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SEP SNEST DGEST

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE TOLUCA
Electrónica Analógica
TRIAC, SCR, SBS, GTO, DIODO SCHOTTKY
PRESENTA
HUGO U!I"UEL AYALA GON#ALE#
ESPECIALIDAD
INGENIERIA EN $ECATRONICA
N% DE CONTROL
&'()'*+(
TRIAC
El Triac es un semiconductor, de la familia de los transistores. La
diferencia con el tiristor convencional es que éste es unidireccional, es decir,
funciona con corriente alterna en el sentido de polarización con medio semiciclo, y
el Triac es bidireccional, funciona en los semiciclos positivos y negativos.
Entonces un tiristor o SC, dar! solo la mitad de volta"e a la carga, mientras
que el Triac ser! todo el volta"e. #e forma coloquial podr$a decirse que el Triac es
un s%itc& que conmutar la corriente alterna a la carga. Su estructura interna se
aseme"a en cierto modo a la disposición que formar$an dos SC en antiparalelo.
Cuando el Triac conduce, &ay una trayectoria de flu"o de corriente de muy
ba"a resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la dirección de flu"o de la
polaridad del volta"e e'terno aplicado. Cuando el volta"e es mas positivo en (T),
la corriente fluye de (T) a (T* en caso contrario fluye de (T* a (T). En ambos
casos el Triac se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el Triac de"a de
conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la
polaridad del volta"e e'terno aplicado por tanto act+a como un interruptor abierto.
#ebe tenerse en cuenta que si se aplica una variación de tensión
importante al Triac ,dv-dt. a+n sin conducción previa, el Triac puede entrar en
conducción directa.
S/(01L1 esquem!tico y terminales del
Triac
E,tr-ct-ra * ca.a,


