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FUENTES DE
ALIMENTACIN REGULADAS
LINEALES
Electrnica Aplicada II
Departamento Electrnica Facultad Regional Baha Blanca U.T.N.
Es
EO = O
Io
Figura 1-1: Grfica de Tensin de salida vs. Corriente de salida de fuente ideal
donde E0 e I0 son respectivamente la tensin y corriente de salida, E0 es la variacin de la
tensin de salida
Para obtener el regulador existen distintas tcnicas que vamos a explicitar.
1.2 Reguladores de Tensin bsicos
Un regulador bsico de tensin, con realimentacin de muestreo de salida tendr la
configuracin dada en la Figura 1-2.
Tensin de
entrada
Ven
Tensin de salida
regulada
ELEMENTO DE
CONTROL
R
E
F
E
R
E
N
C
I
A
Error
Ampl. de
Contnua
M
U
E
S
T
R
A
VO
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Rs
Vsal
Ven
Vsal
IL
Rs
Ven
Vsal
IL
IS
Vsal = Ven - IL . R s
SERIE
Ten
Vsal = Ven .
Ten + Tap
PARALELO
CONMUTACION
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Ven
R
E
F
E
R
E
N
C
I
A
Vref
Vsal
R1
R2
R1
)
R2
(1-1)
VDIF = I L( c arg a ) R s
(1-2)
(1-3)
VEN
I L( c arg a )
(1-4)
I L R s
I L + I L
(1-5)
El regulador serie proveer una forma simple para lograr una fuente de tensin regulada, pero
tiene un inconveniente, que para aplicaciones en las cuales se requieren grandes corrientes de
carga, la cada de tensin sobre el elemento serie producir una gran disipacin de calor, y por
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IL
Rs
R
E
F
E
R
E
N
C
I
A
IZ
IS
Vref
Vsal
R1
RZ
+
R2
(1 - 6)
Is = IL + I z
(1 - 7)
Vsal = VEN R s (I L + I Z )
(1 - 8)
(1-9)
Cuando ocurre una variacin en el voltaje de entrada el cambio incremental en la corriente del
elemento paralelo ser
I z =
VEN
Rs
(1 - 10)
I z =
Vsal
R z
(1 - 11)
Como podemos apreciar, este tipo de regulador no es muy eficiente, pero en algunos casos, en
los que la eficiencia no es una limitacin, puede dar mejores soluciones, ya que el regulador
paralelo es poco sensible a los transitorios de lnea, as como tambin tiene la propiedad de no
reflejar hacia la entrada los transitorios de corriente de carga. Tambin podemos apreciar que
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S1
Q1
L
Ven
R
E
F
E
R
E
N
C
I
A
D1
R1
Vref
OSCILADOR
MODULADOR
COMPARADOR
VO
R2
L
+
+
OSCILADOR
CONTROLADO
C1
C2
vo
-
Q2
REFERENCIA Y
COMPARACION
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Tensin de salida
VO
Corriente de salida
IO
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Rm
VP
C1
Ven
IL
RP
+
CO
VO
+
RL
COMPARADOR
FUENTE
REGULADA
REFERENCIA
ALIMENTACION
AUXILIAR
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Rm
C1
Ven
R1
RC
COMPARADOR
DE TENSION
EV
CO
+
VO
D1
TENSION CONTINUA
( RECTIFICADOR )
EC
RV
+
COMPARADOR
DE CORRIENTE
-
R2
+
FUENTE AUXILIAR
FLOTANTE
REGULADOR
DE
TENSION
C2
0V
-
>R
VO
RL
PUNTO DE OPERACION
CRITICO
RC
EO
R
RL < C
Eo
= Rc
IL
OPERACION CON
CORRIENTE CONSTANTE
EO1
IL1
IL
IO
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ZONA DE TENSIN
CONSTANTE
Es
CORRIENTE DE
CORTOCIRCUITO
Imax
Icc
Io
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10
Eo
Icc
IM
Io
Oooo0oo0oo0oo0oo0oooO
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CAPTULO II
DISEO DE FUENTES DE TENSIN
2.1 Especificaciones de una Fuente de Tensin.
La funcin primaria de cualquier regulador de tensin es mantener su salida a un valor
predeterminado sobre un rango de variacin de corriente de carga. Esta tensin ser afectada
en algn grado por las variaciones de la tensin de entrada y por los cambios de temperatura
ambiente. Por lo tanto lo primero que debe establecerse es el factor de mrito o regulacin,
que ser dependiente interactivamente con los distintos factores de degradacin.
Si bien los factores de degradacin interactan entre s, se puede considerar su estudio en
forma separada por aplicacin del teorema de superposicin.
