You are on page 1of 42

FILM TIPIS & NANO TEKNOLOGI

(THIN FILM & NANOTECHNOLOGY)

REFERENCES 1. Hand Book of Thin Film Technology, by Leon Meisel 2. The Material Science of Thin Film, by Milton Ohring 3. Thin Film Physics, by O.S Heavens 4. Thin Film Phenomena, by Chopra 5. Thin Film, by Rosemary Beatty

I. TEKNOLOGI & DEPOSISI LAPISAN TIPIS
A. PENDAHULUAN

Thin Film Coating banyak dipergunakan pada : Industri, Teknik & Penelitian Bidang Yang di Jangkau : a. Bidang Optik, untuk kacamata, lensa, filter dll b. Bidang Metalurgi, untuk mencegah korosi dan menambah kekerasan c. Bidang Mikroelektronik (Chips, Kapasitor, Resistor, dll ) d. Bidang Sel Foto voltaik (produksi potensial listrik oleh cahaya datang e. Bidang Perhiasan

B. ARTI DAN TUJUAN THIN FILM COATING
Thin Film Coating adalah pemberian lapian tipis yang ketebalannya bervariai antara 1 nm sampai beberapa ratus µm, untuk meningkatkan mutu dan memuliakan sifat-sifat bahan. Transmisi, Refleksi, absorbsi, kekerasan, korosi, permeasi, sifat listrik adalah sifat yang dengan pemberian lapisan tipis dapat memperbaiki sifat-sifat bahan dasar yang sebelumnya belum dimiliki bahan dasar itu.

Penggunaan lapisan tipis mutlak diperlukan, jika tidak terdapat pada bahan sifat yang dibutuhkan umpamanya di optik pelapisan sebagai Antirefleksi. Dalam beberapa bidang pelapisan tipis tidak mutlak dibutuhkan namun penggunaan lapisan tipis ini sangat bermanfaat, karena mempermudah dan mempercepat suatu proses pembuatan, misalnya : 1. Menambah ketahanan bahan terhadap gesekan dan korosi 2. Pelapisan anti karat 3. Penyepuhan dengan Emas untuk memperindah

Kelemahan disini sukar mengatur ketebalan. SPRAY COATING . Benda yang ingin dilapisi dicelupkan kedalam bahan pelapis berbentuk cairan misalnya : glasur pada keramik 3.ELEKTRONIK DEPOSITION . lapisan tipis. sering menyebabkan pencemaran lingkungan dan daya lekat kurang kuat. disini benda yang akan dilapisi dipanasi dan dapat juga tidak dipanasi. CARA PEMBUATAN THIN FILM TANPA MENGGUNAKAN VAKUM 1. DIPCOATING . 4. . 2. Pelapisan bahan pelapis dilakukan dengan pemberian aliran listrik disebut dengan metode Elektolisis.C. SPIN COATING . I. Dimana benda yang ingin dilapisi diputar dengan cepat dan bahan pelapis cairan dituangkan pada benda yang berputar. Penyemprotan dengan bahan pelapis.

oksida dan senyawa lainnya. PEMBUATAN LAPISAN TIPIS DALAM VAKUM A. dalam tempat/bejana yan disebut boat/kapalan yang dipanasi dengan mengalirkan arus listrik sampai beberapa ratus ampere. . P ~ 10-6 mbar.II. Metoda PVD (Physical Vapour Deposition) : 1. Disini diperlukan vakum tinggi. dapat berupa logam. Metoda CVD (Chemical Vapour Deposition) A. Metoda THERMAL EVAPORATION Pemanasan bahan pelapis. Metoda PVD (Physical Vapour Deposition) B.

.

Untuk menambah tumbukan ion dengan bahan pelapis. Metoda SPUTTERING  Yaitu menembaki bahan pelapis dengan ion ber energi tinggi. sehingga Sputtering semacan ini disebut Magnetron Sputtering . umumnya dengan ion Argon (Ar) sehingga bahan pelapis dapat terlepas/menguap dengan Energi kinetik (Ek) tinggi dan menempel pada benda yang mau dilapisi.2. maka sering diberi medan magnet.

.

termasuk target. misalnya: mata bor.Keuntungan: Daya lekat pelapis sangat kuat karena deposisi rate tinggi. as roda gigi. Kerugian: mahal. ke untungan lain dapat dilakukan dalam bentuk yang tidak perlu datar sama sekali. tools dll. .

. Sebenarnya teknik ini dapat digolongkan kepada CVD karena ada reaksi kimia. yang dapat bereaksi dengan mateial target umpamanya : Pelapis TiN. kecuali dimasukkan gas Argon juga dimasukkan gas lain. ZrN dilakukan dengan memasukkan gas Ar dan N2 kedalam bejana vakum pada saat diadakan sputtering. Metoda REACTIVE SPUTTERING Dalam bejana vakum.3.

