You are on page 1of 11

Tarea 3. Dispositivos Electrnicos.

Benemrita Universidad Autnoma de Puebla


Dr. Jos Miguel Rocha P.
Tepox Fernndez Harold

Parte 1: Punto de Operacin del Transistor Bipolar.

Problema 1. Calcule el punto de Operacin Q.


a)

Hacemos LVK y obtenemos el valor de la corriente de


base IB:
-16V + 470k IB + 0.7V = 0,

IB = 32.553 uA

Sabemos que la corriente de colector es:


IC = IB , entonces:
IC = (90) (32.553 uA) = 2.93 mA
Ahora hacemos LVK para encontrar el voltaje
colector-emisor VCE:
-16V + (2.7k) (2.93 mA) + VCE = 0, VCE = 8.09 V
Ahora sustituir los valores en Q = (VCE , IC ),
Q = (8.09 V , 2.93mA)

b)
Para resolver este tipo de polarizacin, nos vamos a basar en el siguiente
anlisis:

RThev = R1 // R2 = 7.935k
VThev = 16V (

) = 2.05V

Ahora hacemos LVK para encontrar el valor de IC:


- VThev + RThev *IB + 0.7 V + RE *IE = 0, Sabemos que IE = (+1) IB

entonces,

- VThev + RThev *IB + 0.7 V + RE *(+1) IB = 0 < - -- > - VThev + 0.7 V + (RE *(+1) + RThev) IB = 0

IB =

IB =

IB = 19.33 uA , IE = (91)( 19.33 uA) = 1.76

mA
Como IC = IB , entonces: IC = (90)( 19.33 uA) = 1.74 mA

Ahora hacemos LVK para calcular el voltaje colector-emisor VCE:


-16V + 3.9k* IC + VCE + 0.68k* IE =0, VCE = 16V - 3.9k* IC - 0.68k* IE
VCE = 8.017 V

Ahora sustituir los valores en Q = (VCE , IC )


Q = (8.017 V , 1.74 mA)

c)

IE = (+1) IB

IC = IB

Para resolver este


tipo de polarizacin,
nos vamos a basar en
el siguiente anlisis:

El primer paso es calcular el voltaje y resistencia de Thevenin para que as nos quede un anlisis ms simple:

Del primer circuito hacemos LVK para calcular I y VThev :


-18V + 510k*I + 510k*I 18V = 0 ,
VThev = 510k(35.29 uA) 18V ,

I = 35.29 uA
VThev = 0

RThev = 255k
Ahora hacemos LVK para el segundo circuito para encontrar IB:

RThev* IB + 0.7 + RE*IE 18V = 0 < --- >

IB =

RThev* IB + 0.7 + RE*(+1) IB 18V = 0,

, IB =

IC = 130(13.97 uA) = 1.817 mA,

, IB = 13.97 uA

IE = 131(13.97 uA) = 1.83 mA

Ahora hacemos LVK para calcular el voltaje colector-emisor VCE:


-18V + 9.1K* IC + VCE + 7.5k* IE - 18V = 0, VCE = 36V 30.26V, VCE = 5.8 V

Ahora sustituir los valores en Q = (VCE , IC )


Q = (5.8 V, 1.817 mA)

Problema 2. Calcule el punto de operacin de los circuitos mostrados. Suponga que para todos los
transistores =100, ro=.

IE = (+1) IB

IC = IB

Para resolver este


tipo de polarizacin,
nos vamos a basar en
el siguiente anlisis:

El primer paso es calcular el voltaje y resistencia de Thevenin para que as nos quede un anlisis ms simple:

RThev = 16k // 34 k = 10.88k


VThev = 2.5V (

) = 0.8V

Ahora hacemos LVK para encontrar el valor de IB:


-0.8V + 10.88k* IB + 0.7 = 0, IB = 9.19 uA ,

IC = 100(9.19 uA) = 0.919 mA

Ahora hacemos LVK para calcular el voltaje colector-emisor VCE:


-2.5 V + 3k* Ic + VCE = 0,

VCE = 2.5V 2.757V , VCE = -0.257 V probablemente VBE > 0.7V

En el circuito (b) de arriba podemos observar que Q2 est en una etapa de auto paralizacin y observamos
que en Q2 pasa lo siguiente:
VBE = VCE, por lo que VCE = 0.7 V
Entonces redibujamos el circuito (b) y nos queda el circuito b2)
Ahora continuamos haciendo el anlisis de manera convencional:

RThev = 16k // 9k = 5.76k


VThev = 2.5V (

) = 1.6V

Ahora hacemos LVK para encontrar el valor de IB:


-1.6V + 5.76k* IB + 1.4 = 0, IB = 34.72 uA ,

IC = 100(34.72 uA) = 3.47 mA

Ahora hacemos LVK para calcular el voltaje colector-emisor VCE:


-2.5 V + 0.5k* Ic + VCE = 0,

VCE = 2.5V 1.736 V , VCE = 0.765 V

Ahora sustituir los valores en Q = (VCE , IC )


Q = ( 0.765 V, 3.47 mA)

IE = (+1) IB

IC = IB

Para resolver este


tipo de polarizacin,
nos vamos a basar en
el siguiente anlisis:
RThev = 13k // 12k = 6.24k
VThev = 2.5V (

) = 1.3V

Ahora hacemos LVK para encontrar el valor de IB:


-1.3V + 6.24k* IB + 0.7 + 0.5 = 0, IB = 16.02 uA ,

IC = 100(16.02 uA) = 1.602 mA

Ahora hacemos LVK para calcular el voltaje colector-emisor VCE:


-2.5 V + 1k* Ic + VCE = 0,

VCE = 2.5V 1.602 V , VCE = 0.898 V

Ahora sustituir los valores en Q = (VCE , IC )


Q = ( 0.898 V, 1.602 mA)

Tarea 1, Parte 2. (Ganancia de pequea seal del transistor BJT e Impedancias de entrada/salida).
Esta seccin consiste de dos partes: La primera parte es la solucin de los ejercicios de manera manual. La
segunda parte consiste en simular cada ejercicio en SPICE. Al final de cada uno de los ejercicios, diga
explcitamente si sus clculos coinciden con su simulacin SPICE.
Notas: Los siguientes problemas fueron tomados del Libro Electronics Devices and Circuit Theory,
Boylestad, sptima edicin. Respecto a las simulaciones SPICE, use el transistor 2N222A en todas sus
simulaciones ya que su Beta es del orden de 170 y debe dar resultados similares a los calculados.
-En todos los problemas suponga una Beta de 170 aunque las figuras indiquen otro valor.

Problema 3.

r = / gm

gm = IC / VT ,

, IC = IB , = 170

Vemos que es un circuito de polarizacin simple.


Primero vamos a encontrar IC mediante LVK, por lo que a los
capacitores se ponen en abierto:
-12V + 220k *IB + 0.7V=0, IB = 51.36 uA , IC = 8.731 mA

Ahora calculamos gm y :

gm = 8.731 mA / 26 mV = 0.3358 Siemens

r = 170 / 0.3358 S = 506.253


Sabemos que este tipo de configuracin su anlisis en pequea
seal es:

AV = - gm * ( o || RC)

Zi =RB || r ,

AV = - 0.3358 S * (40k || 2.2 k) = - 700.24


Zi = 220k || 0.5062 k = 505
Zo =2.2k || 40k = 2.09k

Zo =RC || ro

Problema 4.

r = / gm

gm = IC / VT ,

, IC = IB ,

= 170

Vemos que es un circuito de polarizacin simple.


Primero vamos a encontrar IC mediante LVK, por lo que a los
capacitores se ponen en abierto:
-10V + 390k *IB + 0.7V=0, IB = 23.84 uA , IC = 4.052 mA

Ahora calculamos gm y :

gm = 4.052 mA / 26 mV = 0.1558 Siemens

r = 170 / 0.1558 Siemens = 1090.3


Sabemos que este tipo de configuracin su anlisis en pequea seal es:

AV = - gm * ( o || RC)

Zi =RB || r ,
IB = 23.84 uA
IC = 4.052 mA
AV = - 0.1558 * (60k || 4.3 k) = - 625.13
Zi = 390k || 1.0903k = 1.084 k
Zo = 4.3k || 60k = 4.01k

Zo =RC || ro

Problema 5.

gm = IC / VT ,

r = / gm

, IC = IB ,

= 170

Vemos que es un circuito de etapa degenerada con acoplamiento capacitivo


y condensador de desvo.
Primero vamos a encontrar IC mediante LVK, por lo que a los capacitores se
ponen en abierto y hacemos uso de las expresiones del circuito b) del
problema 1) parte 1:
RThev = R1 // R2 = 44.637k
VThev = 20V (

IB =

, IB =

) = 4.05V

, IB = 7.96 uA , IC = (170)( 7.96 uA) = 1.353 mA

Ahora hacemos LVK para calcular Vc:


-20V + 6.8k* IC + Vc = 0,

Vc= 10.8 V

VB = 0.7 V + 2.2k *(181)* 7.96 uA = 3.86 V

Ahora calculamos gm y :
gm = 1.353 mA / 26 mV = 0.05204 Siemens

r = 170 / 0.05204 Siemens = 3.266 k


Sabemos que para este tipo configuracin, el anlisis de pequea seal es:
AV = - = 0.05204 S (6.8 k) = -353.872
Zi = 3.266 k || 220k || 56k = 3.04 k
Zo = 6.8k
VB = 3.86 V,
Vc= 10.8 V

Problema 6.
r = / gm , IC = IB , = 170, IE = (+1) IB

gm = IC / VT ,

Primero vamos a encontrar IC mediante LVK, por lo que a los


capacitores se ponen en abierto:
-20V + 390k*IB + 0.7V + 1.2k*(171)*IB = 0,
IC = (170) (32.42 uA) = 5.512 mA
Ahora calculamos gm y r :
gm = 5.512 mA / 26 mV = 0.21201 Siemens
r = 170 / 0.21201 Siemens = 0.8018k
Aplicando el modelo de pequea seal tenemos las siguientes expresiones:

AV = -

Zi = [r + (+1)RE] || RB

Sustituyendo valores:
AV = -1.82

Zi = 134.8 k

Zo = 2.2 k

Zo = RC

IB = 32.42 uA

Problema 7.
gm = IC / VT ,

r = / gm , IC = IB , = 170, IE = (+1) IB

Primero vamos a encontrar IC mediante LVK, por lo que a los capacitores se


ponen en abierto:
-22V + 330k*IB + 0.7V + 1.67k*(171)*IB = 0,
IC = (170) (34.6 uA) = 5.88 mA
Ahora calculamos gm y r :
gm = 5.88 mA / 26 mV = 0.2262 Siemens
r = 170 / 0.2262 Siemens = 0.7514 k

Aplicando el modelo de pequea seal tenemos las siguientes expresiones:

AV = -

Zi = [r + (+1)RE] || RB

Sustituyendo valores:
AV = -4.65 ,

Zi = 126.82 k

IB = 34.6 uA