2.12. Aplicando LTK alrededor del lazo de colector emisor, se obtiene Vee ioRo +vce +igRe (27) Como ig es aproximadamente igual a ic, la ecuacién (2.7) se puede simplifi ‘ear, como se hizo en la ecuacién (2.8) Veo =ic(Re+Re)+ vox 28) La ecuacién (2.8) define una relacién lineal entre i¢ y cg. Esto es, jp = Voom vee 1 Veo "0° "Ro+Re ~ Ro+Rs°** Ro+Re a Una forma de’graficar esta linea recta es resolver las dos intersecciones con los dies. Si ic =0, vce = Vee. Si vce = 0, entonces ioe Vee °" Ro+Re La linea de carga en ed esté graficada sobre las curvas caracteristicas de la figura 2.11, Cuando se trate el disefio, se verd la forma apropiada de seleccionar los Pardmetros del ciruito. Por ahora, se supondré que el punto de operacién, el punto Q, se puede seleccionar en cualquier lugar de la linea de carga. El punto 10225 25. Elamplifcador EC 75 tendré las coordenadas Vorg € Ica, los valores en el punto de operacién de vog € ig, respectivamente. El punto de operaci6n es el valor de sefial nulo para veg € ic. EL AMPLIFICADOR EC Figura 213 “Amplifcador de wanistor emir comin npr. ELEC, o amplificador emisor comin, se llama asf porque las corrientes de base y ‘de colector se combinan en el emisor. En la figura 2.13 se muestra la configuracién {del amplificador, donde se seleccioné un transistor npn como ilustracin. En primer lugar se analiza el circuito de la figura 2.13 bajo condiciones de cd. La fuente variable, v,, se hace igual a cero. La LTK en el lazo de base se eseribe como IpRp+Var ~ Veo =0 2.10) Recuérdese que Vag esté entre 0.6 y 0.7 V para transistores de silicio, pero en ‘este libro se utilizaré el valor 0.7 V a menos que se especifique otro valor. ‘Se escribe ahora la LTK a través del lazo de colector-emisor como sigue: Veo = Relc + Vee Entonces Veo - Ves Re Te em La eouacién 2.11) define la Hinea de carga, que se dibuja en las curvas caractersticas de la figura 2.14(a). Ahora se puede seleccionar sobre la Uinea de carga €\ punto Q, o punto de operacién, que se define como el punto de sefial cero. Si se supone ahora una entrada de ca v, = V senut 10316 Capitulo 2 Amplifeadores con transstoresbipolares de unin Figera 214 Curves caracersicas para 1 amplicador EC. (@) Curvas carscteristica del eanssior (wa) | (mayt Ny fe : (©) Cuvas de coriete en a entrada y la sada sali Ja onda de salida se puede encontrar de manera grifica. Moviendo el punto de ‘operacién hacia arriba y abajo a lo largo de la linea de carga conforme cambia ip, se pueden graficar ic; ip y voz, como se muestra en la figura 2.14. Se determinaré el cambio en la corriente de colector para un cambio dado en la ccorriente de base. Esta relaciGn es la ganancia de corriente, que se define como 104Figura 215 ‘Amplieador EC con resistor en el emisor. 2.5.1 25 Elamplifcador EC 77 En Ia figura 2.14, Aic y Aig se len como: las excursiones totsles en estos pardmetros. Tal ganancia es Ia que hace importante a este dispositivo para muchas aplicaciones de ingenieria El amplificador EC con resistor en el emisor En la figura 2.15 se ilustra un circuito EC al cual se afadi6 un resistor en el emisor. Se escriben las ecuaciones de Kirchhoff en el lazo emisor-colector para determinar la Iinea de carga en od. Con referencia a la figura 2.15(a) se encuentra Veo = Role +Vox+Rele Como Ic ¢s aproximadamente igual a Ip, se obtiene Veo - Veg lo=FeaRe @a2) Si Ic =0, entonces Veg = Veo Este punto de operacién se encuentra en la regién de corte. Si Veg =0, se obtiene To= toe Rips Ro 10578 Capitulo 2. Amplifcadores con transistores bipolares de unin Este punto se encuentra en la regién de saturacién, La linea de carga resultante ests dibujada en la figura 2.15(). Al utilizar el transistor en emisor comiin se evité la regi6n.no lineal de las courvas carateristicas que ocurren en niveles bajos de ic (core) y en valores bajos de vce (saturacin). A menudo, al disefiar un amplificador con transistor se desea una salida con méxima excursién no distorsionada. Si la sefial de entrada en ca es simétrica alrededor de cero, se puede obtener una excursién-méxima colocando él panto @ evel cn de nines de carga, Por tanto, % Vorg=—5* Esta ecuacién establece a Vong € Tog. Ademés, debido a que la unién base-emisor actia como un diodo, Vag = Vy Escribiendo las ecuaciones de la LTK alrededor del lazo de la base, se obtiene Ven = Rain +vsp+icRs Nétese que se utilizan letras mintsculas y subindices en maytisculas para las va- Fiables. Esto indica valores totales (ed + ca). Este es un momento adecuado para revisar las convenciones de notacién presentadas al inicio del texto. Debido a que Bia se tiene Von = Baie +VeeticRs y el punto de operacién, Van — Vos . 2.3) La tensién, Vee, se considera constante a temperatura ambiente (25°C) y tiene tun valor cercano a 0.7 V para transistores de silicio. Con el fin de evitar ta utlizacion de dos fuentes de cd separadas, se puede utilizar una red de division de tensin para suministrar la fuente de od al circuito de base, como se muestra en Ia figura 2.16. Los valores para Ri y Ra determinan la ubicacién del punto Q. 106 >Figura 216 (Ciao de tansstor con ‘una fuente 25 Elamplifcador EC 79 Vee Si en la figura 2.16 la combinaci6n de fuente y resistor conectados a la base se reemplaza por un equivalente de Thévenin, el nuevo circuito es idéntico al de la Rm =R; || R= Re = es (2.15) Se puede resolver para Ri y Re sustituyendo la ecuacién (2.14) en la ecuacién @.15) ReVeo_ R 1 Vec~Vos CH) Ry = Yooke aan Vee Es necesario determinar R, y Ry para establecer e] punto de polarizacién requerido. El anilisis de la seccin anterior supone que 1a corriente de} colector es igual a la del emisor. Esta es una buena aproximacién, ya que § suele ser superior a 100. Para el circuito considerado, se desea tener alrededor del 10% de Ia corriente de entrada hacia la base y alrededor de! 90% a través del resistor externo valenie, R ap ea a nae caubiidad os polrsc’e y pore semis ir tiizgeion de ecuaciones simplificadss. Por tanto, la corriente en Rigdebe ser aproximadamente 10 veces mayor que la coriente de base. Para lograr esto, se 10780 Capttulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién 2.5.2 Ejempio 2.1 |, ° Rp ® sour, F S01Re Esto evita que las variaciones en f afecten de manera significativa el punto de operacién en cd de la etapa, Més adelante se dard informacién adicional acerca’ de esto. Se puede utilizar ahora la ecvacién (2.13) a fin de encontrar 1a cortiente de colector en el punto de operacién. Haciendo Re igual a 0.1 8Rz, se obtiene __Vep-Vas | Von —Vae tea= OipRe/B+ Re” 11Re/ ee La ecuacién (2.19) se utiliza en el proceso de disefio. Introduccién al andlisis y el lisefio En problemas de andlisis, el circuto esté completamente especificado. En consecuencia, se conoce el punto Q, ya que estin dados tanto Ry como Ry. Tal ver el punto de polarizacién no esté colocado de manera éptima, y, de hecho, se puede escubrir que el transistor se encuentra en la regién de corte o de saturaciGn. Pero, como todo el circuito esté especificado, es suficiente con sustiuir valores en las ecuaciones y calcular los resultados. En problemas de disefo, el circuito no esté completamente especiicado. El 76™* Se encuentran Res = Re || Ru, =500 Dy Rea= Ro+ Re = 1.1 kM. Voxq se encuentra como en el paso 3, Vogg = Veo ~ IoqRea = 5 — (2.76 x 10™(1.1 x 10° Entonces Vico = Verg + Log Rec = 1.96 + (2.76 x 10-3500) Como el punto @ se halla en la mitad inferior de la linea de carga de ca, la méxima excursiGn simétrica en Ia tensién de salida es UeQ(Ro |i Rx) = (2.16 x 10-)(500) = 2.76 V 1222.9 Andlisis y disefio en ca 95 En este ejemplo, el punto Q no se encuentra en la mitad de la linea de carga, de manera que la excursién en la salida no es méxima. Sin embargo, si la sefal de entrada es pequefia y no se requiere méxima salida, se puede utilizar una Ig pequefla para reducir la potencia disipada en el circuito. —- Ejemplo 2.4 | Disefio Selecciénese Ry y Ra para méxima excursiOn en la tensi6n de salida en el circuito de fa figura 2.22. SOLUCION Siguiendo los pasos de disefio de la secci6n 2.9.2, se determina primero la [og del circuito: Yoo ___$ 2+ Reg” 500+ 1105 1 A Teg = como a = Ro || Ry = 5000 Rea = Rp + Rg = 11009 ara méxima excursin, Vico =2Wezg entonces, Veg esté dado por Veg = (.13 mA(500 9) = 1.56 V La intersecci6n de la nea de carga de ca con el eje vce es V’ce. Como “ enone Vie = 3.12 V 12396 Capttulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién De las especificaciones del fabricante en el apéndice D, la para el 2N3903 es aproximadamente 140. Rp se hace igual a 0.1 8Rz, y entonces Yoo «0.13% 10% [+10] o07 =104 v Como se conocen Vag y Rp, se encuentran Ry y Re: Re 1400 1=Vap/Veo 1- 10/5 ReVeo _ 1400 x5 Vas ‘1.044 R, = LITER =6.7k2 ‘La méxima excursi6n en la tensién de salida, ignorando las no linealidades de saturacién y corte, serfa entonces ‘méxima excursién de salida = 2eq(Re || Rr) 23.13 mA)(500 2) 13. Las Ifneas de carga se muestran en las curvas caracterfsticas de la figura 2.23, ‘Se controla la méxima potencia disipada por el transistor para asegurar que no exceda las especificaciones. De la ecuacién (2.22), se obtiene Peaasiton) = (1.56 VXG13 mA) = 4.88 mW Figura 2.23 Lineas de carga para el ejemplo 24 ica) leg 124Ejercicios 29 Andlisis y disefto en ca 97 Este valor se encuentra dentio de los 350 mW méximos dados por la hoja de ‘especificaciones. La maxima eficiencia de conversién es Pa(ca) Proce) x 1073/2)°1000/2 x 100 %100= S313 x 10-4 5778470 6.6% 2.9.3 Disefio por debajo de m: D2.9 Remitase a la figura 2.19 y encuéntrese 1a excursiOn pico a pico en Ja tensién de salida cuando Ry = 2k, Re = 15 kM, Re = 200.9, Ro =2 kN, Ry =2 kN, B= 200, Vaz =0.7 Vy Voo =15 V. Resp: 63 V pico a pico D2.10 En el ejercicio D2.9, diséfiese el amplificador para méxima excursi6n simé- ttica encontrando los valores de Ry y Ra. Reps Ry = 4.5 kM; Ry = 36 KD 2.11 ;Cual es 1a maxima excursién simétrica de tensién para la configuracién del ejercicio D2.107 Resp: 8.8 V pico a pico ‘D212 {Cudl es la potencia de salida para el.amplificador del ejercicio D2.10? {Cul es la potencia suministrada al amplificador? Resp: 4.9 mW; 71.7 mW ‘ima excursion Como se comenté antes, no siempre es deseable disefiar un amplificador para ‘méxima excursiGn posible. Si la sefal de entrada es pequefia, el punto de operacién se mueve s6lo una distancia pequefia en ambos lados del punto Q y nunca llega cerca del corte o la saturacién, En ese caso, disefiar un amplificador con el punto Q cen la mitad de Ja linea de carga desperdicia potencia. La potencia disipada en condicién estacionaria es més de la necesaria para operar sin distorsin. En esta secei6n, se modifica el criterio anterior de disefio para permitir la localizacién del punto Q por debajo del centro de la linea de carga. ‘Supéngase que se desea disefiar para una cortiente estacionaria, Teq = 6 231 donde 1 es la intersecciGn de la linea de carga de ca con el eje ic y-es igual a Fig. 220) 12598 Capitulo 2. Amplificadores con transistores bipolares de unién 210 Fe 2.32) Aguf 6 es un ndmero entre Oy 1, igual a 0.5 para el caso de méxima excursi6n simétrica. Ahora bien, como Tog = 61 se puede resolver la ecuscién (2.32) para Vogg a fin de obtener Vere 233) = DlogRea é ‘Como el panto Q también debe estar sobre la linea de carga de cd, se obtiene Veeq = Veo ~TcaRea 34) Igualando la ecuacién (2.33) a la ecuacién (2.34), se tiene 1 Slog Rea Ge BTeake «Yee - togRes y resolviendo para Jeg, se obtiene Veo te TOR /6+ Ra an Nétese que si 6 = 0.5, la ecuaci6n (2.35) se reduce @ Veo tea" + Raa) como se encontré antes, AMPLIFICADOR EMISOR SEGUIDOR (COLECTOR COMUN) El amplificador emisor seguidor (ES), © colector comin (CO), se itustra en la figura 2.24. Su salida se toma de emisor a tierra en vez de tomarla de colector @ tierra, como en el caso del EC. Este tipo de configuracién para el amplificador se utiliza para obtener ganancia de corriente y ganancia de potencia, 126Figura 224 Enisorsegudor, 2.10 Amplificador emisor seguidor (colector comin) 99. NOTA: A To largo de ese texto, cuando en wn cst tun copacior no erga et ‘ueta, se supone que 34 capa- tania tende a info (es deci, es un corocreato pore todat las sees de frecuen cia. ELEC tiene un desfisamiento de 180° entre 1as tensiones de base y de colector. Esto es, conforme la sefial de entrada aumenta de valor, la sefial de salida dis- ‘minuye, Por otra parte, para un ES, la seial de salida esti en fase.con la seftal de entrada, El amplificador tiene una ganancia de tensién ligeramente menor que ‘uno, Por otro lado, la ganancia de corriente es significativamente mayor que uno. Notése que el colector no necesita resistor (Re = 0), y no se requiere un capacitor de paso en el emisor. Este circuito se analiza en la misma forma que para el emisor comin. Las \inicas diferencias son los valores que se utilizan para Res y Reg. Para el emisor seguidor de la figura 2.24, Rea = Re || Ra Rea = Re yy la Tinea de carga de ed esté dada por la ecuacién ig = Weo=208) Raa La linea de carga de ca, bajo condiciones de méxima excursién, se encuentra de la misma forma que para el cicuito emisor comin. Para méxima excursin, el punto Q se localiza en pe esvockae meted 00" Rao Ra Rel Ri)+ Re Verg = ToqRes = Ieq(Re || Ru) 127 _100 Capttulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién 2.10.1 Anilisis en ca y disefio de amplificadores ES Los procedimientos para andlisi y para disefio de amplificadores ES son los mismos ue para amplificadores EC. Los Unicos cambios se dan en las ecuaciones para Res, Rea y la excursi6n en la tensién de salida. La excursién de salida para el ES esta ada por Vor = 2ic(amplitud maxima) x (Re || Rr) 236) Ejemplo 2.5 } Disefio En el citcvito de la figura 2.25(a), encuéntrense los valores de Ri y Ro que pro- pporcionen la méxima excursin simétrica en la salida como se muestra en la fic gura 2.25(b). Sup6ngase que se utiliza un transistor 2N2222 (véase Ap. D para hhojas de datos) con una 6 promedio de 100. SOLUCION Rea = Re = 600.2 Rea = 3.3 mA Entonces Voeg = IoqRea = (13.3 x 1077)(300) = 4 V [Figura 2.25 Amplifcador ES pars el empl 25. Voc = 12 anu B= 100 1282.10 Amplificador emisor seguidor (colector comin) 101 Para reducir los efectos de las variaciones en 8, se elige Ry = 0.1 Rp =0.1(100 x 600)= 649 Vop=Vae+ica (S2-+Rs) 8 ‘6000 0700s (28 et) <948v De las ecuaciones (2.16) y (2.17), se obtiene Rp 6000 een R= Vpp/Voo | 1-9.48/13 _ RaVoc _ 6000% 12 | y= Rates = OA -rs9 49 De la ecuaci6n (2.36), se encuentra = Uca(Re || Rx) = 2(0.0133)(300) = _méxima excursién de 98V Ejemplo 2.6 |, Andlisis Encuéntrense el punto @ y la excursién en la tensiGn de salida para el circuito de Ja figura 2.25(a) con Ry = 10 kM y Re = 20 kA. SOLUCION Utilizando las ecuaciones (2.14) y (2.15), se obtiene Rp = Ri || Re =667 2 Rivoo _ 12010 x 10%) _ Veo= Riek” oxi 4 De la eouscin (2.13), se iene Tog = VB Vee °8* Rp/B+ Re 4-07 soma 6707 100+ 600 ~ ** La excursién de salida esté dada por excursion de salida = 2icq(Re || Rx) (4.95 x 10-7300) = 2.98 V 129102 "Capitulo 2. Amplificadores con transistores bipolares de unién Figura 226 fctma) Lines de arg para el semplo 26 ree (W) Esto es menor que Ia méxima excursin de salida posible. Continuando el andlisis, Veeq =Vec ~ IcqRe = 12 — (4.95 x 10°°}600) = 9.03 V Veo = Verq + Io(Re ll Rt) 9.03 + (4.95 x 107*)(300) = 10.52 V 10.52 To = SS = 35.1 mA Las lineas de carga para este problema se muestran en la figura 2.26. Ejercicios 1 D2.13 {Cudl es la maxima excursién simétrica de tensién para el amplificador de la figura 2.24, donde Voc = 15 V, Ri =8 KM, Ro=2kO, Re = 1k, Ry = 1k, Vag =0.7 Vy 8 =80? Resp.: 7.8 V pico a pico © D24 En el ejercicio D2.13, rediséiese el ampificador para la méxima excursion simétrica de tensiGn. ;Cudles son los nuevos valores para Ri, Re ¥ Vay»)? Resp. 36.4 kM; 10.3 kM; 10 V pico a pico 2.15 {Cudl es Ia eficiencia de conversién del amplificador disefiado en el ejercicio p214? Resp 8 % 130 i:Problemas 103 PROBLEMAS {24 Encugnirese Ja localizaci6n del punto Q del amplificador mostrado en la figura P2.1, donde se utiliza un transistor npn. Supéngase que Voc = 10 V, Vas =1Y, Rp = 10K9, Ro = 2M, Re = 100 2, 8 = 100, Igo = 0 )y Veg =0.7 V, ;Cudl es la nueva posicién del punto Q si Rp = 1k? #22 Eneuéntrese. la localizacién del punto Q del amplificador mostrado en la figura P2.1 si se utiliza un transistor pnp y Voc = -12 V, Vap = -1V, Rp = 10k, Ro =1kM, Re = 100 2, 8 = 100y Vez = ~0.7 V. {Cua es a nueva posicién del punto Q si el valor de Rg se cambia a 1 kM? Figura P23 Figura P22 2.3 Encuéntrense los valores de Ri y Ra necesarios para colocar el punto @ del cireuito de la figura P2.2(a) en el centro de Ia linea de carga de cd. Supéngase que Voc = -25V, Ro = 2k My Re =1K0, y que B tiene los siguientes valores a. 6=150 / 2A Enevénurese 1a méxima excursi6n pico a pico de ig en el circuito de la figura P2.2(0). Supéngase que Ry = 1 kM, Re = 7K, Veo = 24 V, Ro = 2KA, Re =400 My f= 100, Dibsjese la linea de carga de od. ¥ 2.5 Repftase el problema 24 si el valor de Ry cambia a 10 kM y los demés valores permanecen iguales E ¥ 2 Con el circuito del problema 2.5, encuéntrense los valores de Ry y Rz que proporcionen la méxima excursién pico a pico posible de ic. Dibijese Ia linea de carga. 2.7 Para el amplificador del problema 2.5, caloélese lo siguiente: a. Potencia stiministrada por la bateri, . Potencia disipada por Ri, Ro, Re y Re. «. Potencia disipada por la unién de colector. 131104 Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién {© 2.8 Para el amplificador del problema 2.6, calelese lo siguiente: a. Potencia suministrada por la bateria ». Potencia disipada por Fi, Ra, Re ¥ Ro. «. Potencia disipada por la unin de colector. CCompérense las respuestas con las del problema 2.7. 2.9 Para el amplificador de Ia figura P2.2(b), donde Ry = 3%M, Ry = 20k, Re = 10, Re = 2000, 6 = 100 y Vee = 20 V. encuéntrese la posicion {el punto Q. El transistor se reemplaza por otro con diferente 2. Encuéntrese el valor minimo requerido de 8 para que Jog no cambie més del 10%, * 2.10 Utilicese el amplificador de la figura P2.3, Encuéntrense los valores de Ry y Rz para obtener [cg = 10 mA. b. Encuéntrense la excursin siméirica en la salida para los resistores de la parte (a). ¢. Diijense las ineas de carga de ca y ed. 4. Dibjense las formas de onda de ic y vee. nov nv Figura P23 1241 Utiicese el amplificador de la figura P2.3. ‘a, Encuéntrense los valores de Ri y Rz para Jog = 30 mA. ». Encuéntrense la excursién simétrica en la salida utilizando los valores de a parte (a), ¢. Dibdjense las lineas de carga de ca y ed. ___ 4. Dijense tas formas de onda de ic y vor. | 2.12 Utiticese et amplifcador de la figura P23. a. Encuéntrense los valores de Ry y Ro para lograr méxima excursién simé- ‘rica. ». Determinese el valor de la mxima excursién simétrica obtenida en la parte (2). ¢. Dibijense las lineas de carga de ca y od, 4. Bosquéjense las formas de onda para ic y vce. So 132V aa3 a4 {2a ¥ 246 -nv Problemas 105 Uslfeese el amplificador de la figura P2.4 a. Encuéntrense los valores de Ry y Re para Toy », Encuéntrense la excursin simética en Is tensin de salida para los valores, 4e Ia pate (3). ¢. Dibjense las Iineas de carga de ca y od. 4. Determinense la potencia disipada por el transistor y la potencia disipada por Zz. Utilicese el amplificador mostrado en la figura P24. a Encuéntrense los valores de Ry y Rz pata log = 4 mA. ’. Encuéntrese la excursiGn simétrica en la tensién de salida para los valores de la parte (a). «, Dibijedse las Iineas de carga de ca y ed. 4. Determinense 1a potencia disipada por el transistor y 1a potencia disipada por Rr. Uslfese el amplifcador de la figura P2.4 1. Encuéntrense los valores dé Ry y Rz nevesarios para lograr maxima ex- ccusién simétrica b, Determinese la excursiGn siméirica en la tensin de salida para los valores ée la pare (@). «. Dibijense las ineas de carga de ca y od. 4. Determinense la potencia dsipada por el transistor y 1a potencia disipada por Ry. Determinese el valor de Re para méxima excursiGn simétrica en la salida para el circuito de la figura P2.5. Supéngase que se utiliza un transistor pnp. Dibijense las Iineas de carga de ca y cd. {Cudl es el valor pico a pico de la ‘méxima tensiGn simétrica en la salida? ed tH Figura F26 133,106 Capitulo 2 Amplificadores con iransistores bipolares de unién V 247 Selecciénense Jeg y Vozq para méxima excursién simétrica en la tensién de salida para el cireuito dela figura P2.6. a. Determinense los valores de 22, y Rz con el fin de conseguir este punto i de operacién. >. Encuéntrese la méxima excursiGn simétrica en la tensin de sala. ¢. Determinense la potencia disipada por el transistor y la potencia entregada a la-carga i 7 BAB Utlicese el circuito de la figura P2.7. . Encuéntrense Leg y Veeg. b. Determinese si el amplificador es estable para grandes cambios en 8. Puede suponerse que se encuentra en el intervalo 150 < B < 250. c. Dibdjense las Ifineas de carga, 4. Determinese la excursién simétrica en la tensiGn de salida. aay Figura P27 Figura P28 42.9 Usiicese el cireuito de la figura P28. a. Encuéntrense los valores de Rj y Ro si Jog = 6 mA. it Bb. Dibijense las lineas de carga de ca y ed ' «. Determinese la excursign simética en la tensiGn de salida. 4. Encuéatrense la potencia disipada por el transistor y la potencia entregada 2 a la carga. ; 2.20 Utilcese el circuito de la figura P28 a. Encuéntrense los valores de Ri y Ro si Ic¢ b. Dibijense las lneas de carga de ca y ed. ¢. Determinese la excursin simétrca en la tensiGn de salida 4. Encuéntrense la potenciadisipada por el transistor y la potencia entregada ala carga 12.21 Utilicese el circuito deta figura P28 . Encuéntrense los valores de Ry y Rz necesarios para conseguir la maxima excursin simética posible. . b. Dibjense las Lneas de carga de ca y cd. 10 ma. 134v2.22 Problems” 107 cc. Determinese a méxima excursién simétrica en la tensi6n de salida. 4. Encuéntrese la potencia disipada por el transistor y la potencia entregada ala carga, Utilicese et amplificador emisor seguidor de 1a figura P2.9. a. Determinense los valores de Vozg € Jog. , Determinese la excursi6n en la tensiGn de salida. c. Encugntrense la potencia entregada ala carga y laestimacién de la potencia requerida por el transistor. Figura P29 223 224 2.25 ¥ 2.26 Figura P2.10 Utilicese el amplificador emisor seguidor mostrado en la figura P2.10. a. Determfnense los valores de Voeg € Ica: b. Dibujense las lineas de carga de ca y ed. ¢, Determinese el valor de Ia excursiGn simétrca en la tensin de salida, 4. Al resistor de 1 kQ se le coloca un capacitor en paralelo. Describa los cambios que ocurren en la operacién del circuito. Determinese la méxima excursiGn simétrica en la tensiGn de salida para el cir- ccuito de la figura P2.10 seleccionando nuevos valores para Ry y Rz. {Cudles son los valores para estos resistores? Dibdjense las nuevas lineas de carga. Al resistor Re se le coloca un capacitor en paralelo en el circuito de Ja figura P2.10. Determinese la méxima excursién simétrica en la tensién de salida seleccionando nuevos valores para Ri y Rs. {Cusles son los valores de estos resistores? Encuéntrense la potencia entregada a la carga y 1a estimacion de potencia necesaria del transistor, Seleccionando nuevos valores para Ri y Ra, determinese la méxima excursi6n simétrica en la tensiGn de salida para el circuit de la figura P2.8 si el resistor de carga se reduce a 500 2. Encuéntrense la potencia entregeda a la carga y la estimacién de potencia del transistor. 135108 Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién , PROBLEMAS ADICIONALES PA21 Encuentre 1a méxima amplitad pico a pico de ic en el circuito de la figura PA2.1. Suponga que Voc = 24 V, Ro = 2k9, Re = 4009 y B= 100, Dibuje la Iinea de carga en od cuando Ry =1 KM; Rp =3 kN PA22 Encuentre la excursién simétrica pico a pico de ic en el circuito de la figura PA2.2 cuando Ry = 5 k®, Ry = 50 KO, Veo = 12 V, Vag = Re =300 9, 6 = 200 y Ro = Ry =5 k0. 7, Veo RE Re . coe owe I oi . Rg Re R Figura PAD Figura PA22 = PA23 Con el circuito del problema 2.2, encuentre los valores de Ri y Ra que proporcionen la méxima excursién pico a pico posible en ic. Dibuje las lineas de carga. PA24 Para el amplificador del problema 2.2, calcule lo siguiente: a La potencia suministrada por la baterta. b. La potencia disipada por las resistencias Rs, Ro, Re y Ro. ¢. La potencia disipada por la unién del colector. PA2S Para el amplificador del problema 2.3, calcule lo siguiente: a. La potencia suministrada por la bater b. La potencia disipada por las resistencias Rj, Ro, Re y Ro. «. La potencia disipada por la unién del colector. Compare sus respuestas con las del problema 2.4. 'PA2.6 Para el amplificador de la figura PA2.2, Ry = 3 k9, Rp = 20K9, Ro = Ry =1k9, Re = 200 2, 8 = 100 y Voo = 20 V, encuentre la posicién {del punto Q. El transistor se reemplaza con otro de f distinta, Encuentre el valor minimo de 8 para que Teg no cambie mis del 10% 136Problemas adicionales 109 ~PA27 Se aplica una fuente de tensién directamente ala base de un transistor npn ‘como se muestra en Ja figura PA2.3. La resistencia interna de la fuente se ‘muestra como Rj, Determine Icq, Veeg y Vo cuando Ia entrada de ca es cero. (Suponga que 8 = 100 y Vag =0.7 V) o3v — sv 12ka ska 2a -5v Figura PA23 Figura PAZ PA28 En el problema anterior, ,qué valor de resistor seré necesario afadir a 1a resistencia de la fuente’ para que la salida del circuito sea 3 V cuando m=O? ~PA29 Analice el ciruito mostrado en la figura PA2.¢ y determine lo siguiente (Guponga que Vag = 0.7 V y 8 = 100): a Icqy Vorg- . La excursiGn simétrca a la selida, e. La potencia suministrada por fa baterfa. 4. La potencia de salida en ca, . . Las lineas de carga para el amplificador. “PA2.10 Diseie un amplificador emisor comin utilizando el cireuito mostrado en Ja figura PA2.5 para obtener la méxima excursiGn simétrica en la tensién de salida. El diseiio debe tener una polarizacién estable en od. (Utilice Vpe = -0.6 V y 8 = 200.) Determine: 2. Teg y Verg- b. Ruy Re. c. Méxima excursién simétrica en la tensién de salida, 4. La estimacién en la potencia del transistor requerido. S «. La potencia de salida en ca. 'PA2.11 Diseffe un amplificador emisor comtin estable a la polarizacién wtilizando el cireuito mostrado en la figura PA2.6 para obtener tna tensién de salida de 1 V cero.a pico. (Suponga Vag = 0.7 Vy 6 = 200.) Este amplificador utlizard la minima potencia de Ia baterfa. Determine: 137-—— 110 Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién ~6v AE 2ka coe ‘oa E* Cre Hows + Figura PAS Figura PA26 a Ica y Vera. b. Bry Re Coe -6v A212 Disefe un amplficador emisor seguidor utilizando un transistor npn con éxima excursiGn simétrica de salida para las siguientes especificaciones: Re = 250 2, Voc = 12 V, Re = Ry = 8 2, Vax = 0.7 Vy B = 200, ‘También, determine P,(ca), la potencia suministrada por la bateria, y la potencia que es necesario disipar en el transistor. ™*PA2.13 Analice el circuito mostrado en la figura PA2.7, y determine lo siguiente cuando 8 = 200 y Vag = 0.7 V: a Ieq ¥ Vero. b. La excursion simétrica de la salida. ¢. La potencia suministrada por la baterfa. 4. La potencia de salida en ca. e. La estimacién de potencia para el wansistor requerido, 10Ke! 10k0 Figura Pa2.7 138, t lov Coe bai 4000 4000 20003.0 DISENO DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION INTRODUCCION En el capftulo 2 se analizé la polarizai6n, w operacin en ed, de ciruitos con BIT. El transistor se polariza para obtener la suficiente excursin en la tensién pico a pico de sada. En este capitlo, la atencién se centraré en el andlisis en ‘equefa serial por medio de téenicas de uso de circuitos equivalentes. Se describe 1a utilizacin del método del ciruito equvalente usando pardmetroshiridos. Los parimetros del transistor necesarios para evar 2 cabo este anlisis se pueden Obtener de las hojas de datos de fos fabricanes. Estos proporcionan los datos en un formato como el mosirado en ls ejemplos del apéndice D El método de diseno ‘que se presenta aqui reduce la dependencia del circuto de las variaciones en los parimettos de! transistor. El capitulo comienza con una intcoducci6n& los parémetros bros que se uii- zan para desarrllar un modelo matemético del transistor. Se dervan las esvaciones pata la resistencia de entrada, la ganancia de tensién, la ganancia de correntey la resistencia de salida para las diversas coniguraciones de amplificadres (es deci, EC, CC y BC). En cada caso, se desarrollan tanto las relaciones exactas como las aproximadas. Se presentan ejemplos de dseho para cada caso. También se expone €l andisis de ampliicadores multitapa y se proporcionan problemas. con 139! i 112 Capitulo 3. DiseRo de amplificadores con transistoresbipolares de union Figura 34 Red de dos pues. 3.1 ANALISIS DE REDES DE DOS PUERTOS 3.1.1. Formula de ganancia de impedancia Se deriva una relacién importante entre las cantidades de ca de ganancia de tensi6n, ‘Ay, y de ganancia de coniente, A;, En la figura 3.1 se muestra un diagrama de bioques de una ted de cuatro terminales (dos puertos) con resistencia de entrada Reg y resistencia de carga, Rz, que Se supone Son resistores. En general, pueden ser impedancias compleja. Las relaciones entre las variables de entrada, v;€ fa, ¥ las variables de salida, 1% € io, se derivan directamente de la ley de Ohm. Esto es, Ry 1 = jeaRen ‘Tomando Ia relacién de estas dos ecuaciones, se obtiene Mie Re tte Ree La ganancia de tensién se define como y la ganancia de corriente como Ace ie Combinando las ecuaciones, se obtiene ARy Aaa en La ecuacién (3.1) se llama formula de ganancia de impedancia y se utiliza a 10 largo de este texto 1403.1.2 Figura 32 CCicuito equivalent para los padmet 3.1 Andlisis de redes de dos puerios 113 Pardmetros hibridos Existen muchas formas de caracterizar redes de cuatro terminales. En un sistema de cuatro terminales, hay cuatro variables de circuito: Ia tensién y la corriente de entrada, y la tensi6n y la corriente de salida, Estas cuatro variables se pueden relacionar por medio de algunas ecuaciones, dependiendo de cules variables se consideren independientes y cules dependientes. El par de ecuaciones de pardmetros hibridos (pardmetros h) (y su cireuito equi- ‘valente) se utiliza a menudo para andlisis de circuitos con BIT. El par de ecvaciones se especifica como sigue: t= hut + hiv : G2) ge hai t him G3) El primer digito del subindice en denota la variable dependiente, en tanto que cl segundo dfgito denota la variable independiente asociada con el pardmetro h en panicular, Entonces, por ejemplo, his relaciona v2 con v3. Se supone que los valores de f son constantes. Cuando se utilizan los parsmetros h para describir una red de transistores, el ppar de ecuaciones se escribe como sigue: vy = his + hyn 4) ine hyiy thou @5) donde los pardmetros h se definen como: fh, = hy = sesistencia de entrada del transistor fh, = hia = ganancia de tensi6n inversa del transistor hy =hn = ganancia directa de comiente del transistor hg = haa = conductancia de salida del transistor ‘Cuando los pardmetros # se aplican a redes de wansistores, toman un significado préctico en relacién con el desempefio del transistor. El circuito desarroliado utilizando los pardmetros h se muestra en la figura 3.2. Una aplicacién simple de las leyes de Kirchhoff al circuito de la figura 3.2 muestra que éste satisface las cecuaciones (3.4) y (3.5) oe ~@ 141Capttulo 3 Diseio de amplificadores con transistores bipolares de unién ‘Cuando los pardmetros de entrada y de salida se igualan en forma individual a cero, cada pardmetro hjbrido representa ya sea una resistencia, una conductancia, ‘una raz6n de dos tensiones o una raz6n de dos corrientes. Las siguientes ecuaciones se derivan de las ecuaciones (3.4) y (3.5). Después de cada ecuacién estén las ‘unidades relacionadas con el pardmetro y el nombre que se da a éste. chs: resistencia de nada en conicclto con v2 €n ' imensinls unc dicta de cone can vy 2 hye costes n eimensonal: isonet con i en i> hy= a cuit abiento Blane a samen (tes ron contac ks on eo You = | circuito abierto “liso Estos pardmetros son idealmente constantes, aunque los valores numéricos dependen de la configuracién del transistor. Por ejemplo, si la terminal 1 de la figura 3.2 es la base, 2 es el emisor y 3 el colector, el circuito representa una configuracién en EC. De manera similar, el transistor se puede modelar como una configuracién en BC si las terminales 1,2 y 3 son el emisor, la base y el colector, respectivamente, Es muy dtil contar con alguna forma de distinguir entre las tres configuraciones, es decir, EC, CC y BC. Se afiade un segundo subfndice a cada pardmetro hfbrido para proporcionar esta distinciGn, Por ejemplo, un circuito en EC suele tener Ay en el circuito de base, y se cambia a hie. De manera similar para BC, hy se cambia por his, ¥ para CC, se cambia a hic. Los tres valotes se relacionan entre si como hig = (1+ Bphis % Bhan = Iie 66 En la figura 3.3 se muestra un amplificador EC con dos circuitos equivalentes istintos. Aungue el modelo de parimetzos h define el segund> subindice en asociacién con el tipo de configuracién del amplificador, his y he son valores de resistencia que se basan en el punto de opéracién del amplificador y en la ubicacién de estas resistencias en el circuito equivalente. En este caso, los subindices no tienen nada que ver con la configuracién del amplificador. Se aplica el mismo concepto @ hye, que se refiere a 8 sin importar cOmo esté colocado el transistor dentro de la configuracién del amplificador En cada circuito equivalente se hace 1a simplificaci6n (en general razonable) de que hr = hp = 0. En la figura 3.3(b) se utiliza el modelo en EC, donde el transistor se reemplaza por el circuito de la figura 3.2 con la terminal 1 como la base, la 2 como el emisor y la 3 como el colector. En la figura 3.3(c) el transistor 142Figura 33 EC y cictos ‘equivalents. 3.1 Andlisis de redes de dos puertos AS ge ¢ v ie aie fe nO Rs Re Re k, ERe © Re se reemplaza por el modelo en BC. Esto es, utilizando la figura 3.2, la terminal 1 es el emisor, la 2 es la base y la 3 el colector. Para corriente a pequefa sefial, se observa que hye es la razén entre el cambio en la cortiente de salida (A‘c) y el cainbio en la corriente de entrada (Ap). Recuérdese que esta relacién es también la expresion que define a 8. Como resultado, hye == SIC 4B la. econsame El valor real de f es funci6n de! punto de operaci6n (fog) del transistor. En la “porcién plana de la curva de ic contra vce con ip constante, el cambio en es pequefo. Conforme el transistor se aproxima a la saturaci6n, 8 empieza a caer. A medida que el transistor se aproxima a conte, también se aproxima a cero, Las especifcaciones del fabricante presentan a menudo una gréfica de hye como funcién de ic. La conductancia de salida del transistor, he, suele ser pequefia Por tanto, 1a resistencia de salida, v5, generalmente es grande. Como ejemplo, examinese Ia hoja de especificaciones del fabricante para el 2N3903 (véase Ap. D). Se puede ver que la conductancia de salida varfa de 4 4S a 65 uS conforme ic varia de 0.1 mA 2°10 mA. Esto significa que la resistencia de salida varia de 15 K 4250 KM. Como ejemplo de tn valor caracteristico, cuando Icg es igual a mA, la resistencia de salida del transistor es aproximadamente 115.9. Con una carga caracteristica de 4 kM, le combinacién en paralelo es més 0 menos 4k (aque 115 KM es mucho mayor que 4 KA) y se puede suponer que To es infnita, [La ganancia inversa de tensin de la red, hy, también es pequefia y se ignora en el cireuito equivalente del transistor uilizado en el texto. Otro modelo de dos puertos que se utiliza en el estudio de circuitos de transistores es el modelo © h@rido, que es importante cuando ¢} transistor se utiliza en 143116 Capitulo 3 Disefio de amplificadores con transistores bipolares de unién Figura 34 Cresta equvalente bio, 3.2 Be c - ate g E alta frecuencia. Incluye los efectos de los parimetros que se vuelven signifcativos en alta frecuencia (esto se analiza en el capitulo 10). En la figura 3.4 se muestra un modelo = hibrido del transistor a baj frecuencia y pequeia sefial. El modelo para baja frecuencia es similar al de los parémetros para el EC. La diferencia’ principal es que la fuente de corriente controlada por corriente de Ta figura 3.2 se reemplaz6 por una fuente de corriente controlada or tensi6n, De hecho, es muy seneillo comparar los parémetros como sigue: RESISTENCIA DE ENTRADA EN CORTOCIRCUITO Se explora el valor de los pardmetros antes de abordar la utilizaci6n real de los circuitos equivalentes para el disefio y andlisis. Primero se desarrollan las ecuaciones para hie y Ais, que muestran la dependencia de estos parsmetros respecto a la ubicacién del punto de operacién, ‘Se comienza con la ecuacién para las caracterfsticas de operacién de la unién bbase-emisor, que se comporta como wn diodo, tal como se present6 en el capitulo 1. woofer) sta ecuaciGn se deriva con respecto a vpe para obtener dia do oxy (URE feos Ve Ve 1443.3 3.3 Pardmetros en EC 117 En la regién de polarizaci6n directa, ig esté dada aproximadamente por ip= [exp (#2) Entonces dig _ ia. dugs Vr Pero de la definicién de hie, se obtiene (véase Fig. 3.2) Au _ dees | Ve Bike” dia Iq Recuérdese ahora que hey B Por sitimo, Vr Vp hae oe 7D [isa Ucel ey La ecuacién (3.7) se conoce como ecuacién de Shockley. Utilizando la aproxi- macién Vy = 26 mV, que se aplica al BIT, la ecuacién (3.7) se vuelve 0.026 V Weal G8) La ecuacién (3.8) es stil para estimar el valor de hip, que se utilizaré en el cireuito ‘equivalente de la figura 3.3(€) (0 gm en el circuito equivalente de la Fig. 3.4). PARAMETROS EN EC Las ecuaciones que definen los pardmetros de amplificacién en ca se resumen en la tabla 3.1 y se derivan en las siguientes secciones. Obsérvese que la tabla proporciona dos ecuaciones de definicién para cada parémeo. Estas se denominan come forma larga y forma corta, La ecuacién en forma corta es una vers 145118 Capitulo 3 Disefto de amplificadores con transistores bipolares de unién 3.3.1 simplificada de Ia ecuacién en forma larga y se deriva haciendo suposiciones acerca de los tamafios relativos de algunos ée los pardmetros. Se anotan las suposiciones necesarias conforme se deriva cada ecuaci6n; las suposiciones se encuentran en la tabla. Este doble conjunto de ecuaciones se utiliza como base para la técnica de reso- Juci6n de problemas usada aqui. En general, se utiliza la ecuacién en forma corta porgue los parimetros no se conocen de manera’ més precisa. Luego se verifica {que las suposiciones necesarias para hacer valida esta forma corta sean, efectivamente, vélidas. Si se aplican las condiciones de fa forma corta, los valores de los ‘componentes caen dentro de los margenes de tolerancia de fabricacién. Si no se aplican tales condiciones, los célculos se deben repetir utilizando las ecuaciones en su forma larga, En la tabla 32 se resumen los circuitos equivalentes utilizados en las de- rivaciones. Resistencia de entrada, Ren Se utiliza el ciruito de parimetros hibridos para derivar Ia ecuacién de la resistencia de entrada para cada tipo de configuracin del amplifcador. En la figura 3.5 se modifica el amplificador EC de la figura 33 afiadiendo una resistencia de carga aco- plada por capacitor. El circuito bésico se muestra en la figura 3.5(a), mientras que en Ja figura'3.5(b) y (c) se-muestran dos formas de circuito equivalente. Notese que se omitis en el modelo la ganancia inversa de tensin, fr, y la admitancia de salida, ho El cireuito equivalente de la figura 3.5(0) se utiliza para derivar la resistencia de entrada, Req. En general, es bastante grande para eproximar 1 + 8 como 8. La comiente en Re es, por tanto, aproximadamente igual a fy. Si ahora el circuito se divide como en la figura 3.5(c), la comriente a wavés del resistor en serie con hie en el lazo de entrada es is. Entonces, para mantener la tensién en el mismo valor que en el citcuito original, se debe cambiar l valor del resistor a ORs. La resistencia de entrada se encuentra entonces escribiendo las ecuaciones de LTK y LLCK para el lazo de entrada Ba Rol hie + ARs) = Pete * PRED Raw Ra+he+BRe Ce Se sustituye hye = Bhis para obtener Ra(hy+ Re) Fea Rg/B+ha+ Re a Si Rg es despreciable comparada con Rez, la ecuacién (3.10) se puede simplificar mas hacia la forma mostrada en la ecuacién (3.11). = Rathe+ Re) Rae Re Re Gp 146 a9 8 g g z 8 ys Oy i nyt Hy Bo Bud >> ty & ty >> ta yemnoo somo 2 Soyer Bo aey “ Subang ae ae a 9 PY es set ag oma it "y a 1 ACW Pa) >> Hy AE TP >> M4 1s “sen09 seuos open mses & ted men) para 77 fat 4 ne y Bett 7s { ‘yd >My A ty => q is 'sem09 seumoy | aye tye aya oe rE] sty Me Ca Ty a 3 "y= sm rng Gap open e139 epeanaus| CO) armies op panes | CY) wiser 9p eaBHED wi jue op seuopeinbyuoo seueIapp Se) Bed SENUNOS LE EIMEL Caeeyned 147e 3 3H s oy 8 eth S eS ‘upuios aseq, 3 & § : § 8 i a t spas sos a soyzede woo auneanbs 19 idle ep SouoppeINGyuoD SejUs!eyp Se] IEd seqUojeANDe SOUND) z'E BIGEL 120 148Figura 33 Canfguacion EC. 3.3. Parémetros enEC 121 () Modelo en we [MO Reg BRL Re (e) Entrada y std separadas La eouacién (3.10) es la forma larga de la ecuacién y requiere s6lo una apro rmacin, esto es, > 1, La ecuacién (.11) esté en forma corta porque requiere amass aol de aug Rp < Rp, que a menudo se expresa como aes < 0.152; — Aya La relacién de divisién de comtiente aplicada a la salida de Ia figura 3.5(b) da El signo negaivo resulta dela dreccign opuesta de Bis con respecto a iz. Entonces BReiy Re % Rp+Ro Aye Se desea obtener una expresién para Ay que no contenga otras variables. Esto fs, se necesita eliminar is y Uey de la ecuaci6n anterior. Aplicando divisién de corriente en la entrada, se tiene la siguiente expresién para ig: 149Capitulo 3 Disefo de amplificadores con transistores bipolares de unién Rein © Rea + hie + BRE Esto se sustituye en la ecuacién para Ay a fin de obtener Re _ Ro Roice Asa Rit Re Rat hie+ Re Como v; = ign Rens Se obtiene spo 1aaD = O47 5000 | $000 _ 4. As = ag = 205 [Notese que no se inclaye Re en la férmula para Ay y As, ya que tiene un capacitor de paso grande. Despejando Re, con Rp = 0 en la ecuacién (3.25), se obtiene Req = 12.21 | 200= 11.5.2 168Ejercicios 3.7 Aplicaciones de los amplificadores con transistores 141 Para determinar Ia méxima excursin en la tensin de salida, se evahian las ecuaciones de Jas Linas de carga de ed y ca para determinar si Ic se encuentra por arriba o por debajo del centro de la linea de carga en ca. Vegq = Vee ~ (Re + Re\lcg 10 — 5.2 kM (2.13 mA) = 8.92 V La linea de carga de ca interseca el eje en Vero IcoRe Rea = Re || Re + Re =2.7 kD Entonces, Vic = 8.924213 mAQ.1 KM) = 14.67 V p= Yeo - 40 oO Reg 27D Nétese que el punto Q se encuentra por debajo del centro de 1a tinea de carga, ya que [eq = 2.13 mA y el centro esté en 5.4/2 = 2.7 mA. Por tanto uilizando ia ecuacién adecuada de la seccién 34, se obtiene la excursin pico a pico sin istorsiOn en la tensién de salida, tap) = Alco ~ 0.0FERr, | Ro) =2(2.13 ~ 0.05 x 5.4)2.5)=9.3 V 38 Determinese la ganancia de tensién de un amplificador BC (Fig. 3.12) con Ry =3kD, Re = 500 9, Voc = 15 V, Vag = 0.7 V, Ra = 6 kM y 8 = 200. EL circuito estd disefiado para maxima excursién en Ja tensi6n de said. 8 13.9 Trabsjese de nuevo el ejercicio D3.8 suponiendo que se aflade un capacitor ‘grande de la base a la tierra. Resp: Ay Resp Ay = 158 169t i 142 Capitulo 3 Disefo de amplificadores con transistores bipolares de unin 3.10 Disééese un ampliicador BC (Fig. 3.12) que tenga una ganancia de tensién de 40. Determinese el valor de los componentes cuando Voc = 20 V, Ry = 4k, Rez = 500 2, Vaz =0.7 V y = 100. Resp: Ry = 4.6 KM; Ry =36.4 KM; Ro = 4k; Reg = 45 % 3.7 APLICACIONES DE LOS AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES En esta seccién, se ven los resultados de las secciones anteriores y se sugieren aplicaciones para los tres tipos de configuraciOn de amplificadores, basadas en las propiedades de éstos. Se ha encontrado que el amplificador EC posee ganancias de tensidn y de coriente significativas con altas impedancias de entrada y salida. La impedancia de entrada alta ¢s deseable, mientras que la impedancia de salida alta tiene algunos problemas, Nétese que a mayor impedancia de salida, menor es la corriente que se puede extraer del amplificador sin que haya una caida significativa en la tensi6n de salida. El EC se utiliza més para amplificaci6n de tensién. Puede proporcionar tuna excursin grande en la tensiGn de salida, que se convierte en la entrada de Ia siguiente etapa del sistema. 1 amplificador ES (CC) proporciona ganancia de cortiente alta con impedancia de salida baja. Tiene una impedancia de entrada alta y una ganancia de tensiOn cercana a la unidad. Por supuesto, no se utiliza para amplificacién de tensién. La baja impedancia de salida hace a este circuito muy itil para excitar dispositivos de alta corrente. Se puede utilizar como una especie de compuerta de potencia (buffer) entre un EC y una carga que demande corriente, El CC es un amplificador de potencia y también una etapa de acoplamiento de impedancia, Este amplificador se encuentra normalmente en la etapa final de salida de un amplificador de sea, pues no sélo baja el valor de la impedancia sino que proporciona la potencia necesaria para excitar la carga, El amplificador BC tiene una impedancia de entrada baja y una impedancia de salida relativamente alta, Estas propiedades no son deseables para amplificaci6n de sefial. Si la base se leva a terra a través de un capacitor, el amplificador tiene alta ganancia de tensi6n, pero la ganancia de corriente es menor que la unidad. Aun sin el capacitor, la ganancia de tensién es mayor que la del EC. Entonces, si la fuente excitadora del amplificador tiene baja impedancia y la carga demanda poca cortiente, el BC se puede utilizar como amplificador de tensién. Este amplificador es menos sensible a la frecuencia que los otros tipos de amplificador, y se utiliza a menudo en circuitos integrados para proporcionar una salida con intervalo amplio de frecuencia. 1703.8 Acoplamiento de amplificadores 143 3.8 ACOPLAMIENTO DE AMPLIFICADORES 3.8.1 ‘Cuando un sistema est compuesto por més de una etapa de transistores, es necesario conectar, 0 acoplar, los transistores entre si. Existen muchas formas comunes de lograr esta interconexién entre amplificadores. En las siguientes secciones se ‘analizan los acoplamientos directo, capacitivo, por transformador y éptico. Acoplamiento directo Dos amplificadores estén acoplados directamente sila salida del primer amplificador se conecta en forma directa a 1a entrada del segundo sin utilizar capacitores. En la figura 3.14(a) se muestra un ejemplo. La salida en ca ‘de la primera etapa esti superpuesta con el nivel de ed estitico de la segunda etapa. El nivel de od de la salida de la etapa anterior se suma al nivel de cd de polarizacién de la segunda ‘etapa. Para compensar los cambios en los niveles de polarizacién, el amplificador utiliza diferentes valores de fuentes de tensiGn de ed en lugar de una fuente de Voc sencilla. : El acoplamiento directo se puede utilizar de manera efectiva al acoplar un amplificador EC a uno ES, como se muestra en la figura 3.14(b), porque la corriente de polarzacién en un ES por lo general es alta. El acoplamiento directo elimina la necesidad de contar con el capacitor de acoplamiento y con los resistores i y Ry de la segunda etapa. El amplificador acoplado directamente tiene una buena respuesta en frecuencia pues no existen elementos de almacenamiento en serie (es decir, sensibles a la frecuencia) que afecten la sefial de salida en baja frecuencia. acoplamiento directo se utiliza por lo comiin en el disefio de circuitos inte- ‘grados. El amplificador resultante tiene una excelente respuesta en baja frecuencia y puede amplificar sefiales de cd. Es también més simple fabricar un circuito integrado pues no se necesitan capacitores. ‘Figura 3.14 Ampliieador diectamenteacoplado, Yee Yee im144 Copitulo 3 3. Figura 315 Amplifcadorsitonizado ‘coplado por ‘ransformador, Disefio de amplificadores con transistores bipolares de unién 2 Acoplamiento capacitive ! acoplamiento capacitivo es el tipo ilustrado en los disefos de este capftulo. CConstituye la forma més simple y efectiva de desacoplar los efectos del nivel de cd de a primera etapa amplifcadora, de aquellos de la segunda etapa. El capacitor separa el componente de cd de Ia sefal deca. Por tanto a etapa anterior no afecta Ja polarizacién de la siguiente. Para asegurar que la sefal no cambie de manera signifcativa por laadicién de un capacitor, es necesario que és se comporte como cortcireuito para todas as frecuencias por amplifcar. Los criterios especticos para Ja elecci6n del tamafo del capacitor se exponen en el capitulo 10. Para el presente andlisis, se supone que el capacitor es grande, aproximéndose infiito. .3. Acoplamiento por transformador Se puede utilizar un transformador para acoplar dos etapas del amplificador. Este tipo de acoplamiento se utiliza a menudo cuando se amplifican sefiales de alta frecuencia. Los transformadores son mAs costosos que los capacitores, aunque sus ventajas pueden justificar el costo adicional. A través de una eleccién adecuada de la razén de vuelta, se puede utilizar un transformador para aumentar ya sea la ganancia de tensiGn o bien la de corriente. Por ejemplo, en la etapa de salida de ‘un amplificador de potencia, el transformador se utiliza para eumentar la ganancia de corriente. Existen otros beneficios asociados con el uso de un transformador. Por ejemplo, el transformador se puede sintonizar para resonar de manera que se convierta en un filtro pasa-banda (filtro que pasa las frecuencias deseadas y atenda las frecuencias que quedan fuera de la banda requerida). 1 acoplamiento por transformador sintonizado se utiliza en receptores de radio y television. De esta forma, las etapas de transistor no s6lo amplifican la sefal (video 0 audio) sino que también realizan la funcién de separar la estaciOn deseada de las demés recibidas por la antena. En la figura 3.15 se ilustra la técnica para sintonizar varias etapas a frecuencias ligeramente diferentes. El efecto neto es 12transformador aun alavox, 3.8 Acoplamiento de amplificadores 145 Aluvor een Co ® producir una caracteristca de frecuencia que sea aproximadamente plana sobre el intervalo deseado de la banda de frecuencias. El acoplamiento de la etapa de salida a la carga en un ES se puede conseguir utilizando un transformador. En la figura 3.16 se ilustra esta técnica, donde el amplificador se acopla a un altavoz. Véase Ia figura 3.16 para revisar la operacién de un transformador. Las tensiones de entrada y salida son proporcionales a la raz6n de vueltas del transformador, como sigue: ven(¥) donde N; es el mimero de vueltas del primario y Nz es el némero de vueltas en el secundario, Las corrientes de entrada y de salida se relacionan de manera inversa ala tensién, pues se debe conservar la potencia. Entonces o-«(G) ‘Tomando la raz6n de tensi6n a corriente, se tiene la relacién de impedancia, a-a() En la figura 3.16(b) se ilustra una aplicacién de estos resultados, usando un transformador para excitar un altavoz de 8 ©. Si la raz6n de vueltas del transformador es Sil, la resistencia equivalente vista por el emisor del transistor es 8x5? = 200. Si ‘yes una sinusoide de amplitad 10 V, la tensi6n del emisor tiene aproximadamente | el mismo valor ya que la ganancia del amplificador ES es unitaria. La tensiénenel | altavoz es un quinto de esta cantidad, una sinusoide de 2 V de amplitud. La coriente en el altavoz es una sinusoide de 250 mA de amplitud (utilizando la ley | de Ohm en las terminales del altavoz), la corriente en el emisor del transistor es una sinusoide de 50 _mA de amplitud. 173146 Capitulo 3 Disetio de amplifcadores con transisiores bipolares de unién Ejempio 3.5 |, Amplificador acoplado por transformador (anélisis) Caledlense 1a ganancia de corriente, la ganancia de tensi6n y la resistencia de ‘entrada para el amplificador acoplado por transformador de la figura 3.17. SOLUCION Nétese que la amplificacién total para la etapa se obtiene tomando el producto de las ganancias de cada secci6n (las secciones estén separadas por lineas quebradas en la figura). La ganancia de tensi6n del transistor se encuentra de Ia ecvacién en forma corta del amplificador EC, donde la resistencia de colector (Ry, || Re en la ecuacién) se encuentra reflejando la resistencia de carga de 500 a través del transformador. La ganancia total de tensién, Ay, incluye los efectos de escalamiento en tensién de los dos transformadores. Los resultados se muestran directamente en la figura La ganancia de corriente, A;, se encuentra de manera similar utilizando la ecuacién en forma corta. Nétese que s6lo existe un resistor en el circuito de colector, que es Ia carga refiejada a través del transformador. La resistencia de entrada al transistor es Rp, que constituye la combinacién en paralelo de Ry y Ro, © 2500 01, Esta se refleja a través del transformador para obtener Res. Figura 317 ‘Amplicader acoplao por ‘eansformaor del + gemplo 35: Ejercicios 13.11 Un amplificador EC (Fig. 3.17) tiene un transformador de entrada 1:5 y un i twansformador de salida 1:5. Ademés, Ry, = 200, Re = 100 2, Ri = 10 kM y Rz= 100 kQ. Determinense las ganancias totales Ai, Ay ¥ Reo Resp: Ay = 200; A; = ~3.64; Reg = 364.2 174calecor ie Emisor Figura 3.18 Fotetcansistr. 3.8.4 38 Acoplamiento de amplificadores 147 3.12 Un amplificador ES tiene un transformador de entrada 10:1 y un transformador de salida 20:1. Ademés, Rz = 10 9, Ry = 100k y. Rp = 20K2. Determinense las ganancias totales Aj, Ay ¥ Rex i 61M 2 Acoplamiento éptico ‘Muchas aplicaciones requieren el acoplamiento éptico de circuitos electrénicos. Estas aplicaciones se pueden clasificar como sigue: Dispositivos sensibles a la luz y emisores de luz Detectores y emisores discretos para sistemas de fibra Optica "Médulos interruptor/reflector que detectan objetos que modifican la trayectoria de la luz, Aisladores/acopladores que transmiten sefales eléctricas sin conexiones eléctricas. Como ejemplo de est kima aplicaci6n,supSngase que se desea utilizar la nea de alimentacién de 60 Hz como sefal de entrada aun circuit eletrénico. Debido alos 15.a25 A de comiente disponibles en Ia Linea, aqui no se desea hacer una conexién cléctrica para las propias necesidades electréncas, sno elegr una conexién Gptica. En caso de fala de un componente (por ejemplo, un capacitor en cortocireuito) un acoplador pico prevendria de una conexin peligrsa, tal vez fatal, del operador a la linea de alimentacién de 110 V, 60 Hz. En los siguientes pérafos se analizan algunos de los dsposiivos épticos més importantes Detectores y emisores optoelectrénicos En la seccién 1.9.4 se consideré la utilizacion de LED y diodos sensibles a 1a luz. Estos dltimos dispositivos operan, como se muestra en la figura 1.42, de modo que conforme aumenta la intensidad de Juz, H, también aumenta la cortiente en el cireuito extemo. Por supuesto, este fel mismo fendmeno que se produce conforme aumenta la corriente de base en €l transistor. Dicho dispositivo es el fototransistor y se ilustra en la figura 3.18. [Notese que no existe conexidn eléctrica a la base. Los componentes optoelectr6nicos requieren un empaquetado tal que permita el paso de luz hacia el chip a través del empaque y que también proteja al chip. La “ventana” del empaque del semiconductor se puede modificar para proporcionar tuna accién de lente, que incremente la respuesta a lo largo del ee 6ptico del lente yy también aumente la sensibilidad direccional. En la figura 3.19 se muestra la ‘configuracién de un empaque tipico. Los sistemas de comunicacién (como las lineas telefnicas) que utilizan fibra Optica han reemplazado a los sistemas de alambre de cobre. La luz se emite hacia adentro y afuera de la fibra éptica con dispositivos como el mostrado en la figura 3.19. 