Transistores Unipolares

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
EL TRANSISTOR
RESUMEN
Es el dispositivo semiconductor, en estado slido ms ampliamente utilizado en electrnica. Es el
responsable directo del repunte tecnolgico que se experimento desde la segunda mitad del siglo
pasado. Su tcnica de fabricacin permiti la investigacin y desarrollo de la microelectrnica,
logrndose con ello muy pronto, la aparicin comercial de dispositivos con alto grado de integracin y
de reducidas dimensiones.
EL TBJ
Es un dispositivo de tipo activo, ampliamente utilizado en control electrnico, amplificacin, y en
prcticamente toda las aplicaciones de la electrnica. Son de naturaleza bipolar (e- y h+).
Vbe
+ -
Vcb
El emisor y el colector son estructuras de un mismo tipo, pero que presentan caractersticas muy
diferentes(cantidad de portadores).
Funcionamiento:
La juntura base-emisor debe encontrarse polarizada en sentido directo; en cambio la juntura colector-base
debe polarizarce en forma inversa. Cuando se cumplen simultneamente ambas condiciones, se dice que
el TBJ se encuentra en zona activa (regin donde se manifiestan las propiedades de amplificacin).
26
observaciones:
-
La IE, ser siempre mayor a la IC

Por medio de una pequea tensin directa en JE, se logran controlar grandes por el colector.
IB es bastante pequea (orden de los A), en cambio, IE y IC son del orden de los mA.
IE desfasa a IC en 180
Simbologa:
Colector
Base
Emisor
Base
Emisor
Colector
npn
pnp
EL FET
Son dispositivos unipolares controlados por voltaje. La tensin entre compuerta y fuente hacen el
control.
En un FET canal N la corriente se debe a e-, en uno de canal P la corriente se debe a h+.
Ventajas
-
Alta impedancia de entrada 107 - 1012

Ideal como etapa de entrada para todo amplificador.
mejor a estabilidad a T que los TBJ.
Niveles de ruido ms bajo.
Tecnologa de fabricacin ms sencilla
Desventajas
-
Respuesta en frecuencia no muy aceptable, debido a su alta capacidad de entrada.

No poseen buena linealidad.
Muy sensibles a descargas electrostticas.
TIPOS DE FET
Existen de dos tipos:
-
Con Puerta aislada, denominados: MOSFET

Con Puerta de unin, denominados: MESFET o bien, JFET
27

FET
Puerta Aislada
Puerta de Unin
MOSFET
Enriquecimiento
Canal N
D
G
Canal P
D
G
JFET
Empobrecimiento
Canal P Canal N
D
G
MESFET
D
G
G
S
Canal N
D
G
Canal P
D
G
JFET
Ecuacin de Schottky
La caracterstica grfica, expresada de manera analtica, se conoce como ecuacin de Schottky.
V gs
I d = I dss 1 V
p
Donde
28

Idss
VP
Corriente de saturacin inversa.

Tensin de estrangulacin del canal.
Bastar conocer Idss y Vp para que la caracterstica quede determinada

( IDSS y Vp los provee el fabricante ) Idss= f( T ).
-
Vp es negativa para un canal N

Vp es positiva para un canal P
MOSFET Empobrecimiento (Canal N)

-
Se utilizan en circuitos multietapas (amplificacin lineal)

Utilizan la misma relacin de Schottky, su exactitud se pierde cuando Vgs es muy positiva.
Cuando el canal es N, y Vgs < 0, entonces esta saca electrones del canal empobrecindolo.
Cuando Vgs=Vp entonces el canal se estrangula.
Cuando Vgs>0, aumenta el tamao del canal, y aumenta Id.

MOSFET de Enriquecimiento (Canal N)
- En este dispositivo, no existe Idss

- Se utilizan para fabricacin de circuitos integrados
- Requiere una Vgs>0,
- Cuando el canal es N, VT es positiva y Vgs>0
- Cuando el canal es P, VT es negativa y Vgs<0
29
I d = K (V gs - VT ) , donde K es una constante dependiente del mtodo de

( mA )
fabricacin, su dimensin es: [
]
(V ) 2
Para Vgs>VT,
CONFIGURACIONES CON EL TBJ

Dado que el transistor es un dispositivo de 3 terminales, existirn tres posibilidades diferentes para
referirse al comn (referencia comn de los potenciales) del circuito.
Emisor Comn
Ic
Ib
vc e
v be
Caractersticas grficas:
Base Comn
ie
ic
vbe
vcb
30
Colector Comn
ie
Ib
vbc
vce
AREAS O ZONAS DE TRABAJO PARA EL TRANSISTOR TBJ

Segn caractersticas de salida, se definen las siguientes regiones:
RELACIONES DE CORRIENTES EN LOS TBJ

Las relaciones de corriente se obtienen del modelo de EBERS - MOLL, lo cual nos permite escribir las
siguientes relaciones:
qVbe
qVcb
I e = C11 e kT 1 + C12 e kT 1 (1)
qVkTbe
qVkTcb
I c = C 21 e 1 + C 22 e 1 (2)
es posible escribir:
31
qVbe
kT
1 =
I e C12 qVcb
kT 1
C11 C11 e
reemplazando en Ic, se logra:
Ic =
C C
qVcb
C 21
I e + 12 21 + C 22 e kT 1
C11
C11
Se define Corriente de Corte de Colector (Ico), a la IC cuando IE es nula; siendo Vcb negativamente elevada.
Si aplicamos tales condiciones tenemos:
I co =
c c c c
c
21
12
11
22
11
Reemplazando hacia arriba se logra obtener:

