MAKALAH FISIKA BAHAN SIFAT LISTRIK BAHAN - Semikonduktivitas

Diususun oleh: Febrilia Ramadani (2412100032)

JURUSAN TEKNIK FISIKA

FAKULTAS TEKNOLOGI INDUSTRI

INSTITUT TEKNOLOGI SEPULUH NOPEMBER SURABAYA 2014

MAKALAH FISIKA BAHAN SIFAT LISTRIK BAHAN - Semikonduktivitas

Diususun oleh: Febrilia Ramadani (2412100032)

JURUSAN TEKNIK FISIKA

FAKULTAS TEKNOLOGI INDUSTRI

INSTITUT TEKNOLOGI SEPULUH NOPEMBER SURABAYA 2014

KATA PENGANTAR Pertama-tama kami panjatkan puja dan puji syukur kehadirat Allah SWT karena dengan rahmatnya kami mampu menyelesaikan Makalah Fisika Bahan ini demgan sebaik-baiknya. Tidak lupa sholawat serta salam tetap tercurahkan kepada junjungan kita Nabi Besar Muhammad SAW. Dalam Makalah Fisika Bahan ini kami membahas tentang salah satu Sifat Listrik Bahan yaitu Semikonduktivitas. Kami berharap makalah yang kami buat ini nantinya dapat bermanfaat bagi seluruh pembacanya, sehingga dapat menambah pengetahuan dan wawasan para pembacanya. Tidak lupa kami juga mengucapkan banyak terima kasih kepada semua pihak yang telah membantu kami dalam menyusun Makalah ini, khususnya kami mengucapkan banyak terima kasih kepada Ibu Dosen pembimbing mata kuliah Fisika Bahan. Kami mengetahui masih banyak kesalahan dalam penyusunan makalah ini. Oleh karena itu kritik dan saran sangat kami butuhkan sebagai bahan perbaikan dalam penyusunan makalah yang akan datang.

Surabaya, 22 April 2014

Penulis

ii

DAFTAR ISI

Halaman Judul ................................................................................................................. i Kata Pengantar ................................................................................................................. ii Daftar Isi .......................................................................................................................... iii Daftar Gambar ................................................................................................................. iv Daftar Tabel ..................................................................................................................... v BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang ...................................................................................................... 1 1.2 Rumusan Masalah ................................................................................................. 1 1.3 Tujuan ................................................................................................................... 2 1.4 Sistematika Makalah ............................................................................................. 2 BAB II ISI 2.1 Semikonduktivitas ................................................................................................ 3 2.2 Semikonduktor Intrinsik ....................................................................................... 4 2.3 Semikonduktor Ekstrinsik..................................................................................... 5 2.4 Dioda Sambunhgan p-n ........................................................................................ 7 2.5 n-p-n Bipolar Junction .......................................................................................... 9 BAB III PENUTUP 3.1 Kesimpulan ................................................................................................................ 12

Daftar Pustaka ....................................................................................................... 13

iii

DAFTAR GAMBAR Gambar 2.1 Struktur Pita Energi Semikonduktor Intrinsik ................................. 4 Gambar 2.2 Reaksi Semikonduktor Ekstrinsik Tipe N ....................................... 6 Gambar 2.3 Reaksi Semikonduktor Ekstrinsik Tipe P ........................................ 6 Gambar 2.4 Konsentrasi Pembawa Muatan Sebagai Fungsi Suhu ...................... 7 Gambar 2.5 Struktur Pita Energi Daerah Sambungan p-n................................... 8 Gambar 2.6 Pemberian bias tegangan dan pita energi untuk tegangan maju (a) dan tegangan mundur (b) ........................................................................ 8 Gambar 2.7 Karakteristik I-V pada Sambungan P-N .......................................... 9 Gambar 2.8 Diagram BJT, jenis n-p-n (a) jenis p-n-p (b) ................................... 9 Gambar 2.9 Struktur alloy (a), Struktur planar (b), Simbol rangkaian (c) .......... 10 Gambar 2.10 Skema pergerakan pembawa muatan pada pengoperasian transistor n-p-n ................................................................................................. 11

iv

DAFTAR TABEL

Tabel 2.1 Bahan semikonduktor dan celah energinya .......................................... 3