175148 Figura 319 CConfguracign para el mpage opteclectnic, Conesia de Power leconics Semicondoc- tor Department, General Breese Co, Figura 320 Médlos intemuptorretectr. Cotesia de Power Electronics Semiconduc tor Department, General Eleetie Co, Capitulo 3 Disco de amplifcadores con transstores bipolares de unién — caso] |=~—0.100 tl oa a Empaguet de plistico Disposiivo Pistico pico ™ Temninales oo Cag evel XN <= Emisor detector Aq @ cy) Médulos interruptoriretiector En muchas aplicaciones, es necesario determinar la posicién o velocidad mecdnica de un disco. La utilizacién de un emisor y detector de luz ya sea en modo interruptor, como se muestra en la figura 3.20(a), ‘© en modo reflector, como en Ia figura 3.20(b), permite al ingeniero medir e} movimiento mecénico del disco. Optoacopladores Cuando se desea acoplar dos circuitos elétricos sin hacer conexiones eléctricas, se pueden utilizar optoacopladores (también lamados op- toaisladores), que son componentes completamente electrSnicos. El rayecto de 176Figora 321 Hoja de datos de un apossiador. Cotesia de Power Electronics Semiconductor Depan- ‘ment, General Electic Co. 3.9 3.9 Divisor de fase 149 Aislador fotoacoplado H11A1, H11A2 EI HI1A1 y el H11A2'son diodos emisores infrarrojos de arseniuro de galio acoplados con un fototransistor de silicio en un empaque de doble fila, con 6 terminales. Valores absolutos maximos: (25°C) Diodo emisor infrarrojo Disipacién de potencia “100 atts Corriente directa (continua) 60 miliamps Corriente directa (pico) 3° ampere (ancho de pulso 1 us 300'P Ps) Tensién inversa 3 volts *Decraa 138 iC aba de 25°C ambiente Fototransistor Disipacién de potencia 150. miliwatts Veeo 30 volts Veso 70 volts Veco 7 volts Corriente de colector (continua) 100 miliamps Iu, de emisor detector, esté totalmente encerrado en el componente y no se puede modificar en forma extema. El grado de aislamiento eléctrico entre los os dispositivos es controlado por los materiales en el trayecto de la luz y por a distancia fisica entre el emisor y el detector. A mayor distancia, mejor aslamiento. na figura 3.21 se muestra una porcin de la hoja de datos para un optoaislador. [Nétese que este dispositive asla 1500 V pico y 1060 V rms entre 1a entrada y la salida, DIVISOR DE FASE El divisor de fase, mostrado en la figura 3.22, es un amplificador que simulté neamente es EC y CC. Se elige Re = Re = Ry tal que la tension de salida cen el colector tenga igual magnitud que la tensién de salida en el emisor, pero estas tensiones se hallan 180° fuera de fase. Las dos sefiales de salida de este circuito son aproximadamente iguales en amplitud a la sefial de entrada: esto ¢s, las razones de ganancia de tensién, vi/0s y t2/vi son sproximadamente iguales @ uno, en magnitud. Las dos salidas resultantes de una entrada senoidal se muestran cn la figura. En el emisor, la salida esté en fase con la sefial de entrada, mientras aque la salida del colectoresté 180° fuera de fase con la sefial de entrada 7t 150 Capitulo 3 Figura 322 Divisor de fase. Figura 323, ‘Amplifeador multetapa Ejercicio Disefio de amplificadores con transistores bipolares de unién Vee Re Re "| 3.10 1D3.13 Cada una de las salidas de la figura 3.22 se conecta a una carga de 2k. {Cul seria la excursin en la tensiGn de salida del divisor de fase cuando Voc = 20 V? Determinense ademés Ro, Rs, Ri y Re para méxima excursion de salida ‘cuando f = 200 y Vag =0.7 V. Resp: Ro = Re =2 kM; Ry = 66.9 kM, Ra = 99.6 KM; vag-p) = 6 V ANALISIS DEL AMPLIFICADOR MULTIETAPA ‘A menudo los amplificadores se conectan en serie (cascada), como se muestra en Ja figura 3.23. La carga en el primer amplificador es la resistencia de entrada del segundo amplificador. No es necesario que Ias diferentes etapas tengan las mismas ganancias de tension y de comrente. En la préctica, las etapas iniciales suelen ser amplificadores de tension y la dima o las dos sltimas son amplificadores de corrente. La ganancia en una etapa se determina por la carga de ésta, que se gobiema por la resistencia de entrada a la siguiente etapa. Por tanto, cuando se disefian o analizan amplifcadores multietapa, se inicia en la salida y se continéa, hhacia la entrada - 1783.10 Andlisis del amplificador multietapa 151 Ejemplo 3.6 | Amplificador multietapa (andlisis) Determinense las ganancias de tensién y de corriente para el amplificador de dos ‘tapas acoplado por capacitor que se muestra en la figura 3.24. Todos los capacitores son suficientemente grandes para considerarse cortocircuitos de la sefal deca SOLUCION Se desarrolla el circuito equivalente hfbrido para el amplificador rmultietapa de la figura 3.24. Dicho circuito ‘se muestra en Is figura 3.25. Las ‘variables prima denotan cantidades de salida de la etapa, mientras que las variables normales denotan cantidades de entrada a ella, Los célculos para la etapa de salida son 10,000 x 2000 b= 70,0004 2000 ~ 167 #2 ‘eB 2Vv «pp Vee~Vox 2-007 (co RE /B+ Re ~ 1670/200+50 =2mA hy =26 mV/lHoql = 1.17 2 Para la etapa de entrada, 7000 x 1000 Re = 7901000 ~ 875% 12 x 1000 Vee 7000 + 1000 ou 15-07 Toa = 35 7300+50 = 147 ™A 26 mV Tat ma “177% La resistencia de entrada se determina utilizando la ecuaci6n en forma larga de la tabla 3.1 como sigue: Fea = Rp || Bie + Re) 515 x 200 x (1.77 +50) _ = “aise lose = 8078 179152 Capitulo 3 Disefio de amplifcadores con sransistores bipolares de unién Teun sae By ‘Roper mueapa caeuno Figura 325, in Citeito equivalents pas a el eemplo 36. 5 >t RoE REM Figura 326 Divisores de corsente par cl eeuito de 1a Giga 3.25, Gist tron feonn (@ Salida, segunda capa La ganancia de corriente, Aj, se encuentra aplicando dos veces la ecuaci6n de la tabla 3.1, una vez para cada etapa. La primera etapa utiliza el valor de Ry, derivado de Ia entrada a la segunda etapa. Se analiza la figura 3.25 sacando tres divisores de corriente, coino se muestra en Ia figura 3.26. La divisién de corriente de la etapa de entrada se encuentra de la figura 3.26(a).. pian STS Bey + Blt + Re) 875+ 200(1.77 + 50) O7Bica 1803.14 4.11 Dispositivos de cuatro capas 153 En la figura 3.26(b) la salida de Ia primera etapa se acopla a la entrada de la segunda, La resistencia de entrada de Ia segunda etapa es Ri, = Rll Nig = 205 2 La corviente Ri, es iz, y esté dada por 600 in = 15.6ieg x Se = LGB Nuevamente, it se divide en la entrada de la segunda etapa. Entonces, pir _ -1670(11.63. yp + hi,” (1670+ 205) 10:38ien ‘La corriente de salida se encuentra de la figura 3.26(c): 38igg x 200 x $00 ‘500+ 600 = 941 fee La ganancia de corriente es A= 941 ‘Ahora, uilizando la ecuacién (3.1), se encuentra que la ganancia de tensién es = SLX 600 709, 807 —I1 Ay DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS Se han analizado dispositivos de dos capas (diodos) y de tres capas (transistores). El éxito de los dispositivos de tres capas, como el BIT y el transistor de efecto de campo (FET, field-effect transistor) condujo a los investigadores al concepto del dispositivo de cuatro capas. Con la capacidad de manufactura aumentada, los dispositivos de cuatro capas no presentan mayores problemas de fabricacién. En las siguientes subsecciones, se mencionan algunos de estos dispositivos y se comenta su operacién bésica. 181154 Capitulo 3 Disefto de amplificadores con transistores bipolares de unién ‘Anodo Compuert citodo @ Compuerta Anode 21 pee ( mp Comput Chiodo 7 Cod toto ©) oy ® Compoera @ = sta Tas EY 9m Figura 3.27 Simbolo y constucign del SCR, Figura 3.28 Circuito equvalente del SCR con dos BIT. 3.411 Rectificador controlado de silicio (SCR) El rectificador controlado de silicio (SCR, silicon-controlled rectifier) es un dis positive de cuatro capas (pnpn) con caracteristicas de conmutacion muy stiles ((6), Sec.. 11.2-11.6). Se trata de un miembro de la familia de tiristores y se utiliza en controles de relevadores, muestreadores, cargadores de bateria, circuitos de proteccidn, inversores, calentamiento por inducciGn, limpieza ultrasénica y cireuitos de control. Los SCR se pueden construir para control de potencia en la regién de megawatts y soportan corrientes hasta de 1500 A a 2000 V. Los inter- vvalos de frecuencia estén un poco limitados, pero algunos SCR son capaces de tabajar a frecuencias hasta de 50 kHz. En la figura 3.27 se ilustran el simbolo del circuito y la construccién del SCR. En la figura 3.28 se presenta el equivalente del SCR como un circuito de dos BIT. Se evalia el desempefio de un SCR utilizando el circuito equivalente. Si aparece una tensién cero en la compuerta, ésta se encuentra efectivamente puesta a tierra, Por tanto, la corriente de base, Iz, es aproximadamente igual a cero e Ica es aproximadamente igual a ego. La corriente de base de Q, es Ia, =Io2= Teno Ja cual es muy pequefia para permitir que Q; conduzca. Esto da por resultado una cortiente despreciable entre l énodo y el cétodo, y por tanto presenta una impedancia elevada entre estos elementos. Sila tensién en la compuerta es suficientemente grande para permitir que Q, conduzca, Ic, crecers, con el consiguiente aumento en [pz. Debido a la interconexién, el efecto es acumulativo, y cada transistor Neva al oxo a la saturaci6n. Una vez en saturacin, las uniones se polarizan en directo Y Ia calda de tensién total a través del dispositive es de aproximadamente 1 V. ELSCR se acerca a un cortocircuito. Para apagar el SCR, se debe producir algin tipo de interrupcién en la fuente de tension del dnodo 0 del cétodo. La accién de 182on] Compuerta de ettodo Figura 329 SCS. 3.11.2 3.11.3 Problemas 155 foods Ccompuers —Anogo2 Kodo Compueca ‘tose de todo Compuera echo o Cited er Aso 1 Kooi » (@piac @ TRIAC Figura 330 DIAC y TRIAC. regeneracién para encender un SCR se produce de 0.1 4s a 1 ys, ¥ el tiempo de apagado va de us a 30 ys. Por lo general, esta accién de conmutacién es més répida que la que se obtiene con un solo transistor operando entre saturacién y corte a cortientes elevadas. Conmutador controlado de silicio (SCS) El conmutador controlado de silicio (SCS silicon-controlied switch) se construye en forma similar al SCR excepto que ambas capas centrales se conectan a compuertas; tuna se denomina compuerta de dnodo y la otra, compuerta de cétodo. Esto se rmvestra en la figura 3.29. La operacién del dispositivo es similar a la del SCR. Conforme la corriente de la compuerta de dnodo se eleva, la tensi6n Snodo-cétodo necesaria para encender el dispositvo se vuelve més pequefia. La compuerta de dnodo se puede utilizar tanto para encender como para apagar el dispositivo. Se debe aplicar un pulso negativo a la terminal de la compuerta de énodo para encender el SCS, y se requiere un pulso positivo para apagarl. DIAC y TRIAC El DIAC, 0 diodo de disparo, es un dispositivo de dos terminales que se puede disparar en cualquier direccién, El dispositivo opera en la regi6n inversa y la ruptura se produce en cualquier direcci6n cuando la tensi6n aumenta hasta el nivel necesario, Estos dispositivos se utilizan a menudo en el cireuito de compuerta de tun SCR para empezar Ia accién de compuerta. El simbolo del DIAC se ilustra en 1a figura 3.30(a). EI TRIAC es similar al DIAC excepto que tiene una terminal de compuerta para controlar el encendido para cualquier polaridad de tensiGn entre los dos énodos. El simbolo se ilustra en la figura 3.30(b). 183| 156 Capitulo 3. Disero de amplificadores con transistores bipolares de unién PROBLEMAS 3.1 Derfvense las ecuaciones para Ay, Aj y Ree para el amplificador EC que se ‘muestra en la figura P3.1. 3.2 Calotllense Res, Ay y Ai cuando Rg = Ry = 5k, Re =1 kD y hie ppara el amplificador EC mostrado en la figura P3.2. Sea 8 igual a: af Yee Vee Figura P31 Figura P32 3.3 Determinense Ay, Ai y Rea para el amplificador mostrado en la figura P3.2 cuando Ry = Rp =5 k®, hy = 40 2, B= 300 y Re es: a. Re = 1009 b. Re =5002 ©. Re = 1009 a. Re=0 Analicense los efectos de cambiar Re. 3.4 Para el amplificador EC que se muestra en la figura P3.1, Vag = 0.6 V, Vee = 12 V, B = 300, Py (promedio méximo) = 100 mW y A, = —10. Determinense Ri, Ro, Res y At. {CuSnta potencia se disipa en e] transistor? 3.5 Encuéntrese A, pata el amplificador mostrado en la figura P3.3, donde hie = DID, Ihre =0, hye = 200 y I/hoe = 8 KX. sonata [is dhe 184Problemas 157 Figura P24 36 Para el amplificador EC mostrado en la figura P3.4, donde hie = 1k, hoe = 10 ys, hye = 50, grafiquese lo siguiente. a. A: =z ies, suponiendo Rp < hie como funcién del valor de Ry. Variese Ry, entre Oy 500 kA. ». A; como funci6n de Re, pero suponiendo hire = = hoe: 3.7 Para el amplificador EC mostrado en la figura P3.5, determinese la variacién de Aj-y Req Si hye Varia de 50 a 150 para el transistor de silici. Vee 109 av 185Capétulo 3 Disefto de amplificadores con transistores bipolares de unidn 38 Determinense hie, Ai, Rea ¥ Ro para el amplificador EC mostrado en la figura P3.6 si hye = 100 y hre = hoe = 0. 3.9 Calctlese hyy para los circuitos con transistor de silicio mostrados en la figura P3.7 y determinese cuando se debe considerar a hyp en las ecuaciones de disefio. 3.10 Compérense las resistencias de entrada y las ganancias de tensién para los circuitos amplificadores equivalentes de ca que se muestran en la figura P38, Vee Figura P38 + © 3:11 Caleiilese Ay, Az y Req cuando 8 = 250, Re = 100 2, Re = Ry = 1100 2, Ry = 1OKM, Ry = 10K y hie = 5009 para el amplificador EC mostrado en la figura P3.9. 32 Grafiquense Ay contra Rz y Aj contra Ro para 1009 < Ry < 10k para el amplificador del problema 3.11. Manténganse los demés parémetros cconstantes.. 3.13 Grafiquense Ay contra Re y A; contra Re para 109 < Re < 10009 para el amplificador del problema 3.11. Manténganse los demas parémetros constantes. 3.14 Grafiquense Ay contra 6 y A; contra 6 para $0 < B < 300 9 para el amplificador del problema 3.11. Manténganse los demés parémetros constantes. 13660 +Problemas 159 Figura P39 345 3.16 3a7 318 319 3.20 321 Grafiquese Reg contra 6 para 50 << 300 para el amplificador del pro- ‘blema 3.11. Manténganse los demés pardmetros constantes, Grafiquese Rea contra Re para 10 2 < Re < 1000 9 para el amplificador del problema 3.11. Manténganse los demés pardmetros constantes. Diséiese el amplificador EC de la figura P3.9 para alimentar una carga de 2KM utilizando un transistor pnp de silcio. Voc = ~24 V, 6 = 200, ‘Ay = —10 y Vag = —0.7 V. Determinese el valor de todos los elementos y calelese Aj, Rea y 1a excursién simétrica no distorsionada en la tensin de salida para cada Re dada: ‘Compérense los resultados Diséfiese un amplificador EC como el de le figura P3.9 utilizando un transistor pnp cuando Ry = 39, Ay = ~10, Vee = -0.7 V, 6 = 200 y Veo = =12 V. Determinense el valor de todos los elementos, Ai, Rea y Ja méxima excursién simétrica a través de Re. Diséfiese un amplficador EC como el de la figura P3.9 utilizando un transistor pnp cuando Ry = 4 KO, Ay = -15, Rea = 20 kM, Voc = ~20 V, B= 300 y Vag = -0.6 V. Determinense el valor de todos ios elementos y la méxima excursién pico a pico en‘la tensi6t de salida. Diséfiese un amplificador EC com el de a figura 3.5(a)utlizando un transistor npn cuando Ry =9 kM, Ay =—10, A; = —10, Vag =0.7 V, B= 200 Voc = 15 V. Determinense el valor de todos los elementos, Rey y la maxima excursin pico a pico en la tensiGn de salida Diséfiese un amplificador EC para obtener una ganancia de tensién de ~$ cuando Ay = ~2, Ry = 449, Voc = 15 V, Vee = 06 V y B = 200. Determinense el valor de todos los resistores, 1a resistencia de entrada y la maxima excursion en la tensién de salida. Utilicese el circvito de la figura 3.5(a). 187160 Capitulo 3. Diseio de amplificadores con transistores bipolares de wnién 322 3.23 3.24 Diséfiese un amplificador EC para obtener una ganancia de tensién de ~25 cuando Req = 5k, Rr = SKM, Voo = 12 V, 8 = 200 y Vag = 0.7 V. Determinense el valor de todos los resistores, la ganancia de corriente y Ja méxima excursi6n en la tensién de salida. Utilicese el circuito de la figura 3.5(a). Diséfiese un amplificador EC para obtener una ganancia de tensién de —10 cuando Rey = 2K, Ry = 4M, Veo = 15 V. Vag = 0.6 V y B = 300. Este amplificador requiere una excursién en la salida de s6lo 2 V pico a pico, de manera que el disefio se debe hacer para que el consumo de corriente de Ja fuente sea minimo, Determinense el valor de todos los resistores y la ganancia de corriente. Calctlense Res, Av, Ai ¥ voip) Para excursiOn simétrca de salida para cl amplificador ES que se muestra en la figura P3.10. Sean Ry, = 1k9, Rp = 52, his = 40 2, B = 300, Voo =6 Vy Veg =0.7 V. Encuéntrese la solucién para cada valor de Re dado: a Ro= 1k b. Re Analicense los efectos en Ren, Av. Ai ¥ Yaip=p) cuando Re tiende a cero. y, Vee Figura Pate Figura Patt 3.25 3.26 327 Diséfiese un amplificador ES como el de la figura P3.11 utilizando un transistor npn con Ry = $00 9, Vgz = 0.7 V, Aj = 25, 6 = 200 y Voc = 15 V. Determinense el valor de tos los elementos, Rea, yy 1a méxima excursi6n en Ia tensiGn de slida Diséfiese un amplificador ES para excitar una carga de 8 9 cuando = 60, Voc = 24V, Vag = 0.7V, Ay = 1y A: = 10. Utilicese el cireuito de la figura P3.11. Determinense el valor de todos los elementos, la excursién en Ja tensi6n de salida y Rea Diséiese un amplificador ES como el e le figura P3.11 utiizando un transistor pnp con Rr, = $00 0, Var = ~0.7 V, 6 = 200, A; = 10y Voc = -15 V. Determinense el valor de todos los elementos, Rep, Ay y la maxima excursion en Ia tensign de salida, 188 iProblemas 161 3.28 Diséfiese un amplificador ES como el de la figura P3.11 utilizando un transistor npn cuando Ry, = 1500 2, Vag = 0.7 V, Rey = 10 kM, 6 = 200 y Veo = 16 V. Determinense el valor de todos los elementos, Aj, Ay y la méxima excursién’en la tensién de salida. 3.29 Diséfese un amplificador ES como el de la figura P3.11 para excitar una carga-de 109 cuando Voc = 24 V, Vag = 0.6 V, Ay = 1, Rea = 1002, y B= 200. Determinense el valor de todos los elementos, Rex ¥ la méxima ‘excursién en la tensi6n de salida. 3.30 Diséiese un amplifcador BC (véase Fig. 3.12) con una ganancia de tensién de 10 y una carga de 4 kQ. Utilicense = 100, Vag =0.7 V, Voc = 18 V y Rg = 500. Determinense el valor de Jog, Ri, Ro, Rp y le méxima excursién en la tensi6n de salida, {Cuél es la ganancia de tensiGn si se coloca tun capacitor grande en paralelo con Ri? 3.31 Diséftese un amplificador BC utilizando los valores dados en el problema 3.30 excepto que la ganancia de tensién es 100. Determinense el valor de Ri, Ra, Tog. Re y la méxima excursién en la tensién de salida. 3:32 Diséftese un amplificador BC para méxima excursién en la tensién y por Jo menos 100 9 de impedancia de entrada, Ry = 8M, Voc = 12V y Rg = 400.2. Utilicese un transistor npn con 8 = 200 y Veg = 0.7 V. Determinense la ganancia de tensién y el valor de todos los resistores. 3.33 Analicese un amplificador BC para Rey, Ay y Volp=p) que tiene Ios siguientes valores: Voc = 16 V, Ry = 2kM, Ry = 25 kM, Re = 2009, Ro = Ry = 4 kM, B= 200 y Vag =0.7 V. La base esté aterrizada para ca. 3.34 Determinense Ay, As y Ren para.el amplificador ES mostrado en la fi- ura P3.12 cuando = 200 y hig = 0. Figura PAA2 3.35 Determinense las ganancias totales de corrente y de tensi6n y la resistencia de entrada para el amplificador acoplado por transformador que se muestra en la figura P3.13. Usilicese un transistor npn con a = 4, Ri = 2 KM, Ra = 4K, Voc = 15 V, B= 200 y Rr = 500 2. Despriciese hie, 3.36 Determinense las ganancias totales de corriente y de tensi6n y la resistencia de ‘entrada Re, para él amplificador acoplado por transformador, como se muestra 189162 Capitulo 3 Disefto de amplificadores con transistores bipolares de unién Vee s0kn 20k Figura P13 Figura P14 24-€ en la figura P3.13. Utiicese un transistor pnp con a = 7, Veo = -15 V, Ry =3 kM, Ra =4 KN, y Rr = 300 2. Despréciese hic 3.37 Acbplese directamente un amplificador EC a un ES (véase Fig. 3.14(b)) para tuna excursién de 4 V en Ia salida con los siguientes valores: Voc = 12 V, Ay = 10, Q; tiene 8 = 200 y Vax =0.7 V, Qa tiene # = 100 y Vaz =0.7 V, y Rei = 100. Sea Ro =4k0. 3.38 Determinense los valores de Vi, Va, Vs, Vs, Lox € oz para el citcuito dela figura P3.14. Supéngase que f es igual @ 300 0 més. Vv i 180 ka: = 4 20 Ko Figura F316 190oy Problemas adicionales 163 3.39 Determinense A; y Ay para el amplificador de dos etapas mostrado en Ia figura P3.15. Los transistores son de silico. 3.40 Determinense Ay y A; para el amplificador de dos etapas mostrado en la figura P3.16. Los transistores son de si PROBLEMAS ADICIONALES Figura PAA PA3.1 Analice el circvito de la figura PA3.1 y determine 1o siguiente cuando 8 = 300 y Vas =0.6 V. ‘i Iceq y Verq b, La excursiGn sin distorsiGn en ta tensiGn de salida. c. La potencia suministrada por la fuente. 4. La ganancia en tensi6n. e, Las Lineas de carga. + Figura PA3.2 = PA32 Disefe un amplificador con una ganancia total de A, = -15 cuando a la entrada la fuente tiene una impedancia (R;) de 2 KQ y el amplificador rmismo tiene una Rey = 4 KO, Vag = 0.7 V, y 8 = 200 (véase Fig. PA3.2). El amplificador debe tener méxima excursin a la salida. Determine todos Jos valores de resistor, Az, y la méxima excursién en la tensi6n de salida, PA3.3 Disefie un amplificador como el mostrado en la figura PA3.3 para obtener ‘una ganancia en tensin de ~200 con una resistencia de entrada de 1 K9. Determine todos los valores de resistor y la maxima excursiGn en la tension, de salida cuando = 400 y Vag =0.7 V. PA3.4 Disefie un amplificador ES como el mostrado en la figura PA3.4 para alimentar una carga de 2000 utilizando un transistor de silicio pnp. Veo = -24Y, 8 = 200, A; = 10 y Vag = -0.7 V. Determine el valor de todos los elementos y calcule Rea, Jog ¥ la excursi6n simétrica sin distorsin a la salida para cada una de las Re dadas 191164 Capitulo 3 Diseio de amplificadores con transistores bipolares de unién a Re=Ry b. Re =02R, ©. Re =SRy ‘Compare sus resultados por medio de una tabla. Figura PA3.4 PA3.5 Analice el circuito mostrado en la figura PA3.S y determine lo siguiente cuando 8 = 300 y Vag =0.6 V. a. Ica y Vera. b. Laexcursin sin dstorsién en la tens de salida. «. La potencia necesaria de la fuente 4. La méxima potencia de salida (sin distorsién en ca) e. Las Iineas de carga “10V 10ka coe sl coe {frie fere swags - =10V, Figura PASS: 192Problemas adicionales 65 PAB. Analice el cireito mostado en la figura PA3.6 cuando 8 = 100 y Vos = O27 V,y detemine lo siguiente: a. Toa ¥ Vora b. La excursion sin distrsién en la tensin de sald, @: La poencia soministada por la fuente 4. La maxima potencia de slida (sin dstorsion en ca). o. La gamma en coment, aly jente para el circuito mostrado en la figura PA3.7 cuando = 400 y Vaz = 0.6 V: a. Los puntos Q para ambos amplificadores . La méxima excursion simétrica sin distorsién en la tensién de salida. . Bosqueje la sefial de salida. 4. La gunancia engension, v/s i z PA3.8 Para el circuito mostrado en Ia figura PA3.8 cuando v; = 0.1 sen 1000t V, determine la tension de salida (suponga que f= 200 y Vag = 0.7 V): a, De la terminal v(+) a la terminal v9(~). , De la terminal vg(+) a tierra PA39 Determine As, Av, y Rea para él amplificador de dos etapas mostrado en 1a figura PA39. 193166 Capitulo 3 Disefo de amplificadores con transistores bipolares de unién Gece negiads Figura PA39 = PA3.10 Disefie un amplificador EC utilizando un transistor npn para méxima tensiGn de salida con las siguientes caracteristicas: Ay = ~20, Req = 4 KO, Ry = Sk, Voc = 12 V, 8 = 300, Veg = 0.7 V. Determine todos los valores de resistor, excursi6n pico @ pico sin distorsién en la tensién de salida y ganancia en cortiente. PA3ALL Encuentre una R tal que a od, Vp =0 para el circuito de Ia figura PA3.10. Encuentre también Icg1,cq2, Ren Ro y Av. Suponga que Vag = 0.7 V y B = 100 para los dos wransistores Vv Figura PA3.t0 1944.0 AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO INTRODUCCION El desempetio del transistor de efecto de campo (FET, field-effect transistor) pro- puesto por W, Shockley en 1952, es diferente del desempetio del BIT. El pardmetro de control para un FET es la tensidn en vez de la corriente. EL FET es un dispositivo unipolar, ya que Ja corriente existe santo en forma de electrones como de huecos. En un FET de canal n, la corriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal p, se debe a huecos. Ambos tipos de FET se controlan por una tensiGn entre la compuerta y la fuente ‘Al comparar el FET con el BIT se aprecia que el drenaje (D) es andlogo al colector, en tanto que la fvente (S) es andloga al emisor. Un tercer contacto, la compuerta (G), es andlogo a la base. La fuente y el drenaje de un FET se pueden intercambiar sin afectar la operacién del transistor. Este capitulo comienza con una exposicién sobre las caracteristicas del FET y tuna comparacién de éstas con las del BJT. A continuaci6n se describen la cons- truccién y la operacién tanto de los JFET (junction field-effect transistor, wansistor de efecto de campo de uni6n) como de los MOSFET (metal-oxide semiconductor {field-effect transistor, wansistor de efecto de campo metal Sxido semiconductor. ‘Se desarrollan las técnicas de polarizacién para los FET y luego se plantea el andlisis en ca utlizando circuitos equivalentes. Después se derivan las ecuaciones dde ganancia para el amplificador fuente comin (FC). Se contintia con el desarrollo de un procedimiento de disefio paso a paso, que se aplica a muchos ejemplos de disefio. 167 195arom 168 Capitulo 4 Amplificadores con transistores de efecto de campo Luego se presenta el andlisis y disefio de amplificadores drenaje comin (DC) (fuente seguidor (FS)). Se desarrollan procedimientos de disefio paso a paso, se- uidos de ejemplos de aplicaci6n de estos procedimientos, El capitulo concluye con un breve andlisis sobre otros dispositivos especiales. 4.1 VENTAJAS Y DESVENTAJAS DEL FET Las ventajas del FET se pueden resumir como sigue: 1. Son dispositivos sensibles a la tensi6n con alta impedancia de entrada (del ‘orden de 107 a 10 9), Como esta impedancia de entrada es considerable- ‘mente mayor que la de los BIT, se prefieren los FET a los BIT para la etapa de entrada a un amplificador multietapa 2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BIT. 3. Los FET son més estables con Ja temperatura que los BUT. 4. Los FET son, en general, més fciles de fabricar que los BST pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar tun mayor niimero ée dispositivos en un circuito integrado (es decir, se puede obtener una densidad de empague mayor) 5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensi6n para ‘valores pequefios de tensi6n drenaje a fuente. 6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utiizacién como elementos de almacena- niente 7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes, Existen varias desventajas que limitan la utilizacién de los FET en algunas aplicaciones: 1. Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a ta alta capacitancia de entrada. 2. Algunos tipos de FET presentan una lineslidad muy pobre. 3. Los FET se pueden dafiar al manejarios debido a la electricidad esttica 4.2 TIPOS DE FET Se consideran tres tipos principales de FET: 1, FET de unién (FET) 2. FET metal 6xido semiconductor de empobrecimiento (MOSFET de empobrecimiento) 19643 Figura 4 Esrucara fica de un FET. 43° Operacion yconstrcciOn del JFET 169 3, FET metal 6xido semiconductor de enriquecimiento (MOSFET de enrique- ‘cimiento) Con frecuencia el MOSFET se denomina FET de compuerta aislada (IGFET, insulated-gate FET). OPERACION Y CONSTRUCCION DEL JFET Aligual que el BIT, el FET es un dispositivo de tres terminales, pero s6lo tiene una tunién pr en ver de dos, como en el BIT. En la figura 4.1 se muestra un esquema de la estructura fisica del JFET. EI JFET de canal n, mostrado en la figura 4.1(a), se construye utilizando una cinta de material de tipo n con dos materiales de tipo p difundidos en ella, uno en cada lado. El JFET de canal p tiene una cinta de material de tipo p con dos materiales de tipo 7 difundidos en ella, como se muestra en la figura 4.1(b) Para entender la operacién del JFET, se conecta el JFET de canal n de la figura 4.1(@) a un cireuito extemo. Se aplica una fuente de tensi6a, Vpp, al drenaje (ésta es andloga a la fuente de tensién Voc para el BIT) y se envia a tierra. Una fuente de tensién de compuerta, Vag. se aplica a la compuerta (aquélla es andloga ala Vpp para.el BJT). Esta configuracién se muestra en la figura 4.2(a). Vpp proporciona una tensién drenaje a fuente, vps, que provoca una corriente de drengje, ip, del drenaje a la fuente. La corriente de drenaje, ip, que es idéntica a la corriente de fuente, existe en el canal rodeado por la compuerta de tipo p. La tensi6n compuerta a fuente, vgs, que es igual a ~Vag (véase Fig. 4.2(@)), crea una regién desértica en el canal, que reduce el ancho de éste y por tanto aumenta la resistencia entre drenaje y fuente. Como la unién compuerta-fuente esté polarizada cen inverso, el resultado es una corriente de compuerta nula, Considérese la operacién de un JFET con vgs = 0, como se muestra en Ia figura 4.2(0). La corriente de drenaje, ip, a través del canal n del drenaje a la fuente, provoca tna caida de tensién a lo largo del canal, con el potencial mds alto en Ia tuniGn drenaje-compuerta. Esta tensin positiva en la unién drenaje-fuente polariza ‘en inverso la unién pn y produce una regién desértica, como se muestra en el rea sombreada de Ja figura 4.2(b). Cuando se incrementa vps, también aumenta la comtiente de drenaje, ip, como se ilustra en Ta figura 4.3. El resultado de esta 197170 Capttulo 4 Ampliicadores con transistores de efecto de campo Figura 42 Opec de ET en un ‘seul atmo ifs i Ve 7 Figura 43 Caacteritica ip-vos para un JFET de canal 43.4 @ » acciGn es un aumento de la regiGn desértica y de la resistencia del canal entre el drenaje y la fuente. Conforme aumenta vps, se alcanza un punto donde se forma una regién desértica a través de todo el canal y la corriente de drenaje alcanza su punto de saturaciGn, Si se aumenta ups més allé de este punto, ip permanece constante. El valor de la corriente de saturacién de drenaje con Vos = 0 es un pardmetro importante y se denomina corviente de drenaje de saturacién, Ipss. ‘Como se puede ver en la figura 4.3, aumentar ups més allé del estrangulamienso del canal no provoca aumento en ip, y la curva caracteristica ip-vps se vuelve plana (es decir, ip permanece constante conforme aumenta vps). Variacién de la tensién compuerta a fuente en el FET En la secci6n anterior, se desarroll6 la curva caracteristica ip-vps con vgs = 0.En esta secci6n, se consideran las caractetisticas ip-vps completa para varios valores del pardmetro vos. Nétese que en el caso del BIT, las curvas caracteristicas (ic ‘gB) tienen a ig como parimetro. El FET es un dispositivo controlado por tensién y se controla mediante ug. En la figura 4.4 se muestran las curvas caractersticas ‘ip-vps tanto para un JFET de canal n como para uno de canal p. Antes de analizar estas curvas, témese nota de los simbolos para los JFET de canal n y de canal p, que también se muestran en la figura 4.4, Estos simbolos son iguales excepto por la direccién de la flecha. Conforme se incrementa vgs (més negative para un canal n y més positive para un canal.p) se forma la regiGn desértica y se cierra para un valor menot que ip. Por tanto, para el JFET de canal n de la figura 4.4(a), la ip méxima se reduce desde Ipss conforme ves se hace més negativo. Si vgs disminuye ain ‘mds. (ms negativo), se alcanza un valor de vcs, después del cual in serd cero sin importar el valor de vps. Este valor de vcs se denomina Vosorr, 0 tensién de estrangulamiento (Vp). El valor de Vp es negativo para un JFET de canal n y positivo para un JFET de canal p. 19843.2 43° Operacién y construcci6n del JFET 171 (@) Conan (©) Canal p Caracteristicas de transferencia del JFET De gran valor en el disefio con JFET es la caracterstica de transferencia, que es una gréfica de la corriente de drenaje, ip, coimo funcién de la tensién compuerta a fuente, vgs, por encima del estrangulamiento. Se grafica con vps igual a una constante, aunque la caracterstica de transferencia es en esencia independiente de ‘ups pues, luego de que el FET llega al estrangulamiento, ¢p permanece constante para valores mayores de ups Esto se puede ver a partir de las curvas ip-vps de la figura 4.4, donde cada curva se vuelve plana para valores de ups > Vp. Cada curva tiene un punto de saturacin diferente. En la figura 4.5, se muestran las caracteristicas de transferencia y las carac- ieristicas ip-ugs para un JFET de canal n. Se grafican con el eje ip comin. Las caracteristicas de transferencia se pueden obtener de una extension de las curvas ip-vps.- Un método sil de determinar la caracteristica de transferencia es con ayuda de la siguiente relacion (ecuaciGn de Shockey): tp ves \* w (1-228 a el Gey Por tanto, s6lo se necesita conocer Ipgs y Vp, y toda la caracterfstica queda determinada, Las hojas de datos de los fabricantes @ menudo dan esto dos pardmetrs, por lo que se puede construir la caracterstca de transferencia 0 uilizar la ecuacién (Gal) directamente, Notese que in se satura (es decir, se vuelve constante) conforme vps excede la tensin necesaria para que el canal se estrangule. Esto se puede expresar como una ecuacién para upset) Para cada curva, como sigue: wDswar = vGs + Vp 199' 172 Capitulo 4 Amplificadores con transistores de efecto de campo i Figura a5: (Carscersicas del FET. I i | f(a) 7 Frontera entre las regione, " mica y civa bes 0V —~ tos(V Ye ° BVes (2 Caters de tantra ) Cancocsios io-vos Conforme vgs se vuelve mas negativo, el estrangulamiento se produce a menores valores de ups y la corrente de saturacién se vuelve mas pequetia. La regiGn wil para operacién lineal es por ariba del estrangulamiento y por debajo de la tensién de ruptura. En esta regién, ip esté saturada y su valor depende de ugs, de acuerdo con la ecuacién (4.1) 0 con la caracterstica de transferencia, Las curvas caracteristicas de transferencia e ip-ugs para el JFET, que se mues- tan en la figura 45, son diferentes de las curvas similares para el BJT: el FET es un = suite Vr la corviente de drenaje en saturacién se puede calcular de la ecuacién ip = k(vas ~ Vr 4.10) El valor de k depende de la construccién del MOSFET y, en principio, es funcién el ancho y el largo del canal. Un valor tipico para k es 0.3 mA/V*; la tensién 209182 Capitulo 4 Amplificadores con transistores de efecto de campo Figera 41 ELMOSFET de cencguecimiento de + mln $s ¢ D D SiO: (@) Esquema de a estructura fisica ©) Simbolo Yes St es (6) Carstereticas de tansfeencia © ép-0ps {de umbral; Vr, es especificada por el fabricante. Se puede encontrar un valor para ‘dm derivando la ecuacién (4.10), como se hizo con los JFET, con el siguiente resultado: Bip PP an akues - Vr Boag 72Hvas - Vr) 1 vas < Vr entonces ip =0. EI MOSFET de enriquecimiento de canal p se muestra en la figura 4.12; como puede verse, exhibe caracteristicas similares pero opuestas a las dsl MOSFET de enriquecimiento de canal n. ‘Aunque se halla més restringido en su intervalo de operacién que el MOSFET de empobrecimiento, el MOSFET de enriquecimiento es ‘itil en aplicaciones de CI (véase Cap. 15) debido a su tamafio pequefio y su construccién simple. La ‘compuerta para los MOSFET de canal n y de canal p es un depésito de metal en una capa de 6xido de silico. La construccién comienza con un material de sustrato (de tipo p para canal m; de tipo n para canal p) sobre el cual se difunde material el tipo opuesto para formar la fuente y el drenaje. Nétese que el s{mbolo para el MOSFET de enriquecimiento, que se ilustra en las figuras 4.11 y 4.12, muestra una linea quebrada entre fuente y drenaje para indicar que no existe un canal inicial. 210Figura 412 ELMOSFET de enriguec- sien de casa p Ejempio 43 }, 45° Polarizacién de los FET 183 ~ Yes TaD Ys (6 Caracteriaicas de transferencia ¢ ip-ves Determinese ip para un MOSFET de eoriquecimiento de canal n con Vp = 3.0 V ‘cuando k = 0.3 mA/V? y ugs esté dado por los siguientes valores: a 30V b. 40V ©. 50V SOLUCION Los siguientes valores se calculan de la ecuacién (4.10). a. ip = 0306s ~ Vr) = 0.33 — 3 =0 ma »’. ip = 0.34 — 37 = 0.3 mA © ip POLARIZACION DE LOS FET Los mismos cireuitos bésicos de I figura 3.6 que se utilizan para polarizar los BIT se pueden emplear para los JFET y los MOSFET de empobrecimiento. Sin embargo, para la regiGn activa del JFET y el MOSFET de empobrecimiento, 1a polaridad de us puede ser opuesta a lade la fuente de tensiOn del drenaje. Cuando 2i : 184 Capitulo 4 Amplificadores com transistors de efecto de campo Figura 413 “Amplicador FET. qven « ® se selecciona el punto de operaci6n, no hay tensiGn de polaridad opuesta disponible de la fuente para cumplir con los requerimientos del circuit. Puede ser necesario descartar Ry (véase Fig: 4.13) de manera que s6lo se obtenga una tensién de la polaridad correcta. No siempre es posible encontrar valores de un resistor para lograr un punto Q particular. En tales casos, seleccionar un nuevo punto Q puede proporcionar a veces una solucién al problema, gut se consideran las ecuaciones de polarizacién para el amplificador FC, rmostrado en la figura 4.13, donde se utiliza un JFET. Los métodos de polarizacion son similares para los MOSFET de empobrecimiento. En la-figura 4.13(a) se ilustra un amplificador JFET utilizando una fuente de tensién de cd para la polarizacién. Se forma el equivalente de Thévenin en el cireuito de polarizacién para obtener (4.128) (4.12) Como se tienen tres inc6gnitas, Ing, Vasa y Vosa, se necesitan tes ecuaciones en ed. Primero, la ecuacién en ed alrededor del lazo compuerta-fuente se forma de Ia figura 4.13(b), como sigue: Voc =Vosq + IngRs 4.3) 2124.6 Andlisis de un amplificador FC 185 Notese que, como la corriente de compuerta es cero, existe una caida de tensién, cero a través de Rg. Una segunda ecuacién en cd se obtiene de la ecuacién de la ley de Kirchhoff en el lazo drenaje-fuente, como sigue: Vpp = Vosq + Ina(Rs + Rp) 14) La tereera ecuacién de od necesaria para establecer el punto de polarizacion se encuentra de la ecuacién (4.1), que se repite aqut con ip = Ing y vas = Vese Jog ( Vesa , . dpa. . (1 - Yes) (as Toss Vp a) Estas tres ecuaciones son suficientes para establecer Ta polarizacién para el SFET y el MOSFET de empobrecimiento que se utilizan en amplificadores lineales. El MOSFET de enriquecimiento se usa para CI digitales. [Nétese que no se necesita colocar el punto Q en el centro de la nea de carga de cca como se hizo para la polarizaci6n del BIT. Esto se debe a que normalmente se utiliza un amplificador FET en la entrada del amplificador para sacar ventaja de la alta resistencia de entrada. En este punto, los niveles de tensi6n son tan pequefios, ‘que no se excita al amplificador con grandes excursiones. Ademés, como las curvas caracteristicas no son lineales, se producirfa distorsién con grandes excursiones de entrada. ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR FC En la figura 4.13(¢) se muestra el circuito equivalente en ca para el amplificador FET. Se supone que rs es grande comparada con Rp || Rz, por lo que se puede despreciar. Escribiendo la ecuacién de LTK alrededor del circuito de compuerta, se encuentra ge =~ Rsip =04— Redmtge Resolviendo para vgq, Se obtiene 8 TERS La tensi6n de salida, vo, esté dada por =o Ii Rdomv Yo = ~ia(Ro II RL) = TS La ganancia de tensi6n, Ay, es 213pence seme 186 Capttulo 4 Amplificadores con transistores de efecto de campo Ay = % = 29n(Po | Red a T+ Rte (Rov || Re) Re + lon (4.162) En ocasiones, se coloca un capacitor en paralelo con Fy, en cuyo caso la ganancia de tensi6n aumenta a A ‘Gex(Ro || Re) La resistencia de entrada y la ganancia de corriente estin dadas por Reg = Ro = Rill Re (4.160) fo Ave _-RoiRu Ra _—Ro__ Ro te Ry Rg t1/9m Ru Rs +1/9m Ro+Re A (4.160) Ejemplo 4.4 |, Amplificador FC (anélisis) Encuéntrese Ay para el amplificador JFET de la figura 4.14(a). El punto @ se en- cventra en Vosq = 12 Ve [pg =7 mA. Los parémetros del FET estén dados por Im = 3 mS rps = 200k SOLUCION . Del circuito equivalente de la figura 4.14(b), se obtiene p(B rps) _ -9m(Ro ll rps) = 52 Figura 414 (Grito JFET de ejemplo 44 RySI9KN oy wo" ® 21447. Disefo de un amplifcador FC 187 4.7 DISENO DE UN AMPLIFICADOR FC En esta seccién se muesira el procedimiento de disefio de un amplificador FC. Se presenta el disefio del amplificador JFET y el del MOSFET de empobrecimiento ‘como un procedimiento paso a paso. El lector debe estar seguro de que entiende el origen de cada paso, ya que pueden requerirse diversas variaciones subsecuentes. Los amplificadores se disefian para cumplir requerimientos de ganancia si las cespecificaciones deseadas estin dentro de la categoria del transistor. Por lo general, se especifican la fuente de tensin, la resistencia de carga, la ganancia de tensiGn y la resistencia de entrada (o ganancia de corriente). El problema aqui es seleccionar los valores de las resistencias Ri, Re, Rp y Re. Remitase a la figura 4.15 cconforme se sigan los pasos del procedimiento. Este procedimiento supone que se haa seleccionado un dispositive y que sus caracteristicas son conocidas, al menos Vp ¢ Iss. Paso 1 Seleccidnese un punto Q en la porcién mis lineal de las curvas caracterfsticas del JFET. Remftase a la figura 4.15(6) como ejemplo. Esto identifica Vpsq. Vesq. Inq ¥ 9m. Sino se dispone de una curva caracteristica ip — vas. utilicese la curva adimensional de la figura 4.8, con Ipss y Vp dados por el tipo de transistor que se va a utilizar. Paso 2 Escrfbase la ecuacién en cd dé la ecuacion de LTK (Ec. 4.14) alrededor del lazo drenaje-fuente, Vop = Vosq + (Rs + Rong Resolviendo para la suma de los dos resistores, se obtiene Vop - Vos _ x, Rs+Rp Tee 7 La ecuacién (4.17) representa una ecuacién con dos incégnitas, Rs y Rp. Paso 3 Utilicense las ecuaciones de ganancia de tensién (Ec. (4.16a)) para obtener una segunda ecuacién en Rs y Rp. Se puede sustituir la ecuacién (4.17) en Ja ecuacion (4.168) Ro Ro ©" Rs+ lim (Ki Rp) +1]9m (4.18) La resistencia, Rp, es la sinica incégnita de esta ecuacién. Al despejar Rp se ‘obtiene una ecuaciGn cuadrtica con dos soluciones, una negativa y una positiva. Si la soluci6n positiva provoca que Rp > Kj, esto implica una resistencia Rs 215esgrrisy Po 188 ° Capitulo 4 Amplifcadores con transistores de efecto de campo Figura 415 “Amplifeadoe FET FC. 5 (V) (@) Circuito FC (©) Curva carctrsics negativa y se debe seleccionar un nuevo punto @ (es decir, regresar al primer paso de disefo). Si la solucin positiva da Rp < K;, se continia con el paso 4. Paso4 Despéjese Rs utilizando la ecuacién (4.17), que es la ecuacién del lazo renaje-fuente desarrollada en el paso 2. Yop -Vosa _ py R Tog Con Rp y Rs conocidas, s6lo se necesita encontrar Ry y Ro. Paso Escribase la ecuacién de LTK para el lazo compuerta-fuente (Ec. (4.13) Veo = Vosq+InqRs La tensi6n Vosq es de polaridad opuesta a Vop. Por tanto, el término IpqRs debe ser de mayor magnitud que Vosq. De otra forma, Vag tendré polaridad opuesta a la de Vpp, lo que no es posible de acuerdo con la ecuacién (4.12b). Paso 6 Se despejan ahora Ry y Rz suponiendo que la Veg encontrada en el paso,5 tiene Ia misma polaridad que Vpp. Estos valores para los resistores se seleccionan encontrando el valor de Rg de Ia ecuacién de ganancia de corriente © de la resistencia de entrada, Se resuelve Ta ecuacién (4.12) para encontrar Ry y Rat pa nonee = Vec/Vop _ RaVop Yoo Ry 216Figura 416 Djssfo de un JFET con ‘eapaitr en paalelo €on eltesser de fuente 47. Disefio de un amplifcidor FC 189 Paso7 Si Vac tiene la polaridad opuésta a Vp, no es posible depejar Ri Rez La forma prictica de proceder es hacer Veg = 0 V. Entonces, Rz — 00, Como Vag estéespecifcada por Ia ecuacién (4.13), ahora el valor previamente ealculado de Rs necesita modifcarse. En la figura 4.16, donde se utiliza un eapacitor para poner en cortocircuito una parte de Rs, se desarrolla un nuevo valor de Rs como sigue: Voc Vesq+InqRsot Por tanto, despejando Reeg se obtiene Vesq Tog Rec = El valor de Rsea ¢5 Rsi + Resa y el valor de Rsea es Rei. ‘Ahora que se tiene una nueva Req, 8 deben repeti varios pasos. Paso 8 Determinese Rp utilizando la ecuacién de LTK para et lazo drenaje- fuente (repitase el paso 2) Rp= Ky ~ Rees El problema de disefo reside ahora en calcular tanto Rs1 como Rsz en lugar de ‘encontrar un solo resistor de fuente. Con el nuevo valor para Rp de Ki ~ Rsea, se pasa a la expresiOn de la sganancia de tensiGn de Ia ecuacién (4.16a), ulizando Ree en vez de Rs para esta ecuacién de ca ‘Se deben incluit los siguientes pasos adicionales en el procedimiento de disefio. Paso 9 Se ncienra Rees (Ques simplemente Rey el ecuacin de ganancia Ge tension i 160 AP see + 179m 217190 Capitulo 4 Amplificadores con transistores de efecto de campo 48 Req ¢s la tinica incdgnita de esta ecuacién. Por tanto, RD _ Om Rea ‘Sup6ngase ahora que se encuentra que Hseq €$ positiva pero menor que Rseg. Esta es la condicién deseable pues Roca = Rex + Resa Entonces el disefio esta completo y Ry = Rea = Ro Paso 10 _Supéngase que Rsce es postiva pero mayor que Reg. Elamplifcador no puede disefiarse con la ganancia de tensién y el punto Q seleccionados. Se debe elegir un nuevo punto Q y regresar al paso 1. Si la genancia de tension es muy alta, quiz no sea posible efectuar el diseno con ningin punto Q. Puede necesitarse tun transistor diferente © dos etapas separadas SELECCION DE COMPONENTES Un disefio no esté completo aun cuando los diferentes valores de componentes ya estén especificados. Es todavia necesario seleccionar los componentes reales por izar (por ejemplo, elegir los nimeros de partes en el catflogo de un fabricante). Por tanto, cuando el dsefio requiere el valor de un resistor, por ejemplo de 102.5 , el diseftador no seré capaz de encontrar este resistor en un catélogo de partes esténdar. El valor nominal de los componentes disponibles depende de as tolerancias. Como ejemplo, un resistor de 100 9 con 5% de tolerancia puede tener cualquier valor entre 95° y 105 92. No tendria mucho sentido para el fabricante ofrecer otro resistor fuera de produccién con un valor nominal de 1019, puesto que ese resistor tendria un valor aproximado entre 96 2 y 106 2. Asi la distancia entre valores nominales adyacentes de los componentes éstérelacionada con la tolerancia, disminayendo dicha distancia conforme se reduce la tolerancia (es deci, ‘componentes de mayor precisién). Los valores estindar de resistores y capacitores se incluyen en el apéndice E. Como los valores de los componentes no estén disponibles al instante para ‘cualquier grado de resolucin, no tiene sentido levar a cabo eflculos de diseRo hhasta un nimero con un tamafo irracional de digits significativos. En los ejemplos de disefio, aqui presentados se especifican los valores hasta tres digits signficativos. Es importante asegurarse de que atin se mantiene la exacttud 218——— L Ejemplo 4.5 48 Seleccion de componentes 191 hasta dos digitos significativos luego de las operaciones aritméticas. Por ejemplo, supéngase que se deben afiadir 0.274 40.474 Si estos numeros se redondean 2 dos digitos significativos, se obtiene 0.274047 = 74 Sin embargo, si se realiza primero el calculo, se obtiene 0.274 + 0.474 = 0.748 {que se redondea a 0.75, Redondear los niimeros antes de realizar la suma provoca tun error en el segundo digito significativo. Por tanto, para reducir los errores acumulados y aumentar la confianza de que las respuestas son exactas hasta dos dfgitos significativos, se mantienen al menos tres digitos a lo largo de los eéleulos. p_Amplificador JFET FC (disefio) Diséiiese un amplificador JFET FC con una ganancia de tensién de Ay = —4, Rex = 100k, Ry = 20k, Inss = 6.67 mA, Vp = -3.33 V y Von = 20. Como no se sabe si seré necesaria una Rs, se empieza con la figura 4.15(@) y las curvas adimensionales de la figura 4.8, SOLUCION Paso 1 El punto Q se selecciona de la figura 4.8 como sigue: tog = 1285 2333 mA Vasq =03¥,=-1¥ Vosq= 282 =10v Eatonces gm = 1422BSS =2.84 x 10" S 219mummers a sa Capitulo 4 Amplificadores con transistores de efecto de campo 1 50 2 on Paso 2 Del paso 2 en el procedimiento de disefio, se obtiene 20V-10V Ro+ Rs mA =3k0=K Paso 3 Utilizando la ecuscién de ganancia en ca, se obtiene OKA Ro) 4 “FEN = Rp +3509 ~ Ry + 21.65 KM)Rp — 67 MO? = 0 Ay De la ecuacién cuadrética para Rp se selecciona la raiz positiva, Rp =2.747 kK Paso 4 Esta cantidad es menor que K; por tanto, se procede a realizar el paso 4, Se encuentra Rs utilizando la ecuacién (4.15): Rg =3k2- Rp =253.2 Paso § Este paso deja ahora Veo = -1+2533.33 x 1074) = -0.15 V Como esta tensién negativa no se puede obtener dividiendo la tensi6n de la fuente con resistores, se continéa con el paso 7. Paso7 Sea Rio Entonces Voc =0= Vesq + IpqRsea = 148.33 107) Rea Resolviendo para Rs, 8 obtiene Reset = 300 2 22048 Seleccién de componentes 193 Paso 8 Este paso da Rp =3 kA Ree = 2.7 KD Req se determina del paso 9. Paso 9 Rr il Rp 27K) _ 359 49 = 2450 Rea = Ay Om 4 El cireuito inal se muestra en la figura 4.16, donde los valores de los components son Rp =2.7k9 Rei = Rea = 245.0 Ra = Rsea— Rca = 300-245 N= 55.0 a= Req = Ry = 100 KO Ejemplo 4.6 | Amplificador JFET FC (disefio) Repitase el ejemplo 4.5 para la figura 4.17, pero seleccionando un punto Q que no se encuentre en el centro de la regis lineal. SOLUCION Se selecciona de manera arbitraria el nuevo punto de operacién como sigue. Paso 1 Ipg=3.5 mA Vesq=-0.8V Vosq=6V Entonces Gm =2.0 x 107° S 221werpaee sinaemauimnseeme 194 Capitulo 4 Amplificadores con transistores de efecto de campo Figera 427 ‘Amplieséor FC para el semplo 46, Paso 2 En el procedimiento de disefio, este paso da 20-6 Ro+ Bs = 55503 4k= Ki Paso 3 Entonces se encuentra de la cual se obtiene, después de resolver la ecuacién cuadrética, =3.716 Kt Esta cantidad es menor que Ki; por tanto, se procede a realizar el paso 4. Paso 4 De la ecuaciGn (4.17), se obtiene Rg = 423.716 KN = 286.2 Paso 5 Utlizando la ecuacién de polrizacin de ese paso, se encuentra Veo = -0.8 +284(3.5 x 10-5) = 0.194 V Paso 6 Para determinar Ry y Rz con Rex = Ro, $e uliliza el paso 6 ya que Voc tiene la misma polaridad que Vpp. (En contraste con la situacién del ejemplo anterior.) Por tanto, 100K 194/20 22248 Seleccién de componentes 195 Ejemplo 4.7, r_Amplificador JFET FC (andlisis) Figura 418 ‘Amplifcador FC parse! ‘jemplo 47, ‘Analicese el amplificador JFET FC de una etapa que se muestra en la figura 4.18 y determinense Ay, A; y Rea, Supéngase que Ipss =2mA y Vp =2 V. SOLUCION En primer lugar se calcula el punto Q, a partir del cual se determina Gm: tanto A, como A; dependen de este parémetro. Recuérdese que el valor de dm depende de la ubicacién del punto Q. Se necesitan dos ecuaciones para determinar Inq y Vesq, como sigue: Vasq = ~Rslpq =-0.4l0q y de la ecuacién (4.1), Ing (: _ Yana Toss Y Cuando se resuelven estas dos ecuaciones, se obtiene una ecusci6n ciadrética en Ia. donde Ing esté en miliamperes. Esto se reduce a Ing? ~ 22.5Ipq +25 =0 Se resuelve esta ecuacién cuadrética y se obtienen dos valores: 21.33 mA y 1.17 mA, Como Ipss tiene s6lo 2 mA, se descarta el valor mayor y se obtiene Inq =1.17 mA196 Capitulo 4 Amplificadores con transistores de efecto de campo Por tanto, Vesq = (-0.4pq) = =(0.4)(1.17) = -0.469 V Se utiliza la ecuacién (4.3) para encontrar gp, como sigue: Ups ( _ Yes) @Q) ( _ 14) ie nA Vp =-2) =2 653.9 ‘Ahora se encuentra la ganancia de tensién de la ecuaci6n (4.16a): RoW Re _ 10k) 2.67 9 _ At= Rese Tm ~ 100 04 653.2 28 Reg =30 KD Ejercicios 4.1 Diséhese un amplificador JFET FC que tenga una Ry de 10 k®, Vop = 12 V, Req = 500 KR y Ay = —2. Uilfcese el circuito de la figura 4.15(a). SelecciGnese el punto Q como Vpsq =6 V, Vesq=—1 V, Ing =1 mA y gm = 2500 uS. 78 KM ‘D4.2 Rediséfiese el amplificador del ejercicio D4.1 para un punto Q en Vosg = TN, Vosq = 1:2 V, [pq =0.5 mA y dm = 3330 4S Rca = 1.86 KM; Ay = ~100 224410. Procedimiento de disetio del amplificador DC 197 4.9 ANALISIS DE AMPLIFICADORES DC (FS) El amplificador JFETDC (FS) se ilustra en la figura 4.19(a) y el circuito equivalente, fen Ia figura 4.19(b). El método de andlisis para este amplificador es paralelo al de la secci6n 4.7. La resistencia de entrada es Ry, * Rg. Nétese, en el cireuito equivalente, que se ignora rps. ya que por lo general es mucho mayor que Rs. Sirps noes mucho mayor que Rs, se modifican las siguientes ecuaciones reemplazando Rs con rps || Rs. Escribiendo la ecuacién de LTK alrededor del lazo compuerta a fuente, se tiene 94 = Ui ~ Gma(Rs || Ra Ups de Ia cual se obtiene = Upal + 9m(Rs || Red] La tension de salida es Ye =9m(Rs || Re Was yy 1 ganancia de tensi6n es ta razén te _9m(Rs || Re) Rs || Ro Any (Rs TR) Wom Re) a 4 T+9m(Rs Ra) oe Notese que como Rs || Re tiene la misma magnitud que 1/dm, la ganancis de tension del amplificador FS es menor que la unidad. La ganancia de corriente se encuentra utlizando la fOrmila de ganancia de impedancia como sigue: (4.19) Figura 4.19 Amplifcador FET FS. (@) Amplicador () Cicuto equivalents 225198 Capitulo 4 Amplificadores con transistores de efecto de campo Figura 420 “Amplicador DC. 4.10 PROCEDIMIENTO DE DISENO DEL AMPLIFICAZ@R pc Enesta secciGn, se presenta el procedimiento de disefio del amplificador JFET DC. Este procedimiento es el mismo que se utiliza para el disefio de amplificadores MOSFET de empobrecimiento, Se especifican las siguientes cantidades: ganancia de comriente, resistencia de carga y Vop. Se puede especificar ta resistencia de entrada en lugar de la ganancia de corriente. Con Ai (0 Res) especificados, se tienen tres ecuaciones (dos ecuaciones de laz0 y la ecuacién para A,) con tres incognitas, Ry, Re y Rs. En este caso, tomese la figura 4,19(a) como referencia, Si se especifican tanto Re, como Aj, se tienen cuatro ecuaciones y sélo tres incégnitas. Con una ecuacién més que el niimero de incégnitas, en general no es posible encontrar una solucién sin modificar el circuito, En dichos casos, se introduce un capacitor de paso a través de una porcién de Rs, como se muestra en la figura 4.20. Con ese cambio, se tienen cuatro inc6gnitas, Ri, Ro, Rs: y Rea. por lo que el circuito se puede resolver. Paso 1 Selecciénese un punto Q en el centro de las curvas caracterfsicas del FET con ayuda de la figura 48, Este paso determina Vosq. Vasa. ID@ ¥ 9m Paso 2 Escribase la ecuacién de LTK alrededor del lazo drenaje a fuente. Vpp = Vos + RsIpg de Ia cual se encuentra el valor de ed para Rs, Vpp - Vosq R a Toe (4.20a) Paso 3 Encuéntrese Rscq de la ecuacién de ganancia de corriente reordenada, ecuacién (4.19), como sigue: Ry Reet” (Rg[hi= Rim = ca Yowsoy 4.10 Procedimiento de disefo del amplificador DC 199 onde: Ro = Rea Si se especifica la resistencia de entrada, hdgase Rsce = Rsea = Rs y calatilese la resistencia de entrada mediante Ia ecuacién (4.208). Si la resistencia de entrada no es suficientemente grande, puede ser necesario cambiar la ubicacién del punto Q. Si se especifica Req, es necesario calcular Rscg de la ecuacién (4.202) y Rox de la ecuaci6n (4.206). En esos casos, Rsez es diferente de Rsed, por lo que se rovoca un cortocircuito en parte de Rs con un capacitor, Paso 4 Determinese Veg utilizando la ecuacién Vea = Vesq+IpgRs No se produce inversién de fase en un amplificador FET fuente seguidor y, por'lo general, Veg es de la misma polaridad que Ja fuente de alimentacién. Paso & Determinese los valores de Ri y Re de la ecuacién (4.12) Ro R= * ‘aalVoo BeVop By = Beton Vee Por lo comtin, existe suficiente corriente de drenaje en un FS para proporcionar la tensién de polaridad inversa necesaria para cubrr las tensiones negativas requeridas por la compuerta del FET. Por tanto, se puede utilizar la potarizacién normal por division de tensién. ‘Ahora se toma de nuevo el problema de la especificacién de la resistencia de entrada: Se puede suponer que parte de Rs esté en cortocircuito, como en la figura 4.20, lo cual lleva a valores diferentes de Rsca y Rca. El paso 2 se utiliza para encontrar Rseg. En el paso 3, Ro st hizo igual al valor especificado de Reg Y se utiliz6 la ecuacién (4.208) para encontrar Rca Si la Resco calculada es més pequefia que Rsed, se cumple con el disefio realizando un cortocircuito en Rs2 con vn capacitor. Recuérdese que Rsca = Reso y Rea = Rsi+Res2. Por otra parte, si Rsea es mayor que Rseg, el punto Q se debe ‘cambiar de posici6n. Se selecciona un valor més pequefio para Vpsq. provocando por tanto un aumento en la caida de tensién a través de Rsy + Rsa, lo cual hace és grande a Rsea. Si Vpsq no se puede reducir lo suficiente para hacer 2 Ree mayor que Rsza, entonces el amplificador no se puede disefiar con la ganancia de corriente dada, Res, y el tipo de FET. Se debe cambiar una de estas tres especificaciones o utilizarse una segunda etapa amplificadora para proporcionar Ja.ganancia requerida. 