TRANSDUCTOR FOTORRESISTIVOS

Un transductor es un dispositivo que produce una seal elctrica la cual es

funcin de una magnitud de entrada utilizando componentes sensibles que se
comportan como elementos variables o como generadores de seal.
TRANSDUCTORES FOTORRESISTIVOS:
Estos tipos de transductores son los encargados de transformar la luz en
energa elctrica o viceversa. Los ms importantes dentro de este grupo son, sin
duda, la clula fotorresistiva (fotorresistencia), el fotodiodo, el fototransistor y el
fotoemisor (diodo led).
CLULA FOTORRESISTIVA (FOTORRESISTENCIA)
La clula fotorresistiva o LDR (Light Dependent Resistor, o Resistor
Dependiente de la Luz) es esencialmente una resistencia cuyo valor vara con la
intensidad de la radiacin luminosa incidente y consiste en una capa delgada de
selenio, germanio, sulfuro de plomo, sulfuro de cadmio, antimonio, indio y algunos
otros metales o compuestos metlicos, dispuesta sobre un substrato cermico o
plstico. La capa fotorresistiva suele tener forma ondulada y est protegida por
una lmina transparente que constituye una de las caras de la cpsula que
contiene la clula tal y como se muestra en la figura 1. La resistencia del elemento
disminuye a medida que aumenta la intensidad de la radiacin, dependiendo del
material utilizado. Esta relacin se puede observar en el grfico 1.

Figura 1.- Fotografa de una fotorresistencia.

Grfica 1.- Relacin de la iluminancia y la variacin de la resistencia del

dispositivo fotorresistor.
En los circuitos elctricos y diagramas se pueden identificar estos dispositivos
mediante los siguientes smbolos:

Figura 2.- Smbolos de la fotorresistencia.

Funcionamiento de la fotorresistencia: Cuando se aade suficiente energa,
por cualquier medio, a un material, los electrones de valencia escapan de sus
tomos y se convierten en electrones libres. Por definicin, un hueco es la
ausencia de un electrn; por lo tanto, por cada electrn libre que se crea, se crea
tambin un hueco libre, al ocurrir esto existe una circulacin de corriente. La
energa necesaria para ello es del orden entre 0.2 y 3V dependiendo del material.

Este fenmeno es la base del funcionamiento de todos los fotoconductores de una

pieza como se representa en la figura 3.

Figura 3.- Creacin de un electrn libre y un hueco.

Se observar que no es necesaria ninguna unin entre estos dispositivos,
basta con una capa de material fotoconductor, cuya resistencia decrece (o cuya
conductancia aumenta) proporcionalmente a la intensidad de la luz. El campo
aplicado es necesario para que los electrones circulen a travs del detector y el
circuito exterior, recombinndose con los huecos que existen en el extremo
negativo del fotoconductor.
Realmente, la idea bsica de todo fotodetector de una pieza, o de unin, es
convertir la luz en una seal elctrica, o recoger los fotones incidentes en el
detector con la menor reflexin posible y extraer de un modo eficiente los
electrones libres resultantes. Para conseguir esto, el fototransductor debe hacerse
de un material prcticamente transparente a las longitudes de onda que interesen,
con un intervalo de energa menor que la energa del fotn. Es necesario un
potencial exterior (o interno, autogenerado) para extraer la corriente inducida por
la luz.
La Figura 4 muestra el tiempo de subida y el tiempo de cada de una
fotorresistencia. Se recordar que la resistencia de la fotorresistencia disminuye
con la luz, de ah la apariencia contraria en la figura entre los tiempos de subida y

de cada. El tiempo de cada es considerablemente ms largo porque lleva ms

tiempo a los electrones en volver a la banda de valencia, debido a las
imperfecciones cristalinas.

Figura 4.- Velocidad de respuesta de una fotorresistencia.

En la figura 5 se representa un circuito con una fotorresistencia.

Figura 5.- La tensin de salida aumenta al aumentar la iluminacin.