La estructura contiene seis capas
como se indica en la 234. 5unque
funciona siempre como un tiristor de
cuatro capas. En sentido (T)6(T*
conduce a través de 7*8*7)8) y en
sentido (T*6(T) a través de
7)8*7*89. La capa 8: facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. La
complicación de su estructura lo &ace mas delicado que un tiristor en cuanto a
di-dt y dv-dt y capacidad para soportar sobre intensidades. Se fabrican para
intensidades de algunos amperios &asta unos );; 5 eficaces y desde 9;; a *;;;
< de tensión de pico repetitivo. Los Triac son fabricados para funcionar a
frecuencias ba"as, los fabricados para traba"ar a frecuencias medias son
denominados alternistores En la 234. se muestra el s$mbolo esquem!tico e
identificación de las terminales de un Triac, la nomenclatura =nodo ) ,5). y =nodo
* ,5*. pueden ser reemplazados por Terminal 7rincipal ) ,(T). y Terminal
7rincipal * ,(T*. respectivamente.
CARACTERISTICA TENSION / CORRIENTE
234. 9
La 234. 9 describe la caracter$stica tensión > corriente del Triac. (uestra la
corriente a través del Triac como una función de la tensión entre los !nodos (T) y
(T*.
El punto <0# , tensión de ruptura. es el punto por el cual el dispositivo pasa de una
resistencia alta a una resistencia ba"a y la corriente, a través del Triac, crece con
un peque?o cambio en la tensión entre los !nodos.
El Triac permanece en estado 18 &asta que la corriente disminuye por deba"o de
la corriente de mantenimiento 3@. Esto se realiza por medio de la disminución de la
tensión de la fuente. Ana vez que el Triac entra en conducción, la compuerta no
controla mas la conducción, por esta razón se acostumbra dar un pulso de
corriente corto y de esta manera se impide la disipación de energ$a sobrante en la
compuerta.
El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la
tensión en el !nodo (T) es negativa con respecto al !nodo (T* y obtenemos la
caracter$stica invertida. 7or esto es un componente simétrico en cuanto a
conducción y estado de bloqueo se refiere, pues la caracter$stica en el cuadrante 3
de la curva es igual a la del 333
$ETODOS DE DISPARO
Como &emos dic&o, el Triac posee dos !nodos denominados , (T* y (T).
y una compuerta 4. La polaridad de la compuerta 4 y la polaridad del !nodo ), se
miden con respecto al !nodo *.
El Triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes 3 y 333
mediante la aplicación entre los terminales de compuerta 4 y (T* de un impulso
positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica muc&o
el circuito de disparo. <eamos cu!les son los fenómenos internos que tienen lugar
en los cuatro modos posibles de disparo.
& / El primer modo del primer cuadrante designado por I 012, es aquel en que la
tensión del !nodo (T) y la tensión de la compuerta son positivas con respecto al
!nodo (T* y este es el modo mas com+n ,3ntensidad de compuerta entrante..
La corriente de compuerta circula internamente &asta (T*, en parte por la unión
7)8) y en parte a través de la zona 7). Se produce la natural inyección de
electrones de 8) a 7), que es favorecida en el !rea pró'ima a la compuerta por la
ca$da de tensión que produce en 7) la circulación lateral de corriente de
compuerta. Esta ca$da de tensión se simboliza en la figura por signos B y 6 .
7arte de los electrones inyectados alcanzan por difusión la unión 7)8* que
bloquea el potencial e'terior y son acelerados por ella inici!ndose la conducción.
( / El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III032 es aquel en que
la tensión del !nodo (T) y la tensión de la compuerta son negativos con respecto
al !nodo (T* ,3ntensidad de compuerta saliente..
Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas
7)8*7*89.
La capa 8: inyecta electrones en 7) que &acen m!s conductora la unión 7)8*.
La tensión positiva de T* polariza el !rea pró'ima de la unión 7)8* m!s
positivamente que la pró'ima a la puerta. Esta polarización inyecta &uecos de 7)
a 8* que alcanzan en parte la unión 8*7* y la &acen pasar a conducción.
+ / El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I032 es aquel en que la