27200 Capriulo 4 Amplifcadores con transistores de efecto de campo Ejempio 4.8 |, Amplificador DC (disefio) Diséfiese un amplificador JFET DC con las siguientes especificaciones:. A Ry = 400 0, Ipss = 20 mA, Vy =-6.67 Vy Vop = 12. SOLUCION Paso 1 Selecciénese el punto Q como sigue (véase Fig. 4.8) Ansa Gm Paso 2 Como no se especifica ningin valor para Rea, entonces Rs Rea y $ iliza la figura 4.19, dando por resultado Von ~ Vase Ipq Rs 1+Rr/Rs Roo AiR Como Rg es mayor que el minimo especificado para Rey. l diseo es aceptable y se puede continuar con el paso 4 Paso 4 Veg = -2+(10 x 107*(600) = 4 V 228 | | { |4.10 Procedimiento de disefo del amplificador DC 201 Paso 5 Por itimo, de este paso se encuentra 9500 y= On sa Rie gg = Iso Ry = 50X22 a9 50 Ejemplo 4.9. |, Amplificador DC (disefio) Diséfiese un amplificador DC (véase Fig. 4.19) que cumpla las siguientes especificaciones: Ai = 20, Rey = 50k, Rz = 1k, Vop = 12 V, Ipss = 20 mA y Vy = ~6.67 V. Determinese el valor de todos los componentes del circuito. SOLUCION El punto Q se selecciona como Yee gy Vose= 3 Vosq = 0.3V;)=-2V ‘gm se encuentra de las curvas adimensionales de la figura 48, como sigue: Toss = 4,26 mS Wel Gon = 1.42! 2300 Se uilize el paso 2 para encontrar Rsea. N6tese que como Rey esté dada, es probable que se necesiten valores para sce y Rsce 12-6 Rees = Tp TOR3 = OOM 229202 Capitulo 4 Amplifcadores con transistores de efecto de campo Como Rey esté especificada, se utiliza el paso 3 para encontrar Req; de la ecuacién (4.20), Reg = Reg = 50k Ry Ree * RETA Blin > : 1000 © (50000720 — 1000)4.26 mS — 86 2 Como sea es menor que Rea, se encuentra Rs; = 186 Ry Rez = 414 Men la configuracién de la figura 4.20. Se continia con el paso 4. Veg = -2+ (10 x 1079)(600) = 4 V Por itimo, se utiliza el paso 5 para encontrar Ry y Rat R= DMOXT sora El disefio esta completo, Ejercicios 143 Diséfiese un amplificador JFET DC como el mostrado en la figura 4.19, con Ry, = 10 KM, Rey = 200 kA, Vop = 12 V y el punto Q situado en Vosq = 6 V, Vosq = 1 V, Inq =1 mA y gm =4 mS. Determinese el valor de los resistores yy le ganancia de corriente del amplificador. Resp: Re =6 kM; Ry = 342 KO; Ry = 480 KO; A; = 18.8 44 Diséfiese un amplificador JFET DC como el de la figura 4.21 para proporcionar una ganancia de coriente de 15 a una carga de Ry, = 200 utili zando Vpp = 12 V y Reg = 400 KR. Selecciénese un punto Q en Vosg = 6 V, Ing = 2 mA, Vasa = ~0.5 Vy 9m = 3330 4S. Resp: Rgct =3 KM; Rsca = 942 9; Ry = 873 kM; Re = 738 kD 2304.11 4.11 Amplificador FS de refuerzo 203 AMPLIFICADOR FS DE REFUERZO En esta seccién se analiza un amplificador FET FS (0 DC) de refuerzo. Este cireuito es un caso especial del FS denominado circuito de refuerzo y se ilustra en la figura 4.21. Aqut la polarizacién se lleva a cabo a través de s6lo una parte del resistor de fuente. Esto reduce la necesidad de un capacitor a través de parte del resistor de fuente y refleja por tanto una mayor resistencia de entrada de la que se puede lograr normalmente. Este disefo permite aprovechar las caracteristicas de alta impedancia del FET sin utilizar un valor alto para el resistor de compuerta, Ra. El circuito equivalente de la figura 4.22 se utiliza para evaluar la operaci6ri del circuito, Se supone que fex es suficientemente pequefia para aproximar Ja corriente fen Rez como iy. Se encuentra entonces que la tensién de salida es Vo ¥ GmvgaCRs || Ru) (421) donde Rs = Rot Reo Sila suposicién acerca de égg no es vélida, Rs se puede reemplazar por Ia expresi6n Roy + +s ‘Una ecuacién de LTK en la entrada expresa a v4 como sigue: Wi = Ugo +i Resi + (ii +iea)Rsz 42) La corriente, é1, se encuentra de una relacién de divisién de corriente, Figura 421 FS reforade, Figura 4.22 Circuito equivalents en ca para el FS. 231204 Capitulo 4 Amplificadores con transistores de efecto de campo Utilizando esto en Ia ecuaciGn (4.22), se obtiene tips RR, = Ug0+ serene +ieaRsr (4.23) ‘Una segunda ecuacién para v; se puede desarrollar alrededor del-lazo mediante Rg y Rsx como sigue. mt + (Stet oi GmtyeReRsr = fale + Rea) Saree 4.24) ._ Se elimina v; haciendo la ecuacién (4.23) igual a la ecuacién (4.24) y despejando ‘eg para obtener [cto 2 - fete) 25) La resistencia de entrada, Rea = vi/ies, se encuentra dividiendo la ecuacién (4.24) entre la ecuacién (4.25), con el resultado Relt/om+ (Rx RS) kh Fee* CRED Rs) + 1/dm — Ra Ren/(Re + Ra) * Se despeja Re como sigue: (Ren ~ Rea\iRsiRu + (Rs + Rx)/9 RRs +(Rs + Ri)/ 9m Re 426) La ganancia de corriente es fe Rein Usilizando tas ecuaciones (4.21) y (4.25) y notando que Rs ~ Rez = Rei, se encuentra RoRs ee ReRsi+ Re +R om 27 232 7 qd411 Amplificador FS de refuerzo 205 La ganancia de tensi6n es Ra, RoRsRu FelRaiRr +s + Ryn ee Ejemplo 4.10 |, FS de refuerzo (disefio) Diséfiese un circuito amplificador para las siguientes condiciones: Rea = 100 k2, Ry = 10k y Vp = 20 V. El circuito esta conectado como se muestra en Ia figura 4.21. El punto Q se selecciona en 33m A mS Vpsq=10V Ing Vosq=-1V 9m SOLUCION El disefio de este circuito consist en elegir valores para Rsi, Rsz ¥ Ro. La relacién Vesq = ~1 V se utiliza para encontrar Rsi. Se suman tensiones fatrededor del lazo compuerta a fuente suponiendo que ign €5 aproximadamente igual a cero, como sigue: 0=Vasq+Rsilog 1 Roi S350 3009 Para encontrar Rsz, se esctibe una ecuacin de LTK alrededor del lazo compuerta a drenaje: Von = Vosq +(Rsi + Rs2Iog 20 = 10+ (300 + Rs2(3.33 x 107%) Despejando Rea, se obtiene Rep = 2.7 KD Re se encuentra utilizando la ecuacién (4.26) como sigue: - p)iRsiRy + (Rs + Rx)/9 RiRs+(Rs+ Rom 233206 Capitulo 4 Amplificadores con transistores de efecto de campo | Ejercicio __ (200000 — 2700){(30010000) + (13000)(500) = {10000(3000) + (13000500) 225.32 412 413 ‘DAS Determinese el valor de los resistores y Ia ganancia de corriente para un amplificador FET FS de refuerzo que requicre Ry = 2000, Ry = 20%0 y Vop =10 V. El punto @ se selecciona como Vpsq=5V Vesq =-15V Ipq205mA 9m =4mS. Utilicese 1a configuracién de la figura 4.21. Resp: Re = 62.8 kD; Roi = 3 kM; Rer=7 kM Ar =9.3 TRANSISTOR DE UNION CON BARRERA METAL SEMICONDUCTOR El transistor de unién con barrera metal semiconductor (MESFET, metal semiconductor barrier junction transistor) es similar al FET, excepto porque la unién es tuna barrera metal semiconductor, como en el caso de 1os diodos Schottky (véase Sec. 1.9.1). Los FET hechos de silicio (Si) o arseniuro de galio (GaAs) se cons- truyen con compuertas difundidas o de implante de iones. Sin embargo, existen ventajas al utilizar una compuerta de barrera de metal Schottky cuando el canal es de tipo n y se necesitan canales angostos. Es dificil trabajar con GaAs, aunque el GaAs realiza buenas barreras de Schottky que son ities en aplicaciones de alta frecuencia. La utilizacién de GaAs en los MESFET da lugar a un transistor que cexhibe un buen desempefio en aplicaciones de microondas. En comparacién con el transistor bipolar de silicio, los MESFET de GaAs tienen un mejor desempetio por amriba de frecuencias de entrada de 4 GHz. Estos MESFET tienen alta ganancia, bajo ruido, mejor eficiencia, mayor impedancia de entrada y propiedades que pre- vienen fallas térmicas. Se utilizan en osciladores de microondas, amplificadores, rmezcladores y para conmutaciGn de alta velocidad. OTROS DISPOSITIVOS En esta secci6n se presentan otros dispositivos que son desarrolos de los dispositivos normales de dos y tres terminales. 234Figura 423 BUM. Figura 424 (Curves earscteiticas del om. 4.13.1 4.13. Otros dispositivos. 207 3 By Union pn poe Contos FT siico| ene ull de | Spo n ‘auminio By 5 « » Transistor monounién El transistor monounién (UST, unijunction transistor) (47, See. 11.1) es un ispositivo de tres terminales compuesto de una barra de material de silicio de tipo m ligeramente contaminado con dos contactos de base. Estos se pegan en los extremos de una superficie, y se une una pequefa barra de material de tipo p a la superficie opuesta. La frontera de Ia barra de tipo p forma una unign pn entre ésta ye silicio de tipo n. De la unin pn simple se origina el término “monounién”. En la figura 4.23 se muestran un tipo de construccion y su sfmbolo circuital. EI UIT proporciona una muy stil regin de resistencia negativa en su curva caracterfstca, como se muestra en la figura 4.24. Si se aplica una tensi6n a la terminal By, el potencial en la uniGn es resultado de una divisién de tensiOn a través de la resistencia de E a By y de By a Bs. Si este valor es mayor que la tensiGn aplicada en la terminal E, no existe inyecci6n de portadores a través de la uni6n E-B. Sin embargo, si una fuente externa eleva Ves a un nivel mayor que el de la tensiGn en la unin, se produce una inyeecién 4ée portadores. Variar la tensiGn, Vp, tiene el efecto de variar Ja resistencia de la barra en la regi6n de la terminal E. Conforme se eleva Ve, la resistencia entre B y By 235eee EE 208 Capitulo 4 Amplificadores con transstores de efecto de campo Figura 425 (Osiladr de relaacn, 4.13.2 prv=20v R Ry Salida E ete Sale c Pt sata BL % Gisminuye, provocando por tanto una disminucién en la tensién de Ia unién. El efecto neto de estos cambios es elevar la corriente entre By y Ba. EL UIT no se, utiliza como amplifcador de sefal. Se usa, més bien, como interruptor controlado por tensi6n. A diferencia del SCR, que se dispara con una corriente de compuerta (véase Cap. 3), el UIT se dispara con una tensién, El UIT se utiliza para disparar otos tipos de dispositivos, y también se puede usar en cireuitos osciladores. El érea de resistencia negativa es estable y se puede utilizar en otras aplicaciones 2 circuitos. Més allé del valle el transistor se comporta como un simple diodo. ‘Un ejemplo de la utilizacin del UIT es el oscilador de relajacién, como el que se muestra en la figura 4.25. Este circuito es el bloque bisico en muchos circuitos ‘osciladores y de sincronfa con UST. Cuando se aplica energia, el capacitor se carga através de Ry hasta que la tensién es lo suficientemente grande en el punto E para disparar e] UIT hacia la conduccién. Esto provoca que la unién E-B, se polarice en directo, y la caracterfstca del emisor cae en la regi6n de resistencia negativa. EL capacitor se descarga a través del emisor, y esté disponible un pulso positive en Ia salida By. Cuando se produce la conduccién, la tensiGn en Bz disminuye, provocando por tanto un pulso negativo en Bz. La frecuencia de los pulsos esté ada aproximadamente por la ecuacién 1s fe RG (4.29) VMOSFET (VMOS) Se han aplicado considerables esfueraos de investigacion para aumentar Ja capacidad de manejo de potencia en dispositivos de estado sélido. Un érea muy prometedora es la de 1os MOSFET, en los que el canal de conduccién se modifica para formar una V més que la convencional linea recta entre emisor y drenaje. Se ‘lade una capa de semiconductor adicional. El término VMOS se deriva del hecho 236Figura 426 CConsrccisn oun VMOS. 4.13.3 4.13 Otros dispositivos 209 de que la comiente entre fuente y drenaje sigue un trayecto vertical debido a la consirucciOn. El drenaje est ahora localizado en una pieza de material sernicon- ductor adicional. Los FET convencionales estin limitados a corrientes del orden de miliamperes, pero los FET VMOS se encuentran disponibles para operacién en 1 orden de 100 A de corriente. Esto proporciona un gran incremento de potencia respecto a un FET convencional. La construccién del VMOS se muestra en la figura 4.26, El dispositive VMOS puede proporcionar una solucién a las aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia. Se han desarrollado dispositivos de 10 watts a fre- ‘cuencias en la parte baja de la banda de ultra-alta frecuencia (UHF). Otras ventajas importantes de los FET VMOS son las siguientes: tienen un coeficiente de temperatura negativo para prevenir las fallastérmicas, presentan baja corriente de fuga y son eapaces de alcanzar una alta velocidad de conmutaciGn. Se puede hacer que los transistores VMOS tengan igual espaciamiento en sus curvas caracterfsticas para iguales incrementos en la tensién de compuerta, por lo que se pueden utilizar como [BIT para amplificadores lineales de alta potencia ((34), pgs. 690-691). Otros dispositives MOS Oxo tipo de dispositivo MOS es el FET fabricado con proceso de doble difusién, 1 veees llamado DMOS, Este dispositivo tiene la ventaja de disminuir la longitud de los canales, proporcionando asi una excelente disipacién de baja potencia y una velocidad alta. La fabricacion de FET en pequefios islotes en sustrato de safiro a veces se —4 V. Usileese Inq = Ins5/2. 46 DiséSese un amplifcador FC wilizando un JFET dé canal n cuando Ry = 4k, Ay =—3 y Rea = 50 kM. Supéngase que se elige un punto Q tal que Ing =3 mA, Vpsq = 10 V, Vasg LV, gm = 2000 #S y Vpp = 20 V. Ualcese el creit de la figura 81508). 47 Diséfiese un amplificador JFET FC de canal n que tenga Ay = 5, A; = -20, Vpp = 12 V y Ry, = 5 k®. Determinese el valor'de todos los componentes y Ia estimacién de potencia del transistor. (El circuit tal vez requiera cambios para cumplir el disef,) Selecci6nese un punto Q de Vosq = 6 V, Vesq = = 2 mA. El transistor tiene una gm =4 mS. dor JFET FC de canal p con Ay = -5, Ai = ~20, 16 V. El punto Q esti en Vosq = -8 V, Vosq 3, Ing 33 mS. Utilicese el circuito de la figura Pa. ‘Determinese la disipacién de potencia del transistor. 49 Diséfiese un.amplificador JET FC de canal p con una carga de $ KS? utiizando el cireuito mostrado en la figura P44. Sean Vpp = -20 V, Ay ‘Ai = ~20, Vp =6V € Ipss = —5 mA. Determinese la disipacién de potencia del transistor. 4.0 Diséfese un amplificador MOSFET FC de canal n utilizando un transistor '3N128 (véase Ap. D) para una carga de 10 k® con una ganancia de tensién ‘Ay = 10. Usilicese el circuito de la figura P4.3. Seleccisnese el punto Q utilizando las eurvas caracterfsticas mostradas en las especificaciones cuando Reg > 10K2. 4.11 Diséfiese un amplificador MOSFET FC de canal n utilizando un transistor 3N128 (véase Ap. D) para una carga de 2 kM con Ay =—4 y Reg > 100 KO. 239212 Capitulo 4 Amplficadores con transistores de efecto de campo Figura Pat Figura Pas az 413 414 44s Supéngase que el punto Q se elige como Vesq = -0.6 V. Vosq Ipq = 10 mA y Vpp = 20 V. ‘Analfcese un amplificador JFET FC de canal n como el mostrado en la figura 4.5 cuando la carga es de 20 kO, Rp = 8 kM, Vpp =24 Vy Reg = 50K. Selecciénese el punto Q como Vesq = ~1.5 V, Vpsq = 12 V, Ing =1 mA ¥ Gm =2.83 mS. Encuéntsese el valor de todos los componentes, Ai ¥ Av. Sia Rs en la figura 4.15(a) se le coloca un capacitor en paralelo, jcudl es a ganancia de tension? Supéngase que el punto Q se selecciona de modo Que gm = 1.5 mS, Rp =3.2k2y Ry = 5 kM. Determinese la ganancia de comtiente cuando Rs = 500 9, R; = 200 kA y Ry = 800 k2. {{Cudl es la ganancia de tensién, Ay, del circuito mostrado en la figura 4.15(@) si se alimenta una sefial al amplificador, con una resistencia de fuente, Ra, de 10 KO? Supéngase que Rp = 4 kM, Ry = 10K, Rca = 5002 Gm = 2mS, Ry =25 ky Re = 120 KO. En el circuito mostrado en la figura P4.6, supéngase que Rs esté en cortocircuito total con un capacitor. Vop = 15 V, Rp = 2kX, Rr = 32, Rg = 2000, R; = 500 KM, Ipss = 8 mA y Vy = —4 V. Determinense Ay, Ai, Rea ¥ el punto Q para el amplificador. 240416 4a7 418 49 420 41 423 424 425 Problemas 213 En el circuito mostrado en la figura P4.6, Vpp = 20V, Rp = 2k2, Ry = 10k9, Rs = 2009, Ri = 1 MO, Ipss = 10 mA y Vp = ~SV. Determinense el punto Q, Ay, A; y Reg para el amplificador. Para el amplificador mostrado en la figura P4.6, Vop = 20 V, Rp = 2k2, Ry = 6kM, Rs = 1002, Ri = 1MQ, Ipss = 10 mA y Vy = ~SV. Determinense el punto Q, Ay, Ai ¥ Ree para el amplifcador Un circuito amplificador FC como el mostrado en la figura P4.1 utiliza un IFET para el cual Ipss = 2 mA y dm = 2000 pS. Siel valor de Rp = 10 kA y Rs = 2009, cual es la ganancia de tensién, Ay, para cada uno de los siguientes valores de Vasq? 1 -05V ov ‘Un cireuito amplificador FC como el de la figura P4.6 tiene un transistor con Vp =—4V, Ipss =4mA y rps = 500M. SiRp =2k9, Rp = 4k y 100 0, jeudl es la ganancia de tensi6n, Ay, del circuito si Vosq = 1 V? {Qué ocurre con A, conforme rpg tiende a infinito? Diséfese un amplificador MOSFET FC de canal n con Vpp = 20 V, Ry = 449, Ay = Sy Ai = —10. El punto Q se selecciona de modo que Vosq= 10 V, Vasq =4 Vy Lng =2 mA y dm = 4000 US. Diséfiese un amplificador FS utilizando un JFET de canal p como se muestra cen la figura P4,7 con Rea = 20 KM. Inténtese obtener una ganancia de tensiGn, ‘Ags tan cercana a la unidad como sea posible. Calcilense Ai, Rs, Ri y Ro. Utilicense las curvas caracteristicas que se muestran en Ja figura P4.2. Repftase el problema 4.21 cuando se acopla de manera capacitiva una carga de 20 KO al amplificador. Diséfese un amplificador MOSFET DC cuando Ry = 1009, A Inq =8 mA, Vasq = 1.5 V, Vosq = 633 V, Ren = 100 k2¥ 9m = Determinense Ay ¥ el valor de todos los resistores. Utilfcese el circuito de 1a figura P48, Diséfiese un amplificador DC utilizando,un MOSFET de canal n donde Res = 12kM, A; = 10, Rz = 5002, Von = 20 V, y el punto Q se selecciona en Vpsq = 10 V, Vasq =-3 V, Ing =7 mA y 9m = 2.3 mS. Utilfcese como guia el circuito de la figura P4.8. Diséfiese un amplificador FS utilizando un JFET de canal n para una ganancia de corriente de 100 y una resistencia de entrada de 500 k®. La carga es de 2 KM Selecciénese el punto para los siguientes parémetros: Vpsq = 8 V, Ing = 5 mA, Vasq =-1 Vy gm = 4 mS. Determinense las resistencias y la ganancia de tensi6n, y dibsjese el cireuito cuando Vpp = 10 V. 241 pean thc ARN RRL ORNS A a aN RN sao mataecatnael| 214 Capitulo 4 Amplifcadores con transistores de efecto de campo Figura P43 4.26 Repftase el problema 4.25 pero con un transistor diferente que tiene los si- ‘uientes parémetros: V, 3 V, Ipss = 10 mA. “4.27 Analicese el circuito mostrado en la figura 4.22 cuando Vpp = 16 V y Rr 8 KA. Selecciénese un punto Q en Ipg = $ mA, Vos: =1V,Vpsq =8V Y 9m = 5.5 mS, Determinese el valor de todos los componentes, Ay y Ay cuando Reg = 12 kX. PROBLEMAS ADICIONALES AGI PAG2 Pads PAs En el circuito de la figura 4.15(a), cuando Ry = 21 kM, Ry = 450 kQ, Rs = 5009, Rp = 1.5k9, Ry = 4k9 y Vp = 12 V, encuentre lo siguiente si Vosq =4V: 2 Ibe b. Vesq c 4 Rea 1. Ay cuando gm, = 3.16 mS eA Enel circuito de la figura 4.15(a), Rp =2 KO, Ry =5 K2, Rey = 100 KO, Rg =300 Ny Vpp = 15 V. Encuentre os valores de Rj y Ry necesarios para que el transistor opere a 4 mA cuando Vp = 4 Ve Ipss = 8 mA. Determine también Ia ganancia del amplificador en corriente y tensi6n. Para el circuito mostrado en ta figura PA4.1, R; = 50 KM, Ry = 100 kM, Ry = 80KN.-Rp = 4kR, Ry = 6K, Rs = 2000 y Vop = 2V, ‘determine lo siguiente si se utiliza un FET con Vpsq = 6 Vy gm = 2.5 mS: a. Ing. Vea y Vosq bi Avy Ren y Ai Para el circuito mostrado en la figura PA4.1, si se quita la resistencia Ra, €l FET opera a2 mA. Los valores de los componentes son R; = 100 k, Ry = 400 kM, Rp = 32, Ry = SKM y Vpp = 12 V. Determine to siguiente cuando el transistor tiene una Ipss = 8 mA, Ry = 400 KR y Wye -4V: 242Yoo RZ 3k R, It c= 1om at | ORE RS TCs SR ta t Figura PAGL a Rs b. Ay, Rea ¥ Ab Problemas adicionales 215 PA4S Disefie un amplificador DC utilizando un MOSFET de canal n con Rea = 120 kM, Aj = 100, Ry = 500 2, Vop = 20 V, y el transistor seleccionado. 15 mA. Utilice el circuito de la figura PA4.2 con Ipg = 0.6Ipss ¥ Vosq = Vop/2. tiene Vp = -5 Ve Ipss Figura PAd2 243 ane in tee mene5.0 ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION EN AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES INTRODUCCION 216 Las variaciones de los pardmetros, como aquellas debidas a cambios en la tempe- ‘atura, envejecimiento y sustituci6n de dispositivos, provocan que la localizacién del punto de operacién de un circuito con transistores se modifique con respecto a su valor nominal. A menudo se consume un considerable esfuerzo en reducir los efectos de estos cambios en los parimetros, ya que dichas variaciones pueden afectar de manera adversa el desempefio. Por ejemplo, un cambio en la localizacién del punto Q puede reducir 1a méxima excursi6n simétrica sin distorsi6n en la tensién de salida. En casos extremos, estos cambios pueden saturar 0 poner en corto-el transistor sin que esté presente sefal alguna en la entrada. Los parimetros varfan debido a cambios en la fuente de alimentacién, y en Ja temperatura, y también debido a tolerancias en los procesos de fabricacién del transistor. En este capitulo se estudian los efectos de estos cambios. Una vez entendidos tales efectos, se desarrolian ecuaciones para varias configuraciones de amplificadores discretos. Se dan diversos ejemplos de disefio. Posteriormente se analiza la compensacién por diodo como un método para reducir los efectos de la vvariacién de pardmetros sobre la operaciGn del circuito. El capitulo concluye con tun resumen de los pasos de disefio necesarios para asegurar la estabilidad de la polarizacién,5.1 5.41 Figure Sa Retroalimentacion de 5.1 Tipos de polarizacién 217 TIPOS DE POLARIZACION En este capitulo se ilustran varias técnicas de polarizacién utilizando BIT. Estas rmismas téenicas se pueden aplicar 2 los FET, aunque la motivacién es algo diferente, Por ejemplo, la temperatura no afecta la operaciéa del FET de la misma forma que lo hace con la operacién del BIT. El sistema de polarizacién por divisor de tensi6n es el que se wtliza comtinmente, yy se comenta en.el capitulo 2. Este método de polarizacién permite al amplifi ‘cador operar cerca del punto de disefio deseado a pesar de las variaciones que se produzcan en el transistor. ‘Se analiza el concepto de retroalimentacién con estas dos nuevas técnicas de polarizacién, aunque s6lo se muestra que parte de la seal de salida se retroalimenta ‘en la entrads. La intenci6n es ilustrar otras dos técnicas itiles de potarizacion en cd de los circuitos con transistores. Los sistemas retroalimentados se exponen con més detalle en el capitulo 11, en seguida del tratamiento de los efectos de la frecuencia en los amplificadores. Polarizacién por corriente En la figura $.1 se ilustra una forma de polarizacién con moderada estibilidad conocida como retroalimentacién de corriente, donde Ia corriente de colector a través de Re provoca una reroalimentaciGn negativa de tensiGn. El resistor de base, Rp, se conecta a fuente, Voc. LaecuaciGn de LTK para el lazo de cortiente de polarizacion esté dada por Vee = InqRa +Relcq+Var R =Ver +lea (42 +Re) Se resuelve para Jog a fin de obtener Veo - Vos Tea = Fegie Re (.1a) yee Re Re 245 ca EB: een es SSAAi | { 218 Capitulo 5 Estabilidad de la polarizacién en amplificadores con transistores Dividiendo entre 9, se obtiene Veo - Var Rot BRe a Nétese que el valor de aq es afectado por Ra, Re, Vee y 8. Los valores espectficos de estos parimetros determinan entonces el punto de operacién en reposo del transistor. Se examinaré la raz6n de llamar a esta configuraci6n “retroalimentaciGn de coriente”. La retroalimentacién se produce cuando un citcuito se configura de tal manera que la enirada es afectada por Ia salida. En el circuito de la figura 5.1, el resistor de emisor proporciona una forma de retroalimentacién. Si la corriente a través del colector tiende a aumentar, la tensiGn a través del resistor de emisor también aumenta. Para una tensién de entrada dada, vq, este incremento en la tension a través de Re reduce la tension base-emisor y, por tanto, también la co- rmiente de base, Esto, a su vez, disminuye 1a comriente de colector para reducir cl efecto del cambio original. Como este efecto est en contra del incremento en Ja comiente de colector, la situacién se conoce como retroalimentacién negativa de corriente. Al resistor de emisor se,}e puede colocar un capacitor en paralelo, quitando la retroalimentacién para sefales de ca y previniendo una reduccién en la ganancia, El efecto en la estabilidad en ed esté atin presente ((49], Cap. 12). De hecho, no se puede lograr estabilidad de la polarizacién debido a cambios en 8 ya que el transistor se levaré a saturacién para cualquier valor razonable de ganancia de tensién, Polarizacién por tensién y por corriente Un segundo tipo de retroalimentacién, que se muestra en la figura 5.2, es la retroa- limentacién por tensién. Nétese que la retroalimentacién por corriente en paralelo est atin presente debido a Rs. Se obtiene un mejor desempefio cuando Rg = 0. El resistor de retroalimentaci6n, Rp, se conecta entre el colector y la base. La tensién de base a tierra est entonces compuesta de dos elementos, uno que surge por la tensién de entrada y otro por la tensién de colector. Se analiza este Circuito escribiendo las ecuaciones en ed entre base y colector. En lo que sigue @ ‘continuaci6n, se supone que la corriente de base estitica es mucho menor que Ia ccomriente de colector estética, y por tanto se puede ignorar en las ecuaciones. Veo = IcqRe+ IngRr +Vee+logRe TcaRe + IcqRr/8 + Vee +IcoRe Despejando Jog, se tiene Veo - Vag 10a = Bee Ree Reb (5.28) 246Figura $2 Retraimenacion de tension, Ejercicios 5.1 Tipos de polarizacién 219 Yew Dividiendo entre 6, se obtiene Veo - Vag 100° Fee ite + Re} ae Nétese que B aparece en Jas ecvaciones (5.1) y (5.2). Por tanto, las variaciones en f afectan la localizacién del punto Q. En secciones posteriores de este capitulo se presentan téenicas para reducir los efectos de las variaciones en B. Se puede probar que es deseable hacer [2p igual a0.1 Re al utilizar circuitos de polarizacién por divisién de tensi6n, como se estudié en el capitulo 2, ‘Sin embargo, en el circuito mostrado en la figura 5.1, ulizar Rg = 0.19Rz provoca que el transistor entre en saturacin. La expresiGn equivalente del sistema de polatizaci6n de la figura 5.2 para reducir el efecto de los cambios en f es como sigue Rp =0.18(Re + Re) Esto es un buen criterio de disefo para reducir los efectos de los cambios en 6 sobre la localizacién del punto Q, pero no siempre es posible alcanzar este valor de disefio ya que hacerlo reduce la mixima excursin en la salida DS.1 Diséfiese un amplificador EC para méxima excursién en la tensién de salida ‘con ganancia de tensién de ~10 y resistencia de salida de 10 kA. Utilicese el cireuito mostrado en la figura 5.1 con Veo = 16 V, Vag =0.7 V y B= 100. 247; —— 220 Capitulo 5 5.2 EFECTOS DE LOS CAMBIOS DE PARAMETROS: Estabilidad de la polarieacién en amplificadores con transistores DS.2 Diséfiese un amplificador EC con Ay = —10. Utilicese el circuito de la figura 5.2 con Ry = 10 kQ, Veo = 16 V, Vag = 0.7 Vy f= 100. Determfnese también la méxima excursién no distorsionada en la tensién de salida. Reps Ro = 10k; Re = 474% Rp = 483 kD voip=p) = 9.0 V DS.3 SelecciGnese un valor para Ry en el amplificador del ejercicio DS.2 para proporcionar estabilidad en Ia polarizaci6n contra cambios en 8. ;Cuél es la méxima excursién simétrica no distorsionada en Ja tensi6n de salida? Resp: Rp = 105 ks app) = 2.85 V ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION Los cambios en Ia temperatura provocan que se modifiquen ciertos pardmetros del transistor. En particular, los siguientes parimetros son sensibles a la temperatura: 1. La comriente de fuga del colector entre base y colector (Iez0) 2. La tensién base-emisor (Vez) La fuente de alimentaci6n, Voc, y la P det transistor también varian, pero por lo general no son dependientes de la temperatura. En muchos casos, Ia fuente esté suificientemente bien regulada, por lo que se pueden ignorar los cambios en Voc. Sin embargo, se incluyen estos cambios para completar la derivacion ({51), Cap. 4) Las variaciones en 8 pueden ser significativas, pero las mayores variaciones no son provocadas por cambios en la temperatura. La causa més comin son las variaciones aleatorias de dispositive a dispositive que se producen durante los procesos de manufactura, ‘Viendo primero los cambios con la temperatura, se observa que conforme ésta aumenta, las variaciones en los pardmetros provocan que el punto Q se desplace hacia arriba (es decir, hay un aumento en Icq). Si la temperatura se reduce, el punto Q se desplaza hacia abajo (es deci, hay una disminucién en Iog). Cualquier condicién provocs que se reduzca la maxima excursin pico a pico en la tensiGn e salida, como se muestra en la figura 53. La cantidad de variacién en la corsiente de colector se determina utilizando erivadas parciales. La cortiente de colector es funci6n de cuatro variables, Tog = fWae,Iev0.8, Voc) 248)Figura 53 Ver: con cambios en la verperaur 5.2. Efectos de los cambios de parémetros: establidad de la polarizacién. 221 ara cambios pequefios en los pardmetros, la variacién en Io, esté dada aproximadamente por Alcg Beno . , blog lead + Gy Ab+ Se definen cuatro constantes de variacién como las derivadas parciales de Tc con respecto a las cuatro variables. Estas constantes se denominan como Sy, 6, 6g ¥ Syco. Entonces, en términos de estas constantes, se obtiene blog Wee a Aleg= Wate e+ AVec log = 6v AVE + 5:AlcB0 + 5pA8 + bvecAVec 63) Se examinarén ahora las cuatro variables en la ecuacién (5.3). La variacién, AVpp, €5 el cambio en la tensién de la uni6n base-emisor. Esta se ‘comporta de la misma fornia que la tensi6n a través de un diodo. Para transistores de silicio, la tensi6n varfa entonces en forma lineal con la temperatura como AVpg © -20 -T;) mV 64) donde T, y T; estén en grados Celsius. 249 i | i i }222 Capitulo 5 Estabilidad de la polarizacién en amplifcadores con transistores La corriente de fuga entre el colector y la base (a vers denominada corriente de saturacién inversa) es también funciOn de la temperatura. La cortiente de fuga colector a base, Icpo, Se duplica aproximadamente por cada 10° de aumento de temperatura, Esto se da por medio de la siguiente formula, donde Jono es la corriente de fuga inversa a temperatura ambiente (25°). Treasto/i0 loos [20-3010 — 63) Tepor = Tenor x 2 Aleno = len02~ Ieno1 Como las variaciones primarias de los otros dos parimetros, Voc y B, se deben 3 2 factores diferentes de 1a temperatura, la informacién acerca de la magnitud de estos cambios se debe especificar en e! disetio. : En las siguientes secciones, se calculan los valores de las cuatro constantes de variacién para las configuraciones EC y CC. 5.2.1 Configuracién EC Se encuentra la constante de variaci6n para Vag, Sy escribiendo en primer lugar Ta ecuacién de LTK alrededor del lazo base-emisor. Remftase al circuito mostrado cen la figura 5.4 donde, como en el capitulo 2, Vpn y Rp son los parémetros del equivalente de Thévenin para el circuito de polarizacién de la base. Esto es, VeoR, Vp = 2B Rake y Rp=Ri | Figura 54 ‘Ampliieador EC. 250“a 5.2. Efectos de los cambios de pardmetros: estabilidad de la polarizacién 223 Se obtiene entonces _ Ven Vor 100" Ree Re/B eo y ay = Sica LC om) “Oss Re+Ra/B La constante de variacién para Icpo, 51, se desarrolla con base en la figura 5.5: Teg = oq + Toxo Teg = Bag + Teno) Entonces, Jog = Blip + Iep0) + Iono = Blog +(8+\Icno Si se supone que 1+ ~ 8, entonces Jeg = Blaq+ Blcs0 Figura 55 Corrente ene ansistt 251 me cnn Ae RRNA RESIN ST' ! \ 224 Capitulo 5 Estabilidad de ta polarizacién en amplifcadores con transistores por tanto, I Ia= “2 — Ieno 6.8) La ecuacién del lazo base-emisor, la (5.6), se reescribe como sigue: Von ~ Vor = Rolin + Re(Icq+Iaq) En este caso, no se supone que 1+ = como en la derivacién de ta ecuacién (6.6). Si se hicieca la suposicién de que 1+ = B, entonces el término Ty estaria ausente del paréntesis. Sustituyendo la ecuacién (5.8) para Ip, se tiene Von ~ Vaz = (Re + ReXlcq/B ~ Iez0)+ loge Resolviendo para Jag, se obtiene Van ~ Voz + (Ra + Re)icbo 59 Cia +Ray/B+ Re 6 y tomando la derivada parcial, 5, = Slee Ro+Re 1 on Beso * e+ Rey/B+Re ~ 1/8+ Ra] Re + Ra) Si Rp = O.1BRg y B es grande, se puede suponer que Rp > Rg. Bajo estas condiciones, 6; est dado aproximadamente por oS aReiRe a Se evalia ahora la constante de variacién para @. Aunque 8 varia con la temperatura, la variacién predominante se debe a factores extemos. El intervalo de valores suele incluirse en la hoja de especificaciones. El valor de utlizado en las siguientes ecuaciones por lo general es el valor medio del intervalo dado. Se comienza con la ecuacién para la cortiente de colector, ecuacién (5.9), de- rivindola con respecto a . Con un poco de algebra se obtiene Slog _ (Ra + Re)lVep — Vor + (Ro + Re logo) 8 (Re+Re+BRey Si se pueden hacer las suposiciones: Rp > Re, BRe > Ra y Ralcno < (Vee ~ Vez), la ecuacién se reduce a la siguiente forma: 252ory 5.2.2 5.2. Efectos de los cambios de pardmetros: establidad de la polarizacién 225 Vee) (5.12) Por tltimo, la constante de variacién asociada con los cambios en la fuente de alimentacién Veg se encuentra de la ecuacién del lazo colector a emisor. Tex Vee - Vee O° Ree Re alc 1 1 fvco = He "o 6.13) Bec” Re+Re” Ret Colocando juntas todas estas relaciones, se encuentra que el cambio total en Leg 5, de la ecuaci6n (5.3), —— | atca | assmapa] *¥08* [reanaraa| Aleve e Ra(Vap~VaE ng, eR Re (5.4) Esta ecuacién se apica a varios ejemplos para encontrar la variacién que se produce en oq cuando la temperatura aumenta 0 disminuye. Usilizando esta ecuaci6n, pueden precisar los términos que provocan los mayores cambios en Jeg. Si la variaciéa total es demasiado grande para aplicar el amplificador, la atencién se centra en el término que provoca la mayor variacién en Io. Con base en la fevision de esta ecuacién, se determina si el valor de un parémetro se debe elevar 6© bajar. Por ejemplo, si el segundo término es el mayor, quizé sea necesario seleccionar un transistor que tenga la menor comriente de fuga entre colector y base ono) 0 cambiar el disefo reduciendo Rp. Para temperaturas menores que 1a ambiente, todos los términos en la ecuaciGn (5.14) se vuelven negatives; por tanto, provocan que [cg se vuelva més pequefa. Configuracién ES El amplificador ES se muestra en la figura 5.6. La técnica de polarizacién para este amplificador es la misma que la del EC excepto porque el resistor de colector, Re, es igual a cero. Entonces, la derivaci6n est basada en la misma ecuacién de polarizacién: Tog = Y20-~ Vee 8" Re /B+Re 253226 Capitulo $Estabilidad de la potarizacién en amplifcadores con transstores 5.3 Ejemplo 5.1}, Las constantes de variacin son entonces iguales que las del emisor comin excepto porque Reg es simplemente igual a Re en vez de (Rg + Rc). Se utiliza otra ver la ecuacign (5.14) para encontrar la variacin en la corrente de colectorestética EJEMPLOS DE VARIACION DE PARAMETROS Amplificador EC Diséfiese un amplificador EC con Ay = KA, Determinese la méxima excursién no distorsionada en la tensién de salida si la temperatura cambia de 25°C 85°C y Veo = 10 V. El transistor tiene una Logo = 1 wA a 25°C y i varia entre 150 y 250. SOLUCION Remiftase a Ja seccién 3.3 para el procedimiento de disefio, y sea Ro=Rp=2k0 Las ecuaciones de disefio se pueden revisar en la tabla 3.1. Siguiendo la forma corta de estas ecuaciones, se encuentra =(Re || Re) Ae Re Entonces y= BARD ros 254Ry || Re = 10009 Reg = Rg + Ry || Re = 11252 5.3 Ejemplos de variacién de parémetros. 227 | Rea= Rp+ Re = 21250 | __Veo ae 10a Roe Raa” Tse 710s OS™ 26 mV 26 mV comin 26 BND gag he Teal = Sarma “84% Se verifica que hi» < 0.1 Re, por lo que se utilizan las ecuaciones simplificadas. Ree 19 Rg = 0.1(200)(125) = 2.5 kA R ; Von = leo (42 +Re) +Ves | x07) (2212s) <07- .08 x 10 » (a +125 0.7=112V Ahora que el disefio est completo, se examinan las variaciones en los distintos pardmetros. Utilizando la ecuaciGn (5.4), se encuentra AVpg =~-20T De la ecuacién (5.5), se tiene lego = Icpoi2"" — 1) = (1 x 107963) = 63 HA De la informacién dada, se tiene (no se menciona variacién en Voc) a8 Avec 00 De la ecuacién (5.14), se obtiene la varia¢iGn en Ig: 1 tea [erin (012) 200 o, , [2500-12 + [Femmes] 6900+ Sore 87 mA + 1.15 mA+0.17 mA = 2.19 mA 255228 Capitulo $ Estabilidad de la polarizacién en amplifcadores con transistores Figura 57 “Lines de carga det jemplo 51 ‘Bxcursign desde 0 asta el valor ico de tc El nuevo punto Q esté, por tanto, en Tog = 3.08 +2.19 = 5.27 mA La figura 5.7, donde se ilustra la linea de carga, se puede utilizar para determinar cémo se reduce la excursi6n libre de distorsién al incrementar Icg. Se observa que la méxima amplitud no distorsionada de ic es (95%)(6.16) = 5.85 mA La excursion total de comriente pico a pico sin distorsiGn es entonces 2{5.85 — 5.27) mA = 1.16 mA La excursién total de tensin pico a pico es 1.16 mA x 1000 = 1.16 V La variacién de los pardmetros ha reducido la excursi6n pico a pico en la tensién de salida de 5.5 a 1.16 V. Mas adelante en este capitulo se analizan métodos para disminuir estos cambios. Esta es una reduccién extrema, y seria probablemente inaceptable en un disefo prictico. Si se examina la ecuacién para AIcg, se encuentra que el término que aporta el mayor cambio en Jog es Togo. Si el cambio de 2.19 mA en Jog es més de lo ‘que se puede tolerar, se debe reducir el término de 1.15 mA ya que es el principal 2565.3 Ejemplos de variacién de pardmetros 229 ‘causanté-del cambio en Icq. Se pueden Hevar a cabo varias acciones para reducir este valor. Por ejemplo, es posible seleccionar un transistor diferente con una Topo menor, De forma alterna, se puede reducir el cambio total de temperatura en el amplificador reduciendo, por tanto, el érmino AIcgo. También es posible reducir ‘ain més Rp o aumentar Rp. Estas acciones cambian la ganancia de corriente y la ‘impedaneia de entrada, pero como la especificacién del disefio no dice nada acerca, de la impedancia de entrada y la ganancia de cortiente, esto se puede ver como tuna opeién viable. Ejemplo 5.2 | Amplificador ES Diséfiese un amplificador ES (véase Fig. 5.6) con Ai = 10, Jogo. = 10 pA.a 25°C, Vag = 0.7 V 025°C, y Ry = 2002. La temperatura varia entre 25°C y 85°C, mientras que f lo hace entre 80 y 120. La fuente de tensiGn varfa entre 17.5 y 185 V. SOLUCION Remitase al capftulo 3 y a la tabla 3.1 para las ecuaciones de disefio. necesarias. Se inicia con Rg = Ry = 2009. Entonces Re Aca e710 ‘que da lo siguiente: Rp =2ko Res = Rg || Re =1009 Reg = Re = 2002 Para justificar Ia utilizacién de Ia forma corta para la expresién de Ai, s¢ deben verificar dos condiciones: 257230 u ftulo 5 Estabilidad de la polarizacién en amplificadores con transistores Capit hy $0.1RE Rp $0.16(Re || Rs) La primera de estas dos condiciones se cumple, no asi la segunda. Por tanto, 1a expresién en forma corta no es vilida. Se utlizard entonces la forma larga. Se Justifica, sin embargo, la omisién de his de la expresién. 10 Re Re 1° Rp]B+ Rel Re * Re + Re entonces Rp =25k2 Vop = Vor + Icq(Ra/8 + Re) =07 60%10° (222.00) «142 v El cleulo de las variaciones de pardmetros basado en las condiciones dadas produce AVag = -2AT = -2(60) = —120 mV Aleso = Ie — 1) = (10 x 10-$)(2/9 — 1) = 0.63 mA AB =40 AVec Se encuentra AJcg utilizando le ecuacién (5.14), donde se utiliza el valor 8 promedio de 100. = ST SITGy COND (0.63 x 1074 Alea = 5525007100” * Ts Toora0H 73500 * 1” = 0.53 mA +7 mA +3.38 mA+5 mA=15.9 mA Este cambio en Jeg se muestra en la figura 5.8. Se encuentra que la méxima excursion de cortiente de cero al pico es ig, = 120 0.95 — (60+15.9) = 38.1 mA 258 :5.3 Ejemplos de variacién de pardmetros. 231 Figura 53 Linea de carga para et ejemplo 52. y la méxima excursi6n no distorsionada en la tensiGn de la carga de salida es 2(38.1)(100 7.62.V pico a pico Esto representa una reduccién en la excursi6n de la tensién de salida de 108 a 1862V. —— Ejemplo 5.3} Amplificador EC Diséfiese un amplificador EC (véase Fig. 5.4) con Ay =-10, Ry = 1 KR y Voo 12 V. La temperatura varia entre ~50°C y +65°C. El transistor seleccionado tiene Vag =0.7 Ve Ioxor = 1.5 uA 225°C y una f que varia entre 300 y 400, {Cust cs la méxima excursi6n no distorsionada en la corriente de colector? SOLUCION Se comienza el disetio haciendo Ro=Ry=1k0 ‘Se utilizan nuevamente las ecuaciones en forma corta resumidas en la tabla 3.1. 259! nce sore nmSeE 232 Capitulo 5 Estabilidad de ta polarizacién en amplificadares con transistores Re=509 Rea = Re + Re || Ry = 5500 Rea = Ro + Re = 10502 loo = 02 2 00 * Fees + Rea ~ 350+ 1080 26 mV _ 26 mV hae ET 2 py ToT Como hiy < 0.1Rz, se justifica Ia uilizacién de las ecuaciones en forma corta, por lo que se continda con el disefio haciendo R’p = Re = 50 0. Ry =0.1 BRg =0.1(35050) = 1.75 kN Vee = Icq(Rs/6 + Re) + Vee 1) (1750 2) (1250 : = (7.5 x 10" (= +50) +07=111V ‘Como Ia temperatura varia de abajo de 25°C hacia arriba, el anflisis se debe dividir cen dos partes. Para el cambio de temperatura de 25° a 65°C, en primer lugar se encuentran las variaciones dependientes de la temperatura en Icpo y Vae- AT = 40°C Aleso = Iepoi(2 ~ 1) = (1.5 x 10°95) = AVps = ~2(40) = ~80 mV La variacién en A es 4p = 100 Como el problema no dice nada acerca de variaciones en Voc, se supone que AVec =0 El cambio en Jeg se encuentra ahora de la ecuacin (5.14). = 350 loa = 3 1780/3309) * T3550 TSO 1750(1.11 -0.7), 350550" (22.5 x 10-6) (300) -26¢-——5.3. Ejemplos de variacién de pardmetros 233 Aleg = 1.45 mA+0.72 mA +0.23 mA = 2.4 mA Para el cambio de temperatura de 25° a —50°C, AT = -75°C Alepo = Iepor2-*!" — 1) = (1.5 x 10-6(-0.99) = AVpg > ~2(-50 + 25) = 150 mV 1.49 uA El cambio en [cg es'entonces -1 350 - Alea = 377750735001) * Tasos ITI0 149 * 10) 1750(1.11 ~ 0.7) ssa 0) =2.73 mA ~ 0.05 mA+0.23 mA = -2.25 mA ‘Ahora que se han calculado las variaciones en ambas direcciones, es necesario encontrar la nueva excursién simétrica maxima en la corriente de colector.. El cambio en la corriente de colector estitica en la direcci6n positiva es 2.4 mA, mientras que el cambio negativo es 2.55 mA. Asi, con el punto Q original en el centro de la Iinea de carga, el cambio negativo mueve'e] punto més cerca de la regiOn no lineal que-el cambio positivo. La excursi6n negativa es, por tanto, el factor limitante para la maxima excursion simétrica, Después del movimiento en Ja direccién negativa, el nuevo punto Q esti en Tog = (7.5 ~ 2.55) mA = 4.95 mA Si se evita el 5% de Ia parte baja de la linea de carga debido a las no linealidades, Ja méxima amplicud en la excursién de corriente es (4.95 ~ 5% x 15) mA=: .2 mA Por tanto, la excursién total pico a pico tiene el doble de esta cantidad, uv 84 mA. Esa es la méxima comiente de colector pico a pico para una salida libre de distorsién y se iusta en la figura 5.9. La méxima excursién en la tens de salida se reduce de 6.75 V 242 V. En este disefio, el primer término de Ia ecuscién de Alcg es el mayor. Por tanto, el efecto de Ia temperatura en Vox: provoca el mayor cambio en Jog: Sila cantidad de redacciGn en la excursén simétrica de la salida no fuera aceptable, una 261234 Capitulo 5 Estabilidad de la polarizacién en amplificadores con transistores Figura 5.9 fclma) eee ; aoa E 8 mpi doa oe Romane Pane @2a8e S cs we | tie = cy nigeria soluci6n serfa tratar de reducir el primer término de la expresiGn. Esto se puede lograr colocando el amplificador en un lugar mfs frfo propiciando la eliminacion Ge clr de wasn + Ejercicios DS.4 Determinese le variacién en Iog para un amplificador Bo que se disefé utilizando los siguientes criterios: Ay = ~10, Ry, =4 KM, Rep =5 kM e Topo = 0.1 pA a 25°C. El valor de fi varfa de 100 a 300 y la temperatura cambia de 25° a 85°C (véase Fig. 5.4), i | i : Resp: Teg comienza en 1.56 mA y aumenta a 2.58 mA a 85°C DSS {Cufl es la méxima excursion simétrica no distorsionada en la tensin de salida para el amplificador del ejercicio DS.4? Resp: 1.54 V pico a pico 5.6 Si el amplificador dei ejercicio DS.4 se disefiara para operar de —25°C a t +#25°C, jcudl serfa la variacién en Iog? Rep: Teg disminuye en 0.757 mA DS.7 {Cul es la méxima excursién simétrica sin distorsiOn en la tensién de salida para el amplificador del ejercicio D5.6? .57 V pico a pico 262ea 54 Compensacién por diode 235 DSB Diséfese un amplificador ES para Ry = 500, A: = 15, Voc = 15 V, Vag =0.7 V e Icpox(25°C) = 2 uA. f varia de 75 a 125 y la fuente de tension varfa en £1 V. El amplificador esté diseitado para operar a 100°C. {Cuénto vale Tog 100°C y a 25°C? Resp Leq(25°C) = 200 mA; Ioq(100°C) = 275 mA. DS.9 {Cudl es Ia maxima excursion simétrica no distorsionada en Ja tensi6n para cl amplificador del ejercicio DS.8 si la temperatura es de 100°C? Resp: 5.25 V pico a pico 5.4 COMPENSACION POR DIODO } Los ejemplos de la seccidn anterior muestran que los cambios en la temperatura | pueden afectar bastante la ubicacién del punto Q. La compensacin por diodo es tna técnica stl para reducir los efectos en Jog por cambios en la temperatura. Se selecciona un diodo que tenga carateriscas de temperatura similares alas del transistor. Puede, de hecho, se la unién de un wansstor idéntico. Este diodo se Conecia tne] ccf, como se muesra en Ia gura 5.10, La adicin de este diodo en el citcuito dela base compensa los cambios debidos ala variaciGn en la temperatura, ya que V, varia de la misma forma que Vee. Ry ¢s la resistencia en dzeeto el diodo, Cuando la earactristica del diodo y Ta de la unin base-emisor son iguales,entones, sla temperatura cambia, tanto V, como Vg cambian al mismo ritmo. Con una sleccién adecuada del diodo, se reducen Jos efectos dela vatiacin en Vg. La nueva ecuacién de polaizacién para la © tension base a tier es Va =V, +1pRy = Voe+IcoRs Vee Figura 510 Compensacion por dios simple. 263236 Capitulo 5 Estabilidad de la polar i6n en amplificadores con transistores Resolviendo para Ig, se tiene Tog = Wax Van+ Inky) Sena La temperatura afecta tanto a V, como a Vag. Se desprecia el término InRy ya {que es mucho menor que (V;~Vae) y la variacién de Ip es pequefia. La variaci6n de Icg con la temperatura Se encuentra tomando Ia derivada parcial como sigue: 8IcQ . V,/@T - BVox/OT Re 5.15) 7. oy | Oa oT oT evinces Blog er Por tanto, [og es esencialmente independiente de los cambios en ta temperatura, ‘Se haré un andlisis similar para el ejemplo mostrado en la figura 5.11(a). Este circuito esté polarizado de una manera diferente de la del circuito anterior. Se comienza el andlisis encontrando el equivalente de Thévenin para el circuito de polarizacién. En la figura 5.11(b) se ilustra el circuito conectado a la base del transistor. Para encontrar la tensién de circuito abierto de la base @ tierra, primero se encuentra la corriente del diodo. ne incase saminda p= Moor i O* Re Rat Ry i La tensién de Thévenin, Vip, esté dada entonces por Vin = [Ri +Vy'+ IDRy _ Voo(Ri + Ry) + Vy Ro "Rit a+ Ry ysi Ry & Ri, VooRi+V>Ra Rit+Ry btn 2645.4 Compensacién por diodo 237 yee @ o Figura 5.11 Compensacin por diode. La resistencia de Thévenin es 1a combinacién en paralelo de Re con Ry. Row = Ra || By El equivalente del circuito de polarizacién se muestra en la figura 5.11(@). La corriente de base estitica se encuentra como sigue: Inq = Va VaE 30° Rm + BRE La corriente de colector estitica se encuentra multipticando la corriente de base por 8. Con la sustituci6n de las expresiones anteriores, se obtiene Tog = Vit Voe 00" Rem [B+ Re (WooR, + V,Ral/(Ri + Ro) — Vor Rr/8+Re La sensibilidad de este circuito a variaciones de 1a temperatura se encuentra for- ‘mando la derivada parcial, l¢q/@T como sigue: Blog _ (Re/(Ri + Ra\lV,/OT - BVee/6T or Rr /0+Re Ahora, si Rz >> Ri, esto se simplifica para tener Atee «(BH - Mee) (1 re) (G52) aba oe 265238 Capitulo 5 Estabilidad de ta polarizacién en amplifcadores con transistores sto muestra que si Ja caracerstica de temperatura del diodo es similar a la a= racteristica de temperatura base-emisor, Jog es esencialmente independiente de cambios con la temperatura. 5.4.1 Compensacién por doble diodo i i Enel compensador por diodo simple de Ia figura 5.10, la cortienteen el diodo no es necesariamente igual a la corriente en la unién del transistor. Por tanto, aunque las caracteristcas del diodo podrian ser similares a las de la unin base-emisor, no es seguro que as condiciones de operacién sean idénticas. Si se uilizan dos diodos, como se muestra en la figura 5.12, se elimina este problema y se logra una mejor compensacién. Se llega al circuito equivalente en dos pasos, como se muestra en la figura 5.120) y (c). La primera simplificacin se realiza encontrando el equivalente de Thévenin para el cicuito de polarizaciOn. La segunda simplificacion requiere encontrar un segundo equivalente:de Thévenin, donde cada diodo se reemplaza por una fuente de cd de V, volts. Al hacer esta sustiucicn se supone que las dos resistencias en directo de los diodos estén incluidas en un resistor adicional, Rp, t La tensiGn de Thévenin se encuentra utilizando la superposicin como sigue: La resistencia de Thévenin es Ry en paralelo con Rp. i m= Ra || Ro i La ecusciGn del lazo base-emisor da é if Vin = Vor f 00" Re+(Rall Rob ‘E Figura 5.12 Compensacién por diodo doble. i eee i‘ k £ alo i Re Re e a 2665.5 Reducci6n de las variaciones en la temperatura. 239 Si (Re || Ro)/B « Re, entonces Jog ests dada aproximadamente por ‘Sustituyendo la expresiGn para Vrs, se tiene 2,Ro+RoVos _ y, a Rg+R, onl jog» Het Bp y Ja variacién con Ta temperatura esté dada por @lcq _8V, Rp Vag 1 sin } Of ~ OF (ip+RoyRs OT Re Si se hace Rg = Rp, entonces la ecuacién (5.17) se convierte en i alcg _ 1 [@V,_ Vee | Basle : anscmin tee ictewncairtnmin secrete | se reduce a cero y se alcanza una compensacién de vemperatra mis precisa, Para asegurar que las caracteristicas sean similares, los diodos y el transistor sé pueden fabricar en el mismo crcito intgrado, i j 5.5 REDUCCION DE LAS VARIACIONES EN LA TEMPERATURA Cambiar la temperatura de cualquier dispositivo electrénico cambia sus caracteristicas de operaci6n. Un aumento en la temperatura puede inclusive hacer que cl dispositivo falle. Por tanto, es importante para el disefiador considerar Ia temperatura de operacién é¢ los dispositives utilizados en un sistema, i Para los BIT, un aumento de la temperatura en la unién provoca un aumento de Ica, reduciendo por tanto la méxima excursi6n en la tensiGn de salida. Los aumentos en la temperatura pueden estar provocados ya sea por calor externo 6 interno que se genera al operar el dispositivo a niveles altos de corriente. La ccapacidad de) transistor esté limitada por la temperatura permisible en le unién especificada por el fabricante. Es responsabilidad suya como disefiador asegurar aque su disefio no permita que la temperatura de la unién ino exceda el valor méximo especificado, o el desempefio se veré deteriorado. También es importante que 267 7240 Capitulo 5 Estabilidad de ta polarizacién en amplificadores con transistores Disipsdores de calor. Corea de Intemational Elecuonic Research Corporation, Burbank, Califomis su disefio no permita que el dispositive opere cerca de la temperatura méxima permitda, o la confiabilidad del dispositivo se reducirs. ‘Algunos transistores tienen caracterfsticas de disipacién de potencia o niveles de corriente que no se pueden alcanzar manteniendo la temperatura de Ia unién dentro de los limites permitidos. Existen dos formas de evita que la temperatura se cleve demasiado: enfriamiento activo y pasivo. El enfriamiento activo implica eb uso de ventiladores o acondicionadores. Dichos sistemas son caros y voluminosos pero son necesarios cuando se requiere la disipacién de grandes cantidades de calor. La téenica més barata es utilizar dsipadores de enfriamiento pasivo que | emplean superficies metéicas para conducir, y a veces radiar, el calor al medio ambiente. Para aumentar la disipaciGn de calor, se pueden afair aleta al disipedor I metélico para aumentar el érea en contacto con e} medio ambiente. A veces se i utiliza un chasis metilico como soporte para los componentes electrénicos a manera i de un disipador econdmico y efectivo. Si el problema es el fro y no el calor, s¢ { pueden obtener resultados similares utlizando ealentadores. Los wansistores de potencia y otvos dispositivos de alta corriente requieren de i sipacin de grandes cantidades de calor. Estos dispositivos de alta potencia se i ‘empaquetan de tal forma que se permita el contacto entze una superficie metélica i | i y un disipador externo de calor. En muchos casos, la superficie metélica del dispositive esté conectada a slguna terminal. Por ejemplo, los transistores de potencia tienen sus empaques conectados al colector. Para transistores de silicio en empaque metélico, la temperatura de la unién es generalmente 200°C. Cuando Jos transistores tienen empaque de pléstico, la temperatura de la unin es de 150°C. 268Ejemplo 5.5 Reduccién de las variaciones en la temperatura 241 Para determinar si un dsipador en particular es adecuado para utilizarlo en su disefio, son necesarios algunos célculos simples. Se utiliza la informacién de Jas hojas de especificacin para el transistor y el disipador seleccionado. Ejemplos de disipadores comunes se muestran en la foto. La resistencia térmica, 6, ue se define ‘como Ia elevacién de calor dividida entre la potencia transferida, es una constante independiente dela temperatura. Depende solamente de las propiedades mecénicas de Ia unién, Cuando se tienen varias uniones en sere, la resistencia térmica total es la suma de las resistencias individuals. Notese que a menor resistencia témica, mejor es la transferencia de calor. Cuando se coloca un disipador a un transistor, 1a resistencia témmica total del sistema es la suma de la resistencia térmica de la unign al empaque del transistor, 8s: la resistencia temica del empaque al disipador, ca; y Ia tesistencia térmica del disipador al medio ambiente, Gj. Por tanto, 1 temperatura de la unin del transistor se puede determinar a través de Ta siguiente formula: Ty = Ta + Gje* 800 * Osa)P donde Ty es la temperatura del transistor en grados Celsius y P es la potencia disipada por el transistor. El disipador de calor se debe elegir para evitar la operacién del transistor cerca de la maxima temperatura de operacién de la unin, ya que la vvida del transistor deorece répidamente cuando las temperaturas de operacién estén cerca del maximo, Determine si un disipador con Ga de 3.3°C/W (de las especificaciones del disipador) mantendré la temperatura por debajo del méximo permitido cuando el transistor opera en un medio con temperatura de 60°C. La resistencia térmica de ta unin al empague, 8c, es 1.5°C/W, la méxima temperatura de la unin es 200°C, y el transistor esté en un empaque TO-3 (véanse las especificaciones del fabricante). El empaque TO-3 tiene una Oc, de 0.3°C/W cuando el transistor esté ‘montado con una mica aislante y un compuesto conductor de calor entre el empa- {que y el disipador de calor (de las especificaciones del empaque). La potencia de! transistor, Plassey, Operando en este citcuito es 21 W. SOLUCION Utilizando la ecuacién anterior, se obtiene Ty =60+(15+03+3.3)21 = 167°C Por tanto, este disipador de calor es adecuado para mantener la temperatura de la ‘unin por debajo del méximo permitido. ——= + 269 : i242 Capitulo 5 Estabilidad de la polarizacién en amplificadores con transistores 5.6 DISENO PARA LA ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION DE AMPLIFICADORES CON BJT Para reducir los efectos de las variaciones de pardmetros en la localizacién del punto Q, la atencién se debe concentrar en la reduccién de cada término de la ecuacién (5.14). El método de disefio para conseguir este objetivo esté delineado por los cuatro pasos siguientes, 1. Usilizar compensacién por diodo para eliminar los cambios que se producen en Vag: por cambios en la temperatura. Los cambios en Vag son a menudo significativos y provocan un gran cambio en Icg. Al utilizar compensacién por diodo es importante que las caracteristicas de los diodos sean similares alas de la Vpz del transistor. 