Regulacin de carga: Se define como regulacin de carga al factor porcentual de afectacin de
la tensin de salida con respecto a la variacin de corriente de carga dentro del rango de
trabajo, y lo podemos expresar como
Regulacin de Carga:
E ov E oT
100
Eo
(2.1)
donde
Eov = Tensin de salida en vaco.
EoT = Tensin de salida en plena carga.
Eo = Tensin nominal.
Regulacin de lnea : Se define como el factor porcentual en que se ver afectada la tensin de
salida con respecto a la variacin de la tensin de entrada al regulador. Esto involucra a la
tensin de rizado, las variaciones de tensin de lnea y la cada de tensin en los devanados
del transformador producido por la corriente de carga. La regulacin de lnea est expresada
numricamente por
E o
Regulacin de lnea (% / E E ) =
E E E o
100
(2.2)
Donde
E o = Cambio en la tensin de salida.
E E = Cambio en la tensin de entrada
Eo = Tensin nominal
Los valores de E o y E E pueden encontrarse generalmente expresados en valores
de tensin pico a pico, pero algunos fabricantes dan este valor como tensin RMS.
Regulacin con la variacin de temperatura : Se define como el factor porcentual en que se
ver afectada la tensin de salida en funcin al cambio de temperatura ambiente. Por lo
general a este factor se denomina coeficiente de temperatura de la tensin de salida y se indica
en un porcentaje de variacin de la tensin nominal por grado centgrado. Desde el punto de
vista cuantitativo este coeficiente se calcula por
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Eo( mx ) Eo( mn )
100
(2.3)
donde
E o ( mx ) = Tensin de salida mxima
E 0 ( Min ) = Tensin de salida mnima.
di
dt
(2.4)
Sin embargo esta expresin estar modificada por la respuesta a lazo cerrado y la capacitancia
de salida. Por otra parte cuando los cables de conexin entre la fuente y la carga son largos,
producirn una cada de tensin tanto resistiva como inductiva adicional que deber tenerse en
cuenta para determinar el desvo de tensin.
2.2 Elementos Contribuyentes a Error:
Cada uno de los elementos constituyentes de una fuente regulada de tensin bsica como la
indicada en la figura 1-2, contribuirn con un error en el establecimiento de la tensin de
salida deseada. Por lo tanto en este punto estudiaremos sus efectos y el modo en que podemos
eliminar o atenuar su influencia en el error total.
Elemento de muestreo: La regulacin se lleva a cabo comparando una muestra de voltaje de
salida con una referencia. Cualquier error que pudiese introducir este elemento de muestreo
ser amplificado con la seal de control del elemento serie. Este elemento de muestra,
generalmente estar constitudo por un divisor resistivo de voltaje tomado ente los bornes de
salida regulada. El divisor como el indicado, se observa en la figura 2-1 conjuntamente con su
equivalente de Thevenin.
El voltaje a la salida del elemento de muestreo ser
A T Vo =
Vo (R 2 + R p 2 )
R1 + R 2 + R P
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(2.5)
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RP1
RP2
RP
VO
AT ( RP1+ R1 )
B
R2
+
AT.VO
-
Vref
-
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Vent
R
+
Vz
Iz
Rz
Vref
Vz
-
(2.6)
VZ = VZ '+ I Z R Z
R ENT VZ
IZ =
R + RZ
(2.7)
(2.8)
V
VZ
VREF = VZ ENT
R
(2.9)
R + RZ Z
Como podemos observar la tensin de referencia VREF es una funcin de la tensin de entrada
VENT.
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VREF = VZ + VBE(Q1 )
(2.10)
Vent
+
R1
Q2
+
Vz
Q1
Vref
Rc
-
VBE(Q1 )
RC
(2.11)
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R2
I2
R3
Vent
Q3
Q2
Vref
Q3
R4
-
(2.12)
Los valores de las resistencias R2 y R3 se calculan para que la corriente entre los transistores
Q1 y Q2 tengan una relacin de diez a uno, es decir,
I1 = 10 I2
(2.13)
Como tendremos una significativa diferencia entre las corrientes que fluyen es estos
transistores Q1 y Q2, las cadas de tensin de base a emisor respectivas sern diferentes. El
voltaje diferencial que se obtiene entre estas dos tensiones de base a emisor (VBEQ1-VBEQ2)
aparecer sobre R4. Si utilizamos transistores de alta ganancia la corriente IZ ser la que
circule por R4.
VBEQ1 VBEQ2
IZ =
(2.14)
R4
por lo tanto
R3
(2.15)
R4
Como podemos observar esta tensin de referencia, al ser funcin de las tensiones de base a
emisor, deberan tener dependencia con la temperatura.