B) Pemanasan dilakukan dengan menembaki bahan pelapis dengan berkas elektron (E. Ca O yang mempunyai titik didih yang sangat tinggi . misalnya AL203. Metoda ELECTRON BEAM (E.4. Keunggulan cara ini adalah EB dapat diarahkan dan bahan pelapis dapat mencapai temperatur sangat tinggi sehingga memungkinkan mencapai pengupan bahan Oksida .B) berenergi tinggi.

.

sehingga dapat menggambar pada objek. ion berenergi tinggi disebut dengan plasma. Metoda ION ASSITED DEPOSITION Selama proses evaporasi. ditembakkan ion.5. sehingga ion berenergi tinggi mengenai objek yang akan dilapisi beserta uap dan ion dapat menempel dalam objek sehingga disebut ion implatation. sering disebut ion GUN. Hal ini dipakai dalam mikroelektronik yang membutuhkan ketelitian gambar terutama pada VLSI ( Very Large Scale Integrated Circuit). . Keuntungan : pembidikan ion dengan jitu.

Komponen – komponen reaktor nuklir dll . misalnya pada cutting tools. Ball Bearing.B. Teknik CVD (Chemical Vapour Deposition) Adalah proses reaksi kimia. CVD temperatur tinggi untuk menghasilkan thin film coating yang kuat. dimana uap suatu bahan yang akan dilapiskan bereaksi dengan gas – gas lain menghasilkan suatu lapisan pada substrat yang diletakkan secara tepat.

tetapi ada juga yang relatif tinggi suhunya. temperatur substrat bisa beraneka ragam. . Dengan sendirinya bahan dan temperatur yang berlainan akan memberikan konsekuensi yang brelainan.SUBSTRAT Secara Umum Substrat adalah permukaan padatan yang berupa lapisan / sheet / plat yang digunakan untuk merangkai komponen elektronik yang kebanyakan terbuat dari bahan Alumina dan mengandung bahan Aditif untuk meningkatkan daya lekat terhadap lapisan tipis. Temperatur Substrat Dalam proses pelapisan. ada yang temperaturnya seperti suhu kamar karena tidak memerlukan pemanasan.

Mempunyai kekuatan mekanis untuk mencegah retak yang mungkin terjadi 4. Si. Tahan terhadap SHOCK PANAS untuk mencegah rusak selagi proses. Koefisien muai sama dengan Koefisien muai evaporant (bahan pelapis untuk menghindari STRESS pada Thin Film 5. . dll. • Substrat untuk polikristal : Glass.Persyaratan – persyaratan yang baik substrat adalah : 1. Ge. Tidak berpori 3. MgO. Permukaan harus halus untuk mendapatkan keseragaman 2. Quartz & Ceramic • Substrat untuk single krista. : Mica.

. artinya tidak mudah aus. KETEBALAN LAPISAN TIPIS Biasanya diukur dengan vibrasi kristal didalam vakum. beberapa sifat dan karakter penting : A.KARAKTERISTIK DARI THIN FILM Dalam pelapisan tipis. Kekerasan lapisan tipis ini tergantung dari substratnya. karena makin keras suatu bahan makin baik dapat dipakai untuk memotong dan mengebor dan makin besar pula daya tahannya. Kekerasan inilah yang penting dalam pelapisan tools. B. Alat ukur ketebalan ini juga dipakai untuk memonitor dan mengatur laju deposisi. Lebih teliti daripada kuarsa ini adalah INTERFERENSI OPTIK. KEKERASAN LAPISAN TIPIS Biasanya diukur dengan cara Mikrohardness tester dengan intender vickers (VHN) = Vickers Hardness Number.

sehingga tidak dapat dipakai untuk tools. Dalam hal lapisan tipis ketebalan dapat terlihat dengan adanya keretakan – keretakan mikro. KETAHANAN TERHADAP KOROSI E. sehingga cocok sebagai Wear resistant coating D. Daya lekat Thin Film tergantung pada bahan substrat yang dilapisi. . KELELAHAN : Perubahan berulang kali baik secara mekanis maupun suhu sering menyebabkan kelelahan pada benda. ke ausannya menjadi besar pula.C. TiN misalnya mempunyai daya lekat yang sangat besar pada HSS. DAYA LEKAT LAPISAN TIPIS Suatu lapisan tipis dapat saja mempunyai kekerasan yang besar mendekati kekerasan intan. SIFAT LISTRIK DAN MAGNET F. namun jika daya lekatnya kecil.