2, Seleccionar un transistor con baja [ozo de manera que el cambio en la Temperatura no afecte de forma significativa a Ic. t 3. Asegurarse de que el disefo reduce el efecto de los cambios en 8. Por ejemplo, con polazizacién por divisor de tensién, Rp debe ser menor que O.1GRp. Eso reduce el efecto de cambios en 2, como se puede ver en el tercertérmino de la ecuacién (5.14) : 4, Utilizar una fuente de alimentacién bien regulada para reducir el cambio en Vee. 5.7 EFECTOS DE LA TEMPERATURA EN FET Los cambios de temperatura provocan grandes variaciones en el punto de pola- izaci6n de los BT. Afortunadamente, la inestabilidad por temperatura no es un gran problema en amplificadores con FET. Sin embargo, la corriente de drenaje se afecta un poco por las variaciones en la temperatura. Los aumentos en la temperatura provocan que se incremente la corriente de fuga de compuerts @ fuente de un FET, duplicéndose por cada 10°C de aumento en la temperatura, El aumento en la temperatura de un amplificador con FET tiende a disminuir la ‘movilidad de los portadores de carga en el canal del FET. El efecto de un menor ‘mimero de portadores de,carga es reducir la corriente de drenaje, Sin embargo, el aumento de temperatura también adelgaza la regién desértica, lo cual tiende & aumentar la corriente de drenaje. Estos dos efectos se oponen entre sf, dando por tanto al FET su coeficiente de temperatura relativamente bajo. Para algunos tipos de FET, el fabricante especifica una corriente de érenaje estitica, la cual, cuando se utiliza, da un coeficiente de temperatura cercano a cero, Esté resulta por la conductividad disminuida del canal ‘Como el coeficiente de temperatura no es cero, es una buena préctica considérar In estabilidad de la polarizacién en todo disefio de circuitos. Un método simple es 270Figura 513 ‘Aplifeador FET Figura 514 Gara de opeacion det FET. 5.7 Efectos de la temperatura en FET 243 @, 6 utilizar un resistor de fuente, que provoca una retroalimentacién negativa, Esto se muestra en la figura 5.13(@). Cuando la corriente de drenaje aumenta, v, se vuelve mis positiva, provocando que ugs se tore més negativa. Por tanto, conforme ip aumenta, vgs se vuelve més negativa, Esto tiende a disminuir ip. El resultado es {ue 1a cantidad de cambio en ip se reduce. Esto se ilustra de forma gréfica en la figura 5.14. En general el fabricante proporciona un intervalo de valores de Vp € Ipss. Como se muestra en la figura 5.14, la curva vcs ~ ip se utiliza para tomar en cuenta los dos extremos de estos valores. Nétese que si el valor del resistor de fuente aumenta, a variacin en ip disminuye. Esto permite disefar el amplificador para reducir los efectos de cambios en Ja corriente de drenaje. Un valor tipico para Rg que proporciona una desviacién razonable en Ipg es 10% del valor de Ro (G4), Sec. 11.17). La estabilidad de Ia polarizacién en los MOSFET se proporciona de la misma manera. Sin embargo, se puede utilizar un cireuito més simple, como se muestra en la figura 5.13(b). Un aumento en ip provoca que vps disminuya, Reduciendo an in ARE RAS al RO ES—— 244 Capitulo 5 Estabilidad de la polarizacién en amplificadores con transistores ups disminaye vgs, y por tanto la tendencia es a disminuir el aumento original cen ip. Esta es una forma de retroalimentacién negativa ({51), Sec. 4.5). Ejemplo 5.4 Determinense los resistores de fuente y érenaje para un amplificador JFET (véase Fig. 4.15(a)) que sélo permita un 10% de variacién en Jpg para las siguientes especificaciones: + Vp varia de 5Va8V * Ipss varia de 7 mA a 10 mA 4 El valor nominal de Jpg es § mA Vop = 12 * Yosq=4V SOLUCION Una variaciGn de 10% en Ing 8 de 4.5 mA a un méximo de 5.5 mA. Las interseeciones de estos valores en las curvas de la figura 5.14 muestran que vos varia de 0.7 Val3V Entonces la resistencia de fuente esta dada por Aves 13-07 gang PS Terma Ingne 3SmA-45 mA ~ La linea que pasa a través de estos puntos interseca el eje ves, dando por resultado un valor de Veg de 2.1 V Vasa = Voo ~ 5 mA(600 9) =-09V Vpp = Vosq + (Rs + Rope Vosq _ 12-4 Ib Rp +Rs = Y22 6 KD Entonces Rp = 1.6 k2— Rs =1kO 272eee Problemas 245 Por la seleccién de Rs = 6009 se puede asegurar que [pg no se alteraré més del 10% para cualquier variacién de los pardmetros del transistor, Vp € Zpss, dentro del intervalo especificado. L PROBLEMAS Sl Prugbese que Vec = Vas para el circuito mostrado en la figura 5.1. Utili- ccense las ecuaciones derivadas en el capitulo 2. 52 En el cireito de la figura 5.1, sea Ro = 1K, Voo = 10V y Ay = ~8 Determinense los valores de Rs y Re que hagan al amplificador lo menos susceptible a cambios grandes en 9. SupOngase que Vaz =0.7 V y A = 150. 53 Para un amplificador del tipo mostrado en la figura 5.2, determénense los, valores de Re y Re que hagan que el amplificador opere de forma consistente con grandes variaciones en 8. Sean Voc = 10V, Ry = 1kM, Ay = —10, Ve = 0.7 V y B= 100. 54 Diséfiese un amplificador ES para alimentar una carga de 15 9 cuando 8 = 60, Vag =0.7 V, Iopo(25°C) = 1 HA, Voc = 20 V y Ai =8. Si ahora cambia la temperatura de 25° a 85°C, determinese la excursi6n pico a pico en la tensign de salida a 85°C. Utilicese el circuito de la figura 5.6. 58 Diséfiese un amplificador EC como el de la figura P5.1 para obtener una ‘ganancia de tensi6n de ~8. No se exceda el limite de potencia del transistor, Pris = 50 mW. Si la temperatura cambia de 25° a 85°C © Icao(25°C) = 0.4 pA, jcusl es la tensi6n de salida pico a pico sin distorsién a 85°C cuando Veo =12 V2 ‘5.6 Diséfiese un amplificador ES para alimentar una carga de 8 2, como se mues- ‘a en la figura PS.2. Hégase la ganancia de cortente A, = 10. Determinese la excursi6n pico a pico en la tensién de salida si la temperatura se eleva a ‘7S°C. Supéngase que Iop0(25°C) = 0.5 uA, Voo = 24 V. y que 6 varia de 60 2 100. 5.7 Para el disefio del problema 5.5, determinese la mAxima tensién pico pico cn la salida si 8 varia de 250 a 350 y la fuente de alimentacién lo hace de 115 a 125 V. 273 erence nA i ERAN inna mm mention246 Capitulo 5 Estabilidad de la polarieacién en amplificadores con transistores Vee Figura PS. Figuea P53 i 58 Para el circuito de la figura PS.2, determinese la maxima excursi6n pico a pico i en la tensidn de salida si @ varia de 40 a 80 y la fuente de alimentacién varia i de 19 a 21 V con la temperatura a 85°C. Supéngase que Iopo(25°C) = 2 uA, t Ry =2008y A= 8.8. i 5.9 Diséftese un amplificador EC para que tenga una ganancia de 8 y alimente una i carga de 750 0. Utilicese la configuracién de la figura PS.3 con un transistor que tiene 8 = 300 ¢ Icgo(25°C) = 10 1A. Determinese la maxima excursién E pico a pico en la tensidn de salida cuando la temperatura se eleva a 85°C. 6 if varfa de 250 2 350 y Voc = 24 V. 5.10 El amplficador mostrado en la figura P5.3 se disefta para operar a una tempe- tatura de -25°C, Encuéntrese la maxima excursién pico a pico en la tensién de salida 2 ~25°C si todos los pardmetros son Jos mismos que en el problema 5.9 excepto que varia de 200 a 350. 5.11 Se esté disefiando un amplificador similar al mostrado en la figura P5.2. Se requiere que tenga una ganancia de corriente de 10 y alimente una carga de 20 9 utilizando una fuente de energia regulada de 24 V + 2%. El transistor seleccionado tiene una variacién en i de 60 2 100, Vaz = 0.7 V ¢ Topo(25°C) = 1 uA. ;Cudl es la méxima excursin en la tensién de salida {que se puede obtener 2 —30°C y a 80°C? Sea Voc = 24 V. i 5.12 Usilizando el factor de estabilidad, 89, encuéntrese el valor de Re para un amplificador del tipo mostrado en la figura PS.1. Utilicese un transistor de 274Problemas adicionales © 247 silicio disefiado de tal forma que la tensi6n a través de Re no varie més de £0.5 V. Supéngase que la fuente de alimentacién es 20 V, Vaz = 0.7 V, Teq = 10 mA, y que B varia de 50 2 100. 5.13 Un amplificador similar al mostrado en la figura PS.3 se disefta para utilizarse donde Ja temperatura varfa de 80° a ~50°C. La baterfa fuente es de 24 V, el transistor seleccionado tiene una variacién en § de 200 a 300, ¢ Iono(25°C) = 2 A. {Cual es la méxima excursi6n en la tensi6n de salida para una ganancia de tension de 10 si la carga.es de 1 9? 5.14 En el amplificador descrito en el problema 5.13, cémbiese la temperatura mayor de 80°C a $0°C. ;Cudl es la maxima excursién en la tensiGn de salida para el amplificador después de esta modificacién? 5.15 Para el amplificador descrto en el problema 5.13, el wansistor que se pens6 utilizar orginalmente quedé fuera de producti6a y el dinico disponible que ‘cumple con los requerimientos tiene una Iopo(25°C) de 5 A y una variacién fen B de 300 a 500. ;Cual es 1a maxima excursiGn en la tensién de salida con cl cambio de temperatura de —S0°C a 50°C? 5,16 Un amplificador como el de la figura P5.2 requiere una ganancia de corriente de 10 en una carga de 50 2. La Especificacién requiere que el amplificador opere de ~75° a 50°C. El transistor seleccionado tiene una Iepo(25°C) = SA y una variaciOn en 8 de 200 a 300. Sea Voo = 25 V. Encuéntrese la maxima excursin de salida de! ampliicador. 5.17 En el problema 5.16, cdmbiese a temperatura superior a 100°C. Con este ‘cambio, ,cudl es la maxima excursién en la tensién de salida? PROBLEMAS ADICIONALES PAS.L Determine si un disipador con 64. de 3.3°C/W mantendeé ta temperatura por debajo de la temperatura méxima de operaciGn de la unién cuando el transistor opera en tn medio a 80°C con una potencia de 15 W. Suponga ‘que 6;_ = 20°C/W y Be, = 0.5°C/W. La temperatura maxima de la uni6n es 180°C. PAS.2 Para el ejemplo de la seccién 5.5, determine sila temperatura de operacién de 1a unién seré excedida si se utiliza un disipador con 84 = 4.5°C/W. {Cuinto tendria que reducirse la potencia de salida para mantener la temperatura de la uni6n un 10% por debajo del méximo permitido? 2756.0 AMPLIFICADORES DE POTENCIA Y FUENTES DE ALIMENTACION INTRODUCCION En este capitulo se considera el diseiio de amplificadores de potencia. El propésito del amplificador de potencia es proporcionar una tensién de salida con maxima excursin simétrica sin distorsi6n a una baja resistencia de carga. En la préctica, un sistema puede consistir en varias etapas de amplificacién, la dltima de las cuales suele ser un amplificador de potencia. La carga alimentada por este amplificador de potencia puede ser un altavoz, un excitador, un solenoide o algtin otro dispositive anal6gico. La entrada al sistema es una sefial pequefia que se amplifica a través de etapas de ganancia de tensién. La salida de las etapas de ganancia de tensi6n tiene la suficiente amplitud para alimentar el amplificador de potencia de la salida El capftulo se inicia con la presentacion de las diferentes técnicas de polarizacién aque conducen a la operaci6n en Clase A. Clase B, Clase AB y Clase C. En seguida se analizan los circuitos amplificadores espectficos y los efectos de las diferentes configuraciones de acoplamiento, En particular, se estudian los amplificadores con acoplamiento inductivo, capacitive y por transformador, y se proporcionan diferentes ejemplos de disef. El andlisis de la fuente regulada con diodo Zener del capitulo 1 se extiende para incluir la utilizacién de transistores de potencia. Esto permite la regulaciGn sobre ‘un intervalo mas amplio de entradas y salidas. También se analiza brevemente el regulador de Cl. El capitulo concluye con un andlisisdetallado de los circuitos amplificadores de potencia Clase B. 276a 61 61 Clases de amplificadores 249 CLASES DE AMPLIFICADORES 614 Figura 64 ‘Operscién en clase A. ‘Los amplificadores de potencia se clasifican de acuerdo con el porcentaje de tiempo gue la comriente de colector es diferente de cero. Existen cuatro clasificaciones principales: clase A, clase B, clase AB y clase C. En los siguientes apartados se analiza cada una de ellas. Operacion en clase A La clase A es e1 tipo de operacién considerado en los amplificadores de los capitulos 2, 3 y 4, En la operacién en clase A, el amplifcador reproduce totalmente In sefal de entrada. La comiente de colector es distinta de cero todo el tiempo. Este tipo de operacién es ineficiente ya que, aun sin seal de €ntrada, Jog ¥ diferente de cero y el transistor disipa potencia. Esto es, el transistor disipa potencia en condicién estaica 0 de reposo. En la figura 61 se ilustran curvas caracteristicas tipicas para la operacién ef clase A. La comiente, Ica, $2 sitia por Jo general en el centro de la linea de carga de ca Fala figura jemplo de entrada senoidal "iene Cbestrsenlans on la said” Nétse que la etradasenoidal se dibuja con la ordenada alineada con Ja linea de carga.. Entonces se varia vce ‘como funcién del tiempo, moviendo hacia arriba y abajo la linea de carga. Las variaciones en vce provocan variaciones proporcionales en la corriente de colector, las cuales se Jeen proyectando el valor de uce a la linea de carga y luego en forma horizontal al eje ic. Nétese que si se evitan las porciones no lineales de las curvas de operacin (las regiones sombreadas del diagrama), una entrada senoidal provoca tna salida senoidal.250 Capitulo 5 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentacién 61.2 6.1.3 Operacién en clase B En la operacién en clase B, se utiliza un amplificador para amplificar el semiciclo positivo de la sefial de entrada, mientras que un segundo amplificador amplifica el semiciclo negativo. La configuracién de este amplificador se conoce como push- pull 0 de simetria complemencaria. Los citcvitos push-pull se presentan en la seccién 6.3; en la presente seccién s6lo interese el concepto. ‘Como un transistor puede responder sélo a medio ciclo, se requieren dos transistores para producir la onda completa. Cada uno de los transistores se polariza en el corte en lugar del punto medio del intervalo de operacién, como es el caso para la operacién en clase A. Cada transistor opera la mitad del tiempo, de modo que la corriente de colector de cada uno es diferente de cero el 50% del-tiempo. La ventaja de la operacién en clase B es que la corriente de colector es cero cuando la sefial de entrada al amplificador es cero. Por tanto, el transistor no disipa potencia en condicién de reposo. Entre las desventajas del amplificador clase B est Ja inclusi6n de la regién no lineal de corte en el intervalo de operacién. Esto es, a diferencia de ta situacién fen clase A, no es posible eliminar el 5% de la regién de operacién sombreada en la parte inferior de la figura 6.1. Por tanto, la distorsién que se produce cerca del punto Q se incluye en la sefial de salida. ‘ En Ta figura 6.2 se ilustra una curva caracteristica tipica para un par de transistores en la configuraciGn push-pull. Esta figura s6lo es para fines conceptuales, ya {que més adelante se analiza el amplificador con mayor detalle. Como dos transistores estén conectados, con el colector de uno de ellos a continuaciGn del emisor del ‘otro, se repiten las curvas para el segundo transistor, pero se invierten los signos de la comtiente de colector y la tensién colector a emisor. Esto es, las dos cantidades ‘aumentan hacia abajo y a la izquierda, respectivamente, para las caracteristcas del segundo transistor. En la porcién superior igquierda de la figura se representa al primer transistor, que conduce s6lo durante el semiciclo positivo de la entrada. En Ja porciGn inferior derecha se representa al segundo transistor, que esté configurado para conducir slo en el semiciclo negativo. En la figura 6.3 se muestra una tipica forma de onda de salida. Nétese que el primer transistor produce la parte positiva de la salida y el segundo la parte negativa. Notese también que la figura 6.3(a) yy (b) mivestra alguna distorsion cerca del punto ic =0. Cuando estas dos curvas se suman, se produce la salida mostrada en la figura 6.3(c). Esta recuerda 1a entrada senoidal, aunque la forma de onda esté distorsionada cerca del cruce del efe. Es importante que los dos transistores en configuracién push-pull sean iguales. De’ esta forma, las porciones positiva y negativa de la entrada se amplifican en la risma proporcién. Operacién en clase AB La operacién en clase A tiene la venaja de contar con una pequeta distorsién, mientras que en clase B tiene la de una mayor eficiencia. La operacién en clase AB se encuentra entre estos dos extremos. El punto Q se sitda ligeramente por arriba 2786.1 Clases de amplifcadores 251 —————_ Regn de Fiara 62 mci pertinence B el ‘Transistor 1 en condsecion ‘Transistor 2 en cone mee ‘Transistor 1 en conte “Transistor 2 en conduccion Taasisor | . Linea de cams de 4 Taansitr 2 tic Elamplifcader1conduce ic, Eamplifcador 2 conduce 4 fc slo ex Ia pare positive slo ea a parte negativa | ‘Amplifcador 2 en cone ( Ampuscador 1 en cone sai v | ‘ampifcador 1 | y | | Sada det 1 ampifcadoc 2 ® ® © [Figura 63 Forma de onds en Ia sla de un push-pull. Rr la frecuencia ms baja, Rios © Re, 281254 Capitulo § Ariplificadores de potencia y fuentes de alimentacién A u y Roa & Re. En la figura 6.6 se ilustra el amplificador acoplado por inductor y las lineas de carga. Se elige el punto Q para méxima excursién en la salida. La cortiente, Jog, esté dada entonces por la ecuacién (2.29), que se desarroll6 en el capitulo 2 Tog = Oh 9° Rent Rea La resistencia en ca es simplemente Rz, ya que el inductor se aproxima a un circuito abierto para ca y los capacitores son cortocircuitos. La resistencia en cd es Re, siempre que se pueda despreciar la resistencia del inductor. Por tanto, peeeeVac! CO" Rips Re ‘Como las Ifneas de carga en cd y ca cruzan el punto Q, la ecuacién de la linea de ‘carga de cada Vorq Ri Teg Igualando estas dos expresiones para [cq, se obtiene la ecuacién (6.1) Voc Vere = ROR; 1) Supéngase que Re < Ry. Entonces, de la ecuacién (6.1) se ve que Vogg * Voc y la linea de carga de ca interseca el eje vee mds o menos en 2Vcc. La utilizaci6n 4el dispostivo de almacenamiento (inductor) produce una excursién en tensién que cefectivamente equivale a doblar la fuente de alimentacién. El campo del inductor almacena energia durante el ciclo de conducciGn, actuando entonces como una segunda fuente de Voc en serie con la fuente de od. amplificador acoplado por inductor pose una eficiencia mayor que la del amplificador que contiene una resistencia de colector. Para ptobar esto, se debe caloular primero la eficiencia de este ampliicador. Esto se realiza suponiendo sefales de entrada senoidales. : La potencia proporcionada por la fuente de tensién es v2, Prreporieaats = Veclog = aoe 282Figura 66 “Amplifeadorscoplao por inductor 62. Cireuitos amplificadores de potencia. Operacién en clase A 255 donde se supone que Re < Rr; por tanto, se ignora Re en la ecuacién.’ La potencia proporcionada a la carga bajo la suposicién de que la entrada es una simusoide con amplitud, JL mis, €5 =p. Fe Pr = FE ae En la figura 6.6 se observa que la méxima excursi6n en la corriente del colector tiene una amplitud Jog (se ignoran la saturacién y el corte), Como el inductor es casi un cireuito abierto para ca, ésta es también la méxima excursi6n en la corriente de la carga, Por tanto, la méxima potencia hacia la carga es FegRt _ Vee ime ane Peas La efciencia de conversion se define como la razén de la potencia en ca dela carga 2 la potencia proporcionada por ia fuente. Esta medida de la eficiencia depende por tanto de la potencia disipada en los eicuites de polarizacién y en Rp. A fin de erivar un valor méximo para la eficiencia, se supone que Ia potencia disipada en dl circuito de polarizacién y en Re y Rigg es despreciable. La méxima eficiencia de conversin (con un méximo en la excursién de salida) esté dada entonces por Vao/2Ri = OGL k «50% "Yaoi El circuito con un resistor en el colector se examin6 en el apartado 2.6.1, donde se derivaron varias relaciones de potencia. Estas se pueden utilizar para mostrar que Ja m&xima eficiencia del amplificador con resistencia en el colector es del 25%, 0 ‘un medio de Ja eficiencia encontrada para el amplificador acoplado por inductor. Esto es razonable ya que, en el circuito con resistencia en el colector, la carga vista por el transistor es la combinacién en paralelo de Ia resistencia de colector Vee @ 283256 — Capttulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentacién 6.2.2 y la resistencia de carga. La méxima potencia proporcionada por el transistor se Comparte entre estas dos resistencias. Amplificador de potencia acoplado por transformador En el capitulo 3 se presenta el amplificador acoplado por transformador y se de~ sarrollan las relaciones bésicas ({51], Sec. 5.2). Este circuito se examina con més detalle en la presente seccién, ya que tiene utiles aplicaciones a los amplificadores de potencia. En la figura 6.7 seilustra el amplificador de potencia CC (ES) acoplado por transformador. También se muestran en la figura las ineas de carga. Notese {que la pendiente de la linea de carga de cd depende de la resistencia del embobinado primario de! ransformador. Esta resistencia suele ser muy pequefia. La pendiente de la Iinea de carga de ca depende de la resistencia de carga reflejada. Si se desea méxima excursiGn en la tensi6n de salida, se resuelven las ecuaciones de disefio (Ee. (6.2)) para colocar el punto Q en el centro de la linea de carga. [Notese que la resistencia de carga reflejada por el transformador es: Roms = 0 Re, loge Yee «Meo Reat Rea Rr 62) Se supuso que la resistencia‘del primario det transformador es despreciable y, por tanto, que Rea = 0. En el disefio de amplificadores EC se selecciona la resistencia de base, Rp, de la ecuacién de disefio de estabilidad de la polarizacién, Rp =0.16Re En el disefio de amplificadores CC se utiliza un crterio diferente. La resistencia de base es restringida por la ganancia de cortiente deseada, Aj, 0 por la especificacién de la resistencia de entrada, Reg.’ La ganancia de tensién de este amplificador se acerca a la unidad. El resto del disefio sigue las ecuaciones desarrolladas en el capitulo 3. Estas se revisan en los ejemplos que si ‘Se encuentra la méxima eficiencia de conversi6n del amplificador de potencia acoplado por tansformador. La potencia suministrada por la fuente de tensién es 1y de la figura 6.7(b), se ve que es aproximadamente igual a va, Propane = OS . eR, ‘Se supuso que la potencia hacia el circuito de polarizacién es despreciable y que la pendiente de la Iinea de carga es —1/(a?Rz). 284 igFigura 63 “Amplifcador de potencia acopiado por trnsformador 62 Cireuitos amplificadores de potencia. Operacién en clase A tie 257 Lines de carga de ed Pendiente= Lines de cua de ca ‘La méxima potencia transferida a la carga, suponiendo una entrada senoidal a maxima amplitud e ignorando efectos de saturaci6n, es 3) La maxima eficiencia de conversi6n de potencia esté dada entonces por Vo /2a*Rt _ Vacl@Ry “°° Por tanto, el amplificador acoplado por transformador tiene caracteristicas similares 1 us del amplifcadoracopladn por inductor. La maxima efiencia de conversion de ambos evutos es del 308'y, aunque el ES Gene una gananciade tension Cerca Ia Unde, la ran de Yurlias el tansfomnador determina la ganania de tensién para la carga. El amplificador acoplado por transformador posee la ventaja adicional de proporcionar acoplamiento de impedancia, como se comenta en el capitulo 3. jempio 6.1 |, Amplificador acoplado por inductor Diséfiese un amplificador EC acoplado por inductor con las especificaciones dadas. Determinense la potencia suministrada a la carga, la potencia requerida de la fuente de cd y la méxima excursi6n simétrica sin distorsiOn en la tensién de salida Ye = -10 % Ry =4kO, Veo =16 Vs A Ay = 12 = -30 200; Vee =0.7V 285258 Capitulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentacién SOLUCION Se uiliza cl creuito dela figura 6.6 quitando el capacitor en paralelo con el resisior del emisor. Se utlizan también las ecuaciones de ganancia de tensinen forma corta (reas a a Tabla 3.1) para el amplifcador EC observando aque supvestamente la impedancia dl inductor es infinita para la operacién en ca, Entonces Fy Ay Re 10 Se utiliza la ecuacién de disefio para og, donde Rea =Rr+Re=44 ko Rea= Re = 400.9 i Entonces Notese que hiy < 0.1Rz,” por lo que se justfica la ecuacién en forma corta, ‘Utilizando la ecuacién en forma corta para la ganancia de corriente, para este amplificador acoplado por inductor. Se despeja la resistencia de base, Rg =—AiRe = 30x 400= 12 ke La condicién que permite utilizar Ia ecuacién en forma corta es que Re < SRE 6, sustituyendo valores, 12 kD < 80 kA Como 12 no es mucho menor que 80, se recalcula Rp utilizando la ecuacién en forma larga A= ge er) * Re/B+ Re Rep]200+400 = 286 j62. Cireuitos amplificadores de potencia, Operacién en clase A 259 Despejando Rp se obtiene Ry = 14.1 kM que representa un cambio del 17.5% del valor encontrado a partir de las ecuaciones en forma corta. “Como esto es és que la tolerancia del resistor promedio utlizado en estos circuitos, se justifica el rechazo al valor de 12 k9 encontrado con las ecuaciones en forma corta. Si el cambio hubiese sido de s6lo 3 6 4%, el esfuerzo adicional no estara justficado puesto que la mayoria de los resistores que no son de precisién tienen tolerancias superiores a este valor (por ejemplo, un resistor de tolerancia 12 KS 5% podria tener una resistencia real entre 11.4 kM y 12.6 kM). Se utilizan las ecuaciones de polarizacién para encontrar los valores de los resistores de polarizaci6n: R Vpa = Vaz +loq (@ +Rs) B 14.1 x 10 ee 20740331079 [ERO st] oar v «| Despejando entonces R; y Ra, se tiene 16 = (61 KN SE =994 KO El disefo del circuito esté completo, y se calculan la efciencia de potencia y Ia sméxima excursin sin distorsi6n en la tensi6n de salida. Debido a que Tomx Ja potencia de salida esté dada por (0.95) ex 233 ea 42 0 mW Pe = (095loq) SE [Nétese que la operaci6n se ha restringido a la regién lineal mediante ta eliminacién del 5% de la méxima excursién cercana al corte y Ia saturacién. La potencia suministrada por la fuente es Yao Pree =leqVeo + FI 16 33 mAMG V)+ 8 55.2 mW =) is 'V) 16.4 kN+99.4 kQ a 287260 Capitulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentac La eficiencia del amplificador esta dada por la relacién 20.02 = e036, 0 36% La méxima excursi6n simétrica sin distorsiGn en la tensién de salida es v= 1.83.33 mA) kM)=24 V Nétese que esta excursién de tensiGn es mayor que la fuente de alimentacién. Esto posible debido a la capacidad del inductor de almacenar energfa — I Ejemplo 6.2 |, Amplificador acoplado por transformador ‘Diséfiese un amplificador acoplado por transformador (véase Fig. 6.8) para una ‘ganancia de corriente de A; = 80. Erfcuéntrense 1a potencia proporcionada ala carga y la potencia requerida de la fuente. SOLUCION En primer lugar, se utiliza la ecuacién de disefio para encontrar la ubicacién del punto Q para méxima excursin en la salida: Veo Rec + Rac wR OR, BxXE Tee 3.4 mA Como la especifcacin del problema requiere una ganancia de corrente de 80, el ampliicador debe tener una ganancia de coriente de 10 porque el transformador proporciona una ganancia adicional de 8. Se utlizan las ecuaciones de le tabla 3.1 para encontrar la resistencia de base, Rp: Re fe ___ 19 A™ Ra[B+he+ Re donde Re=@R,=5120 Se supone que his es lo suicientemente pequefia para despreciarse. Entonces, al Gespejar Rp se tiene 69 kD 288Figura 63 ‘Amplifcador acoplato or tansfrmador parse! empl 62. 62. Cireuitos amplificadores de potencia. Operacién en clase A 261 Voo= 12 TooR Vea =F +Vae sa (20) s0r-a00 7 Despejando ahora los resistores de polarizaci6n, ___Re 3690 T=Vee/Veo. ¥-2.031/12 ax Vooke _ 1205690) °° Van 2.031 R 8 ka 33.6 k0 ‘Ahora el disefio esté completo, Le potencia proporcionada por la fuente esté dada por Veo. Ri+h Pree =Vecleq+ = 284 mW La potencia disipada en la carga es 0.95ateQ)Rr _ P, + = 126.5 mW [La operacién se restringe nuevamente a la regién lineal eliminando el 5% de la méxima excursién cercana al corte y Ia saturaci6n. La eficiencia es la razén entre Ja potencia de la carga y la potencia de la fuente. 126.5 UES 20.45, 0 45% ” 0. 289i i epee 262 Capitulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentacién Ejercicios 63 6.1 Diséfese un amplificador EC acoplado por inductor con Ay = ~10, Ren = 4 KO, Ry =2 kM, Voo = 12 V, 6 = 200 y Vaz = 0.7 V. Determinense Aj, 1a potencia proporcionada a la carga y la méxima excursiGn simétrica sin distorsiGn en la tension de salida. Resp, Re = 195 9; Ry =5.2 ki Ry = 298 KM; Ai = —20; P, =20.25 mW; Yoy-p) = 18 V 62 Diséfese un amplificador ES acoplado por transformador para excitar una carga de 8 9 si Voc = 20 V, Vag = 0.7 V, 8 = 100, Req =2 KM y el transformador tiene una raz6n de vueltas de 10:1. Determfnense la ganancia de cortiente, Ay, la potencia de salida, y la méxima excursi6n sin distorsién en la tensi6n de salida. 1 kM; Rp =33.8 KO; CIRCUITOS AMPLIFICADORES DE POTENCIA. OPERACION EN CLASE B 6.3.1 ‘Un amplificador de audio en clase B utiliza un transistor para amplificar la porcién positiva de la sefial de entrada y otro transistor para amplificar la porcién negativa de la sefial de entrada. Circuitos EC push-pull En la figura 69 se muestra un circuito EC push-pull. Las sefiales de entrada a Jas bases, que son iguales y con 180° de desfasamiento entre ellas, se toman de un tansformador con derivaci6n central. En forma alterna, se pueden tomar de un divisor de fase, como se muestra en la figura La operacién del cireuito se analiza viendo uno de los transistores, como se muestra en le figura 6.10. Las lneas de carga se muestran en la figura 6.10(0). La cortiente, Ica, se coloca en cero de manera tal gue el transistor conduce s6lo para una sefial de entrada positva, La linea de earga de ca se especifica por la ecuacion Voo = ver +ic(a’Rt) Notese que cuando veg = 0, 29063. Circuitos amplificadores de potencia. Operacién en clase B 263 Fane i. pled EC Yee paket Re & eal Ru _ Figs 10 Vee Init den lo An amine da pu 6, 4 : Ra | ra el avr ; de fase R ! — Mee | = . | fa) (b) i sm cn i = rinBaRp/(Ra+hie) og i tea { i Se desprecia hie, ya que es mucho menor que Rs [a potencia dsipada en el circuit pushpull es } 1 TP Preo=Veok J [iew+touo]at 4) Las i r”T—™C"§"ETPENE"___—_ rt de Ia ecuacién (64) es la suma de las dos comintes de colestor. Sila entrada es Senoidal, cada una de esas corientese5 una version rectifcada de media onda de tna onda senoidal, Durante el primer semiciclo de la onda de entrada, el transistor | 1 i 291——— aceon soe sgonnemreremsctnaee regen aren er 264 Capitulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentacién 6.3.2 superior conduce y el inferior se encuentra en corte. Durante el segundo semiciclo, ‘ocurre la situacién inversa. Por tanto, la suma de las dos corrientes es una senoidal rectificada de onda completa. Suponiendo que se utiliza la excursién total (es decir, no se elimina el 5% de cada terminal, como se hizo antes para evitar la distorsi6n), Ja méxima corriente estd dada por Veo Tons = Rt Entonces la potencia es Pree = Vo 1 (7? |... 28] 4. 2 Veo Ria Jp 7 TOR, ‘Amplificador de potencia clase B con simetria complementaria Se puede disefar un amplificador de potencia push-pull sin utilizar transformadores © divisores de fase si se recurre a un transistor pnp y uno npn con caracteristicas simétricas. El circuito es como se muestra en la figura 6.11, Este circuito se lama comiinmente amplificadar de potencia con simetria complementaria. Debido a que se utilizan dos fuentes de energia de polaridad opuesta, la tensién en cd en la unién entre los dos emisores es cero. Si se revisa el circuto para aislar la carga con un capacitor, se puede utilizar una fuente de energia simple. Este circuito se muestra en la figura 6.12. El capacitor bloquea la ed (Voc/2) de la carga, El capacitor también proporcions la tensiGn de suministro a Qz cuando Q, no conduce. Esto es, el capacitor se carga al valor en ed de Voc/2 en la unin de los dos emisores. La linea de carga de ed es ain vertical, ya que el capacitor acta como circuito abierto para cd. Dado que el amplificador opera en clase B, Iaq se coloca en cero, ‘Como en el caso del amplificador de potencia acoplado por transformador, Rx se determina de la ecuacién de ganancia de corriente o de ta ecuacién de resistencia de entrada, La resistencia de entrada, Rea, se determina como sigue (haa = 0}: RaRy Re Ro ORD" Rasa La resistencia de base equivalente, Rp, ya no es igual a R; || Rp. En vez de esto, €s Ry || Re o Re/2, ya que los dos capacitores de entrada cortan ambos resistores Ry para operar en ca. Con este valor para Ry, se encuentra que Res &s RiRef2___ RoR Ref2B+ Re” Reb +I, Rew 5) 292Figura 611 Simaura complementaris ‘illzndo dos fuentes de poten Figura 6.2 Simevta complemeataia uiliando una fuente de slimestacon 63. Circuitos amplificadores de potencia. Operacién en clase B 265 Vec= +10 Vec= ~10V @ ARs. Ave he Rp+BRt pero 293 ) |266 Capitulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentacién Como ahora se tiene el valor de Rz, se determina el valor de Rj utilizando la ecuacién en ed: RV Veo BRO pero Vep=Va5 luego 2R.Voe Voc — 2VpE Para evitar la regiGn ¢ operacién no lineal cereana al cont y,por tanto, para ‘obtener una operacién més simétrica, se pueden quitar los dos resistores Ry-y reemplazarlos con un resistor variable, Rs, como se muestra en la figura 6.13. Este resistor permite que [cg se eleve por encima de cero para compensar la distorsién {que se produce al operar cerca del conte, como se muestra en la figura 6.3. Esto cumple con la operacién en clase AB. En los circuitos de las figuras 6.12 y 6.13, se utiliza un capacitor para aislar la carga. El capacitor forma parte de la trayectoria de la corriente para un transistor cuando el otro est4 en corte. Por tanto, el capacitor se carga durante la conduccién de Qt y se descarga durante la conduccién de Qo ‘Con la capacitancia presente, el circuito se vuelve dependiente de la frecuencia, La respuesta de la etapa en baja frecuencia se determina por la red RC mostrada en 1a figura 6.14(a). Conforme disminuye la frecuencia de la sefial, aumenta la tensién a través del capacitor ex serie y dismsinuye la tensin a través de Ry. Este efecto reduce la sefial desarrollada a través de Ry, y por tanto disminuye la ganancia del amplificador. El punto de media potencia, 0 de 3 dB, especifica la frecuencia més baja de corte. Esta es la frecuencia que provoca una cafda de 3 dB (1/\/2) en la amplitud de salida. El punto esté especificado por ° ORG En la figura 6.14(b) se muestra la respuesta en amplitud de la red RC. Nétese que a la frecuencia de media potencia, la amplitud cae por un factor de 1/V3 de su valor pico. Esta frecuencia es la frecuencia en radianes mds baja y, por lo comin, representa la frecuencia més baja que puede ser procesada de manera efectiva por el amplificador. Esto es, conforme disminuye la frecuencia, la salida disminuye. En algtin punto, la amplitud en la salida es muy pequedia para ser de utilidad. Por ejemplo, se podria tolerar slo un 196 de caida en la tensi6n de salida. El punto 294Figura 613 Simetriacomplementara vilizendo una fuente de imentacén Figura 618 Red RC. 63 Cireuitos amplificadores de potencia. Operacién en clase B 267 Frecuencia media de media potencia representa cerca del 30% de caida en la tensién 0 corriente de salida (es decir, 1/\/2= 0.707), lo eual puede ser més de lo que se puede tolerar para la aplicacién dada. Sin embargo, el punto de media potencia se acepta, en ‘general, como la frecuencia limite Con referencia a la figura 6.15, se ve que si Ci es-grande, la impedancia es pequefia y vz es casi igual a v,. Por tanto, la potencia de salida esté aproximadamente en su méximo valor. Por otra pare, si Cy es relativamente pequefia, vz es casi igual a cero y Ja potencia de salida es pequesa. La impedancia de C; determina Ja amplitud de salida, y su impedancia depende de la frecuencia. La impedancia de un capacitor fjo disminuye con el aumento de la frecuencia, de manera que el peor caso se produce @ la frecuencia de operacién més baja. Supéngase que la frecuencia més baja (es decir, la frecuencia de corte) es figs hertz, Entonces el 295 a268 Capitulo 6 Amplficadores de potencia y fuentes de alimentacién Fen os Dia een sth sen at oe G valor de C; se encuentra de la ecuacién para el punto de media potencia como sigue: 1 G=—)_ 2 fea Para este valor de Ci, la tensién de silida (en notacin de operadores) est& dada por : ve SLM Tine v3 66) Por tanto, siempre que se opere por encima de la frecuencia de corte, Vi, seré ‘mayor que el valor mostrado en la ecuacién (6.6). Es posible mejorar ain més la operacién del circuito, Las fluctuaciones de ‘pe: con Ia temperatura se pueden reducir reemplazando los dos resistores R con diodos. Estos diodos deben tener caracteristicas similares a las del transistor y se deben montar en el mismo disipador de calor. Esta forma de compensacién se ‘analiza en la seccién 5.4 y se ilustra en le figura 6.16. En el disefio de cualquier amplificador de simetria complementaria; deben te- netse presentes tres Areas de interés. Una es la distorsin de crace por cero presentada en la secci6n 6.1.2. Esta distorsiOn se puede reducir fécilmente colocando Pequefos resistores en serie con los diodos para hacer que Icq se encuentre ligeramente por encima de cero. Esto, a su vez, provoca que ambos amplificadores amplifiquen ta sefial de entrada en ca de manera simulténea en la regiGn de paso, = compensando asf Ia baja amplificacién individual en esa regin. La segunda érea de interés es la posibilidad de fallarérmica, que puede producirse si los dos transistores complementarios no tienen las mismas caracteristicas 0 si una Vag: descompensada se reduce por las altas temperaturas. Esto conducirfa a una corriente de colector ‘mayor, que originaria disipacién de potencia y calentamiento adicionales. Este ‘proceso continia hasta que el transistor se sobrecalientay falla. Este problema se reduce colocando pequefios resistores en serie con el emisor para aumentar el nivel 29663, Cireuitos amplifcadores de potencie. Operacién en clase B 269 Vee Xe = 0a freevencia ‘media Figura 6.16 Simesa complementria con compesacion Figura 6:17 Ciruito equivalent # la base por diode de polarizacién. Con una carga de cuatro a ocho ohms, las resistencias necesarias son de aproximadamente 0.47 (2. El tercer punto de interés es mantener los diodos de polarizacién en conduccién todo el tiempo para evitar la distorsi6n. El diseio del amplificador de potencia mostrado en la figura 6.16 requiere conocer la resistencia del diodo en directo, que suele ser inferior a 100 ©. También es importante que la corriente de polarizaci6n del diodo sea bastante grande para ‘mantener los diodos en la porcién lineal de su tegiGn de polarizaci6n directa para to- {das Jas tensiones de entrada, La maxima cortiente pico negativa a través del diodo debe ser menor que la cortiente de polarizacién en directo. Esto es, el componente de cd de corriente debe ser mayor que el de ca, de modo que cuando se afiade al componente de cd, la corriente resultante no se vuelva negativa. Si esto no fuese cierto, el diodo se polarizarfa inversamente. Esta restriccién se establece como Ip > lisel (3) donde iap es 1a amplitud del componente de ca de la comiente del diodo. El circuito equivalente en ca se muestra en la figura 6.17, donde iy es la comtiente cen ca de la base del transistor y vi, es la tensin en ca a través de. la carga, Ry +jXcr, a baja frecuencia, ‘La siguiente ecuacién proporciona la comriente directa, Ip, a través del diodo. Veo/2- 0.7 Ip 7 La sefial de corriente pico a través del diodo en direccién inversa, ip, es (véase Fig, 6.17) 297 .a 270 Capitulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentacién fap = tap + imap thy 68) La ecuacién (6.8) se deriva notando que la ganancia de tensién es unitaria para el amplifcador ES. Esto es, la tensién en ca a través de Ry es igual que la tensién del emisor a tierra, vj. Igualando Ip con fp, se encuenta la condicién limitante para la operacién del diodo en la regién de polarzacién diresta (véase Ec. (6.7)). A pani de esto, Re se puede encontrar como sigue: Vool2=0.1 tie Re eR entonces paw ool Usp itp Como el amplficador es un ES, u; = uf. A frecuencias medias, la tensi6n a través de C; es cero, por Jo que la tensi6n completa, vz, aparece a través de Ry. Por tanto, v; = vz. A la frecuencia de corte baja (3 dB), la potencia de salida cae a 1/2. de fa potencia a frecuencias medias, y la tensién a través de Ry es igual a la tension a través de Cy. Cada una de estas tensiones es igual a vz /V2. La magnitud i pico de la tensién a través de la combinaciGn en serie de Rz, y Cy es | wal Por tanto, el valor de vj, en la ecuacién (69) se puede escribir como Ubp = Ri Bity = Ruicp (6.10) La resistencia de entrada se determina del circuito equivalente mostrado en la figu 6.18 para la condicién de Z = Ry @ frecuencias medias del amplificador donde Xei=0. ‘Se supone que el capacitor es un cortocireuito para operacién a frecuencias medias. Notese que Ry se refleja como GRz. El diodo tiene una resistencia en directo, Ry, y otra inversa, R. La resistencia de entrada se encuentra de la figura 6.18 como sigue: Peg = (Ry + Ra) || [Ry + (Ra ll BRL] (11) 298 olFigura 6318 CCireuito equivalent ala nada 6.3.3 63. Cireuitos amplificadores de potencia. Operacién en clase B 271 — | Cirevito condter Cresta 90 SR Yo $ Ry ‘conductor BZ, = BR. 1 media feevencis La ganancia de corriente se encuentra uti a través de D; con Qi en conduccién es 6.12) 6.13) Se incluye un subindice adicional, p, para indicar que se estd utilizando el valor pico de la variable (por ejemplo, itp). CAlculos de potencia para el amplificador push-pull clase B La potencia desarrollada por la fuente de cd se divide entre el transistor y los resistores del circuito de polarizaci6n. La sefial de la fuente de ca aftade una ccantidad de potencia adicional insignificante, ya que las comtientes de base son ‘pequefias en relacién con las corrientes de colector. Parte de la potencia dirigida al transistor va a la carga, y la otra parte se disipa en el transistor mismo. Las siguientes ecuaciones especifican varias de las relaciones de potencia en el cireuto. 1La potencia de entrada es Prec = Veelpe donde Ipc es la cortiente promedio extrafda de la fuente de poder por Ia parte del transistor en el circuito. La comtiente, Ipc, se determina promediando un periodo completo. Se utiliza la ecuacién212 Capitulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentacién Este resultado requiere de un examen més cuidadoso. Durante el primer semiciclo 4e la entrada, la corrente fluye a través del transistor superior en el capacitor y cl resistor de carga. El segundo transistor se halla en corte. La potencia durante este primer semiciclo se desarolla a través del transistor superior, la carga, ya través de la energia almacenada en el capacitor, Durante el segundo semiciclo, el transistor superior eté en conte, Por tanto, la fuente Voc no suminisra ninguna potencia durante este semiciclo. En lugar de ello, la energia almacenada en el capacitor se devuelve a la carga y al transistor inferior. Pyceltransterido al circuito transistor) = Meoke we 6.14) El valor maximo de la corriente de colector es _ Yoo To mts = 3A ‘La méxima potencia transferida al transistor es 2 Vee Poco = (mix transferido transistor) = SE La potencia de salida en ca, suponiendo que la entrada sea senoidal, es B wR ae 5 (6:5) Prgac) = yy 1a maxima potencia de salida en ca se encuentra sustituyendo Zc me para obtener i La potencia total en ed proporcionada a la etapa es la suma de la potencia en el transistor y Ia potencia en el circuito de polarizacién y compensaci6n: = Veclon« 4 __Vbe Pye = ——“ + Ry +2Ry (6.16) Si se resta la potencia en la carga de la potencia de la ecuaci6n (6.14), se encuentra Ja potencia que se disipa en los transistores. Como esta potencia se comparte cn forma equitativa entre los dos transistores, 1a potencia disipada por un solo transistor es un medio de este valor. Entonces, 17) 1 [Voole mee oaks]63, Circuitos amplificadores de potencia. Operacién en clase B * 273 Se esté suponiendo que la corriente de base es despreciable, La méxima eficiencia Gel amplificador push-pull clase B es la relacién de la potencia de salida a li potencia suministrada al transistor. Entonces, cuando se desprecia la potencia disipada por el cicuito de polarizacion ((34), Cap. 18): Vao/8Rx Vacl?eRe = 4 785, 0 78.5% Este amplificador es més eficiente que un amplificador clase A. El disetador de este amplificador debe especificar el manejo de potencia del transistor. Es decir, es importante conocer 1a méxima potencia disipada por un solo transistor. Este pardmetro se encuentra derivando la ecuacién (6.17) con respecto a Tem con el fin de encontrar el valor que produce Ja méxima disipacién de potencia. Por tanto, : aP TC was 6.18) To wie = <2E 6.19) ‘Se sustituye ahora este valor en la ecuacién (6.17) para encontrar la méxima potencia: Pag =) | Yoo _ Yeo? m3 eR, IPR, Vee wR, (6.20) ‘Como la ecuaci6n (6.20) representa la méxima potencia disipada en cada transistor, ‘es equivalente al valor minimo de manejo de potencia del transistor. Esto es, al elegir el transistor es importante que el manejo de potencia sea igual o mayor que este nimero. Ejemplo 6.3 4 Amplificador push-pull clase B (disefio) Diséfese un circuito con simetrfa complementaria compensado por diodos (Fig. 6.16) para un amplificador de audio con una respuesta en frecuencia de 60 Hz 20 kHz y una potencia de salida de 4 W en un altavoz de 8 9. Utilicense transistores de silicio con 8 = 60 y compensacién por diodos. Les diodos tienen 301Capitulo 6 Amplifcadores de potencia y fuentes de alimentacién una resistencia en directo de 8 ©. Utlfcese una fuente de alimentacién de 12 V y determinese la ganancia de corriente, la potencia proporcionada al amplificador y el manejo de potencia de los transistores. SOLUCION En primer lugar, se determina el valor de Je mix necesario para lograr ia potenca espcifiada en la carga: La méxima corriente de base es Io mis _ 0.354 Tey 9 mA La frecuencia inferior, 60 Hz, representa la frecuencia de media potencia utilizada para encontrar Cy. A esta frecuencia, R 1 1 O° Say Oem KE 31 aE ‘A 60 Ha, la impedancia del circuito Ro es Zt, = 8V2 = 11.3 2. Entonces Zi, vista desde la base, es Zz = 60(11.0) = 678 ©. Usilizando la ecuaciGn (6.10), se encuentra, a frecuencias medias Vip = 0.354 x 8 = 2.83 V Se utiliza la ecuacién (6.9) para encontrar Ro, 6-0.7-2.83 39 R; 24190 Req y Ai a frecuencias medias se determinan como sigue: von (o2%8) «4 (591028) =01V 302Ejemplo 6. 63° Circuitos amplificadores de potencia. Operacién en clase 8 275 Utilizando la ecuacién (6.12), se encuentra 0142.83, >, 2.83 eT +59 1078+ TS = 19.8 mA Utilizando la ecuacién (6.11), se encuentra Rey Req = G+ 419) (B+ (419 || 480} = 150 2 Se utiliza entonces Ja ecuacién (6.13) para evaluar Aj: 6015.9) 198 7.9 La poteneia proporcionada al amplificador, incluyendo el circuito de polarizacién, esté dada por la ecuacién (6.16): 120.354) ,_12? _ Pree=~S— * ag saa = 1524 ‘La méxima potencia disipada por cada transistor esté dada por la ecuacién (6.20): Amplificador push-pull clase B (disefio) Diséitese un amplificador push-pull clase B con simetrfa complementaria compensado por diodos (véaée Fig. 6.19) para excitar una carga de 4 a +3 V para un intervalo de frecuencias de 50 a 20 000 Hz. Utilicense transistores npn y pnp con una = 100 para cada uno y Vgz = 0.7 V. Los diodos tienen resistencia cen directo, Ry = 10 0. Determinense todas las tensiones y cortientes en reposo para Voc = 16 V. Caleslese 1a méxima potencia que se extrae de la fuente de alimentaciGn, la potencia desarrollada en la carga y el manejo de potencia de los transistores por utilizar. SOLUCION Elfjase C; tal que la frecuencia a media potencia sea de 50 Hz. Por tanto, a esta frecuencia se tiene276 Capitulo 6 Amplifcadores de potencia y fuentes de alimentacién ct sag T5ma ae % |e ccvio ~ } ry ‘cond 3h Ry= 100 BE BR E3v Ry & : 4088 (@Cicuto ampiiador °—@) Ceuta equivalent Gite meio) Ceo event ded enna Figura 6.19 Ciccoito par el ejemplo 64. En la secci6n 4.8 se analiz6 la seleccién de componentes. Algunos de los puntos de esa seccién ameritan repetirse aqui, En muchos disefios del texto se especifica el valor de los componentes hasta tres digitos significativos. En la mayorfa de los disefios précticos, esta precisién es mucho mayor que la necesaria. Por ejemplo, al trabajar con resistores comunes (no de precisin) la tolerancia suele ser de + 5%, As{, se puede esperar que un resistor que est marcado como 100 © tenga una resistencia exacta entre 95 y 105 9. Por tanto, si se esté utilizando un resistor de 5% no tiene mucho sentido para el ingeniero de disefio especificar una resistencia de valor de 101.5936 2. Esto también es cierto para los capacitores. La cantidad de redondeo que se permite en un disefio depende de la precisién de los componentes ‘por utilizar y en la confianza que tenga el disefador en los pardmetros del disefio (por ejemplo 8). A mayor precisi6n, mAs caros son Jos componentes. Como no se ha especificado ningtin nivel particular de precisién, se mantendrén varias de las respuestas hasta tres digits significativos. El redondeo de los niimeros en los pasos de edlculo intermedios puede propagar errores. 7 ‘A pesar de todo esto, se cree justficado redondear el valor de C; encontrado a £800 yF. Esto representa un cambio de s6lo 39. Las méximas corrientes de colector y de base estén relacionadas a través de 8. Por tanto, pero como Vite est dada como 3, se encuentra e 3 50 mA63. Circuitos amplificadores de potencia. Operacién en clase B Por tanto, fig =7.5 mA y de la ecuacién (6.9), A frecuencias medias, de ia ecuaci6n (6.11) se encuentra que la resistencia de entrada es Req = (10 +573) [} [10 + (573 |] 4003) = 173 La potencia de la fuente esté dada por la ecuacién (6.16). 3 i Pg = Yoote at 8240.22 = 4.04 W ‘La ecuacién (6.15) proporciona la potencia de salida. Seah vas Por wiltimo, 1a ecuacién (6.20) se utiliza para encontrar el manejo de potencia requerido por cada transistor: Pan = Vee = 18 ‘eas = Get, nth ew La ganancia de corrente, Aj, se encuentra con base en la figura 6.19(¢): Rain _ ST3in “" + BR 973 Por tanto, : Bin i= Sap 127 ma © i € deg se relacionan por (Ry + Raden 383icn 2" ype R.+Ry+Ro BR) 88 305278 Capitulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentacién Ejercicios Entonces, _ 828127 mA) _ co = te mA Por sitimo, Bix _ 7.5.x 100 a 18 64 6.3 Diséese un amplificador clase B de simetrfa complementaria compensado * por diodos para excitar una carga de 4 2 con potencia de 1 W para un intervalo de frecuencia de 20 2 20000 Hz. Utifeense transistores npn y pnp complementarios con B = 100 Veg = £0.7 V con diodos de caractersticas equivalentes que tengan Ry =50 0. Sea Voc = 12 V. Determinense Ra, Rem Cis Prase ¥ Ai = joie Resp: Ry = 350 9 Cy = 2000 uF; Peaws = 0.91 W; Ai = 29; Re = 149.0 6.4 Disétiese un amplficador de potencia clase B de simetria complementaria ccompensado por diodos para proporcionar 2 W a una carga de 10 2 sobre un intervalo de 30 Hz a 30 kHz. Utilicese un par de transistores complementarios npn y prop de 6 = 100 y Vag = 0.7 V con diodos de caracteristicas equivalentes que tengan Ry =5 92. Determinense Re, Ci, Rey y As cuando Veg = 16 V. Resp: O; = $30 wR; Re = 154.95 Rey = 74 0; Ay = 7.1 CIRCUITO DARLINGTON En la figura 6.20 se ilusra un cireuito Darlington. Dicho ciruito es una configu- raci6n compuesta de dos transistors en cascada. Esta combinacién de transistores posee algunas caracersticas deseables que la hacen ms itil que un solo transistor en cierias aplicaciones. Por ejemplo, el circuito tiene alta impedancia de entrada, baja impedancia de silda y alta ganancia de corriente. Una desventaja del par 3063 64° Circuito Darlington 279 Figura 621 (6) Amplicador ES ©) Circuito equivalene enc (hia 6 puede ignors) ‘Ampliicador ES tlizando un par Dalngton. Darlington es que la corriente de fuga del primer transistor es amplificada por el segundo. ‘Silos dos transistores se conectan de la manera mostrada en la figura 6.21, las betas de los dos transistores se multiplican, formando una combinaciGn que parece un solo transistor de 8 alta, El par Darlington se puede utilizar en configuraciones EC 0 ES. La ie de ambos transistores no és la misma, ya' que el punto de ope- raciOn del primer transistor es diferente del segundo. Esto se debe a que la carga ‘equivalente en el primer transistor es a(R || Re), mientras que 1a carga en el segundo transistor es slo Re || Rz. En la préctica, el primer transistor puede 307 ire)280 Captulo 6 Amplifcadores de potencia y fuentes de alimentacién tener un manejo de potencia menor que el segundo. La resistencia de entrada del segundo transistor constituye la carga del emisor del primer transistor. ‘A fin de determinar los pardmetros de ca para el amplificador Darlington EC, véase el circuito equivalente, que se muestra en la figura 6.22(b). Se escribe la ecuacién para Rea como sigue: Rog = Re || (hier + Byhiea) pero oa hne= 72 Ve. Vr _ baVe yo en Ee th er omnia y Utilizando divisién de corriemte, se obtiene ine Ro, sR "°° Ry thie + Bila” Rp +28iPahana _ Ra+26iBrboa , ‘Rp iPrisi Ro/(Re + Rx) in Re * Ra + 2BiBahia Ro+ Re = he Ro RaiBith+ thea Ro+ Ri 30864 Circuito Darlington 281 | Vee Re i R G —— a]? i & z RE % =. eRe i ~ I Sh 2 : @ Figura 622 Amplifcador Daslington EC. ‘Utilizando la formula de ganancia de impedancia, se tiene (Ay = ARy/ Ren _ rBiba(Ro WR) * 2BiBahn ‘Aunque normalmente se considera que éste es un amplficador de ganancia de tensiéa, dicho amplificador puede proporcionar altas ganancias de cortiente debido a su resistencia de entrada extremadamente grande. Varias configuraciones dde amplificadores con la resistencia de emisor en cortocircuito tienen excelentes ‘ganancias de tensiGn, pero baja resistencia de entrada, 1o que redunda en una baja ganancia de corriente. Sin embargo, este amplificador proporciona no s6lo buena ganancia de tensi6n, sino también excelente ganancia de corrient. ‘Algunos fabricantes empaquetan el par Darlington en un solo paquete con tres terminales externas Gnicamente. Los pares Darlington empacados en un circuito integrado estin disponibles con betas de hasta 30000 ((34], pég. 395). ‘Aunque el circuito Darlington se puede ver como un solo transistor, existen algunas diferencias potenciales importantes. Una de ellas es la velocidad de ope- racién, Cambiar la tensiGn a través de la unién de un transistor requiere una cantidad finita de tiempo, ya que se deben mover electrones. De hecho, conforme ‘aumenta la capacitancia, aumenta la constante de tiempo de cualquier combinacién RC y disminuye la velocidad de operacién. Como el circuito Darlington tiene dos uniones base-emisor en serie una con la otra, 1a combinacién tiende a operar de forma ms lenta que un solo transistor ({51), Sec. 7.6). Para acelerar Ia operaci6n, se coloca un resistor entre el emisor del primer transistor y la base del segundo. Estos resistores tienen valores tipicos de varios cientos de ohms para transistores de potencia y varios miles para transistores de sefal. Ademés, como hay dos uniones bbase-emisor, en vez de 0.7 V se tiene una Vge-= 1.4 V en total. 