Por lo tanto efectuaremos un anlisis de las posibles variaciones de VREF con la temperatura.
Del anlisis del amplificador diferencial, anteriormente se ha demostrado que
VREF = VBEQ 3 + VBEQ1 VBEQ 2
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I
KT
ln 1
q
I2
(2.16)
T
T
+ VBEO
VBEQ 3 = v go 1
To
To
(2.17)
donde Vgo es la tensin de potencial de banda de energa para el silicio y VBEO es la cada de
tensin de base emisor para TO.
Si sustitumos las ecuaciones 2.16 y 2.17 en la 2.15 tendremos que
T
T
+ VBEO
VREF = Vgo 1
To
To
R 3 KT I 1
+
ln
I2
R4 q
(2.18)
(2.19)
R
I
q
Vgo VBEOQ3 = 3 ln 1
KTo
R4
I2
(2.20)
habremos logrado que la ecuacin 2.19 sea nula. Por lo tanto habremos obtenido una VREF
independiente de la temperatura.
Otra ventaja de este circuito, que utiliza las bandas de energa como referencia, es que da
elementos de referencia de muy bajo nivel de tensin con una muy buena inmunidad a la
tensin de entrada. Por lo general la tensin de referencia ms comn a estos tipos de circuitos
de referencia es de 1.2 Voltios.
ELEMENTO DE COMPARACIN
Partiendo de la premisa de que se ha obtenido un elemento de referencia estable y que el
elemento de muestreo nos puede proveer una muestra de la tensin estable, nuestra bsqueda
en el elemento contribuidor de error recaer en el elemento de comparacin, siendo ste,
como veremos, el factor determinante de la performance de regulacin de Voltaje con
respecto a la salida del mismo. Como el elemento de comparacin, bsicamente es un
amplificador de continua de gran ganancia, tpicamente ste estar constitudo por un
amplificador operacional, el cual aparte de proveernos gran ganancia nos entrega alta
impedancia de entrada, y baja impedancia de salida; Esto nos traer adicionalmente factores
como tensin de desplazamiento, relacin de rechazo a seal en modo comn y tensin de
fuente, y coeficiente de temperatura, que afectarn la regulacin de la tensin de salida, en
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ELEMENTO SERIE
+
R1
-
Vin
Vd
Ro
Vo
Av.V1
V1
Ven
Eo
+
R2
REFERENCIA
-
(2.21)
(2.22)
V1 = VREF Vm Vd
(2.23)
R2
Vm = Eo
R1 + R 2
(2.24)
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R
Eo = (VREF Vd ) 1 + 1
R2
(2.26)
Como podemos ver la tensin de desplazamiento Vd representa un error inicial, por lo tanto
debe tenerse en cuenta en la seleccin de R1 y R2 para compensar este error.
Deriva de La Tensin de Desplazamiento con la Temperatura.
Como desde un principio tenemos presente una tensin de desplazamiento, sta, como ya se
ha visto, tendr una deriva con la temperatura, y esta deriva es directamente proporcional al
valor inicial de la tensin de desplazamiento, debemos hacer todo lo posible para reducir o
eliminar en lo posible esta tensin, compensando el amplificador o seleccionndolo para un
mnimo desplazamiento. Esto debe ser de esta manera ya que una compensacin inicial en el
elemento de muestreo no mejora en absoluto la deriva que pueda tener. Cuando no es posible
la eliminacin de esta deriva y es necesaria la obtencin de un coeficiente de temperatura muy
riguroso, se debe proceder a agregar un elemento compensador con la temperatura en la red
de muestreo, como ser un PTC o NTC segn sea el sentido de la compensacin.
Variaciones de Tensin de Alimentacin
La tensin de alimentacin para el comparador es un contribuidor de error, que depende de las
relaciones de rechazo de modo comn y de tensin de alimentacin del operacional
seleccionado como elemento comparador. Como podemos comprobar por medio de la figura
2-8, la tensin en modo comn es el promedio de la tensin de entrada referenciada a la tierra
virtual del amplificador, por lo tanto como la tierra virtual es
Vcc Vcc
2
y la tensin promedio de entrada al amplificador es
G virtual =
(2.27)
R2
VREF + Vo
R 1 + R 2
Vi =
2
(2.28)
Vcm =
R2
1
+
Vcc Vcc
VREF + Vo
2
R 2 + R1
(2.29)
R1 + R 2
R1
De esto podemos apreciar, que si se tienen tensiones de alimentacin al amplificador
comparador desiguales, se producirn variaciones en el voltaje en modo comn neto a la
entrada del operacional.
donde
V0 = Vref
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Vcc
Vref
Vo
+
-
Vcc
R1
R2
Av
A v cm
(2.30)
Por lo tanto, como el dato proporcionado por el fabricante es el valor de la relacin CMRR ,
de este valor y con el dato de Av mnimo obtendremos
A vcm =
A vmn
CMRR
(2.31)
A partir de esto encontraremos que el error producido a la salida por un voltaje en modo
comn presente en el voltaje de entrada ser
A vcm =
A vmn
CMRR
(2.32)
de donde
Error de Modo Comn =
Vcm
CMRR
(2.33)
Vcm
R
(2.34)
Vo = VREF +
1 + 1
CMR R
R2
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Elemento Serie
Filtro
Pre Regulador
Vin
Amplificador de
continua
M
u
e
s
t
r
a
Vo
Referencia de Tension
Sensor de
Corriente
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Io
Q1
Ven
D2
R3
R5
Q5
Vo
R7
R8
Ib
Q4
I2
+
C1
+
P1
C2
Q2
I3
R2
R9
Q3
C3
I1
D1
Id
R6
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(2.35)
donde
Vr mx = Valor pico a pico de la tensin de rizado
= Tensin de salida a la cual se debe activar el corto de corriente.
Vos
VEN mx = Valor de tensin continua de entrada al filtro para la mxima tensin de
lnea
VRe = Cada de tensin a mxima corriente sobre las resistencias de ecualizacin
(caso de transistores en paralelo)
Para poder determinar el valor de VEN mx debemos establecer el valor de VE mn; Este valor se
producir para la tensin de lnea mnima establecida.
VE mn = Vo + Vr mx + VCE mn + VRe mx
(2.36)
donde
= tensin de salida nominal
Vo
VCE mn = Cada de tensin de colector a emisor mnima sin que el transistor entre a la
zona no lineal (zona de saturacin). Valor tpico 1.5 a 2.5 voltios. Este valor
est dado por la configuracin de la fuente.
Determinado el valor de VE mnimo calculamos el VE mximo en funcin de los valores de
contorno de VL mx y VL mn.
VL mn
V
VENmx = VEmn 1 + L mx
V
L
mn
(2.37)
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Vr = 0.05 VE mn
(2.38)
Otro valor a determinar es VRE mx. Este valor se toma en funcin al tipo de transistor a
ecualizar y normalmente debe ser de una magnitud prxima a la cada de tensin de base a
emisor del transistor a usar.
VRE mx VBEQ1
(2.39)
(2.40)
donde Io mx es el valor de corriente requerido por condicin de contorno, como podemos ver
en la Ec. 2.40 la corriente est afectada por un coeficiente de 1.2, ste es el valor que se toma
tpicamente para establecer el valor de Io mx de corriente de lmite para la fuente.
Grficamente, este valor lo podemos apreciar en la figura 2.11. Este valor de un 20% sobre la
corriente mxima de la fuente se lo toma a los efectos de que la fuente sea capaz de admitir
picos transitorios sin que acte la proteccin de corte de corriente.
CODO DE LIMITACION
Vo
Vos
Io (max)
Io (max)
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a) TIP 3055
Figura 2-12: Curvas SOAR de los transistores TIP 3055 y TIP 142
La temperatura de trabajo tpica es de 80C para la caja, por lo tanto debemos recurrir a las
curvas de ajuste de disipacin en funcin de la temperatura. Para los transistores TIP 3055 y
TIP 147 las podemos observar en la figura 2-13 a y b respectivamente.
(b)
(a)
Figura 2-13 Curvas de mxima disipacin
De esta figura 2-13 debemos determinar el factor de disminucin de la corriente que podemos
manejar para una tensin VCE fijada. Si tomamos como dijimos 80C de temperatura de caja
debemos reducir la corriente en un 50% aproximadamente.
Como conocemos Io y cul ser la VCE1 mx podemos determinar la corriente que puede
manejar un transistor determinado a una temperatura de 80C de caja. Con esta corriente Ic mx
podemos determinar cuntos transistores se requieren para manejar la Io mx.
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Io mx
(2.41)
I cmx
Q1
Re
Q2
Re
Io
Ib1
Ib2
Qn
Ib
Re
Ibn
1.2 Voltios
I c mx (T mx )
(2.41)
(2.42)
N Q I cmx
h fe mn.
(2.43)
La seleccin del hfe mn utilizado en la ecuacin 2.43 deber obtenerse de las curvas hFE Vs Ic
dadas por el fabricante, tal como la que observamos en la figura 2.15. Como podemos ver, el
valor del hFE vara notablemente con la corriente Ic, por lo tanto se debe adoptar el hfe mnimo
para el rango de trabajo del transistor desde Ic mn a Ic mx .
