You are on page 1of 3

ТЕХНИЧЕСКИ УНИВЕРСИТЕТ - СОФИЯ

Д Е П АР ТА М Е Н Т П О П Р И Л ОЖ Н А Ф И З И К А

Протокол №.......... Специалност...................................


Студент:..............................................................................Фак №..............................................
Група....................

Задача № Определяне ширината на забранената зона на полупроводник по


температурния ход на електричната проводимост
.......................................................................................................................................................
1. Схема на опитната постановка:
Енергетична структура на електрона в атома

фиг. 1
1) метали 2) диелектрици

фиг. 2 фиг. 3
3) полупроводници

а) собствена б) примесна- n в) примесна- p


проводимост проводимост проводимост

фиг. 4 фиг. 5 фиг. 6

2. Описание на метода и теоретични изводи:


Специфичната електрична проводимост  на собствените полупроводници
представлява сума от проводимостта  n , обусловена от свободните електрони с
концентрация n0 и подвижност  n и проводимостта  p , обусловена от свободните
дупките с концентрация p0 и подвижност  p .
 n  qn0 n
  n  p
 p  qp0  p
Температурната зависимост на проводимостта на собствените полупроводници се дава
с израза
VE

   0e 2 kT

където VE е ширината на забранената зона, T е абсолютната температура, а


eV
k  0,86.104 е константата на Болцман
K
VE 103
ln   ln  0 
2k .103 T
ln  2  ln 1
tg  
103 103

T2 T1
VE  2k .10 tg
3

ln  2  ln 1
VE  2k .103
103 103

T2 T1
1 l  l
   R    ,  l  10 m , S  10 m 
2 5 2

 SR  S 
3
10

R
3. Опитни данни:
n t T 103/T R σ =103/R lnσ
1 20 293
2 25 298
3 30 303
4 35 308
5 40 313
6 45 318
7 50 323
8 55 328
9 60 333
10 65 338
11 70 343

lnσ

ln  2  ln 1
VE  2k .103 
103 103

T2 T1

103/T

4. Резултати и преценка на точността:

VE 

Дата................................. Подпис на студента:............................