309a SSE RRET 282 Capttulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentacién [[Eiemplo 65 mn El cireuito equivalente del par Darlington utilizado en amplificadores ES se puede simplifcar como se muestra en la figura 6.22(b). Los valores de Rex y Ai se determinan como sigue: Pex = Ro || (BiPr haa + Re || Re] La ganancia de coriente est dada por Re aoc) Re+Rp donde Ra Ra + hea + Re | Rio” ‘Re i ppor lo que se obtiene Re Re ta /Bih + Dhan + Re Ra Re+ Ry De estas ecuaciones, se ve que Ry puede hacerse més grande que en el caso de un solo transistor. Como resultado, la resistencia de entrada y la ganancia de corriente son mucho més grandes para el par Darlington. El par Darlington en el amplificador clase A (disefio) Diséfiese un amplificador ES usilizando un par Darlington (Fig, 6.21) que posee tuna combinada de 10000 y una Vag = 1.4 V. El amplificador debe excitar una carga de 20 91¢on Rey =3 KO. Utlicense Veo = 12V, fr = 20 Hz y determinense Avy Po. SOLUCION Sea Rz = Rz, ya que existe una ecuacién menos que incdgnitas. Se caleula Rg conociendo Re, como sigue: Rez = Re || (r6s(Re || Rud} Rp(100000) bro Rp + 100000 31064 Cireuto Darlington 283 Se ignora his (ya que Jog es mayor) y se despeja Ra: Re= 1.09 kN I punto @ esté en Voo 2 Teo" a+ Raa” T0+20 = ™ Se utiliza la ecuacién de polarizacién para encontrar Vag. R Yoo = Van +a (#5 Re) 3090 0000 wn 0° (32% 3) <9s0v Los resistores de polarizacién estén dados por 3090 Toosa7a = 0 3090 x 12 _ oy a 387 kn La ganancia de corriente esté dada por 0.4)? 4 (2) m0-08% Se calcula C; notando que la resistencia total en el trayecto de descarga del capacitor es (Re + Ry), y entonces 1 ep ot Tafa) El par Darlington proporciona un ineremento mayor en la ganancia de cortiente que un amplficador con un solo transistor. Ademds, brinda mayor resistencia de entrada que la que se puede obtener con un amplifcador de un solo transistor. au—— 284 — Capitulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentacién Ejercicios 65 165 Diséfiese un amplificador ES utilizando un par Darlington (Fig. 6.21) para cexcitar una carga de 8 9 con una 6 combinada de 20000, Vag = 1.4V, Veo =20V y Ay = $00. Diséhiese el amplificador para un intervalo de frecuencia de 40 a 15000 Hz. Encuéntrense Re, Ri, Ra, C1, Ren ¥ Pov 1e = 8.0; Ry = 17 KM; Rp=5.6 kM C1 = 250 uF (para 3 4B); Rey =4 KM; Py = 2.79 W 6.6 Diséfiese un amplificador ES utiizando un par Darlington (Fig. 6.21) con una B combinada de $000, Vag = 1.4 V, Voc =20V, Rey =8 ky Ry = 109. El intervalo de frecuencia es de 20 a 20000 Hz. Encuéntrense Re, Ri, Ro, Ci, Poy Ab = 10; Ry = 108 kM; Ry = 13.2 kN; Cy = 398 uF (para 3 4B); A; = 800; P, = 1.8 W AMPLIFICADOR CLASE AB CUASICOMPLEMENTARIO CON PAR DARLINGTON Se puede disefiar un amplificador de alta ganancia de corriente utilizando la co- nexién de un par Darlington y transistors ({6}, Sec. 9.7). Dicho amplificador se ilustra en la figura 6.23. Esta configuracién se conoce como amplificador clase AB cuasicomplementario con par Darlington, e incorpora un par Darlington con transistores npn y un par retroalimentado consistente en un transistor npn y uno pp. Los transistores Qa y Qa son transistores npn similares capaces de manejar alta potencia. Los transistores Q1 y Qs son complementarios y no necesitan mancjar alta potencia, La carga efectiva para Qi y Qs es SRz (donde f es la ganancia de corriente del transistor de salida), que es grande comparada con Ry. Por tanto, €l punto de operacién para estos transistores es mucho menor en Ja Iinea de carga que el de los transistores Q2 y Qs. La sefal de entrada positiva provoca que Q1 conduzca, pero Qs permanece en corte ya que se tata de un transistor pnp. Conforme la sefal de entrada se hace negativa, Q; se corta y Qs conduce. Ast, el circuito de entrada opera como el amplificador de potencia de simetrfa complementaria analizado antes. El resistor. R; se puede ajustar para minimizar la distorsi6n de eruce por cero permitiendo que conduzcan tanto Q1 como Q2 cuando la sefal de entrada ests cercana a cero. 312ree Figura 623 Ampliador pushpull, ‘ussicomplementano 6.6 66.1 6.6 Fuente de alimentacién utilizando transistores de potencia 285 Vee Ry a “a +88 Daten R Q : o ¢ 7 lee) ect ’ maa dan Rs Q. FUENTE DE ALIMENTACION UTILIZANDO TRANSISTORES DE POTENCIA Fuente de alimentacién utilizando componentes discretos En el capitilo 1 se analiz6 la fuente de alimentacién regulada utlizando un diodo Zener como dispositive de control de tensién. A medida que el diodo Zener regula Ja tensi6n, cambia la comriente a través del diodo, Esto es, conforme aumenta la tensién de entrada, la corrente en el Zener también aumenta. Como el diodo tiene ‘una resistencia distinta de cero, la tensiOn a través de él es una funcién de la cortiente. Esto provoca una regulacién pobre. Para obtener mejor regulaci6n, el diodo Zener se conecta al circuito de base dé un transistor de potencia, como se miuestra en la figura 6.24. Esta configuracién reduce el flujo de corriente en el diodo. El transistor de potencia utilizado en esta configuracién se conoce como transistor de paso. El propésito de Cy, es asegurar ‘que las variaciones en una de las cargas de la fuente regulada no alimenten otras cargas, Esto s, el capacitor constituye, en efecto, un cortocircuito para variaciones de alta frecuencia. Debido a la propiedad de amplificaci6n de corriente del transistor, la corriente cn el diodo Zener ¢s pequeiia. Por tanto, existe una pequefa caida de tensién a través de la resistencia del diodo, y el Zener actia como una fuente ideal de tensién, La comiente en el resistor, Ry, es la corriente en el diodo Zener més la corriente de base del transistor. Las ecuaciones (1.13a) y (1.13b) se hiacen iguales entre s{ para obtener Vs mie — Vz. Vs win — Vz. a Meme Ve Venn Ve 621 Be eT wel Terma ~To lB on 313286 Capitulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de aliment Figura 624 Foente de alimentacion regulads. nov + Entonces (Ws se — Vz XAT raee ~ Te, mte/B) = (V5 mtn — Va Ez mtx — Tt ato/B) Oz mte(Vs mix — Vz) + (Ut, mtx/ BXVS max — Vz) = Tz mix(Vs min ~ Va) + (Iz mio BV min ~ Vz) , por timo, Te wis(Vz — V5 aia) + Te maa(V5 rte ~ Vz) = Shae Us mie) Tt ne U5 rte — 02) 22) Ta wie BOVE sta Vay 6.22) 1s mts ~ 0. La ecuacién (6.22) es igual que la ecuaci6n (1.14), excepto que la iz méxima es reducida por la 8 del transistor. El disefio se leva a cabo como en la seccién 1.6.1, excepto que se reduce el valor de Iz mix. Se despeja la carga equivalente vista desde el capacitor, Cr, Ry, (equivalente) = Ry + Ry || (hie + BRL) * Ri (623) yague Rz < Ri. ‘Se sustituye la ecuacién (6.23) en la (1.15) para estimar el tamafio del capacitor: S(VS atx = Vz) CF = V5 was = Vo ie) (624) El valor de wes 2x fy para el rectifcador de media onda y 4x f, para un rectficador de onda completa Como 1a ganancia de tensi6n de un amplificador ES es unitaria, la tensién de salida de la fuente regulada es Vi = Va - Vee 31466 Fuente de alimentacién utilizando transistores de potencia | 287 El porcentaje de regulacin de la fuente de poder esté dado por Vo roe — V5 nia Vz Wa+Tz wisRz)~ Vz +Iz aioRz) Ve Rez mix ~ Tz nis) Va % rege x 100 x 100 x 100 6.26) 6.6.2 Fuente de alimentacién utilizando un regulador de Cl (regulador de tres terminales) Para requerimientos de potencia relativamente bajos, el regulador de CI es mucho mis econémico que los componentes discretos necesarios para hacer tna fuente regulada, y proporciona mejor regulacién (20.01%), proteccién de sobrecarga y confiabilidad. Por estas razones, es una alternativa atractiva a la del regulador por iodo Zener. ‘Como ejemplo, las series 7800 y 7900 de paquetes de reguladores en CI estén disponibles de inmediato, Los siltimos dos digitos del nimero de parte del CI indican la tensin de salida del dispositivo. Ast, por ejemplo, un CI 7808 produce tuna salida de 8 V regulados. La serie 7800 de reguladores en Cl proporciona sélo tensiones reguladas positivas. La serie.7900 es el, complemento de la 7800, pues ambas proporcionan tensiones reguladas negativas. Este paquete, aunque internamente resulta complejo, es econémico y fécil de utilizar. En la figura 6.25 se ilustran las conexiones para la serie 7800 de paquetes de reguladores en CI. El circuito extemo es muy simple y se muestra en la figura 6.25(b). Nétese que el regulador en Cl es un dispositivo de tres terminales. Los cireuitos extemos consisten en dos eapacitores (Cz es opcional) y wn rectificador de onda completa. Si las corrientes en el regulador exceden de aproximadamente 4A, el CI se debe fijar a un disipador de calor. Figura 625 Regulador dela seie 7800. Tera Cy [Tem Seles Conexiéa sic / 8 dispador de calor 4 o ® 315 i \——— | 288 Capitulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentacién S 6.6.3 Fuente.de alimentacién utilizando un regulador ajustable de tres terminales El LM3I7 es un regulador ajustable de tensién positiva de tres terminales capaz de suministrar mis de 1.5 A sobre un intervalo de tensiones de salida de 1.2 37 V. Es facil de utilizar y requiere s6lo dos resistores extemnos para fijar la tensi6n de salida. Tanto la regulacién de carga como la de linea son mejores que i en un regulador estindar de tensiGn fija, El LM317 se empaqueta en la forma de i tun transistor estindar. E] LM317 proporciona protecci6n total de sobrecarga, incluyendo limitacion de cortiente y proteccién de sobrecarga térmica. En la figura 6.26(a) se muestra un iagrama de conexién para el LM317. El capacitor Cz es opcional y, cuando se incluye, mejora la respuesta transitoria, Se utilizan cominmente capacitores de ‘ salida en el intervalo de 1 2 100 uF (electrolitcos de tantalio o aluminio) para proporcionar mejor impedancia de salida y rechazo a los transitorios. El capacitor , es nevesario si el dispositivo se localiza fisicamente lejos de los capacitores de filtrado. En operacién, el LM317 tiene una referencia de tensién intema de precision que desarrolla una tensién nominal de 1.25 V, Vagr, entre la salida y la terminal de ajuste. La tension de referencia aparece a través del resistor programado, Ry Comio Vaer 5 constante, existe una corriente constante, Jy, a través del resistor programado. La tensién de salida esté dada entonces por Vo = Vase + h + Tani) Ra Vora = Vase + A +TaoRa =Veer (+2) + TaosR (627) R Nétese que si Vins, Ri, Ra ¢ Ins son consanes,entonces Vz también una constants. "A menudo se uli un capacitor de paso de entrada, Para casi todas las api- caciones, es adecaado un capacitor de isco de 0.1 uF 0 uno slid de anaio de 1 pF como capacitor de paso en Is enrada, Ese capacioe cota las viriaciones de tis frecencla que oouren ea lbs cecuitosadjntes. Figura 626 M317 Repulador ajusuble % | a z 2 7y be ale AP) ver Ry % lee “ly Ry ®6.6 Fuente de alimentacién utilizando transistores de potencia 289 ‘Aunque el LM317 es estable sin capacitores de salida, como en cualquier circuito retroalimentado, ciertos valores de capacitancia extema pueden provocar oscilacio- nes excesivas conocidas como timbrado. Este se produce con capacitancias entre '500 y 5000 pF. Un capacitor de tantalio s6lido de 1 uF (o eléctrolitico de aluminio de 25 yF) en la salida reduce este efecto y asegura la estabilidad. Ejemplo 6.6 |, Fuente de alimentacién regulada utilizando componentes | discretos (disefio) Diséfese una fuente de tensién regulada de 11.3 V (véase Fig. 6.24) para una corriente de carga que varia de 400 a $00 mA. SupGngase una entrada de 120 V (rms) a 60 Hz en un transformador 3:1 con derivacién central. Utilfcese un Zener de 12 V con Ry =2 9. El transistor tiene Vaz = 0.7 V y 8 = 100. Seleccisnese Ctal que Avs = 10%, SOLUCION EI disefo consist en elegir valores para Ry y Cr. Primero se encuentra Vs mux multiplicando por V7 para obtener 170 V. La salida del transfor. ‘mador en ambos lados de la derivaci6n central es } de la entrada, de modo que Vs mix €8 28.3 V. Como Avs = 10%, 25.45 V Tiynin = 400 MA Vz = 12 Utilizando ahora la ecuacién (6.22), se obtiene Te wg « 2AI2= 25,45) 40.5083 - 12) 2 mix ~~“ T00(25.45 — 2.83 — 108) 35.384 8.15 COO I.S? =23 mA Nétese que el transistor mantuvo el valor de Iz mux muy pequefio ya que f apa rece en e] denominador de la ecuaci6n (6.22). El valor de R; se calcula, de la ecuacién (6.21), Vs mix — Vz 28.3 = 12 Tenn * To an/B © 23+400/100 = 259 ke 317oo i | i ' : | 290 Capitulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentacién Ejemplo 6.7 El tamatio del capacitor se estima de la ecuacién (6.24): = 528.3 = 12) CEsyanGH2590) Or 14.75 pF La ecuaci6n (6.26) se puede utilizar para evaluar el porcentaje de regulacién en la carga 210.0023 ~ 12 % reg 00029) 100 = .0345% Fuente de alimentacién regulada utilizando Cl (disefio) Diséfiese una fuente de alimentaci6n regulada (véase Fig. 6.25(b)) utilizando el paquete de reguladores en C1 7808 para proporcionar una salida de 8 V. La corriente fen la carga varia de 500 a 750 mA. La tensi6n de entrada al transformador 20:1 del circuito es de 120 V rms, Selecciénese C tal que Av, = 10%. SOLUCION La méxima tensién de entrada se encuentra multiplicando por V2, Jo cual da 17 V en la salida del transformador. Consiltese el apéndice D para las especificaciones del 7808. La tensién minima hacia el regulador debe ser de al menos 4 V por arriba de la tensi6n regulada para asegurar una buena regulaci6n sobre todo el intervalo 0, en este caso, 8 +4, 0 12 V. Para evaluar el tamafio del capacitor de fitrado, Cp, se necesita el minimo valor de Ry, visto desde el capacitor. Esta resistencia equivalente se encuentra dividiendo la tensi6n minima entre la corriente, donde ésta es la suma de la corriente en la carga y la corriente en el regulador. Se puede despreciar la corriente en el regulador y considerar s6lo 1a corriente en la carga. ara encontrar Rr, se utiliza la tensi6n de salida del regulador de tensi6n, Vor, dividida entre Ty wax, © Vor __8V Bae ee mA 1078 Para estimar el valor del capacitor, se utiliza una modificaci6n de la ecuacién (6.24), como sigue: S7= 8) 2 (120KS\10.7) Vs mia) Pe El valor del capacitor de carga, Cz, depende de las variaciones que se produzcan en la carga y de la distancia a la que se encuentren los elementos de la fuente de alimentaci6n. Por lo general, se utiliza un capacitor electrolitico de alta calidad 318Ejercicios 67. Reguladores conmutados 291 de 1 iF, El capacitor se debe colocar fisicamente cerca del regulador con el fin de aumentar la estabilidad y la respuesta transitoria. — 6.7 Diséfiese una fuente de tensiGn regulada de 7.3 V para una carga de 800 £100 mA, La entrada es de 110 V rms a 60 Hz y se utiliza un transformador 4:1 ccon derivacién central, Vz = 8 V y Av, = 10%. El transistor tiene Vig = 0.7 y {B= 100. Supéngase un rectificador de onda completa con Rz = 5 9. Encuéntrense Ri, Or y el porcentaje de regulacién. Resp Ri = 2.88 kM; Cp = 18.3 uF; 0.21% de regulacion D6.B_ Diséiiese una fuente de tensi6n regulada de 12 V utilizando un regulador 7812 en CI para una carga de 500 mA. Utilicense el transformador y la fuente de entrada dados en el ejercicio D6.7. Resp: C= 1004 pF REGULADORES CONMUTADOS Los reguladores en serie, ya sean del tipo discreto 0 de CI, se analizaron en las secciones anteriores. Estos reguladores en serie son tiles, aunque sufren de_va- Flas limitaciones serias. La dificultad més grave radica en el érea de la potencia ‘generada dentro del regulador. Estos reguladores en serie se basan en la caida de tensién variable a través de un resistor interno en serie, Rj, 0 a través de un transistor de potencia. La tensiGn de entrada debe ser mayor que la tensién de salida regulada. La diferencia cae a través de un componente interno. A mayor diferencia, mayor potencia se disipa dentro del regulador. Debido ala ineficiencia de Jos reguladores en serie, las fuentes de alimentacién que generan altas cortientes de salida, superiores a 2 A, se basan en un regulador conmutado, El diagrama de blogues de un regulador conmutado se muestra en la figura 6.27, Este sistema de retroalimentacién compara una tensién de referencia, Vzzr, con la tensiGn regulada de salida, Vasc. Veer Se obtiene de un regulador en serie de baja corrente de salida como el que se analiz6 en la seccién 6.6.2. Como se requiere ‘una corriente pequefia tal vez de 20 mA, de dicho regulador de referencia en serie, éste disipa poca potencia interna y proporciona una tensién de referencia precisa, La tensi6n regulada de salida, Vagg, se compara con una fraccién, Ra/(Ra+Rr), de Vaze. El amplificador de error es un amplificador operacional que se analiza de ‘manera mis completa en los capitulos 8 y 9. Para propésitos inmediatos, la salida 319a 292 Capitulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentacién Figura 627 Reguladerconmutado, Figura 625, Fico de pato-bjas para et repulador conmatado Re Amplifier de enor Vee Moduldor de} | Fito ancho puso pasa bojas | Vase RL del amplificador de error, ve, se aplica a un modulador de ancho de pulso. La salida del modulador de ancho de pulso, ve, s° utiliza para controlar el conmutador de alta corriente. Esta tensiGn de control, v, es una onda cuadrada de periodo T ccuyo ciclo activo, , esté dado por o=kve (6.28) El conmutador de alta comriente proporciona, de forma alterna, ya sea una tensién regulada 0 0 V al filtro. Por tanto, a tensiGn en Ta entrada del filtro, v,, es una ‘onda cuadrada con periodo Ty ciclo activo (al igual que la tensién de control, ‘¥.) pero cuyo valor bajo es cero y su valor alto es vs. La tensi6n, vs, se pasa a través del filtro pasa-bajas para pasar la frecuencia fundamental, 2x/T, y reducir los arménicos més altos en Vasc. El filtro pasa-bajas se muestra en la figura 6.28, donde VIC se debe elegit mucho mayor que T/2n. Como resultado, el valor de Vggc €8 una constante y resulta igual al valor medio de vy, ‘Un andlisis de este circuito con amplificador operacional da las siguientes ecuaciones: VascRa RatRr vs = Veer 320 nani67.1 Problemas 293 Entonces, como v, vo (1+ £2) 2 or tanto, 1a tensi6n de salida regulada depende s6lo de la precisién de Veer y de la razén de resistores, Rr/R.. La salida, Veec, no varia como funcién de Ta tensi6n de entrada, v;, 0 de la corriente de carga. Ejemplo 6.8 |, Fuente conmutada regulada Selecciénense valores de Rp y Ra para el regulador conmutado de la figura 6.27. Vea debe ser 12 V y Vagr 5 5 V. SOLUCION | Se utiliza la ecuacién (6.29) y se despeja la relacion Re/R4 como a Be | aso _ Ra Rese ‘Ahora que se conoce la relacién, st puede elegir el valor de Ra y despejar el de Re. Si, por ejemplo, Rg es 1 kM, entonces Rr debe ser igual a 1.4 k0. ae al Se debe estar seguro de que v; > Vasc. ya que Vasc es el valor medio de una sefal muestreada cuyo valor méximo es v;- ‘Algunas partes del circuito de la figura 6.27 se pueden reunir en un circuito integrado de CI. Estas incluyen el regulador de referencia en serie, el amplificador de error y el modulador de ancho de pulso, Como resultado, el disefio de un regulador conmutado se concentra en los circuitos de salida, especialmente en el ‘conmutador de alta corrientey el filtro pasa-bajas. Eficiencia de los reguladores conmutados La comiente de salida viene directamente de la tensién de entrada no regulada, vj, a través del conmutador de alta corriente y ¢} filtro inductivo, L, a la carga. Entonces, si se utiliza como conmutador un transistor con baja caida de tensién en estado activo y un inductor de bajas pérdidas, la eficiencia de la conversién puede ser alta (superior al 90%). El ahorro significativo en este regulador se basa més en la conmutacién, 0 modulacién, de la tensién de entrada con el conmutador de alta cortiente que en la disipacién de potencia a través de un resistor en serie © un transistor de paso. 321re tore 294 Capitulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentacién PROBLEMAS 6.1 Determinese la potencia de salida de un amplificador acoplado.en forma inductiva como se muestra en la figura 6.6(a). Sea Veo = 12 V, Vag =0.7V, Re = 100 2, Ry = 1k y B = 60. Encuéntrense también Ri y Re, 1a potencia suministrada por la fuente de alimentacién, la potencia disipada en el transistor y Ia méxima excursi6n en la tensi6n de salida 62 Se disefa un amplificador acoplado en forma inductiva para una ganancia de comrente de A; = ~15. Determinese la potencia de salida cuando Ry, =2 k2, Voc = 12 V, 8 = 200 y Vaz = 0.7 V. Determinense también la potencia suministrada por la fuente de alimentacién, el manejo de potencia requerido por el wansistor, Ri, Re y Re. Utlicese el circuito dela figura 6.6(2), pero deséchese el capacitor de paso en el emisor. 63 Usilicese el ciruito de la figura 6.6(a) para obtener una ganancia de cortiente de ~60. Si la fuente de alimentacién es 15 V, Rz = 1k, Vaz = 0.7 V y B = 100, ;puede el circuito proporcionar Ia ganancia requerida cuando Re = 100927 Encuéntrense el valor de los elementos del cicuito, la potencia requerida de la fuente de poder, el manejo de potencia del transistor, Ri, Ra yy la maxima potencia disipada en el resistor de carga. 64 Diséfiese un amplificador de potencia ES acoplado por transformador para excitar una carga de 10 2 con A; = 100 si Voc = 12 V, Vag = 0.7 V, la razén de vuelias del transformador es 10:1, = 50. Determinense Ri, Ro, el ‘manejo de potencia del transistor y la potencia disipada en la carga. Remitase al circuito de la figura 6.7(). 65 {Qué cambios se requieren en los pardmetros del amplificador det problema 664 si la resistencia del primario del transformador es 200 2? 66 Un amplifcador de potencia clase A ES acoplado por transformador debe proporcionar una salida de | W a un altavoz de 8.9. Qué razén de trans- formacién se necesita para proporcionar esta potencia si Voc = 18 V? El transisior tiene 6 = 100 y Vog = 0.7 V. Supéngase resistencia cero en el transformador. {Qué manejo de potencia es necesario en el transistor? 6.7 Diséfiese un amplificador clase B de simetria complementaria para excitar una carga de 12 9. Remitase al circuito mostrado en la figura 6.12. Utilicense Voc = 18 V, Vag = 0.7 V y B = 60. CalcGlense la potencia total disipada cn Ia carga, la resistencia de entrada y el manejo de potencia del transistor. Seleccinense valores para Ri, Ra y Ci para una respuesta en frecuencia de 20 Hz a 20 kiiz y una ganancia de corriente de A; = 20 68 Diséfiese un amplificador clase B de simetria complementaria para excitar una carga de 8 9 utilizando 8 = 60, Vaz = £0.7 V, Voo = 12 V y un intervalo de frecuencia de 100 Hz a 15 kHz. Utilicese el circuito de la figura 6.12 con una ganancia de corriente de A, = 20. oe 3226.10 6.11 6.12 613 Problemas © 295 . Encugntrense las tensones y correntesestacionarias, Encuéntrese la méxima potencia enwegada a a carga. SelecciGnense valores para Ri, Ra y Cy |. Determinese Rap. ese un amplificador clase AB de simetria complementaria para excitar una carga de 8 0 uilizando 6 = 80, Vag = 40.7 ¥, Voo = 16 Vy tuna respuesta en frecuencia de 20 Hz a 20 kHz. Uiilicese el cteuito de la figura 6.13. 4. Encuéntrense las tensiones y corientes estacionaras. ‘b. Determinense R2, Rs y C; para una ganancia de corriente de A; = 40. ¢. Enouéntese la méxima potencia entregada a la carga 4. Determinense Rea y el manejo de potencia de los transistores Diséfese un amplificador clase B de simetria complementaria compenssdo por diodos para excitar una carga de 8 ©. Supéngase f = 80; la tensién de salida pico a pico es 6 V, Ry = 10 9, Voc = 12 Vy Vag =0.7 V. Hagase C= 00. Utilicese el eircuito de la figura 6.16 a. Encuéntrense todas las tensiones y corrientes estacionarias a frecuencias medias. . Encuéntrese la méxima potencia entregada @ la carg cc, Determinense los valores de Rz y Ren. Diséfiese un amplificador clase B de simetria complementaria compensado por diodos de 4 W para excitar una carga de 8 2. Supdngase @ = 80, Ry = 49, Voc = 12 V, Vag = 40.7 V, y una respuesta en frecuencia de 50 Hz a 20 kHz, Utiicese el circuito de la figura 6.16. a. Encnéntrense todas las tensiones y corrientes estacionarias a frecuencias medias. ». Eneuéntrese la méxima potencia suministrada por la fuente de alimen- taci6n, c. Determinense Ra, Ci, Ai y Rea Diséfese un ampliicador clase B de simetrfa complementaria compensado por diodos de 2 W para excitar una carga de 8 9. Supénganse 9 = 80, Ry = 20.9, Voc = 16 V y Vag = 0.7 V, y una respuesta en frecuencia de 20 Hz a 20 kHz. Utilicese el circuito de la figura 6.16. 1. Encuéntrense todas las tensiones y corrientes estacionarias a frecuencias medias. ». Encuéntrese 1a méxima potencia suministrada por la fuente de ‘alimen- iacion. «. Encugntrese el manejo de potencia de los transistores. 4. Determinense Rs, Re, Ai ¥ Cy Diséfiese un amplificador de audio clase B de simetria complementaria de 4 W para excitar un altavoz de 8. Utilicense 6 = 60, Vaz = 0.7 V, Veo = 12 V y una respuesta en frecuencia de 100 Hz a 20 kHz. Utilicese 323t I a 296 Capitulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentacién 6.14 6.15 6.16 617 6.18 619 el circuito de la figura 6.16. Los diodos tienen una resistencia en directo de 100 y uiilizan un capacitor con el punto de 3 dB a 100 Hz. 4. Determinese el manejo de potencia de los tansistores a baja frecuencia, b. Determinense Ra, Ree ¥ Ct cc. Determfnese Ia ganancia de corriente Diséfiese un amplificador clase A ES utilizando un par Darlington que tiene tuna 8 combinada de 8000 y Var = 1.4 V para una carga de 8 9 con Reg = ‘5 kM. Determinese el valor de todos los componentes para una respuesta en frecuencia de 20 Hz a 20 kHz, y encuéntrense A; y Pp cuando Voc = 24 V. Usilicese el circuit de la figura 6.21. Diséfiese un amplificador clase A ES utilizando un par Darlington que tiene tuna 6 combinada de 6000 y Vag = 1.4 V para excitar una carga de 10 9. EL sistema requiere A; = 500 para un intervalo de frecuencia de 500 Hz a 10 KHz. Utilicese el circuito de la figura 6.21 con Vog = 12 V. Determfnense Jos valores de todos Jos componentes para el amplificador y P,, Repitase el problema 6.13, pero utilizando un par Darlington con = 6000 y Vag =14V. Diséfiese un amplificador EC con un par Darlington como se muestra en la figura 6.22 para proporcionar una A; de 4000 a una carga de 1k. Diséfiese el amplificador para maxima excursién en la tensién de salida y determinese el valor de 1a méxima tensién de entrada requerida. ; = 100, Bx = 200, Vag: para ambos transistores es 0.6 V, Voo = 12 V. Se requiere una fuente para alimentar un amplificador-con 300 + $0 mA de potenciaregulada. Diséfese una fuente de poder (véase Fig. 624) que proporcione la poteneia al amplificador si el transformador tiene una razén de vueltas de 8:1 a cada secundario y se utiliza un diodo Zener de 12 V. Supéngase que la tensiGn de entrada es 115 V a 60 Hz y que la resistencia de Jos diodos en directo es cero. Utiicense 8 = 50 y Vag =0.7 V. Selecci6nese Gr tal que Av, = 10%, Determinense C}, Ri y el mancjo de potencia de Jos diodos. Una fuente de poder alimentaré un amplificador de audio con 50075 mA de comtiente regulada. Diséfiese una fuente de poder (véase Fig. 6.24) que utilice ‘un Zener de 20 V y un transformador de relaciGn 5:1 para cada secundario. La tensién de entrada es 110 V, 60 Hz, 6 = 100, Vaz =0.7 Vy Av, = 10%. 4. Determinense C; y Rj suponiendo una resistencia cero del diodo en directo, . Determinese el manejo de potencia del diodo Zener. c. Determinese la variaci6n de tensiGn en la carga si Rg = 2 9. 324 aeeerseProblemas adicionales 297 PROBLEMAS ADICIONALES. PAG. Diseiie un amplificador clase B de simetrfa complementatia para alimientar tuna carga de 8 © utilizando 9 = 80, Voz = 40.7 V, Voc = 16 V, fi. = 20 Hz y Ry = 100 2. Utilice el circuito de la figura 6.16 y 8 V pico ' pico en la salida a. Encuentre todos los valores de tensiGn y comrente estiticos. . Determine Re y Ch. c. Encuentre la mixima potencia transferida a Ia carga 4. Determine Res y la potencia de los transistres. PA6.2 Disere un amplificador de 5 W de simetrfa complementaria clase B, compensado con diodo para alimentar una carga de 8 ©. Suponga que = 80, Ry =49, Voo=24V, Vag =20.7 Vy fz, = 50 Hz. Ustilice el circuito Ge la figura 6.16. 4. Encuenire todos los valores de tensiny corient estticos a frecuencias medias. b, Encuentre la méxima potencia suministrada por la fuente. c. Determine, Ry, C1, C2, Ai y Ren PAG.3 Disefie un amplifcador de 8 W de simeiria complementaria clase B, compensado con diodo para alimentar una carga de 8 2. Suponga que f = 100, Ry =20.0 Voc = 32 V, Vaz = 40.7 Vy fz = 20 Hz. Uiilic el circuito e la figura 6.16. a Encuentre todos los valores de tensin y coment estiticos a frecuencias medias », Encuentre la méxima potencia suministrada por la fuente ¢. Encuentre la potencia de los transstores. 4. Determine Ra Ren» As, Ci ¥ Ca PAGA Diseile un amplificador de 80 W de audio de simetria complementaria clase B, para alimentar una bocina de 8 9. Suponga que f= 200, Vas'= 40.7 V, Veo = 80 V y fy = 100 Hz. Utlice el ciruito de la figura 6.16 Los diodos tienen una resistencia en directo de 50 9 y utilice un capacitor con el punto de 3 4B a 100 Hz. a. Encventre la potencia de los transistoes a frecuencias bajas. b, Determine Rs, Rea Ci y Cs ¢. Determine la ganancia en corriemte. PAGS Repita el problema anterior pero ahora uiice un par Darlington con = 6000 y Vag = 14 V. PAGS Disefe un amplificador EC Darlington, estable a la polarizaciGn, que proporcione alta impedancia de entrada con Av = —70 a una carga de 5 KO. 325298 Capitulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentacién AGT PAGS PAGS A610 PAGAL PAG.IZ Determine el valor de todos los resistores, Rea, Ai y la méxima excursion fen Ia tensién de salida. Suponga una combinada de 30000, que Vaz para ambos transistores es 0.6 V y que Vac = 24 V. Disefie un amplificador EC usando pares Darlington para méxima ex- de salida, Las necesidades son Ay = ~50, A; = ~80, 15 V. Suponga una 6 combinada de 25000 y que Vge = 1.2 V (global). Determine: Ra, Ri, Ray Rew b. La potencia de la salida sin distorsi6n. c. La méxima excursin sin distorsi6n en Ta tensi6n de sada 4. La potencia de entrada en ed requerida Disefie una fuente de alimentacién regulada para obtener una salida de 113 V uiilizando un wansistor de potencia que tiene Vez = 0.7 V y = 100. La fuente de alimentacin debe tener una entrada de 120 V rms, 60 Hz y un tansformador con derivacin central 4:1, y seré necesario proporcionar una corriente a la carga de S00 mA a 1 A. Utilice un Zener de 12 V, 4 W. Disefe una fuente de alimentaci6n regulada para obtener.una salida de 5.5 V a 500 100 mA. Utilice un diodo Zener 1N753. {Cudles son los valores de Ri, Cr y la potencia del transistor, que tiene Vpg = 0.7 V y B = 100? El transformador tiene una relacién de 5:1 y una tensién de entrada de 110 V 2 60 Hz Determine el tamafio del filtro necesario para una fuente de alimentacién regulada que utiliza un MC7812, un recificador de onda completa con un twansformador 2:1 con derivacién central y 1 A de salida. La entrada es de 110 a 120 V mms a 60 Hz. Disefe una fuente de alimentacién regulada de 10 V utilizando un regulador MCT810. Seleccione la relacién del transformador, a, y los valores de los capacitores utilizando una entrada de 120 V, 60 Hz y una salida de 1A. Determine los valores de Rr y Ra para el regulador conmutado que se muestra en la figura 6.27 cuando Vaso = 20 V y Vase = 5 V. 32670 CIRCUITOS INTEGRADOS: AMPLIFICADORES ‘OPERACIONALES INTRODUCCION La répida expansi6n de requerimientos de cireuitos més pequetios,livianos y complejos provocé la necesidad de colocar no uno sino cientos de transistores en una sola pastilla de silicio. Cuando se coloca més de un elemento en un circuito integrado, el dispositivo resultante se conoce como circuito integrado (CD. El término sin modificar, Cl, se utiliza para describir aquellos circuitos inte ‘grados compuestos de menos de 60 elementos. Si un circuito integrado contiene més de 60 pero menos de 300 elementos, se utiliza el término escala de inte- ‘graci6n media (MSI, medium-scale integration). Si el némero de elememtos es mayor que 300 pero menor que 1000, el circuito es de escala de integracién grande (LSI, large-scale integration). La excala de integracién muy grande (VLSI, very large scale integration) se refiere a aquellos circuitos integrados con mds de 1000 elementos. ‘Los circuitos integrados pueden ser lineales 0 no lineales, dependiendo de la relacién entre las formas de onda en,la salida y en la entrada, Los circuitos integrados lineales (CIL) se disefian para reemplazar circuitos esténdar y se utilizan como bloques para constrir sistemas més complejos. Uno de los cicuitos anal6gicos més utilizados es el amplificador operacional (amp-op). De manera ideal, este amplificador tiene ganancia infinita, impedancia de entrada infiita ¢ impedancia de salida cero. Los amplificadores operacionales précticos tienen caracteristicas de desempefio que se acercan bastante a las de Ios amplificadores ‘operacionales ideales. En este capitulo se presentan las caracteristicas internas del amplificador ope racional. Se inicia con una exposicién sobre técnicas para fabricar transistores, 299 327a — 300 Capitulo 7 Circuito TA TAA tegrados: amplificadores operacionales resistores y capacitores en los CI. Luego se presenta un resumen de técnicas de fabricacién de CI. En seguida se analiza el bloque bésico de construccién, el amplificador de diferencia o diferencial. Se examinan muchas variaciones del amplificador bsico, incluyendo la configuracién con fuente de corriente constante y la configuracién con entrada y'salida simples. Se presentan varios tipos de fuentes de corriente como ejemplos de fuentes activas utilizadas para simular elementos circuitales en el circuito integrado. El capitulo concluye con informacién acerca de las formas de empaques utilizados para amplificadores operacionales. Se incluye un andlisis del amplificador operacional de propésito general 741. FABRICACION DE CI Se puede fabricar un circuito complejo en un circuito integrado simple de silicio. ‘Tal cireuito puede estar compuesto de transistors, resistores y capacitores, todos ellos lo bastante pequefios como para caber en el circuito integrado. En las secciones siguientes ((34), Cap. 4) se explica la fabricacion de cada uno de estos elementos. Transistores y diodos Los transistores y los diodas de CI se fabrican en un sustrato de siticio. Si el transistor es npn, se utiliza un sustrato de material p. Esto afsla a transistor npn de los alrededores. En la figura 7.1 se muestra una seccién transversal tipica. El proceso comienza en una pequefia pastilla de silico de alrededor de 0.1 a 0.2 mm de grosor y 25 a 125 mm de didmetro. El crecimiento de las diferentes capas se lleva 8 ‘cabo ya sea por difusin o por crecimiento epitaxial. La difusién es el proceso por 1 cual una barra caliente de material n o p se expone a la formacién de impurezas ponen forma de vapor. La impureza se difunde lentamente en la superficie del Iaterial. Sin embargo, la velocidad de Is difusién aumenta bastante al elevar la temperatura. El proceso epitaxial se lleva a cabo colocando la tableta de silicio en ‘un homo a una temperatura de alrededor de 1200°C. Se pasa un vapor de Hs y SiCl, sobre la tableta. Durante la reaccién quimica resultane, se forma HCI y los 4tomos de silicio se depositan en la tableta, Estos stomos se organizan entre si a lo largo del eje de Ia estructura cristalina de la tableta, provocando por tanto que erezcan ruevas capas de cristales de silicio simple. Introduciendo una impureza en el vapor, se hace que los étomos del contaminante se separen y acomoden en el cristal en crecimiento, formando asf una capa con coneentracion uniforme de impurezas. El proceso epitaxial permite mayor flexibilidad en el control de la concentracién de ‘impurezas que el proceso de difusién. Los componentes del circuito integrado se separan por medio de material p o n para asegurar que los elementos estén aislados ‘uno del otro. 328 sil71 Fabricacion de ct 301 | eee wet vpde fans VA cate ay MO Min ei Fe ama coca pomy ea ™ (Bo Gat (mt LIZZ 772MM ZZ ZA c a a { Sustrat tipo p 2] ‘Seccién waneverea de un transistor npn i fabricado en vn Cl Visa supesie quitando la capa de SiO, Los diodos se fabrican en forma similar, pero slo se necesitan capas de material pon simples. 7A2 Re stores ‘Los resistores se producen en un CI al mismo tiempo que los transistores. En la ilustraci6n de Ja figura 7.1, se utiliza un material de tipo p para produeir el resistor. Este se aisla por medio de una capa de material de tipo n. Se utiliza un canal delgado de material de tipo p para el resistor, y se difunde en el mismo paso de produccién que la base del transistor. El valor de la resistencia se controla Yariando el grosor y el nivel de impureza del material. El ancho y la Jongitud del ‘canal afectan el valor de la resistencia. De hecho, la resistencia es directamente proporcional a la longitud del canal (suponiendo un ancho constante). Si esta técnica de fabricacién no proporciona. una resistencia suficientemente grande, el canal x puede doblar sobre sf mismo varias veces, aumentando la longitud efectva Debido a limitaciones en el tamafio fisico, en general Se evitan las resistencias superiores a 100 kf? en los CL 7.1.3 Capacitores | | xisten dos tipos de capacitores utilizados en un cicuito integrado de CI: el capaci tor difundido y el capacitor MOS. El capacitor difundido aprovecha la capacitancia incremental de la unin pn polarizada inversamente. El capacitor MOS se fabrica en forma similar a la de un capacitor convencional. + El conductor inferior es un material n altamente contaminado: el aislante es una; capa de di6xido de silico; la otra placa es una capa metalizada, que también forma un punto de contacto, Este tipo de capacitor proporciona alrededor de 400 a 600 pF/mm?. Debido al espacio relativamente grande necesario para los capacitors, la cantidad utilizada en el disefio de un CI por lo general se mantiene Pequefia. 329302 Capitulo 7 Circuitos integrados: amplificadores operacionales TAA TAS Transistores laterales Los transistores laterales pnp se pueden fabricar en CI utilizando tecnologia planar ‘simple ((34), See. 7.6). Los canales p pequeiios empleados como emisor y colector se colocan en una barra de material de tipo n uilizado como base. Como colector se utiliza un anillo de material p. El canal de material p del emisor se coloca dentro de este anillo, con el material n de separacién utilizado como base. Los huecos se inyectan del emisor y fluyen en forma paralela a la superficie @ través de la regién de la base tipo n y se colectan en el colector tipo p antes de alcanzar el contacto de la base. La accién del transistor es lateral en vez de vertical. Los transistores laterales pnp tienen ganancias de corriente relativamennte bajas debido a la tendencia de los portadores a inyectarse hacia la base y recombinarse en vez de colectarse en el colector desplazado lateralmente. Debido a que son féciles de fabricar en Cl, estos ‘ransistores se utilizan para cargas activas, fuentes de cortiente y desplazadores e nivel (éstos se analizan més adelante en e] capitulo). Estas configuraciones son’tan ficiles de fabricar en el disefio del CI que se pueden formar por error transistores laterales parisitos. Esto provoca problemas en el desempefio del CI. El disefio del CI se debe revisar cuidadosamente de manera que no aparezcan en forma inadvertida dichos transistors en el circuito integrado. Tecnologia de unién Schottky En un semiconductor de unién Schottky, la corriente directa en la unién es provocada por el flujo de electrones sobre la barrera ([36], Cap. 2). El flujo de porta- ores minoritarios no tiene un papel importante como en una unién pn estindar. Por tanto, Ia velocidad de conmutacién del dispositivo esté limitada principal- ‘mente por la constante de tiempo RC del cifcuito. Esto no es cierto para los BIT estindar. De hecho, antes del desarrollo de la tecnologia de unién Schottky se utilizaba una forma especial de contaminacién para reducir el tiempo de almacenamiento en los BJT. El efecto de contaminacién resultante dependia de la temperatura. En Cl, la unién Schottky metal semiconductor se utiliza como diodo e fijcién entre la base y el colector para prevenir el exceso de almacenamiento de portadores minoritarios. Se evita entonces la necesidad de una contaminacién extra del transistor. Los diodos de fijaci6n se fabrican con el BJT en el CI, como se muestra en el esquema de la figura 7.2(a). No se puede utilizar una capa metélica como emisor de un transistor pues la unién Schottky es principalmente un dispositivo de portadores mayoritarios. Sin embargo, esto no es cierto para el colector, ya que puede utilizar una unién Schottky. El simbolo para un transistor Schottky se muestra en el esquema de la figura 7.2(b). Este transistor puede tener tiempos de almacenamiento inferiores a 1 ns (es decir, el tiempo necesario para desplazar suficientes electrones para ir del corte a la saturacién y viceversa). Esto hace al transistor Schottky ideal para crcuitos de alta velocidad de conmutaci6n, Debido 4 su facilidad de fabricacién en circuitos integrados de CI, la unién Schottky es muy utilizada. 330(a) Diageama Figura 72 Transistor Schotky npn. Figura 73. Amplifeador diferencia 7.2 AMPLIFICADORES DE DIFERENCIA 7.2. Amplificadores de diferencia 303 gee (6). Simboto 7.24 ‘Muchos amplificadores operacionales estin compuestos de una serie de transistores, resistores y capacitores que forman un sistema completo en un circuito integrado sencillo, Los amplificadores disponibles hoy en dia son altamente confiables y pequefios, y consumen una mfnima cantidad de potencia La etapa de entrada de muchos amplficadores operacionales es un amplificador de diferencia, como se muestra en su forma més simple en la figura 7.3. El ‘amplificador de diferencia (o amplificador diferencial) esté compuesto de dos amplificadores de cd EC acoplados por el emisor con dos entradas, v y v2, y Wes salidas, vot, Yor Y Uo. La tercera salida, up, es la diferencia entre vo: y ve2. Esto se puede verificar aplicando el principio de superposicién al circuito. Caracteristicas de transferencia en cd El amplifcador de diferencia no opera de manera lineal con sefiales de entrada grandes. Con el fin de simplificar el andlisis, se supone que Re es grande, que la resistencia de base de los transistores es despreciable y que la resistencia de salida de los transistores es grande. Una Re grande mantiene constante la cafda de tensién en el resistor de emisor. Se comienza escribiendo la ecuacién de LTK alrededor del lazo de unién de la base para el circuito de la figura 7.3 bajo condiciones de ca: Us uBEI~ UBER + te aay | circuito se resuelve para las corrientes de colector, ici © ica. La tensi6n base- cemisor est dada por Ia ecuacién presentada en la secci6n 3.2. ener NAAN SR RNR mm 331304 Capitulo 7 Circuitos integrados: amplifcadores operacionales vee. = Vein (i) 72) pp: = Vela (322) 73) Como se supone que los transistores son idénticos, se tiene Jor = Toa Combinando las ecuaciones (7.1), (7.2) y (7.3), se obtiene ove Vea ($82) ote ($22) neo coon sini tpg = ici +ion 0.5) ‘Combinando las ecuaciones (7.4) y (7.5), se tiene ige Tren — e/a] ve) Ca Se puede hacer una observacin interesante viendo las ecuaciones (7.6) y (7.7) Si v1 — v2 se vuelve mayor que varios cientos de milivolts, la corriente de colector en el transistor 2 se vuelve muy pequefia, y en esencia el transistor est ‘en corte. La corriente de colector en el transistor 1 es aproximadamente igual ize, y este transistor se encuentra saturado. Las corrientes de colector, y por tanto la tensién de salida v,, se vuelven independientes de la diferencia entre las dos tensiones de entrada. La amplificaci6n lineal se produce s6lo para diferencias de tensiones de entrada inferiores a m4s o menos 100 mV. 332722 7.2 Amplificadores de diferencia 305 Con el fin de aumentar el intervalo lineal de la tensi6n de entrada, se pueden afiadir resistores pequefios en el emisor. Esto provoca una condicién de retroali- ‘mentaci6n negativa que da lugar a una reduccién en la amplificacién de tensién. Ganancias en modo comin y en modo diferencial Se intents que el amplificador de diferencia responda s6lo a la diferencia entre las dos tensiones de entrada, vs y v2. Sin embargo, en un amplficador operacional préctico, la salida depende en alguna medida de la suma de estas entradas. Por ejemplo, si ambas entradas son iguales, la tensiGn de salida deber‘a ser cero, pero en un amplificador préctico esto no es cierto. El caso en que el circuito responde a 1a diferencia se Hamaré caso en modo diferencial. Si las dos entradas son iguales, se dice que el circuito esté en su modo comin. De manera ideal, se esperaria que €l cireuito produjera una salida s6lo en el modo diferencia. ‘Dos tensiones de entrada cualesquiera se pueden dividir en uns parte comin y una diferencial. Esto es, se definen dos nuevas tensiones de entrada como sigue: vai =U — U2 gett oo) Ja La tensién vg constituye la tensi6 de entrada en modo diferencial y es simple- ‘mente la diferencia entre las dos tensiones de entrada. La tensiGn ve; es la tensi6n de entrada en modo comin, y consttuye el.promedio de las dos tensiones de en trada, Las tensiones de entrada originales se pueden expresar en términos de estas dos nuevas cantidades como sigue: = BH = Bet = tae ves + 0a 2 u 79) ‘Si se hacen iguales estas dos tensiones de entrada, se tiene Uys Ue vai =0 ‘Como las dos entradas son iguales y los transistores idénticos, las tensiones de Ja unién base-emisor serdn iguales. Por tanto, las corrientes de colector también deben ser idénticas. Como las corrientes de emisor serdn iguales, se analiza un semicireuito como se muestra en la figura 7.4(a). Nétese que la resistencia del emisor se duplica, ya que la corriente real en este resistor es el doble que la 3332 306 c ‘apttulo 7 Circuitos integrados: amplificadores operacionales Figura 74 Anilsis de un ampliicador diferencia. g ¢ oo Vee ~Vee (0) Creve en mode coma (0) Circo en mado atrenciat rmantenida en el semicireito. La salida del semicireuito es v1 0 va2. Se define : ‘una ganancia en modo comén y una en modo diferencial resolviendo la salida en : dos componentes, pi = Aaves +Acves La ganancia en modo comiin se encuentra haciendo iguales las dos entradas, ya ‘que se forzd a que vg; sea cero, Asi, suponiendo que lar. del BIT es grande y his < Ree, entonces Yor _ =Ro va Ree (7.100) Con el fin de encontrar la ganancia en modo diferencial, se utiliza otra vez Ia técnica’ de dividir el circuito en dos partes y analizar el semicircuito de la figura 7.4(b). Se tiene 1 Tuego gs = 205 = 20 La corviente de ca de un emisor fluye directamente en el otro emisor, por Io que ; Ja tensién a través del resistor de emisor permanece constante. Como la sefial de ‘ensign en ca a través del resistor es cero, se puede reemplazar por un cortocircuito fen el circuito equivalente en ca. Sin embargo, la resistencia, hia, permanece en ¢l lazo base-emisor del transistor. Entonces la ganancia en modo diferencial esté dada por ¥ Age i 7.100)7.2.3 7.2 Amplificadores de diferencia 307 Nétese que la ganancia en modo comiin se define en términos de una sola de las dos salidas. La salida diferencial, v,, deberfa (idealmente) ser cero. En el circuito prictigo, se produce variaciOn de parmetros. Sila ganancia en modo comin es alta, estas variaciones afectan a ¥, asf como a las dos tensiones de salida individuales. Por esta razén, es deseable que la ganancia en modo diferencial sea mucho mayor que Ja ganancia en modo comin. La razén de rechazo en modo comiin (CMRR, common mode rejection ratio) se define como la raz6n de la ganancia en modo diferencial a la ganancia en modo comiin (por lo general expresada en decibeles). Ree Re (thal 8 = 201g (422) a aay |= Re/2Resl fa Es deseable hacer a CMRR tan grande como sea posible de manera que el ampli ficedor responda sélo a la diferencia entre las tensiones de entrada. ‘Antes de evaluar las ganancias en modo diferencial y en modo comtn, se veré la resistencia de entrada al amplificador tanto en modo diferencial como en modo ‘comin, Para el modo diferencial, se ve el amplificador en la base de ambos transistores. Esto da como resultado un circuito completo a través del emisor de ambos transistores, y Ia resistencia de entrada es Res(modo diferencial) = 2he Ahora, desde la entrada en modo comtin, se ve el amplificador en la figura 7.4(a). Por tanto, la resistencia de entrada es Reg(modo comin) = 26Ree Estos resultados indican que la resistencia de entrada en modo comiin es mucho ‘més alta que la de modo diferencia En la ecuacién (7.11) se muestra que para que CMRR sea grande, se debe hacer 4 Reg grande. Como las resistencias grandes son dificles de fabricar en cireuitos integrados de CI, se busca una alternativa diferente. Esto se consigue reemplazando Reg por un generador de corriente constante, como se ve en la siguiente seccién. El andlisis del amplificador diferencial se basa en el BIT como bloque de cons- truccién. Los transistores de efecto de campo de unién también se pueden utilizar en amplificadores diferenciales, con las ventajas adicionales de corriente de pola- rizacién reducida en la entrada e impedancia de entrada elevada. Sin embargo, ¢l andlisis del amplificador diferencial utlizando JFET se leva a cabo de la misma forma que el andlisis con BIT. Amplificador diferencial con fuente de corriente constante En Ja secci6n anterior, se vio que es deseable hacer Rep tan grande como sea posible para reducir Ia salida en modo comin, Una fuente ideal de corriente constante tiene impedancia infinita, por lo que se investiga la posibilidad de reemplazar Ree 335mame 308 Capitulo 7 Cireuitos integrados: amplificadores operacionales Figura 75 Amplifieador diferencal om fuente de coniente (a) Ampliiador diferencia con (@) Circuito equivalent a ls ‘wente de corienteconstante ent de comiente con dicha fuente de corriente. En la figura 7.5 se ilustra un amplificador diferencial donde el resistor, Reg, se teemplaza con una fuente de corriente constante. Mientras més cerca se encuentre la fuente de una fuente ideal de corriente constante, mayor serd el CMRR. Se muestra, por tanto, una fuente de corriente compensada por diodos. Como se vio en la seccién 5.4, 1a compensacién hace que Ja operacién del cirevito dependa menos de las variaciones de temperatura. El diodo D; y el transistor Qs se seleccionan de tal forma que tengan caracterfsticas idénticas Sobre el intervalo de temperaturas de operaciGn Con el fin de analizar el circuito de la figura 7.5(a) y encontrar el CMRR, se necesita determinar la resistencia equivalente, Rr, el equivalente de Thévenin del circuito de la fuente de cortiente constante. Viendo al circuito equivalente de la fuente de corriente como se muestra en la figura 7.5(b), se tiene presc) Bra Escribiendo la ecuaci6n de LCK en el nodo 1, se obtiene im= Bin > donde r, es la resistencia interna del transistor en el punto de operacién especificado (véase Sec. 3.1.2). La ecuacién de LCK en el nodo 2 da oleae Binds +ip - FL =0 336 ah7.2. Amplificadores de diferencia 309 ~ip(hie + Ra) Sustituyendo v1 y v2 en Ia ecuacién en el nodo 2, se obtiene +Re,_; zip (1+ t BB iy xin ( Le resistencia de Thévenin esté dada por im = ip + _ hiet Rp + roll + (hie + Ra)/Re}+ Bre J T+ Ge Re)/Re ara mantener la estabilidad de la polarizaci6n, se sigue la Iinea utilizada de hacer que Ry =0.18Re Sustituyendo este valor de Rp en la ecuacién de Rry y dividiendo entre 8, se tiene hip + O.1Re + roll/B + (hin +0.1Re)/Re +1) 1/8 + (hip + O.1RE)/RE Rm +0.1Rg + roll + (hy +0.1R5)/Re} i+ O1Re)/Re 337; ; : : 4 emerrmearsiaace 310 Capitulo 7 7.2.4 Como e1 segundo término en esta ecuacién es mucho mayor que el primero, se puede ignorar Re para obtener Re [i hs esl Esta ecuacién se puede simplificar aiin més si existe la siguiente condicién: Rra ORE > hy En ese caso, se tiene el simple resultado Rr = Ure 7.2 Por tanto, si todas las aproximaciones son vélidas, Rny es independiente de 6 y su valor es muy grande. Amplificador diferencial con terminales de entrada y salida sencillas En la figura 7.6 se muestra un amplificador diferencial donde la segunda entrada, ‘Up, e igual a cero y la salida se toma como v1- ‘Se utiliza una fuente de corriente constante en lugar de Re, como se hizo en Ja seecién anterior. Esto se conoce como amplificador con terminales de entrada y salida sencillas y fase invertida. El amplificador se analiza haciendo v = 0 en las primeras ecuaciones. Entonces, la entrada diferencial es simplemente ney por Io que la salida es ~Rew Phi fon = Advi El signo menos indica que este amplificador presenta un desfasamiento de 180° entre la salida y la entrada. En la figura se ilustran sinusoides de entrada y salida Uipicas. Si se va a llevar una sida a tierra pero no se desea una inversiGn de fase, Ja salida se debe tomar del transistor Qz, como se ilusta en la figura 7.7. Para 3387.2. Amplifcadores de diferencia 311 | | | pwr 74 nt sn tema ie ae‘ 7 Ena ent ini oh demostrar que la salida del ciruito de la figura 7.7 es Ia inversa de la figura 7.6, ‘témese 1d imagen especular del primer circuito. Esto es, supéngase v = 0 y 1% =v; en el amplificador diferencial original de la figura 7.3. Entonces la tensiGn éiferencial de entrada es vai =U — = 0 Por tanto, la salida es la inversa de la encontrada antes, y no se produce inversién de fase, Ejempio 7.1_|, Amplificador diferencial (andlisis) Encuéntrese la ganancia de tensién diferencial, la ganancia de tensién en modo comin y el CMRR para el circuito mostrado en la figura 7.3. Supéngase que Rey = 0, Ro =5k9, Veg = 15 V, Vag = 0.7 V, Vr = 26 mV ¥ Reg = 25 K2. Sea vp =O y tOmese la salida de v2. SOLUCION La cortiente en la fuente de corriente se encuentra en condiciones estacionarias. Como la base de Q esté conectada a tierra, la tensién del emisor es TV. 57 mA ‘La‘corriente estacionaria en cada transistor es un medio de esta cantidad 339312 Capitulo 7 Circuitos integrados: amplificadores operacionales Ejemplo 7.2 eT Tor = Te: igs = 0.29 mA Como Vr _ 26 Te 0257 Entonces ta razén de rechazo en modo comin esté dada por con ne (4) 49 4B Para el amplificador diferencial descrito en el ejemplo 7.1, diséfese una fuente de comiente para reemplazar Rese y determinese la nueva CMIRR para el amplificador diferencial, con rg = 105 kQ, Vag = 0.7 V y 8 = 100. SOLUCION Se coloca el punto de operacién en el centro de la Iinea de carga en cd. 2215 V Entonces, remitiéndose a la fuente de corriente de la figura 7.5a, TAS tee EE = 1254 Ko 340Ejercicios 7.3. Fuentes de corriente, cargas activas y trasladadores de nivel 313 Para estabilidad de polarizaci6n, Rg =0.18Reg = 0.1(100)(12,540) = 125.4 k2 Como 0.1R > his (es decir, 1.25 kM > 90 2), entonces de la ecuacién (7.12) se tiene . Raa ® ro de modo que la resistencia equivalente y el CMRR estén dados por Bry © 11 (105 kM) = 1.155 MO. =20log eae ae co = 2018 (. e224 73 “D7.1 {Cusles son las ganancias diferencial y en modo comin de los amplificadores de la figura 7.3 si Rex = Roz = 5 ky Rex 20 kN? SupSngase que Voo = 12 V, Vpg =0.7 V, Vr =26 mV y Ver = 12 V. Resp: Ae = ~0.125; Ay = 53.8 7.2 {Cudles son las ganancias diferencial y en modo comin del amplificador de la figura 7.6 si Ro, = Rea = $kM, Vee = 15 V, Veg = 15 V, Van = 0.7 Vy Vr =26 mV? Sup6ngase que Vez /Rry es una fuente de corriente constante con Pru = 10 KO. Resp: Ae =—0.25;Ag = -69 1D73 Para la fuente de corriente constante mostrada en la figura 7.5, determinese Re, Ry y Rx, donde Vez = 10 V, Ipe = 2 mA y Vag = 0.7 V. Supéngase también que Vr = 26 mV y 8 = 200. Rep: Re =2.33 kM; Ry = 93 kM; Re = 93 KO FUENTES DE CORRIENTE, CARGAS ACTIVAS Y TRASLADADORES DE NIVEL. En esta seccién se exploran métodos alternativos de simular una fuente de corriente ‘constante para reemplazar el resistor de emisor. En la seccién 7.2.3 se analiz6 un tipo de fuente donde se utiliz6 un transistor compensado como fuente de corriente. 