Cuprins

Introducere
Lucrarea I. Simularea funcţionării
elementare cu amplificatoare operaţionale

circuitelor

1.1. Introducere teoreticǎ
1.1.1. Amplificator inversor
1.1.2. Configuraţie inversoare cu amplificare mărită
1.1.3. Amplificator sumator inversor
1.1.4. Amplificator de diferenţǎ
1.1.5. Amplificator de instrumentaţie
1.1.6. Amplificator cu reacţie pozitivă controlată
1.1.7. Redresor bialternanţă 1
1.1.8. Redresor bialternanţă 2
1.1.9. Comparator cu histerezis
1.2. Simularea circuitelor cu amplificatoare operaţionale
1.2.1. Amplificator inversor
1.2.2. Configuraţie inversoare cu amplificare mărită
1.2.3. Amplificator sumator inversor
1.2.4. Amplificator de diferenţǎ
1.2.5. Amplificator de instrumentaţie
1.2.6. Amplificator cu reacţie pozitivă controlată
1.2.7. Redresor bialternanţǎ 1
1.2.8. Redresor bialternanţǎ 2
1.2.9. Comparator cu histerezis
1.3. Intrebări

i

Lucrarea a II-a. Evaluarea prin
parametrilor amplificatoarelor operaţionale

simulare

a

2.1. Introducere teoreticǎ
2.1.1. Tensiunea de decalaj (offset) de intrare, VIO
2.1.2. Curenţul de polarizare, I B
2.1.3. Curentul de offset (decalaj) de intrare, I IO
2.1.4. Amplificarea în buclǎ deschisǎ, a
2.1.5. Rezistenţa de intrare, Ri
2.1.6. Rezistenţa de ieşire, Ro
2.1.7. Curentul maxim de ieşire, I O max
2.1.8. Tensiunea maximǎ de ieşire, VO max
2.1.9. Slew-rate-ul, SR
2.2. Simularea circuitelor cu amplificatoare operaţionale
pentru determinarea parametrilor acestora
2.2.1. Tensiunea de offset (decalaj) de intrare
2.2.2. Curenţii de intrare I B , I B şi curentul de
decalaj de intrare, I IO
2.2.3. Amplificarea în buclǎ deschisǎ
2.2.4. Rezistenţa de ieşire
2.2.5. Tensiunea maximǎ de ieşire
2.2.6. Curentul maxim de ieşire
2.2.7. Viteza maximǎ de variaţie a semnalului de
ieşire (slew-rate)
2.2.8. Rǎspunsul în frecvenţǎ al unui amplificator
inversor
2.3. Intrebări

Simularea

Lucrarea a III-a.
amplificatoarelor diferenţiale

funcţionării

3.1. Introducere teoretică
3.1.1. Amplificatorul diferenţial bipolar elementar
3.1.1.1. Funcţionarea pe mod diferenţial
3.1.1.2. Funcţionarea pe mod comun
3.1.1.3. Domeniul maxim al tensiunii de
mod comun de intrare
3.1.2. Amplificatorul diferenţial bipolar elementar
cu degenerare în emitor

ii

3.1.3. Amplificatorul diferenţial CMOS elementar
3.1.3.1. Funcţionarea pe mod diferenţial
3.1.3.2. Funcţionarea pe mod comun
3.1.3.3. Domeniul maxim al tensiunii de
mod comun de intrare
3.1.4. Amplificatorul diferenţial CMOS elementar
cu degenerare în sursǎ
3.1.5. Structură paralel de amplificator diferenţial
pentru creşterea domeniului maxim al tensiunii de
mod comun de intrare
3.1.6. Amplificator diferenţial bipolar cu
sarcinǎ activǎ
3.1.7.
Amplificator
diferenţial
cu
suma
VGS constantă
3.1.8. Amplificator diferenţial format din două etaje
3.1.9. Amplificator diferenţial cu reacţie negativǎ
3.1.10. Amplificator diferenţial cu reacţie negativǎ
şi AO
3.2. Simularea amplificatoarelor diferenţiale bipolare
şi CMOS
3.2.1. Amplificatorul diferenţial bipolar elementar
3.2.1.1. Funcţionarea pe mod diferenţial
3.2.1.2. Funcţionarea pe mod comun
3.2.1.3. Domeniul maxim al tensiunii de
mod comun de intrare
3.2.2. Amplificatorul diferenţial bipolar elementar
cu degenerare în emitor
3.2.3. Amplificatorul diferenţial CMOS elementar
3.2.3.1. Funcţionarea pe mod diferenţial
3.2.3.2. Funcţionarea pe mod comun
3.2.3.3. Domeniul maxim al tensiunii de
mod comun de intrare
3.2.4. Amplificatorul diferenţial CMOS elementar
cu degenerare în sursǎ
3.2.5. Structură paralel de amplificator diferenţial
pentru creşterea domeniului maxim al tensiunii de
mod comun de intrare
3.2.6. Amplificator diferenţial bipolar cu
sarcinǎ activǎ
3.2.7.
Amplificator
diferenţial
cu
suma
VGS constantă
3.2.8. Amplificator diferenţial format din două etaje
iii

1. Amplificator diferenţial cu reacţie negativǎ 3. Oglinda de curent bipolarǎ iv .1. Sursa de curent utilizând V BE ca referinţă 4.1.1. Simularea surselor de curent bipolare şi CMOS 4.2. Sursa de curent Widlar bipolarǎ 4.1.3.1.1.1. Sursa de curent cu autopolarizare utilizând V BE ca referinţă 4. Simularea funcţionării surselor de curent 4.1.1.3.3.2.1. Sursǎ de curent PTAT cu autopolarizare 4.3.1. Sursa de curent bipolarǎ cu rezistenţe în emitor 4.4.2.1.3.3. Dependenţa de temperatură a tensiunii bază-emitor 4.1.1. Sursă de curent cu autopolarizare cu diodă Zener 4.1.3.4.1.3.4.5. Surse de curent cu autopolarizare 4.1. Sursǎ de curent cu autopolarizare şi dependenţă redusă de temperaturǎ 4.1.1.7.1.1.2.1.2.2.4.3. Introducere teoretică 4. Sursa de curent cu autopolarizare cu dependenţǎ negativǎ de temperaturǎ 4.1. Sursa de curent CMOS cu rezistenţe în sursǎ 4. Amplificator diferenţial cu reacţie negativǎ şi AO 3. Surse de curent elementare 4. Surse de curent elementare 4. Sursă de curent cu diodă Zener 4.3. Surse de curent cu rezistenţă de ieşire mare 4.1.1.10.1. Oglinda de curent CMOS 4.1.1.6.5.1.9.1.2. Surse de curent cu dependenţă redusă de temperatură 4.4.2.2. Sursa de curent îmbunătăţită cu autopolarizare utilizând V BE ca referinţă 4.1. Intrebări Lucrarea a IV-a.1. Oglinda de curent bipolarǎ 4.

2.5.1. Oglindă de curent cascod CMOS 4.3.varianta a II-a v .1.2.1.2. Surse de curent cu dependenţă redusă de temperatură 4.1.2.3.2.2. Simularea funcţionării referinţelor de tensiune 5.1.4.1.varianta I 5. Sursa de curent cu autopolarizare şi dependenţǎ negativǎ de temperaturǎ 4.3. Oglinda de curent CMOS cu rezistenţe în sursǎ 4. Referinţǎ de tensiune bandgap elementarǎ 5.3.2. Obţinerea unei tensiuni CTAT 5. Referinţǎ de tensiune bandgap utilizând un AO .1.1. Obţinerea unei tensiuni PTAT Circuite cu corecţia de ordin I a caracteristicii de temperatură -referinţa de tensiune bandgap 5.1.2.2.1.4.2. Sursǎ de curent PTAT cu autopolarizare 4.1.1.1.2.3. Sursa de curent îmbunătăţită cu autopolarizare utilizând V BE ca referinţă 4.4.2. Sursa de curent cu autopolarizare utilizând V BE ca referinţă 4.1.2. Intrebări Lucrarea a V-a. Referinţǎ de tensiune bandgap utilizând un AO .1. Sursǎ de curent cu autopolarizare şi dependenţă redusă de temperatură 4. Dependenţa de temperatură şi de tensiunea de alimentare a referinţelor de tensiune 5.1.4.4. Oglinda de curent CMOS 4.1.3.2.2.2.1.2.4.3.1. Surse de curent cu autopolarizare 4. Sursă de curent cu diodă Zener 4. Introducere teoretică 5.3. Sursă de curent cu diodă Zener cu autopolarizare 4. Surse de curent cascod 4.5.3.1.4.2.2.1.2. Oglinda de curent bipolarǎ cu rezistenţe în emitor 4.

1.1.4.1.2.2. Referinţǎ de tensiune cu diodǎ Zener 5.3.8.6.1. Referinţǎ de tensiune cu diodǎ Zener 5.2.2. Referinţǎ de tensiune bandgap utilizând un AO .1.1.5. Referinţǎ de tensiune bandgap cu tensiune de ieşire ajustabilǎ utilizând un AO 5.1.1. Referinţă de tensiune bandgap cu funcţionare în curent 5. Referinţǎ de tensiune bandgap cu tensiune de ieşire ajustabilǎ utilizând un AO 5.6.2.7.1. Referinţǎ de tensiune bandgap elementarǎ 5.2.8.2.1.2.5.2.2. Simularea referinţelor de tensiune bipolare şi CMOS 5.1.1.2.3.7. Obţinerea unei tensiuni PTAT Circuite cu corecţia de ordin I a caracteristicii de temperatură 5. Referinţǎ de tensiune bandgap elementarǎ vi . Dependenţa de temperatură a referinţelor de tensiune Circuite fără compensarea caracteristicii de temperatură 5.varianta a II-a 5.2. Obţinerea unei tensiuni CTAT 5.1.2.1. Obţinerea unei tensiuni PTAT Circuite cu corecţia de ordin I a caracteristicii de temperatură 5.2.2.1.2.varianta I 5.2. Obţinerea unei tensiuni CTAT 5.1.2.1.2.1. Circuit de stabilizare termică pentru referinţe de tensiune 5. Dependenţa de tensiunea de alimentare a referinţelor de tensiune Circuite fără compensarea caracteristicii de temperatură 5.2.2. Referinţă de tensiune bandgap cu funcţionare în curent 5. Referinţǎ de tensiune bandgap utilizând un AO .

1.1. Referinţǎ de tensiune bandgap utilizând un AO . Tensiunea de intrare de decalaj (offset).3.4.2.1. Comparatorul în buclă deschisă 6.3.varianta I 5.2. Viteza maximă de variaţie a semnalului de ieşire (SR – slew-rate) 7.2. Interconectarea componentelor A.5. RO 7. Introducere A.2. Studiul experimental al circuitelor elementare cu amplificatoare operaţionale 6.2. Comparatorul cu histerezis Lucrarea a parametrilor şi operaţionale VII-a.3. Circuit de stabilizare termică 5.2.8. Intrebări Lucrarea a VI-a. Desenarea circuitului A. Răspunsul în frecvenţă al circuitelor Anexa. Referinţǎ de tensiune cu diodǎ Zener 5. Inserarea unei componente noi A.2.2. Elemente de circuit vii .2. Referinţǎ de tensiune bandgap utilizând un AO .5. Sumatorul inversor 6. VOmax 7. Amplificatorul neinversor 6.1.1.3.1.5.7.1.1. Rezistenţa de ieşire.2.varianta a II-a 5.2.4. Descrierea programului Pspice Student A.2. Amplificatorul inversor 6.6. Studiul caracteristicilor experimental al amplificatoarelor 7.2.5.6. Circuitul de scădere 6.2. Sumatorul neinversor 6.4.3.2. Repetorul de tensiune 6. VIO 7. Utilizarea programului Pspice Student A. Tensiunea maximă de ieşire.

A6.2.5.3. Analiza DC A.2. Elemente obligatorii A.2.4.3.2.2. Analiza tranzitorie (Transient Analysis) A.2.2.2. Tipuri de analize A. Simularea circuitului şi vizualizarea rezultatelor viii .2.2.2.2.2. Analiza AC Sweep A. Analiza DC Nested Sweep A.1.2.

concretizate într-o serie de avantaje şi dezavantaje. circuite de diferenţă sau de instrumentaţie. Lucrarea a doua include multiple simulări. amplificatorul diferenţial este studiat pe larg în lucrarea a treia. Lucrarea conţine o amplă descriere teoretică a funcţionării circuitelor analizate. prima sa parte concentrându-se asupra simulării funcţionării circuitelor integrate analogice. redresor sau comparator cu histerezis. referinţelor de tensiune sau amplificatoarelor operaţionale. surselor de curent. Evidenţierea diferenţelor dintre amplificatorul operaţional ideal şi cel real este realizată prin studiul parametrilor principali ai acestora. prezentând avantajul unor parametri superiori: liniaritate. atât din punct de vedere teoretic. Prima lucrare este destinată simulării funcţionării aplicaţiilor cu amplificatoare operaţionale. măsura în care modelul idealizat aproximează situaţia concretă existentă în practică fiind corelată cu aceşti parametri. valoare mare a amplificării de mod diferenţial sau domeniu extins de mod comun al tensiunii de intrare. Parte integrantă a unei multitudini de circuite analogice.Introducere Indrumarul de laborator aferent disciplinei “Circuite integrate analogice” îşi propune analiza şi simularea funcţionării circuitelor analogice fundamentale de tipul amplificatoarelor diferenţiale. Este analizată prin simulare funcţionarea pe mod diferenţial şi mod comun a etajelor diferenţiale elementare. bipolar şi CMOS. evidenţiindu-se diferenţele existente între cele două variante tehnologice. precum şi studiul celor mai importanţi parametri ai acestora. 1 . analizăndu-se modul de operare al circuitelor liniare şi neliniare elementare şi de complexitate medie de tip amplificator sumator. Sunt studiate circuite mai complexe. având ca obiectiv determinarea principalilor parametri ai amplificatoarelor operaţionale. în timp ce partea a doua tratează validarea prin măsurători experimentale a funcţionării unor aplicaţii liniare şi neliniare cu amplificatoare operaţionale. sunt analizate în lucrarea a patra. Considerând ca punct de plecare sursele de curent elementare bipolare sau CMOS.

Studiul experimental al parametrilor şi caracteristicilor amplificatoarelor operaţionale reprezintă obiectivul celei de-a şaptea lucrări. o serie de circuite cu performanţe superioare. Lucrarea a şasea analizează funcţionarea unor aplicaţii elementare cu amplificatoare operaţionale. Studiul acestor circuite este realizat prin utilizarea unor machete experimentale ce permit compararea rezultatelor obţinute în urma măsurătorilor cu cele deduse prin analiză teoretică. In anexă este realizată o scurtă prezentare a programului PSpice Student. utilizat pentru simulările realizate în primele cinci lucrări. destinată acestei clase de circuite. Funcţionarea referinţelor de tensiune bipolare şi CMOS elementare este analizată prin simulare în lucrarea a cincea. considerându-se două clase fundamentale: circuite fără corecţia caracteristicii de temperatură şi circuite cu corecţia de ordin I a caracteristicii de temperatură.cât şi prin multiple simulări. 2 . îmbunătăţirea rejecţiei tensiunii de alimentare sau reducerea dependenţei de temperatură a curentului de ieşire. Măsurătorile vor avea ca suport tehnic aceeaşi platformă experimentală utilizată pentru lucrarea anterioară. Dependenţa de temperatură şi rejecţia tensiunii de alimentare sunt analizate prin simulare. principalele obiective urmărite fiind creşterea rezistenţei de ieşire în contextul păstrării unei excursii maxime a tensiunii la bornele sursei.

1. 1. In majoritatea aplicaţiilor.Lucrarea I Simularea funcţionării circuitelor elementare cu amplificatoare operaţionale 1.1) .1. Amplificator inversor In ipoteza simplificatoare a utilizării unui AO ideal. având urmǎtoarele valori ale parametrilor specifici:  Curenţi de polarizare a intrǎrilor nuli  Amplificare în buclă deschisă infinitǎ  Impedanţǎ de ieşire nulǎ  Impedanţǎ de intrare infinitǎ  Bandǎ de frecvenţǎ infinitǎ Parametrii amplificatoarelor operaţionale reale aproximeazǎ în cele mai multe situaţii la joasǎ frecvenţǎ aceste valori idealizate. performanţele în buclǎ închisǎ vor fi determinate în principal de elementele reţelei de reacţie. Introducere teoreticǎ Amplificatorul operaţional ideal este un amplificator de tensiune cu intrare diferenţialǎ şi ieşire simplǎ.1. Pentru valori suficient de mari ale amplificǎrii în buclǎ deschisǎ. este: V R A O  2 V1 R1 3 (1.1. amplificarea circuitului inversor prezentat în Figura 1. amplificatorul operaţional este folosit în configuraţie cu reacţie negativǎ.

2.1: Amplificator inversor 1. conţinând o reţea de reacţie în “ T ” (Figura 1.2).+ - V2 R1 V1 R2 - Vo + + - V3 Figura 1. V2 i2 R1 + R2 i2 R3 i3 R4 V1 - Vo + V3 + - Figura 1.2: Configuraţie inversoare cu amplificare mărită 4 . Configuraţie inversoare cu amplificare mărită Obţinerea unei amplificări mari ( 1000 ) în contextul utilizării unui singur amplificator operaţional şi al unui raport rezonabil de rezistenţe (  100 ) implică utilizarea unei configuraţii inversoare modificate.1.

tensiunea de ieşire a acestuia va avea expresia:  R   R  Vo  V1   3   V2   3  R 1   R2  V3 R2 + - (1.4).Expresia amplificării în buclă închisă este: Vo Vo i3 i2  V1 i3 i2 V1 (1.1.3) A Se obţine: A 1. Amplificator de diferenţǎ Diferenţa ponderată a două semnale impune aplicarea acestora pe cele două intrări ale unui AO (Figura 1.4.2) R2 R3  R2 R4  R3 R4 R1 R4 (1.3.3: Amplificator sumator 1.4) R3 R1 - V2 Vo + V1 V4 + - Figura 1. Amplificator sumator inversor Insumarea ponderată a două semnale se poate realiza utilizând circuitul din Figura 1. Aplicând teorema superpoziţiei.3.1. Expresia tensiunii de ieşire este: 5 .

5. Amplificator de instrumentaţie Obţinerea unei amplificări ridicate a tensiunii diferenţiale de intrare în contextul unor valori rezonabile ale rezistenţelor din circuit este posibilă prin utilizarea unui circuit diferenţial având două etaje.1.4: Amplificator de diferenţǎ 1. R  R4 Vo  V2   2   V1 R3  R4  R1   R   1  2  R1   (1.5) Cazul particular R1  R3 şi R2  R4 implicǎ amplificări egale ale celor douǎ tensiuni de intrare: R Vo  2 V1  V2  R1 V3 R1 + - (1. Amplificarea totală va fi egală cu produsul amplificărilor individuale. Circuitul amplificatorului de instrumentaţie este prezentat în Figura 1. 6 .6) R2 - R3 + V2 V1 Vo R4 V4 + - Figura 1.5.

5: A  Vo V R  o   1  2 1 V2  V1 V3  R2 7  R4   R3 (1.8) Amplificatorul AO3. deci: R Vo  4 Vo2  Vo1  R3 (1. se obţin expresiile potenţialelor Vo1 şi Vo2 :  R  R Vo1  V1  1  1   V2 1 R2  R2  (1.V1 AO1 + V4 - R5 + R4 R1 V3 R2 Vo1 R3 Vo2 R3 AO3 R1 - Vo + R6 R4 AO2 - + - + V2 V5 Figura 1. împreună cu rezistenţele R3 şi R4 constituie configuraţia particulară a amplificatorului de diferenţă din Figura 1.9) Din cele trei relaţii anterioare se poate obţine expresia amplificării circuitului din Figura 1.7)  R  R Vo 2  V2  1  1   V1 1 R2  R2  (1.4.5: Amplificator de instrumentaţie Aplicând teorema superpoziţiei pentru AO1 şi AO2.10) .

Amplificator cu reacţie pozitivă controlată Creşterea câştigului unui amplificator cu un singur etaj se poate realiza prin introducerea unei reacţii pozitive controlate.6.1.12) se obţine:  1  R5    Vo  1  R6   1   8 R2 R1 R4 R3 R  1 2  R1 R   V2  V1 2 R R1  1 3  R 4  (1.12) Eliminând V A din relaţiile (1. rezistenţele R5 şi R6 formează un divizor ideal de tensiune. deci: Vo  V A R6 R5  R6 (1. Aplicând torema superpoziţiei pentru AO1 din Figura 1.11) + R5 A Vo + R3 R8 AO2 R4 V2 + R6 V5 + - V7 + - Figura 1.13) .6: Amplificator cu reacţie pozitivă controlată Deoarece AO2 funcţionează în configuraţie de repetor.11) şi (1. se obţine:  R    R  R4 R  R3 V A  V1   2   V2  1  2   Vo  1  2  R R R  R R1  R3  R4 1 1 3 4    V4 V1 R7 + - R1 V3 - V6 R2 AO1 (1.1.6.

V1 + - V3 R1 = R A R4 = R/2 + - R5 = R D1 B R2 = R - AO1 D2 R3 = R - + + V5 V2 + - V4 AO2 Vo + - Figura 1. Redresor bialternanţă 1 Circuitul redresorului bialternanţă 1 este prezentat în Figura 1.7.Condiţia ca structura din Figura 1. există două cazuri distincte pentru care trebuie analizatǎ starea diodelor D1 şi D2 .1.14) ceea ce implică o amplificare având expresia: Vo R R  6 2 V2  V1 R5 R1 A (1. echivalent cu: R3 R1  R4 R2 (1.15) 1.6 să amplifice diferenţa V2  V1 este ca amplificările celor două potenţiale din membrul drept al relaţiei (1. D1 deschisă.13) să fie egale.7: Redresor bialternanţă 1 Aplicând o tensiune sinusoidală pe intrarea circuitului.16) .  V5  0 . D2 blocată VB  0 9 (1.7.

21) .8.18) R5 R V A  5 V5  V5 R4 R3 (1. D2 deschisă VA   Vo   R1 V5 R2 (1.8. Redresor bialternanţă 2 Circuitul redresorului bialternanţă 2 este prezentat în Figura 1.1. D2 blocată  R  V A   1  1 V5  2V5 R2   10 (1.8: Redresor bialternanţă 2  V5  0 .20) 1. V1 R2 = R B + - V3 R1 = R A AO1 - + V5 V2 + - R4 = 2R D1 D2 - R3 = R AO2 Vo + + - V4 + - Figura 1.19) Funcţia globală realizată de circuitul din Figura 1.6 este. D1 deschisă. D1 blocată. deci: Vo   V5 (1.Vo    R5 V5  V5 R3 (1.17) V5  0 .

D1 blocată.23)  R4 V5  V B  V5  R 1  R3  (1. D2 deschisă VB  V5  R4 Vo   1  R 1  R3  (1.9.1.9: Comutator cu histerezis 11 .9. Comparator cu histerezis Comutările parazite ale ieşirii unui comparator analogic în condiţiile unui zgomot suprapus peste semnalul util de intrare pot fi eliminate prin realizarea unui histerezis implementat concret prin introducerea reacţiei pozitive R1  R2 . Circuitul comutatorului cu histerezis este prezentat în Figura 1. R  R Vo   1  4 V5  4 V A  V5 R3  R3   (1.24) rezultând o funcţie globală similară: Vo  V5 (1.22) V5  0 .25) 1. V1 R1 + - V3 R2 C + Vo - V4 V2 + - Figura 1.

