You are on page 1of 5

3

9. CMOS invertor (ili CMOS prekinuva~)


CMOS (Complementary MOS) invertorot, prika`an na Sl. 5, se
sostoi od dva komplementarni MOS tranzistori: eden n-kanalen
MOSFET i eden p-kanalen MOSFET. I dvata tranzistora se so induciran
kanal. Sorsot na p-kanalniot MOSFET e priklu~en na baterija VSS , a na

n-kanalniot MOSFET e vrzan na masa (mo`e da bide vrzan i na -VSS za da


se obezbedi simetri~nost na vlezniot i izlezniot napon vo odnos na
nultiot potencijal).
VSS

Qp (VTp<0)
vO

vI

Qn (VTn>0)

Sl. 5 CMOS invertor.


Da ja opredelime stati~kata prenosna karakteristika na ova kolo:
(1) vI<VTn , Qn->OFF, Qp->OP (OP-Omsko Podra~je)
vO=VSS

(1)

(2) vI>VTn, Qn->PKS, Qp->OP

n
2

n
2

(vGSn VTn ) 2 =
(vI VTn )2 =

| p |

2
| p |
2

(vSGp | Vtp |)vSDp

(VSS vI | Vtp |)(VSS vO ) . (2)

Ovaa sostojba }e se promeni koga tranzistorot Qp }e se najde na granica


na omskoto podra~je i podra~jeto na konstantni strui. Toa }e se slu~i
koga:

vSDp = vSGp | VTp | VSS vO = VSS vI | VTp | .

Ako ovoj izraz se zameni vo (2), se dobiva vrednosta na vlezniot napon za


koj Qp->OP/PKS:

VI 1 =

VSS | VTp | + RVTn


1 + R

, (3)

a izlezniot napon iznesuva: VO1=VI1+|VTp|.


(3) Qn->PKS, Qp->PKS
Koga i dvata tranzistora se vo PKS, vlezniot napon ne se menuva, t.e
vI=VI1, no skokovito pa|a izlezniot napon do vrednost koja se
opredeluva od uslovot tranzistorot Qn->PKS/OP (vDSn=VGSn-VTn) i
iznesuva: VO1=VI1-VTn.
(4) VI>VI1, Qn->OP, Qp->PKS

N
2

(vI VTn )vO =

| p |
2

(VSS vI | VTp |)2

(4)

(5) vI>VSS-|Vtp|, Qn->OP i Qp->OFF, vO=0


Prenosnata karakteristika na CMOS invertorot e prika`ana na Sl. 6.

VDD

vO
2

VI1+|VTp|
3

VI1-VTn
VTn

VI1

VSS-|VTp|

vI

Sl. 6 Prenosna karakteristika na CMOS invertor.

Logi~kite kola vo CMOS tehnologija se poznati po mo{ne malata


stati~ka disipacija vo dvete logi~ki sostojbi. Toa doa|a ottamu {to, vo
sekoja od sostojbite, eden od tranzistorite na CMOS invertorot e
zako~en, pa negovata struja e nekade od redot na 10nA. Osven toa, pri
prefrluvaweto na invertorot od ednata vo drugata sostojba, te~e struja
niz seriskata vrska na dvata tranzistora koi se vo PKS. Ovaa struja ja
zgolemuva dinami~kata disipacija na CMOS invertorot koga e
kapacitivno optovaren. Imeno, izlezot na CMOS invertorot vo
digitalnite mre`i e optovaren so mo{ne golemi vlezni otpornosti na
mosfetovite od priklu~enite kola (okolu 1013), pa strujata na
optovaruvaweto e prakti~no struja niz kapacitivnosta CL(vidi Sl.7).
Dinami~kata disipacija na CMOS invertorot se opredeluva spored
slednava relacija: PD=CLVDD2f, kade {to f e frekvencijata na
upravuva~kite impulsi.
Za razlika od NMOS invertorite, CMOS invertorot podednakvo
brzo se vklu~uva i se isklu~uva. Da go analizirame koloto od Sl.7 ako na
vlezot se nosi idealen pravoagolen naponski impuls.
vI

VSS

VSS
Qp (VTp<0)
vO

vI
Qn (VTn>0)

Sl. 7

CL

0
V
VSS

k=-IDn/CL

(1) Za t=0- vI(0-)=0, Qn->OFF, Qp->OP.


RDS(on)2CL/VSS
Vo koloto nastapile stacionarni uslovi,
RDS(on)1CL/0
pa ne te~e struja niz Qp, {to zna~i
k=IDp/CL
vO(0 )=VSS.
t
(2) Za t=0+ vI(0+)=VSS, vO(0+=VSS.
0
t
T
(T+t
)
1
2
Qn->PKS (vDSn (0+) >vGSn(0+)-VTn)
Qp->OFF (vSGp(0+)=VSS-vI(0+)=0<|VTp|.
Kondenzatorot po~nuva da se prazni preku tranzistorot Qn. Pritoa,
naponot na kondenzatorot opa|a linearno, zatoa {to strujata niz
tranzistorot QN e konstantna i iznesuva: I Dn =

N
2

(VSS VTn )2 = const.

Izlezniot napon se opredeluva spored slednava diferencijalna


ravenka:
dv
CL O = I Dn ; vO (0 + ) = VSS ,
dt
Re{enieto na ovaa diferencijalna ravenka e:
vO (t ) =

I Dn
t + VSS . (5)
CL

Izlezniot napon opa|a linearno se do momentot koga tranzistorot Qn }e


se najde na granicata na omskoto podra~je i podra~jeto na konstantni
strui, t.e koga vO(t)=vI(t)-VTn=VSS-VTn. Vremeto t1 za koe Qn->PKS/OP
iznesuva:
I
VSS VTn = Dn t1 + VSS ;
CL
V C
t1 = Tn L .
(6)
I Dn
(3) Vo intervalot [t1+, T-], Qn raboti vo omskoto podra~je, pa mo`e da se
ekvivalentira so otpornost:
RDS ( on )1 =

n (VSS VTn )

Sega naponot na kondenzatorot se prazni eksponencijalno do vrednost


nula so vremenska konstanta RDS(on)1CL. Pretpostavuvame deka
vremenskiot interval T-t1 e mnogu pogolem od vremenskata konstanta

RDS(on)1CL.
(4) Za t=T+ (ili t=0+), vlezniot napon pa|a na vrednost nula,
kondenzatorot e prazen, pa vO(T+)=vO(0+)=0. Bidej}i vGSn(0+)=0, Qn->OFF, a
od vSGp (0+)=VSS i vSDp(0+)=VSS>vSGp(0+)-|VTp|, sledi deka Qp->PKS. Strujata
so koja se polni CL e struja niz tranzistorot Qp i ima vrednost:
I Dp =

| p |
2

(VSS | VTp |) 2 = const.

Naponot na kondenzatorot raste linearno spored slednava relacija:


dv
CL O = I Dp ; vO (0'+ ) = 0
dt '
I Dp
vO (t ') =
t'.
(7)
CL

Sostojbata vo koloto se menuva koga Qp->PKS/OP, odnosno koga:


vSDp(t2)=vSGp(t2)-|VTp|,

VSS-vO(t2)=VSS-vI(t2)-|VTp|,

vO(t2)=|VTp|.
Vremeto t2 za koe Qp->PKS/OP, iznesuva: t2 =

| VTp | CL
I Dp

. (vidi relacijata (7))

Za t(T+t2)+, Qp raboti vo omskoto podra~je, pa izlezniot napon


prodol`uva da raste eksponencijalno do vrednost VSS, so vremenska
konstanta RDS(on)2CL, kade {to RDS(on)2 e otpornosta so koja se
ekvivalentira tranzistorot Qp i iznesuva:
RDS ( on )2 =

2
| p | (VSS | VTp |)