SOLID SURFACES

PERMUKAAN PADATAN
Introduction
Molekul di permukaan, tersusun dengan cara yang
berbeda dengan di fasa ruah
Pernyataan ini secara umum berlaku baik untuk
solid maupun liquid
Perbedaannya ada pada saat solid ter-deformed
oleh gaya luar yang kecil, ia akan bereaksi secara
elastis sementara liquid akan bereaksi secara
plastis
Individual atom dan molekul pada solid hanya
mampu bervibrasi disekitar posisi reratanya atau
dengan kata lain fixed pada posisi tertentu
Namun solid dapat juga bersifat mobil dan
mengalir dengan sangat lambat pada kasus
tertentu
Saat solid mengalami sintering, dimana
serbuk padat dipanaskan pada suhu 2/3 titik
leleh, molekul di permukaan menjadi lebih
mobil dan dapat berdifusi secara lateral
Saat didinginkan, material akan memadat
pada bentuknya yang baru dan akan
terbentuk continuous solid
Kebanyakan solid tidak bersifat kristalin
dipermukaannya, hal ini berlaku untuk padatan
amorf juga untuk kristal dan polikristal
Beberapa surfaces mengalami oksidasi pada
suhu ruang, contohnya alumunium yang
membentuk lapisan oksida keras sesaat
terekspos udara
Bahkan pada kondisi atmosfir inert atau ultrahigh
vacuum (UHV) molekul permukaan membentuk
lapisan amorf diatas solid ruah kristalin
Beberapa alasan akademis
Struktur permukaan kristal yang well defined
memungkinkan eksperimen membandingkan sampel
yang berbeda untuk material yang sama
Struktur periodik permukaan kristal membantu
deskripsi teoritis sehingga memungkinkan kita
menggunakan metode difraksi untuk
menganalisisnya
Permukaan kristalin sangat penting di dunia semi
konduktor dan banyak alat semi konduktor moidern
memerlukan produksi permukaan kristal yang
baik/defined
Deskripsi Permukaan Kristalin
Kita awali dari contoh sederhana dimana
kristal ideal dengan satu atom per unit selnya
dipotong sepanjang bidang dengan asumsi
permukaannya tidak berubah
Struktur permukaan yang dihasilkan
didefinisikan dengan melihat struktur kristal
ruah dan orientasi relatif bidang potong
Struktur permukaan ideal ini dinamakan
struktur substrat. Orientasi bidang potong dan
juga permukaan biasanya dinotasikan
dengan besaran indeks Miller
Penentuan Indeks Miller
( )
(263) Miller indeks sehingga
6 adalah bulat membuatnya untuk
terkecil pengali Faktor , , dibalik
jika 2) 1, (3, koordinat pada kristal
sumbu memotong diarsir yang Bidang
. dan , dimensi 3 sel unit vektor
dengan diuraikan dimensi 3 Kristal
2
1
1
1
3
1
3 2 1
a a a

Gambar 8.1
Notasi {hkl} digunakan untuk menunjukkan bidang
(hkl) dan semua bidang ekivalen yang simetris
Dalam kristal kubus misalnya (100), (010) dan (001)
semuanya ekivalen dan ditulis {100}
Kristal heksagonal close packed biasanya dituliskan
dengan 4 vektor kisi/lattice sehingga indeks Millernya
4 (h k i l) dimana indeks ke-4 didefinisikan i = -(h + k)
Dalam surface science, permukaan dengan indeks
rendah biasanya cukup menarik perhatian
Pada gambar berikut 3 diperlihatkan contoh
permukaan indeks rendah (low index surface) untuk
kisi fcc
Gambar 8.2
Permukaan (100) ekivalen dengan (010) dan (001),
permukaan (110) ekivalen dengan (011) dan (101)
Permukaan kristalin dapat dibagi menjadi 5 kisi
Bravais berdasarkan simetri yang dimiliki
Kisi ini dikarakterisasi oleh sudut kisi o dan panjang
vektor kisi a
1
dan a
2
. posisi vektor semua individual
atom di permukaan dindikasikan oleh


Dimana n dan m bilangan bulat
2 1
. . a m a n r

+ =
5 Kisi Bravais 2 dimensi
Surface Relaxation dan Reconstruction
Atom di permukaan solid kehilangan tetangga di
satu sisi, akibat asimetri ini atom teratas
diasumsikan berbeda strukturnya dengan fasa ruah
Pada surface relaxation, bidang lateral atau bidang
sisi dalam atom permukaan tidak berubah namun
jarak antara lapisan paling atas mengalami
perubahan
Pada logam biasanya kita menjumpai jarak yang
tereduksi pada lapisan teratas, ini disebabkan
adanya lapisan dipole di permukaan logam yang
dihasilkan dari persamaan gelombang elektron
pada atom permukaan terdistorsi
Reduksi jarak interlayer antara 2 lapisan
teratas dibandingkan fasa ruah untuk (110)
unreconstructed Cu, Ni, Au dan Pd
Cu Ni Au Pd
0,020 0,156 0,125 0,080
Pada surface reconstruction jarak sisi antar atom
permukaan berubah, contohnya pada sisi (100)
Au, Ir, Pt dan W
Gambar berikut memperlihatkan surface
reconstruction yang memicu pelebaran jarak kisi
pada satu arah
Preparasi Permukaan Bersih
Untuk mempreparasi permukaan kristalin, material
awal biasanya yang murni, kristal tunggal secara 3-
dimensi
Kristal ini kemudian diiris pada orientasi yang
diinginkan, jika materialnya bersifat keras maka di-
polish namun jika materialnya lembut maka dicuci
secara elektrokimia
Namun proses kimia dan elektrokimia biasanya
tidak sejalan dengan kondisi UHV
Metode in situ preparasi permukaan yang
dilakukan dalam chamber UHV lebih diutamakan
Metode ini Mencakup Thermal
Treatment
Pemanasan material dapat menyebabkan desorpsi
spesies yang terikat lemah dari permukaan,
sehingga cara ini dapat digunakan untuk
membersihkan permukaan
Efek samping positifnya adalah proses annealing
mereduksi jumlah cacat permukaan karena ia
meningkatkan laju diffusi atom-atom surface dan
ruah
Namun efek negatifnya adalah terjadinya pelelehan
permukaan dan transisi fasa yang mengakibatkan
pembentukan struktur yang tidak dikehendaki
Cleavage - Pemotongan
Pemotongan kristal ruah untuk menghasilkan
bidang kisi yang bersih dapat dilakukan pada
material yang brittle
Contohnya adalah mica, atau HOPG (highly
oriented pyrolitic graphite) yang memperlihatkan
struktur berlayer yang siap untuk dipotong
Keterbatasan dari metode ini adalah bisa jadi
dihasilkan konfigurasi permukaan yang metastabil
yang berbeda dengan kondisi kesetimbangan,
sehingga hanya bidang tertentu saja yang dapat
dilakukan cleavage
Gambar 8.8 Cleavage
Sputtering
Pada metode ini, permukaan dibombardir
dengan ion-ion gas mulia, sehingga kontaminan
dan juga beberapa lapisan awal material akan
hilang
Gas inert biasanya pada tekanan 1 Pa
dimasukkan pada vacuum chamber, kemudian
diberikan medan listrik tegangan tinggi
Elektron yang dilepaskan pada proses ionisasi
akan terakselerasi oleh medan listrik dan
menabrak serta mengionisasi lebih lanjut atom-
atom gas
Gambar Sputtering
Evaporation
Evaporasi adalah teknik vacuum untuk
mendeposisikan lapisan tipis
Material yang akan didepositkan dipanaskan
hingga menguap, karena evaporasi dilakukan
pada vacuum maka ia akan terkondensasi
langsung ke substrat yang ditempatkan pada
posisi yang bersesuaian
Biasanya lapisan amorf atau polikristalin setebal
10 nm dapat dibentuk dengan cara ini
Untuk mendapatkan permukaan kristalin, sampel
biasanya dianneal selama atau setelah evaporasi
Gambar - Evaporasi
Molecular Beam Epitaxy (MBE)
Dalam MBE, pancaran molekuler digunakan
untuk mendepositkan lapisan epitaxial diatas
permukaan substrat kristalin yang
dipanaskan (500 600
o
C)
Epitaxial maknanya struktur kristal dari
lapisan yang ditumbuhkan match dengan
struktur kristal substrat
Hal ini dimungkinkan hanya jika kedua
material sama (homoepitaxy) atau jika
struktur kristal kedua material mirip
(heteroepitaxy)
Termodinamika Permukaan Padatan
Saat membahas permukaan liquid, tegangan
permukaan adalah parameter penting, namun jika
kita kembangkan ke permukaan padatan timbul
beberapa permasalahan
Jika permukaan liquid membesar, maka jumlah atom
permukaan juga meningkat
Untuk permukaan padatan peningkatan plastis
seperti diatas bukanlah satu-satunya pilihan
Ada mekanisme lain yaitu peningkatan elastis dari
luas permukaan
Jika permukaan solid meningkat akibat peregangan
mekanis, jarak antar atom permukaan bertetangga
akan berubah, sementara jumlah atom dipermukaan
tidak berubah
Peningkatan luas permukaan ini biasa diuraikan dari
sudut pandang surface strain (tegang)
Surface strain total diberikan oleh c
tot
perubahan luas
permukaan dibagi luas seluruh permukaan dc
tot
=
dA/A
Surface strain dapat dibagi menjadi plastic strain dc
p

dan elastic strain dc
e
sehingga dc
tot
= dc
p
+ dc
e
.
Untuk menjelaskan peningkatan elastic luas
permukaan, digunakan pendekatan surface stress T
Perubahan energi bebas Gibbs per unit area
diberikan oleh kerja reversibel yang dibutuhkan untuk
meluaskan permukaan melawan surface tension
dan surface stress T
Disini
S
disebut parameter intensive
permukaan umum atau energi permukaan
dan bukan besaran termodinamika
sesungguhnya karena tergantung pada
bagaimana padatan terbentuk
Hubungan antara surface tension dan surface
stress diturunkan oleh Shuttleworth

T
. .
tot
e
tot
p
S
d
d
d
d
c
c

c
c
+ =
e
c

c
c
+ =
T
Penentuan Energi Permukaan
Penentuan parameter energi
permukaan seperti surface tension,
surface stress, energi dalam dll adalah
pekerjaan yang sulit, hal ini terjadi
karena beda metode akan
menghasilkan beda parameter dan
hasilnya tidak dapat dibandingkan
Parameter energi permukaan dapat
dihitung dari berbagai pendekatan
Padatan Kovalen
Ikatan pada padatan kovalen didominasi oleh
interaksi short-range
Energi dalam permukaan dihitung berdasarkan
setengah dari energi yang diperlukan untuk
memisahkan ikatan melewati cross-sectional
area tertentu
Ini dinamakan nearest neighbor broken bond
model
Energi bebas Gibbs permukaan tidak terlalu
berbeda karena pada suhu ruang, kontribusi
entropik dapat diabaikan
Kristal Gas Mulia
Kristal gas mulia terbentuk karena gaya van
der Waals, untuk menghitungnya bisa
dengan eksperimen rekayasa yaitu dengan
memisahkan kristal pada posisi atomic fixed
Langkah ini kemudian diikuti tahap kedua
yaitu posisi molekuler ditata ulang
berdasarkan suasana baru
Ini dapat dilakukan dengan simulasi komputer
Gambar 8.11
Kristal Ionik
Untuk kristal ionik pendekatan serupa dapat
digunakan namun interaksi Coulomb harus
juga diperhitungkan selain gaya tarik van der
Waals dan tolakan Pauli
Walaupun gaya tarik van der Waals sedikit
menyumbang pada energi kisi 3 dimensi,
kontribusinya pada energi permukaan cukup
signifikan pada kisaran 20 30%.
Energi permukaan terhitung akan sangat
tergantung pada pemilihan tertentu dari
potensial antar atomik
Logam
Untuk logam ada dua metode yang dapat
digunakan untuk menghitung energi
permukaan
(1) seperti pada kasus gas mulia dan kristal,
energi permukaan dihitung berdasarkan
potensial interaksi antar atom
(2) menggunakan model pendekatan elektron
bebas dalam kotak, dimana dindingnya
adalah permukaan dari logam
Surface Steps dan Cacat
Jika suatu kristal dipotong dengan sudut kecil 0 relatif
terhadap permukaan low-index, maka permukaan
akan memperlihatkan steps atau ledges yang
memisahkan teras low-index
Jarak rerata steps dengan tinggi h diberikan oleh d =
h/sin 0, dimana 0 sudut antar permukaan low-index
dan permukaan
Jenis permukaan diatas dinamakan vicinal, gambar
8.12 menunjukkan permukaan vicinal pada kristal
kubus sederhana
Jika ada tambahan kemiringan pada bidang potong,
ledges akan memiliki kink (kekusutan)
Gambar 8.12
Permukaan riil akan selalu memperlihatkan
sejumlah tertentu cacat pada suhu diatas 0 K
(Gambar 8.13)
Hal ini terjadi karena cacat memiliki energi
pembentukan positif dibandingkan
permukaan kristal ideal
Apa yang menstabilkan cacat ini adalah
perubahan entropi akibat adanya
ketidakteraturan, oleh karenanya sejumlah
tertentu cacat yang meningkat dengan
peningkatan suhu akan selalu ada
Gambar 8.13
Cacat sejalan dengan kenaikan suhu akan memicu
kekasaran permukaan kristal
Perhitungan untuk permukaan low-index
menghasilkan suhu transisi kekasaran diatas
temperatur leleh
Alasan atas hal ini adalah energi pembentukan yang
tinggi dari ledge pada permukaan low-index
Untuk permukaan vicinal dimana ledge telah ada,
kekasaran dapat terjadi akibat pembentukan kink dan
suhu transisi kekasaran teramati pada setengah dari
temperatur leleh
Tipe cacat yang penting adalah dislokasi
Dislokasi tidak stabil secara termodinamik
namun secara kinetik stabil
Ada 2 jenis dislokasi primer yaitu edge
dislokasi dan screw dislokasi
Edge dislokasi terkait dengan bidang
tambahan (setengah) atom dalam kristal ruah
Screw dislokasi menciptakan step pada
permukaan yang dimulai dari timbulnya
dislokasi di permukaan
Gambar 8.14