13. 12 . respectiv VOM limitele extreme ale tensiunii de ieşire a comutatorului C .10: Caracteristica cu histerezis a comutatorului Cele două praguri de comutare VPL .29) Efectul unui zgomot suprapus peste semnalul de intrare. caracteristica cu histerezis a acestuia va avea forma din Figura 1.Considerând VOM . fără histerezis).26) VPH  V3 R2 R1  VOH R1  R2 R1  R2 (1. având amplitudinea mai mică decât VP nu va produce comutări parazite ale ieşirii comparatorului (ca în cazul comparatorului clasic. Vo VOH = VOM V4 VPL VP VPH VOL = -VOM Figura 1.27) deci o lăţime a ferestrei de histerezis egală cu: VP  VPH  VPL  2VOH R1 R1  R2 (1. respectiv VPH au expresiile: VPL  V3 R2 R1  VOH R1  R2 R1  R2 (1.28) şi o abscisă centrală a acesteia exprimată prin: VP  VPL  VPH R2  V3 2 R1  R2 (1.

2. d. se realizeză o analiză DC de variabilă tensiunea de intrare (considerată acum sursă de tensiune de tip VSRC de 100mV ). Amplificator inversor Analiza de semnal mic a. R2  10k . Se compară rezultatele obţinute anterior cu cele deduse în analiza teoretică.2. modificând R1 la valoarea 1k . cu un domeniu de variaţie cuprins între 100mV şi 100mV . determinându-se amplificarea circuitului şi se compară cu amplificarea teoretică. Configuraţie inversoare cu amplificare mărită a. Analiza de semnal mare c. şi se notează noua amplificare obţinută.1. un amplificator operaţional de tipul A741 şi o tensiune de intrare de amplitudine 1mV şi o frecvenţă 100Hz . precum şi excursia maximă de tensiune la ieşirea amplificatorului operaţional. ca o consecinţă a amplificării foarte mari în tensiune. Se realizează o analiză tranzitorie pentru intervalul 0  t  5ms şi se vizualizează tensiunea de ieşire. R1  100 .1. b. Se realizeză circuitul din Figura 1. In condiţiile de la punctul a. 1. Amplificatorul operaţional se alege de tipul A741. Se repetă analiza de la punctul anterior.2. determinându-se amplificarea circuitului. Se consideră circuitul din Figura 1.2. b. Se pune în evidenţă efectul important al tensiunii de decalaj de intrare asupra funcţionării circuitului. se vizualizează forma semnalului de ieşire. Se alege o analiză tranzitorie pentru intervalul 0  t  50ms . Simularea operaţionale de 9V . Se repetă punctul anterior pentru R1  1k şi R2  10k .1. amplitudinea de 5mV şi frecvenţa 1kHz . Din analiza caracteristicii de transfer obţinute prin simulare se determină amplificarea circuitului.2 pentru R1  R4  1k . Tensiunea de intrare are o variaţie sinusoidală. 13 . R2  10k . circuitelor cu amplificatoare Tensiunea de alimentare pentru toate circuitele următoare este 1. R3  100k . e.

iar V 3 tensiune sinusoidalǎ având amplitudinea de 1mV şi frecvenţa de 1kHz . Se consideră suplimentar o analiză parametrică de variabilă tensiunea V2 .3 se consideră R1  1k . 1.5ms V5 -1V T9 2.Se realizeazǎ o analizǎ tranzitorie pentru intervalul 0  t  5ms şi se vizualizeazǎ tensiunea de ieşire. pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 1V şi 1V .2. R2  R3  10k .3. R4  100k .1.5ms T3 0. AO2 şi AO3 de tipul A741.4.001ms T2 0. Se înlocuieşte tensiunea de intrare V 3 descrisǎ la punctul anterior cu o sursǎ de tensiune VAC cu amplitudine de 1mV şi se realizeazǎ o analizǎ 14 . V1 tensiune sinusoidală de amplitudine 100mV şi frecvenţă 1kHz şi V2 tensiune continuă de 1V . evidenţiindu-se funcţia de însumare a circuitului.4. Pentru circuitul amplificator din Figura 1. AO1.5.501ms V6 -1V T10 2. cu un pas de 1V şi se observă modificarea valorii de curent continuu a tensiunii de ieşire. Se repetă analiza anterioară. Amplificator sumator inversor a. b. vizualizându-se doar tensiunea de ieşire. Pentru circuitul din Figura 1.5ms T7 1. AO de tip A741. V1 este o tensiune sinusoidalǎ de amplitudine 1V şi frecvenţǎ 1kHz . Se realizează o analiză tranzitorie pentru 0  t  5ms şi se vizualizează tensiunea de ieşire.5 se cunosc R1  5k . 1. evidenţiindu-se funcţia de scǎdere. b.5ms şi se vizualizeazǎ tensiunea de ieşire. cu R1  R2  R3  R4  1k . împreună cu tensiunile de intrare. V1 şi V 2 . Amplificator de instrumentaţie a.2.001ms V9 -1V V2 -1V T6 1.2. R2  R3  1k .501ms V3 1V V7 1V T4 1ms T8 2ms V4 1V V8 1V V10 -1V Se realizeazǎ o analizǎ tranzitorie pentru intervalul 0  t  2. comparându-se amplificarea obţinutǎ cu cea estimatǎ teoretic. Amplificator de diferenţǎ Se considerǎ circuitul de diferenţǎ din Figura 1. iar V 2 este o sursǎ de tensiune PWL având urmǎtoarea descriere: T1 0 V1 -1V T5 1.

1. Se inverseazǎ sensurile celor douǎ diode şi se vizualizează din nou tensiunea de ieşire.6.6 pentru care R1  R3  R5  R7  R8  1k . pentru redresorul bialternanţǎ din Figura 1. considerându-se R1  R2  R3  1k şi R4  2k . Se realizeazǎ circuitul din Figura 1. 15 . Observaţie: Alegerea unei valori reduse a frecvenţei tensiunii de intrare se justificǎ prin banda redusǎ a amplificatorului – consecinţǎ a unei amplificǎri mari în tensiune. b.2. Se repetǎ analiza de la punctul a.2. Se considerǎ amplificatorul din Figura 1. d. Se repetǎ analiza anterioarǎ pentru a amplitudine variabilǎ a tensiunii de intrare şi se determinǎ tensiunea maximǎ sinusoidalǎ care poate fi reprodusǎ nedistorsionat la ieşirea amplificatorului operaţional. R2  R4  10k . b. D1 şi D2 de tip D1N 4148 şi o tensiune de intrare sinusoidalǎ de amplitudine 500mV şi frecvenţǎ 1kHz.8. având o descriere de tip VSRC cu amplitudine de 1V şi un domeniu de variaţie cuprins între 1V şi 1V . Se realizeazǎ o analizǎ tranzitorie pentru intervalul 0  t  50ms şi se vizualizeazǎ tensiunea de ieşire. Redresor bialternanţǎ 2 Se repetǎ analizele de la punctul 1.2. 1. Se determinǎ caracteristica de transfer a circuitului prin realizarea unei analize DC de variabilǎ tensiunea de intrare V5 . R4  500 . Redresor bialternanţǎ 1 a.7 alegându-se R1  R2  R3  R5  1k . AO1 şi AO2 de tip A741. Pe baza caracteristicii modul-frecvenţǎ simulate se determinǎ frecvenţa limitǎ superioarǎ a întregului circuit.2.AC pentru un domeniu de frecvenţe cuprins între 10Hz şi 1MHz .1. Se considerǎ o analizǎ tranzitorie pentru intervalul 0  t  5ms şi se vizualizeazǎ tensiunea de ieşire. comparându-se amplificarea obţinutǎ cu cea estimatǎ teoretic.2.7. Tensiunea de intrare V 3 are o variaţie sinusoidalǎ. R6  100k .8. amplitudinea de 1mV şi frecvenţa 100Hz . c. pentru o frecvenţǎ a semnalului de intrare de 10kHz şi un domeniu corespunzǎtor al analizei tranzitorii. Amplificator cu reacţie pozitivă controlată a. 1.

2? Ce avantaje prezintă sumatorul din Figura 1.6? 16 . Se realizeazǎ circuitul din Figura 1. înlocuindu-se valoarea foarte mică a rezistenţei R1 cu valoarea de 40 . cu R1  0.1. Comparator cu histerezis a. c. VOL  8. Se reia analiza tranzitorie. Se repetă analiza de la punctul a. praguri ce definesc fereastra de histerezis şi se compară valorile măsurate cu valorile rezultate din relaţiile (1. 1. 2. pentru circuitul cu histerezis.6V şi VOH  8 .001 . b.6V . Se aplicǎ pe intrarea comutatorului fǎrǎ histerezis ( R1  0 ) un semnal triunghiular V4 de tip PWL având descrierea urmǎtoare: T1 0 V1 0 V4 4V T5 4m T2 1m V2 4V T3 2m V3 0 T4 3m V5 0 T6 5m V6 4V T7 6m V7 0 Se vizualizeazǎ evoluţia în timp a tensiunii de ieşire şi modul de comutare al acesteia. Care este rolul configuraţiei inversoare cu amplificare mărită din Figura 1.9. Intrebări 1. observându-se apariţia comutǎrilor parazite la ieşirea amplificatorului operaţional.9.29) şi (1. un zgomot (modelat printr-un semnal sinusoidal de amplitudine 400mV şi frecvenţǎ 10kHz .2. Se remarcă existenţa unor praguri diferite de comutare în cele două sensuri.30).3. Se remarcă dispariţia comutǎrilor parazite cauzate de zgomotul suprapus peste tensiunea de intrare. Utilizând un sumator de tip SUM existent în biblioteca programului Pspice Student se însumeazǎ cu semnalul triunghiular de la punctul a.3. R2  1k . precum şi tensiunile la ieşirea comutatorului în cele doua stǎri posibile. Se repetǎ simularea de la punctul c. d. faţă de sumatorul realizat doar cu elemente pasive? Ce rol are reacţia pozitivă controlată a circuitului din Figura 1. Se determinǎ pragurile de comutare VPL şi V PH . introducând un histerezis în caracteristica comutatorului prin modificarea rezistenţei R1 la valoarea 40 . 3. V3  2V şi AO1 de tip A741.

9? Ce relaţie trebuie să existe între amplitudinea zgomotului suprapus peste semnalul util şi lăţimea ferestrei de histerezis pentru a se elimina complet comutările parazite ale tensiunii de ieşire a comparatorului din Figura 1.7 şi 1. Ce efect are asupra tensiunii de ieşire inversarea diodelor din circuitele redresoare bialternanţă (Figurile 1. 5. 7. 6.9? 17 . utilizând doar diode şi rezistenţe? Ce rol are histerezisul circuitului din Figura 1.4.8)? Ce avantaj major prezintă redresoarele cu amplificatoare operaţionale faţă de circuitele simple.

Pentru circuitele realizate în tehnologie bipolarǎ. ale cǎror valori evalueazǎ cantitativ abaterile acestuia de la idealitate. Valorile tipice pentru un etaj bipolar sunt cuprinse în gama (1  5)mV . vor fi prezentaţi pe scurt în continuare.1. Tensiunea de decalaj (offset) de intrare.1. iar pentru un etaj realizat în tehnologie CMOS . VIO Reprezintǎ tensiunea care trebuie aplicatǎ între intrǎrile unui amplificator operaţional pentru obţinerea unei tensiuni continue nule la ieşire.Lucrarea a II-a Evaluarea prin simulare a parametrilor amplificatoarelor operaţionale 2.1) I B şi I B fiind curenţii de polarizare ai intrǎrilor neinversoare.2.pânǎ la 20mV 2. I B depinde de punctul static de funcţionare al tranzistoarelor de intrare şi de factorul de 18 .1.1. 2. IB Reprezintǎ media aritmeticǎ a curenţilor de intrare în amplificatorul operaţional: I   I B IB  B 2 (2. Curenţul de polarizare. Introducere teoreticǎ Principalii parametri care caracterizeazǎ funcţionarea unui amplificator operaţional. respectiv inversoare.

Curentul de offset (decalaj) de intrare. fiind o mǎsurǎ a asimetriei etajului diferenţial de intrare: I IO  I B  I B (2. practic neglijabili în majoritatea aplicaţiilor uzuale).2) Valorile tipice ale curentului de decalaj de intrare sunt de (5  10)% din valoarea curentului de polarizare. Observaţie: Influenţa generatoarelor de eroare de la intrarea amplificatorului operaţional se poate reprezenta folosind circuitul simplu din Figura 2.3.amplificare în curent  al acestora.1. iar I B şi I B reprezintǎ curenţii de intrare în AO. în timp ce AO realizate în tehnologie CMOS au curenţi de intrare extrem de reduşi. Valoarea curentului de polarizare este puternic influenţatǎ de tehnologia de realizare a amplificatorului operaţional (pentru AO bipolare. V1 R1 + - R2 VIO - IB AO - 1 vo + Rcomp. deci are valori uzuale de zeci-sute de nA . + IB V2 + - Figura 2.1. cuprinşi în gama 1 10 pA . I IO Se defineşte ca diferenţa curenţilor de polarizare a celor douǎ intrǎri. I B provine din curenţii de bazǎ ai tranzistoarelor etajului diferenţial de intrare. Tensiunea de decalaj se reprezintǎ printr-un generator echivalent de eroare VIO (care poate fi plasat în serie cu oricare dintre bornele de intrare).1: Efectul tensiunii de decalaj de intrare şi a curenţilor de polarizare la un AO 19 . 2.

3) Valorile uzuale pentru a 0 şi f 0 sunt 105  106 . Curentul maxim de ieşire. 2. Rezistenţa de intrare. în special. rezistenţa de intrare depinde de configuraţia etajului de intrare. cu valori uzuale mai mici cu (0.1.2. Rezistenţa de ieşire. fiind legatǎ de structura etajelor final şi prefinal. are valoarea în gama (20  200) . mǎsuratǎ în curent continuu sau la frecvenţe foarte joase şi f 0 . Pentru amplificatoarele de uz general. VOmax Se defineşte ca valoarea maximǎ a tensiunii reproductibile nedistorsionat la ieşirea amplificatorului operaţional.1.7.1. Amplificatoarele bipolare prezintǎ valori tipice ale Ri de ordinul 500k  5M . nivelul curenţilor de funcţionare a acestuia şi. Tensiunea maximǎ de ieşire. Reprezentarea simplificatǎ a dependenţei de frecvenţǎ pentru amplificarea în buclǎ deschisǎ a unui AO real utilizeazǎ doi parametri: a 0 .8. fiind de multe ori limitat superior la o anumitǎ valoare prestabilitǎ pentru a se preveni ambalarea termicǎ a circuitului. Valorile tipice ale AO clasice sunt de ordinul zecilor de mA . de tehnologia de realizare a AO. IOmax Reprezintǎ valoarea maximǎ a curentului care poate fi debitat în sarcinǎ de amplificatorul operaţional. 2.1. respectiv 1 10Hz . a Se defineşte ca raportul dintre tensiunea de ieşire şi tensiunea aplicatǎ între intrǎrile amplificatorului operaţional.6. 2. având semnificaţia polului dominant de joasǎ frecvenţǎ al amplificǎrii în buclǎ deschisǎ. 2. Ri Corelatǎ cu valorile curenţilor de polarizare a intrǎrilor amplificatorului operaţional.5.5  2)V decât tensiunea de alimentare.1. 20 . Ro Valoarea rezistenţei de ieşire depinde de configuraţia etajului de ieşire al amplificatorului operaţional şi de alegerea circuitului de limitare a curentului utilizat la ieşire. a( jf )  a0 f 1 j f0 (2. reprezentând amplificarea în bandǎ.4. Amplificarea în buclǎ deschisǎ. în timp ce pentru AO CMOS rezistenţa de intrare poate ajunge la 1012  .

2). 2. Unitatea uzualǎ de mǎsurǎ este V / s .2: Principiul de mǎsurǎ al SR Pentru determinarea slew-rate-ului. SR având valori cuprinse între sub 1V / s pentru amplificatoarele operaţionale de uz general şi peste 30V / s pentru AO de vitezǎ mare.1. Slew-rate-ul. 21 . Simularea circuitelor cu amplificatoare operaţionale pentru determinarea parametrilor acestora Tensiunea de alimentare pentru toate circuitele următoare este de 9V .9.Pentru circuitele proiectate să funcţioneze la tensiune redusă este necesară o valorificare cât mai eficientă a tensiunii de alimentare. circuitului i se aplică la intrare un semnal dreptunghiular de frecvenţǎ mare şi amplitudine suficient de mare pentru ca ieşirea sǎ îşi atingǎ valorile maxime în ambele sensuri. SR se defineşte ca fiind panta tranziţiei tensiunii de ieşire între valorile extreme: SR  VO t (2. SR Reprezintǎ viteza maximǎ de variaţie a semnalului de ieşire pentru un semnal treaptǎ aplicat la intrare (Figura 2. VO VOmax Δt ΔVO t VOmin Figura 2.2.4) 2. concretizată în necesitatea obţinerii unei excursii maxime a tensiunii la ieşire.

definit astfel: 22 . precum şi coeficientul de variaţie cu temperatura al acesteia. + - V1 R1 R2 - AO vo + + - V2 Figura 2. Se determinǎ valoarea tensiunii de offset de intrare la temperatura ambiantǎ.2. Tensiunea de offset (decalaj) de intrare Circuitul de mǎsurǎ este prezentat în Figura 2. pentru 0  t  100 o C .5) Pentru valorile R1  100 şi R2  10k . tensiunea de offset de intrare poate fi determinatǎ utilizând expresia aproximativǎ: V IO  VO 100 (2.3. Se realizeazǎ o analizǎ DC de variabilǎ temperatura. amplificatorul operaţional fiind de tipul A741.6) S-a impus circuitului o amplificare mare ( 100 ) datoritǎ valorii reduse a V IO . cu un pas de 1o C .1.2.3: Circuitul de mǎsurǎ pentru tensiunea de offset (decalaj) de intrare Tensiunea de ieşire are expresia:  R  VO  V IO  1  2  R1   (2.

valorile celor doi curenţi de intrare în amplificatorul operaţional. alternativ. I IO Circuitul de mǎsurǎ este prezentat în Figura 2. precum şi coeficientul de variaţie cu temperatura al acestuia. K 2 închis) Se realizeazǎ o analizǎ DC de variabilǎ temperatura. Determinarea I B ( K 1 deschis. pentru 0  t  100 o C . Curenţii de intrare I B .4.4: Circuit pentru mǎsura curenţilor de intrare şi a curentul de decalaj de intrare Prin scurtcircuitarea câte unei rezistenţe se pot determina. Curentul de decalaj de intrare se determinǎ menţinând cele douǎ comutatoare deschise. amplificatorul operaţional este de tipul A741 . V1 + K2 R2 + AO vo - K1 R1 V2 + - Figura 2. V I B  O R1 23 (2.8) . iar R1  R2  10M .TCVIO  dVIO V IO  dT t (2. a.7) 2. I B şi curentul de decalaj de intrare. Se determinǎ curentuluil I B la temperatura ambiantǎ. Valorile rezistenţelor R1 şi R2 s-au ales foarte mari datoritǎ valorilor reduse ale curenţilor mǎsuraţi.2. cu un pas de 1o C .2.

b. Determinarea I IO K 1 .2 (2.5. Amplificarea în buclǎ deschisǎ Circuitul de mǎsurǎ este prezentat în Figura 2.10) c. V1 R1 + - R2 vR V3 R3 vD - AO vo + R4 V2 + - Figura 2.9) VO R1. K 2 deschis I B  VO R2 (2.5. Circuit de mǎsurǎ pentru amplificarea în buclǎ deschisǎ Prezenţa polului la joasǎ frecvenţǎ în caracteristica de frecvenţǎ a amplificǎrii în buclǎ deschisǎ impune mǎsurarea acesteia la foarte joasǎ 24 .3. Determinarea I B K 1 închis.2. K 2 deschise I IO  2.

Dacǎ se cunosc mǎrimile V R şi VO (practic egalǎ cu V 3 ) şi R1  R2  R3  100k . Se realizezǎ o analizǎ de tip AC liniarǎ între 0. a câştigului a ). apoi se calculeazǎ amplificarea în buclǎ deschisǎ a AO utilizând relaţia (2. echivalent cu o creştere a tensiunii V R de 1. a   O  100 O V R 100 VD VR buclǎ deschisǎ a (2. datoritǎ valorilor mari ale amplificǎrii. care cuprinde amplificatorul real. Se aplicǎ la intrare un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 5V şi frecvenţa 1Hz . evidenţiindu-se polul dominant al lui a .11) a. utilizând configuraţia inversoare tipicǎ din Figura 2. zgomotului şi tensiunii de decalaj de intrare. Rezistenţa de ieşire Rezistenţa de ieşire în buclǎ deschisǎ a unui amplificator operaţional se poate determina mǎsurând mai întâi rezistenţa de ieşire în buclǎ închisǎ. Se preferǎ o mǎsurare în buclǎ închisǎ. Acest amplificator echivalent este folosit apoi într-o configuraţie inversoare cu amplificare unitarǎ. prin variaţia lui V R (deci. utilizând un amplificator echivalent. R4  1k . b. amplificarea în amplificatorului operaţional se poate determina astfel: V V VD 1  .2. 2. implicit. 25 .4. pentru o mǎsurǎtoare în buclǎ deschisǎ apar probleme delicate de mǎsurǎ.frecvenţǎ sau în curent continuu. sursa de intrare sinusoidalǎ se înlocuieşte cu o sursǎ VAC având amplitudinea de 5V . Se realizeazǎ o analizǎ tranzitorie pe intervalul 0  5s şi se determinǎ amplitudinea semnalului V R . Acest pol este situat la frecvenţa la care a a scǎzut cu cu 3dB faţǎ de valoarea sa de curent continuu a 0 . In acestǎ situaţie. Pentru acest punct.6.11) şi VO  5V .01Hz şi 10Hz . însǎ are un câştig în buclǎ deschisǎ mult mai mic.41 ori faţǎ de valoarea sa de curent continuu. Se creşte frecvenţa semnalului de intrare pentru a pune în evidenţǎ polul dominant de câţiva Hz al amplificatorului.

6: Circuitul de mǎsurǎ pentru rezistenţa de ieşire Notând cu VO tensiunea de ieşire măsuratǎ în gol şi cu VO ' tensiunea de ieşire pe sarcina R L .6. rezistenţa de ieşire în buclǎ închisǎ RO ' se poate calcula cu formula: V  VO ' RO '  R L O VO ' (2.12) Relaţia de legǎturǎ între rezistenţa de ieşire în buclǎ deschisǎ ( RO ) şi cea în buclǎ închisǎ ( RO' ) este: RO '  RO 1  a( j ) f ( f ) (2.13) Factorul de reacţie f ( j) pentru circuitul inversor din Figura 2.+ - V1 R1 V3 - R2 AO vo + K Rcomp. + - V2 RL ` Figura 2. 26 . la joasǎ frecvenţǎ are expresia: f ( j )  f 0  R1 R1  R2 (2.14) Se consideră că amplificarea în buclǎ deschisǎ pentru  A741 are urmǎtoarea caracteristicǎ aproximativǎ modul-frecvenţǎ.

Rcomp  1k ./a/ (dB) 100 f(Hz) 10 1k 1M Figura 2. Se determinǎ valoarea rezistenţei în buclǎ deschisǎ RO utilizând relaţia (2. R1  1k .12). Se determinǎ VO şi VO ' şi se calculeazǎ RO ' cu relaţia (2.5. Tensiunea maximǎ de ieşire Circuitul de mǎsurǎ este prezentat în Figura 2. 10kHz şi 100kHz . b.7: Caracteristica modul-frecvenţǎ a amplificǎrii în buclǎ deschisǎ pentru  A741 a. RL  39 şi o sursǎ de intrare sinusoidalǎ cu amplitudinea de 20mV şi frecvenţa 1kHz . R2  10k .13) şi caracteristica din Figura 2. considerându-se R1  Rcomp  1k . Se repetǎ punctul anterior pentru douǎ frecvenţe diferite ale tensiunii de intrare. modificând corespunzǎtor şi intervalul de timp al analizei tranzitorii. Se realizeazǎ o analizǎ tranzitorie pentru intervalul 0  t  5ms şi se aplicǎ la intrare un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 2V şi frecvenţa 1kHz.8. 27 .2. Se determinǎ amplitudinea maximǎ a tensiunii de ieşire sinusoidale nedistorsionate. Se realizeazǎ o analizǎ tranzitorie pentru intervalul 0  t  5ms . R2  10k . cu AO de tipul A741.7. 2.

care sǎ permitǎ intrarea în funcţiune a protecţiei la supracurent ataşate ieşirii amplificatorului operaţional.2). Se consideră sursa de intrare V 3 de tip AC de amplitudine 50mV şi se realizeazǎ o analizǎ AC pentru un interval de frecvenţe 10Hz  10MHz .6. considerându-se o tensiune de intrare dreptunghiularǎ de frecvenţǎ 1kHz şi de amplitudine suficient de mare ( 1V ) pentru ca ieşirea sǎ îşi atingǎ valorile maxime în ambele sensuri (Figura 2. a.2.4)). Rcomp  500 . cu AO de tipul A741.9. Se determinǎ amplitudinea tensiunii de ieşire pentru R L1  100 şi R L2  10 şi se calculeazǎ curentul maxim debitat de ieşirea AO.2. 2. Viteza maximǎ de variaţie a semnalului de ieşire (slew-rate) Circuitul de mǎsurǎ este prezentat în Figura 2.V1 R1 V3 + - - R2 AO vo + Rcomp. determinându-se frecvenţa limitǎ superioarǎ a configuraţiei. Curentul maxim de ieşire Circuitul de mǎsurǎ şi analiza sunt cele de la punctul anterior.8. Sugestie: se poate utiliza sursa de tensiune PWL de la paragraful 1.4. comparându-se cele douǎ rezultate obţinute.8: Circuit de mǎsurǎ pentru tensiunea maximǎ de ieşire 2. Rǎspunsul în frecvenţǎ al unui amplificator inversor Circuitul de mǎsurǎ este prezentat în Figura 2.7. 28 . R1  R2  1k . Se determinǎ slew-rate-ul ca panta caracteristicii VO (t ) (relaţia (2. 2. V2 + - Figura 2.2. Se vizualizeazǎ caracteristica modul-frecvenţǎ a amplificatorului inversor din Figura 2.9. singura modificare fiind reprezentatǎ de introducerea unei rezistenţe de sarcinǎ de valoare redusǎ.8.2.

Se repetǎ punctul a.b. V1 R1 V3 + - - R2 AO vo + Rcomp.3. Care sunt parametrii importanţi ai amplificatoarelor operaţionale? Care este cauza unei amplificări mari în circuitul de măsură al tensiunii de decalaj (Figura 2. In ce condiţii se măsoară viteza de creştere a semnalului de ieşire pentru un amplificator operaţional? Ce relaţie există între amplificarea unui circuit şi frecvenţa sa limită superioară? 29 . pentru R1  1k şi R2  10k (corespunzând unei amplificări în tensiune a circuitului egale cu 10 ).3)? De ce este necesară o valoare mare a rezistenţei din circuitul de măsură a curenţilor de intrare în amplificatorul operaţional (Figura 2. 2. Intrebări 1. V2 + - Figura 2. se verificǎ relaţia A f s  ct. respectiv R1  1k şi R2  100k ( A  100 ). c.9: Amplificator inversor pentru determinarea rǎspunsului în frecvenţǎ 2. 4.4)? Explicaţi relaţiile (2.8) – (2.10). Utilizând datele obţinute anterior. 3. 6. 5.

1 cu R1  R2 şi R4  R5 . Amplificatorul diferenţial bipolar elementar 3. justificându-se proiectarea amplificatoarelor diferenţiale pentru o funcţionare de tip “rail-to-rail” (tensiunea de intrare poate evolua între valorile minimă şi maximă ale tensiunii de alimentare).1. existând posibilitatea obţinerii unei liniarităţi aproximative doar pentru un domeniu relativ restrâns al tensiunii de intrare. Principala caracteristică a acestor circuite este reprezentată de capacitatea amplificării semnalelor diferenţiale. Introducere teoretică Amplificatorul diferenţial reprezintă un etaj fundamental în proiectarea circuitelor integrate VLSI.1. factorul de utilizare a tensiunii de alimentare este foarte important. modulatoare şi demodulatoare sau convertoare A/D şi D/A. Funcţionarea pe mod diferenţial Se considerǎ circuitul din Figura 3. amplificatoare video. Liniaritatea amplificatorului diferenţial elementar este redusă ca o consecinţă a caracteristicilor fundamental neliniare ale tranzistoarelor bipolar şi MOS. In special pentru aplicaţiile de joasă tensiune.1.1. utilizat într-o serie largă de aplicaţii de tipul circuitelor integrate analogice şi mixte: amplificatoare operaţionale.1.1. O caracteristică importantă a amplificatoarelor diferenţiale este reprezentată de domeniul de mod comun al tensiunii de intrare pentru care circuitul funcţionează corect (tranzistoarele bipolare sunt în regim activ normal şi tranzistoarele MOS funcţionează uzual în saturaţie). 30 .Lucrarea a III-a Simularea funcţionării amplificatoarelor diferenţiale 3. 3. comparatoare şi referinţe de tensiune.

1) 3.2.2.funcţionarea pe mod comun 31 . Se consideră R1  R2 . Funcţionarea pe mod comun Excitarea pe mod comun a etajului diferenţial este prezentată în Figura 3.2: Amplificator diferenţial bipolar .1. R2 R1 V1 Vo T1 + - T2 V2 R3 I1 Figura 3.funcţionarea pe mod diferenţial Amplificarea de mod diferenţial se determină utilizând semicircuitul de mod diferenţial: Add   g m1 R1 // ro1    I 1 R1 2Vth (3.1: Amplificator diferenţial bipolar .1.R2 R1 V1 Vo T1 + - T2 R4 V2 R3 I1 R5 Figura 3.

Din analiza semicircuitului de mod comun al circuitului se determină expresia amplificării Acc : Acc  r 1 R1 R  1  (   1)2 R3 2 R3 (3.3.3). este necesară implementarea concretă a sursei de curent I 1 (de exemplu printr-o oglindă de curent . având expresia: I R  V IC  V1  1 1  VCEsat1  V BE1 2 32 (3. R1 R2 V1 Vo T1 T2 + - R3 R4 I1 V2 V3 T3 T4 R5 Figura 3. Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare Pentru determinarea intervalului posibil de variaţie al tensiunii de intrare de mod comun corespunzător funcţionării tranzistoarelor circuitului în regim activ normal.2) 3.3: Amplificator diferenţial bipolar elementar cu implementarea sursei de curent Tensiunea de mod comun maximă admisibilă la intrarea amplificatorului diferenţial este limitată de saturarea tranzistorului T1 .1.Figura 3. Se consideră R1  R2 şi R4  R5 .3) .1.

iar cea minimă de saturarea lui T3 :  VIC  VCEsat3  VBE1 (3.4: Amplificator diferenţial bipolar elementar cu degenerare în emitor 33 .6) + - T2 R4 R5 V2 I1 R7 R6 Figura 3.5)  R2 Vo T1 R3 R1 2 R7 V1 (3. Amplificatorul diferenţial bipolar elementar cu degenerare în emitor Se considerǎ circuitul din Figura 3. R3  R4 . R3 .4 cu R1  R2 . R5  R6 şi R7  R1 .1.2. Add   Acc   r 1 R1  (   1) R3 R1 r 1  (   1)(R3  2 R7 ) R1 (3.4.4) 3. Se determinǎ (pe baza semicircuitelor) amplificǎrile de mod diferenţial şi de mod comun ale amplificatorului diferenţial din Figura 3.

4.2.5 cu R1  R2 şi R4  R5 .8) .3. Funcţionarea pe mod diferenţial Se considerǎ circuitul din Figura 3. Amplificatorul diferenţial CMOS elementar 3.7) 3.1. Se obţine: Add  g m R1 // rds1   K 1 / 2 I 11 / 2 R1 (3.3. R2 R1 V1 Vo T1 + - T2 R4 V2 R3 I1 R5 Figura 3. Funcţionarea pe mod comun Excitarea pe mod comun a etajului diferenţial este prezentată în Figura 3. Din analiza semicircuitului de mod comun al circuitului se determină expresia amplificării Acc : Acc  g m R1 R  1 1  g m 2 R3 2 R 3 34 (3.3.1.5: Amplificator diferenţial CMOS . considerându-se o sarcină echilibrată a amplificatorului diferenţial.1.1.3.funcţionarea pe mod diferenţial Amplificarea Add se poate determina utilizând semicircuitul de mod diferenţial al etajului din Figura 3. R1  R2 şi R3  R1 .6.

3.funcţionarea pe mod comun 3.6: Amplificator diferenţial CMOS .1. este necesară implementarea concretă a sursei de curent I 1 (de exemplu printr-o oglindă de curent .Figura 3.cu R1  R2 şi R4  R5 ).9) iar cea minimă de intrarea în regiunea liniară a tranzistorului T3 :  V IC  V DSsat3  VT  35 I1 K (3.3. Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare Pentru determinarea intervalului posibil de variaţie al tensiunii de intrare de mod comun.10) . Tensiunea de mod comun maximă admisibilă la intrarea amplificatorului diferenţial este limitată de intrarea în regiunea liniară a tranzistorului T1 : I R I  V IC  V1  1 1  V DSsat1  VT  1 2 K (3.R1 R2 V1 Vo + - T2 T1 V2 R3 I1 Figura 3.7 .

7: Amplificator diferenţial CMOS elementar cu implementarea sursei de curent 3.8 cu R1  R2 .4. R2 R1 V1 Vo T1 R3 + - T2 R4 R5 V2 I1 R7 R6 Figura 3. Amplificatorul diferenţial CMOS elementar cu degenerare în sursǎ Se considerǎ circuitul din Figura 3. R5  R6 şi R7  R1.1. R3  R4 . R3 .R1 R2 V1 Vo T1 + - T2 R3 R4 I1 V3 T4 T3 V2 R5 Figura 3.8: Amplificator diferenţial CMOS elementar cu degenerare în sursă 36 .

celălalt cu tranzistoare PMOS ( R1  R2  R3  R4 şi R6  R7 ). respectiv PMOS).15) . realizat prin conectarea în paralel a două etaje diferenţiale complementare.9. Structură paralel de amplificator diferenţial pentru creşterea domeniului maxim al tensiunii de mod comun de intrare Se consideră circuitul din Figura 3.1.5.8.12) Add   Acc   3. se determinǎ (pe baza semicircuitelor) amplificǎrile de mod diferenţial şi de mod comun ale amplificatorului diferenţial din Figura 3.11) g m R1 R  1 1  g m ( R3  2 R7 ) 2 R7 (3.9 egală cu suma celor două transconductanţe individuale: g mt  g mn  g m p (3. se obţin domeniile maxime de variaţie ale tensiunilor de mod comun de intrare pentru cele două amplificatoare diferenţiale complementare. unul realizat cu tranzistoare NMOS. Rolul acestei conexiuni este extinderea domeniului de mod comun al tensiunii de intrare. g m R1 1  g m R3 (3.3.1.3.Considerând o funcţionare la semnal mic. necesară în special pentru aplicaţii de joasă tensiune. exprimate prin: I R I  V ICn  V1  1 1  V DSsat1  VT  1 2 K  V ICn  V DSsat3  VT  37 I1 K (3. Insumarea celor două tensiuni de ieşire (realizată cu blocul SUM ) este echivalentă cu obţinerea unei transconductanţe totale a amplificatorului diferenţial din Figura 3..14) (3. Blocurile DIFF 1 şi DIFF 2 furnizeză tensiunile de ieşire diferenţiale ale celor două amplificatoare complementare (NMOS.13) Similar analizei de la punctul 3.

V1 . Domeniul de mod comun de intrare pentru circuitul paralel va fi egal cu reuniunea celor două domenii individuale. putând fi extins chiar peste intervalul 0.16) I R I  V ICp  1 1  V DSsat6  VT  1 2 K (3.I1 K  V ICp  V1  V DSsat8  VT  (3. existând. însă.17) DIFF 1 R1 + R2 T5 - V1 T1 R6 R5 I1 I1 T4 T3 V2 V3 T2 R7 T8 I1 R3 R4 - + + Vo T7 DIFF 2 SUM A T6 + R8 Figura 3. un interval al tensiunii de intrare (corespunzând unor valori medii ale acesteia) pentru care cele două domenii se suprapun. Presupunând g mn  g m p  g m şi 38 .9: Structură paralel de amplificator diferenţial pentru creşterea domeniului maxim al tensiunii de mod comun de intrare Domeniile de mod comun de intrare ale celor două amplificatoare diferenţiale sunt aproximativ complementare.

18) şi impedanţa condensatorului C la frecvenţa de lucru este mult mai mică decât rezistenţa de sarcină ( R1 // ro2 // ro4 ) . dependenţa transconductanţei totale g mt a circuitului de tensiunea de mod comun de intrare este prezentată în tabelul următor: Domeniu VIC AD NMOS AD PMOS AD paralel mic 0 gm gm mediu gm gm 2 gm mare gm 0 gm Pentru completarea tabelului anterior s-a considerat ipoteza simplificatoare a unor transconductanţe constante ale celor două etaje. Datorită excitaţiei diferenţiale a etajului. având avantajul principal al obţinerii unei amplificări de mod diferenţial integrale în contextul unei ieşiri simple. respectiv V ICp suficient de mică pentru a fi atinse. 3.1. expresiile curenţilor de colector pentru tranzistoarele T1 şi T 2 sunt: iC1.  considerându-se limitele V ICn suficient de mare. Amplificator diferenţial bipolar cu sarcinǎ activǎ Se consideră amplificatorul diferenţial cu sarcină activă din Figura 3. amplificarea de mod diferenţial a circuitului va fi: Add  Vo  g m ( R1 // ro2 // ro4 ) V2 39 (3.10. Existenţa unei regiuni (a tensiunii de mod comun de intrare de valoare medie) pentru care ambele amplificatoare diferenţiale sunt active are ca efect dublarea transconductanţei totale a circuitului în acest domeniu. Se consideră R3  R4 şi X C  R1 la frecvenţa de lucru.6.19) . 2   g m Deoarece iC4  iC3  iC1 V2 2 (3.

T3

T4

T2

T1

+
-

V1

C

R1

Vo

R3
V2
V3

I1

R2

R4

Figura 3.10: Amplificator diferenţial cu sarcină activă
Pentru o funcţionare în gol a amplificatorului diferenţial ( R1   ),
se obţine:
r
Add gol  g m o  20V A
2

(3.20)

3.1.7. Amplificator diferenţial cu suma VGS constantă
Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 3.11 cu R1  R2 ,
R3  R4 , R5  R6 şi V2  V3 .

R2

R1

V1

Vo
T2

T1
V2
R5

+
-

+ -

V3
-

+

V4
R3

R4

R6

Figura 3.11: Amplificator diferenţial cu suma VGS constantă
40

Expresia tensiunii de intrare V 4 poate fi scrisă în două moduri:
V4  V2  vGS2  vGS1  V2

rezultând

vGS1  vGS2  2V4

vGS1  vGS2  2V2 .

şi

(3.21)
Considerând

o

funcţionare în saturaţie a tranzistoarelor schemei, tensiunea diferenţială de
ieşire este:
Vo  (i D2  i D1 ) R1 



KR 1
v GS2  v GS1 v GS1  v GS2  2VT
2

(3.22)

deci:

V
Add  o  2 KR 1 V2  VT 
V4

(3.23)

Intr-o analiză de ordin I circuitul este aproximativ liniar, mici
distorsiuni fiind introduse de efectul de substrat (dependenţa tensiunii de prag
de tensiunea substrat-sursă). Minimizarea acestor erori este posibilă prin
implementarea celor două surse de tensiune V 2 şi V 3 din Figura 3.11 ca
tensiuni grilă-sursă ale unor tranzistoare în saturaţie, curentul I 0 fiind curentul
de polarizare al celor două tranzistoare introduse suplimentar (Figura 3.12).
Sursele de tensiune V 2 şi V 3 din Figura 3.11 sunt reprezentate de
tensiunile grilǎ-sursǎ ale tranzistoarelor T3 şi T4 , polarizate la un curent
constant I 0 .

V2  V3  VT 

2I0
K

(3.24)

Tranzistoarele T1 şi T 2 reprezintǎ etajul diferenţial de bazǎ, celelalte
tranzistoare realizând închiderea curenţilor I 0  I d1 , respectiv I 0  I d 2 spre
sursa pozitivǎ de alimentare. Amplificarea de mod diferenţial a circuitului are
expresia:

Add  2 KR1

41

2I0
 Gm R1
K

(3.25)

Gm reprezentând transconductanţa echivalentă a circuitului.

I2 = I0

I1 = I0

V1
R1

R2
Vo

T1

T2

T3

T4

R3
V2
R4
V3

Figura 3.12: Amplificator diferenţial cu suma VGS
constantă, independent de VT
3.1.8. Amplificator diferenţial format din două etaje
Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 3.13 cu R1  R2 ,
R3  R4 , R7  R8 , R5 , R6  R1 , R3 . Amplificarea de mod diferenţial a
întregului circuit are expresia:
Add  Add1 Add2  g m1 ( R1 // r 3 // ro1 )g m3 ( R3 // ro3 )

Add 

I1I 2
4Vth2

( R1 // r 3 // ro1 )( R3 // ro3 )

(3.26)

(3.27)

Considerând o tensiune de intrare de mod comun, se obţine:

Acc 

R1 R3
 1
4 R5 R6

42

(3.28)

funcţionare pe mod diferenţial 43 + - . Amplificator diferenţial cu reacţie negativǎ Circuitul amplificatorului diferenţial cu reacţie negativă este prezentat în Figura 3.13: Amplificator diferenţial format din două etaje .14.funcţionare pe mod diferenţial 3. Sursa de curent T3  T4  D1 polarizează tranzistoarele etajului diferenţial la curenţi de colector egali: V  V BE (3.9.1. R4  R5 şi R6  R7 . considerându-se R1  R2 .14: Amplificator diferenţial cu reacţie negativǎ .R1 R2 R3 R4 V1 Vo T1 T3 T2 + - T4 R7 V2 I1 R5 R6 I2 R8 Figura 3.29) I C1  I C2  Z R4 R1 R2 V1 Vo T2 T1 R7 V2 V3 R6 R3 T4 T3 R4 R5 D1 R8 Figura 3.

32) rz fiind rezistenţa dinamică a diodei Zener. R4 R2 R1 + Vo T2 T1 R3 R6 V1 AO1 R5 V3 + V2 I1 I2 R7 Figura 3. R6  R7 şi I 1  I 2 .30) Amplificarea de mod comun a circuitului este: Acc   R1 Ro3 (3.31) unde Ro3 reprezintă rezistenţa dinamică din colectorul tranzistorului T3 :   R4 Ro3  ro3  1   r 3  R4  rz      (3.Pentru o excitare diferenţială a circuitului (Figura 3.14). Amplificator diferenţial cu reacţie negativǎ şi AO Se considerǎ amplificatorul diferenţial cu AO din Figura 3. având R1  R2 .1.15: Amplificator diferenţial cu reacţie negativǎ şi AO 44 + - .10.15. mijlocul rezistenţei R3 este punct virtual de masă. R4  R5 . 3. deci semicircuitul de mod diferenţial se va reduce la un etaj simplu de tip sarcină distribuită a cărui amplificare va avea expresia: R1  1 (  1 )R3 / 2 Add   r (3.

condiţia de egalitate între cele două potenţiale de intrare se poate scrie:  iC2 ( R1 // R5 )  iC1 ( R1 // R5 )  v o R1 R1  R5 (3. Funcţionarea la semnal mare a.2V ) pentru un interval de variaţie a acesteia cuprins între –0.2.2V şi 0. respectiv V2 / 2 . T1 şi T2 de tipul Q2 N 2222 .1. cu R1  R2  R4  R5  1k . Se realizeazǎ o analizǎ DC de variabilǎ tensiunea de intrare V 2 ( VSRC . Se vizualizeazǎ tensiunea de ieşire a amplificatorului diferenţial (între cele douǎ colectoare). Din cele două relaţii anterioare se obţine: V 2 R5 Add  o  V2 R3 (3.1. R3  100k .2V. considerând ca mărimi de intrare curentul iC1 şi tensiunea de ieşire V o . Se va completa tabelul următor şi se va determina eroarea de liniaritate pentru fiecare interval.Utilizând problema anterioară şi considerând potenţialele pe cele două intrări ale amplificatorului diferenţial V2 / 2 . se obţin expresiile celor doi curenţi de colector: iC1.2. 2   r 1  (V2 / 2) V  2  (   1) R3 / 2 R3 (3. comparându-se valorile amplificǎrii 45 .33) Amplificatorul operaţional fiind considerat ideal. Simularea amplificatoarelor diferenţiale bipolare şi CMOS 3.2. Funcţionarea pe mod diferenţial Se considerǎ circuitul din Figura 3.34) Pentru calculul potenţialului pe borna inversoare s-a folosit superpoziţia. I 1 sursǎ de curent constant de 1mA şi V1 sursǎ de curent continuu de 9V . Amplificatorul diferenţial bipolar elementar 3.1.1. amplitudine 0.35) 3.

Pentru aceeaşi analizǎ de la punctul a. Se repetǎ analiza de la punctul b. 3mA. 100mV (exceptând completarea parametricǎ de variabilǎ (exceptând completarea parametricǎ de variabilǎ Funcţionarea la semnal mic e. d.1GHz (variaţie decadică). = = ΔVo /10mV εr = (Add exp.diferenţiale determinate experimental cu valoarea teoretică Add teor  40( I 1 / 2) R1  20 . modificând R1  R2  10k . Caracteristica modul-frecvenţǎ f. Se vizualizeazǎ tensiunea de ieşire şi se determinǎ pe baza acesteia amplificarea de mod diferenţial. – – Add teor. 3mA. g. 46 . 4mA. Se repetǎ analiza de la punctul f. Se repetǎ analiza de la punctul a. V2 -100 ÷ -90mV … -90 ÷ -80mV 80 ÷ 90mV 90 ÷ 100mV ΔVo Add exp. tabelului). considerându-se suplimentar o analizǎ curentul I 1 (1mA.)/Add teor. completându-se tabelul urmǎtor: V2 IC1 IC2 IC1 + IC2 -100mV -90mV … 90mV c. 4mA.. se vizualizeazǎ simultan cei doi curenţi de colector. b. 2mA. considerându-se suplimentar o analizǎ curentul I 1 (1mA. Se modificǎ descrierea sursei de tensiune de intrare în sursǎ sinusoidalǎ de amplitudine 1mV şi frecvenţǎ 1kHz şi se considerǎ o analizǎ tranzitorie pentru intervalul 0  t  5ms . 5mA). 2mA. Pentru stabilirea benzii de frecvenţǎ a amplificatorului diferenţial se realizeazǎ o analizǎ AC pentru intervalul 10Hz . 5mA). tabelului). considerând pentru V 2 o sursǎ de tip VAC cu amplitudinea de 1mV . Se vizualizeazǎ dependenţa de frecvenţǎ a modulului amplificǎrii de mod diferenţial şi se determinǎ valoarea frecvenţei limitǎ superioarǎ a acesteia.

Se realizeazǎ o analizǎ DC de variabilǎ tensiunea de intrare V 2 ( VSRC . c. R1 R2 V1 vo T2 T1 V2 T3 + - R3 T4 Figura 3. cu R1  R2  1k .2. cu o analizǎ parametricǎ.. b.3. I 1 sursǎ de curent constant de 1mA şi V1 sursǎ de curent continuu de 9V . Funcţionarea pe mod comun Se considerǎ circuitul din Figura 3. Domeniul de variaţie al tensiunii V 2 se stabileşte cuprins între 1V şi 3V . Se vizualizeazǎ tensiunea de ieşire de mod comun (în unul din cele douǎ colectoare) şi se determinǎ amplificarea de mod comun a amplificatorului diferenţial. Se repetǎ analiza de la punctul a.2. considerând ca parametru tensiuea Early VAf a tranzistorului bipolar. Se completeazǎ analiza de la punctul a.16 ( R3  10k ). Funcţionarea la semnal mare a. comparându-se cu valoarea determinatǎ teoretic. R3  100k .1. Se alege o variaţie a tensiunii Early cuprinsǎ între 50V şi 100V . cu un pas de 10V şi se determinǎ cele şase valori noi ale amplificǎrii de mod comun a circuitului. modificându-se valoarea rezistenţei R3 la 1M şi se determinǎ noua valoare a amplificǎrii de mod comun a etajului diferenţial. T1 şi T2 de tipul Q2 N 2222 .16: Amplificator diferenţial bipolar pentru analiza parametricǎ a Acc 47 . Circuitul utilizat doar pentru acest punct este prezentat în Figura 3. amplitudine 1V ) pentru un interval de variaţie a acesteia cuprins între 0 şi 5V .2. Acc  R1 / 2 R3 .

Se alege R3  1M şi se modificǎ descrierea sursei de tensiune de intrare în sursǎ sinusoidalǎ de amplitudine 5V şi frecvenţǎ 1kHz . Se realizeazǎ o analizǎ DC parametricǎ de variabilǎ tensiunea V 2 pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0.2. considerându-se o analizǎ tranzitorie pentru intervalul 0  t  5ms . considerând pentru V 2 o sursǎ de tip VAC cu amplitudinea de 5V şi se vizualizeazǎ dependenţa de frecvenţǎ a modulului amplificǎrii de mod comun. 48 . 1V a.2. R3  R4  200 .1V ).4k .3. 1mV şi. R7  100k . V1 . 3. I 1 sursǎ de curent constant de 1mA şi V1 sursǎ de curent continuu de 9V .Funcţionarea la semnal mic d. Se repetǎ analiza de la punctul d. 3.1. notându-se noua valoare a amplificǎrii de mod comun. Amplificatorul diferenţial bipolar elementar cu degenerare în emitor Funcţionarea pe mod diferenţial Se considerǎ circuitul din Figura 3.2V şi se determinǎ limita maximǎ a tensiunii de mod comun de intrare.2V . cu R1  R2  R5  R6  1k .2. e.4. Se repetǎ analiza anterioarǎ. b. V 2 şi V 3 surse de curent continuu de 9V . considerând ca parametru tensiunea V 3 (domeniu de variaţie cuprins între 0. Se vizualizeazǎ tensiunea de ieşire şi se determinǎ pe baza acesteia amplificarea de mod comun. respectiv. T1  T4 de tipul Q2 N 2222 .2V şi 0. cu R1  R2  R4  R5  1k . Caracteristica modul-frecvenţǎ f.5V şi 1V . dar se considerǎ un domeniu de variaţie parametricǎ a tensiunii V 3 cuprins între 8V şi 9V . cu un pas de 0. T1 şi T2 de tipul Q2 N 2222 .3. Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare Se considerǎ circuitul din Figura 3. pentru o frecvenţǎ a semnalului de intrare de 100kHz şi un interval corespunzǎtor de simulare. Se determinǎ limita minimǎ a tensiunii de mod comun de intrare ca fiind cea mai micǎ valoare a tensiunii V 3 pentru care circuitul amplificǎ normal. R3  8. Pentru verificarea comportamentului în frecvenţǎ al amplificǎrii de mod comun se realizeazǎ o analizǎ AC decadică pentru intervalul 10Hz 1MHz . cu un pas de 0.

se vizualizeazǎ simultan cei doi curenţi de colector.). 4mA. 3mA. Se remarcă reducerea dependenţei amplificării circuitului de valoarea curentului de polarizare a acestuia. Pentru aceeaşi analizǎ de la punctul a. amplitudine 0.98 (pentru   255.9 . comparându-se valorile amplificǎrii diferenţiale determinate experimental cu valoarea teoretică Add teor  R1 /[r 1  (  1) R3 ]  3. 49 . Se va completa tabelul următor şi se va determina eroarea de liniaritate pentru fiecare interval. completându-se tabelul urmǎtor: V2 IC1 IC2 IC1 + IC2 -300mV -280mV … 280mV 300mV c. (exceptând completarea tabelului). considerându-se suplimentar o analizǎ parametricǎ de variabilǎ curentul I 1 (2mA. Se vizualizeazǎ tensiunea de ieşire a amplificatorului diferenţial (între cele douǎ colectoare).valoare implicită din modelul tranzistorului NPN). b.)/Add teor. 4mA. 5mA). Pentru valori mari ale rezistenţei R3 se poate considera r 1  (   1) R3 . Se repetǎ analiza de la punctul b. – – Add teor. (exceptând completarea tabelului). I 1 (a se vedea expresia teoretică a amplificării de la punctul a. independent de I 1 ) . d.5V. deci Add teor  R1 / R3 (practic.5V ) pentru un interval de variaţie a acesteia cuprins între –0. 3mA.5V şi 0. 5mA). Se repetǎ analiza de la punctul a. considerându-se suplimentar o analizǎ parametricǎ de variabilǎ curentul I1 (2mA.Funcţionarea la semnal mare a. Se realizeazǎ o analizǎ DC de variabilǎ tensiunea de intrare V 2 ( VSRC .. = = ΔVo /20mV εr = (Add exp. V2 -300 ÷ -280mV … -280 ÷ -260mV 260÷ 280mV 280÷ 300mV ΔVo Add exp.

1V şi 0. amplitudine 0.5. Se vizualizeazǎ dependenţa de frecvenţǎ a modulului amplificǎrii de mod diferenţial şi se determinǎ valoarea frecvenţei limitǎ superioarǎ a acesteia. Pentru aceeaşi analizǎ de la punctul a. comparându-se valorile amplificǎrii diferenţiale determinate experimental cu valoarea teoretică Add teor  KI 1 R1  50 . Pentru stabilirea benzii de frecvenţǎ a amplificatorului diferenţial se realizeazǎ o analizǎ AC pentru intervalul 10Hz . T1 şi T2 de tipul IRF150 . Se modificǎ descrierea sursei de tensiune de intrare în sursǎ sinusoidalǎ de amplitudine 1mV şi frecvenţǎ 1kHz şi se considerǎ o analizǎ tranzitorie pentru intervalul 0  t  5ms . Se vizualizeazǎ tensiunea de ieşire şi se determinǎ pe baza acesteia amplificarea de mod diferenţial.3.1GHz (variaţie decadică). cu R1  R2  R4  R5  1k .3. Funcţionarea pe mod diferenţial Se considerǎ circuitul din Figura 3. Amplificatorul diferenţial CMOS elementar 3. Se realizeazǎ o analizǎ DC de variabilǎ tensiunea de intrare V 2 ( VSRC . b.1. 3. = = ΔVo /2mV εr = (Add exp.1V .2. I 1 sursǎ de curent constant de 1mA şi V1 sursǎ de curent continuu de 9V . – – Add teor.1V ) pentru un interval de variaţie a acesteia cuprins între -0. modificând R1  R2  10k . Funcţionarea la semnal mare a. Se vizualizeazǎ tensiunea de ieşire a amplificatorului diferenţial (între cele douǎ drene).2. Se repetǎ analiza de la punctul f. completându-se tabelul urmǎtor: 50 .. g. V2 ΔVo 0÷2mV 2÷4mV … 16÷18mV 18÷20mV Add exp.)/Add teor. se vizualizeazǎ simultan cei doi curenţi de drenă. considerând pentru V 2 o sursǎ de tip VAC cu amplitudinea de 1mV . Caracteristica modul-frecvenţǎ f.Funcţionarea la semnal mic e. Se va completa tabelul următor şi se va determina eroarea de liniaritate pentru fiecare interval. R3  1M .

comparându-se cu valoarea determinatǎ teoretic. 2mA. 3. 20mV (exceptând completarea parametricǎ de variabilǎ (exceptând completarea parametricǎ de variabilǎ Funcţionarea la semnal mic e. Se vizualizeazǎ tensiunea de ieşire şi se determinǎ pe baza acesteia amplificarea de mod diferenţial. modificând R1  R2  10k . 2mA. Se modificǎ descrierea sursei de tensiune de intrare în sursǎ sinusoidalǎ de amplitudine 1mV şi frecvenţǎ 1kHz şi se considerǎ o analizǎ tranzitorie pentru intervalul 0  t  5ms .2. 5mA). tabelului). 51 . Funcţionarea la semnal mare a. T1 şi T2 de tipul IRF150 . Pentru stabilirea benzii de frecvenţǎ a amplificatorului diferenţial se realizeazǎ o analizǎ AC pentru intervalul 10Hz . 4mA. Funcţionarea pe mod comun Se considerǎ circuitul din Figura 3. I 1 sursǎ de curent constant de 1mA şi V1 sursǎ de curent continuu de 9V . Se repetǎ analiza de la punctul f. 3mA. 4mA. amplitudine 1V ) pentru un interval de variaţie a acesteia cuprins între 0 şi 5V . considerându-se suplimentar o analizǎ curentul I 1 (1mA.2. Se repetǎ analiza de la punctul a. tabelului). d. Caracteristica modul-frecvenţǎ f. 3mA. considerându-se suplimentar o analizǎ curentul I 1 (1mA.3.V2 ID1 ID2 ID1 + ID2 -20mV … -18mV 18mV c. considerând pentru V 2 o sursǎ de tip VAC cu amplitudinea de 1mV . R3  100k . cu R1  R2  1k . 5mA). g.1GHz (variaţie decadică). Acc  R1 / 2 R3 .6. Se vizualizeazǎ tensiunea de ieşire de mod comun (în una din cele douǎ drene) şi se determinǎ amplificarea de mod comun a amplificatorului diferenţial. Se vizualizeazǎ dependenţa de frecvenţǎ a modulului amplificǎrii de mod diferenţial şi se determinǎ valoarea frecvenţei limitǎ superioarǎ a acesteia. Se repetǎ analiza de la punctul b. Se realizeazǎ o analizǎ DC de variabilǎ tensiunea de intrare V 2 ( VRSC .

cu o analizǎ parametricǎ (intervalul de variaţie al tensiunii V 2 fiind modificat la 3  5V ). c. Se vizualizeazǎ tensiunea de ieşire (în drena unui tranzistor) şi se determinǎ pe baza acesteia amplificarea de mod comun. considerând ca parametru rezistenţa drenǎ-sursǎ a tranzistorului MOS. Circuitul utilizat doar pentru acest punct este prezentat în Figura 3.17: Amplificator diferenţial CMOS pentru analiza parametricǎ a Acc Funcţionarea la semnal mic d. Se repetǎ analiza de la punctul a.6. modificându-se valoarea rezistenţei R3 la 1M şi se determinǎ noua valoare a amplificǎrii de mod comun a etajului diferenţial. 52 .17 ( R3  3k ). Se completeazǎ analiza de la punctul a. Pentru verificarea comportamentului în frecvenţǎ al amplificǎrii de mod comun se realizeazǎ o analizǎ AC pentru intervalul 10Hz .b. Se alege o variaţie a rezistenţei Rds cuprinsǎ între 200k şi 400k . se modificǎ descrierea sursei de tensiune de intrare în sursǎ sinusoidalǎ de amplitudine 5V şi frecvenţǎ 1kHz şi se considerǎ o analizǎ tranzitorie pentru intervalul 0  t  5ms .1MHz . Caracteristica modul-frecvenţǎ e. cu un pas de 50k şi se determinǎ cele cinci valori noi ale amplificǎrii de mod comun a circuitului. R2 R1 V1 vo T1 + - T2 R3 V2 T4 T3 Figura 3. Revenind la circuitul din Figura 3. considerând pentru V 2 o sursǎ de tip VAC cu amplitudinea de 5V şi se vizualizeazǎ dependenţa de frecvenţǎ a modulului amplificǎrii de mod comun..

amplitudine 0. R3  R4  200 .9V şi 3. Amplificatorul diferenţial CMOS elementar cu degenerare în sursǎ Funcţionarea pe mod diferenţial Se considerǎ circuitul din Figura 3.5 . dar se considerǎ un domeniu de variaţie parametricǎ a tensiunii V 3 cuprins între 0 .1V . I 1 sursǎ de curent constant de 1mA şi V1 sursǎ de curent continuu de 9V . V 2 şi V 3 surse de curent continuu de 3V .5V a.3. 3. T1  T4 de tipul IRF150 având efectuată în model modificarea tensiunii de prag la 0.4. Funcţionarea la semnal mare a. b. Se vizualizeazǎ tensiunea de ieşire a amplificatorului diferenţial (între cele douǎ drene). V2 -200 ÷ -180mV -180 ÷ -160mV ΔVo Add exp.2.3V ) pentru un interval de variaţie a acesteia cuprins între –0.2V şi 0.2. R3  3k . Se repetǎ analiza anterioarǎ. 1mV şi.3.8. cu un pas de 0 . 53 … 160÷ 180mV 180÷ 200mV . 1. considerând ca parametru tensiunea V 3 (domeniu de variaţie cuprins între 2.1V şi se determinǎ limita minimă a tensiunii de mod comun de intrare. V1 .7V şi 1. respectiv.7. Se realizeazǎ o analizǎ DC de variabilǎ tensiunea V 2 pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0.3V . R7  100k .3V. Se determinǎ limita maximă a tensiunii de mod comun de intrare ca fiind cea mai mare valoare a tensiunii V 2 pentru care circuitul amplificǎ normal. comparându-se valorile amplificǎrii diferenţiale determinate experimental cu valoarea teoretică Add teor  g m R1 /(1  g m R3 )  4. cu R1  R2  R4  R5  1k . cu R1  R2  R6  R7  1k .8V . Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare Se considerǎ circuitul din Figura 3. cu un pas de 0.2V .)/Add teor. T1 şi T2 de tipul IRF150 .1V ). – – Add teor.3. Se va completa tabelul următor şi se va determina eroarea de liniaritate pentru fiecare interval.3V şi 0. Se realizeazǎ o analizǎ DC de variabilǎ tensiunea de intrare V 2 ( VSRC . = = ΔVo /5mV εr = (Add exp.

. 4mA. Se vizualizeazǎ tensiunea de ieşire şi se determinǎ pe baza acesteia amplificarea de mod diferenţial. 3mA. 4mA. completându-se tabelul urmǎtor: V2 ID1 ID2 ID1 + ID2 -200mV -180mV … 180mV 200mV c. Se repetǎ analiza de la punctul b. necesară în special pentru aplicaţii de joasă tensiune. modificând R1  R2  10k . d. realizat prin conectarea în paralel a două etaje diferenţiale complementare. Se repetǎ analiza de la punctul a. considerând pentru V 2 o sursǎ de tip VAC cu amplitudinea de 1mV . Structură paralel de amplificator diferenţial pentru creşterea domeniului maxim al tensiunii de mod comun de intrare Se consideră circuitul din Figura 3.9. (exceptând completarea tabelului). considerându-se suplimentar o analizǎ parametricǎ de variabilǎ curentul I 1 (1mA. 5mA).5. 3mA. considerându-se suplimentar o analizǎ parametricǎ de variabilǎ curentul I 1 (1mA. 54 .b. 2mA. Se repetǎ analiza de la punctul f. celălalt cu tranzistoare PMOS. 5mA). g. Se vizualizeazǎ dependenţa de frecvenţǎ a modulului amplificǎrii de mod diferenţial şi se determinǎ valoarea frecvenţei limitǎ superioarǎ a acesteia. Pentru aceeaşi analizǎ de la punctul a.1GHz (variaţie decadică). Pentru stabilirea benzii de frecvenţǎ a amplificatorului diferenţial se realizeazǎ o analizǎ AC pentru intervalul 10Hz . Caracteristica modul-frecvenţǎ f. 2mA. (exceptând completarea tabelului). Se modificǎ descrierea sursei de tensiune de intrare în sursǎ sinusoidalǎ de amplitudine 1mV şi frecvenţǎ 1kHz şi se considerǎ o analizǎ tranzitorie pentru intervalul 0  t  5ms . unul realizat cu tranzistoare NMOS.2. se vizualizeazǎ simultan cei doi curenţi de drenă. Se remarcă reducerea dependenţei amplificării circuitului de curentul de polarizare a acestuia. I 1 . Funcţionarea la semnal mic e. 3. Rolul acestei conexiuni este extinderea domeniului de mod comun al tensiunii de intrare.

cu un pas de 0.9V şi 2. V 2 şi V 3 surse de tensiune continuă de valori 3V .1V ). Se vizualizează tensiunea diferenţială de ieşire a amplificatorului NMOS şi se determinǎ limita minimă a tensiunii de mod comun de intrare ca fiind cea mai mică valoare a tensiunii V3 pentru care circuitul amplificǎ normal. V1 .2V .1V ).3V .1V .1V şi 3. a.9V . R8  1M . 1mV .8V şi factorul de aspect la 0.8V . d. Se vizualizează tensiunea diferenţială de ieşire a amplificatorului NMOS şi se determinǎ limita maximă a tensiunii de mod comun de intrare ca fiind cea mai mare valoare a tensiunii V3 pentru care circuitul amplificǎ normal. 55 . 0 .1V ). Se vizualizează tensiunea diferenţială de ieşire a amplificatorului PMOS şi se determinǎ limita maximă a tensiunii de mod comun de intrare ca fiind cea mai mare valoare a tensiunii V3 pentru care circuitul amplificǎ normal. considerând ca parametru tensiunea V 3 (domeniu de variaţie cuprins între 3.9 / 2m . considerând ca parametru tensiunea V 3 (domeniu de variaţie cuprins între 1. Se vizualizează tensiunea diferenţială de ieşire a amplificatorului PMOS şi se determinǎ limita minimă a tensiunii de mod comun de intrare ca fiind cea mai mică valoare a tensiunii V3 pentru care circuitul amplificǎ normal. cu un pas de 0.2V cu un pas de 0.2V . considerând ca parametru tensiunea V 3 (domeniu de variaţie cuprins între 0 . T1  T4 de tipul IRF150 . respectiv 1. R5  4k .6V şi.2V . considerând ca parametru tensiunea V 3 (domeniu de variaţie cuprins între 0 .1V ).Elementele circuitului sunt: R1  R2  R3  R4  R6  R7  1k . respectiv 1. Se realizează o analiză DC parametricǎ de variabilǎ tensiunea V 2 pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0.5V . Se realizează o analiză DC parametricǎ de variabilǎ tensiunea V 2 pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0. c.3 / 2m .2V şi 0. T5  T8 de tipul IRF9140 .2V . cu un pas de 0. b. având modificată tensiunea de prag la 0. având modificată tensiunea de prag la 0. Se realizează o analiză DC parametricǎ de variabilǎ tensiunea V 2 pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0.2V şi 0. Se realizează o analiză DC parametricǎ de variabilǎ tensiunea V 2 pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0.2V şi 0.2V şi 0.7V şi 1.

5V . toate tranzistoarele de tipul IRF150 . 3.1mV şi frecvenţa la 100Hz . Se vizualizează tensiunea de ieşire şi se determină amplificarea de mod diferenţial. c. tensiunile Early ale celor 4 tranzistoare la 200V şi rezistenţa de ieşire la 100M .10. alegându-se R1  10k . considerând ca parametru tensiunea V 3 (domeniu de variaţie cuprins între 0 .2V şi 0. Pentru o sursă de tensiune intrare V 2 de tip sinusoidal cu amplitudinea de 1mV şi frecvenţa de 1kHz se realizează o analiză tranzitorie pentru un interval 0  t  5ms . Se realizează o analiză DC parametricǎ de variabilǎ tensiunea V 2 pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0.2V .12 a unui amplificator diferenţial. cu un pas de 56 .2. Se modificǎ amplitudinea tensiunii sinusoidale de intrare V 2 la 0. Se vizualizează tensiunea de ieşire din punctul A a amplificatorului diferenţial realizat prin cuplarea în paralel a celor două amplificatoare complementare şi se determinǎ domeniul maxim de mod comun al tensiunii de intrare.6. şi b. Se realizează o analiză AC decadică pentru o frecvenţă cuprinsă între 10Hz şi 1MHz . Amplificator diferenţial cu suma VGS constantă Se considerǎ implementarea din Figura 3. b. V3  2V şi I 1  1mA .). Amplificator diferenţial bipolar cu sarcinǎ activǎ Se consideră amplificatorul diferenţial cu sarcină activă din Figura 3. C  1F . V2  100mV . pentru un domeniu de variaţie a acesteia cuprins între 100mV şi 100mV . cu un pas de 0 .2. V1  9V . R2  100k . Se determinǎ valoarea amplificǎrii de mod diferenţial în gol şi se comparǎ cu valoarea teoreticǎ Add gol  g m ro / 2  20V A  4000 . determinându-se frecvenţa limită superioară a circuitului (pentru fiecare dintre cele două circuite anterioare .7. a.1V ). Pentru ce valori ale tensiunii de mod comun de intrare apar modificări majore ale caracteristicilor totale? 3. Pentru determinarea amplificǎrii de mod diferenţial a circuitului se realizeazǎ o analizǎ DC de variabilǎ tensiunea de intrare V 2 . R3  R4  1k . V3  5V şi I 1  I 2  I 0  1mA . V1  9V . a.e.punctele a. alegându-se valorile R1  R2  2k R3  R4  1k . T1  T4 de tipul Q2 N 2222 .5V şi 3.

D1N750 . determinându-se valoarea amplificǎrii de mod diferenţial a circuitului. precum şi domeniul maxim de liniaritate al tensiunii diferenţiale de intrare.14. completatǎ cu o analizǎ parametricǎ de variabilǎ tensiunea de mod comun de intrare V 3 . Elementele schemei au urmǎtoarele valori R1  R2  R4  R5  10k . pentru un domeniu de variaţia al acesteia cuprins între 8V şi 11V (limitat de domeniul 57 . Pentru stabilirea domeniului maxim al tensiunii de mod comun de intrare se utilizeazǎ circuitul din Figura 3. valoarea maximǎ a tensiunii de mod comun de intrare pentru care circuitul funcţioneazǎ normal nu se poate determina. Se realizează o analiză tranzitorie pentru intervalul 0  t  50ms şi se determină amplificarea de mod diferenţial a circuitului. b.0. 3. iar dioda D1 . V 2 tensiune sinusoidalǎ cu amplitudinea de 1mV şi frecvenţa de 1kHz şi V3  9V . V1  15V . Amplificator diferenţial cu reacţie negativǎ Circuitul amplificatorului diferenţial este prezentat în Figura 3.02mV şi frecvenţă 100Hz . Tranzistoarele T1  T4 sunt de tipul Q2 N 2222 .9.1mV . R3  R6  R7  R8  1k . Deoarece sursele de curent I 1 şi I 2 nu sunt implementate complet. b. Amplificator diferenţial format din două etaje Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 3.13.7V şi 3V cu un pas de 0. Se vizualizeazǎ tensiunea diferenţialǎ de ieşire şi se determinǎ valoarea minimǎ a tensiunii de mod comun de intrare pentru care circuitul funcţioneazǎ corect. 3. caracterizat prin R1  R2  R3  R4  5k .2.1V . Se realizeazǎ o analizǎ tranzitorie pentru intervalul 0  t  5ms şi se vizualizeazǎ tensiunea de ieşire diferenţialǎ. R7  R8  1k . R5  R6  100k . Pentru determinarea amplificǎrii de mod comun a amplificatorului diferenţial se realizeazǎ o analizǎ DC de variabiliǎ tensiunea V 3 . Se vizualizeazǎ tensiunea diferenţialǎ de ieşire (între drenele tranzistoarelor T1 şi T 2 ) şi se noteazǎ valoarea amplificǎrii de mod diferenţial a circuitului.2.12 şi se realizeazǎ o analizǎ DC de variabilǎ tensiunea de mod diferenţial de intrare V 2 (domeniu de variaţie: 100mV  100mV ). a. V1  9V şi V 2 o tensiune sinusoidală de amplitudine egală cu 0. pentru un domeniu de variaţie a acesteia cuprins între 2. T1  T4 de tipul Q2 N 2222 .8. I 1  I 2  1mA .

R3  10k .14 pentru ca amplificatorul diferenţial să funcţioneze corect? 58 . având R1  R2  R6  R7  1k . erorile fiind. AO1 de tipul A741. menţionând avantajele şi limitările acestora. 9. 4. I 1  I 2  1mA .maxim de mod comun al tensiunii de intrare) şi se determinǎ valoarea amplificǎrii de mod comun a circuitului. R4  R5  100k .11? 10.11 prin considerarea suplimentară a efectului de substrat? Ce rol are implementarea particulară din Figura 3. 8. neglijabile. Se realizeazǎ o analizǎ tranzitorie pentru intervalul 0  t  5ms şi se vizualizeazǎ tensiunea de ieşire V o . V1  V3  15V şi V 2 sursǎ de tensiune sinusoidalǎ cu amplitudinea de 1mV şi frecvenţa de 1kHz . 3. 3. Ce dezavantaj major prezintă metoda conectării în paralel a două amplificatoare diferenţiale complementare în vederea creşterii domeniului maxim al tensiunii de mod comun de intrare? Ce soluţii există pentru eliminarea acestui inconvenient? Ce relaţie există între amplificarea şi răspunsul în frecvenţă al unui amplificator diferenţial? Cum este afectată liniaritatea amplificatorului diferenţial din Figura 3. Cum se explică comportamentul neliniar al amplificatoarelor diferenţiale bipolare şi CMOS? Ce mecanisme limitează domeniul maxim de mod comun al tensiunii de intrare a umui amplificator diferenţial? Ce tip de aplicaţii care utilizează amplificatoare diferenţiale solicită un domeniu extins al tensiunii de mod comun de intrare? Care este efectul introducerii rezistenţelor în emitoarele/sursele tranzistoarelor amplificatorului diferenţial classic? Enunţaţi câteva metode de creştere a impedanţei de intrare în amplificatorul diferenţial bipolar. 3.14 şi pentru analiza comportamentului pe modul comun deoarece amplitudinea tensiunii diferenţiale V 2 este mult mai micǎ decât valoarea tensiunii continue V 3 . Amplificator diferenţial cu reacţie negativǎ şi AO Se considerǎ amplificatorul diferenţial cu AO din Figura 3.2. 2. deci.3.10. 5.15.12 a surselor de tensiune V 2 şi V 3 din Figura 3. T1 . 7. Se poate utiliza circuitul cu excitaţie diferenţialǎ din Figura 3. Intrebări 1. determinându-se valoarea amplificǎrii de mod diferenţial a circuitului. T2 de tipul Q2 N 2222 . 6. Care este valoarea minimă a sursei V 3 din Figura 3.

temperatură şi rezistenţa de sarcină. Introducere teoretică O sursă ideală de curent constant este un element de circuit având curentul de ieşire independent de tensiunea de alimentare.   Parametrii principali ai surselor de curent Pentru o sursă de curent se definesc următoarele mărimi: Curentul de ieşire reprezintă valoarea curentului generat care. cu dezavantajul creşterii tensiunii minime de ieşire a sursei de curent. 59 . Coeficientul de variaţie cu temperatura reprezintă raportul dintre variaţia curentului de ieşire al sursei de curent şi variaţia temperaturii pentru rezistenţă de sarcină şi tensiune de alimentare constante. pentru sursa ideală de curent. trebuie să fie independent de tensiunea de alimentare.1.   Rezistenţa de ieşire reprezintă raportul dintre variaţia tensiunii de ieşire a sursei de curent şi variaţia curentului de ieşire al acesteia. pentru tensiune de alimentare şi temperatură constante. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare se defineşte ca variaţia relativă a curentului de ieşire raportată la variaţia relativă a tensiunii de alimentare. Reprezentarea simbolică a unei surse de curent reale conţine un generator ideal de curent conectat în paralel cu o rezistenţă de valoare finită (rezistenţa de ieşire a sursei de curent).Lucrarea a IV-a Simularea funcţionării surselor de curent 4. Creşterea rezistenţei de ieşire este posibilă prin utilizarea configuraţiilor cascod. V O S I CC  ( dIO / IO ) /( dVCC / VCC ) . temperatură şi rezistenţa de sarcină.

4. însă. Tensiunea minimă de ieşire este tensiunea minimă la ieşirea sursei de curent pentru care aceasta funcţionează normal. sensibilitate ridicată a curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare şi dependenţă puternică de temperatură a curentului de ieşire.1) b.1: Oglinda de curent bipolarǎ a. Curentul de ieşire IO  V1  VBE1 R1 (4. având. 4. Oglinda de curent bipolarǎ R1 V1 IO + - + T1 V2 T2 Figura 4.1.1. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare V O SI 1  1 (4.1. fiind uzual limitată de intrarea în saturaţie a tranzistoarelor bipolare sau de trecerea în regiunea liniară a caracteristicii a tranzistoarelor MOS.1. Rezistenţa de ieşire RO  ro2  60 VA2 IO (4.1.2) c. Surse de curent elementare Prezintă avantajul simplităţii. performanţe modeste: rezistenţă de ieşire redusă.3) .

2.8) . Curentul de ieşire IO  V1  VGS1  V1  VGS1 (4. Oglinda de curent CMOS R1 V1 IO + - + - V2 T2 T1 Figura 4. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare V O SI 1  1 61 (4. Dependenţa de temperatură a curentului de ieşire IO  V1  V BE1 (4.7) Se rezolvă ecuaţia de gradul doi.5) 4.6) R1   KR1 VGS1  VT 2 2 (4.1.d.1. b. având ca necunoscută tensiunea VGS1 şi se alege soluţia VGS1  VT .4) R1 (T ) e.2: Oglinda de curent CMOS a. Tensiunea minimă de ieşire VOmin  VCEsat2 (4.

Sursa de curent bipolarǎ cu rezistenţe în emitor R1 V1 IO + - + T1 V2 T2 R3 R4 Figura 4.3: Sursa de curent bipolarǎ cu rezistenţe în emitor a.11) 4.10) R1 (T ) e. Dependenţa de temperatură a curentului de ieşire I O (T )  V1  VGS1 (T ) (4.1. Curentul de ieşire IO  R3 V1  V BE1 R4 R1  R3 62 (4.c.3. Rezistenţa de ieşire 1 RO  rds2  I O (4.1. Tensiunea minimă de ieşire VOmin  VDSsat2  VGS2  VT (4.12) .9) d.

b.4: Sursa de curent CMOS cu rezistenţe în sursǎ 63 .13) c. Sursa de curent CMOS cu rezistenţe în sursǎ R1 V1 IO + - + - V2 T2 T1 R3 R4 Figura 4.1. Rezistenţa de ieşire   R4 RO  ro2  1   r 2  R3 // R1  R4      (4. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare V O SI 1  1 (4.1.4. Dependenţa de temperatură a curentului de ieşire I O (T )  R3 V1  V BE1 (T ) R4 R1 (T )  R3 (T ) (4. Tensiunea minimă de ieşire VOmin  VCEsat2  IO R4 (4.14) d.15) e.16) 4.

Rezistenţa de ieşire  RO  rds2 1  gm2 R4  (4.a.19) c.18) b.17) tensiunea VGS1 fiind soluţia mai mare decât VT a ecuaţiei următoare: V1  VGS1  R1  R3    K VGS1  VT 2 2 (4. Curentul de ieşire IO  R3 V1  VGS1 R4 R1  R3 (4.20) d. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare V O SI 1  1 (4. Tensiunea minimă de ieşire VOmin  VDSsat2  IO R4 64 (4.22) .21) e. Dependenţa de temperatură a curentului de ieşire I O (T )  R3 V1  VGS1 (T ) R4 R1 (T )  R3 (T ) (4.

Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare V O SI 1  1 I R 1 O 2 Vth (4. Rezistenţa de ieşire  R2 RO  ro2  1   r  R 2 2  1 / g m1  65     (4.1.4.5: Sursa de curent Widlar bipolarǎ a. Sursa de curent Widlar bipolarǎ IO R1 V1 + - + - V2 T2 T1 R2 Figura 4. b.5. Curentul de ieşire IO  Vth V1  V BE1 ln R2 R1 I O (4.25) .1.24) c.23) Ecuaţia se rezolvă prin metoda iterativă.

6.1.29) .6: Sursa de curent utilizând V BE ca referinţă a. Sursa de curent utilizând V BE ca referinţă IO R1 V1 + - T2 + - V2 T1 R2 Figura 4. Dependenţa de temperatură a curentului de ieşire Se obţine prin derivarea în raport cu T a ecuaţiei implicite următoare şi separarea termenului dI O / dT : kT V1  V BE (T ) qR2 (T ) R1 (T ) I O (T ) I O (T )  (4. Curentul de ieşire IO  V BE1 R2  Vth V1  V BE1  V BE2 ln R2 R1 I S (4.28) b.27) 4.26) e. Tensiunea minimă de ieşire VOmin  VCEsat2  IO R2 (4.1.d.04 V BE 66 (4. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare V O SI 1  Vth  0 .

c. Dependenţa de temperatură a curentului de ieşire

IO (T ) 

VBE1 (T )

(4.30)

R2 (T )

d. Tensiunea minimă de ieşire
VOmin  VCEsat2  VBE1

(4.31)

4.1.1.7. Sursă de curent cu diodă Zener

R1
T1

V1

+
-

D1
R2
IO

D2
T2

D3

V2

+
-

T3

Figura 4.7: Sursă de curent cu diodă Zener
a. Curentul de ieşire
V
IO  Z
R2

(4.32)

b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de
alimentare
V

SI 1 
O

67

rz V1
R1 VZ 0

(4.33)

c. Rezistenţa de ieşire
RO  ro3

(4.34)

d. Dependenţa de temperatură a curentului de ieşire

V (T )
I O (T )  Z
R2 (T )

(4.35)

e. Tensiunea minimă de ieşire
VOmin  VCEsat3

(4.36)

4.1.2. Surse de curent cu rezistenţă de ieşire mare
Pentru creşterea rezistenţei de ieşire a surselor de curent elementare
se utilizează variantele cascod ale acestora, metoda prezentând dezavantajul
creşterii tensiunii minime de ieşire pentru care circuitul funcţionează corect.
Există posibilitatea proiectării acestor surse pentru o excursie maximă a
tensiunii de ieşire (esenţială în aplicaţiile de joasă tensiune), în contextul
păstrării unei valori ridicate a rezistenţei de ieşire prin polarizarea
tranzistorului inferior al conexiunii cascod la limita de saturaţie.
Oglindă de curent cascod CMOS

R1
IO

V1

+
-

T3

T1

T4

+
-

V2

T2

Figura 4.8: Sursă de curent cascod bipolară

68

a. Curentul de ieşire
V1  R1 I O  2VGS 4 

KR1
VGS 4  VT 2  2VGS 4
2

(4.37)

Se rezolvă ecuaţia de gradul al doilea, având ca necunoscută
tensiunea VGS 4 , reţinându-se soluţia care asigură o polarizare în saturaţie a
tranzistoarelor MOS, VGS4  VT .
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de
alimentare
V
O

(4.38)

2
RO  g m1 rds
1

(4.39)

SI1  1
c. Rezistenţa de ieşire

d. Tensiunea minimă de ieşire
VOmin  2VGS1  VT

(4.40)

4.1.3. Surse de curent cu autopolarizare
Sursele de curent clasice cu autopolarizare derivă din corespondentele
lor elementare, reducerea dependenţei curentului de ieşire de tensiunea de
alimentare presupunând utilizarea unei surse de curent realizate cu tranzistoare
complementare celor constitutive sursei de curent elementare. Limitările sunt
date de efectul Early pentru tranzistoarele bipolare şi de efectul de modulare a
lungimii canalului pentru tranzistoarele MOS. Realizarea unei variante
îmbunătăţite pentru sursa de curent cu autopolarizare necesită utilizarea unei
surse de curent complementare de tip cascod.

69

41) R1 b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare I V I O  th ln  O R1  I S V O SI 1  Vth V BE  V  1  1  VA    1 V 1 A V1 (4.1. Sursa de curent cu autopolarizare utilizând ca referinţă T1 V BE T2 IO I T4 + - V1 T3 R1 Figura 4.43) c. Curentul de ieşire IO  VBE3 (4.42) (4.44) .3. Dependenţa de temperatură a curentului de ieşire I O (T )  V BE3 (T ) 70 R1 (T ) (4.1.9: Sursa de curent cu autopolarizare utilizând V BE ca referinţă a.4.

1.10: Sursa de curent îmbunătăţită cu autopolarizare utilizând V BE ca referinţă b.2.48) .47) 6 c.3. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare  I V A  VBE V 5 I O  th ln O 5 R1  I S V A6  VBE5     (4.45) R1 + - V1 IO T4 T3 R1 Figura 4.4. Curentul de ieşire VBE3 IO  T5 T6 T1 T2 I (4. Sursa de curent îmbunătăţită cu autopolarizare utilizând V BE ca referinţă a. Dependenţa de temperatură a curentului de ieşire I O (T )  V BE3 (T ) 71 R1 (T ) (4.46) V V V A  VA dVBE5 S VI 1  th 1 5 2 6 O VBE dT VA (4.

51) c.1.3.4. Curentul de ieşire V IO  Z R2 (4.3. Sursă de curent cu autopolarizare cu diodă Zener T4 R1 D7 T5 I T1 V1 + - D4 D1 D5 D2 D6 D3 R2 IO V2 + - T3 T2 Figura 4.49) b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare IO  1 R2  V1  VZ0  VZ0  rZ I O  1   VA   r V V SI 1  Z 1 O R2 V A     (4.50) (4. Rezistenţa de ieşire RO  ro3 72 (4.52) .11: Sursă de curent cu autopolarizare cu diodă Zener a.

d.54) Diodele D4  D7 şi rezistenţa R1 formează circuitul de pornire al sursei de curent. necesar pentru ieşirea din starea iniţială.1.3. Sursa de curent cu autopolarizare cu dependenţǎ negativǎ de temperaturǎ T4 T6 T5 IO I T2 IO + - R2 T3 T1 V1 R1 Figura 4.55) S-au presupus toate tranzistoarele MOS identice (NMOS. Dependenţa de temperatură a curentului de ieşire V (T ) I O (T )  Z R2 (T ) (4. caracterizată prin IO  0 .12: Sursa de curent cu autopolarizare cu dependenţǎ negativǎ de temperaturǎ a. respectiv PMOS). 4.53) e. Curentul de ieşire IO  V BE1 R1 (4.4. Tensiunea minimă de ieşire VOmin  VCEsat3 (4. 73 .

57) c.b. Dependenţa de temperatură a curentului de ieşire IO ( T )  VBE1 ( T ) (4. Curentul de ieşire Considerând tranzistoarele T1 şi T7 identice. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare IO   Vth  I O 1  V1  ln  R1  I S  V O SI 1  (4.5.1. rezultă: 74 .3.58) R1( T ) 4. Sursǎ de curent PTAT cu autopolarizare T4 T5 T2 n(W/L) T6 W/L n(W/L) V1 + - T3 A B W/L R1 R2 IO T1 T7 Figura 4.13: Sursǎ de curent PTAT cu autopolarizare a.56) Vth 1 VBE 1  1 V1 (4.

4.60) (4. 4. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare   1   V1  V BE1  VGS2 V I O  th ln n R1  1  VGS5 V SI 1  O    V1 lnn  (4.T (4. Dependenţa de temperatură a curentului de ieşire IO( T )  ct .1. analiza dependenţei de temperatură a VBE . Pentru un tranzistor bipolar se cunoaşte dependenţa logaritmică a tensiunii bază-emitor de curentul de colector: 75 . Surse de curent cu dependenţă redusă de temperatură Majoritatea surselor de curent descrise anterior prezintă o dependenţă importantă de temperatură. Dependenţa de temperatură a tensiunii bază-emitor Realizarea unor surse de curent cu dependenţă redusă de temperatură de tip bandgap se bazează pe compensarea dependenţei negative de temperatură a tensiunii bază-emitor printr-o tensiune de tip PTAT (Proportional To Absolute Temperature). O serie de circuite cu dependenţă redusă de temperatură vor fi studiate în capitolul destinat referinţelor de tensiune. Problema fundamentală pentru studiul comportamentului termic al acestei clase de circuite este. principiul de bază al surselor de curent fiind similar.1. aproximativ liniară (pozitivă sau negativă). Joncţiunea bază-emitor a unui tranzistor bipolar polarizată direct reprezintă sursa de tensiune uzuală pentru obţinerea unui coeficient de temperatură negativ.59) b. Insumarea a două tensiuni cu dependenţe de temperatură complementare.62) 4.1.4.61) c. deci.IO  VBE1  VBE7 V  th ln n  R1 R1 (4. astfel ponderate încât să se compenseze reciproc permite obţinerea unui curent de ieşire cu un coeficient termic de valoare mult mai redusă.

65) Particularizănd expresia anterioară a dependenţei de temperatură a tensiunii bază-emitor pentru T  T0 . energia benzii interzise se va presupune constantă faţă de variaţia temperaturii.VBE( T )  Vth( T ) ln IC ( T ) IS ( T ) (4. rezultă: V BE (T0 )  kT0 I (T ) ln C 0  EG0 q CT0 (4. cu o dependenţă puternică de temperatură:  E I S  CT  exp  G0  Vth     (4. q este sarcina electronului. obţinându-se: V BE (T )   kT  I C (T )  kT  T0  T T ln  ln   V BE (T0 )  E G0  1    q  I C (T0 )  q  T  T0 T 0    (4.65) şi exprimarea VBE (T ) în funcţie de V BE (T0 ) se înmulţeşte (4.63) se obţine: V BE (T )  kT I C (T ) ln  E G0 q CT  (4.9mV pentru temperatura T0  298K . iar  este un parametru constant care caracterizează dependenţa de temperatură a mobilităţii siliciului. extrapolată la temperatura zero absolut ( 0K ).65). Inlocuind (4.66) Pentru eliminarea constantei C din expresia (4. K este constanta lui Bolzman. T este temperatura absolută. având valoarea EG0  1. având valoarea de 25.205V .63) unde Vth  kT / q este tensiunea termică.64) Mărimea E G0 reprezintă energia benzii interzise a siliciului. fiind funcţie de tipul de polarizare a tranzistorului bipolar ( I C (T ) ). iar I S este curentul de saturaţie al tranzistorului.64) în (4.67)   Dependenţa de temperatură a tensiunii bază-emitor are o formă relativ complexă. 76 .66) cu T / T0 şi se scade din (4. Intr-o analiză de ordin I.

2. 4. tensiunea la bornele rezistenţei R 2 va avea o expresie de tip PTAT : V BE1  V BE7 R2 Vth lnn  (4. Sursǎ de curent cu autopolarizare şi dependenţă redusă de temperaturǎ Circuitul sursei de curent este prezentat în Figura 4.Considerând o dependenţă de temperatură uzuală a curentului de colector.4.  fiind un parametru constant faţă de variaţiile temperaturii.T  .71) . a.68) Primul termen al relaţiei (4.69) considerând tranzistoarele T1 şi T7 identice.68) este constant faţă de variaţia temperaturii. se obţine: V BE (T )  E G0  V BE (T0 )  E G0 kT  T  T  (   ) ln  T0 q  T0  (4.14. I C ( T )  ct . având o dependenţă logaritmică de T . al doilea termen prezintă o scădere liniară cu temperatura care va fi compensată prin însumarea cu VBE( T ) a termenului de tip PTAT . deci: V BE (T0 )  EG0 R2 k  ln n   0 T0 R1 q 77 (4. va constitui principala cauză a dependenţei de temperatură pentru curentul de ieşire al sursei de curent după corecţia de ordin I a caracteristicii. Curentul de ieşire şi dependenţa de temperatură a acestuia Deoarece: VGS2  VT  2I 2  n C ox n(W / L)  VT  2I 3  n C ox (W / L)  VGS3 (4.70) R1 R1 Condiţia de anulare a termenului liniar dependent de temperatură al tensiunii bandgap VA  VPTAT  VBE8 ( T ) (cea mai importantă componentă a V R2  R2  V PTAT  dependenţei de temperatură a curentului de ieşire) este. Ultimul termen.1.

73) Observaţie: Nerespectarea prin proiectare a condiţiei (4.14 va avea. constanta  va avea valoarea 1 .T4 n(W/L) T5 T6 W/L W/L IO A T2 n(W/L) T3 + W/L - R1 V2 + - V1 + - R2 V3 + T1 T9 T7 T8 R3 Figura 4.71) de anulare a termenului liniar dependent de temperatură al tensiunii bază-emitor conduce la obţinerea unei dependenţe puternice de temperatură a curentului de ieşire al circuitului. Curentul de ieşire al sursei din Figura 4. pozitivă sau negativă după cum egalitatea (4.71) devine inegalitate în unul din sensurile posibile. următoarea dependenţă de temperatură: I O (T )  1  kT  T  ln    E G 0  (1   ) R3  q  T0  (4. Acestă dependenţă va fi aproximativ liniară. deci.72) Tranzistorul T8 fiind polarizat la un curent de tip PTAT .14: Sursǎ de curent cu autopolarizare şi dependenţă redusă de temperaturǎ rezultând expresia tensiunii de referinţă V A : V A (T )  E G0  (   ) kT  T  ln  q  T0  (4. 78 .

corelându-se cu valorile teoretice corespunzătoare. Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea de alimentare V1 . pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 şi 9V .2.1. Rezistenţa R1 are valoarea 10k . cu un pas de 0 .2.1V . 79 . Surse de curent elementare 4. Panta caracteristicii pentru V2  V2 min furnizează informaţii asupra rezistenţei de ieşire a sursei de curent. Se va determina valoarea RO . V1 şi V 2 sunt surse de tensiune continuă de 9V . b. tranzistoarele T1 şi T 2 sunt de tipul Q2 N 2222 . Pentru a se evidenţia dependenţa rezistenţei de ieşire de tensiunea Early se completează analiza DC anterioară cu o analiză parametrică de variabilă tensiunea Early VAf a tranzistorului bipolar.1. determinându-se tensiunea minimă de ieşire a oglinzii de curent. pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 şi 9V . Oglinda de curent bipolarǎ Se consideră oglinda de curent realizată în tehnologie bipolară din Figura 4.1V . comparându-se cu valoarea determinată teoretic. Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea de ieşire V 2 .1.2.1. Simularea surselor de curent bipolare şi CMOS 4. cu un pas de 10V şi se determină cele 6 valori ale rezistenţei de ieşire. cu un pas de 0 . corelată cu tensiunea Early din modelul asociat implicit tranzistorului utilizat. determinându-se tensiunea minimă de alimentare. se consideră o variaţie a acesteia cuprinsă între 50V şi 100V . Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţia tensiunii de alimentare şi tensiunea minimă de alimentare c. Rezistenţa de ieşire şi tensiunea minimă de ieşire a. Se vizualizează dependenţa curentului de ieşire I O de tensiunea V1 . Se vizualizează dependenţa curentului de ieşire I O de tensiunea V 2 . Se determină conform definiţiei sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţia tensiunii de alimentare analizându-se panta caracteristicii anterioare.4.

determinându-se tensiunea minimă de alimentare. corelându-se cu valorile teoretice corespunzătoare.4. Se va determina valoarea Ro . Pentru a se evidenţia dependenţa rezistenţei de ieşire de rezistenţa drenǎ-sursǎ se completează analiza DC anterioară cu o analiză parametrică de variabilă Rds a tranzistorului MOS. corelată cu rezistenţa drenǎsursǎ din modelul asociat implicit tranzistorului utilizat. Se repetǎ analizele de la paragraful 4.1.2. Oglinda de curent CMOS Se consideră oglinda de curent realizată în tehnologie bipolară din Figura 4. Panta caracteristicii pentru V2  V2 min furnizează informaţii asupra rezistenţei de ieşire a sursei de curent. precum şi creşterea tensiunii minime de ieşire.3 faţǎ de oglinda elementarǎ.2. cu un pas de 10k şi se determină cele 6 valori ale rezistenţei de ieşire. cu un pas de 0 .1V . V1 şi V 2 sunt surse de tensiune continuă de 9V . Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţia tensiunii de alimentare şi tensiunea minimă de alimentare c.1V .3. se consideră o variaţie a acesteia cuprinsă între 50k şi 100k . Oglinda de curent bipolarǎ cu rezistenţe în emitor Se considerǎ sursa de curent bipolarǎ din Figura 4.2. comparându-se cu valoarea determinată teoretic.1. pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 şi 9V . Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea de ieşire V 2 . tranzistoarele T1 şi T 2 sunt de tipul IRF150 . 4. Se vizualizează dependenţa curentului de ieşire I O de tensiunea V1 .2.3. Se determină conform definiţiei sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţia tensiunii de alimentare analizându-se panta caracteristicii anterioare. dependenţǎ mai redusǎ a rezistenţei de ieşire de tensiunea Early. pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 şi 9V .2. Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea de alimentare V1 . determinându-se tensiunea minimă de ieşire a oglinzii de curent.1. Se vizualizează dependenţa curentului de ieşire I O de tensiunea V 2 . Rezistenţa de ieşire şi tensiunea minimă de ieşire a. cu un pas de 0 . 80 . Rezistenţa R1 are valoarea 10k .1. având suplimentar R3  R4  1k . b. şi se determinǎ creşterea rezistenţei de ieşire a sursei de curent din Figura 4.

