14

CAPITOLUL 2



TRADUCTOARE DE RADIAII OPTICE



2.1 Structura general a unui traductor optoelectronic

Diferena ntre un traductor electronic i un traductor optoelectronic este la
senzor, care n acest caz este optoelectronic. Schema bloc a unui senzor
optoelectronic este prezentat n fig. 2.1.
Sursa de radiaie optic poate fi de orice tip: coerent sau necoerent, de band
larg sau de band ngust i putere optic mare sau mic, n funcie de mediul de
propagare ales, de distana pn la senzorul optic pasiv, tipul senzorului optic
pasiv, tipul mrimii de msurat i aplicaie. Mrimea de msurat determin variaia
unuia din parametrii undei de radiaie optic n senzorul optic pasiv: intensitate,
faz, polarizare, lungime de und sau frecven de modulaie.
Senzorul optic activ (denumit i detector optic sau fotodetector) convertete
variaia intensitii undei de radiaie optic de la ieirea senzorului optic pasiv n
variaia unui semnal electric: tensiune, curent, sarcin sau rezisten.
n fig. 2.2 este reprezentat schema bloc a senzorului optoelectronic cu variaia
polaizrii radiaiei optice.
n acest caz, sursa de radiaie optic trebuie s fie monocromatic i s permit
o definire corect a strii de polarizare. Blocul polarizor este un element optic care
permite obinerea unei polarizri bine definite. Conine un polarizor i mai multe
lame ce permit un defazaj fix sau continuu variabil ntre dou polarizri

Sursa de
radiaie
optic
Senzor
optic activ
Sursa de
tensiune
alimentare
Senzor
optic
pasiv
Radiaie
optic
Radiaie optic
modulat n
intensitate
Mrime de
msurat
Semnal
electric
Fig. 2.1

15
ortogonale. Senzorul optic pasiv este un mediu a crui birefringen depinde de
mrimea de msurat. Conversia se face prin efect elasto-optic, electro-optic sau
magneto-optic.

Blocul analizor de polarizare permite analiza strii de polarizare a undei de
radiaie optic de la ieirea modulatorului optic i se complic dac se msoar toi
parametrii care descriu starea de polarizare. n cele mai multe cazuri, este
suficient msurarea unuia sau a doi parametri cu ajutorul unor elemente fixe,
ceilali parametri fiind cunoscui. Acest lucru este posibil dac se cunoate evoluia
birefringenei senzorului optic pasiv n funcie de variaia mrimii de msurat.
Analizorul de polarizare transform variaia polarizrii n variaii de intensitate.
Rolul senzorului optic pasiv este acela al unui modulator optic, ns transform
i variaia parametrului modulat n variaie de intensitate optic.


2.2 Surse de radiaii optice

2.2.1 Surse de radiaii optice necoerente

Principalele surse de radiaii optice necoerente sunt sursele cu incandescen,
lmpile cu descrcare i diodele electroluminiscente (LED).
a) Sursele cu incandescen sunt lmpile cu halogen iod sau brom i filament
de tungsten, care produc radiaie optic stabil, strlucitoare, n domeniul vizibil i
infrarou. Radiaia optic se emite datorit excitrii termice a atomilor sau
moleculelor sursei. Spectrul radiaiei este continuu i aproximeaz un corp negru.
Distribuia spectral i fluxul total radiat depind de temperatur, suprafaa de
inciden i emisivitate.

Sursa de
radiaie
optic
Senzor
optic
pasiv
Sursa de
tensiune
alimentare

Polarizor
Mrime de
msurat
Fig. 2.2
Analizor
de
polarizare
Senzor
optic
activ

16
Sursele cu incandescen produc o temperatur de aproximativ 3000 K iar
emisivitatea este de 0,4 n domeniul vizibil. n aceste lmpi, halogenul nltur
tungstenul depus n interiorul balonului de cuar i l rentoarce la filamentul cald,
lsnd interiorul balonului lmpii curat i crescnd durata de via. Acest proces
poart numele de ciclu halogen. Energia radiat are un maxim pentru lungimea de
und de aproximativ 1 m.
Avantaje: energie radiat mare, spectru de emisie ntins, cost sczut.
Dezavantaje: fragilitate mare, durat scurt de via (4000 ore), radiaie puin
n domeniul vizibil, inerie termic mare, absena directivitaii.
b) Lmpile cu descrcare sunt de dou tipuri:
- cu descrcare n gaz la presiune sczut i
- cu descrcare n gaz la presiune mare.
n lmpile cu descrcare n gaz la presiune sczut, datorit ionizrii atomilor
sau moleculelor gazului n urma descrcrii brute a unui condensator apare un
curent electric. Electronii din atomii de gaz devin excitai la nivele energetice
superioare i cad pe nivele inferioare emind radiaie optic, sub forma unor linii
spectrale nguste, fixe, cu radiaie mic.
Lmpile cu arc cu densitate mare de curent, cu descrcare n gaz cu presiune
mare sunt sursele convenionale de radiaie optic cu strlucirea cea mai mare.
Atomii sau moleculele de gaz sunt puternic excitai. Rezultatul este obinerea
plasmei n tot volumul interior. Plasma fierbinte emite ca o surs incandescent, n
timp ce atomii ionizai emit linii lite. Distribuia spectral a radiaiei este o
combinaie de spectru continuu i spectru de linii. Cele mai uzuale surse de acest
tip sunt lmpile cu arc scurt cu xenon sau vapori de mercur. Se pot folosi i alte
gaze ca argon, kripton, neon, deuteriu, hidrogen, vapori de sodiu, vapori de
zirconiu sau amestecuri de gaze. Carcasa se realizeaz din material transparent, de
obicei safir, datorit proprietilor de transfer de cldur foarte bune. Dezavantajul
safirului este prelucrarea dificil. Forma optic este cilindric, specific aplicaiei,
cu doi electrozi la extremiti. Pentru a extinde gama spectral a radiaiei emise se
folosesc ferestre de florur de magneziu, spectrul radiaiei ajungnd de la 110 nm
la IR apropiat.
Lmpile cu arc cu descrcare n gaz cu presiune mare se folosesc n und
continu sau n impulsuri de putere mare, curenii fiind 1... 700 A. cu impulsuri de
1 .. 10 ms.
Aplicaiile lor sunt: ca surse de pompare pentru laserele optice cu cristale
solide i n aplicaii industriale, de msurare, comerciale, etc.
c) Diode electroluminescente
Caracteristicile diodelor electroluminescente
Radiaia optic emis de o diod electrolumincscent (LED) nu este riguros
monocromatic. Limea tipic de emisie este de aproximativ 40 nm (msurat la
jumtatea nlimii vrfului de radiaie spectral). La creterea temperaturii,

17
spectrul se transleaz spre lungimi de und mai mari deoarece limea benzii
energetice interzise W
g
variaz cu temperatura.
Diodele electroluminescente cele mai eficiente se bazeaz pe structuri cu
heterojonciune dubl: cu emisie de suprafa i cu emisie lateral. Dioda cu emisie
lateral are caracteristic de radiaie cu directivitate mai bun dect dioda cu emisie
de suprafa, astfel eficiena de cuplare la fibra optic este mai bun.
Schema echivalent electric a unei diode electroluminescente este n fig. 2.3.
Elementele neliniare R i C reprezint jonciunea i variaz cu tensiunea de
polarizare direct. Elementele L
s
, R
s
i C
0
depind de conexiunile la capsul i la
poriunile semiconductoare din afara jonciunii. Dac R
s
<< R, caracteristica static
a diodei electroluminescente seamn cu a diodei semiconductoare obinuite.
Capacitatea C are valoarea de aproximativ 1 nF pentru un curent direct de 100 mA
Modulaia puterii radiaiei optice emise de un LED se face acionnd asupra
curentului direct, ntr-o band de frecven de 0 Hz...200 MHz.
Avantajele LED-urilor sunt urmtoarele: consum electric mediu, liniaritate
bun ntre puterea radiat i curentul direct, band de trecere mare, rezisten bun
la ocuri i vibraii, fiabilitate foarte bun, cuplare uoar la fibra optic,
compatibilitate cu circuitele de comand logice.
Dezavantajele principate ale LED-urilor sunt puterea optic sczut (< 100
mW) i dependena de temperatur a puterii optice emise.

Diode efectroluminescente cu heterostructur dubl
LED-urile cu heterostructur dubl pentru puteri optice mari (>100mW) au o
configuraie apropriat de a unei diode laser, cu strat activ i o fa reflectoare,
amplificarea radiaiei fcndu-se n urma unei singure treceri prin dispozitiv.
Aceste LED-uri se mai numesc i diode superluminescente (SLED).
Structura tipic a unei SLED verde este reprezentat n fig 2.4.
ZnSe este transparent pentru radiaia verde a stratului activ ZnTeSe, astfel
puterea optic radiat fiind mai mare. La trecerea unui curent direct de 10 mA, se
obin 1,3 mW putere optic, cu lungimea de und la vrful radiaiei spectrale de
512 nm.

C R
L
s
R
s

C
0
Fig. 2.3

18

Materialele folosite nu trebuie s aib caliti foarte bune, de exemplu LED-
urile pe baz de azot conin 10
9
... 10
11
dislocaii/cm
2
n timp ce diodele laser se
realizeaz din materiale cu mai puin de 10
6
dislocaii/cm
2
.
Dislocaiile sunt defecte liniare create de perturbaii n periodicitatea reelei
cristaline. Densitatea dislocaiilor influeneaz direct fiabilitatea dispozitivului. S-
au obinut deja cristale XnSe cu densitatea de 10
3
dislocaii/cm
2
, existnd
certitudinea obinerii unor dispozitive cu performane superioare.

LED-uri cu cavitate rezonant (RCLED)
Structura tipic tipic a unui RCLED este dat n fig. 2.5.


Substrat ZnSe
ZnSe n

ZnSe p
Electrod metalic
Electrod metalic
HgSe
ZnTeSe
Strat activ din ZnTeSe
Fig. 2.4
Substrat ZnCdTe
Hg
1-x
Cd
x
Te
(x = 0,51)
Au
Zn
x
Cd
1-x
Te p
(x = 0,1)
Strat activ
Hg
0,49
Cd
0,51
Te/HgTe
Electrod
Hg
1-x
Cd
x
Te n
(x = 0,75)
Hg
1-x
Cd
x
Te
(x = 0,75)
Fig. 2.5

19
Exist LED-uri cu cavitate rezonant pentru lungimi de und de 3...5 m.
LED-urile cu cavitate rezonant (RCLED) sunt mai eficiente dect cele simple
deoarece folosesc tehnologii similare cu ale diodelor laser cu cavitate vertical i
emisie de suprafa (VCSEL). RCLED sunt mai uor de realizat dect VCSEL,
necesitnd un numr mic de perioade Bragg. Reflectoarele Bragg se fac din aliaje
HgCdTe, deoarece au un contrast mare al indicelui de refracie, de pn la 20%
pentru = 1 10 m.
RCLED se obin prin cretere epitaxial molecular pe substrat ZnCdTe.
Oglinda de jos este un reflector Bragg distribuit. Cavitatea n /2 este realizat din
acelai material, avnd un rezervor de 50 nm din pseudoaliaj. Ultimele trei
perioade ale oglinzii de jos i primii 100 nm ai cavitii sunt dopai cu In n. La
captul cavitii exist un strat de 100 nm de ZnCdTe tip p dopat cu N. Oglinda de
sus este realizat dintr-un strat de Au. Reflectorul Bragg cu perioada de 10,5 are
reflectivitatea maxim de 86 % msurat la = 3,2 m.
Cnd dispozitivul este polarizat direct, emisia radiaiei se face la lungimea de
und de rezonan a cavitii de 3,19 . Limea liniei de emisie depinde doar de
limea cavitii rezonante. Astfel, s-a mbuntit directivitatea, obinndu-se un
unghi sub 50 la jumtatea nlimii vrfului de radiaie optic i eficien cuantic
extern de (0,2... 1,7).10
-3
.

LED-uri din polimer cu radiaie optic polarizat
Constau dintr-un strat de politiofen ntins ntre doi electrozi subiri, pe un
substrat de sticl. Macromoleculele din polimer sunt orientale aleatoriu i radiaia
emis este nepolarizat. Lanurile ns pot fi ntinse i aliniate prin ntindere
mecanic Tranziiile dipolilor sunt orientate de-a lungul direciei dominante a
lanurilor iar electroluminiscena este paralel cu aceast orientare. Emisia unui
strat ntins va fi astfel polarizat.
Raportul dintre radiaia optic emis perpendicular pe direcia de orientare i
radiaia emis paralel este de 2,4 ... 3,1, n funcie de material. Materialul folosit
este polinom tip PTOPT. Radiaia optic emis este n gama rou-portocaliu pentru
un curent direct de 3 mA.
Eficiena cuantic este aproximativ 0,01 % la tensiunea direct de 2 V i < 0,1
% la 4 V.


2.2.2 Surse de radiaii optice coerente

Sursele de radiaii optice coerente sunt denumite uzual surse laser i au
urmtoarele proprieti:
- Monocromaticitate mare, echivalent cu o lime spectral ngust i o
mare coeren temporal;

20
- divergen mic,
- dimensiune mic a fascicolului,
- coeren spaial mare sau focalizare limitat de difracie;
- putere mare: n und continu (mW MW), impulsuri (GW EW);
- gam mare de acord, existnd surse laser pentru aproape tot spectrul optic;
- impulsuri laser cu limi foarte nguste.