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pertimbangan sifat listrik bahan seringkali penting ketika pemilihan dan proses selama mendesain komponen atau struktur material. Sifat kelistrikan bahan digolongkan menjadi 3 golongan yaitu konduktor, isolator, dan semikonduktor. Konduktor adalah bahan yang dapat menghantarkan arus listrik. Isolator adalah bahan yang tidak dapat menghantarkan arus listrik. Sedangakan semikonduktor adalah bahan yang bisa berfungsi sebagai isolator tetapi bisa juga menjadi konduktor. Semikonduktor merupakan alat yang banyak kegunaannya dalam bidang elektronika, terutama dalam pembuatan chip. Alat-alat yang terbuat dan semikonduktor diantaranya seperti diode, transistor, dan masih banyak lagi. Semikonduktor dapat terbuat dari Silikon dan Germanium tetapi masih banyak bahan-bahan semikonduktor lainnya. Semikonduktor intrinsik hanya terbuat dari Silikon atau Germanium murni. Sedangkan untuk semikonduktor ekstrinsik unsurunsur tadi diberi pengotoran dengan tujuan agar konduktivitasnya bertambah. 1.2 Rumusan Masalah Untuk membatasi lingkup pembahasan, maka masalah di dalam makalah ini difokuskan pada aspek-aspek berikut : 1. Apa itu semikonduktor intrinsik? 2. Apa itu semikonduktor ekstrinsik? 3. Bagaimana Divais sederhana (pn junction & npn bipolar junction)? 1.3 Tujuan Tujuan dari pembuatan makalah ini diantaranya adalah sebagai berikut : 1. Mengetahui definisi semikonduktor intrinsik 2. Mengetahui definisi semikonduktor intrinsik 3. Mengetahui divais sederhana (pn junction & npn bipolar junction) 1.4 Sistematika Makalah Pada makalah kali ini kami menggunakan beberapa bab. Di setiap bab kami juga menggunakan sub bab. Berikut ini sistematika penulisan makalah oleh kelompok kami : 1.4.1 Bab I Pendahuluan : a. Latar Belakang : Berisikan tentang hal-hal yang melatar belakangi pembuatan makalah ini. b. Rumusan Masalah : Rumusan masalah ini berisikan tentang masalahmasalah apa saja yang dihadapi pada makalah ini.

c. Tujuan : Tujuan ini berisikan tentang tujuan yang ingin kita dapatkan melalui makalah ini. d. Sistematik Laporan : Dalam sub bab ini dijelaskan mengenai apa saja yang ada di dalam makalah. 1.4.2 Bab II Isi : Pada bab ini berisikan tentang apa saja yang dibahas dalam makalah ini. 1.4.3 Bab III Penutup : a. Kesimpulan : Dalam sub bab ini diterangkan mengenai kesimpulan yang didapat pada makalah yang kami buat ini.

BAB II ISI

2.1 Semikonduktivitas Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di antara isolator dan konduktor. Bahan-bahan yang mempunyai sifat semikonduktif umumnya memiliki konduktivitas listrik antara 10-6 104 -1 m-1, dan celah energinya lebih kecil dari 6 eV. Sebuah semikonduktor bersifat sebagai isolator pada temperatur yang sangat rendah, namun pada temperatur ruangan bersifat sebagai konduktor. Bahan Semikonduktor dapat berupa bahan murni atau bahan paduan. Beberapa jenis bahan semikonduktor dan nilai celah energinya diberikan pada tabel 2.1. Tabel 2.1 Bahan semikonduktor dan celah energinya Bahan Golongan IV Si Ge Sn Celah Energi (eV) 1,11 0,67 0,08 Bahan Golongan III-V Ga As Ga P Ga Sb In As In P In Sb Celah Energi (eV) 1,40 2,24 0,77 0,33 1,29 1,16

