REVISION REVISTA MEXICANA DE FISICA 47 (2) 107-115 ‘ABRIL 2001, EI silicio y sus propiedades como material sensor F. Sandoval-Ibarea Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados-Unidad Guadalajara Av. Lopez Mateos Sur 590, 45140 Guadalajara, Jalisco, Mexico Recibido el 2 de diciembre de 1999; aceptado el 6 de noviembre de 2000 Este aticulo describe las consideraciones de disefio de diversos transductores basados en silicio. El prop6sito es doble: 1) el silicio es un material semiconductor adecuado para el desarrollo de transductores completamente integrados, fos cuales pueden ser fabricados con proce- 0s de fabricacién esténdar de circuitos integrados; 2) si el desarrollo de transductores es compatible con proceso de fabricaciGn esténdar, entonces se describen las capacidades para el desarrollo de sensores inteligentes. Por lo anterior, se realiza una revisi6n bibliografica con la intencién de elaborar una referencia que sea stil para el principiante y para el diseflador de sensores de estado solido, Descriptores: Dispositivos semiconductores, sensores de estado sélido; circuitos integrados ‘This paper focused on the design considerations of silicon based transducers. The reason for this is twofold, First of all, silicon isa suitable material for the development of fully integrated transducers, which can be manufactured with any IC fabrication process. The second reason is to describe the possibilities to design the so-called smamt sensors. In this way, an overview has been created with the purpose to write a useful reference for the beginner and for the expert sensor designer. Keywords: Semiconductor devices; solid-state sensors; integrated circuits PACS: 06.70.D; 85.40.G; 85.30 1. Introduccién: La razén de la creciente demanda que tiene el silicio hasta nuestros dias no sélo es debida a sus propiedades electrGnicas, sino también a sus excelentes propiedades mecénicas, quimicas, térmicas, magnéticas, etc. Tener cono- cimiento de estas propiedades han permitido, al disefiador de Circuitos integrados (CD y dispositivos semiconductores, que a través del uso de las técnicas fotolitograficas de los proce- sos esténdar de fabricacién monolitica, sea posible desarro- liar sensores completamente integrados en silicio. Por ejem- plo, de las propiedades mecénicas del silicio cabe sefialar que el valor del r dulo de Young (1.9 x 102? dinas/em?) es muy aproximado i. que presenta el acero inoxidable y el niquel; su dureza (85) kg/mm?) es r ty similar al del cuarzo y es el doble det valor del hierro; su tensién de respuesta al estira- miento (6.9 x 10'° dinas/cm?) es al menos tres veces mas alta que en alambres de acero inoxidable [1]. Esta informa- cin permite pensar intuitivamente que el silicio es un ma- terial mecénicamente fuerte. Sin embargo, en ocasiones las, obleas de silicio se rompfan sin aparente raz6n, lo que con- tribuy6 a creer que el silicio era un material mecénicamente frigil. Esa idea origin6 que en el crecimiento de cristales de silicio de alta pureza, no solo se optimicen las propiedades eléctricas sino también sus propiedades mecénicas, es de se reduce la densidad de defectos cristalogréficos en el cuer ‘po, superficie y en bordes para minimizar regiones potencia- les de alta concentracién de tensién. En la prdctica, todo com- ponente mecénico que esté sometido a friccién, abrasién y a tensiGn debe ser tan pequeito como sea posible para minimi- zar el ntimero total de defectos cristalograficos. La fabricacién de microestructuras se realiza a través del grabado (is6tropo y/o anis6tropo) no slo de! silico sino tam- TABLA I. Dispositivos semiconductores y sus propiedades como transductores, Excitacion Proceso Sensor ~Radiativa— Fotoconductive _Fotodiodo/Fototransistor Forovoltaico Fotodiodo Mecénica _Piezorresistivo Sensor de esfuerz0 ‘Sensor de presién ‘Termica Generacién DiodorTransistor clectrén/hnueco Magnética Efecto Hall Elemento Hall Magnetotransistor Eléctricao—- Modulacign de MOSFET Quimica ___conduetividad bién de todos aquellos materiales propios del proceso de fa- bricacién esténdar de CI. EI disefio de microestructuras se realizan mediante na técnica conocida como micromaquina- do (para ampliar el tema ver la siguiente pégina electrénica: wyw.ee-surrey.ac.uk/Personal/D Banks/spanishy/sumintro. html). ‘Ademés de las propiedades mecénicas del silicio, existen otras que pueden ser utilizadas para sensar una gran varie- dad de cantidades fisicas (ver Tabla 1), La ventaja de fabri- car elementos sensores en silicio es que ellos pueden ser si- ‘multéneamente fabricados con otros componentes en un mis- mo chip. Por ejemplo, un sensor puede ser disefiado como parte de un circuito amplificador, de manera que cualquier cambio en la sefial es procesado en el mismo punto de gene- racién sin la influencia de ruido acoplado a través de cone-108 F SANDOVALIBARRA ‘TaBLA TI Dispositivos microelectrOnicos y su capacidad para sen sar parmetros fisics de interés. "TABLA III, Requerimiento de sensores en el rea médica [4) Bataan Rass Tacnas palin tesior Temper Trani nso ep Dino ae Tenn eariaca resin uo pH Caper Cargo ectiea PO:.P0C: an Campos napricos Parpljiay cndipljia—lectodes, sensor de posiin Mosrer species quis Pevidaandiva—— Mittonos yestimaadores xiones inductivas y/o capacitivas (como sucede en tecnologia hibrida) [2]. Sin embargo, aun cuando la amplificacién de las sefiales mejora Ja sensibilidad, la amplificacién diferen- cial cancela efectos pardsitos y con circuiterfa se puede can- celar efectos por variacién en ta temperatura, al incluir esta clase de circuitos se deben de tener las siguientes precauci nes: 1) El sensor debe ser tan simple como sea posible y s6lo incluir circuitos cuando se haya demostrado su necesidad. En otras palabras, evitar agregar circuiterfa por el propio bien del sensor debido a que los elementos que componen los circui- tos son sensibles a luz, temperatura, campos magnéticos, etc.; 2) eliminar la idea de que al reducir el tamafio del disposi vo se tendré un aumento en la rapidez. de respuesta y por lo tanto se tendrai Ja posibitidad de integrar una mayor cantidad de dispositivos en un mismo chip (existen excepciones como los CCD). En microsensores, pequefias dimensiones implica pobre precisién [3] Por otro lado, no todos los elementos sensores deben ser implementados mediante micromaquinado, es decir, los dis positivos de fabricacién comin en los procesos esténdar para el procesamiento de las sefiales también pueden ser usados como elementos sensores (ver Tabla I). Estos tiltimos han si- lo usados en diversas éreas de aplicacién que incluyen con- trol industrial, robética y automatizacin, instrumentaci6n, medicina, etc. Sélo para ilustrar las necesidades de sensores cn el rea medica, la Tabla IIT muestra una lista del tipo de sensores requeridos como funcién del tratamiento clinico a aplicar para diversos padecimientos [4], Por lo anterior, en ef presente documento se hace una re- Visi6n de principios basicos de operacién para diversos ele- ‘mentos sensores disefiados y fabricados en México. Se mues- tran diversas aplicaciones y se describe, cuando es necesario, los pasos tecnol6gicos adicionales al proceso estindar de fa- bricacidn que permiten el desarrollo de elementos sensores de interés 2. Transductores mecdnicos La forma mas simple de usar tas propiedades elésticas del si- licio es a través de membranas 0 diafragmas, cuyo grosor es ‘mucho menor que el que presentan las obleas (del orden de 300 jum) en procesos de fabricacién de CI. La fabricacién de diafragmas de silicio se obtiene mediante técnicas de grabado que pueden ser de naturaleza is6tropa 0 anisétropa, depen- Problemas respiratorios Incontinencia vrinaria Presi6n, flujo, PCOs, estimulacién Presién y vélvula de control Hipertensién Presidn sanguinea y estimulacién Diabetes Sensor de glucosa Epilepsia EEG y estimulacién Sistema psicol6gico Diversos senosres Organos artficiales Corazdn Presién, flujo, POz, PCO2 Pancreas Finjo, presin y sensor de glucosa Ritton Acido urico, jo y presién Lanbge EMG y diversos actuadores diente 0 no dependiente de concentraci6n de impurezas. El grabado de silicio htimedo puede ser realizado mediante KOH, EDP o NaOH, mientras que el grabado seco incluye el uso de plasma y el denominado RIE [1]. Para obtener un diafragma de silicio se graba (0 remueve selectivamente) la parte posterior de la oblea con soluciones de KOH (esta solu- cién es dependiente de la orientacién cristalogréfica y presen: {a una razén de grabado mucho mayor que fas soluciones de EDP) y como enmascarante se usa nitruro de silicio (SisNa), ya que se sabe que la razén de grabado en KOH es casi ce- 10 respecto a otros enmascarantes, como el diéxido de siticio (Si0,). Bl frea y grosor del diafragma se determina a través del siguiente modelo: tute bone donde Ces la longitud de la ventana resultante, L es la longi- tud de dise, tw y fy son el grosor de Ia oblea y del diafrag- 1ma, respectivamente. La Ec. (1) considera el dngulo 8 entre Jas paredes del plano cristalogréfico (111) con la superficie (100), con 0 del orden de 54.74° (ver Fig. 1). Para conside rar la Ee. (1) como un modelo itil de disefio se debe tener control de la velocidad de grabado, y de esta forma, obte- ner el correcto grosor del diafragma.