2.2.2.1 Diode laser

a. Diode laser cu cavitate optic rezonant Fabry - Perot
Sunt realizate cu structura de tip heterojonciune dubl. Stratul activ este
ncadrat ntre dou straturi cu benzi interzise mai mari (pentru captivitate electric)
i indici de refracie mai mici (pentru captivitate optic). Crete astfel eficiena,
putndu-se obine funcionarea n und continu. Structura este crescut pe GaAs
multistrat dopat.
Factorii care determin eficiena emisiei radiaiei laser sunt banda interzis,
indicele de refracie, constanta reelei cristaline, structura dispozitivului i calitatea
materialelor.
Lungimea de und a radiaiei laser depinde de grosimea benzii interzise a
stratului activ. GaAs pur are energia benzii interzise de 1,35 eV la temperatura
camerei, corespunznd unei lungimi de und de 905 nm. Adugnd Al n structura
GaAs, crete energia benzii interzise, mutnd emisia laser spre lungimi de und
mai mici. Pentru concentrai variabile de Al, n structura GaAlAs se obin emisii
pn 620nm. Schimbarea structurii nivelelor energetice reduce eficiena emisiei
laser la lungimi de und mai mici, limitnd durata de via. Lungimile de coeren
ale diodelor laser multimod sunt de civa mm.
Constructiv, diodele laser nu difer de diodele LED dect prin calitatea
materialelor i contactele metalice necesare pentru asigurarea densitilor ridicate a
purttorilor de sarcin injectai. Cel mai adesea aceste contacte sunt sub form de
band cu limea de civa microni, situat deasupra zonei active, diodele laser
avnd denumirea de diode laser cu geometrie de band.
Diodele laser cu heterojonciune dubl cu geometrie de band, se realizeaz n
dou variante:
- cu ghidare prin ctig i
- cu ghidare prin indicele de refracie.
n cazul diodei laser cu heterojonciune dubl cu geometrie de band, cu
ghidare prin ctig, limea benzii determin limea zonei active, doar regiunea
de sub band, unde captivitatea curentului este suficient, prezint ctig optic.
Radiaia laser emis este ghidat transversal. Exist diverse variante de structuri cu

21
ghidaj prin ctig, realizate n sisteme GaAs-GaAlAs i InP-GalnAsP: cu
localizarea curentului prin izolant, cu localizarea curentului cu diode Schottky, etc.
Diodele laser cu heterojonciune dubl, cu geometrie de band, cu
ghidare prin indicele de refracie folosesc o structur de ghid de und pentru a
fora optic radiaia n regiunea ngust a stratului activ. S-au dezvoltat mai multe
heterostructuri de acest tip: ngropat, ngropat cresctoare, ngropat plan
bicanal, cu ghid de und crestat, cu substrat plan canelat, etc
Aceste diode au eficien i coeren foarte bun i fascicol de radiaie laser
emis mai ngust, dar au puteri mai mici dect diodele laser cu ghidare prin ctig.

Suprafee de diode laser
Pentru obinerea unor puteri optice emise mari (> 100 mW), diodele laser se
mperecheaz formnd suprafee de diode laser, conectate n serie i n paralel.
Se pot obine suprafee de diode laser cu ghidare prin ctig cu faza blocat la
care separarea ntre benzile active este doar 10 m. Apropierea ntre benzi
faciliteaz cuplarea optic, sincronizarea sau blocarea fazelor fasciculelor de
radiaie optic nvecinate, simplificnd sistemul optic. S-a putut obine blocarea
fazei n suprafeele cu ghidare prin indice de refracie ct i n suprafee ghidate
invers (anti-guided). La suprafeele anti-guided indicele de refracie al benzii
active este mai mic dect al materialului nconjurtor, permind astfel interferena
optic. Dac separarea ntre benzi este egal cu un numr impar de jumti de
lungimi de und, radiaia optic devine cuplat rezonant. Aceste suprafee cu ghid
de und rezonant permit obinerea unor nivele de putere de 0,5 W n und continu
i 2,1 W n impulsuri.
Suprafeele cu diode laser cu puterea cea mai mare sunt barele monolitice cu
zone de benzi active de 1 cm, aranjate n linie. Puterea este de 100 W n und
continu.

Structuri de diode laser cu rezervor cuantic
Dezvoltarea tehnicilor de fabricaie avansate ale semiconductoarelor, ca
epitaxia cu fascicul molecular i depunerea metalic n faza de vapori chimici
organici, a permis obinerea unor structuri foarte subiri (prin depunere metalic n
faz de vapori s-au crescut straturi cu grosimi de civa atomi).
Dac grosimea stratului activ ntr-o heterostructur dubl ajunge sub 50 nm,
micarea electronilor i golurilor este limitat. Se schimb astfel energia global i
momentul purttorilor de sarcin n material, modificnd proprietile optice. Ca
efect, banda de conducie i banda de valen se divid n subbenzi discrete, cu
distribuia energetic dependent de grosimea materialului, deci se poate modifica
lungimea de und a radiaiei laser emise variind grosimea stratului activ. O alt
consecin este schimbarea probabilitii tranziiei ntre o subband de conducie i
o subband de valen, rezultnd inversiunea de populaie.

22
Dioda laser cu o singur heterostructur dubl cu un strat activ cu grosime sub
50 nm este denumita rezervor cuantic unic (SQW single quantum well). Diodele
laser SQW au ctiguri ridicate i cureni de prag mult mai mici dect dispozitivele
convenionale, iar radiaia optic este mai coerent.
Pentru amplificri mai mari, straturile cu heterostructur cu un singur rezervor
cuantic pot fi stivuite, obtnndu-se astfel structura de rezervor cuantic multiplu:
MQW. Diodele laser MQW au performane superioare, combinnd captivitatea
foarte strns a purttorilor, dat de structura SQW i captivitatea optic superioar
a straturilor multiple.
La fel ca structurile cu heterostructur dubl, structurile cu rezervor cuantic pot
fi realizate n ambele variante, cu ghidare prin ctig sau cu ghidare prin indice de
refracie. Realizrile n domeniul structurilor cu rezervor cuantic includ structuri cu
fire cuantice, puncte cuantice i cascad cuantic. Diodele laser cu structur tip
cascad cuantic folosesc tranziiile electronice ntre subbenzi ale benzii de
conducie pentru a crea radiaie optic n domeniile spectrale de la infrarou
mijlociu pn la infrarou ndeprtat. Avantajele diodelor laser cu structuri cu
rezervor cuantic sunt curentul mic de prag, sensibilitate sczut cu temperatura,
comportare dinamic excelent, puteri optice de civa mW n und continu.

b) Diode laser cu alte caviti rezonante
n afar de cavitatea optic clasic Fabry - Perot s-au realizat i caviti optice
pentru cuplarea radiaiei optice de la ieirea diodelor laser, pentru aplicaii care
necesit fascicol cu nalt coeren i band de frecven ngust. Aceste caviti
optice pot fi folosite n structuri specifice de diode laser sau pot fi adugate la
structurile existente Fabry - Perot. Cea mai simpl modalitate este o reea de
difracie cu oglind extern posterioar.

Dou alte variante de caviti de diode laser mai importante care folosesc reele
de difracie sunt cavitatea cu reacie distribuit (DFB), fig. 2.7 i cavitatea cu
reflexie distribuit Bragg (DBR), fig 2.8.


Regiune activ
Acoperire antireflectorizant
Oglinda frontal
Lentil de colimare
Oglind posterioar
(reea)
Fig. 2.6

23

La dioda laser cu cavitate distribuit, o reea de difracie plasat pe suprafaa
stratului activ realizeaz reacia cu reflexie napoi (difractat) doar pentru o
anumit lungime de und. La toate celelalte lungimi de und se produc pierderi mai
mari n cavitate, neatingndu-se pragul de emisie laser.
Dioda laser cu reflexie distribuit Bragg, fig. 2.8, are reeaua poziionat n
prelungirea stratului activ i necesit un strat cu ghidare prin indice de refracie
pentru a face legtura optic la regiunea de ctig a cavitii optice.

Diode laser cu emisie prin suprafa
Toate structurile de diode laser descrise pn acum emit radiaia optic lateral.
Exist ns i o alt clas de diode laser, la care emisia se face prin suprafa.
Pentru acestea, cavitatea optic are dou variante:
- cavitate optic plan (PCSEL planar cavity surface emitting laser) i
- cavitate optic vertical (VCSEL vertical cavity surface emitting laser).
Ambele variante formeaz suprafee bidimensionale de diode laser.
Dioda laser cu emisie de suprafa cu cavitate optic plan const dintr-o diod
laser cu emisie lateral i dou structuri optice (frontal i posterioar) care
redirecioneaz fascicolul laser n sus, perpendicular pe suprafaa structurii.
Fascicolul emis are form eliptic.
Dioda laser cu emisie de suprafa cu cavitate optic vertical este realizat pe
straturi de GaAs. Regiunea activ i oglinzile superioar i inferioar sunt realizate
sub form de straturi depuse succesiv, stivuite vertical. La punerea sub tensiune,
fascicolul emis este circular, facilitnd cuplarea cu eficien mare la fibre optice.
Deoarece depunerile pentru contactele p i n sunt pe aceeai fa a substratului,
VCSEL pot fi testate n timpul fabricaiei, nainte de a fi tiate.


2.2.2.2 Lasere cu stare solid

Laserele cu stare solid au mediul laser alctuit din dopani (ioni de pmnturi
rare sau metale de tranziie) care emit radiaie laser, implantai n matrici

Oglinda posterioar
Fig. 2.7 Fig. 2.8

24
transparente din materiale solide izolatoare, cristaline sau sticl, denumite gazd.
Inversiunea de populaie se obine prin pompare cu lmpi cu descrcare sau cu
diode laser.
n materialele laserelor solide, atomii responsabili de generarea radiaiei laser
sunt mai nti excitai la nivelele energetice superioare prin absorbia fotonilor:
felul n care aceti atomi se relaxeaz din strile excitate determin calitatea i
cantitatea radiaiei laser emise.
Laserele cu stare solid au putere radiat mare, dnd la ieire impulsuri laser
foarte scurte sau radiaii cu lungimea de und acordabil n domeniul vizibil i
infrarou apropiat.
Exist mai multe tipuri de lasere cu stare solid:
- lasere solide cu neodimiu, la care mediul activ este neodimiu triplu ionizat ca
material dopant, ntr-o matrice cristalin sau sticl. Este foarte versatil, putndu-se
dubla, tripla sau cvadrupla lungimea de und prin generarea de armonici. D la
ieire impulsuri scurte prin comutarea factorului de calitate sau blocarea modului.
- lasere solide cu rubin, realizate din bastonae de rubin crescute pe safir dopat
cu crom. Emite raze laser n impulsuri de ordinul ms, dar necesit rcire.
- lasere solide vibronice acordabile. Lungimea de und acordabil se obine la
funcionarea pe tranziii vibronice n care mediul activ schimb i strile
electronice i cele de vibraii. Pot funciona in unda contin sau n impulsuri.
Laserul vibronic cu alexandrit are benzile de absorbie vizibile n regiunile
spectrale albastru i rou. Ca surse, folosete pompe cu xenon sau diode laser cu
emisie roie.
- lasere solide cu holmiu, tuliu sau erbiu;
- lasere solide cu fibre optice.

Lasere solide i amplificatoare cu fibre optice

Amplificatoarele cu fibre optice amplific direct semnalul optic, eliminnd
conversia iniial n semnal electric, amplificarea electronic i apoi reconversia n
semnal optic. Procesul este ilustrat n fig. 2.9.
Laserul cu fibr optic este realizat dintr-o fibr optic unimod, tipic din sticl
siliconic dopat cu un ion ce emite radiaie laser cu lungimea de und dorit,
1
.
Aceast fibr optic primete printr-un capt radiaia optic de nivel sczut cu
lungimea de und
1
i radiaia optic puternic cu lungimea de und
2
care excit
ionul din fibr la nivelul laser superior. Trecerea semnalului de nivel sczut
1
prin
fibra optic stimuleaz emisia unei radiaii optice cu lungimea de und
1
de ctre
ionii excitai. Radiaia optic cu lungimea de und de 1,3 m este amplificat
folosind neodimiu ca ion dopant iar radiaia optic de 1,54 m este amplificat
folosind ioni de erbiu. Ca surse se folosesc diode laser. La capete sunt necesare

25
filtre i izolatoare optice pentru a nltura la ieire radiaia optic de excitare i a
elimina zgomotul.

Fibrele optice dopate cu pmnturi rare i plasate ntr-o cavitate rezonant se
pot folosi la obinerea de surse laser. Ctigul lor mare permite tolerarea pierderilor
semnificative ale cavitii. Captul lustruit al unei fibre optice, cu reflectivitate
doar 4% se poate folosi drept cuplor de ieire. Se utilizeaz lasere liniare cu fibre
optice, dar cel mai mult se folosesc cavitile inelare sau n forma de opt, deoarece
pot genera impulsuri scurte.