4.2.1.4. Oglinda de curent CMOS cu rezistenţe în sursǎ
Se considerǎ sursa de curent CMOS din Figura 4.4, având
suplimentar R3  R4  1k .
Se repetǎ analizele de la paragraful 4.2.1.2. şi se determinǎ creşterea
rezistenţei de ieşire a sursei de curent din Figura 4.4 faţǎ de oglinda
elementarǎ, dependenţǎ mai redusǎ a rezistenţei de ieşire de Rds , precum şi
creşterea tensiunii minime de ieşire.
4.2.1.5. Sursă de curent cu diodă Zener
Se consideră sursa de curent din Figura 4.7, cu tranzistoarele T1  T3
de tipul Q2 N 2222 , diodele D1 de tipul D1N750 , D2 şi D3 de tipul

D1N 4148 , R1  R2  1k , V1  V2  15V .
Se repetă analiza de la paragraful 4.2.1.1 a. şi c., extinzându-se
domeniile de variaţie ale tensiunilor V1 şi V 2 până la 15V pentru a permite
funcţionarea diodei D1 în zona de străpungere a caracteristicii.

4.2.2. Surse de curent cascod
4.2.2.1. Oglindă de curent cascod CMOS
Se consideră oglinda de curent cascod realizată în tehnologie CMOS
din Figura 4.8. Rezistenţa R1 are valoarea 1k , toate tranzistoarele sunt de
tipul IRF150 , V1 şi V 2 sunt surse de tensiune continuă de 9V .
Rezistenţa de ieşire şi tensiunea minimă de ieşire
a. Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea de ieşire V 2 ,
pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 şi 9V , cu un pas de
0 ,1V . Se vizualizează dependenţa curentului de ieşire I O de tensiunea V 2 ,
determinându-se tensiunea minimă de ieşire şi valoarea rezistenţei de ieşire ale
sursei de curent cascod.
b. Pentru a se evidenţia dependenţa rezistenţei de ieşire a oglinzii de
curent cascod de rezistenţa rds a tranzistoarelor MOS se completează analiza

DC anterioară cu o analiză parametrică de variabilă rezistenţa rds a
tranzistorului MOS; se consideră o variaţie a acesteia cuprinsă între 50k şi
100k , cu un pas de 10k .

81

Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţia tensiunii de
alimentare şi tensiunea minimă de alimentare
c. Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea de alimentare
V1 , pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 şi 9V , cu un pas
de 0 ,1V . Se vizualizează dependenţa curentului de ieşire I O de tensiunea V1 ,
determinându-se tensiunea minimă de alimentare.
Se determină conform definiţiei sensibilitatea curentului de ieşire faţă
de variaţia tensiunii de alimentare analizându-se panta caracteristicii
anterioare.

4.2.3. Surse de curent cu autopolarizare
4.2.3.1. Sursa de curent cu autopolarizare utilizând VBE ca referinţă
Se consideră sursa de curent din Figura 4.9. Toate tranzistoarele npn
sunt de tipul Q2 N 2222 , cele pnp fiind de tipul Q2 N 2907 A , rezistenţa R1
are valoarea 1k , iar V1 este o tensiune continuă de 9V .
a. Pentru determinarea sensibilităţii curentului de ieşire faţă de
variaţiile tensiunii de alimentare se realizează o analiză DC de variabilă
tensiunea V1 , pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 şi 9V ,
cu un pas de 0 ,1V . Se vizualizează dependenţa curentului I O de tensiunea V1
V

şi se determină S I CC analizându-se panta caracteristicii anterioare. Se
O
remarcă creşterea tensiunii minime de alimentare ca o consecinţă a
autopolarizării.
b. Se completează analiza anterioară cu o analiză parametrică de
variabilă tensiunea Early a tranzistoarelor pnp , al cărei domeniu de variaţie se
alege cuprins între 30V şi 100V , cu un pas de 10V . Se vizualizează
dependenţa curentului I O de tensiunea de alimentare, remarcându-se
obţinerea unei dependenţe reduse a curentului de ieşire de tensiunea de
alimentare, chiar pentru valori reduse ale tensiunii V A .
4.2.3.2. Sursa de curent îmbunătăţită cu autopolarizare utilizând
V BE ca referinţă
Se consideră sursa de curent din Figura 4.10. Toate tranzistoarele sunt
de tipul Q2 N 2222 , cele pnp fiind de tipul Q2 N 2907 A , rezistenţa R1 are
valoarea 1k , iar V1 este o tensiune continuă de 9V .
a. Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea V1 , pentru un
domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 şi 9V , cu un pas de 0 ,1V . Se

82

V

vizualizează dependenţa curentului I O de tensiunea V1 şi se determină S I CC
O
analizându-se panta caracteristicii anterioare. Se remarcă creşterea
suplimentară a tensiunii minime de alimentare ca o consecinţă a
autopolarizării, compensată însă de reducerea dependenţei curentului de ieşire
de tensiunea de alimentare.
b. Se completează analiza anterioară cu o analiză parametrică de
variabilă tensiunea Early a tranzistoarelor pnp , al cărei domeniu de variaţie se
alege cuprins între 30V şi 100V , cu un pas de 10V . Se vizualizează
dependenţa curentului I O de tensiunea de alimentare.
4.2.3.3. Sursă de curent cu diodă Zener cu autopolarizare
Se consideră sursa de curent din Figura 4.11, cu tranzistoarele
T1  T3 de tipul Q2 N 2222 , T4  T5 de tipul Q2 N 2907 A , diodele D1 şi D4
de tipul D1N750 , D2 , D3 şi D5  D7 - de tipul D1N 4148 , R1  10k

R2  1k , V1  V2  15V .
Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea de alimentare V1 ,
pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 şi 15V cu un pas de
0 ,1V . Pe baza caracteristicii obţinute, se determină tensiunea minimă de
alimentare şi sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de
alimentare.
4.2.3.4. Sursa de curent cu autopolarizare şi dependenţǎ negativǎ de
temperaturǎ
Se consideră sursa de curent din Figura 4.12. T1 este de tipul

Q2 N 2907 A , T 2 şi T3 - IRF150 , T4  T6 - IRF9140 , R1  R2  1k şi
V1  15V .
a. Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea V1 , pentru un
domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 şi 15V , cu un pas de 0 ,1V . Se
V

vizualizează dependenţa curentului I O de tensiunea V1 şi se determină S I 1
O
analizându-se panta caracteristicii anterioare. Se remarcă creşterea tensiunii
minime de alimentare ca o consecinţă a autopolarizării, compensată însă de
reducerea dependenţei curentului de ieşire de tensiunea de alimentare.
b. Se completează analiza anterioară cu o analiză parametrică de
variabilă rezistenţa drenǎ-sursǎ a tranzistoarelor PMOS al cărei domeniu de
variaţie se alege cuprins între 50k şi 100k , cu un pas de 10k . Se

83

.3. V1  9V . n  10 . exceptând amplificatorul operaţional.13. T 2 .  T 2 având factorul de aspect W / L .29k .14. Sursǎ de curent PTAT cu autopolarizare Se consideră sursa de curent din Figura 4. iar T4 . Se determinǎ dependenţa de temperaturǎ a tensiunii bazǎ-emitor pentru tranzistorul T8 (aproximativ liniar negativ dependentă de temperaturǎ).2. deci va avea aceeaşi dependenţǎ de temperaturǎ cu V A . R1  R2  1k şi V1  15V .2. Se realizeazǎ o analizǎ DC de variabilǎ temperatura. T3 şi T9 .4. Se va vizualiza dependenţa de temperatură a diferenţei V A  V B pentru două cazuri:  T 2 şi T4 având factori de aspect egali. T4  T6 . Se repetǎ analiza de la paragraful 4.IRF150 .4. Se vizualizeazǎ curentul prin rezistenţa R 2 . I C9  V A / R3 . Datoritǎ limitǎrii programului SPICE la o complexitate relativ redusǎ a circuitelor simulate.IRF150 . b. similarǎ celei a tensiunii bazǎ-emitor. b. Sursǎ de curent cu autopolarizare şi dependenţă redusă de temperatură Se considerǎ sursa de curent din Figura 4.1. a.. R2  6 . T7 şi T8 sunt de tipul Q2 N 2222 . c. Se realizeazǎ o analizǎ DC de variabilǎ temperatura pentru intervalul 0  t  100 o C şi se observǎ dependenţa liniar negativǎ de temperaturǎ a curentului de ieşire. 84 . a.2. T 2 şi T3 . Tranzistoarele T1 . Curentul de ieşire al sursei de curent va depinde liniar de potenţialul în punctul A . R1  1k . se va analiza doar partea din stânga a schemei din Figura 4. pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 şi 100 o C .n(W / L) . de valoare n(W / L) .2.IRF9140 . n  10 . T4  T6 IRF9140 .4. remarcându-se dependenţa de tip PTAT a acestuia. punctul c. Surse de curent cu dependenţă redusă de temperatură 4. 4. remarcânduse dependenţa liniar crescǎtoare cu temperatura a curentului de ieşire. 4. T1 şi T7 sunt de tipul Q2 N 2907 A .4.vizualizează dependenţa curentului I O de tensiunea de alimentare şi se determină cele 6 valori ale sensibilităţii.14.2. tranzistorul T9 şi rezistenţa R3 .

15.29) a S V 1 pentru sursa de curent din Figura 4. 4. Ce efect are introducerea celor două rezistoare în emitoarele/sursee tranzistoarelor oglinzilor de curent bipolare/CMOS? Ce ordin de mărime au curenţii obţinuţi prin utilizarea surselor de curent de tip Widlar? V Deduceţi expresia (4. Deduceţi expresiiile (4. Ce limitări majore prezintă sursele de curent de tip cascod? 8. Se vizualizeazǎ dependenţa de temperaturǎ a tensiunii în punctul A pentru valorile rezistenţelor menţionate mai sus. d.6. Ce diferenţă există între autopolarizarea simplă şi autopolarizarea cascod? 11. V 14. Indicaţi o metodă de reducere a tensiunii minime de ieşire pentru sursele de curent cascod implementate în tehnologie CMOS. O 13.11.11 şi 4. Deduceţi expresia (4. Ce semn va avea coeficientul de temperatură al tensiunii de referinţă a circuitului din Figura 4. e. 10. Intrebări 1. pentru R2  15k .24) a S V 1 pentru sursele de curent din O Figura 4.5.7. Se modificǎ rezistenţa R 2 la valoarea 5k şi se determinǎ noua dependenţǎ de temperaturǎ a tensiunii în punctul A . 3. Care este tensiunea minimă de alimentare a circuitului din Figura 4. Explicaţi pe scurt funcţionarea circuitului de pornire al sursei de curent din Figura 4. 2.51) şi (4. Se repetǎ punctul e. O V Deduceţi expresia (4. 4.c. O 7.43) a S V 1 pentru sursa de curent din Figura 4.9. Ce dezavantaje prezintă autopolarizarea cascod şi în ce tip de aplicaţii nu pot fi utilizate sursele de curent cu acest tip de autopolarizare? 6. Ce avantaje importante au sursele de curent de tip cascod? 9.14 pentru R 2 de valoare redusă? Dar pentru R 2 de valoare mare? 85 .12.57) ale S V 1 pentru sursele de curent O din Figurile 4. V 12.3.6? V Deduceţi expresia (4.33) a S V 1 pentru sursa de curent din Figura 4. 5.

86 . Unitatea de măsură:  . Sensibilitatea tensiunii de referinţă faţă de variaţiile tensiunii de alimentare reprezintă eroarea relativă datorată modificării tensiunii de alimentare a referinţei de tensiune. Este o mărime adimensională şi se poate îmbunătăţi prin autopolarizarea simplă sau cascod a circuitului. Rezistenţa de ieşire se defineşte ca raportul dintre variaţia relativă a tensiunii de ieşire şi variaţia relativă a curentului de ieşire. Deoarece toate componentele electronice prezintă o variaţie a parametrilor cu temperatura. metoda uzuală fiind utilizarea unei oglinzi de curent complementare nucleului referinţei de tensiune.  Parametrii fundamentali ai referinţelor de tensiune Coeficientul de variaţie cu temperatura reprezintă variaţia tensiunii de referinţă raportată la variaţia temperaturii.1. temperatură şi curent de sarcină. Scăderea dependenţei de tensiunea de alimentare se realizează prin autopolarizarea sursei de tensiune elementare. Introducere teoretică O referinţă de tensiune este un circuit care produce o tensiune cu dependenţă redusă de tensiune de alimentare. poate fi îmbunătăţit prin tehnici de corecţie a caracteristicii   şi prin circuite de stabilizare termică.Lucrarea a V-a Simularea funcţionării referinţelor de tensiune 5. Unitatea de măsură: ppm / o K . tehnica de bază utilizată pentru reducerea dependenţei de temperatură este proiectarea circuitului astfel încât variaţiile diferitelor componente să se compenseze reciproc.

2)). Dependenţa de temperatură şi de tensiunea de alimentare a referinţelor de tensiune In funcţie de tipul caracteristicii de temperatură a referinţelor de tensiune se pot defini următoarele clase importante:  Referinţe de tensiune fără corecţia caracteristicii de temperatură.1. în funcţie de mecanismul care stă la bază procesului de stabilizare.1. liniaritatea fiind afectată de prezenţa unui termen de eroare cu o dependenţă logaritmică de temperatură (relaţia (5.5.prezintă o dependenţă de temperatură pozitivă sau negativă.prezintă o dependenţă aproximativ liniar negativă de temperatură. Tensiunea grilă-sursă a unui tranzistor MOS funcţionând în inversie slabă. CTAT     5. Obţinerea unei tensiuni CTAT Variantele uzuale de implementare a unei referinţe de tensiune de tip sunt: Joncţiunea bază-emitor polarizată direct .1.Proportional To Absolute Temperature).Complementary To Absolute Temperature) sau pozitivă ( PTAT . de valoare negativă ( CTAT . 87 . Extractorul de tensiune de prag – tensiunea de prag a tranzistorului MOS are o dependenţă de temperatură aproximativ liniară şi negativă.  Referinţe de tensiune cu corecţie de ordin I (liniare) a caracteristicii de temperatură. Considerând drept criteriu sensibilitatea tensiunii de referinţă faţă de variaţiile tensiunii de alimentare. Dioda Zener .  Referinţe de tensiune cu corecţie de ordin superior a caracteristicii de temperatură. a. Joncţiunea bază-emitor Se consideră circuitul din Figura 5.1.1. referinţele de tensiune se pot clasifica astfel:  Referinţe de tensiune polarizate direct de la sursa de alimentare  Referinţe de tensiune cu autopolarizare simplă  Referinţe de tensiune cu autopolarizare cascod Circuite fără compensarea caracteristicii de temperatură Aceste circuite prezintă un coeficient de temperatură de valoare ridicată.1.

2) Sensibilitatea tensiunii de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare V  VBE VO  Vth ln 1 R1I S (5.68)): VO (T )  V BE1 (T )  E G0  V BE (T0 )  E G0 kT  T T  (   ) ln T0 q  T0     (5. relaţiile (4.1) Dependenţa de temperatură a tensiunii de ieşire Pentru o polarizare a tranzistorului bipolar la un curent de colector de tip PTAT  .1: Joncţiunea bază-emitor Expresia tensiunii de ieşire VO  VBE1 (5.63)-(4.3) Vth  4% VBE (5. se obţine (a se vedea demonstraţia din capitolul anterior.4) V O SV 1  88 .R1 VO V1 + T1 - Figura 5.

2.8) .5) Dependenţa de temperatură a tensiunii de ieşire VO  VZ 0  a( T  T0 ) . Dioda Zener Se consideră circuitul din Figura 5. a  0 (5.b. R1 VO V1 D1 + - Figura 5.2: Dioda Zener Expresia tensiunii de ieşire VO  VZ (5.6) Sensibilitatea tensiunii de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare V  VZ 0 VO  VZ 0  rZ 1 R1 r V V SV 1  Z 1 O R1 VZ 0 89 (5.7) (5.

varianta I Se consideră circuitul din Figura 5.3: Generator CTAT utilizând un extractor VT .9) Dependenţa de temperatură a tensiunii de ieşire Tensiunea de prag a dispozitivelor MOS are o variaţie cu temperatura liniară şi negativă: VO  VT  VT 0  aT  T0  . a  0 90 (5. I3 T1 K 1:1 I1 I2 T2 K T4 4K T6 K V2 T5 4K + T3 K V1 - VO T7 K + - Figura 5.varianta I Expresia tensiunii de ieşire Neglijând efectul de modulare a lungimii canalului se obţine I 1  I 2  I 3  I . Generator CTAT utilizând un extractor VT . deci:  2I VO  2VGS4  VGS3  2VT   4 K      VT      2I K    VT   (5.10) .3.c.

Considerarea diferenţei a două tensiuni grilă-sursă pentru tranzistoare MOS funcţionând în inversie slabă. Considerarea diferenţei a două tensiuni bază-emitor pentru tranzistoare bipolare funcţionând la densităţi de curent diferite. I2 T1 K 1:1 I1 T3 T2 A + V1 - T4 K T7 4K VO T5 K 1:1 T6 K T8 4K Figura 5. Utilizarea unui bloc OVF (Offset Voltage Follower).4: Generator CTAT utilizând un extractor VT . Obţinerea unei tensiuni PTAT Metodele de obţinere a unei tensiuni de tip PTAT sunt: Utilizarea unei diode Zener cu coeficient de temperatură pozitiv.12) 5.varianta a II-a Expresia tensiunii de ieşire Similar circuitului anterior. se obţine: VO  2VGS7  VGS4  VT (5. a  0     (5. Generator CTAT utilizând un extractor VT .2.1.d.4. prezentând avantajul înlocuirii necesităţii unei împerecheri riguroase a două rezistenţe cu necesitatea realizării unui factor de transfer de valoare precisă al unei oglinzi de curent CMOS.11) Dependenţa de temperatură a tensiunii de ieşire VO  VT  VT 0  aT  T0  .varianta a II-a Se consideră circuitul din Figura 5.1. 91 .

considerând ( W / L )3  ( W / L )5 . T7 T6 T5 + V1 T4 T3 VO R2 R1 T1 T2 Figura 5. rezultă VGS3  VGS4 .a. expresia tensiunii de ieşire este: VO   ( W / L )5  R2 VBE1  VBE2 R  2 Vth ln   R1 R1 R1  ( W / L )6  (5.13) Dependenţa de temperatură a tensiunii de ieşire VO  ct .1b. Dioda Zener Analiza teoretică este identică cu cea de la paragraful 5.5. singura diferenţă fiind valoarea pozitivă a constantei a .T 92 (5.5: Generator PTAT cu autopolarizare Expresia tensiunii de ieşire Pentru o funcţionare în regim activ normal a tranzistoarelor bipolare şi în saturaţie a tranzistoarelor MOS. b. ( W / L )4  ( W / L )6 .14) .1.1. T1 şi T2 fiind identice. Generator PTAT cu autopolarizare Se consideră circuitul din Figura 5.

se obţine:  R  R  R5   Vth ln 2  VO   1  3 R4   R1   (5. tranzistoarele T1 şi T2 fiind identice.18) .T 93 (5.Sensibilitatea tensiunii de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare Considerarea efectului de modulare a lungimii canalului pentru tranzistoarele T5 şi T6 conduce la obţinerea următoarei relaţii mai exacte a tensiunii de ieşire: VO    ( W / L )5 1   V1  VGS3  VBE1 R2 Vth ln   ( W / L )6 R1 1  VGS6  V O SV1  V1  ( W / L )5  ln    ( W / L )6     (5. deci s-a considerat valabilă relaţia VGS3  VGS4 .16) S-a neglijat efectul de modulare a lungimii canalului pentru tranzistoarele T3 şi T4 . Expresia tensiunii de ieşire Potenţialele celor două intrări ale amplificatorului operaţional fiind egale. e.6. Generator PTAT utilizând un amplificator diferenţial cu dezechilibru controlat Se consideră circuitul din Figura 5.15) (5.17) Dependenţa de temperatură a tensiunii de ieşire VO  ct .

1.1.7: Referinţǎ de tensiune bandgap elementarǎ 94 .7. o variantă cu autopolarizare fiind prezentată în Figura 5.6: Generator PTAT utilizând un amplificator diferenţial cu dezechilibru controlat Circuite cu corecţia de ordin I a caracteristicii de temperatură – referinţa de tensiune bandgap 5.V1 + - R2 R1 R3 + VO - T1 T2 R4 V2 + R5 I1 Figura 5. Referinţǎ de tensiune bandgap elementarǎ Există multiple implementări ale referinţei de tensiune bandgap elementare.3. T6 T8 T7 V1 + - T4 T5 A B VO R2 R1 I T1 T2 T3 Figura 5.

se obţine următoarea condiţie de proiectare: ( W / L )4 ( W / L )6  ( W / L )5 ( W / L )7 (5. Prima posibilitate utilizează tranzistoarele T1 şi T2 identice şi oglinda de curent T6  T7 cu factor de transfer supraunitar.19) A doua posibilitate constă în impunerea unui factor de transfer unitar oglinzii de curent T6  T7 . In tehnologia CMOS. utilă pentru obţinerea unui coeficient de temperatură al curentului PTAT de valoare ridicată. Este posibilă. însă. ( W / L )6  ( W / L )7 . condiţia VA  VB implică ( W / L )4  ( W / L )5 .19). şi proiectarea unei versiuni cu asimetrie dublă. obţinerea tranzistoarelor bipolare ca dispozitive parazite necesită utilizarea unei suprafeţe de siliciu mult mai mari decât cea aferentă unui tranzistor MOS. evident. Există două posibilităţi de proiectare a referinţelor de tensiune de acest tip. Asimetria controlată este realizată de tranzistoarele T1 şi T2 . considerându-se respectată relaţia (5. este necesar ca VGS4  VGS5 .20) Considerând o dependenţă de temperatură a tensiunii bază-emitor exprimată prin relaţia: 95 .Expresia tensiunii de ieşire şi dependenţa sa de temperatură Principiul de bază al acestui circuit este compensarea dependenţei negative de temperatură a tensiunii V BE3 prin tensiunea de tip PTAT existentă la bornele rezistenţei R 2 . Considerând o funcţionare în saturaţie a tranzistoarelor MOS. Expresia tensiunii de ieşire a referinţei de tensiune bandgap este: VO ( T )  VBE3 ( T )   ( W / L )6  R2 Vth ln   R1  ( W / L )7  (5. In analiza teoretică de mai jos se va studia prima posibilitate de proiectare. Curenţii de drenă ai tranzistoarelor T4 şi T5 fiind egali. I S2  I S1 . Pentru ca potenţialele punctelor A şi B să fie egale. preferându-se utilizarea unor tranzistoare bipolare cu arie cât mai redusă. datorată ambelor perechi de tranzistoare.

