You are on page 1of 84

1.

Diodele semiconductoare sunt dispositive electronice cu
două terminale, care au înstructura lor
o joncţiune pn, o regiune de tip p şi una
de tip n, realizate în aceeaşi reţea
cristalină continuă, şi două contacte
ohmice.
Dacă prin dopare se realizează
condiţia ca valorile concentraţiilor N A
şi ND în cele două regiuni să fie
constant iar variaţia acestora să aibă
loc numai la suprafaţa de separaţie,
joncţiunea se numeşte abrupt şi ideală.
De obicei, înpractică NA ≠ ND.
Înregiunile p şi n îndepărtate de
joncţiune, concentraţiile purtătorilor de
sarcină sunt determinate de dopare şi
de temperatură (înregiunea p: pp≫ npşi
pp≃ NA, iar în regiunea n: nn≫pn şi
nn≃ ND). Trecând de la o regiune la
alta concentraţiile electronilor şi
golurilor variază brusc. Purtătorii majoritari difuzează dintr-o
regiune în cealaltă: golurile difuzează din regiunea p înregiunea n,
iar electronii din regiunea n în regiunea p.La suprafaţa de separaţie
a celor două regiuni se formează o joncţiune pn caracterizată prin:
lărgime, sarcină spaţială, câmp electric, potenţial de difuzieşi
capacitate electrică. Joncţiunea pn este elementul de bază în
majoritatea dispozitivelor electronice. Prezenţa sarcinii spaţiale dă
naştere unui câmp electric E având sensul de la n la p. Acesta se
opune deplasării în continuare prin difuzie a purtătorilor majoritari
dintr-o regiune înalta. Existenţa câmpului electric duce la apariţia
unui potenţial φC numit potenţial de barieră sau de difuzie. Prin
acumularea unei sarcini electrice regiunea de trecere prezintă o
capacitate electrică. După realizarea joncţiunii, în sistem se
stabileşte echilibrul termodinamic caracterizat prin aceea că

nivelul Fermi are aceeaşi valoare în toate mediile ce compun
sistemul. Stabilirea echilibrului se face într-un timp foarte scurt în
următorul mod: deoarece nn≫ np şi pp≫ pn electronii din regiunea
n vor trece în regiunea p, iar
golurile din regiunea p vor
trece în regiunea n.
In
continuare
este
prezentata
diagrama
energetica a jonctiunii pn la
echilibru:
dn
dx
dp
I pp  eD p
dx
I np  en n E
I nn  eDn

I pn  ep p E
I  I nn  I pp  I np  I pn  0

- regim de asteptare
Jonctiunea pn este polarizata direct daca se aplica plusul
tensiunii externe pe regiunea p si minusul pe regiunea n. Tensiunea
aplicata da nastere unui cimp, care se suprapune cimpului intern sil micsoreaza. Echilibrul dintre curentii de cimp si de difuzie este
perturbat. Cimpul rezultat favorizeaza trecerea purtatorilor
majoritari determinind o crestere a curentului de difuzie. In
regiunea de trecere existind un nimar mai mare de purtatori mobili
de sarcina, rezistenta jonctiunii este mica.
j pPD
n

dn
dp
 eDn
 eD p
dx
dx

I p n

qU


 I 0  e kT  1

Polarizarea jonctiunii este inversa, daca plusul tensiunii
exterioare se aplica pe regiunea n si minusul pe regiunea p. In
acest caz, cimpul creat mareste barierea de potential, micsorind
curentul de difuzie datorat purtatorilor majoritari. Deplasarea
purtatorilor minoritari aflati in numar redus este favorizata de
cimpul rezultat, insa curentul de cimp ramine practic constant.

Jonctiunea va fi parcursa de un curent de valoare mica care trece
pe suprafata, defecte, fiind caracterizata de o rezistenta mare.
j pPI n  en n E  ep p E

Caracteristica voltamperică a joncţiunii pn: I=f(U), este o
exponenţială în cazul polarizărilor directe şi o dreaptă aproximativ
paralelă cu abscisa în cazul polarizărilor inverse, până la o anumită
valoare la care survine străpungerea joncţiunii.

Dioda redresoare
Acest tip de dioda se bazeaza pe proprietatea de conductie
unilaterala a jonctiunii pn. O dioda redresoare ideala are o
rezistenta egala cu zero daca e polarizata direct si o rezitenta
infinita la polarizare inversa. CVA a unei diode redresoare este
prezentata in continuare:

Diodele redresoare trebuie sa fie caracterizata prin:
- la polarizare directa sa aiba o rezistenta cit mai mica si sa
permita trecerea unui curent cit mai mare;
- la polarizare inversa sa aiba o tensiune de strapungere cit mai
mare si un curent rezidual cit mai mic.
Diodele redresoare se folosesc până la frecvenţe de cca. 10…20
kHz, deoarece la frecvenţe înalte, capacitatea de barieră produce
un puternic efect de şuntare a rezistenţei inverse şi proprietăţile de
redresare sunt diminuate (sau chiar dispar).

Trasarea dreptei de sarcina
E = UVD+IsRs = UVD+IVDRs
PI → IVD = 0 → E = UVD
PD → UVD = 0 → I = E/Rs

Imed – valoarea medie a Rdin – rezistenta dinamica la curentului c.a.Daca PSF nu este selectat corect. Umed – tensiuneamedie Parametridebaza: . Ustr tensiunea de Imax – curent maxim la strapungere cuplaredirecta I0 – curentul de scurgere Pmax – puterea maxima la Udes – tensiunea de cuplare directa deschidere Rst – rezistenta statica la c. informatia la iesire v-a avea distorsiuni.a.

Marimea capacitatii de bariera este dependenta de valoarea tensiunii inverse aplicate. Factorul de calitate Q depinde de frecvenţă: Q=RjoncţCbar .prezintă un sistem de blocaj după curent continuu. Q. 1 fR  2 L C  CVD C  CVD C U   C  0  c c  U C(0). oscilatoare. Umax.3 Capacitatea C. ΔC/ΔU. Valoarea capacitatii este formata din capacitatea de bariera a unei jonctiuni pn abrupte la care se adauga capacitatea capsulei.C la UVD=0 c  .Dioda varycap Diodele varicap servesc drept condensatoare cu capacitate variabila realizata pe cale electrica.bariera de contact n=2.Umin. filtre etc. Schema echivalenta Parametrii de baza: Cmin. Se utilizeaza în circuite acordate. In astfel de circuite dioda varicap trebuie polarizata invers. Cmax.

Strapungerea este nedistructiva deoarece strapungerea electrica nu are caracter de avalansa si nu trece in strapungere termica. deci polarizat invers. la o valoare UZ. tensiunea pe dioda Zener nu se modifica practic. apare fenomenul de strapungere. desi curentul poate sa se modifice în limite largi. numita tensiune Zener. curentul invers prin dioda crescând brusc. Se observa ca. Scopul este acela ca la terminalele diodei sa se mentina practic constant o tensiune când curentul variaza în limite relativ largi. Daca se aplica o tensiune inversa. . avalansa sau mixt Forma caracteristicii statice este cea a unei diode obisnuite. daca punctul de functionare al diodei Zener ramâne în zona delimitata de un punct initial cu valoarea curentului IZ1. Aceasta zona se numeste regiune Zener sau regiune de stabilizare sau regiune normala de functionare. Mecanismul de strapungere poate fi tunel.Dioda Zenner Diodele stabilizatoare (diode Zener) sunt diode care functioneaza normal în zona de strapungere. punct care marcheaza instalarea strapungerii si un punct cu valoarea curentului IZM.

Uminst. Umaxst. Imaxst.2 )·US Parametrii de baza: Iminst. Rdif. I = IVD+IS Eal IRB+Us=IRB+UVD=I0RB+IsRs Eal=( 1.M 1  U 1    U str n    – arata de cite ori curentul care circula prin jonctiune la polarizare indirecta este mai mare ca I0. = .1 – 1.

iar cealalta. este colectorul (C). care determina în general curentul prin tranzistor. regiunea centrala fiind mult mai îngusta si de tip diferit fata de regiunile laterale. Emitorul este sursa de purtatori. mai saraca în impuritati decât emitorul. regim activ – jonctiunea E cuplata direct. motiv pentru care este valabila definitia: Tranzistoarele bipolare (TB) sunt dispozitive semiconductoare alcatuite dintr-o succesiune de trei regiuni realizate prin impurificarea aceluiasi cristal semiconductor. . iar colectorul colecteaza purtatorii ajunsi aici. Aceasta dispunere nu este echivalenta cu doua jonctiuni independente. una puternic dopata cu impuritati. montate în acelasi circuit.. E cuplata indirect. Tranzistorul poate functiona in 3 regimuri: 1. regim de blocaj – ambele jonctiuni cuplate indirect. 2. Un tranzistor bipolar este un monocristal cu doua jonctiuni cuplate în opozitie. Tranzistorul bipolar transfera curentul din circuitul de intrare de rezistenta mica în circuitul de iesire de rezistenta mare. regim de inversie – jonctiunea C cuplata direct. denumita emitor (E). regim de saturatie – ambele jonctiuni cuplate direct. 4. De altfel. 3. Baza are rolul de a controla intensitatea curentului prin tranzistor în functie de tensiunea dintre aceasta si emitor. regiunea centrala este mai slab dopata cu impuritati decât celelalte regiuni si se numeste baza (B). de unde si denumirea de tranzistor (TRANSISTOR = TRANsfer reSISTOR). C cuplata indirect. Celelalte doua regiuni.