En el circuito anterior, la tensin de salida es la proporcionada por el divisor de

tensin formado por R(L) y R1, es decir:

Lo dicho anteriormente, demuestra que al aumentar la intensidad luminosa en

la fotorresistencia, la tensin de salida tambin aumenta. Para el circuito de la
figura 6 sucede todo lo contrario; aplicando la regla del divisor de tensin: la
tensin de salida disminuye al ir aumentando la intensidad luminosa que llega a la
fotorresistencia. Es de suma importancia mencionar, que con estos tipos de
circuitos se obtiene una tensin de salida dependiente de la luz.

Figura 6- La tensin de salida disminuye al aumentar la iluminacin.

Estructura

de

una

fotorresistencia:

La figura

muestra

que

la

fotorresistencia consta de un cuerpo compuesto por una clula o celda y dos

terminales. El cuerpo del mismo est compuesto por sulfuro de cadmio (CdS) un
material semiconductor, el cual hace variar el valor de la resistencia dependiendo
de la luz incidida en el mismo, esta luz si es de alta frecuencia (incluida las
frecuencias infrarrojas ultravioletas y otras frecuencias que puedan encontrarse

en el espectro electromagntico) los fotones son absorbidos por la elasticidad del

sulfato de cadmio lo que favorece que surja un electrn libre que pueda conducir
la electricidad disminuyendo as su resistencia.

Figura 7.- Partes de una fotorresistencia.

Los materiales que intervienen en su construccin son:
Para el espectro visible (radiaciones visibles):

Sulfuro de Cadmio - CdS.

Seleniuro de Cadmio - CdSe.

Para los que trabajan en el margen de las radiaciones infrarrojas:

Silicio Si.

Sulfuro de Plomo - PbS.

Seleniuro de Plomo - PbSe.

El dispositivo est fabricado depositando, por evaporacin, el material

fotoconductor sobre un sustrato de cermica. Para completar el dispositivo se

aaden electrodos metlicos y se encierra en una cpsula con una ventana

transparente tal y como se muestra en la figura 8 y en la figura 9.

Figura 7.- Fotorresistencia tpica.

Figura 8.- Fotografa de fotorresistencias con cpsulas transparentes

Caractersticas de las fotorresistencias: Las principales caractersticas de
las fotorresistencias son:

Los valores tpicos varan entre 1 M, o ms, en la oscuridad y 100 con

luz brillante.

Las clulas son tambin capaces de reaccionar a una amplia gama de

frecuencias, incluyendo infrarrojo (IR), luz visible, y ultravioleta (UV).

La disipacin mxima, (50 mW 1W).

Voltaje Mximo, (600V).

Ventajas de las fotorresistencias:

Alta sensibilidad (debido a la gran superficie que puede abarcar).
Fcil empleo.
Bajo costo.
No hay potencial de unin.
Alta relacin resistencia luz-oscuridad.
Desventajas de las fotorresistencias:
Respuesta espectral estrecha.
Efecto de histresis.
Estabilidad por temperatura baja para los materiales ms rpidos. La
variacin del valor de la resistencia tiene cierto retardo, diferente si se pasa de
oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro. Esto limita a no usar los LDR en
aplicaciones en las que la seal luminosa vara con rapidez.
Respuesta lenta en materiales estables.
Falta de linealidad entre resistencia e iluminacin.
Los campos de ms aplicacin de los fotorresistores son: medida de luz de
poca precisin y econmica, y control de alarma y de rels
FOTODIODO
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a
la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto
se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de
corriente cuando sea excitado por la luz.
En los fotodiodos se aprovecha el aumento de la conductividad inversa de
unin PN por absorcin de radiacin luminosa. Dicho aumento se debe a la
generacin de pares electrnhueco al incidir los fotones sobre el material

semiconductor, crendose as una corriente inversa de fugas dependientes de la

intensidad de la radiacin.

