ESCOLA POLITCNICA DA UNIVERSIDADE DE SO PAULO

Departamento de Engenharia Metalrgica e de Materiais

PROPRIEDADES ELTRICAS DOS MATERIAIS

PMT 2100 - Introduo Cincia dos

Materiais para Engenharia
2 semestre de 2005

ROTEIRO DA AULA
Resistncia eltrica e a lei de Ohm
Resistividade e condutividade eltrica
Lei de Ohm
Condutividade eltrica
Bandas de energia nos slidos
Condutividade eltrica dos metais
Condutividade eltrica dos semicondutores
intrnsecos
Condutividade eltrica dos semicondutores
extrnsecos tipo n
Condutividade eltrica dos semicondutores
extrnsecos tipo p

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RESISTNCIA ELTRICA
O comportamento dos materiais, em resposta aplicao de um CAMPO ELTRICO
externo, define as PROPRIEDADES ELTRICAS dos materiais.
As propriedades eltricas dependem de diversas caractersticas dos materiais,
dentre as quais mencionamos a configurao eletrnica, o tipo de ligao qumica
e os tipos de estrutura e microestrutura.
A CORRENTE ELTRICA o movimento de portadores de carga que ocorre dentro
dos materiais, em resposta ao de um campo eltrico externo. So portadores
de carga: eltrons, buracos eletrnicos, ctions e nions.
Em 1827 Georg Simon Ohm, baseado
em evidncias experimentais e utilizando o conceito RESISTNCIA ELTRICA (R)
de um corpo, formulou uma lei que
relaciona a VOLTAGEM (U) aplicada
I
sobre o corpo com a CORRENTE ELL
TRICA (I) que o atravessa.
U = RI

LEI DE OHM

Unidades SI: U Volts (V) = J / C

I Ampres (A) = C / s
R Ohms () = V / A

U
Representao esquemtica de um arranjo experimental
que permite medir a resistncia eltrica de um corpo.

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RESISTIVIDADE E CONDUTIVIDADE ELTRICA

Para um corpo cilndrico de comprimento L e seo transversal de rea A (veja a
figura da transparncia n 3), define-se a RESISTIVIDADE ELTRICA () do material
do qual o corpo constitudo por

= R (A / L)
Unidade SI: Ohms-metro ( .m) = V.m / A

Note que a resistncia uma PROPRIEDADE DO CORPO enquanto a resisitividade

uma PROPRIEDADE DO MATERIAL do qual o corpo constitudo.
A CONDUTIVIDADE ELTRICA () de um material uma medida da facilidade com
que ele capaz de conduzir uma corrente eltrica. Define-se a condutividade
eltrica como sendo o inverso da resistividade,

=1/
Unidade SI: (Ohms-metro)-1 ( .m) -1 = A / V.m
Cuidado com a notao! Observe que, de acordo com a notao do livro texto, estamos utilizando
a letra A para denotar tanto a rea da seo transversal do corpo cilndrico como a unidade de
corrente o mpere.
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LEI DE OHM
Utilizando o conceito de CONDUTIVIDADE (), a LEI DE OHM determina que
a DENSIDADE DE CORRENTE (J) num dado material diretamente
proporcional ao CAMPO ELTRICO (E) aplicado sobre o mesmo.
J=E
Unidades SI: E = U/ L Volts-metros-1 (V/m) = J / m.C
J = I/A Ampres -metros-2 (A/m 2) = C / m 2.s
Observao: O carter vetorial das diversas grandezas aqui consideradas ser
omitido em nosso tratamento matemtico, ou seja, trataremos apenas de casos de
materiais isotrpicos sujeitos a campos eltricos constantes.

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CONDUTIVIDADE ELTRICA
Os materiais slidos podem ser classificados, de acordo com a magnitude
de sua condutividade eltrica, em trs grupos principais: CONDUTORES,
SEMICONDUTORES e ISOLANTES.
Condutividade em (.m)-1 de uma variedade de materiais temperatura ambiente.
poliestireno
polietileno
NaCl
madeira
seca
quartzo

SiO2
porcelana

borracha

concreto
(seco)

grafite

mica

Mn
Si dopado

vidro
GaAs

ISOLANTES

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Ag

Ge

Cu

Si

10-18 10-16 10-14 10-12 10-10 10-8 10-6 10-4 10-2 100 102
SEMICONDUTORES

Fe

104

106 108

CONDUTORES

CONDUTIVIDADE ELTRICA
O MODELO DOS ELTRONS LIVRES dos metais supe que o material
composto por um gs de eltrons que se movem num retculo cristalino
formado por ons pesados. Esse modelo prev corretamente a forma
funcional da lei de Ohm. No entanto, ele prev incorretamente os valores
observados experimentalmente para a condutividade eltrica.
Por exemplo, para o cobre temos:
calculado = 5,3 x 106 (.m)-1 e experimental = 59 x 106 (.m)-1.
Para uma compreenso aprofundada das propriedades eltricas dos
materiais necessitamos considerar o carter ondulatrio dos eltrons e
fazer uso de conceitos da mecnica quntica, mas isto est alm do
escopo desta disciplina.
Na aula de hoje, explicaremos a condutividade eltrica dos materiais
utilizando, de forma simplificada, alguns conceitos provindos da mecnica
quntica. Em particular, consideraremos o MODELO DE BANDAS DE
ENERGIA ELETRNICA NOS SLIDOS .
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BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS

Considere um conjunto de N tomos. A distncias de separao
relativamente grandes, cada tomo independente de todos os demais, e
tem os nveis de energia atmica e a configurao eletrnica que teria se
estivesse isolado. Contudo, medida que esses tomos chegam
prximos uns aos outros, os eltrons sentem a ao dos eltrons e
ncleos dos tomos adjacentes ou so perturbados por eles. Essa
influncia tal que cada estado atmico distinto pode se dividir em uma
srie de estados eletrnicos proximamente espaados no slido, para
formar o que conhecido por BANDA DE ENERGIA ELETRNICA.
A extenso da diviso depende da separao interatmica e comea com
as camadas eletrnicas mais externas, uma vez que elas so as primeiras
a serem perturbadas quando os tomos coalescem.
Dentro de cada banda, os estados de energia so discretos, embora a
diferena entre os estados adjacentes seja excessivamente pequena.

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BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS

Grfico esquemtico da energia eletrnica em funo da separao interatmica
para um agregado de 12 tomos (N = 12). Com a aproximao cada um dos
estados atmicos 1s e 2s se divide para formar uma banda de energia eletrnica
que consiste em 12 estados. Cada estado de energia capaz de acomodar dois
eltrons que devem possuir spins com sentidos opostos.

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BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS

Bandas de energia eletrnica para um material slido formado por N tomos.
Representao convencional
da estrutura da banda de
energia eletrnica para um
material slido na separao
interatmica de equilbrio.

Energia eletrnica em funo da separao interatmica para um agregado de N tomos, ilustrando como a
estrutura da banda de energia na
separao interatmica de equilbrio
gerada.
2p (3N estados)

2s (N estados)

1s (N estados)

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ESTRUTURAS DE BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS

Estruturas de bandas de energia possveis para slidos a 0 K.
(a)

(b)
Banda
vazia

Banda
vazia

Estados vazios

Ef

Banda de
conduo
vazia

Gap de energia

Ef

Gap de energia

Estados
preenchidos

(c)

Banda
preenchida

Banda de
valncia
preenchida

(d)
Banda de
conduo
vazia
Gap de energia

Banda de
valncia
preenchida

(a) Bandas de energia de METAIS tais como o cobre (Z = 29, 3d10 4s1) nos quais se
encontram disponveis, na mesma banda de energia, estados eletrnicos no
preenchidos acima e adjacentes a estados eletrnicos preenchidos.
(b) Bandas de energia de METAIS tais como o magnsio (Z = 12, 1s2 2s2 2p6 3s2) nos quais
ocorre a superposio das bandas de energia mais externas, a preenchida e a nopreenchida.
(c) Bandas de energia tpicas de ISOLANTES: a BANDA DE VALNCIA (banda de energia
preenchida) separada da BANDA DE CONDUO ( banda de energia no-preenchida)
por um GAP DE ENERGIA (banda de energia proibida, ou seja, barreira de energia) de
largura relativamente grande (>2 eV).
(d) Bandas de energia de SEMICONDUTORES: a estrutura de bandas de energia
semelhante dos isolantes, mas com gaps de energia de larguras menores (<2 eV).
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CONDUTIVIDADE ELTRICA
A ENERGIA DE FERMI, Ef, uma conseqncia do carter estatstico do
comportamento dos eltrons e do Princpio de Excluso de Pauli. Para
metais a T = 0K, Ef definida como a energia mxima dos estados
eletrnicos ocupados. Para semicondutores e isolantes Ef tem um valor
situado na faixa de energias do poo de potencial.
Nos metais, somente eltrons com energia maior que Ef podem ser
acelerados na presena de um campo eltrico. Esses eltrons so os que
participam do processo de conduo e so chamados de ELTRONS
LIVRES.
Em semicondutores e isolantes, os BURACOS ELETRNICOS tm energia
menor que Ef e tambm participam do processo de conduo.
O processo de conduo se origina na mobilidade dos PORTADORES DE
CARGA .

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CONDUTIVIDADE ELTRICA - METAIS

Em metais, um eltron torna-se livre quando passa para um estado de energia
disponvel e no preenchido acima de Ef; pequena a energia necessria para tal
mudana.
A condutividade elOCUPAO DOS ESTADOS ELETRNICOS
trica dos metais poAntes da
Aps a
de ser representada
excitao eletrnica
excitao eletrnica
pela equao

n = nmero de portadores de carga (eltrons) por unidade de

volume
|e| = magnitude da carga dos portadores
(1,6 x10-19 C)
= mobilidade dos
portadores de carga

Estados
vazios

Ef
Estados
preenchidos

Energia

= n |e|

Ef

Excitao
do eltron

A condutividade eltrica dos metais condutores diminui medida que a sua

temperatura aumenta.

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CONDUTIVIDADE ELTRICA - SEMICONDUTORES E ISOLANTES

No caso de isolantes e semicondutores, um eltron torna-se livre quando salta da
banda de valncia para a banda de conduo, atravessando o gap de energia. A
energia de excitao necessria para tal mudana aproximadamente igual
largura da barreira.
OCUPAO DOS ESTADOS ELETRNICOS

A diferena entre
semicondutores e isolantes est na largura
do gap de energia.
Comparada com a
largura do gap de
energia dos isolantes,
a dos semicondutores
bastante pequena.

EG

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Gap de
energia

Banda de
conduo

Aps a
excitao eletrnica

Banda de
valncia

Energia

Quando o eltron salta da banda de valncia para a banda de

conduo so gerados tanto um eltron
livre quanto um buraco eletrnico.

Antes da
excitao eletrnica

Eltron
livre

Excitao
do eltron

Buraco na
banda de
valncia

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MATERIAIS SEMICONDUTORES
so aqueles cujo comportamento eltrico
depende basicamente da estrutura eletrnica do material puro. Sua condutividade
eltrica geralmente pequena e varia muito com a temperatura.

SEMICONDUTORES INTRNSECOS

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS so aqueles cujo comportamento eltrico

depende fortemente do tipo e da concentrao dos tomos de impurezas. A

adio de impurezas para a moldagem do comportamento eltrico dos semicondutores chamada de DOPAGEM .
A maioria dos semicondutores comerciais elementais so extrnsecos; o mais
importante exemplo o Si, mas tambm esto nesta categoria o Ge e o Sn. a
possibilidade de adicionar impurezas diversas ao material puro que permite a
fabricao de uma variedade de dispositivos eletrnicos a partir do mesmo material
semicondutor.
Os semicondutores extrnsecos tm condutividade que varia pouco com a
temperatura e cujo valor controlado pela concentrao de impurezas. As
concentraes utilizadas variam de 1014 cm -3 (1 parte em 108, considerando 1022
tomos por cm 3) a 1020 cm -3 (1 parte em 10 2, que muito alta).
Semicondutores intrnsecos de compostos dos grupos III-V e II-VI vm adquirindo
crescente importncia para a indstria eletrnica nos ltimos anos.
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16

SEMICONDUTORES INTRNSECOS
Modelo de ligao eletrnica para a conduo eltrica no Silcio intrnseco
Campo E

(b)

(a)
Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

eltron de valncia
eltron livre
buraco

Campo E

(c)
Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

(a) Antes da excitao eletrnica.

(b) e (c) Aps a excitao eletrnica
(os movimentos subseqentes do
eltron livre e do buraco em resposta
a um campo eltrico externo).
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SEMICONDUTORES INTRNSECOS
A condutividade eltrica dos materiais semicondutores pode ser representada pela
equao

= n |e| + p |e| b ,
onde: n = nmero de eltrons livres por unidade de volume;
p = nmero de buracos eletrnicos por unidade de volume;
|e| = magnitude da carga dos portadores (1,6x10-19 C);

= mobilidade dos eltrons livres;

b = mobilidade dos buracos eletrnicos.
Note que > b.

A condutividade eltrica dos semicondutores intrnsecos aumenta medida que a

temperatura aumenta.
Para semicondutores intrnsecos, n = p. Portanto,

= n |e| ( + b)
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18

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO n

Modelo de ligao eletrnica para a semiconduo extrnseca do tipo n.
Por exemplo, a dopagem do Si (valncia 4) com P (valncia 5) gera eltrons
livres; uma impureza desse tipo chamada de doadora.
Campo E

(a)

Campo E

(c)

(b)
Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

(a) O tomo de impureza (P) substitui um tomo hospedeiro de Si, resultando em um eltron extra
ligado ao tomo de impureza.
(b) Excitao do eltron extra como conseqncia da aplicao de um campo eltrico externo,
formando-se um eltron livre.
(c) Movimento do eltron livre em resposta ao campo eltrico externo.

Para semicondutores do tipo n, os eltrons livres so os principais portadores de

corrente, isto , n >> p. Portanto,

n |e| .

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SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO n

Excitao de um estado doador
em que um eltron livre gerado
na banda de conduo.

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Gap de
energia
Banda de
valncia

Energia

Gap de
energia

Estado
doador

Banda de
valncia

Energia

Banda de
conduo

Banda de
conduo

Esquema da banda de energia

eletrnica para um nvel de impureza doadora localizado dentro do
gap de energia, imediatamente
abaixo da parte inferior da banda
de conduo.

Eltron livre
na banda de
conduo

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SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO p

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Modelo de ligao eletrnica para a semiconduo extrnseca do tipo p.

Por exemplo, a dopagem do Si (valncia 4) com B (valncia 3) gera buracos
eletrnicos; uma impureza desse tipo chamada de receptora.
Campo E

(b)

(a)
Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

(a) O tomo de impureza (B) substitui um tomo hospedeiro de Si, resultando na deficincia de um
eltron de valncia ou, de forma equivalente, num buraco eletrnico associado ao tomo de
impureza.
(b) Movimento do buraco eletrnico em resposta a um campo eltrico externo.

Para semicondutores tipo p, os buracos eletrnicos so os principais portadores de

corrente, isto , p >> n. Portanto,

p |e| b .
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SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO p

Excitao de um eltron para o
nvel receptor, deixando para trs
um buraco na banda de valncia.

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Gap de
energia
Banda de
valncia

Energia

Gap de
energia

Estado
receptor
Banda de
valncia

Energia

Banda de
conduo

Banda de
conduo

Esquema da banda de energia

para um nvel de impureza
receptora localizado dentro do
gap de energia, imediatamente
acima da parte superior da banda
de valncia.

Buraco na
banda de
valncia

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 Captulos do Callister tratados nesta aula

Captulo 19 : sees 1 a 7, 9, 10 e 11.

Leitura Adicional
J. F. Shackelford em Introduction to Materials Science for
Engineers, 4 edio, Prentice-Hall Inc.,1996.
Captulo 11.

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