Режими росту гетероепітаксіальних систем

Механізми:

Ф-М – Франка-ван дер Мерве,
В-В – Волмера-Вебера,
С-К – Странского-Крастанова.
Ф-М: aS=af, f+ i s
В-В: aS=af, f+ i s
С-К: aSaf, f+ i  s:
Змочування,
пошаровий
ріст

Незмочування,
острівцевий
ріст

Ріст
змочуючого
шару +
наноострівці

Тут:
aS та аf – сталі граток підкладки
та шару,
f, I та s – поверхневі енергії
шару, інтерфейсу та підкладки

За рахунок відмінності в сталих гратки (4%) шар Ge стиснений.Ge (неузгодженість 4.Si . Відбувається накопичення пружної енергії. .Механізм Странского-Крастанова Спочатку росте змочуючий шар (“wetting layer” ≈ 4 моношари для системи Si-Ge).1%) . потім – перехід від 2D до 3D росту → формуються наноострівці Рушійна сила 2D-3D переходу – зменшення пружної енергії системи.

Ge (4% mismatch) .Origin of strain in nanoislands .Si Stranski-Krastanow growth Pseudomorphic 2D growth aSi  aSiGe   aSi is the mismatch strain .

which are free to relax in contrast to the bonds inside the island volume. .Механізм Странского-Крастанова A significant relaxation in huts we explain by a relatively large portion of the near-surface bonds.

Механізм Странского-Крастанова Можуть рости острівці типу “hut”. Грань – площина (105) =11о Грань – площина (113) =25о Час росту острівців ~100 секунд . пірамід та острівців.

huts 200nm pyramids a 200nm domes b 200nm c .Several monomodal ensembles of nanoislands of a particular shape were obtained by tuning the growth temperature. deposition rate and quantity of the deposited Ge.

(1 МШ=1.4 Å) 10 нм hut кластери 150nm 150nm 150nm 150nm 10 нм піраміди 30 нм куполи 50 нм надкуполи . швидкості осадження) формуються різні типи острівців Тр550оС. товщини Ge.В залежності від умов епітаксії (температури. dGe 8 МШ Тр550оС. dGe8 МШ 8 МШdGe 13 МШ dGe13 МШ .

Послідовні стадії росту Tросту=4000 C .

Tromp Phys. Lett.M. Rev. Ross.Залежність енергії острівця від об’єму F. 984 (1998) E = V 2/3 α 4/3 – Vα енергія записана в безрозмірних одиницях eV/atom Pyramid Dome Island Volume . J. R. 80.Tersoff.M.

то Виявляється. Звідки додатковий матеріал? . який осадили і порівняти з об’ємом острівців + змочувальний шар. що об’єм матеріалу ≈ в 2 рази менше.Увага! Якщо порахувати кількість матеріалу. що утворилася. ніж об’єм структури .

змочувальному шарі та підкладці Виміри показали: Vкан. тобто дифузія Si йде і через змочувальний шар о Оцінка коефіцієнта поверхневої дифузії (Т=700 С): Dпов810-11 см2/c (Dоб510-18 см2/c ) 30 h.Про вплив неоднорідних напружень на поверхневу дифузію Si в острівці свідчить формування канавок. VSi. нм 25 20 15 10 5 130nm 0 0 100 200 L. які збільшують релаксацію напружень в острівцях. нм 300 400 .

обумовлена неоднорідними напруженнями в наноострівцях. . Зарощування наноострівців кремнієм призводить до збільшення в них вмісту Si та величини напружень. Інтердифузія. призводить до часткового Si-Ge перемішування навіть при Тросту=4000С.При однаковій температурі росту куполоподібні наноострівці в порівнянні з пірамідами мають більший вміст Si та менші напруження.