IEp→0. formind curentul IB.din emitor in regiunea bazei si a golurilor din baza in emitor. datorita tehnologiei de fabricare.in colector formind ICn. Tinem cont ca I En>>IEp. Cimpul intercalat transfera acesti e. Pentru a compensa sarcina negativa aparuta in baza.din baza). din sursa de alimentare se injecteaza goluri in baza (extragem e . Jonctiunea colectorului cuplata indirect poseda curent de scurgere – IC0.Diagrame energetice Conditia de baza: IEn>>IEp. Electronii injectati in regiunea bazei se misca spre colector (difuzie). . IC0→0. Rezulta in final IE=IC+IB. Polarizarea directa a jonctiunii emitroului provoaca injectia e.

Conexiunea EC este tipul cel mai des întâlnit în cazul circuitelor deamplificare. Prin scrierea ecuaţiilor pe cele două circuite. de comutaţie sau digitale. Schema echivalenta: Conexiunea EC se caracterizează prin Rint de valoare mică (500-1500Ω). curent. Rieş de valoare destul de ridicată (30kΩ-50kΩ sau chiar mai mult). Ecuaţia caracteristică de funcţionare devine: IC  1  IB  IC0 1 1 Unde α reprezintăfactorul de amplificareîncurentînconexiuneabazăcomună. respectiv putere. Amplificareaestedată de raportulîntreieşireşiintrare. Circuitul de intrare (la care se aplică semnalul de intrare) este circuitul bază-emitor. deoarece furnizează valori bune pentru tensiune. Pentru conexiunea EC se defineşte factorul de amplificare β conform relaţiei: . Alternanta pozitiva →IB ↑ → IC↑ → UCE↑ Alternanta negativa →IB ↓ → IC ↓→ UCE ↓ Astfel conexiunea EC este singurul tip de conexiune care produce un defazaj între intrare şi ieşire de -180°. se observă că cei doi curenţi importanţi sunt curentul de colector IC şi curentul de bază IB. de intrare şi de ieşire. iar circuitul de ieşire este colector-emitor.

Devierea caracteristicilor la dreapta si in jos are loc datorita efectului Earley (variatia latimii bazei sub actiunea tensiunii aplicate). . trece prin punctul zero ce diferă de caracteristica diodei semiconductoare doar prin mărimea curentului.I I C0  0  I C   I B    B  1 I C  1 IC    I C  I B  I C0 I B 1   1 Caracteristicile statice sunt: I B  f (U BE ) U CE  const I C  f (U CE ) I B  const . Caracteristicile de intrare la tensiunea colectorului egală cu zero. Caracteristicile de ieşire: creşterea curentului colectorului cu mărirea valorii UCE este dirijată de micşorarea lăţimii bazei. deoarece curentul B e mai mic decât curentul prin joncţiune. caracteristicile sunt sensibile la to . Panta car este mult mai mare deoarece coef de transfer al Ib are o dependenta mult mai mare de UCE .

montate în acelasi circuit. regiunea centrala fiind mult mai îngusta si de tip diferit fata de regiunile laterale. regim de inversie – jonctiunea C cuplata direct. mai saraca în impuritati decât emitorul. iar cealalta. una puternic dopata cu impuritati.. 7. Celelalte doua regiuni. regiunea centrala este mai slab dopata cu impuritati decât celelalte regiuni si se numeste baza (B). Un tranzistor bipolar este un monocristal cu doua jonctiuni cuplate în opozitie. regim de blocaj – ambele jonctiuni cuplate indirect. Baza are rolul de a controla intensitatea curentului prin tranzistor în functie de tensiunea dintre aceasta si emitor. iar colectorul colecteaza purtatorii ajunsi aici. Aceasta dispunere nu este echivalenta cu doua jonctiuni independente. este colectorul (C). . Emitorul este sursa de purtatori. C cuplata indirect. E cuplata indirect. denumita emitor (E). Tranzistorul poate functiona in 3 regimuri: 5. motiv pentru care este valabila definitia: Tranzistoarele bipolare (TB) sunt dispozitive semiconductoare alcatuite dintr-o succesiune de trei regiuni realizate prin impurificarea aceluiasi cristal semiconductor. 6. De altfel. de unde si denumirea de tranzistor (TRANSISTOR = TRANsfer reSISTOR). regim activ – jonctiunea E cuplata direct. care determina în general curentul prin tranzistor. Tranzistorul bipolar transfera curentul din circuitul de intrare de rezistenta mica în circuitul de iesire de rezistenta mare.

Electronii injectati in regiunea bazei se misca spre colector (difuzie). Pentru a compensa sarcina negativa aparuta in baza. datorita tehnologiei de fabricare. Conexiunea BC este preferabila datorită valorilor impedanţelor de intrare/ieşire (30-160Ω/ 250kΩ . Cimpul intercalat transfera acesti e. IC0→0.din emitor in regiunea bazei si a golurilor din baza in emitor. regim de saturatie – ambele jonctiuni cuplate direct.in colector formind ICn. Rezulta in final IE=IC+IB.8. IEp→0. Tinem cont ca I En>>IEp. din sursa de alimentare se injecteaza goluri in baza (extragem e . Jonctiunea colectorului cuplata indirect poseda curent de scurgere – IC0. Polarizarea directa a jonctiunii emitroului provoaca injectia e. formind curentul IB. Diagrame energetice Conditia de baza: IEn>>IEp.din baza).

iar semnalul care se opune polarizării va micşora curentul prin tranzistor. Semnalele de intrare şi de ieşire sunt în fază deoarece un semnal care ajută la polarizare va creşte valoarea curentului prin tranzistor. La alimentarea joncţiunii colectorului . conexiunea BC este utilizată în aplicaţiile în care se cere amplificare în tensiune mare şi rezistenţă de intrare mică (exemplu: amplificator de voce).-550kΩ). curentul I E creste exponential cu cresterea UEB. Circuitul de intrare este circuitul emitor-bază. Altfel. Amplificarea în curent se calculează asemănător conexiunii EC. câştigul în curent mai mic decât 1. Intre α şi β există relaţia:    / 1    Caracteristicile statice: I E  f (U EB ) U CB const I C  f (U CB ) I E const . iar circuitul de ieşire este colector-baza. Se defineşte α:   I C / I E Relatia de bazaintrecurentiieste IE=IC+IB.Utilizarea acestui tip de conexiune este limitată de rezistenţa de intrare mică. Caracteristica de intrare la UCB=0 este asemănătoare cu a diodei cuplate direct.

La mărirea IE caracteristicile se schimbă.V. Caracteristica nulă reprezintă o caracteristică simplă a diodei semiconductoare polarizată indirect. adică . Cu modificarea temperaturii UEB se modifica practic liniar cu coef de tempertura aprox 2 mV/ºC. IB →0.A de ieşire a VT cuplat BC reprezintă caracteristica VD semiconductoare cu decalaj I pn  I 0 {exp[ eU kT ]  1} Ie  IC ICp. IC se măreşte cu valoare ICp. Caracteristicile de ieşire se impart în trei regiuni: I – negativă (regim activ) . caracteristica de intrare se deplaseaza în dreapta. pentru porţiunea a doua a caracteristicilor lucrează relaţia I E  I B  I C  I Co k .I    kU  IC 1 IE U CB  1 U EB . IE ~IC. unde I0=ICp şi creşterea C. aceasta deplaseaza caracteristicele spre axa curentilor . .avem amplificare după tensiune şi putere.cu tensiune negativă. . La cresterea UCB caracteristicase edplaseaza in stinga din cauza efecutlui Earley. unde avem . II –regim de saturaţie. La apariţia curentului IE. III – străpungere. şi ICo.câţi purtători de sarcină am pierdut în bază .

Principiul de funcţionare pentru TEC este bazat pe dependenţa secţiunii canalului prin care circulă purtătorii de sarcină de tensiunea aplicată la electrozi. Mai jos este prezentată schema care explică principiul de funcţionare a TEC. VTcu efect de câmp se mai numesc şi tranzistoare unipolare. Funcţionarea TEC are loc cu un singur tip de purtători de sarcină. Deplasarea purtătorilor de sarcină liberi are loc sub influenţa tensiunii aplicate intre doi electrozi numită drenă si sursă.Tranzistoarele cu efect de câmp (TEC) sunt dispozitive electronice a căror funcţionare se bazează pe modificarea conductantei unui canal semiconductor sub influenţa câmpului electric. 2. Deoarece fenomenul conducţiei este determinat numai de un singur tip de purtători şi anume de purtătorii majoritari din canal. ceea ce permite funcţionarea lui la frecvenţe înalte. plasate la cele doua capete ele canalului. Acestea se clasifica in: 1. MIS/MOS cu canal indus/canal intercalat. Sursa desemnează . jonctiune p-n.

In majoritatea cataloagelor este dată tensiunea la care curentul de drenă scade la o valoare foarte mică (de obicei 10A). iar drena . Modificarea conductibilităţii canalului se realizează cu ajutorul câmpului creat de o tensiune aplicată unui al treilea electrod numit grilăsau poartă. Conductibilitatea canalului depinde de secţiunea canalului si de numărul purtătorilor de sarcină mobili din canal. Caracteristicile statice Caracteristica de transfer ID = f (UGS)|USD = const Caracteristica de iesire ID = f (USD)|UGS = const Caracteristicile de ieşire variază în dependenţă de secţiunea canalului prin care circulă purtătorii de sarcină. 1. Conform celor de mai sus.electrodul prin care purtătorii de sarcină pătrund in canal. TEC cu joncţiune p – n.electrodul prin care purtătorii mobili de sarcină sunt evacuaţi din canal. unde Up este tensiunea grilă-sursă la care curentul de drenă se anulează. Tensiunea drenă-sursă pentru care canalul se închide se numeşte tensiune de saturaţie şi este egală cu: UDS=Ugs – Up. . sensul deplasării purtătorilor mobili este de la sursă spre drenă.