341—_—— 314 Capitulo 7 Circuitos integrados: amplificadores operacionales 734 Fuente de corriente Widlar Debido a la alta ganancia de un amplificador operacional, las cortientes de po- larizacién deben ser pequefias. Las corrientes de colector tpicas se encuentran alrededor de 5 A. A menudo se requieren resistores grandes para mantener corrientes pequefias, y estos resistores grandes ocupan éreas igualmente grandes en €l circuito integrado de CI. Por tanto, es deseable reemplazar estos resstores grandes con fuentes de corriente. Uno de dichos dispositivos es Ia fuente de corriente Widlar [63], como se ilustra en la figura 7.8. Los transistores Qi y Qo son iguales. Se suman las tensiones alrededor del lazo de la base de los dos transistores para obtener Vegi ~Vae2 ~ Tea = 0 7.13) En'la seccién 3.2 se vio que ve to btew( 28) Despejando Vaz, se obtiene vor=ven( 22) au Sustituyendo la expres Veto!) vem (2) —tute=0 de la ecuacién (7.14) en la ecuacin (7.13), se obtiene Yoo les al7.3- Fuentes de corriente, cargas actvas y trasladadores de nivel 315 Se supone que los dos transistores son iguales, por lo que To, B y Vr son iguales para los dos transistores. Por tanto Vp wa( 522) =TeaRa 5) Ten Para propésitos de disefio, en general se conoce Ios; ya que se utiliza como referencia, e Ioz ¢s la corriente de salida deseada. Esto permite resolver la ecuacién (7.15) para encontrar el valor requerido de Ro ‘Se utiliza un ejemplo para ilustrar c6mo se puede disefiar una fuente de corriente para proporcionar una corriente constante pequefia mientras se utilizan resistores {que se fabrican fécilmente en un circuito integrado de Cl. Ejemplo 7.3 } Fuente de corriente Widlar (disefio) 7.3.2 Diséfiese una fuente de corriente Widlar para proporcionar una corriente constante de 3 WA con Veo = 12 V, Ry =50k@y Vez =0.7 V. SOLUCION Utilfcese el circuito de la figura 7.8. Aplfquese la LTK al transistor Q: para obtener De la ecuacién (7.15) se tiene 0.226 x 10-7 3x 10~ 0. oasin( ) 3x 10-R Ry = 37.5 k2 Como R; es inferior a 50 kA, se puede fabricar en un Cl. 1 Fuente de corriente Wilson La fuente de corriente Wilson {65}, como se muestra en la figura 7.9, utiliza tres transistores y su operacién es casi independiente de las caracteristicas internas del transistor. La retoalimentacién negativa del colector a a base de Qs aumenta la resistencia de salida de esta fuente de corriente. - 343, |Parenet 316 — Capttulo 7 Cireuitos integrados: amplificadores operacionales Figura 79 Fuente de conente Wilson, Se despeja Icx para iustrar Ia utilidad de este cicuito. Aplicando LCK en el emisor de Qa, s obtiene Ign = Ios + pn + Ia, 7.16) Uiilizando la relacién entre las corrientes de base y colector, se tiene Ten es (1+ 3) «26 aan Como se supone que los tres transistores son idénticos, Vag: = Var Bi = Br = Bs Con transistores idénticos, 1a corriente en el trayecto de retroalimentacién se hig se tiene Rare [Leb thie V+ Rie) Re Con el fin de simplificar este resultado, sup6ngase que Bea Re 348 eal7.3.5 73. Fuentes de corriente, cargas activas y trasladadores de nivel. 321, BV nie Tea Entonces Reni Se] Por aio : Teg: mara [r+ 2%] 025 En la ecuacién (7.26) se muestra que Rm depende de IoqRs, que es la cai de tensién en cd a través de Ry. A mayor cafda de tensién, mayor resistencia de salida, En general, la resistencia de salida de una fuente de cortiente simple se incrementa al aftadir resistencias (Rz en Figs. 7.8 y 7-12) en los emisores de los transistores de la fuente de corriente. Se realiza un andlisis similar para la fuente de corriente Wilson. Este anélisis es como el utilizado para la fuente Widlar, por lo que aqui s6lo se enuncia el resultado. La resistencia equivalente esté dada por Bre Rm= ae 27) ‘A continuaién se examinan dos aplicaciones de los cireutos de crrente cons tante. Ena figura 7.13a) se iusira un ampliicador EC con una carga activa como resistor de colector. En la figura 7.13(b) se muestra un amplifcador diferencial vilizando carga actvas, fuentes de coriente Widlary espejos de comiente. En tarios CI se encuentran circuits de este tipo, ya que se evitan los resistores gran- Ges en el proceso de fabricacign, Los transistores Q, y Qz son os transstores de amplificador diferencial, Qs y Q« son las cargas activas para el amplificador, Qs, Quy Qe forman Ia fuente de corrente con espejos de corriente, y Qs y Qy forman tna fuente de coriente Widla. Trasladadores de nivel ‘A menudo los amplificadores producen tensiones de cd en la salida. Aun si la entrada tiene un valor promedio de 0 V, la salida en general tiene una tensién promedio distinta de cero debido a efectos de polarizacién. Estas tensiones en 349e e : OSS eager ere 322 Capttulo 7 Cireuitos integrados: amplificadores operacionales @ = Foente de cones ‘wise lat cae | tnex Figura 7.13 Amplifcador EC con carga activa, ced pueden’ provocar problemas en la salida, ya que producen un desplazamiento indeseado. En el capitulo 6 se estudié el amplificador de potencia clase B, que proporciona ‘un método para reducir las tensiones de desplazamiento en la etapa de salida. Sin embargo, no siempre se pueden utilizar amplificadores clase B, por lo que es necesaria otra técnica. Los trasladadores de nivel son amplifcadores que suman 0 restan de la entrada una tensi6n conocida para compensar las tensiones de desplazamiento en ed. ‘Como el amplificador operacional es un amplificador multietapa en cd de alta ‘ganancia, las tensiones en cd no deseadas siempre son una fuente de problemas. Esto es, un pequefio desplazamiento en una etapa previa puede saturar una etapa posterior. Por esta raz6n, se incluyen los trasladadores de nivel en 2l disefio de los amplificadores operacionales. En la figura 7.14 se ilustra un trasladador de nivel simple. Se muestra que este trasladador funciona como amplificador de ganancia unitaria para ca a la vez que proporciona una sada ajustable en cd. Se inicia el andlsis utilizando LTK en la figura 7.14(a) y haciendo v; = O para obtener Ven =I5Rp+Vor+IcRe+Vo 350 sak7.3. Fuentes de corriente, cargas activas y trasladadores de nivel 323 Figura 7.14 ‘Trasadador de nivel, (a) Tiatadador de nivel simple onde te (0) Caco cel Rs 7 in ) - ba bin Re a, | Re b| Sha QB Fre. (©) Citcuitoequivaleme de caa pequta seal se despeja el valor de cd de la tensién de salida, Vz: Ral te _ IoRe— Vox 728) Vo= Vas ~ “5 Esta ecuacién demuestra que seleccionando un valor para Re, Vo se puede colocar en cualquier nivel de ed menor que Vag ~ Vag. Como Vp es el nivel de od que se adquiere de la etapa anterior, este ampliicador se utiliza para desplazar el nivel hacia abajo (a un valor menor). Si se desea un desplazamiento hacia arriba, se utiliza un eircuito similar pero se sustituyen los transistores pn por pnp. En la figura 7.14(b) se muestra.un eicuito completo con fuentes de corrienteactivas, 351324 Capitulo 7 Circuitos integrados: amplificadores operacionales Ejemplo 7.4 ‘Se examinarén las sefiales en ca a pequefia sefial. En la figura 7.14(c) se ilustra el circuito equivalente en ca, Nétese que ly es la corriente de colector en la fuente de corriente activa, y se supone que es constante. Debido a que el valor de ca de la corriente es cero, esta fuente de corriente’se reemplaza por un circuito abierto en las siguientes ecuaciones, Se escriben las ecuaciones en ca utilizando LIK: ioe + iihies + ieRE + Ue (7.29) 1 vi T#CRB/B+ he + Radia eo En la ecuaci6n (7.30) se muestra que, conforme rez se vuelve més grande, la raz6n e Ia salida a la entrada se aproxima a uno, y el trasladador de nivel actia como emisor seguidor para ca. Este es el resultado deseado. Dos amplificadores EC acoplados en forma directa se colocan en serie para lograr Ja ganancia de tensi6n deseada. Diséfiese un trasladador de nivel para colocarse entre 10s dos amplifcadores EC a fin de proporcionar una tensién en cd suficientemente baja para prevenir la saturacin del segundo amplificador EC. Hégase esto proporcionando un volt de polarizacién a la segunda etapa. La tensién de colector, Vo, del primer amplificador es 4 V, y Ia Re de ese amplifcador es 1 KO. Diséfiese el trasladador de nivel para tener una Jog de 1 mA utlizando fuentes de alimentacién de 10 V. Utilicese una fuente de corriente del tipo mostrado en la figura 7.5 con transistores que tengan f= 100, Vag =0.7 Vy V, =0.7 V SOLUCION El trasladador de nivel se muestra en la figura 7.14(b). Se necesita encontrar los valores de Re, Ri, Ra ¥ fp. Como el primer amplificador tiene una Vo de 4 V, el valor de Va para la ecuacién (7.28) es 4 V, mientras que Rp de 3527.3. Fuentes de corriente, cargas activas y trasladadores de nivel 325 esa formula es 1 KA. Nétese esto utilizando el circuito equivalente de Thévenin del amplificador anterior. Entonces la ecuacién (7.28) da Despejando Re, se abtiene Re =2.29 Colocando el punto de operacién del transistor de la fuente de corriente en el centro de Ia linea de carga en cd, se obtiene Entonces Viz = 10~ 5.5 ~ 0. 38V Se conocen ahora las tensiones a través de Ry y Ro y la resistencia en paralelo, Esto proporciona las dos ecuaciones siguientes, donde se supone que la corriente de base en el transistor inferior de la figura 7.14(b) es despreciable. 65/DG8/D _ “Bsyp+eay 120061 mA Ry = 134k R= BEN 2 = . ae R os 4 te il at 4 3 5 & & 5 eee Por tanto, el disefio est completo. cl 353326 — Capltulo 7 Circuitos integrados: amplificadores operacionales 7.4 CONFIGURACION CASCODE La configuracién cascode, como se muestra en la figura 7.15, consiste'en un amplificador EC acoplado directamente a un amplificador BC. Se utiliza con el amp! ficador diferencial para proporcionar las ventajas de un aumento en la resistencia de salida y un ancho de banda més amplio. El amplificador BC posee la ventaja de contar con caracteristicas en frecuencia favorable (se alcanzan frecuencias mds altas a la vez que se mantiene una ganancia, de tensiGn alta). Si el amplificador EC se reemplaza por un amplificador diferencial, cl resultado es un amplificador de dos etapas con ganancia de tensin y ancho de : banda aumentados. Esta proposiciGn se prueba al evaluar la respuesta en frecuencia | (©) Cirevito equivalente “Skye ORT oe SER (©) Citeuto equivalents simpliicado Figura 7.15 Ampliicaor cascode 354Figura 7.16 CConfiguracin cascode ‘ilizando un semplicador siferenca 7.4 Configuracién cascode 327 cen el capftulo 10. Por ahora, se analiza la configuracién cascode bésica para determinar el cambio en la resistencia de salida del amplificador. La configuraci6n cascode se ilustra con BIT, aunque el amplificador también trabaja uilizando FET. En Ia figura 7.15(b) se muestra el circuito equivalente del amplificador de 1a figura 7.15(a). La resistencia de enirada del circuto es la resistencia de entrada del primer transistor, 0 hie. La coriente en Ten esté dada por Ys reat hy Ton (7.31) Al escribir la ecuacién (7.31) se supone que Tei y Tea son mucho mayores que Ai, Entonces tee aie = SE Fon y 732) fee ee ne ia Tot Bro La resistencia de salida del amplificador (como se ve a través de v.) es Ye Rox = Bren 7.33) Este amplificador muestra una resistencia de salida que €s aproximadamente un factor 8 mayor que el de un amplificador con un solo transistor. En la figura 7.15(@) se muestra un circuito equivalente simplificado, que inciuye esta resistencia de salida. Si el amplificador EC en el circuito cascode se reemplaza por un amplificador iferencial de salida simple, resulta el circuito de la figura 7.16. Este circuito Yoo & Rue Vax 355b i Ana RO PEE RC AE I 328 Capitulo 7 Circuitos integrados: amplificadores operacionales Ejercicios tiene una impedancia de salida alta y caracteristicas en frecuencia mejoradas, y se encuentra en la entrada de varios amplificadores operacionales de banda ancha. Las caracteristicas en frecuencia del amplificador cascode se analizan en la seccién 10.7. 75 7A Diséfese una fuente de’corriente Widlar para obtener una corrienté constante de 50 A. La tensin dela baterfa es 20 V, y se utiliza una corriente de referencia de 4 mA. Determinense el valor del resistor necesario y la Rru de la fuente de corriente cevando re (del transistor) = 50 kX, Vag = 0.7 Vy Vp =26 mV. Resps Ry = 4.83 kM; Ry = 2.28 kM; Rr = 269 kM 75 Diséfiese una fuente de corriente Wilson para proporcionar 100 4A cuando Vee = 15 V. Utiicense transistores con = 100, Vag = 0.7 Vy Vr = 26 mV. Determinese Rra cuando la r, del transistor es 15 k2. Resp Inger = 100 1A; Ry = 143 KO; Rr = 750 KO D746 Diséhese un trasladador de nivel para cambiar la Vo de 6 V a 2 V de ‘manera que la tensién sea compatible con el amplificador posterior EC. Utilicese un amplificador EC que tenga una Ro = 5 k® y tna fuente de corriente de 4 mA. con Voc = 15 Vy Veg =15 V. Los transistores tienen = 200 y Vaz = 0.7 V. Resps Re = 805 9; Ry =2.13 KM; Ry = 110 kM; Re = 69 kA EMPAQUETADO DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES Los circuitos de amplificadores operacionales se empaquetan en moldes de CI esténdar, incluyendo metal, empaques de doble fila (DIP, dual in-line package) y cempaques planos. Cada uno de estos empaques tiene al menos ocho terminales 0 conexiones, las cuales se ilustran en las figuras 7.17, 7.18 y 7.19. En un disefo préctico, es importante identificar las terminales correctamente (en general no estén numeradas), En las figuras se ilustra la forma como se identifica la terminal 1 en la configuracién fisica. En el empague metdlico de la figura 7.17, 1a terminal 1 es la primera a la izquierda de la marca, y las demés terminales se numeran de manera ‘consecutiva hacia la izquierda, viendo desde arriba. En el DIP de la figura 7.18, el extremo del empaque posee una ranura para localizar la terminal 1, y las terminales se numeran hacia abajo en Ia izquierda y hacia arriba en la derecha. Notese que se cempaqueta més de un amplificador operacional (por lo general dos o cuatro) en un DIP. En el empague plano de la figura 7.19, la terminal 1 se identifica con un punto, ¥y las demds terminales se numeran como en el DIP. 3567.5 Empaquetado de los amplificadores operacionales 329 Figura 737 ‘Conexion de un amplifiadoroperacionl para un ermpaque etieo Figura 7.18 “Empague de doble fils con 14 terminles CConexions de un mplifiadoroperacional para un empague de doble 4 fin con termites. Atscador Amplifcador (perioral ao ‘Operacional 4 D 2 i Amplifieado| Operaionat B Amplicador Vista superior Figura 739 CConexin de ampliader Empague plano de 10 terminals operaionl para un tmpaqe plano de 10 terminals, bien bien Abieno Abie ‘bien Vista superior 357| 330 Capitulo 7 Circuitos integrados: amplificadores operacionales Figura 7.20 va) CConexiones de las foenes e alimentacién, 7.5.1 Requerimientos de potencia Varios amplificadores operacionales requieren tanto una fuente positiva como una negativa, Las tensiones tipicas de las fuentes van de £5 V a £25 V. En la figura 7.20 se muestran las conexiones comunes de las fuentes de alimentacin al amplificador operacional, ‘La mfxima excursién en la tensién de salida esté limitada por la tensién en cd suministrada al amplificador operacional. Algunos amplificadores operacionales se pueden operar con una sola fuente de alimentacién. Las especificaciones del fabricante definen los limites de operacién en aquellos casos en que el amplificador utiliza sélo una fuente de alimentacién, 7.6 EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL 741 Uno de los amplificadores operacionales més populares es el A741 que se ilustra en la figura 7.21. Ha sido producido desde 1966 por la mayorfa de los fabricantes de Ty es ain muy utilizado aunque ha babido muchos avances desde su introduccién. Este amplificador operacional se describe de manera breve. El comportamiento externo y las especificaciones de este circuito se describen més adelante en este capitulo. Por ahora, la atencién se centraré en su construccién interna. El amplificador operacional 741 tiene compensacién interna, que se refiere la red RC que hace que la respuesta en amplitud decaiga a frecuencias més altas Dos amplificadores diferenciales cascode excitan un amplificador de potencia de simetria complementaria a través de otro amplificador de tensién. El amplificador operacional 741 consiste en tres etapas principales: un ampli- i ficador diferencial en la entrada, un amplificador intermedio de alta ganancia de : salida simple y un amplificador de potencia en Ja salida. Otro conjunto de circuitos importante para su operacién incluye un trasladador de nivel para desplazar el nivel i de ed de la seal de manera que la salida pueda tomar tanto valores positives como [ negativos, circuitos de polarizacién para proporcionar corrientes de referencia a los amplificadores, y circuitos que protegen el amplificador operacional de cortocircuitos en la salids. El 741 esté compensado intemamente en frecuencia por medio de una red capacitor-tesistor interna. El amplificador operacional est mejorado atin més por la adicién de otras etapas de amplificacién, que afslan los circuitos de entrada, y de mas emisores seguidores 358Se Figura 721 El ampliicadoroperscio- ral 741. Cones de Fair child Semiconductor Corp. 7.6.1 76.2 7.6 El amplificador operacional 741 331 CIRCUITO EQUIVALENTE cen Ja salida para digminuir la impedancia de salida. Otras mejoras producen un aumento en el CMRR, mayor impedancia de entrada, respuesta en frecuencia més amplia, disminucién de la impedancia de salida y aumento de potencia. Circuitos de polarizacion Se pueden ver varias fuentes de coriente en el amplificador operacional 741 de Ja figura 721. Los transistores Qur y Qiz, que tienen sus bases y colectores conectados, se utilizan como diodos y proporcionan una referencia de corriente cen Ry para la etapa de salida del ampliticador operacional. Esta corriente de polarizacién se utiliza para proporcionar una corriente de referencia a Qus. Asf, Qre y Qis forman un espejo de corriente de dos salidas. Una fuente de comriente Widiar, constiuida por Qio, Qus y Re, crea uns cortiente de polarizacién para la primera etapa. Otra fuente de corriente que proporciona una carga activa para Ja primera etapa esté compuesta por Qs y Qs. Proteccién de cortocircuito El cireuito 741 incluye varios transistores que normalmente estin en corte ¥ conducen sélo en caso de que exista una corriente alta en la salida. Entonces cambia Ia polarizacién en los transistores de salida para reducir esta corriente a un nivel ceptable. En el circuito de la figura 7.21, esta red de proteccién de cortacireuito consta de los transistores Qis y Qai y los resistores Ry y Ro. 359——— i ! ' : i i i i i E i i : : E 332 Capitulo 7 Cireuitos integrados: amplificadores operacionales 7.6.3 7.6.4 7.6.5 Etapa de entrada La etapa de entrada al amplificador operacional 741 es algo complicada ya que requiete proporcionar ganancia de tensi6n, desplazamiento de nivel y una am- plificacién diferencial de salida simple. La complejidad del circuito provoca un terror de tension de desplazamiento grande. En contraste con esto, el amplificador iferencial esténdar de carga resistiva provoca un error menor en la tensiGn de esplazamiento, Sin embargo, el amplificador estindar tiene ganancia limitada, lo que significa que se requieren més etapas para lograr la amplificaciGn deseada. Los amplificedores diferenciales de carga resistiva se utilizan en amplificadores coperacionales que tengan menor desplazamiento de terisién que el 741. Los BIT utilizados en la etapa de entrada requieren corrientes de polarizacién grandes, lo cual introduce problemas de desplazamiento de corriente. Para reducir el error en la corriente de desplazamiento, a menudo se utilizan FET en Ia etapa de entrada. La etapa de entrada del 741 es un amplificador diferencial con carga activa formada pot los transistores Qs, Qe ¥ Qr ¥ los resistores Ry, Re y Rs. Este circuito proporciona una resistencia de carga alta y convierte la sefial de diferencial a salida simple sin pérdida de ganancia o capacidad de rechazo en modo comin La salida simple se toma del colector de Qs. El trasladador de nivel en la etapa {de entrada consta de (ransistores laterales pnp, Q3 y Qs, que se conectan en configuracién BC. EI empleo de los transistores laterales Qs y Qs brinda una ventaja adicional. Estos ayudan a proteger los transistores de entrada, Q1 y Qz, contra la rupture de la unién,base-emisor. La unién base-emisor de un transistor npn se rompe ‘cuando la polarizaci6n inversa excede aproximadamente 7 V. La ruptura en los ‘ransistores laterales no se produce hasta que la polarizacién inversa excede alrededor de 50 V. Como los transistores estn en serie con Q; y Q2, aumenta la tensin de roptura del circuito de entrada. Etapa intermedia En varios amplificadores operacionales las etapas intermedias proporcionan alta ganancia a través de varios amplifcadores. En el 741, la salida simple de la primera ‘etapa se conecta a la base de Qyg, que es una configuracién emisor-seguidor. Esto proporciona una alta impedancia de entrada a la etapa de entrada, lo cual minimiza los efectos de carga. La etapa intermedia consta también de los transistores Qy7 'y Que y los resistores Riz y Riz. La salida de la etapa intermedia se toma del tolector de Qi y se proporciona a Que a través de un divisor de fase. El capacitor ‘en el 741 se utiliza para compensacién en frecuencia. Etapa de salida Se requiere que la etapa de salida de un amplificador operacionalproporcione alia ‘ganancia de cortiente a una baja impedancia de salida. La mayoria de estos amplificadores utiliza una etapa de salida de simetrfa complementaria para ganar més 36077 Problemas 333 eficiencia sin sacrficar ganancia de corriente. En el capitulo 6 se muestra que la rméxima eficencia que se puede alcanzar para el amplificador de SC es 78%. El amplificador de salida simple tiene una eficiencia méxima de s6lo 25%. Algunos amplificadores operacionales utilizan un par Darlington de simetria complementaria para aumentar la capacidad de salida. La etapa de salida de simetria complementaria en el 741 consiste en Qis ¥ Qao- ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE Cada amplificador operacional posee caracteristicas que se describen en las especificaciones del fabricante. Estas se combinan en.manuales. ‘Cada especificacién proporciona también las caracterfsticas del amplificador operacional bajo varias condiciones de operacién. Los pardmetros principales se muestran ya sea en forma tabular o gréfica. Pueden exist también aplicaciones tipicas del amplificador operacional recomendadas por el fabricante. Otros datos de la es- pecificacién pueden incluir ejemplos de cireuitos externos necesarios para balancear icho amplificador operacional. Este es un momento adecuado para familiarizarse con el apéndice D, donde se ilustran ejemplos de hojas de especificaciones. Se incluye el A741, y debe verse como un ejemplo representativo, ‘Los amplificadores operacionales son blogues de construccin versétiles para aque los utlice el disefador. Conforme se examinen varias aplicaciones de estos blogues (en los siguientes cinco capitulos), serfa muy stil obtener una de las wtimas copias de un manual de CT lineales de los fabricantes, que contiene varias hojas de cespecificaciones y otra informacién valiosa. PROBLEMAS 74 {Cufl es la ganancia en'modos diferencial y comin ara el amplifcador de ta figura 73 si Roi = Rea = 10KO, Re = 10 KA y Voo = 15 V? Supéngase que Vee/Re es una fuente de corrente constante ¥ que Vag = 0.7 V, Vr =26 mV y Veg = 15 V. 7.2 ;Cudl es la ganancia en modos diferencial y comiin para el amplificador de la figura 73 si Re = 5kS, Roi = Rea = SKA, Voc = Ver = 18 V? Supéngase que Vag = 0.7 V, Vr =26 mV y 8 = 100. 73 Encuéntrese la tensién diferencia para el circuito de la figura 7.3 sim, = 0.6 V y vy =0.55 V. Sean Ro = 5k, Reg = Ske Ine =2.6 mA. 74 Un fabricante indica la ganancia de tensi6n de un amplificador diferencial como 200 y el CMRR como 80 4B. Si se aplica una sefal diferencial de 2 mV en la entrada junto con una sefal indeseada en modo comin de 10 mV, {eudl es 1a amplitud de cada sefial en la salida? 361 |334 Capitulo 7 Circuits integrados: amplificadores operacionales 7.5 El amplificador diferencial de la figura 7.5 tiene Az = 200, una tensién diferencial en la entrada de 3 mV, una tensién en modo coméin de 15 mV y tun CMRR de 95 dB. Calcsilese Ia tensién en modos diferencial y comin en Ia salida, 7.6 Caletlense v1, vs2 ¥ vos én términos de las entradas v y v2 para el circuito de Ja figura.P7.1. Supéngase que la ganancia diferencial de tensiGn, Ae (alida doble a entrada doble), es 100 y que la ganancia de tensién en modo comtin, Ac, e¢ —0.5 para cada etapa. Se supone que todos los transistores son idénticos. Voc Vee Figura P72 7.7 Caledilese vas en términos de las entradas v; y v para el circuito de la figura P7.2. Las ganancias de tensi6n en modos diferencial y comin para la primera ; ‘etapa son las mismas que las del problema 7.6. Para el transistor Qs, 6 = 100, Re =10 KM, his = 50. 2y Re = 200 0. 78 Calctlense v9. y vse para las tensiones de entrada que se muestran en la figura P7.3. Ag y Ac son las mismas que en el problema 7.6. VeoProblemas 335, Figura P23 7.9 Enouéntrense Ac, Aa y CMRR para el circuito de la figura 7.5 si Roi = Rox = 3M, Ine = 4 mA, Re =2kM, re = 15 KM, Voc = 12 Vy Vee =12.V. 70 Encuéntrense Ac, Ag y 21 CMRR para vgo del circuito de la figura 7.3 si Re =4k0, eg =3 mA, Voo = Veg =12 V, 15 =0y Ree = 40 k2. 7A Encuéntrense Ac, Aa y el CMRR para el circuito de la figura P7.2 cuando Rfuente de corriente) = SO kM, R= 6 KM, Vs esté puesta a tiera, Ipg = 2mA, Voc =8 V, Re =2kM, Re = 500 2 y § = 200. 7.2 En la fuente de corriente mostrada en la figura 7.5, determinense los valores de Ry y Ro si Veg = 10 V, Ine =2 mA y f= 200. Asegiese que V, se puede utilizar para compensar las variaciones de Vaz con la temperatura, 7.3 Si la fuente de comriente mostrada en la figura 7.5 tiene Ry = 20K, Ra = 18 KM, Veg = 15 V, Re = 10 KO y 8 = 200, jeudl es el valor de Jee para el ircuito? {Cusles son los valores d¢ Toi ¢ Ic2 si el amplificador diferencial est balanceado? Supéngase que Vag = V,, 7.44 Para el circuito mostrado en la figura P7.4, determinense Rei, Ron Ine, Ac, Ads Yo ¥ €l CMRR. Supéngase que Vag = 0.7 V y B= 200. 75 Si el capacitor de paso CE se quita del ciruito en el problema 7.14, jeam- biarian Ag, Aa y CMRR? Si es asi, jeusnto? 7.46 Si se reemplazara Reg en el problema 7.14 con una fuente de.corriente compensada por diodo (donde r, = 25 kM y f = 200 para el transistor por utilizar), jeudl seria el nuevo CMRR? Determinense los valores de Ry y Re, 363t t ' ‘ i 336 Capitulo 7 Circuitos integrados: amplificadores operacionales p Voc® 10V b-ov Pa Datingong 10 Figura P1S -10V 7.7 Para el anplificador mostrado en la figura P7.5, determinense Ri, Re, Rs, Ac, ‘Ae, Re, Rez y CMR cuando = 100 y Vag =0.7 V para los transistores simples y = 10000 y Vag = 1.4 V para el par Darlington. 7.18 Diséitese una fuente de corriente Widlar para proporcionar Ic, = 10 uA. Supéngase que Voc = 30 V, Ri = 40k2 y Vg = 0.7 V. Remitase a le ‘figura 7.8. 7.19 Diséfese una fuente de corriente Widlar para proporcionar Jez = 100 pA con una referencia de 1 mA. Supéngase que Voc = 20 V y Vag = 0.7 V. Remiftase a la figura 7. 7.20 La fuente de corriente Widlar del problema 7.19 se utiliza como una carga activa, {Cudl es la resistencia equivalente de la fuente de coriente cuando se utiliza de esta forma? Supéngase que se emplean transistores 2N3903 (véase Ap. DI). 364meee Problemas adicionales 337 7.21 Para la fuente de corriente Wilson de la figura 7.9, caledlese la resistencia de salida si Voc = 15 V, R= 12 kO, Vr = 26 mV, Vor = 0.7 V y B = 100. ‘Supéngase que se emplean transistores 2N3903 en el intervalo de S00 1A (véase Ap. D1). 7.22 En el cireuito del problema 7.21, ;cudles son los valores de Iner © To? 7.23 ,Cudl es Ia salida del trasladador de nivel de la figura 7.14 si Vag = 8 V, Rp = 5X9, Voc = 10 V, la fuente de coriente proporciona 4 mA, Re = 800 0, Vaz =0.7 Vy = 100? 7.24 Diséhiese un trasladador de nivel para obtener un desplazamiento de 4 V ttilizando el circuito de la figura 7.1400). Supéngase que Rp = 4 kO, Vap = 8 V, Veo = 12 V, Veg = 12 V, 8 = 100 y Vaz =0.7 V. Utilicese una fuente de corriente que proporcione 6 mA. 7.25 Un amplificador multietapa acoplado directamente tiene un amplificador EC en la dltima etapa. La Vo para el amplificador EC es 6 V con una Re de 5 kM Diséfiese un trasladador de nivel para que siga al amplificador EC y proporcione una salida en ca. Los valores de los pardmetros son Vec = 10 V, Vee = 10 V, Vaz =0.7 V y B= 100, Diséfiese la fuente de corriente para aque tenga una salida de 5 mA. PROBLEMAS ADICIONALES PA7.L Si Reg enel problema 7.14 se reemplaza con una fuente de corriente simple (Wa = 80 V), jeudl es el nuevo CMR? Determine el valor de Rar. a1ka. 40nV pp $a Figura PAT. 365= 338 Capitulo 7 Circuitos integrados: amplificadores operacionales PAT.3 Disefe un espejo de corrente del tipo mostrado en la figura PA7.2 donde T)=10mA, p= 1 mA, [y= 0.1 mA, [y= 100 yA € Is = 50 A. Suponga ue los transistores son idénticos y tienen una f = 100. PA7.4:Encuentre el desplazamiento en ed (cuando vj = 0), Ag, Ae y el CMRR del Circuito mostrado en la figura PA7.3. Suponga que {= 300 para todos los, transistores, Vr = 26 mV, Va = 80 V y Vaz = 0.7 V. Determine el valor de Rese y Ro para una [gg =2mA ¢ Trex = 50 mA. PA7.2 Determine las tensiones de salida en modo diferencial y modo comiin y el CMRR para el circuito mostrado en Ia figura PA7.1. Suponga que Vaz = 0.7 V, Vr = 26 mV, Va = 60 V y, que los transistores son iguales con B= 200. También determine Rey(MDY y Rex(MC). Figura Pa72 + anv Figura PATS =v 366 onal8.0 AMPLIFICADORES OPERACIONALES IDEALES INTRODUCCION 8.4 En el capitulo 7 se habl6 del amplficador operacional en el contexto del estudio de los eireuitos diseretos que lo conforman. El presente capitulo es el primero de dos dedicados exclusivamente al estudio detallado de los amplificadores operacionales, ‘Ya se analizaron algunos aspectos generales de ellos, incluyendo Ios empaques y Jas especificaciones en las hojas de datos. Ahora se idealizaré este importante CI y se explorard su utilizaci6n en disefio. Se estudian el amplificador inversor y el no inversor. Se presenta un procedimiento que proporciona un método general para el disefo de un amplificador que est4 configurado para realizar la suma ponderada de cualquier nimero de tensiones de entrada. Luego se exploran varias aplicaciones stiles de los amplificadores operacionales, incluyendo circuitos de resistencia negativa, integradores y convertidores de impedancia. En el capitulo 9 se modifica el modelo matemético del amplificador operacional ideal del presente capitulo haciendo los cambios necesarios para que el modelo coincida de manera més aproximada con el amplificador operacional real AMPLIFICADORES OPERACIONALES IDEALES En esta seccién se utiliza un método de sistemas para presentar los fundamentos de los amplificadores operacionales ideales [21]. El amplificador operacional se 339 367CET Wa? Re k peewee 340 Capitulo 8 Amplificadores operacionales ideales Enrada Entrada no Figura 81 Simbolo pra un amplieador operacional ideal wae (ve = 02) Rae ‘Figura 82 Ciuto eguivlene para el ampliicador opencional considera como un blogue con terminales de entrada y En este momento zo interesan los dispositivos electrinicos dentro de ese amplificador El amplificador operacional es un amplificador de alta ganancia directamente acoplado, que en general se alimenta con fuentes positivas y negativas. Esto permite que la salida tenga excursiones tanto por arriba como por debajo de tierra Los amplificadores operacionales tienen amplia aplicacién en muchos sistemas electrnicos lineales. El nombre de amplificador operacional se deriva de una de las utilizaciones originales de circuitos con estos amplificadores: realizar operaciones matemdticas en computadores anal6gicos. Los primeros amplificadores operacionales uiizaban una sola entrada inversora. Todo cambio positivo en la entrada provocaba un cambio negativo en la salida, En la figura 8.1 se presenta el simbolo para el amplificador operacionsl, y en 1a figura 8.2 se muestra su cieuito equivalente. El modelo contiene una fuente de tensin dependiente, cuya tensin depende de la tensién de entrada. La impedancia de salida se representa en la figura con una resistencia de valor Re. El amplificador estéexcitado por dos tensiones de entrada, v, y v-. Las dos terminales de entrada se conocen como entradas no inversora e inversora respectivamente. De manera ideal, la salida del amplificador depende no de las magnitudes de las dos tensiones, de entrada, sino de la diferencia entre ellas. Se designa una nueva tensiGn de entrada como la diferencia, ev, 0. donde vg es la tension diferencial de entrada. En la figura 8.2, la impedancia de entrada del amplificador operacional se representa como una resistencia. La tensi6n de salida es proporcional a la de entrada, y la relacién se designa como la ganancia de lazo abierto, G. Por tanto, la tensién de salida es Ve = Gv = v-) 6.) Como ejemplo, una entrada E senut (E suele ser una amplitud pequefia) ap cada ala entrada inversora com Ia terminal no inversora a tierra, produce una s —G(E senust). Cuando la misma fuente de sefal se aplica a la entrada no inversora, on la terminal inversora a tierra, la salida es +G(E senut). 3688.1 Amplificadores operacionales ideales 341 j El amplficador operacional ideal se caracteriza como sigue: |. Resistencia de entrada, Rex + 00 . Resistencia de salida, Ry = 0 Ganancia de tensién de lazo abierto, G + 00 ‘ ‘Ancho de banda —+ 00 ve = 0 cuando vy = v_. (es decir, la ganancia en modo comin es cero y.el CMR se aproxima a infinito) ‘Se buscaré qué implica el hecho de que la ganancia de lazo abierto sea infinita. Si se reescribe la ecuacién (8.1) como G y se hace que G se aproxime a infinito, e ve que Por tanto, la tensi6n entre las dds terminales es cero, 0 yew Como la resistencia de entrada, Rex, es infinite, la corriente en cada entrada, inversora y no inversora, es cero. ‘Los amplificadores operacionales précticos tienen ganaficia de tensi6n alta (Por 10 general 10° en baja frecuencia), pero esta ganancia varia con la frecuencia Por esta razén, no se utiliza un amplificador operacional en la forma mostrada cn la figura 8.1. Esta configuracién se conoce como de lazo abierto porque no ‘existe retroalimentacién de la salida a la entrada, Se veré mds adelante que la configuracién en lazo abierto es itil para aplicaciones de comparador. La confi- sguracién més comin para aplicaciones lineales es el circuito de lazo cerrado con retroalimentacin. ‘Los elementos extemos se utlizan para retroalimentar una porcién de la sefal de salida a la entrada. Si los elementos de retroalimentacién se colocan entre la salida y Ja entrada inversora, disminuye la ganancia de lazo cerrado, o relacién de transferencia, ya que una parte de la salida se resta de la entrada. La retroali- ‘mentacién no sélo disminuye la ganancia total, sino que hace a la ganancia menos sensible al valor de G. Con retroalimentacin, la ganancia de lazo cerrado depende de los elementos del circuito de retroalimentacién y no de la ganancia bésica de tensi6n de] amplificador operacional, G. Ast, a ganancia de lazo cerrado es independiente del valor de G, y s6lo depende del valor de los elementos del circuito externo. En la figura 83 se ilustra un circuit simple con amplificador operacional y reiroalimentaci6n negativa. Este circuito se analiza més adelante. Por ahora, n6tese ‘que se utiliza un solo resistor, Re, para conectar la tensién de salida, vp, ala entrada inversora, v_. Otro resistor se conecta de la entrada inversorg, v, aTa tensiGn de entrada. ss sme ARREARS AIT IE oR iedem em eomioas 369 u342 Figura 83 0 equvalente ci pa el an perciosl Capitulo 8 Amplificadores operacionales ideales Ry Ry co} Los circuitos que utilizan amplificadores operacionales, resistores y eapacitores se pueden configurar para realizar muchas operaciones tiles, como sumar, restar, integrar,filtrar, comparar y amplifcar. Método de an: Se utitizan dos propiedades importantes del amplificador operacional ideal: 1, La tensi6n entre v, y ves cero, 0s = v=. 2. La comiente tanto en u, como en ves cero. El método desarrollado paso a paso para analizar cualquier circuito con amplificadores operacionales ideales és como sigt 1. Se escribe la ecuacién de nodos de Kirchhoff en la terminal no inversora, Us. 2. Se escribe la ecuacién de nodos de Kirchhoff en la terminal inversora, U~. 3. Se hace u, =u_ y se resuelven las ganancias de lazo cerrado que se descan. ‘Al realizar los primeros dos pasos recuérdese que las corrientes tanto en lo terminal v, como en v_ son cero. EL AMPLIFICADOR INVERSOR En la figura 8.3(a) se lustra un amplificador inversor con retroalimentacién, mientras que en la figura’8.3(6) se muestra la forma del circuito equivalente para este circuito amplificador inversor. Se desea despejar la tensién de salida, to, ‘en términos de Ia tensi6n de entrada, vg. Se seguird el procedimiento paso a paso de Ia seccién 8.1.1. 1, La ecuaci6n de nodos de Kirchhoff en v, da 2. La ecuacién de nodos de Kirchhoff'en »— da vere. 37082 Elampliicador inversor 34: Nétese que la ganancia de lazo cerrado, vp/va, depende de la relacién de los dos resistores, Rr/Ro, y es independiente de la ganancia de lazo abierto, G., Este resultado deseable se debe a ia utilizacin de retroalimentacién de una porcién de la tensién de salida que se resta de-la tensiOn de entrada. La rettoalimentacién de la salida a Ja entrada a través de Rp sirve para levar la tensi6n diferencial, ti = vs =v, @ cero, Como la tensi6n de entrada no inversora, v4, €8 cero, 1a retroalimentacién tiene el efecto de levar va cero. Por tanto, en la entrada del amplificador operacional, 0 »% y ekiste una tierra virtual en v_. El término virtual significa que la tensi6n, v_, es cero (potencial de tierra), pero no fluye ninguna corriente real en este cortocireuito, ya que no puede fuir ninguna corriente en las terminales inversora 0 no inversora, Sin importar cudn complejo pueda ser el circuito con un amplificador operacional ideal, siguiendo este procedimiento el ingeniero puede empezar a analizar (y disefiar) muy pronto sistemas con amplificadores operacionalés. Se expande ahora este resultado al caso de entradas miltiples. El amplificador rmostrado en la figura 8.4(@) produce una salida que es una suma negativa de varias, tensiones de entrada. La ecuacién de nodos en v. da v, =0. La ecuacién de nodos en Ja entrada inversora esté dada pot ‘Rr Re Re conn orm aD] 20d yn meee OR 8 fy, (8.2) -#E(#) La extensién an entradas es obvia. 371eR RONEN cs came Re Figura 84 (Cueuit con amplifcador operacional | 344. Capitulo 8 Amplificadores operacionales ideales R : Ry, o veLe Oo La relacién expresada por la ecuacién (8.2) se extiende fécilmente para incluir componentes no resistivos si R; se reemplaza por Z; y Rr por Zp. Para una sola entrada, como se muestra en la figura 8.4(b), la salida se reduce a: -2eV% Za 3) Como se esté trabajando en el dominio w, se utlizan letras mayiisculas para las tensiones y corrientes, que representan amplitudes complejas. Un circuito dil basado en la ecuacién (8.3) es el integrador de Miller. En esta aplicaciGn, el componente de retroalimentacién es un capacitor, C, y el componente de entrada es un resistor, R, de modo que 1 ‘Cuando se sustituyen estas impedancias en la ecuaci6n (8.3), se obtiene Yet Vi * jaRO ue tiene 1a forma de una integral en el dominio del tiempo: (#) f air)dr Este es un integrador inversor porque la expresiGn contiene un signo negativo. {af eieimento de retroalimentacién es un resistor y el elemento de entrada es ‘un capacitor, ia relacién entre entrada y salida se vuelve volt) = 372Ejercicios 8.2 Elamplificador inversor . 345 El cireuito opera como un derivador inversor. Utilizando el procedimiento paso a paso de la seccién 8.1.1, determfnese v, en términos de las tensiones de entrada para los siguientes circuitos. (Las respuestas sse muestran en las figuras.) 8.1 Inversor simple de lazo abierto, Figura DA 82 Divisor de tensién de 1azo abierto Figura D8 D8.3 Inversor Ry R Figura D83 373——— oo i t : } 346 Capitulo 8 Amplifcadores operacionales ideales 8.4 Inversor sumador Figura DB D855 Inversor sumador de ganancia igual Figura Das =a 18.6 Sumador inversor doble con ganancia 10R ® Ry Figura Das te | 10406 +) 18.7 Sumador inversor doble ponderado 0k 10R R Figura 87 374 Resp. to = —(¥e + 1005)8.3 83° Elamplifcador no inversor _ 347 EL AMPLIFICADOR NO INVERSOR El amplificador operacional se puede .configurar para que produzca ya sea una salida invertida o no invertida. En la secci6n anterior se analiz6 el amplificador inversor, y en esta seccién se repite el andlisis para el amplificador no inversor, que se muestra en Ia figura 8.5. Para analizar este circuito, se sigue de nuevo el procedimiento de la secci6n 8.1.1: 1. Escribir una ecuacién de nodo en v, para obtener 2., Bscribir una ecuacién de nodo env para obtener 3, Hacer v, =v; y sustituir por v_, ya que ee 4) We 84) 375348 Capitulo 8 Amplificadores operacionales ideales Ejercicios Utilizando las aproximaciones del amplificador operacional ideal, determinese v fen términos de las tensiones de entrada para los seis circuitos siguientes. (La respuesta se muestra en las figuras.) 8.8 Amplificador no inversor Re Reps ve = (1+ Bu, DB8.9 Seguidor de tensi6n & TO ae wen ® Figura D8 D8.10 Entrada no inversora con divisor de tensién i R | R, | & sp vy = 1 + Be) Ry Res v= 0+ Big Figura D8.10 8.11 Ganancia menor que uno Bek" Figura D8.11 376Figura 86 Dos enadas no snversoas 83 Elamplificador no inversir_ 349 1D8.12 Sumador no inversor con gananci Rody od Rep: ve 2 + Bids + J Figura D8.12, 18.13 Sumador de ganancia unitaria, Raps en te ‘Figura DBS ‘Ahora se analizan amplificadores operacionales con entradas miitiples. En la figura 8.6 se ilustra un circuito con dos tensiones de entrada. Estas dos entradas se aplican a la entrada no inversora del amuplificador operacional. El andlisis de este cirevito sigue el-procedimiento de la seccién 8.1.1. Con el fin de encontrar v., se aplica LCK a la terminal de entrada no inversora para obtener (recuérdese que la corriente de entrada al amplificador operacional es cero) ua Ry way ry =0 Despejando us, se obtiene v= iio (#+2) & 377350 Capitulo 8 Amplificadores operacionales ideales La tensiGn en 1a entrada inversora, v_, se encuentra de la ecuaci6n de nodo en. con el resultado é Revo k Res Be : Hacindo , igual av, se obine i & )\ Rat Rr g v= (Ri || Ri: a i aro (Bez) Be 6s) Ejercicios Determinese vp en términos de las tensiones de entrada para los siguientes circuitos. (Las respuestas se muestran en las figuras.) 8.14 Suma de dos entradas R aa + oy + as 9) ATE Figura D814 1DB.15 Suma ponderada de dos entradas R R z Liv, “ + By ya0n + 0 7 Reps v2 + Reychyioes +o we Figura DAs i & & 8.16 Suma de tres entradas Re ae : Bedin ens Resps ye + Bein + on + 09 RETO 37884° Resistencia de entrada de un circuito amplificador operacional con retroalimentacién 351 8.4 ‘8.17 Suma ponderada de dos entradas con divisor de tensién Ry ened oh 4B Reape vg = (1+ REAR RoI Sgt +) Figura D817 RESISTENCIA DE ENTRADA DE UN CIRCUITO AMPLIFICADOR OPERACIONAL CON RETROALIMENTACION La resistencia de entrada del amplificador operacional ideal es infinita. La resis- ‘tencia de entrada 2-un circuito compuesto de un amplificador operacional ideal ‘con componentes externos ya no es infinita. Se ha encontrado la resistencia de entrada al amplificador operacional con retroalimentaciGn. El circuito equivalente para el amplificador operacional no inversor se muestra en la figura 8.7(a). En la figura 8.7() se ilusira el mismo circuito rearreglado para simplificar el andlisis. Se afiade una fuente de tensin a la entrada con el fin de calcular la resistencia equivalente. Como el circuito contiene una fuente dependiente, se encuentra la resistencia suponiendo una tensi6n y tomando la razén de la tensién a la cortiente resultante. La ecuacién de lazo esté dada por Rri=v— Gog pero como ve entonces Rri=(1+Gw 57° 86) ‘La resistencia de entrada es cero ya que la ganancia, G, se aproxima a infinito. Si se supone que G es grande pero finita, la resistencia de-entrada es pequelia y proporcional a Rr. Nétese que la tensi6n de entrada suele aplicarse @ través 379 4re + 352 Capitulo 8 Amplificadores operacionales ideales Re ev i s a Figura 87 Resisenia de entaa pra un anplicadorretostinentdo Figura 88 Re Resistencia de entrada con suma en ls entradas, de un resistor en serie, que es externo al circuito de la figura 8.7(8). Por tanto, la resistencia de entrada vista por la fuente es igual al valor de esta resistencia externa, En la figura 8.8 se muestra un amplifcador inversor con dos entradas, cada tuna de las euales se aplica a través de una resistencia de entrada correspondiente. Este es un caso especial del cireuito de la figura 8.4. Como la tensién en la entrada inversora del amplificador operacional es cero (Werra virtual), la resistencia de entrada vista por v es Ry y Ia que ve v es Ry. La entrada inversora a terra también sirve para aislar las dos entradas entre sf. Esto es, una variaci6n en uno afecta la entrada vp, y viceversa, Se emplea en este caso el término ierra virtual, ya que Ja terminal v— esté vimualmente aterrzada para sefales de ca. 8.5 ENTRADAS COMBINADAS INVERTIDA Y NO INVERTIDA El caso més general de configuracién de entrada es una combinacién de las dos seeciones anteriores. Esto es, se permiten entradas tanto en la terminal inversora como en la no inversora. La configuracién general se muestra en la figura 8.9. 380 :Figura nada inversora y 90 Ejercicios 8&5. Entradas combinadas invertida y no invertida 353 ky Los cireuitos anteriores se pueden considerar casos especiales de este problema ‘general. La rélacién para la salida se encuentra aplicando superposicién como se muestra adelante, (La siguiente expresi6n se deriva combinando la ecuacién (8.2) con la (8.5). El estudiante no debe aceptar el resultado como tal sino realizar la derivacién.) Rr + pee] @ leo a ae Re, Re «RRR Ree | Cy La ecuaciGn.8.7 representa un resltado’ general que es muy stil al analiza? una gran variedad de circuitos. Determinese v, en términos de todas las tensiones de entrada para las siguientes configuraciones. Las respuestas se muestran en las figuras. 18.18 Configuracién con ganancia positiva y negativa Re =a 73h, —& Loy, Reins = 1 +B — Bo, Figura D818 381 |—- 354 Capitulo 8 Amplificadores operacionales ideales 'D8.19 Amplificador de diferencia i t ! : Figura D8.19 Figura D8.20 8.20 Amplificador de diferencia ponderada 8.21 Amplificador de diferencia con ganancia Figura Di 8.22 Conmutador de signo erase nar ER 382 Resp $i Ry se coneciaaiena, rs ‘Con Ri conectado av, weal + Dy = a eo8.6 DISENO DE CIRCUITOS CON AMPLIFICADOR OPERACIONAL 86. Disefio de circuitos con amplificador operacional 355 Dada Ia configuracién de un sistema con amplficador operacional, se analiza el | sistema para determinar la salida en términos de las entradas utilizando el proce-' dimiento de la secci6n 8.1.1 i Si se desea disefiar un circuito que combine las entradas inversora y no inversora, el problema es més complejo. En esta seccin se presenta una técnica de { disefo préctica,* Esta técnica permite disefiar un circuito sumador con amplificador coperacional sin la solucién tediosa de ecuaciones simulténeas. En un problema de disefio, se da Ja ecuaci6n lineal deseada, y se debe disefiar cireuito con amplificador operacional. La salida deseada del sumador con amplifi- ccador operacional se puede expresar como una combinacién lineal de las entradas, p= Xi t+ + Xavi — Yaa +++ — Yentin 88) donde Xy, Xa, .-., Xn Son las ganancias deseadas en las entradas no inversoras € Ya, Yo. «-++Ym Son las ganancias deseadas en las entradas inversoras. La ecuacién (8.8) se realiza fécilmente con el circuito de ta figura 8.10. En la eouacién (8.8) se muestra que los valores de los resistores Re, Rb, «+ Rm ¥ Ris Ra, «++, Rn Son inversamente proporcionales a las ganancias deseadas, asociadas | ‘con las tensiones de entrada. En otras palabras, si se desea una ganancia elevada ‘en una entrada particular, entonces Ia resistencia en esa terminal debe ser pequetia. Cuando la ganancia de lazo abierto del amplificador operacional, G, es grande, Ja tensién de salida se puede escribir en términos de los resistores conectados al | amplificador operacional (véase Ec. (8.7)). ! (8.9). Ra = Re || Ro || -+ | Rm ll Ry (8.10) —e a= (1+ BE) Rall Bal Rd ey Eaten fue deetada por Pal Wbancic, un estudiante de Califia State Universi. Long Beach, Ye present en un arculo remo sla Regién V7 1962 Prize Poper Contest dela IEEE. 383 —————-——————- 356° Capitulo 8 Amplificadores operacionales ideales i Figura 810, Sumador con etrades lil. Se ve que la tensién de salida es una combinacién lineal de las entradas, en la que cada entrada se divide por su resistencia asociada y se multiplica por otra resistencia. La resistencia de multiplicacin es Rp para las entradas inversoras-y Reg para las no inversoras. La resistencia de Thévenin que se ve en la entrada inversora por lo general se hace igual a la que se ve en la entrada no inversora. En la secci6n 9.1 se encuentra ‘que esta restrici6n minimiza el desvio en la corriente de polarizacin en cd. Para la configuracién mostrada en la figura 8.10, esta restriccién se puede expresar como sigue: Ri || Re Woo | Rn lf Re = Re || Rel --+ |] Ree ll Ry || Re (8.12) Sustituyendo las ecuaciones (8.10) y (8.11) en la ecuacién (8.12), se tiene —a__ T+ Rr/Ra = Ra/Re (8.13) de la cual se obtiene Req = Re (6.18) ‘Comparando los términos equivalentes en las ecuaciones (8.8) y (8.9), se obtienen Jas ganancias inversora y no inversora como sigue: Ray _ Re Xie Bae . Eek 15) y Rr iF e169 384=| 86 Diseiio de circuitos con amplificador operacional 357 La relacién de desvio de la polarizacién, ecuacién (8.12), se puede reeseribir como sigue: a @p 1/Re+ S/R Re +1/Ry+ O3/Ry ‘ar cot B18) 1 BLY 6.19) Recuérdese que el objetivo es despejar Rs en términos de X; € Yj. Definanse x= DX 620) yey fee La écuacién (8.19) se puede reeseribir como sigue: 1 ly iid mtH* Rr” Re” Ry" Re 8.21) Este es un punto de inicio para el procedimiento de disefto paso a paso. Re- ‘cuérdese que Rz y Ry son los resistores entre tierra y las entradas no inversora € inversora, respectivamente. El resistor de retroalimentacién se denota con Rr ‘Se puede eliminar cualquiera de los resistores Re y Ry 0 ambos del cireuito de Ia figura 8.10. Esto es, cualquiera o ambos resistores se pueden hacer igual ‘a infinito (es decir, un circuito abierto). Esto conduce a tres posibilidades de disefio que se denotan como caso I, caso TI y caso IT. Dependiendo de los factores de multiplicacién deseados que relacionan la salida con la entrada, uno de estos casos proporciona el disefio apropiado. Los resultados siguientes se resumen en la tabla 8.1 385358 Capitulo 8 Amplificadores operacionales ideales Caso! Si Rz — 00, 1a ecuacién (8.21) se vuelve Pa eens 1 Ez z 8.22) Re” Re * Ry * Re ae Cuando se elige una Rp, ia tinica incégnita de esta ecuacién es Ry. Al resolverla se obtiene (8.23) Definase Z=X-¥-1 Entonces la ecuacién (8.23) se convierte en eee R Rr Z debe ser positiva para que Ry sea fisicamente realizable. Si Z es negatva, el ceas0 I no se aplica. Las ecuaciones (8.15) y (8.16) proporcionan el valor de las resistencias BR xp Re Ree 824) Caso Cuando Ry ~ oo, la ecuacién (8.21) se vuelve 1x lily othe Re ie 825) y 1 _-(K-¥-)_ -2 Ree 826) Por tanto, Z debe ser negativa. 38686. Disefio de circuitos con amplificador operacional 359 Tabla 8.1 Resumen del disefio del ampificador sumador. Zz % Re Ri Ri Pe >o fe os 7 fe fe fe <0 =Z % vi l 0 00. co \ Caso Ill Cuando Rz — 00 y Ry —+ 00, la ecuacién (8.21) se convierte en be ip ie ie 827) y X-¥-1_2 Re | Re eo Por tanto, Z = 0. Los resultados de estos tres casos se combinan en la tabla 8.1. Nétese que Z=X-Y ~1, donde Ejemplo 8.1 | Sumador con amplificador operacional (disefio) iséfese un sumador con amplificador operacional para obtener Ia siguiente re- lacién entrada/salida: v5 = 100; + 6u2 + 403 ~ Sg — 20 SOLUCION Los valores de X, Y y Z se calculan como sigue: 2 X= POX =10+6+4=20 2 387cs 360 Capitulo 8 Amplifcadores operacionales ideales | i i k a Figura 811 Amplieador pare ejemplo 81 to Y= DY; =5+2=7 Z=2X-¥- =20-7- 2 En este ejemplo, Z es mayor que cero, por lo que se trata del caso J, donde Re ces un circuito abierto. En primer lugar, se Uebe elegir un valor adecuado para Re. Una vez determinada Rp, los demés resistores se determinan de manera sencilla. Supéngase que se desea que la resistencia minima, Rage, sea d¢ 10 k2 en cualquiera de las entradas. Entonces el factor de multiplicacién, K, seria el mayor de X;, Yj 0 Z. Por tanto, K = 12 y Rr = 10 kx 12 = 120 k9.. No se desea elegir un valor muy pequefio, o el circuito cargaré al circuito anterior. Tampoco se desea utilizar un valor muy grande para Rr, ya que esto aumenta el ruido generado en ese resistor. Como referencia, todos os resistores utilizados en el circuito con amplificador operacional deben estar entre 1k y 1 MQ. Una vez determinada Rr, los resistores se encuentran de la ecuacién (8.24) como sigue: R, =12k2 120k 70 120 e 0 Ka 6 120K8 at 230K 20k = 24k 5 12OKR _ 69 49 2 120K p= oka El amplificador resultante se muestra en la figura 8.11 ~T)L 3888.6 Disefto de circuitos con amplificador operacional 361 Ejemplo 8.2 | Sumador con amplificador operacional (disefio ns Diséfiese un circuito con amplificador operacional para realizar la siguiente ecua- «ign: 109 = 404 +02 — B¥g — 615 SOLUCION En primer lugar se calculan los valores de X,Y y Z. X=44 Como Z es menor que-cero, Ry es un circuito abierto y se tata de un ejemplo del caso TI, Supéngase que en este caso, e desea que la resistencia equivalente en las terminales + y ~ sea 10 KO. Entonees el factor de multplicacion debe ser el mayor de X 0. ¥ +1. Esto hace que K = 15 y Rp = 15 x 10k = 150 kQ. _ Re _ 150K0 15k El cireuito completo se muestra en la figura 8.12. Nétese que en cada'terminal de’ entrada, la resistencia equivalente es 10 k®? 0 se calcula como sigue: 37.5 KO |] 150 KA |] 15 KM = 25 KO I] 18.75 KO I] 150 KD = 10 KD Figura 812 Amplicador parse ejemplo 82 38987 -adores operacionales ideales Recuérdese que la derivacién, fuerza a que las terminales de entrada sean iguales para minimizar el desvio de la corriente de polarizacién en od. Nétese también ue si el valor de los resistores resultantes no satisface, éstos se pueden multiplicar por Ia misma constante sin cambiar la relaci6n entre tensiones. —«, OTRAS APLICACIONES DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL, 87.4 RN : Se vio que el amplificador operacional se puede utilizar como amplificador, derivador o integrador, y combinar varias entradas en forma lineal. En esta secci6n, se investigan algunas aplicaciones adicionales importantes de este CI tan versétil Circuito de independencia negativa El circuito mostrado en la figura 8.13 provoca una resistencia de entrada negativa (impedancia en el caso més general), que se puede wilizar para cancelar una resistencia positiva no deseada y por tanto producir un oscilador. La resistencie de entrada, Rea, se define como Las entradas al amplificador operacional estin dadas por % Como antes, se utiliza una relaciGn de divisiOn de tensién para derivar la siguiente expresi6n: _ Ratio ° Rat Re Despejando v, en términos de v, se encuentra ‘Como ta impedancia de entrada a la terminal v, es infinita, la corriente en R es igual a é y se puede encontrar como sigue: (1+ Re/ Ra) R 390Figura 813 Cieuito de impedaneia negative 8.7.2 87 Otras aplicaciones del amplificador operacional 363 Ry 829) En la ecuadién (8.29) se muestra que el circuito de la figura 8.13 presenta una resistencia negativa. Si R se reemplaza por una impedancia, Z, el circuito desarrolla tuna impedancia negativa. Generador de corriente dependiente Con una pequera modificacién al circuito de impedancia negativa, se puede disefiar, tun generador de corriente dependiente que produzca una corriente en la carga proporcional 2 una tensiGn aplicada, vi, y que sea independiente de la resistencia Ge carga. EI circuito se muestra en la figura 8.14(). Supéngase que se hace Ry = Re, Entonces la ecuacién (8.29) indicaré que la resistencia de entrada al cireuito (encerrado por el marco punteado) con amplificador operacional es — I ‘A continuacién el circuito de entrada se puede simplificar como se muestra en la figura 8.14(b). Se desea calcular iz, la corriente en Rz. Aunque la resistencia cs negativa, las leyes normales de Kirchhoff ain se aplican, ya que nada en su derivacién Supone resistores positivos. Por tanto, la corriente de entrada, ies, Se encuentra combinando las resistencias en un solo resistor, Rey: % w=) _ wR ~R) "Re R~RRi/(Rr— RK) ReR-FP- RRL =F Entonces se aplica la relaci6n de divisiOn de corriente al divisor de corriente entre Ry, y ~R para obtener Ra, FE (830) 391—<$<—<$—$ 364 — Capttulo 8 Amplificadores operacionales ideales Figura 8.14 Generador de cocrene dependiene 8.7.3 Figura 815 Tntegradoe no invertor Generador de Roegaivs RL ER RR i ® @ Por tanto, el efecto de afiadir el circuito con amplificador operacional es hacer que la corriente en Ia carga sea proporcional a la tensién de entrada. No depende del valor de la resistencia de carga, Ry. Por tanto, la corriente es independiente dde cambios en la resistencia de carga. El efecto del circuito con el amplificador ‘operacional es cancelar ésta. Como la corriente es independiente de la carga y depende sélo de la tensién de entrada, a esto se le denomina generador de corriente (0 convertidor de tensién a corriente), Integrador Miller no inversor Para desarrollar un integrador no inversor, se hace una modificacién al generador de corriente dependiente de la secci6n anterior. La configuracién de este circuito se ‘muestra en la figura 8.15, Es similar al circuito de la figura 8.14, pero la resistencia de carga se reemplaza por una capscitancia. La corriente, J, se encuentra de la ecuacién (8.30) como % R I La tensi6n de salida, Vp, se encuentra de Ia divisin de tensi6n entre V, y V_ como sigue: 3928.7.4 | 8&7. Otras aplicaciones del amplificador operacional 365 entonces Ve 2 = joRO seu. Por tanto, en el dominio del tiempo se obtiene 2 ft wid® Bf wirdér En consecuencia, el circuito es un integrador no inversor. Convertidor de impedancia En Ja figura 8.16 se presenta una extensiGn del circuito de resistencia negativa de la figura 8.13; en ella el circuito utiliza impedancias, Zi, en vez de resistencias, Ry. Se desea caleular la impedancia de entrada, Zpy. Se considera que los dos amplficadores operacionales son ideales, de manera que en cada amplificador, V, = V_. Debido a esto, Yahav La corriente a través de Zs y Zs esté dada por M“u_iV BZ" %s La tension, V3, es We Vit Zeon + 2 % u(t %) Vi + Za/29)~Vi Vida - Zs DsZs La corriente en Zs es 393——— cmc an re erm 366 Capitulo 8 Amplificadores operacionales ideales Faun 816 } Convenor de ‘impede. ve Mz, La comrente es Por ultimo, 1a impedancia de entrada est dada por Vi Mi _ 12s a" ToT” ike ee Este es un eircuito valioso ya que, con una selecciGn adccuada de las cinco impedancias, se puede obtener una gran variedad de funciones para Zey. Ejemplo 8.3 | Inductor activo (disefio) Diséfese un circuito inductor activo sin utilizar ningtin elemento inductivo. SOLUCION Se utiliza el circuito de la figura 8.16. La ecuacién (8.31) es la clave para el disetio del inductor activo. Se ve que si Zz 0 Z, es un capacitor y las demés impedancias son resistores, se tiene una funcién de impedancia total que representa un inductor. Por tanto, se hace que Z=R Za= Ra Zy=Ry 394aH 8.7.5 87 Otras aplicaciones del amplificador operacional 367 a 4 s= Rs Zs Entonces Is impedancia total esté dada por GoCRiRaRs len i (8.32) Por tanto, se disefié un inductor activo sin utilizar elementos inductivos. La inductancia efectiva esté dada por (833) Amplificadores operacionales y diodos Existen muchos ejemplos de utilizacién de amplificadores operacionales con diodos. En el capitulo 12 se considera una amplia variedad de estos circuitos, mientras que cen esta secci6n se presentan algunos ejemplos sencillos. Considérese el circuito con un amplificador operacional ideal de la figura 8.17 y= Vsenut El diodo conduce cuando v, intenta ser negativa y no conduce cuando 1, es positiva. Cuando vs intenta ser negativa, coloca en cortocircuito y vy =0 La tensi6n en la entrada inversora se encuentra utilizando Ja siguiente relacién de division de tension, Como v, =v =0, se ve que vp también debe ser igual a cero, Cuando v, es positiva, el diodo es un circuito abierto, y la siguiente relacién de divisiOn de tension da Ravi RvR Como antes, la tensién en la entrada inversora esté dada por fr Rave. Rat Re 395,368. Capitulo 8 Amplificadores operacionales ideales Figura 8.17 Circuito rectiéador de Figura 18 Salida del ectficador de media onda. sedia onda. ‘Como vz es igual a v-, estas dos expresiones se pueden igualar para obtener La forma de onda en la salida se ve como en la figura 8.18 para v; = Vsenut. Esto muestra que el circuito opera como rectificador de media onda. Como otro ejemplo de la utilizacién de diodos con amplificadores operacio- rales, considérese el rermémetro electrénico de la figura 8.19., Recuérdese de la ecuaciGn (1.2), que la tensién a través de un diodo varia con la temperatura de acuerdo a la expresion AV, =-20-T) mV A temperatura ambiente (T; = 25°C), la tensiGn a través del diodo es de 700 mV. La tensi6n en el diodo disminuye conforme aumenta la temperatura. Por ejemplo, aT; = 125°C, la disminuci6n en la tensién del diodo es AV, = —2(125 = 25) x 10°? = -200 mv orem Como resultado, la tensi6n en el diodo cae a 500 mV. Esta variacin de tensi6n se puede utilizar como base para un termémetro barato. Se elige ta resistencia R 396 werFigura 8:19 ‘Temémieiro electric. 8.7 Otras aplicaciones del amplificador operacional 369 de manera que el diods conduzca y la tensién, que es ta entrada al amplificador ‘operacional, sea 1, = V, = 100 mV — 2(T; ~ 25°C) mV (750 ~ 273) mV 6.34) La tensién de polarizaci6n, que constituye la entrada v; al amplificador operacional, es OR uy = 10' RE (8.35) Si se hace V = 10 Va tension de Salida del amplifcadoroperacional es __R Rr Re vo Fees le bm)” Si se hace Ry = Rr y se sustituyen las ecuaciones (8:34) y'(8.35) en la ecuacién (8.36), se obtiene FE cs0~ omy + BE Pi ge Be [Raw Bat pyar Se desean cancelar los componentes de ed, haciendo que 750 = 10", Be 637) y se obtiene mv (8.38) La seleccin adecuada de Tos esistores proporciona las tensiones de salida deseadas ue se muestran en la ccuacién (8.38). Los detalles de disefio se dejan para el problema 8.29. 397370 Capitulo 8 Ampliicadores operacionales ideales PROBLEMAS En los problemas 8.1 a 8.10, encuéntrese Ia tensién de salida, v», en términos de Ja tensi6n de entrada para cada uno de los circuitos mostrados. c 1048 1k nowt Ls, si ly 1a: Figura PRA Figura P82 100 ko u tke - sin ama 1 | >t : 10K “ worn 788 S10Kn Figura P83 Piura Pas 2 L 2ko 1oxn ron not ty ne Loy, 4 now dy Tear Ske 2kn ko Figura P86 10k0 a y - gas an ain _ noe eye — Te 398Problemas 371 100K > T 100k s "SoMa Wa & Figura P89 ¢ S 10K Tin Ie ka 1Ma + Figura P810 8.11 Constriyase un modelo matematico para el amplificador operacional ideal y encuéntrese la raz6n de ganancia, ve/¥4, para cada una de las configuraciones de la figura P8.11. 1a, Figura P81 a 12 Ehcuéntrese la tensién de salida, vp, en términos de las sefiales de entrada “para los circuitos de la figura P8.12. Ustilfcese el modelo mateméiico del amplificador operacional ideal. 10K ® 399semen 312 Capitulo 8 Amplificadores operacionales ideales En los problemas 8.13 a 8.16, diséftese un circuito con amplificador operacional ideal para obtener las relaciones mostradas en cada ecuacién. En cada caso, utilicese el procedimiento de los ejemplos 8.1 y 8.2 y compdrense los resultados. n+ 10r —30v, 100% Raya = 5 KM. Se Raia = 10K. + Bu — Iq — 12vy Rain = 8 KO. 8.16 vp = 30, +2460 —4¥5— Sth Rain = 12 kA 8.17 Mediante un amplificador operacional se puede disefiar un convertidor digital anal6gico (D/A), como se muestra en la figura P8.13. Usilicese el método de la seccién 8.6 para disefiar un convertidor D/A de 6 bits con una Rain = 10 KO. {Qué eleccién es buena para Voc si el 1 légico corresponde a 0.2 V? (Sugerencia: el equivalente decimal del ndmero binario asa,a3a,01, donde 4a; es cero 0 uno, es Nx a2 +0424 +052? +032 +02! + 052° as + 1624 + 8a5 +402 +20) +09) 8.18 Diséhese un voltimetro analégico utilizando el circuito mostrado en la f- gura P8.14. La escala completa en el amperimetro se lee con una cortiente de 100 A. Encuéntrese R de manera que la lectura a escala completa sea v = #10 V. Notese que este disefio es independiente de Rya, la resistencia 23 tov, froin “ a $9 S10Kn Figura PAS. Figura PAB, 30K0 30 1040 8Ko. = 10a Jey, tie ee > % Loy, es nok je rs St eee Figura PASS 403 :376 Capitulo 8 Amplificadores operacionales ideales 5010 100 0. + 100A. 1 eee nas s0ka Soka Figura PASS 1040 a 1oK0 1040 Oka 1040 tou, ; pu noe ta a Figura PAS.6 PA8.7 Para el circuito de la figura PAB.7, jcuil es el valor de v, necesario para producir v, = 500 mV cuando v; = 40 mV, Ry = 50 kM y R; = 150 k? {Cul es el valor de la corriente de salida, iz, en las condiciones anteriores ysi Ry =4k0? ba R nee y HpBRL ve R 3 Figura PAST PA88 Disefie un circuito computador anal6gico con un amp-op para resolver I siguiente ecuaci6n: dz Gtees3 Utilice dos ainplificadores sumadores y un integrador en su disefio. A809 Disefie un circuito computador anal6gico con amp-op para resolver las siguientes ecuaciones diferenciales simulténeas de primer orden: a a dy qt bytar= fi tayr+ by = fit) Utilice dos amp-op integradores y dos amp-op sumadores en su disefto 404Problemas adicionales 377 A810 Encuentre la ganancia, w/t, para el amp-op mostrado en la figura PASS ape z od i os PAB.11 Determine la sefal de salida para el circuito mostrado en la figura PAB.9. Suponga V, =0= Ry, 0x0 xa “ i . fees ae 77 g y i Sin ol a Figura PAS PAB.12 Disefie un sistema de instrumentacién como el mostrado en la figura PAB.10. Seleccione Rp tal que cuando AR = 30 2, v. = 3 V. Sea Ra = 30K y R= 1KO. La tensi6n de la bateria es V = 12 V, y 0< AR < 302. Grafique v, como funcién de AR. Figura PAS.I0 405FE OAS SE EDS PERS TOS REREE G HT 378 Capitulo 8 Amplifcadores operacionales ideales PA8.13 Determine la ganancia, v/v, para el sistema con amp-op que se muestra en Ia figura PA8.11. Seleccione un valor para R; tal que la resistencia que se vea en v, sea igual a la resistencia vista en v_. RVR MOR Figura PASI PAB.L4 Grafique Ia tensién de sada, ve, como funcién de Ia tensién de entrada, 1%, para el circuito mostrad en Ia figura PA8.12. El diodo es ideal, por sano Vy =0= Ry R Figura PAB.I2, PAB.15 La tension de entrada al circuito de la figura PA8.13 es 1; = 10sen2x60t Grafique Ia tensién de salida, vg(t), cuando R = 10k y Vy =0= Ry. Especifique el méximo valor de la tensién de salida, 4069.0 AMPLIFICADORES OPERACIONALES PRACTICOS INTRODUCCION 94 En este capitulo se amplian los resultados de los dos capitulos anteriores. Se re- examinan varios de los cireuitos con amplificadores operacionales, pero aqui ya rno se supone que estos amplificadores son ideales. Se comienza identificando las variaciones entre ur’ amplificador operacional practico y uno ideal y luego se desarrolla un circuito equivalente mejorado, que modela de manera més-exacta Jas caracteristicas del amplificador operacional real. Luego se aplica el modelo ‘mejorado al andlisis de amplificadores inversores y no inversores. Como el amplificador operacional depende de la frecuencia, se consume tiempo en el anilisis de las caracterfsticas en frecuencia de varios circuitos. EI capitulo continéa con Ia exploracién de la sensibilidad de los circuitos con amplificador operacional a cambios en Ia fuente de alimentacién. Se’ concluye ‘con un estudio de amplificadores de audio. AMPLIFICADORES OPERACIONALES PRACTICOS Los amplificadores operacionales précticos se aproximan a sus contrapartes ideales pero difieren en algunos aspectos importantes. Es fundamental para el disefiador de cireuitos comprender las diferencias entre amplificadores operacionales reales ideales, ya que estas diferencias pueden afectar de modo adverso el desempefio del cireuito. 379 407380 Capitulo 9 Amplificadores operacionales précticos 944 Tabla 9.1 Valor de parémetros para amplificadores operacionales. Taide 7iSde 5634de propésito alta ve- bajo Ideal general locidad —_ruido Ganancia de tensién, G co 1x40 3x tof - 108 impedancia de salida, Z, 0 759 752 030 mpedancia de entrada, Z, co «2M TMM TOOK (lazo abierto) Corriente de desplazamiento, fy 0 20nA —25DnA_— 300 0A Tensién de desplazamiento, Ve 0 2mV = 1omV._— 5 mV ‘Ancho de banda, BW co MHz = 65MHz © 10 MHz Razén de cambio, SR oo O7 Vims 100 Vims_13 Vis pilicador operacior se uttza 10° ne valores tipieos do 2 a 3x 10% 8in eltexo barge, La intencién es desarrollar un modelo detallado de amplificador operacional prictico, que tome en cuenta las caracterfsticas mas significativas del dispositive no ideal. ‘Se inicia con la definicién de los parémetros utilizados para describir los amplificadores operacioriales practicos. Estos pardmetros se especifican en las listas de datos proporcionados por el fabricante de dichos amplificadores. En la tabla 9.1 se listan los valores de pardmetros para wes amplificadores ‘operacionales particulares, uno de los cuales es el popular 741. Conforme se ddefinan los parémetros en las siguientes secciones, se deberd consultar esta tabla ppara encontrar valores tipicos. La diferencia més significativa ene el amplificador operacional ideal y el real es la ganancia de tensiGn. El ideal tiene ganancia infinita, mientras que el real tiene ‘una ganancia finita que disminuye al aumentar la frecuencia. Varios amplificadores ‘operacionales se compensan en frecuencia para proporcionar una caracterfstica pre~ decible de ganancia de tensién contra frecuencia, Algunos de estos amplificadores, como el 741, estén compensados internamente con un capacitor fijo. Otros, como 1 101, permiten la adicin de un capacitor externo al amplificador operacional de ‘manera que se pueda cambiar la caracterstica en frecuencia, Ganancia de tension en lazo abierto (G) La ganancia de tensin en azo abierto de un amplifcador operacional es la ra26n del cambio de la tensién de salida al cambio en la tensién de entrada sin retroalimentacin. La ganancia es una cantidad adimensional. El simbolo G se utiliza para indicar la ganancia de tensin en laz0 abierto. Los amplificadores operacio- rales tienen alta ganancia de tensién para entradas con frecuencia en el intervalo de ed de aproximadamente 10 kHz. La especficacin del amplificador operacional indica la ganancia de tensiGn en vols por milivolt o en decibeles que se define como 20108;9(v0/0). 408Figura 94 GGanancia de tensin conta frecuencia. Figura 92 Téznica para medic Vs 9.1.2 9.1 Amplificadores operacionales practicos. 381 Tot 10? 10 10" 10? tot fH) rey i La ganancia de tensi6n en lazo abierto depende de la frecuencia, En la figura 9.1 se ilustra esta ganancia como funcién de la frecuencia para un amplificador operacional tipico. Notese que la ganancia disminuye cuando aumenta en la frecuencia, Tensién de desplazamiento en la entrada (Vic) Sita tensién de entrada a un amplificador operacional idéal es cero, Ia tensin de salida también es cero, Esto no es cierto para un amplificador operacio- na] real. La tensién de desplazamiento en la entrada, Vio, se define como la tensién de entrada necesaria para que la salida sea igual a cero. Vio és cero para el amplificador operacional ideal. Un valor tpico para Vis en el amplificador opetacional 71 es 2 mV. Un valor distinto de cero para Vie es indeseable, ya que el ampliicador operacional amplificaré cualquier desplazamiento en la entrada, provocando por tanto un error de cd grande en Ia salida La técnica siguiente se puede utilizar para medir la,tensién de desplazamiento cn ln entrada, En vez de Variar la tensién de entrada con el fin de forzar a que la salida sea cero, a entrada se hace igual a cero, como se muestra en Ia figura 9.2, Y se mide Ia tensiGn de slida, La salida resultante de una tensiGn de entrada cero ‘se conoce como tensién de desplazamiento en cd en la salida, Si esta cantidad se divide por la ganancia de lazo abierto del ampliicador operacional, se obtiene la tensiGn de desplazamiento en la entrada. Los efectos de la tens de desplazamiento se pueden incorporar en 1 modelo del amplificador operacional, como se muestra en la figura 9.3. Nétese que ademés 409 ee A SRSA A382. Capitulo 9 Amplificadores operacionales précticos Figura 93 ‘Modelo para a tens be desplazamiento em la ented 10 ko 9.1.3 R, Re & De 10K + Fuente 10Mo ~ Fuente tong 100KH Puente @ CO} Figura 94 Balanceo des tension de desplazamient, de incluir la tensién de desplazamiento, el modelo del amplificador operacional ideal ha sido modificado atin més con la adicin de cuatro resistencias. Res la resistencia de salida. La resistencia de entrada al amplificador operacional, Rea, S€ ‘mide entre las.terminales inversora y no inversora. El modelo también contiene un resistor entre cada una de las dos entradas y tierra. Estas son las resistencias en modo comin y cada una es igual & 2Rem. Silas entradas se conectan juntas, como en la figura 9.2, estos dos resistores estan en paralelo, y la resistencia combinada hhacia tiera €s Rem. Si el amplificador operacional es ideal, Rs y Rem Son infinitas (€s decir, circuitos abiertos) y Ry es cero (es decir, un cortocircuito) ‘La configuracién externa que se muestra en la figura 9.4(a) se puede utilizar para climinar los efectos de a tensién de desplazamiento. Se aplica una tensién variable ‘la terminal de entrada inversora. Una eleccién apropiada de esta tensién puede ccancelar la tensiGn de desplazamiento en la entrada. De forma similar, en la figura 9.4(b) se ilustra este circuito de balance aplicedo a la terminal no inversora Corriente de polarizacién de entrada (pe) ‘Aunque las entradas al amplificador operacional ideal no demandan corrente, en cl caso real debe ingresar alguna corriente de polarizacin en cada terminal de entrada. Ip €$ la corriente de base del transistor de entrada, y un valor tipico es 2 WA. Cuando la impedancia de la fuente es pequefig, Ip tiene poco efecto ya que provoca un cambio relativamente pequefio en la tensi6n de entrada. Sin embargo, 4109.1 Amplifcadores operacionales practices 383 Re Figura 9 Cornente de plasizaién de entrada, Figura 96 Reduccién del efecto dela coriente de polaizacisn de entrada, en cireuitos de alta impedancia, una pequefia cortiente puede provocar una tensién, ‘grande. ‘La comriente de polarizacién se puede modelar como dos fuentes de cortiente, segiin se observa en la figura 9.5. Los valores de estas fuentes son independientes de la impedancia de la fuente. La cortiente de pélarizacién se define como el valor promedio de las dos fuentes de cortiente. Por tanto, To= Ip. — Tn- 02) ‘Tanto la comriente de polarizacién de entrada como la corriente de desplazamiento cen la entrada son dependientes de la temperatura. El coefciente de temperatura de la corriente de polarizacidn de entrada se define como la razé6n de cambio en la corriente de polarizacién a cambios en la temperatura. Un valor tipico es 10 nA/°C. El coefciente de temperatura de la corriente de desplazamiento en ta entrada se define como la raz6n de cambio en la magnitud de la cortiente de desplazamiento al cambio en temperatura. Un valor tipico ¢s —2nA/°C. Es posible reducir Ia tensiGn de cd producida por la corrente de polarizacién de entrada conectando el amplficador operacional como en la figura 9.6. Este método consiste en conectar una resistencia en serie con la terminal no inversora. El valor de Ia resistencia es igual a la resistencia total equivalente conectada a la terminal Iya = HBB on La diferencia entre los valores de las dos fuentes se conoce como corriente de desplazamiento en la entrada, Ii,, y est4 dada por i inversora Si se supone que In. Ia-= Ia entonces la tensién de salida debida a estas corrientes esté dada por Vo = Gla(Ry ~ Ra Re) 03) au———_ | i ( 384 Capitulo 9 Amplificadores operacionales précticos Figura 97 ‘Modelo de coriente de polarizacion de entrada. Si se elige que el valor de Ri sea igual a Ra || Rr, entonces la tensién de salida es cero. Se concluye de este andlisis que la resistencia en-ed de u, a tierra deberfa ser igual ala resistencia en ed de v.. a tierra. Esta observacin se utiliza a menudo en los diseRos. Es importante que tanto la terminal inversora como Ta no inversora tengan un trayecto de cd hacia tierra para reducir los efectos de Ia corriente de polarizacién de entrada. Las corrientes de polarizacin de entrada se incorporan en el modelo del amplificador operacional de la figura 9.7. Este modelo se analiza con el fin de encontrar la tensiGn de salida provocada por las cortientes de polarizacion de entrada. En la figura 9.8(a) se muestra un circuito con amplificador operacional donde las terminales inversora y no inversora estén conectadas hacia terra através de resistencias asociadas. Este cicuito se reemplaza por su equivalente (véase Fig. 9.7) en la figura 9.8(b), donde se desprecié Vio. Se simplfica atin més este circuito en la figura 9.8(c) eliminando Ry y Rr, Esto es, se supone que Rr > Ro RL > Re Las necesidades de carga en la salida por lo general aseguran que estas desigualdades se cumplan. El circuito se simplifica més en la figura 9.8(4), donde la combinacin en serie 4e Ia fuente de tensién y el resistor se reemplaza por una combinaci6n en paralelo de una fuente de corriente y un resistor. Por itimo, se combinan las resistencias y se cambia la fuente de corriente por una fuente de tensién para obtener el equivalente simplificado de la figura 9.8(¢). Se utiliza una ecuacién de lazo para obtener Vo= CVs GRAR, || Re ~ RiIo(R + Re) 04) B+ RVR RA Re + RGR, az9.1 Amplificadores operacionales précticos 385 Rye Rall Rem Re Gu R © @ (Ra) ~ FAR Red @ Figura 98 Efecos de ia coriente de polarizacién de entrada donde Ry = Rall Bem R= Ry || 2Rem Rr>R, Rr > Ro La resistencia en modo comtin, 2Rem, es del orden de varios cientos de megachms ‘para varios amplificadores operacionales. Entonces a3,————— - | 386 Capitulo 9 Amplificadores operacionales practicos Rue Ra RXR ‘Ademés, se supone que G es grande, por lo que la ecuacién (9.4) se convierte en. Ja ecuacién (9.5): Vo (+) Ia(Ra || Rr - Ri) @5) Ejemplo 9.4 Encuéntrense las tensiones de salida para las configuraciones de la figura 9.9, donde Ip =80nA=8x 10-84 SOLUCION Se utiliza la forma simplificada de la ecuacién (9.5) a fin de encontrar las tensiones de salida para el circuito de la figura 9.9(2). 79 mV 14 3D) oho 000 Para el cireuito de la figura 9.9(b), se obtiene + v 10000 ba Yo (14 Ripe) @ x 10-100) = Seleccionando Ry = 10 kf en vez de 0 ©, se reduce la tensién de salida debida a Tp por un factor de 10. Por tanto se contraresta el efecto de la coriente de polarizacin igualando las resistencias conectadas entre la terminal positive y terra, con las conectadas entre la terminal negativa y tierra, 9.1.4 Rechazo en modo comin Por lo comin, el amplificador operacional se utiliza para amplificar la diferencia entre dos tensiones de entrada. Por tanto, opera en modo diferencial. Una tensién constante sumada a las dos entradas no tenderia afectar la diferencia y, por tanto, no se deberia transferir a la salida, En el caso préctico esta constante, 0 valor anaFigura 99 (Confguraiones para el jemplo 9.1 Figura 9.10, Modo comin 915 9.1 Amplificadores operacionales practices 387 100 ko promedio de las entradas afecta 1a tensién de salida. Si s6lo se consideran las partes iguales de las dos entradas, se tiene lo que se conoce como modo comin. Supéngase que las dos terminales de entrada de un amplificador operacional pprictico se conectan a una fuente de tensiGn comin. Esto se iJusira en la figura 9.10. La tensién de salida serfa cero en el caso ideal. En el caso practico, esta salida no es cero. La raz6n de la tensién de salida distinta de cero a la tensiGn de entrada aplicada es la ganancia de tensidn en mado comin, Gem. La raz6n de rechazo en ‘modo comtin (CMRR, common-mode rejection ratio) se define como la raz6n entre Ja ganancia de lazo abierto, G, y la ganancia en modo comiin. Por tanto, Gh CMR = 062) 0, en decibeles, CMRR = 2010839 (&) (0.6) Los valores tipicos del CMRR estén entre 80 y 100 dB. Es deseable tener el CMRR tan grande como sea posible. Razon de rechazo a la fuente de alimentacién (PSRR) La razén de rechazo a la fuente de alimentacién (PSRR, power supply rejection ratio) es una medida de ia capacidad del amplificador operacional para ignorar ‘cambios en la fuente de alimentacién de tensiOn. Si la etapa de salida de un sistema demanda una cantidad variable de corriente, la fuente de alimentacién ee erence re et derruaene eenetnsicmenis eM o a5,———_ 388 Capitulo 9 Amplificadores operacionales précticos 91.6 917 podria cambiar. Este cambio inducido por la carga en Ja fuente también podria ‘provocar cambios en la operacién de otros amplificadores que comparten la misma fuente. Esto se conoce como diafonia, y puede conducir a inestabilidades. El PSRR es a razén entre el cambio en v, y el cambio total en la tensi6n de la fuente. Por ejemplo, si las fuentes positiva y negativa varian de +5 V a 45.5 V, el cambio total ¢s 11 ~ 10 = I V. Por lo general, el PSRR se especifica en microvolts por volt o a veces en decibeles. Los amplificadores operacionales tfpicos tienen un PSRR aproximado a los 30 V/V. ara disminuir los cambios en la fuente de alimentacién, la fuente para cada grupo de amplificadores operacionales se debe desacoplar (es decir, aislar) de Jos demés grupos. Esto limita la interaccién a un solo grupo de amplificadores operacionales. En la prictica, cada tarjeta de circuito impreso debe tener las lineas de alimentacién con un capacitor hacia tierra de 0.1 uF si es de cerimica 0 de 1 UF sies de tantalio. Esto asegura que las variaciones en la carga no interfieran significativamente con las otras tarjetas a través de la fuente Desplazamiento de fase Sien laentrada inversora de un amplificador operacional se tiene una sefal senoidal, Ja salida esté 180° fuera de fase con la entrada, Sin embargo, con amplificadores operacionales précticos, el desplazamiento de fase entre la entrada y la salida disminuye conforme aumenta la frecuencia de la sefal de entrada. En altas frecuencias, la diferencia de fase se aproxima a cero y una parte de la sefial de salida se retroalimenta en fase, Esto cambia Ia retroalimentacién de negativa a positiva, y el amplificador puede exhibir caractersticas de un oscilador. Los fabricantes de amplificadores operacionales toman en cuenta esta situacién y afiaden un filtro interno. Esto se realiza de forma tal que el amplificador tiene una ganancia menor que la unidad si la diferencia de fase entre la salida y 1a entrada se aproxima a cero. No se presenta oscilacién con retroalimentacién positiva si Ja ganancia es menor que uno. Esta modificacién del amplificador operacional se conoce como compensacién interna en frecuencia. Si el fabricante no proporciona esta compensacién interna, se puede afadir un capacitor extemo para obtener el mismo resultado. Razén de cambio (SR) Debido a que un amplficador operacional préctico tiene una respuesta que depende de la frecuencia, la réspuesta debida a un escal6n no es un escal6n ideal. Seria necesario que el amplificador operacional respondiera de manera uniforme a todas las frecuencias para reproducir exactamente el cambio instantineo en la tensi6n que se produce con un escal6n, Si se intenta llevar a la salida de un extremo a otro por medio de la aplicacién de un escal6n, la transicién entre los dos extremos no es instanténea. La velocidad de cambio en la tensiGn de salida bajo estas condiciones de entrada se conoce como razén de cambio (SR, slew rate). Por tanto, la razén de cambio es una ‘medida dé la rapidez con la cual puede cambiar la sefial de salida a6Figura 9.1 jemplo dela razén de cambio, 9.1 Amplificadores operacionales précticos 389 tae \ay ql 390 Capitulo 9 Amplifcadores operacionales précticos = [Eiempto 9.2 }, Ejercicios Encuéntrese 1a raz6n de cambio si un amplificador operacional 741 proporciona 16 wA a su capacitor de compensacién de 30 pF. SOLUCION Como el smplicador es capaz de proporcionar 16 yA, se puede reemplazar con una fuente de 16 jA, que alimenta al capacitor de 30 pF. Cuando se lene una fuente de correnteconstane en Ia entrada de Un capacitor. la ensin en el eapactorconstituye una rampa, La pendiente de la rampa es la rszén de cambio, Por tanto, Asslida detensign I 16 pA SR=—“Niempo ~~ 30 pF 53 V/s 9.2 9.1 Si Ia raz6n de cambio para un amplificador operacional 741 inversor de ‘ganancia unitaria es 0.5 V/us, gcuinto tomaré a la salida cambiar 5 V? Resp: 10 ys 9.2 Para un amplificador operacional con SR = 0.6 Vis, encuénurese fy para” una tension de entrada pico sin dstorsién de (a) 1 V y (b) 10 V, Resp: (a) 95:5 KHz, (&) 9.6 kilz 1D9.3 Para un amplificador operacional 741 con SR. tuna tensién de salida pico de 13 V. .5 V/us, encuéntrese fp con Resp 6.1 kHz MODELO MEJORADO PARA EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL En la figura 9.12 se muestra una versin modificada del modelo ideal de amplificador operacional. Este modelo ideal se modificé con la adiciOn de una resistencia de entrada, una de salida y una en modo comin. Los valores tfpicos de estos pardmetros (para el amplificador operacional 741) son Resistencia de entrada: Resistencia a tierra: Resistencia de salida: Ganancia de lazo abierto en cd a8Figura 9.14 Equivalent de Thévenin par a resistencia de ‘lida 9.2 Modelo mejorado para el amplificador operacional 391 Figura 9.13. Circuito com amplifcador operacionl Raa Véase el cieuito de la figura 9.13. Las entradas inversora y no inversora del mplificador operacional estén alimentadas por fuentes que tienen una resistencia en serie. La sala de este amplificador operacional se retroalimenta hacia la entrada através de un resistor, Re Las fuentes que alimentan las dos entradas se denotan como vq y v1, mientras aque las resistencias en serie asociadas son Rea y Rj. Silos circuits de entrada son més complicados, estas resistencias se pueden considerar como el equivalente de Thévenin de esos cireuitos. Como primer paso en el andlisis de esta configuraci6n, se encuentra el equi: valente de Thévenin para la porcién del circuito mostrada dentro de las Iineas iscontinuas de la figura 9.13, que se ilutra en la figura 9.14, Como el circuito no contiene fuentes independientes, la tensi6n equivalente de Thévenin es cero, y la corriente de cortocircuito también es cero, por lo que el circuito equvale a un solo resistor. El valor del resistor no se puede hallar encontrando combinaciones de resisiores. Para encontrar la resistencia equivalente, supGngase que se aplica una fuente de tensiGn, v, a las terminales de salida. Entonces se calcula la coriente resultante, i, y se toma la relaciGn, v/é. Esto proporciona la resistencia de ‘Thévenin. En le figura 9.15(a) se muestra la fuente de tensi6n aplicada. El circuito se simplfica al de la figura 9.15(b) y se reduce atin més al cireuito mostrado en la figura 9.15(6) definiendo nuevas resistencias como sigue: ag i : i iLas fuentes se ponen R © R, : Re + : Re ie : a Figura 9.15 Reduccién de los czcuitosequivalenes de Thévenn. 420” 9.2 Modelo mejorado para el amplificador operacional -A || 2Rem 1 | Rem Se supone que Ry < (Ri + Ro) Ro € Ra || Ri+R) 393 El resultado es el citcuito simplificado de la figura 9.15(d). La tensién de entrada se encuentra a partir de este circuito simplificado utilizando una relacién de divisor de tensién, como sigue: =v M+ Rr La ecuacién del 1azo de salida es Gea 1+ GR, ) * Ry Re, Por limo, : Ry Rul= 7 Ty RG Rp RD) ag suele ser 1 90 menos. En muchos casos, Rem es tan grande que Ry=Ra Ry=R Por tanto, Ray se puede reducir a Pas TeRaT RD” 6 ()* Re) 421 0.8)394 Capitulo 9 Amplificadores operacionales précticos [_Eiempio Encuéntrese la impedancia de salida de la compuerta de potencia (buffer) de ganancia unitaria que se muestra en la figura 9.16. esl Figura 9.16 Compuera de poencia (bufer) de ganancia unit SOLUCION Cuando se compara el cireuito de la figura 9.16 con el circuito con retroalimentaciOn de la figura 9.13, se encuentra que Ry +00 Por tanto, Ri, = 00 || 2Rem = 2Rem La ecuacién (9.8) no se puede utilizar, ya que no se esté seguro de que se apliquen en este caso las desigualdades que conducen a la simplificaciGn ée la figura 9.15(c). sea que la simplifcacién necesaria es 2Rem € Ri || @Rem +R) Sin esta simpliicacién, el cireuito toms la forma mostrada en la figura 9.17. Este Circuito se analiza para encontrar las siguientes relaciones: ae = RR A 14 Om, Reis v- Gust poe Entonces la resistencia'de salida est dada por — i T#RGAR +R) @9) si se hace la suposicién Ry € (B+ Ri) < 2Rem 422Figura 9.17 (Circuito equivatene de 9.3 Amplificador no inversor 395 arenes et Ia compuena de potencia RF = 0 (buffer) de panancia Ry SS en comparsion con (Rj + 1%) 9.3 AMPLIFICADOR NO INVERSOR En la figura 9.18(a) se ilustra el amplificador no inversor y en la figura 9.18(b), el citeuito equivalente. La tensién de entrada se aplica entre la terminal no inversora y tierra 9.3.1 Entrada no inversora y resistencia de salida La resistencia de entrada a este amplificador se encuentra determinando el equivalente de Thévenin del circuito encerrado por la nea discontinua. La resistencia de carga normalmente es tal que Ry >Re Si esto no fuera cierto, la ganancia efectiva estaria reducida y el valor efectivo de AR, serfa la combinacién en paralelo de Ro con Ry. Definanse nuevamente Figura 9.18 EV amplicader no ae invertor Ry = Ra Rew Ry= Re + Ry ® o 423—_—— ee aS RESET ST 396 Capitulo 9 Amplificadores operacionales practicos Figura 9.19 Ciruits reducids par a resistencia de entrada S equislene de'Thevenin © Rips Rp+Ry Como ahora Rz, > Ro, se puede reducir la figura 9.18(a) a la forma simplificada de Ja figura 9.19(a). Se encuentra el equivalente de Thévenin del circuito enmarcado por la linea discontinua, y el resultado se muestra en la figura 9.19(b). Se escribe tuna ecuacién de lazo para obtener RGus (H+ Ry Rp’ wv — Rae tat Re _ RGR Rat he 4249.3 Amplificador no inversor 397 puesto que va = Rei! La resistencia a Ia derecha de 2Rem est dada por vo ORIR. RG $l Rs (1+ pase) B Esto se utiliza para obtener el circuito simplificado de la figura 9.19(c). Por timo, se calcula la resistencia de entrada: y= 2m [1% 18+ (14 gS) Bl] e210) Recuérdese que Ry = Ra || Rem =Rr+Re Ry > Ro ‘Si se toman s6lo los términos més significativos y se supone que Rem es muy grande, la ecuacién (9.10) se reduce a ce =k SB ou Si se utiliza el valor de los parimetros para el amplificador operacional 741, la ecuacién (9.11) se convierte en 1082 x 106) Rag = 40 x 106| SVE = 400 M2 2) La resistencia de salida se encuentra de la ecuacién (9.8). Se supone otra vez que Rem €s grande, es decir, que p= Ry=Ra 425 i i 1 i| 398 Capitulo 9 Amplifcadores operacionales précticos Ejemplo 9.4 Entonces la resistencia de salida est4 dada por Rag = Pelt Rela) 75(.+Rr/Ra) Sr (9.13) 9.3.2 Calediese la resistencia de entrada para el amplificador de ganancia unitaria mos- ‘ado en la figura 9.20(). SOLUCION Et circuito equivalente se muestra en la figura 9.20(b). Como se supone que ta ganancia, G, y la resistencia en modo comtin, Rem, son grandes, se puede despreciar el término 2Rem || Rr comparado con (1+G)Ren. La ecuacin (©.10) no se puede utilizar si se nota que Rr = Oy Ra =O. Entonces la resistencia de entrada esté dada por Req = 2Rem || (1+ G)Ri = 2Rem Este valor casi siempre es de 20 MO 0 més. Ry Row Re Re o Rew ator @ ® Figura 9:20. Seguidor de ganaciaunitria, Ejemplo 94. Ganancia de tensign del amplificador no inversor Se desea determinar la ganancia de tensi6n, A,, para el circuito mostrado en ta figura 9.21. Esta ganancia es definida por % 426“7 9.3. Amplifcador no inversor 399 @ » « ® Figura 921 Awplifeador no inversor. E] circuito equivalente se muestra en Ja figura 9.21(b). Se define Rig = Ra || Rem Entonces este circuito se reduce al de la figura 9.21(¢). Si se hace la definici6n adicional R= Ry || Wem entonces el circuito se puede reducir adn més, como el que se muestra en la figura 9.21(@). En esta redveci6n, se hacen las siguientes suposiciones: Ry > Ro Rr > Ro Estas condiciones son deseables para prevenir la reducci6n de la ganancia efectiva, La LTK sé aplica al cireuito de la figura 9.21(d) para obtener a7» pee ER 400 Capitulo 9 Amplificadores operacionales précticos + Rea Ry Rey = A — Coe donde va = Ri despejando i se obtiene Riu /Ri © RARE + B+ [1+ RGR, + RE]: ‘La tensién de salida esta dada por va = RG Por ditimo, la ganancia de tensién esté dada por la relacién 2 RGR/R Aa" Ri Re eR [RGR FRR 9.14) (Como verificacién de este resultado, e1 modelo se puede reducir al del amplificador operacional ideal utilizando la siguiente informacién: Entonces la ecuacién (9.14) se vuelve RatRe Ra ‘que coincide con el resultado para el modelo idealizado del capitulo 8. 4289.3. Ampliicador no inversor 401 9.3.3 Encuéntrese la ganancia del seguidor de ganancia nitara de la figura 9.22 SOLUCION En este circuito, Ra =00 Ri, = Ron Re eR, En la ecuacidn (9.14), se supone que G es grande y que Rj = Rj. Entonces la ecuaci6n (9.14) se reduce a U9 = 0 como se esperaba. Ry thes Figura 922. Sepuidor de ganancia unitaria, Consideraciones de ancho de banda ‘Un amplificador operacional préctico no tiene ganancia ni ancho de banda infinitos. La ganancia caracteristica y el ancho de banda suelen variar con le frecuencia de ‘operaciGn, Sin embargo, el producto ganancia por ancho de banda (GPB, gain- bandwidth product) con frecuencia es constante. El GBP se define como GBP = A,BW (@.15) donde A, es la ganancia de tensién de lazo cerrado (es decir, con retroalimentacién) Re Rr > Ro Re Re 78 % fs 433,—_— t 406 Capitulo 9 Amplificadores operacionales précticos Ry = Ry Rem RY D> Ry RI>>Ry Ry = Ry Row Ry | R>>R, R>>R, poeta Rea oR © Figura 9.25 Modelo dl amplicador inversr. Es razonable suponer las desigualdades anteriores ya que, si no fueran cierts, la salida cargaria la entrada y la ganancia volverfa a reducirse, ‘Se puede utilizar un divisor de tensién para obtener y ta coucin de ao da Rpt! =v. - Gu, net = (1028) Resor "Rak La resistencia de entrada, Rey, Se obtiene de la figura 9.25(€), donde se reemplaza Ja fuente dependiente con una resistencia equvalente. El valor de este resistor es S 4349.4.2 9.4 Amplificador inversor 407 v_/#", que se encuentra de la ecuacién anterior. Para una G grande, la resistencia aque esté mis a la derecha en la figura 9.25(¢) es cero, y Rae Ra (9.20) La resistencia de salida del amplificador inversor es igual que Ia del amplificador no inversor. Por tanto, Rol +Rr/Ra) Ros 7 21) Utilizando los valores’ upicos para el amplificador operacional 741, la resistencia de salida es y= Rel Ra) ea Ganancia de tensién en la entrada inversora El circuito equivalente de la figura 9.25(a) se repite como figura 9.26(a). La ‘ganancia en la entrada inversora, A_, se obtiene del circuito de la figura 9.26(a) suponiendo otra vez que = Ry || Bem Ry = Ra || 2Rem RL> Ro Rr> Re Estas suposiciones reducen el circuito al mostrado en la figura 9.26(b). El circuito se reduce aiin més, hasta legar al de la figura 9.26(c), mediante el cambio de la fuente de tensién en serie con una resistencia a una fuente de corriente con una resistencia en paralelo. Entonces los resistores se pueden combinar para obtener el cirouito de la figura 9.26(2). Por ‘timo, se cambia de nuevo la fuente de corriente ‘a fuente de tensién para obtener el circuito simplificado de la figura 9.26(¢). La ‘ecuacién de lazo para este circuito esti dada por =R RARr vw RAG Ry+Ri+ Re [Ry + Rr) |Ry+ Re Ra Ry +R Como v5 ‘vg, la ganancia de tensi6n invertida es 435, |—_—_ - 408 Capitulo 9 Amplificadores operacionales précticos Ry Re i EDRem OY Guy = v4 ) lg | age ; oy dw z BEA (S435, pee Wedrcine @ @ Figura 9.26 Ganancia en a entrada inversora 7p GR,RRe/Ra vi” RT RR, + Rr) + RyRr + RAS Esto se puede comparar con el resultado para el amplificador operacional ideal haciendo las siguientes aproximaciones. Ra €2Rem G>1 (9.23) Entonces Rig = Ra || Rom = Ra 43694 Ampliicador inversor 409 Esto es igual al resultado encontrado antes para el modelo simplificado. En disefio, se elige Ry = Ra || Re para conseguir el balance de polarizacién. Las variables para el amplificador operacional inversor se resumen en Ia tabla 92. 9.4.3 les. Amplificador inversor + Um S€ aplican al punto de suma (entrada inversora al amplificador operacional) a través de los resistores Ray Re «++ Rims Rpt, Reve Re Bs (9.24) Para alcanzar el balance de polarizacién, se elige Ri= Re | Ro ll Rell || Rm |i Re Definase Ra = Re | Rol} >|] Bm Entonces la resistencia de salida esté dada por Rey = ot BelBa) y el ancho de banda es GBP BW = TT Re [Ba Si s6lo se utilizan dos entradas, la tensi6n de salida es 437410 i i : Capitulo 9 Amplificadores operacionales practicos 9.25) La resistencia de entrada en vq es aproximadamente igual a Rg, y la resistencia de entrada en vp es aproximadamente Ry. Se puede obtener un sumador de dos ‘entradas con ganancia unitaria con una tensiGn de salida de Ua = =a - 9.26) tomando'los siguientes valores de resistencias: Rr= R= Re La resistencia de la terminal de entrada no inversora hacia tierra se elige para alcanzar el balance de polarizacin. Por tanto, Entonces se obtiene Re Ee RR ‘Una ganancia simétrica (es decir, no unitaria) para un sumador de dos entradas se obtiene haciendo Ry=Ry=R En este caso, la tensiGn de salida es -(%) sm ean La resistencia de entrada es aproximadamente R. Como R Ra 438om 94 Amplificador inversor 411 entonces ‘Si m entradas se suman a través de resistores iguales (R), la tensi6n de salida es (2) Es 2 Para este sumador inversor de entradas miltiples y ganancia simética, la resistencia ‘en cada entrada es de alrededor de: R Rare por Jo que Re _,,mRe 14 Be a1 Rrilk La resistencia de salida es ‘Re mRr (%) (+28) ox Raa [_Ejemplo 9.8 |, Diséiiese y analfcese un amplificador inversor de tres entradas utilizando un amplificador operacional 741 donde 1, = —4U, ~ 205 30 y la resistencia de entrada minima entre las terminales + y ~ se2 Ryn = 8 KO. SOLUCION Se utiliza e1 método de disento de la seccin 8.6 para encontrar X=0, Y=9 -10 439 cp cdanimcs ai nc steacnermemarird eer tenes ec SOS RNR£ B b £ — 7 ETE TH 412 Capitulo 9 Amplificadores operacionales practicos 95 Entonces Rp = 10x kM = 80 kD R= on =20k2 no B arena wi Reap a8 La ganancia del amplificador es 1+ Rr/Ra = 10 y el ancho de banda del amplificador es 1 MHz/10 = 100 kHz. Se encuentra la resistencia de entrada como sigue: Rega) = 20 kD Realvp) = 40 KD Reg(ve) = 26.7 k La resistencia de salida es aproximadamente 75(10)/10 cl balance de polarizacién, se ve que .§ MQ. Para conseguir Re= Re || Roll Rel Rr = 8kQ A ‘SUMA DIFERENCIAL Ya se vio que un amplificador operacional se puede configurar para que produzca tuna salida que es la suma ponderada de miltiples entradas. Si la suma incluye tanto signos positivos como negativos, se obtiene una suma diferencial. La configuracién del amplificador operacional de la figura 9:27 produce una tensién de salida, vo, dada por 2 (14k So pp Soh v= (1 Fe) BARR N RRIF Be 030 44095 Suma diferencial 413 Figura 927 Suma diferencia Figura 9: Amplifcador de diferencia, Re donde Ra=Re || Roll Rell +l Rm ll Ry Por lo general, se deberfan elegir los resistores para alcanzar el balance de polari- zacién, Esto es, Ry Rol] Rs |v] Re= Re || Ro ll Ry Rell ev Ry La resistencia de entrada para cada entrada inversora v; es Rj Si tanto la terminal inversora como la no inveréora tienen una sola entrada, el resultado es un amplificador de diferencia, el cual se ilustra en la figura 9.28. La tensi6n de salida para esta configuracién es vy= (1+ 22) (_B_),, _ Reve Ra) (Rie) 3)Capttulo 9 Amplificadores operacionales précticos Con el fin de conseguir el balance de polarizacién, normalmente se elige Ry || Ro= Ra || Re La resistencia de entrada para la terminal v, es Ra. La resistencia de entrada para Ja terminal v, es Ry +(Rz || Res), donde Req se encuentra de la ecuacién (9.11) yes GR atten (pc 8Bge) = 2m ox Ryu Se encuentra de la ecuacién (9.13) y es igual a Rw= RG + eel (933) EI ancho de banda se encontr6 en la ecuacin (9.17), y esté dado por GBP. BW= RRL (934) Si se desea conseguir una ganancia unitaria de Ia diferencia, la salida esté dada por ves) yy se establece Ra=Rp=Ri=R Si se utiliza un amplificador operacional 741, un valor tipico para estos resistores es 10k. El ancho de banda es més 0 menos de $00 kHz, La resistencia de entrada en vq es entonces 10 Kk, mientras que en la terminal v; la resistencia es 20 kM. ‘Supéngase que se desea la diferencia con ganancia simétrica, pero sin que las ‘ganancias sean unitarias. Entonces se hace que Rie Ra Entonces la tensi6n de salida es _ Rr(vi =e) y= eC (9.35) 442Ejercicios 95 Suma diferencial 415 La resistencia de entrada en la terminal vg es Ra, y en Ja terminal no inversora os Ra-+(Rr || Re) que es aproximadamente Ra+ Rr, ya que Rex > Rr. Los valores para la resistencia de entrada, Ro, y el ancho de banda se determinan de ‘manera sencilla utilizando las ecuaciones (9.32), (9.33) y (9.34). Figura 929 CConmutador de signo 1D9.7 Encuéntrense Ia ganancia y el ancho de banda para el amplificador operacional 741 de la figura 9.24 con Rp = 10k y Ry =1 KO. Resp Ay'=—10; BW=91 kHz D9.8 Encuéntrense el ancho de banda y 1a resistencia de entrada para el amplificador, de diferencia de la figura 9.28, utlizando el amplificador operacional 741. Rp = Ry=1OKDy Ra= Ry = 10. esp: Rea(vi) = 11 kM; BW = 91 KHz; Reg(a) = 1 KA ‘Una modificacién itil de la configuracién de la figura 9.28 es el conmutador de signo, que se muestra en la figura 9.29. Con el conmutador en la posicién mostrada en la figura 9.29(a), para la posicién opuesta del conmutador, 5 = 20; ~ 0 La resistencia de entrada es 10 KO para cada posiciGn, y la polarizacién esté ba- Janceada en ambas posiciones. En la figura 9.29(a) se utiliza un conmutador de tun polo y dos posiciones. El conmutador de signo también se puede lograr con el cconmutador de una sola posicién que se muestra en la figura 9.29(b). Sin embargo, 10ka Rp 10K9 10k. ROR @ o 403,a URTRIAS SP ee cageeengery 416 Capitulo 9 Amplificadores operacionales précticos 9.6 para esta realizaci6n, la polarizaci6n y las resistencias de entrada no son iguales ‘en las dos posiciones del conmutador. AMPLIFICADOR 101 El amplificador operacional 101 tiene caracteristicas similares a las del 741. Un rasgo adicional es que al amplificador 101 proporciona facilidades para compen- saci6n externa, la cual se puede utilizar para aumentar el ancho de banda, Las caracteristicas principales del amplificador operacional 101 son Ri=2Mo 2Reem = 400 MO Ry= 1009 G=10° — (Compensado externamente) El ajuste de desplazamiento para el amplificador operacional 101 se logra con cualquiera de los arreglos mostrados en la figura 9.30. La terminal 1 del amplificador . también se utiliza para compensar el ajuste del desplazamiento, La compensacién por polo simple se logra colocando un capacitor, C, entre las terminales 1 y 8 del empaque del amplificador operacional (véase Fig. 9.31(2)). Si se utiliza un capacitor de valor C = 30 pF, el GBP es GBP = 10° Hz “v + Cy) Figura 9:30 Ajuste de despazamiento en la entrada 4449.6 Amplificador 101 417 Figura 931 ms Compensicin ene! 101, & a Cy = 30pFg 10 ko (0 CompetscinForpoo simple (©) Compensicn po pol doble 4 Rs owt > 101 2 Rg 1505F Ly (6) Compentacién por retroslimentaion La amplitud de la respuesta como funcién de la frecuencia se muestra ent la f- ura 9,32(a). Si el valor del capacitor se cambia a 3 pF, el GBP aumenta a GBP = 10" Hz La compensacién con C = 3 pF no se debe utilizar para amplificadores con ga- | nancias inferiores a'20 dB. La respuesta en frecuencia resultante se muestra en la figura 9.32(b). Las figuras ilustradas son aproximaciones por diagramas de Bode con lineas rectas. Estos diagramas se presentan en el capitulo 10. : ‘Sila compensacién és por polo doble en vez de polo simple, el cieuito es como se muestra en Ia figura 9.31(b). La respuesta en frecuencia presenta una caida con la frecuencia con el doble de pendiente (40 dB por década) que Ia compensacién por polo simple. Ena figura 9.31(c se ilustra una compensacién por retroalimentacién. Esto es, en lugar de conectar Ia terminal 1 a la salida a través de un capacitor, se conecta a la entrada. Este sistema tiene un GBP de GBP = 107 Hz 445—— 418. Capitulo 9 Amplificadores operacionales practicos (Gta) Ite) 11088 nods 2048 a a8. f 2H 1 Mite 100 He 1 MH (2) Poo simple; C= 30 pF 0 Polo simple: C = 3 pF Figura 932 Compensacién en el {01 La capacitancia, Op, se calcula de la ecuacién (9.36) — "Bex Sx 1x Re Rg se selecciona utilizando consideraciones de ganancia. Cr 9.36) 9.6.1 Amplificadores 101 no inversores Si se utiliza 1a configuraci6n de la figura 9.33, la tensién de salida es Re (0 + #) w% Las resistencias de entrada y de salida de este amplificador se encuentran aplicando tas ecuaciones (9.11) y (9.13) como sigue: RAGR: Banat | oun it 10° M9) IED | 500 1 TTR ° —— re RaG/(Rr + Ra) 100(1 + Rr/Ra) 10° El ancho de banda se define come el interialo de fecuenia en el cull ganancia est dentro del 0.707 de su maximo valor. Esto se deriva en la ecuacin (9.17). Si SS hlhrrrrr—C“‘ we 74} > 0 = -20, esha . “ ska ‘Ameglo alte para.) 10K “> 10k 10kn of 10ka >t 74>. (e)Enieads no balances, sade balanceada 10K > S (6) Entrada de sia imnpedancia no talanceada, said balnceada Re = 400M0, (@ Eruradediterencial de aa impetanca, sald balanceada 453——- 426 Capitulo 9 Amplificadores operacionales précicos, 100 10kn * 10k 7a 2 b 10120 kA 4 ka nea ay - 100] 2040 10 kA 7a (9 Entrada Salanceade, salida balanceada Figura 9.37 (continuacién) 99 ACOPLAMIENTO ENTRE ENTRADAS MULTIPLES Cuands se conecta més de una sefal de entrada ya sea a la entrada inversora 0 a la no inversora del amplificador operacional, se puede producir un acoplamiento entre Jas entradas, Con frecuencia esto es un problema molesto, ya que la variacién en ‘un canal puede producir entradas en un canal adjunto. Considérese el amplificedor ‘operacional no inversor con dos entradas de la figura 9.38(a), donde cada canal se alimenta con una fuente de tensin en serie con una resistencia de fuente. Aqui, ¥ ‘2 Son fuentes de tensi6n ideales con resistencias en serie ry r2,respectivamente. Se escribirén las ecuaciones para la tensiones efectivas uj vj en el amplificedor sumador. Con v2 igual a cero, como se muestra en la figura 9.38(b), la tensién en el amplificador operacional, ves —— \ara+ Rie Re % Cuando v; es igual a cero, a tensién vj es (véase Fig. 9.38(0)) Mt Re RE Nétese que la tension vse debe a v1 y la tensién vj se debe av. Este efecto de acoplamiento produce una diafonfa indeseable entre las dos entradas. El efecto se puede eliminar disefiando un sistema con r; . Por tanto, para eliminar 454[Figura 9.38 Acoplamientoente entradas molipls, 9.10 9.10 Amplifcadores de audio 427 noo RR ve now RR ow ) 1 acoplamiento, cada entrada de un inversor milkiple se debe alimentar con un amplificador operacional que tenga una impedancia de salida cero (o muy baja). AMPLIFICADORES DE AUDIO Una utilizacién comin para amplificadores lineales es proporcionar ganancia a sistemas de audio, Un amplificador de audio recibe una sefal de entrada de un micr6fono, una aguja de tocadiscos, un tocacintas 0 un sintonizador de AM/FM. La salida del amplificador alimenta un sistema de bocinas, auriculares 0 una grabadora. Estos dispositives de entrada por lo general tienen baja tensién de salida y alta ‘mpedancia de salida. Por tanto, la impedancia de entrada del amplificador debe ser ‘muy alta de modo que sea mucho mayor a la impedancia de salida del dispositive de entrada. Si esto no se cumple, el amplificador carga de manera significativa al dispositivo de entrada, y por tanto la ganancia disminuye. ‘Los dispositivos que son alimentados por el amplificador en general tienen baja impedancia. Por ejemplo, la impedancia de una simple bocina es normalmente de 8 Q, Estos dispositivos pueden requerir potencias del orden de 1 a 10 W. Ejemplo 9.11 |, Amplificador de audio Encuéntrese 1a méxima resistencia de salida para un amplificador de audio que debe desarrollar una potencia de salida de 1 W en una bocina de 8 9. Encuéntrese también la comriente que debe ser capaz de proporcionar el amplificador operacional Supéngase que se dispone de una tensiGn de salida de 16 V pico a pico en el amplificador sin carga. | | —959§ $$ $$$ $$$428 Capitulo 9 Amplificadores operacionales précticos SOLUCION La coniente de carga pico esté dada por Ry Rs+8 donde Rs es la resistencia de salida del amplificador. Si se supone que la salida es senoidal, Ia potencia proporcionada a la carga es. Bet = Pi 2 2 sy} [zi] Como resulta que Ia potencia en la carga es 1 W, esta expresign se hace igual a1 Entonces se despeja la ecuacién para encontrar la resistencia de salida, R: Re=80 ata es la méxima resistencia de salida del amplifcador. ‘Ahora se encuentra la corriente de salida necesaria. Con el fin de deserrollar 1 W de potencia en una carga de 8 9 la cortiente rms necesaria es 0.353 A. Esto es, si esta cantidad se eleva al cuadrado y se multiplica por 8 (la resistencia de carga), el-resultado es uno. Por tanto, el amplficador operacional debe ser capaz de proporcionar esta cantidad de corrente. Por lo comin, los amplificadores coperacionales no proporcionan sufciente potencia para alimentar bocinas del nivel deseado. El 741, por ejemplo, esté limitado a aproximadamente 20 mA. Una alternativa es que el disefiador utlice el amplificador operacional para excitar un amplificador Darlington, 0 CSDC, analizado en la seccin 6. PROBLEMAS ' i 9.1 Considérese e1 modelo mejorado para el amplificador operacional con G10 Re=1 MQ Rem =200 M2 Despéjese la red de la figura P9.1 para la resistencia, Re. 9.2 En cada uno de los circutos de la figura P9.2, Vie = 10 mV, el coeficiente de temperatura para la tensién de desplazamiento en la entrada es 10 pV/°C, la temperatura ¢5 50°C y Req = 1 MS. Encuéntrese el mayor desplazamiento posible en vp debido a Vio. 456Problemas 429 9.3 Para cada uno de los circuitos de la figura P9.2, la comreinte de polarizacién de entrada del amplficador operacional es 800 nA, el desplazamiento de polari- zacién es 20 nA, el coeficiente de temperatura de la corriente de polarizacién de entrada es —10 nA/°C y el coeficiente de temperatura para el desplazamiento de la cortiente de polarizacién de entrada es ~2 nA/°C. Encuéntrese Jo siguiente. 