Figura 9.- Fotografa de fotodiodos

Funcionamiento del fotodiodo: Un fotodiodo es una unin PN o estructura
P-I-N. Cuando un haz de luz de suficiente energa incide en el diodo, excita un
electrn dndole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la absorcin
ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a una distancia de difusin de l,
estos portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de
agotamiento, produciendo una fotocorriente.

Figura 10.- Fotodiodo de unin PN

Cuando la radiacin luminosa es de la longitud de onda adecuada e incide

en la zona de difusin, se crean pares electrn - hueco que son atrados por el
campo elctrico aplicado, resultando una corriente inversa por la unin PN
proporcional a la energa absorbida y por lo tanto al flujo luminoso que incide
sobre la unin, tal y como se muestra en la siguiente curva caracterstica (figura
11). En el fotodiodo, la corriente (que vara con los cambios de la luz) es la que
circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su
funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producir un
aumento de la circulacin de corriente cuando el diodo es excitado por la luz. A
continuacin en la figura 11 se muestra la curva caracterstica del fotodiodo.

Figura 11.- Al caer la luz sobre la unin, fluye una corriente inversa que es
proporcional a la iluminancia.
El modelo circuital del fotodiodo en inversa est formado por un generador de
intensidad cuyo valor depende de la cantidad de luz. En directa, el fotodiodo se
comporta como un diodo normal. Si est fabricado en silicio, la tensin que cae en
el dispositivo ser aproximadamente 0,7V. Cabe destacar que el fotodiodo
adems de estar conectado en inverso, se conecta con una resistencia en serie;
esto quiere decir que si se aumenta la corriente a travs del fotodiodo a raz de
una mayor radiacin luminosa, la cada de tensin aumenta en la resistencia. De
ese modo se transforma la seal de luz en una seal de tensin (figura 12).

Figura 12.- A mayor intensidad de luz mayor es la cada de tensin en la

resistencia.
En el diseo de circuitos elctricos se utilizan los siguientes smbolos (figura
13) para referirse a los fotodiodos:

Figura 13.- Smbolo del fotodiodo.

Estructura del fotodiodo: El fotodiodo contiene una unin PN que se puede
exponer a la luz. La capa barrera llega casi slo hasta la capa N, debido a la
intensa impurificacin de la capa P. En la capa P se encuentra un contacto es el
nodo. La capa N est aplicada a la placa base de metal el ctodo (vase la
figura 14).

Figura 14.- Estructura del fotodiodo.

Los fotodiodos pueden fabricarse sobre material base de silicio o de germanio
y, en cualquier caso, la unin se forma por el proceso de difusin para obtener una
superficie de unin grande y uniforme. La sensibilidad relativa del silicio y la del
germanio son similares, quedando la respuesta de este ltimo ms prxima a las
frecuencias del infrarrojo y teniendo el primero una respuesta ms uniforme en la
radiacin visible. Sin embargo, el silicio presenta una serie de ventajas sobre el
germanio tal y como se detallan a continuacin:
Caractersticas

Germanio

Silicio

1500

900

25 a 100 mA/lm

30 a 150 mA/lm

Tiempo de respuesta

2 a 6 s

0,2 a 1 s

Corriente inversa

1 a 3mA

3 a 18Ma

30 a 50 mW

0,1 a 2 W

0,1 a 1 A

15 a 50 nA

Longitud de onda de
mxima sensibilidad
Sensibilidad

mxima
Potencia disipable
Corriente en oscuridad

Tabla 1.- Comparacin de las caractersticas de los fotodiodos.

Aplicaciones de los fotodiodos:

A diferencia del LDR, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a

iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en
circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo.

Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el

surco del Cd transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en
impulsos elctricos para ser procesados por el sistema y obtener como
resultado los datos grabados.

FOTOTRANSISTOR
Las corrientes que pueden obtenerse con los fotodiodos son muy limitadas,
por ello se recurre a un proceso de amplificacin, siendo aquellos meros sensores
de muy pequea potencia. El fototransistor es el dispositivo ms simple que puede
formarse en la combinacin fotodiodo - amplificador.