Pentru TEC cu canal – p totul rămâne la fel. când UDS este constantă. KU =  UDS/ UGS|ID=0 Caracteristica de bază pentru tranzistorul cu efect de câmp este panta caracteristicii de transfer: S = ID/UG.Analizam TEC cu canal – n. Schemaechivalenta: . în afară de polarizări. Ries =  UDS/ ID|UGS = const.

Principiul de funcţionare pentru TEC este bazat pe dependenţa secţiunii canalului prin care circulă purtătorii de sarcină de tensiunea aplicată la electrozi.Tranzistoarele cu efect de câmp (TEC) sunt dispozitive electronice a căror funcţionare se bazează pe modificarea conductantei unui canal semiconductor sub influenţa câmpului electric. Mai jos este prezentată schema care explică principiul de funcţionare a TEC. MIS/MOS cu canal indus/canal intercalat. jonctiune p-n. Deoarece fenomenul conducţiei este determinat numai de un singur tip de purtători şi anume de purtătorii majoritari din canal. VTcu efect de câmp se mai numesc şi tranzistoare unipolare. plasate la . ceea ce permite funcţionarea lui la frecvenţe înalte. Acestea se clasifica in: 3. Funcţionarea TEC are loc cu un singur tip de purtători de sarcină. 4. Deplasarea purtătorilor de sarcină liberi are loc sub influenţa tensiunii aplicate intre doi electrozi numită drenă si sursă.

unde Up este tensiunea grilă-sursă la care curentul de drenă se anulează. iar drena .cele doua capete ele canalului. Conform celor de mai sus. Sursa desemnează electrodul prin care purtătorii de sarcină pătrund in canal. a) TEC MOScucanalindus StructuraTEC MOScu canal indus tip – n Caracteristicile statice Caracteristica de transfer ID = f (UGS)|USD = const Caracteristica de iesire ID = f (USD)|UGS = const . sensul deplasării purtătorilor mobili este de la sursă spre drenă. Tensiunea drenă-sursă pentru care canalul se închide se numeşte tensiune de saturaţie şi este egală cu: UDS=Ugs – Up.electrodul prin care purtătorii mobili de sarcină sunt evacuaţi din canal. Modificarea conductibilităţii canalului se realizează cu ajutorul câmpului creat de o tensiune aplicată unui al treilea electrod numit grilă sau poartă. In majoritatea cataloagelor este dată tensiunea la care curentul de drenă scade la o valoare foarte mică (de obicei 10A). Conductibilitatea canalului depinde de secţiunea canalului si de numărul purtătorilor de sarcină mobili din canal.

unTEC cu joncţiune p-n alimentat după current continuu: E = ID•RD + UDS Trasarea dreptei de sarcină pentru acest etaj amplificator este prezentată mai jos.  Probabilitatea proceselor de generarerecombinare este foarte mica. Avantaje importante ale FET:  Avantajul principal al FET este rezistenta de intrare foarte mare. . deci nivelul de zgomot propriu este mic.  Lipseste dezavantajul acumularii si disiparii purtatorilor minoritari. deci timpii de comutare sunt determinate numai de incarcarea si descarcarea capacitatilor tranzistorului.Fie.

MIS/MOS cu canal indus/canal intercalat. Tranzistoarele cu efect de câmp (TEC) sunt dispozitive electronice a căror funcţionare se bazează pe modificarea conductantei unui canal semiconductor sub influenţa câmpului electric. Acestea se clasifica in: 5. Mai jos este prezentată schema care explică principiul de funcţionare a TEC. VTcu efect de câmp se mai numesc şi tranzistoare unipolare. Deoarece fenomenul conducţiei este determinat numai de un singur tip de purtători şi anume de purtătorii majoritari din canal. ceea ce permite funcţionarea lui la frecvenţe înalte. Suprafata de ocupare intr-un circuit este mult mai mica. 6. Funcţionarea TEC are loc cu un singur tip de purtători de sarcină. Principiul de funcţionare pentru TEC este bazat pe . jonctiune p-n.  Stabilitate termica inalta.

sensul deplasării purtătorilor mobili este de la sursă spre drenă.electrodul prin care purtătorii mobili de sarcină sunt evacuaţi din canal. Conductibilitatea canalului depinde de secţiunea canalului si de numărul purtătorilor de sarcină mobili din canal. In majoritatea cataloagelor este dată tensiunea la care curentul de drenă scade la o valoare foarte mică (de obicei 10A). Tensiunea drenă-sursă pentru care canalul se închide se numeşte tensiune de saturaţie şi este egală cu: UDS=Ugs – Up. Deplasarea purtătorilor de sarcină liberi are loc sub influenţa tensiunii aplicate intre doi electrozi numită drenă si sursă. unde Up este tensiunea grilă-sursă la care curentul de drenă se anulează. Modificarea conductibilităţii canalului se realizează cu ajutorul câmpului creat de o tensiune aplicată unui al treilea electrod numit grilăsau poartă. Conform celor de mai sus. b) TEC MOS cucanalintercalat Structura TEC MOS cu canal intercalat tip n . Sursa desemnează electrodul prin care purtătorii de sarcină pătrund in canal. iar drena .dependenţa secţiunii canalului prin care circulă purtătorii de sarcină de tensiunea aplicată la electrozi. plasate la cele doua capete ele canalului.

cât şi in regim de îmbogăţire (UGS>0). Tiristoarele sunt dispozitive electonice . Sunt citeva tipuri de tiristoare: tetroda. unidirectionale. bioperational. destinate pentru utilizarea in calitate de chei electronice a curentilor.Caracteristicile statice Caracteristica de transfer ID = f (UGS)|USD = const Caracteristica de iesire ID = f (USD)|UGS = const Spre deosebire de TEC cu joncţiunep – n. n2 in regiunele n1 si p2 sunt injectati goluri si electronii .multejonctiune. TEC MOS pot lucre atât în regim de saturaţie (UGS<0). fototiristorul Dupa aplicare a tensiunii +A si – C din regiunele p1 .

Pentru revenirea din starea de conductie în starea de blocare trebuie anulata sau inversata tensiunea anodica. Aceasta reprezinta o posibilitate de comanda a tiristorului cu o putere mica în circuitul de grila. care polarizeaza în sens direct jonctiunea J3. grila nu mai are nici un efet asupra functionarii acestuia. rezistenta structurii scade. deci la o tensiune UA<Umax. Daca la grila tiristorului se aplica si o tensiune UG. se mareste curentul prin aceasta si factorul de amplificare. se introduce factorul de multiplicare în avalansa M. Numarul purtatorilor creste rapid. Astfel conditia de comutare în conductie se realizeaza deja pentru un M mai mic. tensiunea se micsoreaza iar curentul creste brusc. . Dupa trecerea tiristorului în regim de conductie. Întrucât în regiunea de trecere a jonctiunii colector apare fenomenul de multiplicare în avalansa. Pentru studierea tiristorului putem sa-l consideram ca fiind compus din doua tranzistoare de tip npn si pnp. care au jonctiunea colector comuna.fiind puratatori minoritari sunt accelerati de cimpul intercalate si jonctiuea n 2 amorseaza efectul Zener. care reprezinta numarul de perechi electroni-gol formate prin ciocniri de catre un purtator de sarcina mobil.

Pentru simplificare. Astfel: I=M(α1IE1+ α2IE2+ IC0) unde M – factorul de multiplicare a purtatorilor de sarcina. Curentul total prin jonctiunea J2 determina valoarea curentului prin structura in ansamblu si este format din curentii de colector ale ambelor tranzistoare si curentul sumar al purtatorilor minoritari: I=IC1+IC2+IC0. presupunem ca factorii de multiplicare pentru ambele tipuri de purtatori de sarcina . deoarece IC1=α1IE1 si IC2=α2IE2 I= α1IE1+ α2IE2+ IC0 Deoarece in jonctiunea J2 sunt posibile tensiuni inalte. este necesar sa tinem cont de posibilitatea procesului de multiplicare prin avalansa a purtatorilor in jonctiunea J2.Construirea dreptei de sarcina consta in calcularea ecuatiei:   U VS  0. U  E VS  VS Dreapta de sarcina trebuie sa intretaie CVA in 3 puncte. I VS  E  I VS R S  U VS   E RS  I  0.

