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6.8.

- EL JFET
Transistor de efecto de campo es un dispositivo semiconductor, cuya operacin
consiste en controlar el flujo de corriente a travs de un canal semiconductor mediante la
aplicacin de un campo elctrico (voltaje) perpendicular a la trayectoria de conduccin.
Existen dos categoras principales de transistores de efecto de campo a saber: el
transistor de unin de efecto de campo (JFET) y el transistor de efecto de campo de metalxido-semiconductor (MOSFET).
Los transistores de efecto poseen varias diferencias importantes respecto de los
transistores bipolares (NPN y PNP) incluyendo las siguientes:
A)

A)
La operacin del transistor de efecto de campo (FET) depende
nicamente del flujo de portadores mayoritarios, huecos para los FET de canal
N, por lo tanto se denominan dispositivos monopolares. Los transistores
bipolares dependen tanto de portadores de corriente mayoritarios como de los
minoritarios.

B)

B)
Los FET son mucho ms fciles de construir y son particularmente
apropiados en la fabricacin de circuitos integrados, debido a que ocupan menor
espacio que los transistores bipolares.

C)

C)
Los FET exhiben una resistencia de entrada mucho mayor, tpicamente
de los megaohms o ms.

D)

D)

E)

E)
Cuando se usan como amplificadores, los FET tienen menos ganancia
de voltaje y producen mayor distorsin de seal, salvo cuando operan con seal
dbil.

F)

F)
Los FET tienen menos ruido que los transistores bipolares. Ruido es el
termino que se aplica a las fluctuaciones elctricas aleatorias provocadas por el
movimiento de los electrones dentro de la estructura del semiconductor. El ruido
es una seal elctrica no deseable.

Los FET normalmente son menos sensibles a la temperatura.

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado,


as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer
una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos
sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el
transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a

medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de


un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los
fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos.

TRANSISTOR FET (JFET)


Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):
1.

2.

3.

1.
ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta
como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que
aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS = 0 (rDS
on), y distintos valores de VGS.
2.
ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor
amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS
3.

ZONA DE CORTE: La intensidad de drenado es nula (ID = 0).

Figura 6.19. - Zonas de funcionamiento de JFET


A diferencia del transistor BJT, los terminales drenado y surtidor del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-l (se trata de
un dispositivo simtrico).
La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de
CANAL N, lo que significa que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.

Figura 6.20. -Smbolos del JFET

APLICACIN

PRINCIPAL
VENTAJA

USOS

Aislador o separador
(buffer)

Impedancia de entrada Uso general, en equipo


alta y de salida baja
de medida, receptores

Amplificador de RF

Bajo ruido

Mezclador

Baja distorsin de
intermodulacin

Amplificador cascodo Baja capacidad de


entrada
Amplificador con
CAG

Factibilidad para
controlar la ganancia

Troceador

Ausencia de deriva

Resistor variable por


voltaje
Amplificador de baja
frecuencia
Oscilador

Sintonizadores de FM,
equipo para
comunicaciones
Receptores de FM y
TV, equipos para
comunicaciones.
Instrumentos de
medicin, equipos de
prueba
Receptores, generador
de seales

Amplificadores de cc,
sistemas de control de
direccin
Se controla por voltaje Amp. Operacionales,
rganos electrnicos,
controles de tono
Capacidad pequea de Audfonos para
acoplamiento
sordera, transductores
inductivos
Mnima variacin de
Generadores de
frecuencia
frecuencia patrn,
receptores

Circuito MOS digital

Pequeo tamao

Integracin en gran
escala, computadores,
memorias
Tabla 6.3. Principales aplicaciones del JFET

Un JFET de canal N principia como una barra de silicio tipo N, con contactos
metlicos en cada extremo como la fuente y el drenador o dren. La impurificacin de las
regiones tipo P en ambos extremos de la barra como en la figura de abajo. Se hacen
contactos metlicos ohmicos a estas regiones P y se denomina compuertas. La regin entre
la fuente y el dren se denomina canal N. Existen dos uniones P-N formadas por las regiones
de la compuerta tipo P y el canal N.
A diferencia de lo que ocurre en el caso del transistor bipolar, la corriente, no se
hace fluir a travs de estas uniones P-N durante la operacin normal del FET en vez de eso
el flujo de corriente ocurre nicamente a travs del canal N de la fuente al dren. Como en la
figura.
La disposicin de la polarizacin normal para el canal N del FET. El dren (D) es
polarizado positivamente respecto de la fuente (S) por la fuente de alimentacin Vps. Esto
hace que el flujo de electrones sea de la fuente al dren a lo largo del canal. Ha esta corriente
se le denomina corriente de dren, ld.
La compuerta (G) se muestra polarizada negativamente respecto a la fuente por la
fuente de alimentacin Vgs.
Las uniones P-N de compuerta a canal estn polarizadas inversamente por que no
hay flujo de corriente en la terminal de compuerta, nunca se permite que el voltaje
compuerta-fuente polarice en sentido directo la unin P-N compuerta-fuente en grado
suficiente para que origine un flujo de corriente de compuerta. Este efecto permite que la
resistencia de entrada en la compuerta permanezca muy alta (tpicamente mayor de 1000
Mohms).

REGIONES DE AGOTAMIENTO
La polarizacin inversa de las uniones compuerta-canal produce regiones de
agotamiento o rarefaccin (capas de transicin) en las uniones. Esta son reas en las que
casi no hay portadores de carga.
Estas regiones de agotamiento (desiertas) penetran en el canal y reducen el tamao
de la parte de conduccin del canal, la presencia de estas regiones de agotamiento
incrementa la resistencia del canal hacindolo mas angosto.
Las regiones de agotamiento son cuneiformes (en forma de cua), mas largas en el
extremo del dren y mas angostas del lado de la fuente. Esto obedece a que la polarizacin

inversa de la compuerta al canal es mayor en el lado del dren, ya que este tiene polarizacin
positiva, la polarizacin inversa en el extremo del dren de la unin P-N es igual a la suma
absoluta de los dos voltajes de polarizacin.
Por ejemplo, s Vds= 20 y Vgs= -5 V, entonces esta polarizacin Inversa es de 25v.
La profundidad de penetracin de las regiones de agotamiento depende de esta polarizacin
inversa y varia cuando cambia ya sea Vgs o Vds de este modo, la resistencia de canal - por
lo tanto la corriente de canal- son funciones de Vgs y Vds.

CURVAS DEL DREN DEL JFET


La operacin del JFET puede explicarse mas fcilmente s se estudia un conjunto
tpico de curvas del dren, como en las figuras abajo, se Aprecia que la corriente de dren. Id,
varia con Vds para un valor dado del voltaje compuerta-fuente, Vgs.
Observe que Vgs es ya sea 0 V o negativo de manera que la unin de compuerta
nunca conduce.. Cada curva de corriente de dren corresponde a un valor diferente de Vgs.
Esto implica que el JFET es un dispositivo controlado por voltaje, mientras que el transistor
bipolar es un dispositivo controlado por corriente.

Vqs=O
Primeramente consideremos el caso respecto a la fuente. Es decir, la compuerta esta
en corto respecto a la fuente. Esto corresponde a la curva superior en la figura, a medida
que Vds aumenta desde 0V, la corriente de dren Id, aumenta casi linealmente hasta Vds =
6V. Esta regin de operacin se denomina regin ohmca puesto que la resistencia del canal
permanece aproximadamente constante.

Figura 6.21. - Familia tpica de curvas de dren

VOLTAJE DE ESTRANGULAMIENTO, VP
La estrangulacin o estriccin es entonces una regin de Id constante, emitida
cuando el voltaje inverso compuerta-dren hace que las regiones de agotamiento se
encuentren. El valor del voltaje responsable de que esto ocurra se denomina voltaje de
estrangulamiento o de restriccin, Vp. Cada JFET tiene cierto Vp del mismo modo en que
cada transistor bipolar tiene cierta B. Para el FET, el valor de Vp es 6V. El punto exacto en
el cual ocurre la estrangulacin es difcil de determinar a partir de las curvas, debido a que
la transicin de la regin ohmica a la de estrangulamiento es gradual.
El valor de la corriente de dren que fluye en la regin de estrangulamiento cuando
Vgs = O se designa con el smbolo especial ldss. Apartir de las curvas puede verse que el
valor de ldss es de 9.2 mA, y es la corriente mxima que fluir durante la operacin normal.
Cada JFET posee un valor especifico de ldss. Pero este varia ampliamente de un
JFET a otro, como sucede con B para lo transistores bipolares.

DISRUPCIN

Observando la curva Vgs=0 puede verse que la unin compuerta-dren entra en


disrupcin inversa cuando Vds alcanza 35V. Esto hace que Id aumente drsticamente y es
una regin que normalmente se evita.
Si la polarizacin de compuerta es de 1V y negativa respecto ala fuente (Vgs= -1 V)
el comportamiento del FET es esencialmente el mismo, excepto que la corriente de dren
comienza a nivelarse en un valor mas bajo de Vdd, por inspeccin de la curva. Vgs= -1 se
observa que Id comienza a estabilizarse en Vds=5V y finalmente se nivela en 6.3mA. En
otras palabras, la regin de estrangulamiento principia en Vds = 5V en vez de en Vds=6V,
como paso en el caso de Vgs = 0 debido a que con la polarizacin inversa de V en la
compuerta, solo se requiere un voltaje de dren de 5V antes de que se alcance la polarizacin
inversa de compuerta a dren (Vf = 6V) que es necesaria para el estrangulamiento. La curva
Vgs= -1V esta abajo de la Vgs= 0V porque la polarizacin inversa de 1 V compuerta-fuente
hace que las regiones de canal y reduciendo la corriente de dren.

CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA
Se indican los valores de Idp para varios de Vgs, estos son los valores de la corriente
de dren dentro de la regin de estrangulamiento ( en Vds= 15 V) despus de que Id se ha
hecho casi plana y constante. Estos valores pueden graficarse como en la figura que se
muestra abajo. Esta curva que se conoce como caracterstica de trasferencia del FET, tiene
la forma aproximada de un a parbola cuya ecuacin es:
Idp = Idss (1 ( Vgs / Vgs (corte)) ^2
Una vez que se conoce Idss y Vp o Vg(corte) puede encontrarse ldp para cualquier
valor de Vgs utilizando esta relacin. Por ejemplo con ldss = 9.2 mA y Vgs(corte)= -6V.
Puede calcularse Idp para Vgs= -3V como sigue:

Figura 6.22. Variacin de la corriente de estrangulamiento


(IDP) con VGS (caractersticas de transferencia)

JFET DE CANAL P
Ahora veremos al JFET de canal P, al igual que el de canal N ambos operan
bsicamente en la misma forma, excepto que todas las polaridades se invierten. Para el
JFET de canal P, la compuerta es tipo N, de manera que Vgs esta polarizado positivamente
y Vds lo esta negativamente puede obtenerse un conjunto tpico de curvas de dren de canal
P cambiando las polaridades. De Vds y Vgs.
Los smbolos circuitales para los canales N y P del JFET se muestra en las figuras,
junto con sus propias polaridades de polarizacin relativa a la terminal de fuente. Observe
que la flecha en la terminal de compuerta apunta hacia dentro para el canal N y hacia fuera
para el canal P del JFET. En muchos JFET, las terminales de fuente y dren son
intercambiables. Algunos de estos dispositivos tienen terminales separadas para las dos
regiones de compuerta, mientras que muchos tienen las dos compuertas conectadas
internamente.

Figura 6.23. - Polaridades de polarizacin relativa a la terminal de fuente

INTRODUCCIN A LOS MOSFET


El FET de metal-oxido-semiconductor (MOSFET) tiene varias caractersticas en
comn con el JFET, El MOSFET es un dispositivo de baja potencia, con impedancia de
entrada extremadamente alta, como el JFET, El MOSFET tiene una fuente, un dren y una
compuerta y un canal de conduccin cuya resistencia se controla mediante el voltaje de
compuerta. La principal diferencia entre dos dispositivos es la estructura de la compuerta.
La trayectoria compuerta-canal en el JFET es una unin P-N, la cual normalmente se
mantiene con polarizacin inversa. En el MOSFET no existe unin P-N compuerta-canal;
en vez de ello se coloca una capa delgada de un material aislante (dixido de silicio) entre
compuerta y canal. Este aislador tiene una resistencia extremadamente elevada (tpicamente
10^12)as la corriente de fuga de compuerta es incluso menor que para el JFET
(tpicamente 1 pA).
Debido a que no existe unin P-N entre compuerta y canal en el MOSFET, no hay
limitacin en la polaridad del voltaje de compuerta. El aislador entre compuerta y canal
mantiene su muy alta resistencia para cada polaridad de la polarizacin. Dado que la
compuerta esta silada del canal. El MOSFET tambin se conoce como FET de compuerta
asilada (IGFET) sin embargo, el termino mas generalmente utilizado es el de MOSFET.

OPERACIN DEL MOSFET

Figura 6.24.- (A) Estructura del E-MOSFET de canal N, (B) El voltaje positivo de compuerta
induce un canal N.

EL MOSFET DE ESANCHAMIENTO
En la figura 6.24 se muestra la estructura de un E-MOSFET de canal N. La
estructura comienza con un sustrato tipo P de alta resistividad; dos regiones tipo N de baja
resistividad se difunden dentro del substrato, como se muestra. Entonces se cubre la
superficie de la estructura con una capa aislante de dixido de silicio. Se practican
perforaciones en la capa del xido, permitiendo el contacto con las regiones N (fuente y
dren). Entonces se coloca una rea metlica de contacto sobre el xido, cubriendo todo el
canal de la fuente al dren. El contacto con esta rea metlica es la terminal de compuerta.

Observe que no existe contacto fsico entre la compuerta y el substrato P debido al efecto
aislador del dixido de silicio.
Puesto que la fuente y el dren estn separados por el substrato tipo P, la corriente de
la fuente al dren ser extremadamente baja, dado que prcticamente existen dos uniones PN conectadas en oposicin. Sin embargo, puede utilizarse la compuerta para producir un
canal de conduccin de la fuente al dren. El rea metlica de la compuerta, la capa de
dixido de silicio y el canal semiconductor forman un capacitor. El rea de la compuerta es
la placa superior y el substrato P forma la placa inferior, mientras que el dixido de silicio
es el dielctrico. Dicho de otro modo, este es un capacitor metal-xido-semiconductor
(MOS).
Cuando se aplica un voltaje positivo a la compuerta (ver la figura 6.24), la placa
metlica se carga positivamente. Esta carga positiva inducir una carga negativa en la placa
del semiconductor. A medida que el voltaje positivo en la compuerta aumenta, los huecos
del semiconductor tipo P son repelidos por abajo del xido.
En un JFET, el canal de conduccin se halla entre dren y fuente cuando el voltaje de
compuerta es 0 y este canal puede hacerse mas angosto mediante regiones de agotamiento
(rarefaccin o transicin). Producidas cuando la compuerta-fuente se polariza
inversamente. Este modo de operacin se denomina modo de agotamiento o
estrechamiento. En este modo, el canal solo puede hacerse mas angosto mediante la
aplicacin de un voltaje compuerta-fuente, no puede hacerse sensiblemente ms ancho.
Algunos MOSFET tambin operan en el modo de agotamiento, mientras que otros lo hacen
en un modo diferente denominado modo de ensanchamiento o acrecentamiento. En este
modo, el ancho del canal de conduccin puede Incrementarse desde su ancho en Vgs = 0
aplicando la polaridad apropiada de voltaje compuerta-fuente.
Los MOSFET se clasifican en dos grupos: Los MOSFET de ensanchamiento o
acrecentamiento ( E-MOSFET) los cuales operan bsicamente en el modo de
ensanchamiento, y los MOSFET de estrechamiento-ensanchamiento o agotamientoacrecentamiento. (DEMOSFET), los cuales pueden operar en cualquiera de los modos
bsicos, dependiendo de la polaridad del voltaje de compuerta.

CURVAS DEL DREN PARA EL E-MOSFET


Se muestra un conjunto tpico de curvas del dren de canal N. Las regiones ohmicas
y de estrangulamiento corresponden a las del JFET. Importante observar que la corriente de
dren no fluye hasta que Vgs no hace por lo menos de 2 volts positivos. Este voltaje se
denomina voltaje de umbral Vgs(th) e indicara el voltaje mnimo positivo de compuerta que
es necesario para inducir un canal apreciable.

CURVAS DE TRANSFERENCIA DEL E-MOSFET

Curva de transferencia relaciona la corriente de dren en el estrangulamiento. ldp en


Vgs bastante adentro de la regin de estrangulamiento. En la figura se muestra la curva de
transferencia para el MOSFET con las curvas de dren de la (figura. 6.25)

Regin de estrangulamiento

Regin
ohmica

RESUMEN DE LOS TIPOS DE FET.


TIPO DE FET

MODO DE
OPERACIN

JFET de canal N

Estrechamiento

JFET de canal P

Estrechamiento

E-MOSFET de canal N

Ensanchamiento

Conduce cuando VGS


VGS(sat)

Conduce cuando VGS


VGS(sat)
MOSFET normalmente

E-MOSFET de canal P
DE-MOSFET de canal N

Ensanchamiento
Estrechamiento

VDS VGS

COMENTARIOS

VGS puede ser ligeramente


positivo;
Corte cuando VGS VGS
(CORTE)
VGS puede ser ligeramente
negativo;
Corte cuando VGS VGS
(CORTE)

Ensanchamiento

encendido;
Corte cuando VGS es ms
negativo que VGS (CORTE) .
DE-MOSFET de canal P
Estrechamiento
+
MOSFET normalmente
Ensanchamiento
encendido;
Corte cuando VGS es ms
positivo que VGS (CORTE) .
Tabla 6.4. - Aqu esta una tabla de los varios tipos de FET as como la informacin
correspondiente a modo de operacin y polaridades de polarizacin.

COMENTARIOS GENERALES SOBRE LOS MOSFET


Los MOSFET al igual que los JFET pueden utilizarse como amplificadores de
seales. El anlisis anterior y las formulas para los amplificadores JFET son igualmente
aplicables a los MOSFET.
Los MOSFET utilizados en el modo de estrechamiento (agotamiento) se polariza en
la misma forma que el JFET, los MOSFET se ensanchamiento (acrecentamiento) se
polarizan de un modo diferente, puesto que Vgs y Vds deben tener la misma polaridad. El
uso de los E-MOSFET como amplificadores hace factible conectar la salida de una etapa
amplificadora directamente a la entrada de otra etapa de amplificacin, sin que haya
necesidad de emplear capacitores de acoplamiento.
El voltaje de CD de polarizacin en la salida del primer amplificador simplemente
sirve como la polarizacin de compuerta del amplificador que sigue. La eliminacin de los
capacitores de acoplamiento simplifica el circuito y mejora la respuesta para bajas
frecuencias.
Las capacitcancias parsitas del MOSFET entre la compuerta y el dren (Cgd) y
entre la compuerta y la fuente (Cgs) tienen por lo general valores ms bajos que los que
corresponden al JFET, por tal motivo, MOSFET tpicamente tiene en cierto modo una
mejor respuesta a altas frecuencias que el JFET.
Los efectos de la temperatura con mnimos para el MOSFET. Su corriente de fuga
de entrada no fluye a travs de la unin P-N con polarizacin inversa, como sucede con la
corriente de fuga de entrada en el JFET, y en consecuencia no es tan sensible a la
temperatura. El MOSFET es uno de los dispositivos semiconductores de la temperatura en
la actualidad.
Actualmente, la aplicacin ms importante de los MOSFET se da en la extensa rea
de los circuitos digitales de conmutacin. Hace algn tiempo esta rea fue dominada
absolutamente por los circuitos con transistores bipolares.
Si bien el MOSFET hasta ahora no iguala al transistor bipolar en lo tocante a la
velocidad de conmutacin, posee muchas otras caractersticas deseables que le concede

ciertas ventajas, especialmente en los circuitos integrados, los MOSFET son mucho ms
pequeos que los transistores bipolares y requieren mucho menos pasos en su proceso de
fabricacin. Adems, la disipacin de potencia en los circuitos MOSFET de conmutacin es
extremadamente baja.
De este modo, es posible integrar circuitos MOSFET de conmutacin en arreglos
complejos extremadamente pequeos con menores complicaciones que en el caso de los
arreglos bipolares comparables. Los circuitos MOSFET integrados se usan ampliamente es
sistemas aerotransportados, satlites, computadoras de velocidad media y calculadoras
electrnicas.

LOS V-MOSFET
El desarrollo ms reciente en la tecnologa de los MOSFET es el VMOSFET el cual
es un dispositivo de modo de ensanchamiento construido con un canal en forma de V. Este
canal proporciona al VMOSFET mucha diferencia perfeccionadas respecto a los otros tipos
de FET. Entre estas caractersticas se incluyen:

Mayor capacidad de manejo de corriente, voltaje y potencia. Un VMOSFET tpico puede disipar con seguridad 10 W, conducir una corriente
de 2 A y soportar un Vds de 80 V.

Mayores valores de transconductancia. Un V-MOSFET tpico tiene


gh=250 mS, comparado con 5mS para los JFET y 10 mS para los MOSFET
convencionales. El mayor valor de su transconductancia significa que los
amplificadores V-MOSFET tienen ganancia de voltaje superiores.

Mejor respuesta para altas frecuencias y mayores velocidades de


conmutacin.

Dimensiones ms pequeas. El V-MOSFET requiere solamente


alrededor del 60% del rea de silicio que se necesita para otros MOSFET, lo
cual lo hace incluso mas adecuado para la fabricacin de circuitos
integrados.