Una manera de ver estos dispositivos, de forma estructural, sera la que a

continuacin se muestra:

Este dispositivo es sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. Como en

todo transistor, se polarizar inversamente la unin colector base, que para
estos dispositivos se ampla todo lo posible, con el fin de obtener la mxima
superficie de recepcin til de la radiacin luminosa. La luz incide sobre la regin
de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al
estado de conduccin. La corriente inversa que, debido a la radiacin luminosa,
acta como corriente de base, resulta ser amplificada, segn la ganancia de
corriente del fototransistor, de modo que la sensibilidad alcanzada por stos es
muy elevada respecto a la de los fotodiodos. La respuesta espectral y las dems
caractersticas son muy similares a las de los fotodiodos que, como resulta lgico
pensar, dependern del material base utilizado (germanio o silicio).
El circuito equivalente de este dispositivo podra sintetizarse de la siguiente
forma:

Figura.- circuito equivalente del fototransistor

La corriente de colector depende de la tensin colector - emisor y, por ello, de

la radiacin luminosa que reciba el dispositivo, tal y como se aprecia a
continuacin, donde se advierte que el parmetro de corriente de base es
sustituido por el flujo luminoso que se recibe:

Figura.- Curva caracterstica de un fototransistor

Se ha visto cmo las respuestas espectrales del silicio y del germanio,
utilizados para los fotosemiconductores indicados, correspondan a las radiaciones
visibles que entran algo en el rango del infrarrojo, por ello se implementan
elementos cuya mxima sensibilidad corresponda a la banda del infrarrojo que,
como es obvio, presenta la ventaja de no ser visible al ojo humano, para utilizarlos
en todo tipo de automatismos. Como la energa de esta radiacin es capaz de
crear pares electrn - hueco en la zona de difusin del fotosemiconductor, se
realizan manufacturas especiales para que la conduccin inversa se produzca por
avalancha, con lo cual la energa requerida es menor; o se usan materiales de
menor altura de la banda prohibida que la correspondiente al silicio o el germanio
que respondern nicamente a esta radiacin. Estos ltimos sern los que ms
ampliamente se usen para captadores (tanto fotodiodos como fototransistores) de
mandos a distancia, etc.
Smbolos del fototransistor:

FOTOEMISOR (DIODO LED)

El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo comn, pero
que al ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz. Existen diodos LED de
varios colores que dependen del material con el cual fueron construidos.

Funcionamiento del fotoemisor: Cuando un led se encuentra en

polarizacin directa, los electrones pueden recombinarse con los huecos en el
dispositivo, liberando energa en forma de fotones. Este efecto es llamado
electroluminiscencia y el color de la luz (correspondiente a la energa del fotn) se
determina a partir de la banda de energa del semiconductor.

Diodos emisores de luz.

A) Esquema bsico. B) Smbolo. C) Recombinacin de portadores.
Esta recombinacin de portadores da lugar a la liberacin de una cantidad de
energa equivalente a la anchura de la banda prohibida o "gap". Se trata de la
recombinacin de los electrones inyectados por la fuente de alimentacin que
ocupan los huecos existentes en la zona de difusin. La energa liberada puede
serlo en forma de luz (fotones), de vibraciones de la red atmica del material, con
el consiguiente aumento de temperatura, (fonones) o energa cintica comunicada
a otros portadores. El tipo de energa liberada depende del material utilizado, de
su estructura cristalina, de su pureza y de su forma geomtrica. Mediante la
combinacin adecuada de estos factores, se puede conseguir que la mayor parte
de la energa liberada sea en forma de radiacin luminosa. El rendimiento entre
potencia elctrica suministrada y la potencia luminosa radiada puede ser del 25%
para los LED. Normalmente en el mercado se encuentran LEDs formados por
combinaciones de galio, arsnico y fsforo para producir los colores rojo, amarillo,
mbar, verde, azul y emisiones infrarrojas.
El comportamiento de los LEDs en un circuito es similar al de cualquier otro
diodo de unin, aunque la cada de tensin en directa es mayor debido a que la

anchura del gap es tambin mayor, variando entre 1,2V para el Arseniuro de Galio
hasta los 2V del Fosfuro de Galio. La tensin en inverso, que son capaces de
soportar est entre 5V y 25V, debido a la mayor concentracin de impurezas
necesaria para una eficiente produccin luminosa.
El voltaje directo de arranque de un LED es ms alto que 0.6 V dado que los
LED no estn hechos de silicio como si lo estn los diodos rectificadores.
Generalmente tienen un voltaje de arranque directo que se encuentra en el rango
de 1.0 a 2.2 V. Tambin, los LED tienen un voltaje inverso de ruptura que es
mucho ms bajo que el de los diodos rectificadores de silicio. La figura 3.17 (a)
muestra la caracterstica corriente voltaje de un LED tpico. La figura 3.17 (b)
muestra la relacin entre la potencia de salida luminosa y la corriente directa para
un LED.

Curva caracterstica del diodo led.

Estructura del fotoemisor: Los LEDs son dispositivos de unin p-n
construidos con arseniuro de galio (GaAs), fosfuro de arseniuro de galio (GaAsP),
o fosfuro de galio (GaP). El silicio y el germanio no son adecuados para los LEDs
debido a que sus uniones producen calor, pero no luz visible o infrarroja (IR)
apreciable. La unin en un LED est polarizada directamente y cuando los

electrones cruzan la unin desde el material tipo n al de tipo p, el proceso de

recombinacin electrn-hueco, produce algunos fotones en el rango visible o IR,
proceso

llamado

electroluminiscencia.

Por

consiguiente,

una

superficie

semiconductora expuesta a la vista durante este proceso, puede emitir luz.

En la siguiente figura se muestran las partes de un diodo led:

Caracteristicas de los fotoemisores:

-

Ventajas:

Los ledes presentan muchas ventajas sobre las fuentes de luz incandescente
y fluorescente, tales como: el bajo consumo de energa, un mayor tiempo de vida,
tamao reducido, resistencia a las vibraciones, reducida emisin de calor, no
contienen mercurio (el cual al exponerse en el medio ambiente es altamente

nocivo), en comparacin con la tecnologa fluorescente, no crean campos

magnticos altos como la tecnologa de induccin magntica, con los cuales se
crea mayor radiacin residual hacia el ser humano; reducen ruidos en las lneas
elctricas, son especiales para utilizarse con sistemas fotovoltaicos (paneles
solares) en comparacin con cualquier otra tecnologa actual; no les afecta el
encendido intermitente (es decir pueden funcionar como luces estroboscpicas) y
esto no reduce su vida promedio, son especiales para sistemas antiexplosin ya
que cuentan con un material resistente, y en la mayora de los colores (a
excepcin de los ledes azules), cuentan con un alto nivel de fiabilidad y duracin.
-

Tiempo de encendido

Los diodos led tienen la ventaja de poseer un tiempo de encendido muy corto
(menor de 1 milisegundo) en comparacin con las luminarias de alta potencia
como lo son las luminarias de alta intensidad de vapor de sodio, aditivos
metlicos, halogenuro o halogenadas y dems sistemas con tecnologa
incandescente.
-

Variedad de colores:

La excelente variedad de colores en que se producen los ledes ha permitido el

desarrollo de nuevas pantallas electrnicas de texto monocromticas, bicolores,
tricolores y RGB (pantallas a todo color) con la habilidad de reproduccin de vdeo
para fines publicitarios, informativos o para sealizacin.
-

Desventajas:

Segn un estudio reciente parece ser que los ledes que emiten una frecuencia
de luz muy azul, pueden ser dainos para la vista y provocar contaminacin
lumnica. Los ledes con la potencia suficiente para la iluminacin de interiores son
relativamente caros y requieren una corriente elctrica ms precisa, por su
sistema electrnico para funcionar con voltaje alterno, y requieren de disipadores
de calor cada vez ms eficientes en comparacin con las bombillas fluorescentes
de potencia equiparable.