24) 5.8. se obţine aceeaşi dependenţă logaritmică de temperatură a tensiunii de ieşire. deci: VO (T )  E G0  (1   ) kT  T  ln  q  T0  (5.V BE (T )  E G0  V BE (T0 )  E G0 kT  T  T  (   ) ln  T0 q  T0  (5.22) rezultând o tensiune de ieşire a referinţei de tensiune bandgap cu corecţie de ordin I a caracteristicii exprimată prin: VO (T )  E G0  (   ) kT  T ln q  T0     (5. Expresia tensiunii de ieşire şi dependenţa sa de temperatură VO ( T )  VBE2 ( T )  R  R1 Vth ln 1  R3  R2  (5. Referinţǎ de tensiune bandgap utilizând un AO – varianta I Se consideră circuitul din Figura 5.24) (deoarece tranzistoarele lucrează la un curent de colector de tip PTAT .1.1.   1 ).4.20) este: VBE ( T0 )  EG0   ( W / L )6  R2 Vth0 ln   0 R1  ( W / L )7  (5.23) Deoarece tranzistorul T3 funcţionează la un curent de colector de tip PTAT . exprimată prin (5.2) a tensiunii bază-emitor şi impunând condiţia de anulare a termenului liniar dependent de temperatură din expresia acestuia (similar relaţiei (5. tranzistoarele T1 şi T2 fiind identice. 96 .21) condiţia de anulare a termenului liniar dependent de temperatură din expresia (5.25) Considerând dependenţa de temperatură (5.22)).   1 .

9. 97 . Referinţǎ de tensiune bandgap utilizând un AO – varianta a II-a Se consideră circuitul din Figura 5.26) Condiţia de corecţie de ordin I a caracteristicii de temperatură a referinţei de tensiune (   1 ) implică o tensiune de ieşire exprimată prin relaţia (5. Expresia tensiunii de ieşire şi dependenţa sa de temperatură  R  R5 VO ( T )  VBE3 ( T )   1  3 R4   R   Vth ln 2   R1   (5. având tranzistoarele T1 şi T2 identice.5.8: Referinţǎ de tensiune bandgap utilizând un AO – varianta I 5.1.V1 R1 R2 + - I + VO - R3 T1 T2 V2 + Figura 5.1.24).

având tranzistoarele T1 şi T2 identice.10: Referinţǎ de tensiune bandgap cu tensiune de ieşire ajustabilǎ utilizând un AO 98 .6.1.V1 - R2 R1 R3 + + VO - T1 T2 R4 V2 + R5 I1 T3 Figura 5.9: Referinţǎ de tensiune bandgap utilizând un AO – varianta a II-a 5. Referinţǎ de tensiune bandgap cu tensiune de ieşire ajustabilǎ utilizând un AO Se consideră circuitul din Figura 5.10.1. V1 + - R1 R2 + VO - R3 T1 R6 T2 V2 + R4 A I R5 R7 Figura 5.

5.11.1. Referinţǎ de tensiune cu diodǎ Zener Se consideră circuitul din Figura 5.7.1. se obţine:   R  R  R  R  VO ( T )   1  6  VBE2 ( T )  5  1  1  Vth ln 1  R7   R4  R2   R2   (5.Expresia tensiunii de ieşire şi dependenţa sa de temperatură Neglijând curenţii de bază.27) Corecţia de ordin I a caracteristicii (   1 ) implică:  T R  VO ( T )   1  6   EG 0  1   Vth ln R 7     T0    (5.28) deci o tensiune de ieşire ajustabilă prin reglarea raportului de rezistenţe R6 / R7 . I1 + V1 T1 T2 R1 D1 VO R2 T3 Figura 5.11: Referinţǎ de tensiune cu diodǎ Zener 99 .

Observaţie: Pentru o diodă Zener cu coeficient de temperatură pozitiv.29) Considerând o dependenţă liniară de temperatură a tensiunii de stabilizare a diodei Zener.12 varianta a doua.12. este posibilă alegerea raportului R1 / R2 pentru anularea termenului liniar dependent de temperatură al VBE( T ) . se alege pentru circuitul din Figura 5. neglijând efectul de modulare a lungimii canalului. în timp ce pentru diode Zener cu coeficient de temperatură negativ. deci I S2  I S1 . este necesar ca R1  2 R2 .1.Expresia tensiunii de ieşire şi dependenţa sa de temperatură VO ( T )  R2 R1  R2  R  VZ ( T )  VBE ( T ) 1  2    R2  (5.1.1.1. 5. cu R3  R4 . inegalitatea se inversează.8. In acest caz. expresia tensiunii de ieşire a referinţei de tensiune devine: VO( T )  ( I1  I4 )R2 T5 (5.3. Expresia tensiunii de ieşire şi dependenţa sa de temperatură Referindu-ne la posibilităţile de proiectare enunţate în paragraful 5.12: Referinţă de tensiune bandgap cu funcţionare în curent 100 .30) T6 T7 + V1 T3 T4 I4 A R3 VO B R1 R4 R2 I1 T1 T2 Figura 5. Referinţă de tensiune bandgap cu funcţionare în curent Se consideră circuitul din Figura 5.

13. căderea de tensiune pe R4 nu este suficientă pentru a deschide tranzistorul T4 . 5.2. ceea ce produce o scădere a puterii disipate şi. T1 comută în blocare. Pe măsură ce temperatura creşte.2Ω 1kΩ Figura 5.2kΩ 2kΩ T3 T4 R2 R4 4. Circuit de stabilizare termică pentru referinţe de tensiune Imbunătăţirea suplimentară a comportamentului termic al referinţelor de tensiune este posibilă prin limitarea domeniului maxim de variaţie a temperaturii cipului.31) Condiţia de corecţie liniară a caracteristicii este similară celei deduse pentru circuitele anterioare. Rezultatul acestei bucle de reacţie va fi o caracteristică de temperatură care tinde asimptotic spre temperatura de echilibru. T4 începe să conducă. tranzistorul T1 este în conducţie puternică.1. Pentru o temperatură a capsulei mai mică decât temperatura de echilibru. T4 este tranzistorul de blocare termică care controlează puterea disipată pe capsulă prin comanda etajului Darlington T1  T2 . deci. O implementare posibilă a unui circuit de stabilizare termică este prezentată în Figura 5. Pentru temperaturi mici. a ratei de creştere a temperaturii.13: Circuit de stabilizare termică pentru referinţe de tensiune 101 . T8 R5 T9 1kΩ D3 + V1 - T7 T6 T5 T2 T1 R3 R1 D1 D2 11. IS R VO ( T )  2 Vth ln 2  IS R1  1     R2 VBE1 ( T ) R4 (5. curentul prin circuit fiind limitat doar de circuitul realizat cu T3 şi elementele aferente.

T6 .6 mV / K 1k  11. căderea de tensiune pe rezistenţa R4 va creşte cu o rată: 1k 3mV / K  2  2. Valorile rezistenţelor R3 şi R4 sunt astfel alese încât să rezulte pentru o temperatură a capsulei de 25 o C o tensiune la bornele rezistenţei R4 de valoare: V  2VBE U R4  Z R4  0 . considerând că dioda Zener are un coeficient de temperatură pozitiv ( 3mV / K ).1mV / K   0. este de 600mV la pentru o variaţie de (5.35) Diodele D2 . iar tensiunea bază-emitor unul negativ ( 2.1mV / K  70K (5. 102 .Circuitul de termostatare este format din T4 .32) insuficientă pentru deschiderea tranzistorului T4 .T7 .34) In consecinţă.6  2. R4 şi dioda Zener D1 . O dată cu creşterea temperaturii. R3 .1mV / K ).2k Totodată. deconectat după intrarea diodei D1 în regim de stabilizare prin blocarea diodei D3 . acesta va intra în conducţie temperatură faţă de 298K de valoare: T  600  410mV 0. creşterea temperaturii are ca efect deschidere a tranzistorului T4 .41V R3  R4 (5. D3 şi rezistenţa R5 formează circuitul de pornire.33) scăderea tensiunii de celor două tendinţe. Ca un rezultat al considerând că tensiunea de deschidere a lui T4 temperatura de 298K . temperatura de echilibru va fi: Tech  298K  T  368K (5.

V1  9V şi T1 de tipul Q2N 2222 . Joncţiunea bază-emitor Se consideră circuitul din Figura 5. Se vizualizează 103 .5. Se realizează o analiză DC de variabilă temperatura. c. V1  9V şi V2  3V . pentru un domeniu de variaţie a acesteia cuprins între 0 o C şi 100 o C .2.4 pentru care tranzistoarele T1  T3 sunt de tipul IRF9140. Generator CTAT utilizând un extractor VT .2 pentru care R1  1k . pentru un domeniu de variaţie a acesteia cuprins între 0 o C şi 100 o C . având R1  1k . Dioda Zener Se consideră circuitul din Figura 5. Se vizualizează tensiunea de ieşire şi se determină valoarea coeficientului de temperatură al acesteia.1.varianta a II-a Se consideră circuitul din Figura 5. T7 şi T8 au factorul de aspect de 4 ori mai mare decât al celorlalte tranzistoare NMOS şi V1  9V . Se realizează o analiză DC de variabilă temperatura. Se realizează o analiză DC de variabilă temperatura. V1  15V şi D1 de tipul D1N750. T3  T7 . d.1.IRF150 . Se realizează o analiză DC de variabilă temperatura. b.1. pentru un domeniu de variaţie a acesteia cuprins între 0 o C şi 100 o C . Simularea referinţelor de tensiune bipolare şi CMOS 5.varianta I Se consideră circuitul din Figura 5.2. Obţinerea unei tensiuni CTAT a. T4  T8 . Dependenţa de temperatură a referinţelor de tensiune Circuite fără compensarea caracteristicii de temperatură 5. Se vizualizează tensiunea de ieşire şi se determină valoarea coeficientului de temperatură al acesteia. Se vizualizează tensiunea de ieşire şi se determină valoarea coeficientului de temperatură al acesteia.3 pentru care tranzistoarele T1  T2 sunt de tipul IRF9140.1. Generator CTAT utilizând un extractor VT . T4 şi T5 au factorul de aspect de 4 ori mai mare decât al celorlalte tranzistoare NMOS.IRF150 .2. pentru un domeniu de variaţie a acesteia cuprins între 0 o C şi 100 o C .

T5 având parametrul W de 10 ori mai mare decât al tranzistoarelor T6 şi T7 . T3  T4 . pentru un domeniu de variaţie a acesteia cuprins între 0 o C şi 100 o C .IRF9140. iar T3 având W de 10 ori mai mare decât al tranzistorului T4 . R1  R4  R5  1k R2  10k . 5.35k şi V1  9V . b. având T1 şi T2 de tipul Q2N 2907 A . Circuite cu corecţia de ordin I a temperatură caracteristicii de 5. Se realizează o analiză DC de variabilă temperatura. cu T1 şi T2 de tipul Q2N 2222 . pentru un domeniu de variaţie a acesteia cuprins între 0 o C şi 100 o C . Obţinerea unei tensiuni PTAT a.2.2. Se realizează o analiză DC de variabilă temperatura. T6  T8 . Se realizează o analiză DC de variabilă temperatura.7. 104 .IRF150 .tensiunea de ieşire şi se determină valoarea coeficientului de temperatură al acesteia. Se vizualizează tensiunea de ieşire şi se determină valoarea coeficientului de temperatură al acesteia. având T1  T3 de tipul .3. amplificatorul operaţional de tipul A741 . Se vizualizează tensiunea de ieşire şi se determină valoarea coeficientului de temperatură al acesteia. Q2 N 2907 A .2. R2  8. T5  T7 . a. Generator PTAT utilizând un amplificator diferenţial cu dezechilibru controlat Se consideră circuitul din Figura 5. Generator PTAT cu autopolarizare Se consideră circuitul din Figura 5. R1  R2  1k şi V1  15V .1. pentru un domeniu de variaţie a acesteia cuprins între 0 o C şi 100 o C . (W / L) 4  10(W / L) 5 . R1  1k . Referinţǎ de tensiune bandgap elementarǎ Se considerǎ circuitul din Figura 5. I1  1mA şi V1  V2  9V . Se vizualizeazǎ dependenţa de tip PTAT a tensiunii la bornele rezistenţei R2 şi se determină coeficientul de temperatură al acesteia.1. T4 şi T5 (W / L) 6  10(W / L)7  10(W / L) 8 .IRF9140 .5.IRF150 . R3  5k .6.

Se modificǎ succesiv valoarea rezistenţei R 2 la 15k şi. 105 . 5. Se realizează o analiză DC de variabilă temperatura. Se vizualizează tensiunea de ieşire şi se determină domeniile pentru care coeficientul de temperaturǎ are valori pozitive. 5. R1  R4  R5  1k R2  10k . 5k şi se determinǎ noul comportament termic al referinţei de tensiune. a. amplificatorul operaţional de tipul A741 şi V1  V2  9V . I1  1mA şi V1  V2  9V . Se vizualizeazǎ dependenţa de tip CTAT a tensiunii VBE2 şi se determină coeficientul de temperatură al acesteia. pentru un domeniu de variaţie a acesteia cuprins între 0 o C şi 100 o C .1k .2. b. Se vizualizeazǎ dependenţa de tip PTAT a curentului I . R1  9.2.9. Se realizează o analiză DC de variabilă temperatura. R3  1k . d.25k . cu T1  T3 de tipul Q2N 2222 . respectiv. respectiv negative. Se vizualizeazǎ dependenţa de tip PTAT a tensiunii la bornele rezistenţei R4 şi se determină coeficientul de temperatură al acesteia. Se vizualizează tensiunea de ieşire şi se determină domeniile pentru care coeficientul de temperaturǎ are valori pozitive. Referinţǎ de tensiune bandgap utilizând un AO – varianta a II-a Se consideră circuitul din Figura 5.8. respectiv.1. respectiv negative.b. R2  1k . Referinţǎ de tensiune bandgap utilizând un AO – varianta I Se considerǎ circuitul din Figura 5. Cât este temperatura de referinţǎ a circuitului? e. c. amplificatorul operaţional de tipul A741 .4. Se modificǎ succesiv valoarea rezistenţei R1 la 15k şi. având T1 şi T 2 de tipul Q2 N 2222 . R3  9.1. a. 5k şi se determinǎ noul comportament termic al referinţei de tensiune. pentru un domeniu de variaţie a acesteia cuprins între 0 o C şi 100 o C . Se vizualizeazǎ dependenţa de tip PTAT a tensiunii la bornele rezistenţei R2 şi se determină coeficientul de temperatură al acesteia. c. Se vizualizeazǎ dependenţa de tip CTAT a tensiunii VBE3 şi se determină coeficientul de temperatură al acesteia.5. Cât este temperatura de referinţǎ a circuitului? d.

Se modificǎ valoarea rezistenţei R6 la valoarea de 4k . 106 . amplificatorul operaţional de tipul A741 şi V1  V2  15V . I 1  1mA şi V1  9V .6. pentru un domeniu de variaţie a acesteia cuprins între 0 o C şi 100 o C . d. Se realizează o analiză DC de variabilă temperatura. Se modificǎ succesiv valoarea rezistenţei R3 la 15k şi. respectiv. Se vizualizeazǎ dependenţa de tip CTAT a tensiunii la bornele diodei D1 şi se determină coeficientul de temperatură al acesteia. 5. D1 de tipul D1N750 . Se vizualizeazǎ dependenţa de tip CTAT a tensiunilor VBE1 . R6  3k . Cât este temperatura de referinţǎ a circuitului? e.. având T1  T3 de tipul Q2 N 2222 . R1  1.. Se vizualizeazǎ dependenţa de tip PTAT a tensiunii la bornele rezistenţei R5 şi se determină coeficientul de temperatură al acesteia. Se realizează o analiză DC de variabilă temperatura. a. 5k şi se determinǎ noul comportament termic al referinţei de tensiune. Se vizualizează tensiunea de ieşire şi compară valoarea acesteia cu cea obţinută în urma analizei teoretice.65k . Se vizualizeazǎ dependenţa de tip PTAT a curentului I . a.b. Referinţǎ de tensiune bandgap cu tensiune de ieşire ajustabilǎ utilizând un AO Se considerǎ circuitul din Figura 5. având T1 şi T 2 de tipul R1  8 . Se vizualizează tensiunea de ieşire şi se determină valoarea coeficientului de temperatură. R2  1k . Q2 N 2222 . respectiv negative. Referinţǎ de tensiune cu diodǎ Zener Se considerǎ circuitul din Figura 5. VBE2 şi VBE3 şi se determină coeficientul de temperatură al acestora. Se determinǎ noua valoare a tensiunii de referinţǎ şi se comparǎ cu valoarea teoreticǎ. c.43k .10. Se vizualizeazǎ dependenţa de tip CTAT a tensiunii VBE2 şi se determină coeficientul de temperatură al acesteia. Se vizualizeazǎ dependenţa de tip CTAT a tensiunii VBE3 şi se determină coeficientul de temperatură al acesteia.2. d.1.7. b. c. Se determină domeniile pentru care coeficientul de temperaturǎ are valori pozitive. b. R2  .  R5  R7  1k . pentru un domeniu de variaţie a acesteia cuprins între 0 o C şi 100 o C .11. 5.1.2.

1.2. Joncţiunea bază-emitor Se consideră circuitul din Figura 5. Se vizualizează dependenţele de temperatură pentru curenţii prin rezistenţele R1 şi R4 ( PTAT . pentru un domeniu de variaţie a acesteia cuprins între 0 o C şi 100o C . Se vizualizează tensiunea de ieşire şi se determină valoarea coeficientului de temperatură. R1  620 . Dependenţa de tensiunea de alimentare a referinţelor de tensiune Circuite fără compensarea caracteristicii de temperatură 5. V1  15V şi D1 de tipul D1N750. 5. Se modificǎ succesiv valoarea rezistenţei R1 la 10k şi. Obţinerea unei tensiuni CTAT a. Cât este temperatura de referinţǎ a circuitului? e. T3  T4 - IRF150 .8.c. d. V1  15V şi T1 de tipul Q2N 2222 . respectiv.1. Se vizualizeazǎ dependenţa de tip PTAT a tensiunii la bornele rezistenţelor R1 şi R2 şi se determină coeficientul de temperatură al acestora. T2 având curentul de saturaţie de 4 ori mai mare decât T1 .12. respectiv CTAT ) şi se determină coeficienţii de variaţie cu temperatura ai acestora. pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 si 15V şi se determină valorile tensiunii minime de alimentare şi sensibilităţii tensiunii de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare. R2  1k . 107 . b. 5. R3  R4  8k şi V1  15V . T5  T7 - IRF9140.1. Se realizează o analiză DC de variabilă temperatura. Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea de alimentare V1 . respectiv negative.2. 1k şi se determinǎ noul comportament termic al referinţei de tensiune. b.2 pentru care R1  1k . Se vizualizează tensiunea de ieşire şi se determină domeniile pentru care coeficientul de temperaturǎ are valori pozitive.2.2. având T1 şi T2 de tipul Q2N 2907 A .2. Referinţă de tensiune bandgap cu funcţionare în curent Se consideră circuitul din Figura 5. a. Dioda Zener Se consideră circuitul din Figura 5. având R1  1k .

Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea de alimentare V1 . Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea de alimentare V1 . având T1 şi T2 de tipul Q2N 2907 A . Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea de alimentare V1 . pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 si 15V şi se determină valorile tensiunii minime de alimentare şi sensibilităţii tensiunii de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare. 108 .5.2. pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 si 15V şi se determină valorile tensiunii minime de alimentare şi sensibilităţii tensiunii de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare. Generator CTAT utilizând un extractor VT . T4 şi T5 au factorii de aspect de 4 ori mai mari decât ai celorlalte tranzistoare NMOS. (W / L) 5  10(W / L) 6  10(W / L)7 . T4  T8 .3 pentru care tranzistoarele T1  T3 sunt de tipul IRF9140.2.4 pentru care tranzistoarele T1  T3 sunt de tipul IRF9140. c.Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea de alimentare V1 . Generator PTAT cu autopolarizare Se consideră circuitul din Figura 5. V1  15V şi V2  3V . Obţinerea unei tensiuni PTAT a. pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 si 15V şi se vizualizează tensiunea de ieşire. pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 si 15V şi se determină valorile tensiunii minime de alimentare şi sensibilităţii tensiunii de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare.IRF150 . d.varianta a II-a Se consideră circuitul din Figura 5. R1  R2  1k şi V1  15V . T3  T4 T5  T7 IRF150 .varianta I Se consideră circuitul din Figura 5. T7 şi T8 au factorii de aspect de 4 ori mai mari decât ai celorlalte tranzistoare NMOS şi V1  15V . 5.2. IRF9140. T4  T7 . Generator CTAT utilizând un extractor VT . (W / L) 3  10(W / L) 4 .IRF150 .

R2  8.b.3.2. având T1  T3 de tipul .2.IRF9140 .IRF150 .4. 5.7. cu T1 şi T2 de tipul Q2N 2222 . Referinţǎ de tensiune bandgap elementarǎ Se considerǎ circuitul din Figura 5. Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea de alimentare V1 . (W / L) 6  10(W / L)7  10(W / L) 8 .25k . Q2N 2907 A . R2  10k . R3  1k . Generator PTAT utilizând un amplificator diferenţial cu dezechilibru controlat Se consideră circuitul din Figura 5. 109 .2.6. amplificatorul operaţional de tipul A741 .2. R1  R4  R5  1k . pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 si 15V şi se determină valorile tensiunii minime de alimentare şi sensibilităţii tensiunii de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare. I1  1mA şi V1  V2  15V . Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea de alimentare V1 . pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 si 15V şi se determină valorile tensiunii minime de alimentare şi sensibilităţii tensiunii de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare. T6  T8 . T4 şi T5 (W / L) 4  10(W / L) 5 . având T1 şi T 2 de tipul Q2N 2222 . Referinţǎ de tensiune bandgap utilizând un AO – varianta I Se considerǎ circuitul din Figura 5.35k şi V1  15V . R1  9.8. R1  1k . R2  1k . R3  5k . Circuite cu corecţia de ordin I a temperatură caracteristicii de 5. amplificatorul operaţional de tipul A741 şi V1  V2  15V . Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea de alimentare V1 . pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 si 15V şi se determină valorile tensiunii minime de alimentare şi sensibilităţii tensiunii de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare.

3. R1  1. T5 .1N4148.5.1k . Referinţǎ de tensiune cu diodǎ Zener Se considerǎ circuitul din Figura 5. R2  4. pentru un domeniu de variaţie a acesteia cuprins între 0 o C şi 100 o C . Se realizează o analiză DC de variabilă temperatura. T8 şi T9 . R2  1k . Se înlocuieşte sursa de curent ideală I1 cu o rezistenţă de 1k şi se repetă analiza anterioară.13. I1  1mA şi V1  V2  15V . Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea de alimentare V1 . T6 .5.11. a.2 . cu T1  T3 de tipul Q2N 2222 . având tranzistoarele T1  T4 şi T7 de tipul Q2N 2222 . Se vizualizează curenţii de colector ai tranzistoarelor T4 (tranzistorul de comandă a declanşării protecţiei termice) şi T1 (tranzistorul de comandă a rezistenţei de încălzire) şi se determină valoarea aproximativă a temperaturii de declanşării protecţiei. precum şi puterea disipată în rezistenţa de încălzire pentru temperaturi reduse ( t  60 o C ). D1 de tipul D1N750 . R3  9. D1 şi D2 D1N958A . R1  R4  R5  1k R2  10k . D3 . Referinţǎ de tensiune bandgap utilizând un AO – varianta a II-a Se consideră circuitul din Figura 5. 5. 5. având T1  T3 de tipul Q2 N 2222 .2k . pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 si 15V şi se determină valorile tensiunii minime de alimentare şi sensibilităţii tensiunii de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare.2.Q2 N 2907 A . punându-se în evidenţă modificarea rejecţiei tensiunii de alimentare. R1  2k . Se realizează o analiză DC de variabilă tensiunea de alimentare V1 . amplificatorul operaţional de tipul A741 .9. R3  11. I1  1mA şi V1  15V .2. pentru un domeniu de variaţie al acesteia cuprins între 0 si 15V şi se determină valorile tensiunii minime de alimentare şi sensibilităţii tensiunii de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare.2.43k .2.6. b. R5  1k şi V1  9V . R4  1k .2. 110 . Circuit de stabilizare termică Se consideră circuitul din Figura 5.

O 5.1.2.5 pentru ca V A  V B ? 7.10 şi Figura 5. 8.1. conduce la obţinerea unui circuit cu arie minimă? 10.5. Ce relaţie trebuie să existe între factorii de aspect ai tranzistoarelor T3  T6 din Figura 5. Ce posibiliăţi practice de implementare a unei surse de tensiune PTAT există? Ce posibiliăţi practice de implementare a unei surse de tensiune CTAT există? V Deduceţi expresia (5. Care este principiul de bază al corecţiei de ordin I a caracteristicii de temperatură? 9. 2. Care este valoarea minimă a sursei de tensiune V 2 din Figura 5. Ce tip de dependenţă de temperatură are tensiunea de referinţă cu corecţie de ordin I a caracteristicii? 11. O V Deduceţi expresia (5.1.3? 6. Intrebări 1. Care posibilitate de proiectare dintre cele două enunţate în paragraful 5. 111 .4) a S V 1 pentru circuitul din Figura 5.3.8) a S V 1 pentru circuitul din Figura 5. Ce posibilitate de reglare a valorii tensiunii de referinţă există pentru circuitelor din Figura 5.3.6. Deduceţi expresia (5. 3.17) a tensiunii de ieşire a circuitului din Figura 5.12? 4.

1. Amplificatorul inversor Se consideră amplificatorul inversor din Figura 6.1: Amplificatorul inversor 112 . R3 10k R1 C1 100 C3 C2 R2 C4 + O U1 1k R5 10k I C5 -V R4 GEN Figura 6.Lucrarea a VI-a Studiul experimental al circuitelor elementare cu amplificatoare operaţionale 6.1.

6.1.1. Se realizează conexiunile C1 şi C3. Se aplică la intrarea
circuitului (borna “I”) un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 100mV şi
frecvenţa de 1kHz.
Se vizualizează semnalul de ieşire (borna “O”) şi se compară cu
rezultatul teoretic.
6.1.2. Se repetă punctul 6.1.1. pentru conexiunile C1 şi C4.

6.2. Amplificatorul neinversor
Se consideră amplificatorul neinversor din Figura 6.2.
R2
9k

R1=1k

-

C1

+

O
U1

C2
R4
10k

GEN
R3

-V

Figura 6.2: Amplificatorul neinversor
6.2.1. Se realizează conexiunea C1. Se aplică la intrarea circuitului
(borna “I”) un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 100mV şi frecvenţa de
5kHz.
Se vizualizează semnalul de ieşire (borna “O”) şi se compară cu
rezultatul teoretic.
6.2.2. Se repetă punctul 6.2.1. pentru un semnal triunghiular cu
amplitudinea de 0,2V.

6.3. Repetorul de tensiune
Se consideră repetorul de tensiune din Figura 6.3.

113

R3
C4
C3

R1
C1

+

I

O

U1

C2
R4

R2

GEN

10k

10k

Figura 6.3: Repetorul de tensiune
Se realizează conexiunile C2 şi C3. Se aplică la intrarea circuitului
(borna “I”) un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 100mV şi frecvenţa de
1kHz.
Se vizualizează semnalul de ieşire (borna “O”) şi se compară cu
semnalul de intrare şi cu rezultatul teoretic.
Se vizualizează diferenţa celor două semnale (CH1 – CH2) utilizând
butonul “Math Menu” existent pe panoul osciloscopului.

6.4. Sumatorul inversor
Se consideră circuitul sumator inversor din Figura 6.4.
R5
C1

R1

4,99k

100k

C2

4,99k

C3

R2
U1
+

10k

I

R6

R3

O

20k

V1

V2

R4

R7

47k

10k

Figura 6.4: Sumatorul inversor

114

6.4.1. Se realizează conexiunea C1. Se aplică la intrarea circuitului
(borna “I”) un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 1V şi frecvenţa de 1kHz.
Se vizualizează semnalul de ieşire (borna “O”) setând osciloscopul pe
poziţia “DC” (canalul 2).
Se modifică valoarea tensiunii V1 din potenţiometrul existent în partea
din dreapta sus a plăcii experimentale (“possitive supply”) şi se observă
modificarea tensiunii de ieşire a circuitului.
Se compară rezultatele măsurate cu rezultatul teoretic.
6.4.2. Se repetă măsurătorile de la punctul 6.4.1. pentru conexiunile
C1 şi C3.
Se compară amplitudinile tensiunilor de ieşire şi valorile
componentelor de curent continuu corespunzătoare celor două situaţii de la
punctele 6.4.1 şi 6.4.2.

6.5. Sumatorul neinversor
Se consideră circuitul sumator neinversor din Figura 6.5.
R4
R1

C1

I

C3

-

R2

+
C4

V1

4k

10k

C2

U1

O

10k

R3

R5

1k

10k

V2

Figura 6.5: Sumatorul neinversor
Se realizează conexiunea C1. Se aplică la intrarea circuitului (borna
“I”) un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 1V şi frecvenţa de 10kHz.
Se vizualizează semnalul de ieşire (borna “O”) setând osciloscopul pe
poziţia “DC” (canalul 2).
Se modifică valoarea tensiunii V1 din potenţiometrul existent în partea
din dreapta sus a plăcii experimentale (“possitive supply”) şi se observă
modificarea tensiunii de ieşire a circuitului.
Se compară rezultatele măsurate cu rezultatul teoretic. De ce apare
limitarea tensiunii de ieşire?
115

Se aplică la intrarea circuitului (borna “I”) un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 1V şi frecvenţa de 1kHz.6. Comparatorul în buclă deschisă Se consideră comparatorul în buclă deschisă din Figura 6. Se vizualizează semnalul de ieşire (borna “O”) setând osciloscopul pe poziţia “DC” (canalul 2). R5 10k R1=10k C1 R2=10k I O U1 C3 R3 V1 + C2 R6 R4 10k Figura 6.5k I U1 + R4 O 10k V1 C3 V2 C1 R2 4. Se compară rezultatele măsurate cu rezultatul teoretic.1V R3=4.7.7k - C2 1. Circuitul de scădere Se consideră circuitul de scădere din Figura 6.6.7k Figura 6. 6.7. CR1 C4 C1 R1 VZ=5.6.6: Circuitul de scădere Se realizează conexiunea C1. Se modifică valoarea tensiunii V1 din potenţiometrul existent în partea din dreapta sus a plăcii experimentale (“possitive supply”) şi se observă modificarea tensiunii de ieşire a circuitului.7: Comparatorul în buclă deschisă 116 R5 .

7. VOH şi VOL se modifică? De ce? 6. Comparatorul cu histerezis Se consideră comparatorul cu histerezis din Figura 6. Se aplică la intrarea circuitului (borna “I”) un semnal triunghiular cu amplitudinea de 5V şi frecvenţa de 1kHz. precum şi valorile VOH şi VOL.8.. Se reglează tensiunea V1 (“possitive supply”) la valoarea minimă. Păstrând conexiunile si tensiunea de intare de la punctul 6.7. VOH şi VOL.8: Comparatorul cu histerezis Se aplică la intrarea circuitului (borna “I”) un semnal triunghiular cu amplitudinea de 2V şi frecvenţa de 1kHz.1. Se realizează conexiunea C1. se creşte tensiunea V1 şi se evaluează noile valori VP1 şi VP2. 6. Se compară valorile obţinute cu rezultatele teoretice. Se vizualizează semnalul de ieşire (borna “O”) şi se determină pragurile de comutare VP1 şi VP2 (valorile tensiunii de intrare pentru care ieşirea are o tranziţie low  high sau high  low). 117 . determinăndu-se VP1. Se vizualizează semnalul la ieşire (borna “O”).1. I - R1 10k V U1 + VO O R2 470k VI GEN R3 10k Figura 6. VP2.2.6.8.7.

Tensiunea de intrare de decalaj (offset). Se măsoară cu multimetrul digital tensiunea continuă la ieşirea amplificatorului operaţional (borna “O”).2. 6.1.1. astfel: RO'  RO 1  a j  f  j  factorul de reacţie f  j  pentru circuitul inversor cu conexiunile C1 şi C4 având expresia: 118 .Lucrarea a VII-a Studiul experimental al parametrilor şi caracteristicilor amplificatoarelor operaţionale 7. Se calculează tensiunea de intrare de decalaj VIO utilizându-se relaţia: VIO  VO R 1 3 R1 7. 6. VIO Se realizează conexiunile C2 şi C3 pentru circuitul din Fig. RO Rezistenţa de ieşire în buclă deschisă RO a unui amplificator operaţional se poate determina măsurând mai întâi rezistenţa de ieşire în buclă închisă RO ' .1). Rezistenţa de ieşire. folosind o configuraţie inversoare (Fig.

2 Se repetă măsurătorile şi analiza de la punctul 7.2. Se măsoară tensiunea la ieşire amplificatorului operaţional (borna “O”) în doua situaţii distincte:  cu rezistenţa de sarcină R5  10k – tensiunea măsurată se notează  cu VO cu rezistenţa suplimentară de sarcină RL  470 (circuitul funcţionează cu o sarcină echivalentă RL'  R5 // RL  450 tensiunea măsurată se notează cu VO' ) Se calculează rezistenţa de ieşire cu relaţia: VO VO 1 1 VO ' VO ' RO '  RL '  RL ' V R ' V RL 1 O L 1 O VO ' R5 VO ' RL  R5 7.2. 6.2.1.1. Tensiunea maximă de ieşire.1.3. Se realizează conexiunile C1 şi C4 pentru circuitul din Fig. 6. pentru alte două frecvenţe diferinte ale semnalului de intrare. Se aplică la intrarea circuitului (borna “I”) un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 500mV şi frecvenţa de 1kHz.f  j   f O  R2 1  R2  R3 11 iar câştigul în buclă deschisă a j  pentru amplificatorul operaţional utilizat având următoarele valori (corespunzătoare celor 3 frecvenţe la care se realizează măsurătorile): f a(j) 2kHz 1000 20kHz 100 200kHz 10 7.1. 119 . Se aplică la intrarea circuitului (borna “I”) un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 100mV şi frecvenţa de 2kHz. 7. VOmax Se realizează conexiunile C1 şi C4 pentru circuitul din Fig. 20kHz şi 200kHz.

Se determină SR ca fiind: SR  VO t 7.Se creşte tensiunea de ieşire până când apare limitare în amplitudine. 7.1.5. Se ridică experimental caracteristica amplitudine-frecvenţă (modulul funcţiei de transfer A(j)).4.5.2. Se reprezintă grafic această caracteristică la scară logaritmică pe ambele axe (amplitudinea în dB şi frecvenţa prin decade). 6. de frecvenţă mare (10kHz) şi amplitudine suficient de mare (de exemplu.1MHz. Viteza maximă de variaţie a semnalului de ieşire (SR – slew-rate) Se realizează conexiunile C1 şi C4 pentru circuitul din Fig. 6. 7.5. Se aplica la intrare un semnal dreptunghiular cu factor de umplere ½.1. Răspunsul în frecvenţă al circuitelor 7. pentru ca tensiune de ieşire să îşi atingă valorile maxime în ambele sensuri. Se aplică la intrare (borna “I”) un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 100mV şi frecvenţa variabilă în domeniul 10Hz . 6. Se măsoară tensiunea de ieşire (borna „O”) pentru frecvenţe diferite şi se completează următorul tabel: f(Hz) AO(V) 100 200 500 1k 2k 5k 10k 20k 50k 100k 200k 500k 1M AO reprezintă amplitudinea tensiunii de ieşire. pentru circutul din Fig. 120 .707) faţă de valoarea din bandă. Se verifică păstrarea aproximativ constantă a produsului amplificare-bandă.1 cu conexiunile C1 şi C4. 5V ).5. Se repetă punctul 7.1.1. determinându-se VO max . Se realizează conexiunile C1 şi C3 pentru circuitul din Fig. Se determină frecvenţa limită superioară f S ca fiind valoarea frecvenţei pentru care modulul amplificării scade cu 3dB (deci la 0.

5.4.1. pentru repetorul de tensiune din Fig. Se realizează o analiză similară punctului 7. 7. 6. Care este explicaţia frecvenţei f S de valoare ridicată obţinută comparativ cu circuitele din Fig. 6. pentru amplificatorul neinversor din Fig.5. 6.2? 121 .5.1 şi Fig.3 realizat utilizând conexiunile C2 şi C3.1. 6. realizat utilizând conexiunea C1.5.2.7. Se realizează o analiză similară punctului 7.3.

A. având asociaţi un număr de parametri (în cazul componentelor pasive) sau un model (pentru componentele active). surse de curent şi de tensiune) sau active (diode. La apariţia ferestrei de dialog “Select Schematic Editors” se selectează atât “Capture”. Utilizarea programului Pspice Student Pentru instalarea programului Pspice Student se rulează fişierul Setup .1.exe existent pe CD. componentele utilizate şi parametrii acestora. condensatoare. 122 . Elementele uzuale de circuit de tipul dispozitivelor pasive (rezistenţe. Se deschide aplicaţia “Schematics” disponibilă după instalare. amplificatoare operaţionale) sunt disponibile în biblioteca de componente. tranzistoare bipolare şi MOS. Se respectă instrucţiunile până la instalarea completă a programului. analizele disponibile şi modul de vizualizare a rezultatelor grafice. cât şi “Schematics”.2.Anexa Descrierea programului Pspice Student A. Introducere Pspice Student este un program specializat pentru simularea funcţionării circuitelor electronice. Vor fi descrise în continuare realizarea unui circuit electronic.

A. Inserarea unei componente noi 123 .1. surse de curent sau de tensiune şi dispozitive pasive. Orientativ. complexitatea circuitului nu poate depăşi 10 tranzistoare şi 64 de noduri. însă. posibilitatea utilizării unui număr relativ mare de diode.2. Desenarea circuitului Varianta existentă pentru instalare prezintă limitări referitoare la complexitatea circuitului şi la numărul de componente disponibile în bibliotecile programului.1.1.A.2. existând.

Se selectează numele componentei dorite sau se scrie numele acesteia la rubrica “Part Name” şi se validează cu “Place & Close”. 124 .

A. Elemente de circuit Vor fi prezentate pe scurt doar dispozitivele pasive şi active utilizate în simulările propuse în partea a doua a fiecărui capitol.3. Interconectarea componentelor A.1.1.2.2. Modificarea parametrilor dispozitivelor pasive se realizează astfel: 125 .2.

  Se selectează componenta respectivă Se vizualizeză lista parametrilor  Se modifică în mod corespunzător parametrii doriţi 126 .

Modificarea pametrilor de model ai dispozitivelor active se realizează astfel:   Se selectează componenta respectivă Se vizualizează parametrii de model 127 .

Se alege opţiunea “Edit Instance Model (Text…)”. 128 .  Se modifică în mod corespunzător parametrii doriţi.

Se procedează astfel:  Se inserează o diodă Zener de tip D1N750  Se înlocuieşte tot modelul diodei D1N750 cu modelul diodei “ D1N958A ” .5 Ibv=.39227 Ibvl=.  Dispozitive pasive a.5061 Vj=.5122 129 .5 Isr=1.077f Rs=2.645n Nr=2 Bv=7.coeficient de temperatură pozitiv Observaţie: Deoarece dioda D1N958A nu este disponibilă în versiunea Pspice Student.coeficient de temperatură negativ Simbol 2: D1N958A . Dioda Zener Simbol 1: D1N750 .75 Fc=. Rezistenţa Simbol: R Parametru utilizat: VALUE   b.11 Cjo=104p M=.467 Ikf=0 N=1 Xti=3 Eg=1. este necesară crearea acesteia.model D1N958A D( Is=2.5849n Nbvl=1. Dioda Simbol: D1N4148   b.90645 Nbv=. Condensator Simbol: C Parametru utilizat: VALUE  Dispozitive active a.

factor de aspect. Zz = 12.rezistenţă drenă-sursă   f.33u) *Motorola pid=1N958A case=DO-35 *89-9-18 gjg *Vz = 7. Vt 0 .curent de saturaţie   d.rezistenţă drenă-sursă  g. Tranzistorul NMOS Simbol: IRF150 Parametri utilizaţi: W / L .valoarea tensiunii de ieşire  c.tensiune Early şi Is .5 @ 1mA. Amplificatorul operaţional Simbol: uA741   Surse de curent şi de tensiune a. Sursa de tensiune sinusoidală Simbol: VSIN 130 .3 @ 20mA *$ c. Tranzistorul bipolar NPN Simbol: Q2N 2222 Parametri utilizaţi: Vaf . Tranzistorul bipolar PNP Simbol: Q2N 2907 A Parametri utilizaţi: Vaf .3 @ 5mA.tensiune de prag şi Rds . Sursa de curent DC Simbol: ISRC Parametru utilizat: DC .5 @ 16. Zz = 5. Tranzistorul PMOS Simbol: IRF9140 Parametri utilizaţi: W / L .5mA. Vt 0 .tensiune de prag şi Rds .tensiune Early şi Is .factor de aspect.curent de saturaţie   e.  Tbv1=533.valoarea curentului de ieşire   b. Zz = 2. Sursa de tensiune DC Simbol: VSRC Parametru utilizat: DC .

Elemente obligatorii Rularea eficientă a unei analize impune existenţa câtorva elemente: Un singur punct de masă al circuitului. domeniul său de variaţie fiind stabilit în cadrul analizei AC (a se vedea paragraful 6. limitat la necesităţile legate strict de exemplele prezentate. V10 .2. T10 .2. de exemplu.2.se alege o valoare nenulă pentru acest parametru. Tipuri de analize Studiul comportamentului circuitului este posibil prin solicitarea unui număr relativ restrâns de analize.2.fiecare pereche Tk  Vk defineşte un punct pe digrama amplitudine-timp.) e. V1 . curent.2. GND .amplitudinea tensiunii sinusoidale şi FREQ frecvenţa tensiunii sinusoidale d.5. VAMPL . Se pot obţine. caracteristici de tip triunghiular sau aproximativ dreptunghiular A. tensiune diferenţială) 131 .2.   A. Sursa de tensiune VPWL Simbol: VPWL Parametri utilizaţi: T1 . … . Sursa de tensiune AC Simbol: VAC Parametru utilizat: ACMAG .     Parametri utilizaţi: VOFF .1.tensiunea de offset (se consideră egală cu zero). Cel puţin un marker pentru indicarea mărimii solicitate pentru vizualizare (tensiune.

132 . Analiza tranzitorie (Transient Analysis) Permite analiza temporală a comportamentului circuitului. tensiune diferenţială) în diferite puncte ale circuitului.2.2.A.2. curent. existând posibilitatea vizualizării evoluţiei în timp a semnalului (tensiune.

valoarea acestui parametru se alege în funcţie de frecvenţa minimă a semnalelor din circuit. pentru a se putea vizualiza cel puţin câteva perioade. 133 .  Parametri utilizaţi: Print Step = 0. Final Time.

se vor putea vizualiza 5 perioade ale acestuia). R2  10k .Exemplu: Se consideră circuitul din figura de mai jos.V S I Ncu amplitudinea de 10mV şi frecvenţa 1kHz . V1 . Se realizează o analiză tranzitorie pentru un interval de 5ms (frecvenţa semnalului fiind de 1kHz . R1  1k .VSRC cu amplitudinea de 9V . V2 şi V3 . Semnalele de intrare şi ieşire vor avea următoarea formă: 134 . iar amplificatorul operaţional de tipul A741 .

 Valoarea unui parametru de model sau global 135 . Analiza DC Permite baleierea unui domeniu specificat al următoarelor variabile şi vizualizarea semnalului de ieşire pentru acest domeniu de variaţie:  Valoarea de curent continuu a unei surse de tensiune sau a unei surse de curent.3.2.A.2.  Valoarea temperaturii.

se poate seta tipul de variaţie al mărimii considerate (liniară. decadică.). Se realizează o analiză DC de variabilă V1 . iar dacă se alege opţiunea “Model Parameter” trebuie definite “Model Type”. sursa de tensiune de intrare V1 de tip VSIN înlocuindu-se cu o sursă VSRC de amplitudine 10mV . pentru “Voltage Source” şi “Current Source” trebuie definit doar numele sursei de curent sau de tensiune la care se face referire. parametrul putând fi o sursă de tensiune sau de curent. Dependenţa tensiunii de ieşire de tensiunea de intrare va avea următoarea formă: A.4. etc. pentru un domeniu de variaţie liniară a acesteia cuprins între 10mV şi 10mV . Parametri utilizaţi sunt identici cu cei ai analizei DC Sweep. cu un pas de 0./Decade”. “End Value” şi “Increment” / ”Pts. “Model Name” şi “Param Name”.1mV .variabila al cărei domeniu va fi baleiat.2. Type” . 136 . “Sweep Type” . Este obligatorie definirea următorilor parametri: “Start Value”.2. variabila “Temperature” nu necesită definirea parametrilor. Exemplu: Se consideră circuitul de mai sus. Analiza DC Nested Sweep Reprezintă o completare a analizei DC Sweep pentru analiza parametrică a circuitului.  Parametri utilizaţi: “Swept Var. temperatura sau un parametru de model.

R1  1k . cu un pas de 0 . IC1 ( V2 ) . V1 şi V2 de tipul VSRC ( 9V ).1V şi un domeniu de variaţie a tensiunii Early VAf cuprins între 20V şi 100V . cu un pas de 20V . 137 . Se alege un domeniu de variaţie al tensiunii de ieşire V2 cuprins între 0 şi 9V . Se consideră tranzistoarele T1 şi T2 de tipul Q2N 2222 . considerându-se ca parametru tensiunea Early a tranzistorului NPN . Se doreşte studiul caracteristicii de ieşire a sursei de curent.Exemplu: Se consideră oglinda de curent din figura următoare.

Se obţin următoarele 5 caracteristici de ieşire ale sursei de curent: 138 .

Analiza AC Sweep Permite vizualizarea răspunsului în frecvenţă al unui circuit pentru un domeniu fixat de frecvenţă. Parametri utilizaţi: 139 .2.5.A.2.

  “AC Sweep Type” . singura modificare faţă de paragraful 6. “Sweep Parameters” .2. decadic..2.trebuie alocate valori următorilor parametri: “Total Pts. Se realizează o analiză de tip AC pentru un domeniu de variaţie decadică a frecvenţei cuprins între 10Hz şi 1MHz . “Start Freq. considerându-se 100 de puncte pe decadă. Se obţine următoarea dependenţă de frecvenţă a tensiunii de ieşire: 140 . fiind înlocuirea sursei de tensiune de intrare V1 de tip VSIN cu o sursă de tensiune de tipul VAC . etc. cu semnificaţii evidente Exemplu: Se consideră circuitul inversor cu amplificator operaţional din figura de mai sus./Decade”/etc.” / “Pts.” şi “End Freq”.2.se poate alege o variaţie a frecvenţei de tip liniar. având ACMAG 10mV .

stabilirea tipului de analiză solicitată şi poziţionarea markerilor pentru indicarea mărimilor de ieşire) se lansează programul Pspice.2.A. rezultatul fiind vizualizarea directă a mărimilor solicitate. 141 . Simularea circuitului şi vizualizarea rezultatelor După parcurgerea etapelor anterioare (desenarea circuitului.3.

Poziţionarea cursorului pe grafic: 142 .

Salvarea rezultatelor simulării: 143 .