G. tembus tembus pandangan dll. Umpamanya TiN sering dipakai untuk melapisi frame kacamata. jam tangan karena mempunyai warna ke Emasan. . Sifat ini penting sebagai bahan dekoratif. SIFAT OPTIS : umpamanya warna. juga coating pada kaca jendela dan kaca mata untuk meneruskan atau merefleksikan suatu warna.

Vakum sedang : 1 – 10-3 mbar 3. Vakum tinggi : 10-3 – 10-7mbar 4.H. Vakum sangat tinggi : < 10-7 . Vakum rendah : 1000 – 1 mbar 2. KEADAAN VAKUM 1. Dengan demikian kecepatan putar bor dapat dipertinggi dan pengerjaan pengeboran / pembubukan dapat diperbesar sampai 3 kali lipat tanpa mengganggu hasil pengeboran. KEKERASAN PERMUKAAN : yang berperan agar benda yang dibor misalnya dengan mata bor yang dilapisi tidak terdeformasi dan tidak menjadi terlalu panas.

013 bar 1 torr = 1 mmHg = 1 / 760 atm II.Law Vacum Medium Vacum High Vacum Ultra High Vakum : : : : 700 – 25 Torr 25 – 10-3 Torr 10-3 – 10-6 Torr Below 10-9 Torr 1 atm = 1. Temperatur Teori elektronik quantum modern konduksi listrik pada metal disebabkan oleh elektron – elektron. sementara resistivitas listrik dihasilkan .013 x 105 N/m2 = Pa 1 atm = 1. SUMBER– SUMBER RESISTIVITAS PADA KONDUKTOR METAL A.

/k Pada temperatur rendah (T<<θD) resistivitas bervariasi dengan Tn (n mendekati 5) dan pada temperatur tinggi (T>>θD). elektron selalu mengalami hamburan pada saat melewati zat padat. Untuk sebagian besar metal temperatur debye berharga mendekati atau di bawah temperatur kamar. tetapi akan mengalami vibrasi sekitar posisi rata – ratanya.Resistivitas : adalah derajat ketidaksempurnaan kisi metal tetapi bagaimana pun tak ada kisi yang sempurna. resistivitasnya bervariasi secara linier terhadap T. Hal ini tepat bila digunakan TEMPERATUR DEBYE dalam menerangkan interaksi antara elektron – elektron dan mode vibrasi yang bermacam – macam dari kisi (phonon). Kisi yang tidak mempunyai cacat struktur dan tidak mempunyai atom asing pun. Temperatur Debye θD didefenisikan θD = hυ max. maka dari itu . tidak dapat teratur sempurna diam.

LIHAT GAMBAR DIBAWAH. . Alloy mendekati 50% impuritas sistem perak – emas . Hal ini akan membuatnya berkelakuan sebagai sumber dari hamburan elektron. resistivitas bertambah dengan naiknya konsentrasi impuritas dan mencapai maksimal pada komposisi. α α= 1 R R T R = Resistansi (Ω) B. CACAT TITIK (POINT DEFECT) Atom impuritas yang menyelusup masuk dalam metal umumnya akan membawa muatan listrik efektif yang berbeda dengan logam induknya.Hal ini membuat mungkin untuk mendefenisikan temperatur koefisien resisitansi (TCR).

Resistivity Komposisi (%) Resistivity Komposisi (%) .

2. . 1. Pada thin film pada ketebalan yang cukup besar dibentuk pada kondisi vakum yang baik dan bersih menjukkan resistivitas > beberapa % dari ρ bulknya 3. KETIDAKSEMPURNAAN STRUKTUR (STRUCTURAL IMPERFECT) Kontribusi resistivitas disebabkan kekosongan dan penyisipan (intertisial). Material bulk pada suhu mutlak T mempunyai ketidaksempurnaan dalam orde e -w/kT dimana w adalah energi aktivasi untuk pembentukan ketidaksempurnaan.C. Phase insulating dapat hadir/timbul bila impuritas yang cukup besar dan terkonsentrasi pada batas butir.

Bentuk & bahan perbandingan Dua bentuk dasar dari resistor thin Film yang digambarkan berikut ini : L w S W = film width (lebar film) S = spacing w = line width (lebar garis Film) TERMINATIONS W a W b Gbr 8. Patron Thin Film Resistor .I. THIN FILM RESISTORS A.

resistivitas residual adalah jumlah resistivitas diluar pengaruh temperatur.D. T   temp   residual T  Temp   Po   str . Hukum Matthiessen (Matthiessen rule) Hukum ini menyatakan bawa resistivitas sampel akan merupakan penjumlahan dari masing – masing kontribusi yang dibuat oleh semua sumber – sumber resistivitas. yang ditulis.