tensión del !nodo (T) es positiva con respecto al !nodo (T* y la tensión de
disparo de la compuerta es negativa con respecto al !nodo (T*, 3ntensidad de
compuerta saliente..
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unión. 3nicialmente conduce la
estructura au'iliar 7*8*7)8: y luego la principal 7*8*7)8).
El disparo de la primera se produce como en un tiristor normal actuando T* de
puerta y 7 de c!todo. Toda la estructura au'iliar se pone a la tensión positiva de
T) y polariza fuertemente la unión 7)8) que inyecta electrones &acia el !rea de
potencial positivo. La unión 7)8* de la estructura principal, que soporta la tensión
e'terior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura au'iliar,
entrando en conducción.
4 / El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III012 es aquel en que
la tensión del !nodo T) es negativa con respecto al !nodo (T*, y la tensión de
disparo de la compuerta es positiva con respecto al !nodo (T*,3ntensidad de
compuerta entrante..
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en
conducción la estructura 7)8*7*89.
La inyección de 8) a 7) es igual a la descrita en el modo 3,B.. Los que alcanzan
por difusión la unión 7)8* son absorbido por su potencial de unión, &aciéndose
m!s conductora. El potencial positivo de puerta polariza m!s positivamente el !rea
de unión 7)8* pró'ima a ella que la pró'ima a T*, provoc!ndose una inyección
de &uecos desde 7) a 8* que alcanza en parte la unión 8*7* encargada de
bloquear la tensión e'terior y se produce la entrada en conducción.
El estado 3,B., seguido de 333,6. es aquel en que la corriente de compuerta
necesaria para el disparo es m$nima. En el resto de los estados es necesaria una
corriente de disparo mayor. El modo 333,B. es el de disparo m!s dif$cil y debe
evitarse su empleo en lo posible.
En general, la corriente de encendido de la compuerta, dada por el fabricante,
asegura el disparo en todos los estados.
5OR$AS DE ONDA DE LOS TRIACS
La relación en el circuito entre la fuente de volta"e, el Triac y la carga se
representa en la 234.C. La corriente promedio entregada a la carga puede variarse
alterando la cantidad de tiempo por ciclo que el Triac permanece en el estado
encendido. Si permanece una parte peque?a del tiempo en el estado encendido,
el flu"o de corriente promedio a través de muc&os ciclos ser! peque?o, en cambio
si permanece durante una parte grande del ciclo de tiempo encendido, la corriente
promedio ser! alta.
234. C
An Triac no esta limitado a *D; de conducción por ciclo. Con un arreglo adecuado
del disparador, puede conducir durante el total de los :E; del ciclo. 7or tanto
proporciona control de corriente de onda completa, en lugar del control de media
onda que se logra con un SC.
Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda
de los SC, a e'cepción de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo.
En la 234.D se muestran las formas de onda tanto para el volta"e de carga como
para el volta"e del Triac , a través de los terminales principales. para dos
condiciones diferentes.
En la 234.D ,a., las formas de onda muestran apagado el Triac durante los
primeros :; de cada semiciclo, durante estos :; el Triac se comporta como un
interruptor abierto, durante este tiempo el volta"e completo de l$nea se cae a través
de las terminales principales del Triac, sin aplicar ning+n volta"e a la carga. 7or
tanto no &ay flu"o de corriente a través del Triac y la carga.
La parte del semiciclo durante la cual e'iste seta situación se llama !ngulo de
retardo de disparo.
#espués de transcurrido los :; , el Triac dispara y se vuelve como un interruptor
cerrado y comienza a conducir corriente a la carga, esto lo realiza durante el resto
del semiciclo. La parte del semiciclo durante la cual el Triac esta encendido se
llama !ngulo de conducción.
La 234.D ,b. muestran las mismas formas de ondas pero con !ngulo de retardo de
disparo mayor.
234.D
CIRCUITO PRACTICO PARA DISPARO
234.F
En la 234. F se muestra un circuito practico de disparo de un Triac
utilizando un AGT. El resistor 2 es un resistor variable que se modifica a medida
que las condiciones de carga cambian. El transformador T* es un transformador
de aislamiento, y su propósito es aislar eléctricamente el circuito secundario y el
primario, para este caso a$sla el circuito de potencia ca del circuito de disparo.
La onda senoidal de ca del secundario de T* es aplicada a un rectificador
en puente y la salida de este a una combinación de resistor y diodo zener que
suministran una forma de onda de )9 v sincronizada con la l$nea de ca. Esta forma
de onda es mostrada en la 234. E ,a..
Cuando la alimentación de )9 v se establece, C* comienza a cargarse
&asta la <p del AGT, el cual se dispara y crea un pulso de corriente en el devanado
primario del transformador T). Este se acopla al devanado secundario, y el pulso
del secundario es entregado a la compuerta del triac, encendiéndolo durante el
resto del semiciclo. Las formas de onda del capacitor, <c*., corriente del
secundario de T) , 3sec. y volta"e de carga ,<L#., se muestran en la 234. E ,b., ,c.,
,d..
La razón de carga de C* es determinada por la razón de 2 a *, que
forman un divisor de volta"e, entre ellos se dividen la fuente de cd de )9 v que
alimenta al circuito de disparo. Si 2 es peque?o en relación a *, entonces *
recibir! una gran parte de la fuente de )9 v , esto origina que el transistor pnp H*
conduzca, con una circulación grande de corriente por el colector pues el volta"e
de * es aplicado al circuito de base, por lo tanto C* se carga con rapidez. 0a"o
estas condiciones el AGT se dispara pronto y la corriente de carga promedio es
alta.
7or otra parte se 2 es grande en relación a *, entonces el volta"e a través
de * ser! menor que en el caso anterior, esto provoca la aparición de un volta"e
menor a través del circuito base6emisor de H* con la cual disminuye su corriente
de colector y por consiguiente la razón de carga de C* se reduce, por lo que le
lleva mayor tiempo acumular el <p del AGT. 7or lo tanto el AGT y el Triac se
disparan después en el semiciclo y la corriente de carga promedio es menor que
antes.
RECTI5ICADOR CONTROLADO DE SILICIO 0SCR2
Es un dispositivo semiconductor del tipo Tiri,t6r, es decir, se constituye por tres
terminalesI 7n686 0A2, c7t686 0K2 9 c6:.-erta 0G2;
S<:=6l6 8el SCR 9 A,.ect6 5<,ic6 8e Enca.,-la86
El SC es utilizado para el control de potencia eléctrica, de c6n8-cción
-ni8irecci6nal,en un solo sentido.J que al igual que un diodo rectificador puede
conducir una c6rriente 8e >n686 a C7t686 0IAK2 en .6lari?ación 8irecta y se
comporta virtualmente como un circuito abierto en .6lari?ación in@er,a
0!KA2 debido a la alta resistencia que presenta en inverso.
5 diferencia del diodo rectificador, el SC cuenta con una condición adicional para
conducir. Esta es que en la tercera terminal, llamada compuerta ,4ate. de control
o de disparo, en la cual se necesita una se?al capaz de producir la conducción del
SC. Esta compuerta permite controlar el instante, dentro del posible semiciclo de
conducción, en que la conducción de corriente se iniciaJ lo cual significa que podr!
circular corriente en una magnitud promedio o (S que depender! del instante en
que el SC sea disparado, pudiendose as$ controlar la potencia de la carga.
5UNCIONA$IENTO DEL SCR EN CORRIENTE CONTINUA
Si no e'iste corriente en la compuerta el tristor no conduce. Lo que sucede
después de ser activado el SC, es que se queda conduciendo ,activado. y se
mantiene as$. Si se desea que el tristor de"e de conducir ,desactivado., el volta"e
B< debe ser reducido a ; <oltios.
Si se disminuye lentamente el volta"e ,tensión., el tristor seguir! conduciendo
&asta que por el pase una cantidad de corriente menor a la llamada Kcorriente de
mantenimiento o de retenciónK, lo que causar! que el SC de"e de conducir
aunque la tensión !G ,volta"e de la compuerta con respecto a tierra no sea cero.
Como se puede ver el SC , tiene dos estadosI
*6 Estado de conducción, en donde la resistencia entre !nodo y c!todo es muy
ba"a
)6 Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada

5UNCIONA$IENTO DEL SCR EN CORRIENTE ALTERNA
Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga
eléctrica. ,0ombillo, (otor, etc... La fuente de volta"e puede ser de **;< c.a.,
*);< c.a., )9;< c.a. , etc.
El circuito C produce un corrimiento de la fase entre la tensión de entrada y la
tensión en el condensador que es la que suministra la corriente a la compuerta del
SC. 7uede verse que el volta"e en el condensador ,en azul. est! atrasado con
respecto al volta"e de alimentación ,en ro"o. causando que el tiristor conduzca un
poco después de que el tiristor tenga la alimentación necesaria para conducir.
#urante el ciclo negativo el tiristor se abre de"ando de conducir. Si se modifica el
valor de la resistencia, por e"emplo si utilizamos un potenciómetro, se modifica el
desfase que &ay entre las dos tensiones antes mencionadas ocasionando que el
SC se active en diferentes momentos antes de que se desactive por le ciclo
negativo de la se?al. y de"e de conducir.
An7li,i, gr7Aic6 8el Di,.ar6 9 !6ltaBe 8e ,ali8a 8el SCR

SBS
Un SBS o Interruptor Bilateral de Silicio, por sus siglas en inglés (Silicon Bilateral
Switch) es un tiristor del tipo bidireccional, que está compuesto por
dos tiristoresunidireccionales o SUS conectados en antiparalelo. Al igual que
los tiristores U!, "U! # SUS, el SBS es utili$ado en circuitos osciladores de rela%aci&n
para el control de disparo de dispositi'os que entregan potencia eléctrica a una carga, como
los S() # los !)IA(* la di+erencia consiste en que pueden dispararse tanto en el semiciclo
positi'o como en el negati'o de una +uente de 'olta%e de corriente alterna, debido a que
pueden polari$arse directa e in'ersamente.

Construcción
(omo casi todos los +amiliares de los tiristores, el SBS cuenta con tres cone,iones- la
compuerta (.), el ánodo o terminal / (A/ o !/) # el ánodo o terminal 0 (A0 o !0). Una
caracter1stica mu# especial de este dispositi'o es que no es una 'ersi&n modi+icada de
un diodo con sus capas 2"2", sino más bien está compuesto internamente
por transistores, diodos 3ener # resistenciasinternas, # que además 'ienen +abricados
como circuitos integrados.
Curva Característica de Voltaje-Corriente
Un SBS puede dispararse con la compuerta conectada o desconectada* esta terminal
solamente proporciona ma#or +le,ibilidad en el disparo # por tanto altera sus caracter1sticas
de 'olta%e4corriente. Si se comparara esta cur'a caracter1stica con la de un 5IA(, se podr1a
obser'ar que son mu# similares* sin embargo, la cur'a del SBS tiene una regi&n
de resistencia negati'a más pronunciada, lo que signi+ica que su ca1da de 'olta%e es mucho
más drástica después de llegar a su estado de conducci&n. Usualmente, el 'olta%e de ruptura
de un SBS se encuentra entre los 6 # 7 'oltios, cu#o 'olta%e es mucho menor que el de
un 5IA(.
Uso de la compuerta del SBS para modificar la curva característica de un SBS
8a compuerta de un SBS es usada para alterar el comportamiento mostrado en la cur'a
caracter1stica 9olta%e4(orriente* por e%emplo, si se desea tener ángulos de disparo di+erentes
en los semiciclos positi'os # negati'os, se puede conectar un diodo 3ener entre la
compuerta . # la terminal !/, con la +inalidad de que el 'olta%e de ruptura directo llegue
hasta el 'alor de 'olta%e deldiodo 3ener, mientras que el 'olta%e de ruptura in'erso no se
modi+ica. (on esto, se logra modi+icar el 'olta%e de ruptura original a uno determinado por
el :usuario: para una aplicaci&n cualquiera, aunque no es com;n tener di+erentes ángulos
de ruptura.
Ventajas
Además de su ca1da de 'olta%e más drástica debido a su regi&n de resistencia negati'a, lo
cual permite una conmutaci&n más rápida, el SBS es mucho más estable térmicamente #
más simétrico que su +amiliar cercano, el 5IA(.
<stabilidad térmica- <sto signi+ica que ante incrementos de temperatura, el SBS mantiene
un 'olta%e mu# estable* de acuerdo con la ho%a de especi+icaciones de la compa=1a
">?<)<@,/el modelo BSAB54!//0 cuenta con un coe+iciente de temperatura de
A.A/CDE(. <n otras palabras, por cada grado cent1grado que 'ar1e la temperatura del
dispositi'o, su 'olta%e de ruptura cambiará en un A.A/C, con'irtiéndolo en un dispositi'o
mu# estable térmicamente hablando.
Simetr1a- (uando se menciona que el SBS es simétrico, es porque los 'olta%es de ruptura en
los semiciclos positi'os # negati'os son iguales o casi iguales. <sto se puede 'eri+icar en la
se=al de salida de un SBS- sus ángulos de disparo en los dos semiciclos son prácticamente
iguales.
Circuitos de Disparo
8os siguientes circuitos son utili$ados para el control del disparo de un SBS. <n el primero,
con la selecci&n adecuada de dos resistencias se puede regular la corriente que circula por
la compuerta del SBS # por lo tanto permite a%ustar su ángulo de disparo # la potencia
entregada a una carga cualquiera. 2&tese que los ángulos de disparo en los dos semiciclos
son iguales. <n el segundo # tercer circuito se controla indirectamente la potencia entregada
a la carga, al controlar directamente el disparo de un S() # !)IA(, respecti'amente.
5ependiendo de los 'alores deresistencias # capacitancias seleccionados, as1 mismo será el
tiempo de carga # descarga del condensador (constante )()* al cargarse el condensador
hasta un 'olta%e determinado, el SBS se disparará # le entregará pulsos
de 'olta%e al S() o !)IA( para que se disparen # le entreguen la potencia a la carga. <l
segundo circuito es com;nmente utili$ado para el control de motores 5(, mientras que el
tercero es +recuentemente usado para control de iluminaci&n (luces) # calentadores
eléctricos.
GTO 0CGate T-rn3OAA TD9ri,t6rE2
5 pesar de que el 4T1 fue inventado en el inicio de la década de los a?os E;, &a
sido poco empleado debido a sus reducidas prestaciones. Con el avance de la
tecnolog$a en el desarrollo de dispositivos semiconductores, se &an encontrado
nuevas soluciones para me"orar tales componentes que &acen que &oy ocupen
una fran"a significa dentro de la electrónica de potencia, especialmente en
aquellas aplicaciones de elevada potencia, con dispositivos que alcanzan los
F;;; < y los 9;;; 5.
Como se &a visto en los apartados anteriores, uno de los inconvenientes de los
tiristores tipo SC o T35C es que no tenemos control e'terno por parte del
usuario del paso de conducción a bloqueo. 7ara aquellas aplicaciones en las que
nos interese poder bloquear un interruptor de potencia en cualquier instante es
necesario utilizar otro tipo de semiconductores diferentes a los SCs o T35Cs
El 4T1 es un tiristor con capacidad e'terna de bloqueo. La puerta permite
controlar
las dos transicionesI paso de bloqueo a conducción y viceversa. El s$mbolo
utilizado para el
4T1 se muestra en la siguiente figura ,2ig. ).*)., as$ como su estructura interna
en dos
dimensiones.
Principio de funcionamiento
El 4T1 tiene una estructura de 9 capas, t$pica de los componentes de la familia de
los tiristores. Su caracter$stica principal es su capacidad de entrar en conducción
y bloquearse a través de se?ales adecuadas en el terminal de puerta 4.
El mecanismo de disparo es parecido al del SCI suponiendo que est!
directamente polarizado, cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula
corriente entre puerta y c!todo. Como la capa de la puerta es suficientemente fina,
gran parte de los portadores se mueven &asta la capa 8 adyacente, atravesando
la barrera de potencial y siendo atra$dos por el potencial del !nodo, dando inicio a
la corriente anódica. Si ésta corriente se mantiene por encima de la corriente de
mantenimiento, el dispositivo no necesita de la se?al de puerta para mantenerse
en conducción
El funcionamiento como
4T1 depende, por e"emplo, de factores comoI
L 2acilidad de e'tracción de portadores por el terminal de puerta > esto es posible
debido al uso de impurezas con alta movilidad.
L !pida desaparición de portadores en las capas centrales > uso de impurezas
con ba"o tiempo de recombinación. Esto indica que un 4T1 tiene una mayor
ca$da de tensión en conducción, comparado a un SC de dimensiones iguales.
L Soportar tensión inversa en la unión puerta6c!todo, sin entrar en avalanc&a >
menor dopado en la región del c!todo.
L 5bsorción de portadores de toda la superficie conductora > región de puerta6
c!todo con gran !rea de contacto.
5l contrario del SC, un 4T1 puede no tener la capacidad de bloquear tensiones
inversas.
DIODO SCHOTTKY O DE BARRERA
Son dispositivos que tienen una ca$da de volta"e directa ,<2. muy peque?a, del
orden de ;.: < o menos. 1peran a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes
de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. eciben también el
nombre de diodos de recuperación r!pida ,2ast recovery. o de portadores
calientes.

5UNCIONA$IENTO

Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal met!lica y un material
semiconductor, el contacto tiene, t$picamente, un comportamiento ó&mico
cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente.
Cuando este contacto se &ace entre un metal y una región semiconductora con la
densidad del dopante relativamente ba"a, las &o"as dominantes del efecto debe ser
el resistivo, comenzando también a tener un efecto de rectificación. An diodo
Sc&ottMy, se forma colocando una pel$cula met!lica en contacto directo con un
semiconductor, seg+n lo indicado en la figura 8N). El metal se deposita
generalmente en un tipo de material
8, debido a la movilidad m!s grande de los portadores en este tipo de material. La
parte met!lica ser! el !nodo y el semiconductor, el c!todo.

2igura *. Encapsulado comercial de un diodo
En una deposición de aluminio 5l ,: electrones en la capa de valencia., los
electrones del semiconductor tipo 8 migran &ac$a el metal, creando una región de
transición en la ensambladura.
2igura ). Construcción y s$mbolo de un diodo
Se puede observar que solamente los electrones ,los portadores mayoritarios de
ambos materiales. est!n en tr!nsito. Su conmutación es muc&o m!s r!pida que la
de los diodos bipolares, una vez que no e'istan cargas en la región tipo 8, siendo
necesaria re&acer la barrera de potencial ,t$picamente de
;,:<.. La egión 8 tiene un dopa"e relativamente alto, a fin de reducir la pérdida
de conducción, por esto, la tensión m!'ima soportable para este tipo de diodo est!
alrededor de los *;;<.
2igura :. Curva caracter$stica.

En los ane'os podremos ver algunas caracter$sticas y curvas espec$ficas de
funcionamiento del diodo Sc&ottMy ante diferentes par!metros tales como
temperatura, capacitancia, etc.

57L3C5C318ES

6 En fuentes de ba"a tensión en la cuales las ca$das en los rectificadores son
significativas.
6 Circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes
velocidades de conmutación y mediante su poca ca$da de volta"e en directo
permite poco gasto de energ$a.
6 <ariadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al
variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades.
6 El diodo Sc&ottMy se emplea en varios circuitos integrados de lógica TTL.
7or e"emplo los tipos 5LS y 5S permiten que los tiempos de conmutación entre los
transistores sean muc&o menores puesto que son m!s superficiales y de menor
tama?o por lo que se da una me"ora en la relación velocidad-potencia. El tipo
5LS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las
5L presentan el doble de velocidad que las Sc&ottMy TTL con la misma potencia.
6 TTL6S ,sc&ottMy. I Serie r!pida ,usa diodos Sc&ottMy.
6 TTL65S ,advanced sc&ottMy. I <ersión me"orada de la serie anterior
6 TTL6LS ,lo% po%er sc&ottMy. I
Combinación de las tecnolog$as L y S ,es la familia m!s e'tendida.
6 TTL65LS ,advanced lo% po%er sc&ottMy. I <ersión me"orada de la serie 5S
6 TTL62 ,25ST I fairc&ild advanced sc&ottMy.
6 TTL652 ,advanced 25ST. I <ersión me"orada de la serie 2

#ES<E8T5G5S

Las dos principales desventa"as del diodo Sc&ottMy sonI

6 El diodo Sc&ottMy tiene poca capacidad de conducción de corriente en directo ,en
sentido de la flec&a..

Esta caracter$stica no permite que sea utilizado como diodo rectificador. @ay
procesos de rectificación ,por e"emplo fuentes de alimentación. en que la cantidad
de corriente que tiene que conducir en sentido directo es bastante grande.