2.2.2.3 Lasere cu gaz

Laserele cu gaz au lungimile lor de und centrale de emisie n regiunea
vizibil. Mediul laser este un gaz format din atomi neutri (gaze rare), ioni (Hg),
molecule (CO
2
) sau vapori metalici. Inversiunea de populaie se obine prin
descrcare electric n gaz, unde de radiofrecven, fotoni, etc.
Randamentul laserelor cu gaz este slab, de cteva procente.
Exist urmtoarele categorii de lasere cu gaz:
- Lasere cu He Ne, folosite pentru puteri mici, n und continu. Mediul
activ este un amestec de gaze rare He-Ne nchis ntr-o incint de sticl la presiunea
de 1 mbar, prevzut cu un anod i un catod la capete. Au performane
remarcabile, fiind folosite fr filtrare. Durata de via este de ordinul anilor.
- Lasere cu ion de gaz nobil (Ar, Kr, Ne, Xe). Laserul cu Ar are linii de
emisie n regiunea albastru verde i linii mai slabe n regiunea UV. Laserele cu
Kr au ieiri cu puteri mai mici, dar produc o gam larg de lungimi de und n UV,
vizibil i infrarou apropiat: Amestecurile gazoase de Ar i Kr produc un laser
multigaz care emite pe liniile spectrale ale ambelor gaze. Singurul laser cu
funcionare n impulsuri este Xe, care emite pe linii ntre 488 nm i 540 nm.
Laserele cu neon i xenon sunt puin folosite.

Semnal slab de
intrare (
1
)
Semnal de ieire
amplificat (
1
)
Amplificator cu
fibr optic (
1
)
Radiaie optic
pompat (
2
)
Fig. 2.9

26
- Lasere cu He Cd au linii n spectrul vizibil i UV i sunt folosite n und
continu.
- Laserele cu gaz molecular sunt variate, cu lungimi de und n domeniul
infrarou n gama 5 m 1 mm, cele mai reprezentative fiind laserele cu dioxid de
carbon (CO
2
), cu oxid de carbon (CO), oxid de azot (N
2
O), metanol (CH
3
OH),
alcooli, alte amestecuri simple de carbon, etc.
- Lasere chimice, denumite astfel datorit reaciilor care produc energia de
activare, cauza tranziiilor n gaze, finalizate cu emisia radiaiei optice. Mediile
laser folosite sunt: iod, acid fluorhidric, acid clorhidric, florur de deuteriu, acid
bromhidric, monoxid de carbon, dioxid de carbon, etc. Laserele chimice folosesc n
general substane toxice, care se nltur n final cu ajutorul unei pompe de vid i
au puteri de ordinul MW, funcionnd n und continu.
- Laserele cu vapori de metal (Cu sau Au) funcioneaz numai n impulsuri,
cu durate de maxim zeci ns i frecvene de repetiie sub zeci de kHz. Alte lasere cu
vapori de metal sunt cele cu vapori de Ba, Pb, Mn sau Ca.
- Lasere cu azot (N
2
). Mediul laser este azotul gazos, pur. Au ctig optic
foarte mare. Funcioneaz n mediu superradiant, fr cavitate cu oglinzi, dar
energia impulsurilor de ieire poate fi dublat dac se folosete o oglid posterioar
cu reflexivitate total i o oglid frontal cu reflexivitate 4%. Laserele cu azot au
coeren sczut, fascicolele de ieire fiind ovale sau dreptunghiulare.


2.2.2.4 Lasere cu lichid

Laserele reprezentative cu lichid sunt laserele dye, al cror mediu activ este o
substan lichid, colorat, organic, fluorescent, dizolvat ntr-un solvent lichid,
la temperatura camerei. Pomparea se face cu lmpi cu descrcare sau laser extern.
Lungimea de und de ieire poate fi variat de la UV apropiat pn la IR apropiat.
Laserele dye funcioneaz n und continu, ntr-o lime de band spectral
foarte ngust i produc impulsuri foarte scurte, cu durate sub 1 ps.
Au o construcie complex, care necesit elemente optice complicate iar
obinerea lungimilor de und n tot spectrul vizibil impune schimbarea mediului
activ. Au eficien i coeren mare.


2.2.2.5 Metode de cretere a performanelor laserelor

1. Modificarea lungimii de und a laserelor, realizat prin generarea
amonicelor laser sau folosirea unor oscilatoare parametrice optice.
Generarea armonicelor se bazeaz pe interaciunile neliniare ntre radiaia
optic i materie (uzual un cristal neliniar), care pot genera armonici de freven

27
egal cu un multiplu al fecvenei undei de radiaie optic. n majoritatea aplicaiilor
se produc doar armonica a doua, a treia i a patra.
Oscilatoarele parametrice optice sunt de dou tipuri: simplu rezonante sau
dublu rezonante. Rspunsul neliniar al cristalelor oscilatoarelor parametrice optice
convertete radiaia laser de pompare n dou frecvene noi, de semnal i ntrziat.
Reglarea temperaturii cristalului, a lungimii de und a laserului de pompare sau a
unghiului ntre axa oscilatorului i axa cristalului, permite acordul fin la ieire.
2. Obinerea impulsurilor laser scurte, n urmtoarele moduri:
- comutarea factorului de calitate al cavitii laser;
- bascularea cavittii laser;
- blocarea modului de oscilaie laser;
- folosirea unor materiale optice neliniare.
3. ngustarea limii liniei laser prin:
- folsirea etalonului Fabry Perot (etalonul este o plac trasparent cu dou
suprafee reflectorizante care formeaz un rezonator scurt, ce poate fi introdus n
interiorul cavitii laser.). Se pot obine astfel limi de band de minim 500kHz;
- folosirea unor reele cu una sau mai multe prisme. Acestea se cupleaza n
afara cavitii laser. Sunt robuste, compacte, uor de aliniat, cu eficien mare de
conversie i nivele sczute ale emisiei spontane.


2.2.2.6 Surse de alimentare pentru lasere

Nu exist un singur model de surs de alimentare optimizat pentru toate
tipurile de lasere.
Pentru lasere solide pompate de la lmpi cu descrcare se folosesc surse n
comutaie de mare vitez, comandate de la un computer (de exemplu, cu ncrcarea
unui condensator). Unele lasere folosesc surse de alimentare convenionale, de
tensiune continu (de exemplu, un transformator, redresor i filtru). Pentru
creterea flexibilitii surselor de alimentare se folosesc dispozitive electronice noi
ca tranzistoare bipolare cu poart izolat i circuite integrate specifice aplicaiei
Aplicaiile cu diode laser folosesc surse de curent specifice (drivere) i circuite
electronice pentru controlul temperaturii (controlere) pentru a menine constant
intensitatea i lungimea de und de lucru a diodei laser. Se folosesc i surse de
tensiune continu cu limitare de curent. Diodele laser cu lime ngust a liniei
necesit surse de curent cu zgomot sczut. Suprafeele de diode laser de putere
mare necesit nivele ridicate pentru cureni i tensiuni. Diodele laser n und
continu au nevoie de curent continuu n timp ce diodele laser n impulsuri sau
modulate au nevoie de furnizarea la timp a energiei, astfel nct s se obin
impulsul optic dorit. O surs de curent pentru diode laser trebuie s aib zgomot

28
sczut i stabilitate mare. Fluctuaiile curenilor de alimentare produc zgomot de
ieire i influeneaz limea liniei.
Sursele de curent pentru diode laser funcioneaz n dou moduri de lucru:
- curent constant sau
- putere optic de ieire constant.
n modul curent constant, controlul nivelului curentului de alimentare este
realizat printr-o bucl de reacie. Pentru performane optime, se realizeaz i
controlul temperaturii diodei laser.
Modul de lucru cu putere optic de ieire constant este util cnd este necesar
intensitate optic stabil, dar controlul temperaturii este fie sczut, fie greu de
realizat. Pentru a controla curentul de alimentare i a compensa fluctuaiile mici de
temperatur, fotodioda de monitorizare este conectat ntr-o bucl de reacie.
Dezavantajul metodei este variaia lungimii de und cu temperatura.
Exist i aplicaii ale diodelor laser care folosesc dependena lungimii de und
de ieire de curentul de alimentare. n aceste cazuri, curentul de alimentare al
laserelor este sub forma unor rampe repetate: pentru aceasta se folosete un
generator de rampe inclus n sursa de alimentare a diodelor laser sau un modulator
analog extern cu band de frecven de cteva sute de kHz.
Se recomand utilizarea diodelor laser la temperaturi ct mai sczute i ct mai
stabile, funcie de aplicaie. Pentru diode laser de putere sczut se pot folosi
radiatoare simple pasive. Suprafeele de diode laser de putere necesit uzual rcire
cu ap. Dac aplicaia necesit un grad mare de stabilitate a temperaturii, se
folosesc circuite de control cu elemente de rcire Peltier.


2.3 Senzori optici pasivi (SOP)

n funcie de mrimea care variaz, se ntlnesc mai multe tipuri de senzori
optici pasivi (SOP):
- cu variaia intensitii radiaiei radiaiei optice,
- cu variaia fazei radiaiei optice,
- cu variaia polarizrii,
- cu variaia lungimii de und spectral,
- cu variaia frecvenei de modulaie, etc.


2.3.1 Senzori optici pasivi cu variaia intensitii radiaiei optice

Sunt cel mai simplu de realizat, deoarece nu impun exigene particulare nici
sursei de radiaie i nici senzorilor optici activi. Au fiabilitate mare i pre sczut.
Mrimea detectat de senzorii optici activi este intensitatea undei dup trecerea

29
printr-un mediu atenuator sau dispersiv. Se realizeaz ntr-o mare diversitate, prin
transmisia sau prin reflexia undei.
Pot msura: turaii (prin ntreruperea total a fascicolului de radiaie optic),
deplasri, poziii relative i vibraii (prin poziionarea fa n fa a fibrelor optice),
fore i presiuni (prin variaia pierderilor optice n funcie de raza de curbura a unei
fibre optice), coduri de bare prin reflexie, densiti ale substanelor (prin absorbie
sau difuzie), temperaturi prin fluorescen, etc.
Radiaia optic trebuie s aib o bun directivitate, dimensiuni mici ale
fascicolului i intensitate sufiient pentru a fi detectat uor. Aceste cerine sunt
asigurate prin folosirea unui laser, a unei surse necoerente (de exemplu LED) i a
unei fibre optice unimod pentru directivitate.


2.3.2 Senzorii optici pasivi cu variaia fazei radiaiei optice

Sunt mai complicai i au o sensibilitate foarte mare. Necesit compensarea
mrimilor care interfer. Cel mai ntlnit senzor de acest tip este interferometrul.
Mrimea de msurat acioneaz asupra unui element optic aflat n unul din braele
interfcrometrului i are ca efect variaia fazei undei de radiaie la trecerea prin
elementul optic.
Faza radiaiei optice are dou pri: o parte care depinde de timp i este
denumit faz temporal i o parte care depinde de poziie i este denumit faz
spaial. Ambele se msoar fa de o faz (defazaj) de referin.
a. Senzorii optici activi cu variaia fazei temporale pot fi de dou feluri:
- cu modificarea frecvenei,
- cu modificarea timpului.
Singurul efect cunoscut care poate modifica continuu frecvena undei
monocromatice este efectul Doppler. Pentru a obine o variaie de faz temporal
semnificativ, trebuie ca raportul v
r
/c >> 1, unde v
r
este viteza relativ a sursei.
Variaia fazei temporale poate fi mrit prin creterea timpului de propagare.
Un exemplu de senzor cu variaia fazei temporale prin modificarea
timpului este girometrul cu fibre optice, folosit pentru msurarea vitezei
unghiulare i a sensului de rotaie (fig. 2.10).
Constructiv, este format dintr-un interferometru Sagnac cu dou fascicole de
radiaie optic, obinute prin divizarea undei monocromatice cu un despictor de
fascicole. Cele dou fascicole sunt trecute simultan prin cele dou extemiti ale
fibrei optice i apoi recombinate la ieire. Ct interferometrul este n repaus,
drumurile optice ale celor dou unde a i b sunt egale i au vaoarea 2R, unde R
este raza buclei de fibr optic. Dac interferometrul se rotete cu viteza n sens
trigonometric, drumul optic al undei a (care are sens trigonometric) este alungit iar

30
cel al undei b (cu sens invers trigonometric) este scurtat, rezultnd un defazaj
temporal:


2 2
/ 4 c N R t = =

Defazajul este proporional cu viteza de rotaie a interferometrului. Pentru
creterea sensibilitii se poate crete drumul optic folosind mai multe spire N, de
fibr optic. La revenirea n despictorul de fascicol, cele dou unde interfer
producnd franje de interferen. Aplicaia tipic este n domeniul navigaiei.
b. Senzorii optici pasivi cu modificarea fazei spaiale sunt de tip
interferometric, cei mai cunoscui fiind interferometrul Michelson (fig. 2.11) i
interferometrul Mach Zehnder (fig. 2.12).



Laser

Fotodetectoare
DF
b
a

Fig. 2.10
Fig. 2.11
Laser
Fotodetector
OF
OM
DF
Brat 1
Brat 2
Fig. 2.12
Laser
Fotodetectoare
OF OF
DF
Brat 1
Brat 2
DF
X

31
Senzorii interferometrici transform variaia fazei radiaiei optice n variaie de
intensitate (flux optic sau putere optic) la intrarea fotodetectoarelor.
Unda monocromatic provenit de la sursa coerent este divizat n dou
fascicole care urmeaz parcursuri diferite nainte de a se recombina. Braul I,
denumit bra de referin, este ferit de perturbaii. Cellalt bra, denumit bra de
msurare, este supus mrimii de intrare X i produce modificarea fazei spaiale a
undei de radiaie optic prin braul 2. Notaiile folosite n cele dou figuri sunt
urmtoarele: DF - divizor de fascicol, OF - oglind fix, OM - oglind mobil.
Sensibilitatea interferometrului, notat cu (x)/x, depinde de lungimea
braului de msurare (denumit i bra de captur) i de indicele su de refracie,
ceilali parametri fiind fixai.
Condiiile necesare bunei funcionri a unui senzor interferometric sunt
urmtoarele:
- rigiditate mecanic a sistemului, pentru a evita variaiile braului de
referin;
- izolare termic i mecanic (antivibratorie);
- surs optic de radiaie coerent spaial i temporal pentru buna evideniere
a franjelor de interferen;
- distribuie egal a cmpurilor de polarizare pentru cele dou brae;
- lungime mare a braului de msurare.
Pentru obinerea unor perfomane ridicate se recomand folosirea fibrelor
optice unimod.


2.3.3 Senzori optici pasivi cu variaia polarizrii radiaiei optice

Aceti senzori conin un element birefringent asupra cruia acioneaz
mrimea de msurat. Pentru determinarea strii de polarizare trebuie calculai mai
muli parametri i aplicai unui analizor de polarizare.
Starea de polarizare a unei unde plane de radiaie optic se determin
matematic, pornind de la vectorii: intensitate cmp electric E , intensitate cmp
magnetic H i deplasare electric D.


2.3.3.1 Plci polarizoare

Pentru analiza strii de polarizare a radiaiei optice, se plaseaz n calea
fascicolului diferite tipuri de filtre polarizoare. Dac radiaia optic este incident
la interfaa dintre dou medii cu indici de refracie diferii, atunci radiaia reflectat

32
i radiaia transmis i schimb starea de polarizare fa de starea de polarizare a
radiaiei optice incidente.
Interaciunea radiaiei optice cu atomii sau moleculele unui material optic
depinde de lungimea de und. Consecinele acestei dependene sunt interaciunile
rezonante legate de dispersia materialelor i birefrimgena, adic schimbarea
indicelui de refracie cu polarizarea radiaiei optice. Aranjarea ordonat a atomilor
n anumite cristale are ca efect diferite frecvene de rezonan pentru orientri
diferite ale vectorului electric fa de axele cristaline.
Birefringena poate fi folosit i la schimbarea strii de polarizare a radiaiei
optice. Componentele optice care realizeaz acest lucru sunt denumite plci de
und birefringente (sau plci de und) sau plci cu ntrziere.
Tind un cristal dup axele cristaline, se obine indicele minim de refracie
pentru polarizarea vectorului electric al undei plane. Se spune c unda este
polarizat de-a lungul axei rapide att timp ct viteza de faz este maxim.
O und plan polarizat cu planul rotit cu 90
0
se propag cu indice de refracie
maxim i vitez de faz minim. n acest caz, unda este polarizat de-a
lungul axei lente. Diferena ntre numerele de lungimi de und dintre cele dou
unde va determina raportul celor doi indici de refracie n
r
/ n. Diferena ntre aceste
dou deplasri de faz este denumit ntrziere.
Dac se schimb frecvena optic, ntrzierea se va schimba la o vitez mai
mare dect ar fi pentru o plac ntrziat doar cu o treime de und, placa fiind
denumit plac treime de und de ordin multiplu.
Placa jumtate de und se folosete la rotirea planului de polarizare al
radiaiei optice plane, de exemplu, din polarizare vertical n polarizare orizontal.
Plcile sfert de und se folosesc pentru a obine radiaie optic polarizat
circular din radiaie optic polarizat plan i invers. Pentru aceasta, placa sfert de
und trebuie orientat astfel ca unda incident plan s fie la 45 fa de axa rapid
(sau lent). Plcile sfert de und se folosesc i ca izolator optic, pentru evitarea
reflexiilor nedorite.
Placa und ntreag se folosete la tergerea polarizrii, la oglinzi metalice.
Plcile de und se realizeaz din cristale birefringente (mica sau cuarul).
Polarizorul liniar sau plan are proprietatea de a transmite radiaia optic al
crei vector de cmp este paralel cu direcia de transmisie a polarizorului.
Polarizorul liniar este o reea de fire conductoare, echidistante, paralele, cu spaiere
foarte mic ntre ele (unda incident pentru care cmpul oscileaz paralel cu firele
este absorbit, toate celelalte unde fiind transmise).
Radiaia optic emis de surse de radiaie optic obinuite este nepolarizat
deoarece direcia instantanee a polarizrii variaz rapid i aleator n timp ntre 0 i
2. Radiaia nepolarizat are intensitatea neafectat cnd este transmis printr-o
plac de und i devine polarizat liniar cnd este transmis printr-un polarizor
liniar: intensitatea ei nu depinde de direcia de transmisie a polarizorului.

33


2.3.3.2 Birefringena

Cristalele optice ale cror proprieti variaz cu orientarea radiaiei optice care
le traverseaz sunt anizotrope. n acest caz, vectorii cmp electric E i deplasare
electric D nu mai sunt coliniari, chiar dac modulele lor rmn proporionale.
Anizotropia i are originea fie n structura materialului, fie n existena unei
direcii privilegiate rezultate n urma aplicrii unui cmp exterior. ntr-un mediu
anizotrop, direcia de propagare a undei nu coincide cu direcia razelor de
propagare a energiei. Propagarea n medii anizotrope poate fi interpretat ca
propagarea a dou unde polarizate liniar n plane ortogonale i avnd fiecare un
indice de refracie diferit.
n interiorul mediilor uniax, unda incident se divide n dou unde:
- o und ordinar care se propag cu indicele n
0
, acelai cu al razei ordinare
corespunztoare i
- o und extraordinar, avnd un indice de refracie variabil cu direcia de
inciden, indice diferit de al razei extraordinare corespunztoare.
Fenomenul de propagare cu doi indici de refracie poart numele de
birefringen liniar sau dubl refracie.
Unda incident polarizat eliptic se divide n dou unde polarizate liniar care
se propag cu viteze diferite. Dac dup trecerea prin mediul liniar birefringent
razele sunt apropiate, ele se suprapun parial. Zona de suprapunere rmne
polarizat eliptic iar prile distincte i menin polarizrile liniar ortogonale.
Propagarea n ghidurile de und optice de tbrm .cilindric este dictat de o
singur constant de propagare dublu degenerat, adic dou unde polarizate
ortogonal alese arbitrar pentru a descompune unda care traverseaz ghidul optic i
conserv pe toat lungimea propagrii defazajul lor iniial. n acest caz,
comportarea fiecrei polarizri este dictat de constante de propagare diferite.


2.3.3.3 Efecte care acioneaz asupra polarizrii radiaiei optice

n urma aplicrii unor cmpuri exterioare care modific anizotropia mediului
traversat, distribuia cmpurilor electromagnetice se schimb local, ceea ce
modific interaciunea lor cu unda de radiaie optic. Variaiile locale sunt ns
slabe fa de cmpurile create de legturile atomice. Macroscopic, aceasta se
exprim printr-o dependen a permitivitii relative
0
n funcie de cmpul
exterior aplicat.


34
a. Efectul elasto-optic
Se datoreaz cmpului de tensiuni interne determinate de fore mecanice de
joas frecven. Variaia indicilor de refracie este proporional cu deformaiile.
b. Efectul acusto - optic
Cmpul electric aplicat modific tensiunile interne cu frecvene ridicate
(kHz...zeci kHz) induse prin efect piezoelectric. Spre deosebire de efectul etasto-
optic care este datorat deformaiilor statice i de foarte joas frecven, efectul
acusto-optic introduce deformaii cu frecvene ridicate.
c. Efectul Pockels
Un cmp electric static induce birefringen liniar n anumite medii. Se induce
o polarizare care determin mediul s devin anizotrop.
d. Efectul Kerr
Apare pe lng efectul Pockels i este un efect electro-optic de ordinul doi n
puteri ale cmpului electric E. Cristalele care au un centru de simetrie au doar efect
Kerr, fr efect Pockels. Cel mai pronunat efect Kerr este ntlnit la nitrobenzen.
e. Activitate optic
Anumite medii pot roti planul de polarizare al undei plane incidente, unghiul
de rotaie fiind proporional cu lungimea mediului traversat.
O und polarizat dreapta sau stnga i conserv polarizarea la trecerea printr-
un mediu optic activ. Activitatea optic este un fenomen de birefringen circular
prin care unda incident se separ n dou unde polarizate circular, cu indicii n
d

respectiv n
s
. La ieirea din mediu, undele se recombin i refac unda polarizat
liniar, al crei azimut depinde de variaia fazei relative a celor dou propagri
polarizate circular. Dup cum diferena n
d
- n
s
este pozitiv sau negativ, rotaia va
avea loc n sens trigonometric sau n sensul acelor de ceas.
f. Efectul Faraday
Dac o und polarizat liniar traverseaz un cmp magnetic de inducie B,
planul de polarizare al undei se rotete cu un unghi proporional cu valoarea
induciei, dup direcia de propagare Oz i proporional cu lungimea L a mediului
traversat:
Efectul Faraday este nereciproc: dou treceri n sens invers n acelai mediu
care prezint efect Faraday conduc la o rotaie de 2; nu acelai lucru se ntmpl
n cazul activitii optice, unde rotaia final este nul.
g. Efectul Voigt
Este un efect magneto-optic de ordin unu care induce birefringen liniar.
h. Efectul Cotton - Mouton
Este un efect magneto-optic de ordin doi care apare pe lng efectul Kerr i
induce birefringen liniar.




35
2.3.4 Senzori pasivi cu fibre optice

2.3.4.1 Introducere

Dup locul interaciunii dintre mrimea de msurat i radiaia optic, senzorii
pasivi cu fibre optice (SOP) sunt de trei tipuri:
- intrinseci, la care aciunea de modulare se petrece n interiorul fibrei optice.
Exemple: senzorii bazai pe microndoiri, care schimb condiiile de reflexie
intern total a radiaiei optice.
- extrinseci, la care aciunea de modulare se petrece n exteriorul fibrei optice.
Exemple: senzorii bazai pe reflexia radiaiei optice napoi n fibr, dup ce a fost
modulat de mrimea de msurat..
- bazai pe cmp slab, de suprafa (evanescent), la care aciunea de modulare
se face direct pe suprafaa exterioar, dezvelit, a miezului. Exemple: unii senzori
chimici.
Senzorii optici pasivi cu fibre optice se bazeaz n general pe variaia
intensitii sau fazei radiaiei optice. Sunt realizai din fibre optice unimod sau
multimod.
Senzorii cu modulaia fazei necesit fibre optice unimod sau chiar unimod cu
meninerea polarizrii. Pentru senzorii extrinseci cu variaia intensitii, un rol
important l are capabilitatea de putere, definit ca posibilitatea fibrelor optice de a
transmite puterea optic. Pentru aceste aplicaii se recomand fibrele optice cu
miezuri cu diametru i aperturi numerice mari.
Senzorii cu fibre optice cu variaia intensitii au dezavantajul suprapunerii
peste semnalul util a perturbaiilor determinate de variaia intensitii radiaiei
optice a sursei, eficiena de cuplare a fibrei optice, ndoiri, etc.
O clas de senzori pasivi cu fibre optice o constituie senzorii nglobai n
structuri pentru determinarea eforturilor, temperaturilor, deformaiilor, formelor,
forelor, vibraiilor, agenilor chimici sau a deteriorrilor.
Senzorii cu fibre optice au gam dinamic mare, pot fi montai pe suprafaa
structurilor noi sau existente folosind adezivi convenionali i pot fi inclui n
materialele compozite n timpul fabricaiei. Mai mult, senzorii cu fibre optice pot fi
realizai cu sensibilitate optim la un parametru sau s exploateze diferite
proprieti ale radiaiei optice, n scopul modulrii simultane a mai multor
parametri, folosind acelai senzor.
Senzorii cu fibre optice cu variaia fazei sunt de mai multe tipuri:
- interferometru Mach-Zehnder cu fibre optice,
- senzori cu faza codat, bazai pe interferena dintre radiaiile optice reflectate
de suprafee apropiate. De exemplu, senzorii etalon liniari, care folosesc dou
lungimi de FO unimod lipite prin topire de un microtub scurt din siliciu, de 0,1
mm, al crui diametru este identic cu al fibrei.

36
- senzori cu reea Bragg n fibra optic au reeaua realizat n fibrele optice.
Msurarea efortului se face prin injectarea unei radiaii optice de la o sursa de
band larg (diod superluminiscent, LED cu emisie lateral sau surs
superfluorescent) n fibr i detectarea lungimii de und de vrf a radiaiei
reflectate.
Senzorii etalon liniari se aseamn cu interferometrul Fabry - Perot extrinsec n
care cele dou fibre sunt introduse ntr-un tub cu diametru mai mare.
O clas special o constituie senzorii cu fibre optice pentru radiaie optic
infraroie.
Materialele folosite pentru realizarea lor sunt: safirul, fluoruri i sticle
calcogenide cu o gam variat de ferestre spectrale de transmisie.
Senzorii cu fibre optice pentru IR pot fi multiplexai de-a lungul unei fibre
optice pentru a obine msurtori discrete, distribuite. Senzorii cu variaia
intensitii pot fi multiplexai necoerent (cu divizare spaial, cu divizare n timp,
cu divizare n frecven sau cu divizarea lungimii de und), iar senzorii
interferometrici pot fi multiplexai prin mai multe tehnici: cu purttoare cu
generarea impulsului, interferometrie diferenial cu mperecherea cilor,
multiplexare coerent, cu divizare n timp sau n frecven.
Una din tehnicile cele mai folosite este multiplexarea necoerent cu divizare n
timp, tehnica fiind denumit reflectometrie optic n domeniul timp (OTDR). n
reflectometrul optic n domeniul timp se msoar diferena de timp ntre impulsul
laser emis n fibr i impulsul laser reflectat i mprtiat napoi (de ctre defect).
Instrumentul se folosete la testarea fibrelor optice.


2.3.4.2 Senzori pasivi cu fibre optice cu variaia intensitii

a. Senzori pasivi hibrizi cu capetele fibrelor optice fa n fa
Un astfel de senzor, de vibraii sau de nchidere, const din dou fibre optice
apropiate fa n fa. Radiaia optic este transmis prin una din fibrele optice iar
la ieire radiaia optic este expandat ntr-un con al crui unghi depinde de
diferena dintre indicele de refracie al miezului i nveliului FO. Cantitatea de
radiaie optic capturat de a doua FO depinde de unghiul de acceptan i de
distana dintre fibre.
O variant a acestui senzor folosete cele dou fibre optice n aceeai parte iar
n faa lor o oglind flexibil care rspunde la un efect extern (presiunea sau
deplasarea). Aranjnd dou fibre optice n linie, se obine un senzor prin translaie,
ca n fig. 2 13. Un senzor rotativ de poziie conine o plac codat cu zone cu
reflectan variabil, plasat astfel nct fiecare poziie are un cod unic. Pentru a
determina prezena sau absena unei zone reflectorizante, se folosete un anumit
numr de fibre optice.

37

b. Senzori de poziie cu multiplexare cu divizarea lungimii de und
Sursa de radiaie optic folosit este de band larg, de exemplu o diod
LED i se utilizeaz o singur fibr optic care transport fascicolul pn la un
multiplexor cu divizarea lungimii de und (WDM), fig. 2.14.

Multiplexorul divide fascicolul de radiaie optic i-l trimite la o plac codat
pentru determinarea poziiei liniare. Semnalele reflectate sunt apoi recombinate i
separate de al doilea multiplexor cu divizarea lungimii de und, astfel nct fiecare
semnal de la fibra optic de interogare este citit de un fotodetector separat (CD este
un cuplor direcional cu fibr optic).
c. Senzori de poziie cu FO cu multiplexare i divizare n timp
Utilizeaz o surs de radiaie optic n impulsuri, care sunt divizate n mai
multe fibre optice de interogare, fig. 2.15. Fibrele optice sunt aranjate astfel nct
au ntrzieri care separ semnalul reflectat de la placa codat cu un timp mai mare
dect durata impulsului. Cnd semnalele reflectate se recombin la detector,


Surs de
radiaie
optic
VDM
VDM
CD

1

3

2
Fotodetectoare
Fig. 2.14

2
Plac codat
Fibr optic de intrare Fibre optice de colectare
Fig. 2.13

38
rezultatul este o secven codat de impulsuri de semnal care corespund cu poziia
plcii codate.
d. Senzori cu fibre optice bazai pe reflexie intern total
Radiaia optic se propag prin miezul FO i ajunge la captul tiat la un
anumit unghi critic al FO, fig. 2.16. Dac mediul n care se plaseaz captul FO
tiat oblic are indicele de refracie mic, toat radiaia optic este reflectat cnd
ajunge la oglind i se ntoarce n fibra optic. Dac ns indicele de refracie al
mediului se apropie de acela al materialului miezului fibrei optice, o parte din
radiaia optic se propag n afara fibrei, rezultnd modulaia de intensitate.

Acest tip de senzor este folosit la msurarea cu acuratee sczut (10 %) a
variaiilor presiunii sau indicelui de refracie ntr-un lichid sau gel.
Pentru msurarea nivelului de lichid, ca suprafa oglind se folosete o prism
reflectorizant. Atunci cnd nivelul de lichid ajunge la prisma reflectorizant,
radiaia optic se scurge n lichid atenund semnalul reflectat.
e. Senzori cu fibre optice bazai pe cmp slab de suprafa
Transferul puterii optice ntre dou miezuri de FO fr nveli i apropiate se
folosete pentru a obine senzori cu FO bazai pe cmp slab de suprafa.
Pentru FO unimod, aceast distan este 10... 20 m i exist pierderi
considerabile de radiaie n nveli i n jurul miezului. Dac n apropiere se
plaseaz un al doilea miez de fibr optic, cmpul slab de suprafa se va cupla n
miezul fibrei optice alturate. Cuplajul depinde de mai muli parametri: lungimea


nveliul fibrei optice
Miezul fibrei optice
Radiaie
optic
Oglind
n
0

Fig. 2.16
Surs de
radiaie optic
n impulsuri
FD
CD
Fig. 2.15
Plac codat

39
de und a radiaiei optice, indicele de refracie relativ al mediului n care sunt
miezurile, distana dintre senzori i lungimea de interaciune. Acest tip de senzor
cu FO se folosete pentru msurarea lungimii de und, filtrare spectral, msurarea
indicelui de refracie i a efectelor mediului nconjurtor asupra miezurilor
(temperatur, presiune, efort).
f. Senzori bazai pe microndoirea periodic a fibrei optice
Microndoirea FO este folosit la realizarea de senzori pentru msurarea
vibraiilor, presiunii, forelor i a altor efecte din mediul nconjurtor. Un astfel de
traductor conine o surs de radiaie optic, o poriune de fibr poziionat ntr-un
senzor cu microndoiri pentru modularea n intensitate a radiaiei optice n funcie
de un efect din mediu i un fotodetector.
Senzorul cu microndoiri poate fi implementat i folosind cabluri speciale cu
fibre optice sau FO optimizate s fie sensibile la pierderi prin microndoire.
g. Senzori cu fibre optice bazai pe reele de difracie
Un fascicol de radiaie optic este colimat de o lentil i trece printr-un sistem
de dou reele de difracie, una fix i una mobil, fig. 2.17.
Dezavantaj: micarea relativ a reelelor de difracie are ca efect o
caracteristic sinusoidal a sensibilitii relative. Pentru sensibilitate optim,
poziia iniial a reelelor trebuie s fie jumtate deschis, jumtate nchis. Pentru
creterea sensibilitii se folosesc reele cu spaieri mai fine care ns, limiteaz
gama dinamic.
Pentru a mri sensibilitatea fr limitarea gamei dinamice se folosesc reele
multiple decalate cu 90.
n cazul reelelor duble ieirile sunt n cuadratur. Cnd una din ieiri este la
sensibilitate optim cealalt este la sensibilitate minim i invers. Folosind ambele
ieiri pentru urmrire, se pot scana mai multe linii ale reelei, crescnd astfel gama
dinamic i evitnd scderea la zero a semnalului la poziiile de sensibilitate
minim i uniformiznd sensibilitatea.

Fibr optic
de intrare
Fibr optic de
ieire
montur
fix
Lentil
Montur elastic
Fig. 2.17

40
Senzorii pasivi cu fibre optice bazai pe modularea intensitii au limitri
impuse de pierderile variabile din sistem care nu sunt legate de mrimea ce trebuie
msurat. Sursele de erori sunt pierderile variabile datorate conectoarelor,
divizoarelor, ndoirilor i nealinierea surselor de radiaie optic i a
fotodetectoarelor. Pentru a elimina aceste probleme se folosesc dou lungimi de
und, una fiind pentru calibrare prin evitarea regiunii de detecie. O concepie
alternativ este utilizarea unor senzori pasivi cu fibre optice rezisteni la erori
induse de variaii de intensitate


2.3.4.3 Senzori spectrali cu fibre optice

Senzorii spectrali cu fibre optice se bazeaz pe modulaia lungimii de und a
radiaiei optice de ctre mrimea de msurat.
n aceast categorie se ncadreaz senzorii bazai pe radiaia corpului negru, cu
absorbie, cu fluorescen i cu reele de difracie etalon i dispersive.
a. Senzori spectrali cu fibre optice bazai pe corp negru
Structura unui astfel de senzor este dat n fig. 2.18.
O cavitate de tip corp negru este plasat la captul unei fibre optice. Cnd
temperatura cavitii crete, ea ncepe s se comporte ca o surs de radiaie optic,
permind msurarea temperaturilor peste 300C. Se folosesc dou fotodetectoare
(FD) mpreun cu filtre de band ngust pentru a determina profilul curbei
corpului negru i astfel temperatura. Senzorul este folosit la msurarea
temperaturilor mari, cu acuratee de cteva grade Celsius. n prezena cmpurilor
de radiofrecven acurateea scade sub 200C.
b. Senzori spectrali cu fibre optice bazai pe absorbie
Folosesc un senzor din GaAs, o surs de radiaie optic de band larg i fibre
optice de intrare i ieire. Profilul de absorbie depinde de temperatur i presiune
(fig. 2.19).

FD
FD
Filtru de banda ingusta
Filtru de banda ingusta
Despicator de
fascicol
Lentila Cavitate tip corp negru
Fibra optica
Fig. 2.18

41


c. Senzori spectrali cu fibre optice bazai pe fluorescen
Sunt folosii pentru aplicaii medicale, chimice i pentru msurarea
parametrilor fizici ca temperatura, vscozitatea i umiditatea.
Configuraiile cele mai folosite sunt cu materialul fluorescent la capt i
multipunct, fig. 2.20.
Se bazeaz pe dependena de timpul de stingere a impulsului de radiaie optic
emis de materialul fluorescent, excitat cu impulsuri de radiaie optic.


2.4 Senzori optici activi (SOA)

2.4.1 Clasificarea senzorilor optici activi

Senzorii optici activi, denumii i fotodetectoare, transform variaia
intensitii radiaiei optice (fluxului sau puterii optice) modificate de mrimea de
msurat n senzorii optici pasivi, ntr-o variaie a unei mrimi sau parametru
electric (tensiune, curent, sarcin, rezisten sau capacitate).
Dup modul n care se face absorbia radiaiei optice i transformarea ei n alte
forme de energie, senzorii optici activi se mpart n dou grupe:


Material
fluorescent
Fig. 2.20
Fibr optic
Senzor de capt
Senzor multipunct
Fibr optic de intrare
Fibr optic de ieire
Prob senzor
din GaAs
Fig. 2.19

42
- electronici (sau cuantici), n care absorbia radiaiei optice determin
excitarea electronilor pe nivele energetice superioare i
- termici, n care absorbia radiaiei optice este nsoit de creterea
temperaturii sistemului reea cristalin - electroni.
a. Fotodetectoarele electronice sunt selective deoarece rspund numai la acei
fotoni a cror energie minim depete energia de prag determinat de lrgimea
benzii interzise a semiconductorului. La baza funcionrii fotodetectoarelor
electronice st efectul fotoelectric.
Dac n urma absorbiei, radiaia optic determin ieirea electronilor din solid
i formarea unui flux de electroni ntre catod i anod, atunci apare efectul
fotoelectric extern. Excitarea intern a reelei cristaline sub aciunea radiaiei optice
absorbite ce determin trecerea electronilor din strile legate n strile libere poart
denumirea de efect fotoelectric intern. O form a efectului fotoelectric intern este
apariia purttorilor de sarcin i creterea conductivitii electrice. O alt form a
efectului fotoelectric intern n semiconductoare cu neomogeniti (contact metal-
semiconductor, jonciune p-n), este separarea purttorilor de sarcin n cmpurile
interne i apariia unei tensiuni fotoelectromotoare (efect fotovoltaic).
b. Fotodetectoarele termice nu sunt selective deoarece energia absorbit este
transformat n energie termic. Ele utilizeaz acele proprieti ale solidelor ce se
modific la creterea temperaturii n urma absorbiei radiaiei optice. De aceea,
fotodetectoarele termice au vitez de rspuns mult mai mic dect fotodetectoarete
electronice.
Fiecare din cele dou tipuri de fotodetectoare se clasific n parametrice (sau
modulatoare) i energetice (generatoare), dup cum radiaia optic are ca efect
modificarea unui parametru electric (rezisten, capacitate) sau generarea unei
tensiuni, curent sau sarcini electrice.


2.4.2 Fotodetectoare electronice

2.4.2.1 Fotodiode

a. Fotodiode p-n (planare)
Fotodiodele cele mai rspndite sunt cele din siliciu, realizate dintr-un singur
substrat cristalin din Si pur, similar celor folosite la circuite integrate. Puritatea Si
este direct legat de rezistivitatca sa. Valorile tipice pentru rezistivitatea Si sunt 10
cm ... 10 kcm.
O seciune transversal printr-o fotodiod plan din Si este dat n fig. 2.21.

43
Prin difuzia termic sau implantarea ionic a unui material dopant (de obicei
bor) n Si tip n, se formeaz stratul subire tip p de la suprafaa frontal. Pe
suprafaa frontal se aplic un contact mic de metal iar suprafaa posterioar este
complet metalizat. Se formeaz astfel o jonciune p-n care difer de cele de la
diode prin faptul c stratul p este foarte subire, n funcie de gama de lungimi de
und selectate. Adncimea regiunii de srcire poate varia prin modificarea
tensiunii inverse aplicate pe jonciune.
Capacitatea electric a jonciunii p-n depinde de grosimea regiunii de srcire,
rezistivitatea siliciului i mrimea suprafeei active. Crescnd tensiunea de
polarizare invers, crete adncimea regiunii de srcire i se micoreaz
capacitatea pn se atinge srcirea complet.
Cnd radiaia optic este absorbit n regiunea activ, se formeaz perechi
electron - gol care sunt separate, electronii trecnd n regiunea n, iar golurile n
regiunea p. Rezult astfel un curent foarte puin afectat de temperatur, variind cu
mai puin de 0,2 %/C pentru spectrul vizibil.
La aplicarea unei polarizri inverse, n lipsa iluminrii, prin fotodiod va trece
un curent mic, denumit curent de ntuneric.
Parametrii fotodiodelor p n sunt urmtorii:
- Responsivitatea este o msur a sensibilitii fotodiodei i este definit ca
raportul dintre fotocurentul de ieire i puterea radiant incident. n fig 2.22 se d
responsivitatea spectral a unei fotodiode de siliciu.
- Eficiena cuantic se exprim n procente i este capabilitatea fotodiodei de a
converti energia radiaiei optice n energie electric.
- Puterea echivalent de zgomot este puterea optic incident minim necesar
unei fotodiode pentru a genera un fotocurent egal cu curentul de zgomot total al

Metalizare catod
Si n de volum
Radiaie optica incident
Contact pentru anod
Acoperire antireflectorizant
SiO
2

Si p
Jonctiune p-n
Regiune de srcire
Si n
Fig. 2.21

44
fotodiodei i se definete ca raportul ntre curentul de zgomot i responsivitate.
Puterea echivalent de zgomot depinde de limea benzii de frecven a sistemului
de msurare.
Zgomotul generat de o fotodiod cu Si polarizat invers este o combinaie de
zgomot de alice, datorat curentului de ntuneric de scurgere, i zgomot Johnson,
datorat rezistenei interne paralel a dispozitivului i temperaturii. Zgomotul de alice
este componenta dominant a curentului de zgomot a unei fotodiode polarizate
invers cu tensiune mare. Dac dispozitivele sunt folosite n mod fotovoltaic (cu
polarizare zero), zgomotul Johnson este predominant, iar curentul de ntuneric se
apropie de zero. Cnd se lucreaz fr polarizare, se reduce curentul de zgomot,
deci i puterea de zgomot.
- Timpul de cretere reprezint msura vitezei de rspuns a fotodiodei la un
impuls dreptunghiular de radiaie optic i este timpul necesar pentru fotodiod s-
i creasc nivelul de ieire de la 10 % ia 90 % din nivelul final de ieire.
Timpul de colectare al sarcinii depinde de tensiune i are dou componente:
una rapid, care este timpul de tranzit al purttorilor de sarcin prin regiunea de
srcire, sub influena unui cmp electric i una lent, timpul de difuzie.
O clas special de fotodiode sunt cele pentru domeniul infrarou.
b. Fotodiode PIN
Fotodiodele PIN au o regiune cu Si intrinsec ntre regiunile p i n. Pe o
plachet de Si intrinsec cu rezistivitate mare se difuzeaz un strat epitaxial tip n cu
grosimea de 30 ... 40 m. Pe cealalt fa a plachetei se difuzeaz un strat subire,
de 2 ... 5 m, de conducie mare, tip p. Urmeaz apoi depunerea unor straturi
antireftectorizante de SiO i a contactelor ohmice.

Responsivitatea spectrala [A/W]
Lungimea de unda [nm]
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
Fig. 2.22

45
Fotodiodele PIN se realizeaz cu iluminare frontal sau cu iluminare lateral.
Datorit sensibilitii la radiaia optic incident i a vitezei mari de rspuns, ele
nlocuiesc des fotodiodele cu jonciune p-n.
Pentru polarizri inverse, cmpul electric din regiunea intrinsec accelereaz
purttorii de sarcin liberi spre regiunile puternic dopate. ncepnd cu tensiuni mici
de polarizare invers, toi purttorii de sarcin generai de radiaia optic incident
ajung n regiunile puternic dopate ntr-un interval de timp mai scurt dect timpul de
via. Pentru Si, timpul de rspuns este 0.5 ns i randamentul cuantic este mare
( = 0.6).
c. Fotodiode Schottky
Curbarea benzilor energetice ale unui semiconductor n vecintatea contactului
cu un metal d natere unei bariere de potenial numit barier Schottky.
Dispozitivul obinut este fotodioda Schottky, cu un principiu de funcionare
asemntor cu al fotodiodei p-n
Spre deosebire de fotodiodele cu jonciune p-n, fotodiodele Schottky se pot
utiliza i ca fotodetectoare pentru regiunea UV a spectrului radiaiei optice. n
domeniul UV, coeficientul de absorbie al materialelor semiconductoare este foarte
mare ( = 10
8
cm
-1
), astfel c adncimea efectiv de absorbie a radiaiei incidente
este d

= 1/ = 0,1 m sau chiar mai mic. Pentru realizarea fotodiodelor Schottky

eficiente n detecia radiaiei optice cu lungimi de und mici, se alege grosimea
stratului de metal i a stratului antireflectorizant astfel nct radiaia optic
incident s fie absorbit n regiunea de la suprafaa semiconductorului.
Fotodiodele Schottky din Au-Si au timpi de rspuns de ordin 0,1 ns i randament
mare ( = 70%).
d. Fotodiode cu avalan
Fotodioda cu avalan (APD) detecteaz nivele foarte sczute de radiaie
optic datorit ctigului intern. Structura fotodiodei cu avalan din Si are o
regiune de absorbie i o regiune de multiplicare, existnd trei variante:
- cu muchie teit (bevelled-edge),
- epitaxial i
- ntins.
La fotodiodele cu avalan cu muchia teit, se aplic o tensiune de polarizare
de 1500 V i 2400 V, cu plusul la catod (determinat de ctig), care creaz un
cmp electric puternic n jonciunea srcit de purttori. La creterea cmpului
electric, regiunea de srcire (denumit i de sarcin spaial) se extinde. Cnd
fotonii ating regiunea p, ei sunt convertii n perechi electron-gol. Electronii sunt
trai n regiunea de srcire unde sunt accelerai, atingnd viteza de saturaie.
Lng jonciune, aceti electroni primari au destul energie pentru a ioniza perechi
secundare electron-gol, cnd se lovesc de atomii de Si. Electronii secundari sunt
accelerai i repet procesul n avalan pn cnd toi sunt colectai la cealalt

46
margine a regiunii de srcire. n acest fel se amplific semnalul. Debitul intern de
purttori produce un curent electric n circuitul extern.
Structura unei fotodiode cu avalan cu muchie teit este dat n fig. 2.23.

Dispozitivul are o tensiune de strpungere peste care detecia liniar este
dificil datorit zgomotului mare generat de avalan. Odat atins strpungerea,
tensiunea trebuie micorat pentru a reseta fotodioda cu avalan. Acesta este
modul de lucru Geiger, unde ctigul este mare, dar neliniar.
Eficiena cuantic (randamentul) este probabilitatea conversiei fotoelectrice a
unui foton incident i este funcie de lungimea de und. Peste 1100 nm, fotonii nu
au destul energie pentru a trece electronii de valen peste banda interzis n
banda de conducie. Sub 1100 nm fotonii sunt absorbii la diferite adncimi medii
n fotodioda cu avalan, funcie de coeficientul de absorbie. Curba eficienei
cuantice n funcie de lungimea de und este un clopot.
Alegnd convenabil grosimea stratului antireflectorizant, se optimizeaz
funcionarea n domeniul vizibil sau infrarou apropiat, obinndu-se eficien
cuantic de 70... 80% ntre 500 nm i 800 nm.
Ctigul intern este funcie de lungimea de und i tensiunea aplicat. De
exemplu, pentru = 670 nm, dependena ctigului de tensiunea aplicat este dat
n fig. 2.24.
Fotocurentul de ieire din fotodioda cu avalan cu ctigul M este:

D
I I M I + =
0


unde I
0
= fotocurentul primar fr amplificare, iar I
D
= curentul total de ntuneric.

Metalizare catod
Radiaie optica incident
Contact anod p
Acoperire antireflectorizant
Inel de Si
Si p
Regiune de srcire
Si n
Fig. 2.23

47
Deoarece curentul de ntuneric circul paralel cu cel de semnal, el limiteaz
semnalul minim amplificat de fotodioda cu avalan.
Curentul de ntuneric total are dou componente: o component de suprafa i
una de volum. Curentul de ntuneric de volum este amplificat cu acelai ctig ca i
curentul de semnal. La ctiguri mici predomin curentul de suprafa, n timp ce
la ctiguri mari predomin curentul de volum..

Sursele principale de zgomot n fotodioda cu avalan sunt:
- zgomotul de alice, independent de frecven, ce provine din fotocurentul
primar;
- zgomotul efectiv de ntuneric;
- zgomotul n exces, care msoar variaiile ctigului fotocurentului i
curentului de zgomot introdus n timpul multiplicrii;
- zgomotul electronic al circuitului de conversie curent - tensiune de la ieirea
fotodiodei cu avalan.
Puterea echivalent de zgomot se definete ca puterea optic incident la
fotodioda cu avalan pentru care raportul semnal / zgomot este egal cu 1.
n aplicaiile unde se analizeaz amplitudinea unor secvene scurte de
impulsuri, zgomotul nu mai este caracterizat n domeniul frecven ci n domeniul
timp.
Frecvena de taiere este:
r
t
t
f

=
2
2 , 2


unde t
r
este timpul de cretere al impulsului de la ieirea fotodiodei cu avalan.

Ctigul M
Tensiune de polarizare invers [V]
0 400 800 1200
2000
1600
2400
1
10
100
1000
Fig. 2.24

48
Fotodiodele cu avalan au cureni de ieire liniari ntr-o gam dinamic mare
a amplitudinii impulsurilor de intrare. Impulsurile de radiaie optic incidente care
genereaz sarcin de peste 1 C sau nivelele continue de radiaie care genereaz
peste 1 W putere optic, produc neliniariti datorit nclzirii reelei cristaline.
Stabilitatea ctigului se obine prin compensarea fluctuaiilor de temperatur cu
ajutorul tensiunii de alimentare. n limitele a 10C fa de temperatura camerei,
tensiunea de alimentare poate varia cu aproximativ 1,8 V la o variaie cu 1 C.
e. Fotodioda cu avalan i vacuum
Conine un fotocatod i o fotodiod cu avalan ntr-an tub cu vid (fig 2.25) i
se folosete la detecia fotonilor singulari i a nivelelor foarte mici de radiaie
optic, la temperatura camerei.


Configuraia are ctig de maxim 10
6
prin intermediul unui proces n dou
etape. Fotonii incideni genereaz fotoelectroni la fotocatod, care este meninut la o
tensiune negativ mare fa de suprafaa frontal a fotodiodei cu avalan (tipic
8kV). Energia electronilor emii crete de aproximativ 2000 ori prin accelerare n
cmp electric. Cnd electronii lovesc fotodioda cu avalan, ei elibereaz noi
electroni n Si. Acest proces este denumit conductivitate indus prin bombardare
cu electroni. Spre deosebire de fotonul vizibil, a crui energie este suficient pentru
a produce o pereche primar electron-gol, electronii fierbini au energii de 2000 ori
mai mari dect energia benzii interzise a Si (3,6 eV). Corespunztor, avalana de
electroni secundari rezultant ncepe cu mai mult de 2000 electroni n loc de unul
singur. Fotodioda cu avalan are un ctig tipic de 500.

Radiaie optic
Fereastr de sticl
Fotodioda cu avalan
Electroni primari
Fotocatod
Catod
Anod (masa)
8 kV
2,3 kV
Fig. 2.25

49
Fotodiodele cu avalan i vacuum (VAPD) au fotocatodul din materiale
bialcaline, multialcaline sau GaAs, permind optimizarea rspunsului de la UV
apropiat pn la IR apropiat. Diametrul tipic este 18 mm.
Sursele de zgomot din semnal sunt:
- zgomotul fotonic de alice (din semnalul optic),
- curentul de zgomot de ntuneric,
- zgomotul datorat fluctuaiilor ctigului.
Contribuia major la zgomotul de ntuneric este curentul de ntuneric de
volum al fotodiodei cu avalan. Zgomotul poate fi redus prin rcirea VAPD la
0C. Gama dinamic este 10
7
, folosindu-se la numrarea fotonilor singulari i la
detectarea semnalelor mari.
Cmpul magnetic perturbator paralel cu cmpul electric al VAPD nu are nici
un efect asupra ctigului. La schimbarea triunghiului ntre cmpul magnetic i
cmpul electric, fotoelectronii din vid sunt deplasai cu o valoare care depinde de
mrimea cmpului magnetic i de distana ntre fotocatod i fotodioda cu avalan.
Pentru polarizarea invers a APD se recomand surse stabilizate n comutaie,
cu tensiunea de ieire reglabil n gama 0 V...+2600 V, riplu mai mic de 0,005 %
vrf la vrf i carcasa legat la pmnt, pentru protecie.
Preamplificatoarele folosite sunt identice pentru APD i VAPD. Deoarece
fotodioda cu avalan este o surs de curent, preamplificatoarele folosite sunt
convertoare curent-tensiune (pentru liniaritate bun sau gam dinamic mare) sau
convertoare sarcin-tensiune (pentru rezoluie bun).
Alegerea schemei particulare a preamplificatorului depinde de durata
pachetului de impulsuri, frecvena, intensitatea i gama dinamic. Legtura cu
fotodioda cu avalan se face n curent alternativ sau n curent continuu.
f. Fotodiode cu intensificare
ntr-o fotodiod cu intensificare (IPD) radiaia optic incident ptrunde
printr-o fereastr semitransparent de sticl din carcasa cu vid. Structura fotodiodei
cu intensificace este prezentat n fig. 2.26.

50

Suprafaa interioar a ferestrei frontale din sticl este acoperit cu un catod din
material fotosensibil (GaAs, GaAsP sau InGaAs-InP).
Fotoelectronii generai de catod sunt accelerai cu o tensiune de 8 kV i
focalizai pe suprafaa mic a unei fotodiode PIN sau Schottky, aflat de asemenea
n interiorul carcasei vacuumate. Fiecare electron accelerat genereaz cteva mii de
electroni n jonciunea p-n, rezultnd astfel ctigul tipic al fotodiodei cu
intensificare de 1000.
Fotocatozii standard au lungimea de und de tiere sub 1100 nm. Fotocatozii
cu electroni transferai au lungime de und de tiere mai mare i polarizeaz
fotocatozii InGaAs-InP pentru a aduga energie electronilor liberi fotogenerai.
Polarizarea aplicat transfer electronii n una din vile stratului de emisie InP.
Electronii sunt apoi emii prin stratul cu barier Schottky, ce a fost folosit pentru
aplicarea polarizrii, i scap n vacuum.
Un dezavantaj al fotodiodei cu intensificare este necesitatea tensiunii mari.
Exist ns variante de ansambluri integrate mpreun cu multiplicatoare de
tensiune care se alimenteaz la 12 V.
g. Fotodiode duale
Fotodetecia dual sau diferenial este recunoscut ca fiind mai sensibil dect
fotodetecia simpl, deoarece elimin zgomotul de mod comun.
n schema de baz a unui fotoreceptor dual, fotocurentul de la intrarea
amplificatorului este egal cu fotocurentul primei fotodiode minus fotocurentul celei
de-a doua, fig. 2.27.

Fotocatod
Electrozi de focalizare
Conector
coaxial
Fotodioda
Carcasa ceramica
-8 kV
R
1
R
2
R
3

Fig. 2.26

51
Cnd cele dou intrri optice au puteri identice i responsiviti mperecheate,
spre amplificator nu trece nici un fotocurent continuu. Dac rspunsurile n
frecven ale fotodiodelor sunt mperecheate, se elimin fluctuaiile de intensitate
de mod comun ale radiaiei optice (aceeai amplitudine i faz). Aceast situaie
este valabil cnd cele dou intrri provin de la acelai laser i au ntrzieri egale n
timp. Dac ntrzierile sunt diferite, ieirea va fi proporional cu sin(t
d
/2), unde t
d

este diferena de timp de ntrziere iar este pulsaia de modulaie.
Exist fotodiode duale ntr-o singur capsul i chiar patru fotodiode n aceeai
capsul, pentru realizarea fotodetectoarelor n cuadratur. Tipic, fotodiodele de pe
aceeai capsul au catozii legai n comun.
h. Fotodiode sensibile la poziie
O fotodiod sensibil la poziie (PSD - Position Sensitive Detector) este o
fotodiod cu siliciu cu rezisten uniform. PSD liniar are doi anozi i
un catod, fig. 2.28.
Cnd un fascicol focalizat de radiaie optic ajunge la suprafaa activ a
fotodiodei sensibile la poziie, la fiecare din cei doi anozi se genereaz cte un


+U
+U
+
-
Fig. 2.27
Intrare 1
Intrare 2
Fascicol focalizat de radiaie
optic
Anod 1 Anod 2
Catod
Fig.2.28

52
fotocurent invers proporional cu distana dintre centrul fascicolului i anod. O
PSD cu lungimea, de exemplu 24 mm are o rezoluie de 30 m i un timp de
rspuns de 50 ms. PSD se folosesc la msurarea rapid a poziiei capurilor
unitilor de disc magneto-optice, sursa de radiaie optic fiind un LED.
Exist i fotodelectoare sensibile la poziie pe dou axe, cu patru anozi i un
catod, n aceeai capsul. De asemenea, exist circuite hibride cu fotodiode
sensibile la poziie pe o ax sau dou axe, mpreun cu amplificatoare operaionale,
ieirea fiind sub forma semnalelor sum i diferen de tensiuni, n exterior fiind
necesar doar adugarea unui circuit de mprire de precizie pentru obinerea
informaiilor de poziie.

i. Fotodiode cu filtru optic
Filtrul optic se obine prin depunerea mai multor straturi pe faa inferioar a
unei fotodiode p-n, aceasta fiind faa expus la radiaia optic incident. Nu mai
este necesar utilizarea unui filtru integral sau separat, filtrul fiind realizat chiar n
structura fotodiodei, prin modificarea grosimii i a structurii stratului n i a
multistraturilor realizate prin evaporare.
Se obin astfel filtre trece band n regiunea 340... 1080 nm, cu o transmisie n
band > 80 % i rejecie n afara benzii de 99, 9 %. Scade astfel dimensiunea i
crete raportul semnal / zgomot, putndu-se folosi n prezena radiaiei optice
puternice de fond. Configuraia se utilizeaz la fotodetecia bidirecional sau
fotodetecia simultan a dou semnale diferite, unul cu partea superioar i cellalt,
filtrat, cu partea inferioar.


2.4.2.2 Fotodetectoare hibride sau integrate

Fotodetectoarele hibride sau integrate conin o fotodiod legat mpreun cu un
amplificator operaional n schem de convertor curent-tensiune. Avantajele
fotodetectoarelor hibride fa de soluia cu fotodiode discrete i schem cu
amplificator operaional sunt urmtoarele:
- construcia compact i rigid,
- zgomot sczut, datorit firelor scurte de legtur i substratului cu
suprafa mai mic,
- capacitatea parazit mic la intrarea preamplificatorului.
Amplificatoarele operaionale folosite la intrare sunt cu tranzistoare cu efect de
cmp cu Si, iar pentru creterea benzii i sensibilitii i scderea zgomotului se
folosesc amplificatoare operaionale cu TEC cu GaAs.
Circuitul hibrid este acoperit i sudat ntr-o capsul metalic izolat de circuit
i ecranat fa de sursele exterioare de tensiuni de zgomot. Capacul ansamblului
are o fereastr de sticl, lentil, filtru i montur cu fibr optic.

53
Fotodetectoare hibride se mai folosesc i pentru structuri cu diod laser sau
diod electroluminescent n acelai ansamblu.


2.4.2.3 Fototranzistoare

Datorit expunerii la radiaie optic, n jonciunea colector-baz a
fototranzistoarelor bipolare apare un curent care este amplificat de tranzistor.
Pentru amplificare mai mare, emitorul fototranzistorului se leag n baza unui
tranzistor, formnd un etaj Darlington i denumit fotodarlington. Amplificarea
fotodarlingtoanelor este > 10
5
, ns rspunsul este mai lent ca la fotodiode.
Tipuri de fototranzistoare: cu barier Schottky, unijonciune, unipolare,
bipolare din Si sau cu heterojonciuni. Cele mai folosite sunt fototranzistoarele
bipolare, TECMOS i TECj din Si.
Fototranzistoarele bipolare din Si cu baza polarizat au dou intrri: una
optic i una electric. Intrarea electric este utilizat pentru fixarea punctului static
de funcionare n regiunea liniar a caracteristicii.
Domeniul de sensibilitate spectral al fototranzistoarelor bipolare din Si este
acelai cu al fotodiodelor de Si, adic 400 1100 nm, cu un maxim la ~ 850nm.
Fototranzistoarele bipolare din Si cu baza n aer au aceleai caracteristici
curent-tensiune pentru diferite nivele ale fluxului optic incident. Curentul de
ntuneric la fototranzistoarele din Si este de ordinul 50 nA i depinde neliniar de
nivelul fluxului optic. La intensiti mai mari ale radiaiei optice incidente, factorul
de amplificare trece printr-un maxim i apoi scade rapid.
n domeniul liniar al dependenei fotocurentului de nivelul de iradiere optic,
sensibilitatea fototranzistoarelor bipolare din Si este de ordinul 10 ... 15 mA/klx.


2.4.2.4 Fotorezistoare

Numite i fotoconductoare, fotorezistoarele au un strat semiconductor omogen
cu grosimea 50...100 m din CdS, PbS, PbSe sau amestecuri de CdS i CdSe
depuse ntre doi electrozi. Radiaia optic incident determin scderea neliniar a
rezistenei de la valori mari (10
6
... 10
9
) n lipsa radiaiei optice, pn la valori de
zeci de ohmi la nivele mari de iradiere optic.
Fotorezistoarele se polarizeaz cu tensiune alternativ sau continu cu orice
polaritate (< sute voli) i n urma iradierii la putere optic de W...mW apare un
curent. Variaia rezistenei electrice este determinat de efectul fotoelectric intern.
Cnd un foton incident trece un electron din banda de valen n banda de
conducie peste banda interzis, crete conductivitatea semiconductorului.

54
Dezavantajele fotorezistoarelor sunt rspunsul neliniar, timp mare de rspuns
(zeci - sute ms) i memoria de termen lung.
Caracteristicile curent - tensiune ale fotorezistoarelor sunt simetrice fa de
originea axelor de coordonate, rezistena nedepinznd de polaritatea tensiunii.
Variaia fotocurentului n funcie de nivelul de iradiere optic este logaritmic.


2.4.2.5 Tuburi fotomultiplicatoare

Tuburile fotomultiplicatoare sunt tuburi cu vacuum, formate dintr-o carcas
din sticl, ceramic sau metal, un fotocatod din material fotoemisiv, electrozi cu
emisie secundar (dinozi) i un electrod colector, anodul. Structura unui tub
fotomultiplicator este prezentat n fig. 2.29.
Un foton care trece prin fereastra tubului fotomultiplicator (PMT) este absorbit
de fotocatod dac energia sa depete energia de legtur a materialului
fotocatodului. Conform efectului fotoelectric extern, se elibereaz un electron care,
dac are energie suficient scap n vidul tubului i este accelerat spre primul dinod
de diferena de potenial dintre fotocatod i primul dinod. n urma coliziunii,
energia electronului primar produce un numr de electroni secundari. Acetia, la
rndul lor, sunt accelerai spre al doilea dinod, unde se formeaz ali electroni.
Procesul se repet pn cnd anodul colecteaz un nor de electroni (peste un milion
de electroni), rezultnd un curent de semnal la ieire.

Tipic se folosesc dou configuraii de fotocatozi:
- opac (sau prin reflexie), folosit la PMT laterale i
- semitransparent (sau prin transmisie), folosit la tuburile fotomultiplicatoare
frontale.

Radiaie
optic
Fotocatod
Electrod de
focalizare
Electroni secundari Vid = 10
-4
Pa
Electrozi de multiplicare a
electronilor (dinozi)
Anod
Ultimul
dinod
e
-
Fig. 2.29

55
Fotocatozii opaci au sensibilitate mai bun n domeniul UV i IR, n timp ce
fotocatozii semitranspareni au sensibilitate mai bun n regiunile albastru i verde
ale spectrului vizibil.
Numrul i configuraia dinozilor determin amplificarea, viteza, liniaritatea i
uniformitatea rspunsului.
Exist apte tipuri de tuburi fotomultiplicatoare: circular, cutie cu gril (fig.
2.29), cu focalizare liniar, veneian, cu reea fin, plac microcanal i canal.
Plcile microcanal se folosesc pentru intensificarea semnalului, datorit
dimensiunilor mici, rigiditii, vitezei, liniaritii i imunitii la cmpuri
magnetice. O plac microcanal conine milioane de tuburi capilare paralele.
Amplificarea se realizeaz prin ciocnirea electronilor de pereii interiori, din
materiale semiconductoare, ai tuburilor capilare.
Pentru aplicaii de preluare de semnale la nivel de element de imagine (pixel),
fr interferen ntre pixeli, se folosesc tuburi fotomultiplicatoare multicanal,
denumite i PMT multianod sau PMT sensibile la poziie, cu 64 de canale sau cu
de 96 canale. PMT multicanal sunt realizate cu 10 etaje i asigur o amplificare de
10
6
(ca n PMT convenionale) la o tensiune de alimentare de 1000 1200 V.
Diferena de ctig ntre cele 96 PMT este de 3:1. Curentul de ntuneric anodic este
tipic 5 nA i de ordinul 100 pA/pixel. Interferena ntre canale este doar 35 % la un
pixel fa de toi ceilali opt vecini. n versiunea cu 64 canale interferena scade la
12 %.
Tuburile fotomuttiplicatoare singulare (convenionale), pentru un singur foton
incident, produc sute mV pe o sarcin de 50 . n aplicaii de numrare a fotonilor,
de exemplu pentru creterea sensibilitii, tuburile trebuie rcite pentru scderea
zgomotului. Produsul amplificare band este 10
16
iar timpul mediu de bun
funcionare 10000 ... 100000 ore.
Dezavantajele PMT sunt urmtoarele:
- posibilitatea defectrii la nivele mari de iradiere optic, datorit saturaiei
date de norul de electroni de la anod,
- fragilitate mecanic i dimensiuni mari,
- perturbare n cmp magnetic,
- existena impulsurilor ecou,
- tensiune mare de alimentare i
- reea rezistiv de divizare a tensiunii.


2.4.3 Fotodetectoare termice

Fotodetectoarele termice (senzorii optici activi termici) detecteaz radiaia
optic rspunznd la creterea temperaturii n urma absorbiei energiei radiaiei
optice n material.

56
Pentru a arta diferena de funcionare ntre senzorii optici activi termici i cei
electronici (cuantici), se traseaz rspunsul lor spectral (fig. 2.30). Rspunsul
spectral msoar responsivitatea unui fotodetector la diferite lungimi de und.
Fotodetectoarele termice au rspunsul spectral plat pentru o gam foarte mare
de lungimi de und. Fotodetectoarele cuantice au o responsivitate care crete cu
lungimea de und pn la un punct de tiere caracteristic, unde responsivitatea
scade spre zero. Acest lucru se datoreaz faptului c energia fotonilor este invers
proporional cu lungimea de und si responsivilatea msoar ieirea electric a
unui fotodetector la o putere optic dat. Responsivitatea crete astfel cu lungimea
de und pentru c ieirea unui fotodetector cuantic este proporional cu numrul
de fotoni incideni.
Tipuri de fotodetectoare termice: termopilele, fotodetectoarele piroelectrice,
bolometrele, celulele Golay, etc.


2.4.3.1 Termopile

O termopil este format din mai multe termocupluri legate n serie pentru a
crete sensibilitate cu temperatura.
Termocuplul a fost descoperit n anul 1821 de J. Seebeck care a observat c,
dac extremitile a dou fire din metale diferite sunt legate mpreun pentru a
forma o bucl, prin bucl va trece un curent electric cnd o jonciune este
meninut la o temperatur diferit de cealalt. Tensiunea care determin curentul
electric generat de termocuplu este direct proporional cu diferena de temperatur
dintre cele dou jonciuni, constanta de proporionalitate fiind denumit coeficient
Seebeck.
O schem simpl de fotodetecie cu termocuplu este dat n fig. 2 31.

Fotodetector
termic ideal
Fotodetector
cuantic real
Fotodetector
cuantic ideal
R


Fig. 2.30


57
n cazul termopilelor, jonciunile calde (de msurare) sunt concentrate pe o
suprafa comun de absorbie, subire, iar jonciunile reci sunt fixate pe un
radiator comun cu mas termic mare.
Cea mai folosit tehnologie de realizare a termopilelor este microprelucrarea
siliciului prin procedee fotolitografice. Construcia unei termopile ncepe cu un
substrat de Si din care se nltur partea de jos din mijloc, rmnnd o membran
groas de 1 m din SiO
2
/ Si
3
N
4
de conductivitate termic sczut. Pe membran se
depun conductoare subiri din dou materiale termoelectrice diferite.
Conductoarele au jonciunile calde n centrul membranei, iar jonciunile reci pe
partea superioar a substratului de Si. Stratul absorbant de radiaie optic acoper
jonciunile calde. Cipul senzor se monteaz cu un contact termic ntr-o capsul
metalic nchis ermetic cu un filtru integral pentru radiaie infraroie. Numrul
maxim de elemente termoelectrice legate n serie este 40.
Senzorii termoelectrici necesit sensibilitate mare i zgomot redus. Senzorul
ideal trebuie s aib coeficient termoelectric mare, conductivitate termic sczut
i rezistivitate de volum sczut. Materialele termoelectrice folosite sunt bismut i
antimoniu dopate cu seleniu sau teluriu, materiale semiconductoare (Si cristalin sau
policristalin). Rezistivitatea i puterea termoelectric se pot modifica prin
schimbarea concentraiei dopanilor. Avantajul de baz al Si este compatibilitatea
cu procesele CMOS, fiabilitate, stabilitate termic. Produsele realizate n aceast
tehnologie includ termopile cu polisiliciu dopat n i aluminiu.
Senzorul se monteaz n capsul cu un termistor pentru msurarea temperaturii
ambiante de referin.
Sensibilitatea unei termopile este dat de raportul ntre tensiunea de ieire i
puterea optic incident:

=
U
S [V/W]


Metal A
Element
absorbant
Jonciune rece (de
referin)
Metal B
Metal B
U
Fig. 2.31

58
unde U este valoarea efectiv a tensiunii de ieire i este valoarea efectiv a
fluxului radiaiei optice. Sensibilitatea depinde de transmisia filtrului optic, de
absorbia suprafeei receptoare a senzorului i de proprietile termice ale
ansamblului senzor capsulat. Cu filtru optic, sensibilitatea este de 5 100 V/W.
Constanta de timp este durata rspunsului semnalului dup o variaie a puterii
radiaiei optice incidente, msurat cnd semnalul a atins 63 % din valoarea sa
final. Tipic, valoarea este 10 100 ms.
Rspunsul n frecven al unei termopile depinde de constanta de timp.
Termopilele din Si microprelucrat au benzi de frecven de la 0 5Hz pn la 0
Hz 10Hz.
Radiaia incident afecteaz adesea nu numai suprafaa senzorului ci i capsula
sa; dac i capsula se nclzete, semnalul de ieire va fi afectat. Acurateea cea
mai bun de detecie se obine cnd radiaia optic incident este focalizat pe
suprafaa senzorului.
Un alt factor care afecteaz acurateea msurtorii estetemperatura ambiant.
Pentru minimizarea acestui efect se folosesc tehnici electronice de compensare a
temperaturii. Termopilele au coeficieni de sensibilitate cu temperatura de 0,01 ..
0,5 %/ K.


2.4.3.2 Fotodetectoare piroelectrice

Fotodetectoarele piroelectrice folosesc un element absorbant feroelectric care
are moment de dipol electric intern permanent, adic dipolii atomici ai substanei
au o direcie preferenial de polarizare, chiar n absena unui cmp electric aplicat.
La creterea temperaturii, vibraiile reelei cristaline a materialului feroelectric
reduc polarizarea materialului pn la dispariia sa, la punctul Curie. La orice
temperatur fix sub punctul Curie, polarizarea intern a materialelor feroelectrice
nu se manifest extern pentru c este neutralizat de purttorii de sarcin liberi din
material sau din afara lui, care migreaz la suprafee. Dac temperatura variaz,
variaia corespunztoare de polarizare genereaz o variaie msurabil a sarcinii
electrice la suprafa.
Pentru a obine o tensiune electric utilizabil, se folosesc preamplificatoare de
tensiune sau convertoare curent-tensiune.
Amplitudinea semnalului depinde direct de suprafaa elementului absorbant, de
coeficientul piroelectric (dP/dT) i de rezistena de sarcin. Factorii termodinamici
ca emisivitatea, capacitatea caloric i conductivitatea termic afecteaz
responsivitatea la fel ca la celelalte fotodetectoare termice.
Absorbanii feroelectrici sunt realizai din:
- materiale dielectrice fr simetrie central (sulfat de triglicina (TGS), TGS
deuterat, niobat de stroniu i bariu i tantalat de litiu);

59
- materialele dielectrice ceramice;
- straturi subiri din materiale elastice.
Structura fotodtectoarelor piroelectrice este dat n fig. 2.32.

Avantajele fotodetectoarelor piroelectrice (FDPE) sunt urmtoarele:
- gam mare a temperaturii ambiante, fr rcire sau termostatare;
- cost sczut;
- gama frecvenelor de modulaie a radiaiei optice 1 60 Hz;
- se pot realiza preamplificatoare simple cu amplificatoare operaionale;
- nu au cerine speciale pentru sursa de alimentare.
Dezavantajele fotodetectoareior piroelectrice:
- rspund numai la variaii ale nivelului radiaiei optice;
- rspunsul n frecven nu este plat la un dispozitiv standard, ducnd la
dificulti de interpretare a semnalului la ieire;
- raportul semnal / zgomot este mai mic dect la alte fotodetectoare;
- toate dispozitivele piroelectrice sunt piezoelectrice i deci au un rspuns
parazit la vibraii;
- sunt afectate de variaiile temperaturii ambiante i de micrile de aer;
- raportul semnal / zgomot scade la creterea frecvenei de modulaie;
- frecvena maxim este de ordinul kHz.
Din punct de vedere termic, fotodetectorul piroelectric se conecteaz ntr-o
structur care se comport ca un radiator: La frecvene de modulaie foarte mari
structura nu are nici un efect deoarece cldura absorbit nu are timp s prseasc
fotodetectorul. La frecvene de modulaie sczute, semnalul de ieire scade spre
zero deoarece cldura generat de radiaia optic incident este preluat de radiator
n loc s creasc temperatura fotodetectorului. Domeniul lungimilor de und este
0,1 ... 100 m.

FDPE
R
10
11

R
L

10
5

U
0
+U
Fig. 2.32
FDPE
R = 10
10

U
0
+
-

60
Analiza responsivitii n tensiune (folosind schema din fig. 2.32.a) duce la o
dependen de frecven ca n fig. 2.33.
Constanta de timp termic t
i
este raportul ntre cldura care poate fi meninut
de fotodetector i viteza la care ea poate fi eliminat n exterior:

T
i
G
H
t = , unde H este capacitatea caloric iar G
T
este conductana termic.
Frecvena de tiere electric este:
RC
E
1
= ,

unde R este rezistena n circuitul de gril al TECj iar C este capacitatea
fotodetectorului piroelectric.


2.4.3.3 Bolometre

Bolometrele folosesc variaia rezistenei electrice a materialelor expuse la
radiaia optic. Primul bolometru realizat n 1880 de ctre Langley folosea un
element absorbant din platin nnegrit, legat n punte Wheatstone. Rezistena
electric a bolometrului crete cnd platina absoarbe energia radiaiei optice.
Tipurile moderne de bolometre au dou elemente absorbante mperecheate,
montate n brae opuse ale punii. Unul din elementele absorbante nu este expus la
radiaia optic incident, el realiznd compensarea cu variaiile temperaturii
ambiante. Se folosesc diverse materiale absorbante, chiar i termistoare (oxizi de
nichel, mangan i cobalt cu capacitate caloric mic i coeficient de temperatur
mai mare dect metalele pure ca platina sau nichelul). Coeficientul de temperatur
al metalelor este aproximativ 0,005/ C la temperatura camerei, coeficientul de

T
T

1
=

E
log R

log
Fig. 2.33


61
temperatur al termistoarelor este aproximativ - 0,06/ C, mai bun cu mai mult de
un ordin de mrime dect al metalelor. Coeficientul de temperatur negativ al
termistoarelor este la fel ca la semiconductoare. Ca elemente absorbante se
folosesc semiconductoare intrinseci i extrinseci (Ge, Si, triseleniur de arseniu).
Funcionarea criogenic a bolometrelor mrete coeficientul de temperatur,
micoreaz capacitatea caloric, elimin sursele de zgomot dependente de
temperatur (zgomotul Johnson), cresc rezistena electric i fac posibil realizarea
bolometrelor superconductoare. Aceste bolometre funcioneaz la temperatura de
tranziie a superconductoarelor, unde rezistena variaz radical cu temperatura,
rezultnd sensibiliti foarte mari.
Dezavantajul bolometrelor este c temperatura lor ambiant trebuie s fie
precis controlat pentru a evita variaiile ridicate nedorite ale rezistenei.


2.4.4 Suprafee de fotodetectoare

Suprafeele de fotodetectoare realizate pe acelai substrat au mai multe
avantaje fa de fotodetectoarele singulare: rezoluie spaial, preluarea rapid a
semnalelor pentru multiplexare, sensibilitate foarte mare i semnalele pot fi
integrate pentru a obine timpi mari de expunere.
Sunt dou tipuri de astfel de suprafee, i anume:
a. Suprafee de fotodetectoare electronice
- suprafee de fotodiode (fotodiode p-n polarizate invers din Si, fotodiode p-n
nepolarizate din Ge sau fotodiode Schottky din PtSi);
- suprafee de fotorezistoare, realizate din Si extrinsec;
- suprafee cu transfer de sarcin electric (suprafee de condensatoare MOS i
amplificatoare de sarcin MOS). Transferul de sarcin reprezint transferul unei
sarcini electrice mobile stocat ntr-un element semiconductor, spre un element de
stocare similar aflat n vecintate, prin manipularea extern a valorii unor
poteniale. Sarcina electric se transfer n dou moduri: prin cuplaj sau prin
injecie.
- suprafee CMOS, compatibile cu tensiunile TTL.
b. Suprafee de fotodetectoare termice
Fotodetectoarele termice sunt folosite n domeniul infrarou, la temperatura
camerei, deoarece performanele variaz puin cu temperatura.
Sunt sensibile pentru radiaia optic din gama 8 ... 14 nm, unde transmisia
atmosferic este mai mare.
Dintre fotodetectoarele termice, pentru realizarea suprafeelor se folosesc
bolometrele i fotodetectearele piroelectrice. Avantajele acestora fa de
suprafeele de folodeteetoare cuantice constau n simplitate, funcionare fr rcire,

62
rezultnd astfel pre sczut. O camer de luat vederi cu suprafee de bolometre
poate fi folosit n aplicaii de larg consum.