1. El mayor desplazamiento posible en v, debido a efectos promedio en la corriente de polarizacién. | b. El mayor desplazamiento posible en v debido a efectos de desplazamiento de la polarizacién. . El mayor desplazamiento posible en ve debido al desplazamiento de la cortiente de polarizacién y el desplazamiento de la potarizacién combina- dos. ie ee re) = ee a won i son ire (a) tb) t syemens nema i | | - 457 od—_—~ £50 REC ERE STE pee TF RE Capitulo 9 Amplificadores operacionales précticos 9.4 Diséfiese un amplificador con un amplificador operacional 741 que propor- clone una salida dada por la ecuacién La resistencia equivalente en las terminales positiva y negativa es 10 k2. Determinense el valor de cada resistor, el ancho de banda, la resistencia en ccada entrada y la resistencia de salida, 9.5 Diséfiese un amplificador con un amplificador operacional 741 que proporcione una salida dada por la ecuacién 100, Sv, — 40 La resistencia equivalente en las terminales positiva y negativa es 10 k®. Determinense el valor de cada resistor, el ancho de banda, la resistencia en cada entrada y Ia resistencia de salida 9.6 Diséiiese un amplificador con un amplificador operacional 741 que proporcione una salida dada por la ecuaci6n (Ou + 602 ~ 305 — dv La resistencia equivalente en las terminales positiva y negativa es 10 kQ. Determinense el valor de cada resistor, el ancho de banda, la resistencia en ccada entrada y la resistencia de salida. En los problemas 9.7 a 9.16, diséfiense circuitos con el amplificador operacional 741 que generen la tensién de salida indicada, v., a partir de las tensiones de entrada 0, 02 y vs. Asegsirese que las corrientes de polarizacién estén balanceadas resistencia de salida y el ancho de banda. La resistencia de entrada debe ser al menos de 100 MQ y el ancho de banda debe ser mayor que 20 kHz. Puede ser necesario utilizar mis de un amplificador operacional en algunos de los disefios. 9.7 v9 = 7000, disefio. Para cada disefio, encuéntrense la resistencia en cada entrada, la 9.12 v= 100; ~ 0 v1 10v2 458 aDAS vg = (01 + 70002) 916 ve = 0) — 202 +305 En los problemas 9.17 a 9.22, diséfiense circuitos con varios amplificadores operacionales 741 para obtener Ia tensiGn de salida indicada, v., a partir de las tensiones de entrada v1, v2 y vs. La resistencia en cada entrada debe ser de 100 MQ 0 més y las entradas no deben estar acopladas entre sf, Para cada disefio, encuéntrense ‘Rea, Ry,yel ancho de banda. Se debe obtener un ancho de banda de 50 kHz como inimo. AT vo = 3(0 +02) 918 vo = 3(v, — 9.19 vo = 10000; ~ 3000 i 9.20 vp = 01402 — 25 4 9.21 19 = 0.6301 +0:302 + 0.4205 9.22 v9 = 1000, + 50v. En'los problemas 9.23 a 9.26, diséfense circuitos con un amplificador 101 que seneren la tensin de salida indicads, v2, a parti de las tensiones de entrada vi ¥ v2. Sies posible, uilfcese un capacitor de compensacién de 3 pF. Asegsrese de balancear Ia corriente de polarizaciGn en cada entrada. Calctlense Res, Re y el ancho de banda. 9.23 ve 9.24 v5 = 10-02 928 vo = 200 +300 9.26 vg = 01 ~ 1502 En los problemas 9.27 a 9.29, diséhense circuitos con varios amplificadores operacionales 101 para obtener la tensiGn v, a partir de las tensiones de entrada v4 y v2 ‘La resistencia en cada entrada debe ser al menos 100 Mf? y las entradas no deben. estar directamente acopladas entre sf. El ancho de banda debe ser tan grande como sea posible, utilizando compensacién por capacitores de 30 pF 0 3 pF. En cada ‘caso, encuéntrese el ancho de banda. 9.27 5 = 10(0; +02) 930 Diséfese un circuito utilizando amplificadores operacionales 741, los cuales, 1 partir de las tensiones diferenciales vs y v2, proporcionen una tensiOn de salida ve = 100 + 500. ss ERS hh cA SHEE 459-—— Capitulo 9 Amplificadores operacionales précticos 433 | : i Las resistencias de entrada deben estar balanceadas a tierra y ser superiores 2 100 MQ. El ancho de banda mfnimo debe ser SO KHz. 9.31 Diséfiese un circuito utilizando amplificadores operacionales 741, los cuales, a partir de las tensiones v y v2, proporcionen una tensiGn de salida balanceada 100v; ~ 50v2 Las resistencias de salida deben ser menores que 1 9. 9.32 Diséfese un circuito utilizando amplificadores operacionales 741 que tengan entrada y salida balanceadas, ganancia de 100, impedancia de entrada mayor que 100 MO e impedancia de salida menor que 19. 9.33 Dos tensiones diferenciales vq y vg, cada una balanceada con respecto a tierra, estén disponibles como entradas. La fuente vg tiene una resistencia de Thévenin entre 10K y 210 k®, mientras que la fuente vp tiene una resistencia de Thévenin entre 50k y 150k. Diséfiese un circuito con varios 741 para generar la tensién = 10(v4 - vp) con respecto a tierra sin acoplamiento entre las dos fuentes de entrada. El balance de la corriente de polarizacién debe ser e1 mejor posible, 9.34 Diséiese un amplificador de audio con una sola fuente de alimentacién utilizando un amplificador operacional 741 y que tenga una ganancia de 100. Encvéntrense la impedancia de entrada, la impedancia de salida y la respuesta en frecuencia de su disefio. (Utilicense las hojas de especificaciones para el amplificador operacional 741 dadas en el Ap. D.) PROBLEMAS ADICIONALES En los problemas PA9.1 y PA9.2, disefte sistemas con varios amp-op 741 para ‘obtener la salida indicada, vp, a partir de las tensiones de entrada, v1, v2 y vs. La resistencia de entrada en cada terminal debe ser 100 MQ o més, y tas entradas no deben estar directamente acopladas. Para cada disefio, encuentre Ren, Rus y él ancho de banda, Se debe obtener un minimo de 50 kHz de ancho de banda. PAS.L ve = 5000; ~ 5002 PA92 vo = 700) ~ (1)v PA93 Disefe un sistema con amp-op para medir la coriente de salida de una fuente de alimentacién, como se muestra en la figura PA9.1. Se utiliza 460Problemas adicionales 433 Ja tensi6n a través de una resistencia de precisién de 1 para medir la corriente de salida de la fuente de alimentaci6n. Esta corriente varia de 75 125 mA. La entrada al voltimetro digital (VMD) debe estar en el intervalo Amp-oP Pye uh ‘7805 Lt a r Figura PAS.L j PA9.A Un sistema de potencia trifésico balanceado en Y opera a SO Hz, La ‘magnitud de las tensiones de lina a linea e5 Voi = Vig = Via = 110 V mms. Disefe un sistema de instrumentacién para observar la tensi6n, Vay, como se muestra en la figura PA9.2 y obtener una tensiGn de salida, Ve, dada por Ja ecuacién Ve =0.1Va1 Utilice amp-op 101 y seleccione un valor adecuado para el capacitor de compensacién (30 pF 0 3 pF). Re, debe ser mayor a 100 MQ. Seleccione el valor apropiado de Vee pata los amp-op 101. H 5 Figura PA9210.0 434 CARACTERISTICAS DE LA RESPUESTA EN FRECUENCIA INTRODUCCION ‘Supéngase que una persona, Iuego de recibir su titulo de ingenieria eléctrica, ob- ‘uvo un empleo en la XYZ Audio Corporation, una compaifa que disefia y fabrica ‘equipo estereofénico, Como su jefe sabfa que dicha persona tenfa bases sélidas en disefio electrénico, se le asigné la tarea de disefiar un amplificador como parte de tun sistema de reproduccién de discos compactos. El ingeniero revis6 todos sus co- nocimientos en electr6nica, tom6 muchas decisiones sobre las alternativas y eligié tun amplificador EC. El amplificador se diseiié uilizando las técnicas expuestas en Jos capitulos anteriores, Con el fin de conseguir fa ganancia necesaria con una sola ‘etapa, el ingeniero colocé un capacitor en paralelo con el resistor de emisor. ‘Se construy6 un prototipo del sistema y se probé un disco. ;EI resultado fue un desastre! El sonido distaba mucho de ser lo que se esperaba y, de hecho, el inge- riero determin6 que el amplificador no estaba respondiendo bien a las frecuencias bajas de Ja seal de audio. ;La salida estaba distorsionada! {Qué estuvo mal? El ingeniero olvidé completamente que los capacitores (€ inductores) son cle- rmentos que dependen de la frecuencia. Siempre que estén presentes en un circuito, la respuesta se vuelve dependiente de la frecuencia. Por tanto, el ingeniero fallé al realizar el andlisis de frecuencia de su amplificador. Este capftulo ensefiaré c6mo corregir este error de disefi. Anteriormente en este texto se consideré a los amplificadores como si su comportamiento fuese independiente de la frecuencia de la sefial de entrada. Esto no 462Figura 101 CGsnancia Conia feewencia sara. un amplifcador con seoplamiento Ie. 10.0 Introduccién 435 Regis de beja Regn de recvncias Regi de alta fiecuencia, medias freeveneia 3 i fe fy €s cierto en el caso préctico, El presente capitulo se concentra en los aspectos relativos a la dependencia de la frecuencia de varios amplificadores. ‘La capacitancia dentro de un amplificados, que provoca que la respuesta dependa de la frecuencia, puede presentarse por disefio o de manera fortuita. Los ‘capacitores de acoplamiento y de paso a menudo se disefian en el sistema, con la condicién de que sean cortocircuitos a frecucincias de sefal. Es deci se pretende aque estos capacitores se presenten como circuits abiertos para tensiones de polarizacin en od, pero permitiendo el paso de todos los componentes de sefial sin stenuacién. Los capacitores no cambian en forma repentina de una condicién de cortocireuito auna de circuitoabierto cuando la frecuencia se aproxima a cero. Por cl contrario, se aproximan a un circuito abierto al disminuir la frecuencia, debido a To cual su desempeto se degrada al disminuir la frecuencia de entrada El segundo tipo de capacitancia que se encuentra en un amplficador aparece sin intencién. Siempre que dos conductores se hallen separados por cualquier material no conductor, estard presente una capacitancia. Por tanto, hay una capacitancia intema dentro de todo dispositive semiconductor, una capacitancia entre contactos y capacitancias de alambrado debido a las configuraciones de los circuitos. Conforme aumenta la frecuencia, estas capacitancias tienden a llevar a cortocircuito a la sefal ys Por tanto, disminuyen la ganancia, En la figura 10.1 se ilustra una respuesta frecuencia-amplitud tipica para un amplificador con acoplamiento RC. Nétese que la maxima ganancia se produce para un intervalo medio ée frecuencias y disminuye tanto a frecuencias bajas como altas. Los limites inferior y superior del intervalo medio, fi, y fur. se conocen como frecuencias de corte y se definen como los puntos en los cuales la ganancia ceae a un 0.707 de su valor en el intervalo medio. Este némero es la cuadrada de 0.5 y por tanto representa la frecuencia a la cual la potencia de la salida se reduce a la mitad de su valor en frecuencias medias. Esto se conoce como punto de potencia media. [Los amplificadores se pueden analizar como sistemas lineales; la respuesta en frecuencia se puede describir mediante una funcién compleja que proporciona la respuesta en magnitud y en desplazamiento de fase para cada frecuencia de entrada. La primera parte de este capitulo se destina a aprender c6mo dibujar estas dos ccurvas de respuesta a partir de la ecuaci6n de la funcién de transferencia del sistema, 463436 Capitulo 10 Caractertsticas de la respuesta en frecuencia En particular, se concentra en un método simple, conocido como diagrama de Bode, que permite dibujar 1os diagramas casi por inspeccién. El concepto de diagramas de Bode se aplica entonces al andisis de la respuesta en frecuencia de los amplificadores operacionales. Se sigue con un watamiento paralelo para los amplificadores con BIT y FET, y se da énfasis a la respuesta de estos amplificadores tanto en baja como en alta frecuencia F 10.1 DIAGRAMAS DE BODE & ‘Cuando un sistema contiene capacitancia, inductancia o ambas, la respuesta dél sistema es funci6n de la frecuencia de la sefial de entrada. Las gréficas en frecuencia de la amplitud y la fase son medidas importantes del comportamiento del sistema, El anilisis de los sistemas dependientes de 1a frecuencia se puede llevar a cabo utilizando el método de la impedancia, también conocido como andlisis sinusoidal en estado estacionario. Estos anslisis conducen a f6rmulas que relacionan la salida con la entrada. Se verd la manera en que estas formulas se pueden traducir a ccurvas de respuesta en frecuencia, Io cual demuestra claramente cémo se comporta cl amplificador para sefiales de entrada de frecuencia variable. Se comienza con un ejemplo simple. Considérese el circuito serie de la figura 10.2. La tensi6n de salida compleja (fasor) del circuito esta dada por yy» WROVIGu) Vel) = TT 5 joRC donde Vi(jw) es el fasor de la tensiGn de entrada, Por tanto epresent a magritud ya fase de aquelasinusoide, Como ejemplo expecfico, sup6ngase que el eisory €l capacitor se eligen de forma que i RC= i Entonces la relacién del fasor de salida al de entrada, que se conoce como funcién de transferencia, esth dada por q f Guy = VG) iv EB ViGu) ~ jod | Fanos c Un ciresito sere, >——t—F 3 4 R % 46410.1. Diagramas de bode 437 Esta es una funcién compleja de la frecuencia en radianes, w. Al tratar ntimeros complejos (0 funciones), en realidad se esté trabajando con dos conjuntos de nnimeros (o funciones). Estos se eligen comtinmente como parte realy parte imagi- aria 0 como magnitud y fase. La representaci6n en magnitud y fase es més comin en el andlisis sinusoidal de estado estacionario, ya que tiene significado fisico en términos de amplitudes y desplazamientos de fase de las sefales sinusoides. 1La amplitud y la fase de la foncién de transferencia se denotan como Aw) y (0), respectivamente. Para este ejemplo, estin dadas por jo jue Aw) = |@Gu)| = | Vareie [GGiw) = 90° - wn! (2) oo Como ejemplo de aplicacién de estos resultados, supéngase que la entrada al sistema esté dada por u(t) = 3cos(7t + 30°) La salida del sistema en estado estacionario es una sinusoide de la misma fre- ccuencia, 7 rad/s, pero con amplitud y fase diferentes. Con el fin de encontrar la amplitud y la fase nuevas, s6lo es necesario evaluar A(w) y $(w) a la frecuencia dada, Por tanto, 1 Aloo = FT TE o)h oor ~ tan" (7) 90° ~ 60° = 30° La amplitud de la salida es igual a la de Ia entrada multiplicada por A(w), mientras aque la fase de salida es 1a fase de entrada desplazada por ¢(w). Por tanto, la sefial de salida en el tiempo est dada por volt 2.6 cos(Tt + 60°) ‘Supéngese que se pide medir en el laboratorio la respuesta en frecuencia de tun sistema. Se podrian tomar en cuenta las relaciones de amplitud y fase con Ja simple aplicacién de una entrada sinusoidal y la observacién de la amplitud y cl desplazamiento de fase en la salida. Como se esté tomando la relacién de la amplitud de salida a la de entrada, el valor real de amplitud en la entrada no es 465 ——i Capétulo 10 Caracteristicas de la respuesta en frecuencia cexitico. Sélo necesita ser lo bastante grande para que la sefial no sea cubierta por cl ruido, pero no tan grande que sature al sistema. En la préctica, la funcién de transferencia se evalia a una frecuencia particular (la frecuencia de la entrada). [Luego se varia la frecuencia de entrada para encontrar la funcién de transferencia en otros valores de frecuencia, La transformada de Laplace est bastante relacionada con la funcién de transferencia sinusoidal en estado estacionario, y se utiliza en partes del siguiente andlisis. La variable en la transformada de Laplace es 5 en vez de jw. La variable s es ‘compleja, mientras que Ta frecuencia en radianes, w, es una variable real. Se puede cambiar una expresién, de estado estacionario sinusoidal a transformada de Laplace, haciendo la siguiente sustitucién: ‘Esto podrfa parecer uan modificaci6n menor, pero simplifica en forma considerable las matemdticas ya que se estan factorizando polinomios en s. Si se utiliza jw en vvez de s, es necesario trabajar con polinomios complejos, Nétese que el andlisis sinusoidal en estado estacionario es un caso especial del andlisis por transformada de Laplace, donde se restringe ala variable compleja s al eje imaginario. Se evitan Jos argumentos relativos a laexistencia de la transformada, ya que si es cierto que existe la expresi6n sinusoidal en estado estacionario, la transformada de Laplace debe converger a lo largo del eje imaginario. No hay necesidad de trabajar con ffunciones para las euales Ja transformada no existe a lo largo del eje imaginario, ya que podrian no provenir de circuitos reales. “Muchos sistemas electrénicos poseen trayectorias de retroalimentacién, Esto es particularmente cierto en el caso de sistemas de control. Aunque los resultados de este capitulo se aplican a sistemas con y sin retroalimentaciGn, el andlsis inicial se dirige al caso con retroalimentacién. Es Util definir algunos términos nuevos. Se define G(s) como el producto de to- {das las relaciones de entrada-salida por trayectorias directas, Esta funcién de transferencia, G(s), representa por tanto la funcién de transferencia del sistema si se abren todas las trayectorias de retroalimentacién (es decir, si se cortan). También se define H(s) como el producto de todas las relaciones de entrada-salida por re- ‘roalimentacién. El producto de estas dos se conoce como funcién de transferencia de lazo, y es una earacteristca importante de todo el sistema. Esta funcién producto, G(8)H(s), se puede caracterizar mediante la razén de dos polinomios para cualquier sistema lineal, y estf dada en la ecuacién (10.1): bys + bo Fas +00 ao.) Un cero de G(s)H(s) se define como cualquier valor numérico de s que hace ‘que el polinomio numerador en la ecuacién (10.1) tome el valor cero. Por tanto, en este valor de s, G()H(s) =0 466101 Diagramas de bode 439 Un polo de G(s)H(s) se define como cualquier valor numérico de s que hace que ‘1 polinomio denominador en la ecuacin (10.1) tome el valor cero. Por tanto, en este valor de s, G(s)H(s) + c0 La respuesta sinusoidal se obtiene haciendo s = jw en la ecuaci6n (10.1). En este momento el objetivo es graficar la respuesta en frecuencia representada por G(s)H(8). Se inicia con los valores limite de la frecuencia, ya que serén critics al desarrollar el método de inspeccién para graficar la respuesta. Conforme Ja frecuencia, w, se aproxima a infinito, se pueden ignorar todas las potencias de 's excepto las mas altas del numerador y el denominador. Esto es, si w es grande, 14” es mucho mayor que w""!. Por tanto, haciendo s = jw y conservando sélo las ppotencias mayores, se tiene a Esto muestra que conforme la frecuencia se aproxima a infinito, la curva de amplitud es proporcional aw", La curva de‘fase se aproxima a (m —n) veces 90°, ya que éste es el dngulo del término j™~". Se examinaré ahora el otro extremo, conforme w se aproxima a cero, Para este ‘caso, se pueden despreciar todas las potencias de w excepto las més bajas. Esto €, siw es muy pequefia, w~! sera mucho mayor que w". Por tanto, conforme la frecuencia se acerca a cero, la funcién de respuesta se aproxima a as SGw)H Gu) = GGu)H Ge) = = Esto es cierto siempre que ao y by sean distintos de cero. Si alguna o ambas constantes son cero, es necesario incluir la potencia més baja de w que se encuentre presente, ‘Como ejemplo, considérese la funcién de transferencia de lazo, 65% +25? +38 GO H(s) = 35 + 4st + 2s) + 5? + 1 En altas frecuencias, esto es aproximadamente igual a sie eset nt senna RS AA — Sw? GGG) = Tor yy la amplitud y Ia fase estén dadas por 49 —————dee 440 Capitulo 10 Caracteristicas de la respuesta en frecuencia 10.4.1 Ale) = |GGue)HGu)| 3 =e? dw) = /GGw)H Gw) —180° En bajas frecuencias, se mantienen las potencias bajas del numerador y el denominador para obtener GGu)H Gu) = 3s y la amplitud y fase estén-dadas por 710) Hw) = [GGw)H Gu) = 90° Una vez que se encuentra el comportamiento de la curva en valores extremos de w, unas cuantas medidas més son suficientes para graficar toda la curva. Es necesario hhacer més medidas a frecuencias donde se producen los cambios més grandes en amplitud y fase, y, menos medidas en intervalos donde la funcién es casi constante. Ya que-se.determin6 el comportamiento de la curva en puntos extremos, se revisan owes pardmetros erfticas de las curvas de respuesta en frecuencia. ‘Términos de la funcién G(s)H(s) Como Jos polinomios en se pueden factorizar, las funciones G(s)H(s) que se tratan pueden verse como productos de términos simples. Cuando los términos complejos se multiplican, 1 amplitud resultante es el producto de las amplitudes individuales, mientras que la fase resultante ¢s la suma algebraica de las fases in- ividuales. “Por tanto, es stil aprender en primer lugar el tratamiento de estos términos simples que resultan de 1a factorizacién de los polinomios G(s)H(s). En vez de manejar directamente las curvas de amplitud, es usual utilizar sus Jogaritmos. De esta forma, la multiplicacién de las diferentes amplitudes equivale ala suma de sus logaritmos. Se utiliza el decibel (4B) para describ las curvas de amplitud como funcién de la frecuencia. El decibel se define como en la ecuacién (10.2): GB = 2010810 Aw) = 2010849 |GGw) Gey] (102) ‘Se uilizan las observaciones de la secci6n anterior como ayuda para graficar los diferentes componentes de G(s)H(s). Esto es, se estudia primero el comportamiento de estas curvas para valores pequefios y grandes de la frecuencia, Se ve que la ganancia en decibeles es, en general, proporcional al logaritmo de la frecuencia. Por tanto, si se utiliza una escala logaritmica para el eje de la frecuencia, estas curvas 46810.1.2 10.1 Diagramas de bode 441 serén lineas rectas y, por tanto, ser mucho més fécil graficar por inspecci6n. Por esta razén, sueleutilizarse papel semilogaritmico para graficar los componentes de G(s)H(). La frecuencia se grafica en la escala logaritmica horizontal, mientras que la amplitud en decibeles y la fase se grafican a 10 largo de la escala lineal vertical. El niimero de ciclos del papel semilogaritmico determina cuéntos érdenes de magnitud en variaci6n de frecuencia se pueden graficar. Es comin utilizar papel semilogaritmico de tres 0 cuatro ciclos para aplicaciones de propdsito general one La aproximacién asintotica El numerador y el denominador de G(s)H(s), dados por la ecuacién (10.1), se pueden factorizar en un producto de funciones. Los factores individuales son de tuna de las siguientes formas: 1. Factores invariantes con la frecuencia (constantes) K. 2, Términos que corresponden a ceros 0 polos simples (orden 1) en el origen, sol/s 3. Términos lineales que corresponden a ceros simples (no en el origen), sri+1. 4, términos Tinesles que corresponden a polos simples, (s72+1)~!. 5, Términos cuadréticos que corresponden a ceros o polos simples, +B sy xs 1 Coe Nsfon +1 Se verd ahora c6mo graficar estos factores. Podrian, por supuesto, graficarse punto por punto evaluando la funcién para varios valores de la frecuencia. Se verd también que utilizando los valores limite de la frecuencia (es decir, las asintotas de la curva), se pueden graficar las eurvas con bastante exactiud y casi por inspecciGn, 1, Factores invariantes con la frecuencia. La constante de ganancia K., que es independiente de la frecuencia, se grafica a partir de la representacién en decibeles de la ecuaci6n (10.3): ti MAM aa i NBME Kay = logy K 203) La constante K representa el producto de todos los términos invariantes con la frecuencia en la funci6n G(s)H(s). La ecuacién (10:3) se grafica en la figura 10.3. Notese que la fase de esta constante real es cero para todas las frecuencias. fesse 469Figura 103 GGananciay faze para un feta constant 442 Capitulo 10 Caracteristicas de la respuesta en frecuencia anancia Desplat cree ett 20106 K 1 t | _ °®—Too jor fro [oo $f} 0 vera de te 2. Ceros o polos en el origen. Los factores son de la fornia s (10.42) 1 t (10.46) ‘Se hace s = jw y se encuentran la amplitud y la fase para el cero como sigue: Alw)an = 20 1og(|jw|) = 2logw (10.54) ow) = Lj =90° (10.56) ara el polo, Awa = ~20 10g (0.56) y (io.se Se desviaré un momento 1a atencién para explorar los ceros 0 polos multiples en cl origen. Si los factores # 0 1/8 estin elevados a la potencia n, se tienen ceros ‘© polos miltiples. Como estos factores se multiplican entre si en la expresién G(s)H(6), se suman las amplitudes en decibeles, asf como las fases. Entonces, la amplitud para un cero miltiple es 20niogw 4B 0.6) y para un polo mltiple es ~20n logw 4B La fase para el cero miltiple es 47010.1 Diagramas de bode 443 790° 10.7) y para el polo es nso" En Ia figura 10.4 se ilustran las grificas de amplitud y fase para ‘ceros y polos ‘miltiples, Sin = 1, se trata de ceros y polos simples. Notese que la curva de amplitud atraviesa 0 4B cuando w = 1. Esto es cierto porque log1 = 0. Una ‘década se define como vn cambio en frecuencia por un factor de diez. Cuando la frecuencia aumenta 10 veces, el logaritmo de la frecuencia aumenta una unidad. Entonces, la pendienie de las curvas en la figura 10.4 es +20n dB/década. Una ‘octava se define como un cambio en frecuencia por un factor de dos. Como el logaritmo de 2 es aproximadamente 0.3, una pendiente de 20n dB por década es ccasi igual a una pendiente de 6n dB por octava. ‘Atin no ha sido necesario hacer aproximaciones. Las curvas de la figura 10.4 son representaciones exactas de la amplitud y,la fase de los factores 5, y 6". Si el polinomio de una funcién de transferencia contiene tanto una constante (érmino invariante en la frecuencia) como polos y ceros en el origen, la gréfica ‘combinada se forma sumando los resultados (1) y (2). Para una graficacién sencilla, la porcién constante de la funcién de transferencia, K, se puede combinar con los ‘términos s*. Como ejemplo, considérese un polo simple en el origen, como en la ecuacién (10.8). Kl a= jul (10.8) La freeueneia variable puede visualizarse como w/K en lugar de w. La multipli- cacién de la frecuencia por 10 es una multiplicacién por 10 de w/K. Por tanto, Ja respuesta en amplitud para este término tiene la misma pendiente que la correspondiente al polo simple en el origen, 1/s. La tnica diferencia es que la curva de ‘amplitad interseca la linea de O dB a una frecuencia de w = K en vez de w = 1 La fase permanece constante a —90°, como en el caso en que no hay constante X. Debe quedar claro que estos resultados no son diferentes de los que se obtendrfan si se sumaran los dos componentes individusles de la curva de amplitud, 3. Ceros. Considérense ahora los ceros que no estén en el origen. Si son simples (no miliples), el factor ese la forma Gere) 09) La grifica de amplitud resultante ya no es una linea recta, por lo que se recurriré 8 aproximaciones asintticas. Si la frecuencia es muy pequefia, tal que wr <1, la amplitud en decibeles (AB) se puede aproximar por sean ini i AEE| 2 23m ne er 444° Captiulo 10 Caractertsticas de la respuesta en frecuencia Figura 10 Ganancia y fase pars coos kiples y pols en el igen, co wae | i | é a ee il i+ § : £1 Yar ro Too E i 8 i Pot 3] nso i rao (9) Respuesta en fase (© Respuesta en amplitug 2Dlogyo kiwr + 1] = 20logy» 1 = 0 dB 20.10) Por tanto, para valores pequefios de frecuencia, la magnitud permanece muy cercana a 0 4B, Ahora bien, cuando la frecuencia es muy grande, wr > 1, se puede espreciar el wérmino constante para obtener 201og ur + 1] 20108,0 7 oa) Este resultado es similar a aquél para el cero en el origen, por lo que las gréficas de amplitud y fase recuerdan la gréfica para el término jar. Por tanto, la pendiente (para w grande) es 20 dB/década, y esta Iinea recta interseca la linea de 0 4B en wr = 1,w= 1/7. Este punto de interseccién se conoce como frecuencia de corte. Las dos Iineas rectas, una para frecuencias pequeias y otra para altas, se intersecan en la frecuencia de corte y constituyen la representaci6n asintética de las curvas. Estas se ilustran en la figura 10.5(a). ‘Se demostré que cuando se conoce la frecuencia de corte, la curva aproximada para la amplitud de un cero simple se dibuja fécilmente por inspeccién, Supéngase gue la aproximacién no es muy buena y que se requiere una mayor precisién. Los primeros pasos para aproximar la curva exacta también se pueden lograr por inspecci6n, De hecho, la amplitud real de la curva se desvia sélo ligeramente de las asintotas rectas. En la figura 10.5(a) se muestran tanto la aproximacién asint6tice como la curva exacta, En la frecuencia de corte, la curva teal esté 3 dB por arribe de la aproximacién. A una octava de separacién de la frecuencia de corte, la curva real se desvia de la aproximacién cerca de 1 dB. Estas variaciones se pueden ver a pantr de la ecuacién, En la frecuencia de corte, w = 1/7, el valor de la funcién es 2 log(|j1 + 1|) = 201og V2 =3 6B anFigura 105 CCurvas de respuesta pra eos pols. Ganancia en dB Desplaramiento de fase (grados) 10.1 Diagramas de bode 445 Pa x» qi 1s eee ov 0 R 5 Lo eek 128 rei _| 0 }_| 14s. “Aproximacién 3 rr seb “1 Tp as -2 ot = poner face rar os ae tT ye eee ence a 100 off. 1100 TE olsi—_t TH Str +45 Cero Gan + olf | ar) d f ad TY Gara rates ° T -wfd 1 -of8 SSS 00} + 80 t aI a [ Frecvencia de cone f S-00 Maa 03 04 06 OFT ya 8 Premera ut © Como la curva aproximada esté a 0 dB en la frecuencia de corte, la desviaci6n es de 3 dB como se establecié antes. Una octava por atriba de la frecuencia de corte, w= 2/, el valor de la funcién es 200g (|j2 + 1|) = 20log V5 = 6.99 dB La curva aproximada est4 cerca de 6 dB, una octava por arriba de la frecuencia de corte, por lo que la desviacién es 1 dB, como se establecié. Una octava por debajo de la frecuencia de corte, io = 1/2r, el valor de la funcién es 473 ema es nance bea secon I RR RIN TI446 Capitulo 10 Caractersticas dela respuesti en frecuencia Figura 106 Cava de fae #0 « 40) . 20 : ‘ i Frecencia : ‘Una década por Frecuencia | us aad por : dejo de Ia cone ‘iba de le é freevencia de cote frecuencia de one ce (f+) <20me fS-0s7 La curva aproximada se halla a cero dB, una octava por debajo de la frecuencia de corte, por lo que la desviaciOn es otr vez cercana a 1 dB. La fase de 1a expresin en la ecuacién (10.9) es simplemente el éngulo cuya tangente es la raz6n de la parte imaginaria a la parte real dela funcién. Por tanto, oe) = [Lt jor sunt (20.12) En la gréfica de la figura 10.5(0) la freeuencia variable, wr, se encuentra en la scala logartmica horizontal. La curva de arcotangente tiene un valor de 45° cuando wr = 1, que esté en Ta frecuencia de corte. La curva de fase inicia en O°, sumenta hasta un m4ximo de 90°, y es simétrica alrededor del punto de 45°. La curva completa de respuesta en frecuencia para el cero incluye la curva de amplitud riostrada en la figura 10.5) y la curva de fase de la figura 10:5(0). Para dibujar una primera aproximaciGn de la curva de fase, se pueden utilizar ‘ues Iineas rectas. La curva es horizontal desde baja frecuencia hasta un décimo de la frecuencia de corte. Una Iinea recta, con pendiente de 45°/década, va de 0.lue hasta 10. pasando por 45° en la frecuencia de corte. Para frecuencias por encima dde 10ve, 1a linea es otra vez horizontal en 90° a 10 veces la frecuencia de corte. La pendiente de esta curva aproximada es de 45°/década. La méxima cantidad que se desvia la linea recta aproximada de la curva real es 6°. La aproximacién y la curva real se muestran en la figura 10.6. 4, Polos. Los polos simples de la forma 1/Gwr +1) se pueden tratar en forma similar a los ceros simples. Como el logaritmo de una cantidad inversa es igual al negativo del logaritmo de la cantidad, se tiene 47410.1 Diagramas de bode 447 20log ( ) = -20log Gur +1) (10.13) Jaret La curva para un polo simple es similar a la de un cero simple, excepto que se iefleja alrededor de la linea de 0 dB. Para frecuencias pequefias, la amplitud permanece en 0 dB. Para frecuencias grandes, la asintota es una linea recta de pendiente —20 dB/década. Esta aproximacién asintética se muestra en la figura 105(a). Nétese que interseca el eje de 0 dB en w = 1/7, que es la frecuencia de corte. Como en el caso del cero, la amplitud real de la curva se desvia de la aproximacién por linea recta en —3 4B en la frecuencia de corte y en cerca de =1 dB a un medio y al doble de Ia frecuencia de cone. La curva de fase de un polo es similar a la del cero, pero se refleja alrededor de la Kinea $ = 0. Como el polo se encuentra en el denominador de G(s)H(s), el signo se cambia cuando el éngulo se traslada al numerador. Por tanto, ow) = tan“ hw (10.14) La ecuacién (10.14) representa una curva de arcotangente, que inicia en'cero a frecuencia cero y se aproxima a un valor de -90° para frecuencias grandes. El punto de —45° de fase se produce en la frecuencia de corte. La curva de fase real y su aproximaciGn por Iineas rectas es el negativo de la que se muestra en la figura 10.6. Si la funcién de transferencia tiene ceros o polos maltiples, las diferentes curvas, de amplitud y fase se deben sumar entre sf tantas veces como sea el orden de la raiz. Asf por ejemplo, para dos polos o ceros repetidos, 1a pendiente cambia de £20 dB/década a 40 dB/décads, y el Angulo de fase es +90° a la frecuencia de corte. El dngulo de fase varia de 0° a 180° en vez de 0° a.290°, y la pendiente es +90°/década en vez de +45*/década. Las funciones correspondientes se muestran en a figura 10. 5. Polos cuadréticos. Los polos cuadréticos son de la forma ve COHO) = Tyree eeR aos) 1 CJonF eee oT Esto se normaliza con un cambio se variables, haciendo 475# f | Fewa107 pony ces aos, 10.1.3 448 Capitulo 10 Caracteristicas de la respuesta en frecuencia oy ir ‘none Se f B: Cananciaen dB (9) Respuesta en amplitud () Respuesta en fase Esto se realiza después de sustituir ¢ = ju. Entonces la ecuaci6n se vuelve emRw 1 (20.16) Toa jau La amplitud y la fase de Ia expresiOn en Ia ecuacién (10.16) se grafican en la figura 10.8. ‘Como {as respuestas en amplitud y en fase para términos cuadréticos dependen no sélo de Ia frecuencia de corte sino también de la razén de amortiguamiento, ¢, se utiliza una gréfica paramétrica como la de la figura 10.8 para hacer la gréfica. ‘Las respuestas en amplitud y en fase se grafican localizando la frecuencia de paso y la razén de amortiguamiento para el factor cuadrético particular, encontrado por ‘comparacién con Ia expresién dada en la ecuacién (10.15). Los resultados de la figura 10.8 se pueden comparar con los del polo doble con frecuencia de corte unitaria. La amplitud para el polo doble es una linea de 40 aB/décade que se inicia en la frecuencia de corte. La fase es una linea de pendiente 90° /década que inicia en 1/10 y termina en 10 veces la frecuencia de corte, La diferencia entre la gréfica del polo doble y Ia del polo cuadrético se puede ‘ver como un factor de correcciGn. Estas diferencias (factores de correcci6n) se ¢grafican en la figura 109 para varios valores del factor de amortiguamiento, ¢. Por tanto, al resolver un problema con un polo cuadrético éste se puede trataren primer lugar como un polo doble para luego aplicar las correcciones de la figura 10.9. Ejemplos de diagramas de Bode Los conceptos presentados en Ia seccién anterior se aplican ahora a varios ejemplos. 476 ial10.1 Diagramas de bode 449 Figura 1 “Ampliudy fase de un polo euadestien, Amplitd 48 (gindos) T TT] p= 010 _ | I ors 0207] A 035, co T I t +t - Ltd | 1 “2 H+ 2 7 Tl ie | | or 002 oosmoe0N6 OT 02 0304 OORT 2-3 45 @ as 30 45 «0 75 90 ~108 -120 o138 150 165 ~180 oor 0.03006 OF a. 7 © * Ta |= Rate de amorigeanieno {anne = 25 1] one i i 7-06 1 y 6 10 3060 100 w= ole, ) 477— 450 Capitulo 10 i Caracteristicas de la respuesta en frecuencia Figura 109 tr T = | oxo os ass ia = = | Hi oso | | ° L a NZ . j Try TTI a | LiL EN Nig eaaas onc aorletpeioa i suled|os oa apemzofsoan se a TM Tt T 60 . - t 30, 4 2 oo) 1 . ; / =30 +7 ee ft [ I ‘Ll ogous roan 478 nail10.1 Diagramas de bode 451 Ejemplo 10.1 |, i Dibsjese el diagrams de Bode para la funciGn de transferencia de Iaz0 G(s)H(s) = 100 . SOLUCION Este es un caso simple de un factor invariant en frecuencia, Ke = 20}og(100) = 202) = 40 4B para toda w La fase es cero en todas las frecuencias, ya que la funcién de transferencia de laz0 os real. La gréfica se muestra en la figura 10.10. 180° i 490° | a ~90° | 180° Bile tt 1 10} 10011 1000 i0 ‘Figura 10.10 Respuesta en frecuencia para el efemplo 10.1. jempio 10.2 |, Dibsjese el diagrama de Bode para la funciGn de transferencia de azo GH)=s SOLUCION Este es el caso de un cero simple en el origen. El diagrama de amplitud resultante ¢s una nea recta de pendiente 20 dB/década. La linea pasa a través del eje de 0 Ben w = 1. La fase es una constante de 90° para todas las frecuencias, ya que la funcién de transferencia para s = maginaria. El resultado se muestra en la figure 10.11. 20 =40 -0 8 5 +180" +90" 90" | 180" -— 8 100 1000 a ‘Figura 10.11 Respuesta en frecuencia par el ejemplo 102. 479Te “ae mer 452 Capitulo 10 Caractertsticas de la respuesta en frecuencia [Eiempio 10.3 Dn Diljese el diagrama de Bode para la funcién de transferencia de lazo onal GOH) = 5319 ~ sflori SOLUCION Esta expresiGn contiene un polo simple. La frecuencia de corte es w = 10. Conforme la frecuencia se aproxima a cero, la amplitud se aproxima = tuio, lo que corresponde a 0 dB. A la derecha de la frecuencia de corte, la pendiente de la curva de amplitad es ~20 dB/década. La curva de fase inicia en O° y pasa a través de ~45° a la frecuencia de corte. La porcién central de la aproximacién de fase tiene una pendiente de ~45°/década, por lo que la aproximacién empieza a ddisminuir de O° a una frecuencia de 1. Alcanza la méxima fase negativa de -90° una frecuencia de 100, Las curvas resultantes se muestran en la figura 10.12. rae 80 fof | ferent te [oo] ! | vy } = —h—hrFrEEEM -180" foo] 11 10 1001000 ib Figura 10.12 Respuesta en frecuencia para el ejemplo 103. Ejemplo 10.4 |, Dibijese el diagrama de Bode para la funcién de transferencia de 1azo 1s S410 Oiest GOH) = SOLUCION Esta funcién de transferencia es el producto de dos factores. Uno de ellos es un cero simple en el origen, como en el ejemplo 10.2, y el otro constituye un polo simple, como en el ejemplo 10:3. Se puede graficar por separado y sumar Jos resultados, o graficar en forma simulténea. Se elige este ttimo método EI cero se halla en el origen, y el polo tiene una frecuencia de corte de 10 Por tanto, si se inicia la gréfica de amplitud en pequefios valores de frecuencia, el cero es el término dominante. La grfica inicia con una linea recta con pendiente 20 dB/década. Para valores de frecuencia pequefios, la funcién de transferencia se aproxima por s/10, debido a lo cual la gréfica interseca el eje de 0 dB en 48010.1 Diagramas de bode 453 Amplind ae tee me o | [eee eee) \ +20 food +180" | | Sof 1 "+90" -20 | ° I 40 | -90" | 1 } t t | veo oe 180" ! { I | | i ! I I i | A 1 1001009 1 111001000 a 6 io Figura 10.13 Respuesi en frecuencia para el ejemplo 104. w = 10. Conforme aumenta la frecuencia, el siguiente efecto se produce a la frecuencia de corte de w = 10, En este punto, se suma una linea recta de pendiente -20 dB/década. El resultado es un cambio en la pendiente de Ia curva de 420 dB/década a 0 (es decir, horizéntal). La curva resultante se muestra en Ia figura 10.13. Nétese que se ilustéa tanto la aproximacién como la curva corregida, donde Ia curva corregida se muestra en linea punteada. A la frecuencia de corte, 1a coreccién es —3 dB. La gréfica de fase se desarrolla en forma similar. Se inicia nuevamente con frecuencias pequefas, donde predomina el cero. Entonces la fase es de 90° hasta {que entran en juego los efectos det polo. Recuérdese que la grifica de fase para el polo es una Ifnea recta con pendiente de —45°/década que inicia en qh de la frecuencia de corte y termina en 10 veces dicha frecuencia de corte. El resultado se muestra en la figura 10.13. Ejemplo 10:5 }, Dibijese el diagrama de Bode para la funcién de transferencia ou G@HE)= S4+38+10 0.18? +0.35+1 SOLUCION Este'es un ejemplo de polo cuadritico. Se inicia colocando esto en Ja forma de la ecuacién (10.15) como sigue: at SOHO” EF efon sd aor donde wn = VIO = 3.16 rad/s. 0.18) 481454 — Capttulo 10 Caractertsticas de la respuesta en frecuencia ote Gansncia en dB 60 40 wr! 036 13636 10° Frecuencia enraianes (rads) Figura 10.14 Diagramas de Bode para el ejemplo 105, ora 0.19) En primer lugar se coloca la frecuencia de corte en el diagrama de Bode. La primera aproximacién se dibuja de la misma manera que para el polo doble situado en la frecuencia de corte. Esto es, para el diagrama de amplitud, se inicia en esta frecuencia y se dibuja una linea de —40 dB/década hacia la derecha. La gréfica de fase es una aproximacién ala curva del arcotangente que se extiende de 0 a -180°. Estas aproximaciones asintéticas se muestran en la figura 10.14. Debido a que la correccién de las asintotas depende de la raz6n de amortiguamiento, es necesario referirse a le figura 108 6 10.9. La forma real de la curva de amplitud es como se muestra en la figura 10.8() para una razén de amortiguamiento de 0.475 y frecuencia de corte /10. Es necesario hacer una interpolacién entre las dos curvas rmostradas para razones de amortiguamiento de 0.4 y 0.6. Para hacer la gréfica, se injcia con las aproximaciones de la figura 10.14 y se aplican las correcciones de la figura 10,9(a). Se realiza Ia interpolacién ya que no se muestra una curva para una raz6n de amortiguamiento de 0.475. También se dibuja la curva de fase iniciando con la aproximacién de la figura 10.14 y aplicando las desviaciones dadas en la figura 10.9(b). Las curvas de amplitud y fase resultantes también se muestran en : Ia figura 10.14, Notese que la correcci6n para la curva de desplazamiento de fase es ms pronunciada que para la curva de amplitud. — 482a ooo 20 ; 7 Ta | 10.1 Diagramas de bode 455 Ejercicios 10.1 Dibijese el diagrama de Bode para a funcién de transfereneia de azo { G(s) H(s) \ Rep: View a fgun DIOL { Amalind ' fm dy : +60 food | sop) | ! aa real i : So I | i i [ ‘Resp Véate la figura DIO2. bool Zo i (eee : aot - 3 Fd j Figura DIG j 10.2 Dibsjese el diagrama de Bode para la funciOn de tansferencia de lazo { } con * i i Fae { I K 10K 100K 100K peeled K 10K 100K 100K Figura D102 10.3 Dibijese el diagrama de Bode para la funcién de transferencia de laz0 G(s)H(@) = 0.18 +1 Resp: Vessel fgura DIOS. 33 $$aR i 456. Capttulo 10 Caractertsticas de la respuesta en frecuencia Amjind GH = (018 + 1) $60} oofenvl fe +0 t ee a | reel fooonfesnenl 3 oF t +90" } -10 eee Bmp Po =40 feof -30 | { | 288 ffs pod ee | 11 10 100 w 2 1 10100 1000 i fa Figura D103 10.4 Dibijese el diagrama de Bode para el sistema con funcién de transferencia fe Lazo 0.03 o)H(s) = oe ‘3(0.58 + 1)(0.06s? + 0.18 +1) Resp Neste qu pr el tio casein oy = 4.08 y ¢= 0.208. Las gras eae se ‘ican ena gure DIO. Frecvenca. oon on 1 » 100 ser 180 a i‘ a2 i py Figura Dio 48410.2 ‘a | 10.2. Respuesta en frecuencia del amplificador operacional 457 RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL Figura 1045 Caracterstcas de ‘gmancia de lazo abieno ‘de un amplifcador ‘operaconal ‘Ya que se tiene algo de experiencia en diagramas de Bode, es posible apicar estos conceptos al andlisis en frecuencia de circuitos con amplificador operacional En la figura 10.15 se muestra la caractersticatpica de lazo abierto en amplitud de un amplificador operacional como funciGn de la frecuencia. Los niémeros son comunes para un amplifcador operacional A741 de propésito general. Esta grfica se puede aproximar con la expresién de la ecuacién (10:20) Go GO= 20.20) La constante G, es la ganancia de lazo abierto en cd para el amplificador operacional, y we la frecuencia de cone. Esta carateristica amplitud-frecuencia es el resultado de la compensacién interna dentro del amplificador operacional. La curva mostrada es para una compensaci6n interna por polo simple. Por Io general, las hojas de especifcaciones del fabricante muestran tanto la respuesta en amplitud como la fase del amplificador operacional. Esta informacién se muestra en el apéndice D, Bw aw bw = | 1 ae er 40 Ne ‘| 10! 10°10" 10 Frecuesca (He) 485, qi Figura 1036 Ampliieador operacional Capitulo 10 Caracteristicas de la respuesta en frecuencia ‘Un examen de la curva en la figura 10.15 muestra que la ganancia es de 100 dB cn baja frecuencia, y que luego cae con una pendiente de —20 dB/década hasta (0 dB a una frecuencia de 10° Hz. La GBP es una constante de 10° Hz. Se encontrard ahora la ganancia de lazo cerrado para este amplificador operacional en una tipica aplicacién como amplificador inversor, como se ilustra en la figura 10.16. La ganancia de tazo cerrado se encuentra escribiendo las ecuaciones de nodo env. y v- como sigue: Despejando el valor de la tensién en la entrada inversora, se obtiene wRe+veRa Rr+Ra Se utiliza ahors la rlacin de la ganancia de azo abierto para despejar Ia tensa ae salida: Guz Gu Rp __GuRa RatRe Ra+Rr Esta expresin se puede simplificar definiendo un nuevo parémetro como la relacién para el divisor de tensién entre Ry y Rp: eens 7" Ree Ra & k a Ef a Ra . - 6 $ z $ “ » — -Gu. Mm Ralls ® ® 48610.2. Respuesta en frecuencia del amplificador operacional . 459 Entonces la tensi6n de salida esté dada por _cGuRey w= Re Grey yy Ta ganancia de tensién es la razén de la tensién de salida a la de entrada, Uy _ -GrRe/Ra ewan cy (10.21) Conforme la ganancia, G, se aproxima a infinito, la ganancia de tensi6n, Ay, se aproxima 8 As= RE Ra Recuérdese que G es una funcién de la frecuencia dada por la ecuacién (10:20), Sustituyendo esto para G en la ecuacién (10.21), se obtiene Re Gor * Ra 1+ Gay+ ou [+ Gov) (1022) “OM +Gay Si la ganancia en ed es grande, se puede suponer que 7G, 2> 1. Entonces la ‘ecuaci6n (10.22) se reduce a ae - An Ty TrapGoe Esta eouaci6a de ganancia contine un polo simple. Por tanto, e disgrama de Bode inicin en 20%0g(Rr/Ra)y tiene una frecuencia de core en ‘ | = Gate “*TERe/Ra [Nétese que aparece el producto G,uv, en estas ecuaciones. Por tanto, si la ganancia de lazo cerrado permanece en un valor fijo, existe una relaci6n inversa entre Gy y we. Conforme aumenta la ganancia, la frecuencia de corte (es decir, el ancho de banda) debe disminuir de manera que el producto permanezca constante. Esta relacién inversa entre la ganancia y el ancho de banda es un compromiso importante. por considerar en el disefo. 437[i Capitulo 10 Caracteristicas de la respuesta en frecuencia B pense 10.3 RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA: BJT Figura 10.17 Ampliicador EC. 10.3.1 R R El amplificador BJT normalmente contiene capacitores con el fin de acoplar la salida a la carga y realizar un cortocircuito en el resistor de emisor. Se trata de que estos capacitores sean circuitos abiertos en condiciones de ed pero cortocircuitos para las frecuencias de la sefal de interés. En la préctica, el capacitor se desvia de la condicién de cortocircuito si la frecuencia disminuye. Esto produce una de- sgradacién de la respuesta: ahora el amplificador depende de la frecuencia. En esta secci6n, se estudia la respuesta en baja frecuencia del amplificador. Se examinarén ppor separado los efectos de los capacitores de acoplamiento y de paso. Capacitancia de acoplamiento En la figura 10.17 se muestra un amplificador EC con capacitors de acoplamiento Gi y Ca. El circuito equivalente se muestra en la figura 10.18. Conforme la frecuencia se reduce hacia cero, ambos capacitores de acoplamiento se aproximan 1 condiciones de circuito abierto y la sefial de entrada se atenda. La impedancia de entrada esté dada por 1 Zen = Rent = [Ro || (ue + BRE] ae donde Roz Figura 10.18. Circuit equivalent dl amplifeador EC. Vee a Ree Gg, jo $ + R "a RE ow Re : aa103. Respuesta en baja frecuencia: BIT 461 ‘Si ahora se supone que la resistencia de la fuente es mucho menor que la resistencia de entrada, entonces la corriente de entrada esté dada por Je" Rov y la comriente de base es at . Re Fig + 1/803 Rp + Bie + BRE Vio 30 Rib hie + BR }Rey 1 Bb avaseeecsneae Bp hic+ Bits sCrRen +1 Rey pero Rea = Re || (hie + BRE) lo que simplifica esta expresién para dar 19" RVG ° mee donde 72 es la constante de tiempo de la combinacién resistor-capacitor en Ja base. Esto es, m2 = RexCr Si la resistencia de la fuente, Rj, no es mucho menor que Reg, se debe aiadir Ry Rey al calcular 72 La tension de salida esté dada por -BlaRcRy __ ~BlaRoRisCi Ro+Ry+1/sCy sC\(Ro+Rs)+1 7 ns = ~Blp(Re | R= donde 7; es la constante de tiempo asociada con el lazo Re en la salida. Esto es, C(Re + Rr) 489 SMM SK ee SIRE RRR MRL anaemia—- 462 Capitulo 10 Caractertsticas de la respuesta en frecuencia ‘Ahora la ganancia de tensién esté dada por Age 2 = Rel Re __tits Ye Tat Re Ge toneD : 2 Roll Re 2 “hot Re G+1/nye+1/n) 0.23) La ganancia de corriente esté dada por Zen AeA Rell Ry tims*__ Rea + 1/302 Tet Re (s+bins+) Re ~RbRoCiCr (1 + 1/sRaCx) Re Gn+Den+1) Rol, ns __ Ra(hie+ BRe) 28+1 Tt Re Gist Dns+) Ra +hie+ BRE nSRe Re s Re we 10.24 Rp/B+ha+ Rp st i]n Ro+ Re a eons OE Supéngase que se desea dibujar el diagrama de Bode para la ganancia de corriente Ge la ecuaci6n (10.24). Nétese en primer lugar que la expresi6n tiene vn cero de primer orden en el origen y un polo. La frecuencia de corte se encuentra a una frecuencia de 1/71. Para frecuencias por debajo de la frecuencia de corte, el cero provoca que la grifica crezca a 20 dB/década. En la frecuencia de corte, Im, se suma una linea de pendiente negativa de -20 dB/década. Por tanto, el resultado permanece constante, Se grafican estos resultados para un ejemplo particular que sigue al andlisis de una simplificacién. Las ecuaciones (10.23) y (10.24) se pueden simplifcar definiendo la ganancia de media frecuencia como el valor de la ganancia en frecuencias a la derecha de la frecuencia de corte, Esto equivale a tomar el limite de las expresiones de tas dos ecuaciones conforme s se aproxima a infinito. Haciendo esto y sustituyendo en los valores para 7\ y 72, se encuentra, de la ecuacién (10.23), ‘ . =Re il Re : Aum = Aalenee = i aes a De la misma forma, la ecuacién (10.24) da : Aim = Aleaee = ee ge (1026) Ra/B+ his Re Ro+ Re 4 490 tataCeenoei0e] { Ejemplo 10.6 10:3 Respuesta en baja frecuencia: BIT 463 ‘Ahora se pueden utilizar estas ganancias a frecuencias medias para normalizar las expresiones de las ecuaciones (10.23) y (10.24). Esto es, se divide entre los valores a frecuencias medias para obtener Ay 2 Am G¥I/nve+ 1) aa Aim 8 41/1y 0.27) (10.28) Grafiquese la respuesta en baja frecuencia para el amplificador mostrado en la figura 10.19. SupOngase una resistencia de fuente cero. SOLUCION Solo se requiere calcular las ganancias a frecuencias medias y las frecuencias de corte. Con el fin de encontrar las frecuencias de corte, se necesitan “as constantes de tiempo 71 y 72. 2200(10) Von = Say = 0581 V Rg = 2.2 kN 20 k= 1.98 KD Toa = 79907200 + 100 = *85 ™ nV hes ze mA 982 Reg =1.98 KO | (0.8 + 1003200] 10 = 1.82 KA 7 =O\(Re + Rx) = (5 x 10-6)(2 kM) = 0.01 s entonces w; = 100 rad/s 12 = CaReg = (50 X 1091.82 KM) = 0.091 5 w= 11 rad/s Las ganancias a frecuencias medias estén dadas por las ecuaciones (10.25) y (1026). 49% a[cease \ 464 — Capitulo 10 Caractertsticas de la respuesta en frecuencia |) Figura 1019 pier Uampliiador EC para et ejemplo 10s. t ako 20KA Sur sour a o—1t-+ B = 200 Vas = 0.7 V| i 22k 3 1000 a t ; Bethy ~ 100458 ota Po Rp/B +h + Re Re + Re a OOn ~ 9.99.8 + 100 2000 ~ 8.28 Las ganancias ‘normalizadas se grafican en el diagrama de Bode a partir de las ceuaciones As a 2 Am GHC) Ger Dense) 209 Ry 40.298) a (10.29) A OoissT La grifica de amplitud de tensiGn inicia con una pendiente de 40 dB/década, En la Primera frecuencia de corte, w = 11, la pendiente cambia a 20 dB/década. La curva real se desvia 3 dB de la aproximacion asintotica por linea recta en Ia frecuencia de corte y por 1 4B aun medio y al doble de esta frecuencia de corte. En la segunda frecuencia de corte, «= 100, la pendiente cambia a 0 dB/década. A la derecha de este punto, la amplitud permanece en 0 dB. Esto se muestra en Ja figura 10.2. La curva de fase inicia en 180°. Las frecvencias de corte estin ubicadas en w= 11 yw = 100 rad/s. Comenzando en 4; de la primera frecuencia de corte, © 1.1 radls, 1a curva sigue una asintota de ~45°/década hasta qh de la segunda frecuencia de corte, 0 10 rad/s. En w = 100 rad/s, el efecto del primer polo desaparece y 1a curva asintética tiene una pendiente de ~45%/década hasta una frecuencia de 1000, De aguf en adelante la pendiente de la curva de fase es OPéécada. SS RE LER RE TIC son anear 49210.3, Respuesta en baja frecuencia: BIT 465 Figura 1020 Diagrams de Bode para et Semple 106 CGanancia en d8 10.3.2 205 : ae ND il ~4 |} + ___} 6 “ Ry [pounded |B —— tamara] ae . eet as tao" Bs [~ ae ___ a [er TT] a ee nas Frecuencia enraianes 1Las correeciones alas curvas asint6ticas tanto para la fase como para la ganancia se muestran en la figura 10.20. ‘La amplitud de la gréfica de corrienteinicia con tna pendiente de 20 dB/década, CContinda con esta pendiente hasta la frecuencia de corte en 100 rad/s. En este punto, 1a pendiente disminuye en 0 4B/década y 1a amplitud permanece constante en 0 dB, E! desplazamiento de fase comienza en —90° en baja frecuencia. A 10 radis, la pendiente se vuelve de —45°/década y se mantiene ahf hasta 100 rad/s, punto en cl cual el desplazamiento de fase se vuelve cero. — Disefio para una caracteristica de frecuencia dada Supéngase que se desea disefar un amplificador con un corte de baja frecuencia espectfico. Esto es, la ganancia disminuye a baja frecuencia y se especifica el punto en el que la respuesta cae 3 dB por debajo del valor a frecuencia media. Si solo hubiera una frecuencia de corte, la tarea de diseRo seria trivial. Simplemente se igualarfa la frecuencia de conte con la frecuencia dada. De hecho, suelen tenerse dos frecuencias de corte que interactian entre sf, por lo que el disefio es mis complejo. Se presentan tres métodos de disefio. El método especifico que se utilice en un diseRo particular depende del grado de separacién entre las dos frecuencias. El primer método requiere una separacin tal que précticamente no exista interacci6n y, por tanto, se reduzca al problema del disefio de una sola frecuencia de corte. Los otros dos métodos permiten la interaceién parcial y total de los dos efectos. Se analizan los tres méiodos y se aplican a un ejemplo. soe a NNER 2A RN Método 1 Se deja que un polo refleje toda 1a caida de 3 dB y se coloca el oro polo una década més abajo en frecuencia. Por tanto, conforme se reduce 1a frecuencia hacia cero, el requerimiento de dsefo de los 3 dB se consigue antes de que tenga efecto el segundo polo. 493EROOw. 466 Capitulo 10 Caractertsticas de la respuesta en frecuencia Método 2 Se igualan las dos frecuencias de corte y se hace que cada una dis- ‘minuya la magnitud 1.5 dB a la frecuencia especificada. Por tanto, la disminucién total es de 3 dB, como lo requiere el disefio. Los polos en las frecuencias de corte reales estin por debajo de la frecuencia de disefio especificada (3 dB). Si se colocan ambos polos a la frecuencia de corte de diseio, la caida a esa frecuencia es de 6 dB en lugar de los 3 dB requeridos. Se utiliza la ecuaci6n (10.27), donde 1 EI punto de 3 dB se produce cuando esta magnitud normalizada cae a 0.707. Por tanto, se hace que s = jw, donde we es la frecuencia de 3 dB especificada: Despejando wy, se obtiene Ws = 1S. (2030) Método 3 El primer método separa las frecuencias de corte lo sufciente para que se pueda ignorar la frecuencia més baja. El segundo método hace iguales a las dos frecuencias. El tercer método elige valores iguales para los capacitoes, Jo cual conduce a frecuencias de corte que interactéan pero no son iguales. Esto ‘permite el intercambio de componentes y con frecuencia representa un método de disefio efciente, Se comienza el andlisis con la ecuaciGn (10.27), donde se hace oA y 1 wee n Por tanto, sila ganancia normalizada se hace igual a 0.707 a a una frecuencia we, se tiene Ay Gur Aum” GoFONGE TOD w, 494[Eiemplo 10.7 10.3 Respuesta en baja frecuencia: BIT 467 2 ae vi Despejando we, se obtiene 2d = (5 +I Mus +08) 18 + w2(oF +03) + wh} En muchos casos, tanto « como w son menores a wp. Por tanto, se puede aproximar : wh awit +8) Por stim, w= fat red : ¥, sustityendo wy y w., se tiene "Re eRe ” Si se hace C; = Cr=C y se despeja C, se obtiene a Ra Re RP C= ale TRV Rat Re + Re? ao3y | ‘Nuevamente, sila resistencia de fuente, Ry, es significativa en comparacién con Req, Se tendrd que incluit la resistencia R con el valor de Req en estas expresiones. Esto es, se reemplaza Ren por Ri + Rex. Un amplificador EC se disefia con Ro = Ry = 2k Reg © Rp = 5k Determinese el tamafio de capacitores que proporcionen una frecuencia de cone baja en 20 He. | 495 7

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