(®) La técnica de graba- do hiimedo, basado en soluciones de KOH, presenta diversas propiedades de interés. Por ejemplo, la velocidad de grabado para silcio (100) ligeramente dapado (silicio extrfnseco) pre- senta un maximo en rededor del 20% de KOH en peso cuan- do el grabado se realiza a 72°C. A concentraciones mayores Ja velocidad de grabado reduce su valor y, a concentraciones Imenores al 20% se producen superticies rugosas, lo que se traduce en diatragmas no uniformes [5] ay Rev. Mex. Fis. 87 (2) (2001) 107-115EL SILICIO Y SUS PROPIEDADES COMO MATERIAL SENSOR 109 FIGURA 1. Diafragma de silicio y su corte transversal 2.1, Sensores de presién piezorresistivos La piezorresistencia en un material sq manifiesta como una variaci6n en la resistividad p como consecuencia de una pre- sin P aplicada, En semiconductores de banda indirecta, co- ‘mo el silicio, la presién aplicada induce un esfuerzo mecénico en la estructura cristalina que se traduce en cambios 5B, en Ja banda prohibida, el cual se manifiesta como un incremen- to en la concentracién de portadores de carga en la banda de conduccién. El proceso descrito se utiliza para sensar presién através de la integracién de resistores R (en arreglo de puente de Wheatstone) en el diafragma de silicio, el que acta como elemento eldstico sensible a la presién. En la Fig. 2a se mues- tra la distribuci6n del esfuerzo mecénico (eje = en dinasicm?) en el diafragma una vez que se aplica una presiGn. En esta figura, el eje és denota la longitud £ del diafragma, el cual es del orden de 0.15 em. El mismo significado presenta el eje (,, yaque se considera que el diafragma es de geometria cua- drada. Se puede ver que las zonas de mayor esfuerzo (regién cen [a que se manifiesta més piezorresistencia) son las que se uubican en la parte media de cada uno de los extremos, ¢/2. Por lo tanto, es en cada una de esas regiones donde se debe construir un resistor de valor R. Por otro lado, se puede apre- cciar que el centro geométrico del diafragma es la regiGn que no experimenta esfuerzo alguno.®) Atin mis, el esfuerzo en direccién (110) es negativo respecto al esfuerzo en direccién (110). Esto significa que la respuesta diferencial a la presién se puede obtener con el circuito eléctrico equivalente que se muestra en la Fig. 2b, la cual esté dada por AR oo @ Ug donde Viyp €s el potencial de polarizacién, y AR representa el cambio en el valor de la resistencia debido a la aplicacién de P. En este sistema, tinicamente cuando existe una presién aplicada, los resistores estén sometidos a componentes de es- fuerzo perpendiculares o,, y paralelos a) a Ja longitud de los resistores, de modo que el cambio resistivo esté dado por Rk con 7, y 7 los respectivos coeticientes piezorresistivos, que pueden representarse en funcién de los coeficientes 7 funda- mentales del silicio. Estos utimos son dependientes de la may t m4, @) offi rie Ay Ty’ NW @ Yoo ARR ARR ARR ARR FiGuRA 2. a) Distribucién de esfuerzo en un diafragma de silicio, ») configuracién sensora con piezorresistores concentracién de impurezas, temperatura, direccién cristalo- aréfica y no serdn descritos en este documento. Existe litera- tura a Ta que se puede acudir sf se desea ampliar més en el tema [6-9]. En semiconductores ctibicos la matriz. de coefi- cientes piezorresistivos tiene séto tres valores independien- tes: Ty. M2 Y M4q- Los coeficientes dominantes en silicio tipo n y tipo p son m1 ¥ maa, respectivamente. En las direc ciones [110] los coeficientes piezorresistivos estén dados por 1 my =m ~ Flt — Ma — Fas) = 40.5 x 107? em? /dinas, (4a) 1 m= M2 + 5 — M2 ~ Raa) = 38.5 x 107? em? /dinas, (4b) los cuales son valores a temperatura ambiente [10]. Algunos autores consideran que Ios coeficientes dados por la Ec. (4) son iguales en magnitud (11, 12}, |r44l/2, y representan la respuesta del sensor de la siguiente manera {10} v4 = Vop$4(oy - 21), 6) Ja cual es una relacién lineal valida para un amplio rango de presion, y en la que se asumié que se satisface la relacién oy = 2, La Ec. (5) es vilida para aquella situacién en la que el diafragma s6lo tenga integrado un par de resistores en direccién (110), asumiendo que la superficie del diafragma tiene orientaci6n (10), y dos resistores mas fuera de la zona Rew Mex. Fis. 47 (2) (2001) 107-11510 F SANDOVAL-BARRA EO, si @ o) FIGURA 3. a) Alineacién de mascarllas, b) ubicacién correcta de piezorresistores del diafragma, los cuales no estén sujetos a experimentar cambios resistivos. Es importante seffalar que el diafragma presenta un limite natural a Ia presién que se aplica y que esta en funcidn del esfuerzo de rompimiento o,.. Para silicio (100), = 3.6 x 10° dinas/em?, EI valor de la resistencia tipica de los piezorresistores es del orden de 2.5 kM, es decir, la baja impedancia de salida del puente resistivo permite que la sefial generada sea utili- zada sin necesidad de circuiterfa adicional. Sin embargo, se sabe que los piezorresistores integrados son sensibles a varia- cones de temperatura. Esto significa que es adecuado contar con circuitos que eliminen los efectos debidos a variaciones térmicas cuando el transductor es usado en un rango amplio de temperaturas [11-14]. Por fo tanto, en la fabricacién de esta clase de sensores se deben tener presentes dos condicio- nes fundamentales: 1) Debido a que primero se fabrican los piezorresistores y posteriormente se graba la parte posterior de la oblea (para la obtencidn del diafragma), se debe tener tun exacto control de la velocidad de grabado para evitar que el ataque laterat site a l9s piezorresistores en zonas de pobre sensibilidad a la presiGn; y 2) se debe de realizar una correc (a alineacién entre Ja mascarilla que contiene el patrén para grabar al silicio y 1a mascarilla que contiene el patrn para delinear el drea del diafragma y la ubicacién correspondien- te de los piezorresistores. Esto evita errores de alineacién y segura que el puente piezorresistivo ocupe su posicién de di- sefio (ver Fig. 3). Cuando no es posible satisfacer los puntos anteriores, se puede usar una estructura alternativa que es la idea presentada por S. Sugiyama et al. [15]. Este disefio se muestra esqueméticamente en la Fig. 4a, y se puede ver que la técnica de fabricacién requiere de una pelicula de material adecuado (denominado de sacrificio) que posteriormente seré climinado pero permitiré la construccién de un diafragma de SigNg, el cual contendré un puente de Wheatstone formado por resistores de polisilicio. La cavidad se forma cuando la solucién de KOH penetra por el orificio de grabado, elimi- na selectivamente al polisilicio en todas direcciones y poste- riormente remueve parte del cuerpo del silicio. La barrera de ‘grabado en el substrato son las paredes perpendiculares a la direccién (111), de ah que la cavidad tenga geometria pira- midal. La Fig. 4b muestra la raz6n por la cual polisiticio es preferido como capa de sacrificio respecto a otros materiales. 2 Sensores de presién capaciti Un capacitor de placas paralelas como elemento sensor de presi6n usa un diaftagma como placa movible. Esto significa Orificio de grabado uy Sobregrabade (um) palisiticio Siioo) wd | posto “kon nw @) o FIGURA 4. a) Representacién de la formacién de un diafragma de SisN«, b) razén de grabado para diversos materiales en soluciones de KOH (35% en peso a 80°C) [15] placa fi ) FicuRA 5. a) Diafragma p*, b) representacién de un sensor de presién capacitivo. que la variaci6n en la capacitancia es una medida de la pre- si6n que se aplica. El sensor capacitivo presenta una pobre sensibilidad a variaciones de temperatura, debido a que s6lo, pose dos de los seis mecanismos de corrimiento en tem- peratura que dominan en los sensores piezorresistivos {16} ‘Ademds, presenta una sensibitidad a la presién del orden de 10 veces més que la que presenta su contraparte piezorresis- tiva [17]. Sin embargo, la principal desventaja de una estruc- ‘ura capacitiva es la no linealidad de su caracterfstica voltaje- presién La forma tradicional para implementar un diafragma de silicio es reatizando una difusién de atomos aceptores en una regién seleccionada en Ia superficie de un substrato de silicio. El Kimite natural de grabado (realizado por la par- te posterior de la oblea) lo impone la alta concentracién de impurezas [18]. De modo que al obtener un perfil plano de contaminante, la profundidad de unién, en primera aproxi macién, corresponde al grosor del diafragma (ver Fig. 5a). En la préctica, se sabe que para concentraciones mayores a 1 x 10!? étomos/em? ocurre una notable reduccién en la ve- locidad de grabado. A esos niveles de concentracién (Ia se- paracién entre étomos de boro es de 20-25 A, se esté muy cerca del limite de solubitidad (5 x 10" étomos/em*) para Rev. Mex. Fis, 47 (2) (2001) 107-115EL SILICIO Y SUS PROPIEDADES COMO MATERIAL SENSOR mw boro substitucionalmente introducido en la red de silicio. Se cree que el fuerte enlace boro-silicio tiende a compactar la red rigidamente, provocando que la energfa mfnima para romper el enlace se incremente [1]. Por otro lado, la Fig. 5b mues- ‘ra una representacién del capacitor de placas paralelas de separacién dso. Para un diaftagma de geometria circular su- jeta por su circunferencia, la flexién W(r) que experimenta el diafragma, como consecuencia de una presién P aplicada, esti dada por [13] wo bit] donde Ry es el radio del diafragma, Do la rigidez flexural, EyD* Po 120 — v3)" o) con By el médulo de Young y v el valor de Poisson para si- licio. Se puede ver que el centro del diafragma es la zona que experimenta la maxima flexién, denotada como Winax. Para P > 0. La variacin de la capacitancia en funcién de la pre- si6n aplicada puede ser obtenida una ver que se resuelve la siguiente integral: aint on ph ow) =f [ ie? (8a) Aplicando técnicas conocidas de integracién se puede de- ‘mostrar que la variacién de C(P) con la presiGn aplicada esté dada por 7 (8b) \ do donde Co es la capacitancia para P = 0. Cabe seftalar que si no se determina adecuadamente la separacién de las pla- cas del capacitor, éstas pueden crear una inestabilidad una vvez que entren en contacto, Esta inestabilidad se corrobora a través de Ee, (8) cuando se evalia para el valor Wimax = dso: Al igual que en sensores piezorresistivos, existe la técnica de capa de sacrificio (SiOz) para formar un capacitor y elimi- nar la necesidad de usar técnicas de grabado para obtener la placa movible. En la Fig. 6a se muestra en corte transversal el sensor de presién con diafragma de polisilicio y placa fija n* [18]. En la préctica la sensibilidad del sensor a la presién es mayor en un capacitor de geometrfa cuadrada que en uno de geometria circular: Winax.cuadrada * 1.29Wmax.circuar: Para la geometria cuadrada Ta longitud de cada una de los lados es 2Rg. Este tipo de sensor requiere de circuiterfa que detecte las variaciones en capacitancia y que proporcione una sefial que sea una medida de la presién que se aptica. Una posibilidad es usar un circuito oscilador, el cual generalmen- te no es ttit para esta clase de sensor debido a las pequefias variaciones en capacitancia que se presentan. Un puente de Previn polio perficial. b)circuito de deteccién, excitacién en corriente alterna es una alternativa viable, sin embargo requiere de componentes de calibracién que hacen complicado el circuito. La técnica de capacitores conmuta- dos por su principio de operacién es la técnica de deteccién que regularmente se utiliza. La Fig. 6b muestra un circuito a capacitores conmutados, que tiene la caracteristica de ser in- sensible a los efectos de las capacitancias pardsitas [17, 19] ‘Se puede demostrar que si en el citcuito de la Fig. 6b ta ganancia, a muy baja frecuencia, del amplificador operacio- nal es Ag, la respuesta def sistema esté dada por , oy Ce-Gf, 1G Vous = Vow ft 4(E+))- donde C,, es un capacitor de referencia y C, es el capacitor sensor. Resulta claro que es deseable que la ganancia A, sea suficientemente alta para minimizar su efecto en la respuesta del circuito. Ain mas, en sensores capacitivos el ruido que introduce el circuito de deteccién puede limitar la resolucién del transductor, sobre todo si fas dimensiones del diafragma son pequefias [20]. Cuando es el caso, para realizar una ade- cuada deteccién se han propuesto circuitos a capacitores con- ‘mutados que eliminan los efectos debidos a ruido 1/ f [21], circuitos que linearizan la respuesta del sensor [22] y circu tos que incluyen conversién analégica-digital [23] En un sistema de placas paralelas, donde la placa superior es el elemento sensible a la presién que se aplica, se asume que esta placa (0 diafragma) esta libre de estrés, on. Sin em- bargo, para aquellas situaciones en las que el estrés no ha sido suficientemente eliminado, la expresién para determinar el Rev. Mex. Fis, 87 (2) (2001) 107-115112 F SANDOVAL-IBARRA Siliciom ) FIGURA 7. a) Sistema Hall, b) corte longitudinal de un sistema Hall ensilicio. valor de winax estd dada por [24] 16crmae 3a 7) PRY PE AR Jo Remax Ett Ei -v) a9) Para eliminar el estrés del diafragma procede la aplicacién de tratamientos térmicos si la estructura sensora esta basada en silicio policristalino (Nlamado usualmente poly) o bien, es prudente usar implantacién de iones de boro cuando el dia- fragma es de nitruro de silicio, Para ello se deberd determi nar la energia de implantaci6n que permite que el maximo de concentracién se ubique en la parte media del grosor de la pelicula de nitruro.(©) Experimentalmente se ha encontrado que la presencia de una pelicula de aluminio sobre el nitruro reduce de manera importante el estrés. Por lo que, si para po- larizar el capacitor de placas paralelas se requiere de un elec- trodo, resulta doblemente importante el uso de una pelicula de aluminio (25) 3. Transductores magnéticos ste transductor convierte lineas de campo magnético en sefal eléctrica, La Fig. 7a muestra la representacién de un ‘material semiconductor, donde los portadores de carga-expe- rimentan una fuerza en direccién perpendicular a las lineas de campo y a su trayectoria misma [26]. En estado esta- cionario, esta fuerza es equilibrada por un campo eléctrico transversal debido a que en esta condicién de operacién no puede existir un movimiento neto de portadores en tal direc- cidn. El campo eléctrico que se genera es el conocido campo Hall, En procesos estindar de fabricacién de CI la forma mas simple de construir un elemento Hall es mediante difusin © implantacién de iones de boro (ver Fig. 7b). Consideran- ddo que las obleas de fabricacién son tipo n, la movilidad de hhuecos jp implica una reduccién en el valor del campo Hall dado por [27] w Vir = Vous Bip (2) G, ay donde Wy L son el ancho y largo de la muestra, y G es un factor de correccién geométrico con valor entre 0 y 1 [28]. i bien es cierto que la movilidad de huecos no es la de mas alto valor, a temperaturas estindar de uso, una de las apli- caciones mas simples de este transductor integrado es co- mo interruptor.®) Por ejemplo, la presencia de un campo magnético genera una sefial eléctrica (susceptible de ser am- plificada) que se puede interpretar como un estado l6gico al- to, mientras que Ia ausencia de B corresponde a un estado 6gico bajo, ya que ese campo no genera una sefial de interés En la préctica, esta tltima aseveracién no resulta del todo cierta debido a la existencia de un voltaje offset, que se atri- buye a pequefias variaciones en la alineacién de las mascari- Hlas de fabricacién, a fluctuaciones en las caracteristicas del ‘material semiconductor y a efectos piezorresistivos (29]. Sin embargo, con una adecuada caracterizacién del voltaje offset ala temperatura de trabajo del sensor es posible implementar circuitos de control y de detecci6n a nivel TTL [30]. 3.1. Sensores magnéticos MOS Una estructura MOS es un excelente sensor de campo magnético. Cuando el potencial Ve aplicado a Ja compuer- ta del transistor MOS alcanza el valor de encendido Vip. la regidn de inversién puede ser usada como una muy delgada estructura Hall. Desde el punto de vista de fabricacién de la estructura sensora, s6lo es necesario desarrollar, aparte de las regiones cle fuente y drenaje, un par de regiones més para la mediciGn de Vir. Se puede demostrar que el voltaje Hall en funcién de la corriente de polarizacién I (ver Fig. 7a) esté dada por Vie = Te ape, f (12 donde ry es el pardmetro de dispersién para huecos, p la con- centracién de hvecos y x, el grosor de la muestra [27]. Luego, si la densidad de carga eléctrica en el canal de conduccién se sume constante, Qe, = Cox(Voe — Vip), entonces e! voltaje Hall se puede representar por el siguiente modelo: GBI, <3) Vn = GVa = Veo) donde Cox es la capacitancia del éxido de compuerta. Desde el punto de vista practico, la no idealidad que introduce la po- latizacién limita la operacién de la estructura MOS a voltajes, de drenaje pequefios y corrientes pequeiias. Para incremen- tar tales parémetros se puede usar el denominado MOSFET de separacién de drenajes. Usando dos regiones de drenaje, éstas comparten la corriente del transistor Ip, sin embargo, al aplcar un cimpo magnéico perpendicular ala die de Ip los postadores de carga experimentan una flexién que produce corrientes asimétricas en las regiones de drenaje D; y Ds (ver Fig. 8a), las cuales pueden ser procesadas de ma- Rev. Mex. Fis. 47 (2) (2001) 107-115,EL SILICIO Y SUS PROPIEDADES COMO MATERIAL SENSOR 13 Drenaje Drenaje2 Compuerta Fuente meu, Lal Ley Silicio-p @) Vo Nae b) FIGURA 8. a) Sensor magnético MOS con separacién de drenajes, 1) implementacién CMOS. era adecuada para cuantificar la intensidad de B. La técnica de separacién de drenajes puede ser implementada de mane- 1a simple en tecnologia CMOS. En este diseio (ver Fig. 8b), el drenaje que experimenta un incremento en corriente se co- recta al drenaje con menor corriente del transistor comple- mentario y viceversa. Esta metodologia de disefio tiene la caracteristica de tener muy pobre asimetrfa en las corrientes y permite que la excursién de la sefial de salida sea gran- de. En resumen, este circuito realiza deteccién de campos ‘magnéticos, presenta control del punto de operacién, reali- za conversiGn diferencial a terminacién simple y proporciona ganancia [31]. ‘Una enorme gama de nuevas estructuras (arreglo de trans- ductores magnéticos, drenajes miltiples, etc.) han sido repor- tados y muestran la diversidad de aplicaciones de esta clase de transductores [32-35]. Sin embargo, no sélo a nivel de cir- ccuito los sensores de campo magnético son importantes. Con estos elementos se puede determinar la movilidad de porta- dores [36], mecanismos de transporte en materiales refracta- rios [37] y propiedades magnéticas en materiales sometidos ‘aesfuerzo mecénico [38], etc. Ademés, si bien es cierto que el silicio no es un material de gran sensibilidad magnética, oftece una tecnologfa de fabricacién de dispositivos sensores ¥y citcuiterfa de control integrados, cuya produccin es fac- tible de lograr a gran escala y bajo costo. Pero la aparente baja sensibilidad magnética del silicio es cierta a temperatu- ras tipicas de operacién (deteccién de campos de 3.5 mT 300 K), porque para aplicaciones criogénicas (77 K) lade- teccién de campos magnéticos esté en el orden de 100 «T (39, 40]. Por lo tanto, en vista de las ventajas que ofrece la tecnologfa del silico, ésta es en la actualidad la elec- cién adecuada para el desarrollo de dispositivos sensores de campo magnético.(©) 4. Sensor de impulsos nerviosos Micropunta es la manera abreviada para designar a un multi- ‘microelectrodo de pelicula delgada (41), el cual es un dispo- sitivo que se obtiene mediante técnicas de micromaquinado del silicio. Se aplica para el registro de la actividad eléctrica de las células nerviosas en el sistema nervioso central y pe- riférico, y para su estimulacién eléctrica (ver Fig. 9). Esta uiltima, consiste en generar una actividad neuronal artificial para superar la pérdida de funciones de pacientes paralizados, inconscientes 0 con deficiencias sensoriales. En particular, la estimulacién eléctrica del sistema nervioso ha sido usada en un intento por tratar desérdenes de locomocién, enfermeda- des vasculares periféricas, epilepsia, pardlisis cerebral y dolo- tes crénicos [42]. Por su aplicacién, la estimulacién eléctrica conocida como estimulacién funcional eléctrica (BFE), y cuando ta EFE esté restringida a la estimulacién del sistema neuromuscular a menudo es Hamada estimulacién funcional neuronal (EFN).. Una micropunta consiste de un trampolin obtenido me- diante el grabado de un substrato de silicio usando algin grabante anis6tropo (KOH, NaOH, TMAH, etc.). A lo largo del trampolin se definen electrodos, los cuales son de reduci- da dimensi6n e implementados con metales que resistan los, efectos del ambiente severo en el que son insertados. Usual- ‘mente las micropuntas estén sustentadas por un rea portado- ra de grandes dimensiones, en la que se integran los pads‘) de safida y alternativamente se incluyen circuitos de amplifi- ccacién 0 de procesamiento de sefiales. Si se define la longitud 10! étomos/em*), y los circuitos electrénicos de proce- samiento no pueden ser integrados sobre la base del microe- lectrodo [45]. Sin embargo, hoy en dfa es posible desarrollar microelectrodos compatibles con tecnologia CMOS. La es- tructura que se muestra en la Fig. 9 muestra una amplia zona de soporte,*) 1a cual es adecuada para situar doce pads que comunican a igual ntimero de dreas sensoras [46]. Esta cla- se de microelectrodo es cubierto con una pelicula de nitruro de silicio, excepto las zonas de registro (20 x 20 um?). Estas tltimas se desarrollan mediante evaporacién y fotolitogratia de titanio (Fig. 10), aunque algunos autores usan oro a pesar de que este metal es polarizable, es decir, acta como ca- pacitor y tiende a exhibir potenciales variables de corriente directa, Otros mas usan plata, ya que no son 100% polariza- bles, pero este metal no s6lo actiia como una resistencia sino que ademds no es 100% biocompatible como Io es el oro. 5. Conclusiones Una de las invenciones més importantes del siglo XX fue el transistor. Este dispositivo dio la pauta para el posterior desa- rrollo de procesos de fabricacién de dispositivos semiconduc- FiguRa 10. Acercamiento de una micropunta de silicio. Las zonas blancas en la periferia es nitruro de silicio {ores y circuitos integrados (MOS, bipolar, BiCMOS). Tanto el silicio como el germanio son, sin Tugar a dudas, los mate- riales semiconductores més estudiados. Sin embargo, existen diversos pardmetros de comparacién entre ellos que permiten usar el silicio como substrato de procesamiento, sin olvidar que esta seleccién esté fijada por el desarrollo de circuitos y sistemas orientados a determinadas aplicaciones. Cuando las, capacidades electrdnicas del silicio estén fuera de esas po- sibilidades, los disefiadores optan por usar semiconductores compuestos. Hoy en dia existen desarrollos basados en sili- cio, que en el pasado reciente eran s6lo competencia de ma- teriales como el GaAs. A la par de este desarrollo, hay una tendencia para desarrollar sistemas completamente integra- dos. Los televisores modernos, la telefonta celular, los dispo- sitivos de correcci6n auditiva y sistemas de monitoreo neuro- nal son ejemplos de sistemas que no s6lo incluyen circuitos de procesamiento sino también contienen sensores. Lo més asombroso es que el disefiador ha podido explotar y aprove- char las propiedades sensoras del silicio sin que esto implique tun costo elevado en la fabricacién de esta clase de sistemas. Como lo muestra la Tabla I, existen otras propiedades del silicio que no se han discutido en el presente articulo. Las propiedades dpticas y quimicas del silicio y sus aplicaciones requieren de un espacio que no es posible contemplar en el presente documento, pero que serdn descritas en una futura publicacién debido al enorme desarrollo que han tenido en di- ‘versos laboratorios de investigacién en México. Sin embargo, es prudente mencionar que aun cuando el silicio no era usado como detector de infrarrojo (IR), hoy en dia es posible de- sarrollar fotodetectores compatibles con tecnologia CMOS. Para este propésito, el uso de aleaciones silicio-germanio hi- drogenado es fundamental para obtener un alto coeficiente de absorcién [47]. Adem, se sabe que para entonar un fotode- tector a una longitud de onda de interés s6lo se debe ajustar el contenido de Ge en la regién de absorcicn [48]. Todos los transductores aquf expuestos han sido y siguen siendo desarrollados en las instalaciones del INAOE (Tonant- Zintla, Puebla, México). La revisidn que se presenta es con- secuencia de la experiencia adquirida por el autor en el Labo- ratorio de Microelectrénica del INAOE. Rev. Mex. Fis. AT (2) (2001) 107-115,w o 18 19. 20, EL SILICIO Y SUS PROPIEDADES COMO MATERIAL SENSOR 15 En el INAOE (Tonantzintla, Pue.) se han usado soluciones de KOH, 44% en peso a 55°C, y se ha obtenido una razén de gra bhado para silcfo de 0.129 jm para el plano (100) El centro gomeétrico del diafragma es el punto de referencia a Partr del cual se mide el esfuerzo meeénico alo largo y ancho del difragma De experimentos previos ealizados en el INAOE, se determin6 tuna energia de implantacin de 65 keV para peliculas de nitruro de silico (SI3N4) del orden de 180 nm de grosor. Esta clase de sensor se realiz6 en el Lab. de Microelectesnica del INAOE en colaboracién con la Seccién de Bioelectrénica del CINVESTAV. La detecci6n de campos magnéticos, usando una estructura MOS, para aplicaciones criogénicas es en la actualidad un pro- yecto de investigacién desarrollado por el M.C. Pedro J. Garefa enel INAOE. Area conductora de gran dimensién, usualmente aluminio, stil para polarizar un sistema, medir un parimetro de interés y/o Para aplicar al sistema bajo andisis una sefial de interés. El desurollo de microelectrodos de silicio se inicié como un cjercicio académico en un curso de Micromaquinado, imparti- do por el autor en el INAOE (1996). KE. Petersen, Proc. of IEFE 70 (1982) 420 MR Haskard, J. Phys. B: Sei. Instrum, 19 (1986) 891 S.D.Senturia, EBE Circuits and Devices (1990) 20, WH. Ko, Rec. of the IEEE Int Electron Devices Meeting (1985) 112. H, Seidel, Rec. ofthe th In. Conf on Solid-Stave Sensors and Actuators (1987) CS. Smith, Phys. Rew 94 (1954) 42, ON. Tufte and ELL. Stelzer, Appl. Phys. 34 (1963) 313. WG. Pfann and R.N. Thurston, J. Appl. Phys. 32 (1961) 2008, M. Aceves-Mijares y F. Sandoval-Tbarra, Rev. Mex. Fis. 40 (1994) 533 S.K. Clark and K.D. Wise, Trans. Electron Devices ED-26 (1979) 1887 H, Tanigawa, Ishihara, M, Hirata and K. 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