Golongan II-IV Golongan IV-VI CdS 2,40 Pb S 0,40 Zn Te 2,26 Zn S Cd Te Cd Se Selain bahan semikonduktor komersial yang ditunjukkan pada tabel diatas, masih terdapat bahan semikonduktor lain yang oleh karena masalah teknis sintesisnya dan juga masih dalam taraf penelitian dan pengembangan, bahan tersebut belum dipakai secara luas. Bahan-bahan yang bersangkutan adalah bahan semikonduktor oksida dan bahan polimer. Contoh bahan oksida antara lain : CuO, ZnO, Ag2O, PbO, Fe2O3, SnO dan seterusnya, sedangkan contoh bahan polimer misalnya : poliasetilen, polipirol, politiofen, polianilin dan polimer konduktif sejenisnya. Ditinjau dari jenis pembawa muatan yang menghantarkan listrik di dalamnya, bahan semikonduktor dapat dibedakan menjadi bahan semikonduktor intrinsik dan ekstrinsik. Bahan semikonduktor intrinsik merupakan bahan semikonduktor yang

tidak mengandung atom-atom takmurnian (impuritas), sehingga hantaran listrik yang terjadi pada bahan tersebut adalah elektron dan lubang (hole). Sedangkan pada bahan semikonduktor ekstrinsik, karena mengandung atom-atom pengotor, pembawa muatan didominasi oleh elektron saja atau lubang saja. 2.2 Semikonduktor Intrinsik Semikonduktor instrinsik (murni) adalah semi konduktor yang tidak ataupun belum terkotori oleh atom-atom asing. Pada suhu 0 K, semua elektron menempati orbital-orbital ikatan dalam keadaan terikat. Susunan ini memberikan keadaan struktur pita energi sebagai berikut : Pita Valensi terisi penuh elektron dan Pita Konduksi kosong, sehingga pada bahan semikonduktor tidak terjadi aliran arus listrik meskipun dikenakan medan listrik padanya sehingga bersifat sebagai isolator. Pada suhu yang lebih tinggi misal pada suhu ruang (300 K), sebagian elektron di pita valensi memiliki energi yang cukup untuk bertransisi ke pita konduksi sehingga elektron di pita valensi dapat meloncat dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas dengan meninggalkan kekosongan pada pita valensi. Baik elektron pada pita konduksi maupun lubang pada pita valensi dapat bergerak bila pada semikonduktor tersebut diberikan medan listrik.

Gambar 2.1 Struktur Pita Energi Semikonduktor Intrinsik Jadi semikonduktor intrinsik pada suhu 0K bersifat sebagai isolator, dan pada suhu agak tinggi bersifat sebagai konduktor karena adanya pembentukan pasangan-pasangan eletron bebas hole yang keduanya berlaku sebagai pembawa ikatan. Jika konsentrasi (jumlah per volume) elektron bebas dalam semikonduktot instrinsik dinyatakan dengan ni dan konsentrasi hole dengan p maka berlaku, ni = p Ketergantungan konsentrasi pembawa muatan dalam semikonduktor instrinsik terhadap suhu dapat ditentukan berdasarkan statistik Fermi Dirac, dan menghasilkan formulasi sebagai berikut : 2 = 3 /