L = panjang Film dan ρ = specific resistivity Untuk sheet resistivity ( di buat l = w). maka Berarti Resistansi fil dan sheet ditentukan oleh resistivitas jenis dan ketebabalan Tekhnologi Film Tipis .t. t = ketebalan .Dari gambar 2. dimana : W = lebar Film. resistansi R dari film ditentukan oleh crossectional W.

adalah Bentuk Umum dari beberapa Thin Film Resistor. Resistansinya diberikan oleh : Temperatur Koefisien dari resistansi (TCR) diberikan : Tekhnologi Film Tipis .Dari bentuk Gbr b.

Grafik TCR Resistivity Tekhnologi Film Tipis . Hubungan Resistivity dengan TCR untuk bahan fasa tunggal.Dimana Ro = resistansi pada temperatur mula – mula (To) dan R1 = resistansi pada temperatur T1.

Resistivitas Jenis dari Chromium (Cr) sebagai fungsi Ketebalan & Temperatur substrat Grafik Gbr 14 Resistivitas jenis dan komposisi dari Nichrome (Ni-Cr) film merupakan fungsi Ketebalan film Grafik Gbr 15 Ketergantungan TCR pada Nichrome film terhadap Ketebalan Grafik Tekhnologi Film Tipis .Gbr 12.

Model Thin Film kapasitor plat sejajar I / 1 . Elektroda Atas Tekhnologi Film Tipis . THIN FILM CAPACITOR 1.II. Elektroda bawah II/ 2 . Dielektrik III/3 .

Kapasitansi suatu kapasitor dengan bahan dielektrik udara / vakum Kapasitansi Kapasitor dengan Bahan dielektrik Koefisien Dieletrik = konstanta Dielektrik Tekhnologi Film Tipis .

Evaporasi Plasma oxidation R.0 1. R. Sputtering .3 8 20 . Evaporasi T.3 – 6. . . Tekhnologi Film Tipis . . .0 1. . Sputtering T. .Tabel Bahan Metoda Deposisi Konsatanta Dielektrik (k = ԑr) 4 5 4. 3.0 1.2 2. Tegangan Breakdown SiO2 MgF2 SiO Al2O3 To2O5 . .0 . .

Pengukuran Resistivitas Film 1. Amperemeter Voltmeter I V 1 2 3 4 Thin Film Substrat Skema Four Point Probe Tekhnologi Film Tipis . Four Point Probe(FPP) Metode 4 titik Probe ini adalah salah satu jenis alat yang bisa dilakukan untuk mengukur resistansi dari thin film. Four point probe (FPP) terdiri dari 4 buah probe dengan 2 Probe berfungsi untuk mengalirkan arus listrik dan probe lain untuk menukut tegangan listrik saat dikenakan sampel.

d d = Ketebalan Rs = Resistansi . Dalam pengukuran resistansi thin Film dengan metode FPP dapat digunakan untuk menentukan Specific resistivity ρ dari bahan thin Film.Dimana ke empat probe dapat digerakkan naik-turun untuk mengenai permukaan thin film. Rs = Resistansi Sheet Dimana V dan I di dapat di pengukuran sehingga resistivity ρ dapat dihitung dengan persamaan ρ = Rs . Susunan FPP yang digunakan terdiri dari 4 metal Tungsten yang sama jaraknya antar ujungnya dengan radius terbatas. Ujungnya berbentuk bulat. Gerak naik untuk melepaskan sentuhan dari thin film.

Two Point Probe (TPP) juga dapat dilakukan untuk pengukuran Resistansi thin Film. dalam pengukuran ini di lakukan dua kali dengan 2 alat : alat ukur tegangan (Voltmeter) dan alat ukur arus (Amperemeter) secara terpisah namun hasil Resistansi sama dengan pengukuran resistansi dengan alat FPP. I V Thin Film Substrat Tekhnologi Film Tipis .

Jika L = b (di buat) b L t Rs = resistansi sheet t = ketebalan ρ = resistansi Thin Film Tekhnologi Film Tipis .Dalam perhitungan resistansi thin Film dengan metode ini dapat digunakan untuk menghitung specific resistivity dari bahan thin Film.

a Thin Film d Iab Vcd b Substrat c Tekhnologi Film Tipis . Metode Van der Pauw Metode Van der Pauw dapat digunakan untuk menentukan specific resistivity thin Film.3.

Dimana 4 kontak yaitu A. C. D (lihat gambar) Tekhnologi Film Tipis . D KEMUDIAN Arus diberikan pada titik B. B dan mengukur tegangan pada titik C. C dan tegangan di ukur pada titik A. Pengukuran dilakukan dengan memberikan arus pada titik A. B. D yang diletakkan pada permukaan sampel.

cd f = --------------------RBC . AD d = Ketebalan Tekhnologi Film Tipis .Kemudian untuk menentukan menggunakan pers : specific resistivity ρ dengan Dimana f = faktor loreksi Van der pauw RAB .