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Q4
I1
A
I3
Ib
I2
Q2
Q3
(2.44)
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28
(2.46)
Por ltimo la corriente I3 que debe drenar Q3 en caso de sobrecarga estar dada por
I 3 mx = I 1 I b mx I 2 mn
(2.47)
Calculadas las corrientes del nodo A, ya estamos en condiciones de proceder al diseo del
resto de los elementos de la fuente.
Clculo del pre-Regulador
Como ya indicamos antes el pre-regulador es en s una fuente de corriente y como tal la
tenemos que disear. Esta fuente debe entregar la corriente I1 antes calculada. En la figura
2-17 tenemos los elementos constitutivos del pre-regulador.
La cada de tensin en el punto A ser
(2.48)
VA = Vo + VBE1
La cada de tensin mnima para colector a emisor de Q4 deber ser de 1 voltio para poder
mantener este transistor en la zona lineal de alta impedancia en colector. Esto ocurrir para
VEN mnimo.
Q1
Ven
+
Vo
R3
D2
Q4
A
R2
I1
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29
VR 3 = VD 2 VBE4
(2.49)
VR 3
VD 2 VBE4
(2.50)
I1
I1
Ahora s podemos calcular con exactitud el valor de VEN mn
VEN mn = VA + VCE4 + VR 3
(2.51)
La corriente que debe circular por D2 debe ser mayor que IDZ mn por una parte y del orden de
3 veces Ib4
(2.52)
I D 2 3 I b4 + I DZ mn
Por lo tanto podemos calcular a
R2 =
VEN mn
(2.53)
I D2
2
D2
(V
=
ENmx
VD2
(2.54)
R2
(2.55)
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30
Ven
Vo
R7
Ib
I1
(2.56)
Q2
I2
I3
P1
D1
Vo VD1
I z mn
(2.57)
I D1 mx = I z mn + I 1 I b mn
(2.58)
PDD1 = VD1 I D1 mx
(2.59a)
por lo tanto
PDQ 2 = VA mx VD1 (I 1 I b mn )
(2.59b)
Con este valor de potencia disipada tenemos una de las caractersticas del transistor Q2. Este
transistor debe proveer una muy buena caracterstica de transconductancia si se desea una
buena regulacin de carga. Si se hace necesario mejorar este aspecto se puede usar una
configuracin Darlington, pero esto desmejora el aspecto de regulacin con las variaciones de
temperatura.
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+
Ip
P1
Ib2
R9
(2.60)
Vo
10 I b 2mx
(2.61)
por lo tanto
P1
Las resistencias R8 y R9 son resistencias de seguridad, a los efectos de que en caso de que el
cursor de P1 tenga algn falso contacto, la base de Q2 no quede sin polarizar y por lo tanto no
aparezca a la salida toda la tensin de entrada al regulador. Por lo tanto los valores de R8 y R9
se eligen para que la tensin Vo baje levemente. El divisor resistivo R8, R9 manejar una
corriente del orden de I b2 .
R9 =
R8 =
VD1 + VBE2
I b2
Vo VD1 VBE2
I b2
(2.62)
(2.63)
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PdQ3 VA
I1
6
(2.64)
VQ 3
(2.65)
I omx
El valor de I0'mx indicado por la figura 2-11 depende exclusivamente de las caractersticas de
Q3, en especial de su gm con respecto a I1/6. Si el transistor con una tensin de base que
supere el 10% de V es capaz de manejar I1/6, la corriente I0' tendr un 10% ms de Io ya que
la cada en R6 es directamente proporcional a Io.
Clculo de elemento de Corte de Corriente
El elemento de corte de corriente est constitudo por R3, R4 y Q5. Para poder analizarlo lo
reacomodamos como lo vemos en la figura 2-20. Cuando se produce la limitacin de
R4
R3
+
Ven
Io
Q1
D2
C4
R5
Q5
Ib
Q4
I1
I2
Rd
I3
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33
1 R d
Vo
(R 3 + R 4 ) VEN
(2.66)
V Q 5
VEN mx Vos
(R 3 + R 4 )
R 4 = (R 3 + R 4 ) R 3
(2.67)
(2.68)
La seleccin de Q5 se har en funcin de la corriente IDZ y deber tener un gm alto para que
produzca un codo pronunciado en el corte. Si se requiere que la fuente sea capaz de arrancar
con plena carga, se debe adicionar un capacitor puenteando R3 de manera de retardar el efecto
de corte en el encendido. La constante de tiempo R4 C4 debe ser mayor del tiempo de
establecimiento de la tensin de salida, pero no debe ser mucho mayor por ste ya que
afectara el tiempo de reaccin del elemento de corte directo. El clculo de esta capacidad la
veremos ms adelante.
Problemas de implementacin en el diseo
Como toda fuente de tensin regulada se trata de un amplificador de continua totalmente
realimentado ya que muestrea tensin de salida comparndola con la tensin de entrada de
referencia. Si se usan transistores gm grande y frecuencias de corte altas, se producir por lo
general oscilaciones de alta frecuencia. Esto es solucionable agregando un capacitor pequeo
entre el colector y base de amplificador comparador, tal como vemos en la figura 2-10 al
capacitor C3. Este capacitor debe ser del valor estrictamente necesario para cortar la
oscilacin, ya que un valor grande afectar al tiempo de respuesta de la fuente a los
transitorios de carga. El valor tpico de esta capacidad se encuentra dentro del rango de 100 a
1000 pf.
Clculo de la regulacin de carga
Por definicin la regulacin de carga es el porcentaje de variacin de la tensin de salida entre
el vaco y plena carga. Por lo tanto debemos sacar el gm del amplificador realimentado. Como
en este caso estamos trabajando con pre-regulador existe una relacin directa en la corriente
de salida del amplificador comparador y la corriente de la fuente. Por lo tanto tendremos
k E o h FeQ1 g mQ2 = I o
(2.69)
I o
k h FEQ1 g mQ2
(2.70)
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34
Regulacin de carga =
I o
100
k h FEQ1 g mQ2 Eo
(2.71)
Ven
Q1
+
Io
Vo
I1
RL
RO Q4
Rr
R1
I2
Vr
-
(2.72)
Vo = VBE + R r I r
(2.73)
I o = h FE I b
(2.74)
I1 =
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35
Vo VBE + R r I r
=
I o
h FE I b
(2.75)
Rr
I r
R1
(2.76)
Rr + R1
I r
R1
(2.77)
R1 Rr
R 1 VBE
+
h FE (R r + R 1 ) h FE I 2 (R 1 + R r )
h FE (R 1 + R r ) I 2
R1
(2.78)
(2.79)
Rr R1
VBE
+
h FE (R r + R 1 ) I o
(2.80)
Ven
rc
R1
hFE
Vo
Rb
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36
R1
h FE
para R1 >> Rr
(2.83)
FL =
VEN
Ro
R 1 rc
+ Ro
R 1 + h FE rc
Vo x 100
(R 1 + h FE rc ) R c x 100
=
VEN
h FE rc (R r + R 1 ) + R r (R 1 + h FE rc )
(2.84)
(2.85)
como (R 1 + h FE rc )>> Rr
FL
R r x 100
R1 + Rr
(2.86)
Como podemos observar el factor de rechazo de las variaciones de tensin de lnea es muy
eficaz, ya que Rr es muchsimo menor que R1.
Regulacin con la temperatura
La regulacin con la temperatura depende fundamentalmente, en el esquema presente, de la
compensacin de coeficientes entre el amplificador comparador y el diodo de referencia.
Adems de este error, existen otros elementos que tendrn influencia en el coeficiente de
temperatura. Por ejemplo, el elemento de control est gobernado por corriente, y como el hFE
de los transistores de silicio es dependiente en forma amplia con la temperatura, tendremos
variaciones considerables de la corriente de control. Por otra parte la fuente de corriente
tambin se ver afectada del mismo modo por la temperatura. Estos parmetros de variacin
con la temperatura son muy difciles de predecir en su magnitud exacta por lo que el tratar de
obtener un nmero calculado que responda a la realidad, requerir de una modelacin
compleja. Este efecto de las variaciones de la corriente de control se puede atenuar
notablemente si el amplificador comparador posee una muy buena ganancia de
transconductancia. En general el coeficiente de temperatura es un parmetro que se debe
medir sobre el prototipo y si ste est fuera de los lmites tolerados se deber proceder a
agregar alguna compensacin en el circuito de control. Lo ms prctico en estos casos, es
determinar las curvas de variacin de la tensin de salida vs temperatura para diferentes
condiciones de carga. Luego sacar una curva media de variacin. Con este valor se estima el
kVo / C y se selecciona una resistencia con coeficiente ya sea positivo o negativo de
acuerdo al coeficiente obtenido y a compensar. La disposicin del elemento de compensacin
se agrega al elemento de muestreo, como lo podemos ver en la figura 2.23
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37
P1
R9
P2
Rt
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38
Io = Io (max)
Io = 0
t
EO
eP = LO
d IO
dt
EOV
EO (NOM)
Eot
TIEMPO DE RECUPERACION
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39
VQ3
I o mx
(2.87)
(2.88)
Donde VoQ es la tensin VBE(sat) de saturacin Q3. La disipacin del transistor Q3 ser para
cuando est en la zona del codo de limitacin de la corriente de salida. En este caso Q3 deber
estar absorbiendo el 16,6% de la corriente I1 y tendr una tensin de colector a emisor igual a
la cada de tensin del punto A respecto de tierra en operacin normal de la fuente.
PDQ 3 =
VA I 1
6
(2.89)
Corte de Corriente
En la figura 2-25 se muestra el esquema de la carga capacitiva de salida en el encendido de la
fuente.
El valor al cual se debe producir el corte de corriente depende fundamentalmente del tipo de
carga que se debe manejar con el diseo que se realiza. Si la fuente debe alimentar cargas que
presentan reactancia capacitiva a alta frecuencia, es decir, poseen capacidades que debern
cargarse inicialmente, deber conocerse cul ser el valor de sta o bien medir el valor pico
de corriente y la duracin del transitorio. Tambin debe establecerse si la fuente debe estar
capacitada para encenderse con esta carga presente (Este es el caso normal para una fuente de
alimentacin de un equipo determinado) por lo tanto partiremos de esta ltima condicin.
Si determinamos que la carga capacitiva total, que inicialmente tendremos, es Co y que la
limitacin de corriente de la fuente es Io, el tiempo que demoramos en cargar a la tensin Vo
ser suponiendo una carga lineal.
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40
Ven
Q1
+
C4
R3
D2
R5
Q5
Ib
Q4
R2
I1
I2
Co
I3
(2.90)
Con este tiempo To deberemos establecer en las curvas SOAR, si el transistor Q1 est en
condiciones de manejar esta corriente Io, en condicin de cada de tensin VEN mx como
tensin entre colector y emisor, para rgimen pulsante. El tiempo a considerar dentro del
rgimen pulsante es el tiempo equivalente de (To) ya que la tensin ir disminuyendo
linealmente con el tiempo. Si el transistor Q1 est en condicin de manejar este pulso,
deberemos ahora calcular la constante de tiempo necesaria de C4. RT y para que el circuito de
corte no acte hasta tanto se alcance el valor de Vo a la salida inicialmente.
R TV =
R 4 (R 3 + R 4 )
R3
(2.91)
To
R TV
(2.92)
como R3 y R4 las conocemos de las ecuaciones 2.67 y 2.68 habremos finalizado el diseo.
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41
COMPARACION DE
TENSION
Vo
+
-
CORTE DE
CORRIENTE
REFERENCIA DE
TENSION
Ven
F
I
L
T
R
O
R
E
F
E
R
E
N
C
I
A
SENSOR DE
CORRIENTE
REFERENCIA DE
CORRIENTE
+
-
COMPARACION DE
CORRIENTE
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43
R
Vz = Vref 1 + 5 + I ref R 5
P3
(2.93)
La relacin de los valores de R5 a R3(mx) debern ser del orden de 100 para que se pueda
aproximar lo mximo posible al valor de tensin de referencia, como valor ms bajo a obtener
(Vref es el mnimo de tensin de salida para el caso presente)
R5
P3 mx
(2.94)
100
Por otra parte desde el punto de vista del diseo, la corriente del divisor R5 P3 debe ser 10 Iref
por lo tanto
P3 mx + R 5 =
Vref
10 I ref
(2.95)
Una vez determinado este valor de corriente en el divisor, debemos seleccionar la corriente
adecuada para el diodo zener. La mxima corriente zener ser
PDTmx = VZmx I DZ
(2.96)
PDTmx
VZmx
(2.97)
Por lo general como criterio de diseo se usa una corriente de 5 Izk o sea 5 veces la corriente
mnima del zener.
R4 =
VR
5.I zk +
Vref
10 I ref
(2.98)
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44
Ven
IC1
IC1
hIE
R4
Ra
Rs
Vref
Rb
+
- VO
Rz
RL
Vz
IC7
(a)
(b)
Figura 2-28
Para el circuito de figura 2-28 b la tensin de salida estar dada desde el punto de vista de la
realimentacin por
Vo =
Rf + Ra
VZ
Ra
(2.99)
R4
VZ = VZ
R4
(2.100)
Intuitivamente vemos que esto es cierto, ya que si IC1 tiene alta ganancia la diferencia entre
Vo y VZ es del orden de los milivoltios que ser producto de la tensin de desplazamiento de
entrada (offset). A partir de esta ltima apreciacin veremos que la estabilidad trmica de la
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45
dT
dT
dT
(2.101)
Como podemos ver en la Ec. 2.101, dependiendo del signo de ambas, este efecto puede llegar
a compensarse o sumarse. Por lo tanto en todo clculo o estimacin del coeficiente de
temperatura total debemos tomar el caso ms desfavorable. Si el caso requiere de un mejor
coeficiente, se deber medir el coeficiente de temperatura total para despus compensar con
un PTC o un NTC sobre la rama R5 R3 del zener ajustable, en la misma forma que la
indicada para el caso de la Figura 2-23.
Ahora pasaremos a analizar el control de corriente constante. El mecanismo usado en este
caso consiste en un amplificador operacional IC2 que estar comparando un cierto nivel de
tensin de referencia, provisto por el potencimetro P2, con respecto a la salida positiva. Esta
tensin es comparada con la cada de tensin en la resistencia Rs de sensado de corriente de
salida Io.
Q1
Ven
Rs
C2
Vo
Io
Ib
P2
VRA
LM741
D1
I2
I1
IC2
VR i = R s I o
(2.102)
La tensin de salida de IC2 saldr de la regin positiva para pasar a tener tensin negativa
para un leve incremento de Io.
Esto producir una determinada corriente I2 la cual impedir todo incremento de la corriente
Ib, (por ende la corriente Io), absorbiendo todo incremento producido por I1, al tratar de
compensar la cada de tensin Vo producida por la limitacin de corriente. Si variamos
VR i por medio del potencimetro P2 estaremos variando el valor de Io al cual se produce la
limitacin. El diodo D1 se debe colocar para que acte como llave de conmutacin entre la
regin de voltaje controlado y corriente controlada, es decir, que cuando la corriente de salida
es inferior al valor umbral, la tensin de salida de I C 2 ser en exceso positiva, y D1 se
encontrar bloqueado permitiendo el control absoluto de I1 sobre Io. Indudablemente que D1
deber ser un diodo de seal, preferentemente de silicio, para que presente una corriente
inversa despreciable.
La resistencia Rs deber ser de un valor relativamente bajo, del tipo no inductiva. Su valor
ser funcin del valor mximo de corriente de salida que puede entregar la fuente y de la
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IC2
-
Rs
I01
+
V
- O
dT
dT
dT
(2.103)
Rs
S i Vos
I o mn
(2.105)
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47
Q1
Rs
VO
I0
Q2
+
-
LM741
+
-
Q3
IC1
VA
P2
LM741
+
-
IC2
VO
I O = I EQ1 + I CQ3
(2.106)
R s d I os
k C Io dT
(2.107)
donde
k = constante del divisor potenciomtrico (para Iomn k = 0.01 tpico)
CIo = coeficiente de la corriente de desplazamiento con la temperatura.
d I os
= coeficiente de la corriente de desplazamiento con la temperatura.
dT
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48
(2.108)
Mientras la tensin de salida no caiga por debajo del 90% de su valor nominal el Amp. Op.
IC3 tendr su salida saturada en positivo, lo que hace que D2 se encuentre bloqueado. Cuando
la tensin de salida cae por el 90% de su valor nominal, la entrada positiva de IC3 cae por
debajo del valor de la entrada inversora lo que hace que la salida IC3 pase a un valor negativo
respecto de la tensin de salida Vo, haciendo conducir a D2 y sustrayendo corriente al
transistor Q2 y Q1. Esto produce una realimentacin positiva que llevar al corte de corriente
ya que IC3 absorber toda la corriente que drena IC1 cortando la corriente Ib.
La capacidad C9 con R6 dar la constante de tiempo para el encendido de la fuente. Esta
constante deber tener en cuenta el tiempo de establecimiento de la tensin de salida con la
mxima carga capacitiva que deber operar la fuente. Con carga capacitiva la fuente entregar
la corriente Iomx a la cual es establecida por P2, por lo tanto
R 6 C 9 =
C Lmx Vonom
I o mx
(2.109)
Oooo0oo0oo0oo0oo0ooO
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Bibliografa
1.- DC POWER SUPPLY HANDBOOK - Aplication notes 90B - Hewlett Packard 1978.
2.- APPLICATIONS HANDBOOK - Kepco Power Supplies - 1984
3.- LAMBDA SEMICONDUCTORS APPLICATIONS HANDBOOK - Lambda Power
Supplies Inc. 1986.4.- VOLTAGE REGULATOR HANDBOOK - National Semiconductor - 1988.
5.- TRANSISTORES CIRCUITOS Y DISEOS - J.A Walston, J.R. Miller - Texas
Instruments Inc. - 1967.
6.- THE VOLTAGE REGULATOR HANDBOOK - Texas Instruments Inc. 1977.
7.- ELECTRONICS DESIGNERS HANDBOOK - 2nd Edition - L.J. Giacoletto McGraw Hill 1977.
8.- RECTIFIER APPLICATIONS HANDBOOK -Motorola semiconductors - HB214/D 1993.
9.- ZENER DIODE HANDBOOK - Motorola semiconductors - 1994.
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