dengan, Ao = tetapan tak bergantung suhu T = suhu (K) EGO = energi gap pada 0K (eV) K = konstante Bolzman (eV/K) = 2,7 Daya hantar jenis dan tahanan jenis semikonduktor intrinsik di berikan oleh persamaan-persamaan, = ( + ) 1 = ( + ) dengan, = daya hantar/konduktivitas listrik = tahanan jenis = mobilitas elektron bebas = mobilitas hole = konsentrasi elektron = 1,6x10-19 2.3 Semikonduktor Ekstrinsik Berbeda dengan semikonduktor intrinsik, pada semikonduktor ekstrinsik jenis pembawa muatan hanya salah satu saja yang dominan, elektron atau lubang. Semikonduktor ekstrinsik dengan pembawa muatan mayoritas elektron disebut semikonduktor tipe-n, dan sebaliknya disebut semikonduktor tipe-p. a. Semikonduktor tipe-n Pada semikonduktor tipe ini, bahwa intrinsik seperti silikon memerlukan ketidakmurnian atom yang mempunyai elektron vatensi lebih dari empat. Ini dimaksudkan ada elektron sisa dalam membentuk ikatan dan dengan demikian elektron tersebut dapat berkonduksi (menjadi elektron bebas). Atom-atom pengatur dalam hal ini sering dipakai posfor () atau arsen (As) yang bervalensi lima dalam konsentrasi berorde ppm (= part per million / bagian dalam sejuta). Pada gambar 2.2 ditunjukkan bahwa energi Fermi bergeser mendekati pita konduksi oleh karena kehadiran tingkat energi donor (ED). Sebelum atom-atom donor terionisasi, tingkat energi donor terisi elektron yang merupakan elektron kelima dari setiap atom donor (pemberi elektron). Bila atom donor terionisasi (P atau As ), elektron bertransisi dari tingkat donor ke pita konduksi. Di pihak lain, transisi dari pita valensi tetap terjadi meskipun dalam intensitas yang kecil.
+ +

Gambar 2.2 Reaksi Semikonduktor Ekstrinsik Tipe N Meskipun jumlahnya lebih sedikit transisi ini menghasilkan lubang pada pita valensi. Sementara itu, pada pita konduksi terdapat elektron yang jumlahnya jauh lebih banyak. Dengan demikian dapat dikatakan bahwa dalam semikonduktor tipen, elektron sebagai pembawa muatan mayoritas sedangkan lubang merupakan pembawa muatan minoritas. Dalam keadaan atom-atom donor telah terionisasi seluruhnya, konsentrasi pembawa muatan : dengan ND adalah konsentrasi atom donor, dan konduktivitas listriknya : b. Semikonduktor tipe-p Kebalikan dari semikonduktor tipe-n, pada semikonduktor tipe-p atom-atom yang ditambahkan sebagai takmurnian adalah atom dengan valensi yang lebih kecil dari empat. Pada gambar 2.3. ditunjukkan kristal silikon yang mengandung atom takmurnian bervalensi tiga (boron, galium), dan struktur pita yang dihasilkannya.

Gambar 2.3 Reaksi Semikonduktor Ekstrinsik Tipe P Energi Fermi bergeser mendekati ke pita valensi karena munculnya tingkat energi akseptor (EA). Tingkat ini muncul oleh karena adanya kekurangan elektron pada atom impuritas. Bila atom impuritas terionisasi, atom ini akan mendapatkan elektron dari elektron-elektron terikat pada pita valensi. Oleh karena itu atom impuritas disebut atom akseptor (penerima elektron). Elektron yang bertransisi ketingkat akseptor meninggalkan lubang pada pita valensi. Seperti halnya pada semikonduktor tipe-n, elektron juga mungkin bertransisi ke pita konduksi meskipun

dengan probabilitas yang lebih kecil. Dengan mekanisme ini dihasilkan elektron bebas pada pita konduksi dalam jumlah yang jauh lebih kecil dari pada jumlah lubang pada pita valensi. Jadi, dalam semikonduktor tipe-p, pembawa muatan mayoritas adalah lubang dan pembawa muatan minoritas adalah elektron. Bila atom-atom akseptor terionisasi, tingkat akseptor terisi elektron. Dan bila ionisasi maksimum, artinya seluruh atom terionisasi maka konsentrasi lubang, NA adalah konsentarsi atom akseptor, dan konduktivitas yang dihasilkannya : Pada suhu yang bertambah terus, semikonduktor ekstrinsik baik tipe-n maupun tipe-p akan berubah menjadi semikonduktor intrinsik. Hal ini dimungkinkan karena bila suhu meningkat akan terjadi transisi elektron dari pita valensi ke pita konduksi yang terus-menerus. Akibatnya, konsentrasi intrinsik (ni) akan melebihi konsentrasi ekstrinsik.

Gambar 2.4 Konsentrasi Pembawa Muatan Sebagai Fungsi Suhu 2.4 Dioda Sambungan p-n Sambungan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n dapat dibuat dengan berbagai teknik. Pada dasarnya, keping silikon didifusi dengan atom-atom pengatur dalam fasa gas dari kedua sisi masing-masing untuk setiap tipe semikonduktor. Struktur pita energi bahan sambungan p-n adalah gabungan antara pita energi bahan tipe-n dan bahan tipe-p. Penyambungan ini terjadi dengan prinsip bahwa tingkat Fermi (EF) haruslah terletak setingkat. Sebagai akibat penerapan prinsip tersebut, timbulah potensial sambungan () atau energi potensial sambungan (). Pemberian bias tegangan pada ujung-ujung bahan sambungan akan meningkatkan atau menurunkan energi potensial sambungan, bergantung arah tegangan bias yang diberikan.

Gambar 2.5 Struktur Pita Energi Daerah Sambungan p-n Tegangan maju akan menurunkan energi potensial sambungan, sehingga arus listrik (pembawa muatan) dapat menyeberang sambungan. Sebaliknya, untuk tengangan mundur, energi potensial sambungan bertambah. Akibatnya, pembawa muatan tidak dapat menyeberang sambungan, arus listrik sulit mengalir. Berdasarkan sifat inilah sambungan p-n berfungsi sebagai penyearah arus (dioda). Tampak bahwa hambatan-dalam dioda ini tidak bernilai tetap, melainkan berubah menurut tegangan yang diberikan.

Gambar 2.6 Pemberian bias tegangan dan pita energi untuk tegangan maju (a) dan tegangan mundur (b) Berikut akan ditinjau daerah sambungan. Dalam masing-masing bahan, tipe-p dan tipe-n, distribusi muatan yang dikandungnya terdiri dari muatan positif bebas dan ion negatif statik dalam tipe-p, dan muatan negatif bebas serta ion positif statik dalam bahan tipe-n. Tepat pada daerah sambungan dan sekitarnya, terjadi difusi muatan bebas : elektron nenuju tipe-p dan lubang menuju tipe-n. Peristiwa difusi tersebut disertai terjadinya rekombinasi, yaitu penggabungan elektron dan lubang lalu lenyap. Dengan rekombinasi ini, di sekitar daerah sambungan tidak ada lagi muatan-muatan bebas, dan yang tertinggal hanyalah ion-ion statik, yaitu ion-ion dari atom-atom donor dan akseptor. Daerah sambungan dengan ciri yang demikian disebut daerah/lapisan deplesi. Karena daerah deplesi mengandung muatan positif statik pada salah satu sisi dan muatan negatif pada sisi yang lain, maka timbul

medan listrik pada daerah deplesi tersebut dan ini dapat dipandang sebagai sebuah keping sejajar. Perhatikan kembali karakteristik arus-tegangan (I-V) dioda terutama dalam keadaan tegangan mundur. Pada V<0, berapapun nilai V besarnya arus yang mengalir tetap I0. Apabila beda tegangan mundur telah mencapai nilai tertentu, elektron-elektron bebas pada tipe-n mempunyai energi kinetik cukup besar yang mampu menumbuk ke luar elektron-elektron valensi menjadi elektron bebas.

Gambar 2.7 Karakteristik I-V pada Sambungan P-N 2.5 n-p-n Bipolar Junction Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu membentuk transistor PNP maupun NPN. Transistor ini disebut transistor bipolar, karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutub negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutub positif, bi = 2 dan polar = kutub.

Gambar 2.8 Diagram BJT, jenis n-p-n (a) jenis p-n-p (b) 9

Terdapat dua jenis kontruksi dasar BJT, yaitu jenis n-p-n dan jenis p-n-p. Untuk jenis n-p-n, BJT terbuat dari lapisan tipis semikonduktor tipe-p dengan tingkat doping yang relatif rendah, yang diapit oleh dua lapisan semikonduktor tipe-n. Karena alasan sejarah pembuatannya, bagian di tengah disebut basis (base), salah satu bagian tipe-n (biasanya mempunyai dimensi yang kecil) disebut emitor (emitter) dan yang lainya sebagai kolektor (collector). Secara skematik kedua jenis transistor diperlihatkan pada gambar 3.9. Tanda panah pada gambar 3.9 menunjukkan kaki emitor dan titik dari material tipe-p ke material tipe-n. Perhatikan bahwa untuk jenis n-p-n, transistor terdiri dari dua sambungan p-n yang berperilaku seperti diode. Setiap diode dapat diberi panjar maju atau berpanjar mundur, sehingga transistor dapat memiliki empat modus pengoperasian. Gambar 3.10 (a) menunjukkan struktur transistor alloy n-p-n. Kolektor terbuat dari chip semikonduktor tipe-n dengan ketebalan kurang dari 1 mm2. Daerah basis dibuat dengan proses difusi kemudian dibuat kontak logam untuk dihubungkan dengan kaki basis. Daerah emitor dibuat dengan teknik alloy pada daerah basis. Sebagai hasilnya berupa sebuah pasangan sambungan p-n yang dipisahkan oleh daerah basis kira-kira setebal kertas. Untuk struktur planar (gambar 3.10 (b)), suatu lapisan tipe-n dengan tingkat doping rendah ditumbuhkan di atas substrat n+ (tanda + menunjukkan tingkat doping sangat tinggi). Setelah melalui proses oksidasi pada permukaan, sebuah jendela (window) dibuka dengan proses penggerusan (etching) dan suatu pengotor (p) dimasukkan ke kristal dengan proses difusi untuk membentuk sambungan (junction). Sekali lagi setelah melalui reoksidasi, sebuah jendela kecil dibuka untuk proses difusi pembentukan daerah emitor (n).

Gambar 2.9 Struktur alloy (a), Struktur planar (b), Simbol rangkaian (c) Secara konvensional simbol transistor n-p-n diperlihatkan pada gambar 3.10 (c) dilengkapi dengan tanda panah pada emitor yang menunjukkan aliran muatan positif. Walaupun sebuah transistor n-p-n akan bekerja dengan kedua daerah n dapat berfungsi sebagai emitor, namun karena kedua daerah mempunyai tingkat doping dan geometri yang berbeda, maka daerah n yang dimaksud harus diberi label.

10

Gambar 2.10 Skema pergerakan pembawa muatan pada pengoperasian transistor n-p-n.

11

BAB III PENUTUP 3.1 Kesimpulan Berdasarkan pembahasan yang telah diuraikan pada bab sebelumnya, maka penulis dapat menyimpulkan beberapa poin yang antara lain sebagai berikut : a. dengan mengetahui sifat listrik suatu bahan, kita dapat memilih bahan-bahan mana saja yang sesuai (cocok) dengan divais yang akan kita buat, menyesuaikan kondisi saat sangat konduktif dan sangat isolatif b. bahan semikonduktor merupakan salah satu jenis bahan yang termasuk kedalam jenis teknologi bahan terbaru karena sifatnya yang berada di antara konduktor dan isolator, c. sifat-sifat dan properti yang dimiliki oleh bahan semikonduktor sangat baik dan bagus apabila digunakan untuk pembuatan komponen komponen elektronika, seperti dioda dan transistor

12

DAFTAR PUSTAKA William D. Callister, Jr., Materials Science and Engineering 7th edition, Department of Metallurgical Engineering The University of Utah, New York 1940. McGraw-Hill series in Materials Science and Engineering

13