Alt moment important este dependenta factorilor α1 si α2 de valoarea curentului. iar factorii α1 si α2 au valori foarte mici. prin urmare: I→∞. Deci: M=1. de unde I MI 0C 1  M  1   2  rezulta: . In consecinta: M→∞. La valori inalte ale tensiunii aplicate pe anodul tiristorului. si curentii prin toate jonctiunile vor avea aceeasi valoare. factorul α2 are o valoare mai mare ca α1. La valori importatne ale tensiunii inverse in jonctiunea J2 se manifesta considerabil procesul de ionizare in avalansa si M capata valori mult mai mari de unitate. iar M(α1+α2)→0 si. M=1. deoarece grosimea bazei p2 este mai mica ca a bazei n1. prin urmare: I=I0. deci se . prin urmare. in jonctiunea J2 este declansat procesul de multiplicare in avalansa a purtatorilor de sarcina. iar M(α1+α2)→1 si. prin urmare.au aceeasi valoare. Prin urmare. La valori mici ale tensiunii anodice intensitatea cimpului electric in J2 nu este suficienta pentru procesul de multiplicare. cresc brusc valoril factorului de multiplicare M si ale factorilor de transfer in curent α1 si α2. Ultima expresie reprezinta ecuatia de baza a structurii de tip tiristor si reprezinta caracteristica statica a tiristorului in forma analitica. Deoarece structura tiristorului este in serie. care va coincide cu curentul prin circuitul extern: I = IE1= IE2 In acest caz. la tensiuni mici procesul de multiplicare practic lipseste. putem nota: I=M(α1I+ α2I+ IC0).

care are loc la amorsarea tiristorului.observa o crestere brusca a curentului prin structura tiristorului – proces. Curentul de amorsarea IB0 – curentul anodic in momentul initial al amorsarii tiristorului. Tensiunea de mentinere UT0 – caderea de tensiune pe tiristor in starea de conductie. care constituie circa 60-80% din valoarea tensiunii de strapungere a tiristorului UBR. deci tensiunea in punctul caracteristicii statice incare curentul incepe sa creasca brusc. dar blocat. Parametrii tiristorului Tensiunea de amorsare UB0 – tensiunea anodica necesara pentru comutare tiristorului din stare de blocare in stare de conductie. Tensiunea inversa repetitiva maxim admisibila URRM – valoarea maxima admisibila a tensiunii repetitive de polarizare inversa pe anodul tiristorului. Curentul maxim admisibil in stare de conductie IFAVM – valoarea maxima admisibila a curentului mediu direct prin tiristorul in conductie. Curentul direct al tiristorului in stare de blocare IDRM – valoarea curentului care circula prin tiristorul polarizat direct. la care tiristorul ramine in stare de conductie. . Curentul de mentinere IH – valoarea minima a curentului anodic.

care mentin starea de conductie. R3. . Timpul de revenire (timp de dezamorsare) trr – intervalul de timp pe parcursul caruia la polarizarea inversa are loc disiparea completa a purtatorilor de sarcina din bazele tiristorului.Curentul invers in stare blocata maxim admisibil IRM – valoarea maxim admisibila a curentului care circula prin tiristorul blocat si polarizat invers de tensiunea URRM. Dupaacest interval de timptiristorulpoate fi polarizat direct farapericolulamorsariineconditionate. care asigura amorsarea sigura a tiristorului. Puterea maxim admisibila PFAVM – valoarea maxim admisibila a puterii disipate pe tiristorul in conductie. concomitent prin R1. Curentul pulsat de grila IGSM – amplitudinea minimala a impulsului de grila care asigura amortizarea sigura a tiristorului. Capacitatea inmagazineaza energie. Cind tensiunea pe condensator atinge valoarea Udesch a diodei. aceasta se deschide brusc si condensatorul se descarca pe electrodul de dirijare a VS. R4. R2. Curentul de grila continuu de amorsare IGT – valoarea minima a curentului continuu de grila. Utilizarea practica a tiristoarelor comandata La semiperioada pozitiva curentul circula prin divizorul R1.

care transformasemnalul de putere mica. de .AMPLIFICATOARE DE AUDIOFRECVENTA Amplificatoruleste un circuit electronic. magnetice Dupavaloareabenzii de frecventa a semnaleloramplificate: de curentcontinuu. Ele se pot clasificadupaurmatoarelecriterii: Dupanaturasemnaluluicepreponderentaamplificat :detensiune. intrun semnal de iesire de puteremai mare. cu semiconductoare. Unamplificatorconsta din unulsaumaimulteetaje de amplificare. aplicat la intrare. cu circuite integrate (operationale). de putere Dupatipulelementelor active folosite se intalnesc: cu tuburielectronice. de curent.

cu cuplajprintransformator. Amplificatoarele de audiofrecventa (de joasafrecventa) suntdestinateamplificariisemnalelor cu frecventecuprinseintrezeci de hertisizeci de kiloherti. .Pentruputerimari.Excitate cu semnalemici. Dupatipulcuplajuluifolositintreetajecu cuplaj RC.distorsiunile. Marimile fundamentale caracteristice pentru functionarea unui amplificator sunt: . avand o gama de frecventeamplificatecuprinseintrecativaherti (teoretic 0 Hz) si 5 MHz (teoretic 6 MHz). cu cuplajrezistiv (numitesiamplificatoare cu cuplaj galvanic sau de curentcontinuu). Dupalatimeabenzii de frecventaamplificata.amplificatoare de bandalarga (amplificatoare de videofrecventa).audiofrecventa (20Hz-20kHz). se intalnesc: -amplificatoare de bandaingusta (9÷20 kHz) . eletrebuie de obiceisafurnizezeputerirelativmaripeimpedante de sarcina. de obiceipurrezistive. Parametrii amplificatoarelor Performantele amplificatoarelor se exprima prin anumite caracteristici sau parametrii.coeficientul de amplificare. chiaretajul care precede etajul final amplifica in putere.cu circuiteacordate. Amplificatoarele de audiofrecventasuntconstituiteintr-un numar de amplificatoare in tensiunesidintr-un etaj final care amplifica in putere. de foarteinaltafrecventa(30-300MHz). .

Parteainferioară a intervaluluiestelimitat de condensatoarele de cuplare. . Amplificatorul este limitat la o funcţionareîntr-un anumitdomeniu de frecvenţe.gamadinamica.caracteristicileamplitudine-frecventasifazafrecventa. CE – condensator de decuplare care are rol de punereaemitorului la masăîncurentalternativ. -raportulsemnnal/zgomot. RC – rezistenţa de sarcină. Prezentamcircuitulunuiamplificator in conexiune EC: R1. . RE – rezistenţa din emitor cu rol de stabilizaretermică. R2 – divizor de tensiunepentrupolarizare cu rolîncreareapotenţialuluinecesarpentru ca tranzistorulsăfuncţionezeînregiuneaactivănormală.sensibilitatea. . dar lasă să treacă component alternativă. Analizamprincipiul de functionareaamplificatorului la utilizareaelementuluineliniar. CD2 –condensatoare de cuplaj care separă în current continuu etajul blocând componenta continuă. CD1.

rC* . Circuitul echivalent se construieste dupa current alternativ. Problema este rezolvată prin conectarea în paralel a condensatorului de decuplare. la frecvente medii pentru care capacitatile schemei poseda rezistenta practic nula XC→0. rezistenţa din emitor care are rol de stabilizare termică. În curen talternativ. Dacănu se respectăacestelimitesemnalul de ieşirepoate fi trunchiat. are un rolnegativ. .iarparteasuperioarăestelimitată de modul de comportare a tranzistorului la frecvenţeridicate.ia in consideratieefectulEarley. şi anume că micşorează amplificarea de tensiune a etajului. Amplificatorul este limitat în funcţionare şi de valorile de intrare. Deci putem spune că acest amplificator funcţionează la frecvenţe medii. înparteasuperioară de cătreintrareaînsaturaţie a tranzistoruluiiarînparteainferioară de cătreintrareaîn zona de blocare a tranzistorului Pentru a analiza etajul de amplificare se utilizeaza circuitul echivalent.

. . .Zies de valoaremedie (aproximativegală cu RC). iaramplificatorul nu poate fi utilizat ca şiamplificator ideal. .kU mare (de ordinal zecilor sau sutelor).I C  I E  UCE rC rC* r  1 * C Trasarea dreptei de sarcina VT blocat: EC  I C RC  U CE I C  0. decipoate fi folosit ca şiinversor de fază.Δφ=180°. .kP foarte mare.U CE  EC VT deschis: U CE  0 I C  EC / RC Observaţii: .Zint de valoaremedie.kI mare (de ordinal zecilor sau sutelor). .

intr-un semnal de iesire de puteremai mare.AMPLIFICATOARE DE AUDIOFRECVENTA Amplificatorul este un circuit electronic. Ele se pot clasifica dupa urmatoarele criterii: . care transforma semnalul de putere mica. aplicat la intrare. Unamplificator consta din unul sau mai multe etaje de amplificare.

Dupa latimea benzii de frecventa amplificata. de obicei pur rezistive. Parametrii amplificatoarelor . de curent. Dupa tipul cuplajului folosit intre etajecu cuplaj RC. Amplificatoarele de audio frecventa sunt constituite intr-un numar de amplificatoare in tensiune si dintr-un etaj final care amplifica in putere. magnetice Dupa valoarea benzii de frecventa a semnalelor amplificate: de current continuu. eletrebuie de obicei sa furnizeze puteri relative mari pe impedante de sarcina. se intalnesc: -amplificatoare de banda ingusta (9÷20 kHz) . Amplificatoarele de audiofrecventa (de joasa frecventa) sunt destinate amplificarii semnalelor cu frecvente cuprinse intre zeci de herti si zeci de kiloherti.Pentru puteri mari. cu cuplaj rezistiv (numite si amplificatoare cu cuplaj galvanic sau de current continuu). cu cuplaj prin transformator. avand o gama de frecventeamplificatecuprinseintrecativaherti (teoretic 0 Hz) si 5 MHz (teoretic 6 MHz). de foarte inalta frecventa(30-300MHz). Excitate cu semnalemici. cu semiconductoare. cu circuite integrate (operationale). de putere Dupa tipul elementelor active folosite se intalnesc: cu tuburielectronice.Dupa natura semnalului ce preponderant a amplificat: detensiune.cu circuite acordate.amplificatoare de bandalarga (amplificatoare de videofrecventa). de audiofrecventa (20Hz-20kHz). chiar etajul care precede etajul final amplifica in putere.