V
q cb
c
i c = 21 i e + I CO (1 e KT )
c11
Factor :
Se define Ganancia esttica de corriente en base comn, a la razn:
dic
die
Se observa:
C 21
C11
Reemplazando, nos queda:
ic = ie + I CO (1 e
vcb
kT
Adems:
I c + I b + I e = 0, es decir
I e = ( I c + I b )
qVcb
I c = (I + I b ) + I co 1 e kT
32
(1 )I c = (I b ) + I co 1 e kT
qVcb
I co

Ic =
1 e kT
I b +
1
1
qVcb
Factor :
Se define Ganancia de corriente en emisor comn, al siguiente factor:
dI
dI
c
b
evaluando este factor, segn la ltima ecuacin, se obtiene:
por lo que podemos reescribir:
I c = I b +
pero:
=
=
qVcb
I co
1 e kT
1
1-
1+
1 =
=
1+
1+ 1+
1
1+
1
= 1+
1-
luego:
qVcb
I c = I b + ( + 1)I co 1 e kT
En la prctica y bajo condiciones usuales de trabajo, ocurre:
33
qVcb
kT
I c = I b + ( + 1)I co
Siendo esta ltima relacin la ms satisfactoria para describir el comportamiento de las corrientes en
todo transistor de juntura.
Apoyndonos en las relaciones analticas anteriores, podemos expresar ie, tal que:
ie = ( + 1)( I c 0 + I b )
Finalmente debemos asegurar que en zona activa la corriente de corte de colector, es muy despreciable
respecto de Ib, entonces:
Ic = Ib
lo cual, es bastante cmodo y til de aplicar en la prctica de circuitos sobre la base del TBJ.
34
POLARIZACION Y ESTABILIDAD
Cuales son los valores ms adecuados de tensin y corriente para que nuestro transistor trabaje correctamente en zona
activa ?
Existe un punto nico, presente en las caractersticas de entrada y salida, denominado Punto Q o punto de trabajo.
CIRCUITOS DE POLARIZACIN YPUNTO DE TRABAJO:
El punto Q ser, el punto de operacin de nuestro circuito.
Para ubicarlo debemos tener en cuenta el comportamiento esttico del transistor, es decir, sin la
presencia de seales de entrada.
- Si conocemos el pto. Q, entonces podemos disear
- Si conocemos el Circuito, sus elementos, etc.; entonces puede determinar el punto Q.
Lgicamente el punto Q puede pertenecer a la regin de Corte, Saturacin o a la regin Activa.
DETERMINACIN DEL PUNTO Q

Circuito de Polarizacin fija
El TBJ:
IC
IB
VCE
VBE
E
-
P
+
D1
D2
E+
_C
+
B -
Anlisis:
Malla de entrada.
Recta de carga para malla de entrada:
Malla de salida.
Recta de carga para malla de salida:
35
C
+
VBB VBE Rb I B = 0
1
V
I B = V BE + BB
Rb
Rb
VCC VCE Rc I C = 0
1
V
I c = VCE + CC
Rc
Rc
Seleccionando ya sea VCE,IC,Vbe o Iba en el punto Q, entonces puedo determinar lo restante.

La desventaja es que mientras mayor VBB entonces mayor Iba, luego el transistor se satura.
En el FET:
RD
IG
VGG
RG
VGS
VDS
VDD
ID
La corriente IG=0 porque la unin compuerta-fuente se encuentra inversamente polarizada y adems, la

Zin del FET es muy elevada.
Malla de entrada:
VGG+RGIG+VGS=0
VGS=VGG
Malla de salida:
ID = -
V
1
VDS + DD
RD
RD
De la ecuacin de Schottky
V gs
I d = I dss 1
V
p
Del fabricante debemos conocer: Vp y Idss
36
por lo que podemos obtener la caracterstica de corriente como:

id=f(vgs)
Circuitos de Autopolarizacin
En el TBJ:
IC
IC
IB
VCE
VBE
VBE
Malla de entrada
VCC VBE Rb I B = 0
1
V
I B = VBE + CC
Rb
Rb
V
I B CC = I BQ
Rb
Como estamos en zona activa, entonces:
VCC
Rb
I BQ = I CQ =
luego:
VCEQ = VCC Rc I CQ
Rc
RV
VCEQ = VCC c CC = VCC 1
Rb
Rb
37
VCE
En el FET:
Un FET puede autopolarizarse, usando un resistor en la fuente, es decir:
RD
IG
RG
VGS
RS
VDS
VDD
ID
Malla de entrada:
RG I G + VGS + RS I D = 0 I D = I D = f (VGS )
VGS
RS
Malla de salida:
VDD=VDS+(RD+RS)ID
V DD
1
V DS +
I D =
(R D + RS )
RS + R D
Recta de Salida
De la recta de salida debemos obtener directamente VDS, pues conocemos IDQ y VGSQ, es decir:
VDSQ=VDD-(RS+RD)IDQ
38
Circuito de Polarizacin Universal

En los dos circuitos anteriores Rb deba soportar toda la corriente que circula por ella, incluso
mientras mayor es la polarizacin mayor ser, llegando posiblemente a salirse de la zona activa. Para
evitar tal situacin se propone el siguiente circuito.
IC
IB
C
VCE
VBE
VBE
IC
IB
VBE
R2
Vth = Vcc
R1 + R2
VCE
R th = R 1 // R2
Malla de entrada:
Vth + R E I E VBE Rth I B = 0

dado que:
I E = -( I B + I C )
IC = I B
entonces:
Vth - RE (I C + I B ) Rth I B VBE = 0

Vth = -[R E ( + 1) + Rth ]I B VBE = 0
de donde:
39
VCE
Vth = -[RE ( + 1) + Rth ]I BQ V BEQ = 0

Vth - V BEQ
I BQ =
Rth + ( + 1)RE
Adems:
Vth - VBEQ
I CQ =
Rth + ( + 1)R E
Malla de salida:
VCE RC I C + VCC + R E I E = 0
VCC RE (I B + I C ) RC I C VCE = 0
VCC [RE (1 + ) + RC ]I B VCE = 0
reemplazando IBQ, obtenemos:
Vth V BEQ
VCEQ = Vcc - [( + 1)RE + RC ]
Rth + ( + 1)R E
Observacin:
Si Rth es pequeo, entonces el punto Q es independiente del transistor ( ), ya que:
VCEQ VCC
>> 1
RC + ( + 1)RE
( + 1)RE
R + RE
VCEQ VCC C
RE
(Vth V BEQ )
es decir:
R
VCEQ VCC 1 + C Vth
RE
En los FET:
Como elemento activo, se usar el MOSFET de empobrecimiento canal N.
40
RD
IG
VTH
RTH
VGS
VDS
RS
VDD
ID
El equivalente de Thevenin es:

Malla de entrada:
VTH=VGS+RSID
ID =
v
1
v gs + GG
RS
RS
R2
VTH = VDD
R1 + R 2
Malla de salida:
VDSQ=VDD-(RS+RD)ID
Con la relacin de Shottkley la recta de entrada, obtenemos el punto Q, es decir:
41
ANLISIS DE ESTABILIDAD Y COMPENSACIN

Inestabilidad del Punto de Trabajo
La idea general es mantener el punto Q fijo. Ya sea por sustitucin del
elemento activo o
por modificacin en las condiciones ambientales. Debido a lo anterior, el punto Q es crtico,
principalmente en los TBJ, por: Variaciones de la corriente de corte de colector y la T. En los FET,
no s realizar este anlisis, debido a las notables caractersticas de estabilidad que exhiben.
Refirindonos entonces al TBJ:
Al aumentar la T, las variaciones de la corriente Ico y aumentan, en cambio las variaciones de Be
disminuyen. Adems, se puede comprobar que:
Si T R >
I's
I C
I
= C =
I B (I B )

I CO =
I C - I B
+1
Por lo tanto: IC0 >

Factores de estabilidad
Para medir la variabilidad del punto de reposo se definen los siguientes factores:
S i : Factor de estabilidad de la corriente (respecto de Ico)

S v : Factor de estabilidad del voltaje ( respecto de Be )
S : Factor de estabilidad de
El anlisis se basa en representar la Ic en el punto Q como una funcin de las variables I co , Vbe y
Analticamente:
SI =
SV =
S =
dI CQ
dI CO
dI CQ
dV BE
dI CQ
d
=
=
=
I CQ
I CO
I CQ
VBE
I CQ
La variacin total de la Ic en torno a Q estar dada por:
42
I CQ = S I I C 0 + SV VBE + S + ... + otros factores

Un circuito ser estable cuando su factor de estabilidad sea menores, por lo cual, el punto de trabajo no
debera sufrir variaciones.
Tcnicas de Compensacin ante Variaciones de T
Sea el siguiente circuito, analizaremos la variacin de la Ic bajo la influencia de la T ambiente.
+VCC
RC
R1
D
R2
RE
Condicin: Que R1>>R2

RC
R1
VCC
VCC
R2
RE
V
Se debe obtener un equivalente Thevenin visto desde el terminal base, tal que:
I BQ =
VTh
VTh V BE
RTh + ( + 1) RE
Vcc R2 + V R1
R1 + R2
43
d I CQ
dT
RTh + ( + 1) R E
dV
dT
dV BE
)
dT
Es decir, deben ubicarse un diodo y un transistor que cumplan lo mas fielmente dicha situacin, por
ejemplo:
Transistor
Vbe
Diodo
-10 0
10
20 30
44
12 20 28
EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

Supongamos lo siguiente:
+ VCC
RC
VBB
VBE
VBE
VCE
VCEQ
VBEQ
t
IC
IB
IBQ
t
ICQ
Supongamos que le introducimos una excitacin alterna al circuito de base:

+ VCC
RC
VBB
VBE
Vi(t)
Donde Vi(t) es una seal variante en el tiempo y de naturaleza alterna (AC).

Observar que VBE resultara variable.
Si las variaciones de entrada son tales que Vbe aumenta, entonces Iba tambin aumenta, por lo tanto, Ic
tambin aumenta, igualmente la tensin RcIc aumenta, pero: Vce disminuye.
45
Si la variacin de entrada hace disminuir el VBE, entonces ocurrir lo contrario. Las variaciones
(de las grficas) anteriores pueden asumirse como:
Vi(t)
VCE
VCE
t
IC
VBE
VBEQ
ICQ
Se puede apreciar que c/u de las variables posee una componente continua y otra alterna.
Recta de Carga Alterna
Dada la existencia de diferentes componentes de seal (continua y alterna), se hace necesario definir el
circuito de carga ante variaciones de seal alterna. El elemento idneo para actuar como separador de
tales variaciones, resulta ser el condensador electrolitico.
Sea la siguiente configuracin de circuito:
+ VCC
RC
Cc
RL
VBE
La misin del condensador es transmitir la seal amplificada, a la carga. Para tal efecto deber ocurrir
que su reactancia a la frecuencia de seal, resulte ser pequea respecto de la carga RL. Por lo anterior se
les denomina Condensadores de Paso. Adems, el condensador deber bloquear en todo momento a las
componentes de corriente continua (CC), debido a que en este caso su reactancia +
1
wC c
Si w 0
XC
Xc =
46
De lo anterior se deduce que las componentes alternas y continuas circularan por distintos elementos
del circuito, observar la red de salida de nuestro amplificador:
En CC
+VCC
RC
En AC
RC
RL
Determinacin de la recta de carga:

En CC:
VCC=VCEQ+RCCICQ
En AC:
Dada las variaciones en torno al punto Q; y si consideramos las variaciones de amplitud tanto de ic
como de vce, entonces:
Ic
Vce
Rac
vCE = - Rac ic
= R L // RC ic
vce - VCEQ = -Rac (ic - I CQ )
vce = -Rac (ic - I CQ ) + VCEQ Recta de carga alterna
Fijemos los extremos:
i. - Sea : vce = 0 ic es mxima :

VCEQ = Rac (icmx - I CQ )
ii. -
I c = 0 vcemx = Rac I CQ + VCEQ
Observe la grfica:
47
V0
ic
Recta a.c
icmax
ICQ
Recta c.c
VCEQ
Vcemax
VCC
vce
Observacin:
Para garantizar una amplificacin lineal y de mxima excursin simtrica, debe cumplirse que:
VCEQ=RacICQ
Volviendo a la recta continua, tenemos: VCC=VCEQ+RCCICQ
Fusionando ambas ecuaciones anteriores, logramos:
I CQ =
VCC
Rac + Rcc
La que resulta ser muy til para analizar circuitos con mxima excursin simtrica de salida.
Condensador en Emisor:
Al existir una resistencia en el terminal de emisor, no podramos decir que dicha configuracin es en
emisor comn (note el caso de la red de polarizacin universal y otras configuraciones).
Para permitir que el emisor sea un punto del potencial nulo, se incluye un condensador electrolitico Ce,
el cual, presenta una reactancia baja frente al valor de la resistencia vista en emisor, es decir, Ce debe ser
tal que la resistencia vista desde el emisor sea nula (corto circuito), y debe ser facilitado a la frecuencia
de seal.
En general, en tanto: Ce y Cc deben ser tales que:
-
En AC se comportan como corto circuito.

En CC se comportan como circuito abierto.
48
ANLISIS Y MODELOS PARA PEQUEA SEAL

Al amplificar pequeas seales, las variaciones (tensiones y corrientes involucradas) fluctuaran dentro de
un reducido rango en torno al punto Q. Con ello, nos aseguramos de trabajar en zona lineal (no
distorsionando las salidas).
Pequea Seal
Desde el punto de vista de los terminales el transistor equivale a una red bipuerta.
Ii
Vi
Transistor
Io
Vo
Toda red bipuerta se puede caracterizar por un conjunto de parmetros. Estos dependen del tipo de
variable independiente que seleccionemos, entonces:
Variable independiente Variable dependiente
Ii,Io
Vi,Vo
Vi,Vo
Ii,Io
Ii,Vo
Vi,Io
Vi,Io
Ii,Vo
Vo,Io
Vi,Ii
Parmetros
Z ()
Y ( 1/ )
H ( , 1/ )
G
ABCD
Parmetros Z:
Vi Z 11
=
VO Z 21
Z 12 I i

Z 22 I O
Los parmetros ( elementos de la matriz ), se miden individualmente realizando corto circuito o circuito
abierto a los terminales de la puerta de inters.
Vi = Z 11 I i + Z 12 I O
VO = Z 21 I i + Z 22 I O
49
Z 11 =
Vi
Ii
I =a
o
Z 12 =
Vi
IO
I =o
i
Z 21 =
VO
Ii
I =a
o
Z 22 =
VO
IO
I =0
i
Impedancia de entrada : Z i
Impedancia de transmisin inversa : Z r
Impedancia de transmisin directa : Z f
Impedancia de salida : Z O
resulta:
Ii
Zi
Vi
Z0
ZrI0
I0
ZfIi
v0
Parmetros H:
Se definen:
Vi = hi I i + hrVO
I O = h f I i + hOVO
Vi
Impedancia de entrada
I i Vo=0
V
hr = i I =o Ganancia de tensin inversa
VO i
I
h f = O V =0 Ganancia de corriente directa
Ii o
I
hO = O I =0 Admitancia de salida
VO i
1
1
Impedancia de salida
Impedancia de salida
h0
h0
hi =
resulta:
Ii
Vi
hi
i0
h rV0
h fIi
Parmetros Y:
50
1/h 0
V0
I i Y11 Y12 vi
=

I 0 Y21 Y22 v0
I i Y11vi + Y12 v0
=
I 0 Y21vi + Y22 v0
Y11 =
Ii
Vi
Y12 =
Ii
VO
V =o
i
Y21 =
I0
Vi
V =0
o
Y22 =
IO
VO
V =0
i
V =0
o
Admitancia de entrada = Yi
Transconductancia inversa = Yr
Transconductancia directa = Y f
Admitancia de salida = Y0
1
Admitancia de entrada
Yi
1
Admitancia de salida
Y0
Resultando la red:
Ii
Vi
i0
1/ Yi
Y12V0
Y21Vi
1/Y0
V0
Tipos de Configuraciones Amplificadoras en los Transistores

Debido a que el TBJ es un dispositivo controlado por corriente, resulta altamente conveniente utilizar
los parmetros h (permite describir con ms detalle sus cualidades dinmicas). En cambio, en los FET y
debido a que el control es por tensin, utilizaremos los parmetros Y.
Amplificador en Emisor Comn
Ib
Ic
v ce
vbe
Aplicando los parmetros h, tenemos:
51

Ib
h ie
Vbe
ic
h re vce
h feI b
Donde:
hie =
1/h 0e
vce
ib
Vbe
Vbe
=
V
=
0
I b ce
I b Vce =Cte
m=1/hie
Equivale a la resistencia dinmica del Diodo JE
vbe
26 mV
hie =
I BQ
Vlido solamente para T ambiente. Por lo general hie esta comprendida en el orden de
los K.
V
V
be
h = be I =0 =
I =Cte
re V
V
ce b
ce b
I
I
= c V =0 = c V =Cte
fe I
I
b ce
b ce
I
I
c
h = c I =0 =
oe V
V
ce b
ce
1
h
oe
Valor de pequea magnitud.
Equivalente dinmico de .
Es la pendiente de la curva caracterstica de salida.
Luego, nuestro modelo equivalente para pequea seal, ser:

Ib
h ie
ic
Vbe
h feIb
Notar la simplicidad del conjunto.
52
vce
Aplicacin
Para el siguiente circuito, determinar la ganancia de tensin (AV), la ganancia de corriente(AI), y las
impedancias de entrada y de salida (Zin, Zout).
+VCC
R1
RC
Cc
Vi(t)
R2
VBE
RE
RL V0
CE
El equivalente en AC ser:
Vbe
R1//R2
vi(t)
RL//Rc v0
Insertar modelo hbrido, es decir:

Ii
Vi
Ib
h ie
ic
R1//R2
h feIb
Vo = - h fe I b (RC //R L )
pero, I b =
Av =
Vi
hie
h fe
Vo
(Rc // RL )
=
Vi
hie
para la corriente:
Rc
h fe I b
I O = -
R
+
R
L
c
Vi Rc
= h fe
hie RL + Rc
53
RL//RC V0
Vi
= (R1 R2 )h fe
Ii
Rc
[R1 R2 ] hie I i
I O = h fe
+
R
R
L
c
h
R
IO
Rc
ie
1 R2
= h fe I b
Ii
hie
Rc + RL
R1 R2 Rc
Ai = h fe
+
h
R
R
1
2 Rc + R L
ie
Si hay ganancia de corriente y tensin entonces hay ganancia de potencia

Ii
Vi
Ib
h ie
R1//R2
Zin
Zi =
Vi
I1
Z in = hie // R1 // R2
Z out = Rc
RC
RL
Zo ut
ZTotal
Amplificador en Fuente Comn:

id
ig
vds
vgs
Aplicando los parmetros h, tenemos:

ig
vgs
1/Yi
id
Yrvds
Yfvgs
- Evaluacin de los parmetros:

Como ig=0, entonces:
54
1/Y0
vds
Y11=0
Y12=0
Y21 =
id
i
= d |
|
v
=
0
v gs ds
v gs vds =ctte
la cual equivale a la pendiente de la curva id=f(vgs), y se denomina transconductancia directa del FET: gm. Su
rango tpico de valores va de 0.1 - 10 [mA/S]
Notar que gm no permanece constante es una entidad puntual. Su valor lo podemos determinar
directamente de la ley de Shottkley, segn:
gm =
i d
v gs
Entonces:
2
V gs
I d = I dss 1
V
p
V gs
Id
= I dss 21
V
V gs
p
V gs
g m = g mo 1
V
p
g mo = g m
Y22 =
Id
Vds
1
, es decir : gm = 2 I dss
V
Vp
p
V gs
1
V
p
Vgs = 0
Vgs = 0
I d
Vds
Vgs = cte
corresponde a la pendiente de la curva de caracterstica de salida. Su valor reciproco corresponde a la

resistencia dinmica de dicha curva caracterstica. En sntesis:
1
rd
rd
Y22 =
Finalmente, el modelo queda:
55
Vgs
g mvgs
rd
vds
El parmetro rd resulta ser siempre de una resistencia elevada, tpicamente: 500[K], por lo cual, el
modelo simplificado resulta ser:
Vgs
g mvgs
vds
Aplicacin:
Determinar la ganancia de tensin:
+VDD
RD
C
R1
C
Vi
R2
vgs
vds
RL
g mvgs
RD
V0
En AC, tenemos:
Ii
Vi
+
R1//R2 vgs
-
RL
I0
V0
Vo = g mV gs RD //R L ,V gs = Vi
Vo = g mVi RD // RL
V
Av = o = g m RD // RL
Vi
Verificar el efecto de rd, para dicho circuito:
Vi
R1\\R2
Vgs
gmVgs rd//R
Vo = ( rd // R D // R L ) g mV gs
= ( rd // R D // R L ) g mVi
56
RL Vo
Av =
Vo
= g m (rd // R D // RL )
Vi
Amplificador en Base Comn

El siguiente circuito esta conectado en base comn:
C
C
Vi
RC
RE
+ VCC
R1
R2
V0
RL
En AC, tendremos:
Vi
RE
RC
RL
V0
Ahora, si utilizamos los parmetros h, para interconexin en base comn, se tendr:

Ie
hib
ic
Veb
hrbvcb
hfbIe
1/h0b
vcb
Primeramente tendremos que caracterizar c/u de los parmetros de esta nueva interconexin. Lo cual,
por experiencia, puede resultar altamente confuso debido a la gran cantidad de configuraciones posible.
Para evitarlo utilizaremos como denominador comn en los TBJ a la configuracin EC, y en los FET,
ser la configuracin fuente comn.
Nuestro TBJ en EC, desde el punto de vista de sus terminales, ser:
hie
Ic
Ib
hfe Ib
Ahora bien, aplicando esta metodologa, el circuito amplificador en base comn, ser:
57

h feib
Vi
RE
h ie
RC
ib
RL
V0
i0
VO = -h fe I b (Rc RL )
pero, I b =
Av =
Vi
hie
VO h fe
(Rc RL )
=
Vi
hie
Rc
h fe I b
I O =
Rc + R L
I i = i1 (1 + h fe )I b
V
I i = i (1 + h fe )I b
Re
hie I b
Ii =
(1 + h fe )I b
Re
h fe + Re (1 + h fe )
I i = I b
Re
IO Ib
Ai =
Ib Ii
Rc
Ai = h fe
Rc + R L
Re
h + R (1 + h )
e
fe
ie
Amplificador en Gate Comn

C
C
Vi
RS
D
G
R2
RD
R1
En AC:
58
+ VDD
RL
V0
D
G
RS
RD
RL
V0
RD
RL
V0
Vi
insertando el modelo y correspondiente:

g mvgs
ii
Vi
RS
vgs
+
i0
Determinar AV, Zin, Zout
v0 = g m v gs RL // RD
v gs = vi
Av = g m R L // RD
Z out = RD
Z in :
vi
RS
v
ii g m v i = i
RS
ii
1
gm =
vi
RS
ii + g m v gs =
Z in =
1
// RS
gm
Amplificador en Colector Comn
59
+VCC
R1
RC
Cc
C
Vi(t)
R2
VBE
RE
V0
RL
Sin el resistor RC, la configuracin recibe el nombre de seguidor de emisor.

En AC:
ii
vi(t)
R1//R2
RE
RL
V0
io
Insertando el modelo hbrido h queda:

h feib
i b h ie
vi(t)
R 1//R 2
RE
RL
io
V0
Para evaluar la configuracin determinaremos Av, Ai, Zin y Zout.

Av:
v0 = R L // R E (1 + h fe )ib
Para determinar ib, conviene obtener un R equivalente tal como se aprecia en la figura:
h feib
i b h ie
vi(t)
RE
R 1//R 2
RL
V0
Usamos una tensin y corriente de prueba que nos permita determinar la R equivalente, tal que:
60
Req =
VP
IP
h feib
IP
VP
RE
RL
i = i1 + i2 + i3
V
V
i1 = P ; i2 = hfe i; i3 = P
RE
RL
entonces:
VP
V
hfe i + P
RE
RL
1
V
1
Req = P (1 + hfe )RE R L
i (1 + hfe ) = E
+
I
RE R L
i=
ib h ie
vi(t)
(1+h fe)RE //RL
R 1//R 2
finalmente, ib es:
Ib =
Vi
hie + (1 + h fe )RE RL
tambin sirve:
I b = ii
(R
(R
R2)
R 2 ) + h ie + (1 + h fe )(R E R L )
Reemplazando la expresin para Vo tenemos:
Av =
(RE RL )(1 + h fe )
Vo
=
Vi hie + (1 + h fe )(R E R L )
Determinacin de Ai:
I o = (1 + h fe )I b
RE
RE + RL
usando ii, segn ib, nos da:
61
Ai =
(R 1 R 2 )
io
RE
= (1 + h fe )
ii
R E + RL h ie + (R 1 R 2 ) + (1 + h fe )(R E R L )
Determinacin de Zin:
h ie
vi(t)
(1+h fe)RE //RL
R 1//R 2
Zi n
Simplemente observando tal circuito, se deduce que:
Z in = (R1 R 2) [hie + (1 + hfe )(R E R L )]

Determinacin de Zout:
h fei
h ie
RE
R 1//R 2
RL
V0
Zo ut
h fei
h ie
IP
RE
R 1//R 2
VP
Zo ut
I P = i1 + i2 + i3
h fe
VP
V
; i2 = -h fe i3 =
; i3 = P
RE
hie
hie
h feVP VP
V
IP = P +
+
RE
hie
hie
i1 =
1 + h fe
VP
+ VP
RE
h
ie
IP
1 (1 + h fe )
=
+
V P RE
hie
IP =
62
Por lo tanto:
Z out = RE
(1 + h )
fe
hie
Amplificador Drenador Comn
C
Vi
+ VDD
C
RG
RS
V0
En AC:
Vi
D
S
RG
RS
V0
Insertando el modelo Y, tenemos:

+
Vi RG
Vgs
-
g mvgs
rd
V0
RS
ordenando:
+Vgs -
Vi RG
g mvgs
Vo = (Rs rd )g mV gs
Vi = V gs + Vo
reemplazando en la anterior, nos queda:
63
rd
RS
V0
Vo = (Rs rd )g m (Vi Vo )
V0 = (1 + Rs rd g m ) = Rs rd g mVi
tal que:
Rs rd g m
Vo
= Av =
Vi
1 + Rs rd g m
Notar que si rd, entonces:
Rs g m
Rs
Av rd =
=
1
1 + Rs g m
+ RS
gm
Determinacin de Zin:
Fcilmente, se deduce que:
Z in = R g
Determinacin de Zout:
Vgs
+
g mvgs
rd
RS
V0
Zout
habr que determinar un R equivalente, tal que:

IP
Vgs
+
I P = I1 + I 2
I 1 = g mV gs
I2 =
g mvgs
rd //RS
VP
Rs rd
V gs = V P
I P = g m VP +
VP
1
= VP g m +
R s rd
R s rd
IP
1
1
1
=
=
+
1
VP Z out R s // rd
gm
1
Z out = R s // rd //
gm
64
VP
Notar que:
Z out r = Rs //
d
1
gm
Amplificador en Fet de Refuerzo

Sea la siguiente red:
+VDD
Vds
Vgs
Vi
Rg
RS
RL
Vo
RS 2
La Autopolarizacin se efecta por medio de una parte de RS=RS1+RS2, sta accin permite reflejar una
mayor impedancia de entrada, permitiendo por lo tanto, aprovechar mejor las caractersticas de alta
impedancia que exhibe todo FET y sin utilizar un valor elevado para Rg.
En A.C.
gmVgs
Vi
Rg
Vgs
i
Rs 1
i1
Rs 2
Vo = (Rs R L )g mV gs
Vi + R g i + Rs2 (i1 + i ) = 0
RL
Vi = R g + Rs2 i + Rs2 gmV gs
Rs + R L
= 0
- Vi + Vgs + R s1 i1 + R s 2 (i1 + i ) = 0
- Vi + Vgs + R s i1 + Rs2 i
65
Vo
RL
Vi = Vgs + R s g mV gs
R L + Rs
+ Rs2 i
igualando ambas ecuaciones:
RL
+ Rs2 i = R g + Rs2 i + Rs2 g mV gs

RL + Rs
RL
+ R g i + Rs2 g mV gs
R L + Rs
Rs2 R L
V gs + g mV gs (Rs R L ) = R g i +
g mV gs
R L + Rs
Rs2 R L
Rg i =
g mV gs + (Rs R L )g mV gs + V gs
R L + Rs
RL
V gs + Rs g mV gs
RL + Rs
RL
V gs + Rs g mV gs
RL + Rs
Se obtiene:
i=
R R
g mV gs
R s R L s2 L + 1
R g
RL + Rs g m
luego:
Z in =
Vi
i
+ (R L // Rs )
R g
gm
Z in =
R
R
1
L s2
R L // Rs +
g m Rs + R L
+ Rs
2
(R s + R L )
Rs1 RL +
gm
R g = Z in Rs2
R + R + (R L + R s )
s
L
gm
66
TRANSISTORES DE POTENCIA
En todo amplificador multietapa transistorizado, las ultimas etapas son de potencia. Dichos transistores
deben tener una mayor capacidad para las corrientes es decir, no sern transistores para pequea seal.
Por lo anterior, existir una mayor variacin respecto del punto Q ( sobre todo Icq ), lo que implica:
1. Mayor variacin para hie:
En pequea seal hie, puede presentarse en torno a:
Ahora:
hie =
v be
i b
vce = ctte
26 mV
I bq
v be 2 vbe1
ib2 Ib1
2. Mayor variacin para el factor :

la prctica en potencia es trabajar con el menor valor posible dentro del rango de operacin.
3. El parmetro hoe ya no se puede despreciar,
1
1k
hoe
CLASES DE OPERACIN
Los transistores de potencia se clasifican d acuerdo con la parte del ciclo de seal senoidal de entrada y
durante el cual circula corriente por la carga.
Clase A:
El transistor trabaja los 360, estar en zona activa. Los circuitos para este tipo de amplificador sern los
mismos que utilizamos en pequea seal con las diferencias obvias, que habr seales grandes y
potencias elevadas ( mayor de 1 Watt ).
Clase AB:
La corriente circula durante ms de medio ciclo, sin llegar al ciclo completo.
67
Clase B:
La corriente circula durante un semiciclo
Generalmente para una mayor eficiencia se utilizan 2 amplificadores trabajando en clase B, uno para
cada ciclo (positivo y negativo).
Clase C:
La corriente circula durante menos de medio ciclo.
POTENCIA Y EFICIENCIA
Se define eficiencia o rendimiento al factor:
I
V
o
o
P
Po
rms
rms
AC
=
=
=
P
P
P
DC
DC
DC
Clculo de Potencia y Eficiencia

Amplificadores de Potencia, Clase A:
68
En clase A el valor mximo de rendimiento se obtiene para mss. En tal caso:
V RMS =
I oRMS =
V peak
2
I o peak
2
PDC = Vcc I cq
V
I
peak o
2
peak
1
V I
cc cq
I o peak = I cq
V peak =
VCC
2
V
CC
2I
2
1
4
cq
V I
cc cq
= 25%
Lo cual representa el valor mximo de eficiencia para la clase A.
Observacin:
S, Vceq
Vcc
disminuye
2
Amplificadores de Potencia Clase B:

Considerando dos transistores, uno trabajando para cada ciclo (positivo y negativo):
69
+ VCC1
Vi
V0
-VCC2
imax
VCC
Distorciones
Las distorsiones ocurrirn, debido a que VCC1 VCC2
P
, pues I 0
=V I
DC
cc DC
cq
I DC =
mx
2Vcc I c
mx
( total )=
PDC
Po =
Ic
I peak V peak
2
Ic
V
mx cc
2
luego:
70
Ic
V
mx cc
2
=
2Vcc I c
mx
=
( 78%)
Es decir clase B con doble circuito, es mucho mejor. Equivale a un clase A, pero con un rendimiento
superior al 75%.
Sobre la Disipacin en un Transistor de Potencia:
El factor que limita la disipacin de potencia en todo transistor, es la T de la juntura colector. De
sobrepasar la T critica ( 170-250 ) el transistor se destruye.
Con el fin de aumentar la potencia mxima disipada, se dispone de un mecanismo tipo aleta, lo cual,
permita conducir el calor en dicho mecanismo, la idea es irradiar lo ms rpidamente el calor disipado
a una superficie lo ms grande posible.
Los transistores para potencias muy elevadas, presentan el colector directamente conectado al chasis,
por lo tanto, el escape del calor es ms rpido an y fcil de conducir.
Eficiencia Mejorada en Clase A:
Una forma de mejorar la respuesta de eficiencia a un circuito amplificador en clase A, consiste en
utilizar un acoplamiento inductivo en el colector.
Sea el siguiente circuito:
+VCC
R1
L
Cc
Vi(t)
R2
VBE
RE
Con L y R=0
el circuito es tal que:
-
En AC el inductor es circuito abierto.

En CC, el inductor es corto circuito.
En continua:
71
RL V0
CE
Rth
VBE
VCC
Vth
RE
Por ser transistor de potencia Ic es grande y Iba por lo menos 50 veces menor, luego tambin es posible
aproximar : IE -IC
V =V
R I
cc
ceq
E E
=V + R I
ce
E c
1
V
V + cc
I =
R ce R
c
E
E
; Recta de salida
Notar que debemos lograr una alta Ic, es decir, deber ocurrir que RE sea
ello: Vce VCC
ic
Vcc
v ce
En AC:
Vce
RL
iL
V = R I
ce
L L
Vce = R L I c
Vce Vceq = R L I c I cq
Para mss de salida:
72
pequeo, logrndose con
si : vce = 0 ic = 2 I cq
es decir,Vceq = RL I cq
reemplazando :
vce - Vceq = -RL (I c - I cq )
vce = 2Vceq - R L Ic
Ic =
2Vceq
1
vce +
RL
RL
pero:
Vceq VCC
Ic =
2V
1
vce + cc ; Recta de Carga Alterna
RL
RL
Graficando:
iC
2Vcc/RL
Vcc/RL
VceqVcc
El rendimiento ser:
V I
p p
=
2V I
cc cq
V I
cc cq
=
2V I
cc cq
1
=
2
= 50%
73
2Vcc
vCE

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CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

La IE, ser siempre mayor a la IC

Alta impedancia de entrada 107 - 1012

Respuesta en frecuencia no muy aceptable, debido a su alta capacidad de entrada.

Con Puerta aislada, denominados: MOSFET

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Corriente de saturacin inversa.

Bastar conocer Idss y Vp para que la caracterstica quede determinada

Vp es negativa para un canal N

MOSFET Empobrecimiento (Canal N)

Se utilizan en circuitos multietapas (amplificacin lineal)

Cuando Vgs>0, aumenta el tamao del canal, y aumenta Id.

- En este dispositivo, no existe Idss

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

I d = K (V gs - VT ) , donde K es una constante dependiente del mtodo de

CONFIGURACIONES CON EL TBJ

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

AREAS O ZONAS DE TRABAJO PARA EL TRANSISTOR TBJ

RELACIONES DE CORRIENTES EN LOS TBJ

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

reemplazando en Ic, se logra:

Reemplazando hacia arriba se logra obtener:

Reemplazando, nos queda:

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

evaluando este factor, segn la ltima ecuacin, se obtiene:

por lo que podemos reescribir:

En la prctica y bajo condiciones usuales de trabajo, ocurre:

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

DETERMINACIN DEL PUNTO Q

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Seleccionando ya sea VCE,IC,Vbe o Iba en el punto Q, entonces puedo determinar lo restante.

La corriente IG=0 porque la unin compuerta-fuente se encuentra inversamente polarizada y adems, la

Del fabricante debemos conocer: Vp y Idss

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

por lo que podemos obtener la caracterstica de corriente como:

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Circuito de Polarizacin Universal

Vth + R E I E VBE Rth I B = 0

Vth - RE (I C + I B ) Rth I B VBE = 0

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Vth = -[RE ( + 1) + Rth ]I BQ V BEQ = 0

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

El equivalente de Thevenin es:

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

ANLISIS DE ESTABILIDAD Y COMPENSACIN

Por lo tanto: IC0 >

S i : Factor de estabilidad de la corriente (respecto de Ico)

La variacin total de la Ic en torno a Q estar dada por:

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

I CQ = S I I C 0 + SV VBE + S + ... + otros factores

Condicin: Que R1>>R2

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

Supongamos que le introducimos una excitacin alterna al circuito de base:

Donde Vi(t) es una seal variante en el tiempo y de naturaleza alterna (AC).

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Determinacin de la recta de carga: