You are on page 1of 10

Zbog toplinskog gibanja, sve estice vrste tvari (vrstog tijela) titraju oko svog sredinjeg poloaja, tzv.

ravnotenog poloaja u kojem je


rezultantna sila na promatranu esticu od susjednih estica jednaka nitici. Kad se estica pomakne iz svoga ravnotenog poloaja na nju
poinje djelovati sila od susjednih estica koja ju vraa u prvotni ravnoteni poloaj. ! tom smislu moe se izrei i prirodna de"inicija
vrstog tijela kao sustava u kojemu estice zadravaju stalan me#usobni poloaj i orijentaciju.
$snovni kriterij razlikovanja ustrojstva takvih sustava je stupanj ure#enosti. ! skladu s tim kriterijem podjela vrste tvari moe se
shematski prikazati kao na slici
Podjela vrste tvari s obzirom na stupanj strukturne ureenosti.
! kristalima je ure#enost dugog dosega jer su atomi, odnosno molekule u pravilnom unutranjem geometrijskom rasporedu koji se
periodiki ponavlja. ! monokristalu je ure#enost u cijeloj tvari, a karakterizirana je periodikim ponavljanjem osnovnog geometrijskog
oblika s pravilnim rasporedom atoma u kristalnoj reetci. ! polikristalu postoji ure#enost u manjim podrujima koja se nazivaju zrnima.
Kristalna zrna su nepravilne veliine i me#usobno su razliito orijentirana, a odijeljena su granicama zrna.
Znaajka amor"nih tvari je ure#enost kratkog dosega% elementarna struktura nema stalan oblik ni veliinu, ali zadrava iste sastavne
dijelove.
& obzirom na elektrinu provodnost ili otpornost, kristali se mogu podijeliti u tri skupine' kovine (vodii), poluvodii i izolatori. (a sobnoj
temperaturi elektrina otpornost za kovine je reda veliine )*
+,
m, za izolatore dosie vrijednost od )*
)-
m, a za poluvodie vrijednost
za je u granicama od )*
+.
do )*
-
m. /azlika u elektrinim svojstvima izme#u kovina, elementarnih poluvodia i izolatora proistjee iz
ustrojstva energijskih vrpci. &truktura energijskih vrpci istih poluvodia slina je onima u izolatoru, slika ).0.). a) i b), a razlika je u
udaljenosti izme#u vodljive i valentne vrpce, tj. u irini energijskoga procjepa (zabranjene vrpce). (a niskim temperaturama valentna
vrpca je potpuno popunjena elektronima, a vodljiva prazna, zbog ega je elektrina vodljivost onemoguena. $ irini zabranjene vrpce
ovisi na kojoj e temperaturi nastati elektron+upljina parovi, a time i gibanje naboja pod djelovanjem elektrinog polja. ! kovinama 1
skupine najgornja energijska vrpca nije potpuno zaposjednuta elektronima (slika ).0.)c). Za 11 skupinu elemenata, tako#er kovina,
svojstveno je preklapanje dviju najgornjih energijskih vrpci, ime je opet postignuta djelomina zaposjednutost doputenih energijskih
stanja elektronima (slika ).0.)d). !pravo to omoguava struju elektrona i pri malim iznosima prikljuenoga elektrinog polja.
++2oluvodi koji ne sadri atome drugih elemenata naziva se intrinsini (isti) poluvodi, ali budui da je takav poluvodi praktiki
nemogue proizvesti, umjesto idealizirane (teorijske) de"inicije ee se izrie realnija de"inicija' intrinsini poluvodi je kristal u kojem
jedan strani atom dolazi na )*
3
atoma elementarnog poluvodia.
++ 4kstrinsini poluvodi je ekstrinsino (primjesno) poluvodiko ustrojstvo kojemu su elektrina svojstva odre#ena brojem atoma
primjesa, a nastaje dodavanjem atoma drugih elemenata (primjesa) intrinsinom (istom) poluvodiu. 4lement kojemu se dodaju primjese
(matini element) je etverovalentni silicij ili germanij dok primjese mogu biti peterovalentni elementi (duik, "os"or, arsen, antimon) ili
trovalentni elementi (bor, aluminij, galij, indij). 2rimjese se unose u matini element odgovarajuim tehnolokim postupkom.
++!mnoak ravnotenih gustoa vodljivih elektrona i upljina u istom je poluvodiu na nekoj temperaturi stalan i jednak kvadratu
intrinsine gustoe'
n (
4
(
4
5
6
5
6
* * i
0
7
5 7
7
8
p 9 n 9 (
4 + 4
9 (
4

_
,

_
,

e:p e:p .
!mnoak n*p* u jednadbi odre#uje brzinu ponitavanja parova elektron+upljina, a desna strana te jednadbe je brzina stvaranja parova.
&toga se sukladno jednadbi zakon termodinamike ravnotee moe "ormulirati kao'
brzina ponitavanja parova elektron+upljina, proporcionalna umnoku gustoe elektrona i upljina, jednaka je brzini stvaranja parova
elektron+upljina, koja je odre#ena irinom zabranjene energijske vrpce i temperaturom.
++! ravnotenom stanju svaki poluvodi ima jednak iznos pozitivnog i negativnog naboja (zakon elektrine neutralnosti)'
(
;
< p 9 ( < n
* = *
.
irina zabranjene vrpce
! energijskom dijagramu poluvodia podruje izme#u valentne i vodljive vrpce energija naziva se energijski procjep ili zabranjena vrpca
Energijski dijagram za isti poluvodi.
$ irini zabranjene vrpce ovise mnoga svojstva materijala. Za poluvodi ona iznosi 4 e7
8
) . 2ri temperaturi apsolutne nitice 48 ima
najvei iznos i lagano opada s porastom temperature. ! strunoj se literaturi moe nai nekoliko empirijskih izraza pomou kojih se moe
odrediti irina zabranjene vrpce na nekoj temperaturi. Za silicij su odre#ena dva empirijska izraza, za dva razliita temperaturna podruja
[>]'
( ) 4 6 6 6
8
9).)?* +).*.3 )* + @.*. )* za 6 )?* K
+. +?

0
(0.>.))
( ) 4 6 6 6
8
9).)?,.+3.*0. )* + >.*. )* za 6 )?* K
+. +?
>
0
. (0.>.0)
++(a temperaturi apsolutne nitice isti poluvodi ima svojstva izolatora jer nema slobodnih nosilaca naboja% valentna vrpca je popunjena,
a vodljiva vrpca je prazna. Za poluvodie energijski procijep ima relativno mali iznos, tako da se ve pri sobnim temperaturama, zbog
toplinske pobude, neki elektroni mogu prebaciti iz valentne vrpce u vodljivu. 6i elektroni imaju veu energije od onih u valentnoj vezi,
mogu sudjelovati u vo#enju struje pa se nazivaju vodljivim elektronima.
++ Aermijeva energija 4"i de"inira se kao razina s vjerojatnou zaposjednua
Degenerirani poluvodi
2ri gustoama primjesa u poluvodiima priblino iznad )*
)?
cm
+>
udaljenosti izme#u atoma primjese nisu vie tako velike te se diskretne
energijske razine donora, odnosno akceptora cijepaju u vrpce energija. 6ako se diskretna donorska razina 4; cijepa u vrpce energija irine
4;.
4nergija ionizacije 41 je smanjena u odnosu prema nedegeneriranom poluvodiu, a pokusom je utvr#eno da pri gustoama donora priblino
).,)*
),
cm
+>
energija ionizacije u potpunosti nestaje.
2ojava cijepanja diskretnih razina u vrpcu energija popraena je i suenjem zabranjene energijske vrpce u odnosu prema irini procjepa
nedegeneriranog poluvodia.
Nehomogeni poluvodi
poluvodi u kojem gustoa primjesa nije jednoliko raspodijeljena, a poloaj Aermijeve razine u zabranjenoj vrpci nije stalan. Zbog
gradijenta gustoe u nehomogenom poluvodiu postoji elektrino polje iji je smjer djelovanja suprotan di"uzijskom gibanju nosilaca. !
uvjetima ravnotee ukupna struja u nehomogenom poluvodiu je jednaka nitici.
;akle, iako je nehomogeni poluvodi u ravnotenom stanju prema vani elektriki neutralan, u njemu je izme#u bilo kojih dviju toaka
uspostavljena potencijalna razlika, koja ovisi o gustoi istovrsnih nosilaca u tim tokama. Bto je razlika (prijelaz) u gustoi vea to je i
potencijalna razlika vea. (ajvea vrijednost potencijalne razlike postie se naglim prijelazom iz podruja n+tipa u podruje p+tipa
poluvodia. Za takvo nehomogeno poluvodiko ustrojstvo, poznato pod nazivom pn spoj moe se rei da je temelj svekolike poluvodike
elektronike.
Driftno gibanje nosilaca
8ibanje nosilaca u poluvodiu na koji nije prikljuen napon (unutar poluvodia nema elektrinoga polja), je neusmjereno (stohastiko) s
prosjenom termikom brzinom koja se mijenja u ovisnosti o temperaturi prema izrazu'
v
t
9
> 4
m
6
C

(0.?.))
u kojem je 46 temperaturni ekvivalent energije, a m
C
e"ektivna masa elektrona (upljina).
Zbog utjecaja prikljuenoga napona u poluvodiu nastaje elektrino polje koje usmjerava gibanje nosilaca u smjeru svog djelovanja. 2ri
tome se prosjenoj termikoj brzini pribraja (superponira) brzina zbog djelovanja elektrinoga polja, tzv. dri"tna brzina. $na je
proporcionalna jakosti elektrinoga polja A i pokretljivosti nosilaca '
, (0.?.0)
gdje je oznaka za pokretljivost nosilaca.
4lektrina provodnost poluvodia je jednaka zbroju elektrine provodnosti zbog gibanja elektrona n i elektrine provodnosti upljina p'
( )
9 < 9 D n < D p 9 D n < p
n p n p n p

(0.?.-)
gdje je n oznaka za pokretljivost elektrona, a p za pokretljivost upljina.
Difuzijsko gibanje naboja u poluvodiu
=ko u poluvodiu postoji nejednolika gustoa pokretnih nosilaca naboja, tada i bez vanjskog utjecaja (npr. elektrinog polja) nastaje
gibanje naboja iz podruja vee ka podrujima manje gustoe naboja i traje do uspostave jednake raspodjele naboja u cijelom obujmu
poluvodia. 6akav prirodan proces koji se odvija u svakom prostoru gdje postoji nejednolika gustoa bilo kojih pokretnih estica naziva se
di"uzija.
=ko su estice nabijene (elektroni ili upljine) tada se za elektrone koji su nosioci negativnog naboja izraz za gustou struje (struja po
jedinici povrine presjeka) moe pisati u obliku'
dx
dn
D q J
n n
+ , (0.,.>)
a za upljine
dx
dp
D q J
p p
.
Pokretljivost nosilaca
(a pokretljivost nosilaca u poluvodiu utjeu razliiti e"ekti zbog me#usobnog djelovanja nosilaca s ioniziranim atomima primjesa
(ionsko rasprenje), s kristalnom reetkom ("ononsko rasprenje), te me#usobnih sudara samih nosilaca.
=naliza pokretljivosti nosilaca moe se provesti po njenim sastavnicama, a pri tome se svaka sastavnica odnosi na odgovarajui e"ekt
rasprenja. !glavnom se razmatraju tri sastavnice pokretljivosti'
+pokretljivost odre#ena "ononskim rasprenjem
+pokretljivost odre#ena ionskim rasprenjem u me#usobnom djelovanju nosilaca i ioniziranih primjesa
+pokretljivost odre#ena rasprenjem koje je posljedica me#usobnih sudara nosilaca
Za odre#ivanje pokretljivosti elektrona i upljina, ako se razmatra samo utjecaj gustoe primjesa pri temperaturi 6 9 >** K, moe se
upotrijebiti izraz'

9
+
<
(
(
<
maks min
re"
min
)

_
,

u kojemu je ( ukupna gustoa svih ioniziranih primjesa, a vrijednost parametara min, maks, i (re" dane su u tablici
/elacija koja povezuje pokretljivost nosilaca naboja i di"uzijsku konstantu moe se dobiti analizirajui gibanje naboja u poluvodiu u
kojem gustoa primjesa nije jednoliko raspodijeljena (nehomogeni poluvodi), a poloaj Aermijeve razine u zabranjenoj vrpci nije stalan
poznata 4insteinova relacija
k 6
D
;
n n


kojom je iskazana me#usobna povezanost karakteristinih parametara za dva mehanizma provo#enja struje u
poluvodiima' dri"ta (preko pokretljivosti nosilaca) i di"uzije (preko di"uzijske konstante).
=ko se poluvodi, u kojemu je ravnotena gustoa vodljivih nosilaca n* i p*, obasja svjetlou odre#ene energije h ( je "rekvencija
"otona, a h 2lanckova konstanta) koja je priblino jednaka irini zabranjene vrpce dolazi do "otogeneracije elektron+upljina parova.
2osljedica te pojave je poveana gustoa vodljivih nosilaca u poluvodiu. !klanjanjem izvora svjetla, nastala poveana gustoa s
vremenom opada u procesu me#usobnog ponitavanja, tzv. rekombinacije elektrona i upljina, teei prvobitnoj ravnotenoj gustoi n*
odnosno p*. (astajanje (generacija) i nestajanje (rekombinacija) "otogeneriranih (ekscesnih) nosilaca moe se razmatrati odvojeno za
upljine, a odvojeno za elektrone. (pr. u poluvodiu n+tipa, djelovanjem svjetlosne energije, gustoa manjinskih upljina porast e od
ravnotene vrijednosti , slika 0.)-.)., a glavnih od n*n na . Eroj "otogeneriranih elektrona zanemariv je
prema broju n*n u poluvodiu n+tipa, pa se moe smatrati da je ravnotena gustoa glavnih nosilaca naboja ostala nepromijenjena.
Slika 2.14.1: Poluvodi n-tipa pod utjecajem svjetla.
(akon prestanka djelovanja svjetla "otogenerirane manjinske upljine rekombiniraju se okruene velikim brojem elektrona. 7iak gustoe
upljina, , opada po eksponencijalnom zakonu s vremenskom konstantom p koja se zove vrijeme ivota upljina, slika 0.)-.0.
. (0.)-.))
Slika 2.14.2: Ponitavanje !otogenerirani" upljina u ovisnosti o vremenu
u poluvodiu n-tipa.
7rijeme ivota manjinskih nosilaca nije stalna veliina ve ovisi o gustoi primjesa u poluvodiu. (a temelju provedenih mjerenja za
silicijski poluvodi izvedene su empirijske relacije za odre#ivanje vremena ivota manjinskih nosilaca.
Za upljine u poluvodiu n+tipa' ,
gdje je p* 9 >..0)*
+.
s, (*; 9 ?.))*
).
cm
+>
(6 9 >** K).
Za elektrone u poluvodiu p+tipa' ,
gdje je n* 9 ).?)*
+.
s, (*= 9 ?.))*
).
cm
+>
(6 9 >** K).
(aelna dinamika svojstva vodljivih nosilaca naboja u poluvodiu su' gibanje pod utjecajem elektrinog polja (dri"t), gibanje od
podruja visoke gustoe prema mjestu niske gustoe (di"uzija), te nestajanje nosilaca (rekombinacija). 2romjena gustoe nosilaca u jedinici
vremena dana je jednadbom kontinuiteta koja ukljuuje sva tri navedena e"ekta preko pripadajuih karakteristinih parametara' vrijeme
ivota, di"uzijske konstante i pokretljivosti nosilaca.
Za generirane upljine u poluvodiu n+tipa jednadba kontinuiteta ima oblik'

p
t
p p
;
p
:
A
p
:
n n n
p
p
n
p
n


+
*
0
0
, (0.)..))
koji se u odre#enim uvjetima moe svesti na jednostavnije di"erencijalne jednadbe.
1zrazita nehomogenost poluvodia postie se tako da se monokristalu u jednom dijelu dodaje primjesa akceptora, a drugom primjesa
donora. 6a dva dijela odvojena su graninom plohom (ravninom kompenzacije) koja se zove pn spoj ili pn prijelaz, slika >.).).
Slika 3.1.1: Prikaz pn spoja.
(etona bi bila tvrdnja da se pn spoj moe nainiti jednostavnim spajanjem poluvodia p i n tipa, kao to bi se moglo pomisliti na temelju
slike >.).). ;odir (kontakt) p i n tipa poluvodia mogue je jedino ostvariti posebnim tehnolokim metodama odnosno postupcima
planarne tehnologije na siliciju. 6ri su standardna postupka planarne tehnologije'
epitaksijalni rast,
di"uzija primjesa,
ionska implantacija.
4pitaksijalni rast (krae epitaksija) je tehnoloki postupak rasta monokristalnog sloja na monokristalnoj podlozi. 2otom slijedi postupak
termike oksidacije kako bi se stvorio tanki zatitni sloj silicijevog dioksida &i$0
Kada su epitaksijalni sloj i podloga od istog materijala tada je to homoepitaksijalni, autoepitaksijalni ili izoepitaksijalni rast. =ko je
podloga razliita od epitaksijalnog sloja tada je to heteroepitaksijalni rast. Za pokretanje procesa epitaksijalnog rasta potrebna je energija
od ).@ do ).3 e7 (aktivacijska energija), a brzina samog rasta ovisi o temperaturi.
;i"uzija primjesa je osnovni tehnoloki postupak dobivanja pn spoja koji se obavlja na visokoj temperaturi u zatvorenom sustavu
(di"uzijskim peima). Za razliku od epitaksijalnog rasta di"uzija primjesa je selektivan proces jer se obavlja na tono odabranim mjestima
na poluvodiu kroz otvor (prozore) u oksidnom sloju na povrini silicija. (a slici prikazan je tipian pn spoj dobiven di"uzijom primjesa
donora u podlogu p tipa.
1onska implantacija je niskotemperaturan tehnoloki postupak koji se obavlja uz potencijalnu razliku ( )** k7) pri kojoj je omogueno
prodiranje iona kroz povrinu vrstog tijela. 2ri tome implantirani ioni oteuju kristalnu reetku, a nastala oteenja se mogu ukloniti
kaljenjem na odre#enoj temperaturi (npr. za silicij temperatura iznosi oko @**
o
5).
/aspodjela (pro"il) primjesa u blizini ravnine kompenzacije ovisi o postupku planarne tehnologije, a redovito je neka sloena matematika
"unkcija.
1zrazita nejednolikost (nehomogenost) raspodjele primjesa u poluvodiu postie se naglim prijelazom iz podruja p+tipa u podruje n+tipa,
slika >.0.).
Slika 3.2.1: #kokoviti pn prijelaz.
2 strana je jednoliko oneiena atomima akceptora, a n strana atomima donora, a na prijelazu izme#u ta dva homogena podruja razlika u
gustoi donora i akceptora mijenja se skokovito. /avnotene gustoe nosilaca na p strani su p*p i n*p, a na n strani su p*n i n*n, slika >.0.0.
Slika 3.2.2: $amiljeno neravnote%no stanje pn spoja.
! zamiljenom neravnotenom stanju pn spoja, Aermijeve razine na p i n strani nisu izjednaene. Fijevo i desno od granine ravnine, (: 9
*), velika je razlika u gustoi istovrsnih nosilaca p*p i p*n, te n*n i n*p. 2osljedica je di"uzijsko gibanje upljina iz p u n stranu, a elektrona iz
n u p stranu. /avnoteno stanje nastaje kada se uspostavi kontaktna energetska barijera 4k, a Aermijeve razine izjednae na jednoj i drugoj
strani pn spoja, slika >.0.>.
Slika 3.2.3: Energijski dijagram pn spoja u ravnote%i.
Kod pn spoja, kontaktna se barijera uspostavlja zbog di"uzijskoga gibanja upljina iz p strane u n stranu, a elektrona iz n strane u p stranu.
! okoliu granine ravnine pn spoja nastaje podruje koje zbog pojave ponitavanja oskudijeva slobodnim nosiocima, a postoje samo
nepokretni ioni akceptora s negativnim nabojem i donora s pozitivnim nabojem. 6o podruje, ovisno o gustoi primjesa, zadire
nesimetrino u p i n stranu i naziva se pn barijera, prijelazni sloj, dvosloj ili osiromaeno podruje, a sjedne i druge strane ome#eno je
neutralnim podrujima p i n strana
!spostavljeno elektrino polje A ima smjer od pozitivnih atoma donora prema negativnim akceptorima i zaustavlja prijelaz veinskih
nosilaca tj. elektrona u p stranu i upljina u n stranu, ali istodobno omoguava prijelaz manjinskih nosilaca (za njih barijera ne postoji), tj.
elektrona iz p strane u n stranu i upljina iz n strane u p stranu. Eudui da je za pn spoj u ravnotei ukupna struja elektrona, odnosno
upljina, jednaka nitici, uspostavljeno elektrino polje omoguava protjecanje di"uzijske struje veinskih upljina iz p strane, 1 ;p, koja
ponitava dri"tnu struju manjinskih upljina iz n strane, 1&n. 1sto tako dri"tna sastavnica manjinskih elektrona iz p strane, 1&p, ponitava
di"uzijsku struju veinskih elektrona iz n strane 1;n
Kontaktni potencijal
Kontaktni potencijal za linearno+postupan pn prijelaz moe se odrediti na slian nain kao i za skokoviti pn prijelaz. Eudui da nagib
raspodjele gustoe primjesa ima istu vrijednost na p i n strani, to su i irine barijera p i n strane jednake pa je to simetrini pn spoj, slika
>.>.).).
Slika 3.3.1.1: &irina barijere linearno-postupnog pn prijelaza.
&ukladno slici >.>.).)., irina barijere p i n strane iznosi'
: :
d
p n
E

0
, (>.>.).))
a pripadajue gustoe primjesa su'
( (
d a
; =
E


0
(>.>.).0)
pa se kontaktni potencijal moe odrediti izravnim uvrtavanjem izraza (>.>.).0) u izraz za kontaktni potencijal skokovitog pn prijelaza'
! !
( (
n
!
a d
n
k 6
; =
i
6
E
i



_
,
ln ln
0
0 0
0
-
.
Birina podruja barijere pn spoja moe se mijenjati promjenom iznosa i polariteta prikljuenog napona
2romjena irine podruja barijere pn spoja izravna je posljedica promjene napona na barijeri !E, koji je jednak kontaktnom naponu !k i
njemu superponiranom vanjskom naponu !. ! uvjetima propusne polarizacije napon na barijeri je umanjen upravo za iznos prikljuenog
napona !'
! ! !
E k
, (>.0.>.))
neutralno
podruje
neutralno
podruje
a pri nepropusnoj polarizaciji je povean, slika >.0.>.0.
! ! !
E k
+ , (>.0.>.0)
Slika 3.2.3.2: Promjena visine barijera 'napona ()* u ovisnosti
o polaritetu prikljuenog napona (.
;jelovanjem prikljuenog napona pn spoj prelazi iz ravnotenog u neravnoteno stanje. 2ri propusnoj polarizaciji veinski nosioci
pojaano prelaze barijeru na onu stranu gdje su u manjini (upljine iz p strane na n stranu, a elektroni iz n strane na p stranu), stoga se taj
proces naziva utiskivanje (injekcija) manjinskih nosilaca. 8ustoa utisnutih nosilaca uz rubove barijere ovisi o iznosu prikljuenog napona
(poveana je u odnosu prema ravnotenoj manjinskoj gustoi) i postupno se smanjuje prema krajevima p i n strane, zbog e"ekta
rekombinacije, teei ravnotenim manjinskim gustoama, slika >.0.>.>.
;akle, stalno postoji gradijent gustoe s posljedicom di"uzijske struje u pn spoju. ! uvjetima nepropusne (reverzne) polarizacije veinski
nosioci ne mogu prelaziti barijeru pa tee struja manjinskih nosilaca (upljina iz n strane i elektrona iz p strane). 8ustoe tih nosilaca uz
rubove barijere su manje od ravnotenih, ali prema krajevima p i n strane tee ravnotenim razinama, slika >.0.>.-.
! ravnotenom stanju pn spoja zamiljene se struje di"uzije i dri"ta me#usobno ponitavaju (Gn9 *, Gp9 *). 1znosi gustoa tih struja su za
nekoliko redova veliina vee od gustoe struje polariziranog (propusno ili nepropusno) pn spoja. 2ritom su naponi propusne polarizacije
umjerenih vrijednosti, a neravnoteno stanje pn spoja moe se smatrati priblino ravnotenim (kvaziravnotenim).

u uvjetima propusne polarizacije pn spoja. u uvjetima nepropusne polarizacije pn spoja.
relacija koja povezuje ravnotenu gustou manjinskih nosilaca (elektrona), gustou elektrona uz rub barijere +:p i narinuti vanjski napon !'
n n
D
k 6
!
p p * *

_
,

e:p .
Za upljine uz rub barijere :n vrijedi ista veza s ravnotenim manjinskim upljinama na n strani'
p p
D
k 6
!
n n * *

_
,

e:p .
/elacije su znaajne pri odre#ivanju rubnih vrijednosti gustoa uz barijeru pn spoja u uvjetima niske injekcije.
! podruju barijere pn spoja gustoe nosilaca su malene (osiromaeno podruje), a dominiraju nepokretni negativni ioni akceptora na p
strani i pozitivni donori na n strani. 5ijeli taj prostor ima karakteristike dielektrika na koji se s obje strane nastavljaju relativno dobro
vodljiva neutralna p i n podruja, tvorei tako ustrojstvo sa svojstvom kapacitivnosti analognoj kapacitivnosti ploastog kondenzatora.
Zbog nepropusne polarizacije ioniziraju se akceptori i donori, iri se podruje barijere i mijenja barijerni kapacitet. Kapacitet po jedinici
povrine odre#en je izrazom'
5
dH
d!
6
,
gdje je H naboj po jedinici povrine, a ! je narinut napon na barijeri pn spoja.
&kraeni oblik relacije za barijerni kapacitet pn spoja'
5
5
!
!
6
6
k

*
)
= dobija se kombinacijom i jednostavan izraz'
5
d
6
E


,
koji je upravo jednadba za odre#ivanje kapaciteta po jedinici povrine ploastoga kondenzatora. ;akle, prema dobivenom izrazu, moe se
povui "ormalna analogija izme#u ploastog kondenzatora i podruja barijere pn spoja.
Fmaks maksimalna jakost elektrinog polja'
A
D a d
maks
E

0
,
.
!kupna struja kroz pn spoj je u svakom njegovom presjeku ista, a odre#ena je zbrojem di"uzijske struje elektrona i upljina u dvjema
razliitim tokama (G 9 Gp(:n) < Gp(+:p)). 2ritom je pretpostavljeno da je neposredno iza barijere na n strani struja upljina ista kao i na rubu
barijere na p strani, a to vrijedi i za struju elektrona koji ulaze na p stranu. $d ruba barijere prema dubini p i n podruja di"uzijske struje 1 ;p
i 1;n opadaju i nakon udaljenosti koja odgovara di"uzijskoj duini poprimaju male iznose, ali se pojaava struja veinskih nosilaca 1Ap i 1An,
tako da ukupna struja kroz pn spoj ima stalnu vrijednost
Slika 3.2.7.3: #truja i njene sastavnice propusno polariziranog pn spoja.
=ko su irine neutralnih podruja Ip i In p i n strane velike u odnosu prema di"uzijskim duinama Fn i Fp (iroka p i n strana izraz sesvodi
na jednostavniji oblik'
1 D n &
;
( F
;
( F
s i
n
= n
p
; p

_
,

0
.
Za IpJJFn i InJJFp (uska p i n strana) izraz poprima oblik'
1 D n &
;
( I
;
( I
s i
n
= p
p
; n

_
,

0
.
#trujno-naponska karakteristika poluvodike diode
Shocklejeva jednad!ba opisuje strujno+naponsku karakteristiku idealnoga pn spoja i u skladu je s izmjerenim vrijednostima za realni pn
spoj tj. poluvodiku diodu, poglavito u podruju negativnih i umjereno pozitivnih napona.
/everzna struja zasienja sastoji se od manjinskih nosilaca i proporcionalna je njihovim gustoama. /everzna struja zasienja 1 s, teoretski
je asimptota "unkcije kad napon ! , a praktiki ona poprima konaan iznos ve pri negativnim naponima od nekoliko volti.
! podruju propusne polarizacije, struja u poetku polagano raste do napona koljena (!
9 *..7 za silicijski pn spoj), a zatim naglo raste
poprimajui sve vee vrijednosti.
;a bi &hockleKjeva jednadba to bolje opisivala strujno+naponsku karakteristiku stvarne poluvodike diode, uvodi se korekcijski
parametar m, ija vrijednost ovisi o struji kroz diodu, a obino se nalazi u granicama od ) do 0.
1 1
!
m !
s
6

_
,

1
]
1
e:p ) .
(a slici >.0.3.). prikazan je nagomilani (akumulirani) naboj manjinskih upljina na irokoj n strani pn spoja. ! uvjetima niske injekcije
struja upljina ima di"uzijska svojstva, a njihova gustoa pn(:) opada od ruba barijere :n prema kraju poluvodia :cn, po eksponencijalnom
zakonu'
p : p p p
: :
F
n n n n
n
p
( ) ( ) e:p +

_
,

* * *
,
Slika 3.2.9.1: +kumulirani naboj na irokoj n strani pn spoja.
(a uskoj n strani raspodjela manjinskih upljina priblino je linearna, slika >.0.3.0.
Slika 3.2.9.2: +kumulirani naboj na uskoj n strani pn spoja.