kU=1. . Circuitul RE. -raportul semnnal/zgomot.Δφ=0°. . . -caracteristicile amplitudine-frecventa si fazafrecventa.gama dinamica.Performantele amplificatoarelor se exprima prin anumite caracteristici sau parametrii.kImare. . CE prezintă un circuit de reacţie pentru corecţia punctului de funcţionare al tranzistorului în current continuu la variaţia temperaturii: U BE  U BE 0  I E R E    T  n  I E  U BE 0  I B 0  const  I C  const .Zint de valoare foarte mare (RE multiplicată cu factorul de amplificare). .sensibilitatea.coeficientul de amplificare.distorsiunile.Marimile fundamentale caracteristice pentru functionarea unu amplificator sunt: .Zies=RechB/K. . adaptor de impedanţă (repetorpeemitor). Prezentam circuitul unui amplificator in conexiune CC: Observaţii: . . Înconcluzie acest tip de amplificatore este folosit ca etaj tampon.

intr-un semnal de iesire de puteremai mare. .. care transforma semnalul de putere mica. AMPLIFICATOARE DE AUDIOFRECVENTA Amplificatoruleste un circuit electronic. aplicat la intrare.

de putere Dupa tipul elementelor active folosite se intalnesc: cu tuburi electronice. Amplificatoarele de audiofrecventa (de joasa frecventa) sunt destinate amplificarii semnalelor cu frecvente cuprinse intre zeci de herti si zeci de kiloherti. magnetice Dupa valoarea benzii de frecventa a semnalelor amplificate: de current continuu.Un amplificator consta din unul sau mai multe etaje de amplificare. de obicei pur rezistive. cu semiconductoare. de audiofrecventa (20Hz-20kHz). Amplificatoarele de audiofrecventa sunt constituite intr-un numar de amplificatoare in tensiune si dintr-un . de foarte inalta frecventa(30-300MHz).cu circuite acordate. ele trebuie de obicei sa furnizeze puteri relative mari pei mpedante de sarcina. de curent. cu cuplaj rezistiv (numite si amplificatoare cu cuplaj galvanic sau de current continuu). cu cuplaj prin transformator.amplificatoare de banda larga (amplificatoare de videofrecventa). avand o gama de frecvente amplificate cuprinse intre cativa herti (teoretic 0 Hz) si 5 MHz (teoretic 6 MHz). Dupa latimea benzii de frecventa amplificata. Dupa tipul cuplajului folosit intre etaje cu cuplaj RC. se intalnesc: -amplificatoare de banda ingusta (9÷20 kHz) . Excitate cu semnale mici. cu circuite integrate (operationale). Ele se pot clasifica dupa urmatoarele criterii: Dupa natura semnalului ce preponderant a amplificat:detensiune.

β). Raportul semnal/zgomot reprezinta raportul intre tensiunea de iesire produsa de semnalul amplificat si tensiunea de zgomot propriu. Parametrii amplificatoarelor Performantele amplificatoarelor se exprima prin anumite caracteristici sau parametrii. Tensiunea de zgomot a unui amplificator este semnalul aleator produs de elementele .Pentru puteri mari. datorita urmatoarelor cauze: . aplicat la intrare. . un semnal de amplitudine consta si de diferite frecvente. In cazul amplificatoarelor reale. L) prezinta reactante ce variaza cu frecventa. .gamadinamica.etaj final care amplifica in putere. fiind mai mica spre capetele benzii. Marimile fundamentale caracteristice pentru functionarea unuia mplificator sunt: . ai tranzistoarelor depind de frecventa. chiar etajul care precede etajul final amplifica in putere.distorsiunile. . -raportulsemnnal/zgomot. -caracteristicileamplitudine-frecventasifazafrecventa.factorii de amplificare (α.elementele reactive din circuit (C. Caracteristica amplitudine – frecventa In cazul unui amplificator ideal. .coeficientul de amplificare.amplificarea reprezinta un numar complex. este redat la iesire tot cu amplitudine constanta. .sensibilitatea. amplitudinea semnalelor de diferite frecvente de la iesire nu mai este constanta.

min amplificatorului. Reactia in amplificatoare Reactia – modificarea circuitului electric al amplificatorului in asa mod.componente ale amplificatorului: rezistoare. Gama dinamica reprezinta raportul intre semnalul de putere maxima si cel de putere minima aplicat la intrarea D  Pint . Valoarea raportului semnal/zgomot se reda sub forma: U sies U zies Raport semnal/zgomot = 20 log . Sensibilitatea reprezinta semnalul necesar la intrarea acestuia pentru a obtine la iesire tensiune sau putere nominala. tranzistoare. incit impreuna cu semnalul . datorita structurii discontinue a curentului electric. max / Pint . Cunoscind amplificarea si puterea nominala se poate calcula sensibilitatea.

Reactia poate fi parazitara sau introdusa intentionat. Reactia poate fi globala sau locala. Etajamplificator Exemple de reactie: Modalitati de introducere a reactiei U U p U S I . pozitiva sau negativa.de intrare se aplica un semnal (semnalul de reactie) proportional cu una din marimile de iesire (tensiune. curent. putere).

reactia este negativa si factorul de amplificare se va micsora: K RN  K 1  K Reactia negativa prezinta urmatoarele avantaje:  este redus nivelul zgomotului. permite modificarea impedantelor de intrare si iesire ale amplificatorului in sensul dorit. care permite sa transformam amplificatorul in generator de semnal. Atunci cind semnalul de reactie coincide in faza cu semnalul de intrare.P.  este imbunatatita stabilitatea functionarii amplificatorului. provenite din amplificator.β – factorul de transfer al circuitului de reactie β=UR/Uies.Atunci cind semnalul de reactie este in antifaza cu semnalul de intrare. Practic este mult mai des utilizata R. ca si cea pozitiva. .  reactia negativa. al distorsiunilor de toate tipurile si altensiunilor perturbatoare.  este largita banda de trecere.. reactia este pozitiva si factorul de amplificare se va mari conform expresiei: K RP  K 1  K unde K – factorul de amplificare initial.

ca urmare. K  Ke jK Astfel. La descărcarea condensatorului curentul prin bobină creşte. undeβ. .Reactia pozitiva este folosita la oscilatoarele electronice. excitând în ea t.e. iar cea de jos – negativ. pentru care folosim contururi oscilante. pentru ca amplificatorul sa devina generator este necesar ca KR→∞. la rândul ei. Cheia este deconectata. 1 + βK = 0 → βK = -1. energia câmpului electric se transformă în energia câmpului magnetic. Condensatorul va începe să se descarce şi.   K  1. conditia de amplitudin e   j  jK  0. mentionam relatia Barkhausen (2 conditii de amorsare):  K  1.2 .    e j . K – numere complexe. Astfel.m. utilizam generatoare de semnal sinusoidal. În acest caz toată energia comunicată sistemului este concentrată în condensator. va excita în circuit un curent de autoinducţie. prin bobină va trece un curent electric care va da naştere în această bobină unui câmp magnetic. Dacă cheia K este inchisa. atunci armătura de sus a condensatorului va fi încărcată pozitiv. de autoinducţie. KR  U2 KU 1 K   U 1  U R U 1  U R 1   K Deci. conditia de faza De regula. în timp ce reactia negativa se foloseste pentru îmbunatatirea performantelor amplificatoarelor. care.4 .

Apoi aceste mărimi încep să se micşoreze. În urma micşorării inducţiei câmpului magnetic şi. Generatorul lui Meissner reprezinta un etaj de amplificare cu reactie inversa pozitiva. În momentul când condensatorul s-a descărcat complet curentul de descărcare în bobină şi. . întrun circuit alcătuit dintr-un condensator de capacitate C şi o bobină de inductanţă L apar oscilaţii ale sarcinii electrice. energiei câmpului electric şi celui magnetic. Acest proces de încărcare şi de descărcare a condensatorului va continua până când toată energia condensatorului va fi cheltuită la încălzirea circuitului. corespunzător. în bobină apare un curent de autoinducţie. a curentului de bază. prin urmare. după ce procesul începe să se repete. În momentul dispariţiei câmpului magnetic condensatorul se reîncarcă deplin. Acest proces duce la reîncărcarea condensatorului. Astfel. pe armăturile căruia se vor concentra sarcini opuse după semn relativ momentului iniţial. direcţia căruia coincide cu direcţia curentului de bază (regula lui Lentz). intensităţii curentului. şi energia câmpului magnetic în ea ating valori maximale.câmpul magnetic al căruia se opune creşterii câmpului magnetic creat de curentul de descărcare (regula lui Lentz).

Principiul de functionare se bazeaza pe caracteristica
statica a VT bipolar.
Frecventa de lucru a oscilatorului este dictata de frecventa
f 

1
2 LC

conturului oscilant:
.
In cazul dat utilizam legatura mutuala care ne ofera
pierderi in transformator (fiind realizat din fierita), deci ca
varianta putem utiliza circuitul Hartley:

QC 

L/C
r

, unde r – rezistenta activa a bobinei; L, C –
parametrii circuitului
Astfel pentru marirea fctorului de calitate,utilizam
circuitul Kolpitz

f0 

f0 

1
2

1
C C
2 L C1 C 2
C C1  C C 2

Oscilator Clapp

1 1
1
1 




L  C C1 C C 2 C 3 

In asa modalitate putem realiza cite 3 scheme (EC, BC,
CC), deci in total obtinem 12 scheme.
Prin intermediul cristalului de cuart ZQ putem stabiliza f
circuitului cu precizia 10-6.

GENERATOARE CUANTICE – LASERI

d

Avem un mediu cu grosimea . Pe el cade un flux de
I0

lumină cu intensitatea .
1. Dacă

N 2  N1

atunci avem un mediu obişnuit (energia

este absorbită):
2. Dacă

N 2  N1

I  I 0  e  kd

;

atunci avem un mediu activ (lumina este

I  I 0  e kd

generată):
. Astfel de mediu se numeşte mediu
cu populaţie inversată a purtătorilor de sarcină;
3. Dacă

N 2  N1

atunci avem un mediu transparent.

Analizăm cazul 2 (

N 2  N1

h 21  E 2  E1

;

):
 21 

E 2  E1
h

;

E2

E1

Dacă
şi
sunt fixate absolut, atunci
este absolut monocromatică.
E2

  0

şi radiaţia

E1

În realitate nivelele energetice
şi nu sunt fixate
absolut, şi depind de temperatură. Deaceea şi
E  E 2  E1  const

 21  const

.

Deci şi
, şi avem un interval de frecvenţe ale

fotonilor emişi .
Din teoria oscilaţiilor se cunoaşte, că:
t    1
,
t

unde
- timpul de emisie a semnalului;
- banda
frecvenţelor.
  E h

E  t  h

Dar:
, şi, deci,
- relaţia lui Heizemberg.
De aici reiese, că instabilitatea nivelelor energetice
t
generează nedeterminalitatea timpului de emisie
(de
tranziţie a purtătorilor de sarcină).
  0
Pentru radiaţia monocromatică
. Aceasta are loc
E  0
t    
numai când
. Atunci
.
Cu alte cuvinte, timpul de viaţă a purtătorilor de
sarcină pe nivelul
E t  0

E2

este infinit. Aceasta nu este posibil,

deci
. Şi, deci, orice radiaţie nu este absolut
monocromatică.

Cu alte cuvinte.  Pe semiconductori. Formarea stării de rezonanţă optică. Pentru formarea stării cu populaţie inversată sunt utilizate mai multe metode de pompare a structurii laser.  Cu lichide. cu frecvenţa ce coincide cu frecvenţa tranziţiilor electronice).  Cea mai răspândită metodă este metoda pompajului optic (utilizarea unui câmp electromagnetic suplimentar. În toate laserele elementul principal este formarea stării de populaţie inversată. este determinat de timpul de viaţă a purtătorilor de sarcină pe nivelul superior.  Metoda injecţiei purtătorilor de sarcină (polarizarea directă a joncţiunii p–n) 2.  Pe corp solid. După forma stratului activ (mediului generatoarele cuantice se divizează în 4 tipuri:  Cu gaze. asigurarea condiţiilor pentru propagarea multiplă a . activ) 1.

ceea ce provoacă recombinarea stimulată. LASERI PE SEMICONDUCTORI .luminii prin structură.

VI 7 ZnSSe GaAs . activ inveliş Grupul III .V 1 AlxGa1-xAs AlyGa1-yAs GaAs 2 GaInAsP GaInP GaAs 3 GaInAsP AlGaAs GaAs 4 GaInAsP InP InP 5 AlGaAsSb AlGaAsSb GaSb Grupul IV – VI 6 PbSnSeTe PbSnSeTe PbTe Grupul II .Se utilizează următoarele materiale semiconductoare: Nr Stratul Stratul de Baza .

R1  R2  30% Q  5..Curentul de prag -  N z  0.Factorul de calitate . .85m .5 . I th  1.6  10 3 . . Structura laserului este cu mai multe straturi. .Coeficientul de reflexie al oglinzilor  n 1 R1  R2     n  1 R  0.Intervalul de lungimi de undă ale radiaţiei laserului Rezonatorul Fabry – Perout este creat prin aşchierea cristalului din ambele părţi. Atunci  tl  50cm 1 . . n Pentru GaAs: n  3.34nm .1m W  2m ..Lăţimea stratului activ .coeficientul de refracţie al stratului activ. . unde . 2 . . . . Stratul activ se găseşte între alte două straturi cu coeficient de refracţie mai mic.2 kA cm 2  N z  0.2 .Lungimea rezonatorului .Grosimea stratului activ L z  300 m d  0.

Dacă stratul n1 activ posedă coeficientul de refracţie .08 2 . Din cauza generării modelor transversale se măreşte valoarea curentului de prag. iar diferenţa lor relativă este:  n1  n2  0. atunci pentru a excita o singură modă transversală sunt necesare condiţiile: d  0.45m . W  0.45m . apare o instabilitate în diagrama directivităţii. Este uşor de primit . Sunt micşorate gabaritele secţiunii transversale ale laserului. REGLAREA CU NUMĂRUL DE MODE Reglarea cu modele transversale. Aceasta se efectuează constructiv. este necesar de a lichida aceste mode. se înrăutăţeşte caracteristica de modulare. straturile vecine n2 .Spectrul de amplificare al diodei laser pe semiconductori este de 100 ori mai larg ca lărgimea unei ~ 100 mode. sau de ignorat numai modele de ordin mic. Deci sunt amplificate mode longitudinale. De aceea.

Cristalizare dublă şi izolarea stratului activ . însă. a primi ste destul de complicat. Pentru a rezolva problema dată a fost inventat un ghid de unde cu efect de refracţie.45m . Esenţa: ghidul de unde posedă o diferenţă a coeficientului de refracţie în ambele direcţii (X şi Y).0..d  0.1.. W  2 m Ca regulă .2m W  0.

. În timpul modulării emisiei laser are loc trecerea de la o modă la alta instantaneu. este necesar de a forma un rezonator.Efectuate prin epitaxie selectivă În astfel de construcţii modele transversale sunt absorbite. Reglarea cu modele longitudinale. spre deosebire de rezonatorul Fabry – Perout. Exploatând dioda laser a fost observat următorul efect. care. iar unda longitudinală poartă caracter unimod. Deci. posedă pierderi mici numai pentru o singură modă longitudinală. Deci se foloseşte o structură cu legătură inversă distribuită.

. lungimea rezonatorului etc.lungimea de undă Brag.constantă ce caracterizează adâncimea reţelei. în ghidul de unde este formată o reţea de difracţie.perioada reţelei de difracţie. . 1 m . . .Aici. Lungimea de undă pentru care coeficientul de reflexie va fi maximal este:    B  1 unde unde B .număr întreg ce reflectă ordinul difracţiei. Se mai utilizează şi structuri ale diodelor laser cu reflector Brag.  B  2 n m  .

ceea ce este destul de dificil de efectuat..   Po Pemis  60% 4. prezenţa Al complică tehnologia confecţionării (el se oxidează). chiar şi în regim de modulare la frecvenţe înalte. Lungimea de   1. Materialul reţelei este diferit de materialul stratului activ. Curentul de prag depinde de eficienţa cuantică internă.6 m undă a luminii generate este . grosimea şi lăţimea stratului activ etc. CARCATERISTICILE DIODELOR LASER ŞI A LUMINII EMISE 1. Puterea luminii emise şi eficienţa cuantică.. 2. Pentru sistemul GaAs–AlGaAs este necesară o reţea  de difracţie cu o perioadă ( ) mult mia mică. Practic. În afară de aceasta. Valoarea lui minimă ~ 2. Aici este generată doar o singură modă.3..5mA pentru generare în continuu este (teoretic). În cele mai bune lasere pe P  200mW baza soluţiilor solide AlGaAs .. reţeaua de difracţie Brag se formează de o parte a stratului activ sau pe ambele părţi. Pentru frecvenţa curentului de . pentru laserii pe bază de AlGaAs el 10  30mA constituie . Eficienţa cuantică: ..1.Aici. Puterea luminii în regim continuu şi la temperatura 1.10mW camerei constituie . 3. Eficienţa diferenţială este raportul numărului de cuante de lumină la creşterea numărului de electroni 40. pierderile optice în rezonator. Astfel de lasere se formează din soluţii solide de InGaAsP.60% injectaţi este ..

se micşorează eficienţa cuantică I th I th  S   exp   T  TS  T0  .. iar pentru InGaAsP ..f  10 MHz modulare predomină efectul de temperatură. Cu mărirea temperaturii ( ) se măreşte curentul de prag diferenţială. 5. unde I th  S  I th . f  10MHz Pentru predomină efectul purtătorilor de sarcină. efecte de rezonanţă şi relaxare.constantă. caracteristică pentru materialul laserului şi se numeşte temperatură caracteristică.70 K .. T0  120. deci. . Caracteristicile de temperatură Toate caracteristicile laserului depind mult de T temperatură.curentul de prag pentru temperatura T0 etalon. . Pentru GaAs T0  50.150 K ..

Semnalul optic este absorbit şi fotonii generează purtători de sarcină în rezultatul actelor de tranziţie „bandă-bandă” sau prin intermediul nivelelor energetice ale impurităţilor.FOTOREZISTORI Este o placă sau o peliculă de semiconductor cu două contacte ohmice. . Conductibilitatea fotorezistorilor este descrisă de relaţia:   q  n n   p p  .

 Fotosensibilitatea sau detectivitatea.timpul de viaţă al purtătorilor de sarcină .puterea fluxului optic. Viteza de generare a purtătorilor de sarcină este: .24 E g Dacă fluxul de lumină are de semiconductor.   c atunci el este absorbit Funcţionarea fotorezitorilor este determinată de trei parametri:  Eficienţa cuantică sau de amplificare.viteza de recombinare. Fie că în primul moment de timp numărul purtătorilor de sarcină ce au fost generaţi într-o n0 unitate de volum este . . Să examinăm procesul de funcţionare al t0 fotorezistorului.Pragul roşu al fotosensibilităţii este determinat de relaţia: c  1.  Timpul de fotorăspuns. Dacă fluxul de lumină este constant în timp şi este S W L distribuit uniform pe toată suprafaţa . . În momentul de timp următor numărul lor se va micşora din cauza procesului de recombinare după legitatea: n  n0 exp   t    1 . atunci numărul total de fotoni incidenţi va fi: Poptic h  NF Poptic .

timpul de viaţă al purtătorilor de sarcină. Fotocurentul dintre contacte este:  I P       W  D   q  n   n     W  D   q  n  vd   W  D . viteza de derivă a purtătorilor de sarcină. (3) vd  . Obţinem: Poptic    I p  q   h      n       L   . n Determinăm din relaţia (2) şi o introducem în relaţia (3).  t tr Timpul de fotorăspuns este egal cu timpul de tranziţie .intensitatea câmpului electric în semiconductor. .grosimea fotorezistorului. Pentru cu un timp de viaţă al purtătorilor de sarcină mare şi o distanţă mică dintre contactele ohmice coeficientul de amplificare este cu mult mai mare ca 1. .eficienţa cuantică. care este egală cu raportul numărului de perechi generate la n numărul de fotoni incidenţi. . În momentul iniţial fotocurentul este: Poptic    I ph  q   h    . Coeficientul de amplificare a curentului este: Ip I ph   n      L t tr unde t tr  L vd .numărul de purtători de sarcină într-o unitate de volum.timpul de tranziţie al purtătorilor de sarcină. .G   Poptic h    NF n    W LD W LD (2) D .

eV 0.Din cauză că la fotorezistori distanţa dintre contactele ohmice este mare.   0.67 1.51 0.banda de transparenţă a frecvenţelor. I unde .12 0.5m Exemplu: Pentru cea mai mare sensibilitate o   10m posedă CdS.11 1.43 0 .5 2. Pentru se utilizează HgCdTe. În tabelul 1 de mai jos sunt prezentate lărgimile benzilor energetice interzise şi pragul roşu a fotoconducţiei (fotosensibilităţii) pentru cele mai utilizate materiale semiconductoare. cm  Hz 12 W  . A intensitatea semnalului optic. µm 1.83 0.42 1.gradul de modulare al frecvenţei.aria suprafeţei B fotorezistorului.87 . .85 1. Tabelul 1 Materialul Ge Si CdSe CdTe CdS GaAs Eg . iar câmpurile electrice prezente sunt mici. . timpul de fotorăspuns este mult mai mare ca la fotodiode. Capacitatea de detecţie (detectivitatea) se determină de relaţia: D*  m A1 2  B 1 2 m  Poptic I max  I min I max  I min 2 .71 0.74 1.

respectiv curentul total.27 Caracteristicile fotorezistoarelor 1. . .coeficientul de neliniaritate U a caracteristicii energetice. . I0 . . se construiesc fotorezistoare numai pentru o polaritate a tensiunii aplicate. deoarece rezistenţa lor nu depinde de polaritatea tensiunii aplicate. .constante ce sunt determinate de proprietăţile fizice ale semiconductorului  la întuneric şi la iluminare.29 0. De obicei.15 0.InP PbS PbSe 1.tensiunea aplicată. Caracteristica curent-tensiune Sunt simetrice în raport cu originea axelor de coordonate.97 4.28 8.28 0. fotocurentul. . I  I 0  I L  C 0  U  C f   0  U unde I . IL . curentul de C0 Cf întuneric.

 1 ) la intensităţi mari ale . pentru U  const . Pentru majoritatea fotorezistorilor caracteristicile energetice posedă două regiuni distincte:  Regiunea liniară ( incidente.  1 ) la intensităţi slabe ale radiaţiei  Regiunea subliniară ( radiaţiei incidente.2. unde . Forma matematică a caracteristicii este: I L  k 0   0 k0  C f U . Caracteristica energetică a fotorezistorilor Sunt neliniare datorită dependenţei timpului de viaţă al purtătorilor de sarcină de fluxul incident.

unde   1. Impurităţile se . Caracteristicile spectrale Prezintă un maxim pronunţat în regiunea absorbţiei fundamentale.24 E g .3. Caracteristica spectrală este puternic influenţată de prezenţa impurităţilor în semiconductor.

este constantă de creştere a fotocurentului sau timpul în care fotocurentul creşte până la valoarea . Dependenţa sensibilităţii de frecvenţă i . 4.introduc cu scopul sporirii sensibilităţii şi a lărgimii spectrului spre lungimi de undă mai mari.

Pentru: CdS.10 3 s . unde . în care fotocurentul creşte până la valoarea I L  I 0 e  0..valoarea staţionară a fotocurentului. CdSe avem  0  10 .frecvenţa pulsaţiilor radiaţiei incidente.  0  10 2.este defazajul dintre radiaţia incidentă şi fotorăspuns.  I L  1  e 1 I 0  0..constanta de timp a descreşterii fotocurentului.. unde este constanta de timp a fotorezistorului. Atunci componenta variabilă a fotocurentului este: I ~  I   e i  t    .10 s 4 PbSe avem 5 . iar pentru PbS. 0 Pentru majoritatea fotorezistoarelor .36  I 0 i d 0 . Dacă radiaţia incidentă este modulată după o lege sinusoidală atunci funcţia de generare a purtătorilor de sarcină se poate scrie sub forma: g  g 0  e i t  . I0 . . amplitudinea componentei variabile a fotocurentului 0 scade. .63  I 0 d . . Amplitudinea fotocurentului va fi: I  I0 1    0  2 . Constanta de timp este o măsură a inerţiei fotorezistorilor la acţiunea radiaţiei incidente. Odată cu creşterea frecvenţei fluxului luminos. Cu cât sensibilitatea este mai mare cu atât constanta de timp este mai mică..

adică atomii sunt ionizaţi negativ.JONCŢIUNEA p – n Joncţiunea p – n – este contactul ideal dintre două semiconductoare de tip „n” şi „p”. adică ioni încărcaţi pozitiv. va avea loc redistribuirea purtătorilor de sarcină liberi. deci. În semiconductorul de tip – p apar atomi ai impurităţilor fără electroni. Datorită gradientului de concentraţie al purtătorilor de sarcină majoritari. În semiconductorul de tip – n vor apărea electroni. va avea loc difuzia lor prin hotarul metalic al joncţiunii. . şi. Electroneutralitatea în regiunea hotarului dintre semiconductoarele „p” şi „n” se va fi afectată.

Între semiconductorii tip – n şi tip – p se produce o diferenţă de potenţial b . ceea ce duce la apariţia câmpului electric intern. . la un moment dat. apare un strat local de sarcină W spaţială a sarcinilor ne compensate. Apariţia câmpului electric intern opreşte difuzia purtătorilor de sarcină majoritari şi. se stabileşte o balanţă dinamică. .În urma acestui fapt. b  unde .diferenţa barierei de potenţial.intensitatea câmpului electric.

concentraţia invers proporţională a purtătorilor de sarcină majoritari. .lucrul termodinamic de ieşire din semiconductor. . Pentru impurităţile total ionizate obţinem: q b  E g  kT ln Nv N  kT ln c Na Nd . câmpul electric intern. Joncţiunea p – n este regiunea de trecere dintre semiconductoarele de tip – n şi tip – p unde se localizează stratul de sarcină spaţială. . Grosimea stratului de sarcină spaţială după relaţiile: W  n   p unde n pp   p nn W se determină . respectiv.unde p . q b   p   n    E g  q p     q n   E g   q n  q p  .lucrul de ieşire din regiunea „p” (afinitatea n electronilor).

qD p p n p . Caracteristica volt-amperică (CVA) are forma: .Rezultă: W  2 0  N d  N a   b qN d N a . adică odată cu creşterea nivelului de dopare a p n regiunilor şi şi cu creşterea timpului de viaţă al purtătorilor de sarcină minoritari IS n şi p creşte şi curentul . pn  p    p  . Capacitatea unei unităţi de suprafaţă se numeşte capacitatea de barieră a joncţiunii p – n şi este determinată de relaţia: C  0 q o N d N a  W 2 b N d  N a I  I S  exp qU kT  1 I s  I Sn  I Sp  qDn n p n  np n I S  q   Curentul de scurgere n  IS  . . se micşorează odată cu creşterea concentraţiei purtătorilor de sarcină majoritari nn pp şi .

FOTODIODE P-I-N Este cel mai răspândit fotodetector.. Structura fotodiodelor p – i –n are structura următoare: . Conţine 3 straturi semiconductoare. de regulă. Straturile „p” şi „n”.. sunt 1017. atunci .1018 cm 3 puternic dopate ( ).I   I Sn  I Sp   exp qU kT  1 ..1015 cm 3 ). Stratul „i” cu grosimea „d” este foarte puţin dopat şi posedă o concentraţie foarte mică de impurităţi donoare ( n 0  1014. În cazul când regiunea „p” este mai puternic dopată I Sp  I Sn ca regiunea „n”. prin joncţiunea p – n curge primordial curentul creat de goluri.. şi.

puterea x . U Aplicând fotodiodei tensiunea . Poptic 1  R   e R  Poptic .puterea optică absorbită. Deci: W d . . E x W - grosimea stratului de sarcină spaţială. în stratul „i” se formează o regiune de sarcină spaţială lărgită cu E x U intensitatea câmpului electric . .intensitatea câmpului electric fără polarizare inversă şi la polarizarea U cu tensiunea respectiv. De regulă. optică reflectată.puterea optică incidentă.Distribuţia puterii optice absorbite unde: Poptic . tensiunea se alege în aşa mod ca stratul de sarcină spaţială să acopere toată grosimea stratului „i.

este generat de purtătorii de sarcină din stratul „n” şi „p”. (2) . sau este transparent pentru semnalul incident. . neglijăm purtătorii de sarcină generaţi în el.coeficientul de reflexie. (4) x W Pentru densitatea purtătorilor de sarcină minoritari (goluri) în volumul de tip „n” a semiconductorului se determină din ecuaţia de difuzie: R A W drift W 0 0 .fluxul fotonilor incidenţi pe o unitate de suprafaţă. (1) Sunt generaţi purtători de sarcină care sunt separaţi E x de câmpul electric . d  1  stratul frontal „p” este foarte subţire ( ). este format de purtătorii de sarcină generaţi în I difuzie interiorul stratului de sarcină spaţială.suprafaţa fotoactivă.Poptic Semnalul optic incident se absoarbe de structura semiconductoare conform legii: Poptic 1  R   e x . Deoarece. Viteza de generare a purtătorilor de sarcină este: G  x    0    e x 0 .  0  Poptic 1  R   1 A  h . Fotocurentul diodei este compus din curentul de drift (derivă) şi curentul de difuzie: I f  I drift  I difuzie I drift . (3) unde . Curentul de derivă se determină după relaţia: I   q  G  x  dx  q 1  e  .

coeficientul de difuzie al golurilor. Deci:  e  W I total  q   0  1   1  L p      . atunci:   1  R  1  e  . W concentraţia de echilibru a golurilor în stratul . (10)  W . . p (5) . Din relaţiile (4) şi (6) determinăm curentul total:  e W I total q 0  1   1  L p  p n0    qp n 0   (6) Dp Lp . Eficienţa cuantică a fotodiodei se determină: e W   0 1  1  L p   I total q e W     1  R   1   1 Poptic A  h  0  A  h 1  L p   1 R A  h (8)      . Soluţia ecuaţiei (5) pentru condiţiile iniţiale pentru ( x ) şi relaţiei pentru pn  0 I difuzie pentru ( : I difuzie  q   0    Lp 1  L p x W - p n  p n0 ) ne permite deducerea e W  q  p n 0 Dp Lp .timpul de viaţă al purtătorilor de sarcină minoritari. (7) În condiţiile normale de funcţionare a fotodiodei p – i – n al doilea termen al relaţiei (7) este mult mai mic ca primul termen. (9) Deoarece am presupus că absorbţia optică în stratul „p” practic lipseşte.Dp unde Dp p n p n  p n 0   G x  0 p x 2 .

8. . SiO2.3 . În calitate de straturi antireflex se folosesc pelicule din Si3N4. ce se folosesc pentru confecţionarea fotodiodelor p – i – n. cu coeficientul de refracţie n dielectric  1. etc. iar coeficientul de reflexie . ZnS. Grosimea straturilor antireflex trebuie să fie: d dielectric   4 . coeficientul de refracţie a radiaţiei la graniţa „aer– semiconductor ” este n s  3. unde . coeficientul de reflexie micşorează eficienţa   70% cuantică până la . Deci. W a joncţiunii p–n.Concluzii: Pentru a primi eficienţă cuantică înaltă este necesar ca coeficientul de reflexie să fie cât mai mic ( W  1 R  1 ) şi să se îndeplinească condiţia . Absorbţia optică în exteriorul stratului de sarcină spaţială micşorează eficienţa cuantică a fotodiodei p-i-n. Al2O3. deaceea. Însă.5 R  0..2 care îndeplineşte condiţia:  ndielectric   n aer  12   n semiconductor  n aer  1 . aceste pierderi optice pot fi micşorate utilizând pelicule antireflex. este necesar ca W  2m Practic pentru toate materialele semiconductoare. În semiconductorii cu structură directă a zonelor energetice (A3B5) coeficientul de absorbţie al radiaţiei cu h  E g 10 4 cm 1 este mai mare ca .. pentru a asigura absorbţia completă a semnalului optic în regiunea de sarcină spaţială m (sau câţiva ).

Însă. confecţionând straturile din materiale cu mai mari ca energia cuanţilor incidenţi. Cel mai important parametru al fotodiodei p-i-n este sensibilitatea. la iluminarea din partea startului „p” sunt mici. pierderile prin recombinare sunt mult mai mari. deoarece viteza de difuzie a electronilor (purtători de sarcină minoritari în stratul „p”) este destul de mare. deoarece viteza de difuzie a golurilor (purtători de sarcină minoritari) este mult mai mică. Spre exemplu. Aceasta devine posibil utilizând heterostructurile cu banda energetică a straturilor componente de valorile: E gp  E gi  E gn E gp  E gi  E gn sau . deoarece recombinează sau în volumul stratului „p” sau la suprafaţa lui. care are următoare expresie: . În acest caz şi rapiditatea fotodiodei este mult mai mică. Aici eficienţa cuantică este determinată de geometria fotodiodei şi de viteza de recombinare superficială şi de volum.deoarece purtătorii de sarcină trebuie să difundeze spre stratul de sarcină spaţială pentru a fi separaţi. electronii generaţi în stratul „p” nu ajung toţi la stratul de sarcină spaţială (SSS). pierderile prin recombinare. Absorbţia optică în straturile „n” şi „p” poate fi Eg exclusă. În acest caz contează numai viteza de recombinare superficială. în structura prezentată. La iluminarea structurii din partea stratului „n”. la iluminarea din partea stratului „p”.

S If Poptic  .    W W :  Poptic (11)  1.24 . . atunci:  A V  . fiind funcţie de . . Amintim că:  N p . (12) Diferenţa dintre sensibilitatea spectrală a unui fotoreceptor ideal calculată după relaţia (12) şi a unei fotodiode ideale din Ge: Cauzele sunt: R  f   Dependenţa prin formula: .   q  Poptic h .24  1  .24 . I f  q .  q h . Acest efect se ia în consideraţie S  1  R    1.în eV.n NF  If q Poptic h Deci: S Dacă  If Poptic se măsoară în S În caz ideal când m   1. iar h  1 Poptic S h .

.  13 Ap n s (13) . . pentru a micşora capacitatea fotodiodei este necesar: . . Dependenţa   f    f  care rezultă din relaţia (10).constanta dielectrică a vidului. Această dependenţă predomină. Capacitatea joncţiunii p–n este: C p n   0   s  A p n  unde 0 1 W . ( ).grosimea stratului de sarcină spaţială. Capacitatea Cf este compusă din C pn capacitatea joncţiunii p–n şi capacitatea parazită (capacitatea straturilor semiconductoare şi conductorilor metalici). RAPIDITATEA FOTODIODEI P-I-N Rapiditatea fotodiodei este determinată de constanta de timp a circuitului electric şi de timpul de selectare a purtătorilor de sarcină fotogeneraţi.   RC Constanta de timp ( ) este egală cu produsul R  50 dintre rezistenţa sarcinii fotodiodei egală cu şi capacitatea fotodiodei Cf .constanta dielectrică a semiconductorului ( ).aria joncţiunii W p–n. Deci.

În joncţiunea p–n abruptă dependenţa W  f U   W  2 0  s este următoarea:   U  q  N  12 pn b d b U (14) unde . Stratul de sarcină spaţială poate fi mărit polarizând U invers fotodioda cu o tensiune .potenţialul de contact al joncţiunii. prin micşorarea impurităţilor de fond în stratul „i”..3V W  2 m grosimea stratului . Pentru fotodioda cu concentraţia purtătorilor de N d  1015 cm 3 sarcină în statul „i” de sarcină spaţială este şi U  2. concentraţiei Suprafaţa joncţiunii p–n se realizează prin două metode: 1. W  Sporirea . 2. . formarea joncţiunii p–n prin difuzie locală. Joncţiunea p–n cu . Micşorarea suprafeţei joncţiunii p–n. utilizând măşti din SiO2.tensiunea inversă de polarizare.. formarea joncţiunii meza a fotodiodei.

.2 m W Dn este timpul de difuzie este .4 Dn . Viteza de derivă a purtătorilor de sarcină pentru intensitatea câmpului electric W 7 v deriva ~ 10 cm s . În cazurile tipice pentru t difuzie  100 ps Ln  1.lungimea de difuzie a electronilor. Pentru electronii ce difuzează din stratul „p” în timpul de difuzie va fi: t difuzie  L2n 2.. În aşa mod. Timpul total necesar pentru selectarea purtătorilor de sarcină fotogeneraţi se determină prin suma timpului de W derivă a purtătorilor de sarcină prin şi a timpului de W difuzie a purtătorilor de sarcină generaţi în afara . pentru a realiza o înaltă rapiditate a fotodiodei este necesar de a micşora considerabil grosimea stratului „p” sau de a exclude absorbţia semnalului optic în acest strat. În aşa mod. Aceasta se realizează utilizând heterostructurile semiconductoare cu stratul frontal având E g  h . timpul de derivă 20 ps este egal cu . Ln (15) unde .diametrul 100 m posedă capacitatea de Rs  50 C  1 pF şi constanta   RC  50 ps de timp pentru egală cu . pentru egală cu W  2 m 10 4 V cm constituie . . coeficientul de difuzie a electronilor care proporţional cu mobilitatea lor.

însă. şi di  W  1  . el este confecţionat cu E gn  h . ceea ce micşorează rapiditatea fotodiodei.În acest caz. Pentru a exclude absorbţia şi în stratul „n”. iar golurile au o viteză de difuzi mult mai mică ca electronii. poate exista absorbţia în stratul „n”. În acest caz